CMP

공정의 이해

SANG – YONG, KIM

Contents

CMP 공정 개요

CMP Polish Mechanism

CMP 공정

CMP 장비
Chemical Mechanical Polishing for
Planarization : Origins -Chemical Mechanical Polishing for
Planarization -

•1983 Proprietary development initiated at IBM

•1988 Oxide CMP in production at IBM
•1989 Tungsten CMP in production at IBM
Aluminum-copper CMP in production at IBM
SEMATECH CMP programs initiated
•1992 Copper CMP process announces by IBM
All production firsts were implemented using exisiting polishing
consumables
A consequence of proprietary CMP development :
CMP 공정의 목적 -Chemical Mechanical Polishing for
Planarization -

광역 평탄화(Global Planarization)
 Why CMP
• Device 구조의 미세 패턴화 <0.35 um
• Device의 고집적화
- W filling into Via and Contact
- LOCOS의 한계 ==> STI 필요성
• Micro patterning - DOF
- Thicker film and micropatterns -> CMP
• Damascene Process for Cu

• 평탄화 공정
– mm scale의 Global 평탄화
– 절연체, contact, via위의 금속막 step coverage 향상
– 이상적인 interconnect 구조 실현 가능
– DOF 향상 등으로 인한 좀더 엄격한 design rule 적용 가능
Topography buildup
By multiple metallization

Metal-3
1.0㎛

D3=0.6㎛

Metal-2
1.7㎛
0.7㎛

D3=0.6㎛
D3
Metal-1 1.0㎛
0.5㎛
D3=0.6㎛ D2
0.5㎛
Poly
0.15㎛
0.35㎛ D1
Oxide
*Reference: Definition of
Planarization(by Wolf) Qualitatively definition of planarization

• No planarization

• Smoothing

:Corners rounded & Side-wall sloped

• Partial
:Smoothing + reduction in step height locally

• Local
:Complete filling up of smaller gaps(1 to 10um)

• Global :Local Planarization + Significant reduction in total S.H

¶ S.H : Step height >> 이웃한 부분의 단차
Quantitative definition of planarization

• Quantitative definition of planarization

– R : relaxation distances
– q : planarization angle
» For SOG or Etchback : 1<R<100 um,
q :1-45o
» CMP : R : -mm, q : 0.01o

R ♬ 평탄 각이 작을 수록 평탄도가 높으며,
평탄 Scale은 이완거리(R)로 나타낸
t θ 다.

t
h
CMP공정의 종류

분류 공정설명
STI (Shallow Trench 소자(Device)간 절연을 목적으로 행해지는 Step의 평
Isolation) CMP 탄화 공정
Oxide
PMD(Pre Metal
CMP 소자와 금속 Line과의 절연을 목적으로 행해지는 공정
Dielectric) CMP
IMD(Inter-Metal
금속 Line간의 절연을 목적으로 행해지는 공정
Dielectric) CMP

Poly-silicon CMP 금속 Line간의 절연을 목적으로 행해지는 공정

Metal
CMP C/T(Contact) W CMP 소자와 금속 Line과의 Plug Line CMP 공정
Via W CMP 금속 간의 Plug Line CMP 공정
Cu CMP Dual Damascene Process CMP 공정