Professional Documents
Culture Documents
مقدمة الى BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS (BJT)
مقدمة الى BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS (BJT)
مهند عدنان Muharram 20, 1438 المعهد التقني نجف/قسم االتصاالت /المرحلة الثانيه/المحاضرة االولى
ال Transistorهو جهاز ثالثي المنفذ يستخدم في الدوائر المتكاملة ( )Integrated Circuitمثل المكبرات
ال Transistorهو عنصر فعال على خالف المقاومه والمحاثة والمتسعه
هناك نوعين من ال Transistors
The field effect transistor (FET) -1
يعمل على اساس الحامالت االغلبيه( )majority carriersاما لاللكترونات او لل فجوات()electrons or holes
The bipolar junction transistor (BJT) -2
مبدأ عمله على الحامالت االغلبيه واالقليه ( )majority and minority carriersوهو اكثر اهميه واوسع االستخداما كمفتاح او
مكبر
هناك نوعين اساسيين من ال BJTعلى اساس نوع المنطقه الوسطى nاو pهما PNPو NPNعلى التوالي كما بالشكل
االتي.
Generally, transistors are highly efficient, robust, incredibly reliable and usually
inexpensive.
عموما ال Transistorsهي فعالة للغاية ،قوية ،موثوق بها بشكل ال يصدق وعادة ما تكون غير مكلفة.
1|Page
مدرس المادة -:م.م .مهند عدنان Muharram 20, 1438 المعهد التقني نجف/قسم االتصاالت /المرحلة الثانيه/المحاضرة االولى
كال من االنحيازين االمامي والعكسي طبق على PNP transistorلينتج مرور الحامالت االقليه واالكثريه.
تنتشر الحامالت االغلبيه () )Majority carriers (+عبر الوصله المنحازه اماميا بين ال p-nالي منطقة nوكمية
قليله من الحامالت الموجبة تمر خالل منطقة nالى طرف ال Baseلينتج تيار ال IBويكون مقداره مقاس بال مايكرو
امبير (.)µA
بينما بالنسبة ل ) (majority carriersسوف تنتشر عبر المنطقة المنحازه عكسيا لتعبر الى منطقة ال pالمربوطه بال
طرف الجامع (.(collector
مكونة تيار االقليه الناتج عن االنحياز العكسي لل C-Bعندما يكون طرف ال Emitterمفتوح تدعى بـ ()leakage current
ويرمز له بالرمز ICOوتكون قيمته بالنانو امبير ) (nAلذلك فان تيار الجامع ( IC )Collectorيعطي بالمعادلة االتيه:
𝑦𝑡𝑖𝑟𝑜𝑛𝑖𝑚𝑂𝐶𝐼 𝐼𝐶 = 𝐼𝐶𝑚𝑎𝑗𝑜𝑟𝑖𝑡𝑦 +
1-COMMON-BASE CONFIGURATION
االسم مشتق من ان االدخال i/pواالخراج o/pيشتركون بالقاعدة .Baseوحيث يكون ال Baseقريب او مربوط
مباشرة مع الGround
2|Page
مدرس المادة -:م.م .مهند عدنان Muharram 20, 1438 المعهد التقني نجف/قسم االتصاالت /المرحلة الثانيه/المحاضرة االولى
-1خصائص االدخال ()Input characteristics
-2خصائص االخراج ()Output characteristics
Active regionالتي تحددها ترتيبات التحييز (اذا ازداد ال IEيزداد ال( )Icال B-E forwardو IC ()C-B reverseال
يعتمد على قيم ال ( )VCBهذه المنطقه مناسبة للعمل كمكبر)
Cutoff regionعندما ( IC=0هذه المنطقه تقع اسفل الخط ( )IE=0ال B-E reverseو )C-B reverse
Saturation regionعندما ( VCB=0ال B-E forwardو ( )C-B forwardتغير بسيط بقيمة ال VCBيؤدي الى تغير
كبير بال.)IC
من الشكل السابق نستحصل على عالقه بين ICو IEهي:
3|Page
مدرس المادة -:م.م .مهند عدنان Muharram 20, 1438 المعهد التقني نجف/قسم االتصاالت /المرحلة الثانيه/المحاضرة االولى
𝐸𝐼 ≅ 𝐶𝐼)……..…. (2
العالقه بين هذين التيارين في حالة التيار هو DCفقط تكون العالقه هي-:
𝐼
𝐸𝐼𝛼 ≅ 𝐶𝐼 𝐶𝐼 = 𝛼
𝐸
𝑦𝑡𝑖𝑟𝑜𝑛𝑖𝑚𝑂𝐶𝐼 𝐼𝑐 = 𝛼𝐼𝐸 +
اما بالنسبة الى خصائص االدخال فنستنتج منها بان قيمة ال VCBال تؤثر كثيرا على قيم التيارات لذلك تهمل .وايضا نالحظ
بان قيمة ال VBEمع تيار IEيسلك سلوك الخصائص االماميه للدايود االعتيادي ولهذا سنفرض بان قيمة فولتيه VBE=0.7v
In other words, the effect of variations due to VCB and the slope of the input characteristics will be
ignored as we strive to analyze transistor networks in a manner that will provide a good
approximation to the actual response without getting too involved with parameter variations of less
importance.
4|Page
مدرس المادة -:م.م .مهند عدنان Muharram 20, 1438 المعهد التقني نجف/قسم االتصاالت /المرحلة الثانيه/المحاضرة االولى
The collector current and the base current are related by:-
العالقه بين تيار ICوتيار ال IBهي-:
𝐵𝐼𝛽 = 𝑐𝐼)…..…. (4
𝐶𝐼)(𝛽+1
= 𝐸𝐼 𝛽
او
𝛽
= 𝐶𝐼 𝐼 ……………..
𝐸 )(𝛽+1
)(6
𝛽
حيث بالمقارنه مع المعادله ( )3نجد ان )𝛼 = (𝛽+1
5|Page