21.03.

2013

T.C.
KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ

MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ

1 Doç. Dr. Serdar KÜÇÜK

ELEKTRONİK DEVRELER

Kaynak

• Electronic Devices And Circuit Theory,

Robert BOYLESTAD, Louis NASHELSKY

• Electronic Devices And Circuits,

Jr. Theodore F. BOGART

https://www.dropbox.com/sh/sawi5yqb516pu57/MnvkGIkOFb?m
http://goo.gl/kWRdv
2

1
 21.03.2013

TRANSİSTÖR

İçerik (1)

• Zener Diyot

• Köprü Tipi Tam Dalga Doğrultucu

• Orta Uçlu Transformatör Kullanılarak

Gerçekleştirilen Tam Dalga Doğrultucu

KUTUPLAMA DEVRELERİ
Kutuplama devrelei:
 Bu bölümde ortak-base, ortak-emiter ve ortak-collector kutuplama
devreleri detaylı bir şeklinde incelenecektir.

Ortak-base kutuplama devresi:

 Ortak-base kutuplama devresinde base-emiter (VBE) uygulanırken
çıkış ise collector-base (VCB) arasından alınır. RE direnci emiter
direnci, RC direnci ise collector direncidir. Bu konfigürasyonda iki adet
gerilim kaynağı kullanılır.

2
 21.03.2013

KUTUPLAMA DEVRELERİ (DEVAM)

Ortak-base:

NPN transistörün
ortak base
kutuplama devresi.

PNP transistörün
ortak-base
kutuplama devresi

KUTUPLAMA DEVRELERİ(DEVAM)

Ortak-base:
 NPN transistörün ortak-base kutuplama devresinden yararlanarak
aşağıdaki denklemler yazılabilir.

Devrenin giriş denklemi

VEE  VBE  I E RE (1)

Devrenin çıkış denklemi

VCC  IC RC  VCB ( 2 )

NPN ortak-base kutuplama

6

3
 21.03.2013

KUTUPLAMA DEVRELERİ(DEVAM)

Yük doğrusu analizi:

 Devrenin yük doğrusunu çizmek için doyum ve kesim koşulları çıkış
denklemine uygulanır.
 I-Doyum koşulu transistörden alınabilecek maksimum çıkış akımını
temsil eder. Akım maksimumda iken idealde çıkış gerilimi VCB=0 olur.
VCC
1- VCB  0 iken ICdoyum 
RC
 II- Kesim koşulu transistörden alınabilecek maksimim çıkış gerilimini
temsil eder. Çıkış gerilimi maksimum iken çıkış akımı IC=0 olur.
2- I C  0 iken VCBkesim  VCC
 Yük doğrusu analizi ile çıkış akımının ve çıkış geriliminin hangi
aralıklarda değiştiği veya transistörün
7 çıkış sınırları belirlenir.

KUTUPLAMA DEVRELERİ(DEVAM)
Yük doğrusu analizi :
 Bu koşulları sağlayan yük doğrusu aşağıda gösterilmiştir.
Çalışma noktasını bulmak için çıkış I C (mA )
akımı ve çıkış gerilimi bulunur.
VCC
ICdoy 
Çıkış akımını bulmak içinse giriş akımı RC
bulunur. Denklem 1’den giriş akımı IE
çekilirse,
VEE  VBE
VEE  VBE  I E RE (1) ise I EQ 
RE
I C  I E olduğundan ortak emiter devrede giriş
VCB (Volt )
akımını bulmak çıkış akımını bulmak demektir.
Çıkış gerilimi de denklem II’den bulunur. VCBkes  VCC
VCC  IC RC  VCB (2) ise VCBQ  VCC  I C RC Ortak-base devrenin
yük doğrusu

4
 21.03.2013

KUTUPLAMA DEVRELERİ(DEVAM)

Yük doğrusu analizi :

 Bulunan bu değerler yük doğrusunda gösterilir.

VCC
I Cdoy 
RC

I CQ , VCBQ

VCBkes  VCC

9
Ortak-base devrenin yük doğrusu
.

ÖRNEK

Örnek Soru:
 Şekildeki devrenin yük doğrusunu çizip çalışma noktasını
bulunuz.

10 Giriş

5
 21.03.2013

ÖRNEK (DEVAM)

Çözüm:
 Öncelikle yük doğrusunun elemanlarını bulalım.
VCC 20V
VCB  0 ise I Cdoyum  I Cdoyum 
4K
 5mA
RC

I C  0 ise VCBkesim  VCC VCBkesim  VCC  20V

Şimdi de çalışma noktasını bulalım.

VEE  VBE  I E RE VCBQ  VCC  I C RC

6V  0.7V  I E 2.65K VCBQ  20V  2mA 4K

6V  0.7V VCBQ  12V

I EQ   2mA
2.65K

ÖRNEK (DEVAM)
Çözüm:
 Bulduğumuz bu değerleri grafikle gösterelim.

Ortak-base devrenin
yük doğrusu
.
Q ( 2mA,12V )
2

12 20
12

6
 21.03.2013

KUTUPLAMA DEVRELERİ (DEVAM)

Ortak-Emiter kutuplama devresi:

 Ortak emiter kutuplama devresinde sadece bir tane gerilim kaynağı
kullandığından ortak-base düzenleşime göre daha üstündür. RB ve RC
dirençleri öyle seçilmeli ki RB üzerine düşen gerilim RC üzerine düşen
gerilimden daha büyük olsun. Böylece collector-base arası ters
kutuplu bir şekilde kalsın.

13

KUTUPLAMA DEVRELERİ (DEVAM)

Ortak-Emiter kutuplama devresi:

NPN transistör PNP transistör

7
 21.03.2013

KUTUPLAMA DEVRELERİ (DEVAM)

1.Ortak-Emiter Sabit kutuplama devresi:

Giriş denklemi
VCC  I B RB  VBE (1)

Çıkış denklemi

VCC  IC RC  VCE ( 2 )

KUTUPLAMA DEVRELERİ(DEVAM)

Yük doğrusu analizi:

 I-Doyum koşulu transistörden alınabilecek maksimum çıkış akımını
temsil eder. Akım maksimumda iken idealde çıkış gerilimi VCE=0 olur.

VCC
1- VCE  0 iken ICdoyum 
RC

 II- Kesim koşulu transistörden alınabilecek maksimim çıkış gerilimini

temsil eder. Çıkış gerilimi maksimum iken çıkış akımı IC=0 olur.

2- IC  0 iken VCEkesim  VCC

16

8
 21.03.2013

KUTUPLAMA DEVRELERİ(DEVAM)

Yük doğrusu analizi :

 Çalışma noktasını bulmak için çıkış akımı ve çıkış gerilimi
bulunur.
 Çıkış akımını bulmak için denklem 1’den giriş akımı bulunur.
VCC  VBE ICQ  I B
VCC  I B RB  VBE (1) ise I BQ  ve
RB

 Çıkış gerilimi de denklem 2’den bulunur.

VCC  IC RC  VCE (2) ise VCEQ  VCC  ICQ RC

KUTUPLAMA DEVRELERİ(DEVAM)

Yük doğrusu analizi :

 Bulunan bu değerler yük doğrusunda gösterilir.

VCC
I Cdoy 
RC

Q( I CQ , VCEQ )

VCEkes  VCC

Ortak-emiter sabit kutuplama devresinin yük doğrusu

18

9
 21.03.2013

ÖRNEK
Örnek Soru:
 Şekildeki devrenin yük doğrusunu çizip çalışma noktasını
bulunuz.

  100

19

ÖRNEK (DEVAM)

Çözüm:
 Öncelikle yük doğrusunun elemanlarını bulalım.
V 12V
VCE  0 ise I Cdoyum  CC ICdoyum   6mA
RC 2K

I C  0 ise VCEkesim  VCC VCEkesim  VCC  12V

Çalışma noktasını bulmak için önce IBQ giriş ve sonra ICQ çıkış akımı bulunur.
VCC  VBE 12V  0.7V
I BQ    30 A I CQ   I BQ  100  30 A  3mA
RB 367.7 K

Denklem 2’den çıkış gerilimini bulunur.

VCEQ  VCC  IC RC  12V  3mA  2 K  6V

10
 21.03.2013

ÖRNEK (DEVAM)
Çözüm:
 Bulduğumuz bu değerleri grafikle gösterelim.

6
I B  40 A

Sabit kutuplamalı
ortak-emiter I B  30 A
devrenin yük 3 Q(3mA, 6V )
doğrusu ve çalışma I B  20 A
noktası
.
21

6 12

ÖRNEK (DEVAM)

Çözüm:
 RB direnç değerini 161.4K olarak değiştirelim
12V  0.7V
I BQ   70 A ise ICQ  100  70 A  7 mA
161.4K

Çıkış akımı VCEQ  12V  7mA2K  2V

Görüldüğü gibi RB direncinin 161.4K seçilmesi sonucunda

transistör aktif bölgeden doyum bölgesine kaydı. Transistör
bu bölgede çalışmaz.

11
 21.03.2013

KUTUPLAMA DEVRELERİ(DEVAM)

Emiter dirençli sabit kutuplama devresi :

 Sabit kutuplama devresinde sıcaklık ve diğer etkilerden dolayı
transistörün değerinin değişmesiyle devrenin kararlılığı
etkilenir. Bu tip arzu edilmeyen değişimleri engellemek için
emiter-şase arasına bir direnç bağlanır. Bu dirence de emiter
direnci denir. Aşağıda böyle bir devre görülmektedir. Bu
devreden faydalanarak bazı gerilim ifadelerini açıklayalım. Bu
devrede

KUTUPLAMA DEVRELERİ(DEVAM)
Emiter dirençli sabit kutuplama devresi :
 Şekilde emiter dirençli sabit kutuplama devresi görülmektedir.
VCE :Collector-emiter arası gerilim.

VC  VCC  IC RC VC :Collector-şase arası gerilim. VC  VCE  VE

VE : Emiter-şase arası gerilim. VE  I E RE

VRC: RC direnci üzerindeki gerilim. VRC  IC RC

VRB: RB direnci üzerindeki gerilim. VRB  I B RB

VRE: RE direnci üzerindeki gerilim. VRE  I E RE

VBE :base-emiter arası gerilim.

VB :Base-şase arası gerilim VB  VBE  VE

VBC :Base collector arası gerilim VBC  VB  VC

12
 21.03.2013

KUTUPLAMA DEVRELERİ(DEVAM)

Emiter dirençli sabit kutuplama devresi:

 Giriş denklemi VCC  VRB  VBE  VRE , VRB  I B RB ve VRE  I E RE ise
VCC  I B RB  VBE  I E RE (1)

 Çıkış denklemi VCC  VRC  VCE  VE , VRC  IC RC ve VE  I E RE

VCC  IC RC  VCE  I E RE ( 2 a) I C  RE VCC  IC RC  RE   VCE ( 2 b )

 Doyum ve kesim koşulu (denklem 2b)

VCC
VCE  0 ise ICdoyum  R  R
C E

IC  0 ise VCEkesim  VCC

KUTUPLAMA DEVRELERİ(DEVAM)

Emiter dirençli sabit kutuplama devresi:

 Giriş denklemi VCC  VRB  VBE  VRE , VRB  I B RB ve VRE  I E RE ise
VCC  I B RB  VBE  I E RE (1)

 Çıkış denklemi VCC  VRC  VCE  VE , VRC  IC RC ve VE  I E RE

VCC  IC RC  VCE  I E RE ( 2 a) IC  I E VCC  IC RC  RE   VCE ( 2 b )

 Doyum ve kesim koşulu (denklem 2b)

VCC
VCE  0 ise ICdoyum  R  R
C E

IC  0 ise VCEkesim  VCC

13
 21.03.2013

KUTUPLAMA DEVRELERİ(DEVAM)

Emiter dirençli sabit kutuplama devresi:

 Çalışma noktasını bulmak için önce IBQ giriş ve sonra ICQ çıkış akımı
bulunur. Denklem 1’de IE yerine (𝛽 + 1)IB yazalım.
VCC  VBE V  VBE ICQ  I BQ
VCC  I B RB  VBE  (   1)I B I BQ   CC
RB  (   1)RE RB  RE

Denklem 2b’den çıkış gerilimini bulunur.

VCEQ  VCC  I C ( RC  RE )

KUTUPLAMA DEVRELERİ(DEVAM)
Emiter dirençli sabit kutuplama devresi:

VCC
I Cdoy 
RC  RE

Emiter dirençli sabit

kutuplama
devresinin yük
Q( I CQ , VCEQ )
doğrusu ve çalışma
noktası
.

28
VCEkes  VCC

14
 21.03.2013

ÖRNEK
Örnek Soru:
 Şekildeki devrede
 a)IBQ ve ICQ
 B)VCEQ
 C)VC
 d)VE
 e)VB
 f)VBC
  50

29

ÖRNEK (DEVAM)

Çözüm:

VCC  VBE 20V  0.7V

a) I BQ    40 A ICQ   I BQ  50  40 A  2 mA
RB  RE 430K  50  1K

b )VCEQ  VCC  ICQ ( RC  RE )  20V  2 mA( 2 K  1K )  14V

c )VC  VCC  ICQ RC  20V  2 mA  2 K  16V

d )VC  VCE  VE VE  VC  VCE  16V  14V  2V

VE  I E RE  IC RE  2 mA  1K  2V
e )VB  VBE  VE VB  0.7V  2V  2.7V
Ters kutuplama gerilimi (-)
g )VBC  VB  VC VBC  2.7V  16V  13.3V olduğundan transistör aktif
bölgededir.

15
 21.03.2013

ÇALIŞMA SORUSU
Örnek Soru:
 Devrede 𝛽 = 100 alarak yük doğrusunu çizip çalışma noktasını
bulunuz?

6.6

 Cevap: I B  36.3A
3.63 Q (3.63mA, 9V )

31
9 20

16