МВ до лабораторних робіт з КЕлек

Міністерство освіти і науки України
ХАРКІВСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ
УНІВЕРСИТЕТ РАДІОЕЛЕКТРОНІКИ
МЕТОДИЧНІ ВКАЗІВКИ
до рабораторних робіт з дисципліни
"КОМП’ЮТЕРНА ЕЛЕКТРОНІКА"
для студентів денної та заочної форм навчання за спеціальністю

123 – Комп’ютерна інженерія
ЗАТВЕРДЖЕНО
кафедрою електронних
обчислювальних машин.
Протокол № 2 від 14.02.2022
Харків 2022
Методичні вказівки до лабораторних робіт з дисципліни «Комп’ютерна
електроніка» для студентів денної та заочної форм навчання за спеціальністю
123 – Комп’ютерна інженерія / Упоряд.: О.А. Янковський, О.А. Єрошенко,
Г.В. Майстренко  Харків: ХНУРЕ, 2022.  85 с.
Упорядники: О.А. Янковський,

О.А. Єрошенко,
Г.В. Майстренко
Рецензент проф. каф. ЕОМ Торба А.А.
2
ЗМІСТ
Загальні положення……………………………………………………………. 5
1 Короткі відомості про NI Multisim………………………………………… 6
2 Лабораторна робота № 1 Дослідження перехідних процесів………..…...23
3 Лабораторна робота № 2 Дослідження вольт-амперних характеристик
транзисторів…………………………………………………………………... 27
4 Лабораторна робота № 3 Дослідження логічних елементів……………. 46
5 Лабораторна робота № 4 Імпульсні пристрої. Джерела живлення…….. 52
6 Лабораторна робота № 5 Операційні підсилювачі………………..…….. 62
7 Лабораторна робота № 6 Активні фільтри……………………………….. 76
Перелік посилань…………………………………………………………….. 84
3
ЗАГАЛЬНІ ПОЛОЖЕННЯ
Лабораторні роботи з дисципліни «Комп'ютерна електроніка» призначени

для закріплення студентами знань, отриманих на лекційних заняттях, а також
набуття навичок експериментального дослідження параметрів і характеристик
напівпровідникових приладів, логічних елементів, імпульсних пристроїв,
джерел живлення.
До виконання лабораторних робіт допускаються студенти, які пройшли
інструктаж з техніки безпеки та успішно пройшли контрольне опитування. Звіт
з лабораторної роботи складається окремо кожним студентом. Захист виконаної
роботи відбувається під час наступного заняття. Під час перебування в
лабораторії студенти мають суворо дотримуватися вимог техніки безпеки щодо
роботи з комп'ютерною технікою. Інструктаж з техніки безпеки проводить
викладач на початку лабораторних занять, про що кожен студент і викладач
засвідчують у лабораторному журналі своїми підписами.
Лабораторні роботи виконуються в комп'ютерних класах з використанням
програми для моделювання електронних схем NI Multisim.
В кінці кожної роботи наведені контрольні запитання, відповіді на які
дозволяють визначити ступінь готовності студентів до виконання лабораторної
роботи.
4
1 КОРОТКІ ВІДОМОСТІ ПРО NI MULTISIM
Комплекс NI Multisim v10.1 використовується для машинного

моделювання електронних схем.
Після запуску програми на екрані монітора з'являється зображення
основного і додаткових вікон. Над вікном редактора схем розміщені піктограми
панелі компонентів (рис. 1.1).
← МЕНЮ
← Панель инструментів
← Панель компонентів
Рисунок 1.1 – Панелі компонентів та інструментів, пункти Меню програми

Multisim
Під заголовком основного вікна наведений рядок головного меню, який

містить пункти:
File, Edit, View, Place, MCU, Simulate, Transfer, Tools, Reports, Options,
Help.
Меню File призначене для завантаження і запису файлів, отримання
твердої копії схеми, обраної для друку, а також для імпорту / експорту файлів у
форматах інших систем моделювання і програм розробки друкованих плат.
Схемні файли програми Multisim мають розширення ms10.
Меню Edit дозволяє виконувати такі команди редагування схем і
копіювання екрана:
1 Undo (CTRL + Z) – Скасовує останню дію.
2 Redo (CTRL + Y) – Повертає видалену дію.
3 Cut (CTRL + X) – стирання (вирізання) виділеної частини схеми зі
збереженням її в буфері обміну. Виділення одного компонента проводиться
натисканням мишки на зображенні компонента. Для виділення частини схеми
або декількох компонентів необхідно поставити курсор мишки в лівий кут
уявного прямокутника, який охоплює частину, що виділяється , натиснути
ліву кнопку мишки і, не відпускаючи її, протягнути курсор по діагоналі цього
прямокутника, контури якого з'являються вже на початку руху мишки, а потім
відпустити кнопку. Виділені компоненти фарбуються в червоний колір.
4 Copy (CTRL + C) – копіювання виділеної частини схеми в буфер обміну.
5 Paste (CTRL + V) – вставка вмісту буфера обміну на робоче поле
програми.
6 Delete (Del) – видалення виділеної частини схеми.
7 Select All (CTRL + A) – виділення всієї схеми.
5
Меню View використовується для більш комфортного перегляду схеми,
та включає в себе такі функції як:
1 Full screen – Розгортає робочий простір на весь екран.
2 Zoom in (F8) – Збільшує робочий простір.
3 Zoom out (F9) – Віддаляє робочий простір.
4 Zoom area (F10) – Збільшує лише виділену вами частину.
5 Zoom fit to page (F7) – Повертає в початковий стан без збільшення.
6 Zoom to magnification (F11) – Збільшує за масштабом.
7 Show grid - показує сітку.
Меню Place - Меню, призначене для додавання елементів до схеми та

містить такі пункти:
1 Component (CTRL + W) – Додає компонент.
2 Junction (CTRL + J) – Точку з'єднання.
3 Wire (CTRL + Q) – Провідник (дріт).
4 Bus (CTRL + U) – Додавання шини.
5 Comment – Додавання коментарів.
6 Text (CTRL + T) – Додавання тексту.
Меню MCU – Це меню призначене для роботи з мікроконтролерами.

Меню Simulate – Це меню дозволяє нам «активувати» схему, тобто
подати струм.
1. Run (F5) – активує схему.
2. Stop (F6) – Припиняє подачу струму.
3. Pause – Повністю зупиняє схему.
Так само, для активації схеми можна використовувати кнопку (рис. 1.2)
на панелі
Рисунок 1.2 – Кнопки активації/вимкнення схеми
Options – Налаштування програми, що дозволяють підлаштовувати

програму під себе. Це меню містить 2 пункти:
1. Global preferences – Основні настройки програми.
2. Sheet preferences – налаштування активних вікон.
Window – Меню, призначене для роботи з вікнами, повертає, закриває,
змінює вигляд.
Команди керування компонентом: Flip Horizontal (ALT + X) –
дзеркальне відображення компонента по горизонталі, та Flip Vertical (ALT +
6
Y) – те саме, але по вертикалі. Rotate (CTRL + R) – обертання виділеного
компонента.
Properties (властивості компонента). Команда виконується також після
подвійного натискання лівої кнопки (або одного натискання правої кнопки)
мишки по зображенню компонента.
Під час виконання команди відкривається діалогове вікно такого змісту:
Label ... (CTRL + L) – уведення позиційного позначення виділеного
компонента (наприклад, R1 - для резистора, С5 - для конденсатора і т.д.);
Value ... (CTRL + U) – зміна номінального значення параметра
компонента (рис. 1.3). Команда виконується також подвійним натисканням по
компоненту. Номінальне значення параметра задається з клавіатури, та
натисканням курсором мишки на кнопки вниз вибирається множник, кратний
1000. Наприклад, для конденсатора задається його ємність у пікофарадах (пФ),
нанофарадах (нФ), мікрофарадах (мкФ) або міліфарадах (мФ), так само
дозволяє встановити температуру.
Рисунок 1. 3 – Меню Value
Fault (CTRL + F) – імітація пошкодження виділеного компонента

шляхом уведення: Leakage - опору витоку; Short – короткого замикання; Open –
обриву; None – несправність відсутня (включений за замовчуванням);
Display – з його допомогою задається характер виведення на екран
позначень компонента. При вибору опції Use Schematic Options global setting
використовуються установки, прийняті для всієї схеми, інакше
7
використовується індивідуальне настроювання виведення на екран позиційного
позначення і номінального значення для кожного компонента.
Для активних компонентів меню команди Component Properties має
меню Models (рис. 1.4) – вибір моделі компонента, меню відкривається за
допомогою пункту Edit component in DB в меню Value
Рисунок 1.4 – Меню Mоdel
Multisim має велику бібліотеку компонентів. До бібліотеки компонентів

програми входять пасивні елементи, транзистори, керовані джерела, керовані
ключі, гібридні елементи, індикатори, логічні елементи. Панель компонентів
складається з піктограм полів компонентів, поле компонентів – з умовних
зображень компонентів. Натисканням мишки на одну з піктограм полів
компонентів, які розташовані на панелі, можна відкрити відповідне поле, на
якому вибрати необхідний схемний елемент.
Для редагування параметрів елементів потрібно підвести курсор до
піктограми об'єкта, який редагується, двічі натиснути лівою кнопкою мишки,
задати параметри. Схемний елемент, який у даний момент редагує користувач,
виділяється червоним кольором. Для скасування виділення потрібно один раз
натиснути правою кнопкою мишки на піктограмі елемента. В кінці процедури
редагування необхідно натиснути на кнопці Accept (Прийняти).
Всі схемні елементи розбиті на групи, кожна група має піктограму, яка
розташована в полі компонентів. Нижче дається перелік, стислий опис і умовні
8
графічні позначення (УГП) основних елементів, які використовуються в
лабораторних роботах. Компоненти, які використовуються лише в окремих
лабораторних роботах, буде розглянуто конкретно в цих роботах.
Всі джерела в Multisim ідеальні. Внутрішній опір ідеального джерела
напруги дорівнює нулю, тому його вихідна напруга не залежить від
навантаження. Ідеальне джерело струму має нескінченно великий внутрішній
опір, тому його струм не залежить від опору навантаження. Для додавання
компонента слід скористатися панеллю компонентів (рис. 1.1), або ж за
допомогою вкладки Place (рис. 1.5)
Рисунок 1.5 – Додавання компонента через вкладку Place
Sources – джерела сигналів (джерела живлення і керовані джерела). З цієї

групи для виконання лабораторних робіт знадобляться такі компоненти
(рис. 1.6):
9
V3
V3
I1 1 Vpk V2
V1 1kHz 1Ω
10mA 1kHz
12 V 5V
0°
а) б) в) г) д) е)
Рисунок 1.6 – Піктограма поля Sources і його компоненти:

а) – джерело постійної напруги, б) – джерело постійного струму,
в) – джерело змінної напруги, г) – тактовий генератор, д) - джерело
напруги, керований струмом, е) – заземлення
– джерело постійної напруги (Battery) (рис. 1.6, а). ЕРС джерела

постійної напруги або батареї вимірюється у Вольтах і задається похідними
величинами (від мкВ до кВ);
– джерело постійного струму (DC current sourse) (рис. 1.6, б). Струм
джерела постійного струму (direct current) вимірюється в Амперах і задається
похідними величинами (від мкА до кА);
10
– джерело змінної напруги (AC voltage sourse) (рис. 1.6, в). Чинне
значення (root-mean-square – RMS) напруги джерела вимірюється у Вольтах і
задається похідними величинами (від мкВ до кВ). Є можливість установки
частоти і початкової фази;
– тактовий генератор (Clock) (рис. 1.6, г) виробляє послідовність
прямокутних імпульсів. Є можливість регулювати амплітуду імпульсів,
коефіцієнт заповнення і частоту імпульсів;
– джерело напруги, кероване струмом (Current-Controlled Voltage
Source) (рис. 1.6, д). Величина вихідної напруги залежить від струму, який
протікає через джерело. Напруга і струм пов'язані параметром transresistance,
який є відношенням вихідної напруги до струму, який протікає через джерело.
Цей параметр може мати будь-яке значення від mΩ до кΩ.
Компонент «заземлення» (Ground) (рис. 1.6, е) має нульове значення
напруги і таким чином забезпечує початкову точку для відліку потенціалів.
У групі Basic є такі основні компоненти (рис. 1.7).
Connector (з'єднувач) (рис. 1.7, а). Вузол застосовується для з'єднання
провідників і створення контрольних точок. До кожного вузла може
підключатися не більше чотирьох провідників. Після того, як схема зібрана,
можна вставити додаткові вузли для підключення приладів.
Resistor (Резистор) (рис. 1.7, б). Опір резистора вимірюється в Омах і
задається похідними величинами (від Ом до МОм).
Potentiometer (Змінний резистор) (рис. 1.7, в). Положення повзунка
змінного резистора встановлюється за допомогою спеціального елемента –
стрілки-регулятора. У діалоговому вікні можна встановити опір, початкове
положення повзунка (у відсотках) і крок приросту (також у відсотках).
Є можливість змінювати положення движка за допомогою клавіш-ключів.
У Multisim такими клавішами-ключами є: літери від А до Z, цифри від 0
до 9, клавіша Enter на клавіатурі, клавіша пробіл [Space]. Для зміни положення
движка необхідно натиснути клавішу-ключ. Для збільшення значення
положення движка необхідно водночасі натиснути [Shift] і клавішу-ключ, для
зменшення – клавішу-ключ.
Конденсатор (Capacitor) (рис. 1.7, г). Вибір розмірності проводиться з
ряду: p, n, мк, m, тобто в діапазоні від пикофарад до мілліфарад.
11
Рисунок 1.7 – Піктограма поля Basic і його компоненти:
а) – з'єднувач, б) – резистор, в) – змінний резистор, г) – конденсатор
Програма Multisim в процесі моделювання схем дозволяє вимірювати

напругу, струм, опір, а також візуально контролювати форму сигналів тощо.
Для цього є бібліотека груп контрольно-вимірювальних приладів, піктограми
яких розташовані на панелі компонентів.
Розглянемо деякі контрольно-вимірювальні прилади, які будуть
застосовуватись під час виконання лабораторних робіт.
12
Прилади групи Indicators (рис. 1.8).
Рисунок 1.8. – Прилади группы Indicators:

а) – вольтметр, б) – амперметр
Вольтметр (Voltmeter) – прилад для вимірювання напруги в колах

постійного і змінного струмів (рис. 1.8, а). Режим задається в полі Mode: DC
(Direct Current) – постійний струм, АС (Alternating Current) – змінний струм.
Користувач може задати величину внутрішнього опору вольтметра в рядку
Resistance (опір). Вхід вольтметра, який виділений більшою товщиною лінії,
має в режимі DC підключатися до кола схеми з меншим потенціалом.
Амперметр (Ammeter) призначений для вимірювання сили струму в
режимах DC і АСС. Редагування моделі амперметра здійснюється аналогічно
редагуванню моделі вольтметра. Мінусова клема на піктограмі виділена
потовщеною боковою стороною прямокутника (рис. 1.8, б). Щоб зменшити
похибку вимірювання, внутрішній опір амперметра має бути в сотні разів
менше опору вимірюваного ланцюга.
Прилади групи Instruments (рис. 1.9).
13
XMM1 XFG1 XSC1
Ext T rig
+
_
A B
+ _ + _
а) б) в)
Рисунок 1.9 – Прилади групи Instruments:

а) – мультиметр, б) – функціональної генератор, в) – осцилограф
Мультиметр (Multimeter) – багатофункціональний вимірювальний

прилад, входи якого позначені на піктограмі знаками "-" і "+" (рис. 1.9, а). Після
подвійного натискання мишки на піктограмі приладу на полі схемного
редактора відкривається передня панель приладу з кнопками керування.
Необхідно вибрати один з чотирьох можливих режимів вимірювання: сили
струму (режим А), напруги (режим V), опору (режим), втрати напруги в
децибелах (режим db), а також вид струму (постійний DC або змінний AC).
Внутрішній опір та інші параметри мультиметра в кожному з режимів
редагуються після натискання на кнопку Setting (установка).
Перехід від розгорнутого зображення контрольно-вимірювального
приладу до піктограми виконується так. Спочатку необхідно за допомогою
мишки перемістити курсор на кнопку системного меню, розташовану в лівому
верхньому кутку приладу, яка має вигляд горизонтальної планочки всередині
квадрата. Далі потрібно натиснути і не відпускати ліву кнопку мишки. При
цьому відкривається вікно меню, в якому необхідно виділити команду Close
(закрити), після чого відпустити кнопку мишки.
Функціональний генератор (Function Generator) забезпечує генерацію
гармонійних коливань, а також імпульсних послідовностей прямокутної і
трикутної форми з регулюванням амплітуди, частоти і фази. Генератор має три
клеми для підключення: "+", "-", "загальний" (com) (рис. 1.9, б). Типове
підключення передбачає використання, як правило, двох клем: клема “com”
підключається до заземлювача, а другою вихідною клемою може бути як ліва
("-"), так і права ( "+") клема, причому, якщо сигнал знімається з клеми "+ ", то
спочатку формується позитивна хвиля напруги синусоїдальної або трикутної
форми, а також імпульс позитивної полярності. Використання клеми "-" як
вихідної дає протилежний ефект. Подвійне натискання лівої клавіші мишки на
піктограмі відкриває панель керування функціонального генератора.
Встановлення частоти генерації здійснюється в рядку Frequency шляхом
встановлення номінального значення частоти (числове значення в діапазоні від
1 до 999) та її розмірності (з ряду: Гц (Hz), кГц (kHz), МГц (MHz)).
Встановлення здійснюється шляхом «прокрутки».
14
Величина амплітуди та її розмірність (мкВ, мВ, В ) встановлюються
аналогічно.
В полі OFSET задається постійне позитивне або негативне зміщення.
Осцилограф (Osceloscope) з двома каналами А і В (рис. 1.9, в) може
використовувати два вхідних сигнали як для відображення часових функцій,
так і побудови передавальних характеристик «вхід-вихід» і «вихід-вхід».
На піктограмі приладу зображені чотири вхідних клеми. Ліва з двох
горизонтально розташованих клем є входом каналу А, сусідня з нею права
клема – вхід каналу В. Дві вертикально розташованих клеми, як правило,
підключаються до заземлювача і зовнішнього джерела синхронізації.
Налаштування осцилографа на потрібний режим роботи здійснюється
після розкриття піктограми (подвійного натискання лівої клавіші мишки).
Праворуч від екрану знаходяться органи керування двох типів: одні керують
кожним з каналів (А або В), інші керують розгортанням і є загальними для обох
каналів.
В полі TIME BASE встановлюють швидкість розгортки по осі Х, а
точніше – масштаб часу у вигляді відношення тривалості розгортки до
більшого поділу шкали. Нижче поля TIME BASE розташовується поле X POS
(позиція Х), за допомогою якого можна зрушити початок розгортки по ліву
сторону (для від'ємних значень) або праворуч (для позитивних значень). За
нульового зсуву розгортка починається з лівого кута екрану.
Для отримання на екрані осцилографа часових діаграм необхідно
включити режим Y / T, за якого змінної по осі абсцис є час, а змінною по осі
ординат – напруга. Якщо переключити прилад в режим В / А, то на екрані
побудується пряма передавальна характеристика, в якій абсцисою є вхідна
напруга каналу А, а ординатою – вхідна напруга каналу В. Перемикання в
режим А / В дозволяє будувати зворотну передавальну характеристику.
Кілька регулювань на панелі управління пов'язані з умовами запуску
розгортки (TRIGGER). Рекомендується використувати автоматичний запуск
розгортки (режим AUTO). Для варіантів, коли запуск розгортки не є
автоматичним, можна вибрати для запуску позитивний або негативний перепад
імпульсу запуску, а також встановити рівень (LEVEL) сигналу, яким
здійснюється запуск розгортки.
Установка масштабу по осі Y для кожного з каналів здійснюється окремо
шляхом «прокрутки». Передбачається також зрушення зображення по осі Y
вгору або вниз, за допомогою поля Y POS (позиція Y).
При вивченні даної дисципліни особлива увага приділяється вивченню
операційних підсилювачів (ОП). У програмі MULTISIM операційні
підсилювачі входять у групу компонентів Analog ICs – аналогові мікросхеми
(рис.1.10).
15
Рисунок 1.10 – Піктограма групи Analog ICs
В цій групі можна вибрати або ідеальну модель ОП, або вибрати модель
реального ОП всесвітньо відомих фірм-виробників електронних компонентів.
Рисунок 1.11 – Вибір компонента 3-T Opamp.
В лабораторних роботах можна використовувати як модель реального ОП,

так і ідеального, а саме: Лінійна модель (3-T Opamp). Дана модель не має клем
для підключення джерел живлення (рис.1.11), тому що передбачається, що вони
вже включені на своїх місцях (їхні напруги можна задати побічно через
значення максимальної вихідної напруги Vsw– і Vsw+). Відлік сигналів
проводиться відносно землі, яка повинна бути присутня на схемі.
16
Для перегляду або зміни параметрів ОП потрібно після розміщення його
на робочому просторі навести на нього курсор та після натискання правої
кнопки миші вибрати опцію Properties.
Після чого з’явиться вікно параметрів (рис. 1.12).
Рисунок 1.12 – Вікно редагування параметрів лінійної моделі ОП
Доступні наступні параметри ОП:

Open-loop gain (A) – коефіцієнт підсилення напруги ОП (K U), не
охопленого зворотним зв'язком.
Input resistance (RI), Ом – вхідний опір (Rвх).
Output resistance (RO), Ом – вихідний опір (Rвих).
Positive voltage swing (VSW+), В – максимальна вихідна напруга
позитивної полярності (+Uвих.max), при якій нелінійні перекручування нехтовно
малі при схемі включення ОП, що рекомендується виробником. Ця напруга
вимірюється відносно нульового потенціалу при заданому опорі навантаження.
При зменшенні цього опору максимальна вихідна напруга зменшується.
Negative voltage swing (VSW–), В – відповідно максимальна вихідна
напруга негативної полярності (–Uвих max).
17
Input offset voltage (VOS), В – напруга зсуву нуля (Ucм) – напруга, яку
потрібно подати на вхід ОП, щоб вихідна напруга дорівнювала нулю.
Input bias current (IBS), А – вхідні струми (Iвх) – струми, що протікають
через вхідні клеми ОП; вони обумовлені струмами бази вхідних біполярних
транзисторів або струмами витоку затворів польових транзисторів. Вхідні
струми створюють на внутрішньому опорі джерела сигналу падіння напруги,
що викликає поява напруги на виході при відсутності на вході зовнішнього
сигналу.
Input offset current (IOS), А – різниця вхідних струмів (ΔIвх) – досягає 10 -
20% від Iвх та створює на вході ОП різниця потенціалів, що приводить до зсуву
нуля на виході.
Unity-gain bandwidth (FU), Гц – частота одиничного посилення f1 –
значення частоти вхідного сигналу, при якому коефіцієнт підсилення ОП
зменшується до одиниці. Цей параметр визначає максимально можливу смугу
пропущення ОП.
При виконанні лабораторних робіт часто виникає необхідність

дослідження амплітудно-частотної і фазо-частотної характеристик.
Амплітудно-частотна характеристика (АЧХ) являє собою графік
залежності коефіцієнта передачі по напрузі від частоти.
Коефіцієнт передачі по напрузі KU – це відношення значень напруги
вихідного сигналу до напруги вхідного сигналу. Коефіцієнт передачі можна
вимірювати в разах (1.1) або децибелах(1.2).
(1.1)
(1.2)
Фазо-частотна характеристика (ФЧХ) являє собою графік залежності

різниці фаз сигналів на виході та вході схеми від частоти.
Для графічного відображення АЧХ та ФЧХ в програмі Multisim
використовується графобудівник (Bode Plotter). Піктограма графобудівника
знаходиться на панелі контрольно-вимірювальних приладів з правої сторони
екрану, на схему виводиться його зменшене зображення (рис.1.13).
Рисунок 1.13 – Зображення графобудівника (Bode Plotter).
18
Графобудівник має чотири клеми: дві вхідні (IN) і дві вихідні (OUT). Для
виміру відносини амплітуд або фазового зрушення потрібно обидві ліві клеми
підключаються відповідно до входу і виходу досліджуваного пристрою, а праві
— до загальної шини.
При подвійному клацанні мишею по зображенню графобудівника
відкривається його розширене зображення.
На панелі Mode графобудівника (рис.1.14) задається вид одержуваної
характеристики. Для одержання АЧХ необхідно натиснути кнопку Magnitude,
для одержання ФЧХ – кнопку Phase.
На панелі Controls розташовані кнопки Reverse, Save та Set.
Кнопка Save дозволяє записати результати вимірів у текстовий файл із
розширенням «*.bod». При натисканні кнопки Save з'являється діалогове вікно
в якому пропонується вказати ім'я файлу для запису результатів. За
замовчуванням пропонується ім'я схемного файлу.
Рисунок 1.14 – Лицьова панель графобудівника
Кнопка Reverse змінює зовнішній вид зображення графіків. За

замовчуванням графіки відображаються у негативному вигляді (білі лінії на
чорному фоні), при натисканні кнопки Reverse графіки будуть відображатися як
чорні лінії на білому фоні.
Панель керування Vertical задає параметри відображення осі ординат:
• вид шкали логарифмічна (Log) або лінійна (Lin)
• початкове (I – initial) і кінцеве (F – final) значення параметрів, що
відкладаються по вертикальній осі.
Панель керування Horizontal відповідно задає параметри для осі абсцис.
При одержанні АЧХ по вертикальній осі відкладається відношення
напруг. У лінійному масштабі діапазон значень може змінюватися від 0 до 109,
у логарифмічному масштабі від –200 дБ до 200 дБ. При одержанні ФЧХ по
вертикальній осі відкладаються градуси, діапазон значень варіюється від -720°
до 720°. По горизонтальній осі завжди відкладається частота в Герцах.
19
На початку горизонтальної шкали розташована вертикальна лінія –
курсор. Його можна переміщати натисканням на кнопки зі стрілками,
розташованими знизу екрана, або "тягти" за допомогою миші. Координати
крапки перетинання курсору з графіком характеристики виводяться на
інформаційних полях знизу.
Складання схем
Перемістити курсор за допомогою мишки на піктограму або умовну

графічну позначку структурного елемента. Після того, як курсор приймає
форму кисті руки, необхідно натиснути ліву кнопку мишки і, не відпускаючи її,
перемістити структурний елемент в потрібну область операційного поля, після
чого кнопку мишки можна відпустити. При цьому елемент залишається
виділеним червоним кольором, тому можна обробити його схемним
редактором. Для включення останнього в роботу, слід перемістити курсор до
пункту Circuit (схема) головного меню і натиснути ліву клавішу мишки.
Відкривається меню, пункти якого показують, які дії можна виконати з
виділеним елементом.
Програма за замовчуванням надає певне номінальне значення резисторів,
конденсаторів, джерел живлення. Можна відразу відредагувати номінал
виділеного елемента, якщо в вищезгаданому меню активізувати команду Value
(значення). Встановіть в поле вікна номіналів , яке відкрилося, величину і
розмірність номіналу, після чого натисніть «Accept». Тепер новий номінал
з'явиться на схемі замість старого.
Кожен елемент принципової електричної схеми має своє буквенно-
цифрове позначення. У програмі це відповідає присвоєнню мітки структурним
елементам у складі схеми: резисторам (R1, R2), конденсаторам (C1, C2), і т.д.
Виділіть в складі меню Circuit пункт Label (мітка), щоб з'явилося вікно з
відповідним заголовком. Впишіть у символьному полі буквено-цифрове
позначення виділеного елемента і натисніть ОК (прийняти).
Для з'єднання структурних елементів, які розміщені на операційному

полі, необхідно підвести курсор до вивода елемента так, щоб на місці
розташування виводу утворилася контактна площадка, і натиснути ліву кнопку
миші. Після цього, не відпускаючи кнопку мишки, необхідно перемістити
курсор до вивода наступного елемента так, щоб з'явилася контактна площадка
даного виводу. Далі необхідно відпустити ліву клавішу, і програма сама
виконає трасування провідника.
Перед початком роботи в меню Circuit слід виділити пункт Analysis
Options ... (умови аналізу), після чого відкривається вікно з відповідним
заголовком. Тепер натиснемо на ліву кнопку мишки і виберемо один з двох
типів аналізу. Тип Transient використовується для аналізу перехідних процесів
у ланцюгах постійного і змінного струмів. Аналіз типу Steady-state передбачає
20
дослідження вибраних режимів без урахування тимчасового чинника. Не
забудьте при виході з вікна натиснути кнопку Accept.
Для включення живлення і запуску моделювання необхідно натиснути
перемикач у правому верхньому кутку екрану.
21
2 ЛАБОРАТОРНА РОБОТА № 1
Дослідження перехідних процесів
2.1 Мета роботи
Вивчення основ користування програмним комплексом Multisim.
2.2 Порядок виконання роботи
2.2.1 Дослідження диференцуючої схеми
Зберіть схему, яка наведена на рис. 2.1. Задайте такі параметри

функціонального генератора (форма імпульсів – прямокутні): Frequency – 50
кHz, Duty cycle – 50%, Amplitude – 5 В, Offset – 0 В.
Налаштування осцилографа: X position = 0.2. Чутливість за каналом А – 5
В/кл (Y position = 0.00), режим DC. Чутливість за каналом В – 5В/кл (Y position
= 2.00), режим DC. Синхронізуватися в режимі EXT, заднім фронтом імпульсу.
Рисунок 2.1 – Схема дослідження диференцуючої схеми
2.2.2 Дослідження інтегруючої схеми

кHz, Duty cycle – 50%, Amplitude – 5 В, Offset – 0 В.
Налаштування осцилографа: X position = 0.2. Чутливість за каналом А – 5
В/кл (Y position = 0.00), режим DC. Чутливість за каналом В – 5В/кл (Y position
= 2.00), режим DC. Синхронізуватися в режимі EXT, заднім фронтом імпульсу.
22
Рисунок 2.2 – Схема для дослідження інтегруючої схеми
2.2.3 Дослідження імпульсного режиму роботи діода
Діоди, які підлягають дослідженню в ході виконання лабораторної

роботи, вибираються в полі компонентів Діоди (Diodes) на панелі компонентів
основного вікна програми Multisim (рис. 2.3).
МHz, Duty cycle – 50%, Amplitude – 5 В, Offset – 0 В.
Налаштування осцилографа: розгортка – 0.05 мкс/д (Y/T), X position = 0.2.
Чутливість за каналом А – 5 В/кл (Y position = 0.00), режим DC. Чутливість за
каналом В – 10мВ/кл (Y position = 2.00), режим DC. Синхронізуватися в режимі
EXT, заднім фронтом імпульсу.
23
а) б)
Рисунок 2.3 – Піктограма поля компонентів Діоди і умовні

позначення діодів різних типів:
а) – випрямні діоди, б) – стабілітрони
XFG1 XSC1
Ext T rig
+
_
A B
+ _ + _
D1 V2
R1
1BH62 1kΩ
1Ω
Рисунок 2.4– Схема дослідження імпульсного режиму роботи діода
Включити режим моделювання. Увімкнути розширений режим шкали

осцилографа. Зменшуючи ціну поділки шкали тчасової розгортки осцилографа
(можливо, до декількох наносекунд), отримати графіки напруги на діоді і
24
струму через діод. Зарисувати графіки, на яких показати виміряні значення
tзатр.р, tрозс, tвідн, так, як показано на рис. 2.5.
Зазначені дії повторити для діода Шотткі (діод Шотткі FQ з бібліотеки
int_shot).
UВХ
+Um
0 t
-Um
IД
tРОЗС
0 t
tЗАТР.Р
tВІДН
UД
0 t
UДпр
Рисунок 2.5 – Імпульсний режим роботи діода
2.3 Зміст звіту
Звіт з лабораторної роботи має містити: електричні схеми, які підлягають

дослідженню, з зазначеними параметрами радіоелементів відповідно до
варіанта; дані, які отримані експериментальним шляхом (вольт-амперні
характеристики, таблиці тощо); розрахункові величини; висновки про виконану
роботу.
25
ДОСЛІДЖЕННЯ ВОЛЬТ-АМПЕРНИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ТРАНЗИСТОРІВ
Дослідження вхідних і вихідних характеристик, отриманих

експериментальним шляхом, для біполярних і польових транзисторів.
3.2 Методичні вказівки з організації самостійної роботи
Під час підготовки до роботи слід вивчити теоретичний матеріал про

будову, принцип роботи, параметри і характеристики транзисторів [1,2,3,5].
3.3 Біполярні транзистори
Біполярний транзистор (БПТ) – напівпровідниковий прилад з

електронно-дірковими переходами і трьома (або більше) виводами,
підсилювальні властивості якого обумовлені явищами інжекції і екстракції
неосновних носіїв заряду. Звичайний біполярний транзистор має два p-n-
перехода, утворених трьома областями, що чергуються типами провідності.
Залежно від порядку розташування цих областей розрізняють
транзистори p-n-p- і n-p-n-типу. Внутрішня область, яка розділяє p-n-переходи,
називається базою. Зовнішня область, яка інжектує носії заряду в базу,
називається емітер, а перехід, який примикає до нього, називається емітерним.
Область, яка екстрактує носії з бази, називається колектор, а перехід, який
примикає до неї, – колекторний.
Переходи біполярного транзистора можуть зміщуватися в прямому або в
зворотному напрямках. Залежно від цього розрізняють чотири режими роботи
біполярних транзисторів:
а) активний режим (на емітерний перехід подана напруга прямої
полярності, на колекторний – зворотної);
б) інверсний режим (на емітерний перехід подана напруга зворотної
полярності, на колекторний – прямої);
в) режим насичення (на емітерний і колекторний переходи подана
напруга прямої полярності);
г) режим відсічення (на обидва переходи подана зворотна напруга).
В електричне коло БПТ включають так, щоб один з його електродів був
вхідним, другий – вихідним, а третій – загальним для вхідних і вихідних
ланцюгів. Залежно від того, який електрод є загальним, розрізняють три схеми
включення транзистора: з спільною базою (СБ), з спільним емітером (СЕ), з
спільним колектором (СК).
26
Під час роботи в активному режимі вхідні й вихідні струми пов'язані
співвідношеннями:
– для схеми з спільною базою (СБ)
(3.1)
– для схеми з спільним емітером (СЕ)
(3.2)
де α, β – коефіцієнти передачі струмів емітера і бази відповідно;

ІКО – зворотний струм через колекторний перехід при вібключеному емітері.
Для кожної з трьох схем включення існує сімейство характеристик, які

відображають зв'язок між струмами і напругами в транзисторі (рис. 3.1 і 3.2,
транзистор n-p-n).
а) IБ=f(UБЕ) при UКЕ=const б) IК=f(UКЕ) при IБ=const

Рисунок 3.1 – Вхідна (а) й вихідна (б) характеристики для схеми з СЕ
27
а) IЕ=f(UЕБ) при UКБ=const б) IК=f(UКБ) при IЕ=const
Рисунок 3.2 – Вхідна (а) і вихідна (б) характеристики для схеми з СБ
У Multisim транзистори вибираються в полі компонентів Транзистори

(Transistors) на панелі компонентів основного вікна Multisim (рис. 3.3).
Деякі з основних параметрів біполярних транзисторів у Multisim:

Saturation current [IS] – зворотний струм колекторного переходу, A;
Forward current gain coefficient [F] – коефіцієнт посилення струму в схемі
з ЗЕ;
Base ohmic resistance [RB] – об'ємний опір бази, Ом;
Emitter ohmic resistance [RE] – об'ємний опір емітера, Ом
Collector ohmic resistance [RC] – об'ємний опір колектора, Ом;
Zero-bias B-E junction capacitance [CE] – ємність емітерного переходу за
нульовой напруги, Ф;
Zero-bias C-E junction capacitance [CC] – ємність колекторного переходу
за нульовой напруги, Ф;
По-Е junction potential [E] – контактна різниця потенціалів переходу база-
емітер;
В-С junction potential [C] – контактна різниця потенціалів переходу база-
колектор, В;
Base-Emitter Leakage Saturation current [ISE] – зворотний струм
емітерного переходу,
B-C leakage saturation current [ISC] – зворотний струм колекторного
переходу.
28
а) б)
Рисунок 3.3 – Вибір компонентів Транзистори і умовні позначення біполярних

транзисторів різних типів
а) n-p-n-транзистор, б) p-n-p-транзистор
Вибір транзистора для моделювання проводиться з підміню Models.
3.4 Польові транзистори
Польовий транзистор – напівпровідниковий прилад, підсилювальні

властивості якого обумовлені керованим електричним полем потоком основних
носіїв заряду, які протікають через канал. Робота польового транзистора
заснована на використанні носіїв заряду тільки одного виду. Провідний шар, в
якому створюється робочий струм польового транзистора, називається каналом.
Деякі типи польових транзисторів

29
Польовий транзистор з керуючим p-n-переходом і каналом n-типу (рис.
3.4).
Основа з напівпровідника n-типу має на протилежних кінцях електроди,
за допомогою яких вона включаїться в ланцюг навантаження. До області з
іншим типом електропровідності підключений третій електрод – затвор. Зміна
зворотної напруги на затворі призводить до зміни площі поперечного перерізу
каналу, а отже, і струму через канал. Електрод, з якого носії заряду
потрапляють в канал, називається витік (В), а електрод, до якого надходять
носії з каналу - стік (С). Вихідні характеристики транзистора Іс = f (UСВ) при
UзВ = const показані на рис. 3.5.
Рисунок 3.4 – Схема включення та умовне графічне позначення польового

транзистора з керуючим p-n-переходом і каналом n-типу
Рисунок 3.5 – Вихідні характеристики польового транзистора з каналом n-типу
Польовий транзистор з вбудованим каналом

У транзисторів цього типу металевий затвор відділений від
напівпровідникового каналу тонким шаром діелектрика (рис. 3.6).
30
Рисунок 3.6 – Польовий транзистор з вбудованим каналом n-типу
За подачою на затвор напруги, негативної відносно до витоку, канал

збіднюється електронами, опір його збільшується. Такий режим називають
режимом збідніння. За подачою на затвор позитивної напруги в канал будуть
поступати електрони, струм стоку зростає. Такий режим називається режимом
збагачення. Режими транзистора з вбудованим каналом наочно показують його
вихідні характеристики (рис. 3.7).
Рисунок 3.7 – Вихідні характеристики польового транзистора з вбудованим

каналом n-типу
Польовий транзистор з індукованим каналом

У транзисторів цього типу (рис. 3.8) під впливом поля затвору електрони
будуть переміщатися з областей витоку і стоку в напрямку до затвору. Коли
напруга на затворі перевищить деяку граничну напругу, концентрація
електронів у поверхневому шарі збільшиться настільки, що в ньому відбудеться
інверсія типу електропровідності, тобто утворюється канал n-типу.
31
Рисунок 3.8 – Польовий транзистор з індукованим каналом n-типу
Отже, подібний транзистор може працювати тільки в режимі збагачення

(рис. 3.9).
Рисунок 3.9 – Вихідні характеристики польового транзистора з індукованим

каналом n-типу
У Multisim польові транзистори вибираються в полі компонентів

Транзистори (Transistors) на панелі компонентів основного вікна програми.
Вибір транзистора для моделювання проводиться з підміню Models.
Деякі з основних параметрів польових транзисторів в Multisim:

Threshold voltage [VTO] – Напруга відсічення, В. Напруга між затвором і
витоком польового транзистора з р-n- переходом або з ізольованим затвором,
які працюють в режимі збіднення, за якого струм стоку досягає заданої низької
величини. Для транзисторів з ізольованим затвором, які працюють у режимі
збагачення, цей параметр називається граничною напругою;
Drain ohmic resistance [RD] – Об'ємний опір області стоку, Ом;
Source ohmic resistance [RS] – Об'ємний опір області витоку, Ом;
Gate-junction saturation current [IS] – Струм насичення р-n-переходу, A
(тільки для польових транзисторів з р-n-переходом);
32
Zero-bias gate-drain junction capacitance [CGD] – Ємність між затвором і
стоком за нульового зміщення, Ф;
Zero-bias gate-source junction capacitance [CGS] – Ємність між затвором і
витоком при нульовому зміщенні, Ф;
Bulk-threshold parameter [GAMMA] – Коефіцієнт впливу потенціалу
підкладки на граничну напругу;
Bulk-junction saturation current [IS] - Зворотний струм підкладки;
Zero-bias bulk-drain junction capacitance [CBD] – Ємність донної частини
переходу стік-підкладка при нульовому зміщенні, Ф;
Zero-bias bulk-source junction capacitance [CBS] – Ємність донної частини
переходу витік-підкладка за нульового зміщення, Ф;
Drain and source diffusion sheet resistance [RSH] – питомий опір дифузних
областей витоку і стоку, Ом;
Gate-bulk capacitance Cgb [CGB] – Ємність між затвором і підкладкою, Ф.
3.5.1 Дослідження залежності струму колектора від струму бази і

напруги база-емітер
Виберіть транзистор з бібліотеки елементів. Зібрати схеми, які наведені

на рис. 3.10, рис. 3.11.
+ U3
6.858m A DC 1e-009Ohm
-
U2
R1 + - Q1
0.027m A
10kΩ
V1 DC 1e-009Ohm
U1 2N3707 V2
1V +
0.725 V DC 10MOhm 10 V
-
Рисунок 3.10 – Схема для аналізу залежності струму колектора від струму бази
для транзисторів n-p-n структури
33
+ U3
6.858m A DC 1e-009Ohm
-
U2
R1 + -
Q2
0.027m A
10kΩ
DC 1e-009Ohm V2
V1 1V
1V + U1 2N2905
0.725 V DC 10MOhm
-
Рисунок 3.11 – Схема для аналізу залежності струму колектора від струму бази
для транзисторів p-n-p структури
Включити схему. Записати показання приладів. За формулою β = Ік/Іб

обчисліть значення коефіцієнта β і порівняйте його з коефіцієнтом, який
вказаний у параметрах транзистора (параметр Forward current gain coefficient).
3.5.2 Побудова вихідний вольт-амперної характеристики
Для побудови вихідних ВАХ при включенні транзистора за схемою з СБ

зібрати схему, яка наведена на рис. 3.12. Параметри функціонального
генератора (форма імпульсів – трикутні): Frequency – 100 Hz, Duty cycle – 50%,
Amplitude – 10 В, Offset – 9 В.
Налаштування осцилографа: розгортка – 1.00 мс/д (Y/T), X position = 0.
Чутливість по каналу А – 100 мв/д (Y position = 0.00), режим DC. Чутливість по
каналу В – 10В/д (Y position = 0.00), режим DC. Синхронізуватися в режимі
AUTO, переднім фронтом імпульсу.
Q1
R1 2N3707 V2
10kΩ XFG1
1Ω XSC1
Ext T rig
+
I1 _
0.5mA A B
+ _ + _
Рисунок 3.12 – Схема для отримання вихідної ВАХ n-p-n-транзистора

для схеми з СБ
Для п'яти значень струму емітера IЕ, отримаєте значення струму

колектора ІК відповідно напрузі колектор-база UКБ (табл. 3.1). Відповідно до
34
отриманих даних побудуйте сімейство вихідних характеристик IК=f(UКБ) при
IЕ=const.
Таблиця 3.1 – Відповідність струму колектора ІК напрузі колектор-база

UКБ за фіксованого значення струму емітера
I мА
Э, U ,В
КБ 0 0,2 0,5 11 55 110 115 220
10 Iк, мА
20 Iк, мА
30 Iк, мА
40 Iк, мА
Для побудови вихідних ВАХ при включенні транзистора за схемою з СЕ

зібрати схеми, які наведені на рис. 3.13.
Параметри функціонального генератора (форма імпульсів – трикутні):
Frequency – 10 Hz, Duty cycle – 50%, Amplitude – 10 В, Offset – "+9В" для n-p-n
транзистора або "-9В" для p-n-p транзистора. Налаштування осцилографа:
розгортка – 1.00 мс/д (Y/T), X position = 0.00.
Чутливість по каналу А – 1 В/д (Y position = 0.00), режим DC. Чутливість
по каналу В – 5В/д (Y position = 0.00), режим DC. Синхронізуватися в режимі
XFG1
XFG1
XSC1
XSC1
Ext T rig
+
_ Ext Trig
+
A B
_ _ _
+ + B
A
+ _ + _
V2
1Ω V2
1Ω
Q1
R1 Q1
R1
20kΩ 20kΩ
2N3707
2N2905
I1 I1
10mA 10mA
а) б)
Рисунок 3.13 – Схема для отримання вихідний ВАХ для схеми з СЕ:
а) для транзисторів структури n-p-n; б) для транзисторів структури p-n-p
35
Відкрити осцилограф і включити схему. Після появи двох осциллограмм
IК (t) і UКЕ (t) зупинити процес моделювання. За допомогою візирних ліній
осцилографа, скласти таблицю відповідності струму колектора І К напрузі
колектор-емітер UКЕ за фіксованого значення струму бази (табл. 3.2).
Таблиця 3.2 – Відповідність струму колектора Ік напрузі колектор-емітер

UКЕ при фіксованому струмі бази (для n-p-n транзистора)
IБ мА
, UКЕ, В 0 0,2 0,5 1 5 10 15 20
1 Iк, мА
2 Iк, мА
4 Iк, мА
8 Iк, мА
Примітка: для p-n-p транзистора полярність напруги змінюється на

протилежну.
Відповідно до отриманих даних побудувати сімейство вихідних
характеристик IК = f (UКЕ) при Іб = const.
3.5.3 Дослідження вхідний характеристики біполярного транзистора
Для схеми з СБ побудова вхідних характеристик виконується за

допомогою схеми на рис. 3.14. Скласти таблицю відповідності струму емітера
IЕ напрузі база-емітер UБЕ для двох значень напруги колектор-база (табл. 3.3).
U1
+ - Q1
-6.776p A 2N3707
DC 1e-009Ohm
I1 V1
0mA - U2 10 V
-0.059m V DC 10MOhm
+
Рисунок 3.14 – Схема для дослідження вхідний ВАХ n-p-n-транзистора у схемі

з СБ
36
Таблиця 3.3 – Відповідність струму емітера IЕ напрузі база-емітер UБЕ за
фіксованого значення напруги колектор-база UКБ
UКБ,В IЕ, мА 0 5 110 115 220 225

0 U ,В
БЭ
10 U ,В
БЭ
Відповідно до отриманих даних побудувати сімейство вхідних

характеристик IБ = f (UБЕ) при UКБ = const.
Для схеми з СЕ побудова вхідний характеристики виконується за
допомогою схеми на рис.3.15.
Frequency – 100 Hz, Duty cycle – 50%, Amplitude – 10 В, Offset – "+9В" для n-p-n
транзистора або "-9В" для p-n-p транзистора.
Налаштування осцилографа: розгортка – 1.00 мс/д (Y/T), X position = 0.00.
Чутливість по каналу А – 1 В/д (Y position = 0.00), режим DC. Чутливість по
каналу В – 5В/д (Y position = 0.00), режим DC. Синхронізація –режим AUTO,
переднім фронтом імпульсу.
Відкрити осцилограф і включити схему. Після появи двох осциллограм I Б
(t) і UБЕ (t) зупинити процес моделювання. За допомогою візирних ліній
осцилографа скласти таблицю відповідності струму бази Іб напрузі база-емітер
UБЕ за фіксованого значення напруги колектор-емітер (табл. 3.4).
XSC1
Ext T rig
+
_
A B
+ _ + _
XFG1
V2
Q1
R1
V1
1000Ω 1Ω 0V
2N3707
а)
37
XSC1
Ext T rig
+
_
A B
+ _ + _
XFG1
V2
Q1
R1
V1
1000Ω 1Ω 0V
2N1132A
б)
Рисунок 3.15 – Схема для дослідження вхідний ВАХ для схеми з СЕ:
а) для транзисторів структури n-p-n; б) для транзисторів структури p-n-p
Таблиця 3.4 – Відповідність струму бази Іб напрузі база-емітер Uбе за

фіксованого значення напруги колектор-емітер Uке (для n-p-n транзистора)
UКЕ,В UБЕ, В 0 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2

0 I , мА
Б
5 I , мА
Б
10 I , мА
Б
Примітка: для p-n-p транзистора полярність напруг змінюється на

протилежну.
Відповідно до отриманих даних побудувати сімейство вхідних
характеристик Iб = f (Uбе) при Uке = const.
3.6 Дослідження польових транзисторів
3.6.1 Дослідження вихідний характеристики польового транзистора з

керуючим p-n переходом
Вибрати транзистор з бібліотеки елементів. Зібрати схему, яка наведена

на рис. 3.16. Параметри функціонального генератора (форма імпульсів –
трикутні): Frequency – 100 Hz, Duty cycle – 50%, Amplitude – 10 В, Offset –
38
"+9В" для транзистора з каналом n-типу або "-9В" для транзистора з каналом p-
типу.
каналу В – 10мВ/д (Y position = 0.00), режим DC. Синхронізуватися в режимі
Відкрити осцилограф і включити схему. Після появи двох осцилограм Iс
(t) і Uсв (t) зупинити процес моделювання. Зображення осцилографа
рекомендується розгорнути на весь екран. За допомогою візирних ліній
осцилографа, скласти таблицю відповідності струму стоку Iс напрузі стік-витік
Uсв за фіксованих значень напруги затвор-витік (табл. 3.5). За отриманими
даними побудувати сімейство вихідних характеристик Iс = f (Uсв) при Uзв =
const.
39
XSC1
Ext T rig
XFG1
+
_
A B
+ _ + _
V1
1Ω
Q2
R1
1kΩ
V2 U290
1.5 V
XSC1
Ext T rig
XFG1
+
_
A B
+ _ + _
V1
1Ω
Q1
R1
1kΩ J174
V2
10 V
а) б)
Рисунок 3.16 – Схема для зняття вихідний ВАХ транзистора:

а) для n-канальних транзисторів; б) для p-канальних транзисторів
Таблиця 3.5 – Відповідність струму стоку Iс напрузі Uсв за фіксованого

значення напруги затвор-витік Uзв для транзистора з каналом n-типу
40
UЗВ , В UСВ, В 0 0,5 1 2 4 8 12 16 20
0 I , ма С
-0,5 I , ма С
-1 I , ма С
Примітка: для транзисторів з каналом p-типу полярність напруг

змінюється на протилежну.
3.6.2 Дослідження передавальної характеристики польового

транзистора з керуючим p-n переходом
Зібрати схему, яка наведена на рис. 3.17.

Frequency – 100 Hz, Duty cycle – 50%, Amplitude – 2 В, Offset – "-1В" для
транзистора з каналом n-типу або "+ 1В" для транзистора з каналом p- типу.
каналу В – 50мВ/д (Y position = 0.00), режим DC. Сіхронізуватися в режимі
XSC1
Ext T rig
+
XSC1
_
A B
Ext T rig
+ _ + _ +
_
A B
+ _ + _
XFG1 V1
XFG1
1Ω V2
12 V V1
1Ω
V2
12 V
Q1
R1 Q1
R1
1kΩ U290 J174

1kΩ
а) б)
Рисунок. 3.17 –Схема для зняття передавальної характеристики транзистора:

Відкрити осцилограф і увімкнути схему. Після появи двох осциллограм

Iс(t) і Uзв (t) зупинити процес моделювання. За допомогою візирних ліній
осцилографа, скласти таблицю відповідності струму стоку Iс напрузі затвор-
витік Uзв (до Uзв.відс) за фіксованих значень напруги стік-витік (табл. 3.6).
41
За отриманими даними побудувати сімейство передавальних
характеристик польового транзистора з n-p-переходом:
Iс = f (Uзв) при Uсв = const.
Таблиця 3.6 – Відповідність струму стоку Iс напрузі затвор-витік Uзв за

фіксованого значення напруги стік-витік Uсв для транзистора з каналом n-типу
(приклад)
UСВ , В UСВ В 0 -0,5 -1 -1,5 -2 -2,5 -3

10 I , ма
С
20 I , ма
С

3.6.3 Дослідження вихідний характеристики МДП транзистора з

індукованим каналом
Вибрати транзистор з бібліотеки елементів. Зібрати схему, яка наведена

на рис. 3.18.
Frequency – 100 Hz, Duty cycle – 50%, Amplitude – 10 В, Offset – "+9В" для
транзистора з каналом n-типу або "-9В" для транзистора з каналом p- типу.
Відкрити осцилограф і увімкнути схему. За допомогою візирних ліній
осцилографа, скласти таблицю відповідності струму стоку Iс напрузі стік-витік
Uсв за фіксованих значень напруги затвор-витік (табл. 3.7).
42
XSC1 XSC1
XFG1 XFG1
Ext T rig Ext T rig
+ +
_ _
A B A B
+ _ + _ + _ + _
V1 V1
1Ω 1Ω
Q1
R1 Q1
R1
1kΩ 2N6659
V2 V2 1kΩ 2N6804
12 V 12 V
а) б)
Рисунок. 3.18 – Схема для отримання вихідних ВАХ МДП транзистора з

індукованим каналом:
Таблиця 3.7 – Відповідність струму стоку Iс напрузі стік-витік Uсв за

фіксованого значення напруги затвор-витік Uзв для транзистора з каналом n-
типу.
UЗВ , В U В СВ 0 11 22 33 44 66 8 112 116 220

5 I , ма
С
10 I , ма
С
15 I , ма
С

змінюється на протилежну
За отриманими даними побудувати сімейство вихідних характеристик

МДН транзистора з індукованим каналом Iс = f (Uсв) при Uзв = const.
3.6.4 Дослідження передавальної характеристики МДП транзистора з

індукованим каналом
43
Зібрати схему яка наведена на рис. 3.19.
Frequency – 100 Hz, Duty cycle – 50%, Amplitude – 10 В, Offset – "+9В" для
транзистора з каналом n-типу або "-9В" для транзистора з каналом p- типу.
За допомогою візирних ліній осцилографа скласти таблицю відповідності
струму стоку Iс напрузі затвор-витік Uзв за фіксованого значення напруги стік-
витік (табл. 3.8). Починати слід з такого значення напруги Uзи, за якому Iс = 0.
XSC1
XSC1
Ext Trig
+
_ Ext Trig
+
A B
_
+ _ + _
A B
+ _ + _
XFG1 V1
1Ω XFG1 V1
1Ω
V2
20 V V2
20 V
Q1 Q2
R1 R1
1kΩ 2N6659 1kΩ BST100
а) б)
Рисунок. 3.19 – Схема для зняття передавальної характеристики МДП

транзистора:
Таблиця 3.8 – Відповідність струму стоку напрузі затвор-витік Uзв за

фіксованого значення напруги стік-витік Uсв для транзистора з каналом n-типу
UЗВ, В
U = 10В
СВ
I , ма 0 С
UЗВ, В
U = 20В
СВ
I , ма
С 0
44
За отриманими даними побудувати сімейство передавальних ВАХ МДН
транзистора.
3.7 Контрольні запитання та завдання
1. У чому полягає принцип дії біполярного транзистора?

2. Наведіть формули, які показують співвідношення струмів у
біполярному транзисторі.
3. Перерахуйте режими роботи біполярного транзистора і поясніть їх.
4. Що таке h-параметри біполярного транзистора? Наведіть приклади.
5. Які схеми включення транзисторів Ви знаєте? Поясніть їх переваги і
недоліки.
6. Назвіть основні параметри біполярних транзисторів.
7. Поясніть статичні характеристики біполярних транзисторів і їх
залежність від температури.
8. Чим визначаються частотні властивості біполярних транзисторів?
9. Побудова і принцип роботи польового транзистора з р-n переходом.
10. Побудова і принцип роботи МДН-транзистора з вбудованим каналом.
11. Наведить ВАХ МДН-транзистора з вбудованим каналом, пояснить їх.
12. Побудова і принцип роботи МДН-транзистора з індукованим каналом.
13. Що така порогова напруга й напруга відсічення?
14. У чому перевага польових транзисторів у порівнянні з біполярними ?
Звіт з лабораторної роботи має містити: електричні схеми, які підлягають

дослідженню, із зазначенням параметрів радіоелементов відповідно до
отриманого варіанта; дані, отримані експериментальним шляхом (вольт-
амперні характеристики, таблиці тощо); розрахункові величини; висновки з
виконаної роботи.
45
ДОСЛІДЖЕННЯ ЛОГІЧНИХ ЕЛЕМЕНТІВ
Дослідження динамічних параметрів і передавальної характеристики

логічного елемента з інверсією вхідного сигналу.
Логічні елементи призначені для логічного перетворення інформації, яка

подається у вигляді двійкових сигналів і є основою для побудови практично
всіх вузлів цифрової схемотехніки [1,3,4,5,6,7,8]. Змінні величини і функції від
них можуть набувати значень «0» або «1» і відповідно називатися логічними
змінними і логічними функціями. Логічні елементи реалізують логічні функції
(табл. 4.1).
Таблиця 4.1 – Основні логічні елементи

Тип логічного
Умовне позначення
елемента
(ГОСТ и MIL/ANSI-стандарт)
І (AND)
АБО (OR)
НІ (NOT)
І-НІ (NAND)
АБО-НІ (NOR)
АБО що виключає
(XOR)
Логічні елементи характеризуються такими параметрами (в дужках

вказані аналогічні параметри Multisim):
46
Основні статичні параметри:
– вхідна напруга логічної одиниці (мінімальна) (VIH);
– вхідна напруга логічного нуля (максимальна) (VIL);
– вихідна напруга логічної одиниці (мінімальна) (VOH);
– вихідна напруга логічного нуля (максимальна) (VOL);
– порогова напруга елемента (VIK);
– напруга джерела живлення Uживл (Vсс для ТТЛ– елементів і VDD для
КМОН– елементів), вказується номінал, відхилення від номіналу, величина
пульсації;
– вихідний струм логічної «1» (IOH);
– вихідний струм логічного «0» (IOL);
– вхідний струм логічної «1» (IIH);
– вхідний струм логічного «0» (IIL);
– струм споживання I (Iсс);
– діапазон робочих температур tmin, tmax ºC.
Статичні параметри визначаються за характеристиками, з яких
дослідженню в даній лабораторній роботі підлягає передавальна – залежність
вихідної напруги логічного елемента від вхідної.
Динамічні параметри можна визначити з осціллограм вхідного
йвихідного сигналів (рис. 4.1):
Uвх
U1 t 0,1
зт
0,9
0,5
0,1 U
0
0
t
t1,0
зт.р t 0,1
Uвих зт.р
U1
0,9
0,5
t1,0
зт
U0
0,1
0
t1,0 t 0,1
t
Рисунок 4.1 – Динамічні параметри логічного елемента з інверсією вхідного

сигналу
47
Основні динамічні параметри:
– час переходу зі стану логічної «1» у стан логічного «0»;
–час переходу зі стану логічного «0» у стан логічної «1»;
– час затримки включення; час затримки вимкнення;
– час затримки поширення сигналу під час включення (TPHL);
– час затримки поширення сигналу під час вимикання (TPLH);
– середній час затримки поширення сигналу.
Для проведення досліджень у даній лабораторній роботі слід
скористатися такими компонентами Multisim (рис. 4.2), ТТЛ та КМОН:
І; НІ; І-НІ; АБО; АБО НІ.
У програмі Multisim прийнята така система позначень входів і виходів
логічних елементів (позначення для ТТЛ серії наводяться в перших круглих
дужках, для КМОН – по-друге, при однакових позначеннях – без дужок):
вивід для живлення – (Ucc) (Udd); входи – (А, В, С ...) (I); виходи – (Y)
(О); вхід стробування – (G).
Приклад позначення послідовності виводів для 2-входових логічних
елементів:
Для ТТЛ елементів: 1А 1В 1Y, 2А 2В 2Y, ЗА 3В 3Y, 4А 4В 4Y;
для КМОН-елементів: (I1 I2 01, I3 I4 02, I5 I6 03, I7 I8 04).
Рисунок 4.2 – Логічні елементи, що використовуються
48
4.3. Порядок виконання роботи
4.3.1 Дослідження динамічних параметрів инвертуючого логічного

елемента ТТЛ
Зібрати схему, яка наведена на рис. 4.3 (тип ЛЕ (ТТЛ) вибрати за
вказівкою викладача).
Параметри функціонального генератора (форма імпульсів – прямокутні):
Frequency – 1 МHz, Duty cycle – 50%, Amplitude – 2.5 В, Offset – 2.5В
Налаштування осцилографа: розгортка – 0.05 мкс/д (Y/T), X position = 0.
каналу В – 5В/д (Y position = –1.00), режим DC. Синхронізуватися в режимі
Активізувати процес моделювання. Зарисувати осцилограми вхідного і
вихідного сигналів. Вимірювати такі динамічні параметри логічного елемента:
час затримки поширення сигналу при включенні і виключенні, час затримки
включення і виключення, час переходу зі стану "1" в стан "0", час переходу зі
стану "0" у стан "1".
XSC1
XFG1 V1
12 V Ext T rig
R1 +
_
1kΩ A B
+ _ + _
U1A
7400N
Рисунок 4.3 – Схема для дослідження динамічних параметрів логічного

елемента
4.3.2 Дослідження передавальної характеристики логічного елемента
Зібрати схему на рис. 4.3 (логічний елемент – ТТЛ). Параметри

функціонального генератора (форма імпульсів – трикутні): Frequency – 100 kHz,
Duty cycle – 10%, Amplitude – 2,5 В, Offset – 2,5В.
каналу В – 2mВ/д (Y position = 0.00), режим DC. Синхронізуватися в режимі
49
Включити режим моделювання. Скласти таблицю залежності Uвих від
Uвх. За таблицею побудувати передавальну характеристику. Пояснити
отримані результати.
Аналогічні дії виконати для логічного елемента КМОН – технології. При
цьому зміщення імпульсів функціонального генератора має бути рівним
половині напруги живлення логічного елемента, а амплітуда імпульсів має бути
на рівні 0,7Uживл.
4.3.3 Дослідження логічного елемента з гистерезисною передавальною

характеристикою
Зібрати схему, яка наведена на рис. 4.4. Логічний елемент – SCHMITT

TRIGGER (Тригер Шмітта з інверсією). Параметри функціонального
генератора (форма імпульсів – синусоїдальна): Frequency – 100 kHz, Duty cycle
– 50%, Amplitude – 2,5 В, Offset – 2,5 В.
Рисунок 4.4 – Схема для дослідження логічного елемента з гистерезисною

передавальною характеристикою
Включити режим моделювання. За отриманими осцилограмами

визначити верхню й нижню граничну напруги тригера Шмітта, побудувати
його передавальну характеристику.
50
1. Наведіть умовні позначення різних логічних елементів.

2. Як діяти зі входами логічних елементів, які не використовуються?
3. Назвіть основні статичні параметри логічних елементів.
4. Назвіть динамічні параметри логічних елементів.
5. Наведіть таблицю істинності логічних функцій АБО, І, АБО-НІ, І-НІ.
6. Опишіть передавальну характеристику логічного елемента, який
виконує інверсію вхідного сигналу.
7. Яке призначення діодів на входах ТТЛ - елементів?
8. Поясніть, що таке «третій стан» на виході логічного елемента.
Звіт з данлї роботи має містити: схеми для проведення досліджень,

результати вимірювань, графіки та висновки.
51
5. ЛАБОРАТОРНА РОБОТА № 4
ІМПУЛЬСНІ ПРИСТРОЇ, ДЖЕРЕЛА ЖИВЛЕННЯ
Дослідження імпульсних пристроїв на цифрових мікросхемах, принципів

роботи основних типів випрямних пристроїв.
Завданням імпульсних пристроїв є формування, перетворення імпульсних

сигналів, формування одиночних імпульсів і безперервних послідовностей
імпульсів. У лабораторній роботі вивчаються такі види імпульсних пристроїв.
Формувачі імпульсів
Термін «формувачі імпульсів» об'єднує широке коло різних пристроїв,
призначених для перетворення сигналів (цифрових і аналогових ) таким чином,
щоб отримати імпульси з необхідними часовими і амплітудними
характеристиками.
Формувачі імпульсів виконують такі функції:
– формування імпульсів по фронту і зрізу, генерація короткихт імпульсів,
момент появи яких збігається з фронтом або зрізом вхідного імпульсу;
– часове перетворення імпульсів (вкорочення, часова затримка і т. п.);
– перетворення форми імпульсів та отримання прямокутних імпульсів з
сигналів іншої форми, зокрема з аналогових, передусим – синусоїдальних.
Схеми затримки імпульсів

Один із прикладів подібних схем показаний на рис. 5.1.
Робота схеми заснована на такому параметрі логічного елемента, як
середній час затримки поширення сигналу - tзатр.сер., час затримки сигналу
при проходженні через ланцюжок логічних елементів визначається формулою:
tзатр = n. tзатр.сер. , (5.1)
де n - кількість логічних елементів (n має бути парним, щоб не змінити фазу

сигналу).
52
Рисунок 5.1 – Приклад схеми затримки імпульсів
Детектор фронту імпульса

Це пристрій виробляє імпульс з надходженням на його вхід заданного
фронту імпульсу. Розглянемо детектор негативного фронту (рис. 5.2).
Схема має дифференцюючий ланцюжок, що визначає час.

Від пристрою з інтегруючим ланцюгом вона відрізняється тим, що
напруга, яка керує елементом DD1.2,н адходить не з конденсатора, а з
резістора.
Тривалість вихідного імпульсу визначається формулою:
tімп INCLUDEPICTURE
"../../../../../Yank/BOOKKES/FILES/THEORY/7/ntq.jpg" \* MERGEFORMAT 0,7
RC (5.2)
Цю саму схему можна використовувати для вкорочення імпульсів.
53
Рисунок 5.2 – Детектор негативного фронту
Генератори одиночних імпульсів (одновібратори)
Одновібратор (мультивибратор з очікуванням) – пристрій, призначений

для генерації одиночних прямокутних імпульсів заданої тривалості й амплітуди
під дією зовнішніх сигналів. Для нього, на відміну від формувача, характерна
наявність ланцюга позитивного зворотного зв'язку, що забезпечує
регенеративний (лавиноподібний) розвиток процесів перемикання. Цим
досягається велика крутизна фронтів вихідних імпульсів, їх стабільність і
краща стійкість до дестабілізуючих чинників. Часозадаючий ланцюг –
конденсатор і резистор або лінія затримки – неодмінна складова кожного
одновібратора.
До надходження сигналу, що запускає, одновібратор знаходиться в
початковому збудженому стані. З приходом запускаючого сигналу вихідна
напруга стрибком змінює свій рівень і у самій схемі починається порівняно
повільний перехідний процес, який забезпечує у певний момент, зворотний
стрибок рівня вихідної напруги, після якого відновлюється стійкий вихідний
54
стан. Змінюючи параметри часозадаючого ланцюга (опір резистора, ємність
конденсатора), можна регулювати тривалість вихідних імпульсів.
Залежно від схемного виконання одновібратор, можна запускати або
фронтом (позитивним перепадом), або зрізом (негативним перепадом) вхідного
сигналу.
Одновібратори можна реалізувати на логічних елементах, або
використовувати спеціалізовані мікросхеми одновібраторів.
Як приклад, можна навести мікросхему SN74LS123D (рис. 5.3), що
містить 2 однакових за параметрами одновібратора, пов'язаних тільки
спільними ланцюгами живлення.
INCLUDEPICTURE
"../../../../../Yank/BOOKKES/FILES/THEORY/7/Imp6.jpg" \* MERGEFORMAT
Рисунок 5.3 – Одновібратор ІМС SN74LS123D
Таблиця 5.1 – Таблиця перемикань одновібратора SN74LS123D
Вхід Вихід Примітка
SR A B Q
Стабільний
0 Х Х 0 1 стан
Х 1 Х 0 1
Х Х 0 0 1
1 0 ↑
55
1 ↓ 1 Запуск
↑ 0 1
↓ Х Х 0 1 Скидання
Тривалість вихідного імпульсу для INCLUDEPICTURE

"../../../../../Yank/BOOKKES/FILES/THEORY/7/i3.jpg" \* MERGEFORMAT
визначають за формулою:
t=0.45RC.
Мультивібратори
Мультивібратори або генератори прямокутних імпульсів – найбільш
поширений клас імпульсних генераторів. Виробляють безперервну
послідовність імпульсів.
Мультивібратори можна реалізувати як на логічних елементах, так і на
спеціалізованих мікросхемах.
Як приклад можна навести багатофункціональну мікросхему
інтегрального таймера 555.
5.3. Порядок виконання роботи
5.3.1 Дослідження імпульсних пристроїв
5.3.2.1 Дослідження схем затримки імпульсів
Зібрати схему, яка наведена на рис. 5.4 (тип ЛЕ вибрати за вказівкою

викладача).
Frequency – 1 МHz, Duty cycle – 50%, Amplitude – 2.5 В, Offset – 2.5В
Активізувати процес моделювання. Зарисувати осцилограми вхідного й
вихідного сигналів. Виміряти час затримки сигналу і порівняти його з
розрахунковим.
Зазначені дії виконати для ЛЕ технологій ТТЛ і КМОН.
56
Рисунок 5.4 – Схема затримки імпульсів
5.3.2.2 Дослідження одновібраторов
Зібрати схему одновібратора, виконану на мікросхемі SN74LS123D

змінивши значення R2 і C1 за вказівкою викладача (рис. 5.5).
Рисунок 5.5 – Схема одновібратора на мікросхемі SN74LS123D
57
Frequency – 1КHz, Duty cycle – 50%, Amplitude – 2.5 В, Offset – 2.5В.
Синхронізуватися в режимі AUTO переднім фронтом імпульсу.
Встановити значення R і C. Активізувати процес моделювання.
Зарисувати осцилограми вхідного й вихідного сигналів. Виміряти тривалість
вихідного імпульсу і порівняти його з розрахунковим.
5.3.3 Дослідження мультивибраторов
Зібрати схему, яку наведено на рис. 5.6 (таймер знаходиться в групі Place
Mixed) і 3.4.
Активізувати процес моделювання. Зарисувати осцилограми вихідного
сигналу. Виміряти частоту і тривалість вихідних сигналів і порівняти з
розрахунковими:
Рисунок 5.6 – Схема мультивібратора на ІМС 555
58
Якщо до шпаруватості вихідних імпульсів не пред'являється спеціальних
вимог, можна скористатися схемою на рис. 5.7.
Рисунок 5.7 – Мультивібратор на тригері Шмітта
Частота вихідних імпульсів:

fвих=0.7/RC.
5.3.3 Дослідження випрямлячів
5.3.4 Дослідження однонапівперіодного випрямляча
Зібрати схему, показану рис. 5.8. Параметри трансформатора наведені на

рис. 5.9.

вихідного сигналів. Змінюючи значення опору R1 в більшій і меншій бік, а
також ємності конденсатора С1 (рис. 5.8.б) зробити висновки про вплив цих
елементів на роботу схеми.
59
а)
б)
Рисунок 5.8 – Схеми для дослідження однонапівперіодного випрямляча
60
Рисунок 5.9 – Параметри трансформатора
5.3.5 Дослідження мостового випрямляча
Зібрати схему, яка наведена на рис. 5.10.

вихідного сигналів. Змінюючи значення опору R1 в більшій і меншій бік, а
також ємності конденсатора С1 зробити висновки про вплив цих елементів на
роботу схеми.
Рисунок 5.10 – Схема мостового випрямляча
61
1. Основні параметри імпульсних сигналів.

2 Принцип роботи схем затримки імпульсів.
3 Принцип роботи мультивибраторов.
4 Принцип роботи одновібраторов.
5 Однонапівперіодний випрямляч: принцип роботи, діаграма, основні
параметри.
6 Мостовий випрямляч: принцип роботи, діаграми, основні параметри.
5.5 Зміст звіту.
Звіт з даної роботи має містити: схеми для проведення досліджень,

результати вимірювань, графіки та висновки.
62
ДОСЛІДЖЕННЯ АНАЛОГОВИХ ПРИСТРОЇВ ОБРОБКИ СИГНАЛІВ
НА ОПЕРАЦІЙНИХ ПІДСИЛЮВАЧАХ
6.1 Ціль роботи
Розрахунок і дослідження аналогових пристроїв обробки сигналів на

операційних підсилювачах: масштабуючих підсилювачів, суматорів,
інтеграторів, диференціаторів.
6.2 Методичні вказівки по організації самостійної роботи
При підготовці до роботи варто повторити теоретичні відомості

користуючись рекомендованою літературою [1,4,5] і конспектом лекцій.
Операційним підсилювачем (ОП) називають підсилювач напруги,

призначений для виконання різних операцій над аналоговими сигналами при
роботі в ланцюгах з негативним зворотним зв'язком (НЗЗ), до складу яких
можуть входити опори (R), ємності (С), індуктивності (L), діоди, транзистори та
інші елементи. Сучасний ОП виконується на базі інтегральної мікросхеми
операційного підсилювача (ИМС ОП), до виводів якої, крім ланцюгів НЗЗ,
приєднуються джерела живлення і вхідних сигналів, опір навантаження,
ланцюги корекції частотних характеристик ОП в інтегральному виконанні й
інші ланцюги.
Основні вимоги до ОП зводяться до того, щоб він якнайближче відповідав
ідеальному джерелу напруги, керованому напругою з нескінченно великим
коефіцієнтом підсилення. А це означає, що вхідний опір ОП повинен
дорівнювати нескінченності (Rвх = ∞) і, отже, вхідний струм Iвх = 0. Вихідний
опір повинний дорівнювати нулю (Rвих = 0), а навантаження не повинне
впливати на вихідну напругу. Частотний діапазон посилюваних сигналів
повинний простиратися від постійної напруги до дуже високих частот, тому як
коефіцієнт підсилення великий, то при кінцевому значенні U вих напруга на його
вході повинна бути близька до нуля.
На рис. 6.1, а показана умовна позначка ОП з одним виходом і двома
входами: прямим і інверсним. Інверсний вхід 2 позначають знаком інверсії
(кружком) або позначають знаком “–”. Прямий вхід 1 не має знака інверсії або
його позначають знаком “+”. У загальному випадку на вхідні клеми ОП 1 і 2
надходять напруги Uвх1 і Uвх2, що називають напругами загального виду. З них
виділяють синфазний Uсф = (Uвх1 + Uвх2)/2 і диференціальний Uдиф = (Uвх1 – Uвх2)
сигнали (рис. 3.2, б). Відносно Uсф потенціал вхідної клеми 1 вище, а клеми 2 –
нижче на значення U, а диференціальний (різницевий) сигнал Uдиф = 2U.
Операційний підсилювач призначений для посилення невеликого різницевого
(диференціального) сигналу. Синфазний сигнал схемою ОП повинний бути
63
максимально ослаблений. Вихідна напруга Uвих знаходиться у фазі (синфазна) з
напругою на вході 1 Uвх1 і протифазна напрузі на вході 2 Uвх2.
+ Eжив
Uдіф
U
- Eжив
2U
DA
Uвх1
1
U U
Uвх1 2 Uвх2
Uвх2 Uвих
Uсф
0 t
а) б)
Рисунок 6.1 – а) – Умовна позначка ОП

б) – Синфазний і диференціальний сигнали на вході ОП
Операційний підсилювач характеризується наступними параметрами.

Коефіцієнт підсилення по напрузі ОП KU визначається відношенням
вихідного сигналу до диференціального вхідного сигналу при роботі
підсилювача на лінійній ділянці статичної характеристики (рис.6.2).
KU = Uвих. /Uвх.диф (6.1)

Uвых
Uв II
III
0 Uсм
Uвх. диф.
Uн I
Рисунок 6.2 – Передатна характеристика ОП.
На рисунку видно три ділянки, що відповідають трьом режимам роботи

ОП. Ділянки І і ІІ відповідають режимам обмеження де U вих не залежить від
Uвх.диф і дорівнює нижньому Uн і верхньому Uв рівням обмеження. Ділянка ІІІ
відповідає режимові посилення. Передатна характеристика на цій ділянці
майже вертикальна тому що ОП має великий коефіцієнт підсилення.
Максимальна вихідна напруга UВИХ макс – максимальне значення вихідної
напруги, при якому перекручування не перевищують заданого значення. У
вітчизняній практиці цей параметр виміряється щодо нульового потенціалу як у
64
позитивну, так і в негативну сторону. У закордонних каталогах приводять
значення максимального діапазону вихідних напруг, що дорівнює 2U ВИХ.
Вихідна напруга виміряється при визначеному опорі навантаження. При
зменшенні опору навантаження величина UВИХ макс зменшується.
Напруга зсуву UСМ  значення напруги, що необхідно подати на вхід ОП,
щоб на виході напруга дорівнювала 0. Операційний підсилювач реалізується у
виді мікросхеми зі значним числом транзисторів, характеристики яких мають
розкид по параметрах, що приводить до появи постійної напруги на виході під
час відсутності сигналу на вході. Параметр UСМ допомагає розроблювачам
розраховувати схеми пристроїв, підбирати номінали компенсаційних
резисторів.
Вхідні струми IВХ – струми, що протікають через вхідні контакти ОП. Ці
струми обумовлені базовими струмами вхідних біполярних транзисторів і
струмами витоку затворів для ОП з польовими транзисторами на вході. Вхідні
струми, проходячи через внутрішній опір джерела сигналу, створюють падіння
напруг, що можуть викликати поява напруги на виході під час відсутності
сигналу на вході.
Різниця вхідних струмів ΔIВХ – вхідні струми можуть відрізнятися друг
від друга на 10...20%. Знаючи різницю вхідних струмів, можна легко підібрати
номінал балансувального резистора. Усі параметри ОП змінюють своє значення
(дрейфують) зі зміною температури. Особливо важливими дрейфами є:
- дрейф напруги зсуву UСМ,
- дрейф різниці вхідних струмів ΔI ВХ.
Максимальна вхідна напруга UВХ – напруга, що прикладається між
вхідними клемами ОП, перевищення якої веде до виходу параметрів за
встановлені границі або до руйнування приладу. У таблицях приводяться
абсолютні значення UВХ.
Максимальна синфазна вхідна напруга UВХ СФ – найбільше значення
напруги прикладається одночасно до обох вхідних клем ОП щодо нульового
потенціалу, перевищення якого порушує працездатність приладу. У вітчизняній
документації приводять модуль величини UВХ СФ, а в закордонній  діапазон.
Коефіцієнт ослаблення синфазного сигналу КОССФ – відношення
коефіцієнта підсилення напруги, прикладеного між входами ОП, до коефіцієнта
підсилення напруги загального для обох входів.
Вихідний струм IВИХ – максимальне значення вихідного струму ОП, при
якому гарантується працездатність приладу. Це значення визначає
мінімальний опір навантаження. Дуже важливо при розрахунку комплексного
опору навантаження враховувати, що при перехідних процесах вмикання
(вимикання) ОП значення ємнісної або індуктивної складової опору
навантаження різко змінюються і при неправильному підборі навантаження
схема може вийти з ладу.
Частота одиничного посилення f – значення частоти вхідного сигналу,
при якому значення коефіцієнта підсилення напруги ОП падає до одиниці. Цей
65
параметр визначає максимально реалізовану смугу посилення ОП. Вихідна
напруга на цій частоті нижче, ніж для постійного струму в 30 разів.
Залежність коефіцієнта підсилення ОП від частоти вхідного сигналу
приведена на рис.6.3. Вона побудована в логарифмічному масштабі як по
вертикальній осі, так і по горизонтальній. Коефіцієнт підсилення KU
визначений у децибелах. (KU =20 lg (Uвих. /Uвх.диф) [дБ]).
КU, дБ
К(0)
0
ώпр. lg ώ
Рисунок 6.3 Частотна залежність коефіцієнта підсилення ОП.
Гранична частота ОП визначається умовою, коли коефіцієнт підсилення

дорівнює 1 (або 0 дБ).
Динамічні властивості ОП описують також за допомогою швидкості
наростання вихідної напруги VU вих . З огляду на те, що Uвих = U1 маємо:
VU вих = dUвих. /dt =2i1 /Ck =2 φт S1/Ck =2 φт ώперед. (6.2)
Отже, чим більше гранична частота, тим вище швидкість наростання

вихідної напруги. Максимальна частота посилення великого сигналу ώ mах
визначає границю одержання вихідного сигналу з заданою амплітудою U mах без
перекручування. Максимальна частота ώmах зв'язана з максимальною швидкістю
наростання гармонійного сигналу на виході ОП. Якщо прийняти, що
Uвих = Umах sin(ώt), то швидкість зміни буде дорівнювати dU вих/dt = ώUmах сos(ώt)
і при сos(ώt) = 1 вона буде мати максимальне значення:
(dUвих/dt) mах = ώmах Umах.
Звідки
ώmах = (VU вих) mах / Umах. (6.3)
У даній лабораторній роботі підлягають дослідженню наступні основні

схеми включення операційних підсилювачів.
Підсилювач, що інвертує, (рис.6.4)
66
R1 R2
ОП
Uвх
Uвих
Рисунок 6.4 – Схема підсилювача, що інвертує.
Тут ОП охоплений рівнобіжним негативним зворотним зв'язком (НЗЗ) по

напрузі. На інверсний вхід за схемою подається сигнал, обумовлений сумою
вхідної і вихідної напруг дільником на опорах R 1, R2. Тому що прямий вхід ОП
з'єднаний з загальним виводом, а Uдиф ≈ 0, то напруга на інверсному вході також
дорівнює нулеві. У результаті для схеми можна записати рівняння:
, (6.4)
та знайти коефіцієнт підсилення:
. (6.5)
Вхідний опір підсилювача, що інвертує, визначається у виді
rвх.инв.=R1 +rвх.диф. || [R2 /(KU +1)] , (6.6)
де другий доданок – опір рівнобіжний включених вхідного опори ОП і

зменшеного в (KU+1) раз опору резистора зворотного зв'язку R 2. Приблизно
rвх инв. ≈ R1 .
Підсилювач, що не інвертує, (рис. 6.5 ).
R1 R2
ОУ
Uвх Uвых
Рис. 6.5. Схема підсилювача, що не інвертує.
У цій схемі використовується також НЗЗ по напрузі, але вона послідовна:

тут диференціальна вхідна напруга ОП визначається як різниця вхідної напруги
і напруги зворотного зв'язку (сигнал подається безпосередньо на прямий вхід
ОП, а до інверсного входу підводиться напруга зворотного зв'язку з виходу
67
ОП). Оскільки напруга між входами дорівнює нулеві, то на інверсному вході
напруга дорівнює
, (6.7)
таким чином, коефіцієнт підсилення визначається формулою
(6.8)
В окремому випадку при R2 = 0 і при будь-якому значенні R 1 (крім нуля)
одержують повторювач напруги з коефіцієнтом передачі KU =1.
Вхідний опір підсилювача, що не інвертує, rвх н визначається двома
паралельно включеними опорами: вхідним опором ОП для синфазного сигналу
rвх.сф і еквівалентним опором rекв
rвх н = rвх.сф || rекв, rекв. = rвх.диф (6.9)
Де =R1 /(R1 +R2) – коефіцієнт зворотного зв'язку, М сф – коефіцієнт
ослаблення синфазного сигналу. У залежності від його величини (він
змінюється від 103 до 105) вхідний опір підсилювача, що не інвертує, rвх н
змінюється. Він значно більше вхідного опору підсилювача, що інвертує,
унаслідок застосування різного НЗЗ по напрузі.
Вихідний опір rвих для обох видів підсилювачів однаковий.
r´вих=( rвх)/( KU β+1) (6.10)
Частотні властивості даних підсилювачів визначаються динамічними

властивостями ОП. Передатна функція і частотна характеристика мають вигляд
KU (р)= KU /(1+р*τОП); KU (ώ)= KU /(1+j*ώ*τОП), (6.11)
де KU – коефіцієнт підсилення ОП на низьких частотах (одиниці герців), р –

оператор Лапласа, ώ – частота сигналу, τ ОП – постійна часу ОП. Для
підсилювача, що інвертує, маємо згідно (10,16)
KUінв (ώ)= – R2/[R1*(1+j*ώ*τОП)] (6.12)
а для підсилювача, що не інвертує, згідно (10, 16),
Кнеінв(ώ)=[(R2/R1)+1] /(1+j*ώ*τОП) (6.13)
Суматор. Для підсумовування декількох напруг можна застосувати

операційний підсилювач у включенні, що інвертує. Вхідні напруги через
додаткові резистори подаються на вхід підсилювача, що інвертує, (рис. 6.6).
68
Рисунок 6.6 – Схема суматора, що інвертує
Кожен вхід суматора з'єднується з інверсним входом ОП через резистор,

що зважує, (R1, R2,...,Rn). Інверсний вхід називається підсумовуючим вузлом,
оскільки тут сумуються усі вхідні струми і струм зворотного зв'язку. Як і в
звичайному підсилювачі, що інвертує, напруга на інверсному вході дорівнює
нулеві (унаслідок дії НЗЗ), отже, дорівнює нулеві і струм, що втікає в ОП. У
такий спосіб
, де (6.14)
Тому що напруга на інверсному вході приблизно дорівнює нулеві, то

Uo=IsRs. Після перетворень одержуємо вираження для вихідної напруги
суматора в наступному виді:
(6.15)
Схема інтегрування (Інтегратор). Дуже важливе значення має

застосування операційних підсилювачів для реалізації операцій інтегрування.
Як правило, для цього використовують включення, що інвертує, ОП (рис.6.7).
69
Рисунок 6.7 – Схема інтегратора, що інвертує
По першому закону Кірхгофа з урахуванням властивостей ідеального ОП

випливає для миттєвих значень: i1 = – ic. Оскільки i1 = u1/R1, а вихідна напруга
схеми дорівнює напрузі на конденсаторі:
(6.16)
те вихідна напруга визначається вираженням:
(6.17)
Постійний член uвых(0) визначається початковою умовою інтегрування.

За допомогою схеми включення, показаної на рис.3.8, можна реалізувати
необхідні початкові умови. Коли ключ S1 замкнутий, а S2 розімкнутий, ця
схема працює так само, як ланцюг, зображений на рис.6.7. Якщо ж ключ S1
розімкнути, то зарядний струм при ідеальному ОП буде дорівнює нулеві, а
вихідна напруга збереже значення, що відповідає моментові вимикання. Для
завдання початкових умов необхідно при розімкнутому ключі S1 замкнути
ключ S2. У цьому режимі схема моделює інерційну ланку і після закінчення
перехідного процесу, тривалість якого визначається постійної часу R3C, на
виході інтегратора установиться напруга
Uвих = -(R3 / R2)U2. (6.18)
70
Рисунок 6.8 Інтегратор з ланцюгом завдання початкових умов
Після замикання ключа S1 і розмикання ключа S2 інтегратор починає

інтегрувати напругу U1.
До операційних підсилювачів, що працюють у схемах інтеграторів,
пред'являються особливо високі вимоги у відношенні вхідних струмів, напруги
зсуву нуля і диференціального коефіцієнта підсилення по напрузі K U. Великі
струми і зсув нуля можуть викликати істотний дрейф вихідної напруги при
відсутності сигналу на вході, а при недостатньому коефіцієнті підсилення
інтегратор являє собою фільтр низьких частот першого порядку з коефіцієнтом
підсилення KU і постійної часу(1+KU)RC.
Схема диференціювання
Помінявши місцями резистор і конденсатор у схемі інтегратора на рис. 6.7,
отримаємо диференціатор (рис.6.9). Застосування першого закону Кірхгофа для
інверсного входу ОП в цьому випадку дає наступне співвідношення:
C(dUвх/dt) + Uвых/R = 0 (6.22)
або
Uвых = – RC(dUвх/dt) (6.23)
Резистор R1 згладжує АЧХ диференціатора, запобігає виникненню

паразитних коливань
,
де 2πF0K0 – добуток коефіцієнта підсилення на ширину смуги пропускання ОП
(добротність ОП).
71
Рисунок 5.6 Схема диференціатора
6.3.1 Дослідження підсилювача, що інвертує
Зібрати схему (рис.6.10). Значення резисторів взяти відповідно до вказівок

викладача. На вхід підключити функціональний генератор (Function Generator):
форма сигналу - синусоїдальна напруга, частота – 300 кГц, амплітуда (Uвх) –
0.5 В , зсув – 0. До входу і виходу схеми підключити осцилограф. Увімкнути
процес моделювання та зарисувати осцилограми вхідного і вихідного сигналів.
Рисунок 6.10 Схема для дослідження підсилювача, що інвертує
72
Вимірити значення амплітуд вхідного і вихідного сигналів і за
вимірюваними значеннями обчислити коефіцієнт підсилення.
Підключити графобудівник (Bode Рlоttеr): режим АЧХ, шкала LOG.
Увімкнути процес моделювання. Зарисувати АЧХ. Оцінити робочий діапазон
частот підсилювача за його АЧХ і визначити верхню граничну частоту на рівні
0.707 (-3дБ). Одержати значення коефіцієнта передачі для частоти 300 кГц і
порівняти з результатом, отриманим через осцилограф.
6.3.2 Дослідження суматора:
Провести моделювання двоходового суматора за схемою на рис. 6.6 при

таких параметрах: R1=5 кОм, R2=R3=10 кОм. До входу U 1 підключити
функціональний генератор з наступними настройками: форма імпульсів –
прямокутні, f = 100 Гц, скважність Q = 2 (коефіцієнт заповнення 50%). До
входу U2 підключити джерело змінної напруги «AC Voltage Source» наступних
параметрів: f = 100 Гц, U=1 B.
Підключити осцилограф до обох входів суматора. Розпочати процес
моделювання. Зарисувати осцилограми вхідних сигналів. Потім, переключивши
один із входів осцилографа до виходу суматора, побудувати осцилограму,
сполучену з попередньою.
6.3.3.1 Дослідження режиму інтегрування вхідних прямокутних

імпульсів
Зібрати схему, показану на рис.5.12.
Рисунок 6.12 – Схема для дослідження режиму інтегрування вхідних

прямокутних імпульсів
73
Задати параметри функціонального генератора: форма імпульсів –
прямокутні, f = 100 Гц, скважність Q = 2 (коефіцієнт заповнення 50%),
амплітуда 4мВ, зсув 0В.
Розпочати режим моделювання і зарисувати осцилограми вхідного та
вихідного сигналів.
Змінюючи тривалість вхідних імпульсів, визначити співвідношення t І і τІНТ,
за яких інтегрування вхідного сигналу здійснюється з найменшою похибкою.
6.3.4 Дослідження диференціатора
Зібрати схему диференціатора (рис.6.13): R1 = 30 кОм, R2 = 1 кОм, ,

C = 0.1мкф. Задати параметри функціонального генератора: форма імпульсів –
прямокутні, f = 100 Гц, скважність Q = 2 (коефіцієнт заповнення 50%),
амплітуда 4мВ, зсув 0В.
Рисунок 6.13 – Схема для дослідження диференціатора
Дослідити диференціатор у режимі диференціювання вхідних прямокутних

імпульсів. Для цього на вхід схеми підключити джерело прямокутних імпульсів
у такий же спосіб, як у прикладі з інтегратором. Змінюючи тривалість вхідних
імпульсів, визначити співвідношення tІ і τДИФ, при яких диференціювання
вхідного сигналу здійснюється з меншою похибкою.
74
Звіт по лабораторній роботі має містити такі розділи:

1. Мета роботи.
2. Електричні схеми , що підлягають дослідженню.
3. Експериментальні дані.
4. Аналіз отриманих результатів.
6.5 Контрольні питання і завдання
1. Назвіть область застосування ОП.

2. Перелічіть основні параметри ОП.
3. Які функції може виконувати інтегратор, окрім свого основного
призначення?
4. Який основний критерій вибору ОП для диференціатора?
5. Обґрунтуйте схемотехнічні способи зменшення самозбудження схем
диференціаторів.
6. Як впливає НЗЗ на стабільність коефіцієнта підсилення? На вхідний і
вихідний опори?
7. Який механізм впливу дестабілізуючих факторів на вихідну напругу
ОП?
75
7. ЛАБОРАТОРН АРОБОТА № 6
ДОСЛІДЖЕННЯ АКТИВНИХ ФІЛЬТРІВ НА ОП
7.1 Ціль роботи
Дослідження активних фільтрів різних порядків, побудова амплітудно-

частотних характеристик, визначення основних параметрів.
7.2 Методичні вказівки по організації самостійної роботи
Фільтр – це схема, розрахована на пропущення сигналів у визначеній

смузі частот і придушення сигналів за межами цієї смуги. Активні фільтри
(АФ) складаються в більшості випадків з операційного підсилювача (або
декількох ОП) і RС- ланок.
Дослідження в даній лабораторній роботі проводяться з фільтрами
Баттерворта (ФВЧ і ФНЧ), оскільки вони мають плоску характеристику в смузі
пропущення. Керування величиною вихідної напруги і перебудова по частоті в
широкому діапазоні здійснюються в цих фільтрах простіше, ніж в інших
фільтрах.
Типи фільтрів, що підлягають дослідженню та їхні основні
характеристики:
Фільтр нижніх частот (ФНЧ) – це схема, напруга на виході якої
незмінно від постійного струму до частоти зрізу fзр. (рис.7.1)
Фільтр верхніх частот (ФВЧ) послаблює вихідну напругу на всіх
частотах нижче частоти зрізу fзр.
Крім цього, розрізняють фільтри по числу полюсів на частотній
характеристиці (визначається числом реактивних елементів) – фільтри першого
порядку, другого і більш високих порядків.
U ВЫХ
U ВЫХ , дБ
U ВХ
U ВХ
1.0 0
0.707 -3
-40 дБ/декада
0.1 -20
0.01 -40
ω
0.1СР СР 10СР
Рисунок 7.1 – АЧХ ФНЧ 2 порядку.
76
Частота зрізу fзр визначається як частота вхідного сигналу, на якій модуль
коефіцієнта підсилення зменшується до 0.707 (або на 3 дБ) від того значення,
що було в смузі пропускання.
Кут нахилу АЧХ поза смугою пропущення – виміряється в децибелах на
декаду. Наприклад, 20 дБ/дек означає, що коефіцієнт підсилення по напрузі
зменшується в 10 разів при збільшенні в 10 разів частоти вхідного сигналу в
порівнянні з fзр.
Примітка. У літературі часто зустрічається таке позначення частоти зрізу
ωср=2∙ π∙ fзр (рад/с).
Смуговий фільтр (СФ) (рис.7.2) пропускає сигнал тільки у визначеній
смузі частот, обумовленої нижньої fн і верхньої fв частотами зрізу. Частота, на
якій посилення СФ максимальне, називається резонансної fр або центральною
частотою.
U
Uвих
Uвх Смуга
Кр
пропускання В=р/Q
0.707 Кр
Н Р В
Рисунок 7.2 – АЧХ смугового фільтра.
Режекторний фільтр (РФ) (рис.7.3) вирізує визначену смугу частот,

обумовлену fн і fв, пропускаючи всі частоти за межами цієї смуги. Мінімальний
коефіцієнт підсилення – на частоті резонансу fр.
Смуговий і режекторний фільтри, крім частоти резонансу,
характеризуються шириною смуги пропущення В = fв – fн і добротністю
Q = fр/B, коефіцієнтом підсилення на частоті резонансу.
77
Р 
0.707 Кр -3
0.1 В -20
0.01 -40
0.001 -60
U U
Uвих , дБ Uвих , дБ
Uвх Uвх
Рисунок 7.3 – АЧХ режекторного фільтра
В усіх досліджуваних схемах частота зрізу або резонансна частота

вказується викладачем. .
7.3.1 Дослідження фільтрів нижніх частот
Зібрати схему ФНЧ 1 порядку (рис. 7.4).

Розрахунок виконується за формулою:
(7.1)
Тобто за заданою частотою зрізу fзр методом підбору знаходять такі

значення R1 і C1, що при підстановці у формулу (4.1) задовольняли би рівності.
Подати на вхід схеми сигнал з частотою f = 1 кГц, амплітудою
Uвх = 100 мВ. Увімкнути режим моделювання. За допомогою графобудівника
побудувати АЧХ фільтра та визначити частоту зрізу, значення коефіцієнта
передачі в робочій смузі частот, а також у смугах пропускання і запирання.
Порівняти отримане експериментальне значення fзр із заданим.
78
Рисунок 7.4 – Схема ФНЧ 1 порядку
Зібрати схему ФНЧ 2 порядку (рис.7.5).
Рисунок 7.5 – Схема ФНЧ 2 порядку
79
Для розрахунку використовувати наступні формули:
R1 = R2 = R; R3 = 2 R
, С2=2 С1.

7.3.2 Дослідження фільтра верхніх частот
Зібрати схему ФВЧ 2 порядку (рис.7.6):
Рисунок 7.6 – Схема ФВЧ 2 порядку
Формули для розрахунку:
Нехай С1 = С2 = С.
80
7.3.3 Дослідження смугового фільтра
Схема для дослідження СФ із високою добротністю наведена на рис.7.7.

При заданій частоті резонансу fp знаходять такі значення R і C, що
задовольняли би умові:
Значення резисторів R1 і 2R1 визначають величину Кр і практично не

впливають на значення fp. Для зручності моделювання приймемо R1 = 20кОм.
Рисунок 7.7 –Схема смугового фільтра з високою добротністю

побудувати АЧХ фільтра та визначити центральну (резонансну) частоту,
значення коефіцієнта передачі на цій частоті, а також у смугах пропускання і
запирання.
Порівняти отримане експериментальне значення fр із заданим.
81
7.3.4 Дослідження режекторного фільтра
Схема для досліджень представлена на рис.7.8.
Рисунок 7.8 – Схема режекторного фільтра
Формули для розрахунку:

р =

побудувати АЧХ фільтра та визначити центральну (резонансну) частоту,
значення коефіцієнта передачі на цій частоті, а також у смугах пропускання і
запирання.
Порівняти отримане експериментальне значення fр, що вийшло, із заданим.
Звіт має містити такі розділи:

1. Мета роботи.
82
2. Електричні схеми фільтрів із розрахованими номіналами елементів.
3. Експериментальні дані: отримані АЧХ фільтрів із зазначенням на них
частот зрізу, резонансних частот і смуг пропускання і затримання).
4. Аналіз отриманих результатів має містити порівняння розрахункових і
експериментальних даних з обґрунтуванням розходжень.
7.5 Контрольні питання і завдання
1. Нарисуйте АЧХ фільтрів різних типів.

2. Що таке нахил характеристики, в яких одиницях вимірюється?
3. Чим визначається порядок фільтра?
4. Чим відрізняються фільтри Чебишева, Бесселя, Баттерворта? Нрисуйте
їхні передатні характеристики?
5. Нарисуйте схему і розрахуйте параметри елементів фільтра нижніх
частот другого порядку з нахилом характеристики – 60 дб/дек, частотою зрізу fзр =20
кГц.
83
ПЕРЕЛІК ПОСИЛАНЬ
1. Янковский А.А. Конспект лекций по дисциплине «Компьютерная

электроника» для студентов всех форм обучения направления 6.050102
«Компьютерная инженерия». – Харьков: ХНУРЭ, 2016. – 374 с.
2. Марченко А.Л. Основы электроники. Учеб. пособие для Вузов. – М.:
ДМК Пресс, 2008. – 296 с.
3. Опадчий Ю.Ф. и др. Аналоговая и цифровая электроника. Учебник для
Вузов. – М: Горячая линия – Телеком, 2007. – 768 с
4. Прянишников В.А. Электроника: Полный курс лекций. – СПб.:
«Корона Век», 2014. – 416 с.
5. Щука А.А. Электроника: Учебное пособие. – СПб.: БХВ-Петербург,
2012. – 752 с.
6. Тимошенко Л. П., Зеленін А. М. Аналогові електронні пристрої: Навч.
посібник для студентів ВНЗ / За ред. В. М. Шокала. – Харків: Колегіум, 2006. –
292 с.
7. Коман Б., Мисько М. Основи комп’ютерної електроніки. – ЛНУ, 2019. –
430 с.
8. Колонтаєвський Ю.П. Комп’ютерна електроніка. Навчальний посібник.
— Харків: ХНУМГ ім. О. М. Бекетова, 2019. — 156 с.
84
Навчальне видання
МЕТОДИЧНІ ВКАЗІВКИ
до лабораторніх робіт з дисципліни
"КОМП’ЮТЕРНА ЕЛЕКТРОНІКА"
для студентів денної та заочної форм навчання за спеціальністю

123 – Комп’ютерна інженерія
Упорядники: Янковський Олександр Аркадійович

Єрошенко Ольга Артурівна
Майстренко Галина Валеріївна
85
Відповідальний випусковий А.А. Коваленко
Редактор
План 200_, поз.

Пiдп. до друку Формат 6084 1/16. Спосіб друку – ризографія.
Умов.друк.арк. Облiк. вид.арк. Тираж прим.
Зам. № Цiна договiрна.
ХНУРЕ. Україна. 61166, Харків, просп. Науки, 14
Віддруковано в навчально-науковому
видавничо-поліграфічному центрі ХНУРЕ
61166, Харків, просп. Науки, 14
86

МВ до лабораторних робіт з КЕлек

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

МВ до лабораторних робіт з КЕлек

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Міністерство освіти і науки України

для студентів денної та заочної форм навчання за спеціальністю

Упорядники: О.А. Янковський,

Рецензент проф. каф. ЕОМ Торба А.А.

Лабораторні роботи з дисципліни «Комп'ютерна електроніка» призначени

Комплекс NI Multisim v10.1 використовується для машинного

Рисунок 1.1 – Панелі компонентів та інструментів, пункти Меню програми

Під заголовком основного вікна наведений рядок головного меню, який

Меню Place - Меню, призначене для додавання елементів до схеми та

Меню MCU – Це меню призначене для роботи з мікроконтролерами.

Рисунок 1.2 – Кнопки активації/вимкнення схеми

Options – Налаштування програми, що дозволяють підлаштовувати

Рисунок 1. 3 – Меню Value

Fault (CTRL + F) – імітація пошкодження виділеного компонента

Рисунок 1.4 – Меню Mоdel

Multisim має велику бібліотеку компонентів. До бібліотеки компонентів

Рисунок 1.5 – Додавання компонента через вкладку Place

Sources – джерела сигналів (джерела живлення і керовані джерела). З цієї

Рисунок 1.6 – Піктограма поля Sources і його компоненти:

– джерело постійної напруги (Battery) (рис. 1.6, а). ЕРС джерела

Програма Multisim в процесі моделювання схем дозволяє вимірювати

Рисунок 1.8. – Прилади группы Indicators:

Вольтметр (Voltmeter) – прилад для вимірювання напруги в колах

Рисунок 1.9 – Прилади групи Instruments:

Мультиметр (Multimeter) – багатофункціональний вимірювальний

Рисунок 1.11 – Вибір компонента 3-T Opamp.

В лабораторних роботах можна використовувати як модель реального ОП,

Рисунок 1.12 – Вікно редагування параметрів лінійної моделі ОП

Доступні наступні параметри ОП:

При виконанні лабораторних робіт часто виникає необхідність

Фазо-частотна характеристика (ФЧХ) являє собою графік залежності

Рисунок 1.13 – Зображення графобудівника (Bode Plotter).

Рисунок 1.14 – Лицьова панель графобудівника

Кнопка Reverse змінює зовнішній вид зображення графіків. За

Перемістити курсор за допомогою мишки на піктограму або умовну

Для з'єднання структурних елементів, які розміщені на операційному

2.1 Мета роботи

Вивчення основ користування програмним комплексом Multisim.

2.2 Порядок виконання роботи

2.2.1 Дослідження диференцуючої схеми

Зберіть схему, яка наведена на рис. 2.1. Задайте такі параметри

Рисунок 2.1 – Схема дослідження диференцуючої схеми

2.2.2 Дослідження інтегруючої схеми

Зберіть схему, яка наведена на рис. 2.2. Задайте такі параметри

2.2.3 Дослідження імпульсного режиму роботи діода

Діоди, які підлягають дослідженню в ході виконання лабораторної

Рисунок 2.3 – Піктограма поля компонентів Діоди і умовні

Рисунок 2.4– Схема дослідження імпульсного режиму роботи діода

Включити режим моделювання. Увімкнути розширений режим шкали

Рисунок 2.5 – Імпульсний режим роботи діода

2.3 Зміст звіту

Звіт з лабораторної роботи має містити: електричні схеми, які підлягають

3.1 Мета роботи

Дослідження вхідних і вихідних характеристик, отриманих

3.2 Методичні вказівки з організації самостійної роботи

Під час підготовки до роботи слід вивчити теоретичний матеріал про

3.3 Біполярні транзистори

Біполярний транзистор (БПТ) – напівпровідниковий прилад з

– для схеми з спільним емітером (СЕ)

де α, β – коефіцієнти передачі струмів емітера і бази відповідно;

Для кожної з трьох схем включення існує сімейство характеристик, які

а) IБ=f(UБЕ) при UКЕ=const б) IК=f(UКЕ) при IБ=const

Рисунок 3.2 – Вхідна (а) і вихідна (б) характеристики для схеми з СБ

У Multisim транзистори вибираються в полі компонентів Транзистори