Bài Giảng Mạch Điện Tử 1

LỜI NÓI ĐẦU
Bài giảng môn Điện Tử 1 trang bị cho sinh viên các kiến thức về nguyên tắc hoạt động
và mạch áp dụng các linh kiện bán dẫn như: Diode, Transistor, FET, UJT, PUT SCR TRIAC.
. . Mỗi linh kiện được giới thiệu trong môn học bao gồm hai mục chính:
Đặc tính của mỗi chân ra trên linh kiện.
Các nội dung lý thuyết khác nhằm giải thích đặc tính của mỗi chân ra của linh kiện.
Các nội dung trình bày trong môn học dưới dạng: tóm lược các phương trình và các
định luật mô tả nguyên tắc hoạt động của linh kiện, kèm theo là các thí dụ làm sáng tỏ và
thuyết minh các qui luật áp dụng trong quá trình khảo sát linh kiện.
Với thời gian 45 tiết, môn học được trình bày trong 5 chương:
Chương 1 bao gồm hai nội dung chinh. Nội dung thứ nhứt trình bày các kiến thức
cơ bản về vật liêu bán dẫn n và p. Trong nội dung này tóm lược lại các kiến thức vật lý cơ
lượng tử cũng như hóa học có liên quan đến chất bán dẫn. Khảo sát tính chất của mối nối pn là
cấu trúc cơ bản để tạo thành các linh kiện bán dẫn. Nội dung thứ hai trình bày nguyên tắc
hoạt động đặc tính của các loại diode. Trong chương này các mạch ứng dụng của diode
được đề cập đến là mạch chỉnh lưu bán kỳ, toàn kỳ và mạch ổn áp dùng diode Zener. Các
thông số của mạch chỉnh lưu, phương pháp san phẳng áp trên ngõ ra mạch chỉnh lưu
dùng tụ. Phương thức xác định dảy thông số làm việc của mạch ổn áp dùng diode Zener
khi tải thay đổi hay nguồn áp DC cấp vào mạch thay đổi. Cấu trúc của bộ nguồn biến đổi áp
xoay chiều (AC) thành một chiều (DC).
Chương 2 trình bày nguyên tắc hoạt động và các phương pháp phân cực định
điểm làm việc tỉnh (DC) cho transistor (BJT) loại pnp hay npn. Sơ lược về công dụng, các
chế độ hoạt động và các đặc tuyến của Transistor. Các phương trình cân bằng dòng và áp
sử dụng trong mỗi phương pháp phân cực. Phân tích ưu và nhược điểm của mỗi phương
pháp phân cực khi nhiệt độ môi trường thay đổi. Tính ổn định của điểm làm việc tỉnh khi
nhiệt độ thay đổi.
Chương 3 trình bày nguyên tắc hoạt động dùng hiệu ứng trường của Transistor:
JFET và MOSFET. Các thông số và đặc tuyến đặc trưng tính chất của mỗi loại FET. Phương
pháp phân cực FET và MOSFET. Phương pháp áp dụng các tài liệu kỹ thuật của nhà sản xuất
để định thông số cho FET. Các bài toán đặc biệt áp dụng để khảo sát mạch phân cực FET.
Chương 4 trình bày nguyên tắc hoạt động, đặc tuyến volt ampere và các mạch áp
dụng cho họ thyristor (linh kiện có 4 lớp bán dẫn) . Các linh kiện được khảo sát bao gồm:
SUS, DIAC, TRIAC, SCR... Một loại linh kiện khác dùng tạo mạch phát xung kích khởi cho các
linh kiện SCRvà TRIAC là UJT và PUT cũng được khảo sát đến trong chương 4. Mạch áp
dụng UJT hay PUT được khảo sát đến là dao động tích thoát và các điều kiện để duy trì
dao động.
Chương 5 trình bày nguyên tắc chung của mạch khuyếch đại biên độ nhỏ dùng
transistor. Các dạng mạch khuếch đại được khào sát đến bao gồm các dạng: CE; CC và CB.
Trong từng dạng mạch khuếch đại trình bày: phương pháp giải tích, mạch tương đương AC
và các độ lợi khuếch đại áp, dòng và công suất.
Sau mỗi chương từ 1 đến 5 sinh viên nên giải các bài tập để lý luận và áp dụng các nội
dung lý thuyết đã được giới thiệu và khảo sát.
Người Biên soạn

NGUYỄN-THÊ-KIỆT
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG 1
CHƯƠNG 01
DIODE VÀ CÁC MẠCH ỨNG DỤNG
1.1.TỔNG QUAN VỀ CHẤT BÁN DẪN:

1.1.1.TÓM TẮT VỀ CẤU TRÚC NGUYÊN TỬ
Theo lý thuyết cổ điển, nguyên tử là thành phần
nhỏ nhất của phần tử còn duy trì được đặc tính của phần
tử đó. Mẫu nguyên tử theo Borh bao gồm: nhân chứa các
hạt mang điện tích dương được gọi là proton và các hạt
mang điện tích âm là electron chuyển động trên các quỉ đạo
bao quanh nhân. Với các nguyên tử khác loại số lượng
electron và proton trên mỗi nguyên tử có giá trị khác nhau,
xem hình H1.1.
Các nguyên tử được sắp xếp thứ tự trên bảng phân
loại tuần hoàn tương ứng với “nguyên tử số” (atomic
number). Nguyên tử số được xác định theo số lượng proton
chứa trong nhân. Trong điều kiện bình thường các nguyên
tử ở trạng thái trung hòa, mỗi nguyên tử có số lượng electron
HÌNH H 1.1 và proton bằng nhau.
Các điện tử chuyển động trên các tầng quỉ đạo
quanh nhân với các khoảng cách khác nhau. Mỗi tầng quỉ
đạo điện tử tương ứng với mức năng lượng khác nhau. Quỉ đạo điện tử càng gần nhân điện
tử có mức năng lượng thấp và khi quỉ đạo càng xa nhân mức năng lượng điện tử cao hơn.
Trong nguyên tử những quỉ đạo được ghép thành
nhóm trong các băng năng lượng (energy bands) được gọi là
shell. Tương ứng với nguyên tử chọn trước số lượng shells cố
định. Mỗi shell có số điện tử tối đa cố định tại các mức năng
lượng cho phép. Mức năng lượng chênh lệch giữa các quỉ
đạo trong cùng một shell phải nhỏ hơn mức năng lượng
chênh lệch giữa hai shell kế cận nhau. Các shell được đánh
số thứ tự 1, 2 , 3 ..từ trong nhân ra ngoài , xem hình H 1.2.
Các điện tử càng xa nhân có mức năng lượng càng
cao nhưng kém liên kết chặt với nguyên tử so với các điện tử
nằm gần nhân. Lớp shell nằm ngoài cùng được gọi là
valence shell (lớp vỏ hóa trị) và các điện tử trong tầng này
được gọi là điện tử hóa trị. Các điện tử hóa trị tham gia vào các
phản ứng hóa học, kết nối trong cấu trúc vật liệu cũng như các
tính chất về điện của vật liệu.
Khi nguyên tử hấp thu nhiệt năng hay quang năng, HÌNH H 1.2
năng lượng của các điện tử gia tăng. Các điện tử hóa trị có
khả năng nhảy đến tầng quỉ đạo có mức năng lượng cao hơn trong shell hóa trị. Khi các
điện tử hóa trị hấp thụ năng lượng ngoài đủ để thoát khỏi lớp shell ngoài cùng của nguyên tử, bây
giờ nguyên tử mang điện tích dương do số lượng proton bây giờ nhiều hơn lượng electron. Quá
trình mất các điện tử hóa trị được gọi là sự ion hóa và nguyên tử bây giờ được gọi là ion
dương. Các điện tử hóa trị thoát ra khỏi nguyên tử được gọi là electron tự do. Khi các
electron hóa trị mất năng lượng và trở về tầng quỉ đạo trên shell ngoài cùng của nguyên tử
trung hòa cho ta ion âm.
Tổng số lượng điện tử tối đa trên một shell của nguyên tử được xác định theo quan hệ:
Ne  2n2 (1.1)
Trong đó, là số thứ tự của shell tính từ trong nhân ra phía ngoài.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN : NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
2 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 1 – DIODE VÀ CÁC MẠCH ÁP DỤNG
1.1.2.CHẤT DẪN ĐIỆN, CHẤT CÁCH ĐIỆN VÀ CHẤT BÁN DẪN:

Tất cả vật liệu được tạo thành từ các nguyên tử. Những
nguyên tử này có liên quan đến đặc tính điện bao gồm cả tính
dẫn điện của vật liệu.
Với mục tiêu khảo sát các tính chất điện của vật liệu,
nguyên tử được biểu diễn bởi các điện tử hóa trị và phần
lỏi bao gồm nhân và các shell bên trong. Carbon là loại vật
liệu được dùng làm điện trở có nguyên tử bao gồm 4 electrons
hóa trị trên shell hóa trị và 2 electron trên tầng trong cùng, nhân
bao gồm 6 protons và 6 neutrons. Ta nói phần lỏi (core) của
nguyên tử có tổng điện tích là +4 (do 6 protons và 2 electrons
HÌNH H 1.3 tạo nên, xem hình H1.3.
1.1.2.1.CHẤT DẪN ĐIỆN (CONDUCTOR)
Chất dẫn điện là vật liệu cho phép dòng điện đi qua một cách dễ dàng. Các chất dẫn điện
rất tốt là vật liệu đơn nguyên tử như : đồng, bạc, vàng , nhôm. Nguyên tử hình thành các vật liệu
này là loại nguyên tử chỉ có một electron hóa trị và electron này dễ dàng thoát khỏi nguyên từ để
thành electron tự do. Như vậy vật dẫn là vật liệu có khả năng chứa nhiều electrons tự do.
1.1.2.2.CHẤT CÁCH ĐIỆN (INSULATOR)
Chất cách điện là vật liệu không cho dòng điện đi qua trong điều kiện bình thường của môi
trường. Hầu hết chất cách điện là hợp chất không thuộc dạng vật liệu đơn nguyên tử. Các điện tử
hóa trị liên kết chặt với phần lỏi của nguyên tử. Trong chất cách điện rất hiếm các điện tử tự do.
1.1.2.3.CHẤT BÁN ĐIỆN (SEMICONDUCTOR)
Chất cách điện là vật liệu trung gian giữa chất dẫn điện và chất cách điện. Chất bán dẫn
thuần không phải là chất dẫn điện tốt cũng không phải là chất cách điện tốt. Chất bán dẫn đơn
nguyên tử thông thường bao gồm: Si (Silicon) ; Ge (germanium); C (Carbon). Hợp chất bán dẫn
như là: Gallinium Asernide. Với các chất bán dẫn đơn nguyên tử ta có được 4 điện tử hóa trị
trên shell hóa trị .
1.1.3.DÃY NĂNG LƯỢNG (ENERGY BANDS):
Với shell hóa trị của

nguyên tử biểu diễn mức của
dãy năng lượng dùng kềm giữ
các điện tử hóa trị trên shell
hóa trị. Mức năng lượng này
được gọi là dãy hóa trị (valence
band).
Khi các điện tử hấp thu
được đủ năng lượng để thóat
khỏi shell hóa trị trở thành điện
tử tự do và tiếp tục duy trì trạng
thái này trong dãy năng lượng
khác được gọi là dãy dẫn
(conduction band) xem hình
H1.4. Khoảng chênh lệch năng
HÌNH H 1.4 lượng giữa dãy hóa trị và dãy
dẫn được gọi là khe năng lượng
(energy gap). Khi điện tử hấp thu đủ năng lượng bằng mức khe năng lượng để đến dãy dẫn,
điện tử di chuyển tự do trong vật liệu và không liên kết với bất kỳ nguyên tử nào khác.
Trong hình H1.4 trình bày giản đồ phân bố năng lượng của vật liệu cho thấy kết quả sau:
Với chất cách điện: khe năng lượng rất rộng, các điện tử hóa trị không thể nhảy đến dãy
dẫn trừ khi có thêm các điều kiện phá hủy trạng thái như trường hợp đặt điện áp có giá trị rất cao
(cao áp) ngang qua lớp vật liệu.
Với chất bán dẫn khe năng lượng hẹp hơn so với trường hợp chất cách điện. Khi khe
năng lượng hẹp lại vài điện tử hóa trị có thể nhảy sang dãy dẫn trở thành các điện tử tự do.
Với chất dẫn điện các dãy hóa trị và dãy dẫn phủ chồng lên nhau, như vậy trong vật dẫn
có rất nhiều điện tử tụ do.
1.1.4.SO SÁNH CẤU TRÚC NGUYÊN TỬ CỦA CHẤT DẪN ĐIỆN VÀ CHẤT BÁN DẪN:
Trong hình H1.5

trình bày nguyên tử
của đồng là chất
dẫn điện và nguyên
tử Silicon của chất
bán dẫn.
Phần lõi của
nguyên tử Silicon có
điện tích tổng là +4
(14 ptotons và 10
electrons).
Phần lõi của
nguyên tử đồng có
điện tích tổng là +1
(29 protons và 28
HÌNH H 1.5 electrons).
4 điện tử hóa trị trên Phần lõi là vật

lớp shell ngoài cùng thể đã loại trừ các
điện tử hóa trị.
Điện tử hóa trị
trong nguyên tử đồng
“cảm nhận” lực hấp
dẫn do điện tích +1
của phần lõi nguyên
tử, trong khi điện tử
hóa trị trong nguyên
tử Silicon “cảm nhận”
lực hấp dẫn do điện
tích +4 từ phần lõi
nguyên tử. Ta nói lực
hấp dẫn lên điện tử
HÌNH H 1.6 hóa trị trong nguyên
tử Silicon gấp 4 lần
lực hấp dẫn lên điện tử hóa trị trong nguyên tử đồng. Hơn nữa điện tử hóa trị của đồng trên lớp
shell thứ 4 và điện tử hóa trị của Silicon trên lớp shell thứ 3, điện tử hóa trị của đồng xa nhân hơn
so với điện tử hóa trị của Silicon nên năng lượng của điện tử hóa trị của nguyên tử đồng cao hơn
so với năng lượng của điện tử hóa trị của nguyên tử silicon.Từ các nhận xét trên cho thấy điện tử
hóa trị của đồng dễ dàng hấp thu năng lượng để nhảy đến dãy dẫn thành điện tử tự do khi so
sánh với điện tử hóa trị của nguyên tử Silicon.
Thực tế tại điều kiện nhiệt độ môi trường bình thường bêntrong đồng có chứa rất nhiều
điện tử tự do.
1.1.5.SO SÁNH CẤU TRÚC NGUYÊN TỬ CỦA CHẤT BÁN DẪN SILICON VÀ GERMANIUM:
Trong hình H1.6. trình bày cấu trúc nguyên tử của các chất bán dẫn Silicon và Germanium.
Silicon là chất bán dẫn được sử dụng rộng rãi để chế tạo các linh kiện: diode, transistor, mạch tích
hợp (IC – intergrated circuit) . Các nguyên tữ Silicon và Germanium có cùng số lượng điện tử hóa
trị ( 4 điện tử hóa trị).
Tuy nhiên các điện tử hóa trị của Germanium ở lớp shell thứ 4 trong khi các điện tử
hóa trị của Silicon ở lớp shell thứ 3 gần nhân hơn. Điều này cho thấy khả năng hấp thu năng
lượng để trở thành điện tử tự do của các điện tử hóa trị trong nguyên tử Germanium dễ
dàng hơn các điện tử hóa trị trong nguyên tử Silicon. Do tính chất này Germanium thường
không ổn định tại nhiệt độ cao , đây là lý do cơ bản khiến Silicon được dùng rộng rãi hơn .
1.1.6.NỐI CỘNG HÓA TRỊ (COVALENT BONDS):

Khi các nguyên tử
tổ hợp tạo thành vật rắn,
tinh thể vật liệu, chúng tự
sắp xếp theo mô hình đối
xứng. Các nguyên tử
trong cấu trúc tinh thể nối
kết với nhau bằng nối
cộng hóa trị, kết nối này
được hình thành do sự
tương tác giữa các điện
tử hóa trị trong các
nguyên tử. Silicon là loại
vật liệu tinh thể (crystalline
material). Trong hình H1.7
trình bày cấu trúc của tinh
thể Silicon tạo bởi các
HÌNH H 1.7
nguyên tử Silicon.
Một nguyên tử Silicon sẽ chia xẻ các điện

tử hóa trị với 4 nguyên tử Silicon khác lân cận
hình thành 4 nối cộng hóa trị.
Sau cùng trên tầng ngoài cùng của các
nguyên tử có đủ 8 điện tử, đạt trạng thái cân bằng
hóa học. Sự chia xẻ các điện tử hóa trị tạo thành 4
nối cộng hóa trị có tính chất liên kết các nguyên tử
với nhau, tinh thể thuần nhất (intrinsic crystal)
không tạp chất (no impurities) của silicon tạo bởi
nối cộng hóa trị trình bày trong hình H.1.8. Tinh
thể Germanium cũng có kết cấu tương tự vì có 4
điện tử hóa trị trên lớp shell ngoài cùng. HÌNH H1.8
1.1.8.TÍNH DẪN ĐIỆN TRONG VẬT LIỆU BÁN DẪN:
Phương thức dẫn dòng điện qua vật liệu là kiến thức quan trọng dùng giải thích nguyên lý
hoạt động của linh kiện điện tử.
Như đã trình bày, các điện tử trong nguyên tử chỉ có thể thoát ra trong và ổn định trong các
dãy năng lượng định trước. Mỗi shell quanh nhân tương ứng với dãy năng lượng nào đó và cách
biệt với các shell khác lân cận bằng các khe năng lượng.
Trong hình H1.9 trình bày giản đồ của các dãy năng lượng của các nguyên tử trong tinh thể silicon
thuần khiết không được kích thích (không có năng lượng bên ngoài như ánh sáng tác động vào nguyên tử).
Điều kiện này chỉ xãy ra tại nhiệt độ tuyệt đối 0o Kelvin.
1.1.8.1.TÍNH DẪN CỦA ELECTRONS VÀ LỔ TRỐNG:
Một tinh thể silicon thuần khiết tại nhiệt độ môi

trường có đủ nhiệt năng để vài điện tử hóa trị nhảy qua
khe năng lượng từ dãy hóa trị đến dãy dẫn để trở
thành điện tử tự do. Các điện tử tự do được gọi là các
điện tử dẫn (conduction electrons). Sự kiện này được
trình bày trong giản đồ năng lượng (energy diagram)
và giản đồ nối cộng hóa trị (bonding diagram) trong
hình H1.10.
Khi điện tử nhảy sang dãy dẫn tạo sự khiếm
khuyết trong dãy hóa trị của tinh thể. Vị trí khiếm
khuyết này gọi là lỗ trống (hole). Với mỗi điện tử hấp
thu năng lượng ngoài và nhảy đến dãy dẫn sẽ hình
thành lổ trống trong dãy hóa trị, tại lúc này ta có một
cặp điện tử và lỗ trống, xem hình H1.10.
HÌNH H1.9
HÌNH H1.10
Tại nhiệt độ bình thường của môi trường,

trong một tinh thể Silicon quá trình hình thành
cặp điện tử tự do và lổ trống tạo ra một cách
ngẩu nhiên, xem hình H1.11.
1.1.8.2.DÒNG ĐIỆN TẠO BỞI CỦA ELECTRONS

VÀ LỔ TRỐNG:
Khi cấp điện áp một chiều ngang qua hai

đầu của của một tấm tinh thể Silicon, xem
hình H.1.12. , các điện tử tự do trong dãy dẫn
sẽ di chuyển tự do một cách ngẩu nhiên trong
cấu trúc tinh thể và dễ dàng đi về phía cực
dương (+) của nguồn áp cung cấp.
HÌNH H1.11
Sự chuyển động của các

điện tử tự do trong tinh thể bán
dẫn hình thành một loại dòng
điện qua chất bán dẫn được gọi
là dòng điện tạo bởi các điện tử
(electron current).
Một loại dòng điện khác
xuất hiện trong dãy hóa trị khi lỗ
trống được sinh ra . Các điện tử
HÌNH H1.12 còn lại trong dãy hóa trị vẫn còn
liên kết với các nguyên tử của
chúng và không thể di chuyển tự do một cách ngẩu nhiên trong cấu trúc tinh thể như các điện tử
tụ do. Tuy nhiên, điện tử hóa trị có thể di chuyển đến các lổ trống lân cận với sự thay đổi rất ít
năng lượng của nó và tạo thành lổ trống khác khi điện tử hóa trị này di chuyển. Như vậy lỗ trống
xem như di chuyển một cách thực sự từ vị trí này sang vị trí khác trong tinh thể chất bán dẫn. Sự
di chuyển của các lổ trống hình thành dòng điện lỗ trống ( holes current), xem hình H..1.13.
Điện tử hóa trị di Điện tử tự

chuyển đến lổ Điện tử hóa trị di chuyển
do rời lổ
trống thứ 4 và đến lổ trống thứ 2 và tạo
trống trong
tạo lổ trống thứ 5 lổ trống thứ 3
shell hóa trị
Điện tử hóa trị di
Điện tử hóa trị di Điện tử hóa trị di chuyển đến lổ
chuyển đến lổ trống thứ chuyển đến lổ trống thứ trống thứ 1 và
5 và tạo lổ trống thứ 6 3 và tạo lổ trống thứ 4 tạo lổ trống thứ 2
Khi điện tử hóa trị di chuyển từ trái sang phải lắp đầy lổ trống và tạo ra lổ trống khác, thì lổ trống xem như di
chuyển ngược lại từ phải sang trái. Mủi tên màu xám chỉ hướng chuyển động thực sự của các lổ trống.
HÌNH H1.13
1.1.9.BÁN DẪN LOẠI N VÀ BÁN DẪN LOẠI P:
Các vật liệu bán dẫn không dẫn điện tốt và có giới hạn tại trạng thái thuần khiết, do số
lượng rất ít các điện tử tự do trong dãy dẫn và lỗ trống trong dãy hóa trị. Silicon thuần khiết (hay
germanium) phải được cải thiện bằng cách gia tăng lượng điện tử tự do hay lổ trống để gia tăng
tính dẫn tạo thành các linh kiện điện tử hữu ích.
Công việc này được thực hiện bằng cách thêm tạp chất vào vật liệu thuần khiết. Có hai loại
vật liệu bán dẫn không thuần khiết (extrinsic semiconductor) là bán dẫn loại n và bán dẫn loại p.
Tính dẫn của silicon và germanium có thể được gia tăng một cách mạnh mẽ bằng cách kiểm soát
tạp chất thêm vào vật liệu bán dẫn thuần khiết. Phương thức này gọi là phụ gia làm tăng các hạt
tải : điện tử hay lổ trống.
1.1.9.1.BÁN DẪN LOẠI N:

Để gia tăng lượng điện tử trong dãy dẫn
của silicon thuần khiết, một nguyên tử có hóa trị
5 được thêm vào. Các nguyên tử có 5 điện tử
hóa trị chẳng hạn như : As (arsenic); P
(phosphorus) ; Bi (bismuth) và Sb (antimony).
Trong hình H1.14 trình bày liên kết cộng
hóa trị của một nguyên tử Sb với 4 nguyên tử Si
lân cận. Bốn điện tử hóa trị của Sb dùng tạo nối
cộng hóa trị với 4 nguyên từ Si và một điện tử
thừa tách ly thành điện tử tụ do không liên kết
với các nguyên tử. Nguyên tử có hóa trị 5 dùng
làm tăng điện tử tự do được gọi là nguyên tử
cho (donor atom).
HÌNH H1.14 Số lượng điện tử tự do được kiểm soát
bởi số lượng nguyên tử tạp chất thêm vào.
HẠT TẢI ĐA (MAJORITY CARRIERS) VÀ HẠT TẢI THIỂU (MINORITY CARRIERS)

Phương pháp tạo ra các điện tử tự do theo phương thức này không hình thành lổ trống
trong dãy hóa trị. Bán dẫn tạo nên từ Silicon (hay Germanium) liên kết với nguyên tử hóa trị 5
được gọi là bán dẫn loại n và dòng tải được tạo nên do các điện tử.
Trong trường hợp này các điện tử được gọi là hạt tải đa (majority carriers) trong bán dẫn
loại n. Mặc dù dòng tải chủ yếu là do các điện tử nhưng cũng có một số lổ trống được tạo ra khi có
điện tử thóa khỏi tầng hóa trị do tác dụng nhiệt. Các lổ trống này không được tạo thành do sự
thêm vào cấu trúc nguyên tử tạp chất hóa trị 5. Lổ trống trong chất bán dẫn n được gọi là hạt tải
thiểu (minority carriers).
1.1.9.2.BÁN DẪN LOẠI N:

Để gia tăng lượng lổ trống trong bán dẫn silicon
thuần khiết, một nguyên tử có hóa trị 3 được thêm vào.
Các nguyên tử có 3 điện tử hóa trị chẳng hạn như : B
(boron); In (indium) và Ga (gallium).
Trong hình H1.15 trình bày liên kết cộng hóa trị
của một nguyên tử B với 4 nguyên tử Si lân cận. Ba
điện tử hóa trị của B dùng tạo nối cộng hóa trị với 4
nguyên tử Si và thiếu một điện tử nên tạo thành lỗ
trống. Nguyên tử có hóa trị 3 có thể lấy thêm một điện
tử nên được gọi là nguyên tử nhận (acceptor atom).
Số lượng lỗ trống được kiểm soát bởi số lượng
nguyên tử tạp chất thêm vào và các lỗ trống được tạo HÌNH H1.15
bởi phương thức trên không đi cùng với điện tử tụ do.
HẠT TẢI ĐA (MAJORITY CARRIERS) VÀ HẠT TẢI THIỂU (MINORITY CARRIERS)

Dòng điện tải trong trường hợp này là do các lỗ trống, chất bán dẫn silicon (hay
germanium) liên kết với nguyên tử hóa tri 3 cho bán dẫn loại p.
Lỗ trống có thể hiểu là điện tích dương; vì khi nguyên tử thiếu đi một điện tử, điện tích toàn
phần của nguyên tử mang giá trị dương. Lổ trống xem là hạt tải đa trong bán dẫn loại p. Mặc dù
dòng dẫn trong bán dẫn p chủ yếu là do các lỗ trống, nhưng cũng vẫn có một số điện tử tự do sinh
ra khi có sự tác động nguồn nhiệt bên ngoài. Các điện tử tự do này không được tạo do sự thêm
vào tạp chất là nguyên tử hóa trị 3. Điện tử trong chất bán dẫn p là hạt tải thiểu.
1.2.DIODE:
Tiếp giáp pn
1.2.1.ĐỊNH NGHĨA VÀ CẤU TẠO: Bán dẫn p Bán dẫn n
Khi tạo thành mối nối pn giữa khối bán

dẫn loại n và khối bán dẫn p ta có diode cơ bản.
Diode là linh kiện bán dẫn chỉ cho phép
dòng điện qua nó theo một hướng định trước.
Trong hình H1.16 trình bày cấu tạo cơ bản

của mối nối pn, trong vùng p có nhiều lổ trống
(hạt tải đa) và có vài điện tử tử do (hạt tải thiểu) Lổ trống Điện tử tự do
sinh ra do tác dụng nhiệt.
Trong vùng n chứa nhiều điện tử tự do HÌNH H1.16
(hạt tải đa) và một số rất ít lỗ trống (hat tải thiểu).
Như đã trình bày trong các mục trên, bán dẫn loại p tạo nên từ nguyên tử silicon kết hợp với
tạp chất là nguyên tử có hóa trị 3 như boron. Các lỗ trống hình thành khi có các nối cộng hóa trị
giữa nguyên tử boron và nguyên tử silicon. Tuy nhiên tổng số proton và tổng số điện tử bằng nhau
trong vật liệu; nên vật liệu có tính trung hòa về điện.
Tương tự , bán dẫn loại n tạo nên từ nguyên tử silicon kết hợp với tạp chất là nguyên tử có
hóa trị 5 như antimony. Các điện tử hình thành khi có các nối cộng hóa trị giữa một nguyên tử tạp
chất với bốn nguyên tử silicon. Tuy nhiên tổng số proton và tổng số điện tử (bao gồm các điện tử
tự do) bằng nhau trong vật liệu; nên vật liệu có tính trung hòa về điện.
1.2.2.VÙNG NGHÈO (DEPLETION REGION):
Với cấu tạo của mối nối pn trong hình H1.16, các điện tử tự do trong vùng n di chuyển một
cách ngẫu nhiên theo mọi hướng. Khi đã tạo thành mối nối pn, các điện tử tự do gần mối nối trong
vùng n bắt đầu khuếch tán sang vùng p, tại dây chúng tái hợp với các lỗ trống gần mối nối, xem
hình H.1.17.
Tiếp giáp pn Vùng nghèo (deplete region)
Điện thế rào cản (Barrier Voltage)
a./ Tại lúc hình thành mối nối pn, các điện tử tự
b./ Với mỗi điện tử tự đo khuếch tán sáng mối nối và tái hợp
do trong vùng n bắt đầu khuếch tán sang mối nối với lổ trống, điện tích dương để lại trong vùng n và điện tích
và tái hợp với các lỗ trống năm gần mối nối trong
âm hình thành trong vùng p. Các điện tích này tạo thành
vùng p điện thế rào cản. Tác động này diển tiến tiếp tục cho đến khi
điện thế rào cản ngăn được quá trình khuếch tán
HÌNH H1.17 HÌNH H1.18
Khi hình thành mối nối pn, vùng n mất đi điện tử khi khuếch tán sang mối nối. Sự kiện này
sinh ra lớp điện tích dương gần mối nối.
Khi điện tử di chuyển sang mối nối, vùng p sẽ mất đi các lổ trống do sự tái hợp. Sự kiện
này sinh ra lớp điện tích âm gần mối nối.
Hai lớp điện tích dương và âm tạo thành vùng nghèo (depletion region), xem hình H1.17.
Danh từ “nghèo” được sử dụng cho vùnbg gần tiếp giáp pn do sự thiết hụt các hạt tải tùy thuộc
vào quá trình khuếch tán tại mối nối. Cần nhớ rằng, vùng nghèo hình thành rất nhanh và có độ dầy
rất mỏng so với độ dầy của các lớp bán dẫn p và n.
Quá trình khuếch tán chấm dứt khi vùng nghèo tạo thành rào cản ngăn cản các điện tử đi
qua mối nối.
1.2.3.ĐIỆN THẾ RÀO CẢN (BARRIER POTENTIAL):

Tại bất kỳ lúc nào có điện tích dương và điện tích âm đặt gần nhau thì có lực tương tác
giữa các điện tích theo luật Coulomb. Trong vùng nghèo có nhiều điện tích dương và điện tích âm
xếp đối diện nhau tại tiếp giáp pn. Lực tương tác giữa các điện tích trái dấu hình thành điện
trường, xem hình H1.18 .
Điện trường này có khuynh hướng ngăn cản các điện tử tự do trong vùng n vượt qua tiếp
giáp pn và mức năng lượng phải được dùng đến để di chuyển điện tử qua khỏi vùng nghèo. Như
vậy cần cấp năng lượng ngoài để điện tử di chuyển ngang qua vùng có điện trường rào cản trong
vùng nghèo.
Điện thế chênh lệch tạo bởi điện trường ngang qua vùng nghèo là lượng điện áp cần thiết
để di chuyển điện tử tự do qua khỏ điện trường rào cản. Điện thế chênh lệch này gọi là điện thế
rào cản được tính bằng Volt. Nói một cách khác,cần một lượng điện áp nào đó bằng điện thế rào
cản vàcó cực tính tương ứng được đặt ngang qua tiếp giáp pn trước khi các điện tữ tụ do hình
thành dòng ngang qua mối nối. Quá trình này được gọi là phân cực.
Điện thế rảo cản phụ thuộc vào một số các hệ số bao gồm lạoi vật liệu bán dẫn, hàm lượng
tạp chất và nhiệt độ. Với Silicon điện thế rảo cản có giá trị khoảng 0,7 V và với Germanium điện
thế rào cản có giá trị khoảng 0,3 V tại nhiệt độ môi trường 25oC.
1.2.4.GIẢN ĐỔ NĂNG LƯỢNG TẠI MỐI NỐI PN VÀ VÙNG NGHÈO

2
Hạt tải thiểu

Hạt tải đa
Dãy dẫn Dãy dẫn
Dãy Dãy
hoá trị hoá trị
Hạt tải đa Hạt tải thiểu
Vùng nghèo
a./ Tại lúc hình thành tiếp giáp pn b./ Tại trạng thái cân bằng
HÌNH H1.19
Các dãy hóa trị và dãy dẫn trong vật liệu n có các mức năng lượng hơi thấp hơn so với
mức năng lượng của các dảy hóa trị và dãy dẫn trong vật liệu p. Điều này là do sự khác biệt tính
chất nguyên tử giữa các nguyên tử tạp chất hóa trị 3 và hóa trị 5 tạo nên. Giản đồ phân bố năng
lượng của mối nối pn trình bày trong hình H1.19.
Các điện tử tự do trong chất n choán đầy vùng trên của dãy dẫn tại mức năng lượng đủ để
khuếch tán dễ dàng qua mối nối, các điện tử này không cần tích lủy thêm năng lượng. Sau khi
khuếch tán qua mối nối, các điện tử này thải ra nhanh chóng năng lượng và rơi vào các lỗ trống
trong vùng p trên dãy hóa trị (xem hình H1.19 a).
Khi sự khuếch tán diển tiến tiếp tục bắt đầu tạo thành vùng nghèo, mức năng lượng của
dãy dẫn trong vật liệu n giảm dần. Sự giảm thấp mức năng lượng trong dãy dẫn trong vật liệu n
tùy thuộc năng lượng thải ra của các điện tử tự do khi thực hiện quá trình tái hợp khi chúng
khuếch tán sang vật liệu p. Khi không còn các điện tử tự do rời khởi dãy dẫn trong vùng n sang
mối nối pn mực trên của dãy dẫn vùng n và mực dưới của dãy dẫn vùng p thẳng hàng với nhau.
Tại lúc này mối nối đạt trạng thái cân bằng và vùng nghèo được hình thành. Ngang qua vùng
nghèo có một mức chênh lệch năng lượng tác động một đồi năng lượng ( “energy hill”) ngăn cản
các điện tử tự do từng vùng n leo sang vùng p.
Cần chú ý khi mức năng lượng của dãy dẫn trong vùng n hạ thấp thì mức năng lượng của
dãy hóa trị cũng giảm thấp.
1.2.5.PHÂN CỰC DIODE:
1.2.5.1.PHÂN CỰC THUẬN:
Phân cực diode là cấp điện áp một chiều (DC) ngang
qua hai đầu diode.
Phân cực thuận là sự phân cực tạo điều kiện thuận lợi
cho dòng đi ngang qua mối nối pn. Điện áp phân cực ngoài
được ký hiệu là VBIAS , cần nối tiếp diode với điện trở ngoài để
giới hạn dòng có giá trị quá lớn qua diode, có thể làm hỏng
mối nối pn. HÌNH H1.20
Khi phân cực thuận, cần nhớ:
Đầu () của nguồn áp VBIAS nối đến lớp bán dẫn n của diode .
Đầu (+) của nguồn áp VBIAS nối đến lớp bán dẫn p của diode .
Giá trị của điện áp VBIAS phải lớn hơn giá trị của điện thế rào cản.
Hình H1.21 trình

bày quá trình hình thành
dòng qua diode lúc
phân cực thuận. Quá
trình này được hình
dung như là quá trình
đẩy các điện tử tử do là
các hạt tải chính từ
vùng n qua mối nối pn
đến vùng p. Vì nguồn áp
phân cực được cấp liên
tục, duy trì dòng điện tử
qua mạch ngoài sau khi
HÌNH H1.21 qua vùng p.
Như đã trình bày trong các mục trên, sau khi các điện tử đến vùng p thải bớt các năng
lượng và rơi vào dãy hóa trị vùng p, trong dãy này hiện các lỗ trống là các hạt tải đa. Lúc này quá
trình tái hợp sẽ không diễn ra vì tác dụng của cực (+) nguồn áp VBIAS có khuynh hướng tác động
kéo các điện tử đi về phía nguồn. Các lổ trống trong vùng p tạo thành môi trường hay đường dẫn
(path way) để các điện tử hóa trị đi ngang qua vùng này, điện tử tử lỗ trống này sang lỗ trống kế
tiếp để đi đến cực dương cũa nguồn áp phân cực. Chúng ta có thể xem như lổ trống làm thành
phương tiện để các điện tử đi ngang qua vùng p.
Khi các điện tử qua khỏi vùng p, các điện tử trờ thành các điện tử dẫn trong vật dẫn. Hơn
nữa với vật dẫn điện do dãy hóa trị và dãy dẫn nằm chồng lên nhau nên các điện tử trong vật dẫn
trở thành điện tử tự do dễ dàng hơn so với trường hợp bán dẫn.
ẢNH HƯỞNG CỦA SỰ PHÂN CỰC THUẬN LÊN VÙNG NGHÈO
Khi có nhiều điện tử đi ngang qua vùng nghèo, số lượng ion dương giảm xuống, tương tự
khi có nhiều lỗ trống đi ngang qua vùng nghèo số lượng ion âm giảm xuống. Quá trình giảm thấp
các ion dương và ion âm trong vùng này làm thu hẹp vùng nghèo.
ẢNH HƯỞNG CỦA SỰ PHÂN CỰC THUẬN LÊN ĐIỆN THẾ RÀO CẢN
Theo phân tích trên chính các ion dương và ion âm trong vùng nghèo phân bố hai phía mối
nối pn tạo thành “đồi năng lượng “ ngăn càn các điện tử tự do khuếch tán sang mối nối tại trạng
thái cân bằng. “Đồi năng lượng” này chính là điện thế rào cản.
Khi phân cực thuận, các điện tử tự do được cung cấp đủ năng lượng do nguồn áp phân
cực ngoài vượt qua điện thế rào cản leo qua “đồi năng lượng” đi ngang qua vùng nghèo. Năng
lượng cần cung cấp cho các điện tử bằng với năng lượng của điện thế rào cản. Nói cách khác các
điện tử nhận được năng lượng ngoài bằng với điện thế rào cản và đi qua vùng nghèo.
1.2.5.2.PHÂN CỰC NGHỊCH:

Phân cực nghịch là điều kiện cần thiết ngăn cản
dòng điện đi qua diode. Trong hình H1.22 trình bày
nguồn DC cấp vào diode theo trạng thái tạo phân cực
nghịch: đầu (+) của áp phân cực VBIAS được nới đến
vùng n của diode và đầu (–) được nối đến vùng p của
diode. Vùng nghèo sẽ tăng rộng hơn so với trạng thái
phân cực thuận hay trạng thái cân bằng.
Đầu (+) của nguồn áp phân cực “kéo” các điện tử HÌNH H1.22
tự do là các hạt tải đa trong vùng n ra xa khỏi mối nối pn.
Khi các điện tử di chuyển về phía đầu (+) của nguồn áp sẽ tạo ra các ion dương trong vùng nghèo
mở rộng vùng nghèo làm giảm các hạt tải đa, xem hình H1.23.
Trong vùng p, các
điện tử từ đầu (–) của
nguồn áp đi vào như là các
điện tử hóa trị di chuyển từ
lổ trống này đến lổ trống
khác lân cận để đến vùng
nghèo tạo thành các ion âm.
Hiện tượng này làm mở
rộng vùng nghèo. Dòng điện
tử hóa trị có thể xem tương
đương như dòng lổ trống
HÌNH H1.23: được “kéo” về phía đầu ()
của nguồn áp phân cực.
Quá trình quá độ của các hạt tải diễn ra và kết thúc trong khoảng thời gian rất ngắn ngay
sau khi cấp điện áp phân cực vào diode. Khi vùng nghèo mở rộng và giảm nhanh các hạt tải đa,
điện trường tạo bởi các ion dương và ion âm gia tăng cho đến khi tạo thành điện áp ngang qua
vùng nghèo có giá trị bằng điện áp phân cực.Tại lúc này dòng quá độ chấm dứt và cho dòng phân
cực ngược có giá trị rất bé.
DÒNG PHÂN CỰC NGƯỢC

Dòng điện phân cực ngược có giá trị rất bé xuất hiện ngay sau khi dòng qua độ kết thúc,
dòng điện này được tạo nên do các hạt tải thiểu trong vùng n và p tạo ra, đây là các cặp điện tử lổ
trống tạo ra do ảnh hưởng của nhiệt độ.
Một lượng nhỏ của các điện tử tự do trong vùng p được “đẩy” đến mối nối pn do tác dụng
của đầu () của nguồn áp phân cực. Đến vùng nghèo các điện tử thải ra năng lượng và kết hợp
với các hạt tải thiểu trong vùng n như các điện tử hóa trị và đi đến đầu (+) của nguồn áp phân cực
tạo thành dòng lổ trống rất bé.
Vì dảy dẫn trong
vùng p có mức năng
lượng cao hơn dảy dẫn
trong vùng n, do đó các
điện tử là các hạt tải
thiểu dễ dàng đi ngang
qua vùng nghèo vi chúng
không cần thêm tích lủy
thêm năng lượng. Dòng
điện ngược trong diode
khi phân cực ngược
HÌNH H1.24: được trình bày trong
hình H1.24.
PHÁ VỞ PHÂN CỰC NGƯỢC (REVERSE BREAKDOWN)
Dòng điện phân cực nghịch thường có giá trị rất nhỏ và có thể bỏ qua. Mặc dù vậy, khi
điện áp ngoài phân cực ngược được gia tăng đến giá trị được gọi là “điện áp phá vở” (breakdown
voltage), dòng điện ngược gia tăng một cách mãnh liệt.
Với giá trị cao của điện áp phân cực ngược mang đến năng lượng cho các điện tử tải
thiểu, làm tăng tốc cho chúng đi qua vùng p va chạm các nguyên tử với mức năng lượng đủ lớn
làm bật ra các điện tử hóa trị khỏi quỉ đạo trong dảy dẫn. Các điện tử hóa trị bị đánh bật khỏi quỉ
đạo tăng nhanh số lượng, khi các điện tử có mức năng lượng cao qua được vùng nghèo chúng có
đủ năng lượng để đến vùng n như các điện tử dẫnvà không thực hiện quá trình tái hợp với lổ
trống. Quá trình nhân các điện tử dẫn như vừa trình bày được gọi là hiện tượng “avalanche” và
tạo ra dòng điện ngược có giá trị rất lớn có thể phá hủy diode do quá trình nhiệt tiêu tán trong
diode tăng quá mức.
1.2.6.ĐẶC TUYẾN VOLT AMPERE CỦA DIODE:

1.2.6.1.ĐẶC TUYẾN VOLT AMPERE KHI PHÂN CỰC THUẬN (FORWARD BIAS):
a./ Điện áp phân cực thuận thấp VF < 0,7 V b./ Điện áp phân cực thuận đạt đến và duy trì VF = 0,7 V
dòng điện phân cực thuận rất bé. Dòng điện phân cực tiếp tục gia tăng khi áp phân cực
VBIAS gia tăng.
HÌNH H1.25
Đặc tuyến Volt Ampere là đồ thị hay đường biểu diễn mô tả quan hệ điện áp giữa hai đầu
diode với dòng điện qua diode. Thực hiện mạch thí nghiệm theo hình H1.25 để xác định đặc tuyến
Volt Ampere cho diode lúc phân cực thuận, gọi:
VF : điện áp đặt ngang qua hai đầu diode lúc phân cực thuận.
VBIAS : điện áp phân cực cấp vào mạch diode.
IF : dòng điện qua diode lúc phân cực thuận.
Kết quả thí nghiệm ghi nhận như sau:
 Khi VF  0 V không có dòng qua diode IF  0 A . Khi gia tăng điện áp ngoài phân cực VBIAS
điện áp VF gia tăng và dòng phân cực thuận IF gia tăng dần.
 Khi điện áp VBIAS đến mức để điện áp VF  0,7 V , xấp xỉ bằng điện thế rào cản đặt ngang
qua vùng nghèo của mối nối pn, dòng điện IF gia tăng nhanh.
 Khi tiếp thục gia tăng điện áp VBIAS , dòng điện IF càng gia tăng nhưng điện áp ngang qua
hai đầu diode hơi gia tăng trong phạm vi 0,7 V .
IF
IF
VF VF
a./ Đặc tuyến Volt Ampere lúc b./ Mở rộng đặc tuyến trong hình a . Điện trở động r’d giảm
phân cực thuận diode. dần giá trị khi điểm làm việc di chuyển lên phía trên
HÌNH H1.26: Đặc tuyến Volt Ampere phân cực thuận của diode
1.2.6.2.ĐIỆN TRỞ ĐỘNG (DYNAMIC RESISTANCE):
Khi mở rộng (hay khuếch đại) đặc tuyến Volt Ampere của diode lúc phân cực thuận như
trong hình H1.26 b, điện trở động của diode được định nghĩa như sau:
VF
r 'd  (1.2)
IF
Điện trở động lúc phân cực thuận diode không là hằng số và có giá trị thay đổi dọc theo
đặc tuyến. Điện trở động còn được gọi là điện trở AC. Chú ý theo lý thuyết của linh kiện bán dẫn
các điện trở nội bên trong các linh kiện điện tử được ký hiệu bằng các ký tự thường như là r thay
vì dùng ký hiệu R. Giá trị điện trở động bắt đầu giảm trong vùng khuỷu (knee) của đặc tuyến và có
giá trị nhõ hơn trên vùng cao hơn điểm khuỷu.
1.2.6.3.ĐẶC TUYẾN VOLT AMPERE KHI PHÂN CỰC NGHỊCH (REVERSE BIAS):
 Khi cấp điện áp ngoài phân cực nghịch ngang qua hai đầu diode, ta chỉ nhận được dòng
điện ngược IR có giá trị rất nhỏ đi ngang qua mối nối pn. Với điện áp ngang qua diode là 0V sẽ
không tạo thành dòng điện ngược IR  0 A .
 Gia tăng dần điện áp phân cực nghịch, ta nhận
được dòng điện ngược rất bé và điện áp ngược VR
đặt ngang qua hai đầu diode.
 Khi điện áp phân cực nghịch gia tăng đến mức
cao hơn, áp ngược VR đặt trên hai đầu diode đạt đến
mức bằng áp phá vở phân cực nghịch VBR dòng điện
ngược gia tăng rất nhanh.
 Nếu tiếp tục gia tăng điện áp phân cực ngược,
dòng điện tiếp tục gia tăng rất nhanh, nhưng áp ngược
trên diode chỉ hơi gia tăng so với giá trị VBR . Trạng thái
phá vở với các trường hợp ngoại lệ không là trạng thái
HÌNH H1.27: Đặc tuyến Volt Ampere làm việc bình thường của hầu hết các mối nối bán dẫn
phân cực nghịch của diode pn.
Đặc tuyến volt Ampere của diode lúc phân cực nghịch trình bày trong hình H1.27
1.2.6.4. ĐẶC TUYẾN VOLT AMPERE CỦA DIODE:
Đặc tuyến Volt Ampere tổng

hợp của diode cho các trạng thái
phân cực thuận và phân cực
nghịch trình bày trong hình H1.28.
Cần chú ý thang đo dòng IF tính
theo [mA] ; trong khi thang đo của
dòng IR Itính theo [µA].
ẢNH HƯỞNG NHIỆT ĐỘ

Khi nhiệt độ gia tăng, trên
đặc tuyến phân cực thuận dòng IF
gia tăng khi xét tại điện áp VF định
trước. Ngược lại tươg ứng với giá
HÌNH H1.28: Đặc tuyến Volt Ampere tổng hợp các trạng thái trị dòng phân cực thuận IF chọn
phân cực thuận và phân cực nghịch của diode
trước áp phân cực thuận VF giảm.
Điện thế rào cản giảm thấp giá trị khi nhiệt độ gia tăng.
Với đặc tuyến phân cực nghịch khi nhiệt độ gia tăng dòng phân cực nghịch IR gia tăng.
Sự khác biệt giữa các đặc tuyến Volt Ampere vẽ tại 25oC và tại nhiệt độ cao hơn trình bày
trong hình H1.28.
Điều quan trọng cần nhớ, dòng phân cực nghịch trước khi xãy ra hiện tượng phá vở phân
cực nghịch (breakdown) có giá trị rất thấp không đáng kể có thể bỏ qua.
1.2.6.5. PHƯƠNG TRÌNH ĐẶC TUYẾN VOLT AMPERE CỦA DIODE THEO SCHOCKLEY:
Theo lý thuyết Vật Liệu Bán Dẫn, áp dụng hàm xác suất theo Fermi-Dirac để tiên đoán
sự trung hòa điện tích ta có được phương trình tỉnh (không thay đổi theo thời gian) của
dòng điện qua mối nối pn của diode xác định theo William Bradford Schockley:
 v.VD 
iD  Io .  e T  1 (1.3)
 
 
Trong đó:
kT
VT  [V] , với hằng số Boltzmann k = 1,38.10-23 [J/oK] và T [oK] là nhiệt độ tuyệt đối
q
tại mối nối pn của diode .
iD [A] : dòng tức thời qua diode.
vD [V] : điện áp tức thời đặt ngang qua hai đầu diode.
q [C] : điện tích của electron (âm điện tử); q = 1,6.10-19 C.
 : hằng số tới hạn (  = 1 cho Ge và  = 2 cho Si )
Io [A] : dòng điện bảo hòa tại trạng thái phân cực nghịch.
THÍ DỤ 1.1:
Tại nhiệt độ môi trường 27oC xác định giá trị áp VT trong quan hệ (1.3).
GIẢI
Ta có nhiệt độ tuyệt đối ứng với 27oC xác định theo quan hệ:
T  o K   273    o C  (1.4)
Nên:
T = 273 + 27 = 300oK
Suy ra:
kT 1,38.10 23.300
VT    258,75.10 4  V 
q 1,6.10 19
Như vậy:
VT = 25,875 mV
Với diode loại Si ta suy ra quan hệ sau”
vD vD
  19,3237.vD
.VT 2.0,025875
Phương trình đặc tuyến Volt Ampere của diode Si tại nhiệt độ 27oC được viết lại như sau:
iD  Io .  e19,3237.vD  1 (1.5)
Vì e19,3237.vD  1 ta viết lại dạng gần đúng cho quan hệ (1.5) như sau:
iD  Io .  e19,3237.vD  (1.6)
Tương tự quan hệ (1.3) được viết lại theo dạng gần đúng như sau:
 vD 
 
 .VT 
iD  Io .e (1.7)
Từ quan hệ (1.2) định nghĩa cho điện trở động của diode, dựa vào quan hệ (1.7) ta suy ra
biểu thức xác định điện trở động của diode lúc phân cực thuận theo quan hệ sau:
dvD
r 'D  (1.8)
diD
Viết lại quan hệ (1.7) theo dạng sau:

i 
vD  .VT .Ln.  D  (1.9)
 Io 
Suy ra:
dvD .VT
r 'D   (1.10)
diD iD
Tại nhiệt độ môi trường 27oC (tương ứng 300oK) quan hệ (1.10) được viết lại như sau:
.0,0258
r 'D  (1.11)
iD
Với diode thuôc loại Ge hằng số tới hạn  = 1 , điện trở động của diode Ge tại nhiệt độ
27oC được xác định theo quan hệ:
0,026
r 'D Ge  (1.12)
iD
Tương tự với diode thuôc loại Si hằng số tới hạn  = 2 , điện trở động của diode Si tại nhiệt
độ 27oC được xác định theo quan hệ:
0,052
r 'D Si  (1.13)
iD
1.3.CÁC MÔ HÌNH CỦA DIODE:
Trong hình
H1.29 trình bày
hình dạng của
các diode dùng
trong thực tế.
Mục tiêu
chính của diode
dùng thực hiện
mạch chỉnh lưu.
Vùng n của
mối nối pn
được gọi là
cathod, ký hiệu
là K và vùng n
A K được gọi là
anod, ký hiệu là
HÌNH H1.29: Hình dạng của một số mẫu diode thực. A
1.3.1.MÔ HÌNH DIODE LÝ TƯỜNG:
Mô hình diode lý tưởng được xem tương đương như khóa điện.
Khi diode phân cực thuận, nó tác động như khóa điện đóng kín mạch.
Khi diode phân cực nghịch, nó tác động như khóa điện làm hở mạch.
Điện thế rào cản, điện trở động và dòng điện ngược được bỏ qua không xét đến.
RLIMIT : Điện trở giới hạn dòng trong mạch diode
Diode lý tưởng Diode lý tưởng
a./ Phân cực thuận diode b./ Phân cực nghịch diode c./ Đặc tuyến Volt Ampere
của diode lý tưởng
HÌNH H1.30
Trong hình H1.30 trình bày đặc tuyến Volt Ampere của diode lý tưởng. Khi bỏ qua điện
thế rào cản và điện trở động của diode khi phân cực thuận diode điện áp đặt ngang qua 2 đầu
diode là VF  0 V . Dòng điện phân cực thuận được xác định theo định luật Ohm như sau:
VBIAS
IF  (1.14)
RLIMIT
Khi bỏ qua dòng điện ngược, IR  0 A , điện áp phân cực ngược bằng giá trị áp VBIAS.
Mô hình diode lý tưởng thường được áp dụng trong trường hợp cần xác định nguyên
tắc hoạt động của mạch điện tử (xác định định tính) và chưa cần quan tâm đến các giá trị
chính xác của áp và dòng trong mạch (chưa cần thiết xác định định lượng một cách chính xác).
1.3.2.MÔ HÌNH THỰC NGHIỆM CỦA DIODE:
Mô hình thực nghiệm của diode chính là mô hình lý tưởng của diode được thêm vào
điện thế rào cản.
Khi diode phân cực thuận, nó tác động như khóa điện đóng kín mạch. Trong trạng
thái này mạch tương đương bao gồm khóa điện nối tiếp với nguồn áp rào cản VF  0,7 V . Điện áp
này duy trì giá trị trong suốt quá trình phân cực thuận
Khi diode phân cực nghịch, nó tác động như khóa điện làm hở mạch. Điện thế rào
cản không ảnh hưởng trạng thái phân cực nghịch.
Điện trở động và dòng điện ngược được bỏ qua không xét đến.
Diode thực nghiệm Diode thực nghiệm
của diode thực nghiệm
HÌNH H1.31
Dòng phân cực thuận xác định theo điẹnh luật K2 như sau, xem hình H1.31 a:
VBIAS  VF  RLIMIT .IF

Suy ra:
VBIAS  VF
IF  (1.15)
RLIMIT
Dòng điện ngược qua diode là IR  0 A , điện áp phân cực ngược bằng giá trị áp VBIAS.
1.3.3.MÔ HÌNH HOÀN CHỈNH CỦA DIODE:
Diode hoàn chỉnh Độ dốc phụ

Diode hoàn chỉnh
thuộc vào
giá trị điện
trở thuận
Dòng điện ngược

nhỏ tùy thuộc vào
điện trở ngược có
giá trị lớn
của diode hoàn chỉnh
HÌNH H1.32
Mô hình hoàn chỉnh của diode bào gồm: mô hình của diode lý tưởng thêm vào điện
thế rào cản, điện trở động phân cực thuận có giá trị nhỏ r 'd và điện trở nội phân cực nghịch
r 'R có giá trị lớn.
Khi diode phân cực thuận, nó tác động như khóa điện đóng kín mạch. Trong trạng
thái này mạch tương đương bao gồm khóa điện nối tiếp với nguồn áp rào cản 0,7 V và nối tiếp với
điện trở động r 'd .
Khi diode phân cực nghịch, nó tác động như khóa điện hở mạch, đấu song song với
điện trở nội phân cực nghịch r 'R . Điện thế rào cản không ảnh hưởng trạng thái phân cực nghịch.
Đặc tuyến Volt Ampere của diode hoàn chỉnh trình bày trong hình H1.32c.
Điện áp xuất hiện ngang qua hai đầu diode lúc phân cực thuận xác định theo quan hệ sau:
VF  0,7 V  r 'd .IF (1.16)
Dòng qua diode tại trạng thái phân cực thuận xác định theo quan hệ:
VBIAS  0,7 V
IF  (1.17)
RLIMIT  r 'd
Dòng điện ngược tại trạng thái diode phân cực nghịch :
VBIAS
IR  (1.18)
RLIMIT  r 'R
THÍ DỤ 1.2:
a./ Xác định điện áp và dòng
phân cực thuận qua diode trong
hình H1.33a. Suy ra áp đặt
ngang qua hai đầu điện trở hạn
dòng RLIMIT. Giả sử điện trở
động của diode r 'd  10  tại
dòng phân cực thuận của diode
HÌNH H1.33 cần tìm.
b./ Tìm áp và dòng phân cực ngược của diode trong hình H1.33b theo từng dqạng mẫu của diode.
Suy ra điện áp đặt ngang qua hai đầu điện trở RLIMIT . Giả sử dòng phân cực ngược IR  1 A
GIẢI:
a./ Với mẫu diode lý tưởng:
VF  0 V
VBIAS 10 V
IF    10 mA
RLIMIT 1k
VR
LIMIT
  
 IF  RLIMIT  10 mA  1k  10 V 
Với mẫu thực nghiệm của diode
VF  0,7 V
VBIAS  VR 10 V  0,7 V
IF    9,3mA
RLIMIT 1k
VR
LIMIT
  
 IF  RLIMIT  9,3mA  1k  9,3 V 
Với mẫu diode hoàn chỉnh
VBIAS  0,7 10 V  0,7 V 9,3 V

IF     0,00921 A  9,21mA
RLIMIT  r 'd 1k  10  1010 
  
VF  0,7 V  r 'd .IF  0,7 V  10   9,21mA  792 mV 
VR  IF  RLIMIT   9,21mA    1k   9,21V
LIMIT
a./ Với mẫu diode lý tưởng:
IR  0 A VR  VBIAS  5 V VR  0V
LIMIT
Với mẫu thực nghiệm của diode
IR  0 A VR  VBIAS  5 V VR  0V
LIMIT
Với mẫu diode hoàn chỉnh
IR  1A
VR
LIMIT
  
 IR  RLIMIT  1A  1k  1mV 
VR  VBIAS  VR  5 V  1mV  4,999 V
LIMIT
1.4.CHỈNH LƯU BÁN KỲ (HALF-WAVE RECTIFIERS) :

Do khả năng dẫn dòng theo một hướng và không dẫn dòng theo hướng ngược lại, các
diode được dùng trong các mạch chỉnh lưu biến đổi áp AC thành áp DC. Mạch chỉnh lưu được tìm
thấy trong các bộ nguồn DC hoạt động khi được cấp nguồn AC. Bô nguồn cung cấp là bộ phận
cần thiết cho hệ thống mạch điện tử đơn giản cũng như phức tạp.
1.4.1.BỘ NGUỒN DC CƠ BẢN:
Bộ nguồn DC biến đổi nguồn áp xoay chiều 220 V – 50 Hz của nguồn lưới 1 pha sang
nguồn áp DC có giá trị ổn định. Sơ đồ khối cơ bản của mạch chỉnh lưu và bộ nguồn hoàn chỉnh
trình bày trong hình H1.34.
Nguồn áp 1 pha 220V - 50Hz Điện áp của chỉnh lưu bán kỳ
Chỉnh Lưu
RECTIFIER
MẠCH CHỈNH LƯU BÁN KỲ
Nguồn áp 1 pha 220V - 50Hz Điện áp chỉnh lưu được lọc phẳng Điện áp được ổn áp
Chỉnh Lưu Bộ lọc Mạch Ổn Áp

RECTIFIER FILTER REGULATOR
SƠ ĐỒ KHỐI CỦA BỘ NGUỒN DC HOÀN CHỈNH: CHỈNH LƯU, LỌC VÀ ỔN ĐỊNH ĐIỆN ÁP
HÌNH H1.34: Sơ đổ khối của mạch chỉnh lưu và bộ nguồn cung cấp có lọc phẳng và ổn định điện áp
Trong sơ đồ khối của bộ nguồn DC hoàn chỉnh, bộ lọc có công dụng khử đi sự nhấp nhô
của điện áp điện áp sau khi chĩnh lưu để nhận được tín hiệu áp ngõ ra tương đối phẳng hơn.
Bộ ổn áp có công dụng duy trì không đổi giá trị áp DC ra khi điện áp nguồn thay đổi hay
khi tải thay đổi giá trị. Bộ ổn áp có thể là linh kiện đơn hay các mạch điện tử tích hợp phức tạp tùy
thuộc vào độ lớn của dòng tải hay phạm vi biến thiên điện áp của nguồn AC cung cấp.
1.4.2.MẠCH CHỈNH LƯU BÁN KỲ:
Trong hình H1.35, trình

bày mạch điện bao gồm: nguồn
áp xoay chiều hình sin, 1 diode và
1 điện trở tải RL tạo thành mạch
chỉnh lưu bán kỳ.
Cần chú ý trong mạch tại
a./ Trong suốt bán kỳ dương của áp vào xoay chiều, áp ngõ ra có dạng các vị trí vẽ theo ký hiệu nối đất là
giống như áp xoay chiều cấp vào. Dòng đi qua dioode và quay về nguồn
các nút chuẩn đẳng thế với nhau,
tại các vị trí này có điện thế là 0V.
Áp nguồn Vin cấp đến
ngõ vào mạch chỉnh lưu có dạng
sin, khi Vin  0 V (tương ứng bán
kỳ dương) diode phân cực thuận
b./ Trong suốt bán kỳ âm của áp vào xoay chiều, dòng qua diode bằng và cho dòng đi qua điện trở tải.
0A nên áp ngõ ra mạch chỉnh lưu cũng bằng 0 V
Dòng điện này hình thành áp trên
tải RL có cùng dạng với áp Vin .
khi Vin  0 V (tương ứng

c./ Áp chỉnh lưu bán kỳ trên ngõ ra, vẽ trong 3 chu kỳ của áp vào
bán kỳ âm) diode phân cực
HÌNH H1.35: Hoạt động mạch chỉnh lưu bàn kỳ với diode lý tưởng. nghịch không cho dòng đi qua
nên áp trên tải bằng 0V.
Tóm lại áp trên tải đồng dạng với áp Vin ờ bán kỳ dương và bằng 0V khi Vin xuất hiện
bán kỳ âm.
1.4.3.GIÁ TRỊ TRUNG BÌNH CỦA ÁP CHỈNH LƯU BÁN KỲ:
Với tín hiệu hình sin cấp vào mạch chỉnh

lưu bán kỳ có dạng tức thời:
 
v(t)  Vmax sin t  V 
Điện áp tức thời trên điện trở tải được

xác định theo quan hệ sau:
HÌNH H1.36:

vout t  Vmax .sin t   khi  0  t   
vout  t  0 khi    t  2 
(1.19)
Gọi VP là điện áp đỉnh của tín hiệu áp chỉnh lưu, ta có : VP  Vmax

Gọi VAVG là điện áp trung bình của áp chỉnh lưu, giá trị này được đo trực tiếp bằng Volt kế
một chiều (hay bằng máy đo VOM ở thang đo Volt DC). Theo toán học ta có định nghĩa của áp
trung bình như sau:
1 T
VAVG 
T 0

v t .dt (1.20)
Trong đó T là chu kỳ của hàm v(t).
Với áp chỉnh lưu trên ngõ ra có dạng (1.19), giá trị trung bình xác định theo quan hệ sau:
1  Vm 0
VAVG  V
2 0 m
sin  t .d   
 t  cos t 
2   
Thu gọn, ta có:
Vm Vp
VAVG   (1.21)
 
Gọi VRMS là giá trị hiệu dụng của áp cấp vào mạch chỉnh lưu, quan hệ (1.21) được viết lại
theo dạng sau:
VRMS 2
VAVG   0,45.VRMS
 (1.22)
THÍ DỤ 1.3:
Cho mạch chỉnh lưu bán kỳ với điện trở tải RL  24  và áp tức thời ngõ vào là:
  
v t  12 2.sin 100.t  V  . Khi xem như diode là lý tưởng, xác định định áp, dòng trung bình
và công suất một chiều PDC trên tải.
GIẢI
Áp hiệu dụng ngõ vào mạch chỉnh lưu là: VRMS  12 V .
Áp trung bình trên tải được xác định theo quan hệ (1.22):
VAVG  0,45.VRMS  0,45.12  5,4 V

Dòng trung bình qua tải được xác định theo định luật Ohm:
VAVG 5,4
IAVG    0,225 A  225 mA
RL 24
Công suất một chiều tiêu thụ trên tải:
PDC  VAVG.IAVG  5,4  0,225  1,215 W
1.4.5.ẢNH HƯỞNG CỦA ĐIỆN THẾ RÀO CẢN LÊN TÍN HIỆU RA CỦA MẠCH CHỈNH LƯU:
Khi áp dụng mô hình thực nghiệm của diode với điện thế rào cản là 0,7 V. Trong suốt

bán kỳ dương của áp ngõ vào diode sẽ phân cực thuận khi vin t  0,7V . Điều này dẫn đến
điện áp đỉnh của áp trên ngõ ra chỉnh lưu sẽ thấp hơn giá trị áp đỉnh của áp ngõ vào là 0,7 V.
Ảnh hưởng của điện thế rào cản trên áp ngõ ra mạch chỉnh lưu được xét đến khi biên độ
của áp ngõ vào mạch chỉnh lưu có giá trị thấp. Trong một số tài liệu khi biên độ của áp ngõ vào
nhỏ hơn 10V ta cần chú ý đến đến ảnh hưởng trên.
Trong trường hợp tín hiệu có biên độ lớn hơn, ảnh hưởng của điện thế rào cản được
bỏ qua, xem như diode chỉnh lưu là lý tưởng.
THÍ DỤ 1.4:
Cho mạch chỉnh lưu bán kỳ với áp ngõ vào có dạng sin tần số 50 Hz, biên độ là 5V, xem
hình H1.37. Xác định áp ngõ ra của mạch chỉnh lưu.
GIẢI
Khi áp dụng mô hình thực nghiệm của
diode, áp dụng định luật K2 ta có phương trình
cân bằng áp như sau:

vin t  VF  0,7V  vL t 
Trong đó 0,7V là điện thế rào cản và
VF là điện áp đặt ngang qua hai đầu diode, với
HÌNH H1.37 diode là lý tưởng. Tóm lại quan hệ xác định áp
tức thời trên tải có dạng sau:
 
vL t  vin t  VF  0,7 V

Khi diode phâncực thuận VF  0 và áp vào tức thời có dạng v t  5.sin 100.t  V  áp  
tức thời trên ngõ ra có dạng:
  
vL t  5 sin 100.t  0,7 V
 
Các dạng áp tức thời vin t và vL t được trình bày trong hình H1.38 như sau:
Áp trên ngõ ra
mạch chỉnh lưu
Áp vào mạch
chỉnh lưu
HÌNH H1.38: Áp tức thời ngõ vào và ngõ ra mạch chỉnh lưu khi xét đến ảnh hường của điện thế rào cản.
1.4.6.ĐIỆN ÁP NGƯỢC ĐỈNH TRÊN DIODE (PIV - PEAK INVERSE VOLTAGE):

Điện áp ngược đỉnh là giá trị tối đa của điện áp ngược đặt lên hai đầu diode lúc phân
cực nghịch. Giá trị này bằng với biên độ của áp sin trên ngõ vào của mạch chỉnh lưu.
Ký hiệu cho điện áp ngược đỉnh là PIV, giả sử áp tức thời trên ngõ vào mạch chỉnh lưu có
  
dạng vin t  Vm .sin t  V  , ta có:
PIV  Vm (1.23)
1.4.7.CHỈNH LƯU BÁN KỲ PHỐI HỢP VỚI BIẾN ÁP CÁCH LY GIẢM ÁP:
Máy biến áp 1 pha với dây quấn
sơ và thứ cấp độc lập còn được gọi là
biến áp cách ly hay biến áp 1 pha hai
dây quấn.
V1 V2 Nguồn áp xoay chiều được cấp
vào sơ cấp của biến áp, áp xoay chiều
trên thứ cấp biến áp được cấp vào
mạch chỉnh lưu, xem hình H1.39.
Khi sử dụng phối hợp biến áp với
HÌNH H1.39 mạch chỉnh lưu, chúng ta có được các
lợi điểm như sau:
Có thể điều chỉnh tăng hay giảm điện áp cấp vào mạch chỉnh lưu.
Nguồn áp xoay chiều được cách ly với mạch chỉnh lưu đảm bảo được các sự cố nguy hiểm
trên phía thứ cấp biến áp.
Các thông số tính toán cho mạch chỉnh lưu trong trường hợp này thực hiện theo các nội dung
trên, tuy nhiên cần chú ý thêm thông số tỉ số biến áp để phối hợp các giá trị tính toán. Với các
mạch chỉnh lưu có công suất thấp, trong các trường hợp tính toán ta giả thiết biến áp 1 pha có
hiệu suất 100 % (biến áp lý tưởng); áp thứ cấp lúc không tải và khi mang tải xem như không thay
đổi giá trị. Với những bài toán thực tế cần phối hợp kiến thức của máy biến áp để hiệu chỉnh các
giá trị tính toán đặc biệt là trong các trường hợp mạch chỉnh lưu có công suất lớn.
THÍ DỤ 1.4:
Cho mạch chỉnh lưu bán

kỳ lắp tại thứ cấp của máy biến
áp 1 pha có tỉ số biến áp và áp
ngõ vào sơ cấp theo hình
H1.40. Giả sử không quan
tâm đến độ thay đổi áp ở thứ
cấp khi mang tải, xác định các
HÌNH H1.40 thông số của tải trên ngõ ra
của mạch chỉnh lưu.
GIẢI
E1 V1dm 2
Theo giả thiết ta có tỉ số biến áp là : Kba    2
E2 V2dm 1
Biên độ áp ngõ vào biến áp : V1m  156 V
V1m 156
Biên độ áp ngõ ra thứ cấp: V2m    78 V
Kba 2
V2m 78
Điện áp trung bình trên tải: VAVG    24,83 V
 
VAVG 24,83 V
Dòng trung bình qua tải: IAVG    24,83mA
RL 1K
Công suất DC tiêu thụ trên tải: PDC  VAVG  IAVG  24,83  0,02483  0,616 W
Điện áp ngược đỉnh trên diode: PIV  V2m  78 V
1.5.CHỈNH LƯU TOÀN KỲ (FULL- WAVE RECTIFIERS) :

1.5.1.TỔNG QUAN:
Mặc dù chỉnh lưu bán kỳ cũng có một số ứng dụng nhưng chỉnh lưu toàn kỳ (chỉnh lưu hai
bán kỳ) thường được sử dụng nhiều hơn trong các bộ nguồn DC. Chỉnh lưu toàn kỳ có hai dạng:
chỉnh lưu dùng hai diode phối hợp máy biến áp có điểm giữa và chỉnh lưu cầu Graetz.
Chỉnh lưu toàn kỳ cho phép dòng điện qua tải chỉ theo duy nhất một hướng trong suốt
chu kỳ của áp ngõ vào hình sin, trong khi đó chỉnh lưu bán kỳ chỉ cho dòng qua tải theo hướng
định trước chỉ trong bán kỳ dương của điện áp ngõ vào chỉnh lưu.
Mạch chỉnh lưu toàn kỳ cho áp ngõ ra có tần số cao hơn 2 lần tần số của áp ngõ vào.
CHỈNH LƯU
TOÀN KỲ
HÌNH H1.41
 
Với áp xoay chiều vin (t)  Vmax sin t  V  sin cấp vào mạch chỉnh lưu toàn kỳ cho áp tức
thời trên điện trở tải được xác định theo quan hệ sau, xem hình H1.41:
 
vout (t)  Vmax sin t  V  0  t   với chu kỳ T  2 (1.24)
Áp dụng quan hệ (1.20) giá trị trung bình áp trên ngõ ra chỉnh lưu toàn kỳ là:
1  Vm 0 2V
VAVG  V
 0 m
sin    
 t .d  t 
   
cos t   m

Hay:
2Vm
VAVG  (1.25)

Tương tự gọi VRMS là áp hiệu dụng của áp ngõ vào ta viết lại quan hệ (1.25) như sau:
2 2.VRMS
VAVG   0,9.VRMS (1.26)

1.5.2.CHỈNH LƯU TOÀN KỲ DÙNG 2 DIODE VÀ MÁY BIẾN ÁP CÓ ĐIỂM GIỮA:
Máy biến áp có điểm

giữa là máy biến áp 1 pha
cách ly, dây quấn sơ và thứ
a 
v an t
cấp độc lập nhau; dây quấn
thứ cấp có 3 đầu ra dây : a,n
và b . Số vòng dây quấn tứ a
n đến n bằng số vàng dây quấn
từ n đến b.

vbn t + Điểm n là trung điểm
b 
vL t của đoạn ab, các bộ dây an
và nb có cùng chiều quấn.
-n Mạch chỉnh lưu toàn
kỳ dùng 2 diode phối hợp với
HÌNH H1.42 biến áp có điểm giữa trình bày
trong hình H1.42.
   
Gọi áp tức thời phía thứ cấp biến áp là: v 2 t  v ab t  V2m .sin t  V  điện áp tức thời
của các đoạn dây quấn an và nb được xác định như sau:
v2 t    V 

v an t  vnb t   2
2m
 2   
sin t (1.27)
 
Suy ra:
V 
 
vbn t   vnb t   2m  sin t  
 2    (1.28)
 
NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG
Tại bán kỳ
dương của áp cấp vào
sơ cấp biến áp , với
a
cực tính của các bộ
n dây sơ và thứ cấp theo
hình H1.43, áp thứ cấp
b

v ab t cũng xãy ra bán
n
kỳ dương . Nói khác
hơn điện thế tại các
điểm a, n và b có giá trị
a./ Trong suốt bán kỳ dương, D1 phân cực thuận và D2 phân cực nghịch.
tương ứng như sau:
vb  vn  v a . Các điện
thế này lần lượt đặt lên
a
các đầu A và K của các
n diode D1 và D2. Ta rút
ra nhận xét sau:
b v a  vn  D1 daãn
n vn  vb  D2 ngöng daãn
Như vậy dòng điện từ a
b./ Trong suốt bán kỳ âm, D1 phân cực nghịch và D2 phân cực thuận. qua D1 đến tải RL và
theo n về thứ cấp.
HÌNH H1.43
Điện áp trên tải trong suốt giai đoạn diode D1 dẫn là bán kỳ dương của áp v an t 

Tại bán kỳ âm của áp cấp vào sơ cấp biến áp , áp thứ cấp v ab t cũng xãy ra bán kỳ âm.
Nói khác hơn điện thế tại các điểm a, n và b có giá trị tương ứng tại lúc này là: vb  vn  v a . Ta
rút ra nhận xét sau: v a  vn  D1 ngöng daãn và vn  vb  D2 daãn . Như vậy dòng điện từ b qua
D2 đến tải RL và theo n về thứ cấp.
Điện áp trên tải trong suốt giai đoạn diode D2 dẫn là bán kỳ dương của áp vbn t . Chú ý 
 
vì các áp v an t và vbn t đảo pha nhau, nên lúc v an  t  diễn ra bán kỳ âm thì áp v  t  đang
bn
diễn ra bán kỳ dương.

Với quá trình hoạt động vừa trrình bày, ta có thể thấy mạch chỉnh lưu toàn ky dùng 2
diode xem tương đương hai mạch chỉnh lưu bán kỳ vận hành lệch pha nhau 180o theo thời gian.
Mỗi nửa bộ dây thứ cấp chỉ hoạt động trong mỗi bán kỳ của áp cấp vào sơ cấp biến áp.
Nguyên lý hoạt động của mạch chỉnh lưu toàn kỳ vừa trình bày đã giả thiết các diode
là lý tưởng. Trường hợp áp dụng mô hình thực nghiệm của diode; các diode chỉ bắt đầu dẫn

khi các áp tại thứ cấp: v an t hay vbn t  có giá trị lớn hơn điện thế rào cản 0,7V; phương pháp
tính toán được thực hiện tương tự như trường hợp chỉnh lưu bán kỳ.
ÁP NGƯỢC ĐỈNH TÁC DỤNG LÊN DIODE LÚC NGƯNG DẪN:
Trong hình H1.43 lúc diode D2 ngưng dẫn, ta có phương trình cân bằng áp sau:
 
vnb t  vL t  vR t  D2
(1.29)

Trong đó vL t là áp tức thời đặt ngang qua hai đầu tải RL.
Tương tự lúc diode D1 ngưng dẫn, ta có phương trình cân bằng áp sau:
 
vna t  vL t  vR t  D1
(1.30)
Từ các quan hệ (1.29) và (1.30) giá trị điện áp ngược đỉnh tác động lên mỗi diode lúc
ngưng dẫn xác định theo quan hệ sau:
V 
PIV  PIV  2.  2m   V2m (1.31)
D1 D2  2 
 
Quan hệ (1.31) xác định theo mô hình diode lý tưởng. Trong trường hợp xét theo mô

hình thực nghiệm của diode biên độ của áp vL t nhỏ hơn biên độ của các áp vnb t  và

vna t một giá trị bằng điện thế rào cản 0,7V; tại lúc này ta có:
V 
PIV  PIV  2.  2m   0,7 V  V2m  0,7 V (1.32)
D1 D2  2 
 
THÍ DỤ 1.5:
Cho mạch chỉnh lưu toàn kỳ dùng 2 diode và biến áp có điểm giữa phía thứ cấp, với điện
áp xoay chiều cấp vào sơ cấp và tỉ số biến áp như trong hình H1.44. Xác định:
a./ Áp và dòng trung bình trên tải, công suất DC tiêu thụ trên tải khi xem các diode là lý tưởng.
b./ Áp ngược đỉnh tác động lên các diode lúc phân cực nghịch.
GIÀI
Biên độ áp sơ cấp: V1m  100 V
Áp hiệu dụng sơ cấp:
V1m 100
V1    50 2 V
2 2
E1 V1
Tỉ số biến áp : Kba   2
E2 V2
HÌNH H1.44
V1 50 2
Áp hiệu dụng thứ cấp biến áp: V2    25 2  35,36 V
Kba 2
V2 . 2  25 2  . 2
Khi xem diode lý tưởng, áp cực đại trên tải là: VL max    25 V
2 2
2.VL max
2  25
Áp trung bình trên tải: VAVG    15,915 V
 
V 15,916 V
Dòng trung bình qua tải: IAVG  AVG   1,59 mA
RL 10 k
Công suất DC tiêu thụ trên tải: PDC  VAVG.IAVG  15,915 V  1,59 mA  25,33 mW
Áp ngược đỉnh tác động trên mỗi diode lúc phân cực nghịch:

PIV  V2m  V2 2  25 2  2  50 V 
Nếu áp dụng mô hình thực nghiệm, áp ngược đỉnh xác định theo quan hệ sau:
PIV  V2m  0,7V  49,3 V
1.5.3.CHỈNH LƯU TOÀN KỲ DÙNG MẠCH CẦU DIODE (CẦU GRAETZ) :
a Gọi áp tức thời ở sơ cấp biến áp
n c
  
là: v1 t  V1m .sin t  V  và áp
tức thời ở phía thứ cấp biến áp là:
   
v 2 t  v ab t  V2m .sin t  V  .
b
Tại bán kỳ dương của áp
a./ Trong bán kỳ dương, diode D1 và D2 dẫn, diode D3 và D4 ngưng dẫn thứ cấp , ta có điện thế tại các nút
a và b là: Va  Vc  Vn  Vb suy ra
a diode D1 và D2 phân cực thuận, hay
các diode D1 và D2 dẫn và các
c diodeD3 và D4 ngưng dẫn.
n Dòng điện từ nút a thứ cấp
qua diode D1 đến c qua tải đến n
b qua diode D2 đến nút b quay về thứ
b./ Trong bán kỳ âm, diode D1 và D2 ngưng dẫn, diode D3 và D4 dẫn
cấp, xem hình H1.45. Ta có phương
trình cân bằng lúc này là:
HÌNH H1.45
 
v 2 t  v ac  vL t  vnb  VF
D1

 vL t  VF
D2
(1.33)
Trong đó, vL t là áp tức thời đặt ngang qua hai đầu tải, VF
D1
và VF
D2
là các điện áp đặt
ngang 2 đầu mỗi diode lúc phân cực thuận.
Với mô hình diode lý tưởng, quan hệ (1.33) viết lại là:

vL t  v 2 t  (1.34)
Tóm lại tại bán kỳ dương của áp thứ cấp , áp trên tải cùng dạng với áp thứ cấp biến áp.
Với mô hình thực nghiệm của diode quan hệ (1.33) viết lại là:
 
vL t  v2 t  2  0,7 V  v 2 t  1,4 V  (1.35)
Tại bán kỳ âm của áp thứ cấp , ta có điện thế tại các nút a và b là: Va  Vc  Vn  Vb suy ra
diode D1 và D2 phân cực nghịch và các diode D3 và D4 dẫn.
Dòng điện từ nút b thứ cấp qua diode D4 đến c qua tải đến n qua diode D3 đến nút a quay
về thứ cấp, xem hình H1.45. Tại lúc này dòng qua tải không đổi hướng khi so với trường hợp
đã phân tích ở trên.

 v 2 t  vbc  vL t  vna  VF  D4

 vL t  VF
D3
(1.36)
Trong đó, vL t là áp tức thời đặt ngang qua hai đầu tải, VF
D3
và VF
D4
là các điện áp đặt
ngang 2 đầu mỗi diode lúc phân cực thuận.
Với mô hình diode lý tưởng, quan hệ (1.36) viết lại là:

vL t   v 2 t  (1.37)
Tóm lại tại bán kỳ dương của áp thứ cấp , áp trên tải cùng dạng với áp thứ cấp biến áp.
Với mô hình thực nghiệm của diode quan hệ (1.36) viết lại là:
 
vL t   v2 t  2  0,7 V   v 2 t  1,4 V  (1.38)
Với các quan hệ (1.37) và (1.38) cho thấy khi tại bán kỳ âm điện áp trên tải vẫn có giá trị
dương, nói khác hơn dạng áp trên tải luôn mang giá trị dương khi áp v 2 t  diễn ra bán kỳ
dương lẫn bán kỳ âm.
ÁP NGƯỢC ĐỈNH TÁC DỤNG LÊN MỖI DIODE LÚC DIODE NGƯNG DẪN:
Tại bán kỳ dương của áp thứ cấp , ta có điện thế tại các nút a và b là: Va  Vc  Vn  Vb .
Lúc các diodeD3 và D4 ngưng dẫn ta có phương trình cân bằng áp như sau:
v an  VR
D3
 VF
D1
 vL t  (1.39)
Và:
vCB  VR
D4
 VF
D2
 vL t  (1.40)
Với mô hình diode lý tưởng điện áp trên các diode khi phân cực thuận có giá trị là 0V, từ
các quan hệ (1.39) và (1. 40) suy ra áp ngược đặt lên các diode đang phân cực nghịch là:
VR
D3
 VR
D4
 vL t  max

 v2 t
max
 V2m (1.41)
Với mô hình thực nghiệm của diode điện áp trên các diode khi phân cực thuận có giá trị là
0,7V ; áp ngược đặt lên các diode đang phân cực nghịch là:
VR
D3
 VR
D4
 vL t  max
 0,7V (1.42)
Thế (1.35) vào (1.42) suy ra:
PIV  VR
D3
 VR
D4
 v2 t  max
 1,4  0,7  V2m  0,7V (1.43)
Tương tự tại bán kỳ âm của áp thứ cấp, điện thế tại các nút a và b là: Va  Vc  Vn  Vb .
Lúc các diode D1 và D2 phân cực nghịch ta có các phương trình cân bằng áp như sau:
vca  VR
D1
 VF
D3
 vL t  (1.44)
Và:
vbn  VR
D2
 VF
D4
 vL t (1.45)
Với mô hình diode lý tưởng điện áp trên các diode khi phân cực thuận có giá trị là 0V, từ
các quan hệ (1.44) và (1. 45) suy ra áp ngược đặt lên các diode đang phân cực nghịch là:
VR
D3
 VR
D4
 vL t  max
  v2 t  max
 V2m (1.46)
Với mô hình thực nghiệm của diode điện áp trên các diode khi phân cực thuận có giá trị là
0,7V ; áp ngược đặt lên các diode đang phân cực nghịch là:
VR
D3
 VR
D4
 vL t  max
 0,7V (1.47)
Thế (1.38) vào (1.47) suy ra:
PIV  VR
D3
 VR
D4
  v2 t  max
 1,4  0,7  V2m  0,7V (1.48)
THÍ DỤ 1.6:
Cho mạch chỉnh lưu toàn kỳ
dùng mạch cầu với mô hình
diode lý tưởng; biết áp hiệu dụng
thứ cấp biến áp là V2  12 V .
V2 Xác định :
VL a./ Áp và dòng trung bình, công

suất tiêu thụ trên tải.
b./ Áp ngược tác động lên mỗi
HÌNH H1.46
diode trong sơ đồ cầu khi áp
dụng mô hình thực nghiệm diode
GIẢI
Biên độ áp thứ cấp: V2m  12 2 V  16,97 V
Khi xem diode lý tưởng , áp trung bình trên tải: VAVG  0,9  V2  0,9  12  10,8 V
VAVG 10,8 V
Dòng trung bình qua tải: IAVG    1,08 mA
RL 10 k
Công suất DC tiêu thụ trên tải: PDC  VAVG.IAVG  10,8 V  1,08 mA  11,66 mW
Áp ngược đỉnh tác động trên mỗi diode lý tưởng lúc phân cực nghịch :
PIV  V2m  16,97 V

Nếu áp dụng mô hình thực nghiệm, áp ngược đỉnh xác định theo quan hệ sau:
PIV  V2m  0,7V  16,97  0,7  16,27 V
Dạng tín hiệu áp tức thời tại thứ cấp biến áp và trên tải trình bày trong hình H1.47.
VAVG
Áp trên tải

vL t
Áp tức thời

v2 t tại thứ
cấp biến áp
HÌNH H1.47: Áp tức thời trên tải và tại thứ cấp biến áp khi áp dụng mô hình thực nghiệm của diode.
1.6. MẠCH LỌC (FILTER):
Với bộ nguồn DC lý tưởng, yêu cầu khử độ nhấp nhô trên áp ngõ ra từ các mạch chỉnh
lưu bán kỳ hay toàn kỳ được quan tâm đến để đạt được áp DC trên ngõ ra của bộ nguồn có
dạng hoàn toàn phẳng. Trong trường hợp này chúng ta cần dùng các mạch lọc, vì các mạch điện
tử cần được cung cấp áp và dòng DC phẳng ổn định để cung cấp công suất và phân cực cho các
linh kiện điện tử khác hoạt động theo yêu cầu riêng.
Mạch lọc đơn giản chỉ bao gồm tụ điện. Trong trường hợp muốn ổn định một cách tuyệt
đối áp DC trên ngõ ra , cần sử dụng thêm mạch tích hợp (IC) ổn định điện áp . Sơ đồ khối tổng
quát của bộ nguồn đã trình bày trong hình H1.34.
1.6.1.NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG CỦA MẠCH LỌC:

Trong hình H1.48 trình bày mạch chỉnh lưu bán kỳ phối hợp với bộ lọc tụ điện trước khi
cấp đến tải.

Trong suốt bán kỳ dương của điện áp xoay chiều vin t  Vm .sin t   cấp vào mạch

chỉnh lưu, diode phân cực thuận cho phép tụ lọc nạp điện trong phạm vi 0,7V  vin t  Vin max .
Gọi áp đặt ngang qua hai


đầu tụ C là vC t ; khi áp vào đạt

đến giá trị đỉnh vin t  Vm áp

trên tụ là vC t  Vm  0,7V (khi
a./ Khi diode phân cực thuận, tụ bắt đầu nạp điện tích và tăng dần điện áp áp dụng mô hình thực nghiệm
của diode). Cần chú ý trong
khoảng thời gian này, áp tức
thời trên tải và áp tức thời trên
tụ hoàn toàn giống nhau.
Sau khi đạt đến mức đỉnh
áp vào bắt đầu giảm thấp giá trị
(ở nửa giai đoạn còn lại trong
bán kỳ dương). Bây giờ áp trên
b./ Khi áp vào đạt đến giá trị cực đại, diode bị phân cực nghịch ngưng dẫn. tụ C cao hơn áp vào, diode bị
Tụ phóng điện qua điện trở tải RL phân cực ngược; tụ ngừng nạp
điện. Vì tụ đấu song song với
điện trở tải, điện tích đang tích
trên các cực dương của tụ sẽ đi
qua tải để đến cực âm của tụ để
trung hòa các điện tích ở cực âm;
quá trình này được gọi là quá
trình phóng điện của tụ. Thời
c./ Khi giá trị tức thời áp vào cao hơn áp VC, diode phân cực thuận trở lại.
Tụ nạp điện trở lại
gian phóng điện nhanh hay chậm
phụ thuộc vào giá trị điện dung C
HÌNH H1.48 và trị số điện trở tải RL.
Tại bán kỳ âm của áp vào, nếu tụ chưa xả hết điện tích trên các bản cực, áp trên tụ lớn
hơn áp vào nên diode vẫn tiếp tục phân cực nghịch. Tụ tiếp tục duy trì quá trình phóng điện.
Khi áp vào bắt đầu bán kỳ dương kế tiếp diode tiếp tục phân cực nghịch ; khi áp vào
tức thời lớn hơn áp tức thời trên tụ C 0,7V tụ chấm dứt quá trình phóng điện và diode bắt đầu
phân cực thuận. Quá trình nạp điện tích cho tụ tiếp diển.
1.6.2. ÁP TỨC THỜI TRÊN TẢI KHI CHỈNH LƯU TOÀN KỲ CÓ MẠCH LỌC TỤ :
Với mạch chỉnh lưu toàn kỳ có mạch lọc tụ

điện, nguyên lý hoạt động được giải thích tương tự
như trường hợp chỉnh lưu bán kỳ. Cho mạch chỉnh
lưu dùng cầu diode theo hình H1.49.

Tại bán kỳ dương của áp vào v1 t giả sử tụ
chưa nạp điện tích ban đầu, các diode D1 và D2
dẫn cấp dòng nạp điện tích cho tụ và đồng thời cấp
dòng qua tải R1. Trong khoảng thời gian này áp
trên hai đầu tải cũng là áp trên hai đầu tụ C1 ; điện

áp này có dạng giống như điện áp v1 t (khi xem
các diode D1 và D3 là lý tưởng). Nếu áp dụng mô
hình thực nghiệm của diode , áp trên tải và tụ có
HÌNH H1.49
 
dạng giống như áp  v 1 t  1,4V  .

Xem hình H1.50, đoạn từ gốc tọa độ đến a.
c 
vC t
a
b
Tụ nạp điện Tụ phóng điện

v1 t
HÌNH H1.50

Tại vị trí a, áp vào v1 t đạt cực đại và đang trên đà giảm biên độ , lúc đó áp ngang qua hai

đầu tụ và tải đạt đến giá trị  V1m  1,4V  . Trong đó V1m là biên độ áp v1 t . Bây giờ các diode D1
và D2 phân cực ngịch. Tụ C1 bắt đầu phóng điện sang tải trở R1, điện áp trên hai đầu tải bây giờ
được xác định theo quan hệ (1.51) sau đây. Tại lúc tụ bắt đầu phóng điện, xét mắt lươi chứa tụ và
điện trở tải ta có quan hệ:

vC t  R1.ip t  (1.49)

Với dòng phóng điện ip t xác định theo quan hệ như sau:
dvC t 

ip t   C1
dt
(1.50)
Suy ra:
dvC t 

vC t  R1C1.
dt
(1.51)
Giải phương trình vi phân bậc nhất ta có nghiệm như sau:

t
vC    K.e R1C1
(1.52)
Tại lúc tụ bắt đầu phóng điện, đặt thời điểm ban đầu ứng với t = 0 áp đang có trên tụ là
 V1m  1,4V  , ta suy ra hằng số K có giá trị như sau:
 
K  V1m  1,4V (1.53)
Từ (1.52) và (1.53), suy ra áp tức thời trong khoảng thời gian tụ phóng điện, giai đoạn từ a
đến b là:
t

vC t  (V1m  1,4).e
R1C1
(1.54)

Tại b, điện áp v1 t ở bán kỳ âm nhưng vì diode D3 và D4 ở trạng thái phân cực thuận
và bắt đầu dẫn cấp áp đến tải và tụ C1. Tụ lọc bắt đầu nạp điện tích trở lại dạng điện áp trên tải
 
có dạng của điện áp nguồn   v 1 t  1,4V  . Giai đoạn này xãy ra trong khoảng từ b đến c.

Tại c các diode D2 và D3 bị phân cực nghịch và tụ C phóng điện qua tụ như quá trình đã
diển ra trong khoảng thời gian từ a đến b. Quá trình tiếp tục diển tiến có tính chất tuần hoàn qua
các giai đoạn như vừa trình bày.
1.6.3. HỆ SỐ NHẤP NHÔ ĐIỆN ÁP TRÊN TẢI :

Qua các nội dung phân tích trên, tín
Độ nhấp nhô (Ripple) hiệu trên tải của mạch chỉnh lưu có dạng
phẳng hơn khi dùng thêm mạch lọc. Tùy
thuộc vào giá trị điện dung của tụ lọc phạm
vi chênh lệch giữa giá trị áp cao nhất và á
thấp nhất trên tải sẽ thay đổi. Khoảng
chênh lệch giữa mức thấp nhất và cao
Độ nhấp nhô (Ripple) nhất trên áp tải gọi là độ nhấp nhô
(Ripple). Gọi : r là hệ số nhấp nhô.
Vrpp là phạm vi chênh lệch giữa mức
cao nhất và thấp nhất của áp trên tải.
VP là áp định hay giá trị cao nhất của áp
HÌNH H1.51: Độ nhấp nhô trên áp tải trên tải.
VAVG là áp trung bình hay áp DC trên tải
Vrpp
VP VAVG
HÌNH H1.52: Định nghĩa hệ số nhấp nhô trên áp tải.
 
Theo toán học với áp trên tải là vL t có tính tuần hoàn. Ta có thể khai triển áp vL t theo

Fourier. Lúc đó vL t được xem như tổng hợp từ nhiều áp hình sin thành phần khác tần số và

biên độ. Tần số của tín hiệu sin thành phần bằng tần số với áp vL t gọi là tần số cơ bản và các
tín hiệu sin thành phần khác có tần số cao hơn được gọi là sóng bậc cao.
Theo phương pháp này hệ số nhấp nhô được gọi xác định theo quan hệ sau
Giaù trò hieäu duïng cuûa caùc thaønh phaàn xoay chieàu
r (1.55)
VAVG
Mạch lọc có chất lượng càng cao, áp trên ngõ ra ra càng phẳng . Giá trị của hệ số
nhấp nhô phụ thuộc vào giá trị điện trở tải RL và điện dung C của tụ lọc. Tương ứng với mỗi
giá trị điện trở tải và độ nhấp nhô định trước, ta có một giá trị điện dung C tương ứng.
Nói khác đi, với trị số điện dung của tụ lọc chọn trước, khi tải thay đổi giá trị hệ số
nhấp nhô thay đổi theo giá trị điện trở tải. Có nhiều tài liệu trình bày các phương pháp xác định
điện dung tụ lọc theo hệ số nhấp nhô chọn trước, ta khảo sát một phương pháp đơn giản như sau.
PHƯƠNG PHÁP TÍNH :

Khi áp dụng phương pháp này, chúng ta giả sử:
Diode chỉnh lưu là lý tưởng, bỏ qua ảnh hưởng điện thế rào cản khi diode dẫn thuận.
Dạng áp trên tải đồng dạng với áp ngõ vào chỉnh lưu ở bán kỳ dương.
  
Áp tức thời ngõ vào chỉnh lưu toàn kỳ là: vin t  Vin max .sin t  V  .
Dạng áp trên tụ và tải khi dùng mạch lọc tụ có dạng răng cưa tam giác thay vì có dạng tổ
hợp hàm sin và hàm mủ đối với thời gian thỏa các giả thiết trên trình bày trong hình H1.53.
t
 
vL t  vC t  Vin max .e
RL .C
Vrpp
VP  Vin max
VL min
HÌNH H1.53: Xác định biểu thức tính hệ số nhấp nhô.
Trong đó, UDCVrpp : khoảng chênh lệch áp trên tải giữa mức cao nhất đến thấp nhất.
Quá trình tính toán được trình bày như sau:
Điện tích Qnạp trên tụ trong các quá trình diode chỉnh lưu dẫn.
Qnap  Vrpp.C (1.56)
Lượng điện tích Qphóng được xả trong quá trình các diode ngưng dẫn.
Qphong  Iph .tdis (1.57)
Áp dụng định luật bảo toàn điện tích, điện lượng nạp và phóng bằng nhau; suy ra:
Vrpp.C  Iph .tdis (1.58)
Gọi VP  Vin max là giá trị đỉnh của áp chỉnh lưu cũng chính là mức áp tối đa đạt được trong
quá trình nạp điện tích, gọi tdis là khoảng thời gian tụ xả điện tích qua tải, giá trị áp trên tụ đạt được
ở cuối quá trình xả điện tích là VL min . Khi hệ số nhấp nhô r có giá trị càng thấp, áp nhấp nhô Vrpp
tiến tới 0, thời gian tdis tiến tới giá trị T (khoảng thời gian của chu trình nạp và phóng điện của tụ),
VL min tiến tới giá trị Vin max . Khi điện áp trên tải được lọc phẳng, với hệ số nhấp nhô trên tải thấp
hơn 10% và Tnạp<< Tphóng ta có tdis  T . Quan hệ (1.58) được viết lại như sau:
Vrpp.C  Iph .T (1.59)
Khi tín hiệu lọc phẳng, dòng Iph là dòng phóng điện của tụ qua tải cũng chính là dòng trung
bình qua tải, do đó:
VAVG
Iph  (1.60)
RL
Từ các quan hệ (1.59) và (1.60) ta suy ra:
Vrpp T
 (1.61)
VAVG RL .C
Muốn xác định một cách đơn giản giá trị hiệu dụng của các thành phần xoay chiều chứa
trong khai triển Fourier của áp vL t  chúng ta xem gần đúng vL t có dạng áp răng cưa . Dời
trục tọa độ sao cho trục hoành trùng với mức áp trung bình VAVG . Giá trị hiệu dụng của thành phần

xoay chiều vL t là giá trị hiệu dụng của áp hiện có sau khi thực hiện phép dời trục. Trong hình
H1.54 , áp vLAC  t  là dạng áp v  t sau khi dời trục.

L
 Vrpp  
vLAC t
 
 2 
  Vrpp t
  Vrpp 
 
 2  T1
 
T
HÌNH H1.54: Áp vL t   sau khi dời đến hệ trục mới với trục hoành trùng với mức áp V AVG
.

Áp tức thời vLAC t trong hình H1.54 được xác định như sau:
V   T 

vLAC t   rpp  .  t  1 
 T   2 
(0  t  T1)
 1  
(1.62)
  Vrpp  V

vLAC t  
TT  
 t  T1  rpp
2
 (T1  t  T)
 1 
Gọi VLAC là áp hiệu dụng của vLAC t ta có: 

 2 2 2 
1 T 1  Vrpp  T1  T1   1  t  T 
V    
2 2 T
LAC
  vLAC t .dt 
T 0
   t   .dt  Vrpp
T  T1  0  2 T1  2   T  T   .dt
1
   1 

Hay:
1
V   
2
 J  J2 (1.63)
LAC
T 1
Trong đó:
2 2
1 V  T1  T 
J1   rpp    t  1  .dt (1.64)
T  T1  0
 2
Và:
V 
2 2
rpp
 1  t  T 
T
J2  T1  2   T  T1   .dt
 (1.65)
T   1 
Thực hiện các phép tính và thu gọn ta có kết quả sau:
 
2
1T  T  T1   Vrpp
V     V 
2 2 2
  1 . Vrpp    
LAC
T  12 rpp
 12   12
Suy ra:
Vrpp
VLAC  (1.66)
2 3
Tóm lại:
VLAC 1  Vrpp 
   (1.67)
VAVG 2 3  VAVG 
Hệ số nhấp nhô được xác định theo quan hệ sau khi thế (1.61) vào (1.67):
VLAC 1  T 
r    (1.68)
VAVG 2 3  RL .C 
Gọi f là tần số nguồn áp cấp vào chỉnh lưu, đối với chỉnh lưu toàn kỳ thời gian T trong
quan hệ (1.68) chỉ bằng nửa chu kỳ của nguồn áp sin cấp vào mạch chỉnh lưu. Trong trường
hợp chỉnh lưu bán kỳ thời gian T trong quan hệ (1.68) bằng chu kỳ của nguồn áp sin cấp vào
mạch chỉnh lưu. Từ đó ta suy ra các quan hệ sau:
1
Chỉnh lưu toàn kỳ r  (1.69)
4 3.f.RL .C
VLAC 1
Chỉnh lưu bán kỳ r   (1.70)
VAVG 2 3.f.RL .C
Áp DC trên tải được xác định theo quan hệ sau:
Vrpp
VAVG  Vin max  (1.71)
2
Thay thế (1.61) vào (1.71) ta có quan hệ sau:
1  T.VAVG 
VAVG  Vin max    (1.72)
2  RL .C 
Suy ra:
 T 
VAVG.  1    Vin max (1.73)
 2.R .C
 L 
Hay:
 
VAVG. 1  r 3  Vin max
Tóm lại:
Vin max
VAVG 
 
(1.74)
1 r 3
THÍ DỤ 1.7:
Cho mạch chỉnh lưu toàn kỳ
V1  110 V / 50Hz V2 như trong hình H1.55, tải RL  20  .
Muốn áp trên tải đạt hệ số nhấp nhô
yêu cầu ryc  3,5% tính điện dung C
của tụ lọc. Suy ra các thông số dòng áp
HÌNH H1.55
DC trên tải
GIẢI
Đầu tiên xác định các số liệu cho trong thí dụ:
Áp hiệu dụng phía sơ cấp biến áp : V1  110 V .

Khi bỏ qua độ thay đổi áp thứ cấp khi mang tải, áp hiệu dụng phía thứ cấp là:
V1 110
V2    11V
Kba 10
Chỉnh lưu dùng cầu diode, chỉnh lưu toàn kỳ. Tần số nguồn áp cấp vào chỉnh lưu là: 50Hz.
Hệ số nhấp nhô yêu cầu là ryc  3,5% .
1 1
Áp dụng quan hệ (1.69), ta có: r   ryc hay C
4 3.f.RL .C 4 3.f.RL .ryc
Suy ra:
1
C F hay
  C  4123,93 F
4 3.50.20.0,035
Chọn giá trị điện dung C phù hợp giá trị thực tế. Ta chọn C  4700 F .
Tính lại hệ số nhấp nhô với giá trị điện dung của tụ lọc vừa chọn.
1
r  0,0307
4 3.50.20.4700.106
Điện áp DC trên tải:
Vin max V2 max 11. 2

VAVG     14,77 V
 1 r 3   1 r 3   1  0,0307 3 
1.7.DIODE ZENER:
1.7.1.TỔNG QUAN:
Áp dụng chính của diode Zener dùng ổn định điện áp để tạo thành nguồn
áp tham chiếu ổn định dùng trong bộ nguồn, volt kế hay các thiết bị đo lường.
Diode Zener có khả năng duy trì được điện áp DC gần như không đổi trong các
điều kiện hoạt động riêng. Tuy nhiên việc áp dụng diode zener có giới hạn và cần
thỏa các điều kiện riêng. Ký hiệu của diode Zener trình bày trong hình H1.56. HÌNH H1.56
Diode Zener là linh kiện bán dẫn loại Silicon có mối nối pn được thiết kế để hoạt động vùng
phân cực nghịch. Điện thế phá vở phân cực nghịch của diode Zener được chỉnh một cách cẩn
thận bằng cách kiểm soát mức độ của các hạt tải trong quá trình sản xuất.
Như đã biết, trên đặc tuyến phân cực nghịch của diode khi gần đạt đến mức phá vở phân
cực nghịch, điện áp trên diode được duy trì hầu như không đổi ngay khi dòng điện phân cực
nghịch thay đổi một cách đột ngột. Trong hình H1.57 trình bày các vùng hoạt động bình thường
(được tô màu xám) của các loại diode chỉnh lưu và diode Zener. Diode Zener khi được phân cực
thuận hoạt động như diode chỉnh lưu thông thường.
Vùng phân
cực thuận
Vùng phân Vùng phân

cực nghịch cực nghịch
a./ Các vùng hoạt động bình thường của diode chỉnh lưu b./ Vùng hoạt động bình thường của diode Zener
HÌNH H1.57: Đặc tuyến Volt Ampere tổng quát của diode thường và diode Zener.
PHÁ VỞ PHÂN CỰC NGHỊCH ZENER:
Có hai loại phá vở phân cực nghịch trong diode Zener là: hiện tượng thác và zener.
Quá trình thác (avalanche breakdown) đã được trình bày trong mục 1.2.5.2 xãy ra trong
các loại diode chỉnh lưu cũng như diode zener khi cấp áp ngoài phân cực nghịch có giá trị đủ lớn.
Hiện tương phá hủy phân cực nghịch Zener xãy ra trong diode Zener lúc phân cực nghịch
với điện áp phân cực nghịch có giá trị thấp. Diode Zener được chế tạo với mức áp phá vở trạng
thái phân cực nghịch có giá trị thấp, vùng nghèo trong diode zener rất hẹp chỉ là một lớp mỏng.
Giá trị điện áp phá vở phân cực nghịch ở mức thấp gọi là điện áp Zener, ký hiệu là VZ .
Tóm lại với các diode Zener có mức áp phá vở phân cực nghịch từ 5V trở xuống, điện áp này
được gọi là VZ áp Zener; với các diode Zener có điện áp phá vở phân cực nghịch cao hơn 5V (có
thể lên đến 200V) được gọi là áp phá vở pphân cực nghịch VBR .
Sai số của các áp: VZ và VBR từ 1% đến 2 %.
ĐẶC TUYẾN VOLT AMPERE PHÂN CỰC NGHỊCH CỦA DIODE ZENER:
Trong hình H1.58 trình bày vùng

phân cực nghịch trên đặc tuyến volt
ampere của diode Zener. Khi áp phân
cực nghịch VR gia tăng, dòng phân cực
Dòng Zener tại
nghịch IR duy trì giá trị rất thấp cho đến
điểm khuỷu
điểm khuỷu trên đặc tuyến. Dòng điện

Dòng Zener
phân cực ngược còn được gọi là dòng
thử nghiệm Zener IZ .
Tại ngay điểm bắt đầu xảy ra
quá trình phá vở phân cực ngược, điện
Dòng Zener trở nội hay tổng trở Zener ZZ bắt đầu
cực đại
giảm nhanh và dòng phân cực ngược
tăng giá trị nhanh chóng .
Tại vị trí bên dưới điểm khuỷu
HÌNH H1.58: Đặc tuyến Volt Ampere phân cực nghịch áp Zener VZ duy trì gần như không đổi
Của diode Zener.
(hơi tăng rất ít) khi dòng IZ gia tăng .
TÍNH ĐIỀU HÒA ÁP CỦA DIODE ZENER:
Khi diode Zener hoạt động trong vùng phân cực ngược, có khả năng duy trì áp ngược đặt
ngang qua hai đầu diode có giá trị hầu như không đổi khi dòng phân cực nghịch thay đổi trong
phạm vi rộng, ta nói diode Zener có tính điều hòa hay ổn định điện áp.
Gía trị nhỏ nhất của dòng điện phân cực ngược là IZK phải được duy trì để diode Zener
hoạt động như bộ ổn áp. Khi dòng qua diode Zener có giá trị thấp hơn mức IZK tính ổn áp của
Zener sẽ biến mất. Gía trị lớn nhất của dòng điện phân cực ngược là IZM cũng cần được duy trì, khi
dòng qua diode Zener có giá trị cao hơn mức IZM diode bị hỏng do công suất tiêu tán nhiệt trên
diode quá lớn. Một cách cơ bản, diode Zener có khả năng duy trì điện áp đặt ngang qua hai đầu
diode hầu như không đổi khi dòng điện ngược thay đổi trong phạm vi từ IZK đến IZM . Trong các tài
liệu trình bày đặc tính kỹ thuật của diode Zener cho bởi các nhà sản xuất, áp định mức của diode
Zener VZT được cho theo dòng điện phân cực nghịch thử nghiệm IZT . Giá trị của dòng IZT thường
là trung điểm của phạm vi dòng điện từ IZK đến IZM .
1.7.2.MẠCH TƯƠNG ĐƯƠNG CỦA DIODE ZENER:
Trong hình H1.59a trình bày mẫu diode lý tưởng

của diode Zener trong trạng thái phân cực nghịch. Giá
trị của nguồn áp không đổi VZ bằng giá trị định mức của
diode Zener. Nên nhớ, nguồn áp này chỉ có giá trị biểu
diễn trạng thái hoạt động của diode và bản thân của
diode không tạo ra sức điện động.
Trong hình H1.59b trình bày mẫu thực nghiệm
của diode Zener trong trạng thái phân cực nghịch bao
gồm tổng trở nội VZ của diode zener. Đặc tuyến Volt
a./ Lý tưởng b./ Thực nghiệm
ampere thực tế không hoàn toàn thẳng đứng trong đoạn
HÌNH H1.59: làm việc.
Trong hình H1.60, với sự thay đổi dòng

điện Zener IZ trong phạm vi IZ tạo ra một
khoảng thay đổi áp zener VZ . Theo định
luật Ohm ta có tổng trở nội của diode
Zener định nghĩa như sau:
VZ
ZZ  (1.75)
IZ
Thông thường giá trị ZZ được xác
định tại điểm có giá trị dòng zener bằng
dòng thử nghiệm IZT và gọi là ZZT : tổng trở
nội thử nghiệm. Trong hầu hết các trường
hợp giá trị ZZT là hằng số trong dảy giá trị
làm việc của dòng điện zener và có thể
xem ZZT là điện trở thuần.
HÌNH H1.60
THÍ DỤ 1.8:
Cho diode Zener 1N4736 có ZZT  3,5  . Các số liệu cho trong tài liệu kỹ thuật là:
VZT  6,8 V ; IZT  37 mA và dòng IZK  1mA . Xác định điện áp ngang qua hai đầu diode Zener khi
có dòng qua diode lần lượt là: 25 mA và 50 mA
GIẢI
VZT  6,8 V
Thông số kỹ thuật của diode
cho trong tài liệu kỹ thuật gồm:
VZ IZK  1mA VZT  6,8 V ; IZT  37 mA ; ZZT  3,5  .
Khi dòng qua diode IZ  50 mA

giá trị này tăng cao hơn dòng
IZT  37 mA một khoảng là:
IZT  37mA
IZ  IZ  IZT  50  37  13mA
IZ  50 mA Điện áp đặt ngang qua hai đầu

tổng trở nội của diode là VZ .
VZ  VZT  VZ
VZ  ZZT .IZ  3,5  13mA  45,5mV
IZ
Điện áp đặt ngang qua hai đầu
Diode Zener tại dòng IZ  50 mA là:
VZ  VZT  VZ  6,8  0,0455  6,85 V
Tương tự khi dòng qua diode zener là IZ  25 mA , áp ngang qua hai đầudiode Zener là:
  
VZ  VZT  ZZ . IZ  IZT  6,8  3,5  0,025  0,037  6,76 V
1.7.3.CÁC ẢNH HƯỞNG CỦA NHIỆT ĐỘ LÊN DIODE ZENER:

1.7.3.1.HỆ SỐ NHIỆT (TEMPERATURE COEFFICIENT):
Hệ số nhiệt của diode Zener được định nghĩa là phần trăm thay đổi điện áp zener khi
nhiệt độ môi trường thay đổi 1oC. Hệ số nhiệt được ký hiệu là TC . Gọi VZ là độ thay đổi áp
zener khi khoảng nhiệt độ môi trường thay đổi là T và VZ là áp zener định mức (thường được
xác định tại nhiệt độ 25oC). Ta có quan hệ sau:
VZ  VZ  TC  T (1.76)
%
Đơn vị của các đại lượng trong quan hệ (1.75) là:  VZ    VZ    V  ;  TC    và
 oC 
 T    o C . Hệ số nhiệt TC có thể có giá trị dương hoặc âm. Với hệ số nhiệt dương, khi
   
nhiệt độ gia tăng áp zener tăng; ngược lại với hệ số nhiệt âm khi nhiệt độ gia tăng áp zener giảm.
 mV 
Trong một số các tài liệu kỹ thuật , đơn vị của hệ số nhiệt được tính theo  , trong
o 
 C
trường hợp này quan hệ (1.75) được viết lại như sau:
VZ  TC  T (1.77)
THÍ DỤ 1.9:
Cho diode Zener có áp zener là VZ  8,2 V tại nhiệt độ môi trường là 25oC, biết hệ số nhiệt
của diode Zener là TC  0,05 % o . Xác định áp zener tại 60oC.

C
GIẢI
0,05
Áp dụng quan hệ (1.76) ta có: VZ  8,2 
100
 
 60  25  0,1435 V
o
Áp zener tại 60 C là:
VZ  VZ  VZ  8,2  0,1435  8,34 V
60o C 25o C
1.7.3.2.CÔNG SUẤT TIÊU TÁN (POWER DISSIPATION):
Công suất tiêu tán cực đại là công suất tiêu thụ tối đa cho phép khi diode zener hoạt
động. Gọi PD max là công suất tiêu tán tối đa cho phép và PD là công suất tiêu tán trên diode zener
tại điểm làm việc bất kỳ. Ta có quan hệ sau:
PD  VZ  IZ (1.78)
Giá trị PD max của mỗi diode zener được xác định bởi nhà sản xuất tại nhiệt độ chuẩn
định trước (giả sử tại 50oC). Khi nhiệt độ môi trường thay đổi , giá trị PD max cho phép giảm
xuống khi nhiệt độ gia tăng. Gọi KDP là hệ số giảm công suất tiêu tán (Derating Power
 mV 
Coefficient) cực đại; đơn vị của hệ số này là KDP     . Ta có quan hệ sau:
 oC 
PD  PD  KDP  T (1.79)
T
THÍ DỤ 1.10:
Cho diode Zener có PD max  400 mW tại 50oC, biết hệ số KDP  3,2 mV o . Tìm công
C
suất tiêu tán cực đại cho phép tại nhiệt độ 90oC .
GIẢI
Áp dụng quan hệ (1.79) ta có:
PD
90o C
 PD
50o C
 
 KDP  T  400  3,2  90  50  272 mW
1.7.4.CÁC ÁP DỤNG CỦA DIODE ZENER:

1.7.4.1.DÙNG DIODE ZENER ĐIỀU HÒA ÁP NGÕ RA KHI ÁP NGÕ VÀO THAY ĐỔI:
BỘ NGUỒN DC Trong hình H1.61 trình bày phương pháp

áp dụng diode zener để điều hòa điện áp khi áp
Dòng I tăng DC ngõ vào thay đổi. Khi điện áp ngõ vào thay
Z
đổi trong phạm vi định trước, diode zener duy trì
điện áp đặt ngang qua hai đầu của nó gần như
không đổi. Khi áp vào VIN thay đổi, dòng IZ thay
đổi tỉ lệ với điện áp ngõ vào trong phạm vi xác
định trước.
Tương ứng với phạm vi thay đổi điện áp
a./ Khi áp vào tăng, áp ra không đổi ( IZK < IZ < IZM ) vào nêu trên, dòng qua diode zener thay đổi
BỘ NGUỒN DC trong phạm vi từ: IZK (dòng cực tiểu qua diode
Dòng I giảm zener) đến IZM (dòng cực đại qua diode zener).
Z
Điện trở R nối trên ngõ vào, được gọi là
điện trở giới hạn. Để mô tả rõ ràng hơn tính điều
hòa điện áp của diode zener chúng ta khảo sát
thí dụ 1.11 sau đây :
THÍ DỤ 1.10:
b./ Khi áp vào giảm, áp ra không đổi ( IZK < IZ < IZM )
Cho diode zener có mã số 1N4740, xem
hình H1.62 có thể điều hòa áp khi dòng qua
HÌNH H1.61
zener thay đổi trong phạm vi từ : IZK  0,25 mA
đến IZM  100 mA . Từ tài liệu của nhà sản xuất
ta có các thông số khác là : PD max  1W và VZ  10 V
GIẢI
Đầu tiên cẩn chú ý số liệu sau:
PD max 1W
IZM    0,1A  100 mA
HÌNH H1.62 VZ 10 V
Tương ứng với dòng nhỏ nhất qua diode zener, điện áp đặt ngang qua hai đầu điện trở
giới hạn R  200  là :
VR min  R.IZK  220   0,25 mA  55 mV
Giá trị thấp nhất của áp ngõ vào là :
Vin min  VR min  VZ  10 V  55mV  10,055 V
Tương ứng với dòng lớn nhất qua diode zener, điện áp đặt ngang qua hai đầu điện trở giới
hạn R  200  là :
VR max  R.IZK  220   100 mA  22 V
Giá trị cao nhất của áp ngõ vào là :
Vin max  VR max  VZ  22 V  510 V  32 V

Trong quá trình tính toán này chúng ta bỏ qua ảnh hưởng của tổng trở nội zener , thực
chất điện áp ngõ ra hơi thay đổi khác giá trị 10 V khi áp vào thay đổi trong phạm vi từ 10,055 V
đến 32 V.
THÍ DỤ 1.11:
Cho mạch điều hòa điện áp dùng
diode zener có mã số 1N4733, xem hình
H1.63. Từ tài liệu kỹ thuật ta có các thông số:
VZ  5,1V ; IZT  49 mA ; IZK  1 mA ;
PD max  1W và ZZ  7  . Xác định giá trị
min và max của áp ngõ vào Vin để diode
HÌNH H1.63
zener điều hòa điện áp trên ngõ ra.
GIẢI
Giả sử giá trị tổng trở nội của diode

zener có giá trị không đổi trong phạm vi
dòng điện qua zener được khảo sát, mạch
điện tương đương của didode zener được
vẽ lại trong hình H1.64.
Tại lúc dòng điện qua diode zener có
giá trị nhỏ nhất IZK  1 mA , điện áp ra VOUT
đo trên hai đầu diode zener được xác định
HÌNH H1.64 theo quan hệ sau:
   
VOUT min  VZ  ZZ  IZK  IZT  5,1  7  0,001  0,049  4,764 V
Dòng tối đa cho phép qua diode zener:

PD max 1
IZM    0,196 A
VZ 5,1
Áp VOUT đo trên hai đầu diode zener lúc dòng IZM qua mạch:
   
VOUT max  VZ  ZZ  IZM  IZT  5,1  7  0,196  0,049  6,129 V
Áp VIN trên ngõ vào lúc dòng qua mạch là IZK :
VINmin  R.IZK  VOUT min  100  0,001  4,764  4,964 V
Áp VIN trên ngõ vào lúc dòng qua mạch là IZM :
VINmax  R.IZM  VOUT max  100  0,196  6,129  25,729 V
Tóm lại điện áp ngõ vào cho phép thay đổi trong phạm vi: 4,96 V đến 25,73V để điều hòa
áp ngọ ra trong phạm vi : 4,76 V đến 6,13 V.
1.7.4.2.DÙNG DIODE ZENER ĐIỀU HÒA ÁP NGÕ RA KHI TẢI THAY ĐỔI:
Trong hình H1.65 trình bày mạch điều

hòa điện áp dùng diode zener khi điện trở tải RL
thay đổi giá trị. Diode zener duy trì điện áp đặt
ngang qua hai đầu điện trở tải RL co giá trị gần
như không đổi khi dòng qua diode zener có giá
trị trong phạm vi IZK  IZ  IZM .
HÌNH H1.65
Khi điện trở tải RL   , tải hở mạch, dòng qua tải bằng 0, tất cả dòng điện đều qua diode
zsener; ta nói mạch điều hòa điện áp đang hoạt động tại trạng thái không tải.
Khi điện trở RL được đấu song song với diode zener, trên các nhánh của zener và RL có
các dòng điện đi qua. Dòng điện tổng qua điện trở giới hạn R cần có giá trị không đổi để diện áp
trên hai đầu diode zener được ổn định.
Khi giá trị RL giảm, dòng qua tải IL tăng và dòng qua IZ giảm, diode zener tiếp tục điều hòa
áp cho đến khi dòng IZ đạt đến giá trị thấp nhất là IZK . Tại lúc này dòng qua tải đạt giá trị lớn nhất
và xác định điều kiện đầy tải. Sự kiện này được mô tả cụ thể bằng số trong thí dụ 1.12.
THÍ DỤ 1.12:
Xác định giá trị cực tiểu và cực đại của

dòng qua tải khi diode zener trong hình H1.66
điều hòa điện áp. Xác định giá trị cực tiểu và
cực đại của điện trở tải RL được sử dụng. Cho
VZ  12 V ; IZK  1 mA ; IZM  50 mA . Giả sử
tổng trở nội của diode zener ZZ  0  và VZ
duy trì không đổi giá trị 12 V trong khoảng giá trị
HÌNH H1.66 dòng qua zener nêu trên .
GIẢI
Khi dòng qua tải IL  0 A ; dòng qua diode zener đạt giá trị tối đa là IZ(max) :
Vin  VZ 24  12
IZ(max)    0,02553 A  25,53mA
R 470
Vì giá trị tối đa của dòng qua diode zener là IZ(max)  IZM , nên giá trị RL    là giá trị
cực đại của điện trở tải và dòng IL  0 A là giá trị cực tiểu cho phép qua tải.
Giá trị tối đa của dòng qua tải xãy ra khi dòng qua diode zener đạt giá trị thấp nhất là
IZK  1 mA ; ta có:
IL(max)  IT  IZK  IZ(max)  IZK  25,53  1  24,53 mA
Dòng IT là dòng tổng qua điện trở giới hạn R  470  , giá trị này bằng giá trị dòng cực
đại qua diode zener lúc không tải.
VZ 12 V
Giá trị cực tiểu của điện trở tải: RL(max)    0,48919 k  489,2 
IL(min) 24,53mA
THÍ DỤ 1.13:
Cho mạch điện hình H1.67, trong đó diode zener

1N4744 có các thông số kỹ thuật như sau: VZ  15 V tại
dòng IZT  17 mA ; IZK  0,25 mA ; ZZ  14  ;

PD(max)  1W . Xác định:
a./ Áp VOUT tại dòng IZK và IZM .

b./ Giá trị điện trở giới hạn R .
HÌNH H1.67 c./ Giá trị cực tiểu của điện trở tải RL .
GIẢI
a./ Áp VOUT với dòng điện cực tiểu qua diode, ta có:

VOUT  VZ  VZK  ZZ  IZ  15  14  0,00025  0,017  14,7655 V 
Dòng cực đại cho phép qua diode zener:
PD(max) 1
IZM    0,06667 A  66,67 mA
VZT 15
Áp VOUT với dòng điện cực đại qua diode :

VOUT  VZ  VZK  ZZ  IZ  15  14  0,06667  0,017  15,695 V 
b./ Tính toán giá trị điện trở giới hạn theo dòng điện cực đại qua diode zener lúc không tải. Ta có:
VIN  VOUT max 24  15,695

R   124,57 
IZM 0,06667
Khi điện trở giới hạn R là điện trở than; chọn điện trở có giá trị tiêu chuẩn gần giá trị tính
toán là: 130  .
c./ Giá trị cực tiểu của điện trở tải RL .
Dòng qua điện trở giới hạn R khi dòng qua diode zener có giá trị cực tiểu:
VIN  VOUT(min) 24  14,76

IT    0,071 mA
R 130
Dòng qua điện trở tải RL khi dòng qua diode zener có giá trị cực tiểu:
IL  IT  IZK  0,071  0,00025  0,07075 A  70,75 mA
Giá trị điện trở tải tối thiểu cho phép để áp ngõ ra được ổn định:
VOUT min 14,76
RL min    208,62  209 
IL 0,07075
1.7.4.3.MẠCH GIỚI HẠN DÙNG DIODE ZENER – MẠCH XÉN:
Diode zener có thể dùng trong các mạch xoay chiều để giới hạn điện áp tại các mức giời
hạn cho trước. Chúng ta có ba phương pháp giới hạn áp dùng diode zener.
Trong hình H1.68, trình bày mạch

giới hạn áp xoay chiều. Tương ứng bán kỳ
dương của áp VIN diode zener giới hạn bán
kỳ dương bằng với mức áp VZ của diode
zener. Trong suốt bán kỳ âm, zener tác
động như diode phân cựcv thuận và giới
HÌNH H1.68 hạn mức áp âm trong phạm vi  0,7V.
Khi đấu đảo cực của zener, ta có

mạch giới hạn áp theo hình H1.69, mạch
giới hạn đỉnh áp xoay chiều trong bán kỳ
âm theo tác động của zener và trong bán
kỳ dương của áp VIN điện áp trên diode
zener được giới hạn tạo mức + 0,7V.
HÌNH H1.69 Trường hợp thứ ba của mạch giới

hạn điện áp dùng hai diode zener đấu
nối tiếp ngược cực tính như trong hình
H1.70. Tại bán kỳ dương, diode zener
D1 tác động như diode thông thường
ơ trạng thái phân cực thuận và diode
zener D2 tác động như bộ giới hạn.
Khi áp ngõ vảo ở bán kỳ âm tác động
của các diode ngược lại. Giả sư các
diode zener D1 và D2 có củng mức áp
HÌNH H1.70
VZ , các mức điện áp giới hạn có giá
trị như trong hình vẽ.
THÍ DỤ 1.14:
Cho mạch giới hạn điện áp xoay chiều như
trong hình H1.71 , xác định dạng áp trên ngõ ra.
GIẢI
Tương ứng với bán kỳ dương của áp xoay
chiều trên ngõ vào VIN , diode zener phía trên phân cực
thuận và diode zener bên dưới phân cực nghịch.
HÌNH H1.71
Điện áp trên ngõ ra xác định như sau:
VOUT  0,7  5,1  5,8 V

Tại bán kỳ âm diode phía trên tác động như
bộ giới hạn và diode zener bên dưới phân cực
thuận, ta có áp ngõ ra xác định theo quan hệ:
VOUT  0,7  3,3  4 V

HÌNH H1.72 Áp ngõ ra trình bày trong hình H1.72.
1.8.LED (LIGHT-EMITTING DIODE):

1.8.1.NGUYÊN TẮC HOẠT ĐỘNG VÀ CẤU TẠO:
Led là diode phát quang khi được phân cực thuận. Ký hiệu của LED trình
bày trong hình H1.73. Nguyên tắc hoạt động của LED được trình bày như sau:
Khi LED được phân cực thuận, HÌNH H1.73
Ánh sáng phát ra các điện tử từ vùng n đi ngang qua mối nối
pn tái hợp với các lỗ trống trong vùng p. Theo phân
tích đã trình bày trong các mục trên, các điện tử tự do
nằm trong dãy dẫn với mức năng lượng cao trong khi
các lỗ trống nằm trên dãy hóa trị có mức thấp hơn.
Khi quá trình tái hợp diễn ra các điện tử tự do
thải ra năng lượng dưới dạng nhiệt và ánh sáng. Trên
một vùng tiết diện rộng của lớp bán dẫn cho phép các
quang tử (photon) phát ra dưới dạng ánh sáng thấy được.
Quá trình này được gọi là phát xạ quang điện tử
(electroluminescence), xem hình H1.74. Sự thay đổi tạp
chất trong quá trình tạo linh kiện sẽ thay đổi bước
sóng của ánh sáng phát ra. Giá trị bước sóng của ánh
sáng phát ra xác định màu của ánh sáng khả kiến hoặc
ánh sáng là các tia hồng ngoại (inferared).
Thấu kính Epoxy
Mẫu bán dẫn

Dây nối
HÌNH H1.74
Trong hình H1.75 trình bày

cấu tạo của LED cơ bản với các
thành phần cơ bản như sau:
Các lớp bán dẫn tạo thành Vỏ bọc
diode đặt trên một chén tạo sự Epoxy
phản xạ ánh sáng.
Chén tạo
Các đầu ra: anod và cathod Khung phản xạ
của linh kiện được nối đến các khung giữ đầu ánh sáng
giữ bằng dây nối. ra
Toàn bộ các thành phần Đế
được bao bọc bằng vỏ bọc epoxy phẳng
trong suốt có hay không có màu. Các
màu vỏ LED thường gặp là: đỏ,vàng,
xanh lá. Các màu khác ít gặp hơn
như: cam, xanh dương.
Phía trước chén tạo phản
xạ, đầu của LED là thấu kính hội tụ Đầu Anod Đầu Cathod
dùng tập trung ánh sáng phát ra. Tác
dụng của thấu kính này tạo ra đường
phối quang xác định cường độ sáng Cấu tạo của diode phát quang LED
theo các hướng khác nhau trong
HÌNH H1.75
không gian phía trước LED.
VẬT LIỆU BÁN DẪN CHẾ TẠO LED:

Chất bán dẫn GaAs (Gallium Arsenide) được dùng để chế tạo các LED đầu tiên. Với
chất bán dẫn GaAs cũng cho phép bức xạ các tia hồng ngoại (không nhìn thấy bằng mắt thường).
Với bán dẫn GaAsP (Gallium Arsenide Phosphide) đặt trên lớp bán dẫn GaAs sẽ làm
cho LED phát ra ánh sáng thấy được màu đỏ.
Hiệu suất của LED gia tăng khi dùng lớp bán dẫn GaP (Gallium Phosphide), ánh sáng
thấy được phát ra từ LED là màu đỏ tươi hoặc màu cam. Khi thay đổi nồng độ tạp chất ,với LED
dùng bán dẫn GaP có thể phát ra các tia sáng thấy được màu lục (xanh lá). Bằng phương pháp
phối hợp các LED phát màu đỏ và màu xanh lá ta có được các LED phát ra ánh sáng màu vàng.
Các LED được chế tạo đầu tiên phát ánh sáng màu đỏ, xanh lá, vàng dùng vật liệu
GaAlAsP (Gallium Aluminium Arsenide Phosphide). Đến đầu năm 1990, các LED phát ra ánh
sáng có các màu: đỏ, cam, vàng xanh lá; sáng rực rở hơn khi được chế tạo bằng InGaAlP
(Indium Gallium Aluminium Phosphide).
Các LED phát ra ánh sáng màu xanh dương sáng khi được chế tạo bằng SiC (Silicon
Carbide) hoặc GaN ( Gallium Nitride). Với các LED phát ra ánh sáng màu xanh dương hay xanh
lá với cường độ sáng mạnh hơn ta cần đến InGaN (Indium Galium Nitride).
Với các LED dùng vât liệu GaN được bao phủ bằng lớp huỳnh quang (Flourescent
Phosphors) có khả năng hấp thụ ánh sáng xanh dương và phát ra ánh sáng trắng.
PHÂN CỰC LED:
Điện áp phân cực thuận cho LED lớn hơn so với diode Silicon. Điện áp phân cực thuận
tối đa của LED trong phạm vi: VF max  1,2V  3,2V , tùy thuộc vào loại LED.
Điện áp phân cực

nghịch của LED cũng nhỏ hơn
diode Silicon rất nhiều. Giá trị tiêu
chuẩn của áp phân cực nghịch từ
3 V đến 10 V.
Cường độ ánh sáng
phát từ LED phụ thuộc vào giá trị
dòng điện phân cực thuận qua
LED, xem hình H1.76. Năng
Mạch phân cực LED Cường độ sáng theo dòng phân cực thuận
lượng ánh sáng phát ra tỉ lệ
thuận với dòng điện phân cực
H1.76 thuận.
ÁNH SÁNG BỨC XẠ TỪ LED:
Bước sóng ánh sáng phát re từ

LED nằm trong vùng khả kiến hay trong
vùng hồng ngoại.
Trong hình H1.77 trình bày các
loại bước sóng ánh sáng khả kiến phát ra
từ LED. Hình H1.78 trình bày bước sóng
vùng hồng ngoại phát từ LED.
Các bước sóng ánh sáng khả
kiến phát từ LED bao gồm : đỏ ( 660 nm);
vàng (590 nm) ; xanh lá (540 nm) và xanh
dương ( 460 nm).
H1.77: Bước sóng ánh sáng khả kiến phát ra từ LED
Với LED phát hồng ngoại, bước

sóng ánh sáng hồng ngoại nằm trong
phạm vi 920 nm đến 960 nm bao quanh
điểm đỉnh 940 nm.
ĐƯỜNG PHỐI QUANG CỦA LED:
Theo lý thuyết chiếu sáng,

năng lượng ánh sáng phát ra từ
nguồn sáng điểm theo một phương
định trước là cường độ sáng phát từ
nguồn nhận được trên phương đó.
Khi chọn một mặt phẳng đối
xứng cho nguồn sáng và xác định
cường độ sáng phát ra theo mọi
H1.78: Bước sóng hồng ngoại phát ra từ LED phương khác nhau trong mặt phẳng này
cho ta đường phối quang của
nguồn sáng.
Khi biểu diễn cường độ
sáng theo một phương định
trước được bằng vector thì
đường phối quang là tập hợp
ngọn của các vector cường
độ sáng xác định trong một mặt
phẳng đối xứng .
Đường phối quang của
các LED tiêu chuẩn có dạng
trình bày trong hình H1.79. Với
dạng đường phối quang này
cho thấy LED phát ra ánh sáng
dạng tập trung.Tác dụng tập
H1.79: Đường phối quang của LED đo trên một mặt phẳng đối xứng. trung này được thực hiện bởi
thấu kính đặt trước đầu LED.
1.8.2.THÔNG SỐ VÀ ĐẶC TÍNH KỸ THUẬT CỦA LED:

Với các LED tiêu chuẩn
hình dạng và vị trí chân ra trình
bày trong hình H1.80.
Các thông số kỹ thuật của
LED thường được trình bày theo
hai loại: thông số điện và thông
số quang học.

bảng thông số kỹ thuật của đèn
LED hồng ngoại MLED81 của
nhà sản xuất Motorola. Trong các
hình H1.82 , H1.83 , H1.84 trình
bày các đặc tính về quang học
H1.80: Hình dạng và vị trí chân ra của một số LED tiêu chuẩn của hồng ngoại phát ra từ LED tại
trạng thái phân cực thuận.
H1.81: Các thông số kỹ thuật của LED hồng ngoại MLED81.
H1.82: Đặc tuyến Volt Ampere tại trạng thái phân cực thuận của LED hồng ngoại MLED81.
H1.83: Các đặc tính: bước sóng ánh sáng và đường phối quang của LED hồng ngoại MLED81.
H1.84: Đặc tính cường độ sáng theo dòng phân cực thuận của LED hồng ngoại MLED81.
Thông qua các đặc tính cho bởi nhà sản xuất, chúng ta rút ra được các thông số sau:
Áp phân cực nghịch tối đa là 5V.
Dòng phân cực thuận tối đa liên tục qua diode là IF = 100mA.
Áp phân cực thuận đặt ngang qua hai đầu diode là 1,5 V (ứng với dòng IF = 100mA).
Cường độ sáng tối đa tại bước sóng 940 nm.
Ánh sáng hồng ngoại phát ra từ LED có tính đối xứng và mở rộng trong vùng không gian
600 (xem hình H1.83).
1.8.3. CÁC ỨNG DỤNG CỦA LED:

1.8.3.1.LED 7 ĐOẠN (7 SEGMENTS LED):
Led thường được dùng làm đèn báo (indicator lamps) và hiển thị các số liệu trong hầu
hết các thiết bị, từ các thiết bị dân dụng cho đến các thiết bị dùng trong lãnh vực khoa học, kỹ
thuật. Một dạng LED hiển thị số liệu thông dụng là LED 7 đoạn. Linh kiện này tổ hợp 7 LED để
hiển thị giá trị thập phân từ 0 đến 9, xem hình H1.85.
Muốn hiển thị số liệu dạng thập phân có nhiều chữ số, chúng ta có thể phối hợp nhiều
LED 7 đoạn với nhau. Thông thường các LED 7 đoạn được chế tạo theo 2 dạng anod chung hay
cathod chung, xem sơ đồ của các loại LED này trong hình H1.86.
H1.85: Hình dạng các loại LED 7 đoạn. Phương pháp phối hợp nhiều LED 7 đoạn hiển thị giá trị thập phân.
H1.86: Sơ đồ nguyên lý các loại LED 7 đoạn aond chung và cathod chung.
1.8.3.2.LED CÓ CƯỜNG ĐỘ SÁNG LỚN (HIGH INTENSITY) – LED CỰC SÁNG (ULTRA BRIGHT):
Ngày nay, các LED được chế tạo để phát ánh sáng có nhiều màu sắc khác nhau và
cường độ sáng khác nhau. Các LED (HIGH INTENSITY) có cường độ sáng lớn hơn nhiều lần so
với LED tiêu chuẩn và được áp dụng trong nhiều lãnh vực khác nhau: đèn giao thông, chiếu
sáng màn hình VIDEO kích thước lớn, dùng trong công nghệ ô tô thay thế các đèn đốt tim.
Trong tương lai, các loại LED (ULTRA BRIGHT) sẽ được áp thay thế cho các loại đèn thắp
sáng nhằm mục tiêu tiết kiệm điện năng.
H1.87: Một số các LED cực sáng tạo thành đèn thắp sáng
H1.88: Đèn LED cực sáng tạo thành đèn thắp sáng 10W
BÀI TẬP CHƯƠNG 1
BÀI TẬP 1.1

Cho mạch chỉnh lưu toàn kỳ với mạch lọc dùng tụ cung cấp điện áp DC 26 V cho tải điện
trở 3,3 kΩ . Giả thiết diode là lý tưởng, xác định :
a./ Giá trị cực tiểu cho tụ lọc biết điện áp tức thời trên tải có giá trị nhấp nhô trong phạm vi 0,5 V.
Chọn giá trị điện dung gần dảy giá trị thực tế (10 ; 22 ; 33 ; 47 ; 100 ; 220 ; 330 ; 470 . . .) .
Tính lại hệ số nhấp nhô với giá trị tụ lọc được chọn.
b./ Áp hiệu dụng cấp vào mạch chỉnh lưu
ĐÁP SỐ: a./ r = 0,01923 ; C = 45,49 µF chọn C = 47 µF r = 1,86 %
b./ Vin = 18,97  19 V
BÀI TẬP 1.2
Cho mạch chỉnh lưu toàn kỳ không mạch lọc lắp ở thứ cấp biến áp cách ly, biết áp hiệu
dụng ngõ vào biến áp là 110 V – 50Hz và áp ngõ ra của mạch chỉnh lưu có giá trị đỉnh là 15 V .
Điện trở tải RL  700  . Khi lắp thêm mạch lọc tụ điện áp DC trên ngõ ra là 14 V. Khi xem các
diode chỉnh lưu lý tưởng, xác định hệ số nhấp nhô trên tải suy ra điện dung của tụ lọc.
ĐÁP SỐ: r = 4,12% ; C = 100 µF
BÀI TẬP 1.3
Thiết kế mạch chỉnh lưu toàn kỳ có mạch lọc
D1 D3 dùng tụ, dùng biến áp cách ly thứ cấp có điểm giữa.
Áp hiệu dụng thứ cấp biến áp là 18 V – 0 – 18 V.
C RL
Điện trở tải RL  680  . Biết rằng các diode chỉnh
Vab  12 V lưu lý tưởng, tần số nguồn điện cấp vào biến áp là
50 Hz và hệ số nhấp nhô trên tải không vượt quá 5%.
ĐÁP SỐ: C = 84,9 µF chọn C= 100 µF ,
Vbc  12 V r = 4,25% ; VDC = 23,7 V
C RL BÀI TẬP 1.4

Tìm hiểu và giải thích nguyên lý hoạt động
D4 D2 của mạch chỉnh lưu trong hình H1.73. Khảo sát mạch
theo các trường hợp :
a./ TH 1 : Không dùng các tụ lọc C.
HÌNH H1.89 b./ TH2 : Có dùng tụ lọc C.
BÀI TẬP 1.5
HÌNH H1.90
Vẽ dạng sóng của điện áp ra VOUT của các mạch (a) ; (b); (c) trong hình H1.90. Xét các
trường hợp diode là lý tưởng và diode có dạng thực nghiệm.
BÀI TẬP 1.6
HÌNH H1.91
Vẽ dạng sóng của điện áp ra VOUT trên điện trở tải RL của các mạch (a) ; (b); (c) trong hình
H1.91. Xét các trường hợp diode là lý tưởng và diode có dạng thực nghiệm.
BÀI TẬP 1.7
HÌNH H1.92
Vẽ dạng sóng của điện áp ra VOUT của các mạch (a) ; (b) trong hình H1.92. Xét các
trường hợp diode là lý tưởng và diode có dạng thực nghiệm.
BÀI TẬP 1.8
HÌNH H1.93
Vẽ dạng sóng của điện áp ra VOUT của các mạch (a) ; (b) ; (c) và (d) trong hình H1.93.
Xét các trường hợp diode là lý tưởng và diode có dạng thực nghiệm.
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 2 – TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC
57
CHƯƠNG 02
TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC
2.1.TỔNG QUAN VỀ TRANSISTORS:

2.1.1.CẤU TRÚC CỦA TRANSISTORS:
Lớp kim loại tiếp xúc Lớp Oxid

BJT (Bipolar Junction Transistor) được tạo
nên từ ba lớp bán dẫn phân cách nhau bởi hai
mối nối pn, xem hình H2.1
Ba vùng bán dẫn trong transistor được gọi
là : vùng Phát (Emitter) ; Nền (Base) và Thu
(Collector) . Các hình vẽ dùng biểu diễn cấu trúc vật
lý của các loại transistor : pnp và npn trình bày trong
hình H2.2.
HÌNH H 2.1
Mối nối pn giữa vùng nền
và vùng thu được gọi là mối nối nền-
thu (Base–Collector Junction) . Tương
tự mối nối pn giữa vùng nền và
vùng phát là mối nối nền phát (Base
Mối nối Nền –Thu
(Base –Collector Junction)
– Emitter Junction).
Các đầu ra của linh kiện
được đặt trên mỗi vùng và ký hiệu
Mối nối Nền –Phát bằng các ký tự E (Phát) ; B (Nền) và
(Base –Emitter Junction) C( Thu).
Transistor Transistor Vùng Nền chứa ít tạp chất

npn pnp và rất mỏng so với vùng Phát có
nhiều tạp chất nhất và vùng Thu có
HÌNH H 2.2 số lượng tạp chất trung bình.
Trong hình H2.3, trình bày các ký hiệu cho
các loại transistor npn và pnp
2.1.2.NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG CỦA TRANSISTORS:

Muốn transistor hoạt động như bộ khuếch
đại, hai mối nối pn phải được phân cực đúng bằng
các nguồn DC ngoài. Trong chương này chúng ta
dùng transistor npn khảo sát, nguyên lý hoạt động của
transistor pnp được suy ra một cách tương tự ngoại
trừ các qui luật về điện tử và lổ trống, cực tính của các
HÌNH H 2.3
nguồn áp phân cực và hướng của dòng qua linh kiện.
Trong hình H2.4 trình bày phương pháp phân cực cho các transistor npn và pnp để linh
kiện tác động như một bộ khuếch đại (amplifier) . Cần nhớ:
Mối nối Nền – Phát được phân cực thuận.

Mối nối Nền – Thu được phân cực nghịch.
Để giải thích hoạt động của transistor, chúng ta cần khảo sát các sự kiện xãy ra bên trong
transistor npn.
STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010
58
BC phân cực BC phân cực

nghịch nghịch Trong hình H2.4 trình bày
các mạch phân cực cho
transistor npn và pnp.
BE phân cực BE phân cực

Mối nối BC phân cực nghịch
thuận thuận và mối nối BE phân cực
thuận.
Transistor npn Transistor pnp
HÌNH H 2.4: Các mạch phân cực transistor
Khi phân cực thuận mối nối pn Nền Phát , vùng nghèo tại mối nối thu hẹp.
Khi phân cực nghịch mối nối pn Nền Thu , vùng nghèo tại mối nối mở rộng, hình H2.5.
Vì vùng Phát là bán dẫn loại n có nồng độ tạp chất cao đẩy ào ạt các điện tử tự do
(trong dảy dẫn) khuếch tán dễ dàng qua mối nối pn Nền Phát để vào lớp bán dẫn p tại vùng Thu.
Tại vùng này các điện tử trở thành các hạt tải thiểu, tương tự như trường diode phân cực
thuận.
Vì vùng Nền hẹp và là bán dẫn cố nồng độ tạp chất thấp nhất , do đó số lượng lỗ trống
trong vùng này hữu hạn. Như vậy, một phần nhỏ các điện tử sau khi qua mối nối Nền Phát có
thể tái hợp với số lổ trống hữu hạn trong cực nền. Một số rất ít các điện tử không tái hợp đi ra
khỏi cực nền là dòng điện tử hóa trị, hình thành dòng điện nhỏ trong cực nền.
Phần lớn các điện tử từ cực phát đi vào vùng nền không thực hiện quá trình tái hợp
nhưng khuếch tán vào vùng nghèo của mối nối pn Nền Thu. Ngay khi đến vùng này các điện
tử được kéo qua vùng mối nối phân cực nghịch do tác động của điện trường tạo bởi lực hấp
dẫn giữa các ion dương và âm. Thực sự chúng ta có thể thấy các điện tử được kéo sang vùng
nghèo của mối nối phân cực nghịch Nền Thu do điện áp của nguồn ngoài đang đặt trên cực thu.
Các điện tử đi ngang qua vùng Thu đến cực Thu và đi về cực dương của nguồn áp ngoài
đang cấp vào cực thu. Điều này hình thành dòng cực thu IC . Dòng cực thu có giá trị rất lớn hơn
so với dòng qua cực nền IB . Đây chính là lý do tạo được độ lợi dòng điện (current gain).
2.1.3.CÁC THÀNH PHẦN DÒNG ĐIỆN QUA TRANSISTORS
Transistor npn Transistor pnp
HÌNH H 2.6: Thành phần dòng điện qua transistor.
59
Trong hình H2.6 trình bày các thành phần dòng điện và hướng của dòng qua transistor
npn và pnp. Quan hệ giữa các thành phần dòng điện thỏa định luật Kirchhoff 1 như sau:
IE  IC  IB (2.1)
Nên nhớ giá trị dòng qua cực nền IB rất nhỏ so với dòng IC . Các chỉ số dùng trong các
ký hiệu dòng điện được ghi bằng các chữ in hoa để xác định các thành phần dòng điện này là
dòng một chiều DC.
Vùng nghèo tại mối nối

Nền Thu (B-C)
Phân cực Nghịch Dòng điện tử
mối nối Nền Thu cực Thu ( IC )
Dòng điện tử
cực Nền ( IB )
Phân cực Thuận
mối nối Nền Phát
Vùng nghèo tại mối nối
Nền Phát (B-E)
Dòng điện tử cực Phát

IE  IC  IB
Dòng điện tử Dòng điện tử
cực Nền ( IB ) cực Thu ( IC )
HÌNH H 2.5
60
2.1.4.CÁC THÔNG SỐ VÀ ĐẶC TUYẾN CỦA TRANSISTORS:
Khi các transistor npn

hay pnp được kết nối với
các nguồn áp DC phân
cực, gọi : VBB là nguồn áp
DC phân cực thuận mối
nối nền phát và VCC là
nguồn áp DC phân cực
nghịch mối nối nền thu ,
xem hình H2.7.
HÌNH H 2.7
DC DC
2.1.4.1.HỆ SỐ VÀ HỆ SỐ :
Hệ số DC được gọi là độ lợi dòng điện DC và được định nghĩa là tỉ số dòng DC qua
cực thu IC so với dòng DC qua cực nền IB . Ta có:
IC
DC  (2.2)
IB
Hệ số DC còn được gọi là hFE là thông số của transistor trong mạch tương đương
tính theo thông số h thường được áp dụng khi thiết kế các mạch khuếch đại dùng transistor. Giá
trị của hệ số DC  hFE trong phạm vi từ 20 đến 200 hay lớn hơn.
Hệ số DC được định nghĩa là tỉ số dòng DC qua cực thu IC so với dòng DC qua cực
phát IE . Ta có:
IC
DC  (2.3)
IE
Hệ số DC ít được sử dụng hơn so với hệ số DC trong quá trình tính toán hay thiết kế.
Giá trị của hệ số DC trong phạm vi từ 0,95 đến 0,98 hay lớn hơn.
2.1.4.2.GIẢI TÍCH ÁP VÀ DÒNG TRONG MẠCH PHÂN CỰC TRANSISTOR:
Trong mạch phân cực hình H2.8, gọi:

VBE : điện áp DC giữa cực nền và cực phát.
VCE : điện áp DC giữa cực thu và cực phát.
VCB : điện áp DC giữa cực thu và cực nền.2
VBB là áp phân cực thuận mối nối nền phát (BE) và

VCC là áp phân cực ngược mối nối nền thu (BC). Khi
mối nối BE phân cực thuận, tương tự như diode
HÌNH H 2.8 điện áp giữa mối nối BE là: VBE  0,7 V .
61
Mặc dù trong các transistor thực sự, áp VBE có thể cao đến mức 0,9 V và phụ thuộc vào
dòng điện, trong tài liệu này chúng ta dùng giá trị 0,7 V để đơn giản trong quá trình phân tích các
vấn đề cơ bản.
Áp dụng định luật Kirchhoff 2 cho mắt lưới phía cực nền, ta có quan hệ:
VBB  RB  IB  VBE (2.4)

Suy ra:
VBB  VBE
IB  (2.5)
RB
Áp dụng định luật Kirchhoff 2 cho mắt lưới phía cực thu, ta có quan hệ:
VCC  RC  IC  VCE (2.6)

Suy ra:

VCE  VCC  RC  IC  VCC  RC  DC.IB  (2.7)
THÍ DỤ 2.1:
Cho mạch phân cực transistor trong hình H2.9, biết
transistor có hệ số DC  150 . Xác định các dòng điện: IB ;
IC ; IE và các áp VCE và VCB .
GIẢI:
Áp dụng quan hệ (2.5), ta có:
VBB  VBE 5 V  0,7 V

HÌNH H 2.9 IB    0,43mA
RB 10 k
Áp dụng quan hệ (2.2) suy ra dòng qua cực thu là: IC  DC .IB  150  0,43  64,5 mA
Áp dụng quan hệ (2.1) hay định luật Kirchhoff 1, ta có: IE  IC  IB  64,5  0,43  64,93mA
Áp dụng quan hệ (2.7) để xác định áp VCE , ta có: VCE  10  100  0,0645  3,55 V
Áp dụng định luật Kirchhoff2 ta có: VCB  VCE  VBE  3,55  0,7  2,85 V
2.1.4.3.ĐẶC TUYẾN CỰC THU CỦA TRANSISTOR:
Áp dụng mạch điện trong hình H2.10 để xác

định đặc tuyến cực thu bằng thực nghiệm. Đặc
tuyến cực thu của transistor là đồ thị mô tả
quan hệ giữa áp VCE theo dòng IC , khi chọn
dòng IB làm thông số.
Đặc tuyến cực thu của transistor được trình
bày trong hình H2.11.
HÌNH H 2.10
62
Vùng ngưng dẫn
Vùng Vùng Vùng

bảo BREAK b. Quan hệ giữa dòng IC theo áp VCE khi thay đổi giá trị của dòng IB
hoạt động
hòa DOWN IB1 < IB2 < IB2 < . . .
a. Quan hệ giữa dòng IC theo áp VCE tại môt giá trị của dòng IB
HÌNH H 2.11: Đặc tuyến cực thu của transistor
Giả sử áp VBB được chỉnh để tạo ra giá trị IB bất kỳ và áp VCC  0 V . Tại điều kiện này
các mối nối BE và BC phân cực thuận vì áp VBE  0,7 V trong khi áp VCE  0 V . Khi các mối nối
BE và BC phân cực thuận, transistor hoạt động trong vùng bảo hòa.
Khi tăng áp VCC , áp VCE tăng dần khi dòng IC tăng; quá trình được xác định bởi đoạn đặc
tuyến AB trong hình H2.11a. IC tăng khi VCC tăng vì VCE duy trì giá trị nhỏ hơn 0,7 V tùy thuộc
vào sự phân cực thuận mối nối nền thu.
Một cách lý tưởng, khi VCE vượt cao hơn giá trị 0,7 V, mối nối BC bắt đầu phân cực
nghịch và transistor bắt đầu đi vào vùng hoạt động hay vùng tuyến tính. Khi mối nối BC phân
cực nghịch dòng IC ngừng tăng và duy trì giá trị không đổi tương ứng với giá trị của dòng IB
khi áp VCE tiếp tục gia tăng. Thực sự dòng IC có hơi gia tăng giá trị khi VCE gia tăng do độ rộng
của vùng nghèo tại mối nối nền thu. Hệ quả này do một số ít lổ trống thực hiện quá trình tái hợp
trong vùng nền làm hệ số DC hơi giảm thấp giá trị. Quá trình này được trình bày bằng đoạn BC
trên đặc tuyến cực thu . Phần đặc tuyến này trình bày quan hệ IC  DC .IB .
Khi VCE tăng đến mức đủ lớn, mối nối BC phân cực nghịch đạt đến trạng thái phá vở
phân cực nghịch và dòng cực thu gia tăng rất nhanh. Quá trình này được biểu diễn bằng đoạn
đặc tuyến phía phải điển C trong hình H2.11a. Các transistor không được tính toán để hoạt
động trong vùng phá vở phân cực nghịch của mối nối nền thu.
Họ đặc tuyến cực thu là các đồ thị trình bày quan hệ giữa dòng IC theo áp VCE khi thay đổi
giá trị IB , hay chọn dòng IB làm thông số. Họ đặc tuyến cực thu được trình bày trong hình H2.11b.
Khi IB  0 transistor hoạt động trong vùng ngưng dẫn (cut off) mặc dù ta có thể định được giá
trị rất nhỏ của dòng IC .
63
THÍ DỤ 2.2:
Cho mạch dùng xác định
đặc tính cực thu như trong hình
H2.10, giả sử transistor có hệ số
khuếch đại DC DC  100 , giá trị
của dòng IB khảo sát trong phạm
vi từ : 5 A  25 A .
Dạng của họ đặc tuyến cực
thu được xác định theo phân tích
trên trình bày trong hình H2.12 với
thông số IB thay đổi nhày cấp
tương ứng với 5 A .
HÌNH H 2.12: Họ đặc tuyến cực thu của transistor
2.1.4.4.VÙNG NGƯNG DẪN (CUT OFF):
Như đã trình bày trong mục trên khi dòng

IB  0 ; transistor hoạt động trong vùng ngưng
dẫn, trong hình H2.13 cực nền hở mạch mô tả
dòng qua cực nền triệt tiêu. Trong điều kiện này,
sẽ có dòng điện rò qua cực thu rất nhỏ , ICEO
phụ thuôc vào điều kiện nhiệt tác động lên các
hạt tải. Trong quá trình giải tích, thường bỏ qua
giá trị ICEO tại vùng ngưng dẫn và xem như
VCE  VCC . Trong vùng ngưng dẫn các mối nối HÌNH H 2.13: Dòng điện rò cực thu ICEO tại trạng thái
pn nền phát và nền thu đều phân cực nghịch. ngưng dẫn (cut off).
2.1.4.5.VÙNG BÀO HÒA (CUT OFF):
Khi mối nối nền phát phân cực thuận

và dòng IB gia tăng, dòng cực thu IC cũng gia
tăng theo quan hệ IC  DC .IB , lúc này áp VCE
được xác định theo quan hệ (2.6) hay:
VCE  VCC  RC .IC
Tóm lại khi IB và IC tăng thì VCE giảm.

HÌNH H 2.14: Dòng IB tăng làm IC tăng và VCE giảm.
Khi VCE giảm đến trạng thái giá trị bảo hòa
Khi transistor bảo hòa dòng IC tăng không phụ thuộc vào
VCE SAT , mối nối nền thu bắt đầu phân cực
tốc độ tăng của dòng I .
B
thuận và dòng IC tăng nhanh. Tại lúc bảo
hòa quan hệ IC  DC .IB không còn duy trì chính xác. Áp VCE SAT thường được xác định tại điểm
khuỷu của đặc tuyến cực thu và có giá trị khoảng VCE SAT  0,4V  0,5V đới với transistor Silicon.
64
2.1.4.6.ĐƯỜNG TẢI DC (DC LOAD LINE):

Vùng bảo hòa và vùng
ngưng dẫn trong đặc tuyến cực thu
có quan hệ với đường tải điện DC.
Khi cấp nguồn cho transistor hoạt
động theo mạch trong hình H2.10
hay H2.14; phương trình cân bằng
áp trong mắt lưới chức cực thu phát
của transistor được viết theo quan
hệ (2.6), ta có: VCE  VCC  RC .IC
Với giá trị VCC và RC cho
trước, ta xem áp VCE là hàm theo
biến số IC . Đồ thị mô tả quan hệ
 
VCE  f IC có dạng đường thẳng
chính là đường tải DC. Đường
thẳng này cắt trục hoành tại điểm có
tọa độ VCE 
 VCC ; IC  0 tại vùng
HÌNH H 2.15: Đường tải DC ngưng dẫn.
 VCC 
Đường tải DC còn cắt trục tung tại điểm có tọa độ  VCE  0 ;IC   ; vị trí này nằm sâu
 RC 

trung vùng bảo hòa, xem hình H2.15. Phạm vi còn lại của đường tải DC là vùng hoạt động tuyến
tính của transistor.
THÍ DỤ 2.3:
Cho mạch transistor theo hình H2.16,
giả sử áp bảo hòa VCE SAT  0,2 V ; xác định
trạng thái hoạt động của transistor.
GIẢI
Đầu tiên xác định dòng qua cực nền
của transsitor theo điều kiện hiện có của mạch
điện phân cực theo hình H2.16.
HÌNH H 2.16
VBB  VBE 3V  0,7V
IB    0,23mA
RB 10 k
Giả sử transistor hoạt động trong vùng tuyến tính, ta có quan hệ sau:
IC  DC .IB  50  0,23mA  11,5 mA

Muốn biết transistor có hoạt động trong vùng bảo hòa hay không ta cần xác định giá trị
của dòng IC lúc bảo hòa. Ta có quan hệ sau:
VCC  VCE SAT 10 V  0,2 V
IC SAT    9,8 mA
RC 1k
So sánh kết quả của dòng IC vừa tìm được với giá trị dòng IC SAT ta kết luận IC  IC SAT
nên transistor đang làm việc trong trạng thái bảo hòa.
65
2.1.4.7.ẢNH HƯỞNG NHIỆT ĐỘ LÊN HỆ SỐ KHUẾCH ĐẠI DÒNG DC :
HÌNH H 2.17: Ảnh hưởng cũa nhiệt độ lên hệ số khuếch đại DC DC
Hệ số khuếch đại DC hay hFE là thôngsố quan trọng của transistor, khi phân tích hay thiết
kế ta cần khảo sát thông số này một cách kỹ lưởng và chi tiết hơn. Thực sự DC không hoàn toàn
là hằng số, giá trị này thay đổi khi dòng IC và nhiệt độ môi trường thay đổi , xem hình H2.17.
Khi duy trì nhiệt độ của các mối nối pn ổn định và gia tăng dòng IC hệ số DC tăng đến
mức tối đa.
Khi duy trì giá trị IC không đổi và thay đổi nhiệt độ, DC thay đổi trực tiếp khi nhiệt độ thay
đổi: nhiệt độ tăng hệ số DC tăng và ngược lại nhiệt độ giảm hệ số DC giảm.
Trong các tài liệu kỹ thuật thường cho giá trị DC hay hFE tại giá trị dòng IC định trước. Hơn
nữa, với giá trị dòng IC tại nhiệt độ định trước, hệ số DC cũng thay đổi theo từng linh kiện dù rằng
các linh kiện này có cùng mã số; sự kiện này phụ thuộc vào phương thức sản xuất của mỗi nhà
sản xuất. Hệ số DC được xác định ứng với giá trị nào đó của dòng IC và thường là giá trị cực tiểu
DC min mặc dù giá trị cực đại và các giá trị mẫu của DC đôi khi cũng được đề cập đến trong các
tài liệu kỹ thuật.
2.1.4.8.CÔNG SUẤT CỰC ĐẠI CỦA TRANSISTOR:
Transistor cũng như các linh kiện điện tử khác đều có giới hạn trong phạm vi hoạt động.
Các giới hạn này được xác định theo thông số định mức qui định bởi các nhà sản xuất và trình
bày trong các tài liệu kỹ thuật. Theo tiêu chuẩn, giá trị tối đa cho phép của các thông số transistor
bao gồm điện áp: VCB ; VCE ; VBE ; dòng IC và công suất tiêu tán PD . Trong đó:
PD  VCE .IC (2.8)
Tích số của VCE và IC không được vượt quá mức công suất tiêu tán cực đại cho phép
PDmax và các giá trị VCE và IC không thể đạt giá trị tối đa cùng lúc.
66
THÍ DỤ 2.4:
Cho Transistor trong hình H2.18 có các
giá trị cực đại của các thông số như sau:
PDmax  800 mW ; VCE max  15 V ; IC max  100 mA
Xác định giá trị tối đa cho phép của nguồn
áp VCC có thể điều chỉnh không vượt qua các giới
hạn cho phép. Thông số nào sẽ vượt giá trị cho
phép trước tiên.
GIẢI
HÌNH H 2.18 Dòng qua cực nền:
VBB  VBE 5 V  0,7 V

IB    0,195 mA
RB 22 k
Dòng qua cực thu:
IC  DC .IB  100  0,195  19,5 mA
Dòng IC có giá trị nhỏ hơn dòng cực đại cho phép IC max  100 mA , hơn nữa giá trị này
không phụ thuộc vào áp VCC mà chỉ phụ thuộc vào dòng IB và hệ số khuếch đại DC .
Điện áp đặt ngang qua hai đầu điện trở RC :
VR  RC .IC  1k  19,5 mA  19,5 V
C
Áp dụng định luật Kirchhoff 2 trong mắt lưới chứa cực thu và phát, ta có:
VCC  VCE  VR Hay: VCE  VCC  VR

C C
Khi VCE đạt giá trị tối đa cho phép, ta có quan hệ:
VCC max  VCE max  VR  15  19,5  34,5 V
C
Công suất tiêu tán trên transistor tại lúc đạt VCE max :
PD  VCE max  IC  15 V  19,5 mA  292,5mW
Giá trị PD tìm được nhỏ hơn giá trị PDmax  800 mW . Tóm lại giá trị VCE max  15 V đạt giới
hạn cho phép trước tiên khi thay đổi áp VCC không vượt quá giới hạn 34,5 V.
Tuy nhiên nên nhớ khi ngừng cấp dòng cực nền chuyển transistor sang trạng thái ngưng
dẫn, áp VCE lúc này đạt giá trị bằng với áp VCC max  34,5 V .
2.1.4.9.SỰ THAY ĐỔI CÔNG SUẤT CỰC ĐẠI THEO NHIỆT ĐỘ:
Tương tự như các linh kiện bán dẫn khác, giá trị công suất tiêu tán PDmax thường được cho
tại điều kiện nhiệt độ 25oC. Khi nhiệt độ làm việc của môi trường tăng lên giá trị PDmax cần hiệu
 
chỉnh giảm thấp xuống. Hệ số giảm công suất tiêu tán KPD có đơn vị tính theo mV o  , gọi PD là
 C
độ thay đổi công suất tiêu tán khi nhiệt độ thay đổi trong khoảng T , ta có quan hệ sau:
PD  KPD  T   (2.9)
67
THÍ DỤ 2.5:
Cho Transistor bất kỳ có công suất tiêu tán cực đại cho phép là PDmax  1W tại 25oC. Hệ
số thay đổi công suất tiêu tán của linh kiện là KPD  5 mW o . Xác định công suất tiêu tán tối đa
C
cho phép của linh kiện khi làm việc tại 70oC.
GIẢI
  
PD  KPD  T  5  70  25  225 mW 
Suy ra công suất tiêu tán tối đa cho phép của transsitor khi làm việc tại 70oC là:
PDmax  PDmax  PD  1000  225  775 mW

70o C 25o C
2.2.CÁC CHẾ ĐỘ LÀM VIỆC CỦA TRANSISTOR:

2.2.1.CHẾ ĐỘ KHUẾCH ĐẠI:
2.2.1.1.CÁC ĐẠI LƯỢNG DC VÀ AC:
Trước khi trình bày chế độ khuếch đại của transistor, chúng ta cần xác định ký hiệu dùng
cho các đại lương dòng, áp và điện trở trong mạch; vì mạch khuếch đại sẽ hoạt động đồng thời
với các đại lượng xoay chiều AC và một chiều DC.
Trong mục này, chúng ta dùng các ký hiệu chữ in hoa cho dòng ( I ) và áp ( V ) để biểu thị
cho giá trị hiệu dụng, giá trị trung bình và giá trị đỉnh đến đỉnh (peak to peak) của áp AC. Các ký
hiệu viết bằng chữ thường dùng biểu diễn các giá trị tức thời cho dòng ( i ) và áp ( v ).
Các đại lượng DC được đánh chỉ số bằng các ký tự in hoa, thí dụ như IB , IC hay VBE , VCE ..
các ký hiệu VC , VB , VE là áp tính từ các cực của transistor tính đến điểm mass chung (nút chuẩn
0V) của mạch.
Các đại lượng AC là các đại lượng thay đổi theo thời gian được đánh chỉ số bằng các ký
tự in thường, thí dụ như ib , ic hay vbe , vce .. các ký hiệu vc , vb , ve là áp AC từ các cực của
transistor tính đến điểm mass chung (nút chuẩn 0V) của mạch.
Các điện trở trong mạch được ký hiệu bằng chữ in hoa R , các nội trở trong transistor được
ký hiệu là r ' , r 'e . Các điện trở mạch ngoài dùng cho giải tích với tín hiệu DC có các chì số lả chữ
in hoa như: RE ; RB .. các điện trở mạch ngoài dùng cho giải tích với tín hệu AC có chỉ số là các
chữ thường như: Re .
2.2.1.2.KHẢO SÁT MẠCH KHUẾCH ĐẠI DÙNG TRANSISTOR:
Theo các nội dung đã khảo sát nêu trong các mục trên, dòng qua cực thu của transistor
được khuếch đại vì bằng tích số dòng qua cực nền với hệ số khuếch đại  . Giá trị dòng điện
cực nền thường rất nhỏ so với dòng cực thu và cực phát, do đó có thể xem dòng cực thu và cực
phát có giá trị xấp xỉ bằng nhau.
Xét mạch điện trong hình H2.19, nguồn áp AC vin được cung cấp xếp chồng với áp DC
phân cực VBB tại cực nền bằng cách đấu nối tiếp các nguồn và nối tiếp với điện trở cực nền RB .
Điện áp phân cực VCC nối đến cực thu thông qua điện trở RC .
68
Nguồn áp AC tạo ra
dòng AC qua cực nền dẫn đến
dòng AC qua cực thu. Dòng AC
qua cực thu tạo áp AC ngang
qua điện trở RC . Tác động của
transistor trong trường hợp này
khuếch đại tín hiệu AC cấp vào
cực nền và được đưa ra trên
điện trở RC . Cần nhớ áp AC
nhận trên RC đảo pha so với áp
AC cấp vào trên cực nền. Do
mối nối nền phát phân cực
a./ Áp AC và áp DC phân cực đấu nối tiếp b./ Dạng áp AC vào và thuận nên điện trở nội xét đối
áp AC ra trên cực thu.
với tín hiệu AC có giá trị rất
HÌNH H 2.19
thấp.
Gọi r 'e là điện trở nội cực phát xét đối với tín hiệu AC, dòng cực phát tính đối với áp AC là:
vb
ie  ic  (2.9)
r 'e
Áp AC trên cực thu là vC bằng với áp AC đặt ngang qua hai đầu điện trở RC :
vC  RC .ic  RC .ie
Áp AC tại cực nền được xác định theo quan hệ:
vb  vin  RB .ib
vC được xem là áp AC ra của mạch khuếch đại. Tỉ số của áp vC và vb là độ lợp điện áp
(hay hệ số khuếch đại áp) A v của mạch transistor.
vc RC .ie RC
Av    (2.10)
vb r 'e .ie r 'e
Vì RC là điện trở ngoài và có giá trị rất lớn so với điện trở nội r 'e điện áp ra nhận được luôn
có biên độ rất lớn hơn so với điện áp cấp vào.
THÍ DỤ 2.6:
Cho mạch khuếch đại áp AC dùng transistor
như trong hình H2.20; xác định độ lợi điện áp và áp
ngõ ra; biết điện trở nội r 'e  50  .
GIẢI:
RC 1k
Av    20
r 'e 50 
Áp AC ngõ ra là :
vout  A v .vin  20  100mV  2 V

HÌNH H 2.20
69
2.2.2.CHẾ ĐỘ ĐÓNG NGẮT:

Trong hình H2.21 trình
bày nguyên lý hoạt động
cơ bản của transistor như
một khóa điện dùng đóng
ngắt mạch.
Trong hình H2.21a
transistor hoạt động trong
vùng ngưng dẫn (cut off)
vì mối nối nền phát
không được phân cực
thuận. Với điều kiện này
a./ Trạng thái ngưng dẫn; Khóa hở b./ Trạng thái bảo hòa; Khóa đóng kín
xem như cực thu và phát
hở mạch và được ký hiệu
HÌNH H 2.21 bằng khóa điện tương
đương hở mạch.
Trong hình H2.21b transistor hoạt động trong vùng bảo hòa (saturation) vì mối nối nền
phát và mối nối nền thu được phân cực thuận; dòng cực nền có giá trị đủ lớn tạo ra dòng cực
thu đạt đến mức bảo hòa. Với điều kiện này xem như cực thu và phát kín mạch và được ký
hiệu bằng khóa điện tương đương kín mạch. Thực sự khi transistor đạt đến mức bảo hòa, giá
trị VCEsat có giá trị trong khoảng 0,3 V đến 0,5 V.
2.2.2.1.ĐIỀU KIỆN ĐẠT TRẠNG THÁI NGƯNG DẪN:
Theo phân tích trên, transistor hoạt động trong vùng ngưng dẫn khi mối nối nền phát
không phân cực thuận. Bỏ qua ảnh hưởng c của dòng điện rò, tất cả các dòng điện khác trong
mạch có giá trị bằng 0 và áp VCE bằng áp nguồn ngoài VCC . Tóm lại:
VCE SAT  VCC (2.11)
2.2.2.2.ĐIỀU KIỆN ĐẠT TRẠNG THÁI BẢO HÒA:
Theo phân tích trên, khi mối nối nền phát phân cực thuận và dòng cực nền đủ lớn để
tạo dòng qua cực thu cực đại, transistor đạt trạng thái bảo hòa. Khi đạt trạng thái bảo hòa, ta
có quan hệ sau:
VCC  VCE SAT
IC SAT  (2.12)
RC
Trong trường hợp giá trị VCE SAT có giá trị rất bé so với VCC ta có thế áp dụng quan hệ:
VCC
IC SAT  (2.13)
RC
Giá trị cực tiểu của dòng qua cực nền đủ tạo trạng thái bảo hòa cho transistor thỏa quan hệ
sau đây:
IC SAT
IB min  (2.14)
DC
Trong thực tế vận hành ta tạo ra dòng IB có giá trị hơi lớn hơn giá trị IB min xác định
theo quan hệ (2.14) để duy trì tốt trạng thái bảo hòa cho transistor.
70
THÍ DỤ 2.7:
Cho mạch transistor như trong hình H2.22; xác định:
a./ Áp VCE khi Vin  0 V

b./ Dòng IB min để transistor đạt trạng thái bảo hòa, biết
DC  200 , bỏ qua giá trị áp VCE SAT .
c./ Giá trị cực đại của điện trở RB khi Vin  5 V .
GIẢI:
a./ Áp dụng quan hệ : VCE  VCC  RC .IC , khi Vin  0 V dòng
qua cực nền IB  0 A , dòng IC  DC .IB  0 A transistor ngưng
HÌNH H 2.22
dẫn; suy ra VCE  VCC  10 V .
b./ Khi bỏ qua ảnh hưởng của áp VCE SAT , dòng IB min được xác định như sau:
VCC 10 V
IC SAT    10 mA
RC 1k
IC SAT 10 mA
IB min    0,05 mA  50 A
DC 200
c./ Giá trị cực đại của điện trở RB ; áp dụng phương trình cân bằng áp phía cực nền, ta có:
VBB  VBE
VBB  RB .IB  VBE Hay: RB 
IB
Suy ra:
Vin  VBE 5 V  0,7 V
RB max    86 k
IB min 50 A
THÍ DỤ 2.8:
Cho mạch transistor như trong hình H2.23;
trong đó đèn LED (Light - Emitting Diode) là diode
phát quang khi được phân cực thuận và sẽ không
phát sáng khi phân cực nghịch hoặc không được
phân cực.
Cho dòng điện qua LED khi phát sáng là 30
mA. Áp cấp vào cực nền có dạng xung chữ nhựt.
Biết: VCC  9 V ; VCE SAT  0,3 V ; RC  270  ;
RB  3,3 k ; DC  50 .
Xác định biên độ của sóng xung chữ nhựt

đủ để transistor bảo hòa. Khi tính toán chọn dòng
điện qua cực nền bằng 2 lần giá trị IB min để đảm
bảo transistor bảo hòa hoàn toàn.
HÌNH H 2.23
71
GIẢI:
Trước tiên với các giá trị của phần tử mạch ta xác định giá trị dòng điện IB min trước tiên; ta
có dòng IC SAT xác định theo quan hệ sau:
VCC  VCE SAT 9  0,3

IC SAT    0,0322 A  32,2 mA
RC 270
Suy ra:
IC SAT 32,2
IB min    0,644 mA
DC 50
Theo yêu cầu của đầu đề thí dụ khi chọn dòng qua cực nền dùng tính biên độ cho áp xung
chữ nhựt có giá trị gấp 2 lần IB min , ta có:
IB  2.IB min  2  0,644  1,288 mA
Gọi Vin là biên độ xung chữ nhựt , ta có quan hệ sau tại cực nền:
Vin  RB  IB  VBE  3,3 k  1,288 mA  0,7 V  4,95 V
Tóm lại biên độ xung chữ nhựt cần có để transistor bảo hòa là Vin  4,95 V
2.3.HÌNH DẠNG VÀ VỊ TRÍ CHÂN RA CỦA TRANSISTOR:
HÌNH H 2.24: Transistor vỏ nhựa dùng trong các ứng dụng tổng quát với tín hiệu có biên độ nhỏ.
HÌNH H 2.25: Transistor vỏ kim loại dùng trong các ứng dụng tổng quát với tín hiệu có biên độ nhỏ.
72
HÌNH H 2.26: Cấu tạo của Transistor package, nhiều transistor chứa trong cùng một vỏ.
HÌNH H 2.27: Transistor có công suất trung bình đến công suất lớn (Transistor công suất).
73
HÌNH H 2.28: Transistor dùng trong các ứng dụng có tần số cao (RF transistors).
2.4.CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC TRANSISTOR:

2.4.1. ĐIỂM LÀM VIỆC DC:
2.4.1.1. PHÂN CỰC DC:
Phân cực là thao tác xác định điểm làm việc DC cho các bộ khuếch đại hoạt động
trong vùng tuyến tính. Nếu bộ khuếch đại không được phân cực đúng điểm làm việc DC đối với
tín hiệu áp ngõ vào và ngõ ra, có thể dẫn đến quá trình ngưng dẫn hay bảo hòa khi cấp tín hiệu
vào bộ khuếch đại.
Ký hiệu của bộ khuếch đại các ảnh hưởng khi phân cực DC
thích hợp hay không thích hợp cho
các bộ khuếch đại đảo pha.
Trong hình a tín hiệu ra được
khuếch đại, nhưng đảo pha so với
a./ Khuếch đại tuyến tính, tín hiệu ra đảo pha và có biên độ lớn hơn tín tín hiệu ngõ vào. Tín hiệu ra dao
hiệu vào nhưng không bị sái dạng.
động quanh giá trị mức áp VDC
phân cực trên ngõ ra.
Phân cực không thích hợp sẽ
tạo ra sự sái dạng của tín hiệu ra
b./ Khuếch đại phi tuyến, tín hiệu ra đảo pha có biên độ lớn hơn tín
như trường hợp trình bày trong
hiệu vào nhưng bị xén đầu phía trên do transistor ngưng dẫn. hình b và c.
Trong hình b phần áp dương
của tín hiệu ra bị giới hạn là do
điểm Q (điểm làm việc DC) phân
cực quá gần vùng ngưng dẫn.
c./ Khuếch đại phi tuyến, tín hiệu ra đảo pha và có biên độ lớn hơn tín Trong hình c phần áp âm của
hiệu vào nhưng bị xén đầu phía dưới do transistor bảo hòa. tín hiệu ra bị giới hạn là do điểm Q
HÌNH H 2.29: Khuếch đại tuyến tính và phi tuyến. (điểm làm việc DC) phân cực quá
gần vùng bảo hòa.
2.4.1.2. GIẢI TÍCH MẠCH DÙNG ĐỔ THỊ:
Transistor trong hình H2.30 được phân cực khi thay đổi áp VCC và VBB để đạt được các giá
trị IB ; IC ; IE và VCE . Họ đặc tuyến cực thu của transistor được trình bày trong hình H2.30b, ta sử
dụng các đặc tuyến này để mô tả kết quả đặt được từ phương pháp phân cực DC. Trong hình
H2.31, chúng ta xác định 3 giá trị dòng IB để khảo sát sự thay đổi giá trị của dòng IC và áp VCE .
Đầu tiên điều chỉnh áp VBB để có được dòng IB  200 A , xem hình H2.31a; từ quan hệ
IC  DC .IB suy ra IC  20 mA , ta có áp VCE xác định như sau:
74
a./ Mạch phân cực b./ Họ đặc tuyến cực thu
HÌNH H 2.30: Phân cực transistor dùng đồ thị
HÌNH H 2.31: Phân cực thay đổi điểm làm việc Q của transistor.
75
VCE  VCC  RC .IC  10 V  (20 mA).(220 )  5,6 V
Điểm làm việc Q được ký hiệu là Q1 xác định trong hình H2.31a .
Kế tiếp trong hình H2.31b, giá trị VBB được tăng lên để tạo ra dòng IB  300 A và dòng
IC  30 mA , ta có:
VCE  10 V  (30 mA).(220 )  3,4 V
Điểm làm việc Q được ký hiệu là Q2 xác định trong hình H2.31b.
Sau cùng trong hình H2.31c, giá trị VBB được tăng cao hơn để tạo ra dòng IB  400 A
và dòng IC  40 mA , ta có:
VCE  10 V  (40 mA).(220 )  1,2 V
Điểm làm việc Q được ký hiệu là Q3 xác định trong hình H2.31c.
2.4.1.3. ĐƯỜNG TẢI DC (DC LOAD LINE):
Cần chú ý khi dòng IB tăng,

dòng IC tăng và áp VCE giảm
và ngược lại khi dòng IB giảm,
dòng IC giảm và áp VCE tăng.
Khi điều chỉnh tăng hay giảm
áp VBB điểm làm việc DC của
transistor sẽ di chuyển trên
đường thẳng được gọi là
đường tải DC (xem lại mục
2.1.4.6).
Đường tải DC cắt trục
hoành tại 10V tương ứng với
quan hệ VCE  VCC . Đây là
HÌNH H 2.32: Đường tải DC. điểm ngưng dẫn vì IC  IE  0
Thực sự tại vị trí ngưng dẫn ta có dòng rò ICBO có giá trị rất nhỏ, thông thường chúng ta bỏ
qua giá trị này.
Đường tải DC cắt trục tung tại vị trí IC  45,5 mA đây là điểm bảo hòa của transistor vì
dòng IC đạt giá trị tối đa. Thực sự có giá trị áp rất nhỏ VCE SAT đặt ngang qua cực thu và phát và
dòng IC SAT hơi nhỏ hơn giá trị IC  45,5 mA , xem hình H 2.32.
Đường tải DC có dạng đường thẳng xác định theo quan hệ hàm như sau:
 1  V 
 
IC  f VCE     .VCE   CC 
R  R 
(2.15)
 C  C 
76
2.4.1.4. VÙNG LÀM VIỆC TUYẾN TÍNH
Vùng dọc theo đường tải DC từ vị trí bảo

hòa đến vị trí ngưng dẫn được gọi là vùng làm việc
tuyến tính của transistor. Khi transistor hoạt động
trong vùng này, điện áp ra được tái tạo một cách
tuyến tính với điện áp vào.
Trong hình H2.33 trình bày một thí dụ về hoạt
động của transistor trong vùng tuyến tính. Khi chưa
cấp áp vin vào cực nền, điểm làm việc Q được xác
định qua các phép tính sau:
VBB  VBE 3,7 V  0,7 V

IBQ    300 A
RB 10 k
HÌNH H 2.33:  
ICQ  DC .IBQ  100  300 A  30 mA
  
VCEQ  VCC  RC .ICEQ  10 V  30 mA . 220   3,4 V
Giả sử áp sin ngõ

vào vin xếp chồng với áp
phân cực VBB tạo thành
dòng sin tại cực nền có
biên độ là 100 A dao
động quanh điểm làm
việc Q có dòng
IBQ  300 A . Sự kiện
này đưa đến dòng cực
thu có biên độ là
10 mA dao động quanh
điểm làm việc Q có dòng
ICQ  30 mA . Với sự thay
đổi của dòng cực nền và
dòng cực thu khi cấp áp
sin dẫn đến áp giữa cực
thu và phát có biên độ là
2,2 V dao động quanh
HÌNH H 2.34: điểm làm việc Q có
VCEQ  3,4 V .
Điểm A trên đường tải DC trong hình H2.34 ứng với đỉnh dương của áp sin vào vin .
Điểm B trên đường tải DC trong hình H2.34 ứng với đỉnh âm của áp sin vào vin .
Điểm Q trên đường tải DC trong hình H2.34 ứng với điểm 0 của áp sin vào vin .
VCEQ , ICQ và IBQ làm thông số của điểm làm việc DC khi không cấp áp sin vào cực nền.
77
2.4.1.5. SỰ SÁI DẠNG (DISTORSION) :
Điểm làm việc Q chọn gần khu vực bảo hòa Điểm làm việc Q chọn gần khu vực ngưng dẫn
HÌNH H 2.35: Sự sái dạng áp ngõ ra khi chọn điểm làm việc Q
Với nội dung phân tích vùng làm

việc tuyến tính như vừa trình bày, điểm
làm việc Q được chọn trên đường tải
DC ngay vị trí trung điểm để tránh sự
sái dạng áp ra sau khi được khuếch đại.
Trong hình H2.35 khi chọn điểm
làm việc Q lệch về vùng bảo hòa hay
ngưng dẫn sẽ làm tín hiệu sin trên ngõ ra
bị xén đỉnh dương hay đỉnh âm.
Tuy nhiên sự sái dạng áp ngõ ra
còn phụ thuôc biên độ của áp sin ngõ
vào trên cực nền. Trong hình H2.36 trình
bày trường hợp điểm làm việc Q được
chọn tại vị trí giữa trên đường tải DC,
nhưng biên độ tín hiệu áp vào quá lớn
đẩn đến trạng thái xén đỉnh dương và
HÌNH H 2.36: Sự sái dạng áp ngõ ra do biên độ áp vào quá lớn đỉnh âm của áp ngõ ra.
THÍ DỤ 2.9:
Xác định điềm làm việc Q của transistor
cho trong mạch hình H2.37. Suy ra biên độ đỉnh
của dòng cực nền để mạch hoạt động trong vùng
tuyến tính. Biết DC  200 .
GIẢI
Với mạch cho trước các thông số, điểm
làm việc Q xác định bời cặp giá trị IC và VCE .
VBB  VBE 10 V  0,7 V
IB    0,1979 mA
HÌNH H 2.37 RB 47 k
78
Dòng cực thu :  

IC  DC .IB  200. 0,1979 mA  39,6 mA
Áp DC đặt ngang qua cực thu và cực phát:
 
VCE  VCC  RC .IC  20 V  330  . 39,6 mA  6,93 V 
Điểm làm việc Q của transistor có giá trị là : ICQ  39,6 mA và VCEQ  6,93 V
Khi transistor ngưng dẫn ta có : IC cutoff  0 A
VCC 20 V
Khi transistor dẫn bảo hòa, ta có: IC SAT    0,0606 A  60,6 mA
RC 330 
Với kết quả tính toán được, ta xác định vị

trí điểm làm việc Q trên đường tải DC, xem
hình H2.38. Điểm làm việc Q được chọn gần
vùng bảo hòa, muốn áp ra không sái dạng ta
cần có biên độ của dòng xoay chiều qua cực
thu giới hạn trong phạn vi IC  IC SAT  ICEQ .
IC  IC SAT  ICEQ  60,6  39,6  21mA
Biên độ đỉnh của dòng xoay chiều cấp vào

cực nền không tạo sái dạng được xác định
theo quan hệ sau:
IC 21
HÌNH H 2.38 IB    0,105 mA
DC 200
2.4.2. PHÂN CỰC DÙNG CẦU PHÂN ÁP:
Trong các nội dung trên, chúng dùng hai nguồn DC độc lập để
phân cực transistor. Trong thực tế chỉ cần dùng duy nhất một
nguồn DC phân cực cho transistor, xem hình H2.39. Trong các đồ
mạch nguyên lý để đơn giản hóa, ta thay thế ký hiệu của nguồn áp
DC bằng ký hiệu vòng tròn có ghi cực tính nguồn áp phân cực  VCC .
Điện áp phân cực tại cực nền được cung cấp bằng cầu
phân áp dùng điện trở R1 và R2 , với nguồn áp DC cấp vào cầu
phân áp là  VCC . Trong hình H2.39, có hai dòng nhánh từ nút A đi
xuống điểm Gnd (Ground) chung của mạch: một dòng đi qua R2 và
thành phần dòng nhánh còn lại qua nối nối BE của transsistor và RE .
Nếu dòng qua cực nền rất nhỏ so với dòng qua R2 , mạch phân
HÌNH H 2.39 cực xem như chỉ phụ thuộc vào cầu phân áp bao gồm các điện
trở R1 và R2 .
Trong trường hợp dòng cực nền không đủ nhỏ để bỏ qua khi so sánh với dòng qua R2 ,
ta cần chú ý đến điện trở nhập tại cực nền RINbase ; điện trở này xuất hiện giữa cực nền đến
điểm Gnd và song song với điện trở R2 , xem hình H2.40.
79
2.4.2.1. ĐIỆN TRỞ NHẬP TẠI CỰC NỀN :
Để xây dựng các quan hệ dùng tính toán

điện trở nhận tại cực nền, chúng ta sử dụng sơ đồ
Nhìn về cực nền
của transistor mạch tương đương trong hình H2.41. Trong đó:
VIN là điện áp DC giữa cực nền và Gnd.
IIN là dòng DC vào cực nền.
Áp dụng định luật Ohm ta có:
VIN
RINbase  (2.16)
IIN
Áp dụng định luật Kirchhoff áp cho mắt lưới nền phát
HÌNH H 2.40 ta có:
VIN  VBE  RE .IE (2.17)
Giả thiết VBE  RE .IE , quan hệ (2.17) thu gọn lại như sau:
VIN  RE .IE (2.18)
Hơn nữa ta còn có quan hệ : IE  IC  DC .IB , suy ra:
VIN  DC .RE .IB (2.19)
Vì dòng điện IN  IB , so sánh quan hệ (2.16) và (2.19), ta có:
RINbase  DC .RE (2.20)

HÌNH H 2.41
THÍ DỤ 2.10:
Xác định điện trở nhập từ cực nền của transistor trong mạch hình
H2.42, biết hệ số khuếch đại DC  125
GIẢI
Áp dụng quan hệ (220), ta có:
 
RINbase  DC .RE  125. 1k  125 k
2.4.2.2. GIẢI TÍCH MẠCH PHÂN CỰC DÙNG CẦU PHÂN ÁP :
Xét transistor npn dùng mạch cầu phân áp để phân cực theo hình
HÌNH H 2.42
H2.43a. Khi có xét đến điện trở nhập tại cực nền: RINbase  DC .RE , gọi
điện trở tương đương do RINbase ghép song song với R2 từ cực nền xuống điểm Gnd là RBG , ta có:
RINbase .R2 DC .RE .R2

RBG   (2.21)
RINbase  R2 DC .RE  R2
R2
Hay: RBG  (2.22)
 R2 
 1  
  .R
DC E 
80
Áp dụng cầu phân áp xác định điện áp

VB là áp từ cực nền xuống đến Gnd.
RBG.VCC
VB  (2.23)
RBG  R1
Từ kết quả này chúng ta suy ra các đại
lượng khác còn lại trong mạch bằng các quan
hệ sau đây:
VE  VB  VBE (2.24)
VE là áp từ cực phát xuống đến Gnd.

HÌNH H 2.43
VE
IE  (2.25)
RE
Dòng qua cực phát thỏa quan hệ :
IC    1
IE  IC  IB  IC   IC .  DC  (2.26)
DC   
 DC 
Khi DC  1 , ta xem như IE  IC , từ đó suy ra áp giữa hai cực thu phát của transistor:
VCE  VCC  RC .IC  VE  VCC  VE  RC .IE (2.27)
THÍ DỤ 2.11:
Xác định điểm làm việc của mạch transistor trong hình H2.44, biết
hệ số khuếch đại DC  100 .
GIẢI
Điện trở nhập từ cực nền:

RINbase  DC .RE  100. 560   56 k 
Điện trở tương đương từ cực nền đến Gnd:
RBG 
RINbase .R2

 56 k  . 5,6 k   5,091k
RINbase  R2 56 k  5,6 k
Áp VB từ nền xuống Gnd:
HÌNH H 2.44
VB 
RBG.VCC

 5,091k  .10 V  3,373 V
RBG  R1 5,091k  10 k
Áp VE từ phát xuống Gnd:

VE  VB  VBE  3,373  0,7  2,673 V
Dòng IE :
VE 2,673 V
IE    4,77 mA
RE 560 
81
Áp dụng quan hệ (2.26) xác định dòng IC :

 DC   100 
IC    .IE    .4,77  4,727 mA
   1  100  1 
 DC 
Áp VCE :
  
VCE  VCC  VE  RC .IC  10 V  2,673 V  1k . 4,727mA  2,6 V
2.4.2.3. GIẢI TÍCH MẠCH PHÂN CỰC DÙNG MẠCH THÉVENIN TƯƠNG ĐƯƠNG :
Ngoại trừ phương pháp
giải tích mạch phân cực dùng
cầu phân áp bằng phương
pháp xác định tổng trở nhập
như vừa trình bày, chúng ta có
thể phân tích mạch phân cực
dùng cầu phân áp bằng cách
áp dụng định lý Thévénin.
Đầu tiên thay thế mạch
phân cực nền phát trong hình
H2.45a bằng mạch tương
tương Thevenin trình bày trong
hình H2.45b.
HÌNH H 2.45
Từ nút A xác định mạch
Thévenin tương đương, ta có:
R2 .VCC
VTH  (2.28)
R1  R2
R1.R2
RTH  (2.29)
R1  R2
Sau khi thay thế mạch phân cực bằng mạch tương đương Thévénin, áp dụng mạch tương
đương trong hình H2.45b xác định các thông số khác còn lại trong mạch để suy ra điểm làm việc
Q của mạch.
Áp dụng định luật Kirchhoff áp trong mắt lưới cực nền phát chứa nguồn VTH ta có:
VTH  RTH.IB  VBE  RE .IE (2.30)
Vì:
 
IE  IC  IB  DC .IB  IB  DC  1 .IB (2.31)
Suy ra:
 
VTH  RTH.IB  VBE  RE . DC  1 .IB
Tóm lại:
VTH  VBE
IB  (2.32)

RTH  DC  1 .RE
Từ quan hệ (2.32) suy ra dòng IC  DC .IB , dòng IE và áp VCE
82
THÍ DỤ 2.12:
Tính lại điểm làm việc của mạchđiện transistor cho trong thí dụ 2.11 bằng phương pháp áp
dụng mạch Thévénin tương đương thay thế cho mạch phân cực dùng cầu phân áp.
GIẢI
Áp Thévénin tương đương: VTH 

R2 .VCC

 5,6 k  .10 V  3,5897  3,59 V
R1  R2 10 k  5,6 k
Điện trở Thévenin tại cực nền của transistor:
RTH 
R1.R2

 10 k  . 5,6 k   3,5897  3,59 
R1  R2 10 k  5,6 k
Dòng qua cực nền:
VTH  VBE 3,59 V  0,7 V

IB    0,048 mA

RTH  DC  1 .RE  
3,59 k  100  1 .560  
Dòng qua cực thu: 
IC  DC .IB  100. 0,048 mA  4,8 mA
Dòng qua cực phát: IE  IC  IB  4,8 mA  0,048  4,848 mA
Áp giữa cực thu và cực nền của transistor:
   
VCE  VCC  RC .IC  RE .IE  10  1k . 4,8 mA  560  . 4,848mA  2,49 V  
So sánh các kết quả tính toán trong hai thí dụ 2.11 và 2.12 cho thấy: điểm làm việc có giá
trị các thông số chênh lệch rất nhỏ có thể chấp nhận. Kết quả tính toán hội tụ.
2.4.2.4. KHẢO SÁT TÍNH ỔN ĐỊNH CỦA MẠCH PHÂN CỰC DÙNG CẦU PHÂN ÁP :
Từ phương pháp giải tích dùng mạch tương đương Thévénin, dựa vào các quan hệ (2.30)
và (2.31) ta có:
 RTH 
VTH    .I  VBE  RE .IE (2.33)
   1 E
 DC 
VTH  VBE
IE  (2.34)
 R  
 TH
  RE 
 DC  1  
 RTH 
Khi ta có RE    quan hệ (2.34) được viết lại như sau:
   1
 DC 
VTH  VBE
IE  (2.35)
RE
Trong quan hệ (2.35) cho thấy dòng IE không phụ thuộc vào hệ số DC . Như vậy khi nhiệt
độ thay đổi, hệ số DC thay đổi theo nhiệt độ nhưng dòng IE không thay đổi. Nếu IE  IC dòng IB
rất nhỏ; mạch phân cực có tính ổn định nhiệt vì điểm làm việc không phụ thuôc vào nhiệt độ.
83
2.4.2.5. GIẢI TÍCH MẠCH PHÂN CỰC DÙNG CẦU PHÂN ÁP CHO TRANSISTOR PNP :
Như đã biết transistor pnp cần đảo

ngược cực tính của các nguồn ngoài phân
cực so với mạch phân cực của transistor
npn. Yêu cầu này được thực hiện với
nguồn cung cấp vào cực thu của trsnsistor
âm hơn so với điểm chung Gnd của mạch,
xem hình H2.46a; hoặc cấp đầu dương
nguồn áp phân cực vào cực phát của
transistor pnp, xem hình H2.46b.
Thông thường mạch phân cực cho
transistor pnp được vẽ lại theo hình H2.47.
Phương pháp giải tích về cơ bản thực
hiện tương tự như phương pháp đã
thực hiện cho transistor npn. Tuy nhiên
cần chú ý:
a./ Cực âm nguồn cung cấp VCC b./ Cực dương nguồn
nối vào cực thu cung cấp VEE nối vào cực phát Transistor pnp dẫn khi mối nối
phát nền (EB) phân cực thuận. Nói khác
HÌNH H 2.46 hơn điện thế tại cực phát E cao hơn điện
thế tại cực nền B; VE  VB .
Mối nối nền thu (BC) phân cực nghịch, điện thế cực nền B cao
hơn điện thế tại cực thu C; VB  VC .
Để xác định điểm làm việc Q cho transistor pnp, đầu tiên chúng
ta vẫn xác định điện trở nhập giữa cực phát và nền khi nhìn từ ngoài vào
hai cực nền phát. Công thức áp dụng tương tự theo (2.20)
RIN  DC .RE (2.36)
Suy ra điện trở tương đương REB giữa cực phát và cực nền khi
dùng cầu phân áp phân cực. Điện trở tương tương này do điện trở
R2 ghép song song với RIN .Tương tự như quan hệ (2.22) ta có:
HÌNH H 2.47
R2
REB  (2.37)
 R2 
 1  
 DC .RE 
Áp cấp vào cực nền xác định theo quan hệ:

R1.VEE
VB  (2.38)
R1  REB
Áp đặt vào cực phát xác định theo quan hệ:
VE  VB  VEB  VB  0,7V (2.39)
Dòng qua cực phát xác định theo quan hệ sau:
VEE  VE
IE  (2.40)
RE
84
Từ giá trị tìm được cho dòng qua cực phát IE ta suy ra dòng qua cực thu theo quan hệ:
 DC 
IC    .I (2.41)
   1 E
 DC 
Cuối cùng áp giữa cực phát và thu xác định theo quan hệ sau:
VEC  VE  RC .IC (2.42)
Tương tự như trường hợp transistor npn, với transistor pnp ngoại trừ phương pháp
dùng tông trở nhập như vừa trình bày ta cũng có thể áp dụng phương pháp dùng mạch
tương đương Thévénin để xác định điểm phân cực.
THÍ DỤ 2.13:
Áp dụng phương pháp giải tích dùng tổng trở nhập tương đương tại
cực phát và cực nền định điểm làm việc cho transistor pnp trong
mạch phân cực dùng cầu phân áp hình H2.48.
GIẢI
Đầu tiên xác định điện trở nhập tại các cực phát và nền:
RIN  DC .RE  150.1k  150 k

Điện trở tương đương giữa hai cực phát và nền khi có thêm
cầu phân áp:
R2 10 k
REB    9,375 k
 R2   10 k 
 1   1 
 .R  150.1k 
HÌNH H 2.48  DC E 
Áp cấp vào cực nền:
R1.VEE 22 k  10 V
VB    7,0119  7 V
R1  REB 22 k  9,375 k
Áp đặt vào cực phát: VE  VB  VEB  7  0,7  7,7 V

Dòng qua cực phát:
VEE  VE 10 V  7,7 V
IE    2,3mA
RE 1k
 DC   150 
IC    .IE     2,3  2,284768  2,285 mA
   1  150  1 
 DC 
Áp giữa các cực phát thu của transistor:
 
VEC  VE  RC .IC  7,7 V  2,2 k . 2,285 mA  2,673 V 
Tóm lại điểm làm việc của transistor pnp là: IC  2,29 mA ; VEC  2,67 V
85
THÍ DỤ 2.14:
Tìm lại điểm làm việc của transistor cho trong thí dụ 2.13, khi áp dụng phương pháp dùng
mạch Thévénin thay tương đương cho cầu phân áp.
 VEE  VEE  VEE GIẢI

Trong hình H2.49 trình bày phương pháp
IE thay thế cầu phân áp dùng mạch tương đương
R2 RE RE Thévénin. Điện áp Thévénin VTH được xác định
VEB VE VEB VE
 VTH RTH
theo quan hệ sau:
VB
VB VTH 
R1.VEE

 22 k  . 10 V   6,875 V
VC IB VC R1  R2 22 k  10 k
R1 RC IC RC
Điện trở tương đương của mạch Thévénin
được xác định theo quan hệ sau:
HÌNH H 2.49 RTH 

R1.R2

 22 k  . 10 k   6,875 k
R1  R2 22 k  10 k
Áp dụng định luật Kirchhoff áp trong mắt lưới chứa các cực nền phát, ta có:
VEE  VTH  RTH.IB  VEB  RB .IB

Hay
 RTH 
VEE  VTH  VEB    .I  RE .IE
   1 E
 DC 
Suy ra:
VEE  VTH  VEB 10 V  6,875 V  0,7 V 2,425 V
IE     2,319 mA
 RTH   6,875 k  1,04553 k
   RE    1k

 DC  1   150  1 
 DC   150 
IC    .IE    .2,319 mA  2,304  2,3mA
   1  150  1 
 DC 
Điện áp giữa cực phát và thu được xác định theo quan hệ sau:
VCE  VEE  RE .IE  RC .IC

Suy ra:
    
VCE  10 V  1k . 2,319mA  2,2 k . 2,304 mA  2,612  2,61V 
Tóm lại điểm làm việc của transistor pnp là: IC  2,3mA ; VEC  2,61V
So sánh kết quả tìm được cho điểm làm việc của transistor trong các thí dụ 2.13 và 2.14
ta nhận thấy kết quả có sai lệch nhưng rất nhỏ, có thể chấp nhận và xem như kết quả tính từ
các phương pháp trên hội tụ.
86
2.4.3.PHÂN CỰC CỰC NỀN (BASE BIAS):

Phương pháp phân cực này thường được áp dụng trong các
mạch điều khiển (hay lái – driver) các relay điện từ.
Mạch phân cực cực nền trình bày trong hình H2.50. Phương
pháp phân cực transistor hoạt động trong vùng tuyến tính được
trình bày sau đây.
Áp dụng định luât Kirchhoff áp cho mắt lưới chứa cực thu nền
ta có quan hệ sau:
VCC  RB .IB  VBE (2.43)
Dòng qua cực nền được xác định theo quan hệ:
HÌNH H 2.50 VCC  VBE

IB  (2.44)
RB
Từ quan hệ (2.44) suy ra quan hệ dùng xác định dòng qua cực thu :
 V  VBE 
IC  DC .IB   CC  .DC (2.45)
 R 
 B 
Áp dụng định luât Kirchhoff áp cho mắt lưới chứa cực thu phát ta có quan hệ sau:
VCC  RC .IC  VCE

Hay:
VCE  VCC  RC .IC (2.46)
Từ quan hệ (2.45) cho thấy dòng IC phụ thuộc vào hệ số khuếch đại DC . Do đó khi
nhiệt độ thay đổi, hệ số DC thay đổi làm dòng IC thay đổi tương ứng; như vậy điểm làm việc
của transistor thay đổi, mạch phân cực không ổn định khi nhiệt độ môi trường thay đổi. Hơn
nữa với các transistor có cùng mã số nhưng do phương thức sản xuất của nhà chế tạo, hệ số
DC của các transistor này cũng thay đổi trong phạm vi khá rộng làm ảnh hưởng đến mạch phân
cực. Trong quá trình sửa chửa, với mạch phân cực cực nền khi thay thế các transistor bị hư hỏng,
nên điều chỉnh lại các điện trở cho phù hợp với giá trị DC của transistor mới dùng thay thế.
THÍ DỤ 2.15:
Xác định điểm làm việc của transistor trong mạch phân cực theo
hình H2.51 khi nhiệt độ thay đổi. Biết rằng khi nhiệt độ thay đổi, nếu hệ
số DC tăng từ 85 đến 100 thì áp VBE giảm từ 0,7 V đến 0,6 V.
GIẢI
Xác định điểm làm việc tại lúc DC  85 và VBE  0,7 V :
Áp dụng các quan hệ (2.45) và (2.46) ta có:
 VCC  VBE   12 V  0,7 V 

IC   .DC    .85  9,605 mA
 1  R   100 k 
 B 
HÌNH H 2.51
VCE
 1  VCC  RC .IC  12V   560   .  9,605 mA   6,62 V
87
 VCC  VBE   12 V  0,6 V 

IC    .DC    .100  11,4 mA
  R
2   100 k  
 B 
VCE
 2  VCC  RC .IC  12V   560   .  11,4 mA   5,62 V
Phần trăm thay đổi giá trị IC khi DC tăng và VBE giảm do nhiệt độ thay đổi:
I  IC 1 
IC %   C 2    .100   11,4  9,605  .100  18,69%
   
IC 1  9,605 
  
Phần trăm thay đổi giá trị VCE khi DC tăng và VBE giảm do nhiệt độ thay đổi:
V  VCE 1 
VCE %   CE  2    .100   5,62  6,62  .100  15,11%
   
VCE 1  6,62 
  
2.4.4.PHÂN CỰC CỰC PHÁT ( EMITTER BIAS):
Phương pháp phân cực

cực phát dùng các nguồn dương
và nguồn âm để phân cực.
Trong hình H2.52, nguồn
áp VEE dùng phân cực thuận cho
mối nối nền phát.
Trong hình H2.52a trình
bày điện thế của các cực E,B,C
của transistor so với điểm Gnd
của mạch.
Trong hình H2.52b mạch
điện được vẽ lại chi tiết để dễ
dàng phân tích xác định điểm
HÌNH H 2.52
làm việc cho transistor.
Áp dụng định luật Kirchhoff áp cho mắt lưới chứa cực nền và cực phát, ta có:
VEE  VBE  RB .IB  RE .IE (2.47)
Thay thế quan hệ giữa các dòng IB và IE vào (2.47) ta có:
 RB 
VEE  VBE    RE  .IE
 DC 
  1 
 
Hay
VEE  VBE
IE  (2.48)
 RB 
  RE 

 DC  1  

88
Dòng qua cực thu là:

 DC 
IC    .I
   1 E
 DC 
Áp dụng định luật Kirchhoff áp cho mắt lưới chứa cực thu và phát ta có quan hệ sau:
VCC  VEE  VCE  RC .IC  RE .IE (2.49)

Suy ra:
VCE  VCC  VEE  RC .IC  RE .IE (2.50)
Trong quan hệ (2.48) dòng IE phụ thuộc hệ số DC và áp VBE . Khi chọn giá trị
 RB 
RE    , quan hệ (2.48) được viết lại như sau:
   1
 DC 
V  VBE
IE  EE (2.51)
RE
Từ quan hệ (2.51) cho thấy dòng IE độc lập đối với hệ số khuếch đại DC
Hơn nữa khi chọn giá trị VEE rất lớn hơn so với VBE quan hệ (2.51) được viết lại như sau:
VEE
IE  (2.52)
RE
 RB 
Tóm lại khi thực hiện đúng điều kiện RE    và VEE  VBE , dòng IE không
 
 DC  1 
phụ thuộc vào sự thay đổi của nhiệt độ , suy ra điểm làm việc ổn định khi nhiệt độ thay đổi .
THÍ DỤ 2.16:
Xác định điểm làm việc của transistor trong mạch phân cực
theo hình H2.53 khi nhiệt độ thay đổi. Biết rằng khi nhiệt độ thay
đổi, nếu hệ số DC tăng từ 85 đến 100 thì áp VBE giảm từ 0,7 V
đến 0,6 V.
GIẢI
Áp dụng quan hệ (2.48) xác định dòng IE :
IE 
VEE  VBE

 20 V   0,7 V  1,7289  1,73mA
 1    100 k 
RB
  RE     10 k
HÌNH H 2.53 
 DC  1    85  1 
 
Dòng qua cực thu là:
 DC   85 
IC    .I    .1,7289  1,70885  1,71mA
 1    1  E
 85  1 
 DC 
89
Áp VCE đặt ngang qua hai cực thu phát được xác định theo quan hệ (2.50)
VCE
 1  20 V  20 V   4,7 k  .  1,71mA    10 k  .  1,73mA   14,663 V
IE 
VEE  VBE

 20 V   0,6 V  1,7652  1,765 mA
 2    100 k 
RB
  RE     10 k
100 1

 DC  1
 

  
 DC   100 
IC    .IE    .1,7652  1,7477  1,748 mA
     1
2
 100  1 
 DC 
VCE
 2  20 V  20 V   4,7 k  .  1,748 mA    10 k  .  1,765mA   14,134 V
I  IC 1 
IC %  
C 2    .100   1,748  1,71  .100  2,22%
   
IC 1  1,71 
  
V  VCE 1 
VCE %  
CE  2    .100   14,134  14,663  .100  3,61%
   
VCE 1  14,663 
  
2.4.5.PHÂN CỰC HỒI TIẾP CỰC PHÁT (COLLECTOR-FEEDBACK BIAS):
Mạch phân cực hồi tiếp cực thu trình bày trong hình H2.54, trong
đó điện trở cực nền được nối đến cực thu thay vì nối về nguồn áp VCC
theo một số mạch phâncực khác đã trình bày.
Phương pháp hồi tiếp này tạo ra hiệu ứng “chỉnh cân bằng”
(offsetting) để duy trì ổn định điềm làm việc Q.
Khi dòng IC gia tăng sẽ tạo điện áp đặt ngang qua hai đầu điện
trở RC gia tăng tươg ứng; làm điện thế tại cực thu VC giảm thấp.
Khi điện thế VC giảm, dẫn đến dòng IB giảm kéo theo IC giảm.
Tóm lại dòng IC cân bằng. Quá trình lý luận ngươc lại tương tự
khi dòng IC giảm. Quá trình giải tích mạch phân cực hồi tiếp cực thu thực
HÌNH H 2.54
hiện như sau:
Áp dụng định luật Kirchhoff áp ta có quan hệ:
 
VCC  RC . IC  IB  RB .IB  VBE (2.53)
90
IC
Thay quan hệ: IB  va (2.53) ta có:
DC
 I 

VCC  RC .IC  RC  RB .  C   VBE
   (2.54)
 DC 
Suy ra:
VCC

  RC 
RC  RB   .I  VBE
C
 DC 
 
Tóm lại:
VCC  VBE
IC  (2.55)
 R  RB
R  C
  
C
 DC 
 
Áp VCE đặt ngang qua cực thu và phát được xác định theo quan hệ:

VCC  RC . IC  IB  VCE  (2.56)
Hay:
 1 
VCE  VCC  RC .  1   .I (2.57)
 DC  C

Từ quan hệ (2.55) cho thấy dòng điện cực thu phụ thuộc vào các thông số DC và VBE .
RC  RB
Trong trường hợp RC  và VCC  VBE , dòng điện cực thu viết gần đúng theo dạng sau:
DC
VCC
IC  điều này cho thấy dòng IC trong điều kiện này không thay đổi khi nhiệt độ thay đổi.
RC
Tóm lại nếu mạch phân cực hồi tiếp cực thu thỏa các điều kiện vừa nêu thi điểm làm
việc Q ổn định khi nhiệt độ thay đổi.
THÍ DỤ 2.17:
Xác định điểm làm việc của transistor trong mạch phân cực
theo hình H2.55 khi nhiệt độ thay đổi. Biết rằng khi nhiệt độ thay
đổi, nếu hệ số DC tăng từ 100 đến 125 thì áp VBE giảm từ 0,7 V
đến 0,6 V.
GIẢI
VCC  VBE 10 V  0,7V

IC    0,769 mA
 1  R  RB
R  C
   
 10 k 
10 k  100 k 

 C
DC   100 
HÌNH H 2.55  
91
Áp VCE đặt ngang qua cực thu và phát được xác định theo quan hệ:
 1   1 
VCE

1
 VCC
 RC
. 

1 


  
.IC  10V  10 k .  1 
100
 .0,769 mA  2,233V
 DC   
VCC  VBE 10 V  0,6V

IC    0,864 mA

2

R 

RC  RB   
  10 k 
10 k  100 k 

 C DC   125 
 
 1   1 
VCE 2  VCC  RC .  1 
  
DC 
 
 .IC  10V  10 k .  1   .0,864 mA  1,29V
125 
 
I  IC 1 
IC %   C 2    .100   0,864  0,769  .100  12,35%
   
IC 1  0,769 
  
V  VCE 1 
VCE %   CE  2    .100   1,29  2,233  .100  42,23%
   
VCE 1  2,233 
  
92
BÀI TẬP 2.1
Trong hình H2.56, cho dòng điện IB  50 A

và áp đặt ngang qua hai đầu điện trở RC là 5V . Xác
định hệ số DC và hệ số DC .
ĐÁP SỐ: DC  100 ; DC  0,99

HÌNH H 2.56
BÀI TẬP 2.2

Cho mạch phân cực transistor trong
hình H2.57. Xác định :
a./ Các dòng điện IC ; IB và IE .
b. / Hệ số khuếch đại DC
ĐÁP SỐ:
a./ IC  34,04 mA ; IB  702 A ; IE  34,74 mA

HÌNH H 2.57
b./ DC  48,49
BÀI TẬP 2.3

a./ Các điện áp VCE ; VBE và VCB .
b./ Transistor hoạt động trong vùng tuyến tính hay
trong vùng bảo hòa.
ĐÁP SỐ: a./ IB  1,1mA ; IC  55,13mA .

VCE  5,1V ; VCB  4,38 V .
HÌNH H 2.58
BÀI TẬP 2.4

a./ Các điện áp VEC ; VEB và VBC .
b./ Transistor hoạt động trong vùng tuyến tính hay
trong vùng bảo hòa .
ĐÁP SỐ:
a./ IB  85,19 A ; IC  10,65 mA .
VEC  3,85 V ; VBC  3,15 V .
HÌNH H 2.59
93
BÀI TẬP 2.5

Cho mạch phân cực transistor trong hình
H2.60. Xác định các dòng điện IC ; IB và IE , biết
DC  0,98 .
ĐÁP SỐ: IE  1,3mA ; IC  1,274 mA ; IB  26 A
HÌNH H 2.60
BÀI TẬP 2.6

H2.61, cho DC  100 .Xác định :
b./ Các điện áp VCE ; VBE và VCB .
c./ Khi nhiệt độ gia tăng, nếu hệ số DC thay đổi từ 100
đến 150 và VBE thay đổi từ 0,7V đến 0,6 V tìm IC . HÌNH H 2.61
ĐÁP SỐ:
a./ IE  930 A ; IB  9,21A ; IC  921A
b./ VCE  10,7 V ; VCB  10 V c./ IC  IC  IC  13 A

  150   100
BÀI TẬP 2.7

H2.62, cho DC  100 . Xác định :
b./ Các điện áp VEC ; VEB và VBC .
c./ Nếu hệ số DC thay đổi từ 100 đến 150 khi nhiệt độ gia
tăng, tìm sự thay đổi của dòng IC .
ĐÁP SỐ: a./ IE  1,5 mA ; IB  14,85 A ; IC  1,485 mA

b./ VEC  8,7 V ; VBC  8 V
HÌNH H 2.62
BÀI TẬP 2.8

Cho mạch transistor trong hình H2.63.
a./ Xác định các giao điểm của đường tải DC
với hệ trục tọa độ của đặc tuyến cực thu.
b./ Xác định điểm làm việc của transistor, biết
hệ số khuếch đại DC  50 .
c./ Nếu muốn phân cực lại transistor với dòng
IB  20 A , ta cần chỉnh nguồn áp VBB có giá trị
HÌNH H 2.63
bao nhiêu? Tính lại điểm làm việc.
94
BÀI TẬP 2.9

Cho mạch transistor trong hình H2.64, xác định:
a./ Các giao điểm của đường tải DC với hệ trục tọa độ của đặc
tuyến cực thu.
b./ Điểm làm việc của transistor.
ĐÁP SỐ: a./ IC SAT  20,5 mA ; VCE SAT  8 V .
b./ IC  6mA ; VCE  5,66 V
BÀI TẬP 2.10

HÌNH H 2.64 Cho mạch transistor phân cực dùng cầu phân áp theo
hình H2.65.
a./ Khi áp dụng phương pháp giải tích mạch dùng điện trở nhận
tương đương giữa cực nền và cực phát, nếu muốn RINbase  10.R2
thì hệ số khuếch đại DC của transistor là bao nhiêu?

b./ Với mạch hiện có trong hình H2.65, khi thay điện trở R2 bằng
biến trở VR2  15 k , xác định giá trị cực tiểu của VR2 làm
transistor bảo hòa.
c./ Theo điều kiện của câu b, khi chỉnh biến trở VR2 có giá trị là 2kΩ;
áp dụng các phương pháp phân tích mạch dùng tổng trở nhập và
HÌNH H 2.65 phương pháp thay thế tương đương Thévénin để định điểm làm
việc của transistor.
BÀI TẬP 2.11
Cho mạch transistor phân cực dùng cầu phân áp theo hình
H2.66, khi áp dụng phương pháp giải tích dùng mạch tương đương
Thévénin để định điểm làm việc, xác định:
a./ Áp VTH và điện trở tương đương RTH .

ĐÁP SỐ: a./ VTH  2,18 V ; RTH  11,37 k .

b./ IC  1,33mA ; VCE  4,74 V
BÀI TẬP 2.12

Cho mạch transistor phân cực dùng HÌNH H 2.66
cầu phân áp theo hình H2.67, khi áp dụng phương pháp giải tích
dùng mạch tương đương Thévénin để định điểm làm việc, xác định:
a./ Áp VB điện áp giữa cực nền xuống điểm Gnd chung của mạch.
c./ Công suất tiêu tán trên transistor.
d./ Nếu tăng giá trị điện trở RE gấp 2 lần giá trị hiện có, định lại điểm
làm việc của transistor.
ĐÁP SỐ: a./ VB  10,41V b./ IC  1,56 mA ; VEC  8,3 V

c./ PD  13mW d./ IC  841A ; VEC  9,53 V
HÌNH H 2.67
95
BÀI TẬP 2.13

Cho mạch transistor phân cực cực nền theo hình H2.68, biết hệ
số khuếch đại của transistor là DC  110 tại nhiệt độ 25oC.
a./ Tính dòng IB , IC và áp VCE tại môi trường nhiệt độ 25oC.
b./ Mạch transistor trên được sử dụng trong môi trường có nhiệt độ
thay đổi từ 0oC đến 70oC. Biết hệ số khuếch đại khuếch đại DC giảm
50% tại 0oC và tăng lên 75% tại 70oC. Giả sử áp VBE không thay đổi
theo nhiệt độ , khảo sát sự thay đổi dòng IC và áp VCE trong phạm vi
nhiệt độ thay đổi từ 0oC đến 70oC.
ĐÁP SỐ: a./ IB  553,3 A ; IC  60,87 mA ; VCE  2,913 V

HÌNH H 2.68 b./ Tại 0oC : IC  30,43mA ; VCE  5,957 V
Tại 70oC : IC  106,52 mA ; VCE  1,65 V
BÀI TẬP 2.14

Cho mạch transistor phân cực cực phát theo hình H2.69, biết
hệ số khuếch đại của transistor là DC  100 .
a./ Tính điện thế tại các cực transistor so với điểm Gnd của mạch.
b./ Giả sử giá trị VBE  0,7 V cho trong đầu đề ở tại 25oC, khi nhiệt
độ tăng lên 100oC giá trị VBE giảm theo hệ số : 2,5 mV / o C . Nếu hệ
số DC xem như không ảnh hưởng bởi sự thay đổi của nhiệt độ, xác
định sự thay đổi dòng IE .
c./ Khi nào có thể bỏ qua ảnh hưởng sự thay đổi DC theo nhiệt độ
trong mạch phân cực cực phát.
HÌNH H 2.69
ĐÁP SỐ: a./ IB  17,6 A ; IC  1,761mA ; IE  1,779 mA ;

VCE  4,327V ; VB  0,387 V ; VE  1,087 V ; VC  3,24 V
BÀI TẬP 2.15

Cho mạch transistor phân cực cực phát theo hình H2.70, biết hệ
số khuếch đại của transistor là DC  100 .
a./ Tính điện thế tại các cực transistor so với điểm Gnd của mạch.
b./ Tính công suất tiêu tán trên transistor theo điều kiện của câu a.
ĐÁP SỐ: a./ IB  149,6 A ; IC  16,455 mA ; IE  16,605 mA ;

VCE  6,766 V ; VB  1,496 V ; VE  2,196 V ; VC  4,57 V
b./ PD  111,33mW
HÌNH H 2.70
96
BÀI TẬP 2.16

Cho mạch transistor phân cực cực nền có hồi tiếp theo
hình H2.71, xác định:
a./ Điểm làm việc của transistor.
b./ Điện thế tại các cực transistor so với điểm Gnd của mạch
c./ Tìm giá trị RC để giảm dòng IC thấp xuông 25%.
d./ Công suất tiêu tán trên transistor tính theo câu a và c.
ĐÁP SỐ: a./ IB  11,7 A ; IC  1,052 mA ; VCE  1,086 V ;

b./ VB  0,7 V ; VE  0 V ; VC  1,086 V
c./ RC  2521 
d./ PD  1,14 mW ; PD  0,78 mW
HÌNH H 2.71
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG - FET 97
CHƯƠNG 03
TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG ‐ FET
Trong chương 3 chúng ta khảo sát một dạng thứ hai của transistor áp dụng hiệu ứng
trường, FET(Fiel-Effect Transistor). Không như transistor, FET là linh kiện đơn cực (unipolar);
khi giải thích nguyên tắc hoạt động chúng ta không dùng đến dòng lổ trống và electron tự do
mà chỉ sử dụng duy nhất một loại điện tích tải (charge carrier).
FET bao gồm hai loại chính: JFET (Junction Field-Effect Transistor) và MOSFET (Metal
Oxide Semiconductor Fiel-Effect Transistor).
Transistor là loại linh kiện kiểm soát dòng điện, dùng dòng cực nền để điều khiển hay
kiểm soát dòng cực thu. Với FET thì khác, đây là linh kiện được điều khiển bằng điện áp;
dùng áp giữa hai đầu cực cổng (Gate) và nguồn (source) để kiểm soát hay điều khiển được
dòng qua linh kiện. Đặc điểm chính của FET là loại linh kiện có giá trị tổng trở nhập rất lớn.
3.1 JFET (JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTOR):

JFET được tạo thành từ thanh bán
dẫn n hay p được gọi là kinh n (n
channel) hay kinh p (p channel). Tại
khoảng giữa của JFET kinh n được
khuếch tán các vùng bán dẫn p ; tương
tự với JFET kinh p tại khoảng giữa chúng
ta khuếch tán các lớp bán dẫn n, xem
hình H3.1
JFET có 3 đầu ra; đầu trên của
kinh là cực Drain (cực D còn được gọi là
cực Máng hay cực Thoát); đầu dưới của
kinh là cực Source (cực S hay cực
Nguồn). Phần bán dẫn khác loại với kinh
được khuếch tán vào linh kiện được gọi là
cực Gate (cực G hay cực Cổng)
Hình H 3.1
3.1.1.NGUYÊN TẮC HOẠT ĐỘNG:

Trong hình H3.2 trình bày phương pháp cấp
nguồn áp DC phân cực cho JFET kinh n. Áp VDD được
cấp giữa hai đầu cực D và cực S (điện thế cực D cao
hơn điện thế cực S). Áp VGG dùng phân cực ngược các
cực G và S (điện thế cực S cao hơn điện thế cực G).
JFET luôn luôn hoạt động với mối nối pn giữa
cực G và cực S phân cực ngược.
Điện áp phân cực ngược giữa cực G và cực S tạo
thành vùng nghèo dọc theo mối nối pn. Vùng nghèo
trải rộng trong kinh n làm giảm độ rộng của kinh (xét
tại cực G) dẫn đến điện trở nội của kinh gia tăng.
Độ rộng của kinh tại cực G và nội trở của kinh
được điều khiển bằng cách điều chỉnh thay đổi áp phân
cực VGG. Tóm lại cường độ dòng điện ID từ cực D đến
cực G được điều chỉnh thay đổi bằng áp VGG, xem kết
Hình H3.2
quả tóm tắt trong hình H3.3.
98 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG - FET
a./ Phân cực để JFET dẫn b./ Giảm áp phân cực VGG dòng ID tăng b./ Tăng áp phân cực VGG dòng ID giảm
HÌNH H3.3: Ảnh hưởng của áp phân cực VGG đối với tính dẫn và dòng ID của JFET.
3.1.2.ĐẶC TÍNH VÀ THÔNG SỐ CỦA JFET:

Ký hiệu của JFET áp dụng trong các sơ
đồ nguyên lý được trình bày trong hình H3.3.
3.1.2.1. CÁC ĐỊNH NGHĨA VÀ CÁC THÔNG SỐ CƠ
BẢN :
Trong mạch hình H3.5, cho áp giữa cực
G và cực S bằng 0 ( VGS = 0 V), hay tạo sự
ngắn mạch giữa cực G và cực S.
Khi thay đổi áp VDD từ 0 V, dòng ID gia
tăng tỉ lệ thuận với áp VDD , đoạn đặc tuyến AB HÌNH H3.4: Ký hiệu của JFET
trong hình H3.5 b.
Trong vùng chứa đoạn AB, điện trở nội của kinh xem như không đổi vì vùng nghèo không
đủ rộng để ảnh hưởng. Vùng chứa đoạn AB được gọi là vùng có tính điện trở (Ohmic area) vì
quan hệ giữa áp VDS với dòng ID tuân theo định luật Ohm.
Tại vị trí B đặc tuyến bắt đầu chuyển hướng không tăng, duy trì dòng ID không đổi trong
khi áp VDS tiếp tục gia tăng. Tại đoạn BC, áp phân cực ngược giữa cực G và cực D làm tăng
vùng nghèp đủ lớn để khống chế sự gia tăng của áp VDS duy trì dòng ID bằng hằng số . JFET xem
như tương đương nguồn dòng khi làm việc trong vùng này.
a./ JFET với VGS = 0V và thay đổi VDD b./ Đặc tuyến ID theo áp VDD khi VGS = 0V
HÌNH H3.5: Đặc tính của JFET khi ngắn mạch cực G và S.
ĐIỆN ÁP PINCH-OFF (ĐIỆN ÁP THẮT)

Khi VGS = 0V, giá trị áp VDS tại lúc dòng ID bằng hằng số (điểm B trong hình H3.5b) được
gọi là điện áp Pinch-Off (trong một số tài liệu gọi là điện áp thắt) và được ký hiệu là VP .
Với linh kiện JFET cho trước, giá trị VP cố định.
Khi dòng ID đặt giá trị hằng số trong đoạn BC, ta gọi giá trị này là IDSS (Drain to Source
current with gate Shorted). Giá trị dòng IDSS được cho trong các sổ tay hay các đặc tính kỹ thuật.
Khi bỏ qua ảnh hưởng của mạch , dòng IDSS chính là dòng ID cực đại của JFET trong điều kiện
ngắn mạch cực G với cực S (VGS = 0V).
Trong đặc tuyến hình H3.5b, tại điểm C xãy ra hiện tượng “breakdown” dòng ID tăng rất
nhanh tương ứng với sự gia tăng áp VDS. Hệ quả của hiện tượng “Breakdown” là phá hủy linh
kiện, do đó JFET luôn luôn hoạt động tại vùng thấp hơn điểm “breakdown” và trong vùng
dòng ID bằng hằng số (đoạn BC trên đặc tuyến).
a./ Khi VDS = 0 V ; ID = 0A b./ ID gia tăng tỉ lệ thuận VDS trong vùng có tính trở
c./ Khi VDS = VP ; ID = IDSS = hằng số d./ Khi VDS tăng , ID = IDSS cho đến breakdown xãy ra
HÌNH H3.6: Tác động của JFET tạo ra đặc tuyến ID = f (VDS) khi VGS = 0V .
ÁP VGS ĐIỀU KHIỂN DÒNG ID
HÌNH H3.7: Họ đặc tuyến ID = f (VDS) của JFET khi thay đổi áp VGS .
Khi thay đổi nguồn VGG để điều chỉnh áp phân cực ngược VGS giữa cực G và cực S, lúc gia
tăng áp VGS ta có được họ đặc tuyến ID = f (VDS) theo hình H3.7. Cần nhớ:
Dòng ID giảm khi suất của áp VGS tăng.
Tương ứng với mỗi giá trị VGS  0V, điện áp thắt (Pinch-off) của JFET là VDS < VP
Phương pháp điều khiển dòng ID bằng áp VGS tóm tắt trong hình H3.8.
a./ VGS  0V ; VDS  VP ; ID  IDSS b./ Khi VGS < 0 V ; dòng ID giảm và bằng hằng số trong vùng
trên của điểm đạt điện áp thắt VDS .
c./ Khi VGS càng âm hơn ; dòng ID giảm thấp nhưng vẫn d./ Khi VGS   VGS   ; dòng ID tiếp tục giảm
off
bằng hằng số trong vùng trên của điểm đạt điện áp thắt VDS
Khi VGS   VGS   ; dòng ID  0A
off
HÌNH H3.8: Thay đổi áp VGS điều khiển dòng ID.
ĐIỆN ÁP CUT-OFF (ĐIỆN ÁP NGƯNG DẪN):
Giá trị áp VGS làm cho dòng ID  0A được gọi

là điện áp cut-off, ký hiệu là VGS(off) . Linh kiện JFET
phải hoạt động trong phạm vi VGS = 0V và VGS(off).
Trong phạm vi dảy giá trị của áp VGS trên dòng ID thay
đổi từ giá trị cực đại IDSS đến giá trị 0A.
Trạng thái cut off hình thành do sự nới
rộng của vùng nghèo làm giảm độ rộng kinh dẫn
thành một điểm, hay làm tắt nghẹt kinh dẫn.
Trong hình H3.9 trình bày trạng thái ngưng
dẫn của JFET khi vùng nghèo mở rộng làm tắt nghẹt
kinh dẫn. HÌNH H3.9: JFET tại trạng thái ngưng dẫn.
QUAN HỆ GIỮA ÁP CUT-OFF VÀ ÁP PINCH-OFF::

Theo nội dung vừa trình bày ta nhận thấy có sự khác biệt giữa các trạng thái pinch-off và
trạng thái cutt-off. Áp VP chính là giá trị áp VDS tại lúc dòng ID đạt giá trị hằng số khi VGS = 0V.
Mặc dù, trạng thái pinch-off xãy ra với áp VDS < VP khi VGS  0V.
Trong các tài liệu trình bày đặc tính kỹ thuật cho bởi các nhà sản xuất linh kiện bán dẫn
thường cho số liệu VGS(off) hay VP , nhưng không cho cả hai số liệu. Theo các tài liệu kỹ thuật này
giá trị VGS(off) và VP có suất bằng nhau nhưng trái dấu:
VP   VGS(off) (3.1)
THÍ DỤ 3.1:
Cho mạch theo hình H3.10, biết các thông số của
JFET gồm: VGS(off)  4V và IDSS  12 mA .
Xác định giá trị cực tiểu của áp VDD cần thiết để đưa
linh kiện hoạt động trong vùng dòng ID bằng hằng số.
GIẢI:
Áp dụng quan hệ VGS(off)   VP  4V ta có VP  4V .
HÌNH H3.10
Từ mạch điện hình H3.10, áp dụng định luật Kirchhoff 2
cho mắt lưới chứa các cực D và S của JFET, ta suy ra quan hệ sau:
VDD  VDS  RD .ID
Suy ra:
VDD  VP  RD .IDSS  4  560.0,012  10,72 V
3.1.2.2. ĐẶC TUYẾN CHUYỂN CỦA JFET

(TRANSFER CHARACTERISTIC):
Với các nội dung vừa trình bày theo trên, dòng
điện ID được điều khiển khi that đổi áp VGS trong dảy
giá trị từ 0V đến VGS(off).
Với JFET kinh n giá trị VGS(off) < 0V và với JFET
kinh n giá trị VGS(off) > 0V.
Đồ thị hay đường biểu diễn trình bày quan hệ
giữa dòng điện ID theo áp VGS được gọi là đặc tuyến
HÌNH H3.11: Đặc tuyến chuyển
chuyển của JFET, xem hình H3.11.
HÌNH H3.12: Đặc tuyến chuyển ID = f (VGS) được suy ra từ họ đặc tuyến ID = f (VDS).
Trong hình H3.11, cho thấy đặc tuyến chuyển cắt hệ trục tọa độ tại hai điểm đặc biệt:
Điểm cut-off : ( VGS  VGS(off) ; ID  0A )
Điểm pinch-off: ( VGS  0V ; ID  IDSS )

Khi biết trước họ đặc tuyến ID = f (VDS) với VGS là thông số, ta suy ra được đặc tuyến
chuyển, xem hình H3.12. Mỗi điểm trên đặc tuyến chuyển quan hệ với cặp giá trị VGS và ID trên họ
đặc tuyến ID = f (VDS). Thí dụ trong hình H3.12, khi VGS  2V ; ID  4,32 mA và các giá trị
VGS(off)  5V và IDSS  12mA .
Đặc tuyến chuyển của JFET được biểu diễn theo quan hệ sau:
2
 VGS 
ID  IDSS .  1  (3.2)
 VGS(off ) 
THÍ DỤ 3.2:
Với đặc tuyến chuyển cho trong hình H3.12, ta có: VGS(off)  5V và IDSS  12mA .
Áp dụng quan hệ (3.2) ta có quan hệ hàm cho đặc tuyến chuyển viết theo dạng sau:
2
V
ID  12.  1  GS  [mA]
 5 
Kiểm chứng tọa độ các điểm trên đặc tuyến chuyển, tại các vị trí cho trước giá trị VGS.
VGS [V] 4 3 2 1
ID [mA] 0,48 1,92 4,32 7,68
Kết quả tính toán từ quan hệ (3.2) phù hợp với kết quả suy ra từ đặc tuyến hình H3.12.
THÍ DỤ 3.3:
Cho JFET mã số 2N5458 có một phần đặc tính kỹ thuật như sau :
HÌNH H3.13: Đặc tuyến chuyển ID = f (VGS) và họ đặc tuyến ID = f (VDS) của linh kiện 2N5458.
Ta tìm được các số liệu VGS(off)  5,8V và IDSS  9 mA của JFET 2N5458.
Áp dụng quan hệ (3.2) suy ra đặc tuyến chuyển của linh kiện như sau:
2
 V 
ID  9.  1  GS  [mA]
 5,8 
Kiểm chứng tọa độ các điểm trên đặc tuyến chuyển, tại các vị trí cho trước giá trị VGS.
VGS [V] 5 4 3 2 1
ID [mA] 0,17 0,87 2,1 3,86 6,16
Kết quả tính toán theo quan hệ (3.2) cho giá trị tương đối phù hợp với số liệu của đặc tính
chuyển cho trong hình H3.13. Mức độ chính xác của phép tính tùy thuộc vào các giá trị VGS(off) và
IDSS xác định được từ đặc tính kỹ thuật.
3.1.2.3. HỆ SỐ ĐIỆN DẪN CỦA JFET (FORWARD TRANSCONDUCTANCE)
Hệ số điện dẫn được ký hiệu là gm là tỉ số của độ biến thiên dòng ID so với độ biến thiên áp
VGS trên đặc tuyến chuyển tại điện áp VDS cho trước, xem hình H3.13.
ID
gm  (3.3)
VGS VDS  const
Đơn vị đo: [gm ]  [S] , S :Siemens. Đơn vị đo lường điện dẫn khác là [mho]; với 1mho = 1S
Vì đặc tuyến chuyển của JFET phi tuyến, giá trị gm luôn thay đổi phụ thuộc vào vị trí trên
đặc tuyến chuyển. Giá trị lớn nhất của gm tại các điểm gần vị trí VGS  0V . Trong các đặc tính kỹ
thuật giá trị gm được xác định tại VGS  0V . Ngoài ra trong một số đặc tính kỹ thuật hệ số điện
dẫn được thay thế bằng tổng dẫn (forward transfer admittance) y fs . Trong thí dụ 3.3 , linh kiện
JFET 2N5458 có giá trị tổng dẫn cực tiểu là y fs  1500 mho  1500 S tại áp VDS = 15 V.
Khi biết trước giá trị gmo

nào đó, ta có thể phỏng
địnhđược giá trị khác của gm
tại vị trí bất kỳ nào đó trên đặc
tuyến chuyển bằng cách áp
dụng quan hệ sau:
 VGS 
gm  gmo  1   (3.4)
 VGS(off ) 

Trong trường hợp

không xác định được giá trị
gmo, chúng ta có thể tính toán
gía trị gm bằng cách dựa vào
các giá trị IDSS và VGS(off) theo
quan hệ sau:
2IDSS
gm  (3.5)
HÌNH H3.14: Phương pháp xác định thông số điện dẫn hay tổng dẫn VGS(off)
trên đặc tuyến chuyển.
THÍ DỤ 3.4:
Trong đặc tính kỹ thuật của linh kiện JFET 2N5457 cho bởi nhà sản xuất, đã trình bày trong
thí dụ 3.3; ta có các số liệu như sau: IDSS  3 mA ; VGS(off )  6V max và hệ số tổng dẫn trên đặc
tuyến chuyển yfs(max)  5000 S .
Áp dụng các số liệu trên xác định hệ số điện dẫn tại lúc VGS  4V và suy ra giá trị dòng ID
tại vị trí này.
GIẢI
Ta có giá trị yfs(max)  5000 S chính là giá trị gmo . Áp dụng quan hệ (3.4) suy ra:
 VGS   4V 
gm  gmo  1   5000S  1    1666,67S
 VGS(off )   6V 
 
Dòng ID tại VGS = 4V được xác định theo quan hệ (3.2):
2
 4  1
ID  3mA.  1    mA  333,33 A
 6  3
3.1.2.3. ĐIỆN TRỞ NHẬP (INPUT RESISTANCE) VÀ ĐIỆN DUNG (CAPACITANCE)
Như đã trình bày trong các mục trên, JFET hoạt động khi mối nối G-S phân cực nghịch,
hiện tượng này khiến điện trở nhập tại cực cổng có giá trị rất cao. Giá trị rất lớn của điện trở
nhập là ưu điểm của JFET so với BJT. Trong các tài liệu kỹ thuật của JFET điện trở nhập được
xác định theo dòng phân cực ngược cực cổng IGSS tại giá trị áp nào đó giữa hai cực G và S. Tổng
trở nhập cũng có thể xác định theo quan hệ sau :
VGS
R IN  (3.6)
IGSS
THÍ DỤ 3.5:
Với JFET có IGSS  2nA ứng với VGS  20 V , điện trở nhập được xác định như sau:
VGS 20V
R IN    10000 M
IGSS 2nA
Khi nhiệt độ gia tăng dòng IGSS tăng dẫn đến giá trị điện trở nhập giảm thấp.
Điện dung nhập Cicss là kết quả hoạt động của JFET tại mối nối phân cực ngược. Nói cách
khác tại mối nối pn phân cực nghịch có tác động như tụ điện, điện dung của tụ điện phụ thuộc
vào mức áp phân cực nghịch.
Với JFET 2N5457 có giá trị điện dung cực đại Cicss = 7 pF tại VGS = 0.
3.1.2.5. ĐIỆN TRỞ GIỮA CỰC DRAIN VÀ SOURCE :
Theo nội dung vừa trình bày, trong đặc tuyến mô tả quan hệ giữa dòng ID theo áp VDS trên
điểm pinch-off giá trị dòng ID hầu như không đổi trong phạm vi rộng của áp VDS . Điều này cho
thấy với phạm vi thay đổi rộng giá trị áp VDS tương ứng với pham vi thay đổi rất bé dòng ID .
Điện trở giữa cực Drain và cực Source được xác định theo quan hệ :
VDS
r 'ds  (3.7)
ID
Trong các tài liệu kỹ thuật thông số này được cho dưới dạng điện dẫn ngõ ra gOS hay
tổng dẫn ngõ ra yOS .
3.1.3.PHÂN CỰC JFET:

Tương tự như Transistor, mục tiêu của việc phân cực là xác định thông số DC của điểm
làm việc Q bao gồm dòng ID và áp VDS . Với JFET ta có hai dạng mạch phân cực: tự phân cực
(self bias) và phân cực dùng cầu phân áp (voltage-divider bias).
3.1.3.1. MẠCH PHÂN CỰC JFET DẠNG TỰ PHÂN CỰC :

Tự phân cực là dạng phân cực
thường dùng cho JFET. Theo phân tích trên
JFET chỉ hoạt động khi được phân cực
ngược giữa mối nối G- S . Điều kiện này
cần áp âm VGS cho JFET kinh n và áp
dương VGS cho JFET kinh p. Các điều kiện
này có thể đạt được bằng các mạch tự phân
cực, xem hình H3.15 .
Điện trở cực cổng RG không ảnh
hưởng đến sự phân cực vì áp đặt ngang
qua qua hai đầu phần tử này bằng 0. Điện
trở RG cần thiết để cô lập tín hiệu AC trong
các mạch khuếch đại.
Với JFET kinh n hình H3.15 (a)
dòng IS tạo áp ngang qua hai đầu điện trở RS
hình thành nguồn áp dương so với với Gnd.
HÌNH H4.15:
Vì dòng IS = ID và VG = 0 nếu VS  ID .R S thì :
VGS  VG  VS  0  ID .R S  ID .R S
Hay VGS  ID .R S
Với JFET kinh p hình H3.15 (b) dòng IS qua điện trở RS hình thành nguồn áp âm tại cực
Source so với với Gnd. Suy ra
VGS  ID .R S
Với JFET kinh n hình H3.15 (a) áp giữa Cực Thoát (Drain) so với Gnd được xác định
theo quan hệ sau :
VD  VDD  ID .RD
Vì VS  ID .R S
Suy ra VDS  VD  VS  VDD  ID .  RD  R S 

Nên nhớ quá trình phân tích JFET kinh p thực hiện tương tự nhưng cần lưu ý dấu của
các áp khi khi khảo sát.
THÍ DỤ 3.6:
Tìm áp VDS và VGS trong hình H3.16.
Với JFET cho trong mạch với các thông số nội định trước như : gm ;
VGS(off) ; và IDSS sẽ hình thành dòng ID  5 mA . Với một JFET khác, ngay cà
khi cùng mã số cùng loại, có thể không tạo ra cùng kết quả khi nối vào mạch
vì phụ thuộc vào sự thay đổi giá trị của các thông số.
GIẢI:
Ta có:
VS  ID .R S   5 mA  .  220    1100mV  1,1 V
VD  VDD  ID .RD  15 V   5 mA  .  1k   15 V  5 V  10 V

Suy ra:
VDS  VD  VS  10 V  1,1 V  8,9 V
HÌNH H4.16 Vì VG  0 V
VGS  VG  VS  0 V  1,1 V  1,1 V
ĐỊNH ĐIỂM LÀM VIỆC Q TRONG MẠCH TỰ PHÂN CỰC JFET
Phương pháp cơ bản tính gần đúng để đạt được điểm phân cực cho JFET là xác định
dòng ID theo giá trị áp VGS định trước hoặc ngược lại. Sau đó tính toán để xác định giá trị điện trở
RS theo quan hệ sau:
VGS
RS  (3.8)
ID
Để xác định được các giá trị ID và VGS có thể thực hiện theo một trong hai phương pháp:
Áp dụng đặc tuyến chuyển của JFET.
Áp dụng quan hệ (3.2)
THÍ DỤ 3.7:
Xác định giá trị điện trở RS trong mạch tự phân cực cho JFET có đặc tuyến chuyển trình
bày trong hình H3.17 tại giá trị VGS = 5V.
HÌNH H3.17: Đặc tuyến chuyển của JFET cho trong thí dụ 3.7.
GIẢI:
Từ đồ thị, ta có được kết quả sau : tại VGS = 5 V thì ID = 6,25 mA . Suy ra:
VGS 5 V
RS    0,8 k  800 
ID 6,25 mA
Tương tự, khi dùng phương pháp đồ thị xác định muốn xác định điểm làm việc tại điểm
VGS = 3 V tương ứng với ID = 12 mA ta cần điện trở RS có giá trị sau:
VGS 3 V
RS    0,25 k  250 
ID 12 mA
THÍ DỤ 3.8:
Xác định giá trị điện trở RS trong mạch tự phân cực cho JFET kinh p có các thông số như
sau : IDSS = 25 mA và VGS(off) = 15 V. Biết điểm làm việc có VGS = 5V.
GIẢI:
Áp dụng quan hệ (3.2), ta có:
2 2
 VGS   5V 
ID  IDSS .  1     25 mA  .  1 
 VGS(off)   15 V 
2
2
ID   25 mA  .    11,11mA
3
Suy ra giá trị của điện trở RS là:
VGS 5V
RS    0, 45 k  450 
ID 11,11mA
PHÂN CỰC ĐIỂM LÀM VIỆC Q TẠI VỊ TRÍ GIỮA
Trong một số mạch phân cực JFET thường yêu cầu điểm làm việc Q ở gần vị trí giữa của
I
đặc tuyến chuyển, tại vị trí này ta có ID  DSS . Điểm phân cực tại vị trí giữa cho phép dòng ID thay
2
đổi trong phạm vi từ IDSS đến 0 khi cho các tín hiệu biến thiên vào cổng JFET.
IDSS
Khi áp dụng quan hệ (3.2) khi giá trị ID  ta có kết quả như sau :
2
2
 VGS 
0,5.IDSS  IDSS .  1   (3.9)
 VGS(off )
 
Suy ra:
2
  VGS(off ) 
  
0,5   1   K  (3.10)
 VGS(off ) 
 
 
 
VGS(off )
Trong quan hệ (3.10) ta đã đặt VGS  với giá trị K > 1. Thu gọn (3.10) ta có
K
phương trình xác định gía trị K như sau:
1
1  0,5
K
Hay:
1
K  3, 4142 (3.11)
1  0,5
Tóm lại:
VGS(off ) IDSS
VGS  tại lúc ID  (3.12)
3, 4142 2
VDD
Muốn chỉnh đặt giá trị VD  cần chọn giá trị của điện trở RD thích hợp để tạo điện áp
2
đặt ngang qua hai đầu điện trở này đủ lớn để điều chỉnh thay đổi được áp VD.
THÍ DỤ 3.8:
Xác định các điện trở RD và RS trong mạch tự phân cực JFET, hình
H3.18 để điểm làm việc tại vị trí giữa trên đặc tuyến chuyển.
Cho JFET có các thông số sau: IDSS = 12 mA và VGS(off) = 3V. Giá trị
VD được xác định xấp xỉ giá trị 6 V.
GIẢI:
IDSS 12 mA
Tại vị trí giữa ta có : ID    6 mA
2 2
VGS(off ) 3 V
VGS    0,87868 V  878,68mV
3, 4142 3, 4142 HÌNH H3.18
Điện trở RS được xác định theo quan hệ :

VGS 878,68 mV
RS    146, 44   146 
ID 6mA
Suy ra : VD  VDD  ID .RD

Hay :
VDD  VD 12 V  6 V
RD    1k
ID 6 mA
GIẢI TÍCH DÙNG ĐỒ THỊ CHO MẠCH TỰ PHÂN CỰC JFET
HÌNH H3.19
Chúng ta có thể
dùng đặc tuyến chuyển của
JFET và các thông số bất kỳ
khác để xác định điểm làm
việc Q ( ID và VGS) cho mạch
tự phân cực. HÌNH H3.20
Cho mạch tự phân
cực trong hình H3.19 và đặc tuyến chuyển của JFET theo hình H3.20. Trong trường hợp đặc
tuyến không được cho trong các tài liệu kỹ thuật (data sheets), chúng ta có thể vẽ đặc tuyến
theo các thông số IDSS và VGD(off) cho trong tài liệu kỹ thuật.
Đầu tiên chúng ta cần xác định đường tải điện tỉnh (DC load line) cho mạch tự phân
cực. Đây là đồ thị mô tả quan hệ giữa dòng ID theo áp VGS .
Khi VGS = 0 V, ta có VGS  ID .R S    470   .ID  0 V . Suy ra ID = 0 A
Khi ID = IDSS tacó quan hệ VGS  IDSS .R S    470   .  10mA   4700 mV  4,7 V . Giá
trị dòng IDSS = 10 mA được xác định từ đặc tuyến chuyển, xem hình H3.20.
Tóm lại đường tải điện tỉnh đi qua 2 điểm đặc biệt:
(VGS = 0 V; ID = 0 A) và (VGS = 4,7 V; ID = 10 mA)
Đường tải điện DC đưiợc vẽ chung với đặc tuyến chuyển trình bày trong hình H3.21. Từ
các đồ thị này ta suy ra tọa độ giao điểm chính là các thông số của điểm làm việc Q cần tìm.
Điểm làm việc Q của JFET

trong mạch tự phân cực hình
H3.19 xác định từ đồ thị hình
H3.21 có các thông số như sau:
(VGS = 2,3 V; ID = 5,07 mA)
HÌNH H3.21
HÌNH H3.22
THÍ DỤ 3.9: Định điểm làm việc Q của JFET trong mạch hình
H3.22 với đặc tuyến chuyển của JFET cho trong hình H3.23.
GIẢI:
Khi VGS = 0 V suy ra ID = 0 A
Khi ID = IDSS = 4 mA ta có
VGS  IDSS .R S    680   .  4 mA 
Suy ra :
VGS  2,72 V
Tóm lại đường tải điện tỉnh
đi qua 2 điểm đặc biệt:
(VGS = 0 V; ID = 0 A) và
(VGS = 2,72 V; ID = 4 mA)
Vẽ đường tải điện tỉnh và
xác định tọa độ giao điểm của
đặc tuyến chuyển với đường tải
điện tỉnh. Ta có thông số điểm
làm việc Q của JFET trong mạch
tự phân cực hình H3.22 là :
(VGS = 1,5 V; ID = 2,25 mA)
HÌNH H3.23
3.1.3.2. MẠCH PHÂN CỰC JFET DÙNG CẦU PHÂN ÁP :
Trong hình H3.24 trình bày mạch phân cực JFET kinh n dùng cầu
phân áp. Điện thế tại cực nguồn (S) phải dương hơn điện thế tại cực cổng
(G) để duy trì điều kiện phân cực nghịch cho mối nối GS.
Điện thế tại cực nguồn S (so với điểm Gnd) là:
VS  R S .ID (3.13)
Điện thế tại cực cổng (G) được xác định bởi các điện trở R1 và R2
của cầu phân áp theo quan hệ sau:
R 2 .VDD
VG  (3.14)
R1  R 2
Điện áp giữa cực cổng và cực nguồn là:
VGS  VG  VS (3.15)
Dòng qua cực thoát là:
HÌNH H3.24
VS VG  VGS
ID   (3.16)
RS RS
THÍ DỤ 3.10: Định dòng ID và áp VGS cho mạch phân cực JFET dùng
cầu phân áp theo hình H3.25. Cho áp VD  7V .
GIẢI:
Dòng qua cực thoát (D) xác định theo quan hệ:
VDD  VD 12 V  7 V 5V
ID     1,515  1,52mA
RD 3,3k 3,3k
Điện thế tại cực nguồn (S):
VS  R S .ID   1,515 mA  .  2,2k   3,333 V
Điện thế tại cực cổng (G) xác định theo cầu phân áp:
R 2 .VDD  1M  .  12 V 
VG    1,53846  1,54 V
R1  R 2 1M  6,8M
HÌNH H3.25
Điện áp giữa cực cổng và cực nguồn là:
VGS  VG  VS  1,54 V  3,33 V  1,79 V
CHÚ Ý: Nếu trong thí dụ này không cho giá trị áp VD ; điểm làm việc Q sẽ không xác định được
nếu không có đặc tuyến chuyển.
GIẢI TÍCH DÙNG ĐỒ THỊ CHO MẠCH TỰ PHÂN CỰC JFET DÙNG CẦU PHÂN ÁP:
Tương tự như trường hợp đã thực hiện khi áp dụng mạch tự phân cực cho JFET, chúng ta
có thể áp dụng phương pháp đồ thị xác định điểm làm việc Q cho JFET trong mạch phân cực
dùng cầu phân áp.
Trong mạch phân cực dùng cầu phân áp, khi ID  0 áp VGS không bằng 0 như trong trường
hợp tự phân cực, vì cầu phân áp tạo điện áp tại cực cổng độc lập đối với dòng qua cực
thoát. Đường tải điện DC khi dùng cầu phân áp được xác định theo phương pháp sau:
Khi ID  0 , VS  R S .ID  R S .0  0 .
Suy ra VGS  VG  VS  VG  0  VG
Tóm lại điểm

 ID  0 ; VGS  VG  là điểm
nằm trên đường tải điện DC.
Khi VGS  0 ,
V  VGS VG
ID  G 
RS RS
Tóm lại điểm thứ hai nằm
trên đường tải điện DC là
 VG 
 ID  ; VGS  0  .
 RS 
Vẽ đường tải điện
DC trên cùng đồ thị với đặc
tuyến chuyển, tọa độ giao
điểm của các đường biểu
diễn chính là thông số của
điểm làm việc Q , xem hình
HÌNH H3.26 H3.26.
THÍ DỤ 3.11: Định điểm làm việc Q của JFET trong mạch phân cực dùng cầu phân áp theo hình
H3.27. Cho đặc tuyến chuyển của JFET cho trong hình H3.28.
HÌNH H3.27
HÌNH H3.28: Đặc tuyến chuyển của JFET

GIẢI:
Đầu tiên xác định các điểm trên đường tải điện tỉnh DC.
Với ID  0 .
R 2 .VDD  2,2 M  .8 V
VGS  VG    4V
R1  R 2 2,2M  2,2M
Với VGS  0
VG  VGS VG 4V
ID     1,2mA
RS R S 3,3k
Vẽ đường tải điện tỉnh qua hai điểm:  ID  0 ; VGS  4V  và  ID  1,2mA ; VGS  0  trên đồ
thị đặc tuyến chuyển, suy ra giao điểm của các đường biểu diễn, xem hình H3.28.
Điểm làm việc Q có các thông số  ID  1,8mA ; VGS  1,8 V 
ỔN ĐỊNH ĐIỂM LÀM VIỆC Q :

Đặc tuyến chuyển
của JFET có thể khác
biệt nhiều trên các
linh kiện có cùng mã
số. Thí dụ với JFET
2N5459 được thay
thế trong mạch đã
phân cực sẵn bằng
JFET 2N5459 khác,
đặc tuyến chuyển có
thể thay đổi nhiều,
xem hình H3.29.
Trong hình H3.29
cho thấy giá trị dòng
IDSS cực đại là 16 mA
và giá trị trị dòng IDSS
cực tiểu là 4 mA.
HÌNH H3.29: Sự thay đổi đặc tuyến chuyển của JFET cùng mã số.
Như vậy giá trị áp VGS(OFF) cực đại là 8V và cực tiểu là 2V. Điều này có nghĩa là: nếu ta
chọn linh kiện 2N5459 một cách ngẩu nhiên thì giá trị của các thông số sẽ nằm trong vùng giá trị
vừa nêu. Nếu vẽ đường tải điện DC cho mạch tự phân cực, với cùng mạch điện thì điểm làm việc
có thể nằm trên đường tải điện trong vùng từ Q1 (điểm phân cực cực tiểu) đến điểm Q2 (điểm
phân cực cực đại) . Như vậy, dòng ID có thể đạt giá trị từ ID1 đến ID2 , xem vùng giới hạn màu xám
trên hình H3.29. Điều này cho thấy, áp DC tại cực D (Drain) có thể có một dảy giá trị phụ thuộc
vào giá trị của dòng ID . Hơn nữa, áp giữa các cực GS có thể có giá trị bất kỳ trong phạm vi từ
VGS1 đến VGS2 .
a.Tự phân cực b. Phân cực dùng cầu phân áp
HÌNH H3.30: Phương pháp ổn định điểm làm việc Q bằng cách phân cực dùng cầu phân áp.
Trong hình H3.30 trình bày điểm làm việc Q trong các trường hợp phân cực JFET bằng
phương pháp tự phân cực và phân cực dùng cầu phân áp. Với phương pháp phân cực dùng cầu
phân áp dảy giá trị tha đổi của dòng ID thu hẹp lại do độ dốc của đường tải điện DC giảm thấp hơn
so với độ dốc của đường tải điện trong trường hợp tự phân cực.
Mặc dù phạm vi của áp VGS có khác biệt giữa hai phương pháp phân cực, nhưng dòng ID
ổn định hơn khi áp dụng phương pháp phân cực dùng cầu phân áp.
3.2 MOSFET (METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR):

MOSFET là một dạng khác của transistor áp dụng hiệu ứng trường. Khác với JFET, cấu
trúc của MOSFET bao gồm hai lớp bán dẫn pn tạo thành mối nối pn, cực cổng của MOSFET
được phân cách với kinh p (hay n) bằng lớp silicon oxide (SiO2).
Có hai loại MOSFET cơ bàn : loại D (Depletion) và loại E (Enhancement). Do cực cổng
được phân cách với kinh dẫn, các linh kiện này còn được gọi là IGFET (Ignition Gate FET).
3.2.1.DMOSFET (DEPLETION MOSFET):
cấu trúc cơ bản của D-MOSFET.
Cực D (Drain) và cực G
(Gate) được khuếch tán trong
cùng một lớp vật liệu và kết nối
với nhau thông qua kinh hẹp liên
kết đến lớp phân cách cực cổng.
Các loại D-MOSFET kinh n và
kinh p có cấu tạo trình bày trong
hình H3.31. Để tìm hiểu nguyên lý
hoạt động cơ bản, chúng ta dùng
mô hình D-MOSFET kinh n. Với
D-MOSFET kinh p nguyên lý hoạt
động được giải thích tương tự,
nhưng cần đổi ngược cực tính
của các nguồn áp so với trường
HÌNH H3.31: Cấu trúc cơ bản của D-Mosfet hợp D-MOSFET kinh n.
D-MOSFET có thể hoạt
động trong cả hai chế độ: nghèo (depletion) và tác động tăng (enhancement). Do cực cổng
được cách ly với kinh dẫn nên có thể đặt điện
áp dương hay âm trên cực cổng.
D-MOSFET kinh n hoạt động theo chế
độ nghèo (depletion) khi cấp điện áp âm giữa
cực cổng (G) và cực nguồn (S) và hoạt động
theo chế độ tác động tăng (enhancement) khi
cấp điện áp dương giữa cực cổng (G) và cực
nguồn (S). Các linh kiện này thường hoạt động
theo chế độ nghèo.
3.2.1.1.CHẾ ĐỘ NGHÈO (DEPLETION MODE):
Từ sơ đồ cấu tạo nguyên lý của D-MOSFET

ta có thể xem cực cổng và kinh n như là 2 bản
cực của tụ điện phẳng; lớp Oxide Silicon phân
cách đóng vai trò của điện môi.
Khi đặt điện áp âm lên cực cổng, các HÌNH H3.32: Chế độ nghèo (Depletion)
điện tích âm tại cực cổng đầy lùi các âm điện
tử trên kinh dẫn và để lại các điện tích dương. VGS < 0 và VGS < VGS(Off)
Như vậy, khi số lượng điện

tử trong kinh dẫn n giảm tính dẫn
cũng giảm theo. Sự gia tăng điện áp
âm tại cực cổng càng làm « nghèo »
đi điện tử trong kinh dẫn n . Với
mức điện áp âm đủ lớn cấp vào
cực cổng, VGS(Off) , kinh dẫn hoàn
toàn « nghèo » và dòng điện thoát
ID = 0 .
Chế độ nghèo được trình
bày trong hình H3.32. Tương tự
như trường hợp kinh dẫn n của
JFET, kinh dẫn n của D-MOSFET
có dòng điện ID phụ thuộc vào áp
đặt giữa cực cổng (G) và cực nguồn
(S) trong phạm vi từ VGS(Off) đến 0.
D-MOSFET dẫn khi giá trị VGS > 0 .
HÌNH H3.33: Chế độ tác động tăng (Enhancement) VGS > 0
3.2.1.2. CHẾ ĐỘ TÁC ĐỘNG TĂNG (ENHANCEMENT MODE):
Khi cấp điện áp dương vào cổng, một số lượng lớn điện tử
được hấp dẫn vào kinh dẫn, như vậy tính dẫn của kinh dẫn được gia
tăng. Chế độ tác động tăng được trình bày trong hình H3.33.
3.2.1.3. KÝ HIỆU CỦA D-MOSFET:
Sơ đồ biểu diễn cho các loại D-MOSFET kinh n và kinh p trình Kinh n Kinh p
bày trong hình H3.34 HÌNH H3.34:
3.2.2.EMOSFET (ENHANCEMENT MOSFET):
E-MOSFET chỉ hoạt động theo chế độ tác động tăng không hoạt động theo chế độ
nghèo. Về cấu trúc, E-MOSFET không có kinh dẫn như D-MOSFET; với linh kiện kinh n, lớp bán
dẫn p mở rộng hoàn toàn đến lớp Oxide Silicon (SiO2) , xem hình H3.35 a.
Với linh kiện kinh n khi cấp điện áp dương vào cực cổng trên mức áp ngưỡng sẽ hình
thành một kinh cảm
ứng (induced channel)
là một lớp điện tích âm
nằm trong lớp vận liệu
p và đối diện với lớp
Oxide Silicon.
Tính dẫn của
kinh được gia tăng
bằng cách tăng áp
giữa cực cổng (G) và
nguồn (S). Biên pháp
gia tăng áp sẽ kéo
thêm nhiều điện tử vào
vùng kinh dẫn. Nếu
cấp áp giữa cực cổng
(G) và nguồn (S) thấp
a./ Cấu trúc cơ bản b/ Kinh cảm ứng khi VGS > VGSTh hơn mức ngưỡng thì
sẽ không tạo được
HÌNH H3.35: Chế độ tác động tăng (Enhancement) VGS > 0 kinh dẫn.
Sơ đồ biểu diễn cho các loại E-MOSFET

kinh n và kinh p trình bày trong hình H3.36
Đường vẽ đứt nét trong ký hiệu thể hiện
sự xuất hiện của kinh dẫn cảm ứng, và các đầu
ra của linh kiện được đặt trên các lớp vật liệu hoàn
toàn cô lập cách ly nhau.
3.2.3. MOSFET CÔNG SUẤT (POWER MOSFET):

HÌNH H3.36: Ký hiệu của các loại E-MOSFET
Các MOSFET thông thường có

một lớp kinh mỏng và dài trong cấu
trúc, xem hình H3.37. Với cấu trúc này
khiến điện trở giữa cực thoát (D) đến
cực nguồn (S) có giá trị tương đối
cao và giới hạn phạm vi hoạt động của
E-MOSFET trong áp dụng công suất bé.
Khi cực cổng dương, kinh dẫn tạo
thành trong vùng gần cực cổng giữa
HÌNH H3.37: Cấu trúc E-MOSFET thông thường các cực thoát (D) và cực nguồn (S).
3.2.3.1. LDMOSFET (LATERAL DOUBLE DIFFUSED MOSFET):
LDMOSFET là một dạng E-MOSFET

được thiết kế cho các áp dụng công suất
lớn. Bên trong cấu trúc linh kiện có một kinh
rất ngắn giữa cực thoát (D) và cực nguồn
(S) không giống cấu trúc thông thường của
các E-MOSFET. Với kinh ngắn sẽ cho điện
trở giữa cực thoát (D) đến cực nguồn (S)
có giá trị thấp, cho phép hình thành dòng
điện có giá trị cao.
Trong hình H3.38, trình bày cấu trúc
của một dạng LDMOSFET. Khi cực cổng HÌNH H3.38: Cấu trúc của LDMOSFET
dương, một kinh dẫn n rất ngắn được cảm
ứng trong lớp p giữa cực nguồn (lớp bán dẫn n+ : bán dẫn n có nồng độ hạt tải đa lớn) với lớp
bán dẫn n- (bán dẫn n có nồng độ hạt tải đa thấp). Kết quả dẫn đến là: hình thành dòng điện từ
cực thoát (D) qua vùng n (bán dẫn n có nồng độ hạt tải đa bình thường) và kinh cảm ứng để đến
cực nguồn (S).
3.2.3.2. VMOSFET (V-GROOVE MOSFET):
VMOSFET là một dạng khác của

E-MOSFET được thiết kế để đạt được công
suất lớn hơn bằng cách tạo ra kinh ngắn
hơn và rộng hơn , điện trở giữa cực thoát (D)
và cực nguồn (S) có giá trị thấp.
Với các kinh ngắn và rộng hơn cho
dòng qua lớn hơn nhưng sẽ cho công suất
tiêu tán cao hơn. Đáp ứng tần số cũng
được cải thiện tốt hơn.
VMOSFET có hai đầu nguồn (S), cực
cổng ở trên cùng và cực thoát ở bên dưới. HÌNH H3.39: Cấu trúc của VMOSFET
Kinh dẫn được cảm ứng theo hướng dọc theo các cạnh hình V giữa cực thoát (D) là lớp
bán dẫn n+ và bán dẫn n- đến cực nguồn (S) cũng là lớp bán dẫn n+.
Độ dài kinh dẫn được điều chỉnh bằng bề
dầy của các lớp. Thực sự, độ dài của kinh dẫn
được kiểm soát bằng nồng độ các hạt tải và thời
gian khuếch tán .
3.2.3.3. TMOSFET (T-GROOVE MOSFET):
TMOSFET có cấu tạo tương tự như

VMOSFET nhưng kinh dẫn hình T. Với kết cấu này
linh kiện dễ dàng chế tạo trong thực tế. Cấu trúc
của TMOSFET trình bày trong hình H3.40. Cực
Cổng được nhúng trong lớp Ocide Silicon và
cực nguồn tiếp xúc thường trực với bề mặt bên
ngoài . Cực thoát nằm bên dưới.
TMOSFET tạo thành các linh kiện có kích
thước lớn hơn so với VMOSFET nhưng vẫn duy trì
được kinh dẫn ngắn . HÌNH H3.40: Cấu trúc của TMOSFET
3.2.4. MOSFET CỔNG KÉP (DUAL GATE MOSFETS):

MOSFET cổng kép có thể là loại nghèo hoặc
loại tác động tăng. Điều khác biệt là linh kiện có hai cực
cổng, xem hình H3.41.
Điểm bất lợi của FET là điện dung nhập có
giá trị cao, giới hạn việc sử dụng tại tần số cao.
Với biện pháp sử dụng FET có cổng kép cho
điện dung nhập có giá trị thấp hơn, linh kiện hữu
dụng hơn trong các ứng dụng tần số cao như khuếch
đại RF (Radio Frequency).
HÌNH H3.41: MOSFET cổng kép kinh n
Một thuận lợi khác của cách bố trí cổng kép
cho phép điều chỉnh tự động độ lợi (AGC: Automatic Gain Control) ngõ vào trong các mạch
khuếch đại RF.
3.2.5. ĐẶC TÍNH VÀ THÔNG SỐ CỦA MOSFET :

Trước tiên chúng ta cần khảo sát các đặc tính và thông số của JFET áp dụng cho
MOSFET. Trong mục này trình bày nội dung sau:
Định nghĩa, giải thích và áp dụng các thông số quan trọng của MOSFET.
Giải tích đặc tính chuyển của D-MOSFET.
Áp dụng phương trình đặc tuyến chuyển của D-MOSFET để tính dòng ID.
Giải tích đặc tính chuyển của M-MOSFET.
Áp dụng phương trình đặc tuyến chuyển của M-MOSFET để tính dòng ID.
Sử dụng các đặc tính kỹ thuật của MOSFET.
Giải thích các điểm cần chú ý khi sử dụng linh kiện MOS.
3.2.5.1. ĐẶC TUYẾN CHUYỂN CỦA D-MOSFET:
Theo nội dung vừa phân tích trong các mục trên, D-MOSFET có thể hoạt động trong các
trường hợp: điện áp cực cổng dương hay âm. Điều này được thể hiện trong đặc tuyến chuyển
dạng tổng quát trong hình H3.42 cho tất cà các loại MOSFET kinh n và kinh p.
Đặc tuyến chuyển

cắt hệ trục tọa độ tại
các điểm :
(VGS = 0 V ; ID = IDSS)
(ID = 0 ; VGS = VGS(Off))
Tương tự như
JFET, VGS(Off)) =  VP.
Quan hệ (3.2)
dùng cho đặc tuyến
chuyển của JFET
cũng áp dụng được
cho đặc tuyến chuyển
của D-MOSFET,ta xét
thí dụ 3.12 sau đây:
HÌNH H3.42: Đặc tuyến chuyển của MOSFET kinh n và kinh p.
THÍ DỤ 3.12: Cho D-MOSFET có thông số: IDSS = 10 mA và VGS(Off) =  8V.

a./ Linh kiện là loại kinh n hay kinh p ?
b./ Xác định ID tại VGS = 3V.
c./ Xác định ID tại VGS = + 3V.
GIẢI:
a./ Linh kiện có VGS(Off) =  8V nên thuộc loại MOSFET kinh n.
2
 VGS 
b./ Áp dụng quan hệ (3.2) : ID  IDSS .  1  , ta có :
 VGS(off) 
2
 3 V 
ID   10 mA  .  1   3,91mA
 8 V 
c./ Tương tự , áp dụng quan hệ (3.2) suy ra :
2
 3 V 
ID   10 mA  .  1   18,9 mA
 8 V 
3.2.5.2. ĐẶC TUYẾN CHUYỂN CỦA E-MOSFET:
E-MOSFET chỉ
dùng kinh tác động
tăng. Như vậy : với
linh kiện kinh n cần
áp dương đặt giữa
cực cổng và nguồn,
với linh kiện kinh p
cần áp âm đặt giữa
cực cổng và nguồn.
Trong hình H3.43
trinh bày các đặc tuyến
chuyển cho tất cả các
loại E-MOSFET kinh n
và kinh p.
HÌNH H3.43: Đặc tuyến chuyển của E-MOSFET kinh n và kinh p.
Trên đặc tuyến cho thấy không có giá trị nào của dòng điện ID khi VGS = 0 V. Do đó, linh
kiện E-MOSFET không có thông số IDSS như trường hợp của JFET và D-MOSFET. Một cách lý
tưởng khi thay đồi áp VGS và dòng thoát ID = 0 ; cho đến khi áp VGS đạt được giá trị khác 0 nào
đó dể dòng ID bắt đầu hình thành ; giá trị áp VGS tại lúc bắt đầu hình thành dòng ID được gọi là
áp ngưởng VGS(th) .
Do đặc tuyến chuyển của E-MOSFET có dạng parabol và đặc tuyến chuyển bắt đầu tại
giá trị áp ngưởng VGS(th) trên trục hoành và không cắt trục tung , hàm số xác định đặc tuyến
chuyển của E-MOSFET được trình bày như sau :
 
2
ID  K. VGS  VGS(th) (3.17)
Hằng số K phụ thuộc vào đặc tính riêng của mỗi loại MOSFET có thể được xác định
thông qua số liệu dòng ID(on) cho trong các tài liệu kỹ thuật của nhà sản xuất.
THÍ DỤ 3.13: Cho E-MOSFET mả số 2N7008 có đặc tính và thông số kỹ thuật trình bày tóm tắt
trong hình H3.44. Từ dữ liệu cho trong tài liệu kỹ thuật xác định dòng ID ứng giá trị áp VGS = 5V.
GIẢI:
HÌNH H3.44: Tóm tắt các thông số kỹ thuật của E-MOSFET mả số 2N7008.
THÍ DỤ 3.13: Cho E-MOSFET mả số 2N7008 có đặc tính kỹ thuật tóm tắt trong hình H3.44.
Từ các số liệu nhận được trong đặc tính kỹ thuật, xác định dòng thoát ID tại áp VGS = 5 V.
GIẢI
Từ các số liệu cho trong đặc tính kỹ thuật, chúng ta rút ra các thông số sau :
Dòng thoát cực tiểu ID(on) = 500 mA.
Áp VGS ứng với dòng ID(on) = 500 mA là : VGS = 10 V.
Áp ngưởng VGS(th) = 1 V (chọn giá trị cực tiểu).
Áp dụng quan hệ (3.17) suy ra:
ID(on) 500mA  mA 
K   6,17  2 
 VGS  VGS(th)   10 V  1V 
2 2
V 
Suy ra:
   
2 2
ID  K. VGS  VGS(th)  6,17. VGS  VGS(th) mA  (3.18)
Áp dụng quan hệ (3.18) xác định dòng thoát ID ứng với áp VGS = 5 V ; ta có :
ID  6,17.  5 V  1V   98,7 mA
2
3.2.5.3. CÁC ĐIỂM QUAN TRỌN CẦN CHÚ Ý:
Tất cả các linh kiện MOS có thể bị phá hủy dưới tác dụng của quá trình phóng điện
bởi tỉnh điện ESD (Electrostatic Discharge).
Do cực cổng của MOSFET được cách ly với kinh dẫn, tổng trở nhập có giá trị rất lớn
(có giá trị vô cùng khi xem lý tưởng).
Dòng rò ở cực cổng, IGSS , của các MOSFET tiêu chuẩn có giá trị khoảng vài pA ;
trong khi dòng ngược tại cực cổng của JFET có giá trị khoảng vài nA .
Giá trị điện dung nhập phụ thuộc vào cấu trúc cách ly cực cổng. Điện lượng tỉnh điện cực
lớn có thề tích lũy do điện dung nhập có giá trị lớn liên kết với điện trở nhập cũng có giá trị lớn dễ
dẫn đến sự phá hỏng linh kiện.
Muốn tránh sự phá hỏng linh kiện do tác dụng ESD ta cần thực hiện các yêu cầu sau :
 Khi vận chuyển các linh kiện MOS phải được lưu trử trong các hạt dẫn .
 Tất cà các thiết bị đo lường và các băng kim loại dùng liên kết hay thử nghiệm phải được
nối đất.
 Không nên tách rời các linh kiện MOS (hay bất kỳ các linh kiện khác) khỏi mạch trong khi
nguồn cung cấp chưa được ngắt.
 Không nên cấp tín hiệu vào các linh kiện MOS khi nguồn DC chưa đươc cấp vào mạch.
3.2.6. PHÂN CỰC MOSFET :

Ta có 3 phương pháp phân cực cho MOSFET :
Phân cực zero.
Phân cực dùng cầu phân áp.
Phân cực hồi tiếp cực thoát (Drain feedback).
Phân cực là thao tác cần thiết cho các mạch khuếch đại dùng FET.
3.2.6.1. PHÂN CỰC D-MOSFET:
Do D-MOSFET có thể hoạt động với

các giá trị dương và âm của áp VGS. Phương
pháp phân cực đơn giản là tạo ra áp
VGS  0 V để tín hiệu áp AC tại cực cổng
làm thay đổi áp giữa cổng (G)và nguồn (S)
quanh điểm phân cực 0V.
Mạch MOSFET phân cực zero trình

bày trong hình H3.45 a. Vì áp VGS  0 V ,
nên dòng thoát ID  IDSS .
Áp giữa cực thoát (D) và nguồn (S)
HÌNH H3.45: Mạch phân cực zero cho D-MOSFET
VDS  VDD  RD .IDSS (3.19)
Nhiệm vụ của điện trở RD điều hợp với tín hiệu AC bằng cách cô lập tín hiệu này với Gnd,
xem hình H3.45b. Vì không có dòng DC và cực cổng, nên RG không ảnh hưởng đến sự phân cực
zero giữa cổng và nguồn.
THÍ DỤ 3.14:
Xác định áp giữa cực thoát (D) và cực nguồn (S) trong mạch hình
H3.46. Biết thông số cho trong đặc tính kỹ thuật của MOSFET là:
VGS(Off)  8V ; IDSS  12mA .
GIẢI:
Vì dòng ID  IDSS  12mA , áp giửa cực thoát (D) và nguồn (S)
được xác định theo quan hệ (3.19) như sau:
VDS  VDD  RD .IDSS  18V  (12mA).(620)

Suy ra:
HÌNH H3.46
VDS  10,6 V
3.2.6.2. PHÂN CỰC E-MOSFET
Không thể áp dụng phương pháp

phân cực zero cho E-MOSFET vì muốn có
dòng ID thì áp VGS phải dương và lớn hơn
mức áp ngưởng VGS(th).
Trong hình H3.47 trình bày hai

phương pháp phân cực cho E-MOSFET:
dùng cầu phân áp và hồi tiếp cực thoát.
Nên nhớ D-MOSFET cũng có thể được
phân cực theo các phương pháp này.
Mục tiêu chính của các phương

pháp phân cực này là tạo áp cực cổng
HÌNH H3.47: Mạch phân cực cho E-MOSFET
dương hơn so với nguồn và lớn hơn áp
ngưỡng VGS(th).
PHÂN CỰC DÙNG CẦU PHÂN ÁP:
Các phương trình giải tích áp dụng cho phương pháp phân cực dùng cầu phân áp (mạch
(a) trong hình H3.47) được trình bày như sau:
 R2 
VGS    .VDD (3.20)
 R1  R 2 
VDS  VDD  RD .ID (3.21)
 
2
Trong đó dòng ID thỏa quan hệ (3.17) ID  K. VGS  VGS(th)
THÍ DỤ 3.15:
Định VGS và VDS cho mạch phân cực E-MOSFET trong hình
H3.48. Biết các thông số của MOSFET là : ID(ON) = 200 mA tại VGS = 4 V
và VGS(th) = 2 V.
GIẢI:
Từ 3.20 suy ra áp giữa cực cổng và nguồn là :
 15k 
VGS    .24V  3,13 V
 15k  100k 
Xác định hệ số K trong quan hệ (3.17) dựa vào giá trị dòng ID(ON)
ID(on) 200mA  mA 
K   50  2 
 VGS  VGS(th)   4 V  2 V 2
2
V 
HÌNH H3.48
Dòng ID tại VGS = 3,13V được xác định theo quan hệ:
 
2
 50.  3,13  2   63,8mA
2
ID  K. VGS  VGS(th)
Áp VDS :
VDS  VDD  RD .ID  24V  (200  ) 63,8mA   11,2 V
PHÂN CỰC DÙNG HỒI TIẾP CỰC THOÁT:

Với mạch phân cực hồi tiếp cực thoát trình bày trong hình H3.47b, chúng ta có thể bỏ qua
dòng cực cổng nên không có áp rơi ngang qua điện trở RG . Tóm lại VGS = VDS
THÍ DỤ 3.16:
Ước tính dòng qua cực cổng MOSFET trong mạch
hình H3.49, biết VGS(th) = 3 V.
GIẢI:
Tứ Volt kế ta có VGS = 8,5 V . Vì mạch phân cực
theo dạng hồi tiếp cực thoát, ta có VGS = VDS = 8,5 V.
Suy ra :
VDD  VDS 15 V  8,5 V
ID    1,38mA
RD 4,7k
HÌNH H3.49
ĐẶC TÍNH VÀ THÔNG SỐ CỦA JFET
BÀI TẬP 3.1

Cho JFET có điện áp thắt (Pinch-off voltage) là 5V . Khi áp VGS = 0 thì áp VDS có giá trị
bao nhiêu tại lúc dòng thoát bắt đầu đạt giá trị không đổi.
ĐÁP SỐ: 5V
BÀI TẬP 3.2
Cho JFET kinh n được phân cực sao cho có VGS = 2V. Xác định áp VGS(Off), nếu áp VP là
6V . Linh kiện đang ở trạng thái dẫn hay ngưng dẫn ?
BÀI TẬP 3.3
Cho JFET có thông số VGS(Off) = 8 V và IDSS = 10 mA. Khi VGS = 0 V, thì dòng ID có giá trị
bao nhiêu để áp VDS đạt giá tri lớn hơn áp thắt ? Cho VDD = 15 V.
ĐÁP SỐ: 10 mA
BÀI TẬP 3.4
Cho JFET kinh p có VGS(Off) = 6 V. Dòng ID có
giá trị bao nhiêu khi áp VGS = 8 V.
BÀI TẬP 3.5
Cho JFET trong hình H3.50 có VGS(Off) = 4 V.
Giả sử gia tăng áp nguồn cung cấp VDD từ giá trị 0
cho đến khi số chỉ của Ampere kế đạt giá trị xác
lập. Tại lúc này số chỉ của Volt kế là bao nhiêu ?
ĐÁP SỐ: 4V HÌNH H3.50
BÀI TẬP 3.6

Cho JFET có các thông số cho từ tài liệu kỹ thuật như sau: VGS(Off) = 8 V và IDSS = 5 mA.
a./ Định giá trị dòng ID cho mỗi giá trị VGS trong phạm vi từ 0 V đến 8 V, với mỗi khoảng giá trị
thay đổi là 1 V.
b./ Vẽ đặc tuyến chuyển theo các giá trị tìm được.
c./ Xác định giá trị VGS tạo được dòng ID = 2,25 mA.
ĐÁP SỐ: c./ 2,63 V
BÀI TẬP 3.7
Cho JFET có gmo  3200 S . Xác định giá trị gm tại VGS= 4 V và VGS(Off) = 8 V.
BÀI TẬP 3.8
Xác định hệ số điện dẫn thuận của JFET phân cực tại VGS= 2 V. Từ dữ liệu cho trong tài
liệu kỹ thuật ta có VGS(Off) = 7 V ; và gm  2000 S tại VGS = 0V suy ra tổng dẫn thuận.
ĐÁP SỐ: 1429 µS
BÀI TẬP 3.9

Cho JFET kinh p có IGSS = 5 nA tại VGS= 10 V. Tìm tổng trở nhập .
BÀI TẬP 3.10

Áp dụng quan hệ (3.2) xây dựng đặc tuyến chuyển cho JFET, biết IDSS= 8 mA và áp
VGS(Off) = 5 V . Xác định ít nhất 4 điểm trên đặc tuyến.
PHÂN CỰC JFET

BÀI TẬP 3.11
Cho mạch tự
phân cực JFET kinh n cò
dòng thoát ID = 12 mA và
điện trở nối về nguồn là
100 Ω . Xác định áp VGS .
BÀI TẬP 3.12

Tìm điện trở RS
của mạch tự phân cực
JFET để tạo được áp
VGS = 4V khi ID = 5 mA .
HÌNH H3.51
ĐÁP SỐ: 800 Ω
BÀI TẬP 3.13

Tìm điện trở RS của mạch tự phân
cực JFET để tạo được áp VGS = 3 V khi
ID = 2,5 mA
BÀI TẬP 3.14

Cho JFET có các thông số được áp
VGS(Off) = 6 V khi IDSS = 20 mA.
a./ Xác định dòng ID khi VGS = 0 V.
b./ Xác định dòng ID khi VGS = VGS(Off) .
c./ Nếu VGS gia tăng từ 4V đến 1V, thì ID
tăng hay giảm ?
ĐÁP SỐ: a./ 20 mA
b./ 0 A c./ gia tăng
BÀI TẬP 3.15
Cho mỗi mạch theo hình H3.51 , xác
định VDS và VGS . HÌNH H3.52
BÀI TẬP 3.16

Áp dụng đặc tuyến cho trong hình H3.52 , xác
định điện trở RS để tạo ra dòng ID = 9,5 mA .
ĐÁP SỐ: 211 Ω
BÀI TẬP 3.17

Xác định điểm phân cực tại vị trí giữa cho
JFET với IDSS = 14 mA và VGS(Off) = 10 V . Biết nguồn
DC cung cấp là 24 V .
Suy ra mạch phân cực và giá trị các điện trở. Xác
định giá trị : ID ; VGS ; VDS .
BÀI TẬP 3.18

Xác định điện trở nhập toàn phần của mạch
trong hình H3.53. Biết IGSS = 20 nA và áp VGS = 10 V .
ĐÁP SỐ: 9,8 MΩ HÌNH H3.53
BÀI TẬP 3.19

Xác định điểm
làm việc Q cho mạch
trong hình H3.54 a. Biết
đặc tuyến chuyển cho
trong hình H3.54 b.
BÀI TẬP 3.20

làm việc Q của JFET
kinh n cho trong hình
H3.55 a. Biết đặc tuyến
chuyển cho trong hình
H3.55 b.
ĐÁP SỐ: ID  5,3 mA
VGS  2,1 V
HÌNH H3.54
BÀI TẬP 3.21

làm việc Q của JFET
trong hình H3.56a.
Biết đặc tuyến chuyển
trong hình H3.55 b.
ĐÁP SỐ: ID  1,9 mA
VGS  1,5 V
HÌNH H3.55
HÌNH H3.56
BÀI TẬP 3.22

Xác định điểm làm việc Q của JFET trong hình H3.57. Biết áp giữa
cực thoát (D) và Gnd là 5V.
ĐẶC TÍNH VÀ THÔNG SỐ CỦA MOSFET
BÀI TẬP 3.23

Cho thông số kỹ thuật của D-MOSFET gồm: VGS(Off) = 5V, IDSS= 8mA.
a./ Linh kiện thuộc loại kinh n hay kinh p.
b./ Định dòng ID theo giá trị VGS trong phạm vi từ 5V đến +5V,cho mỗi
khoảng thay đổi tương ứng 1 V.
c./ Vẽ đặc tuyến chuyển của linh kiện theo số liệu tìm được trong câu b. HÌNH H3.57
BÀI TẬP 3.24

Định dòng IDSS khi cho trước ID = 3 mA ; VGS = 2 V và VGS(Off) = 10V
ĐÁP SỐ: IDSS  4,69 mA
BÀI TẬP 3.25

Cho thông số kỹ
thuật của E-MOSFET
gồm: VGS(Off) = 3V,
ID(ON) = 10 mA
tại VGS = 12 V.
Tìm dòng ID khi
VGS = 6 V.
PHÂN CỰC MOSFET

HÌNH H3.58
BÀI TẬP 3.26

Định phương pháp phân cực cho mỗi mạch D-MOSFET trong hình H3.58
BÀI TẬP 3.27

Mỗi E-MOSFET trong hình H3.59
có áp VGS(th) là +5V hay 5V, tùy thuộc
linh kiện kinh n hay kinh p.
Xác định trạng thái của mỗi linh
kiện (ở trạng thái dẫn hay ngưng dẫn)
HÌNH H3.59
BÀI TẬP 3.28

Định áp VDS cho mỗi
mạch trong hình H3.60,
biết IDSS = 8 mA.
BÀI TẬP 3.29 HÌNH H3.60

Định áp VGS và VDS cho mỗi E-MOSFET trong hình H3.61.
HÌNH H3.61
HÌNH H3.62
HÌNH H3.63
BÀI TẬP 3.30
Dựa vào giá trị áp VGS đo được, định dòng ID và áp VDS trong mỗi mạch hình H3.62
ĐÁP SỐ: a./ 5V ; 3,18 mA b./ 3,2V ; 1,02 mA
BÀI TẬP 3.31
Định áp VGS của mạch trong hình H3.63 khi có chú ý đến dòng rò cực cổng IGSS . Giả sử giá trị
của IGSS = 50 pA và ID = 1 mA theo điều kiện phân cực hiện có của mạch.
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 4 – THYRISTOR VÀ CÁC LINH KIỆN KHÁC 129
CHƯƠNG 04
THYRISTOR VÀ CÁC LINH KIỆN KHÁC
4.1 LINH KIỆN 4 LỚP BÁN DẪN CƠ BẢN:
Thyristor cơ bản là linh kiện gồm 4 lớp bán dẫn với hai đầu ra, anod và cathod. Cấu
trúc của linh kiện gồm 4 lớp bán dẫn p và n xếp liên tiếp theo thứ tự pnpn. Linh kiện có tác
động như một khóa điện và duy trì trạng thái nghỉ (OFF) cho đến khi đạt được một mức áp
phân cực thuận tương thích nào đó sẽ chuyển sang trạng thái dẫn (ON). Tính dẫn của linh
kiện sẽ duy trì liên tục cho đến khi dòng qua linh kiện giảm thấp hơn một mức giá trị định
trước. Thyristor cơ bản này còn được gọi là SUS (Silicon Unilateral Switch), Shockley diode hay
diode 4 lớp. Trong đề mục này chúng ta sẽ khảo sát các vấnđề sau:
Trình bày cấu trúc và nguyên lý hoạt động của diode 4 lớp pnpn.
Ký hiệu tương đồng cho diode 4 lớp.
Điện áp bẻ gảy phân cực thuận (forward breakdown voltage).
Dòng duy trì (holding current).
Dòng ngắt (switching current).
Khảo sát một số các ứng dụng.
Cấu tạo nguyên lý và ký hiệu của diode 4 lớp hay SUS

trinh bày trong hình H4.1. Cấu trúc 4 lớp bán dẫn được
thay bằng mạch tương đương dùng 2 transistor npn và
pnp trình bày trong hình H4.2a
a. Cấu tạo SUS b. Ký hiệu SUS

HÌNH H4.1
Ba lớp bán dẫn pnp tạo thành

transistor Q1 và ba lớp bán dẫn npn
phía dưới tạo thành transistor Q2,
hai lớp bản dẫn ở giữa chia xẻ với
nhau để tạo thành các transistor nói
trên.
Mối nối phát nền của Q1 là
mối nối pn thứ nhứt, mối nối nền
phát của Q2 là mối nối pn thứ ba.
Mối nối nền thu của cả 2 transistor là
HÌNH H4.2: Mạch tươngđương của SUS dùng 2 transistor mối nối pn thứ hai trong cấu trúc.
Khi cấp áp dương giữa anod và cathod của linh kiện, xem hình H4.2b, các mối nối nền
phát của các transistor Q1 và Q2 (các mối nối pn thứ 1 và thứ 3 trong linh kiện) phân cực thuận,
trong khi mối nối nền thu (mối nối pn thứ 2) phân cực nghịch. Như vậy, các transistor trong
mạch tương đương đang hoạt động trong vùng tuyến tính.
Dòng điện qua mạch tương đương trình bày trong hình H4.3 . Tại mức phân cực thấp dòng
anod có giá trị thấp, linh kiện đang trong trạng thái nghỉ trong chế độ phân cực thuận (vùng ngưng
dẫn phân cực thuận – forward blocking region).
130 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 4 – THYRISTOR VÀ CÁC LINH KIỆN KHÁC
Vùng dẫn lúc

phân cực thuận
Vùng ngưng
dẫn lúc phân
cực thuận.
HÌNH H4.3: HÌNH H4.4: Đặc tính volt ampre lúc phân cực thuận SUS.
4.1.1. ÁP BẺ GẢY LÚC PHÂN CỰC THUẬN (FORWARD-BREAKOVER VOLTAGE):

Hoạt động của diode 4 lớp không bình thường tại lúc phân cực thuận, linh kiện có thể
tác động tương tự như khóa điện. Trong vùng được gọi là vùng ngưng dẫn phân cực thuận
linh kiện có điện trở thuận rất lớn (một cách lý tưởng xem như tiến đến vô cùng) và linh kiện
xem tương đương như khóa điện ở trạng thái hở mạch. Vùng ngưng dẫn phân cực thuận tồn
tại trong phạm vi từ VAK = 0 V cho đến giá trị VAK = VBRF (áp bẻ gảy trạng thái phân cực thuận).
Trạng thái này được trình bày trong đặc tuyến Volt Ampere hình H4.4. Khi linh kiện hoạt động tại
trạng thái ON, linh kiện tác động như khóa điện đang kín mạch. Trong trạng thái này nếu dòng
qua anod giảm thấp đến mức nhỏ hơn giá trị IH linh kiện chuyển sang trạng thái OFF
(ngưng dẫn). Dòng IH được gọi là dòng duy trì (Holding Current).
DÒNG DUY TRÌ (HOLDING CURRENT):
Dòng duy trì là giá trị nhỏ nhất của dòng anod qua linh kiện lúc linh kiện ở trạng thái
dẫn phân cực thuận. Tại điểm làm việc ứng với dòng duy trì, linh kiện vẫn có khả năng duy trì
được trạng thái dẫn cho linh kiện.
DÒNG NGẮT (SWITCHING CURRENT):
Dòng ngắt là giá trị dòng anod qua linh kiện tại lúc linh kiện từ trạng thái ngưng dẫn
phân cực thuận chuyển sang trạng thái dẫn phân cực thuận . Dòng ngắt được ký hiệu là IS và
có giá trị hơi thấp hơn dòng duy trì IH.
THÍ DỤ 4.1:
Xác định dòng anod qua SUS trong hình H4.5 khi linh
kiện đang trong trạng thái dẫn. Biết áp VBR(F) = 100 V, giả sử
các transistor trong mạch tương đương của SUS có các
thông số: áp VBE = 0,7 V và áp VCE(SAT) = 0,1 V.
GIẢI:
Khi SUS đang trong trạng thái dẫn phân cực thuận, áp
dụng định luật Kirchhoff 2, ta có: HÌNH H4.5
VBIAS  R S .IF  VBE  VCE(SAT)
Suy ra:
VBIAS  VBE  VCE(SAT) 110V  0,7V  0,1V 109,2V
IF     109,2mA
RS 1k 1k
4.1.2. ĐẶC TÍNH KỸ THUẬT CỦA SUS :
HÌNH H4.6: ĐẶC TÍNH KỸ THUẬT CỦA CÁC SUS
Trong hình H4.6 trình bày đặc tính kỹ

thuật, các thông số của họ SUS: 2N4987,
2N4988, 2N4989, 2N4990.
Trong hình H4.7 trình bày sơ đồ mạch
tương đương và ký hiệu của họ SUS cho
trong hình H4.6.
Linh kiện SUS thường dùng trong các
mạch tạo xung, mạch kích SCR, làm cảm
biến bảo vệ sự cố quá áp . . .
HÌNH H4.7: KÝ HIỆU, MẠCH TƯƠNG ĐƯƠNG CỦA SUS
4.2.SCR (SILICON-CONTROLLED RECTIFIER):
Tương tự như diode 4 lớp, SCR có hai trạng

thái hoạt động.Tại trạng thái ngưng dẫn (OFF) linh
kiện tác động một cách lý tưởng như mạch hở giữa
anod và cathod, do tổng trở nội giữa các cực nêu trên
có giá trị vô cùng lớn.Tại trạng thái dẫn (ON) linh kiện
tác động như mạch điện kín giữa anod và cathod, lúc
này tổng trở nội (phân cực thuận) có giá trị rất thấp.
SCR được sử dụng nhiều trong các ứng HÌNH H4.8: CẤU TẠO VÀ KÝ HIỆU CỦA SCR
dụng: điều khiển động cơ, mạch định thì, điều khiển
nhiệt, điều khiển pha , điều khiển relay . . . Trong đề mục này chúng ta khảo sát:
 Cấu trúc cơ bàn và nguyên tắc hoạt động của SCR.
 Ký hiệu và mạch tương đương.
 Giải thích các đặc tuyến và trình bày các thông số của SCR.
 Định nghĩa force commutation.
SCR là linh kiện tạo thành từ 4 lớp bán dẫn p, n ghép liên tiếp nhau và có 3 chân ra :
Anode (A) ; Cathod (K) ; Cổng (Gate – G). Cấu tạo nguyên lý và ký hiệu của SCR được trình bày
trong hình H4.8. Hình dạng thực của các loại SCR trình bày trong hình H4.9.
HÌNH H4.9: HÌNH DẠNG THỰC CỦA MỘT SỐ LOẠI SCR.
4.2.1.MẠCH ĐIỆN TƯƠNG ĐƯƠNG VÀ NGUYÊN TẮC HOẠT ĐỘNG CỦA SCR:
Tương tự như trường hợp diode 4 lớp,
mạch tương đương của SCR cũng bao gồm
hai transistor npn và pnp liên kết lại với
nhau, xem hình H4.10. Ba lớp pnp phía trên có
tác dụng như transistor pnp Q1 ; ba lớp bán
dẫn phía dưới npn có tác dụng tương tự như
transistor npn Q2 ; hai lớp bán dẫn giữa được
chia xẻ chung cho cả hai transistor.
4.2.1.1.TÁC ĐỘNG SCR DẪN (KÍCH KHỞI SCR):

Giả sử dòng cấp vào cực cổng bằng 0;
IG = 0; linh kiện tác động như diode 4 lớp,
lúc này ở trạng thái ngưng dẫn, xem hình
H4.11 HÌNH H4.10: MẠCH TƯƠNG ĐƯƠNG CỦA SCR.
Lúc áp ở anod
SCR dương hơn áp
tại cathod, cấp xung
dương dòng điện vào
cực cổng, cả hai
transistor chuyển
sang trạng thái dẫn.
Quá trình thực
hiện như trên được gọi
là kích khởi (trigger)
SCR. Tác động kích
khởi SCR được trình
bày trong hình H.4.12
và được giải thích như
sau:
 Khi cấp dòng vào
HÌNH H4.11: SCR NGƯNG DẪN HÌNH H4.12: KÍCH DẪN SCR. cực cổng, tạo ra dòng
IB2 đến cực nền
transistor Q2 chuyển transistor này sang trạng thái dẫn. Như vậy dòng IC2 gia tăng.
 Vì dòng cực thu IC2 của transistor Q2 cũng chính là
dòng cực nền của transistor Q1. Nên khi dòng IC2 hay IB1
tăng cũng làm transistor Q1 chuyển sang trạng thái dẫn.
 Khi Q1 dẫn sẽ tạo ra dòng IC1, dòng cực thu IC1
chính là dòng nền IB2 . Khi IC1 tăng sẽ làm cho transistor
Q2 dẫn mạnh hơn. Xem hình H4.12.
Dưới tác động tái sinh như vừa trình bày, Q1 và Q2 sẽ
chuyển nhanh đến trạng thái dẫn bảo hòa. Tóm lại linh
kiện sẽ chốt (latches) trạng thái dẫn ngay sau tác
động kích khởi. Xem hình H4.13. Trong quá trình chốt
trạng thái dẫn tổng trở nội giữa anod và cathod của SCR
giảm giá trị xuống đến mức rất thấp.
Chúng ta cần chú ý đến tính chất sau, tương tự
như diode 4 lớp SCR cũng có thể chuyển sang trạng
thái dẫn bằng cách gia tăng áp đặt ngang qua anod và
cathod cao hơn giá trị áp bẻ gảy VBR(F) tại lúc phân HÌNH H4.13: SCR CHỐT TRẠNG THÁI DẪN.
cực thuận, mà không cần kích khởi tại cực cổng.
HÌNH H4.14: Đặc tính Volt Ampere của SCR khithay đổi dòng kích khởi IG vào cực cổng .
Trong hình H4.14 trình bày đặc tính Volt Ampere khi điều chỉnh thay đổi dòng kích cổng IG .
Trong đặc tuyến này giá trị áp VBR(F) sẽ giảm khi tăng giá trị dòng kích cổng IG. Như vậy, thay
đổi dòng kích cổng sẽ điều khiển được giá trị áp VBR(F) để chuyển SCR sang trạng thái dẫn.
Măc dù áp giữa anod và cathod vượt cao hơn giá trị áp VBR(F) nhưng không làm hư hỏng
linh kiện nếu dòng qua linh kiện được giới hạn. Đây là trạng thái cần chú ý và chỉ nên tác động
kích khởi SCR bằng dòng xung vào cực cổng.
4.2.1.2.TÁC ĐỘNG SCR NGƯNG DẪN (TẮT SCR):
Sau khi xung kích khởi đạt giá trị 0 và áp tại cực cổng là 0 V, SCR có thể ngưng dẫn khi
hoạt động trong vùng dẫn phân cực thuận. Dòng anod qua linh kiện phải giảm thấp hơn giá trị
của dòng duy trì IH để có thể đạt được trạng thái SCR ngưng dẫn hay tắt SCR.
Có hai phương pháp cơ bản dùng tắt SCR:
Ngắt dòng anod
Nghịch lưu cưởng bức
Với phương pháp ngắt dòng anod,
chúng ta có thể lắp nối tiếp hay song song
khóa điện tác động kéo dài trong khoảng
thời gian ngắn như trong hình H4.15.
Trong hình H4.15 a, tác động của
khóa điện nối tiếp làm mất dòng anod qua
linh kiện để dòng anod giảm xuống đến giá
trị 0 (thấp hơn giá trị dòng duy trì) SCR sẽ tự
động tắt.
Trong hình H4.15 b, tác động của
khóa điện đấu song song với SCR làm dẫn
hầu hết dòng qua tải đi qua khóa, làm giảm HÌNH H4.15: Phương pháp ngắt dòng anod để tắt SCR.
nhanh dòng anod đến giá trị 0 (thấp hơn giá
trị dòng duy trì) SCR cũng sẽ tự động tắt.
Phương pháp nghịch lưu cưỡng bức cơ bản cần tạo dòng qua SCR ngược hướng với
dòng dẫn thuận trong thời gian ngắn để làm dòng điện thuận giảm thấp hơn dòng duy trì.
Mạch điện thực hiện nghịch lưu cưỡng bức để tắt SCR trình bày trong hình H4.16.
Mạch nghịch lưu cưởng bức cơ bản gồm

một khóa điện (khóa điện là transistor hoạt động
theo chế độ đóng ngắt) nối tiếp với nguồn áp DC
(pin hay accu). Toàn bộ mạch điện nêu trên đấu
song song với SCR, xem hình H4.16.
Khi SCR đang dẫn khóa điện ở trạng thái
hở mạch, hình H4.16a.
Để tắt SCR (làm SCR ngưng đẫn), đóng
khóa K đặt nguồn áp song song với SCR hình
thành dòng ngược qua linh kiện, hình H4.16b.
Với phương pháp này thời gian tắt (turn-ogg
times) SCR khoảng vài micro giây đến 30 µs.
HÌNH H4.16: Tắt SCR bẳng nghịch lưu cưởng bức
4.2.2.ĐẶC TÍNH VÀ CÁC THÔNG SỐ CỦA SCR:

Các đặc tính và thông số định mức của SCR được định nghĩa như sau, trong đó dùng đặc
tính Volt Ampere trong hình H4.14 tham chiếu.
ÁP BẺ GẢY PHÂN CỰC THUẬN (VBR(F))

VBR(F) là điện áp tại vị trí SCR bắt đầu chuyển sang vùng dẫn phân cực thuận.
Giá trị VBR(F) cực đại khi dòng kích cổng IG = 0 và được ký hiệu là VBR(F0).
Khi dòng IG gia tăng áp VBR(F) giảm tương ứng. Ta ký hiệu VBR(F1) ; VBR(F2) tương ứng với IG1 ; IG2
DÒNG DUY TRÌ IH (HOLDING CURRENT)

IH là giá trị dòng anod thấp nhất cho phép SCR bắt đầu chuyển hoạt động từ vùng dẫn
phân cực thuận sang vùng ngưng dẫn phân cực thuận.
Dòng duy trì sẽ giảm thấp giá trị khi tăng dòng kích cổng IG .
Dòng duy trì đạt giá trị cao nhất lúc dòng IG = 0 .
DÒNG KÍCH CỔNG IGT (GATE TRIGGER CURRENT)

IGT là giá trị dòng kích cổng cần thiết để SCR chuyển hoạt động từ vùng ngưng dẫn phân
cực thuận sang vùng dẫn phân cực thuận dưới các điều kiện tương ứng định trước.
DÒNG THUẬN TRUNG BÌNH IF(avg) (AVERAGE FORWARD CURRENT)

IF(avg) là giá trị tối đa của dòng anod liên tục qua SCR (dòng DC qua SCR) để linh kiện duy
trì trạng thái dẫn dưới các điều kiện tương ứng định trước.
VÙNG DẪN THUẬN (FORWARD – CONDUCTION REGION)

Đây là vùng trên đặc tuyến Volt Ampere có quan hệ đến trạng thái dẫn của SCR, trong
vùng này dòng thuận đi từ anod đến cathod thông qua tổng trở có giá trị rất bé.
VÙNG NGƯNG DẪN THUẬN VÀ VÙNG NGƯNG DẪN NGHỊCH

(FORWARD – BLOCKING REGION; REVERSE – BLOCKING REGION )
Đây là các vùng trên đặc tuyến Volt Ampere có quan hệ đến trạng thái ngưng dẫn của
SCR, trong vùng này dòng thuận đi từ anod đến cathod bị cản trở thông qua tổng trở có giá trị vô
cùng lớn, tương đương trạng thái mạch hở.
ÁP BẺ GẢY TRẠNG THÁI PHÂN CỰC NGHỊCH (REVERSE – BREAKDOWN VOLTAGE)

Đây là giá trị áp đặc biệt xác định giữa cathod và anod khi SCR phân cực nghịch, tại vị trí
này linh kiện tạo ra hiện tượng thác và bắt đầu dẫn rất mạch (tương tự như trường hợp diode).
4.2.3. MỘT SỐ CÁC ỨNG DỤNG CỦA SCR:

SCR được sử dụng rộng rãi trong lãnh vực điện tử công suất dùng điều khiển công suất,
các ứng dụng đóng ngắt mạch ( khí cụ điện bán dẫn). . . Một số các áp dụng cơ bản được mô tả
trong chương này bao gồm:
Điều khiển dòng qua tải.
Điều khiển công suất mạch chỉnh lưu bán kỳ.
Điều khiển pha.
Áp dụng trong hệ thống đèn khẩn cấp khi mất nguồn lưới chính.
Mạch bảo vệ quá áp.
4.2.3.1.TÁC ĐỘNG ĐÓNG NGẮT MẠCH DC DÙNG SCR:
Trong hình H4.17 trình bày mạch dùng SCR

cho phép đóng mạch cấp dòng cho tải bằng cách
dùng các khóa SW1 và SW2 .
Giả sử ban đầu SCR ở trạng thái ngưng dẫn,
tác động đóng kín mạch trong khoàng thời gian ngắn
bằng khóa SW1 để tạo dòng xung vào cực cổng ; tác
động kích cổng làm SCR dẫn cấp dòng qua tải RL.
Khi SCR đã dẫn, dù cho khóa SW1 ở trạng
thái hở SCR tiếp tục duy trì trạng thái dẫn nếu dòng
qua tải có giá trị lớn hơn dòng duy trì IH. HÌNH H4.17
Sau khi SCR đã chuyển sang trạng thái dẫn
và khóa SW1 đang ở trạng thái hở, nếu khóa SW2 được đóng kín mạch trong khoảng thời gian
ngắntạo thành dòng rẽ nhánh song song song với dòng anod qua SCR. Như vậy, dòng anod qua
SCR sẽ giảm thấp dưới giá trị dòng duy trì IH , SCR chuyển sang trạng thái ngưng dẫn ngắt dòng
qua tải RL.
THÍ DỤ 4.2:
Xác định dòng anod và dòng qua cực cổng khi khóa SW1 trong mạch hình H4.18 được
đóng kinh trong khoảng thời gian ngắn.
Giả sử áp VAK = 0,8 V ; VGK = 0,7 V và dòng
duy trì IH = 20 mA .
GIẢI:
Dòng kích cổng được xác định theo quan hệ:
VTRIG  VGK 3 V  0,7 V

IG    4,1mA
RG 560 
Dòng anod qua tải:
VA  VAK 24 V  0,8 V
IA    23,2 mA HÌNH H4.18
RA 1 k
Giá trị dòng anod qua SCR lớn hơn dòng duy trì IH = 20 mA nên SCR duy trì trạng thái
dẫn sau khi được kích dẫn bằng cách cấp dòng vào cực cổng.
4.2.3.2.ĐIỀU KHIỂN CÔNG SUẤT CHỈNH LƯU BÁN KỲ:
Một áp dụng thông dụng của SCR là

điều khiển công suất mạch xoay chiều : chỉnh
độ sáng đèn chiếu sáng (lamp dimmer); điều
khiển công suất phần từ nhiệt ; chỉnh tốc độ
động cơ . . .Trong hình H4.18 trình bày mạch
điều khiển pha dạng bán kỳ cơ bản dùng điều
chỉnh công suất cấp đến điện trở Tải RL .
Phần tử RL có thể là phần tử đốt nóng hay tim
của đèn thắp sáng.
Điện trở R1 dùng giới hạn dòng phối
hợp với biến trở R2 dùng chỉnh định mức kích
khởi của SCR.
HÌNH H4.18 :
Bằng phương pháp điều chỉnh điện
trở R2 có thể kích khởi SCR tại bất kỳ thời điểm nào trong phạm vi từ 0o đến 90o trong bán kỳ
dương của áp xoay chiều, xem hình H4.19.
o o
Góc kích SCR cho khoảng dẫn 180 Góc kích SCR cho khoảng dẫn 90
o o
HÌNH H4.19: Dạng dòng điện qua tải RL ứng với các khoảng dẫn 90 và 180 khi thay đổi góc kích SCR.
Khi kích khởi SCR tại góc kích   0o khoảng dẫn của SCR xấp xỉ 180o trong bán kỳ
dương, xem hình H4.19a.Tại trường hợp này công suất tác dụng cấp cho Tải đạt giá trị tối đa.
Khi kích khởi SCR tại góc kích   90o khoảng dẫn của SCR xấp xỉ 90o trong bán kỳ
dương, xem hình H4.19b. Với khoảng dẫn này công suất tác dụng cấp cho Tải giảm thấp hơn so
với trường hợp SCR được kích dẫn với khoảng dẫn rộng hơn.
Nhiệm vụ của diode nối trên cực cổng ngăn không cho điện áp xoay chiều bán kỳ âm tác
động đến cực cổng của SCR. Do đó tại bán kỳ âm của áp xoay chiều , SCR ở trạng thái ngưng
dẫn, nên không có dòng qua điện trở Tải.
Điều quan trọng cần chú ý: Mạch áp dụng SCR điều khiển công suất tác dụng tiêu thụ trên Tải
trong hình H4.18 có tính chất nguyên lý. Công dụng cũa mạch nhằm giúp sinh viên hiểu được
ứng dụng của linh kiện SCR. Với mạch kích cổng SCR dùng cầu phân áp bằng điện trở thường
cho góc kích dẫn không hoàn toàn chính xác trên từng bán kỳ dương, đặc biệt là trong trường
hợp điện trở Tải có giá trị bé. Muốn điều chỉnh góc kích dẫn SCR chính xác hơn cần áp dụng
các mạch kích có dạng phức tạp hơn với các linh kiện chủ động khác. Các nội dung này được
khảo sát chi tiết hơn trong môn Điện Tử Công Suất.
4.2.3.3.HỆ THỐNG ĐÈN CHIẾU SÁNG DỰ PHÒNG DUY TRÌ HOẠT ĐỘNG KHI MẤT NGUỒN ĐIỆN LƯỚI:
Một ứng dụng khác của SCR là mạch duy trì hoạt động của đèn thắp sáng (loại đốt tim)
bằng nguồn acquy dự phòng khi nguồn điện lưới chính có sự cố (mất điện). Trong hình H4.20
dùng biến áp cách ly thứ cấp có điểm giữa tạo thành mạch chỉnh lưu hai bán kỳ để cấp nguồn
cho đèn đốt tim. Ngoài ra khi nguồn điện lưới tồn tại, lúc không sự cố, acquy được nạp điện
thông qua diode D3 và điện trở R1 .
Trạng thái nguồn lưới ổn định Trạng thái nguồn lưới có sự cố (mất điện)
HÌNH H4.20: Mạch tự động duy trì trạng thái hoạt động đèn đốt tim dùng acquy khi mất nguồn lưới chính .
Khi nguồn điện lưới xoay chiều ổn định không sự cố , ta có nhận xét như sau:
Điện áp giữa cathod và cực cổng của SCR được tạo nên khi tụ nạp điện tích đến giá trị
gần bằng giá trị đỉnh của áp xoay chiều cấp vào mạch chỉnh lưu. Trong hình H4.20 mức điện áp
đặt ngang qua hai đầu tụ lớn hơn 6V (với áp hiệu dụng của mỗi bộ dây thứ cấp là 6,3V sau khi trừ
đi áp rơi ngang qua diode D1 lúc dẫn thuận và điện trở R2 ).
Điện áp giữa anod và cổng của SCR là 6V, áp của bình acquy .
Như vậy trong trường hợp này điện thế tại cathod dương hơn so với anod nên SCR ở
trạng thái ngưng dẫn.
Tại trạng thái này SCR ngưng dẫn đèn đốt tim được thắp sáng qua mạch chỉnh lưu .
Khi nguồn điện lưới chính bị mất, điện áp trên ngõ ra mạch chỉnh lưu bằng 0V; tụ xả điện
tích theo đường R1 ; D3 và R3 . Điều này dẫn đến điện thế tại anod SCR dương hơn so với
cathod. Tác động này hình thành trạng thái kích khởi cho SCR, cầu phân áp R3 và R2 lấy áp từ
acquy tạo thành kích cổng cho SCR làm SCR chuyển sang trạng thái dẫn.
Khi SCR dẫn acquy cấp dòng đến đèn đốt tim duy trì trạng thái thắp sáng của đèn.
Khi nguồn điện lưới có lại ổn định, tụ nạp lại điện tích và tác động khóa SCR và acquy tiếp
tục được nạp điện trở lại.
4.2.3.4.MẠCH BẢO VỆ QUÁ ÁP DÙNG SCR:
Trong hình H4.21 trình bày một dạng

mạch đơn giản dùng bảo vệ quá áp cho
nguồn DC . Điện áp từ ngõ ra của mạch ổn
áp trong bộ nguồn DC được cấp vào diode
Zener nối tiếp với cầu phân áp R1 và R2 .
Điện áp giới hạn mức ngưỡng cao của áp
DC ra được điều chỉnh bằng điện áp Zener
của diode Zener. Khi điện áp ngõ ra bộ
nguồn DC vượt lên trên mức ngưỡng cao,
diode Zener dẫn tạo thành dòng kích khởi
vào cực cổng của SCR thông qua cầu phân
áp. Khi SCR dẫn, tác động như khóa điện
tạo thành mạch kín làm tăng dòng qua cầu
chì dẫn đến sự cố phá hủy cầu chì ; tách ly
nguồn xoay chiều cấp vào biến áp, HÌNH H4.21: Mạch bảo vệ quá áp.
4.3.DIAC VÀ TRIAC:
Các linh kiện DIAC và TRIAC là các loại Thyristor có thể dẫn dòng đi qua nó theo cả hai
hướng (bilateral). Sự khác biệt giữa hai linh kiện này là DIAC là linh kiện chỉ có hai đầu ra trong
khi TRIAC có ba đầu ra trong đó có cực cổng dùng để kích khời linh kiện.
DIAC có chức năng cơ bản tương tự như hai diode 4 lớp ghép song song nhau ngược
hướng nhau. TRIAC có chức năng tương tự như hai SCR ghép song song ngược hướng nhau
nhưng có chung cực cổng.
Trong đề mục này chúng ta khảo sát các nội dung sau:
Trình bày cấu trúc và nguyên lý hoạt động của DIAC và TRIAC.
Ký hiệu DIAC và TRIAC
Khảo sát mạch tương đương và điều kiện phân cực.
Giải thích các đặc tính làm việc.
Trình bày một số ứng dụng.
4.3.1. DIAC:
DIAC là linh kiện tạo từ 4 lớp bán dẫn có hai đầu ra, có khả
năng dẫn dòng theo hai hướng ngược nhau khi được tác động
theo các phương thức riêng. Cấu tạo và ký hiệu DIAC trình bày
trong hình H4.22. Hai đầu của linh kiện được ký hiệu là A1 và A2 .
Linh kiện sẽ đạt trạng thái dẫn khi áp đặt ngang qua hai
đầu linh kiện cao hơn mức áp bẻ gảy (breakover voltage). Đặc HÌNH H4.22: Cấu tạo và ký hiệu
tính volt ampere của linh kiện được trình bày trong hình H4.23. DIAC
Hướng của dòng điện qua DIAC

phụ thuộc vào cực tính hay dấu của điện
áp đặt ngang qua hai đầu linh kiện. Linh
kiện từ trạng thái dẫn chuyển sang
trạng thái ngưng dẫn khi dòng điện qua
linh kiện giảm thấp hơn giá trị của
dòng duy trì.
Mạch điện tương đương của linh
kiện được đặc trưng bằng 4 transistor
theo hình H4.24.
Khi DIAC được phân cực theo
hình H4.24 b, cấu trúc 4 lớp bán dẫn pnpn
có điện thế tại đầu A1 dương hơn so
với điện thế tại đầu A2. Trong mạch
tương đương biểu diễn bằng Transistor,
HÌNH H4.23: Đặc tính Volt Ampere của DIAC. các Transistor Q1 và Q2 được phân cực
thuận, Q3 và Q4 được phân cực nghịch.
Tại trạng thái phân cực trong hình H4.24 b, linh kiện hoạt động tại vùng phía trên bên
phải của đặc tuyến Volt Ampere.
Khi DIAC được phân cực theo hình H4.24 c, cấu trúc 4 lớp bán dẫn pnpn có điện thế tại
đầu A1 âm hơn so với điện thế tại đầu A2. Trong mạch tương đương biểu diễn bằng Transistor,
các Transistor Q1 và Q2 được phân cực nghịch, Q3 và Q4 được phân cực thuận.
Tại trạng thái phân cực theo hình H4.24 c, linh kiện hoạt động tại vùng phía dưới bên trái
của đặc tuyến Volt Ampere.
HÌNH H4.24: Mạch tương đương đặc trưng bằng Transistor của DIAC.
4.3.2. TRIAC:
Có thể xem TRIAC như là DIAC có thêm cực cổng.
TRIAC có thể được kích dẫn bằng các xung dòng điện cấp
vào cực cổng mà không cần điều kiện dẫn ban đầu bằng áp bẻ
gảy (breakover voltage). Một cách đơn giản có thể xem TRIAC
tương đương như hai linh kiện SCR đấu song song ngược
hướng và có chung cực cổng.
Không như SCR, TRIAC có thể dẫn dòng theo cả hai
hướng khi được kích khởi, Hướng của dòng qua linh kiện phụ
thuộc vào cực tính của áp đặt ngang qua các đầu A1 và A2.
Trong hình H4.24 trình bày cấu trúc đơn giản và ký hiệu của
TRIAC. Đặc tính Volt Ampere của linh kiện trình bày trong hình
H4.25. Khi tăng dòng cấp vào cực cổng thì áp bẻ gảy giảm HÌNH H4.25: Cấu tạo và ký hiệu TRIAC
thấp giá trị, tương tự như trường hợp của SCR.
HÌNH H4.26: Đặc tính Volt Ampere của TRIAC.
Tương tự như các Thyristor khác, TRIAC sẽ ngưng dận khi dòng qua anod giãm thấp hơn
giá trị của dòng duy trì IH . Chỉ có một phương pháp duy nhất để tắt TRIAC là giảm thấp dòng qua
linh kiện thấp hơn dòng duy trì.
HÌNH H4.27: Mạch tương đương đặc trưng bằng Transistor của TRIAC
Trong hình H4.27b, khi phân cực linh kiện với điện thế tại đầu A1 dương hơn điện thế tại
đầu A2, TRIAC sẽ dẫn khi được kích khởi bằng xung dương vào cực cổng. Mạch tương đương
thay thế bằng Transistor của linh kiện trong hình H4.27 b cho thấy Q1 và Q2 dẫn khi tác động xung
dương vào mạch.
Trong hình H4.27c, khi phân cực linh kiện với điện thế tại đầu A1 âm hơn điện thế tại đầu
A2, TRIAC sẽ dẫn khi được kích khởi bằng xung dương vào cực cổng. Trong trường hợp này các
Transistor Q3 và Q4 dẫn khi tác động xung dương vào mạch.
4.3.3. ỨNG DỤNG TRIAC:

Tương tự như SCR, TRIAC cũng
có khả năng điều khiển công suất trung
bình trên Tải bằng phương pháp điều
khiển pha. TRIAC có thể được kích khởi
để cung cấp công suất đến Tải trong
mạch xoay chiều tại mỗi bán kỳ.
Trong mỗi bán kỳ TRIAC ngưng
dẫn trong khoảng thời gian đầu được
gọi là khoảng thời gian tác động trễ hay
góc trễ (delay angle); giá trị này thường
xác định theo độ, số đo góc. Sau đó
TRIAC được kích dẫn cấp dòng đến Tải
trong suốt khoảng thời gian còn lại của
bán kỳ ; giá trị này thường được gọi là
khoảng dẫn hay góc dẫn (conduction
HÌNH H4.27: Mạch điều khiển pha cơ bản dùng TRIAC. angle); xem hình H4.27.
Một thí dụ của điều khiển pha dùng TRIAC được trình bày trong hình H4.28. Các diode
được dùng tạo xung kích đến cổng của TRIAC. Diode D1 dẫn trong suốt bán kỳ dương , giá trị
điện trở R1 dùng chỉnh đặt thời điểm phát xung kích dẫn TRIAC tại bán kỳ dương của nguồn xoay
chiều. Trong suốt bán kỳ dương điện thế tại A1 và G dương hơn so với điện thế tại A2 .
Diode D2 dẫn trong suốt

bán kỳ âm và giá trị điện trở
R1 cũng được dùng chỉnh
đặt thời điểm phát xung
kích dẫn TRIAC tại bán kỳ
âm của nguồn xoay chiều.
Trong suốt bán kỳ âm điện
thế tại A2 dương hơn so với
điện thế tại A1 và G.
Trong mạch điều khiển
pha cần thiết tắt TRIAC tại
thời điểm cuối của mỗi bán
kỳ , trong hình H4.29 trình
bày khoảng thời gian tắt
linh kiện khi dòng điện qua
linh kiện có giá trị thấp hơn
HÌNH H4.28: Mạch điều khiển pha dùng TRIAC.
giá trị dòng duy trì.
THÍ DỤ 4.3:
Cho nguồn áp xoay chiều
u  t   200 2. sin  100 t  [V]
cấp điện đến Tải là điện trở
R L  10  dùng làm phần tử
đốt nóng. Xác định công suất
tác dụng (công suất trung
bình) tiêu thụ trên phần tử
HÌNH H4.29: Khoảng thời gian tắt TRIAC
theo từng trường hợp sau:
a./ Cấp trực tiếp nguồn áp u  t  đến Tải RL.
b./ Dùng SCR điều khiển công suất theo hình H4.18, với góc kích dẫn SCR là   45o và   90o
c./ Dùng TRIAC điều khiển pha theo hình H4.28, với góc kích dẫn (hay góc trễ) lần lượt là:
  45o và   90o .
GIẢI:
a./ Trường hợp cấp áp xoay chiều u  t  trực tiếp đến Tải:
Um 200 2
Áp hiệu dụng đặt ngang qua hai đầu Tải là : U    200 V .
2 2
U2 2002
Công suất tác dụng tiêu thụ trên Tải : PL    4000 W
RL 10
b./ Trường hợp điều khiển công suất dùng SCR theo mạch hình H4.18:
Khi thực hiện góc kích dẫn   45o , tương ứng với khoảng thời gian trễ là 2,5 ms khi tần
số của nguồn áp là 50Hz; dạng áp tức thời trên Tải và trên SCR đươc trình bày trong hình H4.30.
Áp tức thời trên Tải được xác định theo quan hệ sau:
 
u  t   200 2. sin  100t  [V] khi   t   
 4 
 
Và u  t   0 [V] khi  0  t  
 4
HÌNH H4.30: Dạng áp tức thời trên Tải và áp tức thời đặt ngang qua hai đầu SCR tại góc kích dẫn   45o
(với tần số f = 50 Hz , góc kích dẫn tương ứng với khoảng thời gian trễ là 2,5 ms)
Áp hiệu dụng trên Tải xác định theo quan hệ :

1 
 UL   Um sin  t   .d  t 
2

2
 (4.1)
2 
 rad  
Trong đó giá trị biên độ Um  200 2 V và   100   , góc kích dẫn là   rad (đổi
 s  4
đơn vị sang rad). Suy ra:
2
Um 
2
Um   1  cos  2t  
 UL   sin2  t .d  t    .d  t 
2
 
2  2 
 2 
Hay:
t 
U2  1  U2  1 
 UL   m  t   sin  2t    m       sin  2  
2
4  2  t  4   2 
Tóm lại:
2

      sin  2  
Um 1
 UL 
2
  (4.2)
4  2 
Công suất tác dụng tiêu thụ trên RL được xácđịnh theo quan hệ :
 UL 
2 2

      sin  2  
Um 1
PL    (4.3)
RL 4 R L  2 

Tương ứng góc kích dẫn   45o hay   rad ta có kết quả sau:
4
 200 2 
2
  1   
PL     4   2 sin  2 4    1818,31W
4 .10    

2
 200 2 
2
  1   
PL     2   2 sin  2 2    1000 W
4 .10    
c./ Trường hợp điều khiển pha dùng TRIAC theo mạch hình H4.28:
Khi thực hiện góc kích dẫn   45o , tương ứng với khoảng thời gian trễ là 2,5 ms khi tần
số của nguồn áp là 50Hz; áp tức thời trên Tải và trên TRIAC đươc trình bày trong hình H4.31.
Áp tức thời trên Tải được xác định theo quan hệ sau:
   5 
u  t   200 2. sin  100t  [V] khi   t    hay   t  2  
 4   4 
   5 
Và u  t   0 [V] khi  0  t   hay    t  
 4  4 
HÌNH H4.31: Dạng áp tức thời trên Tải và áp tức thời đặt ngang qua hai đầu TRIAC tại góc kích dẫn   45o
(với tần số f = 50 Hz , góc kích dẫn tương ứng với khoảng thời gian trễ là 2,5 ms)
Muốn xác định áp hiệu dụng trên Tải trong trường hợp này đầu tiên cần xác định hàm
u  t  , ta có:
2
 
u2  t   Um
2
. sin2  t  [V] khi   t   
 4 
 
Và u2  t   0 [V] khi  0  t  
 4
 rad 
Trong đó; biên độ Um  200 2 V tần số góc   100   , chu kỳ T    s . Suy ra áp
 s 
hiệu dụng trên Tải UL được xác định theo quan hệ:
1  2 Um2
  1  cos  2t  
 UL       .d  t 
  
2
Um sin2
 t .d  t   (4.4)
 
 2 
Suy ra:
t 
U2 2

 t   sin  2t  
Um 1
 

 UL      
2
 m 1  cos 2  t .d  t  
2 2  2  t 
Tóm lại:
2

      sin  2  
Um 1
 UL 
2
  (4.5)
2  2 
Công suất tác dụng cấp đến Tải được xác định theo quan hệ :
 UL 
2 2

      sin  2  
Um 1
PL    (4.6)
R 2R  2 

4
 200 2 
2
  1   
PL     4   2 sin  2 4    3638,62 W
2.10    

2
 200 2 
2
  1   
PL     2   2 sin  2 2    2000 W
2.10    
4.4. UJT (UNIJUNCTION TRANSISTOR):

UJT được viết tắt từ danh từ “UniJunction Transistor”; được gọi là Transistor một mối
nối (hay một tiếp giáp). Linh kiện không thuộc họ Thyristor vì không cấu tạo bởi 4 lớp bán
dẫn. UJT là linh kiện bán dẫn có 3 đầu ra và chỉ chứa một mối nối p-n.
Cấu tạo mẫu đơn giản của UJT trình bày trong hình H4.32; linh kiện bao gồm một thanh
bán dẫn Silicon lọai n, một vùng bán dẫn Silicon lọai p được khuếch tán gần một đầu của thanh
bán dẫn n. UJT thường được sử dụng để tạo thành mạch dao động hay các mạch tạo xung kích
khởi cho các linh kiện Thyristors. Trong đề mục này chúng ta khảo sát các nội dung sau:
Trình bày cấu trúc và nguyên lý hoạt động của UJT.
Ký hiệu UJT
Khảo sát mạch tương đương của UJT.
Giải thích vì sao UJT không là linh kiện thuộc họ Thyristor.

Định nghĩa hệ số “standoff “ (tạm dịch là hệ số kích dẫn)
Giải tích mạch dao động tích thoát (relaxation oscilator) dùng UJT.
Các đầu ra của linh kiện được ký hiệu

theo qui tắc như sau:
Đầu nối trên lớp bán dẫn p là cực phát
E (Emitter).
Đầu nối trên lớp bán dẫn n ở xa cực
phát E được gọi là cực nền B1 (Base).
Đầu nối thứ hai còn lại trên lớp bán
dẫn n được gọi là cực nền B2.
Các thông số cơ bản của UJT bao gồm:

Điện trở nội giửa các cực nền, và giữa
các cực nền đến cực phát.
Hệ số kích dẫn  (Intrinsic stand-off
ratio).
Điện áp điểm đỉnh VP trên đặc tuyến
Cấu tạo cơ bản của UJT Ký Hiệu cực phát.
HÌNH H4.32: Cấu tạo và Ký hiệu của UJT. Điện áp điểm trủng VV trên đặc tuyến
cực phát.
4.4.1. ĐIỆN TRỞ GIỮA CÁC CỰC NỀN :

Gọi RBB là điện trở động nội (internal dynamic resistance) liên cực nền B1 và B2. RBB
được xem là điện trở của lớp bán dẫn n tính giữa hai cực nền.
Giá trị RBB = 4K đến 10K thay đổi tùy thuộc vào mã số của UJT.
Gọi RB1 và RB2 lần lượt là giá trị điện trở động nội từ các cực nền B1 và B2 đến cực phát E.
Giá trị của RB1 = 2,8K đến 4,2K và giá trị RB1 > RB2 . Ngòai ra, còn có quan hệ như sau:
R BB  R B1  R B2 (4.7)
4.4.2. MẠCH TƯƠNG ĐƯƠNG CỦA UJT :

B2
Khi chú ý đến mối nối p-n giữa cực phát với
thanh bán dẫn n, chúng ta có thể mô hình hóa UJT
RB2
theo mạch tương đương trong hình H4.33. Điện trở
cực nền RB1 thay đổi rất nhanh giá trị từ 4K
B2 DIODE
xuống đến giá trị khỏang 10 khi UJT chuyển từ E RBB
trạng thái ngưng dẫn sang trạng thái dẫn. UJT N
E RB1
Quá trình họat động của UJT có thể tóm tắt B1
theo hai trạng thái sau:
B1
Khi diode trên cực phát phân cực nghịch, HÌNH H4.33: Mạch tương đương UJT.
chỉ có dòng điện rất nhỏ qua cực phát, dưới điều kiện
này giá trị RB1 rất lớn. Ta nói UJT ở trạng thái ngưng
dẫn.
Khi diode cực phát họat động trong trạng thái phân cực thuận, RB1 giãm nhanh giá trị
xuống mức thấp; điện trở tương đương giữa cực phát E và cực nền B1 giãm thấp, làm dòng qua
cực phát tăng cao; ta nói UJT đang hoạt động ở trạng thái dẫn.
4.4.3. HỆ SỐ KÍCH DẪN  :
Gọi:
VEB1 : là điện áp đặt lên
hai đầu E và B1.
VBB: là điện áp xuất hiện

giữa hai cực nền B2 và B1.
VD : điện áp rơi trên hai
đầu diode, khi diode dẫn thuận,
giá trị này có thể xác định như
sau : VD  0,5V.
Áp dụng tính chất cầu
phân áp tạo bởi RB1 và RB2 ta có
thể xác định điện áp rơi trên hai
đầu điện trở RB1 bằng quan hệ
sau: HÌNH H4.34: Mạch tương đương UJT dùng định nghĩa hệ số 
RB1.VBB R 
VRB1    B1  .VBB (4.7)
RB1  RB2  RBB 
Theo trên, điều kiện để UJT bắt đầu chuyển sang trạng thái dẫn là:
R 
VEB1  VD   B1  .VBB (4.8)
 RBB 
Từ quan hệ (4.8), chúng ta định nghĩa hệ số kích dẫn  như sau:
R B1
 (4.9)
R BB
Từ (4.7) và (4.9), điều kiện dẫn của UJT được viết như sau:
VEB1  VD  .VBB
(4.10)
VEB1  0,5V  .VBB
4.4.4. ĐẶC TÍNH CỰC PHÁT CỦA UJT:

Đặc tính cực phát của UJT là đồ thị mô tả quan hệ giữa điện áp VEB1 với dòng điện IE
qua cực phát . Trong một số tài liệu thay vì dùng ký hiệu VEB1 người ta có thể ký hiệu là VE .
Đặc tuyến cực phát còn được gọi là đặc tuyến volt ampere tại cực phát. Khi khảo sát
đặc tuyến cực phát, chúng ta dựa vào mạch điện trình bày trong hình 4.34.
Giả sử tăng dần điện áp VEB1 cấp vào mạch cực phát từ giá trị 0; khi điện áp VEB1 < .VBB ;
diode cực phát phân cực nghịch, dòng điện qua cực phát là dòng điện ngược IEO của
diode. Khi tăng thêm giá trị áp VEB1 làm giãm điện áp phân cực nghịch cấp vào hai đầu diode cực
phát; giá trị của dòng điện ngược IEO bớt âm dần.
Khi giá trị điện áp VEB1 đạt đến mức thỏa quan hệ (4.10); diode cực phát chuyển sang
trạng thái dẫn, điện trở RB1 giãm nhanh giá trị khiến áp đặt ngang qua hai đầu của điện trở RB1
cũng giãm nhanh. Sự kiện này càng làm cho diode cực phát gia tăng tính phân cực thuận;
dòng điện IE qua cực phát tăng nhanh.
Trong quá trình

này, tốc độ tăng của
dòng cực phát IE không
nhanh bằng tốc độ
giãm giá trị của điện trở
RB1; do đó trên đặc tuyến
cực phát ta có một đọan
đặc tuyến tương ứng với
dòng điện IE tăng nhưng
điện áp VEB1 giãm; xem
hình 4.35.
Trên đặc tuyến cực

phát, tại vị trí có giá trị
điện áp VEB1 =0,5V+.VBB
ta gọi là điểm đỉnh P
của đặc tuyến cực phát.
HÌNH 4.35 : Đặc tuyến cực phát của UJT.
Dựa theo (4.10) ta
đặt điện áp tại điểm đỉnh P là :
VP  0,5V  .VBB (4.11)
Dòng điện cực phát IE tăng nhanh, trong lúc VE giãm dần, khi dòng điện IE đạt đến giá trị
dòng tại điểm trủng V là giới hạn cuối của khỏang dẫn UJT . Dòng điện IV tại điểm trủng được
xem là giá trị dòng điện cần thiết qua cực phát để duy trì trạng thái dẫn cho UJT.
Nếu IE < IV : UJT chuyển sang trạng thái ngưng dẫn và điểm làm việc quay nhanh chóng
về vùng ngưng dẫn trên đặc tuyến cực phát.
Nếu IE > IV : UJT chuyển sang khu vực dẫn bảo hòa và tiến đến vị trí S.
4.4.5. CÁC THÔNG SỐ ĐỊNH MỨC CỦA UJT (QUI ĐỊNH DO NHÀ SẢN XUẤT):
Trong quá trình tính tóan thiết kế, hay lắp ráp các mạch điện dùng UJT, chúng ta cần tham
khảo các s thông số linh kiện . Các thông số của UJT qui định do nhà sản xuất bao gồm :
Điện áp ngược cực đại giữa hai cực B2 và E (VE2B max).

Điện áp cực đại đặt lên hai cực nền B2 và B1 (VB1B2 max).
Giá trị đỉnh cực đại của dòng điện điểm đĩnh .
Dòng điện ngược cực đại IEO max .
Điện trở liên cực nền RBB .
Hệ số kích dẫn .
Dòng điện điểm đỉnh (tương ứng với giá trị VBB chọn trước).
Dòng điện điểm trủng (tương ứng với giá trị VBB chọn trước).
Điện áp điểm trủng VV .
Vấn đề cần quan tâm là các thông số UJT thay đổi theo nhiệt độ môi trường làm việc;
Các thông số VV ; IV và IP sẽ giãm giá trị khi nhiệt độ gia tăng.
Dòng điện IEO cũng hơi gia tăng khi nhiệt độ tăng.
Điện trở liên cực nền RBB tăng theo nhiệt độ với tốc độ thay đổi trong phạm vi 0,8 % / C .
Hệ số kích dẫn  thay đổi rất ít khi nhiệt độ thay đổi, có thể xem như không thay đổi.
Chúng ta có thể tham khảo một số các thông số của UJT trong mục sau.
HÌNH 4.36 : Đặc tuyến cực phát của UJT 2N2646.
HÌNH 4.37 : Các thông số UJT 2N2646 cho bời nhà sàn xuất .
HÌNH 4.38 : Giá trị tối đa cho phép của các thông số UJT 2N2646 xác định bời nhà sàn xuất.
THÍ DỤ 4.4:
Từ hệ số kích dẫn của UJT 2N2646 cho trong bảng thông số đặc tính suy ra điện áp điểm
đỉnh VP của UJT ứng với dảy điện áp VBB : 5 V ; 10 V ; 15 V ; 20 V ; 25 V ; 30 V.
GIẢI
Từ thông số UJT cho trong hình 4.37, ta có hệ số kích dẫn min  0,56 và max  0,75 .
Từ đó suy ra hệ số kích dẫn trung bình:
max  min 0,75  0,56
tb    0,655
2 2
Áp dụng quan hệ (4.10) suy ra điện áp điểm đỉnh VP của UJT 2N2646.
VP  VD  tb .VBB  0,655.VBB  0,5
Lập bảng số suy ra giá trị áp VP theo áp VBB là:
VBB [V] 5 10 15 20 25 30
VP [V] 3,775 7,05 10,325 13,6 16,875 20,15
So sánh kết quả tính toán được với số liệu cho trong đặc tuyến hình 4.36 tương đối hội tụ.
4.4.6. MẠCH DAO ĐỘNG TÍCH THOÁT (RELAXATION OSCILATOR) DÙNG UJT:
UJT thường được sử dụng trongf các mạch phát xung kích cổng cho SCR hay TRIAC,
ngòai ra chúng ta có thể sử dụng UJT trong các ứng dụng khác : mạch dao động không sin; mạch
phát sóng răng cưa; mạch kiểm sóat phase và mạch định thì. . .
Trong hình 4.39 ta có sơ đồ nguyên lý của mạch dao động tích thóat và mạch điện thay thế
tương đương.
Giả sử tại thời điểm ban đầu lúc t = 0,

tụ C không tích trử điện tích ban đầu ( lúc
t = 0, VC = 0 V ). khi cấp nguồn áp VCC vào
mạch ta nhận được các quá trình sau :
Nguồn VCC hình thành áp giữa
cathod của diode cực phát với điểm điện thế
chuẩn 0 (điểm masse của mạch). Gọi điện
áp này là Vx , ta có:
 RB1  R1  .VCC
VX 
 RB1  RB2    R1  R 2 
hay:
 RB1  R1  .VCC
VX  (4.12)
RBB   R1  R 2 
HÌNH 4.39 : Sơ đô nguyên lý mạch dao động tích thoát. Trong thực tế, R1 và R2 được chọn
có giá trị thấp hơn nhiều so với giá trị của
RBB , RB1 ; như vậy có thể tính gần đúng giá trị Vx theo quan hệ sau:
 RB1  .VCC
Vx  (4.13)
R BB
Với giá trị ban đầu của điện áp đặt trên hai đầu tụ là VC = 0 , diode cực phát của UJT ở
trạng thái phân cực nghịch nên UJT ngưng dẫn; tụ C được nạp điện tích thông qua điện trở
R trên mạch ngoài. Phương trình cân bằng áp của mạch R, C trong quá trình nạp điện là:
VCC  R.ic  t   vc  t  (4.14)
Trong đó , iC(t) là dòng điện nạp điện tích cho tụ , theo lý thuyết mạch ta có quan hệ:
dQ dv  t 
iC  t    C. C (4.15)
dt dt
Q : điện lượng được nạp tích trử trên các bản cực của tụ điện C. Thay thế giá trị iC từ
(4.15) vào quan hệ (4.14), ta suy ra:
dv C  t 
VCC  RC.  vc  t  (4.16)
dt
Giải phương trình vi phân bậc nhất (4.16) suy ra biểu thức tức thời của áp vc(t) như sau:
 
t

vC  t   VCC .  1  e RC  (4.17)
 
Đồ thị mô tả quan hệ vC(t) theo thời gian t trình bày

trong hình 4.40. Đường tiếp tuyến của đồ thị vẽ từ gốc cắt
đường tiệm cận của đồ thị tại vị trí có hoành độ được nghĩa
là thời hằng của mạch nạp điện tích RC. Gọi thời hằng
nạp điện là  ta có
 = R.C (4.18)
CHÚ Ý: Điện áp vc(t) sẽ đạt đến giá trị 99,99% VCC sau   RC
khoảng thời gian có giá trị bằng 5 . HÌNH 4.40 : Áp vc(t) trên 2 đầu tụ C
Khi điện áp vC(t) gia tăng dần trong quá trình nạp điện, diode cực phát của UJT có áp
phân cực nghịch giãm dần. Diode cực phát bắt đầu chuyển sang trạng thái dẫn khi giá trị điện áp
vC(t) thỏa quan hệ sau:
v C (t)  VD  Vx (4.19)
Hay:
 RB1  R1  .VCC
vC  t   0,5V  (4.20)
R BB   R 1  R 2 
Trường hợp tính gần đúng, lúc R1 và R2 có giá trị rất thấp so với RBB , RB1 ta có :
RB1.VCC
vC  t   0,5V   VP (4.21)
RBB
Hay:
v C (t)  0,5V  .VCC  VP (4.22)
Khi áp vC(t) thỏa quan hệ (4.22),

UJT chuyển sang trạng thái dẫn, điện
trở nội RB1 của UJT giãm nhanh, tụ C xả
điện qua diode cực phát, đến RB1 và R1
xuống điểm masse. Dòng phóng điện
của tụ chính là dòng điện qua cực
phát IE của UJT.
Khi dòng IE tăng dần đến giá trị
IV, UJT ở trạng thái dẫn.
Khi áp VC < VV dòng cực phát IE
có giá trị thấp hơn giá trị IV (dòng điện
điểm trủng V trên đặc tuyến cực phát ),
UJT chuyển sang trạng thái ngưng
HÌNH 4.41: Áp vc(t) trong suốt quá trình UJT hoạt động.
dẫn.
Tại lúc UJT chuyển sang trạng thái ngưng dẫn; áp vC(t) trên tụ C đạt giá trị là :
vC  t   VV . Tụ tiếp tục nạp điện từ nguồn VCC thông qua điện trở R với mức áp đang tích trử
là VV . Khi áp trên tụ C đạt đến giá trị mô tả trong quan hệ (4.22) UJT chuyển trở lại trạng thái
dẫn ; quá trình tiếp tục diển tiến như đã mô tả trong các phần trên.
Muốn xác định chu kỳ dao động của UJT, ta cần xác định lần lượt các khoảng thời gian
T1 và T2 . Khi bỏ qua chu kỳ dao động đầu tiên của UJT tính từ lúc bắt đầu cấp nguồn vào
mạch; khoảng thời gian T1 chính là thời gian nạp điện tích cho tụ C để điện áp vC(t) thay đổi từ
giá trị VV đến giá trị VP.
Từ (4.17), tại thời điểm t = t1 , vC(t) = VV ; giá trị của thời điểm t1 được xác định như sau :
  1  
 t 
VV  VCC .  1  e  RC  
 
 
 t 
VV  1 
Hay:  1  e  RC 
VCC

t1
VV V  VV
Thu gọn ta có: e RC
 1  cc
Vcc VCC
Lấy Logarit Neper 2 vế suy ra kết quả sau:

t1  V  VV 
  Ln  cc 
RC  Vcc 
 VCC 
Tóm lại : t1  RC.Ln   (4.18)
 VCC  VV 
Tính tương tự như trên, tại thời điểm t2 khi vC(t) = VP là:
 VCC 
t 2  RC.Ln   (4.19)
 VCC  VP 
Khoảng thời gian T1 ( tính từ lúc UJT ngưng dẫn và tụ C nạp điện tích cho mỗi chu kỳ) là:
  Vcc   Vcc  
T1  t 2  t 1  RC. Ln    Ln  
  Vcc  VP   Vcc  VV  
 V  VV 
T1  RC.Ln  cc  (4.20)
 Vcc  VP 
Khi xét thời gian T2 lúc UJT dẫn: vì các điện trở nằm trong mạch phóng điện của tụ C
có giá trị giảm rất thấp, nên thời gian T2 diển ra rất ngắn . Trong thực tế chúng ta có thể bỏ qua
giá trị T2 khi so sánh với T1 . Tóm lại chu kỳ dao động của mạch được xác định như sau:
 V  VV 
  RC.Ln  cc  (4.21)
 Vcc  VP 
Trong trường hợp giá trị VV rất bé so với VCC , chúng ta có thể xác định chu kỳ dao động
theo quan hệ sau:
 
 Vcc   1 
  RC.Ln    RC.Ln   (4.22)
 Vcc  VP   1  VP 
 V cc 
 
Nếu bỏ qua điện áp rơi trên diode cực phát quan hệ (4.22) được viết lại như sau:
 1 
  RC.Ln  (4.23)
1  
THÍ DỤ 4.5:
Cho mạch dao động tích thoát dùng UJT mang mã số 2N2646 có các thông số kỹ-thuật liệt kê
như sau:
Điện trở liên cực nền RBB = 4,7 K đến 9,1 K.
Hệ số kích dẫn  = 0,56 đến 0,75.
Dòng điện điểm trủng (Valley current) IV = 4mA (tương ứng với giá trị VBB = 20V).
Dòng điện điểm đỉnh (Peak current) IP = 5µA (tương ứng với giá trị VBB = 25V).
Điện áp điểm trủng VV = 2V (tương ứng với giá trị VBB = 20V).
Xác định tần số dao động của mạch; với các giá trị C = 0,2µF và điện trở R có thể điều chỉnh
thay đổi giá trị từ 10K đến 100K .
GIẢI
Vcc=24V
Với điện áp Vcc = 24V; và các giá trị điện trở R1 = 120; R2 =
1K ; dựa theo thông số của UJT ta có thể xác định chu kỳ và tần
R R2 số dao động dựa trên các giá trị trung bình của điện trở RBB và hệ
10K-100K 1K số kích dẫn  . Ta có:
Giá trị điện trở trung bình RBB của UJT:
2N 2646
4,7K  9,1K 13,8K
RBB    6,9K
C +
R1 2 2
120
0,2 uF Hệ số kích dẫn trung bình của UJT :
0,56  0,75 1,31

0
   0,655
2 2
ĐIỆN ÁP RƠI TRÊN R1 KHI UJT NGƯNG DẪN :
Áp dụng cầu phân áp, ta có :
R1.Vcc 0,12.24V
VR1    0,359V  0,36V
RBB  R1  R 2 6,9  0,12  1
CHU KỲ (HAY TẦN SỐ) DAO ĐỘNG KHI R = 10K:

 1  6  1  2  1 
  RC.Ln    10.10 .0,2.10 Ln 
3
  0,2.10 .Ln  0,345 
 1     1  0,655   
  0,2.102.1,0642  0,2128.102 s
Suy ra chu kỳ dao động là:   2,128 ms

Tần số dao động :
1 1 103
f    469,8Hz  470Hz
 2,128.103 2,218
CHU KỲ (HAY TẦN SỐ) DAO ĐỘNG KHI R = 100K:

Áp dụng quan hệ (4.23), tính tương tự như trên ta có:   2.10 2.1,0642  2,128.10 2 s
Suy ra chu kỳ dao động là:   21,28 ms
Tần số dao động :
1 1 103
f    46,98Hz  47Hz
 21,28.103 21,28
Tóm lại khi thay đổi điện trở R trong phạm vi từ 10K đến 100K, tần số dao động thay
đổi từ 47Hz đến 470Hz .
CHÚ Ý:
Khi áp dụng quan hệ (4.21) để tính toán chu kỳ cho mạch dao động, ta xác định điện áp
VBB đặt giữa hai cực nền của UJT khi UJT ở trạng thái ngưng dẫn:
R BB .Vcc 6,9.24 6,9.24
VBB     20,65V
R BB  R 1  R 2 6,9  1  0,12 8,02
Như vậy, khi xem như giá trị của điện áp điểm trủng VV = 2V ; đồng thời điện áp điểm đỉnh
được xác định gần đúng là: VP  .Vcc  0,655.24  15,72V
Chu kỳ dao động khi R =10K:
 V  VV  3  24  2   22 
  RC.Ln  cc   2.10 .Ln    2.103.Ln    2.103.0,9772
 Vcc  VP   24  15,72   8,28 
  1,9544ms
Vậy khi R = 10K , ta có chu kỳ dao động   2ms hay tần số f = 500 Hz
So sánh các giá trị chu kỳ tính toán trong hai trường hợp saisố tương đối trên các kết quả
nhận được khoảng 9%.
Trong thực tế, để tính toán nhanh ta dùng các công thức gần đúng để tính toán mạch, sau
đó có thể dùng các công thức chính xác để kiểm tra ngược lại các thông số làm việc của mạch
dao động.
4.4.7. GIỚI HẠN ĐIỀU CHỈNH ĐIỆN TRỞ R TRONG MẠCH DAO ĐỘNG TÍCH THOÁT:
Trong quá trình điều chỉnh thay đổi tần số hay chu kỳ của mạch dao động tích thoát dùng
UJT, biện pháp đơn giản nhất là duy trì giá trị điện dung C và điều chỉnh thay đổi giá trị của
điện trở R.
Tuy nhiên giá trị của điện trở R có ảnh hưởng đến sự duy trì dao động của mạch.
Chúng ta chỉ có thể điều chỉnh thay đổi điện trở R trong phạm vi từ giá trị Rmax và Rmin xác định
trong các quan hệ (4.25) và (4.26).
Vcc  VP
R max  (4.25)
IP
Và:
Vcc  Vv
R min  (4.26)
Iv
Các điều kiện này có thể giải thích như sau:

Trong mạch dao động tích thoát , để đảm bảo UJT chuyển hoàn toàn sang trạng thái
dẫn (ON): đầu tiên giá trị điện trở R phải đảm bảo dòng IE tại điểm đỉnh không thấp hơn giá
trị IP . Điều kiện để UJT chuyển hoàn toàn sang trạng thái dẫn trình bày theo bất đẳng thức sau:
Vcc  VP  R.IP
Vcc  VP
Suy ra: R (4.27)
IP
Để đảm bảo UJT chuyển hoàn toàn sang trạng thái ngưng dẫn (OFF) tại điểm trủng,
giá trị điện trở R phải đủ lớn đảm bảo dòng IE tại điểm trủng không cao hơn giá trị IV . Điều
kiện để UJT chuyển hoàn toàn sang trạng thái ngưng dẫn trình bày theo bất đẳng thức sau:
Vcc  VV  R.IV
Vcc  VV
Suy ra: R (4.28)
IV
Tóm lại, điều kiện của điện trở R để UJT chuyển trạng thái một cách hoàn toàn từ trạng
thái ngưng dẫn sang trạng thái dẫn và ngược lại là :
Vcc  VV V  VP
 R  cc (4.29)
IV IP
Từ quan hệ (4.29), chúng ta có thể tìm thấy trở lại các kết quã đã trình bày trong các quan
hệ (4.25) và (4.26).
THÍ DỤ 4.6:
Với mạch dao động cho trong thí dụ 4.5, xác định các giá trị giới hạn điều chỉnh cho điện trở R.
GIẢI :
Áp dụng các thông số của UJT cho trong thí dụ 4.5, và các quan hệ (4.25) và (4.26) ta suy ra:
Vcc  VP 24  0,655.24 8,28.106
R max    
IP 5.10 6 5
R max  1,656.106   1.656K

Tương tự ta tìm được:
Vcc  Vv 24  2 22.103
R min     4, 4.103 
Iv 4.103 5
R min  4, 4K
Tóm lại R chỉ có thể thay đổi trong phạm vi cho phép như sau: 4,4 K < R < 1.656 K
THÍ DỤ 4.7:
Xác định điện trở R1 trong mạch hình 4.42 để đảm bảo UJT chuyển trạng thái một cách
hoàn toàn. Biết các thông số của UJT gồm:   0,5 ; VV  1V ; IV  10 mA ; VP  14 V ; IP  20 A .
GIẢI:
Áp dụng quan hệ (4.29) ta có kết quả sau:
Vcc  VV V  VP
 R1  cc
IV IP
Hay:
30 V  1V 30 V  14 V
 R1 
10mA 20 A
Suy ra:
2,9k  R 1  800k
CHÚ Ý: HÌNH 4.42
Trong các mạch thực tế, ta có thể chọn giá trị của R1 dùng trong
mạch dao động hình 4.42 trong phạm vi từ 3 kΩ đến 500 kΩ .
Sau đó áp dụng quan hệ (4.23) để ước lượng nhanh dảy tần số hoạt động của mạch khi
điều chỉnh thay đổi giá trị R1 .
4.5. PUT (PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTOR):

PUT thực sự là một loại Thyristor có cấu trúc không giống như UJT. Tương tự như
UJT, PUT được sử dụng trong các mạch dao động; PUT được dùng thay thế cho UJT. Cấu
trúc của PUT tương tự như SCR, tuy nhiên điện áp giữa anod và cổng được dùng để điều
khiển trạng dẫn và ngưng dẫn cho linh kiện.
Trong đề mục này chúng ta khảo sát:
Cấu trúc và nguyên lý hoạt động của PUT.
So sánh cấu trúc của PUT và SCR.
Giải thích sự khác biệt giữa PUT và SCR.
Phương thức chỉnh đặt áp kích khởi cho PUT.
Khảo sát một số ứng dụng của PUT.
4.5.1 CẤU TRÚC VÀ KÝ HIỆU:

PUT là loại Thyristor (linh kiện tạo thành từ 4 lớp bán
dẫn pn) có ba đầu ra được kích dẫn bằng áp tác động lên
anod và cổng. Cấu trúc tổng quát và ký hiệu của PUT được
Cấu trúc của PUT Ký hiệu
trình bày trong hình 4.43.
HÌNH 4.43
Cực cổng được lắp trên lớn bán dẫn n gần anod. Cực
cổng luôn được phân cực dương so với cathod.
Khi điện áp đặt lên anod dương hơn cổng khoảng 0,5 V mối nối pn phân cực thuận
và PUT chuyển sang trạng thái dẫn.
Khi PUT đã chuyển sang trạng thái dẫn và duy trì trạng thái này cho đến khi điện thế
anod giãm thấp hơn điện thế tại cổng, PUT chuyển sang trạng thái ngưng dẫn.
4.5.2 NGUYÊN TẮC HOẠT ĐỘNG:

Với cấu tạo vừa trình bày; giữa anod và cực cổng là mối nối pn, chính mối nối này điều
khiển trạng thái đóng ngắt (“ON hay “OFF”) của PUT.
Cực cổng thường được phân cực dương hơn cathod theo một mức điện áp định trước
(giả sử Vg là mức điện áp cực cổng dương hơn cathod).
Khi cấp vào anod một mức điện áp thấp hơn mức Vg , mối nối pn giữa anod và cực
cổng phân cực nghịch; PUT ở trạng thái ngưng dẫn. Trạng thái OFF tương đương khóa điện
giữa anod và cathod ở trạng thái hở mạch.
Khi cấp áp vào anod
dương hơn cổng mức áp Vg
khoảng 0,5V, mối nối pn giữa
anod và cực cổng phân cực
thuận, PUT chuyển sang trạng
thái dẫn. Tại trạng thái dẫn PUT
hoạt động như bất kỳ linh kiện bán
dẫn pnpn; nội trở giữa anod và
cathod giãm thấp, áp rơi trên
anod và cathod khoảng VAK 1V.
Mạch điện phân cực thông

thường cho PUT được thực hiện
theo hình 4.44; nhờ vào cầu phân
áp dùng hai điện trở R1 và R2 HÌNH 4.44: Mạch điện mô tả trạng thái dẫn và ngưng dẫn của PUT.
chúng ta xác định được mức áp Vg
đặt vào cực cổng so với cathod.
KHẢO SÁT TRẠNG THÁI OFF CỦA PUT:

Điện áp đặt vào cực cổng của PUT :
R 2 .Vgg
Vg  (4.30)
R1  R 2
Khi thay đổi điện áp Vcc cấp vào anod của linh kiện, nếu Vcc < Vg linh kiện ở trạng thái
ngưng dẫn (trạng thái OFF) dòng điện qua PUT là IA = 0.
KHẢO SÁT TRẠNG THÁI ON CỦA PUT:
Khi thay đổi điện áp Vcc thỏa điều kiện Vcc > Vg ; và ngay tại lúc : Vcc = Vg + 0,5V ; linh kiện
chuyển sang trạng thái dẫn, dòng điện qua linh kiện IA ≠ 0 .
Khi PUT chuyển sang trạng thái dẫn, áp đặt ngang qua 2 đầu linh kiện giữa anod và
cathod là 1V ; áp đặt ngang qua cực cổng và cathod là 0,5V. Giá trị 0,5 V là giá trị xác
định gần đúng chung cho mọi loại PUT. Trong các đặc tính kỹ thuật của PUT giá trị này
được gọi là Offset Voltage VT
Nếu so sánh với UJT ; mức áp (Vg + 0,5V) của PUT có tác dụng tương tự như điện áp
điểm đỉnh VP của UJT.
So sánh quan hệ (4.7) với quan hệ (4.30), ta có thể xem PUT có hệ số kích dẫn xác định
theo các giá trị điện trở R1 và R2 như sau:
R2
 (4.31)
R1  R 2
Từ (4.31) chúng ta có thể kết luận PUT là UJT có thể thay đổi được hệ số kích dẫn .
Điện áp Vg của PUT định nghĩa trong (4.30) xem như tương đương áp điểm đỉnh VP của
UJT. Đặc tuyến volt ampere của PUT trình bày quan hệ áp VAK giữa anod và cathod của
PUT theo dòng IA (dòng qua anod) có đạng tương tự như đặc tuyến cực phát của UJT
được trình bày trong hình 4.45.
HÌNH 4.45: Mạch phân cực dùng kích dẫn PUT và đặc tính volt ampere của PUT.
4.5.3. MẠCH DAO ĐỘNG TÍCH THOÁT DÙNG PUT:

Mạch dao động tích thoát dùng PUT trình bày trong
hình 4.46. Nguyên lý hoạt động của mạch tương tự như
mạch dao động tích thoát dùng UJT.
Giả sử nguồn áp cấp cho mạch là Vcc = 20V; dựa
vào các giá trị điện trở R1 và R2 suy ra điện áp Vg đặt trên
hai đầu của điện trở R2 .
R 2 .Vcc 4,7.20
Vg    6,394V  6, 4V
R1  R 2 10  4.7
Hệ số kích dẫn của PUT được xác định như sau:

R2 4,7 4,7
    0,3197  0,32
R1  R 2 10  4,7 14,7
Giá trị điện áp điểm đỉnh VP của PUT :

VP  Vg  0,5V  6, 4V  0,5V  6,9V
HÌNH 4.46: Dao động dùng PUT
Chu kỳ dao động của mạch được xác định tương tự
như đã trình bày trong quan hệ (4.22):
 Vcc 
  R 3 .C.Ln  
 Vcc  VP 
 20 
Suy ra:   10.103.0,1.106.Ln    103 Ln  1,5267   0, 423.10 3 s
 20  6,9 
Tóm lại chu kỳ dao động :  = 0,423 ms.
Suy ra tần số dao động:
1 103
f   2364Hz
 0, 423
Áp tối đa xuất hiện trên điện trở R4 có thể xem như bằng với mức điện áp (VP – 1V) ;
với áp VP chính là giá trị áp Vc trên đầu tụ C đạt được tại thời điểm PUT chuyển sang trạng thái
dẫn. Với thí dụ bằng số nêu trên giá trị điện áp tối đa xuất hiện trên R4 lúc PUT chuyển sang trạng
thái dẫn là (6,9V – 1V) = 5,9V.
CÁC LỢI ĐIỂM KHI DÙNG PUT:

Hoạt động của PUT tương tự như UJT, tuy nhiên PUT có các lợi điểm như sau:
Hệ số kích dẫn có thể điều chỉnh thay đổi bằng các điện trở ngoài.
PUT có thể hoạt động với nguồn cung cấp có giá trị thấp (khoảng 5V) do đó PUT có
khả năng tương thích với các mạch điện tử số.
Dòng điện tại điểm đỉnh của PUT có giá trị rất thấp ; IP  0,1µA khi sử dụng các điện
trở R1 và R2 có giá trị lớn trong mạch.
Với kết quả này, chúng ta có thể suy ra giá trị Rmax dùng cho điện trở trong mạch RC có giá
trị rất lớn; do đó với các tần số dao động không cao ta có thể chọn điện dung C có giá trị
thấp. Từ đó, có thể sử dụng tụ không phải là loại tụ hoá (electrolytic); như vậy mạch dao động sẽ
tránh được tình trạng có dòng rò qua tụ và kích thước của tụ thu gọn.
4.5.4. CÁC THÔNG SỐ CỦA PUT:

Linh kiện PUT thông dụng có mã số 2N6027 hay 2N6028 có các
thông số kỹ thuật được tóm tắt như sau:
4.5.5. ĐIỀU KIỆN ĐỂ DUY TRÌ TRẠNG THÁI DẪN HOÀN TOÀN CHO PUT:
Giả sử mạch dao động tích thoát dùng PUT trình bày trong
hình 4.47; trong đó PUT có mã số 2N6027.
Với các điện trở R1 = 27 kΩ ; R2 = 16 kΩ ; hệ số kích dẫn
của PUT được xác định như sau:
R1 27k 27
    0,6279
R1  R 2 27k  16k 43
Từ bảng thông số của PUT, ta có áp VT = 0,6 V (Offset

Voltage) cho cả hai loại PUT 2N6027 và 2N6028. Giá trị áp điểm
đĩnh của PUT được xác định theo quan hệ:
VP  .VBB  VT  0,6279.10 V  0,6 V  6,879  6,9V

HÌNH 4.47
Gọi RG là điện trở tương đương Thevenin giữa cực cổng G
và điểm masse của mạch ta có:
R1.R 2 27.16
RG    10,0465  10k
R1  R 2 17  16
Từ giá trị này tra tiếp các thông số trong đặc tính, ta có dòng điểm đỉnh tiêu chuẩn là
IP  4 A dòng cực tiểu tại điểm trủng là IV min  70 A . Các giá trị này được xác định tương ứng
với giá trị RG = 10 kΩ và áp VS = 10 V.
Với áp nguồn cung cấp cho mạch trong hình 4.47 là VBB = 10 V, điện trở R có giá trị cần thỏa
mãn phạm vi sau để đảm bảo mạch luôn luôn dao động . Áp dụng quan hệ (4.29) ta có:
VBB  VV V  VP
 R  BB
IV IP
Khi chọn áp tại điểm trủng VV = 0 V ta có kết quả sau:
VBB  VV 10V  0V
  142,857  143k
IV 70A
VBB  VP 10V  6,9V

  775k
IP 4A
Tóm lại để mạch dao động tích thoát dùng PUT hoạt động bình thường, giá trị của điện trở R
phải nằm trong khoãng từ 143k  R  775 k
BÀI TẬP 4.1

Xác định giá trị của biến trở R để chuyển SCR sang
trạng thái ngưng dẫn. Biết dòng IH  10 mA và áp
VAK  0,7 V
ĐÁP SỐ: 7,29 Ω
HÌNH H4.48
BÀI TẬP 4.2

Vẽ dạng áp VR trên tải R tương ứng với
các dạng áp tức thời cho trong hình H4.49.
HÌNH H4.49
BÀI TẬP 4.3

Vẽ dạng sóng dòng điện trong mạch hình H4.50.
Biết áp “break over” của diac là 20 V và IH  20 mA
BÀI TẬP 4.4

Vẽ dạng sóng dòng điện trong mạch hình H4.51.
HÌNH H4.50 Biết TRIAC có áp “break over” là 25 V và IH  1mA
HÌNH H4.51
BÀI TẬP 4.5

Tìm dảy giá trị của điện trở R1 để đảm bảo trạng thái dẫn và ngưng
HÌNH H4.52
dẫn cho UJT. Biết   0,68 ; IV  15 mA ; IP  10 A và VP  10 V .
BÀI TẬP 4.6

Trong hình H4.53, tại mức áp VA
là bao nhiêu thì PUT bắt đầu chuyển
sang trạng thái dẫn.
Vẽ dạng sóng dòng điện cho
mỗi mạch trong hình H4.53, khi cấp
điện áp xoay chiều hình sin biên độ
là 10 V tại anod. Bỏ qua áp phân cực
thuận của PUT.
HÌNH H4.53
BÀI TẬP 4.7

Vẽ dạng sóng điện áp đặt
ngang qua hai đầu điện trở R1
trong hình H4.54 theo dạng sóng
vào Vin .
HÌNH H4.54
BÀI TẬP 4.8

Cho mạch dao động tích thoát theo hình H4.55, với R1  50 k
Và UJT có các thông số như sau: RBB  5 k ;   0,6 ; VV  1V ;
IV  10 mA ; IP  10 A . Xác định:
C a./ Các nội trở RB1 ; RB2 của UJT tại lúc IE  0 .
1pF
b./ Áp điểm đỉnh VP .
c./ Dảy giá trị điện trở R1 đảm bào điều kiện dao động của UJT.
HÌNH H4.55
d./ Tần số dao động nếu RB1  100  trong suốt thời gian UJT dẫn.
BÀI TẬP 4.9

Tìm hiểu nguyên tắc hoạt động và
công dụng của mạch điện tử trong hình
H4.56 .
HÌNH H4.56
BÀI TẬP 4.10

Tìm hiểu nguyên tắc hoạt
động và công dụng của mạch
điện tử trong hình H4.57 .
HÌNH H4.57
BÀI TẬP 4.11

Tìm hiểu nguyên tắc hoạt động
và công dụng của các mạch điện tử
trong hình H4.58. Chú ý các nhiệm vụ
của các diode .
HÌNH H4.58
BÀI TẬP 4.12

Tìm hiểu nguyên tắc hoạt động và
công dụng của mạch điện tử trong hình
H4.59. Chú ý các nhiệm vụ của các diode.
HÌNH H4.59
BÀI TẬP 4.13

động của mạch điều chỉnh thay
đổi điện áp cấp vào phần ứng của
động cơ DC kích từ độc lập (kích
từ dùng nam châm vĩnh cửu)
H4.60. Chú ý các nhiệm vụ của
cầu diode cấp nguồn vào phần
ứng động cơ.
HÌNH H4.60
HÌNH H4.61
BÀI TẬP 4.14

Tìm hiểu nguyên tắc hoạt động của mạch nạp điện cho accu 12V trong hình H4.61.
Trong đó T2 là biến áp xung sơ cấp lắp trên ngỏ ra của PUT và thứ cấp lắp tại cực cổng
của SCR. Chú ý nhiệm vụ của diode Zener.
BÀI TẬP 4.15

Tìm hiểu
nguyên tắc hoạt
động của mạch
điều khiển pha
trong hình H4.62.
Chú ý đến dạng
sóng điện áp trên
Tải thuần trở 100Ω.
HÌNH H4.62
BÀI TẬP 4.16

động của mạch tạo sóng răng cưa
trong hình H4.63.
Chú ý đến nhiệm vụ của
transistor pnp Q1
HÌNH H4.63
HÌNH H4.64
BÀI TẬP 4.17

Tìm hiểu nguyên tắc hoạt động của mạch điều khiển đảo chiều quay động cơ DC kích từ
độc lập dùng SCR trong hình H4.64. Trong mạch T1 và T2 là các biến áp xung, các sơ cấp của
các biến áp được đấu nối tiếp với tụ C1 thông qua selector switch. Các thứ cấp của các biến áp
cấp đến các cộng của các SCR, xem hình vẽ
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 5 – CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI BIÊN ĐỘ NHỎ DÙNG TRANSISTOR
167
CHƯƠNG 05
MẠCH KHUẾCH ĐẠI BIÊN ĐỘ NHỎ DÙNG TRANSISTOR
5.1.HOẠT ĐỘNG KHUẾCH ĐẠI:

Phân cực transistor là chế độ làm việc được thực hiện hoàn toàn trong mạch DC.
Mục tiêu của sự phân cực là xác định điểm làm việc Q sao cho transistor cho các đáp ứng khi
có sự thay đổi dòng hay áp của các tín hiệu AC vào. Trong các ứng dụng với mạch khuếch đại áp
biên độ thấp (như mạch khuếch đại atenna, micro. . ) sự thay đổi điểm làm việc Q tương đối nhỏ.
Các bộ khuếch đại được thiết kế để hoạt động với các tín hiệu AC biên độ nhỏ được gọi là bộ
khuếch đại tín hiệu nhỏ.
Qua các nội dung trình bày trong chương này, chúng ta biết được:
Các vấn đề khuếch đại.
Làm rõ các ký hiệu dùng cho áp, dòng DC và AC.
Giải thích nguyên tắc hoạt động tổng quát của bộ khuếch đại tín hiệu nhỏ.
Phân tích đường tải điện AC.
Mô tả quá trình đảo pha tín hiệu AC vào.
5.1.1.CÁC ĐẠI LƯỢNG AC:

Trong chương trước, các đại lượng DC
được ký hiệu bằng các ký tự in viết hoa như: IC ;
IE ; VC và VCE . Các ký hiệu dùng ký tự in hoa với
các chỉ số chữ thường đặc trưng cho các giá trị
dòng, áp hiệu dụng (rms), trung bình (avg), giá trị
đỉnh (peak) và giá trị đỉnh đến đỉnh như : Ic ; Ie ;
Ib ; Vc ; Vce . Với các giá trị dòng, áp tức thời được
ký hiệu bằng các ký tự thường không viết hoa
như: ic ; vce ; ib . .
Trong hình H3.1 trình bày cách ký hiệu

các thông số áp của tín hiệu áp xoay chiều hình
sin khi biết được dạng sóng theo biến thời gian t
của tín hiệu áp.
Phần tử điện trở thường có các giá trị
khác nhau khi mạch được phân tích theo quan
điểm AC khác với quan điểm DC (áp dụng khi
HÌNH H 5.1
tính toán phân cực).
Các ký hiệu với chỉ số dùng ký tự thường đặc trưng cho điện trở AC. Thí dụ với rc là điện
trở AC tại cực thu và RC là điện trở DC tại cực thu. Các thành phần điện trở nội trong transistor
được biểu diễn bằng ký tự chữ viết thường r ' , thí dụ r 'e là điện trở nội AC tại cực phát transistor.
5.1.2.BỘ KHUẾCH ĐẠI TUẾN TÍNH (THE LINEAR AMPLIFIER):

Trong hình H5.2 trình bày mạch transistor phân cực dùng cầu phân áp với tín hiệu AC hình
sin cấp đến cực nền thông qua tụ C1 và áp ra cầp đến tải tại cực thu thông qua điện dung C2.
Các tụ điện dùng ngăn thành phần DC và duy trì nội trở Rs của nguồn áp, điện trở tải RL
không làm thay đổi áp DC phân cực tại cực nền và cực thu của transistor.
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – CHƯƠNG 3 – CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI DÙNG TRANSISTOR
168
Các tụ điện xem

như lý tưởng, ở trạng
thái ngắn mạch đối
với tín hiệu AC vào.
Nguồn áp hình sin tạo
sự thay đổi áp cực
nền theo quan hệ sin
quanh mức DC phân
cực. Kết quả dẫn đến
sự thay đổi dòng cực
nền làm thay đổi lớn
dòng cực thu do độ
lợi khuếch đại dòng
của transistor.
HÌNH H 5.2
Khi dòng điện sin tại cực thu

gia tăng, áp cực thu giảm. Dòng AC
cực thu thay đổi quanh điểm Q và
trùng pha với dòng AC cực nền. Áp
AC giữa cực thu phát thay đổi quanh
điểm Q và lệch pha 180o so với áp
AC tại cực nền, xem hình H5.3.
Transistor đã tạo sự đảo pha
giữa áp AC tại cực nền và áp AC tại
cực thu.
GIẢI TÍCH DÙNG ĐỒ THỊ
Quá trình hoạt động vừa phân
tích trên có thể được mô tả bằng đồ
thị theo đường tải AC, xem hình
H5.3. Đường tải AC khác với
đường tải DC do ảnh hưởng của
điện trở tải RL đấu song song với HÌNH H 5.3
điện trở cực thu RC .
5.2.MẠCH TƯƠNG ĐƯƠNG AC CỦA TRANSISTOR:

Muốn thấy được hoạt động cùa transistor trong mạch khuếch đại, cần biểu diễn linh
kiện bằng mạch tương đương. Mạch tương đương sử dụng các thông số nội bên trong
transistor để biểu diễn trạng thái làm việc của linh kiện. Các mạch tương đương được trình bày
dựa trên tính trở được gọi là mạch tương đương thông số r. Ngoài ra ta còn có mạch tương
đương biểu diễn theo hệ thống thông số khác được gọi là thông số h.
Trong mục này giới thiệu đến các nội dung:
Chứng minh và áp dụng các thông số nội bên trong transistor.
Định nghĩa các thông số r.
Mạch tươngđương của transistor dùng thông số r.
Phân biệt hệ số AC và DC.
Định nghĩa các thông số h.
5.2.1.THÔNG SỐ r VÀ MẠCH TƯƠNG ĐƯƠNG THÔNG SỐ r :

Các thông số r thường dùng trong mạch tương đương của transistor bao gồm 5 thông số
được trình bày tóm tắt trong bảng 5.1 sau đây. Ký hiệu dùng ký tự thường r đặc trưng cho nội trở
của transistor.
169
BẢNG 5.1
TÓM TẮT CÁC THÔNG SỐ r Mạch tương đương thông số r của
transistor BJT được trình bày trong hình H5.4.
THÔNG SỐ r ĐẶC TÍNH Trong hầu hết quá trình giải tích tông quát, có
thể đơn giản như sau:
i
 AC Hệ số alpha AC = c Ảnh hưởng của điện trở nội cực nền r 'b
ie
thường rất bé có thể bỏ qua. Nội trở này được
i thay thế bằng phần tử ngắn mạch.
 AC Hệ số beta AC = c
ib
Giá trị của điện trở nội cực thu r 'c
r 'c Điện trở nội AC cực thu thường rất lớn khoảng vài trăm kΩ có thể được
thay thế bằng phần tử hở mạch.
r 'e Điện trở nội AC cực phát
Mạch tương đương thông số r đơn giản
r 'b Điện trở nội AC cực nền được trình bày trong hình H3.5.
HÌNH H 5.4: Mạch tương đương thông số r của HÌNH H 5.5: Mạch tương đương thông số r của
transistor (dạng chính xác). transistor (dạng đơn giản).
Mạch tương đương biểu diễn thông số

bên trong transistor khi hoạt động với tín hiệu
AC bao gồm: nội trở r 'e giữa các cực nền phát .
Đây là điện trở được nhìn vào các cực nền phát
khi phân cực thuận transistor. Ảnh hưởng của
dòng cực thu như một nguồn dòng  AC .Ie hay
tương đương với  AC .Ib .
Các thông số của mạch tương đương

thông số r với ký hiệu của transistor đương HÌNH H 5.6: Quan hệ giữa ký hiệu transistor với
tương đồng trong hình H5.6. mạch tương đương thông số r.
5.2.2.XÁC ĐỊNH THÔNG SỐ r 'e BẰNG CÔNG THỨC:
Thông số điện trở nội r 'e rất quan trọng trong nhóm thông số r khi giải tích mạch khuếch
đại. Giá trị này được tính gần đúng theo quan hệ (5.1) tại nhiệt độ 20oC ; r 'e phụ thuộc vào nhiệt
độ và phải được tính theo theo từng giá trị nhiệt độ làm việc. Khi nhiệt độ thay đổi tử số trong quan
hệ (5.1) hơi thay đổi.
25 mV
r 'e  (5.1)
IE
170
THÍ DỤ 5.1:
Với transistor hoạt động tại điểm làm việc có dòng DC qua cực phát là 2 mA , thông số r 'e
25 mV 25 mV
r 'e    12,5 
IE 2 mA
5.2.3.SO SÁNH CÁC THÔNG SỐ  AC VỚI THÔNG SỐ DC :
Với các transitor,

đồ thị mô tả quan hệ
giữa thông số IC
theo IB không tuyến
tính, xem hình H5.7.
Khi xác định điểm
làm việc Q trên đặc
tuyến và tạo sự thay
đổi dòng cực nền
IB quanh điểm Q,
I I
a./ DC  CQ tại điểm Q b./  AC  C tại điểm Q chúng ta nhận được
IBQ IB
sự thay đổi dòng
HÌNH H 3.7: Sự khác biệt giữa các hệ số  AC và DC . cực thu là IC .
Với tính chất phi tuyến của đặc tuyến, tại điểm Q các giá trị DC và gía trị  AC hơi khác biệt.
5.2.4.THÔNG SỐ h VÀ MẠCH TƯƠNG ĐƯƠNG THÔNG SỐ h :

Thông số h là các thông số đặc tính của transistor thường được nhà sản xuất đưa ra trong
các tài liệu kỹ thuật . Ký hiệu h được viết tắt từ thuật ngữ hybrid. Các thông số h cơ bản bao gồm
các giá trị: hi ; hr ; hf và ho . Các thông số này được đo dễ dàng qua các thí nghiệm và được mô tả
tóm tắt trong bảng 5.2. Mỗi thông số đươc mang thêm chỉ số thứ nhì để mô tả cho cấu hình của
mạch khuếch đại: cực phát chung (common-emitter) (e); cực nền chung (common-base) (b) hay
cực thu chung (common-collector) (c), xem bảng 5.3.
BẢNG 5.2
TÓM TẮT CÁC THÔNG SỐ h
THÔNG SỐ h MÔ TẢ ĐIỀU KIỆN
hi Tổng trở nhập Ngắn mạch ngõ ra
hr Tì số áp hồi tiếp Hở mạch ngõ vào
hf Độ lợi dòng thuận Ngắn mạch ngõ ra
ho Tổng dẫn ra Hở mạch ngõ vào
BẢNG 5.3
CÁC THÔNG SỐ h THEO CẤU HÌNH MẠCH KHUẾCH ĐẠI
CẤU HÌNH MẠCH KHUẾCH ĐẠI CÁC THÔNG SỐ h
Cực phát chung (common-emmitter) hie hre hfe hoe
Cực nến chung (common-base) hib hrb hfb hob
Cực thu chung (common-collector) hic hrc hfc hoc
171
5.2.5.Ý NGHĨA CỦA CÁC MẠCH TƯƠNG ĐƯƠNG THÔNG SỐ h VÀ THÔNG SỐ r :

Xét mạch điện theo hình H5.8 tạo thành
từ 3 mạch con: N1 , N và N2; trong đó mạch con
N có 2 đầu liên lạc với mạch con N1 và 2 đầu
còn lại liên lạc với mạch con N2. Mạch con N
được gọi là mạch 2 cửa (two-port netwok).
Với mạch 2 cửa N, tại mỗi cửa có một
cặp thông số dòng áp; các thông số dòng áp tức
thời : v1 ; i1 ; v2 và i2 chắc chắn sẽ xác định
được quan hệ thông qua hai phương trình được
HÌNH H 5.8: Mô hình mạch 2 cửa
gọi là phươg trình đặc tính của 2 cừa.
Tùy thuộc vào mối quan hệ giữa 4 thông số trên thông qua các phương trình đặc tính, ta
suy ra được mạch tương đương cho mạch 2 cửa N.
THÔNG SỐ Z
Trong trường hợp các phương trình đặc tính của mạch 2 cửa N được viết theo dạng phức
và có dạng tuyến tính như sau:
  
V1  Z11. I 1  Z12 . I 2
(5.2)
  
V2  Z21. I 1  Z22 . I 2
Các hệ số Zij trong quan hệ (5.2) được gọi là thông số Z của mạch N hay tổng trở hở
mạch. Ý nghĩa của các hệ số này có thể được xác định bằng các định nghĩa như sau:

V1
Z11  
(5.3)

I1 I2  0

V1
Z12  
(5.4)

I2 I1  0
Z21  V 2 (5.5)

I1 I 2  0

V2
Z22  
(5.6)

I2 I1  0

Khi áp dụng mạch tương đương theo thông số Z,

I1 I2 mạch 2 cửa N được mô tả theo mạch tương đương hình
H5.9 hay mạch tương đương trong hình H3.10.
Z1 Z2
Với mạch tương đương trong hình H5.9 ta có các
  quan hệ sau:
V1 Z3 V2
Z11  Z1  Z 3 (5.7)
Z12  Z21  Z 3 (5.8)

HÌNH H 5.9: Mạch tương đương
thông số Z của mạch 2 cửa N Z22  Z2  Z3 (5.9)
172
 
Với mạch tương đương trong hình H5.10
I1 I2
ta sử dụng các nguồn áp phụ thuộc dòng để
mô tả đúng các phương trình cân bằng áp Z11 Z22
cho các mạch tương đương cho mỗi cửa của
mạch N.  
V1   V2
Với mạch tương đương transistor tại Z12 . I 2 Z21. I 1
trạng thái khuếch đại với tín hiệu AC, khi áp
dụng mạch tương đương thông số Z ta sẽ tìm
được mạch tương đương của transistor theo HÌNH H 5.10: Mạch tương đương thông số Z
thông số r. của mạch 2 cửa N
THÔNG SỐ h
Trong trường hợp các phương trình đặc tính của mạch 2 cửa N được viết theo dạng phức
và có dạng tuyến tính như sau:
  
V1  h11. I 1  h12 .V2
(5.10)
  
I 2  h21. I 1  h22 .V2
Các hệ số hij trong quan hệ (5.10) được gọi là thông số h của mạch N hay tổng trở hở
mạch. Ý nghĩa của các hệ số này có thể được xác định bằng các định nghĩa như sau:

h11  V 1 (5.11)

I 1 V2  0

h12  V1 (5.12)
 
V2 I 1  0

h21  I 2 (5.13)

I 1 V2  0

h22  I 2 (5.14)

V2 I 1  0
Dựa vào các quan hệ từ (5.11) đến (5.14) ta có mạch tương đương trình bày trong
hình H5.11 sử dụng các nguồn áp và dòng phụ thuộc để mô tả đúng các phương trình cân
bằng áp (5.10).

Trong đó h11  V 1 chính là tổng trở vào khi ngắn mạch ngõ ra.

I 1 V2  0

h22  I 2 chính là tổng dẫn ra khi hở mạch ngõ vào.

V2 I 1  0

h12  V1 chính là nghịch đảo độ lợi (hay độ khuếch đại) điện áp.
 
V2 I 1  0
173

h21  I 2 chính là độ lợi (hay độ khuếch đại) dòng.

I 1 V2  0
  Tùy thuộc vào cấu hình của mạch khuếch

I1 I2 đại, các mạch tương đương thông số h sẽ có các
h11 thông số khác nhau.
Xem lại bảng 5.3 tóm tắt các thông số của
 h22  các mạch tương đương thông số h. Trong hình
V1   V2 H5.12 trình bày các mô hình mạch tương đương
h12 .V2 h21. I 1 cho từng cấu hình mạch khuếch đại CE (cực phát
chung – Common Emitter ) ; CC (cực thu chung –
Common Collector) và CB (cực nền chung –
HÌNH H 5.11: Mạch tương đương thông số h Common Base)
của mạch 2 cửa N
ib ic
ic hie
ib
vbe  hie .ib  hre .vce
vce hoe vce i  h .i  h .v
vbe
vbe hre .vce hfe .ib c fe b oe ce
a./ Mạch tương đương thông số h của mạch khuếch đại cực phát chung CE
ib ie
ib hic
ie vbe  hic .ie  hrc .vec
hoc vec i  h .i  h .v
vbc
vbc hrc .vec hfc .ib e fc e oc ec
vec
b./ Mạch tương đương thông số h của mạch khuếch đại cực thu chung CC
ie ic ie ic
hib
veb  hib .ie  hrb .vcb
veb vec hob vcb i  h .i  h .v
veb
hrb .vcb hfb .ie c fb e ob cb
c./ Mạch tương đương thông số h của mạch khuếch đại cực nền chung CB
HÌNH H 5.12: Các mạch tương đương thông số h theo cấu hình của mạch khuếch đại Transistor.
174
QUAN HỆ GIỮA CÁC THÔNG SỐ r VỚI THỐNG SỐ h

Từ mạch tương đương thông số h của mạch khuếch đại CE cực phát chung, ta suy ra:
 ac  hfe (5.15)
Từ mạch tương đương thông số h của mạch khuếch đại CB cực nến chung, ta suy ra:
 AC  hfb (5.16)
Các đặc tính kỹ thuật của Transistor cho bởi các nhà sãn xuất chỉ thường được cho
theo mạch tương tương thông số h cực phát chung . Từ các thông số náy chúng ta có thể áp dụng
các quan hệ sau đây để suy ra các thông số trong mạch tương đương thông số r như sau:
hre
r 'e  (5.17)
hoe
hre  1
r 'c  (5.18)
hoe
hre
r 'b  hie 
hoe

1  hfe  (5.19)
5.3.MẠCH KHUẾCH ĐẠI PHÂN CỰC CỰC PHÁT CHUNG (CE):
HÌNH H 5.13: Mạch khuếch đại dạng phân cực CE (common emitter) cực phát chung.
Trong hình H5.13 trình bày mạch khuếch đại phân cực tỉnh transistor dùng cầu phân áp,
các tụ C1 và C3 là các tụ trên ngõ vào và ngỏ ra đề phân cách tín hiệu AC và tín hiệu DC. Tụ C2 có
nhiệm vụ dẫn tín hiệu xoay chiều xuống điểm mass chung của mạch. Tín hiệu xoay chiều không đi
qua điện trở RE , do đó tụ C2 còn được gọi là “ tụ bypass”.
Mạch khuếch này phối hợp các tín hiệu AC và DC . Tín hiệu vào Vin được cấp đến cực
nền thông qua tụ C1 và áp ra Vout được lấy từ cực thu thông qua tụ C3.
Nếu áp Vin có dạng sin thì áp Vout cũng có dạng sin nhưng đảo pha so với áp vào.
175
5.3.1.GIẢI TÍCH MẠCH TRẠNG THÁI DC:
Đầu tiên cần phân tích mạch theo điều kiện phân cực tỉnh
(khảo sát trạng thái DC). Để thực hiện điều này, cần vẽ lại mạch
tương đương trong trạng thái DC bằng cách bỏ đi các tụ vào ra và
tụ bypass, xem hình H5.14.
Nên nhớ dòng DC không đi qua các tụ.
Áp dụng các nội dung lý thuyết đã khảo sát trong chương
2 ta tìm được các giá trị sau:
R1.R2 6,8  22
RTH    5,194 k
R1  R2 6,8  22
R2 .Vcc 6,8  12
VTH    2,833 V
R1  R2 6,8  22 HÌNH H 5.14
VTH  VBE 2,833 V  0,7 V

IB    0,02376 mA

RTH  DC  1 RE   
5,194 k  150  1  0,56 k
Dòng cực thu:
IC  DC .IB  150  0,02376  3,565 mA

Dòng cực phát:
IE  IB  IC  3,565  0,02376  3,589 mA

Áp VCE :
VCE  VCC  RCIC  REIE  12  1  3,565  0,56  3,589  6,425 V
5.3.2. MẠCH TƯƠNG ĐƯƠNG AC:
Để phân tích hoạt động của mạch khuếch đại tín hiệu xoay chiều, ta cần xác định mạch
tương đương theo phương pháp sau:
Các tụ điện C1 , C2 và C3 được nối tắt vì các tụ có giá trị dung kháng xem như XC  0 Ω
tại tần số của tín hiệu vào.
ĐIỂM MASSE CỦA MẠCH TƯƠNG ĐƯƠNG AC

Hủy nguồn DC, hay thay thế nguồn DC bằng điểm mass. Giả sử áp nguồn lý tường hay áp
nguồn có nội trở bằng 0 Ω.
Như vậy đầu nguyồn áp VCC khi đã hủy được gọi là điểm điện thế 0 của nguồn AC
hay điểm masse AC.
Mạch AC tương đương của mạch phân cực cực phát chung được trình bày trong hình
H5.15 . Chú ý các điện trở RC và R1 có đầu chung nối đến điểm masse AC
Trong phương pháp giải tích mạch, điểm masse AC và điểm mass DC trùng vị trí. Mạch
khuếch đại trong hình H5.15 tại cực phát trùng với điểm mass AC; do đó mạch được gọi là khuếch
đại cực phát chung.
176
a./ Mạch tương đương chưa b./ Mạch tương đương có nguồn áp Vin
có nguồn Vin .
HÌNH H5.15: Mạch tương đương của mạch khuếch đại dùng khào sát tín hiệu xoay chiều.
5.3.3. TÍN HIỆU AC TẠI CỰC NỀN:

Trong hình H5.15 b trìnhbày nguồn áp AC cấp đến cực nền. Nếu nội trở của nguồn AC
không đáng kể ta có áp AC cấp trực tiếp vào cực nền.
Tuy nhiên trong trường hợp nguồn áp AC có nội trở chúng ta cần xác định thêm 3 thông
số để tìm được giá trị thực sự của áp AC cấp vào cực nền. Các thông số này bao gồm:
Điện trở tươngđương của điện trở R1 và R2 đang ghép song song
Điện trở vào tại cực nền của transistor Rin(Base)
Điện trở nội của nguồn áp AC vào: RS .
Các thông số này được trình bày trong hình H5.16 và được thay thế tương đương bằng
điện trở nhập toàn phần Rin(tot). Ta có:
1 1 1 1
   (5.20)
Rin(Tot) R1 R1 Rin(Base)
HÌNH H5.16: Mạch tương đương xác định chính xác áp AC vào cực nền.
Từ mạch điện tương đương trong hình H5.16 b, áp dụng cầu phân áp chúng ta xác định
được chính xác giá trị áp AC cấp đến cực nền Vb theo quan hệ (5.21).
Trong trường hợp RS << Rin(Tot) áp Vb  VS là áp cấp vào mạch khuếch đại.
177
 Rin(Tot) 
Vb   V (5.21)
 RS  Rin(Tot)  S
 
ĐIỂM TRỞ VÀO TẠI CỰC NỀN

Muốn xác định điện trở vào tương đương tại cực nền,
chúng ta áp dụng mạch tương đương thông số r của
transistor. Hình H5.17 trình bày mạch tương đương thông
số r có thêm điện trở cực thu RC .
Điện trở vào tại cực nền xác định như sau:
Vin Vb
Rin(Base)  
Iin Ib
Áp cực nền:
Vb  r 'e .Ie
Ie
Nếu xem Ie  Ic , ta có: Ib 
 ac
HÌNH H5.17:
Suy ra:
Vb  r 'e .Ie 
Rin(Base)      ac .r 'e (5.22)
Ib  Ie  ac 
ĐIỆN TRỞ RA
Điện trở ra trong mạch phân cực cực phát chung là điện trở nhìn tại cực thu, giá trị này xấp
xỉ bằng điện trở tại cực thu RC . Tóm lại:
Rout  RC (5.23)
Thực sự, điện trở ra chính là giá trị điện trở tương đương của hai điện trở ghép song song
RC với điện trở r’C . Trong trường hợp tính chính xác ta có quan hệ:
RC .r 'C
Rout  (5.24)
RC  r 'C
Trong thực tế giá trị r’C rất lớn hơn so với giá trị RC nên quan hệ (5.24) đưiợc thay bằng
quan hệ (5.23).
THÍ DỤ 5.1:
Xác định tín hiệu áp AC đặt
vào cực nền của transistor có
mạch tương đương trình bày trong
hình H5.18.
Biết áp AC vào có giá trị
hiệu dụng là 10 mV , điện trở nội là
RS = 300 Ω .
Dòng điện qua cực phát lúc
phân cực DC là IE  3,589 mA .
HÌNH H5.18
178
GIẢI:
Đầu tiên xác định điện trở AC tại cực phát. Áp dụng quan hệ (5.1) ta có:
25 mV 25 mV
r 'e    6,965 
IE 3,589 mA
Từ quan hệ (5.22), suy ra điện trở vào cực nền là:
Rin(Base)   ac .r 'e  160  6,965  1114,4   1,11 k

Từ quan hệ (5.20) suy ra điện trở vào toàn phần nhìn từ nguồn AC đến cực nền là:
1 1
Rin(Tot)    0,9145 k
 1 1 1   1 1 1 
       
R
 1 R1
R 
in(Base) 
 22k 6,8k 1,11 k 
Áp dụng quan hệ (5.21) suy ra áp hiệu dụng thực sự cấp vào cực nền là:
 Rin(Tot)   914,5 
Vb     VS     10  7,53 V
 RS  Rin(Tot)   300  914,5 
 
5.3.4. ĐỘ LỢI ( ĐỘ KHUẾCH ĐẠI) ĐIỆN ÁP:

Độ lơi điện áp AC của mạch khuếch đại cực phát chung
được xác định theo mạch tương đương thôngsố r trình bày trong
hình H5.19 .
Độ lợi điện áp là tỉ số giữa áp AC trên ngõ ra tại cực
thu (Vc) so với áp vào tại cực nền (Vb).
Vout Vc
AV   (5.25)
Vin Vb
Nên nhớ, theo hình H5.19, ta có:
Vc   ac .Ie .RC  Ie .RC

Và
Vb  r 'e .Ie HÌNH H5.19
Suy ra:
Vc RC.Ie RC
AV    (5.26)
Vb r 'e .Ie r 'e
Quan hệ (5.26) trình bày độ lợi áp giữa cực nền và cực thu. Để xác định được độ lợi
toàn phần (Overall Gain) của mạch khuếch đại từ áp nguồn đến cực thu chúng ta cần quan tâm
đến sự suy giảm độ lợi (attenuation) tạo bởi mạch ngõ vào.
Sự suy giảm độ lợi chính là độ giảm biên độ tín hiệu vào khi đi ngang qua mạch ngõ vào.
Tích số của độ suy giảm độ lợi tại ngõ vào với độ lợi áp giữa cực nền và thu cho ta
độ lợi toàn phần của mạch khuếch đại.
Giả sử nguồn áp tạo ra 10 mV và do ành hường của mạch vào điện áp nhận tại cực nền là
5mV, như vậy độ suy giảm áp ngõ vào là 5mV/10mV = 0,5.
179

phương pháp tính và ý nghĩa
của các độ lợi (độ khuếch
đại) và độ suy giãm biên độ
áp AC ngõ vào.
Biểu thức xác định độ

suy giảm biên độ áp ngõ vào
cự nền phụ thuộc vào các giá
trị điện trở RS và Rin(Tot).Dựa
vào quan hệ (5.21) ta có kết
quả sau:
HÌNH H5.20:
Vb Rin(Tot)
Ñoäsuy giaõm   (5.27)
Vs Rs  Rin(Tot)
Độ lợi điện áp toàn phần A 'V được xác định theo quan hệ sau:
 Vb 
A 'V     AV (5.28)
V 
 in 
ẢNH HƯỞNG CỦA “TỤ BYPASS” TẠI CỰC PHÁT ĐẾN ĐỘ LỢI ÁP:
Trong hình H5.13 tụ bypass C2 có công dụng tạo ngắn mạch điện trở RE với tín hiệu AC,
duy trì dòng tạo bởi tín hiệu AC đi trực tiếp xuống điểm masse mà không qua RE. Với tự bypass độ
 RC 
lợi khuếch đại có giá trị tối đa bằng   . Giá trị điện dung của tụ bypass phải đủ lớn để dung
 r' 
 e
kháng của tụ ứng với dảy tần số phải có giá trị tiến đến 0 Ω (lý tường) hay rất nhỏ sơ với giá trị
của điện trở RE .
Trong thực tế, giá trị điện dung C2 được xác định sao cho: dung kháng của tụ tại tần
số thấp nhất của áp vào phải nhỏ giá trị RE 10 lần.
X C2  10.RE (5.29)
taïi taàn soá f min
THÍ DỤ 5.2:
Với mạch khuếch đại trong hình H5.13 tìm giá trị điện dung C2 của tụ bypass để mạch
khuếch đại hoạt động trong dảy tần số từ 2 kHz đến 10 kHz.
GIẢI
RE 10
Với RE  560  , dung kháng tụ bypass là X C2  hay C2  . Suy ra:
10 2.fmin .RE
10
C2  F  hay C2  1,42 F
2.2.103.560  
180
ĐỘ LỢI ÁP KHI KHÔNG DÙNG “TỤ BYPASS” TẠI CỰC PHÁT:

Muốn thấy được ảnh hưởng của tụ bypass lế độ lợi áp, ta tháo bỏ tụ này và xét lại độ lợi
áp. Vì không có tụ bypass nên cực phát không phải là điểm masse AC .Lúc này độ lợi áp được
RC
xác định theo quan hệ AV  .
r 'e  RE
Tóm lại khi không có tụ bypass độ lợi áp AC sẽ giãm thấp.
THÍ DỤ 5.3:
Tính lại độ lợi áp AC của mạch khuếch đại trong hình H5.13 lúc có và không có tụ bypass.
Giả sử mạch không có điện trở Tải.
GIẢI
Từ thí dụ 5.1 ta có điện trở r 'e  6,965  ; trong mạch hình H5.13 ta có RC  1 k và
RE  560  . Các độ lợi điện áp xác định theo từng trường hợp cho các kết quả sau:
RC 1k
Trường hợp không dùng tụ bypass: A v    1,76
r 'e  RE 566,965 
RC 1k
Trường hợp có dùng tụ bypass: Av    143,58
r 'e 6,965 
ẢNH HƯỞNG CỦA ĐIỆN TRỞ TẢI ĐẾN ĐỘ LỢI ÁP:
a./ Mạch khuếch đại có dùng điện trở Tải b./ Mạch AC tương đương khi chọn các
dung kháng XC1 = XC2 = Xc3 = 0
HÌNH H5.21: Mạch khuếch đại cực phát chung khi có Điện Trở Tải RL .
Khi nối thêm Điện Trở Tải RL thông qua tụ C3 trên ngõ ra mạch khuếch đại, ta có thêm
thành phần dòng AC qua Tải. Trên mạch tương đương AC của mạch khuếch đại, điện trở RC đấu
song song với điện trở Tải RL, xem hình H5.21. Điện trở tương đương tại cực thu cũa mạch AC là:
RC .RL
RCtd  (5.30)
RC  RL
181
Thay giá trị RCtd vào vị trí của RC trong biềuthức xác định độ lợi (5.26) ta có kết quả sau:
RCtd
AV  (5.31)
r 'e
Vì RCtd  RC nên độ lợi điện áp giảm. Trong trường hợp RL  RC ta có RCtd  RC độ lợi duy
trì hay giảm chút ít.
THÍ DỤ 5.4:
Tính lại độ lợi áp AC của mạch khuếch đại trong hình H5.13 khi có Điện Trở Tải RL = 5 kΩ.
Cực phát có dùng tụ bypass.
GIẢI:
Theo các tính toán trong thí dụ trên, ta có điện trở AC tại cực phát r 'e  6,965  . Với điện
trở RC = 1 kΩ suy ra điện trở tương đương trong mạch tương đương AC khi có thêm Điện Trở Tải:
RC .RL 1.5
RCtd    0,83333 k
RC  RL 1 5
Độ lợi điện áp tại lúc này là:
RCtd 833,33
AV    119,6
r 'e 6,965
Kết quả cho thấy độ lợi giảm thấp hơn so với giá trị tìm được trong Thí Dụ 5.3 khi không có
Điện Trở Tải A v  143,58 .
5.3.5. ỔN ĐỊNH ĐỘ LỢI ( ĐỘ KHUẾCH ĐẠI) ĐIỆN ÁP:
Với mạch khuếch đại có các thông số được thiết kế, Tính Ổn Định của mạch được xác
định bằng cách xét đến sự thay đổi hệ số AV khi nhiệt độ môi trường thay đổi hoặc có các
thông số thay đổi.
Mặc dù điện trở RE được bỏ qua bằng cách dùng tụ bypass để tạo được độ lợi áp tối đa,
nhưng độ lợi áp này lại phụ thuộc vào giá trị điện trở nội cực phát r’e . Do đó độ lợi áp phụ thuộc
vào dòng IE và nhiệt độ .
Trong trường hợp không dùng tụ bypass tại cực phát, mặc dù độ lợi giảm rất thấp nhưng
không phụ thuộc vào r’e , lúc này độ lợi áp không ảnh hưởng bởi nhiệt độ.
PHƯƠNG PHÁP LÀM MỀM ĐIỆN TRỞ r’e

Phương pháp làm mềm (Swamping) điện
trở r’e là phương pháp sử dụng ảnh hưởng ít
nhất của điện trở r’e mà không làm giảm độ lợi
áp đến mức thấp nhất.
Trong mạch khuếch đại sử dụng
phương pháp pháp làm mềm điện trở r’e , điện
trở cực phát RE được phần thành hai thành
phần và chỉ dùng tụ bypass cho một phần
của điện trở này, xem hình H5.22.
Giả sử RE được tách thành hai thành
phần: RE1 và RE2 ; cà hai thành phần này ảnh
hưởng đến dòng IE nhưng chỉ có thành phần
RE1 ảnh hưởng đến độ lợi điện áp. HÌNH H5.22
182
Ta có:
RC
Av  (5.32)
r 'e  RE1
Nếu giá trị RE1 lớn hơn giá trị r’e khoảng 10 lần thì ảnh hưởng của r’e lện độ lợi áp khi
nhiệt độ thay đổi rất ít. Trong trường hợp này độ lợi áp được xác định theo quan hệ :
RC
Av  (5.33)
RE1
THÍ DỤ 5.5:
Xác định độ lợi áp AC của mạch khuếch
đại trong hình H5.23 . Giả sử tụ bypass có dung
kháng không đáng kể tại dảy tần số hoạt động
của mạch. Cho r 'e  20 
GIẢI:
Từ mạch khuếch đại trong hình H5.23 ta
rútra nhận xét sau: giá trị của RE1  330  gấp
hơn 10 lần giá trị r 'e  20  . Ta có thể áp dụng
quan hệ (5.33) để ước lượng gần đúng độ lợi áp
cho mạch khuếch đại.
RC 3,3 k
Av    10 HÌNH H5.23
RE1 330 
ẢNH HƯỞNG CỦA PHƯƠNG PHÁP LÀM MỀM ĐIỆN TRỞ r’e LÊN ĐIỆN TRỞ VÀO:
Trong các nội dung trình bày phía trên, điện trở vào trong mạch tương đương AC khi dùng
tụ bypass qua điện trở RE xác định theo quan hệ (5.22) : Rin(Base)   ac .r 'e .
Khi bypass một phần điện trở cực phát, thành phần điện trở không được bypass bởi tụ
xuất hiện nối tiếp với điện trở nội cực phát r’e . Như vậy điện trở vào tại cực nềnsẽ được xác định
lại theo quan hệ sau:
Rin(Base)   ac . r 'e  RE1  (5.34)
5.3.6. TRẠNG THÁI ĐẢO PHA ÁP RA TRONG MẠCH KHUẾCH ĐẠI CE:
Trong mạch khuếchđại cực phát chung, áp Vout tại cực thu đảo pha so với áp vào Vin tại
cực nền. Trong một số tài liệu trạng thái đảo pha được ký hiệu bằng dầu trừ () ở trước biểu thức
tính độ lợi áp.
THÍ DỤ 5.6:
Cho mạch khuếch đại trong hình H5.24. Xác định:
a./ Áp DC tại cực thu.
b./ Áp AC tại cực thu.
c./ Vẽ dạng sóng áp vào và áp ra của mạch khuếch đại
GIẢI:
a./ Đầu tiên xác định mạch tương đương DC dùng phân cực transistor. Xem hình H5.25.
183
HÌNH H5.24 HÌNH H5.25
R1.R2 10  47 R2 .Vcc 10  10
RTH    8,2456 k VTH    1,754 V
R1  R2 10  47 R1  R2 10  47
VTH  VBE 1,754 V  0,7 V

IB    0,007 mA
  
RTH  DC  1  RE1  RE2    
8,2456 k  150  1  0,47  0,47 k 
Dòng cực thu: IC  DC .IB  150  0,007  1,05 mA
Dòng cực phát: IE  IB  IC  0,007  1,05  1,057 mA
  
Áp VCE : VCE  VCC  RCIC  RE1  RE2 IE  10  4,7  1,05  0,47  0,47  1,057  4,07 V 
Áp tại cực thu so với điểm masse DC: VC  VCC  RCIC  10  4,7  1,05  5,07 V
HÌNH H5.26 : Mạch tương đương AC của mạch khuếch đại trong hình H5.24
b./ Đầu tiên xác định mạch tương đương AC, xem hình H5.26.
25 mV 25 mV
Điện trở AC tại cực phát: r 'e    23,65 
IE 1,057 mA
Điện trở vào cực nền là:
Rin(Base)   ac .  r 'e  RE1   175   23,65  470   86388,75   86,389 k
184
Điện trở vào toàn phần nhìn từ nguồn AC đến cực nền là:
1 1
Rin(Tot)    7,527 k
 1 1 1   1 1 1 
       
R
 1 R1
R 
in(Base) 
 47 k 10 k 86,398 k 
Xác định độ suy giảm biên độ áp (attentuation) trong mạch cực nền. Khi nhìn từ điện trở
nội của nguồn đến cực nền, ta có:
Vb Rin(Tot) 7,527
Ñoäsuy giaõm     0,926
Vs Rs  Rin(Tot) 0,6  7,527
Điện trở AC tương đương tại cực thu khi có xét đến điện trở tải :
RC .RL 4,7  47
RCtd    4,273 k
RC  RL 4,7  47
RCtd 4,273 k
Độ lợi điện áp từ cực nền đến cực thu: Av    9,098
RE1 470 
Độ lợi áp toàn phần khi có tính thêm sự suy giảm biên độ ngõ vào tại mạch cực nền:
 Vb 
A 'V     AV  0,926  9,098  8,425
V 
 in 
Áp hiệu dụng AC trên ngõ ra là: Vout  A 'V .Vs  8,425  10  84,25 mV
c./ Tại cực thu tín hiệu áp AC có giá trị hiệu dụng 84,25 mV, dao động quanh mức áp DC tại cực
thu là VC = 5,07V. Các giá trị đỉnh của áp ra trên cực thu được xác định như sau:
Max VC(Peak)  5,07 V  2  84,25 mV  5,19 V

Min VC(Peak)  5,07 V  2  84,25 mV  4,95 V
HÌNH H5.27 : Các điện áp tức thời trên ngõ vào và ngõ ra.
185
5.3.7. ĐỘ LỢI DÒNG ĐIỆN VÀ ĐỘ LỢI CÔNG SUẤT:
Độ lợi dòng điện giữa cực nền và
Ic
cực thu chính là hệ số  ac  hfe  .
Ib
Tuy nhiên độ lợi dòng điện toàn phần của
mạch khuếch đại cực phát chung được
định nghĩa là:
Ic
Ai  (5.35)
Is
Trong đó, Is là dòng điện vào toàn
phần của nguồn áp Vs hay Vin ; dòng điện HÌNH H5.28
này bao gồm hai thành phần : dòng Ib vào
cực nền và dòng phân cực Ibias qua điện trở tương được do R1 và R2 ghép song song, xem hình
H5.28. Từ nguồn nhìn vào cực nền qua các thành phần điện trở là RS + Rin(Tot) . Ta có quan hệ
sau:
VS
IS  (5.36)
RS  Rin(Tot)
Với A 'V là độ lợi áp toàn phần và Ai là độ lợi dòng toàn phần ; gọi AP là độ lợi công suất
ta có quan hệ sau:
AP  A 'V  Ai (5.37)
5.4.MẠCH KHUẾCH ĐẠI PHÂN CỰC CỰC THU CHUNG (CC):

Mạch khuếch đại cực thu chung (common collector) còn được gọi là mạch khuếch đại
cực phát theo (emitter follower- EF). Tín hiệu vào được cung cấp vào cực nền thông qua tụ điện
và tín hiệu ra được lấy trên cực phát. Độ lợi điện áp trong mạch khuếch đại cực thu chung CC
thường xấp xỉ giá trị 1, thuận lợi chính của mạch khuếch đại là có tổng trở nhập và độ lợi
dòng điện lớn.
HÌNH H5.29
Trong hình H5.29 trình bày mạch khuếch đại cực phát theo dừng phương pháp phân cực
dùng cầu phân áp. Cần chú ý tín hiệu nhập được cấp vào cực nền thông qua tụ điện và tín hiệu
xuất được lấy thông qua tụ tại cực phát, cực thu xem là điểm mass AC. Do đó mạch khuếch đại
còn được gọi mạch khuếch đại cực thu chung. Không có trạng thái đảo pha giữa tín hiệu vào
và tìn hiệu ra; biên độ của các tín hiệu vào và ra xấp xỉ bằng nhau.
186
5.4.1. ĐỘ LỢI ĐIỆN ÁP:
Theo định nghĩa chung cho tất các các
mạch khuếch đại, độ lợi điện áp được xác
Vout
định theo quan hệ sau: A V  . Dung
Vin
kháng của các tụ được bỏ qua tại tần số hoạt
động . Với mạch cực phát theo, ta có mạch
AC tương đương trình bày trong hình H5.30.
Vout  Re .Ie (5.38)

Và:

Vin  r 'e  Re  Ie  (5.39)
Suy ra độ lợi áp:
Re
AV  (5.40)
r 'e  Re HÌNH H5.30
Vì điện trở Re là điện trở tương đương của hai điện trở RE và RL. Khi mạch ở trạng thái
không tải Re = RE độ lợi áp hơi thấp hơn giá trị 1. Nếu Re  r 'e độ lợi áp tiến đến 1.
Vì điện áp ra lấy trên cực phát nên tín hiệu này trùng pha với tín hiệu cấp đến cực nền.
Chính do tính chất này nên mạch khuếch đại mang tên là mạch khuếch đại cực phát theo .
5.4.2. TỔNG TRỞ NHẬP:

Mạch khuếch đại cực phát theo có tông trở nhập lớn nên thường dùng làm tầng đệm
(buffer) để làm giảm đi ảnh hưởng của tải khi mạch hoạt động với các Tải có giá trị điện trở thấp.
Trong mạch khuếch đại CC không dùng tụ bypass tại điện trở RE vì tín hiệu ra được lấy trên điện
trở tương đương Re . Ta có:
Rin(base) 
Vin

Vb

r '  R   I
e e e
(5.41)
Iin Ib Ib
Vì :
Ie  Ic   ac .Ib
Suy ra điện trở nhập cực nền xác định theo quan hệ:
r '  R    I
Rin(base) 
e e
Ib
ac b
 
 r 'e  Re   ac (5.42)
Nếu Re  r 'e ta có thể đơn giãn điện trở nhập theo quan hệ sau:
Rin(base)  Re . ac (5.43)
Với các điện trở phân cực trong hình H5.29 suy ra điện trở nhập toàn phần nhìn từ cực
nền được xác định theo quan hệ:
1 1 1 1
   (5.44)
Rin(Tot) R1 R2 Rin(base)
187
5.4.3. ĐIỆN TRỞ RA:
Khi tách ly tải khỏi ngõ ra, mạch AC tương đương tính t heo thông số r của mạch khuếch
đại cực thu chung được xác định theo hình H5.31 a.
HÌNH H5.31: Mạch AC tương đương tính theo thông số r của mạch khuếch đại CC
Áp dụng mạch tương đương Thevénin nhìn từ cực nền về nguồn ta có được mạch tương
đương theo hình H5.31b. Từ đó suy ra:
Vout  Ve ; Iout  Ie và Iin  Ib

Suy ra:
Ve
Rout 
Ie
Với:
Ie   ac .Ib
Khi hủy áp nguồn VS = 0 và xét dòng Ib tạo thành bởi áp Vout và bỏ qua điện áp rơi giữa cực
nền phát trên điện trở r’e, ta có:
Ve
Ib  (5.45)
Rin(Tot)
Trong đó Rin(Tot) là điện trở nhập nhìn từ cực nền xác định theo quan hệ (5.44), giả sử khi
ta có R1  RS và R2  RS quan hệ (5.45) được tính lại như sau:
Ve
Ib  (5.46)
RS
Ta có:
 ac .Ve
Iout  Ie  (5.47)
RS
Suy ra:
188
Vout Ve Ve RS
   (5.48)
Iout Ie  V   ac
 ac e 
 RS 
 Rs 
Nhìn từ cực phát điện trở RE song song với điện trở   từ đó suy ra quan hệ xác định

  ac 
điện trở ra theo quan hệ sau:
1  1
 ac  (5.49)
Rout Rs RE
Hay:
RS .RE
Rout  (5.50)
RS   ac .RE
Trong đó RS là điện trở nội của nguồn áp vào
5.4.4. ĐỘ LỢI DÒNG ĐIỆN VÀ ĐỘ LỢI CÔNG SUẤT:
 Ie 
Độ lợi toàn phần của mạch khuếch đại trong hình H5.29 là 
 I 
. Chúng ta có thể xác định
 in 
Vin
dòng điện vào theo quan hệ: Iin  . Trong trường hợp R1  Rin(base) và R2  Rin(base) , dòng
Rin(Tot)
điện vào hầu như đi vào cực nền nên độ lợi dòng điện của mạch khuếch đại sẽ bằng độ lợi dòng
điện  ac của transistor . Nói một cách chính xác hơn nếu điện trở tương đương của các điện trở R1
và R2 ghép song song có giá trị rất lớn hơn so với giá trị  ac .RE thì độ lợi dòng điện Ai   ac .
Trong các trường hợp khác, độ lợi dòng điện được xácđịnh theo quan hệ:
Ie
Ai  (5.51)
Iin
 ac chính là giá trị độ lợi dòng tối đa đạt được trong các dạng mạch khuếch đại cực thu
chung và cực phát chung.
Tương tự như trên, độ lợi công

suất được xác định theo quan hệ:
AP  AV  Ai . Trong trường hợp ta có
AV  1 thì AP  Ai .
THÍ DỤ 5.7:
Cho mạch khuếch đại trong hình
H5.32. Xác định độ lợi áp, độ lợi dòng
điện, và độ lợi công suất theo giá trị hiện
có của điện trở tải RL. Giả sử hệ số
khuếch  ac  175 ; DC  150 ; bỏ qua
dung kháng của các tụ ngõ vào và ra tại
tần số hoạt động của mạch khuếch đại. HÌNH H5.32
189
GIẢI
Đầu tiên xác định điểm phân cực tỉnh của Transistor trong mạch khuếch đại, ta có:
R1.R2 18  18 R2 .Vcc 18  10
RTH    9 k VTH    5V
R1  R2 18  18 R1  R2 18  18
VTH  VBE 5 V  0,7 V

IB    0,026875 mA

RTH  DC  1  RE  
9 k  150  1  1 k 
Dòng cực thu: IC  DC .IB  150  0,026875  4,03 mA
Áp VCE : VCE  VCC  RE .IE  10  1  4,057  5,943 V
25 mV 25 mV
IE 4,057 mA
Điện trở AC ngoài tương đương tại cực phát (do RE ghép song song RL khi xem như
dung kháng tụ C2 bằng 0 tại dảy tần số làm việc của mạch khuếch đại).
RE .RL 1 1
Re    0,5 k  500 
RE  RL 1 1
Điện trở Rin(base) tính gần đúng (khi xem như r’e không đáng kể):
Rin(base)   ac .Re  175  500  87500   87,5 k
Điện trở nhập toàn phần:
1 1 1 1 1 1 1
       0,122539
Rin(Tot) R1 R2 Rin(base) 18 18 87,5
Suy ra:
1
Rin(Tot)   8,16 k
0,122539
Re 500
Độ lợi áp xác định theo quan hệ (5.40): AV    0,9878
r 'e  Re 500  6,16
Dòng xoay chiều Ie xác định theo quan hệ:
Ve A v .Vb 1V
Ie     2 mA
Re Re 500 
Dòng xoay chiều Iin xác định theo quan hệ:
Vin 1V
Iin    122,55 A
Rin(Tot) 8,16 k
Ie 2 mA
Độ lợi dòng xác định theo quan hệ : Ai    16,32
Iin 122,55 A
Độ lợi dòng xác định theo quan hệ : AP  Ai  AV  16,32  0,.9878  16,12
190
5.4.5.MẠCH DARLINGTON VÀ ỨNG DỤNG:
Theo các nội dung trình bày trên,  ac là

thông số chính dùng xácđịnh điện trở vào của
mạch khuếch đại. Giá trị  ac của transistor giới
hạn giá trị tối đa của điện trở vào trong mạch
khuếch đại CC cho trước.
Một phương pháp làm tăng điện trở vào
là dùng cặp transistor Darlington, xem hình
H5.33. Các cực thu của các transistor liên kết
nhau, cực phát của transistor thứ nhứt điều
khiển dòng cực nền của transistor thứ hai. Với
cấu hình này hệ số  actd tương đương của toàn
hệ thống sẽ là tích số của các hệ số  ac1 và
 ac2 của các transistor. HÌNH H5.33
Dòng cực phát của transistor thứ nhứt : Ie1   ac1.Ib1 .

Dòng cực phát của transistor thứ hai: Ie2   ac2 .Ib2   ac1. ac2 .Ib1
Suy ra độ lợi dòng tương đương tạo bởi cặp transistor Darlington là:
 actd
  ac1. ac2 (5.52)
Với cặp transistor Darlington ta có điện trở vào nhìn từ cực nền là:

Rin(base)   ac1. ac2 RE  r 'e  (5.53)
THÍ DỤ 5.8:
Cho mạch khuếch
đại cực phát chung (CE)
như trong hình H5.34, với:
VCC1  10 V ; RC  1 k ;
r 'e  5  .
Mạch khuếch đại
cực phát theo dùng cặp
transistor Darlington có:
R1  10 k ; R2  22 k ;
RE  22  ; RL  8  ;
VCC2  12 V và mỗi
transistor thành phần của
cặp Darling ton có hệ số
DC   ac  100 . Tìm HÌNH H5.34
a./ Độ lợi áp của mạch khuếch đại cực phát chung.

b./ Độ lợi áp của mạch khuếch đại cực phát theo dùng cặp transistor Darling ton.
c./ Định độ lợi áp toàn phần của mạch khuếch đại trong hình H5.34.
191
GIẢI
Câu a: Để xác định độ lợi áp cho mạch khuếch đại CC dùng cặp transistor darlington, đầu tiên ta
xác định các hệ số DCtd ;  actd của transistor tương đương, ta có:
 
2
DCtd  DC  10000
  
2
 actd ac
 10000
Kế tiếp xác định điểm làm việc tỉnh cho mạch của mạch khuếch đại CC khi thay thế bằng
transistor tương đương.
R1.R2 10  22 R2 .Vcc 22  12
RTH    6,875 k VTH    8,25 V
R1  R2 10  22 R1  R2 10  22
VTH  VBE 8,25 V  0,7 V

IB    0,033278 mA

RTH  DCtd  1  RE  
6,875 k  10000  1  22  
Dòng cực thu: IC  DCtd.IB  10000  0,033278  332,78 mA
Dòng cực phát: IE  IB  IC  0,033278  332,78  332,81mA
Áp VCE : VCE  VCC  RE .IE  12  22  0,33281  4,678 V
25 mV 25 mV
IE 332,81mA
CHÚ Ý:
Vì dòng qua mạch có giá trị lớn nên cần chú ý đến công suất tiêu tán trên các phần tử.
Công suất tiêu tán trên điện trở cực phát RE :
 
2
PDR  RE .IE 2  22  0,33281  2,436 W
E
Công suất tiêu tán trên Transistor Q2 trong cặp Darlington:
PDQ2  VCE .IC  4,678  0,33278  1,557 W  

Điện trở ac tương đương tại cực phát của mạch khuếch đại CC khi xét thêm ảnh hưởng
của điện trở tải RL tại cực phát:
RE .RL 22  8
Re    5,867 
RE  RL 22  8
Điện trở Rin(base) tính gần đúng (khi xem như r’e không đáng kể):
  
Rin(base)   actd. Re  r 'e  10000  5,867  0,075  59420   59,42 k 
Điện trở nhập toàn phần:
1 1 1 1 1 1 1
       0,1622839
Rin(Tot) R1 R2 Rin(base) 10 22 59,42
Suy ra:
1
Rin(Tot)   6,162 k
0,1622839
192
Trong hình H5.34 ta nhận thấy tín hiệu vào mạch khuếch đại CC cấp từ ngõ ra của
mạch khuếch đại cực phát chung CE ; do đó tổng trở vào toàn phần ac của mạch khuếch
đại CC sẽ ảnh hưởng đến điện trở ngõ ra của mạch khuếch đại CE (xem lại nội dung trong
mục 5.3.4). Ta có điện trở ac tại cực thu của mạch khuếch đại CE xác định theo quan hệ:
RC .Rin(Tot) 1  6,162
RCtd    0,86 k  860 
RC  Rin(Tot) 1  6,162
Độ lợi điện áp của mạch khuếch đại cực phát chung CE là:
RCtd 860
AV1    172
r 'e 5
Câu b: Độ lợi áp của mạch khuếch đại cực thu chung CC xác định theo quan hệ (5.40):
Re 5,867
AV2    0,98738
r 'e  Re 5,867  0,075
Câu c: Độ lợi áp toàn mạch của toàn bộ mạch khuếch đại cực phát chung CE ghép liên lạc với
mạch khuếch ddại cực thu chung CC :
AVTotal  AV1  AV2  172  0,98738  169,829  170
CHÚ Ý:
Trong trường hợp chỉ dùng mạch khuếch đại cực phát chung CE cấp tín hiệu đến Tải là
Loa (Speaker) có điện trở là RL = 8 Ω mà không có tầng khuếch đại cực thu chung CC, do điện
trở Tải có giá trị rất bé nên điện trở ac tại cực thu lúc này là
RC .RL 1000  8
R'Ctd    7,9365 
RC  RL 1000  8
Độ lợi áp của mạch khuếch đại CE trong trường hợp này có giá trị là:
R,Ctd 7,9365
AV1    1,587
r 'e 5
Tư giá trị này cho thấy của mạch khuếch đại CC dùng cặp transistor Darlington cải
thiện được độ khuếch đại áp cho mạch khuếch đại CE khi Tải có giá trị rất thấp.
5.5.MẠCH KHUẾCH ĐẠI PHÂN CỰC CỰC NỀN CHUNG (CB):
Mạch khuếch đại cực nền chung cho phép tạo ra độ lợi áp có giá trị cao với độ lợi
dòng tối đa bằng 1. Mạch khuếch đại này cho điện trở vào có giá trị thấp nên mạch khuếch đại
CB thường được áp dụng cho các trường hợp nguồn tín hiệu cấp vào mạch khuếch đại có
điện trở ra rất thấp.
Môt dạng mạch tiêu chuẩn của mạch khuếch đại cực nền chung trình bày trong hình
H5.35 . Cực nền là đầu chung hay là điểm masse ac . Tín hiệu vào cấp vào cực phát thông qua tụ
điện. Tín hiệu ra lấy trên cực thu thông qua tụ điện trước khi đến cấp đến điện trở Tải.
Trong hình H5.36, trình bày mạch tương đương ac của mạch khuếch đại cực nền chung,
khi khảo sát cần phân biệt các điện trở dùng phân cực tạo điểm làm việc tỉnh cho transistor
và các phần tử khác chỉ ảnh hưởng đến chức năng khuếch đại áp, dòng khi xét đối với tín
hiệu ac vào. Ta có các kết quả như sau.
193
HÌNH H5.35: Mạch khuếch đại cực nền chung CB (Common Base).
5.5.1. ĐỘ LỢI ÁP:
Điện áp ac vào mạch khuếch đại

được cấp vào cực phát, ta có Vin  Ve , áp ra
được lấy trên cực thu Vout  Vc . Như vậy độ
lợi áp được xác định theo quan hệ :
Vout Vc
AV   (5.54)
Vin Ve
Điện trở ac tương đương tại cực thu

khi có xét đến ảnh hưởng của điện trở tải
được xác định theo quan hệ : HÌNH H5.36: Mạch tương đương ac của mạch CB
RC  RL
Rctd  (5.55)
RC  RL
Điện trở ac tương đương tại cực phát được xác định theo quan hệ:
r 'e  RE
Re  (5.56)
r 'e  RE
Khi xem dòng ac tại cực phát và cực thu có giá trị xấp xỉ bằng nhau, suy ra:
Vc Rctd.Ic Rctd
AV    (5.57)
Ve Re .Ie Re
Trong trường hợp RE  r 'e ta có Re  r 'e , quan hệ (5.57) được viết lại như sau:
Rc
AV  (5.58)
r 'e
194
5.5.2. ĐIỆN TRỞ VÀO:
Điện trở vào khi nhìn từ cực phát xác định theo quan hệ sau:
Vin Ve Re .Ie
Rin(emitter)     Re (5.59)
Iin Ie Ir
Trong trường hợp RE  r 'e ta có Rin(emitter)  r 'e ,
5.5.3. ĐIỆN TRỞ RA:
Khi nhìn vào cực thu điện trở ac ra r 'c đấu song song với RC . Theo các nội dung đẽ khảo
sát trong mạch khuếch đại cực phát chung CE ta có r 'c >> RC . Tóm lại ta có:
Rout  RC (5.60)
THÍ DỤ 5.9:
Cho mạch khuếch đại cực
nên chung (CB) như trong hình
H5.37, với transistor có DC  250 .
Xác định:
a./ Điện trở vào.
b./ Độ lợi áp.
c./ Độ lợi công suất
GIẢI:
Đầu tiên xác định điểm phân
cực tỉnh của transistor, ta có:
R1.R2 56  12
RTH    9,882 k
R1  R2 56  12
HÌNH H5.37
R2 .Vcc 12  10
VTH    1,7647 V
R1  R2 56  12
VTH  VBE 1,7647 V  0,7 V

IB    0,00408 mA
 
RTH  DC  1  RE 
9,882 k  250  1  1 k 
Dòng cực thu: IC  DC .IB  250  0,00408  1,02 mA
Áp VCE : VCE  VCC  RE .IE  12  1  1,02  10,98 V
195
25 mV 25 mV
IE 1,024 mA
Điện trở ac tương đương tại cực phát được xác định theo quan hệ:
r 'e  RE 0,024414  1
Re    0,0238 k  23,8 
r 'e  RE 0,024414  1
Theo (5.59) ta có điện trở vào khi nhìn từ cực phát xác định theo quan hệ:
Rin(emitter)  Re  23,8 
Điện trở ac tương đương tại cực thu khi có xét đến ảnh hưởng của điện trở tải được xác
định theo quan hệ (5.55) :
RC  RL 2,2  10
Rctd    1,803 k
RC  RL 2,2  10
Độ lợi áp:
Rctd 1803
AV    75,76
Re 23,8
Vì độ lợi dòng điện xấp xỉ 1 nên ta có độ lợi công suất AP  A V  Ai  A V
196
BÀI TẬP
BÀI TẬP 5.1

a./ Vẽ mạch DC và AC tương đương cho mạch
khuếch đại trong hình H5.38.
b./ Xác định các giá trị : Rin(base) ; Rin(Tot) ; AV .
c./ Nối tụ bypass tại điện trở RE tính lại các
thông số yêu cầu trong câu b.
d./ Nối thêm điện trở trên ngõ ra tính lại thông
số yêu cầu trong câu c.
HÌNH H5.38
BÀI TẬP 5.2
Cho mạch khuếch đại
trong hình H5.39.
a./ Xác định các thông số của
điểm làm việc tỉnh DC.
b./ Xác định các thông số ac
của mạch khuếch đại: Rin(base) ;
Rin(Tot) ; AV ; Ai ; AP.
c./ Giả sử nguốn áp xoay chiều
cấp vào mạch khuếch đại có
nội trở là 600Ω , áp hiệu dụng
lả 12µV. Xác định độ lợi áp
HÌNH H5.39 toàn phần của mạch .
BÀI TẬP 5.3

Cho mạch khuếch đại trong hình
H5.40 có thể điều chỉnh thay đổi độ lợi bằng
biến trở 100Ω tại cực phát.
a./ Tìm độ lợi áp cực đại và cực tiểu của
mạch khuếch đại.
b./ Nếu lắp thêm điện trở tải 600Ω trên ngõ ra,
xác định lại độ lợi áp cực tại và cực tiểu.
c./ Tìm độ lợi áp toàn phần cực đại nếu điện
trở tải là 1 kΩ và nguồn áp vào có nội trở là
300Ω.
HÌNH H5.40
197
BÀI TẬP 5.4

Cho mạch khuếch đại CC trong hình
H5.41. a./ Xác định chính xác độ lợi áp của
mạch.
b./ Tìm điện trở vào toàn phần của mạch .
Điện áp DC của mạch là bao nhiệu ?
c./ Khi nối thêm điện trở tải RL trên ngõ ra
thông qua tụ điện. Nếu độ lợi áp giảm đến giá
trị 0,9 thì điện trở tải có giá trị là bao nhiêu?
HÌNH H5.41
BÀI TẬP 5.5

Cho mạch khuếch đại
dùng cặp transistor Darlington
trong hình H5.42.
a./ Xác định các điểm làm việc
tỉnh DC của cặp transistor
Darlington.
b./ Điện trở vào toàn phần.
c./ Xác định độ lợi dòng toàn
phần của mạch khuếch đại.
HÌNH H5.42
BÀI TẬP 5.5
Cho mạch khuếch đại dùng cặp transistor Darlington trong hình H5.43. Tìm Rin(emitter) ; AV ;
Ai ; AP lúc mạch khuếch đại không tải.
Bất lợi của mạch khuếch đại CB là gì so với các loại khuếch đại CE và CC
HÌNH H5.43
198
TÀI LIỆU THAM KHẢO
[1]. LÊ PHI YẾN – LƯU PHÚ – NGUYỄN NHƯ ANH

KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ
Nhà xuất bản Đại Học Quốc Gia Tp Hồ Chí Minh - 2005
[2]. JIMMIE J. CATHEY

THEORY AND PROBLEMS OF ELECTRONICS DEVICE AND CIRCUITS
Schaum’s Outline Series - McGRAW-HILL 2002
[3]. TONY R. KUPHALDT

LESSONS IN ELECTRIC CIRCUIT- VOL 3 - SEMICONDUCTOR
Design Science License – 2006
[4]. STEVEN T. KARRIS

ELECTRONIC DEVICE AND AMPLIFIER CIRCUITS WITH MATLAB APPLICATIONS
Orchard Publications 2005
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – PHỤ LỤC 1 – LINH KIỆN R – L – C PL1 .1
PHỤ LỤC 1
PHƯƠNG PHÁP ĐỌC ĐIỆN TRỞ VẠCH MÀU
PL1.1. VẬT LIỆU CHẾ TẠO ĐIỆN TRỞ :

Khi chế tạo các mạch điện tử, người ta thường dùng nhiều phần tử điện trở. Kích thước của
điện trở dùng trong mạch điện tử bé nhất khoảng vài milimet cho đến lớn nhất khoảng vài cm. Vật
liệu chế tạo nên điện trở rất đa dạng; phổ biến nhất gồm 3 loại như sau:
Than (các điện trở công suất bé < 1W).
Oxid kim loại (các điện trở công suất bé có độ chính xác cao).
Kim loại có điện trở suất lớn (các điện trở công suất lớn hơn 2W). Loại này thường được
sử dụng trong các thiết bị gia nhiệt, trong các mạch khởi động động cơ dùng điện trở để
hạn chế dòng điện khởi động.
PL1.2. KÝ HIỆU, ĐƠN VỊ ĐO VÀ CÁC DẠNG THƯỜNG GẶP :
Ký hiệu: Ký hiệu chuẩn mỗi bên có 3 đỉnh nhọn.
Đơn vị đo tiêu chuẩn là :  , ngoài ra thường dùng k (103) và M (106).
Loại 4 vòng màu, 1/2W Loại 5 vòng màu, 1/2W Loại 4 vòng màu, 1W
Điện trở công suất

Điện trở loại dán lên mạch in Điện trở mảng
Điện trở công suất lớn dùng trong các mạch công suất
HPL1.1: Hình dạng một số điện trở thông dụng.
PL1. 2 BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – PHỤ LỤC 1 – LINH KIỆN R – L – C
PL1.3. CÔNG SUẤT DANH ĐỊNH HAY CÔNG SUẤT ĐỊNH MỨC CỦA ĐIỆN TRỞ :
Mỗi điện trở được chế tạo với một công suất tối đa cho phép gọi là công suất danh định,
ký hiệu Pdđ. Khi dùng điện trở trong mạch điện thì phải tính toán sao cho công suất tiêu thụ thực
sự trên R luôn nhỏ hơn công suất danh định trong mọi truờng hợp.
Trong đa số trường hợp kích thước điện trở phụ thuộc vào công suất danh định và
được xác định bằng cách đọc thông số ghi trên điện trở (thường chỉ có đối với các điện trở
công suất lớn hơn 1W) hoặc xem kích thước điện trở.
Điện trở loại hàn xuyên lớp bé nhất hiện nay có công suất danh định 1/8 W ; 1/4 W và 1/2W.
Các điện trở có công suất từ 1W trở lên có đường kính tiết diện ngang bé nhất khoảng 4mm.
PL1.4. XÁC ĐỊNH GIÁ TRỊ R VÀ DUNG SAI BẰNG LUẬT MÀU VÀ LUẬT SỐ :
Các điện trở có công suất bé hơn 1W thường có giá trị điện trở cho bởi các vòng màu hoặc
các số ghi trên thân điện trở.
Đối với các điện trở có giá trị cho bởi vòng màu, có hai dạng phổ biến là loại 4 vòng màu và
loại 5 vòng màu. Các điện trở dán (loại dán trên mạch in – không có chân để xuyên qua mạch in)
có giá trị cho bởi quy ước số ghi trên thân.
Cách xác định như sau:
HPL1.2: Giá trị điện trở được xác định theo quy ước màu và quy ước số.
Điện trở 4 hay Vòng 1 Vòng 2 Vòng 3 Vòng 4 Vòng 5

5 vòng màu Số thứ 1 Số thứ 2 Số thứ 3 Số mủ Sai số
0
ĐEN 0 0 0 10 ±1%
1
NÂU 1 1 1 10 ±2%
2
ĐỎ 2 2 2 10
3
CAM 3 3 3 10
4
VÀNG 4 4 4 10
LỤC 5
5 5 5 10 ± 0,5 %
(XANH LÁ)
LAM 6
6 6 6 10 ± 0,25 %
(XANH DƯƠNG)
7
TÍM 7 7 7 10 ± 0,1 %
XÁM 8 8 8 ± 0,05 %
TRẮNG 9 9 9
VÀNG KIM 0,1 ±5%
BẠC 0,01 ± 10 %
HPL1.3: Bảng tiêu chuẩn giá trị của các vòng màu và vòng sai số.
Khi xác định R, cần phải xác định vòng sai số trước dựa vào 2 đặc điểm sau:
 Vòng sai số nằm riêng rẽ, cách xa các vòng khác.
 Vòng sai số có một số màu nhất định.
BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ 1 – PHỤ LỤC 1 – LINH KIỆN R – L – C PL1 .3
Sau khi xác định được vòng sai số, đặt

vòng này nằm ở vị trì cuối cùng bên phải và
đọc từ trái qua phải.
Sau khi xác định được vòng sai số, đặt
vòng này nằm ở vị trí cuối cùng bên phải và
đọc từ trái qua phải.
Với loại điện trở 4 vòng màu thì:
R = AB.10C  sai số
A là số thứ nhất,
B là số thứ hai .
C là số mũ.
Với loại 5 vòng màu thì:
R = ABC.10D  sai số
A là số thứ nhất.
B là số thứ hai.
C là số thứ ba.
D là số mũ.
HPL1.4: Bảng tóm tắt qui tắc đọc giá trị điện trở
Bằng các vòng màu và vòng sai số
THÍ DỤ:
R có 4 vòng màu : Đỏ, tím, nâu, vàng nhũ thì giá trị là : 27.101  5% = 270  5%.
R có 5 vòng màu : Vàng, tím, đen, đỏ, nâu thì giá trị là : 470.102  1% = 47000  1%
R có ghi số 682K thì giá trị là : 68.102  10%
BẢNG GIÁ TRỊ THƯƠNG MẠI (GIÁ TRỊ CÓ SẢN XUẤT):
Bảng 1.1 : Bảng giá trị thương mại của điện trở.
< 1 1  10 10  100 100  1k 1k  10k 10k  100k 100k  1M  1M
1 10 100 1k 10k 100k 1M
12 120 1.2k 12k 120k 1.2M
1.5 15 150 1.5k 15k 150k 1.5M
18 180 1.8k 18k 180k 1.8M
2.2 22 220 2.2k 22k 220k 2.2M
24 240 2.4k 24k 240k 2.4M
27 270 2.7k 27k 270k 2.7M
0.33 3.3 33 330 3.3k 33k 330k 3.3M
3.9 39 390 3.9k 39k 390k 3.9M
0.47 4.7 47 470 4.7k 47k 470k 4.7M
51 510 5.1k 51k 510k 5.1M
5.6 56 560 5.6k 56k 560k 5.6M
6.2 62 620 6.2k 62k 620k 6.2M
68 680 6.8k 68k 680k 6.8M
8.2 82 820 8.2k 82k 820k 8.2M
Các điện trở trên thực tế chỉ được chế tạo với những giá trị theo bảng 1.1. Khi thiết kế mạch thường
ta chỉ chọn được những giá trị gần với giá trị tính toán nhất mà không chọn chính xác được giá trị theo tính
toán. Việc chọn gần đúng này nhằm mục đích tìm được một điện trở trên thị trường có sẳn để lắp vào mạch.
Vì chọn gần đúng nên trong một số trường hợp cần phải tính toán lại theo giá trị chọn để có độ chính xác.
Ngoài ra có thể dùng nhiều điện trở mắc nối tiếp, song song hoặc hỗn hợp để có một giá trị điện trở mong
muốn. Ví dụ ta cần một điện trở 2k nhưng trên thị trường chỉ có các điện trở loại 1k; 1,2k; 1,8k;
2,2k. Trong trường hợp này có thể mắc nối tiếp 2 điện trở loại 1k để có điện trở tương đương 2k. Một
ví dụ khác là có thể ghép song song 2 điện trở loại 2,2k để có điện trở tương đương 1,1k. Trong trường
hợp ghép nhiều điện trở như vậy mạch sẽ rắc rối thì có thể dùng biến trở để chỉnh định.
MỤC LỤC
CHƯƠNG 01 DIODE VÀ CÁC MẠCH ỨNG DỤNG

1.1.TỔNG QUAN VỀ CHẤT BÁN DẪN:................................................................................................. 1
1.1.1.TÓM TẮT VỀ CẤU TRÚC NGUYÊN TỬ ............................................................................... 1
1.1.2.CHẤT DẪN ĐIỆN, CHẤT CÁCH ĐIỆN VÀ CHẤT BÁN DẪN: .................................................. 2
1.1.2.1.CHẤT DẪN ĐIỆN (CONDUCTOR) ........................................................................... 2
1.1.2.2.CHẤT CÁCH ĐIỆN (INSULATOR) ........................................................................... 2
1.1.2.3.CHẤT BÁN ĐIỆN (SEMICONDUCTOR) ................................................................... 2
1.1.3.DÃY NĂNG LƯỢNG (ENERGY BANDS):............................................................................. 2
1.1.4. SO SÁNH CẤU TRÚC NGUYÊN TỬ CỦA CHẤT DẪN ĐIỆN VÀ CHẤT BÁN DẪN: .................. 3
1.1.5. SO SÁNH CẤU TRÚC NGUYÊN TỬ CỦA CHẤT BÁN DẪN SILICON VÀ GERMANIUM: ......... 4
1.1.6. NỐI CỘNG HÓA TRỊ (COVALENT BONDS): ....................................................................... 4
1.1.8. TÍNH DẪN ĐIỆN TRONG VẬT LIỆU BÁN DẪN: .................................................................... 4
1.1.8.1.TÍNH DẪN CỦA ELECTRONS VÀ LỔ TRỐNG: ......................................................... 5
1.1.8.2.DÒNG ĐIỆN TẠO BỞI CỦA ELECTRONS VÀ LỔ TRỐNG ........................................ 5
1.1.9. BÁN DẪN LOẠI N VÀ BÁN DẪN LOẠI P: ............................................................................. 6
1.1.9.1.BÁN DẪN LOẠI N: .................................................................................................. 7
1.1.9.2.BÁN DẪN LOẠI P: .................................................................................................. 7
1.2.DIODE:.......................................................................................................................................... 8
1.2.1. ĐỊNH NGHĨA VÀ CẤU TẠO:...........................................................................................................8
1.2.2. VÙNG NGHÈO (DEPLETION REGION): ......................................................................................8
1.2.3. ĐIỆN THẾ RÀO CẢN (BARRIER POTENTIAL): ...........................................................................9
1.2.4. GIẢN ĐỔ NĂNG LƯỢNG TẠI MỐI NỐI PN VÀ VÙNG NGHÈO ...................................................9
1.2.5. PHÂN CỰC DIODE: ..................................................................................................................... 10
1.2.5.1.PHÂN CỰC THUẬN: ............................................................................................ 10
1.2.5.2.PHÂN CỰC NGHỊCH: ........................................................................................... 11
1.2.6. ĐẶC TUYẾN VOLT AMPERE CỦA DIODE: ....................................................................... 12
1.2.6.1.ĐẶC TUYẾN VOLT AMPERE KHI PHÂN CỰC THUẬN (FORWARD BIAS): .............. 12
1.2.6.2.ĐIỆN TRỞ ĐỘNG (DYNAMIC RESISTANCE): ....................................................... 13
1.2.6.3.ĐẶC TUYẾN VOLT AMPERE KHI PHÂN CỰC NGHỊCH (REVERSE BIAS): ............. 14
1.2.6.4. ĐẶC TUYẾN VOLT AMPERE CỦA DIODE: .......................................................... 14
1.2.6.5. PHƯƠNG TRÌNH ĐẶC TUYẾN VOLT AMPERE CỦA DIODE THEO SCHOCKLEY: 15
1.3.CÁC MÔ HÌNH CỦA DIODE: ........................................................................................................ 16
1.3.1.MÔ HÌNH DIODE LÝ TƯỜNG: .......................................................................................... 16
1.3.2.MÔ HÌNH THỰC NGHIỆM CỦA DIODE: ............................................................................ 17
1.3.3.MÔ HÌNH HOÀN CHỈNH CỦA DIODE: ............................................................................... 18
1.4.CHỈNH LƯU BÁN KỲ (HALF-WAVE RECTIFIERS): ..................................................................... 20
1.4.1.BỘ NGUỒN DC CƠ BẢN: ................................................................................................. 20
1.4.2.MẠCH CHỈNH LƯU BÁN KỲ: ............................................................................................ 21
1.4.3.GIÁ TRỊ TRUNG BÌNH CỦA ÁP CHỈNH LƯU BÁN KỲ: ........................................................ 21
1.4.5.ẢNH HƯỞNG CỦA ĐIỆN THẾ RÀO CẢN LÊN TÍN HIỆU RA CỦA MẠCH CHỈNH LƯU: ........ 22
1.4.6.ĐIỆN ÁP NGƯỢC ĐỈNH TRÊN DIODE (PIV - PEAK INVERSE VOLTAGE): ......................... 24
1.4.7.CHỈNH LƯU BÁN KỲ PHỐI HỢP VỚI BIẾN ÁP CÁCH LY GIẢM ÁP:.................................... 24
1.5.CHỈNH LƯU TOÀN KỲ (FULL- WAVE RECTIFIERS) :.................................................................. 25
1.5.1.TỔNG QUAN: .................................................................................................................. 25
1.5.2.CHỈNH LƯU TOÀN KỲ DÙNG 2 DIODE VÀ MÁY BIẾN ÁP CÓ ĐIỂM GIỮA: ......................... 26
1.5.3.CHỈNH LƯU TOÀN KỲ DÙNG MẠCH CẦU DIODE (CẦU GRAETZ) : ................................... 28
1.6. MẠCH LỌC (FILTER):................................................................................................................. 31
1.6.1.NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG CỦA MẠCH LỌC: ..................................................................... 31
1.6.2. ÁP TỨC THỜI TRÊN TẢI KHI CHỈNH LƯU TOÀN KỲ CÓ MẠCH LỌC TỤ : .......................... 32
1.6.3. HỆ SỐ NHẤP NHÔ ĐIỆN ÁP TRÊN TẢI : ........................................................................... 34
1.7.DIODE ZENER: ........................................................................................................................... 39
1.7.1.TỔNG QUAN: ............................................................................................................................... 39
1.7.2.MẠCH TƯƠNG ĐƯƠNG CỦA DIODE ZENER: ......................................................................... 40
1.7.3.CÁC ẢNH HƯỞNG CỦA NHIỆT ĐỘ LÊN DIODE ZENER: ........................................................ 42
1.7.3.1.HỆ SỐ NHIỆT (TEMPERATURE COEFFICIENT): ................................................... 42
1.7.3.2.CÔNG SUẤT TIÊU TÁN (POWER DISSIPATION): .................................................. 42
1.7.4.CÁC ÁP DỤNG CỦA DIODE ZENER: ................................................................................. 43
1.7.4.1.DÙNG DIODE ZENER ĐIỀU HÒA ÁP NGÕ RA KHI ÁP NGÕ VÀO THAY ĐỔI: .......... 43
1.7.4.2.DÙNG DIODE ZENER ĐIỀU HÒA ÁP NGÕ RA KHI TẢI THAY ĐỔI: ......................... 45
1.7.4.3.MẠCH GIỚI HẠN DÙNG DIODE ZENER – MẠCH XÉN: .......................................... 47
1.8.LED (LIGHT-EMITTING DIODE): ................................................................................................... 48
1.8.1.NGUYÊN TẮC HOẠT ĐỘNG VÀ CẤU TẠO: ........................................................................ 48
1.8.2.THÔNG SỐ VÀ ĐẶC TÍNH KỸ THUẬT CỦA LED: ............................................................... 50
1.8.3. CÁC ỨNG DỤNG CỦA LED:............................................................................................. 52
1.8.3.1.LED 7 ĐOẠN (7 SEGMENTS LED): ........................................................................ 52
1.8.3.2.LED CÓ CƯỜNG ĐỘ SÁNG LỚN (HIGH INTENSITY)
LED CỰC SÁNG (ULTRA BRIGHT): …………………………………………………........ 53
CHƯƠNG 2 TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC
2.1.TỔNG QUAN VỀ TRANSISTORS: ................................................................................................. 51
2.1.1.CẤU TRÚC CỦA TRANSISTORs: ...................................................................................... 51

2.1.2.NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG CỦA TRANSISTORs: ............................................................... 51
2.1.3.CÁC THÀNH PHẦN DÒNG ĐIỆN QUA TRANSISTORS:…………………………………………. 52
2.1.4.CÁC THÔNG SỐ VÀ ĐẶC TUYẾN CỦA TRANSISTORS: .................................................... 54
 
2.1.4.1.HỆ SỐ DC VÀ HỆ SỐ DC : ................................................................................. 54
2.1.4.2.GIẢI TÍCH ÁP VÀ DÒNG TRONG MẠCH PHÂN CỰC TRANSISTOR: ....................... 54
2.1.4.3.ĐẶC TUYẾN CỰC THU CỦA TRANSISTOR: .......................................................... 55
2.1.4.4.VÙNG NGƯNG DẪN (CUT OFF): ........................................................................... 57
2.1.4.5.VÙNG BÀO HÒA (CUT OFF): ................................................................................ 57
2.1.4.6.ĐƯỜNG TẢI DC (DC LOAD LINE): ........................................................................ 58
2.1.4.7.ẢNH HƯỞNG NHIỆT ĐỘ LÊN HỆ SỐ KHUẾCH ĐẠI DÒNG  DC : ............................ 59
2.1.4.8.CÔNG SUẤT CỰC ĐẠI CỦA TRANSISTOR: ........................................................... 59
2.1.4.9.SỰ THAY ĐỔI CÔNG SUẤT CỰC ĐẠI THEO NHIỆT ĐỘ: ........................................ 60
2.2.CÁC CHẾ ĐỘ LÀM VIỆC CỦA TRANSISTOR: ............................................................................... 61
2.2.1.CHẾ ĐỘ KHUẾCH ĐẠI: ..................................................................................................... 61
2.2.1.1.CÁC ĐẠI LƯỢNG DC VÀ AC: ................................................................................ 61
2.2.1.2.KHẢO SÁT MẠCH KHUẾCH ĐẠI DÙNG TRANSISTOR: .......................................... 61
2.2.2.CHẾ ĐỘ ĐÓNG NGẮT: ..................................................................................................... 63
2.2.2.1.ĐIỀU KIỆN ĐẠT TRẠNG THÁI NGƯNG DẪN: ........................................................ 63
2.2.2.2.ĐIỀU KIỆN ĐẠT TRẠNG THÁI BẢO HÒA: ............................................................. 63
2.3.HÌNH DẠNG VÀ VỊ TRÍ CHÂN RA CỦA TRANSISTOR: .................................................................. 65
2.4.CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC TRANSISTOR: ......................................................................... 67
2.4.1. ĐIỂM LÀM VIỆC DC: ........................................................................................................ 67
2.4.1.1. PHÂN CỰC DC:................................................................................................... 67
2.4.1.2. GIẢI TÍCH MẠCH DÙNG ĐỔ THỊ: .......................................................................... 67
2.4.1.3. ĐƯỜNG TẢI DC (DC LOAD LINE): ....................................................................... 69
2.4.1.4. VÙNG LÀM VIỆC TUYẾN TÍNH ............................................................................ 70
2.4.1.5. SỰ SÁI DẠNG (DISTORSION) : ........................................................................... 71
2.4.2. PHÂN CỰC DÙNG CẦU PHÂN ÁP: .................................................................................. 72
2.4.2.1. ĐIỆN TRỞ NHẬP TẠI CỰC NỀN : .................................................................................73
2.4.2.2. GIẢI TÍCH MẠCH PHÂN CỰC DÙNG CẦU PHÂN ÁP : ................................................73
2.4.2.3. GIẢI TÍCH MẠCH PHÂN CỰC DÙNG MẠCH THÉVENIN TƯƠNG ĐƯƠNG :.............75
2.4.2.4. KHẢO SÁT TÍNH ỔN ĐỊNH CỦA MẠCH PHÂN CỰC DÙNG CẦU PHÂN ÁP : ............76
2.4.2.5. GIẢI TÍCH MẠCH PHÂN CỰC DÙNG CẦU PHÂN ÁP CHO TRANSISTOR PNP : ......77
2.4.3.PHÂN CỰC CỰC NỀN (BASE BIAS): ................................................................................ 80
2.4.4.PHÂN CỰC CỰC PHÁT ( EMITTER BIAS): ........................................................................ 81
2.4.5.PHÂN CỰC HỒI TIẾP CỰC PHÁT (COLLECTOR-FEEDBACK BIAS): ................................. 83
CHƯƠNG 03 TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG – FET
3.1 JFET (JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTOR): ........................................................................ 97

3.1.1.NGUYÊN TẮC HOẠT ĐỘNG: ............................................................................................ 97
3.1.2.ĐẶC TÍNH VÀ THÔNG SỐ CỦA JFET: .............................................................................. 98
3.1.2.1. CÁC ĐỊNH NGHĨA VÀ CÁC THÔNG SỐ CƠ BẢN : ............................................... 98
3.1.2.2. ĐẶC TUYẾN CHUYỂN CỦA JFET .......................................................................101
3.1.2.3. HỆ SỐ ĐIỆN DẪN CỦA JFET (FORWARD TRANSCONDUCTANCE) ....................104
3.1.2.3. ĐIỆN TRỞ NHẬP (INPUT RESISTANCE) VÀ ĐIỆN DUNG (CAPACITANCE) ..........105
3.1.2.5. ĐIỆN TRỞ GIỮA CỰC DRAIN VÀ SOURCE : ......................................................106
3.1.3.PHÂN CỰC JFET: ...........................................................................................................106
3.1.3.1. MẠCH PHÂN CỰC JFET DẠNG TỰ PHÂN CỰC : ................................................106
3.1.3.2. MẠCH PHÂN CỰC JFET DÙNG CẦU PHÂN ÁP : .................................................112
3.2 MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor): ..................................................115
3.2.1.DMOSFET (DEPLETION MOSFET): ...............................................................................115
3.2.1.1.CHẾ ĐỘ NGHÈO (DEPLETION MODE): ...............................................................115
3.2.1.2. CHẾ ĐỘ TÁC ĐỘNG TĂNG (ENHANCEMENT MODE): ........................................116
3.2.1.3. KÝ HIỆU CỦA D-MOSFET: .................................................................................116
3.2.2.EMOSFET (ENHANCEMENT MOSFET):.........................................................................116
3.2.3. MOSFET CÔNG SUẤT (POWER MOSFET): ....................................................................117
3.2.3.1. LDMOSFET (LATERAL DOUBLE DIFFUSED MOSFET):.......................................117
3.2.3.2. VMOSFET (V-GROOVE MOSFET): .....................................................................117
3.2.3.3. TMOSFET (T-GROOVE MOSFET): .....................................................................118
3.2.4. MOSFET CỔNG KÉP (DUAL GATE MOSFET): ................................................................118
3.2.5. ĐẶC TÍNH VÀ THÔNG SỐ CỦA MOSFET : ......................................................................118
3.2.5.1. ĐẶC TUYẾN CHUYỂN CỦA D-MOSFET: .............................................................118
3.2.5.2. ĐẶC TUYẾN CHUYỂN CỦA E-MOSFET: .............................................................119
3.2.5.3. CÁC ĐIỂM QUAN TRỌN CẦN CHÚ Ý: .................................................................121
3.2.6. PHÂN CỰC MOSFET : ...................................................................................................121
3.2.6.1. PHÂN CỰC D-MOSFET:.....................................................................................122
3.2.6.2. PHÂN CỰC E-MOSFET ......................................................................................122
CHƯƠNG 04 THYRISTOR VÀ CÁC LINH KIỆN KHÁC
4.1 LINH KIỆN 4 LỚP BÁN DẪN CƠ BẢN: ........................................................................................129

4.1.1. ÁP BẺ GẢY LÚC PHÂN CỰC THUẬN (FORWARD-BREAKOVER VOLTAGE): ..................130
4.1.2. ĐẶC TÍNH KỸ THUẬT CỦA SUS : ...................................................................................131
4.2.SCR (SILICON-CONTROLLED RECTIFIER): ............................................................................... 132
4.2.1.MẠCH ĐIỆN TƯƠNG ĐƯƠNG VÀ NGUYÊN TẮC HOẠT ĐỘNG CỦA SCR: ....................... 133
4.2.1.1.TÁC ĐỘNG SCR DẪN (KÍCH KHỞI SCR): ............................................................ 133
4.2.1.2.TÁC ĐỘNG SCR NGƯNG DẪN (TẮT SCR): ......................................................... 134
4.2.2.ĐẶC TÍNH VÀ CÁC THÔNG SỐ CỦA SCR: ...................................................................... 135
4.2.3. MỘT SỐ CÁC ỨNG DỤNG CỦA SCR: ........................................................................... 136
4.2.3.1.TÁC ĐỘNG ĐÓNG NGẮT MẠCH DC DÙNG SCR: ................................................ 136
4.2.3.2.ĐIỀU KHIỂN CÔNG SUẤT CHỈNH LƯU BÁN KỲ:.................................................. 137
4.2.3.3.HỆ THỐNG ĐÈN CHIẾU SÁNG DỰ PHÒNG
DUY TRÌ HOẠT ĐỘNG KHI MẤT NGUỒN ĐIỆN LƯỚI: ......................................... 137
4.2.3.4.MẠCH BẢO VỆ QUÁ ÁP DÙNG SCR: .................................................................. 138
4.3.DIAC VÀ TRIAC: ........................................................................................................................ 139
4.3.1. DIAC: ............................................................................................................................ 139
4.3.2. TRIAC: .......................................................................................................................... 140
4.3.3. ỨNG DỤNG TRIAC ........................................................................................................ 141
4.4. UJT (UNIJUNCTION TRANSISTOR): .......................................................................................... 145
4.4.1. ĐIỆN TRỞ GIỮA CÁC CỰC NỀN ................................................................................... 146
4.4.2. MẠCH TƯƠNG ĐƯƠNG CỦA UJT ................................................................................. 146
4.4.3. HỆ SỐ KÍCH DẪN  : .................................................................................................... 147
4.4.4. ĐẶC TÍNH CỰC PHÁT CỦA UJT:.................................................................................... 147
4.4.5. CÁC THÔNG SỐ ĐỊNH MỨC CỦA UJT (QUI ĐỊNH DO NHÀ SẢN XUẤT): ......................... 148
4.4.6. MẠCH DAO ĐỘNG TÍCH THOÁT (RELAXATION OSCILATOR) DÙNG UJT: ...................... 150
4.4.7. GIỚI HẠN ĐIỀU CHỈNH ĐIỆN TRỞ R TRONG MẠCH DAO ĐỘNG TÍCH THOÁT: .............. 155
4.5. PUT (PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTOR): ............................................................ 157
4.5.1 CẤU TRÚC VÀ KÝ HIỆU: ................................................................................................ 157
4.5.2 NGUYÊN TẮC HOẠT ĐỘNG:.......................................................................................... 157
4.5.3. MẠCH DAO ĐỘNG TÍCH THOÁT DÙNG PUT: ................................................................. 159
4.5.4. CÁC THÔNG SỐ CỦA PUT: ........................................................................................... 160
4.5.5. ĐIỀU KIỆN ĐỂ DUY TRÌ TRẠNG THÁI DẪN HOÀN TOÀN CHO PUT:................................ 161
CHƯƠNG 05 MẠCH KHUẾCH ĐẠI BIÊN ĐỘ NHỎ DÙNG TRANSISTOR
5.1.HOẠT ĐỘNG KHUẾCH ĐẠI: ....................................................................................................... 167

5.1.1.CÁC ĐẠI LƯỢNG AC: ..................................................................................................... 167
5.1.2.BỘ KHUẾCH ĐẠI TUYẾN TÍNH (THE LINEAR AMPLIFIER): ............................................. 167
5.2.MẠCH TƯƠNG ĐƯƠNG AC CỦA TRANSISTOR: ........................................................................ 168
5.2.1.THÔNG SỐ r VÀ MẠCH TƯƠNG ĐƯƠNG THÔNG SỐ r : ............................................... 168
5.2.2.XÁC ĐỊNH THÔNG SỐ r 'e BẰNG CÔNG THỨC: .............................................................. 169
5.2.3.SO SÁNH CÁC THÔNG SỐ  AC VỚI THÔNG SỐ DC :.................................................... 170

5.2.4.THÔNG SỐ h VÀ MẠCH TƯƠNG ĐƯƠNG THÔNG SỐ h : .............................................. 170
5.2.5.Ý NGHĨA CỦA CÁC MẠCH TƯƠNG ĐƯƠNG THÔNG SỐ h VÀ THÔNG SỐ r : ................. 171
5.3.MẠCH KHUẾCH ĐẠI PHÂN CỰC CỰC PHÁT CHUNG (CE): ........................................................ 174
5.3.1.GIẢI TÍCH MẠCH TRẠNG THÁI DC: ................................................................................. 175
5.3.2. MẠCH TƯƠNG ĐƯƠNG AC: ......................................................................................... 175
5.3.3. TÍN HIỆU AC TẠI CỰC NỀN: .......................................................................................... 176
5.3.4. ĐỘ LỢI ( ĐỘ KHUẾCH ĐẠI) ĐIỆN ÁP: ............................................................................ 178
5.3.5. ỔN ĐỊNH ĐỘ LỢI ( ĐỘ KHUẾCH ĐẠI) ĐIỆN ÁP: .............................................................. 181
5.3.6. TRẠNG THÁI ĐẢO PHA ÁP RA TRONG MẠCH KHUẾCH ĐẠI CE: .................................... 182
5.3.7. ĐỘ LỢI DÒNG ĐIỆN và độ lợi công suất: ........................................................................ 185
5.4.MẠCH KHUẾCH ĐẠI PHÂN CỰC CỰC THU CHUNG (CC):...........................................................185
5.4.1. ĐỘ LỢI ĐIỆN ÁP: ...........................................................................................................186
5.4.2. TỔNG TRỞ NHẬP:.........................................................................................................186
5.4.3. ĐIỆN TRỞ RA: ...............................................................................................................187
5.4.4. ĐỘ LỢI DÒNG ĐIỆN VÀ ĐỘ LỢI CÔNG SUẤT: ...............................................................188
5.4.5.MẠCH DARLINGTON VÀ ỨNG DỤNG: .............................................................................190
5.5.MẠCH KHUẾCH ĐẠI PHÂN CỰC CỰC NỀN CHUNG (CB): ..........................................................192
5.5.1. ĐỘ LỢI ÁP: ...................................................................................................................193
5.5.2. ĐIỆN TRỞ VÀO: ............................................................................................................194
5.5.3. ĐIỆN TRỞ RA: ...............................................................................................................194

Bài Giảng Mạch Điện Tử 1

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Bài Giảng Mạch Điện Tử 1

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

LỜI NÓI ĐẦU

Người Biên soạn

1.1.TỔNG QUAN VỀ CHẤT BÁN DẪN:

1.1.2.CHẤT DẪN ĐIỆN, CHẤT CÁCH ĐIỆN VÀ CHẤT BÁN DẪN:

1.1.2.1.CHẤT DẪN ĐIỆN (CONDUCTOR)

1.1.3.DÃY NĂNG LƯỢNG (ENERGY BANDS):

Với shell hóa trị của

Trong hình H1.5

4 điện tử hóa trị trên Phần lõi là vật

1.1.6.NỐI CỘNG HÓA TRỊ (COVALENT BONDS):

Một nguyên tử Silicon sẽ chia xẻ các điện

Một tinh thể silicon thuần khiết tại nhiệt độ môi

Tại nhiệt độ bình thường của môi trường,

1.1.8.2.DÒNG ĐIỆN TẠO BỞI CỦA ELECTRONS

Khi cấp điện áp một chiều ngang qua hai

Sự chuyển động của các

Điện tử hóa trị di Điện tử tự

1.1.9.BÁN DẪN LOẠI N VÀ BÁN DẪN LOẠI P:

1.1.9.1.BÁN DẪN LOẠI N:

HẠT TẢI ĐA (MAJORITY CARRIERS) VÀ HẠT TẢI THIỂU (MINORITY CARRIERS)

1.1.9.2.BÁN DẪN LOẠI N:

HẠT TẢI ĐA (MAJORITY CARRIERS) VÀ HẠT TẢI THIỂU (MINORITY CARRIERS)

Khi tạo thành mối nối pn giữa khối bán

Trong hình H1.16 trình bày cấu tạo cơ bản

1.2.2.VÙNG NGHÈO (DEPLETION REGION):

Tiếp giáp pn Vùng nghèo (deplete region)

Điện thế rào cản (Barrier Voltage)

1.2.3.ĐIỆN THẾ RÀO CẢN (BARRIER POTENTIAL):

1.2.4.GIẢN ĐỔ NĂNG LƯỢNG TẠI MỐI NỐI PN VÀ VÙNG NGHÈO

Hạt tải thiểu

Hạt tải đa Hạt tải thiểu

Hình H1.21 trình

1.2.5.2.PHÂN CỰC NGHỊCH:

DÒNG PHÂN CỰC NGƯỢC

1.2.6.ĐẶC TUYẾN VOLT AMPERE CỦA DIODE:

1.2.6.2.ĐIỆN TRỞ ĐỘNG (DYNAMIC RESISTANCE):

1.2.6.4. ĐẶC TUYẾN VOLT AMPERE CỦA DIODE:

Đặc tuyến Volt Ampere tổng

ẢNH HƯỞNG NHIỆT ĐỘ

Viết lại quan hệ (1.7) theo dạng sau:

1.3.CÁC MÔ HÌNH CỦA DIODE:

1.3.1.MÔ HÌNH DIODE LÝ TƯỜNG:

RLIMIT : Điện trở giới hạn dòng trong mạch diode

Diode lý tưởng Diode lý tưởng

1.3.2.MÔ HÌNH THỰC NGHIỆM CỦA DIODE:

Diode thực nghiệm Diode thực nghiệm

VBIAS  VF  RLIMIT .IF

1.3.3.MÔ HÌNH HOÀN CHỈNH CỦA DIODE:

Diode hoàn chỉnh Độ dốc phụ

Dòng điện ngược

VF  0,7 V  r 'd .IF (1.16)

VBIAS  0,7 10 V  0,7 V 9,3 V

a./ Với mẫu diode lý tưởng:

Với mẫu thực nghiệm của diode

Với mẫu diode hoàn chỉnh

1.4.CHỈNH LƯU BÁN KỲ (HALF-WAVE RECTIFIERS) :

1.4.1.BỘ NGUỒN DC CƠ BẢN:

Nguồn áp 1 pha 220V - 50Hz Điện áp của chỉnh lưu bán kỳ

MẠCH CHỈNH LƯU BÁN KỲ

Chỉnh Lưu Bộ lọc Mạch Ổn Áp

1.4.2.MẠCH CHỈNH LƯU BÁN KỲ:

Trong hình H1.35, trình

khi Vin  0 V (tương ứng