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N-type :
P-type :
Dopant
1. N-type ,
ZnO ; - 4.35eV , Band gap 3.37eV
Magnetron sputtering
PVD(Physical vapor deposition)
DC, RF, reactive
gas cathode
Ar + e-(primary) = Ar+ + e-(primary) + e-(secondary)
- target , target
Sputtering
-.
-. , step defect coverage
-. (adhesion)
-. , , , .
-. Target , target .
-. sputter etching pre-cleaning .
-. O2, N2 reactive sputter , .
Sputtering
-.
Ar , , bias , .
Sputtering
-.
-.
-. target
-.
-. Background : 110-5110-6 Torr
-. Ar : 215mTorr
-. Input power : 5001000W
-. Reflected power "0" setting
-. bias : -50-100W
-.
-. UV target
-. Laser plume
-. millitorr
-.
-. ~3 epitaxial
-. p-type TCO
-.
-. , ,
-. (APCVD), (LPCVD), (PECVD), (MOCVD)
-.
-. ,
(Solution deposition)
-. Sol-gel
-. or
-.
-. alkoxide
-. - : ,
-. PVD PLD
-. ,
-. , ,
-.
-.
-.
-.
-. ,
-. ,
-.
-. target
-. NiCo2O4 sputter
-.