PHOTO 공정의 이해

현상단계(Develop)

P.E.B 현상(Develop) Hard Bake

현상(Develop) 방식
Nozzle
① Puddle 방식 : 현상시킬 웨이퍼 위에 현상액을 분사(Spray)
현상용액
하거나 흘린(Stream) 다음 웨이퍼를 정지시켜 웨이퍼 위의
현상액이 현상하게끔 하는 방식이다.
Si02 ② Spray 방식 : 현상액을 계속 분사 시키면서 현상하는
웨이퍼 (Si)
방법으로 연속공정에는 좋지만 대구경 웨이퍼에서는
선폭(CD)의 균일성이 나쁘며 현상액의 소모도 많다.

CHUCK
③ Dipping 방식 :가장 효율적인 방식이나 연속 공정이
DRAIN
불가능하고 현상액의 소모가 많아 소규모 제조나 연구 개발시에

<Spin Spray 방식> 사용된다.

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현상단계(Develop)

P.E.B 현상(Develop) Hard Bake

현상에서의 중요사항

- 현상액 량, 분사 시 Spray 압력,

온도 등이 Spec In/Out 되는지 확인

- 현상액 교환 시 Develop Rate 확인

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현상단계(Develop)

P.E.B 현상(Develop) Hard Bake

Hard Bake
① 현상 후에 웨이퍼 위에 남아 있는 Solvent나 수분을 제거
② 패턴을 경화시켜 안정되도록 하는 역할
③ PR이 웨이퍼로부터 들떠 밀착되지 않으므로 적당한 온도의 열을 가해 PR을
굳혀줌으로써 물리적으로 견고하게 하여 식각 및 Implant 공정을 원활하게 함.
④ 하드 베이크는 Hot Plate에서 진행하고 온도는 120~180℃ 정도
온도가 너무 높거나 시간이 길면 감광막이 오므라드는 현상(Contraction =Puddling)
및 식각, Implant 공정 후 감광막 제거가 어려운 결점이 있다.
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검사단계(Inspection)

검사 (Inspection) 공정

1.정의
PHOTO 공정이 완료 된 웨이퍼가 공정진행상에 이상이 없이 진행되었는가를 판단하기
위하여 육안검사 및 측정장치 검사를 실시한다.
2. 검사 방법
① 육안으로 웨이퍼의 Coating 불량 등을 검사하는 Visual Inspection
② 패턴이 이전 Layer와 정확히 찍혔는가를 검사하는 Overlay 측정
③ 패턴의 크기 및 형성된 상태를 검사하는 CD 측정
④ PHOTO 공정을 진행하면서 발생된 이물 및 불순물, 마스크 불량 등을 검사
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검사단계(Inspection)

검사 (Inspection) 방법
1. 육안 검사 (Visual Inspection)
일반 광학 현미경을 이용하여 현상이 완료된 웨이퍼를 검사한다. 정렬확인 및 접착불량,
패턴불량 등 각종 불량의 유무를 판단한다. 반도체 칩의 크기가 작아지면서 광학 현미경
으로 볼 수 없는 불량이 많다.
2. 측정 검사
① 정렬된 상태 측정 (Overlay) : 패턴의 정렬된 상태를 검사하는 것으로 정렬이 안된 상태를 미스
얼라인(Misalign)이라 한다.
② 선폭 (CD, Critical Dimension) 측정
- 웨이퍼 위에 만들어진 패턴의 크기(선폭)를 측정하는 검사(ADI CD)로 전자 현미경 (SEM)을
이용하거나 현미경에 특수장치를 장착한 검사기를 사용한다.
- SEM (Scanning Electron Microscope)은 전자총을 이용하여 반사되어 나오는 전자의
움직임으로 Image를 읽는 장비로써 광학 현미경 보다 우수한 배율을 나타낸다.
- CD 측정은 실제 패턴의 모양과 크기를 확인할 수 있다는 장점이 있다.
- 패턴의 정렬된 상태를 검사하는 것으로 정렬이 안된 상태도 확인 할 수 있다.
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검사단계(Inspection)

<Hole Pattern>
PHOTO 공정의 이해
검사단계(Inspection)

<Line Pattern>
PHOTO 공정의 이해
검사단계(Inspection)
재작업(Rework) 공정
1.정의
Photo 공정 진행 후 검사공정에서 검사결과 다음 공정으로 진행이 불가(NG)할 경우 재작업을 실시한다.
2. 재작업 방법

1) Photo Layer 자체에서 진행하는 방법으로 Track 장비에서 유기용제(Thinner) 처리,

주로 재작업 해야 하는 웨이퍼의 수량이 적을 경우나 Metal Film이 있는 경우에

실시한다.

(2) Dry Ashing 및 세정공정(식각 후 세정 공정과 동일)으로 진행하는 방법이 있다.

대부분 Photo 공정의 재작업을 할 경우 이 방법을 사용한다.

(3) Photo Layer 공정의 불량을 발견하지 못하고 다음 공정인 식각 공정이나 Implant

공정을 진행하게 되면 재작업(Rework)이 불가능하므로 올바른 판단이 중요하다.

PHOTO 공정 장비
Photo 장치의 모양

< ASML社 PAS>

< TEL社 Lithius >

PHOTO 공정 과정
HMDS
PR Coating
P.R 코팅
E.B.R
Soft bake
Contact형
Exposure Proximity형
Projection형
Photo P.E.B
Dvelop Developer

Hard bake
Visual
Inspection Overlay
CD
 1.wafer

3.Mask
4.Fab

Photo 4. Inspection
Wafer 위에 복잡한 패턴을 Visual
반복적으로 복사해내는 공정 Overlay
CD
2.Design
3. Develop
1. PR 코팅 노광단계 후 필요치
Wafer 전면적에 PR을 원하는 2. Exposure 않은 부분을 녹여서
두께로 입히는 일로 Mask패턴과 Wafer의 제거하는 공정(Track 장비)
Spin Spray방식으로 패턴을 정렬 후
도포하는 공정 자외선을 쬐는 공정

HMDS
PR Coating Contact형 P.E.B
E.B.R Proximity형 Developer
Soft Bake Projection형 Hard Bake
Great Start
for
Challenge

Thank You