BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO

TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM TP. HỒ CHÍ MINH

Võ Thị Thùy Dung

KHẢO SÁT PHÂN BỐ SUẤT LIỀU XUNG

QUANH PHÒNG MÁY X QUANG CHẨN ĐOÁN Y
TẾ BẰNG CHƯƠNG TRÌNH MCNP

LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÝ

Thành phố Hồ Chí Minh -2012

 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO
TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM TP. HỒ CHÍ MINH

Võ Thị Thùy Dung

KHẢO SÁT PHÂN BỐ SUẤT LIỀU XUNG

QUANH PHÒNG MÁY X QUANG CHẨN ĐOÁN Y
TẾ BẰNG CHƯƠNG TRÌNH MCNP

Chuyên ngành: Vật lý nguyên tử, hạt nhân và năng lượng cao

Mã số : 60 44 05

LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÝ

Người hướng dẫn khoa học

TS. TRƯƠNG THỊ HỒNG LOAN

Thành phố Hồ Chí Minh-2012

 LỜI CẢM ƠN

Trong quá trình hoàn thành luận văn, tôi đã nhận được rất nhiều sự quan tâm,
động viên, giúp đỡ của quý thầy cô, gia đình và bạn bè. Xin cho phép tôi được bày
tỏ lòng biết ơn chân thành của mình đến:
TS. Trương Thị Hồng Loan, người đã theo dõi suốt quá trình thực hiện luận
văn của tôi. Cô là người giảng dạy, hướng dẫn những bài học đầu tiên về phương
pháp mô phỏng Monte Carlo và gợi ý sử dụng chương trình MCNP (Monte Carlo N
– Particle) trong nghiên cứu đề tài này. Cô cũng là người truyền cho tôi sự say mê
nghiên cứu khoa học, đã có những góp ý quý báu cho tôi trong quá trình tiến hành
luận văn.
Các thành viên trong nhóm MCNP của Bộ môn Vật lý hạt nhân : Cô Trương
Thị Hồng Loan, các anh chị: Đặng Nguyên Phương, Trần Ái Khanh, Lê Thanh
Xuân, Nguyễn Thị Cẩm Thu đã hỗ trợ, đóng góp ý kiến và luôn bên cạnh giúp đỡ
tôi trong quá trình tiến hành luận văn.
ThS. Thái Mỹ Phê đã giúp tôi trong việc tiến hành đo đạc thực nghiệm tại
bệnh viện Nhi đồng. Bác sĩ Nguyễn Anh Tuấn bệnh viện Nhi đồng I đã cho phép
chúng tôi tiến hành đo đạc thực nghiệm tại bệnh viện.
Ngoài ra tôi cũng xin chân thành cảm ơn đến các kĩ sư của hãng Shimadzu là
những người đã cung cấp cho tôi tài liệu về máy X quang của hãng cũng như hỗ trợ
tôi rất nhiều trong việc tìm hiểu về cấu tạo của máy X quang.
Tôi xin gửi lòng biết ơn đến gia đình, bạn bè luôn ủng hộ động viên tôi để tôi
hoàn thành khóa học.
Tp Hồ Chí Minh, tháng 9 năm 2012

VÕ THỊ THÙY DUNG

 MỤC LỤC

LỜI CẢM ƠN ................................................................................................... 1

MỤC LỤC ......................................................................................................... 2

DANH MỤC CÁC KÍ HIỆU VÀ CÁC CHỮ VIẾT TẮT ............................... 5

DANH MỤC HÌNH VẼ VÀ ĐỒ THỊ .............................................................. 6

DANH MỤC CÁC BẢNG.............................................................................. 10

MỞ ĐẦU ......................................................................................................... 11

Chương 1: CẤU TẠO VÀ NGUYÊN LÝ MÁY PHÁT TIA X .................... 16

1.1. Cấu tạo máy phát X quang thông thường .........................................................16

1.1.1. Cấu tạo ống phát tia X ................................................................................16

1.1.2. Bộ lọc tia .....................................................................................................35

1.1.3. Hệ chuẩn trực đầu đèn (Collimator) ...........................................................36

1.2. Nguyên lý của quá trình phát tia X ....................................................................39

1.2.1. Nguyên lý tạo tia X .....................................................................................39

1.2.2. Các tính chất của tia X ................................................................................47

1.3. Nguyên lý hoạt động của máy phát tia X ..........................................................51

1.4. Các yếu tố ảnh hưởng đến chất lượng liều ra tia X ............................................52

Chương 2: AN TOÀN BỨC XẠ TRONG X QUANG CHẨN ĐOÁN Y TẾ 57

2.1. Các hiệu ứng sinh học của bức xạ ion hóa .........................................................57

2.1.1. Cơ chế tác dụng của bức xạ ion hóa ...........................................................57

2.1.2. Những tổn thương do bức xạ ion hóa .........................................................58

2.2. Các tiêu chuẩn về an toàn bức xạ .......................................................................61

 2.2.1. Lịch sử xây dựng các tiêu chuẩn an toàn bức xạ trên thế giới ..................61

2.2.2. Các khuyến cáo về an toàn bức xạ của ICRP .............................................61

2.2.3. Các tiêu chuẩn về an toàn bức xạ của IAEA [6][34][35][38] ....................63

2.2.4. Giới hạn liều ...............................................................................................64

2.3. An toàn bức xạ tại các cơ quan y tế theo tiêu chuẩn Việt Nam ........................65

2.3.1. Các quy chế an toàn bức xạ đã được ban hành ở Việt Nam .......................65

2.3.2. Tiêu chuẩn Việt Nam – TCVN 6561:1999 về an toàn bức xạ ion hóa tại
các cơ sở X quang y tế ..........................................................................................66

Chương 3: KHẢO SÁT PHÂN BỐ SUẤT LIỀU XUNG QUANH PHÒNG

MÁY X QUANG CHẨN ĐOÁN Y TẾ BẰNG CHƯƠNG TRÌNH MCNP . 72

3.1. Giới thiệu chương trình MCNP..........................................................................72

3.1.1. Lịch sử của chương trình MCNP ................................................................72

3.1.2. Dữ liệu hạt nhân và phản ứng của MCNP ..................................................74

3.1.3. Cấu trúc của chương trình MCNP ..............................................................75

3.1.4. Độ chính xác của kết quả và các nhân tố ảnh hưởng ..................................77

3.2. Tally đánh giá ....................................................................................................78

3.2.1. Tally F4 .......................................................................................................78

3.2.2. Tally Fmesh4 ..............................................................................................79

3.2.3. Tally F2 .......................................................................................................79

3.3. Kết quả khảo sát phân bố liều xung quanh phòng máy X quang chẩn đoán y tế
bằng chương trình MCNP .........................................................................................79

3.3.1. Mô tả phòng X quang thường quy tại bệnh viện Nhi đồng I ......................80

3.3.2. Kiểm tra hiệu lực của mô hình - chuẩn hóa kết quả mô phỏng ..................84
 3.3.3. Mô phỏng phân bố suất liều trong phòng chụp X quang bằng tally Fmesh
với các chế độ chiếu chụp khác nhau ...................................................................89

KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ....................................................................... 105

TÀI LIỆU THAM KHẢO ............................................................................. 107

 DANH MỤC CÁC KÍ HIỆU VÀ CÁC CHỮ VIẾT TẮT

ALARA As Low As Reasonably Achievable

ACTL The Activation Library
ENDF The Evaluated Nuclear Data File
ENDL The Evaluated Nuclear Data Library
IAEA International Atomic Energy Agency
ICRP International Commission on Radiological Protection
ICRU The International Commission on Radiation Units and Measurements
MCNP Monte Carlo N-Particle
NCRP National Council on Radiation Protection and Measurement
 DANH MỤC HÌNH VẼ VÀ ĐỒ THỊ

Hình 1.1. Sơ đồ khối hệ thống chụp ảnh X quang thông thường ................................. 16

Hình 1.2. Những bộ phận cơ bản của một ống phát tia X thông thường .................... 17

Hình 1.3. Các bộ phận chính của ống tia X trong máy chụp X quang hiện đại .......... 18

Hình 1.4. Cấu trúc cathode của ống tia X sợi đốt Volfram nằm trong chén hội tụ .... 19

Hình 1.5. Tác dụng làm thay đổi hình dạng phân bố chùm electron của chén tội tụ ... 20

Hình 1.6. Các thành phần của một ống tia X có anode cố định gồm bia Vonfram
gắn vào một khối đồng .................................................................................................. 21

Hình 1.7. Vết hội tụ của bóng X quang có anode cố định............................................ 22

Hình 1.8. Hình dạng của anode xoay ........................................................................... 23

Hình 1.9. Cấu tạo anode xoay ..................................................................................... 24

Hình 1.10.a. Mặt cắt của một anode RTM ................................................................... 25

Hình 1.10.b. Mặt cắt của một anode RTM- than chì .................................................. 25

Hình 1.11. Vết tiêu thực và vết tiêu hiệu dụng của anode .......................................... 26

Hình 1.12. Vùng tiêu điểm thực và tiêu điểm hiệu dụng ............................................. 27

Hình 1.13. Phương pháp chụp ảnh qua lỗ ngắm để xác định kích thước tiêu điểm .... 28

Hình 1.14. Anode sử dụng hai vết tiêu lớn nhỏ ........................................................... 29

Hình 1.15. Ảnh hưởng của góc nghiêng anode lên kích thước vết tiêu hiệu dụng .... ..30

Hình 1.16. Sự phân bố không đồng đều chùm tia X theo phương song song với trục
Cathode - Anode ........................................................................................................... 31

Hình 1.17. Ảnh hưởng của hiệu ứng chân lên khoảng cách đặt phim ......................... 31

Hình 1.18. Bầu thủy tinh chứa anode quay ................................................................. 32

Hình 1.19. Mặt cắt ống tia X loại có anode quay của hãng Shimadzu ........................ 33
Hình 1.20. Bộ lọc hấp thụ các photon năng lượng thấp và cho các photon năng
lượng cao đi qua ............................................................................................................ 35
Hình 1.21. Phổ tia X tạo ra ở điện áp đỉnh 150 kVp đối với anode làm bằng
Vonfram. ....................................................................................................................... 36

Hình 1.22. Cấu trúc bên trong hệ chuẩn trực đầu đèn ................................................. 39

Hình 1.23. Mặt cắt ngang bộ chuẩn trực loại R20-J của hãng Shimadzu ................... 38

Hình 1.24. Bức xạ hãm phát ra khi electron tương tác với hạt nhân bia ...................... 40

Hình 1.25. Electron va chạm trực diện với hạt nhân làm phát ra bức xạ hãm có năng
lượng cực đại ................................................................................................................. 41

Hình 1.26. Sự phân bố năng lượng bức xạ hãm ở giá trị điện áp đỉnh 90 kVp (trong
trường hợp không có bộ lọc (đường đứt nét) và có bộ lọc tia (liền nét) ....................... 41

Hình 1.27. Tương tác làm phát ra bức xạ tia X đặc trưng ........................................... 44

Hình 1.28. Các dãy phổ ứng với các chuyển dời electron trong nguyên tử ................ 46

Hình 1.29. Các vạch bức xạ đặc trưng ứng với sự dịch chuyển trên nền bức xạ hãm
đối với Vonfram ở điện áp 90kVp ............................................................................... 47

Hình 1.30. Cường độ phát xạ tia X thay đổi mạnh theo giá trị kVp, khi giữ cùng
một giá trị dòng qua ống và thời gian chiếu không đổi ................................................ 53

Hình 1.31. Ảnh hưởng của mA lên hiệu suất phát tia X .............................................. 55

Hình 3.1. Quang cảnh phòng chụp X quang thường quy ở bệnh viện Nhi đồng I ....... 80

Hình 3.2. Mô phỏng 3D phòng X quang Nhi đồng I bằng chương trình MCNP5 ...... 81

Hình 3.3. Mô phỏng các lớp chì trần, chì tường, chì ốp cửa, kính chì,vị trí ống phát
tia X bằng MCNP5 ........................................................................................................ 81

Hình 3.4. Máy X quang sử dụng ở bệnh viện Nhi đồng I ............................................ 82

Hình 3.5. Kích thước cấu hình đầu bóng phát tia X tính theo mm (inch) ................... 82

Hình 3.6. Cấu trúc collimator loại R-20J ..................................................................... 83

Hình 3.7. Mô hình ống phát tia X và hệ thống Collimator của hãng Shimadzu .......... 82

Hình 3.8. Vỏ ống chân không và cấu trúc bên trong collimator được ......................... 84

Hình 3.9. Anode và hệ thống cửa sổ Bakelite, các lớp trong collimator .................... 84

Hình 3.10. Hình chụp các vị trí đặt các cell khảo sát liều vẽ bằng MCNP5 ................ 86

Hình 3.11. Đồ thị suất liều (theo khoảng cách nguồn – máy đo) ................................. 88

Hình 3.12. Mô phỏng phổ tia X tại giá trị điện áp 100kV ........................................... 89

Hình 3.13. Mô phỏng phân bố suất liều tại vị trí bàn bệnh nhân ở chế độ chụp 70
kVp, 200 mA, 100 ms ................................................................................................... 91

Hình 3.14. Mô phỏng phân bố suất liều mặt (xy) của chế độ chụp ngực..................... 92

Hình 3.15. Mô phỏng phân bố suất liều mặt (xy) của chế độ chụp chân ..................... 92

Hình 3.16. Mô phỏng phân bố suất liều mặt (xy) của chế độ chụp tay ........................ 92

Hình 3.17. Mô phỏng phân bố suất liều mặt (xy) ứng với chụp bụng 75kV ............... 93

Hình 3.18. Mô phỏng phân bố suất liều mặt (xy) của chế độ chụp bụng 90kV ........... 94

Hình 3.19. Mô phỏng phân bố suất liều mặt (xy) của chế độ chụp nhũ – lưng ........... 95

Hình 3.20. Mô phỏng phân bố suất liều mặt (x,y) của chế độ chụp sọ ........................ 95

Hình 3.21. Mô phỏng phân bố suất liều mặt (x,y) của chế độ chụp đầu gối ................ 96

Hình 3.22. Mô phỏng phân bố suất liều mặt (x,y) của chế độ chụp ngực AP ............. 96

Hình 3.23. Phân bố suất liều cho khu vực phòng chụp dự kiến thu hẹp kích thước .... 98

Hình 3.24. Phân bố suất liều trong phòng chụp khi giảm kích thước .......................... 99

Hình 3.25. Mô phỏng sự suy giảm suất liều khi đi qua khu vực tường ..................... 100

Hình 3.26. Mô phỏng sự suy giảm suất liều khi đi qua cửa bệnh nhân và tường ..... 101

Hình 3.27. Sự suy giảm chùm tia khi đi qua tường phòng X quang .......................... 102

Hình 3.28. Mô phỏng phân bố liều mặt (x,y) trong phòng chụp sát trần nhà ............ 102

Hình 3.29. Mô phỏng phân bố suất liều (x,y) trong khu vực trần có lót chì .............. 103
Hình 3.30. Sự suy giảm suất liều khi đi qua tường ngăn cách hành lang bệnh viện.. 104
 DANH MỤC CÁC BẢNG

Bảng 1.1. Tiêu chuẩn độ bền của dầu máy biến áp ...................................................... 34

Bảng 1.2. Năng lượng liên kết của electron lớp K ứng với một số vật liệu anode ...... 46

Bảng 1.3. Bước sóng của các loại sóng điện từ ............................................................ 47

Bảng 2.1. Hiệu ứng sinh học theo mức độ liều ............................................................ 60

Bảng 2.2. Giới hạn liều chiếu khuyến cáo của ICRP ................................................... 65

Bảng 2.3. Liều giới hạn trong một năm ........................................................................ 66

Bảng 2.4. Liều khuyến cáo cho một phim chụp X quang quy ước đối với bệnh nhân
(TCVN 6561:1999) ....................................................................................................... 66

Bảng 2.5. Liều khuyến cáo chụp, chiếu X quang qui ước cho 1 lần chụp 1 phim ....... 67

Bảng 2.6. Kích thước tiêu chuẩn cho phòng đặt máy X quang các loại theo (TCVN
6561:1999) .................................................................................................................... 69

Bảng 3.1. Kết quả đo suất liều theo khoảng cách ......................................................... 84

Bảng 3.2. Giá trị suất liều mô phỏng tại các khoảng cách khảo sát và sai số thống kê
tương đối tương ứng ...................................................................................................... 86

Bảng 3.3. Các chế độ chụp của phòng X quang chẩn đoán thường quy tại bệnh viện
nhi đồng I ...................................................................................................................... 87

Bảng 3.4. So sánh giá trị suất liều giữa các chế độ chụp.............................................. 90

Bảng 3.5. So sánh kết quả mô phỏng và thực nghiệm các đỉnh tia X đặc trưng của
Vonfram ........................................................................................................................ 99
 MỞ ĐẦU

Từ khi Wilhelm Conrad Röntgen phát hiện ra tia X có thể chẩn đoán cấu
trúc xương, tia X được phát triển để sử dụng cho chụp hình y tế nhờ những ưu thế
vượt trội hơn về tính hiệu quả, chính xác, nhanh chóng hơn các phương pháp chẩn
đoán bệnh trước đây. Việc sử dụng tia X đặc biệt hữu dụng trong việc xác định
bệnh lý về xương, nhưng cũng có thể giúp ích tìm ra các bệnh về phần mềm. Máy
chụp X quang ngày nay được phổ biến rộng rãi ở tất cả các bệnh viện, phòng khám
đa khoa, phòng khám tư nhân để đáp ứng nhu cầu khám chữa bệnh của người dân.
Cùng với sự phát triển của khoa học kĩ thuật trong các lĩnh vực vật lý, điện tử, cơ
khí, hóa sinh, công nghệ thông tin…thiết bị chẩn đoán X quang ngày càng được cải
tiến trở thành phương pháp chẩn đoán ưu việt không thể thiếu trong y học hiện đại.
Ngày nay máy chụp X quang được cải tiến và phát triển để sử dụng trong các
lĩnh vực khám chữa bệnh chuyên biệt, ngoài X quang thường quy (chụp hầu hết các
bộ phận trên cơ thể) còn có X quang răng, X quang vú, X quang chụp mạch, X
quang đo độ loãng xương, X quang có tăng sáng truyền hình…Máy X quang
thường quy loại cũ có tần số thấp (nửa sóng, cả sóng), ngày nay thường sử dụng các
máy X quang cao tần dùng phim hay cao tần kỹ thuật số. Trên thị trường có rất
nhiều loại máy X quang từ nhiều hãng sản xuất trên thế giới, đa dạng về chủng loại,
số lượng cung cấp ra thị trường cũng tăng nhanh trong những năm gần đây.
Trước sự phát triển của lĩnh vực X quang thì vấn đề an toàn bức xạ trong
chụp chiếu phim X quang chẩn đoán y tế càng thu hút sự quan tâm của các nhà
khoa học nói riêng, toàn xã hội nói chung. Vì bên cạnh những ưu thế vượt trội so
với những phương pháp chẩn đoán y tế trước đây các thiết bị phát tia X để chẩn
đoán và điều trị bệnh cũng ẩn chứa những nguy hiểm nếu không có biện pháp bảo
vệ thích đáng. Tính nguy hiểm của máy X quang tuy thấp hơn so với các nguồn
phóng xạ vì mức độ ảnh hưởng chỉ mang tính cục bộ, nhất thời, dễ dàng quản lý và
khắc phục nếu có sự cố về thiết bị, nhưng mức độ ảnh hưởng cũng không phải nhỏ
đối với cộng đồng vì các cơ sở y tế là nơi tập trung đông người đặc biệt là những
người đang suy giảm sức khỏe. Nguy cơ liều chiếu trên bệnh nhân cao hơn mức cần
thiết, liều bức xạ lọt ra ngoài cao nếu mức độ che chắn không đảm bảo. Điều này đã
đưa tới những hậu quả hết sức tai hại, gây ảnh hưởng xấu cho sức khỏe cho cuộc
sống của chính bác sỹ và kỹ thuật viên vận hành thiết bị chụp X quang, cho bệnh
nhân phải chụp chiếu và cho cả nhân viên, dân chúng nói chung trong khu vực tác
dụng của chùm tia X phát ra từ máy phát tia X.
Trên thế giới, công tác bảo vệ an toàn bức xạ trong lĩnh vực y tế được nhiều
tổ chức quan tâm và thường xuyên xây dựng các tiêu chuẩn an toàn che chắn đối
với thiết bị X quang trong chẩn đoán y tế và tiêu chí ALARA (As Low As
Reasonably Achievable) trở thành tiêu chí hàng đầu trong việc thiết kế các phòng X
quang. Hằng năm, tổ chức NCRP (National Council on Radiation Protection and
Measurement) và ICRU đều đưa ra các khuyến cáo mới nhằm bảo vệ an toàn bức xạ
cho môi trường, nhân viên y tế và bệnh nhân điều trị.
Cơ quan năng lượng nguyên tử quốc tế (IAEA - International Atomic Energy
Agency) thường xuyên tổ chức các lớp đào tạo và hội thảo liên quan đến thiết kế
che chắn thiết bị chẩn đoán y tế sao cho nhân viên làm việc và bệnh nhân chịu một
mức liều càng thấp càng tốt nhưng vẫn đảm bảo hiệu quả chẩn đoán và lợi ích về
kinh tế. Các tài liệu kĩ thuật (TECDOC 1040) và các ấn phẩm về an toàn trong chẩn
đoán và xạ trị (Safety Guide for Radiotherary) của IAEA nhấn mạnh các mục đích
che chắn:
- Giảm liều chiếu tối đa với nhân viên y tế, bệnh nhân và dân chúng ở mức
thấp nhất có thể.
- Nghiên cứu tối ưu hóa kích thước phòng X quang và điều kiện che chắn
hợp lý đảm bảo an toàn và hiệu quả kinh tế.
Ở nước ta, từ “pháp lệnh năm 1996 cho đến thông tư 05/2006/BKHCN ngày
10/01/2006 về việc hướng dẫn thủ tục khai báo cấp giấy đăng ký, cấp giấy phép cho
các hợp đồng liên quan đến bức xạ, thông tư mới nhất-thông tư 08/2010/TT-
BKHCN ngày 22/07/2010 của BKHCN hướng dẫn về việc khai báo, cấp giấy phép
tiến hành công việc bức xạ & CCNVBX”, các cơ sở bức xạ y tế nói chung hay các
phòng chụp X quang nói riêng đều phải tuân thủ theo các tiêu chuẩn về kích thước
phòng X quang và điều kiện che chắn để đảm bảo an toàn bức xạ cho môi trường
xung quanh, nhân viên y tế và bệnh nhân trước khi được cấp phép sử dụng.
Về thực trạng sử dụng máy X quang trong chẩn đoán y tế tại thành phố Hồ
Chí Minh từ năm 1996 đến nay có gần khoảng 504 cơ sở bức xạ thuộc y tế và
khoảng 900 các thiết bị X quang chẩn đoán hình ảnh như CT Scanner, X quang
thường quy, X quang di động, X quang chụp nha...Thống kê trung bình các năm
2009-2010 [13] cho thấy có đến 53% phòng X quang tuân thủ theo quy định về
kích thước phòng đã phải được cấp giấy phép. Đặc biệt 100% phòng máy X quang
chụp nha không tuân thủ kích thước phòng theo quy định. Một trong nhiều nguyên
nhân của sự việc này là do nhiều phòng X quang được xây dựng theo tiêu chuẩn cũ,
không còn thích hợp với các thiết bị chẩn đoán X quang hiện đại dạng kỹ thuật số
với liều lượng bức xạ phát ra không cao, các quy định về kích thước phòng do nhà
sản xuất cung cấp không khớp với kích thước phòng theo TCVN, ngoài ra tiêu
chuẩn kích thước cho mỗi loại X quang cũng thay đổi nhiều từ năm này qua năm
kia mà không có những cơ sở khoa học rõ ràng kèm theo. Điều đó gây khó khăn cho
cơ quan có thẩm quyền trong việc cấp phép hoạt động cho các cơ sở X quang. Thực
tế này đã đặt ra nhu cầu cần phải tính toán lại diện tích các phòng X-quang cho phù
hợp với các thiết bị mới sao cho vừa đảm bảo an toàn bức xạ rất đa dạng trong các
cơ sở bức xạ tư nhân vừa giảm được chi phí đầu tư cơ sở vật chất.
Nguyên lý của việc tính toán che chắn an toàn cho X quang chẩn đoán được cho
trong báo cáo của NCRP49. Dù NCRP49 đã duy trì dữ liệu về tiêu chuẩn che chắn
trong nhiều năm, nhiều tác giả đã đề nghị những mô hình che chắn khác thích hợp
có thể tính toán bằng chương trình trên máy tính, có độ chính xác cao hơn và giảm
bớt tính cứng nhắc vốn có của NCRP49.
Phương pháp luận trong NCRP tính toán mức liều chiếu của tia sơ cấp, tia tán
xạ và bức xạ rò rỉ từ nguồn tia X riêng lẻ, nó không cho thông tin liên quan đến sự
kết hợp của tất cả các thông lượng bức xạ khác nhau xuyên qua lớp che chắn ngoại
trừ đưa vào xấp xỉ HVL (lớp giá trị một nửa). Archer và cộng sự [21] đã chứng
minh việc đưa vào cứng nhắc này dẫn tới mức liều chiếu hằng tuần của các nhân
viên giảm hơn giá trị yêu cầu theo MPD (giới hạn liều cho phép cực đại) đã thiết
lập. Để cải tiến phương pháp luận trong NCRP, B.R.Archer đã đưa ra phương pháp
xác định bề dày thứ cấp chính xác cần cho việc đáp ứng các tiêu chí thiết kế. Điều
này nhằm giảm thiểu che chắn quá lớn của NCRP-49.
Do đó việc tính toán liều chiếu xung quanh phòng chụp X quang để đánh giá
mức độ an toàn bức xạ từ đó có những cải tiến kịp thời cơ sở trang thiết bị kỹ thuật,
đề ra những tiêu chuẩn trong thiết kế xây dựng phòng chụp X quang để vừa đảm
bảo tính an toàn và tính kinh tế là vấn đề hết sức cần thiết. Đây cũng không phải là
vấn đề mới mẻ và trước đây đã có nhiều phương pháp tính toán khác nhau, riêng
trong luận văn này chúng tôi sẽ sử dụng phương pháp mô phỏng Monte Carlo với
chương trình MCNP để nghiên cứu vấn đề này. Việc tiến hành mô phỏng sẽ cho
một kết luận chính xác trước khi thiết lập các tiêu chuẩn che chắn bức xạ cho phòng
X quang sao cho vừa đảm bảo an toàn bức xạ, vừa tiết kiệm kinh phí xây dựng.
Trước đây đã có một số luận văn (đồng giáo viên hướng dẫn) thực hiện tính
toán phân bố suất liều phòng chụp X quang bằng chương trình MCNP. Tuy nhiên
do thiếu nhiều thông tin về cấu trúc máy X quang nên kết quả có được chưa đủ
chính xác. Luận văn này kế thừa và nghiên cứu sâu, rộng thành quả có được từ các
luận văn trước, trong đó nỗ lực tìm kiếm thông tin thật chi tiết đến mức có thể về
cấu tạo của máy X quang ở bệnh viện Nhi đồng I nhằm đạt được mô hình X quang
chính xác hơn.
Với mục đích trên nội dung luận văn được phân bổ trong 3 chương như sau:
Chương 1 Cấu tạo và nguyên lý máy phát tia X: trình bày những vấn đề về
cấu tạo chi tiết máy phát tia X sử dụng trong X quang chẩn đoán y tế, sự tạo thành
và tính chất của tia X.
Chương 2 An toàn bức xạ trong X quang chẩn đoán y tế: trình bày về các
hiệu ứng sinh học, các tổn thương do bức xạ ion hóa. Các giới hạn liều chiếu xạ,
các tiêu chuẩn an toàn bức xạ của thế giới, TCVN6561 của Việt Nam và một số
yêu cầu an toàn bức xạ đối với X quang chẩn đoán.
Chương 3 Giới thiệu về phương pháp Monte Carlo, chương trình MCNP và
ứng dụng chương trình vào việc mô phỏng phòng X quang tại bệnh viện Nhi đồng
1; khảo sát phổ tia X, khảo sát phân bố liều trong và ngoài phòng X quang, đánh giá
an toàn che chắn, thảo luận về những kết quả thu được.
 Chương 1: CẤU TẠO VÀ NGUYÊN LÝ MÁY PHÁT TIA X

1.1. Cấu tạo máy phát X quang thông thường

Một hệ thống chụp ảnh tia X thông dụng bao gồm các khối chức năng sau:

Bàn điều khiển Máy tạo điện thế cao Ống tia X
(console) (generator) (X ray tube)

Hệ thống ghi ảnh

Bệnh nhân

Hình 1.1. Sơ đồ khối hệ thống chụp ảnh X quang thông thường

Bàn điều khiển là nơi vận hành có thể thay đổi các thông số của tia X (điện
thế, cường độ, thời gian phát tia). Máy tạo điện thế cao là nơi cung cấp một hiệu
điện thế cao cho các điện cực của ống tia X để gia tốc chùm điện tử. Ống tia X là
nơi tạo ra tia X bằng hiện tượng phát bức xạ hãm. Hệ thống ghi ảnh có thể là một
tấm phim tia X hay một hệ thống biến hình ảnh tia X thành hình ảnh mà mắt thường
có thể nhìn thấy trên một màn hình.
Dưới đây tác giả tập trung vào vấn đề phân tích cấu tạo và nguyên lý hoạt
động của ống phát tia X.

1.1.1. Cấu tạo ống phát tia X

Chức năng: Ống phát tia X là thiết bị chuyển đổi năng lượng điện thành hai
dạng khác là năng lượng tia X và nhiệt. Trong đó nhiệt tạo ra là kết quả không
mong muốn, do đó ống phát tia X được thiết kế sao cho lượng nhiệt tạo ra là ít nhất
và tiêu tán càng nhanh càng tốt.
Những ống phát tia X thế hệ đầu tiên được chế tạo vào khoảng cuối thế kỉ 19
bởi William Crookes và các cộng sự được gọi là ống phát âm cực nguội. Dòng điện
tử được giải phóng khi âm cực nhôm ion hóa lượng không khí ít ỏi bên trong buồng
chứa thủy tinh giải phóng ḍng điện electron tự do, rồi sau đó gia tốc chúng bằng
nguồn cao thế (cỡ 100kV), bắn phá vào bia dương cực Platin đặt nghiêng và phát ra
tia X.
Năm 1913, William Coolidge đã cải tiến ống phát tia X bằng cách dùng âm
cực sợi đốt thay thế cho âm cực nguội để đạt được công suất phát cao hơn. Sự thay
đổi này chính là nền tảng cho sự phát triển của thế hệ ống phát tia X ngày nay.
Về nguyên tắc, mọi ống tia X đều được cấu tạo từ 2 bản cực: một bản cực
âm (cathode) là một dây tóc được nung nóng bằng dòng điện để sản sinh ra các
electron và một bản cực dương là nơi các electron đập vào để phát sinh ra bức xạ
hãm. Ống tia X được hút chân không để electron không bị mất năng lượng do va
chạm với các phân tử khí khi đi từ cathode đến anode.

Hình 1.2. Những bộ phận cơ bản của một ống phát tia X thông thường [26]
Ống phát tia X hiện đại là thiết bị gồm 2 thành phần chính là âm cực
(cathode), dương cực (anode) và các bộ phận phụ: động cơ quay dương cực (Rotor
và Stator), vỏ ống, hộp chứa, dầu tản nhiệt, cổng giao tiếp….
Ống phát tia X hiện đại ít sử dụng dương cực tĩnh như trong các thế hệ của
Crookes và Coolidge mà dùng dương cực quay bằng cảm ứng điện từ. Như vậy, ống
phát tia X hiện đại là sự kết hợp giữa âm cực nguội, dương cực quay và các kết cấu
thích hợp khác. Tuy nhiên, thế hệ ống phát tia X Coolidge với dương cực tĩnh vẫn
được dùng trong một số kỹ thuật X- quang khác với yêu cầu đặc thù, như X- quang
nha khoa, X- quang cầm tay, tăng sáng truyền hình di động.

Hình 1.3. Các bộ phận chính của ống tia X trong máy chụp X quang hiện đại [26]
1.1.1.1. Âm cực ( Cathode)
Âm cực (Cathode) là một bộ phận có chức năng cơ bản là giải phóng chùm
điện tử và hội tụ chúng thành một chùm tia xác định nhắm vào dương cực (anode).
Về cấu tạo: một âm cực điển hình bao gồm hai thành phần chính là dây tóc
(sợi filament) và chén hội tụ (focusing cup). Dây tóc làm bằng những sợi Volfram
có hình lò xo xoắn (để tăng diện tích bức xạ điện tử ) thẳng đứng được gắn chìm
vào trong một chén hội tụ như hình 1.4.
Vật liệu làm tim đèn thường là hợp kim Vonfram và Thorium vì Vonfram là
một kim loại nặng, dẫn nhiệt tốt và chịu được nhiệt độ cao (nhiệt độ nóng chảy cao
33700C), Thorium thường được thêm vào sợi đốt Vonfram để tăng cường hiệu suất
phát xạ electron và tăng tuổi thọ tim đèn.
Hình 1.4. Cấu trúc cathode của ống tia X sợi đốt Volfram nằm trong chén hội tụ
[26]
Phần lớn bóng X quang hiện nay đều có 2 hệ thống chén hội tụ và 2 sợi tóc
nhằm mở rộng cho nhiều ứng dụng riêng biệt. Sợi tóc lớn có kích thước 1,2mm
dùng để chụp những cơ quan lớn, dày cần công suất cao, sợi tóc nhỏ có kích thước
khoảng 0,6mm sử dụng cho những bộ phận nhỏ sử dụng công suất thấp. Hai sợi tóc
này được nung nóng bằng mạch điện với hiệu điện thế 2 đầu là 10V, dòng điện qua
sợi tóc bóng X quang thay đổi từ 3 đến 7A.
Chùm electron phát ra từ cathode được gia tốc đến đập vào anode là chùm
phân kỳ, nếu không có sự can thiệp thì chùm tia này sẽ đập vào anode trên diện tích
rộng, điều này sẽ làm mờ hình ảnh X quang. Do đó cần thiết sử dụng bộ phận bổ
sung, có chức năng hội tụ chùm electron thẳng đến anode. Điện cực bổ sung có hình
dạng đặc biệt bao quanh cathode giữ vai trò này chính là chén hội tụ còn được gọi
là điện cực Wehnelt ( hình 1.4).
Điện cực này được đặt vào cùng giá trị điện thế với tim đèn và điện trường
mà nó sinh ra có tác dụng làm thay đổi các đường đẳng thế của điện trường, giới
hạn sự mở rộng chùm electron khiến chùm electron hội tụ lại trên 1 điểm đặc biệt
trên anode (focal spot), chính điều này làm tăng độ nét của hình ảnh X quang.
 (so với chén hội tụ
Điện thế V

Hình 1.5.a Hình 1.5.b

Hình 1.5. Tác dụng làm thay đổi hình dạng phân bố chùm electron của chén tội tụ
Nếu điện cực Wehnelt được thêm vào một điện thế âm chênh lệch điện thế
với tim đèn thì tác dụng càng rõ rệt, kích thước bề rộng vết tiêu càng nhỏ. Chén hội
tụ làm thay đổi hình dạng phân bố chùm electron khi nó có cùng giá trị điện áp với
sợi tóc (Hình 1.5.a). Chén hội tụ được tích điện thế âm có giá trị lệch khoảng 100 V
so với sợi tóc có tác dụng giảm bề rộng chùm electron mạnh hơn (Hình 1.5.b) [26].
1.1.1.2. Dương cực (anode)
Anode là nơi tia X được tạo ra, nó là một bia hứng electron bằng kim loại có
cấu trúc cứng và có mật độ phân tử cao nối với điện cực dương. Anode có 2 chức
năng: (1) chuyển năng lượng của electron thành bức xạ tia X và (2) làm tiêu tán
lượng nhiệt tạo ra trong quá trình phát tia X, do đó vật liệu anode được chọn để đáp
ứng 2 yêu cầu trên.
Về cấu tạo: các ống tia X công suất bé chẳng hạn dùng trong chụp ảnh răng
có anode là một bia cố định, còn các ống tia X có công suất cao thường có anode
dạng đĩa, có thể quay quanh một trục.

A. Anode cố định
 Bao gồm 1 gương phản xạ bằng Volfram là nơi chùm electron bắn vào để tạo
ra tia X, được gắn chặt vào một khối đồng lớn. Khối đồng có vai trò nâng đỡ bia
Volfram và tiêu tán nhiệt cho bia Volfram vì đồng có khả năng dẫn nhiệt tốt.

Hình 1.6. Các thành phần của một ống tia X có anode cố định gồm bia Vonfram
gắn vào một khối đồng [26]
Anode thường được đặt nghiêng một góc từ 150- 200 so với mặt phẳng thẳng
đứng, góc nghiêng này quyết định diện tích hội tụ của chùm electron (là phần diện
tích của anode bị chùm electron bắn vào).
Nhược điểm của loại anode này là diện tích bia bị bắn phá nhỏ nên giới hạn
sự tiêu tán nhiệt và do đó giới hạn dòng cực đại qua ống và hạn chế hiệu suất phát
tia.
Loại bóng này dùng trong các máy X quang công suất nhỏ như máy X quang
nha, máy X quang di động, máy chiếu (fluoro).
Hình 1.7. Vết hội tụ của bóng X quang có anode cố định
B. Anode quay
a. Cấu tạo và vật liệu của đĩa anode quay
Cấu tạo
Khi sử dụng Anode cố định thì chùm electron chỉ đập vào 1 vị trí cố định
làm nhiệt độ ví trí này rất cao đồng thời làm giảm công suất của bóng và làm giảm
tuổi thọ của anode, do đó người ta thường sử dụng anode quay để thay đổi liên tục
điểm tiếp xúc của anode và chùm electron, làm cho diện tích vết hội tụ rất bé so với
diện tích giải nhiệt. Chuyển động quay làm cho vị trí đập của electron lên anode
thay đổi liên tục, điều này làm cho anode mòn đều nên không ảnh hưởng đến góc
phát tia. Chuyển động quay còn có tác dụng tiêu tán lượng nhiệt sinh ra trong quá
trình phát tia X làm tăng công suất bóng, tăng tuổi thọ anode. Đó là lí do mà anode
quay vẫn được sử dụng phổ biến trong chụp X quang dù đòi hòi những thiết kế và
kĩ thuật phức tạp.
Các anode quay có hình dạng đĩa có gờ vát nghiêng một góc θ có tác dụng
hướng tia X ló ra phía biên của ống phát. Đường phân giác của góc vát phải nằm
trong vùng ló ra của tia X, góc vát được thiết kế sao cho phù hợp với mục đích sử
dụng. Góc vát càng nhỏ thì độ phân giải không gian càng lớn nhưng lại làm giảm
diện tích hiệu dụng của tiêu điểm và diện tích bao phủ của vùng tia X phát xạ.
Hình 1.8. Hình dạng của anode xoay
Anode với góc vát nhỏ ( 70 – 90) thích hợp với các thiết bị thu nhận cỡ nhỏ
như máy chup X quang động mạch, chụp dây thần kinh… Các máy X quang thường
quy thông dụng yêu cầu vùng chụp lớn thì thường sử dụng anode có góc vát lớn (
120 -150) . Kích thước của đĩa anode nằm trong khoảng từ 5cm – 12,5cm và kích
thước này quyết định khả năng chịu nhiệt của anode [26].
Vật liệu
Khi chùm electron đập vào anode chỉ dưới 1% năng lượng của chúng chuyển
hóa thành tia X, còn lại hơn 99% năng lượng của chùm điện tử được chuyển hóa
thành nhiệt nên anode phải có khả năng chịu nhiệt cao. Hầu hết các ống tia X đều sử
dụng Volfram ( Z =74) làm vật liệu anode vì Volfram có số hiệu nguyên tử lớn, khả
năng chịu nhiệt cao do có điểm nóng chảy cao, khả năng bay hơi rất thấp. Trong
nhiều năm Volfram tinh khiết thường được sử dụng làm vật liệu anode.
Công nghệ anode quay ngày càng phức tạp. Anode quay Vonfram thì được
sản xuất trên cơ sở chuẩn luyện kim bột. Hạn chế của công nghệ này là sự mài mòn
bề mặt do sự nén cơ nhiệt cao.
Hình 1.9. Cấu tạo anode xoay [26]
Hiệu ứng này dẫn đến sự sụt giảm nhanh chóng cường độ tia X và gây nên
cái gọi là hiệu ứng mặt nghiêng. Ở đây, một phần bức xạ trong những lớp sâu hơn
của anode bị hấp thụ trước khi rời khỏi anode. Thêm vào đó là sự biến dạng cơ học
xảy ra có thể phá hủy anode.
Trong những năm gần đây hợp kim của Volfram và Reni được sử dụng làm
vật liệu bề mặt anode. Việc sử dụng một hợp kim Vonfram – Reni cho phép sử
dụng ống phát tia X trong khoảng thời gian dài. Công nghệ nâng cao dựa trên
nguyên liệu hỗn hợp Reni -Vofram-Molyden (RTM). Sơ đồ cắt ngang của anode
RTM biểu diễn trong hình 1.10.a. RTM anode là loại anode có bề mặt là lớp hợp
kim Reni-Vonfram dày khoảng 1,3mm, tiếp theo là lớp molybdenum dày 5-11mm
(một số hãng sản xuất sử dụng Graphit thay cho Molybdenum). Hợp kim Reni-
Vonfram thường có tỉ lệ khối lượng tùy thuộc vào mỗi hãng sãn xuất thường là W-
Re 3%, W-Re 5%, W-Re 25%, W-Re 26% [28]. Máy X quang khảo sát trong luận
văn của hãng Shimadzu sử dụng loại anode RTM này.
Một giải pháp tối ưu để điều khiển khả năng tích trữ nhiệt và bức xạ nhiệt có
thể đạt được trong một anode giới nội với tấm than chì (hình 1.10.b). Với anode
nhiệt, tấm RTM được hàn vào chất tải nhiệt than chì, ống được sản xuất với trọng
tải lớn hơn 3.106 J hoạt động tại công suất nhiệt trung bình 4 kW.

Hình 1.10.a. Mặt cắt của một anode RTM

Hình 1.10.b. Mặt cắt của một anode RTM- than chì [22]
Do Volfram với nguyên tử khối lớn cho tỉ lệ bức xạ hãm cao hơn so với
Molybdenum và Rhodium nên trong vậy trong X-quang vú (Mammography) anode
thường làm bằng bằng các nguyên tố có nguyên tử khối nhẹ. Do yêu cầu ghi nhận
hình ảnh các mô dày đặc của tuyến vú cần nhiều bức xạ tia X đặc trưng. Hầu hết
các ống tia X sử dụng chụp nhũ ảnh có bề mặt anode được phủ Molypden là loại có
khả năng tạo ra tia X có năng lượng thích hợp cho ứng dụng này. Một số ống chụp
nhũ ảnh có anode thứ 2 làm bằng Rhodium (Z =45), loại này tạo ra bức xạ có năng
lượng cao, khả năng đâm xuyên tốt có thể sử dụng để ghi lại cấu trúc dày đặc của
tuyến vú.

b. Vành tiêu điểm – Vùng tiêu điểm thực – Vùng tiêu điểm hiệu dụng
Không phải toàn bộ anode đều tham gia vào việc tạo ra tia X mà bức xạ chỉ
được tạo ra ở một vùng rất nhỏ trên anode. Vùng này được gọi là vết tiêu ( focal
spot) có kích thước xác định bởi kích thước chùm electron từ cathode. Từ đó dẫn
đến các khái niệm vành tiêu điểm, vùng tiêu điểm thực và vùng tiêu điểm hiệu
dụng.
Diện tích vành tiêu điểm là khái niệm mô tả phần diện tích nghiêng trên bia
anode va chạm với chùm electron. Vành tiêu điểm có bán kính trung bình r, chu vi
trung bình 2πr và độ rộng vành Δr, diện tích được tính theo công thức: S=2πrΔr .
Như vậy, một anode quay có diện tích vành tiêu điểm lớn hơn khoảng 314 lần diện
tích một vùng tiêu điểm kích thước tương ứng của anode tĩnh.

Hình 1.11. Vết tiêu thực và vết tiêu hiệu dụng của anode [26]
Vùng tiêu điểm thực là vùng hình chữ nhật trên mặt vát anode mà chùm
electron bắn phá, kích thước vùng này phụ thuộc vào độ dài của sợi đốt và độ rộng
của hộp điều tiêu trên cathode. Trong hầu hết các ống tia X vết tiêu này có dạng
hình chữ nhật, kích thước thường nằm trong khoảng từ 0,1mm đến 2 mm, kích
thước của nó ảnh hưởng đến khả năng tải nhiệt của anode. Vết tiêu thực càng lớn thì
khả năng tải nhiệt càng tốt và ngược lại. Kích thước vết tiêu thực quyết định bởi ba
yếu tố: kích thước và hình dạng sợi tóc (filament), kích thước hình dạng của chén
hội tụ, góc nghiêng anode.
Hình 1.12. Vùng tiêu điểm thực và tiêu điểm hiệu dụng
Vùng tiêu điểm thực chỉ mang ý nghĩa hình học, chúng ta quan tâm nhiều hơn đến
vùng tiêu điểm hiệu dụng.
Độ rộng vùng tiêu điểm hiệu dụng chính bằng độ rộng của chùm điện tử và
độ rộng vùng tiêu điểm thực. Độ dài vùng tiêu điểm hiệu dụng lại phụ thuộc vào
góc vát dương cực θ và độ dài vùng tiêu điểm thực, được tính theo công thức sau:
a = A × sinθ (1.1)
b=B
Trong đó, A, B và a, b lần lượt là độ dài, độ rộng của vùng tiêu điểm thực và
vùng tiêu điểm hiệu dụng, θ là góc vát anode. Hình chiếu của vết tiêu thực lên mặt
phẳng hứng tia gọi là vết tiêu hiệu dụng. Kích thước vết tiêu hiệu dụng là nhân tố
quan trọng quyết định độ rõ nét của phim, kích thước càng nhỏ thì càng rõ nét.
Trong thực nghiệm, vùng tiêu điểm hiệu dụng có thể đo đạc được bằng
phương pháp chụp ảnh qua lỗ ngắm.
Một tấm cản quang với lỗ ngắm có đường kính cỡ µm được đặt vuông góc
và nằm giữa ống phát tia X và phim hoặc hệ thu nhận theo mô hình hình 1.13, với
d 1 , d 2 lần lượt là khoảng cách từ lỗ ngắm đến anode và từ lỗ ngắm đến phim, a,b và
a’, b’ lần lượt là kích thước vùng tiêu điểm hiệu dụng và kích thước ảnh trên phim.
Đo đạc các kích thước d 1 , d 2 , a’, b’, ta tính được a, b qua công thức đồng dạng:
 a = a’ x (d 1 / d 2 ) (1.2)
b = b’ x (d 1 / d 2 ) (1.3)

Hình 1.13. Phương pháp chụp ảnh qua lỗ ngắm để xác định kích thước tiêu điểm
hiệu dụng
Kích thước vết tiêu là một trong những yếu tố cần xem xét khi lựa chọn ống
phát tia X cho một ứng dụng cụ thể. Loại có kích thước nhỏ sử dụng để chụp những
vùng có kích thước nhỏ, có khả năng hiển thị chi tiết hình ảnh với lượng bức xạ
tương đối thấp như chụp nhũ ảnh.
Với cùng kích thước vết tiêu thực góc nghiêng anode càng nhỏ thì kích thước
vết tiêu hiệu dụng càng nhỏ dẫn đến độ phân giải không gian tốt. Tuy nhiên, góc
nghiêng nhỏ lại giới hạn kích thước chùm tia X hữu dụng nên trường bao phủ chùm
tia bị thu hẹp ở đầu phát tia. Góc nghiêng tối ưu nhất phụ thuộc vào trang thiết bị
ghi nhận hình ảnh của phòng chụp X quang. Một số loại anode được thiết kế với 2
góc nghiêng tương ứng tạo ra 2 vết tiêu hiệu dụng kích thước khác nhau.
Góc nghiêng anode cũng ảnh hưởng đến diện tích bao phủ của chùm bức xạ.
Khi giảm góc nghiêng thì diện tích bao phủ chùm tia cũng giảm ví dụ bia nghiêng
100 thì có khu vực bao phủ chùm tia hẹp hơn bia có góc nghiêng 200 tính tại cùng
một khoảng cách tính từ ống phát.
Hình 1.14. Anode sử dụng hai vết tiêu lớn nhỏ [28]
Diện tích bao phủ chùm tia thường không gây ảnh hưởng đến kết quả chụp
nhưng với những bia anode có góc nghiêng nhỏ thì có thể gây một số vấn đề về sự
bao phủ chùm tia cần thiết lên phim. Ví dụ với anode có góc nghiêng 120 và khoảng
cách đặt phim là 40 inch thì diện tích bao phủ có bán kính 8 ½ inch, trong khi với
anode nghiêng 100 cũng ở khoảng cách đặt phim như trên thì diện tích bao phủ chỉ
có bán kính 7 inch. Rõ ràng là cả 2 bia trên đều không thể phủ hết phim có kích
thước 14 x 17 tại khoảng cách 40 inch vì phim này đòi hỏi bán kính bao phủ là
11inch.
Hình 1.15. Ảnh hưởng của góc nghiêng anode lên kích thước vết tiêu hiệu dụng [32]
Do vậy để xác định sự bao phủ chùm tia thích hợp ta sử dụng công thức tính
bán kính che phủ như sau: tan của góc nghiêng anode nhân với khỏang cách đặt
phim (FFD) bằng bán kính diện tích khu vực che phủ chùm tia (RC):
tan θ *FFD = RC (1.4)
Ví dụ: nếu góc nghiêng là 200 và FFD là 40 inch, bán kính khu vực che phủ
chùm tia sẽ là 14 ½ inch vì RC = tan200 x 40 inch = 14 ½ inch.

c. Hiệu ứng chân (Heel effect)

Vì anode được bố trí nghiêng góc nên cường độ chùm tia X phát ra dọc theo
trục ống tia X sẽ khác nhau, tức là có sự phân bố không đồng đều dọc theo hướng
song song với trục Cathode – Anode. Ảnh hưởng này được gọi là hiệu ứng chân
(Heel effect). Sự khác nhau này là do bia anode hấp thụ chính photon mà nó phát ra
[26]. Quan sát trong hình 1.16 ta thấy các photon được giải phóng ra từ một điểm
nằm bên trong bia anode. Từ hình vẽ ta thấy các photon phát ra nằm phía gần
cathode có đường đi bên trong bia anode ngắn hơn các photon nằm ở phía chứa
anode. Quãng đường đi trong bia dài hơn khiến các photon này có khản năng bị hấp
thụ cao hơn. Đó là lí do cường độ chùm tia X ở phía gần cathode mạnh hơn cường
độ chùm tia X nằm phía anode.
Hình 1.16. Sự phân bố không đồng đều chùm tia X theo phương song song với trục
Cathode- Anode
Hình 1.17 cho thấy tỉ lệ phần trăm cường độ bức xạ ứng với các góc phát xạ
khác nhau gây ra do hiệu ứng góc nghiêng khi bia anode nghiêng góc 200. Ở đây
cần lưu ý sự ảnh hưởng của khoảng cách đặt phim lên sự thay đổi cường độ chùm
tia. Nếu phim X quang dùng chụp bộ phận đánh số 1 là phim 1a thì cường độ chùm
tia kéo dài từ 95% đến 104%, khác biệt nhau 9% và sự khác biệt này là không đáng
kể. Hay nói cách khác mật độ chùm tia khá đồng đều. Nếu phim X quang chụp bộ
phận đánh số 2 sử dụng phim 2a, cường độ chùm tia sẽ kéo dài từ 31% đến 95%,
khác biệt 64% và điều này là không thể chấp nhận trong kỹ thuật chụp X quang.
Như vậy ta có thể thấy khoảng cách đặt phim hay khu vực sử dụng chùm tia cần
xem xét trong ảnh hưởng của “anode heel effect”.

Hình 1.17. Ảnh hưởng của hiệu ứng chân lên khoảng cách đặt phim
1.1.1.3. Vỏ ống chân không, dầu tản nhiệt, vỏ kim loại, cửa sổ ống phát
tia X
a. Vỏ ống chân không
Vỏ chân không thường làm bằng thủy tinh bao bọc cathode, anode, rotor tạo
thành một không gian bên trong gần như chân không, áp suất khoảng dưới 10-
5
mmHg. Thủy tinh làm vỏ ống thường bằng thủy tinh loại borosilicate là loại kính
chống nhiệt có ít nhất 5% oxit boron (B 2 O 3 ) thường dùng làm kính hóa học đĩa chịu
nhiệt do có độ bền cao, hệ số nở vì nhiệt thấp, điểm nóng chảy cao. Những đặc tính
trên của thủy tinh borosilicat thích hợp cho việc sử dụng làm vỏ ống chân không.

Hình 1.18. Bầu thủy tinh chứa anode quay [28]

Bề dày của bầu thủy tinh nằm trong khoảng từ 1-2mm tùy theo máy của mỗi
hãng, một số hãng chế tạo loại thủy tinh borisilicat có pha chì trừ phần thủy tinh ở
lối ra nhằm ngăn chùm tia X đi ra theo các hướng khác.
Chức năng chính của vỏ chân không này là hỗ trợ và cách điện cho anode,
cathode đồng thời để duy trì môi trường chân không bên trong ống phát tia X. Sự có
mặt của khí trong ống phát tia X sẽ cho phép dòng điện tử truyền qua ống một cách
tự do hơn là tạo thành chùm điện tử. Điều này sẽ gây trở ngại trong việc tạo ra bức
xạ và có thể gây hư hại mạch điện. Môi trường chân không còn có tác dụng ngăn
cản quá trình oxy hóa các linh kiện đặt bên trong đặc biệt là dây tóc.
 Theo thời gian sử dụng sẽ có sự xâm nhập của các phân tử khí làm giảm độ
chân không của ống, khi đó cần kiểm tra và hút chân không trong ống. Dung tích vỏ
phụ thuộc vào ống tia X sử dụng, vỏ chân không và những bộ phận chứa trong nó
được xem như phần riêng lẻ đặt vào trong ống phát tia X, đây là phần có thời gian
sử dụng hạn chế và có thể thay thế ngay bên trong khoang chứa (tube housing).
Phần lớn các ống tia X có vỏ chân không làm bằng thủy tinh, mặc dù có thể sử dụng
các loại vật liệu khác như kim loại, gốm sứ.

Hình 1.19. Mặt cắt ống tia X loại có anode quay của hãng Shimadzu
b. Dầu tản nhiệt
Vùng không gian giữa vỏ kim loại (tube housing) và bầu thủy tinh chân
không được đổ đầy một loại dầu đặc biệt xem như vật liệu cách ly bầu thủy tinh với
nguồn cao thế và tải nhiệt từ bầu thủy tinh ra bên ngoài, dầu này còn được gọi là
dầu biến áp hay dầu tản nhiệt. Dầu biến áp có hai nhiệm vụ chính là:
- Chiếm chỗ không khí trong các thiết bị điện áp cao và làm nhiệm vụ cách
điện, tăng độ bền cách điện lên rất nhiều.
- Làm mát, tăng cường thoát nhiệt do tổn hao công suất trong dây quấn và
trong lõi thép máy biến áp sinh ra.
Dầu biến áp là chất lỏng dễ cháy nên nhiệt độ chớp cháy của dầu biến áp quy
định không được thấp hơn +1350C. Nhiệt độ đông đặc của dầu không được cao hơn
-450C. Một trong những đặc tính quan trọng có nhiều ý nghĩa thực tiễn là độ bền
của dầu biến áp. Trị số độ bền của dầu biến áp rất nhạy cảm với độ ẩm của dầu. Độ
bền điện của dầu còn giảm nhiều hơn nếu như trong dầu có những tạp chất, nó sẽ
làm cầu nối cho sự phóng điện sớm phát triển.
Mặt tiếp xúc giữa lớp dầu và lớp vỏ Chì được quét một loại vật liệu đặc biệt
có nhiệm vụ giữ cho lớp Chì không bị oxi hóa.
Buồng chứa dầu được bổ sung một hệ co giãn đảm bảo áp suất dầu không
tăng lên khi dầu giãn nở do nhiệt. Hộp chứa được tiếp mát với đất để ngăn điện tử
chuyển động trong không gian chứa dầu. Bảng 1.1. trình bày một số tiêu chuẩn độ
bền của dầu máy biến áp.
Bảng 1.1. Tiêu chuẩn độ bền của dầu máy biến áp
Điện áp phóng điện của dầu không nhỏ hơn
Đối với thiết bị có điện áp làm
kV/2.5mm
việc (kV)
Dầu mới Dầu cũ
6 25 20
35 30 25
110-220 40 35
330 50 45

Trong quá trình sử dụng dầu biến áp bị già hóa, các tính chất của dầu bị
giảm, màu của dầu trở nên sẫm hơn do không khí lọt vào gây hiện tượng oxy hóa
dầu, sự tiếp xúc giữa dầu và một số kim loại, tác dụng của ánh sáng và cường độ từ
trường cao. Do vậy trong quá trình bão dưỡng máy X quang các kĩ sư sẽ kiểm tra
chất lượng dầu để thay thế, bổ sung lượng dầu phù hợp.
c. Vỏ kim loại
Hộp chứa (housing) của ống phát tia X là một khoang chứa bằng kim loại
đựng dung dịch dầu, đóng vai trò trong việc gia tăng sự đóng kín cũng như hỗ trợ
bảo vệ ống chân không khỏi môi trường bên ngoài. Nó có chức năng như một lá
chắn và hấp thụ các bức xạ phát ra trừ bức xạ hữu dụng. Nó có bề mặt bên ngoài
tương đối lớn làm tiêu tán hầu hết nhiệt tạo ra trong ống. Lớp chì bọc ngoài khoang
chứa nhằm hấp thụ tia ló bất thường bao gồm tia X chệch hướng từ anode, tia X
sinh ra khi điện tử thứ cấp va chạm với các linh kiện kim loại khác trong ống phát.
Bên ngoài lớp chì là lớp thép không rỉ hoặc barit có bề dày khác nhau tùy theo thiết
kế của từng hãng.
d. Cửa sổ ống
Chùm bức xạ tia X phát ra từ ống qua một cổng hoặc cửa sổ. Góc khối của
chùm bức xạ hình nón thường là 400 – 500. Cửa sổ thường được chế tạo bằng một
vật liệu hấp thụ bức xạ thấp như là các kim loại nhẹ có nguyên tử số thấp (chẳng
hạn như là beryllium). Một số loại bóng X quang còn sử dụng cửa sổ làm bằng nhựa
Bakelite. Ngay bên dưới cửa sổ trong vùng chùm tia hiệu dụng là một màn chắn,
quá trình mở màn che chắn cho phép thay đổi được kích thước hiệu dụng của chùm
tia.

1.1.2. Bộ lọc tia

Bộ lọc tia X đuợc sử dụng nhằm loại bỏ những tia X năng luợng thấp và tạo
chùm tia X có năng lượng đồng đều hơn. Những tia X có năng lượng thấp trong phổ
tia X tạo ra rất nhiều liều cho bệnh nhân nhưng không đóng góp vào tín hiệu thu
nhận. Bởi vậy việc lọc bỏ những tia X này là cần thiết, do đó trong các máy X
quang luôn có bộ phận lọc tia.

Hình 1.20. Bộ lọc hấp thụ các photon năng lượng thấp và cho các photon năng
lượng cao đi qua
 Có 2 bộ phận tham gia vào việc lọc tia là bộ lọc sẵn có (inherent filter) và bộ
lọc bổ sung (additional filter). Bộ lọc sẵn có tạo nên do các vật liệu có sẵn trong
ống tia X nằm trên lối ra chùm tia có chức năng lọc tia gồm vỏ thủy tinh, dầu cao
áp, cửa sổ bakelite. Mỗi hãng có tiêu chuẩn bề dày vật liệu vỏ ống khác nhau nên
“bộ lọc sẵn có” có bề dày tương đương 0,5mm-1mm Al.
Bộ phận thứ hai là một tấm kép nhôm – đồng đặt sau đầu phát tia X có bề
dày cực tiểu d phụ thuộc vào điện thế cực đại sử dụng trong ống phát tia X (nhưng
thông thường d 2,5mm đối với điện áp từ 70kV trở lên). Bộ lọc này loại bỏ
những tia X có thể xuyên qua “bộ lọc sẵn có” nhưng năng lượng không đủ lớn để
đóng góp vào việc tạo ảnh hiệu quả trên phim. Bộ lọc có thể loại bỏ hiệu quả những
tia X năng lượng thấp nhưng đồng thời cũng đòi hỏi công suất tia X cao hơn. [11]

Hình 1.21. Phổ tia X tạo ra ở điện áp đỉnh 150 kVp đối với anode làm bằng
Vonfram.
Các tia X năng lượng thấp (đường đứt nét) bị hấp thụ nhờ bộ lọc tia
Một dạng cải tiến khác là bộ lọc cánh cung, bộ lọc này có khả năng làm giảm
mạnh những bức xạ ở vùng biên mà không gây ảnh hưởng đến vùng giữa. Do vậy
bộ lọc cánh cung có thể hạn chế cường độ của chùm bức xạ tán sắc xuất hiện ở
vùng biên của vật thể và làm giảm liều chiếu trên bệnh nhân [11].

1.1.3. Hệ chuẩn trực đầu đèn (Collimator)

 Chùm tia X đi ra từ ống phát là chùm tia phân kỳ do đó khi đến cơ thể bệnh
nhân mức độ phủ của chùm tia sẽ lớn hơn giá trị cần thiết cho việc ghi nhận hình
ảnh (FOV – field of view). Điều này dẫn đến 2 vấn đề nảy sinh: thứ nhất là tăng liều
chiếu trên người bệnh không cần thiết, thứ hai là làm tăng ảnh hưởng photon tia X
tán xạ Compton lên phim.[26]
Để thay đổi kích thước hình học của chùm tia người ta sử dụng hệ chuẩn trực
đầu đèn (Collimator) là bộ phận gồm nhiều tấm chì có thể trượt lên nhau dùng để
giới hạn chùm tia đặt giữa vùng phát tia và cơ thể bệnh nhân.

Hình 1.22. Cấu trúc bên trong hệ chuẩn trực đầu đèn [26]
Hệ chuẩn trực của ống tia X được nối với đầu ra ống tia X nhờ một khớp
xoay cho phép thay đổi vị trí của nó. Một nguồn sáng khả kiến được bố trí bên trong
hệ chuẩn trực xem như một vết tiêu ảo, phát ra ảnh sáng đi đến gương phản xạ đặt
nghiêng góc 450 ( hình1.22) Ánh sáng phản xạ từ gương đi ra khỏi bộ chuẩn trực và
cho một trường che phủ trùng với trường che phủ của tia X. Nhờ quan sát trường
chiếu của ánh sáng khả kiến này ta có thể biết được kích thước trường chiếu tia X
để có những điều chỉnh thích hợp. Trường chiếu tia được xác định nhờ các tấm chì
sắp xếp như hình 1.22.
Thông thường có 2 hệ thống chuẩn trực đầu đèn. Đặt gần đầu phát tia X hơn
là hệ chuẩn trực đầu đèn dạng cố định, có tác dụng làm giảm độ hỗn loạn của tia X
được tạo ra và giới hạn vùng chiếu hình học. Hệ thống chuẩn trực thứ hai đặt ngay
sau hệ thứ nhất có tác dụng làm giảm liều chiếu cho bệnh nhân được gọi là hệ chuẩn
trực dạng điều chỉnh được.
Tùy theo tiêu chuẩn của mỗi hãng mà cấu trúc bề dày của các lớp chì trong
bộ chuẩn trực sẽ có sự khác nhau. Máy X quang khảo sát ở bệnh viện nhi đồng sử
dụng bộ chuẩn trực loại R20-J của hãng Shimadzu có cấu tạo như hình 1.23. gồm 3
lớp chì. [30]
Lớp chì phía trước ( front leaf) gồm 4 lá chì di động bề dày 3mm, nằm mặt
dưới collimator đóng vai trò chính trong việc xác định kích thước trường chiếu. Lớp
chì ở giữa (middle leaf) gồm 4 lá chì di động bề dày 2mm đóng vai trò loại bỏ các
bức xạ rò rĩ. Lớp chì trong cùng (inner leaf) gồm 4 lá chì cố định bề dày 2mm có
vai trò làm giảm bức xạ “off focus” (bức xạ tạo ra khi electron đập vào anode ngoài
vị trí tiêu điểm). Giữa lớp chì giữa và chì trong cùng có một tấm Al (0,5mm) đóng
vai trò là bộ lọc bổ sung. Bên ngoài vỏ collimator có núm điều khiển để thay đổi
khỏang cách giữa các lá chì thuộc lớp chì trước và chì giữa nhằm thay đổi kích
thước trường chiếu.

Hình 1.23. Mặt cắt ngang bộ chuẩn trực loại R20-J của hãng Shimadzu [30]
Trong một số máy X quang hiện đại có hệ chuẩn trực tối ưu là hệ chuẩn trực
có khả năng tự động giới hạn kích thước trường chiếu nằm trong diện tích đón nhận
của detector. Bộ cảm biến cơ học nằm trong giá đỡ casset chứa phim sẽ dò tìm kích
thước của casset và tự động điều chỉnh các lá chì trong hệ chuẩn trực sao cho trường
chiếu tia trùng khớp với kích thước của casset chứa phim.
Bên cạnh hệ chuẩn trực đầu đèn, một hệ chuẩn trực khác cũng được sử dụng
đặt ngay sau bệnh nhân có tác dụng hấp thụ những tia tán xạ trên bệnh nhân, giảm
nhiễu và xảo ảnh cho hệ thống.
Một số bộ phận khác được bổ sung trong cấu trúc tổ hợp ống phát nhằm thực
hiện một số chức năng khác trong quá trình phát tia X. Cảm biến nhiệt dùng để
dừng hoạt động của ống phát khi nhiệt độ dầu và buồng chứa vượt ngưỡng cho
phép.

1.2. Nguyên lý của quá trình phát tia X

1.2.1. Nguyên lý tạo tia X

Khi cho một chùm electron có vận tốc khá lớn đập vào anode làm bằng kim
loại nặng (Vonfram), tương tác này làm phát ra bức xạ tia X.
Có 2 dạng tương tác tạo ra tia X, dạng thứ nhất là khi electron tương tác với
lớp vỏ electron của nguyên tử kích thích sự chuyển mức năng lượng. Trạng thái
kích thích có năng lượng E i phát ra các tia X dạng phổ vạch trong sự chuyển mức
E i  E k có bước sóng λik đặc trưng cho vật liệu làm anode. Các tia X này vì vậy
còn được gọi là các tia X đặc trưng. Dạng thứ hai bức xạ tia X có phổ năng lượng
liên tục – còn gọi là bức xạ hãm – khi electron tương tác trực tiếp với trường điện từ
của hạt nhân nguyên tử.
1.2.1.1. Bức xạ hãm
Khi các electron mang năng lượng đi qua vật liệu có nguyên tử số (Z) lớn bị
làm lệch hướng dưới tác dụng của trường thế Coulomb của hạt nhân mang điện tích
dương. Theo lý thuyết điện động lực học, các hạt mang điện khi tăng tốc hay giảm
tốc sẽ phát ra bức xạ với năng lượng tỉ lệ với bình phương của gia tốc. Các electron
này phát ra một bức xạ có phổ liên tục trên một dải rộng với sự phân bố cường độ
phụ thuộc vào năng lượng của electron tới. Bức xạ phát ra như vậy được gọi là
Bremsstrahlung theo tiếng Đức có nghĩa là bức xạ hãm hay bức xạ do làm chậm các
hạt mang điện.
Một electron trước khi dừng lại có thể phát ra nhiều photon, năng lượng phát
ra phụ thuộc vào khoảng cách tương tác giữa electron và hạt nhân, năng lượng
giảm khi tăng khoảng cách. Trong hình 1.24 electron số 2 tương tác với hạt nhân ở
khoảng cách gần hơn electron số 3 nên bức xạ hãm phát ra đối với tương tác của
electron số 2 lớn hơn đối với electron số 3. Rõ ràng là photon với năng lượng cực
đại được tạo ra khi electron mất hết động năng trong một quá trình tương tác duy
nhất, trong hình 1.24 là electron số 1. Trường hợp này xảy ra khi electron tiến tới
rất gần với hạt nhân va chạm với hạt nhân và đánh mất tất cả động năng của mình.
Photon phát ra có năng lượng chính bằng động năng của electron, tức nếu electron
có động năng 100 keV thì photon phát ra sẽ có năng lượng đúng bằng 100 keV [26].
Xác suất để electron va chạm trực diện với hạt nhân thì cực kỳ hiếm, vì ở
thang đo nguyên tử, trong một nguyên tử vùng không gian trống chiếm phần lớn,
tiết diện hạt nhân thì cực nhỏ. Do đó tia X năng lượng thấp được tạo ra nhiều hơn,
và số lượng tia X năng lượng cao giảm gần như tuyến tính với giá trị năng lượng
của electron tới.

Hình 1.24. Bức xạ hãm phát ra khi electron tương tác với hạt nhân bia
 Photon có năng lượng cực

Hình 1.25. Electron va chạm trực diện với hạt nhân làm phát ra bức xạ hãm có năng
lượng cực đại
Phổ bức xạ hãm mô tả sự phân bố của photon tia X như là một hàm của năng
lượng. Phổ bức xạ hãm sau khi chưa qua bộ phận lọc tia (hình 1.25.a) có dạng dốc
theo mối quan hệ giữa số lượng và năng lượng tia X tạo ra, năng lượng cực đại
được quyết định bởi giá trị điện áp đỉnh (kVp) đặt vào ống tia X. Khi có bộ lọc tia
thì các tia X năng lượng thấp bị hấp thụ, do đó phổ tia X lúc này có dạng như hình
1.25b.

Hình 1.26. Sự phân bố năng lượng bức xạ hãm ở giá trị điện áp đỉnh 90 kVp (trong
trường hợp không có bộ lọc (đường đứt nét) và có bộ lọc tia (liền nét)
Nhân tố chính ảnh hưởng đến việc phát xạ tia X bao gồm: số nguyên tử của
vật liệu bia, động năng của chùm electron tới (quy định bởi điện thế gia tốc). Tỷ số
gần đúng của năng lượng mất đi cho việc phát bức xạ hãm và năng lượng mất đi
trong các va chạm là:[26]
ER EK Z
≅ (1.5)
E L 820.000

Trong đó: E R : Năng lượng electron dùng vào việc phát bức xạ,
E L : Năng lượng electron mất đi trong va chạm,
E K : Động năng của electron tính theo keV,
Z: Số hiệu nguyên tử của vật liệu anode.
Ví dụ: đối với chùm electron năng lượng 100 keV đến đập vào bia Vonfram
(Z=74), tỷ số xấp xỉ của năng lượng bức xạ và năng lượng mất khi va chạm là:
100,74
= 0,9% , điều đó có nghĩa là có hơn 99% năng lượng của electron chuyển
820.000
thành nhiệt. Đối với electron có năng lượng 6 MeV, tỉ lệ này là 54%, tức lượng
nhiệt không cần thiết tạo ra nhỏ hơn. Như vậy, khi năng lượng của electron tăng lên
thì hiệu suất phát tia cũng tăng lên.
Điện tử sau khi vượt qua được hiệu điện thế U sẽ có năng lượng eU. Khi va
chạm với nguyên tử, một phần năng lượng được bức xạ ra dưới dạng phôtôn, một
phần năng lượng truyền cho nguyên tử, chủ yếu biến thành nhiệt năng [5].
Như vậy: eU = hf + ξδ T 4 .Q (1.6)
Trong đó:
hf là năng lượng chuyển hóa tia X
ξδ T 4 .Q là nhiệt năng không mong muốn
ξ : hệ số nhiệt anode
Q: diện tích anode
δ : hằng số
T: nhiệt độ anode
Tần số cực đại được xác định từ điều kiện cho rằng: một electron đập vào
cathode sẽ phát ra một lượng tử, và toàn bộ động năng của electron dùng để tạo
thành lượng tử. Lúc đó ta có:
h.f max = e.U (1.7)
hc
λ min = (1.8)
e.U
Với: Hằng số Plank h =6,625.10-24 J.s
Điện tích electron e = 1,6.10-19C
Vận tốc ánh sáng c =3.108m/s
1234,5 (1.9)
Thay các giá trị trên vào công thức ta có: λ min = nm
U[V]

1.2.1.2. Bức xạ đặc trưng

Nếu tăng điện áp gia tốc U lên nữa thì đến một điện áp tới hạn nào đó thì trên
phông của phổ liên tục sẽ xuất hiện bức xạ có vạch đỉnh nhọn. Tần số của vạch đỉnh
nhọn đó chỉ phụ thuộc vào điện áp gia tốc U và hoàn toàn đặc trưng cho vật liệu làm
anode. Do đó, bức xạ này được gọi là bức xạ đặc trưng vì năng lượng của nó đặc
trưng cho lớp electron trong nguyên tử. Lúc đó cũng có nghĩa là năng lượng của
điện tử gia tốc bằng hay lớn hơn một giá trị xác định đặc trưng trong chất làm đối
âm cực.
Cơ chế tạo ra phổ tia X đặc trưng, có thể hình dung như sau: trong số các
electron đập vào anode bị hãm lại, có những electron năng lượng lớn có thể xuyên
sâu vào bên trong nguyên tử, va chạm với electron ở lớp trong cùng của nguyên tử
làm cho electron này bật ra khỏi nguyên tử. Chổ trống mà electron vừa rời khỏi
nguyên tử bị các electron ở lớp cao hơn xuống chiếm chỗ. Quá trình chiếm chỗ diễn
ra liên tiếp nhau kèm theo phát bức xạ photon h.ν .
Trường hợp lớp K bị đánh bật đi 1 electron để lại một chỗ trống lập tức từ
các lớp bên ngòai L,M,N electron sẽ chuyển xuống chiếm chỗ trống ở lớp K sẽ làm
xuất hiện các vạch phổ K α , K β , K γ ... Tương tự như vậy nếu ở lớp L bị đánh bật đi 1

electron để lại một chỗ trống, thì từ các lớp vỏ ngoài M,N,O... electron chuyển
xuống chiếm chỗ kèm theo phát xạ các vạch phổ L β , L β , L γ ,... và tương tự như vậy

khi electron lớp ngòai chuyển xuống chỗ trống ở lớp M cho các vạch phổ
M α , M β , M γ ,...
Hình 1.27. Tương tác làm phát ra bức xạ tia X đặc trưng [26]
Trên hình 1.27 mô tả nguyên tử Vonfram với các lớp vỏ K,L,M. Năng lượng
liên kết của electron trong nguyên tử Vonfram ở các lớp K, L, M lần lựơt là 69,5
keV, 12 keV, 2 keV. Electron tới va chạm với một electron ở lớp K và làm bứt
electron ra khỏi quỹ đạo, sau đó cả 2 electron bay ra khỏi nguyên tử. Khi có sự thế
chỗ các electron sẽ làm phát xạ ra 2 photon có năng lượng là 57,5 keV (đây là năng
lượng chênh lệch giữa lớp K và lớp L).
Mặt khác electron ở lớp vỏ ngoài M lại chuyển xuống thế chỗ trống của
electron ở lớp L và làm phát ra photon có năng lượng và 10 keV (phần năng lượng
chênh lệch giữa lớp L và M). Như vậy, năng lượng tia X phát ra đặc trưng cho mức
năng lượng của các lớp electron trong nguyên tử Vonfram.
Để xác định bước sóng tia X đặc trưng, ta vận dụng biểu thức năng lượng
liên kết của điện tử trong nguyên tử phức tạp (Z>1). Vì chỉ có nguyên tử phức tạp
mới cho phổ tia X (tức là chỉ có các nguyên tử với Z lớn).[4]
 Rhc * 2
E n ,l = − (Z ) (1.10)
n2
Với Z* e = ( Z − a )e gọi là điện tích trung bình hiệu dụng, a là hệ số màn chắn
tĩnh điện tích âm đối với hạt nhân. Hệ số a này thay đổi tùy theo từng lớp điện tử.
Đối với lớp K thì hệ số a =1, vậy khi điện tử chuyển từ lớp L vào chỗ trống lớp K sẽ
cho vạch phổ K α tương ứng với tần số:
EL − EK 1 1 3
να = = R.C( 2 − 2 )( Z − 1) 2 = RC.( Z − 1) 2 (1.11)
h 1 2 4
Trong đó: R là hằng số Ritbe; C là vận tốc ánh sáng; Z là nguyên tử số của
nguyên tố hóa học chế tạo nên cathode.
Biểu thức trên gọi là định luật Moseley, công thức này đúng với các nguyên
tử có nguyên tử số Z>30 ( tức là những nguyên tố từ trung bình đến các nguyên tố
nặng). Mỗi dãy phổ đều có vạch đầu và vạch cuối gọi là vạch ranh giới. Vạch đầu là
K α , L α , M α , vạch cuối là K ∞ , L ∞ , M ∞ ... (hình 1.28).

Bức xạ đặc trưng cần thiết trong X quang chẩn đoán là bức xạ phát ra do sự
dịch chuyển electron từ các lớp L,M,N... (thậm chí electron ở bên ngoài nguyên tử)
về lấp đầy lỡ trống ở lớp K. Nếu gọi chỉ số α biểu thị lớp vỏ kề cận lớp K, và β là
lớp vỏ không kề cận và các dịch chuyển tương ứng là K α và K β thì tia X ứng với

K β mang năng lượng lớn hơn. Đối với mỗi lớp vỏ, có những vạch năng lượng rời

rạc của các lớp vỏ con là kết quả của sự tách năng lượng tinh tế của tia X đặc trưng.
Đối với Vonfram, có 3 vạch nổi bật trên nền phổ liên tục là K α1 , K α 2 , K β1 như trong

hình 1.28.
Hình 1.28. Các dãy phổ ứng với các chuyển dời electron trong nguyên tử [4]
Những vạch bức xạ đặc trưng không phát ra bởi sự dịch chuyển về lớp K thì
không quan trọng trong chụp X quang chẩn đoán vì chúng gần như bị suy giảm khi
đi qua cửa số ống phát tia và bộ lọc. Bảng 1.2 liệt kê các giá trị năng lượng liên kết
của các electron ở lớp K tương ứng với năng lượng bức xạ đặc trưng của lớp K ứng
với một số vật liệu anode thông dụng [26].
Bảng 1.2. Năng lượng liên kết của electron lớp K ứng với một số vật liệu
anode
Loại dịch chuyển Vonfram Molybden Rodi
K α1 59,32 17,48 20,22
K α2 57,98 17,37 20,07
K β1 67,24 19,61 22,72

Bức xạ tia X đặc trưng ứng với lớp K chỉ phát xạ khi electron tới anode có
năng lượng lớn hơn năng lượng liên kết của electron ở lớp K, tức điện thế gia tốc
phải lớn hơn 69,5 kVp đối với bia Vonfram, lớn hơn 20 kVp đối với bia Molybden.
Số lượng tia X đặc trưng so với tia X bức xạ hãm tăng theo năng lượng electron tới,
ví dụ với điện áp đỉnh 80 kVp, có khoảng 5% tổng số tia X phát ra là bức xạ đặc
trưng, với điện áp 100 kVp thì tỉ lệ này tăng lên 10%. Việc tạo ra tia X đặc trưng
hầu như là kết quả của tương tác giữa electron-electron, tuy nhiên tương tác giữa
bức xạ hãm và electron thông qua hiệu ứng quang điện cũng có thể làm phát ra tia X
đặc trưng.

Hình 1.29. Các vạch bức xạ đặc trưng ứng với sự dịch chuyển K α và K β trên nền

bức xạ hãm đối với Vonfram ở điện áp 90kVp [26]

1.2.2. Các tính chất của tia X

1.2.2.1. Bản chất của tia X

Tia Rơnghen có bản chất là sóng điện từ như ánh sáng nhưng có bước sóng
nhỏ hơn nhiều so với bước sóng ánh sáng. Ta có thể so sánh bước sóng tia Rơnghen
trong dải sóng điện từ sau đây:
Bảng 1.3. Bước sóng của các loại sóng điện từ
Bức xạ Bước sóng λ
Tia Gamma <0,0012nm
Tia Ronghen (tia X) 0,0012 – 12nm
Tử ngọai 12 – 380nm
Khả kiến 380 – 760nm
Hồng ngoại 760 – 106 nm
Sóng vô tuyến >1mm
 Tính chất của tia X:
- Tia X làm ion hóa không khí, do đó đo mức độ ion hóa của không khí có
thể suy ra đuợc liều lượng tia X. Rọi vào các vật, đặc biệt là kim loại, tia X cũng bứt
được electron ra khỏi vật.
- Tính truyền thẳng và đâm xuyên: là tính chất nổi bật của tia X, nó dễ dàng
đi qua các vật không trong suốt với ánh sáng thông thường như gỗ, giấy, vải, các
mô mềm như thịt, da. Đối với các mô cứng và kim loại thì nó đi qua khó hơn, kim
loại có nguyên tử lượng càng lớn thì tia X càng khó xuyên qua. Tia X có bước sóng
càng ngắn thì khả năng đâm xuyên càng mạnh, khi đó ta nói tia X càng cứng. Đây
là đặc trưng quan trọng trong tạo hình X quang.
- Tính bị hấp thu: sau khi xuyên qua vật chất thì cường độ chùm tia X bị
giảm xuống do một phần năng lượng bị hấp thụ. Đây là cơ sở của các phương pháp
chẩn đoán X quang và liệu pháp X quang.
-Tính chất quang học: giống như ánh sáng, tia X cũng có những hiện tượng
quang học như khúc xạ, phản xạ, nhiễu xạ và tán xạ. Những tính chất này tạo nên
những tia thứ cấp trong cơ thể khi nó xuyên qua và gây nên giảm độ tương phản
trên các phim chụp. Để chống lại hiện tượng này người ta có thể dùng loa khu trú,
đóng nhỏ chùm tia, lưới lọc....
- Tính chất gây phát quang: dưới tác dụng của tia X một số muối trở nên phát
quang như clorua, Na, BA, Mg, Li,... và có chất trở nên sáng như Tungstat cadmi,
platino-cyanua Bari các chất này được dùng để chế tạo màn huỳnh quang dùng khi
chiếu X quang, tấm tăng quang.
- Tính chất hoá học: tính chất hoá học quan trọng nhất của tia X là tác dụng
lên muối bromua bạc trên phim và giấy ảnh làm cho nó biến thành bạc khi chịu tác
dụng của các chất khử trong thuốc hiện hình. Nhờ tính chất này mà nó cho phép ghi
hình X quang của các bộ phận trong cơ thể lên phim và giấy ảnh.
- Tác dụng sinh học: khi truyền qua cơ thể tia X gây ra tác dụng sinh lí hủy
diệt tế bào. Tác dụng này được sử dụng trong điều trị (điều trị ung thư nông) đồng
thời nó cũng gây nên những biến đổi có hại cho cơ thể.
1.2.2.2. Sự hấp thụ tia X
Do các quá trình tương tác quang điện, Compton, tạo cặp nên tia X khi đi
xuyên qua vật chất năng lượng, mật độ chùm tia có thể giảm đi và do đó cường độ
chùm tia sẽ bị suy giảm. Sự suy giảm này được tính theo định luật Beer. Nếu I 0 là
cường độ chùm tia X tới, I là cường độ tia X ra khỏi lớp vật chất, d là bề dày lớp vật
chất mà tia X xuyên qua định luật hấp thụ Beer thể hiện như sau:
I = I 0 .e − µd (1.12)
Trong đó, µ là hệ số suy giảm theo chiều dài đặc trưng cho bản chất hấp thụ
tia X của vật chất và mật độ vật chất. Vì quá trình hấp thụ phụ thuộc ngẫu nhiên vào
xác suất xảy ra các hiệu ứng ở trên nên hệ số suy giảm được xem như là tổng hệ số
suy giảm của từng hiệu ứng:
µ = µτ + µδ + µχ (1.13)

Với µ τ , µ δ , µ χ lần lượt là hệ số suy giảm của hiệu ứng quang điện, hiệu ứng

Compton và hiệu ứng tạo cặp. Trong nhiều trường hợp để thể hiện rõ khả năng làm
giảm cường độ bức xạ qua các loại vật liệu khác nhau người ta sử dụng hệ số suy
giảm khối µ m = µ / ρ trong đó ρ là mật độ vật chất. Áp dụng công thức Beer sẽ làm

xuất hiện đại lượng mới d m = d.ρ (kg/m2) gọi là bề dày khối của bản vật chất. Khi
khảo sát một cách định tính ta thấy rằng sự hấp thụ tia X trong vật chất phụ thuộc
vào một số yếu tố sau:
- Thể tích của vật bị chiếu xạ: vật càng lớn thì tia X bị hấp thu càng nhiều.
Bề dày cơ thể càng lớn, sự hấp thụ tia X càng nhiều. Người ta nhận thấy rằng tia X
sẽ suy giảm 50% khi đi qua lớp vật liệu nào đó dày 1cm thì sẽ giảm 25% nữa khi đi
qua 1cm tiếp theo của vật liệu đó. Và chỉ còn 12,5% khi đi qua độ dày 3cm. Như
vậy sau khi đi qua một vật liệu không dày lắm tia X sẽ chỉ còn không đầy 1% cường
độ ban đầu.
- Bước sóng của chùm tia X: bước sóng càng dài tức là tia X càng mềm thì
sẽ bị hấp thụ càng nhiều.
 - Nguyên tử số của vật chất: số thứ tự của nguyên tử vật chất càng cao thì số
điện tử chứa trong hình cầu nguyên tử càng lớn. Đường kính nguyên tử lớn nên khả
năng va chạm giữa những điện tử và photon tia X lớn nên quá trình hấp thụ càng dễ
xảy ra. Nói cách khác sự thấp thụ tăng theo trọng lượng nguyên tử của chất bị chiếu
xạ.
- Mật độ nguyên tử: số nguyên tử trong một thể tích nhất định của vật càng
nhiều thì sự hấp thu tia X càng tăng. Ví dụ nước ở trạng thái lỏng hấp thụ tia X
nhiều hơn ở trạng thái hơi.
1.2.2.3. Sự tán xạ tia X
Sự tán xạ của tia Roentgen có quy luật khác với sự tán xạ của ánh sáng trong
vùng quang phổ học (là vùng ánh sáng nhìn thấy hay tia tử ngoại). Như ta đã biết,
trong vùng quang phổ học, ở đó độ dài sóng ánh sáng cỡ , như vậy lớn hơn
nhiều kích thước của nguyên tử (cỡ = cm) sự tán xạ tỷ lệ nghịch với lũy
thừa bậc 4 của bước sóng.
Trong vùng tia Roentgen, độ dài bước sóng của nó cùng bậc về giá trị với
kích thước của nguyên tử. Như vậy quy luật về tán xạ với tia Roentgen sẽ phải
khác. Cụ thể, về sự tán xạ được khảo sát như kết quả của những dao động cưỡng
bức của những điện tử dưới tác dụng của trường điện từ của sóng Roentgen tới.
Thomson trước đây đã đưa ra công thức sau cho hệ số tán xạ nguyên tử:
(1.14)

Với : hệ số tán xạ nguyên tử,

e: điện tích của electron ( Coulomb),
m: khối lượng electron (kg),
C: tốc độ ánh sáng (cm/s),
Z: số thứ tự nguyên tố.
Có thể khảo sát như tiết diện hiệu dụng của một electron đối với sự tán xạ
của tia X. Khi đặt vào đó những giá trị đã biết:
 Ta xác định được tiết diện hiệu dụng của nguyên tử
8π e 4
=σa = 2 4
6,57.10−25 cm 2
3 mC
Bán kính hiệu dụng của tiết diện này rất nhỏ

cm

1.3. Nguyên lý hoạt động của máy phát tia X

Khi nung nóng một vật liệu thích hợp, một số electron trong vật liệu trở nên
linh động và bứt ra khỏi vật liệu như các electron tự do. Những electron tự do này
sẽ bao quanh vật liệu như một đám mây electron. Đó là sự phát xạ nhiệt các
electron, được sử dụng để tạo ra nguồn electron tự do trong ống tia X.
Khi một điện thế chạy qua cathode sẽ sinh ra một dòng điện đốt nóng nó đến
dải nhiệt độ phát xạ electron. Sợi đốt được nung nóng với một dòng điện AC có
cường độ nằm trong khoảng từ 1 đến 5A ở hiệu điện thế trong khoảng từ 4 -12V.
Dòng điện trong ống phát bức xạ tia X chạy qua giữa cathode và anode gần bằng
0,1% dòng đốt nóng cathode.
Chùm electron phát xạ nhiệt thoát ra khỏi Cathode theo mọi hướng, do đó
cần hội tụ chùm electron theo hướng nhắm thẳng vào vị trí vết tiêu trên anode. Do
đó cần có hệ thống hội tụ chùm electron, hệ thống hội tụ thường được gọi là chén
hội tụ được lắp xung quanh tim đèn và được nối với 1 cực nguồn DC nhằm tạo ra
một điện trường lái các electron. Để đạt được vết hội tụ nhỏ, chén hội tụ sẽ được
cấp thêm một điện thế âm, điều này sẽ tạo nên một điện trường có các đường sức
cong hơn, mức độ hội tụ sẽ cao hơn. Các bóng X quang thường có vết hội tụ
khoảng 0,6 – 1,6mm.
 Khi đặt một hiệu điện thế vào giữa anode và cathode, trong đó anode mang
điện thế dương thì electron sẽ chuyển động về phía anode và tạo nên dòng điện chạy
trong bóng X quang có chiều từ anode về cathode.
Nếu chúng ta duy trì nhiệt độ cathode ở một giá trị nào đó (do dòng sợi đốt
quyết định) thì số lượng electron bức xạ ở cathode sẽ không đổi. Khi tăng dần điện
thế anode, số lượng điện tử dịch chuyển về anode sẽ tăng làm dòng qua bóng tăng,
đây là trạng thái làm việc chưa bão hòa.Ở trạng thái này dòng điện và điện áp của
bóng X quang còn phụ thuộc vào nhau.
Khi điện áp anode tăng đến một giá trị mà tại đó toàn bộ số điện tử bức xạ
được hút hết về anode, lúc này bóng X quang làm việc ở trạng thái bão hòa. Ở trạng
thái này dòng điện và điện áp không phụ thuộc vào nhau. Đây là trạng thái làm việc
thực tế của bóng X quang. Tuy vậy, trong thực tế không phải lúc nào cũng đạt được
trạng thái này.
Để tạo ra bức xạ cần thiết dùng cho chụp ảnh bức xạ trong công nghiệp thì
điện thế dùng để gia tốc các electron phải nằm trong khoảng từ 30KV đến 30MV.
Các ống phát bức xạ tia X thường sử dụng điện thế gia tốc các electron lên đến
420KV trong khi đó những giá trị điện thế gia tốc các electron lớn hơn được sử
dụng cho các máy gia tốc tuyến tính. Năng lượng của các electron nhận được tương
đương với dải điện thế này.

1.4. Các yếu tố ảnh hưởng đến chất lượng liều ra tia X
Để đánh giá chất lượng liều ra của tia X người ta thường sử dụng các thuật
ngữ: chất lượng (quality) đặc trưng cho khả năng đâm xuyên của chùm tia, số lượng
(quantity) photon phát ra, liều chiếu (exposure). Liều chiếu là tỉ số giữa giá trị tuyệt
đối tổng điện tích dQ của tất cả các ion cùng dấu được tạo ra trong một thể tích
nguyên tố không khí (khi tất cả các electron và positron thứ cấp do các gamma tạo
ra bị hãm hoàn toàn trong thể tích không khí đó) và khối lượng dm của thể tích
nguyên tố không khí [6]. Liều chiếu chịu sự ảnh hưởng của chất lượng và số lượng
chùm tia phát ra. Hiệu suất phát tia, liều chiếu, chất lượng và số lượng chùm tia
được quyết định bởi 6 yếu tố chính: vật liệu anode, điện áp, dòng, thời gian chiếu,
bộ lọc, dạng sóng của điện áp đầu vào.

Vật liệu bia anode ảnh hưởng đến hiệu suất phát bức xạ hãm theo công thức:
ER EKZ
≅ (đã trình bày trong phần 1.3.1.1). Chùm electron tới tương tác nhiều
E L 820.000

hơn với vật liệu có nguyên tử số Z lớn hơn nên hiệu suất phát bức xạ tia X cao hơn.
Mặt khác, năng lượng bức xạ đặc trưng phụ thuộc vào vật liệu bia (trình bày ở phần
1.3.1.2). Vậy vật liệu bia ảnh hưởng trực tiếp đến số lượng photon phát ra và chất
lượng của bức xạ đặc trưng.
Điện áp đỉnh kVp quyết định giá trị năng lượng cực đại của bức xạ và ảnh
hưởng đến chất lượng phổ bức xạ hãm, với giá trị kVp càng lớn thì năng lượng bức
xạ càng lớn. Thêm vào đó hiệu suất phát xạ tia X liên hệ trực tiếp với giá trị kVp.
Trong ống phát bức xạ tia X sử dụng điện thế thấp có 0,1% năng lượng của chùm
electron được chuyển đổi thành bức xạ tia X. Các ống phát bức xạ tia X sử dụng
điện thế 100KV hiệu suất phát bức xạ tia X tăng lên được khoảng 1%. Ở 2MV thì
nó có thể đạt đến 10% và ở 15MV có thể lớn hơn 50%.
Liều chiếu (exposure) gần như tỉ lệ với bình phương kVp:
Liều chiếu ~ (kVp)2 [26]
Ví dụ, theo công thức trên tỉ lệ liều chiếu ứng với điện áp 80 kVp so với
chùm tia ứng với điện áp 60 kVp của cùng một ống tia X và cùng thời gian chiếu
tính được (80/60)2 ~1,78, có nghĩa liều chiếu tăng lên khoảng 78%.
Hình 1.30. Cường độ phát xạ tia X thay đổi mạnh theo giá trị kVp, khi giữ cùng
một giá trị dòng qua ống và thời gian chiếu không đổi
Ta cũng thấy rằng giá trị năng lượng tại đó có nhiều tia X nhất ( điểm cao
nhất trên phổ) có giá trị càng lớn khi kVp càng lớn. Nghĩa là với kVp lớn, đa phần
các tia X trong chùm là có năng lượng cao. Điện áp đỉnh kVp là giá trị cơ bản quyết
định giá trị năng lượng hay khả năng đâm xuyên của tia X. Giá trị kVp càng lớn thì
giá trị năng lượng tia X đạt được càng lớn, giá trị năng lượng cao cho phép tia X dễ
dàng xuyên qua những bộ phận cơ thể có mật độ mô dày nên chất lượng hình ảnh
trên phim tốt. Thêm vào đó, việc sử dụng giá trị điện áp cao sẽ tạo ra lượng tia X
lớn do đó giảm được thời gian chiếu. Điều này có lợi khi chụp phim cho trẻ em hay
những đối tượng không thể kiểm soát sự vận động khi chụp X quang.[26]
Dòng qua ống (mA) bằng số electron đi từ Cathode đến Anode trong một
đơn vị thời gian. Với cùng giá trị kVp và bộ lọc không thay đổi thì liều chiếu của
ống tia X tỉ lệ với giá trị mA. Như đã biết, giá trị mA lựa chọn càng lớn thì nhiệt độ
tim đèn càng cao nên số electron phát xạ ra càng nhiều. Điều này sẽ làm tăng số
lượng hoặc cường độ bức xạ tia X. Như vậy khi mA tăng, diện tích phổ tăng lên
như hình 1.30. Ta thấy khi đó đỉnh phổ không dịch chuyển nghĩa là năng lượng
chùm tia không thay đổi khi thay đổi giá trị mA.[15]
Hình 1.31. Ảnh hưởng của mA lên hiệu suất phát tia X
Việc tăng thời gian chiếu sẽ dẫn tới việc tăng lượng tia X phát xạ ra, ví dụ
nếu tăng thời gian chiếu lên hai lần thì lượng tia X phát ra cũng tăng lên hai lần.
Trong một số máy hiện đại người vận hành có thể đặt lượng mAs. Đại lượng này là
tích số giữa cường độ dòng điện qua ống tia X (tính bằng mA) và thời gian đến
(tính bằng giây). Rõ ràng khi mAs càng lớn, thì lượng tia X đi đến phim càng nhiều,
nói chung hình ảnh sẽ rõ hơn. Tùy thuộc vào bề dày vùng cơ thể khảo sát mà người
vận hành có thể chọn mAs phù hợp. Việc thay đổi thời gian chiếu không ảnh hưởng
lên năng lượng của chùm tia X.
Sự thay đổi kVp phải cân bằng với sự thay đổi mAs để đạt được cùng một
giá trị liều chiếu. Ở ví dụ trên, tỉ số liều chiếu ứng với giá trị điện áp 80 kVp và 60
kVp là 1,78. Để đạt được cùng một giá trị liều chiếu như nhau khi đi qua cơ thể
bệnh nhân thì mAs phải
kVp1 5 thay đổi theo lũy thừa bậc
( ) .mAs1 = mAs 2
kVp 2 5 của tỉ số kVp:[26]

(1.15)

Tức nếu liều chiếu ứng với 60kVp, 40 mAs thì tại giá trị 80kVp thì mAs
60 5
tương ứng phải là: ( ) .40mAs = 9,5mAs
80
Hoặc giá trị mAs cũng có thể được tính theo công thức:[26]
kVp1 4
( ) .mAs1 = mAs 2 . (1.16)
kVp 2

Việc lựa chọn giữa 2 công thức trên phụ thuộc vào bề dày và tính suy giảm
bức xạ khi đi qua cơ thể bệnh nhân.
 Quá trình lọc tia điều chỉnh số lượng và chất lượng tia X bằng việc loại bỏ
các tia X năng lượng thấp ra khỏi phổ. Việc lọc tia làm tăng giá trị năng lượng trung
bình bức xạ từ đó làm tăng chất lượng tia X.
Dạng sóng của điện áp ảnh hưởng đến chất lượng (khả năng đâm xuyên) của
bức xạ. Với cùng giá trị kVp, điện áp một pha cung cấp hiệu điện thế trung bình
thấp hơn điện áp 3 pha. Do đó cả chất lượng và số lượng tia X phát ra đều bị ảnh
hưởng.
Chương 2: AN TOÀN BỨC XẠ TRONG X QUANG CHẨN ĐOÁN Y TẾ

2.1. Các hiệu ứng sinh học của bức xạ ion hóa

2.1.1. Cơ chế tác dụng của bức xạ ion hóa

Các quá trình xảy ra sau khi bức xạ đi vào cơ thể sống là một chuỗi liên tục,
bắt đầu từ những tương tác xảy ra trong một khoảng thời gian cực kỳ ngắn ngủi, đến
những quá trình sinh học có thể âm ỉ hàng chục năm. Dưới tác dụng của bức xạ ion
hóa, trong tổ chức sống trải qua hai giai đoạn biến đổi là giai đoạn hóa lý và giai
đoạn sinh học.
2.1.1.1. Giai đoạn hóa lý
Giai đoạn này thường rất ngắn, chỉ xảy ra trong khoảng thời gian từ 10-16 –
10-13 giây. Trong giai đoạn này các phần tử sinh học chịu tác dụng trực tiếp hay gián
tiếp của bức xạ ion hóa.
Tác dụng trực tiếp: bức xạ ion hóa trực tiếp truyền năng lượng và gây nên
quá trình kích thích và ion hóa các phân tử sinh học dẫn đến tổn thương các phần tử
đó. Tác dụng này dễ dàng quan sát được trên thực nghiệm với các vật chất khô.
Tác dụng gián tiếp: bức xạ ion hóa tác dụng lên phân tử nước (chiếm 75% tổ
chức sống) gây hiện tượng xạ phân các phân tử nước ( H+ , OH-,....) các hợp chất có
khả năng ion hóa cao (HO 2 , H 2 O 2 ,...) đánh lên các phân tử sinh học gây tổn thương
chúng. Những tổn thương trong giai đoạn này chủ yếu là các tổn thương hóa sinh.
2.1.1.2. Giai đoạn sinh học
Giai đoạn này kéo dài từ vài giây đến vài chục năm sau chiếu xạ. Những tổn
thương hóa sinh ở giai đoạn đầu nếu không được hồi phục sẽ dẫn đến những rối
loạn về chuyển hóa, tiếp đến là những tổn thương hình thái và chức năng của tế bào.
Kết quả cuối cùng là những hiệu ứng sinh học trên cơ thể sống được biểu hiện một
cách đa dạng và phong phú.
 Chiếu bức xạ ion hóa

Tác dụng trực tiếp Tác dụng gián tiếp

Giai
đọan
H2O
hóa
O2
lý
Ion, gốc tự do phân tử kích thích
(10-6s)

Các phân tử sinh học quan trọng và các cơ quan của tế bào

Rối loạn chuyển hóa các chức năng tế

Giai đoạn sinh học
bào
(vài giây đến vài chục năm)
Các hiệu ứng sinh học

2.1.2. Những tổn thương do bức xạ ion hóa

2.1.2.1. Tổn thương ở mức phân tử

Khi bị chiếu xạ, năng lượng của chùm bức xạ làm phá vỡ các mối liên kết
hóa học hoặc phân li các phân tử sinh học. Tuy nhiên, các bức xạ ion hóa thường
khó làm đứt hết các mối liên kết hóa học mà thường chỉ làm mất thuộc tính sinh học
của các phân tử sinh học.
2.1.2.2.Tổn thương ở mức tế bào
Sự thay đổi đặc tính của tế bào có thể xảy ra trong nhân và nguyên sinh chất của
chúng sau khi bị chiếu xạ. Trong nhiều trường hợp người ta thấy thể tích tế bào tăng
lên do có sự hình thành các khoảng trống trong nhân và trong chất nguyên sinh sau
khi bị chiếu xạ. Nếu bị chiếu xạ liều cao tế bào có thể bị phá hủy hoàn toàn. Các tổn
thương phóng xạ lên tế bào có thể khiến:
- Tế bào chết do bị tổn thương nặng ở nhân và chất nguyên sinh,
 - Tế bào không chết nhưng không thể phân chia được,
- Tế bào không phân chia được nhưng nhiễm sắc thể tăng lên gấp đôi và trở
thành tế bào khổng lồ,
- Tế bào vẫn có thể phân chia nhưng có rối loạn trong cơ chế di truyền.
2.1.2.3. Tổn thương ở mức cơ thể
Tổn thương gây ra bởi bức xạ là hệ quả của các tổn thương ở nhiều mức độ
liên tục diễn ra trong cơ thể sống từ tổn thương phân tử, tế bào, mô đến tổn thương
các cơ quan và các hệ thống của cơ thể. Hậu quả của những tổn thương này làm
phát sinh những triệu chứng lâm sàng, có thể dẫn đến tử vong. Diễn tiến của tổn
thương bức xạ luôn đi cùng với quá trình phục hồi tổn thương. Sự phục hồi này
cũng diễn ra ở mức độ từ phân tử, tế bào, mô đến hồi phục các cơ quan và hệ thống
trong cơ thể.
2.1.2.4. Các yếu tố ảnh hưởng đến hiệu ứng sinh học của bức xạ ion hóa
[16]
a. Liều chiếu
Liều chiếu là yếu tố quan trọng nhất quyết định tính chất và các tổn thương
sau chiếu xạ. Liều càng lớn, tổn thương càng nặng và càng biểu hiện sớm.
b. Suất liều chiếu
Với cùng liều hấp thụ nếu thời gian chiếu kéo dài sẽ làm giảm hiệu ứng sinh
học của bức xạ. Do với những suất liều nhỏ, tốc độ phát triển những tổn thương cân
bằng với tốc độ hồi phục của cơ thể. Nếu tăng suất liều lên thì tốc độ hồi phục sẽ
giảm xuống, mức độ tổn thương tăng lên, hiệu ứng sinh học cũng tăng theo.
c. Diện tích chiếu
Mức độ tổn thương sau khi chiếu xạ còn phụ thuộc rất nhiều vào diện tích bị
chiếu. Chiếu một phần hay chiếu toàn thân. Liều tử vong khi chiếu toàn thân thấp
hơn nhiều so với liều chiếu cục bộ.
d. Các nhân tố khác
- Nhiệt độ
 Sự thay đổi nhiệt độ sau khi chiếu xạ ảnh hưởng rõ rệt lên các quá trình tổn
thương gây ra do bức xạ. Giảm nhiệt độ sẽ làm giảm tác dụng của bức xạ ion hóa.
Do khi hạ thấp nhiệt độ, tốc độ vận chuyển các gốc tự do tới các phần tử sinh học
giảm, dẫn đến giảm số phân tử sinh học bị tổn thương do chiếu xạ.
Bảng 2.1. Hiệu ứng sinh học theo mức độ liều
Liều Hiệu ứng
Không có dấu hiệu tổn thương lâm sàng.
0,1 Gy Tăng sai lệch nhiễm sắc thể có thể phát
hiện được
Xuất hiện bệnh nhiễm xạ trong số 5-7%
1 Gy
cá thể sau chiếu xạ
Rụng lông, tóc, đục thủy tinh thể, giảm
bạch cầu, xuất hiện ban đỏ trên da. Bệnh
2 -3 Gy nhiễm xạ gặp ở hầu hết các đối tượng bị
chiếu. Tử vong 10-30% số cá thể sau
chiếu xạ
Giảm bạch cầu nghiêm trọng.Ban, xuất
3- 5 Gy huyết, nhiểm khuẩn, rụng lông,tóc. Tử
vong 50% số cá thể sau chiếu xạ
Vô sinh lâu dài ở cả nam và nữ. Tử vong
6 Gy hơn 50% số cá thể bị chiếu ngay cả khi
được điều trị tốt nhất

- Hàm lượng H 2 O
Nước đóng vai trò quan trọng gắn liền với việc tạo nên các gốc tự do dưới
tác dụng của bức xạ ion hóa, do đó hàm lượng nước lớn làm tăng tác dụng ion hóa
của bức xạ.
- Hiệu ứng Oxy
 Độ nhạy cảm của hệ sinh vật tăng lên rõ rệt khi tăng áp suất oxy của môi
trường. Khi tăng nồng độ oxy, lượng HO 2 , H 2 O 2 tạo ra càng nhiều nên số phân tử
sinh học tổn thương càng tăng lên và ngược lại.

2.2. Các tiêu chuẩn về an toàn bức xạ

2.2.1. Lịch sử xây dựng các tiêu chuẩn an toàn bức xạ trên thế giới

Vào cuối thế kỷ 19 khi khám phá ra chất phóng xạ người ta đã nhận thấy các
lợi ích và tác hại của chúng. Năm 1899 đánh dấu thành công đầu tiên trong việc sử
dụng tia X để chữa bệnh ung thư thượng bì trên mặt một phụ nữ. Đi đôi với việc
phát triển các ứng dụng của chất phóng xạ trong y học cũng xuất hiện nhiều báo cáo
về các hiệu ứng có hại của bức xạ. Điều đó đòi hỏi các nhà khoa học phải xây dựng
các quy tắc an toàn bức xạ. Năm 1915 hội Roentgen Anh quốc được thành lập và
Ủy ban X quang và Radium của hội Roentgen Anh quốc đã xuất bản các khuyến
cáo về an toàn bức xạ năm 1921 và 1927. Từ đó thu hút các tổ chức quốc tế quan
tâm và tham gia thiết lập các tiêu chuẩn an toàn bức xạ. Hai tổ chức quốc tế đóng
vai trò quan trọng nhất trong việc khuyến cáo và ban hành các chuẩn an toàn bức xạ
quốc tế là Ủy ban Quốc tế về An toàn Bức xạ ICRP (International Commission on
Radiological Protection) (1928) và Cơ quan Năng lượng Nguyên tử Quốc tế IAEA
(International Atomic Energy Agency).

2.2.2. Các khuyến cáo về an toàn bức xạ của ICRP

Trong hội nghị phóng xạ quốc tế lần thứ hai vào năm 1928, Ủy ban Quốc tế
Bảo vệ X quang và Radium được thành lập. Đến năm 1950 Ủy ban này đổi tên
thành Ủy ban Quốc tế về An toàn Bức xạ ICRP (International Commission on
Radiological Protection). Đây là tổ chức được công nhận là tổ chức có uy tín nhất
về cung cấp các khuyến cáo đối với các vấn đề an toàn bức xạ.
Từ những năm 1930, ICRP đã khuyến cáo mọi tiếp xúc với bức xạ vượt quá
giới hạn thông thường nên giữ ở mức càng thấp càng tốt và đưa ra các giới hạn liều
để những người làm việc trong điều kiện bức xạ và dân chúng nói chung không bị
chiếu quá liều. Cứ sau một khoảng thời gian, khi đã tích lũy được thêm các thông
tin cần thiết về tác động của bức xạ lên con người, ICRP đã xem xét để bổ sung, sửa
đổi các khuyến cáo cũ và đưa ra các khuyến cáo mới. Khuyến cáo gần đây nhất do
ICRP đưa ra vào năm 1990.
Các khuyến cáo của ICRP mang tính chất khái quát, vì vậy các quốc gia khác
nhau có thể áp dụng vào luật lệ của nước mình. Nhờ có tổ chức này mà hầu hết các
quốc gia trên thế giới đều sử dụng những nguyên tắc trong lĩnh vực an toàn phóng
xạ như nhau.
Các khuyến cáo đầu tiên của ICRP dựa trên việc đề phòng các hiệu ứng bức
xạ có hại quan sát được. Các mức liều được khuyến cáo là 300mrem trong một tuần
( 3 mSv/tuần) đối với các mô sâu hơn 1cm gọi là liều sâu và 600 mrem trong một
tuần ( 6 mSv/tuần) đối với lớp da sâu 0,007 cm gọi là liều nông hay liều da. Năm
1959 liều 5 rem/ năm (50 mSv/năm) được đề nghị trong ấn phẩm ICRP 2 nhằm
tránh hiệu ứng di truyền.
Năm 1977 nhiều dữ liệu thu được đối với các nạn nhân Nhật Bản sống sót
sau trận bom nguyên tử cho thấy không nhận được các hiệu ứng di truyền nên ICRP
cập nhật các khuyến cáo an toàn bức xạ của mình. Khuyến cáo mới ICRP 26 thừa
nhận ung thư là hiệu ứng chính cần tránh và các cơ quan cũng như các mô khác
nhau trong cơ thể có xác suất bị ung thư khác nhau. Điều đó đưa đến khái niệm liều
hiệu dụng là liều tương đương tính theo trọng số mô của các mô đối với các bệnh
ung thư. Do đó ấn phẩm ICRP 26 khuyến cáo liều hiệu dụng đối với chiếu xạ nghề
nghiệp là 5 rem/năm (50 mSv/năm) và liều này là tổng liều chiếu ngoài và liều
chiếu trong.
Năm 1990 sau các kết quả nghiên cứu của các nạn nhân sống sót sau trận
bom nguyên tử ở Nhật Bản cho thấy sác xuất gây ung thư cao hơn 4 lần so với
khuyến cáo trước đây. Do đó trong ấn phẩm ICRP 60 (1991) Ủy ban đã khuyến cáo
giảm giới hạn liều hiệu dụng đối với chiếu xạ nghề nghiệp xuống thành 20
mSv/năm được lấy trung bình trong 5 năm, trong đó liều giới hạn cho một năm đơn
lẻ là 50 mSv. Khuyến cáo này dùng làm cơ sở cho tiêu chuẩn về an toàn bức xạ mà
chúng ta hiện đang sử dụng.

2.2.3. Các tiêu chuẩn về an toàn bức xạ của IAEA [6][34][35][38]

Cơ quan Năng lượng Nguyên tử Quốc tế IAEA ( International Atomic

Energy Agency) là tổ chức đặc biệt của Liên hợp quốc thành lập năm 1956 trụ sở tại
Viena, Áo có nhiệm vụ khuyến khích các nước phát triển sự nghiệp ứng dụng kỹ
thuật hạt nhân và năng lượng hạt nhân vì mục đích hòa bình. Do đó, IAEA chú
trọng việc thiết lập các tiêu chuẩn an toàn bức xạ và giúp các nước thực hiện các
tiêu chuẩn này.
Hội đồng thống đốc IAEA lần đầu tiên thông qua các biện pháp bảo vệ và an
toàn bức xạ vào tháng 3 năm 1960 dựa trên các khuyến cáo của ICRP. Các tiêu
chuẩn an toàn đầu tiên được Hội đồng thống đốc IAEA duyệt y năm 1962 và được
xuất bản trong bộ sách về an toàn Safety Series No.9. Bản hiệu chỉnh được xuất bản
năm 1967 và bản hiệu chỉnh lần 2 xuất bản năm 1982.
Năm 1990 Ủy ban hỗn hợp giữa các Tổ chức Quốc tế về An toàn Bức xạ
IACRS (Inter- Agency Committee on Radiation Safety) được thành lập để trao đổi ý
kiến và hợp tác về các vấn đề liên quan đến an toàn bức xạ và hạt nhân. Trong
khuôn khổ của hệ thống này, các tổ chức bảo trợ IAEA, FAO, ILO, OECD/NEA,
WHO và Tổ chức Y tế Pan American PAHO (Pan American Health Organization)
đã lập ra một ban thư ký hỗn hợp để biên sọan tiêu chuẩn quốc tế cơ bản về bảo vệ
đối với bức xạ ion hóa và an toàn đối với các nguồn bức xạ. Các tiêu chuẩn đó được
thể hiện trong ấn phẩm“Tiêu chuẩn an toàn quốc tế cơ bản về bảo vệ bức xạ ion hóa
và an toàn đối với nguồn bức xạ” (International Basic Safety Standards for
Protection against Ionizing Radiation and the Safety of Radiation Sources) xuất bản
trong bộ sách an toàn-Safety Series No.115 năm 1996, gọi tắt là BSS (Basic Safety
Standards).Trong các nguyên tắc do nhóm này kiến nghị đối với các nhà máy điện
hạt nhân có nhiều nguyên tắc thích hợp với các cơ sở và nguồn bức xạ.
 Các tiêu chuẩn này có hiệu lực đối với các tổ chức đồng bảo trợ
IAEA,FAO,ILO, OECD/NEA,PAHO và WHO và không bắt buộc các quốc gia coi
là luật định đối với quốc gia mình và cũng không thay thế cho các điều khỏan của
luật hay quy phạm quốc gia. Chúng chỉ được xem là những điều hướng dẫn thực tế
đối với các nhà chức trách, các tổ chức, các chủ cơ sở, các nhân viên, các cơ quan
an toàn bức xạ chuyên trách, cở sở xí nghiệp và các hội đồng về an toàn và y tế.

2.2.4. Giới hạn liều

Giới hạn liều là giá trị liều cực đại cho phép đối với một người bị chiếu xạ
trong một khoảng thời gian nào đó. Giới hạn liều được xác lập trên cơ sở xem xét
các hiệu ứng sinh học đối với cơ thể người là hiệu ứng tất nhiên và hiệu ứng ngẫu
nhiên. Hiệu ứng tất nhiên là hiệu ứng có ngưỡng, nên giới hạn liều phải thấp hơn
các ngưỡng này sao cho các hiệu ứng tất nhiên phải được loại trừ. Các hiệu ứng
ngẫu nhiên là hiệu ứng không có ngưỡng (hiệu ứng ngưỡng không). Không thể hạ
thấp giới hạn liều để loại trừ hiệu ứng ngẫu nhiên mà chỉ đặt càng thấp càng tốt để
tranh các hiệu ứng tất nhiên và hạn chế các hiệu ứng ngẫu nhiên. Các giới hạn liều
chiếu được chia thành 2 loại là giới hạn liều chiếu xạ nghề nghiệp và giới hạn liều
cho dân chúng.
Chiếu xạ nghề nghiệp là mọi sự chiếu xạ đối với nhân viên bức xạ xảy ra
trong công việc của họ, không tính đến những chiếu xạ được miễn trừ và sự chiếu
xạ từ những công việc bức xạ hoặc nguồn được miễn trừ. Giới hạn liều đối với
chiếu xạ nghề nghiệp được áp dụng cho chiếu xạ từ các công việc bức xạ, loại trừ
các chiếu xạ y tế, chiếu xạ tiềm tàng và chiếu xạ từ các nguồn phóng xạ tự nhiên.
Đối với nhân viên bức xạ, ICRP khuyến cáo rằng liều hiệu dụng tổng cộng mà họ
nhận được và phân bố đều trong suốt đời làm việc 50 năm của mình không nên vượt
quá 1 Sv. Tức liều cho mỗi năm đối với nhân viên bức xạ là 20 mSv trong khi mỗi
người đều phải chịu liều bức xạ tự nhiên trung bình khoảng 2 mSv/năm. Như vậy
liều giới hạn của nhân viên bức xạ gấp khoảng 10 lần mức liều bức xạ tự nhiên.
 Chiếu xạ dân chúng là sự chiếu xạ đối với các thành viên dân chúng từ các
nguồn bức xạ, không kể chiếu xạ nghề nghiệp, chiếu xạ y tế và phông bức xạ tự
nhiên khu vực bình thường, nhưng có tính tới chiếu xạ gây ra bởi các nguồn bức xạ
và các công việc bức xạ đã được cấp phép và chiếu xạ trong các trường hợp can
thiệp. Giới hạn liều đối với dân chúng là 1 mSv/năm chỉ bằng một nửa mức phông
tự nhiên.
Các giới hạn liều còn được quy định cho các cơ quan thường xuyên tiếp cận
với nguồn phóng xạ là chân tay, da và mắt. Giới hạn liều tương đương cho thủy tinh
thể của mắt là 150 mSv/năm, cho da và chân tay là 500mSv/năm đối với nhân viên
bức xạ. Đối với dân chúng, giới hạn liều tương đương cho thủy tinh thể của mắt là
15mSv/năm và cho da là 50 mSv/năm.
Bảng 2.2. Giới hạn liều chiếu khuyến cáo của ICRP
Năm Nhân viên bức xạ Dân chúng
1928 200 mRem/ngày
1934 100 mRem/ngày
1950 150 mSv/năm 15 mSv/năm
1977 50 mSv/năm 5 mSv/năm
1990 20 mSv/năm 1 mSv/năm

2.3. An toàn bức xạ tại các cơ quan y tế theo tiêu chuẩn Việt Nam

2.3.1. Các quy chế an toàn bức xạ đã được ban hành ở Việt Nam

- “Quy chế tạm thời về việc sử dụng, bảo quản và vận chuyển các chất phóng
xạ” do liên bộ Lao động, Y tế, ủy ban khoa học kĩ thuật nhà nước ban hành năm
1971.
- ‘‘Quy phạm an toàn bức xạ ion hóa” (TCVN 4397-87).
- ‘‘Quy phạm vận chuyển an toàn các chất phóng xạ” (TCVN 4985-89).
- ‘‘ Pháp lệnh an toàn và kiểm soát bức xạ” năm 1996.
 - “Nghị định của Chính phủ quy định chi tiết việc thi hành pháp lệnh an toàn
và kiểm soát bức xạ” năm 1998.
- “ Thông tư liên bộ hướng dẫn việc thực hiện an toàn bức xạ y tế” năm 1999.
Như vậy từ năm 1971 đến nay các tiêu chuẩn, quy chế an toàn phóng xạ ở
nước ta đã hoàn thiện dần cho phù hợp với các khuyến cáo của ICRP.

2.3.2. Tiêu chuẩn Việt Nam – TCVN 6561:1999 về an toàn bức xạ ion hóa tại
các cơ sở X quang y tế

TCVN 6561:1999 do ban kỹ thuật tiêu chuẩn TCVN/TC 85, viện năng lượng
hạt nhân biên sọan, tổng cục tiêu chuẩn đo lường chất lượng đề nghị và bộ khoa học
công nghệ và môi trường ban hành. Đây là văn bản chính thức về tiêu chuẩn an toàn
bức xạ ion hóa tại các cơ sở y tế.
2.3.2.1.Phạm vi áp dụng
Tiêu chuẩn này quy định các yêu cầu về đảm bảo an toàn bức xạ ion hóa đối
với các cơ sở y tế, khoa, phòng, đơn vị có sử dụng X quang để chẩn đoán điều trị.
Ngoài việc tuân thủ các quy định trong tiêu chuẩn này, các cơ sở X quang y tế còn
phải tuân thủ quy định hiện hành khác có liên quan đến an toàn bức xạ ion hóa.
2.3.2.2. Nội dung
A. Liều giới hạn
a. Liều giới hạn cho các đối tượng khác nhau
Chú thích
Liều hiệu dụng đối với nhân viên bức xạ là 20mSv/năm được lấy trung bình
trong 5 năm làm việc liên tục. Trong một năm riêng lẻ thì có thể lên tới 50mSv,
nhưng phải bảo đảm liều trung bình trong 5 năm không được vựơt quá 20 mSv/năm.
Trong tình huống đặc biệt, liều hiệu dụng cho nhân viên bức xạ là
20mSv/năm được lấy trung bình trong 10 năm làm việc liên tục và trong một năm
riêng lẻ trong thời gian đó không có năm nào được vượt quá 50mSv.
Bảng 2.3. Liều giới hạn trong một năm
 Loại liều và đối tượng áp Nhân viên bức Thực tập, học Nhân dân
dụng xạ (mSv/năm) nghề (mSv/năm) (mSv/năm)
Liều hiệu dụng toàn thân 20 6 1
Liều tương đương đối với
150 50 15
thủy tinh thể của mắt
Liều tương đương đối với
500 150 50
tay, chân và da

Khi liều hiệu dụng được tích lũy của nhân viên bức xạ kể từ khi bắt đầu của
thời kỳ lấy trung bình cho đến khi đạt tới 100 mSv thì phải xem xét lại. Nếu sức
khỏe vẫn bình thường, không có biểu hiện ảnh hưởng của phóng xạ, không có sự
thay đổi trong công thức thì được tiếp tục công việc đã làm.
Trong tình huống đặc biệt, liều hiệu dụng đối với nhân viên có thể là 5 mSv
trong một năm riêng lẻ nhưng liều trung bình trong 5 năm liên tục không được vượt
quá 1 mSv/năm.
Liều giới hạn đối với người trợ giúp bệnh nhân không được vượt quá 5mSv
trong suốt thời gian chẩn đoán họăc điều trị của bệnh nhân.
b. Liều khuyến cáo để chiếu, chụp 1 phim X quang 1 lần đối với
bệnh nhân
Bảng 2.4 trình bày các giá trị liều khuyến cáo đối với từng kiểu chụp phim
khác nhau. Trong đó liều xâm nhập bề mặt là liều hấp thụ tại tâm điểm của một diện
tích bề mặt nơi bức xạ đi vào cơ thể bệnh nhân đang thực hiện chẩn đoán X quang,
được tính như liều hấp thụ trong không khí bao gồm cả bức xạ tán xạ ngược.
Bảng 2.4. Liều khuyến cáo cho một phim chụp X quang quy ước đối với bệnh
nhân (TCVN 6561:1999)
Liều hiệu dụng Liều xâm nhập bề mặt
Kiểu chụp
(mSv) (mGy)
Sọ
Chụp từ phía trước ra phía sau (AP) 0,06 5
Chụp từ phía sau ra phía trước (PA) 0,04 5
Chụp nghiêng (Lat) 0,03 3
Ngực
PA/AP 0,04 0,4
Lat 0,1 1,5
Cột sống vùng ngực
AP/PA 0,3 7
Lat 0,5 20
Bụng
AP 1,5 10
Cột sống thắt lưng
AP 1 10
Lat 0,7 30
Đốt sống cùng (LSI) 0,5 40
Khung chậu
AP 1,5 10
Vú - 7

Bảng 2.5. Liều khuyến cáo chụp, chiếu X quang qui ước cho 1 lần chụp 1 phim
Tích liều hấp thụ diện
Trường hợp chụp, chiếu Liều hiệu dụng (mSv)
tích (Gy/cm2)
Thụt bari 10 60
Uống bari 5 25
Chụp thận tiêm thuốc cản
6 40
quang tĩnh mạch UIV

B. Bố trí phòng đặt máy X quang

 Địa điểm: cơ sở X quang phải đặt ở nơi cách biệt, bảo đảm không gần các
khoa như khoa nhi, khoa phụ sản, khu vực đông người qua lại v..v..Một cơ sở X
quang tối thiểu phải gồm các phòng riêng biệt sau đây:
a. Phòng chờ (hoặc nơi chờ) của bệnh nhân
Phòng chờ hoặc nơi chờ của bệnh nhân phải tách biệt với phòng máy X
quang. Liều giới hạn ở mọi điểm trong phòng này không đựơc vượt quá giới hạn
cho phép là 1mSv/năm.
b. Phòng đặt máy X quang
Phòng đặt máy X quang đáp ứng các yêu cầu sau:
Thuận tiện cho việc lắp đặt, vận hành thao tác máy, di chuyển an toàn bệnh
nhân. Diện tích phòng tối thiểu là 25 m2, trong đó chiều rộng tối thiểu là 4,5m,
chiều cao phải trên 3m cho một máy X quang bình thường.
Đối với các phòng đặt máy X quang chụp ảnh vú, chụp ảnh răng và chụp cắt
lớp điện toán phải tuân thủ kích thước tiêu chuẩn trong bảng sau:

Bảng 2.6. Kích thước tiêu chuẩn cho phòng đặt máy X quang các loại theo (TCVN
6561:1999)
Diện tích phòng Kích thước tối thiểu
Các loại phòng máy
(m2) (m)
a. Phòng chụp cắt lớp (CT canner)
28 4
+ Hai chiều
40 4
+ Ba chiều
b. Phòng X quang chụp ảnh răng 12 3
- Phòng X quang chụp ảnh vú 18 4
- Phòng X quang tổng hợp 30 4.5
- Phòng X quang loại có bơm thuốc
36 5.5
cản quang để chụp mạch và tim
- Phòng tối rửa phim tự động 7 2.5
 - Phòng tối rửa phim không tự động 8 2.5

Đối với những loại máy mới có thiết kế phòng đặt máy kèm theo của hãng
sản xuất, nếu kích thước nhỏ hơn quy định thì cần phải được phép của cơ quan Nhà
nước có thẩm quyền.
Khi tính toán, thiết kế độ dày của tường, trần, sàn và các cửa của phòng X
quang phải chú ý đến đặc trưng của thiết bị (điện thế, cường độ của dòng điện), thời
gian sử dụng máy, hệ số chiếm cứ bên ngoài phòng X quang mà tính toán chiều dày
thích hợp. Đặc biệt chỗ giáp nối giữa tường và các cửa hoặc giữa các bức tường của
phòng máy X quang phải được thiết kế xây dựng đảm bảo bức xạ rò thoát ra ngoài
không vượt quá 1mSv/năm (không kể phông tự nhiên). Các bức tường của phòng X
quang phía ngoài có lối đi lại phải đảm bảo liều bức xạ cho phép trong một năm
không được vượt quá 1mSv (không kể phông tự nhiên).
Mép dưới cửa thông gió, các cửa sổ không có che chắn bức xạ của phòng X
quang phía ngoài có người qua lại phải có độ cao tối thiểu là 2m so với sàn nhà phía
ngoài phòng X quang.
Phải có đèn hiệu và biển cảnh báo bức xạ ở ngang tầm mắt gắn phía bên
ngoài cửa ra vào phòng Xquang. Đèn hiệu phải sáng trong suốt thời gian máy ở chế
độ phát bức xạ.
Việc lắp đặt máy X quang phải bảo đảm: khi máy hoạt động, chùm tia X
không phát ra hướng có cửa ra vào hoặc hướng có nhiều người qua lại và phải được
che chắn bảo vệ tầm nhìn của mắt khỏi nguồn bức xạ. Chiều cao tấm chắn phải trên
2m kể từ sàn nhà, chiều rộng của tấm chắn tối thiểu là 90cm và độ dày tương đương
là 1,5mm chì.
Các phòng có bố trí 2 máy X quang thì mỗi khi chụp, chiếu chỉ cho phép vận
hành 1 máy. Tùy theo mỗi loại máy mà bàn điều khiển được đặt trong họăc ngoài
phòng X quang. Phải có kính chì để quan sát bệnh nhân và phải bảo đảm liều giới
hạn tại bàn điều khiển không được vượt quá 20mSv/năm tức là 10mSv/h (không kể
phông tự nhiên).
c. Phòng xử lý phim (phòng tối)
Phòng xử lý phim phải biệt lập với phòng X quang. Phòng xử lý phim phải
đảm bảo liều không ảnh hưởng đến quá trình xử lý phim và bảo đảm cho các phim
chưa xử lý không bị chiếu quá liều 1,13 mR/tuần ( không kể phông tự nhiên). Cửa
ra vào phòng xử lý phim không bị chiếu bởi các tia trực tiếp. Hộp chuyển cassette
đặt trong phòng X quang phải có vỏ bọc có độ dày tương đương là 2mm chì.
d. Phòng (hoặc nơi) làm việc của nhân viên bức xạ
Phòng làm việc của nhân viên bức xạ phải biệt lập với phòng máy X quang.
Liều giới hạn cho phép tại bất kỳ điểm nào trong phòng không được vượt quá 1
mSv/năm (không kể phông tự nhiên).
C. Trang bị phòng hộ cá nhân
Nhân viên bức xạ làm việc với máy phát tia X chẩn đoán điều trị phải được
trang bị và phải sử dụng các phương tiện tạp dề cao su chì (độ dày tương đương
0,25mm chì), găng tay cao su chì (độ dày tương đương 0,25mm chì), tấm che chắn
bộ phận sinh dục (bề dày tương đương 0,5mm chì), liều kế cá nhân. Ngoài ra nhân
viên bức xạ phải được theo dõi bức xạ nghề nghiệp định kỳ 3 tháng một lần.
D. Kiểm định và hiệu chuẩn máy
Máy X quang sau khi lắp đặt hoặc sau khi sửa chữa phải được kiểm định và
hiệu chuẩn trước khi sử dụng. Máy X quang phải được kiểm định định kỳ hàng năm
bởi cơ quan có thẩm quyền. Máy phải được bảo dưỡng định kỳ 3 tháng 1 lần, sữa
chữa duy tu mỗi năm một lần sau khi kiểm tra định kỳ hằng năm.
 Chương 3: KHẢO SÁT PHÂN BỐ SUẤT LIỀU XUNG QUANH
PHÒNG MÁY X QUANG CHẨN ĐOÁN Y TẾ BẰNG CHƯƠNG
TRÌNH MCNP

3.1. Giới thiệu chương trình MCNP

3.1.1. Lịch sử của chương trình MCNP

Phương pháp Monte Carlo đã được áp dụng rộng rãi trong việc mô phỏng
các cấu trúc phức tạp nhằm giải các bài toán tương tác trong vật lý hạt nhân. Hiện
nay đã có một số chương trình máy tính dựa trên cơ sở phương pháp Monte Carlo
dùng để mô phỏng quá trình hạt và bức xạ truyền qua môi trường vật chất và đang
được sử dụng phổ biến là MCNP, CYLTRAN, DETEFF, GEANT, GESPECOR...
MCNP là phần mềm vận chuyển bức xạ đa năng dựa trên phương pháp
Monte-Carlo đã được xây dựng ở phòng thí nghiệm quốc gia Los Alamos, Mỹ. Đây
là một công cụ tính toán rất mạnh, có thể mô phỏng số vận chuyển neutron, photon
và electron, giải các bài toán vận chuyển bức xạ 3 chiều phụ thuộc thời gian năng
lượng liên tục trong các lĩnh vực từ thiết kế lò phản ứng đến bảo vệ bức xạ và vật lý
học trong miền năng lượng neutron từ 10-11MeV đến 20 MeV và các miền năng
lượng photon và electron từ 1 keV đến 1000 MeV.
MCNP sử dụng các thư viện dữ liệu của các quá trình hạt nhân, các quy luật
phân bố thống kê, số ngẫu nhiên ghi lại các sự kiện của một hạt trong suốt quá trình
kể từ khi phát ra từ nguồn đến hết thời gian sống của nó.
Chương trình MCNP4C2 trải qua nhiều giai đọan phát triển trong hơn 50
năm qua và hiện nay đã được áp dụng rộng rãi trong nhiều lĩnh vực khoa học hạt
nhân như tính toán che chắn, đánh giá an toàn, thiết kế detector, thăm dò dầu khí, y
học hạt nhân...Trải qua mỗi giai đoạn chương trình được bổ sung và hoàn thiện hơn.
Cụ thể:
Năm 1947, chương trình đầu tiên ra đời được mô tả trong bức thư của John
von Neumann gửi Richmyer. Chương trình gồm 19 bước và các đoạn chương trình
viết bằng ngôn ngữ máy (ngôn ngữ nhị phân tự nhiên biểu hiện bằng các số 0 ,1) và
mỗi đoạn chương trình chỉ giải quyết một bài toán cụ thể.
Năm 1963, chương trình MCS có nhiều ứng dụng được tích hợp và có thể
giải quyết bài toán ở mức độ vừa phải.
Năm 1965, chương trình MCN giải quyết được bài toán tương tác của
neutron với vật chất trong không gian ba chiều, dữ liệu vật lý được lưu trữ riêng và
thư viện số liệu phong phú hơn.
Năm 1973, chương trình MCN kết hợp với chương trình MCG (chương trình
Monte Carlo gamma xử lý các photon năng lượng cao) để tạo ra MCNG – chương
trình ghép cặp neutron-gamma.
Năm 1977, chương trình MCNG kết hợp với chương trình MCP (chương
trình Monte-Carlo photon với xử lý vật lý chi tiết đến năng lượng 1keV) để tạo
thành chương trình MCNP viết tắt của “Monte Carlo Neutron Photon” và hiện nay
là “Monte Carlo N-Particle”. Ở đây hạt N có thể là neutron, photon hoặc electron.
Kể từ đó cứ mỗi hai hoặc ba năm một phiên bản mới được phát hành, tận
dụng những ưu thế về cấu trúc máy tính ngày càng cao, những cải thiện về phương
pháp Monte Carlo và các mô hình vật lý chính xác hơn.
MCNP3 được viết lại hoàn toàn và công bố năm 1983 là phiên bản đầu tiên
được phân phối quốc tế. Các phiên bản tiếp theo MCNP3A và 3B lần lượt được ra
đời tại phòng thí nghiệm quốc gia Los Alamos trong suốt thập niên 1980.
MCNP4 được công bố năm 1990 cho phép việc mô phỏng được thực hiện
trên các cấu trúc của máy tính song song. MCNP4 cũng đã bổ sung vận chuyển
electron.
MCNP4A được công bố năm 1993 với các điểm nổi bật là phân tích thống kê
được nâng cao, nhiều tải đặt bộ xử lý được phân phối để chạy song song trên cụm
các trạm (workstation).
MCNP4B được công bố năm 1997 với việc tăng cường các quá trình vật lý
của photon và đưa vào các toán tử vi phân nhiễu loạn.
 MCNP4C được công bố năm 2000 với các tính năng của electron được cập
nhật, xử lý cộng hưởng không phân giải.
MCNP4C2 có bổ sung thêm các đặc trưng mới như hiệu ứng quang hạt nhân
và các cải tiến của sổ trọng số được công bố năm 2001.
MCNP5 được công bố năm 2003 cùng với việc cập nhật các quá trình tương
tác mới chẳng hạn như các hiện tượng va chạm quang hạt nhân, hiệu ứng giãn nở
Doppler.
Ngoài ra còn có thêm phiên bản MCNPX với các mức năng lượng và chủng
loại hạt được mở rộng.
Hiện nay có khoảng 250 người sử dụng tích cực MCNP ở Los Alamos. Trên
thế giới, có khoảng 3000 người sử dụng tích cực ở khoảng 200 thiết bị. Trong vài
năm gần đây, các tính toán bằng phần mềm mô phỏng MCNP được triển khai ở
Viện Nghiên cứu Hạt nhân Đà Lạt, Trung tâm Nghiên cứu & Triển khai Công nghệ
Bức xạ Tp HCM, Viện Khoa học và Kỹ thuật Hạt nhân Hà Nội, Viện Năng lượng
Nguyên tử Việt Nam...chủ yếu là trong các tính toán tới hạn lò phản ứng và các
phân bố liều bức xạ.

3.1.2. Dữ liệu hạt nhân và phản ứng của MCNP

MCNP sử dụng các thư viện số liệu hạt nhân và nguyên tử năng lượng liên
tục. Các nguồn cung cấp dữ liệu hạt nhân chủ yếu cho MCNP gồm có:
The Evaluated Nuclear Data File (ENDF)
The Evaluated Nuclear Data Library (ENDL)
The Activation Library (ACTL)
Applied Nuclear Science (T-2) Group tại Phòng thí nghiệm Los Alamos.
Các dữ liệu hạt nhân được xử lý theo định dạng thích hợp đối với MCNP
bằng chương trình NJOY.
Các bảng số liệu hạt nhân được cho đối với các tương tác neutron, các tương
tác photon và các tương tác photon được tạo ra do neutron, phép đo liều hay kích
hoạt neutron và tán xạ nhiệt S( α , β ) . Mỗi bảng số liệu có trong MCNP được lập
danh sách trong file xsdir. Những người sử dụng có thể lựa chọn các bảng số liệu
đặc thù qua các kí hiệu nhận dạng duy nhất đối với mỗi bảng ZAID. Các kí hiệu
nhận dạng này có chứa số nguyên tử Z, số khối A và kí hiệu xác nhận thư viện ID.
Có hơn 500 bảng dữ liệu tương tác neutron khả dĩ cho khoảng 100 đồng vị
và nguyên tố khác nhau. Các số liệu tạo photon từ phản ứng của neutron cũng được
cho trong các bảng tương tác này.
Về photon, dữ liệu cung cấp cho các quá trình tương tác với vật chất, nguyên
tố có bậc số Z từ 1 đến 94 như tán xạ kết hợp, tán xạ không kết hợp, hấp thụ quang
điện với khả năng phát bức xạ huỳnh quang và quá trình tạo cặp. Các phân bố góc
tán xạ được điều chỉnh bằng các thừa số dạng nguyên tử và các hàm tán xạ không
đàn hồi.
Các tiết diện của gần 2000 phản ứng kích hoạt và liều lượng học cho hơn 400
hạt nhân bia ở các mức kích thích và cơ bản. Các tiết diện này có thể sử dụng như
hàm phụ thuộc năng lượng trong MCNP để xác định tốc độ phản ứng nhưng không
thể được dùng như các tiết diện vận chuyển.

3.1.3. Cấu trúc của chương trình MCNP

MCNP được viết trên nền tảng ngôn ngữ lập trình ANSI-Standard Fortran
90. Các thủ tục chính trong MCNP gồm có:
IMCN khởi động
- Đọc input file (INP) và lấy kích thước.
- Khởi tạo kích thước của các biến.
- Đọc lại input file lần nữa để lấy các thông số.
- Khởi động thủ tục cho nguồn phát (source).
- Khởi động thủ tục cho tally.
- Khởi động thủ tục cho vật liệu (material) và các file dữ liệu.
- Tính thể tích và diện tích của cell.
PLOT đồ họa hình học
XACT tính toán tiết diện
 - Đọc các thư viện.
- Loại bỏ các dữ liệu neutron nằm ngoài khoảng năng lượng khảo sát trong
bài toán.
- Đưa vào giãn nở Doppler và tính toán tiết diện toàn phần tương ứng trong
trường hợp nhiệt độ trong bài toán cao hơn nhiệt độ của số liệu trong thư viện.
- Truy xuất các thư viện multigroup.
- Truy xuất các thư viện electron, tính toán các quãng chạy, tán xạ, phân bố
góc...
MCRUN chạy chương trình
- Phát hạt từ nguồn.
- Tìm khoảng cách đến biên để vào cell kế tiếp.
- Tìm tiết diện toàn phần của neutron, tán xạ neutron có khả năng tạo
photon.
- Tìm tiết diện toàn phần của photon, tán xạ photon có khả năng tạo
electron.
- Sử dụng xấp xỉ bremsstrahlung (TTB) trong trường hợp không khảo sát
electron.
- Tính vết của hạt.
- Sử dụng các tán xạ multigroup nếu được chọn.
- Tính toán các tally detector hoặc DXTRAN.
- Tính toán các tally mặt, cell hoặc độ cao xung.
Phần quan trọng để có một chương trình MCNP chính là input file có chứa
các thông tin cần thiết của bài toán như các thông số như cấu hình hệ đo, thời gian
gieo hạt, số hạt cần gieo, các thông số chính xác của nguồn được khai báo. Qua các
thông số nhận được MCNP sử dụng thư viện số liệu hạt nhân và các quá trình tính
toán, gieo số ngẫu nhiên tuân theo quy luật phân bố, ghi lại sự kiện lịch sử phát ra
từ nguồn cho đến hết thời gian sống của nó.
Cấu trúc của một file input cho MCNP như sau:
Tiêu đề và thông tin về input file (nếu cần)
 Cell Cards ( định nghĩa các ô mạng)
.........
Dòng trống
Surface Cards (định nghĩa các mặt)
..........
Dòng trống
Data Cards (Mode Cards, Material Cards, Source Cards, Tally Cards,...)
Định nghĩa ô mạng (cell) dựa vào các mặt biên liên kết với nhau tạo thành và
được lấp đầy vật chất đồng nhất tương ứng.
Định nghĩa mặt (surface) là các dạng toàn phương liên kết tạo thành các ô
mạng.
Trong định nghĩa dữ liệu (data) cần phải khai báo: nguồn, vật liệu cấu tạo
các ô mạng, loại đánh giá cần tính toán, số hạt gieo, độ quan trọng của các ô mạng.

3.1.4. Độ chính xác của kết quả và các nhân tố ảnh hưởng

Độ chính xác của các kết quả trong MCNP có thể được đánh giá trên hai khía
cạnh: độ chính xác về mặt thống kê (precision) và độ chính xác về mặt hệ thống
(accuracy).
Độ chính xác về mặt thống kê được đặc trưng bởi sai số tương đối (relative
error) của kết quả, được tạo nên bởi sự thăng giáng thống kê (statistical fluctuation)
trong việc ghi nhận kết quả của từng hạt.
Ngược lại, độ chính xác của hệ thống được đặc trưng bởi sai số hệ thống
(systematic error) được đánh giá dựa trên sự sai lệch giữa kết quả ước lượng được
(estimated value) so với giá trị thực sự (true value) của nó. Đây là một đại lượng rất
quan trọng, nhưng hầu như khó có thể xác định được đại lượng này trong thực tế.
Một số nhân tố ảnh hưởng đến độ chính xác của kết quả về mặt thống kê lẫn
hệ thống:
Về mặt thống kê:
 - Phương thức tính toán: đối với những bài toán có nguồn phân bố trong
một không gian rộng lớn hoặc tally ghi nhận trong một không gian nhỏ, việc mô
phỏng kết hợp sẽ cho kết quả thống kê tốt hơn là mô phỏng một cách bình thường.
- Loại tally: việc lựa chọn loại tally có thể ảnh hưởng tới độ chính xác của
kết quả. Ví dụ, detector dạng điểm thường ít chính xác hơn detector dạng mặt trong
bài toán tán xạ.
- Kĩ thuật giảm phương sai.
- Số lịch sử hạt.
Về mặt hệ thống:
- Mô hình vật lý, tương tác, thư viện tiết diện...
- Mô tả hình học (mô tả không chính xác cấu hình, vật liệu, phân bố góc
của nguồn,...)
- Lỗi của người dùng (sử dụng sai các option, sử dụng chương trình không
đúng....).

3.2. Tally đánh giá

3.2.1. Tally F4

Để khảo sát phân bố liều trong phòng chụp, chúng tôi sử dụng tally F4 để
đánh giá suất liều tại một số điểm trong phòng X quang và so sánh với kết quả thực
nghiệm.
Tally F4: được sử dụng để xác định độ dài vết ứng với các khoảng năng
lượng được chia. Các kết quả ghi nhận được trong tally F4 là độ dài vết của các
photon có năng lượng tương ứng đi qua các voxel trong một cell. Khi hạt đi qua một
voxel thì nó sẽ bỏ lại năng lượng do tương tác với các vật chất trong cell đó.
Khi tiến hành mô phỏng, tôi sử dụng tally F4 do đó kết quả trả về của
MCNP5 là thông lượng photon tại các cell với đơn vị là hạt/cm2. Sau khi nhân hệ số
chuyển đổi đơn vị thì kết quả cuối cùng của MCNP5 có đơn vị là rem/h. Giá trị
được tính bởi MCNP5 là liều chiếu trung bình tính trên 1 electron đến tương tác với
bia trong 1 giây. Như vậy muốn tính suất liều chiếu trong 1 giờ, ta phải nhân với số
electron trung bình đến tương tác với bia trong 1 giờ.
Giá trị dòng sử dụng khảo sát thực nghiệm là I=200mA, mà q=I.t= n.e, do đó
số electron đến bia trong 1 giờ được tính như sau:
n I 200.10 −3 electron
= = −19
= 1,25.1018 ( )
t e 1,6.10 s

Như vậy giá trị mô phỏng khi chuyển qua đơn vị ( µSv / h ) thì phải nhân với
hệ số chuyển đổi fm=1,25.1022.

3.2.2. Tally Fmesh4

Fmesh4 là một card giúp cho người dùng có thể tạo ra một mạng lưới (mesh)
các ô và ước lượng các giá trị (liều, năng lượng…) trong mỗi ô này. Ưu điểm của
việc dùng fmesh là giúp làm giảm thời gian tính toán đối với những cấu hình gồm
nhiều voxel. Do đó trong luận văn, khi khảo sát phân bố liều trong và ngoài phòng
X quang chúng tôi sử dụng tally fmesh4.

3.2.3. Tally F2

Ngoài ra để đánh giá cấu hình máy X quang thông qua việc khảo sát phổ tại
lối thoát tia của ống phát tia X, chúng tôi sử dụng tally F2 để ghi nhận thông lượng
hạt tại lối ra ống phát tia. Tally F2 tính thông lượng qua một mặt sử dụng mối quan
hệ giữa thông lượng và dòng : J ( r , E, t , µ) = µ Φ ( r , E, t , µ) A (3.1)
Thông lượng sẽ được tính bằng công thức:
W/ µ * A (3.2)

3.3. Kết quả khảo sát phân bố liều xung quanh phòng máy X quang chẩn đoán
y tế bằng chương trình MCNP
Trong luận văn này chúng tôi sử dụng chương trình MCNP5 để mô phỏng
máy X quang thường quy đặt tại phòng chụp X quang chẩn đoán ở bệnh viện Nhi
đồng I. Từ đó đánh giá phân bố suất liều hấp thụ xung quanh máy phát trong và
ngoài phòng và đánh giá an toàn che chắn của phòng khảo sát.

3.3.1. Mô tả phòng X quang thường quy tại bệnh viện Nhi đồng I

3.3.1.1. Mô tả phòng chụp X quang thường quy ở bệnh viện Nhi đồng I
Kích thước bên trong phòng: chiều rộng 394 cm ứng với trục x, chiều dài
450 cm ứng với trục y, chiều cao 355 cm ứng với trục z.
Tường: bề dày 24 cm làm bằng bê tông có lót chì 2 mm, chì được lót bên
trong tường từ mặt đất lên đến độ cao 240 cm.
Cửa bệnh nhân: là loại cửa kéo có chiều cao 220 cm, rộng 160 cm, bề dày 4
cm làm bằng thép có lót chì 2 mm.
Cửa phòng điều khiển: cao 220 cm, rộng 96 cm, bề dày 4cm làm bằng thép
có lót chì 2 mm.
Loại chì lót tường và lót cửa là chì tấm, Trên tường ngăn cách với phòng
điều khiển có lắp kính chì có kích thước 54 cm x 74 cm, dày 1 cm có mép dưới
cách mặt đất 109 cm.

Hình 3.1. Quang cảnh phòng chụp X quang thường quy ở bệnh viện Nhi đồng I
Gốc tọa độ được chọn ngay tâm sàn, trục Oz hướng lên, Ox hướng về phía
phòng điều khiển, Oy hướng ra phía cửa bệnh nhân. Khu vực bên ngoài tường theo
chiều dương của trục Oy là khu vực ngồi chờ của bệnh nhân. Bên ngoài tường theo
chiều âm của trục Oy là sân bệnh nhân. Khu vực bên ngoài tường theo chiều dương
của trục Ox là phòng làm việc của nhân viên bức xạ. Bên ngoài tường theo chiều
âm của trục Ox là hành lang bệnh viện.

Hình 3.2. Mô phỏng 3D phòng X quang nhi đồng 1 bằng chương trình MCNP5

Hình 3.3. Mô phỏng các lớp chì trần, chì tường, chì ốp cửa, kính chì,vị trí ống phát
tia X bằng MCNP5

3.3.1.2. Thông số và cấu trúc hình học máy X quang

 Máy X quang thường quy sử dụng ở phòng khám của bệnh viện Nhi đồng 1
là loại máy X quang thường quy có anode xoay hiệu RADspeedM của hãng
Shimadzu, Nhật Bản.

Hình 3.4. Máy X quang sử dụng ở bệnh viện Nhi đồng 1

Các thông số máy như sau:

Hình 3.5. Kích thước cấu hình đầu bóng phát tia X tính theo mm (inch) [13]
Anode là hợp chất của Reni và Vonfram đường kính 100 mm. Góc nghiêng
160, điện thế cực đại là 150 kV, dòng cực đại 5,6 A.
Bộ lọc tương đương 1,5mm Al (Bộ lọc sẵn có (inherent filter) tương đương 1
mmAl, bộ lọc bổ sung, additional filter, tương đương 0,5 mmAl).
 Bức xạ rò trong 1h từ ống phát tại khoảng cách 1m tính từ tâm bóng thấp hơn
2,97x10-5 C/kg (115 mR).
Bức xạ rò trong 1h từ collimator thấp hơn 1,04x10-5 C/kg (40,3 mR). Trường
chiếu 35 cm x 35 cm tại khoảng cách 65 cm tính từ tâm bóng.
Collimator: loại collimator sử dụng là R-20J của hãng Shimadzu có cấu trúc
như hình 3.6. Cấu trúc bên trong collimator gồm hệ 3 lớp chì:
Lớp thứ nhất: Inner leaf là hệ các lá chì bố trí như hình 3.8 có bề dày 2 mm.
Lớp thứ hai: Middle leaf hệ các lá chì như lớp inner leaf dày 3 mm. Lớp thứ ba:
Front leaf hệ các lá chì như lớp inner leaf dày 2 mm. Trong hộp collimator có một
tấm Al bề dày 0,5 mm đóng vai trò là tấm lọc bổ sung.

Hình 3.6. Cấu trúc collimator loại R-20J

Hình 3.7. Mô hình ống phát tia X và hệ thống Collimator của hãng Shimadzu

3.3.2. Kiểm tra hiệu lực của mô hình - chuẩn hóa kết quả mô phỏng

3.3.2.1. Khảo sát thực nghiệm suất liều chiếu từ chùm tia X sơ cấp theo
khoảng cách so với tâm phát
Để kiểm tra hiệu lực của chương trình mô phỏng, chúng tôi tiến hành khảo
sát suất liều chiếu của chùm sơ cấp theo khoảng cách từ nguồn phát tia X bằng máy
đo suất liều chiếu nhãn hiệu RAD Check Gammex.

Hình 3.8. Vỏ ống chân không và cấu trúc bên trong collimator được
mô phỏng bằng MCNP5

Hình 3.9. Anode và hệ thống cửa sổ Bakelite, các lớp trong collimator được
mô phỏng bằng MCNP5
Chế độ chiếu chụp khi đo: 70 kVp, 200 mA, 100 ms. Input file được trình
bày trong phụ lục 1. Kết quả đo được trình bày trong bảng 3.1 dưới đây. Trong đó
suất liều chiếu đo được trên hệ RAD Check Gammex tính theo đơn vị (R/mAs)
được cho trong cột thứ 3 của bảng 3.1, và suất liều hấp thụ tương đương quy đổi
sang đơn vị thường dùng là ( µSv / h ) được cho ở cột thứ 4 của bảng 3.1.
Bảng 3.1. Kết quả đo suất liều theo khoảng cách
Khoảng cách
Suất liều Suất liều quy đổi
nguồn phát – máy Tọa độ
(R/mAs) ( µSv / h )
đo (cm)
50 (-52 47 120,5) 0,6540 4,1296.109
60 (-52 47 110,5) 0,4127 2,6057.109
70 ( -52 47 100,5) 0,2883 1,8207.109
80 (-52 47 90,5) 0,2097 1,3239.109
90 (-52 47 80,5) 0,1607 1,0145.109
100 ( -52 47 70,5) 0,1217 7,6825.108
110 ( -52 47 60,5) 0,0977 6,1671.108
120 ( -52 47 50,5) 0,0747 4,7148.108
3.3.2.2. Mô phỏng suất liều từ chùm tia X sơ cấp theo khoảng cách so với
tâm phát và chuẩn theo thực nghiệm
Hình 3.10. Hình chụp các vị trí đặt các cell khảo sát liều vẽ bằng MCNP5
Với mô hình máy phát tia X và phòng đã xây dựng, chúng tôi tiến hành mô
phỏng suất liều chiếu từ dòng sơ cấp bằng việc đặt các cell khảo sát trên hướng phát
tia tại các vị trí cách nguồn phát tia X từa 40 cm đến 170 cm. Các cell này được bố
trí cách đều nhau 10 cm như trong hình 3.10.
Tiến hành ghi nhận suất liều tại các cell này bằng tally F4 với chế độ chiếu
chụp giống như chế độ đo đặc trong thực nghiệm : 70 kVp, 200 mA, 100 ms.
Kết quả thu được sau khi nhân hệ số chuyển đổi đơn vị được trình bày trong
bảng 3.2 dưới đây.

Bảng 3.2. Giá trị suất liều mô phỏng tại các khoảng cách khảo sát và sai số thống kê
tương đối tương ứng
Khoảng cách so
STT với nguồn phát Suất liều ( µSv / h ) Sai số tương đối (%)
(cm)
1 40 1,2690.109 1,15
2 50 7,7575.108 1,47
3 60 5,0505.108 1,82
 4 70 3,5821.108 2,17
5 80 2,6501.108 2,51
6 90 2,0281.108 2,86
7 100 1,6164.108 3,21
8 110 1,3053.108 3,58
9 120 1,0597.108 3,94
10 130 8,7856.107 4,29
11 140 7,5760.107 4,65
12 150 6,7139.107 4,90
13 160 5,7429.107 5,24
14 170 5,3361.107 5,44

Dựa trên kết quả mô phỏng tôi tiến hành vẽ đồ thị suất liều theo khoảng cách
giữa nguồn phát và vị trí ghi nhận như trong hình 3.11. Kết quả cho thấy suất liều
chiếu suy giảm theo khoảng cách dạng hàm mũ. Các điểm gần nguồn phát (anode)
thì giá trị suất liều cao, các điểm xa nguồn phát thì suất liều giảm dần. Giá trị tuyệt
đối của suất liều mô phỏng được chuẩn theo kết quả thực nghiệm đo chùm tia sơ
cấp trình bày ở phần trên.
Hình 3.11. Đồ thị suất liều ( µSv / h ) theo khoảng cách nguồn – máy đo (cm)
3.3.2.3. Mô phỏng phổ tia X trong máy X quang Nhi đồng I

Để đánh giá mô hình X quang được mô phỏng, trong nội dung luận văn
chúng tôi còn sử dụng tally F2 để ghi nhận phổ tia X tại lối ra với chế độ điện áp
100kV. Việc khảo sát phổ tia X được thực hiện trong trường hợp có tấm lọc bổ sung
và không có tấm lọc bổ sung, kết quả cho phổ như hình 3.12. Đường đồ thị màu đỏ
ứng với phổ tia X khi không sử dụng tấm lọc bổ sung, đường màu xanh ứng với phổ
tia X khi có tấm lọc bổ sung.
Nhìn vào đồ thị ta nhận thấy tác dụng lọc tia khi có tấm lọc bổ sung, cụ thể
số lượng photon năng lượng thấp bị hấp thụ, nên chiếm ít hơn so với trường hợp
không có tấm lọc bổ sung. Chú ý bên trong máy X quang còn có sự đóng góp tác
dụng lọc tia của bộ lọc sẵn có (inherent filter) như thủy tinh ống chân không, cửa
nhựa Bakelite, dầu cao áp nên đã loại bỏ bớt các photon năng lượng thấp không cần
thiết trong ghi nhận hình ảnh. Do đó trong trường hợp khảo sát không có tấm lọc
bổ sung, phổ vẫn được lọc nhờ bộ lọc sẵn có.
Hình 3.12. Mô phỏng phổ tia X tại giá trị điện áp 100kV
Ngoài ra khi ghi nhận phổ tia X của Vonfram ta còn thu nhận được các đỉnh
K α1 , K α 2 , K β1 là các đỉnh phổ tia X đặc trưng của Vonfram. So sánh với số liệu tính

toán lý thuyết trong bảng 1.2. cho thấy sự sai lệch tương đối là rất nhỏ.
Bảng 3.3. So sánh kết quả mô phỏng và thực nghiệm các đỉnh tia X đặc trưng của
Vonfram
Loại dịch chuyển Thực nghiệm Mô phỏng Sai lệch (%)
K α1 59,32 60,4 1,82

Kα 2 57,98 58,5 0,90

K β1 67,24 67,4 0.24

3.3.3. Mô phỏng phân bố suất liều trong phòng chụp X quang bằng tally
Fmesh với các chế độ chiếu chụp khác nhau

Khi dùng tally Fmesh để khảo sát phân bố suất liều trong phòng chụp X
quang số lượng các cell khảo sát rất lớn. Do dó chương trình đòi hỏi tốn rất nhiều
thời gian cũng như số lịch sử hạt để đạt được độ chính xác thống kê mong muốn. Ở
đây chúng tôi sử dụng kỹ thuật giảm phương sai để cải thiện tốc độ chạy chương
trình và tăng độ chính xác thống kê.
Dưới đây trình bày việc mô phỏng phân bố suất liều với các chế độ chiếu
chụp khác nhau. Đồ thị phân bố suất liều được mô phỏng theo mặt cắt ngang phòng
tại vị trí có độ cao z =42,6 cm, đây là độ cao ứng với bàn bệnh nhân. Tọa độ tâm
nguồn phát tia tại vị trí ứng với x = -53 cm; y = 47 cm; z = 170,5 cm. Các khu vực
quan tâm gồm:
Khu vực I: tâm trường chiếu.
Khu vực II: vùng lân cận cách tâm trường chiếu 50 cm.
Khu vực III: vùng không gian nằm ở biên trong tường ngăn cách phòng chụp
X quang và khu vực bệnh nhân ngồi chờ (trên đồ thị là vùng ứng với giá trị y max).
Khu vực IV: vùng không gian nằm ở biên trong tường ngăn cách phòng chụp
X quang và phòng điều khiển (trên đồ thị là vùng ứng với giá trị x max).
Khu vực V: vùng không gian biên trong tường ngăn cách phòng chụp X
quang và hành lang bệnh viện (trên đồ thị là vùng ứng với giá trị x min).
Khu vực VI: vùng không gian biên trong tường ngăn cách phòng chụp X
quang và sân bệnh viện (trên đồ thị là vùng ứng với giá trị y min).
3.3.3.1. Mô phỏng phân bố suất liều ứng với chế độ chụp có khảo sát
thực nghiệm 70 kVp, 200 mA, 100 ms

Hình 3.13 trình bày đồ thị phân bố suất liều mô phỏng theo mặt cắt ngang
phòng tại vị trí có độ cao z = 42,6 cm (vị trí bàn bệnh nhân) ứng với chế độ chiếu
chụp giống với khi đo: 70 kVp, 200 mA, 100 ms.
Dựa vào đồ thị phân bố ta có thể thấy khu vực tâm trường chiếu suất liều có
giá trị cực đại cỡ 5.108 µSv / h . Càng ra xa tâm trường chiếu giá trị suất liều càng
giảm dần. Khu vực bán kính 50 cm xung quanh tâm trường chiếu có giá trị liều nằm
trong khoảng 1,4339.106 µSv / h ÷ 4,8770.108 µSv / h . Khu vực biên tường ngăn cách
khu vực ngồi chờ của bệnh nhân giá trị liều trong khoảng 1,5011.104 ÷
2,8287.105 µSv / h .
Biên trong tường ngăn cách phòng điều khiển: 9,6119.103 ÷
1,6850.105 µSv / h . Bên trong tường ngăn cách hành lang bệnh viện: 8,5085.103 ÷

4,8965.105 µSv / h . Biên trong tường ngăn cách sân bệnh viện: 1,3187.104 ÷
1,1978.105 µSv / h .

Hình 3.13. Mô phỏng phân bố suất liều tại vị trí bàn bệnh nhân ở chế độ chụp 70
kVp, 200 mA, 100 ms
3.3.3.2. Mô phỏng phân bố suất liều ứng với các chế độ chụp trên bảng
điều khiển

Hiện nay, các máy chụp X quang hiện đại đều có các chế độ làm việc cài đặt
sẵn trên bảng điều khiển. Do đó, chúng tôi cũng tiến hành mô phỏng phân bố suất
liều trong phòng ứng với các chế độ chụp khác nhau tại cùng cao độ z = 42,6 cm.
Bảng 3.4. Các chế độ chụp của phòng X quang chẩn đoán thường quy tại bệnh viện
nhi đồng I
STT Chế độ chụp kVp mAs ms mA
1 Chân 46 1 4 250
 2 Ngực 52 1 2 500
3 Hộp sọ 62 1,4 2,8 500
4 Tay 53 200 25 8000
5 Bụng (chụp thẳng) 75 3,6 7,1 507
6 Đầu gối 53 200 25 8000
7 Nhũ & Lưng 120 160 32 5000
8 Bụng (chụp nghiêng) 90 12,5 32 390
9 Ngực AP 72 2,8 5,6 500

A. Chế độ chụp ngực

Hình 3.14 trình bày phân bố suất liều hấp thụ trong phòng X quang khảo sát
ở tại cao độ z = 42,6cm với chế độ chụp ngực: 52 kVp, 1 mAs, 2 ms, 500 mA.

Hình 3.14. Mô phỏng phân bố suất liều mặt (xy) của chế độ chụp ngực
Như vậy với chế độ làm việc của máy X quang tại bệnh viện nhi đồng đảm
bảo an toàn cho bệnh nhân khi chụp ngực.
B. Chế độ chụp chân
 Hình 3.15 trình bày phân bố suất liều hấp thụ trong phòng X quang khảo sát
ở tại cao độ z = 42,6 cm với chế độ chụp chân: 46 kVp, 1 mAs, 4 ms, 250 mA.

Hình 3.15. Mô phỏng phân bố suất liều xy của chế độ chụp chân
C. Chế độ chụp tay

Hình 3.16 trình bày phân bố suất liều hấp thụ trong phòng X quang khảo sát
ở tại cao độ z = 42,6 với chế độ chụp tay: 53 kVp, 5 mAs, 25 ms, 200 mA.

Hình 3.16. Mô phỏng phân bố suất liều mặt (x,y) của chế độ chụp tay
D. Chế độ chụp bụng (chụp thẳng)

Hình 3.17 trình bày phân bố suất liều hấp thụ trong phòng X quang khảo sát
ở tại cao độ z = 42,6 cm với chế độ chụp bụng: 75 kVp; 3,6 mAs; 7,1 ms; 507 mA.
Hình 3.17. Mô phỏng phân bố suất liều mặt (x,y) ứng với chụp bụng thẳng
E. Chế độ chụp bụng (chụp nghiêng)
Hình 3.18 trình bày phân bố suất liều hấp thụ trong phòng X quang khảo sát
ở tại cao độ z = 42,6 cm với chế độ chụp bụng: 90 kV; 12,5 mAs; 32 ms, 390 mA.

Hình 3.18. Mô phỏng phân bố suất liều mặt (x,y) của chế độ chụp bụng 90kV
F. Chế độ chụp nhũ và lưng
 Hình 3.19 trình bày phân bố suất liều hấp thụ trong phòng X quang khảo sát
ở tại cao độ z = 42,6 cm với chế độ chụp nhũ - lưng: 120 kV; 5,12 mAs; 32 ms;
160 mA.

Hình 3.19. Mô phỏng phân bố suất liều mặt (x,y) của chế độ chụp nhũ – lưng
G. Chế độ chụp hộp sọ

Hình 3.20 trình bày phân bố suất liều hấp thụ trong phòng X quang khảo sát
ở tại cao độ z = 42,6 cm với chế độ chụp sọ: 62 kVp, 1,4 mAs, 2,8 ms, 500 mA.

Hình 3.20. Mô phỏng phân bố suất liều mặt (x,y) của chế độ chụp sọ
H. Chế độ chụp đầu gối
 Hình 3.21 trình bày phân bố suất liều hấp thụ trong phòng X quang khảo sát
ở tại cao độ z = 42,6 cm với chế độ chụp đầu gối: 53 kVp, 5 mAs, 25 ms, 200 mA.

Hình 3.21. Mô phỏng phân bố suất liều mặt (x,y) của chế độ chụp đầu gối
I. Chế độ chụp ngực AP

Hình 3.22 trình bày phân bố suất liều hấp thụ trong phòng X quang khảo sát
ở tại cao độ z = 42,6 cm với chế độ chụp ngực AP: 72 kVp; 2,8 mAs; 5,6 ms; 500
mA.

Hình 3.22. Mô phỏng phân bố suất liều mặt (x,y) của chế độ chụp ngực AP
Bảng 3.5. So sánh giá trị suất liều giữa các chế độ chụp
 Giá trị suất liều ( µSv / h )
Chế độ
Khu Khu vực Khu vực Khu vực Khu vực Khu vực
chụp
vực I II III IV V VI

1,5882.106 7,6343.103 9,4436.103 3,0210.102 7,0458.103

8
Ngực 6.10 ÷ ÷ ÷ ÷ ÷
1,2020.108 3,3551.105 1,7913.105 5,1564.105 1,8813.105
5,7438.105 7,6877.103 1,2533.103 2,1903.102 3,6619.102
Chân 2,6.108 ÷ ÷ ÷ ÷ ÷
4,6295.107 1,6612.105 1,0162.105 1.9998.105 6,0468.104
5,8585.105 8,3384.103 2,1898.103 9,2048.103 3,4560.103
Tay 3.108 ÷ ÷ ÷ ÷ ÷
5,0272.107 1,5214.105 7,9309.104 1,8898.105 7,9503.104
Bụng 3,8218.106 3,2597.104 4,3525x104 6,6939.104 2,2900.104
109 ÷ ÷ ÷ ÷ ÷
(75kV)
2,4473.108 8,2549.105 4,7231.105 1,1759.106 3,2635.105
Bụng 5,0146.106 6,6479.104 4,0125.104 1,3721.105 5,5526.104
109 ÷ ÷ ÷ ÷ ÷
(90kV)
8,5713.107 1,0294.106 4,8403.105 1,4191.106 4,3687.105
Nhũ & 4,0674.106 4,3577.104 6,8873.104 1,0938.105 6,4705.104
8.108 ÷ ÷ ÷ ÷ ÷
Lưng
4,5218.108 6,5695.105 3,5704.105 1,2821.106 2,7157.105
2,7901.106 4,9156.104 3,2383.104 6,2112.104 3,7296.103
Sọ 9.108 ÷ ÷ ÷ ÷ ÷
1,5097.108 5,9908.105 2,6230.105 8,6990.105 2,3631.104
5,8585.105 8,3384.103 2,1898.103 9,2048.103 3,4560.103
Đầu gối 3.108 ÷ ÷ ÷ ÷ ÷
5,0272.107 1,5214.105 7,9309.104 1,8898.105 7,9503.104
3,7958.106 4,6553.104 2,0973.104 5,6241.104 2,1510.104
Ngực AP 109 ÷ ÷ ÷ ÷ ÷
1,2192.108 7,7889.105 3,8533.105 1,1315.106 3,4804.105

Bảng 3.5 trình bày sự so sánh các giá trị suất liều từng khu vực giữa các chế độ
chiếu chụp khác nhau.
3.3.3.3. Mô phỏng phân bố suất liều trong phòng chụp khi giảm kích
thước phòng
Theo thống kê ở thành phố Hồ Chí Minh hiện nay kích thước phòng chụp X
quang nhỏ nhất có nơi chỉ có 12m2. Để nghiên cứu ảnh hưởng của việc giảm kích
thước phòng lên phân bố suất liều trong phòng tôi tiến hành mô phỏng suất liều
bằng tally fmesh khi giảm kích thước phòng từ 17,7m2 xuống còn 12m2, tại chế độ
làm việc 75kV, 200mA, 100ms là chế độ khảo sát bằng thực nghiệm.

Hình 3.23. Phân bố suất liều cho khu vực phòng chụp dự kiến thu hẹp kích thước
Trước hết tôi mô phỏng phân bố suất liều cho phần không gian có diện tích
12m2 (300cm x 400cm) trong phòng chụp thực tế của bệnh viện Nhi đồng I (394cm
x 450cm). Đây chính là phần không gian dự kiến thu hẹp kích thước phòng, có đồ
thị phân bố suất liều như hình 3.23.
Sau đó tiến hành mô phỏng cho phòng chụp đã thu hẹp kích thước phòng
xuống còn 12m2 (300cm x 400cm). Đồ thị phân bố suất liều trong phòng sau khi thu
hẹp kích thước xuống 12m2 được thể hiện trong hình 3.24.
Dựa vào đồ thị phân bố suất liều có thể thấy giá trị suất liều trong phòng
chụp thay đổi không đáng kể. Vậy có thể kết luận khi giảm kích thước phòng xuống
còn 12m2, ảnh hưởng tán xạ từ tường che chắn không đáng kể cho người ở trong
phòng đối với chế độ chiếu chụp đang khảo sát (70kV, 200mA, 100ms).
Hình 3.24. Phân bố suất liều trong phòng chụp khi giảm kích thước phòng còn
12m2
3.3.3.4. Đánh giá an toàn bên ngoài phòng chụp X quang
Để đánh giá an toàn bức xạ khu vực xung quanh phòng chụp X quang, chúng
tôi sử dụng tally fmesh khảo sát suất liều ở độ cao z= 150cm cho các khu vực trong
và ngoài tường, cửa nhân viên, cửa bệnh nhân và kính chì. Chúng tôi chọn chế độ
khảo sát an toàn ứng với chế độ làm việc điện áp cao nhất của máy là: 120kV;
5,12mAs; 32ms.
A. Khu vực tường ngăn cách phòng chụp và phòng điều khiển
Hình 3.25 trình bày kết quả mô phỏng sự suy giảm suất liều khi đi qua khu
vực tường ngăn cách với phòng điều khiển. Kết quả cho thấy:
Cửa nhân viên: suất liều trong phòng sát cửa nhân viên phân bố trong
khoảng 4,4242.104 µSv / h đến 9,6654.104 µSv / h . Khi đi qua khỏi cửa nhân viên,
suất liều giảm mạnh về 0. Điều này chứng tỏ vật liệu cửa che chắn an toàn.
Hình 3.25. Mô phỏng sự suy giảm suất liều khi đi qua khu vực tường
ngăn cách với phòng điều khiển
Kính chì: suất liều trong phòng chụp sát kính chì phân bố trong khỏang
1,6027.105 µSv / h đến 2,6233.105 µSv / h . Sau khi đi qua khỏi kính chì suất liều
giảm mạnh về 0, chứng tỏ vật liệu chì che chắn hoàn toàn chùm tia.
Tường bê tông: suất liều trong phòng chụp sát tường bê tông phân bố trong
khoảng 1,0876.105 µSv / h đến 3,0862.105 µSv / h . Khi đi qua khỏi lớp bê tông bên
trong giá trị suất liều giảm xuống còn 1,6679.104 µSv / h đối với khu vực liều thấp,
ở khu vực liều cao giá trị suất liều giảm xuống còn 6,2222.104 µSv / h . Khi đi qua
khu vực có lót chì tấm giá trị liều giảm xuống còn 1,4118.104 µSv / h đối với khu
vực liều cao, nhiều vị trí giá trị suất liều giảm về 0. Khi đi qua lớp bê tông ngoài
cùng tất cả các giá trị suất liều đồng loạt giảm về 0.
B. Khu vực ngồi chờ của bệnh nhân
Hình 3.26 trình bày mô phỏng sự suy giảm suất liều khi đi qua cửa bệnh
nhân và tường ngăn cách với khu vực chờ bệnh nhân. Kết quả cho thấy:
Cửa ra vào của bệnh nhân: Suất liều trong phòng chụp sát cửa bệnh nhân
phân bố trong khoảng 8,7039.104 µSv / h đến 2,8294.105 µSv / h . Sau khi đi qua
các lớp vật liệu cửa suất liều giảm mạnh về 0, do đó khu vực chờ của bệnh nhân vẫn
đảm bảo an toàn.

Hình 3.26. Mô phỏng sự suy giảm suất liều khi đi qua cửa bệnh nhân và tường
ngăn cách với khu vực chờ bệnh nhân
Tường bê tông: Như đã trình bày trong phần cấu tạo tường phòng X quang
gồm lớp bê tông dày 24cm có lót chì tấm dày 2mm ở giữa tường . Khu vực sát
tường nằm trong phòng chụp giá trị suất liều thăng giáng trong khoảng từ
5,0825.104 µSv / h đến 4,4531.105 µSv / h . Sau khi đi qua lớp bê tông bên trong giá
trị suất liều suy giảm nằm trong khoảng 1,1229.103 µSv / h ÷ 1,0023.105 µSv / h . Sau
khi đi qua khu vực tường có lót chì tấm giá trị suất liều giảm mạnh, giá trị lớn nhất
chỉ còn 4,1422.103 µSv / h , nhiều vị trí giá trị suất liều giảm mạnh về 0. Sau khi đi
qua lớp bê tông bên ngoài giá trị suất liều tại mọi ví trị ngoài tường đều bằng 0.

C. Khu vực tường đối diện cửa bệnh nhân

Hình 3.27. trình bày sự suy giảm chùm tia khi đi qua tường phòng X quang.
Kết quả cho thấy giá trị suất liều trong phòng chụp gần sát tường nằm trong khoảng
1,9160.104 µSv / h đến 3,0935.105 µSv / h . Khi đi qua lớp bê tông dày phía trong
suất liều giảm xuống chỉ còn trong khoảng 1,5948.103 µSv / h đến 8,5550.104 µSv / h
. Sau khi xuyên qua phần tường có lót chì thì giá trị suất liều giảm mạnh, giá trị suất
liều lớn nhất là 4,9424.103 µSv / h , nhiều điểm giá trị suất liều giảm về 0. Khi đi
qua lớp tường bê tông bên ngoài giá trị suất liều giảm về 0 hoàn toàn.

Hình 3.27. Sự suy giảm chùm tia khi đi qua tường phòng X quang
D. Trần nhà
Hình 3.28 và hình 3.29 trình bày mô phỏng phân bố liều mặt (x,y) trong
phòng chụp sát trần nhà và khi đi qua lớp chì. Kết quả cho thấy giá trị suất liều ở
khu vực sát trần bên trong phòng chụp rất nhỏ do máy phát tia hướng xuống sàn nhà
nên khu vực trần nhà chỉ hứng các chùm tia tán xạ.

Hình 3.28. Mô phỏng phân bố liều mặt (x,y) trong phòng chụp sát trần nhà
 Giá trị suất liều đối với khu vực không khí trong phòng sát trần nhà nằm
trong khoảng từ 22,36 µSv / h đến 3,3078.105 µSv / h , các khu vực quanh rìa trần
giá trị suất liều bằng 0.

Hình 3.29. Mô phỏng phân bố suất liều (x,y) trong khu vực trần có lót chì
Sau khi đi qua lớp bê tông có lót chì giá trị suất liều tại vị trí cực đại giảm xuống
còn 1,2550.104 µSv / h . Sau khi đi qua phần trần bê tông bên ngoài giá trị suất liều
đồngloạt giảm xuống 0.
E. Tường ngăn cách phòng chụp và hành lang bệnh viện
Hình 3.30. trình bày sự suy giảm suất liều khi đi qua tường ngăn cách hành
lang bệnh viện. Đây là bức tường gần ống phát tia X nhất khu vực bên ngoài tường
là lối đi.

Hình 3.30. Sự suy giảm suất liều khi đi qua tường ngăn cách hành lang bệnh viện
 Dựa theo kết quả mô phỏng thì giá trị suất liều trong phòng thăng giáng
trong khoảng từ 3,9691.103 µSv / h đến 8,4459.105 µSv / h . Giá trị suất liều giảm
xuống trong khoảng 1,1192.103 µSv / h đến 1,6010.105 µSv / h khi đi qua lớp bê
tông đầu tiên. Khi đi qua vùng có lót chì tấm giá trị suất liều giảm xuống còn
1,9543.101 µSv / h đến 1,1824.104 µSv / h , một số vị trí ở xa ống phát tia giá trị suất
liều giảm về 0. Khi đi qua lớp bê tông ngoài cùng giá trị suất liều đồng loạt giảm về
0. Mặc dù đây là khu vực tường có giá trị suất liều cao hơn các tường còn lại trong
phòng nhưng với cấu trúc vật liệu che chắn trên vẫn đảm bảo an toàn cho khu vực
bên ngoài hành lang.

Tóm lại, kết quả khảo sát cho chúng ta một bức tranh về phân bố suất liều
trong phòng chụp X quang. Nhìn chung, một bệnh nhân chờ (chưa ở trong trạng thái
chụp) bị đứng ở trong phòng chụp khi máy X quang đang hoạt động sẽ nhận một
liều đáng kể tùy theo vị trí đang đứng trong phòng. Vì vậy khuyến cáo kỹ thuật viên
tuân thủ quy định chỉ nên cho một người cần chụp vào, tránh tình trạng để nhiều
bệnh nhân vào cùng một lúc sẽ bị nhận liều chiếu nhiều lần.
 KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ

Với mục tiêu khảo sát phân bố liều xung quanh phòng máy X quang chẩn
đoán thông thường bằng chương trình mô phỏng MCNP5, trong luận văn này,
chúng tôi đã thực hiện được các vấn đề sau:
Tìm hiểu nguyên lý ứng dụng tia X trong chẩn đoán X quang, cấu tạo của
ống phát tia X sử dụng trong X quang chẩn đoán.
Tìm hiểu về các tiêu chuẩn an toàn bức xạ trong X quang chẩn đoán.
Tìm hiểu về phương pháp Monte Carlo và chương trình mô phỏng MCNP.
Sử dụng chương trình MCNP để mô phỏng phòng máy X quang chẩn đoán
tại bệnh viện Nhi đồng I.
Khảo sát phân bố liều trong và xung quanh phòng máy X quang, đánh giá an
toàn che chắn.
Tìm hiểu về phổ tia X đặc trưng của bia Vonfram thông qua mô hình máy X
quang được mô phỏng.
Khảo sát liều hiệu dụng bệnh nhân nhận trong mỗi phim chụp ứng với các
chế độ chụp khác nhau.
Khảo sát ảnh hưởng tán xạ trong phòng chụp X quang khi giảm kích thước
phòng đến giá trị 12m2 là mức thấp nhất hiện này của thành phố Hồ Chí Minh.
Kết quả tính toán phân bố liều ngoài phòng máy X quang tại bệnh viện Nhi
đồng I cho thấy nó thỏa mãn tiêu chí an toàn bức xạ.
Kết quả khảo sát phân bố liều bên trong phòng trước và sau khi thay đổi kích
thước phòng cho thấy khi giảm kích thước phòng, suất liều tán xạ thay đổi không
đáng kể khi giảm kích thước phòng.
Luận văn còn nhiều hạn chế như:
Cần khảo sát phân bố liều trong và xung quanh phòng máy ở chế độ chụp
phổi khi bệnh nhân đứng sát bucky phổi, chùm tia X hướng vào vách tường. Từ đó
xem xét bài toán thu hẹp kích thước phòng đến giá trị tối ưu sao cho vừa đảm bảo
an toàn vừa có có hiệu quả về mặt kinh tế.
 Cần tiến hành lấy số liệu thực nghiệm đối với chùm tia tán xạ trong phòng để
so sánh với giá trị mô phỏng.
Chưa thay đổi vật liệu che chắn xung quanh phòng để đánh giá an toàn, từ đó
tìm ra loại vật liệu đảm bảo an toàn bức xạ và có hiệu quả kinh tế.
Mô phỏng bằng mô hình phantom tại vị trí bàn bệnh nhân để tính liều hấp
thụ của bệnh nhân ứng với 1 phim chụp X quang, từ đó có những khuyến cáo về an
toàn bức xạ cho người bệnh.
Những hạn chế nêu trên sẽ là mục tiêu thực hiện tiếp theo của nhóm nghiên
cứu trong lĩnh vực này.
 TÀI LIỆU THAM KHẢO

Tiếng Việt
[1] Ronald Gautreau- William Savin (1983), Vật lí hiện đại, Người dịch: Ngô Phú
An và Lê Băng Sương. Nhà Xuất Bản Giáo Dục, tr 235.
[2] Võ Xuân Ân (2008), Nghiên cứu hiệu suất ghi nhận của detector bán dẫn siêu
tinh khiết (HPGe) trong phổ kế Gamma bằng phương pháp Monte Carlo và
thuật toán di truyền, Luận án tiến sĩ vật lý, Trường ĐHKHTN Tp.HCM.
[3] Nguyễn Doãn Cường – Nguyễn Văn Nam - Võ Bá Tùng (2010), Kỹ thuật X
quang thông thường, Trường Đại học y dược Tp.HCM.
[4] TS Thái Khắc Định – Tạ Hưng Quý (2007), Vật lý nguyên tử và hạt nhân,Nhà
xuất bản Đại học Quốc Gia Tp.HCM, tr 85-88.
[5] Nguyễn Minh Huy – Nguyễn Phúc Như (2010), Thiết kế mô hình X quang xách
tay , Luận văn tốt nghiệp đại học, Trường đại học Bách khoa Tp.HCM.
[6] PGS.TS. Ngô Quang Huy(2004), An toàn bức xạ ion hóa, Nhà xuất bản Khoa
học và Kỹ Thuật, tr 131-146,151-155, 353-354.
[7] Trương Thị Hồng Loan (2009), Áp dụng phương pháp mô phỏng Monte Carlo
để nâng cao chất lượng hệ phổ kế gamma sử dụng đầu dò HPGe, Luận án
tiến sĩ vật lý, Trường ĐHKHTN Tp.HCM, tr 41-43.
[8] Trương Thị Hồng Loan (2005), Phương pháp Monte-Carlo, Chuyên đề luận án,
Trường ĐHKHTN Tp.HCM.
[9] Ermakov X.M. (1977), Phương pháp Monte Carlo và các vấn đề liên quan,
Người dịch: Phạm Thế Ngọc và Nguyễn Trần Dũng”. Nhà Xuất Bản Khoa
Học và Kỹ Thuật.
[10] Lê Văn Ngọc và Trần Văn Hùng (2005), Bài giảng tại lớp tập huấn
MCNP,Trung Tâm Đào Tạo, viện Nghiên cứu Hạt Nhân Đà Lạt.
[11] Hà Thúc Nhân (2007), Những cải tiến kỹ thuật của CT và ứng dụng trong chụp
tim-mạch vành, Luận văn tốt nghiệp đại học,Trường đại học Bách khoa
Tp.HCM, tr 41-42.
[12] Đặng Nguyên Phương (2012), Hướng dẫn sử dụng MCNP cho hệ điều hành
Windows ,Tài liệu lưu hành nội bộ, Trường ĐHKHTN Tp.HCM, trang 6-
10,58.
[13] Sở Khoa học Công nghệ Tp.HCM, “Tổng hợp kết quả khảo sát kích thước
phòng X-quang 2009-2010”, Tài liệu nội bộ, Sở Khoa học và Công nghệ
Tp.HCM, 2011.
[14] Trần Văn Son (2008), Lý thuyết thiết bị hình ảnh y tế, tập I: máy X quang, Nhà
xuất bản giáo dục.
[15] Nguyễn Đông Sơn (2010), Giáo trình Ứng dụng bức xạ ion hóa và kỹ thuật hạt
nhân trong Y Tế, Phân Viện Vật Lý Y Sinh Học.
[16] Châu Văn Tạo (2004), An toàn bức xạ ion hóa, Nhà xuất bản Đại học Quốc
Gia Tp.HCM, tr 94-110.
[17] Trần Thịên Thanh (2007), Hiệu chỉnh trùng phùng tổng trong hệ phổ kế
Gamma sử dụng chương trình MCNP, Luận văn thạc sĩ vật lý trường
ĐHKHTN Tp.HCM, tr 42-45.
[18] TCVN 6561:1999, “An toàn bức xạ ion hóa tại các cơ sở X quang y tế”
(1999),Viện Năng lượng Hạt nhân biên soạn, Bộ Khoa học và Công nghệ
Môi trường ban hành.
Tiếng Anh
[19] Albert Tarantola (2005), “Inverse Problem Theory and Methods for Model
Parameter Estimation”, Society for Industrial and Applied Mathematics.
Philadelphia.
[20] Anthony Seibert J (1999), Physics of Computed Radiography. University of
California, Davis Medical Center,Sacramento.

[21] Archer B.R, Thornby J.I, Bushong S.G, (1983),“Diagnostics X- ray shielding
design based on an empirical model of photon attenuation”, Health Phys
1983.
[22] Baumann W, Dietz H, Geldner E (1978), Temperature Distribution in X-ray
Rotating Anodes , Mathematical computation for compound anodes, Siemens
Forschungund Entwicklung, Bericht 7, 111.
[23] Briesmeister J.F., Ed. (2001), “MCNP4C2- Monte Carlo N-particle Transport
Code System”, Los Alamos National Laboratory, LA-13709-M.
[24] Carter L.L. and Cashwell E.D. (1975), “Particle Transport Simulation with the
Monte Carlo Methods”. ERDA Critical Review Series.TID-26607.
[25] Kalos M.H. and Whitlock P.A. (1986). “Monte Carlo Methods”,John Wiley
and Sons.USA.
[26] Lippincott William & Wilkins (2002), The Essential Physics Of Medical
Imaging, Second Edition,Jerrold T.Bushberg, pp. 98-115, 135-150,294.
[27] Metropolis N. and Ulam S. (1949), “The Monte Carlo Method”. Journal of The
American Statistical Association.44 335-341.
[28] Shastri AN (2008),Diagnostic Radiology and Imaging for Technicians,
pulished by Jaypee Brothers Medical Publishers Ltd, india, pp. 63-71.

[29] Shimadzu co.,“Operation Mumual X-ray tube assembly 1.2U161CS-31”

Pulished by Shimadzu corporation, Kyoto Japan.

[30] “Operation Manual for collimator type R-20J” ,pulished by Shimadzu

corporation.
[31] Spamer J. and Gelbard E.M. (1969). “Monte Carlo Principle and Neutron
Transport”. Addison-Wesley.Massachusetts.
[32] IAEA Training Material on Radiation Protection in Diagnostic and
Interventional Radiology radiation protection in diagnostic and
interventional radiology.
[33] IAEA Training Material on Radiation Protection in Radiotherapy Radiation
Protection in Radiotherapy Part2 Radiation Physics.
Website
[34] Internet, “Nuclear Safety & Security”, Source: http://www-ns.iaea.org
[35] Internet, “Radiation Protection and Safety of Radiation Sources: International
Basic Safety Standards”, Source: http://www-pub.iaea.org
[36] Internet, “Genetic programming- Bibliography”, Source:
http://en.wikipedia.org
[37] Internet, “The Monty Hall Problem”, Source: http://mathword.wolfram.com.
[38] Internet, “Nửa thế kỷ an toàn hạt nhân”, Source: http://www.varans.vn