전자회로 설계 및 실험 6.

BJT 증폭기의 DC 바이어스

1. 실험 목적
1. BJT 회로에서 바이어스 점 결정을 위한 DC 바이어스 회로에 대해 공부한다.
2. 하나의 저항을 이용한 간단한 바이어스 회로와 두 개의 저항으로 구성되는 전압분배 회
로의 바이어스 회로의 장단점을 실험 측정을 통해 확인한다.
3. 자기 바이어스 회로에서 BJT 특성에 무관한 동작을 위한 회로 구성을 실험을 통해 알아
본다.

2. 기초 이론
BJT는 차단 모드(Cutoff Mode), 포화 모드(Saturation Mode), 능동 모드(Active Mode)의
3가지 영역에서 동작한다. 각 모드에서 트랜지스터의 물리적 특성과 외부에 연결된 회로에
의해 트랜지스터의 바이어스 점이 결정된다. 차단 모드와 포화 모드에서의 트랜지스터는 스
위치 동작을 사용하는데, 차단 모드에서는 이미터에서 컬렉터로 매우 작은 양의 역방향 전
류만 흐르게 되는 반면, 포화 모드에서는 컬렉터에서 이미터가 단락된 형태의 많은 양의 전
류가 흐르게 된다. 전류량은 연결된 외부 회로에 의해 결정되는데, 차단 모드와 포화 모드
에서의 동작은 주로 디지털회로에서 사용된다. 일그러짐 없는 증폭(Distortionless
Amplification)을 위해서는, 입력 신호가 트랜지스터 특성 곡선의 선형 영역에서 동작하도록
베이스가 바이어스 되어야 한다. 그렇지 않으면, 아래의 그림과 같이 포화 또는 차단 영역
에 있게 된다. 그러므로 트랜지스터를 바이어스 시키는 방법이 주어진 입력신호 레벨에 대
해 발생되는 출력을 결정한다.

포화

차단

컬렉터 전류 파형에 대한 오버드라이브(Overdrive)의 영향

- 제한된  그래프 너무 크면 포화, 너무 작으면 차단 모드에 들어가게 된다.

1개의 저항을 이용하는 간단한 BJT 바이어스 회로

 그림 6-2 1개의 저항을 이용하는 간단한 바이어스 회로

위의 그림과 같이 상대적으로 매우 큰 1개의 저항을 전원과 베이스 사이에 연결하여 BJT

의 바이어스 회로 구현이 가능하다.

여기서 키르히호프의 전압 법칙 (KVL)을 적용하면,

       

의 관계를 가지므로, 베이스 전류와 콜렉터 전류는 각각 아래와 같다.

    
  


    
      


위 식의 콜렉터 전류는 트랜지스터의 순방향 전류 전달비 와 베이스-이미터 전압   의

온도 의존성을 갖는다. 즉 위의 그림에서의 바이어스 회로는 트랜지스터의 와 온도에 매우
민감하여, 정확한 바이어스 점을 예측하기 어려운 단점을 갖는다.

전압분배 회로를 이용하는 BJT 바이어스 회로

그림 6-3 전압분배 회로를 이용한 바이어스 회로

모든 베이스 바이어스 회로에 가장 널리 이용되는 방식은 위의 그림에 나타난 전압배분 회

로의 바이어스(Voltage-divider Bias) 방식이다.  과  는 베이스에 대해 전압배분의 분
압기를 구성한다.

분압기 바이어스 회로에 대한 직류 바이어스 전류를 계산하기 위해서는 베이스 회로에

테브닌(Thevenin) 정리를 적용한다. 베이스가 분압기  과  로부터 분리되었다고 가정하
고,  에 흐르는 전류가 베이스 전류  보다 훨씬 클 때(>배 ), 아래와 같이 근사화 과정
을 거칠 수 있다.

여기서 테브닌 전압    는 전압분배 원리에 따라


      
  

테브닌 저항   는  과  의 병렬 합성 저항이 되므로

 
   
  

여기서 간략화된 회로에서 KVL 법칙을 이용하여

         

따라서 다음 단계로 BJT 콜렉터 전류 수식에 의해 콜렉터 전류를 계산할 수 있게 된다.

        
   exp    exp 
 

위에서 계산된 값  과 트랜지스터의 를 이용해서 베이스 전류  를 구하면,

 
        ln   × 
  

와 같다. 위의 식에서처럼 전압분배 바이어스 회로는 베어스-이미터와 컬렉터-이미터 전압,

베이스 전류와 이미터 전류가 트랜지스터의 가 아닌 외부 저항 회로 소자  ,  에 의존
하게 된다. 그러므로 트랜지스터간의 가 변할지라도, 바이어스 점은 변동하지 않는다. 그
러나 위의 수식과 같이 외부 저항을 사용한 전압분배 회로에서 콜렉터 전류  는 저항값의
변동에 따른 전압값이 지수 함수의 의존성을 가지므로 큰 변화를 갖게 된다.
* ex) 오차에 의해 저항값이 1%만 달라지더라도 전압 분배 원리에 의해    가 달라지고,
 는           에 지수 함수의 의존성을 가지게 되므로 20% 내지의 차를 가질만
큼 큰 변화를 갖는다.

자기 바이어스 회로

그림 6-4 자기 바이어스 회로

위의 그림은 그림 6-2의 바이어스 회로와는 달리 베이스 저항이 전원 전압   에 연결된

것이 아니라 트랜지스터의 컬렉터 단자에 연결되어 있다. 베이스 전류와 전압이 컬렉터로부
터 공급되므로 자기 바이어스(Self-biased)라 부른다. 트랜지스터의 컬렉터, 노드 Y에서
KVL을 이용하여 컬렉터 전류에 대해 풀면 아래와 같다.

       

 
          

    
  

  


자기 바이어스 회로는 출력 변수가 증가 또는 감소하면, 입력 변수가 감소 또는 증가하는

부귀환(Negative Feedback)의 동작을 포함한다. 컬렉터 전류가 증가하면, 컬렉터 전압을
감소시키고 다시 컬렉터 전류를 감소시켜, 트랜지스터 등의 변수 변화에 둔감한 동작을 가
능케 한다. 트랜지스터 에 둔감한 동작을 위해서, 위의 식의 분모항의  값이   와 비
교하여 매우 큰 값을 가지도록 설계하면 된다. (>배 )

3. 실험 방법
Ⅰ) 실험 부품 및 장비

전원 : 가변 전류 정전압원

장비 : 다중 측정 범위를 갖는 마이크로 밀리 전류계, DVM

저항 : 2.7 , 6.8 , 33 , 360 , 1M 1/2W
반도체 : 2N3904 3개

기타 : SPST 스위치

Ⅱ) 실험 과정

실험 1. Simple biased circuit

1.   BJT를 이용해서 위와 같은 회로를 구성한다.

2. Bias Voltage and Current를 측정하여 위의 빈칸을 채운다.

3.   을   와   BJT로 교체해서 같은 방법으로 측정한다.

실험 2. Voltage divider를 이용한 Bias

1.   BJT를 이용해서 위와 같은 회로를 구성한다.

2. Bias Voltage and Current를 측정하여 위의 빈칸을 채운다.

3.   을   와   BJT로 교체해서 같은 방법으로 측정한다.

실험 3. Self biased Circuit

1.   BJT를 이용해서 위와 같은 회로를 구성한다.

2. Bias Voltage and Current를 측정하여 위의 빈칸을 채운다.

3.   을   와   BJT로 교체해서 같은 방법으로 측정한다.

4. Pspice 모의 실험 결과
(Pspice의 특성 상 여러개의 트랜지스터를 놓고 오차에 대해 구분할 수 없
으므로 1개의 트랜지스터에 대해서만 실험하였습니다.)

실험 1. Simple biased circuit

  0.678V
  7.321V
 11.3uA
 1.733mA
 153.3628

실험 2. Voltage divider를 이용한 Bias

  0.710V
  0.0954V
 4.647mA
 4.409mA
 237.7uA
 18.55

-이는   가   보다 훨씬 크므로, 깊은 포화 영역에 있음을 알 수 있다.

실험 3. Self biased Circuit

   0.685V
  5.899V
 14.483uA
 2.245mA
 155.0093

1번 3번 실험을 통하여   >   인 능동 영역의 경우 각각 =153, 155으로 거의 같음을

확인할 수 있었다. 또한 2번의 전압분배 바이어스의 경우  가 큰 경우        
의 식에 따라서   가   보다 작아지게 되어 포화 영역에 이르게 되어 일정하지 못한 
값(더욱 낮은 )을 얻음을 확인할 수 있었다. 또한  ,  의 저항비에 따른 분배 원리에 의
해   가 변하고, 컬렉터 전류  는 그에 따른 exp함수이므로 작은  ,  의 오차에 큰
 값의 차이가 나타날 수 있다. 그렇기 때문에 실험 3의 Self biased Circuit 이 더욱 안정적
인 바이어스 구조임을 유추할 수 있었다.