1. 실리콘 웨이퍼 제조 공정에 대해 설명할 수 있다.

2. 반도체 산화〮확산 공정을 설명할 수 있다.

1. 실리콘 웨이퍼의 제조 고정
2. 반도체 산화〮확산 공정

2
실리콘 웨이퍼의 제조 공정

1 2 3 4
웨이퍼 제작 산화 공정 포토 공정 식각 공정

5 6 7 8
확산·증착 금속배선 테스트 패키징

웨이퍼 제작 산화 공정 포토 공정

산화막
산소 수증기

둥근 원판 제작 반도체 회로 그려 넣기
웨이퍼 표면에 산화막 형성

식각 공정 확산·증착 금속 배선

불소·인·비소 등 불순물 투입 회로 패턴에 따라 금속선 연결

불필요한 부분 깎아내기

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본 강의자료를무단배포 및 복제하는것을 금지하며 이를 위반하는경우 저작권 침해로 관련법에따라 처벌될 수 있습니다.
실리콘 웨이퍼의 제조 공정

웨이퍼 제작 산화 공정 포토 공정 식각 공정

전 공정(FAB) 금속 배선 확산·증착

웨이퍼 제작 산화 공정 포토 공정 식각 공정

패키징 테스트 금속 배선 확산·증착

반도체 보호를 위한 포장 불량품 검사

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본 강의자료를무단배포 및 복제하는것을 금지하며 이를 위반하는경우 저작권 침해로 관련법에따라 처벌될 수 있습니다.
실리콘 웨이퍼의 제조 공정

웨이퍼 제작 산화 공정 포토 공정 식각 공정

패키징 테스트 금속 배선 확산·증착

후 공정(패키징)

모래에서 추출한 실리콘을 뜨거운 열로 녹여 고순도의 실리콘 용액을 제조

실리콘 용액에 실리콘 결정 성장 기술 이용

• 초크랄스키법(Czochralski, Cz)
• 플로팅존법(Floating Zone, FZ) 등

잉곳(Ingot) 제작
실리콘 기둥

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본 강의자료를무단배포 및 복제하는것을 금지하며 이를 위반하는경우 저작권 침해로 관련법에따라 처벌될 수 있습니다.
실리콘 웨이퍼의 제조 공정

모래에서 추출

지구상에 풍부하게 존재함

안정적으로 얻을 수 있는 재료

독성이 없음
환경적으로 우수함

다이아몬드 톱을 이용해 균일한 두께로

얇게 절단하여 '웨이퍼’ 완성

잉곳 만들기

잉곳 절단하기

웨이퍼 표면 연마하기

연마된 웨이퍼

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본 강의자료를무단배포 및 복제하는것을 금지하며 이를 위반하는경우 저작권 침해로 관련법에따라 처벌될 수 있습니다.
실리콘 웨이퍼의 제조 공정

웨이퍼(Wafer) 다이(Die)
원형의 실리콘 판 둥근 웨이퍼 위에
사각형의 전자 회로가
집적되어 있는 IC 칩

스크라이브 라인(Scribe Line)

웨이퍼 가공이 끝난 뒤,
다이들을 한 개씩
자르고 조립하기 위한 라인

플랫존(Flat Zone) 노치(Notch)

• 웨이퍼 가공 시 기준선 • 플랫존 대신 노치가 있는 웨이퍼 사용
• 웨이퍼의 결정 구조는 매우 미세해 • 노치 웨이퍼가 플랫존 웨이퍼보다
눈으로 판단할 수 없음 더 많은 다이를 만들 수 있어 효율이 높음
→ 플랫존을 기준으로
웨이퍼의 수직, 수평을 판단함

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본 강의자료를무단배포 및 복제하는것을 금지하며 이를 위반하는경우 저작권 침해로 관련법에따라 처벌될 수 있습니다.
반도체 산화〮확산 공정

웨이퍼에 절연막 역할의 산화막(SiO₂)을 형성해

회로와 회로 사이 누설 전류 차단

산화막이 형성된
웨이퍼의 단면

산화막
실리콘 표면

이온 주입 공정에서 확산 방지막 역할
반도체 제조 과정에서 전반적 보호막 역할

산화막이 형성된 불순물

웨이퍼의 단면

산화막
실리콘 표면

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본 강의자료를무단배포 및 복제하는것을 금지하며 이를 위반하는경우 저작권 침해로 관련법에따라 처벌될 수 있습니다.
반도체 산화〮확산 공정

건식 산화
산소만을 이용
산화막 성장 속도가 느려 주로 얇은 막을 형성

산화 방식에 따른 웨이퍼 단면

건식 산화
산소

습식 산화

습식 산화
산소와 용해도가 큰 수증기를 함께 사용
산화막 성장 속도가 빠르고 보다 두꺼운 막을 형성

산화 방식에 따른 웨이퍼 단면

건식 산화
산소
+
수증기 습식 산화

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본 강의자료를무단배포 및 복제하는것을 금지하며 이를 위반하는경우 저작권 침해로 관련법에따라 처벌될 수 있습니다.
반도체 산화〮확산 공정

Load Lock

건식산화
(Dry Oxidation)
Furnace

습식산화 Furnace
(Wet Oxidation) Furnace

D1H2O HeatingMantle 습식 산화는 H2O 보다 H2와 O2를 더 많이

사용하여 공정을 진행함

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본 강의자료를무단배포 및 복제하는것을 금지하며 이를 위반하는경우 저작권 침해로 관련법에따라 처벌될 수 있습니다.
반도체 산화〮확산 공정

건식 산화(Dry Oxidation Process) 습식 산화(Wet Oxidation Process)

Si(Solid) + O2 → SiO2(Solid) Si(Solid) + 2H2O → SiO2(Solid) +2H2 ↑

Vertical Furnace 구조

Quartz
QuartzBoat
Boat
Quartz
QuartzTube
Tube
Heater

Wafer

Quarts
TC
가열
Thermocou
Exhaust
Lamp ple
Silicon(위치별
chip 온도
H ,N
O ,N측정)
2 2
2 ,HCI
2

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본 강의자료를무단배포 및 복제하는것을 금지하며 이를 위반하는경우 저작권 침해로 관련법에따라 처벌될 수 있습니다.
반도체 산화〮확산 공정

Quarts Tube
장시간 사용 시 오염 제거를 위해
주기적인 Cleaning 필요

Quarts Tube

900도~1100도의 고온에서 사용하는 부품

Cleaning을 위해 Spare Tube로 교환할 시 열응력에 의한 파손에 주의해야 함

Quarts
Tube

TC(ThermoCouple) Gauge
진공도 오차 없도록 정기적 점검 및 Calibration

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본 강의자료를무단배포 및 복제하는것을 금지하며 이를 위반하는경우 저작권 침해로 관련법에따라 처벌될 수 있습니다.
반도체 산화〮확산 공정

Heater와 TC(ThermoCouple) Gauge

온도 오차 없도록 정기적 점검 및 Calibration

5 zone heater

5 zone 온도 센서

Vacuum Gauge
적절한 진공도(Base Pressure)가 유지되지 않으면
공정 에러가 발생함
Vacuum Gauge 사전 점검·교체

진공도 점검

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본 강의자료를무단배포 및 복제하는것을 금지하며 이를 위반하는경우 저작권 침해로 관련법에따라 처벌될 수 있습니다.
반도체 산화〮확산 공정

Vacuum Pump Oil

눈금 아래로 잔량이 유지되는지 확인
Oil의 색이 노란색에서 검게 변하면 교체 필요

Oil 색과 잔량 점검

Furnace의 공정 불량을 예방하기 위하여

Hardware PM과 별개로 공정 PM 실시

공정 PM 방법
SiO2의 증착 두께의 균일성(Uniformity) 확인 웨이퍼 내부
SiO2의 증착 두께의 재현성 확인 웨이퍼와 웨이퍼

500 A

700 A

1000 A

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본 강의자료를무단배포 및 복제하는것을 금지하며 이를 위반하는경우 저작권 침해로 관련법에따라 처벌될 수 있습니다.
반도체 산화〮확산 공정

SiO2의 증착 두께의 균일성(Uniformity) 확인 - 웨이퍼 내부

총 13 Point 두께 측정

σ(표준 편차)
= 1.5 % 이내로 관리
Average(평균)

SiO2의 Area별 증착 두께의 균일성(Uniformity) 확인 – 웨이퍼와 웨이퍼

3매의 웨이퍼(Furnace heater zone별) 두께 측정

σ(표준 편차)
= 3 % 이내로 관리
Average(평균)

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본 강의자료를무단배포 및 복제하는것을 금지하며 이를 위반하는경우 저작권 침해로 관련법에따라 처벌될 수 있습니다.