PRAKTIKUM 1

DIODA PERSAMBUNGAN PN

I. Tujuan :
1. Memahami konsep bias tegangan pada dioda persambungan PN
2. Memahami karakteristik statis dari dioda persambungan PN.
3. Membandingkan karakteristik dioda Silikon dan dioda Germanium.

II. Dasar Teori :

Dioda merupakan piranti elektronika yang dibentuk dari dua semikonduktor tipe
P dan tipe N yang dibatasi oleh junction (persambungan) seperti ditunjukkan pada
Gambar 1. Dioda akan bekerja berdasarkan rekombinasi hole dan elektron pada daerah
junction melalui pemberian bias. Ada dua metode pemberian bias pada dioda yaitu
forward bias dan reverse bias seperti ditunjukkan pada Gambar 2. Pada forward bias,
elektron dan hole akan menembus junction sehingga daerah deplesi menyempit
sehingga ada arus yang mengalir, sedangkan pada reverse bias daerah deplesi semakin
lebar dan menyebabkan tidak ada arus yang mengalir.

Anoda Katoda

(b)
(a)
Gambar 1. (a) PN Junction (b) Simbol Dioda

(a) (b)
Gambar 2. Metode bias dioda (a) Forward bias (b) Reverse bias
1
 Karakteristik arus dan tegangan (I-V) yang mengalir melalui PN junction
dinyatakan melalui persamaan (1)

  ev / kT  
I  I  e   1 (1)
s 
dimana Is : reverse saturation current
e : electronic charge
k : konstanta Boltzmann
T : temperatur junction pada bilangan absolut T = 300oK
e/kT = 1.6 x 10-19

Apabila junction dalam kondisi forward bias, V positif. Sedangkan apabila junction
dalam kondisi reverse bias, V negatif. Jika V harganya dalam beberapa ratus millivolts,
persamaan (1) menjadi
  ev / kT  
I  I  e   (2)
s 

Jenis semikinduktor yang sering digunakan sebagai bahan PN junction adalah

Germanium dan Silikon. Adapun perbedaan karakteristik dari kedua PN junction
ditunjukkan pada Gambar 3.

Gambar 3. Karakteristik Dioda Germanium (Ge) dan Silikon (Si).

2
III. Peralatan :

1. Power Supply DC 1 buah

2. Voltmeter DC 1 buah
3. Mili-ammeter DC 1 buah
4. Resistor 470 Ώ 1 buah
5. Dioda silikon 1 buah
6. Dioda Germanium 1 buah
7. Papan rangkai 1 buah

IV. Rangkaian Percobaan

Gambar 4. Rangkaian percobaan

V. Prosedur Percobaan :
1. Cek seluruh peralatan dalam kondisi baik.
2. Buat rangkaian seperti Gambar 4 menggunakan dioda silikon dengan posisi anoda
terhubung dengan ammeter dc dan katoda terhubung pada negatif power supply.
3. Cek kembali rangkaian sebelum power supply dihidupkan, gunakan range terbesar
pada ammeter dan voltmeter DC.
4. Hidupkan power supply, naikkan perlahan tegangan pada power supply (Vin)
hingga jarum pada ammeter menyimpang.
5. Ukur tegangan V dengan mengatur arus I pada ammeter mengikuti Tabel 1.
6. Ulangi prosedur nomer 2 dengan posisi anoda-katoda dibalik (reverse bias).
7. Atur tegangan pada voltmeter sesuai dengan Tabel 2, amati dan catat nilai arus yang
terbaca pada ammeter pada Tabel 2

3
8. Ulangi langkah 2-7 dengan mengganti dioda silikon dengan dioda germanium
kemudian catat pada Tabel 1 dan 2 untuk dioda Germanium.

Tabel 1. Forward bias Tabel 2 . Reverse bias

I (mA) V(V) I (mA) V(V)
0 0
0,1 1
0,2 2
0,3 3
0,4 4
0,5 5
0,6 6
0,7 7
0,8 8
0,9 9
1 10
2
3
4
5
6
7
8
9
10

VI. Tugas
1. Gambarkan grafik karakteristik V-I pada kertas millimeter untuk dioda Silikon dan
Germanium
2. Tentukan tegangan barier pada dioda Sillikon dan Germanium dari grafik yang
didapatkan.