 Mosfet Version

7/2 2020

FET transistorer Generelt.

Fet-transistorer er opbygget helt anderledes end bipolar transistorerne. Her er det ikke en
basisstrøm, der styrer ledeevnen gennem transistoren, men et elektrisk felt. Dvs. der blot skal en
spænding på indgangen, der her kaldes ”Gate”. Altså et elektrisk felt !!

Heraf navnet, Field Effect Transistorer.

Almindelige Bipolare transistorer

NPN og PNP
Bipolar
Familietræet for alle transistorer J-FET ( P & N-kanal )
kan tegnes som denne skitse: FET

Depletion, Selvledende ( P & N-kanal )

Mosfetter
Enhangement, Selvspærende ( P & N-kanal )

Eller som
her, gaflet
fra nettet:

Kilde: http://www.electronics-tutorials.ws/transistor/tran_8.html

Som der ses, findes der flere typer FET’er. Fælles for de forskellige FET-typer er:

 Styres af spændingen på gaten. UGS

Af: Valle Thorø Side 1 af 34

 Mosfet Version
7/2 2020

 Har stor indgangsmodstand Ri på gaten. Fx 1012 Ohm statisk. Dynamisk vil kapaciteter på
chippen spille ind !! og kræve en strøm i gaten, stigende ved højere frekvenser!
 Der er stor parameterspredning
 Transistorerne findes både som P & N-kanal
 Nogle forhold er ringere, nogle er bedre end Bipolar transistorer.
 FET-er har en lav forstærkning.

MOSFET

For MOSFET’s ( Metal Oxid Semiconductor FET’s ) gælder, at gaten er totalt isoleret fra
halvlederkrystallet med en tynd oxid-film. Der er ingen diode som i JFET’er. De kaldes også for ”
Isoleret Gate FET”.

Dette giver en meget høj indgangsmodstand Ri på 10 til 100 TerraOhm. Men herved følger også
problemer med følsomhed overfor statisk elektricitet. Dette fordi gatens isolering fra Drain-Source-
kanalen er udført med et meget tyndt lag Metal Oxid, og derfor skal der ikke så stor spænding til på
gaten før der sker gennemslag, og ødelæggelse af transistoren.

Mosfet’s bruges både til småsignal forstærkere hvor stor Ri ønskes. Og til SWITCH-formål, både
for småsignaler og til meget store strømme. De kaldes så fx for Power-MOS

Det, man udnytter er, at modstanden mellem Drain og Source kan styres af en spænding på Gaten.

Leder transistoren er det fordi modstanden RDS, RDrain-Source er blevet meget lille. Der er derfor kun
lille varmetab ved store strømme gennem transistoren. Varmeafsætningen findes som bekendt som

P  I 2  R W 

For MOSFET’er til store strømme har man tilstræbt, at modstanden fra Drain til Source er så lille
som muligt, for ikke at få for stor effektafsætning og dermed tab og opvarmning. Og der er tilstræbt
at transistoren kan modstå meget høje Drain-spændinger – i Off-tilstand.

Der findes to typer MOSFET’s: Selvspærrende, og Selvledende:

Og hver af typerne fremstilles i både småsignal og power-udgaver.

Selvspærrende MOSFET, på engelsk: Enhancement MOSFET

Af: Valle Thorø Side 2 af 34

 Mosfet Version
7/2 2020

Selvspærrende
Til højre ses diagramsymbolerne for
MOSFET. N-Kanal P-Kanal
Drain Source

Gate
I venstre side N-kanal, og i højre side P- Q1 Q2
kanal. Gate
BS250

Source Drain
Linjen til højre for gaten er stiplet, for at Strøm Strøm
indikere, at Mosfet’en ikke er ledende ved
Ugs = 0 Volt.
Drain
Source

Gate Q2
Q1
Gate
IRF540 IRF9540

Drain
Source

Med Friløbsdioder

Grafer for transistorernes lede-egenskaber.

IDS IDS

Ugs th UGS

Ugs th

N-kanal P-kanal
Eks: BS170 Eks: BS 250

At en MOSFET-transistor er Selvspærrende betyder, at ved en gate-spænding på 0 Volt i forhold

til Source, vil den spærre.

Kommer gatespændingen over en værdi, kaldet U gs treshold , leder transistoren fra Drain til Source.

Opbygningen af transistoren kan skitseres med følgende:

Af: Valle Thorø Side 3 af 34

 Mosfet Version
7/2 2020

Hvis VGS = 0, er transistoren OFF. Der løber

ingen strøm fra Drain til Source.

Transistoren er i dens “Cut Off Region”.

Hvis VGS forøges, vil transistoren forblive i dens “cut off” indtil VGS når et specielt niveau, kaldet
dens Threshold voltage, VT.

Typisk er VT nogle få volt. i d  0 for VGS  VT

ORCAD simulering. R3
I
50
15Vdc V2
VPWL er fra 0 til 5 Volt.
Udrain
M1
Ugate

V4 IRF150

Usource

0
0 0

300mA

200mA

100mA

0A
0V 1.0V 2.0V 3.0V 4.0V 5.0V
-I(R3)
V(UGATE)

Bemærk, ud ad X-aksen er Gatespændingen, Ugs.

I graf-visningsprogrammet ( vinduet ) gå ind i Plot, / Axis Settings / Axis Variables.

Af: Valle Thorø Side 4 af 34

 Mosfet Version
7/2 2020

Vælg her Ugate.

Når VGS er større end threshold-spændingen

frastødes hullerne under gaten, og elektronerne
tiltrækkes så elektronerne fra Drain til Source
let kan flyde.

Altså, hvis VDS forøges, løber der en strøm fra

Drain til Source

For små værdier af VDS, er Drain strømmen

proportional med VDS.

Idrain kan beregnes af formlen:

I D  K U gs  U gs th 
2

Der indgår en konstant, K, der beregnes af:

I Don
K
U GS  U GSth 2
Eksempel:

ID ON = 3 mA ved UGS = 10 V, og UGS th = 5 Volt. UGS vælges til 8 Volt !

I Don 3mA  mA 
Der findes : K  K  0,12 2 
U GS  U GSth  2
10  5V 2
V 

I D  K U gs  U gs th  ,   mA 
 
I D  0,12 2   8  5 V 2  1,08 mA
2

V 

Af: Valle Thorø Side 5 af 34

 Mosfet Version
7/2 2020

VCC

Her ses et eksempel på en MOSFET

som småsignalforstærker. RD

I drain Quicent = 1,08 mA

Transistoren skal lede ” Halvt ” – og Q1
indgangssignalet skal så få transistoren
V2
til at lede mere eller mindre. VOFF =
VAMPL = VGS th = 5 V
FREQ =

8Vdc
Vbi as

0 0

Biasing E-MOSFET som signalforstærker:

Ved hjælp af to modstande indstilles en gatespænding, der bringer transistoren i et arbejdspunkt.

Gatespændingen må være så høj, at transistoren leder ”halvt”.

Bias-spændingen etableres af en spændingsdeler:

VCC 20 V
Gate spændingen er:
R2
VG  U CC  Rd
R1  R 2 R1 4,7k
C2
VG  5V 3 Meg
Uout
C1 Q1
Der flyder ingen strøm ind I gaten
pga. Den extrem høje V2
indgangsmodstand. VOFF = 0 R2
VAMPL = 1 V Rs
Så Gate spændingen er lig: FREQ = 10 00 1Meg
2,7k

VG  VGS  R S  i D 0 0 0

Eksempel på brug af en MOSFET

IR-forforstærker:

Af: Valle Thorø Side 6 af 34

 Mosfet Version
7/2 2020

Kredsløbseksempel til at
VCC, 9 V D1
R3
overføre audio via infrarød lys.
560

BP104
C2
C4
På udgangen tilsluttes et par
Uout
22 uF
hovedtelefoner!!
10n
47uF 3
C1 P1 R2 Q1
R1 2 BS170
Gnd
470k 820k
100 Kohm 1

0 0 0 0 0

Forklar kredsløbet:

Af: Valle Thorø Side 7 af 34

 Mosfet Version
7/2 2020

Depletion, Selvledende:

DEPLETION, D-MOSFET, SELVLEDENDE, ( Tysk: Verarmung) , Fås både i N-kanal og P-

kanal.

( I diagramsymbolet er linjen til højre for gaten fuldt optrukket, som indikation på, at transistoren er
selvledende. )

Selvledende

Drain Source

Gate
Q1 Q2
Gate

Source Drain
Strøm Strøm
N-Kanal
P-Kanal
IDS IDS

IDSS Ugs off

UGS

Ugs off

N-kanal P-kanal
Eks: Eks:

At transistoren er selvledende betyder, at ved en gatespænding på 0 Volt, vil den lede!

2
 U 
ID beregnes af formlen I D  I DSS  1  GS 
 U GSOff 

Biasing D-MOSFET

Af: Valle Thorø Side 8 af 34

 Mosfet Version
7/2 2020

UCC
Transistoren leder af sig selv. Gaten skal blot
stelles, for ikke at blive for højimpedant.
Dvs. et signal fra Uin kan ”pumpe” R Drain
gatespændingen op og ned, og derved
påvirke transistorens IDS.
Uout

Denne ændring i IDS giver en ændring i Q1

delta URdrain. Og derved et signal på Uout. Selvledende , N-kanal
Uin

0 0

Mosfets er meget følsom overfor statisk elektricitet. Skal opbevares i ledende poser, i ledende skum
eller lignende. Dvs. der ikke kan være et sted på transistoren, der har et andet potentiale en de
andre!

Arbejdsbordet skal stelles, der skal bruges ledende armbånd til arbejdsbordet, og der må ikke være
spænding på, når man arbejder med transistorerne.

Følgende er en scannet oversigt over forskellige MosFET-typer:

Af: Valle Thorø Side 9 af 34

 Mosfet Version
7/2 2020

Af: Valle Thorø Side 10 af 34

 Mosfet Version
7/2 2020

Kredsløbseksempler med MOSFET’s

UCC

RLast

Mosfet anvendt som switch. 1k

U1

2 Q1
1 Selvsp ærrende, Nkanal
3

NAND2
0

Spændingsdobler
D1 D2
Uin
Uout ~ 2 gange Ui n
Spændingsdobler efter
C1
Q1 ladningspumpe-
10 uF
Selvsp ærrende, P kanal princippet:
C2
BD 512 100 uF
BS250
Uin

Q2
Selvsp ærrende, Nkanal

BD 522
0 BS 170 0

Konstantstrøms-generator. Q1
Selvledende, N-kanal
U
I Konst  GS
R R1

Hovedtelefon-forstærker med MosFet.

Af: Valle Thorø Side 11 af 34

 Mosfet Version
7/2 2020

+ 9 til 12 Volt
C7

1k2 R1 10uF 16 V

0 R2 G S
Q5
100 Ohm
BS25 0
R5 100k
D

8
C1 3 U3A R3 C4
+
1
Uin
2
220n - 1k
LS1
100uF 40V
P1 TL082

4
47K R4 Hovedtelefon
10K 220
R8 SPE AKER
Nul

D
R6
G Q4
BS17 0

0
100 S
R7

1k2 C3
10uF 16V Mi nus 9-12 Volt

Bemærk, at Operationsforstærkerens udgang ikke styrer udgangstransistorerne. Det gør

OPAMP’ens forsynings-ledninger. Hvis opamp’ens udgang ønskes at gå opad, forsøger den, og den
trækker mere strøm fra plus. Herved falder spændingsfaldet over R1.

PowerMOS

Mosfets beregnet til store strømme kom frem allerede fra ultimo 1970’erne. De er optimeret for
store strømme. Ved store strømme gælder det om, at modstanden mellem Drain og Source er så lav
som muligt, for at holde delta UDS on så lav som muligt, og derved få så lille en effektafsætning
som muligt.

Forskellige firmaer har forsøgt at optimeret dette ved at lave forskellige udformning af chippen: Her
en oversigt over forskellige firmaer, og eksempler på de navne, de giver deres POWERMOS chips.

Se video: http://freecircuitdiagram.com/2010/03/31/transistor-mosfet-video-tutorial/ ( 4:49 )

Fabrikant Navn Kommentarer

IR, International Rectifier HEXFET Mange 6-kanter,
Siliconix V-MOS Udformet i V-form på Chippen
Siemens SIP-MOS Mange ( flere tusinde ) enkelte parallelle
transistorer på chippen

En effekt MOSFET (eller power MOSFET) kan have fabrikant-salgsnavne som fx:

VMOS, TMOS, DMOS, MegaMOS, HEXFET, HiPerMOS, SIPMOS, TrenchMOS)

Af: Valle Thorø Side 12 af 34

 Mosfet Version
7/2 2020

PowerMOS har en isolerende lag

Metal Oxid mellem Gaten og selve
transistoren.

Derfor har den stor

indgangsimpedans.

Når spændingen på Gaten kommer

over en tærskelværdi på få Volt,
bliver N-kanalen ledende.

N-Kanal P-Kanal

Herover er vist et par skitse-diagrammer, for en N-kanal og for en P-kanal.

De følgende to skitser viser, at bare den strøm, der går gennem fingeren, tilfører gaten så stor
ladning, at transistoren kan styres on. Og den forbliver on indtil ladningen fjernes ved at forbinde
gaten til gnd.

Af: Valle Thorø Side 13 af 34

 Mosfet Version
7/2 2020

http://www.audiokarma.org/forums/showthread.php?t=453275&page=9

For POWER-MOS gælder det om at få RDS on så langt ned, som muligt.

Der fås Power-MosFets med Rds_on på få milli-Ohm, selv ved en strøm på fx 45 Ampere.

Jo lavere Rds_on jo mindre varme afsættes når der løber strøm. 𝑃 = 𝐼 2 ∙ 𝑅

Tjek fx Rds_on og Ugs_th for IRF540N og IRL540

For P-kanal er RDS on ca 2 gange så stor som for en tilsvarende N-Kanal transistor.

RDS on stiger ved stigende temperatur.

Gatedriver

I MOSFETs er gaten totalt isoleret fra Drain og Source, i størrelsen TerraOhm.

Derfor vil der tilsyneladende ikke gå en strøm i Gaten. Dette gælder dog kun for statisk brug.

Ofte bruges MOSFETs til at pulsbreddemodulere energiafsætning i fx en motor, så man kan styre
omdrejningshastigheden. Dvs. der switches on og off mange gange pr sekund.

Af: Valle Thorø Side 14 af 34

 Mosfet Version
7/2 2020

Desværre er der nogle små kapaciteter UCC

( kondensatorer ) mellem Gate og Drain og mellem
Gate og Source.
R last
Det vil altså sige, at for at ændre spænding på gaten
skal kapaciteterne lades op / af.
600 p F
C gd
Der skal altså flyttes en ladning til gaten i
skifteøjeblikket. Altså løber der en strøm. Q1
Selvspærrende, Nkanal
Uin

Men det er jo sådan, at hvis transistoren switches C gs

on ”ret langsomt” - vil der blive afsat en del varme 100 p F

i form af ∆𝑈𝐷𝑆 ∙ 𝐼𝐷𝑆 imens transistoren er ved at 0

switsche on. – Eller Off.

Derfor gælder det om, at skiftet sker så hurtigt som

muligt. Altså skal gate-kapaciteterne lades Op/Af
på meget kort tid. Altså vil der kræves en ret stor
gatestrøm.

Men gatestrømmen er begrænset af

udgangsmodstanden i driverkredsløbet.

Gatestrømmen må være bestemt af QG = I × t

Så hvis der skal switches on på kort tid, må

strømmen være større.

Her et tænkt eksempel:

Den strøm, der skal til for at gøre GATEn høj i en

given tid, kan beregnes af flg. 3 ligninger:

𝑄 =𝐶∙𝑉

𝑄 =𝐼∙𝑡

𝑑𝑈𝑔𝑎𝑡𝑒
𝐼=𝐶∙
𝑑𝑡

dt er turn on time
C er gate-kapacitansen.

Af: Valle Thorø Side 15 af 34

 Mosfet Version
7/2 2020

I er gate peack strøm.

Hvis fx gate-ladningen er 20nC ( Coulomb ) kan den med en strøm på 1 mA switches on på 20 mS,
eller på 20 nS ved 1A.

Oplade- eller afladetiden kan groft beregnes af U * C / I.

Eksempel:
En uC kan source / sinke 20 mA, og Cin i MOSFET-en er 2 nF.

Oplade – eller aflade - tiden kan groft regnes efter (UxC)/I.

Dvs. (5V x 2x10-9 ) / ( 20 x 10-3) = 0,5 mS.

5[𝑉𝑜𝑙𝑡] ∙ 2 ∙ 10−9 [𝐹]

= 0,5 𝑚𝑆
20 ∙ 10−3 [𝐴]

Altså ikke så hurtig switch-tid.

(Test lige enhederne på Google)

( Kilde: Elektor 10/2011 )

Hvis man arbejder med PulsBreddeModulering, ( PWM ) fx ved 10 kHz, vil 1 cycle vare = 100 uS.
Og så må switch-tiden selvfølgelig helst kun vare en brøkdel heraf.

Ønsker man at oplade ( eller aflade ) nogle få nF fx fra 0 til 12 Volt, kræver det hundreder af mA
drive-kapacitet.

1 Coulomb = 1 amp ∙ 1 sekund, så derfor kræver 10 nC ladning 1 Amp i 0,01 uS, eller 100 mA i 0,1
uS.

Hvis en driver ikke kan yde strøm nok, vil det jo selvfølgelig øge switch tiden. Og dermed
varmeafsætningen i MOSFET’en.

Typiske switch-tider er i størrelsen uSekunder. Switch-tiden for en transistor er omvendt

proportional med strømmen, der skal lade gate-kapaciteten. Derfor er det ofte nødvendig med en
strøm på flere hundrede mA eller mere for at ændre en gatespænding fra 0 til 1.

Eksempel:

En N-kanal MOSFET styres med en gatespænding fra 0 til 10 Volt i løbet af 25 nS. Den har en
gateladning på 50nC.

Af: Valle Thorø Side 16 af 34

  Mosfet Version
7/2 2020

𝑄𝐺𝑎𝑡𝑒 50 ∙ 10−9
𝐼𝐺𝑎𝑡𝑒 = = = 2𝐴
𝑡𝑇𝑟𝑎𝑛𝑠𝑖𝑡𝑖𝑜𝑛 25 ∙ 10−9

Derfor kræves der en god gatedriver ved høje frekvenser. En uC kan typisk kun levere fra få til 30
mA

Gode råd!

Keep the connections from microcontroller to MOSFET short, both gate and source. The gate-source
capacitance is relatively large and wires act as inductors. The combination of long wires, CGS and sharp
edges will introduce ringing. (Oscillations). Instead of turning the MOSFET quickly on and off, it will spend
a relatively long time in its linear mode of operation, where a lot of heat is dissipated.

RDS,on are good properties to look for in the datasheet.

To dampen ringing, a small resistor 100~220 Ω in series with the gate is good practice.
Kilde: https://electronics.stackexchange.com/questions/65944/mosfet-for-pwm-application?rq=1

Se også: https://www.re-innovation.co.uk/docs/open-charge-regulator/charge-controller-project-power-switching/

Gate driverkredsløb

Fx kan flg. kredsløb UCC

anvendes:
R last
Uplus

Modstanden på 200 Ohm – C gd

600 p F

kan være mindre, fx 100 2

BC547
Q1
Ohm, - skal begrænse 3
U4
NAND2
1
200
Selvsp ærrende, Nkanal

strømmen ind ud af driveren, C gs

100 p F
idet en kondensator vil BC557
0 0 0 0 0
optræde som en kortslutning
lige når driveren bliver høj.

Af: Valle Thorø Side 17 af 34

 Mosfet Version
7/2 2020

Evt. kan en driver bygges ved at flere gates

kobles sammen i parallel.

Eksempler:

Gatene til højre er såkaldte buffere. 4049 eller 4050. De kan håndtere lidt større strøm, souce ca. 4
mA og sink ca. 16 mA. De 12 volt forsyning er vist noget for højt til at indgangen kan triggers. Men
ifølge kilden ( Elektor 10/2011 ) er det OK med 9 Volt.

Opbyg og simuler kredsløbet.

R2
1
Her skal R1 simulere udgangsmodstanden i
driveren.
V
R1 M1
V1
15Vdc Mål Ugs ved forskellige R1.
10
V2 V IRF150
V

Se også på Igate ved forskellige switch-

hastigheder.
0 0 0

Af: Valle Thorø Side 18 af 34

 Mosfet Version
7/2 2020

Opladeforløbet af Gate-kapaciteterne

Ved switchning af en Mosfet skal gaten gøres høj.

Og man er nødt til at oplade kondensatorerne Cgs,

Cgd og gate-ladningen.

Men når Vth nås, begynder transistoren at lede, og

Drainspændingen falder. Dvs.at kondensatoren Cgd
trykker spændingen på gate fordi Udrain falder.

Der skal derfor i en periode af opladningen tilføres

ekstra ladninger uden at Ugs stiger.

Altså vil gatespændingen teoretisk se ud som her til

højre !!

Fra: http://www.digikey.com/Web%20Export/Supplier%20Content/Vishay_8026/PDF/VishaySiliconix_MOSFETBasics.pdf?redirected=1

For at undgå dyre gate-drivere : se fx https://www.re-innovation.co.uk/docs/open-charge-

regulator/charge-controller-project-power-switching/

Men her er belastningen sat ned under source !!!-???

Induktionsproblemer

Af: Valle Thorø Side 19 af 34

  Mosfet Version
7/2 2020

Ydermere opstår der problemer fordi en ledning også

optræder som en selvinduktion, dvs. som en spole.

Selv i tilledningerne til Mosfets er der en selvinduktion.

Dvs. at der ved store skiftehastigheder af store strømme

opstår store induktionsspændinger.

Fra: https://www.fairchildsemi.com/application-notes/AN/AN-9005.pdf

Her et eksempel, der illustrerer Source wire induktansen.

Ændres en strøm i en spole, vil der genereres en spænding:

𝑑𝑖
𝑈𝐿 = −𝐿
𝑑𝑡

Eksempel:

En ledningen har en induktion på 50 nH. En strøm på 60

Ampere switches i løbet af 25 n[sek.]:

di 60 A
U  L  50 nH   120Volt.
dt 25 nS

Fra: http://www.st.com/web/en/resource/technical/document/application_note/CD00003900.pdf

Wire-induktanser gælder også for printbaner.

En printbane har en induktans på 6 til 10 nH pr cm.

Rule of thumb: For straight round conductor ~0.5 mm, L = 10nH/cm

På nettet findes et hav af kalkulatorer.

Her et par eksempler:

http://chemandy.com/calculators/flat-wire-inductor-calculator.htm

Af: Valle Thorø Side 20 af 34

  Mosfet Version
7/2 2020

http://www.eeweb.com/toolbox/wire-inductance/

Eksempel på virkningen af en induktion i Gate-

tilledningen:

L1
R1 20V
U_driv er_out U_Gate
50uH 100
V V
V2
C1 10V
0.5n

0 0 0V

Der opstår “ringning”.

-10V
0s 5us 10us 15us 20us
V(U_GATE) V(U_DRIVER_OUT)
Time

Kredsløbs-eksempler med MOSFETs:

Af: Valle Thorø Side 21 af 34

 Mosfet Version
7/2 2020

Forklar kredsløbet:

Komponentliste:

R1: 1 kilo-ohms resistor 1/2W

Q1: 2N2222 NPN transistor or similar
Q2: IRF530 power mosfet, or similar
DC: 9V to 15V DC

Fra: http://www.simple-electronics.com/2011/09/high-current-led-driver-using-fet.html

Ovenstående kredsløb kan udvides således:

”H-Bro” til motorstyring !

Af: Valle Thorø Side 22 af 34

 Mosfet Version
7/2 2020

Skal man ha en 12
Volt motor til at
kunne styres så den
kan køre begge
retninger, er man nødt
til at bruge en såkaldt
H-Bro.

Skematisk diagram.

http://www.robotoid.com/my-first-robot/rbb-bot-phase2-part1.html

Det skal absolut undgås, at Plus 12 Volt

begge transistor-indgange, R1
R2
mærket med OnOff, er høje 1k
Q3 1k
samtidig. IRF9540
Q4
IRF9540
R5 R6

Sker det, vil der være en 1k MG1 1k

direkte kortslutning fra Plus 1 2

12 Volt til Stel.

MOTOR

Kredsløbet kan direkte

styres af en uC, men så bør
IRF540 nok erstattes af 5Volt 5Volt
IRL540.
R3 R4
OnOf f Q1 OnOf f Q2
1k IRF540 1k IRF540
Obs: R3 og R4 bør ændres
til Pull Down modstande.
0

Obs: Det kan være en fordel, at sætte lysdioder på parallelt over motoren, for at indikere, hvornår
motoren kører.

Obs.: Ved 6 Volt motorer:

∆Ugs for IRF9540 bliver ikke stor nok ved 6 Volt. - Derfor skal R1 og R2 fx være 5,6K og R5 og
R6 fx 120 Ohm.

Af: Valle Thorø Side 23 af 34

 Mosfet Version
7/2 2020

Motorstyring. UCC
Fx. 12 Volt
R1 S S R3
Her er kredsløbet 3.3k
G Q1 P-kanal Q3 G 3.3k

forsynet med gates, DC MOTOR

der forhindrer, at R2
D
der kan opstå
1 2 R4
Retning Enable 1k
1k
kortslutning hvis Fx. 5 Volt
alle 4 transistorer 2
AND2 1 D D
leder samtidigt. 3
Q4
Q2
N-kanal
2

U7
NOT S S

2
AND2 1 0
1

En H-bro kan også fås som integreret

kredsløb.

Se: L298N

Undersøg kredsløbet!

Der skal 5 Volt på ben 9 til at forsyne

kredsen. Men der må sættes 12 Volt på ben
4 til motoren!!

Af: Valle Thorø Side 24 af 34

 Mosfet Version
7/2 2020

Her vises
indmaden i IC-
en L298N lidt
bedre.

Her et eksempel på et kit til motorstyring.

UCC
Eksempel
2

på et DC MOTOR

servosystem: Motoren
trækker også 10k +
Potmeteret UCC +15 V
0 OPAMP OUT
D
1

- N-kanal
0
1Meg
G Q1
UCC
- 10k
5k S
+ OUT
Transducer S
OPAMP Q6
OUT +
5k
0 - G P-kanal
OPAMP
D
1Meg
UCC -15 V
0

Øvelse:

Der skal bygges et kredsløb, med en Powermos, en IRF 540, der kan lysdæmpe en forlygtepære
til en bil.

Af: Valle Thorø Side 25 af 34

 Mosfet Version
7/2 2020

Test også kredsløbet på en aktuator og en DC-motor

VCC Til Pære

Gnd
R1 R3 Kredsløb til at slukke kabine-
1k 10k
belysningen i en bil efter en tid.
M1
R2

100k
Q1 R4 IRF540
BC557 10k

Bry deswitch
D1
Gnd
15 Volt C1 R5
10u
1Meg
SW1

Gnd

Konstant ly s

Undersøg kredsløbet!!

Kredsløbet er gaflet fra Elector.

Af: Valle Thorø Side 26 af 34

 Mosfet Version
7/2 2020

Switch Mode regulator til

lysdioder.

Tænd lysdioden i en periode ved et tryk.

Trappeautomat?

http://www.learningelectronics.net/circuits/30-watt-audio-power-amplifier-schematic.html

Audioforstærker med Mosfet

Af: Valle Thorø Side 27 af 34

 Mosfet Version
7/2 2020

Eksempel på et
kredsløb der kan
forvandle 12 V DC
til 230 V AC.

http://homemadecircuitsandschematics.blogspot.dk/2012/02/how-to-make-solar-inverter-circuit.html

Logic Level Gate Mosfet

Som det ses af de to Ugs-grafer herunder, kan det være svært at tænde en standard IRF540 med fx
en udgang fra en Arduino. Man kan ikke regne med at Uout er 5 Volt. Måske kun 4 Volt.

Derfor kan det være en fordel at vælge in Logic level Mosfet.

Min Max

Af: Valle Thorø Side 28 af 34

 Mosfet Version
7/2 2020

Her er data opgivet ved 5 Volt.

IRF540 Logic gate FET IRL540N

Det ses tydeligt, at Logic Gate-typen har meget lavere Ugs on spænding.

Logic Level Gate MosFet.

Fordelen ved at bruge såkaldte Logic Level Gate Mosfets er, at de starter med at lede ved en lav
VGS.

Men ulempen er, at de har tendens til at have højere gate-kapacitet og gateladning. Dvs. der skal
større ladning til at switse on ved samme gatestrøm.

Herudover har de højere ON-modstand ( RDS-On ) – og lavere maksimal VDS end standard
MOSFETs.

Fordelen ved Bipolar transistorer i forhold til MOSFETs

Bipolære transistorer er hurtigere end MOSFETs. Ved højere frekvenser kan den energi, der skal
til at switche MOSFETs blive større end ved at bruge Bipolære transistorer.

Mosfets er gode i digitale kredsløb, fordi i de har meget lille læk-strøm både ved logisk 0 og 1.

Af: Valle Thorø Side 29 af 34

 Mosfet Version
7/2 2020

http://www.edaboard.com/thread236378.html

Hvis en Arduino ikke kan styre en MOSFET on, - kan følgende diagrammer overvejes!!

https://arduinodiy.wordpress.com/2012/05/02/using-mosfets-with-ttl-levels/

Jeg har fundet en oversigt over forskellige International Rectifier typer: Om oplysningerne er
korrekte, ved jeg ikke!!

Type

Alle "Standardtransistorer", også TO-220-huse

IRF:
Højspændings-MosFETs
IRFB
MosFETs i Dip-4-huse
IRFD
MosFETs i isolierede TO-220-huse
IRFI
MosFETs i TO-247AC-huse
IRFP
MosFETs i D-Pak ( “ ret store “ SMD-huse)
IRFR
IRFU MosFETs i I-Pak, som TO-220 men med en kort kølefane
? alle med ca. 50-60V og med relative lav Rds(on), altså for mellem-belastninger.
IRFZ
Vist nok IGBTs
IRG

Af: Valle Thorø Side 30 af 34

 Mosfet Version
7/2 2020

Logic-Level MosFETs
IRL
Logic-Level MosFETs i Dip-4 hus
IRLD
Logic-Level MosFETs i isoleret TO-220-hus
IRLI
Logic-Level MosFETs i D-Pak
IRLR
Logic-Level MosFETs i I-Pak, som TO-220 men med kort kølefane
IRLU
Alt der ender på "S" har en D²Pak-hus
Alt, der ender på "N" er en nyere version af en FET

Fra: http://www.mikrocontroller.net/topic/44331

Transient beskyttelse
Når der switches store strømme, fx et relæ der switches off, frembringes der store transienter.

Q2
R3 R4
D1
D1N4148
Relæ BC337

C5
10n

Q1 0 0
R1
U_in
BC337 C1
C4 Måske kan man opdele basismodstanden med
10n
en afkobling i midten.
0 0 0

Det er god skik at afkoble gaten mod

transienter. Mod HF-støj pga. gnist i et relæ fx

M1

U_in
2 IRF150
D1
5V6 C1 R2
1Meg
1

0 0 0 0

Af: Valle Thorø Side 31 af 34

 Mosfet Version
7/2 2020

IGBT

Isolated Gate Bipolar Transistor

Se: https://www.electronics-tutorials.ws/power/insulated-gate-bipolar-transistor.html

En IGBT-transistor er en blanding af de to typer. Der er en MOSFET i indgangen, og en almindelig

bipolar transistor i udgangen. Dvs. en transistor med Collector, Emitter og Gate. Altså en
spændingsstyret alm. Transistor.

C
Diagramsymbolet:
G
ORCAD !! IXGH40N60.
E
http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/125935/IXYS/IXGH40N60.html

C
Opbygningen på chippen er som flg:

Kan switche 75 A. G
Q2

Selvsp ærrende, Nkanal E

Undersøg databladet!

Af: Valle Thorø Side 32 af 34

 Mosfet Version
7/2 2020

Opbyg et kredsløb med en IGBT.

Undersøg Vp for transistoren.

R1
2
Undersøg Δ UCE
Z1

V1 IXGH40N60
20Vdc Ugate
Lad Ugate være konstant 5 Volt, og undersøg
V2
Δ UCE som funktion af IC.
0

0 0

IGBT-moduler til store strømme fås fx i

sådanne moduler

Delta UCE ~ 1 Volt. Ron effektiv er mindre end for MOSFET. ???

IC/IG > 109

IGBT’s fås til fx 1000 Volt og 300 A. Switchning kan udføres op til Føvre ~ 20 KHz.

Eks. Siemens, BUP 304, 1000 V 25 A

UGS on ~ 2 til 5 Volt.

Fordele ved Mosfet vs. IGBT

Tilføj fra siden:

Af: Valle Thorø Side 33 af 34

 Mosfet Version
7/2 2020

http://www.irf.com/technical-info/whitepaper/choosewisely.pdf

Se video: https://www.youtube.com/watch?v=RxRJW09A_XA ( 7:00 )

Se: http://www.electronics-tutorials.ws/blog/insulated-gate-bipolar-transistor.html

Se YouTube: https://www.youtube.com/watch?v=3HDzqDZaprE

Sammenligningstabel

Fra: http://www.electronics-tutorials.ws/power/insulated-gate-bipolar-transistor.html

Af: Valle Thorø Side 34 af 34