Analog Elektronik: Bölüm 5 (Bjt'Lerin Ac Analizi)

ANALOG
ELEKTRONİK
BÖLÜM 5 (BJT’lerin AC ANALİZİ )
BJT TRANSİSTÖR MODELLEMESİ
• Bir model, transistörün AC özelliklerini gösteren eşdeğer bir

devredir.
• Bir model, transistörün davranışına benzer devre elemanlarını
kullanır.
• Bir transistörün küçük sinyal AC analizinde yaygın olarak kullanılan
iki model vardır:
➢re modeli
➢Hibrid eşdeğer modeli
ANALOG ELEKTRONİK- ÖMER ÇOBAN & TEVHİT KARACALI 5.10.2020 2

DEVRENİN AC EŞDEĞERİ ELDE EDİLİRKEN
1. Bütün DC kaynaklar sıfıra eşitlenir ve kısa devre eşdeğeri konulur

2. Bütün kapasiteler kısa devre edilir
3. 1. ve 2. adımdaki elemanlar devreden kaldırılır
4. Devre tekrar çizilir
AC eşdeğer

BİR DEVRENİN PARAMETRELERİNİ TANIMLANMASI
Giriş Empedansı : Zi
Çıkış Empedansı : Zo
𝑉𝑜
Gerilim kazancı : 𝐴𝑣 =
𝑉𝑖

"re" MODELİ
• BJT'ler temelde akım kontrollü cihazlardır; bu nedenle re modeli, transistörün

davranışını elde etmek için bir diyot ve bir akım kaynağı kullanır.
• Bu modelin bir dezavantajı, DC seviyesine duyarlılığıdır. Bu model belirli devre
koşulları için tasarlanmıştır.

"re" MODELİ
Ortak Emiterli devre:

Bu devrenin karakteristiği birkaç yaklaşım ile oluşturulabilir.
• Girişe uygulanan Vi gerilimi VBE’ ye eşit olur. Bu durumda giriş akımı IB’dir.
Girişin eşdeğeri
Devrenin giriş karakteristiğindeki akımın IE emiter akımı olduğu

hatırlanırsa devreye IE akımını oluşturacak bir bileşen eklenmelidir

"re" MODELİ

Devreye IE akımını oluşturacak bir bileşen eklemek: (IE ve IB arasında IB = IC ≅ 𝛃 IE
eşitliği göz önüne alınırsa)

"re" MODELİ

Diyot için daha önceki bölümlerde kullandığımız direnç ifadesi kullanılırsa
diyot için kullanılan
« re » modeli için kullanılacak
olur.

"re" MODELİ

Giriş empedansı da bulunduğuna göre IE akımını oluşturacak bileşenle beraber yerine
yazılırsa
Ortak emiterli devre için geliştirilmiş BJT eşdeğer devresi elde edilmiş olur

"re" MODELİ (ro)

Gerçekte, özellikler şekildeki gibi
ideal görünüme sahip değildir.
Aksine, cihazın çıkış empedansını
tanımlayan bir eğime sahiptirler.

"re" MODELİ (ro)

• Eğim ne kadar dik olursa, çıkış
empedansı o kadar az ve
transistör o kadar ideal olur.
• Genel olarak, bir tasarımın bir
sonraki aşamasını yüklemekten
kaçınmak için büyük çıkış
empedanslarına sahip olması
istenir.
Eğrilerin eğimi yatay eksene

ulaşana kadar uzatılırsa,
hepsinin «Early gerilimi»
adı verilen bir voltajda
kesişeceği görülür.

"re" MODELİ (ro)

Early voltajı (VA), uygulanan kollektör-emiter voltaj ile karşılaştırıldığında yeterince
büyüktür.
Açıkça, VA sabit bir voltaj olduğundan kolektör akımı ne kadar büyük olursa, çıkış
empedansı o kadar az olur.
Early voltajının mevcut olmadığı durumlarda, çıkış empedansı, aşağıdaki denklem

kullanılarak herhangi bir baz veya kollektör akımındaki özelliklerden bulunabilir:

"re" MODELİ
ro ile beraber ortak emiterli devrenin re modeli

"re" MODELİ
Ortak bazlı devre:

ortak emiterli devrede kullanılan giriş, çıkış devresi yaklaşımı kullanılarak re modeli
elde edilebilir. Fakat kullanılacak bağımlı akım kaynağının yönünün ortak emiterli
devreye göre ters olacağı unutulmamalıdır.

"re" MODELİ
Ortak bazlı devre:

ortak emiterli devrede kullanılan giriş, çıkış devresi yaklaşımı kullanılarak re modeli
elde edilebilir. Fakat kullanılacak bağımlı akım kaynağının yönünün ortak emiterli
devreye göre ters olacağı unutulmamalıdır.
Giriş empedansları çok düşüktür. Çıkış empedansları ro ise birkaç mega ohm seviyesindedir.
"re" MODELİ
Ortak kollektölü devre:

Model olarak genellikle ortak emiterli devre kullanılmaktadır

"re" MODELİ
Ortak emiterli sabit ön gerilimlemeli devre:
Kaynaklar ve kapasiteler
çıkarıldıktan sonra
• Giriş baza uygulanır

• Çıkış Emiterden
• Yüksek giriş empedansı
• Düşük çıkış empedansı
• Yüksek voltaj ve akım kazancı
• Giriş ve çıkış arasındaki faz kayması 180

"re" MODELİ
Giriş
empedansı
Çıkış
ise empedansı

"re" MODELİ
Gerilim
Kazancı

"re" MODELİ
İfadedeki « – » işaret giriş ile

çıkış arasında 180o faz farkı
olduğu anlamına gelmektedir

"re" MODELİ
Akım
Kazancı

"re" MODELİ
Ortak emiterli gerilim bölücü ön gerilimlemeli devre:

"re" MODELİ
Ortak emiterli gerilim bölücü ön gerilimlemeli devre: Zi, Zo, Av, Ai
Çıkış
Giriş empedansı
empedansı

"re" MODELİ
Ortak emiterli gerilim bölücü ön gerilimlemeli devre: Zi, Zo, Av, Ai
Gerilim
Kazancı
Akım
Kazancı

"re" MODELİ
Ortak emiterli «emiter dirençli (emiter)» ön gerilimlemeli devre:

Bu devre emiterinde direnç bulunduğu halde by-pass kapasitörü olan ve olmayan iki
devre şeklinde incelenir. İlk olarak by-pass kapasitörü olmayan devre için;

"re" MODELİ

devrenin giriş kısmından yola çıkarak Zi;
Olur ve 𝛽 1’den çok büyük olduğundan
ve RE değeri re’den büyük olduğundan
yazılabilir ve sonuç olarak giriş empedansı elde edilir.

"re" MODELİ
Ortak emiterli «emiter dirençli (emiter)» ön

gerilimlemeli devre:
devrenin çıkışı empedansı ise Vi’nin 0’a eşitlenip
Ib=0 durumu için çözülür ve ro etkisi ihmal
edilirse 𝛽Ib kaynağı açık devre olur böylece;
olarak elde edilir.

"re" MODELİ

Gerilim kazancı ifadesi
Zb’nin durumuna göre

"re" MODELİ

Akım kazancı ifadesi
Gerilim kazancına bağlı akım kazancı ifadesi

"re" MODELİ

Eğer «ro» dahil edilseydi «giriş empedansı»;
olurdu. ama
RC/ro değerinin 𝛽+1’den çok küçük olduğu durum
ve durumları dikkate alınırsa
daha önce elde ettiğimiz Zb değerine ulaşılabilir.

"re" MODELİ

Eğer «ro» dahil edilseydi «çıkış empedansı»;
olurdu.
ro ≫ re olduğundan
Şeklinde düzenlenebilir. Ve RC’nin ro’dan çok küçük olduğu

dikkate alınırsa
elde edilebilir

"re" MODELİ

Eğer «ro» dahil edilseydi «gerilim kazancı»;
olurdu.
ro ≫ re olduğundan

"re" MODELİ
Ortak emiterli «emiter dirençli (emiter)» ön

gerilimlemeli devre:
Eğer «ro» dahil edilseydi «akım kazancı»; daha
önce elde edilen akım kazancı ifadesinde Zb
yerine ro’ın dahil edildiği Zb değeri yazılır

"re" MODELİ
Emiter izleyici (ortak kollektörlü) yapı:

"re" MODELİ

Giriş empedansı

"re" MODELİ

Çıkış empedansı
ya da
Vi sıfıra çekilirse elde edilir
RE ≫ re
"re" MODELİ

Gerilim kazancı

"re" MODELİ

Akım kazancı

"re" MODELİ

Parametreler (Zi, Zo, Av ve Ai) üzerine «ro» etkisi
ve
ve
ro’ın akım kazancını oluşturan diğer

bileşenlere olan ektisi dolaylı olarak akım
kazancını da etkiler

"re" MODELİ
Ortak Bazlı yapı:

"re" MODELİ
Ortak Bazlı yapı:
Giriş empedansı
Akım kazancı
Gerilim
kazancı

"re" MODELİ
Ortak Bazlı yapı:

«ro» etkisi
Ortak bazlı yapıda ro mega ohm seviyesindedir ve ro//RC=RC olacak şekilde bir katkıda bulunur

"re" MODELİ
Kollektör geri beslemeli yapı:

"re" MODELİ
Giriş empedansı

"re" MODELİ
Giriş empedansı

"re" MODELİ

"re" MODELİ
Gerilim kazancı

"re" MODELİ
Akım kazancı

"re" MODELİ
«ro»’ın Giriş empedansına etkisi

"re" MODELİ
«ro»’ın Giriş empedansına etkisi

"re" MODELİ
«ro»’ın Çıkış empedansına etkisi

"re" MODELİ
«ro»’ın Gerilim kazancına etkisi

"re" MODELİ
«ro»’ın Akım kazancına etkisi eklenecek
(ödev)

"re" MODELİ
Emiter dirençli Kollektör geri beslemeli yapı:
Ortak emiterli emiter öngerilimlemeli devrenin eşdeğerine ek olarak baz ve kollektör
terminalleri arsında bir RF geri besleme direnci eklenir.
- RF +

"re" MODELİ
Emiter dirençli Kollektör geri beslemeli yapı:
Av, Zi, Zo
- RF +

"re" MODELİ
Kollektör DC geri beslemeli yapı:

"re" MODELİ
Giriş ve çıkış empedansı
Giriş empedansı

"re" MODELİ
Gerilim kazancı (Av)

"re" MODELİ
Akım kazançlarının belirlenmesi:
Şimdiye kadar olan kısımlarda bazı devreler için akım kazançları verilse de bazı devreler
için bu ifadelere yer verilmedi. Bunun nedeni Akım kazancı gerilim kazancı ile tanımlı
yük ve giriş direnci ile doğrudan hesaplanabilir olmasıdır.
Gerilim kazancı kullanılarak Akım kazancının belirlenmesi

"re" MODELİ
Akım kazançlarının belirlenmesi:
𝑉𝑖 𝑉𝑜
𝐼𝑖 = 𝑣𝑒 𝐼𝑜 = −
𝑍𝑖 𝑅𝐶
𝑉𝑜
𝐼𝑜 𝑅𝐶 𝑉𝑜 𝑍𝑖
𝐴𝑖 = = =− .
𝐼𝑖 𝑉𝑖 𝑉𝑖 𝑅𝐶 Gerilim kazancı kullanılarak Akım kazancının belirlenmesi
𝑍𝑖
𝑍𝑖
𝐴𝑖 = −𝐴𝑣 şeklinde elde edilebilir.
𝑅𝐶

RL ve RS’nin ETKİSİ
Bu kısma kadar yükseltece ait olan bütün parametreler yüksüz yükselteç için ve giriş
geriliminin doğrudan transistör terminaline bağlı olduğu durumda belirlendi.
• Şimdi ise transistörün girişine iç dirence sahip bir kaynak çıkışına bir yük eklenmesi
durumu dikkate alınacak
Yüksüz kazanç
RL yükü olması durumunda ki kazanç
Hem RL yükü hem de RS yükü olması durumunda ki kazanç


• RL yüklü durumdaki kazanç her zaman yüksüz durumdaki kazançtan küçüktür.

• Kaynak direnci Rs’nin varlığında elde edilen direnç hem yüklü hem yüksüz
durumdaki kazançtan küçüktür. AVNL > AVL > AVS
• Bir devre için RL ne kadar büyük olursa AC kazanç o kadar büyük olur. (RL’nin
büyük olması demek devrenin çıkışının açık devreye yaklaşması demektir)
• Benzer şekilde Rs ne kadar küçükse AC kazanç o kadar büyük olur. (Rs’nin küçük
olması demek devrenin girişinin kısa devreye yaklaşması demektir)

Sabit ön gerilimlemeli devre:

Sabit ön gerilimlemeli devre:

DARLİNGTON BAĞLANTI
• İki tane eklem transistörün, daha yüksek bir akım kazancına sahip tek bir transistör
gibi davranabileceği bağlantıdır.
• Bu bağlantı türü ile elde edilen kazanç her bir transistörün kazançlarının çarpımı
şeklindedir
Eğer 𝛽1 = 𝛽2 ise
𝛽D = 𝛽 2

DARLİNGTON BAĞLANTILI EMİTER İZLEYİCİ DEVRE

• Giriş empedansı

• Akım kazancı

• Gerilim kazancı

• Çıkış empedansı



DARLİNGTON BAĞLANTILI SABİT ÖN GERİLİMLEMELİ DEVRE
• Giriş empedansı

• Akım kazancı

• Gerilim kazancı ve Çıkış empedansı

GERİ BESLEME ÇİFTİ
Darlington bağlantısına benzer çalışan iki transistörlü bir devredir.

• npn transistörünü bir pnp transistörü sürer
• Her ikisi beraber bir pnp transistörü gibi çalışır.
• Çok yüksek akım kazancı sağlar.

Dc ön gerilimleme

Giriş empedansı

Giriş empedansı

Akım kazancı

Gerilim kazancı


İKİ KAPILI SİSTEM YAKLAŞIMI
Bir önceki kısma alternatif olarak

• Yüksüz yapıdaki bileşenlere sahip bir yükselteç içerir.
• Kazanç, giriş ve çıkış empedansları bilinir.
• Uygulanan yük ve kaynak direncinin etkisi kolaylıkla hesaplanır.
İki kapılı sistemin iç elemanlarının

İki kapılı sistem
yerleştirilmesi
ZTh = Zo = Ro

İKİ KAPILI SİSTEM YAKLAŞIMI

İKİ KAPILI SİSTEM YAKLAŞIMI (RL Etkisi)
İki kapılı bir sistemin Zi ve AVNL parametreleri Rs

Her zaman 1’de küçüktür.
kaynak direncinden etkilenmez. Ama çıkış
empedansı Zo etkilenebilir.

İKİ KAPILI SİSTEM YAKLAŞIMI (RS Etkisi)

İKİ KAPILI SİSTEM YAKLAŞIMI (RL ve RS Etkisi)

KARMA (hybrid) EŞDEĞER MODEL
• re modeli gerçek çalışma koşullarınca tanımlanırken

• karma eşdeğer devrenin parametreleri, herhangi bir çalışma koşulunun terimleriyle
tanımlanır. Başka bir deyişle karma parametreler gerçek çalışma koşullarını yansıtmayabilir
fakat hangi çalışma koşullarında olursa olsun parametrelerin beklenen seviyeleri hakkında
bir bulgu sağlar.
• re modelinin eksikliği çıkış empedansı ve geri besleme elemanları gibi parametrelerin
kullanılabilir olmamasıdır.
• karma eşdeğer transistör belirtim sayfalarındaki bütün parametreleri üretmektedir.

• İki kapılı sistem
Hem Vi Giriş gerilimini hem de Çıkış akımını Giriş akımı ve Çıkış gerilimi ile ilişkilendirmek için
kullanılan parametrelere Karma (hybrid) yada h parametreleri denmektedir.

• h parametreleri
Çıkış kısa devre yapılırsa (Vo = 0) Çıkış kısa devre yapılırsa (Vo = 0)
kısa devre giriş empedansı elde açık devre ileri aktarım akım
edilir oranı elde edilir
ohm birimsiz
Giriş açık devre yapılırsa (Ii = 0) Giriş açık devre yapılırsa (Ii = 0)
açık devre geri aktarım gerilim açık devre çıkı admitansı elde
oranı elde edilir edilir
birimsiz siemens

• h parametreleri
İfadesindeki bütün terimlerin birimi volt olduğu için bu denkleme uyan
bir devre bulunabilir. bu kısımda h11’in birimi ohm olduğu için ve h12
birimsiz olduğundan devre şekildeki gibi tasarlanabilir.

• h parametreleri
Benzer şekilde ifadedeki bütün terimlerin birimi akım biriminde olduğu
için bu denkleme uyan bir devre de bulunabilir. h22’in birimi siemens ve
h22 birimsiz olduğundan devre şekildeki gibi tasarlanabilir.

• h parametreleri
Bu iki devre birleştirilir ve parametreler tekrar isimlendirilirse
h11 giriş (input) direnci ……………………………→ hi
h12 geri (reverse) aktarım gerilim oranı….............→ hr
h21 ileri (forward) aktarım akım oranı…………...→ hf
h22 çıkış (output) iletkenliği……………………….→ ho

• Ortak emiterli devre

• Ortak bazlı devre

YAKLAŞIK KARMA (hybrid) EŞDEĞER MODEL
• Ortak emiter ve ortak bazlı devre için:

• hr ve ho parametrelerinin kullanılmaması Zi,Zo,Av,Ai değerlerini pek fazla etkilemez.
• hr kısa devre
• ho açık devre yapılabilir
Elde edilen yaklaşık karma eşdeğer model

• re ve karma eşdeğer modeller arasında geçiş

• Sabit ön gerilimlemeli yapı:

• Sabit ön gerilimlemeli yapı: Zi, Zo, Av, Ai

• Gerilim bölücü yapı: Zi, Zo, Av, Ai
Sabit ön gerilimlemeli yapının karma modelinde RB direnci yerine R’= R1//R2 direnci gelecek

• Gerilim bölücü RE direnci by-pass edilmemiş yapı: Zi, Zo, Av, Ai

Otrak emiterli RE direnci by-pass edilmemiş devrenin re
modelinin aynısı olacak sadece 𝛽re yerine hie ve 𝛽Ib yerine hfeIb
olacak.

• Emiter izleyici yapı: Zi, Zo, Av, Ai

Devrenin re modelinde 𝛽re yerine hie ve 𝛽 yerine hfe
yazılması ile elde edilebilir

• Emiter izleyici yapı: Zi, Zo, Av, Ai

• Ortak bazlı yapı: Zi, Zo, Av, Ai

TAM KARMA (hybrid) EŞDEĞER MODEL
• Ortak Emiterli, Ortak Bazlı ve Ortak Kollektörlü yapılar için aynı olduğundan elde
edilen ifadeler herhangi bir yapıya uygulanabilir:

• Akım kazancı

• Gerilim kazancı

• Giriş Empedansı

• Çıkış Empedansı

KARMA 𝜋 MODELİ
• Yüksek frekans etkilerini modelleyen ve diğer iki modelde bulunmayan parametreleri içerir
• Kapasiteler aygıtın eklemleri arsındaki kaçak parazitik kapasitanslardır. Düşük ve orta
frekanslarda açık devredirler. Pikofarad mertebesindedirler.
• rb direnci; bazın gerçek bağlantı direnci, dış terminalden aktif bölgeye olan, aktif baz
bölgesinin dirençlerini ihtiva eder.
• r𝜋, ru ve ro ; aygıt aktif bölgedeyken belirtilen terminaller arsındaki dirençlerdir.

TRANSİSTÖR PARAMETRELERİNİN DEĞİŞİMİ
Kollektör akımının değişimine karşı çizilen transistör parametrelerinde en az değişen

hfe (𝛽)

Kollektör – Emiter eklem geriliminin değişimine karşı çizilen transistör parametrelerinde en

az değişen hfe (𝛽)

Transistörün karma eşdeğer devresinin bütün parametreleri sıcaklıkla birlikte artar


Analog Elektronik: Bölüm 5 (Bjt'Lerin Ac Analizi)

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Analog Elektronik: Bölüm 5 (Bjt'Lerin Ac Analizi)

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

ANALOG

• Bir model, transistörün AC özelliklerini gösteren eşdeğer bir

ANALOG ELEKTRONİK- ÖMER ÇOBAN & TEVHİT KARACALI 5.10.2020 2

1. Bütün DC kaynaklar sıfıra eşitlenir ve kısa devre eşdeğeri konulur

ANALOG ELEKTRONİK- ÖMER ÇOBAN & TEVHİT KARACALI 5.10.2020 3

ANALOG ELEKTRONİK- ÖMER ÇOBAN & TEVHİT KARACALI 5.10.2020 4

• BJT'ler temelde akım kontrollü cihazlardır; bu nedenle re modeli, transistörün

ANALOG ELEKTRONİK- ÖMER ÇOBAN & TEVHİT KARACALI 5.10.2020 5

Ortak Emiterli devre:

Devrenin giriş karakteristiğindeki akımın IE emiter akımı olduğu

ANALOG ELEKTRONİK- ÖMER ÇOBAN & TEVHİT KARACALI 5.10.2020 6

Ortak Emiterli devre:

ANALOG ELEKTRONİK- ÖMER ÇOBAN & TEVHİT KARACALI 5.10.2020 7

Ortak Emiterli devre:

diyot için kullanılan

« re » modeli için kullanılacak

ANALOG ELEKTRONİK- ÖMER ÇOBAN & TEVHİT KARACALI 5.10.2020 8

Ortak Emiterli devre:

ANALOG ELEKTRONİK- ÖMER ÇOBAN & TEVHİT KARACALI 5.10.2020 9

Ortak Emiterli devre:

ANALOG ELEKTRONİK- ÖMER ÇOBAN & TEVHİT KARACALI 5.10.2020 10

Ortak Emiterli devre:

Eğrilerin eğimi yatay eksene

ANALOG ELEKTRONİK- ÖMER ÇOBAN & TEVHİT KARACALI 5.10.2020 11

Ortak Emiterli devre:

Early voltajının mevcut olmadığı durumlarda, çıkış empedansı, aşağıdaki denklem

ANALOG ELEKTRONİK- ÖMER ÇOBAN & TEVHİT KARACALI 5.10.2020 12

ro ile beraber ortak emiterli devrenin re modeli

ANALOG ELEKTRONİK- ÖMER ÇOBAN & TEVHİT KARACALI 5.10.2020 13

Ortak bazlı devre:

ANALOG ELEKTRONİK- ÖMER ÇOBAN & TEVHİT KARACALI 5.10.2020 14

Ortak bazlı devre:

Ortak kollektölü devre:

ANALOG ELEKTRONİK- ÖMER ÇOBAN & TEVHİT KARACALI 5.10.2020 16

Ortak emiterli sabit ön gerilimlemeli devre:

• Giriş baza uygulanır

ANALOG ELEKTRONİK- ÖMER ÇOBAN & TEVHİT KARACALI 5.10.2020 17

Ortak emiterli sabit ön gerilimlemeli devre:

ANALOG ELEKTRONİK- ÖMER ÇOBAN & TEVHİT KARACALI 5.10.2020 18

Ortak emiterli sabit ön gerilimlemeli devre:

ANALOG ELEKTRONİK- ÖMER ÇOBAN & TEVHİT KARACALI 5.10.2020 19

Ortak emiterli sabit ön gerilimlemeli devre:

İfadedeki « – » işaret giriş ile

ANALOG ELEKTRONİK- ÖMER ÇOBAN & TEVHİT KARACALI 5.10.2020 20

Ortak emiterli sabit ön gerilimlemeli devre:

ANALOG ELEKTRONİK- ÖMER ÇOBAN & TEVHİT KARACALI 5.10.2020 21

Ortak emiterli gerilim bölücü ön gerilimlemeli devre:

ANALOG ELEKTRONİK- ÖMER ÇOBAN & TEVHİT KARACALI 5.10.2020 22

Ortak emiterli gerilim bölücü ön gerilimlemeli devre: Zi, Zo, Av, Ai

ANALOG ELEKTRONİK- ÖMER ÇOBAN & TEVHİT KARACALI 5.10.2020 23

Ortak emiterli gerilim bölücü ön gerilimlemeli devre: Zi, Zo, Av, Ai

ANALOG ELEKTRONİK- ÖMER ÇOBAN & TEVHİT KARACALI 5.10.2020 24

Ortak emiterli «emiter dirençli (emiter)» ön gerilimlemeli devre:

ANALOG ELEKTRONİK- ÖMER ÇOBAN & TEVHİT KARACALI 5.10.2020 25

Ortak emiterli «emiter dirençli (emiter)» ön gerilimlemeli devre:

Olur ve 𝛽 1’den çok büyük olduğundan

ve RE değeri re’den büyük olduğundan

yazılabilir ve sonuç olarak giriş empedansı elde edilir.

ANALOG ELEKTRONİK- ÖMER ÇOBAN & TEVHİT KARACALI 5.10.2020 26

Ortak emiterli «emiter dirençli (emiter)» ön

olarak elde edilir.

ANALOG ELEKTRONİK- ÖMER ÇOBAN & TEVHİT KARACALI 5.10.2020 27

Ortak emiterli «emiter dirençli (emiter)» ön gerilimlemeli devre: