高等微系統製造與實驗

第一次實驗報告

Lab2 Lithography (positive resist)

Lab 3 SiO2 wet etching (dry etching for low stress nitride)

實驗組別: 週一 A 組

姓名: 廖敏伊

系級: 動機系 碩一

學號: 109033520

助教:吳傳詠

一、實驗目的:
a. Lab2 Lithography (positive resist)

學習黃光微影的基本製成，了解如何將設計的圖形轉移到 wafer 上，
以及了解黃光製成的基礎技術以及程序，並且學習黃光室各項儀器
的使用方法與注意事項。
 b. Lab 3 SiO2 wet etching (dry etching for low stress nitride)

了解乾蝕刻(RIE)以及濕蝕刻的差異性，並學習蝕刻的程序。

二、實驗步驟:
a. Lab2 Lithography (positive resist)

1. 標準清潔
將 bare wafer 以丙酮以及 IPA 清洗，然後再利用 DI water 沖洗

P.S. 丙酮主要是清洗 wafer 殘留的有機物，IPA 是為沖洗掉丙酮(再

丙酮沖洗後須立即使用 IPA，否則表面上會有一層霧霧的 )，DI
water 的目的是清洗掉 wafer 上的 IPA

2. Piranha 清洗(硫酸:雙氧水=7:1)
需要注意的是，再調配 Piranha 時必須先加入硫酸再加入雙氧水，如
果程序相反，硫酸與雙氧說的放熱反應將會造成硫酸噴濺，有一定
的危險性。調配完 Piranha 後要以 Hot Plate 加熱到 90。C，目的是為
了讓 Piranha 有最大的活性，加快清洗的速度。
Piranha 的目的是為了清洗掉 wafer 上的無機物，但是他會腐蝕鐵製
品，所以在使用時要以鐵氟龍的夾子進行操作，清洗完成後須以 DI
water 進行清洗，切忌一次清洗時需另外準備一盆水再旁，利用盆中
的水清洗，不可直接在水槽沖洗，沖洗完後以氣槍吹乾後進行下一
步驟。

P.S. Piranha 中雙氧水的目的是為了增加活性，如果發現清潔力下降

可以再加入適量的雙氧水

3. 去水烘烤

去水烤的目的是為了烤乾 wafer 上殘留的水分，根據不同的光阻有

不同的烘烤時間，其原因是因為每個光阻對於水的敏感度不同。
AZ5214: 120。C@5min
SU-8: 120。C@10min

4. HMDS vapor coating

蒸 HMDS 的目的是為了讓光阻更好的黏附在 wafer 上，並不是每個

光阻都需要經過此一步驟。
使用方式為將 wafer 放置在 wafer 架上，並且放在燒杯中，利用乳頭
滴管吸取適量的 HMDS 澆淋在燒杯壁，利用蒸鍍的方式讓 HMDS
附著在 wafer 上。

P.S. HMDS 具有毒性，使用時要避免吸入

5. 旋轉塗佈光阻

利用塗佈機塗佈光阻是為了讓光阻更均勻地附著在 wafer 上。
使用方法為將 wafer 放置塗佈機中央並利用 pump 吸住，滴光阻時要
避免有氣泡產生，通常會先在周圍擠一點排出多餘的氣泡，然後再
wafer 正中央擠出約 50 元硬幣大小，幾光阻時要盡量均勻否則容易
造成塗佈失敗，設定塗佈機的參數為 30s@3000rpm，可根據自己的
實驗進行調整。。

6. 光阻軟烤

軟烤溫度為 100。C@80sec，目的為讓光阻硬化，利於之後的曝光。

7. Mask alignment

進行此步驟於要先開啟 singleside 的汞登進行預熱，切記要記得等兩

顆綠燈都亮了之後再按下按鈕，須先進行一次曝光量測光強度以便
進行後面的曝光參數設定。將光罩固定並寫按下 FIX1 進行固定，
然後放上 wafer 對準後按下 FIX2 進行固定，然後進行三次 Level 確
定載台的平整後進行曝光，因為 AZ5214 在此次實驗中所使用的厚
度參數為 60mj/cm^2 所以曝光的時間設定為:
(60mj/cm^2)/最小光強度

8. 顯影:
 顯影劑的調配為 AZ400K:H2O=1:6，將曝光完成後的 wafer 放入調
配好的顯影液中並且輕輕搖換晃約 60s。顯影完後以 DI Water 進行
清洗後以風槍吹乾。

9. 光學顯微鏡觀察

觀察 pattern 拍照並計算顯影精度。
目鏡尺格數 x 100μm/物鏡倍數 ＝ 實際物體長度
精度尺三角形尖端退縮長度/10 ＝ 顯影精度
此次顯影精度約為 2.5μm。

10. 硬烤

Hot plate 120。C@2min。使光阻硬化防止脫落

b. Lab 3 SiO2 wet etching (dry etching for low stress nitride)

1. 塗底:

用棉花棒沾 AZ 5214 將 wafer 背面以及邊緣塗滿，烤 20 分鐘，避免

蝕刻的時候吃掉不應該吃的地方。

2. BOE preparation

已經有配好的 BOE，不用自己配製，注意 BOE 只能用鐵氟龍裝。

3. Wet BOE etching

將 wafer 丟入裝有 BOE 的鐵氟龍容器中蝕刻二氧化矽 1μm 約需要 14

分鐘，本組蝕刻時間 20 分鐘。用鐵氟龍夾夾起 wafer 丟入備好的 DI
water 中再置入洗手槽內沖 DI water，清洗後用標準清潔清洗表面。

二、實驗結果:
a. Lab2 Lithography (positive resist)
對準記號 顯影精度尺
b. Lab 3 SiO2 wet etching (dry etching for low stress nitride)
 懸臂梁

對準記號 顯影精度尺

三、心得
由於暑假期間就接觸過黃光製成所以在第一次進實驗室時並沒有覺得很
陌生，不過之前都只是單純的製作而已，這次經過老師上完課了解基本
原理後再做實驗又有一種不同的體驗，不同於之前的瞎忙，這次在實驗
的每個步驟中都瞭解到其中的道理以及知識，真正了解到這一項技術的
不容易以及在實驗中會遇到的困難等，相信之後的實驗內容將會越來越
有難度，希望未來的實驗我也能順利完成。