년도 2학기 경북대학교 IT대학 전자공학부

2012
전자공학실험2 결과보고서

실험 1. RC 회로의 시간 응답

담당 교수 : 문재경 교수님
실험 일시 : 2012년 9월 11일
제출 일시 : 2012년 9월 18일
2조 실험자
손준우 2008037204
q 목차
1. 실험 목적
2. 사용 기기 및 부품
3. 실험 내용 및 결과 분석
4. 연습문제 풀이
5. 결론
1. 실험목적
¦ 커패시터의 기본 구조와 동작 원리를 배우고, 커패시터의 충전과 방전 특성을
이해한다.
¦ 커패시터 충전과 방전 회로를 이용하여 RC 회로를 설계하고 제작한다.

2. 사용기기 및 부품
장 비 / 부품명 기 능 /규 격 수량
전원(신호) 공급기 직류전원 공급기, 함수발생기 각 1대
측정기기 오실로스코프, 멀티미터(DMM) 각 1대
Bread-Board - 1개
다이오드 1N4004 1개

커패시터 표준값 0.1, 47 μF

다수
실측값 0.095, 47 μF
표준값 1, 10, 100 kΩ

저항 실측값 0.984, 9.85, 97.1 kΩ

각 1개
표준값 1, 2 MΩ
실측값 0.984, 2.001 MΩ

3. 실험 내용 및 결과 분석
실험 1 - RC 충전 회로
① [그림1]의 회로를 구성하고 커패시터를 제거한 상태에서 멀티미터를
연결시킨다.
②직류전원장치에서 10 V를 인가한 후 멀티미터 내부저항에 인가되는
전압(최종 충전전압)을 측정한다.
③커패시터를 연결 한 순간부터 1, 10, 20 sec간격으로 전압을 측정한다.
전압의 변화가 거의 없을 때까지 측정한 데이터를 기록한다.
④오차를 최소화하기 위해 ③ ~ ④의 과정을 2회 반복하고 평균치를 분석한다.
②에서 측정한 전압을 기준으로 백분율로 계산하여 표에 기록하고 충전
곡선 그래프로 그린다. 회로의 시상수를 구한다.
⑤ R값을 100 kΩ / 1, 2 MΩ으로 바꿔가며 실험을 반복한 후 결과를 분석한다.
⇒예상 : 시상수 τ = RC [sec]이므로 R값이 큰 회로일수록 시상수가 높아지고,
충전되는데 걸리는 시간이 길 것이다.
- 1 -
※ [그림1]과 같이 회로를 구성하였다. 실험 전 저항의 실측값은 각각 97.1 kΩ /
0.984, 2.001 MΩ이었다.

브레드 보드 구성 회로도
[ 그림1] RC charging circuit
¦[그림1]의 회로에서 R을 각각 97.1 kΩ / 0.984, 2.001 MΩ으로 바꿔가며 V 를 C

측정하여 [표2]의 결과를 얻었다. V∞는 커패시터를 제거했을 때의 전압이다.

time constant(τ : tau)
C R
계산값 curve fit. 값 상대오차
97.1 kΩ 4.564 sec 4.776 sec +4.65 %
47 μF 0.984 MΩ 46.25 sec 47.72 sec +3.18 %
2.001 MΩ 94.05 sec 88.96 sec -5.41 %
표
[ 3-1] RC charging circuit : time constant where R = 97.1 kΩ / 0.984, 2.001 MΩ

RC 회로 : 충전 곡선, X-축 = t [sec], Y-축 = V C [V]

[ 그림3-2] RC charging circuit : charging curve, X-axis = t [sec], Y-axis = V C [V]

표 의 데이터를 토대로 RC회로의 충전곡선을 그리고 각각의 시상수(τ :

¦ [ 2]
tau)값을 확인해본 결과 [그림3]과 같이 나타났다. 커패시터와 직렬 연결된

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 저항이 커질수록 충전되는데 걸리는 시간이 더 오래 걸리게 됨을 확인할 수
있었다. 수동으로 전압측정을 해서 정확한 시간간격을 확인할 수 없었고,
멀티미터로는 1초간격의 정확한 전압 변화를 측정할 수 없기 때문에 약 ±5
%의 오차가 발생한 것으로 추측된다.

실험 2 - RC 방전 회로
① [그림4]의 회로를 구성한다.
②직류전원장치에서 10 V를 인가한 후 충분한 시간동안 충전되도록 기다린다.
③직류전원장치를 short시킨 후 1, 10 sec간격으로 전압을 측정한다. 전압의
변화가 거의 없을 때까지 측정한 데이터를 기록한다.
④오차를 최소화하기 위해 ③ ~ ④의 과정을 2회 반복하고 평균치를 분석한다.
초기전압을 기준으로 백분율로 계산하여 표에 기록하고 방전 곡선
그래프로 그린다. 회로의 시상수를 구한다.
⑤ R값을 100 kΩ / 1 MΩ으로 바꿔가며 실험을 반복한 후 결과를 분석한다.
⇒예상 : 실험 1번과 마찬가지로 시상수 τ = RC [sec]이므로 R값이 큰 회로일수록
방전되는데 걸리는 시간이 길 것이다.
※ [그림4]와 같이 회로를 구성하였다. 실험 전 저항의 실측값은 각각 97.1 kΩ /
0.984 MΩ이었다.

브레드 보드 구성 회로도
[ 그림4] RC discharging circuit
그림4]의 회로에서 R을 각각 97.1 kΩ / 0.984 MΩ으로 바꿔가며
¦[ VC 를
측정하여 [표5]의 결과를 얻었다. V 은 초기전압이다. 0

time constant(τ : tau)

C R
계산값 curve fit. 값 상대오차
97.1 kΩ 4.564 sec 4.607 sec +0.94 %
47 μF
0.984 MΩ 46.25 sec 50.69 sec +9.6 %
표
[ 6-1] RC discharging circuit : time constant where R = 97.1 kΩ / 0.984 MΩ

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 RC 회로 : 방전 곡선, X-축 = t [sec], Y-축 = V C [V]
그림6-2] RC discharging circuit : discharging curve, X-axis = t [sec], Y-axis = V
[ C [V]

표 의 데이터를 토대로 RC회로의 방전곡선과 시상수(τ : tau)값을 확인해본

¦ [ 5]
결과 [그림6]과 같이 나타났다. 충전곡선과 마찬가지로 커패시터와 직렬
연결된 저항이 커질수록 방전되는데 걸리는 시간이 더 오래 걸리게 됨을
확인할 수 있었다.
¦ 실험1과 2의 데이터를 다시 확인해보면 시간이 지남에 따라 충전의 경우에는
-의 상대오차를, 방전의 경우 +의 상대오차를 나타내는 양상을 확인할 수
있었다. 이는 커패시터 내부의 저항(ESR)에 의해 RC회로의 시상수가 커지게
되고, 또 커패시터의 ESR이 멀티미터의 내부저항과 병렬로 연결되면서
커패시터 양단에 걸리는 전압을 떨어뜨리기 때문에 생기는 현상으로
추측된다.
실험 3 - RC 충/방전 특성 실험
① [그림7]의 회로를 구성한다.
②신호발생기에서 V = 5 V, V = 2.5 V의 구형파를 인가 후 오실로스코프를
PP offset

통해 충/방전 곡선을 관찰한다.

③신호발생기의 주파수를 조정하여 T = 10τ, 5τ, 2τ일 때의 파형을 관찰한다.
④ R값을 1, 10 kΩ으로 바꿔가며 실험을 반복한 후 결과를 분석한다.
⇒예상 : 인가해주는 구형파의 주파수가 f = 1/10τ일 경우는 충/방전이 각각
5τ의 충분한 시간동안 일어나기 때문에 충/방전 곡선이 제대로 나타나겠지만,
주파수를 올리면 올릴수록 충전이 끝나기 전에 방전이 시작되고 방전이
끝나기 전에 충전이 시작되므로 2.5 V를 중심으로 조금 일그러진 삼각파의
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 형태가 나타날 것이다.
※ [그림7]과 같이 회로를 구성하였다. 오실로스코프의 CH1은 인가되는 구형파를
CH2는 커패시터 양단 전압(V )를 측정하도록 구성하고, 실험 전 저항의
C

실측값은 각각 0.984, 9.85 kΩ, 커패시터의 실측값은 0.095 μF였다.

브레드 보드 구성 회로도
[ 그림7] RC charging & discharging circuit
¦[ 그림7]의 회로를 오실로스코프로 측정한 결과 [그림8]과 같이 나타났다.

RC 회로 : 충/방전 특성 곡선, f = 1/10τ = 1.070 kHz

f = 1/5τ = 2.140 kHz f = 1/2τ = 5.351 kHz

[ 그림 8-1] RC circuit : charging & discharging characteristics R = 0.984 kΩ
의 경우 τ = 0.095 μF * 0.984 kΩ = 0.09348 ms를 기준으로 주기가
¦ R = 0.984 kΩ
10τ, 5τ, ½τ인 구형파를 인가했을 때 [그림8-1]과 같은 충/방전 곡선이
나타났다. 예상과 마찬가지로 10τ의 주기를 가진 구형파를 인가하였을 때는
- 5 -
 로 5 V에 근접한 값이 나타났고, 충/방전곡선이 제대로
VPP = 4.84 V
관찰되었다. 주기를 5τ, 2τ로 줄이면 충전이 끝나기 전에 다시 방전이
시작되어서 결국엔 삼각파와 비슷한 형태의 파형이 관측되었다.

RC 회로 : 충/방전 특성 곡선, f = 1/10τ = 106.8 Hz

f = 1/5τ = 213.9 Hz f = 1/2τ = 534.5 Hz

[그림 8-2] RC circuit : charging & discharging characteristics R = 9.85 kΩ
의 경우도 마찬가지로 τ = 0.095 μF * 9.85 kΩ = 0.9358 ms를 기준으로
¦ R = 9.85 kΩ
주기가 10τ, 5τ, ½τ인 구형파를 인가했을 때 [그림8-2]와 같은 충/방전 곡선이
나타났다.
¦ [그림8-1]과 [그림8-2]를 비교해보면 실험1,2와 마찬가지로 저항이 클수록
충/방전되기까지 걸리는 시간이 길어짐을 확인할 수 있었다.
¦ 실험 시 오실로스코프로 저항양단에 걸리는 전압을 측정하여 인가한
구형파에서 커패시터의 충/방전 곡선을 뺀 파형을 측정하고자 하였지만
측정 결과 인가한 구형파와 동일한 파형이 측정되었다. 이는 프로브에 있는
커패시턴스성분에 의해 생기는 효과로 추측된다.
실험 4 - 반파 배전압 정류 회로
① [그림9]의 회로를 구성한다.
②신호발생기에서 V = 10 V의 정현파를 인가 후 오실로스코프를 통해 D1과
PP

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 의 전압 파형을 관찰한다.
C2
⇒예상 : C1과 D1은 voltage doubler이므로 신호발생기에서 나오는 전압이
negative swing일 때 D1이 ON되므로 C1이 충전되고, C1이 충전 된 후
방전이 일어나지 않는다고 하면 D1에는 신호발생기에서 인가해준 파형의
아랫부분이 X-축에 clamping된 파형이 나타날 것이다. 이후 D2가 ON되어
C2가 충전되고, C2에서도 방전이 일어나지 않는다고 하면 peak detector의
역할을 하므로 2배로 승압된 직류 전압이 나타나게 될 것이다. D1, D2가
0.7 V constant-voltage drop model이라면 D1에서는 V = 10 V, V = 4.3 PP offset

V의 정현파가 C2에서는 V = 8.6 V의 DC전압이 나타날 것이다.

DC

※ [그림9]과 같이 회로를 구성하였다. 오실로스코프의 CH1은 인가되는 정현파를

CH2는 D1과 C2의 파형을 측정하도록 구성하였다.

브레드 보드 구성 회로도
그림 9] voltage doubler rectifier circuit
[
¦[그림9]의 회로를 오실로스코프로 측정한 결과 [그림10]과 같이 나타났다.

D1 양단에 걸리는 전압 파형
그림 10-1] voltage doubler rectifier circuit : voltage doubler(V
[ D1)

¦ D1 양단의 전압(V )을 확인해본 결과 [그림10-1]과 같이 V = 10 V, V =

D1 PP offset

4.4 V로 clamping된 파형이 나타났다. 예상값인 V = 10 V, V = 4.3 V와 PP offeset

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 비슷한 값이 측정됨을 확인할 수 있었다.

D1 양단에 걸리는 전압 파형
[ 그림10-2] voltage doubler rectifier circuit : peak detector(V C2)

양단의 전압(V )을 확인해본 결과 [그림10-2]와 같이 V = 8.8 V로 정류된

¦ C2 C2 DC

DC전압이 나타났다. 예상값인 V = 8.6 V와 비슷한 결과를 얻을 수 있었다.

DC

¦ 실험 전에는 다이오드를 0.7 V constant-voltage drop model로 예상했었지만,

실제로는 다이오드의 forward voltage drop이 0.6 V로 나타나는 결과를
확인할 수 있었다.
4. 연습문제 풀이
①실험에서 나타난 결과를 통하여 R, C와 시정수의 관계를 설명하라.
¦ 실험1,2,3을 통해 확인한 결과 R이 커짐에 따라 시상수 τ는 증가하였고,
실험1과 실험3을 비교해 보았을 때 C가 클수록 시상수 또한 커짐을 알 수
있었다. 이론에서 배웠던 τ = RC로 계산했을 때 각각의 실험에서 ±10%내의
오차를 보이며 τ = RC 관계를 다시 한 번 확인할 수 있었다.
②각각의 실험에 대하여 측정값과 이론적 계산값을 비교하고, 오차가 있다면
그 원인을 분석해 보라
¦ 실험1,2에서 멀티미터와 육안으로 하는 측정이기 때문에 시간동기를 알 수
없어서 오차가 크게 나타났다. 그리고 데이터를 보면 시간이 지남에 따라
충전의 경우 -의 오차를, 방전의 경우 +오차가 나타났다. 이는 커패시터
내부의 저항(ESR)에 의해 RC회로의 시상수가 커지게 되고, 또 ESR이
멀티미터의 내부저항과 병렬로 연결되면서 커패시터 양단에 걸리는 전압을
떨어뜨리기 때문에 생기는 현상으로 추측된다.
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③직류 회로에서 커패시터의 작용에 대해 설명하라.
¦ 구조적으로 봤을 때 커패시터는 절연체로 되어있기 때문에 직류의 경우에는
open circuit으로 작용하게 된다. 커패시터의 전압-전류 관계식을 보면
      로 직류 회로에서는 전압의 변화가 없기 때문에 전류가 흐르지
  

않는 open circuit이라고 할 수 있다.
④커패시터의 충/방전 원리를 이용한 실례를 조사하라.
¦ 실험4에서 확인한 배전압 정류회로가 커패시터의 충/방전 원리를 이용한
회로라고 할 수 있다. 이런 배전압 정류회로를 cascade로 연결시켜 작은
전압을 크게 증폭시킬 수 있고 이러한 원리를 이용한 실례로는 음이온
발생기, 전기 파리채, 전기 충격기 등이 있다.
⑤실험에 사용한 전해 커패시터를 분해하여 보고 내부구조를 설명하라.

알루미늄 전해 커패시터의 구조
그림 A] structure of Al electrolytic capacitor
[
¦ 전해 커패시터의 내부구조는 [그림A]와 같이 알루미늄박과 전해지가 말려있는
구조로 되어있다. 이는 C = εA/d이므로 표면적을 크게 해서 capacitance를
높여주는 구조이다.
⑥ 1장의 실험을 통해 확인한 결과를 실험 목적에 입각하여 요약하라.
¦ RC회로에서 시간에 따른 커패시터의 전압을 측정하고 τ = RC의 관계를
확인하여 충전과 방전 특성을 이해할 수 있었고, 충/방전 특성을 이용한
배전압 정류 회로를 설계하여 커패시터를 이용한 회로를 설계하는 방법을
알 수 있었다.
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5. 결론
회로에서의 step response를 측정하여 시상수와 저항, 커패시턴스의
¦ RC
관계(τ = RC)를 확인할 수 있었다.
¦ 커패시터를 포함한 회로의 설계(voltage doubler, peak detector)와 그 쓰임에
대해서 실험을 통해 확인할 수 있었다.

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