ĐẠI HỌC HUẾ

TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC

KHOA ĐIỆN, ĐIỆN TỬ VÀ CÔNG NGHỆ VẬT LIỆU

----------

NGUYỄN ĐỨC ANH KHÔI

THIẾT KẾ BỘ GHÉP/PHÂN KÊNH ĐA MODE

ỨNG DỤNG TRONG MẠNG GHÉP PHÂN CHIA THEO MODE

ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP ĐẠI HỌC

Huế - 06/2020
 ĐẠI HỌC HUẾ
TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC
KHOA ĐIỆN, ĐIỆN TỬ VÀ CÔNG NGHỆ VẬT LIỆU

----------

NGUYỄN ĐỨC ANH KHÔI

THIẾT KẾ BỘ GHÉP/PHÂN KÊNH ĐA MODE

ỨNG DỤNG TRONG MẠNG GHÉP PHÂN CHIA THEO MODE

ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP ĐẠI HỌC

NGÀNH: CÔNG NGHỆ KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ - VIỄN THÔNG

NGƯỜI HƯỚNG DẪN: TS. ĐẶNG XUÂN VINH

Huế - 06/2020
 i

LỜI CẢM ƠN

Trong suốt quá trình 5 năm học tại trường, em đã học hỏi được rất nhiều
điều bổ ích về cả kiến thức lẫn kỹ năng học tập, làm việc và đồng thời cũng là
hành trang để bước vào công việc mới sau khi ra trường. Trước tiên, em xin
gửi lời cảm ơn chân thành đến Ban giám hiệu trường Đại học Khoa học – Đại
học Huế cùng toàn thể quý thầy, cô giảng viên trong trường đã giảng dạy cho
em biết được nhiều điều hay và kiến thức nền tảng. Bên cạnh đó, em xin gửi
lời cảm ơn chân thành đến quý thầy cô trong Khoa Điện tử - Viễn thông đã tạo
điều kiện giúp đỡ, nhiệt tình chỉ dạy, giúp em cải thiện bản thân, tạo ra các sân
chơi lành mạnh, các ngày hội việc làm.

Đặc biệt nhất, em xin gửi lời cảm ơn chân thành đến TS. Đặng Xuân Vinh,
người thầy giáo đã tận tâm hướng dẫn và chỉ bảo tận tình cho em trong suốt
thời gian qua để hoàn thành đồ án này. Đồng thời em xin cám ơn thầy Hồ Đức
Tâm Linh, thầy Vương Quang Phước và anh Đào Duy Từ đã giúp đỡ nhiệt
tình, đóng góp ý kiến cho em trong suốt quá trình làm đồ án.

Ngoài ra, em cũng xin cảm ơn tất cả bạn bè, gia đình, đã động viên và tạo
điều kiện để em có thể hoàn thành tốt nhiệm vụ của mình trong 5 năm tại
trường.

Cuối cùng, em xin kính chúc quý thầy cô trong Khoa Điện tử - Viễn thông
nói riêng cũng như quý thầy cô đang công tác tại trường Đại học Khoa học
Huế nói chung cùng gia đình, bạn bè luôn mạnh khỏe, thành công và hạnh
phúc trong công việc và cuộc sống.

Huế, ngày 22 tháng 6 năm 2020

Sinh viên

Nguyễn Đức Anh Khôi

 ii

MỤC LỤC

LỜI CẢM ƠN....................................................................................................

MỤC LỤC.........................................................................................................ii

DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU.......................................................................vi

DANH SÁCH CÁC HÌNH VẼ.....................................................................ix

MỞ ĐẦU...........................................................................................................

CHƯƠNG 1....GIỚI THIỆU GHÉP KÊNH/PHÂN KÊNH THEO BƯỚC

SÓNG WDM VÀ GHÉP KÊNH/PHÂN KÊNH THEO MODE MDM.............

1.1. Giới thiệu chương 3

1.2. Giới thiệu kỹ thuật ghép kênh/phân kênh theo bước sóng WDM......3

1.3. Giới thiệu kỹ thuật ghép kênh/phân kênh theo mode MDM..............5

1.4. Kết luận chương..........................................................................................6

CHƯƠNG 2.TỔNG QUAN VỀ ỐNG DẪN SÓNG QUANG HỌC & BỘ

VI CỘNG HƯỞNG VÒNG MICRORING...........................................................

2.1. Giới thiệu chương.......................................................................................7

2.2. Cơ sở truyền sóng trong ống dẫn sóng...................................................7

2.3. Giới thiệu về ống dẫn sóng quang học..................................................10

2.3.1.................................................................. Ống dẫn sóng quang học điện môi

10

2.3.2......................................Ống dẫn sóng silicon trên nền vật liệu cách điện
11

2.4. Các loại ống dẫn sóng dạng kênh dẫn đối xứng..................................12

2.5. Kết luận chương........................................................................................14

CHƯƠNG 3.BỘ GIAO THOA ĐA MODE, BỘ VI CỘNG HƯỞNG VÒNG

MICRORING 15
 iii

3.1. Giới thiệu chương.....................................................................................15

3.2. Ống dẫn sóng đa mode và phân tích truyền mode.............................15

3.3. Giao thoa tổng quát – GI..........................................................................19

3.3.1............................................................................................................... Các đơn ảnh

19

3.3.2.................................................................................................................. Các đa ảnh

20

3.4. Giao thoa hạn chế - RI..............................................................................21

3.4.1.................................................................................................. Giao thoa theo cặp

21

3.4.2................................................................................................. Giao thoa đối xứng

22

3.5. Bộ vi cộng hưởng vòng Microring.........................................................22

3.5.1................................................................................................. Cấu trúc Microring

23

3.5.1.1. All-pass Microring......................................................................23

3.5.1.2. Add-Drop Microring..................................................................25

3.5.2........................................................................................................ Nhận xét chung

27

3.6. Kết luận chương........................................................................................27

CHƯƠNG 4.. THIẾT KẾ BỘ GHÉP/PHÂN KÊNH PHÂN CHIA THEO

MODE SỬ DỤNG CẤU TRÚC VI CỘNG HƯỞNG VÒNG ỨNG DỤNG
TRONG HỆ THỐNG MDM.................................................................................29

4.1. Giới thiệu chương.....................................................................................29

4.2. Thiết kế thiết bị.........................................................................................29

4.2.1........................................................................................................ Mô tả tổng quát

31
 iv

4.2.2................................................................. Mô tả và phân tích cấu trúc thiết bị

32

4.2.3........................................................................... Đánh giá kết quả và thảo luận

34

4.3. Kết luận chương........................................................................................39

KẾT LUẬN VÀ HƯỚNG PHÁT TRIỂN...................................................40

TÀI LIỆU THAM KHẢO......................................................................................41

DANH MỤC CÁC TỪ VIẾT TẮT

TỪ VIẾT TẮT DIỄN GIẢI DỊCH NGHĨA

Asymmetrical Bộ ghép nối định hướng không đối

ADCs
Directional Couplers xứng

Automatic Protection-
APS Chuyển mạch bảo vệ tự động
Switching

Beam Propagation
BPM Phương pháp truyền chùm tia
Method

Complementary
CMOS Metal-Oxide- Công nghệ chế tạo bán dẫn
Semiconductor

CT Crosstalk Nhiễu xuyên kênh

Effective Index
EIM Phương pháp chỉ số hiệu dụng
Method

Finite-difference time-
FDTD Sai phân hữu hạn miền thời gian
domain

GI General Interference Giao thoa tổng quát

GACCs Grating Assisted Bộ ghép nối định hướng hỗ trợ cách

 v

Contra-directional
tử
Couplers

IL Insertion Loss Suy hao chèn

Mode Division
MDM Ghép kênh phân chia theo bước sóng
Multiplexing

Mode Propagation
MPA Phương pháp phân tích truyền mode
Method

Multimode
MMI Giao thoa đa mode
Interference

Restricted
RI Giao thoa hạn chế
Interference

SOI Silicon On Insulator Silicon trên nền cách điện

TP Taper Ống dẫn sóng hình búp măng

TE Transverse Electric Điện trường ngang

TM Transverse Magnetic Từ trường ngang

Wavelength Division
WDM Ghép kênh phân chia theo bước sóng
Multiplexing
 vi

DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU

KÝ HIỆU Ý NGHĨA

R Bản kính của Microring

p Biểu thị bản chất định kỳ của hình ảnh dọc theo ống dẫn sóng
đa mode

Bước sóng không gian tự do

L1 Chiều dài của ống dẫn sóng truy cập đầu vào thứ nhất

L2 Chiều dài của ống dẫn sóng truy cập đầu vào thứ hai

L3 Chiều dài của ống dẫn sóng truy cập đầu vào thứ ba

Lcl Chiều dài kết nối giữa ống dẫn sóng đầu vào và Microring

Ltp1 Chiều dài của taper thứ nhất

Ltp2 Chiều dài của taper thứ hai

W MMI Chiều rộng của bộ MMI

W1 Chiều rộng của ống dẫn sóng truy cập đầu vào thứ nhất

W2 Chiều rộng của ống dẫn sóng truy cập đầu ra thứ hai

W3 Chiều rộng của ống dẫn sóng truy cập đầu ra thứ ba

T Chức năng truyền

exp Cơ số e mũ

Pt 1 Công suất truyền tại Port 3

Pi 2 Công suất truyền tại Port 4

ф Độ lệch pha của tín hiệu khi đi một vòng Microring

εr Hằng số điện môi tương đối

 vii

ε0 Hằng số độ điện thẩm tuyệt đối

μ0 Hằng số độ từ thẩm tuyệt đối

βv Hằng số truyền của mode thứ v

nr Hệ số chiết suất (hiệu dụng) lõi

nc Hệ số chiết suất (hiệu dụng) vỏ

α Hệ số suy hao

cv Hệ số kích thích mode bậc thứ v

k Hệ số ghép nối chéo

t Hệ số tự ghép nối

β Hệ số truyền

μr Hệ số từ thẩm tương đối

L Khoảng cách có các ảnh

G1 Khoảng cách giữa ống dẫn sóng đầu vào và Microring của bộ
thứ nhất

G2 Khoảng cách giữa ống dẫn sóng đầu ra và Microring của bộ

thứ hai

G3 Khoảng cách giữa ống dẫn sóng đầu ra và Microring của bộ

thứ ba

Lπ Một nữa chiều dài phách

φv ( x ) Phân bố mode bậc thứ v

mod Phép toán lấy phần dư

k vx Số sóng ngang

k0 Số sóng trong không gian tự do

v Số thứ tự mode
 viii

∇
2
Toán tử Laplace

∇ Toán tử nabla (hamilton)

ψ () Trường quang truyền trong ống dẫn sóng

⃗
D Véc tơ cảm ứng điện

⃗
B Véc tơ cảm ứng từ

⃗
E Véc tơ cường độ điện trường

⃗
H Véc tơ cường độ từ trường

ix Véc tơ đơn vị trục x

iy Véc tơ đơn vị trục y

iz Véc tơ đơn vị trục z

⃗
ρe Véc tơ mật độ điện tích

⃗
Je Véc tơ mật độ dòng điện

⃗
Jm Véc tơ mật độ dòng từ

⃗
ρm Véc tơ mật độ từ tích
 ix

DANH SÁCH CÁC HÌNH VẼ

Hình 1.1. Kỹ thuật ghép kênh/phân kênh theo bước sóng WDM...........3

Hình 1.2. Sự phân chia băng bước sóng trong hệ thống WDM................4

Hình 1.3. Kỹ thuật ghép kênh/phân kênh theo mode MDM....................5

Hình 2.1. (a) Ống dẫn sóng quang phẳng, (b) Ống dẫn sóng quang
không phẳng..........................................................................................................10

Hình 2.2. (a) Ống dẫn sóng chiết suất nhảy bậc, (b) Ống dẫn sóng chiết
suất phân loại, (c) Ống dẫn sóng lai...................................................................11

Hình 2.3. Ống dẫn sóng Silicon trên nền vật liệu cách điện...................11

Hình 2.4. Các ống dẫn sóng dạng kênh tiêu biểu.....................................12

Hình 2.5. Ống dẫn sóng kênh Buried.........................................................12

Hình 2.6. Ống dẫn sóng Strip-loaded.........................................................13

Hình 2.7. Ống dẫn sóng Ridge....................................................................13

Hình 2.8. Ống dẫn sóng Rib.........................................................................13

Hình 2.9. Ống dẫn sóng Diffused...............................................................14

Hình 3.1. Sơ đồ của một ống dẫn sóng đa mode NxM theo hình chiếu
bằng..........................................................................................................................16

Hình 3.2. Biểu diễn hai chiều của một ống dẫn sóng hệ số chiết suất bậc
hai chiều..................................................................................................................17

Hình 3.3. Cấu tạo của All-pass Microring.................................................24

Hình 3.4. Cấu tạo của Add-drop Microring..............................................26

Hình 4.1. Sơ đồ của bộ ghép/phân kênh phân chia theo mode sử dụng
cấu trúc vi cộng hưởng vòng................................................................................30

Hình 4.2. Mô phỏng độ rộng các mode theo chiết suất hiệu dụng........32
 x

Hình 4.3. Cấu trúc bộ Microring thứ nhất của bộ ghép/phân kênh phân
chia theo mode với trường hợp đưa mode 0 vào cổng đầu vào thứ nhất.....32

Hình 4.4. Cấu trúc bộ Microring thứ hai của bộ ghép/phân kênh phân
chia theo mode với trường hợp đưa mode 0 vào đầu vào 3............................33

Hình 4.5. Cấu trúc bộ Microring thứ ba của bộ ghép/phân kênh phân
chia mode với các trường hợp đưa mode 0 vào các cổng đầu vào 3..............34

Hình 4.6. Mô phỏng FDTD của bộ ghép/phân kênh phân chia mode
được thiết kế để đưa mode 0 vào các ống dẫn sóng đầu vào ở bước sóng
1.55µm. (a) Sự hình thành mode 0 khi mode 0 được phát vào đầu vào 1. (b)
Sự hình thành mode 1 khi mode 0 được phát vào đầu vào 2. (c) Sự hình
thành mode 2 khi mode 0 được phát vào đầu vào 3.........................................36

Hình 4.7. Suy hao chèn và nhiễu xuyên kênh khi phát tín hiệu ở bộ đầu
tiên............................................................................................................................37

Hình 4.8. Suy hao chèn và nhiễu xuyên kênh khi phát tín hiệu ở bộ thứ
hai.............................................................................................................................37

Hình 4.9. Suy hao chèn và nhiễu xuyên kênh khi phát tín hiệu ở bộ thứ
ba..............................................................................................................................38
 1

MỞ ĐẦU

Thời đại 4.0 mở ra và đang dần trở nên một xu thế của thế giới, mang lại
những cơ hội cũng như thách thức. Hiện nay, lưu lượng dữ liệu trong các
mạng thông tin đang tăng nhanh chóng do sự phát triển không ngừng của các
ứng dụng băng thông rộng như video chất lượng cao hay các dịch vụ
livestream, điện toán đám mây…. Một trong những hệ quả của việc bùng nổ
thông tin chính là áp lực về dung lượng truyền tải lên các cơ sở hạ tầng – hệ
thống truyền dẫn thông tin sợi quang. Trong tình hình hiện tại, kỹ thuật ghép
kênh phân chia bước sóng WDM đang được sử dùng để truyền tải dữ liệu trên
các bước sóng khác nhau nhằm tăng dung lượng truyền dẫn [1]. Tuy nhiên,
băng thông của sợi quang là hữu hạn, dẫn đến tình trạng cạn kiệt nguồn bước
sóng để cung ứng truyền tải, gây ra tình trạng nghẽn mạch thông tin. Điều này
đặt ra một nhu cầu cấp bách cần phải phát triển một kỹ thuật ghép kênh mới
bên cạnh kỹ thuật WDM để tăng một cách đáng kể dung lượng truyền dẫn
cho các hệ thống thông tin quang thế hệ mới, và đó là công nghệ ghép kênh
phân chia theo mode MDM [2, 3].

Kỹ thuật ghép kênh phân chia theo mode quang MDM là công nghệ ghép
kênh quang rất hứa hẹn để gia tăng dung lượng trong hệ thống thông tin
quang [4, 5, 6] và đang được nghiên cứu trong những năm gần đây. Trong
MDM, thông tin được điều chế trên các mode quang (của cùng một bước
sóng) trực giao với nhau mà không bị nhiễu xuyên kênh [7]. Vậy, nếu sử dụng
kỹ thuật MDM với M mode quang trên cùng một bước sóng kết hợp với kỹ
thuật WDM với N bước sóng, tổng số kênh truyền của hệ thống sẽ là MxN.

Trước đây, một số bộ ghép kênh phân chia mode đã được đề xuất sử
dụng các cấu trúc ống dẫn sóng khác nhau như bộ giao thoa đa mode – MMI
[8], bộ ghép nối định hướng không đối xứng – ADCs [9], cấu trúc chữ Y bất
đối xứng - Asymetric Y-Junctions [10, 11], bộ vi cộng hưởng vòng – Microring
 2

[12, 13]. Bộ ghép kênh phân chia mode dựa trên bộ chia Y và MMI chỉ dừng lại
với việc xử lý hai mode quang có cùng độ phân cực [14]. Ngoài ra, bộ ghép
kênh phân chia mode dựa trên ADCs thì yêu cầu sự chính xác giữa độ dài và
độ rộng của các khớp nối [15], bộ vi cộng hưởng vòng yêu cầu khoảng cách và
chiều dài coupling giữa ống dẫn sóng mà Microring phù hợp và chính xác
[16]. Nhờ các ưu điểm như kích thước chế tạo bé, nhiễu xuyên kênh thấp,
tương thích với công nghệ CMOS nên cấu trúc vi cộng hưởng vòng -
Microring được ứng dụng khá rộng rãi trong các ứng dụng. Cụ thể, chúng
được sử dụng làm bộ lọc quang [17], bộ điều chế, giải điều chế [18] hoặc các
mạch logic quang [19, 20]. Chúng đôi khi được sử dụng làm bộ điều chỉnh tốc
độ nhanh chậm của ánh sáng [21].

Với các nhược điểm đã nêu trên và tận dụng ưu điểm kích thước bé,
nhiễu xuyên kênh thấp của cấu trúc vi cộng hưởng vòng Microring, nên em đã
chọn đề tài tốt nghiệp là “Thiết kế bộ ghép/phân kênh đa mode sử dụng ứng
dụng trong mạng ghép phân chia theo mode MDM”. Thiết bị đề xuất này
thực hiện thành công việc ghép/phân kênh 3 mode TE 0, TE1, TE2 với kết quả
lần lượt là 86%, 82%, 76%.

Trong quá trình thực hiện đề tài, do kiến thức và kinh nghiệm của em còn
hạn chế nên sẽ không tránh khỏi những sai sót. Em rất mong được sự thông
cảm, giúp đỡ và góp ý của thầy cô và các bạn đóng góp để phát triển thêm đề
tài trong tương lai.
 3

CHƯƠNG 1. GIỚI THIỆU GHÉP KÊNH/PHÂN KÊNH

THEO BƯỚC SÓNG WDM VÀ GHÉP KÊNH/PHÂN

KÊNH THEO MODE MDM

1.1. Giới thiệu chương

Nội dung chương này trình bày:

 Giới thiệu kỹ thuật ghép kênh/phân kênh theo bước sóng WDM.
 Giới thiệu kỹ thuật ghép kênh/phân kênh theo mode MDM.

1.2. Giới thiệu kỹ thuật ghép kênh/phân kênh theo bước sóng WDM

Hình 1.1. Kỹ thuật ghép kênh/phân kênh theo bước sóng WDM.
Kỹ thuật ghép kênh phân chia theo bước sóng WDM (Wavelength
Division Multiplexing) là công nghệ truyền dẫn đồng thời nhiều tín hiệu
quang trên nhiều bước sóng khác nhau trong một sợi quang. Ở bộ phát, nhiều
tín hiệu quang trên các bước sóng khác nhau được ghép lại nhờ bộ ghép kênh
để cùng truyền đi trên một sợi quang. Ở bộ thu, tín hiệu được ghép đó được
phân kênh (các bước sóng) nhờ bộ phân kênh để khôi phục lại các tín hiệu ban
đầu rồi đưa vào các thiết bị đầu cuối khác nhau. Công nghệ WDM tăng băng
thông bằng cách tận dụng cửa sổ làm việc của sợi quang trong khoảng bước
 4

sóng từ 1260nm đến 1675nm. Khoảng bước sóng này được chia ra làm các
băng hoạt động như trong bảng sau:

Băng bước sóng Mô tả Phạm vi (nm)

Băng O Ban đầu: Original 1260 đến 1360

Băng E Mở rộng: Extended 1360 đến 1460

Băng S Ngắn: Short 1460 đến 1530

Băng C Tiêu chuẩn: Conventional 1530 đến 1565

Băng L Dài: Long 1565 đến 1625

Băng U Cực dài: Ultra-Long 1625 đến 1675

Hình 1.2. Sự phân chia băng bước sóng trong hệ thống WDM.
Hệ thống WDM chia làm hai loại: Hệ thống đơn hướng và hệ thống song
hướng. Hệ thống đơn hướng chỉ truyền một chiều trên sợi quang. Do vậy, để
truyền thông tin giữa hai điểm phải cần hai sợi quang. Ngược lại, hệ thống
song hướng truyền hai chiều trên một sợi quang. Cả hai hệ thống đều có ưu,
nhược điểm riêng, so sánh hai hệ thống ta nhận thấy:

 Xét về dung lượng, hệ thống đơn hướng có khả năng cung cấp
băng thông cao hơn gấp đôi so với hệ thống song hướng, tuy nhiên
phải tốn gấp đôi sợi quang so với hệ thống song hướng.
 Khi có sự cố xảy ra, hệ thống song hướng không cần đến cơ chế
chuyển mạch bảo vệ tự động APS (Automatic Protection-
Switching) vì cả hai đầu đều có khả năng nhận biết sự cố một cách
tức thời.
 Đứng về khía cạnh thiết kế mạng, hệ thống song hướng khó thiết
kế hơn vì còn phải xét các yếu tố như: Vấn đề xuyên nhiễu do có
nhiều bước sóng hơn trên cùng một sợi quang, đảm bảo định
 5

tuyển, phân bố bước sóng sao cho hai chiều của sợi quang không
dùng chung một bước sóng.
 Các bộ khuếch đại trong hệ thống song hướng có cấu trúc phức tạp
hơn trong hệ thống đơn hướng. Tuy nhiên, do số bước sóng
khuếch đại trong hệ thống song hướng giảm một nửa theo mỗi
chiều nên ở hệ thống song hướng, các bộ khuếch đại sẽ cho công
suất ngõ ra lớn hơn so với hệ thống đơn hướng.

1.3. Giới thiệu kỹ thuật ghép kênh/phân kênh theo mode MDM

Hình 1.3. Kỹ thuật ghép kênh/phân kênh theo mode MDM.

Khi sự tăng trưởng nhanh chóng dung lượng đường truyền internet
trong những năm gần đây cùng với sự ra đời của nhiều ứng dụng đòi hỏi
băng thông lớn như livestream, xem phim chất lượng cao … đòi hỏi chúng ta
phải tiếp tục mở rộng băng thông đường truyền sợi quang. Có nhiều phương
pháp tăng băng thông, chẳng hạn như ghép kênh phân chia theo không gian
(SDM), ghép kênh phân chia theo bước sóng (WDM) và ghép kênh phân chia
theo mode (MDM). Trong các phương pháp này, kỹ thuật ghép kênh theo
mode MDM cho phép truyền các kênh dữ liệu khác nhau trên các mode trực
giao với nhau (của cùng một bước sóng) mà không bị nhiễu xuyên kênh với
nhau. Ở bộ phát, n kênh thông tin sẽ được phát đi ở mode TE 0, sau đó được
ghép thành các mode TE0, TE1…TEn nhờ vào bộ ghép MDM này. Ở bộ thu các
 6

mode tương ứng với các kênh thông tin đã được ghép sẽ tách trở lại ban đầu
nhờ bộ phân kênh MDM sau đó đưa vào các thiết bị đầu cuối.

1.4. Kết luận chương

Như vậy, trong chương này đã giới thiệu sơ lược tổng quan về kỹ thuật
ghép kênh/phân kênh phân chia theo bước sóng MDM và kỹ thuật ghép
kênh/phân kênh phân chia theo mode MDM nhằm tăng băng thông đường
truyền. Đây cũng là hai kỹ thuật ghép kênh phổ biến ở thời điểm hiện nay, và
cũng chính là lý do em sử dụng công nghệ ghép kênh theo mode MDM trong
đồ án này.
 7

CHƯƠNG 2. TỔNG QUAN VỀ ỐNG DẪN SÓNG QUANG

HỌC & BỘ VI CỘNG HƯỞNG VÒNG MICRORING

2.1. Giới thiệu chương

- Trong chương này sẽ trình bày tổng quan về ống dẫn sóng quang học.
Nội dung chương gồm các phần:

+ Cơ sở truyền sóng trong ống dẫn sóng.

+ Giới thiệu về ống dẫn sóng quang học.

+ Ống dẫn sóng dạng kênh đối xứng.

2.2. Cơ sở truyền sóng trong ống dẫn sóng

Về mặt quang sóng thì ánh sáng là một loại sóng điện từ, là sóng ngang,
do vậy truyền sóng ánh sáng trong môi trường sóng tuân theo hệ phương
trình Maxwell:

−∂ ⃗
B ⃗
∇×⃗
E= − Jm (2.1)
∂t

−∂ ⃗
D ⃗
∇×⃗
H= − Je (2.2)
∂t

∇×⃗
D =⃗
ρe (2.3)

∇×⃗
B =⃗
ρm (2.4)

Ở đây, ⃗
E là véc tơ cường độ điện trường, ⃗
H là véc tơ cường độ từ trường,
⃗ B là véc tơ cảm ứng từ, ⃗
D là véc tơ cảm ứng điện và ⃗ J m là véc tơ mật độ dòng

từ, ⃗
J e là véc tơ mật độ dòng điện, ⃗
ρe và ⃗
ρm lần lượt là các véc tơ mật độ điện tích

và mật độ từ tích.

Theo nguyên lý toán học về toán tử, chúng ta có đẳng thức:

 8

∇ .(∇ × ⃗
A )=0 (2.5)

Véc-tơ pointing được định nghĩa là một tích có hướng sau:

⃗
P= ⃗
E×⃗
H (2.6)

Các tính chất quang học và vật liệu truyền sóng trong môi trường đẳng
hướng, chúng ta có các giả thiết như sau:

- Không có điện tích tự do hoặc các nguồn dòng: ρe =0 , ρm =0, ⃗

J e =0 , ⃗
J m =0.
- Vật liệu không có từ tính: hệ số từ thẩm tương đối bằng 1.
- Cường độ trường là đủ nhỏ để quan hệ giữa cảm ứng D và cường độ
điện trường E là tuyến tính.

Ta lại có các quan hệ giữa các đại lượng sau:

⃗
D =ε r ε 0 ⃗
E (2.7)

⃗
B=μr μ 0 ⃗
H (2.8)

⃗J =σ ⃗
E (2.9)

Ở đây, ε r và μr lần lượt là hằng số điện môi tương đối và hệ số từ thẩm

tương đối, ε 0 và μ0 lần lượt là các hằng số điện thẩm tuyệt đối và độ từ thẩm
tuyệt đối (trong chân không) có giá trị: ε 0=8.854187817 ×10 F /m và
−12

μ0=4 π ×10 H /m , σ là điện dẫn xuất.

−7

Sử dụng các phép biến đổi toán học cho các toán tử véc tơ, từ năm
phương trình đầu tiên kết hợp với đẳng thức:

∇×∇×⃗
A =∇ . ( ∇ . ⃗
A ) −∇ 2 ⃗
A (2.10)

Và do không có điện trường ngoài và môi trường truyền sóng không dẫn
điện cũng như không có từ tính, chúng ta có thể thu gọn được các phương
trình của hệ Maxwell là:
 9

ε r ε 0 μr μ 0 ∂ ⃗
2
E
2
∇ E⃗− =0 (2.11)
2
∂ t

ε r ε 0 μr μ0 ∂ ⃗
2
H
∇ ⃗ (2.12)
2
H− 2
=0
∂ t

Chú ý rằng ta có: μr =1. Với trường điện từ là những sóng điện dao động
đều hòa phụ thuộc thời gian, chúng ta có thể viết trong hệ tọa độ Descartes:

⃗
E =⃗
E ( x , y , z) e
jωt
(2.13)

⃗
H=⃗
H (x , y , z )e
jωt
(2.14)

Thế vào các phương trình (1.11) và (1.12), chúng ta thu được:

E + ( k 2− jω μ 0 ) ⃗
∇2 ⃗ E=0 (2.15)

H + ( k 2− jω ε r ε 0) ⃗
∇2 ⃗ H =0 (2.16)

2π 2π
Với k = ❑
0
√ ε r= ❑0 n là biên độ véc tơ sóng, n=√ ε r với n là hệ số chiết suất,
∇ và ∇ 2 lần lượt là các toán tử nabla (Hamilton) và toán tử Laplace, xác định

như sau:

∇= i x ( ∂
,iy
∂
, iz
∂ x ∂ y ∂z
∂
) (2.17)

2 2 2
2 ∂ ∂ ∂
∇= 2
+ 2+ 2 (2.18)
∂ x ∂ y ∂z

Với i x ,i y , i z lần lượt là các véc tơ đơn vị trên trục x , y , z của hệ tọa độ
Descartes. Trong không gian 2 chiều, xét mặt phẳng xy thì phương trình điện
trường viết là:

2 2
∂ E ∂ E
+ 2 + ( n ( x , y ) k 0− β ) E=0
2 2 2
2 (2.19)
∂x ∂ y

Phương trình (2.19) chính là phương trình Helmholtz.

 10

2.3. Giới thiệu về ống dẫn sóng quang học

2.3.1. Ống dẫn sóng quang học điện môi

Các ống dẫn sóng quang có thể phân loại theo hình học, cấu trúc chế độ,
phân bố chiết suất và vật liệu của chúng. Một ống dẫn sóng quang học điện
môi bao gồm một môi trường quang học với chiết suất cao được mở rộng theo
chiều dọc, được gọi là lớp lõi (core) được phủ xung quanh bởi môi trường có
hệ số chiết suất thấp, được gọi là lớp phủ (cladding), lớp phủ trên (lớp phủ) và
lớp phủ dưới (lớp nền) lần lượt được gọi là cover và substrate.

Tính chất của ống dẫn sóng quang học được xác định bởi hằng số điện
môi (hệ số chiết suất) mà độc lập theo hướng truyền. Các ống dẫn sóng có thể
được phân loại là:

- Các ống dẫn sóng phẳng/2 chiều (Planar/2-D waveguide): Sự giam giữ
quang học chỉ theo một hướng ngang, lõi được kẹp giữa các lớp phủ chỉ theo
một hướng hình 2.1(a). Sự giam giữ quang chỉ theo một hướng x với hệ số
chiết suất n(x). Chúng chủ yếu được sử dụng cho các bộ khuếch đại và laser
ống dẫn sóng công suất cao.
- Ống dẫn sóng quang không phẳng/3 chiều/dạng kênh (Non-planar/3-
D/channel optical waveguide): Bao gồm sự giam giữ quang học hai chiều, lõi
được bao quanh bởi lớp phủ theo mọi hướng ngang và n(x,y) là một hàm của
cả hai tọa độ x và y được hiển thị trong hình 2.1(b) và dẫn sóng ánh sáng theo
phương z. Ứng dụng chủ yếu của chúng là các ống dẫn sóng dạng kênh
(channel waveguide) và sợi quang (optical fiber).
 11

Hình 2.4. (a) Ống dẫn sóng quang phẳng, (b) Ống dẫn sóng quang không phẳng.
Một ống dẫn sóng trong đó có hệ số chiết suất thay đổi đột ngột giữa lớp
lõi và lớp phủ được gọi là ống dẫn sóng chiết suất nhảy bậc. Trong khi, nếu hệ
số chiết suất thay đổi dần từ lớp lõi qua lớp phủ được gọi là ống dẫn sóng
chiết suất phân loại.

Hình 2.5. (a) Ống dẫn sóng chiết suất nhảy bậc, (b) Ống dẫn sóng chiết suất phân loại, (c)
Ống dẫn sóng lai.
2.3.2. Ống dẫn sóng silicon trên nền vật liệu cách điện

Hình 2.6. Ống dẫn sóng Silicon trên nền vật liệu cách điện.
Ống dẫn sóng mà lõi được chế tạo từ tinh thể Silic (Si) gọi là ống dẫn
sóng Silic (silicon waveguide).

Lớp vỏ của ống dẫn sóng thường được chế tạo từ điện môi với lớp cách
điện là thủy tinh Silic (silic – SiO 2). Ống dẫn sóng trên nền vật liệu Silicon và
chất cách điện như vậy gọi là ống dẫn sóng SOI (silicon on insulator).

Trong ống dẫn sóng SOI, sự tương phản lớn giữa hệ số chiết suất giữa
lớp lõi và lớp phủ cho phép bắt giam giữ ánh sáng tốt (phản xạ toàn phần).
 12

Ánh sáng được giam giữ trong phần chéo là vài trăm nanometer với suy hao
đường truyền hiện tại đã được khoảng sấp sỉ 1dB/cm.

2.4. Các loại ống dẫn sóng dạng kênh dẫn đối xứng

Trong thực tế, ống dẫn sóng kênh hoặc ống dẫn sóng hình chữ nhật hầu
hết là ống dẫn sóng không phẳng được sử dụng phổ biến nhất cho các ứng
dụng thiết bị. Ống dẫn sóng không phẳng có rất nhiều loại khác nhau được
phân biệt bởi các đặc điểm nổi bật của chiết suất n(x,y) của chúng. Các ống
dẫn sóng kênh bao gồm: ống dẫn sóng kênh Buried, ống dẫn sóng Strip-
loaded, ống dẫn sóng Ridge, ống dẫn sóng Rib, ống dẫn sóng Diffused ……

Hình 2.7. Các ống dẫn sóng dạng kênh tiêu biểu.

Ống dẫn sóng kênh buried được hình

thành với lõi ống dẫn sóng có chiết suất cao
được chôn trong môi trường xung quanh có
chiết suất thấp. Lõi ống dẫn sóng đó có thể có
bất kì hình dạng mặt cắt ngang nào nhưng hình
dạng được dùng nhiều nhất là hình chữ nhật
 13

như trong hình 1.4.

Hình 2.8. Ống dẫn sóng kênh

Buried.

Ống dẫn sóng Strip-loaded được hình

thành bằng cách tải một ống dẫn sóng phẳng,
cung cấp sự giam giữ quang học theo trục x, với
một dải điện môi có chiết suất n3 < n1 hoặc một
dải kim loại để tạo điều kiện giam giữ quang
học theo trục y. Lõi dẫn sóng của ống dẫn sóng
strip là vùng có chiết suất n1 dưới loading-strip,
với độ dày d được xác định bởi độ dày của lớp
n1 , và chiều rộng w của nó là chiều rộng của
Hình 2.9. Ống dẫn sóng
Strip-loaded. loading-strip.

Ống dẫn sóng Ridge có cấu trúc như ống

dẫn sóng Strip-load nhưng trên đỉnh cấu trúc
phẳng của nó có chiết suất cao và đó là lõi dẫn
sóng. Một ống dẫn sóng Ridge có sự giam giữ
quang học mạnh vì nó được bao quanh ba phía

Hình 2.10. Ống dẫn sóng bởi không khí có chiết suất thấp hoặc vật liệu
Ridge. bọc.
 14

Ống dẫn sóng Rib có cấu trúc tương tự như

ống dẫn sóng Strip hay Ridge nhưng strip của
nó có cùng chiết suất với lớp phẳng chiết suất
cao bên dưới nó và là một phần của lõi ống dẫn
sóng.
Hình 2.11. Ống dẫn sóng Rib.

Bốn loại ống dẫn sóng trên là các ống dẫn sóng hình chữ nhật với độ
dày d theo hướng x và chiều rộng w theo hướng y, mặc dù hình dạng của
chúng thường không chính xác là một hình chữ nhật.

Ống dẫn sóng Diffused được hình thành

bằng cách tạo ra một vùng có chiết suất cao
trong chất nền thông qua sự khuếch tán của các
tạp chất, chẳng hạn như ống dẫn sóng LiNbO 3
với lõi được hình thành bởi khuếch tán Ti. Có độ
dày d được xác định bởi độ sâu khuếch tán của
Hình 2.12. Ống dẫn sóng các tạp chất theo hướng x và chiều rộng w được
Diffused.
xác định bằng sự phân bố của các tạp chất theo
hướng y.

Một đặc tính khác biệt của ống dẫn sóng điện môi không phẳng so với
các ống dẫn sóng phẳng là ống dẫn sóng không phẳng hỗ trợ chế độ lai
(hybrid modes) như hình 1.2 kết hợp với các mode TE và TM, trong khi một
ống dẫn sóng phẳng chỉ hỗ trợ mode TE và TM. Ống dẫn sóng điện môi
không phẳng thường không có các giải pháp phân tích cho các đặc tính chế độ
truyền dẫn của chúng. Các phương pháp xấp xỉ như phương pháp truyền
chùm tia (BPM – beam propagation method) tồn tại để phân tích ống dẫn sóng
như vậy. Ở đây, chúng ta quan tâm đến việc có được các giải pháp gần đúng
cung cấp các đặc tính của mode mà không có phương pháp phân tích số.
 15

2.5. Kết luận chương

Qua chương 2 này chúng ta có thể nhìn được cấu trúc cơ bản của ống dẫn
sóng gồm 3 lớp cơ bản (lớp lõi, lớp nền và lớp phũ). Tính chất của ống dẫn
sóng quang học được xác định bởi hằng số điện môi độc lập theo hướng
truyền. Các lý thuyết cơ bản về cơ sở truyền sóng. Tùy thuộc vào sự thay đổi
chiết suất phân bậc và ống dẫn sóng chiết suất biến đổi dần. Ống dẫn sóng
chiết suất phân bậc có chiết suất thay đổi đột ngột giữa các lớp trong khi ống
dẫn sóng biến đổi dần có chiết suất thay đổi dần từ lõi đến lớp phủ. Từ cơ sở
lý thuyết trên em đi đến chương 2 là tìm hiểu bộ giao thoa đa mode MMI và
bộ vi cộng hưởng vòng Microring.
 16

CHƯƠNG 3. BỘ GIAO THOA ĐA MODE, BỘ VI CỘNG

HƯỞNG VÒNG MICRORING

3.1. Giới thiệu chương

Trong chương này em sẽ trình bày những nội dung gồm các phần:

- Giới thiệu ống dẫn sóng đa mode và phân tích truyền mode.
- Lý thuyết về bộ giao thoa đa mode MMI: Nguyên lý của hiện tượng ảnh
tự chụp, khái quát về giao thoa.
- Bộ vi cộng hưởng vòng Microring: Phân loại, nguyên lý hoạt động, các
yếu tố ảnh hưởng đến chất lượng truyền tín hiệu.

3.2. Ống dẫn sóng đa mode và phân tích truyền mode

Phương pháp phân tích truyền mode – MPA (Mode Propagation Method)
hiểu theo nghĩa đầy đủ về mặt lý thuyết là để mô tả hiện tượng giao thoa đa
mode trong ống dẫn sóng. Phương pháp này không chỉ hỗ trợ những yêu cầu
cơ bản cho mô hình phân tích về mặt số học mà còn phân tích cơ chế giao thoa
bên trong ống dẫn sóng. Ở đây, ta sử dụng phân tích truyền mode để công
thức hóa ảnh có tính chu kỳ. Phương pháp này đầu tiên đưa vào một trường
đầu vào, sau đó nó sẽ kích thích cơ chế giao thoa và tự chụp ảnh trong miền
ống dẫn sóng đa mode, truyền các mode được dẫn, tính toán trường đầu ra
bằng tái kết hợp các trường được truyền.

Cấu trúc trọng tâm của một cấu kiện giao thoa đa mode (MMI) là một
ống dẫn sóng được thiết kế để hỗ trợ một số lượng lớn các mode sóng (thông
thường số lượng mode được dẫn ≥ 3). Để phát ánh sáng vào trong và phục hồi
ánh sáng từ ống dẫn sóng đa mode, một số các ống dẫn sóng truy cập (access
waveguides) được bố trí tại điểm đầu vào và kết thúc của ống dẫn sóng đa
mode (các ống dẫn sóng truy nhập thường là đơn mode). Những cấu trúc như
vậy được gọi là bộ ghép giao thoa đa mode N × M (xem hình 3.1). Ở đây: N và
 17

M là số lượng đầu vào và đầu ra một cách tương ứng. Ống dẫn sóng ba chiều
với phương pháp phân tích truyền mode được kết hợp với tính toán phần
chéo hai chiều bằng các phương pháp phần tử hữu hạn hoặc là sai phân hữu
hạn. Tuy nhiên, thường các ống dẫn sóng đa mode có chiều theo trục ngang
(transverse) lớn hơn nhiều so với chiều dày (lateral), có thể giả thiết các mode
có dạng thể hiện theo chiều trục ngang ở mọi nơi trong ống dẫn sóng.

Hình 3.13. Sơ đồ của một ống dẫn sóng đa mode NxM theo hình chiếu bằng.
Hình 3.2 thể hiện một ống dẫn sóng hai chiều với chiều rộng W MMI, hệ số
chiết suất (hiệu dụng) lõi nr và hệ số chiết suất vỏ (hiệu dụng) là n c. Ống dẫn
sóng hỗ trợ m mode ngang với số mode tại bước sóng không gian tự do .
Quan hệ giữa số sóng ngang k xv và hằng số truyền β v của mode thứ v có quan
hệ với hệ số chiết suất lõi của ống dẫn sóng dạng sườn (rib/ridge waveguide)
bởi phương trình tán sắc:

(3.1)
2 2 2 2
k xv + β v =k 0 nr

Với k 0 là số sóng trong không gian tự do và được xác định bởi:

2π
k 0=
❑
(3.2)

Điều kiện hình thành sóng đứng:

 18

W ev k xv = ( v +1 ) π (3.3)

Ở đây, chiều rộng hiệu dụng mode tính theo độ sâu thẩm thấu của mỗi
trường mode kết hợp với dịch Goos-Hanchen tại biên. Với các ống dẫn sóng
tương sai khác hệ số chiết suất giữa lớp lõi và vỏ cao thì độ sâu thẩm thấu là
rất nhỏ nên chiều rộng mode hiệu dụng xấp xỉ với chiều rộng hiệu dụng, được
cho bởi:

( )( )
2σ
nr 1
W ev ≈ W e=W MMI + ❑ (3.4)
π nc √n −n
2
r
2
c

Hình 3.14. Biểu diễn hai chiều của một ống dẫn sóng hệ số chiết suất bậc hai chiều.
Ở đây σ =0 cho mode phân cực TE và σ =1 cho mode phân cực TM.

Bằng cách sử dụng xấp xỉ hàm Taylor bậc hai với điều kiện: k xv ≪ k 0 nr ,
2 2 2

hằng số truyền β v có thể được rút gọn từ các phương trình 3.1 và 3.3 là:

( v +1 )2 π
β v ≈ k 0 nr − (3.5)
4 n r W 2e

Do đó, hằng số truyền trong một ống dẫn sóng đa mode chiết suất bậc
cao cho thấy sự phụ thuộc bình phương với số mode v .
 19

Bằng cách định nghĩa Lπ là nửa chiều dài phách (half-beat length) của hai
mode bậc thấp nhất:

2
π 4 nr W e
Lπ = ≈ (3.6)
β 0−β 1 3

Khoảng cách các hằng số truyền được viết lại là:

v ( v +2 ) π
( β 0−β v ) ≈ 3 Lπ
(3.7)

Bằng cách giả thiết rằng MMI có ít nhất một số ít mode được dẫn và các
mode phát xạ của phần MMI không được kích thích, trường đầu vào ψ ( x , 0 ) là
phổ hẹp đủ để không kích thích các mode không được dẫn, ta có thể được
khai triển theo các thành phần của các mode được dẫn trong vùng đa mode:

ψ ( x , 0 ) =∑ c v φv ( x ) (3.8)
v

Trong đó, φ v ( x ) là phân bố mode bậc thứ v và c v là hệ số kích thích mode

bậc thứ v , cho bởi tích phân xếp chồng sau:

∫ ψ ( x , 0 ) φ v ( x ) dx
cv= (3.9)
√∫ φ2v ( x ) dx
Trường ψ ( x , z ) truyền dọc theo trục z có thể được xem như là sự siêu xếp
chồng của tất cả các mode được dẫn, nghĩa là:

m−1
ψ ( x , z )= ∑ c v φ v ( x ) exp [ j ( ωt−β v z ) ] (3.10)
v=0

Lấy pha của mode cơ sở (bậc 0) là nhân tử chung ra bên ngoài của tổng,
tách nó và giả thiết rằng thành phần phụ thuộc thời gian ẩn, trường ψ ( x , z ) trở
thành:
 20

m−1
ψ ( x , z )= ∑ c v φ v ( x ) exp [ j ( β 0−β v ) z ] (3.11)
v=0

Bằng cách thế hằng số truyền từ phương trình (3.7) vào phương trình trên
ta được:

[ ]
m−1
v ( v +2 ) π
ψ ( x , z )= ∑ c v φ v ( x ) exp j z (3.12)
v=0 3 Lπ

Dạng của trường sóng ψ ( x , z=L ) và cuối cùng kiểu của ảnh được tạo sẽ
được xác định bởi hệ số kích c v và đặc tính của nhân tử pha mode:

exp j
[ v ( v+ 2 ) π
3 Lπ
L
] (3.13)

Có thể thấy rằng: dưới một khoảng cách chu kỳ, trường ψ ( x , L ) sẽ được tái
tạo (self-imaging) của trường đầu vào ψ ( x , 0 ) . Chúng ta gọi giao thoa tổng quát
(General interference - GI) là giao thoa độc lập với sự kích thích mode; giao
thoa hạn chế (Restricted interference – RI) là do sự kích thích mode chắc chắn
tại một số vị trí xác định đơn lẻ.

Các tính chất sau đây sẽ được sử dụng trong việc đối chiếu:

v ( v+ 2 ) chẵn với v chẵn, v ( v+ 2 ) lẻ với v lẻ (3.14)

ψ (−x )=ψ ( x ) khi v chẵn, ψ (−x )=−ψ ( x ) khi v lẻ (3.15)

Dễ dàng kiểm tra các tính chất này về mặt toán học.

3.3. Giao thoa tổng quát – GI

Cơ chế giao thoa tổng quát là độc lập với sự kích thích mode, tức là
không giới hạn vào hệ số kích thích mode c v . Chúng ta xem xét các trường hợp
sau đây:

3.3.1. Các đơn ảnh

 21

Từ phương trình (3.12) ta thấy rằng trường ψ ( x , L ) sẽ là một ảnh của

ψ ( x , 0 ) nếu:

[
exp j
v ( v+ 2 ) π
3 Lπ ]
L =1 hoặc (−1 )v (3.16)

Điều kiện này cho kết quả: L= p ( 3 Lπ ) với p=0 ,1 , 2… (3.17)

Hệ số p biểu thị chu kỳ tự nhiên của ảnh theo ống dẫn sóng đa mode.

3.3.2. Các đa ảnh

Ngoài các ảnh đơn thì các đa ảnh nhận được tại các vị trí có khoảng cách
là nửa độ dài của các khoảng ảnh đơn, do có sự chụp ảnh đối xứng gương
(mirrored images). Đa ảnh do vậy chụp được tại các khoảng cách:

p (3.18)
L= ( 3 Lπ ) với p=1 , 3 , 5 ,7 …
2

Trường tổng tại các chiều dài này tìm thấy bằng cách thay phương trình
(3.18) vào phương trình (3.12) với điều kiện đối xứng của trường mode, ta thu
được:

[ ( )]
m −1
ψ x, ( p
2
( )
3 L π ) = ∑ c v φv ( x ) exp jv ( v +2 ) p
v=0
π
2
(3.19)

(
ψ x,
p
2 )
( 3 L π ) = ∑ c v φ v ( x ) + ∑ (− j ) c v φ v ( x )
v even v old
p

(3.20)
( )
p p
p 1+ (− j ) 1−(− j )
ψ x , ( 3 Lπ) = ψ ( x , 0)+ ψ (−x , 0 )
2 2 2

Phương trình cuối biểu thị cho cặp ảnh của ψ ( x , 0 ) trong sự cầu phương
1 3 5
với biên độ 1/ √ 2 tại khoảng cách z= 2 ( 3 Lπ ) , 2 ( 3 L π ) , 2 ( 3 Lπ )… Hai ảnh đứng này

có thể được ứng dụng để tạo ra các bộ ghép 2x2 -3dB.

 22

Cơ chế giao thoa cho phép nhận ra một bộ ghép quang N × N hoặc N × M .
Trường hợp ngắn nhất là p=1 . Khi đó, quan hệ về pha liên kết c của ảnh giữa
đầu ra thứ r và đầu vào thứ s của bộ ghép N × N là:

π
φ rs = ( s−1 ) (2 N +r −s ) với r + s chẵn (3.21)
4N

π (3.22)
φ rs = ( r + s−1 ) ( 2 N −r−s+1 ) với r + s lẻ
4N

3.4. Giao thoa hạn chế - RI

Cơ chế giao thoa phụ thuộc vào sự kích thích mode trong ống dẫn sóng.
Trong phần này, trình bày khả năng và cách thức để tạo ra các bộ ghép MMI
mà chỉ vài mode được kích thích trong vùng MMI bởi trường đầu vào. Cơ chế
giao thoa như vậy được gọi là giao thoa hạn chế. Sự kích thích có chọn lọc này
có liên quan đến nhân tử pha mode v ( v+ 2 ). Đại lượng này cho phép cơ chế
giao thoa mới với chu kỳ ngắn hơn. Có hai trường hợp được xét đến như sau:

3.4.1. Giao thoa theo cặp

Để ý rằng: v ( v+ 2 ) ≡ 0 mode(3) với v ≠ 2 ,5 , 8 , 11, … (3.23)

Rõ ràng chiều dài chu kỳ của nhân tử pha mode sẽ giảm đi 3 lần nếu:

c v =0, với v=2 ,5 , 8 , 11, … (3.24)

Do đó, các đơn ảnh (trực tiếp và đảo ngược) của trường đầu vào ψ ( x , 0 ) sẽ
nhận được tại khoảng cách:

L= p ( Lπ ) với v=0 , 1 ,2 , … (3.25)

Điều đó chứng tỏ rằng: các mode v=2 ,5 , 8 , 11, … không được kích thích
trong ống dẫn sóng đa mode. Bằng cách tương tự ta thu được hai ảnh đứng sẽ

(p )
được tìm thấy tại L= 2 Lπ với p lẻ.
 23

Tổng quát cho hệ thống N ảnh đứng sẽ tạo ra tại khoảng cách:

p (3.26)
L= ( L ) với v=0 , 1 ,2 , …
N π

Ở đây: p ≥ 0 , N ≥ 1 là các số nguyên và nguyên tố cùng nhau.

3.4.2. Giao thoa đối xứng

Một bộ chia quang N đường cũng có thể được tạo ra bằng phương pháp
giao thoa tổng quát N ảnh đứng ở trên. Tuy nhiên, bằng cách chỉ các mode đối
xứng chẵn, bộ chia 1 đến N có thể được chế tạo với ống dẫn sóng bốn lần ngắn
hơn.

Chú ý rằng:

v ( v+ 2 ) ≡ 0 mode(4) với v chẵn (3.27)

Rõ ràng là chiều dài chu kỳ của pha mode sẽ giảm 4 lần nếu:

c v =0 với v lẻ (3.28)

Do đó, ảnh đơn của trường đầu vào ψ ( x , 0 ) sẽ được nhận tại:

L= p ( 34L ) với p=0 ,1 , 2 …

π (3.29)

Tổng quát, N ảnh đứng sẽ được nhận tại khoảng cách:

L=
N 4( )
p 3 Lπ
với p=0 ,1 , 2 …
(3.30)

Với: p ≥ 0 , N ≥ 1 là các số nguyên và nguyên tố cùng nhau.

3.5. Bộ vi cộng hưởng vòng Microring

Bộ vi cộng hưởng vòng Microring là một thiết bị có kích thước nhỏ,

tương thích với công nghệ chế tạo bán dẫn CMOS và nhiễu xuyên kênh thấp.
Chính vì vậy, nó được ứng dụng rất nhiều trong các mạch tích hợp quang tử.
 24

Cấu tạo của một bộ vi cộng hưởng vòng gồm một vòng Microring và một hoặc
hai ống dẫn sóng truy nhập được đặt liền kề với Microring, đóng vai trò là nơi
phát, nhận tín hiệu. Ở vòng Microring, tín hiệu khi truyền trong nó sẽ được
lặp đi lặp lại nhiều lần, nhưng chỉ có mode tín hiệu của bước sóng cộng hưởng
mới có thể truyền qua được. Vì vậy, việc chế tạo một bộ vi cộng hưởng vòng
với các thông số chính xác và phù hợp để thỏa mãn điều kiện cộng hưởng là
cần thiết. Điều kiện cộng hưởng có thể được mô tả ở công thức (3.40).

Bộ vi cộng hưởng vòng Microring gồm 2 dạng chính bao gồm: All-pass
Microring và Add-Drop Microring.

Đối với dạng All-pass Microring, vòng Microring được kết nối với một
ống dẫn sóng truy nhập đầu vào. Vì vậy, chỉ có một đầu vào và một đầu ra
như hình 3.3. Dạng thiết kế này được sử dụng nhiều ở trong các mạch bù tán
sắc, trễ thời gian thực… Ngoài ra còn được ứng dụng vào việc chế tạo ra laser
và các cảm biến.

Ngược lại, Add-Drop Microring với việc bổ sung thêm một ống dẫn sóng
truy nhập tương ứng thêm một đầu vào và một đầu ra nữa. Từ đó, tạo ra
nhiều ứng dụng hơn so với dạng thiết kế trước như các mạch logic quang,
điều chế/giải điều chế, bộ lọc quang … được mô tả ở hình 3.4. Ở đồ án này, em
sử dụng cấu trúc Add-Drop Microring.

3.5.1. Cấu trúc Microring

3.5.1.1. All-pass Microring

Cấu tạo của All-pass Microring bao gồm một ống dẫn sóng có một đầu
vào và một đầu ra, được kết nối với một Microring (Hình 3.3). Tín hiệu sẽ
được phát từ Port 1, chỉ có mode tín hiệu của bước sóng cộng hưởng mới có
thể đi qua Microring và truyền trong nó, nếu không thỏa mãn điều kiện cộng
hưởng thì sẽ truyền qua Port 3. Mode tín hiệu của bước sóng cộng hưởng sau
khi qua Microring sẽ giao thoa tăng cường, dẫn đến trường quang trong
 25

Microring rất lớn và bằng với tín hiệu vào. Bước sóng cộng hưởng được tính
bằng công thức (3.40).

Dựa vào công thức (3.40), ta có thể nhận thấy rằng bước sóng cộng hưởng
phụ thuộc chủ yếu vào bán kính, chiết suất hiệu dụng. Ngoài ra còn phụ thuộc
vào khoảng cách giữa ống dẫn sóng và Microring.

Hình 3.15. Cấu tạo của All-pass Microring.

Gọi Ei1, Ei2, Et1, Et2 là điện trường tại các Port 1, 2, 3, 4 lần lượt. Mối quan
hệ giữa các đại lượng đó được thể hiện như sau:

Et 1=t Ei 1 +ik E i2 (3.31)

Với Et2:

Et 2=t Ei 2−ik Ei 1 (3.32)

Cho rằng không có suy hao khi truyền trong Microring:

2
t + k =1
2
(3.33)

Điện trường tại Port 4 được tính như sau:

(3.34)
−α 2 πR iβ 2 πR iф
Ei 2=e e E t 2=a e Et 2
 26

2π
Trong đó: α là nhân tố gây suy hao, a là hệ số suy hao, β= λ neff là hằng

số truyền của các mode, ф là độ lệch pha khi đi một vòng quanh Microring.

Công suất truyền tại Port 3 được tính bằng:

2 2 2
2 atcos ( ф +ф c ) (3.35)
Pt 1 =( Et 1 ) =a +t − 2 2
1+ a t −2 atcos(ф+ ф c )

Công suất truyền tại Port 4 được tính bằng:

2 a 2 ( 1−t 2 ) (3.36)
Pi 2=( E i2 ) = 2 2
1+a t −2 atcos( ф+ ф c )

Ở trạng thái cộng hưởng thì ( ф+ ф c ) =2 πm. Hai công thức (3.35) và (3.36)
được viết lại thành:

2
Pt 1 = ( Et 1 ) =
( a−t )2 (3.37)
2
( 1−at )

Và:

a2 ( 1−t 2 ) (3.38)
Pi 2=( E i2 )2 =
( 1−at )2

Pt1
Gọi T là chức năng truyền, được định nghĩa bằng tỉ lệ giữa :
Pi 1

P t 1 a 2−2 tacosф+t 2 (3.39)

T= =
Pi 1 1−2tacosф +t 2 a 2

3.5.1.2. Add-Drop Microring

Cấu tạo của Add-Drop Microring bao gồm một ống dẫn sóng đầu vào,
một ống dẫn sóng đầu ra và một Microring, hai ống dẫn sóng này có 4 cổng
được ký hiệu như hình và kết nối 2 bên với Microring. Nhiệm vụ của ống dẫn
 27

sóng đầu vào là để phát ánh sáng vào, nhiệm vụ của ống dẫn sóng đầu ra là
để tiếp nhận ánh sáng của ống dẫn sóng đầu vào, được mô tả như hình 2.4.

Về nguyên tắc hoạt động của thiết kế này thì cũng giống như thiết kế All-
pass Microring và có thể hiểu như sau: Nếu ta phát mode tín hiệu vào Port 1,
tín hiệu sẽ truyền qua 2 hướng: Một hướng qua Microring và một hướng đi
qua Port 3. Nếu bước sóng muốn đi qua được Microring thì phải thõa mãn
điều kiện cộng hưởng và bước sóng của mode tín hiệu thỏa mãn điều kiện ấy
được gọi là bước sóng cộng hưởng. Sau khi đi qua Microring, tín hiệu sẽ tiếp
tục truyền và cũng sẽ đi theo 2 hướng: Một hướng đi qua Port 4 và một hướng
tiếp tục truyền trong Microring, lúc này chỉ có một phần tín hiệu đi qua Port 4,
còn lại sẽ tiếp tục truyền trong Microring. Tín hiệu còn lại trong Microring sẽ
gặp tín hiệu từ Port 1 truyền xuống và hiện tượng giao thoa tăng cường xảy
ra, dẫn đến trường quang của tín hiệu mới tăng cao và tiếp tục quá trình như
vậy, tín hiệu ở Port 4 sẽ bằng tín hiệu phát vào ở Port 1.

λ res=2 πR neff (3.40)

Add-Drop Microring cũng giống như All-pass Microring, đều phụ

thuộc vào các yếu tố như bán kính, chiết suất hiệu dụng, khoảng cách giữa các
ống dẫn sóng và Microring.
 28

Hình 3.16. Cấu tạo của Add-drop Microring.

Tương tự như thiết kế trước, các trường Ei1, Et1, Ei2, Et2 được tính:

(3.41)
jф
t 1−t 2 a e
Et 1= jф
1−t 1 t 2 a e

Và:

(3.42)
jф
k1 k2a e
Et 2= jф
1−t 1 t 2 a e

Tại cộng hưởng, trường đầu ra của Port 4 được tính như sau:

(3.43)
2 2
2 ( 1−t1 ) ( 1−t 2 ) a
Pt 2 = ( Et 2 ) = 2
( 1−t 1 t 2 a )

Chức năng truyền tại hai cổng Port 3 là:

( ) (3.44)
2 2 2
E t 1 2 ( t 2) a −2 t 1 t 2 acosф+ ( t 1 )
T through= = 2
Ei 1 1−2 t 1 t 2 acosф+ ( t 1 t 2 a )

Tại Port 4:

( ) (3.45)
2 2
Et2 2 (1− ( t 1 ) )(1−( t 2 ) )a
T drop= = 2
Ei 2 1−2 t 1 t 2 acosф+ ( t 1 t 2 a )

3.5.2. Nhận xét chung

Dựa vào các đặc tính của cấu trúc All-pass Microring và Add-Drop
Microring ta có thể phát triển nhiều ứng dụng tùy theo mục đích dựa vào
những tính chất đặc biệt của mỗi loại thiết kế.

Về bản chất, hai loại Microring này có chức năng, nguyên lý hoạt động
giống nhau, chỉ khác về cấu tạo khi một bên chỉ có một ống dẫn sóng và một
bên có hai ống dẫn sóng. Nhưng Add-Drop Microring được sử dụng rộng rãi
hơn vì sự đa dạng trong những ứng dụng mà nó mang lại.
 29

Như vậy sự truyền công suất giữa ống dẫn sóng truy nhập và Microring
phụ thuộc vào 3 yếu tố:

- Khoảng cách giữa ống dẫn sóng truy nhập và Microring.

- Bản kính của Microring.
- Chiết suất giữa ống dẫn sóng truy nhập và Microring.

3.6. Kết luận chương

Như vậy, trong chương 3 đã trình bày các vấn đề liên quan đến bộ giao
thoa đa mode MMI, bộ vi cộng hưởng vòng Microring. Việc sử dụng bộ giao
thoa đa mode có thể giải quyết các vấn đề cơ bản của truyền dẫn như băng
thông rộng, tổn hao thấp cùng với giá thành sản xuất rẻ. Tuy nhiên, do bị ảnh
hưởng bởi các yếu tố truyền dẫn nên việc thiết kế bộ giao thoa đa mode đòi
hỏi độ chính xác cao. Dựa vào những kiến thức trên ta có thể tiến hành thiết kế
các bộ ghép/phân kênh phân chia theo mode hoạt động theo đúng mục đích,
chức năng thiết kế để phục vụ cho nội dung chương 3 là thiết kế bộ ghép/phân
kênh phân chia theo mode sử dụng cấu trúc vi cộng hưởng vòng Microring
ứng dụng trong hệ thống MDM.
 30

CHƯƠNG 4. THIẾT KẾ BỘ GHÉP/PHÂN KÊNH PHÂN

CHIA THEO MODE SỬ DỤNG CẤU TRÚC VI CỘNG

HƯỞNG VÒNG ỨNG DỤNG TRONG HỆ THỐNG

MDM

4.1. Giới thiệu chương

Trong chương này, em sẽ thiết kế bộ ghép/phân kênh phân chia theo

mode bằng cách ghép ba bộ vi cộng hưởng vòng Microring thông qua các ống
dẫn sóng hình búp măng (taper). Bằng cách sử dụng cấu trúc Add-Drop
Microring, khi phát tín hiệu ở ống dẫn sóng đầu vào, tín hiệu sẽ kết nối tới
Microring và truyền qua ống dẫn sóng cổng ra, bộ ghép/phân kênh phân chia
mode có thể thực hiện băng thông rất rộng và tổn thất thấp. Thiết bị được thiết
kế và tối ưu dựa trên phương pháp mô phỏng sai phân hữu hạn miền thời
gian (FDTD) kết hợp với phương pháp chỉ số hiệu dụng (EIM). Qua quá trình
mô phỏng và khảo sát, bộ ghép/phân kênh phân chia mode này đã cho kết quả
rất tốt với hiệu suất ở ba cổng đầu ra lên đến trên 86%, 82%, 76% lần lượt và có
nhiễu xuyên kênh thấp hơn -12.5 dB đối với bước sóng 1.55 µm, dải thông hỗ
trợ trong băng C (1535 nm đến 1560nm).

4.2. Thiết kế thiết bị

 31

Hình 4.17. Sơ đồ của bộ ghép/phân kênh phân chia theo mode sử dụng cấu trúc vi cộng hưởng vòng.
 32

4.2.1. Mô tả tổng quát

Sơ đồ của bộ ghép/phân kênh phân chia mode gồm 3 bộ Microring được

ghép nối với nhau thông qua ống dẫn sóng hình búp măng (taper), được hiển
thị trong hình 4.1. Mỗi bộ Microring là giống nhau và có các thông số như Lcl
=2.83 µm và R = 2.57 µm. Ở hai bên của mỗi Microring, có một ống dẫn sóng
đầu vào và một ống dẫn sóng đầu ra đảm nhiệm chức năng truyền và nhận tín
hiệu, được ngăn cách với Microring bằng một khoảng cách được kí hiệu là G.
Mỗi ống dẫn sóng đầu vào chỉ hỗ trợ mode 0 và ống dẫn sóng đầu ra hỗ trợ đa
mode. Ở ba bộ Microring, ta phát các mode TE 0 theo lần lượt, tín hiệu qua mỗi
Microring sẽ vẫn là mode TE0, tùy thuộc vào độ rộng ống dẫn sóng đa mode
đầu ra thì mode tín hiệu nhận được từ các Microring sẽ tạo ra các mode TE 0,
TE1, TE2. Bằng cách khảo sát mode, ta có thể tính được chiều rộng của ba mode
TE0, TE1, TE2, được mô phỏng như hình 4.2. Từ hình 4.2, ta chọn độ rộng của
ống dẫn sóng của ba mode TE0, TE1, TE2 lần lượt là W1 = 0.3 µm, W2 = 0.76 µm,
W3 = 1.23 µm vì chiết suất của ba mode lúc này sẽ bằng nhau và bằng với chiết
suất của Microring, dẫn đến việc truyền tín hiệu qua lại Microring một cách dễ
dàng. Ngoài ra, để tăng khả năng bắt giữ ánh sáng, em sử dụng hai ống dẫn
sóng hình búp măng (taper). Chiều dài của hai ống dẫn sóng búp măng được
chọn lần lượt là Ltp1 = 1.95 µm, Ltp2 = 1.35 µm.

Để đạt được hiệu suất tốt, khoảng cách G và chiều dài kết nối Lcl phải
được thiết kế chính xác để các tín hiệu có thể truyền qua Microring dễ dàng.

Với bộ ghép/phân kênh phân chia mode được hiển thị như hình 4.1. Các
ống dẫn sóng đầu vào sử dụng bước sóng ¿ 1.55 μm. Vật liệu của lớp vỏ và lớp
phủ là SiO2 có chiết suất là 1.44. Vật liệu của lớp lõi là Si có chiết suất là 3.47.
 33

Hình 4.18. Mô phỏng độ rộng các mode theo chiết suất hiệu dụng.
4.2.2. Mô tả và phân tích cấu trúc thiết bị

Hình 4.19. Cấu trúc bộ Microring thứ nhất của bộ ghép/phân kênh phân chia theo
mode với trường hợp đưa mode 0 vào cổng đầu vào thứ nhất.
 34

Với bộ Microring thứ nhất, mong muốn tạo một mode là mode 0. Em sử
dụng một ống dẫn sóng truy nhập đầu vào với chiều rộng là W 1 = 0.3 µm với
chiều dài là L1 = 5 µm, ghép nối với một Microring có bán kính R = 2.57 µm,
chiều dài kết nối Lcl = 2.83 µm thông qua vùng ngăn cách giữa ống dẫn sóng
và Microring được kí hiệu là G1 = 0.1 µm. Vì ở đầu ra chỉ mong muốn mode 0
nên ống dẫn sóng đầu vào và ống dẫn sóng đầu ra có thông số giống nhau.
Tín hiệu xuất phát từ ống dẫn sóng đầu vào, truyền qua Microring thứ nhất và
dẫn tín hiệu qua ống dẫn sóng đầu ra. Ở bộ phân kênh, tín hiệu đi ngược lại
và tương tự cho các bộ 2 và 3.

Hình 4.20. Cấu trúc bộ Microring thứ hai của bộ ghép/phân kênh phân chia theo mode với
trường hợp đưa mode 0 vào đầu vào 3.
Với bộ Microring thứ hai, mong muốn tạo một mode là mode 1. Em sử
dụng một ống dẫn sóng truy nhập đầu vào với chiều rộng là W 1 = 0.3 µm với
chiều dài là L1 = 4.1 µm, ghép nối với một Microring có bán kính R = 2.57 µm,
chiều dài kết nối Lcl = 2.83 µm thông qua vùng ngăn cách giữa ống dẫn sóng
và Microring được kí hiệu là G 1 = 0.1 µm. Ở ống dẫn sóng đầu ra, khoảng cách
đối với Microring là G2 = 0.07 µm, chiều dài L1= 4.1 µm và chiều rộng W2 = 0.76
µm.
 35

Hình 4.21. Cấu trúc bộ Microring thứ ba của bộ ghép/phân kênh phân chia mode với các
trường hợp đưa mode 0 vào các cổng đầu vào 3.
Với bộ Microring thứ ba, mong muốn tạo một mode là mode 2. Em sử
dụng một ống dẫn sóng truy nhập đầu vào với chiều rộng là W 1 = 0.3 µm với
chiều dài là L1 = 3.5 µm, ghép nối với một Microring có bán kính R = 2.57 µm,
chiều dài kết nối Lcl = 2.83 µm thông qua vùng ngăn cách giữa ống dẫn sóng
và Microring được kí hiệu là G 1 = 0.1 µm. Ở ống dẫn sóng đầu ra, khoảng cách
đối với Microring là G2 = 0.05 µm, chiều dài L1= 3.5 µm và chiều rộng W3 = 1.23
µm.

4.2.3. Đánh giá kết quả và thảo luận

Để đánh giá hiệu năng của thiết bị em sử dụng hai thông số suy hao chèn
(IL) và nhiễu xuyên kênh (CT), nó được định nghĩa như sau:

Suy hao chèn (IL – Insertion Loss): là sự suy giảm tín hiệu khi truyền từ
cổng đầu vào sang cổng đầu ra. Một bộ chuyển mạch chuyển hướng tín hiệu
quang theo một hướng hoặc một đường dẫn khác với sự suy hao thấp của ánh
sáng. Vì vậy, IL là một thông số rất quan trọng để kiểm tra và đánh giá bộ
chuyển mạch. Các thành phần bên trong của bộ chuyển mạch luôn làm giảm
 36

cường độ ánh sáng, vì sự hấp thụ, nhiễu xạ, phản xạ khuếch tán hoặc tán xạ.
Để có hiệu suất chuyển đổi tốt nhất, IL phải càng thấp càng tốt cho tất cả các
cổng đầu vào của bộ chuyển mạch. Công thức tính suy hao chèn như sau:

IL=10 log 10 ( Pr a mongmuốn

P vào ) (3.1)

Nhiễu xuyên kênh (CT – Crosstalk): là sự suy hao tín hiệu do ánh sáng rò
rỉ sang đầu ra không mong muốn. Nếu xét lý tưởng, khi bộ chuyển mạch hoạt
động, tất cả ánh sáng tới sẽ đi ra một đầu ra cụ thể mà không có ánh sáng nào
đi ra bất kỳ một cổng đầu ra nào khác. Do đó, ngoài việc đo IL cho cổng ra
được lựa chọn, ta phải đo tổn thất cho tất cả các cổng còn lại, để phát hiện ra
nếu ánh sáng rò rỉ sang kênh khác. Công thức tính nhiễu xuyên kênh như sau:

CT =10 log 10
( Prakhông mongmuốn

Pr a mong muốn
) (3.2)

Trong đó Pvào là công suất phát ở ngõ vào, Pr a mongmuốn là công suất đo được tại
đầu ra mong muốn nhận tín hiệu và Pr a khôngmong muốn là công suất ảnh hưởng lên các
ngõ ra không mong muốn.

Phương pháp mô phỏng EIM được sử dụng để đánh giá chỉ số công suất
chuyển đổi quang của thiết bị ghép/phân kênh phân chia mode. Em thực hiện
khảo sát các mode TE0 khi chúng được truyền vào thiết bị từ cổng đầu vào tới
cổng đầu ra.
 37

(a) (b) (c)

Hình 4.22. Mô phỏng FDTD của bộ ghép/phân kênh phân chia mode được thiết kế để đưa
mode 0 vào các ống dẫn sóng đầu vào ở bước sóng 1.55µm. (a) Sự hình thành mode 0 khi
mode 0 được phát vào đầu vào 1. (b) Sự hình thành mode 1 khi mode 0 được phát vào đầu vào
2. (c) Sự hình thành mode 2 khi mode 0 được phát vào đầu vào 3.

Kết quả mô phỏng ở hình 4.6 là sự ghép nối của hai bộ ghép và phân
kênh theo mode. Có thể thấy rằng, các mode bậc cao bị kích thích và hình
thành khi mode 0 được đưa lần lượt vào các cổng đầu vào 1, đầu vào 2, đầu
vào 3 ở bước sóng 1.55µm. Ở ống dẫn sóng đầu vào, ta chỉ phát được một
công suất quang 88%, nên hiệu suất đo tại các cổng đầu vào của bộ phân kênh
vì thế chỉ dưới 88%. Tại hình 4.6(a) khi cho mode 0 vào đầu vào 1 thì thu được
mode 0 tại đầu ra 1 với công suất 86%. Công suất 82% thu được tại đầu ra 2
khi phát mode 0 vào đầu vào 2 được chỉ ra ở hình 4.6(b). Tương tự ở đầu vào
3, khi mode 0 được phát vào cổng này thì thu được công suất 76% ở đầu ra 3
được minh họa ở hình 4.6(c).
 38

Hình 4.23. Suy hao chèn và nhiễu xuyên kênh khi phát tín hiệu ở bộ đầu tiên.

Hình 4.24. Suy hao chèn và nhiễu xuyên kênh khi phát tín hiệu ở bộ thứ hai.
 39

Hình 4.25. Suy hao chèn và nhiễu xuyên kênh khi phát tín hiệu ở bộ thứ ba.

Ba hình 4.7, 4.8 và 4.9 thể hiện suy hao chèn và nhiễu xuyên kênh của các
đáp ứng phổ của bộ ghép kênh mode được thiết kế bằng cách đưa các mode 0
vào các ống dẫn sóng đầu vào. Công suất quang được tính toán tại các cổng
đầu vào 1, đầu vào 2, đầu vào 3 của bộ phân kênh. Có thể thấy rằng thiết bị
được thiết kế tương thích với dải tần bước sóng của các mode nằm trong
khoảng từ 1.535 µm đến 1.56 µm tương ứng với băng C trong viễn thông, có
chỉ số suy hao chèn tốt nhất của các mode khác nhau lên tới -0.1 dB tương ứng
với hiệu suất chuyển đổi quang 86% ở bước sóng 1.55 µm của mode 0 phát từ
cổng thứ nhất, trong khi trường hợp xấu nhất là -2.6 dB tương ứng với hiệu
suất chuyển đổi quang 48% ở bước sóng 1.54 µm của mode 2 phát ở cổng thứ
ba. Cùng với đó là nhiễu xuyên kênh giữa 3 mode luôn dưới -12.5 dB trên toàn
bộ dải tần đã khảo sát. Ngoài ra, còn một vài nhược điểm như: Mode 1 không
hoạt động tốt ở bước sóng 1.535 µm, Mode 2 không hoạt động tốt trong vùng
bước sóng [1.535 đến 1.54 µm]

Nhưng quan trọng hơn hết là ở bước sóng 1.55 µm (một trong những
cửa số quang trong viễn thông), suy hao chèn của cả ba mode đạt hiệu suất
chuyển đổi quang lớn nhất tương ứng với hiệu suất chuyển đổi quang của ba
mode TE0, TE1, TE2 lần lượt là 86%, 82% và 76%, cùng với đó là nhiễu xuyên
kênh cũng thấp so hơn với những bước sóng còn lại.
 40

4.3. Kết luận chương

Trong chương này, em đã thiết kế một bộ ghép/phân kênh phân chia

mode với tổn thất do suy hao chèn của các mode khác nhau rất thấp băng
thông hoạt động trong băng C. Nó là một giải pháp rất hiệu quả để tăng công
suất trong hệ thống ghép kênh phân chia mode. Theo nguyên tắc tính toán chỉ
số hiệu quả EIM, mode 0 của ống dẫn sóng truy cập có thể kích thích một cách
rất tin cậy mode bậc cao của ống dẫn sóng đa mode ở đầu ra trong trường hợp
ghép kênh và một mode bậc cao trong ống dẫn sóng đa mode đầu ra có thể
thoát ra ngoài như là một mode 0 của ống dẫn sóng truy cập đầu vào. Bằng
cách sử dụng mô phỏng EIM, mức nhiễu xuyên âm cho bộ ghép/phân kênh
phân chia mode này nằm trong khoảng -12.5 dB đến -40 dB cho các kênh
ghép/phân kênh ở các mode khác nhau.
 41

KẾT LUẬN VÀ HƯỚNG PHÁT TRIỂN

Với nhu cầu đáp ứng dung lượng truyền dẫn trong tương lai, đồ án này
đã thiết kế một bộ ghép/phân kênh phân chia theo mode với 3 mode được hỗ
trợ. Thiết bị dựa vào sự giao thoa đa mode, cấu trúc vi cộng hưởng vòng và
phương pháp mô phỏng sai phân hữu hạn miền thời gian FDTD.

Bên cạnh đó, đồ án cũng đã trình bày về sự giao thoa đa mode MMI nơi
mà nó được ứng dụng rất nhiều để chế tạo các thiết bị khác như: chuyển mạch
Mach-Zehnder, các bộ điều chế, bộ chia/kết hợp công suất và các laser vòng.

Thiết bị đã thiết kế có suy hao chèn rất thấp -0.6 dB và nhiễu xuyên kênh
luôn bé hơn -18 dB cho tất cả 3 mode tại bước sóng 1.55 µm, cộng với đó là
kích thước nhỏ gọn, phù hợp với công nghệ chế tạo bán dẫn CMOS. Với
những ưu điểm đã nêu trên, nó sẽ là một thiết bị đầy tiềm năng trong công
nghệ ghép/phân kênh phân chia theo mode trên chip.

Ngoài những ưu điểm đã nêu trên thì thiết bị cũng có một số nhược điểm
cần phải khắc phục như: Mode 1 không hoạt động tốt ở bước sóng 1.535 µm,
mode 2 không hoạt động tốt trong vùng bước sóng [1.535 đến 1.54 µm]

Với những đề xuất này, hướng phát triển của đồ án đó là cải thiện băng
thông hoạt động của các mode không được hỗ trợ, mở rộng thêm vùng băng
thông và xây dựng một thiết bị ghép/phân kênh phân chia theo mode có thể
hỗ trợ nhiều mode hơn nữa, thực hiện kết hợp giữa bộ vi cộng hưởng vòng và
các thiết bị khác như cấu trúc chữ Y bất đối xứng hay khớp nối định hướng
không đối xứng trong tương lai.
 42

TÀI LIỆU THAM KHẢO

[1] N. S. Bergano, “Wavelength Division Multiplexing in Long-Haul

Transoceanic Transmission Systems,” J. Light. Technol., vol. 23, no. 12, pp.
4125–4139, 2005.
[2] N. K. Fontaine, “Devices and Components for Space-Division
Multiplexing in Few-Mode Fibers,” no. IL, p. OTh1B.3, 2013.
[3] T. Morioka, “Recent progress in space-division multiplexed transmission
technologies,” OFC/NFOEC Tech. Dig., p. OW4F.2, 2012.
[4] S. Randel et al, “6×56-Gb/s mode-division multiplexed transmission over
33-km few-mode fiber enabled by 6×6 MIMO equalization,” Opt. Express,
vol. 19, no. 17, pp. 16697–16707, 2011.
[5] M. Salsi et al, “Mode-division multiplexing of 2 × 100 Gb/s channels using
an LCOS-based spatial modulator,” J. Light. Technol., vol. 30, no. 4, pp.
618–623, 2012.
[6] S. Ten et al, “Mode-division multiplexed transmission with inline few-
mode fiber amplifier,” Opt. Express, vol. 20, no. 3, p. 2668, 2012.
[7] S. Berdague and P. Facq, “Mode division multiplexing in optical ´ fibers,”
Appl. Opt., vol. 21, no. 11, p. 1950, 2009.
[8] Y. Kawaguchi and K. Tsutsumi, “Mode multiplexing and
demultiplexing devices using multimode interference couplers,”
Electron. Lett. 38(25), 1701–1702, 2002.
[9] D. Dai, J. Wang, and Y. Shi, “Silicon mode (de)multiplexer enabling high
capacity photonic networks-on-chip with a single-wavelength-carrier
light,” Opt. Lett. 38(9), 1422–1424, 2013.
[10] M. Greenberg and M. Orenstein, “Multimode add-drop multiplexing by
adiabatic linearly tapered coupling,” Opt. Express 13(23), 9381–9387,
2005.
[11] Y. Ding, J. Xu, F. Da Ros, B. Huang, H. Ou, and C. Peucheret, “On-chip
two-mode division multiplexing using tapered directional coupler-based
mode multiplexer and demultiplexer,” Opt. Express 21(8), 10376–10382.,
2013.
[12] Lian-Wee Luo, Noam Ophir, Christine P. Chen, Lucas H. Gabrielli , Carl
B. Poitras , Keren Bergmen & Michal Lipson, “WDM-compatible mode-
 43

division multiplexing on a silicon chip’’, 2013.

[13] Ye Liu, “Design, simulation and experimental realization of waveguide-
coupled microring resonator”, 2002.
[14] T. Uematsu, Y. Ishizaka, Y. Kawaguchi, and K. Saitoh, “Design of a
Compact Two-Mode Multi/Demultiplexer Consisting of Multimode
Interference Waveguides and a Wavelength-Insensitive Phase Shifter for
Mode-Division Multiplexing Transmission,” J. Light. Technol., vol. 30,
no. 15, pp. 2421–2426, 2012.
[15] J. B. Driscoll, R. R. Grote, B. Souhan, J. I. Dadap, M. Lu, and R. M.
Osgood, “Asymmetric Y junctions in silicon waveguides for on-chip
mode-division multiplexing,” Opt. Lett., vol. 38, no. 11, p. 1854. 2013.
[16] Wim Bogaerts, Peter De Heyn, Thomas Van Vaerenbergh, Katrien De
Vos, Shankar Kumar Selvaraja, Tom Claes, Pieter Dumon, Peter
Bienstman, Dries Van Thourhout, and Roel Baets, “Silicon microring
resonators” Laser Photonics Rev. 6, No. 1, 47–73, 2012.
[17] B. E. Little, S. T. Chu, H. A. Haus, J. Foresi, and J.-P. Laine, “Microring
Resonator Channel Dropping Filters” JOURNAL OF LIGHTWAVE
TECHNOLOGY, VOL. 15, NO. 6, p.998, 1997.
[18] Jianxun Hong, Feng Qiu, Xiaoyang Cheng, Andrew M. Spring &
Shiyoshi Yokoyama, “A high-speed electro-optic triplemicroring
resonator modulator”Scientific Reports, 7(1), 2017.
[19] Xiong, Meng Lei, Lei; Ding, Yunhong Huang, Bo Ou, Haiyan; Peucheret,
Christophe; Zhang, Xinliang, “All-optical 10 Gb/s AND logic gate in a
silicon microring resonator” Optics Express, 21(22), 25772-25779, 2013.
[20] Rakshit, J. K., Roy, J. N., & Chattopadhyay, “All-optical XOR/XNOR logic
gate using micro-ring resonators” 5th International Conference on
Computers and Devices for Communication (CODEC), 2012.
[21] Chris Fietz, Gennady Shvets, "Simultaneous fast and slow light in
microring resonators" OPTICS LETTERS, Vol. 32, No. 24, 2007.