Professional Documents
Culture Documents
Bài Giảng Mạch Điện Tử 1
Bài Giảng Mạch Điện Tử 1
Bài giảng môn Điện Tử 1 trang bị cho sinh viên các kiến thức về nguyên tắc hoạt động
và mạch áp dụng các linh kiện bán dẫn như: Diode, Transistor, FET, UJT, PUT SCR TRIAC.
. . Mỗi linh kiện được giới thiệu trong môn học bao gồm hai mục chính:
Đặc tính của mỗi chân ra trên linh kiện.
Các nội dung lý thuyết khác nhằm giải thích đặc tính của mỗi chân ra của linh kiện.
Các nội dung trình bày trong môn học dưới dạng: tóm lược các phương trình và các
định luật mô tả nguyên tắc hoạt động của linh kiện, kèm theo là các thí dụ làm sáng tỏ và
thuyết minh các qui luật áp dụng trong quá trình khảo sát linh kiện.
Với thời gian 45 tiết, môn học được trình bày trong 5 chương:
Chương 1 bao gồm hai nội dung chinh. Nội dung thứ nhứt trình bày các kiến thức
cơ bản về vật liêu bán dẫn n và p. Trong nội dung này tóm lược lại các kiến thức vật lý cơ
lượng tử cũng như hóa học có liên quan đến chất bán dẫn. Khảo sát tính chất của mối nối pn là
cấu trúc cơ bản để tạo thành các linh kiện bán dẫn. Nội dung thứ hai trình bày nguyên tắc
hoạt động đặc tính của các loại diode. Trong chương này các mạch ứng dụng của diode
được đề cập đến là mạch chỉnh lưu bán kỳ, toàn kỳ và mạch ổn áp dùng diode Zener. Các
thông số của mạch chỉnh lưu, phương pháp san phẳng áp trên ngõ ra mạch chỉnh lưu
dùng tụ. Phương thức xác định dảy thông số làm việc của mạch ổn áp dùng diode Zener
khi tải thay đổi hay nguồn áp DC cấp vào mạch thay đổi. Cấu trúc của bộ nguồn biến đổi áp
xoay chiều (AC) thành một chiều (DC).
Chương 2 trình bày nguyên tắc hoạt động và các phương pháp phân cực định
điểm làm việc tỉnh (DC) cho transistor (BJT) loại pnp hay npn. Sơ lược về công dụng, các
chế độ hoạt động và các đặc tuyến của Transistor. Các phương trình cân bằng dòng và áp
sử dụng trong mỗi phương pháp phân cực. Phân tích ưu và nhược điểm của mỗi phương
pháp phân cực khi nhiệt độ môi trường thay đổi. Tính ổn định của điểm làm việc tỉnh khi
nhiệt độ thay đổi.
Chương 3 trình bày nguyên tắc hoạt động dùng hiệu ứng trường của Transistor:
JFET và MOSFET. Các thông số và đặc tuyến đặc trưng tính chất của mỗi loại FET. Phương
pháp phân cực FET và MOSFET. Phương pháp áp dụng các tài liệu kỹ thuật của nhà sản xuất
để định thông số cho FET. Các bài toán đặc biệt áp dụng để khảo sát mạch phân cực FET.
Chương 4 trình bày nguyên tắc hoạt động, đặc tuyến volt ampere và các mạch áp
dụng cho họ thyristor (linh kiện có 4 lớp bán dẫn) . Các linh kiện được khảo sát bao gồm:
SUS, DIAC, TRIAC, SCR... Một loại linh kiện khác dùng tạo mạch phát xung kích khởi cho các
linh kiện SCRvà TRIAC là UJT và PUT cũng được khảo sát đến trong chương 4. Mạch áp
dụng UJT hay PUT được khảo sát đến là dao động tích thoát và các điều kiện để duy trì
dao động.
Chương 5 trình bày nguyên tắc chung của mạch khuyếch đại biên độ nhỏ dùng
transistor. Các dạng mạch khuếch đại được khào sát đến bao gồm các dạng: CE; CC và CB.
Trong từng dạng mạch khuếch đại trình bày: phương pháp giải tích, mạch tương đương AC
và các độ lợi khuếch đại áp, dòng và công suất.
Sau mỗi chương từ 1 đến 5 sinh viên nên giải các bài tập để lý luận và áp dụng các nội
dung lý thuyết đã được giới thiệu và khảo sát.
CHƯƠNG 01
DIODE VÀ CÁC MẠCH ỨNG DỤNG
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
2 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG
Chất dẫn điện là vật liệu cho phép dòng điện đi qua một cách dễ dàng. Các chất dẫn điện
rất tốt là vật liệu đơn nguyên tử như : đồng, bạc, vàng , nhôm. Nguyên tử hình thành các vật liệu
này là loại nguyên tử chỉ có một electron hóa trị và electron này dễ dàng thoát khỏi nguyên từ để
thành electron tự do. Như vậy vật dẫn là vật liệu có khả năng chứa nhiều electrons tự do.
1.1.2.2.CHẤT CÁCH ĐIỆN (INSULATOR)
Chất cách điện là vật liệu không cho dòng điện đi qua trong điều kiện bình thường của môi
trường. Hầu hết chất cách điện là hợp chất không thuộc dạng vật liệu đơn nguyên tử. Các điện tử
hóa trị liên kết chặt với phần lỏi của nguyên tử. Trong chất cách điện rất hiếm các điện tử tự do.
1.1.2.3.CHẤT BÁN ĐIỆN (SEMICONDUCTOR)
Chất cách điện là vật liệu trung gian giữa chất dẫn điện và chất cách điện. Chất bán dẫn
thuần không phải là chất dẫn điện tốt cũng không phải là chất cách điện tốt. Chất bán dẫn đơn
nguyên tử thông thường bao gồm: Si (Silicon) ; Ge (germanium); C (Carbon). Hợp chất bán dẫn
như là: Gallinium Asernide. Với các chất bán dẫn đơn nguyên tử ta có được 4 điện tử hóa trị
trên shell hóa trị .
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG 3
Trong hình H1.4 trình bày giản đồ phân bố năng lượng của vật liệu cho thấy kết quả sau:
Với chất cách điện: khe năng lượng rất rộng, các điện tử hóa trị không thể nhảy đến dãy
dẫn trừ khi có thêm các điều kiện phá hủy trạng thái như trường hợp đặt điện áp có giá trị rất cao
(cao áp) ngang qua lớp vật liệu.
Với chất bán dẫn khe năng lượng hẹp hơn so với trường hợp chất cách điện. Khi khe
năng lượng hẹp lại vài điện tử hóa trị có thể nhảy sang dãy dẫn trở thành các điện tử tự do.
Với chất dẫn điện các dãy hóa trị và dãy dẫn phủ chồng lên nhau, như vậy trong vật dẫn
có rất nhiều điện tử tụ do.
1.1.4.SO SÁNH CẤU TRÚC NGUYÊN TỬ CỦA CHẤT DẪN ĐIỆN VÀ CHẤT BÁN DẪN:
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
4 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG
1.1.5.SO SÁNH CẤU TRÚC NGUYÊN TỬ CỦA CHẤT BÁN DẪN SILICON VÀ GERMANIUM:
Trong hình H1.6. trình bày cấu trúc nguyên tử của các chất bán dẫn Silicon và Germanium.
Silicon là chất bán dẫn được sử dụng rộng rãi để chế tạo các linh kiện: diode, transistor, mạch tích
hợp (IC – intergrated circuit) . Các nguyên tữ Silicon và Germanium có cùng số lượng điện tử hóa
trị ( 4 điện tử hóa trị).
Tuy nhiên các điện tử hóa trị của Germanium ở lớp shell thứ 4 trong khi các điện tử
hóa trị của Silicon ở lớp shell thứ 3 gần nhân hơn. Điều này cho thấy khả năng hấp thu năng
lượng để trở thành điện tử tự do của các điện tử hóa trị trong nguyên tử Germanium dễ
dàng hơn các điện tử hóa trị trong nguyên tử Silicon. Do tính chất này Germanium thường
không ổn định tại nhiệt độ cao , đây là lý do cơ bản khiến Silicon được dùng rộng rãi hơn .
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG 5
Điều kiện này chỉ xãy ra tại nhiệt độ tuyệt đối 0o Kelvin.
1.1.8.1.TÍNH DẪN CỦA ELECTRONS VÀ LỔ TRỐNG:
HÌNH H1.10
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
6 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG
Khi điện tử hóa trị di chuyển từ trái sang phải lắp đầy lổ trống và tạo ra lổ trống khác, thì lổ trống xem như di
chuyển ngược lại từ phải sang trái. Mủi tên màu xám chỉ hướng chuyển động thực sự của các lổ trống.
HÌNH H1.13
Các vật liệu bán dẫn không dẫn điện tốt và có giới hạn tại trạng thái thuần khiết, do số
lượng rất ít các điện tử tự do trong dãy dẫn và lỗ trống trong dãy hóa trị. Silicon thuần khiết (hay
germanium) phải được cải thiện bằng cách gia tăng lượng điện tử tự do hay lổ trống để gia tăng
tính dẫn tạo thành các linh kiện điện tử hữu ích.
Công việc này được thực hiện bằng cách thêm tạp chất vào vật liệu thuần khiết. Có hai loại
vật liệu bán dẫn không thuần khiết (extrinsic semiconductor) là bán dẫn loại n và bán dẫn loại p.
Tính dẫn của silicon và germanium có thể được gia tăng một cách mạnh mẽ bằng cách kiểm soát
tạp chất thêm vào vật liệu bán dẫn thuần khiết. Phương thức này gọi là phụ gia làm tăng các hạt
tải : điện tử hay lổ trống.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG 7
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
8 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG
1.2.DIODE:
Tiếp giáp pn
1.2.1.ĐỊNH NGHĨA VÀ CẤU TẠO: Bán dẫn p Bán dẫn n
Với cấu tạo của mối nối pn trong hình H1.16, các điện tử tự do trong vùng n di chuyển một
cách ngẫu nhiên theo mọi hướng. Khi đã tạo thành mối nối pn, các điện tử tự do gần mối nối trong
vùng n bắt đầu khuếch tán sang vùng p, tại dây chúng tái hợp với các lỗ trống gần mối nối, xem
hình H.1.17.
a./ Tại lúc hình thành mối nối pn, các điện tử tự
b./ Với mỗi điện tử tự đo khuếch tán sáng mối nối và tái hợp
do trong vùng n bắt đầu khuếch tán sang mối nối với lổ trống, điện tích dương để lại trong vùng n và điện tích
và tái hợp với các lỗ trống năm gần mối nối trong
âm hình thành trong vùng p. Các điện tích này tạo thành
vùng p điện thế rào cản. Tác động này diển tiến tiếp tục cho đến khi
điện thế rào cản ngăn được quá trình khuếch tán
HÌNH H1.17 HÌNH H1.18
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG 9
Khi hình thành mối nối pn, vùng n mất đi điện tử khi khuếch tán sang mối nối. Sự kiện này
sinh ra lớp điện tích dương gần mối nối.
Khi điện tử di chuyển sang mối nối, vùng p sẽ mất đi các lổ trống do sự tái hợp. Sự kiện
này sinh ra lớp điện tích âm gần mối nối.
Hai lớp điện tích dương và âm tạo thành vùng nghèo (depletion region), xem hình H1.17.
Danh từ “nghèo” được sử dụng cho vùnbg gần tiếp giáp pn do sự thiết hụt các hạt tải tùy thuộc
vào quá trình khuếch tán tại mối nối. Cần nhớ rằng, vùng nghèo hình thành rất nhanh và có độ dầy
rất mỏng so với độ dầy của các lớp bán dẫn p và n.
Quá trình khuếch tán chấm dứt khi vùng nghèo tạo thành rào cản ngăn cản các điện tử đi
qua mối nối.
Dãy Dãy
hoá trị hoá trị
Vùng nghèo
a./ Tại lúc hình thành tiếp giáp pn b./ Tại trạng thái cân bằng
HÌNH H1.19
Các dãy hóa trị và dãy dẫn trong vật liệu n có các mức năng lượng hơi thấp hơn so với
mức năng lượng của các dảy hóa trị và dãy dẫn trong vật liệu p. Điều này là do sự khác biệt tính
chất nguyên tử giữa các nguyên tử tạp chất hóa trị 3 và hóa trị 5 tạo nên. Giản đồ phân bố năng
lượng của mối nối pn trình bày trong hình H1.19.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
10 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG
Các điện tử tự do trong chất n choán đầy vùng trên của dãy dẫn tại mức năng lượng đủ để
khuếch tán dễ dàng qua mối nối, các điện tử này không cần tích lủy thêm năng lượng. Sau khi
khuếch tán qua mối nối, các điện tử này thải ra nhanh chóng năng lượng và rơi vào các lỗ trống
trong vùng p trên dãy hóa trị (xem hình H1.19 a).
Khi sự khuếch tán diển tiến tiếp tục bắt đầu tạo thành vùng nghèo, mức năng lượng của
dãy dẫn trong vật liệu n giảm dần. Sự giảm thấp mức năng lượng trong dãy dẫn trong vật liệu n
tùy thuộc năng lượng thải ra của các điện tử tự do khi thực hiện quá trình tái hợp khi chúng
khuếch tán sang vật liệu p. Khi không còn các điện tử tự do rời khởi dãy dẫn trong vùng n sang
mối nối pn mực trên của dãy dẫn vùng n và mực dưới của dãy dẫn vùng p thẳng hàng với nhau.
Tại lúc này mối nối đạt trạng thái cân bằng và vùng nghèo được hình thành. Ngang qua vùng
nghèo có một mức chênh lệch năng lượng tác động một đồi năng lượng ( “energy hill”) ngăn cản
các điện tử tự do từng vùng n leo sang vùng p.
Cần chú ý khi mức năng lượng của dãy dẫn trong vùng n hạ thấp thì mức năng lượng của
dãy hóa trị cũng giảm thấp.
1.2.5.PHÂN CỰC DIODE:
1.2.5.1.PHÂN CỰC THUẬN:
Phân cực diode là cấp điện áp một chiều (DC) ngang
qua hai đầu diode.
Phân cực thuận là sự phân cực tạo điều kiện thuận lợi
cho dòng đi ngang qua mối nối pn. Điện áp phân cực ngoài
được ký hiệu là VBIAS , cần nối tiếp diode với điện trở ngoài để
giới hạn dòng có giá trị quá lớn qua diode, có thể làm hỏng
mối nối pn. HÌNH H1.20
Khi phân cực thuận, cần nhớ:
Đầu () của nguồn áp VBIAS nối đến lớp bán dẫn n của diode .
Đầu (+) của nguồn áp VBIAS nối đến lớp bán dẫn p của diode .
Giá trị của điện áp VBIAS phải lớn hơn giá trị của điện thế rào cản.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG 11
Khi các điện tử qua khỏi vùng p, các điện tử trờ thành các điện tử dẫn trong vật dẫn. Hơn
nữa với vật dẫn điện do dãy hóa trị và dãy dẫn nằm chồng lên nhau nên các điện tử trong vật dẫn
trở thành điện tử tự do dễ dàng hơn so với trường hợp bán dẫn.
ẢNH HƯỞNG CỦA SỰ PHÂN CỰC THUẬN LÊN VÙNG NGHÈO
Khi có nhiều điện tử đi ngang qua vùng nghèo, số lượng ion dương giảm xuống, tương tự
khi có nhiều lỗ trống đi ngang qua vùng nghèo số lượng ion âm giảm xuống. Quá trình giảm thấp
các ion dương và ion âm trong vùng này làm thu hẹp vùng nghèo.
ẢNH HƯỞNG CỦA SỰ PHÂN CỰC THUẬN LÊN ĐIỆN THẾ RÀO CẢN
Theo phân tích trên chính các ion dương và ion âm trong vùng nghèo phân bố hai phía mối
nối pn tạo thành “đồi năng lượng “ ngăn càn các điện tử tự do khuếch tán sang mối nối tại trạng
thái cân bằng. “Đồi năng lượng” này chính là điện thế rào cản.
Khi phân cực thuận, các điện tử tự do được cung cấp đủ năng lượng do nguồn áp phân
cực ngoài vượt qua điện thế rào cản leo qua “đồi năng lượng” đi ngang qua vùng nghèo. Năng
lượng cần cung cấp cho các điện tử bằng với năng lượng của điện thế rào cản. Nói cách khác các
điện tử nhận được năng lượng ngoài bằng với điện thế rào cản và đi qua vùng nghèo.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
12 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG
Một lượng nhỏ của các điện tử tự do trong vùng p được “đẩy” đến mối nối pn do tác dụng
của đầu () của nguồn áp phân cực. Đến vùng nghèo các điện tử thải ra năng lượng và kết hợp
với các hạt tải thiểu trong vùng n như các điện tử hóa trị và đi đến đầu (+) của nguồn áp phân cực
tạo thành dòng lổ trống rất bé.
Vì dảy dẫn trong
vùng p có mức năng
lượng cao hơn dảy dẫn
trong vùng n, do đó các
điện tử là các hạt tải
thiểu dễ dàng đi ngang
qua vùng nghèo vi chúng
không cần thêm tích lủy
thêm năng lượng. Dòng
điện ngược trong diode
khi phân cực ngược
HÌNH H1.24: được trình bày trong
hình H1.24.
PHÁ VỞ PHÂN CỰC NGƯỢC (REVERSE BREAKDOWN)
Dòng điện phân cực nghịch thường có giá trị rất nhỏ và có thể bỏ qua. Mặc dù vậy, khi
điện áp ngoài phân cực ngược được gia tăng đến giá trị được gọi là “điện áp phá vở” (breakdown
voltage), dòng điện ngược gia tăng một cách mãnh liệt.
Với giá trị cao của điện áp phân cực ngược mang đến năng lượng cho các điện tử tải
thiểu, làm tăng tốc cho chúng đi qua vùng p va chạm các nguyên tử với mức năng lượng đủ lớn
làm bật ra các điện tử hóa trị khỏi quỉ đạo trong dảy dẫn. Các điện tử hóa trị bị đánh bật khỏi quỉ
đạo tăng nhanh số lượng, khi các điện tử có mức năng lượng cao qua được vùng nghèo chúng có
đủ năng lượng để đến vùng n như các điện tử dẫnvà không thực hiện quá trình tái hợp với lổ
trống. Quá trình nhân các điện tử dẫn như vừa trình bày được gọi là hiện tượng “avalanche” và
tạo ra dòng điện ngược có giá trị rất lớn có thể phá hủy diode do quá trình nhiệt tiêu tán trong
diode tăng quá mức.
a./ Điện áp phân cực thuận thấp VF < 0,7 V b./ Điện áp phân cực thuận đạt đến và duy trì VF = 0,7 V
dòng điện phân cực thuận rất bé. Dòng điện phân cực tiếp tục gia tăng khi áp phân cực
VBIAS gia tăng.
HÌNH H1.25
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG 13
Đặc tuyến Volt Ampere là đồ thị hay đường biểu diễn mô tả quan hệ điện áp giữa hai đầu
diode với dòng điện qua diode. Thực hiện mạch thí nghiệm theo hình H1.25 để xác định đặc tuyến
Volt Ampere cho diode lúc phân cực thuận, gọi:
VF : điện áp đặt ngang qua hai đầu diode lúc phân cực thuận.
VBIAS : điện áp phân cực cấp vào mạch diode.
IF : dòng điện qua diode lúc phân cực thuận.
Kết quả thí nghiệm ghi nhận như sau:
Khi VF 0 V không có dòng qua diode IF 0 A . Khi gia tăng điện áp ngoài phân cực VBIAS
điện áp VF gia tăng và dòng phân cực thuận IF gia tăng dần.
Khi điện áp VBIAS đến mức để điện áp VF 0,7 V , xấp xỉ bằng điện thế rào cản đặt ngang
qua vùng nghèo của mối nối pn, dòng điện IF gia tăng nhanh.
Khi tiếp thục gia tăng điện áp VBIAS , dòng điện IF càng gia tăng nhưng điện áp ngang qua
hai đầu diode hơi gia tăng trong phạm vi 0,7 V .
IF
IF
VF VF
a./ Đặc tuyến Volt Ampere lúc b./ Mở rộng đặc tuyến trong hình a . Điện trở động r’d giảm
phân cực thuận diode. dần giá trị khi điểm làm việc di chuyển lên phía trên
HÌNH H1.26: Đặc tuyến Volt Ampere phân cực thuận của diode
Khi mở rộng (hay khuếch đại) đặc tuyến Volt Ampere của diode lúc phân cực thuận như
trong hình H1.26 b, điện trở động của diode được định nghĩa như sau:
VF
r 'd (1.2)
IF
Điện trở động lúc phân cực thuận diode không là hằng số và có giá trị thay đổi dọc theo
đặc tuyến. Điện trở động còn được gọi là điện trở AC. Chú ý theo lý thuyết của linh kiện bán dẫn
các điện trở nội bên trong các linh kiện điện tử được ký hiệu bằng các ký tự thường như là r thay
vì dùng ký hiệu R. Giá trị điện trở động bắt đầu giảm trong vùng khuỷu (knee) của đặc tuyến và có
giá trị nhõ hơn trên vùng cao hơn điểm khuỷu.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
14 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG
1.2.6.3.ĐẶC TUYẾN VOLT AMPERE KHI PHÂN CỰC NGHỊCH (REVERSE BIAS):
Khi cấp điện áp ngoài phân cực nghịch ngang qua hai đầu diode, ta chỉ nhận được dòng
điện ngược IR có giá trị rất nhỏ đi ngang qua mối nối pn. Với điện áp ngang qua diode là 0V sẽ
không tạo thành dòng điện ngược IR 0 A .
Gia tăng dần điện áp phân cực nghịch, ta nhận
được dòng điện ngược rất bé và điện áp ngược VR
đặt ngang qua hai đầu diode.
Khi điện áp phân cực nghịch gia tăng đến mức
cao hơn, áp ngược VR đặt trên hai đầu diode đạt đến
mức bằng áp phá vở phân cực nghịch VBR dòng điện
ngược gia tăng rất nhanh.
Nếu tiếp tục gia tăng điện áp phân cực ngược,
dòng điện tiếp tục gia tăng rất nhanh, nhưng áp ngược
trên diode chỉ hơi gia tăng so với giá trị VBR . Trạng thái
phá vở với các trường hợp ngoại lệ không là trạng thái
HÌNH H1.27: Đặc tuyến Volt Ampere làm việc bình thường của hầu hết các mối nối bán dẫn
phân cực nghịch của diode pn.
Đặc tuyến volt Ampere của diode lúc phân cực nghịch trình bày trong hình H1.27
Điện thế rào cản giảm thấp giá trị khi nhiệt độ gia tăng.
Với đặc tuyến phân cực nghịch khi nhiệt độ gia tăng dòng phân cực nghịch IR gia tăng.
Sự khác biệt giữa các đặc tuyến Volt Ampere vẽ tại 25oC và tại nhiệt độ cao hơn trình bày
trong hình H1.28.
Điều quan trọng cần nhớ, dòng phân cực nghịch trước khi xãy ra hiện tượng phá vở phân
cực nghịch (breakdown) có giá trị rất thấp không đáng kể có thể bỏ qua.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG 15
1.2.6.5. PHƯƠNG TRÌNH ĐẶC TUYẾN VOLT AMPERE CỦA DIODE THEO SCHOCKLEY:
Theo lý thuyết Vật Liệu Bán Dẫn, áp dụng hàm xác suất theo Fermi-Dirac để tiên đoán
sự trung hòa điện tích ta có được phương trình tỉnh (không thay đổi theo thời gian) của
dòng điện qua mối nối pn của diode xác định theo William Bradford Schockley:
v.VD
iD Io . e T 1 (1.3)
Trong đó:
kT
VT [V] , với hằng số Boltzmann k = 1,38.10-23 [J/oK] và T [oK] là nhiệt độ tuyệt đối
q
tại mối nối pn của diode .
iD [A] : dòng tức thời qua diode.
vD [V] : điện áp tức thời đặt ngang qua hai đầu diode.
q [C] : điện tích của electron (âm điện tử); q = 1,6.10-19 C.
: hằng số tới hạn ( = 1 cho Ge và = 2 cho Si )
Io [A] : dòng điện bảo hòa tại trạng thái phân cực nghịch.
THÍ DỤ 1.1:
Tại nhiệt độ môi trường 27oC xác định giá trị áp VT trong quan hệ (1.3).
GIẢI
Ta có nhiệt độ tuyệt đối ứng với 27oC xác định theo quan hệ:
T o K 273 o C (1.4)
Nên:
T = 273 + 27 = 300oK
Suy ra:
kT 1,38.10 23.300
VT 258,75.10 4 V
q 1,6.10 19
Như vậy:
VT = 25,875 mV
Với diode loại Si ta suy ra quan hệ sau”
vD vD
19,3237.vD
.VT 2.0,025875
Phương trình đặc tuyến Volt Ampere của diode Si tại nhiệt độ 27oC được viết lại như sau:
iD Io . e19,3237.vD 1 (1.5)
Vì e19,3237.vD 1 ta viết lại dạng gần đúng cho quan hệ (1.5) như sau:
iD Io . e19,3237.vD (1.6)
Tương tự quan hệ (1.3) được viết lại theo dạng gần đúng như sau:
vD
.VT
iD Io .e (1.7)
Từ quan hệ (1.2) định nghĩa cho điện trở động của diode, dựa vào quan hệ (1.7) ta suy ra
biểu thức xác định điện trở động của diode lúc phân cực thuận theo quan hệ sau:
dvD
r 'D (1.8)
diD
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
16 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG
Tại nhiệt độ môi trường 27oC (tương ứng 300oK) quan hệ (1.10) được viết lại như sau:
.0,0258
r 'D (1.11)
iD
Với diode thuôc loại Ge hằng số tới hạn = 1 , điện trở động của diode Ge tại nhiệt độ
27oC được xác định theo quan hệ:
0,026
r 'D Ge (1.12)
iD
Tương tự với diode thuôc loại Si hằng số tới hạn = 2 , điện trở động của diode Si tại nhiệt
độ 27oC được xác định theo quan hệ:
0,052
r 'D Si (1.13)
iD
Trong hình
H1.29 trình bày
hình dạng của
các diode dùng
trong thực tế.
Mục tiêu
chính của diode
dùng thực hiện
mạch chỉnh lưu.
Vùng n của
mối nối pn
được gọi là
cathod, ký hiệu
là K và vùng n
A K được gọi là
anod, ký hiệu là
HÌNH H1.29: Hình dạng của một số mẫu diode thực. A
Mô hình diode lý tưởng được xem tương đương như khóa điện.
Khi diode phân cực thuận, nó tác động như khóa điện đóng kín mạch.
Khi diode phân cực nghịch, nó tác động như khóa điện làm hở mạch.
Điện thế rào cản, điện trở động và dòng điện ngược được bỏ qua không xét đến.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG 17
a./ Phân cực thuận diode b./ Phân cực nghịch diode c./ Đặc tuyến Volt Ampere
của diode lý tưởng
HÌNH H1.30
Trong hình H1.30 trình bày đặc tuyến Volt Ampere của diode lý tưởng. Khi bỏ qua điện
thế rào cản và điện trở động của diode khi phân cực thuận diode điện áp đặt ngang qua 2 đầu
diode là VF 0 V . Dòng điện phân cực thuận được xác định theo định luật Ohm như sau:
VBIAS
IF (1.14)
RLIMIT
Khi bỏ qua dòng điện ngược, IR 0 A , điện áp phân cực ngược bằng giá trị áp VBIAS.
Mô hình diode lý tưởng thường được áp dụng trong trường hợp cần xác định nguyên
tắc hoạt động của mạch điện tử (xác định định tính) và chưa cần quan tâm đến các giá trị
chính xác của áp và dòng trong mạch (chưa cần thiết xác định định lượng một cách chính xác).
Mô hình thực nghiệm của diode chính là mô hình lý tưởng của diode được thêm vào
điện thế rào cản.
Khi diode phân cực thuận, nó tác động như khóa điện đóng kín mạch. Trong trạng
thái này mạch tương đương bao gồm khóa điện nối tiếp với nguồn áp rào cản VF 0,7 V . Điện áp
này duy trì giá trị trong suốt quá trình phân cực thuận
Khi diode phân cực nghịch, nó tác động như khóa điện làm hở mạch. Điện thế rào
cản không ảnh hưởng trạng thái phân cực nghịch.
Điện trở động và dòng điện ngược được bỏ qua không xét đến.
a./ Phân cực thuận diode b./ Phân cực nghịch diode c./ Đặc tuyến Volt Ampere
của diode thực nghiệm
HÌNH H1.31
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
18 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG
Dòng phân cực thuận xác định theo điẹnh luật K2 như sau, xem hình H1.31 a:
Dòng điện ngược qua diode là IR 0 A , điện áp phân cực ngược bằng giá trị áp VBIAS.
a./ Phân cực thuận diode b./ Phân cực nghịch diode c./ Đặc tuyến Volt Ampere
của diode hoàn chỉnh
HÌNH H1.32
Mô hình hoàn chỉnh của diode bào gồm: mô hình của diode lý tưởng thêm vào điện
thế rào cản, điện trở động phân cực thuận có giá trị nhỏ r 'd và điện trở nội phân cực nghịch
r 'R có giá trị lớn.
Khi diode phân cực thuận, nó tác động như khóa điện đóng kín mạch. Trong trạng
thái này mạch tương đương bao gồm khóa điện nối tiếp với nguồn áp rào cản 0,7 V và nối tiếp với
điện trở động r 'd .
Khi diode phân cực nghịch, nó tác động như khóa điện hở mạch, đấu song song với
điện trở nội phân cực nghịch r 'R . Điện thế rào cản không ảnh hưởng trạng thái phân cực nghịch.
Đặc tuyến Volt Ampere của diode hoàn chỉnh trình bày trong hình H1.32c.
Điện áp xuất hiện ngang qua hai đầu diode lúc phân cực thuận xác định theo quan hệ sau:
Dòng qua diode tại trạng thái phân cực thuận xác định theo quan hệ:
VBIAS 0,7 V
IF (1.17)
RLIMIT r 'd
Dòng điện ngược tại trạng thái diode phân cực nghịch :
VBIAS
IR (1.18)
RLIMIT r 'R
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG 19
THÍ DỤ 1.2:
a./ Xác định điện áp và dòng
phân cực thuận qua diode trong
hình H1.33a. Suy ra áp đặt
ngang qua hai đầu điện trở hạn
dòng RLIMIT. Giả sử điện trở
động của diode r 'd 10 tại
dòng phân cực thuận của diode
HÌNH H1.33 cần tìm.
b./ Tìm áp và dòng phân cực ngược của diode trong hình H1.33b theo từng dqạng mẫu của diode.
Suy ra điện áp đặt ngang qua hai đầu điện trở RLIMIT . Giả sử dòng phân cực ngược IR 1 A
GIẢI:
a./ Với mẫu diode lý tưởng:
VF 0 V
VBIAS 10 V
IF 10 mA
RLIMIT 1k
VR
LIMIT
IF RLIMIT 10 mA 1k 10 V
Với mẫu thực nghiệm của diode
VF 0,7 V
VBIAS VR 10 V 0,7 V
IF 9,3mA
RLIMIT 1k
VR
LIMIT
IF RLIMIT 9,3mA 1k 9,3 V
Với mẫu diode hoàn chỉnh
IR 0 A VR VBIAS 5 V VR 0V
LIMIT
IR 0 A VR VBIAS 5 V VR 0V
LIMIT
IR 1A
VR
LIMIT
IR RLIMIT 1A 1k 1mV
VR VBIAS VR 5 V 1mV 4,999 V
LIMIT
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
20 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG
Bộ nguồn DC biến đổi nguồn áp xoay chiều 220 V – 50 Hz của nguồn lưới 1 pha sang
nguồn áp DC có giá trị ổn định. Sơ đồ khối cơ bản của mạch chỉnh lưu và bộ nguồn hoàn chỉnh
trình bày trong hình H1.34.
Chỉnh Lưu
RECTIFIER
Nguồn áp 1 pha 220V - 50Hz Điện áp chỉnh lưu được lọc phẳng Điện áp được ổn áp
SƠ ĐỒ KHỐI CỦA BỘ NGUỒN DC HOÀN CHỈNH: CHỈNH LƯU, LỌC VÀ ỔN ĐỊNH ĐIỆN ÁP
HÌNH H1.34: Sơ đổ khối của mạch chỉnh lưu và bộ nguồn cung cấp có lọc phẳng và ổn định điện áp
Trong sơ đồ khối của bộ nguồn DC hoàn chỉnh, bộ lọc có công dụng khử đi sự nhấp nhô
của điện áp điện áp sau khi chĩnh lưu để nhận được tín hiệu áp ngõ ra tương đối phẳng hơn.
Bộ ổn áp có công dụng duy trì không đổi giá trị áp DC ra khi điện áp nguồn thay đổi hay
khi tải thay đổi giá trị. Bộ ổn áp có thể là linh kiện đơn hay các mạch điện tử tích hợp phức tạp tùy
thuộc vào độ lớn của dòng tải hay phạm vi biến thiên điện áp của nguồn AC cung cấp.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG 21
vout t Vmax .sin t khi 0 t
vout t 0 khi t 2
(1.19)
1 T
VAVG
T 0
v t .dt (1.20)
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
22 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG
Với áp chỉnh lưu trên ngõ ra có dạng (1.19), giá trị trung bình xác định theo quan hệ sau:
1 Vm 0
VAVG V
2 0 m
sin t .d
t cos t
2
Thu gọn, ta có:
Vm Vp
VAVG (1.21)
Gọi VRMS là giá trị hiệu dụng của áp cấp vào mạch chỉnh lưu, quan hệ (1.21) được viết lại
theo dạng sau:
VRMS 2
VAVG 0,45.VRMS
(1.22)
THÍ DỤ 1.3:
Cho mạch chỉnh lưu bán kỳ với điện trở tải RL 24 và áp tức thời ngõ vào là:
v t 12 2.sin 100.t V . Khi xem như diode là lý tưởng, xác định định áp, dòng trung bình
và công suất một chiều PDC trên tải.
GIẢI
Áp hiệu dụng ngõ vào mạch chỉnh lưu là: VRMS 12 V .
Áp trung bình trên tải được xác định theo quan hệ (1.22):
1.4.5.ẢNH HƯỞNG CỦA ĐIỆN THẾ RÀO CẢN LÊN TÍN HIỆU RA CỦA MẠCH CHỈNH LƯU:
Khi áp dụng mô hình thực nghiệm của diode với điện thế rào cản là 0,7 V. Trong suốt
bán kỳ dương của áp ngõ vào diode sẽ phân cực thuận khi vin t 0,7V . Điều này dẫn đến
điện áp đỉnh của áp trên ngõ ra chỉnh lưu sẽ thấp hơn giá trị áp đỉnh của áp ngõ vào là 0,7 V.
Ảnh hưởng của điện thế rào cản trên áp ngõ ra mạch chỉnh lưu được xét đến khi biên độ
của áp ngõ vào mạch chỉnh lưu có giá trị thấp. Trong một số tài liệu khi biên độ của áp ngõ vào
nhỏ hơn 10V ta cần chú ý đến đến ảnh hưởng trên.
Trong trường hợp tín hiệu có biên độ lớn hơn, ảnh hưởng của điện thế rào cản được
bỏ qua, xem như diode chỉnh lưu là lý tưởng.
THÍ DỤ 1.4:
Cho mạch chỉnh lưu bán kỳ với áp ngõ vào có dạng sin tần số 50 Hz, biên độ là 5V, xem
hình H1.37. Xác định áp ngõ ra của mạch chỉnh lưu.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG 23
GIẢI
Khi áp dụng mô hình thực nghiệm của
diode, áp dụng định luật K2 ta có phương trình
cân bằng áp như sau:
vin t VF 0,7V vL t
Trong đó 0,7V là điện thế rào cản và
VF là điện áp đặt ngang qua hai đầu diode, với
HÌNH H1.37 diode là lý tưởng. Tóm lại quan hệ xác định áp
tức thời trên tải có dạng sau:
vL t vin t VF 0,7 V
Khi diode phâncực thuận VF 0 và áp vào tức thời có dạng v t 5.sin 100.t V áp
tức thời trên ngõ ra có dạng:
vL t 5 sin 100.t 0,7 V
Các dạng áp tức thời vin t và vL t được trình bày trong hình H1.38 như sau:
Áp trên ngõ ra
mạch chỉnh lưu
Áp vào mạch
chỉnh lưu
HÌNH H1.38: Áp tức thời ngõ vào và ngõ ra mạch chỉnh lưu khi xét đến ảnh hường của điện thế rào cản.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
24 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG
PIV Vm (1.23)
1.4.7.CHỈNH LƯU BÁN KỲ PHỐI HỢP VỚI BIẾN ÁP CÁCH LY GIẢM ÁP:
Máy biến áp 1 pha với dây quấn
sơ và thứ cấp độc lập còn được gọi là
biến áp cách ly hay biến áp 1 pha hai
dây quấn.
V1 V2 Nguồn áp xoay chiều được cấp
vào sơ cấp của biến áp, áp xoay chiều
trên thứ cấp biến áp được cấp vào
mạch chỉnh lưu, xem hình H1.39.
Khi sử dụng phối hợp biến áp với
HÌNH H1.39 mạch chỉnh lưu, chúng ta có được các
lợi điểm như sau:
Có thể điều chỉnh tăng hay giảm điện áp cấp vào mạch chỉnh lưu.
Nguồn áp xoay chiều được cách ly với mạch chỉnh lưu đảm bảo được các sự cố nguy hiểm
trên phía thứ cấp biến áp.
Các thông số tính toán cho mạch chỉnh lưu trong trường hợp này thực hiện theo các nội dung
trên, tuy nhiên cần chú ý thêm thông số tỉ số biến áp để phối hợp các giá trị tính toán. Với các
mạch chỉnh lưu có công suất thấp, trong các trường hợp tính toán ta giả thiết biến áp 1 pha có
hiệu suất 100 % (biến áp lý tưởng); áp thứ cấp lúc không tải và khi mang tải xem như không thay
đổi giá trị. Với những bài toán thực tế cần phối hợp kiến thức của máy biến áp để hiệu chỉnh các
giá trị tính toán đặc biệt là trong các trường hợp mạch chỉnh lưu có công suất lớn.
THÍ DỤ 1.4:
V1m 156
Biên độ áp ngõ ra thứ cấp: V2m 78 V
Kba 2
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG 25
V2m 78
Điện áp trung bình trên tải: VAVG 24,83 V
VAVG 24,83 V
Dòng trung bình qua tải: IAVG 24,83mA
RL 1K
Công suất DC tiêu thụ trên tải: PDC VAVG IAVG 24,83 0,02483 0,616 W
Mặc dù chỉnh lưu bán kỳ cũng có một số ứng dụng nhưng chỉnh lưu toàn kỳ (chỉnh lưu hai
bán kỳ) thường được sử dụng nhiều hơn trong các bộ nguồn DC. Chỉnh lưu toàn kỳ có hai dạng:
chỉnh lưu dùng hai diode phối hợp máy biến áp có điểm giữa và chỉnh lưu cầu Graetz.
Chỉnh lưu toàn kỳ cho phép dòng điện qua tải chỉ theo duy nhất một hướng trong suốt
chu kỳ của áp ngõ vào hình sin, trong khi đó chỉnh lưu bán kỳ chỉ cho dòng qua tải theo hướng
định trước chỉ trong bán kỳ dương của điện áp ngõ vào chỉnh lưu.
Mạch chỉnh lưu toàn kỳ cho áp ngõ ra có tần số cao hơn 2 lần tần số của áp ngõ vào.
CHỈNH LƯU
TOÀN KỲ
HÌNH H1.41
Với áp xoay chiều vin (t) Vmax sin t V sin cấp vào mạch chỉnh lưu toàn kỳ cho áp tức
thời trên điện trở tải được xác định theo quan hệ sau, xem hình H1.41:
vout (t) Vmax sin t V 0 t với chu kỳ T 2 (1.24)
Áp dụng quan hệ (1.20) giá trị trung bình áp trên ngõ ra chỉnh lưu toàn kỳ là:
1 Vm 0 2V
VAVG V
0 m
sin
t .d t
cos t m
Hay:
2Vm
VAVG (1.25)
Tương tự gọi VRMS là áp hiệu dụng của áp ngõ vào ta viết lại quan hệ (1.25) như sau:
2 2.VRMS
VAVG 0,9.VRMS (1.26)
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
26 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG
Gọi áp tức thời phía thứ cấp biến áp là: v 2 t v ab t V2m .sin t V điện áp tức thời
của các đoạn dây quấn an và nb được xác định như sau:
v2 t V
v an t vnb t 2
2m
2
sin t (1.27)
Suy ra:
V
vbn t vnb t 2m sin t
2 (1.28)
NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG
Tại bán kỳ
dương của áp cấp vào
sơ cấp biến áp , với
a
cực tính của các bộ
n dây sơ và thứ cấp theo
hình H1.43, áp thứ cấp
b
v ab t cũng xãy ra bán
n
kỳ dương . Nói khác
hơn điện thế tại các
điểm a, n và b có giá trị
a./ Trong suốt bán kỳ dương, D1 phân cực thuận và D2 phân cực nghịch.
tương ứng như sau:
vb vn v a . Các điện
thế này lần lượt đặt lên
a
các đầu A và K của các
n diode D1 và D2. Ta rút
ra nhận xét sau:
b v a vn D1 daãn
n vn vb D2 ngöng daãn
Như vậy dòng điện từ a
b./ Trong suốt bán kỳ âm, D1 phân cực nghịch và D2 phân cực thuận. qua D1 đến tải RL và
theo n về thứ cấp.
HÌNH H1.43
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG 27
Điện áp trên tải trong suốt giai đoạn diode D1 dẫn là bán kỳ dương của áp v an t
Tại bán kỳ âm của áp cấp vào sơ cấp biến áp , áp thứ cấp v ab t cũng xãy ra bán kỳ âm.
Nói khác hơn điện thế tại các điểm a, n và b có giá trị tương ứng tại lúc này là: vb vn v a . Ta
rút ra nhận xét sau: v a vn D1 ngöng daãn và vn vb D2 daãn . Như vậy dòng điện từ b qua
D2 đến tải RL và theo n về thứ cấp.
Điện áp trên tải trong suốt giai đoạn diode D2 dẫn là bán kỳ dương của áp vbn t . Chú ý
vì các áp v an t và vbn t đảo pha nhau, nên lúc v an t diễn ra bán kỳ âm thì áp v t đang
bn
vnb t vL t vR t D2
(1.29)
Trong đó vL t là áp tức thời đặt ngang qua hai đầu tải RL.
Tương tự lúc diode D1 ngưng dẫn, ta có phương trình cân bằng áp sau:
vna t vL t vR t D1
(1.30)
Từ các quan hệ (1.29) và (1.30) giá trị điện áp ngược đỉnh tác động lên mỗi diode lúc
ngưng dẫn xác định theo quan hệ sau:
V
PIV PIV 2. 2m V2m (1.31)
D1 D2 2
Quan hệ (1.31) xác định theo mô hình diode lý tưởng. Trong trường hợp xét theo mô
hình thực nghiệm của diode biên độ của áp vL t nhỏ hơn biên độ của các áp vnb t và
vna t một giá trị bằng điện thế rào cản 0,7V; tại lúc này ta có:
V
PIV PIV 2. 2m 0,7 V V2m 0,7 V (1.32)
D1 D2 2
THÍ DỤ 1.5:
Cho mạch chỉnh lưu toàn kỳ dùng 2 diode và biến áp có điểm giữa phía thứ cấp, với điện
áp xoay chiều cấp vào sơ cấp và tỉ số biến áp như trong hình H1.44. Xác định:
a./ Áp và dòng trung bình trên tải, công suất DC tiêu thụ trên tải khi xem các diode là lý tưởng.
b./ Áp ngược đỉnh tác động lên các diode lúc phân cực nghịch.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
28 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG
GIÀI
Biên độ áp sơ cấp: V1m 100 V
Áp hiệu dụng sơ cấp:
V1m 100
V1 50 2 V
2 2
E1 V1
Tỉ số biến áp : Kba 2
E2 V2
HÌNH H1.44
V1 50 2
Áp hiệu dụng thứ cấp biến áp: V2 25 2 35,36 V
Kba 2
V2 . 2 25 2 . 2
Khi xem diode lý tưởng, áp cực đại trên tải là: VL max 25 V
2 2
2.VL max
2 25
Áp trung bình trên tải: VAVG 15,915 V
V 15,916 V
Dòng trung bình qua tải: IAVG AVG 1,59 mA
RL 10 k
Công suất DC tiêu thụ trên tải: PDC VAVG.IAVG 15,915 V 1,59 mA 25,33 mW
Áp ngược đỉnh tác động trên mỗi diode lúc phân cực nghịch:
PIV V2m V2 2 25 2 2 50 V
Nếu áp dụng mô hình thực nghiệm, áp ngược đỉnh xác định theo quan hệ sau:
n c
là: v1 t V1m .sin t V và áp
tức thời ở phía thứ cấp biến áp là:
v 2 t v ab t V2m .sin t V .
b
Tại bán kỳ dương của áp
a./ Trong bán kỳ dương, diode D1 và D2 dẫn, diode D3 và D4 ngưng dẫn thứ cấp , ta có điện thế tại các nút
a và b là: Va Vc Vn Vb suy ra
a diode D1 và D2 phân cực thuận, hay
các diode D1 và D2 dẫn và các
c diodeD3 và D4 ngưng dẫn.
n Dòng điện từ nút a thứ cấp
qua diode D1 đến c qua tải đến n
b qua diode D2 đến nút b quay về thứ
b./ Trong bán kỳ âm, diode D1 và D2 ngưng dẫn, diode D3 và D4 dẫn
cấp, xem hình H1.45. Ta có phương
trình cân bằng lúc này là:
HÌNH H1.45
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG 29
v 2 t v ac vL t vnb VF
D1
vL t VF
D2
(1.33)
Trong đó, vL t là áp tức thời đặt ngang qua hai đầu tải, VF
D1
và VF
D2
là các điện áp đặt
ngang 2 đầu mỗi diode lúc phân cực thuận.
Với mô hình diode lý tưởng, quan hệ (1.33) viết lại là:
vL t v 2 t (1.34)
Tóm lại tại bán kỳ dương của áp thứ cấp , áp trên tải cùng dạng với áp thứ cấp biến áp.
Với mô hình thực nghiệm của diode quan hệ (1.33) viết lại là:
vL t v2 t 2 0,7 V v 2 t 1,4 V (1.35)
Tại bán kỳ âm của áp thứ cấp , ta có điện thế tại các nút a và b là: Va Vc Vn Vb suy ra
diode D1 và D2 phân cực nghịch và các diode D3 và D4 dẫn.
Dòng điện từ nút b thứ cấp qua diode D4 đến c qua tải đến n qua diode D3 đến nút a quay
về thứ cấp, xem hình H1.45. Tại lúc này dòng qua tải không đổi hướng khi so với trường hợp
đã phân tích ở trên.
v 2 t vbc vL t vna VF D4
vL t VF
D3
(1.36)
Trong đó, vL t là áp tức thời đặt ngang qua hai đầu tải, VF
D3
và VF
D4
là các điện áp đặt
ngang 2 đầu mỗi diode lúc phân cực thuận.
Với mô hình diode lý tưởng, quan hệ (1.36) viết lại là:
vL t v 2 t (1.37)
Tóm lại tại bán kỳ dương của áp thứ cấp , áp trên tải cùng dạng với áp thứ cấp biến áp.
Với mô hình thực nghiệm của diode quan hệ (1.36) viết lại là:
vL t v2 t 2 0,7 V v 2 t 1,4 V (1.38)
Với các quan hệ (1.37) và (1.38) cho thấy khi tại bán kỳ âm điện áp trên tải vẫn có giá trị
dương, nói khác hơn dạng áp trên tải luôn mang giá trị dương khi áp v 2 t diễn ra bán kỳ
dương lẫn bán kỳ âm.
ÁP NGƯỢC ĐỈNH TÁC DỤNG LÊN MỖI DIODE LÚC DIODE NGƯNG DẪN:
Tại bán kỳ dương của áp thứ cấp , ta có điện thế tại các nút a và b là: Va Vc Vn Vb .
Lúc các diodeD3 và D4 ngưng dẫn ta có phương trình cân bằng áp như sau:
v an VR
D3
VF
D1
vL t (1.39)
Và:
vCB VR
D4
VF
D2
vL t (1.40)
Với mô hình diode lý tưởng điện áp trên các diode khi phân cực thuận có giá trị là 0V, từ
các quan hệ (1.39) và (1. 40) suy ra áp ngược đặt lên các diode đang phân cực nghịch là:
VR
D3
VR
D4
vL t max
v2 t
max
V2m (1.41)
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
30 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG
Với mô hình thực nghiệm của diode điện áp trên các diode khi phân cực thuận có giá trị là
0,7V ; áp ngược đặt lên các diode đang phân cực nghịch là:
VR
D3
VR
D4
vL t max
0,7V (1.42)
PIV VR
D3
VR
D4
v2 t max
1,4 0,7 V2m 0,7V (1.43)
Tương tự tại bán kỳ âm của áp thứ cấp, điện thế tại các nút a và b là: Va Vc Vn Vb .
Lúc các diode D1 và D2 phân cực nghịch ta có các phương trình cân bằng áp như sau:
vca VR
D1
VF
D3
vL t (1.44)
Và:
vbn VR
D2
VF
D4
vL t (1.45)
Với mô hình diode lý tưởng điện áp trên các diode khi phân cực thuận có giá trị là 0V, từ
các quan hệ (1.44) và (1. 45) suy ra áp ngược đặt lên các diode đang phân cực nghịch là:
VR
D3
VR
D4
vL t max
v2 t max
V2m (1.46)
Với mô hình thực nghiệm của diode điện áp trên các diode khi phân cực thuận có giá trị là
0,7V ; áp ngược đặt lên các diode đang phân cực nghịch là:
VR
D3
VR
D4
vL t max
0,7V (1.47)
PIV VR
D3
VR
D4
v2 t max
1,4 0,7 V2m 0,7V (1.48)
THÍ DỤ 1.6:
Cho mạch chỉnh lưu toàn kỳ
dùng mạch cầu với mô hình
diode lý tưởng; biết áp hiệu dụng
thứ cấp biến áp là V2 12 V .
V2 Xác định :
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG 31
Áp ngược đỉnh tác động trên mỗi diode lý tưởng lúc phân cực nghịch :
Dạng tín hiệu áp tức thời tại thứ cấp biến áp và trên tải trình bày trong hình H1.47.
VAVG
Áp trên tải
vL t
Áp tức thời
v2 t tại thứ
cấp biến áp
HÌNH H1.47: Áp tức thời trên tải và tại thứ cấp biến áp khi áp dụng mô hình thực nghiệm của diode.
Với bộ nguồn DC lý tưởng, yêu cầu khử độ nhấp nhô trên áp ngõ ra từ các mạch chỉnh
lưu bán kỳ hay toàn kỳ được quan tâm đến để đạt được áp DC trên ngõ ra của bộ nguồn có
dạng hoàn toàn phẳng. Trong trường hợp này chúng ta cần dùng các mạch lọc, vì các mạch điện
tử cần được cung cấp áp và dòng DC phẳng ổn định để cung cấp công suất và phân cực cho các
linh kiện điện tử khác hoạt động theo yêu cầu riêng.
Mạch lọc đơn giản chỉ bao gồm tụ điện. Trong trường hợp muốn ổn định một cách tuyệt
đối áp DC trên ngõ ra , cần sử dụng thêm mạch tích hợp (IC) ổn định điện áp . Sơ đồ khối tổng
quát của bộ nguồn đã trình bày trong hình H1.34.
chỉnh lưu, diode phân cực thuận cho phép tụ lọc nạp điện trong phạm vi 0,7V vin t Vin max .
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
32 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG
đến giá trị đỉnh vin t Vm áp
trên tụ là vC t Vm 0,7V (khi
a./ Khi diode phân cực thuận, tụ bắt đầu nạp điện tích và tăng dần điện áp áp dụng mô hình thực nghiệm
của diode). Cần chú ý trong
khoảng thời gian này, áp tức
thời trên tải và áp tức thời trên
tụ hoàn toàn giống nhau.
Sau khi đạt đến mức đỉnh
áp vào bắt đầu giảm thấp giá trị
(ở nửa giai đoạn còn lại trong
bán kỳ dương). Bây giờ áp trên
b./ Khi áp vào đạt đến giá trị cực đại, diode bị phân cực nghịch ngưng dẫn. tụ C cao hơn áp vào, diode bị
Tụ phóng điện qua điện trở tải RL phân cực ngược; tụ ngừng nạp
điện. Vì tụ đấu song song với
điện trở tải, điện tích đang tích
trên các cực dương của tụ sẽ đi
qua tải để đến cực âm của tụ để
trung hòa các điện tích ở cực âm;
quá trình này được gọi là quá
trình phóng điện của tụ. Thời
c./ Khi giá trị tức thời áp vào cao hơn áp VC, diode phân cực thuận trở lại.
Tụ nạp điện trở lại
gian phóng điện nhanh hay chậm
phụ thuộc vào giá trị điện dung C
HÌNH H1.48 và trị số điện trở tải RL.
Tại bán kỳ âm của áp vào, nếu tụ chưa xả hết điện tích trên các bản cực, áp trên tụ lớn
hơn áp vào nên diode vẫn tiếp tục phân cực nghịch. Tụ tiếp tục duy trì quá trình phóng điện.
Khi áp vào bắt đầu bán kỳ dương kế tiếp diode tiếp tục phân cực nghịch ; khi áp vào
tức thời lớn hơn áp tức thời trên tụ C 0,7V tụ chấm dứt quá trình phóng điện và diode bắt đầu
phân cực thuận. Quá trình nạp điện tích cho tụ tiếp diển.
1.6.2. ÁP TỨC THỜI TRÊN TẢI KHI CHỈNH LƯU TOÀN KỲ CÓ MẠCH LỌC TỤ :
Tại bán kỳ dương của áp vào v1 t giả sử tụ
chưa nạp điện tích ban đầu, các diode D1 và D2
dẫn cấp dòng nạp điện tích cho tụ và đồng thời cấp
dòng qua tải R1. Trong khoảng thời gian này áp
trên hai đầu tải cũng là áp trên hai đầu tụ C1 ; điện
áp này có dạng giống như điện áp v1 t (khi xem
các diode D1 và D3 là lý tưởng). Nếu áp dụng mô
hình thực nghiệm của diode , áp trên tải và tụ có
HÌNH H1.49
dạng giống như áp v 1 t 1,4V .
Xem hình H1.50, đoạn từ gốc tọa độ đến a.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG 33
c
vC t
a
b
v1 t
HÌNH H1.50
Tại vị trí a, áp vào v1 t đạt cực đại và đang trên đà giảm biên độ , lúc đó áp ngang qua hai
đầu tụ và tải đạt đến giá trị V1m 1,4V . Trong đó V1m là biên độ áp v1 t . Bây giờ các diode D1
và D2 phân cực ngịch. Tụ C1 bắt đầu phóng điện sang tải trở R1, điện áp trên hai đầu tải bây giờ
được xác định theo quan hệ (1.51) sau đây. Tại lúc tụ bắt đầu phóng điện, xét mắt lươi chứa tụ và
điện trở tải ta có quan hệ:
vC t R1.ip t (1.49)
Với dòng phóng điện ip t xác định theo quan hệ như sau:
dvC t
ip t C1
dt
(1.50)
Suy ra:
dvC t
vC t R1C1.
dt
(1.51)
vC K.e R1C1
(1.52)
Tại lúc tụ bắt đầu phóng điện, đặt thời điểm ban đầu ứng với t = 0 áp đang có trên tụ là
V1m 1,4V , ta suy ra hằng số K có giá trị như sau:
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
34 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG
Từ (1.52) và (1.53), suy ra áp tức thời trong khoảng thời gian tụ phóng điện, giai đoạn từ a
đến b là:
t
vC t (V1m 1,4).e
R1C1
(1.54)
Tại b, điện áp v1 t ở bán kỳ âm nhưng vì diode D3 và D4 ở trạng thái phân cực thuận
và bắt đầu dẫn cấp áp đến tải và tụ C1. Tụ lọc bắt đầu nạp điện tích trở lại dạng điện áp trên tải
có dạng của điện áp nguồn v 1 t 1,4V . Giai đoạn này xãy ra trong khoảng từ b đến c.
Tại c các diode D2 và D3 bị phân cực nghịch và tụ C phóng điện qua tụ như quá trình đã
diển ra trong khoảng thời gian từ a đến b. Quá trình tiếp tục diển tiến có tính chất tuần hoàn qua
các giai đoạn như vừa trình bày.
Vrpp
VP VAVG
Theo toán học với áp trên tải là vL t có tính tuần hoàn. Ta có thể khai triển áp vL t theo
Fourier. Lúc đó vL t được xem như tổng hợp từ nhiều áp hình sin thành phần khác tần số và
biên độ. Tần số của tín hiệu sin thành phần bằng tần số với áp vL t gọi là tần số cơ bản và các
tín hiệu sin thành phần khác có tần số cao hơn được gọi là sóng bậc cao.
Theo phương pháp này hệ số nhấp nhô được gọi xác định theo quan hệ sau
Giaù trò hieäu duïng cuûa caùc thaønh phaàn xoay chieàu
r (1.55)
VAVG
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG 35
Mạch lọc có chất lượng càng cao, áp trên ngõ ra ra càng phẳng . Giá trị của hệ số
nhấp nhô phụ thuộc vào giá trị điện trở tải RL và điện dung C của tụ lọc. Tương ứng với mỗi
giá trị điện trở tải và độ nhấp nhô định trước, ta có một giá trị điện dung C tương ứng.
Nói khác đi, với trị số điện dung của tụ lọc chọn trước, khi tải thay đổi giá trị hệ số
nhấp nhô thay đổi theo giá trị điện trở tải. Có nhiều tài liệu trình bày các phương pháp xác định
điện dung tụ lọc theo hệ số nhấp nhô chọn trước, ta khảo sát một phương pháp đơn giản như sau.
vL t vC t Vin max .e
RL .C
Vrpp
VP Vin max
VL min
Trong đó, UDCVrpp : khoảng chênh lệch áp trên tải giữa mức cao nhất đến thấp nhất.
Quá trình tính toán được trình bày như sau:
Điện tích Qnạp trên tụ trong các quá trình diode chỉnh lưu dẫn.
Lượng điện tích Qphóng được xả trong quá trình các diode ngưng dẫn.
Áp dụng định luật bảo toàn điện tích, điện lượng nạp và phóng bằng nhau; suy ra:
Gọi VP Vin max là giá trị đỉnh của áp chỉnh lưu cũng chính là mức áp tối đa đạt được trong
quá trình nạp điện tích, gọi tdis là khoảng thời gian tụ xả điện tích qua tải, giá trị áp trên tụ đạt được
ở cuối quá trình xả điện tích là VL min . Khi hệ số nhấp nhô r có giá trị càng thấp, áp nhấp nhô Vrpp
tiến tới 0, thời gian tdis tiến tới giá trị T (khoảng thời gian của chu trình nạp và phóng điện của tụ),
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
36 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG
VL min tiến tới giá trị Vin max . Khi điện áp trên tải được lọc phẳng, với hệ số nhấp nhô trên tải thấp
hơn 10% và Tnạp<< Tphóng ta có tdis T . Quan hệ (1.58) được viết lại như sau:
Khi tín hiệu lọc phẳng, dòng Iph là dòng phóng điện của tụ qua tải cũng chính là dòng trung
bình qua tải, do đó:
VAVG
Iph (1.60)
RL
Từ các quan hệ (1.59) và (1.60) ta suy ra:
Vrpp T
(1.61)
VAVG RL .C
Muốn xác định một cách đơn giản giá trị hiệu dụng của các thành phần xoay chiều chứa
trong khai triển Fourier của áp vL t chúng ta xem gần đúng vL t có dạng áp răng cưa . Dời
trục tọa độ sao cho trục hoành trùng với mức áp trung bình VAVG . Giá trị hiệu dụng của thành phần
xoay chiều vL t là giá trị hiệu dụng của áp hiện có sau khi thực hiện phép dời trục. Trong hình
Vrpp
vLAC t
2
Vrpp t
Vrpp
2 T1
T
HÌNH H1.54: Áp vL t sau khi dời đến hệ trục mới với trục hoành trùng với mức áp V AVG
.
Áp tức thời vLAC t trong hình H1.54 được xác định như sau:
V T
vLAC t rpp . t 1
T 2
(0 t T1)
1
(1.62)
Vrpp V
vLAC t
TT
t T1 rpp
2
(T1 t T)
1
1
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG 37
Hay:
1
V
2
J J2 (1.63)
LAC
T 1
Trong đó:
2 2
1 V T1 T
J1 rpp t 1 .dt (1.64)
T T1 0
2
Và:
V
2 2
rpp
1 t T
T
J2 T1 2 T T1 .dt
(1.65)
T 1
Thực hiện các phép tính và thu gọn ta có kết quả sau:
2
1T T T1 Vrpp
V V
2 2 2
1 . Vrpp
LAC
T 12 rpp
12 12
Suy ra:
Vrpp
VLAC (1.66)
2 3
Tóm lại:
VLAC 1 Vrpp
(1.67)
VAVG 2 3 VAVG
Hệ số nhấp nhô được xác định theo quan hệ sau khi thế (1.61) vào (1.67):
VLAC 1 T
r (1.68)
VAVG 2 3 RL .C
Gọi f là tần số nguồn áp cấp vào chỉnh lưu, đối với chỉnh lưu toàn kỳ thời gian T trong
quan hệ (1.68) chỉ bằng nửa chu kỳ của nguồn áp sin cấp vào mạch chỉnh lưu. Trong trường
hợp chỉnh lưu bán kỳ thời gian T trong quan hệ (1.68) bằng chu kỳ của nguồn áp sin cấp vào
mạch chỉnh lưu. Từ đó ta suy ra các quan hệ sau:
1
Chỉnh lưu toàn kỳ r (1.69)
4 3.f.RL .C
VLAC 1
Chỉnh lưu bán kỳ r (1.70)
VAVG 2 3.f.RL .C
Áp DC trên tải được xác định theo quan hệ sau:
Vrpp
VAVG Vin max (1.71)
2
Thay thế (1.61) vào (1.71) ta có quan hệ sau:
1 T.VAVG
VAVG Vin max (1.72)
2 RL .C
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
38 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG
Suy ra:
T
VAVG. 1 Vin max (1.73)
2.R .C
L
Hay:
VAVG. 1 r 3 Vin max
Tóm lại:
Vin max
VAVG
(1.74)
1 r 3
THÍ DỤ 1.7:
Cho mạch chỉnh lưu toàn kỳ
V1 110 V / 50Hz V2 như trong hình H1.55, tải RL 20 .
Muốn áp trên tải đạt hệ số nhấp nhô
yêu cầu ryc 3,5% tính điện dung C
của tụ lọc. Suy ra các thông số dòng áp
HÌNH H1.55
DC trên tải
GIẢI
Đầu tiên xác định các số liệu cho trong thí dụ:
Chọn giá trị điện dung C phù hợp giá trị thực tế. Ta chọn C 4700 F .
Tính lại hệ số nhấp nhô với giá trị điện dung của tụ lọc vừa chọn.
1
r 0,0307
4 3.50.20.4700.106
Điện áp DC trên tải:
1.7.DIODE ZENER:
1.7.1.TỔNG QUAN:
Áp dụng chính của diode Zener dùng ổn định điện áp để tạo thành nguồn
áp tham chiếu ổn định dùng trong bộ nguồn, volt kế hay các thiết bị đo lường.
Diode Zener có khả năng duy trì được điện áp DC gần như không đổi trong các
điều kiện hoạt động riêng. Tuy nhiên việc áp dụng diode zener có giới hạn và cần
thỏa các điều kiện riêng. Ký hiệu của diode Zener trình bày trong hình H1.56. HÌNH H1.56
Diode Zener là linh kiện bán dẫn loại Silicon có mối nối pn được thiết kế để hoạt động vùng
phân cực nghịch. Điện thế phá vở phân cực nghịch của diode Zener được chỉnh một cách cẩn
thận bằng cách kiểm soát mức độ của các hạt tải trong quá trình sản xuất.
Như đã biết, trên đặc tuyến phân cực nghịch của diode khi gần đạt đến mức phá vở phân
cực nghịch, điện áp trên diode được duy trì hầu như không đổi ngay khi dòng điện phân cực
nghịch thay đổi một cách đột ngột. Trong hình H1.57 trình bày các vùng hoạt động bình thường
(được tô màu xám) của các loại diode chỉnh lưu và diode Zener. Diode Zener khi được phân cực
thuận hoạt động như diode chỉnh lưu thông thường.
Vùng phân
cực thuận
a./ Các vùng hoạt động bình thường của diode chỉnh lưu b./ Vùng hoạt động bình thường của diode Zener
HÌNH H1.57: Đặc tuyến Volt Ampere tổng quát của diode thường và diode Zener.
Có hai loại phá vở phân cực nghịch trong diode Zener là: hiện tượng thác và zener.
Quá trình thác (avalanche breakdown) đã được trình bày trong mục 1.2.5.2 xãy ra trong
các loại diode chỉnh lưu cũng như diode zener khi cấp áp ngoài phân cực nghịch có giá trị đủ lớn.
Hiện tương phá hủy phân cực nghịch Zener xãy ra trong diode Zener lúc phân cực nghịch
với điện áp phân cực nghịch có giá trị thấp. Diode Zener được chế tạo với mức áp phá vở trạng
thái phân cực nghịch có giá trị thấp, vùng nghèo trong diode zener rất hẹp chỉ là một lớp mỏng.
Giá trị điện áp phá vở phân cực nghịch ở mức thấp gọi là điện áp Zener, ký hiệu là VZ .
Tóm lại với các diode Zener có mức áp phá vở phân cực nghịch từ 5V trở xuống, điện áp này
được gọi là VZ áp Zener; với các diode Zener có điện áp phá vở phân cực nghịch cao hơn 5V (có
thể lên đến 200V) được gọi là áp phá vở pphân cực nghịch VBR .
Sai số của các áp: VZ và VBR từ 1% đến 2 %.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
40 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG
ĐẶC TUYẾN VOLT AMPERE PHÂN CỰC NGHỊCH CỦA DIODE ZENER:
Gía trị nhỏ nhất của dòng điện phân cực ngược là IZK phải được duy trì để diode Zener
hoạt động như bộ ổn áp. Khi dòng qua diode Zener có giá trị thấp hơn mức IZK tính ổn áp của
Zener sẽ biến mất. Gía trị lớn nhất của dòng điện phân cực ngược là IZM cũng cần được duy trì, khi
dòng qua diode Zener có giá trị cao hơn mức IZM diode bị hỏng do công suất tiêu tán nhiệt trên
diode quá lớn. Một cách cơ bản, diode Zener có khả năng duy trì điện áp đặt ngang qua hai đầu
diode hầu như không đổi khi dòng điện ngược thay đổi trong phạm vi từ IZK đến IZM . Trong các tài
liệu trình bày đặc tính kỹ thuật của diode Zener cho bởi các nhà sản xuất, áp định mức của diode
Zener VZT được cho theo dòng điện phân cực nghịch thử nghiệm IZT . Giá trị của dòng IZT thường
là trung điểm của phạm vi dòng điện từ IZK đến IZM .
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG 41
VZ
ZZ (1.75)
IZ
Thông thường giá trị ZZ được xác
định tại điểm có giá trị dòng zener bằng
dòng thử nghiệm IZT và gọi là ZZT : tổng trở
nội thử nghiệm. Trong hầu hết các trường
hợp giá trị ZZT là hằng số trong dảy giá trị
làm việc của dòng điện zener và có thể
xem ZZT là điện trở thuần.
HÌNH H1.60
THÍ DỤ 1.8:
Cho diode Zener 1N4736 có ZZT 3,5 . Các số liệu cho trong tài liệu kỹ thuật là:
VZT 6,8 V ; IZT 37 mA và dòng IZK 1mA . Xác định điện áp ngang qua hai đầu diode Zener khi
có dòng qua diode lần lượt là: 25 mA và 50 mA
GIẢI
VZT 6,8 V
Thông số kỹ thuật của diode
cho trong tài liệu kỹ thuật gồm:
VZ IZK 1mA VZT 6,8 V ; IZT 37 mA ; ZZT 3,5 .
Tương tự khi dòng qua diode zener là IZ 25 mA , áp ngang qua hai đầudiode Zener là:
VZ VZT ZZ . IZ IZT 6,8 3,5 0,025 0,037 6,76 V
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
42 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG
Hệ số nhiệt của diode Zener được định nghĩa là phần trăm thay đổi điện áp zener khi
nhiệt độ môi trường thay đổi 1oC. Hệ số nhiệt được ký hiệu là TC . Gọi VZ là độ thay đổi áp
zener khi khoảng nhiệt độ môi trường thay đổi là T và VZ là áp zener định mức (thường được
xác định tại nhiệt độ 25oC). Ta có quan hệ sau:
VZ VZ TC T (1.76)
%
Đơn vị của các đại lượng trong quan hệ (1.75) là: VZ VZ V ; TC và
oC
T o C . Hệ số nhiệt TC có thể có giá trị dương hoặc âm. Với hệ số nhiệt dương, khi
nhiệt độ gia tăng áp zener tăng; ngược lại với hệ số nhiệt âm khi nhiệt độ gia tăng áp zener giảm.
mV
Trong một số các tài liệu kỹ thuật , đơn vị của hệ số nhiệt được tính theo , trong
o
C
trường hợp này quan hệ (1.75) được viết lại như sau:
VZ TC T (1.77)
THÍ DỤ 1.9:
Cho diode Zener có áp zener là VZ 8,2 V tại nhiệt độ môi trường là 25oC, biết hệ số nhiệt
Công suất tiêu tán cực đại là công suất tiêu thụ tối đa cho phép khi diode zener hoạt
động. Gọi PD max là công suất tiêu tán tối đa cho phép và PD là công suất tiêu tán trên diode zener
tại điểm làm việc bất kỳ. Ta có quan hệ sau:
PD VZ IZ (1.78)
Giá trị PD max của mỗi diode zener được xác định bởi nhà sản xuất tại nhiệt độ chuẩn
định trước (giả sử tại 50oC). Khi nhiệt độ môi trường thay đổi , giá trị PD max cho phép giảm
xuống khi nhiệt độ gia tăng. Gọi KDP là hệ số giảm công suất tiêu tán (Derating Power
mV
Coefficient) cực đại; đơn vị của hệ số này là KDP . Ta có quan hệ sau:
oC
PD PD KDP T (1.79)
T
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG 43
THÍ DỤ 1.10:
Cho diode Zener có PD max 400 mW tại 50oC, biết hệ số KDP 3,2 mV o . Tìm công
C
suất tiêu tán cực đại cho phép tại nhiệt độ 90oC .
GIẢI
Áp dụng quan hệ (1.79) ta có:
PD
90o C
PD
50o C
KDP T 400 3,2 90 50 272 mW
Dòng I giảm zener) đến IZM (dòng cực đại qua diode zener).
Z
Điện trở R nối trên ngõ vào, được gọi là
điện trở giới hạn. Để mô tả rõ ràng hơn tính điều
hòa điện áp của diode zener chúng ta khảo sát
thí dụ 1.11 sau đây :
THÍ DỤ 1.10:
b./ Khi áp vào giảm, áp ra không đổi ( IZK < IZ < IZM )
Cho diode zener có mã số 1N4740, xem
hình H1.62 có thể điều hòa áp khi dòng qua
HÌNH H1.61
zener thay đổi trong phạm vi từ : IZK 0,25 mA
đến IZM 100 mA . Từ tài liệu của nhà sản xuất
ta có các thông số khác là : PD max 1W và VZ 10 V
GIẢI
Đầu tiên cẩn chú ý số liệu sau:
PD max 1W
IZM 0,1A 100 mA
HÌNH H1.62 VZ 10 V
Tương ứng với dòng nhỏ nhất qua diode zener, điện áp đặt ngang qua hai đầu điện trở
giới hạn R 200 là :
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
44 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG
Tương ứng với dòng lớn nhất qua diode zener, điện áp đặt ngang qua hai đầu điện trở giới
hạn R 200 là :
THÍ DỤ 1.11:
Cho mạch điều hòa điện áp dùng
diode zener có mã số 1N4733, xem hình
H1.63. Từ tài liệu kỹ thuật ta có các thông số:
VZ 5,1V ; IZT 49 mA ; IZK 1 mA ;
PD max 1W và ZZ 7 . Xác định giá trị
min và max của áp ngõ vào Vin để diode
HÌNH H1.63
zener điều hòa điện áp trên ngõ ra.
GIẢI
VOUT min VZ ZZ IZK IZT 5,1 7 0,001 0,049 4,764 V
VOUT max VZ ZZ IZM IZT 5,1 7 0,196 0,049 6,129 V
Áp VIN trên ngõ vào lúc dòng qua mạch là IZK :
VINmin R.IZK VOUT min 100 0,001 4,764 4,964 V
Áp VIN trên ngõ vào lúc dòng qua mạch là IZM :
VINmax R.IZM VOUT max 100 0,196 6,129 25,729 V
Tóm lại điện áp ngõ vào cho phép thay đổi trong phạm vi: 4,96 V đến 25,73V để điều hòa
áp ngọ ra trong phạm vi : 4,76 V đến 6,13 V.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG 45
1.7.4.2.DÙNG DIODE ZENER ĐIỀU HÒA ÁP NGÕ RA KHI TẢI THAY ĐỔI:
Khi điện trở tải RL , tải hở mạch, dòng qua tải bằng 0, tất cả dòng điện đều qua diode
zsener; ta nói mạch điều hòa điện áp đang hoạt động tại trạng thái không tải.
Khi điện trở RL được đấu song song với diode zener, trên các nhánh của zener và RL có
các dòng điện đi qua. Dòng điện tổng qua điện trở giới hạn R cần có giá trị không đổi để diện áp
trên hai đầu diode zener được ổn định.
Khi giá trị RL giảm, dòng qua tải IL tăng và dòng qua IZ giảm, diode zener tiếp tục điều hòa
áp cho đến khi dòng IZ đạt đến giá trị thấp nhất là IZK . Tại lúc này dòng qua tải đạt giá trị lớn nhất
và xác định điều kiện đầy tải. Sự kiện này được mô tả cụ thể bằng số trong thí dụ 1.12.
THÍ DỤ 1.12:
GIẢI
Khi dòng qua tải IL 0 A ; dòng qua diode zener đạt giá trị tối đa là IZ(max) :
Vin VZ 24 12
IZ(max) 0,02553 A 25,53mA
R 470
Vì giá trị tối đa của dòng qua diode zener là IZ(max) IZM , nên giá trị RL là giá trị
cực đại của điện trở tải và dòng IL 0 A là giá trị cực tiểu cho phép qua tải.
Giá trị tối đa của dòng qua tải xãy ra khi dòng qua diode zener đạt giá trị thấp nhất là
IZK 1 mA ; ta có:
IL(max) IT IZK IZ(max) IZK 25,53 1 24,53 mA
Dòng IT là dòng tổng qua điện trở giới hạn R 470 , giá trị này bằng giá trị dòng cực
đại qua diode zener lúc không tải.
VZ 12 V
Giá trị cực tiểu của điện trở tải: RL(max) 0,48919 k 489,2
IL(min) 24,53mA
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
46 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG
THÍ DỤ 1.13:
GIẢI
a./ Áp VOUT với dòng điện cực tiểu qua diode, ta có:
VOUT VZ VZK ZZ IZ 15 14 0,00025 0,017 14,7655 V
Dòng cực đại cho phép qua diode zener:
PD(max) 1
IZM 0,06667 A 66,67 mA
VZT 15
VOUT VZ VZK ZZ IZ 15 14 0,06667 0,017 15,695 V
b./ Tính toán giá trị điện trở giới hạn theo dòng điện cực đại qua diode zener lúc không tải. Ta có:
Khi điện trở giới hạn R là điện trở than; chọn điện trở có giá trị tiêu chuẩn gần giá trị tính
toán là: 130 .
Dòng qua điện trở giới hạn R khi dòng qua diode zener có giá trị cực tiểu:
Giá trị điện trở tải tối thiểu cho phép để áp ngõ ra được ổn định:
VOUT min 14,76
RL min 208,62 209
IL 0,07075
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG 47
Diode zener có thể dùng trong các mạch xoay chiều để giới hạn điện áp tại các mức giời
hạn cho trước. Chúng ta có ba phương pháp giới hạn áp dùng diode zener.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
48 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG 49
Điện áp phân cực thuận cho LED lớn hơn so với diode Silicon. Điện áp phân cực thuận
tối đa của LED trong phạm vi: VF max 1,2V 3,2V , tùy thuộc vào loại LED.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
50 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG 51
H1.82: Đặc tuyến Volt Ampere tại trạng thái phân cực thuận của LED hồng ngoại MLED81.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
52 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG
H1.83: Các đặc tính: bước sóng ánh sáng và đường phối quang của LED hồng ngoại MLED81.
H1.84: Đặc tính cường độ sáng theo dòng phân cực thuận của LED hồng ngoại MLED81.
Thông qua các đặc tính cho bởi nhà sản xuất, chúng ta rút ra được các thông số sau:
Áp phân cực nghịch tối đa là 5V.
Dòng phân cực thuận tối đa liên tục qua diode là IF = 100mA.
Áp phân cực thuận đặt ngang qua hai đầu diode là 1,5 V (ứng với dòng IF = 100mA).
Cường độ sáng tối đa tại bước sóng 940 nm.
Ánh sáng hồng ngoại phát ra từ LED có tính đối xứng và mở rộng trong vùng không gian
600 (xem hình H1.83).
Led thường được dùng làm đèn báo (indicator lamps) và hiển thị các số liệu trong hầu
hết các thiết bị, từ các thiết bị dân dụng cho đến các thiết bị dùng trong lãnh vực khoa học, kỹ
thuật. Một dạng LED hiển thị số liệu thông dụng là LED 7 đoạn. Linh kiện này tổ hợp 7 LED để
hiển thị giá trị thập phân từ 0 đến 9, xem hình H1.85.
Muốn hiển thị số liệu dạng thập phân có nhiều chữ số, chúng ta có thể phối hợp nhiều
LED 7 đoạn với nhau. Thông thường các LED 7 đoạn được chế tạo theo 2 dạng anod chung hay
cathod chung, xem sơ đồ của các loại LED này trong hình H1.86.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG 53
H1.85: Hình dạng các loại LED 7 đoạn. Phương pháp phối hợp nhiều LED 7 đoạn hiển thị giá trị thập phân.
H1.86: Sơ đồ nguyên lý các loại LED 7 đoạn aond chung và cathod chung.
1.8.3.2.LED CÓ CƯỜNG ĐỘ SÁNG LỚN (HIGH INTENSITY) – LED CỰC SÁNG (ULTRA BRIGHT):
Ngày nay, các LED được chế tạo để phát ánh sáng có nhiều màu sắc khác nhau và
cường độ sáng khác nhau. Các LED (HIGH INTENSITY) có cường độ sáng lớn hơn nhiều lần so
với LED tiêu chuẩn và được áp dụng trong nhiều lãnh vực khác nhau: đèn giao thông, chiếu
sáng màn hình VIDEO kích thước lớn, dùng trong công nghệ ô tô thay thế các đèn đốt tim.
Trong tương lai, các loại LED (ULTRA BRIGHT) sẽ được áp thay thế cho các loại đèn thắp
sáng nhằm mục tiêu tiết kiệm điện năng.
H1.87: Một số các LED cực sáng tạo thành đèn thắp sáng
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
54 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG
H1.88: Đèn LED cực sáng tạo thành đèn thắp sáng 10W
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG 55
HÌNH H1.90
Vẽ dạng sóng của điện áp ra VOUT của các mạch (a) ; (b); (c) trong hình H1.90. Xét các
trường hợp diode là lý tưởng và diode có dạng thực nghiệm.
HÌNH H1.91
Vẽ dạng sóng của điện áp ra VOUT trên điện trở tải RL của các mạch (a) ; (b); (c) trong hình
H1.91. Xét các trường hợp diode là lý tưởng và diode có dạng thực nghiệm.
HÌNH H1.92
Vẽ dạng sóng của điện áp ra VOUT của các mạch (a) ; (b) trong hình H1.92. Xét các
trường hợp diode là lý tưởng và diode có dạng thực nghiệm.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
56 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG
HÌNH H1.93
Vẽ dạng sóng của điện áp ra VOUT của các mạch (a) ; (b) ; (c) và (d) trong hình H1.93.
Xét các trường hợp diode là lý tưởng và diode có dạng thực nghiệm.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 2 – TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC
57
CHƯƠNG 02
TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC
Để giải thích hoạt động của transistor, chúng ta cần khảo sát các sự kiện xãy ra bên trong
transistor npn.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 2 – TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC
58
Khi phân cực thuận mối nối pn Nền Phát , vùng nghèo tại mối nối thu hẹp.
Khi phân cực nghịch mối nối pn Nền Thu , vùng nghèo tại mối nối mở rộng, hình H2.5.
Vì vùng Phát là bán dẫn loại n có nồng độ tạp chất cao đẩy ào ạt các điện tử tự do
(trong dảy dẫn) khuếch tán dễ dàng qua mối nối pn Nền Phát để vào lớp bán dẫn p tại vùng Thu.
Tại vùng này các điện tử trở thành các hạt tải thiểu, tương tự như trường diode phân cực
thuận.
Vì vùng Nền hẹp và là bán dẫn cố nồng độ tạp chất thấp nhất , do đó số lượng lỗ trống
trong vùng này hữu hạn. Như vậy, một phần nhỏ các điện tử sau khi qua mối nối Nền Phát có
thể tái hợp với số lổ trống hữu hạn trong cực nền. Một số rất ít các điện tử không tái hợp đi ra
khỏi cực nền là dòng điện tử hóa trị, hình thành dòng điện nhỏ trong cực nền.
Phần lớn các điện tử từ cực phát đi vào vùng nền không thực hiện quá trình tái hợp
nhưng khuếch tán vào vùng nghèo của mối nối pn Nền Thu. Ngay khi đến vùng này các điện
tử được kéo qua vùng mối nối phân cực nghịch do tác động của điện trường tạo bởi lực hấp
dẫn giữa các ion dương và âm. Thực sự chúng ta có thể thấy các điện tử được kéo sang vùng
nghèo của mối nối phân cực nghịch Nền Thu do điện áp của nguồn ngoài đang đặt trên cực thu.
Các điện tử đi ngang qua vùng Thu đến cực Thu và đi về cực dương của nguồn áp ngoài
đang cấp vào cực thu. Điều này hình thành dòng cực thu IC . Dòng cực thu có giá trị rất lớn hơn
so với dòng qua cực nền IB . Đây chính là lý do tạo được độ lợi dòng điện (current gain).
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 2 – TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC
59
Trong hình H2.6 trình bày các thành phần dòng điện và hướng của dòng qua transistor
npn và pnp. Quan hệ giữa các thành phần dòng điện thỏa định luật Kirchhoff 1 như sau:
IE IC IB (2.1)
Nên nhớ giá trị dòng qua cực nền IB rất nhỏ so với dòng IC . Các chỉ số dùng trong các
ký hiệu dòng điện được ghi bằng các chữ in hoa để xác định các thành phần dòng điện này là
dòng một chiều DC.
Dòng điện tử
cực Nền ( IB )
Phân cực Thuận
mối nối Nền Phát
Vùng nghèo tại mối nối
Nền Phát (B-E)
HÌNH H 2.5
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 2 – TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC
60
HÌNH H 2.7
DC DC
2.1.4.1.HỆ SỐ VÀ HỆ SỐ :
Hệ số DC được gọi là độ lợi dòng điện DC và được định nghĩa là tỉ số dòng DC qua
cực thu IC so với dòng DC qua cực nền IB . Ta có:
IC
DC (2.2)
IB
Hệ số DC còn được gọi là hFE là thông số của transistor trong mạch tương đương
tính theo thông số h thường được áp dụng khi thiết kế các mạch khuếch đại dùng transistor. Giá
trị của hệ số DC hFE trong phạm vi từ 20 đến 200 hay lớn hơn.
Hệ số DC được định nghĩa là tỉ số dòng DC qua cực thu IC so với dòng DC qua cực
phát IE . Ta có:
IC
DC (2.3)
IE
Hệ số DC ít được sử dụng hơn so với hệ số DC trong quá trình tính toán hay thiết kế.
Giá trị của hệ số DC trong phạm vi từ 0,95 đến 0,98 hay lớn hơn.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 2 – TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC
61
Mặc dù trong các transistor thực sự, áp VBE có thể cao đến mức 0,9 V và phụ thuộc vào
dòng điện, trong tài liệu này chúng ta dùng giá trị 0,7 V để đơn giản trong quá trình phân tích các
vấn đề cơ bản.
Áp dụng định luật Kirchhoff 2 cho mắt lưới phía cực nền, ta có quan hệ:
THÍ DỤ 2.1:
Cho mạch phân cực transistor trong hình H2.9, biết
transistor có hệ số DC 150 . Xác định các dòng điện: IB ;
IC ; IE và các áp VCE và VCB .
GIẢI:
Áp dụng quan hệ (2.5), ta có:
Áp dụng quan hệ (2.2) suy ra dòng qua cực thu là: IC DC .IB 150 0,43 64,5 mA
Áp dụng quan hệ (2.1) hay định luật Kirchhoff 1, ta có: IE IC IB 64,5 0,43 64,93mA
Áp dụng quan hệ (2.7) để xác định áp VCE , ta có: VCE 10 100 0,0645 3,55 V
Áp dụng định luật Kirchhoff2 ta có: VCB VCE VBE 3,55 0,7 2,85 V
HÌNH H 2.10
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 2 – TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC
62
Giả sử áp VBB được chỉnh để tạo ra giá trị IB bất kỳ và áp VCC 0 V . Tại điều kiện này
các mối nối BE và BC phân cực thuận vì áp VBE 0,7 V trong khi áp VCE 0 V . Khi các mối nối
BE và BC phân cực thuận, transistor hoạt động trong vùng bảo hòa.
Khi tăng áp VCC , áp VCE tăng dần khi dòng IC tăng; quá trình được xác định bởi đoạn đặc
tuyến AB trong hình H2.11a. IC tăng khi VCC tăng vì VCE duy trì giá trị nhỏ hơn 0,7 V tùy thuộc
vào sự phân cực thuận mối nối nền thu.
Một cách lý tưởng, khi VCE vượt cao hơn giá trị 0,7 V, mối nối BC bắt đầu phân cực
nghịch và transistor bắt đầu đi vào vùng hoạt động hay vùng tuyến tính. Khi mối nối BC phân
cực nghịch dòng IC ngừng tăng và duy trì giá trị không đổi tương ứng với giá trị của dòng IB
khi áp VCE tiếp tục gia tăng. Thực sự dòng IC có hơi gia tăng giá trị khi VCE gia tăng do độ rộng
của vùng nghèo tại mối nối nền thu. Hệ quả này do một số ít lổ trống thực hiện quá trình tái hợp
trong vùng nền làm hệ số DC hơi giảm thấp giá trị. Quá trình này được trình bày bằng đoạn BC
trên đặc tuyến cực thu . Phần đặc tuyến này trình bày quan hệ IC DC .IB .
Khi VCE tăng đến mức đủ lớn, mối nối BC phân cực nghịch đạt đến trạng thái phá vở
phân cực nghịch và dòng cực thu gia tăng rất nhanh. Quá trình này được biểu diễn bằng đoạn
đặc tuyến phía phải điển C trong hình H2.11a. Các transistor không được tính toán để hoạt
động trong vùng phá vở phân cực nghịch của mối nối nền thu.
Họ đặc tuyến cực thu là các đồ thị trình bày quan hệ giữa dòng IC theo áp VCE khi thay đổi
giá trị IB , hay chọn dòng IB làm thông số. Họ đặc tuyến cực thu được trình bày trong hình H2.11b.
Khi IB 0 transistor hoạt động trong vùng ngưng dẫn (cut off) mặc dù ta có thể định được giá
trị rất nhỏ của dòng IC .
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 2 – TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC
63
THÍ DỤ 2.2:
Cho mạch dùng xác định
đặc tính cực thu như trong hình
H2.10, giả sử transistor có hệ số
khuếch đại DC DC 100 , giá trị
của dòng IB khảo sát trong phạm
vi từ : 5 A 25 A .
Dạng của họ đặc tuyến cực
thu được xác định theo phân tích
trên trình bày trong hình H2.12 với
thông số IB thay đổi nhày cấp
tương ứng với 5 A .
khuỷu của đặc tuyến cực thu và có giá trị khoảng VCE SAT 0,4V 0,5V đới với transistor Silicon.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 2 – TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC
64
VCE f IC có dạng đường thẳng
chính là đường tải DC. Đường
thẳng này cắt trục hoành tại điểm có
tọa độ VCE
VCC ; IC 0 tại vùng
HÌNH H 2.15: Đường tải DC ngưng dẫn.
VCC
Đường tải DC còn cắt trục tung tại điểm có tọa độ VCE 0 ;IC ; vị trí này nằm sâu
RC
trung vùng bảo hòa, xem hình H2.15. Phạm vi còn lại của đường tải DC là vùng hoạt động tuyến
tính của transistor.
THÍ DỤ 2.3:
Cho mạch transistor theo hình H2.16,
giả sử áp bảo hòa VCE SAT 0,2 V ; xác định
trạng thái hoạt động của transistor.
GIẢI
Đầu tiên xác định dòng qua cực nền
của transsitor theo điều kiện hiện có của mạch
điện phân cực theo hình H2.16.
HÌNH H 2.16
VBB VBE 3V 0,7V
IB 0,23mA
RB 10 k
Giả sử transistor hoạt động trong vùng tuyến tính, ta có quan hệ sau:
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 2 – TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC
65
HÌNH H 2.17: Ảnh hưởng cũa nhiệt độ lên hệ số khuếch đại DC DC
Hệ số khuếch đại DC hay hFE là thôngsố quan trọng của transistor, khi phân tích hay thiết
kế ta cần khảo sát thông số này một cách kỹ lưởng và chi tiết hơn. Thực sự DC không hoàn toàn
là hằng số, giá trị này thay đổi khi dòng IC và nhiệt độ môi trường thay đổi , xem hình H2.17.
Khi duy trì nhiệt độ của các mối nối pn ổn định và gia tăng dòng IC hệ số DC tăng đến
mức tối đa.
Khi duy trì giá trị IC không đổi và thay đổi nhiệt độ, DC thay đổi trực tiếp khi nhiệt độ thay
đổi: nhiệt độ tăng hệ số DC tăng và ngược lại nhiệt độ giảm hệ số DC giảm.
Trong các tài liệu kỹ thuật thường cho giá trị DC hay hFE tại giá trị dòng IC định trước. Hơn
nữa, với giá trị dòng IC tại nhiệt độ định trước, hệ số DC cũng thay đổi theo từng linh kiện dù rằng
các linh kiện này có cùng mã số; sự kiện này phụ thuộc vào phương thức sản xuất của mỗi nhà
sản xuất. Hệ số DC được xác định ứng với giá trị nào đó của dòng IC và thường là giá trị cực tiểu
DC min mặc dù giá trị cực đại và các giá trị mẫu của DC đôi khi cũng được đề cập đến trong các
tài liệu kỹ thuật.
Transistor cũng như các linh kiện điện tử khác đều có giới hạn trong phạm vi hoạt động.
Các giới hạn này được xác định theo thông số định mức qui định bởi các nhà sản xuất và trình
bày trong các tài liệu kỹ thuật. Theo tiêu chuẩn, giá trị tối đa cho phép của các thông số transistor
bao gồm điện áp: VCB ; VCE ; VBE ; dòng IC và công suất tiêu tán PD . Trong đó:
Tích số của VCE và IC không được vượt quá mức công suất tiêu tán cực đại cho phép
PDmax và các giá trị VCE và IC không thể đạt giá trị tối đa cùng lúc.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 2 – TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC
66
THÍ DỤ 2.4:
Cho Transistor trong hình H2.18 có các
giá trị cực đại của các thông số như sau:
PDmax 800 mW ; VCE max 15 V ; IC max 100 mA
Xác định giá trị tối đa cho phép của nguồn
áp VCC có thể điều chỉnh không vượt qua các giới
hạn cho phép. Thông số nào sẽ vượt giá trị cho
phép trước tiên.
GIẢI
HÌNH H 2.18 Dòng qua cực nền:
Dòng IC có giá trị nhỏ hơn dòng cực đại cho phép IC max 100 mA , hơn nữa giá trị này
không phụ thuộc vào áp VCC mà chỉ phụ thuộc vào dòng IB và hệ số khuếch đại DC .
Điện áp đặt ngang qua hai đầu điện trở RC :
VR RC .IC 1k 19,5 mA 19,5 V
C
Áp dụng định luật Kirchhoff 2 trong mắt lưới chứa cực thu và phát, ta có:
Khi VCE đạt giá trị tối đa cho phép, ta có quan hệ:
VCC max VCE max VR 15 19,5 34,5 V
C
Công suất tiêu tán trên transistor tại lúc đạt VCE max :
PD VCE max IC 15 V 19,5 mA 292,5mW
Giá trị PD tìm được nhỏ hơn giá trị PDmax 800 mW . Tóm lại giá trị VCE max 15 V đạt giới
hạn cho phép trước tiên khi thay đổi áp VCC không vượt quá giới hạn 34,5 V.
Tuy nhiên nên nhớ khi ngừng cấp dòng cực nền chuyển transistor sang trạng thái ngưng
dẫn, áp VCE lúc này đạt giá trị bằng với áp VCC max 34,5 V .
2.1.4.9.SỰ THAY ĐỔI CÔNG SUẤT CỰC ĐẠI THEO NHIỆT ĐỘ:
Tương tự như các linh kiện bán dẫn khác, giá trị công suất tiêu tán PDmax thường được cho
tại điều kiện nhiệt độ 25oC. Khi nhiệt độ làm việc của môi trường tăng lên giá trị PDmax cần hiệu
chỉnh giảm thấp xuống. Hệ số giảm công suất tiêu tán KPD có đơn vị tính theo mV o , gọi PD là
C
độ thay đổi công suất tiêu tán khi nhiệt độ thay đổi trong khoảng T , ta có quan hệ sau:
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 2 – TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC
67
THÍ DỤ 2.5:
Cho Transistor bất kỳ có công suất tiêu tán cực đại cho phép là PDmax 1W tại 25oC. Hệ
số thay đổi công suất tiêu tán của linh kiện là KPD 5 mW o . Xác định công suất tiêu tán tối đa
C
cho phép của linh kiện khi làm việc tại 70oC.
GIẢI
Áp dụng quan hệ (2.9) ta có:
PD KPD T 5 70 25 225 mW
Suy ra công suất tiêu tán tối đa cho phép của transsitor khi làm việc tại 70oC là:
Trước khi trình bày chế độ khuếch đại của transistor, chúng ta cần xác định ký hiệu dùng
cho các đại lương dòng, áp và điện trở trong mạch; vì mạch khuếch đại sẽ hoạt động đồng thời
với các đại lượng xoay chiều AC và một chiều DC.
Trong mục này, chúng ta dùng các ký hiệu chữ in hoa cho dòng ( I ) và áp ( V ) để biểu thị
cho giá trị hiệu dụng, giá trị trung bình và giá trị đỉnh đến đỉnh (peak to peak) của áp AC. Các ký
hiệu viết bằng chữ thường dùng biểu diễn các giá trị tức thời cho dòng ( i ) và áp ( v ).
Các đại lượng DC được đánh chỉ số bằng các ký tự in hoa, thí dụ như IB , IC hay VBE , VCE ..
các ký hiệu VC , VB , VE là áp tính từ các cực của transistor tính đến điểm mass chung (nút chuẩn
0V) của mạch.
Các đại lượng AC là các đại lượng thay đổi theo thời gian được đánh chỉ số bằng các ký
tự in thường, thí dụ như ib , ic hay vbe , vce .. các ký hiệu vc , vb , ve là áp AC từ các cực của
transistor tính đến điểm mass chung (nút chuẩn 0V) của mạch.
Các điện trở trong mạch được ký hiệu bằng chữ in hoa R , các nội trở trong transistor được
ký hiệu là r ' , r 'e . Các điện trở mạch ngoài dùng cho giải tích với tín hiệu DC có các chì số lả chữ
in hoa như: RE ; RB .. các điện trở mạch ngoài dùng cho giải tích với tín hệu AC có chỉ số là các
chữ thường như: Re .
Theo các nội dung đã khảo sát nêu trong các mục trên, dòng qua cực thu của transistor
được khuếch đại vì bằng tích số dòng qua cực nền với hệ số khuếch đại . Giá trị dòng điện
cực nền thường rất nhỏ so với dòng cực thu và cực phát, do đó có thể xem dòng cực thu và cực
phát có giá trị xấp xỉ bằng nhau.
Xét mạch điện trong hình H2.19, nguồn áp AC vin được cung cấp xếp chồng với áp DC
phân cực VBB tại cực nền bằng cách đấu nối tiếp các nguồn và nối tiếp với điện trở cực nền RB .
Điện áp phân cực VCC nối đến cực thu thông qua điện trở RC .
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 2 – TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC
68
Nguồn áp AC tạo ra
dòng AC qua cực nền dẫn đến
dòng AC qua cực thu. Dòng AC
qua cực thu tạo áp AC ngang
qua điện trở RC . Tác động của
transistor trong trường hợp này
khuếch đại tín hiệu AC cấp vào
cực nền và được đưa ra trên
điện trở RC . Cần nhớ áp AC
nhận trên RC đảo pha so với áp
AC cấp vào trên cực nền. Do
mối nối nền phát phân cực
a./ Áp AC và áp DC phân cực đấu nối tiếp b./ Dạng áp AC vào và thuận nên điện trở nội xét đối
áp AC ra trên cực thu.
với tín hiệu AC có giá trị rất
HÌNH H 2.19
thấp.
Gọi r 'e là điện trở nội cực phát xét đối với tín hiệu AC, dòng cực phát tính đối với áp AC là:
vb
ie ic (2.9)
r 'e
Áp AC trên cực thu là vC bằng với áp AC đặt ngang qua hai đầu điện trở RC :
vC RC .ic RC .ie
Áp AC tại cực nền được xác định theo quan hệ:
vb vin RB .ib
vC được xem là áp AC ra của mạch khuếch đại. Tỉ số của áp vC và vb là độ lợp điện áp
(hay hệ số khuếch đại áp) A v của mạch transistor.
vc RC .ie RC
Av (2.10)
vb r 'e .ie r 'e
Vì RC là điện trở ngoài và có giá trị rất lớn so với điện trở nội r 'e điện áp ra nhận được luôn
có biên độ rất lớn hơn so với điện áp cấp vào.
THÍ DỤ 2.6:
Cho mạch khuếch đại áp AC dùng transistor
như trong hình H2.20; xác định độ lợi điện áp và áp
ngõ ra; biết điện trở nội r 'e 50 .
GIẢI:
Áp dụng quan hệ (2.10) ta có:
RC 1k
Av 20
r 'e 50
Áp AC ngõ ra là :
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 2 – TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC
69
Theo phân tích trên, transistor hoạt động trong vùng ngưng dẫn khi mối nối nền phát
không phân cực thuận. Bỏ qua ảnh hưởng c của dòng điện rò, tất cả các dòng điện khác trong
mạch có giá trị bằng 0 và áp VCE bằng áp nguồn ngoài VCC . Tóm lại:
Theo phân tích trên, khi mối nối nền phát phân cực thuận và dòng cực nền đủ lớn để
tạo dòng qua cực thu cực đại, transistor đạt trạng thái bảo hòa. Khi đạt trạng thái bảo hòa, ta
có quan hệ sau:
VCC VCE SAT
IC SAT (2.12)
RC
Trong trường hợp giá trị VCE SAT có giá trị rất bé so với VCC ta có thế áp dụng quan hệ:
VCC
IC SAT (2.13)
RC
Giá trị cực tiểu của dòng qua cực nền đủ tạo trạng thái bảo hòa cho transistor thỏa quan hệ
sau đây:
IC SAT
IB min (2.14)
DC
Trong thực tế vận hành ta tạo ra dòng IB có giá trị hơi lớn hơn giá trị IB min xác định
theo quan hệ (2.14) để duy trì tốt trạng thái bảo hòa cho transistor.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 2 – TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC
70
THÍ DỤ 2.7:
Cho mạch transistor như trong hình H2.22; xác định:
GIẢI:
a./ Áp dụng quan hệ : VCE VCC RC .IC , khi Vin 0 V dòng
qua cực nền IB 0 A , dòng IC DC .IB 0 A transistor ngưng
HÌNH H 2.22
dẫn; suy ra VCE VCC 10 V .
b./ Khi bỏ qua ảnh hưởng của áp VCE SAT , dòng IB min được xác định như sau:
VCC 10 V
IC SAT 10 mA
RC 1k
IC SAT 10 mA
IB min 0,05 mA 50 A
DC 200
c./ Giá trị cực đại của điện trở RB ; áp dụng phương trình cân bằng áp phía cực nền, ta có:
VBB VBE
VBB RB .IB VBE Hay: RB
IB
Suy ra:
Vin VBE 5 V 0,7 V
RB max 86 k
IB min 50 A
THÍ DỤ 2.8:
Cho mạch transistor như trong hình H2.23;
trong đó đèn LED (Light - Emitting Diode) là diode
phát quang khi được phân cực thuận và sẽ không
phát sáng khi phân cực nghịch hoặc không được
phân cực.
Cho dòng điện qua LED khi phát sáng là 30
mA. Áp cấp vào cực nền có dạng xung chữ nhựt.
RB 3,3 k ; DC 50 .
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 2 – TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC
71
GIẢI:
Trước tiên với các giá trị của phần tử mạch ta xác định giá trị dòng điện IB min trước tiên; ta
có dòng IC SAT xác định theo quan hệ sau:
Gọi Vin là biên độ xung chữ nhựt , ta có quan hệ sau tại cực nền:
Vin RB IB VBE 3,3 k 1,288 mA 0,7 V 4,95 V
Tóm lại biên độ xung chữ nhựt cần có để transistor bảo hòa là Vin 4,95 V
HÌNH H 2.24: Transistor vỏ nhựa dùng trong các ứng dụng tổng quát với tín hiệu có biên độ nhỏ.
HÌNH H 2.25: Transistor vỏ kim loại dùng trong các ứng dụng tổng quát với tín hiệu có biên độ nhỏ.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 2 – TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC
72
HÌNH H 2.26: Cấu tạo của Transistor package, nhiều transistor chứa trong cùng một vỏ.
HÌNH H 2.27: Transistor có công suất trung bình đến công suất lớn (Transistor công suất).
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 2 – TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC
73
HÌNH H 2.28: Transistor dùng trong các ứng dụng có tần số cao (RF transistors).
Đầu tiên điều chỉnh áp VBB để có được dòng IB 200 A , xem hình H2.31a; từ quan hệ
IC DC .IB suy ra IC 20 mA , ta có áp VCE xác định như sau:
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 2 – TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC
74
HÌNH H 2.31: Phân cực thay đổi điểm làm việc Q của transistor.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 2 – TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC
75
Điểm làm việc Q được ký hiệu là Q1 xác định trong hình H2.31a .
Kế tiếp trong hình H2.31b, giá trị VBB được tăng lên để tạo ra dòng IB 300 A và dòng
IC 30 mA , ta có:
VCE 10 V (30 mA).(220 ) 3,4 V
Điểm làm việc Q được ký hiệu là Q2 xác định trong hình H2.31b.
Sau cùng trong hình H2.31c, giá trị VBB được tăng cao hơn để tạo ra dòng IB 400 A
và dòng IC 40 mA , ta có:
VCE 10 V (40 mA).(220 ) 1,2 V
Điểm làm việc Q được ký hiệu là Q3 xác định trong hình H2.31c.
Đường tải DC cắt trục tung tại vị trí IC 45,5 mA đây là điểm bảo hòa của transistor vì
dòng IC đạt giá trị tối đa. Thực sự có giá trị áp rất nhỏ VCE SAT đặt ngang qua cực thu và phát và
dòng IC SAT hơi nhỏ hơn giá trị IC 45,5 mA , xem hình H 2.32.
Đường tải DC có dạng đường thẳng xác định theo quan hệ hàm như sau:
1 V
IC f VCE .VCE CC
R R
(2.15)
C C
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 2 – TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC
76
HÌNH H 2.33:
ICQ DC .IBQ 100 300 A 30 mA
VCEQ VCC RC .ICEQ 10 V 30 mA . 220 3,4 V
Điểm A trên đường tải DC trong hình H2.34 ứng với đỉnh dương của áp sin vào vin .
Điểm B trên đường tải DC trong hình H2.34 ứng với đỉnh âm của áp sin vào vin .
Điểm Q trên đường tải DC trong hình H2.34 ứng với điểm 0 của áp sin vào vin .
VCEQ , ICQ và IBQ làm thông số của điểm làm việc DC khi không cấp áp sin vào cực nền.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 2 – TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC
77
Điểm làm việc Q chọn gần khu vực bảo hòa Điểm làm việc Q chọn gần khu vực ngưng dẫn
HÌNH H 2.35: Sự sái dạng áp ngõ ra khi chọn điểm làm việc Q
THÍ DỤ 2.9:
Xác định điềm làm việc Q của transistor
cho trong mạch hình H2.37. Suy ra biên độ đỉnh
của dòng cực nền để mạch hoạt động trong vùng
tuyến tính. Biết DC 200 .
GIẢI
Với mạch cho trước các thông số, điểm
làm việc Q xác định bời cặp giá trị IC và VCE .
VBB VBE 10 V 0,7 V
IB 0,1979 mA
HÌNH H 2.37 RB 47 k
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 2 – TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC
78
VCE VCC RC .IC 20 V 330 . 39,6 mA 6,93 V
Điểm làm việc Q của transistor có giá trị là : ICQ 39,6 mA và VCEQ 6,93 V
Khi transistor ngưng dẫn ta có : IC cutoff 0 A
VCC 20 V
Khi transistor dẫn bảo hòa, ta có: IC SAT 0,0606 A 60,6 mA
RC 330
Trong các nội dung trên, chúng dùng hai nguồn DC độc lập để
phân cực transistor. Trong thực tế chỉ cần dùng duy nhất một
nguồn DC phân cực cho transistor, xem hình H2.39. Trong các đồ
mạch nguyên lý để đơn giản hóa, ta thay thế ký hiệu của nguồn áp
DC bằng ký hiệu vòng tròn có ghi cực tính nguồn áp phân cực VCC .
Điện áp phân cực tại cực nền được cung cấp bằng cầu
phân áp dùng điện trở R1 và R2 , với nguồn áp DC cấp vào cầu
phân áp là VCC . Trong hình H2.39, có hai dòng nhánh từ nút A đi
xuống điểm Gnd (Ground) chung của mạch: một dòng đi qua R2 và
thành phần dòng nhánh còn lại qua nối nối BE của transsistor và RE .
Nếu dòng qua cực nền rất nhỏ so với dòng qua R2 , mạch phân
HÌNH H 2.39 cực xem như chỉ phụ thuộc vào cầu phân áp bao gồm các điện
trở R1 và R2 .
Trong trường hợp dòng cực nền không đủ nhỏ để bỏ qua khi so sánh với dòng qua R2 ,
ta cần chú ý đến điện trở nhập tại cực nền RINbase ; điện trở này xuất hiện giữa cực nền đến
điểm Gnd và song song với điện trở R2 , xem hình H2.40.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 2 – TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC
79
VIN
RINbase (2.16)
IIN
Áp dụng định luật Kirchhoff áp cho mắt lưới nền phát
HÌNH H 2.40 ta có:
Giả thiết VBE RE .IE , quan hệ (2.17) thu gọn lại như sau:
THÍ DỤ 2.10:
Xác định điện trở nhập từ cực nền của transistor trong mạch hình
H2.42, biết hệ số khuếch đại DC 125
GIẢI
Áp dụng quan hệ (220), ta có:
RINbase DC .RE 125. 1k 125 k
Xét transistor npn dùng mạch cầu phân áp để phân cực theo hình
HÌNH H 2.42
H2.43a. Khi có xét đến điện trở nhập tại cực nền: RINbase DC .RE , gọi
điện trở tương đương do RINbase ghép song song với R2 từ cực nền xuống điểm Gnd là RBG , ta có:
R2
Hay: RBG (2.22)
R2
1
.R
DC E
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 2 – TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC
80
RBG.VCC
VB (2.23)
RBG R1
Từ kết quả này chúng ta suy ra các đại
lượng khác còn lại trong mạch bằng các quan
hệ sau đây:
VE VB VBE (2.24)
IC 1
IE IC IB IC IC . DC (2.26)
DC
DC
Khi DC 1 , ta xem như IE IC , từ đó suy ra áp giữa hai cực thu phát của transistor:
THÍ DỤ 2.11:
Xác định điểm làm việc của mạch transistor trong hình H2.44, biết
hệ số khuếch đại DC 100 .
GIẢI
Điện trở nhập từ cực nền:
RINbase DC .RE 100. 560 56 k
Điện trở tương đương từ cực nền đến Gnd:
RBG
RINbase .R2
56 k . 5,6 k 5,091k
RINbase R2 56 k 5,6 k
HÌNH H 2.44
VB
RBG.VCC
5,091k .10 V 3,373 V
RBG R1 5,091k 10 k
Dòng IE :
VE 2,673 V
IE 4,77 mA
RE 560
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 2 – TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC
81
VCE VCC VE RC .IC 10 V 2,673 V 1k . 4,727mA 2,6 V
2.4.2.3. GIẢI TÍCH MẠCH PHÂN CỰC DÙNG MẠCH THÉVENIN TƯƠNG ĐƯƠNG :
Ngoại trừ phương pháp
giải tích mạch phân cực dùng
cầu phân áp bằng phương
pháp xác định tổng trở nhập
như vừa trình bày, chúng ta có
thể phân tích mạch phân cực
dùng cầu phân áp bằng cách
áp dụng định lý Thévénin.
Đầu tiên thay thế mạch
phân cực nền phát trong hình
H2.45a bằng mạch tương
tương Thevenin trình bày trong
hình H2.45b.
HÌNH H 2.45
Từ nút A xác định mạch
Thévenin tương đương, ta có:
R2 .VCC
VTH (2.28)
R1 R2
R1.R2
RTH (2.29)
R1 R2
Sau khi thay thế mạch phân cực bằng mạch tương đương Thévénin, áp dụng mạch tương
đương trong hình H2.45b xác định các thông số khác còn lại trong mạch để suy ra điểm làm việc
Q của mạch.
Áp dụng định luật Kirchhoff áp trong mắt lưới cực nền phát chứa nguồn VTH ta có:
VTH RTH.IB VBE RE .IE (2.30)
Vì:
IE IC IB DC .IB IB DC 1 .IB (2.31)
Suy ra:
VTH RTH.IB VBE RE . DC 1 .IB
Tóm lại:
VTH VBE
IB (2.32)
RTH DC 1 .RE
Từ quan hệ (2.32) suy ra dòng IC DC .IB , dòng IE và áp VCE
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 2 – TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC
82
THÍ DỤ 2.12:
Tính lại điểm làm việc của mạchđiện transistor cho trong thí dụ 2.11 bằng phương pháp áp
dụng mạch Thévénin tương đương thay thế cho mạch phân cực dùng cầu phân áp.
GIẢI
RTH
R1.R2
10 k . 5,6 k 3,5897 3,59
R1 R2 10 k 5,6 k
Dòng qua cực nền:
VCE VCC RC .IC RE .IE 10 1k . 4,8 mA 560 . 4,848mA 2,49 V
So sánh các kết quả tính toán trong hai thí dụ 2.11 và 2.12 cho thấy: điểm làm việc có giá
trị các thông số chênh lệch rất nhỏ có thể chấp nhận. Kết quả tính toán hội tụ.
2.4.2.4. KHẢO SÁT TÍNH ỔN ĐỊNH CỦA MẠCH PHÂN CỰC DÙNG CẦU PHÂN ÁP :
Từ phương pháp giải tích dùng mạch tương đương Thévénin, dựa vào các quan hệ (2.30)
và (2.31) ta có:
RTH
VTH .I VBE RE .IE (2.33)
1 E
DC
VTH VBE
IE (2.34)
R
TH
RE
DC 1
RTH
Khi ta có RE quan hệ (2.34) được viết lại như sau:
1
DC
VTH VBE
IE (2.35)
RE
Trong quan hệ (2.35) cho thấy dòng IE không phụ thuộc vào hệ số DC . Như vậy khi nhiệt
độ thay đổi, hệ số DC thay đổi theo nhiệt độ nhưng dòng IE không thay đổi. Nếu IE IC dòng IB
rất nhỏ; mạch phân cực có tính ổn định nhiệt vì điểm làm việc không phụ thuôc vào nhiệt độ.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 2 – TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC
83
2.4.2.5. GIẢI TÍCH MẠCH PHÂN CỰC DÙNG CẦU PHÂN ÁP CHO TRANSISTOR PNP :
Mối nối nền thu (BC) phân cực nghịch, điện thế cực nền B cao
hơn điện thế tại cực thu C; VB VC .
Để xác định điểm làm việc Q cho transistor pnp, đầu tiên chúng
ta vẫn xác định điện trở nhập giữa cực phát và nền khi nhìn từ ngoài vào
hai cực nền phát. Công thức áp dụng tương tự theo (2.20)
Suy ra điện trở tương đương REB giữa cực phát và cực nền khi
dùng cầu phân áp phân cực. Điện trở tương tương này do điện trở
R2 ghép song song với RIN .Tương tự như quan hệ (2.22) ta có:
HÌNH H 2.47
R2
REB (2.37)
R2
1
DC .RE
VEE VE
IE (2.40)
RE
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 2 – TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC
84
Từ giá trị tìm được cho dòng qua cực phát IE ta suy ra dòng qua cực thu theo quan hệ:
DC
IC .I (2.41)
1 E
DC
Cuối cùng áp giữa cực phát và thu xác định theo quan hệ sau:
Tương tự như trường hợp transistor npn, với transistor pnp ngoại trừ phương pháp
dùng tông trở nhập như vừa trình bày ta cũng có thể áp dụng phương pháp dùng mạch
tương đương Thévénin để xác định điểm phân cực.
THÍ DỤ 2.13:
Áp dụng phương pháp giải tích dùng tổng trở nhập tương đương tại
cực phát và cực nền định điểm làm việc cho transistor pnp trong
mạch phân cực dùng cầu phân áp hình H2.48.
GIẢI
Đầu tiên xác định điện trở nhập tại các cực phát và nền:
R2 10 k
REB 9,375 k
R2 10 k
1 1
.R 150.1k
HÌNH H 2.48 DC E
R1.VEE 22 k 10 V
VB 7,0119 7 V
R1 REB 22 k 9,375 k
VEE VE 10 V 7,7 V
IE 2,3mA
RE 1k
Dòng qua cực thu:
DC 150
IC .IE 2,3 2,284768 2,285 mA
1 150 1
DC
Áp giữa các cực phát thu của transistor:
VEC VE RC .IC 7,7 V 2,2 k . 2,285 mA 2,673 V
Tóm lại điểm làm việc của transistor pnp là: IC 2,29 mA ; VEC 2,67 V
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 2 – TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC
85
THÍ DỤ 2.14:
Tìm lại điểm làm việc của transistor cho trong thí dụ 2.13, khi áp dụng phương pháp dùng
mạch Thévénin thay tương đương cho cầu phân áp.
Áp dụng định luật Kirchhoff áp trong mắt lưới chứa các cực nền phát, ta có:
DC 150
IC .IE .2,319 mA 2,304 2,3mA
1 150 1
DC
Điện áp giữa cực phát và thu được xác định theo quan hệ sau:
So sánh kết quả tìm được cho điểm làm việc của transistor trong các thí dụ 2.13 và 2.14
ta nhận thấy kết quả có sai lệch nhưng rất nhỏ, có thể chấp nhận và xem như kết quả tính từ
các phương pháp trên hội tụ.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 2 – TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC
86
Áp dụng định luât Kirchhoff áp cho mắt lưới chứa cực thu nền
ta có quan hệ sau:
Dòng qua cực nền được xác định theo quan hệ:
V VBE
IC DC .IB CC .DC (2.45)
R
B
Áp dụng định luât Kirchhoff áp cho mắt lưới chứa cực thu phát ta có quan hệ sau:
Từ quan hệ (2.45) cho thấy dòng IC phụ thuộc vào hệ số khuếch đại DC . Do đó khi
nhiệt độ thay đổi, hệ số DC thay đổi làm dòng IC thay đổi tương ứng; như vậy điểm làm việc
của transistor thay đổi, mạch phân cực không ổn định khi nhiệt độ môi trường thay đổi. Hơn
nữa với các transistor có cùng mã số nhưng do phương thức sản xuất của nhà chế tạo, hệ số
DC của các transistor này cũng thay đổi trong phạm vi khá rộng làm ảnh hưởng đến mạch phân
cực. Trong quá trình sửa chửa, với mạch phân cực cực nền khi thay thế các transistor bị hư hỏng,
nên điều chỉnh lại các điện trở cho phù hợp với giá trị DC của transistor mới dùng thay thế.
THÍ DỤ 2.15:
Xác định điểm làm việc của transistor trong mạch phân cực theo
hình H2.51 khi nhiệt độ thay đổi. Biết rằng khi nhiệt độ thay đổi, nếu hệ
số DC tăng từ 85 đến 100 thì áp VBE giảm từ 0,7 V đến 0,6 V.
GIẢI
Xác định điểm làm việc tại lúc DC 85 và VBE 0,7 V :
Áp dụng các quan hệ (2.45) và (2.46) ta có:
HÌNH H 2.51
VCE
1 VCC RC .IC 12V 560 . 9,605 mA 6,62 V
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 2 – TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC
87
Xác định điểm làm việc tại lúc DC 100 và VBE 0,6 V :
VCE
2 VCC RC .IC 12V 560 . 11,4 mA 5,62 V
Phần trăm thay đổi giá trị IC khi DC tăng và VBE giảm do nhiệt độ thay đổi:
I IC 1
IC % C 2 .100 11,4 9,605 .100 18,69%
IC 1 9,605
Phần trăm thay đổi giá trị VCE khi DC tăng và VBE giảm do nhiệt độ thay đổi:
V VCE 1
VCE % CE 2 .100 5,62 6,62 .100 15,11%
VCE 1 6,62
RB
VEE VBE RE .IE
DC
1
Hay
VEE VBE
IE (2.48)
RB
RE
DC 1
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 2 – TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC
88
Trong quan hệ (2.48) dòng IE phụ thuộc hệ số DC và áp VBE . Khi chọn giá trị
RB
RE , quan hệ (2.48) được viết lại như sau:
1
DC
V VBE
IE EE (2.51)
RE
Từ quan hệ (2.51) cho thấy dòng IE độc lập đối với hệ số khuếch đại DC
Hơn nữa khi chọn giá trị VEE rất lớn hơn so với VBE quan hệ (2.51) được viết lại như sau:
VEE
IE (2.52)
RE
RB
Tóm lại khi thực hiện đúng điều kiện RE và VEE VBE , dòng IE không
DC 1
phụ thuộc vào sự thay đổi của nhiệt độ , suy ra điểm làm việc ổn định khi nhiệt độ thay đổi .
THÍ DỤ 2.16:
Xác định điểm làm việc của transistor trong mạch phân cực
theo hình H2.53 khi nhiệt độ thay đổi. Biết rằng khi nhiệt độ thay
đổi, nếu hệ số DC tăng từ 85 đến 100 thì áp VBE giảm từ 0,7 V
đến 0,6 V.
GIẢI
Xác định điểm làm việc tại lúc DC 85 và VBE 0,7 V :
Áp dụng quan hệ (2.48) xác định dòng IE :
IE
VEE VBE
20 V 0,7 V 1,7289 1,73mA
1 100 k
RB
RE 10 k
HÌNH H 2.53
DC 1 85 1
Dòng qua cực thu là:
DC 85
IC .I .1,7289 1,70885 1,71mA
1 1 E
85 1
DC
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 2 – TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC
89
Áp VCE đặt ngang qua hai cực thu phát được xác định theo quan hệ (2.50)
VCE
1 20 V 20 V 4,7 k . 1,71mA 10 k . 1,73mA 14,663 V
Xác định điểm làm việc tại lúc DC 100 và VBE 0,6 V :
IE
VEE VBE
20 V 0,6 V 1,7652 1,765 mA
2 100 k
RB
RE 10 k
100 1
DC 1
DC 100
IC .IE .1,7652 1,7477 1,748 mA
1
2
100 1
DC
VCE
2 20 V 20 V 4,7 k . 1,748 mA 10 k . 1,765mA 14,134 V
Phần trăm thay đổi giá trị IC khi DC tăng và VBE giảm do nhiệt độ thay đổi:
I IC 1
IC %
C 2 .100 1,748 1,71 .100 2,22%
IC 1 1,71
Phần trăm thay đổi giá trị VCE khi DC tăng và VBE giảm do nhiệt độ thay đổi:
V VCE 1
VCE %
CE 2 .100 14,134 14,663 .100 3,61%
VCE 1 14,663
Mạch phân cực hồi tiếp cực thu trình bày trong hình H2.54, trong
đó điện trở cực nền được nối đến cực thu thay vì nối về nguồn áp VCC
theo một số mạch phâncực khác đã trình bày.
Phương pháp hồi tiếp này tạo ra hiệu ứng “chỉnh cân bằng”
(offsetting) để duy trì ổn định điềm làm việc Q.
Khi dòng IC gia tăng sẽ tạo điện áp đặt ngang qua hai đầu điện
trở RC gia tăng tươg ứng; làm điện thế tại cực thu VC giảm thấp.
Khi điện thế VC giảm, dẫn đến dòng IB giảm kéo theo IC giảm.
Tóm lại dòng IC cân bằng. Quá trình lý luận ngươc lại tương tự
khi dòng IC giảm. Quá trình giải tích mạch phân cực hồi tiếp cực thu thực
HÌNH H 2.54
hiện như sau:
Áp dụng định luật Kirchhoff áp ta có quan hệ:
VCC RC . IC IB RB .IB VBE (2.53)
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 2 – TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC
90
IC
Thay quan hệ: IB va (2.53) ta có:
DC
I
VCC RC .IC RC RB . C VBE
(2.54)
DC
Suy ra:
VCC
RC
RC RB .I VBE
C
DC
Tóm lại:
VCC VBE
IC (2.55)
R RB
R C
C
DC
Áp VCE đặt ngang qua cực thu và phát được xác định theo quan hệ:
VCC RC . IC IB VCE (2.56)
Hay:
1
VCE VCC RC . 1 .I (2.57)
DC C
Từ quan hệ (2.55) cho thấy dòng điện cực thu phụ thuộc vào các thông số DC và VBE .
RC RB
Trong trường hợp RC và VCC VBE , dòng điện cực thu viết gần đúng theo dạng sau:
DC
VCC
IC điều này cho thấy dòng IC trong điều kiện này không thay đổi khi nhiệt độ thay đổi.
RC
Tóm lại nếu mạch phân cực hồi tiếp cực thu thỏa các điều kiện vừa nêu thi điểm làm
việc Q ổn định khi nhiệt độ thay đổi.
THÍ DỤ 2.17:
Xác định điểm làm việc của transistor trong mạch phân cực
theo hình H2.55 khi nhiệt độ thay đổi. Biết rằng khi nhiệt độ thay
đổi, nếu hệ số DC tăng từ 100 đến 125 thì áp VBE giảm từ 0,7 V
đến 0,6 V.
GIẢI
Xác định điểm làm việc tại lúc DC 100 và VBE 0,7 V :
Áp dụng quan hệ (2.55) ta có:
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 2 – TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC
91
Áp VCE đặt ngang qua cực thu và phát được xác định theo quan hệ:
1 1
VCE
1
VCC
RC
.
1
.IC 10V 10 k . 1
100
.0,769 mA 2,233V
DC
Xác định điểm làm việc tại lúc DC 125 và VBE 0,6 V :
Phần trăm thay đổi giá trị IC khi DC tăng và VBE giảm do nhiệt độ thay đổi:
I IC 1
IC % C 2 .100 0,864 0,769 .100 12,35%
IC 1 0,769
Phần trăm thay đổi giá trị VCE khi DC tăng và VBE giảm do nhiệt độ thay đổi:
V VCE 1
VCE % CE 2 .100 1,29 2,233 .100 42,23%
VCE 1 2,233
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 2 – TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC
92
HÌNH H 2.58
ĐÁP SỐ:
a./ IB 85,19 A ; IC 10,65 mA .
VEC 3,85 V ; VBC 3,15 V .
HÌNH H 2.59
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 2 – TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC
93
HÌNH H 2.60
ĐÁP SỐ:
a./ IE 930 A ; IB 9,21A ; IC 921A
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 2 – TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC
94
c./ Theo điều kiện của câu b, khi chỉnh biến trở VR2 có giá trị là 2kΩ;
áp dụng các phương pháp phân tích mạch dùng tổng trở nhập và
HÌNH H 2.65 phương pháp thay thế tương đương Thévénin để định điểm làm
việc của transistor.
BÀI TẬP 2.11
Cho mạch transistor phân cực dùng cầu phân áp theo hình
H2.66, khi áp dụng phương pháp giải tích dùng mạch tương đương
Thévénin để định điểm làm việc, xác định:
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 2 – TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC
95
a./ Tính điện thế tại các cực transistor so với điểm Gnd của mạch.
b./ Tính công suất tiêu tán trên transistor theo điều kiện của câu a.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 2 – TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC
96
HÌNH H 2.71
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG - FET 97
CHƯƠNG 03
TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG ‐ FET
Trong chương 3 chúng ta khảo sát một dạng thứ hai của transistor áp dụng hiệu ứng
trường, FET(Fiel-Effect Transistor). Không như transistor, FET là linh kiện đơn cực (unipolar);
khi giải thích nguyên tắc hoạt động chúng ta không dùng đến dòng lổ trống và electron tự do
mà chỉ sử dụng duy nhất một loại điện tích tải (charge carrier).
FET bao gồm hai loại chính: JFET (Junction Field-Effect Transistor) và MOSFET (Metal
Oxide Semiconductor Fiel-Effect Transistor).
Transistor là loại linh kiện kiểm soát dòng điện, dùng dòng cực nền để điều khiển hay
kiểm soát dòng cực thu. Với FET thì khác, đây là linh kiện được điều khiển bằng điện áp;
dùng áp giữa hai đầu cực cổng (Gate) và nguồn (source) để kiểm soát hay điều khiển được
dòng qua linh kiện. Đặc điểm chính của FET là loại linh kiện có giá trị tổng trở nhập rất lớn.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
98 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG - FET
a./ Phân cực để JFET dẫn b./ Giảm áp phân cực VGG dòng ID tăng b./ Tăng áp phân cực VGG dòng ID giảm
HÌNH H3.3: Ảnh hưởng của áp phân cực VGG đối với tính dẫn và dòng ID của JFET.
a./ JFET với VGS = 0V và thay đổi VDD b./ Đặc tuyến ID theo áp VDD khi VGS = 0V
HÌNH H3.5: Đặc tính của JFET khi ngắn mạch cực G và S.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG - FET 99
a./ Khi VDS = 0 V ; ID = 0A b./ ID gia tăng tỉ lệ thuận VDS trong vùng có tính trở
c./ Khi VDS = VP ; ID = IDSS = hằng số d./ Khi VDS tăng , ID = IDSS cho đến breakdown xãy ra
HÌNH H3.6: Tác động của JFET tạo ra đặc tuyến ID = f (VDS) khi VGS = 0V .
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
100 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG - FET
HÌNH H3.7: Họ đặc tuyến ID = f (VDS) của JFET khi thay đổi áp VGS .
Khi thay đổi nguồn VGG để điều chỉnh áp phân cực ngược VGS giữa cực G và cực S, lúc gia
tăng áp VGS ta có được họ đặc tuyến ID = f (VDS) theo hình H3.7. Cần nhớ:
Dòng ID giảm khi suất của áp VGS tăng.
Tương ứng với mỗi giá trị VGS 0V, điện áp thắt (Pinch-off) của JFET là VDS < VP
Phương pháp điều khiển dòng ID bằng áp VGS tóm tắt trong hình H3.8.
a./ VGS 0V ; VDS VP ; ID IDSS b./ Khi VGS < 0 V ; dòng ID giảm và bằng hằng số trong vùng
trên của điểm đạt điện áp thắt VDS .
c./ Khi VGS càng âm hơn ; dòng ID giảm thấp nhưng vẫn d./ Khi VGS VGS ; dòng ID tiếp tục giảm
off
bằng hằng số trong vùng trên của điểm đạt điện áp thắt VDS
Khi VGS VGS ; dòng ID 0A
off
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG - FET 101
VP VGS(off) (3.1)
THÍ DỤ 3.1:
Cho mạch theo hình H3.10, biết các thông số của
JFET gồm: VGS(off) 4V và IDSS 12 mA .
Xác định giá trị cực tiểu của áp VDD cần thiết để đưa
linh kiện hoạt động trong vùng dòng ID bằng hằng số.
GIẢI:
Áp dụng quan hệ VGS(off) VP 4V ta có VP 4V .
HÌNH H3.10
Từ mạch điện hình H3.10, áp dụng định luật Kirchhoff 2
cho mắt lưới chứa các cực D và S của JFET, ta suy ra quan hệ sau:
VDD VDS RD .ID
Suy ra:
VDD VP RD .IDSS 4 560.0,012 10,72 V
Với các nội dung vừa trình bày theo trên, dòng
điện ID được điều khiển khi that đổi áp VGS trong dảy
giá trị từ 0V đến VGS(off).
Với JFET kinh n giá trị VGS(off) < 0V và với JFET
kinh n giá trị VGS(off) > 0V.
Đồ thị hay đường biểu diễn trình bày quan hệ
giữa dòng điện ID theo áp VGS được gọi là đặc tuyến
HÌNH H3.11: Đặc tuyến chuyển
chuyển của JFET, xem hình H3.11.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
102 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG - FET
HÌNH H3.12: Đặc tuyến chuyển ID = f (VGS) được suy ra từ họ đặc tuyến ID = f (VDS).
Trong hình H3.11, cho thấy đặc tuyến chuyển cắt hệ trục tọa độ tại hai điểm đặc biệt:
Điểm cut-off : ( VGS VGS(off) ; ID 0A )
Đặc tuyến chuyển của JFET được biểu diễn theo quan hệ sau:
2
VGS
ID IDSS . 1 (3.2)
VGS(off )
THÍ DỤ 3.2:
Với đặc tuyến chuyển cho trong hình H3.12, ta có: VGS(off) 5V và IDSS 12mA .
Áp dụng quan hệ (3.2) ta có quan hệ hàm cho đặc tuyến chuyển viết theo dạng sau:
2
V
ID 12. 1 GS [mA]
5
Kiểm chứng tọa độ các điểm trên đặc tuyến chuyển, tại các vị trí cho trước giá trị VGS.
VGS [V] 4 3 2 1
ID [mA] 0,48 1,92 4,32 7,68
Kết quả tính toán từ quan hệ (3.2) phù hợp với kết quả suy ra từ đặc tuyến hình H3.12.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG - FET 103
THÍ DỤ 3.3:
Cho JFET mã số 2N5458 có một phần đặc tính kỹ thuật như sau :
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
104 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG - FET
HÌNH H3.13: Đặc tuyến chuyển ID = f (VGS) và họ đặc tuyến ID = f (VDS) của linh kiện 2N5458.
Ta tìm được các số liệu VGS(off) 5,8V và IDSS 9 mA của JFET 2N5458.
Áp dụng quan hệ (3.2) suy ra đặc tuyến chuyển của linh kiện như sau:
2
V
ID 9. 1 GS [mA]
5,8
Kiểm chứng tọa độ các điểm trên đặc tuyến chuyển, tại các vị trí cho trước giá trị VGS.
VGS [V] 5 4 3 2 1
ID [mA] 0,17 0,87 2,1 3,86 6,16
Kết quả tính toán theo quan hệ (3.2) cho giá trị tương đối phù hợp với số liệu của đặc tính
chuyển cho trong hình H3.13. Mức độ chính xác của phép tính tùy thuộc vào các giá trị VGS(off) và
IDSS xác định được từ đặc tính kỹ thuật.
Hệ số điện dẫn được ký hiệu là gm là tỉ số của độ biến thiên dòng ID so với độ biến thiên áp
VGS trên đặc tuyến chuyển tại điện áp VDS cho trước, xem hình H3.13.
ID
gm (3.3)
VGS VDS const
Đơn vị đo: [gm ] [S] , S :Siemens. Đơn vị đo lường điện dẫn khác là [mho]; với 1mho = 1S
Vì đặc tuyến chuyển của JFET phi tuyến, giá trị gm luôn thay đổi phụ thuộc vào vị trí trên
đặc tuyến chuyển. Giá trị lớn nhất của gm tại các điểm gần vị trí VGS 0V . Trong các đặc tính kỹ
thuật giá trị gm được xác định tại VGS 0V . Ngoài ra trong một số đặc tính kỹ thuật hệ số điện
dẫn được thay thế bằng tổng dẫn (forward transfer admittance) y fs . Trong thí dụ 3.3 , linh kiện
JFET 2N5458 có giá trị tổng dẫn cực tiểu là y fs 1500 mho 1500 S tại áp VDS = 15 V.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG - FET 105
VGS
gm gmo 1 (3.4)
VGS(off )
2IDSS
gm (3.5)
HÌNH H3.14: Phương pháp xác định thông số điện dẫn hay tổng dẫn VGS(off)
trên đặc tuyến chuyển.
THÍ DỤ 3.4:
Trong đặc tính kỹ thuật của linh kiện JFET 2N5457 cho bởi nhà sản xuất, đã trình bày trong
thí dụ 3.3; ta có các số liệu như sau: IDSS 3 mA ; VGS(off ) 6V max và hệ số tổng dẫn trên đặc
tuyến chuyển yfs(max) 5000 S .
Áp dụng các số liệu trên xác định hệ số điện dẫn tại lúc VGS 4V và suy ra giá trị dòng ID
tại vị trí này.
GIẢI
Ta có giá trị yfs(max) 5000 S chính là giá trị gmo . Áp dụng quan hệ (3.4) suy ra:
VGS 4V
gm gmo 1 5000S 1 1666,67S
VGS(off ) 6V
Dòng ID tại VGS = 4V được xác định theo quan hệ (3.2):
2
4 1
ID 3mA. 1 mA 333,33 A
6 3
Như đã trình bày trong các mục trên, JFET hoạt động khi mối nối G-S phân cực nghịch,
hiện tượng này khiến điện trở nhập tại cực cổng có giá trị rất cao. Giá trị rất lớn của điện trở
nhập là ưu điểm của JFET so với BJT. Trong các tài liệu kỹ thuật của JFET điện trở nhập được
xác định theo dòng phân cực ngược cực cổng IGSS tại giá trị áp nào đó giữa hai cực G và S. Tổng
trở nhập cũng có thể xác định theo quan hệ sau :
VGS
R IN (3.6)
IGSS
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
106 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG - FET
THÍ DỤ 3.5:
Với JFET có IGSS 2nA ứng với VGS 20 V , điện trở nhập được xác định như sau:
VGS 20V
R IN 10000 M
IGSS 2nA
Khi nhiệt độ gia tăng dòng IGSS tăng dẫn đến giá trị điện trở nhập giảm thấp.
Điện dung nhập Cicss là kết quả hoạt động của JFET tại mối nối phân cực ngược. Nói cách
khác tại mối nối pn phân cực nghịch có tác động như tụ điện, điện dung của tụ điện phụ thuộc
vào mức áp phân cực nghịch.
Với JFET 2N5457 có giá trị điện dung cực đại Cicss = 7 pF tại VGS = 0.
Theo nội dung vừa trình bày, trong đặc tuyến mô tả quan hệ giữa dòng ID theo áp VDS trên
điểm pinch-off giá trị dòng ID hầu như không đổi trong phạm vi rộng của áp VDS . Điều này cho
thấy với phạm vi thay đổi rộng giá trị áp VDS tương ứng với pham vi thay đổi rất bé dòng ID .
Điện trở giữa cực Drain và cực Source được xác định theo quan hệ :
VDS
r 'ds (3.7)
ID
Trong các tài liệu kỹ thuật thông số này được cho dưới dạng điện dẫn ngõ ra gOS hay
tổng dẫn ngõ ra yOS .
VGS VG VS 0 ID .R S ID .R S
Hay VGS ID .R S
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG - FET 107
Với JFET kinh p hình H3.15 (b) dòng IS qua điện trở RS hình thành nguồn áp âm tại cực
Source so với với Gnd. Suy ra
VGS ID .R S
Với JFET kinh n hình H3.15 (a) áp giữa Cực Thoát (Drain) so với Gnd được xác định
theo quan hệ sau :
VD VDD ID .RD
Vì VS ID .R S
THÍ DỤ 3.6:
Tìm áp VDS và VGS trong hình H3.16.
Với JFET cho trong mạch với các thông số nội định trước như : gm ;
VGS(off) ; và IDSS sẽ hình thành dòng ID 5 mA . Với một JFET khác, ngay cà
khi cùng mã số cùng loại, có thể không tạo ra cùng kết quả khi nối vào mạch
vì phụ thuộc vào sự thay đổi giá trị của các thông số.
GIẢI:
Ta có:
VS ID .R S 5 mA . 220 1100mV 1,1 V
Phương pháp cơ bản tính gần đúng để đạt được điểm phân cực cho JFET là xác định
dòng ID theo giá trị áp VGS định trước hoặc ngược lại. Sau đó tính toán để xác định giá trị điện trở
RS theo quan hệ sau:
VGS
RS (3.8)
ID
Để xác định được các giá trị ID và VGS có thể thực hiện theo một trong hai phương pháp:
Áp dụng đặc tuyến chuyển của JFET.
Áp dụng quan hệ (3.2)
THÍ DỤ 3.7:
Xác định giá trị điện trở RS trong mạch tự phân cực cho JFET có đặc tuyến chuyển trình
bày trong hình H3.17 tại giá trị VGS = 5V.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
108 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG - FET
HÌNH H3.17: Đặc tuyến chuyển của JFET cho trong thí dụ 3.7.
GIẢI:
Từ đồ thị, ta có được kết quả sau : tại VGS = 5 V thì ID = 6,25 mA . Suy ra:
VGS 5 V
RS 0,8 k 800
ID 6,25 mA
Tương tự, khi dùng phương pháp đồ thị xác định muốn xác định điểm làm việc tại điểm
VGS = 3 V tương ứng với ID = 12 mA ta cần điện trở RS có giá trị sau:
VGS 3 V
RS 0,25 k 250
ID 12 mA
THÍ DỤ 3.8:
Xác định giá trị điện trở RS trong mạch tự phân cực cho JFET kinh p có các thông số như
sau : IDSS = 25 mA và VGS(off) = 15 V. Biết điểm làm việc có VGS = 5V.
GIẢI:
Áp dụng quan hệ (3.2), ta có:
2 2
VGS 5V
ID IDSS . 1 25 mA . 1
VGS(off) 15 V
2
2
ID 25 mA . 11,11mA
3
Suy ra giá trị của điện trở RS là:
VGS 5V
RS 0, 45 k 450
ID 11,11mA
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG - FET 109
Trong một số mạch phân cực JFET thường yêu cầu điểm làm việc Q ở gần vị trí giữa của
I
đặc tuyến chuyển, tại vị trí này ta có ID DSS . Điểm phân cực tại vị trí giữa cho phép dòng ID thay
2
đổi trong phạm vi từ IDSS đến 0 khi cho các tín hiệu biến thiên vào cổng JFET.
IDSS
Khi áp dụng quan hệ (3.2) khi giá trị ID ta có kết quả như sau :
2
2
VGS
0,5.IDSS IDSS . 1 (3.9)
VGS(off )
Suy ra:
2
VGS(off )
0,5 1 K (3.10)
VGS(off )
VGS(off )
Trong quan hệ (3.10) ta đã đặt VGS với giá trị K > 1. Thu gọn (3.10) ta có
K
phương trình xác định gía trị K như sau:
1
1 0,5
K
Hay:
1
K 3, 4142 (3.11)
1 0,5
Tóm lại:
VGS(off ) IDSS
VGS tại lúc ID (3.12)
3, 4142 2
VDD
Muốn chỉnh đặt giá trị VD cần chọn giá trị của điện trở RD thích hợp để tạo điện áp
2
đặt ngang qua hai đầu điện trở này đủ lớn để điều chỉnh thay đổi được áp VD.
THÍ DỤ 3.8:
Xác định các điện trở RD và RS trong mạch tự phân cực JFET, hình
H3.18 để điểm làm việc tại vị trí giữa trên đặc tuyến chuyển.
Cho JFET có các thông số sau: IDSS = 12 mA và VGS(off) = 3V. Giá trị
VD được xác định xấp xỉ giá trị 6 V.
GIẢI:
IDSS 12 mA
Tại vị trí giữa ta có : ID 6 mA
2 2
Áp dụng quan hệ (3.12) ta có:
VGS(off ) 3 V
VGS 0,87868 V 878,68mV
3, 4142 3, 4142 HÌNH H3.18
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
110 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG - FET
HÌNH H3.19
Chúng ta có thể
dùng đặc tuyến chuyển của
JFET và các thông số bất kỳ
khác để xác định điểm làm
việc Q ( ID và VGS) cho mạch
tự phân cực. HÌNH H3.20
Cho mạch tự phân
cực trong hình H3.19 và đặc tuyến chuyển của JFET theo hình H3.20. Trong trường hợp đặc
tuyến không được cho trong các tài liệu kỹ thuật (data sheets), chúng ta có thể vẽ đặc tuyến
theo các thông số IDSS và VGD(off) cho trong tài liệu kỹ thuật.
Đầu tiên chúng ta cần xác định đường tải điện tỉnh (DC load line) cho mạch tự phân
cực. Đây là đồ thị mô tả quan hệ giữa dòng ID theo áp VGS .
Khi VGS = 0 V, ta có VGS ID .R S 470 .ID 0 V . Suy ra ID = 0 A
Khi ID = IDSS tacó quan hệ VGS IDSS .R S 470 . 10mA 4700 mV 4,7 V . Giá
trị dòng IDSS = 10 mA được xác định từ đặc tuyến chuyển, xem hình H3.20.
Tóm lại đường tải điện tỉnh đi qua 2 điểm đặc biệt:
(VGS = 0 V; ID = 0 A) và (VGS = 4,7 V; ID = 10 mA)
Đường tải điện DC đưiợc vẽ chung với đặc tuyến chuyển trình bày trong hình H3.21. Từ
các đồ thị này ta suy ra tọa độ giao điểm chính là các thông số của điểm làm việc Q cần tìm.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG - FET 111
HÌNH H3.21
HÌNH H3.22
THÍ DỤ 3.9: Định điểm làm việc Q của JFET trong mạch hình
H3.22 với đặc tuyến chuyển của JFET cho trong hình H3.23.
GIẢI:
Khi VGS = 0 V suy ra ID = 0 A
Khi ID = IDSS = 4 mA ta có
VGS IDSS .R S 680 . 4 mA
Suy ra :
VGS 2,72 V
Tóm lại đường tải điện tỉnh
đi qua 2 điểm đặc biệt:
(VGS = 0 V; ID = 0 A) và
(VGS = 2,72 V; ID = 4 mA)
Vẽ đường tải điện tỉnh và
xác định tọa độ giao điểm của
đặc tuyến chuyển với đường tải
điện tỉnh. Ta có thông số điểm
làm việc Q của JFET trong mạch
tự phân cực hình H3.22 là :
(VGS = 1,5 V; ID = 2,25 mA)
HÌNH H3.23
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
112 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG - FET
Trong hình H3.24 trình bày mạch phân cực JFET kinh n dùng cầu
phân áp. Điện thế tại cực nguồn (S) phải dương hơn điện thế tại cực cổng
(G) để duy trì điều kiện phân cực nghịch cho mối nối GS.
Điện thế tại cực nguồn S (so với điểm Gnd) là:
VS R S .ID (3.13)
Điện thế tại cực cổng (G) được xác định bởi các điện trở R1 và R2
của cầu phân áp theo quan hệ sau:
R 2 .VDD
VG (3.14)
R1 R 2
Điện áp giữa cực cổng và cực nguồn là:
VGS VG VS (3.15)
Dòng qua cực thoát là:
HÌNH H3.24
VS VG VGS
ID (3.16)
RS RS
THÍ DỤ 3.10: Định dòng ID và áp VGS cho mạch phân cực JFET dùng
cầu phân áp theo hình H3.25. Cho áp VD 7V .
GIẢI:
Dòng qua cực thoát (D) xác định theo quan hệ:
VDD VD 12 V 7 V 5V
ID 1,515 1,52mA
RD 3,3k 3,3k
Điện thế tại cực nguồn (S):
VS R S .ID 1,515 mA . 2,2k 3,333 V
Điện thế tại cực cổng (G) xác định theo cầu phân áp:
R 2 .VDD 1M . 12 V
VG 1,53846 1,54 V
R1 R 2 1M 6,8M
HÌNH H3.25
Điện áp giữa cực cổng và cực nguồn là:
VGS VG VS 1,54 V 3,33 V 1,79 V
CHÚ Ý: Nếu trong thí dụ này không cho giá trị áp VD ; điểm làm việc Q sẽ không xác định được
nếu không có đặc tuyến chuyển.
GIẢI TÍCH DÙNG ĐỒ THỊ CHO MẠCH TỰ PHÂN CỰC JFET DÙNG CẦU PHÂN ÁP:
Tương tự như trường hợp đã thực hiện khi áp dụng mạch tự phân cực cho JFET, chúng ta
có thể áp dụng phương pháp đồ thị xác định điểm làm việc Q cho JFET trong mạch phân cực
dùng cầu phân áp.
Trong mạch phân cực dùng cầu phân áp, khi ID 0 áp VGS không bằng 0 như trong trường
hợp tự phân cực, vì cầu phân áp tạo điện áp tại cực cổng độc lập đối với dòng qua cực
thoát. Đường tải điện DC khi dùng cầu phân áp được xác định theo phương pháp sau:
Khi ID 0 , VS R S .ID R S .0 0 .
Suy ra VGS VG VS VG 0 VG
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG - FET 113
THÍ DỤ 3.11: Định điểm làm việc Q của JFET trong mạch phân cực dùng cầu phân áp theo hình
H3.27. Cho đặc tuyến chuyển của JFET cho trong hình H3.28.
HÌNH H3.27
R 2 .VDD 2,2 M .8 V
VGS VG 4V
R1 R 2 2,2M 2,2M
Với VGS 0
VG VGS VG 4V
ID 1,2mA
RS R S 3,3k
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
114 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG - FET
Vẽ đường tải điện tỉnh qua hai điểm: ID 0 ; VGS 4V và ID 1,2mA ; VGS 0 trên đồ
thị đặc tuyến chuyển, suy ra giao điểm của các đường biểu diễn, xem hình H3.28.
Điểm làm việc Q có các thông số ID 1,8mA ; VGS 1,8 V
Như vậy giá trị áp VGS(OFF) cực đại là 8V và cực tiểu là 2V. Điều này có nghĩa là: nếu ta
chọn linh kiện 2N5459 một cách ngẩu nhiên thì giá trị của các thông số sẽ nằm trong vùng giá trị
vừa nêu. Nếu vẽ đường tải điện DC cho mạch tự phân cực, với cùng mạch điện thì điểm làm việc
có thể nằm trên đường tải điện trong vùng từ Q1 (điểm phân cực cực tiểu) đến điểm Q2 (điểm
phân cực cực đại) . Như vậy, dòng ID có thể đạt giá trị từ ID1 đến ID2 , xem vùng giới hạn màu xám
trên hình H3.29. Điều này cho thấy, áp DC tại cực D (Drain) có thể có một dảy giá trị phụ thuộc
vào giá trị của dòng ID . Hơn nữa, áp giữa các cực GS có thể có giá trị bất kỳ trong phạm vi từ
VGS1 đến VGS2 .
HÌNH H3.30: Phương pháp ổn định điểm làm việc Q bằng cách phân cực dùng cầu phân áp.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG - FET 115
Trong hình H3.30 trình bày điểm làm việc Q trong các trường hợp phân cực JFET bằng
phương pháp tự phân cực và phân cực dùng cầu phân áp. Với phương pháp phân cực dùng cầu
phân áp dảy giá trị tha đổi của dòng ID thu hẹp lại do độ dốc của đường tải điện DC giảm thấp hơn
so với độ dốc của đường tải điện trong trường hợp tự phân cực.
Mặc dù phạm vi của áp VGS có khác biệt giữa hai phương pháp phân cực, nhưng dòng ID
ổn định hơn khi áp dụng phương pháp phân cực dùng cầu phân áp.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
116 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG - FET
Khi cấp điện áp dương vào cổng, một số lượng lớn điện tử
được hấp dẫn vào kinh dẫn, như vậy tính dẫn của kinh dẫn được gia
tăng. Chế độ tác động tăng được trình bày trong hình H3.33.
Sơ đồ biểu diễn cho các loại D-MOSFET kinh n và kinh p trình Kinh n Kinh p
bày trong hình H3.34 HÌNH H3.34:
3.2.2.EMOSFET (ENHANCEMENT MOSFET):
E-MOSFET chỉ hoạt động theo chế độ tác động tăng không hoạt động theo chế độ
nghèo. Về cấu trúc, E-MOSFET không có kinh dẫn như D-MOSFET; với linh kiện kinh n, lớp bán
dẫn p mở rộng hoàn toàn đến lớp Oxide Silicon (SiO2) , xem hình H3.35 a.
Với linh kiện kinh n khi cấp điện áp dương vào cực cổng trên mức áp ngưỡng sẽ hình
thành một kinh cảm
ứng (induced channel)
là một lớp điện tích âm
nằm trong lớp vận liệu
p và đối diện với lớp
Oxide Silicon.
Tính dẫn của
kinh được gia tăng
bằng cách tăng áp
giữa cực cổng (G) và
nguồn (S). Biên pháp
gia tăng áp sẽ kéo
thêm nhiều điện tử vào
vùng kinh dẫn. Nếu
cấp áp giữa cực cổng
(G) và nguồn (S) thấp
a./ Cấu trúc cơ bản b/ Kinh cảm ứng khi VGS > VGSTh hơn mức ngưỡng thì
sẽ không tạo được
HÌNH H3.35: Chế độ tác động tăng (Enhancement) VGS > 0 kinh dẫn.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG - FET 117
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
118 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG - FET
Kinh dẫn được cảm ứng theo hướng dọc theo các cạnh hình V giữa cực thoát (D) là lớp
bán dẫn n+ và bán dẫn n- đến cực nguồn (S) cũng là lớp bán dẫn n+.
Độ dài kinh dẫn được điều chỉnh bằng bề
dầy của các lớp. Thực sự, độ dài của kinh dẫn
được kiểm soát bằng nồng độ các hạt tải và thời
gian khuếch tán .
Theo nội dung vừa phân tích trong các mục trên, D-MOSFET có thể hoạt động trong các
trường hợp: điện áp cực cổng dương hay âm. Điều này được thể hiện trong đặc tuyến chuyển
dạng tổng quát trong hình H3.42 cho tất cà các loại MOSFET kinh n và kinh p.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG - FET 119
E-MOSFET chỉ
dùng kinh tác động
tăng. Như vậy : với
linh kiện kinh n cần
áp dương đặt giữa
cực cổng và nguồn,
với linh kiện kinh p
cần áp âm đặt giữa
cực cổng và nguồn.
Trong hình H3.43
trinh bày các đặc tuyến
chuyển cho tất cả các
loại E-MOSFET kinh n
và kinh p.
HÌNH H3.43: Đặc tuyến chuyển của E-MOSFET kinh n và kinh p.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
120 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG - FET
Trên đặc tuyến cho thấy không có giá trị nào của dòng điện ID khi VGS = 0 V. Do đó, linh
kiện E-MOSFET không có thông số IDSS như trường hợp của JFET và D-MOSFET. Một cách lý
tưởng khi thay đồi áp VGS và dòng thoát ID = 0 ; cho đến khi áp VGS đạt được giá trị khác 0 nào
đó dể dòng ID bắt đầu hình thành ; giá trị áp VGS tại lúc bắt đầu hình thành dòng ID được gọi là
áp ngưởng VGS(th) .
Do đặc tuyến chuyển của E-MOSFET có dạng parabol và đặc tuyến chuyển bắt đầu tại
giá trị áp ngưởng VGS(th) trên trục hoành và không cắt trục tung , hàm số xác định đặc tuyến
chuyển của E-MOSFET được trình bày như sau :
2
ID K. VGS VGS(th) (3.17)
Hằng số K phụ thuộc vào đặc tính riêng của mỗi loại MOSFET có thể được xác định
thông qua số liệu dòng ID(on) cho trong các tài liệu kỹ thuật của nhà sản xuất.
THÍ DỤ 3.13: Cho E-MOSFET mả số 2N7008 có đặc tính và thông số kỹ thuật trình bày tóm tắt
trong hình H3.44. Từ dữ liệu cho trong tài liệu kỹ thuật xác định dòng ID ứng giá trị áp VGS = 5V.
GIẢI:
HÌNH H3.44: Tóm tắt các thông số kỹ thuật của E-MOSFET mả số 2N7008.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG - FET 121
THÍ DỤ 3.13: Cho E-MOSFET mả số 2N7008 có đặc tính kỹ thuật tóm tắt trong hình H3.44.
Từ các số liệu nhận được trong đặc tính kỹ thuật, xác định dòng thoát ID tại áp VGS = 5 V.
GIẢI
Từ các số liệu cho trong đặc tính kỹ thuật, chúng ta rút ra các thông số sau :
Dòng thoát cực tiểu ID(on) = 500 mA.
Áp VGS ứng với dòng ID(on) = 500 mA là : VGS = 10 V.
Áp ngưởng VGS(th) = 1 V (chọn giá trị cực tiểu).
Áp dụng quan hệ (3.17) suy ra:
ID(on) 500mA mA
K 6,17 2
VGS VGS(th) 10 V 1V
2 2
V
Suy ra:
2 2
ID K. VGS VGS(th) 6,17. VGS VGS(th) mA (3.18)
Áp dụng quan hệ (3.18) xác định dòng thoát ID ứng với áp VGS = 5 V ; ta có :
ID 6,17. 5 V 1V 98,7 mA
2
Tất cả các linh kiện MOS có thể bị phá hủy dưới tác dụng của quá trình phóng điện
bởi tỉnh điện ESD (Electrostatic Discharge).
Do cực cổng của MOSFET được cách ly với kinh dẫn, tổng trở nhập có giá trị rất lớn
(có giá trị vô cùng khi xem lý tưởng).
Dòng rò ở cực cổng, IGSS , của các MOSFET tiêu chuẩn có giá trị khoảng vài pA ;
trong khi dòng ngược tại cực cổng của JFET có giá trị khoảng vài nA .
Giá trị điện dung nhập phụ thuộc vào cấu trúc cách ly cực cổng. Điện lượng tỉnh điện cực
lớn có thề tích lũy do điện dung nhập có giá trị lớn liên kết với điện trở nhập cũng có giá trị lớn dễ
dẫn đến sự phá hỏng linh kiện.
Muốn tránh sự phá hỏng linh kiện do tác dụng ESD ta cần thực hiện các yêu cầu sau :
Khi vận chuyển các linh kiện MOS phải được lưu trử trong các hạt dẫn .
Tất cà các thiết bị đo lường và các băng kim loại dùng liên kết hay thử nghiệm phải được
nối đất.
Không nên tách rời các linh kiện MOS (hay bất kỳ các linh kiện khác) khỏi mạch trong khi
nguồn cung cấp chưa được ngắt.
Không nên cấp tín hiệu vào các linh kiện MOS khi nguồn DC chưa đươc cấp vào mạch.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
122 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG - FET
Nhiệm vụ của điện trở RD điều hợp với tín hiệu AC bằng cách cô lập tín hiệu này với Gnd,
xem hình H3.45b. Vì không có dòng DC và cực cổng, nên RG không ảnh hưởng đến sự phân cực
zero giữa cổng và nguồn.
THÍ DỤ 3.14:
Xác định áp giữa cực thoát (D) và cực nguồn (S) trong mạch hình
H3.46. Biết thông số cho trong đặc tính kỹ thuật của MOSFET là:
VGS(Off) 8V ; IDSS 12mA .
GIẢI:
Vì dòng ID IDSS 12mA , áp giửa cực thoát (D) và nguồn (S)
được xác định theo quan hệ (3.19) như sau:
VDS 10,6 V
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG - FET 123
ngưỡng VGS(th).
PHÂN CỰC DÙNG CẦU PHÂN ÁP:
Các phương trình giải tích áp dụng cho phương pháp phân cực dùng cầu phân áp (mạch
(a) trong hình H3.47) được trình bày như sau:
R2
VGS .VDD (3.20)
R1 R 2
2
Trong đó dòng ID thỏa quan hệ (3.17) ID K. VGS VGS(th)
THÍ DỤ 3.15:
Định VGS và VDS cho mạch phân cực E-MOSFET trong hình
H3.48. Biết các thông số của MOSFET là : ID(ON) = 200 mA tại VGS = 4 V
và VGS(th) = 2 V.
GIẢI:
Từ 3.20 suy ra áp giữa cực cổng và nguồn là :
15k
VGS .24V 3,13 V
15k 100k
Xác định hệ số K trong quan hệ (3.17) dựa vào giá trị dòng ID(ON)
ID(on) 200mA mA
K 50 2
VGS VGS(th) 4 V 2 V 2
2
V
HÌNH H3.48
Dòng ID tại VGS = 3,13V được xác định theo quan hệ:
2
50. 3,13 2 63,8mA
2
ID K. VGS VGS(th)
Áp VDS :
VDS VDD RD .ID 24V (200 ) 63,8mA 11,2 V
THÍ DỤ 3.16:
Ước tính dòng qua cực cổng MOSFET trong mạch
hình H3.49, biết VGS(th) = 3 V.
GIẢI:
Tứ Volt kế ta có VGS = 8,5 V . Vì mạch phân cực
theo dạng hồi tiếp cực thoát, ta có VGS = VDS = 8,5 V.
Suy ra :
VDD VDS 15 V 8,5 V
ID 1,38mA
RD 4,7k
HÌNH H3.49
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
124 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG - FET
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG - FET 125
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
126 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG - FET
HÌNH H3.54
HÌNH H3.55
HÌNH H3.56
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG - FET 127
HÌNH H3.59
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
128 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG - FET
HÌNH H3.61
HÌNH H3.62
HÌNH H3.63
BÀI TẬP 3.30
Dựa vào giá trị áp VGS đo được, định dòng ID và áp VDS trong mỗi mạch hình H3.62
ĐÁP SỐ: a./ 5V ; 3,18 mA b./ 3,2V ; 1,02 mA
BÀI TẬP 3.31
Định áp VGS của mạch trong hình H3.63 khi có chú ý đến dòng rò cực cổng IGSS . Giả sử giá trị
của IGSS = 50 pA và ID = 1 mA theo điều kiện phân cực hiện có của mạch.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 4 – THYRISTOR VÀ CÁC LINH KIỆN KHÁC 129
CHƯƠNG 04
THYRISTOR VÀ CÁC LINH KIỆN KHÁC
Thyristor cơ bản là linh kiện gồm 4 lớp bán dẫn với hai đầu ra, anod và cathod. Cấu
trúc của linh kiện gồm 4 lớp bán dẫn p và n xếp liên tiếp theo thứ tự pnpn. Linh kiện có tác
động như một khóa điện và duy trì trạng thái nghỉ (OFF) cho đến khi đạt được một mức áp
phân cực thuận tương thích nào đó sẽ chuyển sang trạng thái dẫn (ON). Tính dẫn của linh
kiện sẽ duy trì liên tục cho đến khi dòng qua linh kiện giảm thấp hơn một mức giá trị định
trước. Thyristor cơ bản này còn được gọi là SUS (Silicon Unilateral Switch), Shockley diode hay
diode 4 lớp. Trong đề mục này chúng ta sẽ khảo sát các vấnđề sau:
Trình bày cấu trúc và nguyên lý hoạt động của diode 4 lớp pnpn.
Ký hiệu tương đồng cho diode 4 lớp.
Điện áp bẻ gảy phân cực thuận (forward breakdown voltage).
Dòng duy trì (holding current).
Dòng ngắt (switching current).
Khảo sát một số các ứng dụng.
Khi cấp áp dương giữa anod và cathod của linh kiện, xem hình H4.2b, các mối nối nền
phát của các transistor Q1 và Q2 (các mối nối pn thứ 1 và thứ 3 trong linh kiện) phân cực thuận,
trong khi mối nối nền thu (mối nối pn thứ 2) phân cực nghịch. Như vậy, các transistor trong
mạch tương đương đang hoạt động trong vùng tuyến tính.
Dòng điện qua mạch tương đương trình bày trong hình H4.3 . Tại mức phân cực thấp dòng
anod có giá trị thấp, linh kiện đang trong trạng thái nghỉ trong chế độ phân cực thuận (vùng ngưng
dẫn phân cực thuận – forward blocking region).
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
130 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 4 – THYRISTOR VÀ CÁC LINH KIỆN KHÁC
Vùng ngưng
dẫn lúc phân
cực thuận.
HÌNH H4.3: HÌNH H4.4: Đặc tính volt ampre lúc phân cực thuận SUS.
THÍ DỤ 4.1:
Xác định dòng anod qua SUS trong hình H4.5 khi linh
kiện đang trong trạng thái dẫn. Biết áp VBR(F) = 100 V, giả sử
các transistor trong mạch tương đương của SUS có các
thông số: áp VBE = 0,7 V và áp VCE(SAT) = 0,1 V.
GIẢI:
Khi SUS đang trong trạng thái dẫn phân cực thuận, áp
dụng định luật Kirchhoff 2, ta có: HÌNH H4.5
VBIAS R S .IF VBE VCE(SAT)
Suy ra:
VBIAS VBE VCE(SAT) 110V 0,7V 0,1V 109,2V
IF 109,2mA
RS 1k 1k
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 4 – THYRISTOR VÀ CÁC LINH KIỆN KHÁC 131
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
132 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 4 – THYRISTOR VÀ CÁC LINH KIỆN KHÁC
SCR được sử dụng nhiều trong các ứng HÌNH H4.8: CẤU TẠO VÀ KÝ HIỆU CỦA SCR
dụng: điều khiển động cơ, mạch định thì, điều khiển
nhiệt, điều khiển pha , điều khiển relay . . . Trong đề mục này chúng ta khảo sát:
Cấu trúc cơ bàn và nguyên tắc hoạt động của SCR.
Ký hiệu và mạch tương đương.
Giải thích các đặc tuyến và trình bày các thông số của SCR.
Định nghĩa force commutation.
SCR là linh kiện tạo thành từ 4 lớp bán dẫn p, n ghép liên tiếp nhau và có 3 chân ra :
Anode (A) ; Cathod (K) ; Cổng (Gate – G). Cấu tạo nguyên lý và ký hiệu của SCR được trình bày
trong hình H4.8. Hình dạng thực của các loại SCR trình bày trong hình H4.9.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 4 – THYRISTOR VÀ CÁC LINH KIỆN KHÁC 133
4.2.1.MẠCH ĐIỆN TƯƠNG ĐƯƠNG VÀ NGUYÊN TẮC HOẠT ĐỘNG CỦA SCR:
Tương tự như trường hợp diode 4 lớp,
mạch tương đương của SCR cũng bao gồm
hai transistor npn và pnp liên kết lại với
nhau, xem hình H4.10. Ba lớp pnp phía trên có
tác dụng như transistor pnp Q1 ; ba lớp bán
dẫn phía dưới npn có tác dụng tương tự như
transistor npn Q2 ; hai lớp bán dẫn giữa được
chia xẻ chung cho cả hai transistor.
Lúc áp ở anod
SCR dương hơn áp
tại cathod, cấp xung
dương dòng điện vào
cực cổng, cả hai
transistor chuyển
sang trạng thái dẫn.
Quá trình thực
hiện như trên được gọi
là kích khởi (trigger)
SCR. Tác động kích
khởi SCR được trình
bày trong hình H.4.12
và được giải thích như
sau:
Khi cấp dòng vào
HÌNH H4.11: SCR NGƯNG DẪN HÌNH H4.12: KÍCH DẪN SCR. cực cổng, tạo ra dòng
IB2 đến cực nền
transistor Q2 chuyển transistor này sang trạng thái dẫn. Như vậy dòng IC2 gia tăng.
Vì dòng cực thu IC2 của transistor Q2 cũng chính là
dòng cực nền của transistor Q1. Nên khi dòng IC2 hay IB1
tăng cũng làm transistor Q1 chuyển sang trạng thái dẫn.
Khi Q1 dẫn sẽ tạo ra dòng IC1, dòng cực thu IC1
chính là dòng nền IB2 . Khi IC1 tăng sẽ làm cho transistor
Q2 dẫn mạnh hơn. Xem hình H4.12.
Dưới tác động tái sinh như vừa trình bày, Q1 và Q2 sẽ
chuyển nhanh đến trạng thái dẫn bảo hòa. Tóm lại linh
kiện sẽ chốt (latches) trạng thái dẫn ngay sau tác
động kích khởi. Xem hình H4.13. Trong quá trình chốt
trạng thái dẫn tổng trở nội giữa anod và cathod của SCR
giảm giá trị xuống đến mức rất thấp.
Chúng ta cần chú ý đến tính chất sau, tương tự
như diode 4 lớp SCR cũng có thể chuyển sang trạng
thái dẫn bằng cách gia tăng áp đặt ngang qua anod và
cathod cao hơn giá trị áp bẻ gảy VBR(F) tại lúc phân HÌNH H4.13: SCR CHỐT TRẠNG THÁI DẪN.
cực thuận, mà không cần kích khởi tại cực cổng.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
134 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 4 – THYRISTOR VÀ CÁC LINH KIỆN KHÁC
HÌNH H4.14: Đặc tính Volt Ampere của SCR khithay đổi dòng kích khởi IG vào cực cổng .
Trong hình H4.14 trình bày đặc tính Volt Ampere khi điều chỉnh thay đổi dòng kích cổng IG .
Trong đặc tuyến này giá trị áp VBR(F) sẽ giảm khi tăng giá trị dòng kích cổng IG. Như vậy, thay
đổi dòng kích cổng sẽ điều khiển được giá trị áp VBR(F) để chuyển SCR sang trạng thái dẫn.
Măc dù áp giữa anod và cathod vượt cao hơn giá trị áp VBR(F) nhưng không làm hư hỏng
linh kiện nếu dòng qua linh kiện được giới hạn. Đây là trạng thái cần chú ý và chỉ nên tác động
kích khởi SCR bằng dòng xung vào cực cổng.
Sau khi xung kích khởi đạt giá trị 0 và áp tại cực cổng là 0 V, SCR có thể ngưng dẫn khi
hoạt động trong vùng dẫn phân cực thuận. Dòng anod qua linh kiện phải giảm thấp hơn giá trị
của dòng duy trì IH để có thể đạt được trạng thái SCR ngưng dẫn hay tắt SCR.
Có hai phương pháp cơ bản dùng tắt SCR:
Ngắt dòng anod
Nghịch lưu cưởng bức
Với phương pháp ngắt dòng anod,
chúng ta có thể lắp nối tiếp hay song song
khóa điện tác động kéo dài trong khoảng
thời gian ngắn như trong hình H4.15.
Trong hình H4.15 a, tác động của
khóa điện nối tiếp làm mất dòng anod qua
linh kiện để dòng anod giảm xuống đến giá
trị 0 (thấp hơn giá trị dòng duy trì) SCR sẽ tự
động tắt.
Trong hình H4.15 b, tác động của
khóa điện đấu song song với SCR làm dẫn
hầu hết dòng qua tải đi qua khóa, làm giảm HÌNH H4.15: Phương pháp ngắt dòng anod để tắt SCR.
nhanh dòng anod đến giá trị 0 (thấp hơn giá
trị dòng duy trì) SCR cũng sẽ tự động tắt.
Phương pháp nghịch lưu cưỡng bức cơ bản cần tạo dòng qua SCR ngược hướng với
dòng dẫn thuận trong thời gian ngắn để làm dòng điện thuận giảm thấp hơn dòng duy trì.
Mạch điện thực hiện nghịch lưu cưỡng bức để tắt SCR trình bày trong hình H4.16.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 4 – THYRISTOR VÀ CÁC LINH KIỆN KHÁC 135
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
136 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 4 – THYRISTOR VÀ CÁC LINH KIỆN KHÁC
THÍ DỤ 4.2:
Xác định dòng anod và dòng qua cực cổng khi khóa SW1 trong mạch hình H4.18 được
đóng kinh trong khoảng thời gian ngắn.
Giả sử áp VAK = 0,8 V ; VGK = 0,7 V và dòng
duy trì IH = 20 mA .
GIẢI:
Dòng kích cổng được xác định theo quan hệ:
VA VAK 24 V 0,8 V
IA 23,2 mA HÌNH H4.18
RA 1 k
Giá trị dòng anod qua SCR lớn hơn dòng duy trì IH = 20 mA nên SCR duy trì trạng thái
dẫn sau khi được kích dẫn bằng cách cấp dòng vào cực cổng.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 4 – THYRISTOR VÀ CÁC LINH KIỆN KHÁC 137
o o
Góc kích SCR cho khoảng dẫn 180 Góc kích SCR cho khoảng dẫn 90
o o
HÌNH H4.19: Dạng dòng điện qua tải RL ứng với các khoảng dẫn 90 và 180 khi thay đổi góc kích SCR.
Khi kích khởi SCR tại góc kích 0o khoảng dẫn của SCR xấp xỉ 180o trong bán kỳ
dương, xem hình H4.19a.Tại trường hợp này công suất tác dụng cấp cho Tải đạt giá trị tối đa.
Khi kích khởi SCR tại góc kích 90o khoảng dẫn của SCR xấp xỉ 90o trong bán kỳ
dương, xem hình H4.19b. Với khoảng dẫn này công suất tác dụng cấp cho Tải giảm thấp hơn so
với trường hợp SCR được kích dẫn với khoảng dẫn rộng hơn.
Nhiệm vụ của diode nối trên cực cổng ngăn không cho điện áp xoay chiều bán kỳ âm tác
động đến cực cổng của SCR. Do đó tại bán kỳ âm của áp xoay chiều , SCR ở trạng thái ngưng
dẫn, nên không có dòng qua điện trở Tải.
Điều quan trọng cần chú ý: Mạch áp dụng SCR điều khiển công suất tác dụng tiêu thụ trên Tải
trong hình H4.18 có tính chất nguyên lý. Công dụng cũa mạch nhằm giúp sinh viên hiểu được
ứng dụng của linh kiện SCR. Với mạch kích cổng SCR dùng cầu phân áp bằng điện trở thường
cho góc kích dẫn không hoàn toàn chính xác trên từng bán kỳ dương, đặc biệt là trong trường
hợp điện trở Tải có giá trị bé. Muốn điều chỉnh góc kích dẫn SCR chính xác hơn cần áp dụng
các mạch kích có dạng phức tạp hơn với các linh kiện chủ động khác. Các nội dung này được
khảo sát chi tiết hơn trong môn Điện Tử Công Suất.
4.2.3.3.HỆ THỐNG ĐÈN CHIẾU SÁNG DỰ PHÒNG DUY TRÌ HOẠT ĐỘNG KHI MẤT NGUỒN ĐIỆN LƯỚI:
Một ứng dụng khác của SCR là mạch duy trì hoạt động của đèn thắp sáng (loại đốt tim)
bằng nguồn acquy dự phòng khi nguồn điện lưới chính có sự cố (mất điện). Trong hình H4.20
dùng biến áp cách ly thứ cấp có điểm giữa tạo thành mạch chỉnh lưu hai bán kỳ để cấp nguồn
cho đèn đốt tim. Ngoài ra khi nguồn điện lưới tồn tại, lúc không sự cố, acquy được nạp điện
thông qua diode D3 và điện trở R1 .
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
138 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 4 – THYRISTOR VÀ CÁC LINH KIỆN KHÁC
Trạng thái nguồn lưới ổn định Trạng thái nguồn lưới có sự cố (mất điện)
HÌNH H4.20: Mạch tự động duy trì trạng thái hoạt động đèn đốt tim dùng acquy khi mất nguồn lưới chính .
Khi nguồn điện lưới xoay chiều ổn định không sự cố , ta có nhận xét như sau:
Điện áp giữa cathod và cực cổng của SCR được tạo nên khi tụ nạp điện tích đến giá trị
gần bằng giá trị đỉnh của áp xoay chiều cấp vào mạch chỉnh lưu. Trong hình H4.20 mức điện áp
đặt ngang qua hai đầu tụ lớn hơn 6V (với áp hiệu dụng của mỗi bộ dây thứ cấp là 6,3V sau khi trừ
đi áp rơi ngang qua diode D1 lúc dẫn thuận và điện trở R2 ).
Điện áp giữa anod và cổng của SCR là 6V, áp của bình acquy .
Như vậy trong trường hợp này điện thế tại cathod dương hơn so với anod nên SCR ở
trạng thái ngưng dẫn.
Tại trạng thái này SCR ngưng dẫn đèn đốt tim được thắp sáng qua mạch chỉnh lưu .
Khi nguồn điện lưới chính bị mất, điện áp trên ngõ ra mạch chỉnh lưu bằng 0V; tụ xả điện
tích theo đường R1 ; D3 và R3 . Điều này dẫn đến điện thế tại anod SCR dương hơn so với
cathod. Tác động này hình thành trạng thái kích khởi cho SCR, cầu phân áp R3 và R2 lấy áp từ
acquy tạo thành kích cổng cho SCR làm SCR chuyển sang trạng thái dẫn.
Khi SCR dẫn acquy cấp dòng đến đèn đốt tim duy trì trạng thái thắp sáng của đèn.
Khi nguồn điện lưới có lại ổn định, tụ nạp lại điện tích và tác động khóa SCR và acquy tiếp
tục được nạp điện trở lại.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 4 – THYRISTOR VÀ CÁC LINH KIỆN KHÁC 139
Các linh kiện DIAC và TRIAC là các loại Thyristor có thể dẫn dòng đi qua nó theo cả hai
hướng (bilateral). Sự khác biệt giữa hai linh kiện này là DIAC là linh kiện chỉ có hai đầu ra trong
khi TRIAC có ba đầu ra trong đó có cực cổng dùng để kích khời linh kiện.
DIAC có chức năng cơ bản tương tự như hai diode 4 lớp ghép song song nhau ngược
hướng nhau. TRIAC có chức năng tương tự như hai SCR ghép song song ngược hướng nhau
nhưng có chung cực cổng.
Trong đề mục này chúng ta khảo sát các nội dung sau:
Trình bày cấu trúc và nguyên lý hoạt động của DIAC và TRIAC.
Ký hiệu DIAC và TRIAC
Khảo sát mạch tương đương và điều kiện phân cực.
Giải thích các đặc tính làm việc.
Trình bày một số ứng dụng.
4.3.1. DIAC:
DIAC là linh kiện tạo từ 4 lớp bán dẫn có hai đầu ra, có khả
năng dẫn dòng theo hai hướng ngược nhau khi được tác động
theo các phương thức riêng. Cấu tạo và ký hiệu DIAC trình bày
trong hình H4.22. Hai đầu của linh kiện được ký hiệu là A1 và A2 .
Linh kiện sẽ đạt trạng thái dẫn khi áp đặt ngang qua hai
đầu linh kiện cao hơn mức áp bẻ gảy (breakover voltage). Đặc HÌNH H4.22: Cấu tạo và ký hiệu
tính volt ampere của linh kiện được trình bày trong hình H4.23. DIAC
Tại trạng thái phân cực trong hình H4.24 b, linh kiện hoạt động tại vùng phía trên bên
phải của đặc tuyến Volt Ampere.
Khi DIAC được phân cực theo hình H4.24 c, cấu trúc 4 lớp bán dẫn pnpn có điện thế tại
đầu A1 âm hơn so với điện thế tại đầu A2. Trong mạch tương đương biểu diễn bằng Transistor,
các Transistor Q1 và Q2 được phân cực nghịch, Q3 và Q4 được phân cực thuận.
Tại trạng thái phân cực theo hình H4.24 c, linh kiện hoạt động tại vùng phía dưới bên trái
của đặc tuyến Volt Ampere.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
140 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 4 – THYRISTOR VÀ CÁC LINH KIỆN KHÁC
HÌNH H4.24: Mạch tương đương đặc trưng bằng Transistor của DIAC.
4.3.2. TRIAC:
Có thể xem TRIAC như là DIAC có thêm cực cổng.
TRIAC có thể được kích dẫn bằng các xung dòng điện cấp
vào cực cổng mà không cần điều kiện dẫn ban đầu bằng áp bẻ
gảy (breakover voltage). Một cách đơn giản có thể xem TRIAC
tương đương như hai linh kiện SCR đấu song song ngược
hướng và có chung cực cổng.
Không như SCR, TRIAC có thể dẫn dòng theo cả hai
hướng khi được kích khởi, Hướng của dòng qua linh kiện phụ
thuộc vào cực tính của áp đặt ngang qua các đầu A1 và A2.
Trong hình H4.24 trình bày cấu trúc đơn giản và ký hiệu của
TRIAC. Đặc tính Volt Ampere của linh kiện trình bày trong hình
H4.25. Khi tăng dòng cấp vào cực cổng thì áp bẻ gảy giảm HÌNH H4.25: Cấu tạo và ký hiệu TRIAC
thấp giá trị, tương tự như trường hợp của SCR.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 4 – THYRISTOR VÀ CÁC LINH KIỆN KHÁC 141
Tương tự như các Thyristor khác, TRIAC sẽ ngưng dận khi dòng qua anod giãm thấp hơn
giá trị của dòng duy trì IH . Chỉ có một phương pháp duy nhất để tắt TRIAC là giảm thấp dòng qua
linh kiện thấp hơn dòng duy trì.
HÌNH H4.27: Mạch tương đương đặc trưng bằng Transistor của TRIAC
Trong hình H4.27b, khi phân cực linh kiện với điện thế tại đầu A1 dương hơn điện thế tại
đầu A2, TRIAC sẽ dẫn khi được kích khởi bằng xung dương vào cực cổng. Mạch tương đương
thay thế bằng Transistor của linh kiện trong hình H4.27 b cho thấy Q1 và Q2 dẫn khi tác động xung
dương vào mạch.
Trong hình H4.27c, khi phân cực linh kiện với điện thế tại đầu A1 âm hơn điện thế tại đầu
A2, TRIAC sẽ dẫn khi được kích khởi bằng xung dương vào cực cổng. Trong trường hợp này các
Transistor Q3 và Q4 dẫn khi tác động xung dương vào mạch.
Một thí dụ của điều khiển pha dùng TRIAC được trình bày trong hình H4.28. Các diode
được dùng tạo xung kích đến cổng của TRIAC. Diode D1 dẫn trong suốt bán kỳ dương , giá trị
điện trở R1 dùng chỉnh đặt thời điểm phát xung kích dẫn TRIAC tại bán kỳ dương của nguồn xoay
chiều. Trong suốt bán kỳ dương điện thế tại A1 và G dương hơn so với điện thế tại A2 .
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
142 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 4 – THYRISTOR VÀ CÁC LINH KIỆN KHÁC
THÍ DỤ 4.3:
Cho nguồn áp xoay chiều
u t 200 2. sin 100 t [V]
cấp điện đến Tải là điện trở
R L 10 dùng làm phần tử
đốt nóng. Xác định công suất
tác dụng (công suất trung
bình) tiêu thụ trên phần tử
HÌNH H4.29: Khoảng thời gian tắt TRIAC
theo từng trường hợp sau:
a./ Cấp trực tiếp nguồn áp u t đến Tải RL.
b./ Dùng SCR điều khiển công suất theo hình H4.18, với góc kích dẫn SCR là 45o và 90o
c./ Dùng TRIAC điều khiển pha theo hình H4.28, với góc kích dẫn (hay góc trễ) lần lượt là:
45o và 90o .
GIẢI:
a./ Trường hợp cấp áp xoay chiều u t trực tiếp đến Tải:
Um 200 2
Áp hiệu dụng đặt ngang qua hai đầu Tải là : U 200 V .
2 2
U2 2002
Công suất tác dụng tiêu thụ trên Tải : PL 4000 W
RL 10
b./ Trường hợp điều khiển công suất dùng SCR theo mạch hình H4.18:
Khi thực hiện góc kích dẫn 45o , tương ứng với khoảng thời gian trễ là 2,5 ms khi tần
số của nguồn áp là 50Hz; dạng áp tức thời trên Tải và trên SCR đươc trình bày trong hình H4.30.
Áp tức thời trên Tải được xác định theo quan hệ sau:
u t 200 2. sin 100t [V] khi t
4
Và u t 0 [V] khi 0 t
4
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 4 – THYRISTOR VÀ CÁC LINH KIỆN KHÁC 143
HÌNH H4.30: Dạng áp tức thời trên Tải và áp tức thời đặt ngang qua hai đầu SCR tại góc kích dẫn 45o
(với tần số f = 50 Hz , góc kích dẫn tương ứng với khoảng thời gian trễ là 2,5 ms)
4 2 t 4 2
Tóm lại:
2
sin 2
Um 1
UL
2
(4.2)
4 2
Công suất tác dụng tiêu thụ trên RL được xácđịnh theo quan hệ :
UL
2 2
sin 2
Um 1
PL (4.3)
RL 4 R L 2
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
144 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 4 – THYRISTOR VÀ CÁC LINH KIỆN KHÁC
Tương ứng góc kích dẫn 45o hay rad ta có kết quả sau:
4
200 2
2
1
PL 4 2 sin 2 4 1818,31W
4 .10
Tương ứng góc kích dẫn 90o hay rad ta có kết quả sau:
2
200 2
2
1
PL 2 2 sin 2 2 1000 W
4 .10
c./ Trường hợp điều khiển pha dùng TRIAC theo mạch hình H4.28:
Khi thực hiện góc kích dẫn 45o , tương ứng với khoảng thời gian trễ là 2,5 ms khi tần
số của nguồn áp là 50Hz; áp tức thời trên Tải và trên TRIAC đươc trình bày trong hình H4.31.
Áp tức thời trên Tải được xác định theo quan hệ sau:
5
u t 200 2. sin 100t [V] khi t hay t 2
4 4
5
Và u t 0 [V] khi 0 t hay t
4 4
HÌNH H4.31: Dạng áp tức thời trên Tải và áp tức thời đặt ngang qua hai đầu TRIAC tại góc kích dẫn 45o
(với tần số f = 50 Hz , góc kích dẫn tương ứng với khoảng thời gian trễ là 2,5 ms)
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 4 – THYRISTOR VÀ CÁC LINH KIỆN KHÁC 145
Muốn xác định áp hiệu dụng trên Tải trong trường hợp này đầu tiên cần xác định hàm
u t , ta có:
2
u2 t Um
2
. sin2 t [V] khi t
4
Và u2 t 0 [V] khi 0 t
4
rad
Trong đó; biên độ Um 200 2 V tần số góc 100 , chu kỳ T s . Suy ra áp
s
hiệu dụng trên Tải UL được xác định theo quan hệ:
1 2 Um2
1 cos 2t
UL .d t
2
Um sin2
t .d t (4.4)
2
Suy ra:
t
U2 2
t sin 2t
Um 1
UL
2
m 1 cos 2 t .d t
2 2 2 t
Tóm lại:
2
sin 2
Um 1
UL
2
(4.5)
2 2
Công suất tác dụng cấp đến Tải được xác định theo quan hệ :
UL
2 2
sin 2
Um 1
PL (4.6)
R 2R 2
Tương ứng góc kích dẫn 45o hay rad ta có kết quả sau:
4
200 2
2
1
PL 4 2 sin 2 4 3638,62 W
2.10
Tương ứng góc kích dẫn 90o hay rad ta có kết quả sau:
2
200 2
2
1
PL 2 2 sin 2 2 2000 W
2.10
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
146 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 4 – THYRISTOR VÀ CÁC LINH KIỆN KHÁC
R BB R B1 R B2 (4.7)
xuống đến giá trị khỏang 10 khi UJT chuyển từ E RBB
trạng thái ngưng dẫn sang trạng thái dẫn. UJT N
E RB1
Quá trình họat động của UJT có thể tóm tắt B1
theo hai trạng thái sau:
B1
Khi diode trên cực phát phân cực nghịch, HÌNH H4.33: Mạch tương đương UJT.
chỉ có dòng điện rất nhỏ qua cực phát, dưới điều kiện
này giá trị RB1 rất lớn. Ta nói UJT ở trạng thái ngưng
dẫn.
Khi diode cực phát họat động trong trạng thái phân cực thuận, RB1 giãm nhanh giá trị
xuống mức thấp; điện trở tương đương giữa cực phát E và cực nền B1 giãm thấp, làm dòng qua
cực phát tăng cao; ta nói UJT đang hoạt động ở trạng thái dẫn.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 4 – THYRISTOR VÀ CÁC LINH KIỆN KHÁC 147
Gọi:
VEB1 : là điện áp đặt lên
hai đầu E và B1.
RB1.VBB R
VRB1 B1 .VBB (4.7)
RB1 RB2 RBB
Theo trên, điều kiện để UJT bắt đầu chuyển sang trạng thái dẫn là:
R
VEB1 VD B1 .VBB (4.8)
RBB
Từ quan hệ (4.8), chúng ta định nghĩa hệ số kích dẫn như sau:
R B1
(4.9)
R BB
Từ (4.7) và (4.9), điều kiện dẫn của UJT được viết như sau:
VEB1 VD .VBB
(4.10)
VEB1 0,5V .VBB
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
148 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 4 – THYRISTOR VÀ CÁC LINH KIỆN KHÁC
Dòng điện cực phát IE tăng nhanh, trong lúc VE giãm dần, khi dòng điện IE đạt đến giá trị
dòng tại điểm trủng V là giới hạn cuối của khỏang dẫn UJT . Dòng điện IV tại điểm trủng được
xem là giá trị dòng điện cần thiết qua cực phát để duy trì trạng thái dẫn cho UJT.
Nếu IE < IV : UJT chuyển sang trạng thái ngưng dẫn và điểm làm việc quay nhanh chóng
về vùng ngưng dẫn trên đặc tuyến cực phát.
Nếu IE > IV : UJT chuyển sang khu vực dẫn bảo hòa và tiến đến vị trí S.
4.4.5. CÁC THÔNG SỐ ĐỊNH MỨC CỦA UJT (QUI ĐỊNH DO NHÀ SẢN XUẤT):
Trong quá trình tính tóan thiết kế, hay lắp ráp các mạch điện dùng UJT, chúng ta cần tham
khảo các s thông số linh kiện . Các thông số của UJT qui định do nhà sản xuất bao gồm :
Vấn đề cần quan tâm là các thông số UJT thay đổi theo nhiệt độ môi trường làm việc;
Các thông số VV ; IV và IP sẽ giãm giá trị khi nhiệt độ gia tăng.
Dòng điện IEO cũng hơi gia tăng khi nhiệt độ tăng.
Điện trở liên cực nền RBB tăng theo nhiệt độ với tốc độ thay đổi trong phạm vi 0,8 % / C .
Hệ số kích dẫn thay đổi rất ít khi nhiệt độ thay đổi, có thể xem như không thay đổi.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 4 – THYRISTOR VÀ CÁC LINH KIỆN KHÁC 149
Chúng ta có thể tham khảo một số các thông số của UJT trong mục sau.
HÌNH 4.37 : Các thông số UJT 2N2646 cho bời nhà sàn xuất .
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
150 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 4 – THYRISTOR VÀ CÁC LINH KIỆN KHÁC
HÌNH 4.38 : Giá trị tối đa cho phép của các thông số UJT 2N2646 xác định bời nhà sàn xuất.
THÍ DỤ 4.4:
Từ hệ số kích dẫn của UJT 2N2646 cho trong bảng thông số đặc tính suy ra điện áp điểm
đỉnh VP của UJT ứng với dảy điện áp VBB : 5 V ; 10 V ; 15 V ; 20 V ; 25 V ; 30 V.
GIẢI
Từ thông số UJT cho trong hình 4.37, ta có hệ số kích dẫn min 0,56 và max 0,75 .
Từ đó suy ra hệ số kích dẫn trung bình:
max min 0,75 0,56
tb 0,655
2 2
Áp dụng quan hệ (4.10) suy ra điện áp điểm đỉnh VP của UJT 2N2646.
VP VD tb .VBB 0,655.VBB 0,5
Lập bảng số suy ra giá trị áp VP theo áp VBB là:
VBB [V] 5 10 15 20 25 30
VP [V] 3,775 7,05 10,325 13,6 16,875 20,15
So sánh kết quả tính toán được với số liệu cho trong đặc tuyến hình 4.36 tương đối hội tụ.
4.4.6. MẠCH DAO ĐỘNG TÍCH THOÁT (RELAXATION OSCILATOR) DÙNG UJT:
UJT thường được sử dụng trongf các mạch phát xung kích cổng cho SCR hay TRIAC,
ngòai ra chúng ta có thể sử dụng UJT trong các ứng dụng khác : mạch dao động không sin; mạch
phát sóng răng cưa; mạch kiểm sóat phase và mạch định thì. . .
Trong hình 4.39 ta có sơ đồ nguyên lý của mạch dao động tích thóat và mạch điện thay thế
tương đương.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 4 – THYRISTOR VÀ CÁC LINH KIỆN KHÁC 151
HÌNH 4.39 : Sơ đô nguyên lý mạch dao động tích thoát. Trong thực tế, R1 và R2 được chọn
có giá trị thấp hơn nhiều so với giá trị của
RBB , RB1 ; như vậy có thể tính gần đúng giá trị Vx theo quan hệ sau:
RB1 .VCC
Vx (4.13)
R BB
Với giá trị ban đầu của điện áp đặt trên hai đầu tụ là VC = 0 , diode cực phát của UJT ở
trạng thái phân cực nghịch nên UJT ngưng dẫn; tụ C được nạp điện tích thông qua điện trở
R trên mạch ngoài. Phương trình cân bằng áp của mạch R, C trong quá trình nạp điện là:
VCC R.ic t vc t (4.14)
Trong đó , iC(t) là dòng điện nạp điện tích cho tụ , theo lý thuyết mạch ta có quan hệ:
dQ dv t
iC t C. C (4.15)
dt dt
Q : điện lượng được nạp tích trử trên các bản cực của tụ điện C. Thay thế giá trị iC từ
(4.15) vào quan hệ (4.14), ta suy ra:
dv C t
VCC RC. vc t (4.16)
dt
Giải phương trình vi phân bậc nhất (4.16) suy ra biểu thức tức thời của áp vc(t) như sau:
t
vC t VCC . 1 e RC (4.17)
= R.C (4.18)
CHÚ Ý: Điện áp vc(t) sẽ đạt đến giá trị 99,99% VCC sau RC
khoảng thời gian có giá trị bằng 5 . HÌNH 4.40 : Áp vc(t) trên 2 đầu tụ C
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
152 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 4 – THYRISTOR VÀ CÁC LINH KIỆN KHÁC
Khi điện áp vC(t) gia tăng dần trong quá trình nạp điện, diode cực phát của UJT có áp
phân cực nghịch giãm dần. Diode cực phát bắt đầu chuyển sang trạng thái dẫn khi giá trị điện áp
vC(t) thỏa quan hệ sau:
v C (t) VD Vx (4.19)
Hay:
RB1 R1 .VCC
vC t 0,5V (4.20)
R BB R 1 R 2
Trường hợp tính gần đúng, lúc R1 và R2 có giá trị rất thấp so với RBB , RB1 ta có :
RB1.VCC
vC t 0,5V VP (4.21)
RBB
Hay:
v C (t) 0,5V .VCC VP (4.22)
Muốn xác định chu kỳ dao động của UJT, ta cần xác định lần lượt các khoảng thời gian
T1 và T2 . Khi bỏ qua chu kỳ dao động đầu tiên của UJT tính từ lúc bắt đầu cấp nguồn vào
mạch; khoảng thời gian T1 chính là thời gian nạp điện tích cho tụ C để điện áp vC(t) thay đổi từ
giá trị VV đến giá trị VP.
Từ (4.17), tại thời điểm t = t1 , vC(t) = VV ; giá trị của thời điểm t1 được xác định như sau :
1
t
VV VCC . 1 e RC
t
VV 1
Hay: 1 e RC
VCC
t1
VV V VV
Thu gọn ta có: e RC
1 cc
Vcc VCC
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 4 – THYRISTOR VÀ CÁC LINH KIỆN KHÁC 153
V VV
T1 RC.Ln cc (4.20)
Vcc VP
Khi xét thời gian T2 lúc UJT dẫn: vì các điện trở nằm trong mạch phóng điện của tụ C
có giá trị giảm rất thấp, nên thời gian T2 diển ra rất ngắn . Trong thực tế chúng ta có thể bỏ qua
giá trị T2 khi so sánh với T1 . Tóm lại chu kỳ dao động của mạch được xác định như sau:
V VV
RC.Ln cc (4.21)
Vcc VP
Trong trường hợp giá trị VV rất bé so với VCC , chúng ta có thể xác định chu kỳ dao động
theo quan hệ sau:
Vcc 1
RC.Ln RC.Ln (4.22)
Vcc VP 1 VP
V cc
Nếu bỏ qua điện áp rơi trên diode cực phát quan hệ (4.22) được viết lại như sau:
1
RC.Ln (4.23)
1
THÍ DỤ 4.5:
Cho mạch dao động tích thoát dùng UJT mang mã số 2N2646 có các thông số kỹ-thuật liệt kê
như sau:
Điện trở liên cực nền RBB = 4,7 K đến 9,1 K.
Hệ số kích dẫn = 0,56 đến 0,75.
Dòng điện điểm trủng (Valley current) IV = 4mA (tương ứng với giá trị VBB = 20V).
Dòng điện điểm đỉnh (Peak current) IP = 5µA (tương ứng với giá trị VBB = 25V).
Điện áp điểm trủng VV = 2V (tương ứng với giá trị VBB = 20V).
Xác định tần số dao động của mạch; với các giá trị C = 0,2µF và điện trở R có thể điều chỉnh
thay đổi giá trị từ 10K đến 100K .
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
154 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 4 – THYRISTOR VÀ CÁC LINH KIỆN KHÁC
GIẢI
Vcc=24V
Với điện áp Vcc = 24V; và các giá trị điện trở R1 = 120; R2 =
1K ; dựa theo thông số của UJT ta có thể xác định chu kỳ và tần
R R2 số dao động dựa trên các giá trị trung bình của điện trở RBB và hệ
10K-100K 1K số kích dẫn . Ta có:
Giá trị điện trở trung bình RBB của UJT:
2N 2646
4,7K 9,1K 13,8K
RBB 6,9K
C +
R1 2 2
120
0,2 uF Hệ số kích dẫn trung bình của UJT :
1 6 1 2 1
RC.Ln 10.10 .0,2.10 Ln
3
0,2.10 .Ln 0,345
1 1 0,655
0,2.102.1,0642 0,2128.102 s
Tóm lại khi thay đổi điện trở R trong phạm vi từ 10K đến 100K, tần số dao động thay
đổi từ 47Hz đến 470Hz .
CHÚ Ý:
Khi áp dụng quan hệ (4.21) để tính toán chu kỳ cho mạch dao động, ta xác định điện áp
VBB đặt giữa hai cực nền của UJT khi UJT ở trạng thái ngưng dẫn:
R BB .Vcc 6,9.24 6,9.24
VBB 20,65V
R BB R 1 R 2 6,9 1 0,12 8,02
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 4 – THYRISTOR VÀ CÁC LINH KIỆN KHÁC 155
Như vậy, khi xem như giá trị của điện áp điểm trủng VV = 2V ; đồng thời điện áp điểm đỉnh
được xác định gần đúng là: VP .Vcc 0,655.24 15,72V
Chu kỳ dao động khi R =10K:
V VV 3 24 2 22
RC.Ln cc 2.10 .Ln 2.103.Ln 2.103.0,9772
Vcc VP 24 15,72 8,28
1,9544ms
Vậy khi R = 10K , ta có chu kỳ dao động 2ms hay tần số f = 500 Hz
So sánh các giá trị chu kỳ tính toán trong hai trường hợp saisố tương đối trên các kết quả
nhận được khoảng 9%.
Trong thực tế, để tính toán nhanh ta dùng các công thức gần đúng để tính toán mạch, sau
đó có thể dùng các công thức chính xác để kiểm tra ngược lại các thông số làm việc của mạch
dao động.
4.4.7. GIỚI HẠN ĐIỀU CHỈNH ĐIỆN TRỞ R TRONG MẠCH DAO ĐỘNG TÍCH THOÁT:
Trong quá trình điều chỉnh thay đổi tần số hay chu kỳ của mạch dao động tích thoát dùng
UJT, biện pháp đơn giản nhất là duy trì giá trị điện dung C và điều chỉnh thay đổi giá trị của
điện trở R.
Tuy nhiên giá trị của điện trở R có ảnh hưởng đến sự duy trì dao động của mạch.
Chúng ta chỉ có thể điều chỉnh thay đổi điện trở R trong phạm vi từ giá trị Rmax và Rmin xác định
trong các quan hệ (4.25) và (4.26).
Vcc VP
R max (4.25)
IP
Và:
Vcc Vv
R min (4.26)
Iv
Vcc VP R.IP
Vcc VP
Suy ra: R (4.27)
IP
Để đảm bảo UJT chuyển hoàn toàn sang trạng thái ngưng dẫn (OFF) tại điểm trủng,
giá trị điện trở R phải đủ lớn đảm bảo dòng IE tại điểm trủng không cao hơn giá trị IV . Điều
kiện để UJT chuyển hoàn toàn sang trạng thái ngưng dẫn trình bày theo bất đẳng thức sau:
Vcc VV R.IV
Vcc VV
Suy ra: R (4.28)
IV
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
156 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 4 – THYRISTOR VÀ CÁC LINH KIỆN KHÁC
Tóm lại, điều kiện của điện trở R để UJT chuyển trạng thái một cách hoàn toàn từ trạng
thái ngưng dẫn sang trạng thái dẫn và ngược lại là :
Vcc VV V VP
R cc (4.29)
IV IP
Từ quan hệ (4.29), chúng ta có thể tìm thấy trở lại các kết quã đã trình bày trong các quan
hệ (4.25) và (4.26).
THÍ DỤ 4.6:
Với mạch dao động cho trong thí dụ 4.5, xác định các giá trị giới hạn điều chỉnh cho điện trở R.
GIẢI :
Áp dụng các thông số của UJT cho trong thí dụ 4.5, và các quan hệ (4.25) và (4.26) ta suy ra:
Vcc VP 24 0,655.24 8,28.106
R max
IP 5.10 6 5
R min 4, 4K
Tóm lại R chỉ có thể thay đổi trong phạm vi cho phép như sau: 4,4 K < R < 1.656 K
THÍ DỤ 4.7:
Xác định điện trở R1 trong mạch hình 4.42 để đảm bảo UJT chuyển trạng thái một cách
hoàn toàn. Biết các thông số của UJT gồm: 0,5 ; VV 1V ; IV 10 mA ; VP 14 V ; IP 20 A .
GIẢI:
Áp dụng quan hệ (4.29) ta có kết quả sau:
Vcc VV V VP
R1 cc
IV IP
Hay:
30 V 1V 30 V 14 V
R1
10mA 20 A
Suy ra:
2,9k R 1 800k
CHÚ Ý: HÌNH 4.42
Trong các mạch thực tế, ta có thể chọn giá trị của R1 dùng trong
mạch dao động hình 4.42 trong phạm vi từ 3 kΩ đến 500 kΩ .
Sau đó áp dụng quan hệ (4.23) để ước lượng nhanh dảy tần số hoạt động của mạch khi
điều chỉnh thay đổi giá trị R1 .
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 4 – THYRISTOR VÀ CÁC LINH KIỆN KHÁC 157
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
158 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 4 – THYRISTOR VÀ CÁC LINH KIỆN KHÁC
R 2 .Vgg
Vg (4.30)
R1 R 2
Khi thay đổi điện áp Vcc cấp vào anod của linh kiện, nếu Vcc < Vg linh kiện ở trạng thái
ngưng dẫn (trạng thái OFF) dòng điện qua PUT là IA = 0.
Khi thay đổi điện áp Vcc thỏa điều kiện Vcc > Vg ; và ngay tại lúc : Vcc = Vg + 0,5V ; linh kiện
chuyển sang trạng thái dẫn, dòng điện qua linh kiện IA ≠ 0 .
Khi PUT chuyển sang trạng thái dẫn, áp đặt ngang qua 2 đầu linh kiện giữa anod và
cathod là 1V ; áp đặt ngang qua cực cổng và cathod là 0,5V. Giá trị 0,5 V là giá trị xác
định gần đúng chung cho mọi loại PUT. Trong các đặc tính kỹ thuật của PUT giá trị này
được gọi là Offset Voltage VT
Nếu so sánh với UJT ; mức áp (Vg + 0,5V) của PUT có tác dụng tương tự như điện áp
điểm đỉnh VP của UJT.
So sánh quan hệ (4.7) với quan hệ (4.30), ta có thể xem PUT có hệ số kích dẫn xác định
theo các giá trị điện trở R1 và R2 như sau:
R2
(4.31)
R1 R 2
Từ (4.31) chúng ta có thể kết luận PUT là UJT có thể thay đổi được hệ số kích dẫn .
Điện áp Vg của PUT định nghĩa trong (4.30) xem như tương đương áp điểm đỉnh VP của
UJT. Đặc tuyến volt ampere của PUT trình bày quan hệ áp VAK giữa anod và cathod của
PUT theo dòng IA (dòng qua anod) có đạng tương tự như đặc tuyến cực phát của UJT
được trình bày trong hình 4.45.
HÌNH 4.45: Mạch phân cực dùng kích dẫn PUT và đặc tính volt ampere của PUT.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 4 – THYRISTOR VÀ CÁC LINH KIỆN KHÁC 159
R 2 .Vcc 4,7.20
Vg 6,394V 6, 4V
R1 R 2 10 4.7
Áp tối đa xuất hiện trên điện trở R4 có thể xem như bằng với mức điện áp (VP – 1V) ;
với áp VP chính là giá trị áp Vc trên đầu tụ C đạt được tại thời điểm PUT chuyển sang trạng thái
dẫn. Với thí dụ bằng số nêu trên giá trị điện áp tối đa xuất hiện trên R4 lúc PUT chuyển sang trạng
thái dẫn là (6,9V – 1V) = 5,9V.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
160 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 4 – THYRISTOR VÀ CÁC LINH KIỆN KHÁC
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 4 – THYRISTOR VÀ CÁC LINH KIỆN KHÁC 161
4.5.5. ĐIỀU KIỆN ĐỂ DUY TRÌ TRẠNG THÁI DẪN HOÀN TOÀN CHO PUT:
Giả sử mạch dao động tích thoát dùng PUT trình bày trong
hình 4.47; trong đó PUT có mã số 2N6027.
Với các điện trở R1 = 27 kΩ ; R2 = 16 kΩ ; hệ số kích dẫn
của PUT được xác định như sau:
R1 27k 27
0,6279
R1 R 2 27k 16k 43
VBB VV V VP
R BB
IV IP
Khi chọn áp tại điểm trủng VV = 0 V ta có kết quả sau:
VBB VV 10V 0V
142,857 143k
IV 70A
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
162 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 4 – THYRISTOR VÀ CÁC LINH KIỆN KHÁC
HÌNH H4.48
HÌNH H4.49
HÌNH H4.51
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 4 – THYRISTOR VÀ CÁC LINH KIỆN KHÁC 163
HÌNH H4.53
HÌNH H4.54
IV 10 mA ; IP 10 A . Xác định:
C a./ Các nội trở RB1 ; RB2 của UJT tại lúc IE 0 .
1pF
b./ Áp điểm đỉnh VP .
c./ Dảy giá trị điện trở R1 đảm bào điều kiện dao động của UJT.
HÌNH H4.55
d./ Tần số dao động nếu RB1 100 trong suốt thời gian UJT dẫn.
HÌNH H4.56
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
164 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 4 – THYRISTOR VÀ CÁC LINH KIỆN KHÁC
HÌNH H4.57
HÌNH H4.58
HÌNH H4.59
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 4 – THYRISTOR VÀ CÁC LINH KIỆN KHÁC 165
HÌNH H4.60
HÌNH H4.61
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
166 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 4 – THYRISTOR VÀ CÁC LINH KIỆN KHÁC
HÌNH H4.63
HÌNH H4.64
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 5 – CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI BIÊN ĐỘ NHỎ DÙNG TRANSISTOR
167
CHƯƠNG 05
MẠCH KHUẾCH ĐẠI BIÊN ĐỘ NHỎ DÙNG TRANSISTOR
Các ký hiệu với chỉ số dùng ký tự thường đặc trưng cho điện trở AC. Thí dụ với rc là điện
trở AC tại cực thu và RC là điện trở DC tại cực thu. Các thành phần điện trở nội trong transistor
được biểu diễn bằng ký tự chữ viết thường r ' , thí dụ r 'e là điện trở nội AC tại cực phát transistor.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI DÙNG TRANSISTOR
168
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 5 – CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI BIÊN ĐỘ NHỎ DÙNG TRANSISTOR
169
BẢNG 5.1
TÓM TẮT CÁC THÔNG SỐ r Mạch tương đương thông số r của
transistor BJT được trình bày trong hình H5.4.
THÔNG SỐ r ĐẶC TÍNH Trong hầu hết quá trình giải tích tông quát, có
thể đơn giản như sau:
i
AC Hệ số alpha AC = c Ảnh hưởng của điện trở nội cực nền r 'b
ie
thường rất bé có thể bỏ qua. Nội trở này được
i thay thế bằng phần tử ngắn mạch.
AC Hệ số beta AC = c
ib
Giá trị của điện trở nội cực thu r 'c
r 'c Điện trở nội AC cực thu thường rất lớn khoảng vài trăm kΩ có thể được
thay thế bằng phần tử hở mạch.
r 'e Điện trở nội AC cực phát
Mạch tương đương thông số r đơn giản
r 'b Điện trở nội AC cực nền được trình bày trong hình H3.5.
HÌNH H 5.4: Mạch tương đương thông số r của HÌNH H 5.5: Mạch tương đương thông số r của
transistor (dạng chính xác). transistor (dạng đơn giản).
Thông số điện trở nội r 'e rất quan trọng trong nhóm thông số r khi giải tích mạch khuếch
đại. Giá trị này được tính gần đúng theo quan hệ (5.1) tại nhiệt độ 20oC ; r 'e phụ thuộc vào nhiệt
độ và phải được tính theo theo từng giá trị nhiệt độ làm việc. Khi nhiệt độ thay đổi tử số trong quan
hệ (5.1) hơi thay đổi.
25 mV
r 'e (5.1)
IE
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI DÙNG TRANSISTOR
170
THÍ DỤ 5.1:
Với transistor hoạt động tại điểm làm việc có dòng DC qua cực phát là 2 mA , thông số r 'e
được xác định theo quan hệ sau:
25 mV 25 mV
r 'e 12,5
IE 2 mA
Với tính chất phi tuyến của đặc tuyến, tại điểm Q các giá trị DC và gía trị AC hơi khác biệt.
BẢNG 5.3
CÁC THÔNG SỐ h THEO CẤU HÌNH MẠCH KHUẾCH ĐẠI
CẤU HÌNH MẠCH KHUẾCH ĐẠI CÁC THÔNG SỐ h
Cực phát chung (common-emmitter) hie hre hfe hoe
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 5 – CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI BIÊN ĐỘ NHỎ DÙNG TRANSISTOR
171
Các hệ số Zij trong quan hệ (5.2) được gọi là thông số Z của mạch N hay tổng trở hở
mạch. Ý nghĩa của các hệ số này có thể được xác định bằng các định nghĩa như sau:
V1
Z11
(5.3)
I1 I2 0
V1
Z12
(5.4)
I2 I1 0
Z21 V 2 (5.5)
I1 I 2 0
V2
Z22
(5.6)
I2 I1 0
Khi áp dụng mạch tương đương theo thông số Z,
I1 I2 mạch 2 cửa N được mô tả theo mạch tương đương hình
H5.9 hay mạch tương đương trong hình H3.10.
Z1 Z2
Với mạch tương đương trong hình H5.9 ta có các
quan hệ sau:
V1 Z3 V2
Z11 Z1 Z 3 (5.7)
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI DÙNG TRANSISTOR
172
Với mạch tương đương trong hình H5.10
I1 I2
ta sử dụng các nguồn áp phụ thuộc dòng để
mô tả đúng các phương trình cân bằng áp Z11 Z22
cho các mạch tương đương cho mỗi cửa của
mạch N.
V1 V2
Với mạch tương đương transistor tại Z12 . I 2 Z21. I 1
trạng thái khuếch đại với tín hiệu AC, khi áp
dụng mạch tương đương thông số Z ta sẽ tìm
được mạch tương đương của transistor theo HÌNH H 5.10: Mạch tương đương thông số Z
thông số r. của mạch 2 cửa N
THÔNG SỐ h
Trong trường hợp các phương trình đặc tính của mạch 2 cửa N được viết theo dạng phức
và có dạng tuyến tính như sau:
V1 h11. I 1 h12 .V2
(5.10)
I 2 h21. I 1 h22 .V2
Các hệ số hij trong quan hệ (5.10) được gọi là thông số h của mạch N hay tổng trở hở
mạch. Ý nghĩa của các hệ số này có thể được xác định bằng các định nghĩa như sau:
h11 V 1 (5.11)
I 1 V2 0
h12 V1 (5.12)
V2 I 1 0
h21 I 2 (5.13)
I 1 V2 0
h22 I 2 (5.14)
V2 I 1 0
Dựa vào các quan hệ từ (5.11) đến (5.14) ta có mạch tương đương trình bày trong
hình H5.11 sử dụng các nguồn áp và dòng phụ thuộc để mô tả đúng các phương trình cân
bằng áp (5.10).
Trong đó h11 V 1 chính là tổng trở vào khi ngắn mạch ngõ ra.
I 1 V2 0
h22 I 2 chính là tổng dẫn ra khi hở mạch ngõ vào.
V2 I 1 0
h12 V1 chính là nghịch đảo độ lợi (hay độ khuếch đại) điện áp.
V2 I 1 0
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 5 – CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI BIÊN ĐỘ NHỎ DÙNG TRANSISTOR
173
h21 I 2 chính là độ lợi (hay độ khuếch đại) dòng.
I 1 V2 0
ib ic
ic hie
ib
vbe hie .ib hre .vce
vce hoe vce i h .i h .v
vbe
vbe hre .vce hfe .ib c fe b oe ce
a./ Mạch tương đương thông số h của mạch khuếch đại cực phát chung CE
ib ie
ib hic
ie vbe hic .ie hrc .vec
hoc vec i h .i h .v
vbc
vbc hrc .vec hfc .ib e fc e oc ec
vec
b./ Mạch tương đương thông số h của mạch khuếch đại cực thu chung CC
ie ic ie ic
hib
veb hib .ie hrb .vcb
veb vec hob vcb i h .i h .v
veb
hrb .vcb hfb .ie c fb e ob cb
c./ Mạch tương đương thông số h của mạch khuếch đại cực nền chung CB
HÌNH H 5.12: Các mạch tương đương thông số h theo cấu hình của mạch khuếch đại Transistor.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI DÙNG TRANSISTOR
174
ac hfe (5.15)
Từ mạch tương đương thông số h của mạch khuếch đại CB cực nến chung, ta suy ra:
AC hfb (5.16)
Các đặc tính kỹ thuật của Transistor cho bởi các nhà sãn xuất chỉ thường được cho
theo mạch tương tương thông số h cực phát chung . Từ các thông số náy chúng ta có thể áp dụng
các quan hệ sau đây để suy ra các thông số trong mạch tương đương thông số r như sau:
hre
r 'e (5.17)
hoe
hre 1
r 'c (5.18)
hoe
hre
r 'b hie
hoe
1 hfe (5.19)
HÌNH H 5.13: Mạch khuếch đại dạng phân cực CE (common emitter) cực phát chung.
Trong hình H5.13 trình bày mạch khuếch đại phân cực tỉnh transistor dùng cầu phân áp,
các tụ C1 và C3 là các tụ trên ngõ vào và ngỏ ra đề phân cách tín hiệu AC và tín hiệu DC. Tụ C2 có
nhiệm vụ dẫn tín hiệu xoay chiều xuống điểm mass chung của mạch. Tín hiệu xoay chiều không đi
qua điện trở RE , do đó tụ C2 còn được gọi là “ tụ bypass”.
Mạch khuếch này phối hợp các tín hiệu AC và DC . Tín hiệu vào Vin được cấp đến cực
nền thông qua tụ C1 và áp ra Vout được lấy từ cực thu thông qua tụ C3.
Nếu áp Vin có dạng sin thì áp Vout cũng có dạng sin nhưng đảo pha so với áp vào.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 5 – CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI BIÊN ĐỘ NHỎ DÙNG TRANSISTOR
175
Đầu tiên cần phân tích mạch theo điều kiện phân cực tỉnh
(khảo sát trạng thái DC). Để thực hiện điều này, cần vẽ lại mạch
tương đương trong trạng thái DC bằng cách bỏ đi các tụ vào ra và
tụ bypass, xem hình H5.14.
Nên nhớ dòng DC không đi qua các tụ.
Áp dụng các nội dung lý thuyết đã khảo sát trong chương
2 ta tìm được các giá trị sau:
R1.R2 6,8 22
RTH 5,194 k
R1 R2 6,8 22
R2 .Vcc 6,8 12
VTH 2,833 V
R1 R2 6,8 22 HÌNH H 5.14
Để phân tích hoạt động của mạch khuếch đại tín hiệu xoay chiều, ta cần xác định mạch
tương đương theo phương pháp sau:
Các tụ điện C1 , C2 và C3 được nối tắt vì các tụ có giá trị dung kháng xem như XC 0 Ω
tại tần số của tín hiệu vào.
Mạch AC tương đương của mạch phân cực cực phát chung được trình bày trong hình
H5.15 . Chú ý các điện trở RC và R1 có đầu chung nối đến điểm masse AC
Trong phương pháp giải tích mạch, điểm masse AC và điểm mass DC trùng vị trí. Mạch
khuếch đại trong hình H5.15 tại cực phát trùng với điểm mass AC; do đó mạch được gọi là khuếch
đại cực phát chung.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI DÙNG TRANSISTOR
176
a./ Mạch tương đương chưa b./ Mạch tương đương có nguồn áp Vin
có nguồn Vin .
HÌNH H5.15: Mạch tương đương của mạch khuếch đại dùng khào sát tín hiệu xoay chiều.
Điện trở tươngđương của điện trở R1 và R2 đang ghép song song
Điện trở vào tại cực nền của transistor Rin(Base)
Điện trở nội của nguồn áp AC vào: RS .
Các thông số này được trình bày trong hình H5.16 và được thay thế tương đương bằng
điện trở nhập toàn phần Rin(tot). Ta có:
1 1 1 1
(5.20)
Rin(Tot) R1 R1 Rin(Base)
HÌNH H5.16: Mạch tương đương xác định chính xác áp AC vào cực nền.
Từ mạch điện tương đương trong hình H5.16 b, áp dụng cầu phân áp chúng ta xác định
được chính xác giá trị áp AC cấp đến cực nền Vb theo quan hệ (5.21).
Trong trường hợp RS << Rin(Tot) áp Vb VS là áp cấp vào mạch khuếch đại.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 5 – CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI BIÊN ĐỘ NHỎ DÙNG TRANSISTOR
177
Rin(Tot)
Vb V (5.21)
RS Rin(Tot) S
Vin Vb
Rin(Base)
Iin Ib
Áp cực nền:
Vb r 'e .Ie
Ie
Nếu xem Ie Ic , ta có: Ib
ac
HÌNH H5.17:
Suy ra:
Vb r 'e .Ie
Rin(Base) ac .r 'e (5.22)
Ib Ie ac
ĐIỆN TRỞ RA
Điện trở ra trong mạch phân cực cực phát chung là điện trở nhìn tại cực thu, giá trị này xấp
xỉ bằng điện trở tại cực thu RC . Tóm lại:
Rout RC (5.23)
Thực sự, điện trở ra chính là giá trị điện trở tương đương của hai điện trở ghép song song
RC với điện trở r’C . Trong trường hợp tính chính xác ta có quan hệ:
RC .r 'C
Rout (5.24)
RC r 'C
Trong thực tế giá trị r’C rất lớn hơn so với giá trị RC nên quan hệ (5.24) đưiợc thay bằng
quan hệ (5.23).
THÍ DỤ 5.1:
Xác định tín hiệu áp AC đặt
vào cực nền của transistor có
mạch tương đương trình bày trong
hình H5.18.
Biết áp AC vào có giá trị
hiệu dụng là 10 mV , điện trở nội là
RS = 300 Ω .
Dòng điện qua cực phát lúc
phân cực DC là IE 3,589 mA .
HÌNH H5.18
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI DÙNG TRANSISTOR
178
GIẢI:
Đầu tiên xác định điện trở AC tại cực phát. Áp dụng quan hệ (5.1) ta có:
25 mV 25 mV
r 'e 6,965
IE 3,589 mA
Từ quan hệ (5.22), suy ra điện trở vào cực nền là:
Áp dụng quan hệ (5.21) suy ra áp hiệu dụng thực sự cấp vào cực nền là:
Rin(Tot) 914,5
Vb VS 10 7,53 V
RS Rin(Tot) 300 914,5
Vout Vc
AV (5.25)
Vin Vb
Suy ra:
Vc RC.Ie RC
AV (5.26)
Vb r 'e .Ie r 'e
Quan hệ (5.26) trình bày độ lợi áp giữa cực nền và cực thu. Để xác định được độ lợi
toàn phần (Overall Gain) của mạch khuếch đại từ áp nguồn đến cực thu chúng ta cần quan tâm
đến sự suy giảm độ lợi (attenuation) tạo bởi mạch ngõ vào.
Sự suy giảm độ lợi chính là độ giảm biên độ tín hiệu vào khi đi ngang qua mạch ngõ vào.
Tích số của độ suy giảm độ lợi tại ngõ vào với độ lợi áp giữa cực nền và thu cho ta
độ lợi toàn phần của mạch khuếch đại.
Giả sử nguồn áp tạo ra 10 mV và do ành hường của mạch vào điện áp nhận tại cực nền là
5mV, như vậy độ suy giảm áp ngõ vào là 5mV/10mV = 0,5.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 5 – CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI BIÊN ĐỘ NHỎ DÙNG TRANSISTOR
179
HÌNH H5.20:
Vb Rin(Tot)
Ñoäsuy giaõm (5.27)
Vs Rs Rin(Tot)
Độ lợi điện áp toàn phần A 'V được xác định theo quan hệ sau:
Vb
A 'V AV (5.28)
V
in
ẢNH HƯỞNG CỦA “TỤ BYPASS” TẠI CỰC PHÁT ĐẾN ĐỘ LỢI ÁP:
Trong hình H5.13 tụ bypass C2 có công dụng tạo ngắn mạch điện trở RE với tín hiệu AC,
duy trì dòng tạo bởi tín hiệu AC đi trực tiếp xuống điểm masse mà không qua RE. Với tự bypass độ
RC
lợi khuếch đại có giá trị tối đa bằng . Giá trị điện dung của tụ bypass phải đủ lớn để dung
r'
e
kháng của tụ ứng với dảy tần số phải có giá trị tiến đến 0 Ω (lý tường) hay rất nhỏ sơ với giá trị
của điện trở RE .
Trong thực tế, giá trị điện dung C2 được xác định sao cho: dung kháng của tụ tại tần
số thấp nhất của áp vào phải nhỏ giá trị RE 10 lần.
X C2 10.RE (5.29)
taïi taàn soá f min
THÍ DỤ 5.2:
Với mạch khuếch đại trong hình H5.13 tìm giá trị điện dung C2 của tụ bypass để mạch
khuếch đại hoạt động trong dảy tần số từ 2 kHz đến 10 kHz.
GIẢI
RE 10
Với RE 560 , dung kháng tụ bypass là X C2 hay C2 . Suy ra:
10 2.fmin .RE
10
C2 F hay C2 1,42 F
2.2.103.560
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI DÙNG TRANSISTOR
180
THÍ DỤ 5.3:
Tính lại độ lợi áp AC của mạch khuếch đại trong hình H5.13 lúc có và không có tụ bypass.
Giả sử mạch không có điện trở Tải.
GIẢI
Từ thí dụ 5.1 ta có điện trở r 'e 6,965 ; trong mạch hình H5.13 ta có RC 1 k và
RE 560 . Các độ lợi điện áp xác định theo từng trường hợp cho các kết quả sau:
RC 1k
Trường hợp không dùng tụ bypass: A v 1,76
r 'e RE 566,965
RC 1k
Trường hợp có dùng tụ bypass: Av 143,58
r 'e 6,965
a./ Mạch khuếch đại có dùng điện trở Tải b./ Mạch AC tương đương khi chọn các
dung kháng XC1 = XC2 = Xc3 = 0
HÌNH H5.21: Mạch khuếch đại cực phát chung khi có Điện Trở Tải RL .
Khi nối thêm Điện Trở Tải RL thông qua tụ C3 trên ngõ ra mạch khuếch đại, ta có thêm
thành phần dòng AC qua Tải. Trên mạch tương đương AC của mạch khuếch đại, điện trở RC đấu
song song với điện trở Tải RL, xem hình H5.21. Điện trở tương đương tại cực thu cũa mạch AC là:
RC .RL
RCtd (5.30)
RC RL
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 5 – CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI BIÊN ĐỘ NHỎ DÙNG TRANSISTOR
181
Thay giá trị RCtd vào vị trí của RC trong biềuthức xác định độ lợi (5.26) ta có kết quả sau:
RCtd
AV (5.31)
r 'e
Vì RCtd RC nên độ lợi điện áp giảm. Trong trường hợp RL RC ta có RCtd RC độ lợi duy
trì hay giảm chút ít.
THÍ DỤ 5.4:
Tính lại độ lợi áp AC của mạch khuếch đại trong hình H5.13 khi có Điện Trở Tải RL = 5 kΩ.
Cực phát có dùng tụ bypass.
GIẢI:
Theo các tính toán trong thí dụ trên, ta có điện trở AC tại cực phát r 'e 6,965 . Với điện
trở RC = 1 kΩ suy ra điện trở tương đương trong mạch tương đương AC khi có thêm Điện Trở Tải:
RC .RL 1.5
RCtd 0,83333 k
RC RL 1 5
Độ lợi điện áp tại lúc này là:
RCtd 833,33
AV 119,6
r 'e 6,965
Kết quả cho thấy độ lợi giảm thấp hơn so với giá trị tìm được trong Thí Dụ 5.3 khi không có
Điện Trở Tải A v 143,58 .
Với mạch khuếch đại có các thông số được thiết kế, Tính Ổn Định của mạch được xác
định bằng cách xét đến sự thay đổi hệ số AV khi nhiệt độ môi trường thay đổi hoặc có các
thông số thay đổi.
Mặc dù điện trở RE được bỏ qua bằng cách dùng tụ bypass để tạo được độ lợi áp tối đa,
nhưng độ lợi áp này lại phụ thuộc vào giá trị điện trở nội cực phát r’e . Do đó độ lợi áp phụ thuộc
vào dòng IE và nhiệt độ .
Trong trường hợp không dùng tụ bypass tại cực phát, mặc dù độ lợi giảm rất thấp nhưng
không phụ thuộc vào r’e , lúc này độ lợi áp không ảnh hưởng bởi nhiệt độ.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI DÙNG TRANSISTOR
182
Ta có:
RC
Av (5.32)
r 'e RE1
Nếu giá trị RE1 lớn hơn giá trị r’e khoảng 10 lần thì ảnh hưởng của r’e lện độ lợi áp khi
nhiệt độ thay đổi rất ít. Trong trường hợp này độ lợi áp được xác định theo quan hệ :
RC
Av (5.33)
RE1
THÍ DỤ 5.5:
Xác định độ lợi áp AC của mạch khuếch
đại trong hình H5.23 . Giả sử tụ bypass có dung
kháng không đáng kể tại dảy tần số hoạt động
của mạch. Cho r 'e 20
GIẢI:
Từ mạch khuếch đại trong hình H5.23 ta
rútra nhận xét sau: giá trị của RE1 330 gấp
hơn 10 lần giá trị r 'e 20 . Ta có thể áp dụng
quan hệ (5.33) để ước lượng gần đúng độ lợi áp
cho mạch khuếch đại.
RC 3,3 k
Av 10 HÌNH H5.23
RE1 330
ẢNH HƯỞNG CỦA PHƯƠNG PHÁP LÀM MỀM ĐIỆN TRỞ r’e LÊN ĐIỆN TRỞ VÀO:
Trong các nội dung trình bày phía trên, điện trở vào trong mạch tương đương AC khi dùng
tụ bypass qua điện trở RE xác định theo quan hệ (5.22) : Rin(Base) ac .r 'e .
Khi bypass một phần điện trở cực phát, thành phần điện trở không được bypass bởi tụ
xuất hiện nối tiếp với điện trở nội cực phát r’e . Như vậy điện trở vào tại cực nềnsẽ được xác định
lại theo quan hệ sau:
5.3.6. TRẠNG THÁI ĐẢO PHA ÁP RA TRONG MẠCH KHUẾCH ĐẠI CE:
Trong mạch khuếchđại cực phát chung, áp Vout tại cực thu đảo pha so với áp vào Vin tại
cực nền. Trong một số tài liệu trạng thái đảo pha được ký hiệu bằng dầu trừ () ở trước biểu thức
tính độ lợi áp.
THÍ DỤ 5.6:
Cho mạch khuếch đại trong hình H5.24. Xác định:
a./ Áp DC tại cực thu.
b./ Áp AC tại cực thu.
c./ Vẽ dạng sóng áp vào và áp ra của mạch khuếch đại
GIẢI:
a./ Đầu tiên xác định mạch tương đương DC dùng phân cực transistor. Xem hình H5.25.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 5 – CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI BIÊN ĐỘ NHỎ DÙNG TRANSISTOR
183
R1.R2 10 47 R2 .Vcc 10 10
RTH 8,2456 k VTH 1,754 V
R1 R2 10 47 R1 R2 10 47
Áp VCE : VCE VCC RCIC RE1 RE2 IE 10 4,7 1,05 0,47 0,47 1,057 4,07 V
Áp tại cực thu so với điểm masse DC: VC VCC RCIC 10 4,7 1,05 5,07 V
HÌNH H5.26 : Mạch tương đương AC của mạch khuếch đại trong hình H5.24
b./ Đầu tiên xác định mạch tương đương AC, xem hình H5.26.
25 mV 25 mV
Điện trở AC tại cực phát: r 'e 23,65
IE 1,057 mA
Điện trở vào cực nền là:
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI DÙNG TRANSISTOR
184
Điện trở vào toàn phần nhìn từ nguồn AC đến cực nền là:
1 1
Rin(Tot) 7,527 k
1 1 1 1 1 1
R
1 R1
R
in(Base)
47 k 10 k 86,398 k
Xác định độ suy giảm biên độ áp (attentuation) trong mạch cực nền. Khi nhìn từ điện trở
nội của nguồn đến cực nền, ta có:
Vb Rin(Tot) 7,527
Ñoäsuy giaõm 0,926
Vs Rs Rin(Tot) 0,6 7,527
Điện trở AC tương đương tại cực thu khi có xét đến điện trở tải :
RC .RL 4,7 47
RCtd 4,273 k
RC RL 4,7 47
RCtd 4,273 k
Độ lợi điện áp từ cực nền đến cực thu: Av 9,098
RE1 470
Độ lợi áp toàn phần khi có tính thêm sự suy giảm biên độ ngõ vào tại mạch cực nền:
Vb
A 'V AV 0,926 9,098 8,425
V
in
Áp hiệu dụng AC trên ngõ ra là: Vout A 'V .Vs 8,425 10 84,25 mV
c./ Tại cực thu tín hiệu áp AC có giá trị hiệu dụng 84,25 mV, dao động quanh mức áp DC tại cực
thu là VC = 5,07V. Các giá trị đỉnh của áp ra trên cực thu được xác định như sau:
HÌNH H5.27 : Các điện áp tức thời trên ngõ vào và ngõ ra.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 5 – CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI BIÊN ĐỘ NHỎ DÙNG TRANSISTOR
185
5.3.7. ĐỘ LỢI DÒNG ĐIỆN VÀ ĐỘ LỢI CÔNG SUẤT:
Độ lợi dòng điện giữa cực nền và
Ic
cực thu chính là hệ số ac hfe .
Ib
Tuy nhiên độ lợi dòng điện toàn phần của
mạch khuếch đại cực phát chung được
định nghĩa là:
Ic
Ai (5.35)
Is
Trong đó, Is là dòng điện vào toàn
phần của nguồn áp Vs hay Vin ; dòng điện HÌNH H5.28
này bao gồm hai thành phần : dòng Ib vào
cực nền và dòng phân cực Ibias qua điện trở tương được do R1 và R2 ghép song song, xem hình
H5.28. Từ nguồn nhìn vào cực nền qua các thành phần điện trở là RS + Rin(Tot) . Ta có quan hệ
sau:
VS
IS (5.36)
RS Rin(Tot)
Với A 'V là độ lợi áp toàn phần và Ai là độ lợi dòng toàn phần ; gọi AP là độ lợi công suất
ta có quan hệ sau:
AP A 'V Ai (5.37)
HÌNH H5.29
Trong hình H5.29 trình bày mạch khuếch đại cực phát theo dừng phương pháp phân cực
dùng cầu phân áp. Cần chú ý tín hiệu nhập được cấp vào cực nền thông qua tụ điện và tín hiệu
xuất được lấy thông qua tụ tại cực phát, cực thu xem là điểm mass AC. Do đó mạch khuếch đại
còn được gọi mạch khuếch đại cực thu chung. Không có trạng thái đảo pha giữa tín hiệu vào
và tìn hiệu ra; biên độ của các tín hiệu vào và ra xấp xỉ bằng nhau.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI DÙNG TRANSISTOR
186
5.4.1. ĐỘ LỢI ĐIỆN ÁP:
Theo định nghĩa chung cho tất các các
mạch khuếch đại, độ lợi điện áp được xác
Vout
định theo quan hệ sau: A V . Dung
Vin
kháng của các tụ được bỏ qua tại tần số hoạt
động . Với mạch cực phát theo, ta có mạch
AC tương đương trình bày trong hình H5.30.
Re
AV (5.40)
r 'e Re HÌNH H5.30
Vì điện trở Re là điện trở tương đương của hai điện trở RE và RL. Khi mạch ở trạng thái
không tải Re = RE độ lợi áp hơi thấp hơn giá trị 1. Nếu Re r 'e độ lợi áp tiến đến 1.
Vì điện áp ra lấy trên cực phát nên tín hiệu này trùng pha với tín hiệu cấp đến cực nền.
Chính do tính chất này nên mạch khuếch đại mang tên là mạch khuếch đại cực phát theo .
Rin(base)
Vin
Vb
r ' R I
e e e
(5.41)
Iin Ib Ib
Vì :
Ie Ic ac .Ib
Suy ra điện trở nhập cực nền xác định theo quan hệ:
r ' R I
Rin(base)
e e
Ib
ac b
r 'e Re ac (5.42)
Nếu Re r 'e ta có thể đơn giãn điện trở nhập theo quan hệ sau:
Rin(base) Re . ac (5.43)
Với các điện trở phân cực trong hình H5.29 suy ra điện trở nhập toàn phần nhìn từ cực
nền được xác định theo quan hệ:
1 1 1 1
(5.44)
Rin(Tot) R1 R2 Rin(base)
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 5 – CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI BIÊN ĐỘ NHỎ DÙNG TRANSISTOR
187
5.4.3. ĐIỆN TRỞ RA:
Khi tách ly tải khỏi ngõ ra, mạch AC tương đương tính t heo thông số r của mạch khuếch
đại cực thu chung được xác định theo hình H5.31 a.
HÌNH H5.31: Mạch AC tương đương tính theo thông số r của mạch khuếch đại CC
Áp dụng mạch tương đương Thevénin nhìn từ cực nền về nguồn ta có được mạch tương
đương theo hình H5.31b. Từ đó suy ra:
Khi hủy áp nguồn VS = 0 và xét dòng Ib tạo thành bởi áp Vout và bỏ qua điện áp rơi giữa cực
nền phát trên điện trở r’e, ta có:
Ve
Ib (5.45)
Rin(Tot)
Trong đó Rin(Tot) là điện trở nhập nhìn từ cực nền xác định theo quan hệ (5.44), giả sử khi
Ve
Ib (5.46)
RS
Ta có:
ac .Ve
Iout Ie (5.47)
RS
Suy ra:
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI DÙNG TRANSISTOR
188
Vout Ve Ve RS
(5.48)
Iout Ie V ac
ac e
RS
Rs
Nhìn từ cực phát điện trở RE song song với điện trở từ đó suy ra quan hệ xác định
ac
điện trở ra theo quan hệ sau:
1 1
ac (5.49)
Rout Rs RE
Hay:
RS .RE
Rout (5.50)
RS ac .RE
Ie
Độ lợi toàn phần của mạch khuếch đại trong hình H5.29 là
I
. Chúng ta có thể xác định
in
Vin
dòng điện vào theo quan hệ: Iin . Trong trường hợp R1 Rin(base) và R2 Rin(base) , dòng
Rin(Tot)
điện vào hầu như đi vào cực nền nên độ lợi dòng điện của mạch khuếch đại sẽ bằng độ lợi dòng
điện ac của transistor . Nói một cách chính xác hơn nếu điện trở tương đương của các điện trở R1
và R2 ghép song song có giá trị rất lớn hơn so với giá trị ac .RE thì độ lợi dòng điện Ai ac .
Trong các trường hợp khác, độ lợi dòng điện được xácđịnh theo quan hệ:
Ie
Ai (5.51)
Iin
ac chính là giá trị độ lợi dòng tối đa đạt được trong các dạng mạch khuếch đại cực thu
chung và cực phát chung.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 5 – CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI BIÊN ĐỘ NHỎ DÙNG TRANSISTOR
189
GIẢI
Đầu tiên xác định điểm phân cực tỉnh của Transistor trong mạch khuếch đại, ta có:
R1.R2 18 18 R2 .Vcc 18 10
RTH 9 k VTH 5V
R1 R2 18 18 R1 R2 18 18
25 mV 25 mV
Điện trở AC tại cực phát: r 'e 6,16
IE 4,057 mA
Điện trở AC ngoài tương đương tại cực phát (do RE ghép song song RL khi xem như
dung kháng tụ C2 bằng 0 tại dảy tần số làm việc của mạch khuếch đại).
RE .RL 1 1
Re 0,5 k 500
RE RL 1 1
Điện trở Rin(base) tính gần đúng (khi xem như r’e không đáng kể):
Rin(base) ac .Re 175 500 87500 87,5 k
Điện trở nhập toàn phần:
1 1 1 1 1 1 1
0,122539
Rin(Tot) R1 R2 Rin(base) 18 18 87,5
Suy ra:
1
Rin(Tot) 8,16 k
0,122539
Re 500
Độ lợi áp xác định theo quan hệ (5.40): AV 0,9878
r 'e Re 500 6,16
Dòng xoay chiều Ie xác định theo quan hệ:
Ve A v .Vb 1V
Ie 2 mA
Re Re 500
Dòng xoay chiều Iin xác định theo quan hệ:
Vin 1V
Iin 122,55 A
Rin(Tot) 8,16 k
Ie 2 mA
Độ lợi dòng xác định theo quan hệ : Ai 16,32
Iin 122,55 A
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI DÙNG TRANSISTOR
190
5.4.5.MẠCH DARLINGTON VÀ ỨNG DỤNG:
actd
ac1. ac2 (5.52)
Với cặp transistor Darlington ta có điện trở vào nhìn từ cực nền là:
Rin(base) ac1. ac2 RE r 'e (5.53)
THÍ DỤ 5.8:
Cho mạch khuếch
đại cực phát chung (CE)
như trong hình H5.34, với:
VCC1 10 V ; RC 1 k ;
r 'e 5 .
Mạch khuếch đại
cực phát theo dùng cặp
transistor Darlington có:
R1 10 k ; R2 22 k ;
RE 22 ; RL 8 ;
VCC2 12 V và mỗi
transistor thành phần của
cặp Darling ton có hệ số
DC ac 100 . Tìm HÌNH H5.34
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 5 – CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI BIÊN ĐỘ NHỎ DÙNG TRANSISTOR
191
GIẢI
Câu a: Để xác định độ lợi áp cho mạch khuếch đại CC dùng cặp transistor darlington, đầu tiên ta
xác định các hệ số DCtd ; actd của transistor tương đương, ta có:
2
DCtd DC 10000
2
actd ac
10000
Kế tiếp xác định điểm làm việc tỉnh cho mạch của mạch khuếch đại CC khi thay thế bằng
transistor tương đương.
R1.R2 10 22 R2 .Vcc 22 12
RTH 6,875 k VTH 8,25 V
R1 R2 10 22 R1 R2 10 22
25 mV 25 mV
Điện trở AC tại cực phát: r 'e 0,075
IE 332,81mA
CHÚ Ý:
Vì dòng qua mạch có giá trị lớn nên cần chú ý đến công suất tiêu tán trên các phần tử.
Công suất tiêu tán trên điện trở cực phát RE :
2
PDR RE .IE 2 22 0,33281 2,436 W
E
RE .RL 22 8
Re 5,867
RE RL 22 8
Điện trở Rin(base) tính gần đúng (khi xem như r’e không đáng kể):
Rin(base) actd. Re r 'e 10000 5,867 0,075 59420 59,42 k
Điện trở nhập toàn phần:
1 1 1 1 1 1 1
0,1622839
Rin(Tot) R1 R2 Rin(base) 10 22 59,42
Suy ra:
1
Rin(Tot) 6,162 k
0,1622839
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI DÙNG TRANSISTOR
192
Trong hình H5.34 ta nhận thấy tín hiệu vào mạch khuếch đại CC cấp từ ngõ ra của
mạch khuếch đại cực phát chung CE ; do đó tổng trở vào toàn phần ac của mạch khuếch
đại CC sẽ ảnh hưởng đến điện trở ngõ ra của mạch khuếch đại CE (xem lại nội dung trong
mục 5.3.4). Ta có điện trở ac tại cực thu của mạch khuếch đại CE xác định theo quan hệ:
RC .Rin(Tot) 1 6,162
RCtd 0,86 k 860
RC Rin(Tot) 1 6,162
Độ lợi điện áp của mạch khuếch đại cực phát chung CE là:
RCtd 860
AV1 172
r 'e 5
Câu b: Độ lợi áp của mạch khuếch đại cực thu chung CC xác định theo quan hệ (5.40):
Re 5,867
AV2 0,98738
r 'e Re 5,867 0,075
Câu c: Độ lợi áp toàn mạch của toàn bộ mạch khuếch đại cực phát chung CE ghép liên lạc với
mạch khuếch ddại cực thu chung CC :
CHÚ Ý:
Trong trường hợp chỉ dùng mạch khuếch đại cực phát chung CE cấp tín hiệu đến Tải là
Loa (Speaker) có điện trở là RL = 8 Ω mà không có tầng khuếch đại cực thu chung CC, do điện
trở Tải có giá trị rất bé nên điện trở ac tại cực thu lúc này là
RC .RL 1000 8
R'Ctd 7,9365
RC RL 1000 8
Độ lợi áp của mạch khuếch đại CE trong trường hợp này có giá trị là:
R,Ctd 7,9365
AV1 1,587
r 'e 5
Tư giá trị này cho thấy của mạch khuếch đại CC dùng cặp transistor Darlington cải
thiện được độ khuếch đại áp cho mạch khuếch đại CE khi Tải có giá trị rất thấp.
Mạch khuếch đại cực nền chung cho phép tạo ra độ lợi áp có giá trị cao với độ lợi
dòng tối đa bằng 1. Mạch khuếch đại này cho điện trở vào có giá trị thấp nên mạch khuếch đại
CB thường được áp dụng cho các trường hợp nguồn tín hiệu cấp vào mạch khuếch đại có
điện trở ra rất thấp.
Môt dạng mạch tiêu chuẩn của mạch khuếch đại cực nền chung trình bày trong hình
H5.35 . Cực nền là đầu chung hay là điểm masse ac . Tín hiệu vào cấp vào cực phát thông qua tụ
điện. Tín hiệu ra lấy trên cực thu thông qua tụ điện trước khi đến cấp đến điện trở Tải.
Trong hình H5.36, trình bày mạch tương đương ac của mạch khuếch đại cực nền chung,
khi khảo sát cần phân biệt các điện trở dùng phân cực tạo điểm làm việc tỉnh cho transistor
và các phần tử khác chỉ ảnh hưởng đến chức năng khuếch đại áp, dòng khi xét đối với tín
hiệu ac vào. Ta có các kết quả như sau.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 5 – CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI BIÊN ĐỘ NHỎ DÙNG TRANSISTOR
193
HÌNH H5.35: Mạch khuếch đại cực nền chung CB (Common Base).
Vout Vc
AV (5.54)
Vin Ve
RC RL
Rctd (5.55)
RC RL
Điện trở ac tương đương tại cực phát được xác định theo quan hệ:
r 'e RE
Re (5.56)
r 'e RE
Khi xem dòng ac tại cực phát và cực thu có giá trị xấp xỉ bằng nhau, suy ra:
Vc Rctd.Ic Rctd
AV (5.57)
Ve Re .Ie Re
Trong trường hợp RE r 'e ta có Re r 'e , quan hệ (5.57) được viết lại như sau:
Rc
AV (5.58)
r 'e
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI DÙNG TRANSISTOR
194
Điện trở vào khi nhìn từ cực phát xác định theo quan hệ sau:
Vin Ve Re .Ie
Rin(emitter) Re (5.59)
Iin Ie Ir
Khi nhìn vào cực thu điện trở ac ra r 'c đấu song song với RC . Theo các nội dung đẽ khảo
sát trong mạch khuếch đại cực phát chung CE ta có r 'c >> RC . Tóm lại ta có:
Rout RC (5.60)
THÍ DỤ 5.9:
Cho mạch khuếch đại cực
nên chung (CB) như trong hình
H5.37, với transistor có DC 250 .
Xác định:
a./ Điện trở vào.
b./ Độ lợi áp.
c./ Độ lợi công suất
GIẢI:
Đầu tiên xác định điểm phân
cực tỉnh của transistor, ta có:
R1.R2 56 12
RTH 9,882 k
R1 R2 56 12
HÌNH H5.37
R2 .Vcc 12 10
VTH 1,7647 V
R1 R2 56 12
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 5 – CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI BIÊN ĐỘ NHỎ DÙNG TRANSISTOR
195
25 mV 25 mV
Điện trở AC tại cực phát: r 'e 24,414
IE 1,024 mA
Điện trở ac tương đương tại cực phát được xác định theo quan hệ:
r 'e RE 0,024414 1
Re 0,0238 k 23,8
r 'e RE 0,024414 1
Theo (5.59) ta có điện trở vào khi nhìn từ cực phát xác định theo quan hệ:
Rin(emitter) Re 23,8
Điện trở ac tương đương tại cực thu khi có xét đến ảnh hưởng của điện trở tải được xác
định theo quan hệ (5.55) :
RC RL 2,2 10
Rctd 1,803 k
RC RL 2,2 10
Độ lợi áp:
Rctd 1803
AV 75,76
Re 23,8
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI DÙNG TRANSISTOR
196
BÀI TẬP
HÌNH H5.38
BÀI TẬP 5.2
Cho mạch khuếch đại
trong hình H5.39.
a./ Xác định các thông số của
điểm làm việc tỉnh DC.
b./ Xác định các thông số ac
của mạch khuếch đại: Rin(base) ;
Rin(Tot) ; AV ; Ai ; AP.
c./ Giả sử nguốn áp xoay chiều
cấp vào mạch khuếch đại có
nội trở là 600Ω , áp hiệu dụng
lả 12µV. Xác định độ lợi áp
HÌNH H5.39 toàn phần của mạch .
HÌNH H5.40
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 5 – CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI BIÊN ĐỘ NHỎ DÙNG TRANSISTOR
197
HÌNH H5.41
HÌNH H5.42
BÀI TẬP 5.5
Cho mạch khuếch đại dùng cặp transistor Darlington trong hình H5.43. Tìm Rin(emitter) ; AV ;
Ai ; AP lúc mạch khuếch đại không tải.
Bất lợi của mạch khuếch đại CB là gì so với các loại khuếch đại CE và CC
HÌNH H5.43
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI DÙNG TRANSISTOR
198
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – PHỤ LỤC 1 – LINH KIỆN R – L – C PL1 .1
PHỤ LỤC 1
PHƯƠNG PHÁP ĐỌC ĐIỆN TRỞ VẠCH MÀU
Loại 4 vòng màu, 1/2W Loại 5 vòng màu, 1/2W Loại 4 vòng màu, 1W
Điện trở công suất lớn dùng trong các mạch công suất
HPL1.1: Hình dạng một số điện trở thông dụng.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
PL1. 2 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – PHỤ LỤC 1 – LINH KIỆN R – L – C
PL1.3. CÔNG SUẤT DANH ĐỊNH HAY CÔNG SUẤT ĐỊNH MỨC CỦA ĐIỆN TRỞ :
Mỗi điện trở được chế tạo với một công suất tối đa cho phép gọi là công suất danh định,
ký hiệu Pdđ. Khi dùng điện trở trong mạch điện thì phải tính toán sao cho công suất tiêu thụ thực
sự trên R luôn nhỏ hơn công suất danh định trong mọi truờng hợp.
Trong đa số trường hợp kích thước điện trở phụ thuộc vào công suất danh định và
được xác định bằng cách đọc thông số ghi trên điện trở (thường chỉ có đối với các điện trở
công suất lớn hơn 1W) hoặc xem kích thước điện trở.
Điện trở loại hàn xuyên lớp bé nhất hiện nay có công suất danh định 1/8 W ; 1/4 W và 1/2W.
Các điện trở có công suất từ 1W trở lên có đường kính tiết diện ngang bé nhất khoảng 4mm.
PL1.4. XÁC ĐỊNH GIÁ TRỊ R VÀ DUNG SAI BẰNG LUẬT MÀU VÀ LUẬT SỐ :
Các điện trở có công suất bé hơn 1W thường có giá trị điện trở cho bởi các vòng màu hoặc
các số ghi trên thân điện trở.
Đối với các điện trở có giá trị cho bởi vòng màu, có hai dạng phổ biến là loại 4 vòng màu và
loại 5 vòng màu. Các điện trở dán (loại dán trên mạch in – không có chân để xuyên qua mạch in)
có giá trị cho bởi quy ước số ghi trên thân.
Cách xác định như sau:
HPL1.2: Giá trị điện trở được xác định theo quy ước màu và quy ước số.
HPL1.3: Bảng tiêu chuẩn giá trị của các vòng màu và vòng sai số.
Khi xác định R, cần phải xác định vòng sai số trước dựa vào 2 đặc điểm sau:
Vòng sai số nằm riêng rẽ, cách xa các vòng khác.
Vòng sai số có một số màu nhất định.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – PHỤ LỤC 1 – LINH KIỆN R – L – C PL1 .3
THÍ DỤ:
R có 4 vòng màu : Đỏ, tím, nâu, vàng nhũ thì giá trị là : 27.101 5% = 270 5%.
R có 5 vòng màu : Vàng, tím, đen, đỏ, nâu thì giá trị là : 470.102 1% = 47000 1%
R có ghi số 682K thì giá trị là : 68.102 10%
BẢNG GIÁ TRỊ THƯƠNG MẠI (GIÁ TRỊ CÓ SẢN XUẤT):
Bảng 1.1 : Bảng giá trị thương mại của điện trở.
< 1 1 10 10 100 100 1k 1k 10k 10k 100k 100k 1M 1M
1 10 100 1k 10k 100k 1M
12 120 1.2k 12k 120k 1.2M
1.5 15 150 1.5k 15k 150k 1.5M
18 180 1.8k 18k 180k 1.8M
2.2 22 220 2.2k 22k 220k 2.2M
24 240 2.4k 24k 240k 2.4M
27 270 2.7k 27k 270k 2.7M
0.33 3.3 33 330 3.3k 33k 330k 3.3M
3.9 39 390 3.9k 39k 390k 3.9M
0.47 4.7 47 470 4.7k 47k 470k 4.7M
51 510 5.1k 51k 510k 5.1M
5.6 56 560 5.6k 56k 560k 5.6M
6.2 62 620 6.2k 62k 620k 6.2M
68 680 6.8k 68k 680k 6.8M
8.2 82 820 8.2k 82k 820k 8.2M
Các điện trở trên thực tế chỉ được chế tạo với những giá trị theo bảng 1.1. Khi thiết kế mạch thường
ta chỉ chọn được những giá trị gần với giá trị tính toán nhất mà không chọn chính xác được giá trị theo tính
toán. Việc chọn gần đúng này nhằm mục đích tìm được một điện trở trên thị trường có sẳn để lắp vào mạch.
Vì chọn gần đúng nên trong một số trường hợp cần phải tính toán lại theo giá trị chọn để có độ chính xác.
Ngoài ra có thể dùng nhiều điện trở mắc nối tiếp, song song hoặc hỗn hợp để có một giá trị điện trở mong
muốn. Ví dụ ta cần một điện trở 2k nhưng trên thị trường chỉ có các điện trở loại 1k; 1,2k; 1,8k;
2,2k. Trong trường hợp này có thể mắc nối tiếp 2 điện trở loại 1k để có điện trở tương đương 2k. Một
ví dụ khác là có thể ghép song song 2 điện trở loại 2,2k để có điện trở tương đương 1,1k. Trong trường
hợp ghép nhiều điện trở như vậy mạch sẽ rắc rối thì có thể dùng biến trở để chỉnh định.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
MỤC LỤC