Professional Documents
Culture Documents
1. PIERWSZE KROKI . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.1. Komputerowa analiza układów elektronicznych. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.2. Prosty obwód. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.3. Organizacja danych wejściowych. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.4. Podstawowe typy elementów . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.4.1. Opornik. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1. . . . . . . . . . . . . . 6
1.4.2. Kondensator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.4.3. Indukcyjność . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.4.4. Indukcyjności sprze˛ żone . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.4.5. Bezstratna linia długa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.4.6. Niezależne źródła napie˛ cia i pra˛ du . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.4.7. Źródła sterowane napie˛ ciem . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.4.8. Źródła sterowane pra˛ dem . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.5. Wartości elementów . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.6. Uwagi o metodzie analizy obwodu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
1.6.1. Metoda potencjałów we˛ złowych . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
1.6.2. Zmodyfikowana metoda potencjałów we˛ złowych . . . . . . . . . . . . . 15
LITERATURA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 219
INDEKS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 222
Podróże kształca˛. Ale bajki kształca˛ w stopniu znacznie wie˛kszym.
Wszystko to, co mówił Nadmakaron, Wielki Bajarz wymyślił o wiele
wcześniej, a doktor Paj-Chi-Wo opowiadał mi pie˛ćdziesia˛t lat temu.
Jan Brzechwa, „Podróże Pana Kleksa”
1. PIERWSZE KROKI
1
Na koszt wytworzenia pojedynczego układu scalonego składa sie˛ głównie koszt projektu
układu, koszt projektu masek i koszt testowania układu. Koszty użytych materiałów sa˛
znacznie mniejsze.
2 Pierwsze kroki
Przykład:
Rozważmy prosty obwód elektroniczny przedstawiony na Rys. 1. Dane wejściowe dla
programu PSpice, opisuja˛ ce ten obwód maja˛ postać:
PROSTY OBWOD
V1 1 0 10V ;źródło napie
˛cia
R1 1 2 5KOHM ;opornik R1=5k
R2 2 0 10KOHM ;opornik R2=10k
.END ;koniec danych
Tekst, który znajduje sie˛ w pierwszej linii opisu obwodu to tytuł analizy. Zostanie on
umieszczony jako nagłówek w wynikach analizy. Właściwy opis struktury obwodu zaczyna
2
Program PSpice doste˛ pny jest także na komputerach firmy Sun.
Pierwsze kroki 3
******* 07/10/91 ******* Evaluation PSpice (Jan. 1988) ******* 15:26:18 *******
PROSTY OBWOD
*****************************************************************************
******* 07/10/91 ******* Evaluation PSpice (Jan. 1988) ******* 15:26:18 *******
PROSTY OBWOD
*****************************************************************************
3
Poprzedzaja˛ ca kropka jest integralna˛ cze˛ ścia˛ instrukcji końca opisu obwodu.
4 Pierwsze kroki
NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE
( 1) 10.0000 ( 2) 6.6667
V1 -6.667E-04
JOB CONCLUDED
Zbiór danych wyjściowych podzielony jest na sekcje. Każda z nich zaczyna sie˛
nagłówkiem zawieraja˛ cym:
Informacje˛ o wersji użytkowanego programu — Evaluation PSpice (Jan. 1988).
Krótka˛ informacje˛ na temat zawartości sekcji. Np. pierwsza sekcja danych wyjścio-
wych w naszym przykładzie to opis analizowanego obwodu. Sta˛ d angielski tytuł tej
sekcji **** CIRCUIT DESCRIPTION.
Czas ten podawany jest w sekundach. W naszym przypadku czas obliczeń wynosił 0.82[s].
Pierwsze kroki 5
1.4.1. Opornik
Deklaracja opornika w strukturze obwodu:
5
RXXXXXXX n+ n- _war_r [TC=_tc1[,_tc2]]
Przykłady:
R1 23 4 500
RW2 2 3 1K TC=0.001,0.015
Nazwa opornika zawiera do ośmiu liter i zaczyna sie˛ od litery „R”. Parametry n+ i n-
oznaczaja˛ numery we˛ złów, mie˛ dzy które wpie˛ ty jest opornik. Spadek napie˛ cia na oporniku
obliczany jest jako różnica potencjałów mie˛ dzy we˛ złem n+ i we˛ złem n-. Pole _war_r zawiera
wartość opornika wyrażona˛ w omach. Ze wzgle˛ du na zastosowana˛ metode˛ analizy obwodu
(strona 11) wartość oporności może być dodatnia lub ujemna, ale nie może być równa zeru.
Opcjonalne parametry _tc1 i _tc2, których wartość podawana jest po słowie kluczowym TC=,
służa˛ do opisu zmian wartości oporności wraz z temperatura˛ :
(1)
Wielkość TNOM oznacza we wzorze (1) temperature˛ nominalna˛ , dla której podano wartość
oporności _war_r. Program PSpice przyjmuje, że TNOM≈27°C (300K). Sposób zmiany
wartości temperatury TNOM opisany został na stronie 135.
1.4.2. Kondensator
Deklaracja kondensatora w strukturze obwodu:
CXXXXXXX n+ n- _wartość_c [IC=_napie˛ cie]
Przykłady:
CBYP 13 1 1UF
COSC 17 23 10NF IC=5V
4
Modele wbudowane w program PSpice opisane zostały w rozdziale 6.
5
Elementy deklaracji lub instrukcji, które nie musza˛ w niej wyste˛ pować ujmowane sa˛ w
nawiasy kwadratowe [ ].
Pierwsze kroki 7
Nazwa kondensatora zaczyna sie˛ od litery „C”. Pola n+, n- oznaczaja˛ numery we˛ złów,
w które w pie˛ to odpowiednio dodatni i ujemny biegun kondensatora. Parametr _wartość_c
to wartość pojemności kondensatora wyrażona w faradach. W polu _napie˛ cie po słowie
kluczowym IC= można podać wartość napie˛ cia na kondensatorze w chwili, gdy rozpoczyna
sie˛ analiza stanu nieustalonego w obwodzie. Parametr ten ma sens tylko wtedy, gdy w
instrukcji analizy stanu nieustalonego (strona 72) użyto opcji UIC.
1.4.3. Indukcyjność
Deklaracja indukcyjności w strukturze obwodu:
LXXXXXXX n+ n- _wartość_l [IC=_pra˛ d]
Przykłady:
L2F1 2 31 1UH
LBIAS 3 5 10U IC=5MA
Nazwa indukcyjności zaczyna sie˛ od litery „L”. W polu n+ i n- umieszcza sie˛ numer
we˛ zła, do którego doła˛ czono odpowiednio dodatni i ujemny biegun indukcyjności. Spadek
napie˛ cia na indukcyjności to różnica potencjałów mie˛ dzy dodatnim i ujemnym biegunem.
Parametr _wartość_l to wartość indukcyjności wyrażona w henrach. Parametr _pra˛ d,
podawany po słowie kluczowym IC=, oznacza wartość pra˛ du płyna˛ cego przez indukcyjność
w chwili gdy rozpoczyna sie˛ analiza stanu nieustalonego w obwodzie. Parametr ten ma sens
tylko wtedy, gdy w instrukcji analizy stanu nieustalonego (strona 72) użyto opcji UIC.
(2)
Dopuszczalne jest także podanie, w polu _cze˛ st, dowolnej wartości cze˛ stotliwości. Wtedy w
polu _dług, po słowie kluczowym NL= należy podać długość linii. Jednostka˛ powinna być
długość fali rozchodza˛ cej sie˛ w linii dla cze˛ stotliwości podanej po słowie F=. Czas przelotu
TD wyraża sie˛ wówczas wzorem:
(3)
Po słowie kluczowym IC= można podać w polach _v1,_i1 i _v2,_i2 napie˛ cie i pra˛ d
odpowiednio na wejściu i wyjściu linii w chwili rozpocze˛ cia analizy stanu nieustalonego.
Parametry te maja˛ sens tylko wtedy, gdy instrukcja analizy stanów nieustalonych zawiera
opcje˛ UIC (strona 72).
6
W stosunku do czasów charakterystycznych dla reszty obwodu.
7
Wyrażona˛ w hertzach.
Pierwsze kroki 9
MEG, dla odróżnienia od przyrostka M oznaczaja˛ cego 10-3. W ten sposób liczba
0.023 może zostać zapisana na wiele różnych sposobów np.:
23M ; 23000U ; 2.3E5K
Ze wzgle˛ du na czytelność danych najbardziej preferowana jest ostatnia forma zapisywania
wartości liczbowych. Poza wymienionymi ignorowane sa˛ wszelkie litery. Dzie˛ ki temu war-
tości liczbowe można uzupełnić o skróty nazw odpowiednich jednostek fizycznych (patrz
wcześniejsze przykłady).
Wykonanie ostatniego kroku jest możliwe tylko wtedy, gdy graf analizowanego obwodu
jest spójny. Sta˛ d program PSpice narzuca ograniczenie:
dla każdego we˛ zła obwodu musi istnieć stałopra˛ dowa ścieżka, która ła˛ czy dany
we˛ zeł z we˛ złem masy (patrz strona 5).
Stosuja˛ c metode˛ potencjałów we˛ złowych do obwodu o w we˛ złach otrzymuje sie˛ układ w-1
równań liniowych z w-1 niewiadomymi, którymi sa˛ potencjały we˛ złowe obwodu. Rozwia˛ zanie
tego układu znajduje sie˛ zwykle jedna˛ ze standardowych metod. W przypadku programu
PSpice jest to rozkład LU [28].
Przykład:
Rozważmy obwód przdstawiony na Rys. 2. Jeden z we˛ złów tego obwodu został wyróż-
niony jako we˛ zeł masy. Pozostałe dwa otrzymały numery 1 i 2. W pierwszym kroku zapisuje-
my równania pierwszego prawa Kirchoffa odpowiednio dla we˛ zła 1 i we˛ zła 2.
(4)
(5)
(6)
(7)
Lub krótko:
(8)
Macierz kwadratowa Y wyste˛ puja˛ ca po lewej stronie równania (8) nazywana jest macierza˛
admitancyjna˛ układu. Wektor kolumnowy V złożony jest z potencjałów kolejnych we˛ złów
obwodu. Wektor kolumnowy J wyste˛ puja˛ cy po prawej stronie równania (7) nazywany jest
wektorem wymuszeń. Macierz admitancyjna obwodu oraz wektor wymuszeń sa˛ tworzone
przez program PSpice w trakcie przetwarzania opisu obwodu.
Algorytm tworzenia macierzy admitancyjnej Y obwodu:
Pierwsze kroki 13
8
Każdy obwód można przekształcić w ten sposób aby zawierał tylko źródła pra˛ du
sterowane napie˛ ciem. Metoda ta nie jest jednak wykorzystywana przez program PSpice.
9
SEM poła˛ czona szeregowo z opornikiem może zostać przekształcona na podstawie
twierdzenia Norton-a na SPM poła˛ czona˛ równolegle z opornikiem [17]. Dlatego obwody
zawieraja˛ ce takie poła˛ czenia moga˛ być analizowane metoda˛ potencjałów we˛ złowych.
Pierwsze kroki 15
Przykład:
Rozważmy obwód przedstawiony na Rys. 6. Zawiera on w swojej strukturze SEM oraz
źródło napie˛ cia sterowane napie˛ ciem. Równania pierwszego prawa Kirchoffa zapisane dla
kolejnych we˛ złów obwodu przyjmuja˛ postać:
(9)
(10)
(11)
W ten sposób otrzymujemy trzy równania z pie˛ cioma niewiadomymi. Dodatkowe zmienne
to pra˛ d płyna˛ cy przez niezależne źródło napie˛ cia I5 oraz pra˛ d płyna˛ cy przez źródło sterowane
I7. Układ równań (11) uzupełniamy o równania opisuja˛ ce niezależne źródło napie˛ cia oraz
źródło sterowane. Napie˛ cia zostały już zasta˛ pione różnicami potencjałów we˛ złowych.
16 Pierwsze kroki
(12)
Równania (11) i (12) opisuja˛ w pełni stan układu. Ich postać macierzowa jest naste˛ puja˛ ca:
(13)
Lub krótko:
Rys.7. Sposób w jaki zmodyfikowana metoda potencjałów we˛ złowych uwzgle˛ dnia w
równaniach obwodu elementy niedopuszczalne w przypadku metody oryginalnej.
2. ANALIZA STAŁOPRA
˛ DOWA
W poprzednim rozdziale opisany został format danych wejściowych dla programu PSpice.
Struktura obwodu określona jest przez deklaracje˛ podstawowych elementów elektronicznych.
Wymienione zostały ograniczenia, jakie program PSpice narzuca na strukture˛ analizowanego
obwodu. Wyjaśniono także ich przyczyny. Teraz należy przedstawić możliwości analizy
obwodu jakie oferuje program PSpice.
1
Z wyja˛tkiem obwodów patologicznych takich jak np. równolegle poła˛czone dwie idealne
siły pra˛domotoryczne, każda o innej wartości.
20 Analiza stałopra˛dowa
Przykład:
Instrukcja .DC posłużyć może dla obliczenia charakterystyki statycznej tranzystora
MOS.Dla tego typu elementu istnieje w programie PSpice wbudowany model matematyczny.
W celu wykonania obliczeń tworzymy zbiór wejściowy pokazany poniżej.
2
Model matematyczny tranzystora MOS wbudowany w program PSpice, znaleźć można
w rozdziale 6.
22 Analiza stałopra˛ dowa
3
SPICE2 - pierwowzór programu PSpice przeznaczony był głównie do analizy układów
scalonych.
4
Program PSpice posiada mechanizmy pozwalaja˛ ce na modyfikacje˛ parametrów, które
zmieniaja˛ sie˛ wraz z wymiarami geometrycznymi przyrza˛ du.
5
Wie˛ cej informacji na temat programu Probe czytelnik znajdzie w dodatkach C i D.
Analiza stałopra˛ dowa 23
Rys.9. Zależność pra˛ du drenu od napie˛ cia dren-źródło w tranzystorze MOS. Parametrem
rodziny krzywych jest napie˛ cie bramka-źródło.
układu elektronicznego jest zwykle trudnym problemem numerycznym. Zdaża sie˛ , że
obliczenia wykonywane przez program PSpice według algorytmu Newton–a Raphson–a
[5],[28],[30] sa˛ niezbieżne. Dzieje sie˛ tak, wtedy gdy pocza˛ tkowe wartości uogólnionych
potencjałów we˛ złowych opisuja˛ cych układ sa˛ zbyt dalekie od właściwego rozwia˛ zania [5].
Przykład:
Dany jest układ bramki TTL (negator) przedstawiony na Rys. 10. Wejście bramki stero-
wane jest przez źródło V2 o wartości 1.58[V]. Należy obliczyć wszystkie potencjały we˛ złowe
w tym układzie.
Dane dla programu PSpice przedstawione sa˛ poniżej. Zwróćmy uwage˛ , że:
Linia deklaracji tranzystora bipolarnego zaczyna sie˛ od jego nazwy. Nazwa tranzystora
zaczyna sie˛ na litere˛ „Q”. Dalej podane sa˛ numery we˛ złów, do których doła˛ czone sa˛
odpowiednio: kolektor, baza i emiter tranzystora. Na końcu linii znajduje sie˛ nazwa
modelu tranzystora.
Model tranzystora bipolarnego zdefiniowany jest za pomoca˛ poznanej już wcześniej
deklaracji .MODEL. Nazwa modelu to TR natomiast typ NPN. Oznacza to tranzystor
bipolarny typu n–p–n. W linii deklaracji tranzystora wyszczególnione sa˛ parametry
modelu. W naszym wypadku jedynym parametrem, którego wartość zadeklarowano
24 Analiza stałopra˛ dowa
BRAMKA TTL
.OPTIONS NOPAGE ;dane wyjściowe bez podziału na strony
.MODEL TR NPN BF=100 ;deklaracja modelu mat. tranzystora bipolarnego o wzmocnieniu
pra
˛dowym =100
.MODEL DIO D ;deklaracja modelu diody - parametry domyślne
V1 3 0 5V ;źródło zasilania
V2 10 0 1.58V ;źródło steruja ˛ce
RW 1 10 100 ;oporność źródła steruja
˛cego
*******************
* oporniki bramki *
*******************
R1 3 9 4K
R2 3 4 1.6K
R3 5 0 1K
R4 3 6 100
**********************
* tranzystory bramki *
**********************
Q1 2 9 1 TR
Q2 4 2 5 TR
Q3 6 4 7 TR
Q4 8 5 0 TR
****************
6
Dokładne omówienie modelu diody półprzewodnikowej wbudowanego w program PSpice
znajduje sie˛ w rozdziale 6.
7
Pełna lista opcji instrukcji .OPTIONS znajduje sie w dodatku A.
Analiza stałopra˛ dowa 25
* diody bramki *
****************
D1 7 8 DIO
D2 0 1 DIO
.OP ;oblicz punkt pracy
.END ;koniec danych
Po uruchomieniu programu PSpice okazuje sie˛ jednak, że symulator nie jest w stanie
obliczyć statycznego punktu pracy układu. W zbiorze wyjściowym znajdujemy informacje˛ ,
że obliczenia zostały przerwane z powodu braku zbieżności.
Funkcja f(x) jest nieliniowa. Oznacza to, że jej wykres może wygla˛ dać tak jak na Rys. 11.
W programie PSpice do rozwia˛ zywania równań w rodzaju (15) zastosowano algorytm
Newtona–a Raphson–a. Jest to algorytm iteracyjny. Załóżmy, że znamy przybliżona˛ wartość
rozwia˛ zania równania (15). Oznaczmy ja˛ przez x0. Rozwia˛ zanie dokładne oznaczmy natomiast
przez x*. Aby znaleźć wartość x1 bardziej zbliżona˛ do rozwia˛ zania dokładnego rozwińmy
funkcje˛ f(x) w szereg Taylor–a wokół punktu x0 i podstawmy do równania (15):
(16)
Jeżeli odrzucimy wszystkie wyrazy rozwinie˛ cia rze˛ du wyższego niż 1 otrzymamy równanie
przybliżone:
26 Analiza stałopra˛ dowa
(17)
Sta˛ d:
(18)
Aby otrzymać lepsze przybliżenie niż x1 stosujemy opisana˛ procedure˛ , lecz tym razem w
stosunku do przybliżenia x1. Poste˛ pujemy w ten sposób tak długo aż uzyskane przybliżenie
jest wystarczaja˛ co dokładne8. W ten sposób otrzymujemy formułe˛ rekurencyjna˛ pozwalaja˛ ca˛
na rozwia˛ zanie równania (15) z dowolna˛ dokładnościa˛ :
(19)
Rozwinie˛ cie funkcji f(x) w szereg Taylora wokół punktu x0 i odrzucenie wyrazów rze˛ du
wyższego niż 1 można interpretować w sposób naste˛ puja˛ cy:
Funkcje˛ f(x) zaste˛ pujemy funkcja˛ liniowa˛ w(x):
(20)
Funkcja w(x) przyjmuje w punkcie x0 te˛ sama˛ wartość co funkcja f(x), a jednocześnie
pochodna funkcji w(x) w punkcie x0 posiada te˛ sama˛ wartość co pochodna funkcji
f(x):
(21)
Przybliżone rozwia˛ zanie x1 równania (15) jest dokładnym rozwia˛ zaniem równania:
(22)
Na Rys. 12 widać, że dla przykładowej funkcji f(x) i wartości x0 zbliżonej do x*=0
wartość x1 jest bliższa rozwia˛ zania dokładnego niż x0. Jeżeli jednak wartość pocza˛ tkowa
rozwia˛ zania x0 jest bardziej odległa niż to pokazano na Rys. 12 to przybliżone rozwia˛ zanie
x1 może być gorsze niż x0. Ilustruje to Rys. 13. W tym przypadku każdy kolejny krok iteracji
oddala nas od rozwia˛ zania. Mówimy, że obliczenia sa˛ niezbieżne.
8
Osobnym problemem jest ścisłe określenie co to znaczy "wystarczaja˛ co dokładne
przybliżenie".
Analiza stałopra˛ dowa 27
2.3.2. Deklaracja
.NODESET
W rozważanym przykładzie
aby uzyskać zbieżność obliczeń
można użyć deklaracji .NODE-
SET (ang. node — we˛ zeł; set
— ustal), która pozwala na
rozpocze˛ cie iteracji od wartości
bliskich właściwemu punktowi
pracy układu. Składnia dekla-
racji .NODESET jest naste˛ pu-
Rys.13. Algorytm Newton-a Raphson-a znajdowania
ja˛ ca: miejsca zerowego funkcji jest niezbieżny.
we˛ złowych układu. Podczas tych obliczeń potencjały w we˛ złach o numerach numer_w1,
numer_w2, maja˛ wartość stała˛ i sa˛ równe wartościom podanym w polach _wartość1,
_wartość2, . Naste˛ pnie rozpoczyna sie˛ obliczanie ostatecznych wartości potencjałów
we˛ złowych. Punktem wyjścia do iteracji sa˛ obliczone wcześniej „wste˛ pne” wartości
potencjałów we˛ złowych. Instrukcja .NODESET jest zwykle wykorzystywana w celu:
Uzyskania zbieżności obliczeń podczas obliczania statycznego punktu pracy układu.
Wybrania do dalszych obliczeń jednego ze stanów stabilnych podczas analizy układu
bistabilnego.
W naszym przypadku, dla osia˛ gnie˛ cia zbieżności obliczeń, należy zbiór danych
wejściowych uzupełnić o naste˛ puja˛ ca˛ linie˛ :
.NODESET V(2)=1.6 V(4)=0.87 V(5)=0.81
Zbiór danych wyjściowych tworzony przez program PSpice po zakończeniu obliczeń
przedstawiony jest poniżej.
******* 09/28/92 ******* Evaluation PSpice (Jan. 1988) ******* 14:19:03 *******
BRAMKA TTL
**** CIRCUIT DESCRIPTION
*****************************************************************************
DIO
IS 10.000000E-15
TR
NPN
IS 100.000000E-18
BF 100
NF 1
BR 1
NR 1
Analiza stałopra˛ dowa 29
V1 -3.237E-03
V2 2.745E-04
**** DIODES
NAME D1 D2
MODEL DIO DIO
ID 1.42E-08 -1.62E-12
VD 3.66E-01 -1.61E+00
REQ 1.83E+06 1.00E+12
CAP 0.00E+00 0.00E+00
NAME Q1 Q2 Q3 Q4
MODEL TR TR TR TR
IB 6.55E-04 3.81E-04 1.36E-10 2.15E-03
IC -3.81E-04 2.58E-03 1.40E-08 1.42E-08
VBE 7.72E-01 8.05E-01 4.85E-01 8.11E-01
VBC 7.63E-01 7.47E-01 -4.13E+00 7.94E-01
VCE 8.90E-03 5.80E-02 4.62E+00 1.79E-02
BETADC -5.81E-01 6.78E+00 1.03E+02 6.59E-06
GM 1.03E-02 1.13E-01 5.42E-07 8.15E-02
RPI 2.84E+03 7.89E+02 1.84E+08 6.13E+02
RX 0.00E+00 0.00E+00 0.00E+00 0.00E+00
RO 4.00E+01 7.43E+01 1.00E+12 1.23E+01
CBE 0.00E+00 0.00E+00 0.00E+00 0.00E+00
CBC 0.00E+00 0.00E+00 0.00E+00 0.00E+00
CBX 0.00E+00 0.00E+00 0.00E+00 0.00E+00
CJS 0.00E+00 0.00E+00 0.00E+00 0.00E+00
BETAAC 2.91E+01 8.94E+01 1.00E+02 5.00E+01
FT 1.63E+17 1.80E+18 8.63E+12 1.30E+18
JOB CONCLUDED
Rys.15. Obliczanie statycznego punktu pracy bramki TTL. Wygla˛ d ekranu monitora
komputerowego.
(23)
(24)
Analiza stałopra˛ dowa 33
Przykład:
Obliczyć wzmocnienie napie˛ ciowe układu wzmacniacza różnicowego z Rys. 16.
Wielkościa˛ wejściowa˛ (steruja˛ ca˛ ) niech be˛ dzie wartość napie˛ cia źródła VIN, natomiast
wielkościa˛ wyjściowa˛ napie˛ cie pomie˛ dzy we˛ złami o numerze 2 i 5. Należy przyja˛ ć, że tran-
zystory powstały w jednym procesie technologicznym.
Poszukiwane wzmocnienie napie˛ ciowe to transmitancja od wymuszenia VIN do napie˛ cia
V(5,2). Aby je obliczyć można posłużyć sie˛ instrukcja˛ .TF. Dane dla programu PSpice
przedstawione sa˛ poniżej.
WZMACNIACZ ROZNICOWY
.MODEL TRANZYSTOR NPN BF=100 ;model mat. tranzystora npn
VCC 1 0 5V ;źródło dodatniego napie˛cia zasilania
VEE 0 6 5V ;źródło ujemnego napie˛cia zasilania
VIN 3 0 ;źródło steruja˛ce
RE 4 6 2.2K ;oporność emiterowa
R1 1 2 2.2K ;oporność kolektorowa
R2 1 5 2.2K ;oporność kolektorowa
Q1 2 3 4 TRANZYSTOR ;para tranzystorów
Q2 5 0 4 TRANZYSTOR
.TF V(5,2) VIN ;oblicz transmitancje
˛
.END ;koniec danych
Program PSpice oblicza statyczny punkt pracy układu, a naste˛ pnie ża˛ dana˛ transmitancje˛ .
W zbiorze wyjściowym znajdujemy kolejno: opis obwodu, parametry modelu tranzystora,
informacje o statycznym punkcie pracy układu i na koniec potrzebna˛ transmitancje˛ .
Interesuja˛ cy nas fragment tego zbioru pokazany jest poniżej.
V(5,2)/VIN = 8.091E+01
INPUT RESISTANCE AT VIN = 5.405E+03 <-- Oporność układu widziana z zacisków źródła VIN
Obliczone przez program PSpice wzmocnienie napie˛ ciowe układu wynosi 80.91[V/V].
Oprócz tego obliczona została:
Oporność (dynamiczna) układu widziana z zacisków źródła VIN — 5.405kΩ:
Oporność wyjściowa układu widziana z zacisków (we˛ złów) 2 i 5 — 4.4kΩ.
Rys.17. Wzmacniacz różnicowy. a)Napie˛ cie wyjściowe V(5,2) w funkcji napie˛ cia
steruja˛ cego VIN. b)Wzmocnienie napie˛ ciowe w funkcji wysterowania VIN.
przykładzie. Zmienna˛ niezależna˛ niech be˛ dzie wartość siły elektromotorycznej VIN, natomiast
wyjście niech stanowi różnica potencjałów mie˛ dzy we˛ złami 5 i 2 — V(5,2). W zbiorze
danych wejściowych, po opisie struktury wzmacniacza, umieszczamy instrukcje˛ obliczania
charakterystyk stałopra˛ dowych:
.DC VIN -100mV 100mV 1mV
Obliczona charakterystyka przekazana zostanie do programu Probe za pomoca˛ instrukcji
.PROBE:
.PROBE V(5,2)
Za pomoca˛ programu Probe wykreślamy zależność napie˛ cia V(5,2) od wartości napie˛ cia
wymuszaja˛ cego VIN Rys. 17a. Można też wyświetlić pochodna˛ napie˛ cia V(5,2) wzgle˛ dem
VIN jako funkcje˛ wartości wymuszenia VIN9. Wartość tej pochodnej dla VIN=0[V] to
poszukiwane wzmocnienie (transmitancja) układu — Rys. 17b.
9
Wzmacniacz różnicowy jest nieliniowym układem elektronicznym, w zia˛ zku z tym jego
wzmocnienie jest funkcja˛ poziomu wysterowania - VIN.
36 Analiza stałopra˛ dowa
2.5. Wrażliwości
Obok charakterystyk i transmitancji program PSpice może posłużyć także do obliczania
wrażliwości dla obwodów pra˛ du stałego. Obliczane sa˛ dwa typy wrażliwości.
Wrażliwości bezwzgle˛ dne. Wrażliwościa˛ bezwzgle˛ dna˛ wielkości Y(x,z) na zmiany
parametru x, przy ustalonej wartości parametru z nazywamy pochodna˛ cza˛ stkowa˛
Y(x,z) wzgle˛ dem x.
(25)
(26)
Dane wyjściowe zawieraja˛ wrażliwości półwzgle˛ dne mnożone przez czynnik 0.01. Ułatwia
to posługiwanie sie˛ tolerancjami parametrów układu wyrażonymi w procentach.
Na Rys. 18 przedstawiona jest drabinka oporowa, która stanowi podstawowa˛ cze˛ ść 8
bitowego przetwornika cyfrowo–analogowego (C/A). Dwupołożeniowe klucze sterowane sa˛
przez kolejne bity przetwarzanej liczby. Jeżeli cyfra binarna równa jest 0, odpowiedni klucz
jest zwarty do masy. Jeśli cyfra binarna równa jest 1, odpowiedni klucz zwarty jest do źródła
zasilania. Można wykazać, że napie˛ cie na wyjściu układu (mie˛ dzy we˛ złem oznaczonym na
rysunku WY, a masa˛ ) wyraża sie˛ naste˛ puja˛ cym wzorem:
(27)
(28)
Współczynniki a1–a8 sa˛ uzależnione tylko od wartości oporności R1–R16. Wartości napie˛ ć
V1–V8 zależa˛ natomiast od stanu poszczególnych kluczy (przetwarzanej liczby). Załóżmy,
że tolerancje oporności δRi sa˛ niewielkie:
(29)
gdzie:
δRi tolerancja opornika Ri;
∆Ri bezwzgle˛ dna wartość odchyłki oporności od wartości nominalnej;
Ri wartość nominalna oporności.
Jeżeli rozwina˛ ć zależność Uwy w szereg Taylor–a wokół wartości nominalnych oporności i
odrzucić wyrazy rze˛ du wyższego niż 1 (zakładamy małe tolerancje) to bła˛ d napie˛ cia ∆Uwy
można wyrazić w sposób naste˛ puja˛ cy:
(30)
Moduł prawej strony powyższego równania powinien być nie wie˛ kszy od dopuszczalnego
błe˛ du przetwarzania ∆Uwy. Prowadzi to do nierówności:
(31)
Aby nierówność powyższa zachodziła dla każdej wartości napie˛ cia wyjściowego to wystarczy
aby spełniona była nierówność:
(32)
Jeżeli przyjmiemy, że wpływ każdego z szesnastu oporników drabinki na bła˛ d przetwarzania
powinien być ten sam to wzór na tolerancje˛ poszczególnych oporników jest naste˛ puja˛ cy:
(33)
Pozostaje problem obliczenia, dla każdego opornika osobno, maksymalnej wartości modułu
wrażliwości napie˛ cia wyjściowego wzgle˛ dem jego oporności. Do tego celu można
Analiza stałopra˛ dowa 39
wykorzystać program PSpice. Zgodnie ze wzorem (28) odpowiednie wrażliwości wyrażaja˛ sie˛
wzorem:
(34)
Składnik o numerze i sumy wyste˛ puja˛ cej po prawej stronie powyższego wzoru jest równy:
Zero, jeśli wartość siły elektromotorycznej Vi=0[V].
Wrażliwości napie˛ cia wyjściowego na zmiany oporności Rk dla Vi=9[V]; Vj=0[V]
przy j≠i.
Wynika sta˛ d, że za pomoca˛ programu PSpice należy obliczyć wrażliwości napie˛ cia
wyjściowego na zmiany wszystkich oporników w naste˛ puja˛ cych ośmiu przypadkach:
V1=9[V],V2=0[V],V3=0[V],V4=0[V],V5=0[V],V6=0[V],V7=0[V],V8=0[V].
V1=0[V],V2=9[V],V3=0[V],V4=0[V],V5=0[V],V6=0[V],V7=0[V],V8=0[V].
V1=0[V],V2=0[V],V3=9[V],V4=0[V],V5=0[V],V6=0[V],V7=0[V],V8=0[V].
V1=0[V],V2=0[V],V3=0[V],V4=9[V],V5=0[V],V6=0[V],V7=0[V],V8=0[V].
V1=0[V],V2=0[V],V3=0[V],V4=0[V],V5=9[V],V6=0[V],V7=0[V],V8=0[V].
V1=0[V],V2=0[V],V3=0[V],V4=0[V],V5=0[V],V6=9[V],V7=0[V],V8=0[V].
V1=0[V],V2=0[V],V3=0[V],V4=0[V],V5=0[V],V6=0[V],V7=9[V],V8=0[V].
V1=0[V],V2=0[V],V3=0[V],V4=0[V],V5=0[V],V6=0[V],V7=0[V],V8=9[V].
Naste˛ pnie dla każdego opornika należy rozważyć wszystkie możliwe kombinacje wartości sił
elektromotorycznych Vi i wybrać te˛ która daje najwie˛ ksza˛ wartość modułu wrażliwości.
Ponieważ dana SEM może mieć tylko wartość 0[V] (brak składnika sumy we wzorze (34))
lub 9[V] (składnik jest uwzgle˛ dniany) to wystarczy zsumować:
wrażliwości o znaku dodatnim;
wrażliwości o znaku ujemnym.
Z utworzonych w ten sposób sum wybieramy te˛ , której wartość bezwzgle˛ dna jest wie˛ ksza.
Wartość bezwzgle˛ dna wybranej sumy to maksymalny moduł wrażliwości napie˛ cia
wyjściowego na zmiany danego opornika.
Poniżej przedstawione sa˛ przykładowe dane dla programu PSpice. Siła elektromotoryczna
V1 przyjmuje wartość 9V natomiast wszystkie pozostałe SEM sa˛ równe zeru. Jedyna˛
instrukcja˛ dla programu PSpice jest instrukcja .SENS polecaja˛ ca obliczenie wrażliwości
potencjału we˛ złowego V(9) na zmiany parametrów wszystkich elementów w obwodzie.
40 Analiza stałopra˛ dowa
PRZETWORNIK C/A
1
V1 1 0 9V
V2 2 0
V3 3 0
V4 4 0
V5 5 0
V6 6 0
V7 7 0
V8 8 0
R1 9 0 20K
R2 9 1 20K
R3 10 2 20K
R4 11 3 20K
R5 12 4 20K
R6 13 5 20K
R7 14 6 20K
R8 15 7 20K
R9 16 8 10K
R10 9 10 10K Rys.19. Drabinka oporników ośmiobitowego przetwornika C/A. Obwód
R11 10 11 10K
R12 11 12 10K analizowany za pomoca˛ programu PSpice.
R13 12 13 10K
R14 13 14 10K
R15 14 15 10K
R16 15 16 10K
.SENS V(9)
.END
10
Wartość dopuszczanego przez nas błe˛ du można oczywiście obliczyć "re˛ cznie". Wynosi
ona 1/3 Uref 2-7=23.4375[mV].
Analiza stałopra˛ dowa 41
Tablica II Wrażliwości drabinki oporowej przetwornika C/A obliczone przez program PSpice.
C/A warto sprawdzić poprawność projektu. Bliższa analiza danych dotycza˛ cych wrażliwości
i tolerancji oporników11 wskazuje, że maksymalny bła˛ d napie˛ cia wyjściowego wywołany
niedokładnościa˛ wykonania oporników wyste˛ puje podczas przetwarzania liczby 169.
Odpowiada to sytuacji, w której klucze K1, K3, K5, K8 sa˛ zwarte do źródła napie˛ cia
odniesienia Vref natomiast pozostałe klucze zwarte sa˛ do masy. Dla takiej kombinacji kluczy
wykonamy, za pomoca˛ programu PSpice, analize˛ Monte Carlo. Be˛ dzie ona polegała na tym,
że program PSpice wylosuje automatycznie wartości oporników, tak by mieściły sie˛ w
podanym zakresie tolerancji. Naste˛ pnie dokonana zostanie analiza układu. W zbiorze
wyjściowym znajdzie sie˛ wartość odchylenia napie˛ cia wyjściowego od wartości nominalnej.
Losowanie wartości elementów powtarzane jest przez program PSpice zadana˛ liczbe˛ razy12.
Analiza Monte Carlo zlecana jest programowi PSpice za pomoca˛ naste˛ puja˛ cej instrukcji.
.MC _liczba _rodzaj_analizy _wyjście [YMAX] [LIST] [OUTPUT _typ]
Przykłady:
.MC 50 DC IC(Q7) YMAX LIST
.MC 100 AC V(5) OUTPUT EVERY 10
.MC 10 TRAN V(5) YMAX
11
Napisany został program w C, który na podstawie obliczonych przez program PSpice
wrażliwości i dobranych tolerancji oporników przeanalizował błe˛ dy napie˛ cia wyjściowego
powstaja˛ ce podczas przetwarzania 256 możliwych liczb.
12
W praktyce ograniczeniem jest wielkość pamie˛ ci operacyjnej potrzebna programowi do
posortowania wyników.
42 Analiza stałopra˛ dowa
Typ analizy, która be˛ dzie powtarzana, określa parametr _rodzaj_analizy. Może on przyja˛ ć
trzy wartości:
DC obliczanie charakterystyk statycznych;
AC małosygnałowa analiza zmiennopra˛ dowa;
TRAN analiza stanów nieustalonych.
Należy pamie˛ tać, że w zbiorze danych wejściowych musi znaleźć sie˛ instrukcja zlecaja˛ ca
wykonanie analizy, której dotyczy analiza Monte Carlo. Liczbe˛ powtórzeń określa parametr
_liczba. Analiza Monte Carlo dotyczyć be˛ dzie wielkości wyjściowej o nazwie określonej
przez parametr _wyjście. Może być nim dowolny potencjał we˛ złowy, różnica potencjałów
we˛ złowych, pra˛ d płyna˛ cy przez dowolne niezależne źródło napie˛ cia lub inna wielkość, tak jak
dopuszcza to instrukcja .PRINT (patrz strona 52). Użycie słowa kluczowego YMAX
powoduje, że w zbiorze wyjściowym umieszczone zostanie tylko najwie˛ ksze odchylenie
wielkości wyjściowej od jej wartości nominalnej. Słowo kluczowe LIST powoduje
umieszczenie w zbiorze wyjściowym, podczas każdej z analiz, aktualnych wartości
zmienianych parametrów obwodu. Słowo kluczowe OUTPUT wraz z parametrem _typ
powoduje, że oprócz wyników pierwszej analizy w zbiorze wyjściowym umieszczone zostana˛
wyniki kolejnych analiz tak jak to określa parametr _typ. Parametr _typ przyjmować może
naste˛ puja˛ ce wartości:
ALL — w zbiorze wyjściowym umieszczone zostana˛ wyniki wszystkich analiz;
FIRST n — w zbiorze wyjściowym umieszczone zostana˛ wyniki pierwszych n analiz;
EVERY n — w zbiorze wyjściowym umieszczone zostana˛ wyniki co n–tej analizy;
RUN <_lista> — w zbiorze wyjściowym umieszczone zostana˛ wyniki analiz o numerach
wyszczególnionych na liście <_lista>.
Tolerancje wartości elementów moga˛ być określone tylko za pomoca˛ deklaracji modelu
.MODEL — po każdym parametrze modelu może wysta˛ pić słowo kluczowe DEV lub LOT.
DEV _tolerancja [%] — deklaruje, że parametr posiada tolerancje˛ o wartości określonej
przez parametr _tolerancja. Jeśli wysta˛ pi za nim znak „ % ” to wartość tolerancji podana
jest w procentach. Wartość parametru zmienia sie˛ niezależnie dla wszystkich elementów
odwołuja˛ cych sie˛ do modelu.
LOT _tolerancja [%] — deklaruje, że parametr posiada tolerancje˛ o wartości określonej
przez parametr _tolerancja. Jeśli wysta˛ pi za nim znak „ % ” to wartość tolerancji podana
jest w procentach. Wartość parametru jest taka sama dla wszystkich elementów
odwołuja˛ cych sie˛ do modelu.
W przypadku naszego przetwornika C/A dane dla programu PSpice, potrzebne dla
wykonania analizy Monte Carlo przedstawione sa˛ poniżej.
V3 3 0 9V
V4 4 0
V5 5 0 9V
V6 6 0
V7 7 0
V8 8 0 9V
.MODEL R005 RES R=1 DEV=0.05%
.MODEL R01 RES R=1 DEV=0.1%
.MODEL R02 RES R=1 DEV=0.2%
.MODEL R05 RES R=1 DEV=0.5%
.MODEL R10 RES R=1 DEV=1%
.MODEL R20 RES R=1 DEV=2%
.MODEL R50 RES R=1 DEV=5%
R1 9 0 R005 20K
R2 9 1 R005 20K
R3 10 2 R01 20K
R4 11 3 R02 20K
R5 12 4 R05 20K
R6 13 5 R10 20K
R7 14 6 R20 20K
R8 15 7 R20 20K
R9 16 8 R50 10K
.DC V1 9 9 1
.MC 600 DC V(9) YMAX
.END
Zdefiniowano tam siedem modeli oporników13. Sa˛ to oporniki o tolerancji 0.05%, 0.1%,
0.2%, 0.5%, 1.0%, 2.0%, 5.0%. W deklaracji .MODEL nie podaje sie˛ wartości opornika a
jedynie liczbe˛ , przez która˛ zostanie przemnożona wartość oporności podana w linii deklaracji
opornika. Należy przy tym zauważyć, że w deklaracji opornika, która odwołuje sie˛ do modelu
opornika, wartość oporności poprzedzona jest nazwa˛ modelu. Ponieważ analiza Monte Carlo
może dotyczyć tylko analizy DC, AC lub TRAN wykonano analize˛ DC, podczas której
wartość napie˛ cia źródła V1 zmieniała sie˛ od 9[V] do 9[V] z krokiem 1[V], co jest
równoważne obliczeniu statycznego punktu pracy układu. Analiza Monte Carlo dotyczyła
potencjału V(9)=Uwy przy czym liczba powtórzeń wynosiła 600. Dziesie˛ ć najwie˛ kszych
odchyleń napie˛ cia wyjściowego od wartości nominalnej, obliczonych przez program PSpice
i umieszczonych w zbiorze z wynikami, podanych jest poniżej.
W sześciuset próbach nie zauważono błe˛ du napie˛ cia wyjściowego wie˛ kszego niż
4.455[mV], chociaż zgodnie z obliczeniami teoretycznymi najwie˛ kszy możliwy bła˛ d wynosi
około 8.9[mV]. Wyniki otrzymane podczas analizy Monte Carlo były dalej przetwarzane. Na
Rys. 20 przedstawiono uzyskany na tej podstawie histogram modułu błe˛ du napie˛ cia
wyjściowego w przypadku, gdy przetwarzana była liczba 169. Stanowi on pewnego rodzaju
13
Bliższe omówienie modelu opornika znajduje sie˛ w rozdziale 5.
44 Analiza stałopra˛ dowa
******* 08/14/91 ******* Evaluation PSpice (Jan. 1988) ******* 10:31:06 *******
*****************************************************************************
Przedstawiony przykład powinien przekonać nas, że za pomoca˛ symulatora można uzyskać
bardzo wiele informacji na temat projektowanego układu bez badań prototypowych. Możliwe
jest nawet przewidywanie statystycznych parametrów procesu produkcyjnego takich jak np.
uzysk produkcyjny. W przypadku układów scalonych jest to jedyna, ekonomicznie rozsa˛ dna,
droga uzyskania istotnych informacji na temat własności przygotowywanego układu, jeszcze
przed rozpocze˛ ciem produkcji.
3. ANALIZA ZMIENNOPRA
˛ DOWA
3.1.1. Wymuszenia
Należy teraz przypomnieć to co powiedziano na stronie 9 o deklarowaniu wymuszeń dla
analizy zmiennopra˛ dowej. W przypadku siły elektromotorycznej deklaracja taka powinna
wygla˛ dać naste˛ puja˛ co:
VXXXXXXX n+ n- AC _moduł _faza
W przypadku siły pra˛ domotorycznej jest ona podobna:
IXXXXXXX n+ n- AC _moduł _faza
Przykłady:
I1 1 0 AC 1V
VCER 10 32 DC 5V AC 5V 30 PULSE(0 5)
Słowo kluczowe AC może współistnieć w deklaracji źródła ze słowami kluczowymi DC,
TRAN oraz specyfikacja˛ przebiegu czasowego źródła. Po słowie kluczowym AC naste˛ puje
wartość modułu wymuszenia (w woltach lub amperach), a naste˛ pnie faza (w stopniach). Brak
słowa kluczowego AC powoduje, że program PSpice przyjmuje wartość źródła równa˛ zeru
(AC 0 0). Jeżeli w deklaracji źródła pominie˛ ta zostanie wartość fazy program przyjmie, że
jest równa zeru (np. AC 1V = AC 1V 0).
(35)
gdzie:
I pra˛ d płyna˛ cy przez diode˛ ;
U napie˛ cie panuja˛ ce na diodzie;
Is pra˛ d nasycenia diody;
N bezwymiarowy współczynnik emisji;
Ut potencjał termiczny1.
Jeżeli napie˛ cie panuja˛ ce na diodzie zmieni swoja˛ wartość od U0 do U to powoduje to zmiane˛
wartości pra˛ du od I0 do I. Rozwijaja˛ c prawa˛ strone˛ równania (35) w szereg Taylora dla U=U0
i pomijaja˛ c wyrazy rze˛ du wyższego niż jeden (linearyzacja) otrzymujemy (Rys. 21):
(36)
Jeżeli składowe zmienne wymuszeń w układzie maja˛ mała˛ wartość to zmiany napie˛ cia na
diodzie ∆U=U-U0 i pra˛ du płyna˛ cego przez diode˛ ∆I=I-I0 sa˛ małe. Zatem zamiast opisywać
diode˛ charakterystyka˛ nieliniowa˛ (35) można posłużyć sie˛ przybliżeniem liniowym (36).
Równanie (36) opisuje równoległe poła˛ czenie zaste˛ pczej siły pra˛ domotorycznej Iz o wartości:
1
W temperaturze 27°C potencjał termiczny Ut≈26mV.
48 Analiza zmiennopra˛ dowa
(37)
(38)
Analiza zmiennopra˛ dowa dotyczy tylko składowych zmiennych wymuszeń. Siła pra˛ domoto-
ryczna Iz jest zatem w tym modelu zbe˛ dna. W rezultacie liniowy, małosygnałowy model diody
stanowi przewodność Gz dana wzorem (38) — Rys. 22.
Sposób poste˛ powania w
przypadku tworzenia liniowego,
małosygnałowego modelu dla
każdego innego elementu nieli-
niowego jest podobny.
Rys.22. Tworzenie modelu liniowego, małosygnałowego
diody.
ANALIZA WZMACNIACZA
.MODEL BC148 NPN(IS=67.34F XTI=3 EG=1.11 VAF=100 BF=116.1 NE=3.779
+ ISE=32.7N IKF=33.53M XTB=1.5 BR=1.926M NC=2 ISC=0 IKR=0 RC=1.5
+ CJC=4.929P VJC=.75 MJC=.3333 FC=.5 CJE=3.316P VJE=.75
+ MJE=.3333 TR=7.77U TF=107.3P ITF=.4 VTF=10 XTF=2 RB=10)
Na pocza˛ tku opisu obwodu znajdujemy bardzo szczegółowa˛ deklaracje˛ modelu tranzystora
Analiza zmiennopra˛ dowa 49
(39)
Jeżeli wie˛ c przeprowadzimy analize˛ układu dla realnej wartości napie˛ cia wejściowego to
wzmocnienie obliczymy jako stosunek napie˛ cia wyjściowego do wejściowego. Dla układu
liniowego2 wzmocnienie napie˛ ciowe nie jest zależne od wielkości napie˛ cia wejściowego. A
zatem im wie˛ ksze napie˛ cie wejściowe tym wie˛ ksze napie˛ cie wyjściowe. W szczególności
jeżeli Uwe=1[V] to napie˛ cie wyjściowe, co do wartości, równe jest wzmocnieniu układu.
Dzie˛ ki temu można unikna˛ ć dzielenia koniecznego w przypadku, gdy Uwe≠1[V].
2
Przed analiza˛ AC każdy układ jest linearyzowany!
3
Potencjał we˛ zła 3 jest równy co do wartości wzmocnieniu układu.
Analiza zmiennopra˛ dowa 51
należy dodać przyrostek P (ang. phase — faza). W ten sposób uzyskujemy wyrażenie VP(3)
— Rys. 25.
Podobnie jak wzmocnienie rezystancja wejściowa układu jest opisywana liczba˛ zespolona˛
— mówi sie˛ o impedancji wejściowej układu. Cze˛ ść rzeczywista impedancji wejściowej to
rezystancja wejściowa natomiast cze˛ ść urojona impedancji wejściowej to reaktancja
wejściowa. Ponieważ napie˛ cie wejściowe jest równe potencjałowi V(5) to impedancje˛
wejściowa˛ można obliczyć jako stosunek potencjału V(5) do pra˛ du płyna˛ cego przez źródło
VIN ze znakiem minus4. Jeżeli uwzgle˛ dnimy, że potencjał V(5)=1[V] dla wszystkich
cze˛ stotliwości to rezystancje˛ wejściowa˛ Rwe be˛ dzie można obliczyć wg wzoru::
(40)
4
Dodatni pra˛ d płynie od bieguna dodatniego źródła przez źródło do bieguna ujemnego.
52 Analiza zmiennopra˛ dowa
(41)
Przykłady:
.PRINT DC V(2) I(Vin) V(2,3)
.PRINT AC VM(2) VR(5,6)
.PRINT NOISE INOISE DB(ONOISE)
.PRINT TRAN V(3) V(2,3)
Pole _typ określa, dla której z analiz drukowane be˛ da˛ wyniki. W polu tym moga˛ znaleźć
sie˛ naste˛ puja˛ ce słowa kluczowe:
DC wyprowadzane be˛ da˛ dane dotycza˛ ce analizy charakterystyk statycznych;
AC wyprowadzane be˛ da˛ dane dotycza˛ ce małosygnałowej analizy zmiennopra˛ dowej;
NOISE wyprowadzane be˛ da˛ dane dotycza˛ ce analizy szumów;
TRAN wyprowadzane be˛ da˛ dane dotycza˛ ce analizy stanów nieustalonych.
Po specyfikacji typu analizy naste˛ puje lista wielkości <_lista>, które zostana˛ umieszczone w
zbiorze wyjściowym. W przypadku analiz DC, AC i TRAN na liście tej może sie˛ znaleźć:
V(n1[,n2]) różnica potencjałów mie˛ dzy we˛ złem o numerze n1, a we˛ złem o numerze
n2; jeżeli parametr n2 nie zostanie podany program przyjmie, że chodzi o
we˛ zeł masy;
I(Vxxx) pra˛ d płyna˛ cy przez źródło napie˛ cia o nazwie Vxxx; pra˛ d płynie przez
źródło od bieguna dodatniego przez źródło do bieguna ujemnego.
W przypadku analizy AC za litera˛ V lub I moga˛ znaleźć sie˛ przyrostki, które uściślaja˛
specyfikacje˛ wielkości, które program PSpice powinien wyprowadzić.
R cze˛ ść rzeczywista;
I cze˛ ść urojona;
M moduł wielkości zespolonej;
P faza wielkości zespolonej;
DB moduł wielkości zespolonej wyrażony w decybelach — 20 log10().
W przypadku analizy szumów NOISE na liście wyjściowej moga˛ znaleźć sie˛ naste˛ puja˛ ce
słowa kluczowe:
ONOISE szum całkowity na wyjściu układu (wyjście określone jest w instrukcji
analizy szumów);
INOISE szum odniesiony do źródła na wejściu układu (źródło wejściowe określone
jest w instrukcji analizy szumów);
DB(ONOISE) szum całkowity na wyjściu układu w decybelach — poziom odniesienia
1 [V]/[Hz]1/2;
DB(INOISE) szum, w decybelach, odniesiony do źródła wejściowego — poziom
odniesienia 1 [A]/[Hz]1/2.
W przypadku analizy wzmacniacza oporowego instrukcja .PRINT umieszczona w zbiorze
danych wejściowych zleca programowi PSpice wyprowadzenie cze˛ ści rzeczywistej i cze˛ ści
54 Analiza zmiennopra˛ dowa
urojonej pra˛ du płyna˛ cego przez źródło wejściowe VIN. Tabela utworzona przez program
PSpice przedstawiona jest poniżej.
******* 08/27/91 ******* Evaluation PSpice (Jan. 1988) ******* 13:05:16 *******
ANALIZA WZMACNIACZA
*****************************************************************************
******* 08/27/91 ******* Evaluation PSpice (Jan. 1988) ******* 13:05:16 *******
ANALIZA WZMACNIACZA
*****************************************************************************
LEGEND:
*: VM(3)
+: VP(3)
FREQ VM(3)
Rys.27. Sposób rozcie˛ cia pe˛ tli sprze˛ żenia zwrotnego generatora. A) Obwód elektryczny.
B) Schemat blokowy.
ich przetwarzanie. W szczególności może być obliczona cze˛ ść rzeczywista, cze˛ ść urojona,
moduł i faza przebiegu (patrz dodatek C). Program PROBE wykorzystuje możliwości
graficzne komputera oraz posiadanej drukarki.
sprze˛ żenia zwrotnego5. W przypadku źródła pra˛ du sterowanego napie˛ ciem zabieg ten ilustruje
Rys. 27. Układ jest niestabilny (jest generatorem), jeżeli dla cze˛ stotliwości generacji ω0
transmitancja układu w otwartej pe˛ tli sprze˛ żenia zwrotnego K(i ω) spełnia naste˛ puja˛ cy
warunek:
(42)
Warunek ten wydaje sie˛ intuicyjnie zrozumiały. Generacja naste˛ puje w przypadku, gdy sygnał
po przejściu przez układ znajdzie sie˛ na jego wejściu wzmocniony i w tej samej fazie. Ścisłe
uzasadnienie tego warunku można znaleźć w ksia˛ żkach poświe˛ conych układom automatyki
[34],[12]. Należy zatem dokonać analizy AC układu generatora, w którym rozcie˛ to pe˛ tle˛
sprze˛ żenia zwrotnego i znaleźć cze˛ stotliwość, dla której spełniony jest warunek (42).
Przykład:
Obliczyć cze˛ stotliwość drgań oraz
dobroć układu generatora Collpits–a
przedstawionego na Rys. 28. Układ
wzmacniacza oporowego jest iden-
tyczny jak ten, który przedstawiono w
paragrafie 3.1.3.
Jedynym źródłem sterowanym w
analizowanym układzie, jest źródło
pra˛ du sterowane napie˛ ciem ukryte
Rys.28. Układ generatora Collpits-a.
wewna˛ trz małosygnałowego modelu
tranzystora. Aby rozcia˛ ć pe˛ tle˛ sprze˛ -
żenia zwrotnego należy najpierw odtworzyć ten model. W tym celu za pomoca˛ programu
PSpice obliczymy statyczny punkt pracy układu. Potrzebne w tym celu dane przedstawione
sa˛ poniżej.
5
Rozcie˛ cie pe˛ tli sprze˛ żenia zwrotnego w miejscu, gdzie wyste˛ puje źródło sterowane nie
powoduje zmiany warunków, w których układ pracuje.
Analiza zmiennopra˛ dowa 59
.OP
.END
******* 08/27/91 ******* Evaluation PSpice (Jan. 1988) ******* 15:40:02 *******
*****************************************************************************
NAME Q1
MODEL BC148
IB 3.70E-05
IC 2.04E-03
VBE 6.25E-01
VBC -5.30E+00
VCE 5.93E+00
BETADC 5.51E+01
GM 7.48E-02
RPI 1.13E+03
RX 1.00E+01
RO 5.16E+04
CBE 1.31E-11
CBC 2.46E-12
CBX 0.00E+00
CJS 0.00E+00
BETAAC 8.48E+01
FT 7.63E+08 Rys.29. Małosygnałowy model tranzystora.
*reszta wzmacniacza
R1 0 2 145K ;oporniki polaryzuja
˛ce baze
˛
R2 2 0 76K
R3 0 3 1.2K ;oporność kolektorowa
R4 4 0 300 ;oporność emiterowa
*elementy ustalaja
˛ce cze
˛stotliwość drgań
L1 6 2 10M
C1 6 0 10N
C2 2 0 3N
C3 3 6 100N
*źródło sygnału
RIN 5 0 1MEG ;źródło sygnału
VIN 5 0 AC 1 ;do każdego we
˛zła musza
˛ być doła
˛czone conajmniej dwa elementy
Do sztucznie utworzonego we˛ zła 5 doła˛ czona jest siła elektromotoryczna VIN o wartości
1[V]. Dodatkowo do we˛ zła 5 doła˛ czona jest oporność RIN. Nie zmienia ona wartości
potencjałów w obwodzie natomiast dzie˛ ki niej we˛ zeł 5 nie jest we˛ złem „wisza˛ cym w
powietrzu” (do każdego we˛ zła musza˛ być doła˛ czone co najmniej dwa elementy — strona 5).
Wzmocnienie układu jest równe co do wartości napie˛ ciu V(40,4).
Sprawdźmy najpierw czy nasz układ może być rzeczywiście generatorem. W tym celu
wykreślamy za pomoca˛ programu PROBE wzmocnienie układu na płaszczyźnie zespolonej
(Rys. 30). Jest to możliwe dzie˛ ki temu, że program PROBE pozwala na opisanie osi poziomej
wykresu za pomoca˛ dowolnego wyrażenia. W szczególności może to być cze˛ ść rzeczywista
napie˛ cia V(40,4)6 (które jest równe wzmocnieniu układu). Jeżeli na osi pionowej be˛ dziemy
odkładać wartości cze˛ ści urojonej napie˛ cia V(40,4) uzyskamy charakterystyke˛ układu na
płaszczyźnie zespolonej. Na Rys. 30 widać, że w punkcie, w którym charakterystyka przecina
półprosta˛ :
Re(s))>0,Im(s))=0
wartość wzmocnienia układu z pewnościa˛ jest wie˛ ksza od jedności. Istnieje zatem
cze˛ stotliwość, dla której spełniony jest warunek (42).
Aby znaleźć cze˛ stotliwość generacji wykreślmy zależność fazy V(40,4) od cze˛ stotliwości
(Rys. 31). Posługuja˛ c sie˛ kursorem, który udoste˛ pnia program PROBE, można odczytać, że
dla cze˛ stotliwości f1=36,31[KHz] faza wzmocnienia wynosi ϕ 1=2.764°natomiast dla
6
Należy pamie˛ tać, że oś pozioma musi być wyskalowana w skali liniowej.
Analiza zmiennopra˛ dowa 61
Rys.30. Oś pozioma: cze˛ ść rzeczywista wzmocnienia układu generatora w otwartej pe˛ tli
sprze˛ żenia zwrotnego. Oś pionowa: cze˛ ść urojona˛ wzmocnienia.
cze˛ stotliwości f2=36,73[kHz] faza ϕ2=-0.7481°. Cze˛ stotliwość f0, dla której faza przyjmuje
wartość zero, obliczamy stosuja˛ c metode˛ interpolacji liniowej:
(43)
Ze wzgle˛ du na dokładność obliczeń wynik ten rozsa˛ dnie jest zaokra˛ glić do wartości
f0=36,6[kHz].
Kolejnym zadaniem, które należy wykonać jest obliczenie dobroci generatora. Jest ona
definiowana za pomoca˛ naste˛ puja˛ cego wzoru [35], [25]:
(44)
7
Zauważmy, że dobroć generatora jest definiowana podobnie do wrażliwości.
62 Analiza zmiennopra˛ dowa
Rys.31. Faza wzmocnienia generatora w otwartej pe˛ tli sprze˛ żenia zwrotnego.
zmiany parametrów układu zostana˛ skompensowane niewielka˛ zmiana˛ cze˛ stotliwości drgań
tak aby warunek fazy został zachowany.
Wielkość wyste˛ puja˛ ca po prawej stronie wzoru (44) może być łatwo wykreślona za
pomoca˛ programu PROBE — Rys. 32. Cze˛ stotliwość jest identyfikowana przez nazwe˛
FREQUENCY (ang.frequency — cze˛ stotliwość). Dobroć generatora odczytana z wykresu (za
pomoca˛ kursora) wynosi około 154[deg] [Hz/Hz].
Przedstawiona technika może być użyteczna w przypadku analizy układu generacyjnego,
którego model jest bardzo skomplikowany, co wyklucza metody „re˛ czne”. W pracy [25], dla
układu generatora pracuja˛ cego w zakresie mikrofal, autor porównał wyniki obliczeń za
pomoca˛ symulatora z wynikami uzyskanymi doświadczalnie. Różnica, nie przekraczała 2%,
tak dla cze˛ stotliwości generacji jak i dla dobroci układu. Świadczy o dużej użyteczności
praktycznej przedstawionej metody.
każdy przyrza˛ d półprzewodnikowy. Każde ze źródeł szumu opisywane jest ge˛ stościa˛
widmowa˛ mocy sygnału szumu. Poszczególne źródła szumów sa˛ w układzie elektronicznym
nieskorelowane, dzie˛ ki czemu można obliczać wpływ każdego ze źródeł na szum wyjściowy
układu osobno, a naste˛ pnie zsumować poszczególne przyczynki [14]. Program PSpice oblicza,
w podanym przedziale cze˛ stotliwości, ge˛ stość widmowa˛ sygnału szumu na wyjściu układu
wyrażona˛ w [V]/[Hz]½ lub w [A]/[Hz]½, w zależności od charakteru wyjścia (napie˛ ciowe lub
pra˛ dowe). Obliczana jest także ge˛ stość widmowa szumów zredukowana do wejścia układu —
ge˛ stość sygnału szumu na wyjściu podzielona przez moduł odpowiedniej transmitancji układu.
(45)
gdzie:
R wartość oporności;
k stała Boltzmanna = 1,38 10-23 [J/K];
T temperatura w skali bezwzgle˛ dnej.
Wzór ten opisuje szumy wynikaja˛ ce z bezładnych ruchów termicznych wykonywanych
przez elektrony wewna˛ trz opornika.
Model szumowy idealnego zła˛ cza p–n. Składa sie˛ z poła˛ czonych równolegle
niezależnego źródła pra˛ du, liniowej przewodności Gz równej wartości przewodności
różniczkowej zła˛ cza Gz=(∂Iz/∂Uz) i liniowej pojemności Cz równej pojemności
różniczkowej zła˛ cza Cz=(∂Qz/∂Uz). Ge˛ stość widmowa mocy sygnału szumu (Isz,z)2
określona jest wzorem:
(46)
gdzie:
Iz statyczny pra˛ d płyna˛ cy przez zła˛ cze;
f cze˛ stotliwość;
KF współczynnik szumów migotania;
AF wykładnik szumów migotania;
q ładunek elementarny = 1,61 10-19 [A s].
Pierwszy składnik we wzorze (46) opisuje szum śrutowy zła˛ cza, którego przyczyna˛
jest ziarnistość ładunku. Drugi składnik opisuje tzw. szum migotania, którego istota
nie została do dzisiaj rozstrzygnie˛ ta.
Model szumowy kanału tranzystora polowego. Składa sie˛ on z poła˛ czonych
równolegle niezależnej siły pra˛ domotorycznej i liniowego źródła pra˛ du sterowanego
pra˛ dem o wartości równej małosygnałowej transkonduktancji tranzystora Gm=∂Ik/∂Ugs.
Ge˛ stość widmowa mocy sygnału szumu (Isz,k)2 określa wzór:
(47)
gdzie:
Ik statyczny pra˛ d płyna˛ cy przez kanał tranzystora FET;
KF współczynnik szumów migotania;
AF wykładnik szumów migotania;
f cze˛ stotliwość;
k stała Boltzmanna = 1,38 10-23[J/K];
T temperatura bezwzgle˛ dna.
Powyższy wzór opisuje szumy termiczne w kanale (składnik stały) i szumy migotania
(składnik odwrotnie proporcjonalny do cze˛ stotliwości).
Analiza zmiennopra˛ dowa 65
parametr _wyjście. BR 1 1 -
Ge˛ stość widmowa˛ szumów, IS 10-14 10-14 [A]
½
wyrażona˛ w [V]/[Hz] lub w
RB 100 20 [Ω]
[A]/[Hz]½, zredukowana˛ do
VA 50 50 [V]
wejścia układu; przez wejście
układu rozumie sie˛ niezależne TF 0.3 0.3 [ns]
źródło napie˛ cia lub pra˛ du, TR 6.0 20.0 [ns]
którego nazwa określona jest CCS 2.0 0 [pF]
przez parametr _źródło.
CJE 3.0 6.0 [pF]
Sposób wyprowadzania wyników
CJC 2.0 4.0 [pF]
analizy szumowej za pomoca˛ instruk-
cji .PRINT i .PLOT został przedsta- KF 6.6 10-16 3 10-12 [A](1-AF)/[s]
wiony, przy okazji prezentacji tych AF 1 1.5 -
instrukcji (patrz strony 52, 55). W
przypadku stosowania instrukcji
.PROBE, wielkości, które można
66 Analiza zmiennopra˛ dowa
wyprowadzić to:
V(ONOISE) ge˛ stość widmowa napie˛ cia szumów na wyjściu układu;
V(INOISE) ge˛ stość widmowa napie˛ cia szumów zredukowana do wejścia układu w
przypadku, gdy na wejściu układu znajduje sie˛ źródło napie˛ cia;
I(INOISE) ge˛ stość widmowa pra˛ du szumów zredukowana do wejścia układu w
przypadku, gdy na wejściu znajduje sie˛ źródło pra˛ du.
Program PROBE, do którego przekazywane sa˛ te dane, pozwala dalej na obliczenie np. całki
z funkcji ge˛ stości napie˛ cia szumów. Daje to w rezultacie funkcje˛ obrazuja˛ ca˛ całkowite
napie˛ cie szumów na układu jako funkcje˛ cze˛ stotliwości górnej przedziału cze˛ stotliwości.
VCC+ 4 0 15V
VCC- 5 0 -15V
R2 2 3 1K
XOPAMP 1 2 4 5 3 UA741N
RIN 7 1 1K
VIN 7 0 AC 1 0
VCC+ 4 0 15V
VCC- 5 0 -15V Rys.33. Wtórnik napie˛ ciowy.
R2 2 3 1K
XOPAMP 1 2 4 5 3 UA741N
RIN 7 1 1K
IIN 7 0 AC 1
Analiza zmiennopra˛ dowa 67
* OUT
* UCC- |
* UCC+ | |
* IN- | | |
* IN+ | | | |
* | | | | |
.SUBCKT UA741N 4 5 1 14 24
R1 13 14 1K
R2 12 14 1K
R3 11 14 50K
R4 16 14 5K
R5 17 15 39K
R6 18 19 4.5K
R7 19 20 7.5K
R8 25 24 25
R9 24 23 50
R10 22 14 50
R11 21 14 50K
C1 18 9 30P
Q1 3 4 6 TNPN
Q2 3 5 7 TNPN
Q3 10 8 6 TPNP
Q4 9 8 7 TPNP
Q5 10 11 13 TNPN
Q6 9 11 12 TNPN
Q7 1 10 11 TNPN
Q8 3 3 1 TPNP
Q9 8 3 1 TPNP
Q10 8 15 16 TNPN
Q11 15 15 14 TNPN
Q12 17 17 1 TPNP
Q13 18 17 1 TPNP
Q14 1 18 25 TNPN
Q15 18 25 24 TNPN
Q16 20 9 21 TNPN
Q17 20 21 22 TNPN Rys.34. Schemat elektryczny wzmacniacza operacyjnego µA741.
68 Analiza zmiennopra˛ dowa
Q18 18 19 20 TNPN
Q19 14 20 23 TPNP
Q20 9 22 14 TNPN
.MODEL TNPN NPN BF=80 BR=1 IS=1.0E-14 RB=100 VA=50 TF=0.3N TR=6.0N
+ CCS=2.0P CJE=3.0P CJC=2.0P KF=6.6E-16 AF=1
.MODEL TPNP PNP BF=10 BR=1 IS=1E-14 RB=20 VA=50 TF=0.3N TR=20.0N
+ CCS=0.0P CJE=6.0P CJC=4.0P KF=3.06E-12 AF=1.5
.ENDS
Rys.35. Ge˛ stość widmowa napie˛ cia szumów na wyjściu układu wtórnika (A) i całkowite
napie˛ cie szumów wyjściowych (B).
Parametry _n1, _n2, _n3 określaja˛ numery we˛ złów obwodu, w które wpie˛ ty zostanie
podobwód. Nazwa wpinanej struktury określona jest przez parametr _nazwa. Należy zwrócić
przy tym uwage˛ , że dozwolone sa˛ odwołania w przód. Oznacza to, że w strukture˛ obwodu
można wpia˛ ć podobwód, którego struktura zdefiniowana zostanie dopiero w późniejszej
kolejności.
W tej chwili znamy już składnie˛ wszystkich instrukcji i deklaracji użytych do zdefiniowa-
nia struktury wtórnika z Rys. 33. Należy zwrócić uwage˛ , że w zbiorze danych wejściowych
znalazł sie˛ opis dwóch obwodów. Pierwszy z nich pozwala na obliczenie ge˛ stości widmowej
napie˛ cia szumów na wyjściu układu oraz ge˛ stość widmowa˛ napie˛ cia szumów zredukowana˛
do wejścia (źródło VIN). W drugim obwodzie niezależne źródło napie˛ cia wpie˛ te na wejściu
oryginalnego obwodu zasta˛ pione zostało przez źródło pra˛ du IIN. W ten sposób w wyniku
analizy szumów otrzymać można ge˛ stość widmowa˛ pra˛ du szumów zredukowana˛ do wejścia
układu (IIN). Umieszczenie deklaracji obu obwodów w jednym zbiorze wejściowym
pozwoliło na wyświetlenie, za pomoca˛ programu PROBE, ge˛ stości widmowej napie˛ cia i pra˛ du
szumów zredukowanych do wejścia na jednym wspólnym wykresie Rys. 36.
Obliczenie całkowitego napie˛ cia szumów na wyjściu układu wymaga scałkowania ge˛ stości
widmowej napie˛ cia szumów na wyjściu Rys. 35a. Można sie˛ posłużyć w tym celu funkcja˛ s()
70 Analiza zmiennopra˛ dowa
Rys.36. Ge˛ stość widmowa napie˛ cia i pra˛ du szumów na wejściu układu wtórnika.
ustalone.
Nie należy mylić deklaracji .NODESET (strona 27) z deklaracja˛ .IC. Deklaracja
.NODESET jest używana podczas obliczania statycznego punktu pracy układu. Pomaga ona
w sytuacji, gdy trudno jest uzyskać zbieżność obliczeń1. W przeciwieństwie do deklaracji .IC
deklaracja .NODESET nie zmienia rozwia˛ zania.
4.1.1. Wymuszenia
Sposób deklarowania w strukturze obwodu wymuszeń przedstawiony został już na stronie
9. Nie przedstawiono tam jednak sposobu deklarowania przebiegu czasowego wartości
wymuszenia. W programie PSpice przewidziano, że wymuszenie może zmieniać sie˛ w sposób
skokowy, sinusoidalny, ekspotencjalny, może być sinusoida˛ o modulowanej cze˛ stotliwości lub
przebiegiem odcinkowo–liniowym. Deklaracja przebiegu czasowego wymuszenia ma postać
pola wyste˛ puja˛ cego na końcu linii deklaracji omówionej na stronie 9. Przedstawiono to
poniżej:
VXXXXXXX n+ n- [_parametry_DC/AC] [_przebieg_czasowy]
IXXXXXXX n+ n- [_parametry_DC/AC] [_przebieg_czasowy]
W polu _przebieg_czasowy moga˛ znaleźć sie˛ deklaracje wymienione poniżej.
Impuls
PULSE( _v1 _v2 _tn _to _tt _TT)
Tablica IV Parametry przebiegu impulsowego (PULSE).
Przykład:
IIN 3 0 PULSE(-0.1 0.1 2NS 2NS 2NS 50NS 100NS)
1
Punkt pocza˛ tkowy iteracji można ustalić bliżej właściwego rozwia˛ zania tak, że algorytm
Newtona-Raphsona staje sie˛ zbieżny.
74 Analiza stanów nieustalonych
Sinusoida
SIN( _vn _va _freq _tz _tau)
Przykład:
VIN 3 0 DC 1V SIN(1 1 100MEG 1NS 1E10)
Analiza stanów nieustalonych 75
Przykład:
VIN 2 34 DC 1V AC 1 EXP(1 4 2NS 30NS 60NS 40NS)
76 Analiza stanów nieustalonych
(49)
Jest to funkcja równa zeru dla x<0 i narastaja˛ ca ekspotencjalnie od wartości 0 do wartości 1
ze stała˛ czasowa˛ τ dla x>0. Przebieg typu EXP zrealizowany w programie PSpice można
teraz zapisać naste˛ puja˛ co:
(50)
(51)
Przebieg odcinkowo–liniowy
PWL( _t1 _w1 [ _t2 _w2 ... ])
Przykład:
VCLOCK 2 3 PWL(0NS -7 10NS -7 11NS -3 17NS -3 18NS -7 50NS -7)
Para wartości (_ti,_wi) umieszczona jako argument po słowie kluczowym PWL oznacza, że
dla chwili t=_ti wymuszenie ma wartość _wi (w amperach lub woltach). Par takich można
umieścić w deklaracji przebiegu odcinkowo–liniowego dowolna˛ liczbe˛ . Wartości przebiegu
dla chwil czasowych leża˛ cych mie˛ dzy wartościami _t1, _t2, ... oblicza sie˛ za pomoca˛
interpolacji liniowej.
4.1.2. Klucze
Elementami, które pojawiaja˛ sie˛ praktycznie tylko podczas analizy stanów nieustalonych
sa˛ klucze. Program PSpice dopuszcza stosowanie dwóch typów kluczy tj. klucza sterowanego
napie˛ ciem i klucza sterowanego pra˛ dem. Deklaracja klucza sterowanego napie˛ ciem w
strukturze obwodu ma postać:
SXXXXXXX n1+ n1- n2+ n2- _n_modelu
Podobnie, deklaracja klucza sterowanego pra˛ dem w strukturze obwodu ma postać:
WXXXXXXX n1+ n1- _nazwa_SEM _n_modelu
Przykłady:
SRESET 3 4 15 8 RELAY
78 Analiza stanów nieustalonych
Rys.40. Zależność oporności klucza od wartości napie˛ cia steruja˛ cego. Parametry klucza:
RON=1[Ω], ROFF=10[Ω], VON=-1[V], VOFF=1[V].
Przykład:
TDELAY 1 2 7 5 Z0=50 TD=1US
Zaciski wejściowe linii stanowia˛ we˛ zły o numerach n1+ i n1-, zaciski wyjściowe to we˛ zły
o numerach n2+ i n2-. Po słowie kluczowym Z0= należy podać impedancje˛ falowa˛ linii
wyrażona˛ w omach. Czas przejścia fali elektromagnetycznej od pocza˛ tku do końca linii może
zostać podany na dwa różne sposoby:
Po słowie kluczowym TD= podaje sie˛ czas (w sekundach) potrzebny na to by fala
elektromagnetyczna przebyła linie˛ .
Po słowie kluczowym F= podaje sie˛ cze˛ stotliwość fali, o kształcie sinusoidy,
propaguja˛ cej sie˛ w linii. Po słowie kluczowym NL= należy podać długość linii
transmisyjnej. Jednostka˛ długości jest w tym przypadku długość fali propaguja˛ cej sie˛
w linii. Jeżeli parametr NL nie zostanie podany, to zostanie przyje˛ te, że NL=0.25, tzn.
obliczenia be˛ da˛ prowadzone dla linii ćwierćfalowej.
Oba sposoby podawania czasu propagacji sa˛ sobie równoważne. Należy jednak pamie˛ tać, że
każda deklaracja linii długiej musi określać czas propagacji fali elektromagnetycznej przez
deklarowana˛ linie˛ długa˛ .
Po słowie kluczowym IC= można podać wartość pra˛ du i napie˛ cia na wejściu linii
(_v1,_i1) oraz na wyjściu linii (_v2,_i2) w chwili t=0. Jeżeli w instrukcji .TRAN użyje sie˛
opcji UIC pozwala to, określić warunki panuja˛ ce na wejściu i wyjściu linii w chwili
rozpocze˛ cia przez program PSpice analizy stanów nieustalonych.
Program PSpice analizy Tablica X Parametry modelu diody dla stan-
dokonuja˛ c
.TRAN ogranicza wielkość kroku całko- dardowej bramki TTL.
wania do wartości nie przekraczaja˛ cej 1/2
czasu propagacji fali elektromagnetycznej Parametr Wartość Jedn-
przez linie˛ . Uwzgle˛ dnienie w strukturze ostki
analizowanego obwodu linii transmisyjnej, IS 10-14 [A]
której czas propagacji jest mały w stosunku
RS 40 [Ω]
do czasów charakterystycznych dla reszty
obwodu powoduje niepotrzebne powie˛ - TT 0.1 [ns]
kszenie czasu zużywanego przez jednostke˛ CJO 0.9 [pF]
centralna˛ maszyny cyfrowej na dokonanie VJ 1.0 [V]
analizy stanów nieustalonych.
Przykład:
Obliczyć przebiegi na wejściu i wyjściu
Analiza stanów nieustalonych 81
linii transmisyjnej o impedancji falowej równej 100[Ω] i czasie propagacji równym 10[ns]2.
Linia sterowana jest przez bramke˛ TTL i obcia˛ żona jest taka˛ sama˛ bramka˛ (Rys. 41).
Struktura standardowej bramki TTL pokazana jest na Rys. 42. Parametry statyczne i
dynamiczne modelu tranzystora należy przyja˛ ć takie, jak w rozdziale 3, gdzie modelowano
wzmacniacz operacyjny µA741 — Tablica III. Układ ten wykonywany jest w technologii
zbliżonej do tej, która używana jest do wytwarzania standardowych bramek TTL. Parametry
modelu diody zawiera Tablica X. Zostały one zaczerpnie˛ te z tego samego źródła co parametry
modelu tranzystora — [24]. Impuls steruja˛ cy bramke˛ wejściowa˛ zmienia sie˛ od 0[V] do 5[V]
w czasie 5[ns]. Czas opadania impulsu jest identyczny. Czas trwania impulsu równy jest
100[ns].
Dane dla programu PSpice przedstawione sa˛ poniżej. Strukture˛ bramki TTL (NOT)
zadeklarowano w postaci podobwodu i umieszczono w osobnym zbiorze o nazwie NOT.CIR.
Na zewna˛ trz podobwodu doste˛ pne jest wejście bramki, wyjście oraz zacisk zasilania. Dla
prostoty zbiór ten przedstawiono zaraz za zbiorem zawieraja˛ cym deklaracje˛ obwodu.
.TRAN 1N 200N
.PROBE V(2) V(3)
.END
Rys.41. Przesyłanie sygnałów TTL przez linie˛ trans-
misyjna˛ .
*Zawartość zbioru NOT.CIR
.SUBCKT NOT 1 8 3
* | | |
* WEjście | |
* WYjście |
* zasilanie
.MODEL TRA NPN BF=20 BR=1 IS=1.0E-14
+RB=70 RC=40 VA=50
+TF=0.1N TR=10N CCS=2.0P CJE=0.9P
+CJC=1.5P VJE=0.85 VJC=0.85 VJS=0.85
.MODEL TRB NPN BF=20 BR=0.2 IS=1.6E-14
+RB=20 RC=12 VA=50
+TF=0.1N TR=10N CCS=2.0P CJE=0.9P
+CJC=1.5P VJE=0.85 VJC=0.85 VJS=0.85
.MODEL TRC NPN BF=20 BR=0.02 IS=1.0E-14
+RB=500 RC=40 VA=50
+TF=0.1N TR=10N CCS=2.0P CJE=0.9P
+CJC=1.5P VJE=0.85 VJC=0.85 VJS=0.85
.MODEL DA D IS=1.0E-14 RS=40
+TT=0.1N CJO=0.9P VJ=1.0
2
Przy założeniu, że pre˛ dkość rozchodzenia sie˛ fal elektromagnetycznych w linii wynosi
2.5 108[m/s] daje to linie˛ transmisyjna˛ o długości 2.5[m].
82 Analiza stanów nieustalonych
Q1 2 9 1 TRC
Q2 4 2 5 TRA
Q3 6 4 7 TRA
Q4 8 5 0 TRB
D1 7 8 DA
D2 0 1 DA
.ENDS NOT
Rys.43. Napie˛ cie na wejściu V(2) i na wyjściu V(3) linii długiej , przez która˛ transmito-
wane sa˛ sygnały TTL.
Linia długa ła˛ cza˛ ca bramki modelowana jest w taki sposób, że jeden z przewodów linii
jest idealnie uziemiony. Pomija sie˛ w tym przypadku składowe fali elektromagnetycznej
rozchodza˛ ce sie˛ pomie˛ dzy tym przewodem, a otoczeniem układu.
Analiza przeprowadzana jest w przedziale czasu od 0[ns] do 200[ns]. Ponieważ nie
używamy ani instrukcji .PRINT, ani instrukcji .PLOT pierwszy parametr w instrukcji analizy
stanów nieustalonych, oznaczaja˛ cy krok czasowy wydruku, jest nieistotny (jeżeli tylko jest
mniejszy niż całkowity czas symulacji).
Uzyskane wyniki przedstawiono na Rys. 43. Znajdujemy tam przebieg napie˛ cia na wejściu
linii długiej V(2) oraz przebieg napie˛ cia na wyjściu V(3). Widać, że sa˛ one nie tylko
przesunie˛ te wzgle˛ dem siebie, ale także różnia˛ sie˛ dość istotnie kształtem. Dla porównania na
Rys. 44 przedstawiono przebieg napie˛ cia w układzie, w którym poła˛ czenie mie˛ dzy bramkami
Analiza stanów nieustalonych 83
Rys.44. Napie˛ cie na wyjściu bramki TTL steruja˛ cej taka˛ sama˛ bramka˛ przez poła˛ czenie
krótkie.
jest poła˛ czeniem krótkim. W tym przypadku przebieg jest znacznie bardziej „gładki”.
VCC 1 0 9V
R1 1 2 145K
R2 2 0 76K
R3 1 3 1.2K
R4 4 0 300
Q1 3 2 4 BC241
Słowo kluczowe UIC w instrukcji .TRAN powoduje, że program PSpice nie oblicza stanu
ustalonego w układzie przed przysta˛ pieniem do całkowania równań czasowych. W chwili t=0
przyjmuje sie˛ , że napie˛ cie na każdym z kondensatorów jest równe zero oraz że pra˛ d płyna˛ cy
przez cewke˛ L jest równy zero. W rezultacie analizowany jest stan nieustalony pojawiaja˛ cy
sie˛ w układzie w chwili wła˛ czenia zasilania. Na Rys. 46 przedstawiony jest obliczony
przebieg napie˛ cia wyjściowego. Jest on bardzo „poszarpany”. Szczyty przebiegu sa˛ ostre lub
ście˛ te. Przebieg na Rys. 46 jest bowiem zbyt rzadko próbkowany aby mógł być prawidłowo
odtworzony metoda˛ interpolacji liniowej stosowana˛ przez program graficzny PROBE.
Konieczne jest ograniczenie maksymalnej wartości kroku czasowego w procesie całkowania
równań obwodu. Jak pamie˛ tamy (strona 72) można to zrobić przez podanie odpowiedniego
parametru w instrukcji .TRAN. W naszym przypadku instrukcja ta może wygla˛ dać
naste˛ puja˛ co:
.TRAN 1USEK 0.3MSEK 0MSEK 1USEK UIC
Wpływ zmiany w instrukcji .TRAN na obliczenia napie˛ cia wyjściowego ilustruje Rys. 47.
Analiza stanów nieustalonych 85
Rys.47. Przebieg napie˛ cia w układzie generatora. Mały bła˛ d obcie˛ cia.
Przebieg napie˛ cia wyświetlany przez program PROBE jest teraz „gładki”. Cze˛ stotliwość drgań
odczytana z wykresu (trzy ostatnie okresy) wynosi ≈37.5[kHz]. Różnica mie˛ dzy ta˛
cze˛ stotliwościa˛ , a cze˛ stotliwościa˛ obliczona˛ w rozdziale 3 nie przekracza 2.5%. należy uznać,
że rozbieżność obliczeń jest niewielka ponieważ:
W obliczeniach prowadzonych w rozdziale 3 nie uwzgle˛ dniano żadnych zjawisk
nieliniowych.
Symulacja stanu nieustalonego odbywa sie˛ ze skończona˛ dokładnościa˛ .
Przebieg z Rys. 47 nie przedstawia jeszcze stanu ustalonego.
(52)
Funkcja w(x) może być dowolnym wielomianem. Ponieważ każda˛ funkcje˛ cia˛ gła˛ można
aproksymować z dowolna˛ dokładnościa˛ wielomianem nie jest to istotne ograniczenie.
Równanie ła˛ cza˛ ce pra˛ d i(t) płyna˛ cy przez nasz dwójnik z napie˛ ciem u(t) panuja˛ cym mie˛ dzy
jego zaciskami można teraz zapisać naste˛ puja˛ co:
(53)
(54)
Przewodność dwójnika uzależniona jest od czasu przez napie˛ cie steruja˛ ce us(t). Wartość
napie˛ cia steruja˛ cego można wymuszać za pomoca˛ niezależnej siły elektromotorycznej.
Chca˛ c otrzymać oporność zależna˛ od czasu, w rozważanym powyżej układzie, siłe˛
elektromotoryczna˛ e1 należy uzależnić od napie˛ cia panuja˛ cego na stałej oporności R
(Rys.48. B). Równanie ła˛ cza˛ ce pra˛ d płyna˛ cy przez dwójnik z napie˛ ciem panuja˛ cym na nim
przyjmuje naste˛ puja˛ ca˛ postać:
(55)
(56)
(57)
(58)
pra˛ dem i(t) płyna˛ cym przez dwójnik i wartościa˛ napie˛ cia steruja˛ cego us(t). Jeżeli siła
pra˛ domotoryczna i1 wyraża sie˛ naste˛ puja˛ cym wzorem:
(59)
Źródła sterowane wyste˛ puja˛ ce w strukturze każdego z elementów moga˛ być uzależnione
od napie˛ cia dostarczanego przez niezależna˛ siłe˛ elektromotoryczna˛ . W tym przypadku opisane
struktury modeluja˛ przewodność, oporność, pojemność i indukcyjność zmienne w czasie.
Możliwe jest też uzależnienie wspomnianych źródeł sterowanych od dowolnego napie˛ cia w
obwodzie. w tym przypadku mamy do czynienia z sterowana˛ przewodnościa˛ , opornościa˛ ,
pojemnościa˛ i indukcyjnościa˛ .
(62)
W przypadku wielomianu dwóch zmiennych w(x1,x2) jego wartość obliczana jest zgodnie
z naste˛ puja˛ cym wzorem:
3
Przez rza˛ d wielomianu rozumie sie˛ tutaj liczbe˛ zmiennych niezależnych wyste˛ puja˛ cych
w tym wielomianie.
Analiza stanów nieustalonych 89
(63)
(64)
źródło napie˛ cia VSENS. Zwia˛ zek mie˛ dzy pra˛ dem wyjściowym Iwy a pra˛ dem steruja˛ cym
I(VSENS) jest naste˛ puja˛ cy: Iwy=0.001+0.0013*I(VSENS)
Drugi przykład to deklaracja źródła napie˛ cia sterowanego pra˛ dami płyna˛ cymi przez źródła
napie˛ cia V1 i V2. Wartość napie˛ cia źródła Vwy wyraża sie˛ wzorem: Vwy=I(V1)*I(V2).
******************************
* g=1/r1*v(40,50) *
******************************
.subckt przewodnosc 10 20 40 50
* | | | |
* przewodność | |
* sterowanie
*
*
r1 10 30 1k
e1 30 20 poly(2) 10 20 40 50 0.0 1.0
0.0 0.0 -1.0
r2 40 50 100meg
r3 50 0 1000meg
.ends przewodnosc
Rys.49. Sterowana przewodność.
******************************
* r=r1*v(40,50) *
******************************
.subckt opornosc 10 20 40 50
* | | | |
* oporność | |
* sterowanie
*
*
r1 10 30 1k
e1 30 20 poly(2) 10 30 40 50 0.0 -1.0
0.0 0.0 1.0
r2 40 50 100meg
r3 50 0 1000meg
.ends opornosc
******************************
* c=c1*v(40,50) *
******************************
.subckt pojemnosc 10 20 40 50
* | | | |
* pojemność | |
* sterowanie
*
*
c1 10 30 1u
e1 30 20 poly(2) 10 20 40 50
+0.0 1.0 0.0 0.0 -1.0
r2 40 50 100meg
r3 50 0 1000meg
.ends pojemnosc
******************************
* l=l1*v(40,50) *
******************************
.subckt indukcyjnosc 10 20 40 50
* | | | |
* indukcyjność | |
* sterowanie
*
*
v1 10 30
l1 30 20 1m
f1 30 20 poly(2) v1 v2 0.0 1.0 0.0 0.0
-1.0
v2 60 0
g1 0 60 40 50 1
r2 40 50 100meg
r3 50 0 1000meg
.ends indukcyjnosc
Na wykresie ilustruja˛ cym wyniki obliczeń (Rys. 54) umieszczono obok napie˛ cia na prze-
ka˛ tnej mostka w przypadku, gdy kondensator Cvar zmienia swa˛ wartość od 300pF do 400pF,
to samo napie˛ cie w przypadku, gdy kondensator Cvar ma stała˛ wartość 300pF oraz 400pF.
Deklaracja struktury kondensatora o zmiennej w czasie wartości pojemności umieszczona
została w zbiorze bibliotecznym o nazwie ELEMENTY.LIB. Po przeczytaniu deklaracji
całego obwodu program PSpice otwiera zbiór ELEMENTY.LIB, wymieniony w instrukcji
.LIB, i odszukuje deklaracje˛ struktury o nazwie „pojemnosc”, której nie znalazł w zbiorze
z danymi wejściowymi.
Instrukcja doła˛ czania bibliotek .LIB nakazuje programowi PSpice poszukiwanie deklaracji
i modeli nie zamieszczonych bezpośrednio w zbiorze z danymi w zbiorze bibliotecznym.
Składnia tej instrukcji jest naste˛ puja˛ ca:
.LIB _nazwa_zbioru
Przykład:
.LIB c:\spice\bib\diody.lib
Parametr _nazwa_zbioru określa nazwe˛ zbioru bibliotecznego, który be˛ dzie przegla˛ dany
przez program PSpice. Nazwa zbioru może być poprzedzona ścieżka˛ i specyfikacja˛ nape˛ du
dyskowego. Instrukcja .LIB może być zagnieżdżana tzn. zbiór doła˛ czany za pomoca˛ instrukcji
.LIB może zawierać instrukcje˛ .LIB. Liczba zagnieżdżeń jest nieograniczona. W przypadku,
gdy parametr _nazwa_zbioru jest cia˛ giem pustym, przegla˛ dana jest biblioteka o nazwie
NOM.LIB, o której zakłada sie˛ , że jest w katalogu domyślnym. Wygodnie jest zatem nazwy
Analiza stanów nieustalonych 93
4
Jako parametry instrukcji .LIB.
94 Analiza stanów nieustalonych
Jeżeli oporności te zakłócaja˛ zbytnio prace˛ układu, natomiast we˛ zły steruja˛ ce poła˛ czone sa˛
z masa˛ poza elementem sterowanym oporności te można usuna˛ ć.
Przedstawiona w podrozdziale 4.2.1 idea stanowić może podstawe˛ rozbudowy biblioteki
ELEMENTY.LIB o naste˛ puja˛ ce elementy:
Elementy, których wartość zwia˛ zana jest z napie˛ ciem steruja˛ cym dowolnym
wielomianem. My zrealizowaliśmy elementy zależne liniowo od napie˛ cia steruja˛ cego.
Elementy, których wartość sterowana jest przez dowolny pra˛ d płyna˛ cy w obwodzie.
.SUBCKT UL1461L 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
*
*
* numery wyprowadzeń układu scalonego
*
R1 10 20
7.5K
R3 20 11
25K
R2 20 21
1K
R4 24 25
15K
R5 10 50
30K
R6 25 13
1K
R7 26 12
380
R8 26 27
5K
R9 27 9
12.5K
R10 27 28
3.75K
R11 10 30
750
R12 30 9
250
R13 33 1
260
R14 10 6
875 Rys.55. Schemat elektryczny układu scalonego 1461L.
R15 8 2
8.5K
R16 2 13 3K
R17 6 2 3K
R18 35 13 5.1K
R19 6 34 3K
R20 39 3 310
R21 6 36 270
R22 4 13 1K
R23 6 43 100
R24 38 13 550
R25 6 7 240
R26 40 13 550
R27 5 39 10K
R28 44 5 550
.MODEL TM NPN BF=80 BR=1 IS=1E-14 RB=100 VA=50 TF=0.3N TR=6N CJS=2.0P CJE=3.0P CJC=2.0P
.MODEL TM1 PNP BF=10 BR=1 IS=1E-14 RB=20 VA=50 TF=0.3N TR=20N CJS=0.0P CJE=6.0P CJC=4.0P
Q1 10 11 24 TM
Q2 50 24 25 TM
Q3 10 26 25 TM
Q4 30 50 32 TM
Q5 30 32 31 TM
Q6 9 31 33 TM
Q7 6 8 35 TM
Q8 34 39 35 TM
Q9 37 34 36 TM1
Q10 36 37 4 TM
Q11 43 4 38 TM
Q12 7 38 40 TM
Q13 41 40 13 TM 10
Q14 6 7 44 TM
Q15 6 44 5 TM 10
VWE 30 0 AC 0.5M
SIN(0 2.7M 1K)
RWE 20 30 1K
VCC 6 0 DC
13.2V
C1 11 20 10U
C2 12 0 10U
C3 10 0 220U
C4 8 0 15N
C5 21 9 10U
C6 7 6 4.7N
C7 6 0 470U
C8 5 22 470U
C9 5 4 560P
C10 4 0 1N
C11 3 0 47U
C12 2 0 22U
R1 21 8 1K
ROBC 22 0 4 Rys.56. Wzmacniacz mocy zbudowany w oparciu o układ
scalony UL1461L.
5
Wśród zmienianych parametrów sa˛ : pra˛ dy nasycenia zła˛ cz, rezystancja rozproszona
obszaru bazy, pojemności zła˛ czowe i inne.
Analiza stanów nieustalonych 97
DC COMPONENT = 1.553569E-02
Wyniki zawieraja˛ wartość składowej stałej przebiegu oraz wartość dziewie˛ ciu kolejnych
składowych harmonicznych. Dla każdej składowej podane sa˛ kolejno: wartość cze˛ stotliwości,
wartość amplitudy, wartość amplitudy odniesiona do pierwszej harmonicznej, przesunie˛ cie
fazowe oraz przesunie˛ cie fazowe odniesione do pierwszej harmonicznej.
Uzyskane rezultaty w obszarze małych wartości współczynnika zniekształceń nieliniowych
należy przyjmować z pewna˛ ostrożnościa˛ . Do rzeczywistych zniekształceń nieliniowych
98 Analiza stanów nieustalonych
Rys.58. Przebieg napie˛ cia wyjściowego w układzie wzmacniacza mocy. Amplituda napie˛ cia
steruja˛ cego wynosi 2.7[mV].
doła˛ czaja˛ błe˛ dy wynikaja˛ ce z aproksymacji liniowej przebiegu mie˛ dzy punktami, w których
wartość przebiegu została obliczona w procesie całkowania równań układu. Z tego wzgle˛ du
w instrukcji .TRAN ograniczona została maksymalna wartość kroku całkowania do 10[µs] —
dane dla programu PSpice na stronie 96. Stanowi to 1.0% okresu składowej podstawowej i
można sie˛ spodziewać, że jeżeli wartość rzeczywistego współczynnika zniekształceń
nieliniowych jest powyżej 1.0%, to program PSpice obliczy go poprawnie.
Dla napie˛ cia steruja˛ cego równego 2.7[mV] napie˛ cie wyjściowe w analizowanym wzmac-
niaczu mocy jest już poważnie zniekształcone. Przebieg napie˛ cia wyjściowego przedstawia
Rys. 58. Obliczony przez program PSpice współczynnik zniekształceń nieliniowych wynosi
prawie 6[%]. Za pomoca˛ programu PROBE można obliczyć cia˛ głe widmo przebiegu z
Rys. 58. Służy temu opcja Fourier figuruja˛ ca w menu programu. Wynik przedstawia Rys. 59.
Dokonuja˛ c analizy widmowej za pomoca˛ programu PROBE należy mieć na uwadze, że
obliczana jest dyskretna transformata Fouriera (przy pomocy algorytmu FFT). Liczba próbek
sygnału pobieranych do przetwarzania jest ograniczona. Oznacza to, że:
Przebieg w dziedzinie czasu be˛ dzie zbyt rzadko próbkowany (szerokie okno czasowe)
to dojdzie do zniekształcenia widma przebiegu w wyniku zjawiska aliasingu
(twierdzenie Kotielnikowa–Shanona).
Analiza stanów nieustalonych 99
Rys.59. Widmo cia˛ głe przebiegu z poprzedniego rysunku obliczone za pomoca˛ programu
PROBE.
Jeżeli przebieg w dziedzinie czasu be˛ dzie zbyt cze˛ sto próbkowany to także dojdzie do
zniekształcenia widma w wyniku zbytniego zawe˛ żenia okna czasowego.
(65)
Aby go rozwia˛ zać za pomoca˛ programu PSpice, należy zbudować analog elektryczny —
obwód opisywany takimi samymi równaniami różniczkowymi. Układ ten przedstawiony jest
na Rys. 60. Składaja˛ sie˛ nań trzy sekcje. Każda sekcja odpowiada jednemu równaniu w
układzie równań (65). Zmienne x1, x2, x3 reprezentowane sa˛ odpowiednio przez potencjały
we˛ złowe V(1), V(2), V(3). Dane dla programu PSpice przedstawione sa˛ poniżej.
DZIWNY ATRAKTOR
.OPTIONS TRTOL=.1 ITL5=15000
*PIERWSZA SEKCJA
C1 1 0 1 IC=0
G1 0 1 2 0 10
R1 1 0 0.1
*DRUGA SEKCJA
C2 2 0 1 IC=10
G2 0 2 POLY(2) 1 0 3 0 0 28
0 0 -1
R2 2 0 1
*TRZECIA SEKCJA
C3 3 0 1 IC=27
R3 3 0 0.375
G3 0 3 POLY(2) 1 0 2 0 0 0 0
0 1
Całkowanie równań układu chcemy rozpocza˛ ć od warunków pocza˛ tkowych x1=0, x2=10,
x3=27. Dlatego wartość napie˛ ć pocza˛ tkowych na kondensatorach zadeklarowano naste˛ puja˛ co:
Napie˛ cie pocza˛ tkowe na kondensatorze C1: V(1)t=0=0[V].
Napie˛ cie pocza˛ tkowe na kondensatorze C2: V(2)t=0=0[V].
Analiza stanów nieustalonych 101
rozwia˛ zanie układu równań (65) szybko zostaje ścia˛ gnie˛ te do krzywej przedstawionej na
Rys. 62. Krzywa˛ o tej własności nazywa sie˛ atraktorem. Ten, który przedstawiony jest na
Rys. 62 nazywany jest atraktorem Lorentza. Dokładnie rzecz biora˛ c nie udowodniono
jeszcze, że przedstawiona krzywa jest atraktorem. Wszystko co wiadomo na temat tej krzywej
uzyskano w wyniku symulacji komputerowej.
6
Oznaczenia stanów stosowane w mechanice kwantowej.
Analiza stanów nieustalonych 103
(66)
(67)
Jest rzecza˛ oczywista˛ , że jeżeli jedynymi Rys.63. Dwa stany cza˛ stki amoniaku.
dopuszczalnymi przez nas stanami cza˛ stki
sa˛ wymienione dwa stany to prawdopodobieństwa P1 i P2 musza˛ spełniać zwia˛ zek:
(68)
(69)
Litera i oznacza tutaj czynnik urojony tzn. i2=-1, natomiast =1,055 10-34 [J s] to stała
Plancka. Współczynniki H11 i H22 to odpowiednio energia cza˛ stki w stanie |1> i energia
cza˛ stki w stanie |2>. Współczynniki H12 i H21 opisuja˛ „przeskakiwanie” cza˛ stki mie˛ dzy
wymienionymi stanami i spełniaja˛ naste˛ puja˛ cy zwia˛ zek:
(70)
Jeżeli brak jest pola elektrycznego to energia cza˛ stki w obu stanach jest identyczna, a zatem
H11=H22=E0. Ze wzgle˛ du na symetrie˛ stanów H12=H21=-A. Równania Hamiltona przyjmuja˛
naste˛ puja˛ ca˛ postać:
Cza˛ stka amoniaku jest złożonym układem kwantowym. Trudno jest zatem podać
teoretyczna˛ wartość energii E0 oraz współczynnika A. Wartości te moga˛ być wyznaczone
7
Nie interesuje nas ruch cza˛ stki w przestrzeni ani jej wewne˛ trzne stany wzbudzone.
104 Analiza stanów nieustalonych
(71)
doświadczalnie. Rozwia˛ zanie układu równań (71) jest takie, że amplitudy prawdopodobień-
stwa stanowia˛ pewna˛ liniowa˛ kombinacje˛ funkcji:
(72)
Oznacza to, że stan cza˛ stki amoniaku może być opisywany na dwa równoważne sposoby:
Przez podanie amplitudy prawdopodobieństwa C1 znalezienia cza˛ stki w stanie |1> i
amplitudy C2 znalezienia cza˛ stki w stanie |2>, tak jak opisano to na pocza˛ tku
paragrafu.
Przez podanie amplitudy prawdopodobieństwa CI znalezienia cza˛ stki w stanie o
energii EI=E0+A oraz amplitudy prawdopodobieństwa CII znalezienia cza˛ stki w stanie
o energii EII=E0-A.
Istnienie dwóch stanów cza˛ stki amoniaku |1> i |2>, różnia˛ cych sie˛ położeniem atomu azotu
w stosunku do płaszczyzny wyznaczanej przez atomy wodoru, jest równoważna istnieniu
dwóch bliskich sobie stanów energetycznych. Przejście cza˛ stki od stanu o energii EI do stanu
o niższej energii EII wia˛ że sie˛ z wyemitowaniem kwantu promieniowania (fotonu) o
cze˛ stotliwości f0=(EI-EII)/(2π ) = 2 A/(2π ) ≈ 24[GHz]. Cze˛ stotliwość ta, w widmie
promieniowania elektromagnetycznego, leży w obszarze mikrofal.
Rozważmy teraz w jaki sposób cza˛ stka amoniaku oddziaływać be˛ dzie z polem
elektrycznym zmieniaja˛ cym sie˛ z cze˛ stotliwościa˛ równa˛ f0. Tak jak pokazano to na
Rys. 63 cza˛ stka posiada moment elektryczny m skierowany od atomu azotu
w strone˛ płaszczyzny tworzonej przez atomy wodoru. Energia cza˛ stki w obecności pola
elektrycznego w stanie |1> różni sie˛ od energii w stanie |2>. Załóżmy, że na
Rys. 63 wektor nate˛ żenia pola elektrycznego (t) ma kierunek pionowy i
jest skierowane z dołu do góry. Współczynnik H11 równania Hamiltona oznaczaja˛ cy energie˛
cza˛ stki w stanie |1> przyjmuje postać:
(73)
(74)
(75)
(76)
(77)
Załóżmy, że rozwia˛ zanie naszych równań można przedstawić naste˛ puja˛ co:
(78)
(79)
(80)
(81)
Niech cza˛ stka NH3 w chwili t=0 znajduje sie˛ w stanie o energii EI (wyższej). Oznacza to, że
DI(0)=1 oraz DII(0)=0. Równania Hamiltona maja˛ postać:
(82)
Równania te be˛ dziemy chcieli rozwia˛ zać za pomoca˛ programu PSpice w dwóch
przypadkach:
W przypadku rezonansu, tzn. gdy cze˛ stotliwość pola elektrycznego ω/(2π) jest
identyczna z cze˛ stotliwościa˛ f0 kwantu promieniowania emitowanego przez cza˛ stke˛
przy przejściu od stanu o wyższej energii EI do stanu o niższej energii EII.
W przypadku gdy cze˛ stotliwość pola elektrycznego be˛ dzie sie˛ nieco różniła od
cze˛ stotliwości rezonansowej f0.
Aby uzyskać uniwersalne rozwia˛ zania równań (82) be˛ dziemy sie˛ posługiwali znormalizo-
wanym czasem τ oraz znormalizowanymi pulsacjami ω’, ω0’ określonymi zgodnie ze
wzorami:
(83)
(84)
(85)
Dla równań (85) można zbudować analog elektryczny tzn. obwód elektryczny opisywany
tymi właśnie równaniami. Analog ten przedstawiony jest na Rys. 64. Wyste˛ puja˛ tam
cztery sekcje, każda z jednym kondensatorem o pojemności 1[F]. Kolejne sekcje odpowiadaja˛
kolejnym równaniom w układzie (85). Potencjały V(1), V(2), V(3) i V(4) odpowiadaja˛
kolejno cze˛ ści urojonej DI, cze˛ ści rzeczywistej DI, cze˛ ści urojonej DII i cze˛ ści rzeczywistej
DII. Pozostałe sekcje służa˛ do uzyskania :
Przebiegu sinusoidalnego o pulsacji ω’ — V(10).
Przebiegu sinusoidalnego o pulsacji ω0’ — V(20).
Przebiegu kosinusoidalnego o pulsacji ω0’ — V(30).
Zadeklarowanie wymuszenia w postaci kosinusoidy stanowi w programie PSpice pewien
problem. W przebiegu typu SIN brak jest parametru, który pozwalałby zmienić faze˛
pocza˛ tkowa˛ . Wobec tego użyto źródła o przebiegu sinusoidalnym i cze˛ stotliwości dwa razy
mniejszej niż wymagana. Kosinusoide˛ można uzyskać z tego przebiegu na podstawie wzoru:
(86)
Niezbe˛ dne jest użycie nieliniowego źródła sterowanego. W przypadku naszego obwodu
przebieg kosinusoidalny ma potencjał we˛ zła V(30).
Z punktu widzenia programu PSpice obwód przedstawiony na Rys. 64 jest
patologiczny. We˛ zły 1, 2, 3 i 4 nie maja˛ stałopra˛ dowego poła˛ czenia z we˛ złem masy. Aby
temu zaradzić każdy z wymienionych we˛ złów poła˛ czono z we˛ złem masy opornikiem o
wartości 10[MΩ]. Opornik taki be˛ dzie miał niezauważalny wpływ na rozwia˛ zanie równań
obwodu, natomiast z punktu widzenia programu PSpice struktura obwodu stanie sie˛ poprawna.
Dane do obliczeń dla programu PSpice przedstawione sa˛ poniżej.
RÓWNANIA CZA
˛STKI AMONIAKU - REZONANS
.OPTIONS ITL5=10000
CI1 1 0 1
RI1 1 0 10MEG
GI11 0 1 POLY(3) 10 0 30 0 4 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 -1
GI12 0 1 POLY(3) 10 0 20 0 3 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1
CR1 2 0 1 IC=1
RR1 2 0 10MEG
GR11 0 2 POLY(3) 10 0 30 0 3 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1
108 Analiza stanów nieustalonych
GR12 0 2 POLY(3) 10 0 20 0 4 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1
CI2 3 0 1
RI2 3 0 10MEG
GI21 0 3 POLY(3) 10 0 30 0 2 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 -1
GI22 0 3 POLY(3) 10 0 20 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 -1
CR2 4 0 1
RR2 4 0 10MEG
GR21 0 4 POLY(3) 10 0 30 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1
GR22 0 4 POLY(3) 10 0 20 0 2 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 -1
R10 10 0 1
V10 10 0 SIN(0 1 10)
R20 20 0 1
V20 20 0 SIN(0 1 10)
R40 40 0 1
V40 40 0 SIN(0 1 5)
R30 30 0 1
E30 30 0 POLY(1) 40 0 1 0 -2
CI1 1 0 1
RI1 1 0 10MEG
GI11 0 1 POLY(3) 10 0 30 0 4 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 -1
GI12 0 1 POLY(3) 10 0 20 0 3 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1
CR1 2 0 1 IC=1
RR1 2 0 10MEG
GR11 0 2 POLY(3) 10 0 30 0 3 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1
GR12 0 2 POLY(3) 10 0 20 0 4 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1
CI2 3 0 1
RI2 3 0 10MEG
GI21 0 3 POLY(3) 10 0 30 0 2 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 -1
GI22 0 3 POLY(3) 10 0 20 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 -1
CR2 4 0 1
RR2 4 0 10MEG
GR21 0 4 POLY(3) 10 0 30 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1
GR22 0 4 POLY(3) 10 0 20 0 2 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 -1
R10 10 0 1
V10 10 0 SIN(0 1 10.5)
R20 20 0 1
V20 20 0 SIN(0 1 10)
R40 40 0 1
V40 40 0 SIN(0 1 5)
R30 30 0 1
E30 30 0 POLY(1) 40 0 1 0 -2
.TRAN 0.1 10 UIC
.PROBE V(1) V(2) V(3) V(4)
.END
Wartość momentu elektrycznego cza˛ stki amoniaku wynosi 1,46[Debay] [27] co odpowiada
4,87 10-30[A s m]. Jeżeli założymy amplitude˛ pola elektrycznego równa˛ 100 [V/cm] to
wartość znormalizowanej pulsacji rezonansowej powinna wynosić 327,0. Nasze obliczenia
wykonywane be˛ da˛ dla znormalizowanej pulsacji rezonansowej równej 10,0 tzn. zakładamy,
że pole elektryczne jest prawie 33 razy wie˛ ksze. W przypadku obliczeń poza rezonansem
założono, że cze˛ stotliwość rezonansowa różni sie˛ od cze˛ stotliwości pola elektrycznego o
5,0[%].
Analiza stanów nieustalonych 109
Wynik obliczeń przedstawiony jest na Rys. 65. Na osi poziomej odłożony jest
znormalizowany czas τ. Na osi pionowej odłożone jest prawdopodobieństwo znalezienia
cza˛ stki w stanie o wyższej energii EI (wzór (80)). W przypadku , gdy pole elektryczne
zmienia sie˛ z cze˛ stotliwościa˛ równa˛ cze˛ stotliwości rezonansowej obserwujemy emisje˛
wymuszona˛ . Pole elektryczne powoduje, że cza˛ stka cyklicznie przechodzi od stanu o energii
EI do stanu o energii EII. Wia˛ że sie˛ to z wypromieniowywaniem i pochłanianiem odpowied-
niego kwantu energii. Odchylenie cze˛ stotliwości pola od cze˛ stotliwości rezonansowej o 5,0%
znacznie zmniejsza ten efekt. Nie ma już chwil, w których cza˛ stka znajduje sie˛ w stanie o
energii EII z prawdopodobieństwem równym 1. Obserwowane na Rys. 65 zjawisko emisji
wymuszonej dla cza˛ stki NH3 leży u podstaw działania masera amoniakalnego — generatora
spójnego promieniowania mikrofalowego o cze˛ stotliwości 24[GHz]. Zjawisko emisji
wymuszonej wyste˛ puje we wszystkich układach kwantowych, w których może dojść do
spontanicznej emisji fotonu. W szczególności układy atomowe promieniuja˛ ce w zakresie
promieniowania widzialnego wykorzystywane sa˛ do budowy generatorów światła spójnego:
laserów8.
8
ang. Light (Microvawe) Amplification by Stimulated Emission of Radiation —
wzmocnienie światła (mikrofal) przez wymuszona˛ emisje˛ promieniowania.
110 Analiza stanów nieustalonych
gdzie:
T temperatura w skali bezwzgle˛ dnej;
T0 temperatura odniesienia równa 300K;
R(T) oporność w temperaturze T;
R(T0) oporność w temperaturze odniesienia.
Dla oporników scalonych, wykonywanych zwykle jako obszar dyfuzji kolektorowej
scalonego tranzystora bipolarnego, właściwsza jest zależność wykładnicza. Zmiany
temperaturowe oporności opisywane sa˛ w tym przypadku jednym parametrem TCE
–wykładnikiem pote˛ gowym.
(88)
Przykłady:
* OPORNIK DYSKRETNY
.MODEL OPO_D RES R=1K TC1=5.0E-4 TC2=4.2E-6
* OPORNIK SCALONY
.MODEL OPO_S RES R=1K TCE=-2.5E-02
Parametr R, który znajdujemy wśród parametrów opornika, służy do obliczania wartości
opornika odwołuja˛ cego sie˛ do modelu. Wartość opornika w temperaturze odniesienia T0 jest
iloczynem parametru R oraz mnożnika podawanego tuż za nazwa˛ modelu w linii deklaracji
opornika. Jeśli mnożnik nie jest podany program przyjmuje, że wynosi on 1. Niech opornik
o nazwie R11 be˛ dzie modelowany za pomoca˛ modelu o nazwie OPO_D z przykładu powyżej.
Deklaracja tego opornika powinna mieć postać:
R11 12 2 OPO_D 10
Wartość oporności opornika R11 w temperaturze T0 wynosi 10[kΩ].
Tolerancje oporników uwzgle˛ dnia sie˛ za pomoca˛ słowa kluczowego DEV lub LOT w
deklaracji modelu opornika.
Przykłady:
* OPORNIKI O TOLERANCJI 5[%]. WARTOŚCI NIEZALEŻNE.
.MODEL OPO RES R=10K DEV 5%
R21 1 2 OPO 5 ;50K
R45 2 4 OPO 1 ;10K
RMY 3 5 OPO 2.3 ;23K
114 Elementy pasywne - modele
gdzie:
C(T) pojemność w temperaturze T;
C(T0) pojemność w temperaturze odniesienia T0.
Efekty nieliniowe modelowane sa˛ za pomoca˛ dwóch naste˛ pnych parametrów. Sa˛ to
odpowiednio:
VC1 Współczynnik liniowej zależności pojemności od napie˛ cia.
VC2 Współczynnik kwadratowej zależności pojemności od napie˛ cia.
Pojemność rozumiana jest tutaj jako pojemność różniczkowa. Oznacza to, że pra˛ d i(t) płyna˛ cy
przez element zwia˛ zany jest z napie˛ ciem panuja˛ cym na elemencie u(t) za pomoca˛ naste˛ puja˛ -
cego wzoru:
(90)
gdzie:
Elementy pasywne - modele 115
C(T) pojemność różniczkowa kondensatora (w temperaturze T), gdy napie˛ cie panuja˛ ce
na nim jest równe 0.
Przykład:
.MODEL POJ CAP C=10N DEV 2% TC1=0.2E-3 VC1=2E-2
C1 2 3 POJ 1
gdzie:
L(T) indukcyjność w temperaturze T;
L(T0) indukcyjność w temperaturze odniesienia T0.
Do opisu efektów nieliniowych używa sie˛ dwóch kolejnych parametrów LI1 oraz LI2.
Sa˛ to odpowiednio współczynnik liniowej zależności indukcyjności od pra˛ du i współczynnik
kwadratowej zależności indukcyjności od pra˛ du. Indukcyjność rozumiana jest tutaj jako
indukcyjność różniczkowa. Oznacza to, że pra˛ d i(t) płyna˛ cy przez element zwia˛ zany jest z
napie˛ ciem panuja˛ cym na elemencie u(t) za pomoca˛ naste˛ puja˛ cego wzoru:
116 Elementy pasywne - modele
(92)
gdzie:
L(T) indukcyjność różniczkowa cewki (w temperaturze T), przy pra˛ dzie równym zero.
Przykład:
.MODEL CEWKA IND L=10M DEV 20% TC1=0.2E-3 IC1=2E-2
L1 2 3 CEWKA
dzielić na dwie grupy. Pierwsza AREA Pole przekroju poprzecznego [cm]2 0.1
PATH Średnia długość linii pola
z nich to parametry opisuja˛ ce
magnetycznego [cm] 1.0
geometrie˛ rdzenia. Druga grupa GAP Szerokość szczeliny powietrznej [cm] 0.0
STACK Współczynnik wypełnienia - 1.0
to parametry opisuja˛ ce materiał MS Magnetyzacja nasycenia [A/m] 106
ALPHA Średni współczynnik pola - 0.001
magnetyczny, z którego został A Parametr kształtu [A/m] 103
wykonany rdzeń. Do pierwszej C Stała odkształceń elastycznych ścian
domen - 0.2
grupy należy: K Stała odkształceń nieelastycznych
ścian domen [A/m] 500
Parametr AREA słu-
ża˛ cy do określania pola
przekroju poprzecznego
rdzenia; pole przekroju poprzecznego rdzenia, wyrażone w [cm2] jest iloczynem
parametru AREA i wartości podanej w polu _skala w linii deklaracji sprze˛ żenia ma-
gnetycznego — strona 117.
Parametr PATH — średnia długość linii pola magnetycznego wewna˛ trz rdzenia
wyrażona w [cm].
Parametr GAP — szerokość szczeliny powietrznej rdzenia w [cm].
parametr STACK — określa jaka˛ cze˛ ść pola przekroju poprzecznego cewki
wypełnia rdzeń.
Aby wyjaśnić znaczenie parametrów należa˛ cych do drugiej grupy należy omówić
118 Elementy pasywne - modele
(93)
gdzie:
H nate˛ żenie pola magnetycznego;
Ma magnetyzacja w przypadku braku histerezy;
Ms magnetyzacja nasycenia (w programie PSpice parametr MS);
α średni parametr pola (w programie PSpice parametr ALPHA);
a parametr kształtu (w programie PSpice parametr A).
Funkcja F(x) ma naste˛ puja˛ ca˛ postać:
(94)
Wzory (93) i (94) uzyskuje sie˛ badaja˛ c zbiór momentów magnetycznych domen ferromagne-
tyka metodami fizyki statystycznej [9]. Parametr a jest ściśle zwia˛ zany z średnim momentem
magnetycznym pojedynczej domeny (odwrotnie proporcjonalnie) i temperatura˛ układu (wprost
proporcjonalnie). Parametr α zwia˛ zany jest z energia˛ wzajemnego oddziaływania domen.
Parametr ten uwzgle˛ dnia nie tylko energie˛ oddziaływania domeny z polem magnetycznym
wytworzonym przez wszystkie pozostałe domeny polikryształu. Uwzgle˛ dnia także energie˛
zgromadzona˛ na powierzchni domeny. Nie do końca wyjaśnione efekty kwantowe [9]
powoduja˛ , że najbardziej korzystnym energetycznie stanem dla sa˛ siednich atomów w krysztale
ferromagnetyka jest stan, w którym momenty magnetyczne atomów maja˛ ten sam kierunek.
Sta˛ d atomowe momenty magnetyczne wewna˛ trz domeny sa˛ uporza˛ dkowane. Na granicy
domen wyste˛ puje obszar „przejściowy”, w którym sa˛ siaduja˛ ze soba˛ atomy o momentach
magnetycznych skierowanych w różne strony. Zwia˛ zane jest to ze zmagazynowaniem na
powierzchni domeny dodatkowej energii. Krzywa namagnesowania opisana wzorami (93),(94)
nie jest obserwowana bezpośrednio. Wytworzenie wewna˛ trz ferromagnetyka niezerowego
wektora namagnesowania wymaga „rozrostu” domen o momencie magnetycznym skierowa-
Elementy pasywne - modele 119
nym zgodnie z zewne˛ trznym polem magnetycznym. Naste˛ puje wówczas ruch ścian domen,
który napotyka na opory. Wynikaja˛ one z niedoskonałości budowy poszczególnych
monokryształów, istnienia granic ziarn w polikrysztale itp. W pracy [15] założono, że energia
potrzebna do przesunie˛ cia ściany domeny jest wprost proporcjonalna do wielkości tego
przesunie˛ cia (stała „siła tarcia”). Prowadzi to do naste˛ puja˛ cego wzoru określaja˛ cego
obserwowana˛ wartość wektora magnetyzacji M:
(95)
gdzie:
Ma wartość wektora magnetyzacji obliczona na podstawie wzorów (93),(94);
K stała odkształceń nieelastycznych ścian domen (w programie PSpice stała K);
δ równe jest +1 gdy dH/dt>0, natomiast w przypadku gdy dH/dt<0 równe jest -1.
Wzór (95) opisuje składowa˛ wektora magnetyzacji pochodza˛ ca˛ od odkształceń
nieelastycznych. Ściana domeny zaczepiona o defekty kryształu ulega odkształceniom
elastycznym. W pracy [15] założono, że „ciśnienie” wywołuja˛ ce ten efekt jest wprost
proporcjonalne do różnicy mie˛ dzy wartościa˛ wektora magnetyzacji obliczona˛ ze wzoru (1) i
aktualna˛ wartościa˛ wektora magnetyzacji M. W rezultacie otrzymano naste˛ puja˛ cy wzór
określaja˛ cy składowa˛ wektora magnetyzacji zwia˛ zana˛ z elastycznymi odkształceniami ścian
domen:
(96)
Sumuja˛ c składowe określone wzorami (95) i (96) otrzymujemy wzór określaja˛ cy całkowita˛
wartość wektora magnetyzacji wewna˛ trz ferromagnetyka:
(97)
(98)
sie˛ z magnetycznie mie˛ kkimi ferrytami używanymi jako rdzenie transformatorów wysokiej
cze˛ stotliwości. Rdzenie transformatorów wysokiej cze˛ stotliwości wykonywane sa˛ zwykle z
ferrytów manganowo–cynkowych i manganowo–niklowych [11]. Sa˛ to materiały
magnetycznie mie˛ kkie tzn. nate˛ żenie powścia˛ gaja˛ ce Hc oraz indukcja szcza˛ tkowa Br
przyjmuja˛ stosunkowo małe wartości [16]. W skutek tego w materiałach tych obserwuje sie˛
praktycznie liniowa˛ krzywa˛ rozmagnesowywania. Krzywa˛ te˛ można opisać wzorem:
(99)
(100)
gdzie:
µ0 przenikalność magnetyczna próżni równa 4π 10-7[H/m].
Ponieważ wartość nate˛ żenia powścia˛ gaja˛ cego Hc jest mała można w obszarze krzywej
rozmagnesowywania zlinearyzować wzór (93):
(101)
(102)
Pochodna wartości wektora magnetyzacji po nate˛ żeniu pola magnetycznego dla wartości pola
magnetycznego równej zero(dM/dH)H=0 to pocza˛ tkowa przenikalność materiału rdzenia µ
pomniejszona o jeden — parametr µ podawany jest w katalogu rdzeni. Sta˛ d ze wzoru (102)
uzyskujemy wartość dMa/dH dla H=0.
(103)
(104)
(105)
We wzorze (105) uwzgle˛ dniono, że na krzywej rozmagnesowywania zachodzi naste˛ puja˛ cy
zwia˛ zek:
Elementy pasywne - modele 121
(106)
(107)
(108)
Wielkość µ’ określona jest wzorem (100), (108). Ze wzgle˛ du na duża˛ wartość µ’ parametr K
modelu równy jest nate˛ żeniu pola powścia˛ gaja˛ cego.
Pozostaje jeszcze wyznaczenie parametrów Ms,a,α wyste˛ puja˛ cych we wzorach (93), (94).
Najłatwiej wyznaczyć wartość magnetyzacji nasycenia. W katalogach podaje sie˛ zwykle
indukcje˛ nasycenia Bn, której wartość ła˛ czy sie˛ z magnetyzacja˛ nasycenia naste˛ puja˛ cym
wzorem:
(109)
gdzie:
Hn — nate˛ żenia pola magnetycznego, dla którego dokonywano pomiaru Bn.
Trudniejszy problem stanowi znalezienie wartości parametrów a i α ponieważ krzywa
opisana równaniami (93), (94) jest trudna do pomiaru i nie jest podawana w katalogach. Dla
dużych wartości nate˛ żenia pola magnetycznego krzywa ta jest jednak bardzo bliska pierwotnej
krzywej namagnesowania. A zatem wymienione parametry zostana˛ dobrane tak aby:
Wartość przenikalności pocza˛ tkowej materiału rdzenia była równa µ.
Krzywa opisana równaniami (93), (94) przechodziła przez wybrany punkt pierwotnej
krzywej namagnesowania dla dużych wartości H.
Zgodnie ze wzorem (102) wartość pocza˛ tkowej przenikalności magnetycznej materiału
określona jest wzorem:
122 Elementy pasywne - modele
(110)
(111)
(112)
Dla dużych wartości argumentu funkcje˛ F(x) można przybliżyć w sposób naste˛ puja˛ cy:
(113)
Jeżeli mamy wartość nate˛ żenia pola magnetycznego Hx oraz wartość indukcji magnetycznej
Bx leża˛ ce na krzywej pierwotnego namagnesowania blisko obszaru nasycenia to spełniaja˛ one
przybliżona˛ równość:
(114)
gdzie:
(115)
Uwzgle˛ dniaja˛ c we wzorze (114) wyrażenie określaja˛ ce wartość parametru α (wzór (112)), po
przekształceniach otrzymujemy wyrażenie określaja˛ ce wartość parametru a:
(116)
Dysponuja˛ c wartościa˛ parametru a można obliczyć teraz, korzystaja˛ c ze wzoru (112) wartość
parametru α.
Ponieważ punkt o współrze˛ dnych (Hx,Bx) powinien leżeć na krzywej pierwotnego
namagnesowania blisko obszaru nasycenia, co może wia˛ zać sie˛ z pojawieniem sie˛
dodatkowych błe˛ dów numerycznych podczas obliczeń z wykorzystaniem wzoru (116), warto
odczytać w katalogu współrze˛ dne kilku takich punktów. Dla każdego z nich należy obliczyć
Elementy pasywne - modele 123
Br
K K=Hc* Hc,Br
Br-µ0*Hc
MN Mn=Bn/µ0-Hn Bn,Hn
Hx-C*Mx/[(1+C)*(µ-1)]
A A= Bx,Hx,(Mn,C)
1/(1-Mx/Mn)-3*Mx/Mn
Mx=Bx/µ0-Hx
C
ALPHA ALPHA=3*A/Mn - µ,(A,Mn,C)
(µ-1)*(1+C)
parametr a ze wzoru (116). Jako wartość parametru a należy przyja˛ ć średnia˛ uzyskanych
wyników. Tej średniej używa sie˛ do obliczenia parametru α zgodnie ze wzorem (112).
Tablica XVII podsumowuje sposób wyznaczania parametrów materiału magnetycznie
mie˛ kkiego dla potrzeb modelowania za pomoca˛ programu PSpice.
Przykład:
Obliczyć parametry ferrytu F3001 produkowanego przez ZMM „Polfer”. Potrzebne dane
katalogowe [16]:
Bn=370[mT] indukcja nasycenia;
Hn=1000[A/m] nate˛ żenie pola magnetycznego, dla którego dokonano pomiaru Bn;
µ=3000 pocza˛ tkowa przenikalność magnetyczna;
Br=87,0[mT] pole szcza˛ tkowe;
Hc=14,0[A/m] nate˛ żenie pola powścia˛ gaja˛ cego (pole koercji);
Hx=150[A/m] nate˛ żenie pola;
Bx=316[mT] indukcja pola — punkt (Hx,Bx) leży na pierwotnej krzywej
namagnesowania blisko obszaru nasycenia.
Obliczenia:
Wzgle˛ dna przenikalność magnetyczna materiału obserwowana na krzywej rozmagnesowywa-
nia (wzór (100)):
(117)
(118)
(119)
(120)
(121)
(122)
(123)
Rys. 68 Pe˛ tla histerezy magnetycznej ferrytu F3001 obliczona przez program PSpice.
element do powierzchni, która˛ założono deklaruja˛ c model. W ten sposób jedna deklaracja
modelu wystarcza dla modelowania wszystkich przyrza˛ dów tego samego typu, które powstały
na powierzchni krzemu w jednym procesie technologicznym mimo, że poszczególne
przyrza˛ dy różnia˛ sie˛ mie˛ dzy soba˛ rozmiarami geometrycznymi. W przypadku diody
parametrem zależnym od powierzchni jest np. pra˛ d nasycenia zła˛ cza IS. Pra˛ d nasycenia zła˛ cza
jest wprost proporcjonalny do powierzchni zajmowanej przez diode˛ . Jeżeli zatem w opisie
obwodu pojawia˛ sie˛ naste˛ puja˛ ce deklaracje:
.MODEL MOJA_DIODA D IS=1.0E-18
DCC 2 3 MOJA_DIODA 2.3
oznacza to, że pra˛ d nasycenia diody DCC wynosi 2,3·10-18[A]. Jest on zatem 2,3 raza wie˛ kszy
od pra˛ du IS zadeklarowanego w modelu diody o nazwie MOJA_DIODA. Jeżeli w deklaracji
diody DCC nie pojawi sie˛ współczynnik zwielokrotnienia to program PSpice przyjmie, że
współczynnik ten równa sie˛ 1,0.
W deklaracji diody może pojawić sie˛ także słowo kluczowe OFF. Użycie tego słowa
powoduje, że zmieniony zostaje nieco algorytm obliczania statycznego punktu pracy
analizowanego układu. W pierwszej fazie każdy element, w którego deklaracji pojawiło sie˛
słowo kluczowe OFF zostaje wyła˛ czony z obwodu przez zwarcie we˛ złów, do których były
doła˛ czone jego wyprowadzenia. Obliczany jest statyczny punkt pracy tak zmodyfikowanego
obwodu. Po pomyślnym zakończeniu obliczeń algorytm wchodzi w druga˛ faze˛ . Wyła˛ czone
z obwodu elementy sa˛ ponownie wła˛ czane do obwodu. Obliczany jest statyczny punkt pracy
układu, przy czym wartości pocza˛ tkowe potencjałów we˛ złowych sa˛ równe wartościom
obliczonym w pierwszej fazie algorytmu. W ten sposób słowo kluczowe OFF może być
użyte:
Dla ułatwienia obliczenia przez program PSpice statycznego punktu pracy układu.
W przypadku układu bistabilnego, dla wybrania określonego statycznego punktu pracy.
Użycie słowa kluczowego OFF prowadzi zawsze do poprawnego obliczenia statycznego
punktu pracy układu. Jeśli jednak statyczny punkt pracy układu różni sie˛ w sposób istotny od
założonego stanu wyła˛ czenia elementu z obwodu to czas obliczeń może sie˛ bardzo wydłużyć.
Ostatnim elementem deklaracji diody sa˛ warunki pocza˛ tkowe dla analizy stanów
nieustalonych. Po słowie kluczowym IC= podawana jest wartość napie˛ cia mie˛ dzy anoda˛ i
katoda˛ diody w chwili rozpocze˛ cia analizy .TRAN (pole _vd)1. Wartość ta ma znaczenie
tylko wtedy, gdy w instrukcji analizy stanów nieustalonych użyto słowa kluczowego UIC
(patrz strona 72), co pozwala na rozpocze˛ cie analizy stanów nieustalonych od dowolnego
stanu pocza˛ tkowego. Pomija sie˛ wtedy obliczanie stanu ustalonego w układzie.
1
Warunki pocza˛ tkowe moga˛ zostać podane także w instrukcji .IC - patrz strona 72.
Elementy półprzewodnikowe 129
(124)
gdzie:
Id1 pra˛ d płyna˛ cy przez zła˛ cze;
Is(T) pra˛ d nasycenia zła˛ cza jako Rys.69. Model diody półprzewodnikowej w
funkcja temperatury T — programie PSpice.
wzór (134);
Vd napie˛ cie panuja˛ ce na zła˛ czu;
Vt potencjał termiczny — w temperaturze T=300K równy około 26[mV];
N współczynnik emisji.
Równolegle do idealnego zła˛ cza półprzewodnikowego doła˛ czony jest nieliniowy opornik
o wykładniczej charakterystyce, którego zadaniem jest modelowanie zachowania zła˛ cza w
stanie przebicia. Charakterystyka wymienionego elementu dana jest wzorem:
(125)
gdzie:
Id2 pra˛ d płyna˛ cy przez zła˛ cze w stanie przebicia;
BV wsteczne napie˛ cie przebicia;
IBV pra˛ d płyna˛ cy przez element dla Vd=-BV.
Istnieja˛ co najmniej dwa mechanizmy prowadza˛ ce do pojawienia sie˛ wstecznego pra˛ du prze-
bicia zła˛ cza. Pierwszy z nich polega na lawinowym powielaniu nośników ładunku w obszarze
przejściowym mie˛ dzy materiałem o przewodnictwie typu p i materiałem o przewodnictwie
typu n. Drugi mechanizm polega na tunelowym przenikaniu przez nośniki ładunku wspom-
nianego obszaru. To, który z nich jest dominuja˛ cy w przypadku rzeczywistego zła˛ cza zależy
od szczegółów konstrukcyjnych [20]. Wzór (125) nie nie ma żadnego głe˛ bszego uzasadnienia
fizycznego. Został wybrany arbitralnie przez autorów programu PSpice tak, aby można było
łatwo aproksymować obserwowane doświadczalnie charakterystyki zła˛ cz p–n.
Szeregowa oporność o wartości Rs służy do:
Modelowania oporności omowych obszarów n oraz p zła˛ cza.
Oporności kontaktów.
Zjawisk zachodza˛ cych w zła˛ czu przy wysokim poziomie wstrzykiwania nośników
ładunku.
130 Elementy półprzewodnikowe
(126)
Przykład:
Na Rys. 70 przedstawiona jest charakterystyka statyczna typowej diody krzemowej. Linia
deklaracji modelu tej diody jest naste˛ puja˛ ca:
.MODEL DIO D IS=1E-16 N=1 BV=3 IBV=10M XTI=3 EG=1.11 RS=2
Parametrem na Rys. 70 jest oporność szeregowa diody RS.
Ze wzgle˛ du na trudności numeryczne jakie moga˛ pojawić sie˛ podczas rozwia˛ zywania
równań stałopra˛ dowych obwodu program PSpice nie dopuszcza do sytuacji, w której
przewodność różniczkowa przyrza˛ du spadłaby poniżej wartości GMIN=10-12[S]. W praktyce
oznacza to, że każdy przyrza˛ d zbocznikowany jest przez przewodność GMIN. Wartość mini-
malnej przewodności GMIN można zmienić za pomoca˛ instrukcji .OPTIONS tak jak
pokazano to poniżej.
.OPTIONS GMIN=_nowa_przewodność
W polu _nowa_przewodność należy umieścić zmodyfikowana˛ wartość minimalnej przewod-
ności, która może pojawić sie˛ w obwodzie.
Przykład:
.OPTIONS GMIN=1E-9
Elementy półprzewodnikowe 131
Na Rys. 69 równolegle do zła˛ cza idealnego doła˛ czone sa˛ dwie nieliniowe pojemności. Ich
zadaniem jest modelowanie dynamiki elementu. Pojemność Cj modeluje pojemność zła˛ czowa˛
zwia˛ zana˛ z ładunkiem przestrzennym zgromadzonym w pobliżu „styku” obszarów n oraz p
półprzewodnika. Ładunek Qj zgromadzony w tym obszarze wyraża sie˛ naste˛ puja˛ cym wzorem:
(127)
gdzie:
Cjo(T) różniczkowa pojemność zła˛ czowa dla Vd=0[V] jako funkcja temperatury —
wzór (135);
Vj(T) napie˛ cie dyfuzyjne (potencjał zła˛ czowy) jako funkcja temperatury — wzór
(136);
M wykładnik opisuja˛ cy profil zła˛ cza.
W wypadku, gdy napie˛ cie na zła˛ czu Vd przekroczy wartość równa˛ FC Vj(T) przyjmuje sie˛ ,
że pojemność różniczkowa zła˛ cza jest liniowa˛ funkcja˛ napie˛ cia panuja˛ cego na zła˛ czu.
Prowadzi to do naste˛ puja˛ cego wzoru określaja˛ cego wartość ładunku Qj:
Parametr FC określa granice˛ linearyzacji pojemności zła˛ czowej. Parametr ten może być
dowolna˛ liczba˛ z przedziału <0;0.95>. Jeżeli w deklaracji modelu diody podana zostanie
wartość przekraczaja˛ ca 0.95 to program PSpice zaokra˛ gli ja˛ w dół do wartości 0.95. W
132 Elementy półprzewodnikowe
(128)
przypadku, gdy wartość parametru FC nie zostanie podana program przyjmie wartość 0,5.
Nieliniowa pojemność Cd, zwana pojemnościa˛ dyfuzyjna˛ , służy do modelowania zjawiska
gromadzenia w obszarach n oraz p nadmiarowych nośników mniejszościowych wstrzyki-
wanych z obszaru o odmiennym typie przewodnictwa elektrycznego. Powszechnie przyje˛ ty
model tego zjawiska [20] prowadzi do wniosku, że ładunek Qd zgromadzony na pojemności
Cd jest proporcjonalny do pra˛ du Id1 płyna˛ cego przez idealne zła˛ cze p–n.
(129)
(130)
Elementy półprzewodnikowe 133
gdzie:
Ir pra˛ d rozładowuja˛ cy ≈ E2/R.
Równanie (130) jest wyrazem zasady zachowania ładunku. Zmiany ładunku Qd w czasie
(lewa strona równania) wynikaja˛ z jego rekombinacji (pierwszy składnik po prawej stronie)
oraz odprowadzania przez pra˛ d Ir (drugi składnik po prawej stronie). Wartość pocza˛ tkowa
ładunku Qd jest iloczynem parametru TT oraz pra˛ du If płyna˛ cego przez diode˛ w kierunku
przewodzenia w stanie ustalonym (If≈E1/R) [20]. Daje to naste˛ puja˛ cy przebieg czasowy zmian
ładunku Qd:
(131)
Sytuacja taka trwa dopóki, dopóty cały ładunek Qd(t=0)=TT If nie zostanie usunie˛ ty. Wtedy
dopiero zaczyna być usuwany ładunek Qj zgromadzony w obszarze zubożonym powoduja˛ c
zmiane˛ polaryzacji zła˛ cza i zmniejszenie pra˛ du płyna˛ cego przez diode˛ do zera. Zgodnie ze
wzorem (131) czas τ potrzebny na usunie˛ cie ładunku Qd wyraża sie˛ naste˛ puja˛ co:
(132)
W tym czasie pra˛ d płyna˛ cy przez diode˛ w kierunku zaporowym pozostaje stały i równy Ir.
W przypadku rozważanego przez nas obwodu wzór (132) daje czas τ≈6.9[ns].
Rozważania te ilustruja˛ wyniki symulacji obwodu za pomoca˛ programu PSpice
przedstawione na Rys. 72. W pierwszym okresie, tuż po przeła˛ czeniu polaryzacji źródła, pra˛ d
płyna˛ cy przez diode˛ pozostaje stały przez prawie 7.0[ns] — odpowiedzialna jest za to
pojemność dyfuzyjna zła˛ cza. W cia˛ gu naste˛ pnych pie˛ ciu nanosekund pra˛ d opada praktycznie
do zera — wielkość tego czasu zależy głównie od pojemności zła˛ czowej diody.
(133)
gdzie:
k stała Boltzmanna = 1,38 10-23[J/K];
q ładunek elementarny = 1,61 10-19[A s].
W programie PSpice przyje˛ ta została naste˛ puja˛ ca formuła pozwalaja˛ ca na obliczenie
zależności pra˛ du nasycenia zła˛ cza od temperatury.
(134)
gdzie:
IS pra˛ d nasycenia zła˛ cza w temperaturze odniesienia TNOM;
XTI wykładnik pote˛ gowy temperaturowego współczynnika pra˛ du nasycenia;
EG wartość przerwy energetycznej dla materiału półprzewodnikowego, z którego
wykonano zła˛ cze;
_area współczynnik zwielokrotnienia przyrza˛ du;
TNOM temperatura odniesienia.
Pra˛ d nasycenia zła˛ cza Is(T) jest dość skomplikowana˛ funkcja˛ temperatury. W praktyce jednak
dominuja˛ ce znaczenie ma zależność wykładnicza.
Przykład:
Na Rys. 73 pokazano zbiór charakterystyk statycznych diody półprzewodnikowej w
obszarze przewodzenia. Model diody opisany jest naste˛ puja˛ cymi parametrami:
IS=10-18[A], N=1, BV=3[V], IBV=10[mA], XTI=3, EG=1,11[eV], RS=2
Charakterystyki obliczone zostały przez program PSpice dla różnych wartości temperatury
otoczenia diody. Pokazano tylko charakterystyki w obszarze przewodzenia ponieważ w
obszarze przebicia zła˛ cze modelowane jest za pomoca˛ wzoru (125). Jest to zależność służa˛ ca
tylko do aproksymacji charakterystyki przebicia. Na ogół nie oddaje ona prawidłowo zmian
Elementy półprzewodnikowe 135
wyrażone w °C, dla których wykonane zostana˛ wszystkie instrukcje analizy obwodu
umieszczone w zbiorze z danymi wejściowymi. Jeżeli zostanie podana wartość temperatury
niższa od −273.0°C to zostanie ona zignorowana. Jeżeli instrukcja .TEMP nie pojawi sie˛ to
program PSpice przyjmie, że temperatura otoczenia analizowanego obwodu jest równa
TNOM.
Jeżeli interesuje nas tylko obliczenie charakterystyk stałopra˛ dowych układu w różnych
temperaturach można temperature˛ otoczenia układu zmieniać za pomoca˛ instrukcji .DC tak
jak opisano to na stronie 20.
Pojemność różniczkowa zła˛ cza przy zerowej polaryzacji Cjo(T) uzależniona jest w
programie PSpice od temperatury w sposób bezpośredni oraz poprzez zależność potencjału
zła˛ czowego od temperatury (różnicy potencjałów wytwarzaja˛ cej sie˛ mie˛ dzy obszarem typu
p i obszarem typu n).
(135)
gdzie:
Vj(T) zależność potencjału zła˛ czowego od temperatury;
VJ potencjał zła˛ czowy w temperaturze odniesienia;
M wykładnik pote˛ gowy opisuja˛ cy profil zła˛ cza;
_area współczynnik zwielokrotnienia przyrza˛ du.
We wzorze (135) wyste˛ puje zależność potencjału zła˛ czowego od temperatury — Vj(T).
W programie PSpice zależność ta ma naste˛ puja˛ ca˛ postać:
(136)
gdzie:
Vt potencjał termiczny;
Eg(T) zależność szerokości przerwy energetycznej materiału półprzewodnikowego od
temperatury;
EG szerokość przerwy energetycznej materiału półprzewodnikowego w temperatu-
rze odniesienia.
Od temperatury uzależniona jest także szerokość przerwy energetycznej materiału
półprzewodnikowego, z którego wykonany jest przyrza˛ d:
(137)
2
Program PSpice przeznaczony jest głównie do analizy układów scalonych, które w
ogromnej wie˛ kszości wykonywane sa˛ na podłożu krzemowym.
Elementy półprzewodnikowe 137
(138)
gdzie:
Vd statyczne napie˛ cie panuja˛ ce na zła˛ czu.
W stanie przebicia istotna staje sie˛ przewodność gz reprezentuja˛ ca przewodność różniczkowa˛
elementu nieliniowego symuluja˛ cego zjawisko przebicia zła˛ cza:
(139)
W podobny sposób dokonuje sie˛ linearyzacji pojemności. Nieliniowa pojemność zła˛ czowa
zasta˛ piona zostaje liniowa˛ pojemnościa˛ cj, której wartość określona jest wzorem:
(140)
Podobnie poste˛ puje sie˛ z pojemnościa˛ dyfuzyjna˛ . Zostaje ona zasta˛ piona liniowa˛ pojemnościa˛
cd, której wartość równa jest odpowiedniej pojemności różniczkowej:
(141)
W rezultacie bez zmian pozostaje tylko oporność szeregowa diody. Pełny schemat małosyg-
nałowego modelu diody przed-
stawiony jest na Rys. 74.
Elementy składowe, z któ-
rych budowane sa˛ modele szu-
mowe rzeczywistych elementów
i układów elektronicznych prze-
dstawiono już w rozdziale 3 na
stronie 63. Sygnał szumu jest
zawsze mały, tak mały że wszy-
stkie elementy elektroniczne
moga˛ być traktowane jako ele-
menty liniowe. Sta˛ d model Rys.74. Małosygnałowy model diody półprzewodnikowej.
szumowy elementu powstaje z
138 Elementy półprzewodnikowe
(142)
gdzie:
f cze˛ stotliwość;
KF wykładnik szumów migotania;
AF współczynnik szumów migotania.
Pierwszy składnik wzoru (142) opisuje szum śrutowy, wywołany przepływem elektronów
przez zła˛ cze. Drugi składnik to szum migotania. Źródłem szumów jest także oporność szere-
gowa diody Rs. Sta˛ d równolegle do niej wpie˛ te jest pra˛ dowe źródło szumów o widmowej
ge˛ stości mocy (Isz,Rs)2 danej wzorem:
(143)
Nazwa tranzystora bipolarnego zaczyna sie˛ zawsze od litery Q. W polach _nc, _nb, _ne
podaje sie˛ numery we˛ złów, do których doła˛ czony jest odpowiednio kolektor, baza i emiter
tranzystora. W opcjonalnym polu _ns podaje sie˛ numer we˛ zła, do którego doła˛ czone jest
podłoże tranzystora. Jeżeli parametr ten nie zostanie podany program PSpice zakłada, że
podłoże tranzystora doła˛ czone jest do we˛ zła masy. W polu _nazwa_m należy podać nazwe˛
modelu tranzystora, do którego odwołuje sie˛ deklaracja. Pole _area zawiera współczynnik
zwielokrotnienia przyrza˛ du (patrz strona 127), natomiast słowo kluczowe OFF zmienia
algorytm obliczania statycznego punktu pracy układu tak jak to opisano na stronie 128. Na
końcu linii deklaracji po słowie kluczowym IC= można podać (oddzielaja˛ c przecinkiem):
wartość napie˛ cia pocza˛ tkowego mie˛ dzy baza˛ i emiterem — pole _vbe;
wartość napie˛ cia pocza˛ tkowego mie˛ dzy kolektorem i emiterem — pole _vce.
Parametry te maja˛ znaczenie tylko podczas analizy stanów nieustalonych i to tylko wtedy, gdy
w instukcji .TRAN pojawi sie˛ słowo kluczowe UIC (patrz strona 72).
(144)
gdzie:
Is(T) pra˛ d nasycenia w funkcji temperatury bezwzgle˛ dnej T — wzór (168);
Isc(T) pra˛ d upływu zła˛ cza kolektor–baza w funkcji temperatury T — wzór (170);
Br(T) wzmocnienie pra˛ dowe dla pracy inwersyjnej w układzie OE jako funkcja tempe-
ratury bezwzgle˛ dnej T — wzór (172);
Vbe napie˛ cie baza–emiter;
Vbc napie˛ cie baza–kolektor;
Vt potencjał termiczny — wzór (133);
NF współczynnik emisji dla pracy normalnej;
NR współczynnik emisji dla pracy inwersyjnej;
NC współczynnik emisji dla pra˛ du upływu zła˛ cza kolektorowego.
3
Wszystkie rozważnia prowadzone sa˛ dla tranzystora typu n-p-n. Autor sa˛ dzi, że na tej
podstawie Czytelnik jest w stanie odtworzyć sobie model tranzystora p-n-p zastosowany w
programie PSpice.
140 Elementy półprzewodnikowe
Wyste˛ puja˛ cy w równaniu (144) parametr Qb to tzw. wzgle˛ dny ładunek bazy. Służy on do
modelowania zjawiska Early–ego polegaja˛ cego na zmianach efektywnej szerokości obszaru
bazy pod wpływem zmian napie˛ cia panuja˛ cego na zła˛ czach (rozszerzanie i kurczenie obszaru
zubożonego). Parametr ten służy także do modelowania zjawisk zwia˛ zanych z wysokim
poziomem wstrzykiwania nośników do obszaru bazy. Ładunek wzgle˛ dny Qb obliczany jest
przez program PSpice zgodnie ze wzorem:
(145)
(146)
natomiast ładunek Q2 uwzgle˛ dnia zjawiska zwia˛ zane z wysokim poziomem wstrzykiwania
nośników:
(147)
gdzie:
VAF napie˛ cie Early–go dla pracy normalnej;
VAR napie˛ cie Early–go dla pracy inwersyjnej;
IKF pra˛ d załamania dla pracy normalnej;
IKR pra˛ d załamania dla pracy inwersyjnej.
Drugim istotnym składnikiem schematu zaste˛ pczego tranzystora jest siła pra˛ domotoryczna
Elementy półprzewodnikowe 141
Ib modeluja˛ ca pra˛ d bazy tranzystora. Pra˛ d ten obliczany jest naste˛ puja˛ co:
(148)
gdzie:
Is(T) pra˛ d nasycenia w Tablica XX Parametry modelu tranzystora bipolarnego
funkcji temperatury wpływaja˛ ce na charakterystyki statyczne.
bezwzgle˛ dnej T —
wzór (168); Słowo Nazwa Jednostka Wartość
Isc(T) pra˛ d upływu zła˛ cza kluczowe domyślna
kolektor–baza w
IS * Pra˛ d nasycenia w temperaturze
funkcji temperatury odniesienia [A] 10-16
T — wzór (170); BF Współczynnik wzmocnienia
pra˛ dowego dla pracy normalnej - 100
Ise(T) pra˛ d upływu zła˛ cza
NF Współczynnik emisji dla pracy
baza–emiter w fun- normalnej - 1.0
kcji temperatury T VA Napie˛ cie Early-ego dla pracy
— wzór (169); VAF normalnej [V] ∞
IKF * Pra˛ d załamania dla pracy normalnej [A] ∞
Br(T) wzmocnienie pra˛ do- ISE * Pra˛ d upływu zła˛ cza baza-emiter [A] 0.0
we dla pracy inwer- NE Współczynnik emisji dla pra˛ du ISE - 1.5
syjnej w układzie BR Współczynnik wzmocnienia
pra˛ dowego dla pracy inwersyjnej - 1.0
OE jako funkcja NR Współczynnik emisji dla pracy
temperatury bez- inwersyjnej - 1.0
wzgle˛ dnej T — wzór VB Napie ˛ cie Early-ego dla pracy
VAR inwersyjnej [V] ∞
(172); IKR * Pra˛ d załamania
Bf(T) wzmocnienie pra˛ do- dla pracy inwersyjnej [A] ∞
we tranzystora w ISC * Pra˛ d upływu zła˛ cza baza-kolektor [A] 0.0
NC Współczynnik emisji dla pra˛ du ISC - 2.0
układzie OE dla RB * Oporność szeregowa obszaru bazy [Ω] 0.0
pracy normalnej w IRB * Pra˛ d kolektora, dla którego oporność
funkcji temperatury bazy maleje do wartości
(RB+RBM)/2 [A] ∞
bezwzgle˛ dnej T — RBM * Minimalna wartość oporności obszaru
wzór (171). bazy [Ω] RB
RE * Oporność szeregowa obszaru emitera [Ω] 0.0
Na pra˛ d Ib składaja˛ sie˛ : RC * Oporność szeregowa obszaru
kolektora [Ω] 0.0
Pra˛ d zła˛ cza baza–emiter XTB Wykładnik temperaturowy
podzielony przez wzmo- dla współczynników BF oraz BR - 0.0
EG Przerwa energetyczna [eV] 1.11
cnienie tranzystora dla XTI Wykładnik pote˛ gowy temp. współ-
czynnika pra˛ du nasycenia - 3.0
pracy normalnej.
Pra˛ d zła˛ cza baza–kolek- * - parametr modyfikowany przez współczynnik zwielokrot-
nienia przyrza˛ du _area
tor podzielony przez
wzmocnienie tranzystora
dla pracy inwersyjnej.
Pra˛ d upływu zła˛ cza baza–emiter.
Pra˛ d upływu zła˛ cza baza–kolektor.
142 Elementy półprzewodnikowe
(149)
gdzie:
RE oporność obszaru emitera — parametr modelu tranzystora;
RC oporność obszaru kolektora — parametr modelu tranzystora;
RB oporność obszaru bazy — parametr modelu tranzystora.
Program PSpice pozwala dodatkowo na uzależnienie rezystancji obszaru bazy od
wysterowania tranzystora [26]. Jeżeli w deklaracji modelu tranzystora podana zostanie oprócz
wartości parametru RB minimalna wartość oporności obszaru bazy RBM to oporność
obszaru bazy Rb wyliczana be˛ dzie na podstawie naste˛ puja˛ cego wzoru:
(150)
Natomiast jeżeli oprócz wymienionych parametrów podana zostanie wartość parametru IRB
tzn. wartość pra˛ du kolektora, przy której oporność obszaru bazy maleje do wartości
(RB+RBM)/2, to oporność obszaru bazy obliczana jest zgodnie z zależnościa˛ :
(151)
(152)
Przykład:
Rys. 77 przedstawia zależność pra˛ du kolektora Ic (oś pionowa) od napie˛ cia
kolektor–emiter Vce (oś pozioma), obliczona˛ przez program PSpice, dla cze˛ sto używanego
tranzystora mocy 2N3055. Parametrem na wykresie jest pra˛ d bazy, który zmienia sie˛ od
5[mA] do 30[mA] z krokiem 5[mA]. Model tranzystora pobrany został z biblioteki modeli
tranzystorów rozpowszechnianej wraz z programem PSpice przez firme˛ MicroSim.
Poszczególne parametry tego tranzystora przyjmuja˛ naste˛ puja˛ ce wartości:
IS=974,4[fA];XTI=3;EG=1,11[eV];VAF=50[V];BF=99,49[A/A];NE=1,941;
ISE=902,5[pA];IKF=4,029[A];XTB=1,5;BR=2,949[A/A];NC=2;ISC=0[A];IKR=0[A];
RC=0,1[Ω];CJC=276[pF];VJC=0,75[V];MJC=0,3333;FC=0,5;CJE=569,1[pF];
VJE=0,75[V];MJE=0,3333;TR=971,7[ns];TF=39,11[ns];ITF=20[A];VTF=10[V];
XTF=2;RB=10[Ω]
Elementy półprzewodnikowe 143
Rys.77. Zależność pra˛ du kolektora od napie˛ cia kolektor-emiter dla tranzystora 2N3055.
Parametrem jest pra˛ d bazy zmieniaja˛ cy sie˛ od 5[mA] do 30[mA] z krokiem 5[mA].
6.2.3. Pojemności
Schemat zaste˛ pczy tranzystora przedstawiony na Rys. 76 zawiera trzy nieliniowe
pojemności. Sa˛ to:
Pojemność obserwowana mie˛ dzy baza˛ i emiterem Cbe.
Pojemność obserwowana mie˛ dzy baza˛ i kolektorem Cbc. Program PSpice pozwala na
podział tej pojemności na dwie cze˛ ści — pierwsza z nich doła˛ czona jest do bazy
wewne˛ trznej tranzystora (we˛ zeł BW), a druga do bazy zewne˛ trznej (we˛ zeł B). W ten
sposób uzyskuje sie˛ dokładniejszy model zachowania tranzystora dla dużych
cze˛ stotliwości.
Pojemność obserwowana mie˛ dzy kolektorem a podłożem Ccs — wyste˛ powanie takiej
pojemności jest charakterystyczne dla tranzystorów scalonych.
Ładunek Qbe zgromadzony przez pojemność Cbe można podzielić na dwie cze˛ ści.
Pierwsza z nich to ładunek zgromadzony przez pojemność zła˛ czowa˛ Qbe’, który wyraża sie˛
wzorem:
144 Elementy półprzewodnikowe
(153)
gdzie:
Cje(T) pojemność zła˛ czowa baza–emiter przy zerowej polaryzacji jako funkcja
temperatury bezwzgle˛ dnej T — wzór (173);
Vje(T) potencjał zła˛ czowy dla zła˛ cza baza–emiter jako funkcja temperatury — wzór
(174);
MJE wykładnik pote˛ gowy opisuja˛ cy profil zła˛ cza baza–emiter.
Jeżeli napie˛ cie Vbe przekroczy wartość FC Vje(T) program PSpice dokonuje liniowej
ekstrapolacji pojemności zła˛ czowej w wyniku czego ładunek Qbe’ obliczany jest naste˛ puja˛ co:
(154)
gdzie:
(155)
Bezwymiarowy parametr FC określa granice˛ , powyżej której naste˛ puje liniowa ekstrapolacja
pojemności zła˛ czowej. Wartość tego parametru powinna leżeć w przedziale (0;1). Jeżeli
jednak nie zostanie podany w linii deklaracji modelu tranzystora to program PSpice przyjmie
wartość równa˛ 0,5.
Drugi składnik ładunku Qbe to ładunek mniejszościowych nośników ładunku Qbe"
wstrzykiwanych do obszaru bazy z obszaru emitera. Ładunek Qbe" obliczany jest przez
program PSpice zgodnie ze wzorem:
(156)
gdzie:
Tf efektywna wartość czasu przelotu dla pracy normalnej.
Zwykle wartość Tf równa jest wartości parametru TF (czas przelotu dla pracy normalnej)
podawanego w deklaracji modelu tranzystora. Program PSpice pozwala jednak na
modelowanie wpływu wysokiego poziomu wstrzykiwania nośników na wartość czasu przelotu
dla pracy normalnej. Wymaga to podania w deklaracji modelu tranzystora (.MODEL)
naste˛ puja˛ cych parametrów:
XTF współczynnika zależności czasu przelotu dla pracy normalnej od napie˛ cia
Elementy półprzewodnikowe 145
polaryzuja˛ cego;
VTF napie˛ cia opisuja˛ cego zależność czasu przelotu dla pracy normalnej od napie˛ cia
Vbe;
ITF parametru opisuja˛ cego zależność czasu przelotu dla pracy normalnej od dużych
pra˛ dów.
W tej sytuacji wartość Tf obliczana jest zgodnie ze wzorem:
(157)
Pra˛ d Ib1 wyste˛ puja˛ cy w powyższym równaniu wyraża sie˛ naste˛ puja˛ co:
(158)
Całkowity ładunek Qbe gromadzony w obszarze zła˛ cza baza–emiter jest suma˛ ładunku
Qbe’ gromadzonego przez pojemność zła˛ czowa˛ oraz ładunku Qbe" gromadzonego przez
pojemność dyfuzyjna˛ :
(159)
Ładunek Qbc gromadzony przez nieliniowa˛ pojemność Cbc w obszarze zła˛ cza
baza–kolektor można także podzielić na dwa składniki. Pierwszy z nich to ładunek
gromadzony przez pojemność zła˛ czowa˛ Qbc’:
(160)
gdzie:
Cjc(T) pojemność zła˛ czowa baza–kolektor przy zerowej polaryzacji jako funkcja
temperatury bezwzgle˛ dnej T — wzór (173);
Vjc(T) potencjał zła˛ czowy dla zła˛ cza baza–kolektor jako funkcja temperatury — wzór
(174);
MJC wykładnik pote˛ gowy opisuja˛ cy profil zła˛ cza baza–kolektor.
Powyżej napie˛ cia FC Vjc(T) program PSpice dokonuje liniowej ekstrapolacji pojemności
zła˛ czowej, co w rezultacie prowadzi do naste˛ puja˛ cego wzoru określaja˛ cego wartość ładunku
Qbc’:
(161)
gdzie:
146 Elementy półprzewodnikowe
(162)
Drugi składnik ładunku Qbc to ładunek Qbc" zwia˛ zany ze wstrzykiwaniem nośników
ładunku z obszaru bazy do obszaru kolektora. Nośniki te w obszarze kolektora staja˛ sie˛
nadmiarowymi nośnikami mniejszościowymi4. Ładunek Qbc" wyraża sie˛ wzorem:
(163)
gdzie:
TR czas przelotu nośników ładunku dla pracy inwersyjnej.
Całkowity ładunek zgromadzony w obszarze zła˛ cza baza–kolektor Qbc jest suma˛
ładunków Qbc’ oraz Qbc".
Ładunek Qbc zgromadzony na zła˛ czu baza–kolektor może zostać podzielony mie˛ dzy
pojemności Cbc1 i Cbc2 (Rys. 76). Pojemność Cbc1 wpie˛ ta jest pomie˛ dzy we˛ zeł bazy
wewne˛ trznej (BW) oraz we˛ zeł kolektora wewne˛ trznego (CW). Pojemność Cbc2 wpie˛ ta jest
pomie˛ dzy we˛ zeł bazy zewne˛ trznej (B) oraz we˛ zeł kolektora wewne˛ trznego (CW). Sposób
podziału ładunku określa parametr XCJC (współczynnik podziału ładunku) podawany w linii
deklaracji modelu tranzystora (.MODEL). Ładunek Qbc1 zgromadzony na pojemności
doła˛ czonej do bazy wewne˛ trznej wyraża sie˛ wzorem:
(164)
Natomiast ładunek zgromadzony na pojemności doła˛ czonej do bazy zewne˛ trznej wyraża sie˛
naste˛ puja˛ co:
(165)
gdzie:
Qbc’(VBe) ładunek obliczany zgodnie ze wzorem (160), w których napie˛ cie Vbe
zostało zasta˛ pione przez napie˛ cie VBe mie˛ dzy baza˛ zewne˛ trzna˛ i
kolektorem wewne˛ trznym.
Ostatnia˛ pojemnościa˛ modelu tranzystora przedstawionego na Rys. 76 jest pojemność Ccs
mie˛ dzy kolektorem, a podłożem układu scalonego. Pojemność ta modelowana jest w
programie PSpice tylko w postaci pojemności zła˛ czowej. W rezultacie ładunek Qcs
zgromadzony na tej pojemności wyraża sie˛ wzorem:
4
Z obszaru kolektora do obszaru bazy także wstrzykiwane sa˛ nośniki ładunku, które w
obszarze bazy staja˛ sie˛ nadmiarowymi nośnikami mniejszościowymi. Zjawisko to także
uwzgle˛ dniane jest przez ładunek Qbc".
Elementy półprzewodnikowe 147
(166)
gdzie:
Cjs(T) pojemność zła˛ czowa kolektor–podłoże przy zerowej polaryzacji jako funkcja
temperatury bezwzgle˛ dnej T — wzór (173);
Vjs(T) potencjał zła˛ czowy dla zła˛ cza kolektor–podłoże jako funkcja temperatury —
wzór (174);
MJS wykładnik pote˛ gowy opisuja˛ cy profil zła˛ cza kolektor–podłoże.
Po przekroczeniu przez napie˛ cie Vcs wartości FC Vjs(T) program PSpice dokonuje liniowej
ekstrapolacji pojemności zła˛ cza kolektor–podłoże co prowadzi do naste˛ puja˛ cego wzoru
określaja˛ cego ładunek Qcs:
(167)
(168)
gdzie:
IS pra˛ d nasycenia w temperaturze odniesienia TNOM.
W przypadku pra˛ dów Ise(T) oraz Isc(T) istotny staje sie˛ także parametr XTB — wykładnik
pote˛ gowy w zależności wzmocnienia pra˛ dowego Bf(T) od temperatury. Program PSpice
oblicza wartość pra˛ du Ise(T) według wzoru:
148 Elementy półprzewodnikowe
(169)
(170)
(171)
gdzie:
BF wzmocnienie pra˛ dowe tranzystora dla pracy normalnej w układzie OE w tempera-
turze odniesienia.
Podobna˛ zależność zrealizowano dla wzmocnienia pra˛ dowego tranzystora pracuja˛ cego
inwersyjnie:
(172)
gdzie:
BR wzmocnienie pra˛ dowe tranzystora dla pracy inwersyjnej w układzie OE w
temperaturze odniesienia.
Jeżeli w deklaracji modelu tranzystora nie zostanie podana wartość parametru XTB to
program PSpice przyjmie, że parametr ten równy jest zeru. W tym wypadku wzmocnienie
pra˛ dowe Bf(T) (Br(T)) jest równe wartości parametru BF (BR) i nie zależy od temperatury.
Pojemności zła˛ czowe przy zerowej polaryzacji dla zła˛ cza baza–emiter Cje(T),
baza–kolektor Cjc(T) oraz kolektor–podłoże Cjs(T) uzależnione sa˛ od temperatury w podobny
sposób. Zależności te można uja˛ ć w jeden wzór (173), (173), w którym wyste˛ puje znak „ ”.
Jeżeli zamiast tego znaku wprowadzimy litere˛ „e” lub „c” lub „s” otrzymamy wzór
odpowiednio dla zła˛ cza baza–emiter, baza–kolektor i kolektor–podłoże.
(173)
gdzie:
=e dla zła˛ cza baza–emiter;
=c dla zła˛ cza baza–kolektor;
=s dla zła˛ cza kolektor–podłoże;
EG szerokość przerwy energetycznej materiału półprzewodnikowego;
MJ współczynnik opisuja˛ cy profil zła˛ cza;
VJ potencjał zła˛ czowy odpowiadaja˛ cy temperaturze odniesienia TNOM;
Vj (T) zależność potencjału zła˛ czowego od temperatury.
Podobnie jednym wzorem można uja˛ ć zależność potencjałów zła˛ czowych od temperatury
dla poszczególnych zła˛ cz:
(174)
gdzie:
Eg(T) zależność szerokości przerwy energetycznej materiału półprzewodnikowego od
temperatury.
150 Elementy półprzewodnikowe
(175)
przedstawiona jest na Rys. 78. Oporności rc, re i rb równe sa˛ odpowiednio oporności obszaru
kolektora Rc, oporności obszaru emitera Re i oporności obszaru bazy Rb. Siła elektromoto-
ryczna Ib wyste˛ puja˛ ca w nieliniowym modelu Gummela–Poona (wzór (148)) zasta˛ piona
zostaje przez liniowe przewodności gbe i gbc. Ich wartość obliczana jest zgodnie z
naste˛ puja˛ cym wzorem:
(176)
gdzie:
Ib pra˛ d bazy — wzór (148);
Vbe napie˛ cie baza–emiter;
Vbc napie˛ cie baza–kolekor.
Jeżeli uwzgle˛ dnić wpływ małych sygnałów na pra˛ d Ic (wzór (144)) oraz pra˛ d dopływaja˛ cy
Elementy półprzewodnikowe 151
do kolektora przez przewodność gbc to siła˛ elektromotoryczna˛ Ic wyste˛ puja˛ ca˛ w modelu
nieliniowym można zasta˛ pić równoległym poła˛ czeniem przewodności gce oraz liniowej siły
pra˛ domotorycznej gm sterowanej napie˛ ciem vbe. Wartość transkonduktancji gm oraz
przewodności gbc obliczana jest zgodnie z naste˛ puja˛ cymi zależnościami:
(177)
gdzie:
Ic pra˛ d kolektora — wzór (144);
Ib pra˛ d bazy — wzór (148).
Pochodne we wzorach (176) oraz (177) obliczane sa˛ dla statycznego punktu pracy układu.
Należy zwrócić uwage˛ , że dla pracy w obszarze aktywnym5 transkonduktancja gm z duża˛
dokładnościa˛ może zostać obliczona według wzoru:
(178)
gdzie:
Ic pra˛ d kolektora;
NF współczynnik emisji dla pracy normalnej;
Vt potencjał termiczny — wzór (133).
Liniowa pojemność baza–emiter cbe wyste˛ puja˛ ca w modelu hybryd π otrzymywana jest
przez zróżniczkowanie ładunku Qbe zwia˛ zanego z działaniem zła˛ cza baza–emiter wzgle˛ dem
zmian napie˛ cia Vbe:
(179)
gdzie:
Tf efektywny czas przelotu dla pracy normalnej — wzór (157);
Cje(T) pojemność różniczkowa zła˛ cza baza–emiter jako funkcja temperatury — wzór
(173);
Vje(T) potencjał zła˛ czowy zła˛ cza baza–emiter jako funkcja temperatury bezwzgle˛ dnej
— wzór (174).
W aktywnym obszarze pracy tranzystora pierwszy składnik we wzorze (179) opisuja˛ cy
pojemność dyfuzyjna˛ może być bardzo dobrze przybliżony w sposób naste˛ puja˛ cy:
5
Definuja˛ go z grubsza naste˛ puja˛ ce nierówności: Vce>Vbe, Vce>0, Vbe>0.
152 Elementy półprzewodnikowe
(180)
(181)
gdzie:
TR czas przelotu dla pracy inwersyjnej.
Pojemność zła˛ cza izoluja˛ cego tranzystor od podłoża modelowana jest czysta pojemność
zła˛ czowa (brak pojemności dyfuzyjnej). Sta˛ d pojemność cjs oblicza sie˛ zgodnie ze wzorem:
(182)
Należy pamie˛ tać, że jeżeli statyczna wartość napie˛ cia panuja˛ cego na zła˛ czu baza–emiter
(baza–kolektor, kolektor–podłoże) przekroczy wartość FC Vje(T) (FC Vjc(T), FC Vjs(T))
to drugi składnik we wzorze (179) ((181), (182)) reprezentuja˛ cy pojemność zła˛ czowa˛
ekstrapolowany jest liniowo.
Jeżeli podana zostanie wartość współczynnika podziału pojemności zła˛ czowej zła˛ cza
baza–kolektor XCJC to mie˛ dzy baza˛ zewne˛ trzna˛ i we˛ złem kolektora pojawi sie˛ pojemność
cbc2 dana wzorem:
(183)
gdzie:
VBe statyczna wartość napie˛ cia baza wewne˛ trzna — emiter.
W tej sytuacji drugi składnik po prawej stronie wzoru (181) be˛ dzie proporcjonalny do
parametru XCJC.
Parametry małosygnałowe przyrza˛ dów półprzewodnikowych obliczane sa˛ wraz ze
statycznym punktem pracy układu. Ich wartość wpisywana jest do zbioru z danymi
wyjściowymi. W przypadku tranzystora bipolarnego sa˛ to [26]:
RPI=1/gbe; RO=1/gce; GM=gm; CPI=cbe;
CMU=cbc; CBX=cbc’; CCS=ccs; RX=rb.
Ponadto program PSpice oblicza i zapisuje w zbiorze z danymi wyjściowymi wartość:
statycznego wzmocnienia pra˛ dowego tranzystora:
BETADC=Ic/Ib;
zmiennopra˛ dowego wzmocnienia pra˛ dowego tranzystora:
BETAAC=∂Ic/∂Ib;
Elementy półprzewodnikowe 153
(184)
6
W przypadku tranzystora krzemowego równe około 0.7[V].
154 Elementy półprzewodnikowe
przelotu dla pracy normalnej Tf. W programie PSpice zjawisko to opisywane jest
wzorem (157). Powoduje to wzrost wartości pojemności cbe (wzór (180)) i w
rezultacie zmniejszenie wartości cze˛ stotliwości granicznej TF.
Na Rys. 79 przedstawiono przykładowe wyniki obliczeń cze˛ stotliwości granicznej FT
wykonanych przez program PSpice dla tranzystora 2N30557. Na osi pionowej odłożono
cze˛ stotliwość graniczna˛ FT tranzystora natomiast na osi poziomej pra˛ d kolektora Ic.
Obliczenia wykonywane były dla napie˛ cia kolektor–emiter równego 5[V]. Model tranzystora
2N3055 zastosowany do obliczeń pochodzi z biblioteki dostarczanej przez firme˛ MicroSim
(strona 142).
(185)
gdzie:
7
Model tranzystora 2N3055 zastosowany do obliczeń rozprowadzany jest przez firme˛
MicroSim razem z programem PSpice w bibliotece o nazwie QNOM.LIB.
Elementy półprzewodnikowe 155
(186)
gdzie:
k stała Boltzmanna = 1,38 10-34[J/K];
T temperatura bezwzgle˛ dna;
=b szum oporności bazy;
=e szum oporności emitera;
=c szum oporności kolektora.
Transistor). Może to być przy- VTO Napie˛ cie progowe [V] -2.0
BETA * Współczynnik transkonduktancji [A/V2] 10-4
rza˛ d z kanałem typu p lub z
LAMBDA* Współczynnik modulacji
kanałem typu n. Model zastoso- długości kanału [V-1] 0.0
RS * Oporność źródła [Ω] 0.0
wany w programie PSpice od- RD * Oporność drenu [Ω] 0.0
CGS * Pojemność zła˛ cza bramka-źródło
nosi sie˛ do tranzystora JFET przy zerowej polaryzacji [F] 0.0
wykonanego na podłożu krzem- CGD * Pojemność zła˛ cza bramka-dren
przy zerowej polaryzacji [F] 0.0
owym. Specjalna˛ klase˛ tranzys- VJ Potencjał zła˛ czowy bramki [V] 1.0
IS * Pra˛ d nasycenia bramki [A] 10-14
torów polowych, zła˛ czowych VTOTC Współczynnik temperaturowy
dla VTO [V/K] 0.0
stanowia˛ przyrza˛ dy, których BETATCE Eksponencjalny współczynnik
struktura wykonana została w temperaturowy dla BETA [%/K] 0.0
KF Współczynnik szumów migotania - 0.0
arsenku galu (GaAsFET). Ściśle AF Wykładnik szumów migotania - 1.0
FC Granica linearyzacji pojemności
rzecz biora˛ c bramke˛ takiego zła˛ cza - 0.5
tranzystora stanowi dioda Shott-
* - parametr modyfikowany przez współczynnik zwielokrot-
kiego tzn. zła˛ cze metal–półprze- nienia przyrza˛ du _area
wodnik. Sta˛ d tranzystory GaAs-
FET zaliczane sa˛ cze˛ sto do
klasy MESFET (ang. Metal Semiconductor FET). Model takiego przyrza˛ du odbiega nieco od
156 Elementy półprzewodnikowe
modelu tranzystora wykonanego w krzemie. Sta˛ d twórcy programu PSpice zdecydowali sie˛
wprowadzić dodatkowy model oraz rodzaj elementu — tranzystor polowy, zła˛ czowy GaAs.
8
Wszystkie rozważania tego paragrafu dotycza˛ tranzystora z kanałem typu n. Autor sa˛ dzi,
że Czytelnik be˛ dzie w stanie samodzielnie odtworzyć model tranzystora z kanałem typu p.
9
Tranzystor znajduje sie˛ w obszarze pracy normalnej.
Elementy półprzewodnikowe 157
(187)
gdzie:
VTO napie˛ cie progowe bramka–źródło powoduja˛ ce zablokowanie przepływu
pra˛ du przez kanał;
BETA parametr transkonduktancji;
LAMBDA parametr konduktancji wyjściowej.
Podobne zależności obowia˛ zuja˛ w przypadku, gdy tranzystor znajduje sie˛ w obszarze pracy
inwersyjnej tzn. gdy Vds<0:
(188)
(189)
gdzie:
Is(T) pra˛ d nasycenia zła˛ cza bramka–kanał jako funkcja temperatury — wzór (193);
Vt potencjał temperaturowy — wzór (133);
Vgs napie˛ cie bramka–źródło;
pra˛ d Igd płyna˛ cy przez zła˛ cze półprzewodnikowe mie˛ dzy bramka˛ a drenem;
(190)
gdzie:
Is(T) pra˛ d nasycenia zła˛ cza bramka–kanał jako funkcja temperatury — wzór (193);
Vgd napie˛ cie bramka–dren.
Oporność omowa kanału i wyprowadzeń reprezentowana jest na schemacie zaste˛ pczym
(Rys. 81) przez dwie oporności Rs oraz Rd, których wartości obliczane sa˛ naste˛ puja˛ co:
(191)
gdzie:
RS oporność omowa obszaru źródła (parametr w programie PSpice);
RD oporność omowa obszaru drenu (parametr w programie PSpice).
Elementy dynamiczne w modelu tranzystora polowego, zła˛ czowego to pojemności
zła˛ czowe wyste˛ puja˛ ce mie˛ dzy bramka˛ i źródłem oraz bramka˛ i drenem. Ładunki Qgs, Qgd
zgromadzone na wymienionych pojemnościach można wyrazić za pomoca˛ jednego wzoru:
158 Elementy półprzewodnikowe
(192)
gdzie:
=s dla pojemności bramka–źródło;
=d dla pojemności bramka–dren;
Pb(T) zależność potencjału dyfuzyjnego zła˛ cza od temperatury — wzór (194).
Model wbudowany w program PSpice nie uwzgle˛ dnia pojemności dyfuzyjnej, która odgrywa
istotna˛ role˛ tylko dla pracy zła˛ cza w zakresie przewodzenia. Mimo to jeśli napie˛ cie Vgs lub
Vgd przekroczy wartość FC Pb(T) (zła˛ cze bramka–kanał jest spolaryzowane w kierunku
przewodzenia) program PSpice dokonuje liniowej ekstrapolacji pojemności zła˛ czowych tak
jak to zostało opisane w przypadku modelu diody (strona 131). Na Rys. 81 przedstawiono
schemat zaste˛ pczy modelu tranzystora polowego, zła˛ czowego.
W przestawionym modelu naste˛ puja˛ ce parametry uzależnione sa˛ od temperatury:
Pra˛ d nasycenia zła˛ cza bramka–kanał Is(T):
(193)
gdzie:
IS pra˛ d nasycenia zła˛ cza bramka–kanał w temperaturze odniesienia;
EG szerokość przerwy energetycznej w krzemie = 1,11[eV];
q ładunek elementarny = 1,61 10-19[A s];
k stała Boltzmanna = 1,38 10-34[J/K];
TNOM temperatura odniesienia (300K).
Elementy półprzewodnikowe 159
(194)
gdzie:
Eg(T) zależność szerokości przerwy energetycznej materiału półprzewodnikowego od
temperatury.
Szerokość przerwy energetycznej materiału półprzewodnikowego Eg(T):
(195)
(196)
gdzie:
CGS pojemność różniczkowa zła˛ cza bramka–źródło przy zerowej polaryzacji zła˛ cza w
temperaturze odniesienia.
Pojemność różniczkowa zła˛ cza bramka–dren Cgd(T):
(197)
gdzie:
CGS pojemność różniczkowa zła˛ cza bramka–źródło przy zerowej polaryzacji zła˛ cza w
temperaturze odniesienia.
10
Tranzystor polowy, zła˛ czowy GaAs to przyrza˛ d z kanałem typu n.
160 Elementy półprzewodnikowe
(198)
(199)
Elementy półprzewodnikowe 161
Rys.82. Schemat zaste˛ pczy modelu tranzystora polowego, zła˛ czowego GaAs.
gdzie:
ALPHA parametr kształtu;
B parametr kształtu;
VTO napie˛ cie progowe powoduja˛ ce zablokowanie przepływu pra˛ du przez kanał;
LAMBDA parametr konduktancji wyjściowej;
BETA parametr transkonduktancji.
Dzie˛ ki zastosowaniu czynnika 1/[1+B (Vgs-VTO)] uzyskuje sie˛ lepsza˛ zgodność z danymi
doświadczalnymi dla zakresu napie˛ ć Vgs>>VTO. Funkcja tanh(x) została natomiast zasta˛ piona
przez łatwiejsza˛ do obliczenia funkcje˛ aproksymuja˛ ca˛ f(x) w postaci:
(200)
Wartość parametru ALPHA oraz parametru B została dobrana tak, aby charakterystyki
uzyskane przy użyciu poszczególnych modeli były możliwie zbliżone:
Elementy półprzewodnikowe 163
ALPHA=1,0[1/V],B=0[1/V]
Ruchliwość elektronów znajduja˛ cych
sie˛ w paśmie przewodnictwa jest dla
arsenku galu duża. W rezultacie już
stosunkowo niewielkie pole elektrycz-
ne powoduje nasycenie pre˛ dkości
nośników. Efektem jest mniejsza
wartość napie˛ cia nasycenia niż wynika
to z modelu Shichman–a Hodges–a.
Efekt ten można łatwo odtworzyć
(Rys. 84) w przypadku modeli specy-
ficznych dla tranzystorów GaAsFET Rys.85. Małosygnałowy model tranzystora polowego,
(Curtice–a i Raytheon–a) manipuluja˛ c zła˛ czowego. Elementy rg, cds wyste˛ puja˛ tylko dla
wartościa˛ parametru ALPHA11. GaAsFET.
11
W przypadku modelu Raytheon-a można zmieniać także wartość parametru B.
164 Elementy półprzewodnikowe
(201)
Model szumowy tranzystora polowego, zła˛ czowego powstaje przez uzupełnienie modelu
małosygnałowego o źródła szumu — Rys. 86. Głównym źródłem szumów jest w tym
przypadku kanał tranzystora. Szumy spowodowane sa˛ ziarnista˛ struktura˛ przepływaja˛ cego
ładunku. Zjawisko to modelowane jest przez źródło Isz,k, dla którego ge˛ stość widmowa energii
wyraża sie˛ wzorem:
(202)
gdzie:
k stała Boltzmanna = 1,38 10-23[J/K];
T temperatura bezwzgle˛ dna;
gm transkonduktancja różniczkowa — wzór (201);
f cze˛ stotliwość wyrażona w [Hz];
KF współczynnik szumów migotania;
AF wykładnik szumów migotania.
We wzorze (202) uwzgle˛ dniono szumy migotania (1/f), których natura (mimo powszechnego
wyste˛ powania) nie została do końca wyjaśniona.
Model szumowy tranzystora polowego, zła˛ czowego uwzgle˛ dnia także pomniejsze źródła
szumów. Sa˛ nimi oporności omowe obszaru drenu i źródła tranzystora oraz w przypadku
tranzystora GaAsFET oporność omowa bramki. Ge˛ stość widmowa˛ energii szumów dla tych
źródeł da sie˛ wyrazić jednym wzorem:
(203)
gdzie:
=s dla źródła tranzystora;
=d dla drenu tranzystora;
=g dla bramki tranzystora;
k stała Boltzmanna = 1,38 10-23[J/K];
T temperatura bezwzgle˛ dna.
nazwa tranzystora MOS (ang. Tablica XXIV Parametry statyczne modelu tranzystora
Metal Oxide Semiconductor). MOS. Poziom modelowania LEVEL=1.
Program PSpice zorientowany
Słowo Nazwa Jednostka Wartość
jest na analize˛ układów scalo- kluczowe domyślna
który opisywać be˛ dzie zachowanie tranzystora. Po słowach kluczowych L= oraz W= podać
można odpowiednio długość i szerokość kanału wyrażona˛ w metrach. Po słowach kluczowych
AD= oraz AS= można podać wielkość pola powierzchni obszarów odpowiednio drenu i
źródła. Oba te pola powinny być wyrażone w metrach kwadratowych. Jeżeli nie zostanie
podana wartość czterech wymienionych parametrów program PSpice użyje wartości
domyślnych, które można zmienić za pomoca˛ instrukcji .OPTIONS. Np. aby wartości
domyślne parametrów L, W, AD i AS były takie jak dla tranzystora w trzecim przykładzie
powyżej należy użyć naste˛ puja˛ cej instrukcji:
.OPTIONS DEFL=10U DEFW=5U DEFAD=100P DEFAS=100P
Parametry PD, PS to odpowiednio obwód obszaru drenu i obwód obszaru źródła. Wartość
domyślna tych parametrów (przyjmowana przez program PSpice w razie braku deklaracji ich
wartości w linii deklaracji elementu) wynosi 0. NRD, NRS, NRG, NRB to równoważna
liczba kwadratów obszaru odpowiednio drenu, źródła, bramki i podłoża. Wartość domyślna
tych parametrów wynosi 1.0. Parametry te używane sa˛ do obliczania oporności omowej
obszaru drenu, źródła, bramki i podłoża (wzory (267),(268)) na podstawie znajomości
oporności przypadaja˛ cej na jeden kwadrat — RSH.
Słowo kluczowe OFF służy modyfikacji procesu obliczania statycznego punktu pracy
układu tak jak to opisano na stronie 128. Po słowie kluczowym IC= można podać w polach
_vds, _vgs, _vbs napie˛ cie dren–źródło, napie˛ cie bramka–źródło oraz napie˛ cie podłoże–źródło
w chwili rozpocze˛ cia analizy stanów nieustalonych. Wymienione wartości napie˛ ć maja˛
znaczenie tylko w przypadku, gdy w instrukcji .TRAN użyto słowa kluczowego UIC.
12
Wszystkie rozważania dotycza˛ tranzystora z kanałem typu n. Model tranzystora z
kanałem typu p otrzymujemy przez zmiane˛ znaku każdego z pra˛ dów i każdego z napie˛ ć.
Elementy półprzewodnikowe 167
(205)
(206)
gdzie:
Vto napie˛ cie bramka–źródło powoduja˛ ce powstanie kanału;
Kp(T) parametr transkonduktancji (zależność od temperatury bezwzgle˛ dnej T) —
wzór (207);
Vgs napie˛ cie bramka–źródło;
Vds napie˛ cie dren–źródło;
Leff efektywna długość kanału;
LAMBDA współczynnik modulacji długości kanału.
Zależność parametru transkonduktancji od temperatury Kp(T) jest naste˛ puja˛ ca:
(207)
gdzie:
TNOM nominalna temperatura otoczenia analizowanego układu (≈300K);
KP wartość parametru transkonduktancji tranzystora w temperaturze TNOM.
168 Elementy półprzewodnikowe
Efektywna długość kanału Leff jest różnica˛ mie˛ dzy geometryczna˛ długościa˛ kanału L i
podwojona˛ wartościa˛ parametru LD.
(208)
Wzdłużny współczynnik dyfuzji bocznej LD oznacza odległość mie˛ dzy krawe˛ dzia˛ bramki
a brzegiem obszaru drenu (źródła), mierzona˛ wzdłuż kanału tranzystora.
Napie˛ cie bramka–źródło powoduja˛ ce powstanie kanału Vto obliczane jest zgodnie ze
wzorem:
(209)
gdzie:
VTO napie˛ cie bramka–źródło powoduja˛ ce powstanie kanału, przy zerowym
napie˛ ciu źródło–podłoże;
GAMMA parametr progowy podłoża;
PHI podwojona wartość potencjału Fermiego w półprzewodniku samoistnym.
Powyższe wzory wyprowadzone zostały przy upraszczaja˛ cym założeniu, że wielkość
ładunku zgromadzonego w zubożonym obszarze podłoża pozostaje stała i niezależna od
wartości napie˛ cia dren–źródło.
Parametry KP, GAMMA i PHI to parametry elektryczne modelu. Dokonuja˛ c obliczeń
dla projektowanego układu scalonego cze˛ sto wygodniej jest podać parametry charakterystycz-
ne dla procesu technologicznego, w którym układ be˛ dzie wytwarzany, niż parametry
elektryczne dotycza˛ ce bezpośrednio charakterystyk elementu. Program PSpice pozwala na
podanie parametrów technologicznych i na tej podstawie jest w stanie obliczyć wartości
parametrów elektrycznych. Jeżeli wśród parametrów modelu znajdzie sie˛ parametr elektryczny
oraz parametry technologiczne, na podstawie których można obliczyć wymieniony parametr
elektryczny, to program PSpice użyje wartości parametru elektrycznego podanego
bezpośrednio w deklaracji modelu.
Pierwsza obliczana jest pojemność Cox mie˛ dzy bramka˛ i kanałem wynikaja˛ ca z istnienia
warstwy izolacyjnej dwutlenku krzemu SiO2 przypadaja˛ ca na jednostke˛ powierzchni.
(210)
gdzie:
0 przenikalność dielektryczna próżni = 8,85 10-12 [F/m];
Si02 wzgle˛ dna przenikalność dielektryczna dwutlenku krzemu ≈ 3,9;
TOX grubość warstwy dwutlenku krzemu izoluja˛ cej kanał od bramki.
W drugiej kolejności obliczana jest wartość:
Elementy półprzewodnikowe 169
(212)
(213)
gdzie:
UO ruchliwość14 nadmiarowych nośników ładunku w kanale tranzystora;
Si wzgle˛ dna przenikalność dielektryczna krzemu ≈ 11,7;
q ładunek elementarny = 1,61 10-19[A s];
NSUB liczba atomów domieszki w jednostce obje˛ tości materiału podłoża;
Ni(T) liczba swobodnych elektronów w jednostce obje˛ tości krzemu samoistnego w
funkcji temperatury bezwzgle˛ dnej (dla 300K ≈ 1.45 1016 [m-3]) — wzór (214);
Vt potencjał temperaturowy — wzór (133).
Liczba elektronów swobodnych w jednostce obje˛ tości krzemu samoistnego zmienia sie˛ z
temperatura˛ w sposób naste˛ puja˛ cy:
(214)
Natomiast zmiany szerokości przerwy energetycznej wraz z temperatura˛ Eg(T) obliczane sa˛
według wzoru:
(215)
W modelu uwzgle˛ dniono także pra˛ d Ibd płyna˛ cy przez zła˛ cze izoluja˛ ce obszar drenu od
podłoża oraz pra˛ d Ibs płyna˛ cy przez zła˛ cze izoluja˛ ce obszar źródła od podłoża. Wymienione
pra˛ dy wyrażaja˛ sie˛ naste˛ puja˛ cymi wzorami:
13
Wszystkie wzory w tej ksia˛ żce podane sa˛ dla układu jednostek SI. UWAGA: niektóre
paramery modeli w programie PSpice sa˛ podawane w jednostkach nie be˛ da˛ cych jednostkami
układu SI lub w jednostkach powielokrotnych jednostek obowa˛ zuja˛ cych w układzie SI (np.
UO dla tranzystora polowego MOS).
Ruchliwość nośników ładunku µ definiowana jest jako stosunek pre˛ dkości v unoszenia
14
unoszenia ich przez pole elektryczne do wartości nate˛ żenia pola elektrycznego E: v=µ E.
170 Elementy półprzewodnikowe
(216)
gdzie:
Vt potencjał temperaturowy — wzór (133);
Is(T) pra˛ d nasycenia dla zła˛ czy izoluja˛ cych — zależność od temperatury — wzór (217).
Zależność pra˛ du nasycenia zła˛ czy izoluja˛ cych od temperatury Is(T) obliczana jest naste˛ puja˛ co
[26]:
(217)
Jeżeli nie zostanie podana wartość pra˛ du nasycenia zła˛ czy izoluja˛ cych IS lub wartość ta
zostanie określona jako zero program PSpice wyznaczy wartość pra˛ du nasycenia dla każdego
ze zła˛ czy dren–podłoże oraz źródło–podłoże osobno. Pra˛ d nasycenia zła˛ cza dren–podłoże
równy jest iloczynowi powierzchni obszaru drenu AD (podawana w deklaracji tranzystora w
strukturze obwodu — strona 165) i ge˛ stości pra˛ du nasycenia JS (parametr modelu tranzystora
polowego MOS). Pra˛ d nasycenia zła˛ cza źródło–podłoże równy jest iloczynowi powierzchni
obszaru źródła AS (podawana w deklaracji tranzystora w strukturze obwodu — strona 165)
i ge˛ stości pra˛ du nasycenia JS. Ge˛ stość pra˛ du nasycenia uzależniona jest od temperatury w
taki sam sposób jak pra˛ d nasycenia zła˛ czy — wzór (217).
Przykład:
Rys. 88 przedstawia zależność pra˛ du drenu od napie˛ cia dren–źródło obliczona˛ przez
program PSPice dla tranzystora MOS. Parametry elektryczne modelu sa˛ naste˛ puja˛ ce:
KP=27.6[µA/V2];VTO=1.0[V];GAMMA=0.526[V0.5];PHI=0.58[V];LAMBDA=0.0[V-1].
Natomiast odpowiadaja˛ ce im parametry technologiczne przyjmuja˛ wartości:
L=W=100[µm];UO=800[cm2/(V s)];TOX=100[nm];NSUB=1021[m-3];LD=0.8[µm].
Charakterystyki z Rys. 88 obliczone zostały dla dwóch wartości napie˛ cia bramka–źródło:
Vgs=3[V] i Vgs=5[V] przy temperaturze przyrza˛ du T=0°C, T=27°C(≈300K) oraz T=70°C.
Rys. 89 przedstawia zależność, dla tego samego tranzystora, pra˛ du drenu od napie˛ cia
bramka–źródło przy ustalonej wartości napie˛ cia dren–źródło Vds=5.0[V]. Parametrem na tym
wykresie jest napie˛ cie Vbs mie˛ dzy podłożem tranzystora a obszarem źródła. Zwróćmy uwage˛
na zmiany napie˛ cia progowego Vto dokonuja˛ ce sie˛ wraz ze zmianami napie˛ cia Vbs.
Spośród pojemności pokazanych na Rys. 87 najistotniejsze znaczenie dla szybkości
przeła˛ czania tranzystora MOS to pojemność bramka–źródło Cgs, bramka–dren Cgd oraz
bramka–podłoże Cgb. Wszystkie one sa˛ pojemnościami o stałej wartości wyliczanej według
naste˛ puja˛ cych wzorów:
(218)
Elementy półprzewodnikowe 171
Rys.88. Zależność pra˛ du drenu od napie˛ cia dren-źródło dla tranzystora polowego MOS.
Parametrem na wykresie jest napie˛ cie bramka-źródło Vgs oraz temperatura przyrza˛ du..
gdzie:
W szerokość kanału tranzystora;
Leff długość kanału tranzystora;
CGSO pojemność bramka–źródło przypadaja˛ ca na 1[m] szerokości kanału;
CGDO pojemność bramka–dren przypadaja˛ ca na 1[m] szerokości kanału;
CGSO pojemność bramka–podłoże przypadaja˛ ca na 1[m] długości kanału.
Poza tym uwzgle˛ dnia sie˛ także pojemności zła˛ cz izoluja˛ cych dren od podłoża oraz źródło
od podłoża. Pojemność dren–podłoże Cbd jest pojemnościa˛ nieliniowa˛ , której wartość
różniczkowa˛ określa naste˛ puja˛ cy wzór:
(219)
gdzie:
Vbd napie˛ cie podłoże–dren;
CBD(T) pojemność różniczkowa cze˛ ści płaskiej zła˛ cza dren–podłoże dla napie˛ cia
podłoże–dren równego zero — zależność od temperatury bezwzgle˛ dnej —
wzór (221);
CJSW(T) pojemność różniczkowa przypadaja˛ ca na jednostke˛ długości cze˛ ści bocznej
zła˛ cza izoluja˛ cego dla zerowego napie˛ cia polaryzuja˛ cego to zła˛ cze —
172 Elementy półprzewodnikowe
Rys.89. Zależność pra˛ du drenu Id od napie˛ cia bramka-źródło Vgs dla tranzystora MOS.
Napie˛ cie dren-źródło Vds=5.0[V]. Parametr: napie˛ cie podłoże-źródło Vbs.
(220)
gdzie:
PB potencjał wbudowany (zła˛ czowy) dla zła˛ czy izoluja˛ cych w temperaturze
odniesienia TNOM;
Eg(T) szerokość przerwy energetycznej w materiale podłoża — zależność od temperatury
bezwzgle˛ dnej — wzór (215).
Pojemność różniczkowa przy zerowej polaryzacji CBD(T) określona jest wzorem:
(221)
gdzie:
CBD pojemność różniczkowa cze˛ ści płaskiej zła˛ cza dren–podłoże dla napie˛ cia
podłoże–dren równego zero dla temperatury nominalnej TNOM.
Podobnym wzorem określona jest pojemność różniczkowa dla bocznej cze˛ ści zła˛ cza
izoluja˛ cego CJSW(T):
(222)
gdzie:
CJSW pojemność różniczkowa cze˛ ści bocznej zła˛ cza izoluja˛ cego dla zerowego
napie˛ cia polaryzuja˛ cego dla temperatury nominalnej TNOM.
Analogiczne wzory określaja˛ wielkość pojemności zła˛ czowej dla zła˛ cza izoluja˛ cego źródło
od podłoża. Sama pojemność Cgs dana jest wzorem:
(223)
gdzie:
Vbs napie˛ cie podłoże–źródło;
CBS(T) pojemność różniczkowa cze˛ ści płaskiej zła˛ cza źródło–podłoże dla napie˛ cia
podłoże–źródło równego zero — zależność od temperatury bezwzgle˛ dnej
analogiczna do (221);
PS obwód obszaru źródła — podawany w deklaracji tranzystora w strukturze
obwodu — patrz strona 165.
Podobnie jak opisana wyżej pojemność dren–podłoże pojemność źródło–podłoże Cgs podlega
liniowej ekstrapolacji dla napie˛ ć podłoże–źródło wie˛ kszych od FC Pb(T). Analogiczna jest
także zależność pojemności różniczkowej zła˛ cza przy zerowej polaryzacji od temperatury.
Jeżeli w deklaracji modelu nie zostanie podana wartość pojemności różniczkowej płaskiej
cze˛ ści zła˛ cza dren–podłoże (źródło–podłoże) to wartość ta zostanie obliczona przez program
PSpice jako iloczyn parametru CJ — jednostkowej pojemności płaskich cze˛ ści zła˛ czy izoluja˛ -
174 Elementy półprzewodnikowe
cych — oraz powierzchni zajmowanej przez dren AD (źródło AS) — parametr podawany w
linii deklaracji tranzystora MOS w strukturze obwodu — strona 165.
EL=2. Model ten jest znacznie CBS Pojemność zła˛ cza podłoże-źródło
przy zerowej polaryzacji [F] 0.0
dokładniejszy od modelu Shich-
CBD Pojemność zła˛ cza podłoże-dren
man–a Hodges–a. Składaja˛ sie˛ przy zerowej polaryzacji [F] 0.0
CGSO Pojemność bramka-źródło na
na to naste˛ puja˛ ce fakty: jednostke˛ szerokości kanału [F/m] 0.0
CGDO Pojemność bramka-dren na
Zależności opisuja˛ ce jednostke˛ szerokości kanału [F/m] 0.0
charakterystyke˛ statycz- CGBO Pojemność bramka-podłoże na
jednostke˛ długości kanału [F/m] 0.0
na˛ uwzgle˛ dniaja˛ nierów- PB Potencjał wbudowany dla
zła˛ czy izoluja˛ cych [V] 0.0
nomierny rozkład ładun- CJ Pojemność na jednostke˛ powierzchni
płaskiej cze˛ ści zła˛ czy izoluja˛ cych
ku zgromadzonego w dla zerowej polaryzacji [F/m2] 0.0
zubożonym obszarze MJ Parametr opisuja˛ cy profil
domieszkowania płaskiej cze˛ ści
przejściowym mie˛ dzy zła˛ czy izoluja˛ cych - 0.5
CJSW Pojemność na jednostke˛ powierzchni
kanałem i podłożem. bocznej cze˛ ści zła˛ czy izoluja˛ cych
dla zerowej polaryzacji [F/m2] 0.0
Model uwzgle˛ dnia pra˛ d MJSW Parametr opisuja˛ cy profil
płyna˛ cy mie˛ dzy źródłem domieszkowania bocznej cze˛ ści
zła˛ czy izoluja˛ cych - 0.5
i drenem tranzystora FC Granica linearyzacji pojemności
zła˛ cza - 0.5
przy polaryzacji bramki KF Współczynnik szumów migotania - 0.0
tranzystora napie˛ ciem AF Wykładnik szumów migotania - 1.0
wykształcony, pra˛ d drenu zmienia sie˛ zgodnie z naste˛ puja˛ ca˛ zależnościa˛ :
(224)
gdzie:
Von napie˛ cie progowe dla obszaru słabej inwersji;
Ion wartość pra˛ du drenu przy Vgs=Von wyliczona ze wzorów obowia˛ zuja˛ cych dla
liniowego zakresu pracy tranzystora — wzór (229).
Obszar słabej inwersji odpowiada wartości napie˛ cia bramka–źródło Vgs leża˛ cej w przedziale:
Vto<Vgs<Von.
Napie˛ cie progowe Von określone jest przy tym wzorem:
(225)
gdzie:
Vto napie˛ cie bramka–źródło powoduja˛ ce powstanie kanału — wzór (209);
Vt potencjał termiczny — wzór (133);
q ładunek elementarny = 1,61 10-19[A s];
Cox pojemność na jednostke˛ powierzchni warstwy SiO2 — wzór (210);
Cd pojemność różniczkowa zubożonej warstwy podłoża — wzór (226);
NFS ge˛ stość powierzchniowa stanów zmiennych.
Pojemność zubożonej warstwy podłoża obliczana jest według naste˛ puja˛ cej zależności:
(226)
gdzie:
GAMMA parametr progowy podłoża — patrz wzór (212);
PHI podwojona wartość potencjału Fermiego dla materiału podłoża — patrz
wzór (213).
Napie˛ cie bramka–źródło powoduja˛ ce powstanie kanału Vto uzależnione jest od napie˛ cia
podłoże–źródło za pomoca˛ wzoru (209). Na poziomie LEVEL=2 modelowania tranzystora
napie˛ cie bramka–źródło VTO powoduja˛ ce powstanie kanału przy zerowej wartości napie˛ cia
Vbs może być obliczone na podstawie parametrów technologicznych:
(227)
gdzie:
VMS kontaktowa różnica potencjałów mie˛ dzy materiałem bramki i materiałem
podłoża tranzystora — wzór (228);
q ładunek elementarny = 1,61 10-19[A s];
Cox pojemność na jednostke˛ powierzchni warstwy SiO2 — wzór (210);
176 Elementy półprzewodnikowe
(228)
gdzie:
NSUB liczba atomów domieszki w jednostce obje˛ tości materiału podłoża;
Ni(T) liczba swobodnych elektronów w jednostce obje˛ tości krzemu samoistnego w
funkcji temperatury bezwzgle˛ dnej (dla 300K ≈ 1.45 1016 [m-3]) — wzór (214);
Eg(T) szerokość przerwy energetycznej jako funkcja temperatury — wzór (215);
TPG typ bramki;
Vt potencjał temperaturowy — wzór (133).
Parametr modelu TPG opisuje Tablica XXVI Parametry tranzystora MOS. Poziom
modelowania LEVEL=2.
typ zastosowanej bramki. Jeżeli
tranzystor MOS posiada bramke˛ Słowo Nazwa Jednostka Wartość
wykonana˛ z glinu (aluminium) kluczowe domyślna
to wartość tego parametru po- NSS Powierzchniowa ge˛ stość stanów [cm-2] 0.0
TPG Typ bramki:
winna być równa zero. Jeśli +1 = różna od podłoża
-1 = taka sama jak podłoże
bramka jest wykonana z krzemu 0 = aluminiowa - 1.0
polikrystalicznego, którego typ WD Współczynnik dyfuzji bocznej [m] 0.0
NFS Powierzchniowa ge˛ stość stanów
przewodnictwa jest taki sam jak zmiennych [cm-2] 0.0
XJ Metalurgiczna głe˛ bokość zła˛ cza [m] 0.0
typ przewodnictwa podłoża UCRIT Krytyczne pole degradacji
tranzystora wartość parametru ruchliwości nośników ładunku [V/cm] 104
UXEP Wykładnik krytycznego pola
TPG powinna być równa -1. ruchliwości - 0.0
UTRA Współczynnik opisuja˛ cy zmiany
Natomiast jeśli bramka jest pola elektrycznego wzdłuż kanału - 0.0
VMAX Maksymalna pre˛ dkość unoszenia
wykonana z krzemu polikrysta- nośników ładunku przez
pole elektryczne [m/s] 0.0
licznego, którego typ prze- NEFF Współczynnik całkowitego
wodnictwa jest odmienny od ładunku w kanale - 1.0
XQC Cze˛ ść ładuku kanału przypisana
typu przewodnictwa podłoża do drenu - 0.0
DELTA Współczynnik zmian
tranzystora wartość parametru napie˛ cia progowego - 0.0
Vgs>Von
0<Vds<Vsat
Pra˛ d drenu Id zmienia sie˛ zgodnie z zależnościa˛ :
(229)
gdzie:
L’(Vds) długość kanału tranzystora jako funkcja napie˛ cia dren–źródło — wzór
(231);
Vfb napie˛ cie bramka–podłoże powoduja˛ ce wyprostowanie pasm na granicy
Si–SiO2 — wzór (230);
Vbs napie˛ cie podłoże–źródło;
GAMMA parametr progowy podłoża — wzór (212);
PHI podwojona wartość potencjału Fermiego dla materiału podłoża — patrz
wzór (213);
KP parametr transkonduktancji;
W szerokość kanału tranzystora.
Napie˛ cie bramka–podłoże powoduja˛ ce wyprostowanie pasm obliczane jest na podstawie
parametrów technologicznych według naste˛ puja˛ cego wzoru:
(230)
gdzie:
VMS kontaktowa różnica potencjałów mie˛ dzy materiałem bramki i materiałem podłoża
— wzór (227);
Cox pojemność jednostki powierzchni warstwy dwutlenku krzemu — wzór (210);
q ładunek elementarny = 1,61 10-19[A s];
NSS ge˛ stość stanów powierzchniowych.
Długość kanału tranzystora L’(Vds) obliczana jest z zależności:
(231)
gdzie:
L fizyczna długość kanału tranzystora;
LD wzdłużny współczynnik dyfuzji bocznej;
LAMBDA współczynnik modulacji długości kanału.
Wartość granicznego napie˛ cia dren–źródło Vsat, powyżej którego tranzystor wchodzi w stan
nasycenia dana jest wzorem:
178 Elementy półprzewodnikowe
(232)
gdzie:
GAMMA parametr progowy podłoża — wzór (212);
PHI podwojona wartość potencjału Fermiego dla materiału podłoża — patrz
wzór (213);
Vfb napie˛ cie bramka–podłoże powoduja˛ ce wyprostowanie pasm na granicy
Si–SiO2 — wzór (230).
W stanie nasycenia tzn. gdy spełnione sa˛ nierówności:
Vgs>Von
Vds>Vsat
pra˛ d drenu zmienia sie˛ w sposób naste˛ puja˛ cy:
(233)
gdzie:
Isat pra˛ d wyliczony według wzoru (229) dla Vds=Vsat.
Przykład:
Na Rys. 90 porównano charakterystyke˛ statyczna˛ tranzystora MOS opisanego modelem
Shichman–a Hodges–a oraz modelem Meyer–a (LEVEL=1 i LEVEL=2). Parametry elektrycz-
ne oraz technologiczne podane w deklaracji modelu tranzystora pozostaja˛ takie same jak w
poprzednim przykładzie. Oznacza to, że przyjmuja˛ wartości:
KP=27,6[µA/V2];VTO=1,0[V];GAMMA=0,526[V0.5];PHI=0,58[V];LAMBDA=0,0[V-1].
L=W=100[µm];UO=800[cm2/(V s)];TOX=100[nm];NSUB=1021[m-3];LD=0,8[µm].
Na osi poziomej odłożono napie˛ cie dren–źródło Vds natomiast na osi pionowej pra˛ d drenu
tranzystora Id. Parametrem na rysunku jest wartość napie˛ cia bramka–źródło Vgs, która
zmienia sie˛ od 2,0[V] do 5,0[V]. Model Shichman–a Hodges–a daje wyraźnie wie˛ ksza˛
wartość pra˛ du drenu w stosunku do modelu Meyer–a.
Model tranzystora polowego MOS wbudowany w program PSpice na poziomie LEVEL=2
pozwala na uwzgle˛ dnienie dodatkowo innych zjawisk towarzysza˛ cych pracy tranzystora.
Wzory (229) i (233) zostały wyprowadzone przy założeniu, że ruchliwość nośników
ładunku jest stała i nie zależy od nate˛ żenia pola elektrycznego. Dane doświadczalne wskazuja˛
jednak, że ruchliwość ulega zmniejszeniu wraz ze wzrostem nate˛ żenia pola elektrycznego.
Zjawisko to wywiera wpływ na wartość współczynnika transkonduktancji KP — jego
wartość zmienia sie˛ wraz z napie˛ ciem dren–źródło oraz napie˛ ciem bramka–źródło. W
programie PSpice wpływ degradacji ruchliwości nośników ładunku na współczynnik
transkonduktancji uwzgle˛ dnia sie˛ w sposób naste˛ puja˛ cy:
Elementy półprzewodnikowe 179
(234)
gdzie:
UCRIT pole krytyczne, powyżej którego naste˛ puje zmniejszenie ruchliwości nośników;
UEXP wykładnik opisuja˛ cy zmniejszanie ruchliwości nośników ładunku wraz ze
wzrostem pola elektrycznego;
UTRA współczynnik opisuja˛ cy rozkład pola elektrycznego wzdłuż kanału tranzystora;
Si wzgle˛ dny współczynnik przenikalności elektrycznej dla krzemu ≈11,7;
SiO2 wzgle˛ dny współczynnik przenikalności elektrycznej dla dwutlenku krzemu
≈3,9.
Wartość współczynnika transkonduktancji KP po prawej stronie wzoru (234) jest parametrem
deklaracji .MODEL lub wyliczana jest według wzoru (211).
Model tranzystora MOS na poziomie LEVEL=2 pozwala na obliczenie współczynnika
modulacji długości kanału LAMBDA na podstawie parametrów technologicznych. Służy
do tego naste˛ puja˛ cy wzór:
180 Elementy półprzewodnikowe
(235)
gdzie:
Si wzgle˛ dny współczynnik przenikalności elektrycznej dla krzemu ≈11,7;
0 przenikalność elektryczna próżni = 8,85 10-12[F/m];
q ładunek elementarny = 1,61 10-19[A s];
NSUB liczba atomów domieszki w jednostce obje˛ tości materiału podłoża;
Leff efektywna długość kanału tranzystora — wzór (208);
Vsat napie˛ cie dren–źródło, dla którego naste˛ puje nasycenie charakterystyk
statycznych tranzystora — wzór (232).
Zastosowanie wzoru (235) prowadzi zwykle do zbyt dużej wartości współczynnika
LAMBDA, w stosunku do wartości mierzonej laboratoryjnie. Można temu zaradzić
zwie˛ kszaja˛ c wartość parametru określaja˛ cego liczbe˛ atomów domieszki w jednostce obje˛ tości
materiału podłoża — NSUB. Wartość ta (zawyżona) nie może być jednak użyta do
obliczenia parametrów GAMMA i PHI (wzory (212) i (213)). Te ostatnie musza˛ zostać
podane bezpośrednio w deklaracji modelu tranzystora [1].
W przypadku, gdy w deklaracji modelu tranzystora podana zostanie wartość maksymalnej
pre˛ dkości unoszenia nośników ładunku w kanale VMAX program PSpice obliczy wartość
parametru LAMBDA na podstawie znacznie doskonalszego modelu modulacji długości
kanału. Jest to tzw. model Baum–a, Beneking–a. Obliczenia prowadzone sa˛ w tym wypadku
według wzoru:
(236)
(237)
gdzie:
SiO2 wzgle˛ dny współczynnik przenikalności elektrycznej dla dwutlenku krzemu
≈3,9;
Si wzgle˛ dny współczynnik przenikalności elektrycznej dla krzemu ≈11,7;
0 przenikalność elektryczna próżni = 8,85 10-12[F/m];
q ładunek elementarny = 1,61 10-19[A s];
NEFF współczynnik całkowitego ładunku w kanale.
Wada˛ tego modelu jest jednak niecia˛ głość pochodnej charakterystyki statycznej tranzystora
na granicy obszaru liniowości i nasycenia. Niecia˛ głość ta może łatwo doprowadzić do
trudności przy obliczaniu statycznego punktu pracy układu metoda˛ Newton–a Raphson–a. Nie
Elementy półprzewodnikowe 181
mniej model bardzo dobrze oddaje zachowanie tranzystorów o długości kanału nie mniejszej
niż 4–5[µm], których bramka wykonana została z aluminium [1].
Dla tranzystorów polowych MOS o krótkim kanale (poniżej 5[µm]) obserwuje sie˛ wpływ
długości L i szerokości W kanału na wartość napie˛ cia bramka–źródło Vto, przy którym
tworzy sie˛ kanał tranzystora. W programie PSpice wpływ szerokości kanału na napie˛ cie Vto
modeluje sie˛ przez zmiane˛ wartości parametru progowego podłoża GAMMA:
(238)
gdzie:
XJ metalurgiczna głe˛ bokość zła˛ cza izoluja˛ cego obszar drenu (źródła) od podłoża;
Leff efektywna długość kanału — wzór (208);
WS grubość obszaru zubożonego dla zła˛ cza źródło–podłoże;
WD grubość obszaru zubożonego dla zła˛ cza dren–podłoże.
Dwie ostatnie wielkości określone sa˛ naste˛ puja˛ ca˛ para˛ wzorów:
(239)
(240)
Po prawej stronie wzoru (238) znajduje sie˛ wartość parametru GAMMA podana
bezpośrednio w deklaracji modelu tranzystora polowego MOS. Wartość ta może być także
obliczona ze wzoru (212). Natomiast po lewej stronie wzoru (238) wyste˛ puje już zmodyfiko-
wana wartość parametru progowego podłoża GAMMA.
Niestety przedstawiona wyżej zależność powoduje zwykle zbyt duża˛ , w stosunku do
obserwowanej doświadczalnie, redukcje˛ wartości napie˛ cia progowego Vto. Istnieje możliwość
lepszego dopasowania przez zmiane˛ wartości parametrów XJ oraz NSUB. Trudno jednak
uzyskać zgodność z wynikami doświadczalnymi w szerokim zakresie zmian długości kanału.
Ponadto przedstawiony model zupełnie nieprawidłowo określa zależność napie˛ cia progowego
Vto od napie˛ cia dren–źródło [1]. Aby przynajmniej cze˛ ściowo zaradzić tym trudnościom
wprowadzony został empiryczny parametr DELTA, którego zadaniem jest dopasowanie
teoretycznej zależności napie˛ cia Vto od napie˛ cia źródło–podłoże do wyników otrzymywanych
eksperymentalnie. Zmodyfikowana zależność ma postać:
182 Elementy półprzewodnikowe
(241)
gdzie:
Si wzgle˛ dny współczynnik przenikalności elektrycznej dla krzemu ≈ 11,7;
0 przenikalność elektryczna próżni = 8,85 10-12[F/m];
Cox pojemność jednostki powierzchni izolacji SiO2 — wzór (210);
W szerokość kanału tranzystora;
GAMMA parametr progowy podłoża zmodyfikowany zgodnie ze wzorem (238);
VTO napie˛ cie progowe przy zerowej polaryzacji — dane jako parametr
elektryczny lub obliczone według wzoru (227).
Model pojemności tranzystora MOS na poziomie LEVEL=2 to nieco zmodyfikowany
model Meyer–a. W modelu oryginalnym [22] różnice w opisie pojemności w różnych
regionach pracy tranzystora powodowały, że algorytm Newton–a Raphson–a, służa˛ cy do
analizy obwodów nieliniowych, był niezbieżny. Modyfikacje pozwoliły w dużym stopniu
wyeliminować te niedogodności.
W obszarze zablokowania, w którym napie˛ cie bramka–źródło spełnia nierówność:
Vgs < Von - PHI
poszczególne pojemności uwidocznione na Rys. 87 maja˛ wartość:
(242)
gdzie:
Von napie˛ cie progowe dla obszaru słabej inwersji — wzór (225);
C’ox pojemność izolacji SiO2 — wzory (245), (246);
CGBO pojemność bramka–podłoże przypadaja˛ ca na jednostke˛ długości kanału;
Leff efektywna długość kanału — wzór (208);
CGSO pojemność bramka–źródło przypadaja˛ ca na jednostke˛ szerokości kanału, a
wynikaja˛ ca z geometrycznego nakładania sie˛ obszaru bramki i obszaru źródła;
CGDO pojemność bramka–dren przypadaja˛ ca na jednostke˛ szerokości kanału, a
wynikaja˛ ca z geometrycznego nakładania sie˛ obszaru bramki i obszaru drenu;
W szerokość kanału tranzystora.
W obszarze słabej inwersji, w którym napie˛ cie bramka–źródło spełnia nierówność:
Von - PHI < Vgs < Von
pojemności bramka–podłoże oraz bramka–źródło sa˛ uzależnione bezpośrednio od napie˛ cia
bramka–źródło, natomiast pojemność bramka–dren pozostaje stała:
Elementy półprzewodnikowe 183
(243)
(244)
(245)
(246)
gdzie:
Cox pojemność jednostki powierzchni izolacji SiO2 — wzór (210).
Napie˛ cie progowe Von obliczanie jest zgodnie ze wzorem (225). Jeżeli jednak nie zostanie
podana wartość parametru NFS w miejsce napie˛ cia Von używana jest wartość napie˛ cia Vto
— wzór (209).
W programie PSpice zlikwidowano skokowa˛ zmiane˛ pojemności, która wyste˛ powała w
modelu zaproponowanym przez Meyer–a, pomie˛ dzy obszarem zablokowania i obszarem
nasycenia. Dzie˛ ki temu uniknie˛ to problemów zwia˛ zanych z niezbieżnościa˛ algorytmu
Newton–a Raphson–a używanego podczas obliczeń stanu nieustalonego [1].
Jeżeli w deklaracji modelu tranzystora MOS na poziomie LEVEL=2 podana zostanie
wartość współczynnika podziału ładunku w kanale XQC to zamiast modelu Meyer–a użyty
zostanie uproszczony model ładunkowy Ward–a [1]. Ładunek gromadzony na bramce Qb oraz
ładunek gromadzony w podłożu Qb obliczane sa˛ wtedy według formuł uzyskanych
184 Elementy półprzewodnikowe
Ładunek kanału dzielony jest pomie˛ dzy źródło (Qs) i dren (Qd) zgodnie z zadeklarowana˛
wartościa˛ współczynnika XQC:
(248)
W rezultacie pra˛ d bramki (ig), pra˛ d drenu (id), pra˛ d źródła (is) oraz pra˛ d podłoża (ib) zwia˛ zane
z pojemnościami tranzystora obliczane sa˛ naste˛ puja˛ co:
(249)
Model Ward–a pozwala na uniknie˛ cie błe˛ dów numerycznych, które pojawiaja˛ sie˛ w pewnych
typach obwodów z tranzystorami MOS, których pojemności opisywane sa˛ modelem Meyer–a.
Niestety model Ward–a nie posiada żadnego uzasadnienia fizycznego, a ponadto jego użycie
cze˛ sto prowadzi do niezbieżności algorytmu zastosowanego w programie PSpice do obliczania
stanu nieustalonego w obwodzie.
15
Ładunki bramki i podłoża sa˛ różnoimenne!
16
Długość kanału tranzystora nie powinna być mniejsza niż 2[µm].
Elementy półprzewodnikowe 185
(250)
(251)
(252)
gdzie:
Leff efektywna długość kanału — wzór (208);
GAMMA parametr progowy podłoża — wzory (212),(238);
KP parametr transkonduktancji — wzór (211);
LAMBDA współczynnik modulacji długości kanału;
W szerokość kanału.
Wpływ poprzecznej składowej pola elektrycznego (bramka–podłoże) na ruchliwość
nośników ładunku w kanale został uwzgle˛ dniony w prostszy sposób niż ma to miejsce w
modelu na poziomie LEVEL=2 (wzór (234)). Modyfikowana jest bezpośrednio wartość
ruchliwości nośników ładunku, która używana jest we wzorze (211):
(253)
gdzie:
UO ruchliwość nadmiarowych nośników ładunku w kanale tranzystora;
Us zmodyfikowana wartość ruchliwości nośników ładunku;
THETA współczynnik modulacji ruchliwości nośników ładunku.
W wyniku symulacyjnego badania struktur tranzystorów MOS o krótkim kanale, z
uwzgle˛ dnieniem efektów dwuwymiarowych17 stwierdzono, że zaciśnie˛ cie kanału w pobliżu
drenu naste˛ puje przy niższych wartościach napie˛ cia bramka–źródło niż wynika to z teorii
opracowanych dla tranzystorów o długim kanale. W rezultacie wzór (241) uzupełniono o
liniowa˛ zależność napie˛ cia progowego Vto od napie˛ cia dren–źródło Vds:
17
Nośniki ładunku w kanale tranzystora MOS moga˛ poruszać sie˛ tylko w dwóch
wymiarach - głebokość kanału jest znacznie mniejsza niż szerokość i długość. Własności
statystyczne takiego "dwuwymiarowego" gazu złożonego z nośników ładunku sa˛ zupełnie inne
niż własności gazu, którego cza˛ stki moga˛ sie˛ poruszać w trzech wymiarach.
186 Elementy półprzewodnikowe
(254)
gdzie:
PHI podwojona wartość potencjału Fermiego dla materiału podłoża — patrz
wzór (213);
GAMMA parametr progowy podłoża — wzory (212),(238);
VTO napie˛ cie progowe przy zerowej polaryzacji — dane jako parametr
elektryczny lub obliczone według wzoru (227);
σ współczynnik proporcjonalności — wzór (255).
Zależność współczynnika proporcjonalności σ od efektywnej długości kanału Leff znaleziona
została doświadczalnie i jest naste˛ puja˛ ca:
(255)
gdzie:
ETA współczynnik statycznego sprze˛ żenia zwrotnego;
Cox pojemność jednostki powierzchni izolacji SiO2 — wzór (210);
Leff efektywna długość kanału — wzór (208).
Współczynnik Fs wyste˛ puja˛ cy we wzorach (254) i (251) służy uwzgle˛ dnieniu trójwymiaro-
wej struktury obszaru zubożonego izoluja˛ cego kanał tranzystora od podłoża. Wzór określaja˛ cy
jego wartość jest naste˛ puja˛ cy:
(256)
gdzie:
LD wzdłużny współczynnik dyfuzji bocznej;
XJ metalurgiczna głe˛ bokość zła˛ cza izoluja˛ cego obszar drenu (źródła) od podłoża.
Wielkość Wp oznacza głe˛ bokość obszaru zubożonego pod płaska˛ cze˛ ścia˛ zła˛ cza izoluja˛ cego
źródło:
(257)
gdzie:
XD parametr określony wzorem (237).
Parametr Wc oznacza natomiast głe˛ bokość obszaru zubożonego cylindrycznej cze˛ ści zła˛ cza
izoluja˛ cego źródło–podłoże. Wielkość ta określona jest wzorem, znalezionym doświadczalnie:
(258)
Współczynnik Fn wyste˛ puja˛ cy we wzorze (251) uwzgle˛ dnia efekty zwia˛ zane z wa˛ skim
kanałem:
Elementy półprzewodnikowe 187
(259)
gdzie:
Si wzgle˛ dny współczynnik przenikalności elektrycznej dla krzemu ≈ 11,7;
0 przenikalność elektryczna próżni = 8,85 10-12[F/m];
Cox pojemność jednostki powierzchni izolacji SiO2 — wzór (210);
W szerokość kanału tranzystora;
DELTA współczynnik zmian napie˛ cia progowego.
Jak widać wpływ wa˛ skiego kanału jest modelowany w taki sam sposób jak na poziomie
LEVEL=2 (wzór (241)). Kluczowe jest podanie parametru DELTA, którego wartość musi
zostać wyznaczona doświadczalnie.
Model Dang–a uwzgle˛ dnia zmiany ruchliwości nośników ładunku zwia˛ zane ze składowa˛
pola elektrycznego równoległa˛ do kanału. Efektywna wartość ruchliwości Ueff obliczana jest
naste˛ puja˛ co:
(260)
gdzie:
Us wartość ruchliwości zmodyfikowana przez poprzeczne pole elektryczne —
wzór (253);
VMAX maksymalna pre˛ dkość unoszenia nośników ładunku w kanale;
Leff efektywna długość kanału — wzór (208).
Podanie w linii deklaracji modelu tranzystora wartości parametru VMAX nie tylko zmienia
wartość ruchliwości nośników, ale także powoduje modyfikacje˛ wartości napie˛ cia Vsat —
napie˛ cia dren–źródło powoduja˛ cego przejście tranzystora od stanu nasycenia do pracy w
obszarze liniowym. Napie˛ cie Vsat jest stosunkowo prosta˛ kombinacja˛ napie˛ cia nasycenia
obliczonego dla VMAX=∞ (Va) i poprawki zwia˛ zanej ze skończona˛ wartościa˛ parametru
VMAX (Vb):
(261)
Wielkości Va i Vb wyrażaja˛ sie˛ przy tym naste˛ puja˛ co:
(262)
gdzie:
Vto napie˛ cie progowe określone wzorem (254);
FB współczynnik określony wzorem (251);
Leff efektywna długość kanału określona wzorem (208);
Ueff efektywna ruchliwość nośników ładunku — wzór (260).
188 Elementy półprzewodnikowe
(263)
gdzie:
XD parametr określony wzorem (237);
Isat pra˛ d drenu dla Vds=Vsat;
gsat pochodna pra˛ du drenu wzgle˛ dem napie˛ cia Vds dla Vds=Vsat (∂Id/∂Vds).
Parametr KAPPA podawany jest w linii deklaracji modelu tranzystora. Wartość tego
parametru dobierana jest tak aby uzyskać zgodność wyników symulacji z wynikami pomiarów
laboratoryjnych.
Na poziomie modelowania LEVEL=3 pojemności sa˛ modelowane tak samo jak na
poziomie LEVEL=2. Możliwy jest zatem wybór mie˛ dzy modelem Meyer–a (patrz strona 182)
i modelem ładunkowym Ward–a (patrz strona 184). Jednocześnie w przypadku tego ostatniego
równania opisuja˛ ce zmiany ładunku bramki Qg oraz ładunku podłoża Qb sa˛ uproszczone.
Ładunek Qg opisywany jest wzorem:
(264)
(265)
gdzie:
Cox pojemność jednostki powierzchni izolacji SiO2 — wzór (210);
W szerokość kanału tranzystora;
Leff efektywna długość kanału — wzór (208);
FB współczynnik określony wzorem (251);
PHI podwojona wartość potencjału Fermiego dla materiału podłoża — wzór
(213);
σ współczynnik proporcjonalności określony wzorem (255);
18
Oznacza to, że obliczana jest wartość współczynnika modulacji długości kanału
LAMBDA.
Elementy półprzewodnikowe 189
Przykład:
Na Rys. 91 pokazana jest charakterystyka statyczna tranzystora MOS opisanego modelem
Meyer–a (LEVEL=2) oraz modelem Dang–a (LEVEL=3). Parametry elektryczne oraz
technologiczne podane w deklaracji modelu tranzystora sa˛ naste˛ puja˛ ce:
KP=27,6[µA/V2];VTO=1,0[V];GAMMA=0,526[V0.5];PHI=0,58[V];LAMBDA=0,0[V-1].
L=4[µm];W=100[µm];UO=800[cm2/(V s)];TOX=100[nm];LD=0,8[µm].
Parametry te zostały dobrane tak aby modele nie odtwarzały zmian pra˛ du drenu wraz ze
zmiana˛ napie˛ cia dren–źródło w zakresie nasycenia (brak modulacji długości kanału). Nie
została podana także wartość parametrów empirycznych charakterystycznych tylko dla modelu
na poziomie LEVEL=319. W ten sposób obserwować można różnice wynikaja˛ ce tylko, ze
miany równań opisuja˛ cych tranzystor. Różnice mie˛ dzy charakterystykami sa˛ niewielkie.
Jednocześnie nie wykorzystane parametry w przypadku modelu na poziomie LEVEL=3
19
ETA, THETA, KAPPA.
190 Elementy półprzewodnikowe
(266)
Możliwe jest jednak zindywidualizowanie wartości oporności obszaru drenu i źródła dla
każdego z tranzystorów. Deklaracja modelu zawiera wtedy parametr RSH — oporność
kwadratu obszaru dyfuzji drenu i źródła20. W deklaracji tranzystora w strukturze obwodu
należy wtedy podać dwa parametry NRD oraz NRS — liczba kwadratów mieszcza˛ cych sie˛
w obszarze dyfuzji21 odpowiednio drenu i źródła. Oporności Rd i Rs sa˛ obliczane wtedy
naste˛ puja˛ co:
(267)
W programie PSpice w ten sposób można obliczyć także oporność obszaru podłoża Rb oraz
obszaru bramki Rg:
(268)
6.4.6. Komentarz
W programie PSpice doste˛ pne sa˛ trzy modele tranzystora polowego MOS:
LEVEL=1 Model Shichman–a Hodges–a — model kwadratowy. Bardzo prosty i niezbyt
20
Oporność obszaru w kształcie kwadratu jest jednakowa niezależnie od wielkości boku
kwadratu!
21
Chodzi tutaj o najmniejsza˛ liczbe˛ kwadratów.
Elementy półprzewodnikowe 191
22
Informacja podana za [31].
192 Elementy półprzewodnikowe
(269)
23
Zwie˛ kszyć sie˛ może liczba iteracji.
24
Podczas obliczania statycznego punktu pracy nieistotne sa˛ także wartości wszystkich
pojemności.
Elementy półprzewodnikowe 193
(270)
gdzie:
k stała Boltzmanna =
1,38 10-23[J/K];
T temperatura bez-
wzgle˛ dna;
gm transkonduktancja
tranzystora — wzór
(269);
KF współczynnik szu-
mów migotania;
AF wykładnik szumów
migotania;
f cze˛ stotliwość.
Szumy generowane przez opor- Rys.93. Model szumowy tranzystora MOS.
ności maja˛ charakter szumu
białego:
(271)
gdzie:
Rs oporność omowa obszaru źródła — wzór (266) lub (267);
Rd oporność omowa obszaru drenu — wzór (266) lub (267).
Dodatek A — Instrukcje i deklaracje.
* KOMENTARZ
Postać ogólna:
* [komentarz]
Przykład:
* to jest przykład
Linia zaczynaja˛ca sie˛ od gwiazdki „ * ” nie wpływa na działanie programu PSpice. Zaleca
sie˛ dokładne komentowanie opisu analizowanego obwodu tak, jak gdyby użytkownikowi
groził w najbliższym czasie zanik pamie˛ci. Dobra˛ praktyka˛ jest opisywanie we˛złów
deklarowanego podobwodu.
Przykład:
*wzmacniacz operacyjny
* we+
* | we-
* | | wy
* | | |
.SUBCKT UA741 1 2 10
Patrz strona: 5.
podana jest po słowie kluczowym LOT, to dla wszystkich elementów odwołuja˛ cych sie˛ do
danego modelu wartość parametru jest taka sama. Tolerancja może być tolerancja˛ wzgle˛ dna˛
—- określa to znak % — lub tolerancja˛ bezwzgle˛ dna˛ .
Patrz strony: 21, 42, 111.
Przykład:
.NODESET V(2)=3.4 V(102)=0.1 V(3)=-1V
Deklaracja .NODESET pozwala na podanie wartości pocza˛ tkowych potencjałów we˛ złowych.
Dzie˛ ki temu iteracyjne poszukiwanie statycznego punktu pracy układu rozpocza˛ ć można od
dowolnej wartości potencjałów we˛ złowych. Może to:
Ułatwić znalezienie statycznego punktu pracy układu.
Spowodować, że w wyniku iteracji obliczony zostanie statyczny punkt pracy układu
w wybranym stanie — dla układów bistabilnych.
Deklaracja .NODESET wpływa na obliczanie statycznego punktu pracy układu instrukcja˛ .OP
oraz na obliczanie statycznego punktu pracy przed analiza˛ zmiennopra˛ dowa˛ oraz analiza˛ stanu
nieustalonego.
Patrz strona: 27.
kluczowym identyfikuja˛ cym parametr podaje sie˛ wartość parametru. Separatorem jest znak
„=” (przykłady powyżej). Poniżej przedstawiono słowa kluczowe identyfikuja˛ ce poszczególne
parametry.
ABSTOL Bezwzgle˛ dna wartość błe˛ du dla pra˛ dów.
Wartość domyślna: 1[pA].
CHGTOL Bezwzgle˛ dna wartość błe˛ du dla ładunków.
Wartość domyślna: 0.01[pC].
CPTIME Dopuszczalny czas pracy jednostki centralnej komputera.
Wartość domyślna: 106[s]
DEFAD Wartość domyślna pola powierzchni obszaru dyfuzji drenu dla tranzystorów
MOS.
Wartość domyślna: 0.0[m]2.
DEFAS Wartość domyślna pola powierzchni obszaru dyfuzji źródła dla tranzys-
torów MOS.
Wartość domyślna: 0.0[m]2.
DEFL Wartość domyślna długości kanału tranzystora MOS.
Wartość domyślna: 100.0[µm].
DEFW Wartość domyślna szerokości kanału tranzystora MOS.
Wartość domyślna: 100.0[µm].
GMIN Minimalna wartość konduktancji gałe˛ zi.
Wartość domyślna: 10-12[Ω]-1.
ITL1 Najwie˛ ksza liczba iteracji podczas obliczania statycznego punktu pracy
układu.
Wartość domyślna: 40.
ITL2 Najwie˛ ksza liczba iteracji podczas obliczania charakterystyk stałopra˛ do-
wych.
Wartość domyślna: 20.
ITL4 Najwie˛ ksza liczba iteracji podczas obliczania stanu nieustalonego w
wybranej chwili czasu.
Wartość domyślna: 10.
ITL5 Najwie˛ ksza liczba wszystkich iteracji podczas obliczania stanu nieustalo-
nego (ITL5=0 oznacza, że ITL5=∞).
Wartość domyślna: 5000.
LIMPTS Najwie˛ ksza liczba punktów (cze˛ stotliwości, chwil czasu itp.), które można
umieścić w tabeli lub na wykresie (dotyczy tylko instrukcji .PRINT i
.PLOT).
Wartość domyślna: 201.
NUMDGT Liczba cyfr drukowanych liczb (umieszczanych w zbiorze wyjściowym).
Maksymalna liczba cyfr równa jest 8.
Wartość domyślna: 4.
PIVREL Wzgle˛ dna wartość wymagana dla elementów macierzy admitancyjnej
leża˛ cych na przeka˛ tnej głównej.
Wartość domyślna: 10-3.
Deklaracje i instrukcje 203
.PLOT WYKRES
Postać ogólna:
.PLOT [DC][AC][NOISE][TRAN] _wY1 [_lo1,_hi1] _wY2 [_lo2,_hi2] ...
Przykłady:
.PLOT DC V(3) V(R1), V(2,3) I(VIN) I(R2) IB(Q13) VBE(Q12)
.PLOT AC VM(2) VM(2,4) VG(5) VDB(5) IR(6) II(7)
.PLOT NOISE INOISE ONOISE DB(INOISE) DB(ONOISE)
.PLOT TRAN V(3) V(3,2) 0,5V ID(M2) I(VCC) (-50mA,50mA)
W zbiorze wyjściowym tworzony jest wykres wielkości określonych w polach _wY1, _wY2,...
Dla każdej wielkości można określić w polu _lo1 (_lo2, ...) najmniejsza˛ wartość umieszczona˛
na osi pionowej oraz w polu _hi1 (_hi2, ...) najwie˛ ksza˛ wartość umieszczona˛ na osi pionowej.
Wykres dotyczy tylko jednego typu analizy, który musi być określony przez podanie
dokładnie jednego spośród słów kluczowych DC, AC, NOISE, TRAN. Wykres tworzony jest
za pomoca˛ standardowych znaków pisarskich tak, że może być wydrukowany na każdym
typie drukarki.
Patrz strona: 55.
.PRINT TABLICA
Postać ogólna:
.PRINT [DC][AC][NOISE][TRAN] <_lista_wielkości>
Przykłady:
.PRINT DC V(3) V(R1), V(2,3) I(VIN) I(R2) IB(Q13) VBE(Q12)
.PRINT AC VM(2) VM(2,4) VG(5) VDB(5) IR(6) II(7)
.PRINT NOISE INOISE ONOISE DB(INOISE) DB(ONOISE)
.PRINT TRAN V(3) V(3,2) ID(M2) I(VCC)
W zbiorze wyjściowym tworzona jest tablica wartości dla wielkości umieszczonych na liście
_lista_wielkości. Instrukcja .PRINT dotyczy tylko jednego typu analizy, który musi być
określony przez podanie dokładnie jednego spośród słów kluczowych DC, AC, NOISE,
TRAN.
204 Deklaracje i instrukcje
wywoływany jest przez pseudoelement, którego nazwa zaczyna sie˛ od litery „X”. Odwołanie
naste˛ puje przez nazwe˛ określona˛ w polu _nazwa. Na liście _lista_we˛ złów podane sa˛
wewne˛ trzne numery we˛ złów, które udoste˛ pniane sa˛ na zewna˛ trz podobwodu. Deklaracja
pseudoelementu zawiera numery we˛ złów obwodu, do których doła˛ czone zostana˛ udoste˛ pniane
na zewna˛ trz we˛ zły podobwodu.
Patrz strona: 68.
.TEMP TEMPERATURA
Postać ogólna:
.TEMP <_lista_temperatur>
Przykład:
.TEMP -10 20 30 70
Instrukcja powoduje wykonanie każdej zleconej analizy dla każdej temperatury otoczenia
analizowanego obwodu, która wymieniona została na liście _lista_temperatur. Zakłada sie˛ ,
że parametry modeli dotycza˛ temperatury nominalnej TNOM (deklaracja .OPTIONS). Wartość
domyślna parametru TNOM wynosi 27°C. Temperatury podane w instrukcji .TEMP powinny
być wyrażone w °C. Temperatury niższe niż -273°C sa˛ ignorowane.
Patrz strona: 135.
.TF TRANSMITANCJA
Postać ogólna:
.TF _wYjście _źródło
Przykłady:
.TF V(5) VIN
.TF I(VDRIV) ICVT
Obliczana jest małosygnałowa transmitancja od wymuszenia (niezależnego źródła napie˛ cia lub
pra˛ du) określonego w polu _źródło do wielkości wyjściowej (dowolne napie˛ cie lub pra˛ d
płyna˛ cy przez niezależne źródło napie˛ cia) określonej w polu _wYjście. Wynik obliczeń
automatycznie umieszczany jest w zbiorze z danymi wyjściowymi.
Patrz strona: 33.
C KONDENSATOR
Postać ogólna:
C....... n+ n- [_nazwa_modelu] _pojemność [IC=_v]
Przykłady:
C1 10 0 0.1U
C2 1 2 0.2E-12 IC=1.5V
CFDBK 3 33 CMOD 10pF
Dodatni biegun kondensatora to n+, ujemny biegun to n-. Dodatni pra˛d płynie do bieguna
dodatniego do bieguna ujemnego przez kondensator. Wartość pojemności podana w polu
_pojemność może być dodatnia lub ujemna nie może być jednak równa zeru. Za pomoca˛
modelu opisać można zależność pojemności od temperatury i napie˛cia panuja˛cego na
zaciskach kondensatora. W polu _v podaje sie˛ wartość napie˛cia panuja˛cego na zaciskach
deklarowanego przyrza˛du w chwili rozpocze˛cia analizy stanu nieustalonego.
Parametry: strona 114.
Opis modelu: strona 114.
208 Deklaracje elementów
D DIODA
Postać ogólna:
D....... n+ n- _nazwa_modelu [_area]
Przykłady:
DCLAMP 14 0 DMOD
D13 15 17 SWITCH 1.5
Anoda diody to n+, katoda diody to n-. Dodatni pra˛ d płynie od anody do katody przez diode˛ .
Liczba podana w polu _area określa ile razy pole powierzchni zajmowane przez deklarowany
przyrza˛ d jest wie˛ ksze od pola powierzchni założonego w modelu.
Parametry: strona 130.
Opis modelu: strona 129.
E ŹRÓDŁO PRA
˛ DU STEROWANE NAPIE˛ CIEM
Postać ogólna:
E....... n+ n- nc+ nc- _wzmocnienie
E....... n+ n- POLY(_rza˛ d) <_lista_par_we˛ złów> <_lista_współczynników>
Przykłady:
EBUFF 1 2 10 11 1.0 ;źródło liniowe
EAMP 13 0 POLY(1) 26 0 500 ;źródło liniowe!
ENONL 1 11 POLY(2) 3 0 4 0 0 3 .2 0.005 ;źródło nieliniowe
Dodatni biegun źródła to n+, ujemny biegun źródła to n-. Dodatni pra˛ d płynie od bieguna
dodatniego do ujemnego przez źródło. Napie˛ cie steruja˛ ce to różnica potencjałów mie˛ dzy
we˛ złem o numerze nc+ i we˛ złem o numerze nc-. Wzmocnienie źródła podaje sie˛ w polu
_wzmocnienie. W przypadku źródła nieliniowego (słowo kluczowe POLY) w polu _rza˛ d
podaje sie˛ liczbe˛ napie˛ ć wpływaja˛ cych na wartość napie˛ cia generowanego przez źródło
sterowane na zaciskach n+,n-. W tym przypadku na liście we˛ złów steruja˛ cych _lista_par-
_we˛ złów trzeba umieścić liczbe˛ par we˛ złów (każda para to jedno napie˛ cie steruja˛ ce) równa˛
liczbie podanej w polu _rza˛ d. Współczynniki wielomianu opisuja˛ cego zwia˛ zek mie˛ dzy
napie˛ ciem sterowanym i napie˛ ciami steruja˛ cymi podane sa˛ na liście _lista_współczynników.
Współczynniki wielomianu: strona 88.
F ŹRÓDŁO PRA
˛ DU STEROWANE PRA
˛ DEM
Postać ogólna:
F....... n+ n- _nazwa_SEM _wzmocnienie
F....... n+ n- POLY(_rza˛ d) <_lista_nazw> <_lista_wsp>
Przykłady:
FSENSE 1 2 VSENSE 10.0 ;źródło liniowe
FAMP 13 0 POLY(1) VIN 500 ;źródło liniowe!
FNONL 1 11 POLY(2) V1 V2 0 13.6 0.2 .005 ;źródło nieliniowe
Dodatni biegun źródła to n+, ujemny biegun źródła to n-. Dodatni pra˛ d płynie od bieguna
dodatniego do ujemnego przez źródło. Pra˛ d steruja˛ cy płynie przez niezależne źródło napie˛ cia
o nazwie podanej w polu _nazwa_SEM. Wzmocnienie źródła podaje sie˛ w polu _wzmoc-
Deklaracje elementów 209
nienie. W przypadku źródła nieliniowego (słowo kluczowe POLY) w polu _rza˛ d podaje sie˛
liczbe˛ pra˛ dów wpływaja˛ cych na wartość pra˛ du źródła sterowanego. W tym przypadku na
liście nazw niezależnych źródeł napie˛ cia _lista_nazw trzeba umieścić nazwy źródeł, przez
które płyna˛ pra˛ dy steruja˛ ce — liczba nazw musi być równa liczbie podanej w polu _rza˛ d.
Współczynniki wielomianu opisuja˛ cego zwia˛ zek mie˛ dzy sterowanym pra˛ dem i pra˛ dami
steruja˛ cymi podane sa˛ na liście _lista_wsp.
Współczynniki wielomianu: strona 88.
G ŹRÓDŁO PRA
˛ DU STEROWANE NAPIE˛ CIEM
Postać ogólna:
G....... n+ n- nc+ nc- _transkonduktancja
G....... n+ n- POLY(_rza˛ d) <_lista_par_we˛ złów> <_lista_wsp>
Przykłady:
GBUFF 1 2 10 11 1.0 ;źródło liniowe
GAMP 13 0 POLY(1) 26 0 500 ;źródło liniowe!
GNONL 1 11 POLY(2) 3 0 4 0 0 13 0.2 .005 ;źródło nieliniowe
Dodatni biegun źródła to n+, ujemny biegun źródła to n-. Dodatni pra˛ d płynie od bieguna
dodatniego do ujemnego przez źródło. Napie˛ cie steruja˛ ce to różnica potencjałów mie˛ dzy
we˛ złem o numerze nc+ i we˛ złem o numerze nc-. Transkonduktancje˛ źródła podaje sie˛ w polu
_transkonduktancja. W przypadku źródła nieliniowego (słowo kluczowe POLY) w polu
_rza˛ d podaje sie˛ liczbe˛ napie˛ ć wpływaja˛ cych na wartość pra˛ du źródła sterowanego. W tym
przypadku na liście we˛ złów steruja˛ cych _lista_par_we˛ złów trzeba umieścić liczbe˛ par we˛ złów
(każda para to jedno napie˛ cie steruja˛ ce) równa˛ liczbie podanej w polu _rza˛ d. Współczynniki
wielomianu opisuja˛ cego zwia˛ zek mie˛ dzy sterowanym pra˛ dem i napie˛ ciami steruja˛ cymi podane
sa˛ na liście _lista_wsp.
Współczynniki wielomianu: strona 88.
L CEWKA MAGNETYCZNA
Postać ogólna:
L....... n+ n- [_nazwa_modelu] _indukcyjność [IC=_i]
Przykłady:
LLOAD 15 0 20mH
L2 1 2 1.2E-6
LGEN 3 42 LMODE 0.03
LSENSE 5 12 2UH IC=2mA
Dodatni biegun cewki to n+, ujemny biegun cewki to n-. Dodatni pra˛ d płynie od bieguna
dodatniego do ujemnego przez cewke˛ . Cewka może być opisywana modelem, którego nazwe˛
podaje sie˛ w polu _nazwa_modelu. Model pozwala uwzgle˛ dnić zmiany indukcyjności z
temperatura˛ oraz prostych zjawisk nieliniowych. Jednak aby dokładnie opisać zachowanie
cewki z nieliniowym rdzeniem magnetycznym konieczne jest zadeklarowanie elementu typu
K....... — sprze˛ żenia cewek. Wartość indukcyjności podana w polu _indukcyjność może być
dodatnia lub ujemna nie może być jednak równa zeru. W polu _i podaje sie˛ wartość pra˛ du
płyna˛ cego przez indukcyjność w chwili rozpocze˛ cia analizy stanów nieustalonych.
Parametry: strona 115.
Opis modelu: strona 115.
AD Pole powierzchni obszaru dyfuzji drenu. Służy do obliczania pra˛ du nasycenia oraz
pojemności zła˛ cza dren–podłoże.
AS Pole powierzchni obszaru dyfuzji źródła. Służy do obliczania pra˛ du nasycenia oraz
pojemności zła˛ cza źródło–podłoże.
PD Obwód obszaru dyfuzji drenu. Służy do obliczania pojemności cze˛ ści bocznej
(zakrzywionej) zła˛ cza dren–podłoże.
PS Obwód obszaru dyfuzji źródła. Służy do obliczania pojemności cze˛ ści bocznej
(zakrzywionej) zła˛ cza źródło–podłoże.
NRD Wzgle˛ dna rezystancja obszaru drenu wyrażona liczba˛ kwadratów.
NRS Wzgle˛ dna rezystancja obszaru źródła wyrażona liczba˛ kwadratów.
NRG Wzgle˛ dna rezystancja obszaru bramki wyrażona liczba˛ kwadratów.
NRB Wzgle˛ dna rezystancja obszaru podłoża wyrażona liczba˛ kwadratów.
Parametry: strony 165, 176, 184.
Opis modelu: strony 166, 174, 184.
Q TRANZYSTOR BIPOLARNY
Postać ogólna:
Q....... _kolektor _baza _emiter [_podłoże] _nazwa_modelu [_area]
Przykłady:
Q1 14 2 13 PNOM
Q13 15 3 0 1 NPNSTRONG 1.5
Liczba podana w polu _area określa ile razy pole powierzchni zajmowane przez deklarowany
przyrza˛ d jest wie˛ ksze od pola powierzchni założonego w modelu. Parametry modelu ISC oraz
ISE oznaczaja˛ ce pra˛ dy nasycenia dla pra˛ dów upływu zła˛ cza kolektor–baza i zła˛ cza
emiter–baza moga˛ przyja˛ ć wartości >1.0. W tym przypadku pra˛ dy nasycenia dla pra˛ dów
upływu obliczane sa˛ jako iloczyn parametru IS (pra˛ d nasycenia zła˛ czy) i odpowiednio
parametru ISC oraz ISE.
Parametry: strony 141, 148.
Opis modelu: strona 139.
R OPORNIK
Postać ogólna:
R....... n+ n- [_nazwa_modelu] _oporność
Przykłady:
RLOAD 15 0 2K
R2 1 2 MOJ 2.0
Dodatni biegun opornika to n+, ujemny biegun to n-. Dodatni pra˛ d płynie do bieguna
dodatniego do bieguna ujemnego przez opornik. Wartość oporności podana w polu _oporność
może być dodatnia lub ujemna nie może być jednak równa zeru. Za pomoca˛ modelu można
opisać zależność oporności od temperatury.
Parametry: strona 112.
Opis modelu: strona 112.
Deklaracje elementów 213
X PODOBWÓD
Postać ogólna:
X....... <_lista_we˛ złów> _nazwa_podobwodu
Przykłady:
X12 100 101 200 201 DIFAMP
XBUFF 13 15 UNITAMP
Pseudoelement o nazwie zaczynaja˛ cej sie˛ od litery „X” służy do wła˛ czenia podobwodu o
nazwie podanej w polu _nazwa_podobwodu w strukture˛ obwodu. Na liście we˛ złów
_lista_we˛ złów powinny sie˛ znaleźć numery we˛ złów obwodu, do których doła˛ czone zostana˛
we˛ zły podobwodu udoste˛ pniane na zewna˛ trz. Liczba we˛ złów umieszczonych na liście
_lista_we˛ złów musi być taka sama jak liczba we˛ złów zadeklarowana w deklaracji .SUBCKT.
Wywołania podobwodów moga˛ być zagnieżdżane.
Patrz strona: 68.
Dodatek C — Konfiguracja programu
Probe.
Przykład:
Display = genericega
Hard-copy = Lpt1,Epson
SEM . . . . . . . . . .............................................. 9
SPM . . . . . . . . . .............................................. 9
Źródła sterowane pra˛ dem
SEM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
SPM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
LITERATURA
[1] Antognetti P., Massobrio G. [red.]: Semiconductor Device Modeling with SPICE,
McGraw–Hill Book Company, 1988.
[2] Białko M.: Analiza układów elektronicznych wspomagana mikrokomputerem, WNT, 1989.
[3] Boyle G.R., Cohn B.M., Pederson D.O., Solomon J.E.: Macromodeling of Integrated
Circuit Operational Amplifiers, Journal of Solid–State Circuits, Vol. SC–9, No.6,
ss.353–363, December, 1974.
[4] Calahan D.A.: Computer Aided Network Design, McGraw–Hill, Inc., 1972.
[5] Chua L.O., Lin P.M.: Komputerowa analiza układów elektronicznych. Algorytmy i metody
obliczeniowe, WNT, Warszawa, 1981.
[7] Curtice W.R.: A MESFET Model for Use in the Design of GaAs Integrated Circuits, IEEE
Trans. on Microwave Theory and Tehniques, Vol. MTT–28, No. 5, ss. 448–456, May
1980.
[8] Feynman R.P., Leighton R.B., Sands M.: Feynmana wykłady z fizyki, tom III, mechanika
kwantowa, PWN, Warszawa, 1972.
[9] Feynman R.P., Leighton R.B., Sands M.: Feynmana wykłady z fizyki, tom II, cze˛ść 2,
PWN, Warszawa, 1970
[10] Fisher F.J., Connelly J.A.: Modeling Time–Dependent Elements for SPICE Transient
Analyses, IEEE Transactions on Computer–Aided Design, Vol. CAD–5, No. 3, July 1986,
ss.429–432.
[11] Ga˛siorek S., Wadas R.: Ferryty, zarys własności i technologii, WKŁ, Warszawa, 1987.
[12] Gessing R., Latarnik M., Skrzywan–Kosek A.: Zbiór zadań z teorii nieliniowych układów
regulacji i sterowania, WNT , Warszawa, 1981.
[13] Goc R.: IBM PC — to proste i ciekawe, Wydawnictwo Nakom, Poznań, 1992.
[14] Hasse L., Spiralski L.: Szumy elementów i układów elektronicznych, WNT, Warszawa,
1981.
220 Literatura
[15] Jiles D.C., Atherton D.L.: Theory of Ferromagnetic Hysteresis, Journal of Magnetism and
Magnetic Materials, 61 (1986), ss. 48–60
[16] Katalog 9–R, Materiały i rdzenie ferrytowe. Ferryty magnetycznie mie˛ kkie FERROXYD,
Wydawnictwa Przemysłu Maszynowego WEMA, Warszawa, 1971
[18] Kutner R.: Mapy i dziwne atraktory, Delta, nr.4(189), 1989, ss.11–13.
[20] Marciniak W.: Przyrza˛ dy półprzewodnikowe i układy scalone, WNT, Warszawa, 1984.
[22] Meyer J.E.: MOS Models and Circuit Simulation, RCA Review, Vol. 32, ss.42–63, 1971.
[23] Nagel L., Rohrer R.: Computer Analysis of Nonlinear Circuits Excluding Radiation
(CANCER), IEEE Journal of Solid–State Circuits, SC–6, pp.166–182, 1971.
[24] Nagel L.: SPICE2: A Computer Program to Simulate Semiconductor Circuits, Memoran-
dum No. ERL–M520 (9 May 1975), College of Engineering University of California,
Berkeley, 94720.
[26] Pore˛ bski J., Korohoda P.: SPICE2. Program analizy nieliniowej układów elektronicznych,
AGH, Skrypt nr 1165, Kraków 1989.
[27] Praca zbiorowa pod redakcja˛ : Achmatowicz O., Axt M., Bańkowski Z., Bretsznajder S.T.,
Hurwic J., Zienkowicz J., Znaczyński A.: Kalendarz chemiczny, cze˛ ść 1, s.389, PWNT,
Warszawa, 1954.
[29] Shichman H., Hodges D.A.: Modeling and Simulation of Insulated–Gate Field–Effect
Transistor Switching Circuits, IEEE Journal of Solid–State Circuits, Vol. SC–3, No.3,
ss.285–289, 1968.
[30] Tadeusiewicz M.: Metody komputerowej analizy stałopra˛ dowej nieliniowych układów
Literatura 221
[31] Tuinenga P.: SPICE. A Guide to Circuit Simulation & Analysis Using PSpice, Prentice
Hall 1988.
[32] Vladimirescu A., Liu S.: The Simulation of MOS Integrated Circuits Using SPICE2,
Memorandum No. #M80/7.
[33] Vladimirescu A., Zhang K., Newton A.R., Pederson D.O.: SPICE version 2G.4 User’s
Guide, 22 June 1981, Departament of Electrical Engineering ans Computer Sciences,
University of California, Berkeley, CA 94720.