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03
03
반도체 제조 공정 개발 part 2
학습내용
학습목표
2
반도체 제조 공정 개발 part 2
사진 공정 장비의 구성 및 동작원리
개요
기술 발전 방향
다양한 초미세 구조 IC 소자들의 대량생산 요구 급증
• 로직(Logic), DRAM 메모리 소자 포함
사진 공정의 단차에 의한 초점, 공정 마진의 협소 문제는
평탄화(CMP) 기술 발전으로 극복
반도체 소자의 소형화는 노광 장비의 해상력 역할이 매우
중요
• 설계된 마스크 상의 복잡하고 다양한 패턴을 웨이퍼
에 정확하게 전사해야 함
노광 장비의 해상력
노광 광원의 파장에 반비례
현재 대량생산은 248㎚ (KrF Excimer Laser) 파장의 DUV
광원까지 확장
주요 구성 모듈 요소
높은 구경수(Numerical Aperture, NA)을 갖는 렌즈,
1 하드웨어(Hardware)
3 오차 없는 정렬(Alignment) 시스템
4 안정화된 광원의 파장
3
반도체 제조 공정 개발 part 2
사진 공정 장비의 구성 및 동작원리
노광 장비의 분류
광원 종류에 따른 분류
MUV(Middle Ultra-Violet)
• 노광기 내부에 장착되는 램프를 광원으로 사용
파장(㎚) 표현 CD해상도(㎛)
DUV(Deep Ultra-Violet)
• 외부에서 레이저 발진기를 사용해 단색광원을 사용
파장(㎚) 표현 CD해상도(㎛)
157 F2 0.13
4
반도체 제조 공정 개발 part 2
사진 공정 장비의 구성 및 동작원리
노광 장비의 분류
노광 방식에 따른 분류
스텝퍼(Stepper)
• 레티클 스테이지는 고정, 웨이퍼 스테이지만 이동하여
일괄 노광하는 방식
광원 레티클 고정
렌즈
웨이퍼 이동 웨이퍼 이동
스텝퍼(Stepper)
스캐너(Scanner)
• 레티클 스테이지, 웨이퍼 스테이지가 동시에 이동하여
노광 과정 실행
레티클 이동
웨이퍼 이동 웨이퍼 이동
스캐너(Scanner)
5
반도체 제조 공정 개발 part 2
사진 공정 장비의 구성 및 동작원리
노광 장비의 분류
웨이퍼 상의 샷(Shot)의 형태
스텝퍼(Stepper)
• 레티클이 고정된 상태에서 웨이퍼만 상하, 우좌 일렬
로 이동하면서 샷이 이루어짐
2
26 11
7
40 28 25 12 10
41 39 29 24 13 9 1
42 38 30 23 14 8 2
43 37 31 22 15 7 3
44 36 32 21 16 6 4
+ Scan
35 33 20 17 5
- Scan
34 19 18
스텝퍼 샷 이동방식
스캐너(Scanner)
2
26 11
7
40 28 25 12 10
41 39 29 24 13 9 1
42 38 30 23 14 8 2
43 37 31 22 15 7 3
44 36 32 21 16 6 4
+ Scan
35 33 20 17 5
- Scan
34 19 18
스텝퍼 샷 이동방식
6
반도체 제조 공정 개발 part 2
사진 공정 장비의 구성 및 동작원리
스텝퍼 노광 장비 모듈
스텝퍼(Stepper) 동작 순서
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반도체 제조 공정 개발 part 2
사진 공정 장비의 구성 및 동작원리
스텝퍼 노광 장비 모듈
스텝퍼(Stepper) 구성도
8
반도체 제조 공정 개발 part 2
사진 공정 장비의 구성 및 동작원리
스텝퍼 노광 장비 모듈
스텝퍼(Stepper) 구성도
스캐너 구성도
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반도체 제조 공정 개발 part 2
사진 공정 장비의 구성 및 동작원리
노광 부품 구성과 웨이퍼 스테이지
일반 조명 광학계
균일한 조도가 요구되는 투사용 퀼러(Kohler) 조명
• 현미경과 같이 좁은 영역에서 강한 빛이 요구됨
노광 공정에서 일반적으로 균일한 조도 칩 내부의 균일한
선 폭을 제공해 줄 수 있는 방법 사용
퀄러(Kohler) 조명법
유효광원에서 출발한 빛이 축소 투영 렌즈의 입사동(Entrance
Pupil)에 상이 맺힘
레티클이 있는 면에서는 균일한 조도를 얻어낼 수 있음
유효광원이 위치한 곳에는 여러 종류의 개구(Aperture)를 두어
마스크(Mask)층에 따라 최적의 노광 조건을 선택함
조명 변형 개구
광학 렌즈
레티클
-1 차광 +1 차광 0 차광 +1 차광
0 차광
축소 투영 렌즈
웨이퍼
일반 조명 광학계 변형 조명 광학계
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반도체 제조 공정 개발 part 2
사진 공정 장비의 구성 및 동작원리
노광 부품 구성과 웨이퍼 스테이지
변형 조명 광학계
변형 조명
• 개구(Aperture)가 원형이면 축소 투영 렌즈에 동일
한 모양으로 상이 생기면서 노광
• 레티클에 입사되는 빛이 경사지게 입사
동작원리
1 사 입사 조명
• 레티클에 있는 패턴을 전사하려면
1 차항(패턴의 정보를 담고 있음)이 가능한 렌즈 내부
로 많이 들어가도록 구성
2 레티클 정보를 렌즈에 넣기
• 0 차광을 레티클에 대해 경사지게 입사 시켜 레티클에
의한 회절각이 커져도 1 차광이 렌즈 속으로 들어가도록
구성
조명 변형 개구
광학 렌즈
레티클
0 차광 +1 차광
축소 투영 렌즈
웨이퍼
변형 조명 광학계
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반도체 제조 공정 개발 part 2
사진 공정 장비의 구성 및 동작원리
노광 부품 구성과 웨이퍼 스테이지
변형 조명 광학계
변형 조명계 구성
• 변형 조명의 광학계 개구의 모형으로 조정
• 흰색 부분 : 광이 통하는 부분
개구 방식
광학계 부품 구성
반사 타원 거울 • 램프의 광을 집광
디크로익
• 집광된 광을 직각으로 반사
(Dichroic) 거울
교정 렌즈 • 평형광을 집중시킴
간섭 필터 • 램프 광원 중 특정 파장만 통과시킴
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반도체 제조 공정 개발 part 2
사진 공정 장비의 구성 및 동작원리
노광 부품 구성과 웨이퍼 스테이지
광학계 부품 구성
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반도체 제조 공정 개발 part 2
사진 공정 장비의 구성 및 동작원리
노광 부품 구성과 웨이퍼 스테이지
광학계 부품 구성
조명계 광학 구성도
웨이퍼 스테이지 요구 조건
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반도체 제조 공정 개발 part 2
사진 공정 장비의 구성 및 동작원리
노광 부품 구성과 웨이퍼 스테이지
웨이퍼 스테이지 구성
스테이지
• X- and Y- 축 스테이지 : X, Y 방향으로 평면 이동
• Z- 축 스테이지 : 상·하 방향으로 이동
• Θ- 축 스테이지 : 회전
맨 하단은 이들을 지지하는 평탄도 높은 정반이 위치
• 외부로부터 진동을 제거하기 위해 정반 아래에 평탄도
와 진동 흡수에 강한 재질의 제진대가 설치됨
웨이퍼 척
Leveling 스테이지
Θ-축 스테이지
Z-축 스테이지
Y-축 스테이지
X-축 스테이지
정반
스테이지의 적층 수직 구성도
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반도체 제조 공정 개발 part 2
사진 공정 장비의 구성 및 동작원리
웨이퍼
웨이퍼 척
축소투영렌즈(Projection Lens)와트랙(Track)장비
렌즈 문제 시 발생되는 현상
렌즈는 온도, 습도, 압력에 따라 초점과 배율이 변화
초점의 협소화로 공정 여유도 좁아지면, 이는 저수율로
직결됨
배율의 제어가 어려워지면 정렬도 문제가 유발됨
선행과 후행의 샷의 크기가 렌즈 배율의 변화에 의해
달라짐
동일 층에서도 배율변화에 의해 한번의 샷에 다중 칩이 형성되는
경우 중심과 가장자리 칩의 특성이 달라질 수 있음
• 초점의 경우 자동 초점 시스템을 통해 항상 관리해야 함
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반도체 제조 공정 개발 part 2
사진 공정 장비의 구성 및 동작원리
축소투영렌즈(ProjectionLens)와트랙(Track)장비
렌즈 열화 문제
렌즈에 조명이 입사하면 에너지가 포화될 때까지 축적
렌즈가 열화되고, 배율이 변함
포화될 때까지 초점 및 배율을 렌즈 제어기가 자동 보정
렌즈 내의 환경변화는 대기압, 광 조사량을 측정함으로써 알
수 있음
렌즈의 온도는 렌즈 온조(LLTC) 시스템을 이용
• 렌즈의 온도를 +/- 0.01℃로 제어 가능
렌즈 구성도
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반도체 제조 공정 개발 part 2
사진 공정 장비의 구성 및 동작원리
축소투영렌즈(ProjectionLens)와트랙(Track)장비
트랙(Track) 장비 동작 원리
1 표면처리
• 웨이퍼가 트랙 안에 들어오면 먼저 감광액과 박막표면
과의 접착력 증진
2 온도가 높은 곳에서 행해지는 표면처리 웨이퍼를
쿨링(Cooling)
표면처리 Cooling-1
로봇암
트랙(Track )
웨이퍼
웨이퍼카세트OUT
트랙 장비 구성도
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반도체 제조 공정 개발 part 2
사진 공정 장비의 구성 및 동작원리
축소투영렌즈(ProjectionLens)와트랙(Track)장비
트랙(Track) 장비 동작 원리
3 온도가 실온에 이르면 스핀 코터를 이용해 감광액을 도포
4 감광액 속의 화학증기를 날리기 위해 100℃ 근처에서
가벼운 베이크(Bake)
5 웨이퍼의 온도를 실온으로 하강시킨 후 노광기(스텝퍼,
스캐너)에 들어감
감광액 도
표면처리 Cooling-1 Soft Bake Cooling-2
포
로봇암
트랙(Track ) 노광기 노광
웨이퍼
트랙 장비 구성도
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반도체 제조 공정 개발 part 2
식각 공정 장비의 구성 및 동작원리
식각 장비 시스템 구성
개요
습식 장비
• 화학조 안에서 화학용액을 사용
건식 장비
웨이퍼 상에
특정 막과 반응 챔버 안에 전원
기 형성된 마스크
하는 가스를 을 공급하여
패턴에 따라 특정
챔버 안에 공급 플라즈마 발생
지역 제거
식각 장비 시스템의 7개 부분 단위 모듈
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반도체 제조 공정 개발 part 2
식각 공정 장비의 구성 및 동작원리
식각 장비 시스템 구성
식각 장비 시스템의 7개 부분 단위 모듈
5 부수적 모듈 성분
6 유틸리티(Utility) 부
7 조절 기기
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반도체 제조 공정 개발 part 2
식각 공정 장비의 구성 및 동작원리
식각 장비 시스템 구성
모듈 배치
팹(FAB)은 3층으로 구성됨
메인 프레임
(3층, 클린룸)
전원과 가스공급
(2층,메자닌(Mezzanine))
진공펌프, 스크러버
(1층)
건식 식각 장비
가스
• 팹(FAB) 외부의 저장소에서 공급
• 메자닌(Mezzanine) 층에서 짧은 배관으로 직접 공급
• 직접 공급가스 : 유해한 독가스, 공정에 사용되는 가스
• 외부 공급가스 : 무해하고 다량으로 사용되는 질소, 산소
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반도체 제조 공정 개발 part 2
식각 공정 장비의 구성 및 동작원리
식각 장비 시스템 구성
모듈 배치
클린룸
메인프레임
(MainFrame)
메자닌
제어/구동부 온도 전원부 공정 (Mezzanine)
질소
(AC rack) 조절부 (RF 가스부
GMB
(TCU) Rack) (GDB)
진공
펌프
스크러버 팹
(FAB)
팹(FAB) 내부 서브 팹 외부
구동 모듈(Main Frame)
제어부
• 교류, 직류 파워 등 기타 소스를 이용하여 웨이퍼의
반송 및 공정을 진행하는 모듈
로드 락(Load Lock)
• 웨이퍼 카세트를 올려놓고 로딩하는 부분
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반도체 제조 공정 개발 part 2
식각 공정 장비의 구성 및 동작원리
식각 장비 시스템 구성
구동 모듈(Main Frame)
웨이퍼 이송 챔버
• 로드 락의 웨이퍼 카세트에서 한 장의 웨이퍼를 들여와 대
기하는 챔버
• 각각의 공정이 시작되고 끝나면 항상 거치는 정거장 같은
역할
공정 챔버 구성
• 식각이 실행되는 식각 챔버
• 식각이 끝나고 폴리머 등을 제거하는 스트립 챔버
• 공정에 따라 온도가 올라간 웨이퍼를 실온으로 낮추는 온
도 하강 챔버
• 웨이퍼가 장비의 척에 정확히 위치되기 위해 정렬을 시행
하는 웨이퍼 정렬 챔버
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반도체 제조 공정 개발 part 2
식각 공정 장비의 구성 및 동작원리
식각 장비 시스템 구성
구동 모듈(Main Frame)
1
제어부
1 2
제어부 로드 락
(Load Lock)
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반도체 제조 공정 개발 part 2
식각 공정 장비의 구성 및 동작원리
식각 장비 시스템 구성
구동 모듈(Main Frame)
1 2 3
제어부 로드 락 웨이퍼
(Load Lock) 이송 챔버
1 2 3 4
제어부 로드 락 웨이퍼 공정 챔버
(Load Lock) 이송 챔버 구성
• 식각이 실행되는 식각 챔버
• 식각이 끝나고 폴리머 등을 제거하는 스트립 챔버
• 공정에 따라 온도가 올라간 웨이퍼를 실온으로 낮추는
온도 하강 챔버
• 웨이퍼가 장비의 척에 정확히 위치되기 위해 정렬을
시행하는 웨이퍼 정렬 챔버
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반도체 제조 공정 개발 part 2
식각 공정 장비의 구성 및 동작원리
식각 장비 시스템 구성
구동 모듈(Main Frame)
식각 공정 챔버
스트립
웨이퍼 (Strip 챔버)
이송 챔버
A B
웨이퍼 정렬 챔버
온도 하강 챔버
(Cool Down Chamber)
로드 락
(Load Rock Chamber)
식각 공정 장비 구성도
공정 챔버 웨이퍼
이송 챔버
로봇 암
(Robot Arm)
식각 공정 장비 챔버 구조
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반도체 제조 공정 개발 part 2
식각 공정 장비의 구성 및 동작원리
식각 장비 시스템 구성
공정 챔버(Chamber)
외부로부터 가스, 파워 등을 공급 받아 주어진 온도와
압력 내에서 원하는 패턴을 식각하는 챔버
플라즈마의 생성 여부에 따라 유형이 다르게 구분
플라즈마
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반도체 제조 공정 개발 part 2
식각 공정 장비의 구성 및 동작원리
식각 장비 시스템 구성
온도 제어부(Temperature Control Unit, TCU)
온도 제어장치의 역할
• 반도체용 온도 제어기, 통상 칠러(Chiller)이라고 함
• 반도체나 디스플레이 공정은 상당수 작업이 고온에서 이
루어짐
단계별 온도제어 필요
• 생산 공정 중간에 정확히 제어된 온도의 냉매를 공급하여
재료 및 장비를 다음 공정에 맞는 온도로 제어
• 온도제어 대상 : 이중구조(순환하는 냉매, 내부에 냉동사
이클 존재)
사용처
• 건식 식각 장치(Dry Etcher)에 사용
웨이퍼 상 식각 및 증착 공정 수행
• 진공 증착(Sputter), CVD 등의 공정에서 과도한 열을
식히기 위해 사용
동작 원리
압축, 응축, 팽창, 증발의
반도체 공정 과정을 거치는 냉동사이클
요구조건 만족
오토캐스케이드(Auto Cascade)
맞춤 장치 방식을 이용한 냉동사이클
칠러(Chiller)
냉각수를 이용한 냉수 냉각 사이클
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반도체 제조 공정 개발 part 2
식각 공정 장비의 구성 및 동작원리
식각 장비 시스템 구성
온도 제어부(Temperature Control Unit, TCU)
동작 원리
Hot 영역
플라즈마
웨이퍼
웨이퍼 척
Cool 영역
냉각기 구성도
냉각기 구성도
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반도체 제조 공정 개발 part 2
식각 공정 장비의 구성 및 동작원리
식각 장비 시스템 구성
온도 제어부(Temperature Control Unit, TCU)
동작 원리
• 온도의 안정은 시간에 따라 초기에는 초과도, 과도, 정상
상태의 순서로 설정온도에 이름
초과도 과도 정상
온도
설정
온도
시간
온도 안정화 단계
진공 펌프
역할
• 진공을 유지하여 공정 중에 필요 없는 외부 가스들의 입자
제거
• 필요한 가스들의 유입 시 펌핑(Pumping) 배기로 원하는 압
력 유지
• 사용되는 펌프 : 드라이 펌프, 터보 펌프, 부스터형 펌프
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반도체 제조 공정 개발 part 2
식각 공정 장비의 구성 및 동작원리
식각 장비 시스템 구성
진공 펌프
펌프별 특징과 구성
1 드라이 펌프, 부스터 펌프
• 오일을 사용하지 않아 역류에 의한 배관 내 오염을
막을 수 있음
• 기어가 쌍을 이루며, 헬리클 회전을 하면서 흡기된
가스 배기
• 챔버의 진공을 배기하기 전 챔버까지 연결되어 선
배관(Fore-Line)속의 가스 배기
2 터보 펌프
• 여러 개의 회전날개가 고속회전 하면서 챔버 안에
가스를 밖으로 배기
• 역류해서 들어가는 가스는 존재할 수 없어 고진공,
챔버의 청정도 유지
흡기 배기
흡기
드라이 펌프
배기
터보 펌프
진공 펌프 구성도
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반도체 제조 공정 개발 part 2
식각 공정 장비의 구성 및 동작원리
식각 장비 시스템 구성
RF(Radio Frequency) 발생기
범용적으로 무선주파수라고 부름
전자파를 이용한 무선 장비들의 총칭
역할
• 플라즈마를 발생시키기 위한 전력 공급기
• 상용주파수로 13.56MHz의 주파수 사용
• 손실 없이 챔버까지 도달하기 위해 정합 네트워크
또는 정합기 사용
플라즈마
RF 발생기
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반도체 제조 공정 개발 part 2
식각 공정 장비의 구성 및 동작원리
식각 장비 시스템 구성
RF(Radio Frequency) 정합기(Matcher)
챔버의 가변적 저항의 특성을 고려하여 최대한
50ohm으로 맞추기 위한 일종의 어댑터(Adaptor)
챔버 임피던스를 자동으로 조절하는 장비
• RF 발생기에서 발생하는 고주파를 이용하여 챔버에
서 균일한 플라즈마가 발생할 수 있도록 함
RF 발생기의 출력 임피던스 = 부하 임피던스
RF 정합기
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반도체 제조 공정 개발 part 2
식각 공정 장비의 구성 및 동작원리
식각 장비 시스템 구성
RF(Radio Frequency) 정합기(Matcher)
RF 정합 네트웤이 50ohm을 유지하는 이유
• 전자파 전력 전송 특성이 가장 좋은 임피던스 : 33ohm
• 신호파형의 왜곡이 가장 적은 임피던스 : 75ohm
• 중간 값 : 49ohm
• 계산의 편의성을 위해 50ohm으로 사용
정합 박스
로드(Load)와
RF로부터 바리콘
입력 위상(Phase)의 (Varicon)
발생 검출된 신호로 정합이 동작
되도록 함
정합 네트워크 사용 목적
RF 발생기에서 출력단의 임피던스가 50ohm으로 고정
공정 챔버의 임피던스는 공정 조건, 외부 환경에 따라 변화
변화를 보완하여 RF 발생기의 출력 임피던스, 부하
임피던스를 같게 만들어줌
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반도체 제조 공정 개발 part 2
식각 공정 장비의 구성 및 동작원리
식각 장비 시스템 구성
정합 네트워크 사용 목적
50ohm
와트 미터
(Watt
Meter) 가변저항기
바리콘
(Varicon)
RF 정합 네트워크
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반도체 제조 공정 개발 part 2
학습정리
1. 사진 공정 장비의 구성 및 동작원리
• 변형조명
- 레티클에 입사되는 빛이 경사지게 입사하는 방식
- 다양한 개구를 사용하여 빛의 균일도와 강도를 조정
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반도체 제조 공정 개발 part 2
학습정리
2. 식각 공정 장비의 구성 및 동작원리
• 식각 장비 시스템 구성
- 제어부 : 전원공급과 시스템 제어를 담당
- 구동부 : 메인 프레임을 구동
- 공정 챔버 : 메인 프레임 안에 속해 있으면서 공정이 이루어지는 곳
- 온도조절부(Temperature Control Unit, TCU) : 웨이퍼 척의
온도를 조절
- 펌프 모듈 : 챔버의 진공과 배기가스 배출
- 유틸리티(Utility)부
- 기기부 : 가스의 유량을 조절하는 조절
• 공정 챔버 구성
- 식각 챔버 : 식각이 실행
- 스트립 챔버 : 식각이 끝나고 폴리머 등을 제거
- 온도 하강 챔버 : 공정에 따라 온도가 올라간 웨이퍼를 실온으로
낮춤
- 웨이퍼 정렬 챔버 : 웨이퍼가 장비의 척에 정확히 위치되기 위해
정렬을 시행
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