TỔNG LIÊN ĐOÀN LAO ĐỘNG VIỆT NAM

TRƯỜNG ĐẠI HỌC TÔN ĐỨC THẮNG

KHOA KHOA HỌC ỨNG DỤNG
---------------------------------

BÀI TẬP BÁO CÁO THUYẾT TRÌNH

ĐIỀU KHIỂN QUÁ TRÌNH
(MÃ MÔN HỌC: 602044)

ĐỀ TÀI: ĐIỀU KHIỂN VÀ XỬ LÝ ẢNH BẰNG PHƯƠNG PHÁP

SEM, TEM VỀ CẤU TRÚC VẬT LIỆU
Giảng viên hướng dẫn: GVC, TS. TRẦN VĂN NGŨ
TS. TRẦN VIỆT HÙNG
Sinh viên thực hiện MSSV

1. Nguyễn Hoàng Nam - 61900761

2. Vũ Nhật Lân - 61900749

3. Nguyễn Thị Diễm Trinh - 61900797

4. Nguyễn Xuân Thọ - 61800865

5. Nguyễn Thị Phương Thảo - 61900780

Hồ Chí Minh, tháng 6 năm 2022

1
 MỤC LỤC
LỜI CẢM ƠN.............................................................................................................................................4
LỜI MỞ ĐẦU.............................................................................................................................................5
CHƯƠNG 1: GIỚI THIỆU ĐỀ TÀI..........................................................................................................6
1.1. Đặt vấn đề:........................................................................................................................................6
1.2. Mục đích nghiên cứu:.......................................................................................................................6
1.3. Đối tượng nghiên cứu:......................................................................................................................6
CHƯƠNG 2: SƠ LƯỢC VỀ KÍNH HIỂN VI ĐIỆN TỬ (SEM, TEM) – NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG..7
2.1. Kính hiển vi điện tử quét (tiếng Anh: Scanning Electron Microscope, SEM):.................................7
2.2. Kính hiển vi điện tử truyền qua (tiếng Anh: transmission electron microscopy, TEM):...................8
CHƯƠNG 3: ĐIỀU KHIỂN QUÁ TRÌNH................................................................................................9
3.1. Xác định các biến quá trình:.............................................................................................................9
3.2. Phương pháp điều khiển phản hồi:..................................................................................................12
3.3. Sơ đồ khối và Lưu đồ điều khiển của quá trình:.............................................................................13
CHƯƠNG 4: THỰC NGHIỆM................................................................................................................15
4.1. Hình ảnh thực nghiệm:...................................................................................................................15
...............................................................................................................................................................15
CHƯƠNG 5: ĐÁNH GIÁ.........................................................................................................................16
5.1. Ưu điểm và Nhược điểm:...............................................................................................................16
KẾT LUẬN...............................................................................................................................................18

2
 MỤC LỤC HÌNH ẢNH

Hình 2.1 Kính hiển vi điện tử quét................................................................................................................................7

Hình 2.2 Kính hiển vi điện tử truyền qua......................................................................................................................8
Hình 3.1 Các biến điều khiển......................................................................................................................................11
Hình 3.2 Sơ đồ mang tính nguyên tắc của sách lược điều khiển phản hồi.................................................................12
Hình 3.3 Sơ đồ khối.....................................................................................................................................................13
Hình 4.1 Hình SEM từ vật liệu Si@TiO2/C với kích thước micro mét.......................................................................15
Hình 4.2 Hình SEM từ vật liệu Si@TiO2/C với kích thước nano mét.........................................................................15

3
 LỜI CẢM ƠN
Lời đầu tiên, nhóm chúng em xin gửi lời cảm ơn chân thành nhất đến quý thầy/ cô
trong Khoa Khoa học ứng dụng đã tạo điều kiện tốt nhất để sinh viên tiếp nhận những
vốn kiến thức quý báu trong quá trình học tập tại trường.
Đặc biệt, nhóm chúng em xin bày tỏ lòng tri ân sâu sắc nhất đến thầy Trần Văn
Ngũ, trưởng bộ môn hóa lý kỹ thuật, Khoa Khoa học ứng dụng thuộc trường Đại Học
Tôn Đức Thắng và thầy Trần Việt Hùng những người đã đồng hành cùng chúng em ở
môn điều khiển quá trình. Trong suốt quá trình học tập và nghiên cứu môn học này, các
thầy đã luôn quan tâm, giúp đỡ, hướng dẫn tận tình, truyền đạt những kiến thức quý báu
cho chúng em.
Được sự giúp đỡ, chỉ dẫn của thầy, chúng em đã từng bước sửa đổi những sai sót,
được giải đáp những thắc mắc cũng như những khó khăn trong quá trình thực hiện bài
báo cáo. Qua các yêu cầu mà bài tập ứng dụng đề ra, chúng em đã có cơ hội hiểu rõ hơn
những ứng dụng của môn học vào thực tiễn.
Tập thể nhóm đã cố gắng hết sức hỗ trợ nhau để hoàn thành bài báo cáo một cách
tốt nhất. Tuy nhiên, do hạn chế khách quan và chủ quan bài báo cáo của chúng em khó
tránh khỏi sự sai sót nhất định. Tập thể nhóm chúng em rất mong nhận được ý kiến, đóng
góp và nhận xét từ thầy để có thể hoàn thiện hơn nữa những kiến thức của mình.
NHÓM EM XIN CHÂN THÀNH CẢM ƠN THẦY!

4
 LỜI MỞ ĐẦU
Điều khiển quá trình là một lĩnh vực ứng dụng quan trọng của kỹ thuật điều khiển
trong các ngành công nghiệp năng lượng và hóa chất (gọi chung là công nghiệp chế biến
process industry), là môn khoa học nghiên cứu về tĩnh học tĩnh và động học của sự biến
đổi lý hóa trong các quá trình sản xuất công nghiệp, phục vụ cho việc thiết kế các
thiết bị công nghệ và hệ thống điều khiển các quá trình công nghệ đó. Do vậy điều
khiển quá trình là cốt lõi của hệ thống tự động hóa quá trình công nghệ.
Nghiên cứu hệ điều khiển quá trình theo hai hướng tiếp cận: hướng thứ nhất thuộc
các nhà công nghệ điều khiển quá trình phục vụ khâu thiết kế dây chuyền thiết bị
công nghệ và đề xuất nhiệm vụ điều khiển quá trình. Hướng thứ hai là nghiên cứu về
điều khiển và tự động hóa để thiết kế, lắp đặt, điều chỉnh và vận hành nhằm đảm bảo
chất lượng sản phẩm, hiệu quả sản xuất và an toàn cho con người, máy móc và môi
trường.
Vậy cho nên việc nghiên cứu các lĩnh vực trong điều khiển quá trình, cụ thể là
trong quá trình điều khiển xử lý ảnh bằng phương pháp SEM, TEM về cấu trúc của các
vật liệu không chỉ là một điều thiết yếu cho ngành Kỹ thuật hóa học mà còn đóng vai trò
hết sức quan trọng cho nền công nghiệp hiện đại.

5
 CHƯƠNG 1: GIỚI THIỆU ĐỀ TÀI
1.1. Đặt vấn đề:
- Mắt người bình thường có thể quan sát những vật nhỏ nhất khoảng 1mm. Với các mẫu
vật có kích thước micromet hay nanomet, chúng ta cần tới các công cụ hỗ trợ như kính
hiển vi quang học hoặc kính hiển vi điện tử. Vì thế, việc xử lý những mẫu chụp SEM
TEM đánh về kích thước mẫu đã đặt kích thước micro hay nano trong những nghiên cứu
là một công việc cần được quan tâm.
- Việc điều khiển và chụp bề mặt của vật liệu, hay thậm chí là thành phần bên trong của
vật liệu là một việc cần thiêt để kiểm tra sự phân bố cấu trúc của hợp chất, từ đó đảm bảo
tính nhất quán và chất lượng của vật liệu.

1.2. Mục đích nghiên cứu:

- Ứng dụng những kiến thức đã học về điều khiển quá trình vào thực tế, mô phỏng và
điều khiển hệ thống bằng phần mềm Node-Red, hiểu rõ được quá trình hoạt động. Từ đó
sử dụng vào các ngành vật liệu hiện đại. Qua đó phát hiện và cải thiện các sai sót trong
quy trình điều khiển cụ thể. Cũng như, cải tiến các ưu điểm để đạt được chất lượng đầu ra
tốt nhất.

1.3. Đối tượng nghiên cứu:

- Tập trung mô phỏng trên phần mềm Node Red và kết hợp sử dụng AutoCad, xây dụng
được mô hình điều khiển giả định. Tạo hệ thống nhận và xử lý thông tin để kiểm tra kết
quả và xử lý những sai số.

6
 CHƯƠNG 2: SƠ LƯỢC VỀ KÍNH HIỂN VI ĐIỆN TỬ (SEM,
TEM) – NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG
2.1. Kính hiển vi điện tử quét (tiếng Anh: Scanning Electron Microscope,
SEM):
Kính hiển vi điện tử quét (tiếng Anh: Scanning Electron Microscope, thường
viết tắt là SEM), là một loại kính
hiển vi điện tử có thể tạo ra ảnh
với độ phân giải cao của bề mặt
mẫu vật rắn bằng cách sử dụng
một chùm điện tử (chùm các
electron) hẹp quét trên bề mặt
mẫu.

Việc tạo ảnh của mẫu vật

được thực hiện thông qua việc ghi
nhận và phân tích các bức xạ phát
ra từ tương tác của chùm điện tử
Hình 2.1 Kính hiển vi điện tử quét
với bề mặt mẫu vật. Có nghĩa là
SEM cũng nằm trong nhóm các thiết bị phân tích vi cấu trúc vật rắn bằng chùm
điện tử.

7
2.2. Kính hiển vi điện tử truyền qua (tiếng Anh: transmission electron
microscopy, TEM):
Kính hiển vi điện tử truyền qua (tiếng Anh: transmission electron
microscopy, viết tắt: TEM) là một thiết bị nghiên cứu vi cấu trúc vật rắn, sử dụng
chùm điện tử có năng lượng cao chiếu xuyên qua mẫu vật rắn mỏng và sử dụng các
thấu kính từ để tạo ảnh với độ phóng đại lớn (có thể tới hàng triệu lần), ảnh có thể
tạo ra trên màn huỳnh quang, hay trên film quang học, hay ghi nhận bằng các máy
chụp kỹ thuật số.

Về mặt nguyên lý, TEM cũng có

cấu trúc tương tự như kính hiển vi
quang học với nguồn sáng (lúc này là
nguồn điện tử), các hệ thấu kính (hội tụ,
tạo ảnh…), các khẩu độ… Tuy nhiên,
TEM đã vượt xa khả năng của một kính
hiển vi truyền thống ngoài việc quan sát
vật nhỏ, đến các khả năng phân tích đặc
biệt mà kính hiển vi quang học cũng
như nhiều loại kính hiển vi khác không
thể có nhờ tương tác giữa chùm điện tử
với mẫu.

Hình 2.2 Kính hiển vi điện tử truyền qua

8
 CHƯƠNG 3: ĐIỀU KHIỂN QUÁ TRÌNH
3.1. Xác định các biến quá trình:
Biến Điều khiển:

 Chế độ xem
- Focus: Tiêu cự
- Constrast: Độ tương phản
- Brightless: Độ sáng
- Magnification: Độ phóng đại
- Generating overview: Vùng Quan sát
 Độ dày của mẫu
 Mode: Chế độ nguồn điện.
- All Materials (5kVa): Sử dụng cho tất cả vật liệu, thường là các mẫu không
dẫn điện.
- High res (10kVa): thường dùng cho các mẫu dẫn điện.
- Analysis (15kVa): Dùng cho việc xác định nguyên tố trong mẫu.
 Intensity: Chế độ ảnh.
- Low: Chân không thấp, thường dùng cho các phi kim có độ dẫn điện thấp.
- Image: hình ảnh.
- Point: điểm, thường dùng với chế độ Analysis.
- Map: tập hợp của nhiều Point
 Detector: Dầu dò.
- BSD full (Mặc định): Backscattered electron detector.
- Topo A
- Topo B

9
Biến trạng thái:

 Pck: Áp suất chân không

Biến nhiễu:

 Độ dẫn điện của mẫu

 Bụi

Biến ra:

 Chất lượng hình ảnh:

- Độ phân giải
- Dung lượng hình ảnh
 Thời gian xử lý.

10
3.2. Phương pháp điều khiển phản hồi:
Ở sách lược điều khiển phản hồi, bộ phận tiếp nhận, chuyển đổi và truyền tín hiệu
do lấy tín hiệu của chính biến cần điều khiển để truyền về bộ điều khiển thực hiện việc
điều khiển để đạt giá trị cài đặt mong muốn của biến cần điều khiển.

Hình 3.3 Các biến điều khiển

11
 Hình 3.4 Sơ đồ mang tính nguyên tắc của sách lược điều khiển phản hồi
Ưu điểm:

- Có thể ồn định được quá trình không ổn định – điều mà sách lược điều khiển bù nhiễu
hay điều khiển tỷ lệ không thực hiện được.

- Chất lượng điều khiển cao do có thể triệt tiêu sự ảnh hưởng của các nhiễu không mong
muốn, không xác định được.

- Đảm bảo đạt được mục đích mong muốn hay nhu cầu cần được áp dụng với biến cần
điều khiển.

Nhược điểm:

- Tác động chậm, điều khiển không kịp thời do để “hậu quả” xảy ra mới khắc phục ảnh
hưởng và tác động của nhiễu.

12
 3.3. Sơ đồ khối và Lưu đồ điều khiển của quá trình:
Sơ đồ khối:

Bụi Độ dẫn điện của mẫu

Bụi Độ dẫn điện của mẫu

KÍNH HIỂN VI
Chế độ xem Bụi Độ dẫn điện của mẫu
xem
Độ dày mẫu Chất lượng hình ảnh
Mode Bụi Độ dẫn điện của mẫu
Chế độ mẫu
Độ dày xem
xemIntensity
Mode
SEM, TEM
Hình Độ dẫn điện của mẫu
Chất lượng hình ảnh
Thời gian xử lý
Detector
Độ dày mẫu
3.0.4 Chất lượng hình ảnh
Lưu đồ Thời gian xử lý
Chế Intensity
độMode
xem điều Độ dẫn điện của mẫu
xem Detector
Độ dày mẫu khiểnB Chất lượng hình ảnh
Intensity Thời gian xử lý
Mode ụi Độ dẫn điện của mẫu
Chế Detector
độ mẫu
Độ dày xem Chất lượng hình ảnh
Intensity Pck Thời gian xử lý
xem Mode Bụi Độ dẫn điện của mẫu
Detector
Độ dày mẫu Chất lượng hình ảnh
Intensity Hình 3.5 Sơ đồ khối Thời gian xử lý
Chế độMode
xem Bụi Pck Độ dẫn điện của mẫu
xem Detector
Độ dày mẫu Chất lượng hình ảnh
Intensity Thời gian xử lý
Mode Bụi Độ dẫn điện của mẫu
Chế Detector
độ mẫu
Độ dày xem Pck Chất lượng hình ảnh
Intensity Thời gian xử lý
xem Mode Hình Độ dẫn điện của mẫu
Detector
Độ dày mẫu 3.0.5 Pck Chất lượng hình ảnh
Intensity Lưu đồ Thời gian xử lý
Chế độMode
xem Độ dẫn điện của mẫu
điều
xem Detector
Độ dày mẫu Chất lượng hình ảnh
Intensity khiểnB Pck Thời gian xử lý
Mode ụi Độ dẫn điện của mẫu
Chế Detector
độ mẫu
Độ dày xem Chất lượng hình ảnh
Thời gian xử lý
xemIntensity
Mode Pck Độ dẫn điện của mẫu
Bụi
Detector
Độ dày mẫu Chất lượng hình ảnh
Thời gian xử lý
Chế Intensity
độMode
xem Độ dẫn điện của mẫu
Detector
Bụi Pck
xem
Độ dày mẫu Chất lượng hình ảnh
Intensity Thời gian xử lý
Mode Bụi Độ dẫn điện của mẫu
Chế Detector
độ xem
Độ dày mẫu Pck Chất lượng hình ảnh
Intensity Thời gian xử lý
xem Mode Hình Độ dẫn điện của mẫu
Detector
Độ dày mẫu Chất lượng hình ảnh
Intensity
3.0.6 Pck Thời gian xử lý
Chế độMode
xem Lưu đồ Độ dẫn điện của mẫu
điều 13
xem Detector
Độ dày mẫu Chất lượng hình ảnh
Intensity khiểnB Pck Thời gian xử lý
Mode Độ dẫn điện của mẫu
Detector ụi Chất lượng hình ảnh
Chế độ mẫu
Độ dày xem
 Mode Bụi ck
Detector
Độ dày mẫu Chất lượng hình ảnh
Intensity Thời gian xử lý
Chế độMode
xem Độ dẫn điện của mẫu
xem Detector Bụi Pck Chất lượng hình ảnh
Độ dày mẫu
Intensity Thời gian xử lý
Mode Bắn chùm Độ dẫn điện của mẫu
Bụi
Chế Detector
độ
Độ dày
Lưuxem
mẫu
đồ điều khiển: electron Pck Chất lượng hình ảnh
Intensity Thời gian xử lý
xem Mode Độ dẫn điện của mẫu
Detector Bụi Chất lượng hình ảnh
Độ dày mẫu Bắn chùm
Nguồn Pck
Intensity Thời gian xử lý
Chế độMode
xem electron Độ dẫn điện của mẫu
phát
Bụi
xem Detector
Độ dày mẫu Chất lượng hình ảnh
Intensity điện tử Pck Thời gian xử lý
Mode Bắn chùm Độ dẫn điện của mẫu
Bụi
Chế độChùm
Độ dày xem tia
Detector
mẫu electron Chất lượng hình ảnh
Nguồn Thời gian xử lý
xemIntensity
electron
Mode Pck Độ dẫn điện của mẫu
phát
Bụi
Detector
Độ dày mẫu Bắn chùm Chất lượng hình ảnh
điện tử Thời gian xử lý
Chế Intensity
Chùm
xem tia
độMode electron ĐộAnot
dẫn điện của mẫu
xem electron
Detector
Hình Pck Chất lượng hình ảnh
Độ dày mẫu 3.0.7
Nguồn
Intensity Thời gian xử lý
Mode
Lưu đồ
phát ĐộAnot
dẫn điện của mẫu
Chế độChùm
Độ dày xem tia
Detector
mẫu điều
Pck Chất lượng hình ảnh
Thấu Kính
điệnkhiển
tử B Thời gian xử lý
xemIntensity
electron
Mode ĐộAnot
dẫn điện của mẫu
Detector ụi Chất lượng hình ảnh
Độ dày mẫu Thấu
Nguồn Kính Pck
Intensity
Chùm Thời gian xử lý
xem tia
Chế độMode ĐộAnot
dẫn điện của mẫu
electron phát
Bụi
xem Detector
Độ dày mẫu Chất lượng hình ảnh
Intensity Cuộn
Thấu
điện Kính
tử Thời gian xử lý
Pck Độ dẫn điện của mẫu
Mode quét
Bụi
Chế Detector
độ mẫu
Độ dày xem Chất lượng hình ảnh
Intensity Thấu
Máy ghiKính Thời gian xử lý
xem Mode Cuộn Pck Độ dẫn điện của mẫu
Detector điện Bụi
tử Màn hình quét
Độ dày mẫu Chất lượng hình ảnh
Intensity quét
tán xạ Thời gian xử lý
Chế độMode
xem Độ dẫn điện của mẫu
Detector Hình
ngược Pck Màn hình quét
xem
Độ dày mẫu Chất lượng hình ảnh
Intensity Cuộn
3.0.8 Thời gian xử lý
Mode Lưu
quét đồ Độ dẫn điện của mẫu
Màn hình quét
Chế Detector
độ mẫu
xem Máy ghi
điều Chất lượng hình ảnh
Độ dày Pck Thời gian xử lý
xemIntensity
Mode
điệnkhiển
Cuộn
tử B Độ dẫn điện của mẫu
Detector tánụixạ Màn hình quét
Độ dày mẫu Chất lượng hình ảnh
quét PĐiện Thời gian xử lý
Chế Intensity
độMode
xem ngược ck tử thứ cấp
Độ dẫn điện của mẫu
xem Detector
Độ dày mẫu Bụi Chất lượng hình ảnh
Intensity Máy ghi PĐiện tử thứ cấpđiện của mẫu Thời gian xử lý
Độ dẫn
Mode điệnBụi
tử
ck
Chế Detector
độ xem
Độ dày mẫu Chất lượng hình ảnh
Mẫu
Intensity
xem Mode tán xạ Điện tử thứ cấpđiện của mẫu Thời gian xử lý
Độ dẫn
Detector ngược
Bụi P ck
Độ dày mẫu Chất lượng hình ảnh
Intensity
Chế độMode
xem Mẫu Điện tử thứ cấpđiện của mẫu Thời gian xử lý
Độ dẫn
xem Detector MáyHình
ghi Pck Chất lượng hình ảnh
Độ dày mẫu
Intensity 3.0.9
điện tử Thời gian xử lý
Mode MẫuLưu đồ Độ dẫn điện của mẫu
Chế Detector
độ mẫu
xem tán xạ Chất lượng hình ảnh
Độ dày Hình P
điều
Intensity ngược 3.4
ck Lưu Đồ khối Thời gian xử lý
xem Mode khiểnB Độ dẫn điện của mẫu
Detector
Độ dày mẫu Mẫuụi Chất lượng hình ảnh
Intensity Pck14 Thời gian xử lý
Chế độMode
xem Độ dẫn điện của mẫu
xem Detector
Độ dày mẫu Bụi Chất lượng hình ảnh
Intensity Thời gian xử lý
Mode Pck Độ dẫn điện của mẫu
 Thời gian xử lý
xemIntensity
Mode Độ dẫn điện của mẫu
Detector Bụi
Pck Chất lượng hình ảnh
Độ dày mẫu
Intensity Thời gian xử lý
Chế độMode
xem Độ dẫn điện của mẫu
xem Detector
Độ dày mẫu Bụi Pck Chất lượng hình ảnh
Intensity Thời gian xử lý
Mode Độ dẫn điện của mẫu
Chế Detector
độ xem
CHƯƠNG
Độ dày mẫu 4: THỰC Bụi
NGHIỆM. Chất lượng hình ảnh
P Thời gian xử lý
xemIntensity
Mode
ck
Độ dẫn điện của mẫu
Detector
4.1.
Độ dày Hình ảnh thực nghiệm:
mẫu Bụi Chất lượng hình ảnh
Intensity Pck Thời gian xử lý
Chế độMode
xem Độ dẫn điện của mẫu
xem Detector
Độ dày mẫu Bụi Chất lượng hình ảnh
Intensity Thời gian xử lý
Mode P ck
Độ dẫn điện của mẫu
Chế Detector
độ mẫu
Độ dày xem Hình Chất lượng hình ảnh
Intensity 3.0.10 Thời gian xử lý
xem Mode Độ dẫn điện của mẫu
Detector
Lưu đồ Pck Chất lượng hình ảnh
Độ dày mẫu điều
Thời gian xử lý
Chế Intensity
độMode
xem khiểnB Độ dẫn điện của mẫu
xem Detector
Độ dày mẫu ụi Pck Chất lượng hình ảnh
Intensity Thời gian xử lý
Mode Độ dẫn điện của mẫu
Chế Detector
độ mẫu
Độ dày xem Bụi Chất lượng hình ảnh
Intensity Pck Thời gian xử lý
xem Mode Độ dẫn điện của mẫu
Detector
Độ dày mẫu Bụi Chất lượng hình ảnh
Intensity Pck Thời gian xử lý
Chế độMode
xem Độ dẫn điện của mẫu
xem Detector
Độ dày mẫu Bụi Chất lượng hình ảnh
Intensity Thời gian xử lý
Mode Hình 4.6 Hình SEM từ vật P
liệu Độ dẫn điện của mẫu
ck Si@TiO2/C với kích thước micro mét
Chế Detector
độ mẫu
Độ dày xem Hình Chất lượng hình ảnh
Thời gian xử lý
xemIntensity
Mode
3.0.11
Độ dẫn điện của mẫu
Detector
Độ dày mẫu
Lưu đồ Pck Chất lượng hình ảnh
điều Thời gian xử lý
Intensity
Chế độMode
xem khiểnB Độ dẫn điện của mẫu
xem Detector
Độ dày mẫu Pck Chất lượng hình ảnh
ụi Thời gian xử lý
Intensity
Mode Độ dẫn điện của mẫu
Chế Detector
độ mẫu
Độ dày xem Chất lượng hình ảnh
Bụi P Thời gian xử lý
Intensity
xem Mode ck
Độ dẫn điện của mẫu
Detector
Độ dày mẫu Chất lượng hình ảnh
Bụi Thời gian xử lý
Chế Intensity
độMode
xem Pck Độ dẫn điện của mẫu
xem Detector
Độ dày mẫu Chất lượng hình ảnh
Bụi Thời gian xử lý
Intensity
Mode P Độ dẫn điện của mẫu
Chế Detector
độ mẫu
Độ dày xem Hình
ck
Chất lượng hình ảnh
Intensity Thời gian xử lý
xem Mode 3.0.12 Độ dẫn điện của mẫu
Detector
Độ dày mẫu
Lưu đồ
Hình 4.7 Hình
Pck Chất lượng hình ảnh
Intensity điều SEM từ vật liệu Si@TiO2/C với kích thước nano mét
Thời gian xử lý
Chế độMode
xem Độ dẫn điện của mẫu
khiểnB
xem Detector
Độ dày mẫu Chất lượng hình ảnh
Intensity ụi Pck Thời gian xử lý
Mode Độ dẫn điện của mẫu
Chế Detector
độ mẫu
Độ dày xem Chất lượng hình ảnh
Intensity Bụi P Thời gian xử lý
xem Mode ck
Detector 15 Chất lượng hình ảnh
Độ dày mẫu Bụi
Intensity Thời gian xử lý
Chế độMode
xem Pck
xem Detector
Độ dày mẫu Chất lượng hình ảnh
Bụi Thời gian xử lý
Chế Detector
độ xem
Pck
Bụi Thời gian xử lý
xemIntensity
Detector Pck
Bụi
Chế độ xem
xem Pck
Bụi
CHƯƠNG 5: ĐÁNH GIÁ.
Chế độ xem
5.1. Ưu điểm và Nhược điểm:
Bụi Pck
xem
Hình
Chế độ xem 3.0.13 Pck
TEM SEM
xem Lưu đồ
điều
Tạo ra ảnh thật với khả năng phân SEM không đòi hỏi mẫu phải
Chế độ xem
khiểnB Pck
giải tới cấp độ nguyên
ụi tử, cùng mỏng như TEM, tức là ta không
xem
với chất lượng cao đặc biệt. P cần phá hủy mẫu.
ck
Bụi
Chế độ xem TEM cho ra hình ảnh về cấu trúc SEM có thể cho ngay ảnh với độ
xem
mẫu vật rắn,Pck
vi mô bên trong Bụi phân giải cao mà không phải xử lý
Ưu
Chế độ xem khác hẳn với các kiểu kính hiển mẫu quá vất vả, hoặc phải phá
Bụi
xem điểm Pck
vi khác. mẫu.
Hình
Chế độ xem Tốc độ ghi ảnh của TEM rất cao, Hoạt động dễ dàng, không đòi hỏi
3.0.14 Pck
xem Lưu động,
cho phép chụp ảnh đồ quay nhiều thiết bị đắt tiền như TEM
điều
Chế độ xem video các quá trình động
khiển B Pck
trong Giá thành của SEM cũng còn thấp
xem chất rắn. ụi hơn TEM rất nhiều.
Nhược TEM là một thiếtBụi Pck
bị rất đắt tiền. SEM chỉ có thể chụp được ảnh của
Chế độ xem
xem điểm Một TEM bình thường có giá từ các mẫu dẫn điện.
Bụi Pck
1-2 triệu USD. SEM chỉ cho banj hình ảnh vi cấu
Chế độ xem
xem Bụi thí nghiệm
TEM cần nột phòng P trúc bề mặt, chứ không phải cấu
ck
tiêu chuẩn rất khắt khe về độ ẩm,
Hình
trúc thật của vật liệu.
Chế độ xem 3.0.15
độ sạch không khí, Pckcao Độ phân giải của SEM thấp hơn
sự ổn định
xem Lưu đồ
của nhiệt độ và điện
điều áp, cách ly rất nhiều so với TEM
Chế độ xem khiểnB
hoàn toàn mọi tiếng ồn, mọi sự
xem ụi
rung động nhỏ nhất.
Chế độ xem Yêu cầu về mẫu Bụi
rất khắt khe nên
xem
cần đòi hỏi một phòng
Bụi thí nghiệm
Chế độ xem
xem Bụi 16

Chế độ xem
Chế độ xem
xem

Chế độ xem
xem riêng để xử lý mẫu cực tinh vi,
cần phải đạt được độ mỏng nhất
Chế độ xem
định.
xem
Các hệ thống của TEM nằm trong
Chế độ xem buồng chân không siêu cao, đòi
xem
hỏi phải có những thao tác chính
Chế độ xem xác, tuân thử một cách nghiêm
xem
ngặt các quy trình phức tạp.

17
 KẾT LUẬN
Bài tập ứng dụng của môn Điều khiển quá trình đã giúp chúng em nâng cao
những kỹ năng, những kiến thức từ căn bản đến bao quát về đề tài của chúng em:
Điều khiển và xử lý ảnh bằng phương pháp SEM, TEM về cấu trúc vật liệu. Dưới
sự hướng dẫn của thầy đã giúp chúng em nắm rõ những kiến thức đặc biệt quan
trọng về đề tài lần này.

Đề tài cũng giúp chúng em trau dồi những kỹ năng rất quan trọng như: kỹ
năng làm việc nhóm, kỹ năng phân tích và đánh giá vấn đề và nhất là thái độ khi
làm việc. Những kỹ năng đó cần được trau dồi thật kỹ cho tương lai của chúng em
về sau. Nhờ đề tài mà chúng em được thử sức trong một lĩnh vực hoàn toàn mới,
được tiếp xúc với các loại máy móc hiện đại như kính hiển vi SEM, TEM và được
làm việc với những công cụ lập trình mới như Node-red.

Chúng em xin chân thành cảm ơn GVHD Ts. Trần Văn Ngũ và Ts. Trần
Việt Hùng đã giúp chúng em có được cơ hội được trau dồi nhiều kiến thức mới,
được tìm hiểu về những đề tài mới. Và đặc biệt tạo điều kiện cho chúng em được
trau dồi những kỹ năng cần thiết. Em xin chân thành cảm ơn.

18