Professional Documents
Culture Documents
Zainuddin 2013
Zainuddin 2013
Kỷ yếu Hội nghị Quốc tế IEEE 2013 về Công nghệ và Ứng dụng RFID, 4 - 5 tháng 9, Johor Bahru, Malaysia
5 tháng 9, Johor Bahru, Malaysia
Thu hoạch
hoạch năngnăng
lượng
lượng
hay thu
hoặcgom
thunăng
gom lượng
năng lượng
về cơvề
bản
cơlà
bản
một
làquá
mộttrình
Thu liệu
0,035từ
mm.
đồng
Mặtđược
đất ủ
cũng
vớibao
độ dày
gồm 0,035
SMA mm.
Vật
Mặt
liệu
đấttừ
cũng
đồng
bao
được
gồmủbộ
với
kết
độnối
dày
chuyển
của năng
đổi
lượng
năngxung
lượng
quanh
xungthành
quanhnăng
thành
lượng
quá điện.
trình Trong
chuyểnnhững
đổi điện
năm gần
năng 50
SMAΩđược
và các
sử đường
dụng làm
dâyđầu
microstrip
nối RF để
Ω trên
kết nối
bảng.
50 Đầu
để kết
dò đồng
nối cáp
trục
đồng
là các
trục
đây, năng
nhiều sự quan
lượng
tâm
ngày
đếncàng
việcđược
triển
quan
khai
tâm.
mạng
Nhiều
cảm biến
năm qua,
không
ngày
dâycàng
(WSN)
có đường microstrip 50 Ω trên bảng.
cấp dữ
Đầuliệu
dò đồng
vì nótrục
có thể
đượcđược
chọnđặt
làmở nguồn
bất kỳ
được sử
trong các
dụng
ứngđể
dụng
triển
nhưkhai
giámmạng
sát cấu
cảm trúc,
biến không
môi trường
dây (WSN)
sốngđược
trong
sửcác
dụng
ứng được đặt tại
vị trí
bất nào
kỳ vị
và trí
đượcnào
chọn
và làm
trênnguồn
vị trí
cấpcủa
dữ nó
liệu
trên
vì miếng
nó có vá
thể,
dụngsức
sóc nhưkhỏe
giámvà
sát
nông
cấunghiệp
trúc, chính
giám sát
xácmôi trường sống , hệ thống chăm trở
Cấu kháng
trúc ăng-ten
phù hợpđược
sẽ phụ
chọnthuộc
làm cơ
vàosởvịCơtrí
sở của
của nó
cấutrên
trúcmiếng
ăng-ten
vá [12]
được .
hệ thống chăm sóc sức khỏe và nông nghiệp chính xác [1]. nhật với các kích thước chọn là một phần tử vá hình chữ
Hệ thống
năng lượng
thu
bao
năng
gồmlượng
hai hệ
bao
thống
gồm hai
phụ hệ
chính
thống
là chính
ăng ten
Một
thu
hệvà
thống
hệ thu
thốngquả
hiệu phụđể
chỉnh
chuyển
lưumạch
là ăng
không
tendây.
thu và
Cầnmạch
có ăng
chỉnh
tenlưu.
hiệuCần
quảcó
đểăng
chuyển
ten
mạch
RF từkhông
các tín
dâyhiệu
cấp RF
nguồn
từ môi
hiệutrường
quả cho
xung
mạch
quanh
. Ăng-ten
và saubắt
đó các
mạchtín
chỉnh
hiệulưu kích thước của chiều rộng Wp và
sẽ trích xuất môi trường xung quanh và sau đó xuất
mạch công
chỉnh
suất
lưu từ
sẽ các
trích
tín chiều dài Lp.
hiệu đó và chuyển đổi chúng thành điện áp DC.
nguồn từ các tín hiệu đó và chuyển đổi chúng thành điện áp một chiều.
có các
Microstrip thấp có các tính năngtính
hấp năng hấp cấu
dẫn như dẫn hình
của ăng ten
thấp, kích
thướcvà
thấp nhỏ,
khảchi
năng
phí
phù
thấp
hợpvà
với
cấu
các
hình
máyphù
chủhợp,
gắn kết
kíchkhiến
thướcchúng
nhỏ, trở
chi thành
phí
các cử
ứng máyviên
chủ tuyệt
khiến vời
chúng
đểtrở
đápthành
ứng ứng cử viên xuất sắc để đáp ứng việc
cân nhắc thiết kế này. [2]. Tuy nhiên,
ăng-ten
ăng-ten
microstrip
microstrip].
vốn có một
Tuy số
nhiên,
nhược
điểm nhất
vốn có định
những là bị
nhược suynhất
điểm hao định cần chú ý như băng thông hẹp [3]. Do
đáp ứng
nhỏyêu
củacầu
thiết
thu bị
nhỏdicủa
động,
di động.
nhỏ hơn
đơnthường
vị, nhỏ
được
hơnyêu
đápcầu
ứngcho
yêucác
cầuứng
thu
(một) (b)
dụng có
thống thông
kíchtin
thước
di động.
ăng ten
cải
thường
tiến là
được
những
yêu cân
cầu nhắc
cho các
thiết
ứngkế
dụng
chính
trong
chohệ
]. (c)
Hình 1: Cấu trúc của ăng-ten microstrip; (a) ; (a) chiếu
hình phía trước (b) hình chiếu phối
view (c)
cảnh (c) hìnhxem
chiếubên
bên
Machine Translated by Google
Kỷ yếu Hội nghị Quốc tế IEEE 2013 về Công nghệ và Ứng dụng RFID, 4 - 5 tháng 9, Johor Bahru, Malaysia
5 tháng 9, Johor Bahru, Malaysia
Chiều dài và chiều rộng bản vá được tính bằng cách sử dụng mô hình
đường truyền.
Công thức cho chiều rộng bản vá [13] [14] được đưa ra bởi
W (1)
2 bên
bên dưới chodưới
thấycho
cácthấy cácsốthông
thông số của
của rãnh uốnrãnh
khúcuốn
sẽ khúc
được mà
sử Hình
dụng 2 bên trái của nguồn cấp dữ liệu đầu dò.
khúc nằm ở trên cùng, bên phải và
Hình 5 cho
kết thấy
quả mô
kếtphỏng
quả mô
củaphỏng
đáp ứng
của tần
đáp số,
ứng bản
tần vá
số,microstrip
cho thấy
trả lại tổn thất và băng thông của
hìnhmicrostrip
chữ nhật hình chữ nhật
ăng-ten.
tham
Hình 2: Thông số thiết số của
kế của antenăng tendâyđường
đường uốn có
uốn khúc khúc
rãnhcó rãnh
Đối với tất cả cấu trúc được thiết kế, chiều rộng của đường ngang,
WH được cố định là 1mm. Các
được
ăng phân
ten được
loại phân
dựa trên
loại số
dựa
lượng
trên khe
các gắn
ăng vào
ten
microstrip ăng-ten. ăng ten microstrip.
Hình 3 cho
thấythấy
ăng ăng
ten ten
đường
đường
uốn uốn
khúckhúc
có rãnh
có rãnh
có 6với
khe.
6 khe. Cho
Hai uốn
khe khe khúc,
uốn khúc,
mỗi khe
mỗi nằm
khe ở
nằm
bên
ở phải,
bên phải,
bên bên
tráitrái
và trên
và trên
cùngcùng
của nguồn
của Hai
Hình 5: Suy hao trả về được mô
hao
phỏng
trả và
về đo lường
được của
của ăng
suy ten bản vá microstrip hình chữ
cấp dữ liệu đầu dò.
nhật
Suy về
trả haomô
trả về mô
phỏng phỏng
ở 2,4 ở là
GHz 2,4-14,33
GHz làdB,
ở mức
đápSuy
ứnghao
yêu cầu của thiết
kế, nhỏ hơn đáp ứng yêu cầu của thiết kế nhỏ hơn -
hấp hấp
10 dB (90% công suất cấp nguồn được thụ). Bảng
thụ). Bảng1 1cho thấy dữ
và
liệu
kết
môquả
phỏng
đo cho
và kết
anten
quảvá
đovi
cho
dải
hình
hình
chữ
chữ
nhật
nhật.
của mô phỏng
Machine Translated by Google
Kỷ yếu Hội nghị Quốc tế IEEE 2013 về Công nghệ và Ứng dụng RFID, 4 - 5 tháng 9, Johor Bahru, Malaysia
cộng hưởng dịch chuyển sang trái thành 2,46 GHz hiển thị suy
hao trả về là -17,05 dB, tốt hơn so với suy hao trả về mô
Kết quả đo cho thấy rằng ăng ten này chỉ có thể đạt được
phỏng. Dạng bức xạ của ăng-ten này được thể hiện trong Hình
mức suy hao hồi âm thấp hơn -10 dB một chút. Nó đạt được
6 và Hình 7.
-11,52 dB. kết quả đo cho 6 ăng ten khe uốn khúc.
ANTENNA
(a) (b)
Hình 6: Mô hình bức xạ mô phỏng của ăng ten vá microstrip hình chữ nhật
Dạng bức xạ mô phỏng như được trình bày trong Hình
tại (a) Trường H (b) Trường điện tử.
9 bên dưới. HPBW mô phỏng cho trường E là 120,7º ở
2,4 GHz trong khi HPBW cho trường H là 98,9º ở 2,4 GHz.
Hình 10.
Hình 7: Mô hình bức xạ đo của ăng ten vá vi dải hình chữ nhật
(một) (b)
Hình 9: Dạng bức xạ mô phỏng của 6 ăng ten khe uốn khúc tại (a) Trường H (b)
i) Phân tích kết quả của 6 ăng ten khe rãnh xoay Trường E
Từ đồ thị suy hao hồi lưu được hiển thị trong Hình 8 dưới
đây, anten 6 khe uốn khúc có suy hao hồi lưu tốt với -16,52 dB.
Số lượng bổ sung của các đường uốn khúc có rãnh trên ăng-ten
cải thiện sự mất mát trở lại và cũng như băng thông.
Machine Translated by Google
Kỷ yếu Hội nghị Quốc tế IEEE 2013 về Công nghệ và Ứng dụng RFID, 4 - 5 tháng 9, Johor Bahru, Malaysia
(a) (b)
Hình 10: Mẫu bức xạ đo được của ăng ten đường uốn khúc 6 khe
Hình 12: Dạng bức xạ mô phỏng của 7 anten khe uốn khúc tại (a) Trường H (b) Trường
E
ii) Phân tích kết quả của 7 ăng ten khe rãnh xoay
Từ đồ thị suy hao hồi lưu được thể hiện trong Hình 11 bên
dưới, ăng ten 7 khe uốn khúc đạt được suy hao hồi lưu là -19,42
dB. Vị trí của các đường uốn khúc có rãnh ở các góc của ăng ten
đã cải thiện suy hao hồi lưu cũng như băng thông.
Đối với các kết quả đo được, ăng-ten này chỉ có thể nhận
được suy hao hồi âm thấp hơn -10 dB một chút. Nó đã đạt được -
14,35 dB suy hao hồi lưu Một trong những nhược điểm của ăng-ten
này là độ lợi thấp so với ăng-ten 6 khe uốn khúc.
Hình 13: Mẫu bức xạ đo được của anten 7 khe uốn khúc
So sánh tổn thất trả lại đã được thực hiện giữa mô phỏng và
đo lường. Vì mục đích này, dữ liệu thu được từ quá trình đo
lường đã được xuất vào phần mềm CST Microwave để có được bức
tranh tốt hơn về việc so sánh.
Đối với mẫu bức xạ đo được, ăng-ten có 7 khe uốn khúc hiển
thị mẫu bức xạ đa hướng chứ không phải là mẫu hai chiều trong
Hình 11: Suy hao trở lại được mô phỏng và đo lường của 7 ăng ten khe uốn khúc
mô phỏng.
ANTENNA
BẢNG IV. SO SÁNH KẾT QUẢ CỦA 6 MÁY BAY VÀ 7 MÁY ĐO
Có nghĩa là 2,41 GHz -14,35 dB 33,27 MHz -1,28 dB Sim. Có nghĩa là. Sim. Có nghĩa là.
Tần suất
2,41 2,32 2,40 2,42
(GHz)
Mô hình bức xạ mô phỏng được trình bày trong Hình 12. -14,54 -11,52 -19,42 -14,35
RL2.4 GHz
HPBW mô phỏng cho trường E là 123,8º ở 2,4 GHz trong khi HPBW
(dB)
cho trường H là 94,4º ở 2,4 GHz. Đối với mẫu bức xạ đo, nó được
BW 43.0 10.3 32.1 52.3
thể hiện trong Hình 13.
(MHz)
Tăng 3,65 1,69 -0,76 -1,28
(dB)
Machine Translated by Google
Kỷ yếu Hội nghị Quốc tế IEEE 2013 về Công nghệ và Ứng dụng RFID, 4 - 5 tháng 9, Johor Bahru, Malaysia
Độ lợi của 7 ăng ten khe uốn khúc là âm có nghĩa là độ lợi ăng [2] MAS Alkanhal, “Ăng ten microstrip ba băng tần nhỏ gọn tổng hợp,” Tiến bộ
trong Nghiên cứu Điện từ, PIER 93, trang 221-
ten tại một hướng cụ thể nhỏ hơn ăng ten đẳng hướng. Điều này xảy
236 năm 2009.
ra do mất sóng không phù hợp trong đó ăng ten có hiệu suất thấp.
[3] AA Lotfl Neyestanak, “Ăng ten miếng vá vi sợi lá hoa hồng băng rộng siêu
Vị trí khe uốn khúc cũng là một trong những yếu tố ảnh hưởng đến nhỏ,” Tiến bộ trong Nghiên cứu Điện từ, PIER 86, trang 155-168, 2008.
độ lợi của anten.
Trong khi đó, độ lợi đo được cũng âm theo kết quả mô phỏng và do [4] KL Wong, “Ăng-ten phẳng cho truyền thông không dây”, Wiley
Interscience, ấn bản đầu tiên , New York, 2003.
tổn hao ảnh hưởng bởi khoảng cách, dây cáp và đầu nối.
[5] A. Khalegi A. Azoulay. JC Bolomey, "Ăng-ten kết hợp băng tần kép cho các
ứng dụng mạng LAN không dây", Gof Survvette, Pháp, 2005.
IV. KẾT LUẬN [6] GT Jeong, WS Kim, KS Kwak, Thiết kế của một ăng-ten vá vi mạch hình vuông
cắt ngắn góc ở băng tần 5 GHz, Thư công nghệ vi sóng và quang học, Tập
Trong bài báo này, người ta đã khảo sát ảnh hưởng của các khe 48, Số 3, trang: 529-532 [7 ] LC Godara, Sổ tay Anten trong Truyền thông
uốn khúc lên ăng ten bản vá vi cuộn. Hai ăng ten đường uốn khúc Không dây Boca Raton, FL: CRC Press, 2002.
có nhiều khe với số lượng khe cắm khác nhau đã được thiết kế, mô
phỏng và chế tạo. Ăng ten 7 khe uốn khúc thu được hiệu suất tốt [8] D. Misman, MZA Abd Aziz, MN Husain, MKA Rahim, PJ
Soh, “Thiết kế Antenna đường dây có chùm tia kép”, Kỷ yếu số 5
hơn so với ăng ten 6 khe uốn khúc về mặt suy hao trở lại, băng Hội nghị Châu Âu về Ăng-ten và Truyền bá (EUCAP), pp.
thông và tần số cộng hưởng. Tuy nhiên, ăng ten 6 khe uốn khúc có 576-578, tháng 4 năm 2012.
khả năng mô phỏng và đo lường tốt hơn [9] LC Godara, Sổ tay Anten trong Truyền thông Không dây Boca Raton, FL: CRC
Press, 2002.
Các công việc tiếp theo có thể được thực hiện để khám phá ăng-ten
[10] MZA Abd Aziz, Z. Zakaria, MN Husain, NA Zainuddin, MA
được thiết kế cho các ứng dụng thu năng lượng RF.
Othman, BH Ahmad, "Điều tra khe cắm cuộn dây kép và ba khe cắm cho ăng
ten bản vá vi mạch," Kỹ thuật vi sóng (COMITE), pp.
36-39, 17-18 tháng 4 năm 2013.
NHÌN NHẬN
[11] IJ Bahl, P. Bhartia, “Microstrip Antennas”, Artech House, 1980. Newble
Các tác giả xin cảm ơn Đại học Teknikal Malaysia Melaka (UTeM) D., and Cannon R., A Handbook for Teacher in University and Colleges,
Kogan Page, 1991.
đã tài trợ cho công trình này theo CoE, tài trợ ngắn hạn UTeM,
[12] S. Haider, Ăng-ten bản vá vi mô cho các hệ thống không dây trong nhà
PJP / 2012 / CeTRI / Y00001.
băng thông rộng. Luận văn M. Đại học Auckland: New Zealand, 2003.