ANALOG ELEKTRONİK Y.Doç.Dr.A.

Faruk BAKAN
ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR
FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET’in uçları G (Kapı),
D (Drain) ve S (Kaynak) olarak tanımlanır. FET’in yapısı ve sembolü Şekil 4.1’de gösterilmiştir.
FET’ler aşağıdaki gibi 3 grupta toplanabilir.

- JFET (Jonksiyon FET)

- IGFET( Kapı izoleli FET)
- MOSFET (Metal oksit yarı iletken FET)

JFET
BJT akım kontrollu bir elemandır yani taban akımı ile kollektör akımı kontrol edilir. FET ise
gerilim kontrollu bir elemandır. FET’in kapı (G) ile kaynak (S) arasına uygulanan gerilim ile,
kanaldan (D ile S arasından) geçen akım kontrol edilir. G-S uçlarına uygulanan gerilim, kanaldan
geçen akımın yönüne dik olan bir elektrik alanı oluşturur. JFET, N veya P kanal olabilir. N kanal
JFET’de, kanal N tipi ve kapı P tipi bir malzemedir. Kapıdan kanala bir P-N jonksiyonu
mevcuttur. Kapıya uygulanan gerilim P-N jonksiyonunu ters yönde kutuplar ve kapıdan çok
küçük bir sızıntı akımı geçer. Bu nedenle FET’lerde giriş direnci çok yüksektir (∼1000 MΩ).

G ile S uçlarına ters yönde bir gerilim uygulandığında, P-N jonksiyonunda boşluk bölgesi oluşur.
Boşluk bölgesinde akım taşıyıcısı yoktur. Boşluk bölgesi kanal içine doğru genişleyerek kanalın
akım geçiren kısmını daraltır ve kanalın direncini arttırır. Bu durum Şekil 4.2’de gösterilmiştir.
Kanalın direnci ve kanaldan geçen akım, VGS ile VDS ’nin fonksiyonudur.

Şekil 4.1. JFET yapı ve sembolleri, a) N kanal ve b) P kanal.

Şekil 4.2. N kanal JFET’in çalışma prensibi.

52
ANALOG ELEKTRONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk BAKAN

N kanal FET’te G ile S uçları arasına 0 veya negatif bir gerilim, D ile S uçları arasına ise pozitif
bir gerilim uygulanır. Kapıdan kanala olan P-N jonksiyonu ters yönde kutuplanır.
VGD = VGS − VDS olduğuna göre, VGD gerilimi VGS ’e göre daha negatiftir. Bu nedenle, G ile
D arasındaki bölgede ters yönde kutuplanan P-N diyodunun boşluk bölgesi daha geniş olur.

VGS = 0 iken VDS geriliminin arttırılması ile N kanal JFET’te elde edilen karakteristik Şekil
4.3’te gösterilmiştir. A ile B noktaları arasındaki direnç bölgesinde VDS ’nin 0’dan itibaren
arttırılması ile i D akımı I DSS değerine kadar artar. A ile B arasında, boşluk bölgesinin genişliği
etkili olmadığından kanalın direnci sabittir. VGS = 0 iken geçen I DSS akımı FET’in maksimum
akımıdır. B noktasında VDS gerilimi VP değerini alır. B noktasından sonra, VDS geriliminin
artırılması ile i D akımı değişmez. C noktasından sonra VDS geriliminin artırılması, P-N
jonksiyonunun ters yönde devrilmesine neden olur ve i D akımı hızla artar. B ile C noktaları
arasındaki bölgeye pinch-off bölgesi denir. P-N jonksiyonunun ters kutuplanması ile oluşan
boşluk, pinch off bölgesinde kanalı tıkar ve kanal direncini artırır. Buna rağmen kanal akımı
sabit kalır. Akımın sabit kalmasının nedeni, VDS geriliminin kanal direncindeki artışı
dengelemesidir. VDS gerilimi, kaynaktan çıkan elektronların tıkalı bölgeyi geçerek D ucuna
ulaşmasını sağlar. B noktasındaki VDS gerilimine VP pinch-off gerilimi denir. FET’in VP
değeri, BJT’de β ’nın karşılığıdır.

Şekil 4.3. VGS = 0 iken N kanal JFET’in karakteristik eğrisi.

VGS ve VDS gerilimleri değiştirildiğinde, N kanal JFET’te i D akımının değişimi Şekil 4.4’te
verilmiştir. FET’in kesim bölgesinde VGS gerilimi − VP ’ye eşit olur. Bu durumda boşluk bölgesi
kanalı tamamen tıkar ve kanal direnci çok büyüktür. VDS geriliminin artırılması ile (ters
devrilmeye kadar) kanaldan akım geçemez. VGS = 0 iken, VDS gerilimi VP değerini aldığında
FET’in akımı I DSS değerini alır. Bu esnada G ile D uçları arasındaki P-N jonksiyonu, − VP
gerilimi ile ters yönde kutuplanır ve G ile D arasındaki boşluk bölgesi kanalı tıkar. VGD = −VP
durumu pinch-off bölgesinin başlangıcıdır. VGS negatif bir gerilim ve VDS gerilimi VP
değerinden küçük iken VGD = −VP şartı sağlandığında, G-D arasındaki kanal tıkanır ve pinch
off bölgesinde çalışma gerçekleşir. Bu durumda VDS küçük olduğundan i D akımı da I DSS ’ten
küçüktür. VDS ’in pinch off değeri VDS( P) = VP + VGS şeklinde hesaplanır. Şekil 4.4 ve 4.5’te
FET’in karakteristik eğrileri ve çalışma bölgeleri gösterilmiştir.

53
ANALOG ELEKTRONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk BAKAN

Şekil 4.4. N kanal JFET’in karakteristik eğrileri.

Şekil 4.5. N kanal JFET’in çalışma bölgeleri.

54
ANALOG ELEKTRONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk BAKAN

Uygulama 1:

Şekilde verilen FET’te VP = 8 V ve

I DSS = 12 mA ’dir.
a) VGS gerilimi –5 V ise, pinch-off’un başladığı
VDS gerilimini bulunuz.
b) VDD gerilimi 12 V, VDS pinch- off geriliminden
büyük ve kapı ucu toprağa bağlı ise I D akımını
hesaplayınız.
c) VGS gerilimi –10 V iken I D akımı ne olur ?

Çözüm :
a) VDS( P) = VP + VGS = 8 + (-5) = 3 V
b) VGS = 0 ve VDS pinch- off geriliminden büyük ise, I D = I DSS = 12 mA olur.
c) JFET kesimdedir ve I D = 0 olur.

JFET’in Transfer Karakteristiği

N kanal FET’te VGS gerilimi, 0 ile - Vp arasında değiştirilerek I D akımı kontrol edilir. P kanal
FET’te ise I D akımının kontrolu için VGS gerilimi 0 ile Vp arasında değiştirilir. Kesimdeki
VGS değerine VGS(off ) da denir. VGS(off ) ile Vp mutlak değer olarak birbirine eşittir.
Katalogların çoğunda sadece VGS(off ) değeri verilir. Bu değer 10 nA gibi çok küçük bir akımda
tanımlanır. VGS gerilimi ile I D akımı arasındaki ilişki aşağıdaki eşitlikte verilmiştir. Bu eşitliğe
göre, VGS gerilimi ile I D akımı arasındaki ilişki, yani transfer karakteristiği parabolik bir
değişim gösterir. N kanal FET’in transfer karakteristiği Şekil 4.6’da gösterilmiştir.

2
 VGS 
I D = I DSS 1 − 
 VGS(off ) 

VGS = VGS(off ) ⇒ ID = 0
VGS = 0 ⇒ I D = I DSS

Şekil 4.6. N kanal JFET’in transfer karakteristiği.

Uygulama 2:
N kanal bir JFET’te VGS(off ) = −8 V ve I DSS = 10 mA ’dir. VGS = 0 V, - 2V, - 4 V ve - 6 V için
i D akımını hesaplayarak transfer karakteristiğini çiziniz.

55
ANALOG ELEKTRONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk BAKAN
Çözüm:
VGS = 0 ⇒ I D = I DSS = 10 mA
VGS = −8 V ⇒ ID = 0
2
 VGS 
I D = I DSS 1 − 
 VGS(off ) 
2
VGS = −2 V ⇒ I D = 10 mA 1 - - 2  = 5.625 mA
 -8
2
 - 4
VGS = −4 V ⇒ I D = 10 mA 1 -  = 2.5 mA
 -8
2
 - 6
VGS = −6 V ⇒ I D = 10 mA 1 -  = 0.625 mA
 -8

İleri Yön Geçiş İletkenliği

FET’de ileri yön geçiş iletkenliği g m , VDS gerilimi sabit iken, I D akımındaki değişimin VGS
gerilimindeki değişime oranı olarak tanımlanır. FET’in transfer karakteristiği lineer olmadığı için
g m çalışma noktasına bağlı olarak değişir. Şekil 4.7’de farklı çalışma noktalarında g m ’in
bulunması gösterilmiştir.

Şekil 4.7. N kanal JFET’te farklı çalışma noktalarındaki g m .

VGS = 0 iken g m değeri g m 0 olarak tanımlanır. Herhangi bir noktadaki g m değeri, g m 0 ’a göre
aşağıdaki eşitlikle hesaplanır.

 VGS 
g m = g m 0 1 − 
 VGS(off ) 

Uygulama 3:
VGS(off ) = −8 V , I DSS = 20 mA ve g m 0 = 4000 µs olan JFET’in VGS = -4 V için ileri yön
geçiş iletkenliğini bulunuz

Çözüm:
 VGS   −8
g m = g m 0 1 −  = 4000 1 − = 2000 µs
 VGS(off )   − 4 

56
ANALOG ELEKTRONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk BAKAN
JFET’in kutuplanması
JFET’de kutuplamanın amacı uygun bir VGS gerilimi ile istenilen I D akımını sağlamaktır.

VG gerilimi sızıntı akımı çok küçük

olduğundan 0 kabul edilir.
VGS = VG − VS = 0 − I D R S
VGS = − I D R S

VD = VDD − I D R D
VDS = VD − VS

VS = I D R S

Şekil 4.8 JFET’in kutuplanması. VDS = VDD − I D (R D + R S )

Uygulama 4:
Şekil 4.8’de verilen devrede R D = 1 kΩ , R S = 500 Ω , VDD = 10 V ve I D = 5 mA olarak
verilmiştir. VDS ve VGS ’yi hesaplayınız.

Çözüm:
VS = I D R S = 5 mA x 500 Ω = 2.5 V
VG = 0 olduğuna göre,
VGS = VG − VS = −2.5 V bulunur.

VD = VDD − I D R D = 10 V - 5 mA x 1 kΩ = 5 V
VDS = VD − VS = 5 V - 2.5 V = 2.5 V bulunur.

Uygulama 5:
VGS(off ) = −10 V , I DSS = 25 mA olan N kanal JFET’te VGS = −5 V ’tur. R S direncinin
değerini hesaplayınız.

Çözüm:
2 2
 VGS   -5 
=
I D I DSS 1 −  = 25 mA  - 10  = 6.25 mA
1 -
 VGS(off )   

VGS = VG − VS
VG = 0 olduğuna göre,
VGS = − I D R S
VGS 5V
Rs = = = 800 Ω bulunur.
ID 6.25 mA

57
ANALOG ELEKTRONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk BAKAN
MOSFET (Metal Oksit Yarı İletken FET)
MOSFET’de kapı ile kanal arasında JFET’deki gibi bir P-N jonksiyonu yoktur. MOSFET’in
kapısı silisyum dioksit (SiO2) tabakası ile kanaldan izole edilmiştir. İki temel MOSFET
mevcuttur.
- DE MOSFET
- E MOSFET

DE MOSFET
DE MOSFET’in temel yapısı Şekil 4.9’da gösterilmiştir. DE MOSFET’te D ve S altkatman
malzeme üzerine katkılanarak, kapıya komşu olan dar bir kanal ile birbirine bağlanmıştır. DE
MOSFET N kanal ve P kanal olabilir. Burada sadece N kanallı DE MOSFET incelenecektir. P
kanallı DE MOSFET’te gerilim yönleri terstir fakat çalışma prensipleri aynıdır.

Şekil 4.9 DE MOSFET’in temel yapı ve sembolü a) N kanal ve b) P kanal.

Kapı kanaldan izole olduğu için kapıya negatif veya pozitif gerilim uygulanabilir. DE MOSFET
kapısına negatif gerilim uygulanırsa Azaltma (Depletion), pozitif gerilim uygulanırsa Arttırma
(Enhacement) modunda çalışır. DE MOSFET’te kapı ve kanal bir kapasitenin iki paralel plakası
ve SiO2 tabakası bir dielektrik malzeme gibidir.

Şekil 4.10. N kanal DE MOSFET’in çalışması.

58
ANALOG ELEKTRONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk BAKAN
Negatif bir kapı gerilimi uygulandığında, P malzemesindeki delikler N kanala doğru çekilir ve
elektronlar kanaldan uzaklaşır. Bu elektronların yerine pozitif iyonlar oluşur ve N kanaldaki
serbest elektronlar azalır. Bu durumda kanal direnci artar ve kanal akımı azalır (Şekil 4.10(a) ).

Pozitif bir kapı gerilimi uygulandığında, elektronlar kanala doğru çekilir ve P malzemesindeki
delikler uzaklaştırılır. Böylece kanalda daha çok serbest elektron olur. Bu durumda kanal direnci
azalır ve kanal akımı artar (Şekil 4.10(b) ).

DE MOSFET’in transfer karakteristiği Şekil 4.11’de gösterilmiştir.

Şekil 4.11. N ve P kanal DE MOSFET’in transfer karakteristikleri.

E MOSFET
E MOSFET’in yapı ve sembolü Şekil 4.12’de gösterilmiştir. Bu MOSFET’te fiziksel bir kanal
yoktur. N kanal E MOSFET’te kapıya uygulanan gerilim eşik değerinde, SiO2 tabakasına komşu
olan P malzemesinde ince bir negatif yük tabakası ve bir kanal oluşturur. Eşik geriliminin altında
bir kanal oluşmaz. Kapı kaynak arasındaki pozitif gerilim arttırıldığında kanala daha çok
elektron çekilir ve kanalın iletkenliği artar. N kanal E MOSFET’in çalışma prensibi Şekil 4.13’te
gösterilmiştir.

(a) (b)
Şekil 4.12 E MOSFET’in temel yapı ve sembolü a) P kanal ve b) P kanal.

E MOSFET yalnız kanal arttırma ile kullanılır. N kanallı bir E MOSFET pozitif kapı kaynak
gerilimi ile çalışır. P kanallı türünde ise negatif kapı kaynak gerilimi gerekir. Şekil 4.14’te
gösterildiği gibi E MOSFET’in transfer karakteristiğinde VGS = 0 iken bir akım geçmez. Yani

59
ANALOG ELEKTRONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk BAKAN
E MOSFET’te, JFET ve DE MOSFET’teki gibi I DSS parametresi yoktur. VGS gerilimi VGS( th )
eşik gerilimine ulaşana kadar I D akımı sıfırdır. E MOSFET’in transfer karakteristiğinin eşitliği
aşağıda verilmiştir. MOSFET’in K sabiti VGS ’nin belirli bir değeri için verilen I D(on ) akımı
için katalogda verilir.

[
I D = K VGS − VGS( th ) 2 ]

Şekil 4.13. N kanal E MOSFET’in çalışması.

Şekil 4.14. N ve P kanal E MOSFET’in transfer karakteristikleri.

Uygulama : 6
VGS = 10 V için I D(on ) =3 mA olan E MOSFET’in VGS( th ) = 5 V verilmiştir. VGS = 8 V için
I D akımını hesaplayınız.

Çözüm:
I D (on ) 3 mA 3 mA
K= = = = 0.12 mA / V 2
2 2 2
[VGS − VGS( th ) ] (10 - 5) 25 V

K sabiti kullanılarak VGS = 8 V için I D akımı hesaplanır.

[ ]
I D = K VGS − VGS( th ) 2 =0.12 x ( 8 – 5 )2 = 1.08 mA

60
ANALOG ELEKTRONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk BAKAN
Uygulama : 7
Yanda verilen DE MOSFET kutuplama
devresinde I D akımını ve VDS gerilimini
hesaplayınız.
VGS(off ) = −8 V , I DSS = 12 mA
VDD = 18 V , R D = 600 Ω , R G = 10 MΩ

Çözüm:
VGS = 0 olduğundan I D = I DSS olur.
VDS = VDD − I DSS R D şeklinde hesaplanır
. I D = I DSS =12 mA
VDS = VDD − I DSS R D = 18 – 12mA x 600 MΩ = 10.8 V

Uygulama : 8
Yanda verilen Geribeslemeli E MOSFET kutuplama
devresinde VGS gerilimi ölçü aleti ile 8.5 V olarak
ölçülüyor. Devrede I D akımını hesaplayınız.
VGS( th ) = 3 V
VDD = 15 V , R D = 5 kΩ , R G = 50 MΩ

Çözüm:
Geribeslemeli devrede kapı akımı sıfır kabul edilir.
VDS = VGS = 8.5 olur.
V − VDS 15 − 8.5
I D = DD = olur.
RD 5 kΩ

Uygulama : 9
Yanda verilen gerilim bölücülü E MOSFET
kutuplama devresinde VDS ve VGS gerilimlerini
hesaplayınız.
I D(on ) =3 mA @ VGS = 10 V
VGS( th ) = 5 V
VDD = 24 V
R 1 = 10 kΩ , R 2 = 15 kΩ , R D = 1 kΩ

Çözüm:
R2 15 kΩ
VGS = VDD = 24 = 14.4 V
R1 + R 2 10 kΩ + 15 kΩ
I D (on ) 3 mA 3 mA
K= = = = 0.12 mA / V 2
2 2 2
[VGS − VGS( th ) ] (10 - 5) 25 V
[ ]
I D = K VGS − VGS( th ) 2 =0.12 x ( 14.4 – 5 )2 = 10.6 mA
VDS = VDD − I D R D = 24 V - 10.6 mA x 1 kΩ = 13.4 V

61