전자회로 설계 및 실험 5.

BJT 동작 - 대신호/소신호 동작

1. 실험 목적
1. BJT 회로에서 대신호/소신호 동작에 대해 공부한다.
2. 얼리 효과를 포함한 BJT 소자의 특성 곡선을 측정 및 계산하고, 실제 소신호 모델의 파
라미터 값들을 계산한다.
3. 바이어스 점에 따른 소신호 동작 실험을 통해 소신호 모델을 사용한 해석과 비교한다.

2. 기초 이론
BJT 증폭 회로의 대신호/소신호 동작

다이오드회로에서처럼 BJT를 이용한 대부분의 아날로그 전기/전자회로들은 고정된 상수값

의 바이어스(Bias) 신호에 작은 진폭의 시간에 따라 변하는 신호를 실어서 증폭, 전달하는
역할을 수행한다. 또한 다이오드 증폭 회로와 마찬가지로 BJT 증폭회로의 분석에서도 바이
어스 점(Bias point, 또는 동작점(Operation point)로 표현)에 비해 상대적으로 매우 작은
변동(Perturbation)을 분석하기 위해, 미분을 사용한 근사를 이용하는 대신호/소신호 모델
(Large signal/Small signal model)을 이용한다.

위의 그림은 BJT 증폭기(BJT amplifier) 회로의 대신호/소신호 모델에 따른 소신호 증폭을

나타낸다. 증폭기의 입력 전압 대 출력 전압 특성곡선의 바이어스 점에서 미분을 사용한 근
사를 통해, 증폭기 회로의 전달함수(Transfer function, 또는 증폭도(Amplification gain))
  를 구할 수 있는데, 선형적인 증폭 동작을 위한 바이어스 점을 잡아주는 것 역시 중요하
다.

 in => 총 전압 =   (DC 전압) +  in(AC 전압)

    => DC 전압의 바이어스로 인하여 생기는 전압

  => AC 전압의 바이어스로 인하여 생기는 전압

  
증폭도     이므로   를 구하고  을 곱하면   을 구할 수 있게 된다.
 
트랜스컨덕턴스(Transconductance   )
  
   exp   


위의 식과 같이 BJT는 전압 입력   에 의해 컬렉터 전류  가 변화하는 출력 특성을 갖

는 전압 제어 전류원(Voltage-controlled current source)로 동작한다.

 
이 때의   =     이며,    exp  이다.


베이스 - 이미터간 전압   를 소신호 분석을 위해 대신호 전압   와 소신호 전압  

로 인가하여 위의 식을 전개하면, 다음과 같은 대신호 컬렉터 전류  와 소신호 컬렉터 전
류   로 나타난다.

 
   × exp   


    
=  × exp  


   
=  × exp    × exp   
 

 
=  × exp  


여기서 가 작을 때, exp   ≃    가 되므로

 
≃  ×    


=    

트랜스컨덕턴스(Transconductance)   은 컬렉터 전류  와 베이스 - 이미터간 전압  

의 미세 변화의 비로 정의되며,

   
       exp  
    

   
=   exp   =  로 나타낼 수 있다.
     

대신호/소신호 모델(Large Signal/Small Signal Model)

 <대신호 모델> <소신호 모델>

위는 npn형 BJT를 대신호/소신호 모델을 적용한 경우의 간략화한 회로이다.

Ⅰ) DC 동작을 포함한 바이어스 동작을 분석하는 경우,

베이스 이미터 간 전압   와 전압 제어 전류원을 포함하는 형태가 된다.

 
이 때의 컬렉터 전류    exp  으로,   의 값에 따라서 제어된다.


이는 왼쪽의 대신호 모델로 대체하면 분석이 용이해진다.

Ⅱ) AC 동작을 포함한 바이어스 동작을 분석하는 경우,

이 때에는 위에서 언급한 선형 근사를 이용하여

컬렉터 전류       가 되며, 베이스 이미터 간에는 다이오드가 소신호 저항  이 된다.

따라서 이 또한   에 따라 제어되는 전압 제어 전류원이 된다.

이는 오른쪽의 소신호 모델로 대체하면 분석이 용이해진다.

얼리 효과(Early Effect)

우리가 저번 실험에서 관찰하였듯이 지금까지 배운 이론에서는  가   에 관계없이  

에만 영향을 받았지만, 실제 BJT에서는   가 증가함에 따라 컬렉터 전류  가 증가하게
된다. 이러한 비선형적인 특성을 갖는 2차 효과(Second effect) 중 하나인 얼리 효과(Early
effect 또는 채널 길이 변조(channel length modulation)는 컬렉터 전압   가 증가함에
따라 베이스-컬렉터간 접합에 생기는 공핍층(Depletion region)이 증가함으로써, 베이스 내
부 전하 개요(Charge profile)의 기울기가 증가하여 컬렉터 전류  를 증가한다는 물리적
현상으로 설명될 수 있다.
  
이를 위의    × exp   식에 반영하게 되면, 컬렉터 전압   와 얼리 전압   를

포함하는, 다음과 같은 수식으로 수정되어야 한다.

   
   × exp      
 

<얼리 효과를 포함한 대신호 모델> <얼리 효과를 포함한 소신호 모델>

Ⅰ) 대신호 모델의 경우,

   
   × exp       의 식에 의해  가 변화하였으며
 

Ⅱ) 소신호 모델의 경우,

소신호 출력 저항  가 추가되었음을 알 수 있다.

∆   
여기서     
∆   
 exp   
 


≈

3. 실험 방법
Ⅰ) 실험 부품 및 장비

전원 : 오실로스코프, 가변 전류 정전압원, AF 정현파 신호 발생기

장비 : 다중 측정 범위를 갖는 마이크로 밀리 전류계, DVM

저항 : 4.7 1/2W, 100 2W
반도체 : 2N6004 또는 2N3904

기타 : SPST 스위치

Ⅱ) 실험 과정

가. 수식을 이용한 파라미터의 산출

1. 위와 같이 회로를 작성하고   (V2)를 0V로 놓아라.

2.  in(V1)에 2V DC전압을 인가한 후   를 0V에서 12V까지 1V 간격으로 변화시키면서

컬렉터 - 이미터 간 전압   , 컬렉터 전류  , 베이스 전류  를 측정하여 표 5-1에 기
록한다.   ,   전압도 같이 측정하여 동작 영역을 확인한다.

3.  in이 각각 2V, 4V가 되도록 출력을 조정하여 과정 2 를 반복한다.

4. 표 5-1을 바탕으로, 그림 5-7에 컬렉터 특성(     ) 곡선 그래프를 그린다.

5. 구해진  의 값으로부터 다음의 수식을 사용하여 트랜스컨덕턴스를   을 구한다. 열전압

  는 26mV로 놓는다.


  
 

6. 구해진  의 값으로부터 다음의 수식을 사용하여 소신호 저항  를 구한다.


  
 

7. 과정 4에서 얻은 그림 5-7과 표 5-1을 바탕으로, 그림 5-4를 참고하여 얼리 전압  

를 구하고, 얼리 효과에 의한 소신호 모델의 출력 저항  를 계산한다.


  
 

8. 아래 수식을 이용하여 소신호 전달함수의 증폭도     를 계산한다.

     ∙   
나. BJT 회로의 소신호 증폭도 측정

9. 입력  in에 연결된 신호 발생기를 1kHz에서 2V의 DC 전압을 가지면서 최소 AC 전압

의 진폭을 갖는 정현파 출력을 가지도록 조정하고  in과    의 피크-피크 AC 전압을 측정
하여 표 5-2에 기록한다. 단 전원 전압   는 12V로 고정하여 사용한다.

10.과정 10에서 측정된 값을           을 이용하여 소신호 전달함수의 증폭도

   를 계산한다. 계산된 전달함수    를 표 5-2에 기록한다.
11. 신호 발생기의 DC 전압을 각각 4V, 6V로 조정한 후, 과정 9, 10을 반복한다.

12. 표 5-1의     값과 표 5-2의 실험을 통해 얻은     값을 비교하여 오차가 가장 작

은 바이어스 점을 찾는다.

13. 신호 발생기의 DC 전압을 2V로, AC 전압을 20mV, 50mV, 100mV, 200mV, 500mV,
1V, 1.2V, 1.5V, 2V로 각각 조정한 후, 과정 9와 10을 반복하여 표 5-3에 기록한다. 소신
호 입력 신호의 진폭에 따른    값의 선형성을 확인하라.
4. 실험 결과
가. 수식을 이용한 파라미터의 산출

1) Vin = 2V일 때,

2) Vin = 4V일 때,

3) Vin = 6V일 때,
컬렉터 특성(     ) 곡선 그래프 (   = V,    

표 5-1

Vin=VIN=2V Vin=VIN=4V Vin=VIN=6V

             
(V) (mA) (mA) (V) (mA) (mA) (V) (mA) (mA)
0 0.014 0.289 -0.138 0.018 0.708 -0.181 0.020 1.129 -0.197
1 0.118 0.270 8.824 0.093 0.694 9.077 0.082 1.119 9.183
2 0.159 0.266 18.415 0.125 0.690 18.745 0.112 1.115 18.884
3 0.200 0.263 28.008 0.152 0.687 28.484 0.137 1.112 28.633
4 0.356 0.261 36.437 0.176 0.685 38.236 0.159 1.110 38.411
5 1.306 0.261 36.945 0.201 0.684 47.990 0.180 1.109 48.248
6 2.258 0.261 37.417 0.228 0.682 57.723 0.200 1.107 58.024
7 3.211 0.261 37.889 0.262 0.681 67.378 0.221 1.106 67.804
8 4.164 0.261 38.361 0.426 0.680 75.744 0.243 1.104 77.572
9 5.117 0.261 38.833 1.330 0.680 76.702 0.267 1.103 87.326
10 6.070 0.261 39.305 2.237 0.680 77.631 0.300 1.103 97.002
11 7.022 0.261 39.777 3.144 0.680 78.560 0.427 1.102 105.734
12 7.975 0.261 40.249 4.050 0.680 79.489 1.292 1.102 107.081

위의 그래프의 x절편을 측정하면   값을 구할 수 있게 된다.

A) Vin = 2V일 때,   = 4V 이후에서 능동 모드에서 동작    72.7V

B) Vin = 4V일 때,   = 8V 이후에서 능동 모드에서 동작    73.1V

C) Vin = 6V일 때,   = 11V 이후에서 능동 모드에서 동작    67.8V

(*아마 Vin=6V인 경우에는 동작 영역이 두 경우(    11V, 12V)밖에 없으므로 실험값이

부족하여 위의 두 경우의   는 거의 같은 반면의 10% 내지의 오차가 생겼을 것이다.)
    in=  =2V  in=  =4V  in=  =6V
전압            
0 -0.01 89.97 -0.01 36.72 -0.01 23.03

1V 0.34 96.30 8238.89 32.30 0.35 37.46 8053.32 13.02 0.35 23.24 7383.21 8.18

2V 0.71 97.74 3947.87 67.56 0.72 37.68 3899.71 26.91 0.73 23.32 3590.34 16.83

3V 1.08 98.86 2595.69 102.59 1.10 37.85 2566.35 40.86 1.10 23.38 2367.90 25.50

4V 1.40 99.62 1995.22 132.97 1.47 37.96 1911.81 54.73 1.48 23.42 1765.12 34.15

5V 1.42 99.62 1967.79 134.73 1.85 38.01 1523.23 68.45 1.86 23.44 1405.24 42.79

6V 1.44 99.62 1942.97 136.37 2.22 38.12 1266.39 82.16 2.23 23.49 1168.48 51.38

7V 1.46 99.62 1918.76 138.00 2.59 38.18 1084.92 95.58 2.61 23.51 999.94 59.90

8V 1.48 99.62 1895.15 139.64 2.91 38.24 965.09 107.14 2.98 23.55 874.03 68.42

9V 1.49 99.62 1872.12 141.27 2.95 38.24 953.04 108.45 3.36 23.57 776.40 76.84

10V 1.51 99.62 1849.64 142.90 2.99 38.24 941.63 109.71 3.73 23.57 698.95 85.07

11V 1.53 99.62 1827.69 144.53 3.02 38.24 930.50 110.97 4.07 23.59 641.23 92.54

12V 1.55 99.62 1806.26 146.15 3.06 38.24 919.62 112.23 4.12 23.59 633.17 93.68

- 위를 통하여   가 커질수록

a. 트랜스컨덕턴스   은 커지고

b.  는 작아지고

c.  는 거의 일정하고

d. 증폭도     또한 작아짐을 알 수 있다.

나. BJT 회로의 소신호 증폭도 측정 ( inp-p=0.5V)

에 대한    그래프가 다음과 같이 나옴을 알 수 있다. (아래가 , 위가   )

표 5-2

l inl l   l l  l

Vin=1V DC 0.5Vp-p 1.52Vp-p 3.04

Vin=2V DC 0.5Vp-p 1.17Vp-p 2.34
Vin=3V DC 0.5Vp-p 0.92Vp-p 1.84
Vin=4V DC 0.5Vp-p 0.76Vp-p 1.52
Vin=5V DC 0.5Vp-p 0.65Vp-p 1.30
Vin=6V DC 0.5Vp-p 0.56Vp-p 1.12

- 최대의 l   l 갖는 바이어스 점은 Vin= 1V DC 일 때이다.

표 5-3

AC전압  in ll l   l l  l
20mV 20mV 49.2mV 2.46
50mV 50mV 118mV 2.36
100mV 100mV 234mV 2.34
200mV 200mV 468mV 2.34
500mV 500mV 1.17V 2.34
1V 1V 2.35V 2.35
1.2V 1.2V 2.83V 2.36
1.5V 1.5V 3.54V 2.36
2V 2V 4.76V 2.38

- 이는 거의 일정하며 선형성을 가짐을 확인할 수 있다.