Nghien Cuu Thiet Ke Va Khao Sa

Ketnooi.
com chia se
Luận Văn Thạc Sỹ
LỜI CAM ĐOAN
Trong quá trình làm luận văn thạc sỹ, tôi đã đọc và tham khảo rất nhiều loại tài
liệu khác nhau từ sách giáo trình, sách chuyên khảo cho đến các bài báo đã được đăng
tải trong và ngoài nước. Tôi xin cam đoan những gì tôi viết dưới đây là hoàn toàn
chính thống không bịa đặt, những kết quả đo đạc thực nghiệm đã đạt được trong luận
văn không sao chép từ bất cứ tài liệu nào dưới mọi hình thức. Những kết quả đó là
những gì tôi đã nghiên cứu, tích lũy trong suốt thời gian làm luận văn.
Tôi xin hoàn toàn chịu trách nhiệm nếu có dấu hiệu sao chép kết quả từ các tài
liệu khác.
Hà Nội, ngày 20 tháng 04 năm 2013

TÁC GIẢ
ĐẶNG VĂN HIẾU
Đặng Văn Hiếu – K18 ĐTVT Page 1

LỜI CẢM ƠN
Trong thời gian nghiên cứu và hoàn thiện luận văn em đã nhận được sự giúp đỡ
tận tình và chu đáo của các thầy cô giáo trong Khoa Kỹ thuật Điện tử - Viễn thông,
Trường Đại Học Công Nghệ, Đại Học Quốc Gia Hà Nội.
Đề tài nghiên cứu với tiêu đề: “Nghiên cứu thiết kế và khảo sát hoạt động của
cảm biến Gyroscopes” đã được triển khai thực hiện và hoàn thành với một số kết quả
thu được có khả năng ứng dụng trong thời gian tới trong điều kiện thực tiễn hiện nay.
Em xin bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc tới thầy PGS.TS Chử Đức Trình người đã
trực tiếp hướng dẫn em trong quá trình nghiên cứu và hoàn thiện luận văn, với tất cả
lòng nhiệt tình, chu đáo, ân cần cùng với thái độ nghiên cứu khoa học nghiêm túc và
thẳng thắn của một nhà khoa học uy tín, mẫu mực, và em xin gửi lời cảm ơn tới thầy
PGS.TS Vũ Ngọc Hùng – Viện trưởng ITIMS, trưởng nhóm MEMS, Đại Học Bách
Khoa Hà Nội đã giúp đỡ và đóng góp ý kiến cho em.
Em xin chân thành cảm ơn các thầy cô giáo, các anh chị và các bạn đã có những
góp ý kịp thời và bổ ích, giúp đỡ em trong suốt quá trình em nghiên cứu và hoàn thiện
luận văn này.
Một lần nữa em xin được bày tỏ lời cảm ơn chân thành đễn tất cả mọi sự giúp đỡ
em trong thời gian vừa qua. Em xịn kính chúc các thầy cô, các anh chị và các bạn
mạnh khỏe và hạnh phúc.
Hà Nội, ngày 20 tháng 04 năm 2013

Học viên
ĐẶNG VĂN HIẾU

MỤC LỤC
DANH MỤC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT ............................................................ 5
DANH MỤC HÌNH VẼ, BẢNG BIỂU ........................................................................ 6
LỜI MỞ ĐẦU ............................................................................................................. 8
Chương 1: CƠ SỞ LÝ THUYẾT VỀ CON QUAY GYROSCOPES ........................... 9
1.1. Giới thiệu con quay hồi chuyển (Gyroscopes) .................................................... 9
1.2. Hiệu ứng Coriolis............................................................................................... 9
1.3. Công nghệ vi cơ điện tử (MEMS) .................................................................... 10
1.3.1. Giới thiệu chung ........................................................................................ 10
1.3.2. Các kỹ thuật MEMS .................................................................................. 12
1.3.3. Đóng vỏ Chíp ............................................................................................ 13
1.4. Con quay hồi chuyển vi cơ (Gyroscopes MEMS)............................................. 13
1.4.1. Nguyên lý hoạt động và nguyên lý cấu trúc ............................................... 13
4.2.2. Phân loại con quay vi cơ .............................................................................. 17
Chương 2: THIẾT KẾ GYROSCOPES MEMS ......................................................... 23
2.1. Mục tiêu thiết kế ................................................................................................. 23
2.2. Cấu trúc các thanh dầm kiểu đàn hồi ................................................................... 24
2.2.1. Dầm treo thẳng (Linear beam)...................................................................... 24
2.2.2. Dầm treo gập (folded beam) ......................................................................... 26
2.3. Cấu trúc tụ điện vi sai ......................................................................................... 27
2.3.1 Khái niệm cơ bản về tụ điện ........................................................................... 27
2.3.2. Cấu trúc tụ điện thanh ngang........................................................................ 29
2.3.3. Cấu trúc tụ điện kiểu răng lược .................................................................... 30
2.4. Cơ sở động lực học của quá trình cản trở dao động (damping) ............................ 30
2.5. Mô hình thiết kế và nguyên lý hoạt động của Gyroscopes kiểu tuning fork ......... 32
2.5.1. Mô hình thiết kế 1 ........................................................................................ 32
2.5.2. Mô hình thiết kế 2 ........................................................................................ 33

2.5.3. Mô hình thiết kế 3 ........................................................................................ 34

2.5.4. Mô hình thiết kế 4 ........................................................................................ 34
Chương 3: KHẢO SÁT GYROSCOPES KIỂU TUNING FORK .............................. 36
3.1. Phân tích nguyên lý hoạt động của Gyroscopes kiểu Tuning Fork ....................... 37
3.2. Thiết kế cấu trúc ................................................................................................. 49
3.2.1. Phần sensing ................................................................................................ 50
3.2.2. Phần Driving................................................................................................. 51
Chương 4: THIẾT KẾ MẠCH ĐIỀU KHIỂN VÀ XỬ LÝ TÍN HIỆU ....................... 53
4.1. Phương pháp phát hiên bằng điện........................................................................ 53
4.2. Thiết kế mạch phát hiện điện dung Sensing-mode ............................................... 54
4.3. Kết quả thực tế và mô phỏng của mạch điện ....................................................... 60
Chương 5: KẾT LUẬN VÀ ĐỀ XUẤT HƯỚNG PHÁT TRIỂN CỦA ĐỀ TÀI ........ 64
5.1. Kết luận của đề tài .............................................................................................. 64
5.2. Đề xuất hướng phát triển của đề tài ..................................................................... 65
TÀI LIỆU THAM KHẢO.......................................................................................... 66

DANH MỤC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT
MEMS Micro-Electro-Mechanical Systems Hệ thống vi cơ điện tử
LPF Low Pass Filter Mạch lọc thông thấp
BPF Bank Pass Filter Mạch lọc thông dải
GPS Global Positioning System Hệ thống định vị toàn cầu
THD Through Hole Device Linh kiện chân cắm
ZRO Zero rate output Lối ra với vận tốc góc bằng 0
SMD Surface Mount Device Linh kiện dán mặt

DANH MỤC HÌNH VẼ, BẢNG BIỂU

Hình 1.1: Các sản phẩm của MEMS .......................................................................... 11
Hình 1.2: Một số hình dạng vỏ chíp ........................................................................... 13
Hình 1.3: Cấu trúc và nguyên lý hoạt động của con quay dao động........................... 14
Hình 1.4: Cấu trúc (a) và nguyên lý hoạt động (b, c) của con quay Drapper ............. 18
Hình 1.5: Cấu trúc và nguyên lý của con quay vi cơ dao động kiểu mâm tròn ........... 19
Hình 1.6: (a) Dụng cụ âm thoa, (b) Các phương hoạt động với vận tốc góc............... 20
Hình 1.7: Cấu trúc và nguyên lý của con quay vi cơ kiểu Tuning Fork ...................... 21
Hình 2.1: Cấu trúc của dầm thẳng ............................................................................. 25
Hình 2.2: Ứng dụng của dầm treo thẳng .................................................................... 25
Hình 2.3: Cấu trúc dầm treo gập (a) ,đáp ứng với tải dọc và ngang (b) ..................... 26
Hình 2.4: Cấu trúc dầm gập kép ............................................................................... 26
Hình 2.5: Ứng dụng của dầm treo gập ....................................................................... 27
Hình 2.6: Mô hình cấu tạo tụ song song .................................................................... 28
Hình 2.7: Sự biến đổi khoảng cách tĩnh điện của mô hình thiết bị truyền động ......... 28
Hình 2.7: Cấu trúc tụ điện thanh ngang ..................................................................... 29
Bảng 2.1: Tóm tắt các thông số của cấu truc tụ điện thanh ngang ............................. 29
Hình 2.8: Cấu trúc tụ điện kiểu răng lược và nguyên lý hoạt động ............................ 30
Hình 2.9: Đặc trưng biên độ tần số của hệ cộng hưởng ............................................. 31
Hình 2.10: Mô hình thiết kế con quay vi cơ kiểu Tuning Fork thứ nhất ...................... 32
Hình 2.11: Mô hình thiết kế con quay vi cơ kiểu Tuning Fork thứ hai ........................ 34
Hình 2.12: Mô hình thiết kế con quay vi cơ kiểu Tuning Fork thứ ba ......................... 34
Hình 2.13: Mô hình thiết kế con quay vi cơ kiểu Tuning Fork thứ tư .......................... 35
Hình 3.1: Mô hình con quay hồi chuyển kiểu Tuning Fork ......................................... 37
Hình 3.2: Sơ đồ phân tích lực và hệ quy chiếu ........................................................... 38
Hình 3.3: Sơ đồ phân tích lực khi đặt vận tốc góc vào hệ ........................................... 40
Hình 3.4: Hình ảnh của mode ngược pha của sensing ............................................... 50

Hình 3.5: Hình ảnh của mode đồng pha của sensing ................................................. 50
Hình 3.6: Hình ảnh của mode ngược pha của driving ................................................ 51
Hình 3.7: Hình ảnh của mode đồng pha của driving .................................................. 51
Hình 4.1: Sơ đồ nguyên lý mạch Driving ................................................................... 53
Hình 4.2: Sơ đồ khối điều chế và giải điều chế tín hiệu Gyroscopes........................... 54
Hình 4.3: Sơ đồ nguyên lý mạch vi phân .................................................................... 55
Hình 4.4: Mạch khuếch đại công cụ ........................................................................... 55
Hình 4.5: Sơ đồ nguyên lý mạch lọc thông dải ........................................................... 57
Hình 4.6: Sơ đồ nguyên lý mạch nhân tần số ............................................................. 57
Hình 4.7: Phổ tần số của quá trình giải điều chế đồng bộ.......................................... 59
Hình 4.8: Hình ảnh MEMS thực tế............................................................................. 60
Hình 4.9: Thiết lập khảo sát tần số driving ................................................................ 60
Hình 4.10: Đáp ứng tần số của mode dẫn động ......................................................... 61
Hình 4.11: Thiết lập khảo sát tần số Sensing ............................................................. 61
Hình 4.12: Đáp ứng tần số của mode cảm ứng .......................................................... 62
Hình 4.13: Đáp ứng ra của mô hình 4........................................................................ 63

LỜI MỞ ĐẦU
Trong khoảng 30 năm trở lại đây sự ra đời và phát triển của công nghệ MEMS,
một lĩnh vực công nghệ cao đã tạo ra một cuộc cách mạng về khoa học kỹ thuật và
công nghệ chế tạo các linh kiện cảm biến (sensors) và chấp hành (actuators) ở phạm
vi kích thước dưới milimet. Ưu điểm vượt trội của các linh kiện này là độ nhạy cao,
kích thước nhỏ gọn, tiêu thụ năng lượng ít. Nội dung nghiên cứu thực hiện trong luận
văn này là thiết kế, tính toán mô phỏng cảm biến đo vận tốc góc dựa trên cấu trúc con
quay vi cơ kiểu tuning fork, hoạt động dựa trên nguyên lý hiệu ứng Coriolis với cấu
trúc tụ kiểu răng lược. Đây là linh kiện có ứng dụng rộng rãi trong nhiều lĩnh vực như
công nghiệp chế tạo ô tô, kỹ thuật hàng hải, kỹ thuật hàng không, quân sự, công
nghiệp hàng điện tử dân dụng, điện tử viến thông.
Tính toán và thiết các mạch điện, khảo sát các mạch điện kích thích và phát
hiện tín hiệu của cảm biến, với đầu vào là một điều chế cơ học, tính toán thiết kế mạch
điện giải điều chế đồng bộ và xử lý tín hiệu đầu ra của cảm biến.
Tuy nhiên do thời gian có hạn nên bản luận văn chưa thể để cập được đầy đủ
mọi vấn đề liên quan, và chắc chắn không thể tránh khỏi những thiếu sót. Em rất
mong nhận được sự thông cảm và hy vọng nhận được nhiều ý kiến đóng góp để em
có thêm những kiến thức quý báu cho những công việc tương lai.
Em xin chân thành cảm ơn.

Chương 1
CƠ SỞ LÝ THUYẾT VỀ CON QUAY GYROSCOPES
1.1. Giới thiệu con quay hồi chuyển (Gyroscopes)
Thuật ngữ Gyroscopes lần đầu tiên được đưa ra
bởi nhà khoa học người Pháp, Leon Foucault, được
ghép từ ngôn ngữ Hy Lạp, theo đó, “Gyro” trong
nghĩa là “quay tròn”, và “skopien” có nghĩa là “quan
sát”. Khi đó, Foucault đã áp dụng định luật chuyển
động quay của gyrocope để giải thích chuyển động
quay của trái đất vào năm 1852.
Con quay hồi chuyển là một thiết bị dùng để đo đạc hoặc duy trì phương hướng,
dựa trên các nguyên tắc bảo toàn mô men động lượng. Thực chất, con quay cơ học là
một bánh xe hay đĩa quay với các trục quay tự do theo mọi hướng. Phương hướng này
thay đổi nhiều hay ít tùy thuộc vào mô men xoắn bên ngoài. Mô men xoắn được tối
thiểu hóa bởi việc gắn kết thiết bị trong các khớp vạn năng, hướng của nó duy trì gần
như cố định với bất kỳ chuyển động nào của vật thể mà nó tựa lên.
Do tính bảo toàn mô men động lượng của đĩa quay trong quá trình chuyển động,
con quay hồi chuyển đã được ứng dụng để tạo ra các công cụ định hướng và dẫn lái
trong giao thông hàng hải. Những thiết bị dẫn hướng đầu tiên đã có mặt trên những
con tàu biển lớn từ năm 1911 trên cơ sở các phát minh của nhà bác học Mỹ, Elmer
Sperry. Năm 1920, công cụ này đã được ứng dụng vào trong các hệ thống dẫn lái của
các loại bom ngư lôi, và đến năm 1930 thì được ứng dụng vào làm các bộ dẫn hướng
cho hệ thông các tên lửa và đạn đạo.
1.2. Hiệu ứng Coriolis
Hiệu ứng Coriolis là hiệu ứng xảy ra trong các hệ qui
chiếu quay so với các hệ qui chiếu quán tính, được đặt theo
tên của Gaspard-Gustave de Coriolis - nhà toán học, vật lý
học người Pháp đã mô tả nó năm 1835 thông qua lý thuyết
thủy triều của Pierre-Simon Laplace. Nó được thể hiện qua
hiện tượng lệch quỹ đạo của những vật chuyển động trong hệ
qui chiếu này. Sự lệch quỹ đạo do một loại lực quán tính gây
ra, gọi là lực Coriolis.

Lực Coriolis được xác định bằng công thức sau:

F  2mv   (1.1)
Với: m là khối lượng của vật, v là véctơ vận tốc của vật,  là véctơ vận tốc góc
của hệ, còn dấu  là tích véctơ.
Có thể dễ dàng xác định được độ lệch của quỹ đạo chuyển động của vật thể trong
khoảng thời gian chuyển động t bằng biểu thức :
d  v.t.sin  (1.2)
Trong đó,  là góc lệch của quỹ đạo chuyển động thẳng của vật. Khi xét dịch
chuyển nhỏ tương ứng góc  nhỏ, một cách gần đúng, có:
sin     .t (1.3)

Thay biểu thức (1.3) vào (1.2) ta có:
d  v.t.sin   v.t..t  v..t 2 (1.4)

So sánh với phương trình chuyển động của một vật thể trong chuyển động thẳng,
ta suy ra biểu thức tính gia tốc dưới dạng:
a  ac  2.v. (1.5)
 
Do véc tơ v và  trực giao với nhau nên có thể viết lại biểu thức của gia tốc
này dưới dạng như sau:
  
ac  2  Vr (1.6)
 
Gia tốc ac được gọi là gia tốc Coriolis và từ đó sẽ sinh ra lực Coriolis Fc
  
Fc  2.m  Vr (1.7)
Lực Coriolis là lực ảo nên phụ thuộc vào cách quan sát khung quay quán tính.
1.3. Công nghệ vi cơ điện tử (MEMS)
1.3.1. Giới thiệu chung
Với sự ra đời của Transistor vào ngày 23.12.1947 tại phòng thí nghiệm Bell
Telephone đã mở ra một kỷ nguyên mới cho ngành công nghiệp điện tử, các thiết bị
điện tử được tích hợp với số lượng ngày càng lớn, kích thước ngày càng nhỏ và chức
năng ngày càng được nâng cao. Điều này đã mang lại sự biến đổi sâu sắc cả về mặt
công nghệ lẫn xã hội, đã diễn ra một cuộc cách mạng về công nghệ micro và hứa hẹn
một tương lai cho tất cả các ngành công nghiệp. Hệ thống vi cơ điện tử (Micro
ElectroMechanical Systems) viết tắt là MEMS được ra đời. Một số sản phẩm MEMS
được chỉ ra như (hình 1.1).
Hình 1.1: Các sản phẩm của MEMS
Công nghệ vi cơ đã và đang tiến xa hơn nhiều so với nguồn gốc của nó là công
nghiệp bán dẫn. Một linh kiện MEMS bao gồm những cấu trúc vi cơ, vi cảm biến
(sensor), vi chấp hành (actuator) và vi điện tử được tích hợp trên cùng một chip (on
chip) nên có thể kết hợp những phần cơ chuyển động với những yếu tố sinh học, hoá
học, quang hoặc điện. Kết quả là các linh kiện MEMS có thể đáp ứng với nhiều loại lối
vào: sinh học, hoá học, ánh sáng, áp suất, rung động vận tốc và gia tốc...
Với một hệ vi cơ điện tử MEMS có các đặc trưng cơ bản như:
- Kích thước nhỏ và khối lượng nhẹ nên rất tiện ích cho các ứng dụng.
- Đa chức năng do có sự tích hợp với các mạch điện tổ hợp (IC) hoặc các
cấu trúc khác nhau.

- Có thể là một linh kiện đơn lẻ hoặc là một hệ tích hợp phức tạp giống như một
thiết bị hoàn chỉnh.
- Có tính lặp lại cao và giá thành hạ do được chế tạo hàng loạt.
Với ưu thế có thể tạo ra những cấu trúc cơ học nhỏ bé tinh tế và nhạy cảm đặc
thù, công nghệ vi cơ hiện nay đã cho phép tạo ra những bộ cảm biến, những bộ chấp
hành được ứng dụng rộng rãi trong cuộc sống. Các bộ cảm biến siêu nhỏ và rất tiện ích
này đã thay thế cho các thiết bị đo cũ kỹ, cồng kềnh trước đây.
Công nghệ chế tạo ra các linh kiện vi cơ – điện tử gọi tắt là công nghệ MEMS.
Đây là ngành khoa học công nghệ mới có nền tảng từ công nghệ vi điện tử, công nghệ
này bao gồm các kỹ thuật cơ bản như: Kỹ thuật quang khắc tạo hình
(photolithography), khuếch tán (diffusion), cấy ion (ion implantation), lắng đọng vật
liệu bằng các phương pháp vật lý hoặc hóa học ở pha hơi (physical/chemical vapor
deposition), hàn dây (wire bonding), đóng vỏ hoàn thiện linh kiện (packaging), kết
hợp với qui trình vi chế tạo (microfabrication) các cấu trúc ba chiều kích thước siêu
nhỏ trong phạm vi micromet dựa trên kỹ thuật ăn mòn vật liệu. Những năm 60 của
thế kỷ XX đánh dấu những thành công trong các nghiên cứu triển khai đưa đến sự ra
đời công nghệ vi cơ khối ướt và công nghệ vi cơ bề mặt. đến những năm 70 và 80
đánh dấu sự phát triển vượt bậc của lĩnh vực này, theo đó các cảm biến áp suất và gia
tốc kiểu áp điện trở và kiểu tụ trở thành phổ biến trên thị trường, cảm biến vận tốc góc
và các cấu trúc làm động cơ chuyển động (actuator), mở ra các ứng dụng rộng rãi
trong công nghiệp và giao thông. Những năm cuối thế kỷ XX, sự ra đời của công nghệ
LIGA và công nghệ vi cơ khối khô trên cơ sở kỹ thuật ăn mòn ion hoạt hóa theo qui
trình BOSCH đã dẫn đến những sự phát triển có tính cách mạng nhằm theo kịp tiến
trình thu nhỏ hóa linh kiện (làm tăng số lượng linh kiện trên một chip) của công nghệ
vi điện tử.
1.3.2. Các kỹ thuật MEMS
Công nghệ vi cơ khối: dựa trên các kỹ thuật chính như quang khắc tạo hình, ăn
mòn dị hướng trong dung dịch (vi cơ khối ướt), ăn mòn khô ion hoạt hóa môi trường
chất khí (vi cơ khối khô), hàn ghép phiến…
Công nghệ vi cơ bề mặt: dựa trên các kỹ thuật chính như quang khắc tạo hình,
lắng đọng tạo màng mỏng, ăn mòn lớp hy sinh, ăn mòn khô…
Công nghệ LIGA: dựa trên kỹ thuật tạo khuôn bằng vật liệu polymer sử dụng
kỹ thuật tạo hình với tia X và quá trình lắng đọng điện hóa.

1.3.3. Đóng vỏ Chíp

Do các chip cảm biến MEMS nhỏ và rất mảnh nên việc đóng vỏ đóng vai trò như
công cụ bảo vệ dưới tác dụng của môi trường bên ngoài như rung động, va đập, nhiệt
độ, thuận tiện cho quá trình đo đạc và sử dụng. Đóng vỏ là một trong những khâu công
nghệ quan trọng và chiếm đến 3/5 giá thành của một cảm biến hoàn chỉnh.
Người ta chia vỏ cảm biến làm hai loại chính:
Loại chân cắm (Through Hole Device - THD): là loại vỏ được sử dụng phổ biến
thích hợp cho việc đóng vỏ chip đơn lẻ, sau khi đóng vỏ cảm biến được sử dụng trong
các ứng dụng cụ thể.
Loại chân dán - chân phẳng (Surface Mount Device - SMD): là loại vỏ thích
hợp với một hệ chíp đa chức năng cùng gắn trên một vỏ như các bộ vi xử lý
(microprocessor) sử dụng cho các máy tính cá nhân hoặc xách tay.
Hình 1.2: Một số hình dạng vỏ chíp
1.4. Con quay hồi chuyển vi cơ (Gyroscopes MEMS)

Trong khoảng 30 năm trở lại đây, sự ra đời và phát triển của công nghệ MEMS
đã tạo ra một cuộc cách mạng về khoa học công nghệ trong việc chế tạo các linh kiện
cảm biến (sensors) và chấp hành (actuators) ở phạm vi kích thước dưới milimet. Ưu
điểm vượt trội của các linh kiện này là độ nhạy cao, kích thước nhỏ gọn, tiêu thụ
năng lượng ít. Trong số đó, cảm biến đo vận tốc góc hay con quay vi cơ (MEMS
Gyroscopes) là một trong những linh kiện có ứng dụng rộng rãi trong nhiều lĩnh vực
như công nghiệp chế tạo ô tô, kỹ thuật hàng hải, kỹ thuật hàng không, quân sự, công
nghiệp hàng điện tử dân dụng, điện tử viễn thông...
1.4.1. Nguyên lý hoạt động và nguyên lý cấu trúc [2]
Con quay vi cơ hay vi cảm biến đo vận tốc góc là linh kiện đo một đặc trưng cơ
bản của chuyển động quay đó là vận tốc góc. Do cảm biến được gắn trên các hệ
chuyển động nên vận tốc góc sẽ có mối liện hệ với đặc trưng cơ bản của hệ quy chiếu

phi tuyến là gia tốc quán tính. Vì thế các nguyên lí hoạt động của con quay được xét
trong hệ quy chiếu phi quán tính thông qua hiệu ứng Coriolis.
Cảm biến đo vận tốc góc được nghiên cứu trong luận văn này thuộc loại con quay
dao động. Nguyên lý hoạt động của loại con quay này được mô tả bởi mô hình tương
đương gồm khối gia trọng m, lò xo k x , k y , giảm chấn C x , C y và 2 bậc tự do (hệ tọa
độ 2 chiều XY ) được chỉ ra như (hình 1.3). Coi hệ quy chiếu gắn với con quay
( XY  B ) là hệ quy chiếu phi quán tính, vì hệ này chuyển động có gia tốc đối với hệ
quy chiếu quán tính ( ij  A ) gắn với trái đất.
Thông thường, khối gia trọng ( m ) của hệ con quay được kích thích để có dao
động dọc theo phương X (gọi là thành phần kích thích) bởi lực Fd . Khi cho cả hệ
 
chuyển động quay với vận tốc góc không đổi     const , sẽ sinh ra dao động của
khối gia trọng theo phương Y (gọi là thành phần cảm ứng) do tác động của lực quán
tính Coriolis gây bởi gia tốc quán tính Coriolis.
Hình 1.3: Cấu trúc và nguyên lý hoạt động của con quay dao động [2]
Vị trí khối gia trọng m tại thời gian t bất kỳ trong hệ quy chiếu quán tính A

được xác định bởi vector vị trí rA

  
rA  R  rB (1.8)

Trong đó, vector vị trí rB có thể được biểu diễn trong hệ tọa độ X, Y của con
quay dưới dạng:
  
rB  x X  yY (1.9)

Vận tốc của m đối với hệ quy chiếu quán tính bằng tổng hợp vận tốc V của hệ

v
con quay với hệ quy chiếu quán tính và vận tốc B của m trong hệ quy chiếu con
quay. Tuy nhiên, trong hệ con quay, m vừa tham gia chuyển động tịnh tiến (chuyển

v
động thẳng) vừa tham gia chuyển động quay, vì thế, B sẽ bao gồm vận tốc chuyển
 T 


động tịnh tiến (translational motion), vB  rB , và vận tốc liên hệ với chuyển động
 R  


quay (rotation motion), vB    rB , được xác định bởi:
    
 
 
    


v  V  vB  rA  R  rB    rB (1.10)
Thực hiện khai triển phép nhân vector có hướng ở vế phải của (1.10) với lưu ý

chỉ xét các thành phần theo 2 phương X và Y đối với B và chỉ có  z    0 (do
r

vector  có phương dọc theo trục Z ), ta sẽ nhận được vector vận tốc của m trong hệ
quy chiếu con quay, như sau:
    
vB   x  y  X   y  x  Y  vx X  v y Y (1.11)

Gia tốc của m đối với hệ quy chiếu quán tính bằng tổng hợp gia tốc A của hệ

a
con quay với hệ quy chiếu quán tính và gia tốc B của m trong hệ quy chiếu con

a
quay, trong đó, B cũng sẽ bao gồm gia tốc chuyển động tịnh tiến và gia tốc liên hệ
với chuyển động quay, được xác định bởi:
     
   
  
   
   
 
a  A  aB  R  rB    rB    (  rB )    rB    rB
 
   
      
    

a  R  rB    (  rB )    rB  2(  rB ) (1.12)

Thực hiện khai triển các phép nhân vector hữu hướng ở vế phải của (1.12) với
 
lưu ý chỉ xét đến các thành phần theo 2 phương X và Y đối với rB và vB , đồng thời
chỉ có z    0 , gia tốc của m trong hệ quy chiếu con quay cũng sẽ được xác định:
    
aB  (  y) X  ( 
x 2 x  2y   x)Y  a X  a Y
y 2 y  2x  (1.13)
x y
Phương trình động lực học của hệ lò xo, khối gia trọng, giảm chấn trong hệ quy
chiếu con quay theo 2 phương X , Y có dạng:
ma x  c x v x  k x x  Fd
 (1.14)
ma y  c y v y  k y y  0
  
Trong đó, vx và v y là các thành phần của vector vận tốc v và ax , a y là các thành

phần của vector gia tốc a theo 2 phương X và Y . Thay (1.8), (1.9) và (1.13) vào
(1.14) ta có:
  y  F
mx  c x  x  y   k x  m 2 x  2m. y  m. d
 x0 (1.15)
 
my  c y  x  y   k y  m y  2 m. x  m.
2
Nếu các thành phần của hệ số độ cứng (hệ số đàn hồi) như nhau theo mọi phương
(tức là k x  k y  k ) và nếu coi vận tốc góc  nhỏ hơn nhiều so với tần số cộng
k
hưởng kích thích, tức là,    
2
, thì k  m . Ngoài ra, do   const nên
m
  0 , cũng như có x  y , y  x, hệ phương trình (1.15) sẽ được rút gọn
thành hệ phương trình (1.16):
mx  c x x  kx  2my  Fd
  (1.16)
my  c y y  ky  2mx  0
Đây là các phương trình chuyển động đối với hệ con quay lý tưởng. Nếu con
quay được kích thích đến tần số cộng hưởng bởi lực tuần hoàn Fd  F0 sin t thì lực
sinh ra do hiệu ứng Coriolis sẽ tạo ra trạng thái cộng hưởng theo phương cảm ứng. Các
số hạng 2my và 2mx trong các phương trình (1.16) chính là các thành phần lực
Coriolis theo 2 phương X và Y , tạo ra sự liên kết ràng buộc về mặt động lực học giữa
2 mode dao động. Khi hệ số độ cứng của mode kích thích và mode cảm ứng trùng

nhau, các tần số cộng hưởng của 2 mode cũng sẽ như nhau. Biên độ dao động tạo
thành sẽ tỷ lệ với lực Coriolis và do đó tỷ lệ với vận tốc góc cần đo.
4.2.2. Phân loại con quay vi cơ
Con quay vi cơ thực chất là linh kiện dùng để đo vận tốc góc hoặc là góc nghiêng
được chế tạo bằng công nghệ MEMS. Với từng loại Gyroscopes có độ phân giải, độ
nhạy khác nhau thì có các ứng dụng kèm theo khác nhau. Gyroscopes được ứng dụng
rộng rãi nhất trong công nghiệp ô tô. Các loại Gyroscopes nguyên tử có thể có độ phân
giải, và độ nhạy rất cao trong phòng thí nghiệm nhưng chúng lại không thông dụng
trên thị trường bằng các Gyroscopes quang và Gyroscopes tĩnh điện bởi vì giá thành
của chúng thường rất đắt. Đối với các con quay vi cơ những thông số sau xác định chất
lượng của một linh kiện:
Độ phân giải (Resolution): Tín hiệu nhỏ nhất mà linh kiện có thể phân biệt được.
Độ phân giải có thể được coi là độ nhạy của linh kiện, có đơn vị tính bằng 0/s hoặc 0/h
Hệ số tỷ lệ (Scale factor): Tỷ lệ của sự thay đổi tín hiệu lối ra trên một đơn vị
thay đổi của thông tin (vận tốc góc) đầu vào, có đơn vị là mV/0/s
Dải động (Dynamic range): Khả năng hoạt động của linh kiện tương ứng với
thông tin đầu vào.
Giá trị offset (ZRO – Zero rate output): Giá trị của tín hiệu đo được khi chưa
có tín hiệu đầu vào, đây là thông số đánh giá mức độ nhiễu ban đầu của linh kiện. Cụ
thể, khi chưa có thông tin đầu vào, tín hiệu lối ra của linh kiện là một hàm ngẫu nhiên
do tín hiệu nhiễu tự nhiên tạo ra và thường có sự thay đổi rất ít. Giá trị của tín hiệu này
được xác định qua độ phân giải của linh kiện có đơn vị là 0/s/Hz hoặc 0/h/Hz.
Bước góc ngẫu nhiên (Angle random walk): Cũng là một tín hiệu nhiễu, giá trị
của nó được đo bằng 0/h. Nhiễu này xuất hiện chủ yếu là do nhiễu từ thông tin tín hiệu
vào và hoàn toàn độc lập với các đặc tính tạo lên các sai lệch về góc nghiêng như là
nhiễu hệ số tỷ lệ hay là thế dòng trôi.
Dải thông (Bandwidth): Độ rộng dải tần số hoạt động của linh kiện ở trạng thái
cộng hưởng.
Điện áp trôi (Drift voltage): Là một giá trị nhiễu hoàn toàn độc lập, không chịu
ảnh hưởng bởi các giá trị quán tính.
Ngày nay, các mẫu Gyroscope được phát triển chế tạo chủ yếu vẫn dựa trên
nguyên lí và hiệu ứng cơ bản của nhiều năm trước. Nhưng với sự phát triển của khoa

học công nghệ vật liệu nên các thiết kế mới với các cải tiến về cấu trúc cơ học được
đưa ra để phù hợp với phương pháp chế tạo hoặc vật liệu mới. Dựa trên chế độ dao
động cơ học và cấu trúc hình học người ta phân loại các Gyroscope thành một số loại
cơ bản như sau:
- Con quay vi cơ Drapper (Gimbal Gyroscope)
- Con quay vi cơ dao động kiểu mâm tròn (Vibrating Ring Gyroscope)
- Con quay vi cơ với hai khối gia trọng (Tuning Fork Gyrocope)
1.4.1.1. Con quay vi cơ Drapper (Gimbal Gyroscope)
Đây là loại linh kiện có cấu trúc đơn giản nhất, thuộc thế hệ đầu tiên trong lịch sử
phát triển con quay vi cơ, được thiết kế và chế tạo vào năm 1991, tại phòng thí nghiệm
Drapper, Mỹ.
Hình 1.4: Cấu trúc (a) và nguyên lý hoạt động (b, c) của con quay Drapper [2]
Cấu trúc của linh kiện gồm một khối gia trọng được gắn với hệ khung treo ngoài
bằng hai cặp dầm (beam) đối xứng, trong đó cặp dầm ngoài cùng sẽ được gắn với các
điểm chốt cố định (anchor), như được minh họa trên (hình 1.4 a). Các dầm này có
dạng hình hộp chữ nhật với đặc điểm kích thước là chiều rộng nhỏ hơn rất nhiều so với

độ dày. Cả cấu trúc nói trên được gắn lên một tấm đế bằng thủy tinh Pyrex có vai trò
như một phía bản cực để hình thành cấu trúc tụ điện bằng kỹ thuật hàn anode. Khung
treo có vai trò là một phía bản cực còn lại tạo ra cặp tụ điện đối xứng nhau để thực
hiện chế độ kích thích, khối gia trọng là bản cực của cặp tụ điện để nhận biết tín hiệu
cảm ứng. Tác động một điện áp xoay chiều ngược pha vào cặp tụ điều khiển sẽ tạo ra
các lực kéo – đẩy giữa các cặp bản cực, khung sẽ bị xoay nghiêng đi làm các dầm treo
bị xoắn một góc giống như một cầu bập bênh (hình 1.4 b). Khi đặt cấu trúc vào một
chuyển động quay với vận tốc góc, có phương vuông góc bề mặt cấu trúc (Z ) , khối
gia trọng sẽ bị xoay lệch nghiêng cũng dưới dạng bập bênh làm cho điện dung của tụ
thay đổi (hình 1.4 c). Thu nhận tín hiệu thay đổi này ta sẽ xác định được vận tốc góc
cần đo.
1.4.1.2. Con quay vi cơ dao động kiểu mâm tròn (Vibrating Ring Gyroscopes)
Hình 1.5: Cấu trúc và nguyên lý của con quay vi cơ dao động kiểu mâm tròn
Loại linh kiện này được triển khai nghiên cứu thiết kế và chế tạo đầu tiên ở Đại
Học Michigan (Mỹ) và Học viện Hàng không Vũ trụ Anh vào năm 1994. Linh kiện sử
dụng hệ cấu trúc tụ điện răng lược để kích hoạt và nhận biết tín hiệu. Hình 1.5 là một
dạng cấu trúc điển hình của kiểu con quay này. Hoạt động của linh kiện là do biến
dạng đàn hồi của 8 dầm bán nguyệt xếp kiểu cánh quạt tạo ra dao động trong vòng
tròn, được nâng đỡ bởi môt điểm chốt cố định (Anchor) ở chính giữa. Vòng dao động
sẽ được kích động bằng lực tĩnh điện thông qua các điện cực dẫn động.
Khi có thêm một chuyển động quay tác động theo chiều vuông góc với mặt
phẳng cấu trúc, sẽ xuất hiện lực Coriolis làm cho vòng dao động lệch góc một góc là
450 so với mode dao động chính ban đầu và tỷ lệ với vận tốc góc đặt vào, tức là tương
ứng mode dao động thứ 2, được xác định bằng các điện cực cảm ứng. Do đó chúng ta

sẽ xác định được vận tốc góc quay đặt vào thông qua sự thay đổi của điện dung các tụ
cảm ứng.
Linh kiện có thể hoạt động ở áp suất 1 mTorr với độ phân giải đạt khoảng 0,5 o/s
trong dải tần 25Hz. Tuy nhiên, có một vài hạn chế cho việc tăng chất lượng sản phẩm,
như là:
- Do linh kiện được chế tạo dựa trên phương pháp electroplating nên cần phải tạo
khe hở giữa các điện cực đủ lớn để có thể thực hiện thành công kỹ thuật này. Tuy
nhiên, điều này dẫn đến điện dung của các tụ điện cảm ứng nhỏ, nghĩa là tín hiệu nhận
được sẽ yếu.
- Do hệ số dãn nở nhiệt của đế Silic khác so với vật liệu làm cấu trúc cảm biến
(Nicken), nên khi có sự thay đổi về nhiệt độ thì vòng dao động sẽ giãn hoặc co lại
nhiều hơn các điện cực được gắn chặt với đế, làm cho khe hở của cấu trúc và điện cực
cũng sẽ thay đổi. Kết quả là ảnh hưởng của nhiệt độ đến các thông số như thế offset và
hệ số tỷ lệ (scale factor). Ngoài ra, vật liệu Nicken cũng làm tăng việc thất thoát điện
năng, làm giảm hệ số phẩm chất của cấu trúc, tức là làm giảm chất lượng của con quay
hồi chuyển (Gyroscopes).
1.4.2.3 Con quay vi cơ hai khối gia trọng (Tuning Fork Gyrocopes) [5]
Con quay vi cơ với hai khối gia trọng (Tuning Fork Gyrocopes) hoạt động dựa
trên nguyên lý hoạt động của âm thoa. Âm thoa là một dụng cụ cộng hưởng âm có cấu
trúc gồm hai thanh kim loại dạng chữ U gắn lên một đế đỡ. Dụng cụ nàysẽ phát ra các
âm thanh cộng hưởng nhất định tương ứng các chế độ (mode) dao động khác nhau từ
thấp lên cao khi hai nhánh của thanh chữ U được cho dao động cùng phương nhưng
ngược chiều nhau (hình 1.6 a).
Hình 1.6: (a) Dụng cụ âm thoa, (b) Các phương hoạt động với vận tốc góc

Tần số của âm thanh phát ra lớn hơn tần số dao động cơ bản rất nhiều. Trong
trường hợp áp dụng các phương thức hoạt động của một cảm biến vận tốc góc, ta sẽ
có ba phương hoạt động của cấu trúc âm thoa này như minh họa ở hình 1.6 b.
Dựa trên nguyên lý hoạt động của âm thoa như vậy, người ta thiết kế một hệ dao
động với hai khối nặng (khối gia trọng – m ) được gắn cố định bởi các dầm treo đàn
hồi k1 và được gắn với nhau qua hệ lo xo đàn hồi k2 (hình 1.7 a). Bằng cách cho hai

khối nặng m chuyển động ngược chiều nhau theo phương x với vận tốc v , rồi đặt hệ

trên trong một chuyển động quay, sao cho, vector vận tốc góc  theo phương Z , sẽ
tạo ra cặp lực Coriolis theo phương Y , có trị số như nhau nhưng cũng ngược chiều
nhau (hình 1.7 b). Kết quả là, hai khối dao động sẽ dao động theo phương Y trùng với
phương và chiều của cặp lực Coriolis. Độ dịch chuyển theo phương Y tỷ lệ với vận tốc
góc đặt vào nó.
Hình 1.7: Cấu trúc và nguyên lý của con quay vi cơ kiểu Tuning Fork
Kể từ khi được công bố lần đầu tiên của phòng thí nghiệm Drapper (Mỹ) vào
năm 1993, đến nay, con quay vi cơ kiểu Tuning Fork đang nhận được sự quan tâm
đáng kể tại các trung tâm nghiên cứu hàng đầu trên thế giới về công nghệ linh kiện
MEMS, xuất phát từ một số ưu điểm sau:
- Cấu trúc có khả năng điều chỉnh các thông số kích thước để cải thiện các đặc
trưng như độ cứng của cấu trúc, tần số cộng hưởng ở hai chế độ hoạt động chính
(driving và sensing) như mong đợi.
- Linh kiện hoạt động trong mặt phẳng thuận lợi cho quá trình tích hợp với linh
kiện khác (như cảm biến đo gia tốc kiểu tụ) và mạch tổ hợp để tạo thành một hệ hoàn
chỉnh như thiết bị dẫn hướng, định vị.

Hiện nay, con quay vi cơ đã được chế tạo và thương mại hóa và được sử dụng
rộng rãi trong công nghiệp ô tô, hàng không dân dụng và quân sự... Tuy nhiên, vẫn còn
một số vấn đề còn tồn tại, cần được tiếp tục cải thiện, đó là:
- Chưa khử bỏ được các mode dao động tự nhiên không mong muốn, là nguyên
nhân chủ yếu gây ra các tạp nhiễu tín hiệu đo sau này. Đây là một vấn đề ảnh hưởng
chính đến chất lượng của linh kiện. Các thiết kế đã công bố từ trước tới nay mới chỉ
khắc phục nhược điểm này bằng cách thiết kế mạch xử lý tín hiệu lối ra. Điều này dẫn
đến sự phức tạp cho cấu trúc của linh kiện và không kinh tế, bên cạnh đó, độ ổn định
tín hiệu cũng không cao, phụ thuộc nhiều vào điều kiện đo, và các tín hiệu nhiễu vẫn
không tách được hoàn toàn.
- Với kết cấu và cơ chế làm việc kiểu dao động, nên thực chất con quay vi cơ
được coi như một bộ cộng hưởng. Vì sự tương thích tần số giữa hai mode chính là yếu
tố quyết định đến các thông số khác, chẳng hạn mức độ đáp ứng hay độ nhạy của hệ
thống với sự thay đổi của điều kiện môi trường làm việc nên việc tương thích tần số
của hai mode dao động này là một vấn đề cần được quan tâm đặc biệt trong yêu cầu
thiết kế nhằm cải thiện chất lượng của sản phẩm.
Do vậy, luân văn này sẽ tập trung vào nghiên cứu thiết kế các phương pháp cải
tiến thiết kế các mô hình của con quay vi cơ nhằm giảm thiểu các nhược điểm đã được
đề cập. Với mục đích thực hiện chế tạo linh kiện này với chất lượng cao phù hợp các
điều kiện công nghệ sẵn có hiện nay.

Chương 2
THIẾT KẾ CẢM BIẾN GYROSCOPES MEMS
Như đã giới thiệu trong chương 1, con quay vi cơ kiểu Tuning Fork có cấu trúc
gồm hai khối gia trọng được treo bởi hệ các thanh dầm đàn hồi (hình 1.7 a). Khi hoạt
động, hai khối gia trọng được kích hoạt để dao động ngược pha nhau 1800. Một dao
động cảm ứng theo phương vuông góc với phương dẫn động sẽ xuất hiện khi toàn bộ
cấu trúc được đặt trong một chuyển động quay tròn với vận tốc góc  (hình 1.7 b)
2.1. Mục tiêu thiết kế
Tín hiệu đầu ra được cảm nhận bằng hệ thống tụ điện thiết kế theo kiểu răng
lược (comb structure capacitors), sự thay đổi của tín hiệu ra tỷ lệ với điện dung trên tụ.
Cấu trúc Gyroscope theo kiểu Tuning Fork có hai khối gia trọng có tác dụng làm
loại bỏ đi gia tốc chuyển động tịnh tiến, từ đó giúp cho việc xác định chính xác được
vận tốc góc cần đo.
Ngoài ra với 2 khối gia trọng chuyển động ngược pha nhau trong mode dao động
cảm ứng, giúp cho tín hiệu lối ra sẽ tăng gấp đôi, tức là làm tăng độ nhạy của cảm
biến. Tuy nhiên cấu trúc này cũng có một số nhược điểm cần khắc phục như sau:
- Hai khối gia trọng phần lớn là được dẫn động riêng lẻ theo các hệ cấu trúc răng
lược tách biệt. Điều này có ưu điểm là có thể tăng được độ lớn của lực tĩnh điện lên
nhưng nó lại làm điện thế dẫn động và lực tĩnh điện của hai khối khi dẫn động là
không đồng nhất. Làm ảnh hưởng đến tần số cộng hưởng của thiết bị khi hoạt động.
- Cấu trúc này còn tồn tại các mode đồng pha không mong muốn có tần số gần
với tần số làm việc của hai mode hoạt động chính là mode dẫn động (mode driving) và
mode cảm ứng (mode sensing) của Gyroscopes, tạo ra các nhiễu tín hiệu ở đầu ra khi
Gyroscopes hoạt động.
Do vậy, cấu trúc Gyroscopes được thiết kế trong luận văn này cần đảm bảo các
tiêu chí sau:
- Khử bỏ hoặc hạn chế các mode dao động đồng pha khi dẫn động bằng lực tĩnh
điện nhằm cải thiện biên độ dẫn động của cấu trúc.
- Khử bỏ hoặc hạn chế các mode dao động cảm ứng đồng pha để giảm các nhiễu
gây ảnh hưởng đến tín hiệu lối ra.
- Khử bỏ hoặc hạn chế sự mất đồng đều của lực tĩnh điện tác động vào các hệ tụ
dẫn động (driving).

- Thiết kế bố trí hệ thống cấu trúc răng lược dẫn động đồng nhất cho cả hai khối
gia trọng cùng một lúc.
2.2. Cấu trúc các thanh dầm kiểu đàn hồi
Một cảm biến đo vận tốc góc dựa trên hiệu ứng Coriolis sẽ tuân theo các nguyên
lý dao động của một hệ cơ học với hai bậc tự do. Một hệ dao động cơ học với hai bậc
kx
tự do (2-DOF) sẽ có 2 tần số dao động riêng tương ứng, tần số dẫn động  x 
m
ky
và tần số cảm ứng  y  . Nếu các thành phần độ cứng k x , k y được thiết kế, sao
m
cho, k x  k y thì khi đó  x   y và hệ dao động đạt trạng thái cộng hưởng.
Dầm đàn hồi (elastic beam) có vai trò để treo khối gia trọng tách biệt khỏi đế
thông qua các điểm chốt được gọi là anchor. Các dầm phải được thiết kế đảm bảo các
tiêu chí như sau :
- Độ cứng đủ lớn để có thể treo được cấu trúc tách khỏi đế, không bị võng theo
trục Z .
- Tính đàn hồi đủ mềm dẻo đảm để toàn bộ cấu trúc có thể dễ dàng dao động theo
các phương hoạt động (phương dẫn động và phương cảm ứng).
Do nguyên lý hoạt động của Gyroscopes kiểu Tuning Fork theo hai phương dẫn
động và cảm ứng trực giao nhau, cho nên:
- Độ cứng tổng hợp của dầm theo phương dẫn động và phương cảm ứng phải
được thiết kế gần xấp xỉ như nhau để linh kiện có thể hoạt động tại tần số cộng hưởng,
- Độ cứng của dầm tính theo phương dẫn động và tính theo phương cảm ứng phải
thiết kế sao cho là nhỏ nhất theo các phương ngược lại để đảm bảo chỉ hoạt động theo
hai thành phần chính là dẫn động và cảm ứng.
Một số loại dầm treo điển hình thường được sử dụng trong thiết kế, chế tạo các
cảm biến vi cơ:
2.2.1. Dầm treo thẳng (Linear beam)
Đây là một kiểu dầm đơn giản có hình dạng là một thanh thẳng (hình 2.1). Kiểu
này có ưu điểm đơn giản, dễ chế tạo và có ít thông số, cụ thể chỉ có hai thông số là
chiều dài dầm và chiều rộng của dầm bởi độ dày của dầm luôn được cố định với giá trị

là 25 µm. Nhưng kiểu dầm này có tính phi tuyến lớn và hạn chế về biến dạng dọc theo
chiều ngang (axial loading limitation). [7, 15, 41]
Hình 2.1: Cấu trúc của dầm thẳng

Các thành phần của hệ số độ cứng (đàn hồi) của kiểu dầm này được xác định như
sau:
w b tb w 3b tb w.tb3
kx  E ky  E 2 ; kz  E 2
lb ; lb lb (2.1)
Trong đó, lb là chiều dài dầm, w b là độ rộng của dầm, tb là chiều dày của dầm,
E là mô-đun đàn hồi của vật liệu, k x , k y , k z lần lượt là độ cứng theo các phương
X , Y , Z trong không gian.
Một số cấu trúc ứng dụng dầm treo thẳng được chỉ ra trong hình 2.2.
Hình 2.2: Ứng dụng của dầm treo thẳng [2]

2.2.2. Dầm treo gập (folded beam)

Đây là sự kết hợp giữa hai thanh dầm thẳng để tạo ra dạng dầm hình chữ U như
mô tả trên hình 2.3. Do đó, độ cứng cấu trúc kiểu dầm nay được coi là sự kết hợp của
độ cứng hai dầm treo thẳng theo phương y, tức là:
1 1 1
 
k fo ld e d ky ky
t b 1 w b3 1
Cụ thể: k fold ed  E (2.2)
2 lb31
Hình 2.3: Cấu trúc dầm treo gập (a), đáp ứng với tải dọc và ngang (b) [2]
Cấu trúc thanh dầm treo gấp có khả năng khắc phục được nhược điểm về tính phi
tuyến của dầm treo thẳng nhưng lại có nhược điểm là độ cứng theo phương nằm ngang
giảm như thể hiện ở hình 2.3 b. Để khắc phục, người ta thường kết hợp hai dầm gập
đối xứng nhau thành một cấu trúc gọi là dầm gập kép như hình 2.4.
Hình 2.4: Cấu trúc dầm gập kép

Hệ số độ cứng của kiểu dầm này được xác định như sau:
wb3 .t b
k foldbeam  2 k  E (2.3)
lb3
Trong đó, lb và lb1 là chiều dài dầm, wb là độ rộng của dầm, tb là chiều dày của
dầm, W là khoảng cách giữa hai thanh dầm, E là mô-đun đàn hồi của vật liệu.
Một số cấu trúc ứng dụng dầm treo thẳng được chỉ ra trong hình 2.5.
Hình 2.5: Ứng dụng của dầm treo gập [2]
2.3. Cấu trúc tụ điện vi sai

2.3.1 Khái niệm cơ bản về tụ điện [2]
Tụ điện được cấu tạo bởi hai bản cực làm bằng chất dẫn điện ghép song song
với nhau, ở giữa được ngăn cách bởi chất điện môi (chất cách điện). Giá trị điện dung
được xác định bởi công thức (2.4).
Aoverlap x0 z 0
C   0   0 (2.4)
y0 y0
Cảm biến thay đổi điện dung được ứng dụng rộng rãi, khi
 0  8.854  10  12 F / m và Aoverlap  x 0 z 0 ,  là hằng số điện môi, bằng việc
thay đổi khoảng cách y 0 ta có thể thu được các giái trị điện dung khác nhau. Việc
nhận biết thay đổi này ta có thể nhận biết được lực tác động và độ dịch chuyển của các
bản cực, sự dịch chuyển này được sinh ra bởi một điện áp.

Hình 2.6: Mô hình cấu tạo tụ song song [2]
Mối quan hệ giữa động năng và thể năng với tụ điện và điện áp là tuyến tính
được thể hiện như công thức (2.5) và (2.6).
Q2
W (Q )  (2.5)
2C
CV 2
W  (Q )  (2.6)
2
Trong cơ cấu truyền động Khoảng các thay đổi, các lực đẩy tĩnh điện quan tâm
là thành phần lực được tạo ra theo hướng bình thường với mặt phẳng của điện cực.
Nếu chúng ta biểu thị hướng pháp tuyến trên trục y và có khoảng cách là y 0 như
trong Hình 2.7, các lực lượng trong hướng y được tính như sau:
1 C 2 1  0  z 0 x0
Fy  V  2
V2 (2.7)
2 y 2 ( y0  y )
Hình 2.7: Sự biến đổi khoảng cách tĩnh điện của mô hình thiết bị truyền động

2.3.2. Cấu trúc tụ điện thanh ngang [2]

Hình 2.7 mô tả cấu trúc tụ điện theo kiểu thanh ngang song song. Trong cấu trúc
này có một cực di chuyển giữa hai cực cố định. Khi đó điện dung ra trên hai cực cố
định A, B là vi sai với nhau, cấu hình này cho thấy lực tác động và điện áp là tuyến
tính với nhau. Ngoài ra cấu trúc này cho độ nhạy cao vì sự dịch chuyển khoảng cách.
Hình 2.7: Cấu trúc tụ điện thanh ngang [2]
Khi không có lực tác dụng điện cực nằm ở điểm giữa hai điện cực cố định. Trong
thực tế, người ta thường chế tạo lệch với điện áp V0 và V0/2 lực cũng có thể nhận
được tương tự. Trong cấu trúc này, cấu trúc tụ điện thanh ngang với điện áp ra được
dùng để đánh giá lực tác động ở đầu vào như bảng 2.1.
Bảng 2.1: Tóm tắt các thông số của cấu truc tụ điện thanh ngang [1]
Các thông số Công thức xác định
A
Điện dung 2C 0  2 N
d
C0
Độ nhạy 
d
C0 2
Lục tính điện  2x V
d2
C0 2
Hằng số co giãn tĩnh điện 2 V
d2

2.3.3. Cấu trúc tụ điện kiểu răng lược

Trong cấu hình này, khoảng cách giữa các răng lược là giống nhau. Sự thay đổi
của điện dung được hình thành bởi sự thay đổi tiết diện tiếp xúc của các răng lược.
Cấu hình này cho phép sử dụng một lục hút tĩnh điện để chuyển đổi, nhưng có độ nhạy
rất kém do sự thay đổi về cấu trúc hình học, như hình 2.8a
Hình 2.8: Cấu trúc tụ điện kiểu răng lược và nguyên lý hoạt động [1,2]
Do tuyến tính và kém nhạy này cấu hình này thường được sử dụng trong mode
dẫn động của cảm biến.
Trong hình 2.8b mỗi tụ được hình thành bởi hai tấm song song, khoảng các của
các tấm song song này tỉ nghịch với giá trị điện dung của tụ, vì sự biến đổi này là rất
nhỏ, nên để tăng tín hiệu đầu ra của cẩm biến hay tăng độ nhạy thì người ta đăt nhiều
thanh trên một bản cực điện dung ra được tính theo công thức (2.8).
tL
C  2 N  0 Y (2.8)
g2
Trong đó Y là độ dich chuyển của bản cực theo hướng chuyển động.
2.4. Cơ sở động lực học của quá trình cản trở dao động (damping) [2]
Trong khi hoạt động thì hệ luôn phải chịu ảnh hưởng của các yếu tố cản trở dao
động (damping). Nguyên nhân là do ảnh hưởng của lực ma sát không khí giữa khối gia
trọng với đế hay giữa các khe hẹp răng lược với nhau trong cấu trúc dẫn động và cảm
ứng. Lực ma sát này được đặc trưng bởi hệ số độ nhớt không khí.
Để cảm biến hoạt động được ở chế độ cộng hưởng thì yếu tố về cản trở dao động
được tính toán và xem xét rất cẩn thận.

Để xảy ra cộng hưởng thì tần số của dao động theo hướng dẫn động (driving) và
tần số dao động theo hướng (sensing) bằng nhau. Do đó, có thể xác định gần đúng theo
công thúc sau:
x driving m ax  Q D riving  x drivingstatic (2.9)
y sen sin g max  Q sen sin g  y sen sin gstatic (2.10)
Trong đó, xdrivingmax và ysensingmax là biên độ dao động cực đại theo hướng dẫn động
và theo hướng cảm ứng. Qdriving và Qsensing là hệ số phẩm chất dẫn động và cảm ứng.
xdrivingstatic là biên độ dẫn động tĩnh sinh ra bởi lực tĩnh điện và ysensingstatic là biên độ cảm
ứng sinh ra nhờ lực Coriolis.
Ở điều kiện làm việc trong môi trường không khí, với điện thế dẫn động khoảng
từ 5 V đến 10 V thì độ lớn biên độ xdrivingstatic chỉ đạt vài trăm nm (nano mét). Do đó, để
có được một lực coriolis có giá trị sinh ra một tín hiệu đủ lớn theo thành phần cảm ứng
có thể nhận biết được thì chúng ta cần phải thiết kế làm tăng hệ số phẩm chất Qdriving
và Qsensing đủ lớn theo yêu cầu.
Với một hệ dao động cộng hưởng, hệ số phẩm chất Q được tính theo biểu thức:
f ch f ch
Q  (2.11)
f f 2  f1
Trong đó, fch là tần số cộng hưởng của cấu trúc, ∆f là độ rộng của dải tần hoạt
động tại đó có biên độ dao động bằng ½ giá trị biên độ dao động tại cộng hưởng.
Hình 2.9: Đặc trưng biên độ tần số của hệ cộng hưởng

Đối với cấu trúc con quay vi cơ kiểu Tuning Fork, có thể xác định được:
k1
Tần số dao động đồng pha của hai khối gia trọng: 1  ,
m
k1  2 k 2
Tần số dao động ngược pha của hai khối gia trọng:  2  .
m
Để có thể nhận biết được tín hiệu của 2 mode dao động tách biệt, cấu trúc phải
được thiết kế sao cho, 2  1. Muốn vậy, k2 phải lớn hơn k1 rất nhiều (k2 >> k1).
2.5. Mô hình thiết kế và nguyên lý hoạt động của Gyroscopes kiểu tuning fork [1]
2.5.1. Mô hình thiết kế 1
Mô hình thiết kế thứ nhất được đưa ra ở hình 2.10.
Hình 2.10: Mô hình thiết kế con quay vi cơ kiểu Tuning Fork thứ nhất [1]
Ghi chú:
(1) Khung driving (6) Dầm gấp kép
(2) Khung sensing (7) Cơ cấu cần đẩy
(3) Các dầm treo cố định (8) Hệ thống tụ dẫn động (kiểu răng lược)
(4) Dầm treo Sensing (9) Hệ thống tụ cảm ứng (kiểu răng lược)
(5) Dầm liên kết đàn hồi

Nguyên lý hoạt động:

Hai khối gia trọng của cấu trúc này cũng được cấu tạo từ hệ hai khung lồng vào
nhau. Khung ngoài (1) của mô hình có vai trò duy trì dao động theo phương dẫn động.
Khung trong (2) được treo trong khung (1) bắng một hệ thanh dầm đàn hồi dạng elíp
và được nối với nhau bằng thanh chống đồng pha. Các dầm gập kép (3) cũng có vai trò
gắn và treo toàn bộ hai hệ khung ngoài và trong. Hai khối gia trọng cũng được liên kết
với nhau bằng một dầm đàn hồi dạng elip (5). Hệ các dầm gập kép có nhiệm vụ neo
giữ dầm liên kết elip, nhằm chống lại các biến dạng vặn xoắn (out of plane) sẽ dẫn đến
mode dẫn động đồng pha. Mô hình này đạt được tiêu chí thu gọn kích thước của linh
kiện.
Những điểm khác biệt rõ nét của thiết kế này là:
- Hệ tụ răng lược dẫn động (8) được đặt bên ngoài hệ khung cấu trúc để có thể
tăng số răng lược cần thiết cho mục đích tăng lực dẫn động.
- Hệ tụ răng lược (9) để nhận biết tín hiệu cảm ứng lối ra được đặt bên trong của
hệ khung trong (1).
- Cơ cấu cần đẩy (7) được đặt ở chính giữa thanh liên kết hai khung cảm ứng bên
trong. Như vậy, với cấu trúc như trên sẽ khử được các mode dao động không
mong muốn (dẫn động đồng pha và cảm ứng đồng pha).
Khi cho một tác động ở đầu vào dẫn động, làm cho khung driving dao động theo
phương dẫn động (trục x), khi đó các dầm treo (3) và (6) bị tác động.
Khi cấu trúc quay một góc  , thì sẽ sinh ra một lực Coriolit tác động lên khung
của sensing, làm cho nó dịch chuyển theo phương cảm ứng (trục y), làm cho hệ thống
tụ răng lược thay đổi khoảng cách, dẫn đến làm thay đổi điện dụng của tụ và nó tỷ lệ
với vận tốc góc quay tác động lên nó.
Mô hình 2 lặp lại hầu hết các chi tiết thiết kế của mô hình thứ nhất. Điểm khác
biệt của thiết kế thứ hai này là việc bỏ thanh chống đồng pha của sensing và thay vào
đó là trống đồng pha cho khung driving. Việc đưa ra thêm cấu trúc mới này nhằm so
sánh độ tin cậy với các biến dạng xoắn, vênh của cấu trúc trống đồng pha cho sensing
và không có trống đồng pha cho sensing. Mô hình thiết kế 2 cũng khảo sát sự khác
nhau về cách dẫn động theo một hướng và theo hai hướng.

Hình 2.11: Mô hình thiết kế con quay vi cơ kiểu Tuning Fork thứ hai
Mô hình 3 được thể hiện trên hình 2.12, khắc phục cấu trúc của sensing trong
mô hinh thiết kế 1, với mô hình thiết kế 3 thì các hệ tụ của đầu sensing vi phân với
nhau theo 2 nửa ở hai bên của một cảm biến, sử dụng các dẫn động theo hai hướng.
Hình 2.12: Mô hình thiết kế con quay vi cơ kiểu Tuning Fork thứ ba [1]
Mô hình 4 được thể hiện trên hình 2.13, mô hình này được đưa ra nhằm so sánh
với mô hình thiết kế 3.

Hình 2.13: Mô hình thiết kế con quay vi cơ kiểu Tuning Fork thứ tư
Mô hình 4 đã được thiết kế và mô phỏng cơ trên phần mềm ANSYS cho thấy các
đáp ứng tần số ở đầu ra của các mode driving và mode sensing như hình 3.4, hình 3.5,
hình 3.6 và hình 3.7.

Chương 3
KHẢO SÁT CẢM BIẾN GYROSCOPES KIỂU TUNING FORK
Con quay vi cơ đã đạt được nhiều thành công lớn từ ngành công nghiệp ô tô
cho đến công nghiệp điện tử dân dụng. Tất cả các con quay vi cơ trên thị trường hiện
nay thuộc dạng sensor đo vận tốc góc, sử dụng sự chuyển năng lượng từ dao động dẫn
động vòng kín (mode driving) tới dao động thứ cấp là dao động của mode sensing. Độ
phân giải và độ nhạy của con quay MEMS thường được nâng cao lên nhờ sự tăng hệ
số phẩm chất Q và giảm sự đồng pha giữa hai mode driving và sensing. Sự phối ghép
hai con quay vi cơ độc lập với hệ số Q trên 100000 đã tạo được độ ổn định cao. Sự cải
tiến của dải tần vận tốc thường được giải quyết bằng cách điều khiển mode sensing
trong vòng kín, hoặc với dạng dùng lực để tái tạo cân bằng. Tuy nhiên, sự đánh đổi
này thường làm tăng các nhiễu do sự khuếch đại của vòng kín, cũng như là giới hạn
của dải do sự cố định của điện áp tham chiếu cần để cân bằng khối gia trọng.
Một cách khác thay thế cho cơ cấu dùng lực dẫn động cân bằng là giữ mode
hoạt động với toàn bộ góc, việc này có thể đáp ứng một cách căn bản là không giới
hạn về dải đầu vào cũng như dải tần đo đạc. Mode toàn bộ góc, hoặc là mode tích hợp
vận tốc cho phép đo được vị trí quay hay hướng của vật một cách trực tiếp từ chuyển
động của khối gia trọng mà không cần tích hợp số với tín hiệu vận tốc góc. Tín hiệu ra
này rất có ích trong việc dẫn hướng bằng bộ đo quán tính, theo dõi góc phương vị,
thiết lập định hướng trong hệ thống ước lượng và tìm mục tiêu, đặc biệt trong môi
trường mà GPS không thể hoạt động được. Thêm nữa, chế độ toàn bộ góc có hệ số
khuếch đại góc cực kì chính xác, thứ nhất là độc lập với tính chất của vật liệu hay thiết
bị điện tử, đồng thời xác định hoàn toàn bởi hình dạng của khối gia trọng.
Để kích hoạt việc đo toàn bộ góc, yêu cầu các sensor phải có cấu trúc đối xứng
và hệ số Q khắt khe hơn rất nhiều so với việc đo vận tốc, và cần đến những kiến trúc
thiết kế mới. Ví dụ như, con quay hồi chuyển cộng hưởng bán cầu với kích thước vĩ
mô (HRG) với độ phân giải góc phụ thứ hai đẳng hướng và yêu cầu phẩm chất cao lên
tới 26 triệu. Đạt được mức đối xứng của giảm chấn (damping) và độ cứng (ví dụ 10-4
Hz) bằng công nghệ chế tạo con quay silicon MEMS, rất khó khăn để thực hiện một tỷ
lệ tích hợp con quay hồi chuyển trong MEMS silicon, một thiết kế gộp hai khối gia
trọng lần đầu tiên được giới thiệu và sau đó các ứng dụng của phương pháp này đã
được chứng minh.

3.1. Phân tích nguyên lý hoạt động của Gyroscopes kiểu Tuning Fork
Một con quay hồi chuyển đo góc lý tưởng là một hệ gia trọng – lò xo đẳng hướng
2 chiều, dao động với tần số tự nhiên ω. Khi có một chuyển động quay quán tính với
tốc độ Ω, phương trình của chuyển động theo chuyển vị x, y sẽ là (tương ứng với hệ
quy chiếu phi quán tính của gyroscope)
  
x  ( 2  k 2 2 ) x  k (2 y   y )  0 (3.1)
  
y  ( 2  k 2 2 ) y  k (2 x   x )  0 (3.2)
Với k là hệ số khuếch đại, góc được xác định bởi cấu trúc hình học của con quay.
Trên lý thuyết, giá trị lớn nhất cho hằng số hình học này là k  1 . Các thành phần lực
 được chứa trong dải tần và độ rộng dải chuyển động quay đặt
ly tâm và gia tốc góc 
vào. Các phương trình động học của phương trình 3.1 và 3.2 đã được giả thiết bỏ đi
thành phần giảm chấn (damping) và được coi là các dao động tự do, điều đó giúp cho
con quay vi cơ có được hệ số phẩm chất cao cũng như thời gian phân rã lâu hơn.
Ngoài ra, phương trình động học của các con quay vi cơ là không lý tưởng.
Bài toán mới được đặt ra như sau: Cho hai vật nặng m1  m01  m3 ,
m2  m02  m4 treo trên một hệ lò xo, k1 , k2 , k3 như hình 3.1. Để bài toán đơn giản và
dễ thiết kế ta có thể chọn sao cho m01  m02 , m3  m4  m1  m2 và k1  k2
Hình 3.1: Mô hình con quay hồi chuyển kiểu Tuning Fork

Do việc thiết kế các thông số của hệ là đối xứng, ta có sơ đồ phân tích lực như
hình 3.2. Với các ký hiệu như sau:
m1 , m2 : Là hai khối gia trọng
k1 , k2 : Là hai lò xo theo phương 0x
k3 : Là lò xo treo theo phương 0y
k4 , k5 : Là thanh dầm đàn hồi treo m3
l0 : Là độ dài ban đầu của lò xo k1
l1 : Là chiều dài của thanh dầm cánh tay đòn
T1 ,T2 : Là lực kéo của l1
A: Là điểm nối giữa hai thanh dầm cánh tay đòn với k3
F1 , F2 : Là lực tác động vào m1 , m2 với F1  F2
Fk 1 , Fk 2 , Fk 3 : Là lực đàn hồi của lò xo k1 , k 2 , k3
 : Là vận tốc góc
Hình 3.2: Sơ đồ phân tích lực và hệ quy chiếu
Vì ta thiết kế hệ có tính chất đối xứng nên ta chỉ cần xét phương trình dao động
cho m1 .
Xét tại m1 ta có phương trình như sau:

   
F1  T1  Fk1  m1 a1 (3.3)

Chiếu phương trình (3.3) lên trục 0x ta được:
F1  Fk1  T1cos  m1 
x
 F1  k1 x  T1cos  m1 
x (3.4)
Mà ta có:
l0  x x
cos  = cos 0 + (3.5)
l1 l1
h0  x3 x
sin  = sin 0  3 (3.6)
l1 l1
Xét tại điểm A ta có phương trình sau:
  
Fk3  T1  T2  0 (3.7)
Chiếu phương trình (3.7) lên 0x ta được:

  
T1  T2  T (3.8)
Chiếu phương trình (3.7) lên 0y ta được:
Fk3 -T1sin -T2 sin =0 (3.9)
Từ (3.8) và (3.9) ta có:
Fk3 =2Tsin (3.10)
Từ các phương trình (3.4), (3.5), (3.6) và (3.10) ta có hệ phương thình sau:
 F1  k1 x  T1cos  m1
x

cos  l0  x = cos 0 + x
 l1 l1
 (3.11)
 sin  h0  x = sin 0  x3
 l1 l1

 Fk3 =2Tsin
Đây chính là hệ phương trình dao động của m1 theo trục 0x.

Xét trường hợp khi có vận tốc góc tác động vào hệ làm xuất hiện lực Fc vuông
góc với F1 và làm m1 dịch chuyển một đoạn là y và lệch một góc là  .
Giả sử ban đầu m3 đứng yên, m1 chịu tác động của Fc làm nó dao động theo
phương 0y làm m3 bi dịch đi một khoảng là s, làm cho k4 , k5 nén giãn.
Hình 3.3: Sơ đồ phân tích lực khi đặt vận tốc góc vào hệ
Ta có phương trình như sau:
m3
k4 s  k5 s  m3 y   s  y  (3.12)
k 4  k5
 
Với y  ( x  l0 ) sin   y  x sin  (3.13)
m3
Vậy s  x  sin  (3.14)
k 4  k5
Khảo sát sự phụ thuộc giữa đầu vào với đầu ra của hệ dao động
Trường hợp 1:
Chọn
m1  6.50334  108 ( g ) ; m2  6.50334  108 ( g ) ; k1  200/185.228( N /  m) ;

k 2  200/185.228( N /  m) ; k3  200/9.23736( N /  m) ; l0  882  m ; l1  1200  m ;
m3  2.55834  108 ( g ) ; k 4  200/74.56( N /  m) ; k5  200/74.56( N /  m) .

Ta dẫn động hệ bằng một dao động với tần số là 10KHz với biên độ là 0.5 và có dạng:
F  0.5sin(10000t )
Coi tín hiệu góc quay là một dao động điều hòa có dạng:
  1sin(10t )
Tín hiệu dẫn động F  0.5sin(10000t )
Tín hiệu góc quay   1sin(10t )

Tín hiệu đầu ra của cảm ứng.
Trường hợp 2:
Chọn:
m1  6.50334  108 ( g ) ; m2  6.50334  108 ( g ) ; k1  200/185.228( N /  m) ;

k 2  200/185.228( N /  m) ; k3  200/9.23736( N /  m) ; l0  882  m ; l1  1200  m ;
m3  2.55834  108 ( g ) ; k 4  200/74.56( N /  m) ; k5  200/74.56( N /  m) .
F  1.5sin(10000t )
  1sin(10t )


Trường hợp 3:
Chọn:
m1  6.50334  108 ( g ) ; m2  6.50334  108 ( g ) ; k1  200/185.228( N /  m) ;

k 2  200/185.228( N /  m) ; k3  200/9.23736( N /  m) ; l0  882  m ; l1  1200  m ;
m3  2.55834  108 ( g ) ; k 4  200/74.56( N /  m) ; k5  200/74.56( N /  m) .
F  2.0sin(10000t )
  1sin(10t )


Trường hợp 4:
o Chọn m1  4 ; m2  4 ; k1  3 ; k 2  3 ; k3  4 ; l0  3 ; l1  4 ; m3  2 ;
k 4  1 ; k5  1 .
o Ta dẫn động hệ bằng một dao động với tần số là 10KHz với biên độ là
1.5 và có dạng: F  1.5sin(10000t )
o Coi tín hiệu góc quay là một dao động điều hòa có dạng:
  0.5sin(10t )

Tín hiệu góc quay   0.5sin(10t )

Vậy ta thấy tín hiệu ra là một dạng tín hiệu điều chế với tín hiệu điều chế là vận
tốc góc còn tín hiệu sóng mang chính là dao động kích thích của hệ.
Ta có thể thấy tín hiệu tốt nhất khi biên độ của dẫn động ở 1.5 với tần số là
10KHz (trường hợp 2) khi đó ta có thay đổi tín hiệu góc quay thì đáp ứng đầu ra thay
đổi theo như trường hợp 4.

3.2. Thiết kế cấu trúc Gyroscopes Tuning Fork

Từ những tính toán trên ta đi thiết kế phần cấu trúc của con quay hồi chuyển
kiểu Tining Fork. Với các thông số kỹ thuật như sau: [2]
Các chi tiết (cơ cấu) Các giá trị (kích thước)
Driving beam lenght 538µm
Driving beam width 6µm
Sensing beam lenght 230µm
Sensing beam width 6µm
Driving comb lenght 30µm
Driving comb width 3µm
Driving comb overlap 10µm
Driving comb gap 2.5µm
Sensing comb lenght 100µm
Sensing comb width 3µm
Sensing comb overlap 90µm
Sensing comb gap 2.5µm
Constrain beam lenght 500µm
Constrain beam width 10µm
Middle beam lenght 2000µm
Middle beam width 100µm
Number of driving comb 1584
Number of sensing comb 480
Hole size 10µm x10µm
Device thickness 30µm
Anchor size 100µm x100µm
Outermost device area 4500µm x4350µm

3.2.1. Phần sensing

3.2.1.1 Mô phỏng nguyên lý hoạt động của Mode Sensing trên Ansys
Hình 3.4: Hình ảnh mô hình cấu trúc của mode sensing
3.2.1.2 Chuyển vị theo phương X và phương Y của mode Sensing
Hình 3.5: Peak chuyển vị theo phương X và phương Y của mode sensing

3.2.2. Phần Driving

3.2.2.1 Mô phỏng nguyên lý hoạt động của Mode Driving trên Ansys
Hình 3.6: Hình ảnh của mode ngược pha của driving
3.2.2.2 Chuyển vị theo phương X và phương Y của mode Driving
Hình 3.7: Peak chuyển vị theo phương X và phương Y của driving

3.2.3. So sánh các chuyển vị của hai mode Driving và Sensing

3.2.3.1 Chuyển vị theo phương X của hai mode Driving và Sensing
3.2.3.2 Chuyển vị theo phương Y của hai mode Driving và Sensing

Chương 4
THIẾT KẾ MẠCH ĐIỀU KHIỂN VÀ XỬ LÝ TÍN HIỆU
Có rất nhiều phương pháp phát hiện, thử nghiệm và đánh giá con quay hồi
chuyển vi cơ như bằng phương pháp hiện quang, gồm laser, hiệu ứng Dopler dung,
hình ảnh đồng tiêu vv… nhưng chi phí cao. Phương pháp phát hiện bằng điện được sử
dụng nhiều hơn, do giá thành thấp. Trong chương này trình bày phương pháp phát hiện
bằng điện.
4.1. Phương pháp phát hiện bằng điện
Từ cấu trúc tụ điện được thiết kế như trên thì việc phát hiện điện dung bằng
chuyển động điện được thiết kế. Khi cung cấp một điện áp đối xứng (hình 4.1), vào hai
điểm cực driving đối xứng, làm sinh ra một lực tĩnh điện khiến khối gia trọng (khung
driving) dao động với một tần số ổn định theo phương kích thích (trục x).
+Vcc
RV3
R3
10k
+Vcc
100k
-Vcc
U6
U8
7
RV2
4
3 R5
6 2
100k 2 6
10k OUT
3
4
OP37AP
7
R4
-Vcc
OP37AP
+Vcc
10k
+Vcc
-Vcc
U7
7
3 R6
IN
6
2 10k
4
OP37AP
-Vcc
Hình 4.1: Sơ đồ nguyên lý mạch Driving
Khi đó tác động một vận tốc góc vào hệ thống làm sinh ra một lực Coriolis có
phương vuông góc (trục y), làm cho khối gia trọng của sensing dao động theo phương

sensing (trục y). Do cấu trúc của tụ điện gồm một hệ thống các bản cực kiểu răng lược
được gắn cố định, các bản cực dịch chuyển, được gắn trực tiếp trên khối gia trọng. Nên
khi khối này dao động làm thay đổi khoảng cách các bản cực của tụ sensing và làm
thay đổi điện dung ở đầu ra. Đây chính là quá trình điều chế cơ của cảm biến, ở đầu ra
ta biến đổi thành tín hiệu điện để giải điều chế và xử lý. Hình 4.2: Sơ đồ khối điều chế
và giải điều chế tín hiệu Gyroscopes.
Hình 4.2: Sơ đồ khối điều chế và giải điều chế tín hiệu Gyroscopes
4.2. Thiết kế mạch phát hiện điện dung Sensing-mode

Việc phát hiện lực Coriolis ở sesing-mode là việc khác phức tạp, vì nó phụ thuộc
vào phép đo dao động trong sesing-mode, khi biên độ dao động trong driving-mode cỡ
chục micron.
Một phương pháp đơn giản là khuếch đại dòng điện do sensing-mode dao động
tạo ra, bắng việc cấp một điện áp DC vào một cực của sensing, với điện dung
Cs  Csn  Cs sin d t trở thành dòng điện: [2]
d
is  VDC Cs (t )  VDC s Cs cosd t (4.1)
dt

Sơ đồ nguyên lý thực hiện như hình 4.3.
Hình 4.3: Sơ đồ nguyên lý mạch vi phân
Vi Cs thường rất nhỏ nên dòng điện cảm ứng đầu ra nhỏ và tần số của tín hiệu
sensing trùng với tần số của tín hiệu driving, do đó việc giải điều chế gặp khó khăn.
Kỹ thuật giải điều chế đồng bộ thường được sử dụng để khuếch đại biên độ các
tín hiệu cảm ứng và tách chúng ra khỏi dải tần số của tín hiệu nhiễu khác. Phương
pháp này dựa trên việc ghi vào một tín hiệu có tần số cao, đó là chế độ đồng pha của
cấu trúc tụ điện vi sai trong sensing-mode. Dòng điện ra từ tụ sensing được tín hiệu
sóng mang chuyển đổi thành tín hiệu điện áp và được khuếch đại, mạch điện như hình
4.3.
R1
1M
-Vcc
U3
4
2
+Vcc
6
3
U5
7
7
1
OP37AP
RV1 3
+Vcc
IN 1
6
R2 2
IN 2 Output
1M 100k
4
8
5
AD620
-Vcc
U4
-Vcc
Vref
4
2
6
3
7
OP37AP
+Vcc
Hình 4.4: Mạch khuếch đại công cụ

Sự biến đổi của biên độ sóng mang ở đầu ra chính là hiệu ứng Coriolis ở tần số
sóng driving. Ta có thể giả sử có tín hiệu sóng mang hình sin Vc đặt vào các tụ cảm
ứng vi sai Cs và Cs , dòng cảm biến được điều chế biên độ bảo sự thay đổi điện dung.
Các tín hiệu sóng mang và điện dung cảm ứng sẽ có dạng như sau: [2]
Vc  vc sin t (4.2)
Cs   Csn   Cs sin d t (4.3)
Cs   Csn  Cs sin d t (4.4)
Với Cs và Cs là giá trị điện dụng ban đầu, Cs là giá trị thay đổi của điện dung
phản ứng với lực Coriolis. d là tần số sóng driving, c là tần số của tín hiệu sóng
mang. Dòng ra từ các tụ cảm biến như sau: [2]
 d d
is   dt Vc (t )Cs  (t )  dt Csn vc sin ct  Cs vc sin c t sin d t 
 (4.5)
i  d V (t )C (t )  d C v sin  t  C v sin  t sin  t 
 s  dt c s
dt
sn  c c s c c d
Dòng điện cảm ứng trên mỗi tụ được khuếch đại bằng một mạch khuếch với hệ
số khuếch đại K, rồi chuyển đổi thành tín hiệu điện áp Vs  và Vs  . [2]
 K Cs vc
 Vs   K c C sn  vc cosc t  (c  d )sin(c  d )t  (c  d )sin(c  d )t 
2

V  K  C v cos t  K Cs vc  (   )sin(   )t  (   )sin(   )t 
 s  c sn  c c
2
c d c d c d c d
Một bộ khuếch đại vi sai dùng để khuếch đại sự khác biệt giữa hai tín hiệu điện
áp. Khi giá trị của tụ điện vi sai chịu ảnh hưởng của sóng mang K cCsnvc cosct bị
triệt tiêu, bộ khuếch đại vi sai cũng loại bỏ được các mức điện dung ký sinh là đối
xứng.

C1
+Vcc
R3
11
input R1 C2
2 output
1
3
U1
4
R2 OP37
-Vcc
Hình 4.5: Sơ đồ nguyên lý mạch lọc thông dải
Sau đó cho qua một mạch lọc thông dải hình 4.4 với tần số trung tâm c , kết quả
sau mạch khuếch đại vi sai thu được Vs là: [2]
Vs  Vs   Vs   K Csvc  (c  d )sin(c  d )t  (c  d )sin(c  d )t  (4.6)
Vs là tín hiệu giải điều chế biên độ với sóng mang c bằng việc nhân tín hiệu
cảm ứng Vs với tín hiệu sóng mang đó (4.7).
Vcr  vcr cos(ct   ) (4.7)
D1 R5 R6 R10
10A02
+Vcc
+Vcc
+Vcc
+Vcc
7
R1
7
3 R3
7
IN 1 D3
6 3
7
2 6 3 R7
2 6 3
Out
U1 10A02 2 6
4
OP37AP U3 2
4
OP37AP U4
4
OP37AP R8 U5
4
-Vcc OP37AP
D2
-Vcc
-Vcc R9
-Vcc
10A02
+Vcc
7
R2 3
IN 2
6
R4
2
U2
4
OP37AP
-Vcc
Hình 4.6: Sơ đồ nguyên lý mạch nhân tần số

Sau khi giải điều chế tín hiệu Vsd nhận được như sau: [2]
Vsd   12 K Cs vc vcr (c  d ) cos(d t   )  cos((2c  d )t   ) 

(4.8)
 12 K Cs vc vcr (c  d )  cos(d t   )  cos((2c  d )t   ) 
Tín hiệu giải điều chế thu được lớn nhất khi   90o và c  d . Khi nhận
được tín hiệu giải điều chế Vsd cho qua mạch lọc thông dải với tần số trung tâm là d ,
các tín hiệu tại tần số cao 2c ,(2c  d )và(2c  d ) bị triệt tiêu, còn lại.
Vsd  K c Cso vc vcr sin d t (4.9)
Tín hiệu giải điều chế biên độ tại tần số driving sử dụng một tín hiệu drive tham
chiếu từ một dao động vòng. Nếu xét tỷ lệ tín hiệu ra của mạch giải điều chế biên độ
đồng bộ thì dòng điện cơ bản được khuếch đại. Chúng ta có.
Vsd K c Csovc vcr c vc vcr

  (2.10)
Vmotional 2K dVDC Cs 2d
Tỉ lệ này cho thấy có thể cải thiện đáng kể biên độ tín hiệu đầu ra bằng việc sử
dụng một tín hiệu sóng mang cao tần, với c  d . Trong thực tế, việc điều chế biên
độ đồng bộ làm mất cân bằng của các tụ điện ký sinh trong mode cảm ứng, cấu trúc tụ
điện vi sai đòi hỏi một nguồn offset lớn để bù đắp làm yếu tín hiệu Coriolis. Để khắc
phục chúng ta sử dụng cấu trúc lệch của tụ điện và không dùng DC offset.

Hình 4.7: Phổ tần số của quá trình giải điều chế đồng bộ

4.3. Kết quả thực tế và mô phỏng của mạch điện
Hình 4.8: Hình ảnh MEMS thực tế

Trên cơ sở các kết quả phân tích với cả ba mô hình thiết kế đã thực hiện với bài
toán cơ ở phần 3.1, mô hình thiết kế thứ 4 đã thể hiện có cấu trúc tối ưu nhất. Vì vậy,
mô hình này đã được lựa chọn để tiếp tục thực hiện bài toán mô phỏng các đặc trưng
điện thông qua phép phân tích đáp ứng tức thời (Transient analysis) sử dụng phần
mềm Simulink trong Mattab. Đáp ứng tần số của mô hình thiết kế thứ 4 được chỉ ra
trên hình 4.10 và 4.12. Linh kiện được kích hoạt với tần số 10453 Hz và biên độ dao
động đạt khoảng 2  m . Giá trị biên độ này cho thấy cấu trúc có độ cứng khá cao. Biên
độ dao động cảm ứng lớn nhất khoảng 3,7 nm tương ứng biến đổi điện dung lối ra
khoảng 2 fF .
Hình 4.9: Thiết lập khảo sát tần số driving

Hình 4.10: Đáp ứng tần số của mode dẫn động [1]
Hình 4.11: Thiết lập khảo sát tần số Sensing

Hình 4.12: Đáp ứng tần số của mode cảm ứng [1]
Lối vào của bài toán là vận tốc góc dưới dạng một xung tín hiệu hình thang và
đáp ứng tín hiệu lối ra sẽ là biến đổi điện dung. Giả định, vận tốc góc tăng dần từ 0
đến giá trị 0 trong khoảng thời gian 6 ms, sau đó, được duy trì ở độ lớn này trong
khoảng thời gian 15 ms, cuối cùng giảm dần về 0 cũng trong khoảng thời gian 6ms.
Để xác định đáp ứng của gyroscope trong miền thời gian, phép phân tích tức thời đã
được thực hiện. Tín hiệu vận tốc góc có độ trễ khoảng 0.605s. Để có được biên độ dao
động dẫn động đạt giá trị cực đại, cần có thời gian trễ lớn.
Kết quả phân tích nhận được từ SIMULINK là đáp ứng thời gian tương ứng
của cảm biến này, được trình bày trên hình 4.13.

Hình 4.13: Đáp ứng ra của mô hình 4
Giữa mode dẫn động và mode cảm ứng cần phải có sự chênh lệch trị số tần số.
Đây cũng là một đặc trưng quan trọng của loại linh kiện này, gọi là độ rộng dải tần
(bandwidth). Thông số này đạt giá trị khoảng 100 Hz, vừa vẫn thỏa mãn tiêu chí tách
biệt về tần số giữa hai mode dao động dẫn động và cảm ứng, vừa đảm bảo tốc độ đáp
ứng của linh kiện nhanh.

Chương 5
KẾT LUẬN VÀ ĐỀ XUẤT HƯỚNG PHÁT TRIỂN CỦA ĐỀ TÀI
5.1. Kết luận của đề tài
Trong khoảng 30 năm trở lại đây sự ra đời và phát triển của công nghệ
MEMS, một lĩnh vực công nghệ cao đã tạo ra một cuộc cách mạng về khoa học kỹ
thuật và công nghệ chế tạo các linh kiện cảm biến và chấp hành ở phạm vi kích thước
dưới milimet. Ưu điểm vượt trội của các linh kiện này là độ nhạy cao, kích thước nhỏ
gọn, tiêu thụ năng lượng ít. Nội dung nghiên cứu thực hiện trong luận văn này là thiết
kế và mô phỏng các tính chất điện của cảm biến đo vận tốc góc hay con quay vi cơ
kiểu Tuning Fork có nguyên lý hoạt động dựa trên hiệu ứng Coriolis. Các kết quả
chính trong bản luận văn đạt được như sau:
- Tiến hành phân tích và tính toán đặc trưng động học để xác định số răng lược
cần thiết cho cấu trúc hệ tụ điện để kích hoạt và thu nhận tín hiệu cảm ứng ở lối ra. Hệ
thống cấu trúc răng lược dẫn động và răng lược cảm ứng thiết kế đã đáp ứng được các
yêu cầu như: thu được chuyển vị lớn với kích thước nhỏ gọn, dễ điều khiển và thu
nhận tín hiệu.
- Đã tính toán tìm ra giá trị khoảng cách tối ưu của các điện cực răng lược trong
cấu trúc tụ điện cảm ứng.
- Đưa ra các mô hình thiết kế con quay vi cơ kiểu Tuning Fork với cấu trúc cải
tiến, đáp ứng rất tốt với yêu cầu thiết kế đề ra như: Khử bỏ và hạn chế các mode
dao động đồng pha cũng như các mode dao động không mong muốn là nguyên nhân
gây ra các nhiễu tín hiệu đo; hệ thống tụ điện dẫn động và cảm ứng được thiết kế hợp
lý tạo ra được các chuyển vị lớn dễ dàng hoạt động và thu nhận tín hiệu.
- Tiến hành mô phỏng các đặc trưng điện của cảm biến. Kết quả mô phỏng cho
thấy đáp ứng tần số của cấu trúc thu được là phù hợp với nguyên lí hoạt động của bộ
dao động cộng hưởng; đáp ứng thời gian của cấu trúc cho thấy linh kiện khá nhạy với
sự thay đổi của vận tốc góc (khi tăng, giảm vận tốc góc một cách tuyến tính thì tín
hiệu lối ra, biên độ cảm ứng hay độ thay đổi điện dung cũng sẽ tăng giảm tuyến tính
theo).
- Ngoài ra, kết quả mô phỏng cho thấy sự thay đổi điện dung của cảm biến (ΔC)
là một hàm tuyến tính đối với vận tốc góc (ω).

- Thiết kế các mạch điện thực hiên xử lý và tách tín hiệu cảm biến sau khi thu
được từ phần cơ khí, giải điều chế để tử đó nhận được giá trị vận tốc góc mong muốn
thông qua giá trị của lực Coriolis thu được.
5.2. Đề xuất hướng phát triển của đề tài
- Trên cơ sở các kết quả phân tích, tính toán và mô phỏng với những thông số tối
ưu của các mô hình đã thực hiện thiết kế một bộ Mask để triển khai chế tạo linh kiện
trên cơ sở công nghệ MEMS. Có thể khẳng định rằng, các phương án thiết kế đã được
phân tích, tính toán và mô phỏng một cách khoa học.
- Kết quả đạt được trong luận văn mới chỉ dừng ở phần nghiên cứu thiết kế con
quay vi cơ kiểu tuning fork có cấu trúc mới so với những kết quả đã công bố trước
đây, thiết kế mạch điện xử lý tín hiệu cho Gyroscopes. Tuy nhiên, để khẳng định các
kết quả tính toán này thì linh kiện phải được hiện thực hóa thông qua quy trình chế tạo
và ứng dụng thử nghiệm.

TÀI LIỆU THAM KHẢO

[1] Nguyễn Quang Long, “Nghiên cứu chế tạo cảm biến quán tính sử dụng cấu trúc
răng lược trên cơ sở công nghệ MEMS,” – Luận Văn Thạc sĩ Khoa học, Viện
ITIM Đại Học Bách Khoa Hà Nội, 2012.
[2] Cenk Acar and Andrei Shkel, “MEMS Vibratory Gyroscopes Structural
Approaches to Improve Robustness,” University of California, June 2008.
[3] C. Acar, A. Shkel. Design Concept and Preliminary Experimental Demonstration
of MEMS Gyroscopes with 4-DOF “Master-Slave ” Architecture. SPIE
Conference on Smart Electron-ics and MEMS, March 2002.
[4] C. Acar, and A. Shkel. A Class of MEMS Gyroscopes with Increased Parametric
Space. Proceedings of IEEE Sensors Conference, Orlando, Florida, 2002, pp.
854-859.
[5] M. D. Pottenger, “Design of Micromachined Inertial Sensors,” PhD.
Dissertation, Univ. of California, 2001.
[6] J. E. D. Williams, “From Sails to Satellites: The Origin and Development of
Navigational Science,” New York, Oxford University Press, 1994.
[7] S. E. Alper, “Silicon Surface Micromachined Gyroscopes Using MEMS
Technology,” M.S. Thesis, Middle East Technical Univ, 2000.
[8] K. Kumar, N. Barbour, and J. M. Elwell, “Emerging Low(er) Cost Inertial
Sensors,” Proc. AIAA GN&C Conf., pp. 11-24, August 1992.
[9] M. Kraft, “Micromachined Inertial Sensors: The State of the Art and a Look into
Future,” IMC Measurement and Control, Vol. 33 No. 6, pp. 164-168, 2000.
[10] N. Yazdi, F. Ayazi, and K. Najafi, “Micromachined Inertial Sensors,” Proc. of
the IEEE, Vol. 86, No 8, pp. 1640-1659, August 1998.
[11] H. Kulah, “Closed-Loop Electromechanical Sigma-Delta Microgravity
Accelerometers,” PhD. Dissertation, Univ. of Michigan, 2003.
[12] J. Dosher and C. Kitchin, “Monitoring Machine Vibration with Micromachined
Accelerometers,” Sensors 14(5), pp. 33-34, May 1997.
[13] P. F. Man, and C. H. Mastrangelo, “Surface micromachined shock sensor for
impact detection,” Tech. Digest of IEEE Solid-State Sensors and Actuator
Workshop (Hilton Head’94), pp.156-159, 1994.

[14] R. S. Seeley, “Micromachines Rev Up for Fast Growth,” Electronic Business

Today, pp- 33-38, April 1996.
[15] R. F. Yazıcıoğlu, “Surface Micromachined Capacitive Accelerometers Using
MEMS Technology,” M.S. Thesis, Middle East Technical Univ. ,2003. 132
[16] N. Barbour, G. Schmidt, “Inertial Sensor Technology Trends,” Workshop on
Autonomous Underwater Vehicles, pp.55-62, 1998.
[17] R. L. Craik and C. A. Oatis (Eds.), “Gait Analysis: Theory and Applications,”
Mosby, 1995.
[18] K. Miller, D. Hendelman, C. Baggett, E. Debold, and P. Freedson, “Validation of
Accelerometry to Assess Moderate Intensity Physical Activity in the Field,”
Medicine & Science in Sports & Exercise, 31(5), pp.43, May 1999.
[19] W. Kuehnel and S. Sherman, “A surface micromachined silicon accelerometer
with on-chip detection circuitry,” Sensors and Actuators Vol. A-45, pp. 7-16,
1994.
[20] S. J. Sherman, W. K. Tsang, T. A. Core, R. S. Payne, D. E. Quinn, K. H. L.
Chau, J. A. Farash, and S. K. Baum, “A Low Cost Monolithic Accelerometer:
Product/Technology Update,” Techncal Digest International Electron Devices
Meeting, pp.501-504, 1992.
[21] K. Jost, “Yaw Sensing,” Automotive Engineering, pp. 61-63, September 1995.
[22] G. He and K. Najafi, “A Single-Crystal Silicon Vibrating Ring Gyroscope,” Proc.
IEEE Micro Electro Mechanical Systems Workshop (MEMS’02), pp. 718-
721,January 2002.
[23] W. Qu, C. Wenzel, and G Gerlach, “Fabrication of a 3D Differential-Capacitive
Accelerometer by UV-LIGA,” Sensors and Actuators, Vol. 77, pp. 14-20, 1999.
[24] J. W. Wiegold, K. Najafi, ans S. W. Pang, “Design and Fabrication of
Submicrometer, Single Crystal Si Accelerometer,” Journal of
Microelectromechanical Systems, Vol.10, pp. 558-524, Dec.2001.
[25] K. H. –L. Chau, S. R. Lewis, Y. Zhao, R.T. Howe, S. F. Bart, and R. G.
Marcheselli, “An Integrated Force-Balanced Capacitive Accelerometer for low-g
Applications,” Sensors and Actuators, Vol. 54, pp. 472-476, 1996.

[26] B. Guldimann, P. Thiebauld, N. F. de Rooji, and R. A. Turpin, “Micromachined,

Fiber-Optic Based Accelerometer with Shutter Modulation,” Proc. IEEE Micro
Electro Mechanical System Workshop (MEMS’00), 2000.
[27] A. Partidge, J. K. Reynolds, B. W. Chui, E. M. Chow, A. M. Fitzgerald, L.
Zhang, and N.I. Maluf, “A High-Performance Planar Piozoresistive
Accelerometer,” J. Microelectromechanical Sys., Vol. 9, No. 1, pp. 58-66,
March 2000.
[28] H. Takao, Y. Matsumoto, and M. Ishida, “Stress-sensitive Differential Amplifiers
Using Piozoresistive Effects of MOSFETs and Their Application to Three-Axis
Accelerometers,” Sensors and Actuators, Vol. 65, pp. 61-68, 1998.
[29] J. A. Plaza, M. A. Benitz, and Lora-Tamayo, “New FET Accelerometer Based on
Surface Micromachining,” Sensors and Actuators, Vol. 61, pp. 342-345, 1997.
[30] S. D. Senturia, “Microsystem Design,” Kluwer Academic Publishers, 2001.
[31] F. Paelotti, “A Silicon Micromachined Vibrating Gyroscope with Piezoresistive
Detection and Electromagnetic Excitation,” MEMS’96, pp.162-167, 1996.
[32] R. Voss, “Silicon Angular Rate Sensor for Automotive Applications with
Piezoelectric Drive and Piezoresistive Read-out,” Transducers’97, Vol.2 pp.879-
882, 1997.
[33] Y. Nemirovsky, A. Nemirovsky, P. Muralt, and N. Setter, “Design of Novel Thin-
Film Piezoelectric Accelerometer,” Sensors and Actuators, Vol. 56, pp. 239-
249,1996.
[34] D. L. DeVoe, and A. P. Pisano, “Surface Micromachined Piezoelectric
Accelerometers (PiXLs),” J. Microelectromechanical Sys., Vol. 10, No. 2, pp.
180186, June 2001.
[35] V. Milanovi, E. Bowen, N. Tea, J. Suehle, B. Payne, M. Zaghloul, and M.
Gaitan, “Convection-Based Accelerometer and Tilt Sensor Implemented in
Standard CMOS,” Proc. Int. Mech. Eng. Conf. and Exp., MEMS Symposium,
Anaheim, Nov. 1998.
[36] A. A. Seshia, M. Palaniapan, T. A. Roessing, R. T. Howe, R. W. Gooch, T. R.
Schimert, and S. Montague, “A Vacuum Packaged Surface Micromachined
Resonant Accelerometer,” J. Microelectromechanical Sys., Vol. 11, No. 6, pp.
784-793, Dec 2002.

[37] C.-H. Lui and T. H. Kenny, “A High-Precision, Wide-Bandwidth Micromachined

Tunneling Accelerometer,” J. Microelectromechanical Sys., Vol. 10, No. 3, pp.
425-433, Sept. 2001.
[38] F. Gretillat, M.-A. Gretillat, and N. F. de Rooij, “Improved Design of a silicon
Micromachined Gyroscope with Piezoresistive Detection and Electromagnetic
Actuation,” J. Microelectromechanical Sys., Vol. 8, No. 3, pp. 243-250,
September 1999.
[39] A. J. Harris, J. S. Burdess, D. Wood, R. Langford, G. Williams, M. C. L. Lard,
and M. E. McNie, “Issues Associated with the Design, Fabrication and Testing of
a Crystalline Silicon Ring Gyroscope with Electromagnetic Actuation and
Sensing,” J. Micromech. Microeng., pp. 284-292, August 1998.
[40] F. P. Beer and E. R. Johnston, “Mechanics of Materials,” McGraw-Hill, 1985.
[41] R. J. Roark and W. C. Young, “Formulas for Stress and Strain,” McGraw-Hill,
1983.
[42] M. W. Putty, “A Micromachined Vibrating Ring Gyroscope,” PhD. Dissertation,
Univ. of Michigan, 1995.
[43] A. Burstein, “Highly Sensitive Single and Dual-Axis High Aspect Ratio
Accelerometers with a CMOS Precision Interface Circuit,” PhD Dissertation,
Univ. of California, 1999.

Nghien Cuu Thiet Ke Va Khao Sa

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Nghien Cuu Thiet Ke Va Khao Sa

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Ketnooi.

LỜI CAM ĐOAN

Hà Nội, ngày 20 tháng 04 năm 2013

ĐẶNG VĂN HIẾU

Đặng Văn Hiếu – K18 ĐTVT Page 1

Hà Nội, ngày 20 tháng 04 năm 2013

ĐẶNG VĂN HIẾU

Đặng Văn Hiếu – K18 ĐTVT Page 2

Đặng Văn Hiếu – K18 ĐTVT Page 3

2.5.3. Mô hình thiết kế 3 ........................................................................................ 34

Đặng Văn Hiếu – K18 ĐTVT Page 4

DANH MỤC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT

MEMS Micro-Electro-Mechanical Systems Hệ thống vi cơ điện tử

LPF Low Pass Filter Mạch lọc thông thấp

BPF Bank Pass Filter Mạch lọc thông dải

GPS Global Positioning System Hệ thống định vị toàn cầu

THD Through Hole Device Linh kiện chân cắm

SMD Surface Mount Device Linh kiện dán mặt

Đặng Văn Hiếu – K18 ĐTVT Page 5

DANH MỤC HÌNH VẼ, BẢNG BIỂU

Đặng Văn Hiếu – K18 ĐTVT Page 6

Đặng Văn Hiếu – K18 ĐTVT Page 7

Đặng Văn Hiếu – K18 ĐTVT Page 8

Đặng Văn Hiếu – K18 ĐTVT Page 9

Lực Coriolis được xác định bằng công thức sau:

sin     .t (1.3)

d  v.t.sin   v.t..t  v..t 2 (1.4)

Hình 1.1: Các sản phẩm của MEMS

Đặng Văn Hiếu – K18 ĐTVT Page 11

Đặng Văn Hiếu – K18 ĐTVT Page 12

1.3.3. Đóng vỏ Chíp

Hình 1.2: Một số hình dạng vỏ chíp

1.4. Con quay hồi chuyển vi cơ (Gyroscopes MEMS)

Đặng Văn Hiếu – K18 ĐTVT Page 13

Đặng Văn Hiếu – K18 ĐTVT Page 14

Đặng Văn Hiếu – K18 ĐTVT Page 15

Đặng Văn Hiếu – K18 ĐTVT Page 16

Đặng Văn Hiếu – K18 ĐTVT Page 17

Đặng Văn Hiếu – K18 ĐTVT Page 18

Đặng Văn Hiếu – K18 ĐTVT Page 19

Đặng Văn Hiếu – K18 ĐTVT Page 20

Đặng Văn Hiếu – K18 ĐTVT Page 21

Đặng Văn Hiếu – K18 ĐTVT Page 22

Đặng Văn Hiếu – K18 ĐTVT Page 23

Đặng Văn Hiếu – K18 ĐTVT Page 24

Hình 2.1: Cấu trúc của dầm thẳng

Hình 2.2: Ứng dụng của dầm treo thẳng [2]

Đặng Văn Hiếu – K18 ĐTVT Page 25

2.2.2. Dầm treo gập (folded beam)

Hình 2.4: Cấu trúc dầm gập kép

Đặng Văn Hiếu – K18 ĐTVT Page 26

Hình 2.5: Ứng dụng của dầm treo gập [2]

2.3. Cấu trúc tụ điện vi sai

Đặng Văn Hiếu – K18 ĐTVT Page 27

Hình 2.6: Mô hình cấu tạo tụ song song [2]

Đặng Văn Hiếu – K18 ĐTVT Page 28

2.3.2. Cấu trúc tụ điện thanh ngang [2]

Hình 2.7: Cấu trúc tụ điện thanh ngang [2]

Các thông số Công thức xác định

Đặng Văn Hiếu – K18 ĐTVT Page 29

2.3.3. Cấu trúc tụ điện kiểu răng lược

Đặng Văn Hiếu – K18 ĐTVT Page 30

x driving m ax  Q D riving  x drivingstatic (2.9)

y sen sin g max  Q sen sin g  y sen sin gstatic (2.10)