1. 반도체 CVD와 PVD 공정에 대해 설명할 수 있다.

2. 세정 공정(Cleaning)과 CMP를 설명할 수 있다.

1. 반도체 CVD와 PVD 공정

2. 세정 공정(Cleaning)과 CMP

2
반도체 CVD와 PVD 공정

CVD PVD

Thin Film 공정
금속막과 절연체막을 증착하는 공정

Thin Film Depositon

화학적인반응이용 물리적인형태이용

CVD(Chemical Vapor Deposition) PVD(Physical Vapor Deposition)

PECVD(Plasma Enhanced CVD)

Evaporator Sputter
LPCVD(Low Pressure CVD)

APCVD(Atmospheric Pressure CVD)

HDP CVD(High Density Plasma CVD) Plating

MOCVD(Metal Organic CVD)
Electro Electroless
ALD(Atomic Layer Depo) - ALCVD

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본 강의자료를무단배포 및 복제하는것을 금지하며 이를 위반하는경우 저작권 침해로 관련법에따라 처벌될 수 있습니다.
반도체 CVD와 PVD 공정

CVD(Chemical Vapor Deposition)

화학적 기상 증착

전구체

PVD(Physical Vapor Deposition)

물리적 기상 증착

• Target: 증착 목표가 되는 물질

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본 강의자료를무단배포 및 복제하는것을 금지하며 이를 위반하는경우 저작권 침해로 관련법에따라 처벌될 수 있습니다.
반도체 CVD와 PVD 공정

PECVD HDP CVD

(Plasma Enhanced CVD) (High Density Plasma CVD)

• 플라즈마를 이용하여 증착 • 고밀도 플라즈마를 이용하여 증착

• 미세 패턴용 사용
LPCVD
(Low Pressure CVD) MOCVD
(Metal Organic CVD)
• 굉장히 낮은 압력에서 증착
• 금속을 이용하여 증착

APCVD
(Atmospheric Pressure CVD) ALD
(Atomic Layer Depo)
• 대기압에서 증착
• 원자 단위 증착
• ALCVD
• 미세하게 증착 가능

융점이 높음
제조하기 어려운 재료를 융점보다
낮은 온도에서 용이하게 제조 가능

증착되는 박막의 순도가 높음

대량 생산 가능

PVD 방법에 비해 적은 비용

여러 가지 종류의 원소 및 화합물의 증착이 가능

공정 조건의 제어 범위가 매우 넓음
다양한 특성의 박막을 쉽게
얻을 수 있음
PVD 방법에 비해 훨씬 좋은
Step coverage를 제공
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본 강의자료를무단배포 및 복제하는것을 금지하며 이를 위반하는경우 저작권 침해로 관련법에따라 처벌될 수 있습니다.
반도체 CVD와 PVD 공정

CVD로 증착하는 대표적 물질

Thermal Plasmaen-
필름 Precursors
deposition(℃) hanced(℃)
Silicon SiH4 or SiH2CL2
750 200 ~ 500
Nitride and NH3
SiH4 O2[or often
350 ~ 550 200 ~ 400
Silicon N3O]
Dioxide
TEOS and O2 700 ~ 900 300 ~ 500

Amorphous
SiH4 550 ~ 600 300 ~ 400
Silicon

공정 압력(Torr) 증착온도(℃) 에너지원 유형 제작필름 주요장비업체

AP CVD 760 500 ~ 550 Thermal Belt SiO2/BPSG ASML, 캐논

Single AMAT, TEL,

LP CVD 10 ~ 100 400 ~ 900 Thermal W SiO2/SiN/Poly-Si
Furnace KE, SVG
Single SiO2/SiON/SiN AMAT
PE CVD 3 ~ 15 350 ~ 400 Plasma
Batch SiO2/SiOC/SiC Novellus
SiO2/SiOF/SiN/BPS AMAT,
HDP CVD 5.5X10-3 350 ~ 600 Plasma Single
G Novellus

SA CVD 200 ~ 600 500 ~ 550 Thermal Single SiO2/BPSG AMAT

※ 유형: Single → Single chamber, Batch → Batch chamber

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본 강의자료를무단배포 및 복제하는것을 금지하며 이를 위반하는경우 저작권 침해로 관련법에따라 처벌될 수 있습니다.
반도체 CVD와 PVD 공정

PECVD(Plasma Enhanced CVD)

강한 전압으로 야기된 Plasma를 이용하여 활성화시키고 기상으로 증착하는 장치

Chamber 내 Gas들의 화학 반응 물질로 박막을 증착하는 방법

낮은 온도에서 공정이 가능

• SiO2 증착
SiH4 + N2 + N2O → SiO2 + H2 ↑

• Si3N4 증착
SiH4 + N2 + NH3 → Si3N4 + H2 ↑

Main Chamber의 구조

Gas Shower Head의 형태

• 균일한 Gas 분포 유도
• 증착의 Uniformity 영향

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본 강의자료를무단배포 및 복제하는것을 금지하며 이를 위반하는경우 저작권 침해로 관련법에따라 처벌될 수 있습니다.
반도체 CVD와 PVD 공정

PECVD(Plasma Enhanced CVD)

•••

1. Main Chamber

2. Vacuum System

4. Process Gas Supply

-MFC & Gas
(SiH4. N2O. N2)

5. Wafer Loading
3. RF Generator system(PC & Robot)

RF Generator Plasma

• 고정 주파수 13.56MHz RF 전원 장치 • 고체, 액체, 기체도 아닌

• 반도체 CVD Main 전원 “물질의 제4 상태”, “이온화한 기체”

• Chamber 내에 Plasma를 생성 • 열에 의해 생성

고체 → 액체 → 기체 → Plasma

• 고주파 전원을 인가하여 생성

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반도체 CVD와 PVD 공정

PECVD(Plasma Enhanced CVD)

RF Generator와 Plasma

Plasma

RF Generator 사용 주파수
주로 13.56MHz 사용
• 파장 특성상 안정성이 좋음
→ 공정용에 적합

LPCVD(Low Pressure CVD)

[수직 방식]
[수평 방식]

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반도체 CVD와 PVD 공정

Depositon

PVD CVD

Thermal E-beam HDP

Sputtering APCVD LPCVD PECVD ALCVD
Evaporator Evaporator CVD

반도체의 회로 패턴을 따라
금속선(Metal Line)을 이어주는 공정
반도체용 금속 배선 재료

AI, Cu, W, Mo 등

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반도체 CVD와 PVD 공정

증착 시키고자 하는 물질을 보트에 올려두고

가열하여 증발시켜 증착하는 장치

E-beam을 사용하여 증착하는 장치

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반도체 CVD와 PVD 공정

아르곤(Ar) 가스를 이용해

물리적으로 증착하는 방식
Ar 가스에 높은 전압을 가하면

Ar → Ar+

- 전극에 고속 충돌
Target 물질이 아래에 쌓임

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본 강의자료를무단배포 및 복제하는것을 금지하며 이를 위반하는경우 저작권 침해로 관련법에따라 처벌될 수 있습니다.
세정 공정(Cleaning)과 CMP

•••

• 반도체 품질을 올리는

포토
잔류물 청소 과정
• 반도체 제조의 식각
세정
각 공정과 공정 사이에서 이온 주입
반복적으로 진행되는
증착
중요한 공정

침지(Dip) 방식 스프레이(Spray) 방식

• 세정 공정에서 널리 • 회전하는 웨이퍼에

쓰이는 방식 액체나 기체 형태의
• 화학 물질 또는 초순수 화학물질을 분사시켜
증류수에 웨이퍼를 담가 불순물을 제거하는 방식
진행하는 방법

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본 강의자료를무단배포 및 복제하는것을 금지하며 이를 위반하는경우 저작권 침해로 관련법에따라 처벌될 수 있습니다.
세정 공정(Cleaning)과 CMP

PC & Controller
Process Bath

Carrier & Loading

System

화학적 ·기계적 연마
반도체 소자의 고집적화에 따라
사진 현상 기술이 허용하는 초점 심도가
단차 이상으로 감소하는 문제

CMP의 광역평탄화 특성으로 해결

1980년 IBM사에서 처음 도입

크게 주목받는 반도체 공정 기술
메모리 소자 배선 선폭
0.1um 이하로 감소

소자 구조 형성을 위한
배선 분리 기술로 응용이 확대
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본 강의자료를무단배포 및 복제하는것을 금지하며 이를 위반하는경우 저작권 침해로 관련법에따라 처벌될 수 있습니다.
세정 공정(Cleaning)과 CMP

총 4개의 모듈로 구성

Load Port Module

웨이퍼 표면 오염을 방지
반도체 Cleanroom과 동일한 Class 1의 청정도를 유지

이용 Cassette
• Open Type
• SMIF(Standard Mechanical Interface) Type
• FOUP(Front Opening Unified Pod) Type

주요 구성
• Cassette Stage
• Dry type Robot
• In-Line Metrology

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본 강의자료를무단배포 및 복제하는것을 금지하며 이를 위반하는경우 저작권 침해로 관련법에따라 처벌될 수 있습니다.
세정 공정(Cleaning)과 CMP

전송 모듈(Transport Module)
Dry/Wet 겸용 웨이퍼 Handler로 전달
전송 모듈의 역할

HCLU에서 웨이퍼를 Post Cleaning Module의

연마 Suction Load Station으로 이송

Wet Cassette Tub

연마 모듈(Polishing Module)

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본 강의자료를무단배포 및 복제하는것을 금지하며 이를 위반하는경우 저작권 침해로 관련법에따라 처벌될 수 있습니다.
세정 공정(Cleaning)과 CMP

연마 모듈(Polishing Module)
연마 Head

• CMP 공정 및 장비에서 가장 중요한 부분 중 하나

• 웨이퍼에 직접 압력을 가함
• 구성
Inner Tube
Retainer Ring Pressure 부품들

Membrane Plate Holder Plate

HCLU(Head Cup Load Unload)

• 연마 Head 로딩/언로딩
• 유틸리티

Pedestal의 구동 연마 Head의 Retainer

Ring 고정용 Gripper
구동용 Gas
연마 Head의 Slurry
오염 부품 세정을
위한 고압 분사 노즐 초순수

Platen(연마 플레이튼부)

• 3개로 구성
• 박막의 연마 속도를 증가시킬 수 있는 중요 변수인
Platen의 고속 회전 가능
• 표면: 폴리우레탄 소재의 연마 Pad가 위치
• CMP 공정 기술에 따라 연마 대상막의 연마 종말점 검출

CMP 후 세정 모듈(Post CMP Cleaning Module)

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세정 공정(Cleaning)과 CMP

CMP 공정 및 장비에서 중요한 요소

웨이퍼 연마 공정 진행
Slurry 공급

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