Metodichni Vkazivki Elektronika 2012

ЗМІСТ
ВСТУП..................................................................................................................4
Лабораторна робота №1. Основи роботи з програмою Multisim....................
..............................................................................................................................5
Лабораторна робота №2. Дослідження RC-схем в частотній
та часовій областях............................................................................................2
...............................................................................................................................
...............................................................................................................................
...............................................................................................................................
...............................................................................................................................
.............................................................................................................................4
Лабораторна робота №3. Дослідження напівпровідникових діодів.............
.............................................................................................................................
.............................................................................................................................
.........................................................................................................................43
Лабораторна робота №4. Дослідження напівпровідникових
стабілітронів.......................................................................................................56
Лабораторна робота №5. Дослідження біполярних
транзисторів у статичному режимі..................................................................
.........................................................................................................................67
Лабораторна робота №6. Дослідження біполярних
транзисторів у режимі підсилення...................................................................
.........................................................................................................................81
Лабораторна робота №7. Дослідження характеристик
і параметрів польових транзисторів................................................................
.........................................................................................................................91
Лабораторна робота №8. Дослідження підсилювачів на
МДН-транзисторах..........................................................................................
.....................................................................................................................103
СПИСОК ЛІТЕРАТУРИ.................................................................................111
3
4
ВСТУП
Дані методичні вказівки містять 8 лабораторних робіт, які

виконуються студентами напряму підготовки 6.051003 -
«Приладобудування» при вивченні ними дисципліни «Електроніка».
Виконання лабораторної роботи курсу «Електроніка» необхідно
починати з ознайомлення з метою і завданням лабораторної роботи.
Студентам слід приділити значну увагу самостійній підготовці за
конспектом лекцій, теоретичними відомостями лабораторної роботи,
основною та додатковою літературою. Всі пункти лабораторного завдання
виконуються послідовно. Результати досліджень заносяться у звіт для
кожного виконаного пункту лабораторного завдання у вигляді таблиць або
часових діаграм.
Звіт може бути складений окремо для кожної лабораторної роботи.
Вимоги до оформлення звіту:
 звіт про виконання лабораторної роботи оформлюється на листах
формату А4 (перший титульний);
 звіт за виконання лабораторної роботи повинен містити: тему
роботи, мету роботи, теоретичні відомості, порядок виконання
роботи з приведенням результатів досліджень по ходу роботи;
 графічні залежності, отримані на основі теоретичних розрахунків чи
експериментальних даних, слід будувати на міліметровому папері;
 висновки про виконану лабораторну роботу формулюють вкінці
звіту на основі отриманих результатів.
5
ЛАБОРАТОРНА РОБОТА №1
ОСНОВИ РОБОТИ З ПРОГРАМОЮ MULTISIM
Мета роботи: ознайомлення з принципами роботи в середовищі

програми Multisim, придбання навичок побудови електронних схем та їх
дослідження за допомогою віртуальних вимірювальних приладів.
1.1. ОСНОВНІ ТЕОРЕТИЧНІ ВІДОМОСТІ
Розробка будь-якого радіоелектронного пристрою супроводжується

фізичним та математичним моделюванням. Фізичне моделювання
пов’язано з великими матеріальними витратами, оскільки потрібно
виготовляти макети. Математичне моделювання з використанням засобів
та методів обчислювальної техніки спрощує процедуру проектування
електронних схем й дозволяє вивчити та засвоїти основні властивості цих
схем, виявити помилки, скорегувати ці схеми перед їх фізичною
реалізацією.
Математичне моделювання проводиться за допомогою програми
Multisim, яка розроблена провідною корпорацією, що спеціалізується у
галузі розробки інформаційно-вимірювальних систем, в том у числі й
електронних пристроїв, що входять до їх складу.
Особливістю програми Multisim є наявність контрольно-
вимірювальних приладів, які за зовнішнім виглядом, органами керування і
характеристиками максимально наближені до реальних аналогів. Це
сприяє отриманню практичних навичок роботи з найбільш поширеними
приладами: мультиметром, осцилографом, генератором сигналів та ін.
6
1.1.1. Структура вікна і система меню програми Multisim.
Вікно програми Multisim (рис.1.1) має зверху поле меню, панель

інструментів та панель бібліотек компонентів, справа – панель контрольно-
вимірювальних приладів, зліва – вікно розробки. Також є підказки до всіх
елементів вікна програми, що з’являються при наведенні курсору миші на
елемент.
Рис. 1.1 Вікно програми Multisim
Розглянемо призначення основних елементів вікна Multisim.

Поле меню (рис. 1.2) має наступні компоненти.
7
Рис. 1.2 Поле меню програми Multisim
Меню «File» призначено для відкриття та збереження існуючих

файлів, створення нових файлів та проектів, відправлення на друк різних
компонентів створюваних проектів та закриття програми Multisim.
Меню «Edit» дозволяє виконувати команди редагування схем та
задавати властивості листів схем.
Меню «View» дає можливість керувати зовнішнім виглядом
програми та схем.
Меню «Place» містить набір команд для створення схем.
Меню «MCU» містить команди, які дозволяють писати та
відлагоджувати програми для мікроконтролерів.
Меню «Simulate» використовується при підготовці та визначенні
параметрів моделювання, при виборі вимірювальних інструментів та для
вмикання і припинення моделювання.
Меню «Transfer» дозволяє експортувати/імпортувати розроблені
електричні схеми в інші програми.
Меню «Tools» дає можливість редагувати властивості електронних
компонентів, що використовуються в програмі.
Меню «Reports» дозволяє виводи різні звіти по розробленій схемі.
Меню «Options» призначено для редагування глобальних опцій
програми Multisim та електронних схем.
Меню «Windows» призначено для організації віконного інтерфейсу
програми.
Меню «Help» дає доступ до довідки по програмі Multisim.
Елементи панелі інструментів (рис. 1.3) дублюють деякі команди
різних меню.
8
Рис. 1.3 Панель інструментів Multisim
Панель компонентів та контрольно-вимірювальних приладів

використовують при побудові та дослідженні електронних схем. Більш
докладно вони будуть розглянуті в ході виконання наступних
лабораторних робіт.
1.1.2. Процес створення схем.
Перш ніж створювати креслення принципової схеми засобами

програми Multisim, необхідно на листі папера підготувати її ескіз із
приблизним розташуванням компонентів і з урахуванням можливості
оформлення окремих фрагментів у виді підсхем. Доцільно також
ознайомитися з бібліотекою готових схем програми для вибору аналога
(прототипу) або використання наявних рішень у якості підсхем.
В загальному випадку процес створення схеми починається з
розміщення на робочому полі Multisim компонентів із бібліотек програми
відповідно до підготовленого ескізу. Розділи бібліотеки програми Multisim
по черзі можуть бути викликані за допомогою іконок, розташованих на
панелі компонентів (див. рис. 1.1). Після відкриття обраної бібліотеки
з’явиться вікно, схоже на те, що показане на рис. 1.4.
Спочатку необхідно вибрати підгрупу (Family), після чого з’явиться
доступний в цій підгрупі перелік елементів (Component). Вибравши
необхідний елемент натискають кнопку ОК, і на робочому полі програми
з’являється контур обраного елементу. Він переноситься на заплановане
місце, після чого знову натискається ліва кнопка миші (для фіксування
символу). На цьому етапі необхідно передбачити місце для розміщення
контрольних точок і іконок контрольно-вимірювальних приладів.
9
Рис. 1.4 Елементи, що знаходяться в підгрупі POWER_SOURCES
бібліотеки Sources
Після розміщення компонентів необхідно з'єднати їхні виводи

провідниками (рис. 1.5). При цьому необхідно враховувати, що до виводу
компонента можна підключити тільки один провідник. Для виконання
підключення курсор підводиться до виводу компонента і після появи
круглої площадки чорного кольору (див. рис. 1.5,б) натискається ліва
кнопка і провідник, що з'являється при цьому (рис. 1.5,в), тягнеться до
виводу іншого компонента до появи на ньому такої ж круглої площадки
(рис. 1.5,г), після чого кнопка миші знову натискається, і з'єднання готове
(рис. 1.5,д).
При необхідності підключення до цих виводів інших провідників у
меню «Place» вибирається пункт «Junction (Ctrl+J)». Точка (символ
з'єднання), що з’явилася, переноситься на раніше встановлений провідник.
10
Якщо ця точка дійсно має електричне з'єднання з провідником, то вона
стає такого ж кольору, що і провідник. Якщо на ній видно слід від
провідника, що її перетинає, то електричного з'єднання немає і точку
необхідно установити заново. Після вдалої установки до точки з'єднання
можна підключити ще два провідники (всього 4 провідника на 1 точку
з’єднання).
Рис. 1.5. З’єднання двох елементів схеми провідниками в програмі

Multisim: а) два окремих компонента; б) виділено вивід першого
компонента; в) ведеться з’єднувальний провід; г) провід підведено
до другого компонента; д) з’єднання готове
Якщо з'єднання потрібно розірвати, курсор підводиться до лінії

провідника, яку потрібно знищити, і натискається ліва кнопка. Провідник
при цьому виділяється. Потім треба натиснути клавішу Delete і провідник
буде видалено.
11
Якщо необхідно змінити підключення наявних виводів (рис. 1.6), то
спочатку курсор миші підводиться до виводу, який треба від’єднати. При
цьому курсор змінює форму на стрілку (рис. 1.6,б). Після одного
натискання лівої кнопки миші курсор стає чорною круглою площадкою, а
частина з’єднувального проводу стає переривчастою (рис. 1.6,в). Потім
контакт ведеться до нового компонента (рис. 1.6,г). Старе з’єднання все ще
залишається видимим. Після підведення контакту до виводу компоненту
(рис. 1.6,д) треба ще раз натиснути ліву кнопку миші і нове з’єднання буде
встановлено (рис. 1.6,е). Слід зазначити, що прокладка сполучних
провідників проводиться автоматично, причому перешкоди – компоненти
або інші провідники – огинаються за ортогональними напрямками (по
горизонталі або вертикалі).
Рис. 1.6 Зміна наявних з’єднань: а) початковий стан; б) зміна форми

курсору миші при виборі виводу; в) зміна форми курсору після натискання
кнопки миші; г) прокладення нового з’єднання; д) приєднання нового
компонента; е) нове з’єднання
12
Якщо необхідно перемістити окремий сегмент провідника, до нього
підводиться курсор, натискається ліва кнопка і, після появи у
горизонтальній або вертикальній площині подвійного курсору (↔ або ↕),
роблять потрібні переміщення.
Додавання в схему контрольно-вимірювальних приладів проводиться
аналогічно підключенню будь-якого іншого компоненту схеми. Причому
для таких приладів, як осцилограф або логічний аналізатор, з'єднання
доцільно проводити кольоровими провідниками, оскільки їхній колір
визначає колір відповідної осцилограми. Кольорові провідники доцільні не
тільки для позначення провідників однакового функціонального
призначення, але і для провідників, що знаходяться в різних частинах
схеми (наприклад, провідники шини даних до і після буферного елемента).
1.1.3. Основні контрольно-вимірювальні прилади.
Панель контрольно-вимірювальних приладів знаходиться у правій

частині вікна програми Multisim. До її складу входять: мультиметр
(Multimeter), функціональний генератор (Function Generator), ватметр
(Wattmeter), осцилограф (Oscilloscope), чотирьохканальний осцилограф (4
Channel Oscilloscope), вимірювач АЧХ та ФЧХ (Bode plotter), частотомір
(Frequency Counter), генератор слова (Word Generator), логічний аналізатор
(Logic Analyzer), логічний перетворювач (Logic Converter), вимірювач
вольт-амперних характеристик діодів та транзисторів (IV Analysis),
аналізатор нелінійних спотворень (Distortion Analyzer), спектроаналізатор
(Spectrum Analyzer), аналізатор мережі для вимірювання S-параметрів
схеми (Network Analyzer) та ін. Розглянемо ті прилади, які будуть
використовуватись у лабораторних роботах.
Мультиметр (рис.1.7).
13
На лицьовій панелі мультиметра (рис. 1.7,в) розташовано дисплей
для відображення результатів вимірювань, клеми для підключення до
схеми і кнопки керування.
Рис. 1.7 Мультиметр: а) позначення на панелі контрольно-

вимірювальних приладів; б) позначення на схемі;
в) лицьова панель; г) вікно установок режимів роботи
Розглянемо призначення кнопок керування:
- вибір режиму вимірювання струму, напруги, опору та

послаблення (згасання);
- вибір режиму вимірювання змінного або постійного струму;

- режим установки параметрів мультиметра. Після натискання на
цю кнопку відкривається діалогове вікно (рис. 1.7,г), на якому позначені:
Ammeter resistance - внутрішній опір амперметра;
Voltmeter resistance - вхідний опір вольтметра;
Ohmmeter current - струм через контрольований об'єкт при вимірюванні
опору.
14
Слід зазначити, що мультиметр вимірює ефективне (діюче) значення
змінного струму.
Функціональний генератор (рис. 1.8).
Рис. 1.8 Функціональний генератор: а) позначення на панелі контрольно-

вимірювальних приладів; б) позначення на схемі; в) лицьова панель;
г) вікно встановлення часу наростання/спаду прямокутних імпульсів
Керування генератором здійснюється наступними органами

керування:
- вибір форми вихідного сигналу: синусоїдальна (за

умовчанням), трикутна і прямокутна;
- установка частоти вихідного сигналу;

- установка коефіцієнта заповнення в %: для
синусоїдального сигналу не задається; для імпульсних сигналів це
відношення тривалості імпульсу до періоду повторення - величина,
зворотна шпаруватості; для трикутних сигналів - співвідношення між
тривалостями переднього і заднього фронтів;
- установка амплітуди вихідного сигналу;
15
- установка зсуву (постійної складової) вихідного
сигналу;
- установка часу наростання/спаду імпульсів генератора

(тільки для прямокутних). При натисканні цієї кнопки з’являється окреме
вікно (рис. 1.8,г).
- умовне позначення вихідних клем; при заземленні

клеми Common (загальний) на клемах «-» і «+» отримуємо парафазний
сигнал.
Ватметр (рис. 1.9).
На лицьовій панелі ватметра (рис. 1.9,в) розташовано дисплей для
відображення результатів вимірювань, дисплей для відображення
коефіцієнта потужності та клеми для підключення до схеми.
Рис. 1.9 Ватметр: а) позначення на лінійці контрольно-вимірювальних

приладів; б) позначенні на схемі; в) лицьова панель
Коефіцієнт потужності дорівнює косинусу фазового кута між

напругою та струмом на вимірюваній ділянці.
Осцилограф (рис. 1.10).
16
Лицьова панель осцилографа показана на рис. 1.10,в. Осцилограф
має канали (Channel) А і В із роздільним регулюванням чутливості в
діапазоні від 10 мкВ/поділка (µV/Div) до 5 кВ/поділка (kV/Div) і
регулюванням зсуву по вертикалі (Y position).
Рис.1.10 Осцилограф: а) позначення на лінійці контрольно-вимірювальних

приладів; б) позначення на схемі; в) лицьова панель
Вибір режиму по входу здійснюється натисканням кнопок .

Режим АС призначений для спостереження тільки сигналів змінного
струму (його ще називають режимом «закритого входу», оскільки в цьому
режимі на вході підсилювача включається роздільний конденсатор, що не
пропускає постійну складову). У режимі 0 вхідний вивід замикається на
землю. У режимі DC (включений за замовчуванням) можна проводити
осцилографічні вимірювання як постійного, так і змінного струму. Цей
режим ще називають режимом «відкритого входу», оскільки вхідний
17
сигнал надходить на вхід вертикального підсилювача безпосередньо. З
правої сторони від кнопки DC розташовано умовне позначення вхідного
виводу. Канал В має ще додатково кнопку , при натисканні на яку
інвертується сигнал каналу В.
Режим розгортки вибирається кнопками . У режимі Y/T
(звичайний режим, включений за замовчуванням) реалізуються наступні
режими розгортки: по вертикалі - напруга сигналу, по горизонталі — час; в
режимі В/А: по вертикалі - сигнал каналу В, по горизонталі - сигнал каналу
А; в режимі А/В: по вертикалі сигнал каналу А, по горизонталі - сигнал
каналу В; в режимі Add: по вертикалі - сума сигналів входів А та В, по
горизонталі - час.
В режимі Y/T тривалість розгортки (Time base) може бути задана в
діапазоні від 0,1 нс/поділка (ns/div) до 1 с/поділка (s/div) з можливістю
установки зсуву в тих же одиницях по горизонталі, тобто по осі X (X
position).
В режимі Y/T передбачений також режим очікування (Trigger) із
запуском розгортки (Edge) по передньому або задньому фронту тригерного
сигналу (вибирається натисканням кнопок ) при регульованому рівні
(Level) запуску. Тригерний сигнал може бути як внутрішнім (від каналу А
або В), так і зовнішнім (Ехt). Вибір виконується натисканням кнопок
. Кнопка Sing. використовується у випадку, коли запуск
потрібно зробити одноразовим. В цьому випадку зображення на екрані
осцилографа перестане змінюватися після того, як екран повністю
заповниться. При натиснутій кнопці Nor екран осцилографа оновлюється
кожен раз, як приходить тригерний сигнал.
Заземлення осцилографа здійснюється за допомогою клеми Ground у
правому верхньому куті приладу.
18
У осцилографа є можливість прокручування зображення по
горизонталі і його сканування за допомогою вертикальних візирних ліній
(синій і червоний кольори), що за трикутні вушка (вони позначені цифрами
1 і 2) можуть бути курсором встановлені в будь-яке місце екрана. При
цьому в індикаторних віконцях під екраном приводяться результати
вимірювання напруги, часових інтервалів і їхніх різниць (між візирними
лініями).
Зображення можна інвертувати натисканням кнопки Reverse і
записати дані у файл натисканням кнопки Save.
Вимірювач АЧХ та ФЧХ (рис. 1.11).
Лицьова панель вимірювача показана на рис.11,в.
Рис. 1.11 Вимірювач АЧХ та ФЧХ: а) позначення на лінійці контрольно-

вимірювальних приладів; б) позначення на схемі; в) лицьова панель
Вимірювач призначений для побудови і аналізу амплітудно-

частотних (при натиснутій кнопці Magnitude, включено за замовчуванням)
і фазо-частотних (при натиснутій кнопці Phase) характеристик при
логарифмічній (кнопка Log, включено за замовчуванням) або лінійній
(кнопка Lin) шкалі по осях Y (Vertical) і X (Horizontal). Налаштування
19
вимірювача полягає у виборі меж вимірювання коефіцієнта передачі і
варіації частоти за допомогою кнопок у віконцях F - максимальне і I -
мінімальне значення. Значення частоти і відповідне їй значення
коефіцієнта передачі або фази відображаються у віконцях у правому
нижньому куті вимірювача. Значення зазначених величин в окремих
точках АЧХ або ФЧХ можна одержати за допомогою вертикальної
візирної лінійки, що знаходиться у вихідному стані на початку координат і
переміщуваної за графіком мишею або кнопками ← і →. Результати
вимірювань можна записати також у текстовий файл. Для цього необхідно
натиснути кнопку Save і в діалоговому вікні вказати ім'я файлу (за
замовчуванням пропонується ім'я схемного файлу). В отриманому в такий
спосіб текстовому файлі з розширенням .bod АЧХ і ФЧХ представлено в
табличному виді.
Підключення приладу до досліджуваної схеми здійснюється за
допомогою контактів In (вхід) і Out (вихід). Ліві клеми контактів
підключаються відповідно до входу і виходу досліджуваного пристрою, а
праві - до загальної шини. До входу пристрою необхідно підключити
функціональний генератор або інше джерело змінної напруги, при цьому
не треба робити ніяких налаштувань у цих пристроях.
1.1.4. Робота з потенціометром.
Потенціометр – це регульований подільник електричної напруги, що

являє собою, як правило, резистор з рухомим відвідним контактом. Однак
зараз існують і цифрові потенціометри, що являють собою інтегральну
схему, яка не має рухомих частин і дозволяє програмно виставляти опір.
В Multisim потенціометри знаходяться в бібліотеці Basic, вкладка
POTENTIOMETR. Віртуальний потенціометр знаходиться у вкладці
RATED_VIRTUAL. Робота з потенціометром потребує деяких пояснень,
20
враховуючи, що в більшості лабораторних робіт вони
використовуватимуться. Важливо пам’ятати, що загальний опір
потенціометра в Multisim залежить від способу включення «рухомої»
частини (позначена стрілкою, над якою стоїть величина у відсотках). Якщо
потенціометр включено так, як показано на рис. 1.12, то загальний опір
розраховуватиметься як:
x
R= ⋅R
100 max ,
де х – величина у %, що стоїть над стрілкою, Rmax – максимальне значення
опору.
Рис. 1.12 Перший спосіб включення потенціометра
Якщо потенціометр включено так, як показано на рис. 1.13, то

загальний опір розраховуватиметься як:
(100−x )
R= ⋅R max
100 .
21
Рис. 1.13 Другий спосіб включення потенціометра
1.2. ПОРЯДОК ВИКОНАННЯ РОБОТИ
1. Ознайомитись з принциповою електричною схемою подільника

напруги (рис. 1.14).
2. Запустити програму Multisim.
3. Побудувати схему (рис. 1.14). Для цього:
- виберіть елементи, необхідні для побудови схеми;
- пасивні компоненти (резистори) знаходяться у групі Basic; джерела
постійної та змінної напруг, заземлення – група Sources; мультиметр –
лінійка інструментів.
- розмістіть знайдені компоненти на робочому полі програми.
Використовуйте віртуальні моделі резисторів.
- з’єднайте всі компоненти. В разі необхідності використовуйте
додаткові вузли.
22
Рис. 1.14 Схема для моделювання подільника напруги
4. Дослідіть отриману схему. Для цього:

- встановіть наступні початкові значення: V1=12В, R1=1кОм,
R2=1кОм;
- увімкніть моделювання;
- відкрийте мультиметр та запишіть значення вихідної напруги;
- змінюючи значення опору резистора R1 з кроком 1кОм до 10кОм,
запишіть значення вихідних напруг.
- розрахуйте експериментальні коефіцієнти ділення даної схеми при
кожному значенні опору R1 за формулою K д =U вх /U вих;
- порівняйте отримані значення коефіцієнтів ділення з теоретичними,
що розраховуються за формулою K д =(R 1+ R 2)/ R 2;
- результати занесіть у протокол.
5. Вийдіть з програми Multisim. Схему не зберігайте.
6. Сформулюйте висновки і оформіть протокол звіту.
1.3. ОФОРМЛЕННЯ ЗВІТУ
Звіт повинен містити:

 мету лабораторної роботи;
23
 досліджувану принципову електричну схему;
 результати досліджень у вигляді таблиці зі значеннями опору
R1, виміряною вихідною напругою, експериментальними та
теоретичними коефіцієнтами ділення;
 висновки, що базуються на аналізі отриманих результатів.
1.4. КОНТРОЛЬНІ ЗАПИТАННЯ
1. Для чого використовують програму Multisim?

2. Як в програмі Multisim будуються схеми?
3. Як в програмі Multisim з’єднати в один вузол більше двох
компонентів?
4. Як в програмі Multisim користуватись контрольно-
вимірювальними приладами?
24
ДОСЛІДЖЕННЯ RC-СХЕМ В ЧАСТОТНІЙ ТА ЧАСОВІЙ

ОБЛАСТЯХ
Мета роботи:
1) набуття навичок дослідження електронних схем в середовищі
Multisim;
2) вивчення властивостей RC-схем та їх вплив на спотворення
аналогових та імпульсних інформаційних сигналів;
3) набуття навиків дослідження амплітудно-частотних та
фазочастотних характеристик (АЧХ та ФЧХ) електричних схем за
допомогою віртуальних моделей вимірювальної апаратури;
4) експериментальне визначення параметрів частотно-залежних
RC-схем, за яких забезпечуються допустимі спотворення інформаційних
сигналів.
Прості та складні радіоелектронні схеми при їх аналізі зображають за

допомогою еквівалентних схем, що містять в собі резистори,
конденсатори, індуктивності, керовані генератори струму та напруги. У
таких схемах інерційність, наявність часових та частотних спотворень
моделюють за допомогою L та C компонентів. Параметри та можливості
використання конкретної схеми можна оцінювати аналізуючи процеси в
RC- та RL-колах.
25
У схемах можуть бути безліч комбінацій резисторів з
конденсаторами. Шляхом різних перетворювань згадані комбінації
зводяться до двох типів RC-схем: диференціюючих та інтегруючих.
2.1.1. Аналіз схем у часовій та частотній областях.
В імпульсних та цифрових системах одним із важливих параметрів є

швидкодія. Для визначення цього параметра використовують тестові
сигнали. Порівнюючи реакцію на виході схеми із сигналом, що подається
на вхід, визначають необхідні параметри та характеристики схеми. Так
роблять не лише при теоретичних розрахунках, але і під час настроювання
апаратури.
Для оцінки швидкодії як тестові використовують сигнали, що
описуються східчастою функцією, або прямокутні імпульси. При цьому
реакція та складні радіоелектронні схеми при їх аналізі зображають за
допомогою еквівалентних схем, що містять в собі резистори,
конденсатори, індуктивності, керовані генератори струму та напруги. У
таких схемах інерційність, наявність часових та частотних спотворень
моделюють за допомогою L- та C-елементів. Електричні кола з
елементами, що накопичують енергію (C та L) суттєво відрізняються від
кіл, що складаються виключно з резисторів. В останніх з вимкненням
незалежних джерел усі напруги і струми миттєво стають рівними нулю.
Навпаки, в електричних колах з С- та L-елементами струми і напруги
залишаються деякий час навіть після вимкнення незалежних джерел. Ці
напруги та струми зменшуються за відповідним для даної схеми законом.
Перехідний процес продовжується доти, доки вся накопичена енергія не
розсіється на резисторах.
Параметри та можливості використання конкретної схеми можна
оцінювати аналізуючи процеси в RC- та RL-колах. У лабораторній роботі
26
досліджуються тільки RC-кола. У схемах можуть бути безліч комбінацій
резисторів з конденсаторами.
Рис. 2.1 Прості RC-схеми: а  диференціююча; б  інтегруюча
Шляхом різних перетворювань згадані комбінації зводяться до двох

типів RC-схем: диференціальна (рисунок 2.1, а) та інтегруючих (рисунок
2.1, б).
Перехідна характеристика схеми, що є реакцією на вхідний сигнал у
вигляді одиничного скачка, являє собою характеристику, яка дозволяє
визначити тривалість переходу схеми з одного стану в інший і дає
можливість оцінити швидкодію. Таким чином схеми досліджують у
часовій області, що дозволяє оцінити часові спотворення сигналів.
Для значного класу електричних та електронних схем важливим є
оцінка їх спроможності передавати (підсилювати) сигнали у необхідному
діапазоні частот, тобто мати необхідну смугу пропускання. Для цього
використовують частотні параметри схем, а аналіз проводять у частотній
області. У цьому випадку як тестові використовують гармонічні сигнали
різної частоти.
Електричні кола, побудовані винятково на ідеальних резисторах, не
змінюють співвідношення опорів зі змінюванням частоти вхідного
сигналу, а тому мають сталий коефіцієнт передачі напруги. Амплітудно-
27
частотна характеристика (АЧХ) схеми, тобто залежність модуля
коефіцієнта передачі по амплітуді від частоти KU (), у цьому випадку
являє собою горизонтальну лінію.
Рис. 2.2 Частотна характеристика диференційної схеми
Рис. 2.3 Частотна характеристика інтегруючої схеми
Наявність передбачених та непередбачених (паразитних) ємностей та

індуктивностей зумовлює значну залежність коефіцієнта передачі схеми
від частоти (рис. 2.2, 2.3).
2.1.2. Перехідна характеристика диференціальних RC- схем.
Тобто перехідний процес залежить від процесу зарядження

конденсатора.
При вмиканні конденсатора до джерела з напругою U вх (рис. 2.4,а)
напруга на ньому (заряд конденсатора) змінюється за експонентою (рис.
2.4, б):
−t
U c =U вх (1−e τ ) (2.1)
28
Напруга на виході:
−t
U вих =U вх −U c =U вх × e τ .
(2.2)
У початковий момент ( t =0 )напруга на конденсаторі дорівнює нулю, а
напруга на виході стрибком досягає максимального значення, яке дорівнює
амплітуді вхідного сигналу (рис. 2.4, в). Зразу ж починається зарядження
конденсатора зі сталою часу τ =RC . Це дуже важливий момент.
Рис. 2.4 Перехідні процеси в диференційній RC-схемі
29
Диференціюючі схеми – це схеми, в яких напруга на виході
пропорційна похідній напрузі входу:
dU вх
( )
U вих =a⋅
dt (2.3)
Розглянемо перехідний процес у такій схемі (див. рисунок 2.1) при
подачі на вхід східчастого сигналу амплітудою U вх . Сигнал на виході
визначається рівнянням:
U вих =U вх −U c
Через час t=τ напруга на виході дорівнюватиме:

U вих =U вх × e−1
Тобто напруга на виході зменшиться в «e» разів та досягне рівня:
U вих =0,37× U вх .
Напруга на конденсаторі:
U c =U вх −U вих
U c =0,63× U вх
Через час t=2 τ напруга на виході зменшиться до рівня:

−2 τ
τ
U вих =U вх × e =U вх × e−2 =0,13× U вх
U c =0,87× U вх
Через час t=3 τ перехідні процеси практично закінчуються.

Тривалість перехідних процесів визначають як час зміни напруги U вих
від 0,05 до 0,95, або на рівнях 0,1 та 0,9, що відбувається приблизно за 3 τ ,
або відповідно за2 τ .
Сигнал на виході диференційної схеми суттєво відрізняється за
формою від вхідного. Це використовується для диференціювання сигналів
будь-якої форми, у тому числі й гармонічних. При цьому розв’язують дві
основні задачі перетворювання сигналів: – отримання імпульсів дуже малої
тривалості (вкорочення імпульсів), які використовують для запуску
керованих перетворювачів електроенергії, тригерів, одновібраторів та
30
інших пристроїв; виконання математичної операції диференціювання
(отримання похідної в часі) складних функцій, заданих у вигляді
електричних сигналів, що часто зустрічається в обчислювальній техніці,
апаратурі авторегулювання та ін.
Операція диференціювання відбувається лише тоді, коли тривалість
імпульсу значно перевищує сталу часу t ≫ τ .
Такі ж RC- кола використовують у лінійних схемах, зокрема, у
підсилювачах. Треба зауважити, що в цьому випадку вимоги до величини 
зовсім інші. Необхідно, щоб інформаційний сигнал при підсиленні зберігав
форму, а це можливо коли за час дії імпульсу ( t i) заряд конденсатора
суттєво не зміниться. Це відбувається за умови t i ≪ τ . У даному випадку
схему (рис. 2.1, a) використовують як елемент міжкаскадного зв`язку, що
роз’єднує електричні кола за постійним струмом, але не вносить
спотворень під час передачі інформаційних сигналів.
2.1.3. Перехідна характеристика інтегруючих RC-схем.
В інтегруючих колах вихідна напруга пропорційна інтегралу за

часом від вхідної напруги:
U вих =a×∫ U вх dt .
(2.4)
Відмінності кіл, що інтегрують, від тих, що диференціюють, полягає
в тому, що вихідна напруга знімається з конденсатора (рис. 2.1, б).
Використовують ці кола для отримання лінійно змінюваних
пилкоподібних напруг, а також для реалізації операцій інтегрування.
Для виконання такої операції необхідно, щоб стала часу кола  була
значно більшою від тривалості вхідного імпульсу τ ≪ t iвх , а для
синусоїдального сигналу – RC ≫1 /ω .
31
При подачі на вхід східчастої напруги (рис. 2.5, а) у початковий
момент (t=0) вся вхідна напруга прикладена до резистора, а напруга на
конденсаторі дорівнює нулю. Конденсатор починає заряджатись зі сталою
часу τ =RC . Струм поступово зменшується, що обумовлює зменшення
спаду напруги на резисторі (рис. 2.5, б), а на виході (U вих =U c) напруга
зростає до значення U вих =U вх (рис. 2.5, в).
Перехідний процес так само, як і у диференційних ланцюгах
оцінюють за 2 при фіксації на рівні (1−0,9)×U вих, або за 3 τ при фіксації на
рівні (0,05−0,95)× U вих. Ці величини визначають протяжність перехідного
процесу під час переключення схеми, а відтак – і швидкодію пристрою.
Рис. 2.5 Перехідні процеси в інтегруючій RC-схемі
32
Коли на вхід інтегруючої схеми поступає періодична послідовність
імпульсів прямокутної форми тривалістю t i, то для їх передачі без
суттєвого спотворення необхідно, щоб стала часу була мала ( τ ≪ t i ). У
цьому випадку вихідна напруга відтворює форму вхідних імпульсів,
оскільки конденсатор встигає повністю зарядитись за час, який становить
дуже малу частку тривалості імпульсу. При цьому тривалість переднього
фронту імпульсу буде незначною.
У разі виконання умови інтегрування (τ ≫ t i) у момент надходження
імпульсу на вхід схеми вся вхідна напруга прикладена до резистора, а
напруга на конденсаторі дорівнює нулю. За час дії імпульсу конденсатор
повільно заряджається, а напруга на ньому повільно збільшується. Але за
вказаної умови напруга на конденсаторі не встигає досягти напруги. U вих По
закінченні вхідного імпульсу конденсатор так само повільно
розряджається.
Таким чином, на ємнісному виході формуються розтягнуті імпульси,
які мають форму експоненційної пилки. Такі спотворення вхідних
імпульсів не завжди допустимі. У цьому випадку тривалість переднього
фронту вихідного імпульсу може перевищувати тривалість інформаційного
імпульсу t i .
Зрозуміло, що час заряду та розряду конденсатора визначає також
мінімальний період вхідних імпульсів і швидкодію.
Схему, показану на рисунку 2.1, б, умовно називають інтегруючим
колом. Операція інтегрування відбувається лише за умови τ ≫ t iвх . При
цьому форма вихідного імпульсу дуже відрізнається від форми вхідного
(на вході прямокутний імпульс – на виході експоненційна пилка). Якщо
така ж схема має співвідношенняτ ≪ t iвх , то відбувається лише невелике
спотворення вихідного імпульсу (збільшується тривалість переднього та
заднього фронтів).
33
2.1.4. Частотні характеристики диференціюючих RC-схем.
Залежність коефіцієнта передачі RC- та LC-схем від частоти вхідного

сигналу зумовлена зміною опорів конденсаторів та індуктивностей. У
диференціюючих схемах (рис. 2.1, а) зі збільшенням частоти напруга на
виході збільшується, коефіцієнт передачі зростає.
Властивості схеми оцінюють за допомогою АЧХ, яка відображає
залежність модуля коефіцієнта передачі від частоти.
Модуль коефіцієнта передачі визначають за формулою:
1
K (ω )=
1
√ 1+
ωRC (2.5)
Смугу пропускання схеми оцінюють на рівні, коли модуль коефіцієнта
передачі зменшується в √ 2 рази. У диференційних RC-схемах це
відбувається у разі зменшення частоти до
1 1
ω= = .
RC τ
Таким чином, диференційні RC-схеми пропускають сигнали і
частотою ω ≥ ω н, тобто є фільтрами верхніх частот (ФВЧ) (рис. 2.2).
2.1.5. Частотні характеристики інтегруючих RC-схем.
Інтегруючі схеми зі збільшенням частоти зменшують амплітуду

вихідного сигналу, коефіцієнт передачі падає.
Модуль коефіцієнта передачі дорівнює:
1
K (ω)=
√ 1+ωRC (2.6)
Якщо частота вхідного сигналу досягає величини ω=1/τ , то модуль
коефіцієнта передачі зменшується у √ 2 рази. Таки чином, інтегруючі
34
ланцюжки пропускають сигнали із частотою від ω=0 і до ω=ω в, тобто є
фільтрами нижніх частот (ФНЧ) (рис. 2.3).
Передача сигналів в області нижніх частот може регулюватись.
Ємність розділового конденсатора в підсилювачах беруть достатньої
величини, щоб забезпечити необхідний спектр нижніх частот. У
спеціальних підсилювачах постійного струму такі конденсатори відсутні.
Рис. 2.7 Залежність форми вихідних імпульсів диференційних

RC-схем від співвідношення t i та τ :
a) вхідний сигнал; б) t i ≪ τ i; в) t i=3 τ і; г) t i ≫ τ i.
35
Складнішу задачу розв’язують, щоб забезпечити розширення
частотного діапазону в бік високих частот. У схемах завжди є паразитні
ємності монтажу, активних та пасивних елементів. Вони зумовлюють
обмеження діапазону частот інформаційних сигналів, що передаються на
вихід схеми.
Рис. 2.8 Залежність форми вихідних імпульсів диференційних

RC-схем від співвідношення t i та τ :
a) вхідний сигнал;б) t i ≫ τ i; в) t i=3 τ і; г) t i ≪ τ i.
Частотні і перехідні характеристики пов’язані між собою.

Розширення частотного діапазону в області верхніх частот обумовлює
36
зменшення тривалості перехідних процесів, збільшення швидкодії схеми,
зменшення тривалості переднього фронту імпульсу на виході.
Розширення частотного діапазону в області нижніх частот

обумовлює зменшення спаду вершин імпульсів; зменшує спотворення
форми імпульсів (рис. 2.7 та 2.8).
2.2.1. Дослідження диференціюючої RC-схеми.
1 Відкрити вікно програми Multisim і побудувати схему

диференційної RC-схеми (рис. 2.9).
Рис. 2.9 Схема віртуального лабораторного стенда для

дослідження диференціюючої RC-схеми
37
2. Дослідити диференційну RC–схему в частотній області.
3. Встановити у функціональному генераторі режим генерації
гармонічних сигналів. Встановити такі параметри сигналу: частота 10 кГц,
амплітуда 10 В.
4. Дослідити частотні характеристики диференціальної схеми
допомогою вимірювача АЧХ та ФЧХ (Bode Plotter). У відповідних
віконцях встановити: мінімальне послаблення вихідного сигналу F=0 дБ
(максимальний коефіцієнт передачі), максимальне послаблення I =−40 дБ
(мінімальний коефіцієнт передачі), максимальна частота f =5 МГц,
мінімальна частота f =100 Гц .

5. Увімкнути моделювання За допомогою візирної лінійки визначити
нижню граничну частоту f н диференційної RC-схеми (частоту, на якій
коефіцієнт передачі зменшується до3 дБ ). Вимкнути моделювання.
6. Перевести Bode Plotter в режим дослідження ФЧХ. На передній
панелі натиснути кнопку «Phase». Виставити значення параметрів: F
=135°, I =- 45°. Увімкнути моделювання.
7. Проаналізувати одержану ФЧХ та занести її в протокол. Вимкнути
моделювання.
8. Повторити експерименти при одночасному збільшенні опору
потенціометра і ємності конденсатора до 50%, а потім до 75% від
номінального значення.
9. Результати занести в протокол. Сформулювати висновки.
10 Дослідити диференціюючу RC-схему в часовій області.
Встановити такі параметри імпульсів генератора: частота 10 кГц (період
100 мкс), заповнення (Duty cycle) 50% (тривалість імпульсів 50 мкс),
амплітуда 10 В.
38
11. Виставити мінімальні значення опору потенціометра та ємності
конденсатора.
12. Виставити режими осцилографа: тривалість розгортки (Time base)
20 мкс/поділка, тип функціональної залежності Y/ T, чутливість каналу «А»
– 20 В/поділка, зміщення по вертикалі осцилограми сигналу каналу «А» ( Y
position ) 2 под, тип входу каналу А «DC» (закритий вхід, за змінним
струмом ), чутливість каналу «В» – 10 В/под., зміщення по вертикалі
осцилограми сигналу каналу «В» (Y position ) – 1.2 под. Режим
синхронізації – запуск вхідними сигналами, тобто сигналами каналу «А».
13. Увімкнути моделювання. Зафіксувати та проаналізувати вихідні
осцилограми. Користуючись курсорами 1 та 2 визначити величину
вихідної напруги на початку і в кінці дії вхідних інформаційних сигналів.
Розрахувати у відсотках спад вершини імпульсів.
14. Повторити експерименти при одночасному збільшенні опору
потенціометра та ємності конденсатора до 50%, а потім до 75% від
номінального значення. Результати занести в протокол.
15. Сформулювати висновки.
2.2.2. Дослідження інтегруючої RC–схеми.
1. Побудувати схему інтегруючої RC-схеми (рисунок 2.10).

Виставити номінальну ємність конденсатора 10 нФ, та величину зміни
ємності (25%). Значення опору потенціометра та встановлені відсотки
залишити без змін.
2. Дослідити частотні характеристики інтегруючої RC – схеми.
Перевести генератор в режим формування гармонічного сигналу.
Виставити амплітуду 10 В. Одержати АЧХ та ФЧХ інтегруючої RC– схеми
для значень R i C (25, 50 та 100%). Визначити за допомогою Bode Plotter та
розрахувати значення верхніх граничних частот.
39
Рис. 2.10 Схема віртуального лабораторного стенда для дослідження
інтегруючої RC-схеми
3. Одержані АЧХ та ФЧХ і значення граничних частот занести в

протокол. Проаналізувати одержані результати. Зробити висновки.
4. Дослідити перехідні процеси в інтегруючій RC–схемі. Перевести
функціональний генератор в режим формування прямокутних імпульсів («
»), виставити такі параметри імпульсів: частота 10 кГц, відсотки
заповнення 50% (тобто тривалість імпульсів 5 мкс), амплітуда 10 В.
5. Відкрити передню панель осцилографа, та встановити тривалість
розгортки 20мкс/под. Решту показників залишити без змін.
6. Увімкнути моделювання. Спостерігати осцилограми вхідних та
вихідних імпульсів.
40
7. Повторити експерименти ще для двох значень опору
потенціометра та ємностей конденсатора – 50% та 100% номінального
значення.
8. Занести осцилограми в протокол.
2.2.3. Дослідження подвійного Т-подібного мосту.
1. Побудувати схему подвійного Т-подібного мосту (рис. 2.11).

2. Виставити значення опорів в резисторах в межах 1...10 МОм так,
щоб R1=R 2=2 R 3,і величину ємності конденсаторів в межах 1...10 нФ із
співвідношенням C 1=C2 =0,5 C3. Це дозволяє розрахувати квазірезонансну
частоту за формулою:
1 1 1
f 0= = = .
2 π R1 C 1 2 π R 2 C 2 2 π R3 C3
3. Перевести функціональний генератор в режим формування

тестового гармонічного сигналу ( ). Встановити амплітуду коливання
10 В, частоту 10 Гц.
4. Висвітлити передню панель Bode Plotter. Виставити діапазон
затухань F = 0 дБ до І = –60 дБ, смугу частот F = 10 кГц, І = 10 Гц.
5. Увімкнути моделювання.
6. Дослідити АЧХ, результати вимірювань та АЧХ занести в
протокол.
7. Вимкнути моделювання.
8. Перевести Bode Plotter в режим дослідження фазочастотної
характеристики. Дослідити ФЧХ.
9. Зробити висновки.
41
Рис. 2.11 Схема віртуального лабораторного стенда для дослідження
подвійного Т–подібного мосту
Зміст повинен містити:

 принципові електричні схеми віртуальних лабораторних
стендів для дослідження RC-схем;
 результати розрахунків сталих часу, значень граничних частот
та тривалості перехідних процесів для RC-схем;
 амплітудно-частотні характеристики досліджуваних RC-схем;
42
 перехідні характеристики досліджуваних RC-схем;
 осцилограми імпульсів, одержаних за експериментами ;
 визначення тривалості перехідних процесів та смуги частот;
 висновки.
4. КОНТРОЛЬНІ ЗАПИТАННЯ
1. Накресліть та поясніть принципові електричні схеми інтегруючого

та диференціюючого RC-кола.
2. Поясніть формування вихідного сигналу диференціюючим RC-
колом.
3. Поясніть формування вихідного сигналу інтегруючим RC-колом.
4. Чому диференціюючі RC-схеми є фільтрами верхніх частот?
5. Які елементи електронних схем обмежують частотні властивості
пристроїв обробки електричних сигналів
6. Як змінюється перехідна характеристика диференціюючої RC-
схеми зі збільшенням ємності конденсатора та зміною опору резистора?
7. Як змінюється перехідна характеристика інтегруючої RC-схеми зі
зменшенням ємності конденсатора та зі збільшенням опору резистора?
43
ДОСЛІДЖЕННЯ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ДІОДІВ
Мета роботи: поглиблення і закріплення знань про основні процеси,

що протікають у напівпровідникових діодах (НД), особливостях їх як
елементів електронних ланцюгів, про граничні експлуатаційні дані, про
особливості роботи таких приладів у динамічному режимі, а також
придбання навичок проведення експериментальних досліджень роботи
діодів в різноманітних схемах.
3.1.1. Властивості діодів.
Комбінація двох напівпровідникових шарів з різним типом

провідності (p – діркова і n – електронна) має випрямляючі властивості:
вона набагато краще пропускає струм в одному напрямку, ніж в
протилежному. Полярність напруги, яка відповідає великим струмам,
називається прямою, а малим струмам – зворотною. Звичайно
використовують терміни пряма і зворотна напруга, прямий і зворотній
струм. Поверхня, по якій контактують p- та n-шари, називаються
металургійною межею, а область об’ємного заряду, яка до неї прилягає, -
електронно-дірковим переходом.
Крім ефекту випрямлення, р-n-перехід має й інші властивості:
нелінійність вольт-амперної характеристики (ВАХ), бар'єрна ємність,
явище ударної іонізації атомів напівпровідника при досить великих для
даного переходу напругах, явище тунелювання носіїв крізь потенціальний
44
бар'єр переходу як при зворотній, так, в окремих випадках, і при прямій
напрузі. Ці властивості переходу використовуються для створення різних
видів НД: випрямних, змішувальних, лавинопролітних, варикапів,
фотодіодів, світлодіодів.
Вольт-амперна характеристика p-n – переходу описується виразом:
U
[ () ]
I=I 0 exp
Ut
−1
(3.1)
де I – струм через перехід при напрузі U, I 0 – зворотній струм, U t –
температурний потенціал, котрий при кімнатній температурі дорівнює
26мВ.
У разі швидкої зміні напруги діода порівняно з часом накопичення і
розсмоктування незрівноваженого заряду в базі і некомпенсованого
об'ємного заряду в електронно-дірковому переході, реалізується
динамічний режим. В даному режимі необхідно враховувати ємнісні
властивості діодів, тобто їхню здатність накопичувати і відповідно
віддавати заряд при збільшенні чи зменшенні прикладеної напруги.
Накопичення заряду відбувається в р-n -переході й у базі діода. Відповідно
до цього розрізняють дві складові ємності діода С д: бар'єрну С б і дифузійну
С дф. При цьому С д=С б +С дф. Такий поділ багато в чому умовний, але він
зручний на практиці, бо співвідношення цих ємностей залежить від

полярності прикладеної напруги. За прямої напруги головну роль грають
надлишкові заряди в базі і, відповідно, дифузійна ємність. За зворотної
напруги кількість надлишкових зарядів в базі мала і головну роль відіграє
бар’єрна ємність. Обидві ємності нелінійні: дифузійна залежить від
прямого струму, а бар’єрна – від зворотної напруги.
45
3.1.2. Моделювання діодів.
Рис. 3.1 Діалогове вікно вибору моделі діода програми
В програмі Multisim діоди представлено в каталозі Diodes бібліотеки

компонентів. Після натискання кнопки DIODE з’явиться діалогове вікно
вибору конкретного діоду (рис.3.1). Якщо ви просто бажаєте перевірити
роботу якоїсь електронної схеми, то доцільно використовувати
віртуальний діод (Diode_Virtual), який має найбільш загальні параметри.
Після вибору діода ви побачите контур елементу, який можете розмістити
у потрібному вам місці схеми.
Еквівалентні схеми діода мають наступні позначення (рис. 3.2): A –
анод, K – катод, I – джерело струму, R S – об’ємний опір, C – ємність
переходу, G min – провідність, яка обумовлена втратами.
46
Рис. 3.2 Еквівалентні схемі діода при розрахунках:а) за постійним струмом;
б) в діапазоні частот; в) в діапазоні частот при малих рівнях сигналів
3.1.3. Випрямляч.
Це перетворювачі струму та напруги змінної полярності до струму та

напруги постійної полярності.
Середнє значення вихідної напруги Ud (постійна складова)
однонапівперіодного випрямляча (рис. 3.7) визначається за формулою:
U max
U d=
π (3.2)
Значення U d двохнапівперіодного випрямляча (рис. 3.8) вдвічі
більше:
2 U max
U d=
π (3.3)
Частота вихідного сигналу f для схем з однонапівперіодним або
двохнапівперіодним випрямлячем обраховується як величина, зворотна до
періоду вихідного сигналу. При цьому період сигналу на виході
однонапівперіодного випрямляча в два рази більше, ніж на виході
двохнапівперіодного випрямляча (рис. 3.3).
47
Рис. 3.3 Осцилограми напруг: а) на вході випрямляча; б) на виході
однонапівперіодного випрямляча; в) на виході двохнапівперіодного
випрямляча
Максимальна зворотна напруга U max на діоді однопівперіодного

випрямляча дорівнює максимуму вхідної напруги. Максимальна зворотня
напруга U max на кожному діоді двохнапівперіодного випрямляча з
контактом до середньої точки трансформатора дорівнює різниці
подвоєного максимального значення напруги на вторинній обмотці
трансформатора U 2 m і прямого падіння напруги на діоді U пр:
U max =U 2 m −U пр
(3.4)
Якщо увімкнути на вихід випрямляча конденсатор, то змінна
складова вихідної напруги буде зменшена (рисунок 3.4). Середнє значення
вихідної напруги випрямляча з ємнісним фільтром може бути приблизно
оцінено зі співвідношення:
U 2 max +U 2 min ΔU 2
U d= =U 2 max−
2 2 , (3.5)
де U 2 max і U 2 min – максимум і мінімум вихідної напруги, ∆ U 2=U 2 max −U 2 min .
48
Рис. 3.4 Осцилограми випрямляча:
а) без конденсатора на виході, б) з конденсатором на виході
Для оцінювання якості випрямлення звичайно використовують

коефіцієнт пульсацій q вихідної напруги, який обчислюється згідно з
виразом:
ΔU 2
q=
( )Ud
⋅100 %
(3.6)
3.1.4. Обмежувачі.
Це чотириполюсники, на виході яких напруга не змінюється, якщо

напруга на вході перевищує якесь порогове значення (обмежник зверху,
рис. 3.5,а), приймає значення нижче порогового (обмежувач знизу, рис.
3.5,б) або перевищує межі порогових рівнів (двосторонній обмежувач).
Рис. 3.5 Осцилограми вихідного сигналу:

а) обмежувача зверху; б) обмежувача знизу
49
Основними характеристиками обмежувачів є: стабільність
положення точок зламу їх характеристик, сталість вихідної напруги в
області обмеження, лінійність схеми в області пропущення, коефіцієнт
передачі на ділянках обмеження і пропущення.
Діодні обмежувачі залежно від способу ввімкнення діода можуть
бути послідовними або паралельними.

2. Вивчити призначення всіх елементів схеми (рис. 3.6).
Рис. 3.6 Електрична принципова схема виміру вольт-амперної

характеристики напівпровідникових діодів
3. Дослідити вольт-амперну характеристику напівпровідникового

діоду 1N4001GP. Для цього:
 встановити значення напруги генератора 0,1В;
 увімкнути моделювання;
 занести показники амперметру (U1) та значення напруги генератора
50
(V1) до протоколу;
 вимкнути моделювання;
 повторити вищеназвані дії для наступних напруг генератора: 0,3В;
0,7В; 2В; 5В; 7В;
 змінити полярність увімкнення генератора у схемі;
 заміряти значення напруг та струмів на діоді при наступних
значеннях напруг генератора: 0,1В; 0,5В; 1В; 5В;
 занести показники амперметра та значення напруг генератора до
протоколу;
 побудувати вольт-амперну характеристику.
4. Побудувати схему однонапівперіодного випрямляча. Вивчити
призначення всіх елементів схеми (рис. 3.7). Ключ DIPSW1 знаходиться в
бібліотеці Basic, група SWITCH.
Початкові настроювання схеми повинні повністю співпадати з тими,
що зображені на рисунку 3.7.
5. Дослідити роботу діода 1N4001GP в схемі однонапівперіодного

випрямляча. Для цього:
 увімкніть моделювання. Зарисувати в протокол осцилограми вхідної
та вихідної напруг;
 за допомогою моделі осцилографа виміряти та занести в протокол
максимальні вхідну та пряму вихідну напруги;
період вихідного сигналу. Обчислити частоту вихідного сигналу;
максимальну зворотну напругу на діоді;
 обчислити середнє значення вихідної напруги U d .
51
Рис. 3.7 Схема електрична принципова однонапівперіодного випрямляча
на напівпровідниковому діоді
6. Дослідити вплив ємнісного фільтра на роботу

однонапівперіодного випрямляча. Для цього:
 за допомогою клавіші «Space» замкнути ключ S1;
 увімкнути моделювання. Зарисувати в протокол осцилограми вхідної
максимальну вихідну напругу U 2 max і різницю між мінімумом та
максімумом вихідної напруги ∆ U 2;
 обчислити середнє значення вихідної напруги U d ;
 обчислити коефіцієнт пульсацій вихідного сигналу;
52
 зарисувати осцилограми вихідного сигналу при наступних значеннях
вихідних ємності та опору: (С1; R1) = (100%; 100%), (100%; 75%), (100%;
50%), (100%; 25%), (75%; 100%), (50%; 100%), (25%; 100%);
 вимкнути моделювання.
6. Порівняти результати вимірів та обрахунків, отриманих у пунктах
5,6.
7. Побудувати схему двохнапівперіодного випрямляча. Вивчити
призначення всіх елементів схеми (рис. 3.8).
Рис. 3.8 Схема електрична принципова двохнапівперіодного випрямляча на

напівпровідниковому діоді
Початкові настроювання схеми повинні повністю співпадати з тими,

що зображені на рисунку 3.8. Тобто: S1 – розімкнутий, R1 = 100%, C1 =
100%.
8. Дослідити роботу діода 1N4001GP в схемі двохнапівперіодного
53
максимальні вхідну та пряму вихідну напруги;
період вихідного сигналу. Обчислити частоту вихідного сигналу;
максимальну зворотну напругу на діоді;
 обчислити середнє значення вихідної напруги U d .
9. Дослідити вплив ємнісного фільтра на роботу двохнапівперіодного
 за допомогою клавіш «Space» замкнути ключ S1;
максимальну вихідну напругу U 2 max і різницю між мінімумом та
максимумом вихідної напруги∆ U 2;
 обчислити середнє значення вихідної напруги U d ;
 обчислити коефіцієнт пульсацій вихідного сигналу;
 зарисувати осцилограми вихідного сигналу при наступних значеннях
вихідних ємності та опору: (С1; R1) = (100%; 75%), (100%; 50%), (100%;
25%), (75%; 75%), (50%; 75%), (25%; 75%);
10. Порівняти результати вимірів та обрахунків, отриманих у пп.
9,10.
11. Побудувати схему діодного обмежувача. Вивчити призначення
всіх елементів схеми. В початковому стані перемикачі S1 і S2 повинні бути
54
в положенні «1».
12. Дослідити роботу діода 1N4001GP в схемі обмежувача напруги.
Для цього:
максимальні вхідну, пряму та зворотну вихідні напруги;
 за допомогою клавіші «Space» перемкнути S1 і S2 в положення «2»;
максимальні вхідну, пряму та зворотну вихідні напруги;
Рис. 3.9 Схема електрична принципова обмежувача на

напівпровідниковому діоді
55
13. Виключити програму Multisim.
14. Сформулювати висновки й оформити протокол звіту.

 принципові електричні схеми, які використовуються в роботі;
 осцилограми вихідних сигналів, отримані при дослідженні
роботи напівпровідникового діода в різних схемах;
 результати досліджень у виді таблиць і графіків, виконаних на
міліметрівці;
1. Як побудовано напівпровідникові діоди?

2. Чим обмежується швидкодія діодів?
3. Наведіть і поясніть еквівалентні схеми діода.
4. Як здійснюється випрямлення змінної напруги за допомогою схем
на напівпровідникових діодах?
5. Поясніть роботу двохнапівперіодного випрямляча.
6. Як впливає ємнісний фільтр на результат випрямлення?
7. Поясніть роботу обмежувача на напівпровідниковому діоді.
56
ДОСЛІДЖЕННЯ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СТАБІЛІТРОНІВ
Мета роботи: поглиблення і закріплення знань з основних фізичних

процесів, що протікають у зворотно-зміщених електронно-діркових
переходах, особливості напівпровідникових стабілітронів, їхні
експлуатаційні параметри; набуття навичок експериментального
дослідження таких приладів і визначення показників параметричних
стабілізаторів.
Напівпровідникові діоди ефективно використовуються й у

зворотному включенні. Коли зворотна напруга діода досягає визначеного
критичного значення, струм діода починає різко зростати. Це явище
називають пробоєм діода. Розрізняють три види пробою: тунельний,
лавинний і тепловий. Перші два пов’язані зі зростанням напруженості
електричного поля в переході, а третій – зі зростанням потужності, яка
розсіюється в переході, а отже і температури.
В основі тунельного пробою лежить тунельний ефект, тобто
«просочування» електронів крізь тонкий потенційний бар’єр переходу. В
основі лавинного пробою лежить «розмноження» носіїв в сильному
електричному полі, яке діє в області переходу. Електрон і дірка, які
прискорюються полем під час вільного пробігу, можуть розірвати один з
ковалентних зв’язків напівпровідника. В результаті з’являється нова пара
електрон-дірка і процес повторюється уже за участі нових носіїв. Якщо
напруга поля достатньо велика, тобто якщо вихідна пара носіїв в
57
середньому дає життя більш ніж одній новій парі, іонізація набуває
лавинний характер, подібно самостійному розряду в газі. При цьому струм
буде обмежено тільки зовнішнім опором. Явище пробою застосовується в
стабілітронах – приладах, який призначено для стабілізації напруги.
Тунельний та лавинний пробій не приводять до руйнування p-n
переходу. Тому при зниженні напруги p-n перехід повертається до свого
попереднього стану.
Тепловий пробій, як правило руйнує p-n перехід, тому зворотної дії
не має.
В основі теплового пробою лежить саморозігрів переходу під час
протікання зворотного струму.
При зростанні температури зворотній струм теж зростає, відповідно
зростає потужність, яка розсіюється в переході; це викликає додаткове
зростання температури і, як наслідок, руйнування переходу.
4.1.1. Моделювання стабілітронів.
В програмі Multisim стабілітрони представлено в каталозі Diodes

бібліотеки компонентів.
Після натискання кнопки Zener з’явиться діалогове вікно вибору
конкретного діоду (рис. 4.1).
58
Рис. 4.1 Діалогове вікно вибору моделі стабілітрона програми Multisim
4.1.2. Параметричний стабілізатор.
Використовується в малопотужних джерелах живлення (з вихідним

струмом 15...20 мА), а також у якості джерел опорної напруги в
компенсаційних стабілізаторах і контрольно-вимірювальній апаратурі.
Основну схему одно каскадного параметричного стабілізатора
наведено на рисунку 4.2,а. При зміні вхідної напруги U i струм I s через
стабілітрон VD теж змінюється. Це призводить до незначних змін напруги
на стабілітроні, а отже, і на навантаженні. Зміна U 0 залежить від приросту
∆ U i, опору резистора R0, і внутрішнього (диференційного) опору
стабілітрона, який дорівнює RS=dUS/dIS.
59
Коефіцієнт стабілізації в загальному випадку визначається за
формулою:
ΔU i U 0
K CT = ⋅
ΔU 0 U i (4.1)
Для орієнтовних розрахунків використовують наближену формулу:
U0 R0
K CT = ⋅
U i Rs (4.2)
Для більш точних розрахунків рекомендується формула:
R0
1+
Ri
K CT =
I +I
1+ R0 s n
U0 (4.3)
де I S , I n – струм стабілітрона і навантаження відповідно.
Коефіцієнт корисної дії такого стабілізатора розраховується за
формулою:
U 0⋅I n
ККД =
U i⋅( I n + I s ) (4.4)
Внутрішній опір стабілізатора, обумовлений в основному
диференційним опором стабілітрона, досягає мінімальної величини для
стабілітронів з напругою стабілізації 6 ... 8В.
Рис. 4.2 Схема параметричного стабілізатора напруги: а) без

термокомпенсації ; б) з термокомпенсацією; в) двохкаскадний
60
Температурний коефіцієнт напруги К тн стабілітрона визначає
відхилення вихідної напруги параметричного стабілізатора при зміні
температури. Найбільшу температурну залежність мають прилади з
напругою стабілізації U S >5,5 В . Температурна компенсація в цьому випадку
може бути досягнута ввімкненням послідовно зі стабілітроном діодів в
прямому напрямку (VD2 i VD3 на рис.4.2,б). Але при цьому зростає
внутрішній опір стабілізатора за рахунок диференційних опорів
термокомпенсуючих діодів. Крім того, термокомпенсований стабілізатор
має підвищене значення U s і зниженій коефіцієнт стабілізації.
Якщо потрібна підвищена стабільність вихідної напруги, то
використовують двох каскадні (рис. 4.2,в), мостові схеми стабілізаторів або
параметричні стабілізатори зі стабілізатором струму. Попередня
стабілізація напруги в двох каскадному стабілізаторі (рис. 4.2,в) за
допомогою елементів R0 i VD1 дозволяє отримати достатньо високий
коефіцієнт стабілізації вихідної напруги. Він визначається за формулою:
U 0 R0 R 0
K CT = ⋅ ⋅
U i RS1 RS 2 , (4.5)
де R S 1 і R S 2 - динамічні опори стабілітронів VD1 і VD2.

2. Побудувати та вивчити призначення всіх елементів схеми (рис.
4.3).
3. Дослідити зворотну гілку вольт-амперної характеристики
напівпровідникового стабілітрону 1N4733A. Для цього:
 встановити значення напруги генератора 0,1В;
61
 занести показники амперметру (U1) та вольтметру (U2) до
протоколу;
 повторити вищеназвані дії для наступних напруг генератора: 0,5В;
1В; 3В; 5В; 7В; 10В;
 побудувати вольт-амперну характеристику.
Рис. 4.3. Електрична принципова схема виміру вольт-амперної

характеристики напівпровідникових стабілітронів

4.4). Початкові значення потенціометрів дорівнюють 100%.
5. Зняти залежність струму стабілітрона, струму навантаження і
вихідної напруги U ст від опору навантаження Rн. Для цього необхідно:
 зафіксувати значення U ст, I ст , I н у п’яти значеннях потенціометра R3
(0%, 25%, 50%, 75%, 100%);
 зробити такі ж виміри при мінімальному та середньому значеннях
обмежувального опору (потенціометр R2=0 % та 5 0 %). Порівняти значення
U ст при R2 max і R2 min
62
Рис. 4.4 Схема електрична принципова параметричного стабілізатора
6. Результати вимірів звести в таблиці.

7. Побудувати графіки залежностей: U ст =f ( U вх ) і I ст=f ( U вх ), I н=f ( U вх ),
U ст =f ( R н ) , I ст =f ( Rн ), I н=f ( R н ), при R2 max і R2 min . Перший, другий, третій та
четвертий, п'ятий, шостий графіки відповідно сполучаються.

4.5). Початкові положення перемикачів «1». Напруга джерела сигналу
повинна дорівнювати 3В.
9. Дослідити роботу одностороннього обмежувача. Для цього:
 зарисувати осцилограми вхідного і вихідного сигналів;
 визначити амплітуду вихідного сигналу;
 за допомогою клавіші «Space» змінити полярність увімкнення
стабілітрона в контур;
 зарисувати осцилограму вихідного сигналу;
 збільшити амплітуду вхідного сигналу до 7В і повторити всі
63
вищевказані підпункти п. 9;
 занести результати в протокол.
Рис. 4.5 Схема електрична принципова обмежувача на стабілітроні

4.6). Напруга джерела сигналу повинна дорівнювати 4В.
11. Дослідити роботу двохстороннього обмежувача. Для цього:
 зарисувати осцилограми вхідного і вихідного сигналів;
 визначити амплітуду вихідного сигналу;
 повторити всі вищевказані підпункти п. 10 при наступних напругах
64
джерела вхідного сигналу: 6В і 10В;
 занести отримані дані в протокол.
Рис. 4.6 Схема електрична принципова двохстороннього

обмежувача на стабілітроні
12. Побудувати та вивчити призначення всіх елементів схеми

параметричного стабілізатора (рис. 4.7). Обчислити та порівняти значення
коефіцієнтів стабілізації за формулою (4.2) при значеннях потенціометра
R2 0%, 50% та 100% його значення. Підключити навантажувальний
резистор R3=1 кОм паралельно до стабілітрона D2 та знову обчислити такі
ж коефіцієнти стабілізації. Результати занести до таблиці. Зробити
висновки.
65
Рис. 4.7 Схема електрична принципова параметричного
стабілізатора
13. Вимкнути програму Multisim.

14. Проаналізувати отримані результати, зробити висновки й
оформити протокол звіту.

 електричні параметри, СВАХ і граничні експлуатаційні дані
досліджуваного типу стабілітронів (1N4733A);
 позначення і графічне зображення стабілітронів за стандартом;
 принципову електричну схему для дослідження стабілітронів;
66
 результати експериментальних досліджень у вигляді таблиць і
графіків;
1. Охарактеризуйте види пробоїв напівпровідникових діодів.

2. При яких умовах можливий тунельний пробій?
3. Яка гілка ВАХ є робочою в стабілітронах і стабісторах?
4. Поясніть принцип дії параметричного стабілізатора.
5. Як відбувається стабілізація вихідної напруги при зменшенні
вхідної?
6. Чому не змінюється напруга на стабілітроні при збільшенні струму
навантаження?
7. Як обчислюється коефіцієнт стабілізації параметричного
стабілізатора?
67
ДОСЛІДЖЕННЯ БІПОЛЯРНИХ ТРАНЗИСТОРІВ

У СТАТИЧНОМУ РЕЖИМІ
Мета роботи: поглиблення і закріплення знань з основ теорії

біполярних транзисторів, особливостей їхньої роботи в режимі малих
амплітуд, придбання навиків і умінь експериментального одержання і
дослідження статичних характеристик, визначення за цими
характеристиками малосигнальних параметрів, побудови
низькочастотних моделей.
Біполярний транзистор – це напівпровідниковий прилад з двома p-n

переходами, який має три виводи. Дію напівпровідникового транзистора
засновано на використанні носіїв обох знаків (дірок і електронів), а
керування струмом, який тече через нього, виконується за допомогою
керуючого струму.
5.1.1. Будова транзистора.
Біполярний транзистор має три шари напівпровідника (p-n-p або n-p-

n) і, відповідно, два p-n – переходи. Кожен шар напівпровідника через
невипрямляючий контакт метал-напівпровідник приєднано до зовнішнього
виводу.
Середній шар і відповідний вивід називають базою, один з крайніх
шарів і відповідний вивід називають емітером, а другий крайній шар і
відповідний вивід – колектором.
68
Схематичне, спрощене зображення структури транзистора типу n-p-n
показано на рисунку 5.1,а. Транзистор типу p-n-p побудовано аналогічно,
спрощена структура його показана на рисунок 5.1,в.
Рис. 5.1 Транзистор: а) схематичне зображення структури транзистора n-p-

n – типу; б) припустимі варіанти умовного графічного зображення
транзистора n-p-n – типу; в) схематичне зображення структури транзистора
p-n-p – типу; г) припустимі варіанти умовного графічного зображення
транзистора p-n-p – типу
Транзистор називають біполярним, тому що в процесі проходження

електричного струму приймають участь носії заряду двох знаків –
електрони і дірки. Але в різних типах транзисторів роль електронів і дірок
різна.
Транзистори типу n-p-n більш розповсюджені порівняно з
транзисторами типу p-n-p, тому що зазвичай мають кращі характеристики.
Це пояснюється більшою рухливістю електронів (основних носіїв заряду
69
транзисторів n-p-n – типу), ніж дірок (основних носіїв заряду транзисторів
p-n-p – типу).
Важливо відмітити, що реальна площа колекторного переходу
суттєво більша площі емітерного переходу. Така несиметрія покращує
властивості транзистора.
5.1.2. Моделювання біполярних транзисторів.
В програмі Multisim транзистори представлено в каталозі Transistors

бібліотеки компонентів.
Рис. 5.2 Верхня частина каталогу бібліотеки

Transistors програми Multisim
Цей каталог можна умовно поділити на частину, яка містить різні

типи біполярних транзисторів (рис. 5.2), і частину з польовими
транзисторами. В цій лабораторній роботі розглядається тільки перша
частина. До її складу входять моделі існуючих біполярних транзисторів
70
обох типів, моделі віртуальних біполярних транзисторів обох типів з
найбільш загальними параметрами, віртуальні чотирьох вивідні
транзистори двох типів, пари Дарлінгтона на транзисторах різних типів та
транзисторні збірки.
Після натискання кнопки BJT_NPN або BJT_PNP з’явиться діалогове
вікно вибору конкретного транзистора (рис. 5.3).
Рис. 5.3 Діалогове вікно вибору моделі транзистора
Для побудови підсилювачів на біполярних транзисторах (БТ)

розрізняють три основних схеми включення БТ: з загальною базою (ЗБ), з
загальним емітером (ЗЕ) та з загальним колектором (ЗК). Схеми для
дослідження транзисторів у статичному режимі для цих включень та
відповідні еквівалентні схеми транзисторів при їх роботі в активному
режимі наведені на рисунках 5.4-5.6.
71
Рис. 5.4 Схема включення БТ з загальною базою
Рис. 5.5 Схема включення БТ із загальним емітером ЗЕ
Рис. 5.6 Схема включення БТ з загальним колектором
5.1.3. Режими біполярних транзисторів (БТ).
Біполярні транзистори містять два взаємодіючих електронно-

діркових переходи. Залежно від їхнього стану розрізняють чотири режими:
активний (лінійне посилення сигналів), відсічення, насичення й інверсний.
72
В активному режимі на емітерний перехід для забезпечення інжекції
носіїв заряду в базу подається пряма напруга Uбе, а на колекторний перехід,
що здійснює екстракцію носіїв заряду - зворотна напруга Uкб. Таким чином
емітерний перехід знаходиться у відкритому стані, а колекторний у
закритому.
Транзистор є керованим приладом, його колекторний струм залежить
від струму бази та емітера.
Ступінь впливу вхідного ланцюга транзистора (емітерного - у схемі з
загальною базою (ЗБ) і базового - у схемі з загальним емітером (ЗЕ))
оцінюють за допомогою статичних параметрів: коефіцієнта передачі
струму емітера h21 Б або a і коефіцієнта передачі струму бази h21 Е ( β ).
Керована складового струму колектора в схемі з загальною базою (рисунок
5.4) дорівнює:
I K =a I E (5.1)
А в схемі з загальним емітером (рисунок 5.5)

I K =β I Б
(5.2)
Як випливає із рисунків 5.4-5.6:

I Е =I Б + I K
(5.3)
Враховуючи вище наведені рівняння можна записати:
β α
α= або β=
( 1+ β ) ( 1−α )
(5.4)
73
Рівняння (5.1-5.4) є основними рівняннями, що описують роботу
біполярного транзистора у активному режимі, в якому БТ розглядається як
лінійний прилад. Величини коефіцієнтів для реальних БТ становлять:
β=(30−1000)×n , а α наближується до 1, але завжди α <1.
У режимі насичення відкриті обидва переходи. Колекторний перехід

уже не здійснює повної екстракції носіїв з бази, що приводить до їх
накопичення в базі й інтенсивній рекомбінації. У режимі насичення струм
бази може виявитися порівнянним зі струмом емітера. Транзистор
повністю відкритий й проявляє себе як нелінійний елемент.
У режимі відсічення обидва переходи закриті. Через них проходять
струми, обумовлені процесами теплової генерації носіїв заряду в обсязі
напівпровідника, областях об'ємного заряду і на контактах, що не
випрямляють, а також витоками. Вважається, що транзистор закритий й
працює у нелінійному режимі.
В інверсному режимі емітерний перехід закритий, а колекторний –
відкритий. Струм колектора визначається значенням прямої напруги Uкб.
Цей режим аналогічний до активного, але характеризується значно
гіршими властивостями до підсилювання. Використовується рідко.
5.1.4. Статичні характеристики.
Як основні характеристики БТ використовують: вхідні (зв'язують

струм і напругу на вході); вихідні (зв'язують струм і напругу на виході);
характеристики передачі (зв'язують струми або напруги на виході зі
струмами або напругами на вході); характеристики зворотного зв'язку
(зв'язують напруги або струми на вході зі струмами або напругами на
виході).
74
Для схеми з ЗЕ вхідні характеристики визначаються залежністю
I Б=f ( U вб ) при U кб =const (рис. 5.7,а). У кремнієвих транзисторів вони зміщені
від нуля у бік прямих напруг. Як і в кремнієвих діодах, зсув дорівнює

0,6...0,7В.
Рис. 5.7. Статичні характеристики біполярного транзистора в схемі з ЗЕ:

а) вхідні; б) вихідні
При збільшенні зворотної напруги на колекторі струм бази

зменшується, характеристики зміщаються правіше. Це пояснюється тим,
що напруга на колекторі впливає на концентрацію носіїв біля нього і
змінює товщину бази внаслідок зміни товщини колекторного переходу
(розширення збідненої зони). Це так званий ефект модуляції товщини бази.
Зменшення товщини бази призводить до зменшення імовірності
рекомбінації носіїв заряду в базі, а отже і до зменшення струму бази
Вихідні характеристики для схеми з ЗЕ визначаються залежністю I K =f (U кв )
при I Б=const (рисунок 5.7,б).
Якщо струм бази дорівнює нулеві, то ця залежність являє собою

характеристику електронно-діркового переходу при зворотному зсуві.
75
Статичні характеристики дають повну інформацію про транзистори,
що є активними елементами радіоелектронних ланцюгів.
У режимі великих сигналів вони є основою графоаналітичного
методу аналізу і розрахунку транзисторних ланцюгів. У режимі малих
сигналів транзистор може розглядатися як лінійний елемент. По
характеристиках транзистора визначають малосигнальні диференціальні
параметри.
5.1.5. Диференційні параметри транзисторів.
Величини, що зв'язують малі збільшення струмів і напруг, називають

диференціальними параметрами транзистора.
У разі уявлення транзистора лінійним чотириполюсником
(наприклад, для БТ у схемі із загальною базою, рис. 5.8) найбільше
практичне застосування знаходять три системи параметрів: h, y, z -
параметрів.
Рис. 5.8 Чотирьохполюсне включення БТ із загальною базою
Під час використання h-параметрів як незалежні перемінні

вибирають вхідний струм I1 і вихідну напругу U2.
Рівняння мають вигляд:
U 1=h11 I 1 +h12 U 2 (5.5)
I 1=h21 I 1 +h22 U 2 (5.6)
76
Звідси випливає фізичний зміст і найменування h-параметрів:
U1
h11 = ∨U 2=0 - вхідний опір транзистора при короткому замиканні на
I1
виході для змінної складової струму, тобто h11 =Rвх .

Виходячи із рис. 5.4 для схеми включення ЗБ:
U вх U rэ +U rб I э ∙ rэ+ I б ∙ rб I −I
Rвх = = = =rэ+ э к rб =rэ+ ( 1−α ) ∙ rб
I вх IЭ Iэ Iэ
( 1−α ) →0
Rвх =rэ=n ∙10 Ом
Для схеми включення ЗЕ (рис. 5.5)

U вх U rэ +U rб I э ∙ rэ+ I б ∙ rб Iб + I к
Rвх = = = =rб + rэ=rб + ( 1+ β ) rэ
I вх Iб Iб Iб
Rвх ≈ n ∙ ( 100 ÷ 1000 ) Ом
Для схеми включення ЗК (рис. 5.6)

U вх U rэ +U rб I э ∙ ( rэ + Rн ) + I б ∙ rб I э ( rэ+ Rн ) ( I к + I б ) ∙ ( rэ + Rн )
Rвх = = = =rб + =rб + =rб + ( 1+ β ) ∙ ( rэ+ R н )
I вх Iб Iб Iб Iб
U1
h12= ∨I =0 - коефіцієнт зворотного зв'язку по напрузі при
U2 1
розімкнутому вході для змінної складової струму;

I2
h12= ∨U 2=0 - диференціальний коефіцієнт передачі струму при
I1
короткому замиканні на вході для змінної складової струму. Для схеми

включення БТ з загальною базою h213 Б =α , а для включення із загальним
емітером (ЗЕ) h213 Е =β .
I2
h22= ∨I =0 ‒ вихідна провідність транзистора при розімкнутому
U2 1
1
вході для змінної складової струму,h22= R .
вих
Низькочастотні значення параметрів транзистора залежать від схеми

включення і визначаються за статичними характеристиками.
77
1. Запустити програму Multisim. Скласти схему дослідження

біполярного транзистора за схемою загального емітера та вивчити
призначення всіх елементів схеми (рис. 5.9). Компонент DC_CURRENT
(джерело постійного струму) знаходиться в бібліотеці Sources, вкладка
SIGNAL_CURRENT_SOURCES
Рис. 5.9 Електрична принципова схема виміру вольт-амперної

характеристики біполярних транзисторів, увімкнених за схемою з
загальним емітером
2.Дослідити вхідні статичні характеристики. Для цього необхідно:

- встановити напругу джерела Ес рівною 5В;
- для струму джерела Iб 16мкА, 26мкА, 36мкА, 46мкА, 57мкА
провести виміри напруги бази-емітер U БЕ;
- занести результати в протокол;
- повторити виміри для напруг джерела Ес 10В і 20В;
- побудувати вхідну вольт-амперну характеристику.
78
3. Дослідити вихідні статичні характеристики. Для цього треба:
- встановити струм джерела Iб рівним 16мкА;
- для напруг джерела Ес 0.1В, 0.5В, 1В, 5В, 10В, 20B провести виміри
струму колектора Ік;
- повторити виміри для струмів джерела Iб 26мкА, 36мкА, 46мкА,
57мкА;
- побудувати вихідну вольт-амперну характеристику.
4. Обчислити коефіцієнт передачі струму транзистора при напрузі
джерела Ес=10В та струмі Іб=57мкА.
5. Обчислити h-параметри транзистора в схемі з загальним емітером.
6. Скласти схему дослідження біполярного транзистора за схемою
загальної бази та вивчити призначення всіх елементів схеми (рис. 5.10).
Рис. 5.10. Електрична принципова схема виміру вольт-амперної

характеристики біполярних транзисторів, увімкнених за схемою з
загальною базою
7. Дослідити вхідні статичні характеристики. Для цього необхідно:

- встановити напругу джерела Ес=1В;
79
- для напруг джерела Ее 1.6В, 2.6В, 3.6В, 4.6В, 5.7В провести виміри
струму емітера I E та напруги емітер-база U БЕ;
- повторити виміри для напруги джерела Ес=10В;
- побудувати вхідну вольт-амперну характеристику.
8. Дослідити вихідні статичні характеристики. Для цього треба:
- встановити напругу джерела Ее рівною 1.6В;
- для напруг джерела Ес 0.1В, 0.5В, 1В, 5В, 10В, 20B провести виміри
струму колектора I K та струму емітера I E;
- повторити виміри для напруг джерела Ее 3.6B і 5.7В;
- побудувати вихідну вольт-амперну характеристику.
10. Обчислити коефіцієнт передачі струму транзистора при напругах
джерел Ес=10В та Ее=5,7В.
11. Обчислити h-параметри транзистора в схемі з загальною базою.
Звіт повинний містити:

 значення h-параметрів, отримані в ході експерименту;
 формальну модель БТ для h-параметрів;
 результати досліджень у вигляді таблиць, графіків (на
стандартному аркуші формату А4);
80
1. Дайте опис структури БТ.

2. Опишіть режими роботи біполярних транзисторів.
3. Наведіть статичні характеристики для трьох схем підключення
біполярного транзистора (БТ).
4. Поясніть фізичний зміст і найменування h-параметрів.
5. Чому в режимі малих сигналів для аналізу транзисторних каскадів
можна скористатися h-параметрами?
6. Якими параметрами обмежується робоча зона транзистора?
81
ДОСЛІДЖЕННЯ БІПОЛЯРНИХ ТРАНЗИСТОРІВ

У РЕЖИМІ ПІДСИЛЕННЯ

біполярних транзисторів, особливостям їхньої роботи в режимі
підсилення, придбання навиків і умінь експериментального використання
статичних характеристик для побудови лінії навантаження, динамічної
вхідної характеристики й оптимального вибору режиму транзистора при
посиленні гармонійних і імпульсних сигналів.
Режим підсилення БТ досягається у разі підключення в коло

вихідного електрода (колектора або емітера) навантажувального опору. У
даному випадку зміна вхідного сигналу (наприклад, зміна U еб ) автоматично
викликає зміну потенціалу на вихідному електроді.
Основні схеми підсилювачів на біполярних транзисторах
визначаються можливими способами їх увімкнення – загальна база (ЗБ),
загальний емітер (ЗЕ), загальний колектор (ЗК). Базові схеми підсилювачів
з допоміжними елементами показано на рисунку 6.1 з наступними
позначеннями: U сс – напруга живлення, U і – вхідна напруга, U 0 – вихідна
напруга, R K – опір колекторного навантаження, R E – емітерний опір, C –
роздільний конденсатор, R 1 і R 2 – опори подільника напруги, який задає
режим каскаду за постійним струмом.
82
Рис. 6.1 Базові підсилювальні каскади на біполярних транзисторах:
а) класична схема з ЗБ; б) схема з ЗБ і подільником напруги;
в) схема з ЗЕ; г) схема з ЗК
Базові каскади характеризуються вхідним Rвх і вихідним Rвих опорами,

коефіцієнтами підсилення струму K I =I вих /I вх, напруги K U =U вих /U вх і
потужності K P=Pвих / Pвх =K I × K U .

В залежності від струму колектора транзистора і величини напруги
на електродах транзистора підсилювального каскаду, а також від
амплітуди вхідного сигналу розрізнюють наступні режими підсилення: А,
В, С, D і проміжні, наприклад АВ.
В режимі А струм у вихідному ланцюзі підсилювача протікає на
протязі всього періоду сигналу. Достоїнством цього режиму є мінімум
нелінійних спотворень. Його недолік – низький ККД (менш ніж 0,5), тому
він використовується найчастіше в каскадах попереднього підсилення, а
також в малопотужних вихідних каскадах.
В режимі В струм через транзистор протікає на протязі приблизно
половини періоду вхідного сигналу (≈ 180º). Через нелінійність початкових
ділянок характеристик транзистора форма вихідного струму при його
малих значеннях суттєво відрізняється від форми струму в лінійному
режимі. Це призводить до значних нелінійних спотворень вихідного
83
сигналу. Цей режим звичайно використовують в двохтактних вихідних
каскадах, які мають великий ККД.
В режимі С струм через транзистор протікає на протязі проміжку
часу, який менше половини періоду вхідного сигналу. Струм спокою в
режимі С дорівнює нулю. Він використовується в потужних підсилювачах,
в яких навантаженням є резонансний контур (наприклад, в
радіопередавачах).
Режим D (ключовий) – режим, в якому транзистор може знаходитись
тільки в двох станах: або повністю закритий, або повністю відкритий.
Такий режим використовують в ключових схемах.
Для аналізу активних елементів у режимі підсилення А широко
використовують графоаналітичний метод, заснований на застосуванні
вхідних і вихідних статичних характеристик. При цьому розглядають
роботу транзистора у статичному та динамічному режимах. Статичний
режим враховує тільки постійні складові струмів та напруг на біполярному
транзисторі, що забезпечують проходження та підсилення сигналів –
змінних, динамічних складових. Динамічний режим використовується для
аналізу підсилювальних властивостей транзисторного підсилювача по
сигналах.
У схемі з загальним емітером напруга колектора при наявності
навантаження R K у його ланцюзі дорівнює U K =E K −R K I K .
Це співвідношення є рівнянням прямої. Графік, побудований з цього
рівняння, називають статичною навантажувальною характеристикою
(СНХ). На сім’ї вихідних характеристик вона будується по двох точках: (
EK
I K =0., U KE =E K ) і (U KE =0, I K = ) (рис. 6.2).
RK
За допомогою СНХ вибирають робочу точку біполярного

транзистора у статичному режимі (по постійному струму) як точка
84
перетину СНХ з тією або іншою вихідною статичною характеристикою
транзистора.
Вхідна характеристика навантаженого транзистора у динамічному
режимі відрізняється від статичної, що обумовлено зміною колекторної
напруги. Динамічна вхідна характеристика при збільшенні струму бази
послідовно перетинає сім’ю статичних характеристик, знятих при U KE =const
. Ця характеристика йде більш круто: при увімкненні навантаження вхідна
провідність транзисторів зростає.
У режимі лінійного підсилення робоча точка (тобто I KЭ 0 та U KЭ 0)
вибирається в середині лінійної ділянки.
При виборі робочої точки також потрібно враховувати обмеження
пов’язане із недопустимістю перевищення потужності, що виділяється на
транзисторі, максимально допустимої потужності. Тому робоча точка
повинна бути розміщена поза зоною перевищення максимальної
потужності, окресленої пунктирною лінією на рис. 6.2.
Рис. 6.2 Побудова навантажувальних і вхідних динамічних характеристик

для схеми увімкнення транзистора з ЗЕ
85
Наведені на рисунку 6.2 характеристики дозволяють
графоаналітичним методом визначити коефіцієнти підсилення по струму і
напрузі (відношення амплітуд струму колектора I mk і струму бази I mб і
амплітуд напруг U mk і U mб ).
Максимальне значення амплітуди змінної складової колекторного
струму обмежується граничним струмом транзистора ( I K max <0,5 I K гран),
значення якого обумовлюється припустимим зниженням коефіцієнта
передачі струму при високих рівнях інжекції.
Максимальне значення амплітуди змінної складової колекторної
напруги обмежується максимально припустимою напругою колектора (
U mk max < 0,5U ke max прип).
При підсиленні гармонійних і двополярних імпульсних сигналів

вихідну робочу точку вибирають у центрі лінійної ділянки. Це забезпечує
максимальну амплітуду вихідного сигналу. Якщо схема призначена для
підсилення імпульсів позитивної або негативної полярності, то для
одержання максимального вихідного сигналу з амплітудою, що дорівнює
майже E K , транзистор повинен знаходитися або в режимі відсічення, або
насичення.
При виборі параметрів робочої точки активного елементу треба
приймати до уваги залежність його параметрів від температури (зворотній
струм переходів, коефіцієнт передачі струму), а також схильність зміні з
часом (старіння). Це потребує спеціальних заходів для стабілізації
коефіцієнта підсилення і інших параметрів підсилювачів.
В більшості транзисторних підсилювачів для стабілізації положення
робочої точки вводять стабілізуючий зворотній зв’язок або
використовують методи температурної компенсації.
86
Якщо необхідно мати стабільний режим за постійним струмом і
стабільне підсилення за змінним струмом, вводять достатньо глибокий
зворотній зв’язок за рахунок збільшення опору ℜ, параллельно якому
вмикається конденсатор великої ємності.
В багатокаскадних підсилювачах для стабілізації статичного режиму
перевага надається загальному зворотному зв’язку за постійним струмом,
який охоплює цілком весь підсилювач.

2. Побудувати схему підсилювача за рисунку 6.3 Вивчити
призначення всіх елементів схеми.
Початкові налаштування схеми:
 ключ розімкнено;
 опір потенціометра 0%;
 крок зміни опору потенціометра 10%;
 характеристики вхідного сигналу: форма – синусоїда, частота 1 кГц,
амплітуда 40 мВ, зсув 0 В;
 настроювання осцилографа: часова шкала 1 мс/поділка, канал А 100
мВ/поділка, канал В 5 В/поділка.
87
Рис. 6.3 Електрична принципова схема підсилювача на біполярному
транзисторі, який увімкнено за схемою з ЗЕ
88
3. Побудувати навантажувальну характеристику підсилювача. Для
цього:
 зафіксувати в протоколі вхідні струм та напругу і вихідні струм та
напругу;
 провести подібні виміри для всіх значень опору потенціометра;
 побудувати навантажувальну характеристику;
4. Дослідити роботу підсилювача на біполярному транзисторі при
подачі на вхід синусоїдального сигналу. Для цього:
 за допомогою клавіші «Space» замкнути ключ;
 потенціометр перевести в положення 0%;
 зарисувати осцилограми вхідного і вихідного сигналів в протокол,
зберігаючи їх положення відносно осей;
 зарисувати осцилограми вхідного і вихідного сигналів в протокол
при всіх інших положеннях потенціометра;
 провести вимірювання амплітуд вхідного та вихідного сигналів;
 обчислити коефіцієнт підсилення підсилювача на біполярному
транзисторі по напрузі, по струму та потужності при роботі в
активному режимі;
 порівняти і пояснити отримані результати.
5. Змінити настроювання схеми:на генераторі – форма сигналу
прямокутна, частота 100 кГц, скважність 25%, амплітуда 20 мВ; на
осцилографі - часова шкала 10 мкс/поділка, канал А 50 мВ/поділ, канал В
5В/поділка.
89
6. Дослідити роботу підсилювача на біполярному транзисторі при
подачі на вхід прямокутних сигналів. Для цього:
 зарисувати осцилограми вхідного і вихідного сигналів в протокол;
6.3. ОФОРМЛЕНЯ ЗВІТУ

 мету роботи;
 принципові електричні схеми підсилювальної ланки при
увімкненні БТ із загальним емітером, загальною базою і загальним
колектором;
стандартному аркуші формату А4) і осцилограм, отриманих за
допомогою вихідних характеристик та лінії навантаження і
перерисованих з екрана осцилографа;
 висновки, що базуються на аналізі отриманих результатів
90
1. Нарисуйте підсилювальну ланку на біполярному транзисторі з ЗЕ,

ЗБ і ЗК і поясніть призначення елементів.
2. Як враховується ефект модуляції товщини бази при наявності
опору в колі колектора (у режимі підсилення)?
3. Якими параметрами обмежується робоча зона транзистора при
застосуванні його у підсилювачах у режимі підсилення А?
4. Чому в режимі великих сигналів використовується
графоаналітичний метод розрахунку транзисторних ланок?
5. Як вибирається початкове положення робочої точки при
підсиленні гармонійних і однополярних сигналів?
6. Перелічіть особливості роботи БТ у ключовому режимі.
7. Нарисуйте осцилограми імпульсів на виході транзисторного ключа
з загальною базою і загальним емітером.
91
ДОСЛІДЖЕННЯ ХАРАКТЕРИСТИК І ПАРАМЕТРІВ

ПОЛЬОВИХ ТРАНЗИСТОРІВ
Мета роботи: поглиблення і закріплення знань про польові

транзистори, а також придбання навичок експериментального зняття
статичних вихідних і керуючих (стокзатворних) характеристик, побудови
лінії навантаження й електричних моделей, визначення диференціальних і
часових параметрів МДН-транзисторів.
Перша назва польових транзисторів – уніполярні транзистори. Це

пов’язано з тим, що в таких транзисторах використовуються основні носії
тільки одного типу (електрони або дірки). Процеси інжекції та дифузії в
таких транзисторах майже відсутні, у всякому разі, вони не відіграють
практичної ролі. Основним способом руху носіїв є дрейф в електричному
полі.
Для того щоб керувати струмом у напівпровіднику за постійного
електричного поля, необхідно змінювати питому провідність
напівпровідникового шару або його площу. На практиці використовують
обидва способи і засновані вони на ефекті поля (керування напругою на
затворі). Тому уніполярні транзистори звичайно називають польовими
транзисторами. Провідний шар, по якому тече струм, називають каналом.
Звідси ще одна назва – канальні транзистори.
Канали можуть бути поверхневими і об’ємними. Поверхневі канали
являють собою або збагачені шари, обумовлені присутністю донорних
92
домішок в діелектрику, або інверсні шари, які утворюються під дією
зовнішнього поля. Об’ємні канали являють собою ділянки однорідного
напівпровідника, відділеного від поверхні збідненим шаром.
Транзистори з об’ємним каналом відрізняються тим, що збіднений
шар утворюється за допомогою p-n – переходу. Тому їх часто називають
польовими транзисторами з p-n – переходом або просто польовими
транзисторами (рис. 7.1).
Рис. 7.1 Умовне позначення польових транзисторів з керуючим p-n –

переходом:а) n-канальний; б) р-канальний
Інший тип польових транзисторів – транзистори з приповерхневим

каналом і структурою метал-діелектрик-напівпровідник (МДН-
транзистори). Якщо в якості діелектрика використовується окисел
кремнію, то беруть назву МОН-транзистор.
Незважаючи на розходження в структурі, обидва класи транзисторів
характеризуються наступними основними властивостями:
1) керуючий ланцюг цілком відділений від керованого (вихідного
ланцюга) і практично не споживає струму, тобто відбувається польове, а не
струмове керування приладом, що обумовлює високий вхідний опір;
2) перенесення струму здійснюється носіями одного знака, що
виключає генераційно-рекомбінаційні шуми.
В цій лабораторній роботі досліджуються тільки МДН-транзистори.
Вони бувають двох типів: транзистори з вбудованим і з індукованим
каналами (рис. 7.2).
93
Рис. 7.2 Умовне позначення польових транзисторів з ізольованим
затвором:а) з вбудованим n-каналом; б) з вбудованим р-каналом;
в) з індукованим n-каналом; г) з індукованим р-каналом
Транзистори першого типу (рис. 7.2) можуть працювати як в режимі

збіднення каналу носіями заряду, так і в режимі збагачення. Інший тип
МДН-транзисторів може працювати тільки в режимі збагачення.
Рис. 7.3 Структура транзистора з вбудованим каналом р-типу
Керуюча напруга подається між затвором і підкладкою. Під дією цієї

напруги в транзисторі відбувається розширення або звуження наявного
каналу. Тобто, під дією керуючої напруги змінюється ширина каналу і,
відповідно, опір і струм транзистора.
Напруга на затворі, за якої індукується канал, називається пороговою
напругою.
94
Керуюча напруга подається між затвором і підкладкою. Під дією цієї
напруги в транзисторі відбувається розширення або звуження наявного
каналу. Тобто, під дією керуючої напруги змінюється ширина каналу і,
відповідно, опір і струм транзистора.
Напруга на затворі, за якої індукується канал, називається
пороговою напругою.
7.1.1. Моделювання польових транзисторів.
Польові транзистори знаходяться в каталозі Transistors бібліотеки

компонентів, перша частина якого розглядалася в лабораторній роботі №4.
Рис. 7.4 Нижня частина каталогу бібліотеки

Transistors програми Multisim
95
Крім біполярних транзисторів цей каталог містить польові
транзистори з p-n – переходом двох типів провідності (віртуальні моделі і
моделі реальних приладів), польові транзистори з ізольованим затвором з
каналами різного типу (віртуальні моделі і моделі реальних приладів),
моделі віртуальних чотирьохвивідних польових транзисторів з каналами
різного типу, моделі віртуальних польових транзисторів на основі GaAs,
моделі МОН-транзисторів з захисними діодами (рис. 7.4).
Рис. 7.5 Діалогове вікно вибору моделі МДН-транзистора з вбудованим

каналом n-типу
В цій лабораторній роботі розглядаються тільки МДН-транзистори.

Після натискання кнопки вибору будь-якого польового транзистора
з’явиться діалогове вікно вибору конкретної моделі транзистора (рис. 7.5).
96
7.1.2. Статичні характеристики МДН-транзисторів.
Найважливішими статичними характеристиками ПТ є: керуючі

(стікзатворні) характеристики I C =f (U зв) при U св =const і вихідні (стокові)
характеристики I C =f (U св ) при U зв=const . Керуючі (стікзатворні, прохідні)
характеристики показані на рисунку 7.6,а.
Вихідні характеристики показують, що зі збільшенням U св струм I C
спочатку росте досить швидко. Потім при U нас =U зв−U 0 відбувається
скорочення каналу, і транзистор переходить у режим насичення. Це
пояснюється тим, що з ростом напруги на стоці збільшується спадання
напруги уздовж каналу. Це обумовлює зменшення товщини каналу в міру
наближення до стоку. Коли напруга стоку перевищує напругу насичення,
подальше зростання струму стоку припиняється, що відповідає
горизонтальній ділянці вихідної характеристики ПТ, яка називається
ділянкою насичення (рис. 7.6,б).
Рис. 7.6 Характеристики ПТ з вбудованим каналом n-типу:

а) керуючі; б) вихідні (стокові)
По статичних характеристиках визначаються статичні параметри:
крутість S (мА/В), внутрішній опір Ri (кОм), коефіцієнт підсилення μ.
97
Крутість характеристики S (провідність прямої передачі), що характеризує
керуючу дію затвора, являє собою відношення зміни струму стоку до зміни
напруги на затворі при короткому замиканні по перемінному струму на
виході транзистора в схемі з загальним витоком:
d IC
S= ∨U CB=const
d U ЗВ
(7.1)
Внутрішній опір характеризує вплив напруги стоку на струм стоку:
d U CB
Ri= ∨U ЗB=const
d IC
(7.2)
Статичний коефіцієнт підсилення показує, у скільки разів сильніше

впливає на струм стоку напруга затвора порівняно з напругою стоку:
d U CB
μ= ∨I =const
d U ЗB CB
(7.3)
Очевидно, що коефіцієнт підсилення μ=S Ri .
Поряд з високими коефіцієнтом підсилення і вхідним опором
достоїнством польових транзисторів є низький рівень власних шумів,
стійкість до радіації.

2. Побудувати схему за рисунком 7.7. Вивчити призначення всіх
елементів схеми.
Початкові настроювання схеми: перемикачі в положенні згідно
рисунку 7.7; джерела живлення Vds=1B, V1=1B, V3=2B.
98
Рис.7.7 Електрична принципова схема виміру вольт-амперних
характеристик МДН-транзисторів
99
3. Дослідити керуючу характеристику МДН-транзистора з
вбудованим каналом n-типу BSV81. Для цього:
 перевірити відповідність настроювань схеми початковим;
 зафіксувати в протоколі значення струму стоку I C, напруги затвор-
витікU ЗB і напруги стік-витік U CB;
 виставити напругу I C, U ЗB і U CB .
 занести в протокол нові значення I C, U ЗB і U CB;
 за допомогою клавіші «1» перемкнути ключ S4;
 занести в протокол значення I C, U ЗB і U CB для напруг V1=1B…10B
(всього 3-10 значень);
 повернути всі настроювання схеми до початкових значень;
 виставити напругу Vds=10B;
 повторити всі проведені вище вимірювання;
 побудувати керуючу характеристику транзистора, звертати увагу на
полярність напруг джерел живлення.
4. Дослідити вихідні характеристики МДН-транзистора з вбудованим
каналом n-типу BSV81. Для цього:
 повернути всі настроювання схеми до початкових значень, напругу
Vds встановити 1В;
витік U ЗB і напруги стік-витік U CB;
 провести подібні виміри для напруг Vds=3B, 10B, 50B, 100B;
 за допомогою клавіші «1» перемкнути ключ S4;
100
 напругу джерела V1встановити 5В;
 провести виміри I C, U ЗB і U CB для напруг Vds=1B, 3B, 10B, 50B, 100B;
 побудувати графік стокової характеристики.
5. Дослідити керуючу характеристику МДН-транзистора з
індукованим каналом n-типу BS170. Для цього:
 клавішею «Space» увімкнути в схему транзистор BS170, клавішою
«1» – джерело живлення V1=1B; напругу джерела Vds встановити рівною
1В;
витікU ЗB і напруги стік-витік U CB;
 занести в протокол значення I C, U ЗB і U CB для напруг Vds=2B, 5B, 10B;
 виставити напругу Vds=10B;
 повторити всі проведені вище вимірювання;
 побудувати керуючу характеристику транзистора, звертати увагу на
полярність напруг джерел живлення.
6. Дослідити вихідні характеристики МДН-транзистора з
індукованим каналом n-типу BS170. Для цього:
 повернути всі настроювання схеми до початкових значень п.5;
 зафіксувати в протоколі значення струму стоку IC, напруги затвор-
витік U ЗB і напруги стік-витік U CB;
 провести подібні виміри для напруг Vds=2B, 3B, 5B, 10B;
 напругу джерела V1 встановити 5 В ;
 провести виміри I C, U ЗB і U CB для напруг Vds=1B, 2B, 3B, 5B, 10B;
101
 побудувати графік стокової характеристики.
8. Використовуючи отримані статичні характеристики, обчислити
статичні параметри досліджуваних транзисторів.

 умовні графічні зображення і позначення польових
транзисторів;
 принципову електричну схему лабораторного модуля для
дослідження польових транзисторів, виконану згідно із стандартом;
 результати дослідження польових транзисторів, зображені у
вигляді таблиць і, графіків;
1. Нарисуйте структури польових транзисторів з індукованим і

вбудованим каналами.
2. Нарисуйте і поясніть керуючі (стокзатворні) характеристики
польових транзисторів.
3. Як за сім’єю вихідних характеристик визначити диференціальні
параметри польового транзистора?
102
4. Нарисуйте низькочастотну електричну модель польового
транзистора і поясніть призначення її елементів.
5. Поясніть принцип роботи польових транзисторів з індукованим і
вбудованим каналами.
103
ЛАБОРАТОРНА РОБОТА № 8
ДОСЛІДЖЕННЯ ПІДСИЛЮВАЧІВ
НА МДН-ТРАНЗИСТОРАХ

польових транзисторів, особливостям їхньої роботи в підсилювальних
каскадах, придбання навиків і умінь експериментального використання
статичних характеристик для побудови лінії навантаження, динамічної
вхідної характеристики й оптимального вибору режиму транзистора при
посиленні гармонійних і імпульсних сигналів.
Підсилювальні каскади на польових транзисторах, на відміну від

біполярних, керуються напругою, яку прикладається до закритого p-n –
переходу (в транзисторах з керуючим p-n – переходу) або між затвором і
підкладкою (в МДН-транзисторах). Струм затвору в підсилювальних
каскадах на польових транзисторах достатньо малий і для кремнієвих
структур з керуючим p-n – переходом не перевищує 10 нА. Для МДН-
транзисторів цей струм на декілька порядків менше. Для транзисторів з p-n
– переходом вхідний опір на низьких частотах складає десятки мегом, а
для МДН-транзисторів досягає десятків і сотень тераом. Зі зростанням
частоти вхідний опір транзисторів суттєво зменшується через вплив
ємностей затвор-витік і затвор-стік.
Серед базових каскадів на польових транзисторах на практиці
найбільше розповсюдження отримали каскади з загальним витоком (аналог
ЗЕ) і витокові повторювачі (аналог ЗК) (рис. 8.1). Вони відрізняються
104
засобами реалізації статичного режиму: зсув реалізується або за рахунок
падіння напруги на резисторі в витоку (рис. 8.1, а, в), або за рахунок подачі
на затвор додаткової напруги (рис. 8.1, б, г). Беручі до уваги, що струм
затвору польових транзисторів дуже малий, можна вважати в першому
випадку напругу затвор-витік практично рівною напрузі опору R S.
Рис. 8.1 Базові підсилювальні каскади на польових транзисторах:

а) схема з ЗВ і реалізацією зсуву опором R2; б) схема з ЗВ і реалізацією
зсуву подільником напруги; в) схема з ЗС і реалізацією зсуву опором R2; г)
схема з ЗС і реалізацією зсуву подільником напруги
Для польового транзистора з керуючим p-n – переходом, який

працює в широкому діапазоні температур, положення робочої точки може
змінюватися через додаткове падіння напруги на резисторі R2, опір якого
звичайно вибирається достатньо великим. Це пов’язано зі зміною
зворотного струму p-n – переходу, який виконує роль затвору, зі зміною
контактної різниці потенціалів затвор-канал і рухливості носіїв заряду в
каналі.
Аналіз дестабілізуючих факторів, які визивають зміну струму стоку,
показує, що при коливанні температури вони мають різні знаки і,
105
відповідно, можлива їх взаємна компенсація. Точка, в якій за зміни
температури зміна струму стоку мінімальна, називається температурно-
стабільною точкою. Але ефективна компенсація можлива тільки в малому
діапазоні температур. При цьому для польових транзисторів з ізольованим
затвором температурно-стабільна точка відсутня взагалі.
Основним заходом підвищення температурної стабільності є
збільшення глибини зворотного зв’язку. Це виконується за рахунок
збільшення опору R S, що, в свою чергу, призводить до збільшення напруги
зсуву. Як результат, при відносно малих напругах затвор-витік польові
транзистори працюють близько режиму відсічки, де крутість
характеристики мала. Щоб уникнути цього недоліку, на затвор подається
додаткова відкриваюча напруга від подільника напруги на резисторах
R 1і R2 (рис. 8.1, б, г). Це забезпечує роботу транзистора на ділянках з
більшою крутістю.
Польові транзистори з індукованим каналом обов’язково повинні
отримувати напругу зсуву від зовнішнього джерела, бо інакше транзистор
буде закритим. Температурна стабілізація виконується за рахунок
послідовного зворотного зв’язку, який здійснюють за допомогою опору R S.
Треба відмітити, що температурні зміни струму стоку в польових
транзисторах значно менші за зміни в біполярних транзисторах. Тому, як
правило, забезпечення необхідної температурної стабільності не викликає
труднощів. Зворотній зв’язок, який виникає при цьому, нейтралізують
шунтуванням резистора R S блокувальним конденсатором.
При аналізі підсилювальних каскадів на польових транзисторах
оперують з крутістю характеристик SO і струмом стоку I D 0 , які
відповідають нульовій напрузі затвор-витік. При цьому характеристики
польових транзисторів приблизно описуються виразами:
106
2
U GS
(
I D =I D 0 ∙ 1−
U GS 0 )
(8.1)
2 I DO U GS
S= ( )(
U GSO
∙ 1−
U GS 0 ❑
, )
(8.2)
де I D – поточне значення струму стоку, I D 0 – початковий струм стоку за
напруги відсічки U GSO, S – поточне значення крутості характеристики, U GS –
поточне значення напруги затвор-витік.
Вхідний опір підсилювальних каскадів на рис. 8.1 в області середніх
частот дорівнює опору резистора R 2 або R 1∨¿ R 2. Вихідний опір каскаду з
ЗВ дорівнює Rd ∨¿ Rdsd , де Rdsd – диференційний опір каналу стік-витік. Для
каскадів ЗС за виконання припущень S RS ≫ 1 і SRdsd ≫ 1вихідний опір
дорівнює 1/S . Коефіцієнти підсилення за напругою каскадів ЗВ і ЗС
визначаються за формулами:
K U ЗВ =S ∙ Rd 2 / ( R d + R S );
(8.3)
K U ЗС =S ∙ RS / ( 1+ S ∙ RS )
(8.4)
Робота виконується по дослідженню підсилювального каскаду на

основі МДН-транзистора з ЗВ.
2. Побудувати підсилювач на МДН-транзисторі (рис. 8.2). Вивчити
призначення всіх елементів схеми.
107
Рис. 8.2. Електрична принципова схема підсилювача на МДН-транзисторі,
який увімкнено за схемою з ЗВ
Початкові налаштування схеми:

 ключ розімкнено;
 опір потенціометра 100%;
 крок зміни опору потенціометра 20%;
 характеристики вхідного сигналу: форма – синусоїда, частота 1 кГц,
амплітуда 1 В, зсув 0 В;
 настроювання осцилографа: часова шкала 1 мс/поділка, канал А 1
В/поділка, канал В 5 В/поділка, позиція X та Y - 0, режими на входах
DC.
108
3. Побудувати передавальну характеристику підсилювача. Для цього:
 зафіксувати в протоколі вхідну і вихідну напруги;
 провести подібні виміри для всіх значень опору потенціометра;
 побудувати передавальну характеристику;
4. Дослідити роботу підсилювача на МДН- транзисторі при подачі на
вхід синусоїдального сигналу. Для цього:
 за допомогою клавіші «Space» замкнути ключ;
5. Змінити настроювання схеми: на генераторі – форма сигналу
прямокутна, частота 10 кГц, скважність 50%, амплітуда 1 мВ;на
осцилографі - часова шкала 100 мкс/поділка, канал А 1 В/поділка, канал В
5 В/поділка.
6. Дослідити роботу підсилювача на МДМ-транзисторі при подачі на
вхід прямокутних сигналів. Для цього:
109
8. Проаналізувати отримані результати, зробити висновки .

 принципові електричні схеми підсилювальної ланки при
увімкненні МДН- транзистора із загальним витоком і загальним
стоком;
стандартному аркуші формату А4) і осцилограм, отриманих за
допомогою вихідних характеристик та лінії навантаження і
перемальованих з екрана осцилографа;
1. Нарисуйте підсилювальну ланку на біполярному транзисторі з ЗВ і

ЗС і поясніть призначення елементів.
2. Для чого потрібний зворотній зв’язок в колі витоку?
3. На якій ділянці вольт-амперних характеристик повинен працювати
транзистор для досягнення найбільшого коефіцієнта підсилення?
110
4. Поясніть роботу підсилювальної ланки на МДН- транзисторі.
Переваги та недоліки підсилювальної ланки на МДН- транзисторі.
5. Перелічіть особливості роботи МДН- транзистора у ключовому
режимі.
111
СПИСОК ЛІТЕРАТУРИ
1. Прянишников В.А. Электроника : Полный курс лекций. 4-е изд. /
В.А. Прянишников.  СПб.: Корона принт, 2004.  416с.
2. Опадчий Ю.В. Аналоговая и цифровая электроника (полный курс):
Учебник для вузов / Ю.В. Опадчий, А.И. Гуров; под ред. О.П. Глудкина. 
М.: Горячая линия  Телеком, 2007.  768 с.
3. Щерба А.А. Електротехніка та електроніка. Теоретичні відомості,
розрахунки та дослідження за підтримкою комп′ютерних технологій:
Навчальний посібник / А.А.Щерба, В.М. Рябенький, М.Є. Кучеренко: за
заг. ред. А.А.Щерби та В.М.Рябенького.  К.:Корнійчук , 2007.488с.
4. Стахів П.Г. Основи електроніки : функціональні елементи та їх
застосування / П.Г. Стахів, В.І. Коруд, О.Є. Гамала.  Львів: Новий світ-
2000, 2006. - 208 с.
5. Рычина Т.А. Электрорадиоэлементы / Т.А. Рычина.  М.:
Сов.радио, 1976. – 336 с.
6. Исаков Ю.А. Основы промышленной электроники / Ю.А. Исаков,
А.П. Платонов, В.С. Руденко, В.И. Сенько, В.В. Трифонюк, Е.Е. Юдин. 
К.: Техника, 1976. – 554 с.
7. Гершунский Б.С. Основы электроники и микроэлектроники / Б.С.
Гершунский.  Киев: Вища школа, 1989. – 423 с.
8. Скаржепа В.А.. Электроника и микросхемотехника. Т. 1. Учебник /
В.А. Скаржепа, А.Н. Луценко. – К.: Вища школа, 1989. – 431 с.
9. Титце У. Полупроводниковая схемотехника: Справочное
руководство: пер. с нем. / У. Титце, К. Шенк.  М.: Мир, 1982.  432 с.
10. Гусев В.Г. Электроника / В.Г. Гусев, Ю.М. Гусев. – М.: Высшая
школа, 1991.  624 с.
112

Metodichni Vkazivki Elektronika 2012

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Metodichni Vkazivki Elektronika 2012

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

ЗМІСТ

Дані методичні вказівки містять 8 лабораторних робіт, які

ОСНОВИ РОБОТИ З ПРОГРАМОЮ MULTISIM

Мета роботи: ознайомлення з принципами роботи в середовищі

1.1. ОСНОВНІ ТЕОРЕТИЧНІ ВІДОМОСТІ

Розробка будь-якого радіоелектронного пристрою супроводжується

Вікно програми Multisim (рис.1.1) має зверху поле меню, панель

Рис. 1.1 Вікно програми Multisim

Розглянемо призначення основних елементів вікна Multisim.

Меню «File» призначено для відкриття та збереження існуючих

Панель компонентів та контрольно-вимірювальних приладів

1.1.2. Процес створення схем.

Перш ніж створювати креслення принципової схеми засобами

Після розміщення компонентів необхідно з'єднати їхні виводи

Рис. 1.5. З’єднання двох елементів схеми провідниками в програмі

Якщо з'єднання потрібно розірвати, курсор підводиться до лінії

Рис. 1.6 Зміна наявних з’єднань: а) початковий стан; б) зміна форми

1.1.3. Основні контрольно-вимірювальні прилади.

Панель контрольно-вимірювальних приладів знаходиться у правій

Рис. 1.7 Мультиметр: а) позначення на панелі контрольно-

Розглянемо призначення кнопок керування:

- вибір режиму вимірювання струму, напруги, опору та

- вибір режиму вимірювання змінного або постійного струму;

Рис. 1.8 Функціональний генератор: а) позначення на панелі контрольно-

Керування генератором здійснюється наступними органами

- вибір форми вихідного сигналу: синусоїдальна (за

- установка частоти вихідного сигналу;

- установка амплітуди вихідного сигналу;

- установка часу наростання/спаду імпульсів генератора

- умовне позначення вихідних клем; при заземленні

Рис. 1.9 Ватметр: а) позначення на лінійці контрольно-вимірювальних

Коефіцієнт потужності дорівнює косинусу фазового кута між

Рис.1.10 Осцилограф: а) позначення на лінійці контрольно-вимірювальних

Вибір режиму по входу здійснюється натисканням кнопок .

Рис. 1.11 Вимірювач АЧХ та ФЧХ: а) позначення на лінійці контрольно-

Вимірювач призначений для побудови і аналізу амплітудно-

1.1.4. Робота з потенціометром.

Потенціометр – це регульований подільник електричної напруги, що

Рис. 1.12 Перший спосіб включення потенціометра

Якщо потенціометр включено так, як показано на рис. 1.13, то

1.2. ПОРЯДОК ВИКОНАННЯ РОБОТИ

1. Ознайомитись з принциповою електричною схемою подільника

4. Дослідіть отриману схему. Для цього:

1.3. ОФОРМЛЕННЯ ЗВІТУ

Звіт повинен містити:

1.4. КОНТРОЛЬНІ ЗАПИТАННЯ

1. Для чого використовують програму Multisim?

ДОСЛІДЖЕННЯ RC-СХЕМ В ЧАСТОТНІЙ ТА ЧАСОВІЙ

2.1. ОСНОВНІ ТЕОРЕТИЧНІ ВІДОМОСТІ

Прості та складні радіоелектронні схеми при їх аналізі зображають за

2.1.1. Аналіз схем у часовій та частотній областях.

В імпульсних та цифрових системах одним із важливих параметрів є

Рис. 2.1 Прості RC-схеми: а  диференціююча; б  інтегруюча

Шляхом різних перетворювань згадані комбінації зводяться до двох

Рис. 2.2 Частотна характеристика диференційної схеми

Рис. 2.3 Частотна характеристика інтегруючої схеми

Наявність передбачених та непередбачених (паразитних) ємностей та

2.1.2. Перехідна характеристика диференціальних RC- схем.

Тобто перехідний процес залежить від процесу зарядження

Рис. 2.4 Перехідні процеси в диференційній RC-схемі

Через час t=τ напруга на виході дорівнюватиме:

Через час t=2 τ напруга на виході зменшиться до рівня:

Через час t=3 τ перехідні процеси практично закінчуються.