Helion - PSpice, Komputerowa Symulacja Układów Elektronicznych

SPIS TREŚCI
1. PIERWSZE KROKI . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.1. Komputerowa analiza układów elektronicznych. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.2. Prosty obwód. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.3. Organizacja danych wejściowych. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.4. Podstawowe typy elementów . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.4.1. Opornik. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1. . . . . . . . . . . . . . 6
1.4.2. Kondensator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.4.3. Indukcyjność . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.4.4. Indukcyjności sprze˛ żone . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.4.5. Bezstratna linia długa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.4.6. Niezależne źródła napie˛ cia i pra˛ du . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.4.7. Źródła sterowane napie˛ ciem . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.4.8. Źródła sterowane pra˛ dem . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.5. Wartości elementów . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.6. Uwagi o metodzie analizy obwodu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
1.6.1. Metoda potencjałów we˛ złowych . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
1.6.2. Zmodyfikowana metoda potencjałów we˛ złowych . . . . . . . . . . . . . 15
2. ANALIZA STAŁOPRA ˛ DOWA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

2.1. Statyczny punkt pracy układu. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
2.2. Charakterystyki statyczne. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
2.3. Zbieżność obliczeń . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
2.3.1. Algorytm Newton–a Raphson–a. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.3.3. Parametryzacja źródeł . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
2.4. Transmitancje stałopra˛ dowe. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
2.4.1. Instrukcja .TF — obliczanie transmitancji . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
2.4.2. Inny sposób obliczania transmitancji stałopra˛ dowej . . . . . . . . . . . . 34
2.5. Wrażliwości . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
2.5.1. Format instrukcji . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
2.5.2. Projektowanie przetwornika C/A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
2.5.3. Analiza Monte Carlo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
3. ANALIZA ZMIENNOPRA ˛ DOWA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45

3.1. Analiza w dziedzinie cze˛ stotliwości . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
3.1.1. Wymuszenia. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
3.1.2. Modele elementów nieliniowych . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
3.1.3. Wzmacniacz oporowy . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
3.1.4. Instrukcje wyprowadzania danych . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
3.2. Analiza szumów. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
3.2.1. Modele szumowe elementów . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
3.2.2. Instrukcja analizy szumów . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
3.2.3. Szumy wtórnika napie˛ cia — instrukcje .INC, .SUBCKT, .ENDS. . . 66
4. ANALIZA STANÓW NIEUSTALONYCH . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
4.1. Instrukcja analizy stanów nieustalonych . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
4.1.1. Wymuszenia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
4.1.2. Klucze . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
4.1.3. Linia długa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
4.1.4. Sterowanie procesem całkowania . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
4.2. Układy niestacjonarne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
4.2.1. Idea realizacji elementów o zmiennych w czasie parametrach . . . . . 86
4.2.2. Nieliniowe źródła sterowane . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
4.2.3. Biblioteka elementów o wartościach zależnych od czasu. . . . . . . . . 91
4.3. Analiza zniekształceń nieliniowych. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94
4.4. Zastosowanie programu PSpice do problemów nieelektrycznych. . . . . . . . 99
4.4.1. Atraktor Lorentza . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99
4.4.2. Cza˛ stka amoniaku . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102
5.ELEMENTY PASYWNE — MODELE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111

5.1. Jeszcze raz deklaracja modelu. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111
5.2. Model opornika. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112
5.3. Model kondensatora. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114
5.4. Model cewki magnetycznej. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115
5.5. Model kluczy sterowanych. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116
5.6. Model nieliniowego rdzenia magnetycznego. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116
5.6.1. Model materiału rdzenia. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 118
5.6.2. Wyznaczanie parametrów materiału magnetycznego. . . . . . . . . . . . 119
5.6.3. Uwagi na temat obliczania parametrów materiałów magnetycznie
mie˛ kkich. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125
6.ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 127

6.1. Dioda półprzewodnikowa. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 127
6.1.1. Deklaracja diody półprzewodnikowej. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 127
6.1.2. Model diody półprzewodnikowej. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129
6.1.3. Wływ temperatury na charakterystyki diody. . . . . . . . . . . . . . . . . 134
6.1.4. Model małosygnałowy i model szumowy diody. . . . . . . . . . . . . . . 137
6.2. Tranzystor bipolarny. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 138
6.2.1. Deklaracja tranzystora bipolarnego. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 138
6.2.2. Charakterystyka statyczna tranzystora bipolarnego . . . . . . . . . . . . . 139
6.2.3. Pojemności. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143
6.2.5. Model małosygnałowy i model szumowy. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150
6.3. Tranzystor polowy, zła˛ czowy (JFET). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 155
6.3.1. Deklaracja w strukturze obwodu tranzystora polowego, zła˛ -
czowego. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 156
6.3.2. Model standardowego (Si) tranzystora polowego, zła˛ czowego. . . . . 156
6.3.3. Model tranzystora polowego, zła˛ czowego GaAs . . . . . . . . . . . . . . 159
6.3.4. Model małosygnałowy i model szumowy. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 163
6.4. Tranzystor polowy z izolowana˛ bramka˛ (MOS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 164
6.4.1. Deklaracja tranzystora MOS w strukturze obwodu. . . . . . . . . . . . . 165
6.4.2. Model Shichman–a Hodges–a (LEVEL=1). . . . . . . . . . . . . . . . . . 166
6.4.3. Model Meyer–a (LEVEL=2). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 174
6.4.4. Model Dang–a (LEVEL=3). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 184
6.4.5. Oporności omowe. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 190
6.4.6. Komentarz. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 190
6.4.7. Model małosygnałowy i szumowy. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 191
Dodatek A — Instrukcje i deklaracje. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 194
Dodatek B — Deklaracje elementów. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 207
Dodatek C — Konfiguracja programu Probe. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 215
Dodatek D — Probe — wyrażenia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 217
LITERATURA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 219
INDEKS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 222
Podróże kształca˛. Ale bajki kształca˛ w stopniu znacznie wie˛kszym.
Wszystko to, co mówił Nadmakaron, Wielki Bajarz wymyślił o wiele
wcześniej, a doktor Paj-Chi-Wo opowiadał mi pie˛ćdziesia˛t lat temu.
Jan Brzechwa, „Podróże Pana Kleksa”
1. PIERWSZE KROKI
Prace nad komputerowa˛ analiza˛ układów elektronicznych prowadzone w połowie lat

siedemdziesia˛tych w zespole dr Nagel–a [24] w University of California zaowocowały w
postaci programu SPICE2 służa˛cego do symulacji układów elektronicznych. Sponsorem prac
był rza˛d Stanów Zjednoczonych, sta˛d wynik — program SPICE2 — jest programem public
domain tzn. z jego kodu źródłowego może korzystać swobodnie każdy obywatel Stanów
Zjednoczonych. Program ten w bardzo krótkim czasie stał sie˛ nieformalnym standardem
wśród programów do analizy obwodów elektronicznych. Pojawiło sie˛ także wiele wersji
komercjalnych opracowanych na podstawie programu SPICE2. Jedna˛ z nich jest program
PSpice firmy MicroSim.
1.1. Komputerowa analiza układów elektronicznych

Wczesne lata siedemdziesia˛te były pocza˛tkiem burzliwego rozwoju technologii
wytwarzania scalonych układów elektronicznych. Ze wzgle˛du na wysoki koszt opracowania
masek, układ scalony musi być jak najdokładniej sprawdzony nim przysta˛pi sie˛ do produkcji
masowej. Badania wykonywane na prototypie w tym wypadku nie moga˛ być zastosowane z
naste˛puja˛cych powodów:
Koszt wykonania jednego kompletu masek prototypu, w przypadku badań na
prototypowym układzie scalonym, jest porównywalny z kosztem produkcji całego
układu1.
Model układu wykonany w oparciu o elementy dyskretne z reguły nie oddaje
zachowania układu scalonego. Powodem tego sa˛ efekty fizyczne charakterystyczne
tylko dla układów scalonych.
1
Na koszt wytworzenia pojedynczego układu scalonego składa sie˛ głównie koszt projektu
układu, koszt projektu masek i koszt testowania układu. Koszty użytych materiałów sa˛
znacznie mniejsze.
2 Pierwsze kroki
W rezultacie pozostaje symulacja komputerowa. Pozwala ona na sprawdzenie układu

stosunkowo niskim kosztem, zanim jeszcze zostanie zrealizowany. Dlatego też pocza˛ tek lat
siedemdziesia˛ tych to okres intensywnych prac nad komputerowa˛ analiza˛ układów elektronicz-
nych. Powstał wtedy program CANCER [23], a naste˛ pnie program SPICE2 (ang. Simulation
Program with Integrated Circuits Emphasis — symulator układów scalonych) przeznaczony
do analizy układów elektronicznych zrealizowanych w postaci scalonej. Wygoda użytkowania
oraz wyja˛ tkowa wiarygodność i dokładność obliczeń spowodowały, że SPICE2 stał sie˛
wzorcem programu przeznaczonego do analizy obwodów i obecnie jest użytkowany także
przy projektowaniu układów złożonych z elementów dyskretnych.
1.2. Prosty obwód

Użytkowanie programu PSpice na komputerze IBM PC2 wymaga naste˛ puja˛ cych
umieje˛ tności:
Umieje˛ tności posługiwania sie˛ edytorem tekstu w celu utworzenia i edycji zbioru z
danymi wejściowymi. Zbiór taki zawiera opis obwodu w specyficznym je˛ zyku
symulacyjnym oraz zestaw instrukcji steruja˛ cych procesem analizy obwodu.
Umieje˛ tności uruchomienia programu PSpice i przekazania mu informacji gdzie
znajduja˛ sie˛ dane wejściowe i gdzie powinien umieścić wyniki analizy (dane
wyjściowe).
Umieje˛ tności wyświetlenia wyników analizy (danych wyjściowych). Najwygodniej
posłużyć sie˛ w tym celu tym samym edytorem tekstu, którego używano do utworzenia
zbioru z danymi wejściowymi.
Autor sa˛ dzi, że Czytelnik jest w stanie opanować te czynności samodzielnie. W razie
trudności można sie˛ odwołać do dowolnego podre˛ cznika opisuja˛ cego system operacyjny
MS–DOS np. [13].
Przykład:
Rozważmy prosty obwód elektroniczny przedstawiony na Rys. 1. Dane wejściowe dla
programu PSpice, opisuja˛ ce ten obwód maja˛ postać:
PROSTY OBWOD
V1 1 0 10V ;źródło napie
˛cia
R1 1 2 5KOHM ;opornik R1=5k
.END ;koniec danych
Tekst, który znajduje sie˛ w pierwszej linii opisu obwodu to tytuł analizy. Zostanie on
umieszczony jako nagłówek w wynikach analizy. Właściwy opis struktury obwodu zaczyna
2
Program PSpice doste˛ pny jest także na komputerach firmy Sun.
Pierwsze kroki 3
sie˛ w drugiej linii. Zawiera ona deklaracje˛ nieza-

leżnego źródła napie˛ cia (SEM — siła elektro-
motoryczna) o nazwie V1, wpie˛ tego mie˛ dzy
we˛ zeł o numerze 1 (wyższy potencjał) i we˛ zeł o
numerze 0 (niższy potencjał). Napie˛ cie dostarcza-
ne przez źródło wynosi 10[V]. Naste˛ pna linia to
deklaracja opornika R1 o wartości 5000[Ω].
Opornik ten wpie˛ ty jest mie˛ dzy we˛ zły o numerach
1 i 2. Kolejna linia danych to deklaracja opornika Rys.1. Prosty obwód.
o nazwie R2 i wartości 10000[Ω] wpie˛ tego
mie˛ dzy we˛ zeł 2 i 0. Oporniki R1 i R2 tworza˛ dzielnik napie˛ cia. Ostatnia linia opisu zawiera
instrukcje˛ , która powoduje, że program PSpice kończy interpretacje˛ danych wejściowych. Jest
to instrukcja .END3 (ang. END — koniec) — instrukcja końca obwodu. Należy zwrócić
uwage˛ na naste˛ puja˛ ce szczegóły:
Wartości oporności R1 i R2 podane zostały za pomoca˛ przyrostka „K” oznaczaja˛ cego
tysia˛ c.
Dla wie˛ kszej przejrzystości danych, wartości oporności zostały uzupełnione o nazwe˛
jednostki fizycznej — OHM.
Numeracja we˛ złów jest zupełnie dowolna z wyja˛ tkiem we˛ zła masy, którego numer
musi być zawsze równy zero.
Każda linia danych jest zostać opatrzona komentarzem. Komentarz umieszcza sie˛ po
średniku „ ; ” na końcu linii danych.
Po przetworzeniu danych wyniki analizy umieszczane sa˛ w zbiorze danych wyjściowych.
W naszym przypadku wygla˛ da on naste˛ puja˛ co:
******* 07/10/91 ******* Evaluation PSpice (Jan. 1988) ******* 15:26:18 *******
PROSTY OBWOD
**** CIRCUIT DESCRIPTION
*****************************************************************************
V1 1 0 10V ;źródło napie

˛cia
.END ;koniec danych
PROSTY OBWOD
**** SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION TEMPERATURE = 27.000 DEG C
*****************************************************************************
3
Poprzedzaja˛ ca kropka jest integralna˛ cze˛ ścia˛ instrukcji końca opisu obwodu.
4 Pierwsze kroki
NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE
( 1) 10.0000 ( 2) 6.6667
VOLTAGE SOURCE CURRENTS

NAME CURRENT
V1 -6.667E-04
TOTAL POWER DISSIPATION 6.67E-03 WATTS
JOB CONCLUDED
TOTAL JOB TIME .82
Zbiór danych wyjściowych podzielony jest na sekcje. Każda z nich zaczyna sie˛
nagłówkiem zawieraja˛ cym:
Informacje˛ o wersji użytkowanego programu — Evaluation PSpice (Jan. 1988).
Date˛ oznaczaja˛ ca˛ dzień, w którym przeprowadzono obliczenia — 07/10/91.
Czas, w którym przeprowadzono obliczenia — 15:26:18.
Nagłówek zawiera ponadto:

Tytuł analizy. Jest to zawartość pierwszej linii w zbiorze danych wejściowych. W
naszym przypadku to PROSTY OBWOD.
Krótka˛ informacje˛ na temat zawartości sekcji. Np. pierwsza sekcja danych wyjścio-
wych w naszym przykładzie to opis analizowanego obwodu. Sta˛ d angielski tytuł tej
sekcji **** CIRCUIT DESCRIPTION.
Pierwsza sekcja wyników zawiera powtórzenie opisu obwodu. Umieszczane sa˛ tu

komunikaty o wszelkich wykrytych przez program błe˛ dach. W naste˛ pnej sekcji umieszczone
zostały, obliczone przez program potencjały we˛ złowe, pra˛ d płyna˛ cy przez źródło napie˛ cia i
moc rozpraszana przez układ. Jest to tzw. statyczny punkt pracy układu. Ogólnie rzecz biora˛ c
składaja˛ sie˛ nań:
Potencjały we˛ złowe.
Pra˛ dy płyna˛ ce przez niezależne źródła napie˛ cia — SEM.
całkowita rozpraszana moc.
Parametry zadeklarowanych modeli;
Pra˛ dy i napie˛ cia na elementach półprzewodnikowych zadeklarowanych w strukturze
obwodu.
Wybrane parametry małosygnałowe przyrza˛ dów półprzewodnikowych zadeklarowa-
nych w strukturze obwodu.
Zbiór danych wyjściowych kończy sie˛ komunikatem o czasie obliczeń — TOTAL JOB TIME.
Czas ten podawany jest w sekundach. W naszym przypadku czas obliczeń wynosił 0.82[s].
Pierwsze kroki 5
1.3. Organizacja danych wejściowych

Na powyższym przykładzie widać, że dane wejściowe składaja˛ sie˛ z linii zawieraja˛ cych
kolejno:
Tytuł analizy.
Opis obwodu.
Instrukcje˛ .END kończa˛ ca˛ dane.
Zwykle po opisie obwodu, a przed instrukcja˛ .END umieszcza sie˛ :
Instrukcje programu PSpice steruja˛ ce analiza˛ i wyprowadzaniem wyników obliczeń.
Instrukcje programu PSpice steruja˛ ce doła˛ czaniem bibliotek.
Deklaracje modeli przyrza˛ dów, które wyste˛ puja˛ w strukturze obwodu.
Deklaracje podobwodów, które znalazły sie˛ w strukturze obwodu.
Dobrym zwyczajem jest komentowanie danych, w taki sposób jakby groziła nam amnezja.
Komentarz umieścić można w osobnej linii zaczynaja˛ c ja˛ od znaku gwiazdki „ * ”. Można też,
tak jak w naszym przykładzie, komentarz umieścić na na końcu linii po znaku średnika „ ; ”.
Jeżeli dane, które należy umieścić w jednej linii nie mieszcza˛ sie˛ w 80 kolumnach, cze˛ ść
danych można umieścić w naste˛ pnej linii. Linia kontynuacji zaczyna sie˛ znakiem „+”.
Przykład:
*TAK TEŻ MOŻNA ZADEKLAROWAĆ OPORNIK
R1 1 2
+ 10KOHM
Inna˛ metoda˛ zaradzenia tego typu trudnościom jest zwie˛ kszenie liczby czytanych przez
program PSpice kolumn za pomoca˛ instrukcji .WIDTH (ang. width — długość). Jej postać
jest naste˛ puja˛ ca:
.WIDTH IN=_kolumna1 OUT=_kolumna2
Przykład:
.WIDTH IN=144 OUT=80
W polu _kolumna1 (po słowie kluczowym IN=) umieszcza sie˛ numer ostatniej kolumny
czytanej z każdej naste˛ pnej linii danych wejściowych. W polu _kolumna2 (po słowie
kluczowym OUT=) umieszcza sie˛ liczbe˛ kolumn każdej linii zbioru danych wyjściowych.
Dopuszczalna liczba kolumn w zbiorze wyjściowym to 80 i 133.
Ze wzgle˛ du na zastosowana˛ metode˛ analizy obwodu (strona 11), program PSpice narzuca
naste˛ puja˛ ce ograniczenia na strukture˛ analizowanego obwodu [31],[26]:
Obwód musi zawierać we˛ zeł o numerze zero — we˛ zeł masy.
Do każdego we˛ zła musza˛ być doła˛ czone co najmniej dwa elementy.
Każdy we˛ zeł musi posiadać stałopra˛ dowe poła˛ czenie z we˛ złem masy.
Obwód nie może zawierać oczek składaja˛ cych sie˛ wyła˛ cznie z źródeł napie˛ cia i
indukcyjności.
Niedozwolone jest stosowane tej samej nazwy dla oznaczenia różnych elementów.
6 Pierwsze kroki
1.4. Podstawowe typy elementów [26],[31],[33]

Na opis obwodu składaja˛ sie˛ deklaracje elementów elektronicznych. Deklaracja elementu
zawiera nazwe˛ , numery we˛ złów obwodu, w które element jest wpie˛ ty oraz parametry.
Elementy o złożonym modelu wymagaja˛ podania nazwy modelu4. Poniżej przedstawione
zostały deklaracje podstawowych elementów elektronicznych doste˛ pnych w programie PSpice.
1.4.1. Opornik
Deklaracja opornika w strukturze obwodu:
5
RXXXXXXX n+ n- _war_r [TC=_tc1[,_tc2]]
Przykłady:
R1 23 4 500
RW2 2 3 1K TC=0.001,0.015
Nazwa opornika zawiera do ośmiu liter i zaczyna sie˛ od litery „R”. Parametry n+ i n-
oznaczaja˛ numery we˛ złów, mie˛ dzy które wpie˛ ty jest opornik. Spadek napie˛ cia na oporniku
obliczany jest jako różnica potencjałów mie˛ dzy we˛ złem n+ i we˛ złem n-. Pole _war_r zawiera
wartość opornika wyrażona˛ w omach. Ze wzgle˛ du na zastosowana˛ metode˛ analizy obwodu
(strona 11) wartość oporności może być dodatnia lub ujemna, ale nie może być równa zeru.
Opcjonalne parametry _tc1 i _tc2, których wartość podawana jest po słowie kluczowym TC=,
służa˛ do opisu zmian wartości oporności wraz z temperatura˛ :
(1)
Wielkość TNOM oznacza we wzorze (1) temperature˛ nominalna˛ , dla której podano wartość
oporności _war_r. Program PSpice przyjmuje, że TNOM≈27°C (300K). Sposób zmiany
wartości temperatury TNOM opisany został na stronie 135.
1.4.2. Kondensator
Deklaracja kondensatora w strukturze obwodu:
CXXXXXXX n+ n- _wartość_c [IC=_napie˛ cie]
Przykłady:
CBYP 13 1 1UF
COSC 17 23 10NF IC=5V
4
Modele wbudowane w program PSpice opisane zostały w rozdziale 6.
5
Elementy deklaracji lub instrukcji, które nie musza˛ w niej wyste˛ pować ujmowane sa˛ w
nawiasy kwadratowe [ ].
Pierwsze kroki 7
Nazwa kondensatora zaczyna sie˛ od litery „C”. Pola n+, n- oznaczaja˛ numery we˛ złów,
w które w pie˛ to odpowiednio dodatni i ujemny biegun kondensatora. Parametr _wartość_c
to wartość pojemności kondensatora wyrażona w faradach. W polu _napie˛ cie po słowie
kluczowym IC= można podać wartość napie˛ cia na kondensatorze w chwili, gdy rozpoczyna
sie˛ analiza stanu nieustalonego w obwodzie. Parametr ten ma sens tylko wtedy, gdy w
instrukcji analizy stanu nieustalonego (strona 72) użyto opcji UIC.
1.4.3. Indukcyjność
Deklaracja indukcyjności w strukturze obwodu:
LXXXXXXX n+ n- _wartość_l [IC=_pra˛ d]
Przykłady:
L2F1 2 31 1UH
LBIAS 3 5 10U IC=5MA
Nazwa indukcyjności zaczyna sie˛ od litery „L”. W polu n+ i n- umieszcza sie˛ numer
we˛ zła, do którego doła˛ czono odpowiednio dodatni i ujemny biegun indukcyjności. Spadek
napie˛ cia na indukcyjności to różnica potencjałów mie˛ dzy dodatnim i ujemnym biegunem.
Parametr _wartość_l to wartość indukcyjności wyrażona w henrach. Parametr _pra˛ d,
podawany po słowie kluczowym IC=, oznacza wartość pra˛ du płyna˛ cego przez indukcyjność
w chwili gdy rozpoczyna sie˛ analiza stanu nieustalonego w obwodzie. Parametr ten ma sens
tylko wtedy, gdy w instrukcji analizy stanu nieustalonego (strona 72) użyto opcji UIC.
1.4.4. Indukcyjności sprze˛ żone

Deklaracja sprze˛ żenia magnetycznego indukcyjności ma naste˛ puja˛ ca˛ postać:
KXXXXXXX LYYYYYYY LZZZZZZZ _wartość_k
Przykłady:
K12 L1 L2 0.995
KX1 LA1 LB3 0.8
Nazwy sprze˛ żonych indukcyjności to LXXXXXXX i LYYYYYYY. Parametr _wartość_k
oznacza bezwymiarowy współczynnik sprze˛ żenia. Jego wartość powinna być wie˛ ksza od zera
i nie wie˛ ksza od jedności. Sprze˛ żenie symulowane jest przez program PSpice w taki sposób,
że indukcyjności narysowane na schemacie maja˛ „gwiazdki” przy dodatnich biegunach.
1.4.5. Bezstratna linia długa

Program PSpice jest w stanie symulować zachowanie sie˛ obwodu, zawieraja˛ cego w swojej
strukturze bezstratna˛ linie˛ długa˛ . Deklaruja˛ c taki element należy jednak być ostrożnym.
PSpice dokonuje analizy stanu nieustalonego z krokiem nie przekraczaja˛ cym połowy czasu
8 Pierwsze kroki
potrzebnego na to aby fala elektromagnetyczna przebyła linie˛ . W przypadku, gdy wspomniany

czas jest krótki6 prowadzi to do niepotrzebnego wydłużenia czasu obliczeń.
Deklaracja bezstratnej linii długiej:
TXXXXXXX n1 n2 n3 n4 Z0=_imp [TD=_czas] [F=_cze˛ st [NL=_dług]]
+ [IC=_v1,_i1,_v2,_i2]
Przykłady:
TS 1 2 3 4 Z0=50 TD=10NS
T1 12 0 3 0 Z0=75 F=100M NL=5
TXW2 2 5 3 0 Z0=93 F=25M
Nazwa linii długiej zaczyna sie˛ od litery „T”. Model linii długiej w programie PSpice jest
dwuwrotnikiem. W ten sposób modelowana jest tylko fala rozchodza˛ ca sie˛ „wewna˛ trz linii”.
Fale rozchodza˛ ce sie˛ mie˛ dzy np. masa˛ , a jednym z przewodów linii musza˛ być modelowane
za pomoca˛ osobnej linii długiej. Parametry n1,n2 oznaczaja˛ numery we˛ złów tworza˛ cych wrota
wejściowe, natomiast n3,n4 oznaczaja˛ numery we˛ złów tworza˛ cych wrota wyjściowe. Po
słowie kluczowym Z0=, w polu _imp, podaje sie˛ wartość impedancji falowej linii wyrażona˛
w omach. Po słowie kluczowym TD=, w polu _czas, podaje sie˛ czas potrzebny na to by fala
elektromagnetyczna przebyła linie˛ . Czas ten można także zadeklarować w sposób pośredni.
Mianowicie po słowie kluczowym F=, w polu _cze˛ st, podaje sie˛ cze˛ stotliwość7, dla której
linia jest linia˛ ćwierćfalowa˛ . Czas przelotu linii TD jest odwrotnie proporcjonalny do
cze˛ stotliwości F:
(2)
Dopuszczalne jest także podanie, w polu _cze˛ st, dowolnej wartości cze˛ stotliwości. Wtedy w
polu _dług, po słowie kluczowym NL= należy podać długość linii. Jednostka˛ powinna być
długość fali rozchodza˛ cej sie˛ w linii dla cze˛ stotliwości podanej po słowie F=. Czas przelotu
TD wyraża sie˛ wówczas wzorem:
(3)
Po słowie kluczowym IC= można podać w polach _v1,_i1 i _v2,_i2 napie˛ cie i pra˛ d
odpowiednio na wejściu i wyjściu linii w chwili rozpocze˛ cia analizy stanu nieustalonego.
Parametry te maja˛ sens tylko wtedy, gdy instrukcja analizy stanów nieustalonych zawiera
opcje˛ UIC (strona 72).
6
W stosunku do czasów charakterystycznych dla reszty obwodu.
7
Wyrażona˛ w hertzach.
Pierwsze kroki 9
1.4.6. Niezależne źródła napie˛ cia i pra˛ du

Deklaracja niezależnego źródła napie˛ cia (pra˛ du) w strukturze obwodu ma postać:
VXXXXXXX n+ n- [[DC] DC\TRAN wartość_z][AC[ _moduł[ _faza]]]
IXXXXXXX n+ n- [[DC] DC\TRAN wartość_z][AC[ _moduł[ _faza]]]
Przykłady:
VCC 10 0 DC 10V
V1 0 23
ICC 10 0 DC 6MA
IW1 13 2 0.1 AC 0.1 45.0
Nazwa niezależnego źródła napie˛ cia zaczyna sie˛ od litery „V”. Nazwa niezależnego źródła
pra˛ du zaczyna sie˛ od litery „I”. Parametry n+,n- oznaczaja˛ odpowiednio dodatni i ujemny
biegun źródła. Parametr wartość_z, poprzedzony słowem kluczowym DC (lub DC/TRAN),
oznacza w przypadku SEM wartość napie˛ cia stałego (wyrażona˛ w woltach) jakie wytwarzane
jest mie˛ dzy dodatnim i ujemnym biegunem źródła. W przypadku SPM oznacza on wartość
pra˛ du stałego (wyrażona˛ w amperach) wymuszanego przez źródło. Należy przy tym zwrócić
uwage˛ na fakt, że dodatni pra˛ d płynie od dodatniego bieguna źródła przez źródło do ujemnego
bieguna. Parametry _moduł i _faza poprzedzone słowem kluczowym AC oznaczaja˛ moduł
i faze˛ napie˛ cia (pra˛ du) zmiennego wytwarzanego przez źródło. Brak parametrów oznaczaja˛ -
cych wartość napie˛ cia (pra˛ du) dostarczanego przez źródło oznacza, że wartość ta wynosi zero.
1.4.7. Źródła sterowane napie˛ ciem

Program PSpice umożliwia umieszczenie w strukturze obwodu źródła napie˛ cia (pra˛ du)
sterowanego napie˛ ciem. Odpowiednia deklaracja dla sterowanej SEM przyjmuje postać:
EXXXXXXX n+ n- nc+ nc- wartość_s
natomiast dla sterowanej SPM:
GXXXXXXX n+ n- nc+ nc- wartość_s
Przykłady:
G1 2 0 5 0 0.1MHO
EEM 20 30 11 10 1E3
Parametr n+ i n- oznacza numer we˛ zła, w który wpie˛ to odpowiednio dodatni biegun
źródła i ujemny biegun źródła. Napie˛ cie steruja˛ ce to różnica potencjałów mie˛ dzy we˛ złem
określonym przez parametr nc+ i we˛ złem określonym przez parametr nc-. W przypadku SEM
sterowanej napie˛ ciem parametr wartość_s oznacza bezwymiarowe wzmocnienie napie˛ ciowe
źródła. W przypadku SPM sterowanej napie˛ ciem parametr ten to transkonduktancja źródła o
wymiarze [A/V].
1.4.8. Źródła sterowane pra˛ dem

Program PSpice dopuszcza także wyste˛ powanie w obwodzie źródeł sterowanych pra˛ dem.
Deklaracja SEM sterowanej pra˛ dem:
10 Pierwsze kroki
HXXXXXXX n+ n- _nazwa wartość_s

Deklaracja SPM sterowanej pra˛ dem:
FXXXXXXX n+ n- _nazwa wartość_s
Przykłady:
F1 2 5 VSTER 5
H1 1 15 VSTER 0.5K
Parametr n+ i n- oznacza numer we˛ zła,
w który wpie˛ to odpowiednio dodatni biegun Tablica I Przyrostki literowe odpowiadaja˛ ce
kolejnym pote˛ gom liczby dziesie˛ ć.
źródła i ujemny biegun źródła. Parametr n+
i n- oznacza odpowiednio numer we˛ zła, w
który wpie˛ to dodatni i ujemny biegun źró- Przed- Przyrostek Wartość
dła. Pra˛ d steruja˛ cy płynie przez źródło rostek
napie˛cia, którego nazwa określona jest przez femto F 1.0E-15

pole _nazwa. W polu wartość_s w przy- pico P 1.0E-12
padku SEM sterowanej pra˛ dem podaje sie˛
nano N 1.0E-9
transrezystancje˛ źródła (o wymiarze [V/A]).
W przypadku SPM sterowanej pra˛ dem micro U 1.0E-6
parametr podany w polu wartość_s oznacza mili M 1.0E-3
bezwymiarowe wzmocnienie pra˛ dowe kilo K 1.0E+3
źródła.
mega MEG 1.0E+6
giga G 1.0E+9
1.5. Wartości elementów
W przypadku wszystkich wymienionych tera T 1.0E+12
wyżej deklaracji konieczne jest podawanie
wielkości liczbowych opisuja˛ cych element.
Jak można zorientować sie˛ z przytoczonych
przykładów wartości liczbowe moga˛ być podawane na trzy sposoby:
Zwykłe liczby w zapisie dziesie˛ tnym:
5 ; 15.3 ; -234.51 .
Liczby zapisane za pomoca˛ mantysy i wykładnika:
0.023=2.3E-2 ; 100=1E2 ; -0.3=-3.0E-1 .
Litera E (ang. exponent — wykładnik) oddziela zwykła˛ liczbe˛ dziesie˛ tna˛ (mantyse˛ )
od wykładnika. Liczba jest równa iloczynowi mantysy i pote˛ gi o podstawie dziesie˛ ć
i wykładniku zapisanym po literze E.
Liczby zapisane za pomoca˛ przyrostków odpowiadaja˛ cych kolejnym pote˛ gom liczby
dziesie˛ ć. Przyrostki te odpowiadaja˛ przedrostkom przed nazwami jednostek fizycznych
dopuszczalnych przez układ jednostek SI (patrz Tablica I). Wczesne wersje programu
PSpice dopuszczały używanie tylko dużych liter. Sta˛ d przyrostek oznaczaja˛ cy 106 to
Pierwsze kroki 11
MEG, dla odróżnienia od przyrostka M oznaczaja˛ cego 10-3. W ten sposób liczba
0.023 może zostać zapisana na wiele różnych sposobów np.:
23M ; 23000U ; 2.3E5K
Ze wzgle˛ du na czytelność danych najbardziej preferowana jest ostatnia forma zapisywania
wartości liczbowych. Poza wymienionymi ignorowane sa˛ wszelkie litery. Dzie˛ ki temu war-
tości liczbowe można uzupełnić o skróty nazw odpowiednich jednostek fizycznych (patrz
wcześniejsze przykłady).
1.6. Uwagi o metodzie analizy obwodu

Wszystkie metody numeryczne stosowane do obliczania statycznego punktu pracy,
charakterystyk zmiennopra˛ dowych oraz do obliczania stanu nieustalonego sprowadzaja˛ sie˛ do
szeregu analiz liniowego obwodu pra˛ du stałego [28]. Sta˛ d metoda stosowana do analizy
takiego obwodu stanowi „ja˛ dro” każdego symulatora układów elektronicznych. Poniżej
przedstawiona została zmodyfikowana metoda potencjałów we˛ złowych stanowia˛ ca podstawe˛
działania programu PSpice. Czytelnicy bardziej zainteresowani szczegółami algorytmów
numerycznej analizy obwodów powinni sie˛ gna˛ ć do monografii poświe˛ conych temu tematowi
np. [5],[4],[6],[2].
1.6.1. Metoda potencjałów we˛ złowych

Przed przedstawieniem
zmodyfikowanej metody
potencjałów we˛ złowych
należy przypomnieć sama˛
metode˛ potencjałów we˛ -
złowych. Metoda ta pole-
ga na utworzeniu równań
obwodu w naste˛ puja˛ cych
trzech krokach: Rys.2. Przykładowy obwód analizowany metoda˛ potencjałów
Wyróżniamy w we˛ złowych.
obwodzie jeden z
we˛ złów zwany we˛ złem masy. Dla wszystkich pozostałych we˛ złów zapisujemy
równania pierwszego prawa Kirchoffa.
Korzystaja˛ c z równań opisuja˛ cych elementy zawarte w gałe˛ ziach obwodu eliminujemy
z równań pierwszego prawa Kirchoffa pra˛ dy gałe˛ ziowe.
Z tak otrzymanych równań, korzystaja˛ c z drugiego prawa Kirchoffa, eliminujemy
napie˛ cia gałe˛ ziowe przez potencjały we˛ złowe.
12 Pierwsze kroki
Wykonanie ostatniego kroku jest możliwe tylko wtedy, gdy graf analizowanego obwodu
jest spójny. Sta˛ d program PSpice narzuca ograniczenie:
dla każdego we˛ zła obwodu musi istnieć stałopra˛ dowa ścieżka, która ła˛ czy dany
we˛ zeł z we˛ złem masy (patrz strona 5).
Stosuja˛ c metode˛ potencjałów we˛ złowych do obwodu o w we˛ złach otrzymuje sie˛ układ w-1
równań liniowych z w-1 niewiadomymi, którymi sa˛ potencjały we˛ złowe obwodu. Rozwia˛ zanie
tego układu znajduje sie˛ zwykle jedna˛ ze standardowych metod. W przypadku programu
PSpice jest to rozkład LU [28].
Przykład:
Rozważmy obwód przdstawiony na Rys. 2. Jeden z we˛ złów tego obwodu został wyróż-
niony jako we˛ zeł masy. Pozostałe dwa otrzymały numery 1 i 2. W pierwszym kroku zapisuje-
my równania pierwszego prawa Kirchoffa odpowiednio dla we˛ zła 1 i we˛ zła 2.
(4)
Po uwzgle˛ dnieniu równań opisuja˛ cych poszczególne elementy otrzymujemy:
(5)
Napie˛ cia gałe˛ ziowe eliminujemy za pomoca˛ potencjałów we˛ złów 1 i 2.
(6)
Równania (6) uporza˛ dkowane i przepisane w postaci macierzowej maja˛ postać:
(7)
Lub krótko:
(8)
Macierz kwadratowa Y wyste˛ puja˛ ca po lewej stronie równania (8) nazywana jest macierza˛
admitancyjna˛ układu. Wektor kolumnowy V złożony jest z potencjałów kolejnych we˛ złów
obwodu. Wektor kolumnowy J wyste˛ puja˛ cy po prawej stronie równania (7) nazywany jest
wektorem wymuszeń. Macierz admitancyjna obwodu oraz wektor wymuszeń sa˛ tworzone
przez program PSpice w trakcie przetwarzania opisu obwodu.
Algorytm tworzenia macierzy admitancyjnej Y obwodu:
Pierwsze kroki 13
Na pocza˛ tku wszystkie elementy

macierzy admitancyjnej Y układu sa˛
równe zeru.
Jeżeli w strukturze obwodu pojawi
sie˛ deklaracja opornika:
R_nazwa n+ n- R
to liczbe˛ 1/R dodaje sie˛ do:
Rys.3. Modyfikacja wprowadzana do macierzy
elementu macierzy admitancyjnej, admitancyjnej obwodu po odczytaniu deklaracji
leża˛ cego na przecie˛ ciu wiersza i opornika o wartości R.
kolumny odpowiadaja˛ cych we˛ złowi
o numerze n+;
elementu leża˛ cego na przecie˛ ciu wiersza i kolumny odpowiadaja˛ cych we˛ złowi n-.
Liczbe˛ równa˛ -1/R dodaje sie˛ do:
elementu leża˛ cego na przecie˛ ciu wiersza odpowiadaja˛ cego we˛ złowi n+ i kolumny
odpowiadaja˛ cej we˛ złowi n-;
elementu leża˛ cego na przecie˛ ciu wiersza odpowiadaja˛ cego we˛ złowi n- i kolumny
odpowiadaja˛ cej we˛ złowi n+ (patrz Rys. 3).
Jasne jest teraz dlaczego niedopuszczalne jest stosowanie oporników o wartości opor-
ności równej zero (strona 5). Przewodność 1/R takiego opornika jest nieskończona.
Jeżeli w strukturze obwodu pojawi
sie˛ deklaracja źródła pra˛ du sterowa-
nego napie˛ ciem w postaci:
G_nazwa n+ n- nc+ nc- Gt
to liczbe˛ Gt dodaje sie˛ do:
elementu macierzy admitancyjnej
leża˛ cego na przecie˛ ciu kolumny
Rys.4. Modyfikacja wprowadzana do macierzy
odpowiadaja˛ cej we˛ złowi n+ i wier- admitancyjnej po natrafieniu na deklaracje˛
sza odpowiadaja˛ cego we˛ złowi nc+; sterowanej SPM o transkonduktancji Gt.
elementu leża˛ cego na przecie˛ ciu
kolumny odpowiadaja˛ cej we˛ złowi n- i wiersza odpowiadaja˛ cego we˛ złowi nc-.
Liczbe˛ (-1) Gt dodaje sie˛ do:
elementu leża˛ cego na przecie˛ ciu kolumny odpowiadaja˛ cej we˛ złowi n- i wiersza
odpowiadaja˛ cego we˛ złowi nc+;
elementu leża˛ cego na przecie˛ ciu kolumny odpowiadaja˛ cej we˛ złowi n+ i wiersza
odpowiadaja˛ cego we˛ złowi nc- (Rys. 4).
Algorytm tworzenia wektora wymuszeń J:
Na pocza˛ tku wszystkie elementy J układu sa˛ równe zeru.
14 Pierwsze kroki
Jeżeli w opisie obwodu pojawi sie˛ deklaracja

niezależnego źródła pra˛ du w postaci:
I_nazwa n+ n- Is
to:
do elementu leża˛ cego w wierszu odpowiada-
ja˛ cym we˛ złowi n+ dodawana jest liczba równa (-
1) Is;
Rys.5. Modyfikacja wektora
do elementu leża˛ cego w wierszu odpowiadaja˛ - wymuszeń wprowadzana po
cym we˛ złowi n- dodaje sie˛ liczbe˛ równa˛ zidentyfikowaniu deklaracji
Is (Rys. 5). SPM o wydajności Is.
Zalety metody potencjałów we˛ złowych, w stosunku do
innych metod tworzenia równań obwodu, polegaja˛ na tym, że:
Równania obwodu można łatwo tworzyć przegla˛ daja˛ c kolejno linie danych
zawieraja˛ ce deklaracje elementów.
Macierz admitancyjna układu posiada na swojej przeka˛ tnej elementy różne od zera.
Element leża˛ cy na przeka˛ tnej jest zwykle najwie˛ kszym, co do wartości bezwzgle˛ dnej,
elementem w wierszu. Upraszcza to i przyspiesza działanie algorytmu rozwia˛ zuja˛ cego
równania obwodu.
Dla dużego obwodu macierz potencjałów we˛ złowych jest macierza˛ rzadka˛ i można
stosować metody numeryczne opracowane specjalnie dla tego typu macierzy.
Metoda ta posiada także pewne wady, a mianowicie:
Nie pozwala na analize˛ obwodu, który zawiera źródło pra˛ du sterowane pra˛ dem lub
sterowane źródło napie˛ cia8.
Nie pozwala na analize˛ obwodu, w którego we˛ zły poła˛ czone sa˛ za pomoca˛ niezależ-
nego źródła napie˛ cia9. W szczególności niedozwolone sa˛ zwarcia mie˛ dzy we˛ złami
(SEM o wartości 0V).
Obliczenie dowolnego pra˛ du w obwodzie wymaga wykonania dodatkowych obliczeń
ponieważ metoda dostarcza tylko potencjałów we˛ złowych.
Usunie˛ cie wymienionych niedogodności zwia˛ zane jest z modyfikacja˛ metody tworzenia
równań obwodu co prowadzi do tzw. zmodyfikowanej metody potencjałów we˛ złowych.
8
Każdy obwód można przekształcić w ten sposób aby zawierał tylko źródła pra˛ du
sterowane napie˛ ciem. Metoda ta nie jest jednak wykorzystywana przez program PSpice.
9
SEM poła˛ czona szeregowo z opornikiem może zostać przekształcona na podstawie
twierdzenia Norton-a na SPM poła˛ czona˛ równolegle z opornikiem [17]. Dlatego obwody
zawieraja˛ ce takie poła˛ czenia moga˛ być analizowane metoda˛ potencjałów we˛ złowych.
Pierwsze kroki 15
1.6.2. Zmodyfikowana metoda potencjałów we˛ złowych

Sposób poste˛ powania
przy tworzeniu równań
obwodu, w przypadku
zmodyfikowanej metody
potencjałów we˛ złowych,
jest zbliżony do tego,
który stosowany jest w
metodzie oryginalnej.
Zilustrujemy go przykła-
dem. Rys.6. Obwód analizowany zmodyfikowana˛ metoda˛ potencjałów
we˛ złowych.
Przykład:
Rozważmy obwód przedstawiony na Rys. 6. Zawiera on w swojej strukturze SEM oraz
źródło napie˛ cia sterowane napie˛ ciem. Równania pierwszego prawa Kirchoffa zapisane dla
kolejnych we˛ złów obwodu przyjmuja˛ postać:
(9)
Podstawiamy do nich równania elementów:
(10)
Napie˛ cia zaste˛ pujemy potencjałami we˛ złowymi i porza˛ dkujemy:
(11)
W ten sposób otrzymujemy trzy równania z pie˛ cioma niewiadomymi. Dodatkowe zmienne
to pra˛ d płyna˛ cy przez niezależne źródło napie˛ cia I5 oraz pra˛ d płyna˛ cy przez źródło sterowane
I7. Układ równań (11) uzupełniamy o równania opisuja˛ ce niezależne źródło napie˛ cia oraz
źródło sterowane. Napie˛ cia zostały już zasta˛ pione różnicami potencjałów we˛ złowych.
16 Pierwsze kroki
(12)
Równania (11) i (12) opisuja˛ w pełni stan układu. Ich postać macierzowa jest naste˛ puja˛ ca:
(13)
Lub krótko:
Macierz kwadratowa Ymod to zmodyfikowana macierz admitancyjna układu elektronicznego

z Rys. 6. Wektor kolumnowy V’ to uogólniony wektor potencjałów we˛ złowych. Oprócz
potencjałów we˛ złowych tworza˛ go także pra˛ dy płyna˛ ce przez źródła napie˛ cia (tak niezależne
jak i sterowane). Wektor J’ to uogólniony wektor wymuszeń.
Zmiennymi opisuja˛ cymi stan układu oprócz potencjałów we˛ złowych stały sie˛ pra˛ dy
płyna˛ ce przez źródła napie˛ cia. Dzie˛ ki temu równania można zapisać także dla obwodu, który
zawiera źródło sterowane pra˛ dem. Wystarczy aby pra˛ d steruja˛ cy płyna˛ ł przez niezależne
źródło napie˛ cia (strona 10). W strukture˛ obwodu zawsze można wpia˛ ć SEM o wartości 0
(zwarcie) aby pra˛ d steruja˛ cy płyna˛ ł przez to źródło. A zatem stosuja˛ c zmodyfikowana˛ metode˛
potencjałów we˛ złowych można analizować obwody, które zawieraja˛ wszystkie cztery typy
źródeł sterowanych. Sposób doła˛ czania parametrów źródła (napie˛ cia, pra˛ du) sterowanego
pra˛ dem, źródła napie˛ cia sterowanego napie˛ ciem oraz niezależnego źródła napie˛ cia do
zmodyfikowanej macierzy admitancyjnej i zmodyfikowanego wektora wymuszeń podsumowu-
je Rys. 7.
Zalety zmodyfikowanej metody potencjałów we˛ złowych można podsumować naste˛ puja˛ co:
Równania obwodu można utworzyć przetwarzaja˛ c kolejno deklaracje elementów.
Niepotrzebne sa˛ przekształcenia obwodu.
Można analizować obwody zawieraja˛ ce wszystkie typy źródeł niezależnych i
sterowanych.
Elementy przeka˛ tnej głównej, zmodyfikowanej macierzy admitancyjnej Ymod, w
wie˛ kszości wypadków sa˛ niezerowe i sa˛ elementami dominuja˛ cymi co ma istotny
wpływ na skrócenie czasu potrzebnego na rozwia˛ zanie równań obwodu.
Pierwsze kroki 17
Rys.7. Sposób w jaki zmodyfikowana metoda potencjałów we˛ złowych uwzgle˛ dnia w
równaniach obwodu elementy niedopuszczalne w przypadku metody oryginalnej.
2. ANALIZA STAŁOPRA
˛ DOWA
W poprzednim rozdziale opisany został format danych wejściowych dla programu PSpice.
Struktura obwodu określona jest przez deklaracje˛ podstawowych elementów elektronicznych.
Wymienione zostały ograniczenia, jakie program PSpice narzuca na strukture˛ analizowanego
obwodu. Wyjaśniono także ich przyczyny. Teraz należy przedstawić możliwości analizy
obwodu jakie oferuje program PSpice.
2.1. Statyczny punkt pracy układu

Wie˛kszość kursów elektrotechniki zaczyna sie˛ od metod analizy obwodu pra˛du stałego.
Jest to problem obliczenia statycznego punktu pracy układu. W przypadku, gdy wszystkie
elementy obwodu sa˛ liniowe problem ten ma zawsze rozwia˛zanie analityczne1. Jeśli jednak
w obwodzie pojawia˛ sie˛ elementy o nieliniowej charakterystyce problem ten staje sie˛ z reguły
bardzo skomplikowany. Zdarza sie˛, że stosowane do obliczeń metody numeryczne zawodza˛.
Dotyczy to także programu PSpice mimo, że algorytmy zastosowane przez autorów programu
uważane sa˛ za bardzo dobre [31].
W poprzednim rozdziale stwierdzono, że jeżeli zbiór danych wejściowych dla programu
PSpice zawiera tylko opis struktury obwodu to automatycznie znaleziony zostanie statyczny
punkt pracy układu. Wyniki analizy umieszczone zostana˛ w zbiorze danych wyjściowych.
Czasami zdarza sie˛ jednak, że konieczne jest bezpośrednie polecenie wykonania tej analizy.
Służy do tego instrukcja .OP (ang. operating point — punkt pracy):
.OP
Statyczny punkt pracy obliczany jest przy założeniu, że każda cewka stanowi zwarcie
natomiast każdy kondensator stanowi rozwarcie. Instrukcja .OP nie musi być stosowana
(statyczny punkt pracy obliczany jest automatycznie) w naste˛puja˛cych przypadkach:
Przed instrukcja˛ służa˛ca˛ do obliczania stanu nieustalonego.
Przed instrukcja˛ służa˛ca˛ do obliczania małosygnałowych transmitancji stałopra˛dowych.
1
Z wyja˛tkiem obwodów patologicznych takich jak np. równolegle poła˛czone dwie idealne
siły pra˛domotoryczne, każda o innej wartości.
20 Analiza stałopra˛dowa
Przed instrukcja˛ służa˛ ca˛ do uruchomienia małosygnałowej analizy zmiennopra˛ dowej.
2.2. Charakterystyki statyczne

Program PSpice pozwala na wykonanie cia˛ gu analiz polegaja˛ cych na znajdowaniu
statycznego punktu pracy układu przy zmieniaja˛ cych sie˛ parametrach obwodu. Służy do tego
instrukcja .DC (ang. direct current — pra˛ d stały). Jej format jest naste˛ puja˛ cy:
.DC [LIN] _par _start _stop _krok [_par2 _start2 _stop2 _krok2]
.DC [OCT][DEC] _par _start _stop _li [_par _start2 _stop2 _li2]
.DC _par <_lista> [_par2 <_lista2>]
Przykłady:
.DC VIN -0.25 0.25 0.05
.DC LIN 12 I2 5mA -2mA 0.1mA
.DC VCE 0V 10V .5V IB 0mA 1mA 50UA
.DC RES RMOD(R) 0.9K 1.1K 1
.DC DEC NPN QFAST(IS) 1E-18 1E-14 5
.DC TEMP LIST 0 20 27 50 80 100 -20
Podczas analizy zmieniana jest wartość parametru o nazwie _par. Pole _par może
zawierać:
Nazwe˛ niezależnego źródła napie˛ cia lub pra˛ du. Zmieniana jest wówczas wydajność
źródła.
Nazwe˛ modelu poprzedzona˛ typem modelu. Zmieniana jest wartość parametru modelu
podanego w nawiasie, tuż za nazwa˛ modelu (bez spacji) — patrz przykład czwarty i
pia˛ ty powyżej.
Słowo kluczowe TEMP. Zmieniana jest wówczas temperatura analizowanego układu.
Zmiany wymienionych wielkości moga˛ zachodzić liniowo, logarytmicznie lub wg listy
wartości. Dozwolone sa˛ naste˛ puja˛ ce typy zmian:
LIN Wartość parametru zmienia sie˛ od wartości _start do wartości _stop liniowo z
krokiem _krok. Słowo kluczowe LIN może zostać pominie˛ te.
OCT Wartość parametru zmienia sie˛ logarytmicznie co oktawe˛ od wartości _start do
wartości _stop, przy czym liczba punktów w każdej oktawie wynosi _li.
DEC Wartość parametru zmienia sie˛ logarytmicznie co dekade˛ od wartości _start do
wartości _stop, przy czym liczba punktów w każdej dekadzie wynosi _li.
LIST Wartość parametru zmienia sie˛ wg listy. Brak jest wartości pocza˛ tkowej i
końcowej natomiast liczby, które naste˛ puja˛ po słowie kluczowym LIST (pole
<_lista>), stanowia˛ kolejne wartości parametru.
W polu _par2 można podać drugi parametr, który be˛ dzie zmieniany podczas analizy. W
tym wypadku dla każdej wartości drugiego parametru _par2 wykonany zostanie cia˛ g analiz,
w którym wartość pierwszego parametru _par zmienia sie˛ w pełnym zakresie.
Analiza stałopra˛ dowa 21
Przykład:
Instrukcja .DC posłużyć może dla obliczenia charakterystyki statycznej tranzystora
MOS.Dla tego typu elementu istnieje w programie PSpice wbudowany model matematyczny.
W celu wykonania obliczeń tworzymy zbiór wejściowy pokazany poniżej.
CHARAKTERYSTYKA TRANZYSTORA MOS

VDS 3 0 ;źródło napie˛cia zasilaja˛ce dren
VGS 2 0 ;źródło napie˛cia zasilaja˛ce bramke˛
M1 1 2 0 0 MODEL_MOS ;deklaracja tranzystora MOS w strukturze obwodu
* | | | | |
* | | | | nazwa modelu tranzystora
* | | | podłoże
* | | źródło
* | bramka
* dren
*deklaracja modelu matematycznego tranzystora MOS
.MODEL MODEL_MOS NMOS VTO=-2V NSUB=1.0E15 UO=550 L=4U W=6U
* | | | | |
* napie˛cie progowe | | | |
* domieszkowanie podłoża | | |
* ruchliwość nośników | |
* długość i szerokość kanału
VIDS 3 1 ;źródło służa ˛ce do pomiaru pra ˛du drenu
.DC VDS 0 10 0.1 VGS 0 5 1 ;instrukcja analizy stałopra ˛dowej
.PROBE I(VIDS) ;na wy. graficzne przekazane zostana ˛ wartości pra
˛du źródła VIDS
.END ;koniec danych wejściowych
Powyższe dane stanowia˛ opis obwodu przed-

stawionego na Rys. 8. W czwartej linii znajduje
sie˛ deklaracja tranzystora MOS. Nazwa tranzys-
tora MOS zaczyna sie˛ zawsze od litery „M”.
Dalej podane sa˛ numery we˛ złów, w które wpie˛ te
sa˛ dren, bramka, źródło i podłoże tranzystora. Na
końcu linii deklaracji znajduje sie˛ nazwa modelu
tranzystora. W naszym przypadku jest to MO-
DEL_MOS. Model ten zadeklarowany jest niżej Rys.8. Obwód służa˛ cy do obliczenia
za pomoca˛ deklaracji .MODEL służa˛ cej do dekla- charakterystyki statycznej tranzystora
MOS.
rowania modeli przyrza˛ dów. W deklaracji tej
wymieniona jest nazwa modelu i jego typ. W naszym przypadku typ modelu to NMOS, co
oznacza model tranzystora MOS z kanałem typu N. W linii deklaracji modelu podaje sie˛
wartości parametrów modelu2. W danych do przykładu podane zostały tylko niektóre z nich:
VTO napie˛ cie progowe; wymiar [V].
NSUB koncentracja atomów domieszek w podłożu; wymiar [cm-3].
UO ruchliwość nośników tuż przy powierzchni półprzewodnika; wymiar [cm2/(V s)].
L długość kanału tranzystora; wymiar [m].
2
Model matematyczny tranzystora MOS wbudowany w program PSpice, znaleźć można
w rozdziale 6.
22 Analiza stałopra˛ dowa
W szerokość kanału tranzystora; wymiar [m].

W je˛ zyku symulacyjnym programu PSpice celowo rozdzielono deklaracje˛ elementu
półprzewodnikowego w strukturze obwodu i deklaracje˛ modelu elementu półprzewodnikowe-
go. Podczas wytwarzania układów scalonych3 elementy tego samego typu np. tranzystory
MOS powstaja˛ w jednym procesie technologicznym. Posiadaja˛ zatem te same parametry
elektryczne4. Co wie˛ cej, zmiany parametrów wraz z temperatura˛ czy też w wyniku błe˛ dów
powstałych w procesie technologicznym sa˛ silnie skorelowane. Celowe jest zatem opisywanie
wszystkich przyrza˛ dów tego samego typu tym samym modelem matematycznym. Po
deklaracji tranzystora MOS naste˛ puje deklaracja SEM o nazwie VIDS i wartości równej zero.
Służy ona do pomiaru pra˛ du płyna˛ cego przez dren tranzystora. Można w tym celu użyć siły
elektromotorycznej VDS pamie˛ taja˛ c, że płyna˛ cy przez nia˛ pra˛ d ma wartość ujemna˛ . Naste˛ pna
linia zawiera instrukcje˛ obliczania charakterystyk statycznych (.DC). Dla każdej wartości
napie˛ cia mie˛ dzy bramka˛ a źródłem VGS, zmieniaja˛ cej sie˛ od wartości 0[V] do wartości 5[V]
co 1[V], obliczany jest pra˛ d drenu w funkcji zmian napie˛ cia dren–źródło VDS. Napie˛ cie VDS
zmienia sie˛ przy tym od 0[V] do 10[V] z krokiem 100[mV]. Za pomoca˛ instrukcji .PROBE
wyniki obliczeń przekazywane sa˛ do specjalnego programu graficznego o nazwie Probe5.
Program ten jest rozprowadzany przez firme˛ MicroSim wraz z programem PSpice. Probe
służy do graficznej ilustracji wyników obliczeń przeprowadzonych za pomoca˛ programu
PSpice. Parametrami instrukcji .PROBE sa˛ wielkości, które użytkownik chce otrzymać w
postaci wykresu. W naszym przypadku jest to pra˛ d drenu tranzystora czyli pra˛ d płyna˛ cy przez
źródło napie˛ cia o nazwie VIDS. Pra˛ d ten oznaczany jest jako I(VIDS). Dane kończa˛ sie˛
instrukcja˛ .END (ang. end — koniec) — koniec danych wejściowych.
Wyniki obliczeń wykonanych przez program PSpice przedstawione sa˛ na Rys. 9. Jest to
rodzina krzywych przedstawiaja˛ ca zależność pra˛ du drenu od napie˛ cia dren–źródło VDS dla
tranzystora MOS. Parametrem rodziny jest napie˛ cie bramka–źródło VGS. Przedstawiony
wykres uzyskany został za pomoca˛ programu Probe. Rys. 9 jest bardzo zbliżony do tego co
wyświetlane jest na ekranie monitora komputerowego.
2.3. Zbieżność obliczeń

Tak jak już stwierdzono problem znalezienia statycznego punktu pracy nieliniowego
3
SPICE2 - pierwowzór programu PSpice przeznaczony był głównie do analizy układów
scalonych.
4
Program PSpice posiada mechanizmy pozwalaja˛ ce na modyfikacje˛ parametrów, które
zmieniaja˛ sie˛ wraz z wymiarami geometrycznymi przyrza˛ du.
5
Wie˛ cej informacji na temat programu Probe czytelnik znajdzie w dodatkach C i D.
Rys.9. Zależność pra˛ du drenu od napie˛ cia dren-źródło w tranzystorze MOS. Parametrem
rodziny krzywych jest napie˛ cie bramka-źródło.
układu elektronicznego jest zwykle trudnym problemem numerycznym. Zdaża sie˛ , że
obliczenia wykonywane przez program PSpice według algorytmu Newton–a Raphson–a
[5],[28],[30] sa˛ niezbieżne. Dzieje sie˛ tak, wtedy gdy pocza˛ tkowe wartości uogólnionych
potencjałów we˛ złowych opisuja˛ cych układ sa˛ zbyt dalekie od właściwego rozwia˛ zania [5].
Przykład:
Dany jest układ bramki TTL (negator) przedstawiony na Rys. 10. Wejście bramki stero-
wane jest przez źródło V2 o wartości 1.58[V]. Należy obliczyć wszystkie potencjały we˛ złowe
w tym układzie.
Dane dla programu PSpice przedstawione sa˛ poniżej. Zwróćmy uwage˛ , że:
Linia deklaracji tranzystora bipolarnego zaczyna sie˛ od jego nazwy. Nazwa tranzystora
zaczyna sie˛ na litere˛ „Q”. Dalej podane sa˛ numery we˛ złów, do których doła˛ czone sa˛
odpowiednio: kolektor, baza i emiter tranzystora. Na końcu linii znajduje sie˛ nazwa
modelu tranzystora.
Model tranzystora bipolarnego zdefiniowany jest za pomoca˛ poznanej już wcześniej
deklaracji .MODEL. Nazwa modelu to TR natomiast typ NPN. Oznacza to tranzystor
bipolarny typu n–p–n. W linii deklaracji tranzystora wyszczególnione sa˛ parametry
modelu. W naszym wypadku jedynym parametrem, którego wartość zadeklarowano
jest wzmocnienie pra˛ -

dowe tranzystora dla
pracy normalnej BF
równe 100.
Nazwa diody półprze-
wodnikowej zaczyna sie˛
od litery D. Po nazwie
deklaruje sie˛ numery
we˛ złów, do których
doła˛ czono odpowiednio
anode˛ i katode˛ diody.
Dalej naste˛ puje nazwa
Rys.10. Bramka TTL.
modelu diody.
Model diody określony jest za pomoca˛ deklaracji .MODEL. Typ modelu D oznacza
diode˛ półprzewodnikowa˛ . W linii deklaracji nie ma deklaracji wartości jakichkolwiek
parametrów (umieszcza sie˛ je na końcu linii). Wobec tego przyje˛ te zostana˛ wartości
domyślne6.
W drugiej linii danych wejściowych znajduje sie˛ instrukcja .OPTIONS7. Z jej
pomoca˛ można zmienić wiele parametrów określaja˛ cych sposób, w jaki program
PSpice dokonuje obliczeń. Opcja NOPAGE, umieszczona w przykładowych danych
powoduje, że zbiór wyjściowy nie be˛ dzie dzielony na strony.
BRAMKA TTL
.OPTIONS NOPAGE ;dane wyjściowe bez podziału na strony
.MODEL TR NPN BF=100 ;deklaracja modelu mat. tranzystora bipolarnego o wzmocnieniu
pra
˛dowym =100
.MODEL DIO D ;deklaracja modelu diody - parametry domyślne
V1 3 0 5V ;źródło zasilania
V2 10 0 1.58V ;źródło steruja ˛ce
RW 1 10 100 ;oporność źródła steruja
˛cego
*******************
* oporniki bramki *
*******************
R1 3 9 4K
R2 3 4 1.6K
R3 5 0 1K
R4 3 6 100
**********************
* tranzystory bramki *
**********************
Q1 2 9 1 TR
Q2 4 2 5 TR
Q3 6 4 7 TR
Q4 8 5 0 TR
****************
6
Dokładne omówienie modelu diody półprzewodnikowej wbudowanego w program PSpice
znajduje sie˛ w rozdziale 6.
7
Pełna lista opcji instrukcji .OPTIONS znajduje sie w dodatku A.
* diody bramki *
****************
D1 7 8 DIO
D2 0 1 DIO
.OP ;oblicz punkt pracy
.END ;koniec danych
Po uruchomieniu programu PSpice okazuje sie˛ jednak, że symulator nie jest w stanie
obliczyć statycznego punktu pracy układu. W zbiorze wyjściowym znajdujemy informacje˛ ,
że obliczenia zostały przerwane z powodu braku zbieżności.
2.3.1. Algorytm Newton–a Raphson–a

Aby zrozumieć istote˛ trud-
ności na jakie natrafiliśmy trze-
ba zapoznać sie˛ z zastosowanym
algorytmem obliczeń. Problem
obliczania statycznego punktu
pracy nieliniowego układu elek-
tronicznego, takiego jak np.
bramka TTL, sprowadza sie˛ do
rozwia˛ zania nieliniowego układu
równań algebraicznych. W naj-
prostszym przypadku jest to
jedno równanie w postaci:
Rys.11. Przykładowy wykres funkcji nieliniowej jednej
(15) zmiennej.
Funkcja f(x) jest nieliniowa. Oznacza to, że jej wykres może wygla˛ dać tak jak na Rys. 11.
W programie PSpice do rozwia˛ zywania równań w rodzaju (15) zastosowano algorytm
Newtona–a Raphson–a. Jest to algorytm iteracyjny. Załóżmy, że znamy przybliżona˛ wartość
rozwia˛ zania równania (15). Oznaczmy ja˛ przez x0. Rozwia˛ zanie dokładne oznaczmy natomiast
przez x*. Aby znaleźć wartość x1 bardziej zbliżona˛ do rozwia˛ zania dokładnego rozwińmy
funkcje˛ f(x) w szereg Taylor–a wokół punktu x0 i podstawmy do równania (15):
(16)
Jeżeli odrzucimy wszystkie wyrazy rozwinie˛ cia rze˛ du wyższego niż 1 otrzymamy równanie
przybliżone:
(17)
Sta˛ d:
(18)
Aby otrzymać lepsze przybliżenie niż x1 stosujemy opisana˛ procedure˛ , lecz tym razem w
stosunku do przybliżenia x1. Poste˛ pujemy w ten sposób tak długo aż uzyskane przybliżenie
jest wystarczaja˛ co dokładne8. W ten sposób otrzymujemy formułe˛ rekurencyjna˛ pozwalaja˛ ca˛
na rozwia˛ zanie równania (15) z dowolna˛ dokładnościa˛ :
(19)
Rozwinie˛ cie funkcji f(x) w szereg Taylora wokół punktu x0 i odrzucenie wyrazów rze˛ du
wyższego niż 1 można interpretować w sposób naste˛ puja˛ cy:
Funkcje˛ f(x) zaste˛ pujemy funkcja˛ liniowa˛ w(x):
(20)
Funkcja w(x) przyjmuje w punkcie x0 te˛ sama˛ wartość co funkcja f(x), a jednocześnie
pochodna funkcji w(x) w punkcie x0 posiada te˛ sama˛ wartość co pochodna funkcji
f(x):
(21)
Przybliżone rozwia˛ zanie x1 równania (15) jest dokładnym rozwia˛ zaniem równania:
(22)
Na Rys. 12 widać, że dla przykładowej funkcji f(x) i wartości x0 zbliżonej do x*=0
wartość x1 jest bliższa rozwia˛ zania dokładnego niż x0. Jeżeli jednak wartość pocza˛ tkowa
rozwia˛ zania x0 jest bardziej odległa niż to pokazano na Rys. 12 to przybliżone rozwia˛ zanie
x1 może być gorsze niż x0. Ilustruje to Rys. 13. W tym przypadku każdy kolejny krok iteracji
oddala nas od rozwia˛ zania. Mówimy, że obliczenia sa˛ niezbieżne.
8
Osobnym problemem jest ścisłe określenie co to znaczy "wystarczaja˛ co dokładne
przybliżenie".
Z taka˛ właśnie sytuacja˛

spotkaliśmy sie˛ obliczaja˛ c sta-
tyczny punkt pracy bramki TTL.
Algorytm zastosowany w pro-
gramie PSpice zakłada, że po-
cza˛ tkowe wartości uogólnionych
potencjałów we˛ złowych wyno-
sza˛ zero. Wartość ta jest jednak
zbyt odległa od rozwia˛ zania
dokładnego. Sta˛ d brak zbież-
ności obliczeń.
Zwróćmy uwage˛ , że w przy-
Rys.12. Algorytm Newton-a Raphson-a znajdowania
padku równania (15) nieliniowa˛ miejsca zerowego funkcji jest zbieżny.
funkcje˛ f(x) zasta˛ piono funkcja˛
liniowa˛ w(x) dana˛ wzorem (20). Dla obwodu odpowiada to zasta˛ pieniu obwodu nieliniowego
pewnym obwodem liniowym. Rozwia˛ zanie równania (22) odpowiada natomiast znalezieniu
potencjałów we˛ złowych tegoż obwodu liniowego. Zatem algorytm pozwalaja˛ cy na ułożenie
i rozwia˛ zanie równań obwodu liniowego jest kluczowym algorytmem symulatora układów
elektronicznych.
2.3.2. Deklaracja
.NODESET
W rozważanym przykładzie
aby uzyskać zbieżność obliczeń
można użyć deklaracji .NODE-
SET (ang. node — we˛ zeł; set
— ustal), która pozwala na
rozpocze˛ cie iteracji od wartości
bliskich właściwemu punktowi
pracy układu. Składnia dekla-
racji .NODESET jest naste˛ pu-
Rys.13. Algorytm Newton-a Raphson-a znajdowania
ja˛ ca: miejsca zerowego funkcji jest niezbieżny.
.NODESET V(numer_w1)=_wartość1 [ V(numer_w2)=_wartość2 ]

Przykład:
.NODESET V(2)=3.4 V(102)=0 V(3)=-1V
Deklaracja .NODESET powoduje, że najpierw obliczane sa˛ wste˛ pne wartości potencjałów
we˛ złowych układu. Podczas tych obliczeń potencjały w we˛ złach o numerach numer_w1,
numer_w2, maja˛ wartość stała˛ i sa˛ równe wartościom podanym w polach _wartość1,
_wartość2, . Naste˛ pnie rozpoczyna sie˛ obliczanie ostatecznych wartości potencjałów
we˛ złowych. Punktem wyjścia do iteracji sa˛ obliczone wcześniej „wste˛ pne” wartości
potencjałów we˛ złowych. Instrukcja .NODESET jest zwykle wykorzystywana w celu:
Uzyskania zbieżności obliczeń podczas obliczania statycznego punktu pracy układu.
Wybrania do dalszych obliczeń jednego ze stanów stabilnych podczas analizy układu
bistabilnego.
W naszym przypadku, dla osia˛ gnie˛ cia zbieżności obliczeń, należy zbiór danych
wejściowych uzupełnić o naste˛ puja˛ ca˛ linie˛ :
.NODESET V(2)=1.6 V(4)=0.87 V(5)=0.81
Zbiór danych wyjściowych tworzony przez program PSpice po zakończeniu obliczeń
przedstawiony jest poniżej.
BRAMKA TTL
**** CIRCUIT DESCRIPTION
*****************************************************************************
.OPTIONS NOPAGE ;dane wyjściowe bez podziału na strony

.MODEL TR NPN BF=100 ;deklaracja modelu mat. tranzystora bipolarnego o wzmocnieniu
pra
˛dowym =100
.MODEL DIO D ;deklaracja modelu diody - parametry domyślne
V1 3 0 5V ;źródło zasilania
V2 10 0 1.58V ;źródło steruja ˛ce
RW 1 10 100 ;oporność źródła steruja
˛cego
*******************
* oporniki bramki *
*******************
R1 3 9 4K
R2 3 4 1.6K
R3 5 0 1K
R4 3 6 100
**********************
* tranzystory bramki *
**********************
Q1 2 9 1 TR
Q2 4 2 5 TR
Q3 6 4 7 TR
Q4 8 5 0 TR
****************
* diody bramki *
****************
D1 7 8 DIO
D2 0 1 DIO
.NODESET V(2)=1.6V V(4)=0.87V V(5)=0.81V
.OP ;oblicz punkt pracy
.END ;koniec danych
**** Diode MODEL PARAMETERS
DIO
IS 10.000000E-15
**** BJT MODEL PARAMETERS
TR
NPN
IS 100.000000E-18
BF 100
NF 1
BR 1
NR 1
**** SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION TEMPERATURE = 27.000 DEG C
NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE
( 1) 1.6074 ( 2) 1.6163 ( 3) 5.0000 ( 4) .8694
( 5) .8114 ( 6) 5.0000 ( 7) .3843 ( 8) .0179
( 9) 2.3793 ( 10) 1.5800
VOLTAGE SOURCE CURRENTS

NAME CURRENT
V1 -3.237E-03
V2 2.745E-04
TOTAL POWER DISSIPATION 1.58E-02 WATTS
**** OPERATING POINT INFORMATION TEMPERATURE = 27.000 DEG C
**** DIODES
NAME D1 D2
MODEL DIO DIO
ID 1.42E-08 -1.62E-12
VD 3.66E-01 -1.61E+00
REQ 1.83E+06 1.00E+12
CAP 0.00E+00 0.00E+00
**** BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS
NAME Q1 Q2 Q3 Q4
MODEL TR TR TR TR
IB 6.55E-04 3.81E-04 1.36E-10 2.15E-03
IC -3.81E-04 2.58E-03 1.40E-08 1.42E-08
VBE 7.72E-01 8.05E-01 4.85E-01 8.11E-01
VBC 7.63E-01 7.47E-01 -4.13E+00 7.94E-01
VCE 8.90E-03 5.80E-02 4.62E+00 1.79E-02
BETADC -5.81E-01 6.78E+00 1.03E+02 6.59E-06
GM 1.03E-02 1.13E-01 5.42E-07 8.15E-02
RPI 2.84E+03 7.89E+02 1.84E+08 6.13E+02
RX 0.00E+00 0.00E+00 0.00E+00 0.00E+00
RO 4.00E+01 7.43E+01 1.00E+12 1.23E+01
CBE 0.00E+00 0.00E+00 0.00E+00 0.00E+00
CBC 0.00E+00 0.00E+00 0.00E+00 0.00E+00
CBX 0.00E+00 0.00E+00 0.00E+00 0.00E+00
CJS 0.00E+00 0.00E+00 0.00E+00 0.00E+00
BETAAC 2.91E+01 8.94E+01 1.00E+02 5.00E+01
FT 1.63E+17 1.80E+18 8.63E+12 1.30E+18
JOB CONCLUDED
TOTAL JOB TIME 2.20
W zbiorze wyjściowym znajdujemy kolejno:

Powtórzenie danych przekazanych do przetwarzania w zbiorze wejściowym.
Parametry modelu diody — jedynym różnym od zera parametrem jest pra˛ d nasycenia
IS, który wynosi 0.01pA.
Parametry modelu tranzystora:
IS pra˛ d nasycenia zła˛ czy;
BF wzmocnienie pra˛ dowe przy pracy normalnej;
NF współczynnik emisji dla pracy normalnej
BR wzmocnienie pra˛ dowe przy pracy inwersyjnej;
NR współczynnik emisji dla pracy inwersyjnej.
Potencjały we˛ złowe.
Pra˛ dy płyna˛ ce przez źródła napie˛ cia.

Całkowita˛ moc rozpraszana˛ przez układ.
Informacje o punkcie pracy przyrza˛ dów półprzewodnikowych w układzie. W
przypadku diody sa˛ to:
ID pra˛ d płyna˛ cy przez diode˛ ;
VD napie˛ cie panuja˛ ce na diodzie;
REQ rezystancja dynamiczna diody REQ;
CAP całkowita pojemność diody.
W przypadku tranzystorów sa˛ to:
IB pra˛ d bazy;
IC pra˛ d kolektora;
VBE napie˛ cie baza–emiter;
VBC napie˛ cie baza–kolektor;
VCE napie˛ cie kolektor–emiter;
BETADC stałopra˛ dowy współczynnik wzmocnienia pra˛ dowego;
RX rezystancja obszaru bazy;
CBE pojemność baza emiter;
CBC pojemność baza–kolektor;
CBX pojemność baza wewne˛ trzna–kolektor;
CJS pojemność kolektor–podłoże;
BETAAC małosygnałowe wzmocnienie pra˛ dowe;
FT cze˛ stotliwość graniczna.
Czas pracy jednostki centralnej komputera.
W zbiorze wyjściowym najistotniejsze dla nas sa˛ potencjały we˛ złowe oraz pra˛ dy płyna˛ ce
przez tranzystory. Okazuje sie˛ , że tranzystory Q1, Q2 oraz Q4 znajduja˛ sie˛ w stanie
nasycenia, natomiast tranzystor Q3 jest zablokowany.
Jeżeli dane wejściowe uzupełnimy o naste˛ puja˛ ce dwie linie:
.DC V2 0 5 0.05
.PROBE V(8)
to w wyniku analizy otrzymamy statyczna˛ charakterystyke˛ przejściowa˛ przykładowej bramki
TTL. Jak można sie˛ zorientować trudności obliczeniowe wyste˛ puja˛ w obszarze przejściowym
mie˛ dzy stanem, w którym bramka ma duże wzmocnienie, a stanem w którym na wyjściu
bramki panuje napie˛ cie bliskie zeru i jednocześnie wzmocnienie bramki wynosi zero. Jest
rzecza˛ charakterystyczna˛ , że problemy ze znalezieniem statycznego punktu pracy wyste˛ puja˛
cze˛ sto w przypadku układów o dużym stałopra˛ dowym wzmocnieniu napie˛ ciowym.
2.3.3. Parametryzacja źródeł [28]

Powróćmy jeszcze raz do poprzedniego przykładu, w którym obliczany był statyczny
punkt pracy bramki TTL (strona 23). W przypadku, gdy nie użyto instrukcji .NODESET (z
odpowiednimi parametrami) podczas analizy ekran komputera wygla˛ dał tak jak np. na
Rys.14. Charakterystyka statyczna bramki TTL.
Rys. 15. Zwróćmy uwage˛ na komunikat:

Power supplies cut back to 25%
Oznacza on, że wobec niezbieżności obliczeń maja˛ cych na celu znalezienie statycznego
punktu pracy układu klasyczna˛ metoda˛ Newton–a Raphson–a zastosowana została specjalna
procedura obliczeń. Jej idea jest naste˛ puja˛ ca: w układzie, w którym wszystkie źródła napie˛ cia
i pra˛ du maja˛ wydajność równa˛ zeru potencjały we˛ złowe i pra˛ dy płyna˛ ce przez źródła napie˛ cia
sa˛ równe zeru. Jeżeli powie˛ kszymy wydajność źródeł do kilku procent ich wydajności
nominalnej to należy sie˛ spodziewać, że stosuja˛ c zwykły algorytm Newton–a Raphson–a i
zaczynaja˛ c iteracje od zerowych wartości potencjałów we˛ złowych łatwo znajdziemy punkt
pracy układu. Otrzymany punkt pracy może posłużyć dalej jako punkt pocza˛ tkowy do
obliczania punktu pracy po dalszym powie˛ kszeniu wydajności źródeł. Jeżeli na każdym etapie
tej procedury jesteśmy w stanie znaleźć statyczny punkt pracy to w momencie, gdy źródła
osia˛ gna˛ swoja˛ wydajność nominalna˛ obliczony punkt pracy jest właściwym punktem pracy
układu. Metoda ta nazywana jest metoda˛ parametryzacji źródeł. W istotny sposób polepsza
zbieżność obliczeń statycznego punktu pracy układu i mimo, że w pierwszym naszym
przykładzie zawiodła, Czytelnik w toku dalszego użytkowania programu PSpice przekona sie˛ ,
że w wielu przypadkach oddaje nieocenione usługi.
Rys.15. Obliczanie statycznego punktu pracy bramki TTL. Wygla˛ d ekranu monitora
komputerowego.
2.4. Transmitancje stałopra˛ dowe

Obliczanie statycznego punktu pracy układu i dowolnej charakterystyki stałopra˛ dowej nie
wyczerpuje możliwości analizy stałopra˛ dowej programu PSpice. Możliwe jest bowiem
obliczenie obliczenie dowolnej małosygnałowej transmitancji stałopra˛ dowej.
Transmitancja małosygnałowa Txy od wielkości wejściowej x, która˛ może być wartość
dowolnego wymuszenia w obwodzie, do wielkości wyjściowej y, która˛ może być dowolne
napie˛ cie lub pra˛ d w obwodzie definiowane jest jako pochodna cza˛ stkowa wyjścia y wzgle˛ dem
wejścia x:
(23)
W przypadku obwodu liniowego, w którym x jest jedynym wymuszeniem transmitancja Txy

sprowadza sie˛ do stosunku wielkości wyjściowej y i wielkości wejściowej x. Wartość
transmitancji nie zależy przy tym od wartości wymuszenia x:
(24)
Transmitancja stałopra˛ dowa oznacza transmitancje˛ obliczona˛ w obwodzie, w którym każda

z pojemności jest traktowana jako rozwarcie, natomiast każda z indukcyjności obwodu jest
traktowana jako zwarcie.
2.4.1. Instrukcja .TF — obliczanie transmitancji

Obliczenie transmitancji stałopra˛ dowej zleca sie˛ programowi PSpice za pomoca˛ instrukcji
.TF (ang. transmitance function — transmitancja). Jej postać jest naste˛ puja˛ ca:
.TF _wYjście _wEjście
Przykłady:
.TF V(1,2) VIN
.TF I(VOUT) IIN
.TF V(2) ICNTRL
Wielkość wyjściowa, określona w polu _wYjście, może być:
Dowolne napie˛ cie w obwodzie. Napie˛ cie pomie˛ dzy we˛ złem o numerze _n1 i we˛ złem
o numerze _n2 zapisywane jest naste˛ puja˛ co:
V(_n1,[_n2])
Parametr _n2 jest opcjonalny. Jeżeli nie podamy go zostanie przyje˛ te założenie, że
_n2=0 tzn. drugi we˛ zeł to we˛ zeł masy. W tym przypadku napie˛ cie sprowadza sie˛ do
potencjału we˛ złowego.
Pra˛ d płyna˛ cy przez dowolne
niezależne źródło napie˛ cia. Pra˛ d
taki zapisywany jest naste˛ puja˛ co:
I(v_nazwa)
Parametr v_nazwa oznacza
nazwe˛ SEM, przez która˛ płynie
interesuja˛ cy nas pra˛ d.
Parametr _wEjście w instrukcji .TF
oznacza wielkość steruja˛ ca˛ . Może nia˛
być:
Wartość napie˛ cia wymuszanego
przez dowolne niezależne źródło
napie˛ cia (SEM). W polu _wEj-
ście należy w tym przypadku
podać nazwe˛ źródła napie˛ cia. Rys.16. Wzmacniacz różnicowy.
Wartość pra˛ du wymuszanego
przez dowolne niezależne źródło pra˛ du (SPM). W polu _wEjście należy w tym
przypadku podać nazwe˛ źródła pra˛ du.
Przykład:
Obliczyć wzmocnienie napie˛ ciowe układu wzmacniacza różnicowego z Rys. 16.
Wielkościa˛ wejściowa˛ (steruja˛ ca˛ ) niech be˛ dzie wartość napie˛ cia źródła VIN, natomiast
wielkościa˛ wyjściowa˛ napie˛ cie pomie˛ dzy we˛ złami o numerze 2 i 5. Należy przyja˛ ć, że tran-
zystory powstały w jednym procesie technologicznym.
Poszukiwane wzmocnienie napie˛ ciowe to transmitancja od wymuszenia VIN do napie˛ cia
V(5,2). Aby je obliczyć można posłużyć sie˛ instrukcja˛ .TF. Dane dla programu PSpice
przedstawione sa˛ poniżej.
WZMACNIACZ ROZNICOWY
.MODEL TRANZYSTOR NPN BF=100 ;model mat. tranzystora npn
VCC 1 0 5V ;źródło dodatniego napie˛cia zasilania
VEE 0 6 5V ;źródło ujemnego napie˛cia zasilania
VIN 3 0 ;źródło steruja˛ce
RE 4 6 2.2K ;oporność emiterowa
R1 1 2 2.2K ;oporność kolektorowa
Q1 2 3 4 TRANZYSTOR ;para tranzystorów
Q2 5 0 4 TRANZYSTOR
.TF V(5,2) VIN ;oblicz transmitancje
˛
.END ;koniec danych
Program PSpice oblicza statyczny punkt pracy układu, a naste˛ pnie ża˛ dana˛ transmitancje˛ .
W zbiorze wyjściowym znajdujemy kolejno: opis obwodu, parametry modelu tranzystora,
informacje o statycznym punkcie pracy układu i na koniec potrzebna˛ transmitancje˛ .
Interesuja˛ cy nas fragment tego zbioru pokazany jest poniżej.
**** SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
V(5,2)/VIN = 8.091E+01
INPUT RESISTANCE AT VIN = 5.405E+03 <-- Oporność układu widziana z zacisków źródła VIN
OUTPUT RESISTANCE AT V(5,2) = 4.400E+03 <-- Oporność wyjściowa widziana z zacisków 2 i 5
Obliczone przez program PSpice wzmocnienie napie˛ ciowe układu wynosi 80.91[V/V].
Oprócz tego obliczona została:
Oporność (dynamiczna) układu widziana z zacisków źródła VIN — 5.405kΩ:
Oporność wyjściowa układu widziana z zacisków (we˛ złów) 2 i 5 — 4.4kΩ.
2.4.2. Inny sposób obliczania transmitancji stałopra˛ dowej

Te same rezultaty można otrzymać poste˛ puja˛ c inaczej. W tym celu wykorzystać można
program graficzny Probe (dodatek D). Program ten nie tylko służy do graficznej prezentacji
wyników obliczeń ale także służy do dalszego ich przetwarzania. W szczególności jest w
stanie zróżniczkować (numerycznie) dowolna˛ z wyświetlanych charakterystyk. Zatem
obliczmy charakerystyke˛ statyczna˛ wzmacniacza różnicowego rozważanego w ostatnim
Rys.17. Wzmacniacz różnicowy. a)Napie˛ cie wyjściowe V(5,2) w funkcji napie˛ cia
steruja˛ cego VIN. b)Wzmocnienie napie˛ ciowe w funkcji wysterowania VIN.
przykładzie. Zmienna˛ niezależna˛ niech be˛ dzie wartość siły elektromotorycznej VIN, natomiast
wyjście niech stanowi różnica potencjałów mie˛ dzy we˛ złami 5 i 2 — V(5,2). W zbiorze
danych wejściowych, po opisie struktury wzmacniacza, umieszczamy instrukcje˛ obliczania
charakterystyk stałopra˛ dowych:
.DC VIN -100mV 100mV 1mV
Obliczona charakterystyka przekazana zostanie do programu Probe za pomoca˛ instrukcji
.PROBE:
.PROBE V(5,2)
Za pomoca˛ programu Probe wykreślamy zależność napie˛ cia V(5,2) od wartości napie˛ cia
wymuszaja˛ cego VIN Rys. 17a. Można też wyświetlić pochodna˛ napie˛ cia V(5,2) wzgle˛ dem
VIN jako funkcje˛ wartości wymuszenia VIN9. Wartość tej pochodnej dla VIN=0[V] to
poszukiwane wzmocnienie (transmitancja) układu — Rys. 17b.
9
Wzmacniacz różnicowy jest nieliniowym układem elektronicznym, w zia˛ zku z tym jego
wzmocnienie jest funkcja˛ poziomu wysterowania - VIN.
2.5. Wrażliwości
Obok charakterystyk i transmitancji program PSpice może posłużyć także do obliczania
wrażliwości dla obwodów pra˛ du stałego. Obliczane sa˛ dwa typy wrażliwości.
Wrażliwości bezwzgle˛ dne. Wrażliwościa˛ bezwzgle˛ dna˛ wielkości Y(x,z) na zmiany
parametru x, przy ustalonej wartości parametru z nazywamy pochodna˛ cza˛ stkowa˛
Y(x,z) wzgle˛ dem x.
(25)
Wrażliwości półwzgle˛ dne. Wrażliwościa˛ półwzgle˛ dna˛ wielkości Y(x,z) na zmiany

parametru x, przy ustalonej wartości parametru z nazywamy iloczyn parametru x i
wrażliwości bezwzgle˛ dnej wielkości Y(x,z) na zmiany parametru x, przy ustalonej
wartości parametru z.
(26)
Dane wyjściowe zawieraja˛ wrażliwości półwzgle˛ dne mnożone przez czynnik 0.01. Ułatwia
to posługiwanie sie˛ tolerancjami parametrów układu wyrażonymi w procentach.
2.5.1. Format instrukcji

Format instrukcji .SENS (ang. sensitivity — wrażliwość) powoduja˛ cej, że obliczane sa˛
wrażliwości stałopra˛ dowe jest naste˛ puja˛ cy:
.SENS <l_wYjść>
Przykład:
.SENS V(7) V(7,9) I(VCC)
Instrukcja .SENS powoduje, że obliczone zostana˛ wrażliwości wielkości umieszczonych
na liście <l_wYjść> wzgle˛ dem zmian parametrów wszystkich elementów w obwodzie.
Wielkościa˛ , która może znaleźć sie˛ na liście <l_wYjść> może być potencjał we˛ złowy
(np.V(7)), różnica potencjałów we˛ złowych (np.V(7,9)), pra˛ d płyna˛ cy przez dowolne źródło
napie˛ cia (np. I(VIN)) lub inna wielkość, której przebieg można wykreślić za pomoca˛
instrukcji .PRINT (strona 52). Należy zawsze pamie˛ tać, że w przypadku dużych obwodów
instrukcja .SENS powoduje umieszczenie w zbiorze wyjściowym dużej liczby danych.
2.5.2. Projektowanie przetwornika C/A

Analiza wrażliwościowa może zostać zastosowana wsze˛ dzie tam, gdzie konieczne jest
zoptymalizowanie pewnych własności obwodu. Przedmiotem optymalizacji może być struktura
obwodu, wartość dowolnie wybranej wielkości w obwodzie (w szczególności transmitancji),

koszt wyprodukowania obwodu itp.
Przykład:
Rys.18. Drabinka oporników ośmiobitowego przetwornika C/A.
Na Rys. 18 przedstawiona jest drabinka oporowa, która stanowi podstawowa˛ cze˛ ść 8
bitowego przetwornika cyfrowo–analogowego (C/A). Dwupołożeniowe klucze sterowane sa˛
przez kolejne bity przetwarzanej liczby. Jeżeli cyfra binarna równa jest 0, odpowiedni klucz
jest zwarty do masy. Jeśli cyfra binarna równa jest 1, odpowiedni klucz zwarty jest do źródła
zasilania. Można wykazać, że napie˛ cie na wyjściu układu (mie˛ dzy we˛ złem oznaczonym na
rysunku WY, a masa˛ ) wyraża sie˛ naste˛ puja˛ cym wzorem:
(27)
Liczby K1–K8 przyjmuja˛ wartości 0 lub 1 stosownie do położeń odpowiednich kluczy.

Należy tak dobrać wartość tolerancji poszczególnych oporników aby wartość błe˛ du napie˛ cia
wyjściowego, wynikaja˛ ca z rozrzutu wartości oporności nie przekraczała 1/2 zmiany napie˛ cia
wyjściowego, spowodowanej zmiana˛ na najmniej znacza˛ cej pozycji przetwarzanej liczby
(klucz K8). Należy przyja˛ ć, że wartość oporności R=10[kΩ], natomiast wartość wymuszenia
Vref=9[V].
W celu analizy za pomoca˛ programu PSpice rozważany obwód wygodnie jest doprowadzić
do postaci przedstawionej na Rys. 19. Siły elektromotoryczne V1–V8 moga˛ przyjmować
wartość 0[V] lub 9[V]. Ponieważ obwód jest liniowy napie˛ cie wyjściowe V(9) jest liniowa˛
kombinacja˛ wartości poszczególnych SEM.
(28)
Współczynniki a1–a8 sa˛ uzależnione tylko od wartości oporności R1–R16. Wartości napie˛ ć
V1–V8 zależa˛ natomiast od stanu poszczególnych kluczy (przetwarzanej liczby). Załóżmy,
że tolerancje oporności δRi sa˛ niewielkie:
(29)
gdzie:
δRi tolerancja opornika Ri;
∆Ri bezwzgle˛ dna wartość odchyłki oporności od wartości nominalnej;
Ri wartość nominalna oporności.
Jeżeli rozwina˛ ć zależność Uwy w szereg Taylor–a wokół wartości nominalnych oporności i
odrzucić wyrazy rze˛ du wyższego niż 1 (zakładamy małe tolerancje) to bła˛ d napie˛ cia ∆Uwy
można wyrazić w sposób naste˛ puja˛ cy:
(30)
Moduł prawej strony powyższego równania powinien być nie wie˛ kszy od dopuszczalnego
błe˛ du przetwarzania ∆Uwy. Prowadzi to do nierówności:
(31)
Aby nierówność powyższa zachodziła dla każdej wartości napie˛ cia wyjściowego to wystarczy
aby spełniona była nierówność:
(32)
Jeżeli przyjmiemy, że wpływ każdego z szesnastu oporników drabinki na bła˛ d przetwarzania
powinien być ten sam to wzór na tolerancje˛ poszczególnych oporników jest naste˛ puja˛ cy:
(33)
Pozostaje problem obliczenia, dla każdego opornika osobno, maksymalnej wartości modułu
wrażliwości napie˛ cia wyjściowego wzgle˛ dem jego oporności. Do tego celu można
wykorzystać program PSpice. Zgodnie ze wzorem (28) odpowiednie wrażliwości wyrażaja˛ sie˛
wzorem:
(34)
Składnik o numerze i sumy wyste˛ puja˛ cej po prawej stronie powyższego wzoru jest równy:
Zero, jeśli wartość siły elektromotorycznej Vi=0[V].
Wrażliwości napie˛ cia wyjściowego na zmiany oporności Rk dla Vi=9[V]; Vj=0[V]
przy j≠i.
Wynika sta˛ d, że za pomoca˛ programu PSpice należy obliczyć wrażliwości napie˛ cia
wyjściowego na zmiany wszystkich oporników w naste˛ puja˛ cych ośmiu przypadkach:
V1=9[V],V2=0[V],V3=0[V],V4=0[V],V5=0[V],V6=0[V],V7=0[V],V8=0[V].
Naste˛ pnie dla każdego opornika należy rozważyć wszystkie możliwe kombinacje wartości sił
elektromotorycznych Vi i wybrać te˛ która daje najwie˛ ksza˛ wartość modułu wrażliwości.
Ponieważ dana SEM może mieć tylko wartość 0[V] (brak składnika sumy we wzorze (34))
lub 9[V] (składnik jest uwzgle˛ dniany) to wystarczy zsumować:
wrażliwości o znaku dodatnim;
wrażliwości o znaku ujemnym.
Z utworzonych w ten sposób sum wybieramy te˛ , której wartość bezwzgle˛ dna jest wie˛ ksza.
Wartość bezwzgle˛ dna wybranej sumy to maksymalny moduł wrażliwości napie˛ cia
wyjściowego na zmiany danego opornika.
Poniżej przedstawione sa˛ przykładowe dane dla programu PSpice. Siła elektromotoryczna
V1 przyjmuje wartość 9V natomiast wszystkie pozostałe SEM sa˛ równe zeru. Jedyna˛
instrukcja˛ dla programu PSpice jest instrukcja .SENS polecaja˛ ca obliczenie wrażliwości
potencjału we˛ złowego V(9) na zmiany parametrów wszystkich elementów w obwodzie.
PRZETWORNIK C/A
1
V1 1 0 9V
V2 2 0
V3 3 0
V4 4 0
V5 5 0
V6 6 0
V7 7 0
V8 8 0
R1 9 0 20K
R2 9 1 20K
R3 10 2 20K
R4 11 3 20K
R5 12 4 20K
R6 13 5 20K
R7 14 6 20K
R8 15 7 20K
R9 16 8 10K
R10 9 10 10K Rys.19. Drabinka oporników ośmiobitowego przetwornika C/A. Obwód
R11 10 11 10K
R12 11 12 10K analizowany za pomoca˛ programu PSpice.
R13 12 13 10K
R14 13 14 10K
R15 14 15 10K
R16 15 16 10K
.SENS V(9)
.END
W zbiorze z danymi wyjściowymi, oprócz wartości wrażliwości, znajdujemy obliczone

przez program PSpice, potencjały we˛ złowe. Załóżmy, że przetwarzana liczba zmienia sie˛ na
najmniej znacza˛ cej pozycji. Zmiana napie˛ cia wyjściowego równa jest potencjałowi
we˛ złowemu V(9) (napie˛ cie wyjściowe) w przypadku, gdy klucz K8 jest zwarty do napie˛ cia
odniesienia zaś reszta kluczy zwarta jest do masy. Dopuszczany bła˛ d przetwarzania ∆Uwy jest
równy połowie wspomnianego napie˛ cia. Zatem, zgodnie z obliczeniami, dopuszczalny bła˛ d
∆Uwy=23.5[mV]10. Tablica II zawiera obliczone przez program PSpice wartości wrażliwości
wraz z wartościami tolerancji, obliczonymi zgodnie ze wzorem (33). W ostatniej kolumnie
podano wartości tolerancji poszczególnych oporników zaokra˛ glone do najbliższej wartości w
szeregu tolerancji.
Zwróćmy uwage˛ na naste˛ puja˛ ce fakty, dotycza˛ ce modułów współczynników wrażliwości:
Im dalej od wyjścia położony jest klucz zwarty do źródła napie˛ cia odniesienia, tym
mniejszy jest wpływ każdego z oporników na napie˛ cie wyjściowe.
W sytuacji, gdy do napie˛ cia odniesienia zwarty jest tylko jeden klucz, im dalej od
wyjścia położony jest opornik w strukturze obwodu, tym mniejszy wpływ na napie˛ cie
wyjściowe ma wartość jego oporności.
2.5.3. Analiza Monte Carlo

Przed przysta˛ pieniem do wytwarzania zaprojektowanej drabinki oporowej przetwornika
10
Wartość dopuszczanego przez nas błe˛ du można oczywiście obliczyć "re˛ cznie". Wynosi
ona 1/3 Uref 2-7=23.4375[mV].
Tablica II Wrażliwości drabinki oporowej przetwornika C/A obliczone przez program PSpice.
Nazwa Maksymalny moduł sumy wrażliwości

| Wrażliwości półwzgle˛ dne (wolty/procenty) | Tolerancje[%]
| | | | Tolerancje
| V1=9V V2=9V V3=9V V4=9V V5=9V V6=9V V7=9V V8=9V | | zaokra˛ glone[%]
| | | | |
R1 1.000E-2 5.000E-3 2.500E-3 1.250E-3 6.250E-4 3.125E-4 1.563E-4 1.563E-4 2.000E-2 7.324E-2 0.05
R2 -2.000E-2 5.000E-3 2.500E-3 1.250E-3 6.250E-4 3.125E-4 1.563E-4 1.563E-4 2.000E-2 7.324E-2 0.05
R3 2.500E-3 -1.000E-2 2.500E-3 1.250E-3 6.250E-4 3.125E-4 1.563E-4 1.563E-4 1.000E-2 1.465E-1 0.10
R4 6.250E-4 1.250E-3 -5.000E-3 1.250E-3 6.250E-4 3.125E-4 1.563E-4 1.563E-4 5.000E-3 2.930E-1 0.20
R5 1.563E-4 3.125E-4 6.250E-4 -2.500E-3 6.250E-4 3.125E-4 1.563E-4 1.563E-4 2.500E-3 5.859E-1 0.50
R6 3.906E-5 7.813E-5 1.563E-4 3.125E-4 -1.250E-3 3.125E-4 1.563E-4 1.563E-4 1.250E-3 1.172E+0 1.00
R7 9.766E-6 1.953E-5 3.906E-5 7.813E-5 1.563E-4 -6.250E-4 1.563E-4 1.563E-4 6.250E-4 2.344E+0 2.00
R8 2.441E-6 4.883E-6 9.766E-6 1.953E-5 3.906E-5 7.813E-5 -3.125E-4 1.563E-4 3.125E-4 4.688E+0 2.00
R9 1.221E-6 2.441E-6 4.883E-6 9.766E-6 1.953E-5 3.906E-5 7.813E-5 -1.563E-4 1.563E-4 9.372E+0 5.00
R10 5.000E-3 -5.000E-3 -2.500E-3 -1.250E-3 -6.250E-4 -3.125E-4 -1.563E-4 -1.563E-4 1.000E-2 1.465E-1 0.10
R11 1.250E-3 2.500E-3 -2.500E-3 -1.250E-3 -6.250E-4 -3.125E-4 -1.563E-4 -1.563E-4 5.000E-3 2.930E-1 0.20
R12 3.125E-4 6.250E-4 1.250E-3 -1.250E-3 -6.250E-4 -3.125E-4 -1.563E-4 -1.563E-4 2.500E-3 5.859E-1 0.50
R13 7.813E-5 1.563E-4 3.125E-4 6.250E-4 -6.250E-4 -3.125E-4 -1.563E-4 -1.563E-4 1.250E-3 1.172E+0 1.00
R14 1.953E-5 3.906E-5 7.813E-5 1.563E-4 3.125E-4 -3.125E-4 -1.563E-4 -1.563E-4 6.251E-4 2.343E+0 2.00
R15 4.883E-6 9.766E-6 1.953E-5 3.906E-5 7.813E-5 1.563E-4 -1.563E-4 -1.563E-4 3.126E-4 4.686E+0 2.00
R16 1.221E-6 2.441E-6 4.883E-6 9.766E-6 1.953E-5 3.906E-5 7.813E-5 -1.563E-4 1.563E-4 9.372E+0 5.00
C/A warto sprawdzić poprawność projektu. Bliższa analiza danych dotycza˛ cych wrażliwości
i tolerancji oporników11 wskazuje, że maksymalny bła˛ d napie˛ cia wyjściowego wywołany
niedokładnościa˛ wykonania oporników wyste˛ puje podczas przetwarzania liczby 169.
Odpowiada to sytuacji, w której klucze K1, K3, K5, K8 sa˛ zwarte do źródła napie˛ cia
odniesienia Vref natomiast pozostałe klucze zwarte sa˛ do masy. Dla takiej kombinacji kluczy
wykonamy, za pomoca˛ programu PSpice, analize˛ Monte Carlo. Be˛ dzie ona polegała na tym,
że program PSpice wylosuje automatycznie wartości oporników, tak by mieściły sie˛ w
podanym zakresie tolerancji. Naste˛ pnie dokonana zostanie analiza układu. W zbiorze
wyjściowym znajdzie sie˛ wartość odchylenia napie˛ cia wyjściowego od wartości nominalnej.
Losowanie wartości elementów powtarzane jest przez program PSpice zadana˛ liczbe˛ razy12.
Analiza Monte Carlo zlecana jest programowi PSpice za pomoca˛ naste˛ puja˛ cej instrukcji.
.MC _liczba _rodzaj_analizy _wyjście [YMAX] [LIST] [OUTPUT _typ]
Przykłady:
.MC 50 DC IC(Q7) YMAX LIST
.MC 100 AC V(5) OUTPUT EVERY 10
.MC 10 TRAN V(5) YMAX
11
Napisany został program w C, który na podstawie obliczonych przez program PSpice
wrażliwości i dobranych tolerancji oporników przeanalizował błe˛ dy napie˛ cia wyjściowego
powstaja˛ ce podczas przetwarzania 256 możliwych liczb.
12
W praktyce ograniczeniem jest wielkość pamie˛ ci operacyjnej potrzebna programowi do
posortowania wyników.
Typ analizy, która be˛ dzie powtarzana, określa parametr _rodzaj_analizy. Może on przyja˛ ć
trzy wartości:
DC obliczanie charakterystyk statycznych;
AC małosygnałowa analiza zmiennopra˛ dowa;
TRAN analiza stanów nieustalonych.
Należy pamie˛ tać, że w zbiorze danych wejściowych musi znaleźć sie˛ instrukcja zlecaja˛ ca
wykonanie analizy, której dotyczy analiza Monte Carlo. Liczbe˛ powtórzeń określa parametr
_liczba. Analiza Monte Carlo dotyczyć be˛ dzie wielkości wyjściowej o nazwie określonej
przez parametr _wyjście. Może być nim dowolny potencjał we˛ złowy, różnica potencjałów
we˛ złowych, pra˛ d płyna˛ cy przez dowolne niezależne źródło napie˛ cia lub inna wielkość, tak jak
dopuszcza to instrukcja .PRINT (patrz strona 52). Użycie słowa kluczowego YMAX
powoduje, że w zbiorze wyjściowym umieszczone zostanie tylko najwie˛ ksze odchylenie
wielkości wyjściowej od jej wartości nominalnej. Słowo kluczowe LIST powoduje
umieszczenie w zbiorze wyjściowym, podczas każdej z analiz, aktualnych wartości
zmienianych parametrów obwodu. Słowo kluczowe OUTPUT wraz z parametrem _typ
powoduje, że oprócz wyników pierwszej analizy w zbiorze wyjściowym umieszczone zostana˛
wyniki kolejnych analiz tak jak to określa parametr _typ. Parametr _typ przyjmować może
naste˛ puja˛ ce wartości:
ALL — w zbiorze wyjściowym umieszczone zostana˛ wyniki wszystkich analiz;
FIRST n — w zbiorze wyjściowym umieszczone zostana˛ wyniki pierwszych n analiz;
EVERY n — w zbiorze wyjściowym umieszczone zostana˛ wyniki co n–tej analizy;
RUN <_lista> — w zbiorze wyjściowym umieszczone zostana˛ wyniki analiz o numerach
wyszczególnionych na liście <_lista>.
Tolerancje wartości elementów moga˛ być określone tylko za pomoca˛ deklaracji modelu
.MODEL — po każdym parametrze modelu może wysta˛ pić słowo kluczowe DEV lub LOT.
DEV _tolerancja [%] — deklaruje, że parametr posiada tolerancje˛ o wartości określonej
przez parametr _tolerancja. Jeśli wysta˛ pi za nim znak „ % ” to wartość tolerancji podana
jest w procentach. Wartość parametru zmienia sie˛ niezależnie dla wszystkich elementów
odwołuja˛ cych sie˛ do modelu.
LOT _tolerancja [%] — deklaruje, że parametr posiada tolerancje˛ o wartości określonej
przez parametr _tolerancja. Jeśli wysta˛ pi za nim znak „ % ” to wartość tolerancji podana
jest w procentach. Wartość parametru jest taka sama dla wszystkich elementów
odwołuja˛ cych sie˛ do modelu.
W przypadku naszego przetwornika C/A dane dla programu PSpice, potrzebne dla
wykonania analizy Monte Carlo przedstawione sa˛ poniżej.
PRZETWORNIK C/A - ANALIZA MONTE CARLO

V1 1 0 9V
V2 2 0
V3 3 0 9V
V4 4 0
V5 5 0 9V
V6 6 0
V7 7 0
V8 8 0 9V
.MODEL R005 RES R=1 DEV=0.05%
.MODEL R10 RES R=1 DEV=1%
R1 9 0 R005 20K
R2 9 1 R005 20K
R3 10 2 R01 20K
R4 11 3 R02 20K
R5 12 4 R05 20K
R6 13 5 R10 20K
R7 14 6 R20 20K
R8 15 7 R20 20K
R9 16 8 R50 10K
R10 9 10 R01 10K

R11 10 11 R02 10K
R12 11 12 R05 10K
R13 12 13 R10 10K
R14 13 14 R20 10K
R15 14 15 R20 10K
R16 15 16 R50 10K
.DC V1 9 9 1
.MC 600 DC V(9) YMAX
.END
Zdefiniowano tam siedem modeli oporników13. Sa˛ to oporniki o tolerancji 0.05%, 0.1%,
0.2%, 0.5%, 1.0%, 2.0%, 5.0%. W deklaracji .MODEL nie podaje sie˛ wartości opornika a
jedynie liczbe˛ , przez która˛ zostanie przemnożona wartość oporności podana w linii deklaracji
opornika. Należy przy tym zauważyć, że w deklaracji opornika, która odwołuje sie˛ do modelu
opornika, wartość oporności poprzedzona jest nazwa˛ modelu. Ponieważ analiza Monte Carlo
może dotyczyć tylko analizy DC, AC lub TRAN wykonano analize˛ DC, podczas której
wartość napie˛ cia źródła V1 zmieniała sie˛ od 9[V] do 9[V] z krokiem 1[V], co jest
równoważne obliczeniu statycznego punktu pracy układu. Analiza Monte Carlo dotyczyła
potencjału V(9)=Uwy przy czym liczba powtórzeń wynosiła 600. Dziesie˛ ć najwie˛ kszych
odchyleń napie˛ cia wyjściowego od wartości nominalnej, obliczonych przez program PSpice
i umieszczonych w zbiorze z wynikami, podanych jest poniżej.
W sześciuset próbach nie zauważono błe˛ du napie˛ cia wyjściowego wie˛ kszego niż
4.455[mV], chociaż zgodnie z obliczeniami teoretycznymi najwie˛ kszy możliwy bła˛ d wynosi
około 8.9[mV]. Wyniki otrzymane podczas analizy Monte Carlo były dalej przetwarzane. Na
Rys. 20 przedstawiono uzyskany na tej podstawie histogram modułu błe˛ du napie˛ cia
wyjściowego w przypadku, gdy przetwarzana była liczba 169. Stanowi on pewnego rodzaju
13
Bliższe omówienie modelu opornika znajduje sie˛ w rozdziale 5.
estymate˛ funkcji ge˛ stości prawdopodobień-

stwa błe˛ du przetwarzania. Widać z niego, że
błe˛ dy przetwarzania wynikaja˛ ce z niedos-
konałości oporników praktycznie nie prze-
kraczaja˛ wartości 4.5[mV]. Wynika to sta˛ d,
że kombinacje wartości oporności powo-
duja˛ ce powstawanie maksymalnych błe˛ dów
przetwarzania zdarzaja˛ sie˛ bardzo rzadko.
Jeśli uwzgle˛ dnić ten fakt i dokonać analizy
statystycznej naszego układu okaże sie˛ , że
wszystkie tolerancje moga˛ zostać powie˛ -
kszone aż czterokrotnie! Mimo to błe˛ dy Rys.20. Histogram wyników analizy Monte
przetwarzania wynikaja˛ ce z tolerancji opor- Carlo. Na osi poziomej odłożono moduł błe˛ du
przetwarzania.
ników wie˛ ksze niż 4 4.5[mV]=18[mV]
be˛ da˛ niezwykle rzadkie.
PRZETWORNIK C/A - ANALIZA MONTE CARLO
**** SORTED DEVIATIONS OF V(9) TEMPERATURE = 27.000 DEG C
MONTE CARLO ANALYSIS SUMMARY
*****************************************************************************
RUN MAX DEVIATION
177 4.455E-03 > than nominal at V1 = 9

215 4.294E-03 < than nominal at V1 = 9
Przedstawiony przykład powinien przekonać nas, że za pomoca˛ symulatora można uzyskać
bardzo wiele informacji na temat projektowanego układu bez badań prototypowych. Możliwe
jest nawet przewidywanie statystycznych parametrów procesu produkcyjnego takich jak np.
uzysk produkcyjny. W przypadku układów scalonych jest to jedyna, ekonomicznie rozsa˛ dna,
droga uzyskania istotnych informacji na temat własności przygotowywanego układu, jeszcze
przed rozpocze˛ ciem produkcji.
3. ANALIZA ZMIENNOPRA
˛ DOWA
Programy służa˛ce do symulacji układów elektronicznych najcze˛ściej używane sa˛ w celu

określenia charakterystyki cze˛stotliwościowej układu. Analiza taka na obliczeniu wszystkich
pra˛dów i napie˛ć w układzie, który jest pobudzany wymuszeniami o przebiegu sinusoidalnym.
Analiza przeprowadzana jest przy założeniu, że:
Cze˛stotliwości wszystkich wymuszeń sa˛ jednakowe.
Sygnały w układzie sa˛ na tyle małe, że można pomina˛ć wszystkie efekty nieliniowe.
Nieliniowe charakterystyki elementów zaste˛powane sa˛ charakterystykami liniowymi
aproksymuja˛cymi zachowanie elementu w pobliżu statycznego punktu pracy.
Układ znajduje sie˛ w stanie ustalonym.
Stosuja˛c rachunek symboliczny [17] oblicza sie˛ nie tylko wartości amplitudy pra˛dów i napie˛ć,
ale także ich wzajemne przesunie˛cia fazowe. Z tego typu analiza˛ blisko zwia˛zana jest analiza
szumów. Przez szum rozumiemy chaotycznie generowany sygnał elektryczny. Szumy
towarzysza˛ działaniu każdego układu elektronicznego. Przyczyny powstawania szumów to:
Dyskretny charakter przepływu pra˛du elektrycznego. Ładunek nie przepływa w sposób
cia˛gły lecz przenoszony jest przez elektrony.
Chaotyczne ruchy termiczne elektronów.
Szumy powstaja˛ce w układzie sa˛ zawsze na tyle małe, że można przyja˛ć założenie o
liniowości układu. Źródła szumu opisuje sie˛ przez podanie widma mocy sygnału szumu w
dziedzinie cze˛stotliwości. Używaja˛c charakterystyk cze˛stotliwościowych układu oblicza sie˛
widmo mocy szumów na wyjściu układu oraz widmo mocy szumów sprowadzonych na
wejście układu [14].
3.1. Analiza w dziedzinie cze˛stotliwości

Instrukcja zlecaja˛ca programowi PSpice przeprowadzenie analizy zmiennopra˛dowej może
przyja˛ć jedna˛ z trzech naste˛puja˛cych postaci:
.AC LIN l_punktów _start _stop
.AC OCT l_punktów _start _stop
.AC DEC l_punktów _start _stop
Przykłady:
.AC LIN 100 1 100
46 Analiza zmiennopra˛dowa
.AC OCT 10 1K 16K

.AC DEC 20 1MEGHz 100MEGHz
Cze˛ stotliwość wszystkich źródeł w układzie zmieniana be˛ dzie od wartości _start do
wartości _stop. Zmiany zachodzić moga˛ liniowo lub logarytmicznie w zależności od tego,
które ze słów kluczowych LIN, OCT lub DEC zostanie użyte.
LIN Cze˛ stotliwość źródeł zmieniana jest liniowo. W tym wypadku parametr l_punktów
oznacza całkowita˛ liczbe˛ punktów, które znajda˛ sie˛ na wykresie.
OCT Cze˛ stotliwość źródeł zmieniana jest logarytmicznie co oktawe˛ . Parametr
l_punktów oznacza liczbe˛ punktów wykresu przypadaja˛ ca˛ na każda˛ oktawe˛ .
DEC Cze˛ stotliwość źródeł zmieniana jest logarytmicznie co dekade˛ . Parametr
l_punktów oznacza liczbe˛ punktów wykresu przypadaja˛ ca˛ na każda˛ dekade˛ .
3.1.1. Wymuszenia
Należy teraz przypomnieć to co powiedziano na stronie 9 o deklarowaniu wymuszeń dla
analizy zmiennopra˛ dowej. W przypadku siły elektromotorycznej deklaracja taka powinna
wygla˛ dać naste˛ puja˛ co:
VXXXXXXX n+ n- AC _moduł _faza
W przypadku siły pra˛ domotorycznej jest ona podobna:
IXXXXXXX n+ n- AC _moduł _faza
Przykłady:
I1 1 0 AC 1V
VCER 10 32 DC 5V AC 5V 30 PULSE(0 5)
Słowo kluczowe AC może współistnieć w deklaracji źródła ze słowami kluczowymi DC,
TRAN oraz specyfikacja˛ przebiegu czasowego źródła. Po słowie kluczowym AC naste˛ puje
wartość modułu wymuszenia (w woltach lub amperach), a naste˛ pnie faza (w stopniach). Brak
słowa kluczowego AC powoduje, że program PSpice przyjmuje wartość źródła równa˛ zeru
(AC 0 0). Jeżeli w deklaracji źródła pominie˛ ta zostanie wartość fazy program przyjmie, że
jest równa zeru (np. AC 1V = AC 1V 0).
3.1.2. Modele elementów nieliniowych

Przed przysta˛ pieniem do wykonania zmiennopra˛ dowej analizy małosygnałowej obliczany
jest statyczny punkt pracy układu. Dokonuje sie˛ tego w taki sam sposób, jak w przypadku
instrukcji .OP. Naste˛ pnie tworzy sie˛ liniowy, małosygnałowy model układu. Polega to na
wykonaniu nate˛ puja˛ cych operacji:
Na podstawie obliczonego statycznego punktu pracy układu obliczane sa˛ wartości
pra˛ dów i napie˛ ć dla każdego elementu nieliniowego.
Charakterystyka każdego z elementów nieliniowych jest linearyzowana.
Analiza zmiennopra˛ dowa 47
Usuwane sa˛ z układu wszystkie wymuszenia stałopra˛ dowe.

W ten sposób uzyskuje sie˛
model liniowy, pozba-
wiony wymuszeń stało-
pra˛ dowych. W sposób
poprawny oddaje on za-
chowanie układu pod
wpływem wymuszeń
zmiennopra˛ dowych o
niewielkiej amplitudzie.
Przykład:
Charakterystyka sta-
tyczna diody półprzewod-
nikowej opisywana jest
Rys.21. Linearyzacja charakterystyki diody.
naste˛ puja˛ cym równaniem:
(35)
gdzie:
I pra˛ d płyna˛ cy przez diode˛ ;
U napie˛ cie panuja˛ ce na diodzie;
Is pra˛ d nasycenia diody;
N bezwymiarowy współczynnik emisji;
Ut potencjał termiczny1.
Jeżeli napie˛ cie panuja˛ ce na diodzie zmieni swoja˛ wartość od U0 do U to powoduje to zmiane˛
wartości pra˛ du od I0 do I. Rozwijaja˛ c prawa˛ strone˛ równania (35) w szereg Taylora dla U=U0
i pomijaja˛ c wyrazy rze˛ du wyższego niż jeden (linearyzacja) otrzymujemy (Rys. 21):
(36)
Jeżeli składowe zmienne wymuszeń w układzie maja˛ mała˛ wartość to zmiany napie˛ cia na
diodzie ∆U=U-U0 i pra˛ du płyna˛ cego przez diode˛ ∆I=I-I0 sa˛ małe. Zatem zamiast opisywać
diode˛ charakterystyka˛ nieliniowa˛ (35) można posłużyć sie˛ przybliżeniem liniowym (36).
Równanie (36) opisuje równoległe poła˛ czenie zaste˛ pczej siły pra˛ domotorycznej Iz o wartości:
1
W temperaturze 27°C potencjał termiczny Ut≈26mV.
48 Analiza zmiennopra˛ dowa
(37)
oraz zaste˛ pczej przewodności Gz:
(38)
Analiza zmiennopra˛ dowa dotyczy tylko składowych zmiennych wymuszeń. Siła pra˛ domoto-
ryczna Iz jest zatem w tym modelu zbe˛ dna. W rezultacie liniowy, małosygnałowy model diody
stanowi przewodność Gz dana wzorem (38) — Rys. 22.
Sposób poste˛ powania w
przypadku tworzenia liniowego,
małosygnałowego modelu dla
każdego innego elementu nieli-
niowego jest podobny.
Rys.22. Tworzenie modelu liniowego, małosygnałowego
diody.
3.1.3. Wzmacniacz oporowy

Obliczyć wzmocnienie napie˛ ciowe, oraz impedancje˛ wejściowa˛ układu wzmacniacza
oporowego przedstawionego na Rys. 23. Obliczenia przeprowadzić dla cze˛ stotliwości zmienia-
ja˛ cej sie˛ w przedziale od 100Hz do 100MHz.
Dane potrzebne do obliczeń przedstawione sa˛ poniżej.
ANALIZA WZMACNIACZA
.MODEL BC148 NPN(IS=67.34F XTI=3 EG=1.11 VAF=100 BF=116.1 NE=3.779
+ ISE=32.7N IKF=33.53M XTB=1.5 BR=1.926M NC=2 ISC=0 IKR=0 RC=1.5
+ CJC=4.929P VJC=.75 MJC=.3333 FC=.5 CJE=3.316P VJE=.75
+ MJE=.3333 TR=7.77U TF=107.3P ITF=.4 VTF=10 XTF=2 RB=10)
VCC 1 0 9V ;źródło napie

˛cia zasilania
R1 1 2 145K ;opornik polaryzuja

˛cy baze
˛ tranzystora
R2 2 0 76K ;opornik polaryzuja
˛cy baze
˛ tranzystora
R3 1 3 1.2K ;opornik kolektorowy
R4 4 0 300 ;opornik emiterowy
C1 2 5 47N
Q1 3 2 4 BC148 ;deklaracja tranzystora bipolarnego
VIN 5 0 DC 0 AC 1 ;deklaracja źródła sygnału
.AC DEC 10 100 100MEGHZ ;instrukcja analizy ac

.PRINT AC IR(VIN) II(VIN) ;wyniki w postaci tabeli
.PLOT AC VM(3) VP(3) ;wyniki w postaci wykresu
.PROBE V(5) V(3) I(VIN) ;wyniki przekazane do programu probe
.END ;koniec
Na pocza˛ tku opisu obwodu znajdujemy bardzo szczegółowa˛ deklaracje˛ modelu tranzystora
BC148 zastosowanego w ukła-

dzie. W deklaracji wyste˛ puje
wiele parametrów, tak że nie
mieści sie˛ ona w jednej linii.
Wobec tego kontynuowana jest
w naste˛ pnych liniach. Linia
kontynuacji musi zaczynać sie˛
od znaku „ + ”. Każda dekla-
racja (instrukcja) może zostać
zapisana za pomoca˛ dowolnej
liczby linii kontynuacji.
Szczegółowe omówienie Rys.23. Układ wzmacniacza oporowego.
parametrów modelu tranzystora
odłożymy do rozdziału 6. Tutaj wymienimy tylko najważniejsze spośród tych, które znalazły
sie˛ w przykładzie.
Is pra˛ d nasycenia zła˛ czy tranzystora;
Vaf napie˛ cie Early–ego;
Bf wzmocnienie pra˛ dowe podczas pracy normalnej;
Br wzmocnienie pra˛ dowe podczas pracy inwersyjnej;
Rc rezystancja kolektora;
Cjc pojemność zła˛ cza kolektor–baza przy zerowej polaryzacji;
Vjc potencjał wbudowany zła˛ cza kolektor–baza;
Mjc wykładnik opisuja˛ cy profil domieszkowania zła˛ cza kolektor–baza;
Cje pojemność zła˛ cza emiter–baza przy zerowej polaryzacji;
Vje potencjał wbudowany zła˛ cza emiter–baza;
Mje wykładnik opisuja˛ cy profil domieszkowania zła˛ cza emiter–baza;
Tf czas przelotu podczas pracy normalnej;
Tr czas przelotu podczas pracy inwersyjnej.
Na wejściu układu zadeklarowane zostało źródło napie˛ cia, którego składowa stała (DC)
jest równa zeru, natomiast składowa zmienna (AC) ma amplitude˛ i faze˛ równa˛ zeru. Czy
obliczenia dla tak dużej wartości sygnału zmiennego maja˛ sens? Czy przy tak dużej wartości
napie˛ cia zmiennego nie sa˛ istotne w pracy tranzystora efekty nieliniowe? Przypomnijmy sobie
definicje˛ wzmocnienia napie˛ ciowego dla układu liniowego. Jeżeli źródło napie˛ cia wejściowego
jest w układzie jedynym źródłem napie˛ cia to wzmocnieniem napie˛ ciowym K nazywamy
stosunek napie˛ cia na wyjściu układu Uwy do napie˛ cia na wejściu Uwe:
(39)
Jeżeli wie˛ c przeprowadzimy analize˛ układu dla realnej wartości napie˛ cia wejściowego to
wzmocnienie obliczymy jako stosunek napie˛ cia wyjściowego do wejściowego. Dla układu
liniowego2 wzmocnienie napie˛ ciowe nie jest zależne od wielkości napie˛ cia wejściowego. A
zatem im wie˛ ksze napie˛ cie wejściowe tym wie˛ ksze napie˛ cie wyjściowe. W szczególności
jeżeli Uwe=1[V] to napie˛ cie wyjściowe, co do wartości, równe jest wzmocnieniu układu.
Dzie˛ ki temu można unikna˛ ć dzielenia koniecznego w przypadku, gdy Uwe≠1[V].
Rys.24. Moduł wzmocnienia układu wzmacniacza oporowego.
Na Rys. 24 przedstawiono obliczony przez program PSpice moduł wzmocnienia układu.

Pamie˛ tamy, że kiedy stosujemy rachunek symboliczny napie˛ cia i pra˛ dy w układzie sa˛ liczbami
zespolonymi. Wobec tego wzmocnienie układu jest także liczba˛ zespolona˛ . Program graficzny
PROBE symbol V(3) interpretuje jako moduł potencjału we˛ zła 33. Aby wykreślić faze˛
wzmocnienia, ilustruja˛ ca˛ przesunie˛ cie fazowe mie˛ dzy napie˛ ciem wyjściowym, a wejściowym,
2
Przed analiza˛ AC każdy układ jest linearyzowany!
3
Potencjał we˛ zła 3 jest równy co do wartości wzmocnieniu układu.
należy dodać przyrostek P (ang. phase — faza). W ten sposób uzyskujemy wyrażenie VP(3)
— Rys. 25.
Rys.25. Przesunie˛ cie fazowe wzmocnienia układu wzmacniacza oporowego.
Podobnie jak wzmocnienie rezystancja wejściowa układu jest opisywana liczba˛ zespolona˛
— mówi sie˛ o impedancji wejściowej układu. Cze˛ ść rzeczywista impedancji wejściowej to
rezystancja wejściowa natomiast cze˛ ść urojona impedancji wejściowej to reaktancja
wejściowa. Ponieważ napie˛ cie wejściowe jest równe potencjałowi V(5) to impedancje˛
wejściowa˛ można obliczyć jako stosunek potencjału V(5) do pra˛ du płyna˛ cego przez źródło
VIN ze znakiem minus4. Jeżeli uwzgle˛ dnimy, że potencjał V(5)=1[V] dla wszystkich
cze˛ stotliwości to rezystancje˛ wejściowa˛ Rwe be˛ dzie można obliczyć wg wzoru::
(40)
Podobnie można obliczyć wartość reaktancji wejściowej Xwe :
4
Dodatni pra˛ d płynie od bieguna dodatniego źródła przez źródło do bieguna ujemnego.
(41)
Na Rys. 26 przedstawiono zależność obu wymienionych wielkości od cze˛ stotliwości sygnału.

Skorzystano przy tym z faktu, że cze˛ ść rzeczywista˛ pra˛ du I(VIN) można otrzymać dodaja˛ c
przyrostek R (ang. real part — cze˛ ść rzeczywista) natomiast cze˛ ść urojona˛ przez dodanie
przyrostka I (ang. imaginary part — cze˛ ść urojona).
Rys.26. Rezystancja i reaktancja wejściowa układu wzmacniacza oporowego.
3.1.4. Instrukcje wyprowadzania danych

Zbiór danych wejściowych dla programu PSpice, w którym opisano strukture˛ wzmacniacza
oporowego (strona 48) zawiera dwie instrukcje .PRINT i .PLOT, o których nie było jeszcze
mowy. Służa˛ one do umieszczania wyników obliczeń w zbiorze wyjściowym. Pierwsza z nich
powoduje umieszczenie w zbiorze wyjściowym tabeli, natomiast druga umieszcza tam wykres.
Zbiór z danymi wyjściowymi jest tworzony tak aby mógł być wydrukowany za pomoca˛
drukarki, która pracuje w trybie tekstowym.
Format instrukcji umieszczaja˛ cej w zbiorze wyjściowym wyników w postaci tabeli jest
naste˛ puja˛ cy:
.PRINT _typ <_lista>
Przykłady:
.PRINT DC V(2) I(Vin) V(2,3)
.PRINT AC VM(2) VR(5,6)
.PRINT NOISE INOISE DB(ONOISE)
.PRINT TRAN V(3) V(2,3)
Pole _typ określa, dla której z analiz drukowane be˛ da˛ wyniki. W polu tym moga˛ znaleźć
sie˛ naste˛ puja˛ ce słowa kluczowe:
DC wyprowadzane be˛ da˛ dane dotycza˛ ce analizy charakterystyk statycznych;
AC wyprowadzane be˛ da˛ dane dotycza˛ ce małosygnałowej analizy zmiennopra˛ dowej;
NOISE wyprowadzane be˛ da˛ dane dotycza˛ ce analizy szumów;
TRAN wyprowadzane be˛ da˛ dane dotycza˛ ce analizy stanów nieustalonych.
Po specyfikacji typu analizy naste˛ puje lista wielkości <_lista>, które zostana˛ umieszczone w
zbiorze wyjściowym. W przypadku analiz DC, AC i TRAN na liście tej może sie˛ znaleźć:
V(n1[,n2]) różnica potencjałów mie˛ dzy we˛ złem o numerze n1, a we˛ złem o numerze
n2; jeżeli parametr n2 nie zostanie podany program przyjmie, że chodzi o
we˛ zeł masy;
I(Vxxx) pra˛ d płyna˛ cy przez źródło napie˛ cia o nazwie Vxxx; pra˛ d płynie przez
źródło od bieguna dodatniego przez źródło do bieguna ujemnego.
W przypadku analizy AC za litera˛ V lub I moga˛ znaleźć sie˛ przyrostki, które uściślaja˛
specyfikacje˛ wielkości, które program PSpice powinien wyprowadzić.
R cze˛ ść rzeczywista;
I cze˛ ść urojona;
M moduł wielkości zespolonej;
P faza wielkości zespolonej;
DB moduł wielkości zespolonej wyrażony w decybelach — 20 log10().
W przypadku analizy szumów NOISE na liście wyjściowej moga˛ znaleźć sie˛ naste˛ puja˛ ce
słowa kluczowe:
ONOISE szum całkowity na wyjściu układu (wyjście określone jest w instrukcji
analizy szumów);
INOISE szum odniesiony do źródła na wejściu układu (źródło wejściowe określone
jest w instrukcji analizy szumów);
DB(ONOISE) szum całkowity na wyjściu układu w decybelach — poziom odniesienia
1 [V]/[Hz]1/2;
DB(INOISE) szum, w decybelach, odniesiony do źródła wejściowego — poziom
odniesienia 1 [A]/[Hz]1/2.
W przypadku analizy wzmacniacza oporowego instrukcja .PRINT umieszczona w zbiorze
danych wejściowych zleca programowi PSpice wyprowadzenie cze˛ ści rzeczywistej i cze˛ ści
urojonej pra˛ du płyna˛ cego przez źródło wejściowe VIN. Tabela utworzona przez program
PSpice przedstawiona jest poniżej.
ANALIZA WZMACNIACZA
**** AC ANALYSIS TEMPERATURE = 27.000 DEG C
*****************************************************************************
FREQ IR(Vin) II(Vin)
1.000E+02 -1.191E-05 -2.349E-05

1.259E+02 -1.686E-05 -2.642E-05
1.585E+02 -2.285E-05 -2.844E-05
1.995E+02 -2.945E-05 -2.913E-05
2.512E+02 -3.602E-05 -2.830E-05
3.162E+02 -4.192E-05 -2.617E-05
3.981E+02 -4.675E-05 -2.319E-05
5.012E+02 -5.042E-05 -1.988E-05
6.310E+02 -5.305E-05 -1.663E-05
7.943E+02 -5.485E-05 -1.368E-05
1.000E+03 -5.605E-05 -1.113E-05
1.259E+03 -5.684E-05 -9.002E-06
1.585E+03 -5.734E-05 -7.259E-06
1.995E+03 -5.767E-05 -5.855E-06
2.512E+03 -5.787E-05 -4.738E-06
3.162E+03 -5.800E-05 -3.862E-06
3.981E+03 -5.809E-05 -3.185E-06
5.012E+03 -5.814E-05 -2.675E-06
6.310E+03 -5.817E-05 -2.306E-06
7.943E+03 -5.819E-05 -2.059E-06
1.000E+04 -5.821E-05 -1.921E-06
1.259E+04 -5.822E-05 -1.885E-06
1.585E+04 -5.822E-05 -1.949E-06
1.995E+04 -5.823E-05 -2.117E-06
2.512E+04 -5.823E-05 -2.398E-06
3.162E+04 -5.823E-05 -2.807E-06
3.981E+04 -5.823E-05 -3.365E-06
5.012E+04 -5.823E-05 -4.102E-06
6.310E+04 -5.824E-05 -5.057E-06
7.943E+04 -5.824E-05 -6.282E-06
1.000E+05 -5.824E-05 -7.842E-06
1.259E+05 -5.825E-05 -9.819E-06
1.585E+05 -5.827E-05 -1.232E-05
1.995E+05 -5.829E-05 -1.547E-05
2.512E+05 -5.832E-05 -1.945E-05
3.162E+05 -5.838E-05 -2.447E-05
3.981E+05 -5.847E-05 -3.079E-05
5.012E+05 -5.861E-05 -3.875E-05
6.310E+05 -5.882E-05 -4.877E-05
7.943E+05 -5.917E-05 -6.138E-05
1.000E+06 -5.972E-05 -7.725E-05
1.259E+06 -6.059E-05 -9.723E-05
1.585E+06 -6.198E-05 -1.224E-04
1.995E+06 -6.416E-05 -1.540E-04
2.512E+06 -6.763E-05 -1.936E-04
3.162E+06 -7.310E-05 -2.434E-04
3.981E+06 -8.175E-05 -3.058E-04
5.012E+06 -9.538E-05 -3.837E-04
6.310E+06 -1.168E-04 -4.804E-04
7.943E+06 -1.502E-04 -5.997E-04
1.000E+07 -2.021E-04 -7.449E-04
1.259E+07 -2.816E-04 -9.185E-04
1.585E+07 -4.011E-04 -1.120E-03
1.995E+07 -5.757E-04 -1.342E-03
2.512E+07 -8.207E-04 -1.571E-03
3.162E+07 -1.146E-03 -1.780E-03
3.981E+07 -1.545E-03 -1.933E-03
5.012E+07 -1.995E-03 -1.999E-03
6.310E+07 -2.450E-03 -1.961E-03
7.943E+07 -2.868E-03 -1.829E-03
1.000E+08 -3.215E-03 -1.631E-03
Instrukcja .PLOT, służa˛ ca do tworzenia wykresów, została przewidziana w standardzie

SPICE2 w czasach, gdy drukarki graficzne były niezwykle drogie. Sta˛ d instrukcja ta tworzy
wykresy za pomoca˛ standardowych znaków, które moga˛ być drukowane za pomoca˛ drukarki
wierszowej. Format instrukcji jest naste˛ puja˛ cy:
.PLOT _typ <_lista>
Przykłady:
.PLOT DC V(2) I(Vin) V(2,3)
.PLOT AC VM(2) VI(5,6)
.PLOT NOISE INOISE DB(ONOISE)
.PLOT TRAN V(3) V(2,3) -5,5
Parametr _typ określa rodzaj analizy, której dotyczy instrukcja. Parametr ten przyjmuje
takie same wartości jak w przypadku instrukcji .PRINT (patrz strona 53). Po specyfikacji typu
analizy naste˛ puje lista wielkości<_lista>, które zostana˛ umieszczone na wykresie . Może sie˛
na niej znaleźć co najwyżej 8 wielkości. Za każda˛ z nich można podać najmniejsza˛ i
najwie˛ ksza˛ wartość jaka znajdzie sie˛ na osi odcie˛ tych. Zatem <_lista> składa sie˛ z pól w
postaci:
_nazwa [_max,_min]
Nazwy wielkości, które moga˛ znaleźć sie˛ w polu _nazwa podlegaja˛ tym samym regułom
jakim podlegaja˛ nazwy wielkości, które moga˛ wysta˛ pić w instrukcji .PRINT (patrz strona 53).
Parametr _min określa najmniejsza˛ wartość, która znajdzie sie˛ na osi odcie˛ tych, natomiast
parametr _max oznacza najwie˛ ksza˛ wartość, która znajdzie sie˛ na tej osi. Wartości obu
parametrów dotycza˛ wszystkich wielkości, które wymieniono na lewo od nich. Jeżeli nie
zostana˛ podane wartości _min i _max program wyznaczy je automatycznie. Jeśli zajdzie taka
potrzeba na osi rze˛ dnych znajdzie sie˛ kilka skal.
W przypadku wzmacniacza oporowego, analizowanego w poprzednim podpunkcie,
umieszczenie w zbiorze danych wejściowych instrukcji .PLOT daje wykres modułu i fazy
wzmocnienia przedstawiony poniżej.
ANALIZA WZMACNIACZA
**** AC ANALYSIS TEMPERATURE = 27.000 DEG C
*****************************************************************************
LEGEND:
*: VM(3)
+: VP(3)
FREQ VM(3)
(*)---------- 1.0000E+00 1.0000E+01 1.0000E+02 1.0000E+03 1.0000E+04

(+)---------- -2.0000E+02 -1.0000E+02 0.0000E+00 1.0000E+02 2.0000E+02
_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
1.000E+02 1.709E+00 . * + . . . .
1.259E+02 2.033E+00 . * + . . . .
1.585E+02 2.367E+00 . * + . . . .
1.995E+02 2.687E+00 . * + . . . .
2.512E+02 2.972E+00 . *+ . . . .
3.162E+02 3.206E+00 . X . . . .
3.981E+02 3.386E+00 . +* . . . .
5.012E+02 3.516E+00 . + * . . . .
6.310E+02 3.606E+00 . + * . . . .
7.943E+02 3.667E+00 . + * . . . .
1.000E+03 3.707E+00 . + * . . . .
1.259E+03 3.733E+00 . + * . . . .
1.585E+03 3.749E+00 . + * . . . .
1.995E+03 3.760E+00 . + * . . . .
2.512E+03 3.767E+00 . + * . . . .
3.162E+03 3.771E+00 . + * . . . .
3.981E+03 3.774E+00 . + * . . . .
5.012E+03 3.775E+00 . + * . . . .
6.310E+03 3.776E+00 . + * . . . .
7.943E+03 3.777E+00 . + * . . . .
1.000E+04 3.777E+00 . + * . . . .
1.259E+04 3.778E+00 . + * . . . .
1.585E+04 3.778E+00 . + * . . . .
1.995E+04 3.778E+00 . + * . . . .
2.512E+04 3.778E+00 . + * . . . .
3.162E+04 3.778E+00 . + * . . . .
3.981E+04 3.778E+00 . + * . . . .
5.012E+04 3.778E+00 . + * . . . .
6.310E+04 3.778E+00 . + * . . . .
7.943E+04 3.778E+00 . + * . . . .
1.000E+05 3.778E+00 . * . . . + .
1.259E+05 3.778E+00 . * . . . + .
1.585E+05 3.778E+00 . * . . . + .
1.995E+05 3.778E+00 . * . . . + .
2.512E+05 3.778E+00 . * . . . + .
3.162E+05 3.778E+00 . * . . . + .
3.981E+05 3.778E+00 . * . . . + .
5.012E+05 3.778E+00 . * . . . + .
6.310E+05 3.778E+00 . * . . . + .
7.943E+05 3.778E+00 . * . . . + .
1.000E+06 3.778E+00 . * . . . + .
1.259E+06 3.777E+00 . * . . . + .
1.585E+06 3.777E+00 . * . . . + .
1.995E+06 3.776E+00 . * . . . + .
2.512E+06 3.774E+00 . * . . . + .
3.162E+06 3.772E+00 . * . . . + .
3.981E+06 3.768E+00 . * . . . + .
5.012E+06 3.762E+00 . * . . . + .
6.310E+06 3.753E+00 . * . . . + .
7.943E+06 3.738E+00 . * . . . + .
1.000E+07 3.716E+00 . * . . . + .
1.259E+07 3.681E+00 . * . . . + .
1.585E+07 3.628E+00 . * . . . + .
1.995E+07 3.549E+00 . * . . . + .
2.512E+07 3.435E+00 . * . . . + .
3.162E+07 3.278E+00 . * . . . + .
3.981E+07 3.073E+00 . * . . . + .
5.012E+07 2.826E+00 . * . . . + .
6.310E+07 2.550E+00 . * . . .+ .
7.943E+07 2.269E+00 . * . . + .
1.000E+08 2.004E+00 . * . . + . .
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
Instrukcje .PRINT i .PLOT sa˛ rzadko wykorzystywane w przypadku programu PSpice.

Znacznie cze˛ ściej używa sie˛ instrukcji .PROBE powoduja˛ cej przekazanie wyników obliczeń
do programu graficznego PROBE. Format tej instrukcji jest naste˛ puja˛ cy:
.PROBE <_lista>
Przykłady:
.PROBE I(VII) V(5,2)
.PROBE VDB(5,3)
Wielkości, które zostana˛ przekazane do programu PROBE umieszcza sie˛ na liście

<_lista>. Może sie˛ na niej znaleźć każda wielkość dopuszczalna przez instrukcje˛ .PRINT
(strona 52). W przypadku analizy zmiennopra˛ dowej dopuszczalne jest stosowanie przyrostków
(R,I,M,P,DB). Nie maja˛ one jednak żadnego znaczenia. Ża każdym razem do programu
PROBE przekazane zostana˛ wyniki obliczeń w postaci liczb zespolonych. Natomiast Program
PROBE służy do prezentacji wyników obliczeń w postaci graficznej oraz pozwala na dalsze
Rys.27. Sposób rozcie˛ cia pe˛ tli sprze˛ żenia zwrotnego generatora. A) Obwód elektryczny.
B) Schemat blokowy.
ich przetwarzanie. W szczególności może być obliczona cze˛ ść rzeczywista, cze˛ ść urojona,
moduł i faza przebiegu (patrz dodatek C). Program PROBE wykorzystuje możliwości
graficzne komputera oraz posiadanej drukarki.
3.1.5. Analiza generatora

Możliwości jakie daje program PSpice w zakresie małosygnałowej analizy zmiennopra˛ -
dowej można rozszerzyć o technike˛ umożliwiaja˛ ca˛ skuteczna˛ analize˛ układów generacyjnych.
W modelu generatora należy odszukać źródło sterowane i w tym miejscu przecia˛ ć pe˛ tle˛
sprze˛ żenia zwrotnego5. W przypadku źródła pra˛ du sterowanego napie˛ ciem zabieg ten ilustruje
Rys. 27. Układ jest niestabilny (jest generatorem), jeżeli dla cze˛ stotliwości generacji ω0
transmitancja układu w otwartej pe˛ tli sprze˛ żenia zwrotnego K(i ω) spełnia naste˛ puja˛ cy
warunek:
(42)
Warunek ten wydaje sie˛ intuicyjnie zrozumiały. Generacja naste˛ puje w przypadku, gdy sygnał
po przejściu przez układ znajdzie sie˛ na jego wejściu wzmocniony i w tej samej fazie. Ścisłe
uzasadnienie tego warunku można znaleźć w ksia˛ żkach poświe˛ conych układom automatyki
[34],[12]. Należy zatem dokonać analizy AC układu generatora, w którym rozcie˛ to pe˛ tle˛
sprze˛ żenia zwrotnego i znaleźć cze˛ stotliwość, dla której spełniony jest warunek (42).
Przykład:
Obliczyć cze˛ stotliwość drgań oraz
dobroć układu generatora Collpits–a
przedstawionego na Rys. 28. Układ
wzmacniacza oporowego jest iden-
tyczny jak ten, który przedstawiono w
paragrafie 3.1.3.
Jedynym źródłem sterowanym w
analizowanym układzie, jest źródło
pra˛ du sterowane napie˛ ciem ukryte
Rys.28. Układ generatora Collpits-a.
wewna˛ trz małosygnałowego modelu
tranzystora. Aby rozcia˛ ć pe˛ tle˛ sprze˛ -
żenia zwrotnego należy najpierw odtworzyć ten model. W tym celu za pomoca˛ programu
PSpice obliczymy statyczny punkt pracy układu. Potrzebne w tym celu dane przedstawione
sa˛ poniżej.
ANALIZA GENERATORA - statyczny punkt pracy

.MODEL BC148 NPN(Is=67.34f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=100 Bf=116.1 Ne=3.779
+ Ise=32.7n Ikf=33.53m Xtb=1.5 Br=1.926m Nc=2 Isc=0 Ikr=0 Rc=1.5
+ Cjc=4.929p Vjc=.75 Mjc=.3333 Fc=.5 Cje=3.316p Vje=.75
+ Mje=.3333 Tr=7.77u Tf=107.3p Itf=.4 Vtf=10 Xtf=2 Rb=10)
VCC 1 0 9V ;źródło napie

˛cia zasilania
R1 1 2 145k ;opornik polaryzuja

˛cy baze
˛ tranzystora
R2 2 0 76k ;opornik polaryzuja
˛cy baze
˛ tranzystora
R3 1 3 1.2k ;opornik kolektorowy
R4 4 0 300 ;opornik emiterowy
5
Rozcie˛ cie pe˛ tli sprze˛ żenia zwrotnego w miejscu, gdzie wyste˛ puje źródło sterowane nie
powoduje zmiany warunków, w których układ pracuje.
Q1 3 2 4 BC241 ;deklaracja tranzystora bipolarnego
.OP
.END
Po zakończonej analizie w zbiorze wyjściowym znajdziemy dane dotycza˛ ce małosygnało-

wych parametrów tranzystora.
ANALIZA GENERATORA - statyczny punkt pracy
**** OPERATING POINT INFORMATION TEMPERATURE = 27.000 DEG C
*****************************************************************************
**** BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS
NAME Q1
MODEL BC148
IB 3.70E-05
IC 2.04E-03
VBE 6.25E-01
VBC -5.30E+00
VCE 5.93E+00
BETADC 5.51E+01
GM 7.48E-02
RPI 1.13E+03
RX 1.00E+01
RO 5.16E+04
CBE 1.31E-11
CBC 2.46E-12
CBX 0.00E+00
CJS 0.00E+00
BETAAC 8.48E+01
FT 7.63E+08 Rys.29. Małosygnałowy model tranzystora.
Parametry potrzebne do odtworzenia modelu małosygnałowego tranzystora to:

GM transkonduktancja źródła sterowanego;
RPI oporność wejściowa tranzystora widziana z zacisków baza–emiter (1/y11);
RX oporność obszaru bazy;
RO oporność widziana mie˛ dzy zaciskami kolektora i emitera (1/y22);
CBE pojemność zła˛ czowa baza–emiter;
CBE pojemność zła˛ czowa baza–kolektor.
Schemat elektryczny małosygnałowego modelu tranzystora przedstawiony jest na Rys. 29.
Źródło pra˛ du sterowane jest napie˛ ciem V(40,4). Aby rozcia˛ ć pe˛ tle˛ sprze˛ żenia zwrotnego w
układzie generatora wystarczy wprowadzić dodatkowy we˛ zeł o numerze 5 i spowodować, aby
źródło sterowane było potencjałem V(5). Układ be˛ dzie generował drgania o takiej
cze˛ stotliwości, dla której transmitancja od potencjału V(5) do napie˛ cia V(40,4) be˛ dzie liczba˛
rzeczywista˛ nie mniejsza˛ od jedności. Potrzebna˛ nam transmitancje˛ obliczymy za pomoca˛
programu PSpice. Dane przedstawiono poniżej.
ANALIZA GENERATORA - CZE

˛STOTLIWOŚĆ DRGAŃ
*model małosygnałowy tranzystora

RX 2 40 10 ;oporność obszaru bazy
RPI 40 4 1.13K ;oporność dynamiczna zła
˛cza baza–emiter
RO 3 4 51.6K ;oporność dynamiczna widziana mie
˛dzy kolektorem i emiterem
CBE 40 4 13.1P ;pojemność dynamiczna baza–emiter
CBC 40 3 2.46P ;pojemność dynamiczna baza–kolektor
GM 3 4 5 0 7.48E-2 ;transkonduktancja tranzystora
*reszta wzmacniacza
R1 0 2 145K ;oporniki polaryzuja
˛ce baze
˛
R2 2 0 76K
R4 4 0 300 ;oporność emiterowa
*elementy ustalaja
˛ce cze
˛stotliwość drgań
L1 6 2 10M
C1 6 0 10N
C2 2 0 3N
C3 3 6 100N
*źródło sygnału
RIN 5 0 1MEG ;źródło sygnału
VIN 5 0 AC 1 ;do każdego we
˛zła musza
˛ być doła
˛czone conajmniej dwa elementy
.AC DEC 200 1K 100MEG ;analiza w dziedzinie cze˛stotliwości

.PROBE V(40,4) ;wyniki przekazać do PROBE
.END ;koniec
Do sztucznie utworzonego we˛ zła 5 doła˛ czona jest siła elektromotoryczna VIN o wartości
1[V]. Dodatkowo do we˛ zła 5 doła˛ czona jest oporność RIN. Nie zmienia ona wartości
potencjałów w obwodzie natomiast dzie˛ ki niej we˛ zeł 5 nie jest we˛ złem „wisza˛ cym w
powietrzu” (do każdego we˛ zła musza˛ być doła˛ czone co najmniej dwa elementy — strona 5).
Wzmocnienie układu jest równe co do wartości napie˛ ciu V(40,4).
Sprawdźmy najpierw czy nasz układ może być rzeczywiście generatorem. W tym celu
wykreślamy za pomoca˛ programu PROBE wzmocnienie układu na płaszczyźnie zespolonej
(Rys. 30). Jest to możliwe dzie˛ ki temu, że program PROBE pozwala na opisanie osi poziomej
wykresu za pomoca˛ dowolnego wyrażenia. W szczególności może to być cze˛ ść rzeczywista
napie˛ cia V(40,4)6 (które jest równe wzmocnieniu układu). Jeżeli na osi pionowej be˛ dziemy
odkładać wartości cze˛ ści urojonej napie˛ cia V(40,4) uzyskamy charakterystyke˛ układu na
płaszczyźnie zespolonej. Na Rys. 30 widać, że w punkcie, w którym charakterystyka przecina
półprosta˛ :
Re(s))>0,Im(s))=0
wartość wzmocnienia układu z pewnościa˛ jest wie˛ ksza od jedności. Istnieje zatem
cze˛ stotliwość, dla której spełniony jest warunek (42).
Aby znaleźć cze˛ stotliwość generacji wykreślmy zależność fazy V(40,4) od cze˛ stotliwości
(Rys. 31). Posługuja˛ c sie˛ kursorem, który udoste˛ pnia program PROBE, można odczytać, że
dla cze˛ stotliwości f1=36,31[KHz] faza wzmocnienia wynosi ϕ 1=2.764°natomiast dla
6
Należy pamie˛ tać, że oś pozioma musi być wyskalowana w skali liniowej.
Rys.30. Oś pozioma: cze˛ ść rzeczywista wzmocnienia układu generatora w otwartej pe˛ tli
sprze˛ żenia zwrotnego. Oś pionowa: cze˛ ść urojona˛ wzmocnienia.
cze˛ stotliwości f2=36,73[kHz] faza ϕ2=-0.7481°. Cze˛ stotliwość f0, dla której faza przyjmuje
wartość zero, obliczamy stosuja˛ c metode˛ interpolacji liniowej:
(43)
Ze wzgle˛ du na dokładność obliczeń wynik ten rozsa˛ dnie jest zaokra˛ glić do wartości
f0=36,6[kHz].
Kolejnym zadaniem, które należy wykonać jest obliczenie dobroci generatora. Jest ona
definiowana za pomoca˛ naste˛ puja˛ cego wzoru [35], [25]:
(44)
Wielkość ta opisuje stabilność cze˛ stotliwości generowanych drgań. Ponieważ warunek na

moduł transmitancji K(ω) ma postać nierówności, o stabilności decyduje wrażliwość fazy
transmitancji arg[K(i ω)] na zmiany pulsacji ω. Jeżeli wrażliwość7 ta jest duża to duże
7
Zauważmy, że dobroć generatora jest definiowana podobnie do wrażliwości.
Rys.31. Faza wzmocnienia generatora w otwartej pe˛ tli sprze˛ żenia zwrotnego.
zmiany parametrów układu zostana˛ skompensowane niewielka˛ zmiana˛ cze˛ stotliwości drgań
tak aby warunek fazy został zachowany.
Wielkość wyste˛ puja˛ ca po prawej stronie wzoru (44) może być łatwo wykreślona za
pomoca˛ programu PROBE — Rys. 32. Cze˛ stotliwość jest identyfikowana przez nazwe˛
FREQUENCY (ang.frequency — cze˛ stotliwość). Dobroć generatora odczytana z wykresu (za
pomoca˛ kursora) wynosi około 154[deg] [Hz/Hz].
Przedstawiona technika może być użyteczna w przypadku analizy układu generacyjnego,
którego model jest bardzo skomplikowany, co wyklucza metody „re˛ czne”. W pracy [25], dla
układu generatora pracuja˛ cego w zakresie mikrofal, autor porównał wyniki obliczeń za
pomoca˛ symulatora z wynikami uzyskanymi doświadczalnie. Różnica, nie przekraczała 2%,
tak dla cze˛ stotliwości generacji jak i dla dobroci układu. Świadczy o dużej użyteczności
praktycznej przedstawionej metody.
3.2. Analiza szumów

Moduł programu PSpice przeznaczony do małosygnałowej analizy zmiennopra˛ dowej
przystosowany jest także do analizy szumów. Szumy termiczne generowane sa˛ przez każdy
opornik w układzie. Podobnie szumy termiczne i szumy migotania (1/f) generowane sa˛ przez
Rys.32. Dobroć układu generatora.
każdy przyrza˛ d półprzewodnikowy. Każde ze źródeł szumu opisywane jest ge˛ stościa˛
widmowa˛ mocy sygnału szumu. Poszczególne źródła szumów sa˛ w układzie elektronicznym
nieskorelowane, dzie˛ ki czemu można obliczać wpływ każdego ze źródeł na szum wyjściowy
układu osobno, a naste˛ pnie zsumować poszczególne przyczynki [14]. Program PSpice oblicza,
w podanym przedziale cze˛ stotliwości, ge˛ stość widmowa˛ sygnału szumu na wyjściu układu
wyrażona˛ w [V]/[Hz]½ lub w [A]/[Hz]½, w zależności od charakteru wyjścia (napie˛ ciowe lub
pra˛ dowe). Obliczana jest także ge˛ stość widmowa szumów zredukowana do wejścia układu —
ge˛ stość sygnału szumu na wyjściu podzielona przez moduł odpowiedniej transmitancji układu.
3.2.1. Modele szumowe elementów [24]

Wszystkie modele szumowe elementów doste˛ pne w programie PSpice utworzone sa˛ z
kilku podstawowych elementów. Jest to:
Model szumowy opornika. Składa sie˛ na niego niezależne źródło pra˛ du poła˛ czone
równolegle z opornikiem R. Wartość ge˛ stości widmowej mocy sygnału szumu (Isz,R)2
określa naste˛ puja˛ cy wzór:
(45)
gdzie:
R wartość oporności;
k stała Boltzmanna = 1,38 10-23 [J/K];
T temperatura w skali bezwzgle˛ dnej.
Wzór ten opisuje szumy wynikaja˛ ce z bezładnych ruchów termicznych wykonywanych
przez elektrony wewna˛ trz opornika.
Model szumowy idealnego zła˛ cza p–n. Składa sie˛ z poła˛ czonych równolegle
niezależnego źródła pra˛ du, liniowej przewodności Gz równej wartości przewodności
różniczkowej zła˛ cza Gz=(∂Iz/∂Uz) i liniowej pojemności Cz równej pojemności
różniczkowej zła˛ cza Cz=(∂Qz/∂Uz). Ge˛ stość widmowa mocy sygnału szumu (Isz,z)2
określona jest wzorem:
(46)
gdzie:
Iz statyczny pra˛ d płyna˛ cy przez zła˛ cze;
f cze˛ stotliwość;
KF współczynnik szumów migotania;
AF wykładnik szumów migotania;
q ładunek elementarny = 1,61 10-19 [A s].
Pierwszy składnik we wzorze (46) opisuje szum śrutowy zła˛ cza, którego przyczyna˛
jest ziarnistość ładunku. Drugi składnik opisuje tzw. szum migotania, którego istota
nie została do dzisiaj rozstrzygnie˛ ta.
Model szumowy kanału tranzystora polowego. Składa sie˛ on z poła˛ czonych
równolegle niezależnej siły pra˛ domotorycznej i liniowego źródła pra˛ du sterowanego
pra˛ dem o wartości równej małosygnałowej transkonduktancji tranzystora Gm=∂Ik/∂Ugs.
Ge˛ stość widmowa mocy sygnału szumu (Isz,k)2 określa wzór:
(47)
gdzie:
Ik statyczny pra˛ d płyna˛ cy przez kanał tranzystora FET;
AF wykładnik szumów migotania;
k stała Boltzmanna = 1,38 10-23[J/K];
T temperatura bezwzgle˛ dna.
Powyższy wzór opisuje szumy termiczne w kanale (składnik stały) i szumy migotania
(składnik odwrotnie proporcjonalny do cze˛ stotliwości).
Program PSpice buduje model szumowy rzeczywistego przyrza˛ du wykorzystuja˛ c w tym

celu opisane „modele elementarne”. Model szumowy przyrza˛ du jest ściśle zwia˛ zany z jego
małosygnałowym modelem liniowym. Omówienie szczegółów budowy modelu szumowego
każdego przyrza˛ du z osobna odłożymy jednak do rozdziału 6.
3.2.2. Instrukcja analizy szumów

Składnia instrukcji zlecaja˛ cej programowi PSpice wykonanie analizy szumów jest naste˛ puja˛ ca:
.NOISE _wyjście _źródło _krok
Przykład:
.NOISE V(5) VIN 10
Instrukcja analizy szumów musi być poprzedzona instrukcja˛ analizy zmiennopra˛ dowej .AC
— patrz strona 45. Analiza szumów dokonywana jest w tym samym przedziale cze˛ stotliwości,
w którym dokonywana jest małosygnałowa analiza zmiennopra˛ dowa. Parametr _krok oznacza
co ile punktów na osi cze˛ stotliwości, w stosunku do analizy AC, be˛ dzie wykonywana analiza
szumów. Jeżeli parametr ten zostanie pominie˛ ty lub zostanie mu nadana wartość zero to
obliczenia nie be˛ da˛ wykonywane.
Program PSpice oblicza: Tablica III Parametry tranzystorów układu µA741.
Ge˛ stość widmowa˛ szumów,
wyrażona˛ w [V]/[Hz]½, na NPN PNP Jednostki
wyjściu napie˛ ciowym układu,
które określone jest przez BF 80 10 -
parametr _wyjście. BR 1 1 -
Ge˛ stość widmowa˛ szumów, IS 10-14 10-14 [A]
½
wyrażona˛ w [V]/[Hz] lub w
RB 100 20 [Ω]
[A]/[Hz]½, zredukowana˛ do
VA 50 50 [V]
wejścia układu; przez wejście
układu rozumie sie˛ niezależne TF 0.3 0.3 [ns]
źródło napie˛ cia lub pra˛ du, TR 6.0 20.0 [ns]
którego nazwa określona jest CCS 2.0 0 [pF]
przez parametr _źródło.
CJE 3.0 6.0 [pF]
Sposób wyprowadzania wyników
CJC 2.0 4.0 [pF]
analizy szumowej za pomoca˛ instruk-
cji .PRINT i .PLOT został przedsta- KF 6.6 10-16 3 10-12 [A](1-AF)/[s]
wiony, przy okazji prezentacji tych AF 1 1.5 -
instrukcji (patrz strony 52, 55). W
przypadku stosowania instrukcji
.PROBE, wielkości, które można
wyprowadzić to:
V(ONOISE) ge˛ stość widmowa napie˛ cia szumów na wyjściu układu;
V(INOISE) ge˛ stość widmowa napie˛ cia szumów zredukowana do wejścia układu w
przypadku, gdy na wejściu układu znajduje sie˛ źródło napie˛ cia;
I(INOISE) ge˛ stość widmowa pra˛ du szumów zredukowana do wejścia układu w
przypadku, gdy na wejściu znajduje sie˛ źródło pra˛ du.
Program PROBE, do którego przekazywane sa˛ te dane, pozwala dalej na obliczenie np. całki
z funkcji ge˛ stości napie˛ cia szumów. Daje to w rezultacie funkcje˛ obrazuja˛ ca˛ całkowite
napie˛ cie szumów na układu jako funkcje˛ cze˛ stotliwości górnej przedziału cze˛ stotliwości.
3.2.3. Szumy wtórnika napie˛ cia — instrukcje .INC, .SUBCKT, .ENDS

Dany jest układ wtórnika napie˛ ciowego przedstawiony na Rys. 33. Wtórnik zbudowano
w oparciu o wzmacniacz operacyjny µA741. Przyjmijmy, że schemat elektryczny układu
µA741 jest taki sam jak w podre˛ czniku W.Marciniaka [20] — Rys. 34. Tablica III zawiera
wartości parametrów tranzystorów bipolarnych [24], które należy przyja˛ ć do obliczeń.
Obliczyć ge˛ stość widmowa˛ napie˛ cia szumów na wyjściu układu.
Obliczyć całkowite napie˛ cie szumów na wyjściu układu jako funkcje˛ maksymalnej
cze˛ stotliwości. Przyja˛ ć, że przedział cze˛ stotliwości rozcia˛ ga sie˛ od 20Hz do 2MHz.
Obliczyć ge˛ stość widmowa˛ szumów napie˛ ciowych i pra˛ dowych zredukowanych do
wejścia układu.
Dane dla programu PSpice niezbe˛ dne do przeprowadzenia obliczeń sa˛ przedstawione
poniżej.
ANALIZA SZUMÓW UKŁADU UA741

*szumy napie
˛ciowe
.INC UA741.CIR
VCC+ 4 0 15V
VCC- 5 0 -15V
R2 2 3 1K
XOPAMP 1 2 4 5 3 UA741N
RIN 7 1 1K
VIN 7 0 AC 1 0
.AC DEC 20 20 2MEG

.NOISE V(3) VIN
.PROBE
.END
ANALIZA SZUMÓW UKŁADU UA741
*szumy pra
˛dowe
.INC UA741.CIR
VCC+ 4 0 15V
VCC- 5 0 -15V Rys.33. Wtórnik napie˛ ciowy.
R2 2 3 1K
XOPAMP 1 2 4 5 3 UA741N
RIN 7 1 1K
IIN 7 0 AC 1
.AC DEC 20 20 2MEG

.NOISE V(3) IIN
.PROBE
.END
Schemat elektryczny wzmacniacza operacyjnego µA741 zadeklarowany został w odre˛ bnym

zbiorze i doła˛ czony za pomoca˛ instrukcji .INC (ang. include — doła˛ cz). Postać ogólna tej ins-
trukcji jest naste˛ puja˛ ca:
.INC nazwa_zbioru
Przykład:
.INC ..\LIB\OBWOD.MOJ
Po natrafieniu na te˛ instrukcje˛ program PSpice doła˛ cza do zbioru danych wejściowych,
w miejsce instrukcji .INC, zawartość zbioru tekstowego, którego nazwa określona jest przez
parametr nazwa_zbioru. W zbiorze tym moga˛ sie˛ znaleźć dowolne deklaracje i instrukcje
akceptowane przez program PSpice. W szczególności, może sie˛ tam znaleźć kolejna instrukcja
.INC. Nazwe˛ doła˛ czanego zbioru można poprzedzić pełna˛ ścieżka˛ doste˛ pu. Instrukcja .INC
doste˛ pna jest tylko w najnowszych wersjach programu PSpice.
W naszym przypadku doła˛ czany zbiór o nazwie UA741.CIR znajdował sie˛ w tej samej
kartotece, w której znajdował sie˛ zbiór zawieraja˛ cy dane wejściowe. Zawartość doła˛ czanego
zbioru pokazana jest poniżej.
* OUT
* UCC- |
* UCC+ | |
* IN- | | |
* IN+ | | | |
* | | | | |
.SUBCKT UA741N 4 5 1 14 24
R1 13 14 1K
R2 12 14 1K
R3 11 14 50K
R4 16 14 5K
R5 17 15 39K
R6 18 19 4.5K
R7 19 20 7.5K
R8 25 24 25
R9 24 23 50
R10 22 14 50
R11 21 14 50K
C1 18 9 30P
Q1 3 4 6 TNPN
Q2 3 5 7 TNPN
Q3 10 8 6 TPNP
Q4 9 8 7 TPNP
Q5 10 11 13 TNPN
Q6 9 11 12 TNPN
Q7 1 10 11 TNPN
Q8 3 3 1 TPNP
Q9 8 3 1 TPNP
Q10 8 15 16 TNPN
Q11 15 15 14 TNPN
Q12 17 17 1 TPNP
Q13 18 17 1 TPNP
Q14 1 18 25 TNPN
Q15 18 25 24 TNPN
Q16 20 9 21 TNPN
Q17 20 21 22 TNPN Rys.34. Schemat elektryczny wzmacniacza operacyjnego µA741.
Q18 18 19 20 TNPN
Q19 14 20 23 TPNP
Q20 9 22 14 TNPN
.MODEL TNPN NPN BF=80 BR=1 IS=1.0E-14 RB=100 VA=50 TF=0.3N TR=6.0N
+ CCS=2.0P CJE=3.0P CJC=2.0P KF=6.6E-16 AF=1
.MODEL TPNP PNP BF=10 BR=1 IS=1E-14 RB=20 VA=50 TF=0.3N TR=20.0N
+ CCS=0.0P CJE=6.0P CJC=4.0P KF=3.06E-12 AF=1.5
.ENDS
Deklaracja struktury wzmacniacza operacyjnego zamknie˛ ta została w postaci podobwodu. Wy-

korzystano w tym celu instrukcje˛ .SUBCKT (ang. subcircuit — podobwód). Składnia tej
instrukcji jest naste˛ puja˛ ca:
.SUBCKT _nazwa _n1 [_n2 _n3 ...]
Przykład:
.SUBCKT LM311 1 2 3 4
Instrukcja .SUBCKT rozpoczyna deklaracje˛ struktury podobwodu (wielobiegunnika).
Nazwa podobwodu określona jest przez parametr _nazwa. Numery we˛ złów wewne˛ trznych
udoste˛ pnianych na zewna˛ trz podobwodu to _n1, _n2, _n3, ... . Linie naste˛ puja˛ ce po instrukcji
.SUBCKT zawierać powinny instrukcje i deklaracje definiuja˛ ce strukture˛ podobwodu.
Zabronione jest używanie w tym miejscu instrukcji steruja˛ cych analiza˛ obwodu. Dozwolone
jest natomiast zdefiniowanie kolejnego podobwodu, wywołanie istnieja˛ cego już podobwodu,
zadeklarowanie i wywołanie modelu przyrza˛ du półprzewodnikowego lub elementu pasywnego.
Należy przy tym podkreślić, że wszelkie nazwy definiowane wewna˛ trz podobwodu maja˛
znaczenie lokalne tzn. nie sa˛ rozpoznawane przez program PSpice na zewna˛ trz podobwodu.
Dotyczy to także we˛ złów, których numery maja˛ w przypadku podobwodu znaczenie lokalne
z wyja˛ tkiem we˛ zła masy, którego numer (0) ma zawsze znaczenie globalne. Deklaracja
struktury podobwodu kończy sie˛ instrukcja˛ .ENDS (ang. end of subcircuit — koniec
podobwodu). Składnia tej instrukcji jest naste˛ puja˛ ca:
.ENDS [_nazwa]
Przykład:
.ENDS LM311
Instrukcja .ENDS informuje program PSpice, że została zakończona definicja struktury
podobwodu o nazwie określonej przez parametr _nazwa. Jeżeli parametr ten zostanie
pominie˛ ty to zakończone zostana˛ wszystkie rozpocze˛ te definicje struktury podobwodu. W
praktyce parametr _nazwa podawany jest tylko w przypadku zagnieżdżania sie˛ definicji
podobwodów.
Zdefiniowana˛ strukture˛ podobwodu wywołać można posługuja˛ c sie˛ quasi–elementem,
którego nazwa zaczyna sie˛ od litery X.
Xyyyyyyy _n1 [_n2 _n3 ...] _nazwa
Przykład:
XOPA1 4 12 6 7 9 LM311
Rys.35. Ge˛ stość widmowa napie˛ cia szumów na wyjściu układu wtórnika (A) i całkowite
napie˛ cie szumów wyjściowych (B).
Parametry _n1, _n2, _n3 określaja˛ numery we˛ złów obwodu, w które wpie˛ ty zostanie
podobwód. Nazwa wpinanej struktury określona jest przez parametr _nazwa. Należy zwrócić
przy tym uwage˛ , że dozwolone sa˛ odwołania w przód. Oznacza to, że w strukture˛ obwodu
można wpia˛ ć podobwód, którego struktura zdefiniowana zostanie dopiero w późniejszej
kolejności.
W tej chwili znamy już składnie˛ wszystkich instrukcji i deklaracji użytych do zdefiniowa-
nia struktury wtórnika z Rys. 33. Należy zwrócić uwage˛ , że w zbiorze danych wejściowych
znalazł sie˛ opis dwóch obwodów. Pierwszy z nich pozwala na obliczenie ge˛ stości widmowej
napie˛ cia szumów na wyjściu układu oraz ge˛ stość widmowa˛ napie˛ cia szumów zredukowana˛
do wejścia (źródło VIN). W drugim obwodzie niezależne źródło napie˛ cia wpie˛ te na wejściu
oryginalnego obwodu zasta˛ pione zostało przez źródło pra˛ du IIN. W ten sposób w wyniku
analizy szumów otrzymać można ge˛ stość widmowa˛ pra˛ du szumów zredukowana˛ do wejścia
układu (IIN). Umieszczenie deklaracji obu obwodów w jednym zbiorze wejściowym
pozwoliło na wyświetlenie, za pomoca˛ programu PROBE, ge˛ stości widmowej napie˛ cia i pra˛ du
szumów zredukowanych do wejścia na jednym wspólnym wykresie Rys. 36.
Obliczenie całkowitego napie˛ cia szumów na wyjściu układu wymaga scałkowania ge˛ stości
widmowej napie˛ cia szumów na wyjściu Rys. 35a. Można sie˛ posłużyć w tym celu funkcja˛ s()
Rys.36. Ge˛ stość widmowa napie˛ cia i pra˛ du szumów na wejściu układu wtórnika.
doste˛ pna˛ w programie PROBE. Jest ona określona wzorem:

(48)
gdzie:
x zmienna opisuja˛ ca oś na wykresie pozioma˛ ;
w(x) dowolne akceptowane przez program Probe wyrażenie (patrz strona 217).
Wykres obrazuja˛ cy całkowite napie˛ cie wyjściowe szumów jako funkcje˛ maksymalnej
rozważanej cze˛ stotliwości (minimalna cze˛ stotliwość wynosi 20Hz) przedstawia Rys. 35b. Na
tym samym wykresie przedstawiono funkcje˛ ge˛ stości napie˛ cia szumów wyjściowych. Dla
niskich cze˛ stotliwości widoczny jest wyraźnie składnik 1/f (szumy migotania). Dla
cze˛ stotliwości wysokich zmniejszenie ge˛ stości widmowej szumów zwia˛ zane jest ze
zmniejszeniem wzmocnienia układu poniżej wartości 1.0 — należy sie˛ spodziewać, że
obserwowane szumy powstaja˛ głównie w pobliżu wejścia wzmacniacza operacyjnego i
wzmacniane sa˛ podobnie jak sygnał wejściowy układu.
4. ANALIZA STANÓW
NIEUSTALONYCH
Podczas analizy stanów nieustalonych obliczana jest odpowiedź czasowa układu w

zadanym przedziale <0,T>. W programie PSpice przyje˛to arbitralnie, że obliczenia zaczynaja˛
sie˛ w chwili t=0[s]. Symulator wybiera w przedziale <0,T> chwile czasu {0,t1,t2,...,tn=T} ,dla
których równania różniczkowe zwyczajne, opisuja˛ce obwód, przybliżane sa˛ przez nieliniowe
równania różnicowe. Rozwia˛zanie równań różnicowych dla chwil {0,t1,t2,...,tn=T} sprowadza
sie˛ do rozwia˛zania cia˛gu równań algebraicznych (nieliniowych). Te ostatnie rozwia˛zuje sie˛
dokładnie tak samo jak stałopra˛dowe równania obwodu podczas analizy .DC. Uzyskane
rozwia˛zanie stanowi przybliżenie dokładnego rozwia˛zania równań różniczkowych w chwilach
{0,t1,t2,...,tn=T}. Bła˛d przybliżenia w wybranej chwili czasowej nazywany jest błe˛dem
obcie˛cia. Algorytm wybieraja˛cy chwile czasu {0,t1,t2,...,tn=T}, a naste˛pnie całkuja˛cy równania
obwodu (znajduja˛cy przybliżone rozwia˛zanie równań różniczkowych) skonstruowany jest tak
aby:
Przewidywany bła˛d obcie˛cia w każdym kroku algorytmu pozostawał na akceptowanym
poziomie.
Całkowity czas obliczeń był jak najmniejszy. Poszczególne kroki czasowe hn=tn-tn-1
powinny być jak najwie˛ksze.
Obliczenia nie uległy destabilizacji. Objawia sie˛ to lawinowym narastaniem błe˛dów
całkowania, pojawieniem sie˛ w rozwia˛zaniu składowych okresowych a w rezultacie
całkowitym zafałszowaniem przebiegu.
Uwzgle˛dnienie tych postulatów powoduje, że obliczone przez program PSpice przebiegi
czasowe sa˛ próbkowane nierównomiernie — bardzo ge˛sto tam, gdzie przebieg zmienia sie˛
szybko (małe stałe czasowe) i rzadko tam, gdzie przebieg zmienia sie˛ wolno (duże stałe
czasowe lub stany ustalone). Warunki pocza˛tkowe panuja˛ce na elementach dynamicznych
obwodu obliczane sa˛ przy założeniu, że przed chwila˛ t=0 w układzie panował stan ustalony.
Można je także narzucić w sposób arbitralny używaja˛c w tym celu deklaracji .IC (ang. inititial
conditions — warunki pocza˛tkowe).
72 Analiza stanów nieustalonych
4.1. Instrukcja analizy stanów nieustalonych

Składnia instrukcji zlecaja˛ cej programowi PSpice przeprowadzenie analizy stanów
nieustalonych jest naste˛ puja˛ ca:
.TRAN _krok _stop [_start [_tmax]] [UIC]
Przykłady:
.TRAN 1NS 100NS
.TRAN 1NS 1000NS 500NS
.TRAN 10NS 100US 50US 5NS UIC
Analiza przeprowadzana jest w przedziale czasu <0,_stop>, natomiast wyniki wyświetlane
sa˛ w przedziale <_start,_stop>. Wartość parametru _start nie może być przy tym mniejsza
niż zero. Jeśli parametr _start zostanie pominie˛ ty, program PSpice przyjmuje dla niego
wartość zero. Wyniki wyprowadzane sa˛ za pomoca˛ instrukcji .PRINT i instrukcji .PLOT z
krokiem czasowym określonym przez parametr _krok. Wartość tego parametru nie może być
ujemna. Parametr _tmax określa natomiast maksymalna˛ wartość kroku w procesie całkowania
równań układu. Zmieniaja˛ c wartość tego parametru można w pewnym stopniu wpływać na
proces całkowania. Użycie słowa kluczowego UIC powoduje, że program PSpice nie oblicza
warunków pocza˛ tkowych na elementach dynamicznych lecz przyjmuje je tak, jak określa je
deklaracja .IC lub tak, jak podano po słowie kluczowym IC= w deklaracjach elementów
dynamicznych. Przy braku słowa kluczowego UIC warunki pocza˛ tkowe obliczane sa˛ przy
założeniu, że wcześniej panował w układzie stan ustalony.
Deklaracja .IC (ang. inititial conditions — warunki pocza˛ tkowe) określa warunki
pocza˛ tkowe panuja˛ ce na elementach dynamicznych w obwodzie. Jej składnia jest naste˛ puja˛ ca:
.IC V(n_w1)=_war1 V(n_w2)=_war2 ...
Przykład:
.IC V(1)=0V V(2)=2.1V V(5)=11.69V
Interpretacja deklaracji przez program PSpice zmienia sie˛ w zależności od tego czy w
instrukcji .TRAN pojawiło sie˛ słowo kluczowe UIC, czy też nie.
Jeżeli w instrukcji .TRAN pojawiło sie˛ słowo kluczowe UIC, to wyszczególnione w
deklaracji .IC wartości potencjałów we˛ złowych zostana˛ użyte do obliczenia warunków
pocza˛ tkowych panuja˛ cych na kondensatorach, cewkach, pojemnościach diod itd.
Należy przy tym zwrócić uwage˛ , że deklaracja .IC ma „mniejszy priorytet” niż słowo
kluczowe IC= pojawiaja˛ ce sie˛ w deklaracjach poszczególnych elementów dynamicz-
nych. Program PSpice przed przysta˛ pieniem do analizy stanów nieustalonych nie
oblicza statycznego punktu pracy układu (stanu ustalonego).
Jeżeli w instrukcji .TRAN nie pojawiło sie˛ słowo kluczowe UIC, to program PSpice
oblicza warunki pocza˛ tkowe na elementach dynamicznych zakładaja˛ c, że w układzie
panuje stan ustalony i wartości potencjałów we˛ złowych podane w deklaracji .IC sa˛
Analiza stanów nieustalonych 73
ustalone.
Nie należy mylić deklaracji .NODESET (strona 27) z deklaracja˛ .IC. Deklaracja
.NODESET jest używana podczas obliczania statycznego punktu pracy układu. Pomaga ona
w sytuacji, gdy trudno jest uzyskać zbieżność obliczeń1. W przeciwieństwie do deklaracji .IC
deklaracja .NODESET nie zmienia rozwia˛ zania.
4.1.1. Wymuszenia
Sposób deklarowania w strukturze obwodu wymuszeń przedstawiony został już na stronie
9. Nie przedstawiono tam jednak sposobu deklarowania przebiegu czasowego wartości
wymuszenia. W programie PSpice przewidziano, że wymuszenie może zmieniać sie˛ w sposób
skokowy, sinusoidalny, ekspotencjalny, może być sinusoida˛ o modulowanej cze˛ stotliwości lub
przebiegiem odcinkowo–liniowym. Deklaracja przebiegu czasowego wymuszenia ma postać
pola wyste˛ puja˛ cego na końcu linii deklaracji omówionej na stronie 9. Przedstawiono to
poniżej:
VXXXXXXX n+ n- [_parametry_DC/AC] [_przebieg_czasowy]
IXXXXXXX n+ n- [_parametry_DC/AC] [_przebieg_czasowy]
W polu _przebieg_czasowy moga˛ znaleźć sie˛ deklaracje wymienione poniżej.
Impuls
PULSE( _v1 _v2 _tn _to _tt _TT)
Tablica IV Parametry przebiegu impulsowego (PULSE).
Parametr Komentarz Wartość Jednostki

domyślna
_v1 pocza˛ tkowa wartość wymuszenia - [V],[A]

_v2 wartość wymuszenia "po skoku" - [V],[A]
_tz czas zwłoki do zbocza narastaja˛ cego 0.0 [s]
_tn czas narastania TSTEP [s]
_to czas opadania TSTEP [s]
_długość czas trwania impulsu TSTOP [s]
_okres okres z jakim impuls jest powtarzany TSTOP [s]
Przykład:
IIN 3 0 PULSE(-0.1 0.1 2NS 2NS 2NS 50NS 100NS)
1
Punkt pocza˛ tkowy iteracji można ustalić bliżej właściwego rozwia˛ zania tak, że algorytm
Newtona-Raphsona staje sie˛ zbieżny.
Rys.37. Przebieg impulsowy (typu PULSE).
Tablica IV określa znaczenie poszczególnych parametrów w deklaracji. Słowo TSTEP

oznacza aktualna˛ wartość kroku czasowego z jakim całkowane sa˛ równania obwodu. Słowo
TSTOP to całkowity czas symulacji. Przebieg czasowy sygnału ilustruje Rys. 37.
Tablica V Parametry przebiegu czasowego typu SIN.
Parametr Komentarz Wartość domyślna Jednostki
_vn wartość "niezrównoważenia" - [V],[A]

_va amplituda - [V],[A]
_freq cze˛ stotliwość sinusoidy 1/TSTOP [Hz]
_tz czas zwłoki 0.0 [s]
_tłumienie tłumienie przebiegu 0.0 [1/s]
Sinusoida
SIN( _vn _va _freq _tz _tau)
Przykład:
VIN 3 0 DC 1V SIN(1 1 100MEG 1NS 1E10)
Rys.38. Przebieg czasowy typu SIN.
Tablica V podaje znaczenie poszczególnych parametrów deklaracji. Przebieg czasowy

wymuszenia ilustruje Rys. 38. Jeżeli wartość parametru _tau zadeklarowana zostanie równa
zeru to przebieg czasowy jest „czysta˛ ”, nietłumiona˛ sinusoida˛ .
Eksponenta
EXP( _v1 _v2 _tz1 _tau1 _tz2 _tau2)
Tablica VI Parametry przebiegu typu EXP.
_v1 wartość pocza˛ tkowa - [V],[A]

_v2 wartość "po skoku" - [V],[A]
_tz1 czas zwłoki do zbocza narastaja˛ cego 0.0 [s]
_tau1 stała czasowa zbocza narastaja˛ cego TSTEP [s]
_tz2 czas zwłoki do zbocza opadaja˛ cego _tz1+TSTEP [s]
_tau2 stała czasowa zbocza opadaja˛ cego TSTEP [s]
Przykład:
VIN 2 34 DC 1V AC 1 EXP(1 4 2NS 30NS 60NS 40NS)
Rys.39. Przebieg czasowy typu EXP.
Tablica VI podaje znaczenie poszczególnych parametrów deklaracji. Przebieg czasowy

wymuszenia ilustruje Rys. 39. Aby opisać go analityczne zdefiniujmy najpierw funkcje˛
pomocnicza˛ e1(x,τ):
(49)
Jest to funkcja równa zeru dla x<0 i narastaja˛ ca ekspotencjalnie od wartości 0 do wartości 1
ze stała˛ czasowa˛ τ dla x>0. Przebieg typu EXP zrealizowany w programie PSpice można
teraz zapisać naste˛ puja˛ co:
(50)
gdzie t oznacza czas.

Sinusoida o modulowanej cze˛ stotliwości
SFFM( _vn _va _fn _im _fs)
Przykład:
IIN 2 3 SFFM(0 1M 20K 5 1K)

Tablica VII określa znaczenie parametrów deklaracji. Przebieg czasowy sygnału opisuje
wzór:
(51)
gdzie t oznacza czas.

Tablica VII Parametry przebiegu typu SFFM.
_vn niezrównoważenie - [V],[A]

_va amplituda sygnału nośnego - [V],[A]
_fn cze˛ stotliwość sygnału nośnego 1/TSTOP [Hz]
_im indeks modulacji - [-]
_fs cze˛ stotliwość sygnału moduluja˛ cego 1/TSTOP [Hz]
Przebieg odcinkowo–liniowy
PWL( _t1 _w1 [ _t2 _w2 ... ])
Przykład:
VCLOCK 2 3 PWL(0NS -7 10NS -7 11NS -3 17NS -3 18NS -7 50NS -7)
Para wartości (_ti,_wi) umieszczona jako argument po słowie kluczowym PWL oznacza, że
dla chwili t=_ti wymuszenie ma wartość _wi (w amperach lub woltach). Par takich można
umieścić w deklaracji przebiegu odcinkowo–liniowego dowolna˛ liczbe˛ . Wartości przebiegu
dla chwil czasowych leża˛ cych mie˛ dzy wartościami _t1, _t2, ... oblicza sie˛ za pomoca˛
interpolacji liniowej.
4.1.2. Klucze
Elementami, które pojawiaja˛ sie˛ praktycznie tylko podczas analizy stanów nieustalonych
sa˛ klucze. Program PSpice dopuszcza stosowanie dwóch typów kluczy tj. klucza sterowanego
napie˛ ciem i klucza sterowanego pra˛ dem. Deklaracja klucza sterowanego napie˛ ciem w
strukturze obwodu ma postać:
SXXXXXXX n1+ n1- n2+ n2- _n_modelu
Podobnie, deklaracja klucza sterowanego pra˛ dem w strukturze obwodu ma postać:
WXXXXXXX n1+ n1- _nazwa_SEM _n_modelu
Przykłady:
SRESET 3 4 15 8 RELAY
W12 3 7 VCI WMOD

Klucz wpie˛ ty jest mie˛ dzy we˛ zły, których numery określone sa˛ przez parametry n1+ i n1-.
W przypadku klucza sterowanego napie˛ ciem, napie˛ cie steruja˛ ce to różnica potencjałów mie˛ dzy
we˛ złami obwodu o numerach n2+ i n2-. W przypadku klucza sterowanego pra˛ dem, pra˛ d
steruja˛ cy płynie przez siłe˛ elektromotoryczna˛ o nazwie określonej przez parametr _naz-
wa_SEM. Ostatni parametr w linii deklaracji klucza to _n_modelu. Określa on nazwe˛ modelu
klucza. Model klucza deklarowany jest za pomoca˛ deklaracji .MODEL. Deklaracja ta dla
klucza sterowanego napie˛ ciem przyjmuje postać:
.MODEL _n_modelu VSWITCH [RON=_w1][ROFF=_w2][VON=_w3][VOFF=_w4]
Tablica VIII Parametry modelu klucza sterowanego napie˛ ciem.

domyślna
RON oporność w stanie zwarcia 1.0 [Ω]
ROFF oporność w stanie rozwarcia 1.0MEG [Ω]
VON napie˛ cie powoduja˛ ce zwarcie 1.0 [V]
VOFF napie˛ cie powoduja˛ ce rozwarcie 0.0 [V]
Dla klucza sterowanego napie˛ ciem deklaracja modelu ma postać:

.MODEL _n_modelu ISWITCH [RON=_w1][ROFF=_w2][ION=_w3][IOFF=_w4]
Tablica IX Parametry klucza sterowanego pra˛ dem.

domyślna
RON oporność w stanie zwarcia 1.0 [Ω]
ROFF oporność w stanie rozwarcia 1.0MEG [Ω]
ION pra˛ d powoduja˛ cy zwarcie 0.01 [V]
IOFF pra˛ d powoduja˛ cy rozwarcie 0.0 [V]
Tablica VIII oraz Tablica IX określaja˛ znaczenie poszczególnych parametrów modelu

klucza.
W programie PSpice klucz realizowany jest jako element, którego oporność jest sterowana
napie˛ ciem (pra˛ dem). Przykładowa zależność oporności klucza, rozumianej jako stosunek
napie˛ cia panuja˛ cego na kluczu i pra˛ du płyna˛ cego przez klucz, od napie˛ cia steruja˛ cego
przedstawiona jest na Rys. 40. Przyje˛ to naste˛ puja˛ ce parametry klucza: RON=1[Ω],
ROFF=10[Ω], VON=-1[V], VOFF=1[V]. Klucz jest zatem rodzajem elementu nieliniowego.
W zwia˛ zku z tym stosuja˛ c podczas analizy obwodu klucze należy pamie˛ tać o naste˛ puja˛ cych
zasadach [26]:
Rys.40. Zależność oporności klucza od wartości napie˛ cia steruja˛ cego. Parametry klucza:
RON=1[Ω], ROFF=10[Ω], VON=-1[V], VOFF=1[V].
Stosunek ROFF/RON nie powinien być wie˛ kszy niż 1012.

Zakres przeła˛ czania klucza (zakres napie˛ ć steruja˛ cych od VON do VOFF lub pra˛ dów
steruja˛ cych od ION do IOFF) nie powinien być zbyt wa˛ ski — przeła˛ czaja˛ cy sie˛ klucz
stanowi wzmacniacz o bardzo dużym wzmocnieniu — próba rozwia˛ zania obwodu
zawieraja˛ cego taki element zwia˛ zana jest cze˛ sto z poważnymi problemami numerycz-
nymi.
W obszarze przeła˛ czania klucza program PSpice wykonuje obliczenia z bardzo
drobnym krokiem czasowym. Zbyt wiele przeła˛ czeń klucza podczas symulacji może
prowadzić do długich czasów obliczeń.
4.1.3. Linia długa

Program PSpice pozwala także na modelowanie układów zawieraja˛ cych w swojej
strukturze bezstratna˛ linie˛ długa˛ . Deklaracja tego elementu przedstawiona została już krótko
na stronie 8. Przypomnijmy ja˛ jednak jeszcze raz:
TXXXXXXX n1+ n1- n2+ n2- Z0=_w1 [TD=_w2][F=_w3 [NL=_w4]]
+ [IC=_v1,_i1,_v2,_i2]
Przykład:
TDELAY 1 2 7 5 Z0=50 TD=1US
Zaciski wejściowe linii stanowia˛ we˛ zły o numerach n1+ i n1-, zaciski wyjściowe to we˛ zły
o numerach n2+ i n2-. Po słowie kluczowym Z0= należy podać impedancje˛ falowa˛ linii
wyrażona˛ w omach. Czas przejścia fali elektromagnetycznej od pocza˛ tku do końca linii może
zostać podany na dwa różne sposoby:
Po słowie kluczowym TD= podaje sie˛ czas (w sekundach) potrzebny na to by fala
elektromagnetyczna przebyła linie˛ .
Po słowie kluczowym F= podaje sie˛ cze˛ stotliwość fali, o kształcie sinusoidy,
propaguja˛ cej sie˛ w linii. Po słowie kluczowym NL= należy podać długość linii
transmisyjnej. Jednostka˛ długości jest w tym przypadku długość fali propaguja˛ cej sie˛
w linii. Jeżeli parametr NL nie zostanie podany, to zostanie przyje˛ te, że NL=0.25, tzn.
obliczenia be˛ da˛ prowadzone dla linii ćwierćfalowej.
Oba sposoby podawania czasu propagacji sa˛ sobie równoważne. Należy jednak pamie˛ tać, że
każda deklaracja linii długiej musi określać czas propagacji fali elektromagnetycznej przez
deklarowana˛ linie˛ długa˛ .
Po słowie kluczowym IC= można podać wartość pra˛ du i napie˛ cia na wejściu linii
(_v1,_i1) oraz na wyjściu linii (_v2,_i2) w chwili t=0. Jeżeli w instrukcji .TRAN użyje sie˛
opcji UIC pozwala to, określić warunki panuja˛ ce na wejściu i wyjściu linii w chwili
rozpocze˛ cia przez program PSpice analizy stanów nieustalonych.
Program PSpice analizy Tablica X Parametry modelu diody dla stan-
dokonuja˛ c
.TRAN ogranicza wielkość kroku całko- dardowej bramki TTL.
wania do wartości nie przekraczaja˛ cej 1/2
czasu propagacji fali elektromagnetycznej Parametr Wartość Jedn-
przez linie˛ . Uwzgle˛ dnienie w strukturze ostki
analizowanego obwodu linii transmisyjnej, IS 10-14 [A]
której czas propagacji jest mały w stosunku
RS 40 [Ω]
do czasów charakterystycznych dla reszty
obwodu powoduje niepotrzebne powie˛ - TT 0.1 [ns]
kszenie czasu zużywanego przez jednostke˛ CJO 0.9 [pF]
centralna˛ maszyny cyfrowej na dokonanie VJ 1.0 [V]
analizy stanów nieustalonych.
Przykład:
Obliczyć przebiegi na wejściu i wyjściu
linii transmisyjnej o impedancji falowej równej 100[Ω] i czasie propagacji równym 10[ns]2.
Linia sterowana jest przez bramke˛ TTL i obcia˛ żona jest taka˛ sama˛ bramka˛ (Rys. 41).
Struktura standardowej bramki TTL pokazana jest na Rys. 42. Parametry statyczne i
dynamiczne modelu tranzystora należy przyja˛ ć takie, jak w rozdziale 3, gdzie modelowano
wzmacniacz operacyjny µA741 — Tablica III. Układ ten wykonywany jest w technologii
zbliżonej do tej, która używana jest do wytwarzania standardowych bramek TTL. Parametry
modelu diody zawiera Tablica X. Zostały one zaczerpnie˛ te z tego samego źródła co parametry
modelu tranzystora — [24]. Impuls steruja˛ cy bramke˛ wejściowa˛ zmienia sie˛ od 0[V] do 5[V]
w czasie 5[ns]. Czas opadania impulsu jest identyczny. Czas trwania impulsu równy jest
100[ns].
Dane dla programu PSpice przedstawione sa˛ poniżej. Strukture˛ bramki TTL (NOT)
zadeklarowano w postaci podobwodu i umieszczono w osobnym zbiorze o nazwie NOT.CIR.
Na zewna˛ trz podobwodu doste˛ pne jest wejście bramki, wyjście oraz zacisk zasilania. Dla
prostoty zbiór ten przedstawiono zaraz za zbiorem zawieraja˛ cym deklaracje˛ obwodu.
Transmisja sygnałów TTL przez linie

˛ długa
˛
.INC NOT.CIR
VCC 10 0 5V
VIN 1 0 DC 0 PULSE(0 5 1N 5N 5N
100N)
X1 1 2 10 NOT
X2 3 4 10 NOT
T1 2 0 3 0 Z0=100 TD=10N
.TRAN 1N 200N
.PROBE V(2) V(3)
.END
Rys.41. Przesyłanie sygnałów TTL przez linie˛ trans-
misyjna˛ .
*Zawartość zbioru NOT.CIR
.SUBCKT NOT 1 8 3
* | | |
* WEjście | |
* WYjście |
* zasilanie
.MODEL TRA NPN BF=20 BR=1 IS=1.0E-14
+RB=70 RC=40 VA=50
+TF=0.1N TR=10N CCS=2.0P CJE=0.9P
+CJC=1.5P VJE=0.85 VJC=0.85 VJS=0.85
.MODEL TRB NPN BF=20 BR=0.2 IS=1.6E-14
+RB=20 RC=12 VA=50
+CJC=1.5P VJE=0.85 VJC=0.85 VJS=0.85
.MODEL TRC NPN BF=20 BR=0.02 IS=1.0E-14
+RB=500 RC=40 VA=50
+CJC=1.5P VJE=0.85 VJC=0.85 VJS=0.85
.MODEL DA D IS=1.0E-14 RS=40
+TT=0.1N CJO=0.9P VJ=1.0
R1 3 9 4K Rys.42. Schemat elektryczny standardo-

R2 3 4 1.6K wej bramki TTL.
R3 5 0 1K
R4 3 6 100
2
Przy założeniu, że pre˛ dkość rozchodzenia sie˛ fal elektromagnetycznych w linii wynosi
2.5 108[m/s] daje to linie˛ transmisyjna˛ o długości 2.5[m].
Q1 2 9 1 TRC
Q2 4 2 5 TRA
Q3 6 4 7 TRA
Q4 8 5 0 TRB
D1 7 8 DA
D2 0 1 DA
.ENDS NOT
Rys.43. Napie˛ cie na wejściu V(2) i na wyjściu V(3) linii długiej , przez która˛ transmito-
wane sa˛ sygnały TTL.
Linia długa ła˛ cza˛ ca bramki modelowana jest w taki sposób, że jeden z przewodów linii
jest idealnie uziemiony. Pomija sie˛ w tym przypadku składowe fali elektromagnetycznej
rozchodza˛ ce sie˛ pomie˛ dzy tym przewodem, a otoczeniem układu.
Analiza przeprowadzana jest w przedziale czasu od 0[ns] do 200[ns]. Ponieważ nie
używamy ani instrukcji .PRINT, ani instrukcji .PLOT pierwszy parametr w instrukcji analizy
stanów nieustalonych, oznaczaja˛ cy krok czasowy wydruku, jest nieistotny (jeżeli tylko jest
mniejszy niż całkowity czas symulacji).
Uzyskane wyniki przedstawiono na Rys. 43. Znajdujemy tam przebieg napie˛ cia na wejściu
linii długiej V(2) oraz przebieg napie˛ cia na wyjściu V(3). Widać, że sa˛ one nie tylko
przesunie˛ te wzgle˛ dem siebie, ale także różnia˛ sie˛ dość istotnie kształtem. Dla porównania na
Rys. 44 przedstawiono przebieg napie˛ cia w układzie, w którym poła˛ czenie mie˛ dzy bramkami
Rys.44. Napie˛ cie na wyjściu bramki TTL steruja˛ cej taka˛ sama˛ bramka˛ przez poła˛ czenie
krótkie.
jest poła˛ czeniem krótkim. W tym przypadku przebieg jest znacznie bardziej „gładki”.
4.1.4. Sterowanie procesem całkowania równań układu

Wróćmy do przykładu generatora Collpits–a (Rys. 45), który był rozważany w rozdziale
3 na stronie 58. Spróbujmy przeprowadzić analize˛ stanów nieustalonych w tym układzie. W
tym celu należy przygotować naste˛ puja˛ cy zestaw danych dla programu PSpice:
ANALIZA GENERATORA - stan nieustalony

.MODEL BC241 NPN(IS=67.34F XTI=3
+EG=1.11 VAF=100 BF=116.1 NE=3.779
+ISE=32.7N IKF=33.53M XTB=1.5
BR=1.926M NC=2 ISC=0 IKR=0 RC=1.5
+CJC=4.929P VJC=.75 MJC=.3333 FC=.5
+CJE=3.316P VJE=.75 MJE=.3333
+TR=7.77U TF=107.3P ITF=.4 +VTF=10
XTF=2 RB=10)
VCC 1 0 9V
R1 1 2 145K
R2 2 0 76K
R3 1 3 1.2K
R4 4 0 300
Q1 3 2 4 BC241
C1 6 0 10N Rys.45. Generator Collpits-a

C2 2 0 3N
C3 3 6 100N
L1 6 2 10M
.TRAN 1U 0.3M UIC

.PROBE V(3)
.END
Rys.46. Drgania w układzie generatora.
Słowo kluczowe UIC w instrukcji .TRAN powoduje, że program PSpice nie oblicza stanu
ustalonego w układzie przed przysta˛ pieniem do całkowania równań czasowych. W chwili t=0
przyjmuje sie˛ , że napie˛ cie na każdym z kondensatorów jest równe zero oraz że pra˛ d płyna˛ cy
przez cewke˛ L jest równy zero. W rezultacie analizowany jest stan nieustalony pojawiaja˛ cy
sie˛ w układzie w chwili wła˛ czenia zasilania. Na Rys. 46 przedstawiony jest obliczony
przebieg napie˛ cia wyjściowego. Jest on bardzo „poszarpany”. Szczyty przebiegu sa˛ ostre lub
ście˛ te. Przebieg na Rys. 46 jest bowiem zbyt rzadko próbkowany aby mógł być prawidłowo
odtworzony metoda˛ interpolacji liniowej stosowana˛ przez program graficzny PROBE.
Konieczne jest ograniczenie maksymalnej wartości kroku czasowego w procesie całkowania
równań obwodu. Jak pamie˛ tamy (strona 72) można to zrobić przez podanie odpowiedniego
parametru w instrukcji .TRAN. W naszym przypadku instrukcja ta może wygla˛ dać
naste˛ puja˛ co:
.TRAN 1USEK 0.3MSEK 0MSEK 1USEK UIC
Wpływ zmiany w instrukcji .TRAN na obliczenia napie˛ cia wyjściowego ilustruje Rys. 47.
Rys.47. Przebieg napie˛ cia w układzie generatora. Mały bła˛ d obcie˛ cia.
Przebieg napie˛ cia wyświetlany przez program PROBE jest teraz „gładki”. Cze˛ stotliwość drgań
odczytana z wykresu (trzy ostatnie okresy) wynosi ≈37.5[kHz]. Różnica mie˛ dzy ta˛
cze˛ stotliwościa˛ , a cze˛ stotliwościa˛ obliczona˛ w rozdziale 3 nie przekracza 2.5%. należy uznać,
że rozbieżność obliczeń jest niewielka ponieważ:
W obliczeniach prowadzonych w rozdziale 3 nie uwzgle˛ dniano żadnych zjawisk
nieliniowych.
Symulacja stanu nieustalonego odbywa sie˛ ze skończona˛ dokładnościa˛ .
Przebieg z Rys. 47 nie przedstawia jeszcze stanu ustalonego.
Na wartość kroku całkowania można także wpływać pośrednio przez zmniejszenie

dopuszczalnej wartości błe˛ du obcie˛ cia. Służy do tego bezwymiarowy parametr TRTOL
wyste˛ puja˛ cy w instrukcji .OPTIONS — wartość błe˛ du obcie˛ cia jest proporcjonalna do
wartości TRTOL. Wartość domyślna parametru TRTOL wynosi 7. Można ja˛ jednak zmienić.
W przypadku rozważanego generatora należy dane wejściowe uzupełnić o naste˛ puja˛ ca˛ linie˛ :
.OPTIONS TRTOL=0.5
powoduja˛ c czternastokrotne zmniejszenie błe˛ du obcie˛ cia.
4.2. Układy niestacjonarne

Dzie˛ ki zastosowaniu specjalnej techniki, program PSpice pozwala modelować nie tylko
klasyczne obwody elektryczne, dla których parametry poszczególnych elementów pozostaja˛
stałe, ale także obwody których elementy maja˛ parametry zmienne w czasie. W najprostszym
przypadku równania opisuja˛ ce taki obwód sa˛ równaniami różniczkowymi liniowymi, których
współczynniki zależne sa˛ od czasu. Równania takie nazywamy niestacjonarnymi, sta˛ d nazwa
układów — niestacjonarne.
4.2.1. Idea realizacji elementów o zmiennych w czasie parametrach [10]

Dwójnik, który realizuje zmienna˛ w czasie przewodność składa sie˛ z opornika R o stałej
wartości poła˛ czonego szeregowo ze sterowana˛ siła˛ elektromotoryczna˛ (Rys.48. A). Wielkości
steruja˛ ce to:
Rys.48. Elementy zależne od czasu — idea realizacji.
Napie˛ cie na dwójniku u(t).

Napie˛ cie steruja˛ ce us(t).
Niech wartość sterowanej siły elektromotorycznej e1 wyraża sie˛ wzorem:
(52)
Funkcja w(x) może być dowolnym wielomianem. Ponieważ każda˛ funkcje˛ cia˛ gła˛ można
aproksymować z dowolna˛ dokładnościa˛ wielomianem nie jest to istotne ograniczenie.
Równanie ła˛ cza˛ ce pra˛ d i(t) płyna˛ cy przez nasz dwójnik z napie˛ ciem u(t) panuja˛ cym mie˛ dzy
jego zaciskami można teraz zapisać naste˛ puja˛ co:
(53)
Sta˛ d wartość przewodności Gvar=i(t)/u(t) dwójnika wyraża sie˛ wzorem:
(54)
Przewodność dwójnika uzależniona jest od czasu przez napie˛ cie steruja˛ ce us(t). Wartość
napie˛ cia steruja˛ cego można wymuszać za pomoca˛ niezależnej siły elektromotorycznej.
Chca˛ c otrzymać oporność zależna˛ od czasu, w rozważanym powyżej układzie, siłe˛
elektromotoryczna˛ e1 należy uzależnić od napie˛ cia panuja˛ cego na stałej oporności R
(Rys.48. B). Równanie ła˛ cza˛ ce pra˛ d płyna˛ cy przez dwójnik z napie˛ ciem panuja˛ cym na nim
przyjmuje naste˛ puja˛ ca˛ postać:
(55)
Oporność dwójnika Rvar=u(t)/i(t) wyraża sie˛ zatem wzorem:
(56)
Dwójnik realizuja˛ cy zależna˛ od czasu pojemność jest bardzo podobny do dwójnika

realizuja˛ cego zależna˛ od czasu przewodność. Stała˛ oporność R zasta˛ piono przez stała˛
pojemność C (Rys.48. C). Ładunek q(t) zgromadzony przez pojemność zwia˛ zany jest z
napie˛ ciem na dwójniku w sposób naste˛ puja˛ cy:
(57)
Pojemność Cvar=q(t)/u(t) dwójnika dana jest wzorem:
(58)
Sposób realizacji indukcyjności zależnej od czasu przedstawia Rys.48. D. Stała co do

wartości indukcyjność L poła˛ czona jest równolegle z siła˛ pra˛ domotoryczna˛ i1 sterowana˛
pra˛ dem i(t) płyna˛ cym przez dwójnik i wartościa˛ napie˛ cia steruja˛ cego us(t). Jeżeli siła
pra˛ domotoryczna i1 wyraża sie˛ naste˛ puja˛ cym wzorem:
(59)
to strumień magnetyczny φ(t) zwia˛ zany z indukcyjnościa˛ L jest równy:

(60)
Sta˛ d indukcyjność dwójnika Lvar=φ(t)/i(t) wyraża sie˛ wzorem:

(61)
Źródła sterowane wyste˛ puja˛ ce w strukturze każdego z elementów moga˛ być uzależnione
od napie˛ cia dostarczanego przez niezależna˛ siłe˛ elektromotoryczna˛ . W tym przypadku opisane
struktury modeluja˛ przewodność, oporność, pojemność i indukcyjność zmienne w czasie.
Możliwe jest też uzależnienie wspomnianych źródeł sterowanych od dowolnego napie˛ cia w
obwodzie. w tym przypadku mamy do czynienia z sterowana˛ przewodnościa˛ , opornościa˛ ,
pojemnościa˛ i indukcyjnościa˛ .
4.2.2. Nieliniowe źródła sterowane

W opisanych strukturach elementów zależnych od czasu wyste˛ puja˛ źródła napie˛ cia (pra˛ du)
sterowane napie˛ ciem. Funkcja opisuja˛ ca zależność mie˛ dzy wielkościa˛ steruja˛ ca˛ i sterowana˛
jest wielomianem. Ogólnie rzecz biora˛ c program PSpice dopuszcza aby źródło napie˛ cia
(pra˛ du) sterowane było przez jedno lub wie˛ cej napie˛ ć (pra˛ dów). Wartość wymuszenia
zwia˛ zana jest z wielkościami steruja˛ cymi poprzez wielomian dowolnego stopnia i rze˛ du3.
Wielomian taki określa sie˛ poprzez podanie rze˛ du oraz kolejnych współczynników liczbowych
P0, P1, P2,..., Pn. Znaczenie tych współczynników zmienia sie˛ wraz ze zmiana˛ rze˛ du
wielomianu.
W przypadku wielomianu jednej zmiennej w(x1) wartość wielomianu obliczana jest
zgodnie z naste˛ puja˛ cym wzorem:
(62)
W przypadku wielomianu dwóch zmiennych w(x1,x2) jego wartość obliczana jest zgodnie
z naste˛ puja˛ cym wzorem:
3
Przez rza˛ d wielomianu rozumie sie˛ tutaj liczbe˛ zmiennych niezależnych wyste˛ puja˛ cych
w tym wielomianie.
(63)
W przypadku wielomianu trzech zmiennych w(x1,x2,x3) wartość wielomianu obliczana jest

zgodnie ze wzorem:
(64)
Współczynniki wielomianów wyższych rze˛ dów oznaczane sa˛ w sposób analogiczny do

tego, który zilustrowano dla wielomianu rze˛ du od 1 do 3.
Deklaracja nieliniowego źródła napie˛ cia (pra˛ du) sterowanego napie˛ ciem przyjmuje postać:
EXXXXXXX n+ n- POLY(_rz) nc1+ nc1- ... P0 [P1...] [IC=...]
GXXXXXXX n+ n- POLY(_rz) nc1+ nc1- ... P0 [P1...] [IC=...]
Przykłady:
ER12 17 0 POLY(3) 13 0 15 0 17 0 0 0 1 1 1 IC=1.5,0.17,32
GCRT 2 13 POLY(2) 3 5 1 2 0 1M 17M 3.5U IC=2.5,1.3
Słowo kluczowe POLY identyfikuje nieliniowe sprze˛ żenie mie˛ dzy wymuszeniem, a
wartościami napie˛ ć steruja˛ cych. Parametr _rz określa rza˛ d wielomianu — liczbe˛ napie˛ ć
steruja˛ cych. Parametry P0, P1, P2, ... to współczynniki wielomianu, których znaczenie
opisano wyżej. Natomiast po słowie kluczowym IC= można podać wartości pocza˛ tkowe
napie˛ ć steruja˛ cych. Słowo kluczowe IC= zostało wprowadzone do deklaracji nieliniowego
źródła sterowanego dla ułatwienia (przyspieszenia) procesu obliczania statycznego punktu
pracy układu. Wartości pocza˛ tkowe wielkości steruja˛ cych służa˛ programowi PSpice do
obliczenia wste˛ pnych wartości potencjałów we˛ złowych — podczas tego procesu nieliniowe
źródła sterowane sa˛ w istocie traktowane jak zwykłe źródła niezależne. Obliczony wste˛ pnie
statyczny punkt pracy układu stanowi punkt wyjścia do obliczenia właściwego punktu pracy
układu — dla nieliniowych źródeł sterowanych przywracane jest sprze˛ żenie mie˛ dzy
wielkościami sterowanymi a steruja˛ cymi. W przypadku, gdy słowo kluczowe IC= nie pojawi
sie˛ przyjmuje sie˛ wste˛ pnie, że wartości napie˛ ć steruja˛ cych wynosza˛ zero.
Deklaracje nieliniowych źródeł sterowanych pra˛ dem maja˛ postać analogiczna˛ do
omówionych powyżej źródeł sterowanych napie˛ ciem:
HXXXXXXX n+ n- POLY(_rz) _v1 _v2 ... _v_rz P0 [P1 ...] [IC= ...]
FXXXXXXX n+ n- POLY(_rz) _v1 _v2 ... _v_rz P0 [P1 ...] [IC= ...]
Przykłady:
FMIX 12 20 POLY(1) VSENS 1MA 1.3M
HAC 12 30 POLY(2) V1 V2 0 0 0 0 1 IC=0.5 1.3
Pierwszy przykład ilustruje deklaracje˛ źródła pra˛ du sterowanego pra˛ dem płyna˛ cym przez
źródło napie˛ cia VSENS. Zwia˛ zek mie˛ dzy pra˛ dem wyjściowym Iwy a pra˛ dem steruja˛ cym
I(VSENS) jest naste˛ puja˛ cy: Iwy=0.001+0.0013*I(VSENS)
Drugi przykład to deklaracja źródła napie˛ cia sterowanego pra˛ dami płyna˛ cymi przez źródła
napie˛ cia V1 i V2. Wartość napie˛ cia źródła Vwy wyraża sie˛ wzorem: Vwy=I(V1)*I(V2).
******************************
* g=1/r1*v(40,50) *
******************************
.subckt przewodnosc 10 20 40 50
* | | | |
* przewodność | |
* sterowanie
*
*
r1 10 30 1k
e1 30 20 poly(2) 10 20 40 50 0.0 1.0
0.0 0.0 -1.0
r2 40 50 100meg
r3 50 0 1000meg
.ends przewodnosc
Rys.49. Sterowana przewodność.
******************************
* r=r1*v(40,50) *
******************************
.subckt opornosc 10 20 40 50
* | | | |
* oporność | |
* sterowanie
*
*
r1 10 30 1k
e1 30 20 poly(2) 10 30 40 50 0.0 -1.0
0.0 0.0 1.0
r2 40 50 100meg
r3 50 0 1000meg
.ends opornosc
Rys.50. Sterowana oporność.
******************************
* c=c1*v(40,50) *
******************************
.subckt pojemnosc 10 20 40 50
* | | | |
* pojemność | |
* sterowanie
*
*
c1 10 30 1u
e1 30 20 poly(2) 10 20 40 50
+0.0 1.0 0.0 0.0 -1.0
r2 40 50 100meg
r3 50 0 1000meg
.ends pojemnosc
Rys.51. Sterowana pojemność.

******************************
* l=l1*v(40,50) *
******************************
.subckt indukcyjnosc 10 20 40 50
* | | | |
* indukcyjność | |
* sterowanie
*
*
v1 10 30
l1 30 20 1m
f1 30 20 poly(2) v1 v2 0.0 1.0 0.0 0.0
-1.0
v2 60 0
g1 0 60 40 50 1
r2 40 50 100meg
r3 50 0 1000meg
.ends indukcyjnosc
Rys.52. Sterowana przewodność.
4.2.3. Biblioteka elementów o wartościach zależnych od czasu

Wiedza˛ c jak zadeklarować źródła sterowane sprze˛ żone poprzez wielomian z wielkościami
steruja˛ cymi możemy zrealizować idee˛ elementów zależnych od czasu przedstawiona˛ w
paragrafie 4.2.1. Schematy elektryczne odpowiednich obwodów przedstawiono na Rys. 49,
Rys. 50, Rys. 51 i Rys. 52.
Każdy z elementów zrealizowany został jako czwórnik (np. Rys. 52). Dwa zaciski służa˛
dla doprowadzenia napie˛ cia steruja˛ cego, a pozostałe dwa stanowia˛ przewodność (oporność,
pojemność lub indukcyjność) o zmiennej w czasie wartości. Do zacisków steruja˛ cych należy
wpia˛ ć niezależna˛ siłe˛ elektromotoryczna˛ o przebiegu czasowym odpowiadaja˛ cym poża˛ danemu
przebiegowi zmian parametru elementu. Przewodność (oporność, pojemność, indukcyjność)
jest wprost proporcjonalna do wartości napie˛ cia panuja˛ cej na zaciskach steruja˛ cych.
Przykład [10]:
Obliczyć napie˛ cie Uwy na przeka˛ tnej mostka impedancyjnego przedstawionego na
Rys. 53. Mostek zasilany jest ze źródła napie˛ cia o wartości 10V i cze˛ stotliwości 2kHz.
Wartość pojemności Cvar rośnie liniowo od wartości 300pF do wartości 400pF w czasie
0.5ms. Przyja˛ ć, że przed chwila˛ t=0 w układzie panował stan ustalony.
W przypadku, gdy wartość pojemności Cvar pozostaje cały czas stała i równa 350pF,
napie˛ cie na przeka˛ tnej mostka równe jest zero. Jeśli wartość pojemności Cvar jest stała i
równa 300pF, że napie˛ cie na przeka˛ tnej mostka be˛ dzie sinusoida˛ zaczynaja˛ ca˛ sie˛ od
dodatniego półokresu. Jeśli Cvar jest cały czas równe 400pF, że napie˛ cie na przeka˛ tnej mostka
be˛ dzie sinusoida˛ zaczynaja˛ ca˛ sie˛ od ujemnego półokresu. W przypadku, gdy Cvar zmienia sie˛
od wartości 300pF do wartości 400pF otrzymamy przypadek „pośredni”. Dane potrzebne do
obliczeń za pomoca˛ programu PSpice przedstawiono poniżej.
MOSTEK O ZMIENNEJ W CZASIE PO-

JEMNOŚCI
.LIB ELEMENTY.LIB
.OPTIONS TRTOL=1.0
R1 1 2 290K
R2 1 3 290K
Xvar 2 4 20 40 POJEMNOSC
VSTER 20 40 PULSE(0.3M 0.4M 0.0
500U)
C2 4 3 350P
R5 4 0 35K
C3 5 2 1U
C4 3 6 1U
R3 5 0 1MEG
R4 6 0 1MEG
VS 1 0 SIN(0 10 2KHZ)
.TRAN 1U 500U
.PROBE
.END
Rys.53. Mostek impedancyjny.
Na wykresie ilustruja˛ cym wyniki obliczeń (Rys. 54) umieszczono obok napie˛ cia na prze-
ka˛ tnej mostka w przypadku, gdy kondensator Cvar zmienia swa˛ wartość od 300pF do 400pF,
to samo napie˛ cie w przypadku, gdy kondensator Cvar ma stała˛ wartość 300pF oraz 400pF.
Deklaracja struktury kondensatora o zmiennej w czasie wartości pojemności umieszczona
została w zbiorze bibliotecznym o nazwie ELEMENTY.LIB. Po przeczytaniu deklaracji
całego obwodu program PSpice otwiera zbiór ELEMENTY.LIB, wymieniony w instrukcji
.LIB, i odszukuje deklaracje˛ struktury o nazwie „pojemnosc”, której nie znalazł w zbiorze
z danymi wejściowymi.
Instrukcja doła˛ czania bibliotek .LIB nakazuje programowi PSpice poszukiwanie deklaracji
i modeli nie zamieszczonych bezpośrednio w zbiorze z danymi w zbiorze bibliotecznym.
Składnia tej instrukcji jest naste˛ puja˛ ca:
.LIB _nazwa_zbioru
Przykład:
.LIB c:\spice\bib\diody.lib
Parametr _nazwa_zbioru określa nazwe˛ zbioru bibliotecznego, który be˛ dzie przegla˛ dany
przez program PSpice. Nazwa zbioru może być poprzedzona ścieżka˛ i specyfikacja˛ nape˛ du
dyskowego. Instrukcja .LIB może być zagnieżdżana tzn. zbiór doła˛ czany za pomoca˛ instrukcji
.LIB może zawierać instrukcje˛ .LIB. Liczba zagnieżdżeń jest nieograniczona. W przypadku,
gdy parametr _nazwa_zbioru jest cia˛ giem pustym, przegla˛ dana jest biblioteka o nazwie
NOM.LIB, o której zakłada sie˛ , że jest w katalogu domyślnym. Wygodnie jest zatem nazwy
Rys.54. Napie˛ cie na przeka˛ tnej mostka impedancyjnego.

@1 Cvar=300pF; @2 Cvar=400pF; @3 Cvar=300pF+100pF*TIME/0.5ms .
wszystkich posiadanych bibliotek umieścić w zbiorze NOM.LIB4. Jest to uzasadnione tym

bardziej, że w odróżnieniu od instrukcji .INC (strona 67) program PSpice przetwarza tylko
te deklaracje i modele, które sa˛ potrzebne do pełnego zdefiniowania obwodu.
Zwróćmy uwage˛ na okoliczność, że w przypadku każdego z elementów zawartych w
bibliotece ELEMENTY.LIB napie˛ ciem steruja˛ cym może być dowolne napie˛ cie wyste˛ puja˛ ce
w obwodzie. Biblioteka jest zatem czymś wie˛ cej niż tylko biblioteka˛ elementów zależnych
od czasu. Jest to biblioteka elementów, których wartość może być sterowana dowolnym
napie˛ ciem w obwodzie. Wartość przewodności, oporności, pojemności, indukcyjności jest
wprost proporcjonalna do wartości napie˛ cia steruja˛ cego.
Ze wzgle˛ du na wymaganie, które narzuca program PSpice, aby każdy we˛ zeł analizowa-
nego obwodu miał stałopra˛ dowe poła˛ czenie z we˛ złem masy zdecydowano, że:
Oporność różnicowa każdego z elementów sterowanych, widziana z zacisków
steruja˛ cych, be˛ dzie wynosić 100[MΩ].
Oporność widziana mie˛ dzy we˛ złem masy i każdym z zacisków steruja˛ cych be˛ dzie
wynosić ok. 1000[MΩ].
4
Jako parametry instrukcji .LIB.
Jeżeli oporności te zakłócaja˛ zbytnio prace˛ układu, natomiast we˛ zły steruja˛ ce poła˛ czone sa˛
z masa˛ poza elementem sterowanym oporności te można usuna˛ ć.
Przedstawiona w podrozdziale 4.2.1 idea stanowić może podstawe˛ rozbudowy biblioteki
ELEMENTY.LIB o naste˛ puja˛ ce elementy:
Elementy, których wartość zwia˛ zana jest z napie˛ ciem steruja˛ cym dowolnym
wielomianem. My zrealizowaliśmy elementy zależne liniowo od napie˛ cia steruja˛ cego.
Elementy, których wartość sterowana jest przez dowolny pra˛ d płyna˛ cy w obwodzie.
4.3. Analiza zniekształceń nieliniowych

Przebiegi uzyskane podczas analizy w dziedzinie czasu (analizy stanów nieustalonych)
moga˛ zostać poddane analizie widmowej. Najcze˛ ściej jej celem jest określenie współczynnika
zniekształceń nieliniowych przebiegu. Program PSpice ła˛ czy obie operacje tj. analize˛
widmowa˛ i analize˛ zniekształceń nieliniowych w jednej instrukcji .FOUR (ang. fourier
analysis — analiza fourierowska). Składnia tej instrukcji jest naste˛ puja˛ ca:
.FOUR _cze˛ stotliwość _wy1 [_wy2 ...]
Przykład:
.FOUR 1k V(2,5) I(VIN)
Instrukcja .FOUR musi być poprzedzona instrukcja˛ analizy stanów nieustalonych, podczas
której obliczone zostana˛ przebiegi czasowe wielkości określonych przez parametry _wy1
_wy2 ... Program PSpice oblicza składowe harmoniczne przebiegów w przedziale czasowym
<_stop-1/_cze˛ stotliwość, _stop>. Parametr _stop oznacza chwile˛ czasowa˛ , dla której
zakończono obliczanie stanów nieustalonych. Parametr _cze˛ stotliwość to cze˛ stotliwość
(wyrażona w hertzach) składowej podstawowej przebiegu. Obliczana jest wartość (amplituda
i faza) pierwszych dziesie˛ ciu składowych harmonicznych analizowanego przebiegu oraz
współczynnik zniekształceń nieliniowych. W praktyce wartość parametru _stop, w instrukcji
.TRAN, dobiera sie˛ tak aby do chwili _stop-1/_cze˛ stotliwość zanikły w obwodzie wszystkie
stany nieustalone.
Przykład:
Obliczyć zależność współczynnika zniekształceń nieliniowych od napie˛ cia steruja˛ cego dla
układu wzmacniacza mocy zbudowanego w oparciu o układ scalony UL1461L. Założyć, że
układ sterowany jest ze źródła o oporności 1[kΩ] sygnałem o cze˛ stotliwości 1[kHz].
Schemat aplikacyjny układu UL1461L pokazano na Rys. 56. Schemat elektryczny sca-
lonego wzmacniacza mocy UL1641L pokazano na Rys. 55. Oba zaczerpnie˛ to z [21].
Tablica III i Tablica X zawieraja˛ wartości parametrów modelu tranzystora i modelu diody
przyje˛ te do obliczeń. Strukture˛ układu scalonego zadeklarowano w postaci podobwodu o
nazwie UL1461L. Podobwód ten umieszczony został w osobnym zbiorze (o nazwie UL-
1461L.CIR). W ten sposób może być wykorzystany do innych obliczeń.
.SUBCKT UL1461L 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
*
*
* numery wyprowadzeń układu scalonego
*
R1 10 20
7.5K
R3 20 11
25K
R2 20 21
1K
R4 24 25
15K
R5 10 50
30K
R6 25 13
1K
R7 26 12
380
R8 26 27
5K
R9 27 9
12.5K
R10 27 28
3.75K
R11 10 30
750
R12 30 9
250
R13 33 1
260
R14 10 6
875 Rys.55. Schemat elektryczny układu scalonego 1461L.
R15 8 2
8.5K
R16 2 13 3K
R17 6 2 3K
R18 35 13 5.1K
R19 6 34 3K
R20 39 3 310
R21 6 36 270
R22 4 13 1K
R23 6 43 100
R24 38 13 550
R25 6 7 240
R26 40 13 550
R27 5 39 10K
R28 44 5 550
.MODEL TM NPN BF=80 BR=1 IS=1E-14 RB=100 VA=50 TF=0.3N TR=6N CJS=2.0P CJE=3.0P CJC=2.0P
.MODEL TM1 PNP BF=10 BR=1 IS=1E-14 RB=20 VA=50 TF=0.3N TR=20N CJS=0.0P CJE=6.0P CJC=4.0P
Q1 10 11 24 TM
Q2 50 24 25 TM
Q3 10 26 25 TM
Q4 30 50 32 TM
Q5 30 32 31 TM
Q6 9 31 33 TM
Q7 6 8 35 TM
Q8 34 39 35 TM
Q9 37 34 36 TM1
Q10 36 37 4 TM
Q11 43 4 38 TM
Q12 7 38 40 TM
Q13 41 40 13 TM 10
Q14 6 7 44 TM
Q15 6 44 5 TM 10
.MODEL DIO D IS=1E-14 TT=0.1N CJO=0.9P VJ=1.0

D1 21 22 DIO
D2 22 13 DIO
D3 28 13 DIO
D4 7 42 DIO
D5 42 41 DIO
D6 5 41 DIO
.ENDS
Linie, w których zadeklarowano tranzystory Q13 i Q15 zawieraja˛ dodatkowy parametr.

W dokumentacji programu PSpice nosi on nazwe˛ AREA. Oznacza on o ile wie˛ ksze pole
powierzchni krzemu zajmuja˛ tranzystory Q13 i Q15 w stosunku do reszty tranzystorów
opisywanych tym samym modelem. Założyliśmy, że tranzystory Q13 i Q15 zajmuja˛ 10
krotnie wie˛ ksza˛ powierzchnie˛ , niż pozostałe tranzystory. Uzasadnieniem jest fakt, że
tranzystory Q13 i Q15 poła˛ czone sa˛ bezpośrednio z wyjściem układu scalonego. Płynie przez
nie znacznie wie˛ kszy pra˛ d niż przez pozostałe elementy. Wymaga to skuteczniejszego
odprowadzania ciepła. W przypadku układu scalonego uzyskuje sie˛ to przez powie˛ kszenie
powierzchni zajmowanej przez tranzystor. Odpowiednio do wartości parametru AREA
zmieniana jest wartość parametrów5 zależnych od powierzchni. W ten sposób jedna
deklaracja modelu tranzystora wystarcza dla opisania zachowania wszystkich tranzystorów,
które powstały w jednym procesie technologicznym.
Model układu scalonego doła˛ czany jest do deklaracji struktury wzmacniacza mocy za
pomoca˛ instrukcji .INC. Równie dobrze można byłoby użyć instrukcji .LIB — instrukcji
doła˛ czania biblioteki.
WZMACNIACZ MOCY NA UL1461L -

2.7
.OPTIONS TRTOL=1 ITL5=10000
.INC UL1461L.CIR
VWE 30 0 AC 0.5M
SIN(0 2.7M 1K)
RWE 20 30 1K
VCC 6 0 DC
13.2V
C1 11 20 10U
C2 12 0 10U
C3 10 0 220U
C4 8 0 15N
C5 21 9 10U
C6 7 6 4.7N
C7 6 0 470U
C8 5 22 470U
C9 5 4 560P
C10 4 0 1N
C11 3 0 47U
C12 2 0 22U
R1 21 8 1K
ROBC 22 0 4 Rys.56. Wzmacniacz mocy zbudowany w oparciu o układ
scalony UL1461L.
XPA 0 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 +12 0 UL1461L

*.AC DEC 10 1 30K
.TRAN 0.1M 20M 10U
.FOUR 1K V(22)
.PROBE V(22)
.END
5
Wśród zmienianych parametrów sa˛ : pra˛ dy nasycenia zła˛ cz, rezystancja rozproszona
obszaru bazy, pojemności zła˛ czowe i inne.
Jako pierwsza˛ przeprowadzono małosyg-

nałowa˛ analize˛ zmiennopra˛ dowa˛ wzmacniacza
(odpowiednia instrukcja „zamaskowana” jest
znakiem pocza˛ tku komentarza „ * ”). W jej
wyniku okazało sie˛ , że pasmo przenoszenia
analizowanego układu rozcia˛ ga sie˛ od około
100[Hz] do 10[kHz]. Wzmocnienie układu
wynosi zaś ≈2[V/mV] (≈66dB). Biora˛ c pod
uwage˛ , że napie˛ cie zasilania wynosi 13.2[V]
Rys.57. Współczynnik zniekształceń nie-
należy sie˛ spodziewać, że przy amplitudzie
liniowych układu wzmacniacza mocy w
sygnału wyjściowego ≈(13.2 — 2 0.7)/2 =5.9- funkcji napie˛ cia steruja˛ cego.
[V] wysta˛ pia˛ już istotne zniekształcenia nieli-
niowe sygnału wyjściowego. Odpowiada to sygnałowi ≈2.8[mV] na wejściu układu. Przewidy-
wania te potwierdza wynik analizy Fouriera przebiegu wyjściowego, dla różnych wartości
amplitudy napie˛ cia steruja˛ cego — Rys. 57. W przedziale wartości amplitudy napie˛ cia steruja˛ -
cego od 2.2[mV] do 2.3[mV] wielkość współczynnika zniekształceń nieliniowych przekracza
wartość 1.0%.
Wyniki analizy Fouriera umieszczane sa˛ przez program PSpice w zbiorze wyjściowym.
Przykładowy fragment danych wyjściowych pokazany jest poniżej.
FOURIER COMPONENTS OF TRANSIENT RESPONSE V(22)
DC COMPONENT = 1.553569E-02
HARMONIC FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED

NO (HZ) COMPONENT COMPONENT (DEG) PHASE (DEG)
1 1.000E+03 5.617E+00 1.000E+00 1.763E+00 0.000E+00

2 2.000E+03 1.819E-01 3.239E-02 8.613E+01 8.437E+01
3 3.000E+03 2.252E-01 4.009E-02 -7.215E+00 -8.978E+00
4 4.000E+03 1.105E-01 1.967E-02 -9.849E+01 -1.003E+02
5 5.000E+03 1.187E-01 2.114E-02 1.673E+02 1.655E+02
6 6.000E+03 1.075E-02 1.915E-03 6.725E+01 6.548E+01
7 7.000E+03 2.987E-02 5.317E-03 -2.291E+01 -2.468E+01
8 8.000E+03 2.605E-02 4.637E-03 6.584E+01 6.408E+01
9 9.000E+03 1.462E-03 2.603E-04 -1.827E+01 -2.003E+01
TOTAL HARMONIC DISTORTION = 5.953000E+00 PERCENT
Wyniki zawieraja˛ wartość składowej stałej przebiegu oraz wartość dziewie˛ ciu kolejnych
składowych harmonicznych. Dla każdej składowej podane sa˛ kolejno: wartość cze˛ stotliwości,
wartość amplitudy, wartość amplitudy odniesiona do pierwszej harmonicznej, przesunie˛ cie
fazowe oraz przesunie˛ cie fazowe odniesione do pierwszej harmonicznej.
Uzyskane rezultaty w obszarze małych wartości współczynnika zniekształceń nieliniowych
należy przyjmować z pewna˛ ostrożnościa˛ . Do rzeczywistych zniekształceń nieliniowych
Rys.58. Przebieg napie˛ cia wyjściowego w układzie wzmacniacza mocy. Amplituda napie˛ cia
steruja˛ cego wynosi 2.7[mV].
doła˛ czaja˛ błe˛ dy wynikaja˛ ce z aproksymacji liniowej przebiegu mie˛ dzy punktami, w których
wartość przebiegu została obliczona w procesie całkowania równań układu. Z tego wzgle˛ du
w instrukcji .TRAN ograniczona została maksymalna wartość kroku całkowania do 10[µs] —
dane dla programu PSpice na stronie 96. Stanowi to 1.0% okresu składowej podstawowej i
można sie˛ spodziewać, że jeżeli wartość rzeczywistego współczynnika zniekształceń
nieliniowych jest powyżej 1.0%, to program PSpice obliczy go poprawnie.
Dla napie˛ cia steruja˛ cego równego 2.7[mV] napie˛ cie wyjściowe w analizowanym wzmac-
niaczu mocy jest już poważnie zniekształcone. Przebieg napie˛ cia wyjściowego przedstawia
Rys. 58. Obliczony przez program PSpice współczynnik zniekształceń nieliniowych wynosi
prawie 6[%]. Za pomoca˛ programu PROBE można obliczyć cia˛ głe widmo przebiegu z
Rys. 58. Służy temu opcja Fourier figuruja˛ ca w menu programu. Wynik przedstawia Rys. 59.
Dokonuja˛ c analizy widmowej za pomoca˛ programu PROBE należy mieć na uwadze, że
obliczana jest dyskretna transformata Fouriera (przy pomocy algorytmu FFT). Liczba próbek
sygnału pobieranych do przetwarzania jest ograniczona. Oznacza to, że:
Przebieg w dziedzinie czasu be˛ dzie zbyt rzadko próbkowany (szerokie okno czasowe)
to dojdzie do zniekształcenia widma przebiegu w wyniku zjawiska aliasingu
(twierdzenie Kotielnikowa–Shanona).
Rys.59. Widmo cia˛ głe przebiegu z poprzedniego rysunku obliczone za pomoca˛ programu
PROBE.
Jeżeli przebieg w dziedzinie czasu be˛ dzie zbyt cze˛ sto próbkowany to także dojdzie do
zniekształcenia widma w wyniku zbytniego zawe˛ żenia okna czasowego.
4.4. Zastosowanie programu PSpice do problemów nieelektrycznych

Program PSpice może być traktowany jak maszyna analogowa. Załóżmy, że interesuje nas
rozwia˛ zanie pewnego problemu, który da sie˛ sformułować w postaci równań różniczkowych
zwyczajnych. Jeżeli istnieje obwód elektryczny, opisywany takimi samymi równaniami tzn.
istnieje analog elektryczny, to rozwia˛ zuja˛ c za pomoca˛ programu PSpice równania tego
obwodu rozwia˛ zujemy interesuja˛ cy nas problem. Poniżej przedstawiono dwa przykłady
zastosowania programu PSpice do rozwia˛ zywania problemów, które formalnie nie maja˛ nic
wspólnego z obwodami elektrycznymi.
4.4.1. Atraktor Lorentza [18]

W ostatnich latach wśród naukowców–przyrodoznawców tzn. fizyków, chemików,
biologów bardzo duże zainteresowanie wzbudziły wyniki badań nad rozwia˛ zaniami pewnych
nieliniowych równań różniczkowych. Okazało sie˛ , że istnieje szansa aby procesy dotychczas
uznawane za chaotyczne jak np. turbulentny przepływ cieczy, zjawiska atmosferyczne czy
pewne reakcje chemiczne opisać w sposób deterministyczny — za pomoca˛ równań różniczko-

wych. Dotychczas badano zjawiska opisuja˛ c je za pomoca˛ równań liniowych. Ich rozwia˛ zania
cechuje duża regularność. Brak jest miejsca na chaos i przypadkowość. Sta˛ d przeciwstawiano
sobie opis deterministyczny — za pomoca˛ równań (różniczkowych) — oraz opis
probabilistyczny — za pomoca˛ prawdopodobieństw. Uwzgle˛ dnienie w opisie
deterministycznym zjawisk nieliniowych dało nieoczekiwane rezultaty — rozwia˛ zanie równań
różniczkowych może wygla˛ dać zupełnie chaotycznie. Przykładem jest naste˛ puja˛ cy układ
równań różniczkowych:
(65)
Aby go rozwia˛ zać za pomoca˛ programu PSpice, należy zbudować analog elektryczny —
obwód opisywany takimi samymi równaniami różniczkowymi. Układ ten przedstawiony jest
na Rys. 60. Składaja˛ sie˛ nań trzy sekcje. Każda sekcja odpowiada jednemu równaniu w
układzie równań (65). Zmienne x1, x2, x3 reprezentowane sa˛ odpowiednio przez potencjały
we˛ złowe V(1), V(2), V(3). Dane dla programu PSpice przedstawione sa˛ poniżej.
DZIWNY ATRAKTOR
.OPTIONS TRTOL=.1 ITL5=15000
*PIERWSZA SEKCJA
C1 1 0 1 IC=0
G1 0 1 2 0 10
R1 1 0 0.1
*DRUGA SEKCJA
C2 2 0 1 IC=10
G2 0 2 POLY(2) 1 0 3 0 0 28
0 0 -1
R2 2 0 1
*TRZECIA SEKCJA
C3 3 0 1 IC=27
R3 3 0 0.375
G3 0 3 POLY(2) 1 0 2 0 0 0 0
0 1
.TRAN 0.01 40 UIC

.PROBE V(1) V(2) V(3) Rys.60. Analog elektryczny atraktora Lorentza.
.END
Całkowanie równań układu chcemy rozpocza˛ ć od warunków pocza˛ tkowych x1=0, x2=10,
x3=27. Dlatego wartość napie˛ ć pocza˛ tkowych na kondensatorach zadeklarowano naste˛ puja˛ co:
Napie˛ cie pocza˛ tkowe na kondensatorze C1: V(1)t=0=0[V].
Rys.61. Przebieg zmiennej x1 (opis w tekście).

W instrukcji .TRAN użyto słowa kluczowego UIC. Wartości pocza˛ tkowe potencjałów
we˛ złowych nie be˛ da˛ zatem obliczane. Zostana˛ przyje˛ te te wartości, które określono w
deklaracjach kondensatorów.
Wyniki analizy moga˛ być zaskakuja˛ ce. Przebieg zmiennej x1 (potencjał V(1)) pokazano
na Rys. 61. Przebieg wygla˛ da tak jak gdyby na sygnał sinusoidalny nałożony był szum o
charakterze wybuchowym. Obserwujemy deterministyczny chaos. Podobny przebieg maja˛
zmienne x2 i x3 (potencjały we˛ złowe V(2) i V(3)).
Trajektoria fazowa układu równań (65), reprezentuja˛ ca zależność mie˛ dzy zmiennymi x1,
x2, x3 jest krzywa˛ w przestrzeni trójwymiarowej. Na płaszczyźnie możliwe jest jedynie
narysowanie jej wybranego rzutu. Niech płaszczyzna˛ , na która˛ rzutujemy, be˛ dzie płaszczyzna
określona równaniem: x3=0. Wynik rzutowania trajektorii fazowej przedstawia Rys. 62. Na
osi poziomej odłożona jest zmienna x2 (potencjał V(2)) natomiast na osi pionowej odłożona
jest zmienna x1 (potencjał V(1)). Sama krzywa jest dość regularna˛ ósemka˛ ale poszczególne
jej „zwoje” nawinie˛ te sa˛ zupełnie nieregularnie. Używaja˛ c programu PROBE można wykreślić
rzut trajektorii na dowolna˛ płaszczyzne˛ . Za każdym razem przekonujemy sie˛ w jak
nieregularny sposób tworzona jest krzywa. Co wie˛ cej, niezależnie od warunków pocza˛ tkowych
Rys.62. Rzut trajektorii fazowej na płaszczyzne˛ x3=0.
rozwia˛ zanie układu równań (65) szybko zostaje ścia˛ gnie˛ te do krzywej przedstawionej na
Rys. 62. Krzywa˛ o tej własności nazywa sie˛ atraktorem. Ten, który przedstawiony jest na
Rys. 62 nazywany jest atraktorem Lorentza. Dokładnie rzecz biora˛ c nie udowodniono
jeszcze, że przedstawiona krzywa jest atraktorem. Wszystko co wiadomo na temat tej krzywej
uzyskano w wyniku symulacji komputerowej.
4.4.2. Cza˛ stka amoniaku [8]

Inny przykład zastosowania programu PSpice do rozwia˛ zywania zagadnień nieelektrycz-
nych dotyczy mechaniki kwantowej. Rozważmy cza˛ stke˛ amoniaku o wzorze chemicznym
NH3. Schemat budowy przestrzennej tej cza˛ stki przedstawia Rys. 63. Jak
widać atom azotu może znajdować sie˛ ponad płaszczyzna˛ wyznaczona˛ przez atomy wodoru
w stanie |1> lub pod ta˛ płaszczyzna˛ w stanie |2>6. Ogólnie rzecz biora˛ c nigdy nie wiadomo
z cała˛ pewnościa˛ , gdzie atom azotu sie˛ znajduje. W zwia˛ zku z tym stan cza˛ stki amoniaku
6
Oznaczenia stanów stosowane w mechanice kwantowej.
znalezienia cza˛ stki w stanie |1> i w stanie

|2>7. Liczby C1 i C2 sa˛ liczbami
zespolonymi. Prawdopodobieństwo P1
znalezienia cza˛ stki w stanie |1> wyraża sie˛
wzorem:
(66)
Podobnie prawdopodobieństwo P2 znale-

zienia cza˛ stki w stanie |2> wyraża sie˛ wzo-
rem:
(67)
Jest rzecza˛ oczywista˛ , że jeżeli jedynymi Rys.63. Dwa stany cza˛ stki amoniaku.
dopuszczalnymi przez nas stanami cza˛ stki
sa˛ wymienione dwa stany to prawdopodobieństwa P1 i P2 musza˛ spełniać zwia˛ zek:
(68)
Ewolucje˛ czasowa˛ amplitud prawdopodobieństwa C1 i C2 opisuje równanie Hamiltona.
(69)
Litera i oznacza tutaj czynnik urojony tzn. i2=-1, natomiast =1,055 10-34 [J s] to stała
Plancka. Współczynniki H11 i H22 to odpowiednio energia cza˛ stki w stanie |1> i energia
cza˛ stki w stanie |2>. Współczynniki H12 i H21 opisuja˛ „przeskakiwanie” cza˛ stki mie˛ dzy
wymienionymi stanami i spełniaja˛ naste˛ puja˛ cy zwia˛ zek:
(70)
Jeżeli brak jest pola elektrycznego to energia cza˛ stki w obu stanach jest identyczna, a zatem
H11=H22=E0. Ze wzgle˛ du na symetrie˛ stanów H12=H21=-A. Równania Hamiltona przyjmuja˛
naste˛ puja˛ ca˛ postać:
Cza˛ stka amoniaku jest złożonym układem kwantowym. Trudno jest zatem podać
teoretyczna˛ wartość energii E0 oraz współczynnika A. Wartości te moga˛ być wyznaczone
7
Nie interesuje nas ruch cza˛ stki w przestrzeni ani jej wewne˛ trzne stany wzbudzone.
(71)
doświadczalnie. Rozwia˛ zanie układu równań (71) jest takie, że amplitudy prawdopodobień-
stwa stanowia˛ pewna˛ liniowa˛ kombinacje˛ funkcji:
(72)
Oznacza to, że stan cza˛ stki amoniaku może być opisywany na dwa równoważne sposoby:
Przez podanie amplitudy prawdopodobieństwa C1 znalezienia cza˛ stki w stanie |1> i
amplitudy C2 znalezienia cza˛ stki w stanie |2>, tak jak opisano to na pocza˛ tku
paragrafu.
Przez podanie amplitudy prawdopodobieństwa CI znalezienia cza˛ stki w stanie o
energii EI=E0+A oraz amplitudy prawdopodobieństwa CII znalezienia cza˛ stki w stanie
o energii EII=E0-A.
Istnienie dwóch stanów cza˛ stki amoniaku |1> i |2>, różnia˛ cych sie˛ położeniem atomu azotu
w stosunku do płaszczyzny wyznaczanej przez atomy wodoru, jest równoważna istnieniu
dwóch bliskich sobie stanów energetycznych. Przejście cza˛ stki od stanu o energii EI do stanu
o niższej energii EII wia˛ że sie˛ z wyemitowaniem kwantu promieniowania (fotonu) o
cze˛ stotliwości f0=(EI-EII)/(2π ) = 2 A/(2π ) ≈ 24[GHz]. Cze˛ stotliwość ta, w widmie
promieniowania elektromagnetycznego, leży w obszarze mikrofal.
Rozważmy teraz w jaki sposób cza˛ stka amoniaku oddziaływać be˛ dzie z polem
elektrycznym zmieniaja˛ cym sie˛ z cze˛ stotliwościa˛ równa˛ f0. Tak jak pokazano to na
Rys. 63 cza˛ stka posiada moment elektryczny m skierowany od atomu azotu
w strone˛ płaszczyzny tworzonej przez atomy wodoru. Energia cza˛ stki w obecności pola
elektrycznego w stanie |1> różni sie˛ od energii w stanie |2>. Załóżmy, że na
Rys. 63 wektor nate˛ żenia pola elektrycznego (t) ma kierunek pionowy i
jest skierowane z dołu do góry. Współczynnik H11 równania Hamiltona oznaczaja˛ cy energie˛
cza˛ stki w stanie |1> przyjmuje postać:
(73)
Współczynnik H22 oznaczaja˛ cy energie˛ cza˛ stki w stanie |2> ma postać:

(74)
Pozostałe dwa współczynniki pozostaja˛ niezmienione. Równania Hamiltona opisuja˛ ce

ewolucje˛ czasowa˛ amplitud prawdopodobieństwa znalezienia układu w stanie |1> i w stanie
|2> przyjmuja˛ postać:
(75)
Dokonajmy teraz podstawienia:
(76)
Funkcje CI i CII to wspomniane wcześniej amplitudy prawdopodobieństwa znalezienia układu

w stanie o energii EI i EII. Równania Hamiltona maja˛ teraz postać:
(77)
Załóżmy, że rozwia˛ zanie naszych równań można przedstawić naste˛ puja˛ co:
(78)
Po przekształceniach i podstawieniu ω0=2πf0=(2A)/ można zapisać w formie:
(79)
Zauważmy, że prawdopodobieństwo PI znalezienia cza˛ stki w stanie o energii EI oraz

prawdopodobieństwo PII znalezienia cza˛ stki w stanie EII wyrażaja˛ sie˛ wzorami:
(80)
Załóżmy, że pole elektryczne zmienia sie˛ sinusoidalnie z pulsacja˛ ω:
(81)
Niech cza˛ stka NH3 w chwili t=0 znajduje sie˛ w stanie o energii EI (wyższej). Oznacza to, że
DI(0)=1 oraz DII(0)=0. Równania Hamiltona maja˛ postać:
(82)
Równania te be˛ dziemy chcieli rozwia˛ zać za pomoca˛ programu PSpice w dwóch
przypadkach:
W przypadku rezonansu, tzn. gdy cze˛ stotliwość pola elektrycznego ω/(2π) jest
identyczna z cze˛ stotliwościa˛ f0 kwantu promieniowania emitowanego przez cza˛ stke˛
przy przejściu od stanu o wyższej energii EI do stanu o niższej energii EII.
W przypadku gdy cze˛ stotliwość pola elektrycznego be˛ dzie sie˛ nieco różniła od
cze˛ stotliwości rezonansowej f0.
Aby uzyskać uniwersalne rozwia˛ zania równań (82) be˛ dziemy sie˛ posługiwali znormalizo-
wanym czasem τ oraz znormalizowanymi pulsacjami ω’, ω0’ określonymi zgodnie ze
wzorami:
(83)
Równania przyjmuja˛ teraz postać:
(84)
Układ dwóch równań różniczkowych (84) o współczynnikach zespolonych można

rozwia˛ zywać za pomoca˛ programu PSpice po uprzednim rozbiciu go na układ czterech
równań (85), w których wyste˛ puja˛ już tylko funkcje rzeczywiste tzn. cze˛ ść rzeczywista
i urojona funkcji DI(τ) i DII(τ).
(85)
Dla równań (85) można zbudować analog elektryczny tzn. obwód elektryczny opisywany
tymi właśnie równaniami. Analog ten przedstawiony jest na Rys. 64. Wyste˛ puja˛ tam
cztery sekcje, każda z jednym kondensatorem o pojemności 1[F]. Kolejne sekcje odpowiadaja˛
kolejnym równaniom w układzie (85). Potencjały V(1), V(2), V(3) i V(4) odpowiadaja˛
kolejno cze˛ ści urojonej DI, cze˛ ści rzeczywistej DI, cze˛ ści urojonej DII i cze˛ ści rzeczywistej
DII. Pozostałe sekcje służa˛ do uzyskania :
Przebiegu sinusoidalnego o pulsacji ω’ — V(10).
Przebiegu sinusoidalnego o pulsacji ω0’ — V(20).
Przebiegu kosinusoidalnego o pulsacji ω0’ — V(30).
Zadeklarowanie wymuszenia w postaci kosinusoidy stanowi w programie PSpice pewien
problem. W przebiegu typu SIN brak jest parametru, który pozwalałby zmienić faze˛
pocza˛ tkowa˛ . Wobec tego użyto źródła o przebiegu sinusoidalnym i cze˛ stotliwości dwa razy
mniejszej niż wymagana. Kosinusoide˛ można uzyskać z tego przebiegu na podstawie wzoru:
(86)
Niezbe˛ dne jest użycie nieliniowego źródła sterowanego. W przypadku naszego obwodu
przebieg kosinusoidalny ma potencjał we˛ zła V(30).
Z punktu widzenia programu PSpice obwód przedstawiony na Rys. 64 jest
patologiczny. We˛ zły 1, 2, 3 i 4 nie maja˛ stałopra˛ dowego poła˛ czenia z we˛ złem masy. Aby
temu zaradzić każdy z wymienionych we˛ złów poła˛ czono z we˛ złem masy opornikiem o
wartości 10[MΩ]. Opornik taki be˛ dzie miał niezauważalny wpływ na rozwia˛ zanie równań
obwodu, natomiast z punktu widzenia programu PSpice struktura obwodu stanie sie˛ poprawna.
Dane do obliczeń dla programu PSpice przedstawione sa˛ poniżej.
RÓWNANIA CZA
˛STKI AMONIAKU - REZONANS
.OPTIONS ITL5=10000
CI1 1 0 1
RI1 1 0 10MEG
GI11 0 1 POLY(3) 10 0 30 0 4 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 -1
GI12 0 1 POLY(3) 10 0 20 0 3 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1
CR1 2 0 1 IC=1
RR1 2 0 10MEG
GR11 0 2 POLY(3) 10 0 30 0 3 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1
GR12 0 2 POLY(3) 10 0 20 0 4 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1
CI2 3 0 1
RI2 3 0 10MEG
GI21 0 3 POLY(3) 10 0 30 0 2 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 -1
GI22 0 3 POLY(3) 10 0 20 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 -1
CR2 4 0 1
RR2 4 0 10MEG
GR21 0 4 POLY(3) 10 0 30 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1
GR22 0 4 POLY(3) 10 0 20 0 2 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 -1
R10 10 0 1
V10 10 0 SIN(0 1 10)
R20 20 0 1
V20 20 0 SIN(0 1 10)
R40 40 0 1
V40 40 0 SIN(0 1 5)
R30 30 0 1
E30 30 0 POLY(1) 40 0 1 0 -2
.TRAN 0.1 10 UIC

.PROBE V(1) V(2) V(3) V(4)
.END
RÓWNANIA CZA
˛STKI AMONIAKU - POZA REZONANSEM
.OPTIONS ITL5=10000
CI1 1 0 1
RI1 1 0 10MEG
GI11 0 1 POLY(3) 10 0 30 0 4 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 -1
GI12 0 1 POLY(3) 10 0 20 0 3 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1
CR1 2 0 1 IC=1
RR1 2 0 10MEG
GR11 0 2 POLY(3) 10 0 30 0 3 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1
GR12 0 2 POLY(3) 10 0 20 0 4 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1
CI2 3 0 1
RI2 3 0 10MEG
GI21 0 3 POLY(3) 10 0 30 0 2 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 -1
GI22 0 3 POLY(3) 10 0 20 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 -1
CR2 4 0 1
RR2 4 0 10MEG
GR21 0 4 POLY(3) 10 0 30 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1
GR22 0 4 POLY(3) 10 0 20 0 2 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 -1
R10 10 0 1
V10 10 0 SIN(0 1 10.5)
R20 20 0 1
V20 20 0 SIN(0 1 10)
R40 40 0 1
V40 40 0 SIN(0 1 5)
R30 30 0 1
E30 30 0 POLY(1) 40 0 1 0 -2
.TRAN 0.1 10 UIC
.PROBE V(1) V(2) V(3) V(4)
.END
Wartość momentu elektrycznego cza˛ stki amoniaku wynosi 1,46[Debay] [27] co odpowiada
4,87 10-30[A s m]. Jeżeli założymy amplitude˛ pola elektrycznego równa˛ 100 [V/cm] to
wartość znormalizowanej pulsacji rezonansowej powinna wynosić 327,0. Nasze obliczenia
wykonywane be˛ da˛ dla znormalizowanej pulsacji rezonansowej równej 10,0 tzn. zakładamy,
że pole elektryczne jest prawie 33 razy wie˛ ksze. W przypadku obliczeń poza rezonansem
założono, że cze˛ stotliwość rezonansowa różni sie˛ od cze˛ stotliwości pola elektrycznego o
5,0[%].
Rys.64. Analog elektryczny równań opisuja˛ cych cza˛ stke˛ amoniaku.
Wynik obliczeń przedstawiony jest na Rys. 65. Na osi poziomej odłożony jest
znormalizowany czas τ. Na osi pionowej odłożone jest prawdopodobieństwo znalezienia
cza˛ stki w stanie o wyższej energii EI (wzór (80)). W przypadku , gdy pole elektryczne
zmienia sie˛ z cze˛ stotliwościa˛ równa˛ cze˛ stotliwości rezonansowej obserwujemy emisje˛
wymuszona˛ . Pole elektryczne powoduje, że cza˛ stka cyklicznie przechodzi od stanu o energii
EI do stanu o energii EII. Wia˛ że sie˛ to z wypromieniowywaniem i pochłanianiem odpowied-
niego kwantu energii. Odchylenie cze˛ stotliwości pola od cze˛ stotliwości rezonansowej o 5,0%
znacznie zmniejsza ten efekt. Nie ma już chwil, w których cza˛ stka znajduje sie˛ w stanie o
energii EII z prawdopodobieństwem równym 1. Obserwowane na Rys. 65 zjawisko emisji
wymuszonej dla cza˛ stki NH3 leży u podstaw działania masera amoniakalnego — generatora
spójnego promieniowania mikrofalowego o cze˛ stotliwości 24[GHz]. Zjawisko emisji
wymuszonej wyste˛ puje we wszystkich układach kwantowych, w których może dojść do
spontanicznej emisji fotonu. W szczególności układy atomowe promieniuja˛ ce w zakresie
promieniowania widzialnego wykorzystywane sa˛ do budowy generatorów światła spójnego:
laserów8.
8
ang. Light (Microvawe) Amplification by Stimulated Emission of Radiation —
wzmocnienie światła (mikrofal) przez wymuszona˛ emisje˛ promieniowania.
Rys.65. Prawdopodobieństwo znalezienia cza˛ stki amoniaku w wyższym stanie energety-

cznym; (biały kwadrat) rezonans; (czarny kwadrat) poza rezonansem.
5. ELEMENTY PASYWNE — MODELE
Dwa ostatnie rozdziały tej ksia˛żki poświe˛cone zostana˛ na uzupełnienie i usystematyzo-

wanie wiadomości o modelach elementów elektronicznych, które zostały wbudowane w
program PSpice. W tym rozdziale zostana˛ omówione modele elementów pasywnych tzn.
opornika, kondensatora, cewki oraz klucza. Rozdział ten obejmuje także model nieliniowego
materiału ferromagnetycznego. Przedstawiona zostanie prosta metoda wyznaczania
parametrów tego modelu dla typowych materiałów ferrytowych stosowanych w elektronice.
5.1. Jeszcze raz deklaracja modelu

Przypomnijmy, że deklaracja elementu elektronicznego w je˛zyku symulacyjnym programu
PSpice wymaga podania nazwy modelu matematycznego elementu. W przypadku prostych
elementów takich jak opornik wskazanie modelu elementu nie jest wprawdzie konieczne, ale
pozwala na uwzgle˛dnienie dodatkowych parametrów modelu. Deklaracja modelu nie musi
poprzedzać deklaracji elementu. Modele deklarowane sa˛ za pomoca˛ instrukcji .MODEL o
naste˛puja˛cej składni:
.MODEL _nazwa _typ [_k1=_w1 _k2=_w2 ...]
Przykład:
.MODEL OPORNIK RES R=10K TC1=1.0E-3
.MODEL DIODA D IS=1.0E-12
Parametr _nazwa oznacza nazwe˛, która w sposób jednoznaczny identyfikuje zadeklarowa-
ny model matematyczny. W polu _typ powinno znaleźć sie˛ jedno z słów kluczowych, które
identyfikuja˛ w rodzaj elementu, którego model dotyczy. Wspomniane słowa kluczowe to:
RES opornik;
CAP kondensator;
IND cewka;
CORE nieliniowy rdzeń magnetyczny;
VSWITCH klucz sterowany napie˛ciem;
ISWITCH klucz sterowany pra˛dem;
D dioda półprzewodnikowa;
NPN tranzystor bipolarny typu n–p–n;
PNP tranzystor bipolarny typu p–n–p;
NJF tranzystor polowy zła˛czowy z kanałem typu n;
112 Elementy pasywne - modele
PJF tranzystor polowy zła˛ czowy z kanałem typu p;

NMOS tranzystor polowy MOS z kanałem typu n;
PMOS tranzystor polowy MOS z kanałem typu p;
GASFET tranzystor polowy zła˛ czowy GaAs z kanałem typu n;
Na końcu linii deklaracji modelu podaje sie˛ , po słowach kluczowych identyfikuja˛ ch parametry
modelu (pola _k1, _k2, ...), wartości poszczególnych parametrów modelu (pola _w1, _w2, ...).
Po wartości każdego z parametrów modelu może zostać podana wartość tolerancji dotycza˛ ca
tego parametru. Wartość tolerancji musi zostać poprzedzona jednym z naste˛ puja˛ cych słów
kluczowych:
DEV Oznacza, że wartość parametru jest inna dla każdego elementu, którego
deklaracja odwołuje sie˛ do tego samego modelu.
LOT Oznacza, że wartość parametru jest taka sama dla każdego elementu ,
którego deklaracja odwołuje sie˛ do tego samego modelu.
Tolerancje˛ można podać wyrażona˛ w procentach. Aby to zaznaczyć należy użyć znaku „ % ”.
Przykład:
.MODEL TNPN NPN BF=100 DEV=50% IS=1.0E-18
Model o nazwie TNPN jest modelem matematycznym tranzystora bipolarnego typu n–p–n o
wzmocnieniu pra˛ dowym równym 100 (parametr BF) oraz pra˛ dzie nasycenia zła˛ czy równym
10-18[A] (parametr IS). Wartość wzmocnienia pra˛ dowego może zmieniać sie˛ w granicach
±50[%] wartości nominalnej tzn. od wartości 50 do wartości 150.
5.2. Model opornika

Zwykle deklaracja opornika nie zawiera odwołania do modelu. Zdarza sie˛ jednak, że ko-
nieczne jest odtworzenie temperaturowych zmian oporności lub uwzgle˛ dnienie tolerancji
elementu. W tym wypadku konieczne jest zadeklarowanie model opornika.
Tablica XI, Tablica XI zawiera parametry opornika, które uwzgle˛ dnia model wbudowany w
program PSpice. Jeżeli chodzi o
temperaturowe zmiany opor- Tablica XI Parametry modelu opornika.
ności uwzgle˛ dniono dwa typy
Słowo Nazwa Jednostka Wartość
oporników: kluczowe domyślna
Dla elementów dyskret- R Mnożnik rezystancji - 1.0

nych oporność może być TC1 Współczynnik liniowej zależ-
ności rezystancji od temperatury [K]-1 0.0
liniowa˛ lub kwadratowa˛ TC2 Współczynnik kwadratowej zależ-
ności rezystancji od temperatury [K]-2 0.0
funkcja˛ temperatury. TCE Wykładnik pote˛ gowy dla tempera-
turowej zależności rezystancji [K]-1 0.0
Zmiany temperaturowe
oporności opisywane sa˛
w tym przypadku za
pomoca˛ dwóch parametrów TC1 i TC2. Sa˛ to odpowiednio współczynnik liniowej
Elementy pasywne - modele 113
zależności rezystancji od temperatury i współczynnik kwadratowej zależności

rezystancji od temperatury. Równanie opisuja˛ ce temperaturowe zmiany oporności ma
postać:
(87)
gdzie:
T temperatura w skali bezwzgle˛ dnej;
T0 temperatura odniesienia równa 300K;
R(T) oporność w temperaturze T;
R(T0) oporność w temperaturze odniesienia.
Dla oporników scalonych, wykonywanych zwykle jako obszar dyfuzji kolektorowej
scalonego tranzystora bipolarnego, właściwsza jest zależność wykładnicza. Zmiany
temperaturowe oporności opisywane sa˛ w tym przypadku jednym parametrem TCE
–wykładnikiem pote˛ gowym.
(88)
Przykłady:
* OPORNIK DYSKRETNY
.MODEL OPO_D RES R=1K TC1=5.0E-4 TC2=4.2E-6
* OPORNIK SCALONY
.MODEL OPO_S RES R=1K TCE=-2.5E-02
Parametr R, który znajdujemy wśród parametrów opornika, służy do obliczania wartości
opornika odwołuja˛ cego sie˛ do modelu. Wartość opornika w temperaturze odniesienia T0 jest
iloczynem parametru R oraz mnożnika podawanego tuż za nazwa˛ modelu w linii deklaracji
opornika. Jeśli mnożnik nie jest podany program przyjmuje, że wynosi on 1. Niech opornik
o nazwie R11 be˛ dzie modelowany za pomoca˛ modelu o nazwie OPO_D z przykładu powyżej.
Deklaracja tego opornika powinna mieć postać:
R11 12 2 OPO_D 10
Wartość oporności opornika R11 w temperaturze T0 wynosi 10[kΩ].
Tolerancje oporników uwzgle˛ dnia sie˛ za pomoca˛ słowa kluczowego DEV lub LOT w
deklaracji modelu opornika.
Przykłady:
* OPORNIKI O TOLERANCJI 5[%]. WARTOŚCI NIEZALEŻNE.
.MODEL OPO RES R=10K DEV 5%
R21 1 2 OPO 5 ;50K
R45 2 4 OPO 1 ;10K
RMY 3 5 OPO 2.3 ;23K
5.3. Model kondensatora

Model kondensatora wbudowany w program PSpice pozwala na uwzgle˛ dnienie
naste˛ puja˛ cych efektów:
Wpływu temperatury na wartość pojemności kondensatora.
Wpływu napie˛ cia panuja˛ cego na kondensatorze na wartość pojemności (efekty
nieliniowe).
Tablica XII zawiera parametry Tablica XII Parametry modelu pojemności.
modelu kondensatora. Parametr
C służy do obliczania wartości kluczowe domyślna
pojemności elementu w tempe- C Mnożnik pojemności - 1.0
raturze odniesienia. Wartość TC1 Współczynnik liniowej zależ-
ności pojemności od temperatury [K]-1 0.0
pojemności deklarowanego TC2 Współczynnik kwadratowej zależ-
ności pojemności od temperatury [K]-2 0.0
kondensatora (podobnie jak w VC1 Współczynnik liniowej zależ-
ności pojemności od napie˛ cia [V]-1 0.0
przypadku opornika) jest ilo- VC2 Współczynnik kwadratowej zależ-
ności pojemności od napie˛ cia [V]-2 0.0
czynem wartości parametru C
oraz mnożnika podawanego tuż
za nazwa˛ modelu w linii dekla-
racji elementu. Jeśli mnożnik nie jest podany, program przyjmuje, że wynosi on 1. Zależność
pojemności od temperatury opisywana jest za pomoca˛ dwóch parametrów TC1 i TC2 —
odpowiednio jest to współczynnik liniowej zależności pojemności od temperatury
i współczynnik kwadratowej zależności pojemności od temperatury.
(89)
gdzie:
C(T) pojemność w temperaturze T;
C(T0) pojemność w temperaturze odniesienia T0.
Efekty nieliniowe modelowane sa˛ za pomoca˛ dwóch naste˛ pnych parametrów. Sa˛ to
odpowiednio:
VC1 Współczynnik liniowej zależności pojemności od napie˛ cia.
VC2 Współczynnik kwadratowej zależności pojemności od napie˛ cia.
Pojemność rozumiana jest tutaj jako pojemność różniczkowa. Oznacza to, że pra˛ d i(t) płyna˛ cy
przez element zwia˛ zany jest z napie˛ ciem panuja˛ cym na elemencie u(t) za pomoca˛ naste˛ puja˛ -
cego wzoru:
(90)
gdzie:
C(T) pojemność różniczkowa kondensatora (w temperaturze T), gdy napie˛ cie panuja˛ ce
na nim jest równe 0.
Przykład:
.MODEL POJ CAP C=10N DEV 2% TC1=0.2E-3 VC1=2E-2
C1 2 3 POJ 1
5.4. Model cewki magnetycznej

Podobnie jak w przypadku kondensatora model cewki magnetycznej wbudowany w
program PSpice uwzgle˛ dnia zmiany indukcyjności wraz z temperatura˛ oraz efekty nieliniowe.
Tablica XIII zawiera
parametry tego modelu.
Tablica XIII Parametry modelu cewki magnetycznej.
Parametr L służy do
obliczania wartości induk- Słowo Nazwa Jednostka Wartość
kluczowe domyślna
cyjności elementu, którego
deklaracja odwołuje sie˛ do L Mnożnik indukcyjności - 1.0
TC1 Współczynnik liniowej zależ-
modelu. Wartość indukcy- ności indukcyjności od temperatury [K]-1 0.0
TC2 Współczynnik kwadratowej zależ-
jności jest iloczynem ności indukcyjności od temperatury [K]-2 0.0
IL1 Współczynnik liniowej zależ-
wartości parametru L oraz ności indukcyjności od pra˛ du [I]-1 0.0
IK2 Współczynnik kwadratowej zależ-
mnożnika, podawanego w ności indukcyjności od pra˛ du [I]-2 0.0
deklaracji cewki tuż za
nazwa˛ modelu. Jeśli mno-
żnik nie jest podany TO
program przyjmuje, że wynosi on 1. Parametry TC1 oraz TC2 służa˛ do opisu zmian
indukcyjności wraz z temperatura˛ . Wartość indukcyjności obliczana jest zgodnie ze wzorem:
(91)
gdzie:
L(T) indukcyjność w temperaturze T;
L(T0) indukcyjność w temperaturze odniesienia T0.
Do opisu efektów nieliniowych używa sie˛ dwóch kolejnych parametrów LI1 oraz LI2.
Sa˛ to odpowiednio współczynnik liniowej zależności indukcyjności od pra˛ du i współczynnik
kwadratowej zależności indukcyjności od pra˛ du. Indukcyjność rozumiana jest tutaj jako
indukcyjność różniczkowa. Oznacza to, że pra˛ d i(t) płyna˛ cy przez element zwia˛ zany jest z
napie˛ ciem panuja˛ cym na elemencie u(t) za pomoca˛ naste˛ puja˛ cego wzoru:
(92)
gdzie:
L(T) indukcyjność różniczkowa cewki (w temperaturze T), przy pra˛ dzie równym zero.
Przykład:
.MODEL CEWKA IND L=10M DEV 20% TC1=0.2E-3 IC1=2E-2
L1 2 3 CEWKA
5.5. Model kluczy sterowanych

Klucze sterowane zostały dokładnie omówione już wcześniej w rozdziale poświe˛ conym
analizie stanów nieustalonych — strona 77. Tutaj, dla porza˛ dku, przypomniane zostana˛
parametry modelu matematycznego klucza sterowanego (typ VSWITCH i typ ISWITH.
Tablica XIV Parametry modelu klucza sterowanego pra˛ dem.

kluczowe domyślna
RON Rezystancja w stanie wła˛ czenia [Ω] 1.0

ROFF Rezystancja w stanie wyła˛ czenia [Ω] 1.0E6
ION Pra˛ d wła˛ czenia [A] 1.0E-3
IOFF Pra˛ d wyła˛ czenia [A] 0.0
Tablica XV Parametry modelu klucza sterowanego napie˛ ciem.

kluczowe domyślna
RON Rezystancja w stanie wła˛ czenia [Ω] 1.0

ROFF Rezystancja w stanie wyła˛ czenia [Ω] 1.0E6
VON Napie˛ cie wła˛ czenia [V] 1.0
VOFF Napie˛ cie wyła˛ czenia [V] 0.0
5.6. Model nieliniowego rdzenia magnetycznego

Pocza˛ wszy od wersji 3.01 program PSpice pozwala na symulacje˛ obwodów elektronicz-
nych zawieraja˛ cych nieliniowe elementy magnetyczne. Element taki wprowadzany jest w
strukture˛ obwodu za pomoca˛ deklaracji sprze˛ żenia magnetycznego. Wcześniej przedstawiono
deklaracje˛ sprze˛ żenia dwóch cewek liniowych — strona 7. Jeżeli cewki sprze˛ żone sa˛ poprzez
rdzeń wykonany z nieliniowego materiału magnetycznego np. ferromagnetyka, deklaracja

takiego sprze˛ żenia jest naste˛ puja˛ ca:
KXXXXXXX _L1 [_L2] _k _model _skala
Pola powinny zawierać _L1 i _L2 nazwy cewek sprze˛ żonych poprzez nieliniowy rdzeń
magnetyczny. W miejsce indukcyjności w liniach deklaracji cewek _L1 i _L2 podaje sie˛
liczbe˛ zwojów cewki. Podanie nazwy tylko jednej cewki w deklaracji K oznacza cewke˛ z
nieliniowym rdzeniem. Parametr _k określa współczynnik sprze˛ żenia cewek. Jego wartość
powinna sie˛ mieścić w przedziale obustronnie otwartym (0,1). W polu _model podaje sie˛
nazwe˛ modelu rdzenia magnetycznego, który opisuje zachowanie deklarowanego elementu.
Parametr _skala to współczynnik służa˛ cy do skalowania pola przekroju poprzecznego rdzenia.
Przykład:
K11 L12 L32 0.9 RDZEN 1.0
Tablica XVI podsumowuje Tablica XVI Parametry modelu nieliniowego rdzenia
parametry potrzebne do modelo- magnetycznego.
wania nieliniowego rdzenia
magnetycznego. Można je po- kluczowe domyślna
dzielić na dwie grupy. Pierwsza AREA Pole przekroju poprzecznego [cm]2 0.1
PATH Średnia długość linii pola
z nich to parametry opisuja˛ ce
magnetycznego [cm] 1.0
geometrie˛ rdzenia. Druga grupa GAP Szerokość szczeliny powietrznej [cm] 0.0
STACK Współczynnik wypełnienia - 1.0
to parametry opisuja˛ ce materiał MS Magnetyzacja nasycenia [A/m] 106
ALPHA Średni współczynnik pola - 0.001
magnetyczny, z którego został A Parametr kształtu [A/m] 103
wykonany rdzeń. Do pierwszej C Stała odkształceń elastycznych ścian
domen - 0.2
grupy należy: K Stała odkształceń nieelastycznych
ścian domen [A/m] 500
Parametr AREA słu-
ża˛ cy do określania pola
przekroju poprzecznego
rdzenia; pole przekroju poprzecznego rdzenia, wyrażone w [cm2] jest iloczynem
parametru AREA i wartości podanej w polu _skala w linii deklaracji sprze˛ żenia ma-
gnetycznego — strona 117.
Parametr PATH — średnia długość linii pola magnetycznego wewna˛ trz rdzenia
wyrażona w [cm].
Parametr GAP — szerokość szczeliny powietrznej rdzenia w [cm].
parametr STACK — określa jaka˛ cze˛ ść pola przekroju poprzecznego cewki
wypełnia rdzeń.
Aby wyjaśnić znaczenie parametrów należa˛ cych do drugiej grupy należy omówić
matematyczny model materiału magnetycznego zrealizowany w programie PSpice.
5.6.1. Model materiału rdzenia

W programie PSpice zrealizowano nieco zmodyfikowany model nieliniowego materiału
magnetycznego zaproponowany w 1986 roku przez D.C.Jiles–a i i D.L.Atherton–a [15].
Zakłada on istnienie (dla temperatur odpowiadaja˛ cych temperaturze pokojowej) krzywej
namagnesowania materiału Ma–H nie wykazuja˛ cej histerezy magnetycznej. Krzywa taka
opisuje stan równowagi termodynamicznej tzn. stan, w którym energia polikryształu
ferromagnetyka jest najniższa. Z wyników pomiarów dla stali jakie przedstawiono w [3]
wynika, że krzywa taka jest w praktyce rzeczywiście obserwowana. Opisana jest ona
naste˛ puja˛ cym równaniem:
(93)
gdzie:
H nate˛ żenie pola magnetycznego;
Ma magnetyzacja w przypadku braku histerezy;
Ms magnetyzacja nasycenia (w programie PSpice parametr MS);
α średni parametr pola (w programie PSpice parametr ALPHA);
a parametr kształtu (w programie PSpice parametr A).
Funkcja F(x) ma naste˛ puja˛ ca˛ postać:
(94)
Wzory (93) i (94) uzyskuje sie˛ badaja˛ c zbiór momentów magnetycznych domen ferromagne-
tyka metodami fizyki statystycznej [9]. Parametr a jest ściśle zwia˛ zany z średnim momentem
magnetycznym pojedynczej domeny (odwrotnie proporcjonalnie) i temperatura˛ układu (wprost
proporcjonalnie). Parametr α zwia˛ zany jest z energia˛ wzajemnego oddziaływania domen.
Parametr ten uwzgle˛ dnia nie tylko energie˛ oddziaływania domeny z polem magnetycznym
wytworzonym przez wszystkie pozostałe domeny polikryształu. Uwzgle˛ dnia także energie˛
zgromadzona˛ na powierzchni domeny. Nie do końca wyjaśnione efekty kwantowe [9]
powoduja˛ , że najbardziej korzystnym energetycznie stanem dla sa˛ siednich atomów w krysztale
ferromagnetyka jest stan, w którym momenty magnetyczne atomów maja˛ ten sam kierunek.
Sta˛ d atomowe momenty magnetyczne wewna˛ trz domeny sa˛ uporza˛ dkowane. Na granicy
domen wyste˛ puje obszar „przejściowy”, w którym sa˛ siaduja˛ ze soba˛ atomy o momentach
magnetycznych skierowanych w różne strony. Zwia˛ zane jest to ze zmagazynowaniem na
powierzchni domeny dodatkowej energii. Krzywa namagnesowania opisana wzorami (93),(94)
nie jest obserwowana bezpośrednio. Wytworzenie wewna˛ trz ferromagnetyka niezerowego
wektora namagnesowania wymaga „rozrostu” domen o momencie magnetycznym skierowa-
nym zgodnie z zewne˛ trznym polem magnetycznym. Naste˛ puje wówczas ruch ścian domen,
który napotyka na opory. Wynikaja˛ one z niedoskonałości budowy poszczególnych
monokryształów, istnienia granic ziarn w polikrysztale itp. W pracy [15] założono, że energia
potrzebna do przesunie˛ cia ściany domeny jest wprost proporcjonalna do wielkości tego
przesunie˛ cia (stała „siła tarcia”). Prowadzi to do naste˛ puja˛ cego wzoru określaja˛ cego
obserwowana˛ wartość wektora magnetyzacji M:
(95)
gdzie:
Ma wartość wektora magnetyzacji obliczona na podstawie wzorów (93),(94);
K stała odkształceń nieelastycznych ścian domen (w programie PSpice stała K);
δ równe jest +1 gdy dH/dt>0, natomiast w przypadku gdy dH/dt<0 równe jest -1.
Wzór (95) opisuje składowa˛ wektora magnetyzacji pochodza˛ ca˛ od odkształceń
nieelastycznych. Ściana domeny zaczepiona o defekty kryształu ulega odkształceniom
elastycznym. W pracy [15] założono, że „ciśnienie” wywołuja˛ ce ten efekt jest wprost
proporcjonalne do różnicy mie˛ dzy wartościa˛ wektora magnetyzacji obliczona˛ ze wzoru (1) i
aktualna˛ wartościa˛ wektora magnetyzacji M. W rezultacie otrzymano naste˛ puja˛ cy wzór
określaja˛ cy składowa˛ wektora magnetyzacji zwia˛ zana˛ z elastycznymi odkształceniami ścian
domen:
(96)
Sumuja˛ c składowe określone wzorami (95) i (96) otrzymujemy wzór określaja˛ cy całkowita˛
wartość wektora magnetyzacji wewna˛ trz ferromagnetyka:
(97)
Po przekształceniu wzór (97) przyjmuje ostateczna˛ postać:
(98)
Model materiału ferromagnetycznego zrealizowany w programie PSpice oparty jest na

wzorach (93),(94) oraz (98).
5.6.2. Wyznaczanie parametrów materiału magnetycznego

Aby dokładnie modelować zachowanie materiału magnetycznego trzeba znać wartości
parametrów Ms,a,α,K,C (w programie PSpice MS,A,ALPHA,K,C). Wartości domyślne,
które przyjmowane sa˛ przez program PSpice sa˛ takie jak w oryginalnej pracy D.C.Jiles–a i
D.L.Atherton–a [15] i dotycza˛ stali. W praktyce inżynier elektronik znacznie cze˛ ściej spotyka
sie˛ z magnetycznie mie˛ kkimi ferrytami używanymi jako rdzenie transformatorów wysokiej
cze˛ stotliwości. Rdzenie transformatorów wysokiej cze˛ stotliwości wykonywane sa˛ zwykle z
ferrytów manganowo–cynkowych i manganowo–niklowych [11]. Sa˛ to materiały
magnetycznie mie˛ kkie tzn. nate˛ żenie powścia˛ gaja˛ ce Hc oraz indukcja szcza˛ tkowa Br
przyjmuja˛ stosunkowo małe wartości [16]. W skutek tego w materiałach tych obserwuje sie˛
praktycznie liniowa˛ krzywa˛ rozmagnesowywania. Krzywa˛ te˛ można opisać wzorem:
(99)
Parametr µ’ oznacza przenikalność magnetyczna˛ materiału rdzenia obserwowana˛ w obszarze

krzywej rozmagnesowywania:
(100)
gdzie:
µ0 przenikalność magnetyczna próżni równa 4π 10-7[H/m].
Ponieważ wartość nate˛ żenia powścia˛ gaja˛ cego Hc jest mała można w obszarze krzywej
rozmagnesowywania zlinearyzować wzór (93):
(101)
Zgodnie ze wzorem (98) mamy:
(102)
Pochodna wartości wektora magnetyzacji po nate˛ żeniu pola magnetycznego dla wartości pola
magnetycznego równej zero(dM/dH)H=0 to pocza˛ tkowa przenikalność materiału rdzenia µ
pomniejszona o jeden — parametr µ podawany jest w katalogu rdzeni. Sta˛ d ze wzoru (102)
uzyskujemy wartość dMa/dH dla H=0.
(103)
Wzór (101) można teraz przepisać w postaci:
(104)
Po wprowadzeniu wzorów (99), (104) i (103) do równania (98) otrzymuje sie˛ :
(105)
We wzorze (105) uwzgle˛ dniono, że na krzywej rozmagnesowywania zachodzi naste˛ puja˛ cy
zwia˛ zek:
(106)
oraz, że δ=-1.

Równanie (105) musi być spełnione dla każdej wartości nate˛ żenia pola magnetycznego
H w obszarze krzywej rozmagnesowywania. Oznacza to, że wyraz wolny jak i współczynnik
proporcjonalności przy H po lewej i prawej stronie wzoru (105) musza˛ być równe. Daje to
w rezultacie wzór określaja˛ cy wartość parametru C:
(107)
oraz wzór określaja˛ cy wartość parametru K:
(108)
Wielkość µ’ określona jest wzorem (100), (108). Ze wzgle˛ du na duża˛ wartość µ’ parametr K
modelu równy jest nate˛ żeniu pola powścia˛ gaja˛ cego.
Pozostaje jeszcze wyznaczenie parametrów Ms,a,α wyste˛ puja˛ cych we wzorach (93), (94).
Najłatwiej wyznaczyć wartość magnetyzacji nasycenia. W katalogach podaje sie˛ zwykle
indukcje˛ nasycenia Bn, której wartość ła˛ czy sie˛ z magnetyzacja˛ nasycenia naste˛ puja˛ cym
wzorem:
(109)
gdzie:
Hn — nate˛ żenia pola magnetycznego, dla którego dokonywano pomiaru Bn.
Trudniejszy problem stanowi znalezienie wartości parametrów a i α ponieważ krzywa
opisana równaniami (93), (94) jest trudna do pomiaru i nie jest podawana w katalogach. Dla
dużych wartości nate˛ żenia pola magnetycznego krzywa ta jest jednak bardzo bliska pierwotnej
krzywej namagnesowania. A zatem wymienione parametry zostana˛ dobrane tak aby:
Wartość przenikalności pocza˛ tkowej materiału rdzenia była równa µ.
Krzywa opisana równaniami (93), (94) przechodziła przez wybrany punkt pierwotnej
krzywej namagnesowania dla dużych wartości H.
Zgodnie ze wzorem (102) wartość pocza˛ tkowej przenikalności magnetycznej materiału
określona jest wzorem:
(110)
Wartość pochodnej wartości wektora magnetyzacji Ma po nate˛ żeniu pola magnetycznego

otrzymuje sie˛ różniczkuja˛ c wzory (93), (94):
(111)
Podstawiaja˛ c wzór (111) do wzoru (110), po przekształceniach otrzymujemy wartość

współczynnika α:
(112)
Dla dużych wartości argumentu funkcje˛ F(x) można przybliżyć w sposób naste˛ puja˛ cy:
(113)
Jeżeli mamy wartość nate˛ żenia pola magnetycznego Hx oraz wartość indukcji magnetycznej
Bx leża˛ ce na krzywej pierwotnego namagnesowania blisko obszaru nasycenia to spełniaja˛ one
przybliżona˛ równość:
(114)
gdzie:
(115)
Uwzgle˛ dniaja˛ c we wzorze (114) wyrażenie określaja˛ ce wartość parametru α (wzór (112)), po
przekształceniach otrzymujemy wyrażenie określaja˛ ce wartość parametru a:
(116)
Dysponuja˛ c wartościa˛ parametru a można obliczyć teraz, korzystaja˛ c ze wzoru (112) wartość
parametru α.
Ponieważ punkt o współrze˛ dnych (Hx,Bx) powinien leżeć na krzywej pierwotnego
namagnesowania blisko obszaru nasycenia, co może wia˛ zać sie˛ z pojawieniem sie˛
dodatkowych błe˛ dów numerycznych podczas obliczeń z wykorzystaniem wzoru (116), warto
odczytać w katalogu współrze˛ dne kilku takich punktów. Dla każdego z nich należy obliczyć
Tablica XVII Obliczanie parametrów materiału magnetycznie mie˛ kkiego.
Parametr Wzór Potrzebne dane

katalogowe
µ0*Hc*(µ-1)
C C= Hc,Br,µ
Br-µ*µ0*Hc
Br
K K=Hc* Hc,Br
Br-µ0*Hc
MN Mn=Bn/µ0-Hn Bn,Hn
Hx-C*Mx/[(1+C)*(µ-1)]
A A= Bx,Hx,(Mn,C)
1/(1-Mx/Mn)-3*Mx/Mn
Mx=Bx/µ0-Hx
C
ALPHA ALPHA=3*A/Mn - µ,(A,Mn,C)
(µ-1)*(1+C)
parametr a ze wzoru (116). Jako wartość parametru a należy przyja˛ ć średnia˛ uzyskanych
wyników. Tej średniej używa sie˛ do obliczenia parametru α zgodnie ze wzorem (112).
Tablica XVII podsumowuje sposób wyznaczania parametrów materiału magnetycznie
mie˛ kkiego dla potrzeb modelowania za pomoca˛ programu PSpice.
Przykład:
Obliczyć parametry ferrytu F3001 produkowanego przez ZMM „Polfer”. Potrzebne dane
katalogowe [16]:
Bn=370[mT] indukcja nasycenia;
Hn=1000[A/m] nate˛ żenie pola magnetycznego, dla którego dokonano pomiaru Bn;
µ=3000 pocza˛ tkowa przenikalność magnetyczna;
Br=87,0[mT] pole szcza˛ tkowe;
Hc=14,0[A/m] nate˛ żenie pola powścia˛ gaja˛ cego (pole koercji);
Hx=150[A/m] nate˛ żenie pola;
Bx=316[mT] indukcja pola — punkt (Hx,Bx) leży na pierwotnej krzywej
namagnesowania blisko obszaru nasycenia.
Obliczenia:
Wzgle˛ dna przenikalność magnetyczna materiału obserwowana na krzywej rozmagnesowywa-
nia (wzór (100)):
(117)
Stała odkształceń elastycznych ścian domen (wzór(107)):

(118)
Stała odkształceń nieelastycznych ścian domen (wzór (108)):
(119)
Wartość wektora magnetyzacji w stanie nasycenia (wzór(109)):
(120)
Wartość wektora magnetyzacji dla punktu (Hx,Bx) odczytanego z pierwotnej krzywej

namagnesowania (wzór (115)):
(121)
Parametr kształtu pierwotnej krzywej namagnesowania (wzór (116)):
(122)
Parametr opisuja˛ cy oddziaływanie domen (wzór (112)):
(123)
Ostatecznie obliczone parametry ferrytu F3001 podane sa˛ poniżej:

A=22,5[A/m] parametr kształtu pierwotnej krzywej namagnesowania;
ALPHA=2,82 10-5 parametr opisuja˛ cy oddziaływanie domen;
5
MN=2,93 10 [A/m] magnetyzacja nasycenia;
C=1,54 stała odkształceń elastycznych domen;
K=14,0[A/m] stała odkształceń nieelastycznych domen.
Wyniki obliczeń ilustruja˛ kolejne rysunki. Rys. 66 przedstawia krzywa˛ rozmagnesowy-
wania materiału. Na osi poziomej odłożono nate˛ żenie pola magnetycznego wyrażone w [A/m],
na osi pionowej indukcje˛ pola magnetycznego wyrażona˛ w [mT]. Linia˛ cia˛ gła˛ zaznaczono
krzywa˛ obliczona˛ teoretycznie, natomiast gwiazdki, to punkty krzywej rozmagnesowywania
odczytane z katalogu. Na Rys. 67 porównano teoretyczna˛ pierwotna˛ krzywa˛ namagnesowania
(linia cia˛ gła) z krzywa˛ katalogowa˛ (gwiazdki). Na koniec Rys. 68 przedstawia krzywa˛ histe-
rezy magnetycznej materiału F3001 obliczona˛ przez program PSpice. Ponieważ program
PSpice wyświetla wyniki w jednostkach układu Gaussa CGS zostały one przeskalowane za
pomoca˛ programu PROBE tak by na osi poziomej znalazło sie˛ nate˛ żenie pola magnetycznego
wyrażone w [A/m] natomiast na osi pionowej indukcja pola magnetycznego w [mT].

Obliczenia według wyprowadzonych wzorów przeprowadzone zostały także dla kilku
innych materiałów ferrytowych służa˛ cych do wytwarzania rdzeni do transformatorów wysokiej
cze˛ stotliwości. Oprócz F3001 sa˛ to materiały F5001, F2001, F1001, F603, F201 produkowane
przez ZMM „Polfer”. Sa˛ to materiały o pocza˛ tkowej wartości przenikalności magnetycznej
równej odpowiednio 5000, 2200, 1200, 600 i 220. Uzyskane wartości parametrów przedstawia
Tablica XVIII. Dla materiałów F1001, F601 oraz F201 uzyskano ujemna˛ wartość parametru
ALPHA. Wskazuje to, że wzajemne oddziaływanie pól magnetycznych domen powoduje
osłabienie pola magnetycznego „obserwowanego” przez pojedyncza˛ domene˛ .
Tablica XVIII Parametry wybranych materiałów ferrytowych.
Parametr F5001 F3001 F2001 F1001 F603 F201
MN [A/m] 3.09E+5 2.93E+5 2.70E+5 3.17E+5 2.14E+5 2.05E+5

A [A/m] 14.4 22.5 28.0 11.1 15.0 46.8
ALPHA 5.80E-5 2.82E-5 5.39E-5 -1.93E-4 -3.07E-4 -8.12E-4
C 0.696 1.54 1.31 0.554 0.448 0.491
K [A/m] 9.3 14.0 16.5 35.5 64.3 127.0
Rys. 66 Krzywa rozmagnesowywania ferrytu Rys. 67 Pierwotna krzywa namagnesowania

F3001; * dane katalogowe, - obliczenia teore- ferrytu F3001; * dane katalogowe, - oblicze-
tyczne. nia teoretyczne.
5.6.3. Uwagi na temat obliczania parametrów materiałów magnetycznie mie˛ kkich

Najbardziej „delikatnym” problemem podczas obliczania parametrów rdzenia jest wybór
punktów na pierwotnej krzywej namagnesowania tak, by jak najdokładniej odtworzyć krzywa˛
Rys. 68 Pe˛ tla histerezy magnetycznej ferrytu F3001 obliczona przez program PSpice.
katalogowa˛ . Doświadczenia zdobyte podczas obliczeń pozwalaja˛ na sformułowanie naste˛ puja˛ -

cych zaleceń:
Wartość indukcji pola powinna mieścić sie˛ w granicach od 85% do 97% indukcji
nasycenia.
Wybrany punkt powinien leżeć wyraźnie za „kolanem” krzywej pierwotnego namag-
nesowania.
Wybrany punkt powinien leżeć w cze˛ ści krzywej, która jeszcze wyraźnie wznosi sie˛ .
Jeżeli krzywa pierwotnego namagnesowania kończy sie˛ fragmentem wyraźnie
wznosza˛ cym sie˛ należy wybierać punkty tuż przy końcu krzywej.
Podczas obliczeń stwierdzono, że jeżeli wybrany zostanie do obliczeń nawet pojedynczy
punkt zgodnie z powyższymi zaleceniami to uzyskana krzywa pierwotnego namagnesowania
bardzo dobrze zgadza sie˛ z krzywa˛ katalogowa˛ .
6. ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE
Rozdział ten poświe˛cony jest bliższemu przedstawieniu modeli elementów półprzewodni-

kowych, które zostały wbudowane w program PSpice. Dotychczas spotkaliśmy sie˛ z modelem
diody półprzewodnikowej (strona 24), tranzystora bipolarnego (strony 23,48) oraz tranzystora
polowego MOS (strona 21). Oprócz tego program PSpice pozwala na modelowanie
tranzystora polowego zła˛czowego oraz tranzystora polowego zła˛czowego wykonanego z GaAs
(arsenek galu). Modeli elementów półprzewodnikowych używaliśmy bez specjalnego
omówienia. W tym rozdziale zostanie przedstawiony sposób deklaracji każdego z elementów
w opisie obwodu, model matematyczny oraz parametry modelu. Parametry modeli zostały
wyróżnione dużym, wytłuszczonym drukiem np. IS.
6.1. Dioda półprzewodnikowa

Podstawa˛ działania diody półprzewodnikowej jest zła˛cze pomie˛dzy dwoma obszarami
półprzewodnika różnia˛cymi sie˛ typem wie˛kszościowych nośników ładunku. Zła˛cze takie
stanowi podstawe˛ działania całej klasy przyrza˛dów zwanych bipolarnymi. Dioda jest jednym
z przedstawicieli tej klasy.
6.1.1. Deklaracja diody półprzewodnikowej

Składnia deklaracji diody półprzewodnikowej ma postać:
DXXXXXXX n+ n- _nazwa [_area] [OFF] [IC=_vd]
Przykłady:
DBR 2 10 DIODE1
DCM 3 10 DMOD 3.0 OFF IC=0.2
Nazwa diody zaczyna sie˛ od litery D. Parametry n+ oraz n- to odpowiednio numery
we˛złów, do których doła˛czona jest anoda i katoda diody. W polu _nazwa należy umieścić
nazwe˛ modelu diody (instrukcja deklaracji modelu .MODEL — strona 111).
W polu _area umieszcza sie˛ tzw. współczynnik zwielokrotnienia przyrza˛du. Jest to liczba,
przez która˛ przemnażane sa˛ (lub dzielone) te parametry modelu przyrza˛du, których wartość
zależy od powierzchni zajmowanej przez przyrza˛d na powierzchni krzemu. Współczynnik
zwielokrotnienia przyrza˛du jest zatem stosunkiem powierzchni, która˛ zajmuje deklarowany
128 Elementy półprzewodnikowe
element do powierzchni, która˛ założono deklaruja˛ c model. W ten sposób jedna deklaracja
modelu wystarcza dla modelowania wszystkich przyrza˛ dów tego samego typu, które powstały
na powierzchni krzemu w jednym procesie technologicznym mimo, że poszczególne
przyrza˛ dy różnia˛ sie˛ mie˛ dzy soba˛ rozmiarami geometrycznymi. W przypadku diody
parametrem zależnym od powierzchni jest np. pra˛ d nasycenia zła˛ cza IS. Pra˛ d nasycenia zła˛ cza
jest wprost proporcjonalny do powierzchni zajmowanej przez diode˛ . Jeżeli zatem w opisie
obwodu pojawia˛ sie˛ naste˛ puja˛ ce deklaracje:
.MODEL MOJA_DIODA D IS=1.0E-18
DCC 2 3 MOJA_DIODA 2.3
oznacza to, że pra˛ d nasycenia diody DCC wynosi 2,3·10-18[A]. Jest on zatem 2,3 raza wie˛ kszy
od pra˛ du IS zadeklarowanego w modelu diody o nazwie MOJA_DIODA. Jeżeli w deklaracji
diody DCC nie pojawi sie˛ współczynnik zwielokrotnienia to program PSpice przyjmie, że
współczynnik ten równa sie˛ 1,0.
W deklaracji diody może pojawić sie˛ także słowo kluczowe OFF. Użycie tego słowa
powoduje, że zmieniony zostaje nieco algorytm obliczania statycznego punktu pracy
analizowanego układu. W pierwszej fazie każdy element, w którego deklaracji pojawiło sie˛
słowo kluczowe OFF zostaje wyła˛ czony z obwodu przez zwarcie we˛ złów, do których były
doła˛ czone jego wyprowadzenia. Obliczany jest statyczny punkt pracy tak zmodyfikowanego
obwodu. Po pomyślnym zakończeniu obliczeń algorytm wchodzi w druga˛ faze˛ . Wyła˛ czone
z obwodu elementy sa˛ ponownie wła˛ czane do obwodu. Obliczany jest statyczny punkt pracy
układu, przy czym wartości pocza˛ tkowe potencjałów we˛ złowych sa˛ równe wartościom
obliczonym w pierwszej fazie algorytmu. W ten sposób słowo kluczowe OFF może być
użyte:
Dla ułatwienia obliczenia przez program PSpice statycznego punktu pracy układu.
W przypadku układu bistabilnego, dla wybrania określonego statycznego punktu pracy.
Użycie słowa kluczowego OFF prowadzi zawsze do poprawnego obliczenia statycznego
punktu pracy układu. Jeśli jednak statyczny punkt pracy układu różni sie˛ w sposób istotny od
założonego stanu wyła˛ czenia elementu z obwodu to czas obliczeń może sie˛ bardzo wydłużyć.
Ostatnim elementem deklaracji diody sa˛ warunki pocza˛ tkowe dla analizy stanów
nieustalonych. Po słowie kluczowym IC= podawana jest wartość napie˛ cia mie˛ dzy anoda˛ i
katoda˛ diody w chwili rozpocze˛ cia analizy .TRAN (pole _vd)1. Wartość ta ma znaczenie
tylko wtedy, gdy w instrukcji analizy stanów nieustalonych użyto słowa kluczowego UIC
(patrz strona 72), co pozwala na rozpocze˛ cie analizy stanów nieustalonych od dowolnego
stanu pocza˛ tkowego. Pomija sie˛ wtedy obliczanie stanu ustalonego w układzie.
1
Warunki pocza˛ tkowe moga˛ zostać podane także w instrukcji .IC - patrz strona 72.
Elementy półprzewodnikowe 129
6.1.2. Model diody półprzewodnikowej

Model diody półprzewodnikowej składa
sie˛ z kilku elementów, tak jak pokazuje to
Rys. 69. Najistotniejszym z nich jest idealne
zła˛ cze półprzewodnikowe p–n o charakerys-
tyce statycznej określonej wzorem:
(124)
gdzie:
Id1 pra˛ d płyna˛ cy przez zła˛ cze;
Is(T) pra˛ d nasycenia zła˛ cza jako Rys.69. Model diody półprzewodnikowej w
funkcja temperatury T — programie PSpice.
wzór (134);
Vd napie˛ cie panuja˛ ce na zła˛ czu;
Vt potencjał termiczny — w temperaturze T=300K równy około 26[mV];
N współczynnik emisji.
Równolegle do idealnego zła˛ cza półprzewodnikowego doła˛ czony jest nieliniowy opornik
o wykładniczej charakterystyce, którego zadaniem jest modelowanie zachowania zła˛ cza w
stanie przebicia. Charakterystyka wymienionego elementu dana jest wzorem:
(125)
gdzie:
Id2 pra˛ d płyna˛ cy przez zła˛ cze w stanie przebicia;
BV wsteczne napie˛ cie przebicia;
IBV pra˛ d płyna˛ cy przez element dla Vd=-BV.
Istnieja˛ co najmniej dwa mechanizmy prowadza˛ ce do pojawienia sie˛ wstecznego pra˛ du prze-
bicia zła˛ cza. Pierwszy z nich polega na lawinowym powielaniu nośników ładunku w obszarze
przejściowym mie˛ dzy materiałem o przewodnictwie typu p i materiałem o przewodnictwie
typu n. Drugi mechanizm polega na tunelowym przenikaniu przez nośniki ładunku wspom-
nianego obszaru. To, który z nich jest dominuja˛ cy w przypadku rzeczywistego zła˛ cza zależy
od szczegółów konstrukcyjnych [20]. Wzór (125) nie nie ma żadnego głe˛ bszego uzasadnienia
fizycznego. Został wybrany arbitralnie przez autorów programu PSpice tak, aby można było
łatwo aproksymować obserwowane doświadczalnie charakterystyki zła˛ cz p–n.
Szeregowa oporność o wartości Rs służy do:
Modelowania oporności omowych obszarów n oraz p zła˛ cza.
Oporności kontaktów.
Zjawisk zachodza˛ cych w zła˛ czu przy wysokim poziomie wstrzykiwania nośników
ładunku.
Te ostatnie modelowane sa˛ za Tablica XIX Paramery modelu diody półprzewodnikowej.

pomoca˛ oporności Rs tylko
zgrubnie. Program PSpice zor- kluczowe domyślna
ientowany jest na analize˛ ukła-
IS * Pra˛ d nasycenia w temperaturze
dów przeznaczonych do scale- odniesienia [A] 10-14
RS * Oporność szeregowa [Ω] 0.0
nia. W przypadku takich ukła- N Współczynnik emisji - 1.0
TT Czas przelotu [s] 0.0
dów rzadko zdarza sie˛ koniecz- CJO * Pojemność zła˛ cza przy zerowej
ność analizy przyrza˛ dów pracu- polaryzacji [F] 0.0
VJ Potencjał zła˛ czowy [V] 1.0
ja˛ cych przy dużym poziomie M Wykładnik opisuja˛ cy profil zła˛ cza - 0.5
EG Przerwa energetyczna [eV] 1.11
wstrzykiwania nośników. Odpo- XTI Wykładnik pote˛ gowy temp. współ-
wiada to zwykle dużej wartości czynnika pra˛ du - 3.0
KF Współczynnik szumów migotania - 0.0
pra˛ du płyna˛ cego przez element. AF Wykładnik szumów migotania - 1.0
FC Granica linearyzacji pojemności
Wartość oporności szeregowej zła˛ cza - 0.5
BV Wsteczne napie˛ cie przebicia [V] 100
diody Rs obliczana jest na pod- IBV Pra˛ d diody dla Vd=-BV [A] 10-3
stawie parametru RS oraz war-
* - parametr modyfikowany przez współczynnik zwielokrot-
tości współczynnika zwielokrotnienia przyrza˛du _area
nienia przyrza˛ du _area podawa-
nego w deklaracji diody (strona
127):
(126)
Przykład:
Na Rys. 70 przedstawiona jest charakterystyka statyczna typowej diody krzemowej. Linia
deklaracji modelu tej diody jest naste˛ puja˛ ca:
.MODEL DIO D IS=1E-16 N=1 BV=3 IBV=10M XTI=3 EG=1.11 RS=2
Parametrem na Rys. 70 jest oporność szeregowa diody RS.
Ze wzgle˛ du na trudności numeryczne jakie moga˛ pojawić sie˛ podczas rozwia˛ zywania
równań stałopra˛ dowych obwodu program PSpice nie dopuszcza do sytuacji, w której
przewodność różniczkowa przyrza˛ du spadłaby poniżej wartości GMIN=10-12[S]. W praktyce
oznacza to, że każdy przyrza˛ d zbocznikowany jest przez przewodność GMIN. Wartość mini-
malnej przewodności GMIN można zmienić za pomoca˛ instrukcji .OPTIONS tak jak
pokazano to poniżej.
.OPTIONS GMIN=_nowa_przewodność
W polu _nowa_przewodność należy umieścić zmodyfikowana˛ wartość minimalnej przewod-
ności, która może pojawić sie˛ w obwodzie.
Przykład:
.OPTIONS GMIN=1E-9
Rys.70. Rodzina charakterystyk statycznych krzemowwych diod półprzewodnikowych.

Parametrem rodziny jest oporność szeregowa diody, która zmienia sie˛ od 1[Ω] do 11[Ω].
Na Rys. 69 równolegle do zła˛ cza idealnego doła˛ czone sa˛ dwie nieliniowe pojemności. Ich
zadaniem jest modelowanie dynamiki elementu. Pojemność Cj modeluje pojemność zła˛ czowa˛
zwia˛ zana˛ z ładunkiem przestrzennym zgromadzonym w pobliżu „styku” obszarów n oraz p
półprzewodnika. Ładunek Qj zgromadzony w tym obszarze wyraża sie˛ naste˛ puja˛ cym wzorem:
(127)
gdzie:
Cjo(T) różniczkowa pojemność zła˛ czowa dla Vd=0[V] jako funkcja temperatury —
wzór (135);
Vj(T) napie˛ cie dyfuzyjne (potencjał zła˛ czowy) jako funkcja temperatury — wzór
(136);
M wykładnik opisuja˛ cy profil zła˛ cza.
W wypadku, gdy napie˛ cie na zła˛ czu Vd przekroczy wartość równa˛ FC Vj(T) przyjmuje sie˛ ,
że pojemność różniczkowa zła˛ cza jest liniowa˛ funkcja˛ napie˛ cia panuja˛ cego na zła˛ czu.
Prowadzi to do naste˛ puja˛ cego wzoru określaja˛ cego wartość ładunku Qj:
Parametr FC określa granice˛ linearyzacji pojemności zła˛ czowej. Parametr ten może być
dowolna˛ liczba˛ z przedziału <0;0.95>. Jeżeli w deklaracji modelu diody podana zostanie
wartość przekraczaja˛ ca 0.95 to program PSpice zaokra˛ gli ja˛ w dół do wartości 0.95. W
(128)
przypadku, gdy wartość parametru FC nie zostanie podana program przyjmie wartość 0,5.
Nieliniowa pojemność Cd, zwana pojemnościa˛ dyfuzyjna˛ , służy do modelowania zjawiska
gromadzenia w obszarach n oraz p nadmiarowych nośników mniejszościowych wstrzyki-
wanych z obszaru o odmiennym typie przewodnictwa elektrycznego. Powszechnie przyje˛ ty
model tego zjawiska [20] prowadzi do wniosku, że ładunek Qd zgromadzony na pojemności
Cd jest proporcjonalny do pra˛ du Id1 płyna˛ cego przez idealne zła˛ cze p–n.
(129)
gdzie TT to czas przelotu — parametr diody podawany w deklaracji modelu.

Pojemność Cd decyduje o czasie potrzebnym na przejście diody od stanu przewodzenia
do stanu zablokowania. Rozważmy
układ przedstawiony na Rys. 71.
Pocza˛ tkowo w układzie panuje stan
ustalony. Przez diode˛ płynie pra˛ d
wymuszony siła˛ elektromotoryczna˛
E1. W skutek przeła˛ czenia klucza
gwałtownie zmienia sie˛ kierunek
pra˛ du i(t) płyna˛ cego przez diode˛
powoduja˛ c rozładowywanie kon-
densatorów nieliniowych Cj oraz Rys.71. Przeła˛ czanie diody półprzewodnikowej.
Cd. W pierwszej fazie pra˛ d pły-
na˛ cy przez element usuwa nadmiarowe nośniki ładunku Qd. Towarzyszy temu rekombinacja
tych ładunków. Proces rekombinacji ładunków opisywany jest przez stała˛ czasowa˛ równa˛
czasowi przelotu diody TT. Polaryzacja zła˛ cza pozostaje praktycznie nie zmieniona (napie˛ cie
na pojemności jest cia˛ gła˛ funkcja˛ czasu). W rezultacie zmiany ładunku Qd dobrze opisywane
sa˛ za pomoca˛ naste˛ puja˛ cego równania [20]:
(130)
gdzie:
Ir pra˛ d rozładowuja˛ cy ≈ E2/R.
Równanie (130) jest wyrazem zasady zachowania ładunku. Zmiany ładunku Qd w czasie
(lewa strona równania) wynikaja˛ z jego rekombinacji (pierwszy składnik po prawej stronie)
oraz odprowadzania przez pra˛ d Ir (drugi składnik po prawej stronie). Wartość pocza˛ tkowa
ładunku Qd jest iloczynem parametru TT oraz pra˛ du If płyna˛ cego przez diode˛ w kierunku
przewodzenia w stanie ustalonym (If≈E1/R) [20]. Daje to naste˛ puja˛ cy przebieg czasowy zmian
ładunku Qd:
(131)
Sytuacja taka trwa dopóki, dopóty cały ładunek Qd(t=0)=TT If nie zostanie usunie˛ ty. Wtedy
dopiero zaczyna być usuwany ładunek Qj zgromadzony w obszarze zubożonym powoduja˛ c
zmiane˛ polaryzacji zła˛ cza i zmniejszenie pra˛ du płyna˛ cego przez diode˛ do zera. Zgodnie ze
wzorem (131) czas τ potrzebny na usunie˛ cie ładunku Qd wyraża sie˛ naste˛ puja˛ co:
(132)
Rys.72. Wyniki symulacji procesu przeła˛ czania diody półprzewodnikowej za pomoca˛

programu PSpice.
W tym czasie pra˛ d płyna˛ cy przez diode˛ w kierunku zaporowym pozostaje stały i równy Ir.
W przypadku rozważanego przez nas obwodu wzór (132) daje czas τ≈6.9[ns].
Rozważania te ilustruja˛ wyniki symulacji obwodu za pomoca˛ programu PSpice
przedstawione na Rys. 72. W pierwszym okresie, tuż po przeła˛ czeniu polaryzacji źródła, pra˛ d
płyna˛ cy przez diode˛ pozostaje stały przez prawie 7.0[ns] — odpowiedzialna jest za to
pojemność dyfuzyjna zła˛ cza. W cia˛ gu naste˛ pnych pie˛ ciu nanosekund pra˛ d opada praktycznie
do zera — wielkość tego czasu zależy głównie od pojemności zła˛ czowej diody.
6.1.3. Wływ temperatury na charakterystyki diody

Zmiany temperatury wpływaja˛ na charakterystyke˛ statyczna˛ diody poprzez zmiane˛
wartości potencjału termicznego oraz poprzez zmiany wartości pra˛ du nasycenia zła˛ cza.
Potencjał termiczny Vt jest liniowa˛ funkcja˛ temperatury bezwzgle˛ dnej T:
(133)
gdzie:
q ładunek elementarny = 1,61 10-19[A s].
W programie PSpice przyje˛ ta została naste˛ puja˛ ca formuła pozwalaja˛ ca na obliczenie
zależności pra˛ du nasycenia zła˛ cza od temperatury.
(134)
gdzie:
IS pra˛ d nasycenia zła˛ cza w temperaturze odniesienia TNOM;
XTI wykładnik pote˛ gowy temperaturowego współczynnika pra˛ du nasycenia;
EG wartość przerwy energetycznej dla materiału półprzewodnikowego, z którego
wykonano zła˛ cze;
_area współczynnik zwielokrotnienia przyrza˛ du;
TNOM temperatura odniesienia.
Pra˛ d nasycenia zła˛ cza Is(T) jest dość skomplikowana˛ funkcja˛ temperatury. W praktyce jednak
dominuja˛ ce znaczenie ma zależność wykładnicza.
Przykład:
Na Rys. 73 pokazano zbiór charakterystyk statycznych diody półprzewodnikowej w
obszarze przewodzenia. Model diody opisany jest naste˛ puja˛ cymi parametrami:
IS=10-18[A], N=1, BV=3[V], IBV=10[mA], XTI=3, EG=1,11[eV], RS=2
Charakterystyki obliczone zostały przez program PSpice dla różnych wartości temperatury
otoczenia diody. Pokazano tylko charakterystyki w obszarze przewodzenia ponieważ w
obszarze przebicia zła˛ cze modelowane jest za pomoca˛ wzoru (125). Jest to zależność służa˛ ca
tylko do aproksymacji charakterystyki przebicia. Na ogół nie oddaje ona prawidłowo zmian
Rys.73. Wpływ temperatury na charakterystyke˛ statyczna˛ diody krzemowej w obszarze

przewodzenia.
napie˛ cia przebicia zła˛ cza wraz z temperatura˛ .

Podane wyżej parametry diody odnosza˛ sie˛ do temperatury odniesienia TNOM. Jej
wartość przyjmowana przez program PSpice wynosi ≈27°C (300K). Przyjmuje sie˛ , że
parametry modelu każdego przyrza˛ du podawane sa˛ dla temperatury odniesienia. Możliwa jest
zmiana wartości temperatury odniesienia za pomoca˛ naste˛ puja˛ cej instrukcji:
.OPTIONS TNOM=_nowa_wartość
W polu _nowa_wartość powinna zostać podana zmieniona wartość temperatury odniesienia
wyrażona w °C.
Przykład:
.OPTIONS TNOM=21
Wartość temperatury otoczenia analizowanego układu może być zmieniana dwoma
metodami. W najbardziej ogólnym przypadku używa sie˛ instrukcji .TEMP (ang. temperature).
Instrukcja ta ma naste˛ puja˛ ca˛ składnie˛ :
.TEMP _t1 [ _t2 [ _t3 ... ]]
Przykład:
.TEMP -20 0 20 40 60 80
Po słowie kluczowym .TEMP podaje sie˛ w polach _t1, _t2, _t3 ... wartości temperatury
wyrażone w °C, dla których wykonane zostana˛ wszystkie instrukcje analizy obwodu
umieszczone w zbiorze z danymi wejściowymi. Jeżeli zostanie podana wartość temperatury
niższa od −273.0°C to zostanie ona zignorowana. Jeżeli instrukcja .TEMP nie pojawi sie˛ to
program PSpice przyjmie, że temperatura otoczenia analizowanego obwodu jest równa
TNOM.
Jeżeli interesuje nas tylko obliczenie charakterystyk stałopra˛ dowych układu w różnych
temperaturach można temperature˛ otoczenia układu zmieniać za pomoca˛ instrukcji .DC tak
jak opisano to na stronie 20.
Pojemność różniczkowa zła˛ cza przy zerowej polaryzacji Cjo(T) uzależniona jest w
programie PSpice od temperatury w sposób bezpośredni oraz poprzez zależność potencjału
zła˛ czowego od temperatury (różnicy potencjałów wytwarzaja˛ cej sie˛ mie˛ dzy obszarem typu
p i obszarem typu n).
(135)
gdzie:
Vj(T) zależność potencjału zła˛ czowego od temperatury;
VJ potencjał zła˛ czowy w temperaturze odniesienia;
M wykładnik pote˛ gowy opisuja˛ cy profil zła˛ cza;
_area współczynnik zwielokrotnienia przyrza˛ du.
We wzorze (135) wyste˛ puje zależność potencjału zła˛ czowego od temperatury — Vj(T).
W programie PSpice zależność ta ma naste˛ puja˛ ca˛ postać:
(136)
gdzie:
Vt potencjał termiczny;
Eg(T) zależność szerokości przerwy energetycznej materiału półprzewodnikowego od
temperatury;
EG szerokość przerwy energetycznej materiału półprzewodnikowego w temperatu-
rze odniesienia.
Od temperatury uzależniona jest także szerokość przerwy energetycznej materiału
półprzewodnikowego, z którego wykonany jest przyrza˛ d:
(137)
Zależność ta ma charakter empiryczny i dotyczy krzemu2.
2
Program PSpice przeznaczony jest głównie do analizy układów scalonych, które w
ogromnej wie˛ kszości wykonywane sa˛ na podłożu krzemowym.
6.1.4. Model małosygnałowy i model szumowy diody

Małosygnałowy model diody półprzewodnikowej powstaje przez zasta˛ pienie elementów
nieliniowych wyste˛ puja˛ cych w modelu nieliniowym (Rys. 69) przez odpowiednie elementy
liniowe. Zła˛ cze półprzewodnikowe opisane równaniem (124) zasta˛ pione zostaje przewodnościa˛
gd o wartości równej przewodności różniczkowej zła˛ cza w punkcie pracy:
(138)
gdzie:
Vd statyczne napie˛ cie panuja˛ ce na zła˛ czu.
W stanie przebicia istotna staje sie˛ przewodność gz reprezentuja˛ ca przewodność różniczkowa˛
elementu nieliniowego symuluja˛ cego zjawisko przebicia zła˛ cza:
(139)
W podobny sposób dokonuje sie˛ linearyzacji pojemności. Nieliniowa pojemność zła˛ czowa
zasta˛ piona zostaje liniowa˛ pojemnościa˛ cj, której wartość określona jest wzorem:
(140)
Podobnie poste˛ puje sie˛ z pojemnościa˛ dyfuzyjna˛ . Zostaje ona zasta˛ piona liniowa˛ pojemnościa˛
cd, której wartość równa jest odpowiedniej pojemności różniczkowej:
(141)
W rezultacie bez zmian pozostaje tylko oporność szeregowa diody. Pełny schemat małosyg-
nałowego modelu diody przed-
stawiony jest na Rys. 74.
Elementy składowe, z któ-
rych budowane sa˛ modele szu-
mowe rzeczywistych elementów
i układów elektronicznych prze-
dstawiono już w rozdziale 3 na
stronie 63. Sygnał szumu jest
zawsze mały, tak mały że wszy-
stkie elementy elektroniczne
moga˛ być traktowane jako ele-
menty liniowe. Sta˛ d model Rys.74. Małosygnałowy model diody półprzewodnikowej.
szumowy elementu powstaje z
modelu małosygnałowego poprzez uzupełnienie go o źródła szumów. W przypadku diody

przyczyna˛ szumu jest przepływ pra˛ du przez zła˛ cze półprzewodnikowe. Sta˛ d równolegle do
przewodności Gd doła˛ czone jest źródło szumu w postaci źródła pra˛ du (Rys. 75), którego
widmo mocy (Isz,d)2 dane jest wzorem:
(142)
gdzie:
KF wykładnik szumów migotania;
AF współczynnik szumów migotania.
Pierwszy składnik wzoru (142) opisuje szum śrutowy, wywołany przepływem elektronów
przez zła˛ cze. Drugi składnik to szum migotania. Źródłem szumów jest także oporność szere-
gowa diody Rs. Sta˛ d równolegle do niej wpie˛ te jest pra˛ dowe źródło szumów o widmowej
ge˛ stości mocy (Isz,Rs)2 danej wzorem:
(143)
6.2. Tranzystor bipolarny

W przypadku symulacji dyskret-
nych układów elektronicznych model
tranzystora bipolarnego jest jednym z
cze˛ ściej używanych modeli. Stanowi
cze˛ sto podstawe˛ makromodelu [3] —
modelu wie˛ kszego układu elektroni-
cznego (np. wzmacniacza operacyjne-
go) oddaja˛ cego zachowanie modelo-
wanego układu, ale nie oddaja˛ cego
jego struktury wewne˛ trznej. Rys.75. Model szumowy diody półprzewodnikowej.
6.2.1. Deklaracja tranzystora bipolarnego

Linia deklaracji tranzystora bipolarnego w je˛ zyku symulacyjnym programu PSpice ma
postać:
QXXXXXXX _nc _nb _ne [_ns] _nazwa_m [_area][OFF][IC=_vbe,_vce]
Przykłady:
Q1 1 2 3 QMOD IC=0.6,5.0
Q9A 2 12 4 5 MOD1
Nazwa tranzystora bipolarnego zaczyna sie˛ zawsze od litery Q. W polach _nc, _nb, _ne
podaje sie˛ numery we˛ złów, do których doła˛ czony jest odpowiednio kolektor, baza i emiter
tranzystora. W opcjonalnym polu _ns podaje sie˛ numer we˛ zła, do którego doła˛ czone jest
podłoże tranzystora. Jeżeli parametr ten nie zostanie podany program PSpice zakłada, że
podłoże tranzystora doła˛ czone jest do we˛ zła masy. W polu _nazwa_m należy podać nazwe˛
modelu tranzystora, do którego odwołuje sie˛ deklaracja. Pole _area zawiera współczynnik
zwielokrotnienia przyrza˛ du (patrz strona 127), natomiast słowo kluczowe OFF zmienia
algorytm obliczania statycznego punktu pracy układu tak jak to opisano na stronie 128. Na
końcu linii deklaracji po słowie kluczowym IC= można podać (oddzielaja˛ c przecinkiem):
wartość napie˛ cia pocza˛ tkowego mie˛ dzy baza˛ i emiterem — pole _vbe;
wartość napie˛ cia pocza˛ tkowego mie˛ dzy kolektorem i emiterem — pole _vce.
Parametry te maja˛ znaczenie tylko podczas analizy stanów nieustalonych i to tylko wtedy, gdy
w instukcji .TRAN pojawi sie˛ słowo kluczowe UIC (patrz strona 72).
6.2.2. Charakterystyka statyczna tranzystora bipolarnego3

Model tranzystora bipolarnego, który został wbudowany w program PSpice jest zmodyfi-
kowanym modelem ładunkowym Gummela–Poona [26] — Rys. 76. Charakterystyki tran-
zystora określone sa˛ głównie przez źródła pra˛ du Ic oraz Ib. Na pra˛ d kolektora Ic składaja˛ sie˛
pra˛ dy zła˛ cz kolektorowego oraz emiterowego z uwzgle˛ dnieniem efektu tranzystorowego oraz
pra˛ du upływu zła˛ cza kolektorowego:
(144)
gdzie:
Is(T) pra˛ d nasycenia w funkcji temperatury bezwzgle˛ dnej T — wzór (168);
Isc(T) pra˛ d upływu zła˛ cza kolektor–baza w funkcji temperatury T — wzór (170);
Br(T) wzmocnienie pra˛ dowe dla pracy inwersyjnej w układzie OE jako funkcja tempe-
ratury bezwzgle˛ dnej T — wzór (172);
Vbe napie˛ cie baza–emiter;
Vbc napie˛ cie baza–kolektor;
Vt potencjał termiczny — wzór (133);
NF współczynnik emisji dla pracy normalnej;
NR współczynnik emisji dla pracy inwersyjnej;
NC współczynnik emisji dla pra˛ du upływu zła˛ cza kolektorowego.
3
Wszystkie rozważnia prowadzone sa˛ dla tranzystora typu n-p-n. Autor sa˛ dzi, że na tej
podstawie Czytelnik jest w stanie odtworzyć sobie model tranzystora p-n-p zastosowany w
programie PSpice.
Rys.76. Model tranzystora bipolarnego typu n-p-n.
Wyste˛ puja˛ cy w równaniu (144) parametr Qb to tzw. wzgle˛ dny ładunek bazy. Służy on do
modelowania zjawiska Early–ego polegaja˛ cego na zmianach efektywnej szerokości obszaru
bazy pod wpływem zmian napie˛ cia panuja˛ cego na zła˛ czach (rozszerzanie i kurczenie obszaru
zubożonego). Parametr ten służy także do modelowania zjawisk zwia˛ zanych z wysokim
poziomem wstrzykiwania nośników do obszaru bazy. Ładunek wzgle˛ dny Qb obliczany jest
przez program PSpice zgodnie ze wzorem:
(145)
Ładunek Q1 uwzgle˛ dnia istnienie zjawiska Early–ego:
(146)
natomiast ładunek Q2 uwzgle˛ dnia zjawiska zwia˛ zane z wysokim poziomem wstrzykiwania
nośników:
(147)
gdzie:
VAF napie˛ cie Early–go dla pracy normalnej;
VAR napie˛ cie Early–go dla pracy inwersyjnej;
IKF pra˛ d załamania dla pracy normalnej;
IKR pra˛ d załamania dla pracy inwersyjnej.
Drugim istotnym składnikiem schematu zaste˛ pczego tranzystora jest siła pra˛ domotoryczna
Ib modeluja˛ ca pra˛ d bazy tranzystora. Pra˛ d ten obliczany jest naste˛ puja˛ co:
(148)
gdzie:
Is(T) pra˛ d nasycenia w Tablica XX Parametry modelu tranzystora bipolarnego
funkcji temperatury wpływaja˛ ce na charakterystyki statyczne.
bezwzgle˛ dnej T —
wzór (168); Słowo Nazwa Jednostka Wartość
Isc(T) pra˛ d upływu zła˛ cza kluczowe domyślna
kolektor–baza w
IS * Pra˛ d nasycenia w temperaturze
funkcji temperatury odniesienia [A] 10-16
T — wzór (170); BF Współczynnik wzmocnienia
pra˛ dowego dla pracy normalnej - 100
Ise(T) pra˛ d upływu zła˛ cza
NF Współczynnik emisji dla pracy
baza–emiter w fun- normalnej - 1.0
kcji temperatury T VA Napie˛ cie Early-ego dla pracy
— wzór (169); VAF normalnej [V] ∞
IKF * Pra˛ d załamania dla pracy normalnej [A] ∞
Br(T) wzmocnienie pra˛ do- ISE * Pra˛ d upływu zła˛ cza baza-emiter [A] 0.0
we dla pracy inwer- NE Współczynnik emisji dla pra˛ du ISE - 1.5
syjnej w układzie BR Współczynnik wzmocnienia
pra˛ dowego dla pracy inwersyjnej - 1.0
OE jako funkcja NR Współczynnik emisji dla pracy
temperatury bez- inwersyjnej - 1.0
wzgle˛ dnej T — wzór VB Napie ˛ cie Early-ego dla pracy
VAR inwersyjnej [V] ∞
(172); IKR * Pra˛ d załamania
Bf(T) wzmocnienie pra˛ do- dla pracy inwersyjnej [A] ∞
we tranzystora w ISC * Pra˛ d upływu zła˛ cza baza-kolektor [A] 0.0
NC Współczynnik emisji dla pra˛ du ISC - 2.0
układzie OE dla RB * Oporność szeregowa obszaru bazy [Ω] 0.0
pracy normalnej w IRB * Pra˛ d kolektora, dla którego oporność
funkcji temperatury bazy maleje do wartości
(RB+RBM)/2 [A] ∞
bezwzgle˛ dnej T — RBM * Minimalna wartość oporności obszaru
wzór (171). bazy [Ω] RB
RE * Oporność szeregowa obszaru emitera [Ω] 0.0
Na pra˛ d Ib składaja˛ sie˛ : RC * Oporność szeregowa obszaru
kolektora [Ω] 0.0
Pra˛ d zła˛ cza baza–emiter XTB Wykładnik temperaturowy
podzielony przez wzmo- dla współczynników BF oraz BR - 0.0
EG Przerwa energetyczna [eV] 1.11
cnienie tranzystora dla XTI Wykładnik pote˛ gowy temp. współ-
czynnika pra˛ du nasycenia - 3.0
pracy normalnej.
Pra˛ d zła˛ cza baza–kolek- * - parametr modyfikowany przez współczynnik zwielokrot-
nienia przyrza˛ du _area
tor podzielony przez
wzmocnienie tranzystora
dla pracy inwersyjnej.
Pra˛ d upływu zła˛ cza baza–emiter.
Pra˛ d upływu zła˛ cza baza–kolektor.
Rezystancje omowe obszarów emitera, kolektora i bazy modelowane sa˛ za pomoca˛

liniowych oporników Re, Rc oraz Rb. Wartość tych oporów uzależniona jest od współczyn-
nika zwielokrotnienia przyrza˛ du i obliczana zgodnie z naste˛ puja˛ cymi wzorami:
(149)
gdzie:
RE oporność obszaru emitera — parametr modelu tranzystora;
RC oporność obszaru kolektora — parametr modelu tranzystora;
RB oporność obszaru bazy — parametr modelu tranzystora.
Program PSpice pozwala dodatkowo na uzależnienie rezystancji obszaru bazy od
wysterowania tranzystora [26]. Jeżeli w deklaracji modelu tranzystora podana zostanie oprócz
wartości parametru RB minimalna wartość oporności obszaru bazy RBM to oporność
obszaru bazy Rb wyliczana be˛ dzie na podstawie naste˛ puja˛ cego wzoru:
(150)
Natomiast jeżeli oprócz wymienionych parametrów podana zostanie wartość parametru IRB
tzn. wartość pra˛ du kolektora, przy której oporność obszaru bazy maleje do wartości
(RB+RBM)/2, to oporność obszaru bazy obliczana jest zgodnie z zależnościa˛ :
(151)
gdzie zmienna z wyliczana jest według wzoru:
(152)
Przykład:
Rys. 77 przedstawia zależność pra˛ du kolektora Ic (oś pionowa) od napie˛ cia
kolektor–emiter Vce (oś pozioma), obliczona˛ przez program PSpice, dla cze˛ sto używanego
tranzystora mocy 2N3055. Parametrem na wykresie jest pra˛ d bazy, który zmienia sie˛ od
5[mA] do 30[mA] z krokiem 5[mA]. Model tranzystora pobrany został z biblioteki modeli
tranzystorów rozpowszechnianej wraz z programem PSpice przez firme˛ MicroSim.
Poszczególne parametry tego tranzystora przyjmuja˛ naste˛ puja˛ ce wartości:
IS=974,4[fA];XTI=3;EG=1,11[eV];VAF=50[V];BF=99,49[A/A];NE=1,941;
ISE=902,5[pA];IKF=4,029[A];XTB=1,5;BR=2,949[A/A];NC=2;ISC=0[A];IKR=0[A];
RC=0,1[Ω];CJC=276[pF];VJC=0,75[V];MJC=0,3333;FC=0,5;CJE=569,1[pF];
VJE=0,75[V];MJE=0,3333;TR=971,7[ns];TF=39,11[ns];ITF=20[A];VTF=10[V];
XTF=2;RB=10[Ω]
Rys.77. Zależność pra˛ du kolektora od napie˛ cia kolektor-emiter dla tranzystora 2N3055.
Parametrem jest pra˛ d bazy zmieniaja˛ cy sie˛ od 5[mA] do 30[mA] z krokiem 5[mA].
6.2.3. Pojemności
Schemat zaste˛ pczy tranzystora przedstawiony na Rys. 76 zawiera trzy nieliniowe
pojemności. Sa˛ to:
Pojemność obserwowana mie˛ dzy baza˛ i emiterem Cbe.
Pojemność obserwowana mie˛ dzy baza˛ i kolektorem Cbc. Program PSpice pozwala na
podział tej pojemności na dwie cze˛ ści — pierwsza z nich doła˛ czona jest do bazy
wewne˛ trznej tranzystora (we˛ zeł BW), a druga do bazy zewne˛ trznej (we˛ zeł B). W ten
sposób uzyskuje sie˛ dokładniejszy model zachowania tranzystora dla dużych
cze˛ stotliwości.
Pojemność obserwowana mie˛ dzy kolektorem a podłożem Ccs — wyste˛ powanie takiej
pojemności jest charakterystyczne dla tranzystorów scalonych.
Ładunek Qbe zgromadzony przez pojemność Cbe można podzielić na dwie cze˛ ści.
Pierwsza z nich to ładunek zgromadzony przez pojemność zła˛ czowa˛ Qbe’, który wyraża sie˛
wzorem:
(153)
gdzie:
Cje(T) pojemność zła˛ czowa baza–emiter przy zerowej polaryzacji jako funkcja
temperatury bezwzgle˛ dnej T — wzór (173);
Vje(T) potencjał zła˛ czowy dla zła˛ cza baza–emiter jako funkcja temperatury — wzór
(174);
MJE wykładnik pote˛ gowy opisuja˛ cy profil zła˛ cza baza–emiter.
Jeżeli napie˛ cie Vbe przekroczy wartość FC Vje(T) program PSpice dokonuje liniowej
ekstrapolacji pojemności zła˛ czowej w wyniku czego ładunek Qbe’ obliczany jest naste˛ puja˛ co:
(154)
gdzie:
(155)
Bezwymiarowy parametr FC określa granice˛ , powyżej której naste˛ puje liniowa ekstrapolacja
pojemności zła˛ czowej. Wartość tego parametru powinna leżeć w przedziale (0;1). Jeżeli
jednak nie zostanie podany w linii deklaracji modelu tranzystora to program PSpice przyjmie
wartość równa˛ 0,5.
Drugi składnik ładunku Qbe to ładunek mniejszościowych nośników ładunku Qbe"
wstrzykiwanych do obszaru bazy z obszaru emitera. Ładunek Qbe" obliczany jest przez
program PSpice zgodnie ze wzorem:
(156)
gdzie:
Tf efektywna wartość czasu przelotu dla pracy normalnej.
Zwykle wartość Tf równa jest wartości parametru TF (czas przelotu dla pracy normalnej)
podawanego w deklaracji modelu tranzystora. Program PSpice pozwala jednak na
modelowanie wpływu wysokiego poziomu wstrzykiwania nośników na wartość czasu przelotu
dla pracy normalnej. Wymaga to podania w deklaracji modelu tranzystora (.MODEL)
naste˛ puja˛ cych parametrów:
XTF współczynnika zależności czasu przelotu dla pracy normalnej od napie˛ cia
polaryzuja˛ cego;
VTF napie˛ cia opisuja˛ cego zależność czasu przelotu dla pracy normalnej od napie˛ cia
Vbe;
ITF parametru opisuja˛ cego zależność czasu przelotu dla pracy normalnej od dużych
pra˛ dów.
W tej sytuacji wartość Tf obliczana jest zgodnie ze wzorem:
(157)
Pra˛ d Ib1 wyste˛ puja˛ cy w powyższym równaniu wyraża sie˛ naste˛ puja˛ co:
(158)
Całkowity ładunek Qbe gromadzony w obszarze zła˛ cza baza–emiter jest suma˛ ładunku
Qbe’ gromadzonego przez pojemność zła˛ czowa˛ oraz ładunku Qbe" gromadzonego przez
pojemność dyfuzyjna˛ :
(159)
Ładunek Qbc gromadzony przez nieliniowa˛ pojemność Cbc w obszarze zła˛ cza
baza–kolektor można także podzielić na dwa składniki. Pierwszy z nich to ładunek
gromadzony przez pojemność zła˛ czowa˛ Qbc’:
(160)
gdzie:
Cjc(T) pojemność zła˛ czowa baza–kolektor przy zerowej polaryzacji jako funkcja
Vjc(T) potencjał zła˛ czowy dla zła˛ cza baza–kolektor jako funkcja temperatury — wzór
(174);
MJC wykładnik pote˛ gowy opisuja˛ cy profil zła˛ cza baza–kolektor.
Powyżej napie˛ cia FC Vjc(T) program PSpice dokonuje liniowej ekstrapolacji pojemności
zła˛ czowej, co w rezultacie prowadzi do naste˛ puja˛ cego wzoru określaja˛ cego wartość ładunku
Qbc’:
(161)
gdzie:
(162)
Drugi składnik ładunku Qbc to ładunek Qbc" zwia˛ zany ze wstrzykiwaniem nośników
ładunku z obszaru bazy do obszaru kolektora. Nośniki te w obszarze kolektora staja˛ sie˛
nadmiarowymi nośnikami mniejszościowymi4. Ładunek Qbc" wyraża sie˛ wzorem:
(163)
gdzie:
TR czas przelotu nośników ładunku dla pracy inwersyjnej.
Całkowity ładunek zgromadzony w obszarze zła˛ cza baza–kolektor Qbc jest suma˛
ładunków Qbc’ oraz Qbc".
Ładunek Qbc zgromadzony na zła˛ czu baza–kolektor może zostać podzielony mie˛ dzy
pojemności Cbc1 i Cbc2 (Rys. 76). Pojemność Cbc1 wpie˛ ta jest pomie˛ dzy we˛ zeł bazy
wewne˛ trznej (BW) oraz we˛ zeł kolektora wewne˛ trznego (CW). Pojemność Cbc2 wpie˛ ta jest
pomie˛ dzy we˛ zeł bazy zewne˛ trznej (B) oraz we˛ zeł kolektora wewne˛ trznego (CW). Sposób
podziału ładunku określa parametr XCJC (współczynnik podziału ładunku) podawany w linii
deklaracji modelu tranzystora (.MODEL). Ładunek Qbc1 zgromadzony na pojemności
doła˛ czonej do bazy wewne˛ trznej wyraża sie˛ wzorem:
(164)
Natomiast ładunek zgromadzony na pojemności doła˛ czonej do bazy zewne˛ trznej wyraża sie˛
naste˛ puja˛ co:
(165)
gdzie:
Qbc’(VBe) ładunek obliczany zgodnie ze wzorem (160), w których napie˛ cie Vbe
zostało zasta˛ pione przez napie˛ cie VBe mie˛ dzy baza˛ zewne˛ trzna˛ i
kolektorem wewne˛ trznym.
Ostatnia˛ pojemnościa˛ modelu tranzystora przedstawionego na Rys. 76 jest pojemność Ccs
mie˛ dzy kolektorem, a podłożem układu scalonego. Pojemność ta modelowana jest w
programie PSpice tylko w postaci pojemności zła˛ czowej. W rezultacie ładunek Qcs
zgromadzony na tej pojemności wyraża sie˛ wzorem:
4
Z obszaru kolektora do obszaru bazy także wstrzykiwane sa˛ nośniki ładunku, które w
obszarze bazy staja˛ sie˛ nadmiarowymi nośnikami mniejszościowymi. Zjawisko to także
uwzgle˛ dniane jest przez ładunek Qbc".
(166)
gdzie:
Cjs(T) pojemność zła˛ czowa kolektor–podłoże przy zerowej polaryzacji jako funkcja
Vjs(T) potencjał zła˛ czowy dla zła˛ cza kolektor–podłoże jako funkcja temperatury —
wzór (174);
MJS wykładnik pote˛ gowy opisuja˛ cy profil zła˛ cza kolektor–podłoże.
Po przekroczeniu przez napie˛ cie Vcs wartości FC Vjs(T) program PSpice dokonuje liniowej
ekstrapolacji pojemności zła˛ cza kolektor–podłoże co prowadzi do naste˛ puja˛ cego wzoru
określaja˛ cego ładunek Qcs:
(167)
6.2.4. Zależności temperaturowe

W modelu tranzystora bipolarnego, który został wbudowany w program PSpice, od
temperatury uzależnione sa˛ :
pra˛ dy nasycenia Is(T), Ise(T), Isc(T);
wzmocnienie pra˛ dowe dla pracy normalnej Bf(T) oraz dla pracy inwersyjnej Br(T);
pojemności zła˛ czowe przy zerowej polaryzacji Cje(T), Cjc(T), Cjs(T);
potencjały zła˛ czowe Vje(T), Vjc(T), Vjs(T).
Najwie˛ kszy wpływ na zależność pra˛ dów nasycenia od temperatury ma szerokość przerwy
energetycznej EG materiału półprzewodnikowego, z którego wykonano tranzystor. W
przypadku pra˛ du Is(T) istotna jest także wartość parametru XTI — wykładnika pote˛ gi, której
podstawa jest proporcjonalna do temperatury bezwzgle˛ dnej układu:
(168)
gdzie:
IS pra˛ d nasycenia w temperaturze odniesienia TNOM.
W przypadku pra˛ dów Ise(T) oraz Isc(T) istotny staje sie˛ także parametr XTB — wykładnik
pote˛ gowy w zależności wzmocnienia pra˛ dowego Bf(T) od temperatury. Program PSpice
oblicza wartość pra˛ du Ise(T) według wzoru:
(169)
natomiast wartość pra˛ du Isc(T) oblicza według wzoru:
(170)
Wyste˛ puja˛ tu naste˛ puja˛ ce parametry modelu tranzystora:

ISE pra˛ d nasycenia dla pra˛ du upływu zła˛ cza baza–emiter w temperaturze odniesienia;
ISC pra˛ d nasycenia dla pra˛ du upływu zła˛ cza baza–kolektor w temperaturze odniesienia;
NE współczynnik emisji dla pra˛ du upływu zła˛ cza baza–emiter;
NC współczynnik emisji dla pra˛ du upływu zła˛ cza baza–kolektor.
Wzory (168), (169) i Tablica XXI Parametry modelu tranzystora wpływaja˛ ce na
(170) uwzgle˛ dniaja˛ także dynamike˛ przyrza˛ du oraz parametry szumowe.
wpływ współczynnika
zwielokrotnienia przyrza˛ - kluczowe domyślna
du na pra˛ dy nasycenia. W CJE * Pojemność zła˛ cza baza-emiter przy

zerowej polaryzacji [F] 0.0
ten sposób współczynnik
VJE Potencjał zła˛ czowy zła˛ cza baza-emiter [V] .75
ten wpływa na: MJE Wykładnik opisuja˛ cy profil zła˛ cza
baza-emiter - 0.5
Charakterystyke˛ TF Czas przelotu dla pracy normalnej [s] 0.0
XTF Współczynnik w zależności TF od
statyczna˛ zadekla- napie˛ cia polaryzuja˛ cego - 0.0
rowanego w struk- VTF Współczynnik w zależności TF od Vbe [V] ∞
ITF Współczynnik w zależności TF od
turze obwodu dużych pra˛ dów [A] 0.0
PTF Dodatkowe przesunie˛ cie fazowe dla
tranzystora — cze˛ stotliwości f=1/(2π TF) [deg] 0.0
CJC * Pojemność zła˛ cza baza-kolektor
patrz wzory (144) przy zerowej polaryzacji [F] 0.0
i (148). VJC Potencjał zła˛ czowy zła˛ cza baza-kolektor [V] .75
MJC Wykładnik opisuja˛ cy profil zła˛ cza
Dynamike˛ zadekla- baza-kolektor - .33
XCJC Współczynnik podziału pojmności
rowanego w struk- zła˛ czowej zła˛ cza baza-kolektor - 0.0
TR Czas przelotu dla pracy inwersyjnej [s] 0.0
turze obwodu CJS * Pojemność zła˛ cza kolektor-podłoże
tranzystora — przy zerowej polaryzacji [F] 0.0
VJS Potencjał zła˛ czowy zła˛ cza
patrz wzory (156) kolektor-podłoże [V] .75
MJS Wykładnik opisuja˛ cy profil zła˛ cza
i (163). kolektor-podłoże - 0.0
Model tranzystora KF Współczynnik szumów migotania - 0.0
AF Wykładnik szumów migotania - 1.0
bipolarnego wbudowany FC Granica linearyzacji pojemności
zła˛ cza - 0.5
w program PSpice zakła-
da, że wzmocnienie pra˛ - * - parametr modyfikowany przez współczynnik zwielokrotnienia
przyrza˛ du _area
dowe tranzystora dla
pracy normalnej rośnie
proporcjonalnie do temperatury bezwzgle˛ dnej T w pote˛ dze XTB:
(171)
gdzie:
BF wzmocnienie pra˛ dowe tranzystora dla pracy normalnej w układzie OE w tempera-
turze odniesienia.
Podobna˛ zależność zrealizowano dla wzmocnienia pra˛ dowego tranzystora pracuja˛ cego
inwersyjnie:
(172)
gdzie:
BR wzmocnienie pra˛ dowe tranzystora dla pracy inwersyjnej w układzie OE w
temperaturze odniesienia.
Jeżeli w deklaracji modelu tranzystora nie zostanie podana wartość parametru XTB to
program PSpice przyjmie, że parametr ten równy jest zeru. W tym wypadku wzmocnienie
pra˛ dowe Bf(T) (Br(T)) jest równe wartości parametru BF (BR) i nie zależy od temperatury.
Pojemności zła˛ czowe przy zerowej polaryzacji dla zła˛ cza baza–emiter Cje(T),
baza–kolektor Cjc(T) oraz kolektor–podłoże Cjs(T) uzależnione sa˛ od temperatury w podobny
sposób. Zależności te można uja˛ ć w jeden wzór (173), (173), w którym wyste˛ puje znak „ ”.
Jeżeli zamiast tego znaku wprowadzimy litere˛ „e” lub „c” lub „s” otrzymamy wzór
odpowiednio dla zła˛ cza baza–emiter, baza–kolektor i kolektor–podłoże.
(173)
gdzie:
=e dla zła˛ cza baza–emiter;
=c dla zła˛ cza baza–kolektor;
=s dla zła˛ cza kolektor–podłoże;
EG szerokość przerwy energetycznej materiału półprzewodnikowego;
MJ współczynnik opisuja˛ cy profil zła˛ cza;
VJ potencjał zła˛ czowy odpowiadaja˛ cy temperaturze odniesienia TNOM;
Vj (T) zależność potencjału zła˛ czowego od temperatury.
Podobnie jednym wzorem można uja˛ ć zależność potencjałów zła˛ czowych od temperatury
dla poszczególnych zła˛ cz:
(174)
gdzie:
temperatury.
Zmiany szerokości przerwy energetycznej wraz ze zmianami temperatury program PSpice

oblicza według naste˛ puja˛ cego wzoru:
(175)
6.2.5. Model małosygnałowy i model szumowy

Podczas analizy zmiennopra˛ dowej (.AC) program PSpice zaste˛ puje każdy z tranzystorów
jego modelem małosygnałowym. Jest to tzw. model hybryd π [24],[20], którego struktura
Rys.78. Małosygnałowy model hybryd π tranzystora bipolarnego.
przedstawiona jest na Rys. 78. Oporności rc, re i rb równe sa˛ odpowiednio oporności obszaru
kolektora Rc, oporności obszaru emitera Re i oporności obszaru bazy Rb. Siła elektromoto-
ryczna Ib wyste˛ puja˛ ca w nieliniowym modelu Gummela–Poona (wzór (148)) zasta˛ piona
zostaje przez liniowe przewodności gbe i gbc. Ich wartość obliczana jest zgodnie z
naste˛ puja˛ cym wzorem:
(176)
gdzie:
Ib pra˛ d bazy — wzór (148);
Vbe napie˛ cie baza–emiter;
Vbc napie˛ cie baza–kolekor.
Jeżeli uwzgle˛ dnić wpływ małych sygnałów na pra˛ d Ic (wzór (144)) oraz pra˛ d dopływaja˛ cy
do kolektora przez przewodność gbc to siła˛ elektromotoryczna˛ Ic wyste˛ puja˛ ca˛ w modelu
nieliniowym można zasta˛ pić równoległym poła˛ czeniem przewodności gce oraz liniowej siły
pra˛ domotorycznej gm sterowanej napie˛ ciem vbe. Wartość transkonduktancji gm oraz
przewodności gbc obliczana jest zgodnie z naste˛ puja˛ cymi zależnościami:
(177)
gdzie:
Ic pra˛ d kolektora — wzór (144);
Ib pra˛ d bazy — wzór (148).
Pochodne we wzorach (176) oraz (177) obliczane sa˛ dla statycznego punktu pracy układu.
Należy zwrócić uwage˛ , że dla pracy w obszarze aktywnym5 transkonduktancja gm z duża˛
dokładnościa˛ może zostać obliczona według wzoru:
(178)
gdzie:
Ic pra˛ d kolektora;
NF współczynnik emisji dla pracy normalnej;
Vt potencjał termiczny — wzór (133).
Liniowa pojemność baza–emiter cbe wyste˛ puja˛ ca w modelu hybryd π otrzymywana jest
przez zróżniczkowanie ładunku Qbe zwia˛ zanego z działaniem zła˛ cza baza–emiter wzgle˛ dem
zmian napie˛ cia Vbe:
(179)
gdzie:
Tf efektywny czas przelotu dla pracy normalnej — wzór (157);
Cje(T) pojemność różniczkowa zła˛ cza baza–emiter jako funkcja temperatury — wzór
(173);
Vje(T) potencjał zła˛ czowy zła˛ cza baza–emiter jako funkcja temperatury bezwzgle˛ dnej
— wzór (174).
W aktywnym obszarze pracy tranzystora pierwszy składnik we wzorze (179) opisuja˛ cy
pojemność dyfuzyjna˛ może być bardzo dobrze przybliżony w sposób naste˛ puja˛ cy:
5
Definuja˛ go z grubsza naste˛ puja˛ ce nierówności: Vce>Vbe, Vce>0, Vbe>0.
(180)
Wartość pojemności cbc uzyskiwana jest także w wyniku różniczkowania:
(181)
gdzie:
TR czas przelotu dla pracy inwersyjnej.
Pojemność zła˛ cza izoluja˛ cego tranzystor od podłoża modelowana jest czysta pojemność
zła˛ czowa (brak pojemności dyfuzyjnej). Sta˛ d pojemność cjs oblicza sie˛ zgodnie ze wzorem:
(182)
Należy pamie˛ tać, że jeżeli statyczna wartość napie˛ cia panuja˛ cego na zła˛ czu baza–emiter
(baza–kolektor, kolektor–podłoże) przekroczy wartość FC Vje(T) (FC Vjc(T), FC Vjs(T))
to drugi składnik we wzorze (179) ((181), (182)) reprezentuja˛ cy pojemność zła˛ czowa˛
ekstrapolowany jest liniowo.
Jeżeli podana zostanie wartość współczynnika podziału pojemności zła˛ czowej zła˛ cza
baza–kolektor XCJC to mie˛ dzy baza˛ zewne˛ trzna˛ i we˛ złem kolektora pojawi sie˛ pojemność
cbc2 dana wzorem:
(183)
gdzie:
VBe statyczna wartość napie˛ cia baza wewne˛ trzna — emiter.
W tej sytuacji drugi składnik po prawej stronie wzoru (181) be˛ dzie proporcjonalny do
parametru XCJC.
Parametry małosygnałowe przyrza˛ dów półprzewodnikowych obliczane sa˛ wraz ze
statycznym punktem pracy układu. Ich wartość wpisywana jest do zbioru z danymi
wyjściowymi. W przypadku tranzystora bipolarnego sa˛ to [26]:
RPI=1/gbe; RO=1/gce; GM=gm; CPI=cbe;
CMU=cbc; CBX=cbc’; CCS=ccs; RX=rb.
Ponadto program PSpice oblicza i zapisuje w zbiorze z danymi wyjściowymi wartość:
statycznego wzmocnienia pra˛ dowego tranzystora:
BETADC=Ic/Ib;
zmiennopra˛ dowego wzmocnienia pra˛ dowego tranzystora:
BETAAC=∂Ic/∂Ib;
Rys.79. Zależność cze˛ stotliwości granicznej FT tranzystora 2N3055 od pra˛ du kolektora Ic

obliczona przez program PSpice.
cze˛ stotliwości granicznej tranzystora:

FT=GM/[2π (CPI+CMU)].
Przykład:
Cze˛ stotliwość graniczna˛ tranzystora bipolarnego znajduja˛ cego sie˛ w stanie aktywnym
można wyrazić naste˛ puja˛ cym przybliżonym wzorem [20]:
(184)
Dla małych wartości pra˛ du kolektora dominuja˛ cym składnikiem pojemności

różniczkowej cbe jest pojemność zła˛ czowa (drugi składnik wzoru (179)). Pozostaje
ona prawie niezależna od pra˛ du Ic — w obszarze aktywnym napie˛ cie baza–emiter jest
praktycznie stałe6. Transkonduktancja gm tranzystora jest proporcjonalna do pra˛ du Ic
— wzór (180). Sta˛ d cze˛ stotliwość graniczna FT rośnie wraz z pra˛ dem kolektora Ic.
Dla średnich wartości pra˛ du kolektora Ic głównym składnikiem pojemności cbe staje
sie˛ pojemność dyfuzyjna proporcjonalna do Ic — wzór (180). Sta˛ d zgodnie ze wzorem
(184) cze˛ stotliwość graniczna FT pozostaje stała i niezależna od stopnia wysterowania
tranzystora (pra˛ d Ic).
Dla dużego pra˛ du kolektora Ic naste˛ puje zwie˛ kszenie efektywnej wartości czasu
6
W przypadku tranzystora krzemowego równe około 0.7[V].
przelotu dla pracy normalnej Tf. W programie PSpice zjawisko to opisywane jest
wzorem (157). Powoduje to wzrost wartości pojemności cbe (wzór (180)) i w
rezultacie zmniejszenie wartości cze˛ stotliwości granicznej TF.
Na Rys. 79 przedstawiono przykładowe wyniki obliczeń cze˛ stotliwości granicznej FT
wykonanych przez program PSpice dla tranzystora 2N30557. Na osi pionowej odłożono
cze˛ stotliwość graniczna˛ FT tranzystora natomiast na osi poziomej pra˛ d kolektora Ic.
Obliczenia wykonywane były dla napie˛ cia kolektor–emiter równego 5[V]. Model tranzystora
2N3055 zastosowany do obliczeń pochodzi z biblioteki dostarczanej przez firme˛ MicroSim
(strona 142).
Rys.80. Model szumowy tranzystora bipolarnego.
Model szumowy tranzystora powstaje przez uzupełnienie modelu małosygnałowego o

źródła szumu — Rys. 80. W przypadku tranzystora najistotniejszy jest szum śrutowy
generowany podczas przepływu pra˛ du kolektora oraz pra˛ du bazy przez zła˛ cze baza–emiter.
Szum ten modelowany jest przez dwa źródła pra˛ dowe Isz,b oraz Isz,c. Ge˛ stość widmowa mocy
szumu generowanego przez poszczególne źródła dane sa˛ poniższym wzorem [24]:
(185)
gdzie:
7
Model tranzystora 2N3055 zastosowany do obliczeń rozprowadzany jest przez firme˛
MicroSim razem z programem PSpice w bibliotece o nazwie QNOM.LIB.
q ładunek elementarny = 1,61 10-19[A s];

AF wykładnik szumów migotania.
W równaniu (185) uwzgle˛ dniono szumy migotania (1/f) towarzysza˛ ce przepływowi pra˛ du
bazy. Model szumowy tranzystora zawiera ponadto, źródła Isz,rb, Isz,re, Isz,rc modeluja˛ ce szumy
generowane przez oporność bazy, emitera i kolektora. Ge˛ stość widmowa mocy sygnału szumu
generowanego przez każde z tych źródeł może zostać wyrażona naste˛ puja˛ cym wzorem:
(186)
gdzie:
T temperatura bezwzgle˛ dna;
=b szum oporności bazy;
=e szum oporności emitera;
=c szum oporności kolektora.
6.3. Tranzystor polowy, zła˛ czowy (JFET)

Program PSpice
posiada Tablica XXII Parametry modelu standardowego tranzys-
wbudowany model tranzystora tora polowego, zła˛ czowego (Si).
polowego, zła˛ czowego JFET
(ang. Junction Field Effect kluczowe domyślna
Transistor). Może to być przy- VTO Napie˛ cie progowe [V] -2.0
BETA * Współczynnik transkonduktancji [A/V2] 10-4
rza˛ d z kanałem typu p lub z
LAMBDA* Współczynnik modulacji
kanałem typu n. Model zastoso- długości kanału [V-1] 0.0
RS * Oporność źródła [Ω] 0.0
wany w programie PSpice od- RD * Oporność drenu [Ω] 0.0
CGS * Pojemność zła˛ cza bramka-źródło
nosi sie˛ do tranzystora JFET przy zerowej polaryzacji [F] 0.0
wykonanego na podłożu krzem- CGD * Pojemność zła˛ cza bramka-dren
przy zerowej polaryzacji [F] 0.0
owym. Specjalna˛ klase˛ tranzys- VJ Potencjał zła˛ czowy bramki [V] 1.0
IS * Pra˛ d nasycenia bramki [A] 10-14
torów polowych, zła˛ czowych VTOTC Współczynnik temperaturowy
dla VTO [V/K] 0.0
stanowia˛ przyrza˛ dy, których BETATCE Eksponencjalny współczynnik
struktura wykonana została w temperaturowy dla BETA [%/K] 0.0
KF Współczynnik szumów migotania - 0.0
arsenku galu (GaAsFET). Ściśle AF Wykładnik szumów migotania - 1.0
rzecz biora˛ c bramke˛ takiego zła˛ cza - 0.5
tranzystora stanowi dioda Shott-
kiego tzn. zła˛ cze metal–półprze- nienia przyrza˛ du _area
wodnik. Sta˛ d tranzystory GaAs-
FET zaliczane sa˛ cze˛ sto do
klasy MESFET (ang. Metal Semiconductor FET). Model takiego przyrza˛ du odbiega nieco od
modelu tranzystora wykonanego w krzemie. Sta˛ d twórcy programu PSpice zdecydowali sie˛
wprowadzić dodatkowy model oraz rodzaj elementu — tranzystor polowy, zła˛ czowy GaAs.
6.3.1. Deklaracja w strukturze obwodu tranzystora polowego, zła˛ czowego

Nazwa standardowego tranzystora polowego, deklarowanego w strukturze obwodu musi
zaczynać sie˛ na litere˛ J. W przypadku tranzystora polowego, zła˛ czowego GaAs nazwa ta
powinna zaczynać sie˛ na litere˛ B. Ogólna postać deklaracji dla przyrza˛ du standardowego jest
naste˛ puja˛ ca:
JXXXXXXX _d _g _s _m_nazwa [_area] [OFF] [IC=_vds,_vgs]
Natomiast deklaracja taka dla przyrza˛ du GaAs przyjmuje postać:
BXXXXXXX _d _g _s _m_nazwa [_area]
Przykład:
* deklaracja tranzystora standardowego
JW 7 2 3 JP_1 OFF
* deklaracja tranzystora GaAs
BX51 2 5 6 MY_GaAs 3
W polach _d, _g, _s należy podać numery we˛ złów, do których doła˛ czone be˛ da˛ odpo-
wiednio dren, bramka i źródło tranzystora. W polu _m_nazwa podaje sie˛ nazwe˛ modelu,
który użyty zostanie do opisu zachowania deklarowanego elementu. Pole _area przeznaczone
jest na współczynnik zwielokrotnienia przyrza˛ du — bliższy opis znaczenia współczynnika
zwielokrotnienia przyrza˛ du znajduje sie˛ na stronie 127. Słowo kluczowe OFF służy
modyfikacji procesu obliczania statycznego punktu pracy układu (patrz strona 128). Po słowie
kluczowym IC= można podać w polach _vds i _vgs napie˛ cie panuja˛ ce mie˛ dzy drenem i
źródłem oraz napie˛ cie panuja˛ ce mie˛ dzy bramka˛ i źródłem w chwili rozpocze˛ cia analizy stanu
nieustalonego. Należy przy tym pamie˛ tać, że podane wartości maja˛ znaczenie tylko w
przypadku, gdy w instrukcji .TRAN użyto słowa kluczowego UIC — patrz strona 72.
6.3.2. Model standardowego (Si) tranzystora polowego, zła˛ czowego8

(Model Shichman–a Hodges–a)
Charakterystyka statyczna standardowego tranzystora polowego, zła˛ czowego zapropono-
wana przez Shichman–a i Hodges–a to tzw. charakterystyka kwadratowa. Oznacza to, że w
obszarze nasycenia pra˛ d drenu, modelowany przez źródło pra˛ du Ids (Rys. 81), rośnie z
kwadratem napie˛ cia mie˛ dzy bramka˛ i źródłem Vgs. Pra˛ d Ids, w przypadku gdy napie˛ cie
dren–źródło Vds jest wie˛ ksze od zera9, określony jest naste˛ puja˛ cym wzorem [26]:
8
Wszystkie rozważania tego paragrafu dotycza˛ tranzystora z kanałem typu n. Autor sa˛ dzi,
że Czytelnik be˛ dzie w stanie samodzielnie odtworzyć model tranzystora z kanałem typu p.
9
Tranzystor znajduje sie˛ w obszarze pracy normalnej.
(187)
gdzie:
VTO napie˛ cie progowe bramka–źródło powoduja˛ ce zablokowanie przepływu
pra˛ du przez kanał;
BETA parametr transkonduktancji;
LAMBDA parametr konduktancji wyjściowej.
Podobne zależności obowia˛ zuja˛ w przypadku, gdy tranzystor znajduje sie˛ w obszarze pracy
inwersyjnej tzn. gdy Vds<0:
(188)
Oprócz tego w modelu uwzgle˛ dniono:

pra˛ d Igs płyna˛ cy przez zła˛ cze półprzewodnikowe mie˛ dzy bramka˛ a źródłem;
(189)
gdzie:
Is(T) pra˛ d nasycenia zła˛ cza bramka–kanał jako funkcja temperatury — wzór (193);
Vt potencjał temperaturowy — wzór (133);
Vgs napie˛ cie bramka–źródło;
pra˛ d Igd płyna˛ cy przez zła˛ cze półprzewodnikowe mie˛ dzy bramka˛ a drenem;
(190)
gdzie:
Is(T) pra˛ d nasycenia zła˛ cza bramka–kanał jako funkcja temperatury — wzór (193);
Vgd napie˛ cie bramka–dren.
Oporność omowa kanału i wyprowadzeń reprezentowana jest na schemacie zaste˛ pczym
(Rys. 81) przez dwie oporności Rs oraz Rd, których wartości obliczane sa˛ naste˛ puja˛ co:
(191)
gdzie:
RS oporność omowa obszaru źródła (parametr w programie PSpice);
RD oporność omowa obszaru drenu (parametr w programie PSpice).
Elementy dynamiczne w modelu tranzystora polowego, zła˛ czowego to pojemności
zła˛ czowe wyste˛ puja˛ ce mie˛ dzy bramka˛ i źródłem oraz bramka˛ i drenem. Ładunki Qgs, Qgd
zgromadzone na wymienionych pojemnościach można wyrazić za pomoca˛ jednego wzoru:
(192)
gdzie:
=s dla pojemności bramka–źródło;
=d dla pojemności bramka–dren;
Pb(T) zależność potencjału dyfuzyjnego zła˛ cza od temperatury — wzór (194).
Rys.81. Schemat zaste˛ pczy modelu tranzystora polowego, zła˛ czowego.
Model wbudowany w program PSpice nie uwzgle˛ dnia pojemności dyfuzyjnej, która odgrywa
istotna˛ role˛ tylko dla pracy zła˛ cza w zakresie przewodzenia. Mimo to jeśli napie˛ cie Vgs lub
Vgd przekroczy wartość FC Pb(T) (zła˛ cze bramka–kanał jest spolaryzowane w kierunku
przewodzenia) program PSpice dokonuje liniowej ekstrapolacji pojemności zła˛ czowych tak
jak to zostało opisane w przypadku modelu diody (strona 131). Na Rys. 81 przedstawiono
schemat zaste˛ pczy modelu tranzystora polowego, zła˛ czowego.
W przestawionym modelu naste˛ puja˛ ce parametry uzależnione sa˛ od temperatury:
Pra˛ d nasycenia zła˛ cza bramka–kanał Is(T):
(193)
gdzie:
IS pra˛ d nasycenia zła˛ cza bramka–kanał w temperaturze odniesienia;
EG szerokość przerwy energetycznej w krzemie = 1,11[eV];
TNOM temperatura odniesienia (300K).
Potencjał dyfuzyjny zła˛ cza bramka–kanał Pb(T):
(194)
gdzie:
temperatury.
Szerokość przerwy energetycznej materiału półprzewodnikowego Eg(T):
(195)
Pojemność różniczkowa zła˛ cza bramka–źródło przy zerowej polaryzacji Cgs(T):
(196)
gdzie:
CGS pojemność różniczkowa zła˛ cza bramka–źródło przy zerowej polaryzacji zła˛ cza w
Pojemność różniczkowa zła˛ cza bramka–dren Cgd(T):
(197)
gdzie:
CGS pojemność różniczkowa zła˛ cza bramka–źródło przy zerowej polaryzacji zła˛ cza w
6.3.3. Model tranzystora polowego, zła˛ czowego GaAs [7],[31]10

Schemat zaste˛ pczy modelu tranzystora polowego, zła˛ czowego przedstawiony jest na
Rys. 82. Schemat ten nie różni sie˛ istotnie od schematu zaste˛ pczego krzemowego tranzystora
polowego, zła˛ czowego przedstawionego na Rys. 81. Jedyna˛ nowościa˛ jest pojawienie sie˛ stałej
pojemności Cds pomie˛ dzy źródłem i drenem oraz oporności bramki Rg. Istota różnicy po-
mie˛ dzy modelem tranzystora krzemowego i modelem tranzystora GaAs leży w zależności
opisuja˛ cej pra˛ d drenu Id. Tranzystor GaAs można opisywać w programie PSpice za pomoca˛
jednego z dwóch modeli. Pierwszy z nich, model Curtice–a [7], uzależnia pra˛ d Id od napie˛ cia
pomie˛ dzy bramka˛ a źródłem Vgs oraz od napie˛ cia dren–źródło Vds dla Vgs>VTO w sposób
naste˛ puja˛ cy:
10
Tranzystor polowy, zła˛ czowy GaAs to przyrza˛ d z kanałem typu n.
(198)
gdzie: ALPHA parametr kształtu;

VTO napie˛ cie progowe blokuja˛ ce przepływu pra˛ du przez kanał;
BETA parametr transkonduktancji;
LAMBDA parametr konduktancji wyjściowej.
Różnica pomie˛ dzy wzorem Tablica XXIII Parametry modelu tranzystora GaAsFET.
(198), a wzorem (187) polega
na zmianie opisu pra˛ du Id w kluczowe domyślna
cze˛ ści liniowej charakterystyki,
LEVEL Rodzaj modelu
co odpowiada zakresowi napie˛ ć 1=Curtic-a, 2=Raytheon-a - 1.0
VTO Napie˛ cie progowe [V] -2.0
0<Vds<Vgs-VTO. W obszarze ALPHA Współczynnik w argumencie
funkcji TANH [V-1] 2.0
tym za zmniejszanie sie˛ war- B Współczynnik kształtu - 0.3
tości pra˛ du drenu wraz ze zm- BETA * Współczynnik transkonduktancji [A/V2] 10-4
LAMBDA* Współczynnik modulacji
niejszaniem sie˛ napie˛ cia Vds długości kanału [V-1] 0.0
RS * Oporność źródła [Ω] 0.0
odpowiedzialny jest czynnik RG * Oporność bramki [Ω] 0.0
tanh(ALPHA Vds). W ten RD * Oporność drenu [Ω] 0.0
CGS * Pojemność zła˛ cza bramka-źródło
sposób dokładniej odtwarza sie˛ przy zerowej polaryzacji [F] 0.0
CGD * Pojemność zła˛ cza bramka-dren
charakterystyke˛ statyczna˛ przy- przy zerowej polaryzacji [F] 0.0
CDS * Pojemność dren-źródło [F] 0.0
rza˛ du wykonanego w arsenku TAU Czas przelotu [s] 0.0
galu. VBI Potencjał zła˛ czowy bramki [V] 1.0
IS * Pra˛ d nasycenia bramki [A] 10-14
Pojemności bramka–źródło VTOTC Współczynnik temperaturowy
dla VTO [V/K] 0.0
oraz bramka–dren opisywane sa˛ BETATCE Eksponencjalny współczynnik
temperaturowy dla BETA [%/K] 0.0
w modelu Curtice–a w taki sam KF Współczynnik szumów migotania - 0.0
sposób jak w modelu standardo- AF Wykładnik szumów migotania - 1.0
wego tranzystora polowego, zła˛ cza - 0.5
zła˛ czowego (równanie (192)).

Zależność od temperatury i nienia przyrza˛ du _area
współczynnika zwielokrotnienia
przyrza˛ du jest też taka sama.
Należy tylko pamie˛ tać, że szerokość przerwy energetycznej w arsenku galu wynosi
EG=1,4[eV].
W programie PSpice można użyć także innego modelu tranzystora polowego, zła˛ czowego
GaAs. Jest to model Raytheon–a. W modelu tym pra˛ d drenu Id dla napie˛ ć Vgs>VTO
opisywany jest za pomoca˛ naste˛ puja˛ cego równania:
(199)
Rys.82. Schemat zaste˛ pczy modelu tranzystora polowego, zła˛ czowego GaAs.
gdzie:
ALPHA parametr kształtu;
B parametr kształtu;
VTO napie˛ cie progowe powoduja˛ ce zablokowanie przepływu pra˛ du przez kanał;
LAMBDA parametr konduktancji wyjściowej;
BETA parametr transkonduktancji.
Dzie˛ ki zastosowaniu czynnika 1/[1+B (Vgs-VTO)] uzyskuje sie˛ lepsza˛ zgodność z danymi
doświadczalnymi dla zakresu napie˛ ć Vgs>>VTO. Funkcja tanh(x) została natomiast zasta˛ piona
przez łatwiejsza˛ do obliczenia funkcje˛ aproksymuja˛ ca˛ f(x) w postaci:
(200)
W modelu Raytheon–a udoskonalone zostały także równania opisuja˛ ce nieliniowe

pojemności bramka–źródło i bramka–dren. Uwzgle˛ dniono w tych wzorach wpływ zjawiska
nasycenia pre˛ dkości nośników ładunku dla dużych wartości nate˛ żenia pola elektrycznego.
Przykład:
Rys. 83 przedstawia charakterystyki statyczne tranzystora polowego, zła˛ czowego obliczone
przez program PSpice z wykorzystaniem modelu Shichman–a Hodges–a, Curtice–a i
Raytheon–a. Na osi poziomej odłożone jest napie˛ cie dren–źródło. Na osi pionowej pra˛ d drenu
Id. Podstawowe parametry modeli sa˛ naste˛ puja˛ ce:
VTO=-2,63[V],BETA=13,1[mA],LAMBDA=0[1/V],RS=RD=3[Ω],RG=0[Ω]
Rys.83. Charakterystyki tranzystora polowego, zła˛ czowego w modelach Shichman-a, Curtice-a

i Raytheon-a. Parametry: RG=0[Ω], RS=RD=3[Ω], VTO=-2.63[V], LAMBDA=0, BE-
TA=13.1[mA], ALPHA=1.0[V-1], B=0[V-1].
Rys.84. Wpływ parametru ALPHA na charakterystyke˛ statyczna˛ tranzystora GaAsFET

obliczona˛ według modelu Curtice-a i Raytheon-a (B=0[1/V]).
Wartość parametru ALPHA oraz parametru B została dobrana tak, aby charakterystyki
uzyskane przy użyciu poszczególnych modeli były możliwie zbliżone:
ALPHA=1,0[1/V],B=0[1/V]
Ruchliwość elektronów znajduja˛ cych
sie˛ w paśmie przewodnictwa jest dla
arsenku galu duża. W rezultacie już
stosunkowo niewielkie pole elektrycz-
ne powoduje nasycenie pre˛ dkości
nośników. Efektem jest mniejsza
wartość napie˛ cia nasycenia niż wynika
to z modelu Shichman–a Hodges–a.
Efekt ten można łatwo odtworzyć
(Rys. 84) w przypadku modeli specy-
ficznych dla tranzystorów GaAsFET Rys.85. Małosygnałowy model tranzystora polowego,
(Curtice–a i Raytheon–a) manipuluja˛ c zła˛ czowego. Elementy rg, cds wyste˛ puja˛ tylko dla
wartościa˛ parametru ALPHA11. GaAsFET.
6.3.4. Model małosygnałowy i model szumowy

Model małosygnałowy tranzystora
polowego, zła˛ czowego przedstawiony
został na Rys. 85. Model ten dotyczy
tranzystora standardowego, którego
struktura wykonana została w krzemie
oraz tranzystora GaAsFET. W pierw-
szym przypadku oporność bramki rg,
oraz pojemność dren–źródło cds sa˛
równe zeru. W przypadku tranzystora
GaAsFET oba te elementy moga˛ być
niezerowe. W modelu przedstawionym Rys.86. Model szumowy tranzystora polowego,
na Rys. 85 nie uwzgle˛ dniono prze- zła˛ czowego. Elementy: rg, Isz,g, cds tylko dla tranzys-
wodności bramka–dren oraz bram- tora GaAsFET.
ka–źródło. Wymienione przewodności
różniczkowe dotycza˛ zła˛ cza półprzewodnikowego spolaryzowanego w kierunku zaporowym.
A zatem sa˛ to bardzo małe przewodności, co usprawiedliwia ich pominie˛ cie [26]. Pozostałe
elementy obliczane sa˛ zgodnie ze wzorami:
11
W przypadku modelu Raytheon-a można zmieniać także wartość parametru B.
(201)
Model szumowy tranzystora polowego, zła˛ czowego powstaje przez uzupełnienie modelu
małosygnałowego o źródła szumu — Rys. 86. Głównym źródłem szumów jest w tym
przypadku kanał tranzystora. Szumy spowodowane sa˛ ziarnista˛ struktura˛ przepływaja˛ cego
ładunku. Zjawisko to modelowane jest przez źródło Isz,k, dla którego ge˛ stość widmowa energii
wyraża sie˛ wzorem:
(202)
gdzie:
T temperatura bezwzgle˛ dna;
gm transkonduktancja różniczkowa — wzór (201);
f cze˛ stotliwość wyrażona w [Hz];
AF wykładnik szumów migotania.
We wzorze (202) uwzgle˛ dniono szumy migotania (1/f), których natura (mimo powszechnego
wyste˛ powania) nie została do końca wyjaśniona.
Model szumowy tranzystora polowego, zła˛ czowego uwzgle˛ dnia także pomniejsze źródła
szumów. Sa˛ nimi oporności omowe obszaru drenu i źródła tranzystora oraz w przypadku
tranzystora GaAsFET oporność omowa bramki. Ge˛ stość widmowa˛ energii szumów dla tych
źródeł da sie˛ wyrazić jednym wzorem:
(203)
gdzie:
=s dla źródła tranzystora;
=d dla drenu tranzystora;
=g dla bramki tranzystora;
T temperatura bezwzgle˛ dna.
6.4. Tranzystor polowy z izolowana˛ bramka˛ (MOS)

Wie˛ kszość układów scalonych wykonywanych jest obecnie w technologii MOS lub
CMOS. Podstawowym przyrza˛ dem jest w tym przypadku tranzystor polowy z izolowana˛
bramka˛ . Bramka wykonywana jest najcze˛ ściej z glinu (Al — pierwiastek popularnie nazywany
aluminium) natomiast izolacje˛ od kanału stanowi warstwa dwutlenku krzemu (SiO2). Sta˛ d
nazwa tranzystora MOS (ang. Tablica XXIV Parametry statyczne modelu tranzystora
Metal Oxide Semiconductor). MOS. Poziom modelowania LEVEL=1.
Program PSpice zorientowany
jest na analize˛ układów scalo- kluczowe domyślna
nych. Nie dziwi wie˛ c fakt, że LEVEL Rodzaj modelu:

1=Curtic-a; 2=Meyer-a; 3=Dang-a - 1.0
najbardziej rozbudowanym
VTO Napie˛ cie progowe [V] -2.0
modelem przyrza˛ du, wbudowa- KP Współczynnik transkonduktancji [A/V2] 2 10-2
GAMMA Parametr progowy podłoża [V1/2] 0.0
nym w ten program, jest model PHI Podwojona wartość potencjału
Fermigo dla materiału podłoża [V] 0.6
tranzystora MOS. Tranzystor ten LAMBDA Współczynnik modulacji
może być modelowany w pro- długości kanału [V-1] 0.0
TOX Grubość warstwy tlenku [m] ∞
gramie PSpice za pomoca˛ mo- NSUB Domieszkowanie podłoża [cm-3] 0.0
UO Ruchliwość nośników ładunku
deli o różnym stopniu skompli- w kanale [cm2/(V s)] 0.0
L Długość kanału [m] 10-4
kowania i dokładności. Poczy- W Szerokość kanału [m] 10-4
naja˛ c od modelu „kwadratowe- LD Wzdłużny współczynnik
dyfuzji bocznej [m] 0.0
go” Shichman–a Hodges–a po- RS Rezystancja szeregowa źródła [Ω] 0.0
RG Rezystancja szeregowa bramki [Ω] 0.0
przez dokładny lecz skompliko- RD Rezystancja szeregowa drenu [Ω] 0.0
RB Rezystancja szeregowa podłoża [Ω] 0.0
wany obliczeniowo model RDS Rezystancja bocznikuja˛ ca kanał [Ω] ∞
Meyer–a, a kończa˛ c na równie IS Pra˛ d nasycenia dla zła˛ czy izoluja˛ cych [A] 10-14
RSH Rezystancja powierzchniowa na
dokładnym lecz prostszym mo- jednostke˛ powierzchni dla warstwy
źródła i dla warstwy drenu [Ω/m2] 0.0
delu Dang–a. W tym paragrafie JS Ge˛ stość pra˛ du nasycenia
zebrane zostały podstawowe dla zła˛ czy izolujacych [A/m2] 0.0
zależności opisuja˛ ce zachowanie

tranzystora MOS, które wyko-
rzystywane sa˛ przez program PSpice. Czytelnik zainteresowany bliższym poznaniem zjawisk
fizycznych leża˛ cych u podstaw działania tranzystora MOS powinien sie˛ gna˛ ć do odpowiednich
podre˛ czników lub monografii np. [20],[1],[32],[19].
6.4.1. Deklaracja tranzystora MOS w strukturze obwodu

Ogólna postać deklaracji tranzystora MOS w strukturze obwodu przyjmuje postać:
MXXXXXXX _d _g _s _b _nazwa_m
+[L=_var][W=_var][AD=_var][AS=_var][PD=_var][PS=_var]
+[NRD=_var][NRS=_var][NRG=_var][NRB=_var]
+[OFF][IC=_vds,_vgs,_vbs]
Przykłady:
M1 2 3 4 20 TYPE1
M31 32 11 2 4 MMOD1 L=5U W=2U
M1 2 9 3 0 MOD1 L=10U W=5U AD=100P AS=100P PD=40U PS=40U
W polach _d, _g, _s, _b należy umieścić numery we˛ złów, w które wpie˛ te sa˛ odpowiednio
dren, bramka, źródło i podłoże tranzystora. W polu _nazwa_m wpisać należy nazwe˛ modelu,
który opisywać be˛ dzie zachowanie tranzystora. Po słowach kluczowych L= oraz W= podać
można odpowiednio długość i szerokość kanału wyrażona˛ w metrach. Po słowach kluczowych
AD= oraz AS= można podać wielkość pola powierzchni obszarów odpowiednio drenu i
źródła. Oba te pola powinny być wyrażone w metrach kwadratowych. Jeżeli nie zostanie
podana wartość czterech wymienionych parametrów program PSpice użyje wartości
domyślnych, które można zmienić za pomoca˛ instrukcji .OPTIONS. Np. aby wartości
domyślne parametrów L, W, AD i AS były takie jak dla tranzystora w trzecim przykładzie
powyżej należy użyć naste˛ puja˛ cej instrukcji:
.OPTIONS DEFL=10U DEFW=5U DEFAD=100P DEFAS=100P
Parametry PD, PS to odpowiednio obwód obszaru drenu i obwód obszaru źródła. Wartość
domyślna tych parametrów (przyjmowana przez program PSpice w razie braku deklaracji ich
wartości w linii deklaracji elementu) wynosi 0. NRD, NRS, NRG, NRB to równoważna
liczba kwadratów obszaru odpowiednio drenu, źródła, bramki i podłoża. Wartość domyślna
tych parametrów wynosi 1.0. Parametry te używane sa˛ do obliczania oporności omowej
obszaru drenu, źródła, bramki i podłoża (wzory (267),(268)) na podstawie znajomości
oporności przypadaja˛ cej na jeden kwadrat — RSH.
Słowo kluczowe OFF służy modyfikacji procesu obliczania statycznego punktu pracy
układu tak jak to opisano na stronie 128. Po słowie kluczowym IC= można podać w polach
_vds, _vgs, _vbs napie˛ cie dren–źródło, napie˛ cie bramka–źródło oraz napie˛ cie podłoże–źródło
w chwili rozpocze˛ cia analizy stanów nieustalonych. Wymienione wartości napie˛ ć maja˛
znaczenie tylko w przypadku, gdy w instrukcji .TRAN użyto słowa kluczowego UIC.
6.4.2. Model Shichman–a Hodges–a (LEVEL=1)12

Na Rys. 87 przedstawiony jest zaste˛ pczy schemat elektryczny modelu tranzystora MOS.
Schemat ten pozostaje taki sam dla każdego z stosowanych w programie PSpice modeli. Róż-
nice polegaja˛ na coraz dokładniejszym odtwarzaniu zależności pra˛ du drenu Id oraz wartości
pojemności od wysterowania tranzystora.
Najprostszym z modeli tranzystora MOS, który znajdujemy w programie PSpice, jest
model Shichman–a Hodges–a [29]. Jest to ten sam model, który w uproszczonej formie
stosowany jest do modelowania tranzystora JFET. Pra˛ d drenu opisywany jest odre˛ bnymi
zależnościami dla trzech zakresów pracy tranzystora MOS:
Obszar odcie˛ cia — odpowiada zakresowi napie˛ ć Vgs<Vto:
(204)
Obszar nasycenia — odpowiada zakresowi napie˛ ć 0≤Vgs-Vto≤Vds:
12
Wszystkie rozważania dotycza˛ tranzystora z kanałem typu n. Model tranzystora z
kanałem typu p otrzymujemy przez zmiane˛ znaku każdego z pra˛ dów i każdego z napie˛ ć.
Rys.87. Schemat zaste˛ pczy modelu tranzystora polowego MOS.
(205)
Obszar liniowy — odpowiada zakresowi napie˛ ć Vds<Vgs-Vto:
(206)
gdzie:
Vto napie˛ cie bramka–źródło powoduja˛ ce powstanie kanału;
Kp(T) parametr transkonduktancji (zależność od temperatury bezwzgle˛ dnej T) —
wzór (207);
Vgs napie˛ cie bramka–źródło;
Vds napie˛ cie dren–źródło;
Leff efektywna długość kanału;
LAMBDA współczynnik modulacji długości kanału.
Zależność parametru transkonduktancji od temperatury Kp(T) jest naste˛ puja˛ ca:
(207)
gdzie:
TNOM nominalna temperatura otoczenia analizowanego układu (≈300K);
KP wartość parametru transkonduktancji tranzystora w temperaturze TNOM.
Efektywna długość kanału Leff jest różnica˛ mie˛ dzy geometryczna˛ długościa˛ kanału L i
podwojona˛ wartościa˛ parametru LD.
(208)
Wzdłużny współczynnik dyfuzji bocznej LD oznacza odległość mie˛ dzy krawe˛ dzia˛ bramki
a brzegiem obszaru drenu (źródła), mierzona˛ wzdłuż kanału tranzystora.
Napie˛ cie bramka–źródło powoduja˛ ce powstanie kanału Vto obliczane jest zgodnie ze
wzorem:
(209)
gdzie:
VTO napie˛ cie bramka–źródło powoduja˛ ce powstanie kanału, przy zerowym
napie˛ ciu źródło–podłoże;
GAMMA parametr progowy podłoża;
PHI podwojona wartość potencjału Fermiego w półprzewodniku samoistnym.
Powyższe wzory wyprowadzone zostały przy upraszczaja˛ cym założeniu, że wielkość
ładunku zgromadzonego w zubożonym obszarze podłoża pozostaje stała i niezależna od
wartości napie˛ cia dren–źródło.
Parametry KP, GAMMA i PHI to parametry elektryczne modelu. Dokonuja˛ c obliczeń
dla projektowanego układu scalonego cze˛ sto wygodniej jest podać parametry charakterystycz-
ne dla procesu technologicznego, w którym układ be˛ dzie wytwarzany, niż parametry
elektryczne dotycza˛ ce bezpośrednio charakterystyk elementu. Program PSpice pozwala na
podanie parametrów technologicznych i na tej podstawie jest w stanie obliczyć wartości
parametrów elektrycznych. Jeżeli wśród parametrów modelu znajdzie sie˛ parametr elektryczny
oraz parametry technologiczne, na podstawie których można obliczyć wymieniony parametr
elektryczny, to program PSpice użyje wartości parametru elektrycznego podanego
bezpośrednio w deklaracji modelu.
Pierwsza obliczana jest pojemność Cox mie˛ dzy bramka˛ i kanałem wynikaja˛ ca z istnienia
warstwy izolacyjnej dwutlenku krzemu SiO2 przypadaja˛ ca na jednostke˛ powierzchni.
(210)
gdzie:
0 przenikalność dielektryczna próżni = 8,85 10-12 [F/m];
Si02 wzgle˛ dna przenikalność dielektryczna dwutlenku krzemu ≈ 3,9;
TOX grubość warstwy dwutlenku krzemu izoluja˛ cej kanał od bramki.
W drugiej kolejności obliczana jest wartość:
Wewne˛ trznego parametru transkonduktancji KP13:

(211)
Parametru progowego podłoża GAMMA:
(212)
Podwojonej wartości potencjału Fermiego dla materiału podłoża:
(213)
gdzie:
UO ruchliwość14 nadmiarowych nośników ładunku w kanale tranzystora;
Si wzgle˛ dna przenikalność dielektryczna krzemu ≈ 11,7;
NSUB liczba atomów domieszki w jednostce obje˛ tości materiału podłoża;
Ni(T) liczba swobodnych elektronów w jednostce obje˛ tości krzemu samoistnego w
funkcji temperatury bezwzgle˛ dnej (dla 300K ≈ 1.45 1016 [m-3]) — wzór (214);
Vt potencjał temperaturowy — wzór (133).
Liczba elektronów swobodnych w jednostce obje˛ tości krzemu samoistnego zmienia sie˛ z
temperatura˛ w sposób naste˛ puja˛ cy:
(214)
Natomiast zmiany szerokości przerwy energetycznej wraz z temperatura˛ Eg(T) obliczane sa˛
według wzoru:
(215)
W modelu uwzgle˛ dniono także pra˛ d Ibd płyna˛ cy przez zła˛ cze izoluja˛ ce obszar drenu od
podłoża oraz pra˛ d Ibs płyna˛ cy przez zła˛ cze izoluja˛ ce obszar źródła od podłoża. Wymienione
pra˛ dy wyrażaja˛ sie˛ naste˛ puja˛ cymi wzorami:
13
Wszystkie wzory w tej ksia˛ żce podane sa˛ dla układu jednostek SI. UWAGA: niektóre
paramery modeli w programie PSpice sa˛ podawane w jednostkach nie be˛ da˛ cych jednostkami
układu SI lub w jednostkach powielokrotnych jednostek obowa˛ zuja˛ cych w układzie SI (np.
UO dla tranzystora polowego MOS).
Ruchliwość nośników ładunku µ definiowana jest jako stosunek pre˛ dkości v unoszenia
14
unoszenia ich przez pole elektryczne do wartości nate˛ żenia pola elektrycznego E: v=µ E.
(216)
gdzie:
Vt potencjał temperaturowy — wzór (133);
Is(T) pra˛ d nasycenia dla zła˛ czy izoluja˛ cych — zależność od temperatury — wzór (217).
Zależność pra˛ du nasycenia zła˛ czy izoluja˛ cych od temperatury Is(T) obliczana jest naste˛ puja˛ co
[26]:
(217)
Jeżeli nie zostanie podana wartość pra˛ du nasycenia zła˛ czy izoluja˛ cych IS lub wartość ta
zostanie określona jako zero program PSpice wyznaczy wartość pra˛ du nasycenia dla każdego
ze zła˛ czy dren–podłoże oraz źródło–podłoże osobno. Pra˛ d nasycenia zła˛ cza dren–podłoże
równy jest iloczynowi powierzchni obszaru drenu AD (podawana w deklaracji tranzystora w
strukturze obwodu — strona 165) i ge˛ stości pra˛ du nasycenia JS (parametr modelu tranzystora
polowego MOS). Pra˛ d nasycenia zła˛ cza źródło–podłoże równy jest iloczynowi powierzchni
obszaru źródła AS (podawana w deklaracji tranzystora w strukturze obwodu — strona 165)
i ge˛ stości pra˛ du nasycenia JS. Ge˛ stość pra˛ du nasycenia uzależniona jest od temperatury w
taki sam sposób jak pra˛ d nasycenia zła˛ czy — wzór (217).
Przykład:
Rys. 88 przedstawia zależność pra˛ du drenu od napie˛ cia dren–źródło obliczona˛ przez
program PSPice dla tranzystora MOS. Parametry elektryczne modelu sa˛ naste˛ puja˛ ce:
KP=27.6[µA/V2];VTO=1.0[V];GAMMA=0.526[V0.5];PHI=0.58[V];LAMBDA=0.0[V-1].
Natomiast odpowiadaja˛ ce im parametry technologiczne przyjmuja˛ wartości:
L=W=100[µm];UO=800[cm2/(V s)];TOX=100[nm];NSUB=1021[m-3];LD=0.8[µm].
Charakterystyki z Rys. 88 obliczone zostały dla dwóch wartości napie˛ cia bramka–źródło:
Vgs=3[V] i Vgs=5[V] przy temperaturze przyrza˛ du T=0°C, T=27°C(≈300K) oraz T=70°C.
Rys. 89 przedstawia zależność, dla tego samego tranzystora, pra˛ du drenu od napie˛ cia
bramka–źródło przy ustalonej wartości napie˛ cia dren–źródło Vds=5.0[V]. Parametrem na tym
wykresie jest napie˛ cie Vbs mie˛ dzy podłożem tranzystora a obszarem źródła. Zwróćmy uwage˛
na zmiany napie˛ cia progowego Vto dokonuja˛ ce sie˛ wraz ze zmianami napie˛ cia Vbs.
Spośród pojemności pokazanych na Rys. 87 najistotniejsze znaczenie dla szybkości
przeła˛ czania tranzystora MOS to pojemność bramka–źródło Cgs, bramka–dren Cgd oraz
bramka–podłoże Cgb. Wszystkie one sa˛ pojemnościami o stałej wartości wyliczanej według
naste˛ puja˛ cych wzorów:
(218)
Rys.88. Zależność pra˛ du drenu od napie˛ cia dren-źródło dla tranzystora polowego MOS.
Parametrem na wykresie jest napie˛ cie bramka-źródło Vgs oraz temperatura przyrza˛ du..
gdzie:
W szerokość kanału tranzystora;
Leff długość kanału tranzystora;
CGSO pojemność bramka–źródło przypadaja˛ ca na 1[m] szerokości kanału;
CGDO pojemność bramka–dren przypadaja˛ ca na 1[m] szerokości kanału;
CGSO pojemność bramka–podłoże przypadaja˛ ca na 1[m] długości kanału.
Poza tym uwzgle˛ dnia sie˛ także pojemności zła˛ cz izoluja˛ cych dren od podłoża oraz źródło
od podłoża. Pojemność dren–podłoże Cbd jest pojemnościa˛ nieliniowa˛ , której wartość
różniczkowa˛ określa naste˛ puja˛ cy wzór:
(219)
gdzie:
Vbd napie˛ cie podłoże–dren;
CBD(T) pojemność różniczkowa cze˛ ści płaskiej zła˛ cza dren–podłoże dla napie˛ cia
podłoże–dren równego zero — zależność od temperatury bezwzgle˛ dnej —
wzór (221);
CJSW(T) pojemność różniczkowa przypadaja˛ ca na jednostke˛ długości cze˛ ści bocznej
zła˛ cza izoluja˛ cego dla zerowego napie˛ cia polaryzuja˛ cego to zła˛ cze —
Rys.89. Zależność pra˛ du drenu Id od napie˛ cia bramka-źródło Vgs dla tranzystora MOS.
Napie˛ cie dren-źródło Vds=5.0[V]. Parametr: napie˛ cie podłoże-źródło Vbs.
zależność od temperatury bezwzgle˛ dnej — wzór (222);

Pb(T) potencjał wbudowany dla zła˛ czy izoluja˛ cych — zależność od temperatury
bezwzgle˛ dnej — wzór (220);
PD obwód obszaru drenu — podawany w deklaracji tranzystora w strukturze
obwodu — patrz strona 165;
MJ współczynnik opisuja˛ cy profil domieszkowania w płaskich obszarach zła˛ czy
izoluja˛ cych;
MJSW współczynnik opisuja˛ cy profil domieszkowania w bocznych obszarach zła˛ czy
izoluja˛ cych.
We wzorze (219) można wyróżnić dwa składniki. Pierwszy to pojemność zła˛ czowa płaskiej
cze˛ ści zła˛ cza dren–podłoże — „dna” obszaru drenu. Drugi składnik to pojemność cze˛ ści
bocznej (silnie zakrzywionej) zła˛ cza dren–podłoże. Obie te pojemności sa˛ ekstrapolowane
liniowo dla napie˛ ć Vbd wyższych od wartości FC Pb(T) tak jak to opisano dla diody
półprzewodnikowej — strona 131.
Potencjał wbudowany zła˛ czy izoluja˛ cych Pb(T) zmienia sie˛ wraz z temperatura˛ w sposób
naste˛ puja˛ cy:
(220)
gdzie:
PB potencjał wbudowany (zła˛ czowy) dla zła˛ czy izoluja˛ cych w temperaturze
odniesienia TNOM;
Eg(T) szerokość przerwy energetycznej w materiale podłoża — zależność od temperatury
bezwzgle˛ dnej — wzór (215).
Pojemność różniczkowa przy zerowej polaryzacji CBD(T) określona jest wzorem:
(221)
gdzie:
CBD pojemność różniczkowa cze˛ ści płaskiej zła˛ cza dren–podłoże dla napie˛ cia
podłoże–dren równego zero dla temperatury nominalnej TNOM.
Podobnym wzorem określona jest pojemność różniczkowa dla bocznej cze˛ ści zła˛ cza
izoluja˛ cego CJSW(T):
(222)
gdzie:
CJSW pojemność różniczkowa cze˛ ści bocznej zła˛ cza izoluja˛ cego dla zerowego
napie˛ cia polaryzuja˛ cego dla temperatury nominalnej TNOM.
Analogiczne wzory określaja˛ wielkość pojemności zła˛ czowej dla zła˛ cza izoluja˛ cego źródło
od podłoża. Sama pojemność Cgs dana jest wzorem:
(223)
gdzie:
Vbs napie˛ cie podłoże–źródło;
CBS(T) pojemność różniczkowa cze˛ ści płaskiej zła˛ cza źródło–podłoże dla napie˛ cia
podłoże–źródło równego zero — zależność od temperatury bezwzgle˛ dnej
analogiczna do (221);
PS obwód obszaru źródła — podawany w deklaracji tranzystora w strukturze
obwodu — patrz strona 165.
Podobnie jak opisana wyżej pojemność dren–podłoże pojemność źródło–podłoże Cgs podlega
liniowej ekstrapolacji dla napie˛ ć podłoże–źródło wie˛ kszych od FC Pb(T). Analogiczna jest
także zależność pojemności różniczkowej zła˛ cza przy zerowej polaryzacji od temperatury.
Jeżeli w deklaracji modelu nie zostanie podana wartość pojemności różniczkowej płaskiej
cze˛ ści zła˛ cza dren–podłoże (źródło–podłoże) to wartość ta zostanie obliczona przez program
PSpice jako iloczyn parametru CJ — jednostkowej pojemności płaskich cze˛ ści zła˛ czy izoluja˛ -
cych — oraz powierzchni zajmowanej przez dren AD (źródło AS) — parametr podawany w
linii deklaracji tranzystora MOS w strukturze obwodu — strona 165.
6.4.3. Model Meyer–a (LEVEL=2)

Model Meyer–a identyfiko- Tablica XXV Parametry dynamiczne i szumowe tranzys-
wany jest przez podanie, w linii tora MOS. Poziom modelowania LEVEL=1.
deklaracji modelu tranzystora
MOS, wartości parametru LEV- kluczowe domyślna
EL=2. Model ten jest znacznie CBS Pojemność zła˛ cza podłoże-źródło
przy zerowej polaryzacji [F] 0.0
dokładniejszy od modelu Shich-
CBD Pojemność zła˛ cza podłoże-dren
man–a Hodges–a. Składaja˛ sie˛ przy zerowej polaryzacji [F] 0.0
CGSO Pojemność bramka-źródło na
na to naste˛ puja˛ ce fakty: jednostke˛ szerokości kanału [F/m] 0.0
CGDO Pojemność bramka-dren na
Zależności opisuja˛ ce jednostke˛ szerokości kanału [F/m] 0.0
charakterystyke˛ statycz- CGBO Pojemność bramka-podłoże na
jednostke˛ długości kanału [F/m] 0.0
na˛ uwzgle˛ dniaja˛ nierów- PB Potencjał wbudowany dla
zła˛ czy izoluja˛ cych [V] 0.0
nomierny rozkład ładun- CJ Pojemność na jednostke˛ powierzchni
płaskiej cze˛ ści zła˛ czy izoluja˛ cych
ku zgromadzonego w dla zerowej polaryzacji [F/m2] 0.0
zubożonym obszarze MJ Parametr opisuja˛ cy profil
domieszkowania płaskiej cze˛ ści
przejściowym mie˛ dzy zła˛ czy izoluja˛ cych - 0.5
CJSW Pojemność na jednostke˛ powierzchni
kanałem i podłożem. bocznej cze˛ ści zła˛ czy izoluja˛ cych
dla zerowej polaryzacji [F/m2] 0.0
Model uwzgle˛ dnia pra˛ d MJSW Parametr opisuja˛ cy profil
płyna˛ cy mie˛ dzy źródłem domieszkowania bocznej cze˛ ści
zła˛ czy izoluja˛ cych - 0.5
i drenem tranzystora FC Granica linearyzacji pojemności
zła˛ cza - 0.5
przy polaryzacji bramki KF Współczynnik szumów migotania - 0.0
tranzystora napie˛ ciem AF Wykładnik szumów migotania - 1.0
niższym od napie˛ cia,

przy którym tworzy sie˛
kanał.
Model uwzgle˛ dnia zależność ruchliwości nośników ładunku elektrycznego od
wielkości pola elektrycznego. W szczególności modelowane jest zjawisko nasycenia
pre˛ dkości unoszenia nośników ładunku przez pole elektryczne.
Uwzgle˛ dnienie wpływu na kształt charakterystyk tranzystora krótkiego oraz wa˛ skiego
kanału.
Uwzgle˛ dnienie nieliniowego charakteru pojemności tworza˛ cych sie˛ mie˛ dzy bramka˛ a
źródłem, drenem i podłożem.
Pra˛ d drenu Id opisywany jest inna˛ zależnościa˛ dla każdego z trzech obszarów pracy
tranzystora. W obszarze słabej inwersji, gdy kanał tranzystora nie jest jeszcze dobrze
wykształcony, pra˛ d drenu zmienia sie˛ zgodnie z naste˛ puja˛ ca˛ zależnościa˛ :
(224)
gdzie:
Von napie˛ cie progowe dla obszaru słabej inwersji;
Ion wartość pra˛ du drenu przy Vgs=Von wyliczona ze wzorów obowia˛ zuja˛ cych dla
liniowego zakresu pracy tranzystora — wzór (229).
Obszar słabej inwersji odpowiada wartości napie˛ cia bramka–źródło Vgs leża˛ cej w przedziale:
Vto<Vgs<Von.
Napie˛ cie progowe Von określone jest przy tym wzorem:
(225)
gdzie:
Vto napie˛ cie bramka–źródło powoduja˛ ce powstanie kanału — wzór (209);
Vt potencjał termiczny — wzór (133);
Cox pojemność na jednostke˛ powierzchni warstwy SiO2 — wzór (210);
Cd pojemność różniczkowa zubożonej warstwy podłoża — wzór (226);
NFS ge˛ stość powierzchniowa stanów zmiennych.
Pojemność zubożonej warstwy podłoża obliczana jest według naste˛ puja˛ cej zależności:
(226)
gdzie:
GAMMA parametr progowy podłoża — patrz wzór (212);
PHI podwojona wartość potencjału Fermiego dla materiału podłoża — patrz
wzór (213).
Napie˛ cie bramka–źródło powoduja˛ ce powstanie kanału Vto uzależnione jest od napie˛ cia
podłoże–źródło za pomoca˛ wzoru (209). Na poziomie LEVEL=2 modelowania tranzystora
napie˛ cie bramka–źródło VTO powoduja˛ ce powstanie kanału przy zerowej wartości napie˛ cia
Vbs może być obliczone na podstawie parametrów technologicznych:
(227)
gdzie:
VMS kontaktowa różnica potencjałów mie˛ dzy materiałem bramki i materiałem
podłoża tranzystora — wzór (228);
Cox pojemność na jednostke˛ powierzchni warstwy SiO2 — wzór (210);
NSS powierzchniowa ge˛ stość stanów;

GAMMA parametr progowy podłoża — patrz wzór (212);
wzór (213).
Kontaktowa różnica potencjałów VMS mie˛ dzy materiałem bramki i materiałem podłoża jest
także wielkościa˛ wyliczana˛ przez program PSpice:
(228)
gdzie:
Ni(T) liczba swobodnych elektronów w jednostce obje˛ tości krzemu samoistnego w
funkcji temperatury bezwzgle˛ dnej (dla 300K ≈ 1.45 1016 [m-3]) — wzór (214);
Eg(T) szerokość przerwy energetycznej jako funkcja temperatury — wzór (215);
TPG typ bramki;
Vt potencjał temperaturowy — wzór (133).
Parametr modelu TPG opisuje Tablica XXVI Parametry tranzystora MOS. Poziom
modelowania LEVEL=2.
typ zastosowanej bramki. Jeżeli
tranzystor MOS posiada bramke˛ Słowo Nazwa Jednostka Wartość
wykonana˛ z glinu (aluminium) kluczowe domyślna
to wartość tego parametru po- NSS Powierzchniowa ge˛ stość stanów [cm-2] 0.0
TPG Typ bramki:
winna być równa zero. Jeśli +1 = różna od podłoża
-1 = taka sama jak podłoże
bramka jest wykonana z krzemu 0 = aluminiowa - 1.0
polikrystalicznego, którego typ WD Współczynnik dyfuzji bocznej [m] 0.0
NFS Powierzchniowa ge˛ stość stanów
przewodnictwa jest taki sam jak zmiennych [cm-2] 0.0
XJ Metalurgiczna głe˛ bokość zła˛ cza [m] 0.0
typ przewodnictwa podłoża UCRIT Krytyczne pole degradacji
tranzystora wartość parametru ruchliwości nośników ładunku [V/cm] 104
UXEP Wykładnik krytycznego pola
TPG powinna być równa -1. ruchliwości - 0.0
UTRA Współczynnik opisuja˛ cy zmiany
Natomiast jeśli bramka jest pola elektrycznego wzdłuż kanału - 0.0
VMAX Maksymalna pre˛ dkość unoszenia
wykonana z krzemu polikrysta- nośników ładunku przez
pole elektryczne [m/s] 0.0
licznego, którego typ prze- NEFF Współczynnik całkowitego
wodnictwa jest odmienny od ładunku w kanale - 1.0
XQC Cze˛ ść ładuku kanału przypisana
typu przewodnictwa podłoża do drenu - 0.0
DELTA Współczynnik zmian
tranzystora wartość parametru napie˛ cia progowego - 0.0
TPG powinna być równa +1.

Tranzystor pracuje w ob-
szarze liniowym dla napie˛ cia
bramka–źródło Vgs wie˛ kszego od Von oraz napie˛ cia dren–źródło Vds wie˛ kszego od zera i
mniejszego od napie˛ cia nasycenia Vsat.
Vgs>Von
0<Vds<Vsat
Pra˛ d drenu Id zmienia sie˛ zgodnie z zależnościa˛ :
(229)
gdzie:
L’(Vds) długość kanału tranzystora jako funkcja napie˛ cia dren–źródło — wzór
(231);
Vfb napie˛ cie bramka–podłoże powoduja˛ ce wyprostowanie pasm na granicy
Si–SiO2 — wzór (230);
Vbs napie˛ cie podłoże–źródło;
GAMMA parametr progowy podłoża — wzór (212);
wzór (213);
KP parametr transkonduktancji;
W szerokość kanału tranzystora.
Napie˛ cie bramka–podłoże powoduja˛ ce wyprostowanie pasm obliczane jest na podstawie
parametrów technologicznych według naste˛ puja˛ cego wzoru:
(230)
gdzie:
VMS kontaktowa różnica potencjałów mie˛ dzy materiałem bramki i materiałem podłoża
— wzór (227);
Cox pojemność jednostki powierzchni warstwy dwutlenku krzemu — wzór (210);
NSS ge˛ stość stanów powierzchniowych.
Długość kanału tranzystora L’(Vds) obliczana jest z zależności:
(231)
gdzie:
L fizyczna długość kanału tranzystora;
LD wzdłużny współczynnik dyfuzji bocznej;
LAMBDA współczynnik modulacji długości kanału.
Wartość granicznego napie˛ cia dren–źródło Vsat, powyżej którego tranzystor wchodzi w stan
nasycenia dana jest wzorem:
(232)
gdzie:
GAMMA parametr progowy podłoża — wzór (212);
wzór (213);
Vfb napie˛ cie bramka–podłoże powoduja˛ ce wyprostowanie pasm na granicy
Si–SiO2 — wzór (230).
W stanie nasycenia tzn. gdy spełnione sa˛ nierówności:
Vgs>Von
Vds>Vsat
pra˛ d drenu zmienia sie˛ w sposób naste˛ puja˛ cy:
(233)
gdzie:
Isat pra˛ d wyliczony według wzoru (229) dla Vds=Vsat.
Przykład:
Na Rys. 90 porównano charakterystyke˛ statyczna˛ tranzystora MOS opisanego modelem
Shichman–a Hodges–a oraz modelem Meyer–a (LEVEL=1 i LEVEL=2). Parametry elektrycz-
ne oraz technologiczne podane w deklaracji modelu tranzystora pozostaja˛ takie same jak w
poprzednim przykładzie. Oznacza to, że przyjmuja˛ wartości:
KP=27,6[µA/V2];VTO=1,0[V];GAMMA=0,526[V0.5];PHI=0,58[V];LAMBDA=0,0[V-1].
L=W=100[µm];UO=800[cm2/(V s)];TOX=100[nm];NSUB=1021[m-3];LD=0,8[µm].
Na osi poziomej odłożono napie˛ cie dren–źródło Vds natomiast na osi pionowej pra˛ d drenu
tranzystora Id. Parametrem na rysunku jest wartość napie˛ cia bramka–źródło Vgs, która
zmienia sie˛ od 2,0[V] do 5,0[V]. Model Shichman–a Hodges–a daje wyraźnie wie˛ ksza˛
wartość pra˛ du drenu w stosunku do modelu Meyer–a.
Model tranzystora polowego MOS wbudowany w program PSpice na poziomie LEVEL=2
pozwala na uwzgle˛ dnienie dodatkowo innych zjawisk towarzysza˛ cych pracy tranzystora.
Wzory (229) i (233) zostały wyprowadzone przy założeniu, że ruchliwość nośników
ładunku jest stała i nie zależy od nate˛ żenia pola elektrycznego. Dane doświadczalne wskazuja˛
jednak, że ruchliwość ulega zmniejszeniu wraz ze wzrostem nate˛ żenia pola elektrycznego.
Zjawisko to wywiera wpływ na wartość współczynnika transkonduktancji KP — jego
wartość zmienia sie˛ wraz z napie˛ ciem dren–źródło oraz napie˛ ciem bramka–źródło. W
programie PSpice wpływ degradacji ruchliwości nośników ładunku na współczynnik
transkonduktancji uwzgle˛ dnia sie˛ w sposób naste˛ puja˛ cy:
Rys.90. Porównanie charakterystyk statycznych tranzystora MOS modelowanego na

poziomie LEVEL=1 i na poziomie LEVEL=2.
(234)
gdzie:
UCRIT pole krytyczne, powyżej którego naste˛ puje zmniejszenie ruchliwości nośników;
UEXP wykładnik opisuja˛ cy zmniejszanie ruchliwości nośników ładunku wraz ze
wzrostem pola elektrycznego;
UTRA współczynnik opisuja˛ cy rozkład pola elektrycznego wzdłuż kanału tranzystora;
Si wzgle˛ dny współczynnik przenikalności elektrycznej dla krzemu ≈11,7;
SiO2 wzgle˛ dny współczynnik przenikalności elektrycznej dla dwutlenku krzemu
≈3,9.
Wartość współczynnika transkonduktancji KP po prawej stronie wzoru (234) jest parametrem
deklaracji .MODEL lub wyliczana jest według wzoru (211).
Model tranzystora MOS na poziomie LEVEL=2 pozwala na obliczenie współczynnika
modulacji długości kanału LAMBDA na podstawie parametrów technologicznych. Służy
do tego naste˛ puja˛ cy wzór:
(235)
gdzie:
0 przenikalność elektryczna próżni = 8,85 10-12[F/m];
Leff efektywna długość kanału tranzystora — wzór (208);
Vsat napie˛ cie dren–źródło, dla którego naste˛ puje nasycenie charakterystyk
statycznych tranzystora — wzór (232).
Zastosowanie wzoru (235) prowadzi zwykle do zbyt dużej wartości współczynnika
LAMBDA, w stosunku do wartości mierzonej laboratoryjnie. Można temu zaradzić
zwie˛ kszaja˛ c wartość parametru określaja˛ cego liczbe˛ atomów domieszki w jednostce obje˛ tości
materiału podłoża — NSUB. Wartość ta (zawyżona) nie może być jednak użyta do
obliczenia parametrów GAMMA i PHI (wzory (212) i (213)). Te ostatnie musza˛ zostać
podane bezpośrednio w deklaracji modelu tranzystora [1].
W przypadku, gdy w deklaracji modelu tranzystora podana zostanie wartość maksymalnej
pre˛ dkości unoszenia nośników ładunku w kanale VMAX program PSpice obliczy wartość
parametru LAMBDA na podstawie znacznie doskonalszego modelu modulacji długości
kanału. Jest to tzw. model Baum–a, Beneking–a. Obliczenia prowadzone sa˛ w tym wypadku
według wzoru:
(236)
Parametr XD dany jest wzorem:
(237)
gdzie:
SiO2 wzgle˛ dny współczynnik przenikalności elektrycznej dla dwutlenku krzemu
≈3,9;
NEFF współczynnik całkowitego ładunku w kanale.
Wada˛ tego modelu jest jednak niecia˛ głość pochodnej charakterystyki statycznej tranzystora
na granicy obszaru liniowości i nasycenia. Niecia˛ głość ta może łatwo doprowadzić do
trudności przy obliczaniu statycznego punktu pracy układu metoda˛ Newton–a Raphson–a. Nie
mniej model bardzo dobrze oddaje zachowanie tranzystorów o długości kanału nie mniejszej
niż 4–5[µm], których bramka wykonana została z aluminium [1].
Dla tranzystorów polowych MOS o krótkim kanale (poniżej 5[µm]) obserwuje sie˛ wpływ
długości L i szerokości W kanału na wartość napie˛ cia bramka–źródło Vto, przy którym
tworzy sie˛ kanał tranzystora. W programie PSpice wpływ szerokości kanału na napie˛ cie Vto
modeluje sie˛ przez zmiane˛ wartości parametru progowego podłoża GAMMA:
(238)
gdzie:
XJ metalurgiczna głe˛ bokość zła˛ cza izoluja˛ cego obszar drenu (źródła) od podłoża;
Leff efektywna długość kanału — wzór (208);
WS grubość obszaru zubożonego dla zła˛ cza źródło–podłoże;
WD grubość obszaru zubożonego dla zła˛ cza dren–podłoże.
Dwie ostatnie wielkości określone sa˛ naste˛ puja˛ ca˛ para˛ wzorów:
(239)
(240)
Po prawej stronie wzoru (238) znajduje sie˛ wartość parametru GAMMA podana
bezpośrednio w deklaracji modelu tranzystora polowego MOS. Wartość ta może być także
obliczona ze wzoru (212). Natomiast po lewej stronie wzoru (238) wyste˛ puje już zmodyfiko-
wana wartość parametru progowego podłoża GAMMA.
Niestety przedstawiona wyżej zależność powoduje zwykle zbyt duża˛ , w stosunku do
obserwowanej doświadczalnie, redukcje˛ wartości napie˛ cia progowego Vto. Istnieje możliwość
lepszego dopasowania przez zmiane˛ wartości parametrów XJ oraz NSUB. Trudno jednak
uzyskać zgodność z wynikami doświadczalnymi w szerokim zakresie zmian długości kanału.
Ponadto przedstawiony model zupełnie nieprawidłowo określa zależność napie˛ cia progowego
Vto od napie˛ cia dren–źródło [1]. Aby przynajmniej cze˛ ściowo zaradzić tym trudnościom
wprowadzony został empiryczny parametr DELTA, którego zadaniem jest dopasowanie
teoretycznej zależności napie˛ cia Vto od napie˛ cia źródło–podłoże do wyników otrzymywanych
eksperymentalnie. Zmodyfikowana zależność ma postać:
(241)
gdzie:
Si wzgle˛ dny współczynnik przenikalności elektrycznej dla krzemu ≈ 11,7;
Cox pojemność jednostki powierzchni izolacji SiO2 — wzór (210);
GAMMA parametr progowy podłoża zmodyfikowany zgodnie ze wzorem (238);
VTO napie˛ cie progowe przy zerowej polaryzacji — dane jako parametr
elektryczny lub obliczone według wzoru (227).
Model pojemności tranzystora MOS na poziomie LEVEL=2 to nieco zmodyfikowany
model Meyer–a. W modelu oryginalnym [22] różnice w opisie pojemności w różnych
regionach pracy tranzystora powodowały, że algorytm Newton–a Raphson–a, służa˛ cy do
analizy obwodów nieliniowych, był niezbieżny. Modyfikacje pozwoliły w dużym stopniu
wyeliminować te niedogodności.
W obszarze zablokowania, w którym napie˛ cie bramka–źródło spełnia nierówność:
Vgs < Von - PHI
poszczególne pojemności uwidocznione na Rys. 87 maja˛ wartość:
(242)
gdzie:
Von napie˛ cie progowe dla obszaru słabej inwersji — wzór (225);
C’ox pojemność izolacji SiO2 — wzory (245), (246);
CGBO pojemność bramka–podłoże przypadaja˛ ca na jednostke˛ długości kanału;
CGSO pojemność bramka–źródło przypadaja˛ ca na jednostke˛ szerokości kanału, a
wynikaja˛ ca z geometrycznego nakładania sie˛ obszaru bramki i obszaru źródła;
CGDO pojemność bramka–dren przypadaja˛ ca na jednostke˛ szerokości kanału, a
wynikaja˛ ca z geometrycznego nakładania sie˛ obszaru bramki i obszaru drenu;
W szerokość kanału tranzystora.
W obszarze słabej inwersji, w którym napie˛ cie bramka–źródło spełnia nierówność:
Von - PHI < Vgs < Von
pojemności bramka–podłoże oraz bramka–źródło sa˛ uzależnione bezpośrednio od napie˛ cia
bramka–źródło, natomiast pojemność bramka–dren pozostaje stała:
(243)
W obszarze nasycenia, tam gdzie napie˛ cie bramka–źródło spełnia nierówność:

Von < Vgs < Von+Vds
pojemności tranzystora MOS staja˛ sie˛ ponownie stałe:
(244)
Dla wyższych wartości napie˛ cia bramka–źródło, w obszarze pracy liniowej:

Von + Vds < Vgs,
pojemności bramka–źródło oraz bramka–dren sa˛ zależne od aktualnego punktu pracy
tranzystora:
(245)
(246)
gdzie:
Cox pojemność jednostki powierzchni izolacji SiO2 — wzór (210).
Napie˛ cie progowe Von obliczanie jest zgodnie ze wzorem (225). Jeżeli jednak nie zostanie
podana wartość parametru NFS w miejsce napie˛ cia Von używana jest wartość napie˛ cia Vto
— wzór (209).
W programie PSpice zlikwidowano skokowa˛ zmiane˛ pojemności, która wyste˛ powała w
modelu zaproponowanym przez Meyer–a, pomie˛ dzy obszarem zablokowania i obszarem
nasycenia. Dzie˛ ki temu uniknie˛ to problemów zwia˛ zanych z niezbieżnościa˛ algorytmu
Newton–a Raphson–a używanego podczas obliczeń stanu nieustalonego [1].
Jeżeli w deklaracji modelu tranzystora MOS na poziomie LEVEL=2 podana zostanie
wartość współczynnika podziału ładunku w kanale XQC to zamiast modelu Meyer–a użyty
zostanie uproszczony model ładunkowy Ward–a [1]. Ładunek gromadzony na bramce Qb oraz
ładunek gromadzony w podłożu Qb obliczane sa˛ wtedy według formuł uzyskanych
analitycznie. Ładunek zgromadzony w kanale Qch, zgodnie z zasada˛ zachowania ładunku,

obliczany jest naste˛ puja˛ co15:
(247)
Ładunek kanału dzielony jest pomie˛ dzy źródło (Qs) i dren (Qd) zgodnie z zadeklarowana˛
wartościa˛ współczynnika XQC:
(248)
W rezultacie pra˛ d bramki (ig), pra˛ d drenu (id), pra˛ d źródła (is) oraz pra˛ d podłoża (ib) zwia˛ zane
z pojemnościami tranzystora obliczane sa˛ naste˛ puja˛ co:
(249)
Model Ward–a pozwala na uniknie˛ cie błe˛ dów numerycznych, które pojawiaja˛ sie˛ w pewnych
typach obwodów z tranzystorami MOS, których pojemności opisywane sa˛ modelem Meyer–a.
Niestety model Ward–a nie posiada żadnego uzasadnienia fizycznego, a ponadto jego użycie
cze˛ sto prowadzi do niezbieżności algorytmu zastosowanego w programie PSpice do obliczania
stanu nieustalonego w obwodzie.
6.4.4. Model Dang–a (LEVEL=3)

Model tranzystora MOS na Tablica XXVII Parametry tranzystora MOS. Poziom
poziomie LEVEL=3 w progra- modelowania LEVEL=3.
mie PSpice został opracowany
na podstawie modelu zapropo- kluczowe domyślna
nowanego przez Dang–a [32]. THETA Współczynnik modulacji

ruchliwości nośników [V-1] 0.0
Model ten nazwać można pół-
ETA Współczynnik statycznego
empirycznym. Jest on stosunko- sprze˛ żenia zwrotnego - 0.0
KAPPA Współczynnik nasycenia pola - 0.2
wo prosty, dokładny i powinien
być stosowany dla tranzystorów
o krótkim kanale16. Równania
opisuja˛ ce charakterystyke˛ statyczna˛ tranzystora na poziomie modelowania LEVEL=3 maja˛
taka˛ sama˛ postać jak na poziomie LEVEL=2 — strona 175. W obszarze pracy liniowej
zastosowano jednak rozwinie˛ cie w szereg Taylora w celu uproszczenia wzorów końcowych.
W rezultacie wzór określaja˛ cy pra˛ d w tym zakresie przyjmuje postać:
15
Ładunki bramki i podłoża sa˛ różnoimenne!
16
Długość kanału tranzystora nie powinna być mniejsza niż 2[µm].
(250)
Współczynnik FB obliczany jest przez program naste˛ puja˛ co:
(251)
Parametr β jest taki sam jak w modelu Meyer–a (wzory (229),(231),(208)):
(252)
gdzie:
GAMMA parametr progowy podłoża — wzory (212),(238);
KP parametr transkonduktancji — wzór (211);
LAMBDA współczynnik modulacji długości kanału;
W szerokość kanału.
Wpływ poprzecznej składowej pola elektrycznego (bramka–podłoże) na ruchliwość
nośników ładunku w kanale został uwzgle˛ dniony w prostszy sposób niż ma to miejsce w
modelu na poziomie LEVEL=2 (wzór (234)). Modyfikowana jest bezpośrednio wartość
ruchliwości nośników ładunku, która używana jest we wzorze (211):
(253)
gdzie:
UO ruchliwość nadmiarowych nośników ładunku w kanale tranzystora;
Us zmodyfikowana wartość ruchliwości nośników ładunku;
THETA współczynnik modulacji ruchliwości nośników ładunku.
W wyniku symulacyjnego badania struktur tranzystorów MOS o krótkim kanale, z
uwzgle˛ dnieniem efektów dwuwymiarowych17 stwierdzono, że zaciśnie˛ cie kanału w pobliżu
drenu naste˛ puje przy niższych wartościach napie˛ cia bramka–źródło niż wynika to z teorii
opracowanych dla tranzystorów o długim kanale. W rezultacie wzór (241) uzupełniono o
liniowa˛ zależność napie˛ cia progowego Vto od napie˛ cia dren–źródło Vds:
17
Nośniki ładunku w kanale tranzystora MOS moga˛ poruszać sie˛ tylko w dwóch
wymiarach - głebokość kanału jest znacznie mniejsza niż szerokość i długość. Własności
statystyczne takiego "dwuwymiarowego" gazu złożonego z nośników ładunku sa˛ zupełnie inne
niż własności gazu, którego cza˛ stki moga˛ sie˛ poruszać w trzech wymiarach.
(254)
gdzie:
wzór (213);
GAMMA parametr progowy podłoża — wzory (212),(238);
VTO napie˛ cie progowe przy zerowej polaryzacji — dane jako parametr
elektryczny lub obliczone według wzoru (227);
σ współczynnik proporcjonalności — wzór (255).
Zależność współczynnika proporcjonalności σ od efektywnej długości kanału Leff znaleziona
została doświadczalnie i jest naste˛ puja˛ ca:
(255)
gdzie:
ETA współczynnik statycznego sprze˛ żenia zwrotnego;
Leff efektywna długość kanału — wzór (208).
Współczynnik Fs wyste˛ puja˛ cy we wzorach (254) i (251) służy uwzgle˛ dnieniu trójwymiaro-
wej struktury obszaru zubożonego izoluja˛ cego kanał tranzystora od podłoża. Wzór określaja˛ cy
jego wartość jest naste˛ puja˛ cy:
(256)
gdzie:
LD wzdłużny współczynnik dyfuzji bocznej;
XJ metalurgiczna głe˛ bokość zła˛ cza izoluja˛ cego obszar drenu (źródła) od podłoża.
Wielkość Wp oznacza głe˛ bokość obszaru zubożonego pod płaska˛ cze˛ ścia˛ zła˛ cza izoluja˛ cego
źródło:
(257)
gdzie:
XD parametr określony wzorem (237).
Parametr Wc oznacza natomiast głe˛ bokość obszaru zubożonego cylindrycznej cze˛ ści zła˛ cza
izoluja˛ cego źródło–podłoże. Wielkość ta określona jest wzorem, znalezionym doświadczalnie:
(258)
Współczynnik Fn wyste˛ puja˛ cy we wzorze (251) uwzgle˛ dnia efekty zwia˛ zane z wa˛ skim
kanałem:
(259)
gdzie:
Si wzgle˛ dny współczynnik przenikalności elektrycznej dla krzemu ≈ 11,7;
DELTA współczynnik zmian napie˛ cia progowego.
Jak widać wpływ wa˛ skiego kanału jest modelowany w taki sam sposób jak na poziomie
LEVEL=2 (wzór (241)). Kluczowe jest podanie parametru DELTA, którego wartość musi
zostać wyznaczona doświadczalnie.
Model Dang–a uwzgle˛ dnia zmiany ruchliwości nośników ładunku zwia˛ zane ze składowa˛
pola elektrycznego równoległa˛ do kanału. Efektywna wartość ruchliwości Ueff obliczana jest
naste˛ puja˛ co:
(260)
gdzie:
Us wartość ruchliwości zmodyfikowana przez poprzeczne pole elektryczne —
wzór (253);
VMAX maksymalna pre˛ dkość unoszenia nośników ładunku w kanale;
Leff efektywna długość kanału — wzór (208).
Podanie w linii deklaracji modelu tranzystora wartości parametru VMAX nie tylko zmienia
wartość ruchliwości nośników, ale także powoduje modyfikacje˛ wartości napie˛ cia Vsat —
napie˛ cia dren–źródło powoduja˛ cego przejście tranzystora od stanu nasycenia do pracy w
obszarze liniowym. Napie˛ cie Vsat jest stosunkowo prosta˛ kombinacja˛ napie˛ cia nasycenia
obliczonego dla VMAX=∞ (Va) i poprawki zwia˛ zanej ze skończona˛ wartościa˛ parametru
VMAX (Vb):
(261)
Wielkości Va i Vb wyrażaja˛ sie˛ przy tym naste˛ puja˛ co:
(262)
gdzie:
Vto napie˛ cie progowe określone wzorem (254);
FB współczynnik określony wzorem (251);
Leff efektywna długość kanału określona wzorem (208);
Ueff efektywna ruchliwość nośników ładunku — wzór (260).
Na poziomie modelowania tranzystora MOS LEVEL=3 wprowadzono także zależność

długości kanału L’ od napie˛ cia dren–źródło Vds w obszarze nasycenia18:
(263)
gdzie:
XD parametr określony wzorem (237);
Isat pra˛ d drenu dla Vds=Vsat;
gsat pochodna pra˛ du drenu wzgle˛ dem napie˛ cia Vds dla Vds=Vsat (∂Id/∂Vds).
Parametr KAPPA podawany jest w linii deklaracji modelu tranzystora. Wartość tego
parametru dobierana jest tak aby uzyskać zgodność wyników symulacji z wynikami pomiarów
laboratoryjnych.
Na poziomie modelowania LEVEL=3 pojemności sa˛ modelowane tak samo jak na
poziomie LEVEL=2. Możliwy jest zatem wybór mie˛ dzy modelem Meyer–a (patrz strona 182)
i modelem ładunkowym Ward–a (patrz strona 184). Jednocześnie w przypadku tego ostatniego
równania opisuja˛ ce zmiany ładunku bramki Qg oraz ładunku podłoża Qb sa˛ uproszczone.
Ładunek Qg opisywany jest wzorem:
(264)
natomiast ładunek Qb naste˛ puja˛ co:
(265)
gdzie:
FB współczynnik określony wzorem (251);
PHI podwojona wartość potencjału Fermiego dla materiału podłoża — wzór
(213);
σ współczynnik proporcjonalności określony wzorem (255);
18
Oznacza to, że obliczana jest wartość współczynnika modulacji długości kanału
LAMBDA.
Rys.91. Porównanie charakterystyki statycznej tranzystora MOS modelowanego na

poziomie LEVEL=2 i na poziomie LEVEL=3.
Fn współczynnik proporcjonalności określony wzorem (259);

GAMMA parametr progowy podłoża — wzory (212),(238).
Przykład:
Na Rys. 91 pokazana jest charakterystyka statyczna tranzystora MOS opisanego modelem
Meyer–a (LEVEL=2) oraz modelem Dang–a (LEVEL=3). Parametry elektryczne oraz
technologiczne podane w deklaracji modelu tranzystora sa˛ naste˛ puja˛ ce:
KP=27,6[µA/V2];VTO=1,0[V];GAMMA=0,526[V0.5];PHI=0,58[V];LAMBDA=0,0[V-1].
L=4[µm];W=100[µm];UO=800[cm2/(V s)];TOX=100[nm];LD=0,8[µm].
Parametry te zostały dobrane tak aby modele nie odtwarzały zmian pra˛ du drenu wraz ze
zmiana˛ napie˛ cia dren–źródło w zakresie nasycenia (brak modulacji długości kanału). Nie
została podana także wartość parametrów empirycznych charakterystycznych tylko dla modelu
na poziomie LEVEL=319. W ten sposób obserwować można różnice wynikaja˛ ce tylko, ze
miany równań opisuja˛ cych tranzystor. Różnice mie˛ dzy charakterystykami sa˛ niewielkie.
Jednocześnie nie wykorzystane parametry w przypadku modelu na poziomie LEVEL=3
19
ETA, THETA, KAPPA.
pozwalaja˛ na lepsze dopasowanie obliczonych charakterystyk tranzystora do tych, które

otrzymuje sie˛ doświadczalnie. Natomiast czas obliczeń dla obwodu z tranzystorami MOS
modelowanymi na poziomie LEVEL=3 może być nawet o 25% mniejszy niż w przypadku
modelowania tranzystorów na poziomie LEVEL=2 [1].
6.4.5. Oporności omowe

W deklaracji modelu tranzystora (deklaracja .MODEL) przewidziano możliwość podania
wartości oporności omowej dla obszaru drenu RD, źródła RS, bramki RG i podłoża RB.
Wszystkie tranzystory odwołuja˛ ce sie˛ do jednego modelu maja˛ wtedy taka˛ sama˛ wartość
oporników Rd i Rs (Rys. 87):
(266)
Możliwe jest jednak zindywidualizowanie wartości oporności obszaru drenu i źródła dla
każdego z tranzystorów. Deklaracja modelu zawiera wtedy parametr RSH — oporność
kwadratu obszaru dyfuzji drenu i źródła20. W deklaracji tranzystora w strukturze obwodu
należy wtedy podać dwa parametry NRD oraz NRS — liczba kwadratów mieszcza˛ cych sie˛
w obszarze dyfuzji21 odpowiednio drenu i źródła. Oporności Rd i Rs sa˛ obliczane wtedy
naste˛ puja˛ co:
(267)
W programie PSpice w ten sposób można obliczyć także oporność obszaru podłoża Rb oraz
obszaru bramki Rg:
(268)
Przedstawiony sposób deklarowania wartości oporności omowych obszaru źródła i drenu

jest doskonalszy niż bezpośrednie podanie wartości poszczególnych oporności w deklaracji
.MODEL lecz nadal nie uwzgle˛ dnia oporności pojawiaja˛ cej sie˛ w pobliżu kanału (miejsce,
w który gwałtownie zwie˛ ksza sie˛ ge˛ stość pra˛ du płyna˛ cego z obszaru drenu do kanału), której
wartość jest odwrotnie proporcjonalna do szerokości kanału W.
6.4.6. Komentarz
W programie PSpice doste˛ pne sa˛ trzy modele tranzystora polowego MOS:
LEVEL=1 Model Shichman–a Hodges–a — model kwadratowy. Bardzo prosty i niezbyt
20
Oporność obszaru w kształcie kwadratu jest jednakowa niezależnie od wielkości boku
kwadratu!
21
Chodzi tutaj o najmniejsza˛ liczbe˛ kwadratów.
dokładny. Powinien być stosowany podczas obliczeń wste˛ pnych, kiedy

dokładność symulacji nie odgrywa jeszcze tak dużej roli.
LEVEL=2 Model Meyer–a — model analityczny. Obserwowane charakterystyki
tranzystora obliczane sa˛ na podstawie dokładnego opisu geometrii przyrza˛ du
i wielkości charakterystycznych dla procesu technologicznego. Możliwe jest
stopniowe komplikowanie modelu poprzez podawanie wartości coraz wie˛ kszej
liczby parametrów. W przypadku modelu o najwyższym stopniu
skomplikowania obliczenia pochłaniaja˛ bardzo dużo czasu. Możliwe sa˛ kłopoty
z uzyskaniem zbieżności algorytmu Newton–a Raphson–a.
LEVEL=3 Model Dang–a — model empiryczny. Wymaga dość żmudnych obliczeń aby
uzyskać parametry na podstawie pomiarów laboratoryjnych. Później procentuje
to jednak duża˛ szybkościa˛ i dokładnościa˛ obliczeń. Możliwe sa˛ kłopoty ze
zbieżnościa˛ algorytmu Newton–a Raphson–a.
Ściśle rzecz biora˛ c poszczególne poziomy modelowania tranzystora MOS nie sa˛ wyraźnie
oddzielone. Przez odpowiedni dobór parametrów podanych w deklaracji .MODEL można
spowodować, że np. napie˛ cie progowe Vto be˛ dzie obliczane tak jak na poziomie LEVEL=2,
natomiast pra˛ d drenu tak jak na poziomie LEVEL=3 [31]. W ten sposób można używać do
obliczeń modelu empirycznego (LEVEL=3) mimo, że brakuje nam parametrów wyznaczanych
na podstawie pomiarów. Moga˛ one być obliczone przez symulator na podstawie danych
charakteryzuja˛ cych proces technologiczny (LEVEL=2).
Jak widać wybór poziomu modelowania i parametrów modelu tranzystora MOS wymaga
pewnego doświadczenia. Zadania nie ułatwia brak odpowiedniej dokumentacji. Niniejszy
rozdział opiera sie˛ głównie na ksia˛ żce włoskich autorów [1]. Wydaje sie˛ jednak, że
najbardziej kompletnym opracowaniem jest raport wewne˛ trzny [32]. Można go uzyskać
przesyłaja˛ c czek opiewaja˛ cy na sume˛ 10$ wystawiony dla:
Regents of the University of California
na adres:
Cindy Manly
EECS/ERL Industrial Liaison Program
497 Cory Hall
University of California
Berkeley, California 94720.22
6.4.7. Model małosygnałowy i szumowy

Model małosygnałowy przyrza˛ du półprzewodnikowego wykorzystywany jest podczas
analizy zmiennopra˛ dowej (AC) oraz do obliczeń z wykorzystaniem algorytmu Newton–a
22
Informacja podana za [31].
Raphson–a. Te ostatnie dotycza˛

znajdowania statycznego punktu
pracy (DC) oraz analizy stanów
nieustalonych (TRAN). Rys. 92
przedstawia model małosygnało-
wy tranzystora MOS zastosowa-
ny w programie PSpice. Jest to
model stosowany podczas anali-
zy zmiennopra˛ dowej. Konieczne
jest wtedy precyzyjne odtworze-
nie zachowania przyrza˛ du w
szerokim zakresie zmian cze˛ sto-
Rys.92. Model małosygnałowy tranzystora MOS zastoso-
tliwości. Model małosygnałowy wany w programie PSpice.
służa˛ cy do wyznaczania pochod-
nych podczas obliczeń z wykorzystaniem algorytmu Newton–a Raphson–a nie musi być już
tak dokładny. Uproszczenie go zmniejsza na ogół czas obliczeń23. Sta˛ d w programie PSpice
podczas obliczania statycznego punktu pracy oraz podczas analizy stanów nieustalonych
pomija sie˛ przewodności różniczkowe gbd i gbs24. Wartości przewodności oraz wartości
transkonduktancji źródeł sterowanych, które przedstawione sa˛ na Rys. 92 oblicza sie˛ według
wzorów:
(269)
Model szumowy tranzystora powstaje przez uzupełnienie modelu małosygnałowego o

źródła szumu. Zakłada sie˛ przy tym, że szum generowany przez zła˛ cza półprzewodnikowe,
towarzysza˛ ce powstawaniu kanału i izoluja˛ ce go od podłoża jest pomijalny. A zatem pozos-
taje:
Źródło Isz,d modeluja˛ ce szum generowany przez kanał tranzystora.
Źródła Isz,rd , Isz,rs modeluja˛ ce szum generowany przez oporności omowe odpowiednio
drenu i źródła.
Szum generowany przez kanał ma charakter złożenia szumu białego oraz szumu migotania:
23
Zwie˛ kszyć sie˛ może liczba iteracji.
24
Podczas obliczania statycznego punktu pracy nieistotne sa˛ także wartości wszystkich
pojemności.
(270)
gdzie:
k stała Boltzmanna =
1,38 10-23[J/K];
T temperatura bez-
wzgle˛ dna;
gm transkonduktancja
tranzystora — wzór
(269);
KF współczynnik szu-
mów migotania;
AF wykładnik szumów
migotania;
f cze˛ stotliwość.
Szumy generowane przez opor- Rys.93. Model szumowy tranzystora MOS.
ności maja˛ charakter szumu
białego:
(271)
gdzie:
Rs oporność omowa obszaru źródła — wzór (266) lub (267);
Rd oporność omowa obszaru drenu — wzór (266) lub (267).
Dodatek A — Instrukcje i deklaracje.
Poniżej zestawione zostały w kolejności alfabetycznej instrukcje i deklaracje doste˛pne w

programie PSpice. Każda z nich uzupełniona jest o przykład użycia i komentarz.
* KOMENTARZ
Postać ogólna:
* [komentarz]
Przykład:
* to jest przykład
Linia zaczynaja˛ca sie˛ od gwiazdki „ * ” nie wpływa na działanie programu PSpice. Zaleca
sie˛ dokładne komentowanie opisu analizowanego obwodu tak, jak gdyby użytkownikowi
groził w najbliższym czasie zanik pamie˛ci. Dobra˛ praktyka˛ jest opisywanie we˛złów
deklarowanego podobwodu.
Przykład:
*wzmacniacz operacyjny
* we+
* | we-
* | | wy
* | | |
.SUBCKT UA741 1 2 10
Patrz strona: 5.
; KOMENTARZ W LINII OPISU

Postać ogólna:
[linia_opisu];[komentarz]
Przykład:
R13 6 8 10K ;rezystor sprze˛żenia zwrotnego
C1 10 0 0.1U ;pojemność pasożytnicza
Średnik „ ; ” traktowany jest przez program PSpice tak samo jak znak końca linii. Po
natrafieniu na średnik program przechodzi do interpretacji naste˛pnej linii. W ten sposób na
końcu linii opisu obwodu, za średnikiem można umieścić różne użyteczne uwagi.
Patrz strona: 3.
Deklaracje i instrukcje 195
.AC ANALIZA ZMIENNOPRA

˛ DOWA
Postać ogólna:
.AC [LIN][OCT][DEC] l_punktów _start _stop
Przykłady:
.AC LIN 101 100HZ 200HZ
.AC OCT 10 1KHZ 16KHZ
.AC DEC 20 1MEG 100MEG
Analiza wykonywana jest dla cze˛ stotliwości źródła (źródeł) pra˛ du zmiennego zmieniaja˛ cej sie˛
od wartości _start do wartości _stop. Słowa kluczowe LIN, OCT i DEC określaja˛ sposób
w jaki zmieniana jest cze˛ stotliwość.
LIN Zmiany cze˛ stotliwości zachodza˛ liniowo. W zakresie cze˛ stotliwości od _start do _stop
uwzgle˛ dniona zostanie liczba punktów określona przez parametr l_punktów.
OCT Zmiany cze˛ stotliwości zachodza˛ oktawami. W każdej oktawie uwzgle˛ dniona zostanie
liczba punktów określona przez parametr l_punktów.
DEC Zmiany cze˛ stotliwości zachodza˛ dekadami. W każdej dekadzie uwzgle˛ dniona zostanie
liczba punktów określona przez parametr l_punktów.
Patrz strona: 45.
.DC ANALIZA STAŁOPRA

˛ DOWA
Postać ogólna:
.DC [LIN] _nazwa_wielkości _start _stop _krok
+ [zagnieżdżona_specyfikacja_zmian]
.DC [OCT][DEC] _nazwa_wielkości _start _stop l_punktów
.DC _nazwa_wielkości [LIST] <_lista_wartości>
Przykłady:
.DC VIN -0.25 0.25 0.05
.DC LIN 12 5mA -2mA 0.1mA
.DC VCE 0V 10V 0.5V IB 0mA 1mA 50uA
.DC RES RMOD(R) 0.9 1.1 0.001
.DC DEC NPN QFASR(IS) 1e-18 1e-14 5
.DC TEMP LIST 0 20 27 50 80 100 -50
Wyznaczane sa˛ charakterystyki stałopra˛ dowe. W polu _nazwa_wielkości umieszcza sie˛ nazwe˛
wielkości, która be˛ dzie zmieniana. Może nia˛ być:
Nazwa niezależnego źródła napie˛ cia lub pra˛ du.
Parametr modelu. W tym wypadku w polu _nazwa_wielkości podaje sie˛ :
typ modelu;
nazwe˛ modelu;
parametr modelu podany w nawiasach.
Przykład czwarty powyżej dotyczy zmian parametru modelu oporności (typ modelu
RES). Model nazywa sie˛ RMOD, natomiast zmieniana be˛ dzie wartość parametru R.
196 Deklaracje i instrukcje
Kolejny przykład dotyczy modelu tranzystora bipolarnego n–p–n o nazwie QFASR.

Zmieniana be˛ dzie wartość parametru IS.
Temperatura otoczenia analizowanego układu. Identyfikowana jest przez słowo
kluczowe TEMP — ostatni przykład powyżej.
Sposób zmian określony jest przez podanie jednego z naste˛ puja˛ cych słów kluczowych:
LIN Wartość wielkości zmieniana jest liniowo od wartości _start do wartości _stop z
krokiem _krok.
DEC Wartość wielkości zmieniana jest logarytmicznie, dekadami od wartości _start do
wartości _stop. Liczba punktów przypadaja˛ ca na każda˛ dekade˛ określona jest przez
parametr l_punktów.
OCT Wartość wielkości zmieniana jest logarytmicznie, oktawami od wartości _start do
wartości _stop. Liczba punktów przypadaja˛ ca na każda˛ oktawe˛ określona jest
przez parametr l_punktów.
LIST Wartości zmienianej wielkości podane sa˛ na liście <_lista_wartości>.
Dopuszczalne jest zagnieżdżenie zmian tzn. podanie naste˛ pnej specyfikacji wielkości, która
be˛ dzie zmieniana. W tym przypadku dla każdej wartości pierwszej z podanych wielkości
zostana˛ wykonane obliczenia dla wszystkich wartości drugiej wielkości.
Patrz strony: 20, 35, 136.
.END KONIEC OBWODU

Postać ogólna:
.END
Przykład:
.END
Deklaracja .END oznacza koniec obwodu. Opis obwodu, wszystkie instrukcje i deklaracje
powinny znaleźć sie˛ przed deklaracja˛ .END. W jednym zbiorze dyskowym może znależć sie˛
wiele deklaracji .END oddzielaja˛ cych niezależne zadania — opis obwodu+instrukcje i
deklaracje programu PSpice. Program po zakończeniu jednego zadania zeruje wszystkie
zmienne i przechodzi do kolejnego zadania. Ułatwia to zorganizowanie cia˛ gu obliczeń, który
potrwa np. cała˛ noc.
.ENDS KONIEC DEKLARACJI STRUKTURY PODOBWODU

Postać ogólna:
.ENDS [_nazwa_podobwodu]
Przykłady:
.ENDS
.ENDS WZMOP
Deklaracja końca definicji struktury podobwodu. Jeśli podana zostanie bez nazwy podobwodu
(pole _nazwa_podobwodu) oznacza to koniec definicji struktury wszystkich „otwartych”
podobwodów. Zaleca sie˛ podawanie nazwy podobwodu, którego deklaracje˛ chcemy
zakończyć.
Patrz strona: 68.
.FOUR ANALIZA FOURIEROWSKA

Postać ogólna:
.FOUR _cze˛ stotliwość <_lista_wielkości>
Przykład:
.FOUR 10kHz V(5) V(6,7) I(V2)
Przebieg czasowy każdej z wielkości wyszczególnionych na liście <_lista_wielkości>
rozkładany jest w trygonometryczny szereg Fourier–a. Cze˛ stotliwość podstawowa˛ podaje sie˛
w polu _cze˛ stotliwość. Analiza Fourierowska musi być poprzedzona analiza˛ w dziedzinie
czasu. Rozkład przebiegu dokonywany jest w przedziale czasu o długości równej odwrotności
cze˛ stotliwości składowej podstawowej. Przedział ten umieszczony jest na końcu przedziału
czasu, w którym wykonywana jest analiza stanów nieustalonych.
Patrz strona: 94.
.IC WARUNKI POCZA

˛ TKOWE
Postać ogólna:
.IC V(_we˛ zeł1)=_w1 [V(_we˛ zeł2)=_w2 ...]
Przykład:
.IC V(1)=1V V(2)=1.5V V(3)=3V
Podczas obliczania statycznego punktu pracy przed analiza˛ stanów nieustalonych każda z
wartości _w1,_w2,... przypisana jest potencjałowi we˛ zła o numerze _we˛ zeł1,_we˛ zeł2,... Po
obliczeniu statycznego punktu pracy z uwzgle˛ dnieniem ustalonych, za pomoca˛ instrukcji.IC,
wartości potencjałów analiza stanów nieustalonych przebiega dalej normalnie. Jeżeli w
instrukcji analizy stanów nieustalonych .TRAN użyto słowa kluczowego UIC to wszystkie
we˛ zły nie wymienione w instrukcji .IC maja˛ na pocza˛ tku analizy stanu nieustalonego
potencjał równy zeru, natomiast pozostałe we˛ zły maja˛ potencjały ustalone przez deklaracje˛
.IC. Deklaracja nie wpływa na sposób obliczania statycznego punktu pracy za pomoca˛
instrukcji .OP.
Patrz strona: 72.
.INC DOŁA˛ CZ ZBIÓR

Postać ogólna:
.INC _nazwa_zbioru
Przykłady:
.INC UA741.CIR
.INC B:\PSPICE\DIODY.LIB
Zawartość zbioru o nazwie podanej w polu _nazwa_zbioru wstawiana jest „mechanicznie”
w miejscu wyste˛ powania instrukcji .INC. Wstawiany tekst może zawierać instrukcje˛ .INC
powoduja˛ ca˛ wstawianie tekstu na „niższym poziomie”. Dozwolone sa˛ cztery poziomy
wstawiania tekstu. Instrukcja .END oznacza koniec wstawianego tekstu.
Patrz strona: 67.
.LIB DOŁA˛ CZ BIBLIOTEKE˛

Postać ogólna:
.LIB [_nazwa_zbioru]
Przykłady:
.LIB
.LIB OPAMP.LIB
.LIB C:\PSPICE\DIODY.LIB
Instrukcja .LIB służy w celu odwołania do modelu lub podobwodu umieszczonego w zbiorze
dyskowym o nazwie, która˛ podaje sie˛ w polu _nazwa_zbioru. Zbiór ten może zawierać
deklaracje˛ modelu (.MODEL) deklaracje˛ struktury podobwodu (.SUBCKT, .ENDS) oraz
instrukcje˛ .LIB. Jeżeli nie zostanie podana nazwa zbioru zakłada sie˛ , że chodzi o zbiór
NOM.LIB leża˛ cy w kartotece domyślnej.
Instrukcja .LIB (w przeciwieństwie do instrukcji .INC) powoduje doła˛ czenie do
przetwarzanych danych tylko tych deklaracji, do których naste˛ puje odwołanie w definicji
struktury obwodu. W ten sposób zmniejsza sie˛ zaje˛ tość pamie˛ ci operacyjnej maszyny
cyfrowej.
Patrz strona: 92.
.MC ANALIZA MONTE CARLO

Postać ogólna:
.MC _powt [DC][AC][TRAN] _wyjście YMAX [LIST][OUTPUT] _sposób
Przykłady:
.MC TRAN V(5) YMAX
.MC 50 DC IC(Q7) YMAX LIST
.MC 20 AC VP(13,5) YMAX LIST OUTPUT ALL
Analiza Monte Carlo może zostać przeprowadzona dla analizy stałopra˛ dowej — słowo
kluczowe DC — analizy zmiennopra˛ dowej — słowo kluczowe AC — lub analizy stanu
nieustalonego — słowo kluczowe TRAN. Dokładnie jedno z wymienionych słów kluczowych
musi zostać użyte. Odpowiednia analiza zostanie powtórzona tyle razy, ile wskazuje pole
_powt. Za każdym razem zmieniane be˛ da˛ parametry modeli opatrzone tolerancjami (słowa
kluczowe DEV i LOT w deklaracji .MODEL). Badane be˛ da˛ zmiany wartości wielkości
określonej w polu _wyjście (wielkości dopuszczalne przez instrukcje˛ .PRINT). Słowo
kluczowe YMAX (konieczne) oznacza, operacje˛ sprowadzaja˛ ca˛ wynik całej analizy DC, AC
lub TRAN do jednej liczby — maksymalnego odchylenia wielkości wyjściowej od jej
wartości nominalnej. W chwili obecnej jest to jedyny zaimplementowany typ operacji.
Jeżeli podane zostanie słowo kluczowe LIST to program umieści w zbiorze wyjściowym
aktualne wartości parametrów modeli dla każdej analizy.
Pierwsza analiza wykonywana jest dla wartości nominalnych parametrów. Wyniki tej
analizy podawane sa˛ zgodnie z instrukcjami .PRINT, .PLOT, .PROBE. Natomiast wyniki
pozostałych analiz sa˛ udoste˛ pniane na ża˛ danie. Aby je uzyskać po słowie kluczowym
OUTPUT, w polu _sposób, podaje sie˛ jedno z naste˛ puja˛ cych słów kluczowych:
ALL udoste˛ pniane sa˛ wyniki wszystkich analiz;
FIRST n udoste˛ pniane sa˛ wyniki pierwszych n analiz;
EVERY n udoste˛ pniane sa˛ wyniki co n–tej analizy;

RUNS n1 n2 ... udoste˛ pniane sa˛ wyniki analizy o numerze n1,n2,...
Patrz strona: 41.
.MODEL DEKLARACJA MODELU

Postać ogólna:
.MODEL _nazwa _typ [<_lista_parametrów>]
Przykład:
.MODEL RMAX RES R=1.5K TC1-.02 TC2=.005
.MODEL DNOM D IS=1E-9
.MODEL QDRIV NPN IS=1E-7 BF=50
.MODEL MLOAD NMOS LEVEL=1 VTO=0.7 CJ=0.2PF
.MODEL CMOD CAP C=1 DEV=5%
.MODEL DLOAD D IS=1E-9 DEV=0.5% LOT=10%
Deklaracje elementów odwołuja˛ sie˛ do modelu poprzez nazwe˛ podana˛ w polu _nazwa. Nazwa
modelu musi zaczynać sie˛ litera˛ , przy czym zaleca sie˛ aby litera ta była taka sama jak w typie
modelu np. D dla diody, Q dla tranzystora bipolarnego itd. Pole _typ identyfikuje rodzaj
przyrza˛ du, którego dotyczy model. W polu tym moga˛ znaleźć sie˛ naste˛ puja˛ ce słowa kluczowe:
CAP kondensator;
IND cewka;
RES rezystor;
D dioda;
NPN tranzystor bipolarny typu n–p–n;
PNP tranzystor bipolarny typu p–n–p;
NJF tranzystor polowy zła˛ czowy z kanałem typu n;
PJF tranzystor polowy zła˛ czowy z kanałem typu p;
NMOS tranzystor polowy MOS z kanałem typu n;
PMOS tranzystor polowy MOS z kanałem typu p;
GASFET tranzystor polowy zła˛ czowy z kanałem typu n wykonany na podłożu GaAs;
CORE nieliniowy rdzeń magnetyczny;
VSWITCH klucz sterowany napie˛ ciem;
ISWITCH klucz sterowany pra˛ dem.
Deklaracja przyrza˛ du może odwoływać sie˛ tylko do modelu przyrza˛ du odpowiedniego typu.
Np. deklaracja tranzystora polowego zła˛ czowego może odwoływać sie˛ do modelu typu PJF
lub NJF ale nie może odwoływać sie˛ do modelu typu NPN.
Deklaracja modelu kończy sie˛ opcjonalna˛ lista˛ parametrów modelu _lista_parametrów.
Jeżeli nie podano wartości żadnego z parametrów modelu przyje˛ te zostana˛ wartości domyślne
wbudowane w program PSpice.
Dla każdego z parametrów może zostać określona tolerancja po słowie kluczowym DEV
lub LOT:
[DEV _wartość [%]][LOT _wartość [%]]
Jeżeli tolerancja parametru poprzedzona jest słowem kluczowym DEV, to dla każdego
przyrza˛ du odwołuja˛ cego sie˛ do danego modelu wartość parametru jest inna. Jeżeli tolerancja
podana jest po słowie kluczowym LOT, to dla wszystkich elementów odwołuja˛ cych sie˛ do
danego modelu wartość parametru jest taka sama. Tolerancja może być tolerancja˛ wzgle˛ dna˛
—- określa to znak % — lub tolerancja˛ bezwzgle˛ dna˛ .
.NODESET POTENCJAŁY WE˛ ZŁOWE — DEKLARACJA

Postać ogólna:
.NODESET V(_we˛ zeł1)=_w1 [V(_we˛ zeł2)=_w2 ...]
Przykład:
.NODESET V(2)=3.4 V(102)=0.1 V(3)=-1V
Deklaracja .NODESET pozwala na podanie wartości pocza˛ tkowych potencjałów we˛ złowych.
Dzie˛ ki temu iteracyjne poszukiwanie statycznego punktu pracy układu rozpocza˛ ć można od
dowolnej wartości potencjałów we˛ złowych. Może to:
Ułatwić znalezienie statycznego punktu pracy układu.
Spowodować, że w wyniku iteracji obliczony zostanie statyczny punkt pracy układu
w wybranym stanie — dla układów bistabilnych.
Deklaracja .NODESET wpływa na obliczanie statycznego punktu pracy układu instrukcja˛ .OP
oraz na obliczanie statycznego punktu pracy przed analiza˛ zmiennopra˛ dowa˛ oraz analiza˛ stanu
nieustalonego.
Patrz strona: 27.
.NOISE ANALIZA SZUMÓW

Postać ogólna:
.NOISE _napie˛ cie_wY _wEjście [_dzielnik]
Przykłady:
.NOISE V(5) VIN
.NOISE V(101) VSRC 20
.NOISE V(4,5) IRSC
Analiza szumów wykonywana jest podczas analizy zmiennopra˛ dowej układu. Dlatego obok
instrukcji .NOISE konieczne jest podanie instrukcji .AC. Składowe widma mocy szumu
pochodza˛ ce od każdego z elementów układu sa˛ sumowane na wyjściu napie˛ ciowym
określonym w polu _napie˛ cie_wY. Obliczana jest także ge˛ stość widmowa mocy szumów
sprowadzona do wejścia układu określonego w polu _wEjście. W polu tym może znaleźć sie˛ :
Nazwa niezależnego źródła napie˛ cia. Ge˛ stość widmowa mocy szumów sprowadzonych
do wejścia ma wtedy wymiar [V]/[Hz]1/2.
Nazwa niezależnego źródła pra˛ du. Ge˛ stość widmowa mocy szumów sprowadzonych
do wejścia ma wtedy wymiar [A]/[Hz]1/2.
W opcjonalny polu _dzielnik podaje sie˛ liczbe˛ naturalna˛ n. Wyniki analizy szumowej
be˛ da˛ podawane dla co n–tej cze˛ stotliwości określonej w instrukcji analizy zmiennopra˛ dowej
.AC. Jeżeli wspomniana liczba nie wysta˛ pi analiza szumowa przeprowadzona zostanie dla
wszystkich cze˛ stotliwości (domyślna wartość parametru _dzielnik wynosi 1).
Patrz strona: 65.
.OP STATYCZNY PUNKT PRACY

Postać ogólna:
.OP
Przykład:
.OP
Instrukcja .OP powoduje obliczenie statycznego punktu pracy układu. W zbiorze wyjściowym
umieszczone zostana˛ :
Wartości potencjałów we˛ złowych w obwodzie.
Wartości pra˛ dów płyna˛ cych przez niezależne źródła napie˛ cia.
Parametry małosygnałowe elementów półprzewodnikowych i nieliniowych źródeł
sterowanych.
Moc rozpraszana przez układ.
Statyczny punkt pracy obliczany jest także w przypadku, gdy zbiór danych wejściowych
zawiera jedynie opis struktury obwodu. Jednak w zbiorze wyjściowym umieszczone zostana˛
tylko wartości potencjałów we˛ złowych.
Patrz strona: 19.
.OPTIONS PARAMETRY STERUJA

˛ CE
Postać ogólna:
.OPTIONS <_lista_opcji>
Przykłady:
.OPTIONS NOECHO NOMOD DEFL=12U DEFW=8U DEFAD=150P
.OPTIONS ACCT RELTOL=0.01
Parametry steruja˛ ce działaniem programu PSpice, umieszczane na liście _lista_opcji, można
podzielić na dwie grupy. Pierwsza grupa parametrów to flagi. Na liście wystarczy umieścić
słowo kluczowe identyfikuja˛ ce parametr. Poniżej podano wspomniane słowa kluczowe z
wyjaśnieniem ich znaczenia.
ACCT W zbiorze wyjściowym umieszczone zostana˛ dodatkowe dane dotycza˛ ce
czasu obliczeń, liczby równań, liczby elementów, zaje˛ tości pamie˛ ci itd.
LIST W zbiorze wyjściowym umieszczane jest zestawienie elementów obwodu
i ich parametrów.
NODE W zbiorze wyjściowym umieszcza sie˛ liste˛ zawieraja˛ ca˛ poszczególne we˛ zły
obwodu i doła˛ czone do nich elementy.
NOECHO Powoduje, że w zbiorze wyjściowym nie zostanie powtórzony opis
struktury obwodu.
NOMOD Powoduje, że w zbiorze wyjściowym nie be˛ da˛ umieszczane parametry
zadeklarowanych modeli ani parametry modeli przeliczone dla temperatur
innych niż nominalna.
NOPAGE W zbiorze wyjściowym nie be˛ da˛ umieszczane znaki końca strony.
OPTS W zbiorze wyjściowym umieszczone zostana˛ wartości wszystkich opcji.
WIDTH Oznacza to samo co instrukcja .WIDTH OUT=.
Do drugiej grupa parametrów należa˛ te parametry, którym przypisuje sie˛ wartości. Po słowie
kluczowym identyfikuja˛ cym parametr podaje sie˛ wartość parametru. Separatorem jest znak
„=” (przykłady powyżej). Poniżej przedstawiono słowa kluczowe identyfikuja˛ ce poszczególne
parametry.
ABSTOL Bezwzgle˛ dna wartość błe˛ du dla pra˛ dów.
Wartość domyślna: 1[pA].
CHGTOL Bezwzgle˛ dna wartość błe˛ du dla ładunków.
Wartość domyślna: 0.01[pC].
CPTIME Dopuszczalny czas pracy jednostki centralnej komputera.
Wartość domyślna: 106[s]
DEFAD Wartość domyślna pola powierzchni obszaru dyfuzji drenu dla tranzystorów
MOS.
Wartość domyślna: 0.0[m]2.
DEFAS Wartość domyślna pola powierzchni obszaru dyfuzji źródła dla tranzys-
torów MOS.
Wartość domyślna: 0.0[m]2.
DEFL Wartość domyślna długości kanału tranzystora MOS.
Wartość domyślna: 100.0[µm].
DEFW Wartość domyślna szerokości kanału tranzystora MOS.
Wartość domyślna: 100.0[µm].
GMIN Minimalna wartość konduktancji gałe˛ zi.
Wartość domyślna: 10-12[Ω]-1.
ITL1 Najwie˛ ksza liczba iteracji podczas obliczania statycznego punktu pracy
układu.
Wartość domyślna: 40.
ITL2 Najwie˛ ksza liczba iteracji podczas obliczania charakterystyk stałopra˛ do-
wych.
ITL4 Najwie˛ ksza liczba iteracji podczas obliczania stanu nieustalonego w
wybranej chwili czasu.
ITL5 Najwie˛ ksza liczba wszystkich iteracji podczas obliczania stanu nieustalo-
nego (ITL5=0 oznacza, że ITL5=∞).
LIMPTS Najwie˛ ksza liczba punktów (cze˛ stotliwości, chwil czasu itp.), które można
umieścić w tabeli lub na wykresie (dotyczy tylko instrukcji .PRINT i
.PLOT).
NUMDGT Liczba cyfr drukowanych liczb (umieszczanych w zbiorze wyjściowym).
Maksymalna liczba cyfr równa jest 8.
PIVREL Wzgle˛ dna wartość wymagana dla elementów macierzy admitancyjnej
leża˛ cych na przeka˛ tnej głównej.
Wartość domyślna: 10-3.
PIVTOL Bezwzgle˛ dna wartość wymagana dla elementów macierzy admitancyjnej

leża˛ cych na przeka˛ tnej głównej.
Wartość domyślna: 10-13.
RELTOL Dokładność wzgle˛ dna wymagana dla napie˛ ć i pra˛ dów.
Wartość domyślna: 0.001.
TNOM Nominalna temperatura otoczenia analizowanego układu.
Wartość domyślna: 27°C.
TRTOL Współczynnik korekcji dla dopuszczalnej wartości lokalnego błe˛ du
obcie˛ cia.
Wartość domyślna: 7.0.
VNTOL Bezwzgle˛ dna wartość błe˛ du dla napie˛ ć.
Wartość domyślna: 1.0[µV].
Patrz strony: 24, 85, 130, 135, 166.
.PLOT WYKRES
Postać ogólna:
.PLOT [DC][AC][NOISE][TRAN] _wY1 [_lo1,_hi1] _wY2 [_lo2,_hi2] ...
Przykłady:
.PLOT DC V(3) V(R1), V(2,3) I(VIN) I(R2) IB(Q13) VBE(Q12)
.PLOT AC VM(2) VM(2,4) VG(5) VDB(5) IR(6) II(7)
.PLOT NOISE INOISE ONOISE DB(INOISE) DB(ONOISE)
.PLOT TRAN V(3) V(3,2) 0,5V ID(M2) I(VCC) (-50mA,50mA)
W zbiorze wyjściowym tworzony jest wykres wielkości określonych w polach _wY1, _wY2,...
Dla każdej wielkości można określić w polu _lo1 (_lo2, ...) najmniejsza˛ wartość umieszczona˛
na osi pionowej oraz w polu _hi1 (_hi2, ...) najwie˛ ksza˛ wartość umieszczona˛ na osi pionowej.
Wykres dotyczy tylko jednego typu analizy, który musi być określony przez podanie
dokładnie jednego spośród słów kluczowych DC, AC, NOISE, TRAN. Wykres tworzony jest
za pomoca˛ standardowych znaków pisarskich tak, że może być wydrukowany na każdym
typie drukarki.
Patrz strona: 55.
.PRINT TABLICA
Postać ogólna:
.PRINT [DC][AC][NOISE][TRAN] <_lista_wielkości>
Przykłady:
.PRINT DC V(3) V(R1), V(2,3) I(VIN) I(R2) IB(Q13) VBE(Q12)
.PRINT AC VM(2) VM(2,4) VG(5) VDB(5) IR(6) II(7)
.PRINT NOISE INOISE ONOISE DB(INOISE) DB(ONOISE)
.PRINT TRAN V(3) V(3,2) ID(M2) I(VCC)
W zbiorze wyjściowym tworzona jest tablica wartości dla wielkości umieszczonych na liście
_lista_wielkości. Instrukcja .PRINT dotyczy tylko jednego typu analizy, który musi być
określony przez podanie dokładnie jednego spośród słów kluczowych DC, AC, NOISE,
TRAN.
Patrz strona: 52.
.PROBE PROGRAM GRAFICZNY

Postać ogólna:
.PROBE [<_lista_wielkości>]
Przykłady:
.PROBE
.PROBE V(3) V(3,2) ID(M2) I(VCC) I(R2) IB(Q13) VBE(Q12)
Wyniki wszystkich analiz (DC,AC,NOISE,TRAN) umieszczone zostaja˛ w zbiorze dyskowym
o nazwie PROBE.DAT i w ten sposób przekazane procesorowi graficznemu Probe.
Przekazywane sa˛ wielkości wyszczególnione na liście _lista_wielkości. Jeżeli instrukcja
.PROBE wysta˛ pi bez parametrów, to do programu Probe przekazane zostana˛ wszystkie
możliwe przebiegi.
Patrz strony: 22, 35, 56, 65.
.SENS ANALIZA WRAŻLIWOŚCI

Postać ogólna:
.SENS <_lista_wielkości>
Przykład:
.SENS V(9) V(3,4) V(17) I(VCC)
Instrukcja powoduje obliczenie stałopra˛ dowych, różniczkowych wrażliwości wielkości, które
wyszczególniono na liście _lista_wielkości. Wrażliwości obliczane sa˛ wzgle˛ dem zmian
wszystkich parametrów w obwodzie. Zwykle prowadzi to do wygenerowania olbrzymiego
zbioru wyjściowego, zawieraja˛ cego wyniki analizy. Lista wielkości be˛ da˛ ca parametrem
instrukcji .SENS może zawierać wielkości dopuszczalne przez instrukcje˛ .PRINT dla analizy
stałopra˛ dowej.
Patrz strona: 36.
.SUBCKT DEKLARACJA PODOBWODU

Postać ogólna:
.SUBCKT _nazwa <_lista_we˛ złów>
Przykład:
.SUBCKT WZMACNIACZ 1 2 101 102
Deklaracja podobwodu zaczyna sie˛ od deklaracji .SUBCKT, a kończy deklaracja˛ .ENDS.
Struktura podobwodu deklarowana jest w liniach leża˛ cych mie˛ dzy wymienionymi dwoma
deklaracjami. Na opis struktury podobwodu moga˛ składać sie˛ :
Deklaracje elementów.
Deklaracje modeli matematycznych przyrza˛ dów — .MODEL.
Odwołania do podobwodów — pseudo–element typu X.
Wewna˛ trz podobwodu nie można definiować innego podobwodu. Wszystkie nazwy i numery
we˛ złów zdefiniowane wewna˛ trz podobwodu maja˛ znaczenie lokalne i nie sa˛ rozpoznawane
poza podobwodem (powtórnie można użyć tych samych nazw). Wszystkie podobwody i
modele zdefiniowane poza danym podobwodem sa˛ w tym podobwodzie doste˛ pne. Podobwód
wywoływany jest przez pseudoelement, którego nazwa zaczyna sie˛ od litery „X”. Odwołanie
naste˛ puje przez nazwe˛ określona˛ w polu _nazwa. Na liście _lista_we˛ złów podane sa˛
wewne˛ trzne numery we˛ złów, które udoste˛ pniane sa˛ na zewna˛ trz podobwodu. Deklaracja
pseudoelementu zawiera numery we˛ złów obwodu, do których doła˛ czone zostana˛ udoste˛ pniane
na zewna˛ trz we˛ zły podobwodu.
Patrz strona: 68.
.TEMP TEMPERATURA
Postać ogólna:
.TEMP <_lista_temperatur>
Przykład:
.TEMP -10 20 30 70
Instrukcja powoduje wykonanie każdej zleconej analizy dla każdej temperatury otoczenia
analizowanego obwodu, która wymieniona została na liście _lista_temperatur. Zakłada sie˛ ,
że parametry modeli dotycza˛ temperatury nominalnej TNOM (deklaracja .OPTIONS). Wartość
domyślna parametru TNOM wynosi 27°C. Temperatury podane w instrukcji .TEMP powinny
być wyrażone w °C. Temperatury niższe niż -273°C sa˛ ignorowane.
Patrz strona: 135.
.TF TRANSMITANCJA
Postać ogólna:
.TF _wYjście _źródło
Przykłady:
.TF V(5) VIN
.TF I(VDRIV) ICVT
Obliczana jest małosygnałowa transmitancja od wymuszenia (niezależnego źródła napie˛ cia lub
pra˛ du) określonego w polu _źródło do wielkości wyjściowej (dowolne napie˛ cie lub pra˛ d
płyna˛ cy przez niezależne źródło napie˛ cia) określonej w polu _wYjście. Wynik obliczeń
automatycznie umieszczany jest w zbiorze z danymi wyjściowymi.
Patrz strona: 33.
.TRAN ANALIZA STANU NIEUSTALONEGO

Postać ogólna:
.TRAN[/OP] _d_krok _stop [_nie_druk [_krok]] [[UIC]]
Przykłady:
.TRAN 1ns 100ns
.TRAN/OP 1ns 100ns 20ns UIC
.TRAN 1ns 100ns 0ns 0.1ns
Instrukcja powoduje wykonanie analizy stanów nieustalonych w przedziale czasu od t=0 do
t=_stop. Krok czasowy używany w przypadku, gdy wyniki analizy wyprowadzane sa˛ za
pomoca˛ instrukcji .PRINT lub instrukcji .PLOT określony jest w polu _d_krok. Program
PSpice oblicza przebiegi czasowe stosuja˛ c zmienny krok całkowania tak, aby zachować stała˛
wartość lokalnego błe˛ du obcie˛ cia. Ponieważ wyprowadzane wartości przebiegów powinny być
równomiernie spróbkowane program dokonuje interpolacji trójmianem kwadratowym.

Analizy wykonywana jest zawsze od chwili t=0. Natomiast w polu _nie_druk może być
określona chwila czasu od której zacznie sie˛ wyprowadzanie wyników analizy. W ten sposób
pomija sie˛ wyniki z przedziału czasu od t=0 do t=_nie_druk.
Wartość kroku całkowania stosowanego „wewne˛ trznie” przez program PSpice jest
ograniczona od góry do wartości _stop/50.0. Jeżeli ograniczenie to chcemy zmienić, to
maksymalna˛ wartość kroku całkowania można podać w polu _krok.
Przed analiza˛ stanu nieustalonego obliczany jest statyczny punkt pracy układu. Jeżeli
użyjemy przyrostka /OP, to tak jak w przypadku instrukcji .OP w zbiorze wyjściowym
umieszczone zostana˛ informacje na temat potencjałów we˛ złowych, pra˛ dów płyna˛ cych przez
niezależne źródła napie˛ cia, parametrów małosygnałowych elementów nieliniowych itd. Jeżeli
chcemy pomina˛ ć obliczanie statycznego punktu pracy i przyja˛ ć warunki pocza˛ tkowe określone
przez deklaracje˛ .IC lub deklaracje IC= w liniach deklaracji poszczególnych elementów należy
użyć słowa kluczowego UIC.
Patrz strony: 72, 98.
.WIDTH DŁUGOŚĆ LINII ZBIORU WYJŚCIOWEGO

Postać ogólna:
.WIDTH OUT=_wartość
Przykłady:
.WIDTH OUT=80
.WIDTH OUT=132
Instrukcja zmienia długość linii zbioru wyjściowego, wyrażona˛ przez liczbe˛ kolumn.
Dopuszczalna liczba kolumn wynosi 80 lub 132.
Patrz strona: 5.
Dodatek B — Deklaracje elementów.
Poniżej zestawione zostały w kolejności alfabetycznej deklaracje elementów doste˛pne w

programie PSpice. Każda z nich uzupełniona jest o przykład użycia i komentarz.
B TRANZYSTOR POLOWY ZŁA

˛ CZOWY GAAS
Postać ogólna:
B....... _dren _bramka _źródło _nazwa_modelu [_area]
Przykłady:
BIN 100 1 0 GFAST
B13 22 14 23 GNOM 2.0
Tranzystor polowy zła˛czowy GaAs opisywany jest modelem matematycznym zbliżonym do
modelu stosowanego dla zwykłego tranzystora polowego zła˛czowego wykonanego w krzemie.
Liczba podana w polu _area określa ile razy pole powierzchni zajmowane przez deklarowany
przyrza˛d jest wie˛ksze od pola powierzchni założonego w modelu.
Parametry: strona 160.
Opis modelu: strony 159, 160.
C KONDENSATOR
Postać ogólna:
C....... n+ n- [_nazwa_modelu] _pojemność [IC=_v]
Przykłady:
C1 10 0 0.1U
C2 1 2 0.2E-12 IC=1.5V
CFDBK 3 33 CMOD 10pF
Dodatni biegun kondensatora to n+, ujemny biegun to n-. Dodatni pra˛d płynie do bieguna
dodatniego do bieguna ujemnego przez kondensator. Wartość pojemności podana w polu
_pojemność może być dodatnia lub ujemna nie może być jednak równa zeru. Za pomoca˛
modelu opisać można zależność pojemności od temperatury i napie˛cia panuja˛cego na
zaciskach kondensatora. W polu _v podaje sie˛ wartość napie˛cia panuja˛cego na zaciskach
deklarowanego przyrza˛du w chwili rozpocze˛cia analizy stanu nieustalonego.
Opis modelu: strona 114.
208 Deklaracje elementów
D DIODA
Postać ogólna:
D....... n+ n- _nazwa_modelu [_area]
Przykłady:
DCLAMP 14 0 DMOD
D13 15 17 SWITCH 1.5
Anoda diody to n+, katoda diody to n-. Dodatni pra˛ d płynie od anody do katody przez diode˛ .
przyrza˛ d jest wie˛ ksze od pola powierzchni założonego w modelu.
E ŹRÓDŁO PRA
˛ DU STEROWANE NAPIE˛ CIEM
Postać ogólna:
E....... n+ n- nc+ nc- _wzmocnienie
E....... n+ n- POLY(_rza˛ d) <_lista_par_we˛ złów> <_lista_współczynników>
Przykłady:
EBUFF 1 2 10 11 1.0 ;źródło liniowe
EAMP 13 0 POLY(1) 26 0 500 ;źródło liniowe!
ENONL 1 11 POLY(2) 3 0 4 0 0 3 .2 0.005 ;źródło nieliniowe
Dodatni biegun źródła to n+, ujemny biegun źródła to n-. Dodatni pra˛ d płynie od bieguna
dodatniego do ujemnego przez źródło. Napie˛ cie steruja˛ ce to różnica potencjałów mie˛ dzy
we˛ złem o numerze nc+ i we˛ złem o numerze nc-. Wzmocnienie źródła podaje sie˛ w polu
_wzmocnienie. W przypadku źródła nieliniowego (słowo kluczowe POLY) w polu _rza˛ d
podaje sie˛ liczbe˛ napie˛ ć wpływaja˛ cych na wartość napie˛ cia generowanego przez źródło
sterowane na zaciskach n+,n-. W tym przypadku na liście we˛ złów steruja˛ cych _lista_par-
_we˛ złów trzeba umieścić liczbe˛ par we˛ złów (każda para to jedno napie˛ cie steruja˛ ce) równa˛
liczbie podanej w polu _rza˛ d. Współczynniki wielomianu opisuja˛ cego zwia˛ zek mie˛ dzy
napie˛ ciem sterowanym i napie˛ ciami steruja˛ cymi podane sa˛ na liście _lista_współczynników.
Współczynniki wielomianu: strona 88.
F ŹRÓDŁO PRA
˛ DU STEROWANE PRA
˛ DEM
Postać ogólna:
F....... n+ n- _nazwa_SEM _wzmocnienie
F....... n+ n- POLY(_rza˛ d) <_lista_nazw> <_lista_wsp>
Przykłady:
FSENSE 1 2 VSENSE 10.0 ;źródło liniowe
FAMP 13 0 POLY(1) VIN 500 ;źródło liniowe!
FNONL 1 11 POLY(2) V1 V2 0 13.6 0.2 .005 ;źródło nieliniowe
dodatniego do ujemnego przez źródło. Pra˛ d steruja˛ cy płynie przez niezależne źródło napie˛ cia
o nazwie podanej w polu _nazwa_SEM. Wzmocnienie źródła podaje sie˛ w polu _wzmoc-
Deklaracje elementów 209
nienie. W przypadku źródła nieliniowego (słowo kluczowe POLY) w polu _rza˛ d podaje sie˛
liczbe˛ pra˛ dów wpływaja˛ cych na wartość pra˛ du źródła sterowanego. W tym przypadku na
liście nazw niezależnych źródeł napie˛ cia _lista_nazw trzeba umieścić nazwy źródeł, przez
które płyna˛ pra˛ dy steruja˛ ce — liczba nazw musi być równa liczbie podanej w polu _rza˛ d.
Współczynniki wielomianu opisuja˛ cego zwia˛ zek mie˛ dzy sterowanym pra˛ dem i pra˛ dami
steruja˛ cymi podane sa˛ na liście _lista_wsp.
G ŹRÓDŁO PRA
˛ DU STEROWANE NAPIE˛ CIEM
Postać ogólna:
G....... n+ n- nc+ nc- _transkonduktancja
G....... n+ n- POLY(_rza˛ d) <_lista_par_we˛ złów> <_lista_wsp>
Przykłady:
GBUFF 1 2 10 11 1.0 ;źródło liniowe
GAMP 13 0 POLY(1) 26 0 500 ;źródło liniowe!
GNONL 1 11 POLY(2) 3 0 4 0 0 13 0.2 .005 ;źródło nieliniowe
dodatniego do ujemnego przez źródło. Napie˛ cie steruja˛ ce to różnica potencjałów mie˛ dzy
we˛ złem o numerze nc+ i we˛ złem o numerze nc-. Transkonduktancje˛ źródła podaje sie˛ w polu
_transkonduktancja. W przypadku źródła nieliniowego (słowo kluczowe POLY) w polu
_rza˛ d podaje sie˛ liczbe˛ napie˛ ć wpływaja˛ cych na wartość pra˛ du źródła sterowanego. W tym
przypadku na liście we˛ złów steruja˛ cych _lista_par_we˛ złów trzeba umieścić liczbe˛ par we˛ złów
(każda para to jedno napie˛ cie steruja˛ ce) równa˛ liczbie podanej w polu _rza˛ d. Współczynniki
wielomianu opisuja˛ cego zwia˛ zek mie˛ dzy sterowanym pra˛ dem i napie˛ ciami steruja˛ cymi podane
sa˛ na liście _lista_wsp.
H ŹRÓDŁO NAPIE˛ CIA STEROWANE PRA

˛ DEM
Postać ogólna:
H....... n+ n- _nazwa_SEM _transrezystancja
H....... n+ n- POLY(_rza˛ d) <_lista_nazw> <_lista_wsp>
Przykłady:
HSENSE 1 2 VSENSE 10.0 ;źródło liniowe
HAMP 13 0 POLY(1) VIN 500 ;źródło liniowe!
HNONL 1 11 POLY(2) V1 V2 0 13.6 0.2 .005 ;źródło nieliniowe
dodatniego do ujemnego przez źródło. Pra˛ d steruja˛ cy płynie przez niezależne źródło napie˛ cia
o nazwie podanej w polu _nazwa_SEM. Transrezystancje˛ źródła podaje sie˛ w polu
_transrezystancja. W przypadku źródła nieliniowego (słowo kluczowe POLY) w polu _rza˛ d
podaje sie˛ liczbe˛ pra˛ dów wpływaja˛ cych na wartość pra˛ du źródła sterowanego. W tym
przypadku na liście nazw niezależnych źródeł napie˛ cia _lista_nazw trzeba umieścić nazwy
źródeł, przez które płyna˛ pra˛ dy steruja˛ ce — liczba nazw musi być równa liczbie podanej w
polu _rza˛ d. Współczynniki wielomianu opisuja˛ cego zwia˛ zek mie˛ dzy sterowanym napie˛ ciem
i pra˛ dami steruja˛ cymi podane sa˛ na liście _lista_wsp.

I NIEZALEŻNE ŹRÓDŁO PRA

˛ DU
Postać ogólna:
I....... n+ n- [DC _wdc] [AC _mod [_faz]] [_przebieg_czasowy]
Przykłady:
IBIAS 13 0 2.3mA
IAC 2 3 AC .001
IACF 2 3 AC .001 37
IPUL 2 3 PULSE(0mA 1mA)
IV1 3 2 DC 1 AC 2 90 SIN(0.2mA 1mA 1.5kHz)
dodatniego do ujemnego przez źródło. Składowa˛ stała˛ pra˛ du źródła podaje sie˛ w polu _wdc
po słowie kluczowym DC. Po słowie kluczowym AC podaje sie˛ amplitude˛ (pole _mod) i faze˛
(pole _faz) składowej zmiennej źródła. Na końcy deklaracji można podać przebieg czasowy
pra˛ du źródła. Możliwe sa˛ naste˛ puja˛ ce przebiegi:
EXP Ekspotencjalny — opis na stronie 76.
PULSE Przebieg prostoka˛ tny — opis na stronie 74.
PWL Odcinkowo–liniowy — opis na stronie 77.
SFFM Sinusoida o cze˛ stotliwości modulowanej sinusoida˛ — opis na stronie 77.
SIN Sinusoidalny — opis na stronie 75.
J TRANZYSTOR POLOWY ZŁA

˛ CZOWY
Postać ogólna:
J....... _dren _bramka _źródło _nazwa_modelu [_area]
Przykłady:
JIN 100 1 0 JFAST
J23 22 14 23 JNOM 2.0
przyrza˛ d jest wie˛ ksze od pola powierzchni założonego w modelu.
K SPRZE˛ ŻENIE CEWEK (NIELINIOWY RDZEŃ MAGNETYCZNY)

Postać ogólna:
K....... <_lista_nazw_IND> _wsp_sprze˛ żenia
K....... <_lista_nazw_IND> _wsp_sprze˛ żenia _nazwa_modelu
Przykłady:
K1 L12 LWZ 0.82
KTRAF L1 L2 0.99
KNONL L1 L2 L3 L4 0.98 F3001
Element sprze˛ ga magnetycznie cewki, których nazwy wymieniono na liście _lista_nazw_IND.

Bezwymiarowy współczynnik sprze˛ żenia podaje sie˛ w polu _wsp_sprze˛ żenia. Jeżeli podana
zostanie nazwa modelu (pole _nazwa_modelu) to sprze˛ żenie magnetyczne realizowane jest
poprzez nieliniowy rdzeń magnetyczny. W tym przypadku należy pamie˛ tać, że:
W deklaracjach sprze˛ ganych cewek zamiast indukcyjności podaje sie˛ liczbe˛ zwojów.
Na liście _lista_nazw_IND może pojawić sie˛ tylko jedna nazwa cewki. W ten sposób
można modelować cewke˛ z nieliniowym rdzeniem magnetycznym.
Materiał magnetyczny opisywany jest zmodyfikowanym modelem Jiles–a Atherton–a.
L CEWKA MAGNETYCZNA
Postać ogólna:
L....... n+ n- [_nazwa_modelu] _indukcyjność [IC=_i]
Przykłady:
LLOAD 15 0 20mH
L2 1 2 1.2E-6
LGEN 3 42 LMODE 0.03
LSENSE 5 12 2UH IC=2mA
Dodatni biegun cewki to n+, ujemny biegun cewki to n-. Dodatni pra˛ d płynie od bieguna
dodatniego do ujemnego przez cewke˛ . Cewka może być opisywana modelem, którego nazwe˛
podaje sie˛ w polu _nazwa_modelu. Model pozwala uwzgle˛ dnić zmiany indukcyjności z
temperatura˛ oraz prostych zjawisk nieliniowych. Jednak aby dokładnie opisać zachowanie
cewki z nieliniowym rdzeniem magnetycznym konieczne jest zadeklarowanie elementu typu
K....... — sprze˛ żenia cewek. Wartość indukcyjności podana w polu _indukcyjność może być
dodatnia lub ujemna nie może być jednak równa zeru. W polu _i podaje sie˛ wartość pra˛ du
płyna˛ cego przez indukcyjność w chwili rozpocze˛ cia analizy stanów nieustalonych.
M TRANZYSTOR POLOWY MOS

Postać ogólna:
M....... _dren _bramka _źródło _podłoże _nazwa_modelu
+[L=_var1] [W=_var2] [AD=_var3] [AS=_var4] [PD=_var5] [PS=_var6]
+[NRD=_var7] [NRS=_var8] [NRG=_var9] [NRB=_var10]
Przykłady:
M1 14 2 13 0 PNOM L=25U W=12U
MAS 15 3 0 0 PSTRONG
MA2 0 2 100 100 NWEK L=33U W=12U AD=288P AS=288P PD=60U
+PS=60U NRD=14 NRS=24 NRG=10
Parametry, które można podać w linii deklaracji tranzystora MOS maja˛ naste˛ puja˛ ce znaczenie:
L Długość kanału tranzystora. Wartość domyślna wynosi 100[µm].
W Szerokość kanału tranzystora. Wartość domyślna wynosi 100[µm].
AD Pole powierzchni obszaru dyfuzji drenu. Służy do obliczania pra˛ du nasycenia oraz
pojemności zła˛ cza dren–podłoże.
AS Pole powierzchni obszaru dyfuzji źródła. Służy do obliczania pra˛ du nasycenia oraz
pojemności zła˛ cza źródło–podłoże.
PD Obwód obszaru dyfuzji drenu. Służy do obliczania pojemności cze˛ ści bocznej
(zakrzywionej) zła˛ cza dren–podłoże.
PS Obwód obszaru dyfuzji źródła. Służy do obliczania pojemności cze˛ ści bocznej
(zakrzywionej) zła˛ cza źródło–podłoże.
NRD Wzgle˛ dna rezystancja obszaru drenu wyrażona liczba˛ kwadratów.
NRS Wzgle˛ dna rezystancja obszaru źródła wyrażona liczba˛ kwadratów.
NRG Wzgle˛ dna rezystancja obszaru bramki wyrażona liczba˛ kwadratów.
NRB Wzgle˛ dna rezystancja obszaru podłoża wyrażona liczba˛ kwadratów.
Parametry: strony 165, 176, 184.
Opis modelu: strony 166, 174, 184.
Q TRANZYSTOR BIPOLARNY
Postać ogólna:
Q....... _kolektor _baza _emiter [_podłoże] _nazwa_modelu [_area]
Przykłady:
Q1 14 2 13 PNOM
Q13 15 3 0 1 NPNSTRONG 1.5
przyrza˛ d jest wie˛ ksze od pola powierzchni założonego w modelu. Parametry modelu ISC oraz
ISE oznaczaja˛ ce pra˛ dy nasycenia dla pra˛ dów upływu zła˛ cza kolektor–baza i zła˛ cza
emiter–baza moga˛ przyja˛ ć wartości >1.0. W tym przypadku pra˛ dy nasycenia dla pra˛ dów
upływu obliczane sa˛ jako iloczyn parametru IS (pra˛ d nasycenia zła˛ czy) i odpowiednio
parametru ISC oraz ISE.
Parametry: strony 141, 148.
R OPORNIK
Postać ogólna:
R....... n+ n- [_nazwa_modelu] _oporność
Przykłady:
RLOAD 15 0 2K
R2 1 2 MOJ 2.0
Dodatni biegun opornika to n+, ujemny biegun to n-. Dodatni pra˛ d płynie do bieguna
dodatniego do bieguna ujemnego przez opornik. Wartość oporności podana w polu _oporność
może być dodatnia lub ujemna nie może być jednak równa zeru. Za pomoca˛ modelu można
opisać zależność oporności od temperatury.
S KLUCZ STEROWANY NAPIE˛ CIEM

Postać ogólna:
S....... n+ n- nc+ nc- _nazwa_modelu
Przykłady:
S12 13 17 2 0 SMOD
SRESET 5 0 15 3 RELAY
Klucz sterowany napie˛ ciem jest rodzajem nieliniowego opornika wpie˛ tego mie˛ dzy we˛ zły n+
i n-. Wartość oporności zmienia sie˛ w sposób cia˛ gły przy zmianach napie˛ cia panuja˛ cego
mie˛ dzy we˛ złami nc+ i nc-.
T BEZSTRATNA LINIA DŁUGA

Postać ogólna:
T....... na+ na- nb+ nb- Z0=_var1 [TD=_var2] [F=_var3] [NL=_var4]
Przykłady:
T1 1 2 3 4 Z0=220OHM TD=115NS
T2 1 2 3 4 Z0=220OHM F=2.25MHz
T3 1 2 3 4 Z0=220OHM F=4.5MHz NL=0.5
Wejście linii doła˛ czone jest do we˛ złów o numerach na+ i na-. Wyjście linii doła˛ czone jest
do we˛ złów numerach nb+ i nb-. Po słowie kluczowym Z0 podaje sie˛ impedancje˛ falowa˛ linii.
Czas przelotu linii podaje sie˛ bezpośrednio po słowie kluczowym TD lub przez podanie
cze˛ stotliwości fali (parametr F) i wzgle˛ dnej długości linii NL. Jeżeli parametr NL nie zostanie
podany to przyjmuje sie˛ , że NL=0.25, tzn. że linia jest ćwierćfalowa.
Patrz strona: 79.
V NIEZALEŻNE ŹRÓDŁO NAPIE

˛ CIA — SEM
Postać ogólna:
V....... n+ n- [DC _war] [AC _amp [_faz]] [_przebieg_czasowy]
Przykłady:
VBIAS 12 0 2.3mV
VAC 2 3 AC 0.001
VACFAZ 2 3 AC .001 50
VPULSE 1 0 PULSE(0 1)
V3 26 77 DC 12 AC 1.2 56 SIN(1.2 12 200kHz)
dodatniego do ujemnego przez źródło. Składowa˛ stała˛ napie˛ cia źródła podaje sie˛ w polu _war
po słowie kluczowym DC. Po słowie kluczowym AC podaje sie˛ amplitude˛ (pole _amp) i faze˛
(pole _faz) składowej zmiennej źródła. Na końcy deklaracji można podać przebieg czasowy
pra˛ du źródła. Możliwe sa˛ naste˛ puja˛ ce przebiegi:
EXP Ekspotencjalny — opis na stronie 76.
PULSE Przebieg prostoka˛ tny — opis na stronie 74.
PWL Odcinkowo–liniowy — opis na stronie 77.
SFFM Sinusoida o cze˛ stotliwości modulowanej sinusoida˛ — opis na stronie 77.

SIN Sinusoidalny — opis na stronie 75.
Patrz strona: 9, 46, 73.
W KLUCZ STEROWANY PRA

˛ DEM
Postać ogólna:
W....... n+ n- _nazwa_źródła _nazwa_modelu
Przykłady:
W12 13 17 VC WMOD
WRESET 5 0 VRESET RELAY
Klucz sterowany pra˛ dem jest rodzajem nieliniowego opornika wpie˛ tego mie˛ dzy we˛ zły n+ i
n-. Wartość oporności zmienia sie˛ w sposób cia˛ gły przy zmianach pra˛ du płyna˛ cego przez
niezależne źródło napie˛ cia, którego nazwa została podana w polu _nazwa_źródła.
Patrz strona: 78.
X PODOBWÓD
Postać ogólna:
X....... <_lista_we˛ złów> _nazwa_podobwodu
Przykłady:
X12 100 101 200 201 DIFAMP
XBUFF 13 15 UNITAMP
Pseudoelement o nazwie zaczynaja˛ cej sie˛ od litery „X” służy do wła˛ czenia podobwodu o
nazwie podanej w polu _nazwa_podobwodu w strukture˛ obwodu. Na liście we˛ złów
_lista_we˛ złów powinny sie˛ znaleźć numery we˛ złów obwodu, do których doła˛ czone zostana˛
we˛ zły podobwodu udoste˛ pniane na zewna˛ trz. Liczba we˛ złów umieszczonych na liście
_lista_we˛ złów musi być taka sama jak liczba we˛ złów zadeklarowana w deklaracji .SUBCKT.
Wywołania podobwodów moga˛ być zagnieżdżane.
Patrz strona: 68.
Dodatek C — Konfiguracja programu
Probe.
Program graficzny Probe służy do graficznej prezentacji wyników obliczeń wykonanych

przez program PSpice. Możliwe jest wydrukowanie dowolnego przebiegu na drukarce
graficznej lub ploterze. Wymaga to jednak określenia konfiguracji używanego sprze˛tu. W
zbiorze o nazwie PROBE.DEV po słowie Display = należy umieścić identyfikator używanej
karty graficznej. Po słowie kluczowym Hard-copy = należy określić typ używanej drukarki
i port, do którego jest doła˛czona.
Przykład:
Display = genericega
Hard-copy = Lpt1,Epson
Doste˛pne identyfikatory kart graficznych:

TEXT Identyfikatory portu:
IBM PRN
IBMClr LPT1
IBMEGA LPT2
GenericEGA LPT3
IBMEGAMono COM1
IBMVGA COM2
IBMMCGA FILE - strumień bitów przeznaczony dla drukarki
IBM8514 skierowany zostanie do zbioru dyskowego.
AT&T
T3100
Hercules
Tecmar8
Tecmar4
Tecmar3
Tecmar1
FutureNet
216 Konfiguracja programu Probe
Identyfikatory drukarek i ploterów:

TEXT
TEXT132
IBMGraph
Okidata
Okidata132
Epson
Epson132
EpsonMX
EpsonMX132
EpsonLQ
EpsonLQ132
IBMClr
IBMClr132
IBMClrSlw
IBMClrSlw132
CItoh
CItoh132
CItohSlw
CItohSlw132
CItoh-300
CItoh-300-132
Printronix
Printronix132
DECLA50
DECLA100
DECLA100-8
TOSHIBA
TOSHIBA132
NEC
NEC132
NECClr
NECClr132
HI
HP
HP6
HP8
HPLJ
HPLJ100
HPLJ150
HPLJ300
MLJ
MLJ100
MLJ150
MLJ300
PS
MPS
Dodatek D — Probe — wyrażenia
Program Probe może służyć do przetwarzania wyników obliczeń, przekazanych przez

program PSpice. Napie˛cie lub pra˛d może zostać opatrzone jednym z naste˛puja˛cych
przyrostków:
M Moduł przebiegu.
P Faza przebiegu.
R Cze˛ść rzeczywista przebiegu.
I Cze˛ść urojona przebiegu.
DB Moduł przebiegu wyrażony w decybelach.
G Opóźnienie grupowe.
Przykłady:
V(2,3) ;moduł napie˛cia mie˛dzy we˛złami 2 i 3
VM(2,3) ;moduł napie˛cia mie˛dzy we˛złami 2 i 3
II(VC) ;cze˛ść urojona pra˛du płyna˛cego przez SEM o nazwie VC
VG(6) ;opóźnienie fazowe potencjału we˛złowego V(6)
Wymienione przedrostki stosowane sa˛ prawie wyła˛cznie w przypadku wyników analizy
zmiennopra˛dowej. W przypadku analizy stanów nieustalonych cze˛sto potrzebne jest
scałkowanie lub zróżniczkowanie przebiegu. Umożliwiaja˛ to dwa naste˛puja˛ce przedrostki:
D Pochodna przebiegu wzgle˛dem zmiennej opisuja˛cej oś pozioma˛.
S Całka przebiegu wzgle˛dem zmiennej opisuja˛cej oś pozioma˛.
Przedrostki te można stosować także do wyników analizy AC (całka i pochodna wzgle˛dem
cze˛stotliwości) i do wyników analizy DC (całka i pochodna wzgle˛dem zmienianego napie˛cia
/pra˛du/parametru).
Przykłady:
DV(6) ;pochodna napie˛cia V(6) wzgle˛dem zmiennej opisuja˛cej oś pozioma˛
SI(VC) ;całka pra˛du płyna˛cego przez SEM o nazwie VC wzgle˛dem zmiennej
;opisuja˛cej oś pozioma˛
Przebiegi wyświetlane przez program Probe moga˛ być dowolnie dodawane, odejmowane,
przemnażane i dzielone.
Przykłady:
I(VC)+I(VD) ;suma pra˛dów płyna˛cych przez SEM o nazwach VC iVD
V(2)-V(3) ;napie˛cie panuja˛ce mie˛dzy we˛złami 2 i3
I(R1)*V(R1) ;moc wydzielana na oporniku R1
V(2,3)/V(5) ;transmitancja od napie˛cia V(5) do napie˛cia V(2,3)
218 Probe - wyrażenia
Tworza˛ c wyrażenia podobne do tych w powyższych przykładach można posługiwać sie˛

cze˛ stotliwościa˛ (wyniki analizy AC) identyfikowana˛ przez słowo FREQUENCY oraz czasem
(wyniki analizy stanu nieustalonego) identyfikowanego przez słowo TIME. Można także
używać funkcji:
ABS Wartość bezwzgle˛ dna argumentu.
SGN Znak argumentu.
DB 20*log10(moduł argumentu).
EXP Eksponenta argumentu.
LOG Logarytm naturalny argumentu.
LOG10 Logarytm dziesie˛ tny argumentu.
SQRT Pierwiastek kwadratowy argumentu.
SIN Sinus argumentu.
COS Kosinus argumentu (w radianach).
TAN Tangens argumentu (w radianach)
ARCTAN Funkcja odwrotna do funkcji tangens y — wynik w radianach.
D Pochodna argumentu wzgle˛ dem zmiennej opisuja˛ cej oś x.
S Całka argumentu wzgle˛ dem zmiennej opisuja˛ cej oś x.
AVG Wartość średnia, bieża˛ ca argumentu.
RMS Wartość średnia kwadratowa argumentu.
Przykłady:
20*LOG10(V(6)) ;moduł napie˛ cia V(6) wyrażony w decybelach
SIN(6.28*100*TIME) ;przebieg sinusoidalny o cze˛ stotliwości 100[Hz]
S(V(R1)*I(R1)) ;ciepło wydzielone na oporniku R1 (analiza TRAN)
INDEKS
.AC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . . . . . . . . . . . . . . . . 45
.DC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . . . . . . . . . . 20, 35, 136
.END . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . . . . . . . . . . . . . 3, 5, 22
.ENDS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . . . . . . . . . . . . . . . . 68
.FOUR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . . . . . . . . . . . . . . . . 94
.IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . . . . . . . . . . . . . . . . 72
.INC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . . . . . . . . . . . . . . . . 67
.LIB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . . . . . . . . . . . . . . . . 92
.MC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . . . . . . . . . . . . . . . . 41
.MODEL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . . . . . . . . . . 21, 42, 111
.NODESET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . . . . . . . . . . . . . . . . 27
.NOISE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . . . . . . . . . . . . . . . . 65
.OP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . . . . . . . . . . . . . . . . 19
.OPTIONS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . . . 24, 85, 130, 135, 166
.PLOT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . . . . . . . . . . . . . . . . 55
.PRINT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . . . . . . . . . . . . . . . . 52
.PROBE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . . . . . . . . 22, 35, 56, 65
.SENS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . . . . . . . . . . . . . . . . 36
.SUBCKT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . . . . . . . . . . . . . . . . 68
.TEMP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . . . . . . . . . . . . . . . . 135
.TF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . . . . . . . . . . . . . . . . 33
.TRAN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . . . . . . . . . . . . . . 72, 98
.WIDTH . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... ................. 5
Algorytm Newton-a Raphson-a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23, 25, 31, 180, 182, 183, 191
Amplituda prawdopodobieństwa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . . . . . . . . . . . . . . . . 103
Analiza Monte Carlo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . . . . . . . . . . . . . . 40, 41
Analiza stałopra˛dowa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . . . . . . . . . . . . . . . . 19
Analiza szumów . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . . . . . . . . . . . . . . . . 53
Analiza zmiennopra˛dowa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . . . . . . . . . . . . . . . . 45
Analiza zniekształceń nieliniowych . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . . . . . . . . . . . . . . . . 94
AREA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . . . . . . . . . . . . . . . . 96
Atraktor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . . . . . . . . . . . . . . . . 102
Lorentz-a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . . . . . . . . . . . . . . . . 102
Bła˛d obcie˛cia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . . . . . . . . . . . . . . . . 71
Cewka
deklaracja . . . . . . . . . . . . . ....................................... 7
model . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115
Cewki sprze˛żone
deklaracja . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7, 117
model . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 117
model materiału rdzenia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 118
Charakterystyki statyczne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 20
Czynnik urojony . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 103
224 Indeks
Dioda półprzewodnikowa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... 24

deklaracja . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... 127
model . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... 129
model małosygnałowy . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... 137
model szumowy . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... 137
parametry . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... 130
pojemności . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131, 136
przeła˛ czanie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .... 132
wpływ temperatury . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .... 134
Dobroć generatora . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .... 61
Domena magnetyczna . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .... 118
Efekt tranzystorowy . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .... 139
EXP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .... 75
Generator Collpits-a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .... 58
Ge˛ stość mocy szumów
na wyjściu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
zredukowana do wejścia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
Granica linearyzacji pojemności zła˛ czowej . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131
Histereza magnetyczna . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 118
IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7, 80, 89
Impedancja falowa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
Klucz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116
sterowany napie˛ ciem . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
sterowany pra˛ dem . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
Komentarz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3, 5
Kondensator
deklaracja . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 7
model . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114
Kontaktowa różnica potencjałów . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 176
Laser . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
Linia długa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8, 79
Linia kontynuacji . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
Makromodel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 138
Maser . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
Metoda parametryzacji źródeł . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
Metoda potencjałów we˛ złowych . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
wady . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
zalety . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
Model
cewki . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115
ferromagnetyka . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 118
klucza . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116
kondensatora . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114
opornika . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112
Indeks 225
rdzenia magnetycznego . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ........ 116

szumowy elementu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ........ 137
tranzystora bipolarnego . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ........ 139
tranzystora GaAs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . 159, 160
tranzystora JFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ........ 156
tranzystora polowego MOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 166, 174, 184
Model Baum-a, Beneking-a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ........ 180
Model Shichman-a Hodges-a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ........ 166
Model szumowy elementu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ........ 63
Modele elementów
małosygnałowe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
szumowe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
Modulacja długości kanału tranzystora MOS
model Baum-a Beneking-a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 180
Nieliniowe źródła sterowane napie˛ ciem
SEM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
SPM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
Nieliniowe źródła sterowane pra˛ dem
SEM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
SPM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
Nieliniowy rdzeń magnetyczny . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116
deklaracja . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 117
model materiału rdzenia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 118
obliczanie parametrów materiału rdzenia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 123
parametry . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 117
Niezależne źródło napie˛ cia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3, 9, 46, 73
Niezależne źródło pra˛ du . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9, 46, 73
OFF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 128
Opornik
deklaracja . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .............................. 6
ge˛ stość widmowa szumów . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
model (temperaturowy) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113
Podobwód
deklaracja . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
wywołanie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
zakończenie definicji struktury . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
Pojemność
dyfuzyjna . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132, 144, 146, 151
zła˛ czowa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132, 143, 145, 146, 152, 157, 159, 173
Pojemność zła˛ czowa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .................. ....... 171
POLY . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .................. ....... 89
Potencjał Fermiego . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .................. ....... 169
Potencjał termiczny . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .................. ....... 134
Potencjał zła˛ czowy . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 136, 149, 159, 172
226 Indeks
Prawdopodobieństwo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ........... . . . . . . . 103

Probe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ........... . . 22, 69, 70
Przerwa energetyczna . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 136, 147, 150, 159, 160, 169
Przyrostki . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ........... . . . . . . . 11
PULSE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ........... . . . . . . . 73
PWL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ........... . . . . . . . 77
Równanie Hamiltona . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ........... . . . . . . . 103
SFFM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ........... . . . . . . . 77
SIN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ........... . . . . . . . 74
Stała Plancka . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ........... . . . . . . . 103
Statyczny punkt pracy . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ........... . . . . . . . 19
Statyczny punkt pracy układu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ........... ........ 4
Szum . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ........... . . . . . . . 62
diody . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ........... . . . . . . . 137
opornika . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ........... . . . . . . . 63
tranzystora bipolarnego . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ........... . . . . . . . 154
tranzystora GaAs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ........... . . . . . . . 164
tranzystora JFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ........... . . . . . . . 164
tranzystora MOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ........... . . . . . . . 192
Temperatura odniesienia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ........... . . . . . . . 135
Temperatura otoczenia analizowanego układu . . . . . . . . . . . . . ........... . . . . . . . 135
TNOM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ........... . . . . . 6, 135
Transmitancja
stałopra˛ dowa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ....... 33
Tranzystor bipolarny . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ....... 48
charakterystyka statyczna . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ....... 139
czas przelotu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ....... 144
cze˛ stotliwość graniczna . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ....... 153
deklaracja . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ....... 138
dynamika . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ....... 143
model hybryd π . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ....... 150
model ładunkowy Gummela-Poona . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ....... 139
parametry . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49, 141, 148
parametry małosygnałowe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ....... 152
podział pojemności zła˛ cza baza-kolektor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ....... 146
pojemność baza-emiter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ....... 143
pojemność baza-kolektor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ....... 145
pojemność kolektor-podłoże . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ....... 146
pra˛ d upływu zła˛ cza . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ....... 141
rezystancja obszaru bazy . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ....... 142
rezystancje omowe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ....... 142
zależności temperaturowe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ....... 147
Tranzystor polowy MOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ....... 21
deklaracja . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ....... 165
Indeks 227
model Dang-a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 184

model małosygnałowy . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 192
model Meyer-a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 174
model pojemności Meyer-a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 182
model pojemności Ward-a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 183, 188
model Shichman-a Hodges-a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 166
model szumowy . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 192
modulacja długości kanału . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 180
parametry . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 165, 174, 184
pojemności . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 170, 182, 183, 188
wpływ degradacji ruchliwości nośników ładunku . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 178
wpływ szerokości kanału na napie˛ cie Vto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 181
współczynnik modulacji długości kanału . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 179, 188
Tranzystor polowy, zła˛ czowy
deklaracja . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 156
model Shichman-a Hodges-a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 156
model szumowy . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 164
parametry . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 155
Tranzystor polowy, zła˛ czowy GaAs
deklaracja . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 156
model Curtice-a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160
model Raytheon-a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160
model szumowy . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 164
parametry . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160
TRTOL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
Tytuł analizy . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3, 5
UIC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72, 84, 101
Wektor magnetyzacji . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 119
Wektor namagnesowania . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 119
We˛ zeł masy . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ........ 3
Wrażliwości . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
Współczynnik zniekształceń nieliniowych . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94
Współczynnik zwielokrotnienia przyrza˛ du . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 127, 148, 149
Wzgle˛ dny ładunek bazy . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140
Wzmacniacz oporowy . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
Wzmocnienie napie˛ ciowe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
Zjawisko Early-ego . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140
Zmodyfikowana metoda potencjałów we˛ złowych . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
Źródła niezależne
SEM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9, 46, 73
SPM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9, 46, 73
Źródła sterowane napie˛ ciem
228 Indeks
SEM . . . . . . . . . .............................................. 9
SPM . . . . . . . . . .............................................. 9
Źródła sterowane pra˛ dem
SEM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
SPM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
LITERATURA
[1] Antognetti P., Massobrio G. [red.]: Semiconductor Device Modeling with SPICE,
McGraw–Hill Book Company, 1988.
[2] Białko M.: Analiza układów elektronicznych wspomagana mikrokomputerem, WNT, 1989.
[3] Boyle G.R., Cohn B.M., Pederson D.O., Solomon J.E.: Macromodeling of Integrated
Circuit Operational Amplifiers, Journal of Solid–State Circuits, Vol. SC–9, No.6,
ss.353–363, December, 1974.
[4] Calahan D.A.: Computer Aided Network Design, McGraw–Hill, Inc., 1972.
[5] Chua L.O., Lin P.M.: Komputerowa analiza układów elektronicznych. Algorytmy i metody
obliczeniowe, WNT, Warszawa, 1981.
[6] Cichocka Z.: Topologiczna Analiza Obwodów Elektronicznych Liniowych, Skrypt

Politechniki Śla˛skiej nr 1578, Gliwice, 1990.
[7] Curtice W.R.: A MESFET Model for Use in the Design of GaAs Integrated Circuits, IEEE
Trans. on Microwave Theory and Tehniques, Vol. MTT–28, No. 5, ss. 448–456, May
1980.
[8] Feynman R.P., Leighton R.B., Sands M.: Feynmana wykłady z fizyki, tom III, mechanika
kwantowa, PWN, Warszawa, 1972.
[9] Feynman R.P., Leighton R.B., Sands M.: Feynmana wykłady z fizyki, tom II, cze˛ść 2,
PWN, Warszawa, 1970
[10] Fisher F.J., Connelly J.A.: Modeling Time–Dependent Elements for SPICE Transient
Analyses, IEEE Transactions on Computer–Aided Design, Vol. CAD–5, No. 3, July 1986,
ss.429–432.
[11] Ga˛siorek S., Wadas R.: Ferryty, zarys własności i technologii, WKŁ, Warszawa, 1987.
[12] Gessing R., Latarnik M., Skrzywan–Kosek A.: Zbiór zadań z teorii nieliniowych układów
regulacji i sterowania, WNT , Warszawa, 1981.
[13] Goc R.: IBM PC — to proste i ciekawe, Wydawnictwo Nakom, Poznań, 1992.
[14] Hasse L., Spiralski L.: Szumy elementów i układów elektronicznych, WNT, Warszawa,
1981.
220 Literatura
[15] Jiles D.C., Atherton D.L.: Theory of Ferromagnetic Hysteresis, Journal of Magnetism and
Magnetic Materials, 61 (1986), ss. 48–60
[16] Katalog 9–R, Materiały i rdzenie ferrytowe. Ferryty magnetycznie mie˛ kkie FERROXYD,
Wydawnictwa Przemysłu Maszynowego WEMA, Warszawa, 1971
[17] Krakowski M.: Elektrotechnika Teoretyczna, Tom 1, PWN, Warszawa, 1991.
[18] Kutner R.: Mapy i dziwne atraktory, Delta, nr.4(189), 1989, ss.11–13.
[19] Marciniak W.: Modele elementów półprzewodnikowych, WNT, Warszawa, 1985.
[20] Marciniak W.: Przyrza˛ dy półprzewodnikowe i układy scalone, WNT, Warszawa, 1984.
[21] Masewicz T.: Radioelektronika dla praktyków, WKŁ, Warszawa 1986.
[22] Meyer J.E.: MOS Models and Circuit Simulation, RCA Review, Vol. 32, ss.42–63, 1971.
[23] Nagel L., Rohrer R.: Computer Analysis of Nonlinear Circuits Excluding Radiation
(CANCER), IEEE Journal of Solid–State Circuits, SC–6, pp.166–182, 1971.
[24] Nagel L.: SPICE2: A Computer Program to Simulate Semiconductor Circuits, Memoran-
dum No. ERL–M520 (9 May 1975), College of Engineering University of California,
Berkeley, 94720.
[25] Nosal Z.: Projektowanie tranzystorowych generatorów mikrofalowych o szerokim zakresie

przestrajania, Materiały XIII KKTOiUE, Bielsko–Biała, 16–18.X.1990, ss.741–745.
[26] Pore˛ bski J., Korohoda P.: SPICE2. Program analizy nieliniowej układów elektronicznych,
AGH, Skrypt nr 1165, Kraków 1989.
[27] Praca zbiorowa pod redakcja˛ : Achmatowicz O., Axt M., Bańkowski Z., Bretsznajder S.T.,
Hurwic J., Zienkowicz J., Znaczyński A.: Kalendarz chemiczny, cze˛ ść 1, s.389, PWNT,
Warszawa, 1954.
[28] Sangiovanni–Vincentelli A.L.: Circuit Simulation, w pracy zbiorowej pod redakcja˛

Antognetti P.: Computer Design Aids for VLSI Circuits, Groningen the Netherlands,
Sijithoff and Noordhoff, 1981.
[29] Shichman H., Hodges D.A.: Modeling and Simulation of Insulated–Gate Field–Effect
Transistor Switching Circuits, IEEE Journal of Solid–State Circuits, Vol. SC–3, No.3,
ss.285–289, 1968.
[30] Tadeusiewicz M.: Metody komputerowej analizy stałopra˛ dowej nieliniowych układów
Literatura 221
elektronicznych, WNT, 1991.
[31] Tuinenga P.: SPICE. A Guide to Circuit Simulation & Analysis Using PSpice, Prentice
Hall 1988.
[32] Vladimirescu A., Liu S.: The Simulation of MOS Integrated Circuits Using SPICE2,
Memorandum No. #M80/7.
[33] Vladimirescu A., Zhang K., Newton A.R., Pederson D.O.: SPICE version 2G.4 User’s
Guide, 22 June 1981, Departament of Electrical Engineering ans Computer Sciences,
University of California, Berkeley, CA 94720.
[34] We˛ grzyn S.: Podstawy automatyki, PWN, Warszawa 1980.
[35] Zagajewski T.: Układy elektroniki przemysłowej, WNT, Warszawa, 1964.

Helion - PSpice, Komputerowa Symulacja Układów Elektronicznych

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Helion - PSpice, Komputerowa Symulacja Układów Elektronicznych

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

SPIS TREŚCI

2. ANALIZA STAŁOPRA ˛ DOWA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

3. ANALIZA ZMIENNOPRA ˛ DOWA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45

5.ELEMENTY PASYWNE — MODELE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111

6.ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 127

Dodatek A — Instrukcje i deklaracje. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 194

Dodatek B — Deklaracje elementów. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 207

Dodatek C — Konfiguracja programu Probe. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 215

Dodatek D — Probe — wyrażenia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 217

Prace nad komputerowa˛ analiza˛ układów elektronicznych prowadzone w połowie lat

1.1. Komputerowa analiza układów elektronicznych

W rezultacie pozostaje symulacja komputerowa. Pozwala ona na sprawdzenie układu

1.2. Prosty obwód

sie˛ w drugiej linii. Zawiera ona deklaracje˛ nieza-

**** CIRCUIT DESCRIPTION

V1 1 0 10V ;źródło napie

**** SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION TEMPERATURE = 27.000 DEG C

VOLTAGE SOURCE CURRENTS

TOTAL POWER DISSIPATION 6.67E-03 WATTS

TOTAL JOB TIME .82

Date˛ oznaczaja˛ ca˛ dzień, w którym przeprowadzono obliczenia — 07/10/91.

Czas, w którym przeprowadzono obliczenia — 15:26:18.

Nagłówek zawiera ponadto:

Pierwsza sekcja wyników zawiera powtórzenie opisu obwodu. Umieszczane sa˛ tu

1.3. Organizacja danych wejściowych

1.4. Podstawowe typy elementów [26],[31],[33]

1.4.4. Indukcyjności sprze˛ żone

1.4.5. Bezstratna linia długa

potrzebnego na to aby fala elektromagnetyczna przebyła linie˛ . W przypadku, gdy wspomniany

1.4.6. Niezależne źródła napie˛ cia i pra˛ du

1.4.7. Źródła sterowane napie˛ ciem

1.4.8. Źródła sterowane pra˛ dem

HXXXXXXX n+ n- _nazwa wartość_s

napie˛cia, którego nazwa określona jest przez femto F 1.0E-15

1.6. Uwagi o metodzie analizy obwodu

1.6.1. Metoda potencjałów we˛ złowych

Po uwzgle˛ dnieniu równań opisuja˛ cych poszczególne elementy otrzymujemy:

Napie˛ cia gałe˛ ziowe eliminujemy za pomoca˛ potencjałów we˛ złów 1 i 2.

Równania (6) uporza˛ dkowane i przepisane w postaci macierzowej maja˛ postać:

Na pocza˛ tku wszystkie elementy

Jeżeli w opisie obwodu pojawi sie˛ deklaracja

1.6.2. Zmodyfikowana metoda potencjałów we˛ złowych

Podstawiamy do nich równania elementów:

Napie˛ cia zaste˛ pujemy potencjałami we˛ złowymi i porza˛ dkujemy:

Macierz kwadratowa Ymod to zmodyfikowana macierz admitancyjna układu elektronicznego

2.1. Statyczny punkt pracy układu

Przed instrukcja˛ służa˛ ca˛ do uruchomienia małosygnałowej analizy zmiennopra˛ dowej.

2.2. Charakterystyki statyczne

CHARAKTERYSTYKA TRANZYSTORA MOS

Powyższe dane stanowia˛ opis obwodu przed-

W szerokość kanału tranzystora; wymiar [m].

2.3. Zbieżność obliczeń

jest wzmocnienie pra˛ -

2.3.1. Algorytm Newton–a Raphson–a

Z taka˛ właśnie sytuacja˛

.NODESET V(numer_w1)=_wartość1 [ V(numer_w2)=_wartość2 ]

.OPTIONS NOPAGE ;dane wyjściowe bez podziału na strony

**** Diode MODEL PARAMETERS

**** BJT MODEL PARAMETERS

**** SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION TEMPERATURE = 27.000 DEG C

NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE

( 1) 1.6074 ( 2) 1.6163 ( 3) 5.0000 ( 4) .8694

( 5) .8114 ( 6) 5.0000 ( 7) .3843 ( 8) .0179

( 9) 2.3793 ( 10) 1.5800