Professional Documents
Culture Documents
Bölüm:
Çift Jonksiyonlu Transistörler
(BJT)
1
Transistör Yapısı
İki tip transistör vardır:
• pnp
• npn
pnp
Transistörün uçları:
• E - Emiter
• B - Beyz
• C - Kollektör
npn
2
Transistör Yapısı
3
Transistörün Çalıştırılması
VEE ve VCC harici kaynakları aşağıdaki gibi bağlandığında:
4
Transistörün Çalıştırılması
Şekildeki devre, beyz-emiter devresi (sol taraf) ve
kollektör-emiter devresi (sağ taraf) olmak üzere iki ayrı
devre olarak analiz edilir. Emiter bacağı, her iki devre için
de iletim hattını oluşturur.
5
Transistörün Çalıştırılması
Beyz-emiter devresinde iletilen akımın miktarı, kollektör
devresinden geçecek akımın miktarını kontrol eder. Beyz-
emiter akımındaki küçük bir değişim kollektör akımında
büyük bir değişime neden olur.
6
Transistör Karakteristik ve Parametreleri
Daha önce değinildiği gibi, beyz-emiter akımındaki değişim
kollektör-emiter akımını kontrol eder. Bu değişim faktörü
beta() olarak tanımlanmaktadır.
= IC/IB
7
Transistör Karakteristik ve Parametreleri
Bir transistörde arıza analizi için üç önemli akım ve üç
önemli gerilim değeri vardır. Bunlar;
IB: dc beyz akımı
IE: dc emiter akımı
IC: dc kollektör akımı
VBE: beyz-emitter jonksiyonu dc
gerilimi
VCB: kollektör-beyz jonksiyonu
dc gerilimi
VCE: kollektör-emiter
jonksiyonu dc gerilimi
8
Transistör Karakteristik ve Parametreleri
Uygun bir çalıştırma işlemi için, beyz-emiter jonksiyonu VBB
tarafından ileri yönde öngerilimlenir ve bir diyot gibi iletim
gerçekleşir.
Kollektör-beyz jonksiyonu ise VCC tarafından ters öngerilimlenir ve
diyot gibi akım geçişini engeller.
Beyz-emiter jonksiyonundan
geçen akım kollektör ile emiter
arasında akım geçiş yolunu
meydana getirmektedir.
9
Transistör Karakteristik ve Parametreleri
Transistör devresinin analizi, Ohm kanunu, Kirchoff’un
gerilimler kanunu ve transistörün betası kullanılarak
hesaplanan dc gerilim ve akımla gerçekleştirilir.
Bu kanunların
kullanılmasında ilk adım
beyz akımını belirlemek
için analiz edilen beyz
devresidir. Kirchoff’un
gerilimler kanunu kullanı
VBE gerilim düşümü
dikkate alınır.
10
Transistör Karakteristik ve Parametreleri
Beyz akımının bulunması için Ohm kanunu kullanılır;
VRB/RB = IB
11
Transistör ve Akım
IE IC IB
IC ICmajority ICOminority
12
Ortak Beyz Yapısı
13
Ortak-Beyz Yükselteç
Giriş Karakteristikleri
14
Ortak-Beyz Yükselteç
Giriş Karakteristikleri
15
Çalışma Bölgeleri
• Aktif Bölge
• Kesim Bölgesi
• Doyum Bölgesi
16
Kabuller
Beyz-emiter gerilimi
VBE 0.7
17
Alfa (a)
DA modda, Alfa() IC ve IE akımı ile açıklanır:
IC
α dc
IE
İdealde : α= 1
Gerçekte : α; 0.9 ile 0.998 arasındadır.
AA modda Alfa()
ΔI C
α ac
ΔI E
18
Transistör Uygulamaları
20
Ortak Emiter Karakteristikleri
21
Ortak Emiter Yükselteç Akımı
İdeal Akımlar
IE = IC + IB IC = IE
I CBO
I CEO I B 0 μA
1
22
Beta ()
IC
DA çalışma modunda: β dc
IB
23
Beta ()
’nın grafikle bulunması
(3.2 mA 2.2 mA)
β AC
(30 μA 20 μA)
1 mA
V 7.5
10 μA CE
100
2.7 mA
β DC VCE 7.5
25 A
108
24
Beta ()
ve arasındaki ilişki
β α
α β
β1 1 α
Akımlar arasındaki ilişki;
I C βI B I E (β 1)I B
25
Ortak Kollektör Yapısı
26
Ortak Kollektör Yapısı
Karakteristik eğrisi dikey eksenin IE olmaması dışında ortak-emiter
ile aynıdır.
27
Ortak Bağlantılar için Çalışma Sınırları
Kesim bölgesinde, VCE maksimum ve IC minimumdur (ICmax= ICEO).
Doyum bölgesinde, IC maksimum ve VCE minimumdur (VCE max = VCEsat =
VCEO).
Transistör, doyum ve kesim arasında aktif bölgede çalışır.
28
Güç Tüketimi
Ortak-Beyz:
PCmax VCB I C
Ortak-Emiter:
PCmax VCE I C
Ortak Kollektör:
PCmax VCE I E
29
Transistör Katalogları
30
Transistör Katalogları
31
Transistor Kontrolü
• Dijital Multimetre (DMM)
Bazı DMM’ler βDC veya hfe ölçer.
• Ohmmetre
32
Transistor Uçlarının Belirlenmesi
33