BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO BỘ QUỐC PHÒNG

HỌC VIỆN KỸ THUẬT QUÂN SỰ

-----------------
NGUYỄN TRẦN HÀ

NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO VẬT LIỆU NANO

SỬ DỤNG CHO TẤM PHỦ ĐA LỚP HẤP
THỤ SÓNG RADAR BĂNG X

LUẬN ÁN TIẾN SỸ KỸ THUẬT

HÀ NỘI - 2016
 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO BỘ QUỐC PHÒNG
HỌC VIỆN KỸ THUẬT QUÂN SỰ
--------------------
NGUYỄN TRẦN HÀ

NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO VẬT LIỆU NANO

SỬ DỤNG CHO TẤM PHỦ ĐA LỚP HẤP
THỤ SÓNG RADAR BĂNG X

LUẬN ÁN TIẾN SỸ KỸ THUẬT

Chuyên ngành : KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ
Mã số : 62 52 02 03

NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC:

PGS-TS ĐỖ QUỐC HÙNG
TS PHAN NHẬT GIANG

HÀ NỘI - 2016
 LỜI CAM ĐOAN

Tôi xin cam đoan các kết quả trình bày trong luận án là công trình
nghiên cứu của tôi dưới sự hướng dẫn của các cán bộ hướng dẫn. Các số liệu,
kết quả trình bày trong luận án là hoàn toàn trung thực và chưa được công bố
trong bất kỳ công trình nào trước đây. Các kết quả sử dụng tham khảo đều đã
được trích đầy đủ và theo đúng quy định.

Hà Nội, ngày 20 tháng 10 năm 2016

Tác giả

Nguyễn Trần Hà
 LỜI CẢM ƠN

Trong quá trình nghiên cứu và hoàn thành luận án này, tác giả đã nhận
được nhiều sự giúp đỡ và đóng góp quý báu.
Lời đầu tiên, tác giả xin bày tỏ lòng cảm ơn tới các thầy PGS.TS. Đỗ Quốc
Hùng và TS. Phan Nhật Giang đã tận tình hướng dẫn và giúp đỡ tác giả trong
quá trình nghiên cứu.
Tác giả xin chân thành cảm ơn Phòng Sau đại học, Khoa Vô tuyến điện tử
- Học viện Kỹ thuật Quân sự đã tạo điều kiện thuận lợi để tác giả hoàn thành
nhiệm vụ. Tác giả cũng xin cảm ơn Bộ môn Vật lý - Học viện Kỹ thuật Quân
sự, đã tạo điều kiện cho phép tác giả có thể tham gia nghiên cứu trong các năm
làm nghiên cứu sinh.
Nhân dịp này tác giả xin dành những tình cảm sâu sắc nhất tới những
người thân trong gia đình: Bố, Mẹ, anh, chị, em đã chia sẻ những khó khăn,
thông cảm và động viên, hỗ trợ trong quá trình học tập.
Cuối cùng tác giả xin dành những tình cảm đặc biệt và biết ơn của mình
tới vợ và con trai, bằng tình yêu, sự cảm thông, quan tâm và chia sẻ, đã cho tiếp
thêm nghị lực, tạo động lực cho tôi thực hiện thành công luận án.
 i

MỤC LỤC

DANH MỤC CÁC TỪ VIẾT TẮT ............................................................... iii

DANH MỤC CÁC BẢNG .............................................................................. v
DANH MỤC HÌNH VẼ ................................................................................. vi
DANH MỤC KÝ HIỆU TOÁN HỌC .......................................................... xi
MỞ ĐẦU .......................................................................................................... 1
Chương 1: TỔNG QUAN VỀ VẬT LIỆU HẤP THỤ SÓNG ĐIỆN TỪ .. 9
1.1. Tổng quan về sóng điện từ...................................................................... 9
1.2. Cơ chế hấp thụ sóng radar .................................................................... 13
1.3. Tán xạ và phản xạ sóng radar trên bề mặt vật liệu ............................... 19
1.4. Cấu trúc vật liệu hấp thụ sóng radar ..................................................... 21
1.5. Vật liệu Nano và khả năng hấp thụ sóng điện từ .................................. 36
1.6. Kết luận chương 1 ................................................................................. 38
Chương 2: CHẾ TẠO VÀ NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT VẬT LÝ CỦA
VẬT LIỆU NANO ......................................................................................... 40
2.1. Một số phương pháp chế tạo vật liệu nano ........................................... 40
2.2. Phương pháp phun sương đồng kết tủa ................................................ 42
2.3. Công nghệ chế tạo vật liệu nano Zn0.5Ni0.5Fe2O4 ................................. 44
2.4. Công nghệ chế tạo vật liệu nano Zn0.5Mn0.5Fe2O4................................ 47
2.5. Chế tạo một số vật liệu nano từ tính khác ............................................ 50
2.6. Công nghệ chế tạo vật liệu nano C ....................................................... 55
2.7. Kết luận chương 2 ................................................................................. 61
 ii

Chương 3: ĐO CÁC THÔNG SỐ ĐIỆN TỪ VÀ XÂY DỰNG NGÂN

HÀNG DỮ LIỆU VẬT LIỆU....................................................................... 62
3.1. Giới thiệu .............................................................................................. 62
3.2. Phương pháp không gian tự do. ............................................................ 65
3.3. Phương pháp đường truyền .................................................................. 71
3.4. Kết quả nghiên cứu ............................................................................... 87
3.5. Kết luận chương 3 ................................................................................. 97
Chương 4: TÍNH TOÁN MÔ PHỎNG VÀ CHẾ THỬ TẤM PHỦ ĐA
LỚP HẤP THỤ SÓNG RADAR BĂNG X ................................................. 99
4.1. Giới thiệu .............................................................................................. 99
4.2. Thuật toán di truyền. ........................................................................... 100
4.3. Sự truyền sóng điện từ qua môi trường phân lớp ............................... 103
4.4. Mô phỏng tấm phủ đa lớp hấp thụ sóng radar băng X ....................... 111
4.5. Kết quả tính toán ................................................................................. 117
4.6. Thử nghiệm chế tạo tấm phủ đa lớp ................................................... 122
4.7. Kết luận chương 4 ............................................................................... 129
KẾT LUẬN .................................................................................................. 130
DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH ĐÃ CÔNG BỐ ................................. 132
PHỤ LỤC ..................................................................................................... 134
TÀI LIỆU THAM KHẢO .......................................................................... 135
 iii

DANH MỤC CÁC TỪ VIẾT TẮT

Từ viết tắt Nghĩa tiếng Anh Nghĩa Tiếng Việt

AR Anechoic Room Phòng khử vọng (phòng câm)
CGM Conjugate Gradient Methods Phương pháp gradient liên hợp
CP Coaxial Probe Đầu dò đồng trục
DARAM Dynamic Adaptive Radar Vật liệu hấp thụ sóng radar tự
Absorbing Materials ứng biến
DL Dielectrics Losses Tổn hao điện
FDTD Finite Difference Time Phương pháp sai phân hữu hạn
Domain miền thời gian
EM Electromagnetic Điện từ
FSM Free Space Method Phương pháp không gian tự do
GA Genetic Algorithm Thuật toán di truyền
ML Magnetic Losses Tổn hao từ
MoM Method of Moments Phương pháp ước lượng
mômen
PP Parallel Plate Bản cực song song
RAM Radar Absorbent Materials Vật liệu hấp thụ sóng điện từ
RB Radar Bistatic Radar song địa tĩnh
RC Resonant Cavity Hộp cộng hưởng
SA Simulated Annealing Ủ nhiệt mô phỏng
SC Short Circuit Ngắn mạch
SCS Scattering Cross-Section Tiết diện tán xạ
SEM Scanning Electron Ảnh hiển vi điện tử quét
Microscopy
 iv

TDG Time Domain Gating Ngưỡng miền thời gian

TEM Transmission Electron Ảnh hiển vi điện tử truyền qua
Microscopy
TLM Transmission Line Method Phương pháp đường truyền
VSM Vibrating Sample Từ kế mẫu rung
Magnetometer
VSWR Voltage Standing Wave Ratio Tỷ số điện áp sóng dừng
XRD X-ray Diffraction Nhiễu xạ tia X
 v

DANH MỤC CÁC BẢNG

Bảng 3.1: Hệ số điện môi và độ từ thẩm của các mẫu RAM chứa nano
Mn0.5Zn0.5Fe2O4 với tỷ phần 60% ................................................................... 88
Bảng 4.1: Các thông số tối ưu hóa của ba cấu hình CH1, CH2, CH3 ……121
Bảng 4.2: Các thông số tối ưu hóa của mẫu tấm phủ M1 …………………123
Bảng 4.3: Các thông số tối ưu hóa của mẫu tấm phủ M2 …………………125
Bảng 4.4. Các thông số tối ưu hóa của mẫu tấm phủ M3 …………………126
Bảng 4.5: Các thông số tối ưu hóa của mẫu tấm phủ M4 …………………127
Bảng 4.6: Các thông số tối ưu hóa của mẫu tấm phủ M5 …………………128
 vi

DANH MỤC HÌNH VẼ

Hình 1.1: Sóng phản xạ và truyền qua tại biên của hai môi trường............... 11
Hình 1.2: Hằng số điện môi phụ thuộc tần số [87]. ....................................... 14
Hình 1.3: Cấu trúc triệt tiêu năng lượng sóng. ............................................... 22
Hình 1.4: Cấu trúc của màn chắn Salisbury [24] ........................................... 24
Hình 1.5: Cấu trúc của lớp hấp thụ Dallenbach ............................................. 25
Hình 1.6: Cấu trúc vật liệu hấp thụ radar tự thích nghi (DARAM) ............... 27
Hình 1.7: Cấu trúc vật liệu hấp thụ đa lớp ..................................................... 32
Hình 1.8: So sánh hiệu suất và băng thông hấp thụ vật liệu hấp thụ đa lớp [24].
......................................................................................................................... 32
Hình 1.9: Cấu trúc siêu vật liệu ...................................................................... 35
Hình 2.1: Sơ đồ hệ phun sương đồng kết tủa. ................................................ 43
Hình 2.2: Thiết bị thủy nhiệt. ......................................................................... 43
Hình 2.3: Sơ đồ các bước chế tạo vật liệu nano Ni0.5Zn0.5Ni0.5Fe2O4. ........... 44
Hình 2.4: Ảnh SEM (a) và TEM (b) của vật liệu nano Ni0.5Zn0.5Fe2O4 ........ 45
Hình 2.5: Giản đồ nhiễu xạ Rơnghen của vật liệu nano Ni0,5Zn0,5Fe2O4. ...... 46
Hình 2.6: Chu trình từ trễ của nano Ni 0.5Zn0.5Fe2O4 trong từ trường nhỏ (a)
và từ trường lớn (b) ....................................................................................... 46
Hình 2.7: Sơ đồ các bước chế tạo vật liệu nano Mn0.5Zn0.5Fe2O4. ................. 47
Hình 2.8: Ảnh SEM của vật liệu nano Mn0.5Zn0.5Fe2O4 ................................ 48
Hình 2.9: Giản đồ nhiễu xạ Rơnghen của vật liệu nano Mn0.5Zn0.5Fe2O4. .... 49
Hình 2.10: Chu trình từ hóa của vật liệu Mn0.5Zn0.5Fe2O4 trong vùng từ trường
từ hóa nhỏ (a) và trong vùng từ trường từ hóa lớn (b). ................................... 50
 vii

Hình 2.11: Sơ đồ các bước chế tạo vật liệu nano BaCo ferrite. ..................... 51
Hình 2.12: Phổ nhiễu xạ Rơnghen của vật liệu nano BaCo ferrite chế tạo được. 51
Hình 2.13: Ảnh TEM của vật liệu nano BaCo ferrite chế tạo được với độ phóng
đại khác nhau. .................................................................................................. 52
Hình 2.14: Chu trình từ trễ của vật liệu nano BaCo ferrite ............................ 52
Hình 2.15: Sơ đồ các bước chế tạo vật liệu nano multiferroic. ..................... 53
Hình 2.16: Phổ nhiễu xạ Rơnghen của vật liệu multiferroic CoFe2O4 - BiFeO3
(BCFO) ............................................................................................................ 54
Hình 2.17: Ảnh TEM của vật liệu multiferroic CoFe2O4 - BiFeO3 (BCFO) với
độ phóng đại khác nhau................................................................................... 54
Hình 2.18: Chu trình từ trễ của vật liệu multiferroic CoFe2O4 - BiFeO3....... 55
Hình 2.19: Thiết bị lò khuếch tán Samostel ................................................ 56
Hình 2.20: Phổ nhiễu xạ Rơnghen của vật liệu nano cácbon ........................ 56
Hình 2.21: Ảnh TEM của vật liệu nano C ở điều kiện thời gian phân hủy ngắn . 57
Hình 2.22: Ảnh TEM của các quả cầu cácbon. .................................................. 57
Hình 2.23: Ảnh SEM của vật liệu nano cácbon ............................................. 58
Hình 2.24: Ảnh SEM phân giải cao của các quả cầu cácbon. ....................... 58
Hình 2.25: Ảnh TEM quả cầu cácbon tan trong dung môi. ........................... 59
Hình 2.26: Ảnh SEM của vật liệu nano cácbon sau khi xử lý. ...................... 60
Hình 2.27: Đường cong từ trễ của vật liệu nano cácbon chế tạo được. ......... 60
Hình 3.1: Một số kỹ thuật cơ bản đánh giá thông số điện từ của vật liệu...... 63
Hình 3.2: Hệ thống dùng cho phương pháp “Vòm NRL” ............................. 66
Hình 3.3: Sơ đồ khối (a) và hình ảnh thực tế (b) hệ thống thiết bị của phương
pháp Đo lường không gian tự do .................................................................... 68
 viii

Hình 3.4: Phổ đường sức điện trường và đường sức từ trường ..................... 72
Hình 3.5: Sóng lan truyền trong ống dẫn sóng theo đường zigza g ............... 73
Hình 3.6: Cấu trúc trường trong ống dẫn sóng hình chữ nhật ....................... 74
Hình 3.7: Các mẫu kiểm tra cho các đường truyền đồng trục và các ống dẫn
sóng hình chữ nhật .......................................................................................... 77
Hình 3.8: Hệ thống đường truyền để bàn đơn giản ........................................ 78
Hình 3.9: Hai sóng truyền theo hướng ngược nhau tạo thành một sóng dừng
với chu kỳ bằng λ/2 ......................................................................................... 79
Hình 3.10: Mô tả sơ đồ thiết lập phép đo ....................................................... 81
Hình 3.11: Bốn tham số phức đặc trưng cho biểu diễn ma trận tán xạ của các
mạng hai cổng. ................................................................................................ 82
Hình 3.12: Ba tín hiệu trong hệ thống đo kiểm tra: sóng tới, sóng phản xạ và
sóng truyền qua. .............................................................................................. 83
Hình 3.13: Bộ kiểm tra tham số S chứa các bộ ghép có hướng và các mạng
chuyển mạch trong quá trình đo tán xạ. .......................................................... 84
Hình 3.14: Sơ đồ hệ đo bằng phương pháp đường truyền ............................. 87
Hình 3.15: Hệ số điện môi (a) và độ từ thẩm (b) của mẫu RAM chứa 60%
Mn0.5Zn0.5Fe2O4 ............................................................................................... 88
Hình 3.16: Tổn hao điện từ (a) và hệ số phản xạ (b) của mẫu RAM chứa 60%
Mn0.5Zn0.5Fe2O4 ............................................................................................... 91
Hình 3.17: Phần thực (a) và phần ảo (b) hệ số điện môi của mẫu RAM chứa
Mn0.5Zn0.5Fe2O4 với các tỷ phần khác nhau .................................................... 92
Hình 3.18: Phần thực (a) và phần ảo (b) độ từ thẩm của mẫu RAM chứa
Mn0.5Zn0.5Fe2O4 với các tỷ phần khác nhau .................................................... 92
 ix

Hình 3.19: Phần thực (a) và phần ảo (b) hệ số điện môi của mẫu RAM chứa
Ni0.5Zn0.5Fe2O4 với các tỷ phần khác nhau...................................................... 93
Hình 3.20: Phần thực (a) và phần ảo (b) độ từ thẩm của mẫu RAM chứa
Ni0.5Zn0.5Fe2O4 với các tỷ phần khác nhau...................................................... 93
Hình 3.21: Phần thực (a) và phần ảo (b) hệ số điện môi của mẫu RAM chứa
multiferroic với các tỷ phần khác nhau ........................................................... 94
Hình 3.22: Phần thực (a) và phần ảo (b) độ từ thẩm của mẫu RAM chứa
multiferroic với các tỷ phần khác nhau ........................................................... 94
Hình 3.23: Phần thực (a) và phần ảo (b) hệ số điện môi của mẫu RAM chứa
bari coban ferrite với các tỷ phần khác nhau .................................................. 95
Hình 3.24: Phần thực (a) và phần ảo (b) độ từ thẩm của mẫu RAM chứa bari
coban ferrite với các tỷ phần khác nhau.......................................................... 96
Hình 3.25: Phần thực (a) và phần ảo (b) hệ số điện môi của mẫu RAM chứa
nano cácbon với các tỷ phần khác nhau .......................................................... 96
Hình 3.26: Phần thực (a) và phần ảo (b) độ từ thẩm của mẫu RAM chứa nano
cácbon với các tỷ phần khác nhau................................................................... 97
Hình 4.1: Cấu trúc môi trường phân lớp ...................................................... 104
Hình 4.2: Sơ đồ tính các hệ số phản xạ ........................................................ 108
Hình 4.3: Sự phụ thuộc của hệ số phản xạ vào góc quan sát đối với môi trường
nửa không gian với  = 3,2(1+0,1i)0 và f = 1GHz ....................................... 109
Hình 4.4: Sự phụ thuộc của hệ số phản xạ vào góc quan sát đối với môi trường
hai lớp với 1 = 3,2(1+0,1i)0, 2 = 800 và tần số f = 1GHz ........................ 110
Hình 4.5: Sự phụ thuộc của hệ số phản xạ đối với môi trường hai lớp ....... 110
Hình 4.6: Mô hình tấm phủ đa lớp ............................................................... 112
 x

Hình 4.7: Lưu đồ thuật toán GA tối ưu hóa tấm phủ đa lớp ........................ 115
Hình 4.8: Phụ thuộc hệ số phản xạ theo số lớp ứng với góc tới 0 độ .......... 119
Hình 4.9: Hệ số phản xạ phụ thuộc tần số ứng với các góc tới khác nhau .. 119
Hình 4.10: Hệ số phản xạ phụ thuộc tần số ứng với các góc tới θ = 00 và các
cấu hình khác nhau ........................................................................................ 121
Hình 4.11: Hình ảnh của các mẫu tấm phủ đa lớp thực nghiệm .................. 123
Hình 4.12: Kết quả đánh giá hệ số phản xạ mẫu tấm phủ đa lớp M1 .......... 124
Hình 4.13: Kết quả đánh giá hệ số phản xạ mẫu tấm phủ đa lớp M2 .......... 124
Hình 4.14: Kết quả đánh giá hệ số phản xạ mẫu tấm phủ đa lớp M3 .......... 126
Hình 4.15: Kết quả đánh giá hệ số phản xạ mẫu tấm phủ đa lớp M4 .......... 127
Hình 4.16: Kết quả đánh giá hệ số phản xạ mẫu tấm phủ đa lớp M5 .......... 128
 xi

DANH MỤC KÝ HIỆU TOÁN HỌC

Ký hiệu Ý nghĩa

r Hệ số điện môi tỷ đối

' Phần thực hệ số điện môi
'' Phần ảo hệ số điện môi

r Độ từ thẩm tỷ đối
' Phần thực độ từ thẩm
'' Phần ảo độ từ thẩm

E Vector cường độ điện trường

D Vector cảm ứng điện

B Vector cảm ứng từ

H Vector cường độ từ trường

α Hệ số tắt dần
β Hệ số pha
γ Hệ số lan truyền
tanδe Tổn hao điện
tanδm Tổn hao từ
R Hệ số phản xạ
T Hệ số truyền qua
A Hệ số hấp thụ
Z Trở kháng
k Số sóng
S11 Ma trận phản xạ
 xii

S21 Ma trận truyền qua

RTE Hệ số phản xạ của điện trường ngang
RTM Hệ số phản xạ của từ trường ngang
 1

MỞ ĐẦU

Nghiên cứu về các cuộc chiến tranh công nghệ cao xảy ra trên thế
giới trong những năm gần đây cho thấy, bên cạnh việc sử dụng các vũ khí
có uy lực sát thương mạnh, các cường quốc quân sự không ngừng phát
triển và ứng dụng trên chiến trường các phương tiện trinh sát chỉ thị mục
tiêu hiện đại sử dụng các dải sóng điện từ khác nhau kết hợp với việc sử
dụng các kỹ thuật điều khiển chính xác tiên tiến, đảm bảo khả năng bắn
trúng và tiêu diệt mục tiêu trong mọi điều kiện thời tiết, ban ngày cũng
như ban đêm. Để chống lại các phương tiện trinh sát chỉ thị mục tiêu công
nghệ cao và các vũ khí điều khiển chính xác, giới nghiên cứu trong lĩnh
vực khoa học - kỹ thuật quân sự các nước đã và đang tích cực phát triển
các công nghệ mới để vô hiệu hóa các thiết bị vũ khí công nghệ cao nói
trên, trong đó, đáng chú ý là các kỹ thuật, phương pháp liên quan tới công
nghệ “tàng hình”.
Cùng với sự phát triển của khoa học kỹ thuật, các giải pháp “tàng
hình” mới không ngừng xuất hiện. Các cường quốc quân sự trên thế giới
như Nga, Mỹ, Anh, Đức, Ixraen... tập trung nguồn lực nghiên cứu về công
nghệ “tàng hình” và đã đạt được những thành tựu mang tính đột phá. Công
nghệ “tàng hình” đã được ứng dụng vào rất nhiều loại vũ khí trang bị như:
máy bay, tên lửa, tàu chiến, xe tăng... Nhiều thành tựu nghiên cứu đã được
đưa vào sản xuất, nhiều vũ khí trang bị sử dụng công nghệ “tàng hình” đã
và đang dần được quân đội các nước đưa vào trang bị; điển hình là các
loại máy bay “tàng hình” như máy bay ném bom chiến lược B-2, máy bay
F-117, F-22 của Mỹ, máy bay SU 35, Mig 35 của Nga, tàu “tàng hình” lớp
La Fayette của Pháp [42, 101, 116, 117]...Tuy nhiên, việc nghiên cứu
nhằm tìm ra các giải pháp mới cũng như cải tiến các giải pháp đã áp dụng
 2

nhằm nâng cao hiệu quả ngụy trang thiết bị khí tài luôn là chủ đề được các
nhà khoa học quan tâm nghiên cứu.
Trong dải sóng radar, “công nghệ tàng hình” bao gồm những giải
pháp tổng hợp nhằm giảm thiểu tiết diện tán xạ (SCS) đối với sóng radar
của các mục tiêu. Đối với các phương tiện chiến đấu, để đạt được hiệu quả
“tàng hình”, người ta sử dụng hai giải pháp. Một là, tối ưu về mặt thiết kế
và kết cấu dựa trên những kết quả tính toán của lý thuyết nhiễu xạ sóng
điện từ. Hai là, sử dụng vật liệu hấp thụ sóng điện từ (RAM). Đối với giải
pháp thứ nhất, những thay đổi của các đối tượng thường bị giới hạn bởi
các nguyên tắc khí động học nhất định [5], và khả năng phát hiện từ radar
song địa tĩnh do đó có thể tăng lên [36, 98]. Các trang thiết bị khí tài quân
sự thế hệ mới thường sử dụng cả hai giải pháp; đối với các thiết bị khí tài
thế hệ cũ giải pháp sử dụng vật liệu hấp thụ sóng điện từ là giải pháp duy
nhất và mang tính sống còn.
Công nghệ nano ra đời mở ra một hướng phát triển vũ khí tàng hình
thông minh trong tương lai. Vi hạt nano có kích thước nhỏ hơn nhiều so
với bước sóng hồng ngoại và sóng radar nên tính truyền sóng qua và tỷ lệ
hấp thụ sóng điện từ lớn hơn nhiều so với các loại vật liệu thông thường,
đặc biệt nó có đặc tính tổn hao từ lớn, nên có thể làm vật liệu tàng hình.
Bên cạnh đó vi hạt nano có tính hấp thụ sóng tốt trong phạm vi phổ tần
khá rộng, nên được dùng làm vật liệu tàng hình tổng hợp với kênh phổ
rộng dùng cho cả sóng hồng ngoại và radar. Vật liệu nano còn có tính hấp
thụ sóng rất mạnh, hoạt tính cao và dễ phân tán, nên rất dễ tạo thành lớp
phủ tàng hình nhẹ, siêu mỏng. Trong khi các tấm phủ đơn lớp làm từ
composite chứa vật liệu nano đã chứng tỏ được khả năng hấp thụ sóng
điện từ [47], thì các tấm phủ chế tạo từ vật liệu composite có chứa cả vật
 3

liệu nano từ tính và vật liệu điện môi cho thấy khả năng hấp thụ tốt hơn
nhiều khi chỉ có một thành phần vật liệu [19, 113].
Mặt khác, tấm phủ đa lớp lại chứng tỏ hấp thụ tốt trên một dải tần
rộng hơn các tấm phủ đơn lớp [15, 32]. Kỹ thuật này dựa trên sự sắp xếp
của các lớp vật liệu điện môi hoặc vật liệu từ theo một trật tự nhất định.
Sự phụ thuộc của của hệ số phản xạ theo tần số cho phép đánh giá khả
năng hấp thụ sóng radar của RAM [70]. Có thể phân loại sự phụ thuộc tần
số của RAM thành hai loại: băng thông hẹp và băng thông rộng. RAM
băng thông hẹp có hiệu năng hấp thụ tới 25 - 30 dB tại một tần số hoặc
một dải tần khá hẹp [110], trong khi đó RAM băng thông rộng cho phép
hấp thụ sóng ra đa trên toàn bộ dải tần và hiệu năng hấp thụ thấp hơn từ
10 - 20 dB [28]. Các tác giả [15, 32] đã chế tạo được RAM băng tần rộng
có khả năng hấp thụ dưới -10 dB, tuy nhiên các tấm phủ đa lớp chỉ dừng
lại ở việc lựa chọn hai lớp từ vật liệu chế tạo được theo một mô tuýp được
định sẵn để đánh giá kết quả.
Cuối cùng, mô hình tương tác giữa sóng radar với các tấm phủ thực
ra là khá rõ ràng. Điều đó cho phép dựng được mô hình vật lý của tấm phủ
và dựa trên mô hình đó tiến hành tính toán, mô phỏng trên máy tính các
quá trình tương tác của sóng radar với tấm phủ. Trên cơ sở các kết quả
tính toán có thể đưa ra các giải pháp tối ưu về cấu trúc của lớp phủ hấp thụ
sóng radar đối với dải tần cần quan tâm. Việc mô phỏng các tấm phủ hấp
thụ sóng radar sẽ là chỉ dẫn lý thuyết các tìm tòi thực nghiệm và giúp giảm
chi phí về thời gian cũng như vật chất nhằm đạt một mục đích thực nghiệm
đã định trước. Chính vì vậy, hướng nghiên cứu về cấu trúc đa lớp hấp thụ
sóng radar được các nhóm nghiên cứu đặc biệt quan tâm bởi hiệu suất và
băng thông hấp thụ. Có rất nhiều công bố cả về phương diện tính toán mô
 4

phỏng [33, 58, 77, 95, 115] cũng như nghiên cứu thực nghiệm [29, 38, 78,
96].
Bằng các thuật toán tối ưu hóa khác nhau, các nhóm nghiên cứu đã
tiến hành tính toán mô phỏng cấu trúc đa lớp nhằm đưa ra một cấu hình
tối ưu. Bogaert và các cộng sự đã sử dụng kỹ thuật tối ưu hóa ủ nhiệt mô
phỏng với một một ngân hàng dữ liệu vật liệu có sẵn để tìm ra cấu trúc tối
ưu về loại vật liệu và độ dày cho mỗi lớp [33]. Tuy nhiên, kết quả mô
phỏng cho thấy giá trị hệ số phản xạ đạt cực tiểu trong vùng tần số 4-6
GHz và 14-16 GHz, trong vùng băng tần X giá trị hệ số phản xạ lại đạt
cực đại. Trong công trình [95] Goudos sử dụng thuật toán tiến hóa vi phân
tự thích nghi để tính toán mô phỏng cấu trúc đa lớp. Chương trình cho
phép đề xuất các cấu hình tối ưu về loại vật liệu và độ dày mỗi lớp, đánh
giá sự phụ thuộc hệ số phản xạ theo tần số với những góc tới khác nhau.
Tuy nhiên, chương trình chỉ sử dụng ngân hàng dữ liệu vật liệu gồm các
loại vật liệu giả định với tham số điện từ là các hàm liên tục. Trong các
công trình [58, 59, 61, 77, 115] các tác giả sử dụng thuật giải di truyền
thực hiện tính toán mô phỏng cấu trúc đa lớp. Trong số đó các tác giả [59,
61, 77] sử dụng ngân hàng dữ liệu vật liệu là các vật liệu giả định với tham
số điện từ là các hàm liên tục. Các tác giả [58, 115] sử dụng dữ liệu đầu
vào là các vật liệu có khả năng hấp thụ sóng radar chế tạo thực tế. Tuy
nhiên ngân hàng dữ liệu rất hạn chế, chỉ dừng lại ở 4 loại vật liệu, hơn nữa
cấu hình tối ưu chỉ gồm hai lớp và thực hiện tối ưu hóa theo độ dày.
Thời gian gần đây, một số nhóm nghiên cứu tại các cơ sở nghiên cứu
trong và ngoài quân đội cũng đã quan tâm và giành nhiều tâm huyết cho
lĩnh vực vật liệu hấp thụ sóng điện từ. Trong công trình [2], GS Nguyễn
Việt Bắc và các cộng sự đã nghiên cứu chế tạo thành công vật liệu pigment
từ cho hệ sơn hấp thụ sóng điện từ.
 5

PGS. TS. Vũ Đình Lãm và các cộng sự đã tiến hành nghiên cứu về
hiện tượng hấp thụ sóng vi ba của các siêu vật liệu (metamaterials), các
kết quả nghiên cứu đã được đăng tải trên các tạp chí khoa học uy tín hàng
đầu thế giới [54, 55, 56]. Tuy nhiên, mỗi nhóm nghiên cứu định hướng
theo những mục đích khác nhau và kết quả nghiên cứu có thể áp dụng vào
từng bài toán cụ thể.
Xuất phát từ tính chất thời sự, những phân tích đã nêu ở trên cũng
như khả năng ứng dụng hiệu quả của vật liệu đa lớp hấp thụ sóng radar
trong lĩnh vực quân sự và dân sự, nghiên cứu sinh nhận thấy một số vấn
đề có thể tập trung nghiên cứu như sau:
 Nghiên cứu tổng thể mang tính hệ thống từ lý thuyết, tính toán mô
phỏng đến thực nghiệm về tấm phủ đa lớp hấp thụ sóng radar băng X.
 Cần thiết xây dựng một ngân hàng dữ liệu vật liệu có thực, mỗi
loại vật liệu có tham số điện, từ riêng và chứng tỏ được khả năng hấp thụ
đối với sóng radar băng X.
 Sử dụng thuật toán tối ưu để xây dựng một chương trình tính toán
mô phỏng tấm phủ trên cơ sở ngân hàng dữ liệu vật liệu có thực nhằm
định hướng về mặt công nghệ cho quá trình nghiên cứu thực nghiệm và
sản xuất thực tế.
 Nghiên cứu chế thử một số mẫu tấm phủ, đo đạc đánh giá bằng
phương pháp hiện đại có độ tin cậy cao để kiểm chứng kết quả tính toán
mô phỏng đồng thời bước đầu hình thành công nghệ chế tạo.

Mục đích nghiên cứu:

 Xây dựng được một nền tảng lý thuyết căn bản và vững chắc phục
vụ cho việc nghiên cứu thực nghiệm.
 Nắm vững công nghệ chế tạo và đánh giá thông số điện từ của vật
liệu nano.
 6

 Xây dựng chương trình mô phỏng trên nền tảng ngôn ngữ lập trình
Matlab sử dụng thuật giải di truyền (GA) nhằm đưa ra những giải pháp về
mặt công nghệ và lựa chọn giải pháp tối ưu định hướng cho việc chế tạo
tấm phủ đa lớp hấp thụ sóng radar băng X.
 Nghiên cứu chế tạo được tấm phủ ở cấp độ phòng thí nghiệm.
 Nắm chắc các phương pháp đo hiện đại trên các thiết bị đo tiên
tiến nhằm đánh giá được các hiệu ứng của sóng radar băng X trên tấm phủ,
đặc biệt về khả năng hấp thụ của vật liệu đối với loại sóng này.

Nhiệm vụ nghiên cứu

 Nghiên cứu lý thuyết về vật liệu hấp thụ sóng điện từ.
 Nghiên cứu phương pháp phun sương đồng kết tủa để chế tạo vật
liệu nano từ và phương pháp phân hủy khí thiên nhiên trong môi trường
khí trơ để chế tạo vật liệu nano cácbon; đánh giá kích thước, một số tính
chất vật lý của chúng.
 Nghiên cứu về phương pháp đo hệ số điện môi và độ từ thẩm của
vật liệu.
 Nghiên cứu sử dụng thuật giải di truyền để tính toán tối ưu hóa
tấm phủ đa lớp.
 Nghiên cứu chế thử mẫu tấm phủ và đánh giá khả năng hấp thụ
của chúng đối với sóng radar băng tần X.

Đối tượng nghiên cứu

 Nghiên cứu về vật liệu nano gồm một số vật liệu từ và vật liệu
nano cácbon.
 Nghiên cứu vật liệu composite trên nền các vật liệu nano.
 Nghiên cứu tấm phủ hấp thụ sóng điện từ đa lớp.
 7

Phương pháp nghiên cứu

Phương pháp nghiên cứu sử dụng trong luận án là kết hợp nghiên cứu
lý thuyết, tính toán mô phỏng và thực nghiệm. Mô phỏng tối ưu tấm phủ
đa lớp bằng ngôn ngữ Matlab ứng dụng thuật giải di truyền. Sử dụng kỹ
thuật không gian tự do và kỹ thuật đường truyền để đo các thông số điện
từ, khả năng hấp thụ sóng radar băng X của tấm phủ.
Ý nghĩa khoa học và thực tiễn
Đề tài đã đạt được các kết quả nghiên cứu và đóng góp chính sau đây:
 Đã khai thác thành công một phương pháp hiện đại - phương pháp
đường truyền sử dụng đo các thông số điện từ và đánh giá khả năng hấp
thụ sóng radar băng X của vật liệu.
 Đã vận dụng thuật giải di truyền trong thiết kế điện từ, mở ra một
hướng nghiên cứu vật liệu RAM đa lớp không chỉ đối với sóng radar băng
X mà còn các dải sóng tần số khác.
 Chương trình mô phỏng đề xuất trong luận án không chỉ giúp cho
việc tính toán lý thuyết hiệu quả mà còn định hướng rất tốt cho quá trình
nghiên cứu thực nghiệm và chế tạo thực tế.

Bố cục luận án
Luận án được chia thành 4 chương với bố cục như sau.
 Chương 1: TỔNG QUAN VỀ VẬT LIỆU HẤP THỤ SÓNG
ĐIỆN TỪ. Nội dung của chương này tập trung vào các nghiên cứu lý
thuyết chung về sóng điện từ; các đặc tính và đánh giá khả năng hấp thụ
của vật liệu; nghiên cứu lý thuyết về vật liệu hấp thụ sóng điện từ đa lớp;
vật liệu nano và ứng dụng trong chế tạo tấm phủ hấp thụ sóng điện từ.
 Chương 2: CHẾ TẠO VÀ NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT VẬT LÝ
CỦA VẬT LIỆU NANO. Chương này giới thiệu tổng quan về một số
phương pháp chế tạo vật liệu nano. Đề xuất phương pháp phun sương
 8

đồng kết tủa để chế tạo vật liệu từ nano và phương pháp phân hủy khí
thiên nhiên trong môi trường khí trơ để chế tạo vật liệu nano cácbon.
Nghiên cứu cấu trúc và một số tính chất vật lý của các vật liệu chế tạo
được. Kết quả của Chương 2 liên quan trực tiếp đến công trình nghiên cứu
số 1, 2, 3, 5 đã công bố.
 Chương 3: ĐO CÁC THÔNG SỐ ĐIỆN TỪ VÀ XÂY DỰNG
NGÂN HÀNG DỮ LIỆU VẬT LIỆU. Nội dung chương 3 tập trung trình
bày hai phương pháp đo hệ số điện môi và độ từ thẩm của vật liệu, đánh
giá khả năng hấp thụ sóng điện tử của tấm phủ. Xây dựng ngân hàng cơ
sở dữ liệu vật liệu từ bộ dữ liệu hệ số điện môi và độ từ thẩm đo được.
Các kết quả của Chương 3 gắn liền với công trình nghiên cứu số 1, 2, 3, 5
đã công bố.
 Chương 4: TÍNH TOÁN MÔ PHỎNG VÀ CHẾ THỬ TẤM PHỦ
ĐA LỚP HẤP THỤ SÓNG RADAR BĂNG X. Trong Chương 4 luận án
đã đề xuất chương trình mô phỏng tấm phủ đa lớp trên nền Matlab sử dụng
thuật giải di truyền. Nghiên cứu chế thử các mẫu tấm phủ theo kết quả tính
toán tối ưu của chương trình mô phỏng. Kết quả nghiên cứu của chương
4 gắn liền với công trình nghiên cứu số 4 và 6 đã công bố.
 9

Chương 1: TỔNG QUAN VỀ VẬT LIỆU HẤP THỤ SÓNG

ĐIỆN TỪ

1.1 . Tổng quan về sóng điện từ

1.1.1. Hệ phương trình Maxwell về sóng điện từ
Sóng điện từ bao gồm sóng vô tuyến trong thông tin viễn thông, sóng
ánh sáng, tia cực tím, tia Rơnghen…Chúng giống nhau ở cơ chế bức xạ
và lan truyền trong môi trường dưới dạng sóng điện từ và khác nhau ở tần
số dao động cũng như phương thức lan truyền. Các quan hệ giữa từ trường
và điện trường cũng như sóng điện từ được mô tả bởi hệ 4 phương trình
của Maxwell, biểu diễn dưới dạng vi phân như sau [1, 3]:
D
rot H  J  (1.1)
t
B
rot E   (1.2)
t

divB  0 (1.3)
divD   (1.4)

Trong đó: E là vector cường độ điện trường, D - vector điện cảm,

H - vector cường độ từ trường, B - vector cảm ứng từ, J - mật độ dòng

điện và ρ – mật độ điện tích.
Hệ phương trình Maxwell được biểu diễn dưới dạng tích phân như
sau [1, 3]:

 H  dl  Jd S  t  D  d S
l S S
(1.5)


 E  dl   t  Bd S
l S
(1.6)
 10

 B  d S 0
S
(1.7)

 DdS  q
S
(1.8)

Dạng vi phân và tích phân của các phương trình Maxwell đều được
sử dụng rộng rãi trong phân tích sự lan truyền sóng điện từ (EM). Chẳng
hạn, dạng vi phân của những phương trình này là điểm khởi đầu cho việc
phân tích sai phân hữu hạn miền thời gian, sự lan truyền sóng điện từ trong
chân không và các môi trường liên tục khác. Mặt khác, như chúng ta sẽ
thấy trong phần tiếp theo, dạng tích phân của các phương trình Maxwell
được sử dụng để dẫn ra các điều kiện biên tại bề mặt phân cách giữa hai
môi trường.

1.1.2. Các điều kiện biên và các đại lượng đặc trưng sóng điện từ
Các phương trình Maxwell chỉ áp dụng được trong các môi trường
vật chất liên tục. Trong trường hợp có sự gián đoạn giữa các môi trường,
tại mặt phân cách giữa chứng các đại lượng E, D, B, H biến đổi không liên
tục. Các điều kiện biên xác định sự biến đổi của các đại lượng đó tại mặt
phân cách giữa hai môi trường. Đối với môi trường không tổn hao, mối
quan hệ giữa hai môi trường được xác định bởi bốn điều kiện biên [3, 24]:
 Et 1  Et 2
H  H
 t1 t2
 (1.9)
 Dn1  Dn 2
 Bn1  Bn 2

Với Et, Ht, Dt, Bt là thành phần tiếp tuyến và En, Hn, Dn, Bn, là thành phần
pháp tuyến của trường.
Nếu môi trường hai là một chất dẫn điện lý tưởng, thì điều kiện biên
được viết thành:
 11

 Et1  Et 2  0
 H  J ,H  0
 t1 S t 2
 (1.10)
 Dn1  S ,Dn 2  0
 Bn1  Bn 2  0

Nếu cả hai môi trường là vật dẫn với độ dẫn điện lần lượt là σ1 và σ2,
thì điều kiện biên được viết thành:
 Et 1  Et 2
H  H
 t 1 t2

 1   2  (1.11)
       
  n 2
 j E j E

1
 n1

2


 Bn1  Bn 2

Mô hình tương tác sóng radar tại biên của hai môi trường được mô
tả trên Hình 1.1. Hệ số phản xạ và hệ số truyền qua đặc trưng cho năng
lượng sóng phản xạ và sóng truyền qua so với sóng tới được xác định bởi:
Er E
R ,T  t (1.12)
Ei Ei

Trong đó các chỉ số: i – sóng tới, r – sóng phản xạ và t – sóng truyền qua.

y
(ε1,µ1) (ε2,µ2)

+
θr
θt
θi x

Hình 1.1: Sóng phản xạ và truyền qua tại biên của hai môi trường.
 12

Khi điện trường E vuông góc với mặt phẳng tới, hệ số phản xạ được tính
toán từ điều hiện biên có dạng:

Z2 k 
cos i  1   1  sin 2 i
Z1  k2 
RTE  (1.13)
Z2 k 
cos i  1   1  sin 2 i
Z1  k2 
và khi điện trường E nằm trong mặt phẳng tới, hệ số phản xạ có dạng:

Z1 k 
cos i  1   1  sin 2 i
Z2  k2  (1.14)
RTM  
Z1 k 
cos  i  1   1  sin 2  i
Z2  k2 

Trong đó các giá trị Z và k là trở kháng và số sóng của hai môi trường. Z
có thể nhận các giá trị phức vì μ và ε là các số phức:
   '  j '',    '  j  '' (1.15)
Trường hợp đặc biệt, khi sóng tới vuông góc với mặt phân cách, θ1 = 00
thì hai hệ số phản xạ có giá trị bằng nhau:
Z 2  Z1
R  RTE  RTM   (1.16)
Z 2  Z1

Hệ số truyền qua được tính toán thông qua hệ số phản xạ, có giá trị bằng:
2Z 2
T (1.17)
Z 2  Z1

Trong trường hợp, môi trường 2 là một vật dẫn lý tưởng thì trở kháng của
nó rất nhỏ, khi đó hệ số phản xạ R = -1, nghĩa là sóng hoàn toàn bị phản
xạ và thay đổi pha 1800. Ngược lại nếu môi trường có trở kháng rất lớn,
thì R = +1, lúc này sóng bị phản xạ hoàn toàn nhưng không có sự thay đổi
pha. Nếu Z1 = Z2, phản xạ không xuất hiện và trở kháng ở hai phía của
mặt phân cách giống nhau, đây là trường hợp đặc biệt với εr = μr.
 13

Từ (1.14) và (1.15), thấy rằng hệ số phản xạ và truyền là các đại

lượng phức, phụ thuộc vào độ phân cực, góc tới, và các tham số vật liệu
EM (ε, μ) - là những đại lượng phức và phụ thuộc tần số.

1.2. Cơ chế hấp thụ sóng radar

Tùy vào từng đặc tính của từng loại vật liệu mà cơ chế hấp thụ sóng
radar diễn ra theo các cơ chế khác nhau. Dựa trên những suy luận vật lý,
vật liệu hấp thụ sóng radar có thể dựa trên một trong ba (hoặc cả ba) hiệu
ứng sau [11, 35, 83]:
- Hiệu ứng phân cực điện môi trong điện từ trường của sóng radar.
- Hiệu ứng từ hóa của vật liệu từ trong điện từ trường của sóng radar.
- Hiệu ứng cảm ứng điện từ dẫn đến sự hình thành các dòng điện
xoáy trong điện từ trường.
Cả ba hiệu ứng trên đều dẫn đến sự tiêu hao năng lượng sóng radar
và chuyển năng lượng đó thành nhiệt. Do đó hiện nay các loại vật liệu hấp
thụ sóng điện từ có thể phân thành ba loại chính, đó là vật liệu từ (là vật
liệu mà sự hấp thụ sóng chủ yếu do sự tổn hao từ); vật liệu loại điện môi
(là vật liệu mà sự hấp thụ sóng chủ yếu do tổn hao điện môi) và vật liệu
loại cảm ứng (là vật liệu mà cơ chế hấp thụ sóng chủ yếu do sự hình thành
các dòng điện xoáy trong điện sóng radar). Vật liệu hấp thụ loại cảm ứng,
xét về nguyên tắc, có thể hoạt động hiệu quả trong nhiều dải tần khác nhau,
miễn là các thông số điện từ của vật liệu được tính toán, tối ưu hóa một
cách phù hợp [25, 27].

1.2.1. Cơ chế tổn hao điện môi

Vật liệu điện môi dễ phân cực khi đặt trong điện trường và đây chính
là nguồn gốc của tổn hao điện môi. Phân cực có thể xảy ra do sự quay
lưỡng cực điện, dịch chuyển điện tử, ion hóa và các hiệu ứng nhiệt [24].
 14

Quá trình quay của các lưỡng cực điện làm cho các nguyên tử và ion dao
động, gây tổn hao và sinh nhiệt. Tuy nhiên, sự quay của lưỡng cực điện
không phải thay đổi một cách tự do, mà nó cần phải thắng được lực ma
sát, năng lượng sẽ bị tổn hao trong quá trình ma sát và va chạm giữa các
phân tử. Nhiệt lượng tổng cộng được tạo ra bởi quá trình này liên quan
trực tiếp đến khả năng liên kết của chính bản thân các phân tử và liên quan
đến tần số của điện trường ngoài [50]. Ở vùng tần số rất cao, lưỡng cực
không kịp định hướng theo điện trường bên ngoài, do đó hiệu ứng tổn hao
và đốt nóng không xảy ra. Hằng số điện môi () được định nghĩa là tỉ số
giữa cảm ứng điện (D) và cường độ điện trường (E): Hằng số điện môi chỉ
ra khả năng phân cực của vật liệu theo cường độ điện trường.
D E (1.18)
Hằng số điện môi tỷ đối được định nghĩa:

r  (1.19)
0

Hình 1.2: Hằng số điện môi phụ thuộc tần số [87].

 15

Một trong những thông số quan trọng của một chất điện môi là thời
gian hồi phục () của các lưỡng cực điện. Hiện tượng cộng hưởng sẽ xảy
ra khi tần số biến đổi của điện trường ngoài bằng tần số hồi phục của lưỡng
cực. Đối với chất điện môi đồng nhất, thời gian hồi phục bao gồm thời
gian định hướng của lưỡng cực điện và đảo hướng lưỡng cực điện khi thay
đổi hướng của điện trường ngoài [79].
Khi ở tần số cao, giá trị hệ số điện môi vượt qua giới hạn và gần như
không thay đổi. Nguyên nhân là do các lưỡng cực điện rơi vào trạng thái
đóng băng. Phần thực của hằng số điện môi phức  ' đặc trưng cho khả
năng lưu trữ năng lượng, phần ảo  " đặc trưng cho công suất tổn hao. Tổn
hao điện môi cho biết công suất tổn hao của năng lượng dự trữ và được
xác định bởi [24]:
"
tan  e  (1.20)
'
Tổn hao điện môi gây ra bởi các cơ chế: phân cực điện tử, phân cực
nguyên tử, phân cực lưỡng cực và phân cực bề mặt (Hình 1.2).
 Phân cực điện tử
Nguyên tử gồm các điện tử quay xung quanh hạt nhân. Dưới tác dụng
của một điện trường ngoài, mật độ điện tử có sự thay đổi tương đối so với
hạt nhân, từ đó hình thành một lưỡng cực điện. Các nguyên tử có nhiều
điện tử thì phân cực mạnh hơn các nguyên tử có ít điện tử. Hiệu ứng này
diễn ra vô cùng nhanh, do đó chỉ xuất hiện trong vùng điện từ trường có
tần số cao.
 Phân cực tự phát
Mômen lưỡng cực tự phát do các lưỡng cực định hướng tự phát trong
điện trường ngoài. Sự thay đổi các mômen lưỡng cực tự phát này sẽ gây
tổn hao điện môi trong vùng tần số sóng điện từ.
 16

 Phân cực nguyên tử

Tương tự phân cực lưỡng cực, phân cực nguyên tử hình thành khi có
điện trường ngoài; các nguyên tử liên kết với nhau bằng cách chia sẻ các
điện tử của chúng. Trái ngược với phân cực tự phát, phân cực nguyên tử
không có lưỡng cực vĩnh cửu. Dưới tác dụng của điện trường, các phân tử
có xu hướng dao động theo điện trường ngoài. Sự dao động này gây ra sự
thay đổi vị trí tương đối của các nguyên tử, do đó các trung tâm điện tích
dương và âm có thể lệch nhau. Cả hai phân cực điện tử và nguyên tử
thường xảy ra rất nhanh và không thay đổi so với vùng sóng vi ba và đó
là lý do tại sao nó ít hoạt động ở vùng tần số vi ba [50].
 Ion dẫn
Khi đặt vật liệu điện môi trong điện trường ngoài, sự thay đổi cục bộ
của điện tích dẫn tới hiệu ứng dẫn ion. Trong khi lưỡng cực điện quay và
định hướng theo điện trường, thì ion dẫn chỉ chuyển động. Trong quá trình
chuyển động nó va chạm với các phân tử lân cận gây nên sự tổn dao do
chuyển hóa năng lượng điện thành nhiệt năng [50]. Tuy cả hai trường hợp
phân cực do lưỡng cực và dẫn ion đều sinh ra nhiệt, nhưng tổn hao ion dẫn
chỉ ở mức tối thiểu so với tổn hao lưỡng cực điện. Ngoài ra, các tổn hao
dẫn chiếm ưu thế ở các tần số thấp hơn 30 GHz, còn tổn hao do lưỡng cực
chiếm ưu thế ở vùng tần số cao hơn.

1.2.2. Cơ chế tổn hao từ

Cơ chế tổn hao từ cũng tương tự như cơ chế tổn hao lưỡng cực điện.
Khi tác dụng một từ trường ngoài vào vật liệu từ tính, mômen từ có xu
hướng quay và định hướng theo từ trường ngoài. Sự quay của các lưỡng
 17

cực từ là nguồn gốc của tổn hao từ. Cảm ứng từ B của một vật liệu dưới
tác dụng của từ trường ngoài (H) được thể hiện bởi biểu thức sau:
B  H (1.21)
Trong đó µ là độ từ thẩm của vật liệu. Độ từ thẩm tương đối µr được
tính bởi:

r  (1.22)
0
Tương tự tổn hao điện môi, tổn hao từ môi được xác định bởi:
"
tan  m  (1.23)
'
Vật liệu có tính sắt từ hoặc hoặc ferrite từ được sử dụng làm vật liệu
hấp thụ, che chắn và chống nhiễu điện từ (EMI) [52]. Tổn hao từ bao gồm
tổn hao từ trễ, tổn hao cộng hưởng sắt từ, và tổn hao hồi phục từ.
 Tổn hao từ trễ
Sự mất mát năng lượng điện từ do sự định hướng của các mômen từ
chủ yếu tại các vách đômen và năng lượng dị hướng từ là nguyên nhân
gây ra tổn hao từ trễ. Năng lượng tổn hao từ trễ được tính theo diện tích
chu trình từ trễ là W   BdH . Công suất tổn hao từ được tính bởi công

thức P  f .  BdH với f là tần số của sóng tới.

Tuy nhiên, trong từ trường rất thấp (H << Hc), đối với vật liệu có
tính sắt từ hoặc hoặc ferrite từ tổn hao từ trễ thường rất bé nên nó không
đóng vai trò quan trọng.
 Tổn hao cộng hưởng sắt từ
Cộng hưởng sắt từ (cộng hưởng tự nhiên) xảy ra khi tần số sóng kích
thích bằng tần số của mômen spin dao động quanh trục dị hướng. Với tần
số cộng hưởng là một hàm tỉ lệ thuận với trường dị hướng HA:
 18

1 e0
fCH  g HA (1.24)
2 2m
Trong đó g  2 là hệ số hồi chuyển từ cơ, e và m là điện tích và khối
lượng của điện tử. Trở ngại đáng kể nhất của cơ chế này là điều kiện giới
hạn Snoek:
e0 M s
 fCH  g (1.25)
6 m
Tại một tần số cộng hưởng fCH cố định, độ lớn của độ từ thẩm µ bị
hạn chế bởi giá trị từ độ bão hòa Ms. Do cộng hưởng sắt từ cũng nằm trong
vùng sóng vi ba, hầu hết các tác giả đều cho rằng đây là cơ chế hấp thụ
chính trong các vật liệu từ tín hấp thụ sóng radar (RAM).
 Tổn hao hồi phục từ
Cơ chế tổn hao hồi phục từ gây ra do sự trễ pha giữa tín hiệu từ hóa
và mômen từ của hạt nano liên quan đến năng lượng dị hướng KuV (Ku là
hằng số dị hướng, V là thể tích hạt nano). Theo định luật Neel, thời gian
hồi phục từ của hệ là:
KuV

 N  0  e k BT
(1.26)
Công suất tổn hao từ được tính như sau:
P  f ,H   0  ''  f  H 2 f (1.27)

0 f  N
Trong đó  ''  f   2 là phần ảo của độ cảm từ xoay chiều và
1  fN 

0 M s2V
0  .
k BT
Hấp thụ sẽ đạt giá trị cực đại tại tần số cộng hưởng f = 1/ τN. Ở điều
kiện nhiệt độ phòng, Ku thường có giá trị nhỏ và với các hạt nano có kích
thước bé, thì kBT >> KuV; khi đó τN  τ0 và nằm trong vùng ~10-9 - 10-10s.
 19

Đây là điều kiện lý tưởng để vật liệu có hấp thụ cộng hưởng trong vùng
tần số GHz. Ngoài ra, do τN phụ thuộc vào cả các tham số như Ku, V, hay
tương tác giữa các hạt nano, chúng ta có thể khống chế vùng cộng hưởng
thông qua các điều chỉnh các tham số vật liệu như nồng độ và kích thước
của các hạt từ. Công suất tổn hao cũng có thể được tăng cường trong các
vật liệu có từ độ bão hòa Ms cao.

1.2.3. Cơ chế tổn hao xoáy

Khi từ trường ngoài đặt vào một vật liệu dẫn điện thay đổi có thể gây
ra hiện tượng cảm ứng điện từ. Dòng điện cảm ứng trong các vật liệu dẫn
điện xuất hiện khi làm thay đổi từ trường hay thay đổi thành phần từ của
sóng điện từ truyền tới vật liệu [65]. Do hầu hết các vật liệu dẫn đều có
một độ dẫn hữu hạn, dòng cảm ứng vì thế sẽ bị hấp thụ bởi điện trở của
vật liệu và gây tổn hao do quá trình sinh nhiệt.
1.3. Tán xạ và phản xạ sóng radar trên bề mặt vật liệu
Khi chiếu tới môi trường vật chất, sóng radar sẽ tương tác với các
điện tử hoặc ion trong môi trường, kết quả là một phần năng lượng bị tán
xạ (hoặc phản xạ) hoặc thay đổi hướng, pha so với sóng tới. Trường tán
xạ được định dạng bởi các tính chất của vật liệu như hệ số điện thẩm, từ
thẩm, độ dẫn, kích thước, hình dạng của vật thể và tần số của sóng tới. Ở
tần số vô tuyến, các kim loại hoạt động như một vật dẫn hoàn hảo và có
rất nhiều các điện tử tự do, các điện tử này rất dễ dao động để cộng hưởng
với tần số của sóng tới và tạo ra một sóng tán xạ có cùng tần số và biên độ
với sóng tới. Có thể thấy rằng kim loại gần như không làm tiêu hao năng
lượng của sóng tới và được coi như một vật phản xạ hoàn hảo các sóng vi
ba. Trong trường hợp vật liệu không dẫn điện, chúng không chứa các điện
tử tự do nên sự dao động của các điện tử không được lan truyền từ nguyên
tử này sang nguyên tử khác trong vật liệu. Tuy nhiên hiện tượng cộng
 20

hưởng vẫn có thể xảy ra khi sóng điện từ tương tác với mômen spin hoặc
mômen lưỡng cực điện của các ion và nguyên tử trong vật liệu. Đây chính
là cơ sở cho các hiện tượng tổn hao từ và tổn hao điện môi chủ yếu được
khai thác trong các vật liệu hấp thụ sóng vi ba hiện nay. Sóng điện từ bị
phản xạ tại mặt phân cách giữa hai môi trường có trở kháng khác nhau;
các thông số của sóng điện từ có thể thu được bằng cách giải các phương
trình Maxwell với điều kiện biên tại bề mặt. Chiết suất của môi trường
được xác định bằng biểu thức [1, 2, 24]:
n   r r (1.28)

Trong đó:  r   '  j " và r   '  j  " là hệ số điện môi và độ từ

thẩm tương đối của vật liệu.
Nội trở kháng của vật liệu được xác định [1, 2]:


Z (1.29)

Và nội trở kháng của chân không là:
0
Z0   377  (1.30)
0
Việc đánh giá khả năng hấp thụ của vật liệu đối với sóng radar căn
cứ vào các đại lượng vật lý đặc trưng cho sự phản xạ sóng radar tại bề mặt
của vật liệu:
+ Đầu tiên là hệ số phản xạ tại bề mặt vật liệu [3]:
Z  Z0
R (1.31)
Z  Z0

Muốn cho sóng radar không phản xạ tại bề mặt của vật liệu thì nội trở
kháng phải có giá trị bằng nội trở kháng của chân không; nói cách khác,
nội trở kháng của vật liệu phải phù hợp với trở kháng của môi trường tới.
 21

+ Theo lý thuyết đường truyền [44, 112], trở kháng đầu vào của lớp
vật liệu được xác định bởi:
r   2 fd  
Z  Z0  tanh  j      r r  (1.32)
r   c  
Từ (1.32) thấy rằng, để đạt được hệ số phản xạ tối thiểu thông qua
điều kiện phối hợp trở kháng thì hệ số điện môi và độ từ thẩm của vật liệu
phải có giá trị bằng nhau.
+ Trong trường hợp vật liệu hấp thụ được phủ lên đế kim loại, sóng
radar sẽ bị tổn hao một phần năng lượng khi truyền vào môi trường vật
liệu hấp thụ. Công suất tổn hao của sóng tỉ lệ với khoảng cách theo hàm
số e-αd , trong đó hệ số tổn hao của vật liệu được xác định bởi:
1
1  a 
    0 0   a 2  b 2  4 sin  tan 1     (1.33)
2  b 
Với a   '  '   ''  '' và b   '  ''   ''  ' .
Từ công thức (1.33), thấy rằng để có công suất tổn hao lớn thì phần
thực và phần ảo của hệ số điện môi và độ từ thẩm phải lớn.
+ Cuối cùng, để sóng phản xạ tại bề mặt của lớp vật liệu triệt tiêu lẫn
nhau, thì chúng phải ngược pha nhau. Đây là một điều kiện quan trọng để
thực hiện phối hợp pha hay phối hợp một phần tư bước sóng; điều này
được thực hiện khi độ dày của mẫu thỏa mãn điều kiện:

d
 2n  1 c , với n = 0, 1, 2,… (1.34)
4f  r r

1.4. Cấu trúc vật liệu hấp thụ sóng radar

1.4.1. Cấu trúc tạo hình bề mặt – phối hợp trở kháng
Các vật liệu thuộc nhóm cấu trúc tạo hình về mặt – phối hợp trở
kháng là các cấu trúc có tạo hình bề mặt phù hợp nhằm loại bỏ hiện tượng
phản xạ gương hoặc các tia tán xạ giao thoa với nhau dẫn đến triệt tiêu
 22

năng lượng của sóng tới. Những cấu trúc thuộc nhóm này thường là các
cấu trúc xốp, có tạo hình bề mặt lồi lõm. Ngoài ra trong quá trình chế tạo
có thể sử dụng các loại vật liệu phối trộn nhằm tăng hiệu suất hấp thụ
thông qua cơ chế phù hợp hoặc phối hợp trở kháng [48, 24]. Chẳng hạn
cấu trúc xốp của vật liệu composite hấp thụ đặc trưng bởi hình dạng, kích
thước của lỗ xốp được tạo ra từ các polyme nền hoặc các vật liệu độn.
Thành phần tạo kết cấu cho vật liệu composite hấp thụ chủ yếu là các
loại nhựa tổng hợp như EP, PU, silicon, cao su tổng hợp [59]. Các vật liệu
này có nhiều ưu điểm như bền môi trường, bền thời tiết, chịu mài mòn,
tùy mục đích sử dụng người ta lựa chọn vật liệu thích hợp.

Hình 1.3: Cấu trúc triệt tiêu năng lượng sóng.

Trong các công trình nghiên cứu [23, 24], các tác giả đã xác định cấu
trúc vật liệu hấp thụ dạng xốp, triệt tiêu hiệu quả năng lượng sóng thường
có hình dạng tổ ong hay hình dạng kim tự tháp (Hình 1.3). Cấu trúc này
sẽ tạo ra các lỗ, hốc có đặc tính tương tự như buồng khử vọng trong vật
liệu. Quá trình tán xạ giao thoa sóng điện từ sẽ xảy ra tại các bề mặt tiếp
giáp pha của vật liệu.
Các vật liệu polyme có cấu trúc xốp như cao su, nhựa PU, EP khi
phối trộn với các chất điện môi và tạo cấu trúc lỗ xốp dạng tổ ong có khả
 23

năng hấp thụ năng lượng sóng. Perkins và cộng sự [68, 69] đã nghiên cứu
chế tạo thành công vật liệu hấp thụ sóng radar trên cơ sở vật liệu xốp
composite acrylnitril-polystyren-butadien, các loại nhựa nhiệt dẻo như PE,
PU, EP và các chất độn có tính dẫn điện dạng bột, dạng sợi như Fe, Cu,
Al có khả năng hấp thụ đạt từ -15 dB đến -100 dB.
Gần đây, vật liệu nano đã được ứng dụng vào chế tạo RAM có cấu
trúc dạng xốp cho sản phẩm nhẹ và hiệu suất hấp thụ lớn. Ví dụ vật liệu
RAM dạng xốp của nhựa PU và sợi cácbon dẫn điện có khả năng hấp thụ
-10 dB trong dải tần X [109].

1.4.2. Cấu trúc cộng hưởng

Vật liệu cộng hưởng hay còn gọi là vật liệu hấp thụ một phần tư bước
sóng được chế tạo từ các vật liệu từ, các chất dẫn điện hay các chất điện
môi được sắp xếp theo một cấu trúc đặc biệt để tạo ra hiện cộng hưởng
nhằm triệt tiêu năng lượng sóng radar. Vật liệu cộng hưởng được chia làm
hai loại là lớp Dallenbach và màn chắn Salisbury [24, 58, 85].
Cấu trúc của màn chắn Salisbury được minh họa trên Hình 1.4, gồm
ba lớp, lớp thứ nhất là vật liệu hấp thụ điện đặt cách lớp thứ ba là kim loại
 
nền một khoảng d   n . Lớp thứ hai nằm giữa lớp hấp thụ điện và
4 2
lớp kim loại thường là vật liệu tổn hao có cấu trúc dạng xốp hoặc tổ ong.
Cấu trúc hấp thụ dạng màn chắn Salisbury được sử dụng chế tạo
RAM dưới dạng vật liệu che chắn như vải ngụy trang. Lớp thứ hai thường
là vật liệu polymer cao su tổng hợp phối trộn các vật liệu dẫn điện, các
chất bán dẫn làm tăng tăng độ suy giảm của sóng điện từ [107, 109]. Ngoài
ra, khả năng phản xạ sóng điện từ của màn chắn Salisbury phụ thuộc vào
độ đồng nhất của bề mặt tiếp xúc, mật độ và độ phân bố các thành phần
cộng hưởng, các thành phần dẫn điện trong vật liệu cộng hưởng.
 24

Khi tia bức xạ truyền tới bề mặt màn chắn, vật liệu tạo dao động cộng
hưởng tương ứng với bước sóng của nó. Các dao động cộng hưởng sẽ bị
triệt tiêu trong phần vật liệu dẫn điện. Đồng thời, năng lượng của tia bức
xạ còn bị tổn hao do trở kháng màn chắn. Tổng trở bề mặt của màn chắn
Salisbury có giá trị tối ưu trong khoảng 200 – 377 [24].
Sử dụng cấu trúc màn chắn Salisbury, Woo Seok Chin đã chế tạo
RAM dải tần X có thành phần là sợi thuỷ tinh loại E, polyeste được gia
cường bằng cácbon dẫn điện nanotube [108]. Vật liệu composite có độ
dày 2,93 mm hấp thụ 90% năng lượng sóng tới.

Hình 1.4: Cấu trúc của màn chắn Salisbury [24]

Năm 2015, Chang và các cộng sự [113] đã tìm ra cấu trúc màn chắn
Salisbury hấp thụ năng lượng sóng radar với độ dày lớp dẫn điện là 0,03
mm, lớp nhựa plastic dày 0,1mm, lớp vật liệu tổn hao là xốp PU có độ dày
4 mm đặt trên lớp đế thép không gỉ. Màn chắn cho kết quả hấp thụ lên tới
-34 dB tại tần số 9,9 GHz và miền tần số hấp thụ -10 dB là 6 GHz.
Như vậy, màn chắn Salisbury đã chứng tỏ được khả năng hấp thụ ở
nhiều mức độ khác nhau cả trong nghiên cứu và các sản phẩm thương mại.
Tuy nhiên, nhược điểm của màn chắn Salisbury là ở các khoảng cách xa
nó không hấp thụ hiệu quả sóng tới trên một khoảng tần số rộng.
 25

Dạng thứ hai của vật liệu cộng hưởng là lớp Dallenbach (Hình 1.5),
cấu trúc bao gồm một lớp vật liệu tổn hao đồng nhất đặt trên một đế kim
loại. Tương tự như màn chắn Salisbury, phản xạ sóng radar tại về mặt bị
triệt tiêu bởi tia phản xạ từ đế kim loại. Hệ số phản xạ tại bề mặt lớp
Dallenbach được xác định:
Z in  Z0
 
Z in  Z0

Với:
Z 2  jZ1 tanh(  d )
Zin  Z1
Z1  jZ 2 tanh(  d )

Trong đó: Z1, Z2 là trở kháng đầu vào và trở kháng cuối của lớp vật liệu, d
là độ dày của lớp vật liệu, γ là hệ số lan truyền sóng. Z1, Z2 được xác định
bởi công thức (1.37).
Từ các công thức trên, cho thấy sự phối hợp trở kháng phụ thuộc vào
tính chất và độ dày của lớp vật liệu tổn hao.

Hình 1.5: Cấu trúc của lớp hấp thụ Dallenbach

Các tác giả [22, 43] sử dụng cấu trúc lớp Dallenbach chế tạo thành
công vật liệu RAM hấp thụ sóng radar băng X với thành phần là thủy tinh
E trên nền nhựa epoxy chứa hạt cácbon, sợi các bon, và ống nano cácbon
đa vách. Vật liệu có hệ số hấp thụ đạt -10 dB với băng thông hấp thụ
khoảng 3 GHz.
 26

Sử dụng composite chứa nhựa phenolic và graphite-novolac với các

tỷ phần khác nhau, chế tạo vật liệu đơn lớp có độ dày phù hợp điều kiện
phối hợp trở kháng tiêu chuẩn một phần tư bước sóng [46]. Kết quả chứng
tỏ khả năng hấp thụ tăng theo tỷ phần vật liệu graphite, tổn hao phản xạ
đạt -43 dB tại tần số 12,4 GHz, trong khi kết quả tính toán tổn hao phản
xạ đạt -53 dB tại cùng tần số; băng thông hấp thụ dưới -10 dB đạt 1 GHz.

1.4.3. Vật liệu tự thích nghi (DARAM)

Các đài radar quân sự phát sóng để truy lùng máy bay hay tàu chiến
đối phương ở những tần số bí mật nằm trong vùng 1 – 18 GHz, đây là
băng tần rất rộng trong khi vật liệu hấp thụ radar chỉ có thể mang đến hiệu
quả ở một dải tần số nhỏ hẹp. Việc chế tạo vật liệu lý tưởng vừa nhẹ, vừa
mỏng và có thể hấp thụ sóng radar bao trùm một băng tần rộng có thể ứng
phó với tất cả tần số của đối phương là mục tiêu mà các nhà tàng hình học
muốn đạt tới.
Vật liệu tự thích nghi được chế tạo từ các vật liệu từ, các chất dẫn
điện, các chất điện môi thích hợp và được thiết kế theo một cấu trúc đặc
biệt để tạo mạch cộng hưởng triệt tiêu năng lượng sóng radar – cấu trúc
hấp thụ sóng radar dạng mạch cộng hưởng.
Chambers và các cộng sự [13, 14, 64] đã xây dựng được cấu trúc này
trên cơ sở thiết kế một bề mặt được phủ bằng vật liệu hấp thụ radar có đặc
tính ứng biến. Mặt phủ này có thể chế ngự được sóng radar ở bất cứ tần
số nào.
Để đáp ứng yêu cầu của cấu trúc hấp thụ băng tần rộng cần hai điều
kiện. Điều kiện thứ nhất là nếu điện trở (hay độ dẫn điện) của lớp phủ thay
đổi thì tần số hấp thụ radar có thể được di chuyển qua lại trên một băng
tần rộng. Điều kiện thứ hai là đặt một bộ cảm ứng phía sau lớp phủ để phát
hiện tần số radar đối phương. Khi tín hiệu radar chạm vào lớp phủ, bộ cảm
 27

ứng sẽ lập tức xác nhận tần số radar và sẽ báo cho lớp phủ biết để kịp thời
"ứng biến" (adaptive) điều chỉnh đến tần số hấp thụ bằng một vi mạch liên
thông (Hình 1.6). Bên cạnh đó, khi sóng radar của đối phương chuyển
sang tần số khác hệ thống này còn có khả năng thay đổi tần số hấp thụ
sóng sang tần số tương ứng để triệt tiêu nguồn đe dọa mới. Nhóm nghiên
cứu đã sử dụng vật liệu polyme dẫn để tạo ra lớp phủ, bởi độ dẫn điện của
polymer có thể thay đổi bằng quá trình điện hóa, đồng thời polyme dẫn
còn mang tính chất của một tụ điện [13].

Hình 1.6: Cấu trúc vật liệu hấp thụ radar tự thích nghi (DARAM)
và bộ cảm ứng xác nhận tần số của sóng tới [64].

Việc sử dụng polyme dẫn trong lớp phủ hấp thụ radar gặp hai trở ngại
lớn. Trở ngại thứ nhất liên quan đến đặc tính không ổn định nhiệt của các
loại polyme. Chúng thường bị biến tính, phân hủy bởi nhiệt độ cao (80 -
200 0C) và tia tử ngoại trong ánh sáng mặt trời. Độ dẫn điện của polyme
sẽ bị biến đổi hay bị triệt tiêu bởi những tác nhân này. Trở ngại thứ hai là
sự thay đổi tần số hấp thụ sóng radar của polyme dẫn trong lớp phủ thông
minh có thể kéo dài nhiều phút. Sự ứng biến này quá chậm so với tốc độ
biến hoá của radar đối phương.
 28

Để giải quyết vấn đề này, nhóm Chambers chuyển hướng nghiên cứu
và triển khai mô hình điện học để chế tạo một cấu trúc hấp thụ năng lượng
radar trên một băng tần rộng - cấu trúc có cả ba đặc tính là điện trở, điện
dung và điện cảm. Trên phương diện thực nghiệm, họ chọn diode, một
linh kiện thông dụng trong các ứng dụng điện tử, làm đơn vị cấu trúc.
Tổng trở ZS của lớp phủ được xác định bởi [4]:
1
Z S  R  j L  (1.35)
jC
Thay đổi các yếu tố R, L, C sẽ cho kết quả hấp thụ tối ưu trên một
dải tần rộng. Khi có dòng điện chạy qua, cấu trúc này có thể hấp thụ 90 -
95% năng lượng của sóng tới radar trên một băng tần từ 8 GHz đến 14
GHz. Ngược lại, khi không có dòng điện, cấu trúc có tác dụng phản hồi
sóng radar.

1.4.4. Vật liệu từ tính

Vật liệu từ là những vật liệu có độ từ thẩm tương đối khác với giá trị
trong chân không, có khả năng cảm ứng từ cao tạo từ thông. Giá trị của độ
từ thẩm lớn hơn 1 cho phép điều khiển nội trở kháng và chiết suất của vật
liệu phù hợp với nhu cầu hiệu suất hấp thụ. Các vật liệu từ được sử dụng
trong RAM thường có độ từ thẩm tương đối cao hơn độ từ thẩm tương đối
so với những vật liệu từ thông thường. Trên thực tế, các nghiên cứu không
đề cập tới các vật liệu hấp thụ từ tính thuần túy mà thường với các vật liệu
có cả tính chất tổn hao từ và tổn hao điện [24].
Đối với dải tần số sóng radar vật liệu từ tính được sử dụng trong vai
trò vật liệu hấp thụ khá phổ biến, trong đó sắt và các hợp chất của sắt
thường được dùng nhất. Hai vật liệu từ phổ biến nhất được sử dụng trong
RAM là sắt cacbonyl [25, 44, 81, 111] và ferrites [6, 7, 41, 47, 114]. Sắt
cacbonyl là một loại bột sắt thuần túy, với đường kính hạt nằm trong
 29

khoảng từ vài micromet đến hàng chục micromet. Hiệu suất hấp thụ của
RAM là một hàm theo kích thước hạt, trong trường hợp lí tưởng các hạt
riêng biệt chứa đủ số domain từ cần thiết để chúng đẳng hướng.
Trong nghiên cứu số [33], các tác giả trình bày sự phụ thuộc hệ số
điện môi và độ từ thẩm phức của vật liệu RAM chứa hạt sắt cacbonyl trong
môi trường cao su silicon. Phần thực của hệ số điện môi có sự thay đổi
đáng kể khi tăng tỷ phần hạt sắt cacbonyl. Kết quả đánh giá chỉ rõ cơ chế
tổn hao điện môi là do sự hồi phục phân cực điện môi và tính dẫn điện,
còn cơ chế tổn hao từ do tổn hao cộng hưởng sắt từ.
Sử dụng phương pháp nghiền cơ học, Yang và các cộng sự [81] chế
tạo thành công hạt sắt cacbonyl dạng vảy kích thước micromet. Vật liệu
có hệ số điện môi và độ từ thẩm khá cao so với các sản phẩm hình cầu
cùng kích thước. RAM chế tạo từ vật liệu composite chứa 50% hạt sắt
cacbonyl với độ dày 3mm đạt tổn hao phản xạ - 23 dB tại tần số 5,5 GHz.
Sử dụng vật liệu sắt cacbonyl thương mại kích thước micromet,
Yingying Zhou và các cộng sự đã chế tạo RAM hấp thụ vi sóng dải tần 2-
18 GHz [111]. Với độ dày khá mỏng 0,8 mm, RAM chế tạo được cho khả
năng hấp thụ -5 dB trong một dải tần rộng từ 5,76 - 18 GHz. Ngoài ra, các
tác giả còn chỉ ra các tham số điện từ của vật liệu có sự thay đổi đáng kể
khi tăng nhiệt độ lên 3000C.
Vật liệu từ ferrite là hỗn hợp các oxit kim loại và Fe2O3 có cấu trúc
tinh thể. Các vật liệu ferrite được chia thành ba nhóm chính theo cấu trúc
tinh thể:
- Vật liệu spinel: Vật liệu từ mềm có cấu trúc lập phương. Công thức
tổng quát của vật liệu spinel có dạng MFe2O4 (Với M là các ion kim loại
hoá trị 2: Mn2+, Ni2+, Zn2+, Fe2+, Cu2+, ..., hoặc Li22+) hoặc hỗn hợp
các ion kim loại.
 30

- Vật liệu garnet: Vật liệu ferrite từ có công thức tổng quát
3M2O3.5Fe2O3 (Với M là các kim loại đất hiếm như Sm, Eu, Gd, Tb, Dy,
Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Y)
- Vật liệu magnetoplumbite: Các vật liệu có cấu trúc lục phương
(hexagonal) và có công thức tổng quát MO.6Fe2O3 (M: Ba2+, Sr2+,
Pb2+).
Vật liệu từ ferrite có cấu trúc mạng tinh thể và các nguyên tố kim loại
được sử dụng để pha tạp ferrite có thể kiểm soát và thay đổi được, các tính
chất điện từ của ferrite có thể được điều chỉnh để phù hợp với những yêu
cầu đặc biệt, đây là ưu điểm của nó so với sắt hoặc các vật liệu từ kim loại
khác. Mặc dù một số ferrite có độ từ hóa bão hòa thấp hơn so với sắt từ,
do đó băng thông tổn hao có phần hạn chế . Do cấu trúc mạng cơ bản của
ferrite bao gồm hai bộ lưỡng cực từ định hướng ngược nhau, momen từ
tổng hợp trên một phân tử sẽ nhỏ hơn các kim loại từ thuần túy [103]. Tuy
nhiên, do khả năng đạt được mật độ xếp chặt cao, chống lại quá trình oxy
hóa thành dạng phi từ tính, và khả năng thay đổi các tính chất thông qua
các chất pha tạp thích hợp là nguyên nhân khiến vật liệu từ ferrite được sử
dụng rộng rãi trong RAM từ tính.
Cấu trúc Dallenbach chứa vật liệu từ là một trong những kỹ thuật chế
tạo RAM được các nhóm nghiên cứu quan tâm. Vật liệu RAM chế tạo từ
composite chứa vật liệu từ trên nền cao su tổng hợp, parafin hay
polychloroprene với các tỷ phần khác nhau dùng để đo khả năng hấp thụ
vi sóng. Sử dụng vật liệu nano Ferrite Ni-Zn, các tác giả [47] chế tạo thành
công mẫu RAM có độ dày 3,0mm có hệ hấp thụ đạt -12,93 dB tại tần số
12,27 GHz. Kết quả đánh giá cho thấy mẫu RAM chế tạo được là RAM
băng tần hẹp, chỉ hấp thụ tốt ở một tần số, còn các tần số khác trong dải
tần X hệ số rất thụ còn khá khiêm tốn.
 31

Bằng cách thay thế các thành phần là các nguyên tố kim loại vào
ferrite Ni0.5-xZn0.5-xMe2xFe2O4 cho thấy cải thiện đáng kể khả năng hấp thụ
và băng thông. Tổn hao phản xạ tăng từ -20,14 dB đối với Ni-Zn ferrite
lên -29,56 dB đối với Ni-Zn ferrite thay thế Mn và -35,02 dB khi thay thế
Cu; đồng thời băng thông hấp thụ tăng lên tối thiểu là 1,15 GHz [7].
Giải pháp phối trộn vật liệu từ với vật liệu điện môi cũng là một lựa
chọn được các nhóm nghiên cứu thực hiện và đã cho thấy tính hiệu quả.
Yang và các cộng sự [114] chế tạo RAM từ vật liệu magnetoplumbite
BaFe12O19 phối trộn với graphite, khả năng hấp thụ của mẫu RAM cải
thiện rõ rệt, đánh giá cho thấy RAM tổng hợp vật liệu từ và vật liệu điện
môi là một lựa chọn tốt trong việc thiết kế, chế tạo vật liệu hấp thụ băng
thông rộng.
Đặc biệt, trong công trình [92] Skalski và cộng sự đề xuất một cấu
trúc vật liệu chế tạo từ vật liệu từ lưu biến hay lớp phủ thông minh. Vật
liệu có tính đàn hồi cao đáp ứng yêu cầu thay đổi hình dạng cả vật thể
được phủ lên đồng thời độ cứng tốt đảm bảo chịu được các tác động khí
động học. Một điều đặc biệt nữa là tính chất từ của vật liệu có thể điều
kiểm soát, đây là một ưu điểm của cấu trúc vật liệu này.

1.4.5. Vật liệu RAM đa lớp

Vật liệu RAM có cấu trúc đa lớp ban đầu được biết đến dưới tên gọi
vật liệu đa lớp điện môi hay vật liệu cấu trúc Jaumann gồm các tấm điện
môi xếp cách nhau những khoảng một phần tư bước sóng theo thứ tự điện
trở giảm dần, giữa các lớp điện môi là các lớp đệm dạng xốp [24].
Với sự phát triển của vật liệu hấp thụ từ tính, vật liệu đa lớp được
phát triển theo hướng sắp xếp các loại vật liệu điện môi, vật liệu từ có hệ
số điện môi hoặc độ từ thẩm khác nhau tạo thành những lớp vật liệu có
tính chất điện, từ khác nhau nằm xen kẽ (Hình 1.7).
 32

Lớp 1 (d1, ε1, µ1, σ1 )

Lớp 2 (d2, ε2, µ2, σ2 )

Lớp n (dn, εn, µn, σn )

……………
Hình 1.7: Cấu trúc vật liệu hấp thụ đa lớp

Khi bức xạ vi sóng truyền qua mỗi lớp, một phần năng lượng sóng
sẽ phản xạ lại môi trường tới và phần còn lại truyền qua đến lớp kế tiếp.
Quá trình các tia bức xạ truyền qua các lớp vật liệu năng lượng của nó sẽ
bị tổn hao thông qua hai cơ chế: hấp thụ và tán xạ năng lượng. Nếu lớp
đầu tiên có tính phản xạ sóng điện từ cao sẽ gây phản tác dụng, do vậy lớp
đầu tiên phải đảm bảo yêu cầu gần giống môi trường tới nhất. Đồng thời
việc sắp xếp các lớp phải được tính toán và kiểm soát chặt chẽ.

Hình 1.8: So sánh hiệu suất và băng thông hấp thụ vật liệu hấp thụ đa
lớp [24].
 33

Hiệu suất và băng thông hấp thụ phụ thuộc vào số lượng lớp của cấu
trúc đa lớp. So sánh hiệu suất và băng thông của các cấu trúc đa lớp, thấy
rằng cấu trúc bốn lớp có băng thông lớn gấp bốn lần cấu trúc đơn lớp; cấu
trúc bốn lớp có số điểm tần số đạt đỉnh hấp thụ là ba trong cấu trúc một
lớp là một. Ngược lại nhược điểm của cấu trúc đa lớp phải đánh đổi là độ
dày, độ dày của cấu trúc bốn lớp tăng gấp bốn lần so với cấu trúc một lớp
(Hình 1.8).
Sử dụng cấu trúc đa lớp chế tạo RAM trong dải tần 2 - 18 GHz trên
cơ sở composite nhựa epoxy các hạt từ, hạt sắt từ và chất điện môi. Zhang
và các cộng sự [38] đã tính toán các lớp có hệ số điện môi, độ từ thẩm và
độ dẫn điện có giá trị khác nhau nhằm triệt tiêu năng lượng sóng tới.
Kết cấu hấp thụ sóng radar có cấu trúc đa lớp đã được tính toán tối
ưu cho cấu trúc 2 lớp vật liệu, độ dầy của từng lớp bên cạnh việc phụ thuộc
vào tính chất từ và tính chất điện môi của vật liệu từng lớp còn đảm bảo
yêu cầu về phối hợp trở kháng [29, 78, 96]. Tuỳ theo tính chất điện và từ
của từng lớp thì mỗi lớp phải đạt độ dày xác định khi đó vật liệu mới tạo
mạch cộng hưởng tăng hệ số hấp thụ nhiều lần. Mỗi lớp vật liệu có đặc
trưng điện từ khác nhau, theo đó tần số cộng hưởng hấp thụ cũng khác
nhau. Do đó, kết cấu hấp thụ đa lớp thích hợp để chế tạo RAM có dải hấp
thụ rộng [15, 33,78].
Để đánh giá khả năng mở rộng dải tần hấp thụ Zhang và các cộng sự
[29] đã sử dụng vật liệu cấu trúc hai lớp chế tạo từ composite chứa sợi
cácbon và graphite trộn trong nền nhựa epoxy để khảo sát khả năng hấp
thụ vi sóng dải tần 2 – 6 GHz. Cấu trúc hai lớp có băng thông hệ số phản
xạ -5 dB đạt 2,4 GHz rộng hơn nhiều so với cấu trúc đơn lớp có cùng độ
dày. Tiếp tục nghiên cứu các cấu trúc hai lớp có cùng tỷ phần vật liệu
 34

nhưng thay đổi độ dày mỗi lớp, kết quả cho thấy có sự thay đổi đáng kể
hiệu suất cũng như băng thông hấp thụ.
Cùng nghiên cứu cấu về trúc hấp thụ hai lớp sử dụng vật liệu bari
hexaferrite, titan dioxide và cácbon, Sukanta Das và các cộng sự [77]
chứng minh khả năng hấp thụ của các cấu trúc thay đổi khi thay đổi thành
phần vật liệu. Với hai mẫu RAM hai lớp, một mẫu chứa các thành phần
hexaferrite, titan dioxide và carbon; mẫu còn lại pha tạp thêm barium đều
chứng tỏ hấp thụ hiệu quả sóng radar băng X. Trong khi tổn hao phản xạ
của mẫu RAM không pha tạp barium đạt -32 dB tại 10,64 GHz thì mẫu
RAM có pha tạp đạt -29,56 dB tại 11,7 GHz. Ngoài ra mẫu RAM pha tạp
barium có băng thông hấp thụ rộng khi có tổn hao phản xạ đạt > -24 dB
trên toàn bộ băng tần X.

1.4.6. Siêu vật liệu (Metamaterial)

Sự ra đời của siêu vật liệu bắt nguồn từ một nghiên cứu lý thuyết của
một nhà vật lý người Nga Veselago. Theo nhận thức chung thì độ từ thẩm
và hệ số điện môi của vật chất phần lớn có giá trị dương và không có vật
chất nào đồng thời cùng có giá trị âm. Nhưng vào năm 1968, trong công
trình [100] Veselago đã phát biểu những tính toán và suy luận của mình
về một loại vật liệu có độ từ thẩm và hệ số điện môi đồng thời có giá trị
âm. Sau một thời gian dài ý tưởng của Veselago bị chìm vào quên lãng,
vào năm 2000, khi cộng đồng nghiên cứu khoa học đưa ra khái niệm "siêu
vật liệu" với tiềm năng chế tạo những vật liệu có độ từ thẩm và hệ số điện
môi ở bất kỳ trị số nào cả dương lẫn âm và bằng không, thì những điều
tiên đoán trong bài báo cáo của Veselago mới được nhắc tới. Lý luận của
ông trở thành một chuẩn mực vì vật liệu có độ từ thẩm và hệ số điện môi
âm là một siêu vật liệu mà các nhà khoa học muốn đạt tới.
 35

Siêu vật liệu được định nghĩa là "một sự sắp xếp các thành phần cấu
trúc nhân tạo được thiết kế nhằm đạt được những đặc tính điện từ thuận
lợi và khác thường" [67].
Pendry và các cộng sự đề xuất vòng kim loại có một khe hở có thể
cộng hưởng và tạo ra độ từ thẩm có giá trị âm khi tác dụng với sóng điện
từ [33].
Tiếp tục phát triển theo cấu trúc này, nhóm nghiên cứu tại Đại học
California lần đầu tiên trong lịch sử khoa học tạo ra một vật liệu có chiết
suất âm [21, 20, 73].
Một cấu trúc lập thể được tạo ra bằng những vòng đồng có khe hở in
ở mặt trước và sợi đồng theo chiều dọc ở mặt sau (Hình 1.9) [73]. Khi
sóng vi ba tác dụng lên cấu trúc lập thể này thì vòng đồng sinh ra độ từ
thẩm âm và sợi đồng cho hệ số điện môi. Bằng cách đo góc tán xạ của
chùm tia truyền qua một lăng kính được chế tạo từ vật liệu này, nhóm
nghiên cứu tìm thấy chiết suất của siêu vật liệu này là -2,7 [73].

Hình 1.9: Cấu trúc siêu vật liệu

 36

Cho đến nay, các công trình nghiên cứu đăng tải các kết quả nghiên
cứu về siêu vật liệu đã được đăng tải lên các tạp chí chuyên ngành nổi
tiếng như Science, Nature, Physical Review Letters…
Cấu trúc siêu vật liệu sử dụng các vòng đồng hình vuông được Somak
Bhattacharyya và các cộng sự [94] sử dụng để phân tích khả năng hấp thụ
sóng radar băng X. Kết quả cho thấy vật liệu có khả năng hấp thụ tốt, đỉnh
hấp thụ tại 5,258 GHz, 7,518 GHz, 10,02 GHz, và 10,494 GHz với tỷ lệ
hấp thụ đạt 94,98%, 87,1%, 94,06% và 87,1% tương ứng. Đồng thời khả
năng hấp thụ đối với góc tới rộng lên tới 600.
Nghiên cứu mô hình siêu vật liệu đẳng hướng hấp thụ băng thông
rộng đơn lớp từ các cấu trúc kim loại hình hoa tuyết có kích cỡ khác nhau
in trên nền chất điện môi [91], kết quả cho thấy vật liệu có khả năng hấp
thụ trên 80% sóng tới trong dải tần số từ 9.05 GHz đến 11.4 GHz. Hiệu
suất hấp thụ được duy trì đối với sóng radar băng X có góc tới lên đến 450.
Li và các cộng sự [105] đề xuất cấu trúc gồm hai lớp, lớp bề mặt sử
dụng vật liệu từ tính có tạo hình bề mặt không phẳng và lớp hấp thụ sử
dụng cấu trúc siêu vật liệu. Đánh giá kết quả tương tác vi sóng lên cấu trúc
đề xuất cho thấy khả năng hấp thụ đạt 90% trên phạm vi toàn bộ dải tần
từ 2 – 18 GHz. Điều này một lần nữa cho thấy cấu trúc đa lớp với lớp bề
mặt là vật liệu có những ưu điểm vượt trội cả về khả năng hấp thụ và yêu
cầu về băng thông rộng.
1.5. Vật liệu Nano và khả năng hấp thụ sóng điện từ
Công nghệ nano là một ngành công nghệ liên quan tới việc thiết kế,
chế tạo và ứng dụng các cấu trúc, thiết bị và hệ thống bằng việc điều khiển
hình dáng, kích thước quy mô nanomét (10-9 m).
Với khả năng tạo ra những ứng dụng thiết thực nhất đối với đời
sống của con người, công nghệ nano sẽ có vai trò rất lớn để cải thiện cuộc
 37

sống của người dân, giải quyết những vấn đề nan giải nhất trong mọi lĩnh
vực như: Điện tử - cơ khí, y học, năng lượng, môi trường và kỹ thuật quân
sự [116].
Vật liệu nano là đối tượng của hai lĩnh vực là khoa học nano và công
nghệ nano, nó liên kết hai lĩnh vực trên với nhau. Kích thước của vật liệu
nano trải một khoảng khá rộng, từ vài nm đến vài trăm nm.
Vật liệu kích thước nano có tính chất điện, từ và quang tuyệt vời nhờ
vào kích thước siêu nhỏ, hiệu ứng bề mặt và hiệu ứng đường hầm lượng
tử. Mặt khác, độ dẫn điện của vật liệu từ kim loại khá cao, nó làm giảm
tính năng tổn hao ở tần số cao do mất dòng xoáy gây ra bởi sóng điện từ.
Nếu kích thước hạt nhỏ hơn bề dày của lớp vật liệu phủ, dòng xoáy có thể
được sinh ra làm tăng hiệu năng hấp thụ sóng của vật liệu; đây là một trong
những nguyên nhân khiến các hạt nano có hiệu suất hấp thụ tốt sóng điện
trong một dải tần rộng. Hơn nữa, khi đường kính của hạt nano nhỏ hơn
kích thước tới hạn, thì mỗi hạt nano là một đơn đômen nên gây ra tổn hao
từ lớn [39].
Trong lĩnh vực quân sự, sự ra đời của công nghệ nano đã mở ra
hướng phát triển vũ khí tàng hình thông minh trong tương lai. Các nước
như Mỹ, Pháp, Đức, Nhật, Nga... coi đây là kỹ thuật tàng hình thế hệ mới.
Vật liệu nano có thể là kim loại, hợp kim, vật liệu vô cơ hoặc của vật liệu
polyme qua ép nén, liên kết hoặc phun tạo thành. Ống than nano và các
hạt nano kim loại, oxit kim loại càng ngày càng đa dạng và phương cách
sản xuất càng được nâng cao tạo ra những sản phẩm đại trà. Hiệu ứng tàng
hình của vật liệu nano là một hướng nghiên cứu mới cuả các nhà tàng hình
học. Khi phối hợp polyme dẫn điện và ống than nano tạo thành composite,
cho thấy composite này hấp thụ sóng vi ba nhiều hơn khi chỉ có đơn độc
một thành phần [19].
 38

Khi kích thước một vật liệu được thu nhỏ thì diện tích bề mặt của
toàn thể hạt nano sẽ gia tăng với một số lần tương đương. Hạt sắt, oxit sắt
và hạt carbon dùng trong việc hấp thụ sóng radar có độ lớn micromét. Hạt
nano có kích thước khoảng 103 lần nhỏ hơn hạt micromét, điều này đồng
nghĩa với diện tích bề mặt của toàn thể hạt nano sẽ tăng ba bậc so với hạt
micromét ở cùng một thể tích. Khi có sự gia tăng bề mặt, những đặc tính
của vật liệu sẽ gia tăng rất nhiều lần. Đặc tính hấp thụ năng lượng sóng
radar gây ra bởi sự gia tăng từ tính và điện tính của vật liệu nano cũng
không nằm ngoài nguyên tắc này.
Mặt khác, hạt nano với kích thước nhỏ hơn nhiều so với bước sóng
của sóng radar nên tính truyền qua và tỷ lệ hấp thụ sóng điện từ lớn hơn,
đồng thời nó có đặc tính tổn hao từ lớn; Khả năng hấp thụ năng lượng
sóng mặt cao và chuyển hóa thành năng lượng dao động nhiệt nội phân tử
hay tĩnh điện. Do đặc điểm hoạt tính cao, dễ phân tán nên sử dụng hạt
nano cho phép chế tạo các lớp phủ tàng hình mỏng và nhẹ.
Một điều thú vị khác mà vật liệu nano có thể cống hiến cho hiệu
ứng tàng hình là khả năng hấp thụ năng lượng trong vùng hồng ngoại.
Trong phổ điện từ, vùng hồng ngoại nằm cạnh vùng vi ba. Nhiệt phát ra
từ động cơ, hay do sự ma sát của không khí ở phần đầu, phần đuôi và rìa
cánh máy bay khi tác chiến. Nhiệt sinh ra bức xạ hồng ngoại mà các bộ
cảm biến nhiệt trong tên lửa tầm nhiệt của đối phương có thể cảm nhận.
Vì vậy ứng dụng vật liệu nano nhằm làm giảm bức xạ hồng ngoại là một
hướng nghiên cứu tiềm năng và khả thi.
1.6. Kết luận chương 1
Chương 1 trình bày các phương trình cơ bản mô tả sóng điện từ và
cơ chế hấp thụ sóng radar của vật liệu. Đối với sóng tới phẳng tới vuông
góc khả năng hấp thụ của vật liệu phụ thuộc vào hai tham số điện, từ là hệ
 39

số điện môi phức và độ từ thẩm phức của vật liệu, phụ thuộc vào tỷ phần
vật liệu cũng như bề dày của cấu trúc. Mỗi loại vật liệu hay cấu trúc có
một cơ chế hấp thụ khác nhau, để đảm bảo cả hiệu suất và băng thông hấp
thụ đòi hỏi phối hợp nhiều loại vật liệu trong đó vật liệu điện môi và vật
liệu từ tính kích thước nano đã chứng tỏ có nhiều ưu điểm khi sử dụng chế
tạo RAM sử dụng trong dải sóng radar băng X. Các nghiên cứu lý thuyết
cũng như thực nghiệm đã chứng tỏ RAM đa lớp có ưu thế về khả năng
hấp thụ cũng như độ rộng dải tần hấp thụ so với vật liệu đơn lớp.
Như vậy, để đáp ứng mục tiêu nghiên cứu đặt ra cần tiến hành bốn
nội dung:
 Nghiên cứu chế tạo vật liệu nano có khả năng hấp thụ tốt sóng radar
băng X, lựa chọn hai dạng vật liệu là vật liệu nano từ tính và nano cácbon.
 Chế tạo các mẫu vật liệu RAM đơn lớp dạng composite chứa hạt
nano với các tỷ phần khác nhau. Tiến hành đo các tham số điện, từ của
từng mẫu để xây dựng một ngân hàng cơ sở dữ liệu phục vụ tính toán mô
phỏng.
 Xây dựng một chương trình tính toán mô phỏng giúp để xuất các
cấu RAM đa lớp với các lớp được lựa chọn từ ngân hàng cơ sở dữ liệu.
 Tiến hành chế thử và đo đạc thực nghiệm nhằm so sánh kết quả
tính toán lý thuyết và đánh giá kết quả.
 40

Chương 2: CHẾ TẠO VÀ NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT

VẬT LÝ CỦA VẬT LIỆU NANO

2.1. Lựa chọn phương pháp chế tạo vật liệu nano
Vật liệu nano là vật liệu có kích thước tính theo ít nhất một chiều
nào đó đạt mức dưới 100 nm. Khi ở kích thước rất nhỏ như vậy nhiều đặc
tính của vật liệu thay đổi, nhiều đặc tính mới xuất hiện. Chính vì thế các
vật liệu này thu hút sự quan tâm lớn của các nhà khoa học.
Các vật liệu nano với những tính chất ưu việt đã được áp dụng vào
rất nhiều lĩnh vực dân dụng như công nghệ thông tin, viễn thông, y tế,
năng lượng, môi trường…Đặc biệt vật liệu nano như đã nói ở trên được
nghiên cứu, ứng dụng vào lĩnh vực quân sự như sản xuất giáp cho xe tăng,
vật liệu siêu bền, siêu nhẹ làm vỏ máy bay hay ngụy trang sóng điện từ
như đã nói ở trên.
Hiện nay có khá nhiều phương pháp công nghệ có thể ứng dụng để chế
tạo vật liệu nano như sau [71, 75, 83]:
- Phương pháp nghiền cơ học dựa trên nguyên tắc top-down, áp
dụng chủ yếu cho các vật liệu giòn, không quá cứng. Phương pháp tỏ ra
khá hiệu quả trong việc chế tạo vật liệu nano với số lượng lớn, tuy nhiên
nhược điểm là tính tinh khiết và đồng thể của vật liệu nano, hay sự biến
dạng trong cấu trúc tinh thể.
- Phương pháp đồng kết tủa: Trong phương pháp này, các vật liệu
đầu được đồng kết tủa dưới dạng oxit, hiđroxit, cacbonat hay muối oxalate.
Sau đó hỗn hợp được sấy hay thiêu kết ở nhiệt độ cao để hình thành pha
tinh thể. Đây là phương pháp khá đơn và hiệu quả để tổng hợp vật liệu
 41

nano, hỗn hợp được tạo ra khá đồng đều với thành phần các ion theo tỷ lệ
hợp thức mong muốn.
- Phương pháp hóa học ướt: thông qua một số phản ứng hóa học trong
môi trường chất lỏng có thể chế tạo được bột của một số kim loại, oxit có kích
thước hạt cỡ nanomét. Bằng phương pháp hóa học ướt cũng có thể chế tạo
được các mẫu dưới dạng màng mỏng (phương pháp sol-gel). Một biến thể của
phương pháp hóa học ướt là phương pháp sonochemistry, trong đó hoặc là các
phản ứng hóa học hoặc là quá trình hình thành và phân chia các hạt nano được
thúc đẩy hoặc hỗ trợ bởi năng lượng sóng âm.
- Phương pháp phản ứng hóa học từ pha hơi (CVD): bột, sợi và
màng mỏng của một số hợp chất được chế tạo dựa trên việc thực hiện một
số phản ứng hóa học từ pha hơi. Phương pháp này thực chất là sự kế thừa
của công nghệ tạo màng mỏng từ pha hơi đã được ứng dụng trong công
nghệ bán dẫn từ những năm 60 của thế kỷ trước.
- Phương pháp thủy nhiệt: Tổng hợp tinh thể dựa trên sự hòa tan các
chất vô cơ ở nhiệt độ và áp suất cao trên cơ sở nghiên cứu giản đồ pha của
các chất. Ưu điểm của phương pháp là có thể tổng hợp vật liệu dưới dạng
tinh thể mà không cần qua thiêu hết hay nghiền cơ học. Tinh thể chế tạo
được khá đồng đều, diện tích bề mặt cao và cấu trúc tinh thể ít bị ảnh
hưởng. Hạn chế của phương pháp là thiết bị chế tạo phức tạp, cần khống
chế nhiệt độ và áp suất phù hợp để chiều chỉnh tinh thể theo ý muốn.
- Phương pháp phun nung: Các oxit được điều chế bằng cách hòa
tan các muối clorua kim loại hoặc muối nitrat kim loại theo tỉ lệ cần thiết
trong dung môi thích hợp. Hỗn hợp dung dịch được phun thành những
giọt nhỏ cỡ vài micromet dưới dạng sương mù vào lò phản ứng nhiệt độ
cao. Ưu điểm của phương pháp là năng suất cao, thích hợp với quá trình
sản xuất công nghiệp. Hạn chế của phương pháp là khó khăn trong việc
 42

chế tạo vòi phun, thiết bị phản ứng dễ bị ăn mòn và chỉ có thể áp dụng cho
các cation kim loại dễ bị thủy phân.
- Phương pháp xung lade: Phương pháp này được sử dụng để tạo
hạt nano từ hỗn hợp dung dịch muối kim loại và dung dịch khử bằng cách
sử dụng xung lade mạnh để đốt nóng định xứ hỗn hợp hai muối đó, gây ra
phản ứng khử để tạo ra các hạt kim loại có kích thước rất nhỏ, cỡ nanomét.
Mục tiêu của luận án hướng tới là chế tạo hai nhóm vật liệu nano
gồm vật liệu điện môi và vật liệu từ, trong đó vật liệu điện môi đặc trưng
là nano cacbon và vật liệu từ là các vật liệu ferrite. Với yêu cầu các vật
liệu có không chỉ có khả năng hấp thụ tốt sóng radar băng X mà cần một
số lượng lớn vật liệu để sử dụng đưa vào ngân hàng dữ liệu vật liệu; căn
cứ trên tình hình thực tế về trang thiết bị, đặc điểm của từng phương pháp
tác giả lựa chọn phương pháp công nghệ là phun sương đồng kết tủa, là
một biến thể của phương pháp đồng kết tủa.
2.2. Phương pháp phun sương đồng kết tủa
2.2.1. Hệ phun sương đồng kết tủa
Sơ đồ hệ phun sương đồng kết tủa được mô tả trên Hình 2.1. Đường
ống dẫn khí nén (1) đạt áp suất 5 atm được nối với hệ thí nghiệm từ bình
khí N2 hoặc không khí qua máy nén khí tùy vào môi trường cần có của
phản ứng. Ống dẫn khí nén chạy qua hai bình chịu áp lực (2) và (3) dung
tích 10 lít có khả năng chịu được môi trường axit và kiềm chứa dung dịch
phản ứng.
Dung dịch được đẩy qua hai vòi phun sương (4) và (5) nằm trong
bình phản ứng kín dung tích 30 lít. Bình được thiết kế có thể đóng hoặc
mở tùy môi trường phản ứng. Bình phản ứng có vòi dưới đáy (6) để lấy
sản phẩm phản ứng và trong bình có chứa thiết bị sục khí để trộn đều, liên
tục sản phẩm bên trong.
 43

Hình 2.1: Sơ đồ hệ phun sương đồng kết tủa.

2.2.2. Thiết bị thủy nhiệt

Thiết bị thủy nhiệt (Hình 2.2) là một dụng cụ có khả năng chịu được
áp suất cao lên tới 10 atm, dung tích 6 lít. Sensor nhiệt được thiết kế để đo
nhiệt độ bên trong bình thủy nhiệt. Áp suất trong bình được điều chỉnh và
kiểm tra thông qua đồng hồ đo. Trong bình, phản ứng được thực hiện trong
một bình thạch anh. Thiết bị được gia nhiệt nhờ nguồn nhiệt của bếp từ.

Hình 2.2: Thiết bị thủy nhiệt.

 44

2.3. Công nghệ chế tạo vật liệu nano Ni0.5Zn0.5Fe2O4

2.3.1. Xây dựng quy trình công nghệ

Trong phần này tác giả trình bày về phương pháp chế tạo vật liệu
nano Ni0.5Zn0.5Fe2O4 và kết quả khảo sát một số tính chất của vật liệu này.

ZnCl2+ NiCl2 + FeCl3 NaOH

Phun sương

Đồng kết tủa, pH = 10

Lọc, rửa, sấy 50oC

Nung , 800oC, 4h

Hạt nano Zn0.5Ni0.5Fe2O4

Hình 2.3: Sơ đồ các bước chế tạo vật liệu nano Ni0.5Zn0.5Ni0.5Fe2O4.

Trong bài báo [37], khi khảo sát về ảnh hưởng của tỷ phần Zn đối với
tính chất từ của vật liệu NixZn1-xFe2O4, các tác giả đó tìm ra tỷ phần
nguyên tử tối ưu x = 0,5. Do đó trong phần này tác giả chỉ tập trung nghiên
cứu chế tạo hạt nano với thành phần Ni0.5Zn0.5Fe2O4.
Sơ đồ quy trình tổng hợp vật liệu nano Zn0.5Ni0.5Fe2O4 được trình bày
trên Hình 2.3. Ban đầu, hỗn hợp chất lỏng ZnCl2 0,05 M + NiCl2 0,05 M
+ FeCl3 0.2 M được đưa vào một bình chịu áp lực. Bình chịu áp lực còn
lại chứa dung dịch NaOH 0,8 M. Cho dòng khí nén áp suất 3,5 atm qua
ống dẫn vào hai bình chịu áp lực để dung dịch đi ra từ hai bình ở dạng
sương mù tại vòi phun. Tốc độ phun tại hai vòi giống nhau đạt 0,5 lít/phút.
Phản ứng đồng kết tủa xảy ra tại bình phản ứng. Bình này có chứa sẵn một
lượng dung dịch NaOH 10-4 M để giữ cho môi trường phản ứng có pH =
10. Chất kết tủa được thu lại, lọc và rửa cho đến khi pH đạt 7÷8. Sau đó
 45

chất kết tủa được sấy sơ bộ ở nhiệt độ 50 0C. Mẫu kết tủa sau đó được
nung ủ trong môi trường Ar ở 800 0C trong 4h. Cuối cùng vật liệu nano
được nghiền mịn và đem khảo sát các tính chất.

2.3.2. Khảo sát tính chất của vật liệu nano Ni0.5Zn0.5Fe2O4
2.3.2.1. Hình thái và cấu trúc của vật liệu
Ảnh SEM và ảnh TEM của hạt nano Ni0.5Zn0.5Fe2O4 được trình bày
trên Hình 2.4(a) và 2.4(b). Ảnh SEM cho thấy các hạt chế tạo được khá
đồng nhất, có dạng gần như hình cầu và có kích thước hạt khoảng 10 nm.
Ảnh TEM cho kích thước hạt trong khoảng 10 nm.

(a) (b)

Hình 2.4: Ảnh SEM (a) và TEM (b) của vật liệu nano Ni0.5Zn0.5Fe2O4

Phổ nhiễu xạ Rơnghen của vật liệu nano Ni0.5Zn0.5Fe2O4 được khảo
sát trên nhiễu xạ kế Siemens D5005 của Trung tâm Khoa học vật liệu
(ĐHQG Hà Nội). Trên Hình 2.5 trình bày giản đồ nhiễu xạ Rơnghen của
hạt nano Ni0.5Zn0.5Fe2O4. Ta thấy có các đỉnh rộng quan sát ở 2 = 18,28o;
30,25o; 35,53o; 37,12o; 43,09o; 53,07o; 57,04o và 62,65o; tương ứng với các
mặt (111), (220), (311), (222), (400), (422), (511) và (440). Số liệu nhiễu
xạ tia X cho thấy vật liệu có cấu trúc trevorite lập phương tâm mặt với
hằng số mạng a = 8,365 Å. Kích thước kết tinh tính toán tại đỉnh (311) sử
dụng công thức Scherrer d = k/.cos, với k = 0,94,  là bước sóng tia
X,  là độ rộng đỉnh tại một nửa cực đại và  là vị trí của đỉnh. Kết quả
 46

tính toán cho thấy kích thước kết tinh khoảng 10,5 nm. Kết quả này phù
hợp với kết quả ảnh SEM và TEM.

Hình 2.5: Giản đồ nhiễu xạ Rơnghen của vật liệu nano Ni0,5Zn0,5Fe2O4.

2.3.2.2. Tính chất từ của vật liệu

Trên Hình 2.6 biễu diễn các đường cong từ hóa của các vật liệu nano
Ni0.5Zn0.5Fe2O4 đo ở nhiệt độ phòng ở điều kiện từ trường từ hóa nhỏ (a)
và từ trường từ hóa lớn (b).

40 60
ZnNiFe 100618 ZnNiFe 100618
40

20
20
M (emu/g)

M (emu/g)

0 0

-20
-20

-40

-40 -60

-1000 -500 0 500 1000 -10000 -5000 0 5000 10000

H (Oe) H (Oe)

(a) (b)
Hình 2.6: Chu trình từ trễ của nano Ni0.5 Zn0.5 Fe2O4 trong từ trường nhỏ
(a) và từ trường lớn (b)

Ta thấy từ độ của nano Ni0.5Zn0.5Fe2O4 tăng khi tăng từ trường đặt

vào. Ở từ trường 13,5 kOe độ từ hóa hầu như vẫn chưa đạt trạng thái bão
 47

hòa và đạt giá trị 60 emu/g, trong khi từ dư và lực kháng từ gần như bằng
không. Điều đó cho thấy vật liệu nano Ni0.5Zn0.5Fe2O4 thể hiện tính chất
siêu thuận từ.
So sánh với kết quả từ độ bão hòa với mẫu của nhóm tác giả [37],
trong hệ mẫu Ni1-xZnxFe2O4 từ độ bão hòa đạt 48 emu/g tại x = 0,5 và từ
trường từ hóa 70 kOe, có thể thấy rằng tính chất từ của hệ vật liệu
Ni0.5Zn0.5Fe2O4 chế tạo bằng phương pháp phun sương - đồng kết tủa, là
tốt hơn nhiều.
Như vậy, tác giả đã chế tạo thành công vật liệu nano Ni0.5Zn0.5Fe2O4
với tính chất ưu việt: kích thước nhỏ cỡ 10 nm, thể hiện tính chất siêu
thuận từ với từ độ bão hòa rất lớn 60 emu/g, trong khi từ dư và lực kháng
từ gần như bằng không.
2.4. Công nghệ chế tạo vật liệu nano Mn0.5Zn0.5Fe2O4
2.4.1. Xây dựng quy trình công nghệ
Sơ đồ quy trình tổng hợp vật liệu nano Mn0.5Zn0.5Fe2O4 theo phương
pháp phun sương đồng kết tủa được trình bày trên Hình 2.7.

ZnCl2+ MnCl2 + FeCl3 NaOH

Phun sương

Đồng kết tủa, pH = 10

Lọc, rửa, sấy 50oC

Nung, 800oC, 4h

Hạt nano
Mn0.5Zn0.5Fe2O4

Hình 2.7: Sơ đồ các bước chế tạo vật liệu nano Mn0.5Zn0.5Fe2O4.
 48

Ban đầu, hỗn hợp chất lỏng ZnCl2 0,05 M + MnCl2 0,05 M + FeCl3
0,2 M được đưa vào một bình chịu áp lực. Bình chịu áp lực kia chứa dung
dịch NaOH 0,8 M. Cho dòng khí nén áp suất 3,5 atm qua ống dẫn vào hai
bình chịu áp lực để dung dịch đi ra từ hai bình ở dạng sương mù tại vòi
phun. Tốc độ phun tại hai vòi giống nhau đạt 0,5 lít/phút. Phản ứng đồng
kết tủa xảy ra tại bình phản ứng. Bình này có chứa sẵn một lượng dung
dịch NaOH 10-4 M để giữ cho môi trường phản ứng có pH = 10. Chất kết
tủa được thu lại, lọc và rửa cho đến khi pH đạt 7÷8. Sau đó chất kết tủa
được sấy sơ bộ ở nhiệt độ 50 oC. Mẫu kết tủa sau đó được nung ủ trong
môi trường Ar không khí ở 800 - 1000oC trong 4h. Cuối cùng vật liệu nano
được nghiền mịn và đem khảo sát các tính chất.

2.4.2. Khảo sát tính chất của vật liệu nano

2.4.2.1. Hình thái cấu trúc của vật liệu
Hình thái và cấu trúc của vật liệu được nghiên cứu bằng kính hiển vi
điện tử quét và máy nhiễu xạ tia X (XRD, Bruker D5005 với bức xạ Cu
K có  = 1,54056 Å).

Hình 2.8: Ảnh SEM của vật liệu nano Mn0.5Zn0.5Fe2O4

Ảnh SEM của hạt nano Mn0.5Zn0.5Fe2O4 được trình bày trên Hình 2.8.
Nhận thấy, các hạt Mn0.5Zn0.5Fe2O4 chế tạo được có kích thước khoảng 50
 49

- 100 nm, khá lớn so với các hạt nano từ đã trình bày ở trên. Các hạt nhỏ
có dạng gần với hình cầu, các hạt lớn hơn có xu hướng hình thành ở dạng
que.

Hình 2.9: Giản đồ nhiễu xạ Rơnghen của vật liệu nano Mn0.5Zn0.5Fe2O4.

Giản đồ nhiễu xạ Rơnghen của hạt nano Mn0.5Zn0.5Fe2O4 được trình

bày trên Hình 2.9. Ta thấy có các đỉnh rộng quan sát ở 2 = 18,15o; 29,90o;
35,20o; 36,95o; 42,76o; 53,22o; 56,64o và 62,20o; tương ứng với các mặt
(111), (220), (311), (222), (400), (422), (511) và (440). Số liệu nhiễu xạ
tia X cho thấy vật liệu có cấu trúc trevorite lập phương tâm mặt với hằng
số mạng a = 8,297 Å. Kích thước hạt tính theo công thức Scherrer sử dụng
số liệu ứng với các đỉnh (220) và (311) có giá trị cỡ 30 nm, khá phù hợp
với kết quả phân tích ảnh SEM.
2.4.2.2. Tính chất từ của vật liệu
Tính chất từ của vật liệu được xác định bằng máy từ kế mẫu rung
(VSM, DMS 880) tại nhiệt độ phòng.
Trên Hình 2.10 biễu diễn các đường cong từ hóa của các vật liệu nano
Mn0.5Zn0.5Fe2O4 đo ở nhiệt độ phòng ở điều kiện từ trường từ hóa nhỏ (a)
và từ trường từ hóa lớn (b).
 50

Hình 2.10: Chu trình từ hóa của vật liệu Mn0.5Zn0.5Fe2O4 trong vùng từ
trường từ hóa nhỏ (a) và trong vùng từ trường từ hóa lớn (b).

Ta thấy từ độ của nano Mn0.5Zn0.5Fe2O4 tăng khi tăng từ trường đặt

vào. Ở từ trường 13,5 kOe độ từ hóa hầu như vẫn chưa đạt trạng thái bão
hòa và đạt giá trị 40 emu/g. Từ dư và lực kháng từ lần lượt bằng 3,5emu/g
và 25Oe là khá nhỏ. Như vậy có thể coi là vật liệu nano Mn0.5Zn0.5Fe2O4
cũng thể hiện tính chất siêu thuận từ.
2.5. Chế tạo một số vật liệu nano từ tính khác
Ngoài những vật liệu nano từ đã kể trên, bằng phương pháp tương tự
trong quá trình nghiên cứu đã tiến hành chế tạo được các vật liệu nano từ
tính khác như vật liệu BaCo ferrite và vật liệu multiferroic BCFO.

2.5.1. Chế tạo vật liệu từ nano BaCo ferrite

Sơ đồ quy trình tổng hợp vật liệu nano BaCo ferrite theo phương
pháp phun sương đồng kết tủa được trình bày trên Hình 2.11. Ban đầu,
hợp chất lỏng BaCl2 + CoCl2 + FeCl3 được đưa vào một bình chịu áp lực.
Bình chịu áp lực còn lại chứa dung dịch NaOH. Cho dòng khí nén áp suất
3.5 atm qua ống dẫn vào hai bình chịu áp lực để dung dịch đi ra từ hai bình
ở dạng sương mù tại vòi phun. Tốc độ phun tại hai vòi giống nhau đạt 0.5
lít/phút. Phản ứng đồng kết tủa xảy ra tại bình phản ứng. Bình này có chứa
 51

một lượng dung dịch NaOH 10-4 M để giữ cho môi trường phản ứng có
pH = 10. Chất kết tủa được thu lại, lọc và rửa cho đến khi pH đạt 7÷8. Sau
đó chất kết tủa được sấy sơ bộ ở nhiệt độ 50oC và nung ở 1000oC trong
4h. Cuối cùng vật liệu nano được nghiền mịn. Với quy trình như trên,
chúng tôi đã chế tạo thành công được lượng lớn vật liệu nano
3BaO.2CoO.12Fe2O3.

BaCl2+ CoCl2 + FeCl3 NaOH

Phun sương

Đồng kết tủa, pH = 10

Lọc, rửa, sấy 50oC

Nung, 1000oC, 4h

Hạt nano
3BaO.2CoO.12Fe2O3

Hình 2.11: Sơ đồ các bước chế tạo vật liệu nano BaCo ferrite.

120
[1110]

3BaO.2Co.12Fe2O3
100

80
Intensity (a.u)

[1016]

60
[2020]

[220]
[118]
[110]

[2013]

[303]

40
[1112]

[210]
[1116]

[218]
[114]

[1030]

20

20 30 40 50 60 70

2 Theta (degree)

Hình 2.12: Phổ nhiễu xạ Rơnghen của vật liệu nano BaCo ferrite chế tạo được

Phổ nhiễu Rơnghen của vật liệu nano BaCo ferrite được trình bày
Hình 2.12.
 52

Trên Hình 2.13 trình bày ảnh TEM của vật liệu nano BaCo ferrite
chế tạo được. Ta thấy rằng các hạt nano cũng có kích thước rất nhỏ, chỉ
cỡ vài nano mét, tuy nhiên khác với trường hợp ferrite cobalt, trên
Hình 2.13 (b) với độ phóng đại tương tự ta không quan sát thấy sự hình
thành của các que nano.

(a) (b)
Hình 2.13: Ảnh TEM của vật liệu nano BaCo ferrite chế tạo được với độ
phóng đại khác nhau.

Hình 2.14: Chu trình từ trễ của vật liệu nano BaCo ferrite

Chu trình từ trễ của vật liệu được trình bày trên Hình 2.14. Từ hình này
ta xác định được từ độ bão hòa của vật liệu đạt trên khoảng 35 emu/g. Ta thấy
rằng vật liệu nano BaCo ferrite thể hiện tính chất từ cứng khá rõ rệt (với Mr 
 53

14 emu/g, Hc  1000 Oe ), mặc dù kích thước hạt của vật liệu là khá nhỏ. Như
vậy có thể thấy rằng kích thước đômen của vật liệu BaCo ferrite là rất nhỏ,
dưới nano mét.

2.5.2. Chế tạo vật liệu multiferroic CoFe2O4 - BiFeO3 (BCFO)

Bi(NO3)3 + Co(NO3)2 + FeCl3 NaOH

Phun sương

Đồng kết tủa, pH = 10

Lọc, rửa, sấy 50oC

Nung, 1000oC, 4h

Hạt nano
BiFeO3 - CoFe2O4

Hình 2.15: Sơ đồ các bước chế tạo vật liệu nano multiferroic.
Sơ đồ quy trình tổng hợp vật liệu nano BaCo ferrite theo phương
pháp phun sương đồng kết tủa được trình bày trên Hình 2.15. Ban đầu,
hợp chất lỏng Bi(NO3)3 + Co(NO3)2 + FeCl3 và dung dịch NaOH được
đưa vào hai bình chịu áp lực. Cho dòng khí nén áp suất cỡ 3 atm qua ống
dẫn vào hai bình chịu áp lực để dung dịch đi ra từ hai bình ở dạng sương
mù tại vòi phun. Phản ứng đồng kết tủa xảy ra tại bình phản ứng lớn hơn.
Bình này có chứa một lượng dung dịch NaOH 10-4 M để giữ cho môi
trường phản ứng có pH = 10. Chất kết tủa được thu lại, lọc và rửa cho đến
khi pH đạt 7÷8. Sau đó chất kết tủa được sấy sơ bộ ở nhiệt độ 50oC và
nung ở 1000oC trong 6h. Cuối cùng vật liệu BiFeO3 – CoFe2O4 được
nghiền mịn. Với quy trình như trên, chúng tôi đã chế tạo thành công được
lượng lớn vật liệu BiFeO3 – CoFe2O4.
 54

Hình 2.16 trình bày phổ nhiễu xạ Rơnghen của vật liệu multiferroic
CoFe2O4 - BiFeO3 (BCFO) chế tạo được.

500 CoFe2O4
BiFeO3
400
Intensity (a.u)

300

200

100

20 30 40 50 60 70

2  (degree)

Hình 2.16: Phổ nhiễu xạ Rơnghen của vật liệu multiferroic CoFe2O4 - BiFeO3
(BCFO)

Trên Hình 2.17 trình bày ảnh TEM của vật liệu multiferroic CoFe2O4
- BiFeO3 (BCFO) chế tạo được. Ta thấy rằng các hạt vật liệu này có kích
thước khá lớn, cỡ 500 nm, và trên hình (a) ta còn thấy đã hình thành pha
có dạng thanh với đường kính cỡ 500 nm và chiều dài vài micro mét.

(a) (b)
Hình 2.17: Ảnh TEM của vật liệu multiferroic CoFe2O4 - BiFeO3 (BCFO) với
độ phóng đại khác nhau.
 55

Chu trình từ trễ của vật liệu được trình bày trên Hình 2.18. Từ hình
này ta xác định được từ độ bão hòa của vật liệu chỉ vào khoảng 25 emu/g.
Ta thấy rằng vật liệu multiferroic CoFe2O4 - BiFeO3 (BCFO) thể hiện tính
chất từ cứng khá rõ rệt (với Mr  12,5 emu/g, Hc  1000Oe). Kết quả này
là dễ hiểu: vì vật liệu BCFO thực chất là hỗn hợp cơ học của 2 vật liệu
CoFe2O4 và BiFeO3, trong đó BiFeO3 là vật liệu sắt điện, không có từ tính,
cho nên từ độ bão hòa của vật liệu BCFO chỉ bằng cỡ một nửa của CoFe2O4.
Tuy nhiên tính chất từ cứng hoàn toàn do CoFe2O4 quy định nên lực kháng từ
trong trường hợp này cũng khá lớn, cỡ 1000 Oe.

Hình 2.18: Chu trình từ trễ của vật liệu multiferroic CoFe2O4 - BiFeO3

2.6. Công nghệ chế tạo vật liệu nano C

2.6.1. Lựa chọn công nghệ

Căn cứ vào điều kiện trang thiết bị hiện có của phòng thí nghiệm vật
lý kỹ thuật, tác giả lựa chọn phương pháp phân hủy khí thiên nhiên trong
môi trường khí trơ để chế tạo vật liệu nano C. Đây là phương pháp thường
được sử dụng để chế tạo vật liệu nano C và nanotube cácbon [66, 74]. Bột
nano cácbon được chế tạo bằng phương pháp phân hủy khí đốt thiên nhiên
trong môi trường khí N2 và khí trơ Ar ở nhiệt độ 700 - 1000oC.
Nguyên liệu đầu vào được sử dụng là khí ga dùng trong sinh hoạt và khí
acetylen. Quá trình được tiến hành trong lò khuếch tán Samostel (Hình
2.19) của phòng thí nghiệm Vật lý Kỹ thuật, Học viện KTQS. Để tạo được
 56

bột nano cácbon, hỗn hợp khí được thổi qua vào reactor đã được nâng lên
nhiệt độ phù hợp. Kết quả ta nhận được bột nano C dưới dạng bột mịn,
nhẹ hơn nước và có màu đen đặc trưng.

Hình 2.19: Thiết bị lò khuếch tán Samostel

2.6.2. Khảo sát tính chất của vật liệu nano C

2.6.2.1 Khảo sát bằng phương pháp nhiễu xạ Rơnghen
Hình 2.20 trình bày phổ nhiễu xạ Rơnghen của vật liệu nano C chế
tạo được. Ta thấy rằng vật liệu nhận được là vật liệu vô định hình.

Hình 2.20: Phổ nhiễu xạ Rơnghen của vật liệu nano cácbon

2.6.2.2. Khảo sát bằng phương pháp hiển vi điện tử quét

Trên Hình 2.21 biểu diễn ảnh TEM của vật liệu nano C nhận được ở
điều kiện thời gian phân hủy ngắn. Ta thấy lúc này vật liệu nhận được là
 57

vật liệu nano có kích thước hạt cỡ 20nm. Các hạt có dạng hình cầu rất nhỏ
có kích thước lớn dần lên nếu ta kéo dài thời gian phân hủy khí ga lên từ
vài chục phút lên nhiều giờ.

Hình 2.21: Ảnh TEM của vật liệu nano C ở điều kiện thời gian phân hủy ngắn

Hình 2.22: Ảnh TEM của các quả cầu cácbon.

Khi đó kích thước của những quả cầu có thể đạt tới 400 – 500 nm,
thậm chí cỡ micromet (Hình 2.22). Các hạt vật liệu có dạng hình cầu gần
như lý tưởng khi chúng đạt kích thước lớn cỡ hàng trăm nano mét.
Đây là một hiện tượng hiếm thấy, tuy nhiên trong các thực nghiệm
đã thực hiện, sự hình thành các quả cầu cácbon này hầu như được lặp lại.
Bước đầu đánh giá khối lượng riêng của vật liệu chế tạo được cho phép
giả thiết rằng các quả cầu này là có cấu trúc nano vì vật liệu chế tạo được
 58

có tỷ khối chỉ vào quãng 0,1g/cm3. Sự hình thành và lớn dần lên của các
quả cầu cácbon cũng được khẳng định trên Hình 2.23 trình bày ảnh SEM
của vật liệu nano các bon nhận được.

Hình 2.23: Ảnh SEM của vật liệu nano cácbon

Hình 2.24: Ảnh SEM phân giải cao của các quả cầu cácbon.

Khi chụp ảnh SEM ở chế độ phân giải cao như trên Hình 2.24, ta thấy
rõ các quả cầu này được bồi đắp nên từ những vảy nhỏ. Để khẳng định
điều đó nghiên cứu sinh đã tiến hành xử lý bột cácbon tạo được trong môi
trường dung môi, kết quả cho thấy các quả cầu cácbon đã vỡ thành các hạt
nhỏ có kích thước dưới 50 nm (Hình 2.25).
 59

Hình 2.25: Ảnh TEM quả cầu cácbon tan trong dung môi.

Bước tiếp theo, tiến hành xử lý bột cácbon ở nhiệt độ 1000oC trong
môi trường khí CO2. Khi đó lộ ra rất rõ trên ảnh SEM phân giải cao cấu
trúc nano của các hạt cácbon: trên các Hình 2.26 có thể thấy các quả cầu
cácbon lớn sau khi xử lý chuyển thành những vảy tròn cácbon có đường
kính cỡ 50 – 100 nm và có chiều dày nhỏ hơn rất nhiều so với đường kính
của chúng, chỉ cỡ 10 nm. Ngoài ra ta còn có thể thấy rằng chính các vảy
này lại được tạo thành từ những hạt nano cácbon có kích thước nhỏ hơn
nữa, chỉ vào cỡ nano mét.
Như vậy có thể khẳng định rằng vật liệu nano cácbon thu được có
kích thước hạt kết tinh rất nhỏ, chỉ vào cỡ nanomet, điều này là phù hợp
với kết quả khảo sát XRD và đo diện tích bề mặt riêng (200 - 400 m2/g)
của vật liệu nano cácbon chế tạo được.
 60

Hình 2.26: Ảnh SEM của vật liệu nano cácbon sau khi xử lý.

2.6.2.3. Khảo sát bằng phương pháp từ kế mẫu rung

Hình 2.27 trình bày đường cong từ trễ của vật liệu nano cácbon thu
được. Trên hình này ta thấy rõ vật liệu nano C nhận được là vật liệu nghịch
từ. Điều này là hợp lý vì xét về nguyên tắc nguyên tử cácbon phải có tính
nghịch từ và vật liệu cácbon nguyên chất phải là vật liệu nghịch từ.

0.06
MAU 01- F01
M (emu/g)

0.00

-0.06
-10000 -5000 0 5000 10000
H (Oe)

Hình 2.27: Đường cong từ trễ của vật liệu nano cácbon chế tạo được.
 61

2.7. Kết luận chương 2

Chương 2 của luận án trình bày sơ đồ công nghệ chế tạo được vật
liệu nano cácbon và các vật liệu nano từ tính.
Sử dụng các thiết bị công nghệ trên, đã nghiên cứu chế tạo được vật
liệu cácbon và các vật liệu từ tính như Zn0.5Ni0.5Fe2O4, Zn0.5Mn0.5Fe2O4,
BaCo ferrite, multiferroic BCFO.
Khảo sát cấu trúc tinh thể, hình thái học và kích thước hạt của các vật
liệu tạo được bằng các phương pháp nhiễu xạ Rơnghen, hiển vi điện tử
quét, hiển vi điện tử truyền qua. Kết quả khảo sát cho thấy các vật liệu thu
được có kích thước nanomét.
Tiến hành khảo sát tính chất từ của các vật liệu nano thu được. Kết
quả cho thấy các vật liệu Ni0.5Zn0.5Fe2O4, Zn0.5Mn0.5Fe2O4 là các vật liệu
siêu thuận từ, BaCo ferrite, multiferroic BCFO là vật liệu từ cứng.
Vật liệu nano từ và nano cácbon được sử dụng để chế tạo mẫu RAM
đơn lớp, đo tham số điện, từ của chúng nhằm xây dựng ngân hàng dữ liệu
vật liệu sẽ được trình bày trong chương 3 của luận án.
 62

Chương 3: ĐO CÁC THÔNG SỐ ĐIỆN TỪ VÀ XÂY

DỰNG NGÂN HÀNG DỮ LIỆU VẬT LIỆU

3.1. Giới thiệu

Giống như bất kỳ sản phẩm nào khác, thiết kế của một loại vật liệu
hấp thụ sóng radar phụ thuộc rất nhiều vào mục đích ứng dụng. Căn cứ
vào mục đích ứng dụng và trên cơ sở những đặc tính của vật liệu cho phép
xây dựng một hoặc một số cấu hình để sản xuất vật liệu RAM. Khi đã xác
định mục sử dụng chúng ta phát triển một thiết kế hay một ý tưởng phù
hợp với ứng dụng đó. Như vậy việc xác định các đặc tính của vật liệu nói
chung và các thông số điện từ nói riêng của vật liệu là một yêu cầu quan
trọng để thiết kế và sản xuất RAM. Vật liệu dạng hạt được đặc trưng bởi
hai thông số quan trọng là hệ số điện môi phức và độ từ thẩm phức, trong
khi các tấm mỏng lại đặc trưng bởi trở kháng phức. Các đại lượng này
được xác định bằng một số kỹ thuật cơ bản được nêu ra trên Hình 3.1 [8,
9, 34, 48].
- Kỹ thuật “Bản cực song song” còn được gọi là phương pháp điện
dung. Trong phương pháp này, người ta sử dụng một tụ điện phẳng song
song, với các mẫu cần đo kẹp ở giữa hai bản. Thiết bị đo chính được sử
dụng trong phương pháp này là máy đo tổng trở (RLC – meter) hoặc máy
phân tích trở kháng. Kỹ thuật “bản cực song song” là phương pháp có độ
chính xác cao, thường được sử dụng cho dải tần số thấp, dưới 30 MHz và
thích hợp đối với việc khảo sát các mẫu có dạng tấm phẳng, mỏng.
Trong phương pháp này, để khảo sát các thông số vật liệu, người ta
sử dụng một cáp đồng trục gắn với máy phân tích mạng. Phương pháp
 63

thích hợp đối với khảo sát vật liệu là các chất lỏng hoặc chất rắn mềm.
Cũng có thể sử dụng được cho các vật liệu cứng có dạng tấm phẳng.
- Phương pháp đầu dò đồng trục là phương pháp đo không phá hủy,
có dải tần rộng, và là phương pháp tốt nhất để khảo sát các vật liệu có độ
tổn hao lớn.

Hình 3.1: Một số kỹ thuật cơ bản đánh giá thông số điện từ của vật liệu

- Kỹ thuật “Hốc cộng hưởng”: Trong phương pháp này, người ta sử

dụng một hộp cộng hưởng được kết nối với máy phân tích mạng để đo tần
số cộng hưởng và năng lượng lưu trữ của hộp trong hai trường hợp, khi
hộp cộng hưởng trống và khi hộp có chứa mẫu đo. Trên cơ sở các số liệu
đo, người ta tính được hệ số điện môi của mẫu. Ưu điểm của phương pháp
 64

này là có độ chính xác cao, rất thích hợp cho việc khảo sát các vật liệu có
độ tổn hao thấp.
- Kỹ thuật “Đường truyền”: Phương pháp này có thể sử dụng nhiều
đường truyền tín hiệu khác nhau kết nối với máy phân tích mạng để khảo
sát mẫu đo. Đường truyền có thể là dây đồng trục, ống dẫn sóng... Kỹ thuật
này cho phép đo chính xác nhất độ từ thẩm và hệ số điện môi tỷ đối của
mẫu vì nó hạn chế tối đa sự mất mát năng lượng từ hệ thống, do đó làm
giảm nguy cơ tổn thất năng lượng do không tồn tại trong các mẫu thử
nghiệm. Kỹ thuật này cũng cho phép đánh giá chính xác các thông số của
vật liệu vì các phép đo được xây dựng trên một nền tảng lý thuyết vững
chắc và đúng đắn. Thiết bị đo khá nhỏ gọn, phù hợp với các phòng thí
nghiệm vừa và nhỏ. Phương pháp “Đường truyền” là phương pháp đo dải
rộng với dải tần từ 50 MHz đến 75 GHz và là phương pháp đo thích hợp
nhất để khảo sát các vật liệu có độ tổn hao trung bình và thấp, là các vật
liệu rắn, dễ gia công cơ khí.
- Kỹ thuật “Không gian tự do” bao gồm hai phương pháp chính là
“Vòm NRL” (NRL arch) và “Truyền qua trong không gian tự do”
(Transmission Free-Space), được ứng dụng đối với các mẫu có kích thước
lớn và vùng tần số cao hơn. Trong phương pháp này, người ta sử dụng hai
ăng-ten thu, phát tín hiệu gắn với máy phân tích mạng. Kết quả, hệ số điện
môi và độ từ thẩm được suy ra trên cơ sở tính toán sử dụng tín hiệu tổn
hao phản xạ và tổn hao truyền qua thu được. Đây là phương pháp chủ đạo
được sử dụng trong nghiên cứu vật liệu hấp thụ radar, các lớp phủ, sơn
hấp thụ radar dùng cho các vũ khí, khí tài quân sự. Phương pháp không
gian tự do là phương pháp đo không tiếp xúc, và là phương pháp đo tốt
nhất đối với việc khảo sát các mẫu phẳng, rộng và nhiệt độ cao.
 65

Các phương pháp đánh giá thông số điện từ liên quan trực tiếp đến
khả năng hấp thụ sóng điện từ được nêu ra trên đây đều là các phương
pháp truyền thống. Đa phần các phương pháp này đều dựa trên đặc trưng
cơ bản hoặc là tổn phản xạ, hoặc tổn hai truyền qua và thậm chí sử dụng
cả hai đặc trưng này. Trước đây các phép đo được tiến hành đối với các
dải tần số tương đối hẹp bởi sự hạn chế về thiết bị thí nghiệm cũng như
thời gian cho phép thiết lập và điều chỉnh thiết bị. Trong những năm gần
đây cùng với sự phát triển mạnh mẽ của kỹ thuật vi xử lý, công nghệ truyền
dẫn và các thiết bị lưu trữ, các phương pháp này được sử dụng rộng rãi ở
các nước phát triển, phục vụ rất hiệu quả cho nghiên cứu khoa học nói
chung và nghiên cứu về vật liệu hấp thụ sóng điện từ nói riêng.
Ở Việt Nam vấn đề nghiên cứu về vật liệu hấp thụ sóng điện từ mặc
dù đã được khởi động một thời gian song việc nghiên cứu một các bài bản
thì còn hạn chế, cùng với đó là các phương tiện, thiết bị phục vụ nghiên
cứu hầu như chưa được trang bị.
Trong chương này tác giả trình bày hai phương pháp được sử dụng
để đo đạc thông số của vật liệu phục vụ nghiên cứu của luận án là phương
pháp “không gian tự do” và phương pháp “đường truyền”.
3.2. Phương pháp không gian tự do.
Để khảo sát các tính chất của vật liệu, đánh giá khả năng hấp thụ,
kiểm soát chất lượng hoặc phát triển sản phẩm RAM đòi hỏi tối thiểu các
phép đo, thao tác thử nghiệm dữ liệu và thường hạn chế sử dụng nhiều
thiết bị tinh vi. Vì vậy, phương pháp “Không gian tự do” là một lựa chọn
tối ưu.
Đối với phương pháp vòm NRL, hệ thống thiết bị đo, các ăng-ten
thu, phát và giá đặt mẫu trong một giới hạn không gian tương đối nhỏ
chính vì vậy gọi là phương pháp không gian tự do cũng chưa hẳn là tuyệt
 66

đối chính xác. Tuy nhiên phương pháp này lại cho một kết quả đo đáng
tin cậy nếu vận hành và thao tác đo chuẩn cùng với chi phí khá thấp.
Ngược lại phương pháp không gian tự do được thực hiện trong điều kiện
mô phỏng khắt khe, các thông số về khoảng cách và kích thước mẫu tuân
thủ theo những quy tắc nhất định.

3.2.1. Phương pháp vòm NRL

Phương pháp vòm NRL nghiên cứu vật liệu hấp thụ được phát triển
tại Viện Công nghệ Massachusetts vào những năm 1940. Phiên bản đầu
tiên được thử nghiệm tại Phòng thí nghiệm Nghiên cứu Hải quân - US, và
các sản phẩm đầu tiên đã được chế tạo và đưa vào sử dụng tại đây [88].

Hình 3.2: Hệ thống dùng cho phương pháp “Vòm NRL”

Sơ đồ hệ thống thiết bị đo được mô tả trên Hình 3.2, bao gồm một

máy phát tín hiệu điều biến âm thanh radio RF nối với ăng-ten phát thông
qua bộ suy giảm biến đổi. Tín hiệu phản xạ trên mẫu đo được gửi tới ăng-
ten thu nối với bộ tách sóng tinh thể cuối cùng truyền tới thiết bị khuếch
đại để khuếch đại tín hiệu tới mức có thể đo được. Tín hiệu đầu được chỉnh
 67

lưu và hiển thị trên màn hình máy phân tích mạng theo đơn vị dB. Các yêu
cầu về nguồn điện của hệ thống rất nhỏ vì tổng số đường truyền rất ngắn
đồng thời các tín hiệu khá mạnh.
Khoảng cách giữa hai ăng-ten không nhỏ hơn kích thước loa của ăng-
ten, vì vậy không thể thực hiện được phép đo đối với tín hiệu sóng điện từ
với góc tới 0 độ. Tuy nhiên, với phép đo có góc tới đủ nhỏ trong hầu hết
các trường hợp cho kết quả đánh giá hấp thụ khá chính xác.
Vòm hình bán nguyệt có chiều cao không quá 1,8 m được gắn với
một trụ ngắn kim loại tại tâm của vòm làm giá đỡ mẫu đo. Thông thường
mẫu được đặt trên đế kim loại có kích thước tiêu chuẩn 30 cm x 30 cm, đế
kim loại này bên cạnh việc làm cho tín hiệu sóng điện từ truyền tới sau
khi qua mẫu đo sẽ phản xạ hoàn toàn còn một mục đích là dùng để hiệu
chuẩn hệ thống trước khi đo. Trong một số trường hợp giá đỡ được thiết
kế cố định để hiệu chuẩn cũng như đo mẫu, tuy nhiên trong các trường
hợp khác giá đỡ để trên trụ có thể điều chỉnh độ cao tương đối so với vòm
bán nguyệt.
Trước tiên điều chỉnh bộ suy giảm và thiết lập trạng thái cho các thiết
bị nhận tín hiệu sao cho màn hình hiển thị chế độ "comfortable" với một
đế kim loại đặt trên bệ đỡ. Sau khi thiết lập không được thay đổi các chế
độ cài đặt này trừ khi chúng ta phát hiện có thay đổi về nguồn định mức
hoặc là độ nhạy của thiết bị thu. Bước thứ hai là lắp đặt mẫu lên đế kim
loại và tiến hành đo đạc, khảo sát tín hiệu suy hao đầu ra. So sánh tín hiệu
giữa hai lần đo ta đánh giá được mức độ hấp thụ tín hiệu sóng điện từ của
mẫu đo. Các bước này được lặp lại đối với các mẫu đo khác nhau.
Cũng cần lưu ý rằng nếu tín hiệu đầu ra thay đổi ít hơn so với dải động
của bộ tách sóng tinh thể thì chúng ta có thể đo trực tiếp mà không cần
hiệu chỉnh bộ suy giảm biến đổi. Như đã trình bày ở trên, bước đầu tiên
 68

chúng ta cần hiệu chỉnh bộ suy giảm nhưng khi đã đạt được chế độ
"comfortable" trên màn hình thì không cần phải hiệu chỉnh bộ suy giảm
nữa.

3.2.2. Phương pháp “Đo lường không gian tự do”

Đây là một biến thể của phương pháp “Đường truyền”. Phương
pháp không gian tự do có thể đo chính xác thông số điện từ của các vật
liệu dị hướng, không đồng nhất như gốm sứ, vật liệu tổng hợp, vv… [86,
89].
Sơ đồ khối và hình ảnh hệ đo của thiết bị dùng cho phương pháp đo
lường không gian tự do được mô tả trên Hình 3-3 bao gồm: Một phân tích
mạng, thông thường là máy phân tích mạng Agilent PNA; một đế cố định
và thay đổi vị trí của mẫu đo; hai ăng-ten điện từ và phần mềm Agilent
85071E.

(a) (b)
Hình 3.3: Sơ đồ khối (a) và hình ảnh thực tế (b) hệ thống thiết bị của
phương pháp Đo lường không gian tự do
 69

Hai ăng-ten điện từ được sử dụng như các máy phát và thu tương
ứng, ứng với mỗi dải tần khác nhau có thể sử dụng các ăng-ten có kích
thước và thông số khác nhau.
Các mẫu đo được đặt vuông góc với mặt phẳng ngang; nằm giữa hai
ăng-ten thu phát tín hiệu đặt đối điện nhau và kết nối với máy phân tích
mạng. Trước khi đo phải tiến hành hiệu chuẩn máy VNA bằng cách thực
hiện phép đo đối với không khí, nhằm loại bỏ sự ảnh hưởng của các tạp
do đế đặt mẫu tạo ra. Đồng thời cũng nên sử dụng chức năng “Ngưỡng
miền thời gian” với mục đích loại bỏ tạp do mẫu đo đem đến dù biết rằng
với độ dày thích hợp của mẫu thì có thể tránh được điều này. Nó cũng loại
bỏ được sự nhiễu xạ gây ra bởi các cạnh loa của ăng-ten. Tính năng
ngưỡng miền thời gian của PNA còn cho phép quyết định vị trí của mẫu;
đồng thời phải đảm bảo độ lệch trung bình của tổn hao phản xạ giữa vật
liệu kim loại và vật liệu phi kim không nhỏ hơn 40 dB.
Để đạt được kết quả hoàn hảo thì cần tuân thủ các điều kiện về khoảng
cách như sau [104]:
- Yêu cầu về trường xa: Đảm bảo sóng được truyền tới mẫu là sóng phẳng,
khoảng cách d giữa ăng-ten và mẫu phải thỏa mãn điều kiện d > 2D2/λ;
trong đó λ là bước sóng, D là kích thước lớn nhất của ăng-ten hoặc mẫu.
Đối với loa ăng-ten là hình tròn thì D là đường kính của loa. Nếu loa ăng-
ten là hình chữ nhật thì D là chiều dài của đường chéo.
- Kích thước mẫu: Nếu kích thước mẫu nhỏ hơn rất nhiều so với bước
sóng thì tín hiệu phản xạ trên mẫu giống như phản xạ từ một điểm; vì vậy
để đạt được kết quả chính xác thì kích thước của mẫu phải lớn hơn bước
sóng.
 70

- Môi trường đo: Toàn bộ hệ thống phải được đặt trong phòng tối; cũng có
thể sử dụng chức năng "Ngưỡng miền thời gian" để loại bỏ tạp từ môi
trường và ảnh hưởng của các thiết bị xung quanh.

Sau khi hoàn tất quá trình hiệu chuẩn và thiết lập hệ thống, tiến hành
đo đạc, khảo sát và thu được các tín hiệu tổn hao phản xạ và tổn hao truyền
qua nhận được dưới dạng tham số S. Sử dụng các tham số S11, S21 thu
được, có thể tính toán hệ số điện môi và độ từ thẩm của mẫu RAM bằng
công thức Nicolson-Ross-Weir (NRW) [63, 80]:

V1= S21+ S11 , V2= S21 - S11 (3.1)

1  V1  V2 1  V1  V2
X , Y (3.2)
V1  V2 V1  V2

Từ (3.1) và (3.2) có thể tính hệ số phản xạ G và hệ số truyền qua Z:

ZX X 2  1;G  Y  Y 2  1 (3.3)

Việc lựa chọn dấu căn cứ vào điều kiện Z  1 và G  1 .
Bên cạnh đó chúng ta cũng có thể tính toán G và Z thông qua hai công
thức tương đương:
V1  G Z  V2
Z ;G  (3.4)
1  G  V1 1  Z  V2

Từ (3.1-3.4) tính được số sóng:

1  1  V1  1  G 
k  (3.5)
jd 1  GV1

Cuối cùng tính được giá trị của độ từ thẩm µr và hệ số điện môi εr:
2
2 1  V2 k  1
r   , r     (3.6)
jk0  d 1  V2  k0   
Trong đó k0 = 2πf/c , c là vận tốc ánh sáng, d là độ dày của mẫu.
 71

3.3. Phương pháp đường truyền

3.3.1. Lý thuyết đường truyền
3.3.1.1. Các hệ thức cơ bản

Điện áp tại điểm có tọa độ z bất kỳ trên đường truyền có thể biểu diễn
dưới dạng tổng của các điện áp do sóng tới và sóng phản xạ gây ra:

V  z   Vi e  z  Vr e z (3.7)

trong đó Vi, và Vr là điện áp tới và điện áp phản xạ, có thể nhận các giá trị
phức. Các chỉ số i và r lần lượt ứng với sóng tới và sóng phản xạ. Tương
tự, các dòng điện chạy qua các vật dẫn của đường truyền có thể được biểu
diễn dưới dạng sau:

I  z   Vi e z  Vr e  z  / Z 0 (3.8)

Trong đó Z0 là trở kháng đặc trưng của đường truyền. Do các số hạng thứ
2 trong các biểu thức (3.7) và (3.8) là ứng với sóng phản xạ, nên dấu của
chúng trong các biểu thức này ngược nhau.
Khi đó trở kháng tại bất kỳ điểm z nào dọc theo đường truyền được xác
định bằng cách lập tỷ số (3.7) và (3.8):

Vi e z  Vr e  z
Z  z   Z0  z (3.9)
Vi e  Vr e  z

Khi nghiên cứu về đường truyền, ta luôn quan tâm đến giá trị của trở kháng
tại hai điểm đặc biệt trên đường truyền, đó là tại điểm cuối (nơi có tải) của
đường truyền và tại điểm cách tải đó một khoảng bằng d về phía nguồn.
Nếu kí hiệu trở kháng tải bằng ZL, chúng ta có thể đặt z = 0 tại tải và tính
được hệ số phản xạ điện áp của tải Vr/Vi như sau:
Vr Z L  Z0
L   (3.10)
Vi Z L  Z0

Bằng cách cho z = - d và thế giá trị Vr/Vi của (3.10) vào (3.9), ta được:
 72

Z L cosh d - Z0 sinh d
Zin  Z0 (3.11)
Z0 cosh d - Z L sinh d

trong đó Zin là trở kháng Z(-d) của đường truyền tại điểm nằm cách tải một
đoạn bằng d về phía nguồn.
Các biểu thức (3.10) và (3.11) là những hệ thức quan trọng nhất được
sử dụng trong quá trình đo mẫu kiểm tra bằng phương pháp đường truyền.
Đây là cơ sở lý thuyết để thiết lập mối quan hệ giữa trở kháng đầu vào
của đường truyền với chiều dài d và trở kháng đầu ra, tức là trở kháng của
tải ở cuối đường truyền.
3.3.1.2. Các đường TEM và ống dẫn sóng
Có hai loại đường truyền thường được sử dụng để đánh giá tính chất
điện từ của các vật liệu khối, đó là đường truyền trường ngang (Line with
transverse electric and magnetic fields –TEM Line) và ống dẫn sóng hình
chữ nhật (rectangular waveguide).

(a) (b) (c)

Hình 3.4: Phổ đường sức điện trường và đường sức từ trường

Đường truyền TEM bao gồm ba loại là cáp đồng trục (Hình 3.4a),
đường dây đôi (Hình 3.4b) và đường truyền hai dải phẳng song song (Hình
3.4c). Bên trong đường truyền TEM, cả điện trường lẫn từ trường đều
vuông góc với đường truyền, như trình bày trên Hình 3.4. Điều đó khiến
 73

cho năng lượng lan truyền bên trong đường truyền TEM giống hệt như lan
truyền bên trong một môi trường rộng vô hạn được choán đầy hoàn toàn
bởi vật liệu.
Ngược lại, các trường ở bên trong các ống dẫn sóng bắt buộc phải có
cả thành phần hướng dọc theo phương truyền cũng như thành phần hướng
vuông góc với phương truyền đó. Về mặt toán học, sự tồn tại của các thành
phần trường dọc này được biểu diễn dưới dạng một cặp sóng zigzag trong
ống dẫn sóng (Hình 3.5). Điều này là do ống dẫn sóng chỉ có một biên dẫn
điện, dẫn đến hậu quả là ít nhất phải tồn tại hai sóng để thỏa mãn điều kiện
biên đối với điện trường, đó là thành phần tiếp tuyến của điện trường phải
bằng không tại các vách dẫn điện của ống dẫn sóng. Khi tần số giảm xuống
dưới một giá trị tần số cắt xác định, cặp sóng không còn thỏa mãn các điều
kiện biên điện từ và sự lan truyền hầu như dừng lại, kết quả là năng lượng
không được truyền từ đầu vào đến đầu ra của ống. Điều này hạn chế băng
thông có sẵn để đo các thông số điện từ của các vật liệu khối trong các ống
dẫn sóng.

Hình 3.5: Sóng lan truyền trong ống dẫn sóng theo đường zigza g

Ngược lại khi tần số đủ cao, một tập sóng zigzag khác có thể lại thỏa
mãn các điều kiện biên, ống dẫn sóng có thể hỗ trợ không phải chỉ một
mà nhiều mode lan truyền. Các mode lan truyền khả dĩ bị qui định bởi độ
cao và độ rộng điện của ống dẫn sóng chữ nhật và bởi chu vi điện của các
 74

ống dẫn sóng tròn, được đo trong vật liệu nạp vào ống dẫn sóng. Để tránh
sự lan truyền của mode bậc cao kích thước tiết diện của ống dẫn sóng được
chọn sao cho chỉ có mode cơ bản (tức là mode bậc thấp nhất) có thể tồn
tại trên toàn dải tần công tác của thiết bị. Đây cũng là lý do mà ứng với
mỗi băng tần khác nhau thì sử dụng những ống dẫn sóng khác nhau.
Các mode lan truyền của ống dẫn sóng được phân loại thành mode
TE (điện trường ngang) và mode TM (từ trường ngang). Các mode TE bao
gồm các sóng có vector điện trường hướng vuông góc với phương truyền,
các mode TM bao gồm các sóng có vector từ trường hướng vuông góc với
phương truyền. Đối với các mode TE thì thành phần hướng dọc theo chiều
dài ống dẫn sóng của vectơ điện trường bằng không, và trong các mode
TM thì thành phần hướng dọc theo chiều dài ống dẫn sóng của vectơ từ
trường lại bằng không.

Hình 3.6: Cấu trúc trường trong ống dẫn sóng hình chữ nhật
đối với chế độ truyền TE10
 75

Hai loại mode này lại được phân loại tiếp (bằng cách đánh thêm các chỉ
số) phù hợp với số nửa chu kỳ của hàm cosin có thể tồn tại dọc theo chiều
rộng và chiều cao của ống dẫn sóng. Chẳng hạn như đối với mode TE10
thì các thành phần của điện trường hướng dọc theo chiều dài và chiều rộng
của ống dẫn sóng có độ lớn bằng không, còn độ lớn của thành phần hướng
theo chiều cao của ống dẫn sóng thì biến thiên theo quy luật hình sin, có
giá trị bằng không ở vách ngang phía dưới của ống, tăng dần và đạt cực
đại tại chỗ giữa vách đứng và sau đó giảm dần đến không tại vách ngang
phía trên của ống. Sự biến đổi của cường độ trường đối với trường hợp
này được minh họa trên Hình 3.6, trong đó các Hình 3.6(1), 3.6(2) và
3.6(3) biểu diễn các đường sức điện trường (đường liền nét) và từ trường
(đường đứt đoạn) tại các mặt cắt 1, 2, 3 được chỉ ra trên hình vẽ ba chiều.
Sự tồn tại của các thành phần hướng vuông góc với phương truyền
của sóng zigzag trong ống dẫn sóng khiến cho sự dịch pha dọc theo ống
dẫn nhỏ hơn so với khi sóng truyền trong môi trường không khí. Do đó,
bước sóng được sử dụng để tính hằng số truyền trong ống dẫn sóng dài
hơn so với bước sóng trong không gian tự do. Chẳng hạn, bước sóng trong
ống dẫn sóng chữ nhật chứa không khí có dạng:

0
g  1/ 2 (3.12)
  m0 2  n0 2 
1      
  2a   2b  

trong đó m và n lần lượt là số nửa chu kỳ hàm cosin có trên bề rộng a và

độ cao b của ống dẫn sóng; 0 là bước sóng của tín hiệu trong không gian
tự do.
3.3.1.3. Các bộ giữ mẫu
Việc lựa chọn sử dụng hệ đo có đường truyền TEM hay hệ đo có ống
dẫn sóng để đo thông số của vật liệu phụ thuộc rất nhiều vào trang thiết bị
 76

hiện có, dải tần số quan tâm và kích thước vật lý của những cấu trúc không
đồng nhất hiện hữu trong mẫu. Nếu dải tần ta quan tâm bao phủ trên một
quãng tám thì sử dụng đường truyền TEM sẽ thích hợp hơn, vì các sóng
truyền trong đường truyền đồng trục không bị ảnh hưởng bởi hiện tượng
cắt tần số. Chẳng hạn, ta có thể sử dụng một bộ giữ mẫu đồng trục duy
nhất được thiết kế phù hợp để kiểm tra mẫu trong dải tần từ 1 đến 10 GHz.
Trong khi đó, nếu sử dụng phương pháp ống dẫn sóng thì chí ít phải có 4
bộ giữ mẫu với kích thước khác nhau và bốn bộ mẫu thử mới tiến hành
được các phép đo cho cùng dải tần đó. Tuy nhiên việc sử dụng đường
truyền TEM để tiến hành đo ở các tần số cao là khá phức tạp vì để đảm
bảo độ chính xác khi đó kích thước đường truyền và mẫu đo phải nhỏ, việc
gia công khó khăn, thêm vào đó, khi mẫu có kích thước nhỏ thì các cấu
trúc không đồng nhất của mẫu sẽ làm ảnh hưởng rất lớn đến kết quả đo.
Quan sát trên Hình 3.4 ta thấy ở Hình 3.4(a) năng lượng điện từ bị
giam cầm giữa các vật dẫn của đường truyền đồng trục, trong khi đó đối
với các đường truyền TEM còn lại (Hình 3.4(b) và 3.4(c)), năng lượng
điện từ lại có thể thoát ra khỏi các đường truyền đó. Chính vì thế mà đường
truyền đồng trục là loại đường truyền TEM thông dụng nhất dùng để đo
tính chất của các mẫu vật liệu đồng nhất. Đường truyền loại vật dẫn đơn
phổ biến nhất dùng cho các phép đo này là ống dẫn sóng hình chữ nhật.
Đường truyền đồng trục đòi hỏi mẫu kiểm tra phải có hình vành khăn,
trong khi đó mẫu kiểm tra cần cho phép đo dùng ống dẫn sóng chữ nhật
chỉ đơn giản là một tấm phẳng (Hình 3.7). Các mẫu có thể dày để thuận
tiện trong thao tác và đo đạc, nhưng trong nhiều trường hợp, chúng được
gia công đến độ dày nhỏ hơn hoặc bằng λ/8 để giảm thiểu khả năng tạo ra
các mode không mong muốn bên trong mẫu.
 77

Các mẫu phải được chế tạo sao cho vừa khít với bộ giữ mẫu, tiếp xúc
tốt với tất cả các bề mặt dẫn. Yêu cầu này khiến cho việc thiết kế bộ giữ
mẫu nhiều khi trở nên phức tạp. Nói chung tiếp xúc tốt được đảm bảo nếu
mẫu khớp vừa vặn trong bộ giữ mẫu mà không bị biến dạng. Đôi khi việc
thỏa mãn yêu cầu này rất khó khăn nếu vật liệu cần đo là vật liệu mềm
hoặc bằng cao su. Hầu như tất cả những bộ giữ mẫu được thiết kế để dễ
dàng tháo rời cơ cấu kiểm tra giúp cho việc đưa mẫu vào.

Hình 3.7: Các mẫu kiểm tra cho các đường truyền đồng trục và các ống dẫn
sóng hình chữ nhật

3.3.2. Các phép đo đường truyền

3.3.2.1. Các phép đo mạch hở và ngắn mạch
Trên Hình 3.8 mô tả các thành phần của một hệ thống đường truyền.
Năm thành phần quan trọng là nguồn tín hiệu, phần xẻ rãnh của ống dẫn
sóng hoặc đường truyền, bộ giữ mẫu, mạch ngắn trượt, và một detector tín
hiệu.
Để bảo vệ các máy phát tín hiệu khỏi sự mất phối hợp trở kháng
nghiêm trọng do mẫu hoặc ngắn mạch phía sau nó, các máy phát tín hiệu
thường được đặt tách biệt với phần còn lại của hệ thống qua một bộ đệm,
một bộ suy hao cố định.
 78

Bộ khuếch
đại âm tần

Nguồn điều Miếng Phần xẻ Bộ giữ mẫu Nút trượt

biến RF lót rãnh đoản mạch

Hình 3.8: Hệ thống đường truyền để bàn đơn giản

Bản thân tín hiệu được điều biến ở tốc độ audio để một detector đơn
giản và một bộ khuếch đại audio có thể được dùng để đo tín hiệu do đầu
dò của phần xẻ rãnh nhận được. Đầu ra của bộ khuếch đại chỉ là một đồng
hồ hiển thị chính xác được hiệu chỉnh theo đơn vị decibel. Thường có một
short trượt đặt phía sau mẫu, vị trí của nó đối với mặt sau của mẫu có thể
đo được bằng đồng hồ quay số hoặc bằng cách đếm số vòng quay.
Phần xẻ rãnh được chèn vào giữa bộ giữ mẫu và máy phát tín hiệu
cho phép chúng ta lấy mẫu sóng dừng trong đường truyền. Phần xẻ rãnh
chỉ đơn giản là một đoạn ngắn của đường truyền với một rãnh dọc được
gia công trong nó. Như biểu diễn trong hình, một đầu dò nhỏ được chèn
vào một khoảng cách ngắn trong đường truyền qua rãnh để lấy mẫu điện
trường bên trong. Đầu dò này được gắn trên xe trượt có thể di chuyển dọc
theo đường truyền, do đó sóng dừng có thể đo được như một hàm theo vị
trí từ mặt trước của mẫu kiểm tra. Sự tiện lợi và độ chính xác của phép đo
vị trí có thể được tăng cường, đặc biệt ở tần số cao, bằng một đồng hồ
quay số được dán hoặc điều khiển bằng bàn trượt.
 79

Hệ số phản xạ từ một mẫu vật liệu có thể được biểu diễn theo độ dày,
các tính chất điện từ của vật liệu, bước sóng của tín hiệu và bản chất của
các môi trường phía sau mẫu.
Sóng dừng trong đường truyền là tổng của hai sóng chạy theo hướng
ngược nhau, như biểu diễn trong Hình 3.9. Phép đo tỷ số điện áp sóng
dừng (VSWR) cho phép xác định biên độ của sóng truyền theo hướng
ngược lại so với sóng tới:

Vmax Vi  Vr
VSWR   (3.13)
Vmin Vi  Vr

Ngoài ra, cần xác định pha của sóng phản xạ, đại lượng này phụ thuộc
vào vị trí tương đối của các bụng và nút của sóng dừng tính từ mặt trước
của mẫu.

Hình 3.9: Hai sóng truyền theo hướng ngược nhau tạo thành một sóng dừng
với chu kỳ bằng λ/2
 80

Để xác định pha và biên độ của sóng phản xạ từ mẫu kiểm tra cần
thực hiện hai phép đo: một phép đo khi có mẫu và một phép đo khi không
có mẫu. So sánh hai số liệu VSWR, xác định được biên độ, và căn cứ vào
khoảng cách và chiều dịch chuyển của các nút sóng dừng để xác định pha
của sóng phản xạ từ mẫu. Tuy nhiên, những số liệu này chưa đủ để xác
định bốn đại lượng đặc trưng cho vật liệu – đó phần thực và phần ảo của
hệ số điện môi và độ từ thẩm.
Chốt ngắn mạch dạng trượt là một thiết bị được sử dụng để thiết lập
các mạch hở hoặc ngắn mạch phía sau mẫu trong trường hợp cần xác định
bốn đại lượng đặc trưng của vật liệu. Quy trình thường được sử dụng nhất
là đo mẫu kiểm tra khi có ngắn mạch ở phía sau, sau đó lặp lại phép đo ở
điều kiện phía sau mẫu là mạch hở.
Sơ đồ thiết lập phép đo được biểu diễn trên Hình 3.10, trong đó t là
chiều dày thực của mẫu, Z0 và k0 là trở kháng đặc trưng và các hằng số lan
truyền của đường truyền rỗng, Z2 và k2 là trở kháng đặc trưng và hằng số
lan truyền của phần chứa mẫu trong đường truyền. Z2 và k2 phụ thuộc vào
độ từ thẩm và hệ số điện môi tỷ đối của vật liệu theo các hệ thức sau:

Z 2= Z0 μr / εr (3.14)

k2 = k0 μr / εr (3.15)

Nếu đo được hệ số phản xạ ở mặt trước của mẫu đối với trường hợp
ở phía sau mẫu là mạch hở và trường hợp ở phía sau mẫu là ngắn mạch,
từ (3.9) ta có thể tính được trở kháng chuẩn hóa tại mặt trước mẫu trong
hai trường hợp đó bằng:

zsc = zr
1 - ω 
2

1 + ω 
2
(3.16)
 81

zoc = zr
1 + ω 
2

1 - ω 
2
(3.17)

trong đó   e
ik2t
và zr = Z2/Z0.
Lần lượt nhân và chia (3.16) và (3.17) rồi thay vào các giá trị của (3.14)
và (3.15), ta được:

μr / εr = zsc zsc (3.18)

1 z - zsc
μr εr = ln oc (3.19)
i2k0t zoc + zsc

Nhân (3.18) với (3.19), ta tính được đại lượng cần tìm μr:

zsc zsc zoc - zsc

μr = ln (3.20)
i2k0t zoc + zsc

Tương tự, chia (3.18) cho (3.19), ta tính được εr:

1 zoc - zsc
εr = ln (3.21)
i2k0t zsc zsc zoc + zsc

Hình 3.10: Mô tả sơ đồ thiết lập phép đo

Các nghiệm (3.20) và (3.21) là đơn trị nếu mẫu có độ dày nhỏ hơn λ/2.
Ngược lại, nếu độ dày mẫu lớn hơn λ/2 thì các nghiệm này không đơn trị.
Do góc pha của ω chỉ xác định chính xác tới hằng số cộng bằng một số
 82

nguyên lần π rad, và đây là lý do chính dẫn đến việc phải chế tạo mẫu đo
mỏng. Như vậy, nếu mẫu quá dày ta có thể suy ra các giá trị μr và εr sai.
Tuy nhiên, có hai cách để giải quyết vấn đề nghiệm không duy nhất này.
Cách thứ nhất là lặp lại các phép đo với một mẫu khác thuộc cùng một mẻ
vật liệu nhưng có độ dày hơi khác; cách thứ hai là lặp lại phép đo với tần
số khác, lệch một chút so với tần số trước. Trong trường hợp sau, chúng
ta giả định rằng, ngay cả khi các tính chất mẫu thay đổi theo tần số, độ
lệch tần số được chọn đủ nhỏ đến mức sự phụ thuộc đó không ảnh hưởng
nhiều đến các đại lượng đo được.
3.3.2.2. Bộ phân tích mạng pha và ma trận tán xạ
Bộ phân tích mạng pha đã trở thành công cụ cơ bản trong việc đo các
tính chất của vật liệu radar. Nó là một thiết bị đo độ phản xạ từ các mẫu
kiểm tra và có khả năng cung cấp các dữ liệu thử nghiệm cho hàng chục
tần số trong thời gian ngắn.
Mỗi bộ kiểm tra trên thiết bị đều có khả năng tiến hành các loại
phép đo cụ thể, chẳng hạn như các đặc tuyến phản xạ và truyền qua của
thiết bị hai cổng hoặc ma trận tán xạ của chúng. Các tùy chọn hiển thị bao
gồm biểu diễn đồ thị Smith và độ khuếch đại hoặc độ tổn hao biên độ và
pha.

Hình 3.11: Bốn tham số phức đặc trưng cho biểu diễn ma trận tán xạ của các
mạng hai cổng.
 83

Cấu hình hai cổng cơ sở, dùng để đo vật liệu, là cấu hình tham số S
và được trình bày trên Hình 3.11. Giả sử các tham số trở kháng đầu vào
Z01 và trở kháng đầu ra Z02 được tính toán sao cho Z01 phối hợp tốt với trở
kháng của nguồn và Z02 được phối hợp tốt với trở kháng của tải hoặc trở
kháng giữa hai cực của đầu đo ở đầu ra của thiết bị.
Do tính đối xứng của ma trận tán xạ S, tức là S12 = S21 và S11 = S22.
Vì vậy, để mô tả vật liệu ta chỉ cần đo hai tham số phức, đó là S11 và S21.

Hình 3.12: Ba tín hiệu trong hệ thống đo kiểm tra: sóng tới, sóng phản xạ và
sóng truyền qua.

Sơ đồ khối của một hệ đo cơ sở được trình bày trên Hình 3.12.

Trong hệ thống này phần ống dẫn sóng có xẻ rãnh mà ta mô tả ở trên được
thay thế bằng hai bộ ghép định hướng, trong đó một bộ để trích mẫu sóng
tới và một để trích mẫu sóng phản xạ, cả hai đều có thể được chuyển qua
một detector và bộ khuếch đại để đo, khuếch đại, và hiển thị.
Trong các thiết kế phức tạp hơn, nguồn tín hiệu bên trong được điều
khiển bằng một máy tính hoặc bộ vi xử lý đặt trong chính máy phân tích
mạng, và màn hình mặt trước có thể hiển thị dữ liệu đo được dưới một số
định dạng. Bộ đo các tham số S có chứa các bộ ghép và các thiết bị khác
cần cho việc tự động hóa quá trình đo.
 84

Hình 3.13: Bộ kiểm tra tham số S chứa các bộ ghép có hướng và các mạng chuyển
mạch trong quá trình đo tán xạ.

Thiết bị đo có một cặp cổng được kết nối với bộ giữ mẫu đo bằng các
dây cáp hoặc các đường đồng trục cứng (Hình 3.13). Bộ dụng cụ định
chuẩn chính xác cũng có sẵn để giúp cải thiện độ chính xác của các phép
đo. Việc định chuẩn có ý nghĩa quan trọng trong quá trình đo ma trận tán
xạ vì những ảnh hưởng không mong muốn nhưng không thể tránh khỏi
giữa các đại lượng cần đo với những đại lượng không cần đo khác. Quy
trình định chuẩn đòi hỏi phải xác định các đặc trưng của cổng 1 và cổng 2
của thiết bị đo bằng cách nối riêng rẽ đường truyền vào và đường truyền
ra với hai cổng đó và đo lần lượt ở ba điều kiện là các đường truyền ngắn
mạch, hở mạch và có tải phối hợp trở kháng. Thực hiện hai phép hiệu
chuẩn, hiệu chuẩn thứ nhất với các đầu của hai đường truyền từ bộ kiểm
tra được kết nối với nhau (bỏ qua bộ giữ mẫu), và hiệu chuẩn thứ hai khi
chúng được kết nối với các cổng đầu vào và đầu ra của một bộ giữ mẫu
trống. Sau đó mẫu đo được đưa vào bộ giữ mẫu để thực hiện tập hợp các
phép đo cuối cùng.
 85

So sánh dữ liệu đo trong hai trường hợp có mẫu và không có mẫu,

rút ra được biểu thức của hai ma trận tán xạ dưới dạng:

u( 1   2 )
S11  2 (3.22)
u  2

(u 2  1)
S21  2 (3.23)
u  2
Trong đó:
1  yr
u (3.24)
1  yr

1
yr    r / r (3.25)
zr

với   e 2 .
ik t

Trong biểu thức (3.22) và (3.23) u và ω là các ẩn số cần tìm, S11 và S21 là
các đại lượng đã biết (đo được).
Giải (3.22) để tìm ω2 và thế giá trị đó vào (3.23), ta được phương trình bậc
hai của u theo các đại lượng đã biết. Do đó chúng ta thu được hai phương
trình

u  1  uS11 
2  (3.26)
u  S11

u 2  2uQ  1  0 (3.27)

Trong đó:

Q   S21    S11   1 / 2S11

2 2
(3.28)

Phương trình (3.27) có hai nghiệm:

u  Q  Q 2
 1 (3.29)
 86

mà chúng ta phải tính bằng đại số phức, vì Q là số phức. Nghiệm âm trong

(3.27) là nghiệm mà ta cần, từ đó chúng ta có thể tính một số U:

u 1
U (3.30)
u 1
Ta lưu ý rằng, từ (3.24) suy ra rằng, U chính là yr được biểu diễn theo các
đại lượng đo được:

 r / r  U (3.31)

Thay giá trị tìm được của u vào (3.26), ta tạo ra được một đại lượng, ký
hiệu là W, cũng được biểu diễn theo các đại lượng đo được:
u( 1  uS11 )
W (3.32)
u  S11

Như vậy ta có:

lnW
 r r  (3.33)
i2k0t

Xử lý tương tự như như phép đo ngắn mạch và khi hở mạch đã thảo luận
trước đây, nhân (3.31) với (3.33), ta được:
U lnW
r  (3.34)
i2k0t

Tương tự, lấy (3.31) chia cho (3.33), ta được:

U lnW
r  (3.35)
i2k0t

Nghiệm này cũng không phải đơn trị. Nếu mẫu có độ dày điện lớn hơn
λ/2, có thể cần thêm các phép đo để xác định đơn trị các nghiệm này.
Nếu vật liệu mẫu là vật liệu phi từ tính thì không nhất thiết phải đo cả S11
và S21. Trong trường hợp này ở các vế phải của (3.22) và (3.23) chỉ xuất
 87

hiện ẩn số là hệ số điện môi phức, và ở vế trái của cả hai phương trình đều
chứa một đại lượng phức đo được duy nhất.
3.4. Kết quả nghiên cứu
Để nghiên cứu hệ số điện môi và độ từ thẩm phức của vật liệu nano
cácbon, vật liệu nano từ, tác giả đã tiến hành pha trộn các loại vật liệu này
với các vật liệu nền để tạo thành vật liệu composite, sau đó sử dụng để chế
tạo các mẫu RAM. Việc chế tạo mẫu được thực hiện theo quy trình chuẩn
tại nhà máy Z176.
Đối với phương pháp không gian tự do, ban đầu tiến hành pha bột
nano vào dung môi toluen và metylbutan để trong 2h, sau đó tiến hành
nghiền bằng máy đa trục ngang, tiếp đến pha chế vật liệu nền cao su tổng
hợp theo tỷ lệ phần trăm khối lượng (tỷ phần) thích hợp tạo thành hỗn hợp.
Các mẫu RAM được chế tạo dưới dạng tấm phẳng độ dày 1,5 cm, kích
thước 10 cm x 10 cm.
Đối với phương pháp đường truyền, tiến hành làm ướt trộn bột nano
vào dung môi toluen, sau đó khuấy đều với parafin dạng lỏng. Hỗn hợp
thu được đổ khuôn tạo thành các mẫu RAM dạng phiến dày 2 cm, kích
thước 2,2 cm x 1,1 cm.

Hình 3.14: Sơ đồ hệ đo bằng phương pháp đường truyền

 88

Cuối cùng tiến hành khảo sát độ phân tán vật liệu nano trong vật liệu
nền, lựa chọn các mẫu có độ phân tán đồng đều để tiến hành đo thông số
điện từ.
Phép đo hệ số điện môi và độ từ thẩm được thực hiện bằng cả hai
phương pháp không gian tự do theo sơ đồ thiết bị đo Hình 3.3b và phương
pháp đường truyền có sơ đồ hệ đo trình bày trên Hình 3.14.

3.4.1. Kết quả đo vật liệu Mn0.5Zn0.5Fe2O4

Kết quả đo đối với phần thực và phần ảo hệ số điện môi và độ từ
thẩm của các mẫu RAM chứa nano Mn0.5Zn0.5Fe2O4 với tỷ phần là 60%
được trình bày trên các Hình 3.15 và bảng 3.1.
Phần thực của hệ số điện môi và độ từ thẩm giảm theo chiều tăng
của tần số, phần ảo của hai đại lượng này hầu như không có thay đổi đáng
kể, tuy nhiên đánh giá về mặt tương quan giá trị thông qua hàm tang tổn
hao xuất hiện các điểm có giá trị tăng đột biến, điều này chứng tỏ tại các
tần số đó tổn hao phản xạ đạt giá trị cực tiểu.
8 9

' '
7 8
'' ''
7
6
6
5
5
4



4
3
3
2 (a) 2 (b)
1 1

0 0
8 9 10 11 12 8 9 10 11 12
f (GHz) f (GHz)

Hình 3.15: Hệ số điện môi (a) và độ từ thẩm (b) của mẫu RAM chứa 60%
Mn0.5Zn0.5Fe2O4

Bảng 3.1: Hệ số điện môi và độ từ thẩm của các mẫu RAM chứa nano
Mn0.5Zn0.5Fe2O4 với tỷ phần 60%
 89

f f
(GHz) ε' ε'' μ' μ'' (GHz) ε' ε'' μ' μ''
8 7.4360 0.5320 8.3300 0.5840 10.02 5.4870 0.5050 6.3710 0.5960
8.02 7.4240 0.5250 8.2760 0.5590 10.04 5.4740 0.5090 6.3810 0.5980
8.04 7.4240 0.5060 8.2300 0.5770 10.06 5.4630 0.5120 6.4090 0.5910
8.06 7.4650 0.5020 8.3160 0.5800 10.08 5.4510 0.5170 6.4020 0.5980
8.08 7.4770 0.5050 8.3080 0.5750 10.1 5.4290 0.5160 6.3870 0.5980
8.1 7.4790 0.4840 8.2570 0.5430 10.12 5.4290 0.5020 6.3290 0.5790
8.12 7.4860 0.4730 8.1910 0.5300 10.14 5.4200 0.4940 6.2950 0.5680
8.14 7.4710 0.4510 8.1230 0.5040 10.16 5.4230 0.4950 6.2360 0.5790
8.16 7.4440 0.4400 8.0350 0.5000 10.18 5.4390 0.4720 6.1490 0.5500
8.18 7.4440 0.4360 8.0240 0.4880 10.2 5.4500 0.4470 6.0720 0.5150
8.2 7.4290 0.4450 8.0320 0.4940 10.22 5.4670 0.4300 5.9920 0.4960
8.22 7.3930 0.4550 8.0470 0.5020 10.24 5.4750 0.4120 5.9260 0.4740
8.24 7.3690 0.4530 8.0240 0.5000 10.26 5.4640 0.4030 5.8870 0.4640
8.26 7.3400 0.4540 8.0070 0.5000 10.28 5.4680 0.3840 5.8310 0.4400
8.28 7.2920 0.4560 7.9810 0.5070 10.3 5.4670 0.3720 5.7710 0.4270
8.3 7.2770 0.4490 7.9200 0.5030 10.32 5.4680 0.3600 5.7260 0.4120
8.32 7.2430 0.4630 7.9170 0.5220 10.34 5.4610 0.3590 5.6990 0.4110
8.34 7.1860 0.4750 7.9290 0.5390 10.36 5.4530 0.3530 5.6730 0.4040
8.36 7.1390 0.4850 7.9160 0.5570 10.38 5.4510 0.3250 5.6410 0.3660
8.38 7.0970 0.5010 7.9170 0.5790 10.4 5.4310 0.3340 5.6410 0.3770
8.4 7.0880 0.5170 8.0110 0.5770 10.42 5.3970 0.3390 5.6490 0.3830
8.42 6.9800 0.5350 7.9750 0.6250 10.44 5.3760 0.3430 5.6370 0.3880
8.44 6.9240 0.5560 7.9900 0.6560 10.46 5.3510 0.3550 5.6400 0.4040
8.46 6.8810 0.5750 8.0060 0.6830 10.48 5.3100 0.3690 5.6630 0.4220
8.48 6.8330 0.5960 8.0490 0.7100 10.5 5.2870 0.3650 5.6470 0.4190
8.5 6.7740 0.6140 8.0870 0.7350 10.52 5.2760 0.3700 5.6480 0.4220
8.52 6.7390 0.6210 8.0970 0.7430 10.54 5.2680 0.3740 5.6270 0.4270
8.54 6.6950 0.6360 8.1410 0.7590 10.56 5.2480 0.3750 5.6110 0.4300
8.56 6.6710 0.6390 8.0970 0.7700 10.58 5.2420 0.3660 5.6040 0.4150
8.58 6.6300 0.6440 8.0650 0.7840 10.6 5.2540 0.3550 5.5650 0.3990
8.6 6.5920 0.6560 8.0610 0.8060 10.62 5.2460 0.3470 5.5300 0.3890
8.62 6.5570 0.6460 8.0570 0.7880 10.64 5.2600 0.3240 5.4520 0.3640
8.64 6.5500 0.6520 8.0420 0.7940 10.66 5.2850 0.3060 5.3850 0.3420
8.66 6.5380 0.6440 7.9920 0.7850 10.68 5.2860 0.2950 5.3530 0.3270
8.68 6.5280 0.6410 7.9680 0.7790 10.7 5.2820 0.3010 5.3710 0.3280
8.7 6.4940 0.6420 7.9350 0.7850 10.72 5.2460 0.2990 5.3200 0.3350
8.72 6.4570 0.6320 7.9000 0.7740 10.74 5.2140 0.3140 5.3350 0.3530
8.74 6.4820 0.6330 7.9280 0.7570 10.76 5.1730 0.3210 5.3580 0.3630
8.76 6.4250 0.6410 7.8540 0.7880 10.78 5.1420 0.3360 5.3590 0.3820
8.78 6.3700 0.6440 7.8700 0.7950 10.8 5.1140 0.3500 5.3750 0.4010
 90

8.8 6.4000 0.6630 7.9750 0.7920 10.82 5.0890 0.3560 5.3840 0.4070
8.82 6.3250 0.6690 7.8930 0.8270 10.84 5.0480 0.3750 5.4180 0.4310
8.84 6.3090 0.6650 7.9050 0.8120 10.86 5.0130 0.3940 5.4660 0.4510
8.86 6.2860 0.6780 7.8970 0.8340 10.88 4.9600 0.4130 5.4990 0.4780
8.88 6.2460 0.6900 7.9030 0.8540 10.9 4.9070 0.4450 5.5720 0.5210
8.9 6.2160 0.6990 7.9340 0.8630 10.92 4.8820 0.4510 5.6030 0.5220
8.92 6.1950 0.6930 7.9360 0.8460 10.94 4.8500 0.4740 5.6260 0.5570
8.94 6.1520 0.7080 7.8800 0.8880 10.96 4.7870 0.4890 5.6310 0.5890
8.96 6.0980 0.7150 7.8630 0.9090 10.98 4.7550 0.4970 5.6460 0.6000
8.98 6.0770 0.7100 7.8800 0.8920 11 4.7320 0.5110 5.7130 0.6100
9 6.0620 0.7090 7.7910 0.9030 11.02 4.6930 0.5410 5.7870 0.6510
9.02 6.0680 0.6950 7.7230 0.8820 11.04 4.6580 0.5550 5.8020 0.6760
9.04 6.1270 0.6910 7.8130 0.8380 11.06 4.6460 0.5600 5.8220 0.6780
9.06 6.1630 0.6710 7.7600 0.7980 11.08 4.6350 0.5680 5.8420 0.6860
9.08 6.2080 0.6270 7.6870 0.7070 11.1 4.6140 0.5600 5.8100 0.6770
9.1 6.2170 0.6250 7.6320 0.7130 11.12 4.5840 0.5690 5.7860 0.7010
9.12 6.2000 0.6080 7.5160 0.7060 11.14 4.5650 0.5710 5.8150 0.6940
9.14 6.1890 0.5860 7.4240 0.6800 11.16 4.5270 0.5770 5.8210 0.7070
9.16 6.2080 0.5680 7.3760 0.6480 11.18 4.4790 0.5940 5.8640 0.7360
9.18 6.2580 0.5330 7.2910 0.5870 11.2 4.4590 0.6020 5.8780 0.7470
9.2 6.2710 0.5100 7.1820 0.5650 11.22 4.4370 0.6150 5.9250 0.7630
9.22 6.2840 0.4940 7.1480 0.5350 11.24 4.4010 0.6300 5.9750 0.7830
9.24 6.2870 0.4800 7.1360 0.5010 11.26 4.3900 0.6250 5.9420 0.7780
9.26 6.2620 0.4920 7.1470 0.5160 11.28 4.3880 0.6250 5.8950 0.7860
9.28 6.2320 0.4910 7.0980 0.5270 11.3 4.3810 0.6340 5.9910 0.7740
9.3 6.2000 0.4900 7.0530 0.5360 11.32 4.3840 0.6340 5.9890 0.7680
9.32 6.1590 0.4870 7.0120 0.5380 11.34 4.3680 0.6310 5.8900 0.7890
9.34 6.1530 0.4740 6.9350 0.5290 11.36 4.3590 0.6140 5.8100 0.7680
9.36 6.1530 0.4580 6.8220 0.5220 11.38 4.3540 0.6120 5.7910 0.7660
9.38 6.1300 0.4550 6.7890 0.5220 11.4 4.3360 0.6020 5.7770 0.7450
9.4 6.1090 0.4490 6.7940 0.5070 11.42 4.3110 0.6040 5.7520 0.7550
9.42 6.0910 0.4590 6.7940 0.5200 11.44 4.3140 0.5960 5.7100 0.7430
9.44 6.0450 0.4650 6.8000 0.5290 11.46 4.3060 0.6030 5.6710 0.7650
9.46 6.0260 0.4720 6.7860 0.5390 11.48 4.3000 0.5950 5.6630 0.7470
9.48 6.0090 0.4730 6.7720 0.5400 11.5 4.2860 0.6000 5.6380 0.7600
9.5 5.9770 0.4840 6.7540 0.5620 11.52 4.2600 0.6020 5.6580 0.7600
9.52 5.9270 0.4910 6.7670 0.5720 11.54 4.2700 0.5970 5.6100 0.7550
9.54 5.8970 0.5000 6.7600 0.5870 11.56 4.2540 0.5840 5.5710 0.7350
9.56 5.8790 0.5000 6.7710 0.5800 11.58 4.2450 0.5890 5.5660 0.7420
9.58 5.8430 0.5070 6.7770 0.5910 11.6 4.2690 0.5750 5.5240 0.7150
9.6 5.8140 0.5180 6.7540 0.6120 11.62 4.2700 0.5580 5.4720 0.6860
9.62 5.8090 0.5160 6.7610 0.6010 11.64 4.3010 0.5520 5.4870 0.6610
 91

9.64 5.7890 0.5150 6.7490 0.5980 11.66 4.3150 0.5390 5.4790 0.6240
9.66 5.7730 0.5180 6.7360 0.6040 11.68 4.3230 0.5350 5.4160 0.6300
9.68 5.7500 0.5190 6.7440 0.6000 11.7 4.3210 0.5220 5.3710 0.6100
9.7 5.7320 0.5310 6.7170 0.6240 11.72 4.3290 0.5140 5.3540 0.5910
9.72 5.6990 0.5300 6.7290 0.6180 11.74 4.3270 0.5020 5.3070 0.5760
9.74 5.6740 0.5260 6.6980 0.6170 11.76 4.3350 0.4810 5.2380 0.5440
9.76 5.6640 0.5340 6.6490 0.6370 11.78 4.3570 0.4690 5.1810 0.5300
9.78 5.6400 0.5320 6.6380 0.6330 11.8 4.3620 0.4590 5.1450 0.5140
9.8 5.6200 0.5400 6.6670 0.6380 11.82 4.3520 0.4510 5.0780 0.5130
9.82 5.6140 0.5420 6.6480 0.6410 11.84 4.3460 0.4300 5.0020 0.4890
9.84 5.5900 0.5400 6.6490 0.6350 11.86 4.3510 0.4240 4.9650 0.4830
9.86 5.5640 0.5470 6.6430 0.6470 11.88 4.3640 0.4110 4.9110 0.4670
9.88 5.5590 0.5460 6.6030 0.6480 11.9 4.3650 0.3990 4.8400 0.4590
9.9 5.5400 0.5290 6.5750 0.6200 11.92 4.3690 0.3800 4.8020 0.4280
9.92 5.5180 0.5360 6.5310 0.6410 11.94 4.3820 0.3710 4.7810 0.4110
9.94 5.4980 0.5200 6.4910 0.6200 11.96 4.3860 0.3620 4.7500 0.3980
9.96 5.5000 0.5130 6.4590 0.6080 11.98 4.3860 0.3580 4.7070 0.3980
9.98 5.4860 0.5210 6.4420 0.6200 12 4.3790 0.3510 4.6950 0.3850
10 5.4820 0.5170 6.4340 0.6110

18
tan m
-10
tan e
16

14 -15

12
R (dB)

-20
Tan

10

-25
8

6 -30

(a) (b)
4
-35
8 9 10 11 12
8 9 10 11 12
f (GHz)
f (GHz)

Hình 3.16: Tổn hao điện từ (a) và hệ số phản xạ (b) của mẫu RAM chứa
60% Mn0.5Zn0.5Fe2O4
Từ Hình 3.16 thấy rằng tại các tần số 8.2, 9.35 và 10.7 GHz tổn hao
điện và từ đạt giá trị cực đại, tương tứng với điểm cực tiểu của hệ số phản
 92

xạ khi sóng radar tương tác với mẫu RAM chứa 60% hạt nano
Mn0.5Zn0.5Fe2O4.
Kết quả đo hệ số điện môi và độ từ thẩm đối với các mẫu RAM chứa
hạt nano Mn0.5Zn0.5Fe2O4 với các tỷ phần lần lượt là 25%, 40%, 60% và
75% được trình bày trên Hình 3.17, 3.18.
12 4
M1 - 25% M1 - 25%
11
M2 - 40% M2 - 40%
10 M3 - 60% M3 - 60%
9 M4 - 75% M4 - 75%
3
8

7 (M4)
'

''
2
5
(M3)
4

3
(M2)
1
2 (M1)
1
(a) (b)
0 0
8 9 10 11 12 8 9 10 11 12
f (GHz) f (GHz)

Hình 3.17: Phần thực (a) và phần ảo (b) hệ số điện môi của mẫu RAM chứa
Mn0.5Zn0.5Fe2O4 với các tỷ phần khác nhau
12
4
M1 - 25%
11 M1 - 25%
M2 - 40%
10 M3 - 60% M2 - 40%
M4 - 75% M3 - 60%
9
3 M4 - 75%
8

7
'

6
''

2
5

3 1
2

1 (a) (b)
0 0
8 9 10 11 12 8 9 10 11 12
f (GHz) f (GHz)

Hình 3.18: Phần thực (a) và phần ảo (b) độ từ thẩm của mẫu RAM chứa
Mn0.5Zn0.5Fe2O4 với các tỷ phần khác nhau

Kết quả cho thấy, khi tăng tỷ phần của vật liệu thì giá trị của hệ số
điện môi và độ từ thẩm cũng tăng. Khi vật liệu chiếm tỷ phần lớn trong
 93

mẫu RAM thì phần ảo có sự thay đổi tương đối phức tạp, ngược lại phần
thực lại biến đổi ổn định hơn. So sánh với kết quả trong công bố [6] cho
thấy vật liệu chế tạo được có thông số điện từ tốt hơn.

3.4.2 Kết quả đo vật liệu Ni0.5Zn0.5Fe2O4

12 3
M1 - 20% M1 - 20%
11 (a) (b) M2 - 35%
M2 - 35%
10 M3 - 50% M3 - 50%
M4 - 65% M4 - 65%
9
2
8

7 (M4) (M3) (M2)

''
(M4) (M1)
'

5 (M3)
1
4 (M2)
3 (M1)
2

1
0
0 8 9 10 11 12
8 9 10 11 12
f (GHz)
f (GHz)

Hình 3.19: Phần thực (a) và phần ảo (b) hệ số điện môi của mẫu RAM chứa
Ni0.5Zn0.5Fe2O4 với các tỷ phần khác nhau
12 3
M1 - 20% M1 - 20%
11 M2 - 35%
M2 - 35%
10 M3 - 50% M3 - 50%
M4 - 65% M4 - 65%
9

8 2

7 (M4) (M4) (M3) (M2)

''

(M1)
''

6
(M3)
5

4 (M2) 1

3 (M1)

1 (b)
(a)
0
0 8 9 10 11 12
8 9 10 11 12
f (GHz)
f (GHz)

Hình 3.20: Phần thực (a) và phần ảo (b) độ từ thẩm của mẫu RAM chứa
Ni0.5Zn0.5Fe2O4 với các tỷ phần khác nhau

Kết quả đo hệ số điện môi và độ từ thẩm đối với các mẫu RAM chứa
hạt nano Ni0.5Zn0.5Fe2O4 với các tỷ phần lần lượt là 20%, 35%, 50% và
 94

65% được trình bày trên Hình 3.19 và 3.20 tương ứng. Từ kết quả cho
thấy phần thực của hệ số điện môi và độ từ thẩm của các mẫu RAM giảm
theo chiều tăng của tần số, tuy nhiên phần ảo của chúng lại thay đổi không
có quy luật rõ ràng mặc xu cũng có thể nhận thấy rằng về mặt độ lớn thì
cả hệ số điện môi và độ từ thẩm đều tăng khi tăng tỷ phần của vật liệu.

3.4.3. Kết quả đo vật liệu Multiferroic

12 4
(a) M1 - 20% M1 - 20%
11 (b)
M2 - 30% M2 - 30%
10 M3 - 45% M3 - 45%
M4 - 65% M4 - 65%
9 3

7
(M4)
''
'

6 2
(M4)
5 (M3)
(M3) (M2)
4
(M2) (M1)
3 1
(M1)
2

0 0
8 9 10 11 12 8 9 10 11 12

f (GHz) f (GHz)

Hình 3.21: Phần thực (a) và phần ảo (b) hệ số điện môi của mẫu RAM chứa
multiferroic với các tỷ phần khác nhau
14 3
(a) M1 - 20% M1 - 20%
13 (b)
M2 - 30% M2 - 30%
12
M3 - 45% M3 - 45%
11 M4 - 65% M4 - 65%
10
9 2

(M4) (M4)
8
(M3)
''
'

7 (M2)
(M3)
6
5
(M2)
1
4 (M1)
3
2
1 (M1)
0 0
8 9 10 11 12 8 9 10 11 12

f (GHz) f (GHz)

Hình 3.22: Phần thực (a) và phần ảo (b) độ từ thẩm của mẫu RAM chứa
multiferroic với các tỷ phần khác nhau
 95

Kết quả đo hệ số điện môi và độ từ thẩm đối với các mẫu RAM
chứa hạt nano multiferroic với các tỷ phần lần lượt là 20%, 30%, 45% và
65% được trình bày trên Hình 3.21 và 3.22 tương ứng.
Giá trị của hệ số điện môi và độ từ thẩm tăng khi tăng tỷ phần của
vật liệu trong các mẫu RAM. Đối với từng mẫu RAM cụ thể thì phần thực
và phần ảo của cả hệ số điện môi và độ từ thẩm thay đổi không theo quy
luật rõ ràng.

3.4.4. Kết quả đo vật liệu 3BaO.2CoO.Fe2O3

12 3
M1 - 20% (b) M1 - 20%
11 (a)
M2 - 40% M2 - 40%
10 M3 - 60% M3 - 60%
M4 - 80% M4 - 80%
9 (M3)
8 2 (M4)
(M2)
7
''
'

6 (M4) (M1)
5
(M3)
4 1

3
(M2)

2
(M1)
1

0 0
8 9 10 11 12 8 9 10 11 12

f (GHz) f (GHz)

Hình 3.23: Phần thực (a) và phần ảo (b) hệ số điện môi của mẫu RAM chứa
bari coban ferrite với các tỷ phần khác nhau

Kết quả đo hệ số điện môi và độ từ thẩm đối với các mẫu RAM
chứa hạt nano bari coban ferrite với các tỷ phần lần lượt là 20%, 40%,
60% và 80% được trình bày trên Hình 3.23 và 3.24 tương ứng.
Giá trị của hệ số điện môi và độ từ thẩm tăng khi tăng tỷ phần của
vật liệu trong các mẫu RAM. Đối với từng mẫu RAM cụ thể thì phần
thực và phần ảo của cả hệ số điện môi và độ từ thẩm thay đổi không theo
quy luật rõ ràng.
 96

12 3
M1 - 20% M1 - 20%
11 (a) (b)
M2 - 40% M2 - 40%
10 M3 - 60% M3 - 60%
M4 - 80% M4 - 80%
9 (M3)
8 2 (M4) (M2)
7
(M4)
'

''
6 (M1)
5
(M3)
4
1
3 (M2)
2 (M1)
1

0
8 9 10 11 12 0
8 9 10 11 12
f (GHz)
f (GHz)

Hình 3.24: Phần thực (a) và phần ảo (b) độ từ thẩm của mẫu RAM chứa
bari coban ferrite với các tỷ phần khác nhau

3.4.5. Kết quả đo vật liệu nano cácbon

10 1.0
M1 - 20% (b) M1 - 20%
(a) 0.9
M2 - 35% M2 - 35%
M3 - 50% 0.8 M3 - 50%
8 (M5)
M4 - 65% M4 - 65%
M5 - 80% 0.7 M5 - 80%
(M5)
6 0.6
(M4)
0.5 (M3)
''
'

(M4)
0.4 (M2)
4
0.3
(M3)
0.2
2
(M2)
0.1
(M1)
0.0 (M1)
0
8 9 10 11 12 8 9 10 11 12
f (GHz) f (GHz)

Hình 3.25: Phần thực (a) và phần ảo (b) hệ số điện môi của mẫu RAM chứa
nano cácbon với các tỷ phần khác nhau

Sử dụng kỹ thuật đường truyền để tiến hành đo hệ số điện môi và

độ từ thẩm của các mẫu RAM chứa hạt nano các bon; kết quả phép đo
được trình bày trên Hình 3.25, 3.26. Các mẫu RAM được chế tạo với tỷ
phần cácbon lần lượt là 20%, 35%, 50%, 65% và 80%.
 97

1.0
14 M1 - 20% (b) M1 - 20%
(a) 0.9
M2 - 35% M2 - 35%
(M5)
M3 - 50% 0.8 M3 - 50%
12
M4 - 65% (M4) M4 - 65%
(M5)
M5 - 80% 0.7 M5 - 80%
10
0.6
(M3)
8 (M4) (M2)
0.5

''
'

(M3) 0.4
6
(M2) 0.3
4 (M1) 0.2

2 0.1

0.0 (M1)
0
8 9 10 11 12 8 9 10 11 12
f (GHz) f (GHz)

Hình 3.26: Phần thực (a) và phần ảo (b) độ từ thẩm của mẫu RAM chứa
nano cácbon với các tỷ phần khác nhau

Kết quả cho thấy phần thực hệ số điện môi và độ từ thẩm của các
mẫu RAM giảm tuyến tính theo chiều tăng của tần số, đồng thời giá trị
của chúng tăng khi tăng tỷ phần của nano cácbon trong mẫu RAM. Đối
với phần ảo của các thông số điện từ biến đổi gần như không theo quy
luật, các mẫu RAM có tỷ phần cácbon càng lớn thì có giá trị biến đổi càng
nhiều. Khi so sánh kết quả đo bằng phương pháp đường tryền với phương
pháp không gian tự do được trình bày trong công bố số 3 của tác giả thì
nhận thấy giá trị là tương đối tương đồng. Tuy nhiên, phương pháp đường
truyền cho kết quả tuyến tính hơn do không có sự thăng giáng về pha so
với phương pháp không gian tự do.

3.5. Kết luận chương 3

Trong Chương 3 của luận án đã trình bày hai phương pháp đo các
thông số điện từ của vật liệu RAM, trong đó phương pháp đường truyền
là phương pháp mới, hiện đại được khai thác lần đầu tại cơ sở đào tạo. Với
mục đích tạo ngân hàng dữ liệu vật liệu để mô phỏng tấm phủ đa lớp hấp
 98

thụ sóng radar băng X, luận án đã tiến hành chế tạo 21 mẫu RAM dạng
composite chứa các vật liệu nano chế tạo được trong chương 2. Kết quả
đo hệ số điện môi và độ từ thẩm của các mẫu cho thấy các loại vật liệu chế
tạo được có thông số điện từ tương đối tốt thậm chí nổi trội hơn khi so
sánh với các vật liệu cùng loại đã được công bố. Các vật liệu này đã chứng
tỏ có khả năng hấp thụ sóng radar băng X. Ngân hàng dữ liệu vật liệu sẽ
được đưa vào chương trình tính toán mô phỏng được trình bày trong
chương 4.
 99

Chương 4: TÍNH TOÁN MÔ PHỎNG VÀ CHẾ THỬ TẤM

PHỦ ĐA LỚP HẤP THỤ SÓNG RADAR BĂNG X

4.1. Giới thiệu

Khi sóng điện từ chiếu tới một môi trường nào đó thì một phần năng
lượng sóng bị phản xạ trở lại môi trường tới, một phần bị môi trường hấp
thụ và phần còn lại truyền qua môi trường. Tùy thuộc vào từng bài toán
kỹ thuật cụ thể mà phần năng lượng sóng phản xạ, hấp thụ hay truyền qua
đóng vai trò quan trọng. Trong công nghệ tàng hình thì phần năng lượng
sóng hấp thụ càng lớn, phần năng lượng sóng phản xạ càng nhỏ càng tốt.
Để tạo được một sản phẩm hấp thụ sóng điện từ tốt các nhà nghiên cứu
thường phải tiến hành rất nhiều lần khảo sát thực nghiệm với các cấu trúc
khác nhau được tạo ra từ các vật liệu có các đặc trưng điện từ khác nhau.
Một khối lượng thực nghiệm rất lớn phải được tiến hành, khiến cho chi
phí để tìm được cấu trúc tối ưu sẽ rất cao, do đó bản thiết kế cho một sản
phẩm hấp thụ sóng điện từ thường là bí quyết được giữ kín của nhà sản
xuất.
Cùng với sự phát triển của Khoa học máy tính, nhiều quá trình, đối
tượng và hiện tượng được mô phỏng trên máy tính với các cấu hình và cơ
sở dữ liệu khác nhau nhằm tìm ra được giải pháp tối ưu, định hướng cho
thực nghiệm, từ đó giảm thiểu được rất lớn các chi phí thực nghiệm. Trong
chương này tác giả trình bày về tính toán hệ số phản xạ của sóng điện từ
tới môi trường phân lớp, đồng thời lập trình mô phỏng ứng dụng thuật
toán di truyền (GA) để tìm cấu trúc tối ưu cho tấm phủ đa lớp hấp thụ sóng
radar.
 100

4.2. Thuật toán di truyền.

Sự ra đời của máy tính điện tử là một trong những phát minh vĩ đại
nhất của loài người, giúp chúng ta dự đoán và kiểm soát thiên nhiên theo
những cách mà hầu như một nửa thế kỷ trước chưa hình dung được.
Những nhà khoa học máy tính đầu tiên, như Alan Turing, John von
Neumann, Norbert Wiener và những người khác, đã quan tâm đến sinh
vật học và tâm lý học dưới góc độ điều khiển học [17]. Họ đã quan sát các
hệ thống tự nhiên để tìm thấy những ẩn dụ nhằm giải quyết vấn đề mà họ
quan tâm - đó là trí tuệ nhân tạo. Vì thế, các máy tính không chỉ được sử
dụng như một công cụ để giải các bài toán kỹ thuật cụ thể, mà còn dùng
để mô phỏng bộ não, bắt chước sự học tập của con người, và mô phỏng
sự tiến hóa sinh học. Từ đầu những năm 1980 vấn đề mô phỏng các quá
trình sinh học được cộng đồng nghiên cứu tính toán quan tâm nghiên cứu
phát triển, trong đó có ba lĩnh vực được đặc biệt quan tâm - đó là lĩnh vực
mạng thần kinh, lĩnh vực các hệ thống có khả năng tự học và lĩnh vực
“tính toán tiến hóa”- mà thuật toán di truyền là thí dụ nổi bật nhất.

4.2.1. Vấn đề tối ưu hóa

Tối ưu hóa là một quá trình điều chỉnh dữ liệu đầu vào hoặc các đặc
trưng đầu vào của một thiết bị, một quá trình... để đạt được được các chỉ
tiêu đầu ra tối ưu hay phí tổn tối thiểu. Có nhiều loại bài toán tối ưu nhưng
đều có một qui trình chung là dựa trên một thuật toán đã chọn, thực hiện
điều chỉnh dữ liệu đầu vào để nhận được các chỉ tiêu đầu ra tối ưu theo
một tiêu chuẩn nào đó.
Có nhiều phương pháp tối ưu hóa [17, 53]: Tối ưu hóa theo phương
pháp tìm kiếm cạn kiệt; Tối ưu hóa theo phương pháp tìm kiếm ngẫu
nhiên; Tối ưu hóa theo phương pháp tìm kiếm theo quy tắc vàng; Tối ưu
hóa theo phương pháp phương pháp tìm cực tiểu của Newton; Tối ưu hóa
 101

theo phương pháp ngoại suy bậc hai; Tối ưu hóa theo phương pháp tìm
kiếm theo đường; Tối ưu hóa theo phương pháp tìm kiếm theo phương
pháp Nelder-Mead từ trên xuống; Tối ưu hóa theo thuật toán di truyền.

4.2.2. Thuật toán di truyền

4.2.2.1. Giới thiệu thuật toán di truyền
Thuật toán di truyền do John Holland đưa ra vào năm 1960, được ông
cùng các sinh viên và đồng nghiệp của ông tại trường đại học Michigan
phát triển trong những năm 1960 và những năm 1970 [17, 60]. Mục đích
ban đầu Holland không phải là thiết kế một thuật toán nhằm giải quyết
một bài toán cụ thể, mà là nghiên cứu các hiện tượng thích nghi xẩy ra
trong tự nhiên và phát triển những cách thức mà theo đó các cơ chế của sự
thích nghi trong tự nhiên được đưa vào hệ máy tính. Trong cuốn sách “Sự
thích nghi trong tự nhiên và các hệ thống nhân tạo”, xuất bản năm 1975
[30], Holland đó trình bày thuật toán GA như là một sự trừu tượng hóa
của quá trình tiến hóa sinh học và đưa ra một khuôn khổ lý thuyết về sự
thích nghi. Thuật toán GA là một phương pháp tạo ra sự chuyển biến từ
một tập hợp “các nhiễm sắc thể” (thí dụ một dãy các số 1 và 0, hay là các
“bit”) sang một tập hợp mới bằng cách sử dụng “chọn lọc tự nhiên” kết
hợp với các phép toán lai ghép (crossover), gây đột biến (mutation) và lại
giống (inversion), được vay mượn từ di truyền học. Thuật toán GA được
đánh giá có nhiều ưu điểm so với các phương pháp tối ưu hóa truyền thống
khác như [53]:
1. Làm việc tốt cả với các biến liên tục cũng như gián đoạn.
2. Không cần thông tin về đạo hàm của hàm mục tiêu.
3. Đồng thời tìm kiếm trên một phạm vị lấy mẫu rộng của bề mặt hàm
mục tiêu.
4. Làm việc với một số lượng lớn biến.
 102

5. Rất thích hợp cho các máy tính song song.

6. Tối ưu hóa các biến với bề mặt chi phí cực kỳ phức tạp.
7. Cung cấp một danh sách các thông số tối ưu, chứ không phải chỉ là
một giải pháp duy nhất.
8. Có thể mã hóa các tham số và thực hiện tối ưu hóa với các tham số
đã mã hóa.
9. Làm việc được với các nguồn dữ liệu đầu vào khác nhau: thu thập từ
thực nghiệm, từ các hàm toán học, tạo ra từ máy tính ….
4.2.2.2. Các phép toán cơ bản trong GA.
Thuật toán GA dựa trên các quá trình di truyền và tiến hóa sinh học.
Đầu vào của hàm mục tiêu là một nhiễm sắc thể. Đầu ra của hàm mục tiêu
là chi phí khi tìm cực tiểu. Mỗi nhiễm sắc thể chứa các gen hay các biến.
Một nhóm các nhiễm sắc thể tạo nên một tập hợp dân cư. Đối với mục
đích của chúng ta tập hợp dân cư được hiểu là một ma trận với mỗi hàng
ứng với một nhiễm sắc thể:
 chrom1   g11 g12 g1M 
 chrom   g g g2M 
pop   2
  21 22 
   
   
chromN   g N 1 g N 2 g NM 
Các nhiễm Các gen
sắc thể
Mỗi nhiễm sắc thể là đầu vào của một hàm mục tiêu f. Chi phí liên
quan với mỗi nhiễm sắc thể được tính thông qua hàm mục tiêu:
  chrom1    cos t1 
   
  chrom2    cos t2 
f 
     
 chromN    cos t N 
 103

Đó là giá chi phí xác định độ phù hợp (fitness) của mỗi cá thể trong
tập hợp cư dân.
Vì các phép toán GA làm việc với các số được cho dưới dạng nhị
phân. Các giá trị nhị phân gồm một số lượng rất lớn nhưng hữu hạn của
các kết hợp có thể giá trị đầu vào. Biễu diễn nhị phân cũng thông dụng khi
có một số hữu hạn giá trị cho một biến, thí dụ tám giá trị hằng điện môi
cho chất nền cách điện.
GA bao gồm các bước cơ bản sau:
1. Tạo ra tập hợp dân cư ban đầu.
2. Đánh giá độ phù hợp của mỗi thành viên tập hợp.
3. Gọi đến quá trình chọn lọc tự nhiên.
4. Chọn ra các thành viên từ tập hợp cư dân để lai ghép.
5. Sinh ra thế hệ sau.
6. Gây đột biến các thành viên được chọn của tập hợp cư dân.
7. Kết thúc quá trình hoặc quay lại bước 2.
4.3. Sự truyền sóng điện từ qua môi trường phân lớp
Môi trường phân lớp với các biên phản xạ đối với mỗi lớp là mô hình
đơn giản nhất, nhưng mô tả tốt nhiều quá trình lan truyền của sóng điện từ
trong thực tế [51]. Cấu trúc của môi trường phân lớp được mô tả trên
Hình 4.1, môi trường gồm n + 1 lớp (không kể môi trường tới - lớp thứ 0
- là không khí, lớp dưới cùng, lớp c = n +1, là bán vô hạn. Khi sóng điện
từ truyền đến bề mặt môi trường phân lớp thì một phần bị phản xạ, một
phần bị môi trường hấp thụ và một phần truyền qua môi trường. Tùy từng
yêu cầu cụ thể mà người ta quan tâm nhiều đến thành phần nào của sóng
điện từ: năng lượng bị phản xạ trở lại (được đặc trưng bằng hệ số phản xạ
R), năng lượng được truyền qua môi trường (được đặc trưng bằng hệ số
truyền qua T) hay năng lượng bị hấp thụ (được đặc trưng bằng hệ số hấp
 104

thụ A). Tuy nhiên giữa ba đại lượng này có mối liên hệ với nhau nên nhiều
khi quan tâm đến năng lượng truyền qua nhưng người ta lại đi tính hệ số
phản xạ. Đặc biệt nếu môi trường cuối cùng là môi trường dẫn hoàn hảo
thì A = 1 – R, nghĩa là phần năng lượng bị phản xạ càng nhỏ thì phần năng
lượng bị môi trường hấp thụ càng lớn. Trong giới hạn luận án tác giả chỉ
quan tâm đến hệ số phản xạ.

lớp 0 ε0, μ0
z = -d0 = 0
lớp 1 ε1, μ1
z = -d1

z = -dl - 1

lớp l εl, μl
z = -dl

z = -dn-1
lớp n εn, μn
z = -dn
lớp c = n + 1 εt, μt

Hình 4.1: Cấu trúc môi trường phân lớp

4.3.1. Hệ số phản xạ của sóng điện từ đối với môi trường phân lớp
Trong mục này nghiên cứu sinh sẽ thiết lập công thức tính hệ số phản
xạ của một môi trường phân lớp gồm các lớp phẳng đối với sóng tới là
sóng phẳng.
Giả sử các biên phân cách giữa các lớp có tọa độ z = - d0, ..., -dn với
d0 = 0. Trong lớp thứ l vật liệu được đặc trưng bởi hệ số từ thẩm phức μl
và hệ số điện môi phức εl. Đối với một sóng phẳng bất kỳ tới môi trường
phân lớp, các phân cực ngang và phân cực dọc được xử lý riêng. Tuy nhiên
do tính đối ngẫu của các vector cường độ điện trường và cảm ứng từ, chỉ
 105

cần tìm nghiệm đối với một phân cực (chẳng hạn phân cực ngang TE), sau
đó có thể nhận được nghiệm đối với phân cực dọc bằng cách thay thế
E  H , H   E và    .

Xét một sóng phẳng tới môi trường phân lớp có vector sóng k . Mặt

phẳng tới được xác định bởi trục z và vector sóng k . Đối với một sóng
tới phân cực ngang, các thành phần trường điện từ có thể được biểu thị
qua một thành phần duy nhất, thí dụ thành phần Hz trên trục z của từ
trường. Trong lớp thứ l, phương trình Maxwell được viết dưới dạng:

 2
  kl2  klz2  H lz  0 (4.1)

1  
Hl      H lz  (4.2)
k  klz
l
22
 z 
il
El       zH
ˆ lz  (4.3)
kl2  klz2

ở đây kl    l  l 
1/ 2

, klz  k  k l
2

2 1/ 2
, k  là thành phần của vector

sóng tới k trong mặt phẳng x-y,   và  2 là các toán tử del và toán tử
Laplace hai chiều trong mặt phẳng x-y. Nếu từ trường của sóng TE đập
tới môi trường phân lớp có phương trình H z  H 0eik z eik z  .r
, thì trong lớp
thứ l, từ trường tổng hợp có thể được viết như sau:

H lz  Al eiklz z  Bl e  iklz z e  k .r (4.4)

Không có chỉ số dưới l cho k  vì do điều kiện trùng nhau về pha nên các

giá trị k  trong tất cả các lớp là như nhau. Chú ý rằng trong lớp thứ 0 (ở
đó l = 0) ta sẽ có:
A0  RH 0 (4.5)

B0  H 0 (4.6)
 106

Tương tự, trong lớp thứ t (l = n +1) ta có:

At  0 (4.7)

Bt  TH 0 (4.8)
Hệ số phản xạ R được xác định từ các điều kiện biên. Tại mặt phân cách
z = -dl giữa lớp thứ l và lớp thứ l + 1, thành phần tiếp tuyến của các trường
E và B phải liên tục. Chúng ta nhận được:

 
klz Al eiklz dl  Bl eiklz dl  kl 1 z Al 1e   ik l 1 z dl
 Bl 1e
ik l 1 z dl
 (4.9)

l  Al eik lz dl

 Bl eiklz dl  l 1 A l 1 e
 ik l 1 z dl
 Bl 1e
ik l 1 z dl
 (4.10)

Có n + 1 biên và ở mỗi biên có 2n + 2 phương trình để giải ra đối với 2n

+ 2 ẩn số Al và Bl, l=1,2,...,n và A0 và Bc. Từ các phương trình (4.9) tìm
được:

1  l 1 kl 1 z    ik l 1 z dl

 (4.11)
Al e  iklz dl 
ik l 1 z dl
    Al 1e  RlTE B e
2  l klz   l 1 l 1


1  l 1 kl 1 z   TE
 Bl 1e l 1 z l  (4.12)
 ik l 1 z dl ik d
Bl eiklz dl      Rl l 1 Al 1e
2  l klz  

trong đó:
l 1klz  l kl 1 z
RlTE  (4.13)
 l 1
l 1klz  l kl 1 z

Al  i 2 klz dl
Chia từng vế (4.11) cho (4.12) và đặt RlTE  e , ta được
Bl
i 2 k l 1 z tl 1
 l 1  Rl 1e
RlTE TE

RlTE  TE i 2 k l 1 z tl 1
(4.14)
R TE
l  l 1
.R e
l 1 1

Ở đây tl là độ dầy của lớp l. Đối với lớp cuối cùng c = n + 1 vì không có
Ac
sóng phản xạ trở lại nên Ac  An 1  0 , do đó  0 . Vậy công thức
Bc
 107

(4.14) chính là công thức truy toán để tính hệ số phản xạ của sóng tới trên
môi trường phân lớp. Bắt đầu từ l = n + 1 với RnTE1  0 ta tính được
n 1knz  n k n 1 z
RnTE  RnTE n 1  . Tiếp đến ta tính được RnTE1 và cứ thế
n 1knz  n k n 1 z

A0
cho đến RTE  R0TE  chính là hệ số phản xạ đối với phân cực ngang
B0

cần tìm.
Ta có thể nhận được kết quả tương tự đối với phân cực dọc một
cách đơn giản là sử dụng tính đối ngẫu bằng các thay thế:
 l  l , l   l , El  H l , H l   El
Kết quả nhận được
i 2 k l 1 z tl 1
 l 1  Rl 1 e
RlTM TM

RlTM  i 2 k l 1 z tl 1 (4.15)

RlTM TM
 l 1 .Rl 1 e 1

với RnTM1  0
trong đó
 l 1klz   l kl 1 z
RlTM  (4.16)
 l 1
 l 1klz   l kl 1 z

Hệ phương trình (4.15) và (4.16) cho ta công thức truy toán để tính hệ số
phản xạ của sóng tới môi trường phân lớp đối với phân cực dọc.

4.3.2. Kết quả tính toán cho một vài trường hợp đơn giản
Áp dụng các công thức (4.13 - 4.16) để tính số hệ số phản xạ cho một
số trường hợp đơn giản. Sơ đồ tính toán được thể hiện trên Hình 4.2.
 108

Cho các số
liệu ban đầu

- Tính góc i
- Tính k lz trong các lớp

TE / TM
Tính các hệ số Rl  l 1

TE / TM
Biết Rn 1  0 tính RlTE / TM
(l=n, n-1,..0)

Vẽ đồ thị các hệ số phản xạ theo

góc quan sát (hoặc theo tần số )

Kết thúc

Hình 4.2: Sơ đồ tính các hệ số phản xạ

+ Trước hết cần cho các số liệu đầu vào: số lớp, các hệ số điện môi
và độ thẩm từ của mỗi lớp, độ dày các lớp (l = 1, …,n), các góc tới và giải
tần số cần tính.
+ Áp dụng định luật Snell để tính các góc  li (i =1, 2, …, ng, ng là số

góc tới cần tính) giữa hướng của vector sóng k l và trục z.
+ Tính số sóng k và hình chiếu của nó trên trục z theo các công thức:
2 f
kl    l l  lr lr
1/2
 (4.17)
c


klz  kl2  k 
2 1/2
 kl cosli (4.18)

+ Tính các hệ số RlTE /TM

 l 1
theo các công thức (4.13) và (4.16).
 109

+ Biết RnTE1/TM  0 theo các công thức truy toán (4.14) và (4.15) tính

được RlTE /TM (với l = n, n-2, …, 0). Các hệ số phản xạ cần tìm, tương ứng

với phân cực ngang và phân cực dọc, là Rh  R0TE , Rv  R0TM .

+ Biễu diễn đồ thị của bình phương mô đun các hàm Rh và Rv.
4.3.2.1. Phản xạ từ môi trường một lớp
Để có cơ sở đánh giá quá trình tính toán, tác giả sử dụng các số liệu
tham khảo từ tài liệu [52]. Cụ thể môi trường bán vô hạn của chúng ta
được đặc trưng bằng độ từ thẩm tương đối cr  1.0 và hệ số điện môi

tương đối  cr  3,2  0,32i . Hình 4.3a và 4.3b là các đồ thị biểu diễn sự

phụ thuộc các các hệ số phản xạ Rh  Rh 2 và Rv  Rv 2 theo thang tuyến

tính tương tự tài liệu [52] và theo thang dexiBel. So sánh với kết quả được
công bố trong tài liệu [52], thấy rằng kết quả nhận được hoàn toàn trùng
khớp.

(a) (b)
Hình 4.3: Sự phụ thuộc của hệ số phản xạ vào góc quan sát đối với môi
trường nửa không gian với  = 3,2(1+0,1i)0 và f = 1GHz

4.3.2.2. Phản xạ từ môi trường hai lớp

 110

Trên Hình 4.4a và 4.4b mô tả các đồ thị của môi trường hai lớp với
các số liệu được lấy theo tài liệu [52].
So sánh với kết quả được công bố trong tài liệu [52], thấy rằng kết
quả nhận được hoàn toàn trùng khớp.

(a) (b)
Hình 4.4: Sự phụ thuộc của hệ số phản xạ vào góc quan sát đối với môi
trường hai lớp với 1 = 3,2(1+0,1i)0, 2 = 800 và tần số f = 1GHz

(a) (b)
Hình 4.5: Sự phụ thuộc của hệ số phản xạ đối với môi trường hai lớp
có tính chất từ, đối với tần số f = 1GHz.
 111

Hình 4.5a và Hình 4.5b là các đồ thị của môi trường hai lớp với các
số liệu được lấy như sau:
r1  2  10i; r 2  0,5  2i;  r1  3, 2(1  0,1i );  r 2  80;
Khác với các trường hợp ở trên, ở đây các môi trường có tính chất
từ. Từ kết quả nhận được, thấy rằng khi thay đổi tính chất của vật chất môi
trường thì hệ số phản xạ thay đổi rất nhiều. Điều này là cơ sở để có tiến
hành mô phỏng trên máy tính nhằm tìm ra các loại vật liệu làm tối ưu tính
chất phản xạ (hay truyền qua) của sóng điện từ đối với môi trường phân
lớp.
4.4. Mô phỏng tấm phủ đa lớp hấp thụ sóng radar băng X
Trong các công bố [40, 62, 90], các nhóm nghiên cứu đã đề xuất mô
hình tấm phủ đa lớp hấp thụ sóng điện từ băng thông rộng. Mức độ hấp
thụ sóng điện từ của tấm phủ phụ thuộc vào các yếu tố như độ dày các lớp,
tính chất vật liệu của các lớp.
Xét về nguyên tắc có thể điều chỉnh được hệ số hấp thụ sóng điện từ
của tấm phủ thông qua việc lựa chọn vật liệu cũng như điều chỉnh bề dày
các lớp thành phần của tấm phủ.
Mục tiêu mà luận án hướng tới là xây dựng được mô hình vật lý của
tấm phủ và dựa trên mô hình đó tiến hành tính toán, mô phỏng trên máy
tính các quá trình tương tác của sóng radar với tấm phủ hấp thụ. Dùng
thuật toán để tìm ra cấu hình tối ưu cho tấm phủ, từ đó định hướng cho
việc thực hành thí nghiệm chế tạo tấm phủ nhằm giảm thiểu tối được đa
thời gian và chi phí cho việc chế tạo tấm phủ.

4.4.1. Mô hình tấm phủ đa lớp

Mô hình tấm phủ đa lớp hấp thụ sóng radar băng X được mô tả trên
Hình 4.6. Giả thiết rằng sóng tới là sóng phẳng và được truyền từ không
khí tới bề mặt của tấm phủ với góc tới θ. Tấm phủ được tạo trên một đế
 112

dẫn điện lý tưởng (PEC) và bao gồm một số lớp mỏng N làm từ vật liệu
tổn hao. Cơ sở dữ liệu gồm hệ số điện môi  l ( f ) và độ từ thẩm l ( f ) của

vật liệu l (l = 1,2,…, N L ) ứng với Nf giá trị tần số f i (i = 1,2,…, N f ) và

N góc tới  i (i = 1,2,…, N ). Yêu cầu đặt ra là tìm được loại vật liệu
và độ dày cho mỗi lớp để có hệ số phản xạ là cực tiểu.

Hình 4.6: Mô hình tấm phủ đa lớp

Về mặt cấu trúc thì tấm phủ nhiều lớp cũng là môi trường phân lớp
tương tự Hình 4.1, tuy nhiên trong trường hợp này thì lớp cuối cùng là bán
vô hạn, hệ số phản xạ của sóng tới ở lớp cuối cùng bằng không, còn trong
trường hợp luận án đề cập thì lớp cuối cùng là lớp dẫn điện lý tưởng nên
hệ số phản xạ của lớp cuối cùng bằng -1.
Công thức tính hệ số phản xạ đối với sóng phân cực ngang và phân
cực dọc cũng được suy ra từ điều kiện biên và có dạng tương tự như các
công thức (4.14 - 4.16). Tuy nhiên để phù hợp với mô hình đã xây dựng,
các công thức tính hệ số phản xạ được viết lại như sau [59]:
 Rl*TE /TM  RlTE /TM 2 ik z ,l 1dl 1
e
1
 *TE /TM TE /TM 2ikz ,l 1dl 1 khi l  1
RlTE /TM   Rl Rl 1 e 1 (4.19)
 1 khi l  1

 113

Trong đó
 rl 1k z ,l  rl k z ,l 1
Rl*TE  (4.20)
 rl 1k z ,l  rl k z ,l 1

 rl 1k z ,l   rl k z ,l 1
Rl*TM  (4.21)
 rl 1k z ,l   rl k z ,l 1

với dl là độ dày của lớp l;  rl và  rl là hệ số điện môi tỉ đối và độ từ thẩm

tỉ đối của lớp l ứng với tần số f ; k z ,l là hình chiếu của số sóng k trên

phương z trong lớp l. k z ,l được tính theo công thức rút ra từ định luật Snell:

k z ,l  2 f  l f l f   0 0 sin 2 

Các công thức (4.19 - 4.21) cũng có thể được rút ra bằng phương
pháp đường truyền [85].

4.4.2. Tối ưu hóa tấm phủ đa lớp bằng GA

Mục tiêu đặt ra khi thiết kế tấm phủ hấp thụ là không những hấp thụ
tốt sóng phẳng tới trong phạm vi tần số rộng và các góc tới khác nhau, mà
còn phải càng nhẹ càng tốt. Để đạt được điều đó hàm mục tiêu được lựa
chọn như sau [59]:

 
F  m1 ,d1  , m2 ,d 2  ... ml ,dl  ... mN L ,d N L ,1 , 2 ...i  
N N f

1
  R  , f   R  , f 
TE
i j
TM
i j NL
 d  d max 
(4.22)
i 1 j 1
   l 
2 N N f k 1  d max 

trong đó ml, dl là loại vật liệu và độ dày của lớp l; γ > 0 là một trọng số
liên quan đến chỉ tiêu tối ưu hóa về độ dày tổng cộng và độ dày tối đa của
một lớp; θi là góc tới trong lần tính toán mô phỏng thứ i. RTE và RTM là hệ
số phản xạ ứng với phân cực TE và TM được tính toán theo công thức
(4.19); Nf là tổng số điểm tần số và Nθ là tổng số góc tới được sử dụng để
tính toán.
 114

Hàm mục tiêu F được lựa chọn theo hai hướng dựa vào các mục
từng đích cụ thể. Nếu thiết kế được lựa chọn với mục đích chỉ tối ưu hóa
về loại vật liệu nhằm đạt được hệ số phản xạ nhỏ nhất cho một góc tới bất
kỳ thì hàm mục tiêu được viết thành:

 
F  m1 ,d1  , m2 ,d 2  ... ml ,d l  ... mN L ,d N L ,  
Nf

  R  , f   R  , f 
1  j 1
TE
i j
TM
i j
(4.23)

2 Nf

Ngược lại, khi mục đích thiết kế hướng tới việc tối ưu hóa cả về hệ số
phản xạ và độ dày tổng thể thì hàm mục tiêu được sử dụng theo công thức
(4.22). Đối với một cấu hình mà trong đó các thông số dl lớn thì sẽ tăng
giá trị của hàm mục tiêu, tức là ảnh hưởng tới khả năng lựa chọn cấu hình
đó. Trọng số γ càng lớn thì mức độ đòi hỏi tối ưu hóa về độ dày tổng thể
càng cao, điều đó đồng nghĩa với vấn đề tối ưu hóa hệ số phản xạ sẽ bị
hạn chế. Tuy nhiên, giá trị γ là một hằng có thể lựa chọn theo mục đích
của từng bài toàn cụ thể, nó không ảnh hưởng nhiều tới vấn đề tối ưu hóa
về loại vật liệu. Chính vì lý do đó các công bố gần đây [58, 77, 78, 96] chỉ
tập trung vào vấn đề tối ưu hóa về cấu hình tấm phủ, tức là loại vật liệu
được lựa chọn và độ dày của từng lớp. Việc chọn lựa tối ưu vật liệu và độ
dày mỗi lớp được thực hiện đồng thời bằng phương pháp tối ưu hóa dựa
trên thuật toán di truyền.
Các bước cơ bản của quá trình tối ưu dựa trên GA nhị phân được biểu
diễn trên lưu đồ Hình 4.7. Cụ thể:
 115

Bắt đầu

Nhập các số liệu đầu vào

Khởi tạo tập hợp

cá thể ban đầu P0

Giải mã các biến của

hàm mục tiêu

Tính độ thích hợp

cho các cá thể

Thực hiện pha chọn lọc

Thực hiện pha lai ghép

Thực hiện pha đột biến

Kiểm tra
hội tụ Chưa hội
tụ
Hội tụ
Kết thúc

Hình 4.7: Lưu đồ thuật toán GA tối ưu hóa tấm phủ đa lớp

 Bước 1: Nhập các dữ liệu đầu vào. Để thực hiện việc tìm cấu hình tối
ưu cho tấm phủ đa lớp cần cho trước: Số lớp; độ dày tối đa một lớp;
 116

các tham số đặc trưng cho vật liệu mỗi lớp (hệ số điện môi, độ từ
thẩm); các góc tới cần nghiên cứu; giá trị miền tần số quan tâm.
 Bước 2. Khởi tạo tập hợp cá thể ban đầu. Tiến hành mã hóa các biến
loại vật liệu và biến độ dày mỗi lớp thành các dãy số nhị phân. Kí hiệu
số bít biểu diễn loại vật liệu được chọn là Nmb và số bít biểu diễn độ
dày là Ntb. Khi đó mỗi lớp được biểu diễn bằng dãy gồm Nb = Nmb +
Ntb bít nhị phân. Cả tấm phủ được biễu diễn bằng dãy gồm Ntc = số
lớp x Nb. Mỗi dãy này là một cá thể hay một nhiễm sắc thể theo thuật
ngữ di truyền sinh học. Tập hợp ban đầu P0 được tạo ra một cách ngẫu
nhiên gồm Npop cá thể mỗi cá thể là một dẫy gồm Ntc bít nhị phân. Số
cá thể Npop trong một tập hợp được chọn đủ lớn [53, 30] để đảm bảo
quét được nhiều khả năng nhất.
 Bước 3: Giải mã các biến hàm mục tiêu. Vì hàm mục tiêu được tính
trên các biến nhận các giá trị liên tục nên cần phải chuyển đổi các biểu
diễn nhị phân của độ dày, của loại vật liệu sang giá trị số thập phân
trong giới hạn mà các biến có thể nhận. Với 21 loại vật liệu thì phải
chuyển dãy nhị phân biểu diễn loại vật liệu được cho trong tập hợp các
cá thể đó tạo ra thành các số nguyên nằm trong khoảng từ 1 đến 21.
Khi biết loại vật liệu được chọn thì sẽ xác định được các đặc trưng của
vật liệu đó theo số liệu đầu vào, từ đó tính được hệ số phản xạ .v.v.
 Bước 4: Tính độ thích hợp cho các cá thể. Sau khi đã biết các vật liệu
được chọn và độ dày mỗi lớp của tất cả mọi cấu hình ứng cử viên cho
nghiệm tối ưu ta tính toán độ thích hợp theo hàm mục tiêu.
 Bước 5: Chọn lọc. Trên cơ sở các giá trị độ thích hợp đã tính được của
các cá thể ta tiến hành giữ lại các cá thể có độ thích hợp cao nhất, loại
bỏ các cá thể còn lại.
 117

 Bước 6: Lai ghép. Cho các cá thể được chọn ra ở bước 5 lai ghép nhau
theo quy tắc của GA để sinh ra các cá thể con cái của thế hệ sau. Số
con cái sinh ra phải đúng bằng số cá thể đã loại bỏ trong bước 5.
 Bước 7: Gây đột biến. Trong tập hợp các cá thể mới vừa nhận (gồm
các cá thể ở thế hệ trước giữ lại và các cá thể con do lai ghép sinh ra)
tiến hành gây đột biến một tỉ lệ rất nhỏ để tạo ra các cá thể mới nhằm
tăng khả năng tìm kiếm các ứng viên cho nghiệm tối ưu.
 Bước 8: Kiểm tra độ hội tụ. Có nhiều tiêu chí hội tụ như: số thế hệ mới
đủ lớn; thời gian đủ dài; mức độ thích hợp không cải thiện được nữa
.v.v. Trong mô phỏng tấm phủ lựa chọn tiêu chí hội tụ là mức độ thích
hợp không cải thiện sau 100 vòng lặp. Nếu chưa đạt được tiêu chuẩn
hội tụ đề ra thì quay trở lại bước 3. Ngược lại điều kiện hội tụ đó thỏa
mãn thì kết thúc quá trình tối ưu.

4.5. Kết quả tính toán

Chương trình mô phỏng được viết trên nền Matlab, tiến hành tối ưu
hóa bằng GA để tìm cực tiểu của hàm mục tiêu (4.22). Việc tối ưu hóa
được thực hiện với dải tần số 8 - 12 GHz. Độ dày cực đại của mỗi một lớp
cố định 2 mm, tổng số cá thể trong quần thể là 150.
Cơ sở dữ liệu gồm 21 loại vật liệu composite chứa các vật liệu từ
nano và nano cácbon đã chế tạo được trình bày trong chương 2; mỗi loại
vật liệu này có hệ số điện môi và độ từ thẩm tương ứng theo dạng bảng dữ
liệu tương tự Bảng 3.1. Ứng với mỗi loại vật liệu có thể được lựa chọn
cho mỗi lớp của tấm phủ có hệ số điện môi và độ từ thẩm phụ thuộc vào
tần số.
 118

4.5.1. Mô phỏng theo số lượng lớp

Trên Hình 4.8 trình bày sự phụ thuộc hệ số phản xạ R theo tần số với
các tấm phủ có số lượng lớp khác nhau. Thông số tối ưu (loại vật liệu / độ
dày (mm)) các lớp của từng tấm phủ như sau:
- Tấm phủ một lớp: lớp 1 (3/1.85)
- Tấm phủ hai lớp: lớp 1 (2/1.2), lớp 2 (15/0.52)
- Tấm phủ ba lớp: lớp 1 (3/1.3), lớp 2 (8/0.25), lớp 3 (14/1.2)
- Tấm phủ bốn lớp: lớp 1 (8/1.05), lớp 2 (6/0.2), lớp 3 (10/0.8), lớp
4 (18/0.95)
- Tấm phủ năm lớp: lớp 1 (5/0.42), lớp 2 (3/0.21), lớp 3 (8/1.05),
lớp 4 (14/0.49), lớp 5 (20/1.2)
- Tấm phủ mười lớp: lớp 1 (3/0.82), lớp 2 (5/0.56), lớp 3 (9/1.02),
lớp 4 (8/1.06), lớp 5 (12/0.45), lớp 6 (14/0.78), lớp 7 (16/0.5), lớp
8 (19/0.89), lớp 9 (21/1.24), lớp 10 (16/0.58)
Từ kết quả thấy rằng, khi số lớp của tấm phủ tăng lên thì hệ số phản
xạ giảm. Với các tấm phủ có 1, 2, 3, 4 lớp giá trị của R tăng tuyến tính
theo tần số. Tuy nhiên, đối với trường hợp tấm phủ có 5 hay 10 lớp, trên
đồ thị xuất hiện các cực tiểu và các cực tiểu này có xu hướng dịch chuyển
về phía tần số cao. Trong số các cấu hình đã xem xét thì tấm phủ 5 lớp là
lựa chọn tối ưu bởi số lớp không quá lớn, cực tiểu của hệ số phản xạ rơi
vào lân cận tần số 9.5 GHz. Tấm phủ 10 lớp có hệ số R đạt dưới -20dB
hầu như trên toàn bộ dải tần, tuy nhiên trong điều kiện khảo sát thực
nghiệm và điều kiện thực tế sản xuất sẽ gặp nhiều khó khăn hơn so với
tấm phủ 5 lớp. Các kết quả mô phỏng tấm phủ là phù hợp với kết quả đã
công bố trong công trình số [4] của tác giả và tham chiếu [115].
 119

Hình 4.8: Phụ thuộc hệ số phản xạ theo số lớp ứng với góc tới 0 độ

Hình 4.9: Hệ số phản xạ phụ thuộc tần số ứng với các góc tới khác nhau
 120

4.5.2. Mô phỏng theo góc tới

Kết quả khảo sát sự phụ thuộc của hệ số phản xạ theo tần số ứng với
các góc tới khác nhau được trình bày trên hình 4.9. Các góc tới được lựa
chọn để khảo sát là θ = 00, 300 và 600. Nhận thấy rằng, hệ số phản xạ tăng
theo chiều tăng của góc tới, đặc biệt là thành phần RTE. Tuy nhiên các giá
trị của R có xu hướng trải rộng và đồng đều trên toàn bộ dải tần; với các
góc tới lớn hơn xu hướng này càng thể hiện rõ. Điều này hoàn toàn phù
hợp với lý thuyết sóng điện từ [52] và kết quả trong công bố [61].

4.5.3. Mô phỏng theo cấu hình trọng số

Bên cạnh việc đảm bảo các tấm phủ đa lớp được đề xuất là tối ưu
về khả năng hấp thụ sóng radar thì vấn đề tối ưu hóa về độ dày tổng cộng
và độ dày tối đa của một lớp cũng rất được quan tâm. Vấn đề tối ưu hóa
về độ dày tổng cộng và độ dày tối đa của từng lớp được quyết định bởi
trọng số γ trong công thức 4.22. Tác giả lựa chọn góc tới 0 độ để tính toán
các cấu hình tối ưu ứng với các trọng số γ = 0, 0.05 và 0.1. Các kết quả về
sự phụ thuộc hệ số phản xạ theo tần số và các thông số của từng cấu hình
được trình bày trên Hình 4.10 và Bảng 4.1 tương ứng. Ta nhận thấy, khi
nới lỏng điều kiện tối ưu hóa về độ dày thì miền tần số tương ứng với hệ
số phản xạ thấp hơn chiếm ưu thế; các điểm cực tiểu của R dịch chuyển
về phía tần số thấp và có giá trị giảm dần. Đối với góc tới 0 độ thì RTM và
RTE trùng nhau.
 121

Hình 4.10: Hệ số phản xạ phụ thuộc tần số ứng với các góc tới θ = 00 và các
cấu hình khác nhau
Bảng 4.1: Các thông số tối ưu hóa của ba cấu hình CH1, CH2, CH3

Cấu hình CH1 ( = 0) CH2 ( = 0.05) CH3 ( = 0.1)

Lớp 1 (n1/d1 mm) 2/1.15 6/1.08 2/0.62

Lớp 2 (n2/d2 mm) 11/1.09 2/0.94 10/1.30

Lớp 3 (n3/d3 mm) 14/0.43 14/0.42 4/0.49

Lớp 4 (n4/d4 mm) 17/1.05 18/0.45 6/0.52

Lớp 5 (n5/d5 mm) 19/1.4 21/0.17 19/0.35

fmin (dB) 9.6 10.8 11.2

Rmin (dB) -53.7 -39.3 -22.3

 122

4.6. Thử nghiệm chế tạo tấm phủ đa lớp

4.6.1. Các bước công nghệ
Do đặc điểm của các bài toán thực tế về ngụy trang đối với dải sóng
radar băng X là đối tượng tác chiến thường ở khoảng cách rất xa, có thể
coi góc tới của sóng điện từ tới các mục tiêu được ngụy trang là góc 0 độ.
Luận án lựa chọn năm cấu hình tấm phủ đa lớp với các thông số về loại
vật liệu từ tính toán mô phỏng để tiến hành chế thử theo các bước sau:
- Pha trộn hỗn hợp parafin hoặc keo với vật liệu nano chế tạo được theo
tỷ lệ các mẫu vật liệu được lựa chọn trong quá trình mô phỏng. Khối lượng
bột nano và parafin được tính theo công thức
mvl  s   d  vl
m p  s  (1   )  d   p

Trong đó:
+ s là diện tích lớp phủ
+ mvl và mp là khối lượng vật liệu nano và parafin tương ứng
+ d là độ dày lớp phủ
Vvl
+  là tỷ lệ thể tích vật liệu nano trên tổng thể tích hỗn hợp
Vvl  V p
- Tráng hỗn hợp lên nền vải sợi tổng hợp đặt trong khuôn đã thiết kế sẵn
với các độ dày xác định, thu được các lớp vật liệu hấp thụ.
- Ghép các lớp thành tấm đa lớp theo trật tự cấu hình của các mẫu lấy từ
chương trình mô phỏng.
- Đo, đánh giá hệ số phản xạ bằng phương pháp đường truyền.
Trên Hình 4.11(a) mô tả cấu trúc tấm phủ và Hình 4.11(b) là mẫu các tấm
phủ chế tạo thực nghiệm.
 123

(a) (b)

Hình 4.11: Hình ảnh của các mẫu tấm phủ đa lớp thực nghiệm

4.6.2. Kết quả đo hệ số phản xạ

Trên Bảng 4.2 và Hình 4.12 trình bày thông số cấu trúc của tấm phủ
và kết quả so sánh hệ số phản xạ thực nghiệm với kết quả tính toán mô
phỏng của mẫu tấm phủ M1. Kết quả cho thấy hệ số phản xạ thực nghiệm
có giá trị tương đối bám sát các giá trị tính toán mô phỏng. Tổn hao phản
xạ sóng radar của mẫu M1 đạt dưới -20dB trên toàn bộ dải tần 8 – 12GHz,
đặc biệt băng thông hệ số phản xạ dưới -30dB đạt 3 GHz, trong đó tổn hao
phản xạ tối thiểu đạt -50 dB tại lần cận tần số 9,6 GHz.

Bảng 4.2: Các thông số tối ưu hóa của mẫu tấm phủ M1

Số lớp Cấu hình thông số

Lớp 1 (Vật liệu/độ dày) Composite Mn0.5Zn0.5Fe2O4 – 40% / 1.15 mm

Lớp 2 (Vật liệu/độ dày) Composite Multiferroic – 45% / 1.09 mm

Lớp 3 (Vật liệu/độ dày) Composite 3BaO.2CoO.Fe2O4 – 30% / 0.43 mm

Lớp 4 (Vật liệu/độ dày) Composite nano cácbon 20% / 1.05mm

Lớp 5 (Vật liệu/độ dày) Composite nano cácbon 50% / 1.4 mm

 124

-10
Mo phong
-15
Thuc nghiem
-20

-25

-30
R (dB)

-35

-40

-45

-50

-55

-60
8 9 10 11 12
f (GHz)

Hình 4.12: Kết quả đánh giá hệ số phản xạ mẫu tấm phủ đa lớp M1

-5
Mo phong
-10
Thuc nghiem
-15

-20

-25
R (dB)

-30

-35

-40

-45

-50

-55
8 9 10 11 12
f (GHz)

Hình 4.13: Kết quả đánh giá hệ số phản xạ mẫu tấm phủ đa lớp M2
 125

Trên Bảng 4.3 và hình 4.13 trình bày thông số cấu trúc của tấm phủ
và kết quả so sánh hệ số phản xạ thực nghiệm với kết quả tính toán mô
phỏng của mẫu mẫu tấm phủ M2. Tương tự như mẫu M1, hệ số phản xạ
thực nghiệm có giá trị tương đối bám sát các giá trị tính toán mô phỏng.
Tấm phủ M2 có tổn hao phản xạ đạt dưới -15 dB trên toàn bộ dải tần 8 –
12GHz, đặc biệt băng thông hệ số phản xạ dưới -20dB đạt 3 GHz, trong
đó tổn hao phản xạ tối thiểu đạt -35 dB tại lần cận tần số 9,7 GHz.

Bảng 4.3: Các thông số tối ưu hóa của mẫu tấm phủ M2

Số lớp Cấu hình thông số

Lớp 1 (Vật liệu/độ dày) Composite Ni0.5Zn0.5Fe2O4 – 20% / 0.42 mm

Lớp 2 (Vật liệu/độ dày) Composite Mn0.5Zn0.5Fe2O4 – 60%/ 0.21 mm

Lớp 3 (Vật liệu/độ dày) Composite Ni0.5Zn0.5Fe2O4 – 65% / 1.05 mm

Lớp 4 (Vật liệu/độ dày) Composite 3BaO.2CoO.Fe2O4 – 30%/ 0.49 mm

Lớp 5 (Vật liệu/độ dày) Composite nano cácbon 65% / 1.2 mm

Trên Bảng 4.4 và Hình 4.14 trình bày thông số cấu trúc của tấm phủ
và kết quả so sánh hệ số phản xạ thực nghiệm với kết quả tính toán mô
phỏng của mẫu mẫu tấm phủ M3. Từ kết quả thấy rằng hệ số phản xạ thực
nghiệm không bám sát giá trị tính toán mô phỏng cả về tần số và độ lớn;
có thể giải thích rằng, trong quá trình chế tạo thực nghiệm lớp thứ 2 khá
dày, trong khi vật liệu Multiferroic có khối lượng riêng cao khi tạo lớp với
paraphin vật liệu lắng nhanh nên phân bố không đều. Tổn hao phản xạ
sóng radar băng X của mẫu tấm phủ M3 đạt -20 dB trên toàn bộ dải tần.
 126

Bảng 4.4. Các thông số tối ưu hóa của mẫu tấm phủ M3

Số lớp Cấu hình thông số

Lớp 1 (Vật liệu/độ dày) Composite Ni0.5Zn0.5Fe2O4 – 35% / 0.98 mm

Lớp 2 (Vật liệu/độ dày) Composite Multiferroic – 20% / 1.9 mm

Lớp 3 (Vật liệu/độ dày) Composite Mn0.5Zn0.5Fe2O4 – 60% / 0.7 mm

Lớp 4 (Vật liệu/độ dày) Composite Multiferroic – 45% / 1.0 mm

Lớp 5 (Vật liệu/độ dày) Composite nano cácbon 35% / 0.74 mm

-10
Mo phong
-15
Thuc nghiem
-20

-25

-30
R (dB)

-35

-40

-45

-50

-55

-60

-65
8 9 10 11 12
f (GHz)

Hình 4.14: Kết quả đánh giá hệ số phản xạ mẫu tấm phủ đa lớp M3

Trên Bảng 4.5 và Hình 4.15 trình bày thông số cấu trúc của tấm phủ
và kết quả so sánh hệ số phản xạ thực nghiệm với kết quả tính toán mô
phỏng của mẫu mẫu tấm phủ M4. Cấu mẫu được lựa chọn có độ dày các
lớp tương đối nhỏ, quá trình chế tạo thuận lợi hơn đối với các mẫu có các
 127

lớp dày hơn. Hệ số phản xạ thực nghiệm có giá trị khá sát các giá trị tính
toán mô phỏng. Tấm phủ M4 có tổn hao phản xạ đạt dưới -15 dB trong
dải tần số 8 – 10GHz.

Bảng 4.5: Các thông số tối ưu hóa của mẫu tấm phủ M4

Số lớp Cấu hình thông số

Lớp 1 (Vật liệu/độ dày) Composite Multiferroic – 20% / 0.98 mm

Lớp 2 (Vật liệu/độ dày) Composite Multiferroic – 45% / 0.49 mm

Lớp 3 (Vật liệu/độ dày) Composite Mn0.5Zn0.5Fe2O4 – 65% / 0.37 mm

Lớp 4 (Vật liệu/độ dày) Composite Ni0.5Zn0.5Fe2O4 – 45% / 0.5 mm

Lớp 5 (Vật liệu/độ dày) Composite nano cácbon 20% / 0.4 mm

-5

-10

-15
R (dB)

-20

-25

-30

-35
Mo phong
Thuc nghiem
-40
8 9 10 11 12
f (GHz)

Hình 4.15: Kết quả đánh giá hệ số phản xạ mẫu tấm phủ đa lớp M4

Trên Bảng 4.6 và Hình 4.16 trình bày thông số cấu trúc của tấm phủ
và kết quả so sánh hệ số phản xạ thực nghiệm với kết quả tính toán mô
 128

phỏng của mẫu mẫu tấm phủ M5. Tương tự mẫu M4, độ dày các lớp tương
đối nhỏ, tuy nhiên các mẫu có nồng độ vật liệu tương đối cao nên quá trình
chế tạo gặp khó khăn hơn mẫu M4. Hệ số phản xạ thực nghiệm có giá trị
tương đối bám sát các giá trị tính toán mô phỏng. Hầu như trên toàn bộ
dải tần 8 – 12 GHz tổn hao phản xạ đạt -10 dB.
Bảng 4.6: Các thông số tối ưu hóa của mẫu tấm phủ M5

Số lớp Cấu hình thông số

Lớp 1 (Vật liệu/độ dày) Composite Ni0.5Zn0.5Fe2O4 – 50% / 0.46 mm

Lớp 2 (Vật liệu/độ dày) Composite Multiferroic – 65% / 0.28 mm

Lớp 3 (Vật liệu/độ dày) Composite Mn0.5Zn0.5Fe2O4 –75% / 0.84 mm

Lớp 4 (Vật liệu/độ dày) Composite 3BaO.2CoO.Fe2O4 – 65% / 0.7 mm

Lớp 5 (Vật liệu/độ dày) Composite nano cácbon 65% / 0.65 mm

-5

-10

-15

-20
R (dB)

-25

-30

-35

-40

-45

-50 Mo phong
Thuc nghiem
-55
8 9 10 11 12
f (GHz)

Hình 4.16: Kết quả đánh giá hệ số phản xạ mẫu tấm phủ đa lớp M5
 129

4.7. Kết luận chương 4

Chương 4 của luận án trình bày mô hình tương tác của sóng điện từ
lên môi trường phân lớp, căn cứ trên công thức tính toán lý thuyết xây
dựng được chương trình máy tính để thiết kế mo phỏng tấm phủ đa lớp
hấp thụ sóng ra đa băng X sử dụng thuật toán di truyền. Đã sử dụng chương
trình mô phỏng để tính toán tối ưu hóa tấm phủ hấp thụ sóng radar băng
X gồm 5 lớp làm từ vật liệu nano chế tạo được, đồng thời khảo sát sự phụ
thuộc hệ số phản xạ của tấm phủ đa lớp theo số lớp và góc tới. Đã tiến
hành chế thử tấm phủ đa lớp hấp thụ sóng radar băng X với các thông số
tương ứng với kết quả mô phỏng phần 4.6, kiểm tra độ tổn hao phản xạ
của sản phẩm chế tạo được. So sánh kết quả đo đạc thực nghiệm cho thấy
các kết quả tương đối bám sát kết quả tính toán mô phỏng. Các mẫu tấm
phủ M4 - M5 đều cho kết quả hấp thụ tốt đạt trên -10 dB, đặc biệt các mẫu
tấm phủ M1 - M3 có hiệu suất hấp thụ cao lên tới 99% hầu như trên toàn
bộ dải tần số nghiên cứu.
 130

KẾT LUẬN

Trong luận án này, tác giả đã hoàn thành được các nhiệm vụ đề ra là
nghiên cứu chế tạo vật liệu nano sử dụng cho tấm phủ ngụy trang đa lớp
hấp thụ sóng radar băng X.
A. Các kết quả của luận án
1. Phát triển phương pháp công nghệ chế tạo vật liệu nano cần thiết
cho việc chế tạo tấm phủ đa lớp hấp thụ sóng radar băng X phù hợp với
điều kiện Việt Nam, cụ thể là phương pháp phun sương đồng kết tủa để
chế tạo vật liệu nano từ tính và phương pháp phân hủy khí gas và khí
axetylen trong môi trường khí trơ để chế tạo nano cácbon. Đây là các
phương pháp có hiệu suất cao và có thể được triển khai áp dụng vào sản
xuất vật liệu với quy mô lớn.
2. Áp dụng các phương pháp công nghệ nói trên, đã chế tạo thành
công một số vật liệu nano từ tính gồm: Mn0.5Zn0.5Fe3O4, Ni0.5Zn0.5Fe2O4,
BaCo-Ferrite, Multiferroic và nano C có phẩm chất tốt, có khả năng hấp
thụ tốt đối với sóng radar băng X. Các sản phẩm này có tiềm năng ứng
dụng vào sản xuất quy mô lớn và đưa vào ứng dụng thực tế.
3. Sử dụng các kỹ thuật hiện đại như hiển vi điện tử quét, hiển vi điện
tử truyền qua, phân tích nhiễu xạ tia X, từ kế mẫu rung …, đã nghiên cứu
hình thái, cấu trúc và một số tính chất vật lý của các vật liệu nano chế tạo
được qua đó chứng minh được tính khả dụng của chúng trong việc chế tạo
tấm phủ hấp thụ sóng radar.
4. Khai thác thành công phương pháp đường truyền dùng để đo thông
số điện từ cũng như đánh giá khả năng hấp thụ sóng điện từ của vật liệu..
Phương pháp được khai thác lần đầu tại cơ sở đào tạo. Kết quả khai thác
được sử dụng vào việc mô phỏng tấm phủ đa lớp hấp thụ sóng radar.
 131

5. Sử dụng thuật giải di truyền xây dựng chương trình mô phỏng tấm
phủ đa lớp hấp thụ sóng radar băng X; tính toán tối ưu hệ số phản xạ sóng
radar băng X khi tương tác với tấm phủ đa lớp; kết quả mô phỏng giúp đề
xuất các cấu hình tấm phủ đa lớp định hướng trong quá trình nghiên cứu
thực nghiệm và sản xuất. Đặc biệt, chương trình mô phỏng sử dụng ngân
hàng cơ sở dữ liệu rời rạc được đo đạc từ các vật liệu chế tạo thực nghiệm.
6. Đề xuất năm (05) mẫu tấm phủ đa lớp, tiến hành chế tạo thực
nghiệm các mẫu tấm phủ nhằm so sánh với kết quả tính toán mô phỏng và
bước đầu hình thành quy trình công nghệ chế thử. Kết quả nghiên cứu thực
nghiệm và tính toán mô phỏng tương đối phù hợp. Khả năng hấp thụ của
mẫu M4 và 5 phủ đạt -10dB trong khi mẫu M1 – M3 đạt -20dB trên toàn
bộ dải tần 8 – 12 GHz;
B. Hướng phát triển của luận án
 Mở rộng nghiên cứu vật liệu hấp thụ ở các dải tần số khác.
 Phát triển chương trình mô phỏng tấm phủ đa lớp theo tiêu chí lấy
kết quả hấp thụ sóng điện từ làm mục tiêu.
 Nghiên cứu vật liệu hấp thụ theo hướng tích hợp đa vật liệu nhằm
tạo ra vật liệu RAM đơn và đa lớp hấp thụ sóng điện từ đa băng tần hiệu
suất cao.
 132

DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH ĐÃ CÔNG BỐ

Công trình liên quan trực tiếp đến luận án

1. Do Quoc Hung, Nguyen Tran Ha (2012), Complex permitivity and
permeability of composite RAM rubber – Mn0.5Zn0.5Fe2O4
nanoparticles, Journal of Science and Technology 50 (1B), pp. 348 -
354.
2. Đỗ Quốc Hùng, Nguyễn Trần Hà, Nguyễn Vũ Tùng (2012), Nghiên
cứu phổ tổn hao phản xạ sóng radar băng X của vật liệu composit chứa
hạt nano ferrite barium – cobalt, Tạp chí Khoa học và Công nghệ 50
(1A), tr. 37-43.
3. Do Quoc Hung, Nguyen Tran Ha (2011), Complex permeability and
permitivity variation of nanocarbon synthetic rubber composites in the
frequency range of 8 to 12 GHz, Proceeding of IWNA 2011, Vung
Tau, Vietnam, pp. 691 – 694.
4. Nguyễn Trần Hà, Đỗ Quốc Hùng (2013), Nghiên cứu sử dụng cơ sở
dữ liệu rời rạc để tính toán ảnh hưởng của cấu trúc tấm phủ đa lớp và
góc tới đối với hệ số phản xạ sóng rada, Tạp chí Nghiên cứu KH & CN
Quân sự, số 25, tr.105 – 111.
5. Trần Quang Đạt, Nguyễn Trần Hà, Đỗ Quốc Hùng (2015), Tổng hợp
vật liệu nano Ferrite Zn0.5Ni0.5Fe2O4 và khảo sát tính chất hấp thụ sóng
radar của chúng, Tạp chí Nghiên cứu KH & CN Quân sự, số Đặc san
ĐT, tr.26 - 35.
6. Nguyễn Trần Hà, Đỗ Quốc Hùng, Phan Nhật Giang, Lê Đình Vị
(2016), Nghiên cứu chế tạo tấm phủ ngụy trang sóng radar
băng x sử dụng vật liệu nano. Kỷ yếu Hội nghị Vật lý kỹ thuật và ứng
dụng toàn quốc lần thứ IV.
 133

Công trình sử dụng tham khảo của luận án

1. Đỗ Quốc Hùng, Nguyễn Trần Hà, Tô Bá Hạ (2011), Thiết kế tấm phủ
đa lớp hấp thụ sóng rada băng X sử dụng thuật toán di truyền, Tạp chí
Nghiên cứu Khoa học và Công nghệ Quân sự, số 13, tr.34 - 39.
 134

PHỤ LỤC

Ngân hàng mẫu vật liệu sử dụng cho các lớp của tấm phủ
VL1 Composite chứa Mn0.5Zn0.5Fe2O4 - 25%
VL2 Composite chứa Mn0.5Zn0.5Fe2O4 - 40%
VL3 Composite chứa Mn0.5Zn0.5Fe2O4 - 60%
VL4 Composite chứa Mn0.5Zn0.5Fe2O4 - 75%
VL5 Composite chứa Ni0.5Zn0.5Fe2O4 - 20%
VL6 Composite chứa Ni0.5Zn0.5Fe2O4 - 35%
VL7 Composite chứa Ni0.5Zn0.5Fe2O4 - 50%
VL8 Composite chứa Ni0.5Zn0.5Fe2O4 - 65%
VL9 Composite chứa Multiferroic - 20%
VL10 Composite chứa Multiferroic - 30%
VL11 Composite chứa Multiferroic - 45%
VL12 Composite chứa Multiferroic - 65%
VL13 Composite chứa 3BaO.2CoO.Fe2O3 - 20%
VL14 Composite chứa 3BaO.2CoO.Fe2O3 - 30%
VL15 Composite chứa 3BaO.2CoO.Fe2O3 - 45%
VL16 Composite chứa 3BaO.2CoO.Fe2O3 - 65%
VL17 Composite chứa nano cácbon - 20%
VL18 Composite chứa nano cácbon - 35%
VL19 Composite chứa nano cácbon - 50%
VL20 Composite chứa nano cácbon - 65%
VL21 Composite chứa nano cácbon - 80%
 135

TÀI LIỆU THAM KHẢO

Tài liệu tiếng Việt

1. Kiều Khắc Lâu, Cơ sở kỹ thuật siêu cao tần (2006), NXB Giáo dục.
2. Hoàng Anh Tuấn, Nguyễn Việt Bắc, Ngô Thị Thuận (2009), “Nghiên
cứu chế tạo pigment từ cho hệ sơn hấp thụ sóng điện từ”, Tạp chí
nghiên cứu khoa học kỹ thuật và công nghệ quân sự, số 1, tr. 69 -73.
3. Phạm Minh Việt (1997), Kỹ thuật siêu cao tần, NXB Khoa học kỹ
thuật, Hà Nội.
Tài liệu tiếng nước ngoài
4. A Tennant and B Chambers (2004), “Adaptive radar absorbing
structure with PIN diode controlled active frequency
selective surface”, Smart Mater. Struct., 13, pp. 122 - 125.
5. A.R. Mallahzadeh and M. Soleimani (2006), “RCS computation of
airplane using parabolic equation”, In: Prog Electromagn Res, PIER
57, pp. 265-276.
6. Adriana M. Gama, Mirabel C. Rezende, Christine C. Dantas (2011),
“Dependence of microwave absorption properties on ferrite volume
fraction in MnZn ferrite/rubber radar absorbing materials”, Journal
of Magnestic and Magnetic Materials, Vol. 323, No.22, pp. 2782-
2785.
7. Alexandre R. Bueno, Maria L. Gregori, Maria C.S. Nobrega (2008),
“Microwave-absorbing properties of Ni0.50-xZn0.50-xMe2xFe2O4
(Me = Cu, Mn, Mg) ferrite-wax composite in X-band frequencies”,
Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 320, pp. 864 – 870.
 136

8. Application Note 1369-1, “Solutions for Measuring Permittivity and

Permeability with LCR Meters and Impedance Analyzers”, Agilent
Literature Number 5980-2862EN, May 6, 2003.
9. Application Note 380-1, “Dielectric constant measurement of
solidmaterials using the 16451B dielectric test fixture”, Agilent
Literature Number 5950-2390, September 1998.
10. Application Note, “Agilent Basics of Measuring the Dielectric
Properties of Materials”, 2005.
11. B. Sweetman and J. Goodall (1990), “Lockheed F117A, Operation
and Development of the Stealth Fighter”, Haynes Publishing Group.
12. Baoshan Zhang, Gang Lu, Yong Feng, Jie Xiong and Huaixian Lu
(2006), “Electromagnetic and microwave absorption properties of
Alnico powder composites”, Journal of Magnetism and Magnetic
Materials, Vol. 299, Issue 1, pp. 205-210.
13. Barry Chambers (1997), “Surfaces with adaptive radar reflection
coefficients”, Smart Mater. Struct., 6, pp. 521 - 529.
14. Barry Chambers (1999), “A smart radar absorber”, Smart Mater.
Struct., 8, pp. 64 - 72.
15. Bowen Bai, Xiaoping Li, Jin Xu and Yanming Liu (2015),
“Reflections of Electromagnetic Waves Obliquely Incident on a
Multilayer Stealth Structure With Plasma and Radar Absorbing
Material”, IEEE, Vol. 43, Issue 8, pp. 2588 - 2597.
16. Brekhovskikh L.M. (1960), Waves in Layered Mideia, New York:
Academic Press.
17. Chambers D.L. (2001), Handbook of genetic algorithms,
Applications, Vol. 1, ISBN 1584882409.
 137

18. Corson D.R. and Lorrain P. (1962), Imroduction to Electromagnetic

Fields and Waves, San Francisco: W. H. Freeman & Co.
19. D. A. Makeiff and T. Huber (2006), “Microwave absorption by
polyaniline-carbon nanotube composites”, Synth. Met., 156, pp. 497-
505.
20. D. R. Smith, D. C. Vier, N. Kroll, S. Schultz (2000), “Direct
calculation of permeability and permittivity for a left-handed
metamaterial”, Applied physics letters, Vol. 77, N.14, pp. 2246 -
2248.
21. D. R. Smith, Willie J. Padilla, D. C. Vier, S. C. Nemat-Nasser, and
S. Schultz (2000), “Composite Medium with Simultaneously
Negative Permeability and Permittivity”, Physical review letters,
Vol. 84, N. 18, pp. 4184 – 4187.
22. David C. Jenn (1995), Radar and Laser Cross Section Engineering,
American Institute of Aeronautics and Astronautics - AIAA.
23. Emre Burak ERTUŞ (2015), “Production, characterization and
industrial applications of radar absorbing materials”, KTO
Karatay University, Konya.
24. Eugene F. Knott, John F. Schaeffer, Michael T. Tuley (2004), Radar
Cross Section, second edition, SciTech Publishing, Inc.
25. Gama A. D., Rezende M C (2010), “Complex permeabilty and
permittibility variation of carbonil iron rubber in the frequency range
of 2 to 18GHz”, Journal of Aerospace Technology and Management,
Vol 2, N.1
26. Gianakopoulou T., Oikonomou A., Kordas G. (2004), “Double- layer
microwave absorbers based on materials with large magnetic and
dielectric losses”, J Magn Magn Mater, 271(2-3), pp. 224-229.
 138

27. Giannakopourou T., Kontogeorgakos A., Kordas G (2003). “Single

layer Microwave absorbers: influence of dielectric and magnetic
losses on the layer thickness”. J. Magn. Mater., Vol 263, pp. 173 -
181.
28. H. Oraize and A. Abdolali (2008), “Ultra wide band RCS
optimization of multilayered cylindrical structures for arbitrarily
polarized incident plane waves”, Prog Electromagn Res, PIER 78,
pp. 129-157.
29. Haiyan Zhang, Guoxun Zeng, Ying Ge, Tianli Chen, and Lichu Hu
(2009), “Electromagnetic characteristic and microwave absorption
properties of carbon nanotubes/epoxy composites in the frequency
range from 2 to 6 GHz”, Journal of applied physics, 105, 054314.
30. Holland, J. H. (1975), Adaptation in Natural and Artificial Systems,
Ann Arbor: University of Michigan Press.
31. Ignace Bogaert, Femke Olyslager, Yoeri Arien, Davy Pissoort
(2007), “Modeling and Optimization of Advanced
Multilayered Absorbers”, Proceedings of the 37th European
Microwave Conference.
32. Ilbeom Choi, Dongyoung Lee, Dai Gil Lee (2015), “Optimum design
method of a nano-composite radar absorbing structure considering
dielectric properties in the X-band frequency range”, Composite
Structures, 119, pp. 218 - 226.
33. J. B. Pendry, A. J. Holden, D. J. Robbins, and W. J. Stewart (1999),
“Magnetism from Conductors and Enhanced Nonlinear
Phenomena”, IEEE transactions on microwave theory and
techniques, vol. 47, no. 11, pp. 2075 - 2084.
 139

34. J. Baker-Jarvis, M.D. Janezic, R.F. Riddle, R.T. Johnk, P. Kabos, C.

Holloway, R.G. Geyer, C.A. Grosvenor, “Measuring the
Permittivity and Permeability of Lossy Materials: Solids, Liquids,
Metals, Building Materials, and Negative-Index Materials,” NIST
Technical Note, 15362005.
35. J. M. Griffin, J. E. K. Kinnu (2007), “B-2 Systems Engineering Case
Study, Air Force Center for System Engineering at the Air Force
Institute of Technology”, USA.
36. J.I. Glaser (2008), “Stealthy antennas - Minimizing the radar cross
section of an essential communication system component”, WSTIAC
Quarterly 8, No. 2, pp. 11-14.
37. J.T.E. Galindo, A.H. Adair, C.E. Botez, V. Corralflores, D. B.
Baques, L.F. Cobas, J.A. Matutes-Aquino (2007), “Zn-doping effect
on the energy barrier to magnetization reversal in nickel ferrite
nanoparticles”, Appl. Phys. A, 87, pp. 743 - 747.
38. Jae-Woong Kim, Sung-Soo Kim (2010), “Microwave absorbers of
two-layer composites laminate for wide oblique incidence angles”,
Materials and Design, 31, pp. 1547 - 1552.
39. Jia Huo, Li Wang, Haojie Yu (2009), “Polymeric nanocomposites for
electromagnetic wave absorption”, J Mater Sci, 44, pp.3917–3927.
40. Jiang L.Y., Li Xiang Y., Zhang J (2009), “Design of high
performance multilayer microwave absorbers using fast Pareto
genetic algorithm”, China Ser E-Tech Sci., 52(9), pp. 2749-2757.
41. Jie Zhou, Shaowei Bie, Dong Wan, Haibing Xu, Yongshun Xu,
Jianjun Jiang (2015), “Realization of Thin and Broadband Magnetic
Radar Absorption Materials with the Help of
 140

Resistor FSS”, Antennas and Wireless Propagation Letters, IEEE,

Vol. 14, pp. 24 - 27.
42. Jiirgen Altmann (2006), Military nanotechnology, Routledge, Taylor
& Francis Group.
43. Jin-Bong Kim, Sang-Kwan Lee, Chun-Gon Kim (2008),
“Comparison study on the effect of carbon nano materials for single-
layer microwave absorbers in X-band”, Composites Science and
Technology, vol. 68, pp. 2909 – 2916.
44. Jiu Rong Liu, Masahiro Itoh, Takashi Horikawa, and Ken-ichi
Machida (2005), “Gigahertz range electromagnetic wave absorbers
made of amorphous-carbon-based magnetic nanocomposites”,
Journal of applied physics, 98, 054305.
45. Jordan R.E. and Balmain K.G. (1968), Electromagnetic Waves and
Radiating Systems, New York, Prentice Hall.
46. Jyoti Prasad Gogoi, Nidhi Saxena Bhattacharyya, Satyajib
Bhattacharyya (2014), “Single layer microwave absorber based on
expanded graphite - novolac phenolic resin composite for X-band
applications”, Composites: Part B, 58, pp. 518 - 523.
47. K.C. Tripathi, S.M. Abbas, P.S. Alegaonkar, R.B. Sharma (2015),
“Microwave Absorption Properties of Ni-Zn Ferrite
Nano-Particle based Nano Composite”, International Journal of
Advanced Research in Science, Engineering and Technology
Vol. 2, Issue 2, pp. 463 – 468.
48. K.J. Vinoy and R.M. Jha (1996), Radar Absorbing Materials, From
Theory to Design and Characterization, Kluwer Academic
Publischers.
 141

49. Klement D., Preissner J., and Stein V. (1988), “Special problems in
applying the physical optics method for backscatter computations of
complicated objects”, IEEE Trans, Antennas and Propagat, Vol. Ap-
36, pp. 228-237.
50. Kremer F., Schonhals A., Luck W. (2002), Broadband Dielectric
Spectroscopy, Springer-Verlag.
51. Krzysztof C. Kwiatkowski, Charles M Lukehart (2002),
“Nanocomposites prepared by sol - gel methods: Synthesis and
characterization”, Nanostructured materials and nanotechnology,
Acacdemic press, Edited by Hari Sing Nalwa, pp 57 - 91.
52. L. Tsang, J.A Kong, and K.H Ding (2000), Scattering of
electromagnetic waves: Theories and applications, John Wiley &
Sons, New York, Vol.1.
53. Landy L. Haupt, Douglas H. Wener (2007), Genetic Algorithms in
Electromagnetics, John Wiley & Sons, New York.
54. V. D. Lam, N. T. Tung, M. H. Cho, W. H. Jang, and Y. P. Lee (2009),
“Effect of the dielectric layer thickness on the electromagnetic
response of cut-wire pair and combined structures”, J. Appl. Phys. D,
42, 115404.
55. P.V. Tuong, V.D. Lam, J.W. Park, E.H. Choi, S.A. Nikitov, Y.P. Lee
(2013), “Perfect-absorber metamaterial based on flower-shaped
structure”, Photon. Nanostruct.: Fundam. Appl., Vol. 11, Issue 1, pp.
89-94.
56. P.V. Tuong, J.W. Park, V.D. Lam, W.H. Jang, S.A. Nikitov, Y.P. Lee
(2013), “Dielectric and Ohmic losses in perfectly absorbing
metamaterials”, Optics Comm. 295, pp. 17 - 20
 142

57. Lederer, P. G. (1986), An Introduction to Radar Absorbent Materials

(RAM), Royal Signals and Radar Establishment.
58. M. Najim, P. Smitha, Agarwala, D. Singh (2015), “Design of light
weight multilayered coating of zinc oxide-iron-
graphite nano-composites for ultrawide Bandwidth microwave
absorption”, Journal of Materials Science: Materials in Electronics,
Vol. 26, Issue 10, pp.7367-7377.
59. Michielssen E., Sajer J. M., Ranjithan S., and MittraR. (1993),
“Design of Lightweight, Broad-Band Microwave Absorbers Using
Genetic Algorithm”, IEEE Trans Microwave Theory and Tech, vol.
41, pp. 1024 - 1030
60. Mitchell Melanie (1999), An Introduction to Genetic Algorithms,
MIT Press.
61. N. Dib, M. Asi, and A. Sabbah (2010), “On the optimal design of
multilayer microwave absorber”, Progress In Electromagnetics
Research C, Vol. 13, pp. 171 - 185.
62. N. Dib, M. Asi, and A. Sabbah (2010), “On the optimal design of
multilayer microwave absorbersprogress”, In Electromagnetics
Research C, Vol. 13, pp. 171 – 185.
63. Nicolson, A. M. and Ross, G. F. (1970), “Measurement of the
intrinsic properties of materialsby time domain techniques”, IEEE
Transactions on Instrumentation and Measurement, 19 (4), pp. 377-
382.
64. P. V. Wright, B. Chambers, A. Barnes, K. Lees and A. Despotakis
(2000), “Progress in smart microwave materials and structures”,
Smart Mater. Struct. 9, pp. 273 - 279.
 143

65. P. S. Neelakanta (1995), Handbook of Electromagnetic Materials,

CRC Press, Washington D.C.
66. Paula Queipo, Albert G. Nasibulin, Sergey D. Shandakov, Hua Jiang,
David Gonzalez, Esko I. Kauppinen. (2009), “CVD synthesis and
radial deformations of large diametersingle-walled CNTs”, Current
Applied Physics, Vol. 9, pp. 301–305.
67. Pekka Alitalo, Sergei Tretyakov (2009), “Electromagnetic cloaking
with metamaterials”, Materialstoday, Vol. 12, Issue 3, pp. 22 - 29.
68. Perkins, Robert W., Durant, Todd J. (1996). Electromagnetic
radiation absorbing shroud. USPatent No 5525988.
69. Perkins; Robert W, Amesbury, Durant, Todd J. (1995),
Electromagnetic radiation absorbing shroud, USPatent No 5438333.
70. Pesque J.J., Bouche D.P., Mittra R.O. (1992), “Optimization of
multilayer antireflection coatings using an optimal control method”,
Microwave Theory and Techniques, IEEE, Vol. 40, Issue 9, pp. 1789
-1796.
71. Pitkethly, M. J. (2004), "Nanomaterials – the driving force."
Nanotoday 7(12): 20.
72. Plonus M.A. (1978), Applied Electromanetics, New York: McGraw-
Hill.
73. R. A. Shelby, D. R. Smith, S. Schultz (2001), “Experimental
Verification of a Negative Index of Refraction”, Science, vol. 292,
pp. 77 - 79.
74. R. Bonadiman, M. D. Lima , M. J. de Andrade, C. P. Bergmann
(2006), “Production of single and multi-walled carbon nanotubes
using natural gas as a precursor compound”, Journal of Materials
Science, Vol 41, pp. 7288 - 7295.
 144

75. R. Marqué, F. Martín, and M. Sorolla. “Metamaterials with Negative

Parameters. Theory, Design and Microwave Applications”, John
Wiley & Sons Inc., 2008.
76. Ramo S., Whinnery J.R., and Van Duzer T. (1994), Fields and Waves
in Communication Electronics. New York: John Wiley.
77. Ravi Panwar, Smitha Puthucheri, Dharmendra Singh, Vijaya
Agarwala (2015), “Design of Ferrite-Graphene Based Thin
Broadband Radar Wave Absorber for Stealth Application”,
Magnetics – IEEE, Vol. 51, Issue 11.
78. Ravi Panwar, Vijaya Agarwala, and Dharmendra Singh (2014),
“Design and experimental verification of a thin broadband
nanocomposite multilayer microwave absorber using genetic
algorithm based approach”, AIP Conf. Proc. 1620, pp. 406 - 415.
79. Richard Fitzpatrick (2015), Classical Electromagnetism: An
intermediate level course, 364 pages.
80. Richard W. Ziolkowski, “Design, Fabrication, and Testing of Double
Negative Metamaterials”, University of Arizona, Tucson, AZ 85721-
0104.
81. Ruey-Bin Yang, Wen-Fan Liang (2011), “Microwave properties of
high-aspect-ratio carbonyl iron/epoxy absorbers”, J. Appl. Phys. 109,
07A311.
82. S. A. Ramakrishna, T. M. Grzegorczyk. Physics and Applications of
Negative Refractive Index Materials”. CRC Press 2009.
83. S. Celozzi, R. Araneo, G. Lovat (2008), Electromagnetic Shielding,
John Wiley & Sons, inc., Publication.
84. Salisbury, W. W. (1952), Absorbent Body for Electromagnetic
Waves, U.S. Patent No. 2, 599, 944.
 145

85. Salvatore C., Rodolfo A., Giampiero L. (2008), Electromagnetic

Shielding, John Wiley & Sons, New York.
86. Seo I. S., Chin W. S., Lee D. G. (2004), “Characterization of
electromagnetic properties of polymeric composite materials with
free space method”, Compos Struct. 66, pp. 533 - 542.
87. Shelley Begley, Phil Bartle (2004), Microwave Dielectric
Spectroscopy Workshop “Measure the Difference”, Agilent
Technologies.
88. Shelley Begley (2009), Application Development Engineer, Agilent
Technologies, Electromagnetic Properties of Materials:
Characterization at Microwave Frequencies and Beyond.
89. Shelley Blasdel Begley (2010), Application Development Engineer,
Agilent Technologies. Free Space Materials Characterization.
90. Shen G. Z., Xu Z., Li Y. (2006), “Absorbing properties and structural
design of microwave absorbers based on W-type La-doped ferrite
and carbon fiber composites”, J Magn Magn Mater, 301(2), pp. 325
-330.
91. Shuai Gu, Bin Su, Xiaopeng Zhao (2013), “Planar isotropic
broadband metamaterial absorber”, Journal of applied physics, 114,
163702.
92. Skalski Paweł, Krupski Jarosław (2014), “Stealth technology.
Yesterday, today and tomorrow”, Logistyka, pp. 9554-9561.
93. Smit J. and Wịjin H.P. (1959) – Ferrites, Philips Technical Library,
Eindhoven, The Nertherlands, 157.
94. Somak Bhattacharyya, Saptarshi Ghosh, Kumar Vaibhav Srivastava
(2013), “Triple band polarization-independent metamaterial
 146

absorber with bandwidth enhancement at X-band”, Journal of

applied physics, 114, 094514.
95. Sotirios K. Goudos (2008), “Design of Microwave Broadband
Absorbers Using a Self-Adaptive Differential Evolution Algorithm”,
International Journal of RF and Microwave CAE 19, pp. 364 - 372.
96. Sukanta Das, G. C. Nayak, S. K. Sahu, P. C. Routray, A. K. Roy, and
H. Baskey (2014), “Microwave Absorption Properties of Double-
Layer RADAR Absorbing Materials Based on Doped Barium
Hexaferrite/TiO2/Conducting Carbon Black”, Journal of
Engineering, Vol. 2014, 468313.
97. T. J. Mason, J. P. Lorimer (June 2002), Applied Sonochemistry: Uses
of Power Ultrasound in Chemistry and Processing, Wiley – VCH
Verlag GmbH & Co.
98. T. Wu, S.-X. Li, and Y. Liu (2008), “A novel low RCS microstrip
antenna using aperture coupled microstrip dipoles”, J Electromagn
Waves Appl., 22, pp. 953-963.
99. Theerdhala S., Vitta S., Bahadur D. (2008), “Magnetic nanoparticles
through sonochemistry”, Materials Technology: Advances
Performance Materials, Vol. 23, No. 2, pp. 88 – 93.
100. V. G. Veselago (1968), “The electrodynamics of substances with
simultaneously negative values of ε and µ”, Soviet physics uspekhi,
vol. 10, num. 4, pp. 509 – 514.
101. V.K. Saxena (2012), “Stealth and Counter-stealth, Some Emerging
Thoughts and Continuing Debates”, Journal of Defence Studies, Vol.
6, No. 3, pp. 19 - 28.
102. Wait J.R. (1970), Electromagnetic Waves in Stratified Media,
Oxford: Pergamon Press.
 147

103. Wang, S. (1966), Solid State Electronics, McGraw-Hill, New York,

pp. 489 - 494.
104. Wee F. H., Soh P. J., Suhaizal A. H. M., Nornikman, H. Ezanuddin
A. A. M. (2009), “Free Space Measurement Technique on Dielectric
Properties of Agricultural Residues at Microwave Frequencie”,
Microwave and Optoelectronics Conference (IMOC), SBMO/IEEE
MTT-S International, p.183 - 187.
105. Wei Li, Tianlong Wu, Wei Wang, Jianguo Guan, Pengcheng Zhai
(2014), “Integrating non-planar metamaterials with magnetic
absorbing materials to yield ultra-broadband microwave hybrid
absorbers”, Applied physics letters, 104, 022903.
106. Willard M. A., Kurihara L. K., Carpenter E. E., Calvin S and V. G.
Harris (2004), “Chemically prepared magnetic nanoparticles”.
International Materials Review, Vol. 49, pp. 125 - 170.
107. Woo Seok Chin and Dai Gil Lee (2006), “Binary mixture rule for
predicting the dielectric properties of unidirectional E-glass/epoxy
composite”. Composite Structures, Vol. 74, Issue 2, P.153-162.
108. Woo Seok Chin and Dai Gil Lee (2007), “Development of the
composite RAS (radar absorbing structure) for the X-band frequency
range”, Composite Structures, Vol. 77, Issue 4, P.457-465.
109. Woo Seok Chin and Dai Gil Lee (2007), “Laminating rule for
predicting the dielectric properties of E-glass/epoxy laminate
composite”. Composite Structures, Vol. 77, Issue 3, P.373-382.
110. Y.B. Feng, T. Qiu, C.Y. Shen, and X.Y. Li (2006), “Electromagnetic
and absorption properties of carbonyl iron/rubber radar absorbing
materials”, IEEE Trans Magn, 42, pp. 363-368.
 148

111. Yingying Zhou, Wancheng Zhou, Yuchang Qing, Fa Luo, Dongmei

Zhu (2015), “Temperature dependence of the electromagnetic
properties and microwave absorption of carbonyl iron
particles/silicone resin composites”, Journal of Magnetism and
Magnetic Materials, 374, pp. 345 - 349.
112. Yinyun Lü, Yiting Wang, Hongli Li, Yuan Lin, Zhiyuan Jiang,
Zhaoxiong Xie, Qin Kuang, and Lansun Zheng (2015), “MOF-
Derived Porous Co/C Nanocomposites with Excellent
Electromagnetic Wave Absorption Properties”, Applied Materials &
Interfaces. 7 (24), pp. 13604 - 13611.
113. Yi-Sheng Chang, Hsieh-Ming Kun, Pai-Lu Wang, Jun-Wen Zhang,
H.-T. Chou (2015), “A novel electromagnetic absorber design based
on periodic Salisbury screens”, IEEE, 15347522, pp.309 - 312.
114. Yongqing Yang, Jianning Wang (2014), “Synthesis and
characterization of a microwave absorbing material
based on magnetoplumbite ferrite and graphite nanosheet”, Materials
Letters, 124, pp.151 - 154.
115. Zhaoming Qu , Qingguo Wang, Siliang Qin, Xiaofeng Hu (2013),
“Optimization design of electromagnetic shielding composites”,
Journal of Physics: Conference Series 418, 012009.
116. Ю. Альтман (2008), Военные нанотехнологии. Возможности
применения и превентивного контроля вооружений,
М.: Техносфера, 421 с.
117. П. Я. Уфимцев (2012), Теория дифракционных краевых волн
в электродинамике, М. БИНОМ. Лаборатория знаний, 372 с.