Đặt bài toán thiết kế mạch cầu H:

Q1=IRF540N có Ciss=1960pF, Vcc=12V, Qg=71nC thời gian Q1 on 99%T với

f=1/T=20khz. IC lái IR2011 Iqbs=210uA, VBSUV+ max=9.8V.

Thông số IR2011 dựa trên datasheet:

Điện áp thả nổi max: VBmax=225V

Điện áp lệch thả nổi max: VSmax= VBmax =200V
Điện áp ngõ ra cánh trên: VHO(0)=VS VHO(1)=VB
Điện áp ngõ ra cánh dưới: VLO(0)=0 VLO(1)=VCC
Điện áp cấp nguồn: VCCmin=10V VCCmax=25V
Điện áp ngõ vào VLIN, VHIN: min=0 max=VCC
Mức ngõ vào VLIN, VHIN tương hợp với 3.3V và 5V
Dòng ngõ ra: Io=+-1A
Thời gian on/off: ton/toff=80ns/60ns
Dòng điện tĩnh tối đa: Iqbs=210uA
Điện áp BS dưới ngưỡng tích cực: VBSUV+ min=8.2V, max=9.8V
Điện áp BS dưới ngưỡng tiêu cực: VBSUV- min=7.4V, max=9V

MOSFET IRF540N

Điện áp DSS tối đa: VDSSmax=100V

Điện tích tổng max trên cực G: Qg=71nC

Thời gian on/off: ton/toff=11ns/39ns (typ)

Dòng tối đa DS: ID=33A

Điện trở DS tối đa: RDSmax=44mohm

Điện dung Ciss: Ciss=1960pF

Tính giá trị tụ bootstrap

Năng lượng tối thiểu của tụ Cbs để cấp cho mạch

Qbs=(Qrr+Ilk-d.tHon)+(Ilk-c.tHon)+Iqbs.tHon+(Qg+Ilk-gs.tHon)

Trong đó tHon là thời gian tối đa khóa trên đóng:

tHon=0.99T=0.99.1/f=0.99*20000= 49.5us

Điện trở Rboot: thường lấy giá trị bằng 0

Diode Dboot: điện áp thuận VF, dòng rò Ilk-d và năng lượng hồi phục Qrr

Tụ bootstrap CBS: giá trị CBS cần tính và dòng rò qua tụ Ilk-c

Mạch kích trong IC: dòng tĩnh Iqbs

Khóa tầng cao: gồm năng lượng nạp cổng Qg và dòng rò qua G-S: Ilk-GS
 Ta có thể tính gần đúng bằng cách bỏ qua các đại lượng ít ảnh hưởng đến kết quả tính và
gấp đôi Qg để đảm bảo năng lượng cho bất kì khóa kích nào

QBSmin = Iqbs*tHon + 2*Qg = 210uA*49.5us + 2*71nC = 152.4nC

Khi tụ cấp năng lượng cho các phần tử nói trên, thì điện áp trên tụ sẽ sụt dần. ta gọi Vmin
là điện áp trên tụ (VBS) tối thiểu để mạch hoạt động. khi đó, độ thay đổi điện áp trên tụ trong lúc
khóa tầng cao đóng là:

ΔVBS = VCC – VF – Vmin = 12 – 1.7 – 9.8 = 0.5V

Như vậy, để đảm bảo tụ hoạt động ổn định, giá trị nạp cho tụ phải được gấp đôi giá trị
trên. Điện dung tối thiểu của tụ bootstrap được tính:

CBSmin=2*QBS/ ΔVBS=2*152.4nC/0.5V=0.61uF

Theo khuyến cáo của các hãng, giá trị tụ bootstrap nên lấy gấp 15 lần giá trị tối thiểu trên

CBS=15*CBSmin=15*0.61uF=9.14uF

Tính giá trị điện trở Rg

Ta cho áp VHO=Vcc-1=12-1=11V (thỏa VG<VGSmax=20V)

VG=VHO(1-e^(-t/RgCiss))

t=RgCiss * ln[VHO/(VHO-VG)]
 ton=RgCiss * ln[VHO/(VHO-VGon)]

toff=RgCiss * ln[VHO/(VHO-VGoff)]

Chọn thời gian ton và toff nhỏ hơn 6% độ rộng xung là đạt yêu cầu.
Độ rộng xung PWM min=1%T=1%x50us=0.5μs
ton(toff)<6%x0.5us=30ns→Chọn ton=10ns
Theo các thông số của FET,chọn VGon=5V,VGoff=1V:

Theo ton

Rg = (10^-8) / (1960*(10^-12)*ln[11/(11-5)]) = 8.417 ohm

Theo toff

Rg = (10^-8) / (1960*(10^-12)*ln[11/(11-1)]) = 53.53 ohm

Chọn Rg=50 ohm