2023 화학생명과학과

학술경진대회
포토공정의 메커니즘

7 조 : 한동원 강민지 김가은 김민성 박주영 박태현 이지오

정진우
조원소개

19 한동원 23 김민성 22 강민지 22 박주영

조장 , 발표 발표 , ppt ppt
자료조사

19 박태현 23 김가은 23 이지오 19 정진우

자료조사 자료조사 자료조사 실험
INDEX

1 반도체와 8 대 공정 2 포토공정

3 포토공정의 매개변수 4 매개변수의 결과와 의의

반도체와 8 대
공정
PART 1. 반도체 정의와 특성

PART 2. 8 대 공정
반도체

Conduction band
Conduction band
Conduction band

1.1 ~ 4.0 eV

Valence band
Valence band
도체 Valence band
반도체
부도체
8대
공정 웨이퍼 제조공정 산화공정
산소 수증기 1.잉곳 만들기 종류 :
2.잉곳 절단하기 건식산화
3.표면 연마하기 습식산화
4.세척과 검사

회로
포토공정
식각공정
산화막 1.감광액 도포
종류 :
2.노광
웨이퍼 건식산화
3.현상
습식산화
8대
공정

금속 배선 금속 배선 공정

감광제 회로 패턴에 따라 전기가 통하는

금속배선 증착

산화막

웨이퍼
8대
공정
EDS
불량선별

패키징
웨이퍼 칩으로 절단 반도체
Photolithography
PART 1. 포토공정 디테일

PART 2. 포토공정의 화학적 원리

PART 3. 감광제 사용
포토 공정

UV

마스크

웨이퍼
노광시간
O O
N2 N2
UV

..
+ N2

R R
Diazoquinone(DNQ) Wolff rearrangement
O O
C OH C
Carboxylic
acid WATER
..

..
+ N2 + N2

R R
Dissolution enhancer Ketene
노광시간
친수성
OH OH OH OH OH

CH3 CH3
CH3 CH3 CH3

Novolac resin n
Positive 감광제
Solvent: ether
PAC: DNQ
Polymer: Novolac Novolac resin: Physical image 를 형성하는 역할
유기 용매 또는 염기성 수용액에 용해
노광시간
1,000
용해도 증가
novolak resin
Photolysis products
Dissolution rate (nm/sec) 100

NOVOLAC
novolak resin
10

𝒉𝒗
UV
1

0.1 novolak resin

Diazonaphthoquinone sensitizer
DNQ + NOVOLAC
사용한 감광제
Positive Negative

UV UV

마스크
마스크
사용한 감광제
종류 : AZ 5214-E
용해억제형 PR
 포토공정의
매개변수와 의의
갭 차이

마스크

마스크 Gap 빛의 굴절

감광제 감광제
산화막 산화막

웨이퍼 웨이퍼
갭 차이
<0.0mm> <0.4mm>
표면 : 깔끔 X 표면 : 깔끔 O
패턴 : 뚜렷함 패턴 : 뚜렷함
O O

<1.5mm> <2.7mm>
표면 : 깔끔 X 표면 : 깔끔 O
패턴 : 뚜렷함 패턴 : 뚜렷함
O X
노광시간
노광시간에 따른 웨이퍼의 두께
노광시간
<2s> <7s>
표면 : 깔끔 X 표면 : 깔끔 O
패턴 : 뚜렷함 패턴 : 뚜렷함
X O

<12s> <15s>
표면 : 깔끔 O 표면 : 깔끔 O
패턴 : 뚜렷함 패턴 : 뚜렷함
O X
노광시간

시간 증가  높이 증가 0.1005μm
0.0150μm
=> 패턴의 디테일 ↑

<2s> <15s>
현상시간

65sec 75sec 85sec 95sec

Pr 의 잔 사 가 65sec 미 만 에 서 많 이
남음
현상시간
<10s> <30s>
표면 : 깔끔 X 표면 : 깔끔 X
패턴 : 뚜렷함 패턴 : 뚜렷함
X X

<60s> <90s>
표면 : 깔끔 O 표면 : 깔끔 O
패턴 : 뚜렷함 패턴 : 뚜렷함
O O
결과값의 의의
결과값들의 의의
1. 갭차이

<0.0mm> <2.7mm>
 갭차이 X  갭차이 O
; 웨이퍼 손상 ; 빛의 회절
오염에 취약 해상도 ↓
결과값들의 의의
2.
노광시간

<2s> <15s>
 노광시간↓  노광시간↑
감광제에 가해지는 빛의 양 감광제에 가해지는 빛의 양
↓ ↑
: 패턴 구현↓ 해상도↓ : 패턴 구현↑ 해상도↑
결과값들의 의의
3.
현상시간

<10s> <90s>
 현상시간↓  현상시간↑
감광제 제거 정도↓ 감광제 제거 정도↑
: 해상도↓ : 해상도↑
출처
등신화인텍 홈페이지 _ 반도체 8 대공정
삼성 홈페이지 _ 반도체 8 대공정
Allresist_ 사용한 감광제 용해율 그래프
Purdue Univercity-ECE 59500-006 Microfabrication Fundamentals_ 노광시 화학적 변화
국윤부 . (2016). 디스플레이 포토공정개발 및 품질개선 . 한국교통대학교 중앙도서관 ._
현상시간별 잔사
WenHao 홈페이지 AZ 5214E Photoresist_ 사용한 감광제
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Q&A
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감사합니다