공정

공정분석
분석장비
장비 구조 및
및동작원리
동작원리
 반도체 제조 공정 개발 part 2

학습내용

•표면과 성분 계측 장비
•구조 분석 장비

학습목표

•작업 지시서에 의해 정해진 공정 장비를

조작하여 단위 공정을 수행할 수 있다.
•공정의 작업 순서와 절차를 파악하여 수행 중인
단위 공정의 특성을 확인할 수 있다.

2
 반도체 제조 공정 개발 part 2

표면과 성분 계측 장비
오저전자분석기(Auger Electron Spectroscopy, AES)
개요
표면 분석 기술의 발달
• 극 미세 표면(수 ㎛이하)만을 선택적으로 분석
• 첨단 반도체 소재를 비롯한 모든 분야의 연구에서
필수적인 기술
오저 전자(Auger Electron) 에너지 측정으로 원소의
종류 및 양 분석
표면분석의 3대 분석 장비
• XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)
• SIMS
• 오저 전자 분석기(Auger Electron Spectroscopy, AES)
오저 전자(Auger Electron)

원자나 이온에서 방출되는 전자로 인해

오저 효과 또 다른 전자가 방출되는 물리적 현상

오저 전자
(Auger 두 번째로 발생하는 방출전자
Electron)

3
 반도체 제조 공정 개발 part 2

표면과 성분 계측 장비
오저전자분석기(Auger Electron Spectroscopy, AES)
오저 전자(Auger Electron)

원자의안쪽준위에서전자하나가빈자리를남기고제거
에너지 높은준위의전자하나가빈자리를채우게됨
발생 높은준위와빈자리의준위차이만큼의에너지발생

에너지의 에너지는 광자의 형태로 방출

 두 번째 전자를 추가로 방출하는 데 사용
사용

오저 전자(Auger Electron)

에너지 차이 원자핵
K<L<M K
천이 규칙 ML

M→L, M→K, L→K

오저 전자 발생원리

4
 반도체 제조 공정 개발 part 2

표면과 성분 계측 장비
오저전자분석기(Auger Electron Spectroscopy, AES)
오저 전자(Auger Electron)

에너지 차이 원자핵
K<L<M K
천이 규칙 ML

M→L, M→K, L→K

입사 빔

오저 전자 발생원리

에너지 차이 원자핵
K<L<M K
천이 규칙 ML

M→L, M→K, L→K

입사 빔
입사 빔을 맞고 K 궤도에서
외부로 튀어나온 전자

오저 전자 발생원리

5
 반도체 제조 공정 개발 part 2

표면과 성분 계측 장비
오저전자분석기(Auger Electron Spectroscopy, AES)
오저 전자(Auger Electron)
L 궤도의 전자가
K 궤도의 전자가 떠난
자리로 이동하면서
에너지 차이 X-ray 방출
원자핵
K<L<M K
천이 규칙 ML

M→L, M→K, L→K

입사 빔
입사 빔을 맞고 K 궤도에서
외부로 튀어나온 전자

오저 전자 발생원리

L 궤도의전자가
K 궤도의전자가떠난자리로
이동하면서X-ray 방출
에너지 차이 원자핵
K<L<M K
천이 규칙 ML
방출된X-ray가M 궤
M→L, M→K, L→K 도의전자를 여기시켜
전자가외부로방출
입사 빔
입사 빔을 맞고 K 궤도에서
외부로 튀어나온 전자

오저 전자 발생원리

6
 반도체 제조 공정 개발 part 2

표면과 성분 계측 장비
오저전자분석기(Auger Electron Spectroscopy, AES)
오저 전자(Auger Electron)

L 궤도의 전자가
K 궤도의 전자가 떠
난 자리로 이동하면
에너지 차이 원자핵 서 X-ray 방출

K<L<M K 방출된X-ray가M
ML 궤도의전자를
천이 규칙 여기시켜전자가
M→L, M→K, L→K 외부로방출
Auger
Electron
입사 빔
입사 빔을 맞고 K 궤도에서
외부로 튀어나온 전자

오저 전자 발생원리
측정원리
기본적인 측정 과정

프로브전자
원자내부의내각 X-ray나제2의
(Probe Electron)이
전자가외부로 전자외부로방출,
시료의원자와충돌
방출 준안정상태유지
(1~20 KeV 에너지)

시료 원자의 특성에 각각 다른 운동에너지를 가짐

외부 검출기를 이용하여 원소의 종류 판별
오저 현상
• 3개 이상의 전자를 포함한 원소에서만 가능
• 수소와 헬륨 두 원소를 제외한 모든 원소 분석 가능

7
 반도체 제조 공정 개발 part 2

표면과 성분 계측 장비
오저전자분석기(Auger Electron Spectroscopy, AES)
장점
프로브(Probe) 사용으로 탁월한 X-Y 해상력(< 35㎚)
낮은 검출한계(> 0.1%)와 주사 모드(Scanning
Mode)로 이미지 표현 가능
AES 분석을 이온 식각과 공동으로 실시
• 깊이 정보인 “Depth Profile”을 얻을 수 있음

응용분야

1 표면근처(< 3㎚)의 성분 분석

2 산화막 성장 비율 검증

3 분결(Segregation) 및 열처리 효과 분석

4 금속-반도체 간의 계면구조와 화학조성 파악

5 IC 패키지 공정 불량 문제 분석

8
 반도체 제조 공정 개발 part 2

표면과 성분 계측 장비
오저전자분석기(Auger Electron Spectroscopy, AES)
응용분야
X, Y 기록기
오실로스코프
Lock In
증폭기
변
Sweep 압
공급전원 기

회전식 전자
전자총 증폭기
시료척

자기 쉴드(Magnetic Shield)

스퍼터 이온 총(Sputter Ion Gun)

AES의 장비 시스템의 구성

X-선광전자분광기(X-ray Photoelectron Spectroscopy,

XPS)
개요
특성 X-선을 입사하여 방출하는 광전자의 에너지 측정하는 장비

• 시료표면의 조성 및 화학적인 결합상태 파악

• X-선이 사용되어 도체 및 반도체 절연박막 분석에 사용
• 이온 빔으로 표면을 식각하여 깊이 분포도 측정 가능

9
 반도체 제조 공정 개발 part 2

표면과 성분 계측 장비
오저전자분석기(Auger Electron Spectroscopy, AES)
개요 Computer
System
Hemispherical Energy Analyzer
Outer Sphere Magnetic
Shield

Analyzer Control
Inner Sphere

Electron Multi-Channel Plate

Optics Lenses for Energy Electron Multiplier
Adjustment
(Retardation) Resistive Anode Encoder
Position Computer
X-ray
Lenses for
Source Analysis Position Address
Area Definition Converter
Position Sensitive
Sample Detector (PSD)

XPS 장비 구성도

10
 반도체 제조 공정 개발 part 2

표면과 성분 계측 장비
X-선광전자분광기(X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS)

측정 원리
기본적인 측정 과정

일정한 에너지의 광전자들의

광전자 방출
X-선을 시료에 운동에너지
(Photoelectron)
쬐면 측정

• 광전자의 결합 에너지(Binding Energy)를 알 수 있음

• 원소를 분석할 수 있음

X-선광전자분광기(X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS)

분석원소 분석값
탄소(75%)와
Name Pos. FWHM Area At%
12 O 1s 530.90 3,485 2079296.7 24.46 산소(24.46%)로 이루어진
10 C 1s 282.90 3.611 2180740.0 75.17
N 1s 397.90 4.784 12243.3 0.23 탄소와 산소의 화합물
8 Na 1s1068.90 3.203 32916.7 0.13
CPS

C O C
6 75% 24.46%
피크(Peak)강도 O O
4
2
• X축은 발생한 광전자가 갖는
1000 800 600 400 200 0 결합 에너지
결합에너지 Binding Energy (eV)
• 각 원소들은 피크(Peak) 강도
를 나타냄

XPS 측정 결과의 예시

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 반도체 제조 공정 개발 part 2

표면과 성분 계측 장비
X-선광전자분광기(X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS)

응용 분야

1 금속및반도체순수표면의상전이에따른전자구조의변화예측

2 재배열원자들의전하분포및결합에너지변화파악

반도체와금속표면에서반응성과결합상태에따른전자구조연구에
3
사용

4 자성체초박막및에피박막의전자에너지연구

5 서브마이크로이하의국소영역성분분석

6 깊이프로파일(Depth Profile)을통한박막의성장메커니즘규명

7 표면의원소에대한정량분석

12
 반도체 제조 공정 개발 part 2

표면과 성분 계측 장비
퓨리에 변환 적외선 분광기(FTIR)
원리
분석대상 시료에 적외선 입사하면 입자의
고유진동에너지에 해당하는 파장 흡수
입자의 질량과 화학적 결합력에 의해 결정
퓨리에 변환 적외선 분광기(FTIR)의 활용
• 입사 파장에 따른 흡수도 측정
• 흡수 띠의 위치와 강도에서 물질의 정성, 정량 분석

주요 사양
고정경

• 최대 검출 능력 : 4~55.000cm-1
이동경
IR 센서 • 최대 분해능 : 0.026cm-1
시료
• 측정 온도 : 4 ~ 300K
반투명거울 • 측정 압력 : 0.5torr ~ 760torr

IR 소스

FTIR 구성도

13
 반도체 제조 공정 개발 part 2

표면과 성분 계측 장비
퓨리에 변환 적외선 분광기(FTIR)
주요 용도

소재의 불순물의
소재의
광학적 특성 농도 및
결합상태분석 측정 거동분석

X-선회절분석기(X-ray Diffractometer, XRD)

원리
결정 질 내부에서 회절 현상을 일으켜 고체의 결정구조를
분석하는 기기
• 반도체 박막, 초격자구조 및 신소재 분석 등에 이용

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 반도체 제조 공정 개발 part 2

표면과 성분 계측 장비
X-선 회절분석기(X-ray Diffractometer, XRD)
쌍 결정 회절(DCXD) 분석
결정체 시료를 설치하고 X-선을 입사 시켜 회절현상을
분석 측정하는 XRD 방법

피크 회절 피크 이동
분리법 무늬법 효과

DCXD 분석법

Plotter

X-선 소스 슬릿 1차 결정체
컴퓨터

CCC

박막 시료 검출기

DCXD 측정 구성도

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 반도체 제조 공정 개발 part 2

표면과 성분 계측 장비
러더포드후방산란분광기(Rutherford Back Scattering, RBS)
측정 원리
고전압으로 가속된 알파입자를 시료에 입사시켜 박막의
조성과 두께 측정
• 특정 결정방위에 대하여 알파(α) 입자(He)를 입사, 결
정 질 내부 결함의 깊이 분포 측정

시료

α-입자 빔
0~100˚ (2~2.5MeV)
0~165˚

Normal
Grazing 각 검출기(165˚)
각 검출기

RBS 장치의 개념도

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 반도체 제조 공정 개발 part 2

표면과 성분 계측 장비
러더포드후방산란분광기(Rutherford Back Scattering, RBS)
주요 사양 및 용도
고전압으로 가속된 알파입자를 시료에 입사시켜 박막의
조성과 두께 측정
주요 사양

최대가속전 수평분해능 깊이분해능 검출가능원소

1.0MeV 1.5 5~30㎚ Li~U

용도
• 비 파괴 정량분석, 박막의 깊이에 따른 농도분포, 단결
정 내의 결정손상 분석
• 금속, 반도체, 신소재 박막의 조성분석, 단결정 내의
결정성 및 결정성 내의 불순물 분포 계측

장점
SIMS나 AES에 비해 비파괴적 분석 가능
깊이 방향의 원소 조성을 신속히 파악
표준시료 필요, 스펙트럼(Spectrum) 분석 용이, 시뮬레이션 가능
다른 분석기에 비해 초고진공이 요구되지 않음
시료 교체 및 조작이 간편함
다른 시료에 의존하지 않고 정량화가 가능함

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 반도체 제조 공정 개발 part 2

표면과 성분 계측 장비
러더포드후방산란분광기(Rutherford Back Scattering, RBS)
단점
다중 원소 시료는 피크(Peak) 중첩으로 시뮬레이션이 어려움
무거운 원소 시료는 질량 분해능에 문제 발생 우려
가벼운 원소 분석의 어려움
분석 및 측정 기술
분석 기술
• 박막 두께 및 조성에 대하여 무작위(Random) 분석
• 채널링(Channeling) 분석
• 불순물 원소의 격자 위치 분석
측정 기술
• 격자결함의 양과 깊이 분포 측정
• 비 정질 층의 조성과 두께 측정
2차이온질량분석기(SecondaryIonMassSpectroscopy,SIMS)
SIMS 장비의 종류
동적인(Dynamic) SIMS 정적인(Static) SIMS
• 표면에 존재하는 원자나
• 깊이에 따른 원자 층의 분자들을 질량 대 전하량의
화학적 원소 분석 및 질량 비율로 표현
분석에 사용
• 장비의 구성요소는 이온 주입
장비와 유사

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 반도체 제조 공정 개발 part 2

표면과 성분 계측 장비
2차이온질량분석기(SecondaryIonMassSpectroscopy,SIMS)
SIMS 주요 모듈과 구성
SIMS 주요 모듈

질량 데이터처리
시료 이온 소스 검출기
분석기 시스템
• Ar • TOF • Micro-
Channel
• Xe • Quadrup Plate
• N2 ole
• Electron
• Cs+ • Magnetic Multiplier
-Sector • Faraday Cup
• PEM

SIMS 전체 구성도

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 반도체 제조 공정 개발 part 2

표면과 성분 계측 장비
2차이온질량분석기(SecondaryIonMassSpectroscopy,SIMS)
SIMS를 이용한 도즈(Dose)량과 분포 분석
반도체에서 사용하는 도펀트

N-type 불순물 도펀트 P-type 불순물 도펀트

인(Phosphorus) 붕소(Boron)

측정 시 고려해야 할 사항
• SIMS 자체가 포함하는 기본적인 원자들 때문에 검출
한계가 존재함
• 측정 한계는 SIMS 내 기본 이온 량 보다 많은 양이
도핑된 시료만 측정 가능

• 도즈(Dose)량:1.04 x 1014 atoms/cm2 • 도즈(Dose)량:1.00 x 1014 atoms/cm2

• 측정:7.5 KeV • 측정:15KeV

깊이에 따른 SIMS 측정을 통한 원자농도와 분포

20
 반도체 제조 공정 개발 part 2

물성 연구 장비의 활용
입자 산란에 의한 특성 측정
주의 사항
정확하고 신뢰성 있는 불량분석을 위해 정확한 장비 파악 필수
입사 에너지범 2차신
기술 분석분야
입자 위(keV) 호
0.5~10 전자 AES Auger 전자분광학 표면성분
국소미세지역
전자에너지손실분광
100~4000 전자 EELS 화학적조성, 성
학
분
전자
X-선에너지발산분석
> 10 X-선 EDAX 구조
학
> 10 전자 RHEED 전자회절 구조
< 0.3 전자 LEED 전자회절 표면성분

입사 에너지범 2차신
기술 분석분야
입자 위(keV) 호
빛 RAMAN 라만산란분광학 불순물
광전자 XPS,ESCA X-선광전자분광학 불순물
빛입
>1 퓨리변형적외선분광
자 IR FTIR 불순물
학
IR PL 광루미네선스 불순물
1~15 이온 SIMS 이차이온질량분광학 전자상태
이온 0.5~2 이온 ISS 이온산란분광학 표면성분
>1 MeV 이온 RBS 러더퍼드후방산란 깊이성분분포

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 반도체 제조 공정 개발 part 2

구조 분석 장비
방출 분석(Emission Microscope, EMMI) 시스템
분석 기법
반도체 소자의 고집적화, 미세화, 다층화로 인한 불량 발생
• 복잡하고 넓은 내부 회로에서 불량 위치를 찾기 위한 필수 분석 항목
• 불량의 예방이나 재발 방지를 위해 원인을 밝히는 과정 필수
전기적 불량의 유형
1 단선(Open)

2 단락(Short)

3 누설(Leakage)
불량 분석의 단계

검출된 이미지와
빛과 열 방출 부위
패턴 이미지
불량 부위 검출 특수 카메라를
중첩으로
이용하여 검출
불량 위치 파악

불량 발생 소자에 비정상적인 빛(Photon)이나 열(Heat) 방출

빛과 열의 검출에 사용되는 장비

빛을 검출하기 위한 카메라 열을 검출하기 위한 카메라

인듐- 인듐-안티몬(InSb)
갈륨아세나이드(InGaAs) 카메라
카메라

22
 반도체 제조 공정 개발 part 2

구조 분석 장비
방출 분석(Emission Microscope, EMMI) 시스템
분석의 중요성
현재 반도체 및 정보통신 기술의 발달 추이
• 매우 급속한 변화
• 초소형화, 저전력화, 다기능화, 원칩화 등 다양한 요구 발생
• 일반적인 측정만으로는 신규소자 개발이 어려움
• 개발 및 양산화에 따른 측정과 분석의 중요성 이해
물성분석의 필요성
• 정확한 평가를 위해 전기적 측정과 더불어 물리, 화학적 평가
필요함
반도체소자를 구성하고 있는 소재와 표면의
미세구조, 구성성분, 결합상태, 분포도 및
물성분석
결정상태 등을 전자, 이온 및 광학적 수단을
사용하여 알아내는 것

분석장비의 필요성
• 평가는 웨이퍼 단위가 아닌 칩 단위로 잘라서 수행
경쟁사 Device칩에 대한 연구 및 수율 저하 요인을
찾기 위한 불량 분석에 사용

23
 반도체 제조 공정 개발 part 2

구조 분석 장비
방출 분석(Emission Microscope, EMMI) 시스템
광자 방출 현미경(Photon Emission Microscope) 분석
웨이퍼 및 패키지(Package) 상태의 소자에 전기적 신호를
인가한 후 불량 위치에서 발생하는 미약한 광자(Photon)을
검출하는 시스템
• 누설 전류 및 단락 불량 위치를 검출할 때 사용
• 적외선 빔을 주사하여 패턴을 읽은 후 CCD 카메라나 인가스
(InGaAs) 카메라를 통하여 이미지를 확인하여 불량 발생부위를
찾아내는 방식
적용 영역
• 접합 누설
• 산화막 항복
• 정전기 파괴
• 뜨거운 운반자(Hot Carrier) 발생
• 래치 업(Latch Up) 등의 불량 검출 시 사용

게이트산화막손상

누설

광자 방출 분석 방법
24
 반도체 제조 공정 개발 part 2

구조 분석 장비
방출 분석(Emission Microscope, EMMI) 시스템
광자 방출 현미경(Photon Emission Microscope) 분석
전기적 신호를 인가한 후 불량 위치에서 발생하는 열을
검출하는 시스템

소자에 인듐안티몬(InSb)
적외선 레이저 빔을 주 카메라를 통해
사하여 패턴을 읽음 불량 발생부위 조사

적용 영역
• 누설 전류 및 단락 불량 위치 검출
• 산화막의 미세 플라즈마 누설, 파괴, 금속배선의
단락 등의 불량 검출
열 방출 현미경(Thermal Emission Microscope) 분석

열 방출 분석 방법

25
 반도체 제조 공정 개발 part 2

구조 분석 장비
방출 분석(Emission Microscope, EMMI) 시스템
광학적 빔에 유기된 저항변화(Optical Beam Induced Resistance
Change)
레이저 가열에 의한 열기전력 발생지점을 찾는 것
• 저항의 변화를 이미지로 표현
• InGaAs와 동일 대역 레이저를 사용하며 주로 누설성 불량 검출
• 감도가 매우 우수하며 마이크로 암페어(㎂) 수준의 미세한
누설성 불량 검출

• 뜨거운 점(Hot Spot)에 대한 높은 신뢰도를 가짐

• 주변 환경의 노이즈에 약하지만 락-인(Lock-In) 시스템
으로 극복 가능
• 증폭시스템을 반드시 연결해야 해서 2 핀 조건에서만
테스트 가능
레이저 세기에 의해 손상 받을 수 있음

26
 반도체 제조 공정 개발 part 2

구조 분석 장비
방출 분석(Emission Microscope, EMMI) 시스템
EMMI 방법 간의 비교

광학적 열적 OBIRCH

방출 광자 IR 저항 변화
LSM(Laser
카메라 InGaAs InSb Scanning
Microscope)
검출 가능
수 십 ㎂이상 수 백 ㎂이상 수 ㎂이상
전류 수준

광학적 열적 OBIRCH

검출불량 게이트, 금속배선 게이트, 금속배선

게이트관련불량
유형 불량 불량
DC DC(Static, Dynamic),
인가전압 증폭기
(Static, Dynamic) Lock-In 시스템

0.8X, 5X, 20X,

렌즈배율 0.3X, 0.8X, 4X, 8X 1X, 5X, 20X, 50X
50X

분석
30분내외 30분내외 30분내외
소요시간

27
 반도체 제조 공정 개발 part 2

구조 분석 장비
투과형전자현미경(Transmission Electron Microscopy)
TEM 시편과 SEM 시편 제작
SEM 시편 제작
• 단순히 수직 단면으로 잘라 직접 관찰하는 방법
• 관측하고 싶은 층만 볼 수 있도록 습식 식각을 거침
TEM 시편 제작
• 얇은 두께의 시료 제작으로 어려움이 많고, 많은 시간 소모
• TEM 시료 제작은 두 가지로 방법으로 분류하여 준비

TEM 시편 제작 방법

PIPS 이온 밀링(Milling) 이용 FIB 이용

• 랜덤(Random)한 위치, • FBM 및 OBIRCH/PEM

패턴이 없는 평판 Spot의 불량 점을 관찰
웨이퍼에 필요 하는 경우 필요
• 관찰 할 위치의 크기가 • 패드(Pad) 단면을 관찰
육안으로 식별이 가능할 시 필요
만큼 크고, 시료의
• 특정한 모니터링 위치에
상층인 경우 필요
필요

28
 반도체 제조 공정 개발 part 2

구조 분석 장비
투과형전자현미경(Transmission Electron Microscopy)
TEM 시료 제작과정

이온 빔 (Focused Ion Beam) 분석기

FIB(Focused Ion Beam) 분석
가속된 Ga+ 이온 빔을 집속하여 시료의 표면에 주사하는 이온
빔 집속 장치
• 주사 된 이온은 시편의 표면에서 다양한 반응을 일으킴
• 물리적 반응을 이용하여 다양한 분석기술 구현

29
 반도체 제조 공정 개발 part 2

구조 분석 장비
이온 빔 (Focused Ion Beam) 분석기
FIB(Focused Ion Beam) 분석
기능
1 주사 이온 현미경(Scanning Ion Microscopy, SIM) 기능
• 1차 이온에 의하여 발생하는 2차 전자 또는 이온을 검출하여
상을 형성
• 재료의 식각 속도 및 선택성 증가를 위해 다양한 반응성 가스
사용
2 회로 수정 시 금속 배선 절단
• 마스크 없이 국소 영역에 전도성 또는 절연성 증착막 형성
3 TEM 시료 제작에 사용
• 프로빙 패드(Probing Pad) 형성에 주로 사용
적용분야

회로수정 불량분석

• 금속 층이나 폴리(Poly) 라인(Line)의 미세 절단에 사용

• 전도성이나 절연성 박막의 국소 영역의 증착에 사용
• 소자의 특성 측정을 위한 프로브 패드(Probe Pad) 형성
시 사용

30
 반도체 제조 공정 개발 part 2

구조 분석 장비
이온 빔 (Focused Ion Beam) 분석기
FIB(Focused Ion Beam) 분석
적용분야

회로수정 불량분석
• 결함 분석을 위한 단면 관찰
• 미세구조의 분리와 연속성 테스트 실시
• 프로빙(Probing)을 위한 금속과 절연 층 제거
• 다중 금속 층의 프로빙을 위한 절연체의 선택적 식각

장비의 주요 사양 및 구성

• 전자 빔 사이즈 2㎚
이온 빔 사이즈 7㎚
• 증착은 백금(Pt)
• 보조 가스는 XeF2

FIB 장비 구성도

31
 반도체 제조 공정 개발 part 2

학습정리

1. 표면과 성분 계측 장비

• 오저 전자 분석기(AES)
- 수십 나노미터(nm)의 크기로 집속된 전자 빔을 표면에 입사시켜
방출되는 오저 전자(Auger Electron)의 에너지 측정
- 재료표면을 구성하고 있는 원소의 종류 및 양 분석
• XPS
- 시료의 표면에 특성 X-선을 입사하여, 방출하는 광전자의
에너지를 측정
- 시료표면의 조성 및 화학적인 결합상태를 알 수 있음
• FTIR
- 입사 파장에 따른 흡수도 측정
- 흡수 띠의 위치와 강도에서 물질의 정성, 정량분석을 할 수 있음
• SIMS
- 깊이에 따른 원자 층의 화학적 원소 분석 및 질량 분석과 표면에
존재하는 원자나 분자들을 질량 대 전하량을 상대적 비율로
나타내어 원소 분석 및 질량 분석에 사용
• XRD
- 특성 X-선의 파장과 일반 결정 면의 면간 거리가 유사한 점을
이용하여 결정 질 내부에서 회절 현상을 일으켜 고체의
결정구조를 분석하는 기기
• RBS(Rutherford Back Scattering)
- 고전압으로 가속된 알파입자를 시료에 입사시켜 후방 산란되는
알파입자의 에너지 분포를 측정함으로써 박막의 조성과 두께를
측정하는 방법

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 반도체 제조 공정 개발 part 2

학습정리

2. 구조 분석 장비

• EMMI
- 불량이 발생된 소자에 전기적 신호를 인가하여 고장 현상을
재현하게 되면, 불량 부위에서 비정상적인 빛(Photon)이나
열(Heat)이 방출하고 결함점을 찾는 방법

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