清华大学 研究生课程

数字大规模集成电路

清华大学微电子学研究所
周 润 德
2004年9月

2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第1章第1页

 数字大规模集成电路

上课时间：每周星期三上午9:50 ~ 12:15
上课地点：第六教学楼 A座 6A215
讲课教师：周润德
电子邮件：zhourd@tsinghua.edu.cn

2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第1章第2页

 助教（TA）
肖 勇 工作地点：清华大学微电子所设计室
（清华东主楼: 62784683-28）
电话： 62777732
电子邮件：xiaoyong97@mails.tsinghua.edu.cn

张建良 工作地点： 清华大学微电子所设计室

（清华东主楼: 62784683-28 ）
电话： 62774249
电子邮件：shandy98@mails.tsinghua.edu.cn

2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第1章第3页

 评分规则（Grading Policy)
（1）作业： 20％
第 4 周起，每周一次，一周完成，上课时交，迟交无效

（2）期中考试：20％
11月 9 日（第 9 周），课堂开卷考试，1小时

（3）课程设计：20％
第 6 周布置，独立完成，可以讨论，报告打印，
12月29日交，迟交无效
（4）期末考试：40％
2005年 1月？日，课堂开卷考试，2小时
2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第1章第4页
 《数字大规模集成电路》参考资料
（1）Jan M. Rabaey，Anantha Chandrakasan, Borivoje Nikolic :
《Digital Integrated Circuits, A Design Perspective 》, Second Edition,
Prentice Hall （本书第 2 版 影印版：清华大学出版社出版，
中译本： 周润德译，将于2004年9月由电子工业出版社出版）
（2）Neil H. E.Weste & Kamram. Eshraghian:
《Principles of CMOS VLSI Design》，Addison Wesley. First & Second Edition.
（3）李志坚、周润德等：《ULSI 器件、电路与系统》， 科学出版社
（4）John. P. Uyemura: 《Introduction toVLSI Circuits and Systems》，
John Wiley & Sons, INC. （影印版：电子工业出版社出版，
中译本：周润德译，电子工业出版社出版）
（5）Christopher Saint ，Judy Saint： IC Mask Design》
McGraw Hill 。 （影印版：清华大学出版社出版，
中译本：周润德译，将由清华大学出版社出版）
（6）Carver Mead & Lynn Conway: 《Introduction to VLSI》，Addison Wesley.
（7）徐葭生：《MOS数字大规模及超大规模集成电路》，清华大学出版社.
（8） Anantha Chandrakasan，William J. Bowhill, Frank Fox, Editors:
《Design of High Performance Microprocessor Circuits》，IEEE Press
（9） Anantha P. Chandrakasan, Robert W. Brodersen: 《Low Power
Digital CMOS》，Kluwer Academic Publishers
（10）L. A. 格拉泽，D. W. 多贝尔普尔 著，陈天鑫，张建人，李瑞伟，
石秉学 等译： 《超大规模集成电路的设计与分析》，科学出版社.
（11）随课分发的其它参考资料.
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 第一章 绪论

2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第1章第6页

 第一节 微电子科学技术进展是人类
科技进步史的奇迹
世界半导体产品销售额

300

250

200
$billion

150
279.000
244.000
100 195.000
144.404131.966137.203 149.500
125.612
50 101.879
77.310
54.607 59.865
0
91 92 93 94 95 96 97 98 99 2000 2001 2002
Year

–世界半导体硅周期： 10~11年Jugular大周期—1973，1984，1995高峰点。
–4~5年Mitchel小周期— 1991-1995年；2002-2006(?)

2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第1章第7页

 自20世纪70年代以来，集成电路一直遵循摩尔定律
每两年集成度增加2倍
成本降低一半

今后集成电路的技术进步，仍将继续遵循摩尔定律
硅仍然是制造电路的 主要材料
世界集成电路还有25－30年的高速增长期

2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第1章第8页

 • 微电子科学技术与IC的发展历程
− 里程碑
− 1947年12月16日 第一个晶体管 Brattain和Bardeen Bell实验室
1950年4月 实用结型晶体管 Shockley, Morgan, Sparks和Teal
− 1958年8月 第一个集成电路 Kilby TI公司
1959年1月 实用平面工艺IC Noyce 仙童公司
− 1960年 第一个MOS晶体管 Atalla, Kahng
− 1965年 集成度增长定律 Gordon Moore

• 三要素：IC、硅、MOS

− 集成电路规模定义

小规模 中规模 大规模 超大规模 特大规模 吉规模

2-30 30-10 3 10 3 -10 5 10 5 -10 7 10 7 -10 9 >10 9

z现在微电子集成电路已进入吉规模时代

2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第1章第9页

 • MOS-DRAM的例子

10 10
4Gb 0.1-0.13µm

10 9 1Gb 0.13-0.18µm
256M b 0.18-0.25µm
芯
10 8 64M b 0.25-0.35µm
片
上 16M b 0.35-0.5µm
的 10 7
位 4M b 0.5-0.8µm
数
10 6 1M b 0.8-1.2µm
256Kb
1.6-2.4µm
5
10 64Kb

10 4
1970 1980 1990 2000 2010
年代

– 特征尺寸：X0.7/3年
– 集成密度：X4/3年

2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第 1 章 第 10 页

 微处理器的发展趋势

2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第 1 章 第 11 页

 器件工艺的发展趋势

2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第 1 章 第 12 页

2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第 1 章 第 13 页
 第二节 摩尔定律（Moore’s Law）

1965年, Intel公司的 Gordon Moore 注意到

单块芯片上的晶体管数目每18至24个月（
1.5年至2年）翻一倍。

他预见半导体工艺将在每18个月更新一代。

2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第 1 章 第 14 页

 – Moore定律： 1965年4月，Gorden Moore

• IC能力随时间按指数规律增长
– 特征尺寸与集成度
– 性能与功能

• 代的定义为4倍能力， 2年/代至3年/代。来自于：
– 特征尺寸：0.7x，意味集成度 x2。
– 速度：2x

• 芯片尺寸：1.5x，意味单芯片面积 x2

• 成本：单位功能成本0.7x/年
单位面积成本大致不变：~$4/cm2

2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第 1 章 第 15 页

2004-9-15
LOG2 OF THE NUMBER OF
COMPONENTS PER INTEGRATED FUNCTION

10
11
12
13
14
15
16

0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
1959
1960
1961
1962

Electronics, 1965年4月19日.
1963
1964
1965
1966
1967
1968
摩尔定律

1969
1970

清华大学微电子所《数字大规模集成电路》
1971
1972
1973
周润德

1974
1975
第 1 章 第 16 页
 微处理器晶体管数的增长趋势
（微处理器的发展符合摩尔定律）
单位：千个 10亿晶体管
1,000,000

100,000 每1.96年翻一倍!
Pentium® III
10,000 Pentium® II
Pentium® Pro
1,000 Pentium®
i486
100 i386
80286
10 8086
资料来源: Intel
1
1975 1980 1985 1990 1995 2000 2005 2010
预计

最先进微处理器的晶体管数目每 2 年翻一倍

2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第 1 章 第 17 页

 微处理器单个芯片尺寸的增长趋势
100
单个芯片尺寸 (mm)

P6
486 Pentium ® proc
10 386
286
8080 8086
8085
8008 资料来源： Intel
4004

1
1970 1980 1990 2000 2010
年

微处理器单个尺寸芯片每年增长 ~7% 每10年增长 ~2X

2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第 1 章 第 18 页

 微处理器工作频率的增长趋势
10000
每两年翻一倍
1000
工作频率 (Mhz)

100 P6
Pentium ® proc
486
10 8085 386
8086 286

1 8080
8008 资料来源： Intel
4004
0.1
1970 1980 1990 2000 2010
年
最先进微处理器芯片的工作频率每 2 年翻一倍

2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第 1 章 第 19 页

 每晶体管成本

每晶体管成本:
美分（¢-）
1
0.1 每晶体管的制造投资 （摩尔定律）
0.01
0.001
0.0001
0.00001
0.000001
0.0000001
1982 1985 1988 1991 1994 1997 2000 2003 2006 2009 2012

2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第 1 章 第 20 页

 微处理器功耗的增长趋势
100
P6
Pentium ® proc
10
功耗 (瓦)

486
8086 286
386
8085
1 8080
8008
4004

0.1
1971 1974 1978 1985 1992 2000
年
资料来源： Intel
最先进微处理器的功耗持续增长

2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第 1 章 第 21 页

 微处理器功率密度的增长趋势
10000

火箭喷管
1000
功率密度 (W/cm2)

核反应堆
100

8086
10 4004 热金属板 P6
8008 8085 386 Pentium® proc
286 486
8080
1
1970 1980 1990 2000 2010
年

过高的 功率密度使 pn 结不能保持在较低的温度下

2004-9-15 Courtesy, Intel

清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第 1 章 第 22 页
 TransMeta Example

2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第 1 章 第 23 页

 片上互连线的发展趋势

2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第 1 章 第 24 页

2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第 1 章 第 25 页
2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第 1 章 第 26 页
 美国全国半导体技术发展规划(1994)

美国半导体行业协会（SIA)在美国政府的大力
支持下，为促进微电子技术的发展，协调各方
面科研、生产的工作，从94年开始，每隔两年
制定或修改一次半导体技术发展规划（开始称
为美国全国半导体技术发展规划:
NTRS,
National Technology Roadmap for
Semiconductor)

2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第 1 章 第 27 页

 国际半导体技术发展规划

1997年，由于日本、欧洲、南韩和台湾的参加，
改称为国际半导体技术发展规划：
ITRS， International Technology Roadmap for
Semiconductor
规划的跨度为 15 年，以 Moore 定律为依据。

2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第 1 章 第 28 页

2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第 1 章 第 29 页
 1999年SIA版本的变化
邀集包括欧洲(EECA)、日本(EIAJ)、南韩(KSIA)和台湾(TSIA)
共同讨论修订

特点：除DRAM、MPU外，增加了ASIC技术驱动指标

从97年的规划执行情况来看，微电子技术的发展势头继续加速：
（1）原来担心的物理极限一再延伸，正在向 0.07 微米，甚至
0.05 微米延伸。
（2）推动微电子技术发展的动力。已经由计算机转向网络和通讯。

2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第 1 章 第 30 页

2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第 1 章 第 31 页
2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第 1 章 第 32 页
 深亚微米（DSM）挑战 数字集成电路设计

∝ DSM ∝ 1/DSM
“微观问题” “宏观问题”

• 超高速设计 • 门的数量极多
• 互连 • 高层次抽象
• 噪声、串扰 • 再利用 & IP: 可移植性
• 可靠性, 可制造性 • 可预见性
• 功耗 • 投放市场时间
• 时钟分布. • 等等.

?
2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第 1 章 第 33 页
 设计能力的发展趋势
每芯片逻辑晶体管数（单位：百万个）
10,000
10,000,000 100,000
100,000,000
1,000
1,000,000 每芯片逻辑晶体管数 10,000
10,000,000

人均每月设计晶体管数
人均每月设计晶体管数

（单位：千个）
100
100,000 1,000
1,000,000
复杂度

设计能力
10
每年复杂度的 100
10,000 综合增长率为58% 100,000

1,0001 10
10,000
x x
0.1
100 1
1,000
xx
xx
x 每年设计能力的
0.01
x 综合增长率为21% 0.1
10 100

0.001
1 0.01
10
1981
1983
1985
1987

1991
1993

1997
1999
2001
2003

2007
2009
1989

1995

2005
资料: Sematech
Courtesy, ITRS Roadmap

芯片复杂度的增长速度超过了设计能力的增长速度

2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第 1 章 第 34 页

第二节 微电子科学技术发展的两个方向
由微电子学向纳电子学转变——纳电子学
• 纳电子学有两重意义：一是在现有的电子器件基础上把
微电子器件尺寸推进到纳米范畴，另一是发展新原理的
纳米器件
• 狭义上：纳器件
• 广义上：纳系统
由集成电路(IC)向集成系统(IS)转变——微系统
• 微系统有两重含义：一是将电子信息系统集成到硅芯片上，
另一是将这一概念跨学科横向扩展到各个应用领域
• 狭义：信息系统的芯片集成，即片上系统，或
System on-a-Chip(SOC)
• 广义：微系统，包括微电子机械系统(MEMS)和微光机电
系统
2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第 1 章 第 35 页
 纳电子学
狭义上—纳器件：突破现有MOS晶体管遇到的物理限制
• MOS的物理限制
– 栅介质厚度：~0.8nm，问题：场缺陷大；栅-衬底隧道电流大
– 沟道长度：~20nm，问题：受源漏PN结空间电荷区限制；掺杂工艺起伏
影响Vth的变化

• 纳米MOSFET器件—亚0.1µmMOS
– 微细加工技术：主要是光刻，157nm是光学方法的尽头。新选择：
» 电子束：步进扫描方式，Scalpel(Lucent Technology)
» 离子束
» X射线：IBM
– 高κ栅介质与低阻金属、低κ介质互连材料
– 当前的铜与低κ介质
» 铜取代铝：降低互连线电阻(ρAl=3.0µΩ，ρCu=1.7µΩ；提高抗电迁移
能力IBM(98.9)率先开发成功双镶嵌(Dual Damascene) 结构工艺，用
于月首先推出外频400MHz的PowerPC740/750

2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第 1 章 第 36 页

 – 纳器件
» 消除MOS结构中任何电荷涨落，利用小尺寸引起的量子力学效应
（包括隧道共振，量子干涉、库仑阻塞等）来构筑器件，如单电子晶
体管(SET)、超导结、电子波导等

SET的结构 SET的照片
– 低维硅基纳米结构和量子器件
» SiGe/Si单电子晶体管
» 硅基电双电子层隧道晶体管
» 量子点组合的元胞自动机（Quantum Cell Automata）
– 分子器件和分子电子学
广义上—纳系统
• 硅功能电子器件
• 量子传感与纳电子机械系统（NEMS）
• 纳分析系统
• 量子计算
• DNA计算
2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第 1 章 第 37 页
 微系统
– IC产业结构演变：微电子产业分为设计、制版、制造、封装、
测试等环节。三次变革，导致垂直型向水平型转变
（Fabless、Foundry、Chipless的“三足鼎立”成为SOC发展
的基本模式）
• 60至70年代：微处理器、存储器、逻辑IC标准化导致系统公司与IC公
司分离
– IC公司为包含设计与制造乃至所有环节的垂直型集成器件制造(IDM)公司
• 80至90年代：ASIC设计技术观念变革导致专职设计的Fabless-IC公司
与专职加工的Foundry-IC公司分离
– Fabless所占半导体产业比重日益增加
年份 1998 1999 2000 2001 2002 2003
销售额(亿USD) 83.66 107.49 145.47 181.54 237.43 292.8
Fabless比重 6.66% 7.19% 7.46% 7.44% 8.51% 9.76%

• 21世纪：随着IC向IS转变，芯片系统(SOC)成为方向。它强调基于硅智
权模块(SIP)的设计，导致专职SIP开发的Chipless-IC公司的兴起
– 收入来源：授权金61%；提成费22%；服务与维护17%
– 世界前十名IP公司：ARM，MIPS，RAMBUS，MENTOR GRAPHICS，
SYNOPSYS，InSilicon，DSP Group，Artisan，Sican，SSL
2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第 1 章 第 38 页
 – 狭义：信息系统的芯片集成，即片上系统(System on-a-Chip,
SOC)
• SOC是微电子技术当前最迫切、现实的方向

– IC制造技术已经提供了构成SOC的能力，IC设计技术相对落后于这一形势
成为瓶颈
– 人类社会信息化迫切需求：计算机、通信与网络、消费信息产品(3C)
– IC向IS转变需要概念上的突破
» 信息系统对芯片集成度、速度、功耗无止境的要求
信息 语言 音频 视频 DTV HDTV
码 率 (k b p s) 64 768x2 36k 216k 1200k

» 海量多媒体信息压缩是基本技术。压缩的代价是高计算量(操作率)；

视频图象 M P E G -1 M P E G -2
压缩标准 编码 解码 编码 解码
操 作 率 (G o p s) 1~100 3 ~ 0 .5 1~1000 1~10

» 多媒体通信要求高传输速率、宽带：>1Gbps
» 3G(Gbit、Gops或Gips、Gbps)走向3T(Tbit、Tops、Tbps)

2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第 1 章 第 39 页

 – 广义上—集成化微系统
• 现有系统与人体的比较：
– 信息获取(传感)、显示、应用(执行)—“外设”与“处理”分离
– 设置人为的界面(Interface)

• 智能微系统芯片
– 把计算(或判断，决策)功能与信息获取和执行功能结合为一体
– 象当年的IC一样，各行业都将逐步形成各自的集成微系统产业
» 微电子机械系统(MEMS)：静电、晃动、线性、压电等各种微马达；泵、
阀门、齿轮等各种微机械部件；加速度计、麦克风、数字化微镜等各
种信息传感器；
» 航空、航天：微惯性测量单元(MIMU)、微陀螺仪、微型卫星
» 微型测量仪器：微光谱仪、微气体色谱仪、微力学测量平台
» 生物医学工程：微型的疾病诊断、清理、修复、药液注入医疗器械与
系统；人工视网膜等人造器官；微型生物基因扫描DNA探针阵列等生
物芯片
» 化学：微流量控制；微化学分析
» 光学：微光开关、光阵列
– 集成微系统的发展将形成微机械学、微机械电子学、微光学、微制造学和
微仿生学等新的科学分支及其结合、交叉与渗透

2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第 1 章 第 40 页

 传统数字电路设计方法：设计层次抽象

系统

模块
+

电路

G
器件
S D
n+ n+

2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第 1 章 第 41 页

 第三节 SOC设计方法的关键问题

（一）深亚微米（DSM）与超深亚微米（VDSM）设计

（1）精确的模型
1. SPICE 模型
器件中原来的二级效应成为一级效应。
一维模型成为二、三维模型。
不同几何尺寸（W, L）器件的电学特性也不相同。

2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第 1 章 第 42 页

 HSPICE支持的主要模型

Level 1~3 13 28 39 47 49

模型 标准 BSIM1 Meta_Lab BSIM2 BSIM3 BSIM3.1-3

其中BSIM短沟绝缘栅场效应晶体管（Berkeley
Short-channel IGFET Model）被工业界广泛采用，
成为事实上的工业标准。
模拟电路特别是射频电路用的精确模型更加复杂。

2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第 1 章 第 43 页

 2. 用于逻辑模拟的精确元件模型
逻辑元件的延时与负载电容呈非线性关系
延时与输入信号变化的斜率有关

新的延时模型采用 4 X 4 矩阵表 + 线性内 / 外插值方法

2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第 1 章 第 44 页

 3. 精确的互连线模型
SOC 设计、验证以及功耗、时序、信号完整性与
可靠性分析均需精确互连线的信息
— 一维模型成为二维模型
— 集总电容模型不再有效
— 采用R、C、L 传输线的 RC 树型分布网模型
— 考虑接触电阻和源漏电阻
— 考虑金属线覆盖电容和边缘效应
— 互连线延时占优势
采用逐线提取，3D场方程解法、RC网络约简、与制造比较

2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第 1 章 第 45 页

（2）统一的物理设计方案

前端网表设计与后端物理设计不再脱节

1. 布局布线稳定性
网单变化时版图变化不剧烈，以保证设计迭代收敛
2. 物理综合
. 黑盒子规划
. RTL 规划
. 门级规划
. 布线与物理设计

2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第 1 章 第 46 页

 （二）软硬件协同设计
（Harware / Software Co-design )

软硬件协同设计的主要步骤：
（1）系统建模
（2）系统估计
（3）优化划分
（4）协同综合
（5）协同仿真
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（三）SOC的验证
（1）快速与完备性验证
（2）后验证
（3）系统测试产生

静态时序分析（STA）
形式验证（Formal Verification）
等价性验证
性质验证
用二叉树决策图（BDD）建立FSM模型表示电路
用CTL（计算树逻辑）时态语言描述性质
符号模型判别（Temporal Logic Model Check

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（四）低功耗问题

（1）系统—模块—逻辑—电路各层次上的功耗
分析、综合与优化、诊断
（2）探索新的低功耗电路型式
绝热（Adiabatic）计算或可逆计算技术
相应的电荷恢复电路或绝热电路

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（五）智权（IP）模块与设计复用

（1）IP 模块的属性：
1. 由专家完成，通过授权的技术转移用到SOC 中
2. 必须可复用
3. 有硬核（Hardcore)
软核（Softcore)
固核（Firmcore）

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（2）IP 设计方法及在SOC设计中的应用
1. IP 模块的设计包括：IP 模块的确定和定义、 Soft /Firm
/Hard core 的标准化模块设计和生成、IP 模块的参数化和
可复用性研究。
2. IP 模块的利用：包括 IP 模块间的通信和接口技术， SOC 中
IP 模块的验证、测试和容错技术。
3. SOC 设计的 “ IP ” 化（即基于 IP 的 SOC 设计技术）包括面
向 IP 的 SOC 的集成、可靠性和性能优化。

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 SOC 设计与传统设计的区别
SOC设计方法的关键在系统集成设计。

（1）传统的ASIC设计方法是以功能设计为基础的，而SOC 的
设计方法则以设计复用或功能组装为基础，包括高层次
的系统设计、软硬件协同设计与验证多层次的验证要求
更为严格；
（2）嵌入式软件设计需要集成到 SOC 的设计流程中，嵌入的
软件需要查错、调试，因此软件的查错与调试也成为 IC
设计的一项重要内容；
（3）要运用多层次的验证方法；
（4）完成一个 SOC 设计，设计咨询是不可缺的。

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 SOC设计方法的关键问题

SOC 设计采用自顶向下的设计方法，从系统的角度出发，
把模型算法、电路结构、不同层次的电路以及器件的设计结合
起来，利用单个或少数几个芯片完成系统的功能。

（一）深亚微米（DSM）与超深亚微米（VDSM）设计

（二）软硬件协同设计

（三）SOC的验证

（四）低功耗问题
（五）智权（IP）模块与设计复用

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 微电子技术或产品的研究与开发

（1）微电子新技术或产品的完整的生命周期

研究时期 开发时期 生产时期

-11 -10 -9 -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5

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 （2）微电子技术生命周期的阶段划分

持续时间 起始年份 终止年份

在大学进行 约5年 -11 -7
的研究
产业界进行 约5年 -9 -5
的研究
开发 约5年 -4 0

生产 约5年 1 5

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