실험 5

BJT 트랜지스터
특성

05.BJT 트랜지스터 특성 대학전자회로실험 1

BJT 구조 및 회로 기호

 바이폴라 트랜지스터
• Bipolar Junction Transistor (BJT)
• 두개의 PN 접합 다이오드 ( 베이스 - 에미터 다이오드 및 베이스 - 콜렉터
다이오드 ) 가 샌드위치처럼 연결된 구조
• 세개의 단자 : 베이스 (Base: B), 에미터 (Emitter: E), 콜렉터 (Collector: C)

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BJT 전류 - 전압 특성

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BJT 전류 - 전압 특성 시뮬레이션

IC-VCE 특성 IC-IB-b 특성

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BJT 전류 - 전압 특성 실험 회로

 IB 에 따른 IC-VCE 특성 측정  소스미터 (Source Meter) 측정장비를

사용한 자동 측정

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 실험 6
BJT 바이어스 회로

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전압분배 바이어스 (Voltage Divider Bias) 회로

 전압분배 바이어스 회로
• R1, R2: VCC 를 분배하여 적절한 DC 전압을 베이스에 공급
• RE: 바이어스 조건의 b 의존성을 낮추기 위한 에미터 디제너레이션 저항 삽입 RE
• RC: 콜렉터 부하저항
• 설계 기준 : IR1, IR2 를 IB 의 10 배 정도가 되도록 R1, R2 값을 결정

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자기 바이어스 (Self-Bias) 회로

𝑉 𝐶𝐶=( 1+ 𝛽 ) 𝐼 𝐵 𝑅𝐶 + 𝐼 𝐵 𝑅 𝐵 +𝑉 𝐵 𝐸

𝐼 𝐸 =( 1+ 𝛽 ) 𝐼 𝐵

𝑉 𝐶𝐶 −𝑉 𝐵𝐸
𝐼 𝐸=
𝑅𝐵
𝑅𝐶 +
1+ 𝛽

 자기 바이어스 회로
• 콜렉터 DC 전압을 RB 를 통해 베이스 DC 전압으로 공급
• 설계 기준 : RB 의 적절한 값은 , DC 신호는 연결시키되 AC 신호는 차단할 수
있도록 rp 의 10 배 정도 값으로 설정함

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전압분배 바이어스 실험 회로

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자기 바이어스 실험 회로

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다이오드 연결 BJT 실험 회로

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 실험 7
BJT
공통 에미터 증폭기

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공통 에미터 증폭기 기본 회로

 공통 에미터 증폭기
• Common-Emitter(CE) Stage
• 신호입력 : 베이스
• 신호출력 : 콜렉터
• 공통접지 : 에미터

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입출력 전달 특성

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BJT 소신호 등가회로

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바이어스 포함 전체 회로

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DC 시뮬레이션

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Tran 시뮬레이션

Vin = 20 mV

Vout = 1.17 V

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공통 에미터 증폭기 실험 회로

 실험 내용
• DC 바이어스 조건
• 소신호 전압 이득 및 입출력 위상차 등 소신호 특성 측정
• 전압 이득의 1dB 감쇄 현상 측정을 통한 선형성 확인
• 입출력 임피던스 측정

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입력 임피던스 측정 실험

 실험 방법
• Rsig 를 바꿔가면서 중간 입력 노드 전압 Vinx 의 변화를 측정
• 아래 관계식으로 Rin 을 계산

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출력 임피던스 측정 실험

 실험 방법
• RL 을 바꿔가면서 출력 노드 전압 Vout 의 변화를 측정
• 아래 관계식으로 Rout 을 계산

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