CHAPTER 3.

에너지대역과 반도체에서의 전하 캐리어

 학습목표
1. 전도대역, 가전자대역, 대역간극
2. 도핑의 개념
3. 에너지 상태밀도
4. Fermi-Dirac Distribution에 의한 캐리어 농도 계산
5. 전계내에서의 캐리어 이동도
6. 유효질량의 개념

1
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어
3-1 고체에서의 결합력과 에너지대역
(1) 에너지 준위(energy level)
- n, l , m, ms 각각 한 set 가 하나의 양자상태가 형성되고,
- 하나의 양자상태에는 하나의 전자만 수용
하나의 전자를 수용하는 에너지 상태를 에너지 준위 라 한다.

에너지 준위는 원자내의 전자들이 존재하는 곳

하나의 원자 내 여러 개의 에너지준위가 존재하고,

모든 에너지 준위는 불연속적
모든 전자의 에너지 준위는 서로 다르다.

2
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

(2) 에너지 대역(energy band)

- 여러 개의 원자들이 결합되어 있는 고체의 경우,
고체 내의 전자들은 서로 다른 에너지 준위를 갖고 있고,
에너지 준위들이 집합 되어 있는 영역을 에너지 대역이라 한다.

3
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

3.1.1 고체에서의 결합력

(1) 이온 결합
(2) 금속 결합
(3) 공유 결합

4
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

(1) 이온결합

 NaCl 의 이온결합
- Na(11) 의 전자구조 :
2 2 6 1
1s 2 s 2 p 3 s
Cl(17)의 전자구조 : 1s 2s 2 p 3s 3 p
2 2 6 2 5

- 두 원자간 이온결합 후 전자 상태

Na 는 최외각 전자 1개를 Cl에 주어 + 로 이온화(Na+) ,

최외각(n=2)에 8개의 전자 보유하여 안정화(Octed 상태)

Cl 은 Na 로부터 1개의 전자를 받아들여 –로 이온화(Cl-) ,

최외각(n=3)에 8개의 전자 보유하여 안정화(Octed 상태)
5
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

 이온결합의 특징
이온화된 원자들의 최 외각 궤도는 전자들로 완전히 채워진다.
⇒ 전자들은 원자핵에 강하게 속박된다.
⇒ 전류흐름에 참여할 수 있는 전자가 없어 절연체 특성 가짐

6
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

(2) 금속결합

 금속결합
- 최외각 전자가 1~3개 인 원자들간의 결합
Na(11), Mg(12), Al(13) 등

최외각 전자는 약하게 속박되어 쉽게 떨어져 자유전자가 되고,

해당 원자는 + 로 이온화 된다.

 금속결합의 특징
많은 수의 자유전자가 결정 내에 존재,
자유전자는 전기 전도도에 기여하게 되어 전도체로 적합 7
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

(3) 공유결합
- Ge(32), Si(14), C(6) 등의 다이아몬드 격자 원자들의 결합
각 원자는 최 외각에 4개의 전자를 갖고 있고,
하나의 원자는 인접한 4개의 원자들로 둘러싸여 있다.

자신의 최 외각 전자 4개를 인접한 원자들과 공유하고,

인접한 4개의 원자로부터 각각 1개 씩의 원자를 공유 받는다.
⇒ 최 외각 전자는 8개가 되어 안정화

si si si

si si si

si si si 8
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어
3.1.2 에너지 대역(energy band)
 실리콘원자의 결합에 따른 전자의 에너지 준위
- 단일 실리콘 원자 : 최 외각(n=3)궤도에 4개의 전자 존재 하고,
이들은 파울리의 배타율에 의해 서 다른 에너지 준위 갖음
내부궤도
최 외각 전자 Inner Orbit
Valence electron
중심체 전자
Core electron

1s2
최 외각 궤도
Valence orbit +
2s2 2p6

3s2 3p2
여기 궤도 9
4s Excitation orbit
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

- 단일 실리콘 원자에 대한 에너지 준위

에너지
거리

여기 준위
가준위 3p2 (Excitation level)
(Valence Energy level) 3s2
2p6 2s2
1s2
+ 10
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

ㆍ실리콘 원자들 간 공유 결합이 완성되면,

많은 수의 최 외각 전자 에너지준위들이 일정한 영역에 밀집,
연속적인 에너지준위들의 집합을 이룬다.

에너지 밴드(energy band)

11
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

- 두 개의 실리콘 원자에 대한 에너지 대역 모델링

+ + + +
conduction
band 에너지 에너지 에너지
에너지

band
gab 3p2 3p2 3p2 3p2
3s2 3s2 3s2 3s2
2p6 2p6 2s2 2p6 2s2 2p2 6 2s2
valence 2s
band
1s2 1s2 1s2 1s2
+ + + + 12
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

- 두 개의 실리콘 원자에 대한 에너지 대역 모델링

+ +
2
1s 1s 2
2 6
2s 2 p 2s 2 2 p 6
3s 2 3s 2
3p2 3p2
Conduction
band

Band gab
3p2 3p2
3s 2 3s 2

Valence 2 p6 2 p6
2s 2 2s 2
band
1s 2 1s 2

+ + 13
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

- N개의 실리콘 원자 결합 시
원자간 거리에 따른 각 부 전자껍질 내 전자의 수

1s 2 s 2 p 3s 3p
원자 1개 2 2 6 2 /상태수 2 2 /상태수 6

원자 N개(원자간 거리 멀 때) 2N 2N 6N 2N /상태수 2N 2N /상태수 6N

원자 N개(원자간 거리 가까울 때) 2N 2N 6N 4N /상태수 8N

14
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

가까워 짐 원자간의 상대적 거리 멀어짐

결합이 완성되면 → 8N state가 원자간 거리가 더 가까워 지면
전자가 가득찬 4N state와 전자가 → 6N state와 2N state가 합쳐져
비어 있는 4N state로 분리 8N 구간 발생

결합 시작되면서 원자간 거리가 3d

점점 가까워 짐
→ 6N state와 2N state가 분리
Conduction Band
4N State 6N State
0N electrons 2N electrons 3 M각
3p
6N State
증가방향

energy -1
2N electrons
band gab
Eg 2N State
2N electrons 3s
2N State
전자의 에너지

2N electrons

8N State
4N State 4N electrons
4N electrons
Valence Band
6N State 2p
6N electrons -1 2 L각
2N State
2N electrons
2s
2N State 15
1 K각
2N electrons 1s
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

16
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

(1) 원자간 거리가 멀리 떨어져 있을 때

1
3s : n  3, l  0, m  0, s   2N개 에너지 상태가 존재
2
1
3 p : n  3, l  1, m  1,0,1, s   6N개 에너지 상태가 존재
2
(2) 원자간 거리가 가까워 지면
- 3s 와 3 p 는 서로 겹치게 되고, 4N개의 상태는 낮은 밴드에
나머지 4N 개의 상태는 높은 밴드에 위치

- 낮은 밴드의 4N 개 상태에는 전자로 충만

- 높은 밴드의 4N 개 상태에는 전자가 완전히 비어 있음
이 밴드간의 에너지 차 존재 17
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

3.1.2 에너지 밴드
(1) 가전자대(Valence band)

N개의 Si 원자가 결합하고 있을 때, 외곽의 8N개의 에너지 준위

중 낮은 에너지 상태를 갖는 4N개의 에너지준위 들의 집합

절대온도 0K에서 가전자대에는 전자들이 가득 차 있다.

가전자(valence electorn)

가전자는 외부의 에너지(thermal, light, electricl energy)에

의해 전도대로 쉽게 천이 할 수 있는 전자

18
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

(2) 전도대(Conduction band)

N개의 Si 원자가 결합하고 있을 때, 외곽의 8N개의 에너지 준위

중 높은 에너지 상태를 갖는 4N개의 에너지준위 들의 집합

절대온도 0K에서 전도대에는 전자들이 완전히 비어 있고,

전자를 수용할 수 있는 에너지 준위들만 존재

외부의 에너지(thermal, light, electricl energy)에 의해,

가전자대의 가전자는 전도대로 천이 할 수 있다.

전도대로 천이한 전자 자유 전자(free electorn)

19
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

(3) 에너지 밴드갭(energy band gab)

- 에너지 밴드갭은 가전자대와 전도대 사이의 에너지 차를 의미
- 에너지 밴드갭에는 전자가 존재할 수 있는 에너지 준위가 없다.
- 이를 금지대역(forbidden band) 이라고도 한다.

에너지 밴드갭은 가전자대의 가전자(valence electron)가

자유전자로 되기 위해 필요한 에너지

Si 의 밴드갭 에너지 : 1.1[eV]

Ge 의 밴드갭 에너지 : 0.67[eV]
절연체의 밴드갭 에너지 : 5[eV] 이상

20
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

1 [eV] : 반도체공학에서 사용하는 에너지 단위로 전자 하나가 1 V의 전위차

에 의해 움직일 때 얻게 되는 에너지
1[eV] = (-1.6 x 10-19 [C]) X 1[V] = 1.6 x 10-19[J]

<참고>
 물리학에서의 기본적인 에너지 단위는 Joule[J]
1[J] = 1[W] x 1[sec], 1와트의 전력을 1초간 사용한 전기적 에너지

1[V] x 1[A] 1볼트의 전압에 1암페어의 전류가 흐를 때의 일률

1[C]/1[sec] 1초 동안 1 Coulomb[C]의 전하량이 흐르는 것,

∴ 1[J] = 1[V] x 1[C]/1[sec] x 1[sec] = 1[V] x 1[C]

→ 1[J]은 1[C]의 전하가 1[V] 전위차에 의해 움직일 때 얻는 에너지

21
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

3.1.3 금속, 반도체 및 절연체

- 모든 고체는 각각 고유의 에너지 대역구조를 갖고 있다.

(1) 반도체( 0K에서 )

1) 가전자대역 - 전자로 충만
- 가전자대역에 존재하는 모든 에너지 준위에 전자 점유
- 가전자대 내에서 전자의 이동 불가능

2) 전도대역 - 완전히 비어 있음
- 전도대역은 전자를 수용할 수 있는 에너지준위들이 존재,
0K에서 실제 존재하는 자유 전자는 없다. 22
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

※ 0K에서의 반도체결정
⇒ 전도대에 자유전자가 하나도 없음
⇒ 전류를 흘릴 수 없고 절연체와 같은 상태

※ 상온(300K)에서의 반도체 결정
⇒ 반도체의 에너지 밴드갭은 매우 낮아 열 에너지에 의해
가전자대의 가전자가 쉽게 전도대로 천이
⇒ 전자-정공쌍(EHP) 존재
⇒ 전류를 수송할 수 있는 캐리어로 작용
⇒ 이 경우 전도체와 같은 상태

23
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

(2) 절연체
- 절연체의 에너지 밴드구조는 반도체와 같은 구조
- 차이점 :
⇒ 에너지밴드갭이 매우 높음
⇒ 가전자가 전도대로 천이 불가능
⇒ 캐리어 생성될 수 없고, 전류 흐르지 않음

(3) 금속
- 가전자대와 전도대가 겹쳐있거나, 전도대가 부분적으로 충만
되어 있는 에너지 밴드구조 (에너지 밴드갭이 없음)
⇒ 이미 자유전자가 존재
⇒ 존재하는 자유전자의 이동에 의해 전류 흐름 ⇒ 전도체 24
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

3.1.4 직접 및 간접형 반도체

(1) 전자의 파동함수
- 결정 속의 단일 전자는 완전히 자유로운 것이 아니라
→ 주기적인 격자 구조내에서 파동의 특성을 가지고 움직인다

• 이때 자유전자의 파동함수는
k ( x)  U (k x , x)e jkx x

⇒ 여기서 k x : 전파상수(propagation constant)

또는 파동벡터(wave vector), 파동상수(wave constant)라 함
⇒ U (k x , x) : 파동함수의 진폭 , e jkx x : 위상- 주기적인 함수

※ 전자의 파동함수는 전파상수 k x 를 가지고 x 방향으로 움직이는 평면파

25
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

- 슈레딩거는 위의 파동함수 solution을 구하였고, 이 solution에

의해 전자의 허용된 에너지값( E )과 전파상수 k x 과 관계식 유도
식(2-30) 과의 관계식에서
E

p
p0 k

∴ 자유전자의 에너지와 운동량은

2차함수 관계(포물선 관계)를 갖는다.

∴ 자유전자의 에너지와 전파상수는

2차함수 관계(포물선 관계)를 갖는다.

∴ 또한, 인 관계 성립한다. 26
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어
 직접형 반도체와 간접형 반도체
에너지대역 ( E )을 전파상수 k x 의 함수로 그리면 아래와 같다..

27
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

에너지대역 ( E )와 전파상수 k x 의 함수에서 각 에너지 대역을

2 만큼 이동한 후 축소된 영역으로 표시하면 아래 그림과 같다.

2 shift right 2 shift left

전도대역

2 shift right 가전자대역

2 shift left

28
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

(1) 직접형 반도체

- 직접형 반도체는 에너지대역 ( E )을 전파상수 k x 의 함수로
그릴 때 전도대역의 최소값과 가전자 대역의 최대값을 바라볼 때
같은 k 값 (k=0) 에서 찾을 수 있다.

29
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

⇒ 전도대역에서 가전자대역으로 전자가 천이(transition) 할때

k 값의 변동 없이 천이 가능.
즉, 운동량의 변화 없이 천이 가능

⇒ 이러한 천이 시 전자는 E g 만큼의 빛(광자)에너지 방출

- 대표적 직접형 반도체는 GaAs (주로 화합물 반도체)

- 직접형 반도체는 주로 발광체(레이저, 광소자) 의 재료로 사용됨

30
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

(2) 간접형 반도체

- 간접형 반도체의 에너지대역( E )을 전파상수의 k x 함수로 그릴
때 전도대역의 최소값은 k=0 이 아닌 [100] 방향 위에 존재 하고,
가전자대역의 최대값은 k=0 에서 찾을 수 있다.
⇒ 즉, 서로 다른 k 값에 존재

31
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

⇒ 전도대역에서 가전자대역으로 전자가 천이(transition) 할 때

k 값의 변화가 필요
즉, 전자의 운동량의 변화가 있어야 천이 가능

⇒ 전도대역의 최소값에 있는 전자는 직접 가전자대역의 최대값

으로 천이 할 수 없고 에너지 대역간극 내의 결정결함상태
( Et ) 를 통하여 천이가능

⇒ 이러한 천이 시 전자는 E g 만큼의 열에너지 방출

- 대표적 간접형 반도체는 Si, Ge

32
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

3-2 반도체의 전하 (캐리어)

- 캐리어(carrier) 전류를 흘릴 수 있는 물질
양전하와 음전하가 있다.
자유전자(free electorn)
정공(hole)

33
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

3.2.1 자유전자와 정공
▶ 0K에서 반도체 결정 :
가전자대에 4N개의 에너지준위들에 4N개의 가전자들이 가득 참
전도대에 4N개의 에너지준위들이 완전히 비어 있음
반도체 결정의 온도가 0K 이상으로 상승하여

si si si si si
밴드갭 Eg 이상의 열에너지 흡수 할 때,
si
열 에너지
흡수 si si
si si si si 가전자들이 열에너지에 의해 공유결합을
이탈하여 일부 valence electron 들이
si si si si si si
전도대역으로 천이

EC • 가전자대에서 전도대로 천이된 전자

empty EC
→ 자유전자
열 에너지 • 천이된 전자에 의한 가전자 대의 공백
Eg 흡수 Eg
→ 정공
34
valence
electron
EV EV • 쌍으로 생성됨:EHP(Electron Hole Pair)
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

3.2.2 전자의 유효질량

- 자유공간에서 전자의 정지질량은

9.11 x 10-31 [Kg] [부록2]

- 격자내에서 전자의 유효질량

→ 고체 내의 격자에 에너지가 가해 질 때 전자는 이동

→ 이 에너지에 의해 움직이는 전자의 질량은 정지질량과 다르고,

이때의 질량을 유효질량이라 한다.

→ 유효질량은 전자의 이동도(mobility)를 구할 때 사용됨

35
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

※ 전자의 유효질량의 유도

- 전자의 운동량

- 자유전자의 에너지와 운동량의 관계

m 2v 2
p  mv
m
2 2 2
1 2 1mv 1 p
E  mv  
2 2 m 2 m

여기서 m : 전자의 정지질량

k : 전파상수 36
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

- 자유전자의 에너지와 운동량의 관계식, 에서

- 이식을 전파상수 k 에 대하여 미분하면,

- 이식에서 을 이항 하면

p  mv
k 에 대한 에너지 E 의
변화량이 클수록,
자유전자의 속도는 증가
37
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

에서,

E를 k에 대해 2차 미분하면 전자의 유효질량 은

∴ 전자의 유효질량은
(식3.3)
에너지의 변화량이 클수록
유효질량은 감소 함 38
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

3.2.3 진성 반도체 재료

 진성 반도체(intrinsic semiconductor)

→ 순수한 Si 또는 Ge 원자로만 결합된 반도체 결정

→ 0K에서
가전자대역은 전자로 충만, 전도대역은 완전히 비어있음
→ 상온에서는 열적 여기 발생
가전자대의 가전자는 공유결합 이탈하여 전도대역으로 천이
EHP (자유전자 – 정공 쌍) 생성

※ 이때 발생되는 단위 체적당 EHP의 수(농도)를

진성캐리어 농도 ni 라 한다. 39
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

▶ 진성반도체는 상온에서
전도대역의 전자농도 과 가전자대역의 정공농도 와 같고,
이는 EHP의 농도 즉, 진성캐리어 농도 ni 와 같다.

ni  n  p

40
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

 평형상태와 정상상태
- 평형상태(equilibrium state)
⇒ 일정온도에서 no light, no electric field
⇒ 외부적 여기가 없고, 캐리어의 생성이 일어나지 않는 상태

- 정상상태(steady state)
⇒ 평형상태에서 온도증가, 전류인가, 광원 투과 등의 원인으로
캐리어가 증가 되는 상태 non equilibrium 상태
⇒ 정상상태는 반드시 반대되는 과정과 균형이 이루어지는 상태
(ex) 일정 광원 투과 : EHP 발생
투과된 광원이 없을 때 : 생성된 만큼의 EHP 소멸
즉, 이때 발생된 EHP의 농도와 소멸되는 EHP 농도가 같을때
41
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

- 정상상태 에서는
⇒ 인가된 에너지에 의해 EHP가 생성되고, 이 에너지의 소멸로
평형상태가 될 때, EHP 생성율과 같은 비율로 EHP 재결합
재결합(recombination)
⇒ 전도대역의 전자가 가전자대역의 빈 에너지상태(정공)로 천이
⇒ EHP 가 소멸되는 현상

EHP EHP
EHP 생성률 : g i [ 3 ] EHP 재결합률 : ri [ ]
cm  s cm  s
3

평형상태에서 생성률과 재결합률은 같다.

g i  ri 42
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

- 진성반도체에서 임의의 온도에서 EHP 의 생성 비율 g i 는

평형상태에서의 전자농도 n0 와 정공농도 p 0 의 곱에 비례

ni  n  p

43
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

3.2.4 외인성 반도체 재료

 외인성 반도체(extrinsic semiconductor)
- 불순물 반도체 라고도 한다.
- 진성반도체에 의도적으로 불순물을 첨가하여 만든 반도체 결정
- 불순물을 첨가하는 과정을 도핑(doping) 이라 한다.

(1) p type 불순물 반도체

- 진성반도체에 3가 불순물 B(13), Ga(31), In(49) 첨가
- 억셉터(acceptor) 불순물
(2) n type 불순물 반도체
- 진성반도체에 5가 불순물 P(15), As(33), Sb(51) 첨가
44
- 도우너(donor) 불순물
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

 n형 반도체

- 진성반도체에 5가 원자(As, P, Sb) 도핑

⇒ 첨가한 5가 원자 수 만큼의 추가적인 자유전자 발생

- 첨가된 5가 원자는 전자를 하나 잃고 +로 이온화

⇒ 도우너 이온(Nd+) N d+

P
e-
N d+
P
e-

e- e-
P P
N d+ N d+ 45
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

- n형 반도체의 캐리어

▪ 정공 ⇒ 열적 에너지에 의한 정공
소수캐리어(minority carrier)

▪ 전자 ⇒ 열적 에너지에 의한 전자 + 불순물 첨가에 의한 전자

다수캐리어(majority carrier

46
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

 p형 반도체

- 진성반도체에 3가 원자(B, Ga, In) 도핑

⇒ 첨가한 3가 원자 수 만큼의 정공 발생

- 첨가된 3가 원자는 전자를 하나 얻을 수 있어 -로 이온화

⇒ 억셉터 이온(Na-) Na-
B
h+
Na-
B
h+
Na-
h+
B B
47
Na- h+
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

- p형 반도체의 캐리어

▪ 정공 ⇒ 열적 에너지에 의한 정공 + 불순물 첨가에 의한 정공

다수캐리어(majority carrier

▪ 전자 ⇒ 열적 에너지에 의한 전자
소수캐리어(minority carrier)

48
CHAPTER 3. 에너지대역과 반도체에서의 전하캐리어

3-3 캐리어 농도

- 캐리어(carrier)농도
⇒ 반도체의 전기적 특성을 결정하는 중요한 요소

1
- 캐리어의 농도 단위 : [ 3
]
cm

- 다수캐리어의 농도
⇒ 도핑한 불순물 원자 수에 의해 결정되므로 분명하나,
⇒ 소수캐리어는 열적 상태에의해 결정되므로 분명치 않다.

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