전자회로

Electronic Devices
Electronics Devices
(Ch.02-1_Semiconductors)

담당교수 : 김 종 원
(kamuai@koreatech.ac.kr)

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학습목표
1. 도체와 부도체 (Conductors and Insulators)
▶ 도체의 물성을 이해하고 그 원리를 Device 영역에서 활용할 수 있다.

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▶ 부도체의 전기학적 의미를 이해하고 그 원리를 Device 영역에서 활용할 수 있다.

2. 반도체 (Semiconductors).
▶ 반도체의 물성과 전기학적 의미를 그 원리를 Device 영역에서 활용할 수 있다.

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1. 도체와 부도체 (Conductors and Insulators)
1.1 도체의 의미
▶ 전류를 쉽게 형성할 수 있는 물질

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▶ 전기에너지를 가진 입자(전하:Charge)가 힘(전압)에 의해 방향성을 갖고 이동(전류) 할 수 있는 물질
▶ 도체의 예:
- Copper, Silver, Gold, iron … : 금속으로 표현되는 물질이 다수를 이루고 있는 물질

▶ 원자(Atom)
- 원자는 모든 물질을 구성하는 기본 물질로 명명함
- 이런 원자의 구성형태, 모양 및 각 원자를 이루는 비율에 따라서 화학 기본원소가 구성됨
- 원자의 구성요소: 핵(nucleus), 전자(electrons)
* 핵(nucleus)
★ 양성자(Protons): 반지름=0.84[fm], 질량=1.672*10-27[kg], 전하를 가지고 있음(Polarity).
★ 중성자(Neutrons): 질량=1.675*10-27[kg], 전하를 가지고 있지 않음
* 전자(Electronics)
★ 질량=9.1*10-31[kg], 전하량=1.602*10-19[c], Polarity를 갖고 있음.
▶ 원소주기율 표: https://m.blog.naver.com/studycadcam/221878312451

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1. 도체와 부도체 (Conductors and Insulators)
1.1 도체의 의미

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▶ 코어(Core:핵심): 원자를 구성하는 핵과 전자가 힘의 균형을 통해 전기적 성질을 나태는 영역(?)
▶ 보어(Bohr)의 원자모델

- 핵과 전자의 힘의 균형에 의해 생성된 전자의 내부궤도가 존재하는 영역으로 구성

- 원자핵의 크기에 따라 전자와 핵 사이의 힘의 상호작용을 통해 core가 결정됨
- 원자핵(nucleus) = 양성자(proton) + 중성자(neutron)
* Energy level: 에너지 준위[eV], shell: 각 (K각, L각, M각, N각, ….)

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1. 도체와 부도체 (Conductors and Insulators)
1.1 도체의 의미
▶ 보어(Bohr)의 원자모델

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- 각은 다음 식과 같은 수의 전자를 최대로 지님 :
Ne = 2∙n2 ; n = 1, 2, 3, 4,… for K, L, M, N,…
- 최외각은“가전자각(valence electron shell)”이라 하고, 가전자각에 있는 전자를 “가전자(valence electron)”라고 함.
- 가전자각에 빈자리가 많을 수록 물질의 도전성(conductivity)이 크다.
- 최고 에너지 준위를 갖는 전자는 원자의 최외각에 존재함.
- 가전자는 상대적으로 원자핵에 대한 구속력이 약하므로 물질 내에서 화학적 반응/결합에 관여하여 물질의 특성을 결정함.
- 가전자가 충분한 에너지를 얻게 되면 최외각으로 부터 이탈하여
: “이온화(ionization)”-> 이온 + “자유전자(free electron) = 이탈된 가전자”

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1. 도체와 부도체 (Conductors and Insulators)
1.1 도체의 의미
▶ 보어(Bohr)의 원자모델

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전기학적 의미는 같음

구리코어의 표현

-코어구성의 특징: (예: 구리)

* 이론적으로 2n2 (n=4)에서 32개를 채울 수 있지만, 구리의 전자 수는 29이므로 2∙12 + 2∙22 + 2∙32 + 1 = 29

-전기학적 의미로 물성을 축소하면

* 원자핵(nucleus) + 전자의 내부궤도(inner orbits)로 구성된 코어는 결국 최외각/가전자각(수,k, l,m,..)이
전기적 특성을 결정하고 이때 최 외곽 전자의 개수(크기, 양)와 원자핵의 전기적 특징(Polarity)이 전기량을 결정
* 예: 구리의 원자핵은 +1(양성), 최외각 전자 1로 구성
* 가장 좋은 도체 : 가전자 1개만 가짐 / 가장 좋은 부도체 : 가전자 8개를 가짐

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1. 도체와 부도체 (Conductors and Insulators)
1.2 부도체의 의미
▶ 부도체(절연체: insulators) = 유전체(dielectric)

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- 전기 또는 열에 대한 저항이 매우 커서 전기나 열을 전달하지 못하는 물체
- 자유전자가 없고(?) 전기에너지의 차(무극)가 커서 분극현상(Polarization) 발생 고려.
- 예: 종이, 유리, 나무, 고무 등등.

외부 전자기장 외부 전자기장

- 전기학에서 이야기하는 유전율은 전기적 특성(극의 성질에 따른 전하의 이동력)이 해당 물질 내에 얼만큼의 크기를 갖고
있는가에 대한 표현.
- 물질 자체가 가전자대를 쉽게 형성하고 있지 않기 때문에 자유전자가 없어 전류가 흐르지 않는다.
- 외부로 부터 하전입자가 유기될 수 있는 환경이 존재하면 해당물질은 하전입자의 전기적 영향에 의해 물질의
전기적 특징이 변화할 수 있음.
- 다만, 물질 자체가 자유전자를 충분히 갖고있지 않기 때문에 전류가 흐르지 못함.
- 따라서 이런 물질을 유전률이 낮은 물질로 표현하고, 통칭 부도체라 칭함.
- 전기학에서는 절연체로 명명함.

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2. 반도체 (Semiconductors)
2.1 반도체의 의미
▶ 반도체 원소: 도체와 절연체의 전기학적 중간성질을 가진 원소

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- 가장 좋은 도체: 최외각 가전자 1개를 갖는 물체
- 가장 좋은 부도체: 최외각 가전자 8개를 갖는 물체

▶ 반도체 Device 결국~: 최외각 가전자 4개를 갖는 물체

- 원소 주기율표 상에 4주기 원소에 해당.
- 물질의 물리적, 화학적, 환경적 특성이
Device로 활용되기 용이한 원소 이용.
- 주로 금속성 원소가 대표적.
- 실리콘, 게르마늄 등

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2. 반도체 (Semiconductors)
2.1 반도체의 의미
▶ 원소내의 전기학적 균형요소의 이해 ?

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- 전자와 정공(hole)
* 전기에너지를 이루는 전류는 물질 내부에서 일어나는 전하의 이동과 관련이 있음.
* 이때 물질 내부에서 발생하는 전류는 구성하는 전하는 극(polarity)의 성질에 의한
힘의 차이서 기인합니다.
* 이때 전자(전하)가 물질 내부에 존재 할 수 있는 힘의 영역(자리)를 정공(입자로 인식하기도 함).
* 물질 내부에 전류를 구성하여 이동되는 입자(전자)로 표현합니다.
* 이런 두 입자의 균형성의 차이로 인하여 물질은 전기적인 상태가 결정됩니다.
* 이때 특정 물질을 대상으로 전류를 구성하는 특징에 따라 캐리어로 표현하고,
전류의 구성물질에 따라 다수캐리어, 소수캐리어 라는 표현으로 구분하기도 함.
★ 자유전자, 정공 -> 다수캐리어(전자/정공), 소수캐리어(전자/정공) 등

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2. 반도체 (Semiconductors)
2.1 반도체의 의미
▶ 도체(구리)와 반도체(실리콘)의 비교

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가전자 1개 가전자 4개

Copper Silicon

+1 +4

원자핵 + 내부 전자 궤도
- 물체를 구성하는 물질(원소)에 따라 각 원소 사이의 구성비율을 “결정”이라고 표현.
- 반도체를 Device 형태로 이용하기 위해서는 물질의 전기학적 상태를 정의하고 완성해야 함.
- Device 의 물성을 결정하는 것은 어떠한 물질들을 섞었는가에 따라 “단결정“, “다결정” 등으로 구분합니다.
- 단일물질로 구성된 단결정 진성반도체의 이해를 통해 미시세계에서의 전기학적 특징의 이해가 필요합니다.

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2. 반도체 (Semiconductors)
2.1 반도체의 의미
▶ 공유결합(combined bond) 상태의 이해 (반도체)

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가전자각 포화: n = 8

- 물질이 안정된 상태에서 가전자들이 전기적으로 결합이 되어있는 상태.

- 실리콘 결정은 가전가 4개를 갖고 있는 원소로 단일한 원소로 구성된 물질(진성반도체)은 원소의 전기적 가전자가 8개임
- 8개의 가전자를 갖는 물체는 결국 완전한 부도체와 전기적으로 동일함.

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2. 반도체 (Semiconductors)
2.1 반도체의 의미
▶ 전자(e)/정공(h)의 생성(creation)과 재결합(recombination)

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- 진성반도체는 에너지 평형상태에서 부도체와 같은 전기적 특성을 나타냄.
- 구성물체의 외부로 부터 에너지(열, 전자장 등)가 가해지면 에너지의 크기(속박 에너지)에 따라 전자와 정공이 생성됨.
- 이때 생성된 전자를 자유전자, 생성된 hole을 정공이라고 하며 외부로 전달되어 다시 안정된 상태를 유지하기 위한
전자, 정공의 결합을 전자/정공의 재결합 이라고 합니다.
- 재결합은 물질 내부에서 수 ns(나노초)~수 us(마이크로초) 만큼의 시간이 필요하고 이것을 재결합시간 이라고 합니다.
- 이런 재결합이 지속적으로 이루어 지는 형태를 “생성과 재결합 시간” 이라고 하고 반복의 단위 개념을 더해
1 cycle에 해당하는 시간을 “생성과 재결합 주기＂ 합니다.

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2. 반도체 (Semiconductors)
2.1 반도체의 의미
▶ 진성반도체(순수반도체) 내에서의 캐리어 흐름

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외부 자극의 유입
-빛
-열
- 충격
- 전기자기장 등

- 단일 반도체물질(예:실리콘)으로 구성된 반도체를 진성반도체라 함.

- 진성반도체를 구성하는 전자와 정공은 그 수가 동일하기 때문에 별도의 캐리어 이동이 발생하지 않습니다.
- 외부로 부터 빛, 열, 전자기장과 관련된 자극(힘의 균형에 영향을 미칠 수 있는 요인의 총칭)이 가해지면,
진성반도체 내의 전자/정공에 자극이 전달되어 자유전자, 정공이 생성됩니다.
- 생성된 전자와 정공은 힘의 환경에 따라 이동을 하게 되고 이런 이동이 반도체 물질 내에서 전류를 형성하게 됩니다.
* 전기적 상태를 에너지 준위를 이용하여 설명했을 때 반도체 물질(실리콘)의 전자/정공이 결합된 상태의 에너지를
속박(구속)에너지라고 하며 결국 외부자극은 속박에너지 이상의 큰 힘이 발생했을 때 비로서 효과를 나타냅니다.

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2. 반도체 (Semiconductors)
2.1 반도체의 의미
▶ 진성반도체 변형: Device의 생성

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- 반도체 내부에 불순물(impurity)을 첨가하여 도전성(Electrical conductivity)을 조작한 반도체 생성.
* 외인성 반도체(extrinsic semiconductor), 불순물 반도체.
* 반도체 내부의 도전성을 높이기 위한 방법은 다양하나 물성을 이용한 방법으로 도핑법을 사용.

▶ 도핑에 의한 불순물 반도체 생성

- 진성반도체(4주기원소로 구성된 단일물질)에
* 3주기 원소물질(알루미늄, 붕소, 갈륨 등)를 혼합 = 혼합물질 내에 상대적으로 전자의 개수가 부족
★ 반도체의 내부에 상대적인 정공의 개수가 많고 전기적으로 중성 -> Positive로 변형
- 따라서 P형 반도체로 명명함
* 5주기 원소물질(비소, 안티몬, 인 등)를 혼합 = 혼합물질 내에 생대적으로 전자의 개수가 남음
★ 반도체의 내부에 상대적인 전자의 개수가 많고 전기적으로 중성 -> Negative로 변형
- 따라서 n형 반도체로 명명함

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2. 반도체 (Semiconductors)
2.1 반도체의 의미
▶ n형 / p형 불순물 반도체의 생성

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- 불순물을 혼합하면 혼합과정에서 자연스럽게 진성반도체와 같은 전자/정공의 재결합(속박)이 발생
- 혼합 완료 후 전체 물질은 다음과 같은 특성이 나타남.

n 형 반도체: 5족원소의 혼합 p 형 반도체: 3족원소의 혼합

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2. 반도체 (Semiconductors)
2.1 반도체의 의미
▶ n형 반도체 (5족 불순물의 도핑)

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- 반도체 구성의 다수캐리어인 전자로 구성된 불순물 반도체
* 다수캐리어인 전자의 흐름을 통해 전류가 생성된다.
★ 주의: 반도체 내부에서 흐르는 전류는 외부에서 공급하는 전자/정공의 극(Polarity)을 고려하여
이해할 필요성이 있음.

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2. 반도체 (Semiconductors)
2.1 반도체의 의미
▶ p형 반도체 (3족 불순물의 도핑)

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- 반도체 구성의 다수캐리어인 정공으로 구성된 불순물 반도체
* 다수캐리어인 정공의 흐름을 통해 전류가 생성된다고 이해한다.
★ 주의: 정공의 흐름은 전자의 흐름과 반대 방향이며 속도는 ½로 느리다(?)

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Summary
1. 도체와 부도체 (Conductors and Insulators)
▶ 도체의 물성을 이해하고 그 원리를 Device 영역에서 활용할 수 있다.

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▶ 부도체의 전기학적 의미를 이해하고 그 원리를 Device 영역에서 활용할 수 있다.

2. 반도체 (Semiconductors).
▶ 반도체의 물성과 전기학적 의미를 그 원리를 Device 영역에서 활용할 수 있다.

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