Székely Vladimír

az MTA levelező tagja

AZ IDŐÁLLANDÓ TARTOMÁNY

Elhangzott 2004. november 11-én

A székfoglaló előadás összeállítása bonyolult feladatot ró a szerzőjére. Szem előtt kell tartania
a szakmai közönség várakozását, akik tudományos igényű, újdonságokban sem szűkölködő
előadást szeretnének hallani. Ugyanakkor számolnia kell a barátok, a család igényével, akik
bár nyilván nem hozzáértők, valamit mégis csak szeretnének érteni az egészből. „Apu,
legalább azt mondd meg, hogy mi az az időállandó!”
Ezt a minimális elvárást nem nehéz teljesíteni. Kikapcsoljuk a rádiót és látjuk, hogy
fokozatosan kihuny a visszajelző LED fénye, letesszük a csésze forró feketekávét az asztalra,
és az szép lassan kihűl – ezek olyan kiegyenlítődési folyamatok, amelyeket az időállandó
fogalmával tudunk egyszerűen jellemezni. Az 1. ábrán a kávé hűlését rajzoltuk fel az idő
függvényében. A kezdőponthoz húzott érintő metszéke az állandósult hőmérséklettel éppen a
folyamat τ időállandóját adja. Segítségével egyszerűen írható fel a teljes hűlési folyamat, a
kávé T hőmérsékletének változása:

T (t > 0) = 25 + (70 − 25) exp(−t / τ ) . (1)

Az elektromos áramkörben a LED kialvásának gyorsasága hasonló módon, egy τ

időállandó segítségével adható meg.

1. ábra. Így hűl ki a csésze feketekávé

Az elektromos hálózat viselkedését két jellegzetes módon szoktuk leírni. Megadjuk a

reakcióját, válaszát egy időfüggő gerjesztésre (időtartomány), vagy megadjuk a viselkedését a
frekvencia függvényében (frekvenciatartomány). Az áramkörök – legalábbis egy részük –
azonban egyértelműen leírhatók azon időállandók készletével is, amelyek a működésükben
előfordulnak. Ez helyenként szokatlan, de nagyon hatékony módszerekre vezet. Ezekkel a
módszerekkel, összefüggésekkel kívánunk a következőkben foglalkozni, és ilyen értelemben
mondjuk, hogy témánk az időállandó tartomány.

1
Pontosan milyen áramkörökről beszélünk?

Az előbbiekben a közérthetőség kedvéért egyszerűen csak „áramkör”-t mondva, nagyon

pongyolán fogalmaztunk. Most itt az ideje, hogy pontosítsunk. Rögzítjük azon áramkörök
körét, amelyekre a következő elmélet vonatkozik. Ezek a
• lineáris,
• passzív,
• idő-invariáns
• koncentrált vagy elosztott paraméteres
• ellenállás-kondenzátor (RC) hálózatok.1

Ismeretes, hogy a hővezetés jelenségei teljes analógiában vannak az elektromos vezetéssel.

A hővezetés esetén az Rth hőellenállás lép az R elektromos ellenállás helyébe, a Cth
hőkapacitás a C kapacitás helyébe, ezen túlmenően a törvények azonosak. Ezért minden
további állítás mind az elektromos, mind a hővezetési rendszerekre igaz, s R illetve C akár
elektromos, akár termikus „alkatrészt” jelenthet.
Érdemes elmondani, hogy az „időállandó tartomány”-ra vonatkozó vizsgálatainkat
elsősorban a termikus rendszerek számítása inspirálta. A termikus struktúrák lényegükből
eredően elosztott paraméteresek. Az alábbiakban bevezetendő időállandó spektrum fogalom
éppen az elosztott paraméteres rendszereknél mutatja ki előnyeit, ezért különösen alkalmas
termikus problémák kezelésére.

Az időállandó spektrum fogalma

2. ábra. Egy egyszerű RC kétpólus

Vizsgáljuk meg a 2. ábrán látható, koncentrált elemes kétpólust! E kétpólus átmeneti

függvényét – vagyis az egységugrás áram gerjesztésre adott feszültség válaszát – ismert
módon az alábbi egyenlettel írhatjuk fel:

a (t ) = ∑ Ri (1 − exp(−t / τ i )) . (2)
i

Más szóval: a kétpólus viselkedését leírja a τi időállandók és a hozzájuk tartozó Ri

ellenállás értékek által alkotott három számpáros. Ha a kétpólust a frekvenciatartományban
jellemezzük, impedanciáját így írhatjuk:

Ri
Z ( s) = ∑ (3)
i 1 + sτ i

1
A kifejtendők alkalmazhatók az ellenállás-induktivitás (RL) hálózatokra is, de utóbbiak most kiesnek az
érdeklődési körünkből.

2
− vagyis ismét a τi – Ri számpárosok hordozzák a kétpólust leíró információt. Ha ezt az
információt grafikusan akarjuk ábrázolni, a 3. ábra diagramjára jutunk:

3. ábra. A 2. ábra hálózatának időállandói

Az ábra valamiféle vonalas spektrum képét mutatja. Valóban: mondhatjuk azt, hogy ez az
adott áramkör időállandóinak diszkrét értékes spektruma. Ez a felfogás különösen akkor válik
hasznossá, amikor elosztott paraméteres RC hálózatot vizsgálunk. Ilyen például az integrált
áramkör felületén futó fémvezeték, amit dielektrikum választ el a vezető hordozótól (4. ábra).

4. ábra. Elosztott paraméteres RC hálózat

E szerkezetnek x irányban elosztott ellenállása és a hordozó felé elosztott kapacitása van.

Válaszfüggvényét megvizsgálva kiderül, hogy abban végtelenül sok különböző időállandó
fordul elő. Ha a vezeték igen hosszú (végtelenül hosszú), akkor ezek az időállandók folytonos
spektrummá folynak össze. Valami olyanná, mint amit az 5. ábrán látunk. Ez a diagram tehát
pontosan megadja az időállandók azon készletét, ami a hálózat válaszában előfordul, relatív
intenzitásukkal együtt.

5. ábra. Folytonos időállandó spektrum

3
 Mindezeken felbátorodva, definiáljuk a kétpólus R(z) időállandó sűrűségét (spektrumát)!
Először is logaritmikus idő tengelyt vezetünk be, az alábbi összefüggésekkel:

z = ln(t ), ζ = ln(τ ) . (4)

Ennek célszerű voltát a későbbiek magyarázzák (z és ζ a továbbiakban egyaránt jelenti az

idő illetve az időállandó logaritmusát).
A logaritmikus idő tengely mentén az időállandó spektrumot így definiáljuk [1], [2]:

(5)

Kapcsolat az idő- és a frekvencia-tartománnyal

Ha ismerjük az időállandó sűrűséget, az átmeneti függvény a (2) összefüggéssel analóg

módon írható fel:

∞
a (t ) = ³ R(ζ ) (1 − exp(−t / exp(ζ ))) dζ . (6)
−∞

Ugyanezt az összefüggést elemi átrendezésekkel konvolúciós egyenlet formájában is

felírhatjuk [1], [3], [4]:

d
a ( z ) = R( z ) ⊗ wt ( z ) , (7)
dz

ahol a wt (z ) súlyfüggvény

wt ( z ) = exp( z − exp( z )) (8)

„jól viselkedő” függvény (deriváltjaival folytonos, ± ∞ -ben eltűnik, maximumát z = 0 -nál

veszi fel, integrálja egységnyi). A konvolúciós forma több felhasználás szempontjából igen
célszerű, a későbbiekben látunk erre példát.
Az időállandó spektrum közvetlen összefüggésbe hozható a kétpólus frekvencia
tartomány-beli leíásával, Z (ω) impedanciafüggvényével is. Levezetés nélkül közöljük az
ismét konvolúciós jellegű összefüggéseket [5], [6]:

d exp(2 x)
− Re Z (Ω) = R( −Ω) ⊗ wr (Ω) ahol wr ( x) = 2 (9)
dΩ (1 + exp(2 x)) 2

exp( x)
− Im Z (Ω ) = R (− Ω ) ⊗ wi (Ω ) ahol wi ( x) = (10)
1 + exp(2 x)

4
A fenti összefüggésekben Ω a logaritmikus frekvencia tengely jele:

Ω = ln(ω) (11)

A wr és wi súlyfüggvények wt -hez hasonlóan jól kezelhető függvények [5].

Hogyan állítjuk elő az időállandó spektrumot?

Látható, hogy az R(z) időállandó sűrűség ismeretében mind az időtartomány-, mind a

frekvenciatartománybeli viselkedés egyszerűen számolható. Szükséges természetesen az
ellenkező irányú kapcsolat is. Kérdés tehát: hogyan számolható R(z), ha ismerjük az a(t)
átmeneti függvényt vagy a Z (ω) impedanciát? Nos, a (7) és (9–10) egyenletekben szereplő
konvolúció művelete elvileg megfordítható. Látni fogjuk viszont, hogy ez a gyakorlatban csak
erős engedményekkel igaz. Létezik azonban egy közvetlenebb út is. Ha ismerjük a kétpólus
Z(s) operátoros impedanciáját, az alábbi összefüggést használhatjuk [1], [6]:

1
R( z ) =  Im Z ( s = − exp(− z )) . (12)
π

Nézzünk erre egy példát! A végtelen, homogén közegben lezajló gömbszimmetrikus

hőterjedés problémája analitikusan tárgyalható. Ismert az impedancia kifejezése:

1 1 1
Z ( s) = (13)
4πλ r0 1 + r0 sc/λ

− ahol λ a közeg hővezetési együtthatója, c a térfogategységre számolt hőkapacitása, és az

impedanciát az r0 sugarú gömbfelülettől értelmezzük. Felhasználva a (12) egyenletet, az
időállandó spektrum alábbi kifejezésére jutunk [7]

1 1 r0 σc/λ
R(σ ) = (14)
(2π ) 2 λr0 1 + r02 σc/λ

− ahol σ = 1 / τ = exp(− z ) . Ezt a spektrumot a 6. ábrán ábrázoltuk.

6. ábra. A gömbszimmetrikus hőterjedés időállandó spektruma

5
 Látható, hogy az időállandó sűrűség ez esetben folytonos függvény. A gömbszimmetrikus
struktúra átmeneti függvényében tehát széles határok között (elvileg zérustól végtelenig)
minden időállandó képviseli magát. Az is nyilvánvaló, hogy a rendszer viselkedését
túlnyomórészt egy domináns időállandó (az adott paraméterek mellett 1 s) és annak ± 1
dekádnyi szomszédsága határozza meg.

Az időállandó spektrum előállításának nehézségei

Az előző szakaszban láttuk, hogy R(z) számításának két útját követhetjük:

(I) a (12) explicit összefüggés használata,
(II) dekonvolúció, a (7) vagy a (9–10) implicit egyenletekre támaszkodva.
Sajnos mindkét úton számolnunk kell nehézségekkel. Az alábbiakban ezeket részletezzük, az
áthidalás módjait is érintve.
Az (I) út eleve csak akkor járható, ha analitikusan rendelkezésünkre áll a vizsgált struktúra
Z(s) operátoros impedanciája. Még ha e feltétel teljesül is, az esetek jelentős részében
gondjaink támadnak. A (12) egyenlet szerint a komplex sík s = − exp(− z ) vonalán kell
végighaladnunk. Ez éppen a -σ negatív valós tengely (7a ábra), amelyen sok esetben, például
minden diszkrét elemes RC hálózat esetén izolált szingularitások (pólusok) feküsznek. Emiatt
a (12) egyenlet nyilvánvalóan kiértékelhetetlen lesz.

7. ábra. A komplex síkon követendő út

Egyszerűen megkerülhetjük ezt a problémát, ha nem pontosan a negatív valós tengelyen,

hanem azzal egy kicsiny δ szöget bezáró s = −σ (cos δ + j sin δ ) egyenesen haladunk végig (7b
ábra). Ez a „trükk” természetesen csak akkor megengedhető, ha pontosan tudjuk, hogy
mekkora hibát követünk el általa. Kimutatható, hogy a keletkezett hiba egy er(z) függvénnyel
való konvolúcióval adható meg [7], [8]:

π −δ
RC ( z ) = R ( z ) ⊗ er ( z ) (15)
π

− ahol R(z) a tényleges időállandó spektrum, RC(z) a közelítő számítással nyert közelítése. Az
er(z) függvényt az alábbi kifejezés szolgáltatja:

1 sin δ exp(− z )
er ( z ) = (16)
π − δ 1 − 2 cos δ exp(− z ) + exp(−2 z )

Ez egy egységnyi területű keskeny impulzus, amely annál keskenyebb, minél kisebb a δ szög
(ahogyan a 8. ábrán is látható). Vagyis RC(z) korrekt közelítése R(z)-nek, attól csak annyiban
tér el, hogy z irányú felbontását az er(z) impulzus szélessége korlátozza. Mivel az er(z)

6
függvény δ csökkentésével tetszőlegesen keskennyé tehető, az eljárással bármely véges
felbontási követelmény teljesíthető.

8. ábra. Az R(z) számítás hibáját megadó függvény

A (II) eljárást R(z) dekonvolúcióval történő meghatározását akkor alkalmazhatjuk, ha az

RC kétpólus valamely válaszfüggvénye ismert – például a mérésből származó átmeneti
függvény. Ilyenkor például a Fourier-térben végezhetjük el a műveletet:
d
a ( z ) = R( z ) ⊗ wt ( z ) → F (da / dz ) = F ( R( z )) ⋅ F ( wt ( z )) →
dz
(17)
F (da / dz )
F ( R( z )) = → R(z)
F ( wt ( z ))
− ahol F( ) a Fourier-transzformáció operátora.2
A dekonvolúciós módszer alkalmazása során súlyos nehézséget okoz, hogy wt Fourier
transzformált függvényének amplitúdója meredeken esik – ahogyan a 9. ábrán látható [5].
Emiatt az F(wt(z))-vel való osztás folytán a mért válaszfüggvényt terhelő zajok
nagymértékben felerősödnek. A zaj korlátozása viszont egyben az R(z) eredmény
felbontásának korlátozására is vezet.

9. ábra A wt(z) függvény Fourier transzformáltjának amplitúdója, a z koordináta mentén

értelmezett Φ általánosított frekvencia függvényében

2
Hangsúlyozandó, hogy F(f(z)) itt nem a szokványos frekvencia tartományba való transzformálást jelenti, mivel
f nem az idő, hanem a z = ln(t) változó függvénye.

7
 A (9–10) egyenleteket felhasználva, a frekvenciatartománybeli válaszból is
dekonvolúcióval nyerhetjük R(z)-t. A nehézségek gyakorlatilag azonosak az előbb
tárgyaltakkal. A dekonvolúció céljára sokszor alkalmazunk iterációs eljárásokat is, de a
felbontás korlátai ott is hasonlóak. Durván mondhatjuk: az eredmény időállandó spektrum egy
oktáv körüli felbontásához a mért válaszfüggvényen legalább 70 dB zajtávolság szükséges. A
problémát részleteiben tárgyalja [5].

Az időállandó spektrum gyakorlati felhasználása

Az időállandó spektrum fogalma jól használható RC hálózatok identifikálása során. A

módszer alkalmazását mutatja be az alábbi mintapélda. A 10. ábrán látható hálózat
viselkedését vizsgáltuk, az átmeneti függvény méréssel való felvétele útján. A mért tranziens
görbét a 11. ábrán látjuk.

10. ábra. A minta hálózat

11. ábra. A 10. ábra áramkörének mért válaszfüggvénye. (A mérés 12 bit felbontással, kb. 70
dB zajtávolsággal történt)

Ebből a görbéből közvetlenül még azt sem tudjuk megállapítani, hogy hány időállandója
lehet a rendszernek, a számszerű adatokról nem is beszélve. Ha viszont a (17) séma szerint
dekonvolúcióval meghatározzuk az időállandó spektrumot (12. ábra), a hálózat négy
időállandója világosan megjelenik. Az időállandókat a négy impulzus súlypontjával, a
hozzájuk tartozó amplitúdót az impulzusok területével azonosíthatjuk. Ezekből
meghatározhatjuk az identifikált hálózat R és C értékeit. Ezeket az értékeket látjuk az 1. és 2.
táblázatban, a hálózat eredeti elem értékei mellett. Láthatjuk, hogy néhány százalék, sőt
ezrelék pontossággal visszakaptuk a valódi értékeket.

8
 12. ábra. A 11. ábra átmeneti függvényéből dekonvolúcióval nyert időállandó spektrum

R1 [Ω] R2 [Ω] R3 [Ω] R4 [Ω]

Valóságos 270 120 120 82
Identifikált 271,9 120,2 119,5 79,2

1. táblázat

C1 [µF] C2 [µF] C3 [µF] C4 [µF]

Valóságos 0,462 4 20 60
Identifikált 0,459 4,18 21,1 62,5

2. táblázat

A fenti példa a módszer „működését”, alkalmazhatóságát bizonyította. A következőkben

tényleges gyakorlati felhasználást mutatunk be. Az integrált áramkörök gyártásánál súlyos
gond, hogy az IC lapka tokba való beforrasztása (ragasztása) nem mindig tökéletes. A rossz
rögzítés rossz hőátadást okoz, túlmelegedéshez és korai meghibásodáshoz vezet. A rögzítés
minőségét tehát ellenőrizni kell. Kézenfekvő módszer lenne a lapka és a tok külseje közötti
hőellenállás mérése – ám ez arra nem ad választ, hogy ha megnövekedett hőellenállást
tapasztalunk, a lapka rossz rögzítését vagy a hő-út esetleges egyéb anomáliáit kell-e
okolnunk.
Megoldást jelent, ha nem csupán a sztatikus hőellenállást mérjük, hanem a dinamikus
viselkedést is. Felvesszük a lapka+tok-rendszer termikus átmeneti függvényét és ebből
megállapítjuk az időállandó spektrumot. E spektrum egy vonala ugyanis a lapka (ismert)
hőkapacitásából és a felforrasztás hőellenállásából adódó időállandó. Ezen időállandó
eltolódása egyértelműen jelzi a felforrasztás hőellenállásának megnövekedtét.
Speciálisan preparált IC példányokkal végeztünk kísérletet, bizonyítandó, hogy az
időállandó spektrum segítségével az ilyen hibák valóban kimutathatók.3 Három preparált
tokozás volt a kísérlet alapja (13. ábra). Az elsőnél a felragasztás hibamentes, a másodiknál a
lapka kerületén, a harmadiknál a lapka közepén hiányos.

3
A kísérleti minták az ST Microelectronics cég Agrate Brianza-i termikus laboratóriumában készültek.

9
 13. ábra. Hibátlan (a) és hibás (b), (c) felragszatású IC lapkák akusztikai mikroszkóppal
készült képe

A 14. ábra mutatja a három IC mérése alapján számolt időállandó spektrumokat.

Láthatjuk, hogy a 2 ms körüli időállandó hogyan tolódik el nagyobb értékek felé a hiba
következtében (miközben a hozzá rendelt amplitúdó is növekszik) [9].

14. ábra. A 13. ábra három tokján mért termikus válaszfüggvény időállandó spektruma

Az időállandó spektrum fogalma a termikus fizikai szimuláció, háromdimenziós termikus

térszámítás eszköztárába is jól beilleszthető. Látni fogjuk, hogy hasznos, ha különböző fizikai
struktúrák (pl. IC chipek, IC tokok, szerelőlemezek) FEM, FDM vagy egyéb módszerrel
történő szimulációja során a struktúra egyes pontjaira az időállandó spektrumot is megkapjuk
eredményként. Ez igen egyszerűen megoldható – legalábbis azon programoknál, amelyek a
frekvencia tartományban is szolgáltatnak megoldást. Az ilyen programoknál a jω változót
s = σ + jω -val helyettesítve a program a teljes komplex frekvenciatartományban szolgáltatja
a (termikus) impedanciát. Ennek birtokában, a (12) összefüggést felhasználva, közvetlenül
számolhatjuk az időállandó spektrumot. Mivel a legtöbb program véges (bár igen nagy)
szabadságfokú rendszerként modellezi a fizikai hővezető struktúrát, a negatív valós tengelyen
szingularitások tömegére kell számítanunk. Ezért e tengelyt a 7. ábra kapcsán bemutatott
módon elkerüljük, az s = − σ (cos δ + j sin δ ) vonal mentén haladva.

10
 Ezt a számítási módszert több térszámító programba beépítettük [8], [10]. Példaként a
THERMAN programot említjük, egy vizsgált struktúrát és a programmal számolt időállandó
spektrumát a 15. ábrán mutatjuk be.

15. ábra. IC lapka egy időállandó spektrumának számítása a THERMAN termikus térszámító
programmal

Közvetlen gyakorlati jelentőséget ad ennek a módszernek az, hogy az időállandó

spektrumok jól felhasználhatók az IC lapka (vagy egyéb struktúra) termikus modelljének
megalkotására. Ezt a lehetőséget használtuk fel a SISSI elektrotermikus szimulációs
programban [11], amely az IC-k csatolt elektromos/termikus viselkedését képes szimulálni.
Egy példán mutatjuk be az időállandó spektrum bázisú elektrotermikus szimulációval
elérhető eredményeket. A termikus csatolások különösen a nagy erősítésű analóg
áramkörökben éreztetik hatásukat. Ezért egy ilyen áramkört, a µA 741 műveleti erősítőt
választottuk vizsgálatunk tárgyának.

16. ábra. A µA 741 műveleti erősítő egy változatának mikroszkópi képe és a termikus
szempontból hatásos tranzisztorok pozíciója

Az IC layout ismeretében meghatároztuk a termikus csatolás szempontjából fontos

tranzisztorok helyzetét (16. ábra). Ebből, valamint a szerkezet egyéb jellemzőiből
(lapkavastagság, anyag, tok jellemzők) kiindulva a program automatikusan generálja az
időállandó spektrumok készletét. E spektrumok, diszkretizálás után szolgáltatják a termikus
struktúra kompakt modelljét. A hővezetés–elektromos vezetés analógia felhasználásával

11
ebből elektromos modell generálódik – ami már együtt oldható meg a műveleti erősítő
elektromos hálózatával. Ezzel megtörténik a csatolt elektromos-termikus szimuláció.
Az vizsgált jellemzők közül egyetlen egyet mutatunk be [12]. Ez a műveleti erősítő
kimeneti impedanciája, ami a termikus visszacsatolás miatt kis frekvenciákon komplex értékű
(induktív vagy kapacitív), sőt egészen kis frekvenciákon negatív valós részű is lehet. A
kimeneti impedancia helygörbéjét mind méréssel, mind szimulációval felvettük (17. ábra).
Jól látható, hogy a mérési és a szimulációs eredmények egyezése szinte tökéletes –
demonstrálva ezzel az időállandó spektrum alapú modellezés hatékonyságát.

17. ábra. A µA 741 műveleti erősítő kimeneti impedanciája különböző kimeneti feszültségek
mellett (a kimeneti áram kényszerítésével elértük, hogy csak az egyik (az npn) kimeneti
tranzisztor dolgozik)

Profilfüggvény, struktúrafüggvény előállítása

Hővezetési problémáknál, ha a hő terjedésének van egy domináns útja, definiálhatjuk az ún.

struktúrafüggvényt. Induljunk a hő keletkezési pontjától (a „bemenettől”), haladjunk a hőáram
mentén és számoljuk folyamatosan a bemenettől vett hőellenállást és hőkapacitást! Az utóbbit
az előbbi függvényében ábrázolva: Cth = f ( Rth ) , jutunk az integrális (vagy kumulatív)
struktúrafüggvényhez [13], [6]. E függvény a hővezetési út térképének tekinthető, róla
leolvasható, hogy hol van a hőáram útjában koncentrált hőellenállás vagy hőkapacitás, hol
van elosztott RC vonal (18. ábra).
Sok esetben a struktúrafüggvény dCth / dRth deriváltja, a [2] által bevezetett differenciális
struktúrafüggvény is igen hasznos információt hordoz. Kimutatható ugyanis, hogy

dCth / dRth ~ A 2 , (18)

vagyis arányos a hővezetési keresztmetszet felületének négyzetével. Ezt felhasználva, ha a

hővezetés közege homogén anyag, akkor a struktúrafüggvényt könnyen transzformálhatjuk
keresztmetszet – távolság függvénnyé. Ilyenkor beszélünk profil függvényről.

12
 Az időállandó spektrum transzformálható akár struktúra-, akár profilfüggvénnyé. Ennek
részletei meghaladják a cikk kereteit; egy lehetséges algoritmust a [14] munkában találunk.
Először egy mintapéldán mutatjuk be a profilfüggvény generálást [14]. Vizsgáljuk a 19.
ábrán látható hővezetési utat, amely két hengeres és két kúpos szakaszból áll össze! E
hővezetési út egyes

18. ábra. A struktúrafüggvény

19. ábra. Összetett hővezetési út

szakaszainak impedanciáját ismerjük. A kúpos szakasz a gömbszimmetrikus hőterjedéssel

közelíthető, 4π helyett Θ térszöggel számolva:

1 1
Z 4 ( s) = . (19)
Θλr 1 + scr / λ

A következő, hengeres szakasz a távíró egyenleteknek megfelelően transzformálja Z4-et

Z3-ba:

Z 4 cosh( scr L3 ) + Z 03 sinh( scr L3 )

Z 3 ( s) = Z 03 (20)
Z 03 cosh( scr L3 ) + Z 4 sinh( scr L3 )

13
− ahol r illetve c a hosszegységre eső hőellenállás, hőkapacitás, Z 03 = r / sc a szakasz
hullámellenállása. A következő, kúpos szakaszon ismét a gömbszimmetrikus megoldást
használva

1 Y12Y21
= Y11 − . (21)
Z2 Y22 + 1 / Z 3

Végül a bal oldali szakasz ismét hengeres, megint a távíró egyenleteknek megfelelően
számoljuk Z2-ből Z1-et.
Mindennek az a lényege, hogy a bal oldali betáplálási pont Z1 impedanciájára analitikus
(bár hosszú és bonyolult) összefüggést kaptunk. Erre alkalmazva a (12) egyenletet,
megkapjuk a betáplálási pontra vonatkozó időállandó spektrumot. Ezt a függvényt látjuk a 20.
ábrán.

20. ábra. A 19. ábrán látható szerkezet Z1 pontra vonatkozó időállandó spektruma

Az időállandó spektrumból kiszámolva a profil függvényt, a 21. ábrán bemutatott

eredményre jutunk. Összehasonlításként feltűntettük a geometriai adatokból számolt profilt is.
Látható, hogy a spektrumból visszaszámolt profil igen jól egyezik az eredetivel. Az
időállandó spektrum tehát valóban alkalmas utat kínál a hőterjedési út rekonstrukciójára.

21. ábra. Az időállandó sűrűség segítségével rekonstruált hőterjedési profil

14
A struktúrafüggvény a gyakorlatban

A profil visszaállításnak, struktúrafüggvény számításnak igen nagy a gyakorlati jelentősége az

IC tokok termikus ellenőrzése során. Ha a hőelvezetés jóságát a sztatikus hőellenállás
mérésével vizsgáljuk, a rossz egyedeknél nincsen támpontunk arra vonatkozóan, hogy a
hőelvezetési út melyik szakasza gyenge. Ha viszont felvesszük a tok termikus
válaszfüggvényét és ebből struktúrafüggvényt számolunk, akkor a hőelvezetés olyan térképét
kapjuk meg, amelyből a parciális hőellenállás, hőkapacitás adatok leolvashatók, a gyenge
pont leleplezhető. Ez mind a gyártási hiba diagnosztika során, mind az új tok konstrukciók
minősítése céljából igen lényeges.
A módszer alkalmazását gyakorlati példán mutatjuk meg. A nagy integráltságú elektronika
térhódításával ma egyre inkább igény, hogy egy-egy IC tokban több lapkát lehessen
elhelyezni. Ennek egyik módja a 22. ábrán látható, „vertikális” multichip tokozás. A lapkákat
egymásra ragasztják, a kivezetések kényelmes bekötése végett lépcsősen csökkenő
lapkaméretet alkalmazva (piramis szerkezet). A lapkák száma 2–4, néha még több.

22. ábra. A vertikális multi-chip tokban több IC lapkát tagasztunk egymásra

E multichip tokoknál a minősítés azt igényli, hogy teljes hőellenálláson túl az egyes lapkák
közötti hőellenállást is képesek legyünk megmérni. A megoldás a struktúra termikus tranziens
válaszának felvétele. Megfelelő kiértékelés után ugyanis eljutunk a struktúrafüggvényhez,
amelyről a parciális hőellenállások már leolvashatók.
A példaként bemutatandó vizsgálat során a 23. ábrán látható multichip tokot minősítettük.4
A tokot alsó felületével hűtőszerelvényre rögzítettük, így elértük, hogy a távozó hő
túlnyomórésze vertikálisan, lefelé áramlik. A felső IC lapkát gerjesztve felvettük a termikus
átmeneti függvényt, amiből a 24. ábrán látható integrális struktúrafüggvényt számoltuk [15].

23. ábra. A kísérletileg vizsgált multichip tokozás metszeti rajza

4
A vizsgálandó tokokat a National Semiconductors (USA) cég bocsátotta rendelkezésünkre.

15
 24. ábra. A kapott integrális struktúrafüggvény

Nem meglepő e függvény lépcsős jellege. A lapkák nagy hőkapacitást és kis hőellenállást
képviselnek. Ez kvázi függőleges lépésnek felel meg a Cth(Rth) függvényen. A ragasztó éppen
fordítva: nagy hőellenállású, kis hőkapacitás mellett, ez vízszintes lépést ad.
A lépcsők alapján jól elkülöníthetők a hővezetési út egyes szakaszai. Ennek talán
legbiztosabb módját a hőkapacitások kínálják. Mivel a lapkák mérete és anyaga ismert,
hőkapacitásukat könnyen kiszámíthatjuk:

Anyag Cth [Ws/K]

Felső lapka Si 4,63⋅10-3
Alsó lapka Si 8,24⋅10-3
Bázislemez Cu 41,3⋅10-3

3. táblázat

A függvény „lépcsőfokainak” magassága 3,8–8,8–35 mWs/K, ezen értékek jó közelítéssel

megfelelnek a számolt adatoknak. Biztosak lehetünk tehát benne, hogy az A pont a felső
lapkának, a B pont az alsó lapkának és a C pont a Cu bázisnak felel meg. Ez viszont azt
jelenti, hogy az A és a B pont vízszintes távolsága a két lapka közötti ragasztó hőellenállása, a
B és a C pont közötti vízszintes szakasz pedig az alsó lapka alatti ragasztó hőellenállását adja.
Lehetségessé vált tehát a rész-hőellenállások meghatározása egyetlen, roncsolásmentes
ranziens mérés alapján.
Megjegyzendő, hogy a bár a tokban valóban a felülről lefelé folyó hőáramlás a domináns,
valamennyi hő a tok teteje felé is távozik. Ez a hővezetési mellékút pontatlanná teszi a
számolt struktúrafüggvényt, és akár 15–20% hibát is okozhat a leolvasott adatokban.
Szerencsére ennek figyelembe vételére is van lehetőség [16], az így korrigált
struktúrafüggvényből jóval pontosabb számszerű adatokat nyerünk.

16
Összefoglalás

Az előadásban elmondottak igazolják, hogy az R(z) időállandó spektrum a lineáris passzív RC

hálózatok egy lehetséges, újszerű reprezentációja. Használata különösen az elosztott
paraméteres hálózatok esetén bizonyul előnyösnek. Alkalmazása, számítása nem jár
különösebb nehézséggel, hiszen jól kezelhető, egyszerű összefüggések teremtenek kapcsolatot
az időállandó spektrum és a frekvencia-, illetőleg időtartománybeli leírás között.
Az időállandó spektrum és a hozzá kapcsolódó számítási módszerek használata számos
gyakorlati problémánál kínál előnyöket. Az előadás egy sor ilyen alkalmazási területet
villantott fel. Nem vállalkozhatott viszont a szerző akár az elméleti háttér, akár az
alkalmazások részletes ismertetésére, ezekre vonatkozóan kénytelen az irodalomjegyzékben
felsorolt munkákra utalni.

Irodalom

[1] Székely, V.: On the representation of infinite-length distributed RC one-ports. IEEE

Trans. on Circuits and Systems, V. 38., (1991), 711–719.
[2] Székely, V., Tran Van Bien: Fine structure of heat-flow path in semiconductor devices: a
measurement and identification method. Solid-State Electronics, V. 31, (1988), 1363–1368.
[3] Gardner, D. G. et. al.: Method for the analysis of multicomponent exponential decay
curves. The Journal of Chemical Physics, V. 31, No. 4, Oct. 1959, 978–986.
[4] Cohn-Sfetcu, S. et al.: A digital technique for analyzing a class of multicomponent
signals. Proceedings of the IEEE, V. 63, No. 10, Oct. 1975, 1460–1467.
[5] Székely, V.: Identification of RC networks by deconvolution: chances and limits. IEEE
Trans. on Circuits and Systems-I, V. 45., No. 3., (1998), 244–258.
[6] Székely, V.: Distributed RC networks. Chapter 44. In The Circuits and Filters Handbook.
2nd edition (Editor-in-Chief: Wai-Kai Chen), CRC Press Inc, Boca Raton, 2003, 1201–1222.
[7] Székely, V.: Convolution calculus in the network theory and identification. European
Conference on Circuit Theory and Design (ECCTD '97), 30 August–3 Sept. 1997, Budapest,
49–56.
[8] Székely, V., Rencz, M.: Thermal dynamics and the time constant domain. IEEE
Transactions on Components and Packaging Technologies, Vol. 23., No. 3., Sep 2000, 587–
594.
[9] Rencz, M., Székely, V., Morelli, A., Villa, C.: Determining partial thermal resistances
with transient measurements, and using the method to detect die attach discontinuities. 18th
Annual IEEE SEMITHERM Symposium, San Jose, CA, USA, March 12–14, 2002, 15–20.
[10] Székely, V., Rencz, M., Poppe, A., Farkas, G.: User friendly tools for the thermal
simulation and modelling of electronic subsystems. 3rd Int. Conf. on Benefiting from Thermal
and Mechanical Simulation in (Micro)-Electronics, EuroSIME, 15-17 April 2002, Paris,
France, 254–261.
[11] Rencz, M., Székely, V., Poppe, A.: A fast algorithm for the layout based electro-thermal
simulation. Design, Automation and Test in Europe (DATE) Conference, Munich, Germany,
March 3–7, 2003, 1032–1037.
[12] Székely, V., Török, S.: Verification of an electro-thermal simulation algorithm. 9th
Therminic Workshop, 24-26 September 2003, Aix-en-Provence, France, 233–238.
[13] Protonotarios, E. N. and Wing, O.: Theory of nonuniform RC lines. Part I. IEEE
Transactions on Circuit Theory, vol. 14, March 1967, 2–12.

17
[14] Székely, V.: Restoration of physical structures: an approach based on the theory of RC
networks. Proceedings of the ECCTD'99, European Conference on Circuit Theory and
Design, 29 August–2. September 1999, Stresa, Italy, 1131–1134.
[15] Rencz, V., Székely, V., Poppe, A., Courtois, B., Zhang, L.: Testing the die attach quality
of 3D stacked dies. International Mechanical Engineering Congress and Exposition
(IMECE'04), Anaheim, California, USA, November 13–19, 2004
[16] Rencz, M., Székely, V., Poppe, A.: Results and issues in the measurements of 3D stacked
die packages. 10th Therminic Workshop, 29 Sept–1 Oct 2004, Sophia Antipolis, France, 137–
143.

18