MALZEME BİLGİSİ

Fotoresiztör (Light Dependent Resistor : LDR)

FOTON İL.B.
EF
Eg

VL.B.

Yeterli enerjiye sahip bir foton, VL. B. daki bir elektronu İL.B. na yükseltir.
İL.B. a çıkan e- lar, kristalin iletkenliğini arttırır, kristalin direnci azalır.

Işık miktarı arttıkça (foton / sn) iletkenlik artar, R direnci azalır, RL yük direnci
üzerindeki potansiyel artar.
LDR direnci - L (Işık Miktarı) arasındaki ilişki;
R1/ R2 = (L1/L2) – a
a = tan ( θ )

LDR üzerine hiç ışık düşmediğinde ölçülen R değerine “dark resistance” denir ve yaklaşık 1 MΩ değerinde
olabilir.

Log (R)

6–
5–
4–
3– θ

Log (L)
0–
1–
2–
3–
ÖDEV: Matlab kullanarak aşağıda istenilenleri yapınız be çizdiriniz.
 TRANSİSTÖR

AKIM YÜKSELTMESİ YAPAR

 TRİYOT LAMBALI YÜKSELTİCİ

Kafes pozitif ise: Katodun yaydığı elektronlar hızlanarak kafese çekilir, kafes içinden
geçerek daha yüksek pozitif değerdeki anoda ulaşırlar ve triyottan geçen akım artar.

KAFES, KATOD’DAN ANOD’A OLAN AKIM TRANSFERİNİ BİR VANA VEYA

DEĞİŞKEN DİRENÇ (RESISTOR) GİBİ DAVRANARAK AZALTIR / ÇOĞALTIR.
Triyod Lamba ile NPN Transistörün karşılaştırılması
Triyot Lamba NPN Transistör
Anod C : collector (toplayıcı)
Kafes (grid) B : base (taban)
Katod E : emitter (yayıcı)
TRANSİSTÖRLER (Bipolar Transistörler)
Bipolar transistörlerin (BJT) genelde iki çalışma modu vardır. Yükselteç (amplifier) ve anahtar olarak.
Transistör, her iki çalışma modunda harici dc besleme gerilimlerine gereksinim duyar.
E : Emiter, B : Base ,C: Collector
Emiterdeki negatif yüklü serbest elektronlar, Vcc’nin ( - ) kutbu tarafından birleşim yüzeyine doğru itilir. Vbb’nin
etkisiyle gerilim setti ortadan kalkarak, emiterden itilen elektronların geçişine olanak sağlanır. Kollektör – beyz
arasındaki gerilim setti de Vcc’nin etkisiyle ortadan kalkar. Emiterden yayılıp birleşim yüzeylerinden geçerek
kollektöre ulaşan elektronlar kollektöre bağlı Vcc’nin ( + ) kutbu tarafından çekilir. Böylece transistör içerisinden
akım geçişi sağlanmış olur.
ÇALIŞMA PRENSİBİ
• AKIM YÜKSELTME KAZANCI
BJT çıkışı olan IC akımı, base voltajına bağlı olmak üzere IB akımı ile
kontrol edilir. Collector akımının base akımına oranı BJT’nin akım
kazancıdır.
I
Kazanç β = IC / IB
N
500 Ω
Örnek Hesaplama: β = 100 IB
P
10 V
IB=5/50000=0.1 mA 50 kΩ
N
IC=βIB = 10 mA
5V
V(500Ω) = 5 V
• TRANSİSTOR + LED

VB ile LED Işımasının MODÜLASYONU;

GİRİŞE BAĞLI OLARAK ÇIKIŞIN
ŞEKLİNİ DEĞİŞTİRMEK.

LED’İN KIRMIZI IŞIĞI: (BİLGİ 0 / 1 )

TAŞIYICI DALGA (CARRIER WAVE)
Foto-Transistör
 A. BASE AÇIK (GENELLİKLE)

IŞIK e-
DÜŞMÜYOR C IŞIK
R VAR C
R
N
N
B P B P
+ h+ e-
N – +
N –
E
E

FOTO – TRANSİSTÖR : (Foto diyot) + (YÜKSELTİCİ)

A. BASE AÇIK : VB = 0

F – Transistöre Düşen Işık LED Işıması

Giriş Çıkış

Işık YOK
B. BASE BAĞLI :

IŞIK YOK
MODÜLASYON : Çıkış şeklinin giriş ile kontrolü (değişimi)
ÇIKIŞ : LED ışıması
GİRİŞ : F – Transistöre düşen ışık
Genlik Modülasyonu
Fotodiyot, PIN, Fototransistör karşılaştırması

DEDEKTÖR Yükseltme Tepki Hızı

Fotodiyot - +
PIN - +++
Fototransistör + -
 UJT (UNIJUNCTION TRANSISTOR)
TEK EKLEMLİ TRANSİSTÖR
Uygulama örneklerine;
• Osilasyon Yapısı ve Sembolü
• Tetikleme, zamanlama devreleri
• Testere dişi jeneratörü
 + B2
Elektronlar + B2 ile K noktasına çekilir,
sonra + E bağlantısına transfer edilir.
+ E P K
EMITTER
Eklem potansiyeli Vg = Ge 0.5 V
e–
Si 0.7 V
N – Kanallı UJT sembolü
h+ N

– B1
N KANAL
EŞDEĞER DEVRE ve AKIM – VOLTAJ KARAKTERİSTİĞİ

• VE = 0 V ise AKIM YOK IE = 0A, RB1 : SABİT

𝑅𝐵1
𝑉 𝑅𝐵1 = 𝑉𝐵𝐵 = 𝜂𝑉𝐵𝐵
𝑅𝐵1 +𝑅𝐵2
IE
• VE = VD + V(RB1 ) = VD + 𝜂𝑉𝐵𝐵
ise IE , RB1 ÜZERİNDEN AKAR

𝑉𝑝 = 𝑉𝐷 + 𝜂𝑉𝐵𝐵 (Peak / Trigger Voltage)

E – B1 Arasına enjekte edilen hole’ler ile N – Kanal Yarı – iletken iletkenleşir.
RB1 direnci azalır azalır : Akım A – B arasında A’dan B’ye doğru artar.
V(RB1) Voltajı azaldıkça, K (+) Voltajı artar, Belli bir değere ulaşınca hole akımını durdurur.
UJT OSLASYON DEVRESİ

B – C ARASI : KRİSTAL İÇİNDE KALAN HOLE’LER TOPLANMAYA

DEVAM EDER: EXPONANSİYEL ŞEKİLDE AZALARAK

1 1
OSİLASYON PERİYODU 𝑇 = 𝑅𝐶𝑙𝑛 = 𝜏𝑙𝑛
1−𝜂 1−𝜂
 PUT Programmable Unijunction Transistor
UJT : RB1 , RB2 : Değiştirilemez : UJT YAPISI İÇİNDE
PUT : RB1 , RB2 : Değiştirilebilir : R1 , R2 : DIŞ DİRENÇLER

PUT programlanabilir UJT, uygulama ve akım – voltaj karakteristikleri

bakımından UJT ile aynıdır.

Yapısal olarak UJT den tamamen farklıdır. PUT da UJT gibi üç uçlu bir
bileşendir. Ancak dört tabaka (wafer) yarı iletkenden oluşur.
UJT ile PUT arasındaki temel fark şudur: UJT nin tetikleme yani çalışma voltajı
VP yapısal olarak sabittir, değiştirilemez.

PUT da ise tetikleme voltajını R1 , R2 voltaj bölücüsü ile değiştirilebilme şansı

vardır. Si eklem potansiyeli 0.7 V olduğundan, PUT tetikleme voltajı
𝑉𝑃 = 𝑉𝐺 + 0.7
Örnek:
VB = 9 V R2 = R1 ise VP = 5.2 V
R2 = 2R1 ise VP = 6.7 V
R2 = 5R1 ise VP = 8.2 V

SONUÇ: TETİKLEME VOLTAJI AYARLANABİLİR, DEĞİŞTİRİLEBİLİR