Professional Documents
Culture Documents
Jfet Ve Mosfetler Alan Etkili Transistorler
Jfet Ve Mosfetler Alan Etkili Transistorler
Transistor B (beyz) ucuna uygulanan akıma göre C (kolektör)-E (emiter) uçlan arasından geçen
akımı kontrol eder. Başka bir deyişle transistor çalışabilmek için belli bir IB akımına gerek duyar. İşte bu
nedenle transistörlere akım kontrollü aktif devre elemanı denir.
3- JFET’lerin özellikleri
TV, video, kamera, bilgisayar, kesintisiz güç kaynağı, anten yükselteci, verici, alıcı vb. gibi hassas
yapılı elektronik devrelerde yaygın olarak kullanılan JFET'lerin bazı özellikleri şunlardır:
Giriş empedansları 100 MH dolayında olup çok yüksektir. Transistorun (BJT) giriş empedansı ise
çok düşük olup 2 Ώ dolayındadır.
Radyasyon (ışınım) etkisi yoktur.
Anahtar olarak kullanıldıklarında kontrol edilmeleri kolaydır. Yani D-S uçlan arasından geçen
akım gücük bîr VGG polarma (Ön gerilimleme) voltajıyla denetlenebilir.
Transistorlardan daha az gürültülü (parazitsîz) çalışırlar.
Sıcaklık değişmelerinden daha az etkilenirler.
Gövde boyutları transistorlardan daha küçüktür.
Giriş empedanslarının yüksek, elektrotla arası kapasitenin (sığanın) düşük olması nedeniyle yüksek
frekanslı elektronik devrelerde yaygın olarak kullanılırlar.
Bant genişlikleri (çalışabildikleri frekans aralığı) dardır.
5- JFET’lerin yapısı
P ve N tipi iki yan iletkenin birleşmesinden oluşan JFET'lerin. D, S, G adlı üç ayağı vardır.
Şekil 2'de N ve P kanallı JFET sembolleri verilmiştir. Şekil 3'te ise N kanallı JFET 'in yarı iletken
iç yapısı verilmiştir.
Şekil 3: JFET'lerin yarı iletken iç yapısı
JFET'lerde D-S arasındaki kanal maddesi büyük, kapı (G) maddesi ise küçüktür.
N kanallı JFET ile P kanallı JFET arasında bir fark yoktur. Sadece IP akımının yönü
terstir. Bu bölümde, anlaşılması daha kolay olduğu için N kanallı JFETlerin çalışması
açıklanacaktır.
JFET'in G-S uçları ters polarıldığı için G ucundan hiç akını geçişi olmaz. İşte bu
nedenle JFET'ler gerilim kontrollü eleman olarak tanımlanırlar. Transistörlerin B ucu akım
çektiği için bu elemanlar akım kontrollüdür.
Şekil 4'te verilen devrede ilk anda VGG geriliminin O (sıfır) volt olduğunu varsayalım:
Bu durumda VDD kaynağı RD direnci ve D-S uçlan arasından belli bir akım geçirir.
VGG kaynağının gerilimi O (sıfır) voltken geçen akım JFET'in D-S uçlarının ve RD'nin
direnç değeri tarafından sınırlanır.
Şekil 6'da verilen deney bağlantı şemasında G ucu şaseye bağlıyken (VGG = OV) VDD
kaynağının gerilimi 0 (sıfır) volttan itibaren artırılacak olursa ID akımı da şekil 7'de
görüldüğü gibi artmaya başlar. Akımın doğrusal (lineer) olarak artış gösterdiği A-B noktalan
arasındaki bu kısma "omik bölge" denir.
Sekil 6'da verilen deney bağlantı şemasında VDD kaynağının gerilim değeri artırılarak D-S uçları
arasındaki VDS gerilimi yükseltilecek olursa ID akımı yüksek bir değere çıkar. ID akımının aşırı artması
ise JFET'in bozulmasına yol açar. Şekil 7'deki karakteristik eğrisinde bozulma (breakdown, kırılma)
noktası (C) olarak gösterilen bu değeri JFET'e uygulamamak gerekir.
Şekil 8: JFET'in G ucuna uygulanan gerilim O volttan yüksekken ID akımının ve VDS geriliminin değişiminin
incelenebilmesi için kurulan deney bağlantı şeması
Şekil 9: JFET'in G- S uçlan arasına uygulanan gerilim 1 voltken D-S uçlar; arasına bağlanan VDD kaynağının
gerilim değeri 0 V’tan itibaren artırıldığında ID akımının değeri IDSS değerinin altına iner.
VGG kaynağıyla G ucuna uygulanan ters polarma gerilimi biraz daha artırıldığında (örneğin-
1,5 V yapıldığında) ID akımı şekil 9'da görüldüğü gibi daha da azalır. V GS = -2 V yapıldığında ise ID
akımı 0 A değerine iner.
Sonuç olarak VGG kaynağıyla G ucun; uygulanan ters gerilim -0,5, -l, -1,5, ..., -2 V şeklinde
artırılmaya devam edilirse ID akımı 0 düzeyine doğru iner. ID akımının azalmasının nedeni kanal
bölgesinin elektron ve oyuk yönünden fakirleşmiş bir hâle gelmesindendir. Kanal bölgesinin
fakirleşmiş hâle gelmesini sağlayan etken ise bilindiği gibi G-S uçlar arasının ters polarılmış
olmasıdır.
b- JFET’in transfer (VGS - ID) Karakteristiği
JFET'in transfer karakteristiği, sabit bir VDS gerilimi altında VGS geriliminin değişimine göre ID
akımının değişimini gösterir.
Başka bir deyişle VDS gerilimi sabitken G ucuna uygulanan ters polarma (VGG) gerilimi
artırıldıkça ID akımı şekil l0'da görüldüğü gibi IDSS değerinden 0 mA değerine doğru iner.
Şekil l0’da verilen transfer karakteristiği eğrisinde herhangi bir -VGS gerilimi değerinde ID akımının
değeri,
VGS 2
I D I DSS (1 ) ve ID=K.(VGS-VT)2 şeklindedir.
VP
denklemiyle bulunur.
I D
gm (VDS=Sabit)
VGS
Geçirgenlik, direncin tersi olduğu için birimi (mho, mo) yada Siemens (S) ile ifade edilir.
Örnek: Bir JFETin VGS gerilimi O V'tan-0,6 V'2 kadar değiştiğinde ID akımı l mA'den 0,2 mA'e doğru bir
azalma (değişim) göstermektedir, JFET'in geçirgenliğini (transkondüktansını) bulunuz.
Çözüm
Örnek: Bir JFET'in IDSS akımı 10 mA, VP gerilimi -6 V, VGS gerilimi - 1 V olduğuna göre
JFET'in iletkenliğini (transkondüktansını) bulunuz.
Çözüm:
1.Giriş
JFET'lere göre daha üstün özelliklere sahip olan MOSFET (Metal Oxide
Semiconductor FieldEffect Transistor, metal oksit tabakalı alan etkili transistör)'İerde G ucu
gövdeden tamamen yalıtılmıştır. O nedenle MOSFET'lerin giriş empedansı (Zgrş ) çok yüksek
olup l014 Ώ dolayındadır.
Bant genişliği ve çalışma frekansı JFET'lere oranla daha yüksek olan MOSFET'ler
entegre yapımında ve hassas elektronik devrelerin üretiminde yaygın olarak
kullanılmaktadır.
Hassas yapılı olan MOSFET'lerin G ucundaki ince silisyum (silikon) oksit tabakası
insan bedenindeki statik elektrik yüküyle bile delinebilir. Ü nedenle bu elemanlara el ile
dokunmadan bedendeki durgun (statik) elektrik yükünün boşaltılması gerekir. Ayrıca
MOSFET'lerin lehimlenmesinde düşük güçlü (fazla ısınmayan) ve topraklı havyalar
kullanılmalıdır. Şekil 11 'de azaltan kanallı, şekil 12'de ise çoğaltan kanallı MOSFET sembolleri
verilmiştir.
2. MOSFET ÇEŞİTLERİ
Uygulamada kullanılan MOSFET çeşitleri şunlardır:
a. Azaltan kanallı (depletion tipi, D-MOSFET) MOSFET,
b.Çoğaltan kanallı (enhancement tipi,endüksiyon tipi, E-MOSFET) MOSFET
3. MOSFET’lerin yapısı
a. Azaltan kanallı ? MOSFET'ler
Şekil 13'te yapısı verilen azaltan kanallı MOSFET'te G ucu N tipi kanal
maddesinden silisyum oksit ve silisyum nitrat tabakalarıyla ayrılmıştır.
Azaltan kanallı MOSFET'in G ucuna uygulanan gerilim 0 voltken, D-S uçlarına bir
gerilim uygulandığında N tipi kanaldan belli değerde bir akım (IDSS) geçişi olur.
G ucuna uygulanan ters polarma geriliminin değeri artırıldıkça D-S kanalından geçen
akım (Ip) azalır.
b.Çoğaltan kanallı MOSFET'ler
Şekil 14'te yapısı verilen çoğaltan kanallı MOSFET'te D-S uçları arasında kanal
maddesi yoktur. G ucuna herhangi bir gerilim uygulanmadığında D-S uçları arasından bir
alam geçişi olmaz. G ucunun bağlı olduğu metal parça ile P tipi gövde (substrate) bir
kondansatör özelliği gösterir. Bilindiği gibi iki iletken ve bir yalıtkan "kondansatörü" oluşturur.
D-S uçları arasında biriken (-) yükler doğal (tabî) bir kanal oluşumunu sağlar. Bu sayede
D-S uçlan arasından akım geçişi başlar.
G ucuna uygulanan (+) polariteli gerilimin değeri artırıldıkça D-S uçlan arasında
biriken (-) yükler çoğalır ve geçen akım da artar.
Çoğaltan kanallı MOSFET'in G ucuna gerilim uygulanmadığı zaman. D-S
arasından alanı geçişi olmaz
4.MOSFET karakteristikleri
a.N tipi, azaltan kanallı MOSFET’lerin karakteristikleri
Şekil 16'da N tipi, azaltan kanallı MOSFET'in deney bağlantı şeması verilmiştir.
Bu devre kullanılarak şekil 17'de verilen ID-VDS statik karakteristik eğrisi ve şekil 18'de
verilen transfer karakteristik eğrisi elde edilebilir.
Şekil 16: N tipi, azaltan kanallı MOSFETin devre bağlantı şeması
Şekil 17'dc verilen ID-VDS statik karakteristik eğrisi incelenecek olursa MOSFET in G
ucunun polarma gerilimi negatif (-) ve pozitif (+) polariteli olarak uygulanmıştır. VGS
gerilimi negatif polariteli olarak artırıldıkça D-S uçlan arasından geçen ID akımı azalmaktadır.
Negatif polariteli VGS gerilimi belli bir Vp değerine ulaştığında D-S uçlan arasından geçen ID
akımı O (sıfır) değerine iner. ID akımının O değerine inmesini sağlayan VGS gerilimine kıstırma
(pinch-off) gerilimi (Vp) denir.
Şekil 17'de kesik çizgiyle gösterilen "k" eğrisine kadar her bir eğri V p (pinch-off)
gerilimine ulaşıncaya kadar ID akımı da artar. Bu değerden sonra gerilim artsa bile I akımı sabit
kalır.
Azaltan kanallı MOSFET'lerin D-S uçları arasından geçen akımın herhangi bir VGS
değerindeki miktarını bulmak için kullanılan denklem JFET'lerde olduğu gibi,
2
V
I D I DSS 1 GS şeklindedir. Buna göre azaltan kanallı MOSFET'ler JFET'lerle
VP
aynı biçimde çalışırlar.
Şekil 19: N tipi, çoğaltan kanallı MOSFET'in deney bağlantı şeması
Şekil 19’da N tipi, çoğaltan kanallı MOSFET'in deney bağlantı şeması verilmiştir.
Bu bağlantı şeması kullanılarak şekil 20'de verilen ID-VDS statik karakteristik eğrisi ve şekil 21 'de
verilen transfer karakteristiği eğrisi elde edilebilir.
Sekil 20'de verilen ID-VDS statik karakteristik eğrisi incelenecek olursa MOSFET'in G ucuna
uygulanan VGS polarma gerilimi artırıldıkça D-S uçlan arasından geçen ID akımı artmaktadır.
Çoğaltan kanallı MOSFET'lerde VGS gerilimi şekil 21'de görüldüğü gibi VT eşik gerilim
değerini aşıncaya kadar ID alamı akmaz. Eşik geriliminden büyük (pozitif polariteli) VGS
gerilimlerinde D-S uçları arasından geçen IP akımı artar.
Çoğaltan kanallı MOSFET'lerîn transfer karakteristiğinin denklemi, ID = k.(VGS-VT)2
şeklindedir.
Bu denklemde "k" değeri MOSFET'in yapısı yla ilgili bir değer olup tipik olarak 0,3 mA/V
değerindedir.
VGS = O V durumunda hiç ID akımı geçmeyeceğinden IDSS değeri de olmayacaktır.
Çoğaltan kanallı MOSFET'ler küçük boyutu olduklarından daha çok entegre (tümleşik devre
yonga, çip, chip) yapımında kullanılırlar.
5. MOSFET parametreleri
JFET parametrelerinde açıklanan D-S doyma akımı (IDSS), G-S kıstırma (pinch-off)
gerilimi (Vp), geçiş iletkenliği (gm ),D-S iletim direnci (rds) MOSFET'ler için de geçerlidir.
MOSFET'lerin ID akımını bulmada kullanılan denklemler:
VGS 2
I D I DSS (1 ) ve ID=K.(VGS-VT)2 şeklindedir.
VP
ID akımını,
a. VGS = 0 V
b. VGS = -2 V için hesaplayınız.
Çözüm
a. I D I DSS (1 VGS ) 2 =12.10-3 (1 0 ) 2 =12.10-3 A
VP 3
a. VGS = 3 V
b. VGS = 6 V değeri için hesaplayınız.
Çözüm
a. I D I DSS (1 VGS ) 2 =12.10-3 (1 3 ) 2
VP 6
=3.10-3A =3 mA
a.VGS = 3V,
b. VGS = 5 V değerlerinde ID akımını bulunuz.
Not: k-0,3 mA/V 2 - 0,3.10-3 A/V2 olarak kabul edilecektir
Çözüm:
a) ID =k.. (VGS -VT)2 = 0,3.10-3.(3-3)2 = 0 A
Örnek: Eşik gerilimi VT = 5 V olan N tipi, çoğaltan kanallı MOSFET'in geçiş iletkenliğini,
a..VGS = 6V,
b. VGS = 8 V değerlerine göre hesaplayınız.
Not: k=0,3 mA/V2 - 0,3.10-3 A/V2 olarak kabul edilecektir.
Çözüm
a. gm = 2.k.(VGS-VT)=2.0,3.10-3.(6-5)
=0,6.10- 3 Ώ = 0,6mΏ
b.gm = 2.k.(VGS-VT)=2.0,3. 10-3.(8-5)
=l,8.10- 3 Ώ =l,8m Ώ
Örnek: Azaltan kanallı MOSFET'in I DSS akımı 12 mA, Vp gerilimi -4 V, VGS gerilimi 0 volttur.
Buna göre MOSFET'in geçiş iletkenliği (gm ) değerini bulunuz.
Çözüm
2.I DSS VGS
denklemi azaltan kanallı MOSFET’ler için de geçerlidir.
JFET’lerdeki gm = 1
V P VP
Şekili 22'de N kanallı, şekil 23'te ise P kanallı JFET'in sabit polarma yöntemiyle polarılmasına
(ön gerilimlenmesine) ilişkin devre şemaları verilmiştir.
Yukarıda verilen iki devre şeması yükselteç (amlifikatör) olarak kullanılabilir.
Yükseltilecek sinyal C, kuplaj (bağlaşım) kondansatörü aracılığıyla JFET'in G ucuna
uygulanır. Yükseltilmiş sinyal ise JFET'in D ucuna bağlı C2 kuplaj (bağlaşım) kondansatörü
üzerinden alınır.
İki devrede de S ucu ortak (şase) olarak kullanıldığı için bunlara S (source) ucu şase
(ortak) yükselteç adı verilir.
JFET'li, S ucu şase yükselteçler yapı olarak transistorlu emiteri şase yükselteçlere
benzerler.
S (source) ucu şase yükselteçlerde G-S uçları VGG kaynağıyla ters polarılır. VGG
kaynağı JFET'e polarma gerilimi sağlayarak D ucundaki VD geriliminin VDD geriliminin yarısı
kadar olmasını sağlar. Bilindiği gibi bir yükselteç devresinin düzgün (distorsiyonsuz,
kırpılmamış) çıkış veren bir devre olarak çalışabilmesi için D ucundaki gerilimin VDD geriliminin
yarısı kadar olması gerekir.
S ucu şase yükselteç devresinde G ucu akım: çekmediği için RG direnci üzerinde
gerilim düşümü oluşmaz. Buna göre VGG geriliminin tümü G-S uçlan arasında görülür. Yani,
VGG =VGS ‘dir.
ID akımının bulunmasında kullanılan denklem ise,
VGS 2
I D I DSS (1 ) şeklindedir
VP
Şekil 22 ve 23 'te verilen yükselteç devrelerinde ID akımının RD direnci üzerinde
oluşturduğu gerilim.
VRD = ID .RD denklemiyle hesaplanır.
Çözüm: JFET'in G ucu hiç akını çekmediğinden V kaynağının geriliminin tümü G-S
uçlan arasında düşer. RG direnci üzerinde hiç gerilim düşümü olmaz.
VGS = VGG = -2 V
2
2
a) I D I DSS (1
VGS 2
) = 0,01 .( 1
VP 5
= 0,0036 A = 3,6 mA
Örnek: Aşağıda verilen S ucu şase (ortak) P kanal JFET'li, sabit polarmalı yükselteç
devresinde,
a. ID akımını bulunuz.
b. VDS gerilimini bulunuz,
VGS = VGG = 3 V
2
3
a) ID
V
I DSS (1 GS ) 2 = 0,01 .( 1
VP 6
= 0,0025 A = 2,5 mA
Görüldüğü gibi JFET'in S ucuna bağlanan RS direnci sayesinde G-S uçlarına gelen
gerilimin polaritesinin ters olması sağlanmaktadır.
Şekil 24'teki devrede, çıkış bölümünün denklemi ise şöyle yazılabilir:
VDD = ID RD + VDS + ID . RS
VDD = ID (RD + RS) + VDS
Gerilim bölücü dirençlerle yapılan polarma devresinde, şekil 25'te görüldüğü gibi bir
tek üreteç (VDD) vardır
Şekil 25: Gerilim bölücü dirençli polarma
G ucuna gelen polarma gerilimi RGI ve RG2. gerilim bölücü dirençleri tarafından
belirlenir. Devrede G noktasındaki gerilim şu şekilde bulunur:
Polarma dirençlerinin toplam değeri
RT = RGI + RG2
G noktasındaki gerilim,
VG = IT .RG2
Gerilim bölücü dirençli polarma devresinde çıkış kısmının denklemi Kirşof un gerilim
kanununa göre,
VDD = ID-RD + VD, + ID.RS yada
VDD = ID.(RD +RS) + VDS şeklinde yazılabilir.
Örnek: Aşağıda verilen şekilde Vp = -3,5 V, IDSS = 10 mA (0,01 A), VDS = 9,11 V
olduğuna göre, a.ID b. VGS c. VD değerlerini bulunuz.
Çözüm:
a. Devrede VDS gerilimi belli olduğuna göre dirençler üzerinde düşen toplam
gerilimi bulabiliriz. RD ve RS dirençleri üzerinde düşen gerilim,
VRD +VRS = VDD - VDS =20-9,11 = 10,89 V'tur.
c. VD=VDD.-ID.RD=20-(0,0033.2200)
=20-7,26=12,74 V
2. MOSFET'lerin polarması
a. Sabit polarma
MOSFET'lerin sabit polarması JFET'lerin sabit polarmasında açıklandığı gibidir. Şekil
22 ve şekil 23'e bakınız.
b. Sıfır polarma
Şekil 26'da verilen sıfır polarma devresinde tek kaynaklı besleme yöntemi
kullanılmaktadır. MOSFET'in G ucunun polarma gerilimi RG ve RS dirençleri ile
oluşturulmaktadır. Şöyleki: MOSFET'in G ucu akım çekmediğinden RG direnci üzerinde bir
gerilim düşümü oluşmaz.
Örnek:
Yanda verilen sıfır polarmalı, Sucu şase,azaltan kanalı MOSFET'li y ü k s e l t e ç
devresinde IDSS = 9 mA (0,009 A), VD = - 4 volttur. Devrenin ID akımını ve VD gerilimini bulunuz,
Çözüm
VGS = VG.-VS = 0- 0 = 0 V
VGS 2
I D I DSS (1 ) denkleminde VGS = O V olduğu için ID = IDSS = 0,009 A = 9 mA çıkar.
VP
VD = VD - ID.RD = 15 - (0,009.1200) = 4,2 V
c. Gerilim bölücü dirençli (ideal) polarma
MOSFET'lerin gerilim bölücü dirençli polarması şekil 27'de görüldüğü gibi JFET' de
kilerle aynıdır.
Çözüm
Polarma dirençlerinin toplam değeri,
RGT = RG1 + RG2 = 47 000 000 + 10 000 000 = 57 000 000 Ώ = 57 000 kΏ
Polarma dirençleri üzerinden geçen toplam akım,
V DD 12
I GT 0, 21.10 6 A
RGT 57.000.000
MOSFET'in G ucundaki polarma gerilimi, VG = IGTRG2 = 0,21.10-6 10.10+6 =2,1 V
MOSFET'in G ucundaki gerilim aşağıdaki denklemle de bulunabilir:
V DD 12
VG RG 2 .10.000.000 2,1V
RG1 RG 2 47.000.000 1.000.000
V RS
ID yazılabilir.
RS
ID = 3,9/1300 = 0,003 A = 3 mA bulunur.
ID akımı bulunduğuna göre VRD gerilimini bulabiliriz
VRD=ID.RD = 0,003.1300 = 3,9V
VDD, VRD, VRS değerleri belli olduğuna göre,
VDD= VRD+ VDS + VRS eşitliği kullanılarak VDS değeri bulunabilir.
VDS=VDD-(VRD+VRS) = 12 - (3,9+3,9) = 4,2 V
Ç. JFET deneyleri
Deney 1: JFET’in özelliklerinin incelenmesi
Bu deneyde gerilim kumandalı aktif devre elemanı olan JFET'in elektriksel özellikleri
incelenecektir.
JFET'in G ucuna uygulanan VGS geriliminin değeri O voltken D-S uçları arasından şekil
27'deki karakteristik eğride görüldüğü gibi maksimum değerde ID akımı akar.
Şekil 28: VGS =0 V'ken JFET'in VDS –ID karakteristik eğrisi
VGS=0 voltken JFET'in D-S uçlan arasından geçen akıma IDSS akımı denir.
VDS gerilimi O'dan itibaren artırılırken ID akımı da artar. VDS gerilimi belli bir değere
ulaştığında ID akımının artışı durur. ID akımının durduğu noktadaki VDS gerilimi değerine Vp
(pinch-off gerilimi) denir.
JFET'e uygulanan gerilim bu elemanın dayanabileceği VDSmaks değerinin üzerine
çıkarılacak olursa JFET bozulur. BF245 tipi JFET için VDSmaks değeri ± 30 V'tur.
JFET'in G-S uçları arasına uygulanan ters polarma gerilimi artırıldıkça D-S uçları arasından
geçen akım şekil 29'da verilen karakterstik eğrideki gibi azalır.
Şekil 29: VGS gerilimi artırıldıkça JFET'ten geçen ID akımının azalışına ilişkin karakteristik eğrisi
Deneyde kullanılan BF245 tipi JFET'ir elektriksel özellikleriyle ilgili karakteristik eğrileri
şekil 30'da verildiği gibidir.
Şekil 30: BF245 tipi JFET'in elektriksel karakteristik eğrileri
Şekil 30'da verilen karakteristik eğrilerden yararlanılarak JFET'in çeşitli akım, gerilim
değerleri bulunabilir. Örneğin şekil 31'de verilen devrelerde ID akımını şekil 30-b'ye bakarak
belirleyebiliriz.
Şekil 31: VGG=-1 V ve VGG=0 voltken ID akımının karakterisitik eğriye bakarak belirlenmesi
Şekil 31 de VGG kaynağı -l volt olan devrede VGS=-1 V ve VDS=10 V'tur. Bu durumda
şekil 30-b'deki grafikten ID=4,3 mA bulunur,
Şekil 31'de VGG kaynağı 0 volt olan devrede VGS-0 V ve VDS=10 V'tur, Bu durumda şekil 30-
b'deki grafikten ID=9,7 mA bulunur.
Görüldüğü üzere VGG kaynağının değeri 0 voltken ID akımı 9,7 mA, VGG kaynağının
değeri -l V olduğunda ise ID akımı 4,3 mA olmaktadır. Yani G ucuna uygulanan ters polariteli
gerilim artırıldıkça D-S uçlan arasından geçen ID akımı azalmaktadır.
Şekil 32: JFET'in çıkış karakteristiğini çıkarmak için kullanılan deney bağlantı seması
JFET'in çıkış karakteristiğini (VDS-ID) çıkarmak için şekil 32'de verilen devre kurulduktan
sonra çizelge I'de verilen değerlere göre ID akımı ölçülmelidir.
I akımları ölçüldükten sonra VGS'nin O, -0,5, -l, -2 V değerleri için şekil 33'te verilen çıkış
karakteristiği çizilebilir.
Çıkış karakteristiğinde görülen eğrilere göre BF245 tipi JFET'in,
Vp gerilimi yaklaşık 2 volttur.
VGS= 0 voltken D-S arasından geçen IDSS akımı yaklaşık 6,8 mA'dir.
VGS gerilimi -2 V olduğunda ID akımı 0 A olmaktadır.
VDS (V) VDS (V) VDS (V) VDS (V) VDS (V) VDS (V)
0 0 0 0 -1 0
0,5 0 1,8 0,5 -1 0,9
1 0 4,4 1 -1 1,2
2 0 6 2 -1 1,4
3 0 6,4 3 -1 1,5
4 0 6,5 4 -1 1,6
5 0 6,6 5 -1 1,7
7 0 6,7 7 -1 1,7
10 0 6,8 10 -1 1,7
12 0 6,8 12 -1 1,7
15 0 6,8 15 -1 1,7
0 -0,5 0 0 -2 0
0,5 -0,5 1,4 0,5 -2 0
1 -0,5 2,4 1 -2 0
2 -0,5 3,4 2 -2 0
3 -0,5 3,9 3 -2 0
4 -0,5 4,6 4 -2 0
5 -0,5 4,9 5 -2 0
7 -0,5 5,1 7 -2 0
10 -0,5 5,2 10 -2 0
12 -0,5 5,3 12 -2 0
15 -0,5 5,3 15 -2 0
Çizelge1: JFET’in çıkış karakteristiğini çizebilmek için faklı VDS ve VGS değerlerine
göre bulunan ID akımları.
Şekil 33'e bakarak BF245 tipi JFET'in hangi aralıklarda "gerilim kontrollü direnç" ve
"gerilim kontrollü akım kaynağı" olarak çalıştığıda belirlenebilmektedir.
Çizelge 1' deki değerlere bakarak herhangi bir VDS değerine göre JFET'in transfer karak-
teristiğini de çizebiliriz.
Burada örnek olarak VDS değerini 10 V kabul edip transfer karakteristiğini çizelim,
VDS= 10 V olduğunda,
VGS = 0 V için ID = 6,8 mA,
VGS = -0,5 V için ID = 5,2 mA,
VGS = -1 V için ID = l,7mA,
VGS = -2 V için ID = 0
Transistörlerde olduğu gibi, bir JFET'e giriş sinyali uygulamadan önce onu DC ile
uygun biçimde polarmak (ön gerilimlemek) gerekir.
JFET'lerin G-S uçları arasının mutlaka ters polarılması gerekir. Yani N kanal JFET'in
G ucuna (-), P kanal JFET'in D ucuna ise (+) gerilim uygulanmalıdır.
Şekil 35-a'da tek dirençli sıfır polarma, şekil 35-b'de ise gerilim bölücü dirençli (ideal)
polarma devresi verilmiştir.
Şekil 35: a. Sıfır polarmali, b. Gerilim bölücü dirençli polarmalı JFET devresi
JFET iki adet gerilim bölücü direnç ile DC gerilimle polarıldığında düzgün çalışmanın
gerçekleşebilmesi için,
VGS = VG-VRS ≤ 0 koşulunun gerçekleşmesi gerekir. Bu koşulu sağlamak için VRS ≥
VG olacak biçimde direnç seçilmelidir.
Şekil 35-a'da verilen sabit polarmalı, S ucu ortak JFET'li devrenin ID-VGS transfer
karakteristiği şekil 36'da verildiği gibidir. JFET'in VGS gerilimi RS direnci değiştirilerek
ayarlanmaktadır.
Şekil 35-a'da verilen deney devresinde VDD=20 V olarak uygulandıktan sonra yapılan
ölçümde ID=1,2 mA, VDS=16,2 V olarak belirlenmiştir.
AVOmetre volt kademesine alınarak yapılan ölçümlerde VG = O V, VRS = 1,2 V
olarak saptanmıştır. Buna göre VGS'nin -1,2 V olduğu anlaşılır.
Şekii 37: JFET'in yükselteç olarak kullanılması durumunda yapılan bağlantı 'şekilleri
Yaygın olarak kullanılan devre S ucu ortak bağlantı olduğundan diğer bağlantıların
üzerinde ayrıntılı olarak durulmayacaktır.
Şekil 37-a ve b'de verilen şemalarda R S direncine paralel olarak CS adlı dekuplaj
kondansatörü bağlanırsa AC özellikli sinyaller RS üzerinden değil C S üzerinden geçer. Bu
sayede AC sinyallerin R S üzerinde gerilim düşümü oluşturarak yükseltecin kazancının
düşmesi önlenir
Şekil 38'de verilen S ucu ortak yükselteç devresinin girişine genlik değeri tepeden
tepeye 0,5 V, frekansı 5 kHz olan, sinüsoidal biçimli bir sinyal uygulandığından çıkıştan girişe
göre 180° faz farklı, genlik bakımından daha büyük Vçıkış (t-t) =0,8 V) bir sinyal alınır.
VÇIKIŞIK t) 2
AV 4olur.
VGRŞRŞ. t) 0,5
VÇIKIŞIK t) 3
AV 6.olur
VGRŞRŞ. t) 0,5
G ucu kanal maddesinden yalıtılmış olan MOSFET'lerin çalışma ilkesi JFET'lere çok
benzer.
Azaltan (depletion) kanallı MOSFET'lerde G ucuna uygulanan polarmanın değeri O voltken
D-S arasından belli değerde bir akım geçişi olur.
Çoğaltan (enhancement) kanallı MOSFET'lerde G ucuna uygulanan polarmanın
değeri O voltken D-S arasından akım geçişi olmaz.
Uygulamada tek ve çift kapılı MOSFET'ler kullanılmaktadır. Şekil 39'da çift kapılı,
MOSFET'lerin sembolü verilmiştir.
Çift kapılı MOSFET'ler konverter, kanştincı (mikser) ve AGC (Automatic Gain Control,
OKK, Otomatik Kazanç Kontrol) devrelerinde kullanılır.
Şekil 40: Çift kapılı, N kanallı, azaltan tip MOSFETin polarılma yöntemleri
Şekil 40-a'da verilen azaltan kanallı, S ucu ortak MOSFET'li devreye 12 voltluk besleme
gerilimi uygulandığında VDS = 8,3 V ölçül müştür.
Devrede Rs üzerinde oluşan gerilim G ucunu ters polarmaktadır.
RD direnci l k yapıldığında,
ID akımı 1,555 mA ölçülmüştür. Artış oldukça az (0,01 mA)'dır. (îdeal MOSFET'te
herhangi bir artış olmaz. Çünkü RD'nin VGS gerilimi üzerinde etkisi yoktur.)
VDS = 10,08 V olur. RD'nin küçülmesi sonucu ID'de önemli değişiklik olmayınca VRD
gerilimi RD'nin küçüldüğü oranda küçülür ve dolayısıyla fark D-S arasında görülür.
RD direnci l kΏ yapıldığında,
ID akımı 1,555 mA ölçülmüştür. Artış oldukça az (0,01 mA)'dır. (îdeal MOSFET'te
herhangi bir artış olmaz. Çünkü RD'nin VGS gerilimi üzerinde etkisi yoktur.)
VDS = 10,08 V olur. RD'nin küçülmesi sonucu ID'de önemli değişiklik olmayınca VRD
gerilimi RD'nin küçüldüğü oranda küçülür ve dolayısıyla fark D-S arasında görülür.
Şekil 40-b'de verilen çift kapılı, azaltan kanallı, iki kapısı ayrı ayrı polarılan, S ucu
ortak MOSFET'li devreye 12 voltluk besleme gerilimi uygulandığında,
ID = 2,7 mA,
VDS = 6,5V,
VG2S=3,73V,
VG1S=0,6 V ölçülmüştür.
Bu sonuçlara göre G2 -S arası düz. G1 -S arası ters polarlanmıştır.
RG2 direnci 100 k yapılarak G2-S arasındaki pozitif polarma azaltıldığında, ID = 2,78
mA olarak ölçülmüştür.
RG2 direnci 270 k, RS = 100 yapılarak ID akımı ölçüldüğünde 4,27 mA olarak
ölçülmüştür. Artışa G1-S arasındaki ters polarmanın azalması yol açmıştır.
Çift kapılı MOSFET'in kapılarından birine AC giriş sinyali uygulanır. Diğerine ise DC
polarma yapılır.
Şekil 41'de verilen devrenin AC gerilim kazancı RD ile doğru, RS ile (CS yoksa) ters
orantılıdır. Ayrıca gm (transkondüktans) değerinin de gerilim kazancı üzerinde etkisi vardır.
Şekil 41: Çift kapılı, N kanallı, azaltan tip MOSFETli, S ucu ortak yükselteç devresi
Değerlendirme Soruları:
1- Transistor (BJT) nedir? Açıklayınız.
2- "Akım kontrollü" ve "gerilim kontrollü" eleman kavramlarını açıklayınız.
3- JFET nedir? Yazınız.
4- JFET'in beş özelliğini yazınız.
5- N kanal JFET'in çalışmasını şekil çizerek anlatınız.
6- N kanal JFET'in G ucuna uygulanan negatif polarma geriliminin değeri 0 V'tan itibaren
artırıldığında D-S arasından geçen akım neden azalır? Açıklayınız.
7- JFET'in G ucuna O V uygulandığında D-S uçlan arasından niçin en yüksek değerde bir IDSS akımı
akar? Açıklayınız.
8- JFET'in G ucuna uygulanan ters polariteli VGS geriliminin değeri belli bir seviyeye
ulaştığında ID akımı O A değerine inmektedir. Bunun nedenini açıklayınız.
9. JFET'in D-S uçları arasına uygulanan gerilim elemanın katalog değerlerinin üzerinde bir
seviyeye çıkarılırsa ne olur? Açıklayınız.
10. JFET'in Vp gerilimi -2 V, IDSS akımı 5 mA'dir. a. VGS gerilimi O V'ken ID akımnı, b. VGS gerilimi-2 V'ken ID
akımım hesaplayınız.
11. MOSFET nedir? Tanımlayınız.
12. Azaltan kanallı MOSFET'in çalışmasını şekil çizerek açıklayınız.
13. Çoğaltan kanallı MOSFET'in çalışmasını şekil çizerek açıklayınız.
14. JFET ve MOSFET'lerde sabit polarma, sıfır polarma ve gerilim bölücü dirençli polarma nedir? Basit
şekiller çizerek anlatınız.
15. MOSFET'lerin kullanılmasında dikkat edilmesi gereken hususlardan üçünü yazınız.