Нанофізика.

Вступ

Розвиток людської цивілізації пов’язаний з освоєнням нових матеріалів. Перші

матеріали, які освоїла людина – дерево і камінь. Знаряддя праці і полювання, виготовлені з
цих матеріалів, дозволили людині успішно виживати в дикому первісному світі. Потім
людина навчилася виплавляти мідь і бронзу. Знаряддя праці і полювання сталі
досконалішими, людина стала «господарем» навколишнього світу. Освоєння заліза
дозволило людству створити і розвинути промисловість і вчинити величезний стрибок в
своєму розвитку. Досягнення електроніки перевернули спосіб життя сучасної людини. Ми
вже не мислимо своє існування без комп’ютера, стільникового телефону, телевізора і т.д.
Розвиток електроніки відбувся завдяки успішному освоєнню людиною нового матеріалу –
кремнію. Придумуючи і розвиваючи нові способи отримання і обробки матеріалів, людина
створювала нові технології. Слово «технологія» відбулося від грецьких слів «techne» –
мистецтво, майстерність, уміння і «logos» – наука.
Можна дати наступне визначення: технологія – це сукупність засобів і методів обробки,
виготовлення, зміни стану, властивостей, форми сировини або матеріалу в процесі
виробництва продукції. Для того, щоб виготовить кам’яну сокиру або комп’ютер, потрібно
володіти технологією – набором методів і засобів обробки вихідних матеріалів і отримання з
них кінцевого продукту. Технологія змінює якість або первинний стан матерії з метою
отримання матеріального продукту. Задача технології – перетворити знання людини про світ
і природу в продукт, необхідний і корисний для людини. В процесі обробки матеріалів і
виробництва продукції людина освоює матеріали різного геометричного розміру.
Макроскопічними («macro» – великий) називають об’єкти, які людина бачить неозброєним
оком. Протягом тисячоліть людина використовувала у побуті та техніці макроскопічні тіла,
які складаються із великого числа атомів, чи це кам’яна сокира або авіалайнер. Дерево,
кішка, стілець і т.д. – це об’єкти макроскопічного світу. Технології виготовлення чашки,
сокири, автомобіля і т.д. – це технології макроскопічного світу. З винаходом оптичного
мікроскопа людина відкрила для себе об’єкти мікросвіту.
Мікроскопічними («micro» – маленький) називають об’єкти, розмір яких лежить в
діапазоні 1-100 мкм. Нагадаємо, що приставка микро- значить одну мільйонну частину чого-
небудь. Одиниця довжини в 1 мкм дорівнює 10-6 м або 0,0001 см. Біологічна клітка,
еритроцит крові і т.д. – це об’єкти мікросвіту. Отримання електронних мікросхем, генна
модифікація – це приклади технологій мікросвіту.
Нанорозмірними називають об’єкти розміром від 1 до 100 нм. Приставка нано (від грец.
nannos - карлик) означає одну мільярдну (10-9) частку якої-небудь одиниці. Наприклад,
нанометр – одна мільярдна частина метра (1 нм = 10-9 м). Атоми і найдрібніші молекули
мають розмір порядка від 0,1 до 1 нанометра (для порівняння: людська волосина приблизно в
60 000 разів товща за одну молекулу). На цьому рівні стираються межі між такими науками,
як фізика, хімія, біологія. Під терміном «нанотехнології» розуміють створення і
використання матеріалів, пристроїв і систем із характерними нанометровими розмірами.
Нанотехнології дозволяють працювати із об’єктами атомного й молекулярного масштабу.
Людина завжди прагне створювати зручні для себе технічні пристрої. Дуже часто
зручність пов’язана із зменшенням розмірів того або іншого пристрою. Погодьтеся, що
плоский телевізор зручніше за телевізор кубічної форми. Якщо перші комп’ютери займали
декілька кімнат, то сучасний комп’ютер легко поміщається в сумці або кишені одягу.
Розвиток сучасних технологій часто супроводиться процесом мініатюризації – зменшенням
розмірів продукту технології.
Ученим і фахівцям, що працюють в області електроніки, відома закономірність,
знайдена Г.Е. Муром. Дана закономірність говорить про подвоєння обчислювальних
можливостей мікропроцесорів за рахунок підвищення густини чипів і зменшення їх розмірів
кожні два роки. Цей закон виявився універсальним і вже 40 років виконується також в інших
областях «критичних технологій», таких як молекулярна біологія, мікромеханіка,

1
мікросистемна техніка. Продовження цього закону на найближче майбутнє неминуче
приводить електроніку від мікроструктур до наноструктур: транзистори і інші елементи
незабаром повинні будуть складатися із ліченого числа атомів.
Сьогодні нанотехнології є продовженням сучасних мікроелектронних, оптичних,
біологічних та інших технологій.
В історії розвитку людства можна виділити декілька важливих історичних етапів,
пов’язаних із освоєнням нових матеріалів і технологій.
Перша науково технічна революція – індустріальна або енергетична – умовно
відлічується від отримання Д. Уаттом в 1769 році основного патенту на вдосконалений
паровий двигун, який різко збільшив продуктивність праці на всіх видах виробництва, в
сільському господарстві й на транспорті. Науково-технічний переворот відбувся завдяки
технологіям виготовлення продукції із заліза. Продукти цієї технології пов’язані із звичним
нам макросвітом.
В 60-х роках XX століття, із початком розвитку мікроелектроніки, почалася друга
(інформаційна) науково-технічна революція.
Автомобілі і інші засоби пересування, верстати і прилади залишалися макроскопічними
тілами (оскільки одиницею масштабу служать розміри людського тіла), але управляючі
елементи, пристрої для передачі і прийому інформації ставали все складнішими, а складові їх
одиниці (транзистори, конденсатори, опори) – все більш мініатюрними. Друга науково-
технічна революція пов’язана із кремнієвими технологіями, реалізованими на мікрорівні.
Учені припускають, що найближчі десятиріччя стануть епохою нанотехнологій –
третьою науково-технічною революцією. Як заявив відомий американський фізик Е. Теллер:
«Той, хто раніше інших оволодіє нанотехнологією займе провідне місце в техносфері XXI
століття».

Що таке нанотехнології

Першу згадку методів, які згодом будуть названі нанотехнологією, пов’язують із

відомим виступом Р. Фейнмана «Там внизу багато місця» зробленим в 1959 році в
Каліфорнійському технологічному інституті на щорічній зустрічі Американського фізичного
суспільства, в якому заявив: «Наскільки я бачу, принципи фізики не забороняють
маніпулювати окремими атомами». Він ввів поняття нанотехнології як сукупності методів
виробництва продуктів із заданою атомарною структурою шляхом маніпулювання атомами і
молекулами.
Термін «нанотехнологія» є еквівалентом англійського словосполучення
«nanotechnology». Нанотехнології мають справу з матеріалами і об’єктами розміром менше
100 нм хоча б в одному із просторових вимірів.
Проте розмірний фактор або прив’язка до масштабів у нанометри – не найголовніше в
нанотехнологіях. Найважливішою і найбільш визначальною є наявність нових квантових
властивостей, пов’язаних із зменшенням розмірів об’єкту до нанорозмірного.

2
 Розділ 1. Квантові ефекти в нанотехнологіях

Унікальні властивості наноматеріалів визначаються тим фактом, що від розмірів,

менших за 100 нм стають істотними квантові ефекти, які підпорядковуються законам
квантової механіки. Днем народження квантової механіки вважається 14 грудня 1900 року,
коли Макс Планк на засіданні Німецького фізичного суспільства зробив припущення, що
енергія світла випромінюється квантами (квант від лат. quant – скільки). При цьому енергія
одного кванта повинна бути пропорційною частоті:
E  h   (1)
34
де h  6, 62 10 с – постійна Планка;Дж;  h / 2 ,   2 .
Відповідно, енергія світлового потоку буде рівною:
E n  nh (1.2)
де n = 1, 2, 3… – цілі числа або кількість квантів.

Слово «квант» дало назву квантовій механіці. Під квантуванням енергії розуміється той
факт, що енергія може приймати тільки дискретні значення із певного дозволеного набору
значень. Даний факт стає актуальним при розгляді атомів і молекул, а також квантових
точок. Енергія квантових точок, як і у атомів, теж приймає дискретні значення, тому квантові
точки іноді називають штучними атомами.
В 1927 році відбулася квантова революція у фізиці – були експериментально відкриті
хвильові властивості електрона. Незалежно один від одного двоє дослідників К.Д. Девиссон
та Джордж Томсоном відкрили явище дифракції електронів на монокристалах нікелю.
Гіпотезу про хвильову природу частинок висунув в 1924 році французький учений Луї де
Бройль, і вже через три роки вона підтвердилася. Відповідно до його припущення, вільний
рух частинки із масою m та швидкістю v можна представити як монохроматичну хвилю, яку
тепер називають хвилею де Бройля, із довжиною хвилі λ, і яка розповсюджується у тому ж
напрямку, в якому рухається частинка (рис. 1.1).

h
 (1.3)
mv

Рис. 1.1. Схематичне зображення хвилі де Бройля. Імпульс частинки p=mv.

Довжина хвилі м’ячика масою 0,20 кг, що рухається із швидкістю 15 м/с, рівна 2,2·10-34
м. В світі не існує інструментів, які дозволяють визначити таку малу величину, тому нам не
видні хвильові властивості м’ячика. Навпаки, довжина хвилі електрона, прискореного
різницею потенціалів в 100 В, рівна 1,2·10-10 м, або 0,12 нм, що якраз відповідає міжатомній
відстані в кристалі нікелю.
Із виразу (1.3) видно, що змінюючи енергію електрона, можна міняти його довжину
хвилі. Цей факт з успіхом використовується в сучасних електронних мікроскопах, коли,
керуючи енергією електрона, змінюють його довжину хвилі і, відповідно, роздільну
здатність мікроскопа. Після відкриття хвильових властивостей електрона квантова механіка,

3
а потім і ядерна фізика отримали бурхливий розвиток. Окрім атомної бомби і атомної
енергетики успіхам квантової фізики також зобов’язана і теорія твердого тіла, яка вивчає
закономірності будови речовини на макро-, мікро- і нанорівнях. Основні ефекти, які мають
місце у нанотехнологіях, пов’язані із зонною теорією, або теорією енергетичних зон.
Нанотехнологія, на відміну від ядерної фізики, має справу не з атомами, а з
молекулами, кластерами і нанокристалами. Молекула, як правило, складається із декількох
атомів, кластер - із декількох десятків і сотень атомів, нанокристал – з декількох сотень і
тисяч атомів, а монокристал – із понад 1018 атомів. Цікаво, що при переході від одиничного
атома до молекули, кластера або нанокристала, в розміщенні енергетичних рівнів
відбуваються істотні зміни. Перші три значення із енергетичного набору значень одиничного
атома, які наз. також спектром значень, представлені на рис. 1.2 а.

Рис. 1.2. Розташування рівнів в атомі (а), молекулі (б), нанокристалі (в), кристалі (г).

Згідно принципу Паулі на одному енергетичному рівні забороняється знаходження

більше двох електронів. В результаті, при наближенні одного атома до іншого – рівні
розщеплюються на два (рис. 1.2 а, би). При додаванні десятків, сотень і тисяч атомів рівні
розщеплюються на таку ж кількість підрівнів (рис. 1,2 в). Таким чином, утворюється
нанокристал, відстань між рівнями зменшуються, але вони залишаються дискретними і
помітними. У тому випадку, коли утворюється монокристал (рис. 1.2 г), кількість атомів стає
рівною 1018 і більш, а відстань між рівнями – порядку 10-18 eВ, отже, рівні стають нечіткими.

Неперервну групу енергетичних рівнів прийнято називати зоною.

Виділяють дозволену і заборонену зони. Дозволена зона – це зона, у якій знаходяться
енергетичні рівні, електрону там знаходиться дозволено.
Заборонена зона – це зона, де рівнів немає, і електрону там знаходиться заборонено.
При переході від кристалу до нанокристалу видно, що переходи між рівнями збільшуються
(рис. 1.2 г, в). Даний ефект отримав назву квантово-розмірного ефекту – при зменшенні

4
розміру наночастинок величина енергії між енергетичними рівнями, а отже і енергія квантів
випромінювання – збільшується. Саме тому кольори і випромінювання колоїдних розчинів
наночастинок залежать від їх розміру. Квантово-розмірний ефект грає величезну роль у
нанотехнологіях. Наприклад, варіюючи технологічними параметрами розмір нанокристалів,
можна одержувати різні кольори електролюмінесценції. Енергетична зона, утворена
валентними електронами носить назву валентної зони.
Зона, яка лежить вище за валентну, називається зоною провідності.
Кристали є діелектриками або провідниками (металами) залежно від того, як заповнена
їх валентна зона і зона провідності. У діелектриках валентна зона заповнена електронами, а
зона провідності – незаповнена (порожня). Метали відрізняються від діелектриків тим, що у
них зона провідності заповнена частково, а валентна зона – повністю. Напівпровідники – це
окремий, частковий випадок діелектриків: при низькій температурі (менше 150-200 К) у них
валентна зона теж заповнена, а зона провідності практично порожня. Особливістю
напівпровідників, у порівнянні з іншими діелектриками, є порівняно вузька заборонена зона.
За рахунок енергії теплового руху частина електронів вже при кімнатній температурі може її
подолати і перейти у зону провідності. Ситуація схожа на випаровування рідини, коли
найшвидші молекули можуть покинути її поверхню і перейти в повітря. Електрони в зоні
провідності можуть напрямлено рухатися в електричному полі і створювати струм, а
електрони у валентній зоні – не можуть. Тому при низьких температурах напівпровідники
струм не проводять, а при високих – проводять. Звідси і назва – напівпровідник.
Комбінуючи два типи напівпровідників із забороненими зонами Eg1 і Eg2 можна
отримати або потенційний бар’єр, або квантову яму (рис. 1.3)

зона
провідності

валентна
зона

а) бар’єр б) квантова яма

Рис. 1.3. Формування квантових бар’єрів (а) та квантових ям (б).

Спочатку, як простий приклад розглянемо потенціальний бар’єр в класичному

випадку – кулька котиться у полі сили тяжіння.
Крива на рис. 1.4 а зображає його траєкторію, «гора» називається потенціальним
бар’єром, тому що з висотою h підйому кульки його потенціальна енергія повинна зростати,
а кінетична енергія через це – падати. Висотою потенціального бар’єру називається
потенціальна енергія частинки на «вершині гори» U = mgh (m – маса частинки, g –
прискорення вільного падіння). Якщо кінетична енергія частинки Eкін більша за висоту
потенціального бар’єру U – частинка перекотиться на іншу сторону. Якщо Eкін менша за U –
частинка вкотиться тільки на частину «схилу гори» і покотиться назад, тобто вона відіб’ється
від бар’єру.

5
 Потенціальний бар’єр може відповідати будь-якому іншому виду потенціальної енергії
(наприклад, потенціальний бар’єр, утворений комбінацією напівпровідників із різною
забороненою зоною (рис. 1.3 а)). Електрони, що знаходяться зліва від бар’єру, мають
енергію, недостатню для його подолання. Всередину напівпровідника 2 ці електрони
потрапити не можуть, оскільки значення їх енергій усередині бар’єру заборонені - вони
потрапляють в заборонену зону. Не дивлячись на це, у випадку якщо розмір бар’єру складає
декілька атомних шарів, частина потоку електронів здатна проникнути за бар’єр. Даний
ефект отримав назву тунелювання – проходження електрона ніби крізь тунель в бар’єрі.

Рис. 1.4. Схема переходу частинки через

потенціальний бар’єр:
а – класичної частинки; б – квантової частинки; в –
хвиля електрона.

Ефект тунелювання має виключно квантову природу і пов’язаний із хвильовими

властивостями електрона. Чим «тонший» бар’єр геометрично і чим менша різниця між
висотою бар’єру U і Eкін квантової частинки, тим більше шансів у електрона пройти цей
бар’єр. Відповідно до гіпотези де Бройля, частинці із масою m і швидкістю v відповідає
довжина хвилі λ0 = 2πħ/mυ. Наприклад, для електрона, який має швидкість 106 м/с (таку
швидкість він отримає у вакуумі за рахунок різниці потенціалів у 3 В) λ0 складе декілька
міжатомних відстаней. Якщо ширина бар’єру d менша або рівна λ0, то випадок переходу
частинки через бар’єр стає можливим. Тунельний ефект у найпростішому випадку означає
наступне. Якщо квантова частинка знаходиться по одну сторону потенціального бар’єру U,
то існує можливість її проникнення по іншу сторону бар’єру, навіть якщо її повна енергія
менша U. Тунелювання, хвильові властивості частинок, спін та квантування рівнів енергії –
все це прояви квантової природи.
Цікаво, що квантування рівнів енергії відбувається не тільки в атомі, але і в квантових
ямах (рис. 1.3 б) у тому випадку, якщо їх розмір складає декілька атомних шарів. Видно, що
рух електрона усередині ями обмежений справа і зліва, оскільки значення його енергії
заборонені в цих областях. Якщо стінки ями будуть дуже високими, усередині ями зможуть
існувати тільки стоячі хвилі, тобто коли в ямі вкладатиметься тільки ціле число напівхвиль:
 2l
l  n =>   .
2 n
h
Беручи до уваги, що імпульс та хвиля де Бройля пов’язані співвідношенням p  ,

можна знайти дозволені енергії у квантовій ямі:
mv 2 p 2 h2 h2 2
E    n
2 2m 2m 2 8ml2
где p – імпульс електрона, m – його маса, h – постійна Планка.

6
 Оскільки електрон прагне займати мінімальне енергетичне положення, він
знаходитиметься на нижньому рівні і самостійно не зможе вибратися з ями. Такий процес
називають захопленням електрона або блокадою. Щоб електрон звільнився, йому необхідно
передати енергію, рівну різниці переходів енергій в ямі, наприклад, у вигляді кванта світла. І,
навпаки, при протіканні струму через таку систему електрони випромінюватимуть кванти
світла тільки з довжинами хвиль, які строго відповідають певним переходам між рівнями
енергій. На цьому ефекті побудована більшість сучасних напівпровідникових діодів і лазерів.
Геометрично квантова яма є структурою «сандвіча», тобто нагадує суміщену структуру
трьох площин з різних напівпровідникових матеріалів. Обмеження руху електрона в цьому
випадку відбувається тільки в напрямі, перпендикулярному площинам. В решті двох
напрямів обмеження руху відсутнє, і електрони уздовж площин рухаються вільно. Схожа
картина спостерігається в квантових нитках і квантових точках (рис. 1.5). В квантових
нитках рух електронів обмежений в напрямах, перпендикулярних напряму нитки. Вздовж
нитки електрони рухаються вільно. В квантовій точці обмеження руху існує по всіх
напрямках. Електрони ніби замкнуті у такій структурі. Якщо квантову точку зарядити
негативно, то за відсутності зовнішніх впливів цей заряд зберігатиметься як завгодно довго.
Такі структури передбачається використовувати для елементів напівпровідникової пам’яті у
майбутніх надшвидкодіючих комп’ютерах. Різноманітність наноматеріалів величезна,
оскільки поєднання декількох матеріалів з відомими властивостями в одній структурі може
призвести до появи нових властивостей. Тому властивості наноматеріалів багато в чому
визначаються їх структурою і виникаючими внаслідок цього квантовими обмеженнями.
Саме способам отримання наноматеріалів, їх властивостям і областям застосування
присвячено наступні розділи.

Рис. 1.5. Приклади квантових ниток і квантових точок:

а) Квантова точка InAs, отримана на підкладці InP. Розмір зображення (140x140) нм; б)
Квантові нитки, отримані реакцією метилфосфорної кислоти, етанолу і алюмінію. Розмір
зображення (8x8) мкм.
Розділ 1. Контрольні запитання до теми
1. Як хвильові властивості світла і електрона виявляються в експериментальних спостереженнях?
2. Чи можна спостерігати хвильові властивості частинок більше, ніж електрон, наприклад протона або
нейтрона?
3. У чому полягає гіпотеза де Бройля?
4. Яким чином формуються енергетичні зони в матеріалі?
5. В чому відмінність дозволених і заборонених зон?
6. Які фундаментальні відмінності у заповненні енергетичних зон у металів, діелектриків і
напівпровідників?
7. Яким чином формуються квантові ями і потенціальні бар’єри в багатошарових напівпровідникових
структурах?
8. В чому полягає єство процесу тунелювання?
9. Із яких причин рівні енергії в квантовій ямі дискретизують?
10. У чому полягає квантоворозмірний ефект?