 반도체란 ?

 전기전도도에 따른 물질의 분류 중 도체와 부도체의 중간영역에 속하는 물질을

의미 .

 원래는 거의 전기가 통하지 않으나 , 빛이나 열 , 또는 특정 불순물을 가해주면

전기가 통하는 물질 .

 화학적 처리를 통하여 전류를 흐르게 하거나 전류의 흐름을 통제할 수 있기

때문에 다이오드 , 트랜지스터 , 집적회로 등의 다양한 전자소자를 만드는 데
사용됨 .

 반도체 물질로는 Si ( 실리콘 ) 이 대부분 사용됨 .

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 물질의 분류

도체

물질
부도체 반도체

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 도체 , 부도체

금지대의 폭이 없어서 가전자대와 전도대가 구별되지

않아 항상 자유전자 존재 .
전도대
도체 전기 또는 열에 대한 저항이 매우 작아 전기나 열을 잘
전달 .

은 , 구리 , 알루미늄 등이 있음 .
가전자대

전도대
금지대의 폭이 넓음 .

전기 또는 열에 대한 저항이 매우 커서 열을 잘
부도체 전달하지 못함 .
금지대

종이 , 나무 , 유리 , 고무 등이 있음 .

가전자대

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 반도체

금지대 폭이 부도체보다 훨씬 좁기 때문에 에너지에

전도대 의해 자유전자가 만들어질 수 있음 .

반도체 진성 반도체와 불순물 반도체로 구분이 가능 .

금지대 반도체 물질로 규소 (Si), 게르마늄 (Ge), 갈륨비소

(GaAs) 가 있음 .

가전자대

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 진성반도체
 불순물이 전혀 첨가 되지 않은 순수 반도체

 전기전도도가 아주 낮으며 , 온도에 따라 전기전도도가 크게 변함 .

 규소 , 게르마늄 등이 사용이 됨 .(4 족 원자들이 서로 4 개씩 공유결합을 이루어

가전자가 8 개 상태로 가장 안정된 상태가 됨 )

Si

+
Si Si Si

Si

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 불순물반도체
 불순물 반도체는 진성반도체가 도핑 과정을 거쳐 생성된 반도체

 반도체 본래 성질이 아니라 첨가되는 불순물에 의해서 특징지어지는 반도체

 최외곽 전자가 4 개인 4 가 원자에 어느 불순물을 첨가하느냐에 따라 P 형 또는

N 형 반도체가 된다 .

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 N 형 반도체
 진성반도체에 5 가 원자를 도핑하여 생성된 반도체 .

 각각의 반도체 원자와 공유 결합을 이룰 때 하나 남은 전자가 자유전자의 상태로

남게 되어 반도체 내의 자유전자를 형성

 불순물 원자로는 안티몬 (Sb), 비소 (As), 인 (P) 등이 있음 .

Si

Si P Si

Si

7
 P 형 반도체
 진성반도체에 3 가 원자를 도핑하여 생성된 반도체 .

 각각의 반도체 원자와 공유결합을 이룰 때 1 개의 전자가 모자라는 형태가 되어

정공을 만드는 역할을 하게 됨 .

 불순물 원자로는 붕소 (B), 갈륨 (Ga), 인듐 (In) 등이 있음 .

Si

Si B Si

Si

8
 정공의 흐름
 원자가 공유결합을 깰 수 있기에 충분한 운동에너지를 얻은 경우

 전류의 흐름은 정공의 흐름의 방향과 같다 .

Si Si Si Si Si

Si Si Si B Si

정공 흐름

전자 흐름
9
 P-N 접합
 P 형 반도체와 N 형 반도체를 서로 접합한 반도체

 정류 작용이 가능 .
+ + + + - -
- -
+ -
+ - -
+ + + + - - -

P 형 반도체 N 형 반도체

+ + + + 0 - -
0 -
+ -
+ -
+ + + 0 0 - - -

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 P-N 접합 ( 순방향 바이어스 )
 P 형 물질에 양전위 , N 형 물질에 음전위를 가해준 경우

 공핍영역의 폭이 줄어들어 전류의 흐름이 가능하다 .

+ + + + - -
- -
+ -
+ - -
+ + + + - - -

P 형 반도체 N 형 반도체

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 P-N 접합 ( 역방향 바이어스 )
 P 형 물질에 음전위 , N 형 물질에 양전위를 가해준 경우

 공핍영역이 확장되어 전류의 흐름을 막음 .

+ + 0 0 -
0 0 -
+ -
+ 0 -
+ + 0 0 0 - -

P 형 반도체 N 형 반도체

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 이단자 접합 소자
 P-N 접합과 같이 2 개의 단자를 가진 고체 소자 .

 불순물의 분포 , 소자의 기하학적 구조 및 인가전압의 조건에 따라 여러 기능을

할 수 있음 .

 정류기 , 제너다이오드 , 버랙터 다이오드 , 터널 다이오드 , 쇼트키 다이오드

등이 있다 .

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 쌍극성 트랜지스터
 기본적으로 P 형 기판속에 N 형 영역을 형성해서 만듬 .

 P-N 접합 2 개가 결합된 구조 .

 증폭기 , 발진기 , 펄스 , 스위칭 회로의 중요한 구성성분 .

P 영역 N 영역 P 영역

PNP 트랜지스터

N 영역 P 영역 N 영역

NPN 트랜지스터

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 쌍극성 트랜지스터

E B C

P 영역 N 영역 P 영역

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 접합형 전계효과 트랜지스터 (JFET)
 JFET 의 경우 게이트에 전압이 인가되지 않더라도 전류가 흐름 .

 잡음이 거의 없어 오디오 증폭기 등에 사용되고 있음 .

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