17.

Optical detectors and displays

Optical displays

FPD (Flat panel display)

Display Resolutions

High-definition television (HDTV): 720p (1280×720 progressive scan)

1080i (1920×1080 split into two interlaced fields of 540 lines)
1080p (1920×1080 progressive scan)
FPD (Flat Panel Display)
FPD 이란?

CRT 브라운관 보다 두께가 얇고 가벼운 영상표시 장치로

PDP,, LCD,, ELD,, OLED 등으로 나뉠 수 있다.

평판 디스플레이(FPD)

LCD PDP FED OLED

LCD : Liquid Crystal Display

PDP : Plasma Display Panel
FED : Field-Emitting Display
OLED : Organic
O i Light
Li ht Emitting
E itti Display
Di l
 LCD (Liquid Crystal Display)
• LC는 일정 온도 범위에서 유동성을 지닌 액정상태.
• 광학적으로 복굴절성을 나타내는 결정임.
• 액체와 고체의 중간적인 특성을 가지는 액정의 전기ㆍ광학적 성질을 표시장치에 응용한 것.
• LCD는 외부의 빛을 이용하는 Passive Type의 Display.

Applied volatage 증가
LCD 제품

삼성전자가 국내 벤처기업인 소프트픽셀과 투명 플라스틱 기판에 아몰포스실리콘(a―Si) 기술을

적용한 세계 최대 투과형 플렉시블 5인치, 해상도 qSVGA급(400 x 300 RGB, 100ppi) 투과형 제품으로
플라스틱
틱 TFT LCD 기술구현에 성공했다.(2005.01.11)
했 ( )
 PDP (Plasma Display Panel)
• 기체 방전을 이용한 표시 장치.
• 방전이 일어나면 이온과 전자로 분리 되는 플라즈마 상태일 때 나오는 빛을 이용.
• 단색표시 PDP는 오렌지색을 나타내는 Ne.
• Full color 표시 PDP는 적색,녹색, 청색을 나타내는 Kr, Xe 등을 이용.

장점
• 방전광을 이용한 자발광.
자발광
• 0.1~0.3mm의 방전 갭을 가지므로 패널형이 가능.
• 형광체를 이용한 컬러 발광이 가능.
• 대화면 패널 제작이 용이.

단점
• 소비전력이 커서 전지구동이 어려움.
plasma
• 컬러 발광효율이 나쁨.
• 구동 전압이 높음.

PDP 발광원리
PDP 제품

삼성전자 102인치 PDP TV : 가로 2m31cm, 세로 1m33cm (CES 2005)

 OLED (Organic Light Emitting Diode)
OLED는 유기물(단분자/저분자 또는 고분자) 박막에 양극과 음극을 통하여 주입된 전자와 정공이 재결합하
여 여기자를 형성하고, 형성된 여기자로 부터의 에너지에 의해 특정한 파장의 빛이 발생하는 현상을 이용한
자체 발광형 디스플레이 소자.

• 자체 발광형. (어두운 곳이나 외부의 빛이 들어 올 때도 시인성이 좋은 특성을 갖음.)

시야각 (일반 브라운관 같이 바로 옆에서 보아도 화질이 변하지 않음.)
• 넓은 시야각. 않음 )
• 빠른 응답속도. 텔레비전 화면 수준의 동화상 재생에도 자연스러운 영상을 표현. (LCD의 약 1,000배 )
• 초박, 저전력. 백라이트라 필요 없기 때문에 저소비전력(약 LCD의 ½ )과 초박형(약 LCD의 1/3 )이 가능.
OLED 제품
FED (Field Emission Display)
FED는 상하 Glass기판 사이에 진공으로 채워진 구조.
상판(Anode판)에는 형광체가 도포되어 있고, 하판(Cathode판)에는 미세한 마이크로 이하 사이
즈의 Tip들이 무수히 형성.
전자 방출 원리는 뾰족한 끝에 전자가 집중되고, 전자방출이 용이한 점에서 피뢰침의 원리와 기본
적으로 유사.
Gate와 Emitter사이에 전압을 인가하여 전자를 방출시키고,, 상하 양 Glass사이에 강한 전계를
걸어주면 전자는 전계에 의해 가속되어 강한 운동에너지를 보유.
가속된 전자는 Anode 판 내부의 형광체를 치고 발광시켜 빛을 내게 됨.

CRT의 우수한 과 PDP의 평판 특성을 동시에 가지는 Flat Panel Display 로

수 화질 특성과
저가격ㆍ고품질 가능한 차세대 기술로 평가.
LCD (liquid crystal display)
Display Modes
• Transmissive type TFT LCD: the light travels from the backlight through color filter and LC
then appears on the panel. (high brightness but more power consumption).

• Reflective type TFT LCD contains a reflective mirror, utilizing the external light for image
display. power saving, and light-weight
((without backlight).
g ) Ideal for viewing
g with external light
g sources.

• Transflective type TFT LCD is a promising displaying device for both outdoor and indoor
applications.
Driving Methods of LCD
Passive Matrix: (PM-LCD)
Simple matrix type was used in the first stage of LCDs. In this
method, the transparent electrodes are set on X and Y axis.
There is not switching device.
Active Matrix: (AM-LCD)
( C )
A switching device and a storage capacitor are integrated
at the each cross point of the electrodes
TFT LCD
TFT LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)
has a sandwich-like structure with liquid crystal filled between two glass plates.
LC ((liquid
q crystal)
y )
Twisted Nematic LC ( TN-LC )

Operation of twisted nematic

field effect mode liquid crystal cell.
Super Twisted Nematic :STN

적은 전압변화에 큰 투과율을 보이는

STN가 보다 효율적인 display 장치라
고 생각한다.
생각한다
(참고)
(참고) TNLC as a polarization rotator

(counterclockwise rotation in x-y plane)

 Photon detection devices

Photons to thermal energy

(phototube)

Metal-Semicon. photoconductor
((Schottky-barrier
y photodiode))
p
5 basic steps of optical/IR photon detection
1. Get light into the detector
Anti-reflection coatings
g Quantum
2. Charge generation Efficiency
Popular materials: Silicon, HgCdTe, InSb (#e/#p)
3
3. Charge collection
Electrical fields within the material
Point

ity
collect photoelectrons into pixels.
Spread

Sensitvi
4. Charge transfer
If infrared, no charge transfer required. Function

S
For CCD,
CCD move photoelectrons to the edge
where amplifiers are located.
5. Charge amplification & digitization
Amplification process is noisy.
In general CCDs have lowest noise,
CMOS and IR detectors have higher noise noise.
 Detector zoology
AlN
Direct gap 0.2
6.0 III-Nitrides
(c ~ 1.6 a0)
Indirect gap

AlN
E(eV)=1.24/ λ(㎛)
5.0
Theory

4.0 0.3
ZnS
Bandgap (eV)

Zincblend

avelengtth (㎛)
GaN
GaN
3.0 04
0.4
ZnSe
AlP CdS ZnTe 0.5
InN AlAs
GaP 06
0.6

Wa
20
2.0 InN Theory CdSe
AlSb 0.7
GaAs InP CdTe
Si 1.0
10
1.0
6H-SiC

3C-SiC

Ge GaSb
Al2O3
Al2O3

ZnO

2.0
InAs
5.0
0.0 InSb
25
2.5 30
3.0 35
3.5 40
4.0 45
4.5 50
5.0 55
5.5 60
6.0 65
6.5
Lattice Constant (Å)
 2D Image Detectors

X-ray Visible NIR MIR

 [m]
0.1 0.3 0.9 1.1 2.5 5 20

Silicon CCD & CMOS

HgCdTe

InSb

STJ Si:As
 Image
g Sensor - Digital
g Film
CCD Sensor CMOS Sensor

Conventional Cameras use

photographic films to record
image.
Digital cameras use a solid-
solid
state device called an image
sensor to record image in
f
form off digital
di i l iinformation.
f i

CCD = Charge Coupled Device.

CMOS = Complementary Metal Oxide Semiconductor
Image
g Sensors (2D
( detectors))

In most of the consumer digital cameras image

sensor is much smaller than a 35 mm film.
Charge-coupled devices (CCD) image sensors

Based on charge transfer to next pixel cell

 CCD (Charge coupled device)
• Vertical charge transfer
• Horizontal charge transfer
• Output capacitor reset

CCD

Output
Amp
capacitor
H i
Horizontal
t l Shift Register
R i t
 CCD IMAGERS

Qualities
■ Text book performance for all parameters (QE, read noise,
MTF,, dark current,, linearity,
y, etc.).
)

Deficiencies
■ Low high-energy radiation damage tolerance.
e.g. proton bulk damage and resultant CTE degradation.
■ Significant off-chip electronic support required.
■ Difficulty with high-speed readout (inherently a serial read out
device).
device)
 CMOS image sensors
• Based on
standard
p
production
process for
CMOS chips,
allows
ll iintegration
t ti
with other
components.
components
 CMOS IMAGERS

Q liti
Qualities
■ Very tolerant to high-energy radiation sources (long life time).
■ On- chip system integration (low power, low weight and
compact designs).
■ High speed / low noise operation (inherently a parallel-
random access readout device).

Deficiencies
■ Currently lacks performance in most areas compared to the
CCD ((charge
g g generation,, charge
g collection,, charge
g transfer and
charge measurement).
 Comparison CCD/CMOS sensors
CMOS:
low cost

CCD:
medium to high end

Source: B. Diericks: CMOS image sensor concepts.

Photonics West 2000 Short course (Web)