Şekilde bir kuvvetlendirici devresi bulunmaktadır.

Tranzistör parametreleri:
β=200, VBE=0.7V, VT=25mV, VA=100V
a. DC analiz yaparak VB ve V0 gerilimlerini bulunuz.
b. rin, rout, ve vo/vin küçük işaret değerlerini bulunuz.
Rs iin ib ic
b c
v0

vi βib
RB rπ r0 Rc
e

5V- IB 400kΩ-VBE =0 => IB SOLVED

VBE =VB =0.7V

5V- β IB 1.2kΩ =V0 => V0 SOLVED

𝑣0
𝑟𝑜𝑢𝑡 = = r0//𝑅c 𝑅𝐵 //𝑟𝜋
𝑣0 = − 𝛽 𝑖𝑏 𝑟0//𝑅𝑐
𝑖0 𝑣𝑏𝑒 = 𝑖𝑏 𝑟𝜋 = 𝑣
𝑅𝑠 + 𝑅𝐵 //𝑟𝜋 𝑖
𝑣
𝑟𝑖𝑛 = 𝑖 = 𝑅B //rπ +Rs
𝑖𝑖𝑛
V 𝑣0 − 𝑅𝐵 //𝑟𝜋
ro  A V = 𝑟 //𝑅𝑐 𝛽
I CQ r  T 𝑣𝑖 𝑟𝜋 (𝑅𝑠 + 𝑅𝐵 //𝑟𝜋 ) 0
I BQ
Şekilde bir kuvvetlendirici devresi bulunmaktadır. rin ve vout/vin küçük
işaret değerlerini bulunuz. PNP Tranzistör parametreleri: |VBE| = 0.7,
β = 100, |VA| =∞, VT = 25 mV
𝐼𝐸
𝐼𝐸 = 100μ𝐴 𝐼𝐵 = = 1μ𝐴
β+1
𝐼𝐶 = 99μ𝐴
βib
iin E ic
C
vout

vin ib
rπ R1

𝑣0 = 𝛽 𝑖𝑏 𝑅1 𝑣𝑖𝑛 = 𝑟𝜋 𝑖𝑏 𝑣0 𝑅1 β
=
𝑣𝑖𝑛 𝑟𝜋
𝑣𝑖𝑛 𝑟𝜋 𝑖𝑏 𝑟𝜋
𝑟𝑖𝑛 = = =
𝑖𝑖𝑛 (β+1)𝑖𝑏 (β+1)
Şekildeki devre için, trabzistör parametreleri VA = ∞, VT = 25 mV, |VBE| =
0,7 V, ve hfe = hFE = β = 100.
a. DC akımları bulunuz.
b. Küçük işaret gerilim kazancını vo/vin bulunuz.
c. Giriş ve çıkış dirençlerini bulunuz.

V in  I b r  ( I b   I b ) R E
V o  (  I b ) RC
 Ri 
V in   V s
Rib 
V in
 r  (1   ) R E  Ri  R S 
Ib V   RC  Ri 
Av  o   
Ri  R1 R2 Rib V s r  (1   ) R E  Ri  R S 
Şekildeki devrede T1 ve T2 transiztörleri için parametreler aynıdır. VA = ∞,
VT = 25 mV, |VBE| = 0,6 V, ve hfe = hFE = β = 100.
a. DC akımları bulunuz..
b. Küçük işaret gerilim kazancını vo/vin bulunuz.
c. Giriş ve çıkış dirençlerini bulunuz.
Problem BJT: - Şekildeki devrede yer alan tranzistörler için
β = 100 ve VBE= 0.7V olarak alınacaktır.
a) IC1, VC1, VCE1. b) IC2, VC2, VCE2.

(a): - Kirchoff uygulanır.

IB1
RB1 RC1 IC2 RC2
IC1 + IB2
30  I B1 * RB1  VBE1  0 IB
VC1 2

30  0.7 IC1 V VCE2

I B1  3
 39.07A BE2
750 *10
VCE1
I C1   * I B1  3.907mA VBE1 IE2 R
E2
(a) devamı: -
30  I C1  I B 2 RC1  VBE 2  I E 2 RE 2  0

I E    1I B
30  24.2234  I B 2 RC1  0.7    1I B 2 RE 2  0
5.0766  I B 2 RC1  101* RE 2   0 I B 2  10.559A
VC1  30  I C1  I B 2 * RC1
VC1  30  3.907  0.010559 * 6.2
 5.7111[V ] IB1
RB1 RC1
IC1 + IB2 IC2 RC2
VCE1  VC1  5.7111V IB
VC1 2

IC1 V VCE2
BE2

VCE1
VBE1 IE2 R
E2
(b):

I E 2  (1   ) I B 2  101*10.559A  1.0662mA

I C 2  I B 2   1.0556mA

VC 2  30  I C 2 RC 2
RB1 R IC2 RC2
IB1 IC1 + IB2 C1
IB2 VC2
VC 2  30  1.0556* 20  8.888V
VC1
IC1 V VCE2
BE2
VE 2  I E 2 RE 2  5.0111V VE2
VCE1
VBE1 IE2 RE2
VCE 2  VC 2  VE 2  3.8769V