Книжка Коман Б. П.

Розділ 1.
ІНФОРМАЦІЙНІ ОСНОВИ
КОМП’ЮТЕРНОЇ ЕЛЕКТРОНІКИ
1.1. Електроніка та інформація
1.1.1. Комп’ютерна електроніка.

Покоління розвитку комп’ютерної електроніки
Комп’ютерна електроніка, основана на головних досягненнях електроніки, є
домінуючим засобом створення високопродуктивних комп’ютерних систем. То-
му вся історія розвитку та становлення комп’ютерної електроніки нерозривно
пов’язана з наукою “електроніка”.
У сучасному трактуванні електроніка – це наука про формування та
управління потоками електронів у пристроях приймання, передавання, оброб-
лення та збереження інформації. Прослідковуючи історію її розвитку,
необхідно звернути увагу на те, що ця наука насамперед забезпечує
інформаційні потреби людського суспільства. Розвиток продуктивних сил і ви-
робничих відношень тісно пов’язані з розвитком засобів інформатики. Зокрема,
історія розвитку засобів інформаційного спілкування між людьми складається з
декількох етапів, які в хронологічному порядку можна описати так: 1) жест і
міміка; 2) звукова мова; 3) писемність; 4) книгодрукування; 5) електроніка. На
сьогодні всі ці засоби опрацювання інформації інтенсивно використовує
людське суспільство. Важливим є те, що перехід до кожного нового способу пе-
редавання інформації розширював можливості інформаційного спілкування між
людьми, що закономірно приводило до стрімкого збільшення продуктивних сил
суспільства.
Звукова мова дає можливість виражати різні побажання, думки, ідеї, переда-
вати життєвий та виробничий досвід. Вона забезпечує передавання інформації
на малі відстані, але цей спосіб має дуже обмежені можливості збереження та
передавання інформації у часі. Принцип письмового вираження усної мови став
містком для поширення ідей та досвіду через час і простір. Друк надав переваги
писемної мови (знання в області науки, техніки, музики, мистецтва) набуттям
великої кількості людей різних епох та географій. Електроніка розширила
можливості обміну інформацією між людьми не менше, ніж друк, водночас
стрімко збільшивши швидкість, об’єми передавання інформації на величезні
відстані, співмірні з розмірами сонячної системи.
Комп’ютерна електроніка формує електронну базу функціональних
пристроїв, розв’язує схемотехнічні завдання з конструювання функціональних
12 ОСНОВИ КОМП’ЮТЕРНОЇ ЕЛЕКТРОНІКИ
вузлів та організовує взаємодію між ними через програмне забезпечення. У

зв’язку з цим розглянемо хронологічну послідовність розвитку комп’ютерних
засобів оброблення інформації з використанням компонентів (вузлів) певних
типів.
Період запровадження механічних обчислювальних машин (1642–1939 рр.)
вважають нульовим поколінням розвитку комп’ютерної електроніки. Його за-
сновником був Блез Паскаль (1642 р), котрий винайшов механічний пристрій з
ручним приводом, що давав змогу здійснювати операції додавання і віднімання.
Тридцять років по тому німецький математик Лейбніц побудував другу
механічну машину, яка здійснювала, ще й окрім того, операції множення та
ділення. Лише через 150 років Ч. Бебідж розробив аналітичну машину, що
містила пам’ять, вичислювальний пристрій, пристрій вводу-виводу на основі
механічних вузлів. Вважають, що це перша спроба створити цифровий
комп’ютер. Створена машина потребувала програмування на мові Ассемблер.
Перші програми були створені Адою Августою Ловлейст, котру через це вва-
жають першою програмісткою в світі. В її честь названа сучасна мова програму-
вання Ada.
Оскільки на рубежі 19–20 ст. було винайдено радіо (безпровідне передаван-
ня сигналів на відстань), то основні засади тогочасної електроніки були
використані для створення вичислювальних пристроїв. Це була ера пасивних
елементів: провідників, котушок індуктивностей, магнітів, реле, резисторів,
конденсаторів. Тому логічним завершенням цього покоління стало розроблення
класу автоматичних лічильних машин з використанням електромагнітних реле.
Час виконання команд у них становив 6 сек.
Перше покоління (1939–1955 рр.) комп’ютерної електроніки харак-
теризується запровадженням вакуумної електроніки. Зазначимо, що ця галузь у
своєму розвитку від 20-х рр. минулого століття до початку 50-хроків досягла
значних успіхів: були створені вакуумні прилади з теоретично передбачуваними
параметрами, низьким рівнем шумів та високими коефіцієнтами підсилення.
Стимулом для впровадження цих компонентів у вичислювальні засоби стала
Друга світова війна, оскільки для нових методів ведення війни та новітньої
зброї потрібно було оперативно обробляти інформацію (наприклад, біжучі ко-
ординати). Зокрема, насамперед для британських збройних сил виникла потреба
швидкого розшифрування кодованих сигналів з німецьких підводних човнів,
генерованих приладом типу ENIGMA. Результатом стало створення британцями
електронного комп’ютера (дешифратора) COLOSSUS – машини Тьюринга
(1943 р.). Одночасно у США Моушлі зі своїм студентом Екертоном створює
ENIAC (Electronic Numerical Integrator and Computer) – електронний цифровий
інтегратор і калькулятор, що містив 18 000 ламп, 1500 реле, 20 регістрів,
Р о з д і л 1 . Інформаційні основи комп’ютерної електроніки 13
6 000 багатоканальних перемикачів, важив 30 тонн і споживав 140 кВт

електроенергії.
Найбільш важливим результатом у дослідженнях цього покоління стала
сконструйована знаменитим математиком Джон-фон-Нейманом машина IAS
(Immediate Adress Storage – пам’ять з прямою адресацією). Нейман усвідомив,
що програма має бути закладена до пам’яті комп’ютера у цифровій формі разом
з даними. Крім того, десяткова система в машині ENIAC, де кожний розряд ре-
презентований десятьма електронними лампами, має бути замінена бінарною
арифметикою. Таким чином запропонована фон-Нейманівська обчислювальна
машина складалася з п’яти основних частин: пам’яті; арифметико-логічного
пристрою (АЛП); пристрою управління та пристрою вводу-виводу. Пам’ять
містила 4 096 слів, кожне слово містило 40 бітів. Всередині АЛП розміщувався
особливий внутрішній регістр у 40 бітів (акумулятор).Типова команда додавала
слово з пам’яті до акумулятора. Однак ця машина не виконувала арифметичні
операції з плаваючою крапкою.
Для цього покоління характерне також впровадження комп’ютерної пам’яті
на магнітних сердечниках, розробленої в Масачусетському технологічному
інституті (США), та серійним випуском у 1953 році комп’ютера IBM-701, який
зберігав лідерство впродовж десяти років.
Для другого покоління (1955–1965 рр.) характерним є широкомасштабне
впровадження транзисторів (ера напівпровідникових приладів), здатних викону-
вати всі функції електронної лампи. Ці прилади, як виявилося, мають малі габа-
рити, більш високу надійність та більший термін служби, їх можна експлуату-
вати у більш жорстких умовах,вони економні у споживанні.
З використанням транзистора, як елемента з ключовими властивостями,
можливою стала реалізація багатьох функціональних вузлів комп’ютера та ство-
реня елементів пам’яті. Перший комп’ютер на транзисторах (ТХ-0) був створе-
ний у лабораторії Масачусетського технологічного інституту (МТІ) (США) та
містив слова зі 16 бітів. Компанія ІВМ побудувала транзисторну версію ІВМ-
709-7090, а пізніше ІВМ-7094. Час циклу становив 2 мкс, а пам’ять складалася з
32К по 16 бітів. Комп’ютери цієї серії широко використовували для наукових
розрахунків у 60-х роках минулого століття.
У 1964 році компанія CDC випустила комп’ютер 6600, який працював майже
на порядок швидше, ніж ІВМ-7094. Він користувався великою популярністю,
оскільки міг виконувати відносно складні розрахунки. Секрет високої швидкості
полягав у тому, що всередині центрального процесора знаходилася машина з
високим степенем паралелізму. Вона містила декілька функціональних
пристроїв для додавання, множення та ділення з можливістю одночасної роботи.
Для комп’ютера цього класу було необхідне високоякісне програмне забезпе-
чення. Розробник – Сеймур Крей, легендарна особа, котрий став відомий у світі
як розробник найбільших суперкомп’ютерів, серед яких: CDC-6600, CDC-7600,

Cray-1, Cray-2 та інші.
У 60-тих роках, на початках 70-х відбувалися нові якісні зміни в
напівпровідниковій інтегральній електроніці, генерування нових ідей, створення
нових напівпровідникових приладів та пристроїв.Особливо важливим було
стрімке зростання темпів упровадження нових винаходів та ідей, різке скоро-
чення термінів від наукових відкриттів до їхнього освоєння у виробництві.
Для прикладу, реалізація принципу, на якому основана фотографія потребу-
вала більше ста років (1727–1839 рр.), телефон – більше піввіку (1820–
1839 рр.), радіо – лише 25 років, електронне телебачення – 14 років (1922–
1936 рр.), електронно-обчислювальна машина – 5 років (1948–1953 рр.), транзи-
стор – 5 років (1948–1953 рр.), інтегральні мікросхеми (ІМС) – 3 роки (1959–
1962рр.).
Характеризуючи бурхливі успіхи другого покоління комп’ютерної елект-
роніки, зазначимо, що реальність створення складних електронних пристроїв та
систем, які містять тисячі елементів, спричинила певні протиріччя у розвитку
електроніки, насамперед у технології та експлуатації електронних виробів. Зок-
рема, розроблювані в кінці 1950–х років, комп’ютери містили в середньому
близько 100 000 діодів та 25 000 транзисторів. Тому за такої кількості виводів
гостро виникла проблема надійності міжз’єднань.
Розв’язання проблеми міжз’єднань привело до створення ІМС. В електроніці
виник новий етап – мікроелектроніка. що дало можливість розв’язати завдання
комплексної мікромініатюризації.Результатом стало зменшення габаритів апара-
тури, маси, енергоспоживання, матеріалоємності, вартості, збільшення числа
виконуваних функцій. Отже ІМС стали елементною базою для створення висо-
копродуктивних енергоефективних комп’ютерних систем.
Тому третє покоління (1965–1980 рр.) комп’ютерної електроніки
ґрунтується на основі ВІС ІМС. Успіхи цього покоління нерозривно пов’язані з
американським інженером дослідником Робертом Нойсом, котрого сьогодні
вважають автором головних винаходів віку інформаційних технологій. Саме
його відкриття зробили комп’ютери більш дешевими і продуктивнішими.
У 1956–57 роках Р. Нойс працював в Shockley Semiconductor Laboratory під
керівництвом винахідника транзистора Вільяма Шоклі, а потім разом з сімома
колегами заснував одну з перших фірм з виробництва кремнієвих напів-
провідників – Fairchild Semiconductor. У липні 1959 року Нойс подав заявку на
патент №2981877 “Напівпровідниковий пристрій і струмопровідна структура”
— тип інтегральної мікросхеми. За цей винахід (зроблений одночасно з Джеком
Кілбі), що по-справжньому перетворив світ, Нойс отримав відзнаки від трьох
президентів Сполучених Штатів та велику кількість всіляких нагород.
У 1968 році Нойс і його давній колега Гордон Мур заснували корпорацію
Intel (integrated electronics). Через два роки вони створили першу інтегральну
мікросхему оперативної пам'яті (DRAM), доступну комерційно.
Розроблення першого МП– це спроба створити універсальну логічну ВІС,
налаштовану на виконання конкретної функції засобами програмування після її
виготовлення. На таку ІМС спочатку планували лише управляючі функції, однак
потім МП почали використовуватися як елементну базу цифрових вичислю-
вальних машин (ЦВМ) четвертого та наступних поколінь. Впровадження МП
викликало необхідність розроблення спектра універсальних логічних ВІС, що
обслуговують МП: контролери переривань і прямого доступу в пам’ять (ПДП),
шинні формувачі, порти вводу/виводу та ін.
Перший МП був розроблений фірмою Intel та промислово вироблений у
1971 році на основі р- МОП-технології (і4004). В 1972–73 роках тією ж фірмою
були продуковані моделі і4040 та і8008. Ці МП відносять до до т.зв. першого
покоління; вони мали дуже обмежені функціональні можливості і дуже швидко
були витіснені другим поколінням, яке було реалізовано на n- МОН-технології,
що дало змогу підняти тактову частоту приблизно на порядок, щодо МП пер-
шого покоління. Крім того, завдяки впровадженню прогресивних технологій
ІМС виникла змога підвищити ступінь інтеграції транзисторів на кристалі, а от-
же, збільшити складність схеми.
МП другого покоління, найпоширенішим з яких був і8080 (1974 р.),
відрізнялися достатньо розвинутою системою команд, наявністю підсистем пе-
реривання, прямого доступу до пам’яті, значною кількістю допоміжних ВІС, що
забезпечують управління пам’яттю, паралельним і послідовним обміном зі
зовнішніми пристроями, реалізацією векторних переривань. Багато ідей, закла-
дених в архітектуру систем на базі 8-розрядного МП і8080, незмінними викори-
стовують і в сучасних потужних МП.
Постійне намагання збільшити швидкодію ЕВМ спонукало розробників МП
застосувати біполярну інтегральну технологію, насамперед транзисторно-
транзисторну логіку (ТТЛ), результатом чого став випуск процесорів третього
покоління. Звичайно, їхня архітектура суттєво змінилася. Однак ТТЛ у складі ІС
мали на той час на порядок вищу швидкодію (щодо n-МОН) і, отже, більше
споживання потужності. Технологічні можливості не давали змоги використо-
вувати активні способи відведення тепла від кристала, тому використовували
єдиний спосіб збереження працездатності чипа в цих умовах – знижували його
ступінь інтеграції.
Перший з випущених МП третього покоління – і3000 був дворозрядним!
Очевидно, збереження у цьому випадку традиційної архітектури, характерної
для МП другого покоління, не привело б до збільшення продуктивності системи,
незважаючи на те, що тактова частота зростала майже на порядок. Розв’язок цієї
проблеми зумовив значні структурні зміни в МП третього покоління порівняно

з другим: МП виготовляли у вигляді секцій з засобами міжрозрядних зв’язків,
що давало змогу об’єднувати в одну систему довільну кількість секцій для до-
сягнення заданої розрядності; пристрій управління був винесений на окремий
кристал; за рахунок резерву зовнішніх виводів передбачені окремі шини адреси,
введення і виведення даних; кристали управління становили собою управляю-
чий автомат з програмованою логікою, що давало можливість достатньо легко
реалізовувати практично довільну систему команд на фіксованій структурі
операційного пристрою.
Отже, розробники систем на базі МП третього покоління отримали
додаткові ступені свободи: можливість вибрати довільну розрядність процесора
та самостійно реалізувати практично довільну систему команд, оптимізовану
для розв’язування задач конкретного класу. Оскільки МП у такій архітектурі
розміщували на декількох кристалах ВІС, то процесори стали називати багато-
кристальними, на відміну від однокристальних другого покоління.
Характерною ознакою для третього покоління комп’ютерної електроніки
було також упровадження мультипрограмування, за якого у пам’яті можливо
було записати декілька програм: допоки одна програма чекала, поки закінчиться
процес вводу-виводу, інша запускалася до виконання.
Четверте покоління (1980–поч. 90-х рр.). Розвиток комп’ютерної електро-
ніки ознаменувався масштабним упровадженням НВІС-мікросхем. Почалася ера
персональних комп’ютерів. Перші ПК– у вигляді комплектів, що включали дру-
ковану плату, МП Intel 8080, 8-дюймовий дисковід. Програмного забезпечення
не було. Операційні системи у цьому поколінні пройшли шлях від MS-DOS до
Windows різних версій.
Продовжилися роботи зі створення багатокристальних МП у яких було пе-
редбачене збільшення розрядності секцій. Широко поширеними стали
комбіновані технології (наприклад, І2Л+ ТТЛШ). Паралельно інтенсивно розви-
валася архітектура однокристальних МП. Найбільш характерним зразком яких
можна вважати сімейство х86 фірми Intel. Розвиток цього напрямку
характеризується стрімким зростанням продуктивності процесорів, зумовлених
збільшенням розрядності, тактової частоти, реалізацією паралелізму на всіх
рівнях роботи процесора та реалізацією інших характерних рішень, властивих
“великим” ЕВМ.
У 1983 році дохід корпорації Intel вперше склав мільярд доларів. На початку
нашого століття мікропроцесорами “Intel” було обладнано 80% комп’ютерів у
самих різних країнах світу.
Характерною ознакою цього покоління стала поява на ринку ПК фірми Ap-
ple, а також використання процесорів різних фірм. Почалося виробництво
“клонів”.
В 1990-х роках були розроблені суперскалярні процесори, які значно

підвищили продуктивність комп’ютерів та можливості графічних інтерфейсів.
П’яте покоління (середина 1990-х р. – по сьогодні) є результатом бурхли-
вого розвитку мікроелектроніки, впровадження новітніх технологій у
виробництві, а також використання архітектур нового типу.
Попередні етапи розвитку мікроелектроніки, на основі яких розвивалася
комп’ютерна електроніка, характеризуються збільшенням ступеня інтеграції
ІМС (кількості транзисторів на чипі та зменшенням розмірів їхніх активних
елементів). Прогнози четвертого покоління передбачали створення ІМС з
кількістю елементів на чипі, рівному 106, до 2000 року. Однак унаслідок впро-
вадження новітніх літографічних процесів та використання нових матеріалів та-
ка мета була реалізована вже до середини 1990-х років. Вважають, що з цього
часу почалася ера УВІС– ультравеликих ІС з кількістю елементів на кристалі
більше мільйона. Це різко підвищило експлуатаційні параметри всіх мікросхем,
зокрема тактову частоту мікропроцесорів, об’єм електронної пам’яті та її
швидкодію, про що буде сказано далі.
Для п’ятого покоління характерним є впровадження нових архітектур з роз-
паралелюванням обчислень, особливостями набору регістрів, формату команд і
даних (CISC, RISC, VLIW), а також багатопроцесорних систем (SMP) за прин-
ципом взаємодії з пам’яттю.
Зростаючі можливості технології почали використовувати не тільки для
збільшення продуктивності процесора, але й для розміщення на кристалі поряд з
простим процесором, тих пристроїв, які в традиційній архітектурі
розміщувалися на платі поряд з МП у вигляді окремих ВІС: тактовий генератор,
ПЗП, ОЗП, порти паралельного і послідовного обміну, контролер переривань,
таймери та ін.
1.1.2. Розвиток мікроелектроніки та її вплив на становлення

елементної бази комп’ютерної електроніки
Інтегральна технологія (ІТ) за перші 20–30 років свого розвитку досягнула
таких темпів росту характеристик якості, яких не знала ні одна область людської
діяльності. Дійсно, розглянемо динаміку змін основних параметрів ІТ за перші
20 років її розвитку (1960–1980 рр.): 1) ступінь інтеграції N зріс на 5–6 порядків;
2) площа транзистора S зменшилася на 3 порядки; 3) робоча частота f
збільшилася на 1–3 порядки; 4) фактори добротності: f×N збільшилася на 5–
7 порядків; P×t збільшився на 4 порядки, де t – затримка на елементі, P –
потужність, що розсіюється елементом; 5) надійність збільшилася на 4–
8 порядків; 6) продуктивність технології (у транзисторах збільшилася на 4–
6 порядків; 7) ціна на транзистор у складі ІС зменшилася на 2–4 порядки.
Американські дослідники підрахували, якщо б авіапромисловість у ті ж роки

мала аналогічні темпи розвитку показників якості (вартість- швидкість – розхід
палива = вартість – швидкодія – розсіювана потужність), то Боїнг-767 коштував
б всього 500$, земну кулю облітав за 20 хв і витрачав на цей політ 10 л палива.
Успіхи ІТ в області елементної бази дали змогу досягати кристалам все
більш високих рівнів ЕВМ: спочатку – логічні елементи, потім операційні еле-
менти (регістри, лічильники, дешифратори та ін.), операційні пристрої. З цієї
точки зору цікаво поглянути на співвідношення ІС логіки і пам’яті у процесі
еволюції ІС–СІС–ВІС–НВІС. Перші ІС (ступінь інтеграції N ~101) були виключ-
но логічними елементами. При досягненні N близько 102 стали виникати, разом з
операційними елементами, перші елементи пам’яті об’ємом у 16–24–128 бітів.
З огляду на подальше зростання ступеня інтеграції пам’ять почала швидко
випереджати “логіку”, оскільки за всіма параметрами мала перед логічними
схемами переваги. Дійсно структура накопичувача ЗП суттєво регулярна
(повторюваність елементів і зв’язків за двома координатами), зв’язність
(кількість зовнішніх виведень схеми) її зростає пропорційно логарифму об’єму
пам’яті у двічі. Насамкінець, пам’ять потрібна всім і “чим більше, тим краще”,
особливо, якщо майже за однакову ціну.
Водночас для ІС-логіки на рівні N~ 103 на кристалі можна вже розміщувати
пристрій ЦВМ (наприклад, АЛП, ЦУП), але схеми логіки суттєво нерегулярні,
їхня зв’язність зростає приблизно пропорційно N.
Геометричний скейлінг мікроелектронних структур. Закон Мура. Аналіз
емпіричних тенденцій перших п’яти років розвитку інтегральної технології дав
змогу Гордону Муру сформулювати в 1965 р. деяку закономірність, що згодом
була названа законом Мура.
Початкове формулювання закону було таким: кількість транзисторів на
чипі (кристал ІМС) подвоюється кожні 12 місяців. Незважаючи на довільність
формування та обґрунтування, закон Мура має певну фізичну основу. Зокрема,
його фізичний зміст містить ідею можливості розмірного скейлінгу – масштаб-
ного зменшення геометричних розмірів мікроелектронних компонентів зі збе-
реженням електричних і покращенням функціональних характеристик окремих
приладів і всієї схеми загалом.
Отож саме можливість геометричного скейлінгу мікроелектронних структур
стала технологічною й економічною основою, що забезпечила переможний рух
закону Мура впродовж вже більше півстоліття та зумовила зростання ступеня
інтеграції схем мікропроцесорів (див.: рис.1.1).
Рис. 1.1. Залежність ступеня інтеграції чипа від часу
Збільшення ступеня інтеграції чіпа досягається головно за рахунок змен-

шення технологічної норми та, деякою мірою, за рахунок зростання площі чіпа.
Головним параметром технології є мінімальна технологічна (топологічна,
проектна) норма. Насправді під цим параметром розуміють характеристичний
розмір для цієї технології. Довжина затвора МОН-транзистора у 1,5 ~ 2 рази
менша технологічної норми (див.: рис. 1.2). Довжина каналу зазвичай ще менша
від довжини затвора.
Зміна технологічної норми відбувається за поколіннями, з приблизно одна-
ковим масштабним множником L → L 2 ∼ 0,7 L.
Рис. 1.2. Технологічна норма і довжина затвора для технологій різних поколінь
Перехід до чергового покоління рівнозначний зростанню ступеня інтеграції

приблизно у два рази. Очікується, що “кінець ери закону Мура”, тобто коли
технологічна норма сучасної кремнієвої технології досягне свого мінімуму ~ 5–
10 нм, визначатиметься можливостями літографічних процесів і фундаменталь-
ними фізичними обмеженнями (див.: рис. 1.3).
Рис. 1.3. Технологічна норма як функція часу
Усі головні геометричні параметри технології зменшуються разом з

технологічною нормою. Це насамперед довжина, ширина каналу транзистора,
товщина підзатворного окислу. Залежність геометричного розміру від норми має
переважно пропорційний характер.
Однією з найважливіших характеристик мікропроцесора є його швидкодія.
Максимальна швидкодія ІС залежить від системної тактової частоти. В останні
десятиріччя тактова частота мікропроцесорів збільшувалася у середньому у два
рази впродовж року (див.: рис. 1.4).
Тактова частота залежить від швидкості перемикання окремих цифрових
елементів. і насамкінець дуже залежить від геометричного фактора а, отже, від
технологічної норми. Встановлено, що тактова частота процесора приблизно
подвоюється в кожному наступному поколінні.
Геометричний ресурс для дальшого збільшення тактової частоти практично
вичерпаний, оскільки наявне фундаментальне обмеження, зумовлене скінчен-
ністю швидкості поширення електричного сигналу.
Основними проблемами при збільшенні ступеня інтеграції та зменшення
розмірів активних областей приладів є зростання струмів відтоку та проблема
тепловиділення. Ріст ступеня інтеграції та тактової частоти зумовив те, що
потужність теплового потоку від поверхні мікропроцесора сучасного ком-
п’ютера загрозливо зростає Наприклад, якщо перший процесор Intel 486 давав
потік тепла 5–8 Вт/см2, то Intel Pentium 4–30 Вт/см2.
Рис. 1.4. Залежність тактової частоти від року випуску
Фундаментальним параметром, від якого залежить енергоспоживання, є

2
енергія перемикання C0tU DD . Очевидним шляхом розв’язання проблеми
мінімізації ES є: а) зниження повної ємності, що досягається за рахунок змен-
шення розмірів елемента; б) зменшення напруги живлення U DD . У результаті
енергія перемикання неперервно зменшується. Наприклад, якщо в 1995 р.
енергія перемикання в одиницях kT становила ~ 5·105, то у 2015 році – значно
менша – ~103.
Разом з тим зменшення розмірів елементів зумовлює підвищення ступеня
інтеграції, а потужність потоку тепла лише збільшується. Однак температура
мікросхеми під час функціонування має залишатися постійною, тому тепло
потрібно відводити. Це є однією з найбільш важливих технічних проблем
сучасної мікроелектроніки.
У сьогоденні, з метою створення надшвидкісних комп’ютерів людство поча-
ло використовувати кардинально нові принципи оброблення інформації та
новітні матеріали, чим увійшло у шосте покоління розвитку елементної бази
комп’ютерної електроніки. Зазначимо, що у 20 ст. прогрес у підвищенні
продуктивності комп’ютерних систем був досягнутий головно за рахунок удо-
сконалення мікроелектронної бази інформатики, підвищення ступеня інтеграції
та швидкодії інтегральних схем, використання паралельного та аналогового об-
роблення зображень, зі спеціалізацією та нарощуванням кількості паралельно
працюючих процесорів. Але створення надшвидкісних комп’ютерів може бути

реалізоване лише з використанням нових ідей та принципів, що суттєво
модифікують елементну базу. Зважаючи на сказане, сьогодні сформовані
декілька напрямків, що грунтуються на використанні кардинально нової
елементної бази, збудованої на квантових ефектах у новітніх структурах,
квантовій інформатиці та квантових обчисленнях. Отже, людство увійшло у
шосте покоління розвитку елементної бази комп’ютерної електроніки.
До перспективних напрямків розвитку елементної бази цього покоління
потрібно віднести створення: одноелектронної елементної бази інформатики
(одноелектронний транзистор, одноелектронні логічні схеми, одноелектронні
клітинні автомати, одноелектронні елементи і матриці пам’яті); спінтронних
елементів та процесорів на їхній основі; молекулярної, вуглецевої та
надпровідної елементних баз.
Надпровідні кубіти на переходах Джозефсона вважають на сьогодні
найбільш вдалою елементною базою для реалізації квантових процесорів. З
2011 року успішно працює обчислювальна система “D-Wave One” з 128-
кубітним квантовим процесором “Rainier”.У 2012 році компанія “D-Wave”
успішно випробувала чергову версію надпровідного квантового процесора “Ve-
suvius”, який включає вже 512 кубітів.
Основним недоліком наведеної вище елементної бази є її здатність
функціонуват лише при наднизьких температурах (~ 0,1К і нижче), що суттєво
стримує можливість її широкого впровадження.
Отож, є всі підстави вважати, що людство вступило в еру квантових
комп’ютерів, хоч і перебуває лише на самому її початку.
Висновки. Сучасна фізика (особливо квантова) та напівпровідникова
електроніка, продукуючи все нові та нові феномени, створюють сприятливі умо-
ви для розроблення елементів інформаційних систем, які функціонують на кар-
динально нових принципах та можуть мати фантастичні експлуатаційні пара-
метри. З цієї причини у довільний момент часу революційні відкриття у цих га-
лузях науки можуть порушити відносно еволюційний рух у розробленні
функціональних елементів, що склався сьогодні, а як наслідок – докорінно
змінити елементну базу. Свідченням цього є вся історія розвитку комп’ютерної
техніки, а особливо період переходу комп’ютерної техніки на елементну базу
напівпровідникових ІМС. Тому автори не намагатимуться сьогодні передбачати
конкретний тип функціональних елементів інформаційних систем не лише на
майбутні десятиріччя, але й на найближчі десять років. Закон Мура, що на
сьогодні є основним “дороговказом” у напівпровідниковій електроніці і має про-
гноз свого справдження до 2030 року, буде вичерпаний, очевидно, значно
раніше. Наноелектроніку, яка скоріш за все змінить сучасну напівпровідникову
мікроелектроніку, будуть описувати “своїм законом Мура”, що матиме, звичай-
но, складніший характер. Загалом, не роблячи прогнозів на домінуюче викори-

стання будь-якого перспективного типу функціональних елементів, можна пере-
дбачати широке впровадження квантових алгоритмів обчислень та елементів на
базі напівпровідникових нанорозмірних структур з надвеликою швидкодією та
дуже низьким рівнем енергоспоживання.
1.2. Інформація. Кількість інформації
Прогрес людства неминуче веде до збільшення загального об’єму інфор-

мації, яким воно користується, причому зростання його відбувається значно
швидше, ніж населення земної кулі та його потреби.
Поняття інформації є базовим для всіх інформаційних технологій. Будь-яка
діяльність людини по суті становить собою процес збирання й опрацювання
інформації, прийняття на її основі рішень та їхнього виконання. Спілкування,
обмін інформацією властиві всім живим істотам, але особливо людині. З впро-
вадженням сучасних комп’ютерних вичислювальних систем інформація стала
одним з найважливіших ресурсів науково-технічного прогресу. Її акумулювання
та оброблення з певних позицій дають нові відомості, приводить до нового
знання.
Слово інформація походить від латинського informatio, що в перекладі озна-
чає відомість, роз’яснення, ознайомлення. В інформатиці використовують таке
визначення: інформація–це відомості, що передаються джерелом отримувачу
(приймачу).
Інформація завжди пов’язана з матеріальним носієм та має деяке представ-
лення. Вона передається від джерела до приймача в матеріально-енергетичній
формі, у формі сигналів, що поширюються у певному середовищі. Інформацію,
яка представлена у певній закінченій (системній) формі та передається з одного
місця в інше, називають повідомленням. Джерело інформації – це суб’єкт або
об’єкт, що породжує інформацію та подає її у вигляді повідомлення. Його пода-
ють як сигнали і дані. Сигнали використовують для передавання інформації у
просторі між джерелом і приймачем, а дані – для збереження. Приймач
інформації – це суб’єкт або об’єкт, що приймає повідомлення. Сукупність
технічних засобів, використовуваних для передавання повідомлень від джерела
до приймача, називають системою зв’язку. Канал зв’язку – це сукупність
технічних пристроїв або фізичне середовище, що забезпечує передавання
сигналів від джерела до приймача. Кодуючий пристрій призначений для пере-
творення інформації вихідного повідомлення від джерела до вигляду,
необхідного для передавання інформації. Декодуючий пристрій призначений
для перетворення отримуваного повідомлення у вихідний, придатний для його
наступного оброблення. Узагальнена схема передавання інформації технічною

системою зображена на на рисунку 1.5.
Рис. 1.5. Схематичне зображення процесу передавання інформації
Перше чітке визначення інформації дав американський вчений К. Шеннон у

1948 році на основі ймовірнісно-статистичного підходу. Він визначив її як міру
зменшення невизначеності, тобто відбирання необхідних елементів з деякої
їхньої сукупності. Тобто у цьому розумінні інформація – це відомості, що
знімають невизначеність, наявну до їхнього отримання. Згідно з визначенням,
основаним на комбінаториці, зробленим англійським нейрофізіологом У. Ешбі
(1956 р.), інформація детермінується не як ліквідація невизначеності, а як зняття
одноманітності, тотожності. Мірою кількості інформації тут служить ступінь
різноманітності елементів системи або відомостей про неї. Одиницею
вимірювання кількості інформації є біт, який відповідає вибору одного з двох
рівноможливих станів або двох рівноможливих ймовірностей.
Інформація має властивість адитивності: загальна кількість інформації,
необхідної для розв’язання двох задач, рівна сумі окремих інформацій. Тому, як-
що задано число рівноймовірних розв’язків задачі, то інформація пропорційна
натуральному логарифму цього числа.
Щоб оцінити кількість інформації використовують ймовірнісний підхід,
оскільки за Шенноном кожне повідомлення характеризується ймовірністю поя-
ви. Ймовірність певних типів повідомлень встановлюють на основі статистич-
ного аналізу.
Нехай на вхід системи передавання інформації (СПІ) від джерела інформації
надходить сукупність повідомлень, вибраних з ансамблю повідомлень (див.:
рис. 1.6.).
Рис. 1.6. Модель системи передавання інформації з використанням

ансамблю повідомлень
Під ансамблем повідомлень розуміють множину можливих повідомлень з

відомими їхніми ймовірнісними характеристиками: {Х, p(х)}, де Х = {х1,х2…хn } –
множина можливих повідомлень джерела; і = 1,2…m, де m – об’єм алфавіту, p(хі)
– ймовірності появи повідомлень, причому p(хі) 0. Оскільки ймовірності
повідомлень становлять собою повну групу подій, то їхня сумарна ймовірність
рівна одиниці:
m
∑ p ( x ) = 1.
i =1
i
Кожне повідомлення несе в собі певну кількість інформації. Визначимо

кількість інформації, що міститься у повідомленні хі, вибраному з ансамблю
повідомлень джерела {Х, p(х)}. Одним з параметрів, що характеризує це
повідомлення, є ймовірність його появи – p(х), тому необхідно припустити, що
кількість інформації I(хі) у повідомленні хі є функцією p(хі). Ймовірність появи
двох незалежних повідомлень х1 і х2 рівна добутку ймовірностей
p(х1,х2) = p(х1)·p(х2), а інформація, що міститься в них, має властивість
адитивності:
I ( x1 , x2 ) = I ( x1 ) + I ( x2 ) . (1.1)
Тому для оцінення кількості інформації за Шенноном запропонована

логарифмічна міра:
1
I ( xi ) = log = − log p ( xi ) . (1.2)
p ( xi )
Водночас найбільша кількість інформації містить найменш ймовірні пові-

домлення, а кількість інформації у повідомленні про достовірну подію рівна ну-
лю. Оскільки всі логарифми пропорційні, то вибір основи визначає одиницю
інформації: logax = logbx/logba. Залежно від основи логарифму використовують
такі одиниці інформації: 2 – [біт] (binary digit– двійкова одиниця), використову-
ють в інформаційних процесах ЕВМ та інших пристроях, що функціонують на

основі двійкової системи числення; 10 – [діт] (decimal digit – двійкова одиниця),
використовують при аналізі процесів у пристроях, що функціонують на основі
десяткової системи числення. Двійкове слово з восьми символів містить байт
інформації, 1024 байтів утворюють кілобайт (Кбайт), 1024 Кбайтів – мегабайт
(Мбайт) і 1024 Мбайтів– гігабайт (Гбайт), при цьому 1024 = 2 10.
Біт є не лише одиницею кількості інформації, але й одиницею вимірювання
ступеня невизначеності.Тут розуміють невизначеність, яка міститься в одному
досліді, що має два рівноймовірні результати.
Як одиниця статистичної міри інформації біт – це кількість інформації, яка
знімає невизначеність щодо реалізації однієї з двох рівноймовірних (p0=0,5,
p1=0,5) незалежних подій.
Середню кількість інформації для всієї сукупності повідомлень можна отри-
мати шляхом усереднення за всіма незалежними подіями:
m
I ( x) = −∑ pi log pi . (1.3)
i =1
Кількість інформації у повідомленні, що складається з n нерівноймовірних

його елементів рівна за Шенноном:
m
I ( x) = − n∑ pi log pi . (1.4)
i =1
Для випадку незалежних рівноймовірних подій кількість інформації визна-

чають за Хартлі (1928 р.) так:
m
⎛1 1⎞
I ( x) = − n∑ pi log pi = − n ⋅ m ⎜ log ⎟ = n log m. (1.5)
i =1 ⎝m m⎠
Середнє значення кількості інформації на одне повідомлення за Шенноном
визначає ентропію. Сутність ентропії сформулював німецький фізик Больцман
(1871р.). Використовуючи статистичну модель ансамблю молекул газу, він увів
цей параметр як міру хаосу в ансамблі молекул. З цієї позиції поняття
інформація можна класифікувати, як ентропію з протилежним знаком.
На основі описаної моделі ансамблю подій ентропія – це математичне
очікування випадкової величини I (x) визначеної на ансамблі {Х, p(х)}, тобто вона
характеризує середнє значення кількості інформації, що приходить на один
символ (повідомлення):
I ( x) m
H ( x) = M ⎡⎣ I ( x ) ⎤⎦ = = ∑ p ( xi ) log p ( xi ) . (1.6)
n i =1
Наочним прикладом для цього випадку є задача про ентропію системи двох
альтернативних подій з ймовірностями p1 і p2. Ентропія у цьому випадку рівна:
H ( x) = − p1 ⋅ log 2 p1 − p2 ⋅ log 2 p2 =
⎧1; p1 = p2 = 1
⎪ 2
= − p1 ⋅ log 2 p1 − [1 − p1 ] log 2 [1 − p1 ] = ⎨ p1 = 0, p2 = 1 (1.7)
⎪0;
⎩ або p1 = 1, p2 = 0
Ентропія повідомлень має такі властивості: 1) вона є величина дійсна, обме-

жена, не від’ємна, неперервна в інтервалі 0 ≤ p ≤ 1 ; 2) ентропія максимальна для
рівноймовірних подій; 3) ентропія для детермінованих подій рівна нулю;
4) ентропія системи двох альтернативних подій змінюється від нуля до одиниці.
Ентропія чисельно збігається з середньою кількістю інформації, але принци-
пово відмінна від неї, оскільки H (x) визначає середню невизначеність стану
джерела й є його об’єктивною характеристикою. Вона може бути обчислена
апріорно, тобто до отримання повідомлення за наявності статистики
повідомлень. Одночасно, I(х) визначається апостеріорно, тобто після отримання
повідомлення. З отриманням інформації про стан системи ентропія знижується.
1.3. Сигнали. Форми подання інформації [1]
Щоб передати інформацію від джерела до приймача, повідомлення перетво-

рюють у сигнали. За означенням, сигнал – це зміна фізичної величини,
використовуваної для пересилання даних. Як відомо, сигнал утворюється на
основі деякого фізичного об’єкта (процесу) – електромагнітні чи акустичні ко-
ливання, електрична напруга, струм та ін., який традиційно називають “носієм”.
Може відбуватися зміна одного або декількох параметрів (амплітуди, фази, час-
тоти) за визначеним законом передавання інформації. Вважають, що сигнал – це
матеріально-енергетичне втілення повідомлення. Він може перетворюваватися
без зміни змісту інформації з однієї фізичної величини в іншу, зручнішу для об-
роблення комп’ютером. Зміну параметрів фізичної величини за законом переда-
ваного повідомлення називають модуляцією.
Сигнали класифікують на: 1) випадкові і детерміновані (за ступенем
визначеності очікуваних значень); 2) неперервні та дискретні (за структурою
часової змінної); 3) адреси, дані, сигнали керування (за роллю передаваної
інформації);4) низькочастотні та високочастотні, вузькосмугові, широкосмугові
(за спектральним представленням); 5) кодовані, декодовані, дискретизовані (за
способом перетворення); 6) потенціальні та імпульсні (за характером зміни ко-
дованих сигналів у синхронні моменти часу).
Спосіб формалізованого опису різноманітних сигналів називають поданням

інформації. Зазвичай у теорії інформації розглядають не фізичне, а математичне
подання сигналів, тобто їхній опис за допомогою формул, графіків, функцій,
розподілу ймовірностей тощо.
Найбільш поширеними способами подання сигналів є часовий, спектраль-
ний, статистичний. Виділяють такі різновидності сигналів, які описують за ча-
совою функцією y(t):
1) неперервна функція неперервного аргументу в інтервалі часу 0 ≤ t ≤ tk
(див.: рис. 1.7, а);
2) дискретна функція неперервного аргументу (див.: рис. 1.7, б). Значення,
отрмані функцією y(t) утворюють дискретний ряд чисел yі (і =1, 2…k). Значення
аргументу варіює в інтервалі часу 0 ≤ t ≤ tk . Перетворення неперервної функції
y(t) у дискретну множину значень yі називають “квантуванням за рівнем”;
3) неперервна функція дискретного аргументу (див.: рис. 1.7, в). Значення
функції y(t) визначають тільки на дискретній множині tі (і =1, 2…k). Функція y(tі)
може набувати довільних значень у заданому діапазоні. Перетворення функції
y(t) неперервного аргументу t у функцію y(tі) дискретного аргументу tі, назива-
ють дискретизацією (квантуванням) у часі;
4) дискретна функція дискретного аргументу (див. рис. 1.7, г). Значення, що
приймають функція й аргумент, утворюють дискретні ряди чисел y0, y1,… yk і t0,
t1,… tk.
а б в г
Рис. 1.7. Математичне представлення сигналів
Перший тип сигналів описує неперервні (аналогові) сигнали; другий і третій

– дискретно-неперервні, а четвертий – чисто дискретні. Сумісне застосування
дискретизації та квантування дає змогу перетворювати неперервну функцію в
чисто дискретну.
Згідно з теоремою Котельникова, сигнал, описуваний функцією з обмеже-
ним спектром, визначається своїми дискретними значеннями, які відраховують
через інтервал часу t = 1 FC , де FC – ширина спектра. Отже, сигнал y(t) можна
2
передавати окремими миттєвими значеннями, які відраховують через кінцевий

інтервал часу. За цими значеннями комп’ютер повністю відновлює первинний
неперервний сигнал.
Рис. 1.8. Часоімпульсне представлення сигналу y(t) прямокутними імпульсами
До дискретно-неперервних функцій відносять також часоімпульсне пред-

ставлення первинного сигналу y(t) прямокутними імпульсами з неперервним
інформативним параметром, tі/T, де tі – тривалість імпульсів, пропорційна зна-
ченню сигналу; Т – період імпульсів (див.: рис. 1.8).
1.4. Аналогова та цифрова форми подання інформації
Аналогова форма подання інформації. Аналоговою формою подання

(АФП) інформації людство користувалося достатньо давно, не детермінуючи
цієї назви. Однак сам термін (АФП) сформувався внаслідок усвідомлення понят-
тя інформації як предмета вивчення науки та у зв’язку з реалізацією математич-
них моделей в аналогових вичислювальних машинах. Відомо, що такі моделі
використовують як методичну основу аналогових систем диференціальних
рівнянь, які описують різноманітні природні явища та процеси [2, 3].
Загалом інформативним для технічних систем може бути один або декілька
параметрів довільного фізичного процесу. Зокрема, для гармонічних сигналів
інформативними можуть бути амплітудне значення, частота, фаза або їхні
комбінації. Особливістю є те, що для технічних систем зазвичай всі значення
АФП сигналу мають бути однаково інформативними. Ця обставина зумовлює
суттєву особливість АФП – принципову незахищеність від впливу завад. Об’єми
інформації, що її передають за допомогою АФП, через значимість кожного зна-
чення неперервного сигналу в технічних системах можуть бути дуже великими
й обмежені лише заданою точністю реалізації функції технічної системи.
Переважно в аналоговій схемотехніці використовують два види інфор-
маційних сигналів: періодичні (модульовані ⁄ не модульовані) та неперіодичні,
причому незалежною змінною в обох випадках є час.
Під модульованим розумітимемо деякий сигнал, один з параметрів якого

змінюється відповідно до передаваної інформації. Наприклад, для гармонічного
сигналу A(t ) = A0 sin(ωt + ϕ0 ) можливими є три види модуляції:
A(t ) = A0 (t )sin(ω (t ) + ϕ0 ) (амплітудна),
A(t ) = A0 (t )sin [ω (t ) + ϕ0 ] (частотна),
A(t ) = A0 (t )sin [ω (t ) + ϕ (t )] (фазова).
Аналогічні види модуляції можливі і для негармонічних періодичних

сигналів.
Неперіодичні сигнали можуть бути відображені сумою окремих гармонічних
коливань. Апаратом таких перетворень є інтеграл Фур’є:
∞
F (ω ) = ∫
−∞
f (t )e − jωt dt.
При частотному відображенні неперіодичного сигналу зазвичай уводять по-

няття спектра сигналу – як сукупності (суми) гармонічних складових з непере-
рвною змінною частотою й амплітудою, що задовольняє приведеному інтегралу
Фур’є.
Цифрова форма подання інформації має принципові відмінності від
аналогової саме в тому, що з метою забезпечення довільної наперед заздалегідь
точності в області цифрових сигналів (за U чи I) уведені спеціальні зони, зна-
чення сигналів яких або рівнозначні (незалежно від величини зони), або не мо-
жуть бути наявні у принципі (див.: рис. 1.9).
Рис. 1.9. Схема рівнів цифрового представлення інформації згідно з угодою
Це не означає, що струм або напруга фізично неможливі в забороненій зоні

або фізично не відрізняються одне від одного у дозволеній. Насправді є умовна
“домовленість” між розробниками пристроїв про те, як необхідно інтерпре-

тувати певні значення сигналів у пристроях. Зазначимо, що введення дозволених
і заборонених зон еквівалентне введенню надлишкової інформації у передава-
ний сигнал. Саме ця обставина дає можливість підвищити достовірність цифро-
вого повідомлення, але й обмежує його інформаційний об’єм.
Кількість дозволених і заборонених зон може бути довільною, її визначають
за прийнятою системою числення. Разом з тим кожній з дозволених зон умовно
присвоюють значення деякої цифри. Однак на практиці домовленість про пред-
ставлення інформації та реалізація цієї угоди в технічних пристроях зовсім не є
одне одне і те ж саме. Для прикладу, фізичні процеси в електронних приладах
протікають неперервно і транзистор “не знає”, що він має реалізувати деяке
цифрове представлення, тому виникає обмеження на кількість зон при цифровій
формі представлення інформації. За сучасного рівня розвитку електроніки
компроміс між бажаним і можливим реалізований на двійковому поданні
інформації (саме через схемотехнічні можливості, а не за бажанням роз-
робників).
При двійковому поданні інформації наявні дві дозволені зони, яким можуть
бути присвоєні значення логічного “0” і “1”, та одна заборонена зона, обмежена
між дном зони високих рівнів та “стелею” зони низьких рівнів. Розміри цих зон
визначають при конкретній технічній реалізації пристрою.
Ще є одна важлива обставина. Деякий цифровий пристрій має не лише фор-
мувати двійкові рівні, але й розпізнати їх при прийманні. А це означає, що в
угоді про цифрову форму подання інформації необхідно ввести ще одну зону –
зону порогової напруги – деякої напруги, величина якої не залежить від величи-
ни логічних рівнів. Конкретну величину порогової напруги визначають за схе-
мою цифрового елемента та використовуваними в ньому характеристиками
напівпровідникових приладів.
Перевищення порогової напруги (за “нульової” вхідної напруги) зазвичай
веде до відкривання транзистора формувача рівня в логічному елементі
(відкриваюча завада). При “одиничній” вхідній напрузі можлива закриваюча за-
вада. Отже, з уведенням порогової напруги заборонена зона розпадається на дві
зони: зону відкриваючих і зону закриваючих завад. Величину цих зон визнача-
ють за заданою завадостійкістю – здатністю логічного елемента достовірно
відрізняти високі та низькі рівні сигналів за наявності завад. Необхідно говорити
про статичну та динамічну завадостійкість, розуміючи, що при визначенні ве-
личини статичної завадостійкості не враховують часові параметри завади (час
дії завади суттєво більший від часу перемикання цифрового елементу). Якщо
час дії завади порівняний з часом перемикання цифрового елемента, то говорять
про динамічну завадостійкість.
Зазначимо, що розбиття на зони може бути реалізоване до різних

конфігурацій сигналів, наявних у часі. Насамперед за амплітудою (амплітудна
форма), або за часом (часоімпульсна форма). Друга форма забезпечує велику
завадостійкість, однак веде до достатньо громіздких технічних рішень, не знай-
шовши сьогодні застосування.
У разі поданні інформації амплітудою деякого сигналу суттєве значення ма-
ють і його часові параметри. З одного боку вони визначають швидкодію
елементів комп’ютера, з іншого–від цифрового сигналу. Тому серед цифрових
сигналів виділяють імпульси та потенціали. Імпульс – цифровий сигнал, харак-
теристикою якого є його тривалість. Вона є незмінною, однак може змінюватися
при переході від елемента до елемента, в середньому залишаючись постійною.
Потенціал – цифровий сигнал, тривалість якого може бути довільною.
Прикладом описаних видів цифрових сигналів є імпульси, які застосовують
у комп’ютерній електроніці. На рисунку 1.10 зображене часове розгортання
тактових імпульсів, які генеруються у кожному комп’ютері для синхронізації
процесів оброблення інформації.
Рис. 1.10. Часова діаграма імпульсів, генерованих генератором

тактових імпульсів комп’ютера
Початок кожного імпульсу називають тактовим моментом. Часовий інтер-

вал між двома сусідніми імпульсами С називають машинним тактом ТС. На по-
чатку кожного імпульсу С змінюється інформація на входах елементів і вузлах
комп’ютера.
Генератор, що виробляє такі імпульси називають генератором синхро-
нізуючих імпульсів (ГСІ) (або тактових–ГТІ), а самі імпульси синхронізуючими,
або синхроімпульсами. Амплітуда і полярність імпульсу С залежать від фізичних
принципів будови машини. Принцип подання інформації на входи елементів і
вузлів у тактові моменти називають дискретизацією сигналів у часі.
У комп’ютерній схемотехніці застосовують два основні види двійкових
сигналів: потенціальні та імпульсні (див.: рис. 1.11).
Сигнал, який змінюється лише в тактові моменти часу назвали потен-
ціальним. Сигнал, який наростає в тактовий момент, а спадає в межах цього так-
ту, назвали імпульсним. Тривалість потенціального сигналу дорівнює (або крат-
на) тривалості машинного такту.
Рис. 1.11. Діаграми потенціальних та імпульсних сигналів
У логіці значення двійкового сигналу та відповідної змінної Х кодують сим-

волами 0 (“0”) та 1 (“1”). Напругу, що відображає “1” позначають U1, а символ
“0” – U0. Розрізняють два способи кодування логічних сигналів Хі
потенціальними сигналами: позитивний та негативний. За позитивного кодуван-
ня (позитивна логіка (угода)); більший рівень напруги UH з урахуванням знака
відображає “1”, а менший U1 – “0”. Тобто X = 1, якщо U1 = UH та X = 0 при
U0 = U1 (див.: рис. 1.12, а). При негативному кодуванні (негативна логіка) вищий
рівень напруги UH з урахуванням знака відображає “0”, а нижчий U1 – “1”. Тобто
X = 1, якщо U1 = U1 та X = 0 при U0 = UH (див.рис.: 1.12, б).
а б
Рис. 1.12. Логічні угоди:
+ -
а – позитивна Х ; б– негативна Х
Для імпульсних сигналів розрізняють два види кодування: наявність

імпульсу відображає “1”, а брак “0” (див.: рис. 1.13).
а б
Рис. 1.13. Імпульсне кодування:
а – першого роду; б – другого роду
Сучасна цифрова схемотехніка головно користується потенціальними сигна-

лами.
1.5. Принципи організації та структура комп’ютера
Комп’ютер (сomputer,англ.); сomputator,(лат.)– обчислювач; computatrum

(лат.) – рахувати) – програмнокерований пристрій для оброблення інформації.
Конструктивно це може бути механічний, електромеханічний або немеханічний
(електронний) пристрій, призначений для проведення обчислень, які можуть
відбуватися дискретно або безперервно у часі. У вузькому значенні –
електронний цифровий програмований пристрій (електронна обчислювальна
машина) для проведення обчислень заздалегідь визначеним алгоритмом.
Сьогодні практично всі наявні комп’ютери є електронно-обчислювальними ма-
шинами. Структура комп’ютера – це сукупність його функціональних
елементів та зв’язків між ними. Схематично її зображають як структурні схеми,
за допомогою яких можна зробити опис комп’ютера на будь-якому рівні
деталізації. Під елементами потрібно розуміти набір простих схем (типу уз-
годження, допоміжних), а також основних функціональних вузлів послідов-
нісного та комбінаційного типів, арифметико-логічний пристрій, аналого-
цифрові перетворювачі, пристрої пам’яті та ін.
Розглядаючи питання про принципи роботи комп’ютера та його структуру
не можна обійти поняття “архітектура” комп’ютера, оскільки саме вона визначає
внутрішню сутність зв’язків у комп’ютері. Його вперше ввела компанія IBM в
кінці 1950-х років, щоб описати рівень сумісності певного сімейства
комп’ютерів, кожний з яких виконує одні і ті ж команди, але відрізняються за
можливостями реалізації певної програми. З того часу це поняття зазнає різних
дефініцій розробниками комп’ютерних систем, відображаючи таким чином їхню
приналежність до відповідної галузі комп’ютерної індустрії. Наприклад, одне з
них: “архітектура – це логічна організація комп’ютера з позицій програміста“–
однобоко відображає взаємозв’язки в комп’ютері, що наявні лише на абстракт-
ному рівні. Найбільш прийнятним і повним є означення архітектури, як деякого
абстрактного представлення, яке відображає його структурну, схемотехнічну
та логічну організацію. Архітектура визначає принципи дії, інформаційні
зв’язки та взаємне з’єднання основних логічних вузлів комп’ютера, оперативно-
го запам’ятовуючого пристрою (ОЗП), зовнішніх ЗП і периферійних пристроїв
(ПП), а також набір і доступність регістрів, організацію і способи адресації
пам’яті, способи представлення і формати даних, набір команд, оброблення пе-
реривань. Найбільш прийнятними на сьогодні є два типи архітектури, які
поділяють за принципом розділення пам’яті. Перший тип – Гарвардська
архітектура. Він передбачає розділення програм і пам’яті даних, а другий – фон-
Нейманівська (1945 р.) – має характерною ознакою сумісне збереження програм

і даних. В основі побудови переважної кількості сучасних комп’ютерів є
Нейманівська архітектура. На базі цих принципів було створено перші два
покоління комп’ютерів, однак головні з них використовують і в сучасних
поколіннях комп’ютерних систем. Основні принципи Нейманівської машини
такі: використання двійкової системи числення; програмне управління; пам’ять
машини використовують не лише для збереження даних, але й програм; прин-
цип адресності: елементи пам’яті мають адреси, які послідовно пронумеровані;
можливість умовного переходу в процесі виконання програм до довільної
ділянки кодів.
Структурна схема типового персонального комп’ютера зображена на рисун-
ку 1.14.
Рис. 1.14. Структурна схема персонального комп’ютера
Мікропроцесор (МП). Мікропроцесор – центральний пристрій ПК, призна-

чений для управління роботою всіх блоків комп’ютера та виконання арифме-
тичних і логічних операцій над інформацією. МП виконує такі функції: обчис-
лення адрес команд і операндів; вибірку і дешифрацію команд з основної
пам’яті (ОП); вибірку даних з ОП, регістрів МПП і регістрів адаптерів зовнішніх
пристроїв (ЗП); приймання і оброблення запитів і команд від адаптерів на обслу-
говування ЗП; оброблення даних та їхній запис в ОП, регістри СПП і регістри
адаптерів ЗП; вироблення управляючих сигналів для всіх інших вузлів і блоків
ПК; перехід до чергової команди.
Системна шина. Системна шина – основна інтерфейсна система
комп’ютера, що забезпечує спряження та зв’язок усіх його пристроїв між собою.
Системна шина включає: 1) кодову шину даних (КШД), що містить провідники і
схеми для паралельного передавання всіх розрядів коду адреси комірки основної
пам’яті або порту введення-виведення зовнішнього пристрою; 2) кодову шину
адреси (КША), що містить провідники і схеми спряження для паралельного пе-
редавання всіх розрядів коду адреси комірки основної пам’яті або порту введен-
ня-виведення зовнішнього пристрою; 3) кодову шину інструкцій (КШІ), що
містить провідники і схеми спряження для передавання інструкцій (управляю-
чих сигналів, імпульсів) у всі блоки машини; 4) шину живлення, що містить
провідники і схеми спряження для під’єднання блоків ПК до системи енерго-
живлення.
Системна шина забезпечує три напрямки передавання інформації: між МП і
основною пам’яттю; між МП і портами введення-виведення зовнішніх
пристроїв; між основною пам’яттю і портами введення-виведення зовнішніх
пристроїв (у режимі прямого доступу до пам’яті).
Усі блоки, а точніше, їхні порти введення-виведення, через певні уніфіковані
роз’єми під’єднуються до шини однаково: безпосередньо або через контролери
(адаптери). Управління системною шиною здійснюється МП або безпосередньо,
або, що найчастіше, через додаткову мікросхему контролера шини, що формує
основні сигнали управління.Обмін інформацією між зовнішніми пристроями і
системною шиною виконується з використанням ASC II-кодів.
Основна пам’ять. Основна пам'ять (ОП) призначена для збереження та
оперативного обміну інформацією з іншими блоками машини. Вона містить два
типи запам’ятовуючих пристроїв: постійний запам’ятовуючий пристрій (ПЗП) і
оперативний запам’ятовуючий пристрій (ОЗП). ПЗП (ROM – Read Only
Memory) призначений для збереження незмінної програмної і довідникової
інформації; дає змогу оперативно лише зчитувати інформацію, що зберігається в
ньому; ОЗП (RAM– Random Access Memory) призначений для оперативного за-
пису і зчитування інформації (програм і даних), що безпосередньо бере участь в
інформаційно-вичислювальному процесі, який виконується ПК у плинний
період часу. Головною перевагою ОП є її висока швидкодія і можливість звер-
тання до кожної комірки пам’яті окремо (прямий адресний доступ до
комірки).Недоліком цього виду пам’яті є її енергозалежність, тобто зникнення
оброблюваної інформації після вимкнення електроживлення.
Крім основної пам’яті на системній платі ПК є також енергонезалежна
пам’ять CMOS RAM (Complementary Metal-Oxide semiconductor RAM), що
постійно живиться від свого акумулятора; в ній зберігається інформація про

апаратну конфігурацію ПК, яка перевіряється за кожного ввімкнення системи.
Зовнішня пам’ять. Зовнішню пам’ять (ЗП) відносять до зовнішніх пристроїв
комп’ютера; вона призначена для довготривалого збереження довільної
інформації, яка коли-небудь стане необхідною для розв’язування задач. Зокрема,
у ЗП зберігається все програмне забезпечення комп’ютера. ЗП має різні види
запам’ятовуючих пристроїв, але найбільш поширеними є показані на
структурній схемі накопичувачі на жорстких та гнучких магнітних дисках. При-
значення цих накопичувачів – збереження великих об’ємів інформації, запис і
видавання інформації в ОЗП за запитом. Розрізняють НЖМД і НГМД конструк-
тивно, за об’ємами збережуваної інформації, часом її пошуку, запису і зчиту-
вання. У ролі пристроїв ЗП використовують також накопичувачі на оптичних
дисках (CD ROM – Compact Disk Read Only Memory) та рідше стримери. В
останні роки великої популярності набули пристрої флеш-пам’яті.
Джерело живлення. Джерело живлення – блок, що містить системи авто-
номного і мережевого енергоживлення комп’ютера та забезпечує живленням з
номінальними параметрами (напруга, сила струму, частота та ін.) всі
функціональні блоки, вузли та системи комп’ютера.
Таймер. Таймер – внутрімашинний годинник реального часу, що забезпечує
при потребі зчитування поточного моменту часу. Він живиться від автономного
джерела живлення – акумулятора, а отже, при від’єднанні машини від мережі
продовжує працювати.
Генератор тактових імпульсів. Результати функціонування цифрових
схем, які входять до складу комп’ютера, залежать від порядку виконання певних
дій, операцій. Для контролю часових співвідношень, щоб забезпечити
синхронізацію у цифрові схеми влаштовують тактові генератори. Тактовий ге-
нератор – це схема, яка виробляє серію імпульсів. Всі імпульси однакові за
тривалістю. Інтервали між послідовними імпульсами також однакові.
У комп’ютері за час одного такту може реалізуватися багато подій. Якщо
вони мають відбуватися у певному порядку, то такт потрібно розділити на
підтакти. Щоб досягнути кращого розділення, ніж в основного тактового генера-
тора, необхідно зробити розгалуження від задаючої лінії тактового генератора і
встановити схему з певним часом затримування. Таким чином породжується
вторинний сигнал тактового генератора, який зсунутий по фазі щодо первинного
(див.: рис.1.15,а). Часова діаграма (див.:рис. 1.15, б) забезпечує чотири початки
відліку часу для дискретних подій: 1) наростаючий фронт С1; 2) задній фронт
С2; 3) наростаючий фронт С2; 4) задній фронт С2.
Тактові генератори можуть бути синхронними. У цьому разі час стану з ви-
соким рівнем імпульсу рівний часу стану з низьким рівнем імпульсу (див.:
рис. 1.15, б). Щоб отримати асинхронну серію імпульсів потрібно зсунути сиг-
нал задаючого генератора, використовуючи лінію затримування. Потім потрібно

з’єднати отриманий сигнал з початковим сигналом за допомогою логічної
функції І (див.: рис. 1.15, в, сигнал С).
Рис. 1.15. Тактовий генератор (а); часова діаграма

для тактового генератора (б); породження асинхронних тактових імпульсів
Зовнішні пристрої. Зовнішні пристрої (ЗП) – найважливіша складова

довільного вичислювального комплексу. Достатньо сказати, що за вартістю ЗП
становить до 80–85% вартості всього ПК. ЗП ПК забезпечують взаємодію маши-
ни з оточуючим середовищем: користувачами, об’єктами управління та іншими
комп’ютерами. До ЗП відносять: зовнішні запам’ятовуючі пристрої (ЗЗП), або
зовнішню пам’ять ПК; діалогові засоби користувача; пристрої введення
інформації; пристрої виведення інформації: засоби зв’язку і телекомунікацій.
Діалогові засоби користувача включають: відеомонітор; пристрої мовного вве-
дення-виведення – засоби мультимедіа. До пристроїв уведення інформації
відносять: клавіатуру; графічні планшети; сканери; пристрої цілевказівки
(графічні маніпулятори); сенсорні екрани. До пристроїв виведення інформації
відносяться: принтери; графобудувачі (плотери).
Пристрої зв’язку і телекомунікації використовують для зв’язку з приладами

та іншими засобами телекомунікації та для під’єднання ПК до каналів зв’язку,
інших комп’ютерних мереж.
Мультимедіа – це комплекс апаратних і програмних засобів, які дають
можливість людині спілкуватися з комп’ютером, використовуючи різні,
природні для себе середовища: звук, відео, графіку, тексти, анімацію та ін.
Додаткові ІМС. До системної шини і до МП ПК разом з типовими
зовнішніми пристроями можуть бути під’єднані і деякі додаткові ІМС, які роз-
ширюють та покращують функціональні можливості МП: математичний
співпроцесор; контролер прямого доступу до пам’яті; співпроцесор уведення-
виведення; контролер переривань.
Математичний співпроцесор використовують для прискорення виконання
операцій над двійковими числами з фіксованою та плаваючою комою, над
двійково-кодованими десятковими числами для обчислення деяких трансцен-
дентних, у т.ч. тригонометричних функцій.Математичний співпроцесор має
свою систему команд і працює паралельно в часі з основним МП, під його
безпосереднім управлінням. Прискорюються операції в десятки разів. Сучасні
моделі МП, починаючи з 80486 DX, включають співпроцесор у свою структуру.
Контролер прямого доступу до пам’яті (DMA–Direct Memory Access)
забезпечує обмін даними між зовнішніми пристроями й оперативною пам’яттю
без участі МП, що суттєво підвищує ефективну швидкодію ПК. Режим DMA дає
змогу звільнити процесор від рутинного пересилання даних між зовнішніми
пристроями і ОП, віддавши цю роботу контролеру DMA. МП у цей час може
обробляти інші дані або іншу задачу у багатозадачній системі.
Співпроцесор уведення-виведення за рахунок паралельної роботи з МП
суттєво прискорює виконання процедур уведення-виведення при обслуговуванні
декількох зовнішніх пристроїв; звільняє МП від оброблення процедур уведення-
виведення, в тому числі реалізує і режим прямого доступу до пам’яті.
Контролер переривань обслуговує процедури переривання. Переривання –
часове призупинення виконання одної програми з метою оперативного виконан-
ня іншої, у якийсь момент більш важливої (пріоритетної) програми. Контролер
приймає запит на переривання від зовнішніх пристроїв, визначає рівень
пріоритету цього запиту та видає сигнал переривання в МП. Мікропроцесор, от-
римавши цей сигнал призупиняє виконання поточної програми і переходить до
виконання спеціальної програми обслуговування переривання, яке запросив
зовнішній пристрій. Після завершення програми обслуговування відновлюється
виконання перерваної програми.Контролер переривань програмований. Перери-
вання виникають при роботі комп’ютера постійно. Достатньо сказати, що всі
процедури уведення-виведення інформації виконуються за перериваннями.
Елементи конструкції ПК. Конструктивно ПК виконані у вигляді цен-

трального системного блока (див.: рис.1.16), до якого через роз’єми під’єднують
зовнішні пристрої: додаткові блоки пам’яті, клавіатуру, дисплей, принтер та ін.
а б
Рис. 1.16. Загальний вигляд типового системного блоку: зовнішній вигляд (а)
та зі знятою боковою кришкою (б)
Системний блок – металічний каркас (корпус) (1), який є основою для мон-
тажу внутрішніх елементів та вузлів комп’ютера та містить системну плату (12);
блок живлення (2); адаптери; один (іноді більше) накопичувач на жорсткому
магнітному диску (НЖМД) (11); динамік; дисковод для компакт-дисків або інші
накопичувачі (9, 10); модулі оперативної пам’яті (5); органи керування, а також
захищає їх від зовнішнього впливу та механічних пошкоджень, підтримує
необхідний температурний режим у середині системного блоку за допомогою
корпусного вентилятора (4) всередині корпусу, що зазвичай видаляє тепле
повітря з корпусу комп’ютера, зумовлюючи притік холодного повітря ззовні,
екранує створені внутрішніми компонентами електромагнітні випромінювання
та є основою для дальшого розширення системи. Відеокарта (відеоадаптер,
відеоплата) (6) обробляє та виводить графічну інформацію на монітор. Вона
містить свій спеціалізований графічний процесор, який обробляє 2D/3D
графічну інформацію, що дає змогу знизити навантаження на центральний про-
цесор. Модем (7) – пристрій зв’язку для перетворення сигналу за допомогою
процесів модуляції та протилежному йому процесу демодуляції, що дає змогу
комп'ютеру передавати дані по телефонній лінії; він є пристроєм узгодження у
телекомунікаційних системах, системах автоматичного керування тощо. Моде-
ми, застосовувані в комп’ютерній техніці, бувають внутрішні (встановлені

всередині системного блока) та зовнішні (встановлені ззовні). Через мережеву
карту (8) комп’ютер під’єднується до локальної або глобальної мережі (зазвичай
інтегрована на материнській платі).
Серед органів керування, переважно встановлених на передній панелі, мо-
жуть бути: вимикач електроживлення; кнопка загального скидання RESET;
кнопка “сну”, яка дає змогу знизити енергоспоживання, коли комп’ютер не
використовується; індикатори живлення та режимів роботи.
Із тильного боку системного блока розміщені штепсельні роз’ємні з'єднання
– порти для під’єднанняння шнурів живлення і кабелів зв’язку із зовнішніми
(встановленими поза системним блоком) пристроями. В середині системного
блока розміщені плати сполучення пристроїв із центральним процесором та
іншими пристроями на материнській платі (адаптери, контролери і плати роз-
ширення).
Усі комплектуючі системного блока комп’ютера умовно поділяють на дві
категорії. Перша з них включає “життєво” необхідні: корпус, жорсткий диск,
процесор,блок живлення, материнську плату, систему охолодження, оперативну
пам’ять. Друга категорія – ті компоненти, без яких ПК може працювати, але йо-
го функціональність буде серйозно зменшена: відеокарта, привід оптичних
дисків (CD, DVD, BluRay), TV-карта, аудіокарта, супутникова карта.
Найголовнішою частиною системного блока є материнська плата (систем-
на плата), відома також як головна плата (mainboard) – плата, яка містить
основні компоненти комп’ютера. Основу материнської плати становить бага-
тошарова текстолітова (полімерна) конструкція з провідними металічними
доріжками, як на поверхні, так і між шарами, засобом яких електричний струм
передається між елементами плати. Це т. зв. шиноорієнтована плата.Отже, ма-
теринська плата є не лише несучою для головних компонентів, але й виконує
комутативну функцію між ними за допомогою провідних шин. Вона реалізує
схему мінімальної конфігурації, решта функцій реалізується за допомогою чис-
ленних додаткових пристроїв. Усі компоненти з’єднуються шиною. У системній
платі немає відеоадаптера, деяких видів пам’яті і засобів зв’язку з додатковими
пристроями. Ці пристрої (плати розширення) додають до системної плати шля-
хом приєднання до шини розширення, яка є частиною системної плати.
Залежно від геометричних розмірів та практичного призначення комп’ютера
системні плати класифікують за форм-фактором. Зокрема, горизонтальні: Desk-
top (533×419×152 мм), FootPrint (406×406×152 мм), SlimeLine (406×406×101 мм),
UltraSlimeLine (381×352×75 мм). Вертикальні: MiniTower(152×432×432 мм),
MidiTower(172×432×490 мм), BigTower (190×482×820 мм), SuperFullTower (різні
розміри).
Перша системна плата була розроблена фірмою IBM і продемонстрована в

серпні 1981 року (PC-1). У 1983 році з’явився комп’ютер зі збільшеною систем-
ною платою (PC-2). Максимум, що могла підтримувати PC-1 без використання
плат розширення – 64К пам’яті. PC-2 мала вже 256К, але найважливіша
відмінність полягала в програмуванні двох плат. Системна плата PC-1 не могла
без корегування підтримувати найбільш могутні пристрої розширення, такі, як
твердий диск і покращені відеоадаптери.
Схематична конструкція типової
материнської плати зображена на рисун-
ку 1.17. Взаємодія елементів забезпе-
чується чипсетом, який складається, за-
звичай з двох частин — північного моста
(Northbridge) і південного моста (South-
bridge). Північний і південний мости
розміщені на окремих мікро-схемах.
Передусім саме північний і півден-
ний мости визначають особливості
системної плати і те, які пристрої мо-
жуть під’єднуватися до неї. Іншими
ключовими елементами є роз’єми для
підключення центрального процесора,
графічного адаптера, звукової плати,
жорстких дисків, оперативної пам’яті.
Крім них, на платі містяться резистори,
конденсатори, що підтримують роботу
кожної деталі. Живлення материнської
плати, а отже, й всіх під’єднаних до неї Рис. 1.17. Схематичне розміщення
пристроїв забезпечується блоком жив- чипсетів
на материнській платі
лення, поєднаною з платою кабелями.
Всі основні електронні схеми плати і необхідні додаткові пристрої інтегровані в
системну плату, або вони під’єднані до неї за допомогою слотів розширення.
Загальний вигляд типової материнської плати поданий на рисунку 1.18.
На системній платі розміщені:
• Сокет або гніздо центрального процесора. За допомогою контактних
ніжок чи пружних контактів процесор поєднується з сокетом. Здебільшого
передбачається можливість заміни процесорів, проте зрідка центральний проце-
сор припаюють до плати (BGA) (1).
• Мікросхема BIOS призначена для забезпечення первинної роботи
комп’ютера. Вона містить інформацію про під’єднані пристрої, режими їхньої
роботи, та надає користувачеві через графічний інтерфейс на моніторі змогу
змінювати конфігурацію обладнання. Батарея, що міститься поряд, забезпечує

живлення годинника, що служить для синхронізації пристроїв і забезпечує
зручність користування комп'ютером. Наприклад, він визначає системний час і
термін, упродовж якого користувач має змогу увійти в керування BIOS.
• Слоти модулів оперативної памє'яті. Модулі форм-фактора DIMM типу
SDRAM, такі як DDR, DDR2 і новіші (слоти різні для кожного типу пам’яті).
Найчастіше їх три-чотири, хоча на компактних платах їх зазвичай є лише один
або два (2).
Рис. 1.18. Загальний вигляд типової материнської плати
• Роз’єм відеокарти. Спеціалізований роз’єм типу AGP або PCI-Express

служить передусім для установлення відеокарти. Зазвичай він один, втім,
останнім часом зустрічаються плати з двома, а то і з трьома відеороз'ємами. Та-
кож трапляються і системні плати без відеороз’ємів взагалі – їхні чипсети мають
вбудоване графічне ядро і зовнішня графічна карта для них необов’язкова. В ос-
танньому випадку відеокарта використовує частину оперативної пам’яті, а не
окрему відеопам’ять (3).
• Слоти під’єднання додаткових карт розширення стандартів PCI або
PCI-Expressх1(раніше використовувалися слоти ISA). Через них під’єднують
SSD-накопичувачі, контролери USB, WiFi-карти (4).
• Інтерфейси Serial ATA (раніше IDE) для під’єднання дискових
накопичувачів –жорстких дисків і оптичних приводів. Також там може бути
роз’єм для floppy-дисковода (3,5"-дискети). Всі дискові накопичувачі
під’єднуються до системної плати за допомогою спеціальних кабелів, які в

розмовній мові називають “шлейфами” (5).
• Роз’єми живлення (основні два типи –24-контактний ATX і 4-контактний
ATX12V для додаткової лінії +12 V) і дво-, три- або чотирифазний модуль регу-
лювання напруги VRM (Voltage Regulation Module), що складається з силових
транзисторів, дроселів і конденсаторів. Цей модуль перетворює, стабілізує і
фільтрує напругу, що подається від блока живлення (6).
• Задня панель з роз’ємами для під’єднання додаткових зовнішніх
пристроїв — монітора, клавіатури і миші, мережевих-, аудіо- і USB-пристроїв
тощо. Часто комплектована заглушкою, що закриває невикористовуваний
простір між роз’ємами і корпусом.
• Окрім описаних слотів і роз’ємів, на довільній системній платі є велика
кількість допоміжних джамперів (перемичок) і роз’ємів: це можуть бути і кон-
такти для під’єднання системного динаміка, кнопок і індикаторів на передній
панелі корпусу, і роз’єми для під’єднання вентиляторів, і контактні колодки для
під’єднання додаткових аудіороз’ємів і роз’ємів USB і FireWire.
Cтворюючи конструкторські розробки важливо є класифікувати системні
плати за форм-фактором. Форм-фактор системної плати–стандарт, що
визначає розміри системної плати для персонального комп’ютера, місця її
кріплення до корпусу; розміщення на ній інтерфейсів шин, портів введення
/виведення, сокета центрального процесора і слотів для оперативної пам’яті, а
також тип роз’єму для під’єднання блоку живлення. Форм-фактор (як і будь-які
інші стандарти) має рекомендаційний характер, проте більшість виробників
намагається їх дотримуватися, оскільки ціною відповідності наявним стандартам
є сумісність системної плати і стандартизованого устаткування (периферії, карт
розширення) інших виробників. Застарілими вважають: Baby-AT; Mini-ATX;
повнорозмірну плату AT; LPX. Сучасними вважають: АТХ; microATX;
Flex-АТХ; NLX; WTX. Упроваджуваними вважаються: Mini-ITX і Nano-ITX;
Pico-ITX; BTX, MicroBTX і PicoBTX. Також є системні плати невідповідні жод-
ним з відомих форм-факторів. Зазвичай це зумовлено або тим, що комп’ютер є
вузько спеціалізований, або бажанням виробника системної плати є самостійно
виробляти і периферійні пристрої до неї. Причиною може бути також
неможливістю використання стандартних компонентів ( т.зв. “бренд”, наприклад
Apple Computer, Commodore, Silicon Graphics, Hewlett Packard, Compaq частіше
за інших ігнорували стандарти; крім того, в нинішньому вигляді розподілений
ринок виробництва сформувався тільки до 1987 р., коли багато виробників вже
створили власні платформи).
Функціональні характеристики комп’ютера. Головні функціональні ха-
рактеристи комп’ютера : 1) продуктивність, швидкодія, тактова частота;
2) розрядність мікропроцесора та кодових шин інтерфейсу; 3) типи системного,
локальних і зовнішніх інтерфейсів; 4) тип і ємність оперативної пам’яті;

5) наявність, види і ємність кеш-пам’яті; 6) тип і ємність накопичувачів на жор-
стких магнітних дисках; 7) вид і ємність накопичувачів CD і DVD; 8) тип
відеомонітора та відеоадаптера; 9) наявність і тип прнтера; 10) наявність і тип
модему; 11) наявність і види мультимедійних аудіо- та відеозасобів; 12) наявне
програмне забезпечення та вид операційної системи; 13) апаратна і програмна
сумісність з другими типами комп’ютерів; 14) можливість роботи у
вичислювальній мережі та в багатозадачному режимі; 15) вартість, габарити і
вага.
Конкретизуємо деякі з розглядуваних функціональних характеристик.
Продуктивність, швидкодія, тактова частота. Продуктивність сучасних
комп’ютерів оцінюють зазвичай кількістю (у мільйонах) операцій за секунду.
Головно одиницями вимірювання служать: МІПС(MIPS – Millions Instruction Per
Second) – для операцій з числами, представленими у формі з фіксованою комою
(крапкою); Мфлопс (MFLOPS – Millions of Floating point Operation per Second) –
для операцій з плаваючою комою (крапкою).
Оцінення продуктивності комп’ютера завжди приблизне, оскільки зорієн-
товане на деякі усереднені або, навпаки, на конкретні види операцій. У 70-ті ро-
ки двадцятого століття були розроблені усереднені набори операцій (суміші
Гібсона) для різних типів задач: технічних, математичних, економічних та ін. в
які різні команди входили у певному відсотковому співвідношенні. За сумішами
Гібсона можна визначати середню швидкодію комп’ютерів для цих типів задач.
Відомі й більш нові тести – тестові набори фірм-виробників для визначення
швидкодії своїх виробів: показник iCOMP–Intel Corporative Mucroprocessor Per-
formance (1992 рік) для МП фірми Intel; спеціалізовані тести для конкретних об-
ластей застосування комп’ютерів – Winstone97-Busines для офісної групи задач.
Для універсальних комп’ютерів, які виконують різноманітні завдання, ці
оцінки будуть досить неточними, тому для характеристики ПК замість про-
дуктивності зазвичай вказують тактову частоту, яка більш об’єктивно визначає
швидкодію машини, оскільки кожна операція потребує для свого виконання
певну кількість тактів. Знаючи тактову частоту, можна достатньо точно визна-
чити час виконання довільної машинної операції.
Наприклад, у разі браку конвеєрного виконання команд та збільшення
внутрішньої частоти в мікропроцесора тактовий генератор з частотою 100 МГЦ
забезпечує виконання 20 млн коротких машинних операцій за секунду.
Розрядність МП і кодових шин інтерфейсу. Розрядність – це максимальна
кількість розрядів двійкового числа, над яким одночасно може виконуватися
мащинна операція; чим більша розрядність, тим при інших рівних умовах буде
вища продуктивність ПК. Розрядність МП визначається іноді за розрядністю
його регістрів і кодової шини даних, а інколи за розрядністю кодових шин адреси.
Типи системного, локальних і зовнішніх інтерфейсів. Різні типи

інтерфейсів забезпечують певні швидкості передавання інформації між вузлами
машини, дають змогу під’єднати різну кількість зовнішніх пристроїв та їхні ви-
ди, використовувати безпровідні канали зв’язку.
Тип і ємність ОП. Сучасні прикладні програми можуть працювати лише
при певній ємності ОП. Збільшення ємності основної пам’яті у два рази, крім
іншого, збільшує ефективну продуктивність комп’ютера при розв’язуванні
складних задач приблизно в 1,41 рази (закон кореня квадратного). Різні типи ОП
мають різні функціональні можливості.
Наявність, види і ємність кеш-пам’яті. Кеш-пам’ять – це буферна недос-
тупна для користувача швидкодіюча пам'ять, що автоматично використовується
комп’ютером для прискорення операцій з інформацією, що зберігається в більш
повільних запам’ятовуючих пристроях. Наприклад, для прискорення операцій з
основною пам’яттю зорганізується регістрова кеш-пам’ять всередині МП (кеш-
пам’ять першого рівня), або зовні процесора на материнській платі (кеш-пам’ять
другого рівня). Для прискорення операцій з дисковою пам’яттю організується
кеш-пам’ять на комірках електронної пам’яті.
Наявність кеш-пам’яті збільшує продуктивність ПК приблизно на 20%.
Апаратна і програмна сумісність з другими типами комп’ютерів. Така
властивість означає можливість використання програмного забезпечення і
технічних продуктів не лише на конкретному комп’ютері, але й на інших типах
машин.
Можливість роботи у вичислювальній мережі та в багатозадачному
режимі. Багатозадачний режим дає змогу виконувати обчислення одночасно за
декількома програмами (багатопрограмний режим) або для декількох
користувачів (режим багатьох користувачів). Суміщення в часі роботи декількох
пристроїв машини, що є можливим в такому режимі, дає можливість суттєво
збільшити ефективну швидкодію комп’ютера.
1.6. Подання інформації у комп’ютерних системах
1.6.1. Арифметичні основи

Системи числення. Інформацію в комп’ютері прийнято кодувати у двійковій
або двійково-десятковій системах числення.
Система числення – спосіб іменування та зображення чисел за допомогою
символів, що мають певні кількісні значення.Залежно від способу зображення
чисел системи числення поділяють на позиційні та непозиційні.
У позиційній системі кількісне значення кожної цифри залежить від її місця

(позиції) у числі. У непозиційній системі цифри не змінюють свого кількісного
значення при зміні їхнього розміщення у числі.
Кількість (Р) різних цифр, що їх використовують для зображення числа у
позиційній системі числення, називають основою системи числення. Значення
цифр лежить у межах від 0 до Р-1. Узагальнено запис довільного змішаного чис-
ла в системі числення з основою Р може бути репрезентований у вигляді
полінома:
N=an-1 Pn-1+an-2 Pn-2 +…+ ak Pk +…+ a0 P0 + a-1 P-1+a-2 P-2 +…+ a-sP-s . (1.8)
Нижні індекси визначають розміщення цифри у числі (розряд): додатні зна-
чення індексів – для цілої частини числа (m-розрядів); від’ємні значення – для
дробової (s розрядів).
Максимальне ціле число, яке може бути подане у m розрядах:
N max = Pn –1 . (1.9)
Мінімальне значуще, не рівне 0 число, яке можна записати в s розрядах
дробової частини :
N min = P-n (1.10)
Маючи у цілій частині числа m, а у дробовій – s розрядів можна записати
всього P m+s різних чисел.
Двійкова система числення має основу Р=2 та використовує для подання
інформації всього дві цифри – 0 і 1.
Щоб перевести числа з однієї системи числення в іншу застосовують прави-
ла, основані також і на співвідношенні (1.8). Наприклад, двійкове число
101110,101 рівне десятковому числу 46, 625:
101110,1012 = 1· 25 + 0· 24 + 1· 23 + 1· 22 + 1· 21 + 0 ·20 + 1· 2-1 + 0· 2-2 + 1· 2-3 =46,62510.
Практично переведення з двійкової системи у десяткову можна легко вико-
нати, надписавши над кожним розрядом відповідну його вагу та склавши потім
добутки значень отриманих цифр на їхні ваги. Двійкове число 010000012 рівне
6510. Вага 128– цифра 0; 64–1; 32–0; 16–0; 8–0; 4–0; 2–0 і 1–1.
Отже, для переведення числа з непозиційної системи числення з довільною
основою у десяткову систему числення можна використати співвідношення
(1.8). Зворотне переведення з десяткової системи числення у систему з другою
основою безпосередньо за співвідношенням (1.8) достатньо ускладнене. Такий
процес відбувається значно простіше, якщо попередньо перетворити окремо
цілу частину Nц і дробову Nдр. частини виразу (1.8) до вигляду:
Nц = (((… (an-1· P + an-2)· P+…+ a2) · P + a1) · P+ a0);
Nдр = P-1 · (a-1 + P-1 (a-2 + P-1 (a-3 +…+ P-1 · (а-s+1 + P-1 · a-s) …))).
Алгоритм переведення числа з десяткової системи числення у систему чис-

лення з основою Р, оснований на цих виразах, дає змогу оперувати з числами у
тій системі числення, з якої число переводиться, і може бути сформульований
так: 1) при переведенні змішаного числа необхідно переводити його цілу і дро-
бову частини окремо; 2) для переведення цілої частини числа її, а потім дробові
частини отриманих часток від ділення, потрібно послідовно ділити на основу Р
до тих пір, допоки чергова ціла частина частки не виявиться рівною нулю. За-
лишки від ділення, записані послідовно справа наліво, утворюють цілу частину
числа у системі числення з основою Р; 3) для переведення дробової частини
числа її, а потім дробові частини отримуваних добутків треба послідовно мно-
жити на основу Р до тих пір, доки чергова дробова частина добутку не виявить-
ся рівною нулю або не буде досягнута потрібна точність дробу. Цілі частини
добутків, записані після коми послідовно зліва направо, утворюють дробову
частину числа в системі числення з основою Р.
Для прикладу розглянемо переведення з десяткової у двійкову систему чис-
лення числа 46,625. Переводимо цілу частину числа: 46 / 2(залишок 0); 23 / 2= 11
(залишок 1); 11 / 2 = 5 (залишок 1); 5 / 2 (залишок 1); 2 / 2 = 1 (залишок 0);
1 / 2 = 0 (залишок 1). Записуємо залишки послідовно справа наліво –101110, тоб-
то 4610 =1011102. Переводимо дробову частину числа: 0,125· 2 = 0,250;
0,250 · 2 =0,500; 0,500· 2 = 1,000. Записуємо цілі частини отриманих добутків
після коми послідовно зліва направо – 0,101, тобто 0,62510= 0,1012. Отже,
кінцево: 46,62510 = 101110,1012.
Подання чисел з фіксованою та плаваючою комами. У вичислювальних
машинах застосовують дві форми подання двійкових чисел: природна або форма
з фіксованою комою (крапкою); нормальна форма або форма з плаваючою ко-
мою (крапкою).У формі подання з фіксованою комою всі числа зображають у
вигляді послідовності цифр з постійним для всіх чисел положенням коми, яка
відділяє цілу частину від дробової. Наприклад: у десятковій системі числення
п’ять розрядів у цілій частині числа (до коми) і п’ять розрядів у дробовій частині
числа (після коми); числа, записані в таку розрядну сітку мають вигляд: + 00721,
35500; +00000,000328; - 10301, 20260. Ця форма найбільш природна, проста, але
має невеликий діапазон подання чисел, і тому зазвичай неприйнятна для обчис-
лень. Діапазон значущих чисел N у системі числення з основою Р при наявності
m розрядів у цілій і s розрядів у дробовій частині числа (без урахування знаку
числа) є таким:
P − s ≤ N ≥ P m−s .
Наприклад, при Р=2, m =10 і s=6 числа змінюються у діапазоні
0,015<N <1024.
Якщо в результаті операції отримують число, що виходить за допустимі

межі, то переповниться розрядна сітка і дальші обчислення втрачають зміст. У
сучасних комп’ютерах природну форму подання використовують як допоміжну
і лише для цілих чисел.
У формі подання з плаваючою комою кожне число зображають у вигляді
двох груп цифр. Першу групу цифр названо мантисою, а другу – порядком,
причому абсолютна величина мантиси має бути менше 1, а порядок – цілим чис-
лом. У загальному вигляді число у формі з плаваючою комою може бути подане
так:
N = ± MP ± r ,
де M – мантиса числа (M < 1); r – порядок числа (ціле число); P – основа системи
числення.
Наприклад, розглянуті попередньо числа в нормальній формі можливо запи-
сати так: +0,721355·103; +0,328·10-3; -0,103012026·105.
Нормальна форма подання має величезний діапазон зображення чисел і є ос-
новною в сучасних комп’ютерах. Так, діапазон значущих чисел у системі чис-
лення з основою Р при наявності m розрядів в мантиси і s розрядів у порядку
буде:
p − m ⋅ p − ( ps −1) ≤ N ≤ (1 − p − m ) ⋅ p ( ps −1) .
Приклад. При Р = 2, m =22 і s = 10 діапазон чисел простягається приблизно від

10-300 до 10300.
Зазначимо, що всі числа з плаваючою комою зберігаються в машині у т. зв.
нормалізованому вигляді. Нормалізованим називають таке число, в старшому
розряді мантиси якого стоїть одиниця. У нормалізованих двійкових чисел, отже,
0,5 ≤ M < 1.
Алгебраїчне подання двійкових чисел. Знак числа зазвичай кодують
двійковою цифрою, при чому код 0 означає знак “+”, код 1 – знак “ – ”. Для
алгебраїчного подання чисел у вичислювальних машинах використовують
спеціальні коди: прямий код числа; обернений код числа; додатковий код числа,
а два останні коди дають змогу замінити незручну для комп’ютера операцію
віднімання операцією додавання з від’ємним числом.
Додатковий код забезпечує більш швидке виконання операцій, тому в
комп’ютері використовують саме його.
1. Прямий код числа N – [N]пр. Нехай: N=а1, а2,а3…аn:
якщо N > 0, то [N]пр = 0, а1, а2,а3…аn ;
якщо N < 0, то [N]пр = 1, а1, а2,а3…аn ;
якщо N = 0, то має місце неоднозначність [0]пр = 0, 0 … або = 1,0… .
Узагальнюючи результати, отримаємо:
⎧ N , якщо N ≥ 0
[ N ]пр = ⎨ .
⎩1 − N , якщо N ≤ 0
У разі складання обидвох доданків, які мають однаковий знак операцію до-
давання виконують звичайним методом. Якщо ж доданки мають різні знаки, то
спочатку необхідно виявити більше за абсолютною величиною число, виконати
з нього віднімання меншого за абсолютною величиною і різниці присвоїти знак
більшого числа.
Виконання операцій множення і ділення у прямому коді виконують звичай-
ним чином, але знак результату визначають за збігом або незбігом знаків чисел,
які беруть участь в операції.
Операцію віднімання у цьому коді не можна замінити операцією додавання з
від’ємним числом, тому виникають складності, пов’язані з позикою значень зі
старших розрядів зменшуваного числа. У зв’язку з цим прямий код в комп’ютері
майже не використовують.
2. Обернений код числа N – [ N]об.
Позначення a означає величину, зворотну а (інверсію а), тобто якщо а=1, то
a = 0, і навпаки:
якщо N>0, то [ N]об =[ N]пр =0, а1, а2, а3…аn ;
якщо N<0, то [ N]об =[ N]пр =1, a1 , a2 , a3 , … an ;
якщо N=0, то має місце неоднозначність, [0]об =0,00…0 або 1,11…1.
Для того, щоб отримати обернений код від’ємного числа, необхідно всі циф-
ри цього числа інвертувати, тобто у знаковому розряді поставити 1, у всіх зна-
чущих розрядах нулі замінити одиницями, а одиниці нулями. Наприклад, число
N=0,1011, [N]об =10 –1·10-n + N, тобто [N]об =1.1111+ N.
Узагальнюючи результати, отримаємо:
⎧ N , якщо N ≥ 0
[ N ]об = ⎨10 − 1 ⋅10− т + N , якщо N ≤ 0 .
⎩
3. Додатковий код числа N– [ N]дод.:
якщо N 0, то [ N ]дод =[ N ]пр = 0, а1, а2, а3…аn ;
якщо N<0, то [ N ]дод =[ N ]пр = 1, a1 , a2 , a3 , … an + 0,000…1.
Для того, щоб отримати додатковий код від’ємного числа, необхідно всі йо-
го цифри інвертувати (у знаковому розряді поставити одиницю; у всіх значущих
розрядах нулі замінити одиницями, а одиниці – нулями) і потім до молодшого
розряду додати одиницю. У випадку потреби в перенесенні першого після коми

розряду у знаковий розряд, до числа необхідно додати одиницю в молодший
розряд.
Узагальнюючи, можна записати:
⎧ N , якщо N ≥ 0
[ N ]дод = ⎨ .
⎩10 + N , якщо N ≤ 0
Особливості виконання операцій над числами з плаваючою комою (крапкою).
При додаванні (відніманні) чисел з однаковими порядками їх мантиси додають
(віднімають) і результату присвоюють порядок, спільний для вихідних чисел.
Якщо порядки вихідних чисел різні, то спочатку їх вирівнюють (число з меншим
порядком приводиться до числа з більшим порядком), потім виконують
операцію додавання (віднімання) порядків. Якщо при виконанні операції скла-
дання мантис виникає переповнення, то сума мантис зсувається вправо на один
розряд, а порядок суми збільшується на одиницю.
У разі множення чисел з плаваючою комою їхні мантиси перемножують, а
порядки додають.
При діленні чисел з плаваючою комою мантису діленого ділять на мантису
дільника, а для отримання порядку частки з порядку діленого віднімають поря-
док дільника, при чому якщо мантиса діленого більша від мантиси дільника, то
мантиса частки виявиться більше одиниці (переповнення) і її зсувають на один
розряд вправо, водночас, збільшивши на одиницю порядок частки.
Виконання арифметичних операцій над числами, поданими у додаткових ко-
дах. При виконанні арифметичних операцій у комп’ютері зазвичай застосовують
не прості, а модифіковані коди. Модифікований код відрізняється від простого
використанням для зображення знака числа двох розрядів. Другий знаковий
розряд служить для автоматичного виявлення ситуації переповнення розрядної
сітки: у разі браку переповнення обидва знакові розряди мають мати однакові
цифри (нулі або одиниці), а при переповненні розрядної сітки цифри в них бу-
дуть різні. При переповненні результат зсувається вправо на один розряд.
Додають за звичайними правилами додавання двійкових чисел: одиницю
перенесення, що виникає зі старшого знакового розряду, просто відкидають.
Приклади додавання (кома умовно відокремлює знаковий розряд від самого
числа): 1) X = -1101, Y = 1001. Результат додавання: 11,0011 +00,1001 =11,1100
(або –0100); 2) X =–1101, Y = 1001. Результат : 00,1101 +00,1001 = 01,0110 (пе-
реповнення, після зсуву вправо отримаємо 01, 10110 або +10110); 3) X = 1101,
Y = –1001. Результат додавання 00,1101+11, 0111 =100,0100 (або 00,0100);
4) X = – 1101, Y = –1001. Результат додавання 11,0011+11,0111=10,1010 (пере-
повнення, після зсуву вправо отримаємо 11,01010 або –10110).
Множення чисел у додаткових кодах виконують за звичайними правилами

множення двійкових чисел. Єдиною особливістю є те, що якщо множник є
від’ємним (знакові розряди рівні 11), то перед початком множення необхідно
приписати до нього зліва стільки одиниць, скільки значущих розрядів є у друго-
го співмножника справа від коми. Результат (добутку) завжди отримаємо у до-
датковому коді.
Особливості подання інформації в ПК. Числову інформацію всередині ПК
кодують у двійковій або двійково-десятковій системах числення; при введенні –
виведенні довільної інформації використовують спеціальні коди подання
інформації – коди A S C I I. Ці ж коди застосовують для кодування буквенної і
символьної інформацій усередині ПК. Для зручності роботи введені певні
терміни для позначення сукупності двійкових розрядів (біт, байт, параграф,
кбайт, мегабайт, гігабайт, терабайт, петабайт). Ці терміни звичайно використо-
вують як одиниці вимірювання об’ємів інформації, оброблюваної комп’ютером.
Послідовність декількох бітів або байтів називають полем даних. Біти в числі (в
слові, в полі) нумерують справа наліво, починаючи з нульового розряду. В ПК
можуть оброблюватися поля постійної і змінної величини. Поля постійної дов-
жини: слово – 2 байти; подвійне слово – 4 байти; півслово –1 байт; розширене
слово – 8 байтів. Числа з фіксованою комою найчастіше мають формат слова і
півслова; числа з плаваючою комою – формат подвійного і розширеного слова.
Поля змінної довжини можуть мати довільний розмір від 0 до 255, але
обов’язково рівний цілому числу байтів.
Двійково-кодовані десяткові числа можуть бути подані в ПК полями змінної
довжини у т. зв. упакованому (див.:рис. 1.19) і розпакованому форматах. В упа-
кованому форматі для кожної десяткової цифри відведено по чотири двійкові
розряди (півбайта), при чому знак числа кодується в крайньому правому
півбайті числа (1100 – знак “+” і 1101– знак “–”).
ЦФ ЦФ ЦФ … ЦФ Знак
{Байт}
Рис. 1.19. Структура поля упакованого формату
(ЦФ – цифра, знак–знак числа)
Упакований формат використовують в ПК звичайно при виконанні операцій

складання і віднімання двійково-десяткових чисел.
У розпакованому форматі (див.: рис. 1.20) для кожної десяткової цифри
виділяють по цілому байту, водночас старші півбайти (зона) кожного байта
(крім самого молодшого) в ПК заповнюються кодом 0011 (відповідно до ASCII
кодом), а в молодших (лівих) півбайтах звичайним чином кодуються десяткові
цифри. Старший півбайт (зона) самого молодшого (правого) байта використо-

вують для кодування знака числа.
Зона ЦФ ЦФ … Зона ЦФ Знак ЦФ
Рис. 1.20. Структура поля розпакованого формату
Розпакований формат використовують у ПК при введенні–виведенні

інформації, а також при виконанні операцій множення і ділення двійково-
десяткових чисел.
Наприклад число –193(-10) = –00011001001(2 –10) в ПК буде подане:
в упакованому форматі:
0001 1001 0011 1101
у розпакованому форматі:
0011 0001 0011 1001 1101 0011
Код ASCII (американський стандартний код для обміну інформацією) має

основний стандарт і його розширення. Основний стандарт для кодування
символів використовує шістнадцятиричні коди 00-7F, розширення стандарту –
80-FF.
Основний стандарт є міжнародним, його застосовують для кодування
управляючих символів, цифр, знаків пунктуації, букв латинського алфавіту та
інших символів; у розширенні стандарту кодують символи псевдографіки і бук-
ви національного алфавіту.
1.6.2. Логічні основи комп’ютерної електроніки

Основи алгебри логіки (булевої алгебри). В засадах функціонування
логічних пристроїв та вузлів комп’ютерної електроніки є алгебра логіки – науки,
що використовує математичні методи для розв’язання логічних задач. Її використання
ґрунтується на тому, що базові цифрові елементи функціонують у двох стійких ста-
нах і тому можуть бути описані саме такими математичними прийомами. Алгебру
логіки називають булевою алгеброю, або алгеброю висловлень, початок якій покладено
працями англійського математика Дж. Буля. Булевою алгеброю називають множину,
що складається не менше, ніж з двох елементів, на якій визначені три операції – запе-
речення (НЕ), диз’юнкції (АБО), кон’юнкції (І).
Під висловленням розуміють будь-яке твердження, яке може бути істинним
або хибним. Істинному висловленню приписують 1, хибному – 0. Висловлення
можуть бути простими і складними. Складні висловлення складаються з про-
стих. Для об’єднання простих висловлень у складні використовують логічні

зв’язки, що пов’язані логічними функціями, аргументами яких є прості вислов-
лення. Для прикладу, прості висловлювання називають аргументами (змінними)
і позначають літерами Х1,Х2… Хn. У програмуванні та математиці аргумент або
командно- оброблювальні дані називають операндами. Використовуючи логічні
зв’язки НІ, АБО, І, ЯКЩО та ін. будують складні висловлювання, які отримали
назву булевих (логічних) функцій. Їх позначають літерами F, L, K, M, P та ін.
Операція – детермінована дія над одним або декількома операндами, яка
генерує новий результат (об’єкт). У булевих операціях операнди і результат на-
бувають значення “1” і “0”. Булеву операцію над одним операндом називають
одномісною, над двома – двомісною і т.д.
Загалом булеві функції можуть залежати від однієї, двох та n змінних. Зок-
рема для n змінних таку функцію має такий записують: F(Х1, Х2 …Хn).
Областю визначення булевої функції F(Х1,Х2 …Хn) є скінчена множина
різних двійкових наборів n, на кожному з яких вказують значення функції нуль
або одиниці. Кількість різноманітних двійкових наборів дорівнює множині n–
розрядних чисел m=2n.
Основними булевими операціями є логічне заперечення (операція НЕ,
інверсія), диз’юнкція (АБО, логічне додавання) і кон’юнкція (І, логічне мно-
ження).
Логічний зв’язок “НЕ” (заперечення) означає заперечення висловлення і
читається “НЕ ”. Булева функція заперечення – це одномісна булева функція
F= X (“не Х”) результатом якої є значення, протилежне значенню операнда.
Диз’юнкцією називають складне висловлення, що містить декілька простих
висловлень і яке є істинним тоді, коли істинним буде хоч одне з простих вислов-
лень, які входять в це складне висловлення, і хибним, якщо всі прості вислов-
лення хибні. Диз’юнкція становить собою логічний зв’язок “АБО”, її познача-
ютьс “ ∨ ”. Читається “або”. Булева функція диз’юнкція – це булева операція
F = X1 ∨ X 2 (“X1 або Х2”), результатом якої є значення нуль тоді і тільки тоді,
коли обидва операнди мають значення нуль.
Кон’юнкцією називають складне висловлення, що містить два або більше
простих висловлень і яке є істинним тоді і лише тоді, коли істинними є прості
висловлення, і хибним, якщо хоч одне з простих висловлень хибне. Кон’юнкція
– це логічний зв’язок “І”. Читається “і”. Булева функція кон’юнкція – це булева
операція F= X1·Х2 (“X1 i Х2”) результатом якої є значення одиниці тоді і тільки
тоді коли значення кожного операнда дорівнює одиниці. Іноді замість крапки
застосовують знак “ ∧ ” або “&”.
Описані попередньо операції можна задати за допомогою таблиць

істинності. Таблиця істинності – це таблиця, що містить всі можливі комбінації
вхідних логічних змінних і відповідні їм значення логічних функцій.
Розглянемо таблиці істинності базових логічних операцій.
Таблиця істинності функції НЕ сама проста і складається усього з двох
рядків, оскільки вона має всього одну змінну, а кількість варіантів для єдиної
булевої змінної рівне 21 = 2 (див.: табл. 1.1).
Таблиця 1.1 Таблиця 1.2 Таблиця 1.3
X1 X2 X3 F
0 0 0 0
X1 X2 F 0 0 1 0
X F=X 0 0 0 0 1 0 0
1 0 0 1 1 0 1 1 0
0 1 1 0 1 1 0 0 0
1 1 1 1 0 1 0
1 1 0 0
1 1 1 1
Таблиця істинності функції АБО для двох змінних складається з чотирьох

рядків (див.: табл. 1.2). Кількість поєднань цих змінних рівне 22 = 4.
Таблиця істинності логічного множення (кон’юнкції) – функції І для трьох
логічних змінних подана в таблиці 1.3. Кожна з цих змінних може бути або у
стані логічного 0 або логічної одиниці 1. Отже, кількість поєднань цих змінних
рівна 23 = 8.
Розглянуті логічні функції можна змоделювати за допомогою простих елек-
тричних схем, що містять ключі (А, В, С) та які можуть перебувати у
розімкнутому (А=0) або замкнутому (А=1) станах. Тоді за логічний 0 на виході
схеми (F=0) вважають такий її стан, у якому через опір R струм не протікає.
Протікання струму означатиме значення функції F=1.
а б в
Рис.1.21. Схеми реалізації логічних функцій НЕ (а), АБО (б) та І (в)
На рисунку 1.21, а зображена схема, що реалізує логічну функцію НЕ. Оче-

видно, що через опір R струм протікає (F=1), коли А не замкнутий, тобто А=0.
Логічну функцію АБО реалізує схема, подана на рисунку 1.21,б. Очевидно,
що через опір R струм протікає тоді, коли замкнуті або ключ А, або В. Звідси і
назва логічного додавання.
У схемі на рисунку 1.21,в, що реалізує логічну функцію І (кон’юнкція),
струм через опір R протікає лише тоді, коли замкнуті і А, і В, і С. Тому такий
логічний елемент назвали елементом І.
Отже для отримання в комп’ютерній електроніці логічних 0, 1 необхідно
реалізувати стан певних схем з детермінованими параметрами. Для прикладу, в
сучасній схемотехніці для логічних елементів і схем, виконаних за технологією
транзисторно-транзисторної логіки (ТТЛ-схеми), логічний 0 реалізується напру-
гою в діапазоні 0…+0,4 В, а логічна 1 – у діапазоні +2,4…+5 В.
Для основних булевих операцій справджуються такі закони, тотожності,
властивості:
1) асоціативність (сполучний закон): Х1 ∨ Х2Х3=(Х1Х2Х3; Х1Х2Х3) = (Х1Х2)Х3;
2) комутативність (переміщувальний закон): Х1Х2 = Х2Х1; Х1Х2 = Х2Х1;
3) дистрибутивність (розподільний закон): Х1(Х2 ∨ Х3)=Х1Х2 ∨ Х1Х3;
Х1 ∨ Х2Х3 = (Х1 ∨ Х2)(Х1 ∨ Х3);
4) ідемпотентність (виключення повторення): Х ∨ X ∨ X ∨ Х= Х; Х Х Х = Х;
5) закон поглинання: Х1 ∨ Х1 Х2 = Х1; Х1 (Х1 ∨ Х2 = Х1;
6) закон склеювання: X 1 X 2 X 1 X 2 = X 1 ; ( X 1 ∨ X 2 )( X 1 ∨ X 2 ) = X 1 ;
7) закон де-Моргана: X 1 ∨ X 2 = X 1 X 2 ; X 1 X 2 = X 1 ∨ X 2 ;
8) властивості заперечення і констант:
X ∨ X = 1; XX = 0; X = X ; 1 = 0; 0 = 1;
Х ∨ 0= Х; Х ∨ 1=1; Х·1 = Х; Х·0=0;
9) тотожності: X 1 ∨ X 1 X 2 = X 1 ∨ X 2 ; X 1 ( X 1 ∨ X 2 ) = X 1 X 2 .
Виконання всіх цих законів, властивостей тотожностей перевіряють
відставляючи в логічний вираз змінні нуля та одиниці.
Запропоновані такі нові булеві функції:
виключення (заборона) – двомісна булева операція, результатом якої є значення
одиниця тоді і тільки тоді, коли значення одного операнда дорівнює одиниці, а
іншого – нулю:
F2 = X1 X 2 , або F2 = X 1 Х2.
Сума за модулем два (виключальне АБО, заперечення еквівалентності) –

двомісна булева операція, результатом якої є значення одиниці тоді і тільки тоді,
коли операнди мають різні значення. Позначають так:
F6= X1 + Х2 = X 1 Х2 = X 1 Х2 +X1 X 2 .
Заперечення диз’юнкції (операція НЕ, АБО, стрілка Пірса) – булева

операція, результатом якої є значення одиниці тоді і тільки тоді, коли обидва
операнди дорівнюють нулю. Позначають так:
F8 = X 1 ↓ X 2 = X 1 ∨ X 2 .
Еквівалентність (рівнозначність) – двомісна булева операція, результатом

якої є одиниця тоді і тільки тоді, коли операнди набувають однакових значень.
Позначають у вигляді:
F9= Х1 ~ Х2 = Х1 Х2 ∨ X 1 X 2 .
Значення булевих функцій двох змінних подані в таблиці 1.4.

Таблиця 1.4
Булеві функції двох змінних
за пор.
Номер
Значення булевих функцій залежно Позначення

Назви функції
від аргументів Х1, Х2 функції
1 2 3 4
Х1 0 0 1 1
Х2 0 1 0 1
1 F0(Х1, Х2) 0 0 0 0 F0 = 0 Константа 0
F1 = X 1 ∧ X 2
2 F1(Х1, Х2) 0 0 0 1 Кон’юнкція, логічне множення
Заборона по Х2, заперечення

3 F2(Х1, Х2) 0 0 1 0 F2 = X 1 X 2
імплікації
4 F3(Х1, Х2) 0 0 1 1 F3 = X 1 Повторення Х1; змінна Х1
Заборона по Х1, заперечення

5 F4(Х1, Х2) 0 1 0 0 F4 = X 1 X 2
імплікації
6 F5(Х1, Х2) 0 1 0 1 F5 = X 2 Повторення Х2; змінна Х2
F6 = X 1 ⊕ X Сума за модулем 2, логічна

7 F6(Х1, Х2) 0 1 1 0
нерівнозначність
Закінчення табл. 1.4
8 F7(Х1, Х2) 0 1 1 1 F7 = X 1 ∨ X 2 Диз’юнкція
Заперечення диз’юнкції
9 F8(Х1, Х2) 1 0 0 0 F8 = X 1 ↓ X 2
стрілка Пірса
10 F9(Х1, Х2) 1 0 0 1 F9 = X 1 ∼ X 2 Еквівалентність
11 F10(Х1, Х2) 1 0 1 0 F10 = X 2 Заперечення Х2, інверсія Х2
F11 = X 1 ← X 2
12 F11(Х1, Х2) 1 0 1 1 Імплікація від Х2 до Х1
13 F12(Х1, Х2) 1 1 0 0 F12 = X 1 Заперечення Х1, інверсія Х1
F11 = X 1 → X 2
14 F13(Х1, Х2) 1 1 0 1 Імплікація від Х1 до Х2
Штрих Шеффера, заперечен-

15 F14(Х1, Х2) 1 1 1 0 F11 = X 1 X 2
ня кон’юнкції
16 F15(Х1, Х2) 1 1 1 1 F15 = 1 Константа 1
Імплікація (включення) – двомісна булева операція, результатом якої є зна-

чення нуль тоді і тільки тоді, коли операнди набувають однакових значень. По-
значають так:
F11 = Х1 ← Х2 = Х1 X 2 ; F13= Х1 → Х2 = X 1 Х2.
Заперечення кон’юнкції (операція НЕ І, штрих Шефера, заперечення пере-

тину) – булева операція, результат якої дорівнює нулю тоді і тільки тоді, коли
обидва операнди дорівнюють одиниці. Позначають у вигляді:
F14 = Х1 /Х2 = X 1 X 2 .
Схемну реалізацію певної логічної операції здійснюють у комп’ютерній

електроніці логічним елементом (вентилем). Набір взаємозалежних логічних
елементів у поєднанні з формальними методам взаємозв’язку називають
логічною схемою.
Назви та вітчизняні і зарубіжні позначення головних логічних елементів, які
застосовують у комп’ютерній електроніці зображені у таблиці 1.5.
Задавання логічних функцій. Для опису функцій алгебри логіки можуть бу-
ти використані різні способи. Основними з них є: опис у словесній формі, у
вигляді таблиць істинності, алгебраїчних виразів, послідовності десяткових чи-
сел, часовими діаграмами, геометричними фігурами та графами.
Словесний опис функцій алгебри логіки. Такий спосіб найбільш часто за-
стосовують для первинного, початкового опису поведінки логічного пристрою.
Приклад: логічна функція трьох змінних рівна одиниці, якщо хоча б дві вхідні
змінні рівні одиниці.
Опис функцій алгебри логіки у вигляді таблиць істинності. Таблицю, яка
містить всі можливі комбінації вхідних змінних Хn-1, …Х1, Х0 і значення вихідних
змінних Fі, називають таблицею істинності або комбінаційною таблицею. Уза-
гальнено таблиця істинності містить 2n рядки.
Таблиця 1.5
Позначення головних логічних елементів
Умовне графічне
Назва операції Назва елемента ANSI
позначення
1 2 3 4
Заперечення НЕ
Диз’юнкція АБО
Кон’юнкція І
Заперечення
АБО-НЕ
диз’юнкції
І-НЕ
кон’юнкції
Виключальне АБО
еквівалентності
Закінчення табл. 1.5

1 2 3 4
Eквівалентність Еквівалентність
Імплікація Якщо, ТО –––
Заборона НЕ –––
Опис функцій алгебри логіки у вигляді алгебраїчного виразу. Алгебра

логіки дає змогу створювати складні функції, аргументи яких є функції інших
двійкових аргументів. Операція заміни аргументу однієї функції іншими, більш
простими функціями має назву суперпозиції функції. Багатократне використання
принципу суперпозиції дає можливість отримати функції бажаного числа
аргументів.
Елементарну кон’юнкцію отримують кон’юнкцією скінченої множини
логічних змінних та їхніх інверсій.
Приклад: P(X1,X2,X3)= X1 X2 X 3 .
Елементарну диз’юнкцію отримуєть диз’юнкцією скінченої множини

логічних змінних та їхніх інверсій.
Приклад: P(X1,X2,X3)= X1+X2+ X 3 .
Кількість змінних в елементарній кон’юнкції (диз’юнкції) називають її дов-

жиною, що визначає її ранг.
Приклад: P(X1,X2,X3,Х4)= X1+X2+ X 3 + Х4 є диз’юнкція четвертого рангу.
Мінтермом називають функцію, що приймає одиничне значення на одному

зі всіх можливих наборів аргументів, а макстермом – функцію, яка приймає
нульове значення за одного з можливих наборів і одиничне значення за всіх
інших. Мінтерм алгебраїчно становить собою кон’юнкцію аргументів, а мак-
стерм – диз’юнкцію аргументів. Якщо використовують двійкову систему і
кількість наборів аргументів n, то кількість мінтермів або макстермів N=2n.
Диз’юнкцію довільного числа елементарних кон’юнкцій називають
диз’юнктивною нормальною формою (ДНФ).
Приклад: Х1+ Х2 Х3+ X 1 Х2 Х3+Х1 X 2 X 3 .
Кон’юнкцію довільного числа елементарних диз’юнкцій називають

кон’юктивною нормальною формою (КНФ).
Приклад: Х1 (Х1+Х2) ( X 2 +Х3) ( X 1 +Х2+ X 3 ).
Нормальні форми логічних функцій прийнято називати канонічними.

Логічну функцію, задану довільним аналітичним виразом, можна безпосередньо
перетворити у нормальну диз’юнктивну (або кон’юктивну) форми. Для цього
необхідно: виразити всі операції через операції кон’юнкції, диз’юнкції та
інверсій; позбавитися від інверсії над цілими виразами, перейшовши до форми, в
якій є інверсія лише окремих змінних; розкрити дужки,застосовуючи закон
дистрибутивності; привести кон’юнкції (диз’юнкції) до елементарних.
Якщо до складу логічної формули входять набори елементарних кон’юнкцій
однакового рангу, пов’язані з диз’юнкцією, то така форма подання логічної
функції має назву досконалої диз’юнктивної нормальної форми (ДДН Ф). Пра-
вило утворення ДДНФ функції n аргументів полягає в такому: 1) за кожним на-
бором двійкових змінних, за якого функція набуває значення одиниці, скласти
елементарні кон’юнкції (мінтерми);2) в елементарну кон’юнкцію записати не
інвертованими змінні, задані одиницею в таблиці істинності, а інвертованими ті
змінні, які в таблиці істинності задані нулем. Отримані з’єднання називають кон-
ституєнтами одиниці; 3) елементарні кон’юнкції з’єднати знаком диз’юнкції.
Досконалою нормальною кон’юктивною формою (ДНКФ) логічної функції
прийнято називати такий її вираз, який містить елементарні диз’юнкції одного
рангу, пов’язані кон’юнкцією. Правило утворення ДНКФ n аргументів полягає у
такому: 1) з кожного набору двійкових змінних, за якого функція має значення
нуля, скласти елементарні диз’юнкції (макстерми); 2) в елементарні диз’юнкції
записати не інвертованими змінні, задані нулем в таблиці істинності, а
інвертованими ті змінні, які – одиницею. Отримані суми називають
конституєнтами нуля; 3) елементарні диз’юнкції з’єднати знаком кон’юнкції.
Приклад: нехай таблицею істинності задана функція F(X2, X1, X0) (див.
табл. 1.6). Потрібно перетворити її в ДДНФ і ДКНФ.
За таблицею знаходимо, що функція F набуває значення одиниці за чотирьох
наборів аргументів, тому функція ДДНФ буде складатися з з логічної суми чо-
тирьох мінтермів:
F(X2, X1, X0) = X 2 X 1 Х0 + X 2 Х1 X 0 + Х2 X 1 X 0 + Х2 Х1 Х0.
Функція F(X2, X1, X0) в ДКНФ набуває значення нуля за чотирьох наборів
аргументів, вона буде складатися з логічного поєднання чотирьох макстермів:
F(X2, X1, X0) = (Х2+ Х1 + Х0) (Х2 + X 1 + X 0 ) ( X 2 + Х1 + X 0 ) ( X 2 + X 1 + Х0).
Таблиця 1.6
Таблиця істинності функції F(X2, X1, X0)
Значення аргумента Значення ДДНФ ДКНФ

функції F
Х2 Х1 Х0 мінтерм макстерм
0 0 0 0 – Х2+ Х1+ Х0
0 0 1 1 X 2 X1 X 0 –
0 1 0 1 X 2 X1 X 0 –
0 1 1 0 – X 2 + X1 + X 0
1 0 0 1 X 2 X1 X 0 –
1 0 1 0 – X 2 + X1 + X 0
1 1 0 0 – X 2 + X1 + X 0
1 1 1 1 Х2 Х1 Х0 –
ДКНФ використовують рідше, ніж ДДНФ у процесі перетворення логічних

виразів.Отримані формули функції, якщо не застосовувати перетворень, можна
використати для синтезу функціональних схем логічних пристроїв.
Від довільної ДНФ можна перейти до ДДНФ функції за допомогою
рівносильних перетворень. Такий перехід називають розгортанням. Для цього
необхідно: 1) ввести змінні у кожну кон’юнкцію множенням її на рівнозначність
виду Х1+ X 1 = 1, де Х1 – відсутня змінна; 2) розкрити дужки, застосовуючи кому-
тативний закон; 3)позбавитися від кон’юнкцій, які повторюються на основі за-
кону ідемпотентності.
Опис функцій алгебри логіки у вигляді послідовності десяткових чисел. З ме-
тою скорочення запису функцію алгебри логіки іноді подають у вигляді
послідовності десяткових чисел. Водночас послідовно записують десяткові
еквіваленти двійкових кодів конституєнт
одиниці або нуля.
Кубічні комплекси. Основою кубічної
форми є подання кожного набору вхідних
змінних у вигляді n-мірного вектора. Верши-
ни цих векторів геометрично можуть бути
подані як вершини n-мірного куба. Від-
значаючи точками вершини векторів, для
яких функція рівна одиниці, отримаємо гео-
Рис. 1.22. Геометричне подання метричне подання функції у вигляді куба.
функції F(X2, X1, X0) = ∑ (3, 4, 5, 6, 7) Приклад: задана функція F(X2, X1, X0) = =
∑ (3, 4, 5, 6, 7). Геометрично подати у
вигляді куба. Графічний розв’язок задачі проілюстровано на рисунку 1.22.
Набори змінних розміщені на кінцях ребер куба, відрізняються лише однією

змінною. Їх прийнято називати сусідніми. Кожну вершину, в якій функція
набуває одиничне значення, називають нульовим кубом (0-кубом). Записують
0-куб послідовністю вхідних змінних, які утворили його, тобто кодом, що
відповідає конституанті одиниці. Множина нульових кубів утворює нульовий
кубічний комплекс К0.
Якщо два нульові куби комплексу К0 відрізняються лише за однією коорди-
натою (змінною), тобто два набори змінних, для яких функція рівна одиниці, є
сусідніми, то вони утворюють одиничний куб (1-куб). Геометрично це від-
повідає ребру початкового n-мірного куба.Записують 1-куб послідовністю
спільних елементів його 0-кубів з прочерком елементів, що не збігаються. Мно-
жина одиничних кубів утворює одиничний кубічний комплекс К1.
Аналогічно, якщо два одиничні куби комплексу К1 відрізняються лише за
однією координатою (змінною), то вони утворюють двійковий куб (2-куб). Гео-
метрично це відповідає грані початкового n-мірного куба.
Розмірність куба (його ранг) визначається кількістю координат, що не
співпадають. Об’єднання кубічних комплексів К0, К1,…Кm для функції логічної
алгебри n-змінних утворює її кубічний комплекс K(z) = (К0, К1,…Кm)… .
Часова діаграма. Одним з популярних способів задавання булевих функцій є
використання часових діаграм. Значення змінних кодують за наявністю або бра-
ку імпульсів (Х1, Х2) у певному часовому інтервалі. Значення булевої функції
відображається графічно згідно з законами булевої алгебри (див.: рис. 1.23).
Рис. 1.23. Приклад задавання булевої Рис. 1.24. Приклад задавання логічної
функції за допомогою часової діаграми функції за допомогою графа
Задавання логічних функцій графами. На рисунку 1.24 є приклад опису

булевої функції графом (див.: рис. 1.24).
Тут вершини відображають значення нуля і одиниці, а на орієнтованих дугах
змінні вказують умови переходів.
Контрольні запитання до розділу 1
1. Дайте означення науки “комп’ютерна електроніка” та сформулюйте її основні

завдання.
2. Охарактеризуйте основні етапи розвитку засобів інформаційного спілкування,
відомі сьогодні людству.
3. Які основні результати “нульового” покоління розвитку комп’ ютерної
електроніки ?
4. Охарактеризуйте перше покоління розвитку комп’ютерної електроніки.
5. Що є характерним для другого покоління розвитку комп’ютерної електроніки ?
6. Хто і коли створив перший мікропроцесор?
7. Порівняйте четверте і п’яте покоління розвитку комп’ютерної електроніки.
8. Охарактеризуйте вплив розвитку мікроелектроніки на продуктивність комп’ю-
терних систем.
9. Як впливає геометричний скейлінг у мікроелектроніці на основні параметри
елементної бази комп’ ютерної електроніки?
10. Дайте визначення поняття “ інформація”.
11. Опишіть узагальнену схему процесу передавання інформації.
12. Сформулюйте властивості інформації.
13. Які є методи оцінення кількості інформації ?
14. Що таке ентропія повідомлень та які вона має властивості?
15. Сутність методу оцінення кількості інформації за Шенноном.
16. Дайте означення поняттю “сигнал”.
17. Яка класифікація сигналів є загальноприйнята ?
18. Які способи представлення сигналів Вам відомі?
19. Різновиди сигналів, які описують часовою функцією.
20. Які інформаційні параметри має часо-імпульсне подання прямокутних
імпульсів?
21. Розкрийте сутність аналогового та цифрового подання інформації.
22. Які є види модуляції аналогових сигналів?
23. Чому завадостійкість цифрових сигналів вища, ніж аналогових?
24. Нарисуйте блок-схему ПК.
25. Дайте характеристику основних блоків комп’ютера.
26. Коротко охарактеризуйте пристрої, що входять до складу МП.
27. Що таке системна шина?
28. Яка основна характеристика системної шини ?
29. Наведіть ієрархію ЗП ПК.
30. Поясніть призначення ЗП ПК.
31. Класифікуйте зовнішні пристрої ПК.
32. Назвіть склад пристроїв кожної групи зовнішніх пристроїв ПК.
33. Що таке математичний співпроцесор, яке його призначення?
34. Що таке контролер прямого доступу до пам’яті (DMA), яке його призна-
чення?
35. Що таке контролер переривань і яке його призначення?
36. Назвіть основні конструктивні компоненти ПК і дайте їм коротку характери-

стику.
37. Назвіть і поясніть основні функціональні характеристики ПК.
38. Чим визначається продуктивність комп’ютера?
39. Що таке системи числення та які їхні різновиди?
40. Запишіть довільне змішане число у системі числення з основою Р у вигляді
полінома.
41. Сформулюйте алгоритм перетворення чисел з десяткової системи у систе-
му з основою Р.
42. Сутність подання чисел з фіксованою та та плаваючою комами.
43. Запишіть умови формування прямого та оберненого кодів числа.
44. Яка структура поля упакованого формату?
45. Сформулюйте означення булевої алгебри.
46. Типи висловлювань. Операнди.
47. Базові логічні функції.
48. Закони властивості та тотожності, що справджуються для булевих операцій.
49. Нові булеві функції.
50. Способи задавання логічних функцій.
ОСНОВИ ЕЛЕКТРОНІКИ.
Розділ 2.
ГОЛОВНІ ФУНКЦІОНАЛЬНІ ЕЛЕМЕНТИ:
ПРИНЦИПИ РОБОТИ ТА СХЕМНЕ ВИКОРИСТАННЯ
Оброблення інформації в сучасних пристроях комп’ютерної електроніки

пов’язане зазвичай із занесенням, збереженням та зчитуванням зарядових
пакетів у певній просторовій області напівпровідникових бар’єрних структур.
Використовуючи їх для побудови активних приладів, створюють аналогові та
цифрові пристрої оброблення інформації та її передавання. Незважаючи на
великі успіхи у створенні мікро- та наноструктур нового типу, класичні структу-
ри та прилади, виготовлені на їхній основі, мають сьогодні домінуюче станови-
ще в елементній базі сучасної комп’ютерної електроніки.
У зв’язку з цим розглянемо структуру, властивості та приклади схемного ви-
користання головних функціональних елементів електроніки.
2.1. Діоди на основі напівпровідникових бар’єрних структур
2.1.1. Випрямляючі діоди

Діоди цього типу призначені для випрямлення змінного струму. Для них
характерний невеликий опір у відкритому стані, що дає змогу пропускати
значні струми.Частотний діапазон таких діодів лежить в інтервалі 50–20 000
Гц. Крім стандартного випрямлення, такі діоди застосовують у колах
управління і комунікації, для розв’язок в електричних колах, обмеження
викидів напруг з індуктивними елементами та інших колах, де необхідні
елементи з вентильними властивостями. Найбільш застосовувані кремнієві
діоди у дискретному і в інтегральному виконаннях.У кремнієвих випрям-
ляючих діодах зворотні струми на декілька порядків менші, а допустимі
зворотні напруги Uзв суттєво більші, ніж у германієвих (у кремнієвих діодах
– до 2 000 В, у германієвих – до 400 В).
Робочі діапазони температур кремнієвих діодів мають межі: –60 ÷ +125˚С,
германієвих: –60 ÷ +85˚С. Невисока верхня межа робочої температури германію
зумовлена тим, що при Т>85˚С теплове генерування носіїв заряду стає настільки
великим, що різко зростає зворотний струм і ефект випрямлення практично
зникає.Однак у потужних низьковольтних випростувачах використовуються
германієві діоди, оскільки вони володіють меншою прямою напругою, ніж
кремнієві, тобто за однакового струму навантаження значення опору герма-
нієвих діодів у прямому напрямку буде в 1,5–2 рази меншим, ніж у кремнієвих.
Отже, і втрати потужності, що розсіюється в германієвому діоді, будуть в 1,5–
Розділ 2. Основи електроніки. Головні функціональні елементи... 67
2 рази меншими, ніж у кремнієвому. Головними параметрами, що характеризу-

ють властивості випрямляючих діодів, є: 1) середній випрямлений струм Іпр.ср –
середнє за період значення прямого струму; 2) середня пряма напруга Uпр.ср при
заданому значенні середнього прямого струму; 3) максимально допустима зво-
ротна напруга Uзв.max – значення зворотної напруги, яке діод здатний витримати
протягом тривалого часу; 4) середній зворотний струм діода Iзв.ср – середнє за
період значення зворотного струму.
Принцип роботи випрямляючих діодів ґрунтується на здатності добре про-
пускати струм у прямому напрямку і практично не пропускати його у зворотно-
му. Схему простого однопівперіодного випростувача подано на рис. 2.1, а.
Вона містить генератор змінної напруги Uг, навантажений на послідовно
під’єднані резистор і діод. Тому напруга джерела перерозподіляється між діодом
( )
(Uд) і резистором U RH . Для визначення значення струму і напруг Uд і U RH ( )
необхідно описати ВАХ діода і резистора в одних координатах як графічні
залежності та відшукати їхню точку перетину (див.рис. 2.1, б).
ВАХ резистора описують законом Ома:
U −UR
I= Г .
Rh
а б
Рис. 2.1. Схема простого однопівперіодного випростувача (а);
ВАХ діода і резистора навантаження (б)
Графік цієї залежності – це пряма лінія, названа лінією навантаження. Вона

відсікає на осі абсцис відрізок, рівний Uг, а на осі ординат – Uг/Rн.
Зі зміною миттєвих значень напруги генератора лінія навантаження, не
змінюючи свого нахилу, переміщується вліво або вправо. Якщо ж змінити опір
резистора, то зміниться нахил лінії навантаження.
Діаграму роботи діода в режимі випрямлення показано на рисунку 2.2.
Рис. 2.2. Діаграма роботи діода в режимі випрямлення
Струм у колі наявний лише в додатні півперіоди змінної напруги, при чому
до діода прикладена незначна за величиною пряма напруга Uд. У від’ємні
півперіоди струму у колі практично немає і вся напруга генератора підводиться
до діода. Отримана напруга на опорі навантаження пульсуюча. Для усунення цих
пульсацій зазвичай, паралельно до опору навантаження, під’єднують конденса-
тор великої ємності.
У діодах, які працюють на високій частоті, зі зміною полярності напруги ви-
никають імпульси зворотного струму (див.: рис. 2.3, а). Причиною цього явища
є процес розсмоктування накопиченого в базі заряду.
а б в
Рис. 2.3. Процеси в діодах в області високих частот
Коли діод працює на низькій частоті, інерційність процесів накопичення та

розсмоктування заряду не проявляється, оскільки час пролітання носіїв заряду
через базу суттєво менший від періоду зміни випрямляючої напруги. Отож, у
діодах з вузькою базою графіки розподілення концентрації дірок у довільний
момент часу практично лінійні (див:.рис. 2.3, б, в – пунктиром), а імпульс стру-
му становить собою додатну півхвилю синусоїди (див.: рис. 2.3, а). На високій
частоті концентрація дірок зберігається такою ж, як і на низькій частоті,
оскільки часом переміщення дірок через p-n-перехід можна знехтувати.
Швидкісні властивості діодів визначають за динамічними параметрами, до
яких відносять його часові або частотні характеристики: час відновлення tвід
зворотної напруги; час наростання прямого струму Iнар; граничну частоту без
зниження режимів діода fmax.
Час відновлення зворотної напруги tвід є основним параметром випрямляю-
чих діодів, що характеризує їхні інерційні властивості. Його визначають при
перемиканні діода з заданого прямого струму Іпр на задану зворотну напругу Uзв
(див.: рис. 2.4, а).
Рис. 2.4. Графічні залежності,

що репрезентують процеси відкривання та закривання діода
Напруга на вході схеми у момент часу t=0 стрибком набуває додатного зна-
чення Um. Через інерційність дифузійного процесу струм у діоді проявляється не
миттєво, а наростає протягом часу tнар. Водночас з наростанням струму в діоді
знижується напруга на діоді, яка після tнар стає рівною Uпр. У момент часу t1 у
колі встановлюється стаціонарний режим за якого струм діода I H ≈ U m / RH .
Така ситуація зберігається аж до часу t2, коли полярність напруги живлення
змінюється на протилежну. Заряди, накопичені на межі p-n-переходу, деякий час
підтримують діод у відкритому стані, але напрямок струму змінюється на про-
тилежний. По суті, відбувається розсмоктування зарядів на межі переходу. Після
завершення tроз розпочинається процес вимкнення діода, тобто процес
відновлення його запірних властивостей.
Процес відновлення опірних властивостей діода продовжується до часу t4,
після чого діод виявляється закритим. До цього часу струм у діоді стає рівним
нулю, а напруга досягає значення – Um.
Детальний розгляд процесів увімкнення і вимкнення випрямляючого діода
засвідчує, що він не є ідеальним вентилем і в певних умовах володіє про-
відністю у зворотному напрямку.
Аналізуючи графіки, бачимо, що потужність втрат у діоді різко зростає при
його ввімкненні і передусім при вимкненні. Отже, втрати в діоді зростають з
підвищенням частоти випрямленої напруги. При роботі діода на низькій частоті
і гармонічній формі напруги живлення імпульсу струму великої амплітуди немає
і втрати в діоді різко знижуються.
2.1.2. Стабілітрони
Стабілітрони – це напівпровідникові діоди, зворотна гілка яких володіє
ділянкою зі слабкою залежністю напруги від струму, призначені вони для
стабілізації напруги. Таку особливість забезпечують механізми лавинного або
тунельного пробою діодів. Для виготовлення стабілітронів використовують
кремній, оскільки зворотний струм кремнієвих діодів, порівняно з германієвими,
менше залежить від температури. Ймовірність теплового пробою в таких прила-
дах менша і напруга на ділянці пробою майже не змінюється за доволі великої
зміни струму. До початку пробою стабілітрони мають дуже великий статичний
опір (~1 МОм), після пробою – дуже малий диференціальний опір (Rд=1÷50 Oм).
Головними параметрами стабілітрона є: 1) напруга стабілізації Uст – значен-
ня напруги на стабілітроні при заданому струмі стабілізації; вважають з достат-
ньою точністю, що Ucт≈Uпроб (в реальних стабілітронах Ucт=3–200 В); 2) міні-
мальний струм стабілізації Iст min – визначає мінімальний стан пробою; 3) макси-
мальний струм стабілізації Іст max – обмежує максимально допустиму потужність
Іст max=Pmax/Ucт; 4) диференціальний опір (у робочій точці): Rд= ∂U ; 5) статич-
∂I
ний опір у робочій точці Rст=U/I; 6) коефіцієнт якості Q=Rд/Rстат; 7) температур-

⎛ ∂U ⎞
ний коефіцієнт напруги стабілізації ТКНС=(1/Uст) ⎜ ст ⎟ .
⎝ ∂T ⎠
Значення напруги пробою задають концентрацією основних носіїв, отож,
необхідна величина Uст можлива, якщо обрати певний рівень легування бази
діода. В діодах з Uст > 7 B ширина р-n-переходу доволі велика і механізм пробою
лавинний. Зі зростанням температури в таких стабілітронах Uст збільшується,
оскільки зі збільшенням теплового розсіювання довжина вільного пробігу носіїв
зменшується.
У стабілітронах з Uст < 7 B
ширина переходу мала і голов-
ним механізмом пробою є ту-
нельний. Напруга пробою зі
збільшенням температури в
цьому випадку зменшується
внаслідок того, що зменшує-
ться ширина забороненої зони,
що спричиняє зростання ймові-
рності тунелювання. Схема-
тично зсув зворотної гілки Рис. 2.5. Зворотна гілка ВАХ стабілітрона
з лавинним пробоєм при різних
ВАХ стабілітрона з температу-
температурах (Т2<Т1)
рою зображений на рисун-
ку 2.5.
Параметром, який засвідчує
температурну поведінку стабі-
літрона, є температурний
коефіцієнт напруги стабілі-
зації (ТКНС). Графік залеж-
ності ТКНС типових проми-
слових стабілітронів від напру-
ги стабілізації зображений на
Рис. 2.6. Залежність ТКНС від напруги
рисунку 2.6.
стабілізації
Очевидно, при напругах
стабілізації 6÷7 В ТКНС близький до нуля, тобто стабілітрони виявляють прак-
тичну незалежність напруги стабілізації від температури. Стабілітрони з
ТКНС > 0 характеризуються зростанням Uст з підвищенням температури, а діоди
з ТКНС < 0 – протилежним ефектом.
На рисунку 2.7 зображена схема під’єднання стабілітрона для використання
в режимі стабілізації напруги. Така схема містить (баластний) обмежуючий опір
R у нерозгалуженому колі та стабілітрон, під’єднаний паралельно до резистора

навантаження Rн.
Рис. 2.7. Схема стабілізації напруги на основі стабілітрона
Струм стабілізації визначають за рівнянням:

Іст=(Imax+Imin)/2.
Згідно зі схемою, напругу джерела Uдж визначають як суму спадів напруг на
стабілітроні і баластному резисторі R0:
Uдж = Uст + R0(Ін+Іст).
Нестабільність вихідної напруги зумовлена двома головними причинами:
нестабільністю вхідної напруги Uдж і нестабільністю вхідного струму
(нестабільністю опору навантаження).Зі зміною вхідної напруги в межах ∆Uдж.
напруга на стабілітроні і навантаженні Rн змінюється на величину ∆Uст.,
∆Uдж = ∆Uст + R0(∆Ін+∆Іст).
Або, конкретизуючи:
⎛ ΔU cт ΔU ст ⎞
ΔU дж = ΔU cт + R0 ⎜⎜ + ⎟⎟ .
⎝ Rн Rд ⎠
Звідки:
ΔU ст = ΔU дж (1 + R0 Rдж + R0 Rд ) .
Отже, бачимо, що R0/Rд >> 1, ∆Uст << ∆Uдж., тобто зміна напруги на
стабілітроні (на виході) значно менша, ніж зміна напруги на вході.
Зі зміною струму навантаження Ін, що рівносильне зміні опору Rн, струм че-
рез стабілітрон встановлюється таким, що повний струм І0 і напруга на стабі-
літроні Uст. залишаються практично постійними.
Для розрахунку струмів і напруг конкретного кола стабілізації необхідно по-
будувати ВАХ стабілітрона (пряма 1), ВАХ опору навантаження (пряма 2) і
ВАХ обмежувального (баластного) резистора (пряма 3), що видно з рисунка 2.8.
Рис. 2.8. До розрахунку струмів і напруг кола стабілізації
Перетин прямих 1 і 3 визначає значення струму Ідж., спожитого від джерела

живлення (точка А). Перетин графіків 1 і 2 визначає значення струму наванта-
ження Ін (точка В). Різниця струмів Ідж та Ін рівна струму стабілітрона Іст.
Якщо опір навантаження змінюється, то змінюється струм Ін. При зменшенні
Rн струм Ін зростає (точка В опускається вниз), а струм Іст зменшується. Водно-
час положення точки А зберігається незмінним, тобто збільшення струму наван-
таження супроводжується зменшенням струму стабілітрона, а споживання стру-
му від джерела живлення не залежить від навантаження.
Якщо змінити напругу джерела живлення εдж, то точка А змінює своє поло-
ження. При зменшенні εдж (пряма 4) точка А піднімається вгору (точка А'), тобто
зменшується споживання струму Ідж. Унаслідок цього зменшується струм Іст, а
струм Ін залишається постійним. Параметри схеми обирають такими, щоб зі
зміною навантаження і напруги джерела живлення виконувалися нерівності:
ε дж.min -U ст
I ст.min ≤ − I н. min
R0
ε дж.max -U ст
I ст.max ≥ − I дж. min
R0
Тут εдж.min і εдж.max – мінімальна і максимальна напруги джерела живлення, Ін

min н max – мінімальний і максимальний струми навантаження.
, І
2.1.3. Діоди Шоткі

Діод Шоткі (ДШ) – це напівпровідниковий діод, виконаний на бар’єрній
структурі “метал-напівпровідник” (структурі Шоткі). Теорія таких контактів
була розроблена німецьким вченим Шоткі, внаслідок чого вони й отримали таку
назву. Діоди Шоткі відрізняються тим, що їхня робота основана на перенесенні
основних носіїв. При прямому зміщенні електрони з напівпровідника переходять
у метал. Їхня енергія на eφδ більша, ніж енергія електронів у металі. Електрони з
напівпровідника швидко (~ 10-12 с) втрачають на співударах свою надлишкову
енергію і не можуть повернутися в напівпровідник. У ДШ не нагромаджується
заряд неосновних носіїв (що головно й знижує швидкодію), тому їх застосову-
ють у швидкодіючих імпульсних та високочастотних діодах. Типовий час
відновлення зворотної напруги опору ДШ на основі Au – Si ~ 10 пс та менше.
Зворотні струми ДШ на три–чотири порядки більші від аналогічних струмів
у діодах з p – n переходом, а прямі напруги для ДШ значно нижчі
(див.:рис. 2.9).Тому використання ДШ супроводжується невеликим
тепловиділенням, а, отже, малим енергоспоживанням.
а б
Рис. 2.9. Прямі ВАХ напівпровідникових діодів в області великих (а) і малих (б) струмів:
1 – діод Шоткі; 2 – діод на основі p - n переходу
Сьогодні силові ДШ найбільш ефективні як низьковольтні швидкодіючі

діоди на великі струми.
Ще однією з особливостей ДШ є ідеальність прямої вітки ВАХ – вона
повністю відповідає розрахунковій, причому зі зміною прямого струму в межах
декількох порядків залежність lg I пр = f (U пр ) близька до лінійної. Тому ДШ
можна використовувати як швидкодіючі логарифмічні елементи.
2.1.4. Фотодіоди
Фізичні процеси при освітленні p–n переходу є основою для реалізації двох
режимів роботи (за двома схемами увімкнення) ФД: вентильного (режим гене-
рування фото-е.р.с.) та фотодіодного (режим фотоструму). На рисунку 2.10
подані схеми таких увімкнень.
а б
Рис. 2.10. Фотодіод у фотовентильному (а) та фотодіодному (б) режимах
У першому випадку під дією світлового випромінювання генерується фото-

е.р.с. У режимі “ короткого замикання“ у зовнішньому колі між областями n і p
ФД проходить максимальний зворотний струм Iзв, якщо навантаження RH = 0.
При ввімкнутому навантаженні фотострум зменшується. В режимі холостого
ходу (RH = ∞) фото- е.р.с. ES =US, оскільки фотострум дорівнюватиме 0. Режим
роботи ФД US≥0 називають генераторним.
Якщо подати на діод зворотнє зміщення (див.:рис. 2.10, б), він функціо-
нуватиме в ролі фотоприймача, струм якого залежить від освітлення. При дос-
татньо великих зворотних зміщеннях струм не залежить від напруги, його ви-
значають лише за інтенсивністю світла.
Для підвищення ефективності сьогодні запропоновані різновиди фотодіодів:
р–і–n фотодіоди, Шоткі-фотодіоди (підвищені частотні властивості) та ФД на
базі напівпровідникових гетероструктур (високий к.к.д.). Вибираючи пари
напівпровідників для гетероструктури, можна побудувати ФД, чутливі практич-
но у довільній частині оптичного діапазону довжин хвиль.
2.1.5. Активні координатно-чутливі фотодіоди

Приладами такого типу називають фотодіоди, в яких використовується
поздовжній фотоефект, а фото-е.р.с. у них залежить не лише від
інтенсивності та частоти падаючого випромінювання, але й координат
світлової плями. Такі ФД є найбільш перспективними і важливими в практич-
ному аспекті з-поміж відомих аналогових координатно-чутливих фото-
приймачів.
Координатно-чутливий фотодіод становить собою плоский протяжний p–n-
перехід, утворений двома областями з різними типами провідності (див.
рис. 2.11).
Рис. 2.11. Конструкція координатно-чутливого фотодіода (а)

та його еквівалентна схема (б)
Діод такого типу складається не з розділених контактів до p- і n -областей, а

з двох контактів (1 і 2) до бази n–типу. Умовою реєстрування поздовжньої фото-
е.р.с., що виникає між ділянками області одного типу провідності в напрямку,
паралельному площині p–n переходу, є нерівномірне освітлення поверхні фото-
приймача. Ці прилади відрізняються простотою виготовлення, високою
роздільною здатністю, а головне – для свого функціонування не потребують до-
даткових джерел живлення, оскільки вихідним сигналом таких фотоприймачів є
фото-е.р.с., залежна від координати світлового зонда на поверхні фотоприймача.
Зазвичай ця залежність лінійна, а значення фото-е.р.с. досягають одиниць мВ.
Механізм появи поздовжньої фото-е.р.с. зумовлений явищами реінжекції.
Принцип дії описаного фотодіода можна пояснити на прикладі його
еквівалентної схеми (див.:рис.2.11,б). Оскільки ρ p ρ n , а товщини p– і –n об-
ластей Wn W p , то p–область можна вважати еквіпотенціальною поверхнею.
Область p–n переходу і бази можна розглядати як розподілені по довжині діоди
та резистори.
При освітленні ділянки ФД в ньому виникає фото-е.р.с. під дією якої в кож-
ному елементарному контурі з діода і резистора течуть струми, які створюють
спад напруги на кожному резисторі. Напруга на контактах 1 і 2 – U12 є сумою
напруг на всіх резисторах. Зокрема:
U12 = I 2 R2 + I 3 ( R2 + R3 ) + … + I m ( R2 + … Rm ) − I1 R1 .
(
При заданому положенні x < l )
2
променя світла на контакті 1 встановить-
ся “– U12”, а на контакті 2 “+”. За переміщення променя в точку між резистора-
ми R2 – R3 складове I2R2 набуває від’ємного значення і напруга U12 зменшиться.
У випадку переміщення променя в центр пластини кількість від’ємних і додат-
них членів у цьому виразі стає однаковою і в результаті – U12 = 0. При подаль-
шому зміщенні променя в бік контакту 2 знак напруги U12 змінюється на проти-
лежний.
Напруга U12 завжди менша фото-е.р.с. діода за рахунок рекомбінаційних та
інших втрат.
Основними проблемами при розробленні координатно-чутливих фотодіодів
є підвищення величини фото-е.р.с. та отримання структур з лінійними характе-
ристиками “напруга–координати”.Конструктивно-технологічно підвищити
чутливість можна, використовуючи гетеропереходи. Внаслідок відмінної висоти
потенціальних бар’єрів для електронів і дірок у них відбувається більш повне
розділення генерованих світлом носіїв заряду, тому струм крізь запірний шар
більший, а, отже, зростає поздовжня фотонапруга U12.
Запропоновані сьогодні схемотехнічні способи зведені до використання
зовнішніх резистивних подільників і додаткових джерел живлення. Подання
додаткової напруги, наприклад, між електродами 1 і 3, зміщує вихідну характе-
ристику в довільний бік від центру симетрії структури, залежно від напруги, а
також змінює чутливість елемента і може бути використана для модуляції
вихідного сигналу. Однак використання додаткових елементів та джерел жив-
лення суттєво ускладнює пристрій, що є проблемою при конструюванні авто-
номних систем перетворення фізичних величин.
2.2. Біполярна електроніка
2.2.1. Біполярні транзистори: модель та фізичні основи роботи

Біполярний транзистор – це напівпровідниковий прилад з двома взаємо-
діючими p-n-переходами, сформованими у межах одного монокристала, що
володіє підсилювальними властивостями за рахунок явищ інжекції та екст-
ракції неосновних носіїв заряду. Розрізняють p-n-p- і n-p-n-транзистори. Від-
мінності між ними не принципові і стосуються здебільшого зовнішніх джерел
живлення і несуттєвих, з фізичної точки зору, відмінностей у значеннях рухливості
для дірок та електронів. Усі описані закономірності функціонування будуть спра-
ведливі для обох типів транзисторів.
Моделі біполярних транзисторів зображені на рисунку 2.12.
Рис. 2.12. Моделі біполярних p-n-p- та n-p-n-транзисторів
У структурах цього типу реалізується біполярна провідність (звідки бере

своє походження назва “біполярний транзистор”).
Взаємодія між p-n-переходами можлива, якщо товщина області між p-n-
переходами (ширина бази) менша від дифузійної довжини неосновних носіїв
заряду. В цьому випадку носії заряду, інжектовані одним із p-n-переходів, при
його зміщенні в прямому напрямку, можуть дійти до другого переходу, який зна-
ходиться під зворотним зміщенням, та змінити його струм. Отже, взаємодія p-n-
переходів біполярного транзистора виявляється в тому, що струм одного з
переходів може керувати струмом іншого переходу.
Область транзистора, розміщеного між p-n-переходами, називають базою.
Область транзистора, головним призначенням якої є інжекція носіїв у базу, на-
зивають емітером, а його p-n-перехід – емітерним. Область транзистора, го-
ловним призначенням якої є екстракція носіїв з бази, називають колектором, а
відповідний p-n-перехід – колекторним.
Якщо на емітерному переході зміщення пряме, а на колекторному – зворот-
не, то під’єднання транзистора називають звичним. При протилежній полярності
напруг на переходах під’єднання називають інверсним.
Головні характеристики транзистора визначають, насамперед за процесами,
що протікають у транзисторній структурі.
Розглянемо детально механізм провідності транзистора при його вмиканні в
електричне коло.За звичного під’єднання транзистора емітерний перехід
зміщений у прямому напрямку, а колекторний – у зворотному (див.: рис. 2.13).
Водночас потенціальний бар’єр емітерного переходу понижується, внаслідок
чого відбувається інжекція дірок у базу та електронів в емітер.
Оскільки емітер легований вище, ніж база, потік інжектованих у базу дірок
значно перевищуватиме потік електронів. На межах емітерного переходу
встановлюється підвищена концентрація дірок в області бази pn і електронів в
області емітера np. Значення цих концентрацій визначають за рівнянням:
pn1 = pn0 ⋅ exp ⎛⎜ e ⎞⎟

qU
⎝ kT ⎠
(2.1)
n p1 = n pe0 ⋅ exp ⎛⎜ e ⎞⎟ ,
qU
⎝ kT ⎠
де pn0 – рівноважна концентрація дірок у базі; n pe0 – рівноважна концентрація

електронів в емітері.
Рис. 2. 13. Біполярний p-n-p-транзистор:

а – розподіл струмів і напрямок руху носіїв; б – енергетична діаграма в активному режимі
На рисунку 2.13,а зображена структура бездрейфового p-n-p-транзистора,

описаного напрямку руху дірок і електронів та струмів (а). На рисунку 2.13,
б – енергетична діаграма для нерівноважного випадку у припущенні, що всі три
області напівпровідника володіють однаковими параметрами: ΔЕg, ε.
Інжектовані в базу дірки внаслідок дифузії переміщатимуться до колектор-
ного переходу. Якщо ширина бази Wб значно менша дифузійної довжини дірок
Lp, то майже всі вони дійдуть до колектора і полем запірного шару будуть
перекинуті в область колектора. Дірки, інжектовані в базу, утворюють там до-
датний просторовий заряд, який можна нейтралізувати лише завдяки притоку
електронів через базовий контакт. Причиною такого обмеження є те, що з боку
емітера і колектора обмін електронами практично не відбувається. Ця нейтра-
лізація аналогічно, як у p-n-переході, здійснюється з максвелівським часом
релаксації. Як наслідок, у базі утворюється градієнт концентрації дірок і
електронів, які зміщуються у бік колектора. На цьому шляху деяке число дірок
рекомбінує з електронами і тому до колектора доходить лише їхня частина. Ці
носії безперешкодно екстрагуються колекторним переходом і потрапляють в
область колектора, де вони стають основними носіями. Електрони, які залиши-
лися в базі, для відновлення електричної нейтральності можуть вийти лише че-
рез базовий контакт.
Електронний струм, пов’язаний з перенесенням дірок, рівний різниці між
потоками електронів, що зайшли в базу, і тих, що вийшли з неї для відновлення
електричної нейтральності. Отож, електронний струм бази рівний різниці між
дірковими складовими струму емітера Ipe і струму колектора Ipк: I pб = I pe − I pk .
За своєю фізичною сутністю, струм бази пов’язаний з перенесенням дірок і
зумовлений рекомбінуванням. Повний електронний струм бази рівний:
I б = I nб + I pб . Повний струм колектора рівний: I k = I pk + I nk . Очевидно, що сума
струмів бази і колектора, що витікають з колектора, має бути рівною струму, що
витікає з емітера.
За наявності у вихідному полі резистора навантаження RН, спад напруги на
ньому спричинить пряме зміщення колектора. В цьому випадку, поряд з
екстракцією інжектованих емітером дірок, відбуватиметься інжекція дірок влас-
не колектором. Унаслідок цього колекторний струм стане суттєво меншим, ніж
емітерний. При достатньо великому зворотному зміщенні потенціальний бар’єр
колекторного переходу зростає і за умови (Uк–IкRН)>0 інжекції електронів з ко-
лектора буде не буде взагалі. Разом з тим отримується підсилення потужності,
оскільки струми Ie та Iк приблизно однакові, а опір резистора навантаження
перевищує опір емітерного переходу.
Якщо струм колектора зростає при незмінній напрузі живлення, то фізично
це означає, що опір колекторного переходу знижується і стає того ж порядку, що
й опір емітерного переходу. Отже, в результаті інжекції носіїв з боку від-
бувається перетворення опору колектора (transfer resistor). Опір колекторного
переходу понижується пропорційно до зростання струму інжекції. В результаті
струм може зростати на чотири–п’ять порядків, а опір колектора на стільки ж
знизиться. Оскільки опір колектора стає значно меншим від опору навантажен-
ня, спадом напруги на ньому можна знехтувати і вважати, що вся напруга спадає
на опорі навантаження, тобто Uдж.к =Uвих≈Ie·RH. Спад напруги на емітері рівний:

Ueб=Uвх=IбRe. Оскільки опір навантаження RН значно більший від опору Re
прямозміщеного емітерного переходу, то при однакових струмах Uвих>>Uвх.
Виділена в навантаженні потужність Рвих≈ ≈Uвих·Ie, а потужність в емітерному
полі Рвх≈ Uвх Ie. Оскільки Uвих>>Uвх, то Рвих>>Рвх.
Отже, біполярний транзистор є підсилювальним приладом, здатним
підсилювати потужність.
2.2.2. Коефіцієнти транзистора

Зрозуміло, що підсилення потужності буде тим більшим, чим більша части-
на струму, що пройшла через емітер, доходитиме до колектора. У зв’язку з цим
уведений параметр, який називають коефіцієнтом передавання емітерного
струму:
Ik
αN = . (2.2)
Ie U кб
Коефіцієнт αN близький до одиниці і становить αN=0,99÷0,995. Це

макроскопічний параметр, однак його визначають за двома мікроскопічними
коефіцієнтами:
αN = γ ⋅ β ∗,
де γ – коефіцієнт інжекції, β* – коефіцієнт перенесення.
Коефіцієнт інжекції γ визначає частку електронної складової в загальному
струмі емітера:
I pe I pe
γ= = .
Ie U кб
I ne + I pe
U кб
Підсилювальні властивості n-p-n-транзистора визначає тільки діркова скла-

дова струму інжектованих емітером носіїв заряду, оскільки саме вона доходить
до колектора і виконує функцію “transfer resistor”.
Електронна складова емітерного струму жодних корисних функцій не
виконує, отож, параметр γ має максимально наближатися до одиниці. За рахунок
наявності електронної складової струму емітера коефіцієнт інжекції завжди мен-
I I
ший від 1 на величину, приблизно рівну ne . Отже: γ = 1 − ne .
I pe I pe
I ne
Тому для зменшення відношення . необхідно знижувати концентрацію
I pe
електронів nn0 у базі та зменшувати товщину бази Wб. Концентрацію дірок p p0 в
емітері та їхню дифузійну довжину Lp з цією метою можна збільшувати. Отож,
nn Wб
вираз для коефіцієнта інжекції можна описати як: γ = 1 − 0 . Враховуючи, що
p p0 Lp
N D ⋅ Wб
p p0 ≈ N A і nn0 ≈ N D , отримаємо: γ = 1 − .
N A ⋅ Lp
З останнього співвідношення бачимо, що коефіцієнт інжекції тим ближчий
до одиниці, чим більша різниця концентрацій домішок в емітерному і базовому
шарах і чим менша ширина бази. Тому емітерний шар транзисторів легують
максимально (до виродження), а базу намагаються виготовити з мінімальною
шириною. Значення коефіцієнта інжекції можуть сягати 0,999.
Принциповою умовою для роботи транзистора є великий коефіцієнт інжекції
дірок через емітерний перехід, тобто:
I pe I pe
γp = = → 1,
Ie I pe + I ne
де Іе – повний струм емітера, а Іре, Ine – діркова та електронна складові. Як бачи-

мо з рисунка 2.13, за такої ситуації електрони в області бази “заперті” з боку
емітера за рахунок γ n → 0 , а з боку колектора – високим потенціальним
бар’єром (φ0+qUк).
Результуючий електронний струм бази Inб дорівнює різниці:
I nб = I ne − I nk .
Цей струм безперешкодно витікає через антизапірний контакт бази. Для не-
основних носіїв емітерний перехід є інжектуючим, а колекторний –
антизапірним. Отож дірки, на відміну від електронів, можуть безперешкодно
переміщуватися вздовж бази. При γ p ≈ 1 дірковий струм емітера Іре практично
рівний повному струму емітера: I pe = γ p I e ≈ I e .
Коефіцієнт перенесення β* засвідчує, яка частина інжектованих у базу
I pk
дірок доходить до колектора: γ = .
I pe
U кб
Частина інжектованих дірок рекомбінує в базі, та до колектора не доходить,

тому коефіцієнт перенесення завжди менший від одиниці на величину ΔІре.
Втрати інжектованих у базу електронів ΔIрe тим менші, чим вужча база та
більша дифузійна довжина дірок Lр, тому коефіцієнт перенесення визначають:
1 ⎛ Wб
⎞
β ∗ ≈ 1 − ΔI pe = 1 − ⎜⎟⎟ . Зі збільшенням дифузійної довжини Lр
⎜
2 ⎝ Lp
⎠
інжектованих у базу дірок знижуються частотні властивості транзисторів, отож,
коефіцієнт перенесення підвищують головно за рахунок зменшення товщини
бази Wб.
З рисунка 2.13 нескладно побачити, що зв’язок між емітерним, колекторним
і базовим струмами визначають за виразом: I e = I k + I б . За допомогою виразу для
α N можна записати струм колектора: I k = α N ⋅ I e .
2.2.3. Схеми під’єднання транзисторів. Механізм підсилення сигналів

Залежно від типу спільного електрода, щодо якого відраховують потенціал,
розрізняють три схеми під’єднання транзисторів: схему зі спільною базою (СБ),
схему зі спільним емітером (СЕ) і схему зі спільним колектором (СК) (див.
рис. 2.14).
а б в
Рис. 2.14. Схеми під’єднання транзисторів:
а – зі спільною базою; б – зі спільним емітером; в – зі спільним колектором
У всіх схемах припускають, що в емітер/ базу заданий постійний струм

E E
зміщення I ee = e або I бс = k .
RЗМ Rk
Характерні особливості цих схем подані в таблиці 2.1.
Схема зі СБ характеризується, порівняно зі схемами СК і СЕ, найнижчим і
найвищим вихідними опорами. У схемі зі СБ коефіцієнт підсилення за струмом
КІ<1, коефіцієнт підсилення за напругоюі КU>1.
Таблиця 2.1
Номер за Схема
Параметр
порядком СЕ СБ СК
1 Коефіцієнт підсилення
103–104 100–1000 10–100
за потужністю
2 Коефіцієнт передачі напруги 10–1000 10–1000 <1
3 Коефіцієнт передачі струму 10–100 <1 10–100
4 Вхідний опір, Ом >100 10–100 >104
5 Вихідний опір, Ом >10 >100 10–100
Схема зі СЕ характеризується високим вхідним і вихідним опорами, КІ>1,

КU<1. Схема зі СК має найвищий вхідний і найнижчий вихідний опори КІ>1 та
КU<1. Найбільш використовувана схема зі СЕ.
Розглянемо механізм підсилення електричних сигналів транзистором. Для
схеми зі СБ коефіцієнт підсилення за струмом K IСБ = α = ΔI k ΔI e < 1 , тобто
підсилення за струмом не відбувається, однак транзистор зі СБ дає змогу отри-
мати велике підсилення за напругою. Вихідний диференціальний опір транзи-
стора у пологій, горизонтальній області характеристики великий, і в коло колек-
тора можна під’єднати послідовно великий опір навантаження. Для вихідного
кола транзистор становить собою генератор струму ΔI k з великим вихідним
внутрішнім диференціальним опором. Зі зміною струму емітера на мале значен-
ня напруга на колекторі транзистора змінюється на більше значення:
ΔU k = ( Rk / Rвих )ΔI k ,
де Rk / Rвих = Rk Rвих ( Rk + Rвих ) – еквівалентний опір, який визначають паралель-

ним під’єднанням опорів Rk і Rвих .
Вхідний диференціальний опір транзистора Rвх , який визначають за вхідною
ВАХ прямозміщеного р-n-переходу, значно менший Rвих . Зміна вхідної напруги
при зміні вхідного струму на ΔI становить:
ΔU e = Rвх ΔI e ,
коефіцієнт підсилення транзистора за напругою для схеми СБ:

ΔU k ΔI k ( Rk / Rвих ) R /r
KUСБ = = = α k вих .
ΔU e ΔI e rвх rвх
При великих значеннях Rк значення KUСБ зазвичай значно перевищує оди-

ницю.
Коефіцієнт підсилення за потужністю транзистора для схеми СБ KРСБ може

бути суттєво більший від одиниці:
ΔРвих ΔU k ΔI k R /R
K РСБ = = = KUСБ К ICБ = α 2 K вих .
ΔРвх ΔU e ΔI e Rвх
Отже, біполярний транзистор є активним елементом електричного кола,

оскільки дає змогу підсилювати електричні сигнали з KР>1. З фізичної точки зо-
ру, підсилення змінного сигналу на потужності пов’язаний з відбиранням енергії
від джерела живлення вихідного колекторного кола.
У транзисторі, під’єднаному за схемою СЕ, простежується підсилення не
лише за напругою, але й за струмом. У такій схемі вхідним струмом є струм ба-
зи, а вихідним – струм колектора. Згідно з першим законом Кірхгофа, для
струмів транзистора справедлива рівність Ie=Iк+Iб. Ураховуючи співвідношення
(2.1) і (2. 2), отримаємо величину колекторного струму:
α Ik
Ik = Iб − 0
(e ΛU − 1).
k
(2.3)
(1 − α ) (1 − α )
Цей вираз визначає сім’ю вихідних ВАХ транзистора зі СЕ, тобто

залежність I k (U k ) при I б = const . Множник, на який перемножений струм ба-
зи I б , становить собою коефіцієнт підсилення за струмом транзистора зі
спільним емітером, і називають його коефіцієнтом передавання струму бази:
K ICE = β = ΔI k / I б = α /(1 − α ).
У сучасних промислових транзисторах типові значення α лежать у діапазоні

від 0,90 до 0,99, що відповідає β = 9 ÷ 100. У спеціальних мікропотужних тран-
зисторах β може досягати декількох тисяч. Такі транзистори називають “Супер-
бета”. Фізична причина великих значень β полягає в рекомбінаційній природі
базового струму, який в n-p-n-транзисторі повністю має діркову природу. Струм
дірок, які надходять у базу, порушує електронейтральність бази, внаслідок чого
потенціальний бар’єр емітерного n-p-переходу знижується і з n-емітера в базу
надходять електрони. В стаціонарному режимі струм рекомбінацій електронів
має бути рівним струму дірок, які надходять з базового контакту, тобто постійно
має бути рекомбінаційна рівновага цих струмів. Однак час життя дірок у базі
дорівнює часу життя електронів τ n , а електрони проходять базу за значно мен-
ший час: τ = w2 /(2 Dn ), де w –товщина квазінейтральної бази. Отож, для реком-
бінаційної рівноваги необхідний в τ k / τ α разів більший струм електронів з
емітера, порівняно зі струмом бази I б .
−1
τ ⎛L ⎞ ⎡ 1⎛W ⎞ 2 ⎤2
Зі сказаного очевидно, що β ≈ = 2 ⎜ n ⎟ або α ≅ ⎢1 + ⎜ ⎟ ⎥ .

τα ⎝W ⎠ ⎢⎣ 2 ⎝ Ln ⎠ ⎥⎦
Коефіцієнт підсилення за напругою транзистора зі СЕ:
ΔJ k ( Rk / R *
вих ) = β (Rk /R *
вих ) , де
KUCE = л Rвх* і Rвих
*
– вхідний і вихідний опори
ΔJ e R *
вх
*
R
вх
транзистора зі СЕ.
Коефіцієнт підсилення за напругою та потужності транзистора у схемі СЕ:
KUCE = β 2 (Rk
*
/ Rвих ) може бути значним, оскільки тут наявне підсилення як за
Rвх*
струмом, так і за напругою.
Отож, у більшості підсилюваних каскадів використовують транзистор зі
СЕ.Таке під’єднання транзистора є оптимальним також з точки зору узгодження
опорів: вхідний опір транзистора зі СЕ Rвх' більший від вхідного опору Rвх СБ у
(1 + β ) разів.
Транзистор зі СК має коефіцієнт підсилення за напругою не надто менший
одиниці, оскільки різниця потенціалів між базою й емітером практично не за-
лежить від струму бази. Підсилення за струмом значне і становить:
ΔJ k
KUCE = = ( β + 1) >> 1
ΔJ e Rвх*
.
Потенціал емітера в транзисторі зі СК практично повторює потенціал бази.
Отож, схему, побудовану на основі транзистора зі СК, називають емітерним по-
вторювачем.
2.2.4. Моделювання транзистора. Модель Еберса-Мола

Модель Еберса-Мола є ос-
новною при аналізі роботи
транзистора в умовах різних
статичних режимів.
В моделі для розрахунку
струмів транзистор замінюють
його еквівалентною схемою, що
Рис. 2.15. Еквівалентні схеми моделі Еберса-Мола відображає фізичні процеси в
транзисторі (див.: рис. 2.15). Ця
схема є ідеалізованою.
Вона враховує лише головні явища – проходження струмів через p-n-
переходи і передавання струмів з одного кола в інше, кожен p-n-перехід зобра-
жений у вигляді діода, а їхня взаємодія відображена генераторами струмів. Як-

що емітерний перехід відкритий, то в колі колектора проходитиме струм, який
забезпечується генератором αІ1. При відкритому колекторному переході в колі
емітера проходитиме струм, що забезпечується генератором α1І2, де α1 –
інверсний коефіцієнт передавання струму.
Струми діодів визначають за рівняннями:
I 1 = I e0 [ exp(ΛU e ) − 1] ; (2.4, а)
I 2 = I к [ exp(ΛU к ) − 1] , (2.4, б)
де I е0 – струм емітера при Uк=0; I к0 – струм колектора при Ue=0.

Струм емітера і колектора визначають рівняннями:
I e = I1 − α1I 2 ; (2.5, а)
I к = α I1 − I 2 . (2.5, б)
Підставляючи (2.4, а) і (2.4, б) в (2.5, а) і (2.5, б) отримаємо:

I e = I e0 [ exp( Λ U e ) − 1] − α 1 I к [ exp( Λ U к ) − 1] ; (2.6, а)
I к = αI e0 [ exp(ΛU e ) − 1] − I к0 [ exp(ΛU к ) − 1]. (2.6, б)
Ураховуючи, що Iб = Ie − Iк , отримаємо рівняння для розрахунку струму

бази:
I б = (1 − α) I e0 [ exp(ΛU e ) − 1] − (1 − α1 ) I к0 [ exp(ΛU к ) − 1]. (2.7)
Рівняння (2.6–2.7) є математичною моделлю транзистора і мають назву

формул Еберса-Мола в однойменній моделі. Вони дають змогу отримати
аналітичні вирази для довільної сім’ї характеристик у довільній схемі
під’єднання. Наприклад, рівняння 2.8, а дає можливість розрахувати вхідні ха-
рактеристики для різних значень Uк+б:
1) при Uкб=0 (з урахуванням Uе= – Uе-б)
I e = I e0 [ exp(−ΛU eб ) − 1];
2) при Uк-б>>0
I e = I e0 [ exp( −ΛU eб ) − 1] + α1I к ;
3) при Uк+б<<0
I e = I e0 [ exp(−ΛU eб ) − 1] − α1I к ⋅ (−ΛU кб ).
Рівняння (2.6,б) описує сім’ю управляючих і вихідних характеристик. Для

схеми зі СБ у цьому рівнянні треба вважати, що Uе= – Uеб, Uк= – Uкб, а в схемі зі СЕ
– Uе=Uеб, Uк=Uбе–Uке. Якщо (2.6, а) розв’язати щодо I e0 [ exp( ΛU e ) − 1] і результат
підставити в (2.6, б),то отримаємо рівняння сім’ї вихідних характеристик схеми зі
СБ для різних значень струму Іе:
I к = αI e − I к0 [ exp(ΛU к ) − 1]. (2.8,а)
При Uк<<0 це рівняння набуде вигляду:
I к = αI e + I к0 . (2.8, б)
Розглянута модель Еберса-Мола характеризує основні процеси в

транзисторі.Однак вона не дає змоги враховувати деякі особливості реального
транзистора: наявність об’ємних опорів емітера, бази і колектора, зміну ширини
бази при зміні колекторної напруги, струми генерування і рекомбінації в p-n-
переходах та ін.
2.2.5. Статичні характеристики

Для аналізу транзисторних схем широко використовують статичні характе-
ристики. Статичними характеристиками транзисторів називають графіки, які
виражають функціональний зв’язок між постійними струмами і напругами на
електродах транзистора.
Залежно від того, які струми і напруги вважають незалежними змінними,
можливі різні системи функціонального зв’язку та відповідні щодо них сім’ї
статичних характеристик. Загалом зв’язок між струмами і напругами на трьох
електродах транзистора можна описати за допомогою шести різних систем (по
чотири сім’ї характеристик у кожній системі).
Наприклад, якщо в ролі незалежних змінних прийняти вхідний струм і
вихідну напругу: Uв х= f (Iвх.., Uвих..), Івих. = f (Iвх. , Uвих.), то в статичному режимі ці
залежності будуть описані чотирма сім’ями характеристик: вхідними –вихідними
– I вих = f (U вих ) , зворотного зв’язку – U вх = f (U вих ) , прямого передавання –
I вх I вх
I вих = f ( I вх ) U .
вих
Зрозуміло, що для різних схем під’єднання транзистора вхідними та

вихідними слугують струми і напруги на його різних електродах. Тому вигляд
статичних характеристик залежить від схеми під’єднання транзистора.
Для однозначного встановлення залежності між струмами і напругами тран-
зистора достатньо мати дві сім’ї характеристик з чотирьох описаних. Інші дві
можна відшукати за допомогою перебудов. Практично найбільш поширені

вхідні і вихідні характеристики.
Статичні характеристики мають особливе значення при аналізі роботи
підсилювальних схем на транзисторах. За статичними характеристиками виби-
рають оптимальне положення робочої точки транзистора за постійним струмом,
обчислюють допустимі амплітуди коливань змінної напруги і струму на вході,
аналізують лінійність підсилення та інші параметри схеми.
В реальних транзисторних схемах вхідними струмами і напругами слугують
напруги і струми на конкретних електродах.
Характеристики схеми СБ. Для цієї схеми під’єднання характерними є
фіксовані (задані) значення струму емітера і колекторної напруги, тобто вихідні
(колекторні) характеристики описують як залежність I к (U кб ) I , а вхідні
e
(емітерні) – як I e (U eб ) U . Отже, характеристиками схеми СБ є сім’я кривих

кб
описаних функціональних залежностей.

Сім’ї вихідних та вхідних характеристик можна отримати, використовуючи
формули Еберса-Мола. Тобто:
I к = α N I e − I к0 ( e ΛU к −1 ) (2.9)
kT ⎡ I e ⎤
Ue = ln ⎢ ' + 1 + α N ( e ΛU к − 1) ⎥ . (2.10)
q ⎣ I e0 ⎦
На рисунку 2.16 зображена сім’я вихідних характеристик СБ, побудованих
на основі моделі Еберса-Мола. Розглянемо три режими роботи транзистора:
нормальний активний (І), насичення (ІІ) і лавинного пробою (ІІІ). Активний ре-
жим використовують у схемах підсилення, режим подвійної інжекції – в
імпульсних ключових схемах, режим лавинного пробою – у схемах на лавинних
транзисторах.Лавинні транзистори не так широко використовують, як два
попередні, через недостатню стабільність характеристик.
⎛ ⎛ kT ⎞ ⎞
Для активного режиму ⎜ U к > 3 ⎜ ⎟ ⎟ формули (2.9) і (2.10) спрощують:
⎝ ⎝ q ⎠⎠
Iк = α N Ie , (2.11)
kT ⎛ I e ⎞
та U e = ln ⎜ ⎟ . (2.12)
q ⎜⎝ I e' 0 ⎟⎠
Очевидно, що в активному режимі колекторна напруга не впливає на жодну

емітерну / колекторну з розглянутих характеристик. Якщо інжекції з емітера
немає ( Ie = 0) , то залежність I к (U кб ) становить собою звичайну ВАХ p-n-

переходу. Відмінність полягає у тому, що на рисунку 2.16 зворотна гілка
міститься в першому квадранті, а пряма – в третьому внаслідок інжекції з
емітера. При U кб ≥ 0 , у колекторі виникає потік електронів J nk = α N J не , що
створює в колекторному колі струм I к = α N I e . Струм колектора I к зростатиме
пропорційно потоку інжектованих з емітера електронів.
Рис. 2.16. Вихідні характеристики схеми СБ, побудовані згідно з моделлю

Еберса-Мола (суцільні лінії). Реальні характеристики (пунктирні лінії):
І – нормальний активний режим, ІІ – насичення, ІІІ – лавинного пробою
У разі надходження на колектор прямої напруги він інжектуватиме

зустрічний потік електронів. Результуючий потік швидко зменшуватиметься до
нуля зі зростанням прямої напруги на колекторі і при подальшому збільшенні
прямої напруги набуватиме зворотного напрямку.
Отже, в активному режимі колекторна напруга не впливає на вихідні харак-
теристики схеми СБ. Такий висновок справедливий для більшості практичних
випадків. Насправді з підвищенням зворотної колекторної напруги струм колек-
тора в активному режимі слабко зростатиме (пунктирні криві на рисунку 2.16)
внаслідок збільшення зворотного колекторного струму I к0 і коефіцієнта
передачі емітерного струму α N .
На рисунку 2.17 зображені вхідні характеристики схеми СБ. При U кб = 0

вхідна характеристика становить собою звичайну пряму гілку ВАХ емітерного
переходу.
Рис. 2.17. Вхідні характеристики схеми СБ (І, ІІ – області режимів:

нормального активного і насичення)
При подаванні на колектор прямої напруги транзистор переходить у режим

насичення, за якого результуючий потік електронів з емітера, а, отже, і струм
емітера зменшуватимуться, переходитимуть через нуль та змінюватимуть на-
прямок.
Статичні характеристики схеми СЕ. У схемі СЕ керуючим струмом є
струм бази. Вихідні (колекторні) характеристики відображають як залежність
I к (U кe ) I , вхідні (базові) характеристики – як залежність I б (U бe ) U .
б кe
На рисунку 2.18 зображені сім’ї вихідних (а) та вхідних (б) характеристик

схеми СЕ.
а б
Рис. 2.18. Сім’ї вихідних (а) та вхідних (б) характеристик схеми СЕ
(І, ІІ, ІІІ – області режимів: нормального активного,
насичення і пробою колекторного переходу)
Вихідні ВАХ мають деякі відмінності. Області нормального активного ре-

жиму і режиму насичення розміщені в одному (першому) квадранті, тобто ре-
жим подвійної інжекції в схемі СЕ виникає не при від’ємних потенціалах на
колекторі, як у схемі СБ, а при малих додатних потенціалах Uк. Адже у схемі СЕ
на базу подається додатний потенціал, отож, колекторний перехід відкри-
вається при U к ≤ U б . У схемі СЕ, порівняно зі схемою СБ, вихідні характеристи-
ки піднімаються крутіше, струм насичення більший, а пробивна напруга менша
(див.: рис. 2.19). Це пояснюють тим, що в схемі СЕ вихідна напруга Uкe частково
прикладена до емітерного переходу, тому з підвищенням Uкe зростають Uбе, Ie та
Iк = α N Ie .
Вхідні ВАХ мають такі головні особливості. В режимі насичень при Uк<Uб
базовий струм суттєво зростає, порівняно з нормальним активним режимом,
оскільки в цьому випадку струм бази утворюється в результаті інжекції з двох
паралельно під’єднаних переходів – емітерного та колекторного.
У нормальному активному режимі базовий струм зменшується з
потенціалом бази, доходить до нуля і змінює свій напрямок. Нахил ВАХ у схемі
СЕ значно більший, ніж у схемі СБ. Крім того, напруга пробою транзистора у
схемі СЕ менша, ніж у схемі СБ.
Вхідні та вихідні характеристики схеми СК аналогічні до характеристик

схеми СЕ.
Рис. 2.19. Ілюстрація ходу вихідних характеристик, струмів насичення

Ік0 і пробивних напруг у схемах СБ і СЕ
2.2.6. Поняття робочої точки та навантажувальна характери-

стика. Підсилювальний каскад на біполярному транзисторі
Аналіз довільної транзисторної схеми зазвичай починають з вивчення її
ВАХ. При такому аналізі головною є вихідна характеристика.
Однак, для прикладу, при роботі підсилювального приладу величини вихід-
ної напруги і струму не залишаються незмінними, а зазнають деяких коливань за
законом зміни підсилювального сигналу в певному діапазоні значень, що за-
дається зовнішніми колами. Щодо цього у кожен момент часу на сім’ї вихідних
характеристик можна вказати єдину точку, що відповідає наявному стану під-
силювального приладу.
Якщо розглянути інші характеристики, то виявиться, що і на них ця точка
однозначно визначена за умови, що відомі струми і напруги на вхідних і ви-
хідних електродах.
Точку на площині вихідних (або інших) характеристик підсилювального
приладу, що зв’язує задані значення напруг і струмів у ньому, називають робо-
чою точкою. Зазначимо, що навіть тоді, коли немає вхідного корисного сигна-
лу, підсилювальний каскад продовжує перебувати у деякому конкретному стані,
якому відповідає повністю конкретна робоча точка, яку називають вихідною ро-
бочою точкою, або робочою точкою за постійним струмом.
У процесі впливу сигналів на вхідні електроди підсилювального приладу
значення струмів і напруг у каскаді змінюються, а робоча точка займає різні по-
ложення. Лінію на площині вихідних характеристик, по якій рухається робоча

точка в процесі дії сигналів, називають лінією навантаження, або навантажу-
вальною характеристикою. В сутності – це геометричне місце робочих точок.
За власне резисторного характеру навантаження в області лінійного підсилення
навантажувальна характеристика має вигляд прямої, що збігається з ВАХ опору
навантаження RН (див.: рис. 2.20).
На рисунку 2.20 подані графіки зміни всіх струмів і напруг транзистора у схемі
СЕ при гармонічному вхідному сигналі, побудовані за статичними характеристика-
ми транзистора (графоаналітичний розрахунок транзисторного каскаду підсилення).
Лінія навантаження відповідає експлуатаційним параметрам транзистора в
довільній області його застосування. Найтиповіше це продемонстровано у схемі
підсилювального каскаду. Елементарна схема такого підсилювача зображена на
рисунку 2.21.
Рис. 2.20. Графічний аналіз струмів і напруг у підсилювальному каскаді схеми СЕ

та його навантажувальна характеристика
Схема складається з транзистора, у колекторне коло якого під’єднано рези-

стор Rк, а в базове – резистор Rб. Ці резистори забезпечують необхідний режим
роботи транзистора за постійного струму. Підсилювальний сигнал подається на
базу транзистора через конденсатор Сб. Наявність сигналу змінює напругу Uбе і,
отже, струм Іб, а також струм Ік і напругу Uке. Якщо режим роботи за постійним
струмом обраний правильно, то зміна напруги Uке точно відображатиме зміну
напруги Uбе, проте з більшою амплітудою. Відбудеться підсилення сигналу.
Рис. 2. 21. Схема простого підсилювача на базі транзистора

при увімкненні СЕ
Для визначення параметрів схеми у таких випадках застосовують графічний

аналіз, який наочно відображає процеси в режимі підсилення сигналу. На рисун-
ку 2.20, а зображені часові діаграми струмів і напруг у базовому колі, а на ри-
сунку 2.20, б – у колекторному. Для цього у системі I к = f (U кe ) будують лінію
навантаження колекторного кола (див.: рис. 2.20, б). Точки перетину цієї лінії з
вихідними характеристиками визначають режим роботи колекторного кола при
фіксованому струмі бази. Вихідною робочою точкою (ВРТ) слугує перетин лінії
навантаження з тією вихідною характеристикою, при якій виконується умова
Uкe0=Едж/2 (точ. А’).У цій точці протікає струм бази I б = І б0 .
Для отримання значення Іб0 на залежності Іб=f(Uбе) будують лінію наванта-
ження кола бази (див.: рис.2.20, а). З цією метою на вхідній характеристиці
виділяють точку А (вихідна робоча точка базового кола, в якій I б = І б0 ). І прово-
дять пряму лінію, що простягається через точки А та Едж. Нахил цієї лінії
визначає значення опору Rб.
Задавши режим роботи за постійним струмом, будують графіки часових за-
лежностей струмів і напруг.
За наявності зовнішнього навантаження лінія навантаження змінює свій на-
хил (пунктир на рис. 2.20, б), оскільки опір для змінного струму зменшується,
причому режим роботи транзистора за постійним струмом не змінюється, отож
лінія навантаження проходить через цю ж точку А’, проте перетинає вихідні ха-
рактеристики, що відповідають максимуму і мінімуму струму бази, у точках В’’
і С’’. Площа заштрихованих трикутників, яка визначає вихідну потужність
змінного струму зменшується.
З аналізу очевидно, що підсилення електричних сигналів відбувається через
перетворення потужності джерела постійного струму P0 = Едж ⋅ I к0 у потужність
змінного струму Pвих = U кe.т ⋅ I k .т / 2 , що виділяється в навантаженні.
За допомогою описаних графічних побудов можна розрахувати основні па-
U
раметри підсилювального каскаду, зокрема: 1) KU = вих.т – коефіцієнт
U вх.т
I вих.т
підсилення за напругою; 2) K I = – коефіцієнт підсилення за струмом;
I вх.т
1
U ⋅І
Pвих 2 вих.т вих.т
3) K P = = – коефіцієнт підсилення за потужністю;
Pвх 1
U вх.т ⋅ І вх.т
2
U U Р
4) Rвх = вх.т – вхідний опір; 5) Rвих = вих. х. х. – вихідний опір; 6) η = вих –
І вх.т І вих.к . з. Р0
коефіцієнт корисної дії, де Р0 = Едж ⋅ І к0 – потужність, споживана від джерела
живлення.
Отже, фіксування положення вихідної робочої точки транзистора за
постійним струмом здійснюється зовнішніми колами зміщення. Такі кола мо-
жуть мати різну конфігурацію, яка залежить від декількох факторів: типу транзи-
стора, схеми під’єднання, необхідності забезпечення стійкості до температурних
впливів і незалежності від параметрів конкретного транзистора.
Для прикладу, у схемі СЕ розповсюджені два способи забезпечення заданого
положення робочої точки за постійним струмом: схема з фіксованим струмом та
схема емітерно-базової стабілізації. Зокрема, у першій схемі стабільність усіх
показників каскаду за постійним струмом основана на підтриманні стійкого зна-
чення струму бази транзистора. Це досягають створенням безальтернативного
кола протікання струму через резистор бази Rб та емітерний перехід.
Стабільність струму бази у такій схемі веде до стабільності струму колектора,
оскільки І к0 = β ⋅ І б0 , де β – статичний коефіцієнт передавання струму бази схе-
ми СЕ.
У схемі емітерно-базової стабілізації стан вихідної робочої точки каскаду
стабілізується шляхом підтримання незмінного значення напруги на переході
емітер–база транзистора. Цього досягають застосуванням поділювача напруг на
двох резисторах, під’єднаного до бази транзистора. Струм через нього значно
перевищує всі можливі значення струму бази I б0 . Стабільність напруги U б0 , на

емітерному переході автоматично стабілізує струм колектора I к0 , транзистора.
Остання схема емітерно-базової стабілізації виявляється значно зручнішою
за масового виробництва, тому має значно ширше застосування.
2.2.7. Диференціальні параметри транзистора. Системи h- та

у-параметрів
Диференціальні параметри встановлю-
ють взаємозв’язок між безмежно малими
приростами струмів і напруг. Незалежно від
схеми під’єднання, транзистор розглядають
як чотириполюсник (див.:рис. 2.22), на
вході якого діють напруги U1 і струм І2. За-
Рис. 2.22. Схематичне представлен-
лежно від схеми під’єднання транзистора, ня чотириполюсника
величинам U1, І1, U2, І2 відповідатимуть
певні струми і напруги. Наприклад, для схеми зі СЕ U1 = U бе , І1 = І б , U 2 = U кe ,
I 2 = I к . Ці напруги і струми взаємопов’язані нелінійними функціональними за-
лежностями, які можна описати або аналітично, як математичні рівняння, або
графічно, як статичні характеристики.
Можливі шість варіантів вибору незалежних і залежних змінних для опису
функціонального зв’язку струмів і напруг у чотириполюснику. Реально
найчастіше застосовують два з них: систему h-параметрів та систему
у-параметрів.
Система h-параметрів. Якщо незалежними змінними вважати струм І1 і
напругу U2, то функціональний зв’язок струмів і напруг потрібно записати у
формі U1 = f ( I1 ,U 2 ), I 2 = f ( I1 ,U 2 ). Повні диференціали цих функцій набудуть
вигляду:
∂U1 ∂U1
dU1 = dI1 + dU 2 , (2.13, а)
∂I1 ∂U 2
∂I 2 ∂I
dI 2 = dI1 + 2 dU 2 . (2.13, б)
∂I1 ∂U 2
Позначаючи часткові похідні перед незалежними змінними в (2.13, а) і

(2.13, б) символами h11, h12, h21 і h22, рівняння чотириполюсника можна записати
так:
dU1 = h11dI1 + h12 dU 2 , (2.14, а)
dI 2 = h21dI1 + h22 dU 2 . (2.14, б)
dU1
Отримуємо зміст h-параметрів: h11 = – вхідний опір транзистора;
dI1 dU 2 = 0
dU1 dI 2
h12 = – коефіцієнт зворотного зв’язку за напругою; h21 = – ди-
dU 2 dI1 = 0
dI1 dU 2 = 0
dI 2
ференціальний коефіцієнт передавання струму; h22 = – вихідна провід-
dU 2 dI1 = 0
ність транзистора.
На практиці числові значення параметрів визначають за статичними харак-
теристиках транзистора, замінюючи безмежно малі прирости струмів і напруг
скінченними приростами. Параметри залежать від схеми під’єднання транзисто-
ра (третій індекс “е”, “б”, “к”) для схем зі СЕ, СБ або СК.
Приклад схеми зі СЕ. Параметри h11e, h12е визначають за вхідними характери-
стиками транзистора
Система y-параметрів. У системі у-параметрів незалежними змінними
вважають U1 і U2, а залежними змінними є І1 та І2. У такому випадку повні
диференціали функцій рівні:
∂I1 ∂I
dI1 = dU1 + 1 dU 2 ; (2.15, а)
∂U1 ∂U 2
∂I 2 ∂I
dI 2 = dU1 + 2 dU 2 . (2.15, б)
∂U1 ∂U 2
Або:
dI1 = y11dU1 + y12 dU 2 ; (2.16, а)
dI 2 = y21dU1 + y22 dU 2 . (2.16, б)
dI1 dI1
Звідси зміст у-параметрів: y11 = – вхідна провідність; y12 =
dU1 dU 2 = 0
dU 2 dU1 = 0
dI 2
– провідність зворотного передавання; y21 = – провідність у прямому
dU1 dU 2 = 0
dI 2
передаванніі; y22 = – вихідна провідність.
dU 2 dU1 = 0
Числові значення у-параметрів можна визначити за характеристиками тран-

зистора аналогічно тому, як це виконано для h-параметрів. Крім того,
у-параметри можна розглядати, знаючи значення h-параметрів. З рівнянь

(2.14, а), (2.14, б) можна визначити незалежні змінні:
1 h
dI1 = dU1 − 12 dU 2 ; (2.17, а)
h11 h11
h21 ⎛h h ⎞
dI 2 = dU1 + ⎜ 12 21 − h22 ⎟ dU 2 . (2. 17, б)
h11 ⎝ h11 ⎠
Порівнюючи (2.16, а) з (2.6, а) і (2.16, б) з (2.6, б), знаходимо:
1 h h h h −h h
y11 = ; y12 = − 12 ; y21 = 21 ; y22 = 22 11 21 12 . (2.18 )
h11 h11 h11 h11
Зазвичай на практиці використовують саме ці рівняння для визначення сис-

теми у-параметрів.
2.2.8. Транзистори Дарлінгтона

Метою синтезу складових транзисторів є створення потужного високовольт-
ного транзистора, призначеного для роботи в режимі перемикання, що
характеризується переходом із закритого стану з високою зворотною напругою
у відкритий стан з великим струмом колектора, тобто з високим коефіцієнтом
підсилення по струму β (СЕ).
Значення цього коефіцієнта в дискретному транзисторі, як відомо,
визначається взаємозв’язком дифузійної довжини носіїв L, що рухаються крізь
базу, та шириною бази біполярного транзистора W через співвідношення
2L
β ≈ 2 . Як відомо, оптимізація цих параметрів можлива в певних межах і лише
W
для транзисторів типу n-p-n. Отож, технологічне виготовлення дискретного
транзистора з високим β є проблематичним.
Дарлінгтон запропонував схемотехнічне вирішення цієї проблеми, згідно з
яким певним чином з’єднані два біполярні транзистори мають характеристики
як один транзистор з високим коефіцієнтом передавання β емітерного струму.
Таке з’єднання було назване складовим транзистором, або схемою
Дарлінгтона. Схемотехнічно – це каскадне з’єднання транзисторів, під’єднаних
за схемою зі спільним колектором. Наприклад, база першого транзистора Т1
з’єднана з емітером другого транзистора Т2. Колектори обох транзисторів
з’єднані між собою і цей вивід є колекторним виходом складового транзистора.
База транзистора Т1 слугує базою складового транзистора, а емітер транзистора
Т2 – емітером складового транзистора (див.: рис. 2.54).
Рис. 2.23. Схема складового транзистора Дарлінгтона
Таке з’єднання транзисторів сприймають як один транзистор. Головною

особливістю схеми є велике значення коефіцієнта підсилення струму бази.
З рисунка 2.23 видно, що при знехтуванні тепловими струмами струм колек-
тора рівний Ік=Ік1+ Ік2, де Ік1= β1Іб1 і Ік2=β2Іб2=β2Іе2.
Якщо врахувати, що Іе1=(β1+1)Іб1=(β1+1)Іб, то Ік=β1Іб+(β1+1)β2Іб=
=(β1+β1β2+β2)Іб=β1β2Іб.
Тобто βе=β1β2 – коефіцієнт підсилення струму бази складового транзистора в
активному режимі дорівнює добутку коефіцієнтів підсилення транзисторів Т1 і
Т2 і може бути достатньо великим за величиною.
У запропонованій схемі транзистори функціонують з різними струмами бази
(Іб2>Іб1), отож β1≠β2. Транзистор Т1 працює в мікрорежимі, тому значення β1 не-
велике. На практиці для збільшення струму Іб1 і зменшення струму Іб2 між базою
та емітером транзистора Т2 під’єднують струмовідвідний резистор, опір якого Rб
менший від вхідного опору Rвх транзистора Т2, в результаті чого зростає β1. У
цьому випадку результуючий коефіцієнт підсилення струму бази виявляється
більшим, ніж без резистора Rб.
Вхідний опір описаного транзистора можна розрахувати за:
U вх
Rвх.с = = Rвх.1 + Rвх.2 ( β1 + 1) .
I б1
Це рівняння ілюструє, що вхідний опір складового транзистора перевищує

вхідні опори окремих транзисторів.
Високі значення коефіцієнта підсилення у складових транзисторах реалі-
зуються лише в статичному режимі, тому їх широко використовують у вхідних
каскадах операційних підсилювачів. У схемах на високих частотах складові
Р о з д і л 2 . О с н о в и е л е к т р о н і к и . Г о л о в н і ф у н к ц і о н а л ь н і е л е м е н т и . . . 101
транзистори вже не володіють такими перевагами. Навпаки, їхня гранична час-

тота підсилення за струмом і швидкодія менші, ніж аналогічні параметри в ок-
ремих транзисторах Т1 і Т2.
Вихідний опір складового транзистора визначають за співвідношенням:
⎛ R ⎞
Rвх.с = ⎜⎜ вх.1 ⎟⎟ .
⎝ ( β 2 + 1) ⎠
Отже вихідний опір описаного транзистора менший, ніж вихідні опори ок-
ремо взятих транзисторів.
2.2.9. Ключ на біполярному транзисторі
Схемне використання біполярних транзисторів базується на їхніх властиво-

стях, зумовлених схемою ввімкнення та типом транзистора.
Для прикладу розглянемо простий ключ на біполярному транзисторі. Він є
головним функціональним елементом цифрових логічних схем. Його робота ос-
нована на здатності транзистора перемикатися з одного стійкого стану в інший,
що суттєво відрізняються значенями вихідних опорів. Типова принципова схема
реалізації ключового ефекту зображена на рисунку 4.24, а. Вона містить транзи-
стор n-p-n-типу, вімкнений за схемою зі спільним емітером, та відповідні
навантажувальні опори в колі бази (Rб ) та колектора (Rк). Вхідне коло UГ
реалізується в ланці “ емітер – база”, а вихід Uвих – “колектор–емітер”. На вхід
може бути поданий низький рівень напруги U0 або, високий U1.
а б
Рис. 2.24.
а – схема електронного ключа на біполярному транзисторі; б – вихідна ВАХ
На вході системи ввімкнене джерело керуючих сигналів UГ з внутрішнім

опором Rб, що живить базове коло транзистора струмом І б = U Г Rб .
Нехай напруга UГ має лише два значення: U0 і U1. Струм бази, отже, також
набуде значення І б0 0 і І б1 U1 Rб . Якщо І б = І б0 , то режим роботи ключа
визначають точкою А (див.: рис. 2.24, б), якщо І б = І б1 – точкою В. Точка В
розміщується в області режиму насичення транзистора. Ступінь насичення тран-
зистора оцінююєть коефіцієнтом насичення kнас = І б' І б .нас , де Іб.нас –
мінімальна величина струму бази, при якому транзистор переходить у режим
насичення при заданій величині опору RН.
Головною статичною характеристикою ключа є передавальна характери-
стика – залежність вихідної напруги Uвих=Uк-е від вхідної напруги Uвх=Uб-е. Її
будують шляхом суміщення вихідних і вхідних характеристик, як це
відображено на рисунку 2.25 для випадку RН=∞.
Рис. 2.25. Ілюстрація побудови передавальної характеристики ключа
Потім у системі координат І к = f (U к −е ) необхідно провести навантажуваль-

ну лінію і точки її перетину (A, B, C, D) з вихідними характеристиками перене-
сти в систему координат І к = f ( І б ) . Таким чином буде побудована управляюча
характеристика. На наступному етапі точки A’, B’, C’, D’ необхідно перевести на
вхідну характеристику, отримавши точки A’’, B’’, C’’, D’’. Потім, у системі ко-
ординат U вих = f (U б −е ) побудувати передавальну характеристику за точками

,
A’’’, B’’’, C’’’, D’’’.
Вплив зовнішнього навантаження. Важливе значення на роботу ключа має
вплив зовнішнього навантаження. Якщо навантаженням є активний опір RH
(див.: рис. 4.41, а), то режим роботи у відкритому і закритому станах
визначається згідно з рисунком 4.26, б. На полі вихідних характеристик транзи-
стора необхідно побудувати ВАХ навантаження I H = f (U K − E ) / RK . Точки її
перетину з результуючими характеристиками будуть характеризувати режим
роботи ключа у відкритому і закритому станах. Очевидно, що найбільш суттєво
1
змінюється положення точки А, що й визначає рівень U вих .
.Вплив навантаження
на вихідну напругу ключа оцінюють за вихідною характеристикою
U вих. = f ( I H ). У загальному випадку таких характеристик може бути дві: одна
для низького рівня вихідної напруги, друга для високої.
а б
Рис. 2.26. Схема ключа з навантаження RH (а) та визначення
режиму роботи ключа з ВАХ транзистора (б)
Швидкодія ключа. Швидкодія ключів на біполярних транзисторах залежить

від інерційності процесів, пов’язаних з нагромадженням та розсмоктуванням
надлишкових зарядів, унаслідок чого стає неможливий миттєвий перехід тран-
зистора з одного стану в інший. Швидкодію таких електронних ключів
оцінюють за середнім часом затримання поширення сигналу:
(
tзт.п.с. = t + t
0,1 1,0
) 0,1
2, де t – час затримання поширення при переході вихідної
напруги від U вих. = U 0 до U вих. = U 1 ; t1,0 – час затримання поширення при
переході вихідної напруги від U вих. = U 1 до U вих. = U 0 .
Затримання t 0,1 і t1,0 ураховують порівно, що відповідає рівням перепаду

( )
U Л = U 1 + U 0 2. Підвищення швидкодії електронних ключів досягають шля-
хом зменшення часу життя нерівноважних носіїв заряду, що відбувається при
введені в базу транзистора домішки золота. Більш ефективним методом
підвищення швидкодії є шунтування колекторного переходу діодом Шоткі.
Завадостійкість ключа. Крім керуючого сигналу, на вході ключа може ви-
никнути напруга завади, яка або підвищує, або понижує вхідну напругу. Якщо
на вході діє напруга U 0 , то небезпечними є перешкоди, що мають додатну
полярність. Якщо на вході діє напруга U 1 , то небезпечними є завади, що мають
від’ємну полярність. Завадостійкість прийнято оцінювати максимально допус-
тимими величинами напруг відкриваючої і закриваючої завад U З0 = U пор0
−U0 і
U З1 = U 1 − U пор
1
. Ці напруги зображені на рисунку 2.27.
Рис. 2.27. Передавальна характеристика, що ілюструє величини завадостійкості
0 1
Порогові напруги U пор і U пор визначають за точками C і D, в яких
виконується умова dU вих. dU вх. = 1. Ці точки називають точками одиничного
підсилення. Щоб оцінити завадостійкість, може бути використаний т. зв.
коефіцієнт завдостійкості K З0 = U п0 U 0 і K З1 = U п1 U Л , де U Л = U 1 − U 0 . Для
підвищення завадостійкості необхідно зменшувати ширину області перемикан-
1 0
ня, рівну різниці U пор і U пор , та збільшувати розмах сигналу UЛ. В ідеальному
випадку виконуються умови 0
U пор = U пор
1
, U 0 = 0, U 1 = Eдж .т. , тоді
K З0 = K З1 = 0,5.
2.2.10. Використання біполярних транзисторів для побудови

температурних сенсорів . Комірка Брока (Brokaw Cell)
Використовуючи температурну залежність спаду напруги на прямо
зміщеному p-n переході база–емітер транзистора, яка описується рівнянням:
U BE = ( kT q ) ln (1 I S ) , (2.19)
де І – струм через p-n перехід, ІS – зворотний струм насичення, можна створюва-

ти температурні сенсори. Однак безпосереднє застосування формули (2.19) для
точного вимірювання температури неможливе внаслідок двох причин: по-перше,
є значний розкид “початкового” прямого спаду напруги на переході, зумовлений
особливостями технології виготовлення; по-друге, суттєвий вклад у значення
U BE (Т ) температурної залежності ІS.
Для виключення даних ефектів визначення температури проводять по
вимірюванні різниці напруг ΔU BE двох p-n переходів, а точніше, напруг база–
емітер двох інтегральних транзисторів з різною густиною струмів емітера. Для
цього використовують транзистори з різними площами емітерних переходів або
набір однакових транзисторів, з’єднаних паралельно.
Зокрема, якщо взяти N транзисторів, ідентичних першому (див.: рис. 2.28) і
припустити, що ІС – загальний струм колектора, порівну розподілений між всіма
транзисторами, то нове значення напруги база–емітер визначатиметься
співвідношенням:
U N = kT q ln ( I C NI S ) .
Жодна з цих ланок не використовується в ролі самостійного сенсора через

сильну температурну залежність струму IS. Однак різниця напруг ΔU BE оди-
ночного транзистора Q1 і транзистора Q2, утвореного N паралельно з’єднаними
такими ж транзисторами, при рівних струмах колектора пропорційна величині
абсолютної температури і не залежить від ІS:
kT ⎡ ⎛ IC
⎞ ⎛ IC ⎞⎤
ΔU BE = U BE − U N = ⎢ln ⎜⎟ − ln ⎜ ⎟⎥ ,
q ⎣ ⎝ IS
⎠ ⎝ NI S ⎠ ⎦
⎡⎛ I C ⎞ ⎤ (2.20)
⎢⎜ ⎟ ⎥
kT ⎢⎝ I S ⎠ ⎥ = kT ln ( N ) .
ΔU BE = U BE −U N = ln
q ⎢ ⎛ IC ⎞⎥ q
⎢ ⎜ ⎟⎥
⎣ ⎝ NI S ⎠ ⎦
Рис. 2.28. Схеми з’єднань біполярних транзисторів та основні співвідношення для

біполярних термосенсорів
Електричне коло, яке описується приведеними співвідношеннями, відоме як

комірка Брока (Brokaw Cell) (див.: рис. 2.29).
У схемі напруга ΔU BE = U BE − U N прикладена до резистора R2. Струм
емітера транзистора Q2 рівний ΔU BE R 2 . Приблизно цій же величині дорівнює
і колекторний струм І2 розглядуваного транзистора. Протікаючи через резистор
R, він створює на ньому спад напруги, рівний ΔU BE ⋅ R / R 2 . Отже, напруга на
інвертуючому виході ОП рівна U інв = U1N − ΔU BE ⋅ R / R 2 . Напруга на
неінвертуючому виході рівна цій же величені з точністю до десятків мкВ.
Оскільки в колекторі Q1 встановлено резистор, що має таке ж значення
номіналу R, то струми І1 та І2 є рівними. Сумується їхнє проходження на
резисторі R1. Спад напруги на ньому пропорційний абсолютній температурі
(РТАТ) і задається функцією:
2 R1(U BE − U N ) R1 kT
U PTAT = =2 ln ( N ) .
R2 R2 q
Опорна напруга, що виробляється коміркою UBANDGAP, знімається з бази Q1,

вона є сумою UBE(Q1) і UPTAT. Як і U PTAT , UBE(Q1) також лінійно залежить від
абсолютної температури, але з її ростом спадає (називається комплементарна до
абсолютної температури СТАТ). Сума UPTAT і UCTAT при певних значеннях
відношення R1 R 2 і N є незалежною від температури.
Схема реалізована при побудові описаної комірки Брока, може бути вико-
ристана як базова для різних інтегральних температурних сенсорів, які фор-
мують на виході температурнозалежні струми або напруги.
Рис. 2.29. Класичний температурний сенсор (комірка Брока)
2.2.11. Генератори стабільного струму

Генератори стабільного струму (ГСС) застосовують для живлення
підсилювальних каскадів стабільним струмом, незалежним від навантаження та
температури. Найпростіший генератор СС складається з джерела живлення Eдж
та послідовно під’єднаного до нього резистора R, опір якого у багато разів
перевищує опір навантаження RH (див.рис.: 2.30, а).
Рис. 2.30. Схема найпростішого ГСС (а) Рис. 2.31. Визначення струму
та використання струмозадаючого навантаження
транзистора (б) в схемі (б)
Струм, який протікає через опір навантаження:

I H = Eдж ( RH + R) Eдж R . (2.21)
Диференціюючи (4.1) отримаємо:

ΔI H ΔRH
= (2.22)
IH R
Отже, збільшуючи R, можна зменшити зміну струму навантаження ΔI H до
необхідної величини. Однак застосування подібної схеми недоцільне, оскільки
велика кількість потужності від джерела живлення використовується на
нагрівання струмозадаючого резистора R.
Більш раціональним є використання замість струмозадаючого резистора R
струмозадаючого транзистора VT (див.:рис. 2.31). Тут струм навантаження I H
визначають за перетином навантажувальної лінії з вихідною характеристикою
транзистора. Якщо опір навантаження рівний RH′ , то струм навантаження ви-
значають за точкою А; якщо ж опір навантаження збільшується до RH′′ , то
струм навантаження визначають за точкою В. Відносна зміна струму в цьому
випадку буде рівна:
ΔI H
= ΔRH h22 E .
IH
Найбільш широке використання отримав ГСС, названий “відбивачем”, або
“дзеркалом” струму (див.: рис. 2.32).
Рис.2.32. ГСС типу “дзеркало” струму
У цій схемі навантаження вмикається у коло колектора струмозадаючого ре-

зистора VT2, режим роботи якого задається нелінійним подільником напруги, що
складається з транзистора VT1 (у діодному режимі) і резисторів R0 i R1. Нехтую-
чи струмом бази, можна вважати, що I E1 I1 i I E 2 I 2 . Бази транзисторів
з’єднані разом та володіють однаковим потенціалом, рівним E0. Для лівої гілки
E0 = I1 R1 + U1* , для правої E0 = I 2 R2 + U 2* . Отже, I1 R1 + U1* = I 2 R2 + U 2* .
Тут U1* і U 2* – прямі напруги на емітерних переходах VT1 і VT2. Транзистори
створюють в єдиному технологічному процесі, тому U1* = U 2* , тобто I1 R1 = I 2 R2 .
Звідки отримаємо: I 2 = I1 R1 .
R2
Отже, струм І2 пропорційним струму І1, тобто струм І2 дзеркально
відображає струм І1. Якщо R2 = R1, то І2 = І1, якщо R1 > R2, то І2 > І1 та навпаки.
Змінюючи R1 і R2, можна встановлювати необхідну величину стабільного стру-
му. За R1 << R0 струм у лівій гілці I1 ≈ ( Eдж R0 ) . Цей струм слабко залежить від
температури, тому струм І2, що живить навантаження, яким є підсилювальний
каскад, практично не залежить від температури.
2.2.12. Схеми зсуву потенціалу

Особливостями AIMC є те, що напруга з виходу попереднього каскаду
передається на вхід наступного без розділювальних конденсаторів. Водночас на
вхід наступного каскаду надходять одночасно змінна та постійна напруги. З ме-
тою отримання необхідного режиму роботи наступного каскаду за постійним
струмом, необхідно зазвичай знизити постійну напругу. Цього досягають за до-

помогою схеми зсуву потенціалу. Типові схеми з такою функцією, що
реалізовуються в АІМС зображені на рисунку 2.33.
а б
Рис. 2.33. Схеми зсуву потенціалу на біполярному
транзисторі (а) та стабілітроні (б)
Схема “а” містить транзистор ГСС I0 та резистор R0. На вході схеми діють
напруги U вх = U вх .0 + U вх .m sin ωt , на виході – U вих. = U вих .0 + U вих.m sin ωt.
Постійну напругу на виході схеми визначають за співвідношенням:
U вих.0 = U вх.0 − I 0 R0 .
Змінюючи R0, отримують необхідну постійну напругу U вих.0 , що визначає
режим роботи чергового каскаду. Змінна напруга на виході схеми рівна:
Ri
U вих.m = U вх.m .
Ri + R0
Тут U вх.m і U вих .m – амплітуди вхідної і вихідної напруг; Ri – внутрішній опір
ГСС за змінним струмом. Оскільки Ri >>R0, напруга U вих.m U вх.m .
Для виконання функції зсуву потенціалів в АІМС застосовують також схему,
зображену на рисунку 2.33, б. Вона містить стабілітрон з низьким
диференціальним опором та резистор R0. Для цієї схеми справедливі
співвідношення:
U вих. = U вх. − U стаб .
R0
U вих.m = U вх.m .
Ri + R0
За умови Ri<<R0 виконується: U вих.m U вх.m .
2.2.13. Підсилювальні каскади з динамічним навантаженням

Відомо, що коефіцієнт підсилення каскаду на біполярному транзисторі
пропорційний опору навантаження RH:
KU = − ( h21E h11E ) RH .
Однак збільшення RH змінює режим роботи транзистора за постійним стру-
мом, тому можливості збільшення опору дуже обмежені. Зазвичай величину RH
вибирають так, щоб постійна напруга UK-E0, була рівна 1/2 від напруги джерела
живлення Eдж. Разом з тим виконується умова: RH = ( Eдж − U K − E 0 ) I K 0 .
Тут I K 0 = αI E 0 – постійна складова струму колектора. Враховуючи, що
постійну складову струму емітера визначають за співвідношенням I E 0 = U T / τ E ,
де τE – опір емітерного переходу, отримаємо:
RH = Eдж τ E 2αU T .
Ураховуючи, що KU = − αRH τ E , матимемо коефіцієнт підсилення:
KU = − Eдж U T .
За Eдж = 10В і UT = 0,026 В – KU ≅ 200.
а б
Рис. 2.34. Схема підсилювального каскаду з навантажувальним транзистором
в колі колектора (а); вибір режиму роботи основного транзистора за постійним струмом з
використанням вихідних характеристик транзисторів VT1та VT2 (б)
Підвищити коефіцієнт підсилення каскаду можна, включивши в коло колек-

тора елемент, що володіє малим опором за постійним струмом і великим– за
змінним. Таку властивість має транзистор, опір якого постійному струму в ак-
тивному режимі роботи рівний RK 0 = U K − E 0 / I K 0 , а опір змінному струму –
RK − = ΔU K − E / ΔI K . Схема підсилювального каскаду, в якому в коло колектора
ввімкнений навантажувальний транзистор p–n–p-типу, зображена на рисун-
ку 2.34, а.
Режим роботи основного транзистора за постійним струмом визначають

шляхом побудови на полі вихідних характеристик активного транзистора
вихідної характеристики навантажувального транзистора (див.: рис. 2.34, б), пе-
ретин якої з вихідною характеристикою, що відповідає струму I Б(1)0 , задає зна-
чення постійного струму I К(1)0 , і постійної напруги U K(1)− Eo .
Коефіцієнт підсилення в цьому випадку рівний:
K u = − h21(1)E h11(1)E h22

(2)
E.
Застосування динамічного навантаження дає змогу збільшити коефіцієнт

підсилення напруги приблизно на один порядок.
2.2.14. Каскадні схеми
Каскадні схеми відрізняються від звичайних підсилювальних схем тим,

що підсилювальні каскади в них увімкнені послідовно за постійним стру-
мом. Най-більш поширена комбінація, в якій перший каскад увімкнений за
схемою зі СЕ, а другий – за схемою СБ (див.:рис. 2.35).
Рис. 2.35. Каскадна схема з комбінацією ввімкнення

каскадів за схемою зі СЕ та СБ
Навантаженням першого каскаду є вхідний опір другого, рівний h11Б,

тому:
h21E h h h
KU(1) = h11Б = 21E 11E = − 21E < 1.
h11E h11E h21E + 1 h21E + 1
Тобто перший каскад не дає підсилення за напругою, тому вхідна ємність
розглядуваної каскадної схеми, яку визначають за співвідношенням
Cвх.екв . = Свч + ( KU + 1) Cпрох. , зростає незначно.
Другий каскад, увімкнений за схемою СБ, підсилює:
h21Б h ( h + 1) h
KU(2) = RK = 21E 21E RK = 21E RK .
h11Б h11E ( h21E + 1) h11E
Результуючий коефіцієнт підсилення:
−h212 Б h21E
KU = K K (1) (2)
=− R − RK .
U U
( h21E + 1) h11E K h11E
Отже, каскадна схема так само підсилює, як і звичайний каскад за схемою
СЕ, але водночас вхідна ємність каскаду не зростає.
2.2.15. Вихідні каскади

Каскади цього типу працюють переважно на низькоомне навантаження, то-
му в ролі вихідних каскадів зазвичай використовують емітерні повторювачі
(схема СК), які володіють низьким вихідним опором. Вихідні каскади, забезпе-
чуючи необхідну потужність у зовнішньому навантаженні, мають володіти ви-
соким к.к.д., що досягається шляхом застосування двотактних схем (див:
рис. 2.36, а).
а б
Рис. 2.36. Двотактна схема вихідного каскаду (а); вхідна та вихідна напруги (б)
У цьому випадку через транзистор VT2 проходить струм у додатні півперіоди

вхідної напруги, а через транзистор VT1 – від’ємні. Внаслідок того, що помітний
струм транзистора проявляється при Uвх > 0,7 В, струм через навантаження
впродовж деяких проміжків часу не проходить, тому вихідна напруга при
проходженні через нуль має сходинки (див:.рис. 2.36, б), тобто вихідна напруга
не повторює вхідну.
Цей недолік усувають шляхом увімкнення між базами транзисторів
зміщувальних діодів (див.: рис. 2.37, а),зсуваючи управляючі характеристики
транзисторів на 0,7 В. У результаті залежність I вих = f (U вх ) отримують

лінійною (див.:рис. 2.37, б).
а б
Рис. 2.37. Вихідні каскади зі зміщувальними діодами (а); залежність для каскаду
U вих = f (U вх ) (б)
Підвищення к.к.д. двотактної схеми зумовлене тим, що при Uвх = 0 струм від
джерела живлення не є необхідним. Якщо ж на базу транзистора подана
синусоїдальна напруга, то струм крізь транзистор протікає лише впродовж по-
ловини періоду. Разом з тим імпульси струму амплітудою IEm можна розкласти в
ряд Фур’є. У припущенні Uвх.= Eдж розраховують потужність, яка виділяється у
навантаженні:
1 1
Pвих. = U вих.m ⋅ I Em = Eдж ⋅ I Em .
2 2
Розкладання імпульсів струму в ряд Фур’є дає змогу визначити постійну
складову струму, що споживається від джерела: I = 1 I Em .
π
Оскільки в схемі працюють два транзистори, споживаний струм необхідно
подвоїти. Отож, від джерела споживається потужність:
2
P0 = 21Eдж = I Em Eдж .
π
Зважаючи на сказане, к.к.д. двотактної схеми: η = Pвих = π , тобто рівний 78%.

P0 4
Транзистори типів n–p–n та p–n–p, що становлять собою двотактну схему,
мають володіти однаковими параметрами.
2.2.16. Диференціальні каскади

Диференціальний каскад (ДК) за своєю сутністю є мостовою схемою, в пле-
чах якої ввімкнені ідентичні елементи (див.: рис. 2.38).
В АІМС унаслідок того, що всі еле-
менти створені в єдиному технологічну
процесі, забезпечується практична іден-
тичність резисторів і транзисторів. ДК
живиться від двополярного джерела
живлення Eдж з заземленою середньою
точкою, що дає змогу подавати сигнали
безпосередньо на бази транзисторів.
Якщо входи транзисторів заземлені, то
струми транзисторів однакові, і вна- Рис. 2.38. Диференціальний каскад,
виконаний за мостовою схемою
слідок ідентичності резисторів RK1 i RK2
напруга на диференціальному виході Uвих.д між колекторами дорівнюватиме ну-
лю. Якщо на входи схеми подані сигнали однакові за величиною і фазою
(синфазні), то струми обох транзисторів будуть змінюватися на однакову вели-
чину. Так само будуть змінюватися напруги Uвих.1 і Uвих.2, а напруга Uвих.д і далі
буде зберігатися рівною нулю. Якщо на входи схеми подані однакові за величи-
ною, але зсунуті за фазою на 180о, сигнали (диференціальні), то зростання стру-
му в одному плечі буде супроводжуватися зменшенням струму в протилежному,
внаслідок чого виникне напруга на диференціальному виході.
Отже, схема в ідеальному випадку реагує на диференціальний сигнал і не
реагує на синфазний. Зміна температури, паразитні наведення, флуктуації
параметрів транзисторів можна розглядати як синфазні вхідні впливи. Отже, ДК
володіє дуже високою стійкістю роботи і малочутливий до перешкод.
2.3. Польова електроніка
2.3.1. Польові транзистори: управління струмом та

класифікація
Польовим, або уніполярним, транзистором називають трьохелектродний
напівпровідниковий прилад, в якому струм створюють основні носії заряду під
дією поздовжнього електричного поля, а управління величиною струму
відбувається поперечним електричним полем, створеним напругою керуючого
електрода. Обидві назви цих транзисторів доволі точно відображають їхні
головні особливості: проходження струму в каналі зумовлене тільки одним ти-
пом зарядів, а управління струмом каналу здійснюється за допомогою електрич-
ного поля.
Усі польові транзистори за своїми конструктивними особливостями можна

розділити на дві групи:
1) польові транзистори з керованими р-п переходами – (Junction Field Effect
Transistor) (JFET), в яких ізоляція каналу від джерела керуючої напруги
забезпечується р-п-переходом, зміщеним у зворотному напрямку (канальні, або
уніполярні транзистори);
2) польові транзистори з ізольованим затвором – (Metal—Oxide (Insulator)–
Semiconductor Field Effect Transistor) (MOSFET, MISFET), де ізоляція забез-
печується діелектричними властивостями двоокису кремнію (найчастіше), що
відділяє канал струму від електрода затвора (МДН- або МОН-транзистори).
Відомі два різновиди таких транзисторів:
а) з вбудованим (створеним технологічно) каналом;
б) з індукованим (зовнішнім полем) каналом інверсного типу.
2.3.2. Будова, фізичні основи роботи та характеристики

польового транзистора з керованим p-n-переходом
Польовий транзистор з керованим p-n-переходом (ПТКП) – це польовий
транзистор, керування потоком основних носіїв у якому відбувається за допомо-
гою електронно-діркового переходу, зміщеного в зворотному напрямку. Таким
електричним переходом, за допомогою якого відбувається керування потоком
основних носіїв заряду в польовому транзисторі, може бути p-n-перехід,
гетероперехід або випрямляючий перехід Шоткі. Польові транзистори з керова-
ним гетеропереходом виготовляють здебільшого методом епітаксії сполук типу
АШВV на кристали арсеніду галію. Однак найпоширеніші сьогодні польові тран-
зистори з керованим p-n-переходом у кристалах кремнію. Отож, розглянемо
польові транзистори з керованим p-n-переходом.
Структура і принцип дії. Принцип роботи польового транзистора з керо-
ваним переходом ґрунтується на модуляції площі поперечного перерізу, а, отже,
й опору провідного каналу в об’ємі напівпровідника під дією ефекту поля.
Транзистор цього типу складається з напівпровідникового кристала, що
володіє омічними контактами на кінцях, і p-n-переходу на боковій грані (див.:
рис. 2.39). Цей p-n-перехід називають затвором, він електрично зміщений у зво-
ротному напрямку. Оскільки p-n-перехід несиметричний (pр>>nп), область його
об’ємного заряду розміщена здебільшого в n-напівпровіднику. Струм між
омічними контактами протікає по каналу, що залишається між областю
об’ємного заряду p-n-переходу і протилежною гранню бруска. Електрод польо-
вого транзистора, через який у провідний канал входять носії заряду, називають
витоком (В), а електрод, через який з каналу виходять носії заряду, називають
стоком (С). Електрод польового транзистора, через який подають
підсилювальний сигнал і за допо-

могою якого управляють потоком
носіїв, називають затвором (З).
Зі зміною зворотної напруги
на керуючому p-n-переході зміню-
ється ширина області збідненого
просторового шару, а, отже, й по-
перечний переріз області, в межах
якої проходить керований потік
головних носіїв заряду. Область
напівпровідника, в якій потік го-
ловних носіїв заряду керований
таким способом, називають про-
відним каналом. У зв’язку з не-
значною величиною зовнішніх Рис. 2.39. Схематичне зображення польового
струмів, потужність, необхідна транзистора
для керування струмом стоку з керованим р-п-переходом
(спо-живається від джерела сигналу в колі затвор), виявляється надзвичайно ма-
лою. Тому польовий транзистор може підсилити електричні сигнали як за
потужністю, так і за струмом і напругою.
Провідний канал може мати електропровідність як n-, так і
p-типу, тому розрізняють польові транзистори з n- та p-каналами. Всі полярності
напруг зміщення, що подаються на електроди польових транзисторів з n- та p-
каналами, протилежні.
Керування струмом стоку, тобто струмом від зовнішнього щодо потужного
джерела живлення в колі навантаження, відбувається зі зміною зовнішньої на-
пруги на p-n-переході затвора (або на двох p-n-переходах одночасно).
Від біполярного транзистора, польовий транзистор відрізняється, по-перше,
принципом дії: в біполярному транзисторі керування вихідним сигналом
здійснюється вхідним струмом, а в польовому транзисторі – вхідною напругою
або електричним полем. По-друге, польові транзистори мають значно більший
вхідний опір, що пов’язано зі зворотним зміщенням p-n-переходу затвора. По-
третє, польові транзистори можуть мати низький рівень шуму (передусім на
низьких частотах), оскільки в польових транзисторах не використовують явище
інжекції неосновних носіїв заряду, а канал польового транзистора,
відокремлений від поверхні напівпровідникового кристала. Процеси реком-
бінації носіїв у p-n-переході і в базі біполярного транзистора, а також
генераційно-рекомбінаційні процеси на поверхні кристала напівпровідника су-
проводжуються виникненням низькочастотних шумів.
Найважливішими характеристиками для польових транзисторів цього типу є

сім’я вихідних статичних характеристик та сім’я характеристик передавання
(вхідних). Вихідні статичні характеристики відображають залежність струму
стоку від напруги стоку щодо витоку при різних значеннях напруги на затворі,
тобто I C = f (U BC ) U . На рисунку 2.40, а зображена сім’я вихідних характе-
З
ристик за деякого значення UСВ=UCО.
а б
Рис. 2.40. Сім’я вихідних статичних характеристик (а) та перехідна (б)
вольт-амперна характеристики ПТКП
Перша частина вихідної характеристики, яку називають крутою частиною,

сублінійна, тобто струм стоку зростає повільно зі зростанням напруги на стоку.
Це пояснюють збільшенням товщини р-п-переходу затвора поблизу стоку,
оскільки зі збільшенням напруги на стоку зростає абсолютне значення зворотної
напруги на р-п-переході затвора. Струм стоку, проходячи по каналу, створює
його нееквіпотенціальність. Найбільшу товщину р-п-переходу і, отже, наймен-
ший поперечний переріз каналу, отримують з боку стоку. Другою фізичною
причиною, що зумовлює сублінійність вихідної характеристики, є зменшення
рухливості носіїв заряду в каналі при збільшенні в ньому напруженості елек-
тричного поля.
У разі деякої напруги на стоку UСВ нас – напруги насичення –перекривається
канал через збільшення товщини р–п-переходу затвора. Струм стоку при даль-
шому збільшенні напруги на стоку майже не зростає.
При напрузі між затвором і витоком, рівній нулю, і при напрузі на стоку,
рівній або перевищуючій напругу насичення, струм стоку називають початко-
вим струмом стоку ICпоч. Частину характеристики, що відповідає насиченню

струму стоку, називають пологою частиною.
Якщо збільшувати напругу на стоку, збільшуватиметься довжина перекритої
частини каналу і зросте його статичний опір. Якщо б довжина перекритої час-
тини каналу збільшувалася пропорційно до напруги на стоку, то струм стоку не
змінювався б навіть при напругах на стоку, що перевищують напругу насичення.
Однак довжина перекритої частини збільшується внаслідок товщини р-п-
переходу зі зростанням напруги на стоку, а товщина р-п-переходу пропорційна
або кореню квадратному, або кореню кубічному з напруги. Тому в пологій
частині характеристики спостерігається деяке збільшення струму стану при
збільшенні напруги на стоку, а товщина р–п-переходу пропорційна або кореню
квадратному, або кореню кубічному з напруги.
З прикладанням до стоку додатної щодо стоку напруги по каналу пройде
струм і зворотна напруга на переході змінюватиметься вздовж осі Х, зростаючи
у напрямку до стоку. Тому товщина збідненого шару зростатиме порівняно з
рівноважним значенням. а товщина каналу – зменшуватиметься в напрямку сто-
ку і при достатньо великій напрузі UСВ відбудеться відсікання каналу.
Загалом відсікання каналу відбувається за рахунок зростання до значення
| −U З відс. |: .У результаті цього процесу та утворення “горловини” струм стоку
насичується. Коли | −U ЗВ | +U CB >| −U З відс. | , “горловина” зміщується у напрямку
до стоку, а довжина каналу зменшується. Таким шляхом можна визначити на-
пругу насичення:
U С нас. = U CB =| −U З відс. | − | −U ЗВ | .
У разі додатної полярності на затворі він інжектуватиме в область каналу

неосновні носії заряду, тому польовий транзистор працюватиме як біполярний у
режимі подвійної інжекції.
Якщо подавати на затвор напругу такої полярності щодо витоку, яка
відповідає зворотному зміщенню р-п-переходу затвора, і збільшувати цю напру-
гу за абсолютним значенням, зменшуватиметься початковий поперечний переріз
каналу. Тому початкові ділянки вихідних статичних характеристик при напругах
на затворі, відмінних від нуля, мають інший нахил, який відповідає більшим по-
чатковим статичним опорам каналу.
Розглянемо закономірності формування перехідної характеристики (див.: рис.
2.40, б). Зазвичай вона відповідає режиму насичення, в якому струм IС слабко за-
лежить від напруги UСВ. Фізично зміна струму стоку IС від напруги UЗВ зумовле-
на зміною товщини каналу: чим більша від’ємна напруга UЗВ, тим тонший канал,
менша його провідність і, отже, струм. Залежність струму IС від напруги UЗВ у
режимі насичення апроксимують квадратичною залежністю:
2
⎛ U ⎞
I С = I С max ⎜⎜ 1 − ЗВ ⎟⎟ . (2.23)
⎝ U відс. ⎠
Перехідна і вихідні характеристики взаємопов’язані. Володіючи сім’єю
вихідних характеристик, нескладно побудувати перехідну характеристику, пере-
носячи відповідні точки з однієї системи координат в іншу, як це про-
ілюстровано на рисунку 2.40.
2.3.3. Диференціальні параметри

Струм стоку залежить від напруги на затворі UСВ. Отож, вираз для повного
диференціала струму стоку можна подати як:
∂I ∂I С
dI С = С dU ЗВ + dU СВ .
∂U ЗВ ∂U СВ
У цьому виразі частинні похідні, що визначають приріст струму при зміні
напруг, можна розглядати як диференціальні параметри транзистора.
∂I
Крутість S = С характеризує ступінь керуючої дії затвора. Її вимірюють
∂U ЗВ
в мА/В і визначають за перехідною характеристикою, як проілюстровано на ри-
сунку 2.40, б, замінюючи безмежно малі прирости скінченними, тобто
ΔI С
S= .
ΔU ЗВ
Теоретично крутість можна визначити:
−2 I С max ⎛ U ЗВ ⎞ 2 ⎛ U ЗВ ⎞
S= ⎜⎜ 1 − ⎟⎟ = ⎜⎜1 − ⎟⎟ . (2.24)
U відс. ⎝ U відс. ⎠ 3Rко ⎝ U відс. ⎠
Очевидно, що крутість обернено пропорційна опору каналу, який рівний
ρL
Rко = . (2.25)
zh0
Отже, щоб отримати високу крутість, необхідно володіти каналом з якнай-

меншою довжиною L і великою шириною z. Збільшувати товщину каналу h і
зменшувати питомий опір недоцільно, оскільки це спричиняє збільшення
від’ємної порогової наруги. Практично ширина каналу в сотні тисяч разів
перевищує його довжину.
Окрім того, крутість максимальна при малих UЗВ. Однак такий режим роботи
невигідний з енергетичної точки зору, оскільки через транзистор протікає вели-
кий струм ІC і розсіюється велика потужність. Отож, зазвичай обирають

U З ≥ 0,75 × U З0 .
ΔI С
Вихідна провідність Gi = характеризує вплив напруги стоку на струм
ΔU СВ
стоку. Її визначають за вихідними характеристиками (див. рис. 2.40, а),
ΔI С
замінюючи безмежно малі прирости скінченними, тобто Gi = , де ΔI С –
ΔU СВ
зміна струму (вертикальний катет характеристичного трикутника), спричинена
зміною напруги ΔU СВ (горизонтальний катет характеристичного трикутника).
Величина вихідної провідності дуже мала й зумовлена зміною довжини каналу
при зміні напруги стоку. Чим коротший канал, тим більша відносна зміна його
довжини при одному і тому ж прирості ΔU СВ , а, отже, тим більша провідність
1
Gi. Часто замість параметра Gi застосовують обернену величину Ri = . Цей
Gi
параметр називають внутрішнім опором транзистора.
Крім розглянутих параметрів, використовують параметр, що характеризує
порівняльну дію напруг стоку і затвора на струм стоку. Цей параметр називають
коефіцієнтом підсилення μ. Він рівний відношенню приростів напруг стоку і
затвора, що зумовлюють однакові за величиною і протилежні за напрямком
прирости струму стоку:
dU СВ
μ=− . (2. 26)
dU ЗВ
Знак “мінус” у цій формулі враховує той факт, що додатному приросту dUСВ,
який збільшує струм на величину dIC, відповідає від’ємний приріст dUЗВ, що
зменшує струм на ту ж саму величину dIC. Завдяки цьому забезпечується
постійність струму IC.
Параметр μ пов’язаний з параметрами S і R. Повний диференціал струму стоку,
виражений через диференціальні параметри, рівний:
1
dI С = SdU ЗВ + dU СВ .
Ri
1
Якщо dIC=0, то SdU ЗВ + dU СВ = 0.
Ri
Звідки отримаємо:
dU СВ
SRi = − .
dU ЗВ
Урахувавши (2. 26), матимемо:

SRi=μ.
Співвідношення пов’язує між собою диференціальні параметри польового
транзистора.
Згідно з виразом (2.25), для підвищення крутості характеристики S
необхідно збільшувати ширину каналу z. Та при збільшенні ширини каналу не-
допустимо зростає напруга відсікання і напруга насичення, яка відповідає вход-
женню транзистора в режим насичення. Оскільки режим насичення є основним
режимом роботи польового транзистора, то напруга відсікання має бути малою.З
огляду на сказане, ширину каналу намагаються зробити невеликою, незважаючи
на деяке зменшення крутості характеристики.
2.3.4. Польові транзистори з ізольованим затвором

Польовий транзистор, що має один або декілька електрично ізольованих від
провідного каналу затворів, називають польовим транзистором з ізольованим
затвором (ПТІЗ).
Структуру польового транзистора з ізольованим затвором зображено на ри-
сунку 2.41. У кристалі напівпровідника з високим питомим опором, який нази-
вають підкладкою, створені дві сильнолеговані області з протилежним типом
електропровідності, сформовані методом іонного легування. На ці області
нанесені металічні електроди – витік і стік. Витік зазвичай з’єднують з
підкладкою. Відстань між сильнолегованими областями витоку і стоку може бу-
ти меншою, ніж декілька мікрометрів. Поверхня кристала напівпровідника між
витоком і стоком покрита тонким (порядку 0,1 мкм) шаром діелектрика. На шар
діелектрика нанесений металічний електрод – затвор. Як затвор сучасна
мікроелектроніка використовує високолегований полікремній, а також деякі
комбінації полікремнію та силіцидів. Отримана структура складається з шарів
металу, діелектрика і напівпровідника, тобто це МДН-структура.
Польовий транзистор з ізольованим затвором, у якому як ізоляційний шар
між металічним затвором і провідним каналом використовують діелектрик, на-
зивають польовим транзистором типу метал–діелектрик–напівпровідник, або
МДН-транзистором.
Випрямляючі електричні переходи під витоком і стоком можуть бути виго-
товлені не тільки у вигляді р-п-переходів, але й у вигляді випрямляючих перехо-
дів Шоткі, тобто шляхом нанесення металічних електродів витоку і стоку безпо-
середньо на підкладку. Використання випрямляючих переходів Шоткі під вито-
ком і стоком може забезпечити певні переваги в технології виготовлення таких
транзисторів, а також покращити їхні характеристики.
Вихідним напівпровідником для польових транзисторів з ізольованим затво-

ром є кремній. Тому як діелектрик під затвором використовують шар діоксиду
кремнію SiO2, вирощений на поверхні кристала кремнію шляхом високотемпе-
ратурного окиснення.
Рис. 2. 41. Структура польового транзистора з ізольованим затвором
Польовий транзистор з ізольованим затвором, в якому як ізоляційний шар

між кожним металічним затвором і провідним каналом використано оксид
напівпровідника, називають польовим транзистором типу метал-оксид-напів-
провідник, або МОН-транзистором. Однак для цих транзисторів частіше вико-
ристовують узагальнений термін – МДН-транзистори.
Головними параметрами структури є довжина каналу L – відстань між
металургічними межами n+–p-переходів стоку і витоку, ширина каналу z, тов-
щина шару ізолятора d, глибина переходів rj і рівень легування підкладки NA. В
кремнієвих інтегральних схемах окремий МДН-транзистор оточений з метою
ізоляції областю з товстим шаром оксиду, який називають польовим, або паси-
вуючим (на відміну від тонкого шару підзатворного оксиду).
Розглядаючи роботу приладу, всі напруги відраховуватимемо від потенціалу

стоку, тобто вважатимемо його заземленим. Коли напруги на затворі немає, елек-
трична ланка стік–витік діє як два n+–p-переходи, під’єднані назустріч один до
одного. Водночас у ній може протікати малий струм, рівний струму витоку зво-
ротно-зміщеного переходу. Якщо ж до затвора прикладене достатньо велике до-
датне зміщення, то поблизу межі з діелектриком утво-рюється інверсний шар,
або канал, який з’єднує n+-області стоку і витоку. Провідність цього інверсного
каналу модулюється зі зміною напруги на затворі. Напруга зворотного зміщення
підкладки також впливає на провідність інверсного каналу.
а б
Рис. 2.42. Схематична будова МДН-транзисторів із вбудованим (а)
та індукованим або інверсним (б) каналами
Відомі два різновиди МДН-транзисторів: з вбудованим каналом і з інду-

кованим каналом (див.: рис. 2.42). У транзисторі з вбудованим каналом струм
через канал протікає при поданні на стік додатної напруги при нульовій напрузі
на затворі. При поданні на затвор від’ємної напруги виникає вертикальне елек-
тричне поле між підкладкою і затвором, яке виштовхує електрони з каналу, в
результаті чого провідність каналу зменшується. При додатній напрузі канал
збагачується електронами і його провідність зростає.
Модулюється опір провідного каналу МДН-транзистора внаслідок зміни
напруги на затворі додатної або від’ємної полярності. МДН-транзистор з вбудо-
ваним каналом може працювати у двох режимах: збагачення та збіднення каналу
носіями заряду. Ця особливість МДН-транзисторів з вбудованим каналом
відображається і на зміщенні вихідних статичних характеристик, коли
змінюється напруга на затворі та її полярність (див.: рис. 2.43).
МДН-транзистор із вбудованим каналом може працювати при будь-якій
полярності напруги на затворі. В разі додатної напруги область каналу
збагачується електронами, внаслідок чого його опір зменшується, а при
від’ємній – навпаки. Відповідно змінюється струм між витоком і стоком.
У транзисторі з індукованим каналом при поданні на стік додатної напруги і
за нульової напруги на затворі провідного каналу між джерелом і стоком немає.
Якщо подавати на затвор додатну напругу,

виникає поперечне електричне поле, спря-
моване перпендикулярно до поверхні
напівпровідника, яке виштовхує з припо-
верхневого шару дірки та притягує елек-
трони.
Збіднена область поширюється від
поверхні в підкладку на глибину Δ, вели-
чина якої рівна:
1 Рис. 2.43. Вихідні статичні характери-
Δ = ⎡⎣ 2ε ( Ψ s ) / qN A ⎤⎦ 2 . стики МДН-транзистора з вбудованим
каналом p-типу
Якщо Uзв починає перевищувати Uпор, то глибина збідненої області
насичується при
1
Δ max = ⎡⎣ 2ε ( 2ϕ B ) / qN A ⎤⎦ 2
і електрони притягуються до поверхні, утворюючи інверсійний шар. Вважають,

що він є, по суті, прямокутною областю, рівномірно заповненою носіями на гли-
бину, рівну приблизно 100 Å. Фактично концентрація носіїв в інверсійному шарі
спадає приблизно експоненціально в напрямку від поверхні вглиб. Носії в
інверсній області рухомі, утворюють поблизу поверхні провідний шар, що
з’єднує витік зі стоком. У разі подальшого збільшення Uзв потенціал на поверхні
лише повільно збільшується щодо 2ϕB , а зростаюча напруга затвора спадає на
окислі. Отже, напруга затвора сприяє створенню провідного каналу між витоком
і стоком.
Напруга на стоку забезпечує потік електронів від витоку до стоку. При
UЗВ>Uпор і UСВ>0 (підпороговий режим) у каналі протікає невеликий, але
потенціально важливий струм. Оскільки область між витоком і стоком збіднена,
то струм, що протікає, зумовлений дифузією. Підпороговий струм впливає на
швидкість, з якою може відбуватися відкривання або закривання приладу, а та-
кож на величину потужності, що розсіюється в очікувальному режимі. Якщо UЗВ
перевищуватиме Uпор, а Uсв підтримуватиметься на рівні, меншому, ніж (Uзв–
Uпор), то утворений інверсний шар створюватиме можливість протікання струму,
причому структура поводить себе як резистор, керований напругою. Якщо й далі
збільшувати Uсв, то збіднена область поблизу стоку розширюється, оскільки вона
перебуває під зворотним зміщенням, а інверсна область навпаки –зменшується.
Збільшення напруги стоку зумовлює додаткове зменшення глибини інверсного
шару.В результаті цього спостерігається відхилення від лінійної залежності між
струмом каналу і напругою стоку. Збільшення Uсв зумовлює цілковите збіднення
інверсної області поблизу стокового кінця. Результатом є виникнення стану,

який називають відсіканням. У режимі відсікання збіднена область наявна між
кінцем інверсійної області і переходом стоку. Напругу стану,що зумовлює ви-
никнення відсікання, називають напругою насичення (Uсв нас). При збільшенні
UСВ до значень, що перевищують Uсв нас, область відсікання розширюється в на-
прямку стоку. При напругах, менших Uсв нас, спад напруги вздовж каналу при-
близно лінійним. Однак після того, як напруга зміщення починає переважати Uсв
нас, додаткове збільшення напруги падає на область між точкою відсікання та
витоком. Отож, струм, який відзначається спадом напруги між точкою
відсікання і витоком, залишатиметься приблизно постійним.
Тонкий шар товщиною Δ називають збідненим рухомими носіями заряду: в
ньому переважають від’ємні заряди акцепторів. Чим більша напруга UЗВ, тим
товстіший збіднений шар. При деякій напрузі UЗВ=Uпор, названій пороговою на-
пругою, концентрація електронів ns на поверхні напівпровідника стає рівною
концентрації дірок pp в об’ємі напівпровідника. При напрузі UЗВ>Uпор
концентрація електронів ns на поверхні виявляється більшою, ніж концентрація
дірок в об’ємі напівпровідника: на поверхні утворюється (індукується) канал
товщиною dk з електронною провідністю, відокремлений від підкладки
збідненим шаром. Змінюючи напругу UЗВ, можна змінювати товщину каналу dk,
а, отже, і його провідність.
У МДН-транзисторах з вбудованим каналом (див.: рис. 2.42, а) поблизу
поверхні напівпровідника під затвором при нульовій напрузі на затворі щодо
витоку є інверсний шар – канал, який з’єднує витік зі стоком.
У МДН-транзисторах з індукованим каналом (див.:рис. 2.42, б) провідного
каналу між сильнолегованими областями стоку і витоку немає, отож, помітний
струм стоку виникає тільки при певній полярності і при певному значенні на-
пруги на затворі щодо витоку, яку називають пороговою напругою (UЗВ пор). При
від’ємному потенціалі на затворі (для структури, зображеної на рис. 2.42, а)
внаслідок проникнення електричного поля через діелектричний шар у
напівпровідник при малих напругах на затворі (які менші, ніж UЗВ пор) поблизу
поверхні напівпровідника під затвором виникає збіднений основними носіями
заряду шар і область об’ємного заряду, яка складається з іонізованих неском-
пенсованих домішкових атомів. При напругах на затворі, які перевищують поро-
гове значення UЗВ пор, поблизу поверхні напівпровідника під затвором виникає
інверсний шар, який і є провідним каналом між витоком і стоком. Зі зміною на-
пруги на затворі змінюється концентрація носіїв заряду в провідному каналі, а
також товщина або поперечний переріз провідного каналу, тобто відбувається
модуляція опору провідного каналу. Основною причиною модуляції опору
провідного каналу в МДН-транзисторах з індукованим каналом є зміна
концентрації носіїв заряду в провідному каналі.
Зі зміною опору провідного каналу змінюється і струм стоку (схема

під’єднання МДН-транзистора аналогічна до схеми під’єднання польового тран-
зистора з керуючим переходом, яку зображено на рисунку 2.39, де полярність
джерел живлення залежить від типу електропровідності провідного каналу). Так
відбувається управління струмом стоку в МДН-транзисторі з індукованим кана-
лом.
Оскільки затвор відокремлений від підкладки діелектричним шаром, у колі
затвора тече надзвичайно малий струм. Тому малою є і потужність, яка
споживається від джерела сигналу в колі затвора і яка необхідна для керування
великим струмом стоку. Отже, МДН-транзистор з індукованим каналом може
підсилювати електричні сигнали за напругою і потужністю.
Зображені на рисунку 2.40 структури польових транзисторів з ізольованим
затвором мають підкладку з електропровідністю р-типу. Тому сильнолеговані
області під витоком і стоком, а також індукований і вбудований канали мають
електропровідність n-типу. Якщо ж аналогічні транзистори створені на
підкладці з електропровідністю n-типу, то канал у них матиме
електропровідність p-типу.
На рисунку 2.44,а зображено сім’ю вихідних характеристик МДН-
транзистора з індукованим каналом для різних значень напруги UЗВ.Як бачимо,
за малих значень напруги UЗВ, коли канал не перекритий, струм лінійно наростає
при збільшенні UСВ. Дальше зростання Uсв зумовлює звуження каналу і ріст
струму сповільнюється. При напрузі Uсв=Uзв–Uпор канал перекривається і тран-
зистор переходить у режим насичення. У разі подальшого зростання UСВ канал
скорочується. Механізм проходження струму через перекритий канал
аналогічний, як і в транзисторі з керованим р-п-переходом.
а б
Рис. 2.44. Сім’я вихідних (а) та перехідна (б) характеристики
МДН-транзистора з індукованим каналом
На рисунку 2.44,б зображена перехідна характеристика МДН-транзистора,

що відповідає деякій постійній напрузі Uсо. При UЗВ<Uпор каналу між витоком і
стоком немає, тому струм стоку практично рівний нулю. При UЗВ>Uпор між ви-
током і стоком канал є, товщина його збільшується при зростанні UЗВ, що й
зумовлює зростання струму стоку ІС від напруги UЗВ. Вплив температури на
струм стоку спричинений аналогічно, як і в транзисторі з керованим р-п-
переходом. Зі зростанням температури знижується рухливість носіїв заряду в
каналі,а, отже, струм стоку зменшується. Водночас зменшується контактна
різниця потенціалів, що спричиняє зростання струму стоку.
Повний набір різних типів транзисторів, які мають практичне використання,
вичерпується шістьма різновидностями. Їхні типові передавальні характеристи-
ки зображені на рисунку 2.45.
Рис. 2.45. Типові передавальні характеристики польових транзисторів
Використовуючи ці характеристики, можна встановити полярність керуючої

напруги, напрямок струму в каналі та діапазон зміни керуючої напруги.
Розглянемо деякі особливості цих характеристик. Усі характеристики польо-
вих транзисторів з каналом п-типу розміщені у верхній половині графіка, а, отже,
мають додатний струм, рівнозначний додатному напряму на стоку. І навпаки, всі
характеристики приладів з каналом р-типу розміщені в нижній половині графіка,
а, отже, мають від’ємне значення струму і від’ємну напругу на стоку. Характе-

ристики ПТКП при нульовій напрузі на затворі мають максимальне значення
струму, який називають початковим ІС.поч. При збільшенні запірної напруги
струм стоку зменшується і при напрузі відсікання Uвідс. стає близьким до нуля.
Характеристики ПТ з індукованим каналом за нульової напруги на затвор
мають нульовий струм. Струм стоку в таких транзисторах виникає при напрузі
на затворі більшій, ніж порогове значення Uпор. Збільшення напруги на затворі
зумовлює збільшення струму стоку.
2.3.5. Параметри МДН-транзистора. Схеми під’ єднання

На практиці використовують такі малосигнальні параметри:
– крутість
S = dI С / dU ЗВ |U СВ = const ,
що характеризує крутість прохідної ВАХ транзистора уточці спокою (див.:

рис. 2.44);
– внутрішній (вихідний) опір rC = dU СВ / dI С |IС = const ,
що характеризує нахил вихідної ВАХ на пологій ділянці (див.: рис. 2.44);
– коефіцієнт підсилення за напругою
KU = dU СВ / dU ЗВ |IС = const .
Описані параметри пов’язані між собою:

KU = SrC .
Внутрішній опір зумовлений зміною довжини каналу з ростом напруги на

стоку: зворотнозміщений p-n-перехід розширюється зі збільшенням UСВ,
збільшується питома крутість d. Струм стоку IС також збільшується. Можна ви-
разити параметр rC через електрофізичні параметри МДН-структури:
2qN U СВ
rC = L ,
ε 0ε rп IС
де L–довжина каналу; N–концентрація донорної домішки; εrп – відносна

діелектрична проникність підкладки – кремнію.
Крутість характеристики в області підсилення визначають за виразом:
S = μ S ωCЗ (U ЗВ − U пор )/L,
де μs – рухливість носіїв у каналі; ω – ширина каналу провідності.

Для отримання статичних параметрів МДН-транзистора використовують

схемний метод, який дає змогу з’єднати затвор і стік між собою та вимірювати
залежність струму стоку від прикладеної стокової напруги. Схему під’єднання
зображено на рисунку 2.46.
Оскільки в такій схемі UС завжди рівне UЗ, то
транзистор перебуватиме в режимі насичення
струму. Отже, його можна описати рівнянням,
1
згідно з яким залежність ( IC ) 2
від UС має бути
лінійною. Типовий приклад такої залежності зобра-
жений на рисунку 2.44. Порогову напругу Uпор ви-
значають з цього графіка як точку перетину графіка
з віссю напруг, а значення k/2 визначають за нахи-
лом графіка.
Рис. 2.46. Схема На практиці порогову напругу іноді визначають
вимірювання вхідної
як затворну напругу, за якої через транзистор
характеристики
МДН-транзистора протікає певний невеликий струм стоку. Зазвичай
роль порогової напруги покладають на затворну
напругу, при якій струм стоку для UВС=1 В становить 1 мкА на один мкм шири-
ни стокової області.
Використовуючи характеристику I C (U BC ) при UВС→0, можна визначити ве-
⎛W ⎞
личину μCOX ⎜ ⎟ , а, отже, ефективну рухливість носіїв у каналі. Нахил
⎝L ⎠
∂I C
вихідної характеристики на початку координат (провідність стоку при
∂U BC
нульовому зміщенні) визначають за виразом:
∂I C ⎛W ⎞
= μ n COX ⎜ ⎟ (U З − U пор ) при UВС →0.
∂U BC ⎝L⎠
Повторивши це вимірювання для декількох затворних напруг, можна знайти
довірливе значення коефіцієнта в рівнянні струму та обчислити μ n ( μ p ) .
Власна швидкодія. Власна швидкодія МДН-транзистора обмежена двома
внутрішніми механізмами. По-перше, основне обмеження залежить від часу пе-
ренесення носіїв заряду через канал; по-друге, швидкодія МДН-транзистора та-
кож обмежується перезарядженням ємностей, властивих самому приладу в
процесі часової зміни сигналу.
Згідно з першим механізмом, час пролітання носія через канал можна запи-
сати у вигляді:
L L
dy dy
τ=∫ =∫ ,
v
0 y
με
0 n y
де ε y – напруженість електричного поля в каналі. Його координатний розподіл

задають виразом:
1
⎛ y⎞ 2
ε y ( y ) = − (U З − U пор ) / 2 L ⎜ 1 − ⎟ .
⎝ L⎠
Підставивши його в попередній вираз для τ та проінтегрувавши, отримаємо:
4 L2
τtr = .
3 μ n (U З − U пор )
Цей вираз описує власну швидкодію транзистора, зумовлену параметрами

носіїв (μ), геометричними розмірами приладу (L) та прикладеним зміщенням
уздовж каналу (UЗ – Uпор).
Ця формула вказує на шляхи підвищення швидкодії МДН-транзисторів. Зок-
рема,довжина каналу. З цим шляхом і пов’язаний увесь розвиток
мікроелектроніки, однак можливості цього напряму вичерпуються. Другий шлях
– це підвищення рухливості носіїв у каналі. Перспективним у цьому напрямку є
вибір нових матеріалів з високим μ (GaN, AlGaAg), або застосування новітніх
технологій, що дають змогу дещо підняти цей параметр (наприклад, технологія
напруженого кремнію збільшує рухливість електронів на 20–30%). І третій шлях
– підвищення робочої напруги. Однак він має дуже обмежені можливості
внаслідок загрози електричного пробивання матеріалу.
2.3.6. Польовий транзистор Шоткі

Польовий транзистор Шоткі (ПТШ) – це транзистор, в якому управління по-
током носіїв у каналі провідності відбувається за допомогою електрично
зміщеної структури Шоткі, що відіграє роль затвора.
Після всебічного вивчення властивостей ПТКП стало зрозуміло, що для
модуляції опору провідного каналу за рахунок зміни поперечного перерізу може
бути ефективно використана бар’єрна структура Шоткі (Mе-н/к). Тому такі
транзистори були названі ПТШ. Ураховуючи аналогічну природу модуляції
опору каналу, ПТКП та ПТШ мають спільну теорію формування ВАХ, однак
суттєво відмінні технології та вбудовані потенціали.
На сьогодні розроблена велика кількість різноманітних топологій металізації
польових транзисторів з затвором Шоткі. На рисунку 2.47 зображений попереч-
ний переріз активної області структури польового транзистора між контактами

витоку (В) і стоку (С).
Рис. 2.47. Поперечний переріз структури ПТШ:

1 – збіднена область під затвором; 2 – зовнішня частина збідненої області;
3 – збіднена область над підкладкою; 4 – провідний канал; 5 – зовнішня область стоку;
6 – внутрішня область транзистора; 7 – зовнішня область стоку;
8 – підкладка або буферний шар
Епітаксіальний n-шар вирощують на напівізолюючій напівпровідниковій

підкладці або на проміжному буферному шарі, який покращує властивості
кристалічної гратки на межі розділу n-шару і високоомного напівпровідника, а
також протидіє дифузії домішок з підкладки в n-шар.
ПТШ на епітаксійному шарі, зі застосуванням буферного шару, володіють
великою крутизною та меншим рівнем шумів, порівняно з транзисторами без
буферного шару. Роль затвора Шоткі виконує вузька смужка (0,5–1 мкм) напи-
леного металу. Контакти витоку і стоку омічні.
Струм у каналі ПТШ зумовлений дрейфуванням основних носіїв, тому
швидкодія приладу залежить лише від швидкості зміни заряду під затвором.
Використання бар’єра Шоткі дає змогу зменшити ємність CЗВ, що забезпечує
значне зростання fгр. Зокрема, експериментальні зразки ПТШ працюють на час-
тотах до 30 ГГц.
2.3.7. Деякі схеми практичного використання польових

транзисторів
МДН-транзистори експлуатують у двох основних режимах: підсилю-
вальному та ключовому.
Схема підсилювального каскаду. Найпростішу схему підсилювального каска-
ду на МДН-транзисторі з активним навантаженням Rн зображено на рисун-
ку 2.48.
Принцип підсилення потужності в МДН-транзисторах можна розглядати з
точки зору передавання носіями заряду енергії постійного електричного поля
(енергії джерела живлення у вихідному

колі) змінному електричному полю. В
МДН-транзисторі до виникнення каналу
майже вся напруга джерела живлення в
колі стоку спадала на напівпровіднику
між витоком і стоком, створюючи велику
постійну складову напруженості елек-
тричного поля. Під дією напруги на
затворі в напівпровіднику під затвором
виникає канал, по якому від витоку до
стоку рухаються носії заряду – дірки.
Дірки, рухаючись у напрямку постійної Рис. 2.48. МДН-транзистор
складової електричного поля, розганя- у підсилювальному режимі: схема
ються цим полем і їхні енергії під’єднання зі спільним витоком
збільшуються завдяки енергії джерела
живлення в колі стоку. Одночасно з виникненням каналу і появою в ньому ру-
хомих носіїв заряду зменшується напруга на стоку, тобто миттєве значення
змінної складової електричного поля в каналі спрямоване протилежно до
постійної складової. Тому дірки гальмуються змінним електричним полем,
віддаючи йому частину своєї енергії.
Рис. 2.49. Положення робочої точки МДН-транзистора

в підсилювальному режимі на вихідних ВАХ
Через послідовне з’єднання резистора RН і транзистора тече струм стоку:

jС = (ε с − U СВ ) / RН .
При заданій напрузі затвора UЗВ

струм стоку jс визначають за точками
перетину ВАХ резистора (див.:
рис. 2.50) і ВАХ транзистора – робо-
чою точкою. Положення робочої точки
в режимі спокою (точка 0 при
UЗВ=UЗВ0) визначає параметри підсилю-
вального режиму в точці спокою. По-
ложення робочої точки при зміні на-
пруги на затворі характеризують
динамічний стан МДН-транзистора.
У підсилювальному режимі експ-
Рис. 2.50. Положення робочої точки МДН- луатації МДН-транзистора робоча точ-
транзистора у підсилювальному режимі на ка не виходить за межі пологої частини
перехідних ВАХ
вихідної ВАХ транзистора, тобто за
межі активної області (див: рис. 2.49).
Кількісно підсилювальний режим характеризують параметрами малого сиг-
налу, які описують вихідну і прохідну ВАХ МДН-транзистора поблизу точки
статичного стану цього режиму – поблизу точки спокою.
Рис. 2.51. Графічний спосіб

визначення крутості вхідної Рис. 2.52. Графічний спосіб визначення
характеристики МДН-транзистора вихідного опору МДН-транзистора
Ключ на польовому транзисторі. Для електронних ключів в ІМС зазвичай

використовують МДН-транзистори з індукованих каналом, в яких без напруги
на затворі (U З − В = 0) ключ знаходиться у розімкнутому стані, а при поданні на-
пруги, що перевищує її порогове значення (U З − В = U пор ), ключ знаходиться у
замкнутому стані. Схема такого ключа з резистивним навантаженням зображена

на рисунку 2.53.
На рисунку 2.54 зображений принцип побудови передавальних характери-
стик.
Рис.2.53. Схема ключа на ПТ з Рис. 2.54. Побудова передавальних характеристик

резистивним навантаженням ключа на ПТ
Якщо U З − В = 0, то режим ключа визначають за точкою А, причому

U вих. = Едж. Якщо U З − В = 1, то робоча точка переміщується на висхідну ділянку
вихідної характеристики (точ. В). На транзисторі встановлюється залишкова на-
пруга Uзал., величина якої тим менша, чим більші RC і U З − В . Перехідні процеси,
визначають швидкодію ключа. Час увімкнення ключа, що визначається розряд-
жанням паразитної ємності C0 через відкритий канал транзистора RK0, визнача-
ють приблизно tвкл = 2,3RK 0C0 . Час вимкнення визначається зарядом ємності C0
через резистор RC. Його розраховують за формулою: tвикл = 2,3RС C0 . Швидкодія
ключа головно визначається часом його вимкнення.
2.3.8. Система позначень польови х транзисторів

Польовий транзистор має три основні електроди: керуючий електрод – за-
твор З (G – gate) і вхідний та вихідний електроди – стік С (D – drain) та витік –
В (S – source). Якщо канал, для прикладу, n-типу, то носії заряду, що надходять з
каналу, – електрони, а полярність напруги стоку додатна. Можливий також чет-
вертий електрод П, який з’єднують з пластиною вихідного напівпровідника –
підкладкою.
Графічне позначення транзисторів містить максимальну інформацію про
їхню будову. Канал транзистора зображають вертикальною штриховою або
суцільною лінією. Штрихова лінія відображає індукований канал, а суцільна –
вбудований. Стік і витік діють як невипрямляючі контакти, отож їх зображають

під прямим кутом до каналу. Підкладку позначають як електрод зі стрілкою, на-
прям якої вказує тип провідності каналу. Затвор відображають вертикальною
лінією, паралельною до каналу. Електрод затвора повернутий до електрода ви-
току.
На рисунку 2.55 зображені основні позначення польових транзисторів.
Стрілка в позначенні польових транзисторів – це тип каналу: спрямована до
каналу – для каналу n-типу, і від каналу – p-типу. Практично напрям стрілки
збігається з напрямом струму стоку в стоковому електроді і дає змогу визначити
полярність керуючої (З – В) і вихідної (С – В) напруг. Полярність керуючої та
вихідної напруг для МДН-транзистора з індукованим каналом однакова, для польо-
вих транзисторів з вбудованим каналом – протилежна.
Рис. 2.55. Умовні позначення польових транзисторів з ізольованим затвором (а – г)

та з керованим p–n-переходом (д, е)
В умовному позначенні МДН-транзистора також відображений факт ізоляції

керуючого електрода – затвора від вихідних електродів – стоку та витоку, тобто
відкритий стан характеризується замиканням лише кола стік – витік (керуюче
коло залишається ізольованим).
Умовне позначення польових транзисторів з керованим p–n-переходом показа-
не на рисунку 2.55 (д, е). Оскільки ПТКП можуть функціонувати лише зі
збідненням каналу, то вбудований канал позначений суцільною лінією, яка має
контакти з електродами стоку і витоку. Напрям стрілки на виводі затвору
означає тип провідності каналу.
Отже, повний набір різновидів польових транзисторів, наведений у
довідковій літературі, вичерпується тільки шістьма.
Відповідно до чинних стандартів, позначення типу польового транзистора
містить чотири елементи. Перший елемент – цифра 2 або літера К, що
свідчать про матеріал виготовлення – на основі кремнію. Другий елемент –
літера П, описує приналежність до класу польових приладів. Третій елемент
– цифра, якою позначають основне призначення транзистора, визначаючи
граничну частоту і розсіювальну потужність. Четвертий і п’ятий елементи –
це порядковий номер розробки цього типу транзистора, їх позначають циф-

рами від 01 до 99. Шостий елемент позначення (літери від А до Я)
класифікує прилади за групами або будь-яким параметром. Використовують
також семиелементне позначення транзисторів, які вирізняються тризнач-
ним номером розробки. Наприклад, КП7235Г означає: кремнієвий польовий
транзистор з граничною частотою до 30 МГц і розсіювальною потужністю
понад один Ват, призначений для використання у пристроях широкого за-
стосування, номер розробки 235, група Г з класифікаційним параметром:
крутість S= 6÷12 мА/В.
2.3.9. Напівпровідникові прилади з зарядовим зв’язком

Прилад з зарядовим зв’язком (ПЗЗ) – це напівпровідниковий прилад, що
володіє великою кількістю близько розміщених та ізольованих від підкладки
затворів (МДН-структур) під якими може відбуватися перенесення до стоку
інформаційних пакетів неосновних носіїв заряду, інжектованих з витоку в канал,
або генерованих унаслідок оптичного поглинання.
Принцип роботи ПЗЗ полягає в тому, що у кожній окремій МДН-структурі
можна створити локальний приповерхневий заряд неосновних носіїв і
переміщувати його вздовж поверхні від одної МДН-структури до іншої,
змінюючи відповідним чином послідовність тактових імпульсів, які подаються
на затвори.
Такі прилади зазвичай створюють на основі n-Si, а на затвори подають
від’ємні робочі напруги, за модулем менші порогової. Тому в n-
напівпровіднику під затвором створюється збіднена основними носіями за-
ряду область у вигляді потенціальної ями. У потенціальній ямі нагромад-
жуються неосновні носії заряду (дірки), що створюють інформаційний па-
кет. Він згодом і відіграє роль носія інформації. Пакет дірок під затвором
може зберігатися впродовж певного часу. Введення зарядового пакета під
затвор називають режимом записування інформації, а напругу, що за-
безпечує цей процес, – напругою запису.
Розглянемо принцип дії ПЗЗ на прикладі тритактної схеми зсувного регістра,
яку можна описати як структуру МДН-транзистора з багатьма затворами
(див.:рис. 2.56, а). Прилад умовно складається з трьох секцій.
Рис. 2.56. Структури ПЗЗ з тритактним живленням затворів секції

перенесення (а) та ілюстрація принципу його дії (б, в, г, д):
б – запис логічної одиниці шляхом інжекції пакета дірок у потенціальну яму під першим затвором
секції перенесення; г – зчитування логічної одиниці на виході приладу при екстрації дірок з
+
потенціальної ями в р -область стоку; д – запис логічного нуля коли немає від’ємного потенціалу на
вхідному затворі
Перша – вхідна секція – включає в себе витік з р+-областю під ним та

вхідний затвор, що виконує роль ключа для керування руху дірок з дифузійної
р+-області витоку в першу потенційну яму.
Друга – секція перенесення – складається з низки затворів, керуючих
потенціалом на границі Si–SiO2. Напруги на затворах секції перенесення мають
вигляд імпульсів різної амплітуди, які змінюють одна одну циклічним перестав-
лянням (див.: рис. 2.56, б, д). При такій зміні напруги на затворах потенціальні
ями переміщуються до виходу приладу, захоплюючи за собою пакети носіїв за-
ряду-дірок.
Третя – вихідна секція – включає в себе p–n- перехід стоку. Він зміщений у
зворотному напрямку і призначений для екстракції дірок з потенційних ям.
Робота ПЗЗ-структури полягає у такому. Нехай на початковому такті роботи
на вхідний затвор подана напруга Uвх, достатня для утворення провідного каналу
під вхідним затвором (U вх )
> U пор . Якщо на першому затворі секції перене-
сення є достатньо велика від’ємна напруга, тобто якщо під першим затвором є
глибока потенціальна яма для дірок, то дірки виходитимуть з витоку і проходи-
тимуть по каналу під вхідним затвором секції перенесення (див.:рис. 2.56, б).
Напруга на вхідному затворі Uвх вимикається до початку наступного такту
зміни напруги на затворах секції перенесення. Тому провідний канал під
вхідним затвором зникає. Так записується інформація, якій відповідає деякий
заряд дірок Q”1”, нагромаджених у потенціальній ямі під першим затвором у
результаті інжекції з витоку. Для запису інформації (логічний “0”) на вхідний
затвор не подають вхідну напругу.
Інжекція дірок з в р+-області витоку в потенціальну яму під першим затво-
ром (див.: рис. 2.56, д) не буде наявна і в ній може виявитися лише відносно не-
великий заряд дірок Q”0” за рахунок теплового генерування носіїв заряду, або
неповного звільненням потенціальної ями на попередніх тактах роботи.
Після зміни напруг на затворах секції перенесення більш від’ємна напруга
буде на другому затворі, тому пакет дірок пересунеться в потенціальну яму під
другим затвором секції перенесення (див.: рис. 2.56, г, д).
Якщо в потенціальних ямах, переміщених до p–n -переходу стоку, нема
носіїв заряду, то і струму у колі стоку не буде. І лише тоді, коли потенціальна
яма, що містить дірки, підійде до p–n- переходу стоку, відбудеться екстракція
цих дірок і в колі стоку пройде імпульс струму, або зміниться напруга на стоку
(див: .рис. 2.56, г).
Описана структура ПЗЗ з тритактним живленням затворів секції перенесення
володіє деякими недоліками, зокрема: 1)металічні затвори необхідно розмі-
щувати на дуже малій відстані один від одного (1–3 мкм), що ускладнює
технологію виготовлення; 2) за малої відстані між електродами можливе за-
бруднення тонкого шару SiO2, розміщеного між електродами; 3) значна кількість

перетинів ліній металізації значно ускладнює технологію.
Ці недоліки усуваються в інших конструкціях подібних приладів, наприклад:
двотактних приладах з зарядовим зв’язком, ПЗЗ з низкою прихованих затворів,
на ланцюжках МДН-транзисторів, поверхнево-зарядовому транзисторі.
До основних параметрів ПЗЗ відносять такі.
Нижня межа тактової частоти, яка визначається часом нагромадження
заряду інформаційного пакета (дірок) у порожніх потенціальних ямах і стано-
вить для реальних приладів одиниці– десятки кГц.
Верхня межа тактової частоти задається часом перетікання заряду з однієї
потенціальної ями в іншу і визначається десятками МГц.
У діапазоні робочих частот, далеких від граничних, повного передавання
інформаційного заряду не відбувається. Це пов’язано з явищами захоплення
носіїв заряду поверхневими енергетичними рівнями пасток захоплення. Тому
для кількісного оцінення такого ефекту використовують параметр ефективного
передавання заряду η = ( Q"1" − Q"0" )i +1 ( Q"1" − Q"0" )i , що засвідчує, яка частка за-
ряду переноситься з однієї потенціальної ями в іншу i+1. Значення ефективності
передавання η зазвичай близьке до одиниці, тому зручніше користуватися
коефіцієнтом втрат (неефективністю передавання) Κ П = 1 − η . Для типових ПЗЗ
коефіцієнт втрат становить менше 10-4.
Щоб усунути втрати інформаційного заряду в реальних ПЗЗ використо-
вують схеми регенерування. Зчитуваний із ПЗЗ сигнал підсилюється, з форму-
ванням його рівнів, а потім записується інформація ланцюжків ПЗЗ. Для трива-
лого зберігання інформації ланцюжки ПЗЗ замикають у кільце. Регенерування
інформаційного заряду може бути суміщене з виведенням інформації.
На сьогодні відомі три напрямки практичного використання ПЗЗ: 1) за-
пам’ятовуючі пристрої ЕВМ; 2)пристрої перетворення зображення в електричні
сигнали; 3) пристрої оброблення аналогової інформації.
2.4. Основи напівпровідникової мікроелектроніки.

Структура інтегральних мікросхем
2.4.1. Типи інтегральних мікросхем

Сучасна комп’ютерна електроніка характеризується всезростаючим викори-
станням в ролі елементної бази інтегральних мікросхем (ІМС). Інтегральними
вони названі так, бо всі елементи в них нероздільно пов’язані між собою, тому
схему розглядають, як єдине ціле. Необхідно зазначити, що ІМС широко вико-
ристовують в електронній апаратурі не як метод комплексної мініатюризації, а
насамперед як засіб підвищення надійності електронних пристроїв через

розв’язання проблеми міжз’єднань.
Сама концепція мікросхеми, як мікроелектронного виробу з набором актив-
них і пасивних елементів, була запропонована та практично реалізована у 1958
році незалежно двома американськими дослідниками –Дж. Кілбі (Texac Instru-
ments) та Робертом Нойсом (Fairchild Semiconductor). У 1961 році об’єднана
компанія Fairchild Semiconductor Corporation випустила у вільний продаж перші
мікросхеми, які інтенсивно почали використовувати у калькуляторах та
військових обчислювальних системах.
У сучасному розумінні ІМС – це конструктивно закінчений виріб
електронної техніки, що виконує певну функцію перетворення інформації та
містить сукупність електрично пов’язаних між собою електрорадіоелементів
(транзисторів,діодів,конденсаторів та ін.), виготовлених в єдиному техно-
логічному циклі.
Зазвичай мікросхеми класифікують за такими ознаками:
- технологією виготовлення (напівпровідникові, гібридні, плівкові);
- ступенем інтеграції (малі, середні, великі, надвеликі,ультравеликі);
- типом оброблюваної інформації (аналогові, цифрові, аналогово-
цифрові);
- конструктивним оформленням (корпусні, безкорпусні);
- базовими матеріалами (кремнієві, арсенід-галієві).
- конструктивним оформленням (корпусні та безкорпусні).
Напівпровідникова ІМС – це інтегральна мікросхема, всі елементи та
міжелементні з’єднання якої виконані в об’ємі та на поверхні напівпровідника
(підкладки).
Рис. 2.57. Загальний вигляд типових сучасних мікросхем

Головними активними елементами напівпровідникових інтегральних

мікросхем можуть бути біполярні або польові транзистори. В ролі польових ви-
користовують МДН-транзистори з індукованим каналом. Відповідно напів-
провідникові ІМС поділяють на БІП (біполярні) та МДН-інтегральні мікро-
схеми. Зазначимо, що фізичні принципи роботи активних елементів в ІМС ма-
ють деякі особливості, не характерні дискретним аналогам, і які необхідно вра-
ховувати при проектуванні ІМС з прогнозованими параметрами.
Частину напівпровідникової ІМС, виконану нероздільно від кристала нази-
вають елементом. Загальноприйнятими параметрами оцінення складності
мікросхеми є: ступінь інтеграції k=lgN та ступінь функціональної складності
F=lgL. Тут N – кількість компонентів, L – кількість двовходових логічних
елементів (вентилів). Значення lg округлюють до цілого числа. Промисловість
випускає ІМС від першого (менше 10 комп.) до шостого (більше 1млн. комп.).
Щільність упакування – це відношення кількості компонентів до об’єму
(іноді до площі) кристала. Ця величина в напівпровідникових ІМС становить
107 ел/см3 і більше.
Сучасна класифікація мікросхем за ступенем інтеграції приведена у таб-
лиці 2.2
Таблиця 2.2
Класифікація мікросхем за ступенем інтеграції
Скорочене по- Рік

Розшифрування Кількість транзисторів
значення впровадження
мала інтегральна схема
МІС (SSI) 1964 від 1 до 10
(small-scale integration)
середня інтегральна схема
СІС (MSI) 1968 від 10 до 500
(medium-scale integration)
велика інтегральна схема
ВІС (LSI) 1971 від 500 до 20 000
(large-scale integration)
надвелика інтегральна схема
НВІС (VLSI) 1980 від 20 000 до 1 000 000
(very large-scale integration)
ультра-велика інтегральна схема
УВІС (ULSI) 1984 від 1 000 000 і більше
(ultra-large-scale integration)
Аналогові та цифрові мікросхеми випускають серіями. Серія – це група МС,

що мають єдине конструктивно-технологічне виконання та відрізняються
фізичними параметрами базових елементів і їхнім функціональним призначен-
ням. Мікросхеми однієї серії зазвичай мають однакову напругу джерел живлен-
ня, погоджені по вхідних і вихідних опорах, рівнях сигналів. Наприклад, серія
74HC — серія цифрових CMOS мікросхем загального призначення з ТТЛ-
сумісними входами та виходами, а серія 54HC — її варіант з розширеним темпе-

ратурним діапазоном військового призначення (також називають підсерією).
Для кількісної характеристики технологічного процесу мікросхеми викори-
стовують мінімальні контрольовані розміри топології схеми (зокрема, довжини
каналу ПТ та його затвору). Для прикладу, у 1970 роках мінімальний контрольо-
ваний розмір становив 2-8 мкм, а у 2010 році – вже 32 нм. Загалом увесь сучас-
ний процес розвитку комп’ютерної елементної бази характеризується неухиль-
ним зменшенням характерних лінійних розмірів елементів і як наслідок – зро-
станням продуктивності комп’ютерних систем.
2.4.2. Структура активних елементів напівпровідникових

інтегральних мікросхем
Структура біполярних транзисторів напівпровідникових інтегральних
мікросхем. Основними схемними елементами напівпровідникових мікросхем є
біполярні транзистори типу n–p–n. Їх формують на напівпровідниковій
підкладці p-типу в ізольованих від неї локальних областях n-типу, які називають
кишенями. Ізоляція кишень від підкладки може бути забезпечена декількома
способами. Найбільш ефективною є ізоляція за допомогою двоокису кремнію
(див.: рис. 2.58, а).
а б в
Рис. 2.58. Способи ізоляції біполярних транзисторів
Однак такий спосіб технологічно складний. Найбільш простий спосіб

ізоляції за допомогою зворотно зміщеного p–n-переходу (див.: рис. 2.58, б), але
він недосконалий через наявність зворотного струму. Основним методом
ізоляції в сучасних ІМС є метод комбінованої ізоляції, що поєднує ізоляцію
діелектриком і зворотно зміщеним p–n- переходом (див.: рис. 2.58, в).
Найбільш поширені транзистори, що мають вертикальну структуру, в якій
всі виводи від областей транзистора розміщені в одній площині на поверхні
підкладки (див.: рис. 2.59). Таку структуру назвали планарною. Вона складається
з емітерної (1), базової (2), і колекторної (3) областей. Під колекторною областю
розміщений прихований n+ шар (4). Від зовнішніх впливів структура захищена
оксидним шаром SiO2 (5), в якому сформовані вікна (6) для приєднання
металічних контактів (7) до відповідних областей структури.
Робочою областю транзистора є область, розміщена під дном емітера. Решта
областей структури пасивна. Вони збільшують об’ємний опір колекторної і
базової областей транзистора. Опір базової області rб′ інтегрального транзистора
приблизно такої ж величини, як в дискретного (10– 20 Ом), а опір колекторної
області rк′ суттєво більший: у дискретного транзистора він становить 1–2 Ом, в
інтегрального – 10–50 Ом. Унаслідок цього вихідні характеристики інте-
грального транзистора в режимі насичення будуть більш пологими, ніж у дис-
кретного.
Рис. 2.59. Планарна структура

біполярного транзистора n–p–n- типу
Для зменшення опору rк′ у структуру введений прихований n+ шар (4), який
не має зовнішніх виводів. Цей шар шунтує розміщений над ним високоомний
колекторний шар n-типу, забезпечуючи низькоомний шлях струму від активної
області до колекторного контакту. Зменшення вдвічі опорів rб′ і rк′ досягається
також за рахунок створення двох виводів від кожної з областей транзистора.
Вертикальна структура інтегрального транзистора, ізольованого від
підкладки p–n-переходом, є, по суті, чотиришаровою, тобто її можна представи-
ти як таку, що складається з двох транзисторів активного транзистора VT1 типу
n+–p–n і паразитного транзистора VT2 типу p–n–p. Тому еквівалентна схема,
крім опорів пасивних областей і паразитного транзистора p–n–p, містить
розподілені ємності трьох переходів. Наявність цих ємностей визначає частотні
та імпульсні властивості інтегрального транзистора, які дещо гірші, ніж у дис-
кретного. Практично гранична частота вертикальних транзисторів типу p–n–p
лежить у межах 600–800 МГц.
Багатоемітерні транзистори. Транзистори цього типу, володіючи спільним
колектором і базою, містять до восьми емітерів. Структура багатоемітерного
транзистора (БЕТ) зображена на рисунку 2.60.
Рис. 2.60. Структура типового багатоемітерного транзистора
Особливість роботи БЕТ полягає в тому, що в довільному стані схеми колек-

торний перехід завжди відкритий, а емітерні переходи можуть бути або відкриті,
або закриті. Водночас можливі три комбінації станів p–n-переходів. Якщо всі
емітерні переходи відкриті, то в транзисторі є режим насичення і струми
протікають так, як показано на рисунку 2.61, а, причому Ік суттєво менше
струмів Іе1 та Іе2, оскільки послідовно з колекторним переходом увімкнений опір
rк′ , що більший від опору rе′ . Якщо на емітерні переходи подані зворотні напру-
ги від джерела керуючих сигналів, то транзистор працює в інверсному режимі
(див.: рис. 2.61, б).
а б в
Рис. 2.61. Напрямки струмів у БЕТ-транзисторі
Оскільки на відкритому колекторному переході напруга ~ 0,7 В, то в

емітерних колах будуть протікати великі від’ємні струми від джерел керуючих
сигналів. Для зменшення цих струмів необхідно зменшити інверсний коефіцієнт
передачі транзистора α і , що досягається шляхом штучного збільшення опору
пасивної бази. Для цього зовнішній вивід бази з’єднують з активною областю
транзистора через вузький перешийок (див.: рис. 2.60, а). Струм бази створює на
ньому спад напруги, внаслідок чого пряма напруга на колекторному переході
буде більша в області пасивної бази і менша в області активної бази, тому
інжекція електронів з колектора в базу відбуватиметься переважно в області
пасивної бази (див.: рис. 2.60, б). Водночас зростає довжина шляху, що прохо-
дять електрони крізь базу, в результаті чого інверсний коефіцієнт передачі α і
зменшується до 0,005–0,05.
Якщо один з сусідніх переходів відкритий, а другий закритий (див.:
рис. 2.61, б), то відчувається вплив горизонтальної паразитної структури типу p–
n–p (див.: рис. 2.61, в), утвореної сусідніми емітерами та розділяючою їх p-
областю. Через цю структуру протікає струм, який споживається від джерела
керуючих сигналів, під’єднаного до закритого переходу. Для послаблення пара-
зитного транзисторного ефекту необхідно збільшувати відстань між сусідніми
емітерами до 10–15 мкм. БЕТ становлять основу цифрових ІМС транзисторно–
транзисторної логіки (ТТЛ).
Структура діодів у напівпровідникових інтегральних мікросхемах. У
напівпровідникових ІМС для створення діодів не використовують спеціально
сформовані діодні структури. З цією метою в ролі діода використовують один із
переходів вертикального транзистора типу n–p–n.
Використовуючи схемні закорочення в транзисторній структурі (див.:
рис. 2.62, а), можна отримати п’ять різних варіантів діодного використання
транзистора.
Для кожного з варіантів є своя еквівалентна схема (див.: рис. 2.62, б). Всі
варіанти характеризуються різною швидкодією, яка визначається величиною
нагромаджених у базі та колекторі надлишкових зарядів.
а б
Рис. 2.62. Варіанти діодного ввімкнення n–p–n- транзистора (а),
їхні еквівалентні схеми (б)
Параметри типових схем діодного ввімкнення біполярних транзисторів

подані в таблиці 2.3
Таблиця 2.3
Параметри типових схем діодного ввімкнення біполярних транзисторів
Схеми ввімкнення
Параметри
Uк-б=0 Ik=0 Uб-е=0 Ie=0 Uk-e=0
1. Напруга пробою Uзв, В 5–7 5–7 35–55 35-55 5–7
2. Пряма напруга Uпр, В 0,85 0,96 0,94 0,95 0,92
3. Зворотний струм Iзв, нА 5 5 20 20 25
4. Ємність діода Cд, пФ 0,5 0,5 0,7 0,7 1,2
5. Паразитна ємність Cп, пФ 3 1,2 3 3 3
6.Час відновлення зворотного опору 9 56 53 85 100
tвід, нс
Встановлено, що оптимальним варіантом використання транзистора в ролі

діода є перший варіант, зокрема при короткозамкнених база-колектор (Uk-б=0,
див.: рис. 2.62, а). Час перемикання такого діода з відкритого стану у закритий
становить лише декілька нс.
Структура МДН-транзисторів напівпровідникових інтегральних
мікросхем. У МДН–інтегральних мікросхемах найбільш широко вико-
ристовувані транзистори з індукованим каналом n-типу. Транзистори з каналами
p-типу та з вбудованими каналами використовують значно менше і головно як
пасивні елементи схем. МДН - транзистори мікросхем мають менші розміри, ніж
біполярні, що дає змогу значно підвищити степінь інтеграції. Є декілька
різновидів МДН-транзисторів, які реалізується МДН-технологією.
МДН-транзистори з полікремнієвим затвором. У транзисторах цього типу
замість алюмінієвого затвору використовуваний полікремнієвий затвор. Це дає
низку суттєвих конструктивно-технологічних переваг та значно підвищує
електричні параметри транзисторів. Зокрема, такі транзистори володіють мен-
шою пороговою напругою, внаслідок чого знижується напруга живлення до 5 В.
Зменшення товщини підзатворного діелектрика різко підвищує крутість харак-
теристики транзистора. Крім того, сумісність матеріалу затвора з матеріалом
захисного шару дала змогу значно наблизити контакти витоку і стоку, тим са-
мим зменшити розміри цих областей та всієї структури загалом. Застосування
полікремнію дозволило зменшити перекриття кремнієвого затвора з областями
витоку і стоку, що суттєво зменшило паразитні ємності. В таких транзисторах
також зменшена глибина залягання областей витоку і стоку. Структура транзи-
стора зображена на рисунку 2.63.
Транзистори формують на
кремнієвій підкладці p-типу з пи-
томим опором 1–10 Ом та
орієнтацією (100). Сусідні транзи-
стори розділені шаром товстого
поглибленого оксиду, під яким
розміщені сильнолеговані проти-
канальні шари р+-типу. Такі шари Рис. 2.63. Структура інтегрального МДН-
необхідні для виключення мож- транзистора з полікремнієвим затвором
ливості появи паразитних n-
каналів, що з’єднують n+і-області, сусідніх транзисторних структур. Чим
товстіший шар діелектрика і чим вища концентрація домішок у р+-області, тим
складніше індукувати інверсний канал. Виводи від витоку і стоку виконують
звичайним способом через вікна в плівці SiO2. Вивід від полікристалічного
кремнію виконується за межами МДН-структури.
Комплементарні МДН-структури. Такі структури становлять собою
поєднання транзисторів з каналами n- і p-типів, з’єднаних послідовно. На рисун-
ку 2.64 зображена схема і будова такої структури з алюмінієвим затвором.
Рис. 2.64. Схема та будова комплементарної МДН-структури
У цій структурі транзистор з n-каналом формується безпосередньо на

кремнієвій підкладці р-типу, а транзистор з р-каналом у спеціальній кишені n-
типу товщиною 3–4мкм.Площа, що припадає на один транзистор, в компле-
ментарній структурі більша, ніж у структурі на однотипних n-канальних транзи-
сторах, що зумовлює необхідність збільшувати відстань між p–n переходом ки-
шеня–підкладка і p–n-переходом найблищого n-канального транзистора. Вона
має бути більша від суми значень товщини збіднених шарів цих переходів, щоб
не було замикання n+- областей з n-кишенями. Реально товщина збідненої
області становить приблизно 3 мкм.
Контрольні запитання до розділу 2
1. Опишіть структурну модель БІП-транзистора.

2. Нарисуйте схеми ввімкнення транзисторів та порівняйте їхні функціональні
можливості.
3. Напишіть диференціальні параметри БІП-транзистора.
4. Нарисуйте фізичні еквівалентні схеми БІП-транзистора.
5. Транзистор Дарлінгтона.
6. У чому полягає суть роботи польового транзистора ?
7. Наведіть стокозатворну та вихідну характеристики ПТ з керованим p–n пере-
ходом.
8. Запишіть диференціальні параметри ПТ.
9. Нарисуйте структури ПТ з ізольованим затвором. Охарактеризуйте їхні
різновиди.
10. Розкажіть про ВАХ ПТ з різними типами каналів.
11. Опишіть сім’ю вихідних та перехідних характеристик для МДН-транзистора з
індукованим каналом.
12. Запишіть малосигнальні параметри ПТ.
13. Які фактори обмежують власну швидкодію ПТ?
14. Нарисуйте схему підсилювального каскаду на ПТ.
15. Нарисуйте схему ввімкнення ПТ для реалізації ключового режиму.
16. Нарисуйте схему комплементарної МДН-структури у мікроелектронному
виконанні.
17. Охарактеризуйте основні напрямки розвитку субмікро- та наноелектроніки.
18. Нарисуйте принципову схему електронного ключа на біполярному
транзисторі та поясніть його роботу.
19. Нарисуйте принципову схему електронного ключа на польовому транзисторі
та поясніть його роботу.
20. Опишіть спосіб оцінення завадостійкості ключа.

Книжка Коман Б. П.

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Книжка Коман Б. П.

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Розділ 1.

1.1. Електроніка та інформація

1.1.1. Комп’ютерна електроніка.

вузлів та організовує взаємодію між ними через програмне забезпечення. У

6 000 багатоканальних перемикачів, важив 30 тонн і споживав 140 кВт

як розробник найбільших суперкомп’ютерів, серед яких: CDC-6600, CDC-7600,

проблеми зумовив значні структурні зміни в МП третього покоління порівняно

В 1990-х роках були розроблені суперскалярні процесори, які значно

1.1.2. Розвиток мікроелектроніки та її вплив на становлення

Американські дослідники підрахували, якщо б авіапромисловість у ті ж роки

Рис. 1.1. Залежність ступеня інтеграції чипа від часу

Збільшення ступеня інтеграції чіпа досягається головно за рахунок змен-

Перехід до чергового покоління рівнозначний зростанню ступеня інтеграції

Рис. 1.3. Технологічна норма як функція часу

Усі головні геометричні параметри технології зменшуються разом з

Рис. 1.4. Залежність тактової частоти від року випуску

Фундаментальним параметром, від якого залежить енергоспоживання, є

працюючих процесорів. Але створення надшвидкісних комп’ютерів може бути

но, складніший характер. Загалом, не роблячи прогнозів на домінуюче викори-

1.2. Інформація. Кількість інформації

Прогрес людства неминуче веде до збільшення загального об’єму інфор-

наступного оброблення. Узагальнена схема передавання інформації технічною

Рис. 1.5. Схематичне зображення процесу передавання інформації

Перше чітке визначення інформації дав американський вчений К. Шеннон у

Рис. 1.6. Модель системи передавання інформації з використанням

Під ансамблем повідомлень розуміють множину можливих повідомлень з

Кожне повідомлення несе в собі певну кількість інформації. Визначимо

Тому для оцінення кількості інформації за Шенноном запропонована

Водночас найбільша кількість інформації містить найменш ймовірні пові-

ють в інформаційних процесах ЕВМ та інших пристроях, що функціонують на

Кількість інформації у повідомленні, що складається з n нерівноймовірних

Для випадку незалежних рівноймовірних подій кількість інформації визна-

Ентропія повідомлень має такі властивості: 1) вона є величина дійсна, обме-

1.3. Сигнали. Форми подання інформації [1]

Щоб передати інформацію від джерела до приймача, повідомлення перетво-

Спосіб формалізованого опису різноманітних сигналів називають поданням

Перший тип сигналів описує неперервні (аналогові) сигнали; другий і третій

передавати окремими миттєвими значеннями, які відраховують через кінцевий

Рис. 1.8. Часоімпульсне представлення сигналу y(t) прямокутними імпульсами

До дискретно-неперервних функцій відносять також часоімпульсне пред-

1.4. Аналогова та цифрова форми подання інформації

Аналогова форма подання інформації. Аналоговою формою подання

Під модульованим розумітимемо деякий сигнал, один з параметрів якого

A(t ) = A0 (t )sin(ω (t ) + ϕ0 ) (амплітудна),

A(t ) = A0 (t )sin [ω (t ) + ϕ0 ] (частотна),

A(t ) = A0 (t )sin [ω (t ) + ϕ (t )] (фазова).

Аналогічні види модуляції можливі і для негармонічних періодичних

При частотному відображенні неперіодичного сигналу зазвичай уводять по-

Рис. 1.9. Схема рівнів цифрового представлення інформації згідно з угодою

Це не означає, що струм або напруга фізично неможливі в забороненій зоні

“домовленість” між розробниками пристроїв про те, як необхідно інтерпре-

Зазначимо, що розбиття на зони може бути реалізоване до різних

Рис. 1.10. Часова діаграма імпульсів, генерованих генератором

Початок кожного імпульсу називають тактовим моментом. Часовий інтер-

Рис. 1.11. Діаграми потенціальних та імпульсних сигналів

У логіці значення двійкового сигналу та відповідної змінної Х кодують сим-

Для імпульсних сигналів розрізняють два види кодування: наявність

Сучасна цифрова схемотехніка головно користується потенціальними сигна-

1.5. Принципи організації та структура комп’ютера

Комп’ютер (сomputer,англ.); сomputator,(лат.)– обчислювач; computatrum

Нейманівська (1945 р.) – має характерною ознакою сумісне збереження програм

Рис. 1.14. Структурна схема персонального комп’ютера

Мікропроцесор (МП). Мікропроцесор – центральний пристрій ПК, призна-

постійно живиться від свого акумулятора; в ній зберігається інформація про