BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO

TRƢỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI

TRƢƠNG CAO DŨNG

NGHIÊN CỨU TÍNH TOÁN THIẾT KẾ CÁC MẠCH TÍCH HỢP

GIAO THOA ĐA MODE DÙNG TRONG MẠNG TOÀN QUANG

LUẬN ÁN TIẾN SĨ KỸ THUẬT VIỄN THÔNG

HÀ NỘI - 2015
 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO
TRƢỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI

TRƢƠNG CAO DŨNG

NGHIÊN CỨU TÍNH TOÁN THIẾT KẾ CÁC MẠCH TÍCH HỢP

GIAO THOA ĐA MODE DÙNG TRONG MẠNG TOÀN QUANG

Chuyên ngành: Kỹ thuật viễn thông

Mã số: 62520208

LUẬN ÁN TIẾN SĨ KỸ THUẬT VIỄN THÔNG

TẬP THỂ HƯỚNG DẪN KHOA HỌC:

1. GS. TS. Trần Đức Hân
2. PGS.TS. Lê Trung Thành

HÀ NỘI - 2015
 LỜI CAM ĐOAN
Tôi xin cam đoan rằng các kết quả khoa học được trình bày trong luận án này là thành quả
nghiên cứu của bản thân tôi trong suốt thời gian làm nghiên cứu sinh và chưa từng xuất
hiện trong công bố của các tác giả khác. Các kết quả đạt được là chính xác và trung thực.

Tác giả luận án

Trương Cao Dũng

i
 LỜI CẢM ƠN
Đầu tiên và trên hết, tôi xin bày tỏ lời cảm ơn sâu sắc đến tập thể hướng dẫn khoa học:
GS. TS. Trần Đức Hân và PGS.TS. Lê Trung Thành, những người không chỉ hướng dẫn
trực tiếp về mặt khoa học mà còn hỗ trợ về mọi mặt để tôi có thể hoàn thành bản luận án
này sau hơn ba năm làm nghiên cứu sinh.
Tôi cũng xin gửi lời cảm ơn đến TS. Hoàng Vũ Chung –Viện Hàn lâm khoa học Việt
Nam, người đưa đến cho tôi sự tư vấn hiệu quả về các vấn đề công nghệ chế tạo ống dẫn
sóng cùng với sự hỗ trợ chuyên môn trong suốt thời gian nghiên cứu vừa qua. Tôi cũng xin
gửi lời cảm ơn sâu sắc đến em Trần Tuấn Anh – Sinh viên K54, Đại học Bách Khoa Hà
Nội – người đã có những đóng góp đắc lực, hỗ trợ tính toán cho các nghiên cứu khoa học
của tôi.
Qua đây, tôi cũng bày tỏ lòng biết ơn đến Viện Điện tử-Viễn thông và Viện Đào tạo
Sau Đại học, Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội đã tạo mọi điều kiện thuận lợi cho tôi
trong quá trình học tập nghiên cứu.
Cuối cùng, tôi dành những lời yêu thương nhất đến gia đình tôi: bố mẹ, các anh chị và
đặc biệt là vợ tôi Vũ Vân Anh và con gái tôi Trương Khánh Chi. Sự động viên, giúp đỡ và
sự hi sinh, nhẫn nại của họ là động lực mạnh mẽ giúp tôi vượt qua mọi khó khăn để hoàn
thành luận án này.
Xin chân thành cảm ơn!
Hà Nội, ngày tháng năm 2015
Tác giả luận án

Trương Cao Dũng

ii
 Mục lục
Mục lục ................................................................................................................................. iii
Danh mục các thuật ngữ viết tắt ........................................................................................... vi
Danh mục các ký hiệu ........................................................................................................ viii
Danh mục các hình vẽ .......................................................................................................... ix
Danh mục các bảng biểu ...................................................................................................... xii
Mở đầu ................................................................................................................................... 1
Đối tượng và mục tiêu nghiên cứu .................................................................................... 3
Các kết quả đạt được ......................................................................................................... 4
Tổ chức luận án ................................................................................................................. 4
Chương1 ................................................................................................................................ 6
Giao thoa đa mode và mô phỏng BPM.................................................................................. 6
1.1 Giao thoa đa mode .................................................................................................. 6
1.1.1 Cơ sở truyền sóng trong ống dẫn sóng ............................................................ 7
1.1.2 Ống dẫn sóng đa mode và phân tích truyền mode ........................................... 9
1.1.3 Giao thoa tổng quát – GI ............................................................................... 12
1.1.4 Giao thoa hạn chế -RI .................................................................................... 13
1.1.5 Ống dẫn sóng hình búp măng ........................................................................ 15
1.2 Các phương pháp phân tích ống dẫn sóng ............................................................ 17
1.2.1 Phương pháp Marcatili .................................................................................. 17
1.2.2 Phương pháp hệ số hiệu dụng ........................................................................ 18
1.2.3 Phương pháp hệ số hiệu dụng hiệu chỉnh ...................................................... 19
1.3 Các phương pháp mô phỏng số học ...................................................................... 20
1.3.1 Phương pháp truyền chùm BPM ................................................................... 22
1.3.2 Lời giải mode thông qua BPM ...................................................................... 26
1.4 Kết luận chương .................................................................................................... 28
Chương 2 ............................................................................................................................. 29
Bộ chia công suất nhiều tỷ số và chia chùm phân cực sử dụng giao thoa đa mode ............ 29
2.1 Bộ chia công suất nhiều tỷ số dựa trên cấu trúc giao thoa đa mode ..................... 29
2.1.1 Nguyên lý thiết kế.......................................................................................... 30

iii
 2.1.2 Kết quả mô phỏng và thảo luận ..................................................................... 34
2.1.3 Tóm lược kết quả ........................................................................................... 41
2.2 Bộ chia chùm phân cực dựa trên ống dẫn sóng đa mode hình cánh bướm được
khắc trên nền vật liệu SOI ............................................................................................... 41
2.2.1 Phân tích và thiết kế....................................................................................... 43
2.2.2 Tối ưu cấu trúc ............................................................................................... 45
2.2.3 Kết quả mô phỏng và thảo luận ..................................................................... 47
2.2.4 Tóm lược kết quả ........................................................................................... 51
2.3 Kết luận chương .................................................................................................... 51
Chương 3 ............................................................................................................................. 52
Chuyển mạch quang dựa trên cấu trúc giao thoa đa mode .................................................. 52
3.1 Phân tích tổng quát của chuyển mạch quang N×N ............................................... 52
3.2 Bộ chuyển mạch toàn quang dựa trên các bộ ghép giao thoa đa mode 3×3 sử dụng
các bộ ghép phi tuyến ...................................................................................................... 55
3.2.1 Phân tích và thiết kế cấu kiện ........................................................................ 55
3.2.2 Mô phỏng và thảo luận .................................................................................. 62
3.3 Bộ chuyển mạch toàn quang 2×2 không nhạy phân cực dựa trên cấu trúc giao thoa
đa mode sử dụng các bộ ghép phi tuyến ......................................................................... 67
3.3.1 Thiết kế và tối ưu cấu trúc ............................................................................. 68
3.3.2 Kết quả mô phỏng và thảo luận ..................................................................... 71
3.4 Bộ chuyển mạch quang 3×3 dựa trên các bộ ghép giao thoa đa mode sử dụng hiệu
ứng điện- quang là các bộ dịch pha ................................................................................. 75
3.4.1 Phân tích và thiết kế....................................................................................... 75
3.4.2 Kết quả mô phỏng và thảo luận ..................................................................... 77
3.5 Kết luận chương .................................................................................................... 82
Chương 4 ............................................................................................................................. 83
Bộ ghép kênh ba bước sóng sử dụng giao thoa đa mode .................................................... 83
4.1 Giới thiệu và nguyên lý thiết kế ............................................................................ 83
4.2 Thiết kế bộ triplexer dựa trên một bộ ghép giao thoa đa mode 2×2 hình cánh
bướm và một bộ ghép định hướng sử dụng các ống dẫn sóng silic. ............................... 86
4.2.1 Thiết kế và tối ưu cấu trúc ............................................................................. 86

iv
 4.2.2 Kết quả mô phỏng và thảo luận ..................................................................... 91
4.3 Thiết kế bộ triplexer dựa trên phân tầng hai bộ ghép đa mode 2×2 hình cánh
bướm sử dụng ống dẫn sóng silic .................................................................................... 94
4.3.1 Phân tích thiết kế và tối ưu cấu trúc .............................................................. 95
4.3.2 Kết quả mô phỏng và thảo luận ..................................................................... 97
4.4 Kết luận chương .................................................................................................. 100
Kết luận và hướng phát triển ............................................................................................. 101
Đóng góp khoa học của luận án .................................................................................... 101
Hướng phát triển tương lai của luận án ......................................................................... 102
DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH ĐÃ CÔNG BỐ CỦA LUẬN ÁN ............................. 104
Tài liệu tham khảo ............................................................................................................. 105

v
Danh mục các thuật ngữ viết tắt
AON All Optical Network Mạng toàn quang

AWG Arrayed Waveguide Grating Cách tử ống dẫn sóng được xếp mảng
BPM Beam Propagation Method Phương pháp truyền chùm

Complementary Metal Oxide

CMOS Bán dẫn ô xít kim loại bù
Semiconductor

COM Complementary Operator Method Phương pháp toán tử bù

Cr.T Crosstalk Xuyên nhiễu

DC Directional Coupler Bộ ghép định hướng

Dense Wavelength Division Ghép kênh phân chia bước sóng mật
DWDM
Multiplexing độ cao
E.L Excess Loss Suy hao vượt qua

EBL Electron beam lithography Quang khắc bằng chùm tia điện tử
Phương pháp hệ số chiết suất hiệu
EIM Effective Index Method
dụng
EMS Eigenvalue mode solver Lời giải mode giá trị riêng

Ex.R Extinction Ratio Tỷ lệ phân biệt

Finite Difference Beam Phương pháp truyền chùm sai phân
FD-BPM
Propagation Method hữu hạn
FDM Finite Difference Method Phương pháp sai phân hữu hạn
FDTD Finite difference –Time domain Sai phân hữu hạn miền thời gian

FEM Finite Element Method Phương pháp phần tử hữu hạn

Fast Fourier Transform Beam Phương pháp truyền chùm biến đổi
FFT-BPM
Propagation Method Fourier nhanh
FTTH Fiber to the home Cáp quang đến tận nhà

Full vectorial Beam Propagation Phương pháp truyền chùm véc tơ đầy
FV-BPM
Method đủ

GI General Interference Giao thoa tổng quát

I.L Insertion Loss Suy hao chèn
MDM Mode Division Multiplexing Ghép kênh phân chia theo mode

vi
 Phương pháp hệ số chiết suất hiệu
MEIM Modified Effective Index Method
dụng được hiệu chỉnh
MEMS Mechanic-electronic micro switch Chuyển mạch vi cơ điện tử
MMI Multimode Interference Giao thoa đa mode

MOC Mode Order Conversion Chuyển đổi thứ tự mode

MPA Mode Propagation Analysis Phân tích truyền mode

MRR Microring Resonator Bộ vi cộng hưởng vòng

MZI Mach-Zehnder Interferometer Giao thoa kế Mach-Zehnder

OEICs Opto-electronic Integrated Circuits Vi mạch tích hợp quang-điện tử

PhC Photonic Crystal Tinh thể quang tử

PICs Photonic Integrated Circuits Mạch tích hợp quang tử

PLCs Planar Lightwave Circuits Mạch quang phẳng

PML Perfectly Match Layer Lớp thích hợp hoàn hảo

PON Passive Optical Network Mạng quang thụ động

RI Restrict Interference Giao thoa hạn chế

RIE Reactive ion etching Phương pháp khắc bằng chùm ion

SI Symetric Interference Giao thoa đối xứng

SOI Silicon on Insulator Silic trên nền chất cách điện

Semi-vectorial Beam Propagation

SV BPM Phương pháp truyền chùm bán véc tơ
Method

TBC Transparent Boundary Condition Điều kiện biên trong suốt

TE Transverse Electric Sóng điện ngang

TEM Transverse Electromangnetic Sóng điện từ ngang

TM Transverse Magnetic Sóng từ ngang

TMM Transfer Matrix Method Phương pháp ma trận truyền đạt

Wide angle – Beam Propagation
WA-BPM Phương pháp truyền chùm góc rộng
Method
WDM Wavelength Division Multiplexing Ghép kênh phân chia bước sóng

vii
Danh mục các ký hiệu
nc Chiết suất lớp vỏ ống dẫn sóng

ns Chiết suất lớp đế (hay lớp nền) ống dẫn sóng

We Chiều rộng hiệu dụng bộ ghép đa mode

LMMI Chiều dài bộ ghép giao thoa đa mode

L Nửa chiều dài phách của bộ ghép đa mode

Pin Công suất đầu vào ống dẫn sóng

Pout Công suất đầu ra ống dẫn sóng

Pd Công suất ống dẫn sóng đầu ra mong muốn

Tổng công suất từ các ống dẫn sóng đầu ra không mong
Pu (tot )
muốn

Tổng công suất từ các bước sóng đầu vào không mong
P (tot )
muốn đưa đến cổng đầu ra mong muốn

Hệ số mũ chỉ trạng thái phân cực.  =0 với mode TE và


 =1 với mode TM
c Hệ số biên độ mode thứ 

 Thứ tự mode trong cơ chế giao thoa đa mode

 Góc dịch pha (rad)

F
Phép lấy vi phân hàm F theo biến riêng t
t
Khẩu độ số: góc tới lớn nhất có thể truyền được trong
N.A
ống dẫn sóng (để phản xạ toàn phần trong ống dẫn sóng)
 Bước sóng hoạt động trong ống dẫn sóng

nr (hoặc n f ) Chiết suất lớp lõi ống dẫn sóng

WMMI Chiều rộng bộ ghép giao thoa đa mode

viii
Danh mục các hình vẽ
Hình 1.1 Sơ đồ của một ống dẫn sóng đa mode N×M theo hình chiếu bằng. ....................... 9
Hình 1.2. Biểu diễn hai chiều của một ống dẫn sóng hệ số chiết suất bậc hai chiều .......... 10
Hình 1.3. Sơ đồ của một bộ chia hoặc kết hợp quang 1:N dựa trên cấu trúc giao thoa đối
xứng. .................................................................................................................................... 15
Hình 1.4. Các ống dẫn sóng có chiều rộng biến đổi tuyến tính: (a) ống dẫn sóng hình búp
măng và (b) ống dẫn sóng hình cánh bướm ........................................................................ 16
Hình 1.5. Mô tả sơ đồ phân tích bằng phương pháp hệ số hiệu dụng. ................................ 19
Hình 2.1. Cấu trúc của một bộ ghép giao toa đa mode cơ bản 2×2 MMI: .......................... 30
Hình 2.2 Sơ đồ khối của một bộ ghép đa mode 2×2 MMI dựa trên việc nối liền các phần
2×2 MMI cơ sở: (a) Ba bộ ghép 2×2 MMI và (b) Bốn bộ ghép 2×2 MMI. ........................ 31
Hình 2.3. Kết quả mô phỏng của các bộ ghép đa mode cơ sở: (a) Tại các chiều dài tối ưu và
(b) Mô phỏng BPM cho sự truyền các trường quang qua bộ ghép cơ sở ............................ 35
Hình 2.4. Các kết quả mô phỏng BPM về đường bao điện trường cho vài bộ ghép đa mode
được nối phân tầng để đạt được các tỷ số chia công suất mới ............................................ 36
Hình 2.5. Kết quả mô phỏng bằng phương pháp BPM sự phụ thuộc vào bước sóng: ........ 37
Hình 2.6. Sự phụ thuộc vào chiều dài của bộ ghép kiểu D trong kiểu ghép ba tầng AAD và
kiểu ghép bốn tầng CDAD. ................................................................................................. 37
Hình 2.7. Sự phụ thuộc vào chiều rộng của bộ ghép kiểu D trong kiểu ghép ba tầng AAD
và bốn tầng CDAD .............................................................................................................. 38
Hình 2.8. Sự phụ thuộc vào vị trí của bộ ghép kiểu D trong kiểu ghép ba tầng AAD và
bốn tầng CDAD ................................................................................................................... 38
Hình 2.9. Pha của tín hiệu đầu ra tại các (a) chiều dài, (b) chiều rộng và (c) vị trí khác
nhau của MMD-D trong cấu hình ghép ba tầng kiểu AAD và bốn tầng kiểu CDAD ......... 40
Hình 2.10. Sơ đồ cấu hình của bộ chia chùm phân cực dựa trên bộ ghép đa mode hình được
khắc hình cánh bướm trên nền tảng vật liệu SOI: a) Hình chiếu bằng. b) Hình chiếu cạnh.
............................................................................................................................................. 42
Hình 2.11. Nửa chiều dài phách của các mode phân cực TE và TM là hàm số đối với các
biến độ sâu khắc d và chiều rộng của vùng đa mode. (a) Độ sâu khắc. (b) Độ rộng vùng đa
mode. ................................................................................................................................... 45
Hình 2.12. Công suất đầu ra được chuẩn hóa là hàm số với biến là chiều dài của vùng đa
mode. ................................................................................................................................... 46
Hình 2.13. Công suất ra chuẩn hóa là hàm số của chiều rộng đáy lớn của ống dẫn sóng
hình búp măng. .................................................................................................................... 47
Hình 2.14. Sự truyền của đường bao cường độ trường quang với các mode phân cực từ vị
trí z=0+ µm đến điểm cuối z=218 µm: (a) và (b) đối với mode TE, (c) và (d) đối với mode
TM. ...................................................................................................................................... 48

ix
Hình 2.15. Đáp ứng bước sóng của suy hao vượt qua và tỷ lệ phân biệt cho hai mode phân
cực. ...................................................................................................................................... 49
Hình 2.16. Suy hao vượt qua và tỷ lệ phân biệt là các hàm số của của chiều sâu khắc d
cho hai mode phân cực. ....................................................................................................... 49
Hình 2.17. Suy hao vượt qua và tỷ lệ phân biệt là các hàm số của sai khác hệ số chiết suất
giữa lớp lõi và lớp vỏ ∆n cho hai mode phân cực. .............................................................. 50
Hình 3.1. Sơ đồ nguyên lý của bộ chuyển mạch quang N×N sử dụng cấu trúc giao thoa đa
mode .................................................................................................................................... 53
Hình 3.2. Một bộ chuyển mạch toàn quang dựa trên các bộ ghép giao thoa đa mode tổng
quát kiểu 3×3 và sử dụng các bộ ghép định hướng làm các bộ dịch pha ............................ 57
Hình 3.3. Mô phỏng 2D-BPM cho các giá trị tối ưu của khoảng hở g giữa ống dẫn sóng
điều khiển và ống dẫn sóng tín hiệu ngoài cùng.................................................................. 60
Hình 3.4. Các kết quả mô phỏng được thực hiện bằng phương pháp BPM cho các trạng
thái chuyển mạch của bộ chuyển mạch toàn quang 3×3. .................................................... 63
Hình 3.5. Công suất đầu ra chuẩn hóa theo sự biến đổi của chiều rộng và chiều dài của bộ
ghép đa mode cho tất cả các trạng thái bộ chuyển mạch đề xuất: (a) theo sự biến đổi của
chiều rộng và (b) theo sự biến đổi của chiều dài. ................................................................ 64
Hình 3.6. Sự phụ thuộc theo bước sóng của suy hao chèn trong các trạng thái hoạt động
chuyển mạch của cấu trúc đề xuất. ...................................................................................... 65
Hình 3.7. Các kết quả mô phỏng bằng 2D BPM cho sự phụ thuộc vào bước sóng cho: (a)
Xuyên nhiễu (b) Tỷ lệ phân biệt .......................................................................................... 66
Hình 3.8. Một bộ chuyển mạch toàn quang 2×2 không nhạy phân cực dựa trên cấu trúc
giao thoa đa mode ................................................................................................................ 69
Hình 3.9. Giá trị tối ưu được chọn của chiều dài của các vùng ghép đa mode được tìm
thấy bằng mô phỏng 3D-BPM. ............................................................................................ 70
Hình 3.10. Mô phỏng 3D BPM của các mẫu trường điện của bộ chuyển mạch: (a) mode
TE; (b) mode TM. ............................................................................................................... 72
Hình 3.11. Sự phụ thuộc của suy hao chèn, tỷ lệ phân biệt và xuyên nhiễu vào bước sóng:
(a) Suy hao chèn, (b )Tỷ lệ phân biệt và (c) Xuyên nhiễu ................................................... 73
Hình 3.12. Mô phỏng bằng 3D-BPM cho các dung sai chế tạo của các bộ ghép đa mode
của bộ chuyển mạch được đề xuất: (a) dung sai theo chiều dài, (b) dung sai theo chiều
rộng. ..................................................................................................................................... 74
Hình 3.13. Sơ đồ cấu trúc bộ chuyển mạch quang dựa trên các bộ ghép đa mode 3×3 ..... 75
Hình 3.14. Mode cơ sở tại cổng đầu vào thứ hai của bộ chuyển mạch 3×3 ........................ 78
Hình 3.15. Kết quả mô phỏng thực hiện bằng phương pháp BPM cho tất cả các trạng thái
chuyển mạch của bộ chuyển mạch quang 3×3 .................................................................... 79
Hình 3.16. Sự phụ thuộc vào bước sóng của suy hao chèn trong trường hợp đầu vào 1 và
2 của bộ chuyển mạch. ........................................................................................................ 80

x
Hình 3.17. Công suất đầu ra chuẩn hóa phụ thuộc vào sự thay đổi của chiều rộng và chiều
dài của vùng giao thoa đa mode MMI trong hoạt động ở trạng thái đầu vào thứ 2 đến đầu ra
thứ 2 của bộ chuyển mạch: (a) sự biến đổi của chiều rộng; (b) sự biến đổi của chiều dài. . 81
Hình 3.18. Hiệu ứng của sự thay đổi hệ số chiết suất đến công suất ra được chuẩn hóa ... 82
Hình 4.1 Sơ đồ nguyên lý bộ ghép kênh hai bước sóng sử dụng bộ ghép đa mode 2×2 .... 84
Hình 4.2. Sơ đồ đề xuất của bộ triplexer dựa trên các ống dẫn sóng silic: ........................ 85
Hình 4.3. Mô phỏng 3D BPM cho sự thay đổi chiều dài của bộ ghép ............................... 88
Hình 4.4. Mô phỏng 3D-BPM cho vị trí tối ưu của ống dẫn sóngtruy nhập của bộ ghép đa
mode. ................................................................................................................................... 88
Hình 4.5. Mô phỏng 3D-BPM cho chiều rộng đáy lớn tối ưu của các ống dẫn sóng hình
búp măng. ............................................................................................................................ 89
Hình 4.6. Mô phỏng 3D-BPM cho chiều dài tối ưu Lc của bộ ghép định hướng. .............. 90
Hình 4.7. Mẫu điện trường (dạng đường bao) cho triplexer đề xuất tại ba bước sóng: ...... 91
Hình 4.8. Đáp ứng bước sóng của triplexer đề xuất tại ba cổng cho ba bước sóng ........... 92
Hình 4.9. Dung sai chế tạo cho triplexer đề xuất: (a) dung sai chiều rộng, (b) dung sai chiều
dài. ....................................................................................................................................... 93
Hình 4.10. Sai khác hệ số chiết suất của triplexer. ............................................................. 94
Hình 4.11. Sơ đồ đề xuất của bộ triplexer dựa trên phân tầng các bộ ghép đa mode sử dụng
các ống dẫn sóng silic: (a) Hình chiếu bằng; (b) Hình chiếu đứng và mode cơ sở của ống
dẫn sóng đầu vào tại bước sóng 1550 nm. ........................................................................... 95
Hình 4.12. Mô phỏng 3D-BPM cho chiều dài tối ưu của bộ ghép đa mode hình cánh bướm
thứ hai. ................................................................................................................................. 96
Hình 4.13. Đường bao phân bố điện trường cho triplexer đề xuất tại ba bước sóng: ........ 97
Hình 4.14. Đáp ứng theo bước sóng của triplexer đề xuất tại ba cổng............................... 98
Hình 4.15. Dung sai chế tạo cho triplexer được đề xuất: (a) dung sai theo chiều rộng, .... 99
Hình 4.16. Dung sai chế tạo vật liệu lớp lõi của triplexer đề xuất ................................... 100

xi
Danh mục các bảng biểu

Bảng 1.1. Đa thức Padé ....................................................................................................... 25

Bảng 2.1. Cấu trúc ghép và các tỷ số chia công suất mới ................................................... 33
Bảng 2.2. Suy hao vượt qua và tỷ lệ phân biệt của của bộ chia phân cực đã đề xuất ......... 48
Bảng 3.1. Các trạng thái dịch pha yêu cầu cho hoạt động chuyển mạch 3×3 ..................... 58
Bảng 3.2.Các giá trị cường độ trường điều khiển cần thiết ................................................. 61
Bảng 3.3. Suy hao chèn, tỷ lệ` phân biệt và xuyên nhiễu của bộ chuyển mạch ................. 63
Bảng 3.4. Các trạng thái dịch pha và cường độ trường điều khiển tối ưu cho hoạt động
chuyển mạch của bộ chuyển mạch được đề xuất. ............................................................... 70
Bảng 3.5. Suy hao chèn, xuyên nhiễu và tỷ lệ phân biệt của bộ chuyển mạch được đề xuất
............................................................................................................................................. 71
Bảng 3.6. Các trạng thái dịch pha cho hoạt động của bộ .................................................... 76
Bảng 4.1. Công suất (chuẩn hóa theo công suất đầu vào) ba cổng đầu ra của triplexer đề
xuất tại ba bước sóng ........................................................................................................... 92
Bảng 4.2. Công suất ra (được chuẩn hóa theo công suất đầu vào) ba cổng của triplexer đề
xuất tại ba bước sóng ........................................................................................................... 98

xii
 Mở đầu
Thông tin quang sợi [3] là một trong những thành tựu nổi bật nhất của con người trong
thế kỷ trước, cung cấp giải pháp hữu hiệu cho vấn đề truyền tải thông tin. Sự ra đời của
mạng Internet mang lại một lợi ích to lớn cho tri thức, nhu cầu trao đổi, lưu trữ và xử lý
thông tin của con người. Với sự bùng nổ của các dịch vụ số liệu trên nền Internet, nhu cầu
băng thông phát triển với tốc độ rất nhanh [2]. Để đáp ứng được nhu cầu này, công nghệ
truyền dẫn theo phương thức ghép kênh phân chia theo bước sóng quang –WDM
(wavelength division multiplexing) [115] có khả năng ghép nhiều bước sóng trên một sợi
quang đã đáp ứng nhu cầu phát triển nhanh của các dịch vụ tryền số liệu các dịch vụ video,
các dịch vụ cáp sợi quang đến hộ gia đình –FTTH (fiber to the home) [17] [140] hay các
mạng truy nhập quang thụ động PON (passive optical network) khác. Hơn nữa, với sự phát
triển của các bộ khuếch đại quang [50] đã tạo ra những hệ thống thông tin có cự ly truyền
dẫn rất xa cho các mạng quốc gia hay kết nối liên châu lục.
Trước đây, các thành phần đầu cuối nối với khách hàng và các nút truyền tải có sự
biến đổi tín hiệu giữa miền điện và miền quang hoặc lai ghép giữa miền điện và miền
quang làm chậm tốc độ xử lý bởi đặc điểm về trễ, quán tính và giới hạn lượng tử của điện
tử. Theo xu hướng hiện đại thì các thành phần quang xử lý tín hiệu toàn quang thay thế
hoàn toàn cho các thành phần xử lý có sự biến đổi qua miền điện. Phương pháp xử lý tín
hiệu toàn quang có ưu điểm nổi bật về: tốc độ xử lý, băng thông cao, dễ phối ghép, cho
phép tích hợp cỡ lớn và dễ đóng gói. Do đó các mạng thông tin xử lý tín hiệu toàn quang
AONs (all optical networks) là xu thế phát triển cho các hệ thống thông tin quang thế hệ
mới. Các thành phần vi mạch tích hợp chức năng như các bộ chia quang, kết hợp quang,
phát thu quang, điều chế quang, khuếch đại quang, chuyển mạch quang và ghép/tách quang
là những phần tử cần thiết để xử lý, truyền tải và xen rẽ tín hiệu quang.
Các mạch tích hợp quang tử –PICs (photonic integrated circuits) được chờ đợi là thế
hệ kế tiếp của các mạch tích hợp quang điện tử, trong đó chỉ các linh kiện quang thụ động
mới được tích hợp [138]. Các mạch quang phẳng – PLCs (planar lightwave circuits) là một
ứng cử viên tốt để xây dựng các mạch quang thích hợp trong thông tin quang. Theo truyền
thống, các mạch quang phẳng bị cản trở bởi một số vấn đề lớn, chẳng hạn: sự phụ thuộc
phân cực và độ nhạy nhiệt và chúng bị giới hạn trong không gian hai chiều và chịu ảnh
hưởng của suy hao quang. Những vấn đề này đã và đang được giải quyết mang lại cho
mạch tích hợp quang phẳng với bốn ưu điểm: (1) chức năng được nâng cao, (2) suy hao rất
thấp, (3) kích thước rất nhỏ gọn và (4) tiềm năng để chế tạo hàng loạt. Dựa trên những
thành tựu to lớn của công nghệ chế tạo bán dẫn và các công nghệ quang khắc, PLCs có thể
được chế tạo với nhiều chức năng phức tạp và linh động. Các thành phần này có thể tùy
theo yêu cầu mật độ tích hợp cao và giá thành rẻ. Chẳng hạn, nhiều PLCs được chế tạo trên
nền các vật liệu thủy tinh silic [36], [93], [124], thủy tinh chalcogenide [34], InP/GaAsInP
[6] [45], vật liệu polymer [5] [101] v.v để tạo ra nhiều thành phần chức năng, linh kiện,
1
thiết bị quang.
So sánh với các thành phần rời rạc của mạch quang tích hợp chẳng hạn được xây dựng
dựa trên công nghệ màng mỏng hay tinh thể quang tử (photonic crystal) thì các linh kiện
dựa trên công nghệ PLCs hứa hẹn hơn bởi chất lượng hiệu năng (performances) tốt của
chúng như: kích thước nhỏ, suy hao thấp, độ tin cậy cao hơn, hiệu năng tốt, khả năng sản
xuất hàng loạt và thiết kế linh động, giá thành ngày một giảm.
Một ống dẫn sóng quang là một đơn vị cơ bản cho các thành phần quang tử, nó giống
như dây dẫn điện cho điện tử. Xét về phương diện mạch thì quang tử có thể được xem như
tương đương với tín hiệu điện được thay thế bởi tín hiệu quang. Một cách so sánh, ống dẫn
sóng dựa trên phản xạ toàn phần của tín hiệu quang để dẫn tín hiệu [64] cũng giống như
điện tử được dẫn trong các dây dẫn điện như kim loại hay sóng điện từ được truyền trong
môi trường không gian truyền sóng. Nguyên lý truyền ánh sáng trong ống dẫn sóng cũng
chính là nguyên lý của sóng ánh sáng được dẫn trong các sợi cáp quang. Ưu điểm của
truyền sóng dựa trên phản xạ toàn phần là suy hao truyền sóng thấp do hầu như không bị
tán xạ ra môi trường bên ngoài. Do đó, hiện nay các mạch tích hợp quang PLCs sử dụng
các ống dẫn sóng là chủ đạo để xây dựng các thành phần chức năng trong các hệ thống
thông tin cáp sợi quang.
Các ống dẫn sóng quang và các cấu kiện vi quang có thể được chế tạo với nhiều loại
vật liệu khác nhau. Mỗi loại vật liệu có một số ưu nhược điểm khác nhau tùy theo cấu trúc,
chức năng và mục đích ứng dụng các hiệu ứng vật lý. Chẳng hạn, với những thành phần
cấu kiện quang thụ động thì vật liệu SOI (silicon on insulator) là một ứng cử viên tốt để lựa
chọn bởi suy hao vật liệu tương đối thấp, giá thành rẻ, hệ số tương phản cao nhưng gặp khó
khăn để đạt được phát xạ ánh sáng bởi khoảng băng gián tiếp (indirect bandgap). Mặc khác
vật liệu SOI có hệ số điện quang (electro-optic coefficient) và hệ số chiết suất phi tuyến
(nonlinear refractive index) thấp nên không thích hợp với những ứng dụng của các hiệu
ứng điện quang hay hiệu ứng phi tuyến Kerr. Trong khi đó vật liệu như InP [6] chẳng hạn
lại là lựa chọn lý tưởng cho tích hợp nguyên khối (monolithic integration) bởi chúng có thể
hỗ trợ hiệu ứng điện quang [90] để tạo ra các cấu trúc điều chế, chuyển mạch tốc độ cao
nhưng nhược điểm của chúng là suy hao dẫn sóng lớn và sai khác hệ số chiết suất giữa lớp
lõi và lớp vỏ không cao nên kích thước còn khá lớn. Một loại vật liệu khác là thủy tinh
chalcogenide (As2S3) với đáp ứng thời gian nhanh kết hợp với hệ số phi tuyến bậc ba cao
thích hợp cho các mạch quang xử lý tốc độ cao [121]. Hơn nữa vật liệu có hệ số phi tuyến
Kerr rất lớn do vậy rất phù hợp với những ứng dụng cần có tác động của hiệu ứng phi
tuyến.
Các bộ ghép giao thoa đa mode MMI (multimode interference) là những ống dẫn sóng
quang phẳng, chúng hoạt động dựa trên nguyên lý tự tạo ảnh và được phát triển rất nhanh
trong những năm gần đây kể từ khi được giới thiệu về ứng dụng trong quang tích hợp bởi
Ulrich và Ankele [135]. Các phương pháp phân tích truyền mode và mô phỏng số hiện đại
đặc biệt là các phương pháp truyền chùm –BPM (beam propagation method) [145] và
2
phương pháp sai phân hữu hạn miền thời gian – FDTD (finite difference time domain)
[61] với năng lực trợ giúp của máy tính điện toán (computer) ngày càng cao đã và đang tạo
ra những bước đột phá mới cho nghiên cứu ứng dụng của các bộ ghép đa mode. Bộ ghép
đa mode có những ưu điểm như: băng thông tương đối cao [142] [88], suy hao thấp [84],
dung sai chế tạo lớn và mật độ tích hợp cao [151], tính ổn định rất tốt và tương thích với
công nghệ chế tạo bán dẫn CMOS [20]. Nhờ đó mà các bộ phối ghép giao thoa đa mode
được nghiên cứu và chế tạo để sử dụng rộng rãi trong nhiều mạch quang phẳng tích hợp
gồm: laser diode [125], bộ ghép nối quang [51], chia công suất quang [24] [123], kết hợp
quang, điều chế quang [16], chuyển mạch quang [136] [59], ghép/tách bước sóng quang
[128], các bộ cảm biến y sinh (biosensors) [69], các mạch logic quang [57] [79], các bộ tạo
mã quang [107]. Bên cạnh đó, các bộ giao thoa đa mode có thể được tích hợp với các mạch
quang phẳng khác chẳng hạn như: bộ cộng hưởng vi vòng [18], tinh thể quang, ảnh giao
thoa ba chiều (hologram) [130], cách tử Bragg [154], cách tử ống dẫn sóng được xếp mảng
–AWG (arrayed waveguide grating) [32] để tạo ra các vi mạch quang phức hợp.
Tuy nhiên, cho đến nay khả năng áp dụng của các bộ ghép giao thoa đa mode để xây
dựng nên các mạch tích hợp quang là những linh kiện của mạng thông tin xử lý tín hiệu
toàn quang còn nhiều cơ hội và thách thức cho nghiên cứu khoa học. Khả năng áp dụng các
bộ ghép giao thoa đa mode để tạo ra các bộ chia công suất với các tỷ số chia đa dạng, các
bộ chia chùm phân cực, các bộ chuyển mạch quang không chặn nhiều cổng, các bộ ghép
kênh ba bước sóng, các bộ ghép kênh phân chia theo mode hay các bộ điều chế pha vi sai,
các bộ cộng hưởng Fano, các bộ suy hao quang biến đổi điều khiển được,v.v. Bên cạnh đó,
việc sử dụng các cấu trúc hình học cho các bộ ghép đa mode để tối ưu hóa chất lượng hiệu
năng hoạt động là vấn đề quan trọng cần giải quyết. Đó cũng chính là những tiềm năng và
động lực nghiên cứu cho luận án này.

Đối tƣợng và mục tiêu nghiên cứu

Tóm lược những thảo luận ở trên, luận án hướng đến những đối tượng nghiên cứu như
sau:
- Nghiên cứu những tính chất, đặc điểm vật lý nổi bật của các bộ ghép giao thoa đa mode
với những cấu trúc hình học truyền thống và cải tiến.
- Kết hợp những ưu thế của cấu trúc giao thoa đa mode với các cấu hình, cấu trúc hình
học, vật liệu khác nhau để đề xuất xây dựng một số thành phần (hoặc phần tử) là những vi
mạch tích hợp chức năng mới của các mạng xử lý tín hiệu toàn quang.
- Các cấu kiện được đề xuất có cấu trúc mới hoặc được cải tiến để đạt được chất lượng
hiệu năng quang học tốt hơn nhờ những lợi điểm của bộ ghép đa mode so với các thành
phần cấu kiện dựa trên các mạch quang phẳng khác đã được thiết kế, chế tạo ở các nghiên
cứu khoa học khác.
Phương pháp tiếp cận và mục tiêu nghiên cứu cốt yếu là: Phần nghiên cứu chính của
3
luận án tiếp cận nghiên cứu các bộ ghép đa mode cơ bản 2×2 và 3×3 với cấu trúc hình học
chữ nhật truyền thống hoặc những cấu trúc với chiều rộng vùng đa mode biến đổi theo hình
dạng búp măng hoặc hình cánh bướm. Các bộ ghép đa mode sau đó được sử dụng với cấu
trúc đơn lẻ hoặc được ghép tầng nối tiếp hay ghép kiểu giao thoa Mach-Zehnder để đạt
được những cấu kiện, thành phần chức năng xử lý tín hiệu toàn quang. Mục tiêu nghiên
cứu là đề xuất thiết kế các mạch tích hợp quang với những ưu điểm về chất lượng hiệu
năng so với các thiết kế dựa trên các mạch quang phẳng khác về các phương diện: cấu trúc
không quá phức tạp, kích thước cấu kiện nhỏ gọn, tổn hao ghép nối thấp, băng thông tương
đối cao, dung sai chế tạo khá lớn và tương thích với các phương pháp chế tạo vi mạch phổ
biến hiện nay để có chi phí chế tạo thấp. Phương pháp nghiên cứu tính toán thiết kế dựa
trên mô phỏng số BPM - một phương pháp mô phỏng số được sử dụng rất rộng rãi trong
các nghiên cứu ống dẫn sóng quang phẳng cho toàn bộ các đề xuất của luận án.

Các kết quả đạt đƣợc

Xuất phát từ những phân tích ở trên về tiềm năng ứng dụng của các bộ giao thoa đa
mode đối với nhu cầu thiết kế các mạch tích hợp quang tử, các thành phần để ứng dụng
trong các mạng thông tin toàn quang, luận án tập trung nghiên cứu đề xuất các thiết kế sử
dụng các bộ ghép đa mode để tạo ra một số thành phần, cấu kiện vi quang mới. Luận án đã
đạt được một số kết quả chính sau đây:

 Đề xuất sử dụng bộ ghép giao thoa đa mode với các bộ ghép cơ sở trên nền vật liệu
silic và thủy tinh silic để ghép tầng tạo ra các bộ chia công suất có nhiều tỷ số chia
công suất bất đối xứng mới. Thiết kế bộ ghép giao thoa đa mode được khắc hình cánh
bướm trên nền vật liệu silic và thủy tinh silic để tạo ra bộ chia chùm phân cực.
 Thiết kế bộ chuyển mạch quang mới dựa trên ghép các bộ ghép đa mode theo cơ chế
giao thoa kế Mach Zehnder – MZI (Mach Zehnder Interferometer). Trong đó, đề xuất
sử dụng các ống dẫn sóng truy nhập ngoài cùng nối giữa các vùng đa mode là các bộ
dịch pha cho các hoạt động của trạng thái chuyển mạch. Sử dụng hiệu ứng Kerr bằng
vật liệu thủy tinh chalcogenide (As2S3) trên nền thủy tinh silic (SiO2), sử dụng hiệu ứng
Pockel bằng vật liệu tinh thể AgGaSe2 (Silver gallium selenide) trên nền thủy tinh silic
để tạo ra dịch pha cần thiết cho hoạt động chuyển mạch.
 Đề xuất sử dụng bộ ghép đa mode trên nền vật liệu silic và thủy tinh silic để thiết kế bộ
tách ghép ba bước sóng 1310 nm, 1490 nm, 1550 nm (được gọi là các bộ triplexer)
dùng trong các mạng quang truy nhập FTTH.

Tổ chức luận án
Nền tảng lý thuyết được trình bày trong chương 1. Các nội dung được đề xuất và thiết
kế các cấu kiện vi quang sử dụng giao thoa đa mode được trình bày chuyên sâu trong
Chương 2, Chương 3 và Chương 4. Ba chương này thể hiện toàn bộ đóng góp khoa học
của luận án. Cụ thể tổ chức như sau:
4
 Chương 1. Giao thoa đa mode: Chương này trình bày về cơ sở lý thuyết về nguyên
lý tự tạo ảnh trong ống dẫn sóng và cơ chế giao thoa đa mode, các đặc trưng quan trọng về
các cơ chế giao thoa phổ biến trong ống dẫn sóng đa mode hình chữ nhật truyền thống.
Cuối cùng, chương này trình bày về các phương pháp mô phỏng số sử dụng hiệu quả cho
nghiên cứu, phân tích và thiết kế ống dẫn sóng giao thoa đa mode.
Chương 2. Bộ chia công suất nhiều tỷ số và chia chùm phân cực dựa trên cấu
trúc giao thoa đa mode: Chương này đề xuất thiết kế bộ chia công suất nhiều tỷ số và chia
chùm phân cực sử dụng cấu trúc giao thoa đa mode. Phần đầu chương đề xuất ghép tầng
nối tiếp các bộ ghép giao thoa đa mode 2×2 để tạo ra các bộ chia công suất với các tỷ số
chia bất đối xứng dựa trên nền tảng vật liệu silic và thủy tinh silic. Phần sau đề xuất sử
dụng bộ ghép đa mode 2×2 với cấu trúc ống dẫn sóng được khắc hình cánh bướm để chia
chùm phân cực. Sử dụng phương pháp ma trận truyền dẫn và phương pháp mô phỏng số
BPM để thiết kế, tối ưu và đánh giá hiệu năng hoạt động của cấu kiện.
Chương 3. Chuyển mạch quang dựa trên cấu trúc giao thoa đa mode: Trong
chương này đề xuất sử dụng các bộ ghép giao thoa đa mode để tạo ra các bộ chuyển mạch
quang không bị chặn (nghĩa là: bất kỳ cổng đầu vào nào cũng có thể chuyển mạch được
đến bất kỳ cổng đầu ra nào). Trong đó đi sâu vào nghiên cứu đề xuất sử dụng 2 bộ ghép đa
mode 2×2 để tạo ra bộ chuyển mạch quang 2×2 hoặc sử dụng hai bộ ghép đa mode kích
thước 3×3 ghép với nhau để thực hiện nhiệm vụ của một bộ chuyển mạch quang 3×3.
Trong đó, các ống dẫn sóng truy nhập nối giữa các phần ống dẫn sóng giao thoa đa mode
thực hiện nhiệm vụ của các bộ dịch pha thụ động. Áp dụng các hiệu ứng Kerr hoặc hiệu
ứng Pockel để tác động tạo dịch pha trong các ống dẫn sóng này cho các hoạt động chuyển
mạch. Phương pháp ma trận truyền dẫn kết hợp các phương pháp phân tích truyền mode và
phương pháp mô phỏng số BPM để phân tích, thiết kế, tối ưu hóa cấu kiện đề xuất cũng
như đánh giá hiệu năng hoạt động của toàn bộ cấu kiện.
Chương 4. Các bộ triplexer dựa trên cấu trúc giao thoa đa mode: Chương này đề
xuất các thiết kế cho bộ triplexer sử dụng cấu trúc giao thoa đa mode trên nền vật liệu silic
và thủy tinh silic. Đầu tiên, một bộ ghép giao thoa đa mode 2×2 hình cánh bướm được thiết
kế để tách bước sóng 1310 nm và 1550 nm ra một cổng, bước sóng 1490 nm được tách
riêng ra một cổng. Để tách riêng bước sóng 1310 nm và 1550 nm ra những cổng riêng biệt,
luận án đề xuất: hoặc sử dụng một bộ ghép định hướng DC (directional coupler) hoặc sử
dụng một bộ ghép giao thoa đa mode hình cánh bướm thứ hai để tách riêng những bước
sóng này. Phương pháp mô phỏng số BPM được sử dụng để phân tích, thiết kế, tối ưu và
đánh giá chất lượng hiệu năng hoạt động của toàn bộ cấu kiện.
Kết luận và hướng phát triển: Kết luận ngắn gọn về toàn bộ nội dung, các đóng góp
khoa học của luận án cũng như đề xuất những hướng phát triển nghiên cứu khoa học tiềm
năng tiếp theo luận án này.

5
 Chƣơng1
Giao thoa đa mode và mô phỏng BPM
Nguyên lý cơ bản của ống giao thoa đa mode là nhiều mode tồn tại trong một ống dẫn
sóng. Sự truyền các mode trong một ống dẫn sóng có thể được mô tả bởi hệ phương trình
Maxwell xét theo phương diện quang sóng hoặc mô tả theo phương pháp quang hình (ray
optic). Phương pháp quang hình có thể mô tả đơn giản, tường minh và trực tiếp để hiểu các
mode trong ống dẫn sóng. Tuy nhiên, phương pháp mô tả quang lý (về tính sóng của ánh
sáng) bởi hệ phương trình Maxwell mà trực tiếp dẫn xuất là phương trình Helmholtz kinh
điển đạt được nhiều thông tin một cách tường minh theo quan điểm trường điện từ của
sóng ánh sáng.
Nghiên cứu về ống dẫn sóng quang về sự truyền sóng và phân bố mode của các thành
phần điện trường, từ trường trong ống dẫn sóng bằng phương trình Helmholtz (là những
phương trình vi phân đạo hàm riêng cấp hai - còn được gọi là các phương trình vi phân
parabol) dẫn đến sự cần thiết phải giải các phương trình vi phân đạo hàm riêng bằng
phương pháp toán giải tích là rất khó khăn. Việc xác định chính xác các biểu thức giải tích
của trường điện từ của sóng quang truyền trong ống dẫn sóng chỉ có thể giải được bằng các
biểu thức giải tích một cách tường minh trong những điều kiện ống dẫn sóng với dạng hình
học đơn giản. Nói chung, việc giải phương trình Helmholtz [39] để nghiên cứu về các ống
dẫn sóng và sự truyền sóng để tìm hiểu chi tiết về các đặc trưng vật lý của sóng điện từ cần
phải giải quyết bằng các phương pháp xấp xỉ như: xấp xỉ bằng biến đổi Fourier [111] hoặc
các phương pháp phần tử hữu hạn FEM (finite element method) [28] [104], phương pháp
sai phân hữu hạn FDM (finite difference method) [48]…Các phương pháp đó gọi chung là
các phương pháp mô phỏng số học (numerics simulation).
Chương này của luận án sẽ trình bày cơ sở lý thuyết về các ống dẫn sóng giao thoa đa
mode, các cơ chế giao thoa và các phương pháp phân tích ống dẫn sóng, nhất là phương
pháp truyền chùm BPM – một phương pháp mô phỏng rất thích hợp và được sử dụng rộng
rãi trong các nghiên cứu về ống dẫn sóng quang giao thoa đa mode.

1.1 Giao thoa đa mode

Giao thoa đa mode là hiện tượng ảnh tự chụp, một đặc tính của các ống dẫn sóng đa
mode. Theo đó một trường đầu vào được tái tạo trong một hoặc nhiều ảnh tại các khoảng
cách có tính chất chu kỳ dọc theo hướng truyền của ống dẫn sóng. Hiện tượng vật lý tự
chụp ảnh theo chu kỳ của một đối tượng bằng sự giao thoa kết hợp của sóng ánh sáng được
mô tả lần đầu tiên bởi Talbot et.al [126] vào năm 1836. Các ống dẫn sóng tự hội tụ với hệ
số chiết suất biến đổi đều có thể tạo ra các ảnh thực theo chu kỳ của một đối tượng. Tuy
nhiên, lần đầu tiên khả năng thu được ảnh tự chụp trong các ống dẫn sóng vuông nhỏ hệ số
đồng nhất được tìm ra trong thí nghiệm của Bryngdahl [21] vào năm 1973 bằng cách sử
6
dụng phương pháp quang hình (ray optics). Sau này Ulrich [103] giải thích chi tiết sâu hơn
về mặt lý thuyết và trình bày ứng dụng thực tế của nó trong quang tích hợp.

1.1.1 Cơ sở truyền sóng trong ống dẫn sóng

Chúng ta biết rằng về mặt quang sóng thì ánh sáng là một loại sóng điện từ, do vậy
truyền sóng ánh sáng trong môi trường truyền sóng tuân theo hệ phương trình Maxwell nổi
tiếng [75]:

B
 E    Jm (1.1)
t

D
 H   Je (1.2)
t

.D  e (1.3)

.B  m (1.4)

Ở đây, E là véc tơ cường độ điện trường, H là véc tơ cường độ từ trường, D là véc tơ

cảm ứng điện và B là véc tơ cảm ứng từ, Jm là véc tơ mật độ dòng từ, J e là véc tơ mật độ
dòng điện,  e và  m lần lượt là các véc tơ mật độ điện tích và mật độ từ tích.

Theo nguyên lý toán học về toán tử, chúng ta có đẳng thức:

.( A)  0 (1.5)

Véc tơ Pointing được định nghĩa là một tích có hướng sau:

P  EH (1.6)

Để ý rằng, các tính chất quang học và vật liệu truyền sóng trong môi trường đẳng
hướng, chúng ta có các giả thiết như sau:

-Không có điện tích tự do hoặc các nguồn dòng: e  0 , m  0 , J e  0 , J m  0 ;

-Vật liệu không có từ tính: hệ số từ thẩm tương đối bằng 1.
-Cường độ trường là đủ nhỏ để quan hệ giữa cảm ứng điện D và cường độ điện trường
E là tuyến tính.
Ta lại có các quan hệ giữa các đại lượng sau:

D   r 0 E (1.7)

B   r 0 H (1.8)

J  E (1.9)

Ở đây, εr và µr lần lượt là hằng số điện môi và hệ số từ thẩm tương đối; ε0 và µ0 tương
7
ứng là các hằng số độ điện thẩm tuyệt đối và độ từ thẩm tuyệt đối (trong chân không) có
giá trị:  0  8.854187817 1012 F/m và: 0  4 107 H/m,  là điện dẫn suất.

Sử dụng các phép biến đổi toán học cho các toán tử véc tơ, từ năm phương trình đầu
tiên kết hợp với đẳng thức:  A  .(. A)  2 A và do không có điện trường ngoài
và môi trường truyền sóng không dẫn điện cũng như không có từ tính, chúng ta có thể thu
gọn được các phương trình của hệ Maxwell là:

 r  0  r 0  2 E
2 E  0 (1.10)
 2t

 r  0  r 0  2 H
2 H  0 (1.11)
 2t

Chú ý rằng ta có: r  1 . Với trường điện từ là những sóng dao động điều hòa phụ
thuộc thời gian, chúng ta có thể viết trong hệ tọa độ Decartes:

E  E ( x, y, z )e jt (1.12)

H  H ( x, y, z )e jt (1.13)

Thế vào các phương trình (1.10) và (1.11), chúng ta thu được:

2 E   k 2  j0  E  0 (1.14)

2 H   k 2  j r  0  H  0 (1.15)

2 2
Với k  r  n là biên độ véc tơ sóng, n   r n là hệ số chiết suất,  và  2
0 0
lần lượt là các toán tử nabla (Hamilton) và toán tử Laplace, xác định như sau:

   
   ix , iy , iz  (1.16)
 x y z 

2 2 2
2    (1.17)
x 2 y 2 z 2

Với: ix, iy, iz lần lượt là các véc tơ đơn vị trên các trục x, y, z của hệ trục tọa độ
Decartes.

Trong không gian hai chiều, xét mặt phẳng xy thì phương trình điện trường viết là:

2 E 2 E
 2   n2 ( x, y )k02   2  E  0 (1.18)
x 2
y

Phương trình (1.18) chính là phương trình Helmholtz nổi tiếng [64].

8
1.1.2 Ống dẫn sóng đa mode và phân tích truyền mode
Phương pháp phân tích truyền mode –MPA (mode propagation method) hiểu theo
nghĩa đầy đủ về mặt lý thuyết là để mô tả hiện tượng giao thoa đa mode trong ống dẫn
sóng. Phương pháp này không chỉ hỗ trợ những yêu cầu cơ bản cho mô hình phân tích về
mặt số học mà còn phân tích cơ chế giao thoa bên trong ống dẫn sóng. Ở đây, ta sử dụng
phân tích truyền mode để công thức hóa ảnh có tính chu kỳ. Phương pháp này đầu tiên đưa
vào một trường đầu vào, sau đó nó sẽ kích thích cơ chế giao thoa và tự chụp ảnh trong
miền ống dẫn sóng đa mode, truyền các mode được dẫn, tính toán trường đầu ra bằng tái
kết hợp các trường được truyền.
Cấu trúc trọng tâm của một cấu kiện giao thoa đa mode (MMI) là một ống dẫn sóng
được thiết kế để hỗ trợ một số lượng lớn các mode sóng (thông thường: số lượng mode
được dẫn  3). Để phát ánh sáng vào trong và phục hồi ánh sáng từ ống dẫn sóng đa mode,
một số các ống dẫn sóng truy nhập (access waveguides) được bố trí tại điểm đầu vào và kết
thúc của ống dẫn sóng đa mode (các ống dẫn sóng truy nhập thường là đơn mode). Những
cấu trúc như vậy được gọi là bộ ghép giao thoa đa mode N  M (xem Hình 1.1). Ở dây: N
và M là số lượng đầu vào và ra một cách tương ứng. Ống dẫn sóng ba chiều với phương
pháp phân tích truyền mode được kết hợp với tính toán phần chéo hai chiều bằng các
phương pháp phần tử hữu hạn hoặc là sai phân hữu hạn. Tuy nhiên, thường các ống dẫn
sóng đa mode có chiều theo trục ngang (transverse) lớn hơn nhiều so với chiều dày
(lateral), có thể giả thiết các mode có dạng thể hiện theo chiều trục ngang ở mọi nơi trong
ống dẫn sóng.

Các ống dẫn Ống dẫn sóng đa mode Các ống dẫn
sóng truy nhập sóng truy nhập
(MMI waveguide)

N 1
N-1 Bộ ghép giao thoa đa mode
N×M
M-1
1 M

Hình 1.1 Sơ đồ của một ống dẫn sóng đa mode N×M theo hình chiếu bằng.

Hình 1.2 thể hiện một ống dẫn sóng hai chiều chiều với độ rộng WMMI , hệ số chiết suất
(hiệu dụng) lõi nr và hệ số chiết suất vỏ (hiệu dụng) là nc. Ống dẫn sóng ỗ trợ m mode
ngang với số mode tại bước sóng không gian tự do  . Quan hệ giữa số sóng ngang k x và
hằng số truyền  của mode thứ  có quan hệ với hệ số chiết suất lõi của ống dẫn sóng
dạng sườn (rib/ridge waveguide) bởi phương trình tán sắc [71]:

9
 kx2  2  k02 nr2 (1.19)

Với k0 là số sóng trong không gian tự do và được xác định bởi:

2
k0  (1.20)

Điều kiện hình thành sóng đứng:

We kx    1  (1.21)

Ở đây, độ rộng hiệu dụng mode tính theo độ sâu thẩm thấu của mỗi trường mode kết
hợp với dịch Goos-Hanchen tại biên. Với các ống dẫn sóng tương sai khác hệ số chiết suất
giữa lớp lõi và vỏ cao thì độ sâu thẩm thấu là rất nhỏ nên độ rộng mode hiệu dụng xấp xỉ
với độ rộng hiệu dụng, được cho bởi [103]:
2
   n  1
We  We =WMMI    c  (1.22)
    nr  n  nc2
2
r

nc nr n

WMMI y z

Hình 1.2. Biểu diễn hai chiều của một ống dẫn sóng hệ số chiết suất bậc hai chiều.

Ở đây   0 cho mode phân cực TE và   1 cho mode phân cực TM.

Bằng cách sử dụng xấp xỉ hàm Taylor bậc hai với với điều kiện: kx2 k02 nr2 , hằng số
truyền  có thể được rút gọn từ các phương trình (1.19) và (1.21) là :

  1 
2

  k0 nr  (1.23)
4nrWe2

Do đó, hằng số truyền trong một ống dẫn sóng đa mode chiết suất bậc cho thấy sự phụ
thuộc bình phương với số mode  .

Bằng cách định nghĩa L là nửa chiều dài phách (half-beat length) của hai mode bậc thấp
nhất:

10
  4nrWe2
L   (1.24)
0  1 3

Khoảng cách các hằng số truyền được viết lại là :

 (  2)
 0     (1.25)
3L

Bằng cách giả thiết rằng MMI có ít nhất một số ít mode được dẫn và các mode phát xạ của
phần MMI không được kích thích, trường đầu vào  ( x, 0) là phổ hẹp đủ để không kích
thích các mode không được dẫn, ta có thể được khai triển theo các thành phần của các
mode được dẫn trong vùng đa mode:

 ( x,0)   cv ( x) (1.26)



Trong đó,  ( x) là phân bố mode bậc thứ  và cv là hệ số kích thích mode bậc thứ , cho
bởi tích phân xếp chồng sau :

cv 
 ( x, 0) ( x)dx (1.27)
  ( x)dx
2

Trường  ( x, z ) truyền dọc theo trục z có thể được xem như là sự siêu xếp chồng của tất cả
các mode được dẫn, nghĩa là:
m 1
 ( x, z )   c  ( x) exp  j (t   z )  (1.28)
 0

Lấy pha của mode cơ sở (bậc 0) là nhân tử chung ra bên ngoài của tổng, tách nó và giả
thiết rằng thành phần phụ thuộc thời gian ẩn, trường  ( x, z ) trở thành:
m 1
 ( x, z )   c  ( x) exp  j ( 0   ) z  (1.29)
 0

Bằng cách thế hằng số truyền từ phương trình (1.25) vào phương trình trên ta được:
m 1
  (  2) 
 ( x, z )   c  ( x) exp  j z (1.30)
 0  3L 

Dạng của trường sóng  ( x, z  L) và cuối cùng kiểu của ảnh được tạo sẽ được xác định
bởi hệ số kích thích c và đặc tính của nhân tử pha mode:

  (  2) 
exp  j L (1.31)
 3L 

11
 Có thể thẩy rằng: dưới một khoảng cách chu kỳ, trường  ( x, L) sẽ được tái tạo (self-
imaging) của trường đầu vào  ( x, 0) . Chúng ta gọi giao thoa tổng quát (General
interference–GI) là giao thoa độc lập với sự kích thích mode; giao thoa hạn chế (Restricted
interference – RI) là do sự kích thích mode chắc chắn tại một số vị trí xác định đơn lẻ.

Các tính chất sau đây sẽ được sử dụng trong việc đối chiếu:

 (  2) chẵn với  chẵn,  (  2) lẻ với  lẻ (1.32)

 ( x)   ( x) khi  chẵn,  ( x)   ( x) khi  lẻ (1.33)

Dễ dàng kiểm tra các tính chất này về mặt toán học.

1.1.3 Giao thoa tổng quát – GI

Cơ chế giao thoa tổng quát là độc lập với sự kích thích mode, tức là không giới hạn vào
hệ số kích thích mode c . Chúng ta xem xét các trường hợp sau đây:

a) Các đơn ảnh

Từ phương trình (1.30) ta thấy rằng trường  ( x, L) sẽ là một ảnh của  ( x,0) nếu:

  (  2) 
exp  j L   1 hoặc (1) (1.34)
 3L 

Điều kiện này cho kết quả: L  p(3L ) với p  0,1, 2 (1.35)

Hệ số p biểu thị chu kỳ tự nhiên của ảnh theo ống dẫn sóng đa mode.

b) Các đa ảnh
Ngoài các ảnh đơn thì các đa ảnh nhận được tại các vị trí có khoảng cách là nửa độ dài
của các khoảng ảnh đơn, do có sự chụp ảnh đối xứng gương (mirrored images). Đa ảnh do
vậy chụp được tại các khoảng cách:

p
L (3L ) với p  1,3,5, 7 (1.36)
2
Trường tổng tại các chiều dài này tìm thấy bằng cách thay phương trình (1.36) vào phương
trình (1.30) với điều kiện đối xứng của trường mode, ta thu được:

p m 1
   
 ( x, 3L )   c  ( x) exp  j (  2) p    (1.37)
2  0  2  

p
 ( x, 3L )   c  ( x)     j  c  ( x)
p

2 even odd
(1.38)
1  j  1  j 
p p
p
 ( x, 3L )   ( x, 0)   ( x, 0)
2 2 2
12
Phương trình cuối biểu thị cho cặp ảnh của  ( x, 0) trong sự cầu phương với biên độ 1/ 2
1 3 5
tại khoảng cách z   3L  ,  3L  ,  3L  …Hai ảnh đứng này có thể được ứng dụng
2 2 2
để tạo ra các bộ ghép 2×2 –3dB.
Tóm lược lại, giao thoa tổng quát cho cấu trúc N đầu vào sẽ được tạo dạng ở khoảng cách:

p
L (3L ) (1.39)
N

N-ảnh đứng được định vị tại vị trí xi với pha i được tính bởi L.B.Soldano et.al [71] và M.
Bachmann et.al [9] là:

We
xi  p(2i  N )
N ,
i  1, 2,3...N (1.40)

i  p( N  i )
N
Trường được dẫn ở phương trình (1.30) lúc này được viết dưới dạng:

1 N 1
 ( x, L)   ( x  xi ) exp  ji 
C i 0
(1.41)

Trong đó, C là một hằng số phức được chuẩn hóa và C  N , i là chu kỳ theo dọc theo
trục z, p là số nguyên dương trong đó p và N là nguyên tố cùng nhau.

Phương trình trên chứng tỏ N ảnh đứng được tạo tại vị trí xi, góc pha φi, biên độ 1/ N . Cơ
chế giao thoa cho phép nhận ra một bộ ghép quang N×N hoặc N×M. Trường hợp ngắn nhất
là p=1. Khi đó, quan hệ về pha liên kết rs của ảnh giữa đầu ra thứ r và đầu vào thứ s của
bộ ghép N×N là [71]:


rs  ( s  1)(2 N  r  s)   với r  s chẵn (1.42)
4N


Và: rs  (r  s  1)(2 N  r  s  1) với r  s lẻ (1.43)
4N

1.1.4 Giao thoa hạn chế -RI

Cơ chế giao thoa phụ thuộc vào sự kích thích mode trong ống dẫn sóng. Trong phần
này, luận án trình bày khả năng và cách thức để tạo ra các bộ ghép MMI mà chỉ vài mode
được kích thích trong vùng MMI bởi trường đầu vào. Cơ chế giao thoa như vậy được gọi là
giao thoa hạn chế. Sự kích thích có chọn lọc này có liên quan đến nhân tử pha mode
 (  2) . Đại lượng này cho phép cơ chế giao thoa mới với chu kỳ ngắn hơn. Có hai
trường hợp được xét đến sau đây:

13
Giao thoa theo cặp
Để ý rằng:  (  2)  0 mod(3) với   2,5,8,11,... (1.44)

Rõ rằng chiều dài chu kỳ của nhân tử pha mode sẽ giảm đi 3 lần nếu:

c  0 , với   2,5,8,11,... (1.45)

Do đó, các đơn ảnh (trực tiếp và đảo ngược) của trường đầu vào  ( x, 0) sẽ nhận được tại
khoảng cách:

L  p( L ) với p  0,1, 2 (1.46)

Điều đó chứng tỏ rằng: các mode   2,5,8,11,... không được kích thích trong ống dẫn
sóng đa mode. Bằng cách tương tự ta thu được hai ảnh đứng sẽ được tìm thấy tại
p
L  ( L ) với p lẻ.
2
Tổng quát cho hệ thống N ảnh đứng sẽ được tạo ra tại khoảng cách:

p
L ( L ) với p  0,1, 2 (1.47)
N

Ở đây: p  0, N  1 là các số nguyên và nguyên tố cùng nhau.

Pha liên kết ik của ảnh giữa đầu ra thứ k và đầu vào thứ i được tính theo [71] công thức:

 (i 2  k 2 )  
ik   k  nếu Aik  0 (1.48)
3N 2 2

 (i 2  k 2 )  3
ik   k  nếu Aik  0 (1.49)
3N 2 2

2 i  N  k  
Với: Aik  sin   là biên độ ảnh kết hợp từ đầu vào thứ i và đầu ra thứ k. Một
N  2N 
cách để nhận được các kích thích chọn lọc này bằng cách phát một trường đầu vào đối
We
xứng chẵn ( x, 0) (ví dụ chùm Gaussian) tại vị trí x   . Tại các vị trí này, các mode
6
  2,5,8,11,... sẽ là không với đối xứng lẻ.

Giao thoa đối xứng

Một bộ chia quang N đường cũng có thể được tạo ra bằng phương pháp giao thoa tổng
quát N ảnh đứng ở trên. Tuy nhiên, bằng cách chỉ các mode đối xứng chẵn, bộ chia 1 đến N
có thể được chế tạo với ống dẫn sóng bốn lần ngắn hơn.
Thật vậy, chú ý rằng:

14
  (  2)  0 mod(4) với  chẵn (1.50)

Rõ ràng là chiều dài chu kỳ của pha mode sẽ giảm 4 lần nếu:

c  0 với   1,3,5,... (tức  lẻ) (1.51)

Do đó, ảnh đơn của trường đầu vào ( x, 0) sẽ được nhận tại:

Đầu ra
1
We/N
2
wa
W 3
.
Đầu vào .
.
N

3pLπ /4N

Hình 1.3. Sơ đồ của một bộ chia hoặc kết hợp quang 1:N dựa trên cấu trúc giao thoa đối xứng.

3L
L  p( ) với p  0,1, 2 (1.52)
4
Ta xét điều kiện các mode lẻ không được kích thích trong ống dẫn sóng đa mode. Điều
kiện này có thể đạt được khi đầu vào của trường được bố trí tại ví trí trục đối xứng trung
tâm của ống dẫn sóng đối xứng (như được thấy ở Hình 1.3).

Tổng quát, N ảnh đứng sẽ được nhận tại khoảng cách:

p 3L
L ( ) với p  0,1, 2 (1.53)
N 4

ở đây p  0, N  1 là các số nguyên và nguyên tố cùng nhau.

Vị trí xi và pha i của ảnh đầu ra được tính theo công thức [71]:

We
xi  ( N  1  2i )
2N
(1.54)
 ( N  1  2i) 2
i  
4N

1.1.5 Ống dẫn sóng hình búp măng

Để giảm phản xạ tại mặt cuối của cấu trúc giao thoa đa mode, hoặc để cải thiện khả
năng bắt giữ của ánh sáng và làm tăng chất lượng ảnh giao thoa, một cấu trúc ống dẫn sóng
hình búp măng (taper waveguide) hay còn được gọi là ống dẫn sóng côn cũng được sử
dụng trong nhiều ứng dụng (như được thể hiện trên Hình 1.4 ). Một bộ ghép đa mode hình

15
búp măng đối xứng trục cũng được đề xuất trong một vài nghiên cứu để sử dụng làm các
bộ kết hợp công suất.
Các ống dẫn Các ống dẫn
sóng truy nhập sóng truy nhập
Ống dẫn
Các ống dẫn
sóng truy nhập sóng búp Ống dẫn sóng hình cánh
măng bướm tuyến tính

(a) (b)

Hình 1.4. Các ống dẫn sóng có chiều rộng biến đổi tuyến tính:
(a) ống dẫn sóng hình búp măng và (b) ống dẫn sóng hình cánh bướm.

Trong ống dẫn sóng hình chữ nhật truyền thống, ta có quan hệ hằng số truyền như sau:

   1 
  0  (1.55)
4nrWe2

Ở đây: We, nr lần lượt là độ rộng hiệu dụng của vùng đa mode và chiết suất hiệu dụng của
lớp lõi ống dẫn sóng,  là bước sóng hoạt động trong không gian tự do và  là số thứ tự
mode. Biểu thức trên chứng tỏ rằng: hằng số truyền không phụ thuộc vào vị trí với cấu trúc
ống dẫn sóng đa mode hình chữ nhật truyền thống. Tuy nhiên, trong cấu trúc ống dẫn sóng
hình búp măng, độ rộng của ống dẫn sóng thay đổi theo vị trí truyền (trục z). Nói cách
khác, hình dạng biên của ống dẫn sóng sẽ xác định biểu thức của hằng số truyền. Nếu ta
xem một đường cong được xấp xỉ bởi các điểm rời rạc trên biên đường cong theo trục z và
cấu trúc ống dẫn sóng với độ rộng là hàm số W(z) theo tọa độ trục z thì sự truyền sóng với
chiều rộng W(z) được xem như sự xếp chồng qua vô số những ống dẫn sóng hình chữ nhật
có kích thước ( zk 1  zk )× W ( zk ) , với zk là tọa độ của các điểm rời rạc hóa theo chiều dài
của ống dẫn sóng hình búp măng. Quan hệ tán sắc được viết lại là:

kx2 ( z )  2 ( z )  k02 nr2 (1.56)

Và ta cũng có quan hệ về số mode:

kxv  z We  z    v  1  (1.57)

Ở đây, We  z  là độ rộng hiệu dụng của ống dẫn sóng hình búp măng theo biến z. Từ hai
phương trình trên ta xác định được biểu thức hằng số truyền như sau:

   2  
  z   0  z   (1.58)
4nrWe2  z 

Sai pha mode tương đối v sau khi truyền từ vị trí z1 đến vị trí z2 theo phương truyền
được xác định bởi biểu thức:

16
 z2
   2   z 2
dz
  z1 , z2     0 ( z )  v ( z ) dz   W  z
2
(1.59)
z1
4nr z1 e

Ta cũng định nghĩa nửa chiều dài phách giữa hai mode bậc thấp nhất sau khi truyền từ vị
trí z1 đến vị trí z2 theo phương truyền sóng z là:


L ( z1 , z2 )  (1.60)
0 ( z1 , z2 )  1 ( z1 , z2 )

Thế phương trình (1.58) ở trên vào biểu thức tích phân xác định thì biểu thức (1.60) được
xác định bởi:
2 z
4nr
3  z2  z1  z1
L ( z1 , z2 )  We2 ( z )dz (1.61)

1.2 Các phƣơng pháp phân tích ống dẫn sóng

Ống dẫn sóng được thảo luận ở trên theo không gian hai chiều được gọi là ống dẫn
sóng phiến vuông mỏng (slab waveguides). Nói chung, các ống dẫn sóng được nghiên cứu
lại là các ống dẫn sóng dạng không gian ba chiều (3D). Việc tìm hiểu sự truyền sóng và
phân bố trường mode trong ống dẫn sóng 3D là không đơn giản. Trong thực tế của không
gian 3D, phân tích như trong không gian hai chiều (2D) như trên là không đạt chính xác vì
thiếu một thành phần theo độ cao. Vì vậy, cách thức để mô hình hóa các dạng 3D về biến
đổi tương đương 2D để giúp tăng tốc độ tính toán là rất cần thiết. Cách phân tích sự truyền
sóng trong không gian ba chiều do vậy được phân tích về không gian hai chiều để đơn giản
hóa hơn và đặc biệt, khi mô phỏng số bằng cách giải các phương trình vi phân đạo hàm
riêng và các phương pháp truy hồi sẽ tiêu tốn ít nguồn lực tính toán và bộ nhớ hơn, thời
gian thực hiện nhanh hơn.

1.2.1 Phƣơng pháp Marcatili

Phương pháp Marcatili thường được sử dụng để phân tích cấu trúc ống dẫn sóng 3D
[91]. Theo đó, phân bố trường cho các mặt phẳng 3D được quy về 2D và được sắp xếp
thành các vùng phân bố điện trường. Sau đó, áp dụng cách giải các hệ phương trình dựa
trên hàm phân bố điện trường như đã trình bày trên kết hợp với các điều kiện biên liên tục
của điện trường và vi phân của nó tại các bờ phân cách của các vùng. Kết quả, ta sẽ thu
được cặp phương trình tán sắc như sau:

  n2 
k x a  ( p  1)  tan 1  12 x  (1.62)
2  n0 k x 

 y 
k y d  (q  1)  tan 1   (1.63)
2 k
 y 

17
Trong đó: ống dẫn sóng có bề rộng 2a theo trục x và bề dày 2d theo trục y; k x , k y là các số
sóng theo phương x, y một cách tương ứng; (p, q) là số mode trong không gian xy. Các hệ
số chuẩn hóa  x và  y theo phương x, y xác định bởi:

ns2, x  n0,2 x ns2, y  n0,2 y

x  , y  (1.64)
n1,2 x  ns2, x n1,2 y  ns2, y

Trong đó: n0, x ( y ) , n1, x ( y ) và ns , x ( y ) tương ứng lần lượt là hệ số chiết suất lớp vỏ trên, lớp lõi
và lớp vỏ dưới (lớp đế) của ống dẫn sóng phiến vuông mỏng theo phương x (hoặc y) trong
mô hình chuyển đổi từ 3D sang 2D.

1.2.2 Phƣơng pháp hệ số hiệu dụng

Tuy phương pháp Marcatili xấp xỉ từ 3D về 2D khá hiệu quả song các tính toán còn
khá phức tạp. Để đơn giản cho việc phân tích cấu trúc ống dẫn sóng trong không gian ba
chiều, một phương pháp khác được đề xuất. Đó là: phương pháp hệ số hiệu dụng EIM
(effective refractive index) [27]. Bằng cách sử dụng phương pháp EIM, một mô hình 3D có
thể được đơn giản chuyển đổi về mô hình 2D. Điện trường trong phương pháp EIM giả sử
được tách riêng thành hai trường theo hai hướng x và y độc lập với nhau:

E ( x, y)  X ( x).Y ( y) (1.65)

Thế vào phương trình Helmholtz (1.18), thực hiện các phép tính vi phân ta được:

1  2 X 1  2Y
   n2 ( x, y )k02   2   0 (1.66)
X x 2
Y y 2

Ta giải phương trình này bằng cách thế hệ số gọi là hệ số hiệu dụng thành hai phương
trình riêng rẽ sau đây:

1 2 X
  n2 ( x, y)k02  neff
2
( x)   0 (1.67)
X x 2

1  2Y
  neff
2
( x)k02   2   0 (1.68)
Y y 2

Bằng cách giải phương trình (1.67) ta nhận được nghiệm neff ( x) gọi là hệ số (chiết
suất) hiệu dụng. Sau đó giải tiếp phương trình (1.68) ta tìm ra được hằng số truyền  .

Thủ tục tính toán hệ số hiệu dụng được tóm lược lại như sau:
-Thay thế các ống dẫn sóng quang 2D bằng một sự kết hợp của ống dẫn sóng một
chiều (1D).
-Với mỗi ống dẫn sóng 1D, tính toán hệ số hiệu dụng theo trục y.
-Mô hình theo ống dẫn sóng phiến vuông mỏng (slab waveguide) bằng cách thay thế
18
các hệ số hiệu dụng như theo trục y vào trục x.
-Nhận được hệ số hiệu dụng bằng cách giải theo mô hình ở bước vừa trên.

Hình 1.5 mô tả sơ đồ phân tích bằng phương pháp hệ số hiệu dụng cho ống dẫn sóng
dạng sườn (rib/ridge) từ mô hình 3D chuyển về dạng tương đương 2D. Trong đó: n0 , n1 và
ns tương ứng lần lượt là hệ số chiết suất lớp vỏ trên, lớp lõi và lớp vỏ dưới (lớp đế) của
ống dẫn sóng trong không gian 3D, h và H lần lượt là chiều cao sườn (rib) và chiều cao
tổng của ống dẫn sóng, W là độ rộng sườn của ống dẫn sóng.

n 0 h
Lớp vỏ trên
H
Lớp lõi
n1

ns Lớp đế

nc,eff nr,eff nc,eff

Hình 1.5. Mô tả sơ đồ phân tích bằng phương pháp hệ số hiệu dụng.

1.2.3 Phƣơng pháp hệ số hiệu dụng hiệu chỉnh

Phương pháp hệ số hiệu dụng sử dụng rất hiệu quả trong việc phân tích cấu trúc ống
dẫn sóng bằng cách xấp xỉ từ không gian ba chiều rút gọn về không gian hai chiều, làm
giảm độ phức tạp tính toán các phương trình vi phân đạo hàm riêng. Từ đó, rút ngắn thời
gian thực hiện tính toán mô phỏng số cho cấu trúc. Tuy nhiên, trong một số trường hợp cụ
thể với cấu trúc ống dẫn sóng thích hợp ta có thể cải tiến phương pháp hệ số hiệu dụng
bằng một phương pháp mới có tên gọi là phương pháp hệ số hiệu dụng được biến đổi
MEIM (Modified effective index method) [66]. Cụ thể sẽ được trình bày ngay sau đây.
Bằng cách tích phân phương trình (1.18) trong một đoạn đóng [-Y/2, Y/2], ta được:

Y /2 2 E Y /2  E
2
Y /2
Y /2 x2  Y /2 y 2  Y /2 k0 n ( x, y)    Edy  0
2 2 2
dy dy (1.69)

19
 Y /2 2 E E Y /2
Khi Y đủ lớn, đại lượng Y /2 y 2 dy  y Y /2
là xấp xỉ bằng không và có thể được bỏ

qua. Bằng cách đặt:

Y /2
u ( x)   E ( x, y)dy (1.70)
Y /2

Y /2

N ( x) 
Y /2
n 2 ( x, y ) E ( x, y )dy
(1.71)
Y /2
Y /2
E ( x, y )dy

Ta có:

 2u
  N 2 ( x)k02   2  u  0 (1.72)
x 2 

Phương trình (1.72) là phương trình sóng với hệ số hiệu dụng N ( x) , u ( x) tương
đương với phân bố mode trong không gian 1D. Lưu ý rằng hằng số truyền  giữ giá trị
không đổi trong không gian 2D.

1.3 Các phƣơng pháp mô phỏng số học

Mô phỏng số để mô hình hóa và phân tích các đặc tính ảnh tự chụp về biên độ, pha
phức cũng như giải mode cho các ống dẫn sóng nói chung và các ống dẫn sóng đa mode
nói riêng. Nói như thế là bởi không có phương pháp phân tích để giải các phương trình giá
trị riêng một cách tổng quát cho mọi cấu trúc ống dẫn sóng nhất là trong không gian ba
chiều, ngoại trừ trường hợp ống dẫn sóng được xét trong không gian hai chiều với hình
dạng hình học tuyến tính chẳng hạn ống dẫn sóng phiến vuông mỏng (slab waveguide).
Với ống dẫn sóng giao thoa đa mode, phương pháp phân tích truyền mode không thể phân
tích quan hệ giữa các đặc tính trường điện từ như quan hệ biên độ và pha giữa các đầu vào
và các đầu ra, sự phân bố trường mode… Khi đó, muốn phân tích hiệu quả các đặc tính
quang học và phân bố trường mode thì phải sử dụng các công cụ mô phỏng số hiệu quả
hơn như: BPM, FDTD. Chúng ta đều biết rằng: lời giải mode giá trị riêng – EMS
(eigenvalue mode solver) đóng vai trò quan trọng trong phân tích và thiết kế của cấu trúc
ống dẫn sóng nhất là với ống dẫn sóng giao thoa đa mode. Việc giải quyết các phương
trình vi phân đạo hàm riêng nhiều biến và bậc hai là rất khó khăn và phức tạp về mặt toán
giải tích. Do vậy, cần xem xét các điều kiện để giải hệ các phương trình này dựa trên các
điều kiện đặc thù để rút gọn độ phức tạp hay sử dụng các phương pháp xấp xỉ, các điều
kiện biên thích hợp. Có nhiều phương pháp hiệu quả để giải các phương trình vi phân đạo
hàm riêng cho các cấu trúc ống dẫn sóng, quan trọng nhất là các phương pháp dựa trên
phương pháp phần tử hữu hạn FEM và phương pháp sai phân hữu hạn FDM. Chúng ta xem
xét phương pháp quan trọng hay được sử dụng nhất để giải hệ các phương trình vi phân
đạo hàm riêng là phương pháp FDM. Phương pháp này dựa trên ma trận cho phương trình
20
vi phân bằng phép thế để giải phương trình Helmholtz. Ta xét lời giải bằng phép thế ma
trận cho phương trình đối với điện trường E như sau:

 Pxx Pxy   Ex   2  Ex 
     2   (1.73)
 Pyx Pyy  E y  z  E y 

Trong đó: Pij ( i, j  ( x, y) ) là các toán tử vi phân phức. Các toán tử Pxx và Pyy được tính cho
các thành phần phụ thuộc phân cực bởi điều kiện biên khác nhau tại các giao diện, chẳng
hạn như: sự khác nhau của hằng số truyền, của hình dạng trường, suy hao uốn cong…với
các mode TE, TM. Trong khi đó, các toán tử Pxy và Pyx được tính cho các thành phần ghép
phân cực (polarization coupling) hoặc các mode lai ghép (hybrid modes) do bởi các hiệu
ứng hình học, chẳng hạn: do sự bẻ góc, độ dốc của các cạnh, độ nhám bề mặt của các mặt
của ống dẫn sóng trong các phần chéo của ống dẫn sóng hoặc do sự bất đồng nhất trong
phân bố vật liệu (anisotropy materials).

Giả sử rằng ánh sáng dao động điều hòa và truyền theo trục z nên trường điện từ có thể
biểu diễn dưới dạng tích của một thành phần chỉ phụ thuộc vào mặt phẳng (xy):

E  E ( x, y) exp( j  z ) (1.74)

Với:  là hằng số truyền và E là véc tơ trường điện từ truyền trong ống dẫn sóng.

E 2 E
Chú ý rằng   j  và 2 2    nên ta có phương trình vi phân sau :
2

Ez E z

 Pxx Pxy   Ex   2   2   Ex 
         2 j   2   (1.75)
 Pyx Pyy  E y   z z   E y 


Với phương pháp FDM, mode riêng được xem như dẫn không đổi theo trục z, nên 0
z
2
và 2    2 . Cuối cùng ta thu được phương trình giá trị riêng tuyến tính:
z

 Pxx Pxy   Ex   Ex 
      2
  (1.76)
 Pyx Pyy  E y   Ey 

Phương trình (1.76) là phương trình giá trị riêng véc tơ đầy đủ - FVEE (full vectorial
eigenvalue equation), dùng để mô tả các mode của ống dẫn sóng quang. Hai trường trực
giao Ex và E y được ghép trong khi hằng số truyền  là giá trị riêng. Khi giải được các

thành phần điện trường Ex và E y thì dựa vào hệ phương trình Maxwell ta cũng tìm ra lời
giải cho từ trường H x và H y .

21
 Chú ý quan trọng là trong các lời giải số học cho các phương trình vi phân đạo hàm
riêng, điều kiện biên phải được xác định và vùng tính toán không thể không xác định. Có
vài điều kiện biên được đề xuất áp dụng. Phổ biến là các điều kiện biên trong suốt –TBC
(Transparent Boundary Condition) [48] và lớp thích hợp hoàn hảo – PML (Perfectly Match
Layer) [102]. Điều kiện biên PML thường được sử dụng trong các phương pháp mô phỏng
số BPM [43] [44] và FDTD [62] bằng cách: đưa thêm vào vùng biến đổi phức trong một
độ rộng xác định của điện dẫn xuất.

1.3.1 Phƣơng pháp truyền chùm BPM

Phương pháp FDM như trình bày ở trên là cách giải các mode riêng cho một ống dẫn
sóng. Tuy nhiên, FDM không thể nghiên cứu các đặc tính truyền của ống dẫn sóng biến đổi
theo trục z như cấu trúc ống dẫn sóng hình búp măng (tapers), cấu trúc hình chữ Y, cấu
trúc hình sin (sinusoidal waveguide) hoặc ống dẫn sóng giao thoa đa mode. Với những cấu
trúc ống dẫn sóng này thì: phương pháp truyền chùm BPM mới đủ hiệu quả cho việc tìm
hiểu và phân tích cấu trúc. Mô phỏng BPM có thể kết hợp với các dạng mô phỏng số khác
nên có nhiều kiểu. Có thể kể ra các phương pháp BPM vi phân hữu hạn FD-BPM [145]
[146] phương pháp BPM với biến đổi Fourier nhanh (FFT-BPM) [39], phương pháp BPM
phần tử hữu hạn (FE-BPM) [132].
Công thức cơ bản dựa trên lời giải xấp xỉ đường bao biến đổi chậm, điện trường (của
dao động điều hòa theo phương truyền sóng z) có thể viết theo dạng véc tơ:

E  E ( x, y) exp( jk0 nz ) (1.77)

Trong đó: n là hệ số chiết suất tham chiếu.

Ta sẽ nghiên cứu lời giải số cho BPM với những điều kiện biên. Đầu tiên, bỏ qua thành
phần vi phân bậc hai của điện trường theo hướng z (rất nhỏ), phương trình Helmholtz dạng
3D cho trường với đường bao biến đổi chậm được xấp xỉ là:

E i  2 E 2 E 2 
  2  2  (k  k ) E 
2
(1.78)
z 2k  x y 

2 n 2 n
Với: k  là số sóng, k  là số sóng tham chiếu. Phương trình trong 2D nhận
0 0
được bằng cách bỏ đi thành phần trục y. Phương trình (1.78) là một phương trình vi phân
riêng parabolic mà có thể tích phân theo trục z. Một kỹ thuật của phương pháp BPM được
thực hiện bằng phương pháp chia bước Fourier. Các nghiên cứu gần đây chứng tỏ rằng hầu
hết các bài toán về quang tích hợp có thể tiếp cận một kỹ thuật dựa trên phương pháp vi
phân hữu hạn sử dụng cấu trúc sơ đồ Crank-Nicholson [29], [110], [152] để giải quyết.
Theo cấu trúc này, trường điện từ trong mặt phẳng ngang (xy) được biểu diễn bởi những
điểm rời rạc trên một lưới, phần tiếp theo xây dựng các mặt phẳng ngang theo trục vuông
22
góc z. Với mỗi một trường rời rạc hóa tại một mặt phẳng z, mục tiêu là tính trường ở điểm
tiếp theo trong phương trình sai phân đạo hàm riêng và các bước sẽ được lặp lại trong sơ
đồ giải thuật đệ quy cho đến điểm truyền cuối cùng. Giả sử Ein biểu diễn trường điện từ
(trường điện hoặc trường từ) tại điểm lưới ngang thứ i và mặt phẳng n theo hướng dọc, giả
sử các điểm lưới và các mặt phẳng cách nhau những khoảng bằng nhau lần lượt là x và
z một cách tương ứng. Sơ đồ Crank-Nicholson áp dụng cho phương trình (1.78) tại mặt
phẳng giữa mặt phẳng n đã biết và mặt phẳng n+1 chưa biết như sau [58]:

Ein 1  Ein i  2
   Ein 1  Ein
2 2
  2  k ( xi , zn1/2 )  k  (1.79)
z 2k  x  2

Ở đây,  2 biểu diễn toán tử vi sai bậc hai chuẩn:  2 Ei  ( Ei 1  Ei 1  2Ei ) và

zn1/2  zn  z / 2 . Phương trình trên có thể sắp hàng trong dạng toán tử ma trận ba đường
chéo chuẩn với trường chưa xác định Ein 1 với các trường xác định bởi một dãy số truy hồi
có công thức xác định như sau:

ai Ein21  bi Ein11  ci Ein1  di (1.80)

Trong đó: ai , bi , ci và d i là các hệ số thực được xác định của dãy số và có thể được thấy
theo tham khảo của R.Scarmozzino et.al [111]. Theo lý thuyết toán học về dãy số, ta có thể
xác định công thức tổng quát của dãy số trên bởi một dạng “phương trình đặc trưng” như
sau:

ai  bi X  ci X 2  0 (1.81)

Tính tự nhiên của toán tử ma trận ba đường chéo cho phép giải số học với toán tử có
toán tử có phần sai số cắt ngắn có độ phức tạp bậc Ο  N  . Trong đó: N là số các điểm
lưới trên trục x của hệ tọa độ Decartes, cũng là trục theo chiều rộng của ống dẫn sóng. Lời
giải số trên có thể được áp dụng để mở rộng cho cấu trúc không gian ba chiều (3D). Tuy
nhiên, mở rộng trực tiếp của phương pháp tiếp cận theo sơ đồ Crank-Nicholson sẽ dẫn đến
một hệ phương trình không phải là dạng ba đường chéo chuẩn và yêu cầu toán tử có phần
sai số cắt ngắn bậc Ο  N x2 .N y2  là không thể tối giản được. May mắn thay, có một phương
pháp tiếp cận số học tiêu chuẩn là phương pháp ngầm định hướng luân phiên ADI
(alternating direction implicit) cho phép giải các bài toán 3D với hiệu suất tối ưu với toán
tử có phần cắt ngắn Ο  N x .N y  [146] đã được tối giản độ phức tạp. Trong đó: N x và N y
theo thứ tự là số các điểm lưới trên trục x và trục y của hệ tọa độ Decartes, cũng tức tương
ứng với chiều rộng và chiều cao của ống dẫn sóng trong không gian 3D.
Gần đây, các kỹ thuật phát triển nâng cao độ chính xác của phương pháp BPM bằng
cách sử dụng phương pháp tiếp cận mới để giải các phương trình vi phân đạo hàm riêng.
23
Đó là sử dụng sơ đồ dựa trên cấu trúc Douglas tổng quát hóa cho phương pháp BPM
(Generalized Douglas - BPM) [147] [148]. Sơ đồ Douglas tổng quát hóa dựa trên xấp xỉ
gần đúng từ khai triển Taylor từ phương trình Helmholtz như sau:

2 E  2 E 1 4 E 2
  x  Ο  x 2  (1.82)
x 2 x 2 12 x 4

2 E  2 E 1 4 E 2
  y  Ο  y 2  (1.83)
y 2
y 12 y
2 4

Ở đây,  2 biểu diễn toán tử vi sai bậc hai chuẩn:  2 E  ( Ei 1  Ei 1  Ei ) và x là sai

 
phân theo biến x, y là sai phân theo biến y, còn Ο x 2 là phần cắt ngắn của phép xấp xỉ.
Thành phần đạo hàm riêng bậc 4 được tính như sau:

 4 E M i 1  2M i  M i 1
 (1.84)
x 4 x 2

2 E
Với: M i  ( )
x 2 x  x
i

Chú ý rằng: phương trình (1.79) cần phải sử dụng điều kiện biên. Lựa chọn điều kiện
biên thích hợp là rất quan trọng cho sự hội tụ của thuật toán của lời giải số. Khi lựa chọn
điều kiện biên nghèo có thể ảnh hưởng đến ánh sáng tới một biên (ví dụ phát xạ ngược vào
trong vùng tính toán). Đơn giản, yêu cầu trường biến mất trên biên là thiếu đầy đủ khi nó
tương đương việc thay thế bức tường phản xạ toàn phần tại cạnh của vùng tính toán. Điều
kiện biên nói chung hay được sử dụng là điều kiện biên trong suốt TBC. Trong đó: giả thiết
rằng trường gần biên cư xử như một sóng phẳng với những đặc tính biên độ và hướng là
xác định một cách động thông qua giải thuật phỏng đoán (heuristic) nào đó. Sóng mặt được
giả thiết cho phép trường tại điểm biên có quan hệ với điểm tiếp giáp ngay bên trong về
tính liên tục. Do vậy, sắp xếp các điểm rời rạc hóa trên các mắt lưới cho phép hoàn tất một
tập hợp của các phương trình. Điều kiện biên TBC cho phép phát xạ tự do thoát khỏi vùng
tính toán nhưng gặp vấn đề là hiệu quả tính toán không được cao.
Xét đến đặc tính phân cực, phương trình (1.73) có thể viết lại là :

 Pxx Pxy   Ex   2    Ex 
      nk0  2 jnk0    (1.85)
 Pyx Pyy  E y   z   E y 

Đây là phương trình cơ bản cho phương pháp toán tử véc tơ đầy đủ FV-BPM (full
vectorial – beam propagation method) [146] cho không gian 3D. Ma trận thành phần đầu
tiên bên trái của phương trình trên là phương trình cho các toán tử phức. Ma trận bên phải
biểu diễn cho các thành phần của trường điện từ.

24
 Bảng 1.1. Đa thức Padé

Bậc Padé (m,n) Nm Dn

(1,0) P/2 1

(1,1) P/2 1+P/4

(2,2) P/2+P2/4 1+3P/4+P2/16

Với một số cấu trúc và ứng dụng, phương pháp BPM cho trường hợp bán véc tơ
SVFD-BPM (semi-vectorial finite difference beam propagation method) [144] cũng được
áp dụng bằng cách tính cả các thành phần không liên tục của điện trường tại giao diện bên
trong chất điện môi một cách hiệu quả và chính xác. Với SVFD-BPM, các thành phần trực
giao Pxy , Pyx giữa Ex và E y là bỏ qua khi các cấu trúc ống dẫn sóng với tương tác trực giao
là cực yếu, khi đó ta có các phương trình cơ bản lần lượt cho các trạng thái gần như đúng
(quasi-state) ở hai mode phân cực TE và TM là:

  1  ( n 2 Ex )   2 Ex E
Quasi-TE :  2    n2 k02  n02 k02  E x  2 jn0 k0 x (1.86)
x  n x  y 2
z

  1  (n E y )   E y E y
2 2

 2   2   n k0  n0 k0  E y  2 jn0 k0
2 2 2 2
Quasi-TM : (1.87)
x  n y  x z

Phương pháp véc tơ toàn phần trở về véc tơ bán phần rút ngắn tài nguyên tính toán và
thời gian mà vẫn đảm bảo độ chính xác cần thiết.
Giới hạn tính trục trong BPM cũng như liên quan đến tương phản hệ số và truyền đa
mode, có thể được mở rộng để gọi là BPM góc rộng WA-BPM (Wide-angle BPM) [55]
bằng cách đặt toán tử thế như sau :

E
z
 ik  
1 P 1 E (1.88)

1  2 2 2
P 2 
  (k 2  k  (1.89)
k  x y
2 2


Phương trình (1.88) được đề cập như trên là phương trình sóng một chiều. Khi đạo
hàm bậc nhất chấp nhận chỉ cho sóng di chuyển thuận. Có thể sử dụng khai triển Taylor để
xấp xỉ toán tử P nhưng kém chính xác hơn. Thay vào đó, xấp xỉ bằng các đa thức Padé
[47] đạt được chính xác hơn bằng cách đưa vào biểu diễn đa thức như sau cho phương
trình góc rộng của phương pháp truyền chùm [47]:

25
 E N ( P)
 ik m E (1.90)
z Dn ( P)

Với Nm và Dn là các đa thức trong toán tử P và (m,n) là bậc của xấp xỉ. Giá trị hàm đa
thức của một số xấp xỉ Padé được cho theo Bảng 1.1.
Khi phương trình (1.90) được thực hiện trong điều kiện như: các góc mở lớn hơn,
tương phản hệ số (chiết suất) cao hơn và giao thoa mode phức tạp hơn (số mode giao thoa
lớn hơn) thì phép phân tích sóng quang được dẫn sẽ khó khăn và phức tạp hơn nhiều. Khi
đó để giải quyết vấn đề cần phải tăng bậc của toán tử Padé. Việc tăng bậc này sẽ làm tiêu
tốn nhiều thời gian và tài nguyên, năng lực tính toán hơn.

1.3.2 Lời giải mode thông qua BPM

Lời giải mode (mode solver) là một đặc trưng vật lý quan trọng để tìm hiểu cách thức
hình thành và sự truyền của các mode sóng quang trong ống dẫn sóng. Suy rộng ra là sự
tìm hiểu các đặc tính phân bố của trường điện từ về pha, biên độ, hằng số truyền, số sóng
và vị trí trong ống dẫn sóng. Có nhiều kỹ thuật để giải mode trong ống dẫn sóng trên
phương pháp BPM, gần đây một kỹ thuật mới được phát triển là kỹ thuật BPM khoảng
cách ảo cho phép chạy mô phỏng rất nhanh [60].

Chúng ta xét một trường sóng quang tới một cấu trúc hình học không biến đổi theo
trục z và một số dạng truyền BPM được thực thi. Khi cấu trúc là đồng nhất theo trục z, sự
truyền sóng được mô tả tương đương về phương diện các mode và hằng số truyền của cấu
trúc. Xét sự truyền của một trường vô hướng trong không gian 2D của sóng tới in ( x) có
thể viết dưới dạng mở rộng của các mode được dẫn tồn tại được trong ống dẫn sóng và các
mode bị phát xạ là:

in ( x)   cmm ( x) (1.91)

m

Trong đó: cm là hệ số kích thích mode thứ m và m ( x) là hàm sóng của mode thứ m.
Sự truyền sóng của trường theo trục z sau đó được biểu diễn dưới dạng:

 ( x, z )   cmm ( x)ei mz
(1.92)
m

Trong đó:  m là hằng số truyền của mode thứ m.

Trong mỗi kỹ thuật giải mode dựa trên BPM, sự truyền của trường nhận được đồng
nghĩa khái niệm là làm cách nào để trích ra được thông tin từ các kết quả mô phỏng BPM.
Giống như ngụ ý tên gọi của kỹ thuật (BPM khoảng cách ảo), trục chiều dài z được thay
thế bằng z’=iz cốt để sự truyền dọc theo trục ảo tuân theo hệ thức:

 ( x, z ')   cmm ( x)e  mz'

(1.93)
m

26
 Phương trình (1.92) trở thành phương trình (1.93) với khoảng cách ảo. Ý tưởng chính
của phương pháp là đưa vào ống dẫn sóng một trường tự do, chẳng hạn trường quang dạng
Gaussian, rồi truyền trường dọc theo trục ảo của cấu trúc để xét các đặc trưng của truyền
trường. Khi mode cơ sở (m=0) được xác định là mode có hằng số truyền cao nhất, đóng
góp của nó với trường sẽ là tỷ lệ tăng trưởng lớn nhất chi phối tất cả các mode khác sau
một khoảng cách xác định và chỉ còn lại trường có mẫu 0 ( x) của mode cơ sở. Hằng số
truyền sẽ được xác định bởi biểu thức [40]:

  2 
   k 2  dx
*

 x
2
2   (1.94)
   dx
*

Trong đó ký hiệu  * là liên hợp phức của  và vùng lấy tích phân là toàn bộ chiều
rộng ống dẫn sóng theo trục x.
Các mode bậc cao hơn được xác định bằng cách sử dụng thủ tục trực giao hóa để trừ đi
đóng góp của các mode bậc thấp hơn trong khi truyền trường quang trong ống dẫn sóng.
Vấn đề này đạt được độ chính xác phù hợp bằng cách lựa chọn tối ưu trường phát, số sóng
tham chiếu, cách thức chia độ rộng lưới (step size) để cho giải thuật tính toán số hội tụ .
Một điều quan trọng cần lưu ý rằng kỹ thuật BPM khoảng cách ảo không giống như
các kỹ thuật chung thực hiện truyền trường chuẩn đợi cho lời giải để đạt được một trạng
thái vững chắc. Công việc sau đó chỉ nhận được mode cơ sở nếu cấu trúc là đơn mode và
nói chung sẽ tiêu tốn thời gian nhiều hơn. Phương pháp BPM khoảng cách ảo gần tương tự
với phương pháp công suất đảo dịch để tìm ra các giá trị riêng và véc tơ riêng của ma trận.
Trong phương pháp tương quan, trường tự do được phát vào cấu trúc và được truyền
thông qua cơ chế BPM thông thường. Trong suốt quá trình truyền, hàm tương quan giữa
trường đầu vào và trường truyền được tính toán theo công thức:

P( z )   in* ( x) ( x, z )dx (1.95)

Thế các biểu thức của các phương trình (1.91) và (1.92) vào phương trình (1.95) và
thực hiện phép tính tích phân, ta được:

P( z )   cm eim z
2
(1.96)
m

Từ biểu thức này có thể thấy là: một dạng biểu diễn của biến đổi Fourier của hàm
tương quan được tính có chùm phổ có các đỉnh tại hằng số truyền mode. Các trường mode
tương ứng có thể nhận được với mỗi giây truyền bằng cách lấy nhịp trường truyền đối lại
với các hằng số truyền đã được biết thông qua biểu thức tích phân:
L
1
m ( x)    ( x, z )eim z dz (1.97)
L0
27
1.4 Kết luận chƣơng
Chương này của luận án giới thiệu cơ sở lý thuyết hiện tượng tự tạo ảnh trong ống dẫn
sóng có hỗ trợ kích thích giao thoa đa mode và các phương pháp phân tích ống dẫn sóng
bằng giải tích cùng mô phỏng số học. Các cơ chế giao thoa cơ bản sẽ xác định biểu thức
toán học quan hệ quang lý (physical optics) về pha, biên độ, nửa chiều dài phách, hay còn
gọi là đặc trưng ma trận truyền đạt. Sau đó, luận án giới thiệu các phương pháp mô phỏng
số hiệu quả cho việc phân tích, thiết kế và tối ưu các cấu trúc ống dẫn sóng giao thoa đa
mode. Trong đó: phương pháp mô phỏng truyền chùm BPM là phương pháp được sử dụng
một cách rộng rãi và hiệu quả trong toàn bộ các kết quả nghiên cứu, các đề xuất thiết kế
mới của luận án. Các công cụ mô phỏng dựa trên phương pháp truyền chùm đã được
thương mại hóa phục vụ công tác nghiên cứu, thiết kế và mô phỏng các vi mạch quang tích
hợp nói chung và các ống dẫn sóng giao thoa đa mode nói riêng. Công cụ mô phỏng Beam
PROP của hãng Rsoft Inc – Synopsys xây dựng dựa trên phương pháp BPM với nhiều tiện
ích mô phỏng đã được kiểm chính về độ chính xác và sử dụng trong nhiều nghiên cứu đã
công bố gần đây về quang tích hợp (xem tham khảo thêm tại website theo đường dẫn:
http://optics.synopsys.com/rsoft/rsoft-passive-device-beamprop.html). Luận án này sử
dụng các công cụ mô phỏng Beam PROP để nghiên cứu tính toán, mô phỏng tối ưu trong
các đề xuất các thiết kế của mạch tích hợp quang dựa trên các ống dẫn sóng giao thoa đa
mode. Nghiên cứu về cơ sở lý thuyết của ống dẫn sóng giao thoa đa mode với những tính
chất đặc trưng sẽ được ứng dụng để thiết kế các mạch tích hợp, những cấu kiện chức năng
xử lý tín hiệu toàn quang trong những đóng góp khoa học ở những chương tiếp theo của
luận án.

28
Chƣơng 2

Bộ chia công suất nhiều tỷ số và chia chùm phân cực sử

dụng giao thoa đa mode
Một trong những đặc tính quan trọng của ống dẫn sóng giao thoa đa mode là: nửa
chiều dài phách. Đại lượng này phụ thuộc vào những tham số vật lý như: chiều rộng của
vùng kích thích đa mode, chiết suất của các lớp vỏ, lõi của ống dẫn sóng, bước sóng hoạt
động và phụ thuộc độ vào trạng thái phân cực. Sử dụng tính chất này, các bộ ghép đa mode
kiểu 2×2 có thể ứng dụng làm các mạch tích hợp chia quang hoặc chia các chùm phân cực
của các tín hiệu quang cùng bước sóng tùy theo kích thước của vùng kích thích đa mode
được lựa chọn một cách thích hợp. Trong phần đầu của chương này, luận án sử dụng các
bộ ghép đa mode 2×2 ghép tầng để tạo ra một bộ chia công suất thụ động. Tùy thuộc vào
cách ghép từ 3 đến 4 tầng của các bộ ghép cơ bản với hình dạng khác nhau, chúng ta có thể
tạo ra nhiều tỷ số chia công suất khác nhau. Phần tiếp theo của chương sẽ đề xuất sử dụng
bộ ghép giao thoa đa mode để tạo ra bộ chia tín hiệu chùm phân cực của hai mode phân
cực TE và TM dựa trên ống dẫn sóng hình cánh bướm để làm ngắn chiều dài của cấu kiện.
Phương pháp ma trận truyền đạt kết hợp với các phương pháp phân tích truyền mode và
mô phỏng số BPM được sử dụng để thiết kế, đánh giá chất lượng hiệu năng hoạt động của
toàn bộ cấu kiện.

2.1 Bộ chia công suất nhiều tỷ số dựa trên cấu trúc giao thoa đa
mode
Các bộ ghép nối giao thoa đa mode (MMI coupler) được sử dụng để chia công suất
không cân bằng là rất hữu dụng cho các mạch tích hợp quang (photonic integration circuits
– PICs) như: bộ chỉnh công suất (power tap), bộ cộng hưởng vòng chất lượng cao (high-Q
ring resonator) [119], các bộ lọc quang cấu trúc hình thang [92] và các bộ phản xạ từng
phần đối xứng gương vòng. Một bộ ghép nối với tỷ số phân chia công suất được chọn lựa
một cách tự do đặc biệt có giá trị trong các bộ giao thoa kế cấu trúc Mach-Zehnder (MZI),
khi suy hao và tăng ích được phân bố bất đối xứng giữa các cánh chiều dài khác nhau [15].
Trong nghiên cứu đó, chúng ta có thể thấy rằng bộ ghép nối giao thoa đa mode cải tiến với
dạng hình chữ nhật có thể cung cấp 7 tỷ số chia cố định khác nhau. Do đó, việc tìm kiếm
một cách thức mới để tạo ra nhiều tỷ lệ chia công suất khác nhau đóng vai trò quan trọng
để tạo ra các mạch tích hợp xử lý tín hiệu toàn quang mà dựa trên các bộ ghép nối giao
thoa đa mode [78].

Theo nguyên lý này, cách thức để đạt được cách chọn lựa tự do của các tỷ lệ phân chia
công suất được giới thiệu bằng cách đưa vào các bộ dịch pha tại điểm đặc biệt giữa các
thiết bị giao thoa đa mode hoặc giữa hai bộ ghép nối trong cấu trúc MZI. Đưa vào các bộ
dịch pha như vậy sẽ dẫn đến các quan hệ pha mới giữa các ảnh tự tạo tại các mặt phẳng
29
đầu ra. Phụ thuộc vào hệ thống vật liệu được sử dụng cho chế tạo các bộ ghép nối giao thoa
đa mode cốt để có thể tạo ra nhiều hiệu ứng vật lý phụ thuộc vật liệu sử dụng, có một số
cách tiếp cận đã đề xuất để nhận được các bộ chia công suất với tỷ số chia được chọn một
cách tự do. Một trong những cách chung nhất để “dò” hệ số ghép nối của một bộ ghép nối
là sử dụng một cấu trúc giao thoa kế Mach-Zehnder [72]. Sự dò tìm của hệ số chiết suất
của một bộ ghép nối sử dụng sóng mang có liên hệ với hiệu ứng plasma [94] đã được thực
hiện trực tiếp giữa các vùng giao thoa đa mode. Các cách tương tự có thể được áp dụng để
thiết kế thiết bị chia công suất với các vật liệu khác nhau sử dụng các hiệu ứng quang-nhiệt
(thermo-optic) [45], hiệu ứng quang-điện tử (electro-optic) [127]. Để thay đổi hệ số chiết
suất tại các dạng đặc biệt, chẳng hạn kiểu giao thoa như hình cánh bướm (butterfly shape),
các bộ ghép nối đa mode kiểu búp măng (taper) hệ số mũ hay là bộ ghép đa mode được cắt
góc để tạo ra các hệ số ghép nối lựa chọn tự do. Bốn kiểu theo cách tiếp cận này được sử
dụng bởi một cấu trúc ghép nối đa mode 2×2 khắc sâu cải tiến được điểu khiển.
Trong phần này, luận án giới thiệu một cách tiếp cận mới để đạt được các bộ ghép
phân chia công suất với các tỷ số mới bằng cách ghép nối liên tiếp với nhau ba hoặc bốn
phần MMI loại 2×2 được cải tiến. Các cấu kiện được đề xuất có thể cung cấp lên đến 19 tỷ
số phân chia công suất mới. Trong nghiên cứu này, các ống dẫn sóng được xây dựng trên
nền tảng vật liệu SOI với lớp cách điện sử dụng vật liệu thủy tinh silic ôxít được sử dụng
để thiết kế cấu kiện. Phân tích bằng giải tích kết hợp sử dụng phương pháp ma trận truyền
đạt được dùng để thiết kế. Sau đó, phương pháp mô phỏng 3D – BPM với sự trợ giúp của
phương pháp hệ số chiết suất hiệu dụng được sử dụng để tối ưu hoạt động của các cấu kiện
này.
y
LMMI x
z

a1 b1 SiO22 WMMI
wa nc
Bộ ghép đa mode nr Lõi hco
Đầu vào s (MMI) s Đầu ra Si
nc Lớp vỏ SiO2
WMMI nr Lớp đế Si
x
a2 b2 (substrate)

z (a) (b)

Hình 2.1. Cấu trúc của một bộ ghép giao toa đa mode cơ bản 2×2 MMI:

(a) Mặt đứng và (b) mặt chiếu cạnh.

2.1.1 Nguyên lý thiết kế

Hình 2.1 thể hiện một cấu trúc của một bộ ghép đa mode đơn. Ở đây, a1 và a2 là các
biên độ phức tại hai cổng đầu vào, b1 và b2 là hai biên độ phức tại hai cổng đầu ra. Bộ ghép

30
đa mode 2×2 có chiều rộng là WMMI và chiều dài LMMI. Độ rộng của các ống dẫn sóng truy
nhập tại các cổng đầu vào và đầu ra được giả thiết là wa. Gọi s là khoảng cách giữa hai ống
dẫn sóng song song ở đầu ra. Với mục đích để tối thiểu hóa kích thước của cấu kiện, tham
số s được chọn giá trị nhỏ nhất có thể (được trình bày ở phần dưới đây).

wa
Đầu Đầu
vào
s M1 s M2 s M3 s ra

(a)

Đầu
vào Đầu
ra
wa
s M1 s M2 s M3 s M4 s

(b)
Hình 2.2 Sơ đồ khối của một bộ ghép đa mode 2×2 MMI dựa trên việc nối liền các phần 2×2
MMI cơ sở: (a) Ba bộ ghép 2×2 MMI và (b) Bốn bộ ghép 2×2 MMI.

Ý tưởng để đạt được một bộ ghép với nhiều tỷ số chia đầu ra là xây dựng các cấu trúc
phân tầng bằng cách ghép liên tiếp từ 3 đến đến 4 bộ ghép đa mode lại cùng với nhau (như
thể hiện trên Hình 2.2. Trong đó, các bộ ghép đa mode có cùng khoảng cách tách biệt giữa
các ống dẫn sóng truy nhập s. Gọi nr, nc lần lượt là các hệ số chiết suất hiệu dụng của lõi và
vỏ của ống dẫn sóng trong cấu trúc hai chiều. Nửa chiều dài phách Lπ giữa hai mode bậc
thấp nhất được kích thích dẫn trong vùng đa mode có thể xác định bởi công thức [71]:

4nrWe2
L  (2.1)
3
Ở đây, ns là chiết suất hiệu dụng của ống dẫn sóng phiến vuông nhỏ (slab waveguide), λ là
bước sóng hoạt động và We là diện tích hiệu dụng của bộ ghép MMI, được tính bởi công
thức:

2σ
πn  1

 nr2 -nc2  2
-
We =WMMI +  r  (2.2)
λ  nc 

Trong đó, nc là hệ số chiết suất hiệu dụng của lớp vỏ,   0 đối với mode phân cực TE và
  1 đối với phân cực TM.

31
 Với một bộ ghép đa mode với kiểu hình chữ nhật truyền thống, chúng ta đều biết rằng
các biên độ phức trường quang tại các cổng đầu ra và các cổng đầu vào có quan hệ được
xác định bằng [72]:

b  M .a (2.3)

Ở đây, b=[b1 b2] T, a=[a1 a2] T và M là ma trận truyền đạt của bộ ghép đa mode 2×2.

Nói chung, độ rộng của bộ ghép nối đa mode có thể được viết bằng WMMI=r.s với r là hệ số
không đổi phục thuộc cơ chế giao thoa đa mode [41]. Có bốn hệ số ghép nối κ tương ứng
với các kiểu giao thoa tổng quát và giao thoa được hạn chế như sau:
-Trường hợp A (MMI-A) (κ=0.5, r=1.44): Ma trận truyền đạt của bộ ghép đa mode A trong
trường hợp này được xác định bởi biểu thức:

 -j π π 
j
 4 
1 e e 4 
MA  (2.4)
2 π π
 j -j 
e 4 e 4 


Trường hợp B (MMI-B) (κ=0.5, r=3): Các ống dẫn sóng truy nhập cho cấu trúc MMI-B
được bố trí chính xác tại vị trí ±WMMI/6 tính từ trục trung tâm của ống dẫn sóng đa mode.
Ma trận truyền đạt của bộ ghép trong trường hợp này được cho bởi:

 π π
 j -j 
1 e 4 e 4
MB  (2.5)
2 π π
 -j j 
e 4 e 4 


Trường hợp C (MMI-C) (κ=0.85, r=2): Các ống dẫn sóng truy nhập cho cấu trúc MMI-C
được bố trí chính xác tại vị trí ±WMMI/4 tính từ trục trung tâm của ống dẫn sóng đa mode.
Ma trận truyền đạt của bộ ghép trong trường hợp này được cho bởi:

 3π π 
  3π  j 8  π 8
-j 
 cos  - e cos  - e 
1   8   8 
MC 
2 π 3π 
 -j
 π 8  3π  8
j 
 cos - e cos - e 
  8  8   (2.6)
Trường hợp D (MMI-D) (κ=0.72, r=2.5): Trung tâm hình học của các cặp ống dẫn sóng
truy nhập tại hai ống dẫn sóng cuối được dịch đối xứng bởi khoảng cách bằng ±0.25s từ
trung tâm của ống dẫn sóng loại MMI-D. Ma trận truyền đạt của bộ ghép MMI trong
trường hợp này được cho bởi:

32
  3 3 
j -j
  3  10    10 
 cos  - 10 e cos  - e 
2     10   (2.7)
MD 
5  3 3 
   
-j
10  3 
j 
 cos  - e cos - e 10 
  10   10  

Trong đó, ta định nghĩa tỷ số chia công suất  của một bộ chia đa mode 2×2 như sau:

Poc

Poc  Pob (2.8)

Trong đó: Pob và Poc lần lượt là công suất các cổng ra thẳng (ở vị trí tịnh tiến) và cổng ra
chéo (ở vị trí so le) của công suất tín hiệu đầu vào.
Bảng 2.1. Cấu trúc ghép và các tỷ số chia công suất mới

Tỷ số chia
Kiểu ghép công suất 
(a.u)
AAD 0.27
ADB 0.65
ADCD 0.67
BDAD 0.74
BDCD 0.46
CAD 0.98
CDA 0.91
CDAD 0.3
CDBD 0.84
CDC 0.248
DBD 0.11
DCA 0.985
DCD 0.03
DDA 0.88
DDAD 0.54
DDB 0.146
DDBD 0.49
DDC 0.02
DDCD 0.96
Hàm truyền đạt giữa cổng ra chéo và thẳng của bốn bộ ghép cơ sở này được suy ra từ
M.Bachmann et al [10]. Khi tất cả bốn phần MMI cơ sở này với cùng khoảng cách tách
biệt s, chúng có thể được cân chỉnh và phân tầng để đạt được các cấu trúc ghép đa mode
mới. Trong nghiên cứu này, các phần ghép đa mode 2×2 cơ bản ở trên được nối đuôi liên

33
tiếp với nhau với sự phân tầng từ ba đến bốn bộ ghép đa mode cơ bản mà không cần các
ống dẫn sóng truy nhập. Khi các phần MMI-A, MMI-B, MMI-C và MMI-D được phân tầng
như được thể hiện trên Hình 2.2(a) và Hình 2.2(b), ma trận truyền đạt toàn bộ của linh kiện
được phân tầng có thể nhận được bằng phép tích ma trận như sau:

M  M 3 M 2 M1 (2.9)
M  M 4 M 3 M 2 M1 (2.10)

Ở đây, Mi (i=1,2,3,4) là các ma trận của bốn bộ ghép cơ sở: MMI-A, MMI-B, MMI-C và
MMI-D. Bằng cách hoán vị bốn kiểu ghép đa mode cơ sở A, B, C và D một cách thích hợp
ta sẽ thu nhận được các tỷ số chia thụ động mới. Các kết quả tính toán bằng ma trận cho 19
trường hợp bởi tổ hợp của các cách ghép theo Hình 2.2 cho kết quả mười tỷ số chia  mới
như được thấy trên Bảng 2.1.

2.1.2 Kết quả mô phỏng và thảo luận

Chúng ta đều biết rằng phương pháp mô phỏng số dựa trên sai phân hữu hạn miền thời
gian ba chiều (3D-FDTD) là một phương pháp tổng quát để giải các phương trình vi phân
đạo hàm riêng bằng phương pháp số miền thời gian. Các kết quả mô phỏng cho ống dẫn
sóng silic sử dụng phương pháp 3D-FDTD có thể đạt được độ chính xác rất cao. Tuy
nhiên, do sự giới hạn của tài nguyên máy tính và yêu cầu bộ nhớ máy tính, thật khó áp
dụng phương pháp 3D-FDTD cho mô hình cấu kiện kích thước lớn sử dụng ống dẫn sóng
silic. Gần đây, một phương pháp hỗ trợ mô phỏng số BPM được sử dụng để đạt được độ
chính xác cao và đủ hiệu quả cho mô phỏng các cấu kiện sử dụng ống dẫn sóng silic trên
nền chất cách điện SOI (silicon on insulator), đó là: phương pháp hệ số chiết suất hiệu
dụng đã hiệu chỉnh MEIM. Chúng ta sử dụng phương pháp BPM với sự hỗ trợ của phương
pháp hệ MEIM cho thiết kế cấu trúc đã đề xuất. Trong phương pháp hệ số chiết suất hiệu
dụng được hiệu chỉnh, chiều dài phách Lπ là không đổi. Mục đích của phương pháp này là
tìm kiếm giá trị phù hợp của chiết suất vỏ cho phương pháp hệ số chiết suất hiệu dụng (khi
giải phương trình mode riêng để tìm ra hệ số chiết suất hiệu dụng của lõi) sao cho chiều dài
phách Lπ trong mô hình không gian hai chiều tương đương với mô hình không gian ba
chiều. Phương pháp 3D-BPM có thể được sử dụng để tính toán chiều dài phách Lπ với độ
chính xác rất cao. Điểm thuận lợi của việc sử dụng phương pháp MEIM là các lời giải
trong không gian ba chiều chỉ yêu cầu tìm hệ số vỏ phù hợp. Sau đó phương pháp hệ số
chiết suất hiệu dụng được hiệu chỉnh MEIM có thể được sử dụng để tính toán trường
truyền trong cấu trúc MMI nhanh hơn với ít lỗi tính toán hơn. Sử dụng phương pháp
MEIM, chúng ta tìm thấy hệ số chiết suất hiệu dụng của mode TE là 2.82 khi hoạt động ở
bước sóng 1550 nm (với chiều cao ống dẫn sóng 220 nm) trong không gian hai chiều. Để
phù hợp với các mode bậc thấp nhất trong mô phỏng hai chiều, hệ số chiết suất hiệu dụng
tương đương của lớp vỏ được tính toán là 2.19 trong không gian hai chiều [127]. Phần chéo

34
ống dẫn sóng được sử dụng trong thiết kế này được vẽ như trên Hình 2.1(b). Chiều cao lõi
là: hco = 220 nm và độ rộng của các ống dẫn sóng truy nhập là: wa = 500 nm. Thêm vào đó,
để làm rộng ống dẫn sóng truy nhập với mục đích cải tiến hiệu năng của cấu kiện, có thể
làm rộng các ống dẫn sóng truy nhập bằng cách nối nó với vùng đa mode bởi các ống dẫn
sóng hình búp măng (taper waveguides) có chiều dài Ltp= 5µm để đạt được suy hao thấp
nhất.

(a)

(b)
Hình 2.3. Kết quả mô phỏng của các bộ ghép đa mode cơ sở: (a) Tại các chiều dài tối ưu và
(b) Mô phỏng BPM cho sự truyền các trường quang qua bộ ghép cơ sở.

Nhằm tối thiểu hóa kích thước của cấu kiện, khoảng cách s được chọn với giá trị nhỏ
nhất có thể. Điều này có nghĩa độ rộng của bộ ghép đa mode là đủ lớn để giới hạn xuyên
nhiễu giữa các ống dẫn sóng song song gần kề nhau. Trong thiết kế này của luận án,
khoảng tách biệt nhỏ nhất được chọn là s=2.5 µm. Đầu tiên, một phương pháp phân tích
truyền mode được sử dụng để tìm chiều dài của MMI-A, MMI-B, MMI-C và MMI-D thỏa

35
mãn các hàm truyền đạt như trên. Sau đó, phương pháp BPM được áp dụng để tìm ra chiều
dài tối ưu của các bộ ghép đa mode.

Với trường hợp MMI-A, độ rộng của MMI-A được tìm thấy WA = 3.6 µm và chiều dài
LA = (3/2)LπA = 54.72 µm. Với MMI-B, độ rộng và chiều dài của MMI-B là WB = 7.5 µm và
LB = (1/2)LπB = 73.38 µm một cách tương ứng. Với MMI-C, chúng ta có độ rộng và chiều
dài lần lượt là WC = 5 µm và LC = (3/4)LπC = 50.68 µm, còn với MMI-D chúng ta có WD =
6.25 µm và LD = (3/5)LπD = 62.03 µm. Các kết quả mô phỏng bằng cách sử dụng phương
pháp BPM được trình bày trên Hình 2.3.

Hình 2.4. Các kết quả mô phỏng BPM về đường bao điện trường cho vài bộ ghép đa mode
được nối phân tầng để đạt được các tỷ số chia công suất mới.

Hình 2.3(a) thể hiện tỷ số chia công suất của MMI-A, MMI-B MMI-C và MMI-D tại
các chiều dài khác nhau. Các kết quả mô phỏng cho thấy rằng chiều dài tối ưu của các bộ
ghép cơ sở MMI-A, MMI-B, MMI-C và MMI-D được tính toán tìm ra tương ứng lần lượt
là 54.5, 74, 51.5 và 62 µm.
Hình 2.3(b) thể hiện sự truyền đường bao trường với bốn phần tử đa mode cơ bản tại
các chiều dài tối ưu. Suy hao chèn tại các chiều dài tối ưu vào khoảng 0.4 dB được tìm thấy
bởi kết quả mô phỏng BPM.

36
 (a)

(b)
Hình 2.5. Kết quả mô phỏng bằng phương pháp BPM sự phụ thuộc vào bước sóng:

(a) Sự phụ thuộc vào giá trị tỷ số phân chia công suất và (b) sự truyền đạt toàn phần.

Hình 2.6. Sự phụ thuộc vào chiều dài của bộ ghép kiểu D trong kiểu ghép ba tầng AAD và kiểu
ghép bốn tầng CDAD.

37
 Hình 2.7. Sự phụ thuộc vào chiều rộng của bộ ghép kiểu D
trong kiểu ghép ba tầng AAD và bốn tầng CDAD.

Hình 2.8. Sự phụ thuộc vào vị trí của bộ ghép kiểu D

trong kiểu ghép ba tầng AAD và bốn tầng CDAD.

Bằng cách phân tầng cho bốn bộ ghép đa mode cơ bản MMI-A, MMI-B, MMI-C và
MMI-D có thể đạt được 19 giá trị mới của hệ số chia công suất κ. Không làm mất tính tổng
quát, trong nghiên cứu này, chúng ta thực hiện mô phỏng cho 10 trường hợp được phân
tầng gồm CDA, DDA, AAD, ADB, DDC, DCA, DCB, BDCD, DDBD và CDAD. Mô
phỏng bằng phương pháp BPM cho các trường hợp này được thể hiện trên Hình 2.4. Khi
các cấu kiện được ghép phân tầng nối đuôi mà không cần nối bằng các ống dẫn sóng truy
nhập, tổng suy hao chèn của các bộ ghép MMI là nhỏ hơn nhiều tổng của các suy hao chèn
của các phần MMI riêng biệt. Kết quả mô phỏng bằng BPM cho thấy rằng suy hao chèn

38
cho cấu kiện ghép tầng 3 bộ ghép MMI vào khoảng 0.42 dB và cho cấu kiện ghép 4 tầng
bộ ghép MMI vào khoảng 0.83 dB tại bước sóng trung tâm 1550 nm.
Tiếp theo, chúng ta nghiên cứu độ nhạy bước sóng của các cấu kiện được đề nghị. Khi
bước sóng biến đổi xung quanh bước sóng công tác 1550 nm, hệ số truyền đạt toàn phần
(total transmittance) giảm bởi vì chiều dài phách của bốn bộ ghép đa mode là tỷ lệ nghịch
với bước sóng và bởi tại các chiều phách tối ưu kể trên thì hiệu năng của các bộ ghép là có
đặc tính tốt nhất. Không làm mất tính tổng quát, hệ số ghép công suất κ và hệ số truyền đạt
toàn phần tại các bước sóng khác nhau cho năm trường hợp phân tầng AAD, ADB, CDA,
CDAD và DDC được trình bày trên Hình 2.5. Băng thông tại 85% tổng truyền đạt (chẳng
hạn tương ứng 1 dB từ đỉnh cực đại) là xấp xỉ tỷ lệ nghịch với chiều dài cấu kiện. Sự phụ
thuộc của giá trị κ vào sự biến đổi bước sóng được vẽ trên Hình 2.5(a). Giữa 1 dB băng
thông của mỗi cấu kiện MMI được phân tầng, sự biến đổi của giá trị κ được tìm thấy nhỏ
hơn 0.02.

Tiếp đến, dung sai chế tạo của các cấu kiện được đề xuất cũng được đánh giá. Để đơn
giản, chúng ta chỉ xét hai kiểu cấu trúc đa mode được phân tầng gồm kiểu phân ba tầng
AAD và kiểu phân bốn tầng CDAD. Chúng ta thay đổi chiều dài của một bộ ghép MMI
trong toàn thể các bộ ghép đa mode được phân tầng để nhận được công suất đầu ra. Hình
2.6 thể hiện kết quả mô phỏng BPM tại các chiều dài đa mode khác nhau. Ở đây, chúng ta
thay đổi chiều dài của kiểu bộ ghép cơ sở MMI-D. Dễ quan sát thấy từ mô phỏng rằng
dung sai chế tạo của cùng bộ ghép MMI được phân tầng là rất lớn. Dung sai chế tạo của
chiều dài cho cấu trúc đa mode ghép ba tầng là ±167 nm cho hệ số chia công suất biến đổi
0.002. Dung sai cho cấu trúc ghép bốn tầng là ±167 nm cho hệ số ghép công suất ghép bốn
tầng biển đổi 0.01. Các dung sai chế tạo này dễ dàng đạt được bằng các công nghệ chế tạo
sử dụng kỹ thuật quang khắc chùm điện tử (e-beam lithography) hay 193 nm DUV (193
nm deep ultra violet lithography) [1]. Tương tự, dung sai chế tạo theo chiều rộng của các
cấu trúc ghép đa mode cũng rất lớn. Hình 2.7 trình bày trường hợp các công suất đầu ra của
bộ ghép ba tầng và bộ ghép bốn tầng tại các độ rộng khác nhau của bộ ghép kiểu MMI-D.
Dung sai chế tạo của chiều rộng ống dẫn sóng D cho cấu trúc đa mode ghép ba tầng là
±100 nm cho hệ số chia công suất biến đổi 0.005. Giá trị dung sai này là khá lớn và dễ
dàng đạt được với các công nghệ quang khắc hiện hành.

Vị trí của các ống dẫn sóng truy nhập đầu vào và đầu ra có ảnh hưởng rất quan trọng
đối với hiệu năng hệ thống của cấu kiện. Bằng cách sử dụng phương pháp BPM, với các
công suất ra được chuẩn hóa theo đầu vào cho các bộ ghép đa mode phân ba và bốn tầng
tại các vị trí khác nhau của ống các ống dẫn sóng truy nhập với ví dụ bộ ghép kiểu D được
thể hiện trên Hình 2.8. Mô phỏng BPM cho thấy rằng hệ số ghép nối κ là hầu như không
thay đổi trong khoảng biến đổi ±20 nm theo vị trí của các ống dẫn sóng truy nhập.

39
 (a)

(b)

(c)
Hình 2.9. Pha của tín hiệu đầu ra tại các (a) chiều dài, (b) chiều rộng và (c) vị trí khác nhau
của MMD-D trong cấu hình ghép ba tầng kiểu AAD và bốn tầng kiểu CDAD.
40
 Vài ứng dụng thực tế như các bộ cộng hưởng vòng dựa trên giao thoa đa mode chẳng
hạn, cấu trúc giao thoa Mach-Zehnder dựa trên giao thoa đa mode thì pha (phase) của tín
hiệu đầu ra là đặc biệt quan trọng. Do đó, nghiên cứu về lỗi sai pha cho dung sai chế tạo là
cần thiết. Hình 2.9 thể hiện pha đầu ra của các tín hiệu ra cho các bộ ghép ba và bốn tầng
(không mất tính tổng quát) tại các chiều dài khác nhau, độ rộng và vị trí của các ống dẫn
sóng truy nhập khác nhau. Kết quả mô phỏng cho thấy rằng: giữa sự thay đổi ±20 nm theo
chiều dài và rộng, pha đầu ra chỉ thay đổi một lượng khoảng 0.2o. Dung sai chế tạo vào
khoảng ± 20 nm có thể nhận được dựa trên các công nghệ chế tạo CMOS hiện hành. Hình
2.9 thể hiện sai pha phụ thuộc vào chiều dài, chiều rộng và vị trí của bộ ghép kiểu D trong
hai câu hình AAD và CDAD không quá 10o cho các trường hợp.

2.1.3 Tóm lƣợc kết quả

Tóm lược lại, luận án đã đề xuất một phương pháp mới để đạt được các cấu trúc giao
thoa đa mode với các hệ số chia công suất mới. 19 tỷ số chia công suất mới có thể đạt được
bằng cách phân lớp từ ba đến bốn phần các bộ ghép đa mode ngắn. Những bộ ghép nối này
có suy hao chèn thấp và cấu trúc hình học đơn giản yêu cầu không cần vát góc hay các ống
dẫn sóng dạng đường cong. Thiết kế của cấu kiện được đề xuất có thể biến đổi và tối ưu
hóa nhờ các phương pháp mô phỏng số. Những cấu kiện này có thể sử dụng hữu hiệu cho
các hệ thống xử lý tín hiệu toàn quang. Chẳng hạn, sự cải thiện hiệu năng về tỷ lệ phân
chia công suất các cổng đầu ra là rất ích lợi cho các bộ nhảy công suất ống dẫn sóng. Một
số ứng dụng của bộ chia công suất có thể thấy trong các bộ vi cộng hưởng vi vòng chất
lượng cao, các bộ lọc quang cấu trúc hình thang hay các bộ phản xạ từng phần đối xứng
vòng.

2.2 Bộ chia chùm phân cực dựa trên ống dẫn sóng đa mode hình
cánh bƣớm đƣợc khắc trên nền vật liệu SOI
Một bộ chia chùm phân cực điện/từ là một trong những cấu kiện chức năng quan trọng
của nhiều ứng dụng mà các trạng thái phân cực của ánh sáng là cấp thiết. Một số ứng dụng
có thể thấy trong các bộ thu phân tập được sử dụng trong các bộ điều chế dịch pha vi sai
DPSK (differential phase shift keying) [74] hoặc các hệ thống thông tin quang kết hợp [86]
v.v…Hơn nữa, tính nhạy phân cực là một vấn đề lớn cho các hệ vi quang tử như quang sợi
chẳng hạn bởi sự biến đổi các trạng thái phân cực một cách ngẫu nhiên trong lõi sợi quang
[14]. Do đó, tách biệt các trạng thái phân cực trực giao là một giải pháp trực diện sử dụng
các bộ chia trạng thái phân cực. Có nhiều nghiên cứu của các bộ chia phân cực dựa trên các
cấu trúc ống dẫn sóng như bộ chia nhánh chữ Y [53], sử dụng các bộ ghép định hướng
[31], các ống dẫn sóng khe [133] [82], giao thoa đa mode [25], [54], [105], [149]. Kiểu
khác dựa trên các cấu trúc tinh thể quang tử (photonic crystal - PhC) [26] hoặc các cách tử
quang [139]. Rất nhiều các bộ chia phân cực dựa trên ống dẫn sóng thường được thiết kế
và chế tạo để tách riêng các chùm phân cực TE và TM nhưng đặc điểm chính của các bộ
41
chia dùng ống dẫn sóng đơn là có suy hao cấu kiện lớn hoặc là chiều dài cấu kiện còn khá
lớn hoặc đòi hỏi chương trình gây ứng suất bên ngoài. Mặt khác, các bộ chia phân cực dựa
trên các quang tử tinh thể nói chung không tương thích với công nghệ CMOS
(complementary metal odixe semiconductor - CMOS) chế tạo vi mạch bán dẫn hiện hành
cho các mạch tích hợp quang [63].

(a)

Air: nair=1
500 nm
Lớp vỏ trên w
400 H
32 nm
Si: nr=3.45 Lớp lõi h
nm
SiO2: 3
Lớp vỏ
nc=1.46 µm

Si: nr=3.45 Lớp đế

(b)
Hình 2.10. Sơ đồ cấu hình của bộ chia chùm phân cực dựa trên bộ ghép đa mode hình được khắc
hình cánh bướm trên nền tảng vật liệu SOI: a) Hình chiếu bằng. b) Hình chiếu cạnh.

Các cấu kiện dựa trên giao thoa đa mode (MMI) là một trong những ứng cử viên tốt
cho các bộ chia phân cực bởi vì suy hao thấp,dung sai chế tạo lớn, băng thông tương đối
lớn [134]. Các cấu kiện giao thoa đa mode dựa trên nền tảng vật liệu silic trên nền chất
cách điện SOI (silicon on insulator); chẳng hạn silic trên nền thủy tinh silic (oxide silic)
đang rất hấp dẫn cho các mạch quang tích hợp hiện nay bởi vì: vật liệu SOI có độ tương
phản hệ số chiết suất lớn, cho phép bắt giữ ánh sáng trong ống dẫn sóng tốt do đó có độ
tích hợp cao [112], đặc biệt là nó rất tương thích với công nghệ chế tạo vi mạch bán dẫn
CMOS hiện nay [1].

Gần đây, một vài nghiên cứu có liên quan đã đề cập đến việc sử dụng các bộ ghép
MMI cho các bộ chia chùm phân cực theo cấu trúc hoặc được phủ lớp khuôn mẫu bằng
42
kim loại trên nền vật liệu SOI [67] hoặc chỉ sử dụng lõi là vật liệu SOI [52], v.v... Nhưng
những cấu kiện như vậy vẫn có chiều dài tương đối lớn bởi đặc tính lưỡng chiết là không
cao nên khó làm giảm kích thước [95].
Từ những nhận định được nhắc đến ở trên, trong phần này luận án đề xuất một bộ chia
phân cực dựa trên một cấu trúc giao thoa đa mode sử dụng vật liệu SOI. Vật liệu này nhằm
tạo ra đặc tính lưỡng chiết theo các mode phân cực lớn. Hơn thế, vật liệu này là rất sẵn có
và tương thích các công nghệ chế tạo phổ biến hiện nay nên giá thành rẻ. Nhằm mục đích
làm giảm chiều dài của bộ chia phân cực, luận án đề xuất sử dụng một cấu trúc ống dẫn
sóng đa mode có khắc dạng hình cánh bướm trong thiết kế và mô phỏng cấu trúc. Mô
phỏng số sử dụng phương pháp BPM bán véc tơ trong không gian ba chiều để đánh giá chi
tiết chất lượng hiệu năng của cấu kiện.

2.2.1 Phân tích và thiết kế

Hình 2.10 mô tả sơ đồ cấu hình của bộ chia phân cực được đề xuất. Trường quang
được kích thích tại cổng đầu vào hoặc là mode TE hoặc là mode TM. Hai cổng đầu ra sẽ
tách riêng rẽ các mode TE và TM. Các ống dẫn sóng được xây dựng trên nền tảng ống dẫn
sóng silic dạng sườn (rib waveguide), trong đó: riêng ống dẫn sóng đa mode được khắc
hình cánh bướm. Chúng ta giả thiết rằng độ rộng các ống dẫn sóng đơn mode dạng sườn
với độ rộng w, chiều cao của lớp lõi silic là H, chiều sâu của vùng cánh bướm được khắc là
d, do đó chiều cao của ống dẫn sóng vùng đa mode hình chữ nhật truyền thống mà theo đó
khắc lên trên đó hình cánh bướm sẽ có chiều cao là h=H-d. Chiều rộng chính và chiều dài
của ống dẫn sóng đa mode hình cánh bướm tương ứng lần lượt là: WMMI và LMMI. Tại trục
chính giữa của chiều dài vùng đa mode, độ rộng của vùng cánh bướm được giả thiết là W0,
chúng ta thiết lập giá trị này là: WMMI /2. Cổng đầu vào được bố trí tại vị trí có tọa độ theo
trục dọc đối xứng tâm là s = WMMI /4. Hai cổng đầu ra được bố trí tại các vị trí là: ± WMMI /4
tại phía cuối của vùng giao thoa đa mode. Giữa các ống dẫn sóng đơn mode đóng vai trò là
các ống dẫn sóng truy nhập kết nối với vùng đa mode bởi các ống dẫn sóng hình búp măng
(taper waveguide) nhằm nâng cao hiệu năng bắt giữ ánh sáng và chất lượng giao thoa trong
vùng đa mode cũng là làm giảm tổn hao quang do tán xạ và phản xạ trong lõi của vùng đa
mode.
Đặc tính của phân cực TE là nhạy nhiều với các cấu trúc ngang bởi vì điện trường
chính của TE là theo hướng ngang (hướng x) trong cấu trúc ống dẫn sóng ba chiều. Ngược
lại, đặc tính phân cực của mode TM lại nhạy nhiều hơn với các cấu trúc dọc vì điện trường
chính của mode TM là theo hướng dọc (hướng y) trong cấu trúc ống dẫn sóng không gian
ba chiều như được thể hiện trong Hình 2.10. Cuối cùng, hệ số chiết suất hiệu dụng của các
mode TE và TM theo phương truyền (hướng z) là biến đổi khác nhau. Do đó, hằng số
truyền của chúng cũng khác nhau. Điều này dẫn đến: chiều dài phách của các mode phân
cực TE và TM có sự khác nhau khá lớn. Như đã biết, cấu trúc giao thoa đa mode hoạt động

43
dựa trên hiệu ứng tự tạo ảnh [71]. Ảnh của trường đầu vào được tái tạo trong các đơn ảnh
hoặc đa ảnh tại các khoảng có tính chu kỳ dọc theo ống dẫn sóng. Trong cơ chế giao thoa
tổng quát, ảnh của đầu vào có thể tái tạo tại các chu kỳ là số nhân của ba lần nửa chiều dài
phách. Nửa chiều dài phách Lπ được xác định như sau:
π
Lπ = (2.11)
β0 -β1

Trong đó: β0 và β1 biểu thị hằng số truyền của hai mode bậc thấp nhất. Nhằm mục đích làm
giảm nửa chiều dài phách của cấu trúc MMI, chúng ta đề xuất sử dụng cấu trúc hình cánh
bướm thay cho cấu trúc hình chữ nhật truyền thống. Cấu trúc hình cánh bướm không ảnh
hưởng đến chất lượng ảnh tự chụp của cơ chế giao thoa trong ống dẫn song, nhưng nửa
chiều dài phách sẽ được giảm đi đáng kể. Bởi vì, nửa chiều dài phách được xác định bởi
công thức sau đây [15]:

2nrWe2
Lπ (2.12)
3λ
Ở đây, λ là bước sóng hoạt động trong ống dẫn sóng, nr là hệ số chiết suất hiệu dụng, We là
chiều rộng hiệu dụng của vùng giao thoa đa mode. Độ rộng này được tính theo công thức:
2σ
λ -0.5  n 
We =WMMI +  nr2 -nc2   c  (2.13)
π  nr 
Trong đó: WMMI là chiều rộng đáy lớn của ống dẫn sóng hình cánh bướm; nr và nc là các hệ
số chiết suất hiệu dụng của các lớp lõi và vỏ; σ = 0 cho mode phân cực TE và σ = 1 cho
mode phân cực TM.
Để tách riêng các mode TE và TM theo cơ chế giao thoa tổng quát, chiều dài LMMI của
vùng ống dẫn sóng đa mode có thể được thiết kế theo phương trình [71] sau đây:

LMMI p  3Lπ,TE  q  3Lπ,TM  (2.14)

Ở đây, Lπ,TE và Lπ,TM tương ứng là nửa chiều dài phách của các mode TE và TM, p và q là
các số nguyên dương thỏa mãn điều kiện p+q phải là một số lẻ.

Lý thuyết về ảnh gần đúng (quasi state - QS) có thể được suy ra bằng cách xấp xỉ
nguyên lý tự tạo ảnh trong điều kiện giao thoa bốn mode [54] [52]. Các ảnh gần đúng được
tạo dạng trước và sau ảnh hoàn hảo dọc theo hướng truyền với một khoảng cách bằng 1/5
lần của ba lần nửa chiều dài phách [76]. Sử dụng kỹ thuật ảnh gần đúng, điều kiện tách
riêng các mode từ phương trình (2.14) nên được thay thế bởi phương trình sau đây:

 1  1
LMMI 3Lπ,TE  p   3Lπ,TM  q   (2.15)
 5  5

44
 (a)

(b)
Hình 2.11. Nửa chiều dài phách của các mode phân cực TE và TM là hàm số đối với các biến độ
sâu khắc d và chiều rộng của vùng đa mode. (a) Độ sâu khắc. (b) Độ rộng vùng đa mode.

2.2.2 Tối ƣu cấu trúc

Thiết bị được đề xuất sử dụng nền tảng vật liệu SOI với lớp vỏ phía trên (upper
cladding) là không khí. Lõi silic (Si) và lớp vỏ bên dưới thủy tinh silic (SiO2) có hệ số chiết
suất lần lượt là 3.45 và 1.46. Lớp lõi cấu trúc sử dụng ống dẫn sóng dạng sườn. Chiều cao
phiến và chiều cao sườn được chọn tương ứng là hs = 100 nm và H=440 nm. Độ rộng của
ống dẫn sóng đầu vào được chọn là 500 nm cho điều kiện đơn mode có thể hoạt động
được [100]. Giả thiết rằng độ rộng đáy lớn của hình cánh bướm được chọn là WMMI = 2.4
µm, do đó độ rộng tại chính giữa chiều dài của hình cảnh bướm là 1.2 µm. Các ống dẫn
sóng đơn mode trong vai trò các ống dẫn sóng truy nhập được bố trí tại vị trí ± WMMI /4. Lớp
vỏ thủy tinh silic (SiO2) bên dưới có độ dày khoảng 1µm để đảm bảo ngăn cản tổn hao
“rò” (leakage loss) của tín hiệu quang xuống lớp nền bên dưới [83]. Bước sóng hoạt động
45
trong ống dẫn sóng là 1.55 µm. Vùng cánh bướm được khắc chiều sâu d trên nền vùng ống
dẫn sóng đa mode hình chữ nhật như được nhắc đến ở trên. Sử dụng bộ giải mode ba chiều
dựa trên kỹ thuật bán véc tơ của phần mềm mô phỏng thương mại Rsoft để tìm ra các lời
giải mode của sóng TE và TM trong ống dẫn sóng. Để phân tích cấu kiện, chúng ta sử
dụng phương pháp mô phỏng truyền chùm ba chiều nửa véc tơ với điện trường [144]. Độ
rộng lưới được cố định là ∆x = ∆y = 20 nm và ∆z = 50 nm để đạt được kết quả mô phỏng
hội tụ đạt độ chính xác cần thiết phù hợp với tài nguyên tính toán. Để đạt được kết quả mô
phỏng chính xác, lớp thích hợp hoàn hảo – PML (perfectly matched layer) được sử dụng
tại biên cửa sổ tính toán. Bằng cách này, chúng ta tìm ra các hệ số chiết suất của các mode
phân cực TE và TM, do đó xác định được nửa chiều dài phách thu được từ phương trình
(2.12). Hình 2.11 vẽ nửa chiều dài phách của các mode TE, TM như là một hàm số phụ
thuộc vào chiều sâu khắc và độ rộng của vùng đa mode (tương ứng như được thể hiện trên
các Hình 2.11 (a) và Hình 2.11 (b).
Từ một tập các giá trị của nửa chiều dài phách của các mode TE, TM nhận được từ dữ
liệu mô phỏng bằng phương pháp truyền chùm, chúng ta nhận thấy rằng: tại chiều sâu khắc
d là 240 nm nửa chiều dài phách của các mode TE và TM tương ứng là 8.9616 µm và
7.6320 µm. Chúng thỏa mãn điều kiện sau đây:

 1  1
3×Lπ,TE  6-   3×Lπ,TM  7-  (2.16)
 5  5

Hình 2.12. Công suất đầu ra được chuẩn hóa là hàm số

với biến là chiều dài của vùng đa mode.

Do đó, trong thiết kế này, chúng ta chọn p = 6 , q = 7 và chiều dài của vùng MMI có
thể được chọn là 156 µm. Hình 2.12 thể hiện công suất ra bằng mô phỏng BPM tại cổng ra
thẳng và cổng ra chéo theo sự phụ thuộc hàm số của chiều dài vùng đa mode. Các kết quả
mô phỏng cũng cho thấy rằng tại chiều dài vùng đa mode bằng 156 µm, cơ chế giao thoa
trong vùng đa mode xảy ra hoàn hảo (như được đánh dấu trong Hình 2.12). Để cải tiến
46
hiệu năng công suất ra cho các mode phân cực khi ánh sáng truyền qua ống dẫn sóng,
chúng ta sử dụng các ống dẫn sóng hình búp măng tuyến tính để kết nối giữa các ống dẫn
sóng truy nhập và ống dẫn sóng đa mode. Chúng ta chọn ống dẫn sóng búp măng với chiều
dài lt = 8µm và độ rộng đáy nhỏ w=500 nm, độ rộng đáy lớn của nó giả thiết đặt là Wt.
Công suất đầu ra của cấu kiện cho các mode TE và TM là hàm của tham số Wt được trình
bày trong Hình 2.13 với lưu ý rằng mode TE được tách ra cổng ra thẳng trong lúc mode
TM được tách ra cổng ra chéo. Từ các kết quả mô phỏng này ta chọn độ rộng đáy lớn của
hình búp măng là 1.2 µm để thiết kế cấu kiện chia phân cực. Độ rộng này được chọn không
chỉ vừa vặn với kiểu dáng hình học mà còn dễ dàng cho chế tạo.

Hình 2.13. Công suất ra chuẩn hóa là hàm số của chiều rộng
đáy lớn của ống dẫn sóng hình búp măng.

2.2.3 Kết quả mô phỏng và thảo luận

Chúng ta tính toán đặc tính phân chia của cấu kiện dựa vào phân tích mô phỏng truyền
chùm ba chiều bán véc tơ. Đầu tiên, ảnh gần đúng bằng mô phỏng BPM cho các trạng thái
phân cực trong mặt phẳng xy (chiều rộng theo trục x và chiều cao theo trục y) được đưa ra
như trên Hình 2.14. Mode TE của ánh sáng được phát vào cổng đầu vào sẽ được phân chia
đến cổng ra thẳng và ngược lại mode TM của ánh sáng sẽ được phân chia đến cổng ra
chéo. Các ảnh của trường gần tại điểm cuối z = 218 µm của cấu kiện chứng tỏ một sự méo
dạng rất nhẹ của trường cho cả hai mode phân cực. Kết quả mô phỏng sự dẫn truyền của
đường bao trường mode cho các mode phân cực TE và TM trong điều kiện dạng tín hiệu
mô phỏng ở đầu vào là chế độ mode sợi (fiber mode) được thể hiện như trong Hình 2.14
(a), (b), (c) và (d). Kết quả chỉ ra trường mode TE xuất hiện trong cổng đầu ra thẳng trong
lúc trường mode TM xuất hiện trong cổng đầu ra chéo. Các chỉ số hiệu năng hệ thống quan
trọng nhất để đánh giá chất lượng của bộ chia phân cực là: suy hao vượt qua (E.L – excess
loss) và tỷ lệ phân biệt (Ex.R – extinction ratio). Chúng được định nghĩa như sau:
47
 P 
E.L  10 log10  out  (2.17)
 Pin 
 P 
Ex.R  10log10  desired  (2.18)
 Punwanted 
Ở đây, Pin là công suất của cổng đầu vào và Pout là công suất của cổng đầu ra, Pdesired và
Punwanted tương ứng là các công suất đầu ra của cổng đầu ra của các mode phân cực mong
muốn và không mong muốn.
Bảng 2.2. Suy hao vượt qua và tỷ lệ phân biệt của của bộ chia phân cực đã đề xuất

Mode E.L(dB) Ex.R (dB)

TE -0.59 -22.04

TM -0.38 -20.53

Hình 2.14. Sự truyền của đường bao cường độ trường quang với các mode phân cực từ vị trí z=0+
µm đến điểm cuối z=218 µm: (a) và (b) đối với mode TE, (c) và (d) đối với mode TM.

Trong thiết kế này, suy hao truyền trong ống dẫn sóng do hấp thụ của vật liệu silic
được bỏ qua bởi vì kích thước của cấu kiện là rất nhỏ (chỉ vài trăm micromet) và quá trình
chế tạo hiện nay với các tinh thể silic hầu như nguyên chất có hệ số suy hao khá nhỏ: xấp
xỉ 0.03 dB/mm [65]. Do đó, với tổng chiều dài chỉ là 218 µm, chúng ta cũng so sánh suy
48
hao truyền do hấp thụ vật liệu và thấy nó không đáng kể so với tổng suy hao do phát xạ ra
ngoài lõi ống dẫn sóng và các suy hao chèn do ghép nối giữa các ống dẫn sóng bởi sự ghép
nối không hoàn toàn hoàn hảo, suy hao do công suất quang bị “rò” xuống lớp đế của ống
dẫn sóng hay suy hao do lớp nhám bề mặt tinh thể silic (sidewall -roughness), tổn hao do
sự xấp xỉ của giải thuật tính toán.
Bảng 2.2 trình bày các kết quả tính toán về suy hao vượt qua và tỷ lệ phân biệt của cấu
kiện. Kết quả trình bày do nhận được từ dữ liệu mô phỏng bằng công cụ mô phỏng
BeamProp của phần mềm mô phỏng thương mại Rsoft. Kết quả từ mô phỏng cũng cho
thấy rằng hiệu quả phân chia của các mode TE và TM đạt được tương ứng là 87.3% và
91.6%. Trong khi đó, tỷ lệ phân biệt cho cả mode TE và TM đều là nhỏ hơn -22 dB, do vậy
biểu thị chất lượng hiệu năng tốt của cấu kiện cho các ứng dụng.

Hình 2.15. Đáp ứng bước sóng của suy hao vượt qua và tỷ lệ phân biệt cho hai mode phân cực.

Hình 2.16. Suy hao vượt qua và tỷ lệ phân biệt là các hàm số
của của chiều sâu khắc d cho hai mode phân cực.
49
 Tiếp đến, chúng ta đánh giá công suất tại các cổng ra của các mode TE và TM theo sự
phụ thuộc vào đáp ứng bước sóng. Bằng cách sử dụng mô hình Sellmeier [46] để tính hệ số
chiết suất của vật liệu silic, chúng ta thấy rằng hệ số chiết suất của nó thay đổi rất nhỏ
trong dải bước sóng 1.55 µm (sự biến động của hệ số chiết suất không vượt quá 0.01 khi
sự thay đổi của bước sóng là ±20 nm xung quanh bước sóng 1.55 µm). Do đó, chúng ta có
thể xem xét hệ số chiết suất là một hằng số. Suy hao vượt qua và tỷ lệ phân biệt có thể
được biểu diễn như một hàm số phụ thuộc vào biến số bước sóng ở trên Hình 2.15. Phân
tích dữ liệu từ kết quả mô phỏng cho thấy khi tỷ lệ phân biệt bé hơn -15 dB, suy hao vượt
qua sẽ nhỏ hơn 1dB và băng thông của các mode TE và TM tương ứng là 12 nm và 20 nm.
Các kết quả này cho thấy: đáp ứng phổ bước sóng của cấu kiện đề xuất là tốt và phổ bước
song khá rộng.

Hình 2.17. Suy hao vượt qua và tỷ lệ phân biệt là các hàm số của sai khác hệ số chiết suất giữa lớp
lõi và lớp vỏ ∆n cho hai mode phân cực.

Dựa trên công nghệ chế tạo chẳng hạn như công nghệ quang khắc (photolithography)
[106] hoặc khắc bằng chùm điện tử [68] kết hợp với một số kỹ thuật khắc bằng cảm ứng
plasma (ICP etching) để chế tạo các ống dẫn sóng sườn, chúng ta cần xem xét ảnh hưởng
của dung sai chế tạo đến hiệu năng thực hiện của cấu kiện đã đề xuất.

Sự phụ thuộc của các tham số như: suy hao vượt qua (E.L) và tỷ lệ phân biệt (Ex.R)
vào hàm số của chiều khâu được khắc và sai khác hệ số chiết suất giữa lớp vỏ và lõi ∆n
được vẽ tương ứng với Hình 2.16 và Hình 2.17. Kết quả trên Hình 2.16 cho thấy rằng:
dung sai khắc của các mode TE và TM trong điều kiện tỷ lệ phân biệt nhỏ hơn -15 dB
khoảng chừng ±10 nm xung quanh giá trị đã chọn là 230 nm. Hình 2.17 thể hiện tỷ lệ phân
biệt là một sự phụ thuộc hàm vào độ sai khác hệ số chiết suất đối với các mode phân cực.
Các kết quả cho thấy: khi các tỷ lệ phân biệt nhỏ hơn -15dB với cả hai mode TE, TM, sai
khác hệ số chiết suất là ±0.01 (vào khoảng ±5%). Những giá trị này là phù hợp với dung
sai chế tạo theo những công nghệ hiện hành [37], [49].
50
2.2.4 Tóm lƣợc kết quả
Một bộ phân cực dựa trên cấu trúc giao thoa đa mode được xây dựng trên nền tảng vật
liệu SOI, với lớp lõi là silic và lớp vỏ là thủy tinh silic. Trong đó lõi silic được khắc theo
dạng hình cánh bướm với độ sâu thích hợp đã được đề xuất. Phương pháp mô phỏng truyền
chùm ba chiều bán véc tơ được sử dụng để phân tích và mô phỏng toàn bộ cấu trúc. Với sự
thiết kế cẩn thận và tối ưu chi tiết, cấu kiện đã được chứng tỏ có thể nhúng trên kích thước
2.4 µm×218 µm. Suy hao vượt qua và tỷ lệ phân biệt được tính toán và cho thấy rằng giá
trị của chúng có thể đạt được một cách tương ứng với (-0.59 dB, -22.03 dB) cho mode TE
và (-0.38 dB, -20.53 dB) đối với mode TM. Các kết quả mô phỏng số cũng chỉ ra rằng
dung sai chế tạo về mặt kích thước và vật liệu là phù hợp với những ứng dụng của mạch
quang tích hợp.

2.3 Kết luận chƣơng

Chương này của luận án đề xuất sử dụng các cấu trúc của bộ ghép giao thoa đa mode
2×2 để thiết kế các bộ chia công suất thụ động với nhiều tỷ số chia và bộ chia chùm phân
cực. Phần đầu của luận án trình bày đề xuất bộ chia công suất thụ động bằng cách ghép nối
các dạng hình học khác nhau của các bộ ghép 2×2 cơ bản. Phần sau của luận án trình bày
thiết kế bộ chia chùm phân cực dựa trên cấu trúc của bộ ghép giao thoa đa mode 2×2 cơ
bản được khắc hình cánh bướm nhờ đặc điểm quang học khác nhau của các trạng thái phân
cực theo mode của trường điện từ. Chẳng hạn: hệ số chiết suất hiệu dụng theo các mode
phân cực sẽ khác nhau (bởi hằng số truyền khác nhau), độ rộng hiệu dụng của ống dẫn
sóng theo các mode phân cực khác nhau cũng khác nhau. Các kết quả mô phỏng sử dụng
phương pháp mô phỏng số BPM trong các thiết kế được đề xuất của luận án cho thấy chất
lượng hiệu năng tốt về các phương diện như: băng thông hoạt động tương đối lớn, dung sai
chế tạo lớn cả về mặt hình học và vật liệu chế tạo. Do đó, những cấu kiện chức năng dựa
trên cấu trúc giao thoa đa mode là hoàn toàn thích hợp cho những thành phần xử lý tín hiệu
toàn quang.

51
Chƣơng 3
Chuyển mạch quang dựa trên cấu trúc giao thoa đa mode
Các mạng thông tin quang liên quan đến kỷ nguyên của các mạng toàn quang. Trong
các mạng này, các thành phần chuyển mạch toàn quang là đặc biệt quan trọng. Những năm
gần đây, một số tiếp cận để tạo ra các bộ chuyển mạch toàn quang đã được đề xuất. Các bộ
chuyển mạch vi cơ MEMS là một trong những ứng cử viên tốt cho các hệ thống chuyển
mạch tích hợp cỡ lớn [117] nhưng không tương thích với các thành phần khác dựa trên
mạch tích hợp quang phẳng. Chuyển mạch màng mỏng [70] giá thành đắt và khó đóng gói
cũng như tích hợp với các linh kiện khác). Chuyển mạch tinh thể lỏng, chuyển mạch dựa
trên ghép định hướng [118] đã thương mại hóa hoặc xuất hiện trong các phòng thí nghiệm
nhưng dung sai chế tạo không lớn. So sánh với các công nghệ khác, công nghệ sử dụng cấu
trúc giao thoa đa mode có nhiều ưu điểm về suy hao thấp, kích thước cực nhỏ, độ ổn định
cao, dung sai chế tạo lớn và dễ tích hợp [77]. Có nhiều phương pháp thực hiện để tạo ra
chuyển mạch quang dựa trên các cấu trúc giao thoa đa mode [22]. Chẳng hạn, mạch quang
sử dụng các cấu trúc MMI dùng các hiệu ứng nhiệt-quang [5] [85], hiệu ứng điện-quang
[38] [137] điều chế phân cực. Tuy nhiên, điều khiển nhiệt là rất khó khăn và không ổn
định. Trong khi đó, điều chế phân cực là phức tạp. Hơn thế, ngày nay các hệ thống thông
tin quang tốc độ cao đòi hỏi sử dụng các bộ chuyển mạch quang tốc độ cao. Vì vậy, yêu
cầu là cần phải tạo ra chuyển mạch toàn quang.
Trong chương này của luận án, bộ chuyển mạch toàn quang N×N (N là số nguyên
dương) dựa trên các bộ ghép đa mode theo kiểu giao thoa Mach-Zehnder (MZI) được
nghiên cứu đầu tiên. Các ống dẫn sóng truy nhập nối giữa hai bộ ghép MZI-MMI được sử
dụng làm các bộ dịch pha [153]. Các trạng thái chuyển mạch của cấu kiện có thể được điều
khiển bằng cách điều chỉnh trường ngoài tác động để tạo ra các đại lượng dịch pha cần
thiết cho hoạt động chuyển mạch. Sau đó, luận án đi vào thiết kế các bộ chuyển mạch toàn
quang cấu trúc 2×2 và 3×3 sử dụng hiệu ứng phi tuyến (hiệu ứng Kerr) và hiệu ứng quang -
điện (hiệu ứng electro-optic) để tạo ra các bộ dịch pha cho các cấu trúc chuyển mạch.
Phương pháp ma trận chuyển đổi được sử dụng để phân tích nguyên lý hoạt động và
phương pháp truyền chùm (BPM) được sử dụng cho thiết kế và tối ưu toàn bộ cấu trúc.

3.1 Phân tích tổng quát của chuyển mạch quang N×N
Xuất phát từ tính chất của các bộ giao thoa đa mode kích thước N×N (N là số nguyên
dương) có thể hoạt động như là một bộ phân chia (splitter) quang hoặc bộ kết hợp
(combiner) quang N đường nếu chọn chiều dài vùng giao thoa đa mode thích hợp theo cơ
chế giao thoa tổng quát. Nghĩa là ta có thể đưa vào tín hiệu quang vào bất kỳ cổng đầu vào
nào thì tín hiệu quang sẽ được phân chia ra thành N đường quang ở N cổng đầu ra với mức
công suất chia đều nhau (biên độ bằng nhau) và chỉ khác nhau về trạng thái pha của tín
hiệu. Ngược lại, nếu đưa vào N cổng đầu vào các tín hiệu quang với biên độ bằng nhau và
các tín hiệu này có sự sai pha một cách thích hợp (giống như sai lệch pha của một bộ chia
52
quang N đường) thì đầu ra thực hiện kết hợp các tín hiệu quang này lại thành một tín hiệu
ra ở một cổng ra nào đó. Từ đây, ý tưởng sử dụng hai bộ ghép đa mode giống hệt nhau với
kích thước N×N nối với nhau bằng các ống dẫn sóng truy nhập (thường là ống dẫn sóng
đơn mode) sau đó thực hiện cơ chế tác động bằng trường điều khiển ngoài đến các ống dẫn
sóng vùng giữa này (các cánh dẫn sóng) tạo ra các lượng dịch pha thích hợp thì có thể thực
hiện cơ chế chuyển mạch quang không chặn (tức là bất kỳ cổng đầu vào nào cũng có khả
năng chuyển mạch đến bất kỳ cổng đầu ra nào).

Hình 3.1. Sơ đồ nguyên lý của bộ chuyển mạch quang N×N sử dụng cấu trúc giao thoa đa mode.

Sơ đồ nguyên lý cấu hình của bộ chuyển mạch quang đề xuất được thể hiện như trên
Hình 3.1. Ta sẽ phân tích hoạt động của bộ chuyển mạch bằng cách sử dụng phương pháp
ma trận chuyển đổi –TMM (transfer matrix method). Ta gọi các cổng đầu vào bộ chuyển
mạch cũng là các cổng đầu vào của bộ ghép đa mode thứ nhất lần lượt được đánh số và có
biên độ phức ký hiệu là ai các cổng đầu ra bộ ghép đa mode thứ nhất là Ai, các cổng đầu
vào bộ ghép đa mode thứ hai là Bi, các cổng đầu ra bộ ghép đa mode thứ hai cũng là các
cổng đầu ra của bộ chuyển mạch là bi (i=0,1,2...N). Giữa các cổng Ai và Bi là bộ dịch pha
với góc dịch pha là φi. Ta có quan hệ sau đây:

A i  Bi e ji (3.1)

Nếu các cổng được biểu diễn dưới dạng ma trận như sau:

 A1   B1   a1   b1 
       
 A2   B2   a2  b2
A , B , a ,b    (3.2)
 ...   ...   ...   ... 
       
 AN   BN   aN   bN 
Ký hiệu ma trận dịch pha biểu diễn như sau:

 e1 0 ...0 
 
 0 e2 ...0 
Φ  (3.3)
 
 0 0 e N 
 

53
Khi đó, ta có các quan hệ ma trận như sau:

B  Φ.A , b  M .B và A  M .a (3.4)

Do vậy cuối cùng ta thu được quan hệ ma trận giữa biên độ phức vào và ra của bộ chuyển
mạch:

b  M .Φ.M .a (3.5)

Với M ký hiệu là ma trận truyền đạt của bộ ghép giao thoa đa mode. Để sử dụng bộ ghép
đa mode như là bộ phân chia hay kết hợp đường quang theo cơ chế giao thoa đa mode, ta
chọn chiều dài của bộ ghép đa mode thỏa mãn điều kiện tạo ảnh theo biểu thức (1.39) là
3L
L . Lúc đó, ma trận M được viết như sau:
N

 e11 e21 ...e N 1 

 
1  e12 e22 ... e N 2 
M
N  (3.6)
 
 e1 N e2 N e NN 
 

Trong đó các góc pha  rs , r,s=1,2,3,…,N được xác định từ các công thức tính (1.42) và
(1.43) là những góc pha hoàn toàn xác định khi biết được cấu trúc giao thoa cũng như
chiều dài của bộ ghép giao thoa đa mode.
Thay thế các biểu thức trên vào biểu thức (3.5), ta được kết quả:

 b1   e11 e21 ...eN 1   e1 0 ...0   e11 e21 ...eN 1   a1 

   12 22     
   e
b 2 1 e ... eN 2   
  0 e 2 ...0   e 12 e 22 ... e N 2   a2  (3.7)
 ...  N      ... 
      
 bN   e1 N e2 N eNN   0 0 eN   e1 N e2 N eNN   aN 
   

Phương trình biểu diễn (3.7) khi triển khai ra cho thấy rằng muốn chuyển mạch từ
cổng đầu vào ai nào đến cổng đầu ra bk nào thì chỉ cần giải được bộ biến số 1 , 2 ,...,  N 
từ hệ phương trình N phương trình tuyến tính. Phép giải hệ phương trình tuyến tính gồm có
N phương trình N ẩn là hoàn toàn giải được về mặt toán học nhờ sử dụng công thức tính
định thức của Crammer.

Để ý rằng, trong số N biến số 1 , 2 ,...,  N  , một biến có thể được tự do. Do vậy ta có
thể quy chiếu nó là một hằng số. Không giảm tổng quát, có thể giả sử  N  0 . Khi đó, để
thiết kế bộ chuyển mạch dựa trên cấu trúc giao thoa đa mode theo cấu trúc MZI như trên,
chỉ cần thiết kế điều khiển N-1 bộ dịch pha là đủ để cho hoạt động chuyển mạch không
chặn của tất cả các trạng thái. Cũng cần chú ý thêm rằng khi N lớn ( N  4 ) thì cần phải tạo
54
ra nhiều bộ dịch pha, về mặt thiết kế và bố trí các bộ dịch pha ở các cánh giữa các vùng đa
mode như vậy với công nghệ sử dụng các cấu trúc ống dẫn sóng quang phẳng là rất khó
khăn và phức tạp. Do khuôn khổ có hạn của một luận án, tác giả chỉ tập trung thiết kế các
bộ chuyển mạch quang cấu hình sử dụng như trên cho trường hợp N=2 và N=3. Phần tiếp
theo của chương này sẽ trình bày chi tiết nội dung nghiên cứu sâu về khả năng áp dụng của
các cấu trúc giao thoa đa mode sử dụng các bộ ghép đa mode kích thước 2×2 và 3×3.

3.2 Bộ chuyển mạch toàn quang dựa trên các bộ ghép giao thoa
đa mode 3×3 sử dụng các bộ ghép phi tuyến
Gần đây, các ống dẫn sóng chalcogenide (As2S3) đã được đề xuất như là một nền tảng
mới cho xử lý tín hiệu quang mang lại hiệu năng tốt ở tốc độ bit cao. Thêm vào đó, tính phi
tuyến cao có khả năng làm ra các phần tử mật độ cao với tiềm năng tích hợp nguyên khối
[143], do bởi hệ số phi tuyến n2 lớn và sự hấp thu hai photon thấp (đặc tính vật liệu tốt ),
khả năng thích hợp đặc tính vật liệu thông qua hóa học lượng pháp cũng như độ nhạy
quang. Những đặc tính này cho phép chế tạo các cách tử và ống dẫn sóng ghi quang, hơn
thế nữa ta có thể sử dụng tương tác phi tuyến bằng các hiệu ứng điều chế pha chéo XPM
(cross phase modulation) tác động đến hệ số phi tuyến gây dịch pha để điều khiển hoạt
động chuyển mạch.
Phần này đề xuất một cấu trúc mới cho chuyển mạch toàn quang dựa trên hai bộ ghép
giao thoa đa mode kiểu 3×3 sử dụng các ống dẫn sóng ghép định hướng với tác động của
hiệu ứng phi tuyến Kerr đóng vai trò của các bộ dịch pha. Thủy tinh chalcogenide trên nền
silica được sử dụng để thiết kế. Trong nghiên cứu này, nguyên lý của các bộ chuyển mạch
dựa trên phân tích lý thuyết được trình bày. Các bộ ghép định hướng tại hai cánh ngoài
cùng ở đoạn nối giữa hai bộ ghép đa mode 3×3 đóng vai trò của các bộ dịch pha. Để tạo ra
các bộ dịch pha sử dụng các bộ ghép định hướng, tín hiệu điều khiển dẫn ra một cánh của
bộ ghép trục tiếp và tín hiệu thông tin được ra một ống dẫn sóng khác cũng là cánh ngoài
cùng của cấu trúc giao thoa Mach-Zehnder. Tín hiệu điều khiển phải được tách biệt từ tín
hiệu đầu vào và các tín hiệu dẫn vào cấu trúc chuyển mạch từ ống dẫn sóng truy nhập khác
sau hoạt động chuyển mạch. Điều này để làm giảm công suất chuyển đổi lẫn giữa các ống
dẫn sóng thông tin và ống dẫn sóng điều khiển. Mô phỏng số được sử dụng để làm sáng tỏ
nguyên lý hoạt động của các bộ chuyển mạch toàn quang đã đề xuất.

3.2.1 Phân tích và thiết kế cấu kiện

Hoạt động của một bộ ghép giao thoa đa mode (MMI) được dựa trên nguyên lý tự tạo
ảnh [9]. Tự tạo ảnh là một đặc tính của một ống dẫn sóng bởi trường đầu vào được tái tạo
thành đơn ảnh hoặc đa ảnh tại các khoảng chu kỳ dọc theo hướng truyền sóng. Bộ ghép đa
mode có thể được đặc tả bởi lý thuyết ma trận chuyển đổi [9] [71]. Theo lý thuyết này,
quan hệ giữa các vector vào và ra có thể nhận được bởi quan hệ ma trận. Để đạt được yêu

55
cầu ma trận chuyển đổi thì vị trí của các đầu vào và các đầu ra của bộ ghép MMI phải được
thiết lập một cách chính xác.

Trong nghiên cứu này, ống dẫn sóng 3×3 MMI có chiều rộng là WMMI , các ống dẫn
sóng truy nhập có cùng độ rộng wa , Vị trí của ba đầu vào và ba đầu ra được định vị tại vị
trí tọa độ xi như sau:

 1 W
xi   i   e , (i=0,1,2) (3.8)
 2 3
Ở đây, We là độ rộng hiệu dụng của bộ ghép đa mode. Nó được xác định bởi biểu thức:
0 2 2 0.5
We  WMMI 

 nr  nc  , với nr là hệ số chiết suất của lớp lõi và nc là hệ số chiết xuất
của lớp vỏ và 0 là bước sóng công tác trong không gian tự do.

Chiều dài của bộ ghép MMI theo cơ chế giao thoa GI được thiết lập:

LMMI  L (3.9)
Với Lπ được định nghĩa là nửa chiều dài phách giữa hai mode bậc thấp nhất truyền trong
ống dẫn sóng và được tính theo công thức sau đây theo cơ chế giao thoa tổng quát:

π 4n We2
L   r (3.10)
π β0 -β1 30

Ma trận chuyển đổi của các bộ ghép đa mode 3×3 (giao thoa GI) được xác định bởi [9]:

  j 3 j
2
j  

e 
3 3
e e
 2 
1  j 23 
e 3 
j j
M e e 3
(3.11)
3  2 

 j3 j
3
j 
3
e e e 
 
Cấu hình của bộ chuyển mạch toàn quang được đề xuất được trình bày trên Hình 3.2.
Nó gồm có hai bộ ghép nối giao thoa đa mode kiểu 3×3 giao thoa tổng quát có cùng kích
thước. Bộ ghép đa mode MMI đầu tiên hoạt động như là một bộ chia quang trong khi đó
bộ thứ hai hoạt động như là một bộ kết hợp. Ở đây, các bộ ghép định hướng ghép với hai
cánh ngoài cùng của đoạn nối giữa hai bộ giao thoa đa mode đóng vai trò là các bộ dịch
pha để tín hiệu đầu ai (i=1,2,3) vào được chuyển mạch tới cổng đầu ra bj (j=1,2,3).

Các biên độ phức và các bộ dịch pha tại cổng vào và cổng ra của cấu trúc được đề xuất
(xem Hình 3.2) có thể được biểu diễn bởi các ma trận như sau:

56
 Bộ dịch pha
Pcontrol 1
y z LMMI Lc LMMI
a1 A1 φ1 g B1 b1
WMMI WMMI
x waa2 3x3 A2 B2 3x3 b2
Đầu vào a3 MMI A3 MMI b3
B3
φ2
Đầu ra
Pcontrol 2 Wa Bộ ghép
định hướng

Hình 3.2. Một bộ chuyển mạch toàn quang dựa trên các bộ ghép giao thoa
đa mode tổng quát kiểu 3×3 và sử dụng các bộ ghép định hướng làm các bộ dịch pha.

 a1   b1   e j1 0 0 
   
M in   a2  , M out   b2  , Φ   0 1 0 
  (3.12)
a  b   0 0 e j2 
 3  3 

Ở đây: a1, a2, a3 và b1, b2, b3 lần lượt là ba cổng vào và ba cổng ra một cách tương ứng; φ1
và φ2 là các góc dịch pha giữa hai cảnh ngoài cùng liên kết giữa các vùng đa mode (trong
điều kiện khởi tạo pha tại các cổng A1, A2 và A3 là như nhau). Min, Mout lần lượt là ma trận
đầu vào và đầu ra, Φ là ma trận dịch pha.

Chúng ta có các quan hệ sau:

M out  M .Φ.M .M in (3.13)

Phương trình (3.13) có thể được viết một cách chi tiết là :

 j  1  3  j
2  
j  2      j j
2
j


e 
e 3
e  3
 e 3 e 3
e 3

 b1    2    2    2  2   a1 
  1  j  1  3  j j  2 
3  
 j j j
 .  a2 
 b2   3  e
3  3 3 3
e e . e e e
b 
    (3.14)
 3  j  1    j
2 j  2    
 
j

j
2
j

  a3 
 e  3 e 3
e  3
e 3 e 3
e 3

  
 
Tiếp đến chúng ta tính toán các dịch pha để điều khiển tín hiệu đầu vào tới bất kỳ cổng
đầu ra nào. Giả sử rằng các đầu ra được chuyển mạch tới cổng b1 (điều đó có nghĩa b1=1,
b2=b3=0) từ cổng a1 (a1=1, a2=a3=0). Khai triển và giải các phương trình (3.14) chúng ta
dễ dàng nhận được nghiệm φ1=0, φ2=2π/3. Bằng cách này, chúng ta cũng tìm thấy các góc
dịch pha phù hợp cho tất cả các trạng thái hoạt động chuyển mạch. Tóm lại, do điều kiện
dịch pha của bộ ghép đa mode thứ nhất, pha tích lũy tại các bộ dịch pha được yêu cầu để
điều khiển tín hiệu đầu vào tới bất kỳ cổng đầu ra có thể được trình bày như trên Bảng 3.1.

57
 Bảng 3.1. Các trạng thái dịch pha yêu cầu cho hoạt động chuyển mạch 3×3
Đầu vào φ1 φ2 Đầu ra

a1 0 2π/3 b1

a1 2π/3 0 b2

a1 -2π/3 -2π/3 b3

a2 2π/3 0 b1

a2 -2π/3 -2π/3 b2

a2 0 2π/3 b3

a3 -2π/3 -2π/3 b1

a3 0 2π/3 b2

a3 2π/3 0 b3

Như đã nói ở trên, cấu trúc của một bộ chuyển mạch toàn quang yêu cầu hai bộ ghép
định hướng phi tuyến [33] đóng vai trò là các bộ dịch pha ở hai cánh ngoài cùng của cấu
kiện quang như được thể hiện trên hình Hình 3.2. Đầu tiên, bộ ghép định hướng gồm hai
ống dẫn sóng mà khoảng cách giữa chúng là rất nhỏ và ghép nối đầy đủ xảy ra giữa chúng
trong một chiều dài ghép nối mà tương tác giữa chúng là phi tuyến tính. Tính phi tuyến này
có thể được cách ly với trường điều khiển cao làm thay đổi hệ số chiết suất phi tuyến. Khi
khoảng cách giữa hai bộ ghép định hướng phi tuyến là rất nhỏ và biên độ trường thay đổi
rất chậm theo hướng truyền z, tương tác giữa các điện trường trong các bộ ghép định
hướng tuân thủ theo hệ phương trình ghép mode sau đây [80]:

i
dA
dz
2

  B  1 A  2 B A
2
 (3.15)

i
dB
dz
2

 A2 B  2 A B
2
 (3.16)


Ở đây: κ là hệ số ghép tuyến tính được xác định bằng   , Lc là chiều dài ghép nối, A
2 Lc
và B là các biên độ trường của ống dẫn sóng điều khiển và ống dẫn sóng tín hiệu của bộ
ghép định hướng và γ1, γ2 là các hệ số phi tuyến được mô tả bởi các hiệu ứng điều chế tự
dịch pha SPM (self phase modulation) và các hiệu ứng điều chế pha chéo XPM (cross
phase modulation). Các hệ số phi tuyến được xác định như sau [4]:

2 n2
 (3.17)
0 Aeff

58
Với: λ0 là bước sóng trong chân không, n2 là hệ số chiết suất phi tuyến của ống dẫn sóng
còn Aeff là diện tích phần chéo mode hiệu dụng. Dưới tác động của điều chế tự dịch pha
trong bộ ghép định hướng, pha trong bộ ghép định hướng có thể thay đổi tỷ lệ với cường
độ trường điện của đầu vào ống dẫn sóng.

Các dịch pha phi tuyến trong các ống dẫn sóng ghép định hướng gây ra bởi hiệu ứng điều
chế pha chéo (XPM) có thể được xác định bằng biểu thức [2]:

2 n2 Lc  I 0  2 I c 
 (3.18)
0

Ở đây: I 0 , I c tương ứng là các cường độ trường của các ống dẫn sóng tín hiệu và điều
khiển. Trong trường hợp pha phù hợp khi bước sóng vào và hệ số chiết suất của hai ống
dẫn sóng là đồng nhất, sự ghép mode xảy ra cực đại.

Vật liệu sử dụng trong lớp lõi của cấu trúc chuyển mạch quang đề xuất là thủy tinh
chalcogenide As2S3 với hệ số chiết suất nr=2.45 và vật liệu sử dụng cho lớp vỏ là thủy tinh
silica SiO2 (As2S3 có thể được lắng đọng trên SiO2 (hệ số chiết suất nc=1.46) đã được sản
xuất thương phẩm được thương mại hóa). Thủy tinh As2S3 (còn gọi theo công thức hóa học
là arsenic trisulfit) là một vật liệu khoảng băng trực tiếp (direct band-gap) và là chất bán
dẫn vô định hình. Bằng cách thực hiện tiến trình lắng đọng điều khiển được, một màng cao
phân tử quang (photo-polimerizable film) của As2S3 có thể được lắng đọng trên vật liệu
nền thủy tinh silica tiêu chuẩn. Chalcogenide được chọn vì nhiều ưu điểm. Cho ví dụ, vật
liệu này là rất thu hút cho các mạch tích hợp quang tốc độ cao [99] [122], đặc biệt cho các
bộ chuyển mạch toàn quang trong những năm gần đây bởi vì đáp ứng thời gian nhanh được
kết hợp với đặc tính phi tuyến bậc ba gần như tức thời cho phép xử lý tín hiệu cực nhanh
một cách dễ dàng và thuận tiện. Thêm vào đó, chalcogenide hỗ trợ dải bước sóng trong
vùng cửa sổ thông tin 1.55 µm và vật liệu As2S3 trên nền SiO2 có độ tương phản về hệ số
chiết suất khá cao cho phép bắt giữ ánh sáng tốt nên kích thước cực nhỏ [112]. Do đó, sự
hữu dụng của vật liệu này là quan trọng cho ứng dụng của mạch tích hợp cỡ lớn. Điểm
thuận tiện khác nữa của thủy tinh chalcogenide là hệ số phi tuyến n2 cao (hệ số phi tuyến
Kerr) vào khoảng 2.92×10-6 µm2/W. Từ phương trình (3.18), chúng ta có thể thấy rằng góc
pha trong bộ dịch pha của cấu trúc tăng tỷ lệ với hệ số phi tuyến Kerr và trường điều khiển,
do đó nếu như hệ số phi tuyến cao thì trường điều khiển thấp khi góc dịch pha là hằng số.
Điều kiện này sẽ tốt hơn cho hoạt động chuyển mạch bởi vì cường độ trường điều khiển
cao sẽ gây hại đến trường của tín hiệu. Hơn nữa, khi trường điều khiển lớn hơn quá nhiều
so với trường tín hiệu thì bộ ghép định hướng cần sự cách ly rất cao, do vậy sẽ rất khó cho
thiết kế, tối ưu và chế tạo. Silicon dioxide SiO2 được sử dụng ở lớp vỏ vì sai khác hệ số
chiết suất lớn với lớp lõi và vỏ cho phép bắt giữ ánh sáng tốt hơn và hỗ trợ số mode lớn
trong miền giao thoa đa mode, hơn nữa sẽ làm tăng khả năng mật độ tích hợp của vật liệu
(high compactness). Thêm vào đó, các vật liệu As2S3 và SiO2 là rất sẵn có và rẻ, do vậy có
59
thể chế tạo không khó khăn trong thực tế. Gần đây, những vật liệu này là rất được ưa
chuộng cho các ứng dụng xử lý tín hiệu tốc độ bit cao [42] [87].

Trong thiết kế được đề xuất này của luận án chúng ta sử dụng phân cực điện trường
ngang (TE) và bước sóng hoạt động 1550 nm để phân tích và mô phỏng. Nếu tính đồng
nhất của hài thời gian của sóng phân cực TE giả sử dọc theo hướng x của Hình 3.2, sự mô
phỏng có thể được giả thiết như trong cấu trúc của không gian hai chiều [11] [131]. Để
giảm thời gian và tiết kiệm tài nguyên tính toán, cấu trúc cấu kiện theo không gian ba chiều
được chuyển đổi về cấu trúc hai chiều bằng cách đầu tiên sử dụng phương pháp hệ số chiết
suất hiệu dụng rồi sau đó phương pháp 2D-BPM được sử dụng cho mô phỏng.
Công suất đầu ra chuẩn hóa (a.u)

Khoảng hở, g (µm)

Hình 3.3. Mô phỏng 2D-BPM cho các giá trị tối ưu của khoảng hở g
giữa ống dẫn sóng điều khiển và ống dẫn sóng tín hiệu ngoài cùng.

Các tham số thiết kế của cấu trúc được đề xuất được chọn như sau: độ rộng của mỗi bộ
ghép nối 3×3 là WMMI = 24 µm, độ rộng của các ống dẫn sóng truy nhập wa = 4µm, chiều
dài của vùng giao thoa đa mode được thiết lập bằng nửa chiều dài phách Lπ cho kiểu cơ chế
giao thoa tổng quát và nó có thể được tính toán bằng cách sử dụng phương pháp phân tích
truyền mode (MPA) là 1259.8 µm. Các tham số thiết kế của ống dẫn sóng điều khiển được
thiết kế như sau: độ rộng được đặt là wa, tại điểm đầu tiên một ống dẫn sóng thẳng có chiều
dài 2059.15 µm được tính toán bằng cách sử dụng phương pháp BPM. Tiếp đó, nó được
nối với một ống dẫn sóng hình sin có chiều dài 1000 µm theo hướng truyền z và khoảng
cách 9 µm theo hướng x. Sau đo nó được nối tiếp với một ống dẫn sóng thẳng khác. Bằng
cách sử dụng phương pháp BPM, chiều dài của ống dẫn sóng thẳng của bộ ghép định
hướng phi tuyến Lc được chọn là Lc= 360 µm để thỏa mãn điều kiện loại trừ công suất
chuyển đổi chéo giữa ống dẫn sóng điều khiển và ống dẫn sóng tín hiệu thông tin. Khoảng
hở g giữa ống dẫn sóng điều khiển và ống dẫn sóng ngoài cùng của phần nối giữa hai vùng
ghép đa mode được thiết kế rất nhỏ để tạo ra hiệu ứng ghép mode. Cuối cùng, một ống dẫn
sóng hình sin và một ống dẫn sóng thẳng được nối liên tiếp lại với nhau. Chúng ta chọn
60
ống dẫn sóng hình sin cho hai mục đích: đầu tiên, các ống dẫn sóng hình sin sử dụng để
đưa gần và đưa ra xa các ống dẫn sóng thẳng để tạo ra cặp ống dẫn sóng ghép định hướng
để tạo dịch pha phi tuyến và thứ hai nhằm mục đích chùm tia ánh sáng có thể duy trì khi
truyền qua chúng. Cả chùm điều khiển lẫn chùm thông tin có cùng bước sóng, biên độ và
trạng thái phân cực ở tất cả các trạng thái chuyển mạch.
Bảng 3.2.Các giá trị cường độ trường điều khiển cần thiết
cho hoạt động của bộ chuyển mạch 3×3
I1 I2
Đầu vào Đầu ra
(GW/cm2) (GW/cm2)

a1 b1 450 277

a1 b2 274.2 450.75

a1 b3 330.12 332.62

a2 b1 279 448.5

a2 b2 327.8 327.8

a2 b3 448.5 279

a3 b1 332.62 330.12

a3 b2 450.75 274.2

a3 b3 277 450

Tiếp theo, chúng ta sẽ tối ưu toàn bộ cấu trúc thiết bị. Đầu tiên, chiều dài LMMI của bộ
ghép đa mode được tối ưu hóa bằng phương pháp 2D - BPM để tìm ra giá trị tối ưu bằng
cách thay đổi giá trị của chiều dài xung quanh giá trị Lπ (được tính theo phương pháp phân
tích truyền mode). Cuối cùng, chúng ta tìm ra giá trị tối ưu của chiều dài này là 1260 µm.
Khoảng cách hở g giữa hai ống dẫn sóng song song trong vùng ghép định hướng phi tuyến
sử dụng như là các bộ dịch pha có thể được tìm thấy bằng phương pháp BPM. Các kết quả
mô phỏng bằng BPM được vẽ ra như được thấy ở trên Hình 3.3. Chúng ta cần tìm ra giá trị
tối ưu g để giảm thiểu hóa công suất chuyển chéo giữa các cánh ngoài cùng và ống dẫn
sóng điều khiển và để cho tổng công suất chia đến các cổng A1B1, A2B2, A3B3 cân bằng với
nhau một cách tương ứng. Điều này có thể thực hiện bằng cách: đưa công suất tín hiệu
quang vào trong các cổng a1, a2, a3 và sử dụng phương pháp 2D-BPM để tìm ra sự cân
bằng công suất đó. Do sự đối xứng của cấu trúc đề xuất, chúng ta chỉ cần xem xét công
suất đưa vào ống dẫn sóng điều khiển 1. Bằng cách thay đổi giá trị khoảng hở g dần dần từ
0.09 µm đến 0.11 µm và giám sát công suất chuẩn hóa PA1B1 như Pcontrol1, chúng ta chọn
giá trị tối ưu của g = 0.1 µm (theo lựa chọn được đánh dấu ở trên Hình 3.3).
Để tối ưu hóa hoạt động của vùng đa mode trong vai trò của bộ phân chia và tổng hợp
công suất như tối thiểu hóa suy hao chèn và hiệu ứng xuyên nhiễu, các ống dẫn sóng hình
61
búp măng tuyến tính được sử dụng để nối giữa các vùng đa mode và các ống dẫn sóng truy
nhập (cấu trúc đơn mode). Trong thiết kế này của luận án, các ống dẫn sóng hình búp măng
(tapers) có chiều dài la=150 µm và độ rộng đáy từ 3 µm đến 5 µm được tính toán và tối ưu
hóa bằng phương pháp BPM.

Như đã nói ở từ trước trong kết quả được trình bày trên Bảng 3.1, khi trường đầu vào
được chuyển mạch từ đầu vào cổng a1, nếu dịch pha trong cánh nối đầu tiên là 0 (radian)
và cánh nối thứ hai là 2π/3 (radian) thì nó sẽ chuyển mạch đến đầu ra cổng b1. Để chuyển
mạch từ một đầu vào đến một đầu ra của cấu trúc thì: chúng ta thực hiện mô phỏng số bằng
phương pháp 2D-BPM để tìm ra giá trị tối ưu của các cường độ trường của các ống dẫn
sóng điều khiển. Mô phỏng phải thỏa mãn hai yêu cầu: thứ nhất, chúng ta tìm giá trị tối ưu
của ống dẫn sóng điều khiển để tạo ra dịch pha phù hợp một cách chính xác cho các hoạt
động chuyển mạch, sau đó những giá trị này phải được tối ưu cốt để công suất chuyển giữa
ống dẫn sóng tín hiệu thông tin và ống dẫn sóng điều khiển là cực tiểu.
Ta giả thiết rằng công suất đầu vào chuẩn hóa trong thiết bị chuyển mạch quang được
đặt là 1 đơn vị; cường độ trường đầu vào I0 bằng 1 GW/cm2. Giá trị này được chọn bởi vì
nó có thể tạo ra các dịch pha phi tuyến lớn. Để đạt được trạng thái chuyển mạch từ cổng a1
tới cổng b1 thì: đầu tiên, chúng ta tìm ra cường độ trường điều khiển I1 bằng cách thay đổi
cường độ trường một cách chậm chạp. Kết quả chính xác là I1 = 448 GW/cm2 tạo dịch pha
0 (radian) so với ống dẫn sóng trung tâm mà nối giữa hai vùng đa mode. Tiếp đến: chúng
ta cũng thay đổi cường độ trường I2 ở ống dẫn sóng điều khiển thứ hai. Kết quả chính xác
là I2 = 279.6 GW/cm2 để tạo dịch pha 2π/3 so với ống dẫn sóng truy nhập trung tâm nối hai
vùng đa mode.

Cuối cùng, chúng ta thực hiện lại các thủ tục trên một lần nữa bằng cách: thay đổi rất
chậm giá trị bước nhảy trong khoảng chứa các giá trị trường điểu khiển như trên. Kết quả
là chúng ta thu được các giá trị tối ưu nhất của cường độ trường là I1= 450 GW/cm2 và
I2=277 GW/cm2 một cách tương ứng. Điều này có nguyên nhân là do suy hao khi ánh sáng
truyền trong vùng MMI gây ra hoạt động như bộ chia hay bộ kết hợp không được tuyệt đối
chính xác. Bảng 3.2 liệt kê các cường độ trường tối ưu và các trạng thái của ống dẫn sóng
điều khiển được sử dụng trong hai ống dẫn sóng điều khiển.

3.2.2 Mô phỏng và thảo luận

Hình 3.4 trình bày các kết quả mô phỏng bởi 2D-BPM cho các trạng thái hoạt động
chuyển mạch trong các bộ chuyển mạch toàn quang 3×3. Về mặt trực quan hình học, các
kết quả là tốt cho các trạng thái hoạt động chuyển mạch. Do sự đối xứng tự nhiên của cấu
trúc đề xuất, vai trò của các cổng đầu vào a1 và a3 là tương đương nhau. Không làm mất
tính tổng quát, chúng ta chỉ cần xem xét các kết quả mô phỏng của các cổng a1 và a2 của
cấu kiện đề xuất. Các kết quả mô phỏng đưa cường độ trường đầu ra cao đảm bảo hiệu
năng cao của cấu trúc chuyển mạch. Thêm vào đó, chuyển mạch mức độ cao nên có một
62
suy hao chèn (insertion loss), tỷ lệ phân biệt (extinction ratio) và xuyên nhiễu (crosstalk)
cũng như là dung sai chế tạo tốt. Đó là những tham số quan trọng trong chế tạo một bộ
chuyển mạch quang.
Bảng 3.3. Suy hao chèn, tỷ lệ phân biệt và xuyên nhiễu của bộ chuyển mạch
Đầu vào Đầu ra I.L (dB) Ex.R (dB) Cr.T (dB)

a1 b1 -0.19 31.94 28.65

a1 b2 -0.3 30.73 28.83
a1 b3 -0.15 33.33 28.69
a2 b1 -0.17 33.16 28.67
a2 b2 -0.1 29.37 29.03
a2 b3 -0.17 33.16 28.67
a3 b1 -0.15 32.33 28.69
a3 b2 -0.3 30.73 28.83
a3 b3 -0.19 31.94 28.65

Hình 3.4. Các kết quả mô phỏng được thực hiện bằng phương pháp BPM
cho các trạng thái chuyển mạch của bộ chuyển mạch toàn quang 3×3.
63
 Công suất đầu ra chuẩn hóa (a.u)

Dung sai chiều rộng (µm)

(a)
Công suất đầu ra chuẩn hóa (a.u)

Dung sai chiều dài (µm)

(b)
Hình 3.5. Công suất đầu ra chuẩn hóa theo sự biến đổi của chiều rộng và chiều dài của bộ ghép đa
mode cho tất cả các trạng thái bộ chuyển mạch đề xuất: (a) theo sự biến đổi của chiều rộng
và (b) theo sự biến đổi của chiều dài.

Công thức tính cho suy hao chèn, tỷ lệ phân biệt và xuyên nhiễu [11]:

P 
I .L.  dB   10log10  out  (3.19)
 Pin 

 Phigh 
Ex.R.  dB   10log10   (3.20)
 Plow 

64
Ở đây, Pout và Pin là công suất đầu ra và đầu vào của chuyển mạch, Phigh và Plow là các mức
công suất ra trong các trạng thái ON và OFF của các cổng đầu vào một cách tương ứng.

Ta cũng định nghĩa xuyên nhiễu là tỷ số của công suất tại một đầu ra riêng biệt từ đầu
vào mong muốn trên tổng công suất ra từ tất cả các đầu vào khác như sau [98]:

 P 
Cr.T  dB   10log10  d  (3.21)
 Ptot 

Ở đây: Pd là công suất một cổng ra từ một cổng đầu vào mong muốn và Ptot là tổng công
suất tại một cổng ra từ các cổng đầu vào không mong muốn.

Kết quả tính toán các tham số phẩm chất như suy hao chèn (I.L) và tỷ lệ phân biệt
(Ex.R) của bộ chuyển mạch được trình bày như trong Bảng 3.3.

Kết quả mô phỏng được trình bày trong Hình 3.4 và Bảng 3.3 chứng tỏ rằng: tất cả các
tham số quan trọng của bộ chuyển mạch quang đề xuất là phù hợp cho chuyển mạch toàn
quang. Hệ số chiết suất của As2S3 được tính toán theo phương trình Sellmeier [22]. Kết quả
cho thấy rằng khi bước sóng thay đổi từ 1545 nm tới 1555 nm, hệ số chiết suất của As 2S3
thay đổi từ 2.4496 đến 2.4503. Sự thay đổi này là rất nhỏ nên chúng ta có thể bỏ qua. Do
đó, trong tất cả các kết quả mô phỏng, chúng ta xem hệ số chiết suất của chalcogenide là
không đổi.
Suy hao chèn, I.L (dB)

Bước sóng, λ (nm)

Hình 3.6. Sự phụ thuộc theo bước sóng của suy hao chèn trong các trạng thái
hoạt động chuyển mạch của cấu trúc đề xuất.

Như được thấy trên Hình 3.5, sự phụ thuộc vào chiều dài và rộng của các phần giao
thoa đa mode trong cấu kiện đề xuất là được mô phỏng bằng phương pháp BPM cho tất cả
các trạng thái hoạt động chuyển mạch. Công suất đầu ra được chuẩn hóa phụ thuộc vào
công suất đầu vào. Các kết quả chỉ rõ rằng sự thay đổi của công suất đầu ra là nhỏ trong
một khoảng khá lớn của chiều rộng và chiều dài là nhỏ hơn 0.3 µm và 20 µm, một cách

65
tương ứng. Do đó, dung sai chế tạo của thiết kế đề xuất là lớn.

Hình 3.6 trình bày sự phụ thuộc vào bước sóng của suy hao chèn của chuyển mạch
toàn quang đã đề xuất. Một tham số quan trọng trong hoạt động của các bộ chuyển mạch
toàn quang là độ nhạy bước sóng. Trong thiết kế này, độ nhạy bước sóng được định nghĩa
là sự thay đổi nhỏ nhất của dải bước sóng xung quanh bước sóng hoạt động để đảm bảo
một mức biến đổi của công suất đầu ra. Nếu chúng ta chọn sự thay đổi của công suất ra là
0.6 dB, dữ liệu từ kết quả mô phỏng cho thấy độ nhạy của bước sóng trong các trường hợp
là khoảng 10 nm.
Xuyên nhiễu, Cr.T (dB)

Bước sóng, λ (nm)

(a)
Tỷ lệ phân biệt, Ex.R (dB)

Bước sóng, λ (nm)

(b)
Hình 3.7. Các kết quả mô phỏng bằng 2D BPM cho sự phụ thuộc vào bước sóng cho:
(a) Xuyên nhiễu (b) Tỷ lệ phân biệt.

66
 Hình 3.7 cho thấy sự phụ thuộc của xuyên nhiễu và tỷ lệ phân biệt của bộ chuyển
mạch vào bước sóng. Kết quả cho thấy rằng trong dải băng thông 10 nm xung quanh bước
sóng trung tâm 1550 nm, sự thay đổi của xuyên nhiễu là từ 11 dB đến 29.24 dB trong khi
sự thay đổi của tỷ lệ phân biệt là 29 dB đến 34 dB một cách tương ứng. Những giá trị này
là khá tốt cho các ứng dụng trong các mạng thông tin quang.
Rõ ràng, bộ chuyển mạch đã đề xuất có một khả năng chuyển mạch không chặn từ bất
kỳ cổng đầu vào nào đến bất kỳ cổng đầu ra nào. So sánh với một bộ chuyển mạch toàn
quang sử dụng ghép sợi 3×3, chúng ta có thể thấy rằng bộ ghép sợi 3×3 không thể chuyển
mạch không chặn giữa các đầu vào và các đầu ra dù có sự dịch pha trong mỗi cổng đầu
vào. Điều này được giải thích bằng các mode ghép vào trong các bộ ghép sợi. Sóng ánh
sáng trong các cổng là các sợi cũng như cấu trúc của nó là đối xứng trong một mặt phẳng.
Do ánh sáng trong sợi rộng nhất kích thích tự nó một mode cơ bản trong phần eo lưng. Ánh
sáng trong sợi giữa kích thích một mode thứ hai, và ánh sáng trong sợi hẹp nhất kích thích
mode thứ ba. Trong cả hai trương hợp, mode được kích thích là một mode mà đối xứng với
mặt phẳng của sợi. Vì các nguyên nhân đối xứng, không có sóng uốn có thể ghép ánh sáng
giữa mode đầu tiên và mode thứ ba nên ánh sáng không thể đi trực tiếp được giữa các sợi
rộng nhất và hẹp nhất. Do đó, một bộ ghép sợi 3×3 bị giới hạn một tập hợp cho phép các
trạng thái có thể chuyển mạch được [30].

So sánh với các cấu trúc tiếp cận hiện tại nói trong nghiên cứu này mà sử dụng cấu
trúc giao thoa MZI kiểu 3×3 sử dụng hiệu ứng điện – quang [120], cấu trúc đề xuất có suy
hao chèn tốt hơn. Do vậy bộ chuyển mạch đề xuất là toàn quang nên có thể ứng dụng cho
các mạng toàn quang và các ứng dụng xử lý tín hiệu toàn quang khác. Thêm vào đó, trong
sự so sánh với công nghệ MEMS hiện tại, dựa trên các kết quả mô phỏng đã trình bày
trong bảng 3, cấu trúc đề xuất có cùng suy hao chèn nhưng có ưu điểm tốt hơn về kích
thước ngắn, độ tin cậy và phù hợp cho tích hợp cỡ lớn [98].

3.3 Bộ chuyển mạch toàn quang 2×2 không nhạy phân cực dựa
trên cấu trúc giao thoa đa mode sử dụng các bộ ghép phi tuyến
Phần này của luận án đề xuất sử dụng hai bộ ghép đa mode 2×2 được phân tầng nối
với nhau bởi hai ống dẫn sóng để tạo ra một bộ chuyển mạch toàn quang không nhạy phân
cực hoạt động ở bước sóng 1550 nm. Trong đó một cánh đơn mode giữa hai tầng đa mode
được ghép định hướng với một ống dẫn sóng để sử dụng trong vai trò của một bộ dịch pha.
Vật liệu sử dụng cho tất cả các ống dẫn sóng là thủy tinh chalcogenide và ống dẫn sóng
điều khiển có cường độ trường quang lớn để tạo ra hiệu ứng phi tuyến Kerr gây dịch pha
cho các hoạt động chuyển mạch. Sự dịch pha có thể điều khiển được bằng cách điều chỉnh
cường độ chùm quang đưa vào ống dẫn sóng điều khiển. Phương pháp ma trận chuyển đổi
và phương pháp mô phỏng số BPM được sử dụng để thiết kế, tối ưu hóa cấu trúc và đánh
giá chất lượng hiệu năng của toàn bộ cấu trúc.
67
3.3.1 Thiết kế và tối ƣu cấu trúc
Một cấu trúc chuyển mạch toàn quang 2×2 sử dụng cấu trúc MZI như cấu trúc chuyển
mạch 3×3 ở trên cũng được thiết kế sử dụng ghép tầng của hai bộ MMI kích thước 2×2 và
giữa hai vùng đa mode nối với nhau bằng các cánh ống dẫn sóng truy nhập. Trong đó, một
cánh được ghép định hướng bởi một ống dẫn sóng để tạo ra dịch pha cho hoạt động chuyển
mạch. Phần này, ta sẽ thiết kế một bộ chuyển mạch toàn quang 2×2 có thể hoạt động cả ở
hai mode phân cực TE và TM với chất lượng hiệu năng khá tốt có thể được ứng dụng trong
nhiều thành phần mạng toàn quang không cần xử lý tín hiệu phân cực. Sơ đồ cấu trúc của
hệ thống được thể hiện trên ở trên Hình 3.8. Nếu giả thiết rằng các dao động của các sóng
phân cực TE, TM quy ước theo các hướng x, y một cách tương ứng trong không gian ba
chiều như trên Hình 3.8. Phương pháp mô phỏng FD-BPM được sử dụng để thiết kế và mô
phỏng số cho thiết bị vì phương pháp 3D-BPM là phương pháp mô phỏng chính xác cho
các cấu trúc ống dẫn sóng vật liệu điện môi và cấu trúc không có hồi tiếp hay cộng hưởng
vòng của tín hiệu. Do vậy, trong thiết kế đề xuất này chúng ta sử dụng phương pháp 3D-
BPM và phương pháp hệ số chiết suất hiệu dụng để mô phỏng.
Các ống dẫn sóng sử dụng là các ống dẫn sóng dạng sườn (rib waveguides) và bước
sóng hoạt động là 1550 nm. Độ rộng của mỗi bộ ghép 2×2 MMI là WMMI = 18μm, chiều
cao h của các ống dẫn sóng là 0.3μm, chiều cao sườn là H = 1.8 μm, chiều rộng wa của các
ống dẫn sóng truy nhập là 3μm. Chiều dài LMMI của vùng MMI được chọn một cách tối ưu
để vùng đa mode có thể hoạt động như là một bộ phân chia 2×2 hoặc bộ kết hợp 2×2 với
chất lượng hiệu năng tốt. Do vậy, đầu tiên chúng ta thiết lập và tính toán chiều dài của
vùng đa mode bằng biểu thức: LMMI  (3 / 2) L  2nrWe / 0 cho hai mode phân cực bằng
2

phương pháp truyền mode với giá trị hiệu dụng của chiết suất lõi được tìm ra bằng công cụ
giải mode của phần mềm mô phỏng thương mại Rsoft. Kết quả nhận được là LMMI,TE =
1053 μm và LMMI,TM = 1034.4 μm. Thứ hai, chúng ta sử dụng mô phỏng 3D-BPM bằng
cách thay đổi chiều dài của vùng MMI trong một dải giá trị xác định bằng phương pháp
MPA từ LMMI,TM đến LMMI,TE để tìm ra một giá trị tối ưu mà vùng MMI không chỉ hoạt
động như là một bộ phân chia 2×2 (hay bộ kết hợp) mà còn có suy hao chèn (tổn hao công
suất) là tối thiểu cho cả hai trường hợp mode phân cực TE và TM . Giá trị tối ưu được chọn
đó là 1046 μm như được thấy trên Hình 3.9.
Để tối ưu hoạt động của các vùng MMI trong vai trò của một bộ phân chia hoặc kết
hợp để tối thiểu hóa các đặc điểm hiệu năng về suy hao chèn và xuyên nhiễu, các ống dẫn
sóng hình búp măng tuyến tính được sử dụng để kết nối giữa các vùng MMI và các ống
dẫn sóng truy nhập. Trong thiết kế được đề xuất này, các ống dẫn sóng búp măng tuyến
tính có chiều dài là la = 100 μm và các chiều rộng đáy nhỏ và lớn lần lượt là 3μm và 5.4μm.
Chúng được tính toán và tối ưu bằng cách sử dụng phương pháp mô phỏng BPM.

68
 y z LMMI LMMI
a1 A1 B1 b1
WMMI WMMI
x 2x2 2x2
MMI Bộ dịch pha MMI b2
Đầu vào wa a 2 A2 B2
φ g
Đầu ra
Pcontrol Wa
Lc
Bộ ghép định
hướng

Hình 3.8. Một bộ chuyển mạch toàn quang 2×2 không nhạy phân cực
dựa trên cấu trúc giao thoa đa mode.

Cấu tạo của một ống dẫn sóng điều khiển dịch pha gồm một ống dẫn có độ rộng bằng
ống dẫn sóng truy nhập ghép định hướng với một ống dẫn sóng truy nhập ở một cánh nối
giữa hai vùng đa mode. Cả chùm điều khiển và chùm tín hiệu có cùng bước sóng và trạng
thái phân cực trong tất cả các hoạt động chuyển mạch. Tại vị trí đầu vào của ống dẫn sóng
điều khiển chúng có khoảng cách 14.06 μm với cổng a2 (xem trên Hình 3.8) và chiều dài
1766 μm. Sau đó, ống dẫn sóng này được nối với một ống dẫn sóng hình sin mà có chiều
dài 8238.5 μm và khoảng cách 3 μm theo hướng x trước khi nối với một ống dẫn sóng
thẳng đóng vai trò của một bộ ghép định hướng. Bộ ghép định hướng này có chiều dài
Lc=1483 μm và khoảng hở giữa ống nó và cánh dịch pha là g = 0.41 μm. Giá trị này được
chọn bằng cách thực hiện mô phỏng BPM để tìm ra một giá trị tối ưu để giảm thiểu công
suất xuyên chéo lẫn nhau giữa chùm điều khiển và chùm tín hiệu được gây ra bởi hiệu ứng
ghép mode. Chúng ta lựa chọn ống dẫn sóng hình sin cho hai mục đích: đầu tiên là ống dẫn
sóng hình sin dùng để kéo ống dẫn sóng điều khiển lại gần ống dẫn sóng truy nhập ở cánh
ngoài cùng vào một vùng tương tác đầy đủ để tạo hiệu ứng gây dịch pha, thứ hai là nhằm
duy trì chùm công suất điều khiển khi truyền qua các chặng của các loại ống dẫn sóng.

Do nguyên lý giao thoa, tự tạo ảnh được chụp lại và đối xứng gương trên một chu kỳ
là một số nguyên chẵn hoặc lẻ lần của ba lần nửa chiều dài phách (3Lπ ). Tại khoảng cách
của một bộ ghép đa mode là L= 3Lπ/2 , ma trận truyền đạt theo cơ chế giao thoa tổng quát
được xác định là:

1 1 j
M   (3.22)
2  j 1

Bằng cách phân tích lý thuyết của công thức ma trận truyền đạt của bộ ghép đa mode
2×2 trong cơ chế giao thoa tổng quát, chúng ta có thể dễ thấy rằng khi tín hiệu quang được
đưa vào cổng a1, nếu góc dịch pha φ = π/2 cổng đầu ra sẽ là cổng b1, trái lại khi φ = - π/2
cổng đầu ra sẽ được chuyển mạch đến cổng b2.

69
 Bảng 3.4. Các trạng thái dịch pha và cường độ trường điều khiển tối ưu
cho hoạt động chuyển mạch của bộ chuyển mạch được đề xuất.

Cường độ trường
Mode Góc dịch
Cổng vào Cổng ra điều khiển I
phân cực pha (φ)
(GW/cm2)

TE π/2 0.85
a1 b1
TM π/2 2.6
TE -π/2 46.2
a1 b2
TM -π/2 16.8

TE π/2 47.4
a2 b1
TM π/2 17.5

TE -π/2 0.1
a2 b2
TM -π/2 3.8

Hình 3.9. Giá trị tối ưu được chọn của chiều dài của các vùng ghép
đa mode được tìm thấy bằng mô phỏng 3D-BPM.

Trong thiết kế này, sử dụng mô phỏng 3D-BPM để xác định và tối ưu sự hoạt động
của cấu kiện. Với bước sóng hoạt động 1550nm ở mode phân cực TE, để chuyển mạch tới
cổng ra b1 từ cổng vào a1, đầu tiên ở thủ tục mô phỏng tối ưu chúng ta tìm cường độ trường
điều khiển I mà được đưa vào ống dẫn sóng điều khiển bằng cách thay đổi cường độ một
cách chầm chậm với khoảng nhảy khá lớn để tìm ra giá trị thích hợp vào khoảng 0.9
GW/cm2 làm dịch pha một góc π/2 trong sự so sánh với ống dẫn sóng truy nhập còn lại.
Sau đó, chúng ta thực hiện lại thủ tục này lần nữa trong phạm vị hẹp với giá trị thay đổi rất
nhỏ quanh giá trị 0.9GW/cm2 chúng ta tìm được giá trị tối ưu I = 0.85 GW/cm2. Khi đó
dịch pha gần xấp xỉ với góc π/2. Điều này được lý giải vì phép phân tích toán học bằng
phương pháp MPA và ma trận là phép xấp xỉ và không thể đạt được tuyệt đối hoàn hảo khi
70
bộ ghép đa mode hoạt động như một bộ phân chia hay kết hợp bởi sự sai lệch bất cân bằng
của hai đường tín hiệu chia ra qua bộ ghép đa mode. Bằng phương pháp hoàn toàn tương
tự chúng ta áp dụng thủ tục này cho các trạng thái hoạt động chuyển mạch còn lại cho
mode TE cũng như tất cả các trạng thái hoạt động chuyển mạch của mode TM. Tóm lược
lại, các dịch pha và các giá trị cường độ trường điều khiển tối ưu cho tất cả các trạng thái
hoạt động chuyển mạch của cả hai mode phân cực được thể hiện trên Bảng 3.4.

Trong luận án này, các phương pháp chế tạo được đề xuất là ống dẫn sóng với lớp As2S3
dạng sườn nhỏ (small-rib) được chế tạo bằng cách sử dụng công nghệ khắc plasma ghép
cảm ứng ICP (inductively coupled plasma etching). Màng As2S3 với độ dày 1.8 μm được
lắng đọng bằng laser xung cực nhanh PLD (pulsed laser deposition) trên một phiến silic đã
oxi hóa [108]. Mode cơ bản được tính toán bằng cách sử dụng công cụ giải mode của phần
mềm mô phỏng đã được thương mại hóa Rsoft của hãng Synopsys. Mode cơ bản có dạng
hình elip do đó diện tích mode hiệu dụng của nó Aeff có thể được xấp xỉ bởi công thức Aeff ≈
πwH/4 ≈ 4.2 μm2. Chùm điều khiển được phát từ một laser diode được khóa mode thụ
động cộng hưởng dọc Nd:YVO4 với độ rộng xung 13ps tại bước sóng 1550 nm. Trong khi
đó, chùm tín hiệu sử dụng xung dạng Gaussian với chu kỳ xung 7 ps và công suất đỉnh
được xác định bởi Psignal = I0.Aeff ≈ 42W, tương xứng với công suất trung bình xấp xỉ bằng
1.2 mW tại đỉnh cực đại.
Bảng 3.5. Suy hao chèn, xuyên nhiễu và tỷ lệ phân biệt của bộ chuyển mạch được đề xuất
Suy hao chèn Xuyên nhiễu Tỷ lệ phân biệt
Mode phân cực Đầu vào Đầu ra
(dB) (dB) (dB)

TE -0.13 20.87 39.61

a1 b1
TM -0.19 21.65 37

TE -0.1 26.67 35.17

a1 b2
TM -0.04 27.22 34.36

TE -0.02 31.64 35.69

a2 b1
TM -0.09 22.21 33.95

TE -0.21 31.98 36.53

a2 b2
TM -0.44 38.43 34.82

3.3.2 Kết quả mô phỏng và thảo luận

Bằng sử dụng mô phỏng 3D-BPM, chúng ta mô phỏng sự truyền của đường bao điện
trường trong toàn bộ chuyển mạch và các kết quả mô phỏng được trình bày trong Hình
3.10.Từ hình này, có thể thấy cả các trạng thái cho mode TE và TM được chuyển mạch
một cách thành công đến các cổng chuyển mạch mong muốn. Các công suất ra được chuẩn
hóa theo công suất đầu vào và ta cũng thực hiện mô phỏng các tham số chất lượng hiệu
71
năng quan trọng nhất về mặt quang học là suy hao chèn, tỷ lệ phân biệt và xuyên nhiễu.
Các công thức để tính toán các đại lượng này tương tự như các biểu thức (3.19), (3.20) và
(3.21). Các kết quả tính toán từ dữ liệu mô phỏng được thể hiện trên Bảng 3.5 chứng tỏ
rằng: tất cả các tham số chất lượng quan trọng của bộ chuyển mạch được đề xuất là phù
hợp cho ứng dụng của bộ chuyển mạch toàn quang không nhạy phân cực.
Tiếp theo, để đánh giá hiệu năng hoạt động, chúng ta tính toán đáp ứng bước sóng của
bộ chuyển mạch đã trình bày cho hai trạng thái phân cực TE và TM. Hình 3.11 chỉ ra rằng
10nm băng thông của các đáp ứng phổ đầu ra từ các cổng đầu vào của suy hao chèn là
khoảng 0.3 dB cho mode TE và 0.7 dB cho mode TM (Hình 3.11a). Tỷ lệ phân biệt trong
các trường hợp này là từ 33.5 dB đến 39.5 dB (Hình 3.11.b), trong khi xuyên nhiễu trong
các trường hợp này là từ 19dB đến 43 dB (Hình 3.11c), một cách tương ứng.

a1à b1(TE) a1à b2(TE) a2à b1(TE) a2à b2(TE)

(a)

a1à b1 (TM) a1à b2 (TM) a2à b1 (TM) a2à b2 (TM)

(b)

Hình 3.10. Mô phỏng 3D BPM của các mẫu trường điện của bộ chuyển mạch:
(a) mode TE; (b) mode TM.

72
 0

(dB)
-0.2

(dB)
TE: a ->b

LossI.L
-0.4 1 1
TE: a ->b
hao chèn,
1 2
-0.6 TE: a ->b
2 1
SuyInsertion
TE: a ->b
2 2
-0.8 TM: a ->b
1 1
TM: a ->b
1 2
-1 TM: a ->b
2 1
TM: a ->b
2 2

1545 1546 1547 1548 1549 1550 1551 1552 1553 1554 1555
Wavelength
Bước sóng, λ(nm)
(nm)

(a)

40
TE: a1->b1
39 TE: a1->b2
(dB)
Ex.R(dB)

TE: a2->b1
38 TE: a2->b2
phân biệt,Ratio

TM: a1->b2
37
TM: a1->b2
Tỷ lệExtinction

36 TM: a2->b1
TM: a2->b2
35

34

33
1545 1546 1547 1548 1549 1550 1551 1552 1553 1554 1555
Bước sóng,(nm)
Wavelength λ (nm)

(b)

45
TE: a1->b1
TE: a1->b2
(dB) (dB)

40
TE: a2->b1
nhiễu, Cr.T

TE: a2->b2
35
TM: a1->b1
Crosstalk

30 TM: a1->b2
TM: a2->b1
TM: a2->b2
Xuyên

25

20

15
1545 1546 1547 1548 1549 1550 1551 1552 1553 1554 1555
Wavelength (nm)
Bước sóng, λ (nm)

(c)
Hình 3.11. Sự phụ thuộc của suy hao chèn, tỷ lệ phân biệt và xuyên nhiễu vào bước sóng:
(a) Suy hao chèn, (b )Tỷ lệ phân biệt và (c) Xuyên nhiễu.

73
 (dB)
0

hóa
power (dB)
-0.2
ra chuẩn TE:a1->b1
TE:a1->b2
suất đầuputput
-0.4
TE:a2->b1
TE:a2->b2
-0.6
Normalized

TM:a1->b1
TM:a1->b2
-0.8
TM:a2->b1
Công

TM:a2->b2
-1
-15 -10 -5 0 5 10 15
Dung saitolerance
Length chiều dài(m)
(µm)
`
(a)

0
(dB)
hóa(dB)

-0.1
power

-0.2
TE:a1->b1
ra chuẩn

-0.3 TE:a1->b2
suất đầuoutput

TE:a2->b1
-0.4
TE:a2->b2
Normalized

-0.5 TM:a1->b1
-0.6 TM:a1->b2
TM:a2->b1
Công

-0.7
TM:a2->b2
-0.8
-0.2 -0.15 -0.1 -0.05 0 0.05 0.1 0.15 0.2
Width
Dung saitolerence (m)
chiều rộng (µm)

(b)
Hình 3.12. Mô phỏng bằng 3D-BPM cho các dung sai chế tạo của các bộ ghép đa mode của bộ
chuyển mạch được đề xuất: (a) dung sai theo chiều dài, (b) dung sai theo chiều rộng.

Các kết quả mô phỏng thể hiện trên hình Hình 3.11 chứng minh rằng: tất cả các tham
số chất lượng hiệu năng quan trọng của cấu kiện đã đề xuất có đáp ứng phổ lớn. Do vậy,
cấu kiện đề xuất đáp ứng đầy đủ cho các ứng dụng chuyển mạch toàn quang tốc độ cao.
Hình 3.12 khảo sát sự biến đổi của công suất đầu ra theo sự biến đổi của chiều dài và
chiều rộng của các bộ ghép đa mode. Các dữ liệu mô phỏng bằng 3D BPM cho thấy rằng
công suất các đầu rat thay đổi vào khoảng 1 dB khi chiều dài và chiều rộng thay đổi tương
ứng với 30 µm và 0.4 µm. Điều đó có nghĩa dung sai chế tạo là rất lớn. Với những dung sai
như vậy, công nghệ chế tạo ống dẫn sóng hiện hành phổ biến như CMOS hoàn toàn chế
đáp ứng một cách dễ dàng.
74
3.4 Bộ chuyển mạch quang 3×3 dựa trên các bộ ghép giao thoa
đa mode sử dụng hiệu ứng điện- quang là các bộ dịch pha
Trong phần này của chương, luận án đề xuất một thiết kế của bộ chuyển mạch toàn
quang 3×3 dựa trên các bộ ghép giao thoa đa mode 3×3 ghép theo kiểu MZI-MMI với hai
cánh ống dẫn sóng ngoài cùng nối giữa hai phần giao thoa đa mode được đặt dưới các điện
cực (electrodes). Vật liệu sử dụng để thiết kế các ống dẫn sóng là vật liệu điện-quang
(electro-optic) và cấu kiện sử dụng hiệu ứng điện-quang để tạo dịch pha cho hoạt động
chuyển mạch. Các trạng thái chuyển mạch của cấu kiện có thể được điều khiển bằng cách
điều chỉnh điện áp của các bản cực tại hai cánh ngoài cùng của các bộ dịch pha. Phương
pháp ma trận chuyển đổi và phương pháp mô phỏng số BPM được sử dụng để thiết kế và
tối ưu cấu trúc của cấu kiện chuyển mạch.

3.4.1 Phân tích và thiết kế

Cấu hình của bộ chuyển mạch quang 3×3 sử dụng hiệu ứng dịch pha điện - quang đề
xuất được trình bày như trong Hình 3.13. Nó gồm có hai bộ giao thoa 3×3 theo cơ chế giao
thoa tổng quát có cùng kích thước. Về sơ đồ cấu hình, bộ chuyển mạch này cũng tương tự
như bộ chuyển mạch sử dụng hiệu ứng phi tuyến Kerr để điều khiển dịch pha như đã
nghiên cứu ở phần trước. Điểm khác chính là ở bộ chuyển mạch này hai cánh ngoài cùng
sử dụng hiệu ứng điện-quang đóng vai trò các bộ dịch pha thông qua việc thiết lập mỗi
cánh đặt một điện trường ngoài bằng cách đưa một nguồn điện áp một chiều vào giữa hai
bản cực.

Điện cực
LMMI +V1 LMMI
L
A1 Wa a1 B1 b1
WMMI φ1 WMMI
Bộ dịch pha
Đầu ra
A2 3× 3 a2 GND B2 3× 3 b2
Đầu vào GI -MMI GND GI -MMI
A3 a3 Bộ dịch pha
B3 b3
φ2
+V2
Điện cực

Hình 3.13. Sơ đồ cấu trúc bộ chuyển mạch quang dựa trên các bộ ghép đa mode 3×3

sử dụng hiệu ứng điện-quang làm các bộ dịch pha.

Giống như nguyên lý gây dịch pha sử dụng hiệu ứng phi tuyến Kerr cho các ống dẫn
sóng sử dụng vật liệu phi tuyến mà sự dịch pha được tạo ra bởi sự tương tác phi tuyến ghép
định hướng đã được giới thiệu ở phần trước, cấu trúc dịch pha bằng hiệu ứng điện-quang
(còn gọi là hiệu ứng Pockel) cũng có cấu hình tương tự. Trong phần này chúng ta giả sử
rằng các cổng đầu vào bộ ghép đa mode 3×3 tầng thứ nhất lần lượt được ký hiệu là

75
A1,A2,A3 và các cổng đầu ra bộ giao thoa đa mode thứ nhất được ký hiệu lần lượt là a1, a2,
a3. Các cổng đầu vào bộ giao thoa đa mode thứ hai được ký hiệu lần lượt là B1, B2, B3 và
các đầu ra của bộ giao thoa đa mode thứ hai được ký hiệu lần lượt là b1, b2, b3 như được
thể hiện trên Hình 3.13. Như vậy, với cấu trúc chuyển mạch, ba cổng đầu vào lần lượt là
A1, A2, A3, trong khi ba cổng đầu ra lần lượt là b1, b2, b3. Quan hệ giữa các cổng đầu vào và
ra của bộ chuyển mạch được biểu diễn bởi phương trình ma trận như sau:

M b  M .Φ.M .M A (3.23)

Trong đó: M A và M b là các ma trận đầu vào và đầu ra của bộ chuyển mạch. Φ là ma trận
dịch pha. Các ma trận này được xác định như sau:

 A1   b1 
   
M A =  A2  , M b =  b2  (3.24)
A  b 
 3  3

 e j1 0 0 
 
Φ 0 1 0  (3.25)
 
 0 0 e j2 

Với φ1, φ2 biểu thị góc dịch pha ở hai cánh ngoài cùng của bộ chuyển mạch.
Bảng 3.6. Các trạng thái dịch pha cho hoạt động của bộ
chuyển mạch 3×3 dựa vào hiệu ứng điện-quang
Đầu vào φ1 φ2 Đầu ra

A1 0 2 b1
3
A1 2 0 b2
3
2 2
A1  b3
3 3
A2 2 0 b1
3
2 2
A2   b2
3 3
A2 0 2 b3
3
2 2
A3  b1
3 3
A3 0 2 b2
3
A3 2 0 b3
3

M là ma trận truyền dẫn đặc tính của bộ ghép đa mode 3×3 theo cơ chế giao thoa tổng quát:

76
   j j
2
j
 
e 3 e 3 e 3 
 2  2

1  j3 j j 
M e e 3 e 3
 (3.26)
3  2  
 j3 j j 
3 3
e e e 
 

Tương tự phần trước, các trạng dịch pha cho hoạt động chuyển mạch của bộ chuyển mạch
dựa trên sự dịch pha bằng hiệu ứng điện-quang được trình bày như ở Bảng 3.6.
Như đã đề cập ở trên, cấu trúc của một bộ chuyển mạch quang mà dịch pha để tạo nên
các trạng thái chuyển mạch yêu cầu sử dụng hiệu ứng điện quang [33] làm các bộ dịch pha
tạo pha ở hai cánh. Bằng cách đưa vào một hiệu điện thế một chiều giữa hai điện cực, hiệu
ứng điện quang còn được biết đến với tên gọi là hiệu ứng Pockel sẽ xảy ra ở ống dẫn sóng
vật liệu có hệ số điện - quang (hệ số Pockel) cao và tạo dịch pha tuyến tính tỷ lệ với hiệu
điện thế tác động. Hiệu ứng điện-quang sẽ tạo ra thay đổi hệ số chiết suất của ống dẫn sóng
quang. Do vậy, nó sẽ tạo ra một dịch chuyển pha của sóng quang khi truyền qua trường
điện (do hiệu điện thế ngoài cung cấp) một đại lượng thay đổi xác định bằng:

 n3EL
 
 (3.27)

Ở đây, E là cường độ của điện trường, n là hệ số chiết suất của sóng quang nối giữa hai
cánh ống dẫn sóng truy nhập của hai vùng ống dẫn sóng giao thoa đa mode kích thước
3×3, L là chiều dài của vùng điện cực hoạt động,  là hệ số Pockels hay còn gọi là hệ số
điện-quang và λ là bước sóng quang hoạt động của bộ chuyển mạch.Nếu điện trường được
sinh ra bởi điện áp (hiệu điện thế) giữa hai bản điện cực bởi giá trị hiệu điện thế một chiều
V
V trong khoảng cách giữa hai điện cực d thì: E= , do đó ta có:
d

 n3VL
 
d (3.28)

3.4.2Kết quả mô phỏng và thảo luận

Vật liệu được sử dụng trong lớp lõi của bộ chuyển mạch đã đề xuất là vật liệu tinh thể
AgGaSe2 với hệ số chiết suất là nr =2.7 và vật liệu thủy tinh silic được sử dụng làm lớp vỏ
có hệ số chiết suất với giá trị nc =1.46 cho mô phỏng ba chiều. Các tham số cấu trúc ở Hình
3.13 được chọn như sau: độ rộng của mỗi bộ ghép đa mode MMI 3×3 là WMMI = 36 μm,
chiều dài LMMI của vùng đa mode là 3847.73 μm và độ rộng của các ống dẫn sóng truy
nhập Wa =10 μm để điều kiện đơn mode hoạt động được và cuối cùng chiều cao của ống
dẫn sóng được chọn là 5μm để giới hạn ảnh hưởng của hiệu ứng đa mode đến vùng đa

77
mode. Ở đây, chúng ta sử dụng phân cực TE và bước sóng 1.550-nm để phân tích và mô
phỏng. Nếu tính thống nhất của dao động của sóng phân cự TE được giả thiết dọc theo
hướng của trục y của Hình 3.13, sự mô phỏng có thể được thực hiện giả thiết nó là dạng
không gian hai chiều [11]. Phương pháp mô phỏng truyền chùm sai phân hữu hạn (FD-
BPM) được sử dụng cho thiết kế và mô phỏng số của thiết bị bởi vì phương pháp truyền
chùm ba chiều 3D-BPM cung cấp kết quả chính xác. Tuy nhiên, ống dẫn sóng ba chiều
(3D) có thể được chuyển đổi về cấu trúc hai chiều (2D) bằng cách sử dụng phương pháp hệ
số chiết suất hiệu dụng (EIM). Do đó, trong nghiên cứu này, chúng ta sử dụng phương
pháp 2D-BPM để mô phỏng [131].

Chiều dài bộ giao thoa đa mode LMMI được thiết lập bằng nửa chiều dài phách Lπ với
điều kiện giao thoa tổng quát và được tính toán bởi sự kết hợp của phương pháp MPA và
sử dụng phương pháp hệ số chiết suất hiệu dụng. Sau đó, chiều dài này được tối ưu hóa
bằng phương pháp 2D-BPM để tìm ra giá trị tối ưu bằng 3847.7μm.

Như đã phân tích ở trên theo kết quả như ở Bảng 3.6, khi trường đầu vào đưa vào bộ
chuyển mạch từ cổng đầu vào A1 , nếu dịch pha giữa cánh kết nối đầu tiên là 0 và cánh thứ
hai là 2π/3, nó sẽ chuyển mạch tín hiệu quang ra cổng ra b1.

Hình 3.14. Mode cơ sở tại cổng đầu vào thứ hai của bộ chuyển mạch 3×3

sử dụng hiệu ứng điện – quang.

Bộ dịch pha đóng vai trò quan trong cho hoạt động chuyển mạch, nó có thể được thực
hiện bằng cách sử dụng một điện áp thích hợp giữa hai bản điện cực để điều khiển dịch
pha. Biểu thức trong (3.28) biểu thị rằng dịch pha tăng với điện áp của các điện cực và
chiều dài của các điện cực dọc theo hướng truyền z. Do đó, cần đưa vào điện áp thích hợp
trong dải -5V đến 5V để điều khiển dịch pha các cánh ngoài cùng cho hoạt động chuyển
mạch. Vật liệu được chọn là AgGaSe2 với hệ số điện-quang vào khoảng 6.9×10-12m/V là
rất thích hợp cho hoạt động của hiệu ứng điện-quang. Khoảng cách giữa các điện cực được
thiết lập 12μm và chiều dài của vùng điện cực L được chọn là 3000μm để thỏa mãn cho

78
điều khiển khoảng dịch pha rộng, đủ để thỏa mãn tất cả các yêu cầu dịch pha cần thiết cho
hoạt động các trạng thái bộ chuyển mạch. Hình 3.14 thể hiện mode cơ bản truyền trong
ống dẫn sóng, được tính toán bằng công cụ giải mode của phần mềm thương mại Rsoft.
Kết quả mô phỏng cho tất cả các trạng thái chuyển mạch với đường bao điện trường
được thể hiện như Hình 3.15 được thực hiện bằng phương pháp 2D. Các kết quả cho thấy
về mặt trực quan chất lượng của bộ chuyển mạch quang dựa trên hiệu ứng điện-quang là
tốt. Chúng ta sẽ tiếp tục đánh giá định lượng dựa trên mô phỏng ở phần tiếp theo sau đây.

Hình 3.15. Kết quả mô phỏng thực hiện bằng phương pháp BPM
cho tất cả các trạng thái chuyển mạch của bộ chuyển mạch quang 3×3.

Các kết quả cho thấy điện áp đưa vào các điện cực tạo dịch pha của các cánh ngoài
cùng của bộ chuyển mạch nhằm đảm bảo chất lượng hiệu năng của cấu trúc trong tất cả các
phương diện chuyển mạch. Theo đó một chuyển mạch điện-quang cần có suy hào chèn
thích hợp và cần có dung sai tốt với bước sóng và công nghệ chế tạo. Chúng là những tham
số chất lượng hiệu năng của một bộ chuyển mạch quang.

79
 Suy hao chèn, I.L (dB)

Bước sóng, λ (nm)

Hình 3.16. Sự phụ thuộc vào bước sóng của suy hao chèn
trong trường hợp đầu vào 1 và 2 của bộ chuyển mạch.

Công thức tính của suy hao chèn (I. L.) như sau [11]:

P 
I .L.  dB   10log10  out  (3.29)
 Pin 

Ở đây: Pout và Pin là công suất vào và ra bộ chuyển mạch trong trạng thái hoạt động.
Kết quả mô phỏng trên Hình 3.16 cho thấy sự phụ thuộc vào bước sóng của suy hao
chèn trong một dải rộng 100nm xung quanh bước sóng trung tâm 1550nm trong vài trường
hợp của hoạt động của cổng đầu vào 1 (input1) và cổng đầu vào 2 (input2). Do tính đối
xứng một cách tự nhiên của cấu trúc 3×3, nên không làm mất tính tổng quát, ta chỉ cần xét
nămtrường hợp mô phỏng cho hoạt động chuyển mạch như trình bày trên Hình 3.16 là đủ
bao quát cho mọi trường hợp (9 trường hợp) của các trạng thái chuyển mạch. Kết quả mô
phỏng số bằng phương pháp BPM cho thấy rằng suy hao chèn của cấu trúc là rất nhỏ, dưới
0.7 dB.
Như được thể hiện trên Hình 3.17, sự phụ thuộc vào chiều rộng và chiều dài của bộ
ghép giao thoa đa mode trong cấu trúc thiết kế đề xuất cũng được thể hiện thông qua mô
phỏng bằng phương pháp truyền chùm cho tất cả các hoạt động chuyển mạch. Công suất ra
được chuẩn hóa theo công suất vào. Các kết qủa biểu thị sự biến đổi rất nhỏ của công suất
ra theo một sự thay đổi khá lớn lên đến 100μm chiều dài của bộ ghép đa mode. Cùng với
đó, sự biến đổi trong dải từ -0.2 μm đến 0.2 μm xung quanh vùng đa mode đảm bảo rằng
công suất ra không suy hao hơn 1dB (công suất ra không nhỏ hơn 86% so với công suất
đầu vào). Do vậy, dung sai chế tạo là lớn và dễ dàng thích hợp cho công nghệ chế tạo hiện
hành.

80
 Công suất đầu ra chuẩn hóa (a.u)

Dung sai chiều rộng (µm)

(a)
Công suất đầu ra chuẩn hóa (a.u)

Dung sai chiều dài (µm)

(b)
Hình 3.17. Công suất đầu ra chuẩn hóa phụ thuộc vào sự thay đổi của chiều rộng và chiều dài của
vùng giao thoa đa mode MMI trong hoạt động ở trạng thái đầu vào thứ 2 đến đầu ra thứ 2 của
bộ chuyển mạch: (a) sự biến đổi của chiều rộng; (b) sự biến đổi của chiều dài.

Cuối cùng, hiệu ứng của biến đổi hệ số chiết suất cũng được mô phỏng và được trình
bày như trên Hình 3.18. Các kết quả mô phỏng thể hiện rằng công suất ra của bộ chuyển
mạch biến đổi trong khoảng từ 85% đến 98% (tương ứng với giá trị truyền đạt -0.7 dB đến
-0.09 dB) trong sự so sánh với công suất đầu vào khi hệ số chiết suất vật liệu thay đổi 0.1
quanh giá trị của hệ số chiết suất lớp lõi. Kết quả này cho thấy dung sai vật liệu chế tạo của
bộ chuyển mạch được đề xuất là rất lớn. Do đó, sai số chế tạo vật liệu ít ảnh hưởng đến
chất lượng hiệu năng về mặt quang học của bộ chuyển mạch.

81
 Công suất đầu ra chuẩn hóa (a.u)

Dung sai hệ số chiết suất

Hình 3.18. Hiệu ứng của sự thay đổi hệ số chiết suất đến công suất ra được chuẩn hóa.

3.5 Kết luận chƣơng

Thiết kế các bộ chuyển mạch quang mới dựa trên cấu trúc giao thoa đa mode được đề
nghị trong chương này dựa trên việc thiết kế bộ chuyển mạch dựa trên cấu trúc tương tự
giao thoa Mach-Zehnder. Giữa hai vùng đa mode cùng kích thước được nối với nhau bằng
các ống dẫn sóng truy nhập đơn mode.Thực hiện các hiệu ứng gây dịch pha thụ động cho
các bộ dịch pha này để tạo ra các trạng thái hoạt động chuyển mạch đầy đủ. Chương này đề
xuất hai cách gây dịch pha thụ động điều khiển được. Cách thứ nhất là sử dụng các bộ ghép
định hướng phi tuyến dựa trên hiệu ứng Kerr. Cấu trúc thiết kế này để tạo ra bộ chuyển
mạch toàn quang 2×2 và 3×3. Cách thứ hai sử dụng hiệu ứng quang điện bằng các điện cực
áp vào các ống dẫn sóng nối giữa hai vùng đa mode để sử dụng hiệu ứng Pockel gây dịch
pha. Cấu trúc chuyển mạch được đề xuất thiết kế bộ chuyển mạch 3×3. Tất cả các cấu trúc
đề xuất được phân tích và thiết kế bằng phương pháp ma trận truyền đạt và phương pháp
truyền chùm BPM. Các trường điều khiển quang có cường độ khá cao được sử dụng để tạo
ra lượng dịch pha cần thiết cho hoạt động chuyển mạch hoặc là các trường điện đặt lên các
bản cực để tạo dịch pha chuyển mạch. Kết quả mô phỏng cho thấy rằng hoạt động chuyển
mạch được thực hiện chính xác và có dung sai chế tạo tương đối lớn. Cấu trúc đề xuất có
thể được sử dụng mở rộng để tạo ra các bộ chuyển mạch nhiều cổng, chẳng hạn như các bộ
chuyển mạch quang kích thước 1×M hoặc N×M (ở đây N và M là các số nguyên dương)
nhưng độ phức tạp cũng tăng lên nhiều. Chúng ta cũng có thể sử dụng lai ghép giữa các
cấu trúc 2×2 và 3×3 ghép theo cấu trúc Benes để tạo ra các bộ chuyển mạch kích thước lớn
hơn. Đánh giá chất lượng hiệu năng của các bộ chuyển mạch bằng sử dụng mô phỏng là tốt
do đó các cấu trúc này có thể sử dụng hiệu quả cho ứng dụng trong các mạng thông tin
quang tốc độ cao.

82
Chƣơng 4
Bộ ghép kênh ba bƣớc sóng sử dụng giao thoa đa mode
Triplexer (bộ ghép kênh ba bước sóng) đóng một vai trò rất quan trọng trong các hệ
thống thông tin quang như: các hệ thống cáp quang đến tận nhà FTTH (fiber to the home),
các mạng quang truy nhập thụ động, v.v.Có ba bước sóng nói chung thường được sử dụng
là 1310 nm, 1490 nm và 1550 nm (theo khuyến nghị ITU-G.983) cho lưu lượng đường lên,
lưu lượng đường xuống và các dịch vụ chồng lấn lựa chọn, chẳng hạn dịch vụ truyền video
tương tự hay các dịch vụ số liệu khác trong các cửa sổ bước sóng thông tin quang. Do đó,
ta cần một thiết bị mà có thể ghép kênh hoặc phân kênh truy nhập những bước sóng này
trong thực tế ứng dụng. Hiện tại, có một số kiểu thiết kế cho các bộ triplexer. Một là sử
dụng cấu trúc phân tách các bộ lọc, chẳng hạn các bộ lọc màng mỏng (thin film filters) [56]
nhưng kiểu này có một hạn chế là khó tích hợp với các cấu kiện quang khác nên đắt tiền.
Hai là sử dụng các cách tử như cách tử ống dẫn sóng được sắp mảng (AWG) [32] và cách
tử phản xạ Bragg [155] nhưng kích cỡ của những loại này vẫn còn khá lớn. Loại khác nữa
dùng các kỹ thuật mạch tích hợp quang phẳng (PLCs) như các tinh thể quang (photonic
crystals) [114] [113] hoặc các ống dẫn sóng silic ghép định hướng [112].
Gần đây, các thiết bị dựa trên ống dẫn sóng MMI là các thành phần hữu dụng trong
các mạch tích hợp quang (PICs) bởi vì một số ưu điểm nổi bật về băng thông, kích thước
nhỏ, suy hao thấp và dung sai chế tạo tương đối lớn. Bên cạnh đó, ống dẫn sóng silic là
một giải pháp hứa hẹn cho các bộ ghép đa mode để xây dựng các vi mạch quang tích hợp
như bộ triplexer bởi một số ưu điểm như: độ tương phản chiết suất cao (khi vật liệu chế tạo
ống dẫn sóng phổ biến là silic trên nền vật liệu- SOI) cho phép bắt giữ ánh sáng tốt và cấu
trúc mật độ cao (compact structure) với độ cong cực nhọn. Hơn nữa, nó rất tương thích với
công nghệ chế tạo vi mạch CMOS [23] nên giá thành rẻ hơn những vật liệu khác. Chương
này của luận án sẽ đề xuất các thiết kế mới của cấu kiện triplexer dựa trên các bộ ghép giao
thoa đa mode trên nền tảng vật liệu silic và thủy tinh silic.

4.1 Giới thiệu và nguyên lý thiết kế

Nguyên lý thiết kế của bộ tách/ghép bước sóng dựa trên cấu trúc giao thoa đa mode
dựa trên tính chất là với cùng cấu trúc hình học thì các bước sóng khác nhau có nửa chiều
dài phách khác nhau. Cũng do nửa chiều dài phách tỷ lệ nghịch với bước sóng hoạt động
nên bước sóng ngắn có nửa chiều dài phách lớn hơn so với các bước sóng dài. Mặt khác, ta
đã biết là hiện tượng giao thoa tạo ảnh có tính chu kỳ tức là tạo ảnh được lặp đi lặp lại tại
những khoảng cách xác định bằng nhau. Sử dụng các đặc tính này, ta xét một ống dẫn sóng
giao thoa đa mode kích thước 2×2 với cổng đầu vào không ở vị trí trùng với trục đối xứng
như được trình bày trên Hình 4.1. Theo nguyên lý giao thoa tổng quát thì sau một khoảng
cách truyền theo phương truyền sóng với chiều dài L  3L ( ) (với L ( ) ký hiệu là nửa

83
chiều dài phách tại bước sóng hoạt động  ) thì ảnh đầu ra sẽ đối xứng gương với tạo ảnh
đầu vào.Tổng quát, ảnh đầu ra sẽ ở vị trí soi gương so với ảnh đầu vào nếu khoảng cách
truyền bằng số nguyên dương lẻ lần nửa chiều dài phách và ảnh đầu ra sẽ ở vị trí đồng vị
với ảnh đầu vào nếu khoảng cách truyền bằng số nguyên dương lẻ lần nửa chiều dài
phách. Sử dụng nguyên lý này, với hai bước sóng 1 và 2 được đưa vào đầu vào của một
bộ giao thoa đa mode 2×2, nếu khoảng cách truyền thỏa mãn đẳng thức:
L  3mL (1 )  3nL (2 ) (4.1)
Cổng ra chéo
L=3mLπ(λ1)=3nLπ(λ2) (Ảnh soi gương)
λ2

λ1,λ2 Đầu vào Bộ ghép đa mode 2×2 Đầu ra λ1

Cổng ra thẳng
(Ảnh đồng vị)

Hình 4.1 Sơ đồ nguyên lý bộ ghép kênh hai bước sóng sử dụng bộ ghép đa mode 2×2.

Ở đây: m và n là các số nguyên dương. Nếu m, n cùng tính chẵn lẻ thì các bước sóng
1 và 2 sẽ được đưa ra cùng một cổng ở đầu ra còn ngược lại nếu m, n chẵn lẻ đôi một
khác nhau thì các bước sóng 1 và 2 sẽ được tách ra một cách riêng biệt ở hai đầu ra của
ống dẫn sóng đa mode. Nguyên lý này cũng có thể được mở rộng cho nhiều bước sóng
cùng đưa vào cùng một đầu vào. Khi đó chúng ta sử dụng phân tầng các bộ giao thoa đa
mode để tách riêng dần các bước sóng ở đầu ra cho đến khi ở các đầu ra cuối cùng các
bước sóng được tách hoàn toàn ra mỗi cổng riêng.
Như đã phân tích, các bước sóng khác nhau thì nửa chiều dài phách khác nhau. Từ
biểu thức xác định nửa chiều dài phách và đẳng thức (4.1) ta thấy điều kiện để tách riêng
hai bước sóng khi đó là:
m 1.We2 (2 )
 (4.2)
n 2 .We2 (1 )
Với: We    là chiều rộng hiệu dụng của ống dẫn sóng đa mode tại bước sóng  .
Nếu các bước sóng gần nhau, chẳng hạn các bước sóng nằm trong vùng cửa sổ thông
tin 1550 nm sử dụng cho các ứng dụng WDM với khoảng cách kênh nhỏ (chỉ cỡ 0.4 nm
hoặc 0.8 nm) thì nửa chiều dài phách là gần nhau, do vậy phương trình (4.2) sẽ xác định
cặp số (m,n) có giá trị tương đối lớn. Điều này dẫn đến chiều dài của bộ ghép đa mode là
khá lớn. Khi đó, phép phân tích toán học bằng phương pháp xấp xỉ theo phương pháp
truyền mode sẽ cho sai số lớn do đó chất lượng hình ảnh giao thoa không được “rõ nét”.
Vậy nên cấu trúc sử dụng làm bộ phân kênh bước sóng sẽ có chất lượng hiệu năng về mặt
xuyên nhiễu kênh là lớn do đó không phù hợp cho các ứng dụng tách/ghép kênh quang.
84
 1310 nm 1550 nm 1490 nm
Port 1 Port 3 Port 2
(Cổng 1) (Cổng 3) (Cổng 2)
g=200nm
Ls=30µm

Lc=498µm
Bộ ghép
định hướng

W
la=20µm
2×2 GI-MMI
Hình
cánh bướm

LMMI=361.5µm f.W
W=2.4µm
f=0.8

1/2LMMI Ống dẫn sóng

búp măng
la z

w=360nm
Input y x
(Đầu vào)
(a)
Không khí:
nair=1 360 nm
Lớp vỏ trên w
400 H
32 nm
Si: nr=3.45 Lớp lõi h
nm
SiO2: 3
Lớp vỏ
nc=1.46 µm

Si: nr=3.45 Lớp đế

(b)
Hình 4.2. Sơ đồ đề xuất của bộ triplexer dựa trên các ống dẫn sóng silic:

(a) Hình chiếu bằng. (b) Hình chiếu đứng và mode cơ sở của ống dẫn sóng đầu vào.

Tình huống khác đi khi khoảng cách các bước sóng tách ghép kênh lớn (cỡ vài chục
đến một vài trăm nm); khi đó cặp số (m,n) có giá trị nhỏ (là các số nguyên dương nhỏ) nên
chiều dài bộ ghép đa mode cho hoạt động là khá nhỏ và sai số do xấp xỉ nhỏ nên chất
lượng hình ảnh giao thoa “rõ nét” hơn, xuyên nhiễu sẽ đạt được kết quả tốt hơn. Do đó, với
những ứng dụng cho các bộ tách ghép kênh với các bước sóng cách xa nhau và số lượng
bước sóng sử dụng nhỏ như ứng dụng của các mạng truy nhập quang FTTH chẳng hạn là

85
rất thích hợp bằng cách sử dụng cấu trúc giao thoa đa mode. Chúng ta cũng có thể ứng
dụng bộ ghép đa mode để thiết kế các bộ tách bước sóng trong các vùng cửa sổ thông tin
quang (từ dải bước sóng 850 nm đến 1600 nm).
Phần tiếp theo trong chương này của luận án sẽ tập trung nghiên cứu thiết kế ứng dụng
các triplexer sử dụng cấu trúc giao thoa đa mode một cách hiệu quả và tối ưu.
4.2 Thiết kế bộ triplexer dựa trên một bộ ghép giao thoa đa mode
2×2 hình cánh bƣớm và một bộ ghép định hƣớng sử dụng các
ống dẫn sóng silic.
Trong nghiên cứu này, luận án trình bày một cấu trúc mới cho triplexer kích thước
nhỏ, tích hợp cao bằng cách sử dụng một bộ ghép đa mode 2×2 hình cánh bướm [15] và
một bộ ghép định hướng dựa trên ống dẫn sóng silic. Bộ ghép đa mode sử dụng để tách
biệt bước sóng 1490 nm ra một cổng và tách cả hai bước sóng 1310 nm và 1550 nm ra
cổng còn lại ở phần thứ nhất. Bộ ghép định hướng sau đó được sử dụng ở tầng thứ hai để
tách riêng ra hai bước sóng 1310 nm và 1550 nm ra mỗi cổng đầu ra riêng rẽ. Phương pháp
mô phỏng số truyền chùm tia ba chiều (3D-BPM) [145] để thiết kế và tối ưu toàn bộ cấu
trúc đề xuất.

4.2.1 Thiết kế và tối ƣu cấu trúc

Hình 4.2(a) thể hiện cấu hình của bộ triplexer được dựa trên ống dẫn sóng silic sườn
kích thước micro mét. Ống dẫn sóng được chế tạo trên vật liệu: tinh thể silic (Si) trên nền
thủy tinh silic oxit (SiO2) với lớp vỏ trên (upper cladding) là không khí. Hệ số chiết suất
của lớp lõi silic là nr=3.45 và lớp vỏ thủy tinh Silic nc xấp xỉ bằng 1.46. Bằng cách sử dụng
mô hình Sellmeier [46], chúng ta xác định được sai khác hệ số chiết suất của silic giữa
bước sóng 1310 nm và 1550 nm là 0.02 (do hệ số chiết suất của vật liệu phụ thuộc vào
bước sóng hoạt động). Lượng sai khác này là nhỏ không đáng kể nên có thể được bỏ qua.
Vì vậy, trong tính toán ta coi hệ số chiết suất của silic là một hằng số (trong dải các bước
sóng được thiết kế). Bộ triplexer được thiết kế cho hoạt động ở mode phân cực TE. Độ
rộng w của các ống dẫn sóng đơn mode (các ống dẫn sóng truy nhập) được chọn trong
khoảng 150 nm đến 560 nm để thỏa mãn điều kiện đơn mode cho cả ba bước sóng [81].
Chúng ta chọn w=360 nm trong cấu kiện được đề xuất này. Bằng cách sử dụng phương
pháp BPM, chúng ta thấy rằng độ dày toàn phần của lớp dẫn sóng là H=0.4 µm và chiều
cao phần ống dẫn sóng hình phiến vuông (slab height) là h=32 nm thì trường quang cho
hiệu năng về tổn hao tốt khi truyền trong ống dẫn sóng (cho cả ba bước sóng). Hình ảnh
kết quả mô phỏng bằng phương pháp phần tử hữu hạn FEM cho mode cơ sở của bước sóng
1550 nm được trình bày như trên Hình 4.2(b).
Cấu kiện được xây dựng gồm có hai phần. Phần đầu tiên là gồm có một bộ ghép đa
mode hình cánh bướm mà được sử dụng để phân tách bước sóng 1310 nm và 1550 nm tới
cổng đầu ra chéo, trong khi đó bước sóng 1490 nm được tách ra ở cổng đầu ra thẳng của
86
vùng giao thoa đa mode (cổng đầu ra 2). Phần thứ hai gồm một bộ ghép định hướng dựa
trên cấu trúc tiếp giáp hình chữ Y. Điều này nhằm tách bước sóng 1310 nm và 1550 nm ra
cổng đầu ra 1 và cổng đầu ra 3 một cách tương ứng (xem Hình 4.2(a)).
Đầu tiên, chúng ta xem xét một ống dẫn sóng giao thoa đa mode kiểu giao thoa tổng
quát 2×2 truyền thống [71] để tách riêng hai bước sóng 1310 nm và 1490 nm. Bộ ghép đa
mode được tạo dạng bởi hai ống dẫn sóng đơn mode mà đóng vai trò là các ống dẫn sóng
truy nhập cho vùng ống dẫn sóng đa mode (hai ống dẫn sóng này giống nhau về dạng hình
học). Độ rộng W của bộ ghép đa mode được chọn là W= 2.4 µm. Chúng ta thiết kế bộ ghép
đa mode để tách riêng hai bước sóng 1310 nm và 1490 nm ra hai cổng đầu ra riêng biệt của
bộ ghép đa mode trong khi bước sóng 1550 nm sẽ được đưa đến bất kỳ một trong hai cổng
ra của bộ ghép đa mode 2×2. Theo cơ chế giao thoa tổng quát [9], ảnh tự chụp sẽ được tạo
ra chiều dài bằng ba lần nửa chiều dài phách. Do đó, chiều dài bộ ghép đa mode MMI phải
thỏa mãn điều kiện sau đây:

LMMI =m.3Lπ(1310nm)=n.3Lπ(1490nm)=p.3Lπ(1550nm) (4.3)

Ở đây m, n, p là các số nguyên dương và m, n là chẵn lẻ đôi một; L(πλ) là nửa chiều dài
phách tại bước sóng λ và nó có thể được xác định bằng phương pháp MPA như sau [71]:

4nrWe2
Lπ(λ)= (4.4)
3λ

 2 2 0 . 5
Với : We  W   n nc  (cho TE mode) là chiều rộng hiệu dụng của bộ ghép đa
 r
mode.
Nửa chiều dài phách của các bước sóng 1310 nm, 1490 nm và 1550 nm tính bằng
phương pháp truyền mode như sau: 3Lπ(1310 nm) = 67.67 µm, 3Lπ(1490 nm) = 60.36 µm và
3Lπ(1550 nm) = 58.3 µm. Với những nửa chiều dài phách này chúng ta có thể dễ dàng thấy
rằng chiều dài của bộ ghép đa mode mà thỏa mãn điều kiện (4.3) là khá lớn. Do vậy, luận
án đề xuất một tiếp cận mới bằng cách thay đổi dạng hình học của bộ ghép đa mode từ
dạng hình chữ nhật sang dạng hình cánh bướm tuyến tính. Luận án này giới thiệu một bộ
ghép đa mode 2×2 với dạng “cánh bướm” [134] thay thế cho dạng hình chữ nhật truyền
thống. Giả sử rằng tại nửa chiều dài phách của bộ ghép đa mode, độ rộng của vùng đa
mode được xác định bằng f.W, với f là một hệ số nhân dương (0<f<1). Biểu thức của L(πλ)
bây giờ được thay thế bằng:

4nrWeW0e
Lπ(λ)= (4.5)
3λ
Trong đó: W0e là chiều rộng hiệu dụng tại nửa chiều dài phách.
Bằng cách này chúng ta tác động đến cơ chế giao thoa trong bộ ghép giao thoa đa

87
mode. Nửa chiều dài phách được giảm đi với tất cả các bước sóng. Chúng ta thay đổi tham
số f trong khoảng từ 0.75 đến 1 với bước nhảy bằng 0.005. Bằng cách sử dụng mô phỏng
BPM chúng ta thay đổi chiều dài LMMI trong một khoảng rộng từ 1 µm đến 1000 µm để tìm
ra chiều dài thích hợp mà phẩm chất hiệu năng của bộ ghép đa mode dạng cánh bướm này
là tốt cho cả ba bước sóng khi bộ ghép đa mode này hoạt động như là một bộ lọc bước
sóng. Kết quả, tại f=0.8 chúng ta nhận được chiều dài LMMI = 361.5 µm là giá trị phù hợp
nhất để đạt được hiệu năng truyền đạt tốt như được thấy trên Hình 4.3. Tại chiều dài này,
bước sóng 1390 sẽ được tách biệt tới cổng đầu ra thẳng (bar port) và các bước sóng 1310
nm và 1550 nm sẽ được tách biệt đến cổng chéo của bộ ghép đa mode đầu tiên này.
Hệ số truyền đạt (a.u)

cổng thẳng

cổng chéo

cổng thẳng

cổng chéo

cổng thẳng

cổng chéo

Chiều dài bộ ghép MMI thứ nhất: LMMI (µm)

Hình 4.3. Mô phỏng 3D BPM cho sự thay đổi chiều dài của bộ ghép

giao thoa đa mode hình cánh bướm.

Hệ số truyền đạt (a.u)

cổng thẳng

cổng chéo

cổng thẳng

cổng chéo

cổng thẳng

cổng chéo

Vị trí đầu vào MMI thứ nhất: S (µm)

Hình 4.4. Mô phỏng 3D-BPM cho vị trí tối ưu của ống dẫn sóngtruy nhập của bộ ghép đa mode.

88
 Bên cạnh đó, chúng ta cũng thực hiện mô phỏng BPM để tìm ra vị trí tối ưu S: là
khoảng cách giữa các ống dẫn sóng truy nhập với trục đối xứng dọc trung tâm của vùng đa
mode giữa các ống dẫn sóng truy nhập trước khi kết nối với vùng ống dẫn sóng giao thoa
đa mode. Chúng ta mô phỏng bằng cách thay đổi giá trị S xung quanh giá trị ±We/4 trong
dải từ 0.5 đến 0.7 với bước nhảy 0.005. Hình 4.4 thể hiện mô phỏng BPM cho công suất
đầu ra của ba bước sóng. Chúng ta lựa chọn giá trị tối ưu S = 0.61µm (tại điểm đánh dấu
trên Hình 4.4). Để giảm suy hao chèn của tín hiệu từ các ống dẫn sóng truy nhập nối với
vùng đa mode và tăng khả năng bắt giữ ánh sáng, chúng tôi sử dụng các ống dẫn sóng hình
búp măng (tapers) hình dạng tuyến tính để nối giữa vùng ống dẫn sóng đơn mode (các ống
dẫn sóng truy nhập) và ống dẫn sóng đa mode. Chiều dài ống dẫn sóng búp măng này được
chọn là la= 20 µm, bán kính nhỏ của các ống dẫn sóng hình búp măng là w= 360 nm. Bằng
cách sử dụng phương pháp mô phỏng BPM chúng ta nhận được giá trị tối ưu cho thiết kế
của bán kính lớn các ống dẫn sóng hình búp măng là 1.08 µm (xem Hình 4.5).
Hệ số truyền đạt (a.u)

cổng thẳng

cổng chéo
Đáy lớn nhất của các
cổng thẳng ống dẫn sóng búp măng

cổng chéo

cổng thẳng

cổng chéo

Đáy lớn nhất của các ống dẫn sóng búp măng (µm)

Hình 4.5. Mô phỏng 3D-BPM cho chiều rộng đáy lớn tối ưu của các ống dẫn sóng hình búp măng.

Sau đó, nghiên cứu còn lại phần này của luận án là thiết kế một bộ ghép nối để tách
riêng hai bước sóng 1310 nm và 1550 nm ra hai cổng đầu ra riêng lẻ. Ở đây, luận án đề
xuất sử dụng một bộ ghép định hướng để tách riêng các bước sóng này (như được nhìn
thấy ở Hình 4.2a). Đầu tiên, cấu trúc của bộ ghép định hướng gồm hai ống dẫn sóng thẳng
song song với nhau với chiều dài Lc, độ rộng w và khoảng cách giữa chúng được chọn là
g=0.2 µm. Sau đó mỗi ống dẫn thẳng được nối với ống dẫn sóng hình sin mà có độ rộng là
w. Chiều dài của các ống dẫn sóng hình sin theo hướng truyền z là Ls và khoảng cách theo
hướng x được chọn là 0.6 µm. Bằng cách sử dụng mô phỏng 3D-BPM, chúng ta nhận được
hiệu năng của các ống ghép định hướng mà được xây dựng theo cấu trúc hình chữ Y từ hai
ống dẫn sóng hình sin là tốt hơn cả so với ống dẫn sóng hình sin và một ống dẫn sóng
thẳng. Mô phỏng 3D-BPM cũng cho thấy rằng chiều dài Ls=30 µm là tốt nhất cho hiệu

89
năng của hai bước sóng 1310 nm và 1550 nm về mặt suy hao khi truyền qua đoạn ống dẫn
sóng bị uốn cong. Theo lý thuyết ghép mode giữa hai ống dẫn sóng ghép định hướng khi
khoảng hở giữa chúng nhỏ thì phân bố công suất các cổng đầu ra thẳng ( Pbar ) và đầu ra
chéo ( Pcross ) tuân theo quan hệ sau đây:

  Lc 
Pbar ( Lc , )  sin 2     (4.6)
 2Lc(  ) 


  Lc 
Pcross ( Lc , )  cos 2     (4.7)
 2Lc(  ) 

Ở đây: λ là bước sóng hoạt động của ống dẫn sóng, Lc là chiều dài của các ống dẫn sóng
song song mà được ghép định hướng với nhau, Lc(λ) biểu thị chiều dài ghép nối tại bước
sóng λ và α là pha ban đầu tại đầu vào của bộ ghép định hướng.
Hệ số truyền đạt (a.u)

cổng thẳng
cổng chéo
cổng thẳng
cổng chéo

Chiều dài của bộ ghép định hướng Lc (µm)

Hình 4.6. Mô phỏng 3D-BPM cho chiều dài tối ưu Lc của bộ ghép định hướng.

(a) 1310 nm, (b) 1490 nm and (c) 1550 nm.

Với các tham số cấu trúc của ống dẫn sóng như được nói đến ở trên, bằng cách sử dụng mô
phỏng BPM, chúng ta nhận được kết quả: sin2(α1310nm) ≈ 0.734, Lc(1310) ≈ 29.6 µm cho bước
sóng 1310 nm và sin2(α1550nm) ≈ 0.5802, Lc(1550) ≈ 15.75 µm cho bước sóng 1550 nm tại
cổng ra thẳng, một cách tương ứng. Các chiều dài ghép nối này được đo lường qua dữ liệu
mô phỏng 3D-BPM. Về phương diện toán học, nhằm để tách hai bước sóng 1310 nm và
1550 nm ra hai cổng ra riêng biệt của cấu trúc ghép định hướng thì các điều kiện sau đây
phải được thỏa mãn: khi bước sóng 1310 nm được rẽ xuống cổng ra thẳng (bar port) và
bước sóng 1550 nm được rẽ xuống cổng ra chéo, công suất đầu ra lớn nhất tại cổng ra
thẳng cho bước sóng 1310 nm và công suất ra lớn nhất tại cổng chéo cho bước sóng 1550
nm. Do đó, chúng ta nhận được quan hệ xấp xỉ như sau:
Lc 24.4  a.29.6. 9.75  b.15.75( m) (4.8)
90
Ở đây: (a,b) là cặp số nguyên chẵn lẻ khác nhau. Phương trình (5) có một cặp nghiệm
nguyên nhỏ nhất là (a,b)=(16,31). Vậy chiều dài ngắn nhất của bộ ghép định hướng có thể
nhận được là 498 µm. Kết quả phân tích số này là trùng hợp với mô phỏng BPM.
Chúng ta thực hiện mô phỏng BPM bằng cách thay đổi giá trị Lc trong một dải từ 0
đến 500 µm với bước nhảy là 1µm, chúng ta nhận được chiều dài là 498 µm cho hiệu năng
phù hợp nhất của bộ ghép định hướng (xem thêm trên Hình 4.6) với hai bước sóng. Tại
chiều dài tối ưu này, bước sóng 1310 nm sẽ được tách ra cổng ra chéo và bước sóng 1550
nm sẽ được tách ra cổng ra thẳng.

(a) (b) (c)

Hình 4.7. Mẫu điện trường (dạng đường bao) cho triplexer đề xuất tại ba bước sóng:

(a) 1310 nm, (b)1490 nm và (c) 1550 nm.

4.2.2 Kết quả mô phỏng và thảo luận

Bằng cách sử dụng mô phỏng 3D-BPM, chúng ta thực hiện mô phỏng số sự truyền tín
hiệu quang cho tất cả các cổng của bộ triplexer. Hình 4.7 thể hiện đường bao các mẫu điện
trường cho ba bước sóng. Với một triplexer, các tham số hiệu năng quan trọng nhất là suy
hao chèn (insertion loss - I.L), tỷ lệ phân biệt (extinction ratio - Ex.R) và xuyên nhiễu
(crosstalk - Cr.T), chúng được định nghĩa như sau:

P 
I .L  10log  d 
 Pin  (4.9)

 P 
Ex.R=10log  d 
P 
 u (tot )  (4.10)

91
  P 
Cr.T  10log  d 
P 
  (tot )  (4.11)

Trong đó: Pin là công suất ống dẫn sóng đầu vào; Pd và Pu(tot) tương ứng là công suất từ ống
dẫn sóng đầu ra mong muốn và tổng công suất từ các đầu ra không mong muốn; Pλ(tot) là
tổng công suất từ các bước sóng không mong muốn đưa đến cổng đầu ra mong muốn.

Hình 4.8. Đáp ứng bước sóng của triplexer đề xuất tại ba cổng cho ba bước sóng.

Bảng 4.1. Công suất (chuẩn hóa theo công suất đầu vào) ba cổng
đầu ra của triplexer đề xuất tại ba bước sóng
I.L Cr.T Ex.R
Bước sóng (nm)
(dB) (dB) (dB)

1310 (Cổng 1) -0.52 -25.87 -18.42

1490 (Cổng 2) -0.21 -13.35 -24.42

1550 (Cổng 3) -0.58 -23.39 -14.09

Dữ liệu từ các kết quả mô phỏng được dùng để tính toán các tham số chất lượng sau
đó liệt kê như trên Bảng 4.1. Kết quả này cho thấy rằng: triplexer được đề xuất có suy hao
chèn thấp, tỷ lệ phân biệt cao và xuyên nhiễu nhỏ. Các tham số được kể đến ở trên đóng
vai trò quan trọng về phương diện chế tạo của một bộ triplexer quang. Chúng ta mô phỏng
đáp ứng bước sóng tại ba đầu ra của bộ triplexer. Các kết quả mô phỏng cho đáp ứng bước
sóng bằng phương pháp mô phỏng 3D-BPM được trình bày như trên Hình 4.8.
Dữ liệu mô phỏng cho thấy rằng: 3 dB băng thông của ba băng bước sóng tương ứng
là 18 nm (từ 1300 nm đến 1318 nm) của băng 1310 nm (cổng 1), 44 nm (từ 1472 nm đến
1516 nm) của băng 1490 nm (cổng 2) và 14 nm (từ 1542 nm đến 1556 nm) của băng 1550
nm (cổng 3). Do vậy, băng thông của triplexer đã đề xuất là tương đối cao. Ngoài ra, hiệu
92
năng quang về mặt suy hao chèn và xuyên nhiễu là tốt hơn một số kết quả đã được công bố
gần đây mà được xây dựng trên các mạch quang phẳng (planar lightwave circuits – PLCs)
[23] [141]. Thêm vào đó, tổng chiều dài của cấu trúc đề xuất vào khoảng 1100 nm cũng là
khá ngắn so với kết quả gần đây [73]. Rõ ràng nó là thích hợp cho các mạch quang tích
hợp cao. Công suất đầu ra chuẩn hóa (dB)

I.L
Ex.R
Cr.T
I.L
Ex.R
Cr.T
I.L
Ex.R
Cr.T

Dung sai chiều dài (µm)

(a)
Công suất đầu ra chuẩn hóa (dB)

I.L
Ex.R
Cr.T
I.L
Ex.R
Cr.T
I.L
Ex.R
Cr.T

Dung sai chiều rộng (nm)

(b)
Hình 4.9. Dung sai chế tạo cho triplexer đề xuất: (a) dung sai chiều rộng, (b) dung sai chiều dài.

Tiếp đó, chúng ta khảo sát dung sai chế tạo của cấu kiện theo chiều rộng và chiều dài
của bộ ghép đa mode hình cánh bướm như ở trên Hình 4.9. Dữ liệu mô phỏng cho thấy
rằng với suy hao chèn dưới 2 dB, xuyên nhiễu và tỷ lệ phân biệt là dưới -10 dB thì các
dung sai theo chiều rộng và chiều dài tương ứng là ±8 nm và ±2 µm một cách tương ứng.

93
Những dung sai này là khá lớn nên cấu kiện dễ dàng được chế tạo, sản xuất với công nghệ
quang khắc hiện hành [49] [19].

Công suất đầu ra chuẩn hóa (dB) I.L

Ex.R
Cr.T
I.L
Ex.R
Cr.T
I.L
Ex.R
Cr.T

Sai khác hệ số chiết suất của lớp lõi

Hình 4.10. Sai khác hệ số chiết suất của triplexer.

Cuối cùng, mô phỏng về dung sai chế tạo của vật liệu cho lớp lõi ống dẫn sóng cũng
được khảo sát. Kết quả mô phỏng được trình bày trên Hình 4.10. Chúng ta có thể thấy rằng
nếu sai lệch của các hệ số chiết suất giữa lớp lõi và lớp vỏ thay đổi với biên độ khoảng
0.0045 (vào khoảng 1.7%) thì suy hao chèn, tỷ lệ phân biệt và xuyên nhiễu sẽ tương ứng
nhỏ hơn -2 dB, -10 dB và -10 dB. Các giá trị này là khá tốt do vậy phù hợp cho công nghệ
chế tạo vật liệu ống dẫn sóng SOI trong thực tế hiện nay.

4.3 Thiết kế bộ triplexer dựa trên phân tầng hai bộ ghép đa mode
2×2 hình cánh bƣớm sử dụng ống dẫn sóng silic
Trong thiết kế này, một cấu trúc mới cho một triplexer tích hợp cao bằng cách sử dụng
hai ống dẫn sóng đa mode với vật liệu silic dạng sườn. Hai bộ ghép đa mode được sử dụng
bằng cách phân tầng hai phần để tách riêng các bước song 1310 nm, 1490 nm và 1550 nm
ra ba cổng riêng biệt. Phương pháp mô phỏng số 3D-BPM và phương pháp hệ số chiết suất
hiệu dụng được sử dụng để thiết kế và tối ưu toàn bộ cấu kiện.

Sơ đồ hoạt động cơ bản của triplexer đề xuất được trình bày trên Hình 4.11. Cấu trúc
đề xuất gồm có hai phần. Phần đầu tiên gồm một bộ ghép đa mode 2×2 hình cánh bướm
được sử dụng để phân kênh các bước sóng 1310 nm và 1550 nm tới một cổng ra trong khi
bước sóng 1490 nm được tách riêng ra một cổng ra khác. Bộ ghép đa mode 2×2 ở tầng thứ
hai cũng là một bộ ghép hình cánh bướm khác, được dùng để tách riêng ra hai bước sóng
1310 nm và 1550 nm đến hai cổng ra cuối một cách riêng biệt. Như vậy, nhiệm vụ thiết kế
tách riêng ra ba bước sóng sẽ được hoàn tất.

94
4.3.1Phân tích thiết kế và tối ƣu cấu trúc

Port 3 Port 1 Port 2

(Cổng 3) (Cổng 1) (Cổng 2)
1310 nm
1550 nm
1490 nm
s=0.65
µm

2×2 GI-MMI
g.W
LMMI=306.5 µm
g=0.8

lb=4 µm S=0.61 µm
L=900 µm
2×2 GI-MMI

f.W
LMMI=361.5 µm
f=0.8

Ống dẫn sóng

la=20 µm
búp măng
w=360 nm
W=2.4 µm
Input
(Đầu vào)

(a)

Không khí:
nair=1 360 nm
Lớp vỏ trên w
400 H
32 nm
Si: nr=3.45 Lớp lõi h
nm
SiO2: 3
Lớp vỏ
nc=1.46 µm

Si: nr=3.45 Lớp đế

(b)
Hình 4.11. Sơ đồ đề xuất của bộ triplexer dựa trên phân tầng các bộ ghép đa mode sử dụng các
ống dẫn sóng silic: (a) Hình chiếu bằng; (b) Hình chiếu đứng và mode cơ sở của ống dẫn
sóng đầu vào tại bước sóng 1550 nm.
95
 Phần đầu với nhiệm vụ tách ba bước sóng trong đó hai bước sóng 1310 nm và 1550
nm được đưa ra cùng một cổng của tầng giao thoa đa mode thứ nhất trong khi bước sóng
1490 nm được tách ra một cổng riêng ở tầng thứ nhất, chúng ta sử dụng cấu hình ống dẫn
sóng giao thoa đa mode như đã trình bày ở phần trước (trong cấu trúc sử dụng lai ghép
giữa ống dẫn sóng đa mode hình cánh bướm với một bộ ghép định hướng để thiết kế bộ
triplexer), chúng ta nhận được chiều dài ống dẫn sóng đa mode tầng thứ nhất này LMMI =
361.5 µm là giá trị phù hợp nhất để đạt được hiệu năng truyền đạt tốt như được thấy trên
Hình 4.3.
Hệ số truyền đạt (a.u)

cổng thẳng

cổng chéo

cổng thẳng

cổng chéo

Chiều dài của MMI thứ hai: lMMI (µm)

Hình 4.12. Mô phỏng 3D-BPM cho chiều dài tối ưu của bộ ghép đa mode hình cánh bướm thứ hai.

Tiếp theo, công việc còn lại là thiết kế một bộ ghép đa mode tầng thứ hai. Bộ ghép này
có nhiệm vụ tách riêng hai bước sóng 1310 nm và 1550 nm ra hai cổng ra riêng rẽ. Bằng
cách sử dụng phương pháp tương tự như khi thiết kế tầng thứ nhất, chúng ta sẽ thiết kế
một bộ ghép 2×2 MMI để tách chúng. Bộ ghép hình cánh bướm này co độ rộng tại trung
tâm của cánh bướm là g.W, ở đây g là một hệ số tỷ lệ: 0<g<1. Chúng ta đặt tham số này
g=0.8. Dựa trên phương pháp phân tích của điều kiện để tạo ảnh ở đầu ra của hai bước
sóng ra hai cổng khác nhau thì chiều dài lMMI của tầng giao thoa hình cánh bướm tầng thứ
hai này phải thỏa mãn biểu thức sau đây:

lMMI  u.3L ( 1310nm )  v.3L ( 1550nm )

(4.12)

Trong đó: u và v là các hệ số nguyên dương và chẵn lẻ khác nhau (u+v phải là số nguyên
dương lẻ). Dựa vào tính toán bằng phương pháp hệ số chiết suất hiệu dụng và sử dụng mô
phỏng số BPM chúng ta tìm ra được lMMI = 306.5 µm là chiều dài tối ưu để đạt được chất
lượng hiệu năng về suy hao chèn và tỷ lệ phân biệt tốt như được thể hiện trên Hình 4.12.
Các ống dẫn sóng hình búp măng tuyến tính được sử dụng để kết nối tới các ống dẫn
96
sóng truy nhập và ống dẫn sóng đa mode với mục đích cải thiện tổn thất công suất do ghép
nối. Trong trường hợp này, mô phỏng BPM cho kết quả kích thước tối ưu của các ống dẫn
sóng búp măng này là chiều dài lb = 4 µm, chiều rộng các đáy nhỏ và đáy lớn của nó tương
ứng là 0.36 µm và 1.116 µm. Mô phỏng BPM cũng chỉ ra vị trí thích hợp nhất để đạt được
chất lượng hiệu năng tốt hoạt động với hai bước sóng tại các cổng đầu ra mong muốn là: s
= 0.65 µm. Trong cấu trúc này, bước sóng 1310 nm và 1550 nm sẽ được rẽ tại các cổng ra
thẳng và cổng ra chéo một cách tương ứng. Chiều dài tổng cộng của bộ triplexer như đề
xuất theo thiết kế này vào khoảng 900 µm như được thấy trong Hình 4.11(a).

a) b) c)

(a) (b) (c)

Hình 4.13. Đường bao phân bố điện trường cho triplexer đề xuất tại ba bước sóng:

(a) 1310 nm, (b) 1490 nm và (c) 1550 nm

4.3.2 Kết quả mô phỏng và thảo luận

Bằng cách sử dụng phương pháp mô phỏng 3D-BPM bán véc tơ, tiến trình truyền của
tín hiệu quang trong triplexer đã đề xuất được mô phỏng cho tất cả các cổng.
(a) (b) (c)

Hình 4.13 biểu diễn các đường bao phân bố điện trường cho ba bước sóng. Ta cũng
xem xét các tham số phẩm chất cho hiệu năng hoạt động của cấu kiện về mặt quang học,
đó là suy hao chèn (I.L), tỷ lệ phân biệt (Ex.R) và xuyên nhiễu (Cr.T). Các tham số này là
quan trọng biểu thị cho hiệu năng hoạt động của một cấu kiện quang học. Chúng được xác
định bởi các biểu thức tính toán giống như đã trình bày tại (4.9), (4.10), (4.11).
Các kết quả mô phỏng được trình bày như trên Bảng 4.2. Chúng cho thấy rằng:
triplexer như thiết kế đề xuất có suy hao chèn thấp, xuyên nhiễu nhỏ và tỷ lệ phân biệt cao.
97
Do vậy, chất lượng hiệu năng về mặt quang học của triplexer là tốt.
Bảng 4.2. Công suất ra (được chuẩn hóa theo công suất đầu vào) ba cổng của triplexer đề
xuất tại ba bước sóng
Bước sóng (nm) I.L (dB) Cr.T (dB) Ex.R (dB)

1310 (Cổng1) -0.77 -18.57 -16

1490 (Cổng 2) -0.4 -13.18 -22
1550 (Cổng 3) -0.63 -23.31 -15

Hình 4.14. Đáp ứng theo bước sóng của triplexer đề xuất tại ba cổng.

Chúng ta mô phỏng đáp ứng bước sóng tại ba cổng của triplexer. Các kết quả mô
phỏng được trình bày trong Hình 4.14. Dữ liệu mô phỏng cho thấy rằng: 3 dB băng thông
của suy hao chèn trong ba băng tương ứng với 24 nm (từ 1300 nm đến 1324 nm) của băng
1310 nm (port1), 40 nm ( từ 1470 nm đến 1510 nm) của băng 1490 nm (port2) và 34 nm
(từ 1531 nm đến 1565 nm) của băng 1550 nm (port 3). Do vậy, băng thông của triplexer là
lớn (lớn hơn so với tham khảo [112] với mode hoạt động TE ). Thêm nữa, chất lượng hiệu
năng quang về suy hao chèn và xuyên nhiễu được thấy là tốt hơn một số kết quả nghiên
cứu đã được công bố mà được thiết kế dựa trên kỹ thuật mạch quang phẳng (PLCs) gần
đây [23] [141]. Ngoài ra có thể thấy rằng, kích thước của triplexer đề xuất là nhỏ hơn một
số tham khảo kết quả công bố gần đây [73]. Rõ ràng là triplexer đề xuất thích hợp cho các
mạch tích hợp quang tử mật độ cao.
Kế đến, chúng ta khảo sát dung sai chế tạo của cấu kiện theo chiều rộng và chiều dài
của ống dẫn sóng đa mode hình cánh bướm. Để khảo sát, ta khảo sát trường hợp của ống
dẫn sóng hình cánh bướm thứ nhất (ống dẫn sóng thứ hai cũng khảo sát theo cách hoàn
toàn tương tự) như thấy trong Hình 4.15. Dữ liệu mô phỏngBPM được xử lý và vẽ ra trên
hệ tọa độ cho thấy rằng với suy hao chèn nhỏ hơn 2 dB, xuyên nhiễu và tỷ lệ phân biệt nhỏ
hơn -12 dB thì dung sai theo chiều rộng và chiều dài tương ứng lần lượt là ±5 nm và ±1
98
µm.

Hệ số truyền đạt (dB)

I.L
Ex.R
Cr.T
I.L
Ex.R
Cr.T
I.L
Ex.R
Cr.T

Dung sai chiều rộng (nm)

(a)

I.L
Ex.R
Hệ số truyền đạt (dB)

Cr.T
I.L
Ex.R
Cr.T
I.L
Ex.R
Cr.T

Dung sai chiều dài (µm)

(b)
Hình 4.15. Dung sai chế tạo cho triplexer được đề xuất: (a) dung sai theo chiều rộng,

(b) dung sai theo chiều dài.

Những khoảng dung sai này là khá lớn, do đó thích hợp với công nghệ chế tạo bằng
công nghệ quang khắc (photolithography) hiện hành [49].

Cuối cùng, mô phỏng dung sai chế tạo về mặt vật liệu cũng được khảo sát và nghiên
cứu. Ta khảo sát dung sai chế tạo về hệ số chiết suất của lớp lõi ống dẫn sóng (silic). Các
kết quả mô phỏng được trình bày trong Hình 4.16. Chúng ta có thể thấy rằng nếu hệ số
chiết suất thay đổi xung quanh giá trị 3.45 (hệ số chiết suất của vật liệu tinh thể silic) với
biên độ là 0.017 (vào khoảng 5%), suy hao chèn, tỷ lệ phân biệt và xuyên nhiễu sẽ lần lượt
99
nhỏ hơn -2 dB, -12 dB và -12 dB. Do vậy, dung sai hệ số chiết suất của cấu kiện là khá lớn.

I.L
Ex.R

Hệ số truyền đạt (dB)

Cr.T
I.L
Ex.R
Cr.T
I.L
Ex.R
Cr.T

Sai khác hệ số chiết suất của lớp lõi

Hình 4.16. Dung sai chế tạo vật liệu lớp lõi của triplexer đề xuất.

4.4 Kết luận chƣơng

Chương này luận án đã giới thiệu hai kiểu thiết kế một bộ triplexer. Cách thứ nhất: bộ
triplexer kích thước nhỏ mới bằng cách sử dụng một bộ ghép đa mode 2×2 kiểu hình cánh
bướm và một bộ ghép định hướng dựa trên các ống dẫn sóng sườn silic. Bộ ghép đa mode
được sử dụng để phân kênh bước sóng 1490 nm ra một cổng, phân kênh hai bước sóng
1310 nm và 1550 nm ra một cổng. Trong khi đó, bộ ghép định hướng và các bộ ghép hình
sin sử dụng để phân kênh bước sóng 1310 nm và 1550 nm. Cách thứ hai: một triplexer tích
hợp rất cao bằng cách sử dụng cấu trúc ghép hai tầng ống dẫn sóng giao thoa đa mode hình
cánh bướm kích thước 2×2 mà được xây dựng trên nền tảng ống dẫn sóng silic dạng sườn.
Những bộ ghép đa mode được sử dụng để phân tách riêng rẽ ba bước sóng 1310 nm, 1490
nm và 1550 nm đến ba cổng ra riêng rẽ. Cấu kiện đề xuất có suy hao nhỏ và độ tích hợp
cao. Các kết quả mô phỏng số bằng phương pháp truyền chùm bán véc tơ trong không gian
ba chiều (3D-SV BPM) kết hợp với phương pháp hệ số chiết suất hiệu dụng (EIM) cho
thấy rằng cấu kiện được đề xuất có chất lượng hiệu năng tốt, băng thông cao và dung sai
chế tạo khá lớn. Do vậy chúng có thể được sử dụng hiệu quả trong ứng dụng của hệ thống
truy nhập FTTH và các mạng truy nhập quang khác.

100
Kết luận và hƣớng phát triển
Các bộ ghép đa mode đã được các nghiên cứu khoa học chứng tỏ là một trong những
ứng cử viên tốt cho việc thiết kế các vi mạch, cấu kiện quang tích hợp bởi các ưu điểm về:
tính ổn định, băng thông tương đối cao, suy hao ghép nối khá thấp đặc biệt là dung sai chế
tạo lớn và tương thích công nghệ chế tạo bán dẫn CMOS cho chi phí sản xuất thấp.
Nghiên cứu các phương pháp thiết kế dựa trên phương pháp phân tích truyền mode kết
hợp với phương pháp hệ số (chiết suất) hiệu dụng. Sau đó, tính toán và tối ưu bằng các
phương pháp mô phỏng số, đặc biệt là phương pháp mô phỏng BPM.
Luận án này đã trình bày các thiết kế của một số cấu kiện vi mạch tích hợp quang dựa
trên các bộ ghép giao thoa đa mode ứng dụng để xây dựng các thành phần chức năng xử lý
tín hiệu trong mạng thông tin toàn quang.
Phần tiếp theo sẽ trình bày tóm tắt những đóng góp khoa học chính và đề xuất các
hướng nghiên cứu phát triển tương lai của luận án.

Đóng góp khoa học của luận án

Các nội dung nghiên cứu được chỉ ra sau đây lần đầu tiên được đề xuất và thực hiện
trong luận án này. Đây cũng chính là các đóng góp khoa học của luận án:
1) Các bộ ghép giao thoa đa mode 2×2 dựa trên nền tảng vật liệu SOI để tạo ra các bộ
chia công suất bất đối xứng với nhiều tỷ số chia mới và bộ chia trạng thái phân cực được
trình bày đầu tiên ở luận án. Các bộ chia này có cấu trúc hình học không phức tạp với
nhiều ưu điểm về các đặc tính quang học tốt như: băng thông rộng, tổn hao ghép nối khá
thấp, xuyên nhiễu nhỏ và dung sai chế tạo khá lớn. Một số tỷ số chia với sự bất đối xứng
lớn đạt được chẳng hạn bộ chia với tỷ số chia 98:2 mới cũng đạt được lần đầu tiên trong đề
xuất ở phần đầu của luận án này. Kết quả này được công bố trong một bài báo quốc tế ISI:
Photonics Nanostructures - Fundam. Appl., vol. 11, no. 3, pp. 217–225, Aug. 2013 và một
bài báo hội nghị quốc tế: 2014 IEEE Fifth International Conference on Communications
and Electronics (ICCE), 2014.
2) Bằng cách sử dụng cấu hình ghép MMI-MZI với các ống dẫn sóng ở phần giữa nối
giữa hai vùng giao thoa đa mode được sử dụng làm các bộ dịch pha, bộ chuyển mạch toàn
quang với các trạng thái chuyển mạch không bị cản đã được đề xuất lần đầu tiên trong
phần tiếp theo của luận án. Các thiết kế cụ thể và mới của các bộ chuyển mạch toàn quang
2×2 hoặc 3×3 sử dụng các hiệu ứng phi tuyến Kerr dựa trên vật liệu thủy tinh chalcogenide
As2S3 hoặc hiệu ứng Pockel dựa trên vật liệu tinh thể AgGaSe2 tạo dịch pha được đề xuất
để tạo ra các bộ chuyển mạch toàn quang không bị cản 2×2 hoặc 3×3. Các bộ chuyển mạch
quang với chất lượng hiệu năng quang học tốt được chứng tỏ một cách chi tiết trong phần
trình bày này của luận án. Kết quả này được công bố trong ba bài báo quốc tế ISI:
Photonics Nanostructures - Fundam. Appl., vol. 11, no. 3, pp. 261–269, Aug. 2013,
Photonics Nanostructures - Fundam. Appl., vol. 11, no. 3, pp. 210–216, Aug. 2013, Opt.
101
Commun., vol. 292, pp. 78–83, Apr. 2013, một bài báo quốc tế: Appl. Phys. Res., vol. 5,
no. 3, pp. 58–69, May 2013 và hai bài báo trong nước: J. Sci. Technol. ,Technical Univ.,
vol. 95, no. C, pp. 165–170, 2013 và J. Sci. Technol. ,Vietnam Acad. Sci. Technol., vol. 51,
no. 1A, pp. 60–73, 2013.

3) Cuối cùng, luận án đề xuất các thiết kế mới để xây dựng nên các bộ ghép/phân kênh ba
bước sóng –triplexer của các bước sóng cơ bản 1310 nm, 1490 nm và 1550 nm cho các
ứng dụng của mạng truy nhập FTTH. Các bộ tripexer được xây dựng dựa trên nền tảng vật
liệu SOI bằng cách sử dụng bộ ghép đa mode 2×2 được ghép tầng hoặc kết hợp với một bộ
ghép định hướng. Các cấu trúc này đạt được chất lượng hiệu năng hệ thống tốt như: suy
hao thấp (không quá 0.8 dB), băng thông khá cao đáp ứng yêu cầu của tiêu chuẩn ITU-
G.983 với dung sai chế tạo phù hợp với công nghệ chế tạo CMOS cho sản xuất ống dẫn
sóng. Kết quả này được công bố trong hai bài báo quốc tế ISI: Opt. Commun., vol. 312, pp.
57–61, Feb. 2014, Opt. Quantum Electron., Apr. 2014 và một bài báo hội thảo trong nước:
2013 National Conference on Electronics and Communications (REV), pp. 134–139, 2013.

Hƣớng phát triển tƣơng lai của luận án

Hướng phát triển cho các nghiên cứu tiếp theo trong tương lai của luận án được tác giả
luận án đề xuất:
 Toàn bộ các nghiên cứu đề xuất hoàn toàn có khả năng ứng dụng thực tiễn để chế tạo
ra các cấu kiện thành phần mạng toàn quang, chẳng hạn các triplexer ứng dụng cho
mạng FTTH.
 Một đề xuất sử dụng cấu trúc giao thoa đa mode để thiết kế các bộ điều chế pha lưỡng
cực DPSK để áp dụng cho các hệ thống thông tin quang tốc độ cao hoặc thiết kế các
phần tử 90o –hybrid [150] sử dụng trong những hệ thống thông tin quang kết hợp
(coherent).
 Một hướng phát triển nữa là sử dụng cấu trúc giao thoa đa mode sử dụng các ống dẫn
sóng hình búp măng tạo ra các dịch pha cố định để chuyển đổi bậc của mode hoặc
chuyển đổi các mode phân cực để tạo ra các bộ ghép/phân kênh phân chia theo mode.
Để kết thúc, tác giả luận án xin được đề xuất một hướng phát triển được kỳ vọng sẽ
phát triển bùng nổ trong tương lai tới đây. Đó là: sử dụng cấu trúc đa mode để dẫn và xử lý
tín hiệu dao động bề mặt (surface plasmons hay plasmonics) hoặc các ống dẫn sóng đa
mode lai ghép plasmonic (hybrid plasmonic) [109] [96]. Bởi vì, hiện nay công nghệ chế
tạo vật liệu bán dẫn hiện tại phát triển đã gần tới “giới hạn nhiễu xạ” (diffraction limit)
[89]. Do đó, để nghiên cứu phát triển các mạch tích hợp kích thước nano (nanoscale optics
hoặc subwavelength optics) thì cần sử dụng hiệu ứng dao động, cộng hưởng và tán xạ bề
mặt. Hiệu ứng này xuất hiện các mode đặc biệt được gọi là các mode dao động bề mặt
(surface plasmon polaritons –SPP) tại bề mặt tiếp xúc giữa hai giao diện kim loại – điện
môi (metal – dielectric). Các mode đặc biệt này có thể được truyền và bắt giữ dọc theo bề
mặt tiếp xúc của hai giao diện với kích thước rất nhỏ cỡ vài chục đến vài trăm nanomét
102
(nanoscale) [13] [12]. Do vậy, nghiên cứu về việc dẫn truyền, xử lý các mode này hoặc các
mode lai trong các cấu trúc kích thước nano là một hướng nghiên cứu có tính chất đột phá
và sẽ sôi động trong tương lai [97] [8]. Nghiên cứu về quang tử plasmonics dựa trên lai
ghép vật liệu oxide bán dẫn và sử dụng hiệu ứng plasmons bề mặt ứng dụng với hiệu ứng
giao thoa đa mode (hiệu ứng Talbot) để thiết kế các vi mạch chức năng [25] [70] [7], [35],
[116], [129] tích hợp cỡ rất lớn với tốc độ cao đang là xu hướng nghiên cứu có tính đột phá
và rất hấp dẫn cho mạch tích hợp quang tử. Đó cũng là con đường chủ đạo dẫn đến “mạch
quang tích hợp kích thước dưới bước sóng” (sub wavelength integrated circuits).

103
 DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH ĐÃ CÔNG BỐ CỦA LUẬN ÁN
1. C. D. Truong, D. H. Tran, T. A. Tran, and T. T. Le, “3×3 Multimode interference
optical switches using electro-optic effects as phase Shifters,” Opt. Commun., vol. 292,
pp. 78–83, Apr. 2013.
2. C. Dung Truong, T. Thanh Le, and D. Han Tran, “All-Optical Switches Based on 3×3
Multimode Interference Couplers Using Nonlinear Directional Couplers,” Appl. Phys.
Res., vol. 5, no. 3, pp. 58–69, May 2013.
3. C.-D. Truong and T.-T. Le, “Power splitting ratio couplers based on MMI structures
with high bandwidth and large tolerance using silicon waveguides,” Photonics
Nanostructures - Fundam. Appl., vol. 11, no. 3, pp. 217–225, Aug. 2013.
4. T. T. Le and C. D. Truong, “All-optical switches based on 3×3 generalized multimode
interference structure,” Photonics Nanostructures - Fundam. Appl., vol. 11, no. 3, pp.
261–269, Aug. 2013.
5. C. D. Truong, D. H. Tran, and T. T. Le, “Design of an insensitive-polarization all-
optical switch based on multimode interference structures,” Photonics Nanostructures -
Fundam. Appl., vol. 11, no. 3, pp. 210–216, Aug. 2013.
6. C. D. Truong, T. A. Tran, D. H. Tran, Q. Tran, and T. T. Le, “A novel all-optical
switch based on 2×2 multimode interference structures using chalcogenide glass,” J.
Sci. Technol. ,Technical Univ., vol. 95, no. C, pp. 165–170, 2013.
7. C. D. Truong, T. A. Tran, T. T. Le, and D. H. Tran, “1×3 all optical switches based on
multimode interference couplers using nonlinear directional couplers,” J. Sci. Technol.
,Vietnam Acad. Sci. Technol., vol. 51, no. 1A, pp. 60–73, 2013.
8. C. D. Truong, X. L. Bui, D. H. Tran, T. L. Nguyen, and T. T. Le, “A Novel
Demultiplexer Based on a 2×2 Butterfly MMI Coupler and a Directional Coupler
Using Silicon Waveguides,” in Electronics and Communications (REV), 2013 National
Conference on, 2013, pp. 134–139.
9. C. D. Truong, D. H. Tran, V. C. Hoang, and T. T. Le, “A Butterfly MMI Waveguides
Based Polarization Beam Splitter Etched on SOI platform,” in Communications and
Electronics (ICCE), 2014 IEEE Fifth International Conference on, 2014, pp. 425–429.
10. C. Dung Truong, T. Anh Tran, and D. Han Tran, “A design of triplexer based on a
2×2 butterfly MMI coupler and a directional coupler using silicon waveguides,” Opt.
Commun., vol. 312, pp. 57–61, Feb. 2014.
11. C. D. Truong and V. C. Hoang, “A triplexer based on cascaded 2×2 butterfly MMI
couplers using silicon waveguides,” Opt. Quantum Electron., Apr. 2014.

104
Tài liệu tham khảo
[1] Aamer, M., A. M. Gutierrez, A. Brimont, D. Vermeulen, G. Roelkens, J. Fedeli, A.
Håkansson, and P. Sanchis, “CMOS Compatible Silicon-on-Insulator Polarization
Rotator Based on Symmetry Breaking of the Waveguide Cross Section,” IEEE
Photonics Technol. Lett., vol. 24, no. 22, pp. 2031–2034, 2012.
[2] Agrawal, G. P., Lightwave Technology. John Wiley&Sons, 2005.
[3] Agrawal, G. P., “Govind Agrawal - Fiber-Optic Communication Systems.” John
Wiley&Sons, 1997.
[4] Agrawal, G. P., Nonlinear fiber optics, Third edit. Academic Press, 2001.
[5] Al-Hetar, A. M., A. B. Mohammad, A. S. M. Supa’at, and Z. A. Shamsan, “MMI-
MZI Polymer Thermo-Optic Switch With a High Refractive Index Contrast,” J.
Light. Technol., vol. 29, no. 2, pp. 171–178, Jan. 2011.
[6] Augustin, L. M., J. J. G. M. Van Der Tol, and R. Hanfoug, “Monolithically
integrated SOA-MZI array in InP / InGaAsP , suited for flip-chip packaging,” in
Proceedings Symposium IEEE/LEOS, 2007, pp. 75–78.
[7] Babicheva, V. E., R. Malureanu, and A. V. Lavrinenko, “Plasmonic finite-thickness
metal–semiconductor–metal waveguide as ultra-compact modulator,” Photonics
Nanostructures - Fundam. Appl., vol. 11, no. 4, pp. 323–334, Nov. 2013.
[8] Babicheva, V. E., “Ultra-compact plasmonic waveguide modulators,” no. October,
2013.
[9] Bachmann, M., P. A. Besse, and H. Melchior, “General self-imaging properties in N
× N multimode interference couplers including phase relations.,” Appl. Opt., vol. 33,
no. 18, pp. 3905–3911, 1994.
[10] Bachmann, M., P. a Besse, and H. Melchior, “Overlapping-image multimode
interference couplers with a reduced number of self-images for uniform and
nonuniform power splitting.,” Appl. Opt., vol. 34, no. 30, pp. 6898–910, Oct. 1995.
[11] Bahrami, A., S. Mohammadnejad, and A. Rostami, “All-Optical Multi-Mode
Interference Switch Using Non-Linear Directional Coupler as a Passive Phase
Shifter,” Fiber Integr. Opt., vol. 30, no. 3, pp. 139–150, Jun. 2011.
[12] Barnes, W. L., “Surface plasmon–polariton length scales: a route to sub-wavelength
optics,” J. Opt. A Pure Appl. Opt., vol. 8, no. 4, pp. S87–S93, Apr. 2006.
[13] Barnes, W. L., A. Dereux, and T. W. Ebbesen, “Surface plasmon subwavelength
optics,” Nature, vol. 424, no. August, pp. 824–830, 2003.
[14] Barwicz, T., M. R. Watts, M. A. Popović, P. T. Rakich, L. Socci, F. X. Kärtner, E.
P. Ippen, and H. I. Smith, “Polarization-transparent microphotonic devices in the
strong confinement limit,” Nat. Photonics, vol. 1, no. 1, pp. 57–60, Jan. 2007.
[15] Besse, P. A., E. Gini, M. Bachmann, and H. Melchior, “New 2 x 2 and 1x3 ultimode
Interfere with Free Selection of Power Splitting Ratios,” J. Light. Technol., vol. 14,
no. 10, pp. 2286–2293, 1996.
[16] Bickel, N. and P. LiKamWa, “2×2 Quantum Dot Based Switching Device
Employing Multimode Interference Effects,” Proc. SPIE, vol. 7339, p. 73390A,
2009.

105
[17] Bidnyk, S., D. Feng, A. Balakrishnan, M. Pearson, M. Gao, H. Liang, W. Qian, C.-
C. Kung, J. Fong, J. Yin, and M. Asghari, “SOI waveguide based planar reflective
grating demultiplexer for FTTH,” Proc. SPIE, vol. 6477, p. 64770F–64770F–6,
2007.
[18] Bock, P. J., P. Cheben, D.-X. Xu, S. Janz, and T. J. Hall, “Mirror cavity MMI
coupled photonic wire resonator in SOI.,” Opt. Express, vol. 15, no. 21, pp. 13907–
12, Oct. 2007.
[19] Bogaerts, W., P. Dumon, D. Van Thourhout, and R. Baets, “Low-loss, low-cross-
talk crossings for silicon-on-insulator nanophotonic waveguides,” Opt. Lett., vol. 32,
no. 19, pp. 2801–3, Oct. 2007.
[20] Bogaerts, W., S. K. Selvaraja, P. Dumon, J. Brouckaert, K. De Vos, D. Van
Thourhout, and R. Baets, “Silicon-on-Insulator Spectral Filters Fabricated With
CMOS Technology,” IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., vol. 16, no. 1, pp. 33–
44, 2010.
[21] Bryngdahl, O., “Image formation using self-imaging techniques*,” J. Opt. Soc. Am.,
vol. 63, no. 4, pp. 416–419, 1973.
[22] Cahill, L., “Optical Switching Using Cascaded Generalised Mach-Zehnder
Switches,” TENCON 2005 - 2005 IEEE Reg. 10 Conf., pp. 1–5, Nov. 2005.
[23] Chang, H.-H., Y. Kuo, R. Jones, A. Barkai, and J. E. Bowers, “Integrated hybrid
silicon triplexer,” Opt. Express, vol. 18, no. 23, pp. 23891–9, Nov. 2010.
[24] Chen, H., Y. Xu, J. He, and Z. Hong, “A polarization splitter based on self-imaging
phenomena in an anisotropic photonic crystal with an absolute photonic band gap,”
Opt. Commun., vol. 282, no. 17, pp. 3626–3629, Sep. 2009.
[25] Chheang, V., T. Lee, G. Oh, H. Kim, B. Lee, D. G. Kim, and Y. Choi, “Compact
polarizing beam splitter based on a metal-insulator-metal inserted into multimode
interference coupler,” Opt. Express, vol. 21, no. 18, pp. 2384–2386, 2013.
[26] Chiang, J., N. Sun, S. Member, and S. Lin, “Analysis of an Ultrashort PCF-Based
Polarization Splitter,” J. Light. Technol., vol. 28, no. 5, pp. 707–713, 2010.
[27] Chiang, K. S., “Performance of the effective-index method for the analysis of
dielectric waveguides,” Opt. Lett., vol. 16, no. 10, p. 714, 1991.
[28] Correia, D., S. Member, J. P. Silva, and S. Member, “Genetic Algorithm and Finite-
Element Design of Short Single-Section Passive Polarization Converter,” IEEE
Photonics Technol. Lett., vol. 15, no. 7, pp. 915–917, 2003.
[29] Crank, J. and P. Nicolson, “A practical method for numerical evaluation of solutions
of partial differential equations of the heat-conduction type,” Math. Proc.
Cambridge Philos. Soc., vol. 43, no. 01, pp. 50–67, 1947.
[30] Culverhouse, D. O., T. A. Birks, S. G. Farwell, and P. S. J. Russell, “3x3 All-Fiber
Routing Switch,” IEEE Photonics Technol. Lett., vol. 9, no. 3, pp. 333–335, Mar.
1997.
[31] Dai, D. and J. E. Bowers, “Novel ultra-short and ultra-broadband polarization beam
splitter based on a bent directional coupler.,” Opt. Express, vol. 19, no. 19, pp.
18614–20, Sep. 2011.

106
[32] Dai, D., S. Liu, S. He, S. Member, and Q. Zhou, “Optimal Design of an MMI
Coupler for Broadening the Spectral Response of an AWG Demultiplexer,” J. Light.
Technol., vol. 20, no. 11, pp. 1957–1961, 2002.
[33] Danaie, M. and H. Kaatuzian, “Improvement of power coupling in a nonlinear
photonic crystal directional coupler switch,” Photonics Nanostructures Fundam.
Appl., vol. 9, no. 1, pp. 70–81, 2011.
[34] Decorby, R., H. Nguyen, P. Dwivedi, and T. Clement, “Planar omnidirectional
reflectors in chalcogenide glass and polymer.,” Opt. Express, vol. 13, no. 16, pp.
6228–33, Aug. 2005.
[35] Dennis, M. R., N. I. Zheludev, and F. J. García de Abajo, “The plasmon Talbot
effect,” Opt. Express, vol. 15, no. 15, pp. 9692–700, Jul. 2007.
[36] Doerr, C. R., M. Cappuzzo, L. Gomez, E. Chen, A. Wong-Foy, C. Ho, J. Lam, and
K. McGreer, “Planar lightwave circuit eight-channel CWDM multiplexer with <3.9-
dB insertion loss,” J. Light. Technol., vol. 23, no. 1, pp. 62–65, Jan. 2005.
[37] Dumon, P., S. Member, W. Bogaerts, V. Wiaux, J. Wouters, S. Beckx, J. Van
Campenhout, D. Taillaert, B. Luyssaert, P. Bienstman, and D. Van Thourhout,
“Low-Loss SOI Photonic Wires and Ring Resonators Fabricated With Deep UV
Lithography,” IEEE Photonics Technol. Lett., vol. 16, no. 5, pp. 1328–1330, 2004.
[38] Earnshaw, M. and D. Allsopp, “Semiconductor space switches based on multimode
interference couplers,” J. Light. Technol., vol. 20, no. 4, pp. 643–650, 2010.
[39] Feit, M. D. and J. a Fleck, “Light propagation in graded-index optical fibers.,” Appl.
Opt., vol. 17, no. 24, pp. 3990–3998, 1978.
[40] Feit, M. D. and J. a Fleck, “Computation of mode eigenfunctions in graded-index
optical fibers by the propagating beam method.,” Appl. Opt., vol. 19, no. 13, pp.
2240–2246, 1980.
[41] Feng, D. J. Y., T. S. Lay, and T. Y. Chang, “Waveguide couplers with new power
splitting ratios made possible by cascading of short multimode interference
sections,” Opt. Express, vol. 15, no. 4, pp. 0–5, 2007.
[42] Finsterbusch, K., N. Baker, V. G. Ta, B. J. Eggleton, D. Choi, and S. Madden,
“Long-period gratings in chalcogenide (As2S3) rib waveguides,” Electron. Lett.,
vol. 42, no. 19, pp. 19–20, 2006.
[43] Fogli, F., G. Bellanca, and P. Bassi, “TBC and PML conditions for 2D and 3D
BPM: a comparison,” Opt. quantum Electron., vol. 30, pp. 443–456, 1998.
[44] Fogli, F., L. Saccomandi, P. Bassi, G. Bellanca, and S. Trillo, “Full vectorial BPM
modeling of Index-Guiding Photonic Crystal Fibers and Couplers.,” Opt. Express,
vol. 10, no. 1, pp. 54–59, 2002.
[45] Green, W., R. Lee, G. Derose, A. Scherer, and A. Yariv, “Hybrid InGaAsP-InP
Mach-Zehnder Racetrack Resonator for Thermooptic Switching and Coupling
Control,” Opt. Express, vol. 13, no. 5, pp. 1651–1659, 2005.
[46] H.H.Li, “Refractive index of silicon and germanium and its wavelength and
temperature derivatives,” J. Phys. Chem. Ref. Data, vol. 9, no. 3, pp. 561–658, 1980.
[47] Hadley, G. R., “Multistep method for wide-angle beam propagation,” Opt. Lett., vol.
17, no. 24, pp. 1743–5, Dec. 1992.

107
[48] Hadley, G. R. and R. E. Smith, “Full-vector waveguide modeling using an iterative
finite-difference method with transparent boundary conditions,” J. Light. Technol.,
vol. 13, no. 3, pp. 465–469, 1995.
[49] Harriott, L. R., “Limits of lithography,” Proc. IEEE, vol. 89, no. 3, pp. 366–374,
Mar. 2001.
[50] Headley, C. and G. P. Agrawal, Raman Amplification in Fiber Optical
Communication Systems. Elsevier Academic Press, 2005.
[51] Hill, M. T., A. Member, X. J. M. Leijtens, G. D. Khoe, M. K. Smit, and S. Member,
“Optimizing Imbalance and Loss in 2×2 3-dB Multimode Interference Couplers via
Access Waveguide Width,” J. Light. Technol., vol. 21, no. 10, pp. 2305–2313, 2003.
[52] Hong, J. M., H. H. Ryu, S. R. Park, J. W. Jeong, S. G. Lee, E. Lee, S. Member, S.
Park, D. Woo, and S. Kim, “Design and Fabrication of a Significantly Shortened
Multimode Interference Coupler for Polarization Splitter Application,” IEEE
Photonics Technol. Lett., vol. 15, no. 1, pp. 72–74, 2003.
[53] Hu, M. H., S. Member, J. Z. Huang, R. Scarmozzino, M. Levy, and R. M. Osgood,
“Tunable Mach – Zehnder Polarization Splitter Using Height-Tapered Y-Branches,”
IEEE Photonics Technol. Lett., vol. 9, no. 6, pp. 773–775, 1997.
[54] Huang, Y., Z. Tu, H. Yi, Y. Li, X. Wang, and W. Hu, “High extinction ratio
polarization beam splitter with multimode interference coupler on SOI,” Opt.
Commun., vol. 307, pp. 46–49, Oct. 2013.
[55] Ilic, I., R. Scarmozzino, and R. M. Osgood, “Investigation of the Pade
Approximant-Based Wide-Angle Beam Propagation Method for Accurate Modeling
of Waveguiding Circuits,” J. Light. Technol., vol. 14, no. 12, pp. 2813–2822, 1996.
[56] Ishii, M. and T. Oguchi, “Low-loss and compact TFF-embedded silica-waveguide
WDM filter for video distribution services in FTTH systems,” in Optical Fiber
Communication Conference, OFC 2004, 2004, pp. 1–3.
[57] Ishizaka, Y., Y. Kawaguchi, K. Saitoh, and M. Koshiba, “Design of optical XOR,
XNOR, NAND, and OR logic gates based on multi-mode interference waveguides
for binary-phase-shift-keyed signal,” J. Light. Technol., vol. 29, no. 18, pp. 2836–
2846, 2011.
[58] J. Davison, E., “A high-order Crank-Nicholson technique for solving differential
equations,” Comput. J., vol. 10, no. 2, pp. 195–197, 1967.
[59] Jia, X., S. Luo, and X. Cheng, “Design and optimization of novel ultra-compact SOI
multimode interference optical switch,” Opt. Commun., vol. 281, no. 5, pp. 1003–
1007, Mar. 2008.
[60] Jiingling, S. and J. C. Chen, “A Study and Optimization of Eigenmode Calculations
Using the Imaginary- Distance Beam-Propagation Method,” IEEE J. Quantum
Electron., vol. 30, no. 9, pp. 2098–2105, 1994.
[61] Joseph, R. M. and a. Taflove, “FDTD Maxwell’s equations models for nonlinear
electrodynamics and optics,” IEEE Trans. Antennas Propag., vol. 45, no. 3, pp.
364–374, Mar. 1997.
[62] Kantartzis, N. V. and T. D. Tsiboukis, “A higher order nonstandard FDTD-PML
method for the advanced modeling of complex EMC problems in generalized 3-D

108
 curvilinear coordinates,” IEEE Trans. Electromagn. Compat., vol. 46, no. 1, pp. 2–
11, 2004.
[63] Katigbak, A., J. James F.Strother, and J. Lin, “Compact silicon slot waveguide
polarization splitter,” Opt. Eng., vol. 48, no. 8, p. 080503, Aug. 2009.
[64] Katsunari Okamoto, Fundamentals of Optical Waveguides, Second Edi. Elsevier
Academic Press, 2006.
[65] Kawachi, M., “Silica waveguides on silicon and their application to integrated-optic
components,” Opt. Quantum Electron., vol. 22, no. 5, pp. 391–416, Sep. 1990.
[66] Kim, C. M., B. G. Jung, and C. W. Lee, “Analysis of dielectric rectangular
waveguide by modified effective-index method,” Electron. Lett., vol. 22, no. 6, p.
296, 1986.
[67] Kojima, K., W. Yuan, B. Wang, T. Koike-Akino, K. Parsons, S. Nishikawa, and E.
Yagyu, “An MMI-based polarization splitter using patterned metal and tilted joint,”
Opt. Express, vol. 20, no. 26, pp. B371–6, Dec. 2012.
[68] Koleva, E. and G. Mladenov, “Electron beam lithography developed resist profile
improved by quality analysis,” Vacuum, vol. 77, no. 4, pp. 361–369, Mar. 2005.
[69] Kribich, K. R., R. Copperwhite, H. Barry, B. Kolodziejczyk, J. M. Sabattié, K.
O’Dwyer, and B. D. MacCraith, “Novel chemical sensor/biosensor platform based
on optical multimode interference (MMI) couplers,” Sensors Actuators, B Chem.,
vol. 107, no. 1 SPEC. ISS., pp. 188–192, 2005.
[70] Kruger, B. a., A. Joushaghani, and J. K. S. Poon, “Design of electrically driven
hybrid vanadium dioxide (VO2) plasmonic switches,” Opt. Express, vol. 20, no. 21,
p. 23598, Oct. 2012.
[71] L.B.Soldano and E.C.M Pennings, “Optical Multi-Mode Interference Devices Based
on Self-Imaging: Principles and Applications,” J. Light. Technol., vol. 13, no. 4, pp.
615–627, 1995.
[72] Lagali, N. S., M. R. Paiam, and R. I. MacDonald, “Theory of variable-ratio power
splitters using multimode interference couplers,” IEEE Photonics Technol. Lett.,
vol. 11, no. 6, pp. 665–667, 1999.
[73] Lang, T., J. He, and S. He, “Cross-Order Arrayed Waveguide Grating Design for
Triplexers in Fiber Access Networks,” IEEE Photonics Technol. Lett., vol. 18, no. 1,
pp. 232–234, 2006.
[74] Laperle, C., B. Villeneuve, Z. Zhang, D. McGhan, H. Sun, and M. O’Sullivan,
“WDM performance and PMD tolerance of a coherent 40-Gbit/s dual-polarization
QPSK transceiver,” J. Light. Technol., vol. 26, no. 1, pp. 168–175, 2008.
[75] Lax, M., “From Maxwell to paraxial optics,” Phys. Rev. A, vol. 11, no. 4, pp. 1365–
1370, 1975.
[76] Lee, S. G., E. Lee, and M. Photonics, “Novel Design of Polarization Splitter Based
on a Quasi-state Multimode Interference Coupler,” in CLEO, 2002, no. 1, pp. 3–4.
[77] Leuthold, J., P. A. Besse, R. Hess, and H. Melchior, “Wide Optical Bandwidths and
High Design Tolerances of Multimode-Interference Converter-Combiners
Comparison with Mode-Analysis,” Proc. Eur. Conf. Integr. Opt., no. 1, pp. 154–
157, 1997.

109
[78] Leuthold, J. and C. H. Joyner, “Multimode Interference Couplers with Tunable
Power Splitting Ratios,” J. Light. Technol., vol. 19, no. 5, 2001.
[79] Li, Z., Z. Chen, and B. Li, “Optical pulse controlled all-optical logic gates in SiGe /
Si multimode interference,” Opt. Express, vol. 13, no. 3, pp. 1033–1038, 2005.
[80] Liang, B., Q. Li, G. Liu, and G. Jin, “Nonlinear directional coupler with variable
coupling coefficient and variable nonlinear refractive index coefficient,” Opt.
Commun., vol. 247, no. 4–6, pp. 447–451, 2005.
[81] Lim, S. T., C. E. Png, E. A. Ong, and Y. L. Ang, “Single mode, polarization-
independent submicron silicon waveguides based on geometrical adjustments,” Opt.
Express, vol. 15, no. 18, pp. 11061–72, Sep. 2007.
[82] Lin, S., J. Hu, and K. B. Crozier, “Ultracompact , broadband slot waveguide
polarization splitter,” Appl. Phys. Lett., vol. 98, no. 15, pp. 2011–2014, 2011.
[83] Lipson, M., “Compact Electro-Optic Modulators on a Silicon Chip,” IEEE J. Sel.
Top. Quantum Electron., vol. 12, no. 6, pp. 1520–1526, Nov. 2006.
[84] Liu, H., H. Tam, P. Wai, and E. Pun, “Low-loss waveguide crossing using a
multimode interference structure,” Opt. Commun., vol. 241, no. 1–3, pp. 99–104,
2004.
[85] Liu, W. C., C. L. Mak, and K. H. Wong, “Thermo-optic properties of epitaxial as
optical modulator,” Opt. Express, vol. 17, no. 16, pp. 13677–13684, 2009.
[86] Liu, X., S. Chandrasekhar, and A. Leven, “Digital self-coherent detection.,” Opt.
Express, vol. 16, no. 2, pp. 792–803, 2008.
[87] Luan, F., M. D. Pelusi, M. R. E. Lamont, D.-Y. Choi, S. Madden, B. Luther-Davies,
and B. J. Eggleton, “Dispersion engineered As2S3 planar waveguides for broadband
four-wave mixing based wavelength conversion of 40 Gb/s signals,” Opt. Express,
vol. 17, no. 5, pp. 3514–20, Mar. 2009.
[88] Maese-Novo, A., R. Halir, S. Romero-García, D. Pérez-Galacho, L. Zavargo-Peche,
A. Ortega-Moñux, I. Molina-Fernández, J. G. Wangüemert-Pérez, and P. Cheben,
“Wavelength independent multimode interference coupler,” Opt. Express, vol. 21,
no. 6, pp. 7033–40, 2013.
[89] Maier, S. A., “Plasmonics: The Promise of Highly Integrated Optical Devices,”
IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., vol. 12, no. 6, pp. 1671–1677, Nov. 2006.
[90] Majumdar, A., N. Manquest, A. Faraon, and J. Vuckovic, “Theory of electro-optic
modulation via a quantum dot coupled to a nano-resonator.,” Opt. Express, vol. 18,
no. 5, pp. 3974–84, Mar. 2010.
[91] Marcatili, E. A. ., “Dielectric rectangular waveguide and directional coupler for
integrated optics,” Bell Syst. Tech. J., vol. 48, no. 21, pp. 2071–2102, 1969.
[92] Matsuo, S., Y. Yoshikuni, T. Segawa, Y. Ohiso, and H. Okamoto, “A widely
tunable optical filter using ladder-type structure,” IEEE Photonics Technol. Lett.,
vol. 15, no. 8, pp. 1114–1116, 2003.
[93] Miya, T., “Silica-Based Planar Lightwave Circuits : Passive and Thermally Active
Devices,” IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., vol. 6, no. 1, pp. 38–45, 2000.
[94] Oguma, M., K. Jinguji, T. Kitoh, T. Shibata, and A. Himeno, “Flat-passband
interleave filter with 200 GHz channel spacing based on planar lightwave circuit-
type lattice structure,” Electronics Letters, vol. 36, no. 15. p. 1299, 2000.
110
[95] Okuno, M., A. Sugita, K. Jinguji, and M. Kawachi, “Birefringence Control of Silica
Waveguides on Si and Its Application to a Polarization-Beam Splitter/Switch,” J.
Light. Technol., vol. 12, no. 4, 1994.
[96] Oulton, R. F., V. J. Sorger, D. a. Genov, D. F. P. Pile, and X. Zhang, “A hybrid
plasmonic waveguide for subwavelength confinement and long-range propagation,”
Nat. Photonics, vol. 2, no. 8, pp. 496–500, Jul. 2008.
[97] Ozbay, E., “Plasmonics: Merging Photonics and Electronics at Nanoscale
Dimensions,” Science (80-. )., vol. 311, no. 5758, pp. 189–193, 2006.
[98] Papadimitriou, G. I., C. Papazoglou, and A. S. Pomportsis, “Optical Switching :
Switch Fabrics , Techniques , and Architectures,” J. Light. Technol., vol. 21, no. 2,
pp. 384–405, 2003.
[99] Pelusi, M. D., F. Luan, S. Madden, D. Choi, D. A. Bulla, S. Member, and B. J.
Eggleton, “Wavelength Conversion of High-Speed Phase and Intensity Modulated
Signals Using a Highly Nonlinear Chalcogenide Glass Chip,” IEEE Photonics
Technol. Lett., vol. 22, no. 1, pp. 2009–2011, 2010.
[100] Pogossian, S. P., L. Vescan, and a. Vonsovici, “The single-mode condition for
semiconductor rib waveguides with large cross section,” J. Light. Technol., vol. 16,
no. 10, pp. 1851–1853, 1998.
[101] Prajzler, V., V. Jurka, and V. Jerabek, “Modeling of the Multimode Polymer
Interference Optical Wavelength 1490 / 1555 nm Demultiplexer,” in 17th Opto-
Electronics and Communications Conference (OECC 2012), 2012, no. July, pp.
631–632.
[102] Prokopidis, K. P. and D. C. Zografopoulos, “A Unified FDTD / PML Scheme Based
on Critical Points for Accurate Studies of Plasmonic Structures,” J. Light. Technol.,
vol. 31, no. 15, pp. 2467–2476, 2013.
[103] R.Ulrich, “Light-propagation and imaging in planar optical waveguides,” Nouv. Rev.
d’Optique, vol. 6, no. 5, pp. 253–262, 1975.
[104] Rahman, B. and J. Davies, “Finite-element solution of integrated optical
waveguides,” J. Light. Technol., vol. 2, no. 5, pp. 682–688, 1984.
[105] Rahman, B. M. a., N. Somasiri, C. Themistos, and K. T. V. Grattan, “Design of
optical polarization splitters in a single-section deeply etched MMI waveguide,”
Appl. Phys. B, vol. 73, no. 5, pp. 613–618, Oct. 2001.
[106] Rothschild, M., T. M. Bloomstein, T. H. Fedynyshyn, R. R. Kunz, V. Liberman, M.
Switkes, N. N. Efremow, S. T. Palmacci, J. H. C. Sedlacek, D. E. Hardy, and A.
Grenville, “Recent Trends in Optical Lithography,” Lincoln labratory J., vol. 14, no.
2, pp. 221–236, 2003.
[107] Routers, C. P., “Design of Optical Full Encoders / Decoders for,” J. Light. Technol.,
vol. 22, no. 7, pp. 1642–1650, 2004.
[108] Ruan, Y., B. Luther-Davies, W. Li, A. Rode, V. Kolev, and S. Madden, “Large
phase shifts in As2S3 waveguides for all-optical processing devices,” Opt. Lett., vol.
30, no. 19, pp. 2605–7, Oct. 2005.
[109] Salvador, R., A. Martinez, C. Garcia-Meca, and J. Marti, “Analysis of Hybrid
Dielectric Plasmonic Waveguides,” IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., vol. 14,
no. 6, pp. 1496–1501, 2008.
111
[110] Scarmozzino, R., a. Gopinath, R. Pregla, and S. Helfert, “Numerical techniques for
modeling guided-wave photonic devices,” IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., vol.
6, no. 1, pp. 150–162, Jan. 2000.
[111] Scarmozzino, R. and R. M. Osgood, Jr., “Comparison of finite-difference and
Fourier-transform solutions of the parabolic wave equation with emphasis on
integrated-optics applications,” J. Opt. Soc. Am. A, vol. 8, no. 5, p. 724, 1991.
[112] Shi, Y., S. Anand, and S. He, “Design of a Polarization Insensitive Triplexer Using
Directional Couplers Based on Submicron Silicon Rib Waveguides,” J. Light.
Technol., vol. 27, no. 11, pp. 1443–1447, 2009.
[113] Shi, Y., D. Dai, and S. He, “Novel Ultracompact Triplexer Based on Photonic,”
IEEE Photonics Technol. Lett., vol. 18, no. 21, pp. 2293–2295, 2006.
[114] Shih, T., Y. Wu, and J. Lee, “Proposal for Compact Optical Triplexer Filter Using 2-
D Photonic Crystals,” IEEE Photonics Technol. Lett., vol. 21, no. 1, pp. 18–20, Jan.
2009.
[115] Smit, M. K. and C. Van Dam, “PHASAR-Based WDM-Devices: Principles, Design
and Applications,” IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., vol. 2, no. 2, pp. 236–250,
1996.
[116] Song, Y., J. Wang, M. Yan, and M. Qiu, “Efficient coupling between dielectric and
hybrid plasmonic waveguides by multimode interference power splitter,” J. Opt.,
vol. 13, no. 7, p. 075002, Jul. 2011.
[117] Spencer, M., F. Chen, C. C. Wang, R. Nathanael, H. Fariborzi, A. Gupta, H. Kam,
V. Pott, J. Jeon, T. J. K. Liu, D. Marković, E. Alon, and V. Stojanović,
“Demonstration of integrated micro-electro-mechanical relay circuits for VLSI
applications,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 46, no. 1, pp. 308–320, 2011.
[118] Sugisaka, J., N. Yamamoto, M. Okano, and K. Komori, “Demonstration of a
photonic crystal directional coupler switch with ultra short switching length,”
Photonics Nanostructures Fundam. Appl., vol. 2, no. 1, pp. 1–2, 2008.
[119] Suzuki, S., K. Oda, and Y. Hibino, “Integrated-optic double-ring resonators with a
wide free spectral range of 100 GHz,” J. Light. Technol., vol. 13, no. 8, pp. 1766–
1771, 1995.
[120] Syuhaimi, M., A. Rahman, K. M. Shaktur, and R. Mohammad, “Analytical And
Simulation Of New Electro-Optic 3×3 Switch Using Ti: LiNbO3 As a Wave Guide
Medium,” Int. Conf. Photonics, pp. 4–8, 2010.
[121] Ta, V. G., N. J. Baker, L. Fu, K. Finsterbusch, M. R. E. Lamont, D. J. Moss, H. C.
Nguyen, B. J. Eggleton, D. Y. Choi, S. Madden, and B. Luther-davies, “Ultrafast
all-optical chalcogenide glass photonic circuits,” Opt. Express, vol. 15, no. 15, pp.
5860–5865, 2007.
[122] Ta, V. G., N. J. Baker, L. Fu, K. Finsterbusch, M. R. E. Lamont, D. J. Moss, H. C.
Nguyen, B. J. Eggleton, D. Y. Choi, S. Madden, and B. Luther-davies, “Ultrafast
all-optical chalcogenide glass photonic circuits,” Opt. Express, vol. 15, no. 15, pp.
5860–5865, 2007.
[123] Tajaldini, M. and M. Z. M. Jafri, “Simulation of an ultra-compact multimode
interference power splitter based on kerr nonlinear effect,” J. Light. Technol., vol.
32, no. 7, pp. 1282–1289, 2014.
112
[124] Takahashi, H., “High performance planar lightwave circuit devices for large
capacity transmission.,” Opt. Express, vol. 19, no. 26, pp. B173–80, Dec. 2011.
[125] Takenaka, M. T. M. and Y. N. Y. Nakano, Multimode interference bistable laser
diode, vol. 15, no. 8. 2003, pp. 1035–1037.
[126] Talbot, H. F., “Facts relating to optical science,” Philos. Mag. Ser. 3, vol. LXXVI,
no. IV, pp. 401–407, Dec. 1836.
[127] Thapliya, R., S. Nakamura, and T. Kikuchi, “Electro-optic multimode interference
device using organic materials,” Appl. Opt., vol. 45, no. 21, pp. 5404–5413, 2006.
[128] Trinh, P. D., S. Yegnanarayanan, F. Coppinger, B. Jalali, and S. Member,
“Wavelength Multi / Demultiplexer with Extremely Low-Polarization Sensitivity,”
IEEE Photonics Technol. Lett., vol. 9, no. 7, pp. 940–942, 1997.
[129] Tsai, Y.-J., A. Degiron, N. M. Jokerst, and D. R. Smith, “Plasmonic multi-mode
interference couplers,” Opt. Express, vol. 17, no. 20, pp. 17471–82, Sep. 2009.
[130] Tseng, S., S. Choi, and B. Kippelen, “generated planar holograms on multimode
interference couplers,” Opt. Lett., vol. 34, no. 4, pp. 512–514, 2009.
[131] Tseng, S.-Y., C. Fuentes-Hernandez, D. Owens, and B. Kippelen, “Variable splitting
ratio 2×2 MMI couplers using multimode waveguide holograms,” Opt. Express, vol.
15, no. 14, pp. 9015–21, Jul. 2007.
[132] Tsilipakos, O., A. Pitilakis, A. C. Tasolamprou, T. V. Yioultsis, and E. E. Kriezis,
“Computational techniques for the analysis and design of dielectric-loaded
plasmonic circuitry,” Opt. Quantum Electron., vol. 42, no. 8, pp. 541–555, 2011.
[133] Tu, X., S. Seng, N. Ang, A. B. Chew, J. Teng, T. Mei, and S. Member, “An
Ultracompact Directional Coupler Based on GaAs Cross-Slot Waveguide,” IEEE
Photonics Technol. Lett., vol. 22, no. 17, pp. 1324–1326, 2010.
[134] Uematsu, T., Y. Ishizaka, Y. Kawaguchi, K. Saitoh, and M. Koshiba, “Design of a
Compact Two-Mode Multi/Demultiplexer Consisting of Multimode Interference
Waveguides and a Wavelength-Insensitive Phase Shifter for Mode-Division
Multiplexing Transmission,” J. Light. Technol., vol. 30, no. 15, pp. 2421–2426,
Aug. 2012.
[135] Ulrich, R. and G. Ankele, “Self-imaging in homogeneous planar optical
waveguides,” Appl. Phys. Lett., vol. 27, no. 6, p. 337, 1975.
[136] Wang, F., J. Yang, L. Chen, X. Jiang, and M. Wang, “Optical Switch Based on
Multimode Interference Coupler,” IEEE Photonics Technol. Lett., vol. 18, no. 2, pp.
421–423, 2006.
[137] Wang, Q. and J. Yao, “A high speed 2×2 electro-optic switch using a polarization
modulator,” Opt. Express, vol. 15, no. 25, pp. 16500–5, 2007.
[138] Wang, Y., Y. Wei, Y. Huang, Y. Tu, D. Ng, C. Lee, Y. Zheng, B. Liu, and S. Ho,
“Silicon / III-V laser with super-compact diffraction grating for WDM applications
in electronic-photonic integrated circuits,” Opt. Express, vol. 19, no. 3, pp. 2006–
2013, 2011.
[139] Wang, Z., Y. Tang, L. Wosinski, and S. He, “Experimental Demonstration of a High
Efficiency Polarization Splitter Based on a One-Dimensional Grating With a Bragg
Reflector Underneath,” IEEE Photonics Technol. Lett., vol. 22, no. 21, pp. 1568–
1570, 2010.
113
[140] Xiao, J., X. Liu, and X. Sun, “Design of an ultracompact MMI wavelength
demultiplexer in slot waveguide structures,” Opt. Express, vol. 15, no. 13, pp. 8300–
8, Jun. 2007.
[141] Xu, C., X. Hong, and W.-P. Huang, “Design optimization of integrated BiDi
triplexer optical filter based on planar lightwave circuit.,” Opt. Express, vol. 14, no.
11, pp. 4675–86, May 2006.
[142] Xu, D., A. Densmore, P. Waldron, J. Lapointe, E. Post, A. Delâge, S. Janz, P.
Cheben, J. H. Schmid, and B. Lamontagne, “High bandwidth SOI photonic wire
ring resonators using MMI couplers,” Opt. Express, vol. 15, no. 6, 2007.
[143] Xu, J., M. Galili, H. C. H. Mulvad, L. K. Oxenløwe, A. T. Clausen, P. Jeppesen, B.
Luther-, S. Madden, A. Rode, D. Choi, M. Pelusi, F. Luan, and B. J. Eggleton,
“Error-free 640 Gbit / s demultiplexing using a chalcogenide planar waveguide
chip,” Opto-Electronics Commun. Conf. Aust. Conf. Opt. Fibre Technol.
OECC/ACOFT, vol. 2, pp. 3–4, 2008.
[144] Yamauchi, J., M. Sekiguchi, O. Uchiyama, J. Shibayama, and H. Nakano,
“Modified finite-difference formula for the analysis of semivectorial modes in step-
index optical waveguides,” IEEE Photonics Technol. Lett., vol. 9, no. 7, pp. 961–
963, Jul. 1997.
[145] Yamauchi, J., J. Shibayama, O. Saito, O. Uchiyama, and H. Nakano, “Improved
finite-difference beam-propagation method based on the generalized Douglas
scheme and its application to semivectorial analysis,” J. Light. Technol., vol. 14, no.
10, pp. 2401–2406, 1996.
[146] Yamauchi, J., G. Takahashi, and H. Nakano, “Full-vectorial beam-propagation
method based on the McKee-Mitchell scheme with improved finite-difference
formulas,” J. Light. Technol., vol. 16, no. 12, pp. 2458–2464, 1998.
[147] Yamauchi, J., J. U. N. Shibayama, and H. Nakano, “Application of the generalized
Douglas scheme to optical waveguide analysis,” Opt. quantum Electron., no. 1993,
pp. 675–687, 1999.
[148] Yamauchi, J., J. Shibayama, O. Saito, O. Uchiyama, and H. Nakano, “Improved
finite-difference beam-propagation method based on the generalized Douglas
scheme and its application to semivectorial analysis,” J. Light. Technol., vol. 14, no.
10, pp. 2401–2406, 1996.
[149] Yang, B., S. Shin, and D. Zhang, “Ultrashort Polarization Splitter Using Two-Mode
Interference in Silicon Photonic Wires,” IEEE Photonics Technol. Lett., vol. 21, no.
7, pp. 432–434, Apr. 2009.
[150] Ye, N., M. Gleeson, H. Yang, H. Zhang, B. Roycroft, K. Thomas, A. Gocalinska, E.
Pelucchi, Z. Li, D. Richardson, H. Chen, A. M. J. Koonen, J. Zhao, F. G. Gunning,
F. Peters, and B. Corbett, “Demonstration of 90 ° Optical Hybrid at 2 µm
Wavelength Range Based on 4 × 4 MMI Using Diluted Waveguide,” in Proc. 40th
Eur. Conf. on Opt. Comm. (ECOC), 2014, pp. 4–6.
[151] Yehia, A., S. Member, and D. Khalil, “Design of a Compact Three-Dimensional
Multimode Interference Phased Array Structures (3-D MMI PHASAR) for DWDM
Applications,” IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., vol. 11, no. 2, pp. 444–451,
2005.
114
[152] Yevick, D. and B. Hermansson, “Efficient beam propagation techniques,” IEEE J.
Quantum Electron., vol. 26, no. 1, pp. 109–112, 1990.
[153] Zhou, J., P. Gallion, and S. Member, “Operation Principles for Optical Switches
Based on Two Multimode Interference Couplers,” J. Light. Technol., vol. 30, no. 1,
pp. 15–21, 2012.
[154] Zhu, L., Y. Huang, and A. Yariv, “Integration of a Multimode Interference Coupler
With a Corrugated Sidewall Bragg Grating in Planar Polymer Waveguides,” IEEE
Photonics Technol. Lett., vol. 18, no. 6, pp. 740–742, 2006.
[155] Zhu, N., “A novel design of triplexer based on Bragg grating assisted MMI
coupler,” in Advances in Optoelectronics and Micro/nano-optics, 2010, vol. 0, no. 1,
pp. 1–3.

115