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BJT
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트랜지스터는 가변저항이며, 바이폴라 트랜지스터는 입력전류로 조정하는 가변저항이라고 했다. (FET는 입력전압으로
오늘은 BJT 를 이용하여 어떤 형태로 증폭회로를 설계하게 되는지 하는 기초적인 방법을 알아보도록 하자. BJT를 잘 이
BJT 회로 이해하는 법
트랜지스터 회로는 B(베이스)-E(이미터) 사이의 다이오우드 회로와 C(컬렉터)-E(이미터) 사이의 가변저항 회로로 나누
그렇다면, 베이스를 입력으로 사용하는 경우에, 입력측 회로를 구성하기 위해서 는 다이오우드에 대해서 잘 알면 별 문제
어)를 항상 흐르도록 하면서 여기에 입력전류를 추가로 얹어서 그 합을 입력 신호로 삼고 싶다면, 80 uA가 입력단(베이
여기서, VF는 다이오우드 강좌에서 이미 공부했던 다이오우드의 "순방향 전압강하" 값이 되겠다. 트랜지스터 입장에서
다시 말하자면, 베이스-이미터 전압 VBE 이라고 한다. 우리는 앞으로 이 이름을 자주 보게 된다. 잘 기억해두자.
자, 80 uA의 바이어스 전류를 인가하기 위해서 +5V 전원을 바로 이용할 때, 저항 RB 값은 얼마가 되어야 하는지 계산해
다이오우드(실제로는 트랜지스터가 되겠다)에 따른 특성값인 순방향 전압강하 값을 VF = VBE = 0.6 이라고 하면, VBIAS
= VBR + VF 이므로,
RB = VRB ÷ iBIAS = 4.4 [V] ÷ 80 [uA] = 4.4 [V] ÷ ( 80 × 10-6 [A] ) = 55000 Ω = 55 kΩ
가 된다. 실제로는 약간의 차이가 있을 수 있으므로, 회로를 직접 구성해서 각 단의 전류, 전압 등을 측정해보면서 확인해
야 한다.
컬렉터-이미터 회로의 이해
가변저항의 특성은 통과하여 흐르는 전류 IOUT 및 양단의 전압 VOUT으로부터 (오옴의 법칙을 써서 저항값을) 알 수 있다.
오른쪽 그래프는 가변저항의 값이 변함에 따라 출력 전압 및 전류가 얼마나 변하는가를 나타내고 있다. RC = 1 kΩ이라
VOUT = 0 V
로 산출할 수 있다. 반대의 경우도 알아보자. 가변저항의 값이 거의 '무한대'일 때는 (가변저항 없이 회로가 끊어진 상태
로 생각하면 되므로)
VOUT = +5 V
IOUT = 0 mA
가 된다. 그 사이의 저항값을 가지는 경우에는 출력전류 및 전압은
또는,
IOUT = ( 5 - VOUT ) / RC
로 나타낼 수 있다. 여기서, x = VOUT, y = IOUT로 두면, 일차함수가 되며 그래프로 그리면 위의 오른쪽 그림과 같은 직선
이 된다. 베이스 입력전류 값이 변하면 트랜지스터의 컬렉터-이미터 사이의 저항값이 변하면서 출력전류 및 전압값이 빨
여기서 빨간 직선을 우리는 부하선 또는 로드라인(load line) 이라고 부른다. 트랜지스터 회로 설계를 위해서 우리는 부
당연한 이야기인데, 결국, 트랜지스터의 저항값이 커지면 트랜지스터에 양단에 걸리는 전압( VCE = VOUT ) 은 커지게 되
지금까지 베이스 회로와 컬렉터-이미터 회로를 나누어서 살펴봤으니, 이제 이 둘을 연결시켜 보자. 트랜지스터의 특성 곡
앞에서 보았던 부하선(load line)을 얹어 놓으면, 우리는 이 그림에서 입력 신호를 알면 출력 신호를 얻을 수 있게 된다.
바로 아래의 그림처럼...
여기서, 베이스로 입력되는 전류 신호가 녹색 곡선과 같을 때, 컬렉터 (출력) 전류는 빨간 곡선으로, 컬렉터-이미터 사이
이와같이, 베이스 회로, 컬렉터-이미터 회로(부하선), 그리고 트랜지스터 특성표 등을 이용하여 트랜지스터 회로를 해석
또는 설계하게 되는 것이다.
오늘의 내용은 다소 어려울 수도 있을 것이다. 하지만, 여러번 반복해서 그려보고 생각해보면 결국 누구나 이해할 수 있
는 내용들이다. 열세번째 강좌는 이것으로 마친다.
수 있으며, 별도의 특수한 장치가 없어도 누구나 간단하게 회로를 구성하여 알아낼 수 있다. 예들들어, 베이스 입력쪽에
가변저항을 달아두고 조금씩 조정하면 베이스 전류를 조정할 수 있으며, 컬렉터 쪽에 부하저항도 가변저항으로 달아두고
<다음강좌 예고>