년도 2학기 경북대학교 IT대학 전자공학부

2012
전자공학실험2 결과보고서

실험 3. MOSFET 증폭기의 주파수 응답

담당 교수 : 문재경 교수님
실험 일시 : 2012년 9월 25일
제출 일시 : 2012년 10월 2일
2조 실험자
손준우 2008037204
q 목차
1. 실험 목적
2. 사용 기기 및 부품
3. 실험 내용 및 결과 분석
4. 연습문제 풀이
5. 결론
1. 실험목적
¦ MOSFET의 small signal 등가 회로를 사용하여, common source 증폭기의
저주파 및 고주파 차단 특성을 이해한다.
¦ common source 증폭기를 구성하여 주파수 응답 특성을 해석하고 측정한다.

2. 사용기기 및 부품
장 비 / 부품명 기 능 /규 격 수량
전원(신호) 공급기 직류전원 공급기, 함수발생기 각 1대
측정기기 오실로스코프, 멀티미터(DMM) 각 1대
Bread-Board - 1개

커패시터 표준값 10 μF
3개
실측값 9.72, 9.94, 9.65 μF

저항 표준값 390 Ω / 2.2, 10 kΩ / 1.5, 5.1 MΩ

각 1개
실측값 382.7 Ω / 2.155, 9.86 kΩ / 1.493, 5.07 MΩ

3. 실험 내용 및 결과 분석
frequency response of CS-Amplifier
① [그림2]의 회로를 구성한다.
② MOSFET의 gate, source, drain단자에서의 직류 전압을 측정하고,
biasing이 바르게 되었는지를 확인한다.
③ 신호발생기의 정현파 출력이 주파수 10 kHz, VPP = 50 mV정도가
되도록 조절한다. 오실로스코프로 CH1, CH2에서 peak-to-peak
신호를 측정하고, midband gain : K를 측정한다.
④ 신호발생기의 주파수를 10 kHz에서 서서히 낮추면서 Amplifier의
gain값이 어떻게 변화하는지를 관찰하고, midband gain(K)의
(1/2) 배가 될 때의 lower 3-dB cutoff frequency(f )를 측정한다.
½ L

⑤ 이제는 신호발생기의 주파수를 10 kHz에서 서서히 높이면서

Amplifier의 gain값이 어떻게 변화하는지를 관찰하고, higher 3-dB
cutoff frequency(f )를 측정한다.
H

⑥ 측정한 데이터를 통해 CS-Amp의 bandwidth(B.W)를 계산한다.

⑦ 측정한 데이터를 통해 magnitude response의 Bode plot을 주파수는
log scale로, 크기는 dB로 그린다.

- 1 -
 공통 소스 증폭기 저주파 등가회로

공통 소스 증폭기 고주파 등가회로

[ 그림1] CS Amplifier : low/high frequency equivalent circuits
⇒예상 : CS Amp의 low/high frequency equivalent circuit을 그려보면
[그림1]과 같이 나타난다. low frequency에서는 입력 신호의 주파수가
작아지면서 외부에 연결된 커패시터(C , C , C )의 impedance의 크기가 G D S

커지므로 커패시터가 더 이상 short circuit으로 동작하지 않기 때문에 filter의

특성을 가지게 되고, 이 때의 전달함수를 확인해보면 다음과 같이 나타난다.
 

        ║  
   
      
                 
      ║  
 

        

high frequency에서는 FET내부에 생기는 internal capacitance의 impedance의

크기가 작아져서 더 이상 open circuit으로 동작하지 않고 filter의 특성을
가지므로, 전달함수를 확인해보면 다음과 같다.
- 2 -
  
 
        ║   
     
     ║   
 
       ║     
                 
따라서 low frequency에서 3개의 zero와 3개의 pole을 가지는 high-pass
filter의 특성이 나타나고 high frequency에서는 2개의 ploe을 가지는 low-pass
filter의 특성이 나타날 것이다.
※ [그림2-1]과 같이 회로를 구성하였다.

브레드 보드 구성 회로도
[ 그림2-1] CS Amplifier with Rs
capacitance resistance DC bias point
CG 9.72 μF
R1 5.07 MΩ VG 2.27 V
R2 1.493 MΩ
VD 5.23 V
CS 9.94 μF RD 2.155 kΩ
RS 382.7 Ω
VS 0.84 V
CD 9.65 μF RL 9.86 kΩ ID 2.2 mA
표
[ 2-2] experimental value of circuit element & bias point
¦ 실험 전 [그림2-1]의 회로소자 실측값과 bias point를 측정해보면 [표2-2]와
같이 나타났다. V 는 MΩ단위의 저항양단의 전압을 측정해야 하므로 22 μF의
G

커패시터를 연결해서 충분한 시간 충전 후 멀티미터를 통해 측정하였다.

전압을 통해 I 를 구해보면 2.2 mA로 나타났고 V > V , V < V 이므로
D GS th GD th

MOSFET이 saturation mode로 동작함을 확인할 수 있었다.

lower 3-dB frequency higher 3-dB frequency

fL ωp3/2π = 404.0 Hz fH ωp2/2π = 3.58 MHz
ωz 1/CSRS = 262.9 rad/s ωp1 1/Cin(RG Rsig) = 76.93 Mrad/s ∥
ωp1 1/CG(Rsig+RG) = 0.089 rad/s ωp2 1/Cout(RD RL) = 22.51 Mrad/s ∥
ωp2 1/CD(RD+RL) = 8.625 rad/s Cin = Cgs+Cgd(1+K) = 260 pF
ωp3 ∥
1/CS(RS 1/gm) = 2538.4 rad/s Cout = Cds+Cgd(1+1/K) = 25.13 pF
표
[ 3] lower/higher 3-dB frequency
¦ 이론을 통해 계산한 3-dB frequency는 [표3]과 같이 나타났다.
- 3 -
¦[ 그림2-1]의 회로에서 주파수를 변경해가며 CH1과 CH2를 측정하여 [표4]의
결과를 얻었다. 10 kHz일 때의 gain(40 V/V)을 midband gain으로 하였을
때 midband의 출력 전압(2 V)의 70.7%가 출력으로 나타나는 lower/higher
3-dB frequency의 입/출력 파형을 확인해보면 [그림4-3]과 같이 나타났다.
¦ lower 3-dB frequency를 확인해 보면 이론을 통해 계산한 값이 404.0 Hz로
나타났지만, 측정 결과는 480.4 Hz로 확인되었다. 이는 계산식 : ω = L

1/C (R ∥1/g )에서 output resistance(r )의 영향이 없다고 가정하여 g =

S S m o m

K/(R ∥R )로 계산하여 구했기 때문에 실제 g 값보다 작은 값이 나타났고

D L m

결과적으로 ω 값이 낮아졌기 때문으로 추측된다. 전자공학실험1에서 구했던 r

L o

= 59.1 kΩ에 의한 영향을 포함하여 다시 계산하게 되면 f = 512.7 Hz로 L

나타남을 확인할 수 있고, r 의 값이 약 83.8 kΩ일 경우 f = 480.4 Hz로 계산할

o L

수 있다. 따라서 정확한 cut-off frequency 측정을 위해서는 MOSFET의

process parameter(kn, V , V )를 측정한 후에 실험을 해야 할 것이다.
th A

프로브의 영향을 고려한 고주파 등가회로

[그림5] high frequency equivalent circuit with probe's internal resistance and capacitance
를 확인해 보면 계산한 값이 3.58 MHz, 측정 결과는
¦ higher 3-dB frequency
1.595 MHz로 확인되었다. 이 결과는 [그림5]와 같이 측정을 위해 probe를
R 과 연결해서 probe의 internal capacitance가 회로에 더해지기 때문에
L

나타나는 현상이라고 할 수 있다. 실험에 사용한 probe는 x1 mode의 경우

110 ~ 125 pF, x10 mode의 경우 10 ~ 25 pF의 internal capacitance가 있고,
CH1은 x1 mode로, CH2는 x10 mode로 측정을 하였기 때문에 C ‘ = C + 110 in in

~ 125 pF, C ' = C + 10 ~ 25 pF으로 나타나고 r = 83.8 kΩ를 포함하여 다시

out out o

계산해보면 f = 2.17 ~ 3.10 MHz로 나타난다. 하지만 이 값도 측정 결과와

H

다르게 나타나는데 이는 FET의 internal capacitance는 DC bias point와

- 4 -
 의 frequency에 따라 변하는 값이지만 계산 시에는
signal typical값을
기준으로 계산을 했기 때문으로 추측된다.

공통 소스 증폭기 : 크기 응답, X-축 = ω [rad/s], Y-축 = 20log|H(s)| [dB]

[ 그림6] CS Amp : magnitude response, X-axis = ω [rad/s], Y-axis = 20log|H(s)| [dB]
¦[그림6]은 [표4]의 값으로 Bode magnitude plot을 그린 그래프이다. 그래프의
곡선은 f = 480.4 Hz, f = 1.595 MHz를 대입하여 fitting한 곡선이고, 측정
L H

결과가 곡선과 거의 일치함을 확인할 수 있었다. 구성한 CS Amp의

bandwidth(BW)는 BW = f - f ≈ f = 1.595 MHz로 나타났다.
H L H

¦ 저주파 대역에서는 magnitude response가 fitting line보다 조금 높게

나타났다. 이는 41.8 Hz의 zero frequency를 가지기 때문에 생기는 현상이다.
고주파 대역에서는 fitting line보다 조금 낮게 나타났다. 저주파 대역과
비슷하게 8 ~ 12 MHz의 주파수에서 pole frequency가 있기 때문에 나타나는
현상이다.
4. 연습문제 풀이
①실험의 결과를 이용하여 g 값을 구하라. m

¦ midband gain : |K| = g (R ∥R )이므로.. m D L

g = |K|/(R ∥R ) = 40/1768 = 22.62 [mA/V]로 구할 수 있다.

m D L

②실험의 결과를 이용하여 고주파에서의 출력 등가 커패시턴스 C 을 구하라. out

(C 의 영향으로 f 가 나타나므로 문제를 고쳤습니다.)

out H

¦ f = 1/2πC (R ∥R )이므로..
H out D L

C ‘ = 1/2πf (R ∥R ) = 1/(2π*1.595 M*1768) = 5.644 ×10 [F] = 56.44 pF

-11
out H D L

- 5 -
 로 구할 수 있다. probe의 internal capacitance : 25 pF을 빼면..
C = 56.44 - 25 = 31.44 pF이다.
out

③실험에서 얻은 g 값을 이용하여 저주파 차단 주파수 f 을 계산하고, 실험치와

m L

비교하라.
¦ f = 1/2πC (R ∥1/g ) = 1/(2π*9.94 μ*39.63) = 404.0 Hz로 나타나지만, 결과는
L S S m

480.4 Hz로 확인되었다. 이는 실험결과에서 설명한 바와 같이 output

resistance(r )의 영향이 없다고 가정하여 생기는 현상이라 할 수 있다.
o

④실험에서 얻은 g 값을 이용하여 고주파 차단 주파수 f 을 계산하고, 실험치와

m H

비교하라.
¦ f = 1/2πC (R ∥R ) = 1/(2π*25.13 p*1768) = 3.58 MHz로 나타나지만, 결과는
H out D L

1.595 MHz로 확인되었다. 이 또한 설명한 바와 같이 probe의 internal

capacitance가 회로에 더해지기 때문에 나타나는 현상과 FET의 internal
capacitance가 DC bias point와 signal의 frequency에 따라 변하는 값이기
때문에 나타나는 현상이라 할 수 있다.
5. 결론
¦ MOSFET 의 low/high frequency small signal equivalent circuit을 사용하여
CS Amp가 lower/higher 3-dB frequency가 나타남을 확인할 수 있었다.
¦ 구성한 CS Amp의 주파수에 따른 동작(low frequency : HPF, high frequency
: LPF)을 실험을 통해 확인할 수 있었다.
¦ 회로의 외적 요인(probe)에 의한 효과를 눈으로 확인할 수 있었고, 정확한
측정의 어려운 점에 대해 알 수 있었다.

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