Photolithography

Photolithography

Kukjin Chun
School of Electrical Engineering
Seoul National University

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Silicon Technology Overall

1997 1999 2001 2003 2006 2009 2012

Min. dense line (um) 0.25 0.18 0.15 0.13 0.1 0.07 0.05
Min. isolated line (um) 0.2 0.14 0.12 0.1 0.07 0.05 0.035
Oxide Th. (nm) 4-5 3-4 2-3 2-3 1.5-2 <1.5 <1.5
Memory 256M 1G 1G 4G 16G 64G 256G
Trans/ cm2 8M 14M 16M 24M 40M 64M 100M
ft/fmax (GHz) 20/25 30/35 35/40 40/50 55/65 75/90 100/120
Area (Sq cm) 4.8 8 8.5 9 10 11 13
Voltage 1.8-2.5 1.5-1.8 1.2-1.5 1.2-1.5 0.9-1.2 0.6-0.9 0.5-0.6

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1. 개요
 사진공정의 정의
마스크상에 설계된 패턴을

공정제어 규격하에 웨이퍼상에
구현하는 기술
 사진공정의 원리
 패턴 형성
 특정 파장의 빛으로 노광
 광화학 반응 후, 패턴 형성
 형성된 패턴은 후속공정 (식각,
이온주입)시 베리어 역할
 Chemical이나 식각용 O2
플라즈마에 의해 제거됨
사진공정의 개략도

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2. 감광제 이론
 감광제의 구성
– 용제 (solvent)
– 다중체 (polymer)
–감응제 (photoactive compound) 감광제의 물리적 성질 비교
 감광제의 종류 음성감광제 양성감광제

– Pattern polarity별 성질
Kodak 747
Hunt
Waycoat
Shipley AZ
Kodak
Micro
1512
 Positive type: 노광지역이 HNR 120 Resist 809
고체용량 (%) 12.50.7 13.50.3 26.00.9 321
현상되고 미노광지역 패턴이 남음.
점성계수 (cps) 11010 313 19.00.7 23
 Negative type: 미노광지역이 비중 0.882 0.870 1.130.09 1.045
현상되고 노광지역 패턴이 남음. 굴절률 1.550 1.5545 1.56 1.56
수분함량 (%) <0.2 - 0.5 <2
– 성분별 금속함량 (ppm) <15 <8 10
 One component: 한 성분이
감광작용과 Mask 작용
 Two component: 감광작용의
Sensitizer (PAC) + Image작용의
polymer (resin)
 Three component: Photo Acid
Generator (PAG)+ Polymer + 촉매

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– 광원별
 자외선 감광막
 원자외선 감광막
 X-ray resist
 E-Beam resist
– 광반응 구조별
 용해억제형 (dissolution inhibition resist)
resin + PAC 구조
G/I line용
 화학증폭형 (chemical amplified resist)
resin + PAG + 촉매
DUV 용
 감광제의 contrast
– 분해능
– 감광막의 에지각도
– 단차에서의 선폭 등의 영향
감광제의 contrast (a) negative (b) positive

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 노광 기술

 해상도 (resolution)
 해상도를 높이기 위해서는 (작은 R)
R  K1
NA 1. NA를 크게 한다. 2. 파장 를 작게 한다. 3. K1을 작게 한다.
Depth of focus를 높이기 위해서는
 1. NA를 작게 한다. 2. 파장 를 작게 한다. 3. K2을 크게 한다.
DOF  K 2
NA2

단, 는 노광파장, NA는 렌즈의 개구수, K1 및 K2는 레지스트 공정에 의한 비례상수

NA = D/2f (D: diameter of the lens, f: focal length)
항목 방법 문제점 검토사항
-렌즈의 개량 -초점심도 감소 -다층레지스트 사용 및
고 NA 화
새로운 노광기술 사용
-광원의 변경 (i 선, 엑시 -광원, 렌즈 등의 장치 -광원, 렌즈의 설계, 개
머레이저, E 빔, X 선 등) 개발 필요 발
-단파장용 레지스트 개 -단파장용 레지스트 개
단파장화
발 필요 발
-X 선 마스크 개발 필요 -X 선 마스크의 고정밀
화
-다층 레지스트 사용 -공정의 복잡화 -공정의 간략화
공정상수 (K1) -고 (gamma) 레지스트 -공정 변동에 의한 해상 -공정 변동 개선
의 저감화 도 열화

해상도 향상 방법
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3. 공정 소개
 표면 준비와 감광막의 접착도
웨이퍼와의 접착력을 높이기 위해 HMDS 용액으로 표면 처리
 감광막의 접착이 용이하지 않은 표면
 SiO2
 PSG
 Poly Si

SiO2 형태 HMDS와 산화막의 반응

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 감광제의 도포 (spin coating)

필요한 두께의 감광막을 웨이퍼 전체에
균일하게 형성하는 것
– 두께와 균일성에 영향을 주는 요인들
 점성계수
 다중체 함량
 최종 스핀속도와 가속 등
– 두께와 여러 변수들간의 관계
t  Ks[v /(wR 2 )] K=상수 s=다중체 함량 v=점
성계수 w=각속도 R=웨이퍼
반경
– Coating cycle
spin (rpm) Time (sec.)
2% HMDS 2,500 15
Slow spin 300 5
AZ 1512
Final spin 4,000 35

도포 과정의 예 (ISRC recipe)

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 Soft bake
– 목적
 감광막 건조
 접착도를 향상
 annealing 효과  응력 완화
– 전형적인 공정 변수의 범위
 온도 : 70 ~ 95℃
 시간 : 4 ~ 30 min.
– 적당하지 못한 soft bake 온도의 경우
 과소 - orange peel (음성), 마스크 접착
 과대 - 열 다중화에 의한 scum (음성)
– Bake 장비
 대류식 오븐 (convection oven)
» 10 ~ 30분
» 모든 웨이퍼에 동일 온도 유지

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 적외선 오븐 (infra-red oven)

» 3 ~ 4분
» 웨이퍼 종류 따른 반사, 흡수의 차이로 동일 온도 유지 힘듦.
 열판 (hot plate)
» 0.5 ~ 1분
» 진공흡착 및 자동 wafer 처리 장치 필요

(a) Convection oven cross section

(b) Infrared and conduction solvent removal mechanisms
(c) Profiles for various bake method
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 정렬 (Alignment)과 노출 (Exposure)
– 정렬의 목적
집적회로 제작시 인접한 layer 간의
패턴의 정확한 위치 선정
– 정렬 마크 및 정렬 상태
 Overlay accuracy란?
» 전 step 및 후 step 간의 align 상태를
나타내는 지수
» 고집적화로 resolution limit 및
registration이 device process에 중요
변수
 영향을 미치는 요인
» mask 제작시 error process 영향 : 보정
어려움.
» System error : 어느정도 보정 가능
 일반적 overlay accuracy control range:
device의 최소 선폭 크기의 20 ~ 30%
정도 Alignment 마크 및 상태

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– 광원
노출 에너지 = 광도 × 시간
 high pressure mercury arc lamps
 mercury / xenon lamps
 excimer lasers (248nm KrF, 193nm ArF)
 electron beams
 x-rays

고압 방전시 spectrum 고압 수은 방전관의 방사선의 형태

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 현상 (Development)
 목적
식각되어야 할 부분에 존재하는 감광막 제거
 현상액 및 세척제
 양성 감광막
» NaOH, KOH or organic bases H2O
 음성 감광막
» xylene | Stoddard’s solvent n-butyl acetate
 방법
 Spray 법
» spin 500 ~ 1,000 rpm.
» 양성 감광막  온도에 민감하므로 피하는 것이 보통
 Immersion법
» 현상액과 세척액에 순차적으로 담그는 방법
 현상시 양성과 음성 감광막의 차이점
 양성 감광막
» 노출 차이와 막 두께에 따른 현상 속도 변화
» 현상 시간과 현상액 농도에 민감

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 음성 감광막
» 과소 노출시 막 두께가 얇아짐 (상 크기는 불변)
» swelling 현상
 Hard bake
– 목적
잔여 용제를 제거, 감광막을 건조시키며 기판에 대한 감광막의 접착도 증가
– 전형적인 공정 변수의 범위
 온도 100 ~ 150 ℃
 시간 10 ~ 20 min
– 지나친 hard bake 온도 또는 시간의 경우
 puddling - 감광막이 오므라드는 현상 (음성)
 식각후 감광막 제거 힘듬 (양성)
– bake 장비
 soft bake와 같음
– DUV hard bake
 원자외선 (deep UV,  < 320nm)을 조사
 동시에 120 ~190 ℃까지 약 1분간 점차로 증가시킴

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 결과
» 표면에 skin을 형성
 ion 주입, 건식식각 등 극심한 공정 조건 (125 ~ 200 ℃)에 강함

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4. 마스크 재료 및 노출 장치
 종류
– Emulsion mask
 정해진 노출 횟수 (수명)
 비용 저렴
 2.5 ㎛ 이하 사용불가
– Hard mask
 크롬. 산화철. 실리콘 박막을 유리판
위에 형성하여 제작
 1 ㎛ 이하 선폭 구현 가능

Stepper 및 Contact Aligner의 패턴 형성

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 마스크 기판의 재료
 Soda lime
 Alumina - soda lime (0.4 ㎛/℃, 3")
 Borosilicate (0.07 ㎛ /℃, 3") - 1.5㎛ 이하
 Quartz - 1 ㎛ 이하

 정렬 및 노출 장치
 접촉형 (contact)
 근접형 (proximity)
 투사형 (projection) 1:1, 1:5, 1:10

(a) (b) (c)

접촉형 근접형 투사형

정렬 및 노출 장치의 개념도

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 Stepper의 기능 및 구성
– Steeper 의 기능
 photo 공정시 발생되는 wafer distortion 등의 문제를 해결하기 위하여, 하나의 chip
에 해당하는 부분을 reticle에 만든 후 이를 mask로 사용하여 step-and-repeat
방식으로 패턴을 형성하는 장치
– 노광시 핵심 공정 요소
 Best focus 설정
 최적 노광 에너지 제어
 Alignment Accuracy 제어
– Steeper의 구성
 Light source : Xe-Hg Lamp (G, I-line), KrF Excimer(DUV),
ArF, F2(VUV)
 Illumination Optics : Illumination Uniformity Control
 Reticle Loader / Alignment Stage
 Projection Optics : Lens controller, Lens 수차 제어
 Wafer Alignment System : Global, EGA, DXD 방식
 Wafer Moving Stage
 Chamber : Environmental Control (온도, 청정도)

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Solid State Pulsed Power Module

(SSPPM): voltage regulation to
provide better lasing control Service Tracking and Reporting (STAR)
console: memory for maintenance and
Line-Narrowing Module
service data.
(LNM) controls resolution.

Modulation transfer function

laser chamber The stabilization module

:wavelength reference, bandwidth and energy
monitoring plus closed-loop feedback
systems
KRF(248nm) Excimer Laser Stepper (CYMER ELS-6000)

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 공정기술
– Antireflective coating
 wafer의 난반사와 고반사율을 줄이기 위한
공정기술
– 다층 감광막(Multilayer resist process)
 pattern 2층 또는 3층 구조로 패턴 형성
 아래층은 건식 식각 등을 통한 수직벽 형성용
– Contrast Enhancement Lithography(CEL)
 얇은 CEL 층을 사용, contrast mask가 있는
것과 같은 효과
 노광지역과 비노광 지역의 co.
– 광반응 Polyimide
 고온에 견디는 polyimide 특성을 살려 영구
감광막으로 사용
– Diffusion Enhanced Silylating resist
process (DESIRE)
 실리레이션을 이용한 top surface image
process 빛의 반사에 의한 문제점과 해결 방안

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 Non-Optical Lithography
 X-Ray Lithography

구 분 특 성 대 책
1)X 선 Source Synchroton -장치가 크다 -Source 소형화
-Device Damage -Process 의 개발
-안정성 유지 어려움 -차단, 관리의 철저
-Hard X-Ray
Laser -Soft X-ray (EUV) -High power
2)Stepper 등배(1:1) 방식 -Alignment Accuracy -Stepper 정밀도 향상
축소(X:1) 방식 -Mirror 광학계의 고정도화 -고정도 가공 및 조립 기술
-Mirror 흡수 -레지스트 고감도화
-Source 의 Power
3)Mask 등배 방식 -고정도 마스크 제작 곤란 -고정도 EB 장치의 개발
-검사 수정 곤란 -전용 검사 장치의 개발
-수정 Process 개발
축소 방식 -제작 곤란(Mirror Mask) -Mirror 마스크 기술의 개발
4)Cost -System 운용비 고가 -소형 X 선 Source 개발
-마스크 제작 기술의 향상

 실용화 Target : 100nm MFS(Minimum Feature Size) 이하 소자에 응용

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 Electron Beam Lithography

구 분 특 성 대 책
1)Throughput -Main System -Data 처리 및 노광시간이 -고속 처리
길다 -Software 개량
-Cell Projection 방 -Cell 수의 제한 -Device 설계의 연구
식 -Random Logic 대응 -Cell 수를 증가
-Electron Beam -노광(묘화) 시간 단축 곤란 -Multi-Beam 화
2)Accuracy -Pattern Accuracy -근접 효과 (Proximity effect) -Software 보정
-Alignment -Overlay, Butting error -고정도 검출 Stage 개발
Accuracy
3)Cost -High Cost -기능 단순화
-대량 생산적용으로 cost
down 화

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 측정 기술
– CD 측정기술
 SEM의 Process
» electron gun에서 방출된 beam (primary electron)
» anode로 가속
» magnetic lens로 집속
» 물체 (object)에 입사
» 물체 (object)에서 방출되는 secondary electron을 검출
» 높은 해상력을 갖는 image를 얻는 장치
» 물체 (object)의 크기와 image 관찰에 사용
 CD-SEM (Critical Dimension Scanning Electron Microscope)
» Critical Dimension (CD) : wafer 상의 pattern의 크기
» 공정 중에 CD 측정시 사용
» 원리는 SEM (Scanning Electron Microscope)과 같다.
 CD SEM과 SEM의 차이
» SEM
 10kV 이상의 전자 beam 가속 전압을 사용
 wafer상의 pattern에 damage
 제조공정에 사용할 수 없음

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» CD SEM
 1kV 이하의 가속 전압을 사용
 wafer상의 pattern에 damage를 주지 않고 in-line으로 CD
측정
 높은 resolution을 측정하기 위한 software / hardware가
필요
– 현상검사
 불균일한 감광제 도포 :  2%
 Speed boat : chip, 불순물
 Orange peel : 과소 노출
 접촉 불량
 감광막의 산화 : 음성 감광제의 경우
 현상 불량 : 현상액 세척액의 부족
 Mask run-out

– 정상파 현상

빛의 정상파 형성에 따른 감광막 측벽의 문제

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5. DRAM pattern 예

Isolation pattern
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Poly gate pattern

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Poly2 contact pattern

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Poly capacitor pattern

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Poly plate pattern

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Poly4 contact pattern

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Poly4 pattern
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Metal contact pattern

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Metal pattern
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