1.

세메스
-기업 소개
연간 3 조원 규모의 반도체/디스플레이 핵심장비를 생산하는 국내 최대 규모의 장비업체.
반도체 부문은 전공정 핵심장비인 세정(LOTUS, BLUEICE PRIME), 포토트랙(OMEGA-S, OMEGA-K), 에치
(MICHELAN O3, MICHELAN C4)장비를 비롯해 후공정 장비(BONDER, PROBER, TEST HANDLER) 등을
생산하고 있다.
고온,고압으로 액화 이산화탄소를 초임계 상태로 만든후 웨이퍼를 처리하는 핵심장비인 반도체 초임계 세정장비를
세계최초로 개발했다.
반도체 후공정 장비로는 반도체 패턴 웨이퍼릐 전기적 특성 검사를 위해 테스터와 연결되는 장비인 차세대 프로버
(Prober) SEMPRO PRIME 장비가 있다.
이 장비는 장비업계 최초로 세계 최고 권의의 독일 레드닷(Red Dot) 디자인 어워드에서 산업디자인 컨셉부문
최우수상을 받았다.
또한 국내 최초로 반도체 제조 물류자동화 핵심장비인 OHT(OverHead Transport)를 삼성전자 양산라인에
공급하였다.

- 주요 생산 설비
매엽식 세정설비(Clean)
ex) LOTUS: 고속 로봇 기술, 고급공정(19nm 입자제거), 150℃ 이상 고온 SPM 공정
맞춤형 챔버 구성 : 6, 9, 12 챔버, 결함없는기술, 사용자 편의성(비전점검,
공구매칭), 장비분석 및 진단시스템

건식식각설비(Etch)
ex) MICHELAN C3: 중요한 에칭 프로세스(DRAM, V 낸드 및 로직)에 특화, 빠른 식각 / 균일한 식각 속도를
위한 다양한 제어 노브, 높은 마스크 선택성/CD 제어의 높은 정확도, 저입자/수직에치
Cluster and Quadra type 이송 모듈 : 최대 6 챔버, ICP type
etcher : 높은 플라즈마 밀도, 전용 ICP 소스 안테나, RF 동기 펄스 기능 : 높은 종횡비, 멀티존 ESC 난방
및 3Z-tu

웨이퍼 프로버(Test)
ex) STH-5800(Test Handler): 응용 프로그램 : 메모리 패키지, 높은 생산성 : @3BIN, 512P
29,000UPH, 온도범위 : -60℃ ~ 160℃, 오토 티칭(비전 적용), 수직형 헤드 도킹 시스템, 다양한
테스터와의 인터페이스

OHT 시스템(Line Automation)

2. 주성엔지니어링
- 기업소개
반도체의 막 증착 장비 중 선택적 반구형 실리콘 증착 및 원자층 증착 분야 등 특정 공정에서 세계 시장 점유율 1
위를 차지하는 등 독자적인 기술력을 보유하고 있다.
반도체 소자의 고집적화, 미세화에 따라 주성엔지니어링의 ALD 장비 수요는 점차 증가할 것으로 예상되며 Poly
Etcher 또한 DRAM 및 NAND Flash 뿐만 아니라 비메모리인 Logic Device 영역에도 사용 가능한 범용
장비로 제품군을 다변화하고 있다.

- 주요장비
ex) Guidance Series(ALD&CVD): Guidance Series 로 ALD&CVD 증착 과정을 대응할 수 있는 반도체
제조장비, 높은 Through-Put 과 Easy Process Tuning 을 통해 우수한 막질과 양산성 확보, Semi Batch
Type 으로 높은 Through-put 과 Wide 한 공정 온도로 사용 가능 (200℃~550℃), "증착" 과정 모두를 대응할
수 있는 신개념 반도체 제조장비, 플라즈마로 인한 기판 손상 없이 우수한 최고의 막질을 균일하게 형성, 미세
반도체 공정에서 금속막 및 High-K 공정의 모든 CVD 및 ALD 공정 대응

ex) SDP ALD(ALD&CVD): "증착" 과정 모두를 대응할 수 있는 신개념 반도체 제조장비, 플라즈마로 인한
기판 손상 없이 300 도 이하의 저온에서 우수한 최고의 막질을 균일하게 형성, 20nm 이하의 미세 반도체
공정에서 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 금속막 및 High-K 공정의 모든 CVD 및 ALD 공정 대응

ex) SD CVD (CVD&ALD): 단위 시간당 생산력 극대화를 위한 세계 최초/최고의 Semi-Batch 장비, 낮은

온도에서 고품질/고생산성의 박막 형성, 극 저온에서의 특화된 공정 기술

ex) UHV CVD: 산소 및 수증기 분압 최소화를 통한 초고순도(Ultra Clean)의 증착 환경 제공, 고유의 저온

(< 550℃) 플라즈마 기판 세정, 신개념 상온 플라즈마 기판 세정, 저온 선택적 에피 성장

ex) DRY ETCH: Poly 및 Metal 등 모든 공정에 적용가능, 웨이퍼에 주는 손상 최소화, 식각량 균일하게
유지, 웨이퍼 가장자리까지 정밀 조절을 통한 CDU 향상, 낮은 유지보수 비용 및 안정성, 양산성 우수

3. SK 실트론
- 기업소개
국내 유일의 반도체 웨이퍼 전문 제조기업
세계 최고 수준의 결정도 (Defect Free Crystal), 청정도(Small Size Particle control), 평탄도
(Super Flat Surface control) 기술력을 바탕으로 국내 기업으로는 유일하게
글로벌 반도체 기업에 제품을 공급하고 있다.

- 주요장비
ex) 폴리시드 웨이퍼: 고순도의 다결정 실리콘으로부터 용융, 결정성장, 절단, 연마, 세정 과정을 거쳐 제조된
웨이퍼로, 실리콘 결정의 얇은 판 형태로 제조된다.
200mm/300mm 직경으로 생산되며, 주로 DRAM/NAND Flash Memory 와 같은 메모리 반도체의 제조에
사용된다.

ex) 에피텍셜 웨이퍼: 폴리시드 웨이퍼 위에 수 um 두께로 실리콘 단결정층을 증착한 웨이퍼이다. EPI
웨이퍼는 Logic Device 및 CMOS 이미지센서 등 비메모리반도체에 사용되며, 차세대 웨이퍼로서 점차 수요가
늘어나고 있다.

ex) 4H, 4° off-axis, n-type SiC 웨이퍼: 고순도의 다결정 SiC 파우더로부터 승화, 결정성장, 절단,
연마, 세정 과정을 거쳐 제조된 웨이퍼로, 얇은 판 형태로 제조된다. 100mm & 150mm 직경으로 생산되며,
주로 Diode, MOSFET 과 같은 고전력 모듈에 사용된다.

ex) SiC 에피텍셜 웨이퍼 (n-type/p-type): 폴리시드 웨이퍼 위에 수 um 두께로 실리콘 카바이드
단결정층을 증착한 웨이퍼 이다. 정밀한 두께, 도핑, 결점 제어를 통해 고효율 전력반도체 생산의 구성 요소로,
점차 그 수요가 늘어나고 있다. 에피엑셜 웨이퍼는 n-type 과 p-type 의 Sing-layer 혹은 Multi layer 로
구성되어 있다.