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net/publication/259892042
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Proyecto de investigación: "Identificación, modelado y control del proceso planta piloto de destilación para producción de alcoholcarburante” (2674) financiado por la
vicerrectoría de in-vestigaciones de la Universidad del Valle View project
VALIDACIÓN EXPERIMENTAL DE UN MODELO MULTIFÍSICO DE DIFUSIÓN DE HUMEDAD- TEMPERATURA PARA ESTIMACIÓN DE LA DINÁMICA DE HUMEDAD EN EL AISLAMIENTO
CELULÓSICO DE LOS TRANSFORMADORES DE POTENCIA View project
All content following this page was uploaded by Andres Fernando Restrepo on 27 January 2014.
Resumen - En este artículo se presenta el diseño e The electronic load controlled operation basically
implementación de una carga electrónica controlada de consists of a MOSFET transistor in the ohmic region [7, 8],
baja potencia (60 W), estas son usadas normalmente para this allows for a time varying load, which can be related as a
validar las especificaciones eléctricas de diferentes fuentes de voltage controlled (gate-source voltage) current source (drain
potencia, evaluando el comportamiento estático y dinámico current). Furthermore, an overcurrent protection circuit
del sistema bajo prueba. Se especifica el circuito de potencia adjustable is implemented by limiting the operating range of
y control análogo. Además, el sistema implementado permite the current load.
la generación de diferentes perfiles de carga usando un
microcontrolador de bajo costo para generar los diferentes
valores de carga en el tiempo. Finalmente, se presenta la
validación de la carga electrónica controlada para un perfil de
carga.
II. System Description and 5 V, which reveals a wide range to find the potential value
of Vth; in Fig. 3 the manufacturer shows the characteristics for
The general system structure of the electronic load the different curves of the device used. Because of this wide
controlled can be seen in Fig. 1, the system basically consists range to determine the threshold voltage, it is best to find this
of three stages, the generation stage of the load profile, the voltage experimentally by adjusting the operating parameters
control stage and the power stage. and varying the VGS voltage until generate a drain-source
current (IDS).
Table I
Specifications of The IRFP32N50K MOSFET.
I load = 2,5 * Vref (1) Fig. 5. Protection circuit of the electronic load controlled.
Where:
Vref: Voltage value proportional to Iref.
IV. Conclusions